KR20220070813A - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

베벨 에칭을 이용하여 기판의 베벨 에지 영역에 축적되어 있는 부산물을 제거하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다. 상기 기판 처리 장치는, 기판의 상부에 배치되며, 제1 공정 가스, 제2 공정 가스 및 제3 공정 가스를 통과시키는 샤워 헤드 유닛; 및 기판 및 샤워 헤드 유닛 사이에 형성되는 공간이며, 제3 영역 및 제3 영역의 외측에 배치되는 제4 영역을 포함하는 프로세스 영역을 포함하며, 제4 영역에서는 제2 공정 가스 및 제3 공정 가스를 기초로 에천트가 생성되며, 에천트가 기판을 처리하는 동안, 제3 영역에서는 제1 공정 가스가 기판 상에 분포한다.

Description

기판 처리 장치 및 방법 {Apparatus for treating substrate and method thereof}
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 제조 공정은 반도체 제조 설비 내에서 연속적으로 수행될 수 있으며, 전공정 및 후공정으로 구분될 수 있다. 반도체 제조 설비는 반도체 소자를 제조하기 위해 팹(FAB)으로 정의되는 공간 내에 설치될 수 있다.
전공정은 기판(예를 들어, 웨이퍼(Wafer)) 상에 회로 패턴을 형성하여 칩(Chip)을 완성하는 공정을 말한다. 이러한 전공정은 기판 상에 박막을 형성하는 증착 공정(Deposition Process), 포토 마스크(Photo Mask)를 이용하여 박막 상에 포토 레지스트(Photo Resist)를 전사하는 노광 공정(Photo Lithography Process), 기판 상에 원하는 회로 패턴을 형성하기 위해 화학 물질이나 반응성 가스를 이용하여 필요 없는 부분을 선택적으로 제거하는 식각 공정(Etching Process), 식각 후에 남아있는 포토 레지스트를 제거하는 에싱 공정(Ashing Process), 회로 패턴과 연결되는 부분에 이온을 주입하여 전자 소자의 특성을 가지도록 하는 이온 주입 공정(Ion Implantation Process), 기판 상에서 오염원을 제거하는 세정 공정(Cleaning Process) 등을 포함할 수 있다.
후공정은 전공정을 통해 완성된 제품의 성능을 평가하는 공정을 말한다. 후공정은 기판 상의 각각의 칩에 대해 동작 여부를 검사하여 양품과 불량을 선별하는 기판 검사 공정, 다이싱(Dicing), 다이 본딩(Die Bonding), 와이어 본딩(Wire Bonding), 몰딩(Molding), 마킹(Marking) 등을 통해 각각의 칩을 절단 및 분리하여 제품의 형상을 갖추도록 하는 패키지 공정(Package Process), 전기적 특성 검사, 번인(Burn In) 검사 등을 통해 제품의 특성과 신뢰성을 최종적으로 검사하는 최종 검사 공정 등을 포함할 수 있다.
한국공개특허 제10-2016-0072044호 (공개일: 2016.06.22.)
반도체 소자를 제조하기 위해 기판을 처리하는 과정에서, 그 부산물(예를 들어, 탄소(C), 산소(O), 질소(N), 불소(F) 등으로 구성된 폴리머(Polymer))이 기판의 베벨 에지(Bevel Edge) 영역에 축적될 수 있다. 이러한 부산물은 디바이스의 표면을 오염시키거나, 제품의 수율에 영향을 끼칠 수 있다.
본 발명에서 해결하고자 하는 과제는, 베벨 에칭(Bevel Etching)을 이용하여 기판의 베벨 에지 영역에 축적되어 있는 부산물을 제거하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 일 면(aspect)은, 기판의 상부에 배치되며, 제1 공정 가스, 제2 공정 가스 및 제3 공정 가스를 통과시키는 샤워 헤드 유닛; 및 상기 기판 및 상기 샤워 헤드 유닛 사이에 형성되는 공간이며, 제3 영역 및 상기 제3 영역의 외측에 배치되는 제4 영역을 포함하는 프로세스 영역을 포함하며, 상기 제4 영역에서는 상기 제2 공정 가스 및 상기 제3 공정 가스를 기초로 에천트가 생성되며, 상기 에천트가 상기 기판을 처리하는 동안, 상기 제3 영역에서는 상기 제1 공정 가스가 상기 기판 상에 분포한다.
상기 제1 공정 가스의 유량은 상기 제3 공정 가스의 유량보다 클 수 있다.
상기 제3 영역에 공급되는 상기 제1 공정 가스의 공급량이 상기 제4 영역에 공급되는 상기 제3 공정 가스의 공급량보다 많거나, 또는 상기 제3 영역에서의 상기 제1 공정 가스의 이동 속도가 상기 제4 영역에서의 상기 제3 공정 가스의 이동 속도보다 빠를 수 있다.
상기 샤워 헤드 유닛은, 제1 부분 모듈; 및 상기 제1 부분 모듈의 외측에 배치되는 제2 부분 모듈을 포함하며, 상기 제1 부분 모듈은 상기 제1 공정 가스를 통과시키고, 상기 제2 부분 모듈은 상기 제2 공정 가스 및 상기 제3 공정 가스를 통과시킬 수 있다.
상기 제1 부분 모듈이 상기 제1 공정 가스를 통과시키는 것은 상기 제2 부분 모듈이 상기 제2 공정 가스 및 상기 제3 공정 가스를 통과시키는 것보다 먼저 수행되거나, 동시에 수행될 수 있다.
상기 기판 처리 장치는, 상기 샤워 헤드 유닛의 상부에 형성되는 공간이며, 제1 영역 및 상기 제1 영역의 외측에 배치되는 제2 영역을 포함하는 플라즈마 생성 영역을 더 포함하며, 상기 제1 공정 가스는 상기 제1 영역에서 상기 제3 영역으로 이동하고, 상기 제2 공정 가스는 상기 제2 영역에서 상기 제4 영역으로 이동할 수 있다.
상기 제3 공정 가스는 상기 샤워 헤드 유닛을 통해 상기 제4 영역으로 이동할 수 있다.
상기 제2 영역에서는 상기 제2 공정 가스로부터 라디칼이 생성되며, 상기 라디칼이 상기 제2 영역에서 상기 제4 영역으로 이동할 수 있다.
상기 제1 공정 가스가 상기 제3 영역으로 이동하는 것은 상기 제2 공정 가스가 상기 제4 영역으로 이동하는 것보다 먼저 수행되거나, 동시에 수행될 수 있다.
상기 기판 처리 장치는, 상기 샤워 헤드 유닛의 상부에 배치되며, 상기 제1 공정 가스 및 상기 제2 공정 가스를 통과시키는 탑 소스; 및 상기 탑 소스 및 상기 샤워 헤드 유닛 사이에 형성되는 공간이며, 제1 영역 및 상기 제1 영역의 외측에 배치되는 제2 영역을 포함하는 플라즈마 생성 영역을 더 포함하며, 상기 제1 공정 가스는 상기 제1 영역으로 이동하고, 상기 제2 공정 가스는 상기 제2 영역으로 이동할 수 있다.
상기 탑 소스는, 제3 부분 모듈; 및 상기 제3 부분 모듈의 외측에 배치되는 제4 부분 모듈을 포함하며, 상기 제3 부분 모듈은 상기 제1 공정 가스를 통과시키고, 상기 제4 부분 모듈은 상기 제2 공정 가스를 통과시킬 수 있다.
상기 제1 공정 가스가 상기 제1 영역으로 이동하는 것은 상기 제2 공정 가스가 상기 제2 영역으로 이동하는 것보다 먼저 수행되거나, 동시에 수행될 수 있다.
상기 제1 공정 가스는 비활성 가스일 수 있다.
상기 제2 공정 가스는 에칭 가스이고, 상기 제3 공정 가스는 상기 에칭 가스와 반응하는 반응 가스일 수 있다.
상기 제2 공정 가스는 플루오린 성분을 포함하는 가스이고, 상기 제3 공정 가스는 수소 성분을 포함하는 가스일 수 있다.
상기 에천트는 상기 기판의 베벨 영역 및/또는 에지 영역을 식각 처리할 수 있다.
상기 기판 처리 장치는, 상기 기판을 지지하는 기판 지지 유닛의 내부에 설치되며, 상기 기판을 승강시키는 리프트 핀을 더 포함하며, 상기 리프트 핀은 상기 기판의 베벨 영역을 식각할 때 작동할 수 있다.
상기 기판 처리 장치는, 상기 기판을 지지하는 기판 지지 유닛의 내부에 설치되며, 상기 기판을 가열시키는 가열 부재; 및 상기 기판 지지 유닛의 내부에 설치되며, 상기 기판을 냉각시키는 냉각 부재 중 적어도 하나를 더 포함하며, 상기 가열 부재 및/또는 상기 냉각 부재는 상기 기판의 베벨 영역 및/또는 에지 영역을 식각할 때 작동할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 면은, 기판의 상부에 배치되며, 제1 공정 가스, 제2 공정 가스 및 제3 공정 가스를 통과시키는 샤워 헤드 유닛; 및 상기 기판 및 상기 샤워 헤드 유닛 사이에 형성되는 공간이며, 제3 영역 및 상기 제3 영역의 외측에 배치되는 제4 영역을 포함하는 프로세스 영역을 포함하며, 상기 제4 영역에서는 상기 제2 공정 가스 및 상기 제3 공정 가스를 기초로 에천트가 생성되고, 상기 에천트가 상기 기판을 처리하는 동안, 상기 제3 영역에서는 상기 제1 공정 가스가 상기 기판 상에 분포하며, 상기 제1 공정 가스의 유량은 상기 제3 공정 가스의 유량보다 크다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 방법의 일 면은, 기판의 상부에 배치되는 샤워 헤드 유닛이 제1 공정 가스, 제2 공정 가스 및 제3 공정 가스를 통과시키는 단계; 상기 제1 공정 가스가 상기 기판 및 상기 샤워 헤드 유닛 사이에 형성되는 프로세스 영역 중 제3 영역으로 이동하고, 상기 제2 공정 가스 및 상기 제3 공정 가스가 상기 프로세스 영역 중 상기 제3 영역의 외측에 배치되는 제4 영역으로 이동하는 단계; 상기 제2 공정 가스 및 상기 제3 공정 가스를 기초로 에천트를 생성하는 단계; 및 상기 에천트가 상기 기판을 처리하는 단계를 포함하며, 상기 처리하는 단계에서, 상기 에천트가 상기 기판을 처리하는 동안, 상기 제3 영역에서는 상기 제1 공정 가스가 상기 기판 상에 분포한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 내부 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 샤워 헤드 유닛의 내부 구조를 구체적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 탑 소스의 내부 구조를 구체적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 내부 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 전극 제어 유닛의 다양한 실시 형태를 도시한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 기판 처리 장치의 기판 처리 방법에 따라 처리되는 기판 상의 영역을 설명하기 위한 제1 예시도이다.
도 7은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 기판 처리 장치의 기판 처리 방법에 따라 처리되는 기판 상의 영역을 설명하기 위한 제2 예시도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 기판 처리 방법을 순차적으로 도시한 흐름도이다.
도 9는 도 8에 도시된 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제1 예시도이다.
도 10은 도 8에 도시된 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제2 예시도이다.
도 11은 도 8에 도시된 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제3 예시도이다.
도 12는 도 8에 도시된 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제4 예시도이다.
도 13은 도 8에 도시된 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제5 예시도이다.
도 14는 도 8에 도시된 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제6 예시도이다.
도 15는 도 8에 도시된 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제7 예시도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명은 기판(예를 들어, 웨이퍼(Wafer))의 베벨 에지(Bevel Edge) 영역에 축적되어 있는 부산물을 제거하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 베벨 에칭(Bevel Etching)을 이용하여 기판의 베벨 에지 영역에 축적되어 있는 부산물을 제거할 수 있다. 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 베벨 에지 영역을 포함하여 기판의 에지 영역에 축적되어 있는 부산물을 제거하는 것도 가능하다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판의 센터 영역을 비활성 가스 존으로 형성하고, 기판의 에지 영역에서만 에천트(Etchant)를 형성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 이를 통해 기판의 베벨 에지 영역에 축적되어 있는 부산물을 효과적으로 제거할 수 있으며, 이에 따라 제품의 수율(Yield)을 향상시키는 효과를 얻을 수 있다.
이하에서는 도면 등을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 내부 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1에 따르면, 기판 처리 장치(100)는 하우징(110), 기판 지지 유닛(120), 샤워 헤드 유닛(130), 공정 가스 제공 유닛(140) 및 전극 제어 유닛(150)을 포함하여 구성될 수 있다.
기판 처리 장치(100)는 하우징(110) 내에 설정된 진공 환경에서 기판(W)(예를 들어, 웨이퍼(Wafer))을 처리하는 것이다. 이러한 기판 처리 장치(100)는 플라즈마 공정(Plasma Process)을 이용하여 기판(W)을 처리할 수 있다. 기판 처리 장치(100)는 예를 들어, 식각 설비(Etching System)나 세정 설비(Cleaning System)로 구현될 수 있다.
하우징(110)은 기판(W)이 처리되는 공간을 제공하는 것이다. 이러한 하우징(110)은 플라즈마 공정이 수행되는 동안 그 내부가 밀폐될 수 있다. 하우징(110)은 기판(W)의 내부 출입을 위해 그 측면에 개폐 가능한 도어(미도시)를 구비할 수 있으며, 잔여 가스의 외부 배출을 위해 그 하부에 배기구(미도시)를 구비할 수 있다.
기판 지지 유닛(120)은 기판(W)을 지지하는 것이다. 이러한 기판 지지 유닛(120)은 플라즈마 공정이 수행되는 동안 기판(W)을 지지할 수 있도록 하우징(110)의 내부에 설치될 수 있다.
기판 지지 유닛(120)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지할 수 있다. 이 경우, 기판 지지 유닛(120)은 베이스 및 정전 척(ESC; Electro Static Chuck)(미도시)을 포함하여 구성될 수 있다.
정전 척은 세라믹 물질을 소재로 하여 제조될 수 있다. 정전 척은 기판(W)을 보다 균일한 플라즈마 분포를 나타내는 영역에 위치시키기 위해 하우징(110)의 내부에서 상하 방향(제3 방향(30))으로 이동 가능하게 설치될 수 있다.
한편, 기판 지지 유닛(120)은 기계적 클램핑(Mechanical Clamping), 진공(Vacuum) 등 정전기력 외 다양한 방식을 이용하여 기판(W)을 지지하는 것도 가능하다.
기판 지지 유닛(120)은 그 상부에 안착되는 기판(W)을 둘러싸도록 제공되는 링 어셈블리(Ring Assembly)(미도시)를 포함할 수 있다. 이러한 링 어셈블리는 포커스 링(Focus Ring), 에지 링(Edge Ring) 등을 포함하여 구성될 수 있다.
포커스 링은 실리콘 재질로 제공될 수 있으며, 플라즈마 공정시 생성되는 이온이 기판(W) 상에 집중되도록 하는 역할을 할 수 있다.
에지 링은 포커스 링의 외측에 배치되어 포커스 링을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 이러한 에지 링은 절연 역할을 위해 쿼츠(Quartz) 재질로 제공될 수 있다. 한편, 에지 링은 플라즈마에 의해 정전 척의 측면이 손상되는 것을 방지하기 위해 포커스 링뿐만 아니라 정전 척을 둘러싸도록 형성되는 것도 가능하다.
기판 지지 유닛(120)은 기판(W)이 처리되는 동안 공정 온도를 유지할 수 있도록 제공되는 가열 부재(Heater)(미도시) 및 냉각 부재(Cooler)(미도시)를 그 내부에 포함할 수 있다. 가열 부재는 열선으로 기판 지지 유닛(120)의 내부(예를 들어, 정전 척의 내부)에 설치될 수 있으며, 냉각 부재는 냉매가 흐르는 냉각 라인으로 기판 지지 유닛(120)의 내부(예를 들어, 베이스의 내부)에 설치될 수 있다. 냉각 부재는 하우징(110)의 외부에 설치되는 냉각 장치(Chiller)(미도시)를 이용하여 냉매를 공급받을 수 있다.
샤워 헤드 유닛(Shower Head Unit; 130)은 기판(W)이 위치한 방향으로 공정 가스를 분사하는 것이다. 샤워 헤드 유닛(130)은 이를 위해 하우징(110)의 내부에서 기판(W)의 상부에 배치될 수 있다.
본 실시예에서 하우징(110)의 내부 공간은 샤워 헤드 유닛(130)에 의해 플라즈마 생성 영역(Plasma Generation Region; 210) 및 프로세스 영역(Process Region; 220)으로 구분될 수 있다.
플라즈마 생성 영역(210)은 하우징(110)의 내부에서 샤워 헤드 유닛(130)의 상부에 위치하는 공간이다. 플라즈마 생성 영역(210)에서는 플라즈마가 활성화되어, 라디칼(Radical)이 생성될 수 있다.
프로세스 영역(220)은 하우징(110)의 내부에서 샤워 헤드 유닛(130)의 하부에 위치하는 공간이다. 프로세스 영역(220)에서는 플라즈마 생성 영역(210)에서 생성되는 라디칼을 이용하여 에천트(Etchant)가 생성되며, 이 에천트를 통해 기판(W)이 처리될 수 있다.
샤워 헤드 유닛(130)은 프로세스 영역(220)으로 라디칼을 포함하는 공정 가스를 분사하기 위해 복수 개의 가스 피딩 홀(Gas Feeding Hole)(미도시)을 구비할 수 있다. 샤워 헤드 유닛(130)은 기판(W)과 동일한 직경을 가지도록 제공되거나, 기판(W)보다 더 큰 직경을 가지도록 제공될 수 있다. 샤워 헤드 유닛(130)은 세라믹 성분이나 금속 성분을 소재로 하여 제조될 수 있다.
샤워 헤드 유닛(130)은 도 2에 도시된 바와 같이 센터 영역(Center Zone)에 배치되는 제1 부분 모듈(310) 및 에지 영역(Edge Zone)에 배치되는 제2 부분 모듈(320)로 분할될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 샤워 헤드 유닛의 내부 구조를 구체적으로 도시한 단면도이다. 이하 설명은 도 2를 참조한다.
샤워 헤드 유닛(130)이 이와 같이 구성되는 경우, 제1 부분 모듈(310)에 형성되는 복수 개의 가스 피딩 홀과 제2 부분 모듈(320)에 형성되는 복수 개의 가스 피딩 홀을 이용하여 서로 다른 공정 가스를 프로세스 영역(220)으로 공급할 수 있다.
그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 부분 모듈(310)에 형성되는 복수 개의 가스 피딩 홀과 제2 부분 모듈(320)에 형성되는 복수 개의 가스 피딩 홀을 이용하여 동일한 공정 가스를 프로세스 영역(220)으로 공급하는 것도 가능하다.
한편, 샤워 헤드 유닛(130)의 상부에는 이온 차단 유닛(Ion Blocking Unit; 330)이 설치될 수 있다. 이온 차단 유닛(330)은 플라즈마 생성 영역(210)에서 생성되는 라디칼만 통과시키고, 그 외의 이온은 차단시키는 역할을 할 수 있다.
이온 차단 유닛(330)은 샤워 헤드 유닛(130)의 상부 전면에 설치될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 이온 차단 유닛(330)은 샤워 헤드 유닛(130)의 내부에 설치되는 것도 가능하다.
한편, 이온 차단 유닛(330)은 제1 부분 모듈(310)의 상부 및 제2 부분 모듈(320)의 상부 중 어느 하나에 설치되는 것도 가능하다. 또한, 이온 차단 유닛(330)은 제1 부분 모듈(310)의 내부 및 제2 부분 모듈(320)의 내부 중 어느 하나에 설치되는 것도 가능하다.
한편, 샤워 헤드 유닛(130)은 세 개 이상의 부분 모듈로 분할되는 것도 가능하다. 샤워 헤드 유닛(130)은 세 개의 부분 모듈로 분할되는 경우, 예를 들어, 센터 영역(Center Zone)에 배치되는 부분 모듈, 미들 영역(Middle Zone)에 배치되는 부분 모듈, 에지 영역(Edge Zone)에 배치되는 부분 모듈 등으로 분할될 수 있다. 이 경우, 센터 영역에 배치되는 부분 모듈 및 미들 영역에 배치되는 부분 모듈이 도 2의 제1 부분 모듈(310)과 동일하게 취급될 수 있으며, 에지 영역에 배치되는 부분 모듈이 도 2의 제2 부분 모듈(320)과 동일하게 취급될 수 있다.
한편, 샤워 헤드 유닛(130)은 네 개의 부분 모듈로 분할되는 경우, 예를 들어 센터 영역(Center Zone)에 배치되는 부분 모듈, 미들 영역(Middle Zone)에 배치되는 부분 모듈, 에지 영역(Edge Zone)에 배치되는 부분 모듈, 극단 에지 영역(Extremely Edge Zone)에 배치되는 부분 모듈 등으로 분할될 수 있다. 이 경우, 센터 영역에 배치되는 부분 모듈 및 미들 영역에 배치되는 부분 모듈이 도 2의 제1 부분 모듈(310)과 동일하게 취급될 수 있으며, 에지 영역에 배치되는 부분 모듈 및 극단 에지 영역에 배치되는 부분 모듈이 도 2의 제2 부분 모듈(320)과 동일하게 취급될 수 있다.
한편, 샤워 헤드 유닛(130)과 기판(W) 사이의 간격(Gap)은 로컬 제어(Local Control)를 위해 기존보다 축소될 수 있다. 구체적으로, 기판(W)의 베벨 영역 및/또는 에지 영역만을 처리할 때의 샤워 헤드 유닛(130) 및 기판(W) 사이의 간격은 기판(W)의 전면을 처리할 때의 샤워 헤드 유닛(130) 및 기판(W) 사이의 간격보다 축소될 수 있다.
다시 도 1을 참조하여 설명한다.
공정 가스 제공 유닛(140)은 기판(W)을 처리하기 위해 하우징(110)의 내부로 제1 공정 가스를 제공하는 것이다. 이러한 공정 가스 제공 유닛(140)은 제1 공정 가스 공급 모듈(140a), 제2 공정 가스 공급 모듈(140b) 및 제3 공정 가스 공급 모듈(140c)을 포함하여 구성될 수 있다.
제1 공정 가스 공급 모듈(140a) 및 제2 공정 가스 공급 모듈(140b)은 탑 소스(Top Source; 160)를 통해 플라즈마 생성 영역(210)으로 공정 가스를 공급하는 것이다.
구체적으로, 제1 공정 가스 공급 모듈(140a)은 탑 소스(160)의 제3 부분 모듈(340)을 통해 플라즈마 생성 영역(210)으로 제1 공정 가스를 공급하며, 제2 공정 가스 공급 모듈(140b)은 탑 소스(160)의 제4 부분 모듈(350)을 통해 플라즈마 생성 영역(210)으로 제2 공정 가스를 공급할 수 있다.
상기에서, 제1 공정 가스 공급 모듈(140a)은 비활성 가스를 제1 공정 가스로 공급할 수 있다. 제1 공정 가스 공급 모듈(140a)은 예를 들어, He 가스, Ar 가스, Xe 가스 등을 비활성 가스로 공급할 수 있다.
제2 공정 가스 공급 모듈(140b)은 식각 가스(Etching Gas)를 제2 공정 가스로 공급할 수 있다. 제2 공정 가스 공급 모듈(140b)은 예를 들어, NF3 가스 등 플루오린(Fluorine) 성분을 포함하는 가스를 식각 가스로 공급할 수 있다.
탑 소스(160)는 하우징(110)의 상부를 덮도록 형성되는 것이다. 이러한 탑 소스(160)는 전류가 흐를 수 있도록 금속 성분을 소재로 하여 제조될 수 있다. 탑 소스(160)는 센터 영역(Center Zone)에 배치되는 제3 부분 모듈(340) 및 에지 영역(Edge Zone)에 배치되는 제4 부분 모듈(350)로 분할될 수 있다.
탑 소스(160)의 제3 부분 모듈(340)은, 샤워 헤드 유닛(130)이 제1 부분 모듈(310) 및 제2 부분 모듈(320)로 분할되는 경우, 샤워 헤드 유닛(130)의 제1 부분 모듈(310)에 대응하는 크기를 가지도록 형성될 수 있다. 마찬가지로, 탑 소스(160)의 제4 부분 모듈(350)은, 샤워 헤드 유닛(130)이 제1 부분 모듈(310) 및 제2 부분 모듈(320)로 분할되는 경우, 샤워 헤드 유닛(130)의 제2 부분 모듈(320)에 대응하는 크기를 가지도록 형성될 수 있다.
한편, 탑 소스(160)의 제3 부분 모듈(340) 및 제4 부분 모듈(350) 사이에는 도 3에 도시된 바와 같이 절연체(Insulator; 360)가 설치될 수 있다. 이때, 절연체(360)는 제4 부분 모듈(350)의 외측에도 추가로 설치될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 탑 소스의 내부 구조를 구체적으로 도시한 단면도이다. 이하 설명은 도 3을 참조한다.
절연체(360)는, 제1 공정 가스 공급 모듈(140a)이 탑 소스(160)의 제3 부분 모듈(340)을 통해 제1 공정 가스를 플라즈마 생성 영역(210)에 공급하고 제2 공정 가스 공급 모듈(140b)이 탑 소스(160)의 제4 부분 모듈(350)을 통해 제2 공정 가스를 플라즈마 생성 영역(210)에 공급하는 경우, 제3 부분 모듈(340) 및 제4 부분 모듈(350) 사이에 설치될 수 있다.
절연체(360)는 세라믹 성분을 소재로 하여 제조될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 본 실시예에서 절연체(360)는 절연 및/또는 차단 기능을 할 수 있는 것이라면 그 어떠한 성분을 소재로 하여 제조되어도 무방하다.
한편, 본 실시예에서는 절연체(360) 대신에 절연체 역할을 할 수 있는 아이솔레이터(Isolator)가 탑 소스(160)의 제3 부분 모듈(340) 및 제4 부분 모듈(350) 사이에 설치되는 것도 가능하다.
다시 도 1을 참조하여 설명한다.
제3 공정 가스 공급 모듈(140c)은 샤워 헤드 유닛(130)을 통해 프로세스 영역(220)으로 제3 공정 가스를 공급하는 것이다.
제3 공정 가스 공급 모듈(140c)은 에칭 가스(즉, 제2 공정 가스)와 반응하는 반응 가스를 제3 공정 가스로 공급할 수 있다. 이러한 제3 공정 가스 공급 모듈(140c)은 수소 성분을 포함하는 가스를 반응 가스로 공급할 수 있다. 제3 공정 가스 공급 모듈(140c)은 예를 들어, NH3 가스를 반응 가스로 공급할 수 있다.
제3 공정 가스 공급 모듈(140c)은, 샤워 헤드 유닛(130)이 제1 부분 모듈(310) 및 제2 부분 모듈(320)로 분할되는 경우, 제2 부분 모듈(320)을 통해 기판(W)의 에지 영역으로 제3 공정 가스를 공급할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제3 공정 가스 공급 모듈(140c)은 제1 부분 모듈(310) 및 제2 부분 모듈(320)을 통해 기판(W)의 센터 영역 및 에지 영역으로 제3 공정 가스를 공급하는 것도 가능하다.
전극 제어 유닛(150)은 플라즈마 생성 영역(210)에 플라즈마를 발생시키고, 프로세스 영역(220)에서 기판(W)이 처리될 수 있도록, 전극을 제어하는 것이다. 이러한 전극 제어 유닛(150)은 기판(W)의 상부에 배치되는 상부 전극 및 기판(W)의 하부에 배치되는 하부 전극을 제어할 수 있다.
전극 제어 유닛(150)은 플라즈마 생성 영역(210)에 플라즈마를 발생시키기 위해 CCP(Capacitively Coupled Plasma) 방식을 이용할 수 있다. 이 경우, 전극 제어 유닛(150)은 탑 소스(160)를 상부 전극으로 이용하고, 기판 지지 유닛(120)의 정전 척을 하부 전극으로 이용할 수 있다.
그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 전극 제어 유닛(150)은 플라즈마 생성 영역(210)에 플라즈마를 발생시키기 위해 ICP(Inductively Coupled Plasma) 방식을 이용하는 것도 가능하다. 이 경우, 전극 제어 유닛(150)은 도 4에 도시된 바와 같이 탑 소스(160)의 상부에 설치되는 안테나 유닛(170)을 상부 전극으로 이용하고, 기판 지지 유닛(120)의 정전 척을 하부 전극으로 이용할 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 내부 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다. 이하 설명은 도 4를 참조한다.
안테나 유닛(170)은 폐루프를 형성하는 코일(예를 들어, 평판 스파이럴(Planar Spiral) 형태의 코일)로 제공될 수 있다. 이러한 안테나 유닛(170)은 상부 전극으로 작동하기 위해 탑 소스(160)의 상부에 설치될 수 있다.
그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 안테나 유닛(170)은 하우징(110)의 측면을 둘러싸도록 설치되는 것도 가능하다. 이 경우, 기판 지지 유닛(120)의 정전 척은 하부 전극으로 작동하지 않아도 무방하다.
다시 도 1을 참조하여 설명한다.
전극 제어 유닛(150)은 상부 전극 및 하부 전극을 제어하기 위해 제1 전원(150a), 제2 전원(150b) 및 전원 제어부(150c)를 포함하여 구성될 수 있다.
제1 전원(150a)은 탑 소스(160)에 전원을 인가하는 것이다. 제1 전원(150a)은 플라즈마의 특성을 제어하는 역할을 할 수 있다. 제1 전원(150a)은 예를 들어, 이온 충격 에너지(Ion Bombardment Energy)를 조절하는 역할을 할 수 있다.
제2 전원(150b)은 기판 지지 유닛(120)의 정전 척에 전원을 인가하는 것이다. 제2 전원(150b)은 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스 역할을 하거나, 제1 전원(150a)과 더불어 플라즈마의 특성을 제어하는 역할을 할 수 있다.
전원 제어부(150c)는 제1 전원(150a) 및 제2 전원(150b)이 소정 값의 RF 전원을 인가할 수 있도록 제1 전원(150a) 및 제2 전원(150b)을 제어하는 것이다.
전원 제어부(150c)는 제1 전원(150a) 및 제2 전원(150b)이 동일한 값의 RF 전원을 인가하도록 제1 전원(150a) 및 제2 전원(150b)을 제어할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 전원 제어부(150c)는 제1 전원(150a) 및 제2 전원(150b)이 서로 다른 값의 RF 전원을 인가하도록 제1 전원(150a) 및 제2 전원(150b)을 제어하는 것도 가능하다.
한편, 탑 소스(160)는 앞서 설명한 바와 같이, 제3 부분 모듈(340) 및 제4 부분 모듈(350)을 포함하여 구성될 수 있다. 본 실시예에서는 이러한 측면을 고려하여, 도 5에 도시된 바와 같이 전극 제어 유닛(150)이 제2 전원(150b), 제3 전원(150d), 제4 전원(150e) 및 전원 제어부(150c)를 포함하여 구성되는 것도 가능하다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 전극 제어 유닛의 다양한 실시 형태를 도시한 단면도이다. 이하 설명은 도 5를 참조한다.
제2 전원(150b)에 대해서는 도 1을 참조하여 전술하였는 바, 여기서는 그 자세한 설명을 생략한다.
제3 전원(150d) 및 제4 전원(150e)은 탑 소스(160)에 전원을 인가하는 것이다. 구체적으로, 제3 전원(150d)은 탑 소스(160)의 제3 부분 모듈(340)에 전원을 인가하며, 제4 전원(150e)은 탑 소스(160)의 제4 부분 모듈(350)에 전원을 인가한다.
제3 전원(150d) 및 제4 전원(150e)은 탑 소스(160)의 제3 부분 모듈(340) 및 제4 부분 모듈(350)에 서로 다른 값의 RF 전원을 인가할 수 있다. 이 경우, 제3 전원(150d) 및 제4 전원(150e)에 의해 각각 인가되는 RF 전원(RF1, RF2)은 상호(RF1, RF2) 간 커플링(Coupling) 방지를 위한 하모닉스 프리 프리퀀시(Harmonics Free Frequency)로 구현될 수 있다.
그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제3 전원(150d) 및 제4 전원(150e)은 제3 부분 모듈(340) 및 제4 부분 모듈(350)에 동일한 값의 RF 전원을 인가하는 것도 가능하다.
한편, 제3 전원(150d) 및 제4 전원(150e)이 서로 다른 값의 RF 전원을 인가하는 경우, 제3 전원(150d)이 제4 전원(150e)보다 더 큰 값의 RF 전원을 인가할 수 있다. 예를 들어, 제3 전원(150d)이 50MHz ~ 70MHz의 RF 전원을 인가하고, 제4 전원(150e)이 10MHz ~ 20MHz의 RF 전원을 인가할 수 있다.
이상, 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 다양한 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)에 대하여 설명하였다. 기판 처리 장치(100)는 기판(W)의 베벨 영역에 잔여하는 부산물을 제거할 때, 리프트 핀(Lift Pin)(미도시)을 이용하여 기판(W)을 기판 지지 유닛(120)의 상부 방향(제3 방향(30))으로 리프트시킬 수 있다.
또한, 기판 처리 장치(100)는 기판(W)의 베벨 영역(Bevel Area)을 포함하여 기판(W)의 에지 영역(Edge Area)에 잔여하는 부산물을 제거하는 것도 가능하다.
상기에서, 베벨 영역은 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이 기판(W)의 상부, 측부 및 하부를 포함하는 극단 에지 영역(Extremely Edge Zone; 410)을 의미한다. 그리고, 에지 영역(420)은 극단 에지 영역보다 더 넓은 폭을 가지며, 기판(W)의 상부만을 포함하는 영역을 의미한다.
따라서, 기판 처리 장치(100)가 기판(W)의 베벨 영역에 잔여하는 부산물을 제거한다는 것은 도 6에서 알 수 있듯이 기판(W)의 극단 에지 영역(410) 상부, 측부 및 하부에 축적된 부산물(430, 440, 450)을 제거한다는 것을 의미한다. 도 6은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 기판 처리 장치의 기판 처리 방법에 따라 처리되는 기판 상의 영역을 설명하기 위한 제1 예시도이다.
또한, 기판 처리 장치(100)가 기판(W)의 에지 영역에 잔여하는 부산물을 제거한다는 것은 도 7에서 알 수 있듯이 기판(W)의 에지 영역(420) 상부에 축적된 부산물(460)을 제거한다는 것을 의미한다. 도 7은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 기판 처리 장치의 기판 처리 방법에 따라 처리되는 기판 상의 영역을 설명하기 위한 제2 예시도이다.
한편, 기판 처리 장치(100)는 기판(W)에 대해 베벨 에칭을 수행하는 경우, 기판 지지 유닛(120)의 가열 부재 및 냉각 부재를 이용하여 기판(W)의 센터 영역과 에지 영역 간에 온도 차를 발생시키는 것도 가능하다.
다음으로, 기판 처리 장치(100)가 기판(W)에 대해 베벨 에칭(Bevel Etching)을 수행하는 경우 즉, 기판(W)의 베벨 영역에 잔여하는 부산물(예를 들어, 산화막(Oxide), 질화막(Nitride) 등)을 식각하는 경우, 기판 처리 방법에 대하여 설명한다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 기판 처리 방법을 순차적으로 도시한 흐름도이다. 이하 설명은 도 8 내지 도 15를 참조한다. 도 9 내지 도 15에 대해서는 순차적으로 후술하기로 한다.
먼저, 제1 공정 가스 공급 모듈(140a) 및 제2 공정 가스 공급 모듈(140b)이 탑 소스(160)를 통해 플라즈마 생성 영역(210)으로 공정 가스를 공급한다(S510).
구체적으로, 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 공정 가스 공급 모듈(140a)이 탑 소스(160)의 제3 부분 모듈(340)을 통해 제1 영역(610)으로 제1 공정 가스(630)를 공급하며, 제2 공정 가스 공급 모듈(140b)이 탑 소스(160)의 제4 부분 모듈(350)을 통해 제2 영역(620)으로 제2 공정 가스(640)를 공급한다.
상기에서, 제1 영역(610)은 플라즈마 생성 영역(210)의 센터 영역을 의미하며, 제2 영역(620)은 플라즈마 생성 영역(210)의 에지 영역을 의미한다. 도 9는 도 8에 도시된 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제1 예시도이다.
제1 공정 가스 공급 모듈(140a)이 제1 공정 가스(630)를 공급하는 것은 제2 공정 가스 공급 모듈(140b)이 제2 공정 가스(640)를 공급하는 것보다 먼저 수행될 수 있다. 이 경우, 제2 공정 가스(640)(또는 제2 공정 가스(640)로부터 생성되는 라디칼(Radical))가 제1 영역(610)으로 침범하는 것을 방지하는 효과를 얻을 수 있다.
그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 공정 가스 공급 모듈(140a)이 제1 공정 가스(630)를 공급하는 것은 제2 공정 가스 공급 모듈(140b)이 제2 공정 가스(640)를 공급하는 것과 동시에 수행되는 것도 가능하다.
제1 공정 가스 공급 모듈(140a) 및 제2 공정 가스 공급 모듈(140b)이 플라즈마 생성 영역(210)으로 제1 공정 가스(630) 및 제2 공정 가스(640)를 공급하면, 도 10에 도시된 바와 같이, 제1 전원(150a) 및 제2 전원(150b)은 전원 제어부(150c)의 제어에 따라 탑 소스(160) 및 기판 지지 유닛(120)의 정전 척에 각각 RF 전원(650, 660)을 인가한다(S520). 도 10은 도 8에 도시된 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제2 예시도이다.
그러면, 도 11에 도시된 바와 같이, 제1 영역(610)에서는 제1 공정 가스(630)를 이용하여 플라즈마가 활성화되며(예를 들어, 제1 공정 가스(630)가 He 가스인 경우, He ⇒ He Plasma), 제2 영역(620)에서는 제2 공정 가스(640)로부터 라디칼(670)이 생성된다(예를 들어, 제2 공정 가스가 NF3 가스인 경우, NF3 *)(S530). 도 11은 도 8에 도시된 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제3 예시도이다.
한편, 본 실시예에서 S520 단계는 S510 단계 이후에 수행될 수 있으나, 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, S520 단계는 S510 단계와 동시에 수행되거나, S510 단계보다 먼저 수행되는 것도 가능하다.
이후, 플라즈마 생성 영역(210) 내에 분포되어 있던 제1 공정 가스(630) 및 라디칼(670)은 샤워 헤드 유닛(130)을 통해 프로세스 영역(220)으로 이동한다(S540).
구체적으로, 도 12에 도시된 바와 같이, 제1 영역(610) 내에 분포되어 있던 제1 공정 가스(630)는 샤워 헤드 유닛(130)의 제1 부분 모듈(310)을 통해 제3 영역(710)으로 이동하며, 제2 영역(620) 내에서 생성된 라디칼(670)은 샤워 헤드 유닛(130)의 제2 부분 모듈(320)을 통해 제4 영역(720)으로 이동한다.
상기에서, 제3 영역(710)은 프로세스 영역(220)의 센터 영역을 의미하며, 제4 영역(720)은 프로세스 영역(220)의 에지 영역을 의미한다. 도 12는 도 8에 도시된 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제4 예시도이다.
한편, 제3 공정 가스 공급 모듈(140c)은 샤워 헤드 유닛(130)을 통해 제3 공정 가스(680)를 프로세스 영역(220)으로 공급한다(S550).
구체적으로, 도 13에 도시된 바와 같이, 제3 공정 가스(680)는 샤워 헤드 유닛(130)의 제2 부분 모듈(320)을 통해 프로세스 영역(220)으로 공급되며, 제3 공정 가스(680)는 라디칼(670)과 더불어 제4 영역(720)으로 이동한다. 도 13은 도 8에 도시된 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제5 예시도이다.
제3 공정 가스(680)가 제4 영역(720)으로 이동하는 것은 제1 공정 가스(630)가 제3 영역(710)으로 이동하는 것 및 라디칼(670)이 제4 영역(720)으로 이동하는 것보다 나중에 수행될 수 있다. 이 경우, 제3 공정 가스(680)가 제3 영역(710)으로 침입하는 것을 방지하는 효과를 얻을 수 있다.
그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제3 공정 가스(680)가 제4 영역(720)으로 이동하는 것은 제1 공정 가스(630)가 제3 영역(710)으로 이동하는 것 및 라디칼(670)이 제4 영역(720)으로 이동하는 것과 동시에 수행되는 것도 가능하다.
이후, 도 14에 도시된 바와 같이, 제4 영역(720)에 이동된 라디칼(670) 및 제3 공정 가스(680)는 상호 반응을 통해 에천트(Etchant; 690)를 생성한다(S560). 상기에서, 제1 공정 가스(630)가 NF3 가스이고 제3 공정 가스(680)가 NH3 가스인 경우, 에천트(690)는 NF3 * + NH3 Etchant일 수 있다. 도 14는 도 8에 도시된 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제6 예시도이다.
이후, 도 15에 도시된 바와 같이, 에천트(690)는 제4 영역(720)에서 기판(W)의 베벨 영역 및/또는 에지 영역으로 이동하여, 기판(W)의 베벨 영역 및/또는 에지 영역에 잔여하는 부산물(예를 들어, 산화막(SiO2), 질화막(SiN) 등)을 제거한다(S570). 도 15는 도 8에 도시된 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제7 예시도이다.
한편, 제4 영역(720)으로 이동된 라디칼(670) 및 제3 공정 가스(680), 및 라디칼(670) 및 제3 공정 가스(680)의 상호 반응을 통해 생성된 에천트(690)는 제3 영역(710)으로 이동하지 못한다. 그 이유는 제1 공정 가스(630)가 샤워 헤드 유닛(130)의 제1 부분 모듈(310)을 통해 제3 영역(710)으로 이동하여 분포되어 있기 때문이다.
따라서, 에천트(690)는 기판(W)의 센터 영역을 식각하지 못하며, 제4 영역(720) 내 또는 제4 영역(720)으로부터 수직 방향(제3 방향(30))으로 아래에 위치하는 기판(W)의 베벨 영역 및/또는 에지 영역에 잔여하는 부산물만을 효과적으로 제거할 수 있다.
본 실시예에서는 라디칼(670), 제3 공정 가스(680) 및 에천트(690)가 제3 영역(710)으로 이동하지 못하도록 하기 위해, 제1 공정 가스(630)를 이용하여 프로세스 영역(220), 특히 제3 영역(710)에 공정 압력을 형성할 수 있다. 이때, 프로세스 영역(220)에서의 공정 온도(즉, Chuck의 온도)는 0℃ ~ 110℃일 수 있으며, 공정 압력은 0.1Torr ~ 9Torr일 수 있다.
본 실시예에서는 샤워 헤드 유닛(130)의 제1 부분 모듈(310)을 통해 제3 영역(710)으로 이동하는 제1 공정 가스(630)의 유량을 샤워 헤드 유닛(130)의 제2 부분 모듈(320)을 통해 제4 영역(720)으로 이동하는 제3 공정 가스(680)의 유량보다 크게 하여(제1 공정 가스(630)의 유량 >> 제3 공정 가스(680)의 유량), 제3 영역(710)에 공정 압력을 형성할 수 있다.
그러면, 제3 영역(710)은 제1 공정 가스(630)에 의해 비활성 가스 영역(Inert Gas Zone)으로 형성되며, 제3 영역(710)의 경계 특히, 제3 영역(710)과 제4 영역(720)의 사이 공간에 에어 커튼(Air Curtain) 효과를 발생시킬 수 있다.
즉, 제1 공정 가스(630)의 유량을 제3 공정 가스(680)의 유량보다 크게 함으로써, 라디칼(670), 제3 공정 가스(680), 에천트(690) 등이 제4 영역(720)에서 제3 영역(710)으로 침입하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 에천트(690)(예를 들어, NF3 * + NH3 Etchant)는 기판(W)의 베벨 영역 및/또는 에지 영역에서 산화막(예를 들어, SiO2), 질화막(예를 들어, SiN) 등과 반응하여 산화막, 질화막 등을 제거하며, 이에 따라 기판(W)의 베벨 영역 및/또는 에지 영역만 식각되는 효과를 얻을 수 있다.
한편, 제1 공정 가스(630)의 유량을 제3 공정 가스(680)의 유량보다 크게 하는 경우, 제1 공정 가스(630)의 공급량을 제3 공정 가스(680)의 공급량보다 많게 하여 제1 공정 가스(630)의 유량을 제3 공정 가스(680)의 유량보다 크게 할 수 있다. 또한, 제1 공정 가스(630)의 이동 속도를 제3 공정 가스(680)의 이동 속도보다 빠르게 하여 제1 공정 가스(630)의 유량을 제3 공정 가스(680)의 유량보다 크게 하는 것도 가능하다.
한편, 도 5의 예시와 같이, 탑 소스(160)의 제3 부분 모듈(340) 및 제4 부분 모듈(350)이 제3 전원(150d) 및 제4 전원(150e)에 각각 연결되고, 제3 전원(150d) 및 제4 전원(150e)이 전원 제어부(150c)에 의해 독립적으로 제어되는 경우, 기판(W)의 영역별 에칭 레이트(E/R; Etch Rate)를 비교하여 얻은 결과를 토대로 기판(W)의 베벨 영역 및/또는 에지 영역에서의 식각 정도를 조절하는 것도 가능하다.
이 경우, 제3 전원(150d) 및 제4 전원(150e)은 서로 다른 값의 RF 전원을 탑 소스(160)의 제3 부분 모듈(340) 및 제4 부분 모듈(350)에 인가할 수 있으나, 동일한 값의 RF 전원을 탑 소스(160)의 제3 부분 모듈(340) 및 제4 부분 모듈(350)에 인가하는 것도 가능하다.
이상, 도 1 내지 도 13을 참조하여 본 발명의 다양한 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(100) 및 그 장치(100)의 기판 처리 방법에 대하여 설명하였다. 기판 처리 장치(100)는 센터 영역의 비활성 가스 유량을 에지 영역의 NH3 유량보다 높여서, 웨이퍼의 센터 영역은 비활성 가스 존으로 만들고, 웨이퍼의 베벨 영역 및/또는 에지 영역에서만 에천트를 형성시켜 산화막, 질화막 등을 효과적으로 제거할 수 있다.
이러한 기판 처리 장치(100)는 이를 통해 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
첫째, Radical + Gas 식각으로 Bevel 측면 및 Back면 식각 등에 유리하며, Dry Clean에 적합하다.
둘째, 수 Å 수준의 측면 오염 식각에 유리하다.
이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 기판 처리 장치 110: 하우징
120: 기판 지지 유닛 130: 샤워 헤드 유닛
140: 공정 가스 제공 유닛 140a: 제1 공정 가스 공급 모듈
140b: 제2 공정 가스 공급 모듈 140c: 제3 공정 가스 공급 모듈
150: 전극 제어 유닛 150a: 제1 전원
150b: 제2 전원 150c: 전원 제어부
150d: 제3 전원 150e: 제4 전원
160: 탑 소스 170: 안테나 유닛
210: 플라즈마 생성 영역 220: 프로세스 영역
310: 제1 부분 모듈 320: 제2 부분 모듈
330: 이온 차단 유닛 340: 제3 부분 모듈
350: 제4 부분 모듈 360: 절연체
410: 극단 에지 영역 420: 에지 영역
430, 440, 450, 460: 부산물 610: 제1 영역
620: 제2 영역 630: 제1 공정 가스
640: 제2 공정 가스 650, 660: RF 전원
670: 라디칼 680: 제3 공정 가스
690: 에천트 710: 제3 영역
720: 제4 영역

Claims (20)

  1. 기판의 상부에 배치되며, 제1 공정 가스, 제2 공정 가스 및 제3 공정 가스를 통과시키는 샤워 헤드 유닛; 및
    상기 기판 및 상기 샤워 헤드 유닛 사이에 형성되는 공간이며, 제3 영역 및 상기 제3 영역의 외측에 배치되는 제4 영역을 포함하는 프로세스 영역을 포함하며,
    상기 제4 영역에서는 상기 제2 공정 가스 및 상기 제3 공정 가스를 기초로 에천트가 생성되며,
    상기 에천트가 상기 기판을 처리하는 동안, 상기 제3 영역에서는 상기 제1 공정 가스가 상기 기판 상에 분포하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 공정 가스의 유량은 상기 제3 공정 가스의 유량보다 큰 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제3 영역에 공급되는 상기 제1 공정 가스의 공급량이 상기 제4 영역에 공급되는 상기 제3 공정 가스의 공급량보다 많거나, 또는
    상기 제3 영역에서의 상기 제1 공정 가스의 이동 속도가 상기 제4 영역에서의 상기 제3 공정 가스의 이동 속도보다 빠른 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 샤워 헤드 유닛은,
    제1 부분 모듈; 및
    상기 제1 부분 모듈의 외측에 배치되는 제2 부분 모듈을 포함하며,
    상기 제1 부분 모듈은 상기 제1 공정 가스를 통과시키고,
    상기 제2 부분 모듈은 상기 제2 공정 가스 및 상기 제3 공정 가스를 통과시키는 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제1 부분 모듈이 상기 제1 공정 가스를 통과시키는 것은 상기 제2 부분 모듈이 상기 제2 공정 가스 및 상기 제3 공정 가스를 통과시키는 것보다 먼저 수행되거나, 동시에 수행되는 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 샤워 헤드 유닛의 상부에 형성되는 공간이며, 제1 영역 및 상기 제1 영역의 외측에 배치되는 제2 영역을 포함하는 플라즈마 생성 영역을 더 포함하며,
    상기 제1 공정 가스는 상기 제1 영역에서 상기 제3 영역으로 이동하고,
    상기 제2 공정 가스는 상기 제2 영역에서 상기 제4 영역으로 이동하는 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제3 공정 가스는 상기 샤워 헤드 유닛을 통해 상기 제4 영역으로 이동하는 기판 처리 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 제2 영역에서는 상기 제2 공정 가스로부터 라디칼이 생성되며, 상기 라디칼이 상기 제2 영역에서 상기 제4 영역으로 이동하는 기판 처리 장치.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 제1 공정 가스가 상기 제3 영역으로 이동하는 것은 상기 제2 공정 가스가 상기 제4 영역으로 이동하는 것보다 먼저 수행되거나, 동시에 수행되는 기판 처리 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 샤워 헤드 유닛의 상부에 배치되며, 상기 제1 공정 가스 및 상기 제2 공정 가스를 통과시키는 탑 소스; 및
    상기 탑 소스 및 상기 샤워 헤드 유닛 사이에 형성되는 공간이며, 제1 영역 및 상기 제1 영역의 외측에 배치되는 제2 영역을 포함하는 플라즈마 생성 영역을 더 포함하며,
    상기 제1 공정 가스는 상기 제1 영역으로 이동하고,
    상기 제2 공정 가스는 상기 제2 영역으로 이동하는 기판 처리 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 탑 소스는,
    제3 부분 모듈; 및
    상기 제3 부분 모듈의 외측에 배치되는 제4 부분 모듈을 포함하며,
    상기 제3 부분 모듈은 상기 제1 공정 가스를 통과시키고,
    상기 제4 부분 모듈은 상기 제2 공정 가스를 통과시키는 기판 처리 장치.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1 공정 가스가 상기 제1 영역으로 이동하는 것은 상기 제2 공정 가스가 상기 제2 영역으로 이동하는 것보다 먼저 수행되거나, 동시에 수행되는 기판 처리 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 공정 가스는 비활성 가스인 기판 처리 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 공정 가스는 에칭 가스이고, 상기 제3 공정 가스는 상기 에칭 가스와 반응하는 반응 가스인 기판 처리 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제2 공정 가스는 플루오린 성분을 포함하는 가스이고, 상기 제3 공정 가스는 수소 성분을 포함하는 가스인 기판 처리 장치.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 에천트는 상기 기판의 베벨 영역 및/또는 에지 영역을 식각 처리하는 기판 처리 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 기판을 지지하는 기판 지지 유닛의 내부에 설치되며, 상기 기판을 승강시키는 리프트 핀을 더 포함하며,
    상기 리프트 핀은 상기 기판의 베벨 영역을 식각할 때 작동하는 기판 처리 장치.
  18. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판을 지지하는 기판 지지 유닛의 내부에 설치되며, 상기 기판을 가열시키는 가열 부재; 및
    상기 기판 지지 유닛의 내부에 설치되며, 상기 기판을 냉각시키는 냉각 부재 중 적어도 하나를 더 포함하며,
    상기 가열 부재 및/또는 상기 냉각 부재는 상기 기판의 베벨 영역 및/또는 에지 영역을 식각할 때 작동하는 기판 처리 장치.
  19. 기판의 상부에 배치되며, 제1 공정 가스, 제2 공정 가스 및 제3 공정 가스를 통과시키는 샤워 헤드 유닛; 및
    상기 기판 및 상기 샤워 헤드 유닛 사이에 형성되는 공간이며, 제3 영역 및 상기 제3 영역의 외측에 배치되는 제4 영역을 포함하는 프로세스 영역을 포함하며,
    상기 제4 영역에서는 상기 제2 공정 가스 및 상기 제3 공정 가스를 기초로 에천트가 생성되고,
    상기 에천트가 상기 기판을 처리하는 동안, 상기 제3 영역에서는 상기 제1 공정 가스가 상기 기판 상에 분포하며,
    상기 제1 공정 가스의 유량은 상기 제3 공정 가스의 유량보다 큰 기판 처리 장치.
  20. 기판의 상부에 배치되는 샤워 헤드 유닛이 제1 공정 가스, 제2 공정 가스 및 제3 공정 가스를 통과시키는 단계;
    상기 제1 공정 가스가 상기 기판 및 상기 샤워 헤드 유닛 사이에 형성되는 프로세스 영역 중 제3 영역으로 이동하고, 상기 제2 공정 가스 및 상기 제3 공정 가스가 상기 프로세스 영역 중 상기 제3 영역의 외측에 배치되는 제4 영역으로 이동하는 단계;
    상기 제2 공정 가스 및 상기 제3 공정 가스를 기초로 에천트를 생성하는 단계; 및
    상기 에천트가 상기 기판을 처리하는 단계를 포함하며,
    상기 처리하는 단계에서, 상기 에천트가 상기 기판을 처리하는 동안, 상기 제3 영역에서는 상기 제1 공정 가스가 상기 기판 상에 분포하는 기판 처리 방법.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090130574A (ko) * 2008-06-16 2009-12-24 주식회사 테스 반도체 제조용 서셉터유닛, 이 서셉터유닛이 구비된 반도체제조장치 및 이 반도체 제조장치를 이용한 실리콘 산화막건식 식각 방법
KR20150032811A (ko) * 2013-09-20 2015-03-30 램 리써치 코포레이션 듀얼 플라즈마 소스 반응 장치를 이용한 웨이퍼 프로세싱을 위한 이온 대 중성 종 제어
US20160013020A1 (en) * 2014-07-14 2016-01-14 Lam Research Corporation Systems and methods for producing energetic neutrals
KR20160072044A (ko) 2014-12-12 2016-06-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 처리 방법 및 베벨 에칭 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090130574A (ko) * 2008-06-16 2009-12-24 주식회사 테스 반도체 제조용 서셉터유닛, 이 서셉터유닛이 구비된 반도체제조장치 및 이 반도체 제조장치를 이용한 실리콘 산화막건식 식각 방법
KR20150032811A (ko) * 2013-09-20 2015-03-30 램 리써치 코포레이션 듀얼 플라즈마 소스 반응 장치를 이용한 웨이퍼 프로세싱을 위한 이온 대 중성 종 제어
US20160013020A1 (en) * 2014-07-14 2016-01-14 Lam Research Corporation Systems and methods for producing energetic neutrals
KR20160072044A (ko) 2014-12-12 2016-06-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 처리 방법 및 베벨 에칭 장치

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