KR20220072209A - 에지 링 어셈블리 및 기판 처리 장치 - Google Patents

Abstract

기판 처리 장치가 개시된다. 일 예에서, 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버와; 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 처리 공간 내로 처리 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및 처리 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 유닛을 포함하고, 지지 유닛은, 기판이 놓이며 유전체로 제공되는 유전판; 유전판의 안착면에 놓인 기판을 둘러싸도록 제공되며 지지 유닛으로부터 착탈 가능하게 제공되는 에지 링 어셈블리를 포함하되, 에지 링 어셈블리는, 유전판의 안착면에 놓인 기판의 둘레를 감싸는 포커스링; 포커스링의 하부에서 유전판의 둘레를 감싸며 내부에 가스 도입 공간이 형성되는 이너링; 및 가스 도입 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급 부재를 포함하고, 가스 공급 부재는, 가스 도입 공간으로 가스를 공급하는 가스 라인과; 가스 라인에 설치되어 가스 공급원으로부터 가스 도입 공간으로 공급되는 가스의 공급 여부 및 공급 유량을 조절하는 가스 공급 조절 밸브와; 가스 공급 조절 밸브를 제어하는 제어기를 포함하며, 포커스링은 다공성 재질로 제공될 수 있다.

Description

에지 링 어셈블리 및 기판 처리 장치{EDGE RING ASSEMBLY AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}

본 발명은 기판을 플라즈마 처리하는데 이용되는 에지 링 어셈블리와 이를 가지는 기판 처리 장치에 관한 것이다.

기판의 처리 공정에는 플라즈마가 이용될 수 있다. 예를 들어, 식각, 증착 또는 드라이 클리닝 공정에 플라즈마가 사용될 수 있다. 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성되며, 플라즈마는 이온이나 전자, 라디칼등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 플라즈마를 이용한 드라이 크리닝, 애싱, 또는 마모 공정은 플라즈마에 포함된 이온 또는 라디칼 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다.

플라즈마를 이용한 기판 처리 장치는 챔버, 지지 유닛, 플라즈마 소스를 포함할 수 있다. 지지 유닛은 플라즈마가 기판을 향하게 하기 위하여 기판을 둘러싸도록 배치되는 에지 링 어셈블리를 포함할 수 있다.

플라즈마가 공급되는 챔버 내에는, 플라즈마와 챔버 또는 기판의 반응 등으로 인하여 플라즈마의 분포도가 균일하지 않다. 이에, 기판의 가장 자리 영역은 식각이 잘 이루어지지 않는 문제가 있다.

또한, 챔버 내에 위치된 기판을 플라즈마를 이용하여 처리한 후 챔버 내 불순물 등을 제거하기 위하여 챔버의 클리닝 공정을 진행하여야 한다. 다만, 챔버의 클리닝 공정 진행 시 공정 가스에 의해 에지 링 어셈블리의 표면이 식각되는 문제가 있다.

본 발명은 플라즈마를 이용하여 기판을 균일하게 처리하기 위한 에지 링 어셈블리 및 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.

또한, 본 발명은 플라즈마를 이용하여 기판을 처리한 후, 기판이 위치되었던 챔버 내 불순물을 제거하기 위한 클리닝 공정에서 에지 링 어셈블리의 식각을 방지하기 위한 에지 링 어셈블리 및 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 예에서, 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버와; 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 처리 공간 내로 처리 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및 처리 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 유닛을 포함하고, 지지 유닛은, 기판이 놓이며 유전체로 제공되는 유전판; 유전판의 안착면에 놓인 기판을 둘러싸도록 제공되며 지지 유닛으로부터 착탈 가능하게 제공되는 에지 링 어셈블리를 포함하되, 에지 링 어셈블리는, 유전판의 안착면에 놓인 기판의 둘레를 감싸는 포커스링; 포커스링의 하부에서 유전판의 둘레를 감싸며 내부에 가스 도입 공간이 형성되는 이너링; 및 가스 도입 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급 부재를 포함하고, 가스 공급 부재는, 가스 도입 공간으로 가스를 공급하는 가스 라인과; 가스 라인에 설치되어 가스 공급원으로부터 가스 도입 공간으로 공급되는 가스의 공급 여부 및 공급 유량을 조절하는 가스 공급 조절 밸브와; 가스 공급 조절 밸브를 제어하는 제어기를 포함하며, 포커스링은 다공성 재질로 제공될 수 있다.

일 예에서, 에지 링 어셈블리는, 이너링 하부에 위치하며 절연체로 제공되는 절연링을 더 포함하고, 가스 라인은 절연링을 상하로 관통하도록 제공될 수 있다.

일 예에서, 가스는 산소 가스(O2), 6플루오르화부틴 가스(C4F6) 또는 8플루오르화부텐 가스(C4F8) 중 어느 하나로 제공되고, 제어기는, 기판이 처리되는 동안 가스 도입 공간으로 가스를 공급하도록 가스 공급 조절 밸브를 제어할 수 있다.

일 예에서, 가스 도입 공간은 안착면에 놓인 기판과 인접하게 제공될 수 있다.

일 예에서, 가스는 헬륨 가스(He) 또는 사염화실리콘 가스(SiCl4)로 제공되고, 제어기는, 기판의 처리가 끝난 후에 가스 도입 공간으로 가스를 공급하도록 가스 공급 조절 밸브를 제어할 수 있다.

일 예에서, 가스는 제1군에 속하는 가스 또는 제2군에 속하는 가스 중 어느 하나로 제공되고, 제어기는, 기판이 처리되는 동안 가스 도입 공간으로 제1군에 속하는 가스를 공급하도록 가스 공급 조절 밸브를 제어할 수 있다.

일 예에서, 제어기는, 기판의 처리가 끝난 후에 가스 도입 공간으로 제2군에 속하는 가스를 공급하도록 가스 공급 조절 밸브를 제어할 수 있다.

일 예에서, 기판이 처리되는 동안 가스 도입 공간은 제1부피를 가지도록 제공되고, 기판의 처리가 끝난 후에 가스 도입 공간은 제2부피를 가지도록 제공되며, 제2부피는 제1부피보다 크게 제공될 수 있다.

일 예에서, 제1군에 속하는 가스는 산소 가스(O2), 6플루오르화부틴 가스(C4F6) 또는 8플루오르화부텐 가스(C4F8) 중 어느 하나로 제공되고, 제2군에 속하는 가스는 헬륨 가스(He) 또는 사염화실리콘 가스(SiCl4)로 제공될 수 있다.

또한, 본 발명은 에지 링 어셈블리를 제공한다. 일 예에서, 에지 링 어셈블리는, 기판의 둘레를 감싸는 포커스링; 포커스링의 하부에 위치하며 내부에 가스 도입 공간이 형성되는 이너링; 및 가스 도입 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급 부재를 포함하고, 가스 공급 부재는, 가스 도입 공간으로 가스를 공급하는 가스 라인과; 가스 라인에 설치되어 가스 공급원으로부터 가스 도입 공간으로 공급되는 가스의 공급 여부 및 공급 유량을 조절하는 가스 공급 조절 밸브와; 가스 공급 조절 밸브를 제어하는 제어기를 포함하며, 포커스링은 다공성 재질로 제공될 수 있다.

일 예에서, 이너링 하부에 위치하며 절연체로 제공되는 절연링을 더 포함하고, 가스 라인은 절연링을 상하로 관통하도록 제공될 수 있다.

일 예에서, 가스는 산소 가스(O2), 6플루오르화부틴 가스(C4F6) 또는 8플루오르화부텐 가스(C4F8) 중 어느 하나로 제공되고, 제어기는, 기판이 처리되는 동안 가스 도입 공간으로 가스를 공급하도록 가스 공급 조절 밸브를 제어할 수 있다.

일 예에서, 가스 도입 공간은 기판과 인접하게 제공될 수 있다.

일 예에서, 가스는 헬륨 가스(He) 또는 사염화실리콘 가스(SiCl4)로 제공되고, 제어기는, 기판의 처리가 끝난 후에 가스 도입 공간으로 가스를 공급하도록 가스 공급 조절 밸브를 제어할 수 있다.

일 예에서, 가스는 제1군에 속하는 가스 또는 제2군에 속하는 가스 중 어느 하나로 제공되고, 제어기는, 기판이 처리되는 동안 가스 도입 공간으로 제1군에 속하는 가스를 공급하도록 가스 공급 조절 밸브를 제어할 수 있다.

일 예에서, 제어기는, 기판의 처리가 끝난 후에 가스 도입 공간으로 제2군에 속하는 가스를 공급하도록 가스 공급 조절 밸브를 제어할 수 있다.

일 예에서, 기판이 처리되는 동안 가스 도입 공간은 제1부피를 가지도록 제공되고, 기판의 처리가 끝난 후에 가스 도입 공간은 제2부피를 가지도록 제공되며, 제2부피는 제1부피보다 크게 제공될 수 있다.

일 예에서, 제1군에 속하는 가스는 산소 가스(O2), 6플루오르화부틴 가스(C4F6) 또는 8플루오르화부텐 가스(C4F8) 중 어느 하나로 제공되고, 제2군에 속하는 가스는 헬륨 가스(He) 또는 사염화실리콘 가스(SiCl4)로 제공될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 플라즈마를 이용하여 기판을 균일하게 처리할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리한 후, 기판이 위치되었던 챔버 내 불순물을 제거하기 위한 클리닝 공정에서 에지 링 어셈블리의 식각을 방지할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 에지 링 어셈블리 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 절연링을 상부에서 바라본 모습을 나타내는 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따라 가스 공급 부재가 가스를 공급하는 모습을 나타내는 도면이다.
도 5 내지 도 6은 각각 본 발명의 다른 실시 예에 따른 에지 링 어셈블리를 나타내는 단면도이다.

본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술 되는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적인 사전들에 의해 정의된 용어들은 관련된 기술 그리고/혹은 본 출원의 본문에 의미하는 것과 동일한 의미를 갖는 것으로 해석될 수 있고, 그리고 여기서 명확하게 정의된 표현이 아니더라도 개념화되거나 혹은 과도하게 형식적으로 해석되지 않을 것이다.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다' 및/또는 이 동사의 다양한 활용형들 예를 들어, '포함', '포함하는', '포함하고', '포함하며' 등은 언급된 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 본 명세서에서 '및/또는' 이라는 용어는 나열된 구성들 각각 또는 이들의 다양한 조합을 가리킨다.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 일 예에서, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(620), 지지 유닛(200), 샤워 헤드(300), 가스 공급 유닛(400), 배기 배플(500), 플라즈마 발생 유닛(600) 그리고 에지 링 어셈블리(240)를 포함할 수 있다.

챔버(620)는 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간(101)을 제공한다. 일 예에서, 챔버(620)는 밀폐된 형상으로 제공될 수 있다. 일 예에서, 챔버(620)는 금속 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 챔버(620)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(620)는 접지될 수 있다. 챔버(620)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성될 수 있다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결될 수 있다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 챔버의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 일 예에서, 배기 라인(151)에는 감압 부재(미도시)가 설치될 수 있다. 감압 부재(미도시)에 의해 챔버(620)의 내부는 소정 압력으로 감압될 수 있다.

일 예에 의하면, 챔버(620) 내부에는 라이너(130)가 제공될 수 있다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 라이너(130)는 챔버(620)의 내측면과 접촉하도록 제공될 수 있다. 라이너(130)는 챔버(620)의 내측벽을 보호하여 챔버(620)의 내측벽이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 불순물이 챔버(620)의 내측벽에 증착되는 것을 방지할 수 있다. 선택적으로, 라이너(130)는 제공되지 않을 수도 있다.

챔버(620)의 내부에는 지지 유닛(200)이 위치할 수 있다. 지지 유닛(200)은 기판(W)을 지지한다. 일 예에서, 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척을 포함하도록 제공될 수 있다. 이와 달리, 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다. 이하에서는 지지 유닛(200)은 정전 척(210)을 포함하는 것으로 설명한다.

지지 유닛(200)은 정전 척(210), 하부 커버(250) 그리고 플레이트(270)를 포함할 수 있다. 일 예에서, 지지 유닛(200)은 챔버(620) 내부에서 챔버(620)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치할 수 있다.

정전 척(210)은 유전판(220)과 몸체(230)를 갖는다. 정전 척(210)은 기판(W)을 지지한다. 유전판(220)의 상면에 기판(W)이 놓인다. 이하, 기판(W)이 놓이는 유전판(220)의 상면을 안착면으로 칭한다. 유전판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공될 수 있다. 일 예에서, 유전판(220)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 이에, 기판(W)의 가장자리 영역은 유전판(220)의 외부에 위치할 수 있다. 유전판(220)은 내부에 제1 전극(223), 가열 유닛(225) 그리고 제1 공급 유로(221)를 포함할 수 있다. 제1 공급 유로(221)는 유전판(220)의 상면으로부터 저면으로 제공될 수 있다. 제1 공급 유로(221)는 서로 이격되어 복수 개 형성되며, 기판(W)의 저면으로 열전달 매체가 공급되는 통로로 제공될 수 있다. 제1 전극(223)은 제1 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전원(223a)은 직류 전원을 포함할 수 있다. 제1 전극(223)과 제1 전원(223a) 사이에는 스위치(223b)가 설치될 수 있다. 제1 전극(223)은 스위치(223b)의 온/오프(ON/OFF)에 의해 제1 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위치(223b)가 온(ON)되면, 제1 전극(223)에는 직류 전류가 인가될 수 있다. 제1 전극(223)에 인가된 전류에 의해 제1 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 유전판(220)에 흡착될 수 있다.

가열 유닛(225)은 제1 전극(223)의 하부에 위치할 수 있다. 가열 유닛(225)은 제2 전원(225a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 가열 유닛(225)은 제2 전원(225a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킬 수 있다. 발생한 열은 유전판(220)을 통해 기판(W)으로 전달될 수 있다. 가열 유닛(225)에서 발생한 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지될 수 있다. 가열 유닛(225)은 나선 형상의 코일을 포함할 수 있다.

유전판(220)의 하부에는 몸체(230)가 위치할 수 있다. 유전판(220)의 저면과 몸체(230)의 상면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다. 몸체(230)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 몸체(230)의 상면은 중심 영역이 가장자리 영역보다 높게 위치되도록 위치할 수 있다. 몸체(230)의 상면 중심 영역은 유전판(220)의 저면에 상응하는 면적을 가지며, 유전판(220)의 저면과 접착될 수 있다. 몸체(230)는 내부에 제1 순환 유로(231), 제2 순환 유로(232) 그리고 제2 공급 유로(233)가 형성될 수 있다.

제1 순환 유로(231)는 열전달 매체가 순환하는 통로로 제공될 수 있다. 제1 순환 유로(231)는 몸체(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제1 순환 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제1 순환 유로(231)들은 서로 연통될 수 있다. 제1 순환 유로(231)들은 동일한 높이에 형성될 수 있다.

제2 순환 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공될 수 있다. 제2 순환 유로(232)는 몸체(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제2 순환 유로(232)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제2 순환 유로(232)들은 서로 연통될 수 있다. 제2 순환 유로(232)는 제1 순환 유로(231)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 제2 순환 유로(232)들은 동일한 높이에 형성될 수 있다. 제2 순환 유로(232)는 제1 순환 유로(231)의 하부에 위치될 수 있다.

제2 공급 유로(233)는 제1 순환 유로(231)부터 상부로 연장되며, 몸체(230)의 상면으로 제공될 수 있다. 제2 공급 유로(221)는 제1 공급 유로(221)에 대응하는 개수로 제공되며, 제1 순환 유로(231)와 제1 공급 유로(221)를 연결할 수 있다.

제1 순환 유로(231)는 열전달 매체 공급라인(231b)을 통해 열전달 매체 저장부(231a)와 연결될 수 있다. 열전달 매체 저장부(231a)에는 열전달 매체가 저장될 수 있다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함할 수 있다. 헬륨 가스는 공급 라인(231b)을 통해 제1 순환 유로(231)에 공급되며, 제2 공급 유로(233)와 제1 공급 유로(221)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급될 수 있다. 헬륨 가스는 플라즈마에서 기판(W)으로 전달된 열이 정전 척(210)으로 전달되는 매개체 역할을 할 수 있다.

제2 순환 유로(232)는 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유체 저장부(232a)와 연결될 수 있다. 냉각 유체 저장부(232a)에는 냉각 유체가 저장될 수 있다. 냉각 유체 저장부(232a) 내에는 냉각기(232b)가 제공될 수 있다. 냉각기(232b)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킬 수 있다. 이와 달리, 냉각기(232b)는 냉각 유체 공급 라인(232c) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 제2 순환 유로(232)에 공급된 냉각 유체는 제2 순환 유로(232)를 따라 순환하며 몸체(230)를 냉각할 수 있다. 몸체(230)는 냉각되면서 유전판(220)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킬 수 있다.

몸체(230)는 금속판을 포함할 수 있다. 일 예에 의하면, 몸체(230) 전체가 금속판으로 제공될 수 있다.

하부 커버(250)는 지지 유닛(200)의 하단부에 위치할 수 있다. 하부 커버(250)는 챔버(620)의 바닥면에서 상부로 이격하여 위치할 수 있다. 하부 커버(250)는 상면이 개방된 공간(255)이 내부에 형성될 수 있다. 하부 커버(250)의 외부 반경은 몸체(230)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(250)의 내부 공간(255)에는 반송되는 기판(W)을 외부의 반송 부재로부터 정전 척(210)으로 이동시키는 리프트 핀 모듈(미도시) 등이 위치할 수 있다. 리프트 핀 모듈(미도시)은 하부 커버(250)로부터 일정 간격 이격하여 위치할 수 있다. 하부 커버(250)의 저면은 금속 재질로 제공될 수 있다. 하부 커버(250)의 내부 공간(255)은 공기가 제공될 수 있다. 공기는 절연체보다 유전율이 낮으므로 지지 유닛(200) 내부의 전자기장을 감소시키는 역할을 할 수 있다.

하부 커버(250)는 연결 부재(253)를 가질 수 있다. 연결 부재(253)는 하부 커버(250)의 외측면과 챔버(620)의 내측벽을 연결할 수 있다. 연결 부재(253)는 하부 커버(250)의 외측면에 일정한 간격으로 복수 개 제공될 수 있다. 연결 부재(253)는 지지 유닛(200)을 챔버(620) 내부에서 지지할 수 있다. 또한, 연결 부재(253)는 챔버(620)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(250)가 전기적으로 접지되도록 할 수 있다. 제1 전원(223a)과 연결되는 제1 전원라인(223c), 제2 전원(225a)과 연결되는 제2 전원라인(225c), 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된 열전달 매체 공급라인(231b) 그리고 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된 냉각 유체 공급 라인(232c) 등은 연결 부재(253)의 내부 공간(255)을 통해 하부 커버(250) 내부로 연장될 수 있다.

정전 척(210)과 하부 커버(250)의 사이에는 플레이트(270)가 위치할 수 있다. 플레이트(270)는 하부 커버(250)의 상면을 덮을 수 있다. 플레이트(270)는 몸체(230)에 상응하는 단면적으로 제공될 수 있다. 플레이트(270)는 절연체를 포함할 수 있다. 일 예에 의하면, 플레이트(270)는 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 플레이트(270)는 몸체(230)와 하부 커버(250)의 전기적 거리를 증가시키는 역할을 할 수 있다.

샤워 헤드(300)는 챔버(620) 내부에서 지지 유닛(200)의 상부에 위치할 수 있다. 샤워 헤드(300)는 지지 유닛(200)과 대향하게 위치할 수 있다. 일 예에서, 샤워 헤드(300)는 가스 분산판(310)과 지지부(330)를 포함할 수 있다. 가스 분산판(310)은 챔버(620)의 상면에서 하부로 일정거리 이격되어 위치할 수 있다. 가스 분산판(310)과 챔버(620)의 상면은 그 사이에 일정한 공간이 형성될 수 있다. 가스 분산판(310)은 두께가 일정한 판 형상으로 제공될 수 있다. 가스 분산판(310)의 저면은 플라즈마에 의한 아크 발생을 방지하기 위하여 그 표면이 양극화 처리될 수 있다. 가스 분산판(310)의 단면은 지지 유닛(200)과 동일한 형상과 단면적을 가지도록 제공될 수 있다. 가스 분산판(310)은 복수 개의 분사홀(311)을 포함할 수 있다. 분사홀(311)은 가스 분산판(310)의 상면과 하면을 수직 방향으로 관통할 수 있다. 가스 분산판(310)은 금속 재질을 포함할 수 있다.

지지부(330)는 가스 분산판(310)의 측부를 지지할 수 있다. 지지부(330)는 상단이 챔버(620)의 상면과 연결되고, 하단이 가스 분산판(310)의 측부와 연결될 수 있다. 지지부(330)는 비금속 재질을 포함할 수 있다.

가스 공급 유닛(400)은 챔버(620) 내부에 공정 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 유닛(400)은 가스 공급 노즐(410), 가스 공급 라인(420), 그리고 가스 저장부(430)를 포함할 수 있다. 가스 공급 노즐(410)은 챔버(620)의 상면 중앙부에 설치될 수 있다. 가스 공급 노즐(410)의 저면에는 분사구가 형성될 수 있다. 분사구는 챔버(620) 내부로 공정 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 라인(420)은 가스 공급 노즐(410)과 가스 저장부(430)를 연결할 수 있다. 가스 공급 라인(420)은 가스 저장부(430)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(410)에 공급할 수 있다. 가스 공급 라인(420)에는 밸브(421)가 설치될 수 있다. 밸브(421)는 가스 공급 라인(420)을 개폐하며, 가스 공급 라인(420)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절할 수 있다.

배기 배플(500)은 챔버(620)의 내측벽과 지지 유닛(200)의 사이에 위치될 수 있다. 배기 배플(500)은 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 배기 배플(500)에는 복수의 관통홀들이 형성될 수 있다. 챔버(620) 내에 제공된 공정 가스는 배기 배플(500)의 관통홀들을 통과하여 배기홀(102)로 배기될 수 있다. 배기 배플(500)의 형상 및 관통홀들의 형상에 따라 공정 가스의 흐름이 제어될 수 있다.

플라즈마 발생 유닛(600)은 챔버(620) 내 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킬 수 있다. 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 플라즈마 발생 유닛(600)은 유도 결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 타입으로 구성될 수 있다. 이 경우, 도 1에 도시된 바와 같이, 플라즈마 발생 유닛(600)은 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원(610), 고주파 전원에 전기적으로 연결되어 고주파 전력을 인가받는 제1 코일(621) 및 제2 코일(622)을 포함할 수 있다.

본 명세서에 있어서 설명되는 플라즈마 발생 유닛(600)은 유도 결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 타입으로 설명되었으나, 이에 제한되지 않으며 용량 결합형 플라즈마(CCP: Capacitively coupled plasma) 타입으로 구성될 수도 있다.

CCP 타입의 플라즈마 소스가 사용되는 경우, 챔버(620)에 상부 전극 및 하부 전극, 즉 몸체가 포함될 수 있다. 상부 전극 및 하부 전극은 처리 공간(101)을 사이에 두고 서로 평행하게 상하로 배치될 수 있다. 하부 전극뿐만 아니라 상부 전극도 RF 전원에 의해 RF 신호를 인가받아 플라즈마를 생성하기 위한 에너지를 공급받을 수 있으며, 각 전극에 인가되는 RF 신호의 수는 도시된 바와 같이 하나로 제한되지는 않는다. 양 전극 간의 공간에는 전기장이 형성되고, 이 공간에 공급되는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다. 이 플라즈마를 이용하여 기판 처리 공정이 수행된다.

제1 코일(621) 및 제2 코일(622)은 기판(W)에 대향하는 위치에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 코일(621) 및 제2 코일(622)은 챔버(620)의 상부에 설치될 수 있다. 제1 코일(621)의 직경은 제2 코일(622)의 직경보다 작아 챔버(620) 상부의 안쪽에 위치하고, 제2 코일(622)은 챔버(620) 상부의 바깥쪽에 위치할 수 있다. 제1 코일(621) 및 제2 코일(622)은 고주파 전원(610)으로부터 고주파 전력을 인가받아 챔버에 시변 자기장을 유도할 수 있으며, 그에 따라 챔버(620)에 공급된 공정 가스는 플라즈마로 여기될 수 있다.

에지 링 어셈블리(240)는 정전 척(210)의 가장자리 영역에 배치될 수 있다. 에지 링 어셈블리(240)은 링 형상을 가지며, 유전판(220)의 둘레를 따라 배치될 수 있다. 에지 링 어셈블리(240)는 기판(W)의 전체 영역에서 플라즈마의 밀도가 균일하게 분포하도록 전자기장을 제어할 수 있다. 이에 의해, 기판(W)의 전체 영역에 걸쳐 플라즈마가 균일하게 형성되어 기판(W)의 각 영역이 균일하게 식각될 수 있다.

이하, 도 2를 참조하여, 에지 링 어셈블리(240)에 대해 상세히 설명한다. 도 2를 참조하면, 에지 링 어셈블리(240)는 포커스링(241), 이너링(243), 볼트링(244), 커버링(246), 절연링(245) 및 가스 공급 부재(700)를 포함할 수 있다. 포커스링(241)은 플라즈마를 기판(W)으로 집중시키는 역할을 한다. 포커스링(241)은 링 형상으로 제공되며, 유전판(220)의 둘레를 따라 배치된다. 일 예에서, 포커스링(241)은 절연링(245)의 상부에 놓인다. 일 예에서, 포커스링(241)은 도전성 소재로 제공될 수 있다. 일 예에서, 포커스링(241)의 재질은 규소(Si), 탄화규소(SiC)등으로 제공될 수 있다. 일 예에서, 포커스링(241)은 다공성으로 제공된다. 예컨대, 포커스링(241)은, 탄화규소(SiC)로 제공되고 미세한 구멍을 가지도록 가공될 수 있다.

이너링(243)은 포커스링(241)의 하부에서 유전판(220)의 둘레를 감싸도록 제공된다. 이너링(243)은 금속 재질로 제공될 수 있다. 일 예에서, 이너링(243)은 포커스링(241)과 동일한 재질로 제공될 수 있다. 이너링(243)의 내부에는 가스 도입 공간(2431)이 형성된다. 후술하는 가스 공급 부재(700)는 가스 도입 공간(2431)으로 가스를 공급한다. 가스 도입 공간(2431)으로 공급된 가스는 다공성으로 제공된 포커스링(241)을 통해 처리 공간(101)으로 공급된다. 일 예에서, 가스 도입 공간(2431)의 부피와 위치는 후술하는 가스의 종류 또는 용도에 따라 상이하게 제공될 수 있다.

커버링(246)은 포커스링(241)과 이너링(243)의 외측 방향의 상면에 놓여, 포커스링(241)의 외측 상면을 보호한다. 일 예에서, 커버링(246)은 표면이 이온 강화되어 내식성(내플라즈마성)이 향상된 쿼츠 소재로 제공된다.

일 예에서, 이너링(243)의 아래쪽에는 절연링(245)이 제공될 수 있다. 절연링(245)은 절연 재질로 제공되어 포커스링(241) 및 이너링(243)을 정전 척(210)의 하부의 모듈들과 전기적으로 절연시킬 수 있다. 예컨대, 절연링(245)은 유전판(220)과 포커스링(241) 그리고 이너링(243)을 전기적으로 절연시켜준다. 절연링(245)은 유전체 재료, 예컨대 쿼츠, 또는 세라믹, 이트륨 산화물(Y2O3), 또는 알루미나 (Al2O3), 또는 폴리머로 이루어질 수 있다. 선택적으로, 절연링(245)은 생략될 수 있다. 볼트링(244)은 포커스링(241)과 이너링(243)을 절연링(245)에 고정시킨다. 일 예에서, 볼트링(244)은 포커스링(241)과 커버링(246) 사이에 제공된다.

가스 공급 부재(700)는 가스 도입 공간(2431)으로 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 부재(700)는 가스 라인(710), 가스 공급원(720) 및 가스 공급 조절 밸브(730)를 포함할 수 있다. 일 예에서, 도 2 내지 도 3에 도시된 바와 같이 가스 라인(710)은 절연링(245)을 상하로 관통하되 가스 도입 공간(2431)과 연통되도록 제공될 수 있다. 일 예에서, 절연링(245)의 복수의 영역에 가스 라인(710)이 제공될 수 있다. 절연링(245)의 상부에서 바라볼 때 절연링(245)의 복수의 영역에 홀이 형성될 수 있으며, 각 홀에는 가스 라인(710)이 제공될 수 있다. 가스 공급원(720)은 가스 라인(710)으로 가스를 공급하며, 가스 공급 조절 밸브(730)는 가스 라인(710)으로 공급되는 가스의 공급량을 조절할 수 있다.

가스 공급원(720)은 필요에 따라 다른 종류의 가스를 공급하도록 제공될 수 있다. 일 예에서, 가스는, 제1군에 속하는 가스와 제2군에 속하는 가스로 제공될 수 있다. 예컨대, 제1군에 속하는 가스는 산소 가스(O2), 6플루오르화부틴 가스(C4F6) 또는 8플루오르화부텐 가스(C4F8) 중 어느 하나로 제공되고, 제2군에 속하는 가스는 헬륨 가스(He) 또는 사염화실리콘 가스(SiCl4)로 제공될 수 있다.

일 예에서, 가스 공급원(720)은 챔버(620) 내에서 기판 처리 공정을 수행할 때, 제1군에 속하는 가스 중 적어도 하나를 공급하여, 기판의 가장자리 영역에서 공정 효율을 향상시킬 수 있다. 구체적으로, 기판 처리 공정 진행시 기판의 가장자리 영역에서 공정에 필요한 가스가 불균일하게 공급되어 공정 효율이 감소할 수 있는데, 본 발명은 가스 라인(710)을 통해 포커스링(241)의 표면으로 공정에 필요한 가스인 제1군에 속하는 가스를 추가로 공급하여 공정 효율을 향상시킬 수 있다.

일 예에서, 가스 공급원(720)은 기판의 처리 공정이 종료된 이후에, 챔버(620)의 클리닝 공정을 수행할 때, 제2군에 속하는 가스를 공급하여 포커스링(241)의 표면을 플라즈마로부터 보호할 수 있다. 즉, 챔버(620)의 클리닝 공정 시 포커스링(241)의 표면으로 제2군에 속하는 가스를 공급하여 포커스링(241)의 표면이 식각되는 것을 방지할 수 있다.

일 예에서, 기판이 처리되는 동안, 제1군의 가스가 도입되고 이때에 가스 도입 공간(2431)은 안착면에 놓인 기판(W)과 인접하게 제공될 수 있다. 이에 따라, 기판(W)의 가장자리 영역으로 제1군의 가스가 원활히 공급될 수 있다.

일 예에서, 기판(W)이 처리되는 동안 가스 도입 공간(2431)은 제1부피를 가지도록 제공되고, 기판(W)의 처리가 끝난 후에 가스 도입 공간(2431)은 제2부피를 가지도록 제공되며, 제2부피는 제1부피보다 크게 제공될 수 있다. 일 예에서, 제1부피는 도 2에 도시된 가스 도입 공간(2431)과 같은 부피를 가지고, 제2부피는 도 5에 도시된 가스 도입 공간(2431)과 같은 부피를 가지도록 제공될 수 있다. 예컨대, 가스 도입 공간(2431)과 포커스링(241)과 접하는 면적은, 기판(W)이 처리되는 동안의 가스 도입 공간(2431)의 면적보다 기판(W)의 처리가 끝난 후의 가스 도입 공간(2431)의 면적이 크게 제공될 수 있다. 이에 따라, 포커스링(241)의 상부에 골고루 제2군에 속하는 가스가 공급될 수 있도록 한다.

이하, 도 4를 참조하여 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 설명하도록 한다. 기판 지지 유닛(200)에 기판(W)이 놓이면, 제1 전원(223a)으로부터 제1 전극(223)에 직류 전류가 인가될 수 있다. 제1 전극(223)에 인가된 직류 전류에 의해 제1 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 정전 척(210)에 흡착될 수 있다.

기판(W)이 정전 척(210)에 흡착되면, 가스 공급 노즐(410)을 통하여 챔버(620) 내부에 공정 가스가 공급될 수 있다. 공정 가스는 샤워 헤드(300)의 분사홀(311)을 통하여 챔버(620)의 내부 영역으로 균일하게 분사될 수 있다. 고주파 전원에서 생성된 고주파 전력은 플라즈마 소스에 인가될 수 있으며, 그로 인해 챔버(620) 내에 전자기력이 발생할 수 있다. 전자기력은 기판 지지 유닛(200)과 샤워 헤드(300) 사이의 공정 가스를 플라즈마로 여기시킬 수 있다. 플라즈마는 기판(W)으로 제공되어 기판(W)을 처리할 수 있다. 플라즈마는 식각 공정을 수행할 수 있다.

도 4를 참조하면, 처리 공간(101)에서 플라즈마 상태의 가스를 이용하여 처리 공정이 이루어지는 동안에, 제1군에 속하는 가스를 가스 도입 공간(2431)으로 공급한다. 가스 도입 공간(2431)으로 공급된 가스는 다공성으로 제공된 포커스링(241)을 통해 처리 공간(101)으로 공급된다. 포커스링(241)에 형성된 미세한 홀을 통해 가스는 처리 공간(101)으로 고르게 분포된다. 기판(W)이 처리되는 동안 제1부피의 가스 도입 공간(2431)을 가지는 이너링(243)이 제공된다. 가스 도입 공간(2431)은 기판(W)의 가장자리 영역과 인접하게 제공되는 바, 기판(W)의 전 영역이 균일하게 식각되도록 한다.

이후, 기판 처리 공정이 종료되면, 제2부피의 가스 도입 공간(2431)을 가지는 이너링(243)으로 교체한다. 기판 처리 공정이 종료되면, 챔버를 클리닝한다. 챔버를 클리닝하는 동안, 가스 도입 공간(2431)으로 제2군의 가스가 공급된다. 제2군의 가스는 에지 링 어셈블리(240)가 식각되는 것을 방지한다.

상술한 예에서는, 가스 도입 공간(2431)이 제1부피 또는 제2부피를 가지는 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리 도 6에 도시된 바와 같이 가스 도입 공간(2431)은 제1부피보다 작은 부피를 가지도록 제공될 수 있다. 선택적으로, 가스 도입 공간(2431)은 가스의 종류나 용도 또는 공급 시기에 다라 그 위치와 부피를 다양하게 변경할 수 있다.

이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시 예들도 본 발명의 범위에 속할 수 있음을 이해하여야 한다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에 도시된 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 반대로 여러 개로 분산된 구성 요소들은 결합되어 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명에 대하여까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.

10: 기판 처리 장치
200: 지지 유닛
210: 정전 척
220: 유전판
230: 몸체
240: 에지 링 어셈블리
241: 포커스링
243: 이너링
245: 절연 링
700: 가스 공급 부재
710: 가스 라인
720: 가스 공급원
730: 가스 공급 조절 밸브

Claims (18)

1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
   내부에 처리 공간을 가지는 챔버와;
   상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
   상기 처리 공간 내로 처리 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및
   상기 처리 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 유닛을 포함하고,
   상기 지지 유닛은,
   상기 기판이 놓이며 유전체로 제공되는 유전판;
   상기 유전판의 안착면에 놓인 기판을 둘러싸도록 제공되며 상기 지지 유닛으로부터 착탈 가능하게 제공되는 에지 링 어셈블리를 포함하되,
   상기 에지 링 어셈블리는,
   상기 유전판의 안착면에 놓인 상기 기판의 둘레를 감싸는 포커스링;
   상기 포커스링의 하부에서 상기 유전판의 둘레를 감싸며 내부에 가스 도입 공간이 형성되는 이너링; 및
   상기 가스 도입 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급 부재를 포함하고,
   상기 가스 공급 부재는,
   상기 가스 도입 공간으로 상기 가스를 공급하는 가스 라인과;
   상기 가스 라인에 설치되어 가스 공급원으로부터 상기 가스 도입 공간으로 공급되는 가스의 공급 여부 및 공급 유량을 조절하는 가스 공급 조절 밸브와;
   상기 가스 공급 조절 밸브를 제어하는 제어기를 포함하며,
   상기 포커스링은 다공성 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
2. 제1항에 있어서,
   상기 에지 링 어셈블리는,
   상기 이너링 하부에 위치하며 절연체로 제공되는 절연링을 더 포함하고,
   상기 가스 라인은 상기 절연링을 상하로 관통하도록 제공되는 기판 처리 장치.
3. 제1항에 있어서,
   상기 가스는 산소 가스(O2), 6플루오르화부틴 가스(C4F6) 또는 8플루오르화부텐 가스(C4F8) 중 어느 하나로 제공되고,
   상기 제어기는,
   상기 기판이 처리되는 동안 상기 가스 도입 공간으로 상기 가스를 공급하도록 상기 가스 공급 조절 밸브를 제어하는 기판 처리 장치.
4. 제3항에 있어서,
   상기 가스 도입 공간은
   상기 안착면에 놓인 상기 기판과 인접하게 제공되는 기판 처리 장치.
5. 제1항에 있어서,
   상기 가스는 헬륨 가스(He) 또는 사염화실리콘 가스(SiCl4)로 제공되고,
   상기 제어기는,
   상기 기판의 처리가 끝난 후에 상기 가스 도입 공간으로 상기 가스를 공급하도록 상기 가스 공급 조절 밸브를 제어하는 기판 처리 장치.
6. 제1항에 있어서,
   상기 가스는 제1군에 속하는 가스 또는 제2군에 속하는 가스 중 어느 하나로 제공되고,
   상기 제어기는,
   상기 기판이 처리되는 동안 상기 가스 도입 공간으로 상기 제1군에 속하는 가스를 공급하도록 상기 가스 공급 조절 밸브를 제어하는 기판 처리 장치.
7. 제6항에 있어서,
   상기 제어기는,
   상기 기판의 처리가 끝난 후에 상기 가스 도입 공간으로 상기 제2군에 속하는 가스를 공급하도록 상기 가스 공급 조절 밸브를 제어하는 기판 처리 장치.
8. 제7항에 있어서,
   상기 기판이 처리되는 동안 상기 가스 도입 공간은 제1부피를 가지도록 제공되고,
   상기 기판의 처리가 끝난 후에 상기 가스 도입 공간은 제2부피를 가지도록 제공되며,
   상기 제2부피는 상기 제1부피보다 크게 제공되는 기판 처리 장치.
9. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 제1군에 속하는 가스는 산소 가스(O2), 6플루오르화부틴 가스(C4F6) 또는 8플루오르화부텐 가스(C4F8) 중 어느 하나로 제공되고,
   상기 제2군에 속하는 가스는 헬륨 가스(He) 또는 사염화실리콘 가스(SiCl4)로 제공되는 기판 처리 장치.
10. 플라즈마 장치 내에 놓인 기판을 감싸도록 제공되는 에지 링 어셈블리에 있어서,
    상기 기판의 둘레를 감싸는 포커스링;
    상기 포커스링의 하부에 위치하며 내부에 가스 도입 공간이 형성되는 이너링; 및
    상기 가스 도입 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급 부재를 포함하고,
    상기 가스 공급 부재는,
    상기 가스 도입 공간으로 상기 가스를 공급하는 가스 라인과;
    상기 가스 라인에 설치되어 가스 공급원으로부터 상기 가스 도입 공간으로 공급되는 가스의 공급 여부 및 공급 유량을 조절하는 가스 공급 조절 밸브와;
    상기 가스 공급 조절 밸브를 제어하는 제어기를 포함하며,
    상기 포커스링은 다공성 재질로 제공되는 에지 링 어셈블리.
11. 제10항에 있어서,
    상기 이너링 하부에 위치하며 절연체로 제공되는 절연링을 더 포함하고,
    상기 가스 라인은 상기 절연링을 상하로 관통하도록 제공되는 에지 링 어셈블리.
12. 제10항에 있어서,
    상기 가스는 산소 가스(O2), 6플루오르화부틴 가스(C4F6) 또는 8플루오르화부텐 가스(C4F8) 중 어느 하나로 제공되고,
    상기 제어기는,
    상기 기판이 처리되는 동안 상기 가스 도입 공간으로 상기 가스를 공급하도록 상기 가스 공급 조절 밸브를 제어하는 에지 링 어셈블리.
13. 제12항에 있어서,
    상기 가스 도입 공간은
    상기 기판과 인접하게 제공되는 에지 링 어셈블리.
14. 제10항에 있어서,
    상기 가스는 헬륨 가스(He) 또는 사염화실리콘 가스(SiCl4)로 제공되고,
    상기 제어기는,
    상기 기판의 처리가 끝난 후에 상기 가스 도입 공간으로 상기 가스를 공급하도록 상기 가스 공급 조절 밸브를 제어하는 에지 링 어셈블리.
15. 제10항에 있어서,
    상기 가스는 제1군에 속하는 가스 또는 제2군에 속하는 가스 중 어느 하나로 제공되고,
    상기 제어기는,
    상기 기판이 처리되는 동안 상기 가스 도입 공간으로 상기 제1군에 속하는 가스를 공급하도록 상기 가스 공급 조절 밸브를 제어하는 에지 링 어셈블리.
16. 제15항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 기판의 처리가 끝난 후에 상기 가스 도입 공간으로 상기 제2군에 속하는 가스를 공급하도록 상기 가스 공급 조절 밸브를 제어하는 에지 링 어셈블리.
17. 제16항에 있어서,
    상기 기판이 처리되는 동안 상기 가스 도입 공간은 제1부피를 가지도록 제공되고,
    상기 기판의 처리가 끝난 후에 상기 가스 도입 공간은 제2부피를 가지도록 제공되며,
    상기 제2부피는 상기 제1부피보다 크게 제공되는 에지 링 어셈블리.
18. 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1군에 속하는 가스는 산소 가스(O2), 6플루오르화부틴 가스(C4F6) 또는 8플루오르화부텐 가스(C4F8) 중 어느 하나로 제공되고,
    상기 제2군에 속하는 가스는 헬륨 가스(He) 또는 사염화실리콘 가스(SiCl4)로 제공되는 기판 처리 장치.
    

Images