KR20220058776A - Substrate treating appartus and substrate treating method - Google Patents

Substrate treating appartus and substrate treating method Download PDF

Info

Publication number
KR20220058776A
KR20220058776A KR1020200143583A KR20200143583A KR20220058776A KR 20220058776 A KR20220058776 A KR 20220058776A KR 1020200143583 A KR1020200143583 A KR 1020200143583A KR 20200143583 A KR20200143583 A KR 20200143583A KR 20220058776 A KR20220058776 A KR 20220058776A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
unit
microwave
substrate processing
process chamber
Prior art date
Application number
KR1020200143583A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
조순천
최성민
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020200143583A priority Critical patent/KR20220058776A/en
Publication of KR20220058776A publication Critical patent/KR20220058776A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/32238—Windows
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/3222—Antennas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/26—Plasma torches
    • H05H1/30—Plasma torches using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

A substrate processing device may comprise: a process chamber having a housing having a processing space for which an upper part is opened and a window covering the opened upper part; a support unit that supports a substrate in the process chamber; a gas supply unit that supplies a process gas into the process chamber; a plasma generating unit disposed outside of the process chamber and having a first antenna and a second antenna that generate plasma from the process gas in the process chamber; and a microwave unit that applies microwaves to the process chamber. Therefore, the present invention is capable of allowing plasma density to be controlled more uniformly.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATING APPARTUS AND SUBSTRATE TREATING METHOD}Substrate processing apparatus and substrate processing method {SUBSTRATE TREATING APPARTUS AND SUBSTRATE TREATING METHOD}

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 발명이다. 보다 상세하게는, 마이크로웨이브를 이용하는 열처리 장치에 관한 발명이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method. More particularly, the invention relates to a heat treatment apparatus using microwaves.

기존의 기판 처리 장치에서, 기판의 어닐링(annealing)을 위해서는 세라믹 히터를 사용하여 기판을 가열하였다. 기존의 히터를 이용하여 기판을 가열하는 방식의 경우, 승온 및 감온에 시간이 오래 걸리는 단점이 있다. 또한 기판 전체의 온도가 올라가게 되는 문제점이 있다. 또한 150도 이상의 고온 가열에 한계가 있었다. In a conventional substrate processing apparatus, a substrate is heated using a ceramic heater for annealing the substrate. In the case of a method of heating a substrate using a conventional heater, there is a disadvantage that it takes a long time to increase and decrease the temperature. In addition, there is a problem in that the temperature of the entire substrate rises. In addition, there was a limit to high temperature heating over 150 degrees.

이러한 문제점을 해결하기 위해, 레이저를 이용한 가열 방식이나 또는 플래시 램프(flash ramp)를 사용하는 방식 등이 제시되었으나, 이러한 방법들의 경우 기판 전체의 온도를 올리기는 어려운 문제점이 있었다. In order to solve this problem, a heating method using a laser or a method using a flash lamp has been proposed, but in these methods, it is difficult to raise the temperature of the entire substrate.

따라서, 이와 같이 기판의 표면 온도만 빠른 속도로 어닐링 할 수 있는 새로운 가열 방법이 요구된다.Therefore, a new heating method capable of annealing only the surface temperature of the substrate at a high speed is required.

본 발명은 히터를 사용하지 아니하고 기판을 가열할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of heating a substrate without using a heater.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급된 과제로 제한되지 않는다. 언급되지 않은 다른 기술적 과제들은 이하의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the problems mentioned above. Other technical problems not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the following description.

본 발명의 일 예시에 따른 상부가 개방된 처리 공간을 가지는 하우징 및 상기 개방된 상부를 덮는 윈도우를 가지는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지유닛; 상기 공정 챔버 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 상기 공정 챔버의 외부에 배치되며 상기 공정 챔버 내에서 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 제1 안테나 및 제2 안테나를 가지는 플라즈마 발생 유닛; 및 마이크로웨이브를 상기 공정 챔버에 인가하는 마이크로웨이브 유닛;을 포함할 수 있다.A process chamber comprising: a housing having an open upper processing space and a window covering the open upper portion according to an exemplary embodiment of the present invention; a support unit for supporting a substrate in the process chamber; a gas supply unit supplying a process gas into the process chamber; a plasma generating unit disposed outside the process chamber and having a first antenna and a second antenna for generating plasma from the process gas in the process chamber; and a microwave unit for applying microwaves to the process chamber.

일 예시에 따르면, 상기 마이크로웨이브 유닛은, 상기 윈도우를 관통하여 제공될 수 있다.According to one example, the microwave unit may be provided through the window.

일 예시에 따르면, 상기 윈도우는 중심부에 상기 마이크로웨이브 유닛이 장착될 수 있는 홈이 형성되어 제공될 수 있다.According to one example, the window may be provided with a groove formed in the center in which the microwave unit can be mounted.

일 예시에 따르면, 상기 마이크로웨이브 유닛은 마이크로웨이브 플라즈마 토치를 포함할 수 있다.According to one example, the microwave unit may include a microwave plasma torch.

일 예시에 따르면, 상기 마이크로웨이브 플라즈마 토치의 압력을 조절하여 상기 공정 챔버 내의 플라즈마 밀도 조절 또는 상기 기판의 열처리를 조절할 수 있다.According to an example, by adjusting the pressure of the microwave plasma torch, the plasma density in the process chamber or the heat treatment of the substrate may be controlled.

일 예시에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 열을 이용한 ALE(Thermal atomic layer etching) 공정에서 사용될 수 있다.According to an example, the substrate processing apparatus may be used in a thermal atomic layer etching (ALE) process using heat.

일 예시에 따르면, 상기 마이크로웨이브 유닛과, 상기 플라즈마 발생 유닛은 독립적으로 조절될 수 있다. According to one example, the microwave unit and the plasma generating unit may be adjusted independently.

본 발명의 다른 일 예시에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 기판 처리를 수행하는 방법이 개시된다. A method of performing substrate processing using a substrate processing apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention is disclosed.

상기 방법은, 상기 마이크로웨이브 유닛을 이용하여 상기 기판의 열처리를 수행하고, 상기 플라즈마 발생 유닛을 제어하여 상기 기판 내의 플라즈마 밀도를 제어할 수 있다.In the method, the heat treatment of the substrate may be performed using the microwave unit, and the plasma density in the substrate may be controlled by controlling the plasma generating unit.

일 예시에 따르면, 상기 마이크로웨이브 유닛을 이용하여 상기 기판 내의 플라즈마 밀도를 추가적으로 제어할 수 있다.According to one example, the plasma density in the substrate may be additionally controlled by using the microwave unit.

본 발명에 따르면 히터를 사용하지 아니하고 기판을 가열할 수 있다. According to the present invention, the substrate can be heated without using a heater.

본 발명에 따르면 챔버 내부의 플라즈마 밀도를 보다 균일하게 제어할 수 있다. According to the present invention, it is possible to more uniformly control the plasma density inside the chamber.

본 발명의 효과는 상술한 효과들로 제한되지 않는다. 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects described above. Effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains from this specification and the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일 예시를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 윈도우를 상부에서 바라본 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 순서도이다. 1 is a diagram illustrating an example of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a view of the window of the present invention viewed from the top.
3 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can easily implement them. However, the present invention may be implemented in several different forms and is not limited to the embodiments described herein. In addition, in describing a preferred embodiment of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related well-known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the same reference numerals are used throughout the drawings for parts having similar functions and functions.

어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다."Including" a certain component means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated. Specifically, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification is present, and includes one or more other features or It should be understood that the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof does not preclude the possibility of addition.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In addition, shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer description.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.Terms such as first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, a first component may be referred to as a second component, and similarly, a second component may also be referred to as a first component.

본 명세서 전체에서 사용되는 '~부'는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위로서, 예를 들어 소프트웨어, FPGA 또는 ASIC과 같은 하드웨어 구성요소를 의미할 수 있다. 그렇지만 '~부'가 소프트웨어 또는 하드웨어에 한정되는 의미는 아니다. '~부'는 어드레싱할 수 있는 저장 매체에 있도록 구성될 수도 있고 하나 또는 그 이상의 프로세서들을 재생시키도록 구성될 수도 있다. As used throughout this specification, '~ unit' is a unit that processes at least one function or operation, and may refer to, for example, a hardware component such as software, FPGA, or ASIC. However, '~part' is not meant to be limited to software or hardware. '~' may be configured to reside on an addressable storage medium or may be configured to refresh one or more processors.

일 예로서 '~부'는 소프트웨어 구성요소들, 객체지향 소프트웨어 구성요소들, 클래스 구성요소들 및 태스크 구성요소들과 같은 구성요소들과, 프로세스들, 함수들, 속성들, 프로시저들, 서브루틴들, 프로그램 코드의 세그먼트들, 드라이버들, 펌웨어, 마이크로 코드, 회로, 데이터, 데이터베이스, 데이터 구조들, 테이블들, 어레이들 및 변수들을 포함할 수 있다. 구성요소와 '~부'에서 제공하는 기능은 복수의 구성요소 및 '~부'들에 의해 분리되어 수행될 수도 있고, 다른 추가적인 구성요소와 통합될 수도 있다.As an example, '~ part' denotes components such as software components, object-oriented software components, class components and task components, processes, functions, properties, procedures, and sub It may include routines, segments of program code, drivers, firmware, microcode, circuitry, data, databases, data structures, tables, arrays, and variables. A function provided by a component and '~ unit' may be performed separately by a plurality of components and '~ unit', or may be integrated with other additional components.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Therefore, the shape of the element in the drawings is exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)의 일 예시를 나타내는 도면이다.1 is a diagram illustrating an example of a substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(100), 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛, 플라즈마 발생 유닛(400), 마이크로웨이브 유닛(500) 및 배플 유닛(600)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , the substrate processing apparatus 10 processes the substrate W using plasma. For example, the substrate processing apparatus 10 may perform an etching process on the substrate W. The substrate processing apparatus 10 may include a process chamber 100 , a support unit 200 , a gas supply unit, a plasma generation unit 400 , a microwave unit 500 , and a baffle unit 600 .

공정 챔버(100)는 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 공정 챔버(100)는 하우징(110), 윈도우 유닛(120), 그리고 라이너(180)를 포함한다.The process chamber 100 provides a space in which a substrate processing process is performed. The process chamber 100 includes a housing 110 , a window unit 120 , and a liner 180 .

하우징(110)은 내부에 상면이 개방된 공간을 갖는다. 하우징(110)의 내부 공간은 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간으로 제공된다. 하우징(110)은 금속 재질로 제공된다. 하우징(110)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 하우징(110)은 접지될 수 있다. 하우징(110)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 하우징의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 하우징(110) 내부는 소정의 압력으로 감압된다.The housing 110 has an open upper surface therein. The inner space of the housing 110 is provided as a processing space in which a substrate processing process is performed. The housing 110 is provided with a metal material. The housing 110 may be made of an aluminum material. The housing 110 may be grounded. An exhaust hole 102 is formed in the bottom surface of the housing 110 . The exhaust hole 102 is connected to the exhaust line 151 . Reaction by-products generated during the process and gas remaining in the inner space of the housing may be discharged to the outside through the exhaust line 151 . The inside of the housing 110 is decompressed to a predetermined pressure by the exhaust process.

윈도우 유닛(120)는 하우징(110)의 개방된 상면을 덮는다. 윈도우 유닛(120)는 판 형상으로 제공되며, 하우징(110)의 내부 공간을 밀폐시킨다. 윈도우 유닛(120)는 유전체(dielectric substance) 창을 포함할 수 있다. 윈도우 유닛(120)의 구체적인 구조에 대해서는 도 2에서 후술한다.The window unit 120 covers the open upper surface of the housing 110 . The window unit 120 is provided in a plate shape and seals the inner space of the housing 110 . The window unit 120 may include a dielectric substance window. A specific structure of the window unit 120 will be described later with reference to FIG. 2 .

라이너(180)는 하우징(110) 내부에 제공된다. 라이너(180)는 상면 및 하면이 개방된 공간의 내부에 형성된다. 라이너(180)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 라이너(180)는 하우징(110)의 내측면에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 라이너(180)는 하우징(110)의 내측면을 따라 제공된다. 라이너(180)의 상단에는 지지 링(131)이 형성된다. 지지 링(131)은 링 형상의 판으로 제공되며, 라이너(180)의 둘레를 따라 라이너(180)의 외측으로 돌출된다. 지지 링(131)은 하우징(110)의 상단에 놓이며, 라이너(180)를 지지한다. 라이너(180)는 하우징(110)과 동일한 재질로 제공될 수 있다. 즉, 라이너(180)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 라이너(180)는 하우징(110) 내측면을 보호한다. 공정 가스가 여기되는 과정에서 챔버(100) 내부에는 아크(Arc) 방전이 발생될 수 있다. 아크 방전은 주변 장치들을 손상시킨다. 라이너(180)는 하우징(110)의 내측면을 보호하여 하우징(110)의 내측면이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지한다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 불순물이 하우징(110)의 내측벽에 증착되는 것을 방지한다. 라이너(180)는 하우징(110)에 비하여 비용이 저렴하고, 교체가 용이하다. 따라서, 아크 방전으로 라이너(180)가 손상될 경우, 작업자는 새로운 라이너(180)로 교체할 수 있다.The liner 180 is provided inside the housing 110 . The liner 180 is formed in an open space with upper and lower surfaces. The liner 180 may be provided in a cylindrical shape. The liner 180 may have a radius corresponding to the inner surface of the housing 110 . The liner 180 is provided along the inner surface of the housing 110 . A support ring 131 is formed on the upper end of the liner 180 . The support ring 131 is provided as a ring-shaped plate, and protrudes to the outside of the liner 180 along the circumference of the liner 180 . The support ring 131 is placed on the top of the housing 110 and supports the liner 180 . The liner 180 may be made of the same material as the housing 110 . That is, the liner 180 may be made of an aluminum material. The liner 180 protects the inner surface of the housing 110 . An arc discharge may be generated inside the chamber 100 while the process gas is excited. Arc discharge damages peripheral devices. The liner 180 protects the inner surface of the housing 110 to prevent the inner surface of the housing 110 from being damaged by arc discharge. In addition, impurities generated during the substrate processing process are prevented from being deposited on the inner wall of the housing 110 . The liner 180 has a lower cost than the housing 110 and is easy to replace. Accordingly, when the liner 180 is damaged by arc discharge, an operator may replace the liner 180 with a new one.

하우징(110)의 내부에는 기판 지지 유닛(200)이 위치한다. 기판 지지 유닛(200)은 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척(210)을 포함할 수 있다. 이와 달리, 기판 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수도 있다. 이하에서는 정전 척(210)을 포함하는 지지 유닛(200)에 대하여 설명한다.The substrate support unit 200 is positioned inside the housing 110 . The substrate support unit 200 supports the substrate W. The substrate support unit 200 may include an electrostatic chuck 210 for adsorbing the substrate W using an electrostatic force. Alternatively, the substrate support unit 200 may support the substrate W in various ways such as mechanical clamping. Hereinafter, the support unit 200 including the electrostatic chuck 210 will be described.

지지 유닛(200)은 정전 척(210), 절연 플레이트(250) 및 하부 커버(270)를 포함한다. 지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부에서 하우징(110)의 바닥면으로부터 상부로 이격되어 위치될 수 있다.The support unit 200 includes an electrostatic chuck 210 , an insulating plate 250 , and a lower cover 270 . The support unit 200 may be positioned to be spaced apart from the bottom surface of the housing 110 upwardly in the chamber 100 .

정전 척(210)은 유전판(220), 전극(223), 지지판(230) 및 포커스 링(240)을 포함한다.The electrostatic chuck 210 includes a dielectric plate 220 , an electrode 223 , a support plate 230 , and a focus ring 240 .

유전판(220)은 정전 척(210)의 상단부에 위치한다. 유전판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공된다. 유전판(220)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 유전판(220)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다. 때문에, 기판(W) 가장자리 영역은 유전판(220)의 외측에 위치한다.The dielectric plate 220 is positioned at an upper end of the electrostatic chuck 210 . The dielectric plate 220 is provided as a disk-shaped dielectric substance. A substrate W is placed on the upper surface of the dielectric plate 220 . The upper surface of the dielectric plate 220 has a smaller radius than the substrate W. Therefore, the edge region of the substrate W is positioned outside the dielectric plate 220 .

유전판(220)의 내부에는 하부 전극(223)이 매설된다. 하부 전극(223)은 제 1 하부 전원(223a)과 전기적으로 연결된다. 제 1 하부 전원(223a)은 직류 전원을 포함한다. 하부 전극(223)과 제 1 하부 전원(223a) 사이에는 스위치(223b)가 설치된다. 하부 전극(223)은 스위치(223b)의 온/오프에 의해 제 1 하부 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위치(223b)가 온 되면, 하부 전극(223)에는 직류 전류가 인가된다. 하부 전극(223)에 인가된 전류에 의해 하부 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 유전판(220)에 흡착된다.A lower electrode 223 is embedded in the dielectric plate 220 . The lower electrode 223 is electrically connected to the first lower power source 223a. The first lower power source 223a includes a DC power source. A switch 223b is installed between the lower electrode 223 and the first lower power source 223a. The lower electrode 223 may be electrically connected to the first lower power source 223a by turning on/off the switch 223b. When the switch 223b is turned on, a direct current is applied to the lower electrode 223 . An electrostatic force acts between the lower electrode 223 and the substrate W by the current applied to the lower electrode 223 , and the substrate W is adsorbed to the dielectric plate 220 by the electrostatic force.

유전판(220)의 하부에는 지지판(230)이 위치한다. 유전판(220)의 저면과 지지판(230)의 상면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다. 지지판(230)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 지지판(230)의 상면은 중심 영역이 가장자리 영역보다 높게 위치되도록 단차질 수 있다. 지지판(230)의 상면 중심 영역은 유전판(220)의 저면에 상응하는 면적을 가지며, 유전판(220)의 저면과 접착된다.A support plate 230 is positioned under the dielectric plate 220 . The bottom surface of the dielectric plate 220 and the top surface of the support plate 230 may be adhered by an adhesive 236 . The support plate 230 may be made of an aluminum material. The upper surface of the support plate 230 may be stepped so that the central area is positioned higher than the edge area. The central region of the top surface of the support plate 230 has an area corresponding to the bottom surface of the dielectric plate 220 and is adhered to the bottom surface of the dielectric plate 220 .

포커스 링(240)은 정전 척(210)의 가장자리 영역에 배치된다. 포커스 링(240)은 링 형상을 가지며, 유전판(220)의 둘레를 따라 배치된다. 포커스 링(240)의 상면은 외측부(240a)가 내측부(240b)보다 높도록 단차질 수 있다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 유전판(220)의 상면과 동일 높이에 위치된다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 유전판(220)의 외측에 위치된 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 포커스 링(240)의 외측부(240a)는 기판(W)의 가장자리 영역을 둘러싸도록 제공된다. 포커스 링(240)은 챔버(100) 내에서 플라즈마가 기판(W)과 마주하는 영역으로 집중되도록 한다.The focus ring 240 is disposed on an edge region of the electrostatic chuck 210 . The focus ring 240 has a ring shape and is disposed along the circumference of the dielectric plate 220 . The upper surface of the focus ring 240 may be stepped such that the outer portion 240a is higher than the inner portion 240b. The inner portion 240b of the upper surface of the focus ring 240 is positioned at the same height as the upper surface of the dielectric plate 220 . The upper inner portion 240b of the focus ring 240 supports an edge region of the substrate W positioned outside the dielectric plate 220 . The outer portion 240a of the focus ring 240 is provided to surround the edge region of the substrate W. As shown in FIG. The focus ring 240 allows plasma to be concentrated in a region facing the substrate W in the chamber 100 .

지지판(230)의 하부에는 절연 플레이트(250)가 위치한다. 절연 플레이트(250)는 지지판(230)에 상응하는 단면적으로 제공된다. 절연 플레이트(250)는 지지판(230)과 하부 커버(270) 사이에 위치한다. 절연 플레이트(250)는 절연 재질로 제공되며, 지지판(230)과 하부 커버(270)를 전기적으로 절연시킨다.An insulating plate 250 is positioned under the support plate 230 . The insulating plate 250 is provided with a cross-sectional area corresponding to the support plate 230 . The insulating plate 250 is positioned between the support plate 230 and the lower cover 270 . The insulating plate 250 is made of an insulating material and electrically insulates the support plate 230 and the lower cover 270 .

하부 커버(270)는 기판 지지 유닛(200)의 하단부에 위치한다. 하부 커버(270)는 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치한다. 하부 커버(270)는 상면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 하부 커버(270)의 상면은 절연 플레이트(250)에 의해 덮어진다. 따라서, 하부 커버(270)의 단면의 외부 반경은 절연 플레이트(250)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(270)의 내부 공간에는 반송되는 기판(W)을 외부의 반송 부재로부터 정전 척(210)으로 이동시키는 리프트 핀 모듈(미도시) 등이 위치할 수 있다.The lower cover 270 is located at the lower end of the substrate support unit 200 . The lower cover 270 is positioned to be spaced apart from the bottom surface of the housing 110 upwardly. The lower cover 270 has an open top surface therein. The upper surface of the lower cover 270 is covered by the insulating plate 250 . Accordingly, the outer radius of the cross section of the lower cover 270 may be the same length as the outer radius of the insulating plate 250 . A lift pin module (not shown) for moving the transferred substrate W from an external transfer member to the electrostatic chuck 210 may be positioned in the inner space of the lower cover 270 .

하부 커버(270)는 연결 부재(273)를 갖는다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면과 하우징(110)의 내측벽을 연결한다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면에 일정한 간격으로 복수 개 제공될 수 있다. 연결 부재(273)는 기판 지지 유닛(200)을 챔버(100) 내부에서 지지한다. 또한, 연결 부재(273)는 하우징(110)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(270)가 전기적으로 접지되도록 한다. The lower cover 270 has a connecting member 273 . The connecting member 273 connects the outer surface of the lower cover 270 and the inner wall of the housing 110 . A plurality of connection members 273 may be provided on the outer surface of the lower cover 270 at regular intervals. The connection member 273 supports the substrate support unit 200 in the chamber 100 . In addition, the connection member 273 is connected to the inner wall of the housing 110 so that the lower cover 270 is electrically grounded.

가스 공급 유닛은 챔버(100) 내부에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛은 가스 공급 노즐, 가스 공급 라인 및 가스 저장부를 포함한다. 가스 공급 라인은 가스 공급 노즐과 가스 저장부를 연결한다. 가스 공급 라인은 가스 저장부에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐에 공급한다. 가스 공급 라인에는 밸브가 설치된다. 밸브는 가스 공급 라인을 개폐하며, 가스 공급 라인을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절한다.The gas supply unit supplies a process gas into the chamber 100 . The gas supply unit includes a gas supply nozzle, a gas supply line, and a gas storage unit. The gas supply line connects the gas supply nozzle and the gas storage unit. The gas supply line supplies the process gas stored in the gas storage unit to the gas supply nozzle. A valve is installed in the gas supply line. The valve opens and closes the gas supply line, and regulates the flow rate of the process gas supplied through the gas supply line.

플라즈마 발생 유닛(400)은 챔버(100) 내 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 플라즈마 발생 유닛(400)은 ICP 타입으로 구성될 수 있다. The plasma generating unit 400 excites the process gas in the chamber 100 into a plasma state. According to an embodiment of the present invention, the plasma generating unit 400 may be configured as an ICP type.

플라즈마 발생 유닛(400)은 고주파 전원(420), 제 1 안테나(411), 제 2 안테나(413), 그리고 전력 분배기(430)를 포함할 수 있다. 고주파 전원(420)은 고주파 신호를 공급한다. 일 예로, 고주파 전원(420)은 RF 전원(420)일 수 있다. RF 전원(420)은 RF 전력을 공급한다. 이하, 고주파 전원(420)이 RF 전원(420)으로 제공되는 경우를 설명한다. 제 1 안테나(411)는 고주파 전원(420)과 제 1 라인(L1)을 통해 연결된다. 제 2 안테나(413)는 고주파 전원(420)과 제 2 라인(L2)을 통해 연결된다. 제 2 라인(L2)은 제 1 라인(L1)의 분기점(P)에서 분기된다. 제 1 안테나(411) 및 제 2 안테나(413)는 각각 복수 회로 감긴 코일로 제공될 수 있다. 제 1 안테나(411) 및 제 2 안테나(413)는 RF 전원(420)에 전기적으로 연결되어 RF 전력을 인가받는다. 전력 분배기(430)는 RF 전원(420)으로부터 공급되는 전력을 각각의 안테나로 분배한다.The plasma generating unit 400 may include a high frequency power supply 420 , a first antenna 411 , a second antenna 413 , and a power distributor 430 . The high frequency power supply 420 supplies a high frequency signal. For example, the high frequency power supply 420 may be an RF power supply 420 . The RF power source 420 supplies RF power. Hereinafter, a case in which the high frequency power source 420 is provided as the RF power source 420 will be described. The first antenna 411 is connected to the high frequency power supply 420 through the first line L1. The second antenna 413 is connected to the high frequency power supply 420 through the second line L2. The second line L2 branches at the branch point P of the first line L1 . Each of the first antenna 411 and the second antenna 413 may be provided as a coil wound with a plurality of circuits. The first antenna 411 and the second antenna 413 are electrically connected to the RF power source 420 to receive RF power. The power divider 430 distributes power supplied from the RF power source 420 to each antenna.

제 1 안테나(411) 및 제 2 안테나(413)는 기판(W)에 대향하는 위치에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 1 안테나(411) 및 제 2 안테나(413)는 공정 챔버(100)의 상부에 설치될 수 있다. 제 1 안테나(411) 및 제 2 안테나(413)는 링 형상으로 제공될 수 있다. 이 때, 제 1 안테나(411)의 반경은 제 2 안테나(413)의 반경보다 작게 제공될 수 있다. 이 때, 제 1 안테나(411)는 공정 챔버(100)의 상부 안쪽에 위치하고, 제 2 안테나(413)은 공정 챔버(100)의 상부 바깥쪽에 위치할 수 있다.The first antenna 411 and the second antenna 413 may be disposed at positions facing the substrate W. Referring to FIG. For example, the first antenna 411 and the second antenna 413 may be installed above the process chamber 100 . The first antenna 411 and the second antenna 413 may be provided in a ring shape. In this case, the radius of the first antenna 411 may be smaller than the radius of the second antenna 413 . In this case, the first antenna 411 may be located inside the upper portion of the process chamber 100 , and the second antenna 413 may be located outside the upper portion of the process chamber 100 .

실시예에 따라, 상기 제 1 및 제 2 안테나(411, 413)은 공정 챔버(100)의 측부에 배치될 수도 있다. 실시예에 따라, 상기 제 1 및 제 2 안테나(411, 413) 중 어느 하나는 공정 챔버(100)의 상부에 배치되고, 다른 하나는 공정 챔버(100)의 측부에 배치될 수도 있다. 복수의 안테나가 공정 챔버(100) 내에서 플라즈마를 생성하는 한, 코일의 위치는 제한되지 않는다.In some embodiments, the first and second antennas 411 and 413 may be disposed on the side of the process chamber 100 . According to an embodiment, one of the first and second antennas 411 and 413 may be disposed above the process chamber 100 , and the other may be disposed on the side of the process chamber 100 . As long as the plurality of antennas generate plasma in the process chamber 100 , the position of the coil is not limited.

제 1 안테나(411) 및 제 2 안테나(413)은 RF 전원(420)으로부터 RF 전력을 인가받아 챔버에 시변 전자장을 유도할 수 있으며, 그에 따라 공정 챔버(100)에 공급된 공정 가스는 플라즈마로 여기될 수 있다.The first antenna 411 and the second antenna 413 may receive RF power from the RF power source 420 to induce a time-varying electromagnetic field in the chamber, and accordingly, the process gas supplied to the process chamber 100 is converted to plasma. can be here

배플 유닛(600)은 하우징(110)의 내측벽과 기판 지지 유닛(200) 사이에 위치된다. 배플 유닛(600)은 관통홀이 형성된 배플을 포함한다. 배플은 환형의 링 형상으로 제공된다. 하우징(110) 내에 제공된 공정가스는 배플의 관통홀들을 통과하여 배기홀(102)로 배기된다. 배플의 형상 및 관통홀들의 형상에 따라 공정가스의 흐름이 제어될 수 있다.The baffle unit 600 is positioned between the inner wall of the housing 110 and the substrate support unit 200 . The baffle unit 600 includes a baffle in which a through hole is formed. The baffle is provided in the shape of an annular ring. The process gas provided in the housing 110 passes through the through holes of the baffle and is exhausted to the exhaust hole 102 . The flow of the process gas may be controlled according to the shape of the baffle and the shape of the through-holes.

이상에서 본 실시예에서는, ICP 타입의 플라즈마 발생 유닛을 포함하는 기판 처리 장치에 상술한 윈도우 유닛이 제공된 것을 예로 들어 설명하였다. 그러나, 이와 달리, 유도성 용량 결합(CCP: Capacitively Coupled Plasma) 타입의 플라즈마 발생 유닛을 포함하는 기판 처리 장치에 상술한 윈도우 유닛이 적용될 수 있다.As described above, in the present embodiment, the above-described window unit is provided in the substrate processing apparatus including the ICP type plasma generating unit as an example. However, unlike this, the above-described window unit may be applied to a substrate processing apparatus including a capacitively coupled plasma (CCP) type plasma generating unit.

마이크로웨이브 유닛(500)은 윈도우 유닛(120)의 중앙부에 설치된다. 마이크로웨이브 유닛(500)의 저면에는 분사구가 형성될 수 있다. 분사구를 통해 마이크로웨이브 유닛(500)은 마이크로웨이브를 챔버 내로 인가할 수 있다. 분사구는 윈도우 유닛(120)의 하부에 위치하며, 챔버(100) 내부의 처리공간으로 마이크로웨이브를 공급한다. 이를 통해 기판의 열처리를 수행할 수 있다. The microwave unit 500 is installed in the center of the window unit 120 . A spray hole may be formed on the bottom surface of the microwave unit 500 . The microwave unit 500 through the injection hole may apply a microwave into the chamber. The injection hole is located at the lower portion of the window unit 120 and supplies microwaves to the processing space inside the chamber 100 . Through this, heat treatment of the substrate may be performed.

마이크로웨이브의 파장은 반도체 칩의 금속 배선층 두께 및 간격보다 훨씬 길기 때문에 마이크로웨이브가 금속물질로 침투하는 깊이는 수 ㎛ 미만이다. 일 예시에 따르면, 마이크로웨이브 열처리에 의해 기판 또는 다이의 표면을 발열시켜, 표면 온도를 목표 온도로 급속하게 승온시킬 수 있는 효과가 있다. Since the wavelength of the microwave is much longer than the thickness and spacing of the metal wiring layer of the semiconductor chip, the depth of penetration of the microwave into the metal material is less than several μm. According to one example, by heating the surface of the substrate or die by microwave heat treatment, there is an effect of rapidly increasing the surface temperature to a target temperature.

마이크로웨이브 유닛(500)은 하우징 내에 마이크로웨이브를 인가하는 도파관(520)을 포함할 수 있다. 마이크로웨이브 유닛(500)은 1 내지 5 GHz 주파수의 마이크로웨이브를 인가할 수 있다. 도파관(520)은 마그네트론(510)으로부터 발생된 마이크로파를 챔버 내로 인가할 수 있다. 일 예시에 따르면, 마그네트론(510)은 10MHz 내지 10GHz 대역의 전자파를 발진할 수 있다. 바람직하게는 마그네트론(510)은 2.45GHz 전자파를 발진할 수 있다. 한편, 플라즈마 소스는 유도결합 플라즈마 또는 용량 결합 플라즈마 타입으로 제공될 수도 있다. 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마는 대기압 플라즈마이다.The microwave unit 500 may include a waveguide 520 for applying microwaves in the housing. The microwave unit 500 may apply a microwave of a frequency of 1 to 5 GHz. The waveguide 520 may apply microwaves generated from the magnetron 510 into the chamber. According to an example, the magnetron 510 may oscillate an electromagnetic wave in a band of 10 MHz to 10 GHz. Preferably, the magnetron 510 may oscillate a 2.45 GHz electromagnetic wave. Meanwhile, the plasma source may be provided as an inductively coupled plasma or a capacitively coupled plasma type. Plasma according to an embodiment of the present invention is atmospheric pressure plasma.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 마이크로웨이브에 의해 기판의 표면이 선택적으로 가열되므로, 승온 속도 및 냉각 속도가 빠르고, 짧은 시간내에 기판의 표면을 목표 온도로 가열할 수 있어 공정 시간을 단축할 수 있다. 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10)는 열을 이용한 ALE(Thermal atomic layer etching) 공정에서 사용될 수 있다. 일 예시에 따르면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 마이크로웨이브 열을 이용한 열처리(wafer heat treatment)가 포함된 공정에서 사용될 수 있다. 일 예시에 따르면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 t-ALD(thermal atomic layer deposition), t-ALE(thermal atmic layer etching) 공정 등에서 사용될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, since the surface of the substrate is selectively heated by microwaves, the temperature increase rate and cooling rate are fast, and the surface of the substrate can be heated to a target temperature within a short time, thereby shortening the process time. there is. The substrate processing apparatus 10 according to the present invention may be used in a thermal atomic layer etching (ALE) process using heat. According to one example, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention may be used in a process including a heat treatment using microwave heat (wafer heat treatment). According to an example, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention may be used in a thermal atomic layer deposition (t-ALD) process, a thermal atmic layer etching (t-ALE) process, and the like.

일 예시에 따르면, 본 발명에 따른 마이크로웨이브 유닛(500)은 마이크로웨이브 플라즈마 토치(미도시)를 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 마이크로웨이브 유닛(500)은, 마이크로웨이브 플라즈마 토치에서 토출되는 압력을 조절하여 플라즈마 밀도 제어를 수행하거나, 혹은 이를 기판의 가열 수단으로 사용할 수 있다. According to one example, the microwave unit 500 according to the present invention may include a microwave plasma torch (not shown). The microwave unit 500 according to the present invention performs plasma density control by adjusting the pressure discharged from the microwave plasma torch, or it can be used as a heating means of the substrate.

즉 본 발명에 따르면 마이크로웨이브 플라즈마 토치를 사용하여 빠르게 기판의 표면을 가열할 수 있는 효과가 있다. 또한 열처리의 균일도도 플라즈마 토치의 압력을 조절하는 것을 통해 조절할 수 있는 효과가 있다.That is, according to the present invention, there is an effect that can quickly heat the surface of the substrate using a microwave plasma torch. In addition, there is an effect that the uniformity of the heat treatment can be controlled by adjusting the pressure of the plasma torch.

일 예시에 따르면, 마이크로웨이브 플라즈마 토치의 압력을 보다 세게 조절하는 것을 통해 플라즈마 밀도를 증가시킬 수 있다. 또한 내부 및 외부의 플라즈마 밀도를 독자적으로 조절하는 것을 통해 플라즈마 및 열처리의 균일도가 조절될 수 있다. According to one example, the plasma density may be increased by more strongly adjusting the pressure of the microwave plasma torch. In addition, the uniformity of plasma and heat treatment can be controlled by independently controlling internal and external plasma densities.

도 2는 본 발명의 윈도우(120)를 상부에서 바라본 도면이다. 도 2에 따르면, 본 발명의 윈도우 유닛(120)은 중심부에 상기 마이크로웨이브 유닛(500)이 장착될 수 있는 홈(121)이 형성될 수 있다. 마이크로웨이브 유닛(500)이 장착될 수 있는 홈(121)은 안테나(411, 413)의 안쪽 중심부에 형성될 수 있다. 윈도우 유닛(120)에 형성되는 홈(121)은 마이크로웨이브 유닛(500)이 포함하는 도파관(520)에 대응하는 크기로 제공될 수 있다. 일 예시에 따르면 마이크로웨이브 유닛(500)이 포함하는 도파관(520)의 끝단부는 윈도우 유닛(120)의 홈(121)에 장착되어 결합될 수 있다.2 is a view of the window 120 of the present invention viewed from the top. According to FIG. 2 , the window unit 120 of the present invention may have a groove 121 in which the microwave unit 500 can be mounted in the center thereof. The groove 121 in which the microwave unit 500 can be mounted may be formed in the inner center of the antennas 411 and 413 . The groove 121 formed in the window unit 120 may be provided in a size corresponding to the waveguide 520 included in the microwave unit 500 . According to one example, the end of the waveguide 520 included in the microwave unit 500 may be mounted and coupled to the groove 121 of the window unit 120 .

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 순서도이다. 3 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.

본 발명에서는, 마이크로웨이브 유닛을 이용하여 기판의 열처리를 수행할 수 있다. 또한, 플라즈마 발생 유닛을 제어하여 기판 내의 플라즈마 밀도를 제어할 수 있다. In the present invention, the heat treatment of the substrate may be performed using a microwave unit. In addition, the plasma density in the substrate may be controlled by controlling the plasma generating unit.

일 예시에 따라, 플라즈마 밀도의 제어가 추가적으로 필요한 경우, 마이크로웨이브 유닛을 이용하여 기판 내의 플라즈마 밀도를 추가적으로 제어할 수 있다. 일 예시에 따르면 마이크로웨이브 유닛에 포함된 마이크로웨이브 플라즈마 토치의 압력을 세게 조절하여 RF 전원에 비해 고밀도의 플라즈마를 인가하여 추가적으로 플라즈마 밀도를 제어할 수 있다. 이 때, 마이크로웨이브 유닛과 플라즈마 발생 유닛은 독립적으로 조절될 수 있다.According to one example, when control of the plasma density is additionally required, the plasma density in the substrate may be additionally controlled using a microwave unit. According to one example, by strongly adjusting the pressure of the microwave plasma torch included in the microwave unit, the plasma density can be additionally controlled by applying a higher density plasma than the RF power source. At this time, the microwave unit and the plasma generating unit can be adjusted independently.

즉 본 발명에 따르면 마이크로웨이브 플라즈마 토치를 사용함으로써 인해 빠른 기판의 열처리 효과를 얻을 수 있음과 동시에, RF 전원으로 인한 플라즈마 밀도 조절에 더하여 추가적인 플라즈마 밀도 제어가 가능한 효과가 있다. That is, according to the present invention, it is possible to obtain a fast heat treatment effect of the substrate due to the use of a microwave plasma torch, and at the same time, there is an effect that additional plasma density control is possible in addition to plasma density control due to RF power.

이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시 예들도 본 발명의 범위에 속하는 것임을 이해하여야 한다. 본 발명에서 제공되는 도면은 본 발명의 최적의 실시예를 도시한 것에 불과하다. 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.It should be understood that the above embodiments are presented to help the understanding of the present invention, and do not limit the scope of the present invention, and various modified embodiments therefrom also fall within the scope of the present invention. The drawings provided in the present invention merely show an optimal embodiment of the present invention. The technical protection scope of the present invention should be defined by the technical idea of the claims, and the technical protection scope of the present invention is not limited to the literal description of the claims itself, but is substantially equivalent to the technical value. It should be understood that it extends to the invention of

10 : 기판 처리 장치
120 : 윈도우 유닛
500 : 마이크로웨이브 유닛10: substrate processing device
120: window unit
500: microwave unit

Claims (9)

상부가 개방된 처리 공간을 가지는 하우징 및 상기 개방된 상부를 덮는 윈도우를 가지는 공정 챔버;
상기 공정 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지유닛;
상기 공정 챔버 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛;
상기 공정 챔버의 외부에 배치되며 상기 공정 챔버 내에서 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 제1 안테나 및 제2 안테나를 가지는 플라즈마 발생 유닛; 및
마이크로웨이브를 상기 공정 챔버에 인가하는 마이크로웨이브 유닛;을 포함하는 기판 처리 장치.
a process chamber having a housing having an open upper processing space and a window covering the open upper portion;
a support unit for supporting a substrate in the process chamber;
a gas supply unit supplying a process gas into the process chamber;
a plasma generating unit disposed outside the process chamber and having a first antenna and a second antenna for generating plasma from the process gas in the process chamber; and
A substrate processing apparatus including a; a microwave unit for applying a microwave to the process chamber.
 제1항에 있어서,
상기 마이크로웨이브 유닛은, 상기 윈도우를 관통하여 제공되는 기판 처리 장치.
According to claim 1,
The microwave unit is a substrate processing apparatus provided through the window.
 제2항에 있어서,
상기 윈도우는 중심부에 상기 마이크로웨이브 유닛이 장착될 수 있는 홈이 형성되어 제공되는 기판 처리 장치.
3. The method of claim 2,
The window is a substrate processing apparatus provided with a groove formed in the center in which the microwave unit can be mounted.
 제3항에 있어서,
상기 마이크로웨이브 유닛은 마이크로웨이브 플라즈마 토치를 포함하는 기판 처리 장치.
4. The method of claim 3,
The microwave unit is a substrate processing apparatus including a microwave plasma torch.
 제4항에 있어서,
상기 마이크로웨이브 플라즈마 토치의 압력을 조절하여 상기 공정 챔버 내의 플라즈마 밀도 조절 또는 상기 기판의 열처리를 조절하는 기판 처리 장치.
5. The method of claim 4,
A substrate processing apparatus for controlling plasma density in the process chamber or heat treatment of the substrate by adjusting the pressure of the microwave plasma torch.
 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는 열을 이용한 ALE(Thermal atomic layer etching) 공정에서 사용되는 기판 처리 장치.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The substrate processing apparatus is a substrate processing apparatus used in a thermal atomic layer etching (ALE) process using heat.
 제6항에 있어서,
상기 마이크로웨이브 유닛과, 상기 플라즈마 발생 유닛은 독립적으로 조절되는 기판 처리 장치.
7. The method of claim 6,
The microwave unit and the plasma generating unit are independently controlled substrate processing apparatus.
 제1항에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 기판 처리를 수행하는 방법에 있어서,
상기 마이크로웨이브 유닛을 이용하여 상기 기판의 열처리를 수행하고,
상기 플라즈마 발생 유닛을 제어하여 상기 기판 내의 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 방법.
In the method of performing substrate processing using the substrate processing apparatus according to claim 1,
performing heat treatment of the substrate using the microwave unit,
and controlling the plasma generating unit to control plasma density in the substrate.
 제8항에 있어서,
상기 마이크로웨이브 유닛을 이용하여 상기 기판 내의 플라즈마 밀도를 추가적으로 제어하는 기판 처리 방법.
9. The method of claim 8,
A substrate processing method for additionally controlling the plasma density in the substrate by using the microwave unit.
KR1020200143583A 2020-10-30 2020-10-30 Substrate treating appartus and substrate treating method KR20220058776A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200143583A KR20220058776A (en) 2020-10-30 2020-10-30 Substrate treating appartus and substrate treating method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200143583A KR20220058776A (en) 2020-10-30 2020-10-30 Substrate treating appartus and substrate treating method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220058776A true KR20220058776A (en) 2022-05-10

Family

ID=81592245

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200143583A KR20220058776A (en) 2020-10-30 2020-10-30 Substrate treating appartus and substrate treating method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20220058776A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8607731B2 (en) Cathode with inner and outer electrodes at different heights
JP2016506592A (en) Capacitively coupled plasma device with uniform plasma density
US10236194B2 (en) Supporting unit and substrate treatment apparatus
JP2016522539A (en) Capacitively coupled plasma device with uniform plasma density
US11551909B2 (en) Ultra-localized and plasma uniformity control in a plasma processing system
US11195696B2 (en) Electron beam generator, plasma processing apparatus having the same and plasma processing method using the same
KR101570177B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR102330281B1 (en) Electrostatic chuck and substrate treating apparatus including the chuck
KR102278077B1 (en) Supporting unit and apparatus and method for treating substrate comprising the same
KR20160004408A (en) Apparatus and method for treating substrate
KR102568804B1 (en) Support unit and apparatus for treating a substrate with the support unit
KR102323320B1 (en) Apparatus and method for treating substrate comprising the same
KR20220058777A (en) Substrate treating appartus and substrate treating method
KR20220058776A (en) Substrate treating appartus and substrate treating method
KR101853365B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR20220058778A (en) Substrate treating appartus and substrate treating method
KR20220058782A (en) Microwave unit and substrate treating appartus including the same
KR101569886B1 (en) Substrate supporting unit and substrate treating apparatus including the same
KR102358480B1 (en) Large Area Dry Etching Device
KR102277809B1 (en) Unit for supporting substrate and system for treating substrate with the unit
KR101543686B1 (en) Method and apparatus for treating substrate
KR20220021745A (en) Apparatus for treating substrate
KR101939661B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR20220058781A (en) Substrate treating appartus and substrate treating method
KR101853363B1 (en) Apparatus and method for treating substrate