KR20220055470A - Thermosetting resin composition for light reflection, substrate for mounting optical semiconductor element, and optical semiconductor device - Google Patents
Thermosetting resin composition for light reflection, substrate for mounting optical semiconductor element, and optical semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- KR20220055470A KR20220055470A KR1020227008232A KR20227008232A KR20220055470A KR 20220055470 A KR20220055470 A KR 20220055470A KR 1020227008232 A KR1020227008232 A KR 1020227008232A KR 20227008232 A KR20227008232 A KR 20227008232A KR 20220055470 A KR20220055470 A KR 20220055470A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- resin composition
- thermosetting resin
- semiconductor element
- substrate
- optical
- Prior art date
Links
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 78
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 76
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 108
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 73
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 54
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 38
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 38
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 27
- 125000006158 tetracarboxylic acid group Chemical group 0.000 claims abstract description 27
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 35
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 33
- -1 hexafluoroisopropylidene group Chemical group 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 6
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 4
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 claims description 3
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 43
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 43
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000002585 base Substances 0.000 description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 12
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 6
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 6
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 6
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 5
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 4
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 3
- QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 5-[(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)oxy]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(OC=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 3
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N heptamethylene Natural products C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 150000004780 naphthols Chemical class 0.000 description 3
- 150000002903 organophosphorus compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 3
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,5,6,7,7a-hexahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CCC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N 0.000 description 2
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical class [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 2-naphthol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N Cyclopentane Chemical compound C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical compound C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 2
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 2
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 2
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 2
- 150000007973 cyanuric acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 2
- SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N salicylaldehyde Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=O SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000012321 sodium triacetoxyborohydride Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LTVUCOSIZFEASK-MPXCPUAZSA-N (3ar,4s,7r,7as)-3a-methyl-3a,4,7,7a-tetrahydro-4,7-methano-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C([C@H]1C=C2)[C@H]2[C@H]2[C@]1(C)C(=O)OC2=O LTVUCOSIZFEASK-MPXCPUAZSA-N 0.000 description 1
- KNDQHSIWLOJIGP-UMRXKNAASA-N (3ar,4s,7r,7as)-rel-3a,4,7,7a-tetrahydro-4,7-methanoisobenzofuran-1,3-dione Chemical compound O=C1OC(=O)[C@@H]2[C@H]1[C@]1([H])C=C[C@@]2([H])C1 KNDQHSIWLOJIGP-UMRXKNAASA-N 0.000 description 1
- KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,7,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C=CC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- KMOUUZVZFBCRAM-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,6-tetrahydrophthalic anhydride Chemical compound C1C=CCC2C(=O)OC(=O)C21 KMOUUZVZFBCRAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(oxiran-2-ylmethyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1N(CC2OC2)C(=O)N(CC2OC2)C(=O)N1CC1CO1 OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGZQGDTEZPERC-UHFFFAOYSA-N 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCC(C(O)=O)CC1 PXGZQGDTEZPERC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MODAACUAXYPNJH-UHFFFAOYSA-N 1-(methoxymethyl)-4-[4-(methoxymethyl)phenyl]benzene Chemical group C1=CC(COC)=CC=C1C1=CC=C(COC)C=C1 MODAACUAXYPNJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,6,7,8,9,10-octahydropyrimido[1,2-a]azepine Chemical compound C1CCCCN2CCCN=C21 GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLBVJHVRECUXKP-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethoxy-1,4-dimethylbenzene Chemical group COC1=C(C)C=CC(C)=C1OC BLBVJHVRECUXKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FALRKNHUBBKYCC-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)pyridine-3-carbonitrile Chemical compound ClCC1=NC=CC=C1C#N FALRKNHUBBKYCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 2-aminophenol Chemical compound NC1=CC=CC=C1O CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODGCZQFTJDEYNI-UHFFFAOYSA-N 2-methylcyclohex-3-ene-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1(C)C=CCCC1C(O)=O ODGCZQFTJDEYNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAVNZLVXYJDFNR-UHFFFAOYSA-N 3,3-dimethyloxane-2,6-dione Chemical compound CC1(C)CCC(=O)OC1=O PAVNZLVXYJDFNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UVYLEXYRTBDZNM-UHFFFAOYSA-N 4,4-diethyloxane-2,6-dione Chemical compound CCC1(CC)CC(=O)OC(=O)C1 UVYLEXYRTBDZNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OECTYKWYRCHAKR-UHFFFAOYSA-N 4-vinylcyclohexene dioxide Chemical compound C1OC1C1CC2OC2CC1 OECTYKWYRCHAKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YGYCECQIOXZODZ-UHFFFAOYSA-N 4415-87-6 Chemical compound O=C1OC(=O)C2C1C1C(=O)OC(=O)C12 YGYCECQIOXZODZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 5-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carbonyl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)=O)=C1 VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZHBXLZQQVCDGPA-UHFFFAOYSA-N 5-[(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)sulfonyl]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(S(=O)(=O)C=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 ZHBXLZQQVCDGPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHHKLPCQTTWFSS-UHFFFAOYSA-N 5-[2-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)=C1 QHHKLPCQTTWFSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMACFWAQBPYRFO-UHFFFAOYSA-N 5-[9-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)fluoren-9-yl]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C2(C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 FMACFWAQBPYRFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBHIUNHSNSQJNG-UHFFFAOYSA-N 6-methyl-3-(2-methyloxiran-2-yl)-7-oxabicyclo[4.1.0]heptane Chemical compound C1CC2(C)OC2CC1C1(C)CO1 RBHIUNHSNSQJNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWSKJDNQKGCKPA-UHFFFAOYSA-N 6-methyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CC(C)=CC2C(=O)OC(=O)C12 MWSKJDNQKGCKPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXALYBMHAYZKAP-UHFFFAOYSA-N 7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-ylmethyl 7-oxabicyclo[4.1.0]heptane-4-carboxylate Chemical compound C1CC2OC2CC1C(=O)OCC1CC2OC2CC1 YXALYBMHAYZKAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N Cyclobutane Chemical compound C1CCC1 PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 125000004018 acid anhydride group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001341 alkaline earth metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L barium(2+);oxomethanediolate Chemical compound [Ba+2].[O-][14C]([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- NIDNOXCRFUCAKQ-UHFFFAOYSA-N bicyclo[2.2.1]hept-5-ene-2,3-dicarboxylic acid Chemical compound C1C2C=CC1C(C(=O)O)C2C(O)=O NIDNOXCRFUCAKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLEMOWNGBBNAJR-UHFFFAOYSA-N biphenyl-2-ol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 LLEMOWNGBBNAJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 1
- DJUWPHRCMMMSCV-UHFFFAOYSA-N bis(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-ylmethyl) hexanedioate Chemical compound C1CC2OC2CC1COC(=O)CCCCC(=O)OCC1CC2OC2CC1 DJUWPHRCMMMSCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004841 bisphenol A epoxy resin Substances 0.000 description 1
- WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N bpda Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- IFDVQVHZEKPUSC-UHFFFAOYSA-N cyclohex-3-ene-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCC=CC1C(O)=O IFDVQVHZEKPUSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYQADNCHXSEGJT-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,1-dicarboxylate;hydron Chemical compound OC(=O)C1(C(O)=O)CCCCC1 QYQADNCHXSEGJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSAWQNUELGIYBC-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCCCC1C(O)=O QSAWQNUELGIYBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBZSBBLNHFMTEB-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,3-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCCC(C(O)=O)C1 XBZSBBLNHFMTEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- WJTCGQSWYFHTAC-UHFFFAOYSA-N cyclooctane Chemical compound C1CCCCCCC1 WJTCGQSWYFHTAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004914 cyclooctane Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical class C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000012772 electrical insulation material Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- VANNPISTIUFMLH-UHFFFAOYSA-N glutaric anhydride Chemical compound O=C1CCCC(=O)O1 VANNPISTIUFMLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 125000000654 isopropylidene group Chemical group C(C)(C)=* 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N methylhexahydrophthalic anhydride Chemical compound C1CCCC2C(=O)OC(=O)C21C VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 1
- NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-diol Chemical compound C1=CC=CC2=C(O)C(O)=CC=C21 NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 150000004965 peroxy acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000002530 phenolic antioxidant Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N phosphorous acid Chemical compound OP(O)O OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N pyromellitic acid Chemical class OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=C1C(O)=O CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001755 resorcinol Drugs 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- JIYNFFGKZCOPKN-UHFFFAOYSA-N sbb061129 Chemical compound O=C1OC(=O)C2C1C1C=C(C)C2C1 JIYNFFGKZCOPKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 229940014800 succinic anhydride Drugs 0.000 description 1
- BJQWBACJIAKDTJ-UHFFFAOYSA-N tetrabutylphosphanium Chemical compound CCCC[P+](CCCC)(CCCC)CCCC BJQWBACJIAKDTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFDHBDMSHIXOKF-UHFFFAOYSA-N tetrahydrophthalic acid Natural products OC(=O)C1=C(C(O)=O)CCCC1 UFDHBDMSHIXOKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005590 trimellitic acid group Chemical class 0.000 description 1
- SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N trimellitic anhydride Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L zinc stearate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229960001763 zinc sulfate Drugs 0.000 description 1
- 229910000368 zinc sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
- C08G59/42—Polycarboxylic acids; Anhydrides, halides or low molecular weight esters thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
- C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
- C08K3/20—Oxides; Hydroxides
- C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
- C08K7/22—Expanded, porous or hollow particles
- C08K7/24—Expanded, porous or hollow particles inorganic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
본 개시에 관한 광반사용 열경화성 수지 조성물은, 에폭시 수지, 경화제, 무기 충전제 및 백색 안료를 함유하고, 경화제가, 융점이 180~400℃인 테트라카복실산 이무수물을 포함한다.The thermosetting resin composition for light reflection according to the present disclosure contains an epoxy resin, a curing agent, an inorganic filler and a white pigment, and the curing agent contains tetracarboxylic dianhydride having a melting point of 180 to 400°C.
Description
본 발명은, 광반사용 열경화성 수지 조성물, 광반도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a thermosetting resin composition for light reflection, a substrate for mounting an optical semiconductor element, and an optical semiconductor device.
LED(Light Emitting Diode: 발광 다이오드) 등의 광반도체 소자와 형광체를 조합한 광반도체 장치는, 에너지 효율이 높고, 수명이 긴 점에서, 옥외용 디스플레이, 휴대 액정 백라이트, 차재 용도 등의 다양한 용도로 사용되며, 그 수요가 확대되고 있다. 이에 따라, LED 디바이스의 고휘도화가 진행되고 있으며, 소자의 발열량 증대에 따른 정크션 온도의 상승, 또는, 직접적인 광에너지의 증대에 따른 광반도체 장치의 열화를 방지할 것이 요구되고 있다.An optical semiconductor device that combines an optical semiconductor element such as an LED (Light Emitting Diode) with a phosphor is highly energy efficient and has a long lifespan, so it is used in various applications such as outdoor displays, portable liquid crystal backlights, and in-vehicle applications. and its demand is growing. Accordingly, the high luminance of the LED device is progressing, and it is required to prevent the increase of the junction temperature due to the increase in the amount of heat generated by the element, or the deterioration of the optical semiconductor device due to the increase in direct light energy.
특허문헌 1에는, 수지 경화 후의 가시광으로부터 근자외광 영역에 있어서 높은 반사율을 갖는 열경화성 수지 조성물을 이용한 광반도체 소자 탑재용 기판이 개시되어 있다. 또, 특허문헌 2에는, 광누출을 저감시킨 광반도체 소자 탑재용 부재가 개시되어 있다.Patent Document 1 discloses a substrate for mounting an optical semiconductor element using a thermosetting resin composition having a high reflectance in a region from visible light to near-ultraviolet light after curing of the resin. Moreover, in
일반적으로, 열경화성 수지 조성물은, 분말상으로 분쇄한 후에, 태블릿으로 성형되는 점에서, 열경화성 수지 조성물은, 실온 부근에 있어서 분쇄할 수 있는 정도의 강성을 가질 필요가 있다. 또, 야외 조명, 차재의 헤드라이트 등의 분야에 적용되는 광반도체 소자 탑재용 기판에는, 보다 높은 광반사성이 요구되고, 고온하에서 장시간 사용되었을 때에도 광학 특성을 유지할 것이 요구되고 있다. 그 때문에, 광반사용 열경화성 수지 조성물에는, 고온하에서의 광반사율을 장기로 유지할 수 있는 내열성을 갖는 경화물을 형성할 것이 요구된다.In general, since the thermosetting resin composition is pulverized into a powder and then molded into a tablet, the thermosetting resin composition needs to have a degree of rigidity that can be pulverized around room temperature. Further, higher light reflectivity is required for a substrate for mounting an optical semiconductor element applied to fields such as outdoor lighting and vehicle-mounted headlights, and it is required to maintain optical properties even when used for a long time under high temperature. Therefore, it is calculated|required by the thermosetting resin composition for light reflection to form the hardened|cured material which has heat resistance which can maintain the light reflectance under high temperature for a long term.
따라서, 본 발명은, 분쇄성 및 내열성이 우수한 광반사용 열경화성 수지 조성물, 이것을 이용한 광반도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, an object of this invention is to provide the thermosetting resin composition for light reflection which is excellent in grindability and heat resistance, the board|substrate for optical semiconductor element mounting using the same, and an optical semiconductor device.
본 발명은, 에폭시 수지, 경화제, 무기 충전제 및 백색 안료를 함유하고, 경화제가, 융점이 180~400℃인 테트라카복실산 이무수물을 포함하는, 광반사용 열경화성 수지 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a light-reflecting thermosetting resin composition containing an epoxy resin, a curing agent, an inorganic filler and a white pigment, and the curing agent containing tetracarboxylic dianhydride having a melting point of 180 to 400°C.
상기 테트라카복실산 이무수물은, 벤젠환을 2 이상 갖는 테트라카복실산 이무수물 및 나프탈렌환을 갖는 테트라카복실산 이무수물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이어도 된다. 또, 벤젠환을 2 이상 갖는 테트라카복실산 이무수물은, 하기 식 (1)로 나타나는 화합물이어도 된다.The tetracarboxylic dianhydride may be at least one selected from the group consisting of tetracarboxylic dianhydride having two or more benzene rings and tetracarboxylic dianhydride having naphthalene rings. Moreover, the compound represented by following formula (1) may be sufficient as the tetracarboxylic dianhydride which has two or more benzene rings.
[화학식 1][Formula 1]
식 중, R은, 단결합, 에터 결합, 카보닐기, 설폰일기, 메틸렌기, 아이소프로필리덴기, 헥사플루오로아이소프로필리덴기, 또는 플루오렌기를 나타낸다.In the formula, R represents a single bond, an ether bond, a carbonyl group, a sulfonyl group, a methylene group, an isopropylidene group, a hexafluoroisopropylidene group, or a fluorene group.
무기 충전제는, 중심 입경이 1~25μm인 무기 중공 입자를 포함해도 된다. 백색 안료는, 산화 타이타늄, 산화 아연, 알루미나, 산화 마그네슘, 산화 안티모니 및 산화 지르코늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함해도 된다.The inorganic filler may also contain inorganic hollow particles having a central particle diameter of 1 to 25 µm. The white pigment may contain at least one selected from the group consisting of titanium oxide, zinc oxide, alumina, magnesium oxide, antimony oxide, and zirconium oxide.
다른 측면에 있어서, 본 발명은, 상기 광반사용 열경화성 수지 조성물의 경화물을 구비하는 광반도체 소자 탑재용 기판에 관한 것이다. 본 발명에 관한 광반도체 소자 탑재용 기판은, 바닥면 및 벽면으로 구성되는 오목부를 갖고, 당해 오목부의 바닥면이 광반도체 소자의 탑재부여도 된다. 이 경우, 오목부의 벽면의 적어도 일부가, 상기 광반사용 열경화성 수지 조성물의 경화물이다. 또, 본 발명에 관한 광반도체 소자 탑재용 기판은, 기판과, 당해 기판 상에 마련된 제1 접속 단자 및 제2 접속 단자와, 제1 접속 단자와 제2 접속 단자의 사이에 마련된, 상기 광반사용 열경화성 수지 조성물의 경화물을 구비해도 된다.Another aspect WHEREIN: This invention relates to the board|substrate for optical semiconductor element mounting provided with the hardened|cured material of the said thermosetting resin composition for light reflection. The board|substrate for optical-semiconductor element mounting which concerns on this invention has a recessed part comprised from a bottom surface and a wall surface, The bottom surface of the said recessed part may be a mounting part of an optical-semiconductor element. In this case, at least a part of the wall surface of the recess is a cured product of the thermosetting resin composition for light reflection. Moreover, the board|substrate for optical semiconductor element mounting which concerns on this invention is provided between the board|substrate, the 1st connection terminal and 2nd connection terminal provided on the said board|substrate, and the 1st connection terminal and the 2nd connection terminal, The said light reflection use You may provide the hardened|cured material of a thermosetting resin composition.
또 다른 측면에 있어서, 본 발명은, 상기 광반도체 소자 탑재용 기판과, 그 광반도체 소자 탑재용 기판에 탑재된 광반도체 소자를 갖는 광반도체 장치에 관한 것이다.Another aspect WHEREIN: This invention relates to the optical-semiconductor device which has the said board|substrate for optical-semiconductor element mounting, and the optical-semiconductor element mounted in the said board|substrate for optical-semiconductor element mounting.
본 발명에 의하면, 분쇄성 및 내열성이 우수한 광반사용 열경화성 수지 조성물, 이것을 이용한 광반도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치를 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the thermosetting resin composition for light reflection excellent in grindability and heat resistance, the board|substrate for optical-semiconductor element mounting using the same, and an optical-semiconductor device can be provided.
도 1은 광반도체 소자 탑재용 기판의 일 실시형태를 나타내는 사시도이다.
도 2는 광반도체 소자 탑재용 기판을 제조하는 공정의 일 실시형태를 나타내는 개략도이다.
도 3은 광반도체 소자 탑재용 기판에 광반도체 소자를 탑재한 상태의 일 실시형태를 나타내는 사시도이다.
도 4는 광반도체 장치의 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다.
도 5는 광반도체 장치의 다른 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다.
도 6은 광반도체 장치의 다른 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다.
도 7은 구리 피복 적층판의 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다.
도 8은 구리 피복 적층판을 이용하여 제작된 광반도체 장치의 일례를 나타내는 모식 단면도이다.
도 9는 광반도체 장치의 다른 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a perspective view which shows one Embodiment of the board|substrate for optical-semiconductor element mounting.
It is a schematic diagram which shows one Embodiment of the process of manufacturing the board|substrate for optical-semiconductor element mounting.
It is a perspective view which shows one Embodiment of the state which mounted the optical-semiconductor element on the board|substrate for optical-semiconductor element mounting.
It is a schematic sectional drawing which shows one Embodiment of an optical semiconductor device.
It is a schematic sectional drawing which shows other embodiment of an optical semiconductor device.
6 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of an optical semiconductor device.
It is a schematic cross section which shows one Embodiment of a copper clad laminated board.
It is a schematic sectional drawing which shows an example of the optical-semiconductor device produced using the copper clad laminated board.
It is a schematic sectional drawing which shows other embodiment of an optical semiconductor device.
이하, 필요에 따라 도면을 참조하면서, 본 발명의 적합한 실시형태에 대하여 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은, 이하의 실시형태에 한정되지 않는다. 또한, 도면 중, 동일 요소에는 동일 부호를 붙이는 것으로 하고, 중복되는 설명은 생략한다. 또, 상하 좌우 등의 위치 관계는, 특별히 설명하지 않는 한, 도면에 나타내는 위치 관계에 근거하는 것으로 한다. 또한, 도면의 치수 비율은 도시한 비율에 한정되지 않는다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiment of this invention is described in detail, referring drawings as needed. However, this invention is not limited to the following embodiment. In addition, in the drawing, the same reference|symbol shall be attached|subjected to the same element, and overlapping description is abbreviate|omitted. In addition, the positional relationship, such as up, down, left and right, shall be based on the positional relationship shown in a figure unless otherwise indicated. In addition, the dimensional ratios in the drawings are not limited to the illustrated ratios.
본 명세서에 있어서, "~"를 이용하여 나타난 수치 범위는, "~"의 전후에 기재되는 수치를 각각 최솟값 및 최댓값으로서 포함하는 범위를 나타낸다. 본 명세서에 단계적으로 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 소정 단계의 수치 범위의 상한값 또는 하한값은, 다른 단계의 수치 범위의 상한값 또는 하한값으로 치환해도 된다. 본 명세서에 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 그 수치 범위의 상한값 또는 하한값은, 실시예에 나타나 있는 값으로 치환해도 된다. "A 또는 B"란, A 및 B 중 어느 일방을 포함하고 있으면 되고, 양방 모두 포함하고 있어도 된다. 본 명세서에 예시하는 재료는, 특별히 설명하지 않는 한, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 또, 본 명세서에 있어서, "(메트)아크릴레이트"란, 아크릴레이트, 및, 그에 대응하는 메타크릴레이트 중 적어도 일방을 의미한다.In this specification, the numerical range indicated using "-" represents the range which includes the numerical value described before and after "-" as a minimum value and a maximum value, respectively. In the numerical range described in stages in this specification, the upper limit or lower limit of the numerical range of a predetermined step may be substituted with the upper limit or lower limit of the numerical range of another step. In the numerical range described herein, the upper limit or lower limit of the numerical range may be substituted with the value shown in Examples. "A or B" may include any one of A and B, and may include both. The materials illustrated in this specification can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type, unless otherwise indicated. In addition, in this specification, "(meth)acrylate" means at least one of an acrylate and the methacrylate corresponding to it.
[광반사용 열경화성 수지 조성물][Thermosetting resin composition for light reflection]
본 실시형태의 광반사용 열경화성 수지 조성물은, 에폭시 수지, 경화제, 무기 충전제 및 백색 안료를 함유하고, 경화제가, 융점이 180~400℃인 테트라카복실산 이무수물을 포함하고 있다.The thermosetting resin composition for light reflection of this embodiment contains an epoxy resin, a hardening|curing agent, an inorganic filler, and a white pigment, and the hardening|curing agent contains the tetracarboxylic dianhydride whose melting|fusing point is 180-400 degreeC.
(에폭시 수지)(epoxy resin)
에폭시 수지로서는, 전자 부품 밀봉용 에폭시 수지 성형 재료로 일반적으로 사용되고 있는 에폭시 수지를 이용할 수 있다. 본 실시형태에 관한 열경화성 수지 조성물은, 에폭시 수지를 함유함으로써, 열시(熱時) 경도 및 굽힘 강도가 높고, 기계적 특성을 향상시킨 경화물을 형성할 수 있다. 에폭시 수지로서, 예를 들면, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 오쏘크레졸 노볼락형 에폭시 수지 등의 페놀류와 알데하이드류의 노볼락 수지를 에폭시화한 에폭시 수지; 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 알킬 치환 비스페놀 등의 다이글리시딜에터; 다이아미노다이페닐메테인, 아이소사이아누르산 등의 폴리아민과 에피클로로하이드린의 반응에 의하여 얻어지는 글리시딜아민형 에폭시 수지; 올레핀 결합을 퍼아세트산 등의 과산으로 산화하여 얻어지는 선상 지방족 에폭시 수지; 및 지환족 에폭시 수지를 들 수 있다. 에폭시 수지는, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.As an epoxy resin, the epoxy resin generally used as an epoxy resin molding material for electronic component sealing can be used. By containing an epoxy resin, the thermosetting resin composition which concerns on this embodiment can form the hardened|cured material which has high thermal hardness and bending strength, and improved mechanical properties. As an epoxy resin, For example, the epoxy resin which epoxidized the novolak resin of phenols, such as a phenol novolak-type epoxy resin and an orthocresol novolak-type epoxy resin, and aldehydes; diglycidyl ethers such as bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, and alkyl-substituted bisphenol; glycidylamine-type epoxy resins obtained by reaction of polyamines such as diaminodiphenylmethane and isocyanuric acid with epichlorohydrin; linear aliphatic epoxy resins obtained by oxidizing olefin bonds with peracids such as peracetic acid; and alicyclic epoxy resins. An epoxy resin may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
착색이 적은 점에서, 에폭시 수지는, 다이글리시딜아이소사이아누레이트, 트라이글리시딜아이소사이아누레이트, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 1,2-사이클로헥세인다이카복실산, 1,3-사이클로헥세인다이카복실산 또는 1,4-사이클로헥세인다이카복실산으로부터 유도되는 다이카복실산 다이글리시딜에스터를 포함해도 된다. 동일한 이유에서, 에폭시 수지는, 프탈산, 테트라하이드로프탈산, 헥사하이드로프탈산, 메틸테트라하이드로프탈산, 나드산, 메틸나드산 등의 다이카복실산의 다이글리시딜에스터도 적합하다. 방향환이 수소화된 지환식 구조를 갖는 핵수소화 트라이멜리트산, 핵수소화 파이로멜리트산 등의 글리시딜에스터를 포함해도 된다. 에폭시 수지는, 실레인 화합물을 유기 용매, 유기 염기 및 물의 존재하에 가열하여, 가수분해하여 축합시킴으로써 제조되는, 에폭시기를 갖는 폴리오가노실록세인을 포함해도 된다.Since there is little coloring, an epoxy resin is diglycidyl isocyanurate, triglycidyl isocyanurate, bisphenol A epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, 1,2- The dicarboxylic acid diglycidyl ester derived from cyclohexanedicarboxylic acid, 1,3-cyclohexanedicarboxylic acid, or 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid may also be included. For the same reason, diglycidyl esters of dicarboxylic acids such as phthalic acid, tetrahydrophthalic acid, hexahydrophthalic acid, methyltetrahydrophthalic acid, nadic acid and methylnadic acid are also suitable for the epoxy resin. You may also contain glycidyl esters, such as a nuclear-hydrogenated trimellitic acid and nuclear-hydrogenated pyromellitic acid, which have an alicyclic structure in which an aromatic ring was hydrogenated. An epoxy resin may also contain the polyorganosiloxane which has an epoxy group, manufactured by heating a silane compound in presence of an organic solvent, an organic base, and water, hydrolyzing and condensing.
에폭시 수지는, 시판품을 사용해도 된다. 3,4-에폭시사이클로헥실메틸-3',4'-에폭시사이클로헥세인카복실레이트로서, 예를 들면, 주식회사 다이셀의 제품명 "셀록사이드 2021", "셀록사이드 2021A" 및 "셀록사이드 2021P", 다우 케미컬 닛폰 주식회사의 제품명 "ERL4221", "ERL4221D" 및 "ERL4221E"를 입수할 수 있다. 비스(3,4-에폭시사이클로헥실메틸)아디페이트로서, 예를 들면, 다우 케미컬 닛폰 주식회사의 제품명 "ERL4299", DIC 주식회사의 제품명 "EXA-7015"를 입수할 수 있다. 1-에폭시에틸-3,4-에폭시사이클로헥세인 또는 리모넨다이에폭사이드로서, 예를 들면, 미쓰비시 케미컬 주식회사의 제품명 "jER YX8000", "jER YX8034" 및 "jER YL7170", 주식회사 다이셀의 제품명 "셀록사이드 2081", "셀록사이드 3000", "에폴리드 GT301", "에폴리드 GT401" 및 "EHPE3150"을 입수할 수 있다. 트리스글리시딜아이소사이아누레이트로서는, 예를 들면, 닛산 가가쿠 고교 주식회사의 제품명 "TEPIC-S"를 입수할 수 있다.The epoxy resin may use a commercial item. As 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3',4'-epoxycyclohexanecarboxylate, for example, the product names "Celoxide 2021", "Celoxide 2021A" and "Celoxide 2021P" of Daicel Co., Ltd.; The product names "ERL4221", "ERL4221D" and "ERL4221E" of Dow Chemical Nippon Co., Ltd. are available. As bis(3,4-epoxycyclohexylmethyl) adipate, the product name "ERL4299" of Dow Chemical Nippon Corporation and the product name "EXA-7015" of DIC Corporation can be obtained, for example. 1-epoxyethyl-3,4-epoxycyclohexane or limonene diepoxide, for example, Mitsubishi Chemical Co., Ltd. product names "jER YX8000", "jER YX8034" and "jER YL7170", Daicel Co., Ltd. product names “Celoxide 2081”, “Celoxide 3000”, “Epolid GT301”, “Epollide GT401” and “EHPE3150” are available. As trisglycidyl isocyanurate, the product name "TEPIC-S" of Nissan Chemical Industry Co., Ltd. can be obtained, for example.
(경화제)(hardener)
본 실시형태에 관한 경화제는, 융점이 180~400℃인 테트라카복실산 이무수물(이하, 간단히 "테트라카복실산 이무수물"이라고 하는 경우가 있다.)을 포함한다. 이와 같은 테트라카복실산 이무수물을 경화제로서 이용함으로써, 열경화성 수지 조성물의 내열성을 향상시킬 수 있다. 수지 조성물 중에 균일하게 분산시키는 점에서, 테트라카복실산 이무수물의 융점은, 200~380℃ 또는 210~350℃여도 된다.The curing agent according to the present embodiment contains tetracarboxylic dianhydride having a melting point of 180 to 400°C (hereinafter, simply referred to as “tetracarboxylic dianhydride”). By using such a tetracarboxylic dianhydride as a hardening|curing agent, the heat resistance of a thermosetting resin composition can be improved. From the viewpoint of uniformly dispersing in the resin composition, the melting point of the tetracarboxylic dianhydride may be 200 to 380°C or 210 to 350°C.
내열성을 보다 향상시키는 점에서, 테트라카복실산 이무수물은, 방향환 또는 지환을 가져도 된다. 방향환을 갖는 테트라카복실산 이무수물은, 벤젠환을 2 이상 갖는 테트라카복실산 이무수물 및 나프탈렌환을 갖는 테트라카복실산 이무수물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이어도 된다.From the viewpoint of further improving heat resistance, the tetracarboxylic dianhydride may have an aromatic ring or an alicyclic ring. The tetracarboxylic dianhydride having an aromatic ring may be at least one selected from the group consisting of tetracarboxylic dianhydride having two or more benzene rings and tetracarboxylic dianhydride having a naphthalene ring.
벤젠환을 2 이상 갖는 테트라카복실산 이무수물은, 하기 식 (1)로 나타나는 화합물이어도 된다.The compound represented by following formula (1) may be sufficient as the tetracarboxylic dianhydride which has two or more benzene rings.
[화학식 2][Formula 2]
식 (1) 중, R은, 단결합, 에터 결합, 카보닐기, 설폰일기, 헥사플루오로아이소프로필리덴기, 또는 플루오렌기를 나타낸다.In formula (1), R represents a single bond, an ether bond, a carbonyl group, a sulfonyl group, a hexafluoroisopropylidene group, or a fluorene group.
지환을 갖는 테트라카복실산 이무수물로서는, 예를 들면, 1,2,3,4-사이클로뷰테인테트라카복실산 이무수물을 들 수 있다. 방향환을 갖는 테트라카복실산 이무수물로서, 예를 들면, 4,4'-바이프탈산 무수물, 4,4'-카보닐다이프탈산 무수물, 4,4'-설폰일다이프탈산 무수물, 4,4'-(헥사플루오로아이소프로필리덴)다이프탈산 무수물, 4,4'-옥시다이프탈산 무수물, 9,9-비스(3,4-다이카복시페닐)플루오렌 이무수물, 및 2,3,6,7-나프탈렌테트라카복실산 이무수물을 들 수 있다.As tetracarboxylic dianhydride which has an alicyclic ring, 1,2,3,4-cyclobutane tetracarboxylic dianhydride is mentioned, for example. As tetracarboxylic dianhydride having an aromatic ring, for example, 4,4'-biphthalic anhydride, 4,4'-carbonyldiphthalic anhydride, 4,4'-sulfonyldiphthalic anhydride, 4,4'-( Hexafluoroisopropylidene)diphthalic anhydride, 4,4'-oxydiphthalic anhydride, 9,9-bis(3,4-dicarboxyphenyl)fluorene dianhydride, and 2,3,6,7-naphthalene and tetracarboxylic dianhydride.
본 실시형태에 관한 열경화성 수지 조성물에 있어서, 상기 테트라카복실산 이무수물의 함유량은, 에폭시 수지 100질량부에 대하여, 1~50질량부, 5~30질량부, 또는 8~20질량부여도 된다.The thermosetting resin composition which concerns on this embodiment WHEREIN: Content of the said tetracarboxylic dianhydride may be 1-50 mass parts, 5-30 mass parts, or 8-20 mass parts with respect to 100 mass parts of epoxy resins.
경화제로서, 전자 부품 밀봉용 에폭시 수지 성형 재료로 일반적으로 사용되고 있는 경화제를 병용할 수 있다. 이와 같은 경화제는, 에폭시 수지와 반응하여 경화물이 얻어지는 것이면, 특별히 한정되지 않지만, 착색이 적은 경화제가 바람직하고, 무색 또는 담황색의 경화제가 보다 바람직하다. 이와 같은 경화제로서, 예를 들면, 융점이 180℃ 미만인 산무수물계 경화제, 아이소사이아누르산 유도체계 경화제 및 페놀계 경화제를 들 수 있다. 이들 경화제는, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.As the curing agent, a curing agent generally used as an epoxy resin molding material for sealing electronic components can be used in combination. Although such a hardening|curing agent will not be specifically limited if it reacts with an epoxy resin and a hardened|cured material is obtained, A hardening|curing agent with little coloring is preferable, and a colorless or pale yellow hardening|curing agent is more preferable. Examples of the curing agent include an acid anhydride curing agent having a melting point of less than 180° C., an isocyanuric acid derivative curing agent, and a phenol curing agent. You may use these hardening|curing agents individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
융점이 180℃ 미만인 산무수물계 경화제로서는, 예를 들면, 무수 프탈산, 무수 말레산, 무수 트라이멜리트산, 헥사하이드로 무수 프탈산, 테트라하이드로 무수 프탈산, 무수 메틸나드산, 무수 나드산, 무수 글루타르산, 무수 다이메틸글루타르산, 무수 다이에틸글루타르산, 무수 석신산, 메틸헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸테트라하이드로 무수 프탈산, 및 하기 식 (2)로 나타나는 테트라카복실산 이무수물을 들 수 있다.Examples of the acid anhydride curing agent having a melting point of less than 180°C include phthalic anhydride, maleic anhydride, trimellitic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, methylnadic anhydride, nadic anhydride, and glutaric anhydride. , dimethyl glutaric anhydride, diethyl glutaric anhydride, succinic anhydride, methyl hexahydro phthalic anhydride, methyl tetrahydro phthalic anhydride, and tetracarboxylic dianhydride represented by the following formula (2).
[화학식 3][Formula 3]
식 (2) 중, Rx는, 2가의 유기기를 나타내고, n은 1~10의 정수를 나타낸다. 2가의 유기기는, 포화 탄화 수소환을 갖는 2가의 포화 탄화 수소기여도 되고, 포화 탄화 수소로서는, 예를 들면, 사이클로뷰테인, 사이클로펜테인, 사이클로헥세인, 사이클로헵테인, 사이클로옥테인, 노보넨, 다이사이클로펜타다이엔, 아다만테인, 수소화 나프탈렌 및 수소화 바이페닐을 들 수 있다.In Formula (2), Rx represents a divalent organic group, and n represents the integer of 1-10. The divalent organic group may be a divalent saturated hydrocarbon group having a saturated hydrocarbon ring, and examples of the saturated hydrocarbon include cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, norbornene. , dicyclopentadiene, adamantane, hydrogenated naphthalene, and hydrogenated biphenyl.
아이소사이아누르산 유도체로서는, 1,3,5-트리스(1-카복시메틸)아이소사이아누레이트, 1,3,5-트리스(2-카복시에틸)아이소사이아누레이트, 1,3,5-트리스(3-카복시프로필)아이소사이아누레이트 및 1,3-비스(2-카복시에틸)아이소사이아누레이트를 들 수 있다.As the isocyanuric acid derivative, 1,3,5-tris(1-carboxymethyl)isocyanurate, 1,3,5-tris(2-carboxyethyl)isocyanurate, 1,3,5- tris(3-carboxypropyl)isocyanurate and 1,3-bis(2-carboxyethyl)isocyanurate are mentioned.
페놀계 경화제로서는, 예를 들면, 페놀, 크레졸, 레조신, 카테콜, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 페닐페놀, 아미노페놀 등의 페놀류 및/또는 α-나프톨, β-나프톨, 다이하이드록시나프탈렌 등의 나프톨류와, 폼알데하이드, 벤즈알데하이드, 살리실알데하이드 등의 알데하이드류를 산성 촉매하에서 축합 또는 공축합시켜 얻어지는, 노볼락형 페놀 수지; 페놀류 및/또는 나프톨류와, 다이메톡시파라자일렌 또는 비스(메톡시메틸)바이페닐로부터 합성되는 페놀·아랄킬 수지; 바이페닐렌형 페놀·아랄킬 수지, 나프톨·아랄킬 수지 등의 아랄킬형 페놀 수지; 페놀류 및/또는 나프톨류와, 다이사이클로펜타다이엔의 공중합에 의하여 합성되는, 다이사이클로펜타다이엔형 페놀 수지; 트라이페닐메테인형 페놀 수지; 터펜 변성 페놀 수지; 파라자일릴렌 및/또는 메타자일릴렌 변성 페놀 수지; 멜라민 변성 페놀 수지; 및 이들 2종 이상을 공중합하여 얻어지는 페놀 수지를 들 수 있다.Examples of the phenolic curing agent include phenols such as phenol, cresol, resorcin, catechol, bisphenol A, bisphenol F, phenylphenol and aminophenol and/or α-naphthol, β-naphthol, dihydroxynaphthalene, etc. novolak-type phenol resins obtained by condensing or co-condensing naphthols with aldehydes such as formaldehyde, benzaldehyde, and salicylaldehyde under an acidic catalyst; phenol/aralkyl resin synthesized from phenols and/or naphthols and dimethoxyparaxylene or bis(methoxymethyl)biphenyl; Aralkyl type phenol resins, such as a biphenylene type phenol aralkyl resin and a naphthol aralkyl resin; dicyclopentadiene type phenol resin synthesized by copolymerization of phenols and/or naphthols and dicyclopentadiene; triphenylmethane type phenol resin; terpene-modified phenolic resin; para-xylylene and/or meta-xylylene-modified phenolic resins; melamine-modified phenolic resin; And the phenol resin obtained by copolymerizing these 2 or more types is mentioned.
본 실시형태에 관한 열경화성 수지 조성물에 있어서, 경화제의 함유량은, 에폭시 수지 100질량부에 대하여, 10~150질량부, 50~130질량부, 또는 60~120질량부여도 된다.The thermosetting resin composition which concerns on this embodiment WHEREIN: Content of a hardening|curing agent may be 10-150 mass parts, 50-130 mass parts, or 60-120 mass parts with respect to 100 mass parts of epoxy resins.
경화제의 배합 비율은, 에폭시 수지 중의 에폭시기 1당량에 대하여, 당해 에폭시기와 반응 가능한 경화제 중의 활성기(산무수물기 또는 수산기)가 0.5~2.0당량, 0.6~1.5당량, 또는 0.7~1.2당량이어도 된다. 상기 활성기가 0.5당량 이상이면, 열경화성 수지 조성물로 형성되는 경화물의 유리 전이 온도가 높아져, 충분한 탄성률이 얻어지기 쉬워진다. 한편, 상기 활성기가 2.0당량 이하이면, 경화 후의 강도가 저하되기 어려워진다.The mixing ratio of the curing agent may be 0.5 to 2.0 equivalents, 0.6 to 1.5 equivalents, or 0.7 to 1.2 equivalents of active groups (acid anhydride group or hydroxyl group) in the curing agent capable of reacting with the epoxy group with respect to 1 equivalent of the epoxy group in the epoxy resin. When the said active group is 0.5 equivalent or more, the glass transition temperature of the hardened|cured material formed from a thermosetting resin composition will become high, and sufficient elastic modulus will become easy to be obtained. On the other hand, when the said active group is 2.0 equivalent or less, the intensity|strength after hardening becomes difficult to fall.
(백색 안료)(white pigment)
백색 안료는, 본 실시형태에 관한 열경화성 수지 조성물로부터 얻어지는 경화물(성형체)에 백색계의 색조를 부여하기 위하여 이용되고, 특히 그 색조를 고도의 백색으로 함으로써, 성형체의 광반사율을 향상시킬 수 있다.The white pigment is used to impart a white color tone to a cured product (molded object) obtained from the thermosetting resin composition according to the present embodiment, and in particular, by making the color tone highly white, the light reflectance of the molded product can be improved. .
백색 안료로서는, 예를 들면, 산화 이트륨 등의 희토류 산화물, 산화 타이타늄, 산화 아연, 산화 알루미늄(알루미나), 산화 마그네슘, 산화 안티모니, 황산 아연, 산화 지르코늄 및 산화 지르코늄을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 광반사성을 보다 향상시키는 점에서, 백색 안료는, 산화 타이타늄, 산화 아연, 알루미나, 산화 마그네슘, 산화 안티모니 및 산화 지르코늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하고, 산화 타이타늄, 산화 안티모니 및 산화 지르코늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 보다 바람직하다.Examples of the white pigment include rare earth oxides such as yttrium oxide, titanium oxide, zinc oxide, aluminum oxide (alumina), magnesium oxide, antimony oxide, zinc sulfate, zirconium oxide, and zirconium oxide. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type. From the viewpoint of further improving light reflectivity, the white pigment preferably contains at least one selected from the group consisting of titanium oxide, zinc oxide, alumina, magnesium oxide, antimony oxide and zirconium oxide, titanium oxide and oxide It is more preferable that at least 1 sort(s) chosen from the group which consists of antimony and a zirconium oxide is included.
백색 안료의 중심 입경은, 0.05~10μm, 0.08~8μm, 또는 0.1~5μm여도 된다. 백색 안료의 중심 입경이 0.05μm 이상이면 분산성이 보다 양호해지고, 10μm 미만이면 경화물의 광반사 특성이 보다 양호해진다. 본 명세서에 있어서, 중심 입경은, 레이저광 회절법에 의한 입도 분포 측정에 있어서의 질량 평균값 D50(또는 메디안 직경)으로서 구할 수 있다.The central particle diameter of a white pigment may be 0.05-10 micrometers, 0.08-8 micrometers, or 0.1-5 micrometers may be sufficient as it. If the central particle diameter of a white pigment is 0.05 micrometer or more, dispersibility will become more favorable, and if it is less than 10 micrometers, the light reflection characteristic of hardened|cured material will become more favorable. In this specification, a central particle diameter can be calculated|required as a mass average value D50 (or a median diameter) in the particle size distribution measurement by a laser beam diffraction method.
(무기 충전제)(inorganic filler)
본 실시형태에 관한 열경화성 수지 조성물은, 성형성을 향상시키는 관점에서, 무기 충전제를 함유한다. 무기 충전제로서는, 예를 들면, 석영, 흄드 실리카, 침강성 실리카, 무수 규산, 용융 실리카, 결정성 실리카, 초미분 무정형 실리카, 황산 바륨, 탄산 마그네슘, 탄산 바륨, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 타이타늄산 칼륨, 규산 칼슘, 및 무기 중공 입자를 들 수 있다.The thermosetting resin composition which concerns on this embodiment contains an inorganic filler from a viewpoint of improving a moldability. Examples of the inorganic filler include quartz, fumed silica, precipitated silica, silicic anhydride, fused silica, crystalline silica, ultrafine amorphous silica, barium sulfate, magnesium carbonate, barium carbonate, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, potassium titanate, calcium silicate, and inorganic hollow particles.
성형성의 점에서, 무기 충전제는 용융 실리카를 포함해도 된다. 용융 실리카의 중심 입경은, 백색 안료와의 패킹성을 향상시키는 관점에서, 1~100μm, 1~50μm, 또는 1~40μm여도 된다.From the viewpoint of moldability, the inorganic filler may contain fused silica. From a viewpoint of improving the packing property with a white pigment, the central particle diameter of a fused silica may be 1-100 micrometers, 1-50 micrometers, or 1-40 micrometers may be sufficient.
열경화성 수지 조성물의 분쇄성을 보다 향상시키는 점에서, 무기 충전제는, 중심 입경이 1~25μm인 무기 중공 입자를 포함해도 된다. 무기 중공 입자는, 내부에 공극부를 갖는 입자이다. 무기 중공 입자는, 입사광을 표면 및 내벽에서 굴절 및 반사하기 때문에, 백색 안료와 병용함으로써, 광반사성 및 기계적 특성을 보다 한층 향상시킨 경화물을 형성할 수 있다.From the viewpoint of further improving the pulverization property of the thermosetting resin composition, the inorganic filler may contain inorganic hollow particles having a central particle diameter of 1 to 25 µm. An inorganic hollow particle is a particle|grain which has a space|gap part inside. Since the inorganic hollow particle refracts and reflects incident light on the surface and the inner wall, when used together with a white pigment, a cured product with further improved light reflectivity and mechanical properties can be formed.
무기 중공 입자로서는, 예를 들면, 규산 소다 유리, 알루미 규산 유리, 붕규산 소다 유리 및 시라스(백사(白砂))를 들 수 있다. 내열성 및 내압 강도의 관점에서는, 무기 중공 입자의 외각은, 규산 소다 유리, 알루미 규산 유리, 붕규산 소다 유리, 시라스, 가교 스타이렌계 수지 및 가교 아크릴계 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 재질로 구성되는 것이 바람직하고, 규산 소다 유리, 알루미 규산 유리, 붕규산 소다 유리 및 시라스로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 재질로 구성되는 것이 보다 바람직하다.As an inorganic hollow particle, sodium silicate glass, aluminosilicate glass, borosilicate soda glass, and Shirasu (white sand) are mentioned, for example. From the viewpoint of heat resistance and pressure resistance, the outer shell of the inorganic hollow particles is made of at least one material selected from the group consisting of sodium silicate glass, aluminosilicate glass, soda borosilicate glass, shirasu, crosslinked styrene resin, and crosslinked acrylic resin. It is preferable to be made of at least one material selected from the group consisting of sodium silicate glass, aluminosilicate glass, soda borosilicate glass, and shirasu.
열경화성 수지 조성물을 조제할 때에 무기 중공 입자를 균일하게 분산시키기 쉬운 점에서, 무기 중공 입자의 중심 입경은, 1μm 이상, 5μm 이상 또는 10μm 이상이어도 된다. 또, 형성되는 경화물의 광반사 특성을 향상시키기 쉬운 점에서, 무기 중공 입자의 중심 입경은, 30μm 이하, 25μm 이하 또는 22μm 이하여도 된다.Since it is easy to disperse|distribute an inorganic hollow particle uniformly when preparing a thermosetting resin composition, 1 micrometer or more, 5 micrometers or more, or 10 micrometers or more may be sufficient as the central particle diameter of an inorganic hollow particle. Moreover, since it is easy to improve the light reflection characteristic of the hardened|cured material formed, the central particle diameter of an inorganic hollow particle may be 30 micrometers or less, 25 micrometers or less, or 22 micrometers or less.
열경화성 수지 조성물의 기계적 특성을 향상시키는 점에서, 무기 중공 입자의 외각의 두께는, 0.4~1.5μm, 0.45~1.2μm, 0.5~1.1μm, 또는 0.55~1.0μm여도 된다.From the viewpoint of improving the mechanical properties of the thermosetting resin composition, the thickness of the outer shell of the inorganic hollow particles may be 0.4 to 1.5 μm, 0.45 to 1.2 μm, 0.5 to 1.1 μm, or 0.55 to 1.0 μm.
광반사성을 향상시키는 점에서, 무기 중공 입자의 벌크 밀도는, 0.20~0.38g/cm3, 0.25~0.36g/cm3, 또는 0.26~0.35g/cm3여도 된다. 벌크 밀도는, 소정 용적의 용기에 무기 중공 입자를 충전하고, 그 내용적을 체적으로 하여 산출한 밀도이다.From the viewpoint of improving light reflectivity, the bulk density of the inorganic hollow particles may be 0.20 to 0.38 g/cm 3 , 0.25 to 0.36 g/cm 3 , or 0.26 to 0.35 g/cm 3 . The bulk density is a density calculated by filling a container of a predetermined volume with inorganic hollow particles, and calculating the internal volume by volume.
광반사성과 기계적 특성의 밸런스가 우수한 점에서, 무기 중공 입자의 진밀도(眞密度)는, 0.40~0.75g/cm3, 0.45~0.70g/cm3, 또는 0.50~0.65g/cm3여도 된다. 진밀도는, ASTM D2840에 준거하여 측정할 수 있다.Since the balance between light reflectivity and mechanical properties is excellent, the true density of the inorganic hollow particles may be 0.40 to 0.75 g/cm 3 , 0.45 to 0.70 g/cm 3 , or 0.50 to 0.65 g/cm 3 . . True density can be measured based on ASTM D2840.
열경화성 수지 조성물의 경화물의 강도를 향상시키는 점에서, 무기 중공 입자의 내압 강도는, 25℃에서 100MPa 이상, 110MPa 이상, 125MPa 이상, 또는 150MPa 이상이어도 된다. 열경화성 수지 조성물의 성형성을 향상시키는 점에서, 무기 중공 입자의 내압 강도는, 25℃에서 500MPa 이하, 300MPa 이하, 또는 200MPa 이하여도 된다. 내압 강도는, ASTM D3102에 준거하여 측정할 수 있다.From the viewpoint of improving the strength of the cured product of the thermosetting resin composition, the pressure strength of the inorganic hollow particles may be 100 MPa or more, 110 MPa or more, 125 MPa or more, or 150 MPa or more at 25°C. From the viewpoint of improving the moldability of the thermosetting resin composition, the pressure strength of the inorganic hollow particles may be 500 MPa or less, 300 MPa or less, or 200 MPa or less at 25°C. The pressure resistance strength can be measured based on ASTM D3102.
광반사율을 보다 향상시키는 점에서, 무기 중공 입자의 함유량은, 에폭시 수지 100질량부에 대하여, 10~200질량부인 것이 바람직하고, 30~180질량부인 것이 보다 바람직하며, 60~150질량부인 것이 더 바람직하다.From the viewpoint of further improving the light reflectance, the content of the inorganic hollow particles is preferably 10-200 parts by mass, more preferably 30-180 parts by mass, more preferably 60-150 parts by mass, with respect to 100 parts by mass of the epoxy resin. desirable.
(경화 촉진제)(curing accelerator)
본 실시형태에 관한 열경화성 수지 조성물은, 에폭시 수지의 경화 반응을 촉진하기 위하여, 경화 촉진제를 함유해도 된다. 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 아민 화합물, 이미다졸 화합물, 유기 인 화합물, 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물 및 제4급 암모늄염을 들 수 있다. 이들 경화 촉진제 중에서도, 아민 화합물, 이미다졸 화합물 또는 유기 인 화합물을 이용하는 것이 바람직하다. 경화 촉진제는, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The thermosetting resin composition according to the present embodiment may contain a curing accelerator in order to accelerate the curing reaction of the epoxy resin. Examples of the curing accelerator include an amine compound, an imidazole compound, an organophosphorus compound, an alkali metal compound, an alkaline earth metal compound, and a quaternary ammonium salt. It is preferable to use an amine compound, an imidazole compound, or an organophosphorus compound among these hardening accelerators. A hardening accelerator may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
아민 화합물로서는, 예를 들면, 1,8-다이아자-바이사이클로[5.4.0]운데센-7, 트라이에틸렌다이아민 및 트라이-2,4,6-다이메틸아미노메틸페놀을 들 수 있다. 이미다졸 화합물로서, 예를 들면, 2-에틸-4-메틸이미다졸을 들 수 있다. 유기 인 화합물로서는, 예를 들면, 트라이페닐포스핀, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라-n-뷰틸포스포늄-o,o-다이에틸포스포르다이싸이오에이트, 테트라-n-뷰틸포스포늄-테트라플루오로보레이트 및 테트라-n-뷰틸포스포늄-테트라페닐보레이트를 들 수 있다.Examples of the amine compound include 1,8-diaza-bicyclo[5.4.0]undecene-7, triethylenediamine, and tri-2,4,6-dimethylaminomethylphenol. Examples of the imidazole compound include 2-ethyl-4-methylimidazole. As the organophosphorus compound, for example, triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, tetra-n-butylphosphonium-o,o-diethylphosphodithioate, tetra-n-butylphosphonium -tetrafluoroborate and tetra-n-butylphosphonium-tetraphenylborate are mentioned.
열경화성 수지 조성물 중의 경화 촉진제의 함유량은, 에폭시 수지 100질량부에 대하여, 0.01~8질량부, 0.1~5질량부, 또는 0.3~4질량부여도 된다. 경화 촉진제의 함유량이, 0.01질량부 이상이면, 충분한 경화 촉진 효과가 얻어지기 쉽고, 8질량부 이하이면, 경화물의 변색을 억제하기 쉬워진다.0.01-8 mass parts, 0.1-5 mass parts, or 0.3-4 mass parts may be sufficient as content of the hardening accelerator in a thermosetting resin composition with respect to 100 mass parts of epoxy resins. When content of a hardening accelerator is 0.01 mass part or more, a sufficient hardening acceleration effect will be easy to be acquired, and it will become easy to suppress discoloration of hardened|cured material that it is 8 mass parts or less.
(커플링제)(Coupling agent)
열경화성 수지 조성물에는, 무기 충전제와, 에폭시 수지의 밀착성을 향상시키기 위하여, 커플링제를 첨가해도 된다. 커플링제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 실레인 커플링제 및 타이타네이트계 커플링제를 들 수 있다. 실레인 커플링제로서는, 예를 들면, 에폭시실레인 화합물, 아미노실레인 화합물, 카티오닉실레인 화합물, 바이닐실레인 화합물, 아크릴실레인 화합물 및 머캅토실레인 화합물을 들 수 있다. 커플링제의 함유량은, 열경화성 수지 조성물의 전량을 기준으로 하여, 5질량% 이하여도 된다.In order to improve the adhesiveness of an inorganic filler and an epoxy resin to a thermosetting resin composition, you may add a coupling agent. Although it does not specifically limit as a coupling agent, For example, a silane coupling agent and a titanate type coupling agent are mentioned. As a silane coupling agent, an epoxysilane compound, an aminosilane compound, a cationic silane compound, a vinylsilane compound, an acrylsilane compound, and a mercaptosilane compound are mentioned, for example. Content of a coupling agent may be 5 mass % or less on the basis of whole quantity of a thermosetting resin composition.
본 실시형태에 관한 열경화성 수지 조성물에는, 필요에 따라, 산화 방지제, 이형제, 이온 포착제 등의 첨가제를 첨가해도 된다.You may add additives, such as antioxidant, a mold release agent, and an ion trapping agent, to the thermosetting resin composition which concerns on this embodiment as needed.
본 실시형태에 관한 열경화성 수지 조성물은, 상술한 각종 성분을 균일하게 분산시켜 혼합함으로써 제작할 수 있다. 제작 수단, 조건 등은 특별히 한정되지 않는다. 열경화성 수지 조성물을 제작하는 일반적인 방법으로서, 각 성분을 니더, 롤, 익스트루더, 뇌궤기, 또는, 자전과 공전을 조합한 유성식 혼합기에 의하여 혼련하는 방법을 들 수 있다. 각 성분을 혼련할 때에는, 분산성을 향상시키는 관점에서, 용융 상태로 행하는 것이 바람직하다.The thermosetting resin composition according to the present embodiment can be produced by uniformly dispersing and mixing the various components described above. The manufacturing means, conditions, etc. are not specifically limited. As a general method of producing a thermosetting resin composition, the method of kneading each component with a kneader, a roll, an extruder, a grinder, or the planetary mixer which combined rotation and revolution is mentioned. When kneading each component, it is preferable to carry out in a molten state from a viewpoint of improving a dispersibility.
혼련의 조건은, 각 성분의 종류 또는 배합량에 따라 적절히 결정하면 되며, 예를 들면, 15~100℃에서 5~40분간 혼련하는 것이 바람직하고, 20~100℃에서 10~30분간 혼련하는 것이 보다 바람직하다. 혼련 온도가 15℃ 이상이면, 각 성분을 혼련시키기 쉬워지고, 분산성을 향상시킬 수 있다. 혼련 온도가 100℃ 이하이면, 혼련 시에 에폭시 수지의 고분자량화가 진행되어 경화되는 것을 억제할 수 있다. 혼련 시간이 5분 이상이면, 충분한 분산 효과가 얻어지기 쉬워진다. 혼련 시간이 40분 이하이면, 혼련 시에 에폭시 수지의 고분자량화가 진행되어 경화되는 것을 억제할 수 있다.The kneading conditions may be appropriately determined according to the type or blending amount of each component, for example, kneading at 15 to 100 ° C. for 5 to 40 minutes is preferable, and kneading at 20 to 100 ° C. for 10 to 30 minutes is more desirable. When the kneading temperature is 15°C or more, it becomes easy to knead each component, and dispersibility can be improved. When the kneading temperature is 100° C. or less, it is possible to suppress curing of the epoxy resin by progressing to a higher molecular weight during kneading. When the kneading time is 5 minutes or more, a sufficient dispersion effect is easily obtained. When the kneading time is 40 minutes or less, it is possible to suppress curing of the epoxy resin due to progress of high molecular weight during kneading.
본 실시형태에 관한 열경화성 수지 조성물은, 높은 광반사성 및 내열성을 필요로 하는 광반도체 소자 실장용 기판 재료, 전기 절연 재료, 광반도체 밀봉 재료, 접착 재료, 도료 재료, 트랜스퍼 성형용 에폭시 수지 성형 재료 등의 다양한 용도에 있어서 유용하다. 이하, 본 실시형태에 관한 열경화성 수지 조성물을 트랜스퍼 성형용 에폭시 수지 성형 재료로서 사용할 때의 예를 설명한다.The thermosetting resin composition according to the present embodiment is a substrate material for mounting an optical semiconductor element requiring high light reflectivity and heat resistance, an electrical insulation material, an optical semiconductor sealing material, an adhesive material, a paint material, an epoxy resin molding material for transfer molding, etc. useful for a variety of uses. Hereinafter, an example at the time of using the thermosetting resin composition which concerns on this embodiment as an epoxy resin molding material for transfer molding is demonstrated.
기계적 특성의 점에서, 본 실시형태에 관한 열경화성 수지 조성물을, 성형 금형 온도가 180℃, 성형 압력 6.9MPa, 경화 시간 90초간의 조건에서 트랜스퍼 성형했을 때의 굽힘 강도는, 25℃에서 70MPa 이상인 것이 바람직하고, 75MPa 이상인 것이 보다 바람직하다. 굽힘 강도가 70MPa 이상이면, 강인성(强靭性)이 우수하다.From the viewpoint of mechanical properties, the thermosetting resin composition according to the present embodiment has a bending strength of 70 MPa or more at 25 ° C. It is preferable, and it is more preferable that it is 75 MPa or more. When the bending strength is 70 MPa or more, the toughness is excellent.
광반도체 장치의 휘도를 향상시키는 점에서, 본 실시형태에 관한 열경화성 수지 조성물의 경화물의 파장 460nm에 있어서의 초기 광반사율은, 91% 이상인 것이 바람직하고, 92% 이상인 것이 보다 바람직하며, 93% 이상인 것이 더 바람직하다. 내열 착색성을 양호하게 하는 관점에서, 당해 경화물을 150℃에서 168시간 열처리한 후의 파장 460nm에 있어서의 광반사율은, 88% 이상인 것이 바람직하고, 89% 이상인 것이 보다 바람직하며, 90% 이상인 것이 더 바람직하다.From the viewpoint of improving the luminance of the optical semiconductor device, the initial light reflectance at a wavelength of 460 nm of the cured product of the thermosetting resin composition according to the present embodiment is preferably 91% or more, more preferably 92% or more, and 93% or more it is more preferable From the viewpoint of improving heat color resistance, the light reflectance at a wavelength of 460 nm after heat treatment of the cured product at 150° C. for 168 hours is preferably 88% or more, more preferably 89% or more, and more preferably 90% or more desirable.
[광반도체 소자 탑재용 기판][Substrate for mounting optical semiconductor elements]
본 실시형태의 광반도체 소자 탑재용 기판은, 바닥면 및 벽면으로 구성되는 오목부를 갖는다. 오목부의 바닥면이 광반도체 소자 탑재부(광반도체 소자 탑재 영역)이며, 오목부의 벽면, 즉 오목부의 내주 측면의 적어도 일부가 본 실시형태의 광반사용 열경화성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 것이다.The board|substrate for optical-semiconductor element mounting of this embodiment has the recessed part comprised from a bottom surface and a wall surface. The bottom surface of the concave portion is an optical semiconductor element mounting portion (optical semiconductor element mounting region), and the wall surface of the concave portion, that is, at least a part of the inner peripheral side surface of the concave portion, is made of a cured product of the thermosetting resin composition for light reflection of the present embodiment.
도 1은, 광반도체 소자 탑재용 기판의 일 실시형태를 나타내는 사시도이다. 광반도체 소자 탑재용 기판(110)은, Ni/Ag 도금(104)이 형성된 금속 배선(105)(제1 접속 단자 및 제2 접속 단자)과, 금속 배선(105)(제1 접속 단자 및 제2 접속 단자) 사이에 마련된 절연성 수지 성형체(103')와, 리플렉터(103)를 구비하고, Ni/Ag 도금(104)이 형성된 금속 배선(105) 및 절연성 수지 성형체(103')와 리플렉터(103)로 형성된 광반도체 소자 탑재 영역(오목부)(200)을 갖고 있다. 이 오목부(200)의 바닥면은, Ni/Ag 도금(104)이 형성된 금속 배선(105) 및 절연성 수지 성형체(103')로 구성되고, 오목부(200)의 벽면은 리플렉터(103)로 구성된다. 리플렉터(103) 및 절연성 수지 성형체(103')가, 상술한 본 실시형태에 관한 광반사용 열경화성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 성형체이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a perspective view which shows one Embodiment of the board|substrate for optical-semiconductor element mounting. The
광반도체 소자 탑재용 기판의 제조 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 광반사용 열경화성 수지 조성물을 이용한 트랜스퍼 성형에 의하여 제조할 수 있다. 도 2는, 광반도체 소자 탑재용 기판을 제조하는 공정의 일 실시형태를 나타내는 개략도이다. 광반도체 소자 탑재용 기판은, 예를 들면, 금속박으로부터 펀칭, 에칭 등의 공지의 방법에 의하여 금속 배선(105)을 형성하고, 전기 도금에 의하여 Ni/Ag 도금(104)을 실시하는 공정(도 2의 (a)), 이어서, 그 금속 배선(105)을 소정 형상의 금형(151)에 배치하며, 금형(151)의 수지 주입구(150)로부터 광반사용 열경화성 수지 조성물을 주입하고, 소정의 조건에서 트랜스퍼 성형하는 공정(도 2의 (b)), 그리고, 금형(151)을 제거하는 공정(도 2의 (c))을 거쳐 제조할 수 있다. 이와 같이 하여, 광반도체 소자 탑재용 기판에는, 광반사용 열경화성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 리플렉터(103)에 주위를 둘러싸여 이루어지는 광반도체 소자 탑재 영역(오목부)(200)이 형성된다. 또, 오목부(200)의 바닥면은, 제1 접속 단자가 되는 금속 배선(105) 및 제2 접속 단자가 되는 금속 배선(105)과, 이들 사이에 마련된 광반사용 열경화성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 절연성 수지 성형체(103')로 구성된다. 또한, 상기 트랜스퍼 성형의 조건으로서는, 금형 온도 170~200℃, 보다 바람직하게는 170~190℃, 성형 압력 0.5~20MPa, 보다 바람직하게는 2~8MPa로, 60~120초간, 애프터 큐어 온도 120℃~180℃에서 1~3시간이 바람직하다.Although the manufacturing method of the board|substrate for optical semiconductor element mounting is not specifically limited, For example, it can manufacture by transfer molding using the thermosetting resin composition for light reflection. 2 : is schematic which shows one Embodiment of the process of manufacturing the board|substrate for optical-semiconductor element mounting. The substrate for mounting an optical semiconductor element is, for example, a step (Fig. 2 (a)), then, the
[광반도체 장치][Optical semiconductor device]
본 실시형태에 관한 광반도체 장치는, 상기 광반도체 소자 탑재용 기판과, 당해 광반도체 소자 탑재용 기판에 탑재된 광반도체 소자를 갖는다. 보다 구체적인 예로서, 상기 광반도체 소자 탑재용 기판과, 광반도체 소자 탑재용 기판의 오목부 내에 마련된 광반도체 소자와, 오목부를 충전하여 광반도체 소자를 밀봉하는 형광체 함유 밀봉 수지부를 구비하는 광반도체 장치를 들 수 있다.The optical-semiconductor device which concerns on this embodiment has the said board|substrate for optical-semiconductor element mounting, and the optical-semiconductor element mounted in the said board|substrate for optical-semiconductor element mounting. As a more specific example, the optical semiconductor element having the optical semiconductor element mounting substrate, the optical semiconductor element provided in the concave portion of the optical semiconductor element mounting substrate, and a phosphor-containing sealing resin portion filling the concave portion to seal the optical semiconductor element. device can be mentioned.
도 3은, 광반도체 소자 탑재용 기판(110)에 광반도체 소자(100)를 탑재한 상태의 일 실시형태를 나타내는 사시도이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 광반도체 소자(100)는, 광반도체 소자 탑재용 기판(110)의 광반도체 소자 탑재 영역(오목부)(200)의 소정 위치에 탑재되고, 금속 배선(105)과 본딩 와이어(102)에 의하여 전기적으로 접속된다. 도 4 및 도 5는, 광반도체 장치의 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다. 도 4 및 도 5에 나타내는 바와 같이, 광반도체 장치는, 광반도체 소자 탑재용 기판(110)과, 광반도체 소자 탑재용 기판(110)의 오목부(200) 내의 소정 위치에 마련된 광반도체 소자(100)와, 오목부(200)를 충전하여 광반도체 소자를 밀봉하는 형광체(106)를 포함하는 투명한 밀봉 수지(101)로 이루어지는 밀봉 수지부를 구비하고 있고, 광반도체 소자(100)와 Ni/Ag 도금(104)이 형성된 금속 배선(105)이 본딩 와이어(102) 또는 땜납 범프(107)에 의하여 전기적으로 접속되어 있다.3 : is a perspective view which shows one Embodiment of the state which mounted the optical-
도 6도 또한, 광반도체 장치의 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다. 도 6에 나타내는 광반도체 장치에서는, 리플렉터(303)가 형성된 리드(304) 상의 소정 위치에 다이본드재(材)(306)를 개재하여 LED 소자(300)가 배치되며, LED 소자(300)와 리드(304)가 본딩 와이어(301)에 의하여 전기적으로 접속되고, 형광체(305)를 포함하는 투명한 밀봉 수지(302)에 의하여 LED 소자(300)가 밀봉되어 있다.6 : is also a schematic sectional drawing which shows one Embodiment of an optical semiconductor device. In the optical semiconductor device shown in FIG. 6, the
이상, 본 발명의 적합한 실시형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 예를 들면, 본 실시형태의 광반사용 열경화성 수지 조성물을 광반사 코트제로서 이용할 수 있다. 이 실시형태로서, 구리 피복 적층판, 광반도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 소자에 대하여 설명한다.As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, this invention is not limited to this. For example, the thermosetting resin composition for light reflection of this embodiment can be used as a light reflection coating agent. As this embodiment, a copper clad laminated board, the board|substrate for optical-semiconductor element mounting, and an optical-semiconductor element are demonstrated.
본 실시형태에 관한 구리 피복 적층판은, 상술한 광반사용 열경화성 수지 조성물을 이용하여 형성된 광반사 수지층과, 그 광반사 수지층 상에 적층된 구리박을 구비한다.A copper clad laminate according to the present embodiment includes a light reflection resin layer formed using the above-described thermosetting resin composition for light reflection, and a copper foil laminated on the light reflection resin layer.
도 7은, 구리 피복 적층판의 적합한 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 구리 피복 적층판(400)은, 기재(401)와, 그 기재(401) 상에 적층된 광반사 수지층(402)과, 그 광반사 수지층(402) 상에 적층된 구리박(403)을 구비하고 있다. 여기에서, 광반사 수지층(402)은, 상술한 광반사용 열경화성 수지 조성물을 이용하여 형성되어 있다.Fig. 7 is a schematic cross-sectional view showing a preferred embodiment of a copper-clad laminate. As shown in FIG. 7 , a copper clad
기재(401)로서는, 구리 피복 적층판에 이용되는 기재를 특별히 제한 없이 이용할 수 있지만, 예를 들면, 에폭시 수지 적층판 등의 수지 적층판, 광반도체 탑재용 기판 등을 들 수 있다.As the
구리 피복 적층판(400)은, 예를 들면, 본 실시형태의 광반사용 열경화성 수지 조성물을 기재(401) 표면에 도포하며, 구리박(403)을 겹치고, 가열 가압 경화하여 상기 열경화성 수지 조성물로 이루어지는 광반사 수지층(402)을 형성함으로써 제작할 수 있다.The copper-clad
열경화성 수지 조성물의 기재(401)로의 도포 방법으로서는, 예를 들면, 인쇄법, 다이 코트법, 커튼 코트법, 스프레이 코트법, 롤 코트법 등의 도포 방법을 이용할 수 있다. 이때, 열경화성 수지 조성물에는, 도포가 용이해지도록 용매를 함유시켜도 된다. 또한, 용매를 이용하는 경우, 상술한 각 성분의 배합 비율로 열경화성 수지 조성물의 전량을 기준으로 한 것에 대해서는, 용매를 제외한 것을 전량으로서 설정하는 것이 바람직하다.As a coating method of the thermosetting resin composition to the
가열 가압의 조건으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 130~180℃, 0.5~4MPa, 30~600분간의 조건에서 가열 가압을 행하는 것이 바람직하다.Although it does not specifically limit as conditions for heat-pressing, For example, it is preferable to heat-press under the conditions for 130-180 degreeC, 0.5-4 MPa, and 30-600 minutes.
상기 구리 피복 적층판을 사용하고, LED 실장용 등의 광학 부재용의 프린트 배선판을 제작할 수 있다. 또한, 도 7에 나타낸 구리 피복 적층판(400)은, 기재(401)의 편면에 광반사 수지층(402) 및 구리박(403)을 적층한 것이지만, 구리 피복 적층판은, 기재(401)의 양면에 광반사 수지층(402) 및 구리박(403)을 각각 적층한 것이어도 된다. 또, 구리 피복 적층판은, 기재(401)를 이용하지 않고, 광반사 수지층(402) 및 구리박(403)만으로 구성되어 있어도 된다. 이 경우, 광반사 수지층(402)이 기재로서의 역할을 하게 된다. 이 경우, 예를 들면, 글라스 클로스 등에 본 열경화성 수지 조성물을 함침시켜, 경화시킨 것을 광반사 수지층(402)으로 할 수 있다.The printed wiring board for optical members, such as for LED mounting, can be produced using the said copper clad laminated board. Further, in the copper clad
도 8은, 구리 피복 적층판을 이용하여 제작된 광반도체 장치의 일례를 나타내는 모식 단면도이다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 광반도체 장치(500)는, 광반도체 소자(410)와, 광반도체 소자(410)가 밀봉되도록 마련된 투명한 밀봉 수지(404)를 구비하는 표면 실장형의 발광 다이오드이다. 광반도체 장치(500)에 있어서, 광반도체 소자(410)는, 접착층(408)을 개재하여 구리박(403)에 접착되어 있고, 본딩 와이어(409)에 의하여 구리박(403)과 전기적으로 접속되어 있다.8 : is a schematic sectional drawing which shows an example of the optical-semiconductor device produced using the copper clad laminated board. As shown in FIG. 8, the optical-
광반도체 소자 탑재용 기판의 다른 실시형태로서, 상술한 광반사용 열경화성 수지 조성물을 이용하여, 기재 상의 복수의 도체 부재(접속 단자) 사이에 형성된 광반사 수지층을 구비하는 광반도체 소자 탑재용 기판을 들 수 있다. 또, 광반도체 장치의 다른 실시형태는, 상기의 광반도체 소자 탑재용 기판에 광반도체 소자를 탑재하여 이루어지는 것이다.As another embodiment of the substrate for mounting an optical semiconductor element, using the above-described thermosetting resin composition for light reflection, a substrate for mounting an optical semiconductor element having a light reflection resin layer formed between a plurality of conductor members (connecting terminals) on a substrate can be heard Moreover, another embodiment of an optical-semiconductor device mounts an optical-semiconductor element on said board|substrate for optical-semiconductor element mounting, and is formed.
도 9는, 광반도체 장치의 적합한 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 광반도체 장치(600)는, 기재(601)와, 그 기재(601)의 표면에 형성된 복수의 도체 부재(602)와, 복수의 도체 부재(접속 단자)(602) 사이에 형성된, 상기 광반사용 열경화성 수지 조성물로 이루어지는 광반사 수지층(603)을 구비하는 광반도체 소자 탑재용 기판에, 광반도체 소자(610)가 탑재되고, 광반도체 소자(610)가 밀봉되도록 투명한 밀봉 수지(604)가 마련된, 표면 실장형의 발광 다이오드이다. 광반도체 장치(600)에 있어서, 광반도체 소자(610)는, 접착층(608)을 개재하여 도체 부재(602)에 접착되어 있고, 본딩 와이어(609)에 의하여 도체 부재(602)와 전기적으로 접속되어 있다.9 : is a schematic sectional drawing which shows suitable one Embodiment of an optical semiconductor device. As shown in FIG. 9 , the
기재(601)로서는, 광반도체 소자 탑재용 기판에 이용되는 기재를 특별히 제한 없이 이용할 수 있지만, 예를 들면, 에폭시 수지 적층판 등의 수지 적층판을 들 수 있다.Although the base material used for the board|substrate for optical semiconductor element mounting can be used especially without restriction|limiting as the
도체 부재(602)는, 접속 단자로서 기능하는 것이며, 예를 들면, 구리박을 포토 에칭하는 방법 등, 공지의 방법에 의하여 형성할 수 있다.The
광반도체 소자 탑재용 기판은, 상기 광반사용 열경화성 수지 조성물을 기재(601) 상의 복수의 도체 부재(602) 사이에 도포하고, 가열 경화하여 광반사용 열경화성 수지 조성물로 이루어지는 광반사 수지층(603)을 형성함으로써 제작할 수 있다.In the substrate for mounting an optical semiconductor element, the light reflecting thermosetting resin composition for light reflection is applied between a plurality of
광반사용 열경화성 수지 조성물의 기재(601)로의 도포 방법으로서는, 예를 들면, 인쇄법, 다이 코트법, 커튼 코트법, 스프레이 코트법, 롤 코트법 등의 도포 방법을 이용할 수 있다. 이때, 광반사용 열경화성 수지 조성물에는, 도포가 용이해지도록 용매를 함유시킬 수 있다. 또한, 용매를 이용하는 경우, 상술한 각 성분의 배합 비율로 수지 조성물 전량을 기준으로 한 것에 대해서는, 용매를 제외한 것을 전량으로서 설정하는 것이 바람직하다.As a coating method of the thermosetting resin composition for light reflection to the
광반사용 열경화성 수지 조성물의 도막을 가열 경화할 때의 가열 조건으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 130~180℃, 30~600분간의 조건에서 가열을 행해도 된다.Although it does not specifically limit as heating conditions at the time of heat-hardening the coating film of the thermosetting resin composition for light reflection, For example, you may heat on 130-180 degreeC and the conditions for 30-600 minutes.
그 후, 도체 부재(602) 표면에 여분으로 부착한 수지 성분은, 버프 연마 등에 의하여 제거하며, 도체 부재(602)로 이루어지는 회로를 노출시켜, 광반도체 소자 탑재용 기판으로 한다. 또, 광반사 수지층(603)과 도체 부재(602)의 밀착성을 확보하기 위하여, 도체 부재(602)에 대하여 산화 환원 처리, CZ 처리(MEC 주식회사제) 등의 조화(粗化) 처리를 행해도 된다.Thereafter, the resin component that has adhered to the surface of the
이상, 본 발명의 적합한 실시형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이에 제한되지 않는다.As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, this invention is not limited to this.
실시예Example
이하, 본 발명을 실시예에 의하여 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되지 않는다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of Examples, but the present invention is not limited thereto.
[광반사용 열경화성 수지 조성물의 제작][Production of thermosetting resin composition for light reflection]
실시예 및 비교예의 열경화성 수지 조성물을 제작하기 위하여, 이하의 성분을 준비했다.In order to produce the thermosetting resin composition of an Example and a comparative example, the following components were prepared.
(에폭시 수지)(epoxy resin)
닛산 가가쿠 고교 주식회사제의 상품명 "TEPIC-S"(트리스글리시딜아이소사이아누레이트, 에폭시 당량: 100)Product name "TEPIC-S" manufactured by Nissan Chemical Industry Co., Ltd. (trisglycidyl isocyanurate, epoxy equivalent: 100)
(경화제)(hardener)
식 (2)의 테트라카복실산 이무수물(Rx: 사이클로헥세인환, 융점: 40℃)Tetracarboxylic dianhydride of formula (2) (Rx: cyclohexane ring, melting point: 40 ° C.)
신니혼 리카 주식회사제의 상품명 "리카시드 HH"(헥사하이드로 무수 프탈산, 융점: 35℃)Brand name "Ricaside HH" manufactured by New Japan Rica Co., Ltd. (hexahydrophthalic anhydride, melting point: 35°C)
신니혼 리카 주식회사제의 상품명 "리카시드 TH"(1,2,3,6-테트라하이드로 무수 프탈산, 융점: 101℃)Brand name "Ricaside TH" manufactured by Shin-Nippon Rica Co., Ltd. (1,2,3,6-tetrahydrophthalic anhydride, melting point: 101°C)
마낙 주식회사제의 상품명 "ODPA"(4,4'-옥시다이프탈산 무수물, 융점: 229℃)Manak Co., Ltd. trade name "ODPA" (4,4'-oxydiphthalic anhydride, melting point: 229°C)
(경화 촉진제)(curing accelerator)
닛폰 가가쿠 고교 주식회사제의 상품명 "PX-4PB"(테트라뷰틸포스포늄테트라페닐보레이트)Nippon Chemical Industry Co., Ltd. trade name "PX-4PB" (tetrabutylphosphonium tetraphenylborate)
(커플링제)(Coupling agent)
에폭시실레인 화합물(3-글리시독시프로필트라이메톡시실레인)Epoxysilane compound (3-glycidoxypropyl trimethoxysilane)
(이형제)(Release agent)
니치유 주식회사제의 상품명 "ZNST"(아연 스테아레이트)Nichiyu Co., Ltd. product name "ZNST" (zinc stearate)
(첨가제)(additive)
주식회사 ADEKA제의 상품명 "아데카 스타브 AO-60"(힌더드 페놀계 산화 방지제)Product name of ADEKA Co., Ltd. "ADEKA STAB AO-60" (hindered phenolic antioxidant)
주식회사 ADEKA제의 상품명 "아데카 스타브 PEP-36A"(포스파이트계 산화 방지제)Product name of ADEKA Co., Ltd. "ADEKA STAB PEP-36A" (phosphite-based antioxidant)
Gelest제의 상품명 "DBL-C32"(실리콘계 첨가제)Gelest's brand name "DBL-C32" (silicone-based additive)
(무기 중공 입자)(inorganic hollow particles)
3M 재팬 주식회사제의 상품명 "iM30K"(중심 입경: 18μm, 쉘층의 두께: 0.61μm, 벌크 밀도: 0.33g/cm3, 내압 강도: 186MPa)3M Japan Co., Ltd. product name "iM30K" (central particle size: 18 µm, shell layer thickness: 0.61 µm, bulk density: 0.33 g/cm 3 , pressure strength: 186 MPa)
3M 재팬 주식회사제의 상품명 "S60HS"(중심 입경: 30μm, 쉘층의 두께: 1.46μm, 벌크 밀도: 0.38g/cm3, 내압 강도: 124MPa)3M Japan Co., Ltd. product name "S60HS" (center particle size: 30 μm, shell layer thickness: 1.46 μm, bulk density: 0.38 g/cm 3 , pressure strength: 124 MPa)
(실리카)(silica)
덴카 주식회사제의 상품명 "FP-950"(용융 실리카)Trade name "FP-950" manufactured by Denka Corporation (fused silica)
주식회사 아드마텍스제, 상품명 "SO-25R"(용융 실리카)Made by Admatex Co., Ltd., trade name "SO-25R" (fused silica)
후지 실리시아 가가쿠 주식회사제의 상품명 "사일로호빅 702"(소수성 미분말 실리카)Brand name "Pylohobic 702" manufactured by Fuji Silysia Chemical Co., Ltd. (hydrophobic fine powder silica)
(백색 안료)(white pigment)
산화 타이타늄(중심 입경 0.2μm)Titanium oxide (center particle diameter 0.2 μm)
표 1에 나타내는 배합비(질량부)에 따라, 각 성분을 배합하고, 믹서에 의하여 충분히 혼련한 후, 믹싱 롤에 의하여 40℃에서 15분간 용융 혼련하여 혼련물을 얻었다. 혼련물을 냉각하고, 분쇄함으로써, 실시예 및 비교예의 열경화성 수지 조성물을 각각 제작했다.According to the compounding ratio (part by mass) shown in Table 1, each component was mix|blended, and after fully kneading|mixing with a mixer, it melt-kneaded for 15 minutes at 40 degreeC with the mixing roll, and obtained the kneaded material. The thermosetting resin composition of an Example and a comparative example was produced by cooling and grinding|pulverizing a kneaded material, respectively.
[평가][evaluation]
(광반사율)(light reflectance)
열경화성 수지 조성물을, 성형 금형 온도 180℃, 성형 압력 6.9MPa, 경화 시간 90초의 조건에서 트랜스퍼 성형한 후, 150℃에서 2시간 포스트 큐어함으로써, 두께 3.0mm의 시험편을 제작했다. 적분 구형 분광 광도계 V-750형(닛폰 분코 주식회사제)을 이용하여, 파장 460nm에 있어서의 시험편의 광반사율을 측정했다. 이어서, 시험편을 150℃의 핫플레이트에서 168시간 열처리를 행한 후의 광반사율을 측정했다.After transfer-molding the thermosetting resin composition under the conditions of a molding die temperature of 180° C., a molding pressure of 6.9 MPa and a curing time of 90 seconds, the thermosetting resin composition was post-cured at 150° C. for 2 hours to prepare a 3.0 mm-thick test piece. The light reflectance of the test piece in wavelength 460nm was measured using the integrating spherical spectrophotometer V-750 type (made by Nippon Bunko Corporation). Next, the light reflectance after heat-processing the test piece on a 150 degreeC hotplate for 168 hours was measured.
(분쇄성)(grindability)
스크린 그물코에 φ3(직경: 3mm)을 선정하고, 분쇄 장치(달톤사제, 제품명: P-5)를 이용하여, 실온에서 열경화성 수지 조성물을 분쇄했다. 100g/분의 속도로 열경화성 수지 조성물을 단속적으로 공급하고, 분쇄성을 하기 기준으로 평가했다.phi 3 (diameter: 3 mm) was selected for the screen mesh, and the thermosetting resin composition was grind|pulverized at room temperature using the grinding|pulverization apparatus (made by Dalton, product name: P-5). The thermosetting resin composition was intermittently supplied at a speed|rate of 100 g/min, and the following reference|standard evaluated grindability.
A: 양호한 분말이 얻어진다.A: A good powder is obtained.
B: 장치에 첩부되는 성분이 보이지만, 문제없이 분말이 얻어진다.B: Although the component affixed to an apparatus is seen, a powder is obtained without a problem.
C: 과도하게 부드러워 분쇄할 수 없다.C: It is excessively soft and cannot be pulverized.
[표 1][Table 1]
표 1로부터, 실시예의 광반사용 열경화성 수지 조성물은, 우수한 분쇄성을 갖고, 내열성이 높은 경화물(성형체)을 형성할 수 있는 것을 확인할 수 있다.From Table 1, it can be confirmed that the thermosetting resin composition for light reflection of Examples has excellent grindability and can form a cured product (molded body) with high heat resistance.
100…광반도체 소자
101…밀봉 수지
102…본딩 와이어
103…리플렉터
103'…절연성 수지 성형체
104…Ni/Ag 도금
105…금속 배선
106…형광체
107…땜납 범프
110…광반도체 소자 탑재용 기판
150…수지 주입구
151…금형
200…광반도체 소자 탑재 영역
300…LED 소자
301…본딩 와이어
302…밀봉 수지
303…리플렉터
304…리드
305…형광체
306…다이본드재
400…구리 피복 적층판
401…기재
402…광반사 수지층
403…구리박
404…밀봉 수지
408…접착층
409…본딩 와이어
410…광반도체 소자
500, 600…광반도체 장치
601…기재
602…도체 부재
603…광반사 수지층
604…밀봉 수지
608…접착층
609…본딩 와이어
610…광반도체 소자100… Optical semiconductor device
101… sealing resin
102... bonding wire
103… reflector
103'… Insulation resin molded body
104… Ni/Ag plating
105… metal wiring
106… phosphor
107... solder bump
110… Substrate for mounting optical semiconductor devices
150… resin inlet
151… mold
200… Optical semiconductor device mounting area
300… LED element
301… bonding wire
302... sealing resin
303… reflector
304… lead
305… phosphor
306… die bond material
400… copper clad laminate
401... write
402... light reflective resin layer
403... copper foil
404... sealing resin
408... adhesive layer
409... bonding wire
410... Optical semiconductor device
500, 600… Optical semiconductor device
601… write
602… no conductor
603… light reflective resin layer
604... sealing resin
608… adhesive layer
609... bonding wire
610… Optical semiconductor device
Claims (9)
상기 경화제가, 융점이 180~400℃인 테트라카복실산 이무수물을 포함하는, 광반사용 열경화성 수지 조성물.containing an epoxy resin, a curing agent, an inorganic filler and a white pigment;
The thermosetting resin composition for light reflection, wherein the curing agent contains tetracarboxylic dianhydride having a melting point of 180 to 400°C.
상기 테트라카복실산 이무수물이, 벤젠환을 2 이상 갖는 테트라카복실산 이무수물 및 나프탈렌환을 갖는 테트라카복실산 이무수물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인, 열경화성 수지 조성물.The method according to claim 1,
The thermosetting resin composition, wherein the tetracarboxylic dianhydride is at least one selected from the group consisting of tetracarboxylic dianhydride having two or more benzene rings and tetracarboxylic dianhydride having naphthalene rings.
상기 벤젠환을 2 이상 갖는 테트라카복실산 이무수물이, 하기 식 (1)로 나타나는 화합물인, 열경화성 수지 조성물.
[화학식 1]
(식 중, R은, 단결합, 에터 결합, 카보닐기, 설폰일기, 헥사플루오로아이소프로필리덴기, 또는 플루오렌기를 나타낸다.)3. The method according to claim 2,
The thermosetting resin composition whose tetracarboxylic dianhydride which has the said benzene ring 2 or more is a compound represented by following formula (1).
[Formula 1]
(In the formula, R represents a single bond, an ether bond, a carbonyl group, a sulfonyl group, a hexafluoroisopropylidene group, or a fluorene group.)
상기 무기 충전제가, 중심 입경이 1~25μm인 무기 중공 입자를 포함하는, 열경화성 수지 조성물.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The thermosetting resin composition in which the said inorganic filler contains the inorganic hollow particle whose center particle diameter is 1-25 micrometers.
상기 백색 안료가, 산화 타이타늄, 산화 아연, 알루미나, 산화 마그네슘, 산화 안티모니 및 산화 지르코늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 열경화성 수지 조성물.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The thermosetting resin composition in which the said white pigment contains at least 1 sort(s) selected from the group which consists of titanium oxide, zinc oxide, alumina, magnesium oxide, antimony oxide, and zirconium oxide.
상기 오목부의 상기 벽면의 적어도 일부가, 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 기재된 광반사용 열경화성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는, 광반도체 소자 탑재용 기판.has a concave portion composed of a bottom surface and a wall surface, wherein the bottom surface of the concave portion is a mounting portion for an optical semiconductor element;
The board|substrate for optical-semiconductor element mounting in which at least a part of the said wall surface of the said recessed part consists of hardened|cured material of the thermosetting resin composition for light reflection in any one of Claims 1-5.
상기 제1 접속 단자와 상기 제2 접속 단자의 사이에, 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 기재된 광반사용 열경화성 수지 조성물의 경화물을 갖는, 광반도체 소자 탑재용 기판.a substrate, and a first connection terminal and a second connection terminal provided on the substrate;
The board|substrate for optical semiconductor element mounting which has hardened|cured material of the thermosetting resin composition for light reflection in any one of Claims 1-5 between a said 1st connection terminal and a said 2nd connection terminal.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2019/033794 WO2021038772A1 (en) | 2019-08-28 | 2019-08-28 | Thermally curable resin composition for light reflection, substrate for mounting optical semiconductor element, and optical semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220055470A true KR20220055470A (en) | 2022-05-03 |
Family
ID=74684034
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020227008232A KR20220055470A (en) | 2019-08-28 | 2019-08-28 | Thermosetting resin composition for light reflection, substrate for mounting optical semiconductor element, and optical semiconductor device |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7459878B2 (en) |
KR (1) | KR20220055470A (en) |
CN (1) | CN114174372A (en) |
WO (1) | WO2021038772A1 (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010287837A (en) | 2009-06-15 | 2010-12-24 | Hitachi Chem Co Ltd | Member for mounting optical semiconductor element, and optical semiconductor device |
JP2012254633A (en) | 2006-11-15 | 2012-12-27 | Hitachi Chemical Co Ltd | Thermosetting resin composition for light reflection, method for manufacturing the resin composition, optical semiconductor element-mounting substrate, and optical semiconductor device using the resin composition |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2199339B1 (en) * | 2007-09-25 | 2014-11-05 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Thermosetting resin composition for light reflection, substrate made therefrom for photosemiconductor element mounting, process for producing the same, and photosemiconductor device |
JP5359349B2 (en) | 2009-02-18 | 2013-12-04 | 日立化成株式会社 | Thermosetting resin composition for light reflection, substrate for mounting optical semiconductor element, method for manufacturing the same, and optical semiconductor device |
CN103492481B (en) * | 2011-02-18 | 2016-04-27 | 三菱瓦斯化学株式会社 | Resin combination, prepreg and metal-clad laminate |
JP2018070680A (en) * | 2016-10-25 | 2018-05-10 | 日立化成株式会社 | Epoxy resin composition and epoxy resin cured product using the same, and electronic component device |
CN106752452A (en) * | 2016-12-07 | 2017-05-31 | 江西龙正科技发展有限公司 | A kind of LED lamp heat radiation coating |
-
2019
- 2019-08-28 JP JP2021541884A patent/JP7459878B2/en active Active
- 2019-08-28 CN CN201980098553.6A patent/CN114174372A/en active Pending
- 2019-08-28 WO PCT/JP2019/033794 patent/WO2021038772A1/en active Application Filing
- 2019-08-28 KR KR1020227008232A patent/KR20220055470A/en unknown
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012254633A (en) | 2006-11-15 | 2012-12-27 | Hitachi Chemical Co Ltd | Thermosetting resin composition for light reflection, method for manufacturing the resin composition, optical semiconductor element-mounting substrate, and optical semiconductor device using the resin composition |
JP2010287837A (en) | 2009-06-15 | 2010-12-24 | Hitachi Chem Co Ltd | Member for mounting optical semiconductor element, and optical semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114174372A (en) | 2022-03-11 |
JPWO2021038772A1 (en) | 2021-03-04 |
JP7459878B2 (en) | 2024-04-02 |
WO2021038772A1 (en) | 2021-03-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6322237B2 (en) | Thermosetting light reflecting resin composition and method for producing the same | |
JP5298468B2 (en) | Thermosetting light reflecting resin composition, substrate for mounting optical semiconductor element using the same, method for manufacturing the same, and optical semiconductor device | |
JP2007297601A (en) | Thermosetting resin composition for light reflection, substrate for loading photosemiconductor device using the same, method for producing the same, and photosemiconductor device | |
JP5665285B2 (en) | Optical semiconductor element mounting member and optical semiconductor device | |
JP2022075700A (en) | Thermosetting resin composition for light reflection, optical semiconductor element mounting substrate and method for producing the same, and optical semiconductor device | |
JP6133004B2 (en) | Thermosetting resin composition for light reflection, substrate for mounting optical semiconductor element, method for manufacturing the same, and optical semiconductor device | |
KR20220055470A (en) | Thermosetting resin composition for light reflection, substrate for mounting optical semiconductor element, and optical semiconductor device | |
KR20220055469A (en) | Thermosetting resin composition for light reflection, substrate for mounting optical semiconductor element, and optical semiconductor device | |
WO2023281922A1 (en) | Heat-curable resin composition for light reflection, substrate for mounting optical semiconductor element, and optical semiconductor device | |
JP6191705B2 (en) | Thermosetting resin composition for light reflection, substrate for mounting optical semiconductor element, method for manufacturing the same, and optical semiconductor device | |
JP7294429B2 (en) | Thermosetting resin composition for light reflection, substrate for mounting optical semiconductor element, and optical semiconductor device | |
JP6988234B2 (en) | Thermosetting resin composition for light reflection, substrate for mounting optical semiconductor element and its manufacturing method, and optical semiconductor device | |
JP2014159600A (en) | Thermosetting resin composition for light reflection, optical semiconductor mounting substrate using the same, method of manufacturing the optical semiconductor mounting substrate, and optical semiconductor device | |
JP2022053019A (en) | Thermosetting resin composition for light reflection, substrate for mounting optical semiconductor element and optical semiconductor device | |
JP6209928B2 (en) | Optical semiconductor device, substrate for mounting optical semiconductor element, and thermosetting resin composition for light reflection | |
JP5831424B2 (en) | Thermosetting resin composition for light reflection, substrate for mounting optical semiconductor element, method for manufacturing the same, and optical semiconductor device | |
JP6337996B2 (en) | Thermosetting resin composition for light reflection, substrate for mounting optical semiconductor element, method for manufacturing the same, and optical semiconductor device | |
JP2012178567A (en) | Thermosetting resin composition for reflecting light, substrate for mounting optical semiconductor element using the same and method for manufacturing the same, and optical semiconductor device | |
JP2013168684A (en) | Member for mounting optical semiconductor element, and optical semiconductor device |