KR20220070964A - 본딩 설비에서 기판 상에 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 222
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 91
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 41
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 21
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
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- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
본 발명의 실시예는 동시에 복수개의 칩을 기판상에 본딩할 수 있는 장치를 제공한다. 본 발명의 실시예에 따른 본딩 설비는 복수개의 칩이 안착된 기판을 수용하는 용기가 안착되는 로딩부와, 상기 로딩부에 안착된 용기로부터 상기 기판을 반출하는 기판 이송부와, 상기 기판 이송부로부터 제공된 상기 기판 상에 상기 복수개의 칩을 본딩하는 기판 처리부와, 상기 복수개의 칩이 본딩된 기판의 상부에 합착된 필름을 제거하는 필름 제거부와, 상기 필름이 제거된 기판을 상기 기판 이송부로부터 수신하고, 상기 처리된 기판 상에 본딩된 칩을 검사하는 기판 검사부를 포함한다. 상기 기판 처리부는, 상부 베셀과, 상기 상부 베셀에 결합함으로써 상기 기판의 처리 공간을 형성하는 하부 베셀과, 상기 상부 베셀과 상기 하부 베셀을 클램핑하는 클램핑 부재와, 상기 상부 베셀과 상기 하부 베셀 사이에 구비되고, 상기 처리 공간을 밀폐시키는 씰링 부재와, 상기 상부 베셀로부터 일정 거리만큼 이격된 위치에 고정되며, 체결 부재를 통해 상기 상부 베셀과 결합되는 상부 플레이트와, 상기 상부 플레이트와 상기 상부 베셀 사이에 배치되는 탄성체와, 상기 하부 베셀을 승강시키는 승강 구동부를 포함한다.
Description
본 명세서는 본딩 설비에서 기판 상에 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 물리적 가압 없이 기판 상에 복수개의 칩을 동시에 본딩하기 위한 장치에 관한 것이다.
반도체(또는 디스플레이) 제조 공정은 기판(예: 웨이퍼) 상에 반도체 소자를 제조하기 위한 공정으로서, 예를 들어 노광, 증착, 식각, 이온 주입, 세정, 패키징 등을 포함한다. 특히, 패키징 공정에 있어서 적층된 칩들 간의 전기적 연결을 위한 와이어 본딩을 대체하는 기술로서, 칩에 미세한 구멍을 뚫고 해당 구멍에 전도체를 삽입하여 하부 칩과 상부 칩을 전기적으로 연결하는 TSV(Through Silicon Via) 기술이 소개되고 있다.
TSV 본딩 과정의 일환으로서, 기판 상에 반도체 소자(칩)를 본딩하는 공정이 수행될 수 있다. 일반적으로, 기판 상에 칩을 위치시킨 이후, 히터가 내장된 가압 장치(헤드)가 상부에서 열 에너지와 함께 물리적 힘을 사용하여 칩을 가압함으로써 칩을 기판상에 본딩할 수 있다. 여기서, 기판 상에 칩을 위치시키고 가접합하는 과정을 프리-본딩(Pre-Bonding), 물리적 가압을 통해 칩을 기판 상에 본딩시키는 과정을 포스트-본딩(Post-Bonding)으로 지칭될 수 있다.
한편, 반도체 제조 공정의 효율을 증대시키기 위하여 보다 신속하게 기판 상에 칩을 본딩하기 위한 방법이 요구되고 있다.
따라서, 본 발명의 실시예는 동시에 복수개의 칩을 기판상에 본딩할 수 있는 장치를 제공한다.
본 발명의 해결과제는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 해결과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 본딩 설비는, 복수개의 칩이 안착되고 상부에 필름이 합착된 기판을 수용하는 용기가 안착되는 로딩부와, 상기 로딩부에 안착된 용기로부터 상기 기판을 반출하는 기판 이송부와, 상기 기판 이송부로부터 제공된 상기 기판 상에 상기 복수개의 칩을 본딩하는 기판 처리부와, 상기 복수개의 칩이 본딩된 기판의 상부에 합착된 필름을 제거하는 필름 제거부와, 상기 필름이 제거된 기판을 상기 기판 이송부로부터 수신하고, 상기 처리된 기판 상에 본딩된 칩을 검사하는 기판 검사부를 포함한다. 여기서 상기 기판 처리부는, 상기 복수개의 칩이 상기 기판에 본딩될 수 있는 처리 공간을 제공하는 챔버와. 상기 처리 공간에 위치하여 상기 기판을 하부에서 지지하는 기판 안착부와, 상기 처리 공간으로 기체를 공급하는 기체 공급부와, 상기 처리 공간에 열 에너지를 제공하는 히터;를 포함한다. 상기 기체의 압력 및 상기 열 에너지에 의해 상기 복수개의 칩이 상기 기판에 본딩될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 체결 부재는, 상기 상부 베셀과의 결합을 위한 체결부와, 상기 상부 플레이트와 상기 상부 베셀 사이의 간격을 형성하는 볼트 로드부와, 상기 상부 플레이트의 상부에 플랜지부를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 본딩 설비는 상기 클램핑 부재를 수평 방향을 따라 이동시키기 위한 클램핑 구동부를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 클램핑 구동부는 상기 클램핑 부재의 하부면에 고정되어 수평 방향을 따라 이동하는 이동체와, 상기 이동체의 이동을 위한 경로를 제공하는 수평 가이드와, 상기 이동체가 상기 수평 가이드를 따라 이동할 수 있는 동력을 제공하는 클램핑 구동원을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 본딩 설비는 상기 상부 베셀에 삽입되어 상기 처리 공간의 온도를 제어하기 위한 온도 조절부를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 본딩 설비는 상기 하부 베셀에 삽입되어 상기 처리 공간의 온도를 제어하기 위한 온도 조절부를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 본딩 설비는 상기 하부 베셀에 형성되어 상기 처리 공간 내부로 비활성 기체를 주입하거나 배출하는 기압 조절부를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 본딩 설비는 상기 상부 베셀에 형성되어 상기 처리 공간 내부로 비활성 기체를 주입하거나 배출하는 기압 조절부를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 본딩 설비는 상기 상부 플레이트 및 상기 상부 베셀의 개폐를 위한 힌지 구동부를 더 포함하고, 상기 힌지 구동부는 프레임에 고정되어 힌지 구동축을 형성하는 힌지 바디부와, 상기 힌지 바디부에 결합되고 상기 힌지 구동축을 중심으로 힌지 구동하는 힌지 로드부와, 상기 힌지 로드부의 힌지 구동을 위한 동력을 생성하는 힌지 구동원과, 상기 상부 플레이트와 상기 힌지 로드부를 고정시키는 힌지 고정부를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 기판 처리부는 복수 개로 제공될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 본딩 설비는, 복수개의 칩이 안착된 기판을 수용하는 용기가 안착되는 로딩부와, 상기 로딩부에 안착된 용기로부터 상기 기판을 반출하는 기판 이송부와, 상기 기판 이송부로부터 제공된 상기 기판 상에 상기 복수개의 칩을 본딩하는 기판 처리부와, 상기 복수개의 칩이 본딩된 기판을 상기 기판 이송부로부터 수신하고, 상기 처리된 기판 상에 본딩된 칩을 검사하는 기판 검사부를 포함한다. 상기 기판 처리부는, 상부 베셀과, 상기 상부 베셀에 결합함으로써 상기 기판의 처리 공간을 형성하는 하부 베셀과, 상기 상부 베셀과 상기 하부 베셀을 클램핑하는 클램핑 부재와, 상기 상부 베셀과 상기 하부 베셀 사이에 구비되고, 상기 처리 공간을 밀폐시키는 씰링 부재와, 상기 상부 베셀로부터 일정 거리만큼 이격된 위치에 고정되며, 체결 부재를 통해 상기 상부 베셀과 결합되는 상부 플레이트와, 상기 상부 플레이트와 상기 상부 베셀 사이에 배치되는 탄성체와, 상기 하부 베셀을 승강시키는 승강 구동부를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 물리적 접촉 없이 기체의 압력과 열 에너지를 사용하여 신속하게 복수개의 칩을 기판상에 본딩할 수 있다.
본 발명의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 본딩 방법을 도시한다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 본딩 설비를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 2c는 적층형으로 구성된 기판 처리부를 도시한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치의 사시도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 본딩을 위한 기체가 공급되는 경우를 도시한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 클램핑 부재와 하부 베셀 사이의 간격을 도시한다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 클램핑 부재와 상부 베셀 사이의 간격을 도시한다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 숄더 볼트들의 배치 예를 도시한다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 고압 환경이 조성된 경우의 예를 도시한다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 상부 플레이트와 상부 베셀이 힌지 구동에 의해 개방된 경우의 예를 도시한다.
도 10a 내지 도 10c는 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 상부 플레이트와 상부 베셀이 개방되는 과정의 예를 도시한다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 본딩 설비에서 로딩부의 예를 도시한다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 본딩 설비에서 기판 이송부의 예를 도시한다.
도 13은 본 발명의 실시예에 따른 본딩 설비에서 기판 검사부의 예를 도시한다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 본딩 방법의 예를 도시한다.
도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 본딩 설비를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 16a 및 도 16b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 본딩 설비에서 기판 상의 필름을 제거하기 위한 필름 제거부의 예를 도시한다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 본딩 설비를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 2c는 적층형으로 구성된 기판 처리부를 도시한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치의 사시도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 본딩을 위한 기체가 공급되는 경우를 도시한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 클램핑 부재와 하부 베셀 사이의 간격을 도시한다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 클램핑 부재와 상부 베셀 사이의 간격을 도시한다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 숄더 볼트들의 배치 예를 도시한다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 고압 환경이 조성된 경우의 예를 도시한다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 상부 플레이트와 상부 베셀이 힌지 구동에 의해 개방된 경우의 예를 도시한다.
도 10a 내지 도 10c는 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 상부 플레이트와 상부 베셀이 개방되는 과정의 예를 도시한다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 본딩 설비에서 로딩부의 예를 도시한다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 본딩 설비에서 기판 이송부의 예를 도시한다.
도 13은 본 발명의 실시예에 따른 본딩 설비에서 기판 검사부의 예를 도시한다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 본딩 방법의 예를 도시한다.
도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 본딩 설비를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 16a 및 도 16b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 본딩 설비에서 기판 상의 필름을 제거하기 위한 필름 제거부의 예를 도시한다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적인 실시예에서만 설명하고, 그 외의 다른 실시예에서는 대표적인 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결(또는 결합)"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결(또는 결합)"되어 있는 경우뿐만 아니라, 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결(또는 결합)"된 것도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 본딩 방법을 도시한다. 일반적인 물리 가압식 본딩 방법과 달리, 본 발명의 실시예에 따른 본딩 방법은 기판의 처리 공간을 고온 및 고압 환경으로 조성하고, 고온 및 고압을 갖는 기체를 사용하여 기판(W) 상에 칩(C)을 본딩할 수 있다. 하나씩 칩(C)을 가압함으로써 본딩을 수행하는 기존의 물리 가압식 본딩 방법과 달리, 본 발명과 같이 고온 및 고압의 기체를 사용하여 기판(W) 상에 복수개의 칩(C)을 동시에 본딩할 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 본딩 설비를 개략적으로 나타내는 평면도이다. 도 2a는 본딩 설비에 하나의 챔버에 기판 처리부(230)가 구비된 경우를 나타내고, 도 2b는 본딩 설비에 2개의 챔버에 기판 처리부(230)가 구비된 경우를 나타낸다. 도 2a 및 도 2b의 본딩 설비는 칩(C)들이 가접합된 기판(W)을 수취하고, 고온 및 고압의 기체를 사용하여 기판(W) 상에 칩을 본딩하고, 이후의 처리를 위하여 칩들이 본딩된 기판(W)을 반출할 수 있다.
보다 구체적으로 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 본딩 설비는 복수개의 칩들이 안착된 기판(W)을 수용하는 용기가 안착되는 로딩부(210)와, 로딩부(210)에 안착된 용기로부터 기판을 반출하는 기판 이송부(220)와, 기판 이송부(220)로부터 제공된 기판(W)을 처리하는 기판 처리부(230)와, 기판 처리부(230)에 의해 처리된 기판(W)을 기판 이송부(220)로부터 수신하고, 처리된 기판(W) 상에 본딩된 칩들을 검사하는 기판 검사부(240)를 포함한다.
로딩부(210)는 본딩 설비로 기판(W)을 투입하거나, 처리된 기판(W)을 반출하기 위한 인터페이스로서, 로드 포트로 지칭될 수 있다. 로딩부(210)에 기판(W)이 수납된 용기가 안착된다. 로딩부(210)에 용기가 안착되는 포트는 복수개가 제공될 수 있으며, 포트들은 일정 방향을 따라 배열될 수 있다. 기판(W)을 수용하는 용기의 예로서, FOUP(front opening unified pod))이 사용될 수 있다.
기판 이송부(220)는 본딩 설비 내에서 기판(W)을 이송하는 장치로서, 기판(W)을 하부에서 지지하여 이송하는 기판 이송 로봇(224)과, 기판 이송 로봇(224)의 이동을 위한 경로를 제공하는 이동 가이드(222)를 포함할 수 있다. 이송 가이드(222)는 일정 방향을 따라 배치될 수 있다. 기판 이송 로봇(224)은 이송 가이드(222) 상에 설치되고, 이송 가이드(222)의 방향을 따라 이동할 수 있다.
기판 처리부(230)는 기판 이송부(220)로부터 제공된 기판(W)에 대한 처리를 수행할 수 있다. 기판 처리부(230)의 세부 구성 및 기판 처리부(230)에 의한 기판(W)의 처리 절차는 이후 설명된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 기판 처리부(230)는 하나 또는 그 이상의 챔버로 구성될 수 있다. 예를 들어, 도 2a에 도시된 것과 같이 하나의 챔버에 기판 처리부(230)가 구비될 수 있으며, 도 2b에 도시된 것과 같이 2개의 챔버에 각각 기판 처리부(230)가 구비될 수 있다. 도 2b와 같이 복수개의 기판 처리부(230)를 구성함으로써 동시에 2개의 기판(W)에 대한 본딩 처리를 수행할 수 있다. 즉, 기판 처리부(230)는 본딩 설비에 복수개로 제공될 수 있다. 한편, 도 2c와 같이 기판 처리부(230)는 복수개로 구성되며 적층형으로 배치될 수 있다. 도 2c를 참조하면, 챔버들이 적층형으로 제공되며, 제1 기판 처리부(230-1)가 상부의 챔버에, 제2 기판 처리부(230-2)가 하부의 챔버에 위치할 수 있다. 그리하여, 본딩 설비의 풋 프린트(Foot Print)를 저감하면서도 동시에 다수개의 웨이퍼에 대한 본딩을 수행할 수 있다. 즉, 기판 처리부(230)는 도 2b와 같이 수평 방향을 따라 복수개로 제공되거나, 도 2c와 같이 수직 방향을 따라 복수개로 제공될 수 있다.
기판 검사부(240)는 기판(W) 상에 칩(C)들이 설정된 위치에 정상적으로 본딩되었는지 검사할 수 있다. 기판 검사부(240)는 기판(W) 상의 칩(C)들을 촬상하여 검사를 수행하기 위한 비전 유닛(카메라)을 포함할 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치의 사시도이다. 도 3의 본딩 장치는 도 2의 기판 처리부(230)의 일 예에 해당할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 처리부(230)는, 상부 베셀(2302)과, 상부 베셀(2302)에 결합함으로써 기판(W)의 처리 공간을 형성하는 하부 베셀(2306)과, 상부 베셀(2302)과 하부 베셀(2306)을 클램핑하는 클램핑 부재(2308)와, 상부 베셀(2302)과 하부 베셀(2306) 사이에 구비되고 처리 공간을 밀폐시키는 씰링 부재(2337)와, 상부 베셀(2302)로부터 일정 거리만큼 이격된 위치에 고정되며, 체결 부재(2331)를 통해 상부 베셀(2302)과 결합되는 상부 플레이트(2303)와, 상부 플레이트(2303)와 상부 베셀(2302) 사이에 배치되는 탄성체(2332)와, 하부 베셀(2306)을 승강시키는 승강 구동부(2333)를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 체결 부재(2331)는 상부 베셀(2302)과의 결합을 위한 체결부(2331C)와, 상부 플레이트(2303)와 상부 베셀(2302) 사이의 간격을 형성하는 볼트 로드부(2331B)와, 상부 플레이트(2303)의 상부에 걸리도록 형성된 플랜지부(2331A)를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 기판 처리부(230)는 상부 베셀(2302)의 하부에 결합되어 기판(W)이 안착되는 기판 안착부(2305)를 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 기판 처리부(230)는 승강 구동부(2333)의 승강 높이를 제한하는 스토퍼(2334)를 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 클램핑 부재(2308)를 수평 방향을 따라 이동시키기 위한 클램핑 구동부(2311)를 더 포함한다. 여기서, 클램핑 구동부(2311)는 클램핑 부재(2308)의 하부면에 고정되어 수평 방향을 따라 이동하는 이동체(2312)와, 이동체(2312)의 이동을 위한 경로를 제공하는 수평 가이드(2313)와, 이동체(2312)가 수평 가이드(2313)를 따라 이동할 수 있는 동력을 제공하는 클램핑 구동원(2314)을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 기판 처리부(230)는 상부 베셀(2302) 또는 하부 베셀(2306)에 삽입되어 처리 공간의 온도를 제어하기 위한 온도 조절부(2304)를 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 기판 처리부(230)는 상부 베셀(2302) 또는 상기 하부 베셀(2306)에 형성되어 처리 공간 내부로 비활성 기체를 주입하거나 배출하는 기압 조절부(2309를 더 포함한다.
도 3을 참조하면, 기판(W)이 안착되는 기판 안착부(2305)가 하부에 결합된 상부 베셀(2302), 상부 베셀(2302)에 결합함으로써 기판(W)의 처리 공간을 형성하는 하부 베셀(2306), 상부 베셀(2302)과 하부 베셀(2306)을 클램핑하는 클램핑 부재(2308)와, 상부 베셀(2302)에 결합된 상부 플레이트(2303), 상부 베셀(2302)에 삽입되어 처리 공간의 온도를 제어하기 위한 온도 조절부(2304), 하부에서 제공되는 기체를 측면으로 유도하는 기류 유도부(2307), 지면(베이스)에 대해 고정되는 프레임(2310), 클램핑 부재(2308)를 수평 방향을 따라 이동시키기 위한 클램핑 구동부(2311), 그리고 상부 플레이트(2303)와 상부 베셀(2302)의 개폐를 위한 힌지 구동부(2320)가 제공된다.
클램핑 구동부(2311)는 클램핑 부재(2308)의 하부면에 고정되어 수평 방향을 따라 이동하는 이동체(2312)와, 이동체(2312)의 이동을 위한 경로를 제공하는 수평 가이드(2313)와, 이동체(2312)가 수평 가이드(2313)를 따라 이동할 수 있는 동력을 제공하는 클램핑 구동원(2314)을 포함할 수 있다. 도 3에 도시된 것과 같이, 클램핑 구동부(2311)가 클램핑 부재(2308)의 하부면에 구성함으로써, 클램핑 구동부(2311)를 클램핑 부재(2308)의 상부에 구성하는 경우에 비하여 본딩 장치를 제조하는 과정에서 클램핑 구동부(2311) 및 클램핑 부재(2308)의 높이 얼라인을 보다 용이하게 맞출 수 있다.
클램핑 구동부(2311)는 리니어 모터 및 LM(Linear Motion) 가이드에 의해 구현될 수 있다. 또한, 클램핑 구동부(2311)는 볼 스크류 방식에 의해 구현될 수 있는데, 이 경우 수평 가이드(2313)는 나사선으로 구성되고, 클램핑 구동원(2314)은 수평 가이드(2313)를 회전시킴으로써 이동체(2312)를 수평 방향을 따라 이동시킬 수 있다. 뿐만 아니라, 클램핑 구동부(2311)는 실린더에 의해 구현될 수 있다.
힌지 구동부(2320)는 프레임(2310)에 고정되어 힌지 구동축을 형성하는 힌지 바디부(2321)와, 힌지 바디부(2321)에 결합되고 힌지 구동축을 중심으로 힌지 구동하는 힌지 로드부(2322)와, 힌지 로드부(2322)의 힌지 구동을 위한 동력을 생성하는 힌지 구동원(2323)과, 상부 플레이트(2303)와 힌지 로드부(2324)를 고정시키는 힌지 고정부(2324)를 포함할 수 있다. 도 3에 도시된 것과 같이, 상부 플레이트(2303)와 상부 베셀(2302)이 힌지 구동을 통해 개방 또는 폐쇄되며, 본딩 장치에 대한 정비를 수행할 때 개별 모듈들을 분해 및 조립하는 과정없이도 힌지 구동을 통해 상부 플레이트(2303)와 상부 베셀(2302)을 개방하고 폐쇄함으로써 보다 용이하게 정비가 수행될 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치의 예를 도시한다. 도 4a 및 도 4b는 본딩 장치에서 상부 베셀(2302)과 하부 베셀(2306)이 결합되고 클램핑 부재(2308)에 의해 클램핑된 상태에서 기판(W)의 처리를 위하여 기체가 공급되는 경우를 나타낸다.
본 발명의 실시예에 따른 본딩 설비에서 기판(W) 상에 복수개의 칩(C)을 본딩하기 위한 장치는 복수개의 칩(C)이 기판(W)에 본딩될 수 있는 처리 공간에 위치하여 상기 기판을 하부에서 지지하는 기판 안착부(2305)와, 처리 공간으로 기체를 공급하는 기체 공급부와, 처리 공간에 열 에너지를 제공하는 히터(2304)를 포함하고, 기체의 압력 및 열 에너지에 의해 상기 복수개의 칩이 상기 기판에 본딩될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 본딩 장치는 처리 공간을 형성하는 상부 베셀(2302) 및 하부 베셀(2305)을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 기체 공급부는 하부 베셀(2305)에 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 히터(2304)는 상부 베셀(2302)에 삽입될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 본딩 장치는 상부 베셀(2302)과 하부 베셀(2305) 사이를 밀폐하기 위한 씰링 부재(2337)를 더 포함할 수 있다.
또한, 본딩 장치는 복수개의 칩(C)이 위치한 기판(W) 상부에 필름을 합착시키기 위한 라미네이터와, 복수개의 칩(C)의 본딩이 완료된 이후 기판(W)으로부터 필름을 제거하기 위한 디-라미네이터를 더 포함할 수 있다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 기판(W)이 안착된 상태에서 상부 베셀(2302)과 하부 베셀(2306)이 결합하여 처리 공간이 형성되며, 비활성 가스(예: N2 가스)가 처리 공간 내로 공급되어 기판(W)에 대한 본딩이 수행될 수 있다. 기판(W)이 투입될 때 하부 베셀(2302)은 하단 위치에 위치해 있고, 기판(W)이 안착된 이후 승강 구동부(2333)에 의해 하부 베셀(2302)이 승강할 수 있다. 승강 구동부(2333)는 실린더에 의해 구현될 수 있으며, 승강 높이를 제한하기 위한 스토퍼(2334)가 제공될 수 있다. 스토퍼(2334)는 하부 베셀(2302)이 승강할 수 있는 최대 높이를 제한하며, 그리하여 하부 베셀(2306)과 클램핑 부재(2308) 사이의 간격을 일정하게 유지할 수 있다.
하부 베셀(2306)이 승강한 이후, 클램핑 부재(2308)는 수평 가이드(LM 가이드)(2336)를 따라 이동하는 이동체(리니어 액츄에이터)(2335)에 의하여 고정 해제 위치로부터 결합 위치로 이동할 수 있다. 클램핑 부재(2308)의 이동에 의해 상부 베셀(2302)과 하부 베셀(2306)이 클램핑될 수 있다.
상부 플레이트(2303)와 상부 베셀(2302)은 체결 부재(숄더 볼트)(2331)에 의해 결합될 수 있다. 또한, 상부 플레이트(2303)와 상부 베셀(2302) 사이에 탄성체(2332)(예: 스프링)가 제공될 수 있다. 숄더 볼트(2331)에서 상부에 플랜지부(2331A), 하부에 체결부(2331C)가 형성되고, 플랜지부와 체결부 사이에 볼트 로드부(2331B)가 형성될 수 있다. 도 3을 참조하면, 숄더 볼트(2331)의 플랜지부(2331A)가 상부 플레이트(2303)의 상면에 걸리도록 구성되고, 숄더 볼트(2331)의 체결부(2331C)가 상부 베셀(2302)의 체결홀에 체결된다. 여기서, 숄더 볼트(2331)의 볼트 로드부(2331B)에 의해 상부 베셀(2302)은 상부 플레이트(2303)로부터 일정 간격만큼 이격된 상태로 위치할 수 있다. 숄더 볼트(2331)에 의해 상부 베셀(2302)의 위치가 결정됨으로써 상부 베셀(2302)과 클램핑 부재(2308) 사이의 간격이 유지될 수 있다.
기판(W)의 처리 공간 내에 기체가 주입되어 기압이 증가하면서 내부의 압력에 의해 상부 베셀(2302)과 하부 베셀(2306)이 밀리게 된다. 여기서, 상부 베셀(2302)과 상부 플레이트(2303) 사이에 결합된 탄성체(2332)의 탄성력이 내부 압력에 의해 상부로 밀리는 상부 베셀(2302)을 하부로 가압함으로써 상부 베셀(2302)이 급격히 상부로 밀리는 것을 방지할 수 있다. 기판(W)의 처리를 위하여 내부 압력이 증가함에 따라 내부 압력이 탄성체(2332)의 감쇄력을 초과할 때 상부 베셀(2302)이 상부로 밀려 클램핑 부재(2308)에 접촉할 수 있다.
또한, 하부 베셀(2306)에 결합된 승강 구동부(2333)가 내부 압력에 의해 하부로 밀리는 하부 베셀(2306)을 상부로 가압함으로써 하부 베셀(2306)이 급격히 하부로 밀리는 것을 방지할 수 있다. 기판(W)의 처리를 위하여 내부 압력이 증가함에 따라 내부 압력이 승강 구동부(2333)의 감쇄력을 초과할 때 하부 베셀(2306)이 상부로 밀려 클램핑 부재(2308)에 접촉할 수 있다.
한편, 내부의 압력에 의해 상부 베셀(2302)과 하부 베셀(2306) 사이로 기체가 유출되는 것을 방지하기 위한 씰링 부재(2337)가 상부 베셀(2302)과 하부 베셀(2306)의 주연부에 결합될 수 있다. 씰링 부재(2337)는 높은 내열성을 갖는 테프론(Teflon)(PTFE) 소재로 구성될 수 있다. 씰링 부재(2337)는 상단과 하단에 비하여 중앙 부분이 외부로 돌출된 형태로 구현될 수 있다. 씰링 부재(2337)의 저항력에 의해 기체가 외부로 유출되는 것이 방지될 수 있다.
처리 공간 내 기판(W)의 처리를 위한 가압시 각 힘의 상관 관계로서, 기체에 의한 내부 압력 - 승강 구동부(2333)에 의한 하부 감쇄력 - 탄성체(2332)에 의한 상부 감쇄력 - 씰링 부재(2337)의 저항력 순서로 큰 힘을 가지도록 구성될 수 있다. 또한, 기판(W)의 처리 후 감압시, 승강 구동부(2333)에 의한 하부 감쇄력과 탄성체(2332)에 의한 상부 감쇄력이 씰링 부재(2337)의 저항력 보다 크므로, 상부 베셀(2302)과 클램핑 부재(2308) 사이의 간격, 하부 베셀(2306)과 클램핑 부재(2308) 사이의 간격이 유지될 수 있다.
한편, 도 4a와 같이 하부 베셀에 형성되어 처리 공간 내부로 비활성 기체를 주입하거나 배출하는 기압 조절부(2309)가 하부 베셀(2306)의 내부에 형성될 수 있다. 예를 들어, 기압 조절부(2309)는 처리 공간 내부로 비활성 기체를 주입하기 위한 주입 도관과 처리 공간으로부터 비활성 기체를 배출하기 위한 배출 도관을 포함할 수 있다. 또한, 도 3에서 설명한 것과 같이, 기압 조절부(2309)의 상부에 기류를 측면으로 유도하기 위한 기류 유도부(2307)로서 플레이트가 제공될 수 있다. 기류 유도부(2307)는 기체가 직접적으로 기판(W)에 부딪혀 기판(W)에 손상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 온도 조절부(2304)는 상부 베셀(2302)에 삽입되어 처리 공간 내의 온도를 상승 또는 하강시킬 수 있다.
본 발명의 다른 실시예로서, 도 4b와 같이 기압 조절부(2309)가 상부 베셀(2302)에 형성되고, 온도 조절부(2304)가 하부 베셀(2306)에 삽입될 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 클램핑 부재와 하부 베셀 사이의 간격을 도시한다. 상술한 바와 같이, 승강 구동부(2333)는 실린더에 의해 구현될 수 있으며, 승강 높이를 제한하기 위한 스토퍼(2334)가 제공될 수 있다. 스토퍼(2334)는 하부 베셀(2306)이 승강할 수 있는 최대 높이를 제한하며, 그리하여 하부 베셀(2306)과 클램핑 부재(2308) 사이의 간격을 일정하게 유지할 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 클램핑 부재와 상부 베셀 사이의 간격을 도시한다. 상술한 바와 같이, 숄더 볼트(2331)의 플랜지부(2331A)가 상부 플레이트(2303)의 상면에 걸리도록 구성되고, 숄더 볼트(2331)의 체결부(2331C)가 상부 베셀(2302)의 체결홀에 체결된다. 여기서, 숄더 볼트(2331)의 볼트 로드부(2331B)에 의해 상부 베셀(2302)은 상부 플레이트(2303)로부터 일정 간격만큼 이격된 상태로 위치할 수 있다. 숄더 볼트(2331)에 의해 상부 베셀(2302)의 위치가 결정됨으로써 상부 베셀(2302)과 클램핑 부재(2308) 사이의 간격이 유지될 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 숄더 볼트들의 배치 예를 도시한다. 도 7은 상부에서 바라본 본딩 설비를 도시한다. 도 7에 도시된 것과 같이, 숄더 볼트(2331)들은 원형의 상부 베셀(2302)에 대응되는 형태로 원형으로 배치될 수 있다. 그리하여, 상부 베셀(2302)이 상부 플레이트(2303)에 대하여 균일하게 결합될 수 있다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 고압 환경이 조성된 경우의 예를 도시한다. 상술한 바와 같이, 기판(W)의 처리를 위하여 기체가 주입되어 처리 공간의 내부 압력이 증가함에 따라 내부 압력이 탄성체(2332)의 감쇄력을 초과할 때 상부 베셀(2302)이 상부로 밀려 클램핑 부재(2308)에 접촉할 수 있다. 또한, 내부 압력이 증가함에 따라 내부 압력이 승강 구동부(2333)의 감쇄력을 초과할 때 하부 베셀(2306)이 하부로 밀려 클램핑 부재(2308)에 접촉할 수 있다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 상부 플레이트와 상부 베셀이 힌지 구동에 의해 개방된 경우의 예를 도시한다. 도 9를 참조하면, 힌지 구동부(2320)에 의하여 상부 플레이트(2303)와 상부 베셀(2302)이 힌지축(2325)을 중심으로 개방될 수 있다. 상술한 바와 같이, 힌지 구동부(2320)는 프레임(2310)에 고정되어 힌지 구동축을 형성하는 힌지 바디부(2321)와, 힌지 바디부(2321)에 결합되고 힌지 구동축을 중심으로 힌지 구동하는 힌지 로드부(2322)와, 힌지 로드부(2322)의 힌지 구동을 위한 동력을 생성하는 힌지 구동원(2323)과, 상부 플레이트(2303)와 힌지 로드부(2324)를 고정시키는 힌지 고정부(2324)를 포함할 수 있다. 도 3에 도시된 것과 같이, 상부 플레이트(2303)와 상부 베셀(2302)이 힌지 구동을 통해 개방 또는 폐쇄되며, 본딩 장치에 대한 정비를 수행할 때 개별 모듈들을 분해 및 조립하는 과정없이도 힌지 구동을 통해 상부 플레이트(2303)와 상부 베셀(2302)을 개방하고 폐쇄함으로써 보다 용이하게 정비가 수행될 수 있다. 예를 들어, 힌지 구동부(2320)는 리니어 모터에 의해 구현될 수 있는데, 힌지 로드부(2322)가 LM 가이드를 통해 직선 이동함으로써 상부 플레이트(2303)와 상부 베셀(2302)의 개폐가 제어될 수 있다.
도 10a 내지 도 10c는 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 상부 플레이트와 상부 베셀이 개방되는 과정의 예를 도시한다. 도 10a에서, 기판(W)의 처리를 위해 클램핑 부재(2308)가 상부 베셀(2302)과 하부 베셀(2306)을 클램핑한다. 여기서, 클램핑 부재(2308)의 하단에 고정된 이동체(2312)가 수평 가이드(2313)의 결합 위치(중앙부)에 위치한다.
도 10b에서, 기판(W)의 처리 및 감압이 완료된 이후 기판의 반출을 위하여 클램핑 부재(2308)에 의한 상부 베셀(2302)과 하부 베셀(2306)의 클램핑이 해제된다. 클램핑의 해제를 위하여, 클램핑 부재(2308)의 하단에 고정된 이동체(2312)는 결합 위치(중앙부)로부터 결합 해제 위치(단부)로 이동할 수 있다. 이후, 도 10c에 도시된 것과 같이, 본딩 장치의 정비를 위하여 힌지 구동부(2320)에 의해 상부 플레이트(2303)와 상부 베셀(2302)이 개방될 수 있다.
비록 도시되지는 않았으나, 기판(W)의 처리를 위한 본딩 장치 내 각 모듈들의 동작을 제어하기 위한 제어부가 제공될 수 있으며, 제어부는 승강 구동부(2333), 클램핑 구동부(2311), 힌지 구동부(2320), 히터(2304) 등을 제어할 수 있다. 제어부는 하나 이상의 프로세서에 의해 구현될 수 있다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 본딩 설비에서 로딩부(210)의 예를 도시한다. 도 11을 참고하면, 하나 또는 그 이상의 기판을 수용하는 용기(10)가 반송 장치(예: OHT, Overhead Hoist Transport)에 의해 용기 안착부(211) 상에 안착된다. 용기 안착부(211)에 안착된 용기(10)의 커버가 로딩부에 의해 분리되어, 용기(10) 내부에 위치한 기판(W)이 기판 이송부에 의해 본딩 설비 내부로 전달될 수 있다.
또한, 칩(C)의 본딩이 완료된 기판(W)은 용기 안착부(211)에 위치한 용기(10)의 내부로 전달될 수 있다. 칩(C)의 본딩이 완료된 기판(W)이 용기(10)에 일정 개수 이상 수용되면, 로딩부는 커버를 용기(10)에 결합시키고 반송 장치(OHT)에 의해 용기(10)가 다른 설비로 이송될 수 있다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 본딩 설비에서 기판 이송부(220)의 예를 도시한다. 기판 이송부(220)는 기판(W)을 하부에서 지지하여 이송하는 기판 이송 로봇(224)과 기판 이송 로봇(224)의 이동을 위한 경로를 제공하는 이동 가이드(222)를 포함할 수 있다. 도 12를 참고하면, 용기(10)의 내부에 위치한 기판(W)은 기판 이송 로봇(224)에 의해 수취되고, 기판 이송 로봇(224)은 이동 가이드(222)를 따라 이동하면서 기판(W)을 기판 처리부(230)로 공급할 수 있다.
또한, 기판 이송부(220)는 기판 처리부(230)에서 본딩이 완료된 기판(W)을 기판 검사부(240)로 이송하고, 검사가 완료되면 기판(W)을 로딩부(210)의 용기(10) 내부로 전달할 수 있다.
도 13은 본 발명의 실시예에 따른 본딩 설비에서 기판 검사부(240)의 예를 도시한다. 기판 검사부(240)는 기판(W) 상에 칩(C)들이 설정된 위치에 정상적으로 본딩되었는지 검사할 수 있다. 기판 검사부(240)는 기판(W) 상의 칩(C)들을 촬상하여 검사를 수행하기 위한 비전 유닛(카메라)을 포함할 수 있다.
도 13을 참고하면, 기판 검사부(240)는 기판(W)이 안착되는 검사용 척(242), 검사용 척(242)을 이동시키기 위한 척 이송 모듈(244)을 포함한다. 또한, 기판 검사부(240)는 기판을 검사하기 위한 비전 유닛(250)(예: 카메라), 비전 유닛(250)이 결합되는 몸체부(248), 몸체부(248)의 이동을 위한 갠트리(246)를 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 실시예에 따른 본딩 방법은 칩(C)들이 부착된 기판(W) 상에 필름(F)을 부착하고, 필름(F)이 부착된 상태로 고온 및 고압 환경에서 본딩을 수행하고, 이후 필름(F)을 제거함으로써 수행될 수 있다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 본딩 방법의 예를 도시한다. 도 14를 참조하면, 단계 (a)에서 기판(W) 상에 복수개의 칩(C)들이 부착(가접합)되고, 단계 (b)에서 기판(W) 상부에 필름(F)이 합착되고, 단계 (c)에서 앞에서 설명된 본딩이 수행되고, 단계 (d)에서 기판(W)으로부터 필름(F)을 제거할 수 있다. 필름(F)이 제거된 이후 기판(W) 상의 칩(C)을 검사하는 동작 및 이후 공정이 수행될 수 있다.
도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 본딩 설비(100)를 개략적으로 나타내는 평면도이다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 기판(W) 상에 칩(C)들이 가접합된 이후 필름(F)이 합착된 기판(W)이 본딩 설비(100)로 투입되고, 해당 기판(W)에 대한 본딩이 수행된 이후, 필름(F)을 제거되고 필름(F)이 제거된 상태의 기판(W)에 대한 검사가 수행될 수 있다.
도 15를 참고하면, 본딩 설비(100)는 기판(W) 상의 필름(F)을 제거하기 위한 필름 제거부(디-라미네이션(De-Lamination) 장치)(250)을 더 포함할 수 있다. 즉, 필름(F)이 합착된 기판(W)에 대하여 기판 처리부(230)에서 본딩이 수행된 이후, 기판(W)이 필름 제거부(250)로 제공되어 기판(W) 상의 필름(F)이 제거된다. 필름(F)이 제거된 상태의 기판(W)이 로딩부(210)의 용기(C)에 투입된 후 배출된다.
즉, 본 발명의 다른 실시예에 따른 본딩 설비(100)는 복수개의 칩(C)이 안착되고 상부에 필름(F)이 합착된 기판(W)을 수용하는 용기가 안착되는 로딩부(210)와, 로딩부(210)에 안착된 용기(C)로부터 상기 기판을 반출하는 기판 이송부(220)와, 기판 이송부(220)로부터 제공된 기판(W) 상에 상기 복수개의 칩을 본딩하는 기판 처리부(230)와, 복수개의 칩(C)이 본딩된 기판(W)의 상부에 합착된 필름(F)을 제거하는 필름 제거부(250)와, 필름(F)이 제거된 기판(W)을 기판 이송부(220)로부터 수신하고, 기판(W) 상에 본딩된 칩(C)을 검사하는 기판 검사부(240)를 포함한다.
도 16a 및 도 16b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 본딩 설비에서 기판 상의 필름을 제거하기 위한 필름 제거부의 예를 도시한다. 도 16a 및 도 16b를 참고하면, 필름(F)이 합착된 상태의 기판(W)이 필름 제거부로 제공되어, 지지대(1605)에 안착된다. 한편, 필름을 제거하기 위한 롤러(1610)가 필름(F)의 상부에 밀착된 상태에서 수평방향으로 이동하면서 필름(F)을 제거할 수 있다.
여기서 롤러(1610)는 수직 샤프트(1615)에 연결되고, 승강 유닛(1625)의 승하강 구동에 의해 승하강 구동함으로써 필름(F)에 접촉할 수 있다. 이후, 롤러(1610)는 수평 샤프트(1615)를 중심으로 회전하면서 수평 방향으로 이동하면서 필름(F)을 제거하는데, 여기서 롤러(161)는 수평 구동부(1630)에 의해 수평 방향으로 이동할 수 있다.
이상에서 본 발명의 여러 실시예에 대하여 설명하였으나, 지금까지 참조한 도면과 기재된 발명의 상세한 설명은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
Claims (11)
- 본딩 설비에 있어서,
복수개의 칩이 안착된 기판을 수용하는 용기가 안착되는 로딩부;
상기 로딩부에 안착된 용기로부터 상기 기판을 반출하는 기판 이송부;
상기 기판 이송부로부터 제공된 상기 기판 상에 상기 복수개의 칩을 본딩하는 기판 처리부;
상기 복수개의 칩이 본딩된 기판의 상부에 합착된 필름을 제거하는 필름 제거부; 및
상기 필름이 제거된 기판을 상기 기판 이송부로부터 수신하고, 상기 처리된 기판 상에 본딩된 칩을 검사하는 기판 검사부를 포함하고,
상기 기판 처리부는,
상부 베셀;
상기 상부 베셀에 결합함으로써 상기 기판의 처리 공간을 형성하는 하부 베셀;
상기 상부 베셀과 상기 하부 베셀을 클램핑하는 클램핑 부재;
상기 상부 베셀과 상기 하부 베셀 사이에 구비되고, 상기 처리 공간을 밀폐시키는 씰링 부재;
상기 상부 베셀로부터 일정 거리만큼 이격된 위치에 고정되며, 체결 부재를 통해 상기 상부 베셀과 결합되는 상부 플레이트;
상기 상부 플레이트와 상기 상부 베셀 사이에 배치되는 탄성체; 및
상기 하부 베셀을 승강시키는 승강 구동부를 포함하는 본딩 설비.
- 제1항에 있어서,
상기 체결 부재는,
상기 상부 베셀과의 결합을 위한 체결부;
상기 상부 플레이트와 상기 상부 베셀 사이의 간격을 형성하는 볼트 로드부;
상기 상부 플레이트의 상부에 걸리도록 형성된 플랜지부를 포함하는 본딩 설비.
- 제1항에 있어서,
상기 상부 베셀의 하부에 결합되어 상기 기판이 안착되는 기판 안착부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 승강 구동부의 승강 높이를 제한하는 스토퍼를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 클램핑 부재를 수평 방향을 따라 이동시키기 위한 클램핑 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 본딩 설비.
- 제5항에 있어서,
상기 클램핑 구동부는,
상기 클램핑 부재의 하부면에 고정되어 수평 방향을 따라 이동하는 이동체;
상기 이동체의 이동을 위한 경로를 제공하는 수평 가이드; 및
상기 이동체가 상기 수평 가이드를 따라 이동할 수 있는 동력을 제공하는 클램핑 구동원을 포함하는 것을 특징으로 하는 본딩 설비.
- 제1항에 있어서,
상기 상부 베셀 또는 상기 하부 베셀에 삽입되어 상기 처리 공간의 온도를 제어하기 위한 온도 조절부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 본딩 설비.
- 제1항에 있어서,
상기 상부 베셀 또는 상기 하부 베셀에 형성되어 상기 처리 공간 내부로 비활성 기체를 주입하거나 배출하는 기압 조절부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 본딩 설비.
- 제1항에 있어서,
상기 상부 플레이트 및 상기 상부 베셀의 개폐를 위한 힌지 구동부를 더 포함하고,
상기 힌지 구동부는,
프레임에 고정되어 힌지 구동축을 형성하는 힌지 바디부;
상기 힌지 바디부에 결합되고 상기 힌지 구동축을 중심으로 힌지 구동하는 힌지 로드부;
상기 힌지 로드부의 힌지 구동을 위한 동력을 생성하는 힌지 구동원; 및
상기 상부 플레이트와 상기 힌지 로드부를 고정시키는 힌지 고정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 본딩 설비.
- 제1항에 있어서,
상기 기판 처리부는 수평 방향 또는 수직 방향을 따라 복수 개로 제공되는 것을 특징으로 하는 본딩 설비.
- 본딩 설비에 있어서,
복수개의 칩이 안착된 기판을 수용하는 용기가 안착되는 로딩부;
상기 로딩부에 안착된 용기로부터 상기 기판을 반출하는 기판 이송부;
상기 기판 이송부로부터 제공된 상기 기판 상에 상기 복수개의 칩을 본딩하는 기판 처리부;
상기 복수개의 칩이 본딩된 기판을 상기 기판 이송부로부터 수신하고, 상기 처리된 기판 상에 본딩된 칩을 검사하는 기판 검사부를 포함하고,
상기 기판 처리부는,
상부 베셀;
상기 상부 베셀에 결합함으로써 상기 기판의 처리 공간을 형성하는 하부 베셀;
상기 상부 베셀과 상기 하부 베셀을 클램핑하는 클램핑 부재;
상기 상부 베셀과 상기 하부 베셀 사이에 구비되고, 상기 처리 공간을 밀폐시키는 씰링 부재;
상기 상부 베셀로부터 일정 거리만큼 이격된 위치에 고정되며, 체결 부재를 통해 상기 상부 베셀과 결합되는 상부 플레이트;
상기 상부 플레이트와 상기 상부 베셀 사이에 배치되는 탄성체; 및
상기 하부 베셀을 승강시키는 승강 구동부를 포함하는 본딩 설비.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020200158079A KR102621978B1 (ko) | 2020-11-23 | 2020-11-23 | 본딩 설비에서 기판 상에 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치 |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20220070964A true KR20220070964A (ko) | 2022-05-31 |
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| KR (1) | KR102621978B1 (ko) |
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