KR20220060377A

KR20220060377A - Mask for forming oled picture element

Info

Publication number: KR20220060377A
Application number: KR1020200146314A
Authority: KR
Inventors: 이병일; 이유진; 김봉진
Original assignee: 주식회사 오럼머티리얼
Priority date: 2020-11-04
Filing date: 2020-11-04
Publication date: 2022-05-11

Abstract

An objective of the present invention is to provide a mask for forming an OLED pixel that improves positioning accuracy by reducing deformation of the mask. The present invention relates to the mask for forming an OLED pixel. According to the present invention, the mask for forming an OLED pixel comprises a mask cell on which a plurality of mask patterns are formed and a dummy around the mask cell. A plurality of welds are formed at intervals on at least a part of the dummy. An anti-wrinkle pattern is formed on the dummy area spaced apart from the welds. The anti-wrinkle pattern is formed between one pair of welds in a direction perpendicular to a direction in which the plurality of welds are arranged.

Description

Mask for forming OLED pixels {MASK FOR FORMING OLED PICTURE ELEMENT}

본 발명은 OLED 화소 형성용 마스크에 관한 것이다.The present invention relates to a mask for forming an OLED pixel.

OLED 제조 공정에서 화소를 형성하는 기술로, 박막의 금속 마스크(Shadow Mask)를 기판에 밀착시켜서 원하는 위치에 유기물을 증착하는 FMM(Fine Metal Mask) 법이 주로 사용된다.As a technology for forming pixels in the OLED manufacturing process, the FMM (Fine Metal Mask) method is mainly used to deposit an organic material at a desired location by attaching a thin metal mask to the substrate.

기존의 마스크 제조 방법은, 마스크로 사용될 금속 박판을 마련하고, 금속 박판 상에 PR 코팅 후 패터닝을 하거나, 패턴을 가지도록 PR 코팅한 후, 식각을 통해 패턴을 가지는 마스크를 제조하였다. 초고화질의 OLED의 경우, 현재 QHD 화질은 500~600 PPI(pixel per inch)로 화소의 크기가 약 30~50㎛에 이르며, 4K UHD, 8K UHD 고화질은 이보다 높은 ~860 PPI, ~1600 PPI 등의 해상도를 가지게 된다. 따라서, 마스크 패턴의 크기를 정밀하게 조절하는 기술 개발이 필요한 실정이다.In the conventional mask manufacturing method, a thin metal plate to be used as a mask is prepared, and after PR coating on the thin metal plate, patterning is performed, or after PR coating to have a pattern, a mask having a pattern is manufactured by etching. In the case of ultra-high-definition OLED, the current QHD image quality is 500-600 PPI (pixel per inch), with a pixel size of about 30-50 μm, and 4K UHD and 8K UHD high-definition are higher than this: ~860 PPI, ~1600 PPI, etc. has a resolution of Therefore, there is a need to develop a technology for precisely controlling the size of the mask pattern.

한편, 기존의 OLED 제조 공정에서는 마스크를 스틱 형태, 플레이트 형태 등으로 제조한 후, 마스크를 OLED 화소 증착 프레임에 용접 고정시켜 사용한다. 대면적 OLED 제조를 위해서 여러 개의 마스크를 OLED 화소 증착 프레임에 고정시킬 수 있는데, 프레임에 고정하는 과정에서 각 마스크가 평평하게 되도록 인장을 하게 된다. 여러 개의 마스크를 하나의 프레임에 고정시키는 과정에서 마스크 상호간에, 그리고 마스크 셀들의 상호간에 정렬이 잘 되지 않는 문제점이 있었다. 또한, 마스크를 프레임에 용접 고정하는 과정에서 마스크 막의 두께가 너무 얇고 대면적이기 때문에 하중에 의해 마스크가 쳐지거나 뒤틀어지는 문제점, 용접 과정에서 용접 부분에 발생하는 주름, 번짐(burr) 등에 의해 마스크 셀의 정렬이 엇갈리게 되는 문제점 등이 있었다.On the other hand, in the conventional OLED manufacturing process, a mask is manufactured in a stick shape, a plate shape, etc., and then the mask is welded and fixed to the OLED pixel deposition frame. For large-area OLED manufacturing, several masks can be fixed to the OLED pixel deposition frame, and in the process of fixing to the frame, tension is applied to make each mask flat. In the process of fixing several masks to one frame, there was a problem in that the masks were not well aligned with each other and between the mask cells. In addition, in the process of welding and fixing the mask to the frame, since the thickness of the mask film is too thin and large, the mask is sagged or distorted by load, and wrinkles and burrs occurring in the welding part during welding There were problems such as misalignment of the alignment.

이렇듯 초고화질의 OLED의 화소 크기를 고려하여 각 셀들간의 정렬 오차를 수 ㎛ 정도로 감축시켜야 하며, 이를 벗어나는 오차는 제품의 실패로 이어지게 되므로 수율이 매우 낮아지게 될 수 있다. 그러므로, 마스크가 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형을 방지하고, 정렬을 명확하게 할 수 있는 기술, 마스크를 프레임에 고정하는 기술 등의 개발이 필요한 실정이다.As such, it is necessary to reduce the alignment error between cells by several μm in consideration of the pixel size of the ultra-high-definition OLED, and an error outside of this may lead to product failure, and thus the yield may be very low. Therefore, there is a need to develop a technology capable of preventing deformation such as sagging or twisting of the mask, and clarifying alignment, and a technology of fixing the mask to a frame.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 마스크를 프레임에 부착할 때, 마스크에 변형이 생기는 것을 방지하고 용접 시 마스크의 변형을 감소시켜 위치정밀도를 향상시키는 OLED 화소 형성용 마스크를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Accordingly, the present invention has been devised to solve the problems of the prior art as described above, and when the mask is attached to the frame, it prevents deformation of the mask and reduces deformation of the mask during welding to improve positioning accuracy. It aims at providing the mask for OLED pixel formation.

본 발명의 상기의 목적은, OLED 화소 형성용 마스크로서, 복수의 마스크 패턴이 형성된 마스크 셀, 및 마스크 셀 주변의 더미를 포함하고, 더미의 적어도 일부에 복수의 용접부가 간격을 이루어 형성되며, 용접부에 이격된 더미 영역 상에 주름 방지 패턴이 형성되되, 주름 방지 패턴은, 복수의 용접부가 배열된 방향과 수직한 방향으로, 한 쌍의 용접부의 사이에 형성되는, OLED 화소 형성용 마스크에 의해 달성된다.The above object of the present invention is a mask for forming an OLED pixel, comprising a mask cell on which a plurality of mask patterns are formed, and a dummy around the mask cell, wherein a plurality of welding portions are formed at least in part of the dummy at intervals, the welding portion An anti-wrinkle pattern is formed on the dummy area spaced apart from the dummy area, and the anti-wrinkle pattern is formed between a pair of welds in a direction perpendicular to a direction in which a plurality of welds are arranged, achieved by a mask for forming an OLED pixel do.

주름 방지 패턴은 용접부와 용접부 사이의 높이 편차를 감축할 수 있다.The anti-wrinkle pattern can reduce the height deviation between the weld and the weld.

액티브(Active area) 외곽에서 내측으로 갈수록 높이 편차가 적어질 수 있다.The height deviation may decrease from the outer to the inner side of the active area.

상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 마스크를 프레임에 부착할 때, 마스크에 변형이 생기는 것을 방지하고 용접 시 마스크의 변형을 감소시켜 위치정밀도를 향상시키는 효과가 있다.According to the present invention configured as described above, when the mask is attached to the frame, there is an effect of preventing the deformation of the mask and reducing the deformation of the mask during welding to improve the positioning accuracy.

도 1은 종래의 마스크를 프레임에 부착하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 나타내는 정면도 및 측단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 나타내는 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 템플릿 상에 마스크 금속막을 접착하고 마스크를 형성하여 마스크 지지 템플릿을 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 템플릿을 프레임 상에 로딩하여 마스크를 프레임의 셀 영역에 대응시키는 상태를 나타내는 개략도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 프레임에 부착한 후 마스크와 템플릿을 분리하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 프레임의 셀 영역에 부착한 상태를 나타내는 개략도이다.
도 8은 비교예에 따른 마스크를 프레임에 부착한 상태를 나타내는 개략도이다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 주름 방지 패턴을 나타내는 개략도이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 주름 방지 패턴을 나타내는 개략도이다.
도 12는 본 발명의 실험예에 따른 OLED 화소를 나타낸다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 용접점의 형성 위치를 나타낸다.
도 14는 도 13의 X1, X2, X3, Y1, Y2, Y3를 따라 Z축값을 측정한 그래프이다.
도 15는 도 13의 마스크 전체에 대해 X2, Y3를 따라 Z축값을 측정한 그래프이다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 주름 방지 패턴을 나타내는 개략도이다.1 is a schematic diagram showing a process of attaching a conventional mask to a frame.
2 is a front view and a side cross-sectional view showing a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic diagram illustrating a mask according to an embodiment of the present invention.
4 is a schematic diagram illustrating a process of manufacturing a mask support template by bonding a mask metal film on a template and forming a mask according to an embodiment of the present invention.
5 is a schematic diagram illustrating a state in which a template is loaded onto a frame and a mask corresponds to a cell region of the frame according to an embodiment of the present invention.
6 is a schematic diagram illustrating a process of separating the mask and the template after attaching the mask to the frame according to an embodiment of the present invention.
7 is a schematic diagram illustrating a state in which a mask is attached to a cell region of a frame according to an embodiment of the present invention.
8 is a schematic view showing a state in which a mask according to a comparative example is attached to a frame.
9 and 10 are schematic views showing an anti-wrinkle pattern according to an embodiment of the present invention.
11 is a schematic view showing an anti-wrinkle pattern according to another embodiment of the present invention.
12 shows an OLED pixel according to an experimental example of the present invention.
13 shows a formation position of a welding point according to an embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a graph of measuring Z-axis values along X1, X2, X3, Y1, Y2, and Y3 of FIG. 13 .
FIG. 15 is a graph in which Z-axis values are measured along X2 and Y3 for the entire mask of FIG. 13 .
16 is a schematic diagram illustrating an anti-wrinkle pattern according to an embodiment of the present invention.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [0012] DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [0010] DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [0010] Reference is made to the accompanying drawings, which show by way of illustration specific embodiments in which the present invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the present invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different but need not be mutually exclusive. For example, certain shapes, structures, and characteristics described herein with respect to one embodiment may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention. In addition, it should be understood that the location or arrangement of individual components within each disclosed embodiment may be changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Accordingly, the following detailed description is not intended to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention, if properly described, is limited only by the appended claims, along with all scope equivalents to those claimed. In the drawings, like reference numerals refer to the same or similar functions in various aspects, and the length, area, thickness, and the like may be exaggerated for convenience.

이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, in order to enable those of ordinary skill in the art to easily practice the present invention, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래의 마스크(10)를 프레임(20)에 부착하는 과정을 나타내는 개략도이다.1 is a schematic diagram illustrating a process of attaching a conventional mask 10 to a frame 20 .

종래의 마스크(10)는 스틱형(Stick-Type) 또는 판형(Plate-Type)이며, 도 1의 스틱형 마스크(10)는 스틱의 양측을 OLED 화소 증착 프레임에 용접 고정시켜 사용할 수 있다. 마스크(10)의 바디(Body)[또는, 마스크 막(11)]에는 복수의 디스플레이 셀(C)이 구비된다. 하나의 셀(C)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응한다. 셀(C)에는 디스플레이의 각 화소에 대응하도록 화소 패턴(P)이 형성된다.The conventional mask 10 is a stick-type or a plate-type, and the stick-type mask 10 of FIG. 1 can be used by welding and fixing both sides of the stick to the OLED pixel deposition frame. A plurality of display cells C are provided in the body of the mask 10 (or the mask film 11 ). One cell C corresponds to one display such as a smart phone. A pixel pattern P is formed in the cell C to correspond to each pixel of the display.

도 1의 (a)를 참조하면, 스틱 마스크(10)의 장축 방향으로 인장력(F1~F2)을 가하여 편 상태로 사각틀 형태의 프레임(20) 상에 스틱 마스크(10)를 로딩한다. 스틱 마스크(10)의 셀(C1~C6)들은 프레임(20)의 틀 내부 빈 영역 부분에 위치하게 된다.Referring to (a) of FIG. 1 , the stick mask 10 is loaded on the frame 20 in the form of a square frame in a flat state by applying tensile forces F1 to F2 in the long axis direction of the stick mask 10 . The cells C1 to C6 of the stick mask 10 are located in the blank area inside the frame 20 of the frame 20 .

도 1의 (b)를 참조하면, 스틱 마스크(10)의 각 측에 가하는 인장력(F1~F2)을 미세하게 조절하면서 정렬을 시킨 후, 스틱 마스크(10) 측면의 일부를 용접(W)함에 따라 스틱 마스크(10)와 프레임(20)을 상호 연결한다. 도 1의 (c)는 상호 연결된 스틱 마스크(10)와 프레임의 측단면을 나타낸다.Referring to FIG. 1 (b), after aligning while finely adjusting the tensile force (F1 to F2) applied to each side of the stick mask 10, a part of the side of the stick mask 10 is welded (W). Accordingly, the stick mask 10 and the frame 20 are interconnected. Figure 1 (c) shows a cross-section of the stick mask 10 and the frame interconnected.

스틱 마스크(10)의 각 측에 가하는 인장력(F1~F2)을 미세하게 조절함에도 불구하고, 마스크 셀(C1~C3)들의 상호간에 정렬이 잘 되지 않는 문제점이 나타난다. 가령, 셀(C1~C6)들의 패턴 간에 거리가 상호 다르게 되거나, 패턴(P)들이 비뚤어지는 것이 그 예이다. 스틱 마스크(10)는 복수의 셀(C1~C6)을 포함하는 대면적이고, 수십 ㎛ 수준의 매우 얇은 두께를 가지기 때문에, 하중에 의해 쉽게 쳐지거나 뒤틀어지게 된다. 또한, 각 셀(C1~C6)들을 모두 평평하게 하도록 인장력(F1~F2)을 조절하면서, 각 셀(C1~C6)들간의 정렬 상태를 현미경을 통해 실시간으로 확인하는 것은 매우 어려운 작업이다. 크기가 수 내지 수십 ㎛인 마스크 패턴(P)이 초고화질 OLED의 화소 공정에 악영향을 미치지 않도록 하기 위해서는, 정렬 오차가 3㎛를 초과하지 않는 것이 바람직하다. 이렇게 인접하는 셀 사이의 정렬 오차를 PPA(pixel position accuracy)라 지칭한다.Although the tensile forces F1 to F2 applied to each side of the stick mask 10 are finely adjusted, there is a problem in that the mask cells C1 to C3 are not well aligned with each other. For example, the distance between the patterns of the cells C1 to C6 is different from each other, or the patterns P are skewed, for example. Since the stick mask 10 has a large area including a plurality of cells C1 to C6 and has a very thin thickness of several tens of μm, it is easily sagged or twisted by a load. In addition, it is very difficult to check the alignment between the cells C1 to C6 in real time through a microscope while controlling the tensile force F1 to F2 to flatten all the cells C1 to C6. In order to prevent the mask pattern P having a size of several to several tens of μm from adversely affecting the pixel process of the ultra-high-definition OLED, it is preferable that the alignment error does not exceed 3 μm. This alignment error between adjacent cells is referred to as PPA (pixel position accuracy).

이에 더하여, 복수의 스틱 마스크(10)들을 프레임(20) 하나에 각각 연결하면서, 복수의 스틱 마스크(10)들간에, 그리고 스틱 마스크(10)의 복수의 셀(C~C6)들간에 정렬 상태를 명확히 하는 것도 매우 어려운 작업이고, 정렬에 따른 공정 시간이 증가할 수밖에 없게 되어 생산성을 감축시키는 중대한 이유가 된다.In addition to this, while connecting the plurality of stick masks 10 to one frame 20 , respectively, the alignment state between the plurality of stick masks 10 and between the plurality of cells C to C6 of the stick mask 10 . It is also a very difficult task to clarify, and the processing time according to alignment is inevitably increased, which is a significant reason for reducing productivity.

한편, 스틱 마스크(10)를 프레임(20)에 연결 고정시킨 후에는, 스틱 마스크(10)에 가해졌던 인장력(F1~F2)이 프레임(20)에 역으로 장력(tension)을 작용할 수 있다. 이러한 장력이 프레임(20)을 미세하게 변형시킬 수 있고, 복수의 셀(C~C6)들간에 정렬 상태가 틀어지는 문제가 발생할 수 있다.Meanwhile, after the stick mask 10 is connected and fixed to the frame 20 , the tensile forces F1 to F2 applied to the stick mask 10 may reversely act on the frame 20 . Such tension may slightly deform the frame 20 , and a problem of misalignment between the plurality of cells C to C6 may occur.

이에, 본 발명은 마스크(100)가 프레임(200)과 일체형 구조를 이룰 수 있게 하는 프레임(200) 및 프레임 일체형 마스크를 제안한다. 프레임(200)에 일체로 형성되는 마스크(100)는 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형이 방지되고, 프레임(200)에 명확히 정렬될 수 있다.Accordingly, the present invention proposes a frame 200 and a frame-integrated mask that allows the mask 100 to form an integrated structure with the frame 200 . The mask 100 integrally formed with the frame 200 is prevented from being deformed such as sagging or twisting, and can be clearly aligned with the frame 200 .

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 나타내는 정면도[도 2의 (a)] 및 측단면도[도 2의 (b)]이다.2 is a front view [FIG. 2 (a)] and a side cross-sectional view [FIG. 2 (b)] showing a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention.

본 명세서에서는 아래에서 프레임 일체형 마스크의 구성을 간단히 설명하나, 프레임 일체형 마스크의 구조, 제조 과정은 한국특허출원 제2018-0016186호의 내용이 전체로서 산입된 것으로 이해될 수 있다.In this specification, the configuration of the frame-integrated mask will be briefly described below, but it can be understood that the structure and manufacturing process of the frame-integrated mask are included in the contents of Korean Patent Application No. 2018-0016186 as a whole.

도 2를 참조하면, 프레임 일체형 마스크는, 복수의 마스크(100) 및 하나의 프레임(200)을 포함할 수 있다. 다시 말해, 복수의 마스크(100)들을 각각 하나씩 프레임(200)에 부착한 형태이다. 이하에서는, 설명의 편의상 사각 형태의 마스크(100)를 예로 들어 설명하나, 마스크(100)들은 프레임(200)에 부착되기 전에는 양측에 클램핑되는 돌출부를 구비한 스틱 마스크 형태일 수 있으며, 프레임(200)에 부착된 후에 돌출부가 제거될 수 있다.Referring to FIG. 2 , the frame-integrated mask may include a plurality of masks 100 and one frame 200 . In other words, a plurality of masks 100 are attached to the frame 200 one by one. Hereinafter, for convenience of explanation, the mask 100 having a rectangular shape will be described as an example, but the masks 100 may be in the form of a stick mask having protrusions clamped on both sides before being attached to the frame 200 , and the frame 200 . ) after being attached to the protrusion can be removed.

각각의 마스크(100)에는 복수의 마스크 패턴(P)이 형성되며, 하나의 마스크(100)에는 하나의 셀(C)이 형성될 수 있다. 하나의 마스크 셀(C)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응할 수 있다.A plurality of mask patterns P may be formed on each mask 100 , and one cell C may be formed on one mask 100 . One mask cell C may correspond to one display such as a smart phone.

마스크(100)는 인바(invar), 슈퍼 인바(super invar), 니켈(Ni), 니켈-코발트(Ni-Co) 등의 재질일 수도 있다. 마스크(100)는 압연(rolling) 공정 또는 전주 도금(electroforming)으로 생성한 금속 시트(sheet)를 사용할 수 있다.The mask 100 may be made of a material such as invar, super invar, nickel (Ni), or nickel-cobalt (Ni-Co). The mask 100 may use a metal sheet produced by a rolling process or electroforming.

프레임(200)은 복수의 마스크(100)를 부착시킬 수 있도록 형성된다. 프레임(200)은 열변형을 고려하여 마스크와 동일한 열팽창계수를 가지는 인바, 슈퍼 인바, 니켈, 니켈-코발트 등의 재질로 구성되는 것이 바람직하다. 프레임(200)은 대략 사각 형상, 사각틀 형상의 테두리 프레임부(210)를 포함할 수 있다. 테두리 프레임부(210)의 내부는 중공 형태일 수 있다.The frame 200 is formed so that a plurality of masks 100 can be attached thereto. The frame 200 is preferably made of a material such as Invar, Super Invar, Nickel, or Nickel-Cobalt having the same coefficient of thermal expansion as the mask in consideration of thermal deformation. The frame 200 may include an edge frame portion 210 having a substantially rectangular shape or a rectangular frame shape. The inside of the edge frame part 210 may have a hollow shape.

이에 더하여, 프레임(200)은 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 구비하며, 테두리 프레임부(210)에 연결되는 마스크 셀 시트부(220)를 포함할 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)는 테두리 시트부(221) 및 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)로 구성될 수 있다. 테두리 시트부(221) 및 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)는 동일한 시트에서 구획된 각 부분을 지칭하며, 이들은 상호간에 일체로 형성된다.In addition, the frame 200 may include a plurality of mask cell regions CR, and may include a mask cell sheet unit 220 connected to the edge frame unit 210 . The mask cell sheet unit 220 may include an edge sheet unit 221 and first and second grid sheet units 223 and 225 . The edge sheet portion 221 and the first and second grid sheet portions 223 and 225 refer to partitioned portions of the same sheet, and they are integrally formed with each other.

테두리 프레임부(210)의 두께는 마스크 셀 시트부(220)의 두께보다 두꺼운 수mm 내지 수cm의 두께로 형성될 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)는 테두리 프레임부(210)의 두께보다는 얇지만, 마스크(100)보다는 두꺼운 약 0.1mm 내지 1mm 정도로 두께일 수 있다. 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)의 폭은 약 1~5mm 정도로 형성될 수 있다.The thickness of the edge frame portion 210 may be formed to a thickness of several mm to several cm thicker than the thickness of the mask cell sheet portion 220 . The mask cell sheet part 220 is thinner than the thickness of the edge frame part 210 , but may have a thickness of about 0.1 mm to 1 mm thicker than the mask 100 . The width of the first and second grid sheet parts 223 and 225 may be about 1 to 5 mm.

평면의 시트에서 테두리 시트부(221), 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)가 점유하는 영역을 제외하여, 복수의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)이 제공될 수 있다. In the flat sheet, a plurality of mask cell regions CR: CR11 to CR56 may be provided except for regions occupied by the edge sheet part 221 and the first and second grid sheet parts 223 and 225 .

프레임(200)은 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 구비하고, 각각의 마스크(100)는 각각 하나의 마스크 셀(C)이 마스크 셀 영역(CR)에 대응되도록 부착될 수 있다. 마스크 셀(C)은 프레임(200)의 마스크 셀 영역(CR)에 대응하고, 더미의 일부 또는 전부가 프레임(200)[마스크 셀 시트부(220)]에 부착될 수 있다. 이에 따라, 마스크(100)와 프레임(200)이 일체형 구조를 이룰 수 있게 된다.The frame 200 includes a plurality of mask cell regions CR, and each mask 100 may be attached such that one mask cell C corresponds to the mask cell region CR. The mask cell C corresponds to the mask cell region CR of the frame 200 , and a part or all of the dummy may be attached to the frame 200 (the mask cell sheet unit 220 ). Accordingly, the mask 100 and the frame 200 can form an integrated structure.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)를 나타내는 개략도이다.3 is a schematic diagram illustrating a mask 100 according to an embodiment of the present invention.

마스크(100)는 복수의 마스크 패턴(P)이 형성된 마스크 셀(C) 및 마스크 셀(C) 주변의 더미(DM)를 포함할 수 있다. 압연 공정, 전주 도금 등으로 생성한 금속 시트로 마스크(100)를 제조할 수 있고, 마스크(100)에는 하나의 셀(C)이 형성될 수 있다. 더미(DM)는 셀(C)을 제외한 마스크 막(110)[마스크 금속막(110)] 부분에 대응하고, 마스크 막(110)만을 포함하거나, 마스크 패턴(P)과 유사한 형태의 소정의 더미 패턴이 형성된 마스크 막(110)을 포함할 수 있다. 더미(DM)는 마스크(100)의 테두리에 대응하여 더미(DM)의 일부 또는 전부가 프레임(200)[마스크 셀 시트부(220)]에 부착될 수 있다.The mask 100 may include a mask cell C on which a plurality of mask patterns P are formed and a dummy DM around the mask cell C. The mask 100 may be manufactured from a metal sheet produced by a rolling process, electroplating, or the like, and one cell C may be formed in the mask 100 . The dummy DM corresponds to a portion of the mask film 110 (mask metal film 110 ) excluding the cell C, and includes only the mask film 110 or a predetermined dummy having a shape similar to the mask pattern P. The patterned mask layer 110 may be included. A part or all of the dummy DM may be attached to the frame 200 (the mask cell sheet unit 220 ) corresponding to the edge of the mask 100 .

마스크 패턴(P)의 폭은 40㎛보다 작게 형성될 수 있고, 마스크(100)의 두께는 약 5~20㎛로 형성될 수 있다. 프레임(200)이 복수의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)을 구비하므로, 각각의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)에 대응하는 마스크 셀(C: C11~C56)을 가지는 마스크(100)도 복수개 구비할 수 있다. 또한, 후술할 복수개의 마스크(100)의 각각을 지지하는 복수의 템플릿(50)을 구비할 수 있다.The width of the mask pattern P may be formed to be smaller than 40 μm, and the thickness of the mask 100 may be formed to be about 5 to 20 μm. Since the frame 200 includes a plurality of mask cell regions CR: CR11 to CR56, the mask 100 having mask cells C: C11 to C56 corresponding to each of the mask cell regions CR: CR11 to CR56. ) may also be provided in plurality. In addition, a plurality of templates 50 supporting each of a plurality of masks 100 to be described later may be provided.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 템플릿(50) 상에 마스크 금속막(110)을 접착하고 마스크(100)를 형성하여 마스크 지지 템플릿을 제조하는 과정을 나타내는 개략도이다.4 is a schematic diagram illustrating a process of manufacturing a mask support template by bonding the mask metal film 110 on the template 50 and forming the mask 100 according to an embodiment of the present invention.

도 4의 (a)를 참조하면, 템플릿(template; 50)을 제공할 수 있다. 템플릿(50)은 마스크(100)가 일면 상에 부착되어 지지된 상태로 이동시킬 수 있는 매개체이다. 중심부(50a)는 마스크 금속막(110)의 마스크 셀(C)에 대응하고, 테두리부(50b)는 마스크 금속막(110)의 더미(DM)에 대응할 수 있다. 마스크 금속막(110)이 전체적으로 지지될 수 있도록 템플릿(50)의 크기는 마스크 금속막(110)보다 면적이 동일하거나 큰 평판 형상일 수 있다.Referring to FIG. 4A , a template 50 may be provided. The template 50 is a medium that can move the mask 100 in a supported state attached to one surface. The central part 50a may correspond to the mask cell C of the mask metal layer 110 , and the edge part 50b may correspond to the dummy DM of the mask metal layer 110 . The size of the template 50 may be a flat plate shape having the same area or a larger area than that of the mask metal layer 110 so that the mask metal layer 110 can be supported as a whole.

템플릿(50)은 마스크(100)를 프레임(200)에 정렬시키고 접착하는 과정에서 비전(vision) 등을 관측하기 용이하도록 투명한 재질인 것이 바람직하다. 또한, 투명한 재질인 경우 레이저가 관통할 수도 있다. 투명한 재질로서 글래스(glass), 실리카(silica), 내열유리, 석영(quartz), 알루미나(Al₂O₃), 붕규산유리(borosilicate glass), 지르코니아(zirconia) 등의 재질을 사용할 수 있다. 일 예로, 템플릿(50)은 붕규산유리 중 우수한 내열성, 화학적 내구성, 기계적 강도, 투명성 등을 가지는 BOROFLOAT^® 33 재질을 사용할 수 있다. 또한, BOROFLOAT^® 33은 열팽창계수가 약 3.3으로 인바 마스크 금속막(110)과 열팽창계수 차이가 적어 마스크 금속막(110)의 제어에 용이한 이점이 있다.The template 50 is preferably made of a transparent material so that vision can be easily observed in the process of aligning and adhering the mask 100 to the frame 200 . In addition, in the case of a transparent material, the laser may penetrate. As a transparent material, a material such as glass, silica, heat-resistant glass, quartz, alumina (Al ₂ O ₃ ), borosilicate glass, or zirconia may be used. As an example, the template 50 may use a material of BOROFLOAT ^® 33 having excellent heat resistance, chemical durability, mechanical strength, transparency, etc. among borosilicate glass. In addition, BOROFLOAT ^® 33 has a thermal expansion coefficient of about 3.3, which has a small difference between the invar mask metal film 110 and the invar mask metal film 110 , so that it is easy to control the mask metal film 110 .

한편, 템플릿(50)은 마스크 금속막(110)[또는, 마스크(100)]과의 계면 사이에서 에어갭(air gap)이 발생하지 않도록, 마스크 금속막(110)과 접촉하는 일면이 경면일 수 있다. 이를 고려하여, 템플릿(50)의 일면의 표면 조도(Ra)가 100nm 이하일 수 있다. 표면 조도(Ra)가 100nm 이하인 템플릿(50)을 구현하기 위해, 템플릿(50)은 웨이퍼(wafer)를 사용할 수 있다. 웨이퍼(wafer)는 표면 조도(Ra)가 약 10nm 정도이고, 시중의 제품이 많고 표면처리 공정들이 많이 알려져 있으므로, 템플릿(50)으로 사용할 수 있다. 템플릿(50)의 표면 조도(Ra)가 nm 스케일이기 때문에 에어갭이 없거나, 거의 없는 수준으로, 레이저 용접에 의한 용접 비드(WB)의 생성이 용이하여 마스크 패턴(P)의 정렬 오차에 영향을 주지 않을 수 있다.On the other hand, the template 50 has a mirror surface on one surface in contact with the mask metal film 110 so that an air gap does not occur between the interface with the mask metal film 110 (or the mask 100 ). can In consideration of this, the surface roughness Ra of one surface of the template 50 may be 100 nm or less. In order to implement the template 50 having a surface roughness Ra of 100 nm or less, the template 50 may use a wafer. A wafer has a surface roughness (Ra) of about 10 nm, and since there are many products on the market and many surface treatment processes are known, it can be used as the template 50 . Since the surface roughness Ra of the template 50 is in the nm scale, there is no air gap or almost no air gap, and the generation of the weld bead WB by laser welding is easy to affect the alignment error of the mask pattern P may not give

템플릿(50)은 템플릿(50)의 상부에서 조사하는 레이저(L)가 마스크(100)의 용접부(용접을 수행할 영역)에까지 도달할 수 있도록, 템플릿(50)에는 레이저 통과공(51)이 형성될 수 있다. 레이저 통과공(51)은 용접부의 위치 및 개수에 대응하도록 템플릿(50)에 형성될 수 있다. 용접부는 마스크(100)의 테두리 또는 더미(DM) 부분에서 소정 간격을 따라 복수개 배치되어 있으므로, 레이저 통과공(51)도 이에 대응하도록 소정 간격을 따라 복수개 형성될 수 있다. 일 예로, 용접부는 마스크(100)의 양측(좌측/우측) 더미(DM) 부분에 소정 간격을 따라 복수개 배치되어 있으므로, 레이저 통과공(51)도 템플릿(50)이 양측(좌측/우측)에 소정 간격을 따라 복수개 형성될 수 있다.The template 50 has a laser passing hole 51 in the template 50 so that the laser L irradiated from the top of the template 50 can reach the welding part (the area to be welded) of the mask 100 . can be formed. The laser passing hole 51 may be formed in the template 50 to correspond to the position and number of welds. Since a plurality of welding parts are disposed along a predetermined interval in the edge or dummy DM portion of the mask 100 , a plurality of laser passing holes 51 may be formed along a predetermined interval to correspond thereto. For example, since a plurality of welding parts are disposed along a predetermined interval on both sides (left/right) dummy DM portions of the mask 100 , the laser passing hole 51 also includes the template 50 on both sides (left/right). A plurality may be formed along a predetermined interval.

레이저 통과공(51)은 반드시 용접부의 위치 및 개수에 대응될 필요는 없다. 예를 들어, 레이저 통과공(51) 중 일부에 대해서만 레이저(L)를 조사하여 용접을 수행할 수도 있다. 또한, 용접부에 대응되지 않는 레이저 통과공(51) 중 일부는 마스크(100)와 템플릿(50)을 정렬할 때 얼라인 마크를 대신하여 사용할 수도 있다. 만약, 템플릿(50)의 재질이 레이저(L) 광에 투명하다면 레이저 통과공(51)을 형성하지 않을 수도 있다.The laser passing hole 51 does not necessarily correspond to the position and number of the welding part. For example, welding may be performed by irradiating the laser L to only a portion of the laser passing holes 51 . In addition, some of the laser passing holes 51 that do not correspond to the welding part may be used instead of the alignment mark when aligning the mask 100 and the template 50 . If the material of the template 50 is transparent to the laser (L) light, the laser passing hole 51 may not be formed.

템플릿(50)의 일면에는 임시접착부(55)가 형성될 수 있다. 임시접착부(55)는 마스크(100)가 프레임(200)에 부착되기 전까지 마스크(100)[또는, 마스크 금속막(110')]이 임시로 템플릿(50)의 일면에 접착되어 템플릿(50) 상에 지지되도록 할 수 있다.A temporary adhesive portion 55 may be formed on one surface of the template 50 . The temporary adhesive portion 55 is formed by temporarily adhering the mask 100 (or the mask metal film 110 ′) to one surface of the template 50 until the mask 100 is attached to the frame 200 . It can be supported on top.

임시접착부(55)는 열을 가함에 따라 분리가 가능한 접착제 또는 접착 시트, UV 조사에 의해 분리가 가능한 접착제 또는 접착시트를 사용할 수 있다.The temporary adhesive part 55 may use an adhesive or an adhesive sheet that can be separated by applying heat, or an adhesive or an adhesive sheet that can be separated by UV irradiation.

일 예로, 임시접착부(55)는 액체 왁스(liquid wax)를 사용할 수 있다. 액체 왁스는 반도체 웨이퍼의 폴리싱 단계 등에서 이용되는 왁스와 동일한 것을 사용할 수 있고, 그 유형이 특별히 한정되지는 않는다. 액체 왁스는 주로 유지력에 관한 접착력, 내충격성 등을 제어하기 위한 수지 성분으로 아크릴, 비닐아세테이트, 나일론 및 다양한 폴리머와 같은 물질 및 용매를 포함할 수 있다. 일 예로, 임시접착부(55)는 수지 성분으로 아크릴로나이트릴 뷰타디엔 고무(ABR, Acrylonitrile butadiene rubber), 용매 성분으로 n-프로필알코올을 포함하는 SKYLIQUID ABR-4016을 사용할 수 있다. 액체 왁스는 스핀 코팅을 사용하여 임시접착부(55) 상에 형성할 수 있다.For example, the temporary adhesive part 55 may use liquid wax. As the liquid wax, the same wax used in the polishing step of a semiconductor wafer or the like may be used, and the type is not particularly limited. The liquid wax is a resin component for controlling adhesion, impact resistance, and the like with respect to holding power, and may include materials such as acrylic, vinyl acetate, nylon, and various polymers and solvents. For example, the temporary adhesive part 55 may use acrylonitrile butadiene rubber (ABR) as a resin component and SKYLIQUID ABR-4016 containing n-propyl alcohol as a solvent component. The liquid wax may be formed on the temporary adhesive portion 55 using spin coating.

액체 왁스인 임시접착부(55)는 85℃~100℃보다 높은 온도에서는 점성이 낮아지고, 85℃보다 낮은 온도에서 점성이 커지고 고체처럼 일부 굳을 수 있어, 마스크 금속막(110')과 템플릿(50)을 고정 접착할 수 있다.The temporary adhesive part 55, which is a liquid wax, has a lower viscosity at a temperature higher than 85°C to 100°C, increases in viscosity at a temperature lower than 85°C, and can be partially solidified like a solid, so that the mask metal film 110' and the template 50 ) can be fixedly attached.

다음으로, 도 4의 (b)를 참조하면, 템플릿(50) 상에 마스크 금속막(110)을 접착할 수 있다. 액체 왁스를 85℃이상으로 가열하고 마스크 금속막(110)을 템플릿(50)에 접촉시킨 후, 마스크 금속막(110) 및 템플릿(50)을 롤러 사이에 통과시켜 접착을 수행할 수 있다.Next, referring to FIG. 4B , the mask metal layer 110 may be adhered on the template 50 . After the liquid wax is heated to 85° C. or higher and the mask metal film 110 is brought into contact with the template 50, the mask metal film 110 and the template 50 are passed between rollers to perform adhesion.

일 실시예에 따르면, 템플릿(50)에 약 120℃, 60초 동안 베이킹(baking)을 수행하여 임시접착부(55)의 솔벤트를 기화시키고, 곧바로, 마스크 금속막 라미네이션(lamination) 공정을 진행할 수 있다. 라미네이션은 임시접착부(55)가 일면에 형성된 템플릿(50) 상에 마스크 금속막(110)을 로딩하고, 약 100℃의 상부 롤(roll)과 약 0℃의 하부 롤 사이에 통과시켜 수행할 수 있다. 그 결과로, 마스크 금속막(110')이 템플릿(50) 상에서 임시접착부(55)를 개재하여 접촉될 수 있다.According to an embodiment, baking is performed on the template 50 at about 120° C. for 60 seconds to vaporize the solvent in the temporary adhesive part 55, and immediately, a mask metal film lamination process may be performed. . Lamination can be performed by loading the mask metal film 110 on the template 50 having the temporary adhesive part 55 formed on one surface and passing it between the upper roll at about 100° C. and the lower roll at about 0° C. there is. As a result, the mask metal layer 110 ′ may be in contact with the template 50 via the temporary adhesive portion 55 .

또 다른 예로, 임시접착부(55)는 열박리 테이프(thermal release tape)를 사용할 수 있다. 열박리 테이프는 가운데에 PET 필름 등의 코어 필름이 배치되고, 코어 필름의 양면에 열박리가 가능한 점착층(thermal release adhesive)이 배치되며, 점착층의 외곽에 박리 필름/이형 필름가 배치된 형태일 수 있다. 여기서 코어 필름의 양면에 배치되는 점착층은 상호 박리되는 온도가 상이할 수 있다.As another example, the temporary adhesive part 55 may use a thermal release tape. In the heat release tape, a core film such as a PET film is disposed in the center, a thermal release adhesive that can be thermally peeled is disposed on both sides of the core film, and a release film/release film is disposed on the outside of the adhesive layer. can Here, the pressure-sensitive adhesive layers disposed on both surfaces of the core film may have different temperatures at which they are peeled from each other.

일 실시예에 따르면, 박리 필름/이형 필름을 제거한 상태에서, 열박리 테이프의 하부면(코어 필름의 하부 제2 점착층)은 템플릿(50)에 접착되고, 열박리 테이프의 상부면(코어 필름의 상부 제1 점착층)은 마스크 금속막(110')에 접착될 수 있다. 제1 점착층과 제2 점착층은 상호 박리되는 온도가 상이하므로, 후술할 도 16에서 마스크(100)로부터 템플릿(50)을 분리할 때, 제1 점착층이 열박리 되는 열을 가함에 따라 마스크(100)는 템플릿(50) 및 임시접착부(55)로부터 분리가 가능해질 수 있다.According to one embodiment, with the release film/release film removed, the lower surface of the heat release tape (the lower second adhesive layer of the core film) is adhered to the template 50 , and the upper surface of the heat release tape (the core film) of the upper first adhesive layer) may be adhered to the mask metal layer 110 ′. Since the temperature at which the first adhesive layer and the second adhesive layer are peeled from each other is different, when the template 50 is separated from the mask 100 in FIG. 16 to be described later, as the first adhesive layer is subjected to heat to be thermally peeled off The mask 100 may be detachable from the template 50 and the temporary adhesive part 55 .

한편, 마스크 금속막(110)은 일면 또는 양면에 표면 결함 제거 공정과 두께 감축 공정이 수행된 것을 사용할 수 있다. 또 한편, 두께 감축 공정은 마스크 셀(C) 부분에 대해서만 수행할 수 있다. CMP 등 표면 결함 제거 공정 후, 마스크 금속막(110)의 용접부(WP)에 대응하는 영역에만 포토레지스트 등 절연부(미도시)를 형성하거나, 또는, 마스크 금속막(110)이 템플릿(50) 상에 접착지지된 상태에서 마스크 금속막(110)의 용접부(WP)에 대응하는 영역에만 포토레지스트 등 절연부(미도시)를 형성한 후, 마스크 셀(C) 부분에 대해 두께 감축을 위한 식각 공정을 수행하여 용접부(WP)는 두껍게 형성하여 마스크 셀(C) 부분과 단차를 이루게 하고, 동시에 마스크 패턴(P)이 형성될 마스크 셀(C) 부분의 표면은 결함이 없는 상태로 만들 수 있다.On the other hand, the mask metal layer 110 may use a surface defect removal process and a thickness reduction process performed on one or both surfaces. On the other hand, the thickness reduction process may be performed only on the mask cell (C) portion. After the surface defect removal process such as CMP, an insulating part (not shown) such as a photoresist is formed only in the region corresponding to the welded part WP of the mask metal film 110 , or the mask metal film 110 is used as the template 50 . After forming an insulating part (not shown) such as a photoresist only in a region corresponding to the welding part WP of the mask metal film 110 in a state of being adhered and supported thereon, etching for reducing the thickness of the mask cell C part By performing the process, the welding portion WP is formed thick to form a step with the mask cell C portion, and at the same time, the surface of the mask cell C portion where the mask pattern P is to be formed can be made in a defect-free state. .

또 한편, 마스크 금속막(110)의 하부면 상에 포토레지스트 같은 절연부(미도시)를 더 형성하고, 절연부를 마스크 금속막(110)과 임시접착부(55) 사이에 개재되도록 접착할 수도 있다. 도 4의 (c) 단계에서 식각액이 마스크 금속막(110)과 임시접착부(55)의 계면까지 진입하여 임시접착부(55)/템플릿(50)을 손상시키고, 마스크 패턴(P)의 식각 오차를 발생시키는 것을 방지하기 위해서 절연부를 더 형성하는 것이다. 식각액에 강한 내구성을 가지도록 절연부는 경화성 네거티브 포토레지스트, 에폭시를 포함하는 네거티브 포토레지스트 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 일 예로, 에폭시 기반의 SU-8 포토레지스트, 블랙 매트릭스(black matrix) 포토레지스트를 사용하여 임시접착부(55)의 베이킹, 절연부(25)의 베이킹[도 4의 (c) 참조] 등의 과정에서 같이 경화가 되도록 하는 것이 바람직하다.Alternatively, an insulating part (not shown) such as a photoresist may be further formed on the lower surface of the mask metal layer 110 , and the insulating part may be bonded to be interposed between the mask metal layer 110 and the temporary adhesive part 55 . . In step (c) of FIG. 4 , the etchant enters the interface between the mask metal film 110 and the temporary adhesive part 55 to damage the temporary adhesive part 55/template 50, and the etching error of the mask pattern P is corrected. It is to further form an insulating portion in order to prevent the occurrence. The insulating part may include at least one of a curable negative photoresist and a negative photoresist including an epoxy to have strong durability against the etchant. As an example, a process such as baking of the temporary adhesive part 55 using an epoxy-based SU-8 photoresist or a black matrix photoresist, baking of the insulating part 25 (see FIG. 4(c) ), etc. It is preferable to make it harden together.

다음으로, 도 4의 (c)를 참조하면, 마스크 금속막(110) 상에 패턴화된 절연부(25)를 형성할 수 있다. 절연부(25)는 프린팅 법 등을 이용하여 포토레지스트 재질로 형성될 수 있다.Next, referring to FIG. 4C , a patterned insulating portion 25 may be formed on the mask metal layer 110 . The insulating part 25 may be formed of a photoresist material using a printing method or the like.

이어서, 마스크 금속막(110)의 식각을 수행할 수 있다. 건식 식각, 습식 식각 등의 방법을 제한없이 사용할 수 있고, 식각 결과 절연부(25) 사이의 빈 공간(26)으로 노출된 마스크 금속막(110)의 부분이 식각될 수 있다. 마스크 금속막(110)의 식각된 부분은 마스크 패턴(P)을 구성하고, 복수의 마스크 패턴(P)이 형성된 마스크(100)가 제조될 수 있다.Subsequently, the mask metal layer 110 may be etched. Methods such as dry etching and wet etching may be used without limitation, and as a result of the etching, a portion of the mask metal layer 110 exposed to the empty space 26 between the insulating portions 25 may be etched. The etched portion of the mask metal layer 110 constitutes the mask pattern P, and the mask 100 in which the plurality of mask patterns P are formed may be manufactured.

이때, 마스크 금속막(110)은 표면 결함이 제거된 상태이므로 식각 공정에서 원하는 패턴 형태로 식각이 가능하다. 미세한 마스크 패턴(P)을 형성할 수 있으므로, 고해상도 OLED 화소 공정에 사용될 수 있는 마스크(100)를 제조할 수 있는 효과가 있다.At this time, since the mask metal layer 110 is in a state in which surface defects are removed, it is possible to etch a desired pattern shape in the etching process. Since a fine mask pattern P can be formed, there is an effect that the mask 100 that can be used in a high-resolution OLED pixel process can be manufactured.

다음으로, 도 4의 (d)를 참조하면, 절연부(25)를 제거하여 마스크(100)를 지지하는 템플릿(50)의 제조를 완료할 수 있다.Next, referring to FIG. 4D , the manufacturing of the template 50 supporting the mask 100 may be completed by removing the insulating portion 25 .

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 템플릿(50)을 프레임(200) 상에 로딩하여 마스크(100)를 프레임(200)의 셀 영역(CR)에 대응시키는 상태를 나타내는 개략도이다. 도 5에는 하나의 마스크(100)를 셀 영역(CR)에 대응/부착하는 것이 예시되나, 복수의 마스크(100)를 동시에 각각 모든 셀 영역(CR)에 대응시켜서 마스크(100)를 프레임(200)에 부착하는 과정을 수행할 수도 있다. 이 경우, 복수개의 마스크(100)의 각각을 지지하는 복수의 템플릿(50)을 구비할 수 있다.5 is a schematic diagram illustrating a state in which the template 50 is loaded onto the frame 200 and the mask 100 corresponds to the cell region CR of the frame 200 according to an embodiment of the present invention. In FIG. 5 , one mask 100 is exemplified corresponding to/attached to the cell region CR, but a plurality of masks 100 are simultaneously applied to all cell regions CR to form the mask 100 into the frame 200 . ) may be attached to the In this case, a plurality of templates 50 supporting each of the plurality of masks 100 may be provided.

템플릿(50)은 진공 척(90)에 의해 이송될 수 있다. 진공 척(90)으로 마스크(100)가 접착된 템플릿(50) 면의 반대 면을 흡착하여 이송할 수 있다. 진공 척(90)이 템플릿(50)을 흡착하여 플립한 후, 프레임(200) 상으로 템플릿(50)을 이송하는 과정에서도, 마스크(100)의 접착 상태 및 정렬 상태에는 영향이 없게 된다. The template 50 may be transferred by the vacuum chuck 90 . The mask 100 may be transferred by adsorbing the opposite surface of the template 50 to which the mask 100 is attached with the vacuum chuck 90 . After the vacuum chuck 90 adsorbs and flips the template 50 , even in the process of transferring the template 50 onto the frame 200 , the adhesive state and alignment state of the mask 100 are not affected.

다음으로, 도 5를 참조하면, 마스크(100)를 프레임(200)의 하나의 마스크 셀 영역(CR)에 대응할 수 있다. 템플릿(50)을 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)] 상에 로딩하는 것으로 마스크(100)를 마스크 셀 영역(CR)에 대응시킬 수 있다. 템플릿(50)/진공 척(90)의 위치를 제어하면서, 현미경을 통해 마스크(100)가 마스크 셀 영역(CR)에 대응하는지 살펴볼 수 있다. 템플릿(50)이 마스크(100)를 압착하므로, 마스크(100)와 프레임(200)은 긴밀히 맞닿을 수 있다.Next, referring to FIG. 5 , the mask 100 may correspond to one mask cell region CR of the frame 200 . By loading the template 50 on the frame 200 (or the mask cell sheet unit 220 ), the mask 100 may correspond to the mask cell region CR. While controlling the position of the template 50/vacuum chuck 90, it is possible to check whether the mask 100 corresponds to the mask cell region CR through a microscope. Since the template 50 compresses the mask 100 , the mask 100 and the frame 200 may be in close contact.

한편, 하부 지지체(70)를 프레임(200) 하부에 더 배치할 수도 있다. 하부 지지체(70)는 마스크(100)가 접촉하는 마스크 셀 영역(CR)의 반대면을 압착할 수 있다. 동시에, 하부 지지체(70)와 템플릿(50)이 상호 반대되는 방향으로 마스크(100)의 테두리 및 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]를 압착하게 되므로, 마스크(100)의 정렬 상태가 흐트러지지 않고 유지될 수 있게 된다.Meanwhile, the lower support 70 may be further disposed under the frame 200 . The lower support 70 may press the opposite surface of the mask cell region CR to which the mask 100 contacts. At the same time, since the lower support 70 and the template 50 press the edge and the frame 200 (or the mask cell sheet part 220 ) of the mask 100 in opposite directions, the mask 100 is The alignment state can be maintained without being disturbed.

이어서, 마스크(100)에 레이저(L)를 조사하여 레이저 용접에 의해 마스크(100)를 프레임(200)에 부착할 수 있다. 레이저 용접된 마스크의 용접부 부분에는 용접 비드(WB)가 생성되고, 용접 비드(WB)는 마스크(100)/프레임(200)과 동일한 재질을 가지고 일체로 연결될 수 있다.Then, the mask 100 may be attached to the frame 200 by irradiating the laser L to the mask 100 by laser welding. A welding bead WB is generated in the welding part of the laser-welded mask, and the welding bead WB may have the same material as that of the mask 100/frame 200 and may be integrally connected.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)를 프레임(200)에 부착한 후 마스크(100)와 템플릿(50)을 분리하는 과정을 나타내는 개략도이다.6 is a schematic diagram illustrating a process of separating the mask 100 and the template 50 after attaching the mask 100 to the frame 200 according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 마스크(100)를 프레임(200)에 부착한 후, 마스크(100)와 템플릿(50)을 분리(debonding)할 수 있다. 마스크(100)와 템플릿(50)의 분리는 임시접착부(55)에 열 인가(ET), 화학적 처리(CM), 초음파 인가(US), UV 인가(UV) 중 적어도 어느 하나를 통해 수행할 수 있다. 마스크(100)는 프레임(200)에 부착된 상태를 유지하므로, 템플릿(50)만을 들어올릴 수 있다. 일 예로, 85℃~100℃보다 높은 온도의 열을 인가(ET)하면 임시접착부(55)의 점성이 낮아지게 되고, 마스크(100)와 템플릿(50)의 접착력이 약해지게 되어, 마스크(100)와 템플릿(50)이 분리될 수 있다. 다른 예로, IPA, 아세톤, 에탄올 등의 화학 물질에 임시접착부(55)를 침지(CM)함으로서 임시접착부(55)를 용해, 제거 등의 방식으로 마스크(100)와 템플릿(50)이 분리될 수 있다. 다른 예로, 초음파를 인가(US)하거나, UV를 인가(UV)하면 마스크(100)와 템플릿(50)의 접착력이 약해지게 되어, 마스크(100)와 템플릿(50)이 분리될 수 있다.Referring to FIG. 6 , after the mask 100 is attached to the frame 200 , the mask 100 and the template 50 may be debonded. Separation of the mask 100 and the template 50 may be performed through at least one of heat application (ET), chemical treatment (CM), ultrasonic application (US), and UV application (UV) to the temporary adhesive part 55 . there is. Since the mask 100 remains attached to the frame 200 , only the template 50 can be lifted. For example, when heat of a temperature higher than 85° C. to 100° C. is applied (ET), the viscosity of the temporary adhesive part 55 is lowered, and the adhesive force between the mask 100 and the template 50 is weakened, so that the mask 100 ) and the template 50 may be separated. As another example, the mask 100 and the template 50 can be separated by dissolving or removing the temporary adhesive part 55 by immersing (CM) the temporary adhesive part 55 in a chemical substance such as IPA, acetone, or ethanol. there is. As another example, when ultrasound is applied (US) or UV is applied (UV), the adhesive force between the mask 100 and the template 50 is weakened, so that the mask 100 and the template 50 may be separated.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)를 프레임(200)에 부착한 상태를 나타내는 개략도이다. 도 7에서는 모든 마스크(100)를 프레임(200)의 셀 영역(CR)에 부착한 상태를 나타낸다. 하나씩 마스크(100)를 부착한 후 템플릿(50)을 분리할 수 있지만, 모든 마스크(100)를 부착한 후 모든 템플릿(50)을 분리할 수 있다.7 is a schematic diagram illustrating a state in which the mask 100 is attached to the frame 200 according to an embodiment of the present invention. 7 shows a state in which all the masks 100 are attached to the cell region CR of the frame 200 . After attaching the masks 100 one by one, the templates 50 may be separated, but after all the masks 100 are attached, all the templates 50 may be separated.

도 7을 참조하면, 하나의 마스크(100)는 프레임(200)의 하나의 셀 영역(CR) 상에 부착될 수 있다. 프레임(200)의 마스크 셀 시트부(220)는 얇은 두께를 가지기 때문에, 마스크(100)에 인장력이 가해진 채로 마스크 셀 시트부(220)에 부착이 되면, 마스크(100)에 잔존하는 인장력이 마스크 셀 시트부(220) 및 마스크 셀 영역(CR)에 작용하게 되어 이들을 변형시킬 수도 있다. 따라서, 마스크(100)에 인장력을 가하지 않은 채로 마스크 셀 시트부(220)에 마스크(100)의 부착을 수행해야 한다. 본 발명은 템플릿(50) 상에 마스크(100)를 부착하고, 템플릿(50)을 프레임(200) 상에 로딩하는 것만으로 마스크(100)를 프레임(200)의 마스크 셀 영역(CR)에 대응하는 과정이 완료되므로, 이 과정에서 마스크(100)에 어떠한 인장력도 가하지 않을 수 있다.Referring to FIG. 7 , one mask 100 may be attached on one cell region CR of the frame 200 . Since the mask cell sheet portion 220 of the frame 200 has a thin thickness, when it is attached to the mask cell sheet portion 220 while a tensile force is applied to the mask 100, the tensile force remaining in the mask 100 is applied to the mask. It acts on the cell sheet part 220 and the mask cell region CR and may deform them. Therefore, it is necessary to attach the mask 100 to the mask cell sheet 220 without applying a tensile force to the mask 100 . In the present invention, the mask 100 corresponds to the mask cell region CR of the frame 200 only by attaching the mask 100 on the template 50 and loading the template 50 on the frame 200 . Since the process is completed, no tensile force may be applied to the mask 100 in this process.

본 발명의 경우는, 마스크(100)의 하나의 셀(C)을 대응시키고 정렬 상태를 확인하기만 하면 되므로, 복수의 셀을 동시에 대응시키고 정렬 상태를 모두 확인하여야 하는 종래의 방법보다, 제조시간을 현저하게 감축시킬 수 있다.In the case of the present invention, since it is only necessary to match one cell C of the mask 100 and check the alignment state, the manufacturing time is higher than the conventional method in which a plurality of cells are simultaneously matched and the alignment state is checked. can be significantly reduced.

한편, 도 4의 (b) 단계에서 상술한 바와 같이, 라미네이션 공정으로 템플릿(50)에 마스크 금속막(110)을 접착할 때, 약 100℃의 온도가 마스크 금속막(110)에 가해질 수 있다. 이에 의해 마스크 금속막(110)에 일부 인장 장력이 걸린 상태로 템플릿(50)에 접착될 수 있다. 그 후, 마스크(100)가 프레임(200)에 부착되고, 템플릿(50)이 마스크(100)와 분리되면, 마스크(100)는 소정양 수축할 수 있다.Meanwhile, as described above in step (b) of FIG. 4 , when the mask metal layer 110 is adhered to the template 50 by a lamination process, a temperature of about 100° C. may be applied to the mask metal layer 110 . . Accordingly, the mask metal layer 110 may be adhered to the template 50 in a state in which a partial tensile tension is applied. After that, when the mask 100 is attached to the frame 200 and the template 50 is separated from the mask 100 , the mask 100 may be contracted by a predetermined amount.

각각의 마스크(100)들이 모두 대응되는 마스크 셀 영역(CR) 상에 부착된 후에 템플릿(50)과 마스크(100)들이 분리되면, 복수의 마스크(100)들이 상호 반대방향으로 수축되는 장력을 인가하기 때문에, 그 힘이 상쇄되어 마스크 셀 시트부(220)에는 변형이 일어나지 않게 된다. 예를 들어, CR11 셀 영역에 부착된 마스크(100)와 CR12 셀 영역에 부착된 마스크(100) 사이의 제1 그리드 시트부(223)는 CR11 셀 영역에 부착된 마스크(100)의 우측 방향으로 작용하는 장력과 CR12 셀 영역에 부착된 마스크(100)의 좌측 방향으로 작용하는 장력이 상쇄될 수 있다. 그리하여, 장력에 의한 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]에는 변형이 최소화되어 마스크(100)[또는, 마스크 패턴(P)]의 정렬 오차가 최소화 될 수 있는 이점이 있다.When the template 50 and the masks 100 are separated after each mask 100 is attached on the corresponding mask cell region CR, a tension is applied to the plurality of masks 100 to contract in opposite directions. Therefore, the force is canceled so that deformation does not occur in the mask cell sheet part 220 . For example, the first grid sheet part 223 between the mask 100 attached to the CR11 cell area and the mask 100 attached to the CR12 cell area moves to the right of the mask 100 attached to the CR11 cell area. The tension acting and the tension acting in the left direction of the mask 100 attached to the CR12 cell region may be offset. Thus, there is an advantage that the frame 200 (or the mask cell sheet part 220 ) due to tension is minimized, so that the alignment error of the mask 100 (or the mask pattern P) can be minimized.

도 8은 비교예에 따른 마스크를 프레임에 부착한 상태를 나타내는 개략도이다.8 is a schematic view showing a state in which a mask according to a comparative example is attached to a frame.

도 5에서 상술한 바와 같이, 마스크(100')의 상부에서 레이저(L)를 용접부(WP)에 조사하면 레이저(L)가 용접부(WP) 영역의 마스크(100') 일부를 용융시킬 수 있다. 마스크(100')의 일부가 용융되어 용접 비드(WB)를 형성하고, 용접 비드(WB)가 마스크(100') 및 프레임(200)을 일체로 연결하는 매개체가 될 수 있다.As described above in FIG. 5 , when the laser L is irradiated to the welding portion WP from the upper portion of the mask 100 ′, the laser L may melt a portion of the mask 100 ′ in the welding portion WP region. . A part of the mask 100 ′ is melted to form a weld bead WB, and the weld bead WB may become a medium for integrally connecting the mask 100 ′ and the frame 200 .

이때, 용접 비드(WB)가 형성된 부분의 마스크(100')가 용융된 후 응고되는 과정에서 용접 비드(WB) 주변이 수축되는 텐션(T)이 가해질 수 있다. 이러한 수축되는 텐션(T)에 의해 용접 비드(WB) 주변에는 주름, 뒤틀림, 번짐 등과 같은 변형(105')이 발생할 수 있다. 또한, 용접 비드(WB)와 마스크 셀(C) 사이 공간에서의 주름, 뒤틀림 등의 변형(106')이 발생할 수 있다. 결국, 텐션(T)에 의해 변형(105', 106')이 발생하고, 이러한 변형(105', 106')에 의해, 결국 마스크 패턴(P) 및 셀(C)들간의 정렬 상태가 틀어지게 되는 문제가 발생할 수 있다.In this case, a tension T in which the periphery of the weld bead WB is contracted may be applied while the mask 100 ′ in the portion where the weld bead WB is formed is melted and then solidified. Deformation 105 ′ such as wrinkles, distortion, and smearing may occur around the weld bead WB due to the contracted tension T. In addition, deformation 106 ′ such as wrinkles or distortion in the space between the weld bead WB and the mask cell C may occur. Eventually, deformations 105' and 106' occur due to the tension T, and by these deformations 105' and 106', the alignment state between the mask pattern P and the cells C is eventually misaligned. problems may arise.

또한, 마스크(100')가 부착되는 마스크 셀 시트부(220)도 팽팽한 상태를 가지도록 소정의 인장이 가해진 채로 테두리 프레임부(210)에 부착될 수 있는데, 이 마스크 셀 시트부(220)에 내재된 인장력이 마스크(100')에 전달되어 마스크 패턴(P) 및 셀(C)들의 정렬 오차를 발생시킬 가능성도 있다.In addition, the mask cell sheet part 220 to which the mask 100' is attached may also be attached to the edge frame part 210 while a predetermined tension is applied to have a taut state. There is a possibility that the inherent tensile force is transmitted to the mask 100 ′ to cause an alignment error between the mask pattern P and the cells C .

본 발명의 마스크(100)는 주름 방지 패턴(150)이 형성됨에 따라 위 문제를 방지할 수 있다.The mask 100 of the present invention can prevent the above problem as the anti-wrinkle pattern 150 is formed.

도 9 및 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 주름 방지 패턴(150: 151, 153, 155)을 나타내는 개략도이다. 도 9는 도 3 (a)의 B1 부분, 도 10은 도 3 (a)의 B2 부분을 확대한 개략도이다.9 and 10 are schematic views showing anti-wrinkle patterns 150: 151, 153, and 155 according to an embodiment of the present invention. 9 is an enlarged schematic view of a portion B1 of FIG. 3 (a), and FIG. 10 is an enlarged view of a portion B2 of FIG. 3 (a).

도 9 및 도 10을 참조하면, 주름 방지 패턴(150)은, 복수의 제1 패턴(151)과 복수의 제2 패턴(153)을 포함할 수 있다. 여기에 복수의 제3 패턴을 더 형성할 수 있다. 주름 방지 패턴(150)은 마스크 패턴(P)과 유사하게 마스크(100)의 더미(DM)[또는, 테두리부]에 형성된 홀(hole)과 같고, 마스크 패턴(P)의 형성 과정[도 4의 (d) 참조]에서 동일하게 형성될 수 있다. 주름 방지 패턴(150)은 마스크(100)를 관통하게 형성되는 것이 바람직하나, 마스크(100)에 가해지는 텐션(T)을 분산시키고 변형되는 것을 방지하는 범위 내에서는 일부 두께만큼만 식각된 형태일 수도 있다.9 and 10 , the anti-wrinkle pattern 150 may include a plurality of first patterns 151 and a plurality of second patterns 153 . A plurality of third patterns may be further formed here. The anti-wrinkle pattern 150 is the same as a hole formed in the dummy DM (or the edge portion) of the mask 100 similarly to the mask pattern P, and the process of forming the mask pattern P (Fig. 4) of (d)], it can be formed in the same way. The anti-wrinkle pattern 150 is preferably formed to penetrate the mask 100, but within the range of dispersing the tension T applied to the mask 100 and preventing deformation, it may be etched only by a partial thickness. there is.

도 3의 (a), 도 9, 도 10에 도시된 바와 같이, 마스크(100) 상에는 용접을 수행할 영역인 복수의 용접부(WP)가 배열된다. 용접부(WP)는 더미(DM) 영역에서 X축, Y축 방향을 따라 상호 간격을 이루며 배열될 수 있다. 도 9는 마스크(100)의 좌측 일부를 확대한 것으로 용접부(WP)가 Y축 방향을 따라, 도 10은 마스크(100)의 상측 일부를 확대한 것으로 용접부(WP)가 X축 방향을 따라 배열된 상태를 도시한다. 용접부(WP)는 약 300㎛ 정도의 직경/폭(dw)을 가지고 대략 원, 타원 등의 형상일 수 있다.As shown in FIGS. 3A , 9 and 10 , a plurality of welding portions WP, which are regions to be welded, are arranged on the mask 100 . The welds WP may be arranged at a distance from each other in the X-axis and Y-axis directions in the dummy DM area. 9 is an enlarged view of a part of the left side of the mask 100 in which the welding part WP is arranged along the Y-axis direction, and FIG. state is shown. The welded portion WP may have a diameter/width dw of about 300 μm and may have a shape of a circle, an ellipse, or the like.

제1 패턴(151)은 복수의 용접부(WP)가 배열된 방향과 수직한 방향으로 형성되며, 각각의 용접부에 이격되어 형성될 수 있다. 도 9에서는 용접부(WP)가 Y축 방향을 따라 배열되므로, 제1 패턴(151)은 X축 방향을 따라 형성되고, 도 10에서는 용접부(WP)가 X축 방향을 따라 배열되므로, 제1 패턴(151)은 Y축 방향을 따라 형성될 수 있다.The first pattern 151 may be formed in a direction perpendicular to the direction in which the plurality of welding parts WP are arranged, and may be formed to be spaced apart from each other. In FIG. 9 , since the welding portions WP are arranged along the Y-axis direction, the first pattern 151 is formed along the X-axis direction, and in FIG. 10 , since the welding portions WP are arranged along the X-axis direction, the first pattern Reference numeral 151 may be formed along the Y-axis direction.

제1 패턴(151)은 용접부(WP)와 이웃하는 용접부(WP) 사이에 형성되고, 용접부(WP)의 폭(dw)과 동일하거나 긴 형태로 형성되어, 용접부(WP) 주변의 텐션(T)을 큰 범위에서 분산시킬 수 있다. 도 9, 10에서는 하나의 제1 패턴(151)이 용접부(WP)와 이웃하는 용접부(WP) 사이에 형성된 것을 도시하나, 복수의 제1 패턴(151)이 형성될 수도 있다. The first pattern 151 is formed between the welding portion WP and the neighboring welding portion WP, and is formed to be equal to or longer than the width dw of the welding portion WP, so that the tension T around the welding portion WP ) can be dispersed over a large range. 9 and 10 illustrate that one first pattern 151 is formed between the welding portion WP and the adjacent welding portion WP, a plurality of first patterns 151 may be formed.

제1 패턴(151)은 직선 형태이기 때문에 텐션(T)이 가해지면 직선 틈이 살짝 벌어지거나, 벌어진 틈이 닫히는 거동을 나타내며 텐션(T)을 분산시켜 용접부(WP) 주변의 변형을 방지할 수 있다.Since the first pattern 151 has a straight shape, when the tension T is applied, the linear gap slightly opens or the gap closes. there is.

제2 패턴(153)은 복수의 용접부(WP)가 배열된 방향과 수평한 방향으로 형성될 수 있다. 도 9에서는 용접부(WP)가 Y축 방향을 따라 배열되므로, 제2 패턴(153)은 Y축 방향을 따라 형성되고, 도 10에서는 용접부(WP)가 X축 방향을 따라 배열되므로, 제2 패턴(153)은 Y축 방향을 따라 형성될 수 있다.The second pattern 153 may be formed in a direction parallel to the direction in which the plurality of welding parts WP are arranged. In FIG. 9 , since the welds WP are arranged along the Y-axis direction, the second pattern 153 is formed along the Y-axis direction, and in FIG. 10 , since the welds WP are arranged along the X-axis direction, the second pattern 153 may be formed along the Y-axis direction.

제2 패턴(153)은 용접부(WP)로부터 마스크 셀(C) 방향 측에 형성될 수 있다. 즉, 용접부(WP)를 기준으로 내측에 형성될 수 있다. 그리하여, 복수의 제2 패턴(153)은 용접부(WP) 주변의 텐션(T)뿐만 아니라, 용접부(WP)[또는, 더미(DM)]와 마스크 셀(C) 사이의 텐션(T)을 분산시킬 수 있다.The second pattern 153 may be formed from the welding portion WP toward the mask cell C direction. That is, it may be formed on the inside with respect to the welding part WP. Thus, the plurality of second patterns 153 distribute not only the tension T around the welding portion WP, but also the tension T between the welding portion WP (or the dummy DM) and the mask cell C. can do it

제2 패턴(153)은 제1 패턴(151)보다 짧게 형성될 수 있다. 일 예로, 제2 패턴(153)은 용접부(WP)의 폭(dw)보다 0.1배 내지 0.5배의 길이로 형성될 수 있다. 용접부(WP) 주변의 텐션(T)을 제1 패턴(151)이 상대적으로 큰 범위에서 1차로 분산시킨 후, 각각의 제2 패턴(153)이 상대적으로 작은 범위에서 2차로 분산시킬 수 있다. 제2 패턴(153)도 직선 형태이기 때문에, 텐션(T)이 가해지면 직선 틈이 살짝 벌어지거나, 벌어진 틈이 닫히는 거동을 나타내며 텐션(T)을 분산시켜 용접부(WP) 주변의 변형을 방지할 수 있다. The second pattern 153 may be shorter than the first pattern 151 . For example, the second pattern 153 may be formed to have a length of 0.1 times to 0.5 times the width dw of the welding portion WP. After the tension T around the welding portion WP is primarily dispersed in a relatively large range of the first pattern 151 , each second pattern 153 may be secondarily dispersed in a relatively small range. Since the second pattern 153 is also in the form of a straight line, when the tension T is applied, the linear gap slightly opens or the gap closes. can

제2 패턴(153)은 하나의 라인 또는 상호 이격되는 복수의 라인을 따라 형성될 수 있다. Y축 방향[도 9 참조], X축 방향[도 10 참조]을 따라 하나, 또는 복수의 라인을 따라 형성되므로, 실질적으로 더미(DM) 영역의 내측 테두리를 따라 제2 패턴(153)이 배치될 수 있다. 도 9, 10에서는 4개의 라인을 따라 제2 패턴(153a, 153b, 153c, 153d)이 형성된 것을 도시하나, 이는 증감이 가능하다. 이에 따라, 복수의 제2 패턴(153)의 군집은 용접부(WP) 주변뿐만 아니라, 더미(DM)와 마스크 셀(C) 사이의 텐션(T), 마스크(100) 막에 가해지는 스트레스, 장력 등을 넓은 범위에서 분산시킬 수 있다.The second pattern 153 may be formed along one line or a plurality of lines spaced apart from each other. Since it is formed along one or a plurality of lines in the Y-axis direction (see FIG. 9 ) and the X-axis direction (see FIG. 10 ), the second pattern 153 is substantially disposed along the inner edge of the dummy DM area. can be 9 and 10 show that the second patterns 153a, 153b, 153c, and 153d are formed along four lines, but this can be increased or decreased. Accordingly, the cluster of the plurality of second patterns 153 is not only around the weld portion WP, but also the tension T between the dummy DM and the mask cell C, the stress applied to the mask 100 film, and the tension. The back can be dispersed in a wide range.

제2 패턴(153)이 복수의 라인을 따라 형성되는 경우, 특정 라인과 이에 인접하는 라인 상의 제2 패턴(153)은 상호 엇갈리게 형성될 수 있다. 예를 들어, 첫번째 라인의 제2 패턴(153a)과 두번째 라인의 제2 패턴(153b)은 엇갈리게 형성된다. 세번째 라인, 네번째 라인의 제2 패턴(153c, 153d)도 엇갈리게 형성된다. 이에 따라, 제2 패턴(153)이 점유하는 더미(DM) 영역 내에서 2중, 3중, 또는 그 이상으로, 텐션(T)을 보다 균일하게 분산시킬 수 있는 효과가 있다.When the second pattern 153 is formed along a plurality of lines, the second pattern 153 on a specific line and a line adjacent thereto may be formed to cross each other. For example, the second pattern 153a of the first line and the second pattern 153b of the second line are alternately formed. The second patterns 153c and 153d of the third and fourth lines are also alternately formed. Accordingly, there is an effect of more uniformly distributing the tension T in double, triple, or more in the dummy DM area occupied by the second pattern 153 .

용접부(WP)와 제2 패턴(153) 사이에 제3 패턴(155)이 더 형성될 수 있다. 제3 패턴(155)도 제2 패턴(153)의 형상과 마찬가지로 직선으로 형성되고, 복수의 용접부(WP)가 배열된 방향과 수평한 방향으로 형성될 수 있다. 제3 패턴(155)은 제1 패턴(151)보다 짧은 길이로 형성되고, 제2 패턴(153)과 동일하거나 긴 길이로 형성될 수 있다. 또한, 제3 패턴(155)의 중심과 용접부(WP)의 중심(WPC)이 동일한 수직 또는 수평 라인 상에 위치할 수 있다.A third pattern 155 may be further formed between the welding portion WP and the second pattern 153 . The third pattern 155 may also be formed in a straight line like the shape of the second pattern 153 , and may be formed in a direction horizontal to the direction in which the plurality of welding parts WP are arranged. The third pattern 155 may be formed to have a shorter length than the first pattern 151 , and may be formed to have a length equal to or longer than that of the second pattern 153 . In addition, the center of the third pattern 155 and the center WPC of the welding portion WP may be positioned on the same vertical or horizontal line.

제3 패턴(155)은 제1 패턴(151)보다 짧은 길이로 형성되지만, 용접부(WP)에 근접하게 배치되어, 용접부(WP) 주변의 텐션(T)을 제2 패턴(153)들이 점유하는 넓은 면적으로 분산시킬 수 있는 중추 역할을 할 수 있다.The third pattern 155 is formed to have a shorter length than the first pattern 151, but is disposed close to the welding portion WP, so that the tension T around the welding portion WP is occupied by the second patterns 153 It can serve as a backbone that can be dispersed over a large area.

한편, 제1, 2, 3 패턴(151, 153, 153)은 직선 형태인 예를 상정하여 설명하나, 틈이 벌어지거나 닫히면서 텐션(T)을 분산하는 범위 내에서는, 일 방향으로 길쭉한 타원이거나, 모서리가 일부 라운딩진 형태를 가질 수도 있다.On the other hand, the first, second, and third patterns (151, 153, 153) are described assuming a straight-line example, but within the range of dispersing the tension (T) while the gap is widened or closed, it is an ellipse elongated in one direction or , the corners may have a partially rounded shape.

제1 패턴(151)과 제2 패턴(153)/제3 패턴(155)은 상호 수직한 방향으로 배열되기 때문에, X축, Y축 방향, XY면을 따라 가해진 텐션(T)을 분산시키기에 유리한 이점이 있다. 또한, 제1, 2, 3 패턴(151, 153, 155)은 직선 형태이기 때문에 형태가 복잡하지 않아 형성이 간단한 이점이 있다.Since the first pattern 151 and the second pattern 153 / the third pattern 155 are arranged in a direction perpendicular to each other, it is necessary to disperse the tension T applied along the X-axis, the Y-axis direction, and the XY plane. There are advantageous advantages. In addition, since the first, second, and third patterns 151 , 153 , and 155 are linear, they are not complicated in shape and thus have an advantage of being simple to form.

도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 주름 방지 패턴을 나타내는 개략도이다.11 is a schematic view showing an anti-wrinkle pattern according to another embodiment of the present invention.

도 11을 참조하면, 도 9의 형태에서 얼라인 패턴(157)이 더 형성될 수 있다. 얼라인 패턴(157)은 마스크(100)에서 하나 또는 복수가 형성될 수 있고, 마스크(100)의 각 변마다 하나 또는 복수가 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 11 , an alignment pattern 157 may be further formed in the form of FIG. 9 . One or a plurality of alignment patterns 157 may be formed on the mask 100 , and one or a plurality of alignment patterns 157 may be formed on each side of the mask 100 .

얼라인 패턴(157)은 대략 인접하는 적어도 두개의 용접부(WP)를 포함하는 형태로 형성될 수 있다. 도 11에서는 인접하는 두개의 용접부(WP)를 포함하는, 즉, 두개의 용접부(WP)의 외곽 테두리가 연결된 길다란 타원 형태의 얼라인 패턴(157)이 도시되나, 이에 제한되지는 않는다.The alignment pattern 157 may be formed to include at least two adjacent welding parts WP. In FIG. 11 , an alignment pattern 157 in the form of an elongated ellipse including two adjacent welding portions WP, that is, an outer edge of the two welding portions WP is connected, is illustrated, but is not limited thereto.

얼라인 패턴(157) 내에는 적어도 두개의 용접부(WP)가 포함되어 있으므로, 용접부(WP) 부분에 용접이 수행되어 용접비드(WB)가 생성될 수 있다. 또한, 얼라인 패턴(157)은 주름 방지 패턴(150)과는 구분되는 형태를 가지고 수백 ㎛ 정도의 크기를 가지므로, 마스크(100) 또는 마스크 지지 템플릿(50)을 프레임(200) 상에 로딩하고 정렬 상태를 현미경을 통해 확인하기 용이한 이점이 있다. 또한, 얼라인 패턴(157)은 제1, 2, 3 패턴(151, 153, 155)처럼 주름 방지 패턴(150)으로서 작용하여 마스크(100)의 변형을 방지할 수 있는 효과가 있다.Since at least two welding portions WP are included in the alignment pattern 157 , welding is performed on the welding portions WP to generate a welding bead WB. In addition, since the alignment pattern 157 has a shape distinct from the anti-wrinkle pattern 150 and has a size of several hundred μm, the mask 100 or the mask support template 50 is loaded on the frame 200 . And there is an advantage that it is easy to check the alignment state through a microscope. Also, the alignment pattern 157 acts as the anti-wrinkle pattern 150 like the first, second, and third patterns 151 , 153 , and 155 to prevent deformation of the mask 100 .

위와 같이, 본 발명은 마스크(100)를 프레임(200)에 부착할 때, 마스크(100)에 가해지는 텐션, 스트레스를 분산시켜 마스크(100) 변형이 생기는 것을 방지하고, 위치정밀도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 마스크(100)가 쳐지거나 주름이 생기거나 뒤틀리는 등의 변형을 방지되므로 정렬이 명확히 되어 초고해상도 OLED 화소를 증착할 수 있는 마스크(100)를 제공할 수 있는 효과가 있다.As described above, in the present invention, when the mask 100 is attached to the frame 200, the tension and stress applied to the mask 100 are dispersed to prevent the mask 100 from being deformed, and the positioning accuracy can be improved. there is an effect Since the mask 100 is prevented from being deformed, such as sagging, wrinkling, or warping, the alignment becomes clear, thereby providing the mask 100 capable of depositing ultra-high-resolution OLED pixels.

도 12는 본 발명의 실험예에 따른 OLED 화소를 나타낸다.12 shows an OLED pixel according to an experimental example of the present invention.

도 12의 왼쪽은 마스크 중앙 영역을 통과한 유기물 소스가 형성한 OLED 화소이다. 화소가 뚜렷하게 증착됨을 확인할 수 있다. 도 12의 가운데, 오른쪽은 화소가 흐릿하게 증착되어 불량이 발생한 것이다. 특히, 마스크 셀 외곽 부근에서 불량이 발생하고 마스크 셀 외곽에서 6mm 내측으로 갈때부터 정상 증착이 확인되었다.The left side of FIG. 12 is an OLED pixel formed by the organic material source passing through the central region of the mask. It can be seen that the pixels are clearly deposited. In the middle of FIG. 12 , on the right side, a defect occurs due to blurry deposition of pixels. In particular, a defect occurred near the periphery of the mask cell, and normal deposition was confirmed when going 6 mm inside from the periphery of the mask cell.

이러한 증착 불량은 마스크와 대상 기판의 밀착이 완벽하게 되지 않고 들뜸이 발생하기 때문이다. 특히, 이하에서는 용접점이 마스크와 대상 기판의 밀착에 관여하는지 살펴본다.This deposition defect is because the mask and the target substrate are not perfectly in close contact and floatation occurs. In particular, hereinafter, it will be examined whether the welding point is involved in the adhesion between the mask and the target substrate.

도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 용접점의 형성 위치를 나타낸다.13 shows a formation position of a welding point according to an embodiment of the present invention.

마스크의 X축에 평행한 변(단변)을 따라 마스크 더미부 상(용접부, DLP)에 1mm 간격으로 용접을 수행하고, Y축에 평행한 변(장변)을 따라 마스크 더미부 상(용접부, DLP)에 5mm 간격으로 용접을 수행하였다. 도 13에서 Active area는 마스크 패턴이 형성된 마스크 셀에 대응하며, spring은 상술한 주름 방지 패턴에 대응한다.Welds are performed on the mask dummy part (weld part, DLP) along the side (short side) parallel to the X-axis at 1 mm intervals, and on the mask dummy part (weld part, DLP) along the side (long side) parallel to the Y-axis. ) was welded at intervals of 5 mm. In FIG. 13 , the active area corresponds to the mask cell in which the mask pattern is formed, and the spring corresponds to the above-described anti-wrinkle pattern.

도 14는 도 13의 X1, X2, X3, Y1, Y2, Y3를 따라 Z축값을 측정한 그래프이다.FIG. 14 is a graph of measuring Z-axis values along X1, X2, X3, Y1, Y2, and Y3 of FIG. 13 .

위의 X 그래프를 살펴보면, X1축이 용접점 형성 축과 일치한다. X1축을 살펴보면 용접점이 형성된 부분의 높이가 낮게 나타나는 것을 확인할 수 있다. 즉, 용접점 사이가 오히려 높게 나타나며, burr height는 약 3~5㎛이다. 용접점과 용접점 사이의 높이 차이 때문에 이 부근에서 마스크에 주름이 발생할 수 있다. 이러한 주름은 Active area까지 영향을 미칠 수 있다. X 그래프를 다시 살펴보면, 9.2mm까지는 용접점에 대응하는 X1축, Active area 경계에 대응하는 X2축, Active area 내부 영역에 대응하는 X3축의 Z값 편차가 크며, 편차값은 약 ~10㎛이다. 9.2mm 이후에는 정상이 되는 것을 확인할 수 있다. 즉, 9.2mm 이후에는 X2, X3 값이 대략 비슷해진다.Looking at the X graph above, the X1 axis coincides with the welding point formation axis. Looking at the X1 axis, it can be seen that the height of the portion where the welding point is formed appears low. That is, the distance between the welding points is rather high, and the burr height is about 3~5㎛. Because of the difference in height between the weld and the weld, the mask may wrinkle in this vicinity. These wrinkles can even affect the active area. Looking at the X graph again, up to 9.2mm, the X1 axis corresponding to the welding point, the X2 axis corresponding to the boundary of the active area, and the X3 axis corresponding to the inner area of the active area have large deviations in Z values, and the deviation value is about ~10㎛. After 9.2mm, it can be confirmed that it is normal. That is, after 9.2mm, the values of X2 and X3 become approximately the same.

아래의 Y 그래프를 살펴보면, Y1축이 용접점 형성 축과 일치한다. Y1축을 살펴보면 용접점이 형성된 부분의 높이가 낮게 나타나는 것을 확인할 수 있다. 즉, 용접점 사이가 오히려 높게 나타나며, burr height는 약 3~5㎛이다. 용접점과 용접점 사이의 높이 차이 때문에 이 부근에서 마스크에 주름이 발생할 수 있다. 이러한 주름은 Active area까지 영향을 미칠 수 있다. Y 그래프를 다시 살펴보면, 6.5mm까지는 용접점에 대응하는 Y1축, Active area 경계에 대응하는 Y2축, Active area 내부 영역에 대응하는 Y3축의 Z값 편차가 크며, 편차값은 약 ~15㎛이다.6.5mm 이후에는 정상이 되는 것을 확인할 수 있다. 즉, 6.5mm 이후에는 Y2, Y3 값이 대략 비슷해진다.Looking at the Y graph below, the Y1 axis coincides with the welding point formation axis. Looking at the Y1 axis, it can be seen that the height of the portion where the welding point is formed appears low. That is, the distance between the welding points is rather high, and the burr height is about 3~5㎛. Because of the difference in height between the weld and the weld, the mask may wrinkle in this vicinity. These wrinkles can even affect the active area. Looking at the Y graph again, up to 6.5 mm, the Y1 axis corresponding to the welding point, the Y2 axis corresponding to the boundary of the active area, and the Y3 axis corresponding to the inner area of the active area have a large Z value deviation, and the deviation value is about ~15㎛. After 6.5mm, it can be confirmed that it is normal. That is, after 6.5mm, the Y2 and Y3 values become approximately the same.

도 15는 도 13의 마스크 전체에 대해 X2, Y3를 따라 Z축값을 측정한 그래프이다.FIG. 15 is a graph in which Z-axis values are measured along X2 and Y3 for the entire mask of FIG. 13 .

도 15를 살펴보면 마스크의 Active area에서는 대략 일정한 Z값을 갖는 반면, Active area를 벗어나는 더미부 영역에서는 Z값의 편차가 큰 것을 확인할 수 있다. X축의 편차값은 약 ~10㎛, Y축의 편차값은 약 ~15㎛이다. 용접부 두께는 30㎛이다.Referring to FIG. 15 , it can be seen that the mask has a substantially constant Z value in the active area, but has a large deviation in the Z value in the dummy area outside the active area. The deviation value of the X-axis is about ~10㎛, and the deviation value of the Y-axis is about ~15㎛. The weld thickness is 30 µm.

이처럼 Active area 내측으로 갈수록 Z값의 편차가 없어져서, 즉 마스크와 대상 기판과의 들뜸이 없어져서 도 12의 왼쪽 사진처럼 화소가 명확히 형성될 수 있다. 반면, Active area 경계에서 내측으로 9.2mm / 6.5mm 정도까지는 Z값의 편차가 있기 때문에, 즉 마스크와 대상 기판과의 들뜸이 있어서 도 12의 가운데, 오른쪽 사진처럼 화소 불량이 발생할 수 있다.As such, the deviation of the Z value disappears toward the inner side of the active area, that is, there is no lifting between the mask and the target substrate, so that a pixel can be clearly formed as shown in the left photo of FIG. 12 . On the other hand, since there is a deviation of the Z value from the boundary of the active area to about 9.2mm / 6.5mm inward, that is, there is a lift between the mask and the target substrate, so pixel defects may occur as shown in the middle and right photo of FIG. 12 .

한편, 도 14의 노란색 네모 부분은, 도 13의 검은색 점선으로 표시된 주름 방지 패턴(spring)이 위치한 부분이다. 도 14의 노란색 네모 부분에서는 X2/X3, Y2/Y3의 편차가 매우 적음을 확인할 수 있다. 이는 검은색 점선으로 표시된 부분에 주름 방지 패턴(spring)이 배치되므로 주름을 방지함에 따른 결과로 보인다.On the other hand, the yellow square part of FIG. 14 is a part where the anti-wrinkle pattern (spring) indicated by the black dotted line of FIG. 13 is located. It can be seen that the deviation of X2/X3 and Y2/Y3 is very small in the yellow square portion of FIG. 14 . This appears to be a result of preventing wrinkles because an anti-wrinkle pattern (spring) is placed in the portion indicated by the black dotted line.

도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 주름 방지 패턴을 나타내는 개략도이다.16 is a schematic diagram illustrating an anti-wrinkle pattern according to an embodiment of the present invention.

도 11과 같은 화소 불량을 방지하기 위해 용접점, 용접점과 용접점 사이의 높이 편차를 감축시키는 방안이 고려된다. 도 14의 노란색 네모 부분을 참조하여, 도 16의 빨간 점선과 같이 용접점과 용접점 사이에 주름 방지 패턴(spring)을 추가/적용함에 따라, 용접점/용접점 사이의 스트레스가 분산되게 하여 용접점 근처로부터 Active area로 주름이 확산되는 것을 방지할 수 있다. 또는, 레이저 용접조건을 변경하는, 일 예로, 용접 에너지를 감소시키켜 용접점의 높이 편차를 감소시키는 방안도 고려될 수 있다.In order to prevent pixel defects as shown in FIG. 11 , a method of reducing a welding point and a height deviation between the welding point and the welding point is considered. Referring to the yellow square in FIG. 14, as shown in the red dotted line in FIG. 16, as a wrinkle prevention pattern (spring) is added/applied between the welding point and the welding point, the stress between the welding point/welding point is dispersed and welding It is possible to prevent the spread of wrinkles from the vicinity of the point to the active area. Alternatively, a method of changing the laser welding conditions, for example, reducing the welding energy to reduce the height deviation of the welding point, may be considered.

본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.Although the present invention has been illustrated and described with reference to preferred embodiments as described above, it is not limited to the above-described embodiments and is not limited to the above-described embodiments, and various methods can be made by those of ordinary skill in the art to which the invention pertains within the scope that does not depart from the spirit of the present invention. Transformation and change are possible. Such modifications and variations are intended to fall within the scope of the present invention and the appended claims.

50: 템플릿(template)
51: 레이저 통과공
55: 임시접착부
100: 마스크
110: 마스크 막, 마스크 금속막
150: 주름 방지 패턴
151: 제1 패턴
153: 제2 패턴
155: 제3 패턴
157: 얼라인 패턴
200: 프레임
210: 테두리 프레임부
220: 마스크 셀 시트부
221: 테두리 시트부
223: 제1 그리드 시트부
225: 제2 그리드 시트부
C: 셀, 마스크 셀
CR: 마스크 셀 영역
DM: 더미, 마스크 더미
P: 마스크 패턴
T: 텐션, 스트레스
WB: 용접 비드
WP: 용접부50: template
51: laser passing hole
55: temporary adhesive
100: mask
110: mask film, mask metal film
150: anti-wrinkle pattern
151: first pattern
153: second pattern
155: third pattern
157: align pattern
200: frame
210: border frame portion
220: mask cell sheet portion
221: border sheet portion
223: first grid sheet portion
225: second grid sheet portion
C: cell, mask cell
CR: mask cell area
DM: dummy, mask dummy
P: mask pattern
T: tension, stress
WB: Weld Bead
WP: Weld

Claims

A mask for forming an OLED pixel, comprising:
a mask cell on which a plurality of mask patterns are formed, and a dummy around the mask cell;
A plurality of welds are formed at intervals of at least a part of the dummy,
An anti-wrinkle pattern is formed on the dummy area spaced apart from the welding part,
The anti-wrinkle pattern is formed between a pair of welds in a direction perpendicular to the direction in which the plurality of welds are arranged, the mask for forming an OLED pixel.

According to claim 1,
The anti-wrinkle pattern is a mask for forming an OLED pixel that reduces the height deviation between the weld and the weld.

According to claim 1,
A mask for forming an OLED pixel, in which the height deviation decreases from the outer to the inner side of the active area.