KR20220046883A - 호스트 커넥터와 메모리 장치를 포함하는 전자 장치 - Google Patents

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KR20220046883A
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유충현
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김지용
송진욱
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Abstract

호스트 커넥터와 메모리 장치를 포함하는 전자 장치가 제공된다. 호스트 커넥터는 메모리 장치의 접속 단자가 배치된 메모리 커넥터가 수용되는 커넥터홀 및 커넥터홀 내에 배치되고 메모리 커넥터의 접속 단자와 전기적으로 연결되는 커넥터 핀을 포함하고, 커넥터 핀은, 도전체를 포함하는 제1 도체부와, 도전체를 포함하고, 메모리 커넥터가 커넥터홀에 수용될 때 제1 도체부로부터 접속 단자에 근접하는 방향으로 절곡되는 제2 도체부 및 메모리 커넥터가 커넥터홀에 수용될 때 제2 도체부로부터 접속 단자에서 멀어지는 방향으로 절곡되고, 절연체를 포함하는 스터브를 포함한다.

Description

호스트 커넥터와 메모리 장치를 포함하는 전자 장치{Electronic device including host connector and memory device}
본 발명은 호스트 커넥터와 메모리 장치를 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.
SSD(Solid State Drive)로 대표되는 메모리 장치는 데스크탑 PC, 태블릿 PC, 랩탑 PC 등의 전통적인 전자 기기뿐만 아니라, 자동차, 드론, 항공기 등의 모빌리티 등에 관계된 전자 장치에도 널리 활용된다. 전자 장치는 다양한 환경에 노출될 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 SI(signal integrity: 신호 무결성) 성능이 향상된 호스트 커넥터를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 SI 성능이 향상된 메모리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 SI 성능이 향상된 전자 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제는 아래의 기재로부터 해당 기술 분야의 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 호스트 커넥터는 메모리 장치의 접속 단자가 배치된 메모리 커넥터가 수용되는 커넥터홀 및 커넥터홀 내에 배치되고 메모리 커넥터의 접속 단자와 전기적으로 연결되는 커넥터 핀을 포함하고, 커넥터 핀은, 도전체를 포함하는 제1 도체부와, 도전체를 포함하고, 메모리 커넥터가 커넥터홀에 수용될 때 제1 도체부로부터 접속 단자에 근접하는 방향으로 절곡되는 제2 도체부 및 메모리 커넥터가 커넥터홀에 수용될 때 제2 도체부로부터 접속 단자에서 멀어지는 방향으로 절곡되고, 절연체를 포함하는 스터브를 포함한다.
상기 다른 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 메모리 장치는 모듈 보드와, 모듈 보드의 일 측에 배치되고 접속 단자가 배치되어 호스트 커넥터와 전기적으로 연결되는 메모리 커넥터를 포함하는 메모리 모듈, 메모리 모듈의 상부에 배치된 제1 인클로저 및 메모리 모듈의 하부에 배치된 제2 인클로저를 포함하고, 접속 단자는, 절연체를 포함하는 제1 영역과, 도전체를 포함하는 제2 영역을 포함하고, 메모리 커넥터가 호스트 커넥터와 전기적으로 연결될 때 제1 영역은 제2 영역에 비해 상기 호스트 커넥터에 인접한다.
상기 또 다른 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 전자 장치는 커넥터 핀을 포함하는 호스트 커넥터 및 호스트 커넥터의 커넥터 핀에 전기적으로 연결되는 접속 단자를 포함하는 메모리 커넥터를 포함하되, 커넥터 핀은, 도전체를 포함하는 제1 도체부와, 도전체를 포함하고, 제1 도체부로부터 접속 단자에 근접하는 방향으로 절곡되는 제2 도체부와, 제2 도체부로부터 접속 단자에서 멀어지는 방향으로 절곡되고, 절연체를 포함하는 스터브를 포함하고, 접속 단자는, 절연체를 포함하는 제1 영역과, 도전체를 포함하는 제2 영역을 포함하고, 제2 도체부와 제2 영역이 전기적으로 연결되어 호스트 커넥터와 메모리 커넥터가 전기적으로 연결된다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 몇몇 실시예에 따른 전자 장치의 블록도이다.
도 2는 몇몇 실시예에 따른 전자 장치의 메모리 장치의 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 메모리 장치의 분해 사시도이다.
도 4는 도 2의 메모리 장치를 제1 방향을 따라 자른 단면도이다.
도 5는 도 2의 메모리 장치에 포함된 메모리 모듈의 평면도이다.
도 6은 도 2에 도시된 메모리 장치의 메모리 커넥터의 부분 사시도이다.
도 7은 도 6의 접속 단자의 확대도이다.
도 8은 몇몇 실시예에 따른 전자 장치의 호스트의 호스트 커넥터의 사시도이다.
도 9는 도 8의 단면도이다.
도 10은 도 9의 커넥터 핀의 확대도이다.
도 11은 메모리 장치가 호스트에 체결된 상태를 보여주는 사시도이다.
도 12는 메모리 장치가 호스트에 체결되기 전 상태를 보여주는 사시도이다.
도 13은 메모리 커넥터를 호스트 커넥터에 체결하는 과정을 나타낸 단면도들이다.
도 14는 커넥터 핀과 접속 단자가 접속된 형태를 도시한 도면이다.
도 15 및 도 16은 몇몇 실시예에 따른 메모리 장치의 효과를 설명하기 위한 도면들이다.
도 17은 메모리 커넥터의 접속 단자의 확대도이다.
도 18은 커넥터 핀과 접속 단자가 접속된 형태를 도시한 도면이다.
도 19는 호스트 커넥터의 커넥터 핀의 확대도이다.
도 20은 메모리 커넥터의 접속 단자의 확대도이다.
도 21은 커넥터 핀과 접속 단자가 접속된 형태를 도시한 도면이다.
도 22는 호스트 커넥터의 커넥터 핀의 확대도이다.
도 23은 커넥터 핀과 접속 단자가 접속된 형태를 도시한 도면이다.
도 24는 커넥터 핀과 접속 단자가 접속된 형태를 도시한 도면이다.
도 25는 커넥터 핀과 접속 단자가 접속된 형태를 도시한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 설명하도록 한다.
도 1은 몇몇 실시예에 따른 전자 장치의 블록도이다.
도 1을 참조하면, 메모리 시스템은 호스트(20) 및 메모리 장치(10)를 포함한다. 호스트(20)와 메모리 장치(10)는 미리 정한 인터페이스를 통해 통신할 수 있다. 상기 인터페이스는 예를 들어, UFS(Universal Flash Storage), SAS(Serial Attached SCSI), SATA(Serial Advanced Technology Attachment), PCIe(Peripheral Component Interconnect Express), eMMC(embedded MultiMediaCard), FC(Fibre Channel), ATA(Advanced Technology Attachment), IDE(Integrated Drive Electronics), USB(Universal Serial Bus), IEEE 1394(Firewire) 등일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
호스트(20)는 메모리 장치(10)의 전반적인 동작을 제어한다. 호스트(20)는 어플리케이션(21), 드라이버(22), 호스트 컨트롤러(23), 버퍼 메모리(26) 및 호스트 인터페이스(24)를 포함할 수 있다.
어플리케이션(21)은 전자 장치에서 사용될 수 있는 명령 세트에 기반하여 전자 장치를 제어할 수 있다. 어플리케이션(21)은 예를 들어, SCSI(Small Computer System Interface) 명령 세트를 지원할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
드라이버(22)는 호스트(20)에 접속되는 메모리 장치(10)를 구동할 수 있다. 구체적으로, 드라이버(22)는 어플리케이션(21)으로부터 메모리 장치(10)를 제어하기 위한 명령을 수신하고, 호스트 컨트롤러(23)를 이용하여 상기 명령을 처리한 후, 그 처리 결과를 어플리케이션(21)에 제공할 수 있다.
어플리케이션(21) 및 드라이버(22)는 소프트웨어(software) 또는 펌웨어(firmware)로 구현될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
호스트 컨트롤러(23)는 호스트(20) 내부의 전반적인 동작을 제어한다. 예를 들어, 호스트 컨트롤러(23)는 드라이버(22)로부터 수신한 라이트(write) 명령에 대한 응답으로 버퍼 메모리에 저장되어 있던 데이터를 호스트 인터페이스(24)를 통해 메모리 장치(10)에 전송할 수 있다. 또한, 호스트 컨트롤러(23)는 드라이버(22)로부터 수신한 리드(read) 명령에 대한 응답으로 호스트 인터페이스(24)를 통해 메모리 장치(10)부터 데이터를 수신할 수도 있다.
버퍼 메모리(26)는 호스트(20)의 메인 메모리로 사용되거나 데이터를 임시로 저장하기 위한 캐시 메모리 또는 임시 메모리 등으로 사용될 수 있다. 또한 버퍼 메모리(26)는 어플리케이션(21)이나 드라이버(22)와 같은 소프트웨어를 구동하기 위한 구동 메모리(driving memory)로 사용될 수 있다. 버퍼 메모리(26)는 예를 들어, DRAM(Dynamic Random Access Memory)을 비롯한 휘발성 메모리를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
호스트 인터페이스(24)는 데이터 라인(DIN, DOUT)을 통해 메모리 장치(10)의 메모리 장치 인터페이스(14)와 데이터를 주고받을 수 있다. 데이터 라인(DIN, DOUT)은 호스트 커넥터와 메모리 장치 커넥터의 접속에 의해 호스트(20)와 메모리 장치(10)간 연결될 수 있다. 호스트 커넥터와 메모리 장치 커넥터의 접속 구조에 대한 상세한 설명은 후술된다.
메모리 장치(10)는 메모리 장치 인터페이스(14), 메모리 컨트롤러(13) 및 메모리(15)를 포함할 수 있다. 메모리 장치(10)는 메모리 장치 인터페이스(14)를 통해 호스트(20)와 연결될 수 있다.
메모리 컨트롤러(13)는 메모리(15)에 대해 호스트(20)가 요청한 데이터를 라이트(write), 리드(read) 또는 이레이즈(erase)하는 작업들을 수행할 수 있다.
버퍼 메모리(16)는 메모리(15)에 저장될 데이터 또는 메모리(15)로부터 읽은 데이터를 임시 저장하는데 사용될 수 있다. 버퍼 메모리(16)는 예를 들어, DRAM(Dynamic Random Access Memory)을 비롯한 휘발성 메모리를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
메모리(15)는 플래시 메모리(Flash Memory), MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory), PRAM(Phase-change Random Access Memory), FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory) 등의 비휘발성 메모리를 포함할 수 있다. 이하의 실시예에서는 메모리 장치(10)가 플래시 메모리를 포함하는 SSD(Solid State Drive)인 것을 예시하지만, 적용가능한 실시예들이 그에 제한되는 것은 아니다.
상술한 메모리 시스템은 다양한 전자 장치에 내장되거나 그 내부에 설치될 수 있다. 전자 장치는 전자 기기나 전자 부품을 포함하는 장치로서, 예를 들어, 데스크탑 PC, 태블릿 PC, 랩탑 PC, 넷북 컴퓨터, 워크스테이션, 서버, PDA, 이동 전화기, 스마트폰, 영상 전화기, 전자책 리더기, MP3 플레이어, 디지털 카메라, 텔레비전, 프로젝터, 게임기, 네비게이션 장치, 로봇, 위성 항법 시스템(GNSS(global navigation satellite system)) 뿐만 아니라, 전자 기기를 포함하는 의료 기기, 세탁기, 냉장고 등이 그에 해당할 수 있다. 또한, 자동차, 드론, 항공기, 선박, 위성 등의 경우에도 전자 기기나 전자 부품을 포함하는 한 전자 장치로 지칭될 수 있다.
도 2는 몇몇 실시예에 따른 전자 장치의 메모리 장치의 사시도이다. 도 3은 도 2에 도시된 메모리 장치의 분해 사시도이다. 도 4는 도 2의 메모리 장치를 제1 방향을 따라 자른 단면도이다. 도 5는 도 2의 메모리 장치에 포함된 메모리 모듈의 평면도이다. 도 6은 도 2에 도시된 메모리 장치의 메모리 커넥터의 부분 사시도이다. 도 7은 도 6의 접속 단자의 확대도이다. 도 8은 몇몇 실시예에 따른 전자 장치의 호스트의 호스트 커넥터의 사시도이다. 도 9는 도 8의 단면도이다. 도 10은 도 9의 커넥터 핀의 확대도이다.
도 2를 참조하면, 메모리 장치(10)의 외관은 실질적인 직육면체 형상을 갖는다. 직육면체에서 가장 넓은 면적을 갖는 면을 밑면으로 정의하면, 메모리 장치(10)는 밑면이 직사각형 형상을 가질 수 있다.
도면에서는 직사각형 형상인 밑면의 장변 연장 방향을 제1 방향(X)으로, 단변 연장 방향을 제2 방향(Y)으로 표기하고, 직육면체의 두께 방향을 제3 방향(Z)으로 표기하고 있다. 2개의 방향에 의해 정의되는 평면은 각각 XY 평면, YZ 평면, ZX 평면으로 지칭될 수 있다. 이와 같은 기준에 의할 때, 메모리 장치(10)의 밑면은 XY 평면 상에 놓인다. 본 명세서에서 다른 특별한 언급이 없다면, 특정 부재의 평면 형상 또는 평면도상 외관은 특정 부재가 XY 평면에 놓인 형상을 의미한다.
메모리 장치(10)의 외관은 규격화된 또는 임의의 폼 팩터(form factor)에 따를 수 있다. 직육면체 형상의 메모리 장치(10)의 치수 또한 다양한 기준에 의해 변경 가능하다.
도 2 내지 도 10을 참조하면, 메모리 장치(10)는 메모리 모듈(110) 및 메모리 모듈(110)을 수납하는 인클로저 어셈블리(120)를 포함한다. 인클로저 어셈블리(120)는 실질적으로 메모리 장치(10)의 외관을 정의할 수 있다. 메모리 모듈(110)은 메모리 커넥터(MCN)가 위치하는 영역 등의 일부를 제외하고는 인클로저 어셈블리(120)에 의해 커버될 수 있다.
도 2 내지 도 10을 참조하면, 메모리 모듈(110)은 모듈 보드(BDH), 모듈 보드(BDH)의 적어도 일단에 마련된 메모리 커넥터(MCN) 및 모듈 보드(BDH)의 적어도 일면 상에 배치된 전자 소자(CHP)를 포함할 수 있다.
모듈 보드(BDH)는 하나 이상의 절연층과 배선층을 포함할 수 있다. 모듈 보드(BDH)는 인쇄 회로 기판을 포함할 수 있다.
모듈 보드(BDH)는 판상 형상으로 이루어질 수 있다. 모듈 보드(BDH)는 대체로 XY 평면 상에 놓일 수 있다. 모듈 보드(BDH)의 전반적인 평면 형상은 메모리 장치(10)의 평면 형상과 유사할 수 있다. 예를 들어, 메모리 장치(10)가 평면도상 직사각형 또는 그에 유사한 외관을 가질 경우, 모듈 보드(BDH) 또한 직사각형 또는 그에 유사한 외관을 가질 수 있다.
평면도상 모듈 보드(BDH)의 크기는 메모리 장치(10) 크기보다 작지만, 그에 근사할 수 있다.
평면도상 모듈 보드(BDH)는 메모리 장치(10)의 중앙부를 차지하며, 모듈 보드(BDH)의 각 변은 메모리 장치(10)의 대응하는 각 변으로부터 내측에 위치할 수 있다. 일부 구간을 제외하고 모듈 보드(BDH)의 각 변과 메모리 장치(10)의 각 변 사이의 공간에는 인클로저 어셈블리(120)가 배치되어 모듈 보드(BDH)의 외부 노출을 방지한다.
모듈 보드(BDH)의 일측 단부에는 메모리 커넥터(MCN)가 배치될 수 있다. 도면에서는 메모리 커넥터(MCN)가 모듈 보드(BDH)의 제1 단변(SS1)에 연결되고, 모듈 보드(BDH)의 제1 단변(SS1)으로부터 제1 방향(X) 외측으로 돌출되어 있는 경우를 도시하고 있지만, 이에 제한되지 않고, 다른 변에 배치되거나, 복수의 변에 배치될 수도 있다.
메모리 커넥터(MCN)의 제2 방향(Y)의 폭은 모듈 보드(BDH)의 제2 방향(Y)의 폭보다 작을 수 있다. 또한, 메모리 커넥터(MCN)는 모듈 보드(BDH)의 제1 장변(LS1)의 연장선 및/또는 제2 장변(LS2)의 연장선으로부터 이격되어 배치될 수 있다. 메모리 커넥터(MCN)는 전반적으로 제2 장변(LS2)보다 제1 장변(LS1)에 더 치우치도록 배치될 수 있다. 즉, 메모리 커넥터(MCN)와 모듈 보드(BDH) 제1 장변(LS1)의 연장선 사이의 거리는 메모리 커넥터(MCN)와 모듈 보드(BDH) 제2 장변(LS2)의 연장선 사이의 거리보다 작을 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니고, 메모리 커넥터(MCN)가 모듈 보드(BDH)의 장변들에 대해 등거리에 위치할 수도 있다.
메모리 커넥터(MCN)는 모듈 보드(BDH)에 연결된다. 메모리 커넥터(MCN)는 모듈 보드(BDH)와 별도의 부재로 제공되어 모듈 보드(BDH)에 부착될 수도 있지만, 모듈 보드(BDH)와 일체형으로 제공될 수도 있다. 메모리 커넥터(MCN)가 모듈 보드(BDH)와 일체형으로 제공되는 경우, 메모리 커넥터(MCN)는 모듈 보드(BDH)의 일부를 외측으로 돌출시킨 모듈 보드(BDH) 돌출 영역에 마련될 수 있다.
메모리 커넥터(MCN)는 접속 단자(160)를 포함할 수 있다. 접속 단자(160)는 제2 방향(Y)을 따라 이격되어 배열될 수 있다. 메모리 커넥터(MCN)의 접속 단자(160)는 그에 상응하는 호스트 커넥터(200)의 커넥터 핀(220)에 연결될 수 있다. 메모리 커넥터(MCN)와 호스트 커넥터(200)의 접속에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.
접속 단자(160)는 제1 영역(161), 제2 영역(162)을 포함한다.
제1 영역(161)은 절연체를 포함하고, 절연체는 예를 들어, 비금속 또는 폴리머 중 어느 하나일 수 있다.
제2 영역(162)은 도전체를 포함하고, 도전체는 예를 들어, 코발트(Co), 텅스텐(W) 및/또는 구리(Cu)를 포함하는 금속일 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제1 영역(161)과 제2 영역(162)는 소정의 접착물질을 이용하여 서로 접착될 수 있다. 또한, 몇몇 실시예에서, 제1 영역(161)과 제2 영역(162)은 제1 영역(161)과 제2 영역(162) 형상의 몰드에 도전체와 절연체를 주입하여 형성하는 다이 캐스팅 공법을 이용하여 일체로 형성될 수도 있다.
몇몇 실시예에서, 제1 영역(161)의 길이(c)는 제2 영역(162)의 길이(d)보다 클 수 있다.
또한, 몇몇 실시예에서, 제1 영역(161)의 길이(c)와 제2 영역(162)의 길이(d)의 비는 예를 들어, 3:2 내지 4:1일 수 있다. 이처럼, 제1 영역(161)의 길이(c)와 제2 영역(162)의 길이(d)의 비가 3:2 내지 4:1인 경우, 호스트 커넥터(200)의 커넥터 핀(220)과 메모리 커넥터(MCN)의 접속 단자(160)간의 전기적 연결의 신뢰성을 유지하면서 신호 무결성을 향상시킬 수 있다. 이에 관해서는 후술한다.
또한, 몇몇 실시예에서, 접속 단자(160)의 전체 길이(c+d)와 제1 영역(161)의 길이(c)의 비는 예를 들어, 0.64 내지 0.77일 수 있다. 이에 관한 구체적인 설명도 후술한다.
메모리 커넥터(MCN)의 접속 단자(160)는 모듈 보드(BDH)의 배선과 연결될 수 있다. 메모리 커넥터(MCN)가 모듈 보드(BDH)와 일체형으로 제공되는 경우, 메모리 커넥터(MCN)의 접속 단자(160)는 모듈 보드(BDH)의 배선과 동일한 물질을 이용하여 동일한 층에 형성될 수 있다. 접속 단자(160)는 모듈 보드(BDH)의 배선보다 폭이 넓어진 패드 전극의 형상을 가질 수 있다. 접속 단자(160)는 적어도 부분적으로 절연층에 의해 덮이지 않은 채 외부로 노출될 수 있다. 접속 단자(160)는 메모리 커넥터(MCN)의 상면에 배치될 수도 있고, 하면에 배치될 수도 있다. 경우에 따라, 접속 단자(160)는 메모리 커넥터(MCN)의 상하면에 모두 배치될 수도 있다. 나아가, 메모리 커넥터(MCN)는 두께 방향으로 분리된 복수의 층을 포함하고, 각 층의 적어도 일면에 접속 단자(160)가 배치될 수도 있다.
상술한 메모리 커넥터(MCN)의 크기, 형상, 위치, 접속 단자(160)들의 배열 등은 정해진 규격에 따를 수 있다. 예를 들어, 메모리 커넥터(MCN)의 크기, 형상, 위치, 접속 단자(160)들의 배열 등은 E1.S, M.2, NF2 등과 같은 규격에 상응할 수 있다.
모듈 보드(BDH)의 상면 및/또는 하면 상에는 전자 소자(CHP)가 배치된다. 전자 소자(CHP)는 모듈 보드(BDH)와 별개의 칩 형태로 제조되어 모듈 보드(BDH) 상에 실장될 수 있다.
전자 소자(CHP)는 반도체 소자를 포함할 수 있다. 반도체 소자는 낸드 플래쉬 메모리나 DRAM 메모리와 같은 메모리 및 메모리를 제어하는 메모리 컨트롤러를 포함할 수 있다. 전자 소자(CHP)는 커패시터 소자를 더 포함할 수 있다. 각 전자 소자(CHP)들은 모듈 보드(BDH)의 배선에 연결되어 전기적인 동작을 수행할 수 있다. 복수의 전자 소자(CHP)들은 서로 이격될 수 있다.
도 2 내지 도 10을 참조하면, 인클로저 어셈블리(120)는 전반적으로 내부가 비어 있는 직육면체 형상을 갖는다. 인클로저 어셈블리(120)의 내부에는 메모리 모듈(110)이 수납된다. 인클로저 어셈블리(120)는 하우징의 역할을 할 수 있다.
메모리 장치(10)의 측면에 해당하는 위치에서, 인클로저 어셈블리(120)는 제1 방향(X)으로 메모리 커넥터(MCN)를 노출하는 커넥터 개구(COP)를 포함할 수 있다.
인클로저 어셈블리(120)는 복수 부품들의 조립에 의해 제공될 수 있다. 구체적으로, 인클로저 어셈블리(120)는 상부에 위치하는 제1 인클로저(121)와 하부에 위치하는 제2 인클로저(122)를 포함할 수 있다. 제1 인클로저(121)와 제2 인클로저(122)는 상호 체결되어 적어도 부분적으로 밀봉된 공간을 정의할 수 있다. 상기 밀봉 공간 내에 메모리 모듈(110)이 수납될 수 있다.
제1 인클로저(121)와 제2 인클로저(122)는 각각 스테인레스 스틸, 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 또는 이들을 포함하는 합금 등과 같은 금속으로 이루어지거나, 폴리머 재료, 탄소계 재료 또는 이들이 복합된 복합 재료 등으로 이루어질 수 있다.
제1 인클로저(121)와 제2 인클로저(122)의 재질은 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다.
제1 인클로저(121)와 제2 인클로저(122)는 각각 인클로저 어셈블리(120)의 밑면에 상응하는 밑면 커버를 포함할 수 있다.
제1 인클로저(121)는 제1 메인 커버(CVU)를 관통하는 적어도 하나의 클램핑 홀(CLH)을 더 포함할 수 있다. 클램핑 홀(CLH)은 호스트 커넥터(200)에 접속할 때, 호스트 커넥터(200)의 후크(211)가 삽입되는 공간을 제공한다. 클램핑 홀(CLH)은 제1 메인 커버(CVU)의 제1 단변(SS1)에 인접하도록 배치될 수 있다.
클램핑 홀(CLH)은 메모리 커넥터(MCN)와 중첩하는 위치에 배치될 수 있다. 클램핑 홀(CLH)은 평면도상 제2 방향(Y)이 장변인 직사각형 형상일 수 있다.
클램핑 홀(CLH)의 개수는 호스트 커넥터(200)의 후크(211)의 개수에 상응할 수 있다. 호스트 커넥터(200)가 2개의 후크(211)를 포함하는 경우, 클램핑 홀(CLH)의 개수 또한 2개일 수 있다.
도 2 내지 도 10을 참조하면, 메모리 장치(10)는 메모리 커넥터(MCN)가 배치된 면을 제외하고는 메모리 모듈(110)이 제1 인클로저(121)와 제2 인클로저(122)를 통해 완전히 둘러싸인 밀봉 구조를 가질 수 있다.
메모리 장치(10)의 메모리 커넥터(MCN)가 배치된 면은 후술하는 호스트 커넥터(200)에 의해 실질적으로 밀봉될 수 있다.
이하, 호스트 커넥터(200)의 구조에 대해 설명한다.
도 2 내지 도 10을 참조하면, 호스트(20)는 호스트 커넥터(200) 및 시스템 보드(SBD)를 포함할 수 있다.
시스템 보드(SBD)는 인쇄회로기판(PCB)을 포함할 수 있다. 호스트 커넥터(200)는 시스템 보드(SBD)에 고정될 수 있다. 도면에서는 스크류를 통해 호스트 커넥터(200)가 시스템 보드(SBD) 사에 고정된 형상을 도시하였지만, 이들의 고정 방식은 예시된 바에 제한되지 않는다. 호스트 커넥터(200)와 시스템 보드(SBD)는 전기적으로 연결될 수 있다.
호스트 커넥터(200)는 커넥터 바디(HB), 커넥터 바디(HB) 내에 설치된 커넥터 핀(220) 및 커넥터 바디(HB)의 상면에 설치된 래치(210)를 포함할 수 있다.
커넥터 바디(HB) 내에는 메모리 커넥터(MCN)를 수용하는 커넥터홀(COH)이 배치된다.
커넥터 홀(COH)의 수평 방향의 폭은 메모리 장치(10)의 메모리 커넥터(MCN)의 수평 방향의 폭 이상이 되어 메모리 커넥터(MCN)를 수용할 수 있는 공간을 제공한다. 메모리 장치(10)의 커넥터홀(COH) 내부에는 커넥터 핀(220)이 배치될 수 있다. 메모리 장치(10)의 메모리 커넥터(MCN)를 커넥터홀(COH)에 삽입할 때, 메모리 커넥터(MCN)의 접속 단자(160)와 호스트 커넥터(200)의 커넥터 핀(220)이 상호 전기적으로 연결되어 메모리 장치(10)와 호스트를 상호 접속시킬 수 있다. 완전한 기밀을 위해 커넥터홀(COH) 내에 삽입된 메모리 커넥터(MCN)의 측면 중 적어도 일부 또는 모두는 커넥터홀(COH)의 내벽에 접촉할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
커넥터 핀(220)은 도전체를 포함할 수 있다. 이러한 도전체는 예를 들어, 구리, 텅스텐 등을 포함할 수 있다.
래치 바디(210_BD) 및 래치 바디(210_BD)의 단부에 배치된 하나 이상의 후크(211)를 포함할 수 있다. 후크(211)의 개수 및 크기는 메모리 장치(10)의 클램핑 홀(CLH)의 개수 및 크기에 상응할 수 있다.
래치(210)는 조인트(212)에 의해 커넥터 바디(HB)에 결합할 수 있다. 조인트(212)는 스프링을 포함하여 이루어질 수 있다. 스프링은 복원력을 가져 래치(210)가 외력에 의해 리프트 업되더라도, 외력이 제거되면 원래의 위치로 하강하도록 할 수 있다.
도 11은 메모리 장치가 호스트에 체결된 상태를 보여주는 사시도이다. 도 12는 메모리 장치가 호스트에 체결되기 전 상태를 보여주는 사시도이다. 도 13은 메모리 커넥터를 호스트 커넥터에 체결하는 과정을 나타낸 단면도들이다. 도 14는 커넥터 핀과 접속 단자가 접속된 형태를 도시한 도면이다. 도 15 및 도 16은 몇몇 실시예에 따른 메모리 장치의 효과를 설명하기 위한 도면들이다.
도 11 내지 도 14를 참조하면, 메모리 장치(10)와 체결되기 전 호스트 커넥터(200)의 래치(210)는 래치 바디(210_BD)가 수평 방향을 향하고 후크(211)가 하부를 향하는 상태에 놓여 있다. 삽입되는 메모리 장치(10)에 대해 후크(211)는 제1 인클로저(121)의 제1 메인 커버(CVU)보다 낮은 높이에 위치한다.
체결을 위해 메모리 장치(10)를 호스트 커넥터(200)의 정면으로 밀어 넣는다. 이때, 메모리 커넥터(MCN)가 커넥터홀(COH) 내부에 삽입되도록 한다. 이와 같은 체결 과정을 통해, 커넥터 핀(220)은 접속 단자(160)에 전기적으로 연결된다.
본 실시예에서, 앞서 설명한 것과 같이 접속 단자(160)의 제1 영역(161)의 길이(c)와 제2 영역(162)의 길이(d)의 비가 예를 들어, 3:2 내지 4:1이 되도록 함으로써, 커넥터 핀(220)과 접속 단자(160)간의 전기적 연결의 신뢰성을 유지하면서 신호 무결성을 향상시킬 수 있다.
예를 들어, 도 15에 도시된 것과 같이, 접속 단자(160)의 제1 영역(161)의 길이(c)와 제2 영역(162)의 길이(d)의 비가 3:2와 다른 예를 들어, 1:4라고 하면, 커넥터 핀(220)과 접속 단자(160)간의 전기적 연결성은 좋으나, 절연체로 이루어진 제1 영역(161)의 길이가 지나치게 짧아져서, 신호 무결성 개선 효과가 감소할 수 있다.
반대로, 도 16에 도시된 것과 같이, 접속 단자(160)의 제1 영역(161)의 길이(c)와 제2 영역(162)의 길이(d)의 비가 4:1과 다른 예를 들어, 5:1라고 하면, 커넥터 핀(220)이 접속 단자(160)의 절연체로 이루어진 제1 영역(161)에 접촉하여 자칫 접속 단자(160)와 커넥터 핀(220)이 전기적으로 연결되지 않을 수 있다.
이러한 원리에 따라, 본 실시예에서는 접속 단자(160)의 전체 길이(c+d)와 제1 영역(161)의 길이(c)의 비를 예를 들어, 0.64 내지 0.77로 유지함으로써, 커넥터 핀(220)과 접속 단자(160)간의 전기적 연결의 신뢰성을 유지하면서 신호 무결성을 향상시킬 수 있다.
이하, 도 17 내지 도 20을 참조하여, 다른 몇몇 실시예에 따른 전자 장치에 대해 설명한다.
도 17은 메모리 커넥터의 접속 단자의 확대도이다. 도 18은 커넥터 핀과 접속 단자가 접속된 형태를 도시한 도면이다. 이하에서는 앞서 설명한 실시예와 동일한 구성에 대한 설명은 생략하고, 차이점을 위주로 설명한다.
도 17을 참조하면, 접속 단자(160a)는 제1 영역(161a) 및 제2 영역(162a)를 포함한다.
제1 영역(161a)은 절연체를 포함하는 절연 단자(IT)와, 절연 단자(IT)와 도전 단자(ET) 사이에 형성된 홈(HO)을 포함한다. 제2 영역(162a)은 도전체를 포함하는 도전 단자(ET)를 포함할 수 있다.
도전 단자(ET)의 도전체는 예를 들어, 코발트(Co), 텅스텐(W) 및/또는 구리(Cu)를 포함하는 금속일 수 있다.
절연 단자(IT)의 절연체는 예를 들어, 비금속 또는 폴리머 중 어느 하나일 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제1 영역(161a)의 길이(c)와 제2 영역(162a)의 길이(d)의 비가 예를 들어, 3:2 내지 4:1일 수 있다. 또한, 몇몇 실시예에서, 접속 단자(160a)의 전체 길이(c+d)와 제1 영역(161a)의 길이(c)의 비는 예를 들어, 0.64 내지 0.77일 수 있다.
도 18을 참조하면, 커넥터 핀(220)은 접속 단자(160a)와 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 커넥터 핀(220)이 접속 단자(160a)와 전기적으로 연결될 때, 도시된 것과 같이, 커넥터 핀(220)은 절연 단자(IT)와 공간적으로 분리되고, 도전 단자(ET)와 전기적으로 연결될 수 있다.
본 실시예에서도, 접속 단자(160a)의 제1 영역(161a)의 길이(c)와 제2 영역(162a)의 길이(d)의 비가 예를 들어, 3:2 내지 4:1이 되도록 함으로써, 커넥터 핀(220)과 접속 단자(160a)간의 전기적 신뢰성을 유지하면서 신호 무결성을 향상시킬 수 있다. 이에 관해서는 앞서 충분히 설명한 바 중복된 설명은 생략한다.
이하, 도 19 내지 도 21을 참조하여, 다른 몇몇 실시예에 따른 전자 장치에 대해 설명한다.
도 19는 호스트 커넥터의 커넥터 핀의 확대도이다. 도 20은 메모리 커넥터의 접속 단자의 확대도이다. 도 21은 커넥터 핀과 접속 단자가 접속된 형태를 도시한 도면이다.
도 19를 참조하면 커넥터 핀(220a)은 제1 도체부(220_1), 제2 도체부(220_2) 및 스터브(220_3)를 포함한다.
제1 도체부(220_1)는 도전체를 포함한다. 제2 도체부(220_2)는 도전체를 포함하고, 제1 도체부(220_1)로부터 접속 단자(160b)에 근접하는 방향으로 절곡된다. 스터브(220_3)는 제2 도체부(220_2)로부터 접속 단자(160b, 도 20 및 도 21에 도시됨)에서 멀어지는 방향으로 절곡되고, 절연체를 포함한다.
도전체는 예를 들어, 코발트(Co), 텅스텐(W) 및/또는 구리(Cu)를 포함하는 금속일 수 있다.
절연체는 예를 들어, 비금속 또는 폴리머 중 어느 하나일 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제2 도체부(220_2)와 스터브(220_3)는 소정의 접착물질을 이용하여 서로 접착될 수 있다. 또한, 몇몇 실시예에서, 제2 도체부(220_2)와 스터브(220_3)는 제2 도체부(220_2)와 스터브(220_3) 형상의 몰드에 도전체와 절연체를 주입하여 형성하는 다이 캐스팅 공법을 이용하여 일체로 형성될 수도 있다.
몇몇 실시예에서, 제1 도체부(220_1)의 길이와 제2 도체부(220_2)의 길이의 합(a)은 스터브(220_3)의 길이(b)보다 클 수 있다.
또한, 몇몇 실시예에서, 제1 도체부(220_1)의 길이와 제2 도체부(220_2)의 길이의 합(a)과 스터브(220_3)의 길이(b)의 비가 4:1일 수 있다.
도 20을 참조하면, 본 실시예에 따른 접속 단자(160b)는 앞서 설명한 실시예와 달리 절연체를 포함하는 영역이 없을 수 있다. 즉 본 실시예에 따른 접속 단자(160b)는 접속 단자(160b) 전체가 도전체를 포함할 수 있다. 도전체는 예를 들어, 코발트(Co), 텅스텐(W) 및/또는 구리(Cu)를 포함하는 금속일 수 있다.
도 21을 참조하면, 커넥터 핀(220a)은 접속 단자(160b)에 전기적으로 접속될 수 있다. 구체적으로, 커넥터 핀(220a)의 제2 도체부(220_2)는 접속 단자(160b)에 전기적으로 접속될 수 있다. 이를 통해, 제1 도체부(220_1)와 접속 단자(160b)도 전기적으로 접속될 수 있다.
본 실시예에서는, 앞서 설명한 것과 같이 제1 도체부(220_1)의 길이와 제2 도체부(220_2)의 길이의 합(a)과 스터브(220_3)의 길이(b)의 비가 4:1 이 되도록 함으로써, 접속 단자(160b)와 커넥터 핀(220a)의 전기적 연결의 신뢰성을 유지하면서 신호 무결성을 향상시킬 수 있다.
구체적으로, 제1 도체부(220_1)의 길이와 제2 도체부(220_2)의 길이의 합(a)과 스터브(220_3)의 길이(b)의 비가 4:1이 아닌 예를 들어, 3:2이라면, 커넥터 핀(220a)에서 스터브(220_3)가 차지하는 영역의 비율이 지나치게 커져서 자칫 커넥터 핀(220a)의 도전체가 접속 단자(160b)에 전기적으로 연결되지 않을 수 있다.
반대로, 제1 도체부(220_1)의 길이와 제2 도체부(220_2)의 길이의 합(a)과 스터브(220_3)의 길이(b)의 비가 4:1이 아닌 예를 들어, 5:1이라면, 커넥터 핀(220a)에서 스터브(220_3)가 차지하는 영역의 비율이 지나치게 작아져서 신호 무결성을 향상 효과가 저감될 수 있다.
이하, 도 22 및 도 23을 참조하여, 다른 몇몇 실시예에 따른 전자 장치에 대해 설명한다.
도 22는 호스트 커넥터의 커넥터 핀의 확대도이다. 도 23은 커넥터 핀과 접속 단자가 접속된 형태를 도시한 도면이다. 이하에서는 앞서 설명한 실시예와 동일한 구성에 대한 설명은 생략하고, 차이점을 위주로 설명한다.
도 22 및 도 23을 참조하면 커넥터 핀(220b)은 제1 도체부(220_1b), 제2 도체부(220_2b), 스터브(220_3b) 및 제3 도체부(220_4)를 포함한다.
제1 도체부(220_1b)는 도전체를 포함한다. 제2 도체부(220_2b)는 도전체를 포함하고, 제1 도체부(220_1b)로부터 접속 단자(160b)에 근접하는 방향으로 절곡된다. 스터브(220_3b)는 제2 도체부(220_2b)로부터 접속 단자(160b, 도 23에 도시됨)에서 멀어지는 방향으로 절곡되고, 절연체를 포함한다. 제3 도체부(220_4)는 스터브(220_3b)로부터 접속 단자(160b)에서 멀어지는 방향으로 절곡되고, 도전체를 포함한다.
도전체는 예를 들어, 코발트(Co), 텅스텐(W) 및/또는 구리(Cu)를 포함하는 금속일 수 있다.
절연체는 예를 들어, 비금속 또는 폴리머 중 어느 하나일 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제2 도체부(220_2b), 스터브(220_3b) 및 제3 도체부(220_4)는 소정의 접착물질을 이용하여 서로 접착될 수 있다. 또한, 몇몇 실시예에서, 제2 도체부(220_2b), 스터브(220_3b) 및 제3 도체부(220_4)는 제2 도체부(220_2b), 스터브(220_3b) 및 제3 도체부(220_4) 형상의 몰드에 도전체와 절연체를 주입하여 형성하는 다이 캐스팅 공법을 이용하여 일체로 형성될 수도 있다.
몇몇 실시예에서, 제1 도체부(220_1b)의 길이와 제2 도체부(220_2b)의 길이의 합(x)은 스터브(220_3b)의 길이와 제3 도체부(220_4) 길이의 합(y)보다 클 수 있다.
또한, 몇몇 실시예에서, 제1 도체부(220_1b)의 길이와 제2 도체부(220_2b)의 길이의 합(x)과, 스터브(220_3b)의 길이와 제3 도체부(220_4) 길이의 합(y)의 비가 4:1일 수 있다.
도 23을 참조하면, 앞서 설명한 것과 같이 제1 도체부(220_1b)의 길이와 제2 도체부(220_2b)의 길이의 합(x)과, 스터브(220_3b)의 길이와 제3 도체부(220_4) 길이의 합(y)의 비가 4:1이 되도록 함으로써, 접속 단자(160b)와 커넥터 핀(220b)의 전기적 연결의 신뢰성을 유지하면서 신호 무결성을 향상시킬 수 있다. 이에 관해서는 앞서 도 21을 참조하여 설명한 바, 중복된 설명은 생략한다.
이하, 도 24를 참조하여, 다른 몇몇 실시예에 따른 전자 장치에 대해 설명한다.
도 24는 커넥터 핀과 접속 단자가 접속된 형태를 도시한 도면이다. 이하에서는 앞서 설명한 실시예와 동일한 구성에 대한 설명은 생략하고, 차이점을 위주로 설명한다.
본 실시예에 따른 커넥터 핀(220a)은 접속 단자(160a)와 전기적으로 연결이 될 때, 절연 단자(IT)가 공간적으로 분리되고, 도전 단자(ET)와는 전기적으로 연결된다.
몇몇 실시예에서, 커넥터 핀(220a)의 제1 도체부(220_1)의 길이와 제2 도체부(220_2)의 길이의 합(a)과 스터브(220_3)의 길이(b)의 비가 4:1 이 되도록 함으로써, 접속 단자(160b)와 커넥터 핀(220a)의 전기적 연결의 신뢰성을 유지하면서 신호 무결성을 향상시킬 수 있다. 이에 대해서는 앞서 충분히 설명한 바 중복된 설명은 생략한다.
또한 몇몇 실시예에서, 접속 단자(160a)의 제1 영역(161a)의 길이(c)와 제2 영역(162a)의 길이(d)의 비가 예를 들어, 3:2 내지 4:1이 되도록 함으로써, 커넥터 핀(220a)과 접속 단자(160a)간의 전기적 신뢰성을 유지하면서 신호 무결성을 향상시킬 수 있다. 이에 대해서는 앞서 충분히 설명한 바 중복된 설명은 생략한다.
또한 몇몇 실시예에서, 접속 단자(160a)의 전체 길이(c+d)와 제1 영역(161a)의 길이(c)의 비는 예를 들어, 0.64 내지 0.77일 수 있다.
위에서 설명한 바와 같이 커넥터 핀(220a)의 제1 도체부(220_1) 길이와 제2 도체부(220_2)의 길이의 합(a)과 스터브(220_3) 길이의 합(b)이 4:1이고, 접속 단자(160a)의 제1 영역(161a)의 길이(c)와 제2 영역(162a) 길이(d)의 비가 3:2 내지 4:1이거나, 접속 단자(160a)의 전체 길이(c+d)에 대한 제1 영역(161a)의 길이(c)의 비가 0.64 내지 0.77인 경우 커넥터 핀(220a)과 접속 단자(160a)가 전기적 연결의 신뢰성을 유지하면서 신호 무결성을 향상 시킬 수 있다.
이하, 도 25를 참조하여, 다른 몇몇 실시예에 따른 전자 장치에 대해 설명한다.
도 25는 커넥터 핀과 접속 단자가 접속된 형태를 도시한 도면이다. 이하에서는 앞서 설명한 실시예와 동일한 구성에 대한 설명은 생략하고, 차이점을 위주로 설명한다.
커넥터 핀(220b)은 접속 단자(160a)와 전기적으로 연결이 될 때, 절연 단자(IT)가 공간적으로 분리되고, 도전 단자(ET)와는 전기적으로 연결된다.
몇몇 실시예에서, 커넥터 핀(220b)의 제1 도체부(220_1b)의 길이와 제2 도체부(220_2b)의 길이의 합(x)과 스터브(220_3b)의 길이와 제3 도체부(220_4)의 길이의 합(y)의 비가 4:1이 되도록 함으로써, 접속 단자(160a)와 커넥터 핀(220b)의 전기적 연결의 신뢰성을 유지하면서 신호 무결성을 향상시킬 수 있다.
위에서 설명한 바와 같이 커넥터 핀(220b)의 제1 도체부(220_1b)의 길이와 제2 도체부(220_2b)의 길이의 합(x)과 스터브(220_3b)의 길이와 제3 도체부(220_4)의 길이의 합(y)의 비가 4:1이고, 접속 단자(160a)의 제1 영역(161a)의 길이(c)와 제2 영역(162a) 길이(d)의 비가 3:2 내지 4:1이거나, 접속 단자(160a)의 전체 길이(c+d)에 대한 제1 영역(161a)의 길이(d)의 비가 0.64 내지 0.77인 경우 커넥터 핀(220b)과 접속 단자(160a)가 전기적 연결의 신뢰성을 유지하면서 신호 무결성을 향상시킬 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 메모리 장치 20: 호스트
110: 메모리 모듈 160, 160a, 160b: 접속 단자
161, 161a: 제1 영역 162, 162a: 제2 영역
MCN: 메모리 커넥터 200: 호스트 커넥터
COH: 커넥터홀 220: 커넥터 핀
220_1, 220_1b: 제1 도체부 220_2, 220_2b: 제2 도체부
220_3, 220_3b: 스터브 220_4: 제3 도체부

Claims (10)

  1. 메모리 장치의 접속 단자가 배치된 메모리 커넥터가 수용되는 커넥터홀; 및
    상기 커넥터홀 내에 배치되고 상기 메모리 커넥터의 상기 접속 단자와 전기적으로 연결되는 커넥터 핀을 포함하고,
    상기 커넥터 핀은,
    도전체를 포함하는 제1 도체부와,
    상기 도전체를 포함하고, 상기 메모리 커넥터가 상기 커넥터홀에 수용될 때 상기 제1 도체부로부터 상기 접속 단자에 근접하는 방향으로 절곡되는 제2 도체부; 및
    상기 메모리 커넥터가 상기 커넥터홀에 수용될 때 상기 제2 도체부로부터 상기 접속 단자에서 멀어지는 방향으로 절곡되고, 절연체를 포함하는 스터브를 포함하는 호스트 커넥터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 도체부의 길이와 상기 제2 도체부의 길이의 합은 상기 스터브의 길이보다 큰 호스트 커넥터.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 도체부의 길이와 상기 제2 도체부의 길이의 합과 상기 스터브의 길이의 비는 4:1인 호스트 커넥터.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 커넥터 핀은 상기 스터브로부터 상기 접속 단자에서 멀어지는 방향으로 절곡되고, 상기 도전체를 포함하는 제3 도체부를 더 포함하고,
    상기 제1 도체부의 길이와 제2 도체부의 길이의 합과, 상기 스터브의 길이와 상기 제3 도체부의 길이의 합의 비는 4:1인 호스트 커넥터.
  5. 모듈 보드와, 상기 모듈 보드의 일 측에 배치되고 접속 단자가 배치되어 호스트 커넥터와 전기적으로 연결되는 메모리 커넥터를 포함하는 메모리 모듈;
    상기 메모리 모듈의 상부에 배치된 제1 인클로저; 및
    상기 메모리 모듈의 하부에 배치된 제2 인클로저를 포함하고,
    상기 접속 단자는,
    절연체를 포함하는 제1 영역과,
    도전체를 포함하는 제2 영역을 포함하고,
    상기 메모리 커넥터가 상기 호스트 커넥터와 전기적으로 연결될 때 상기 제1 영역은 상기 제2 영역에 비해 상기 호스트 커넥터에 인접하는 메모리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 영역의 길이는 상기 제2 영역의 길이보다 크고,
    상기 제1 영역의 길이와 상기 제2 영역의 길이의 비는 3:2 내지 4:1인 메모리 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1 영역은, 상기 절연체를 포함하는 절연 단자를 포함하고,
    상기 제2 영역은, 상기 도전체를 포함하는 도전 단자를 포함하고,
    상기 제1 영역은, 상기 절연 단자와 상기 도전 단자 사이에 형성된 홈을 포함하는 메모리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 메모리 커넥터가 상기 호스트 커넥터와 전기적으로 연결될 때, 상기 호스트 커넥터의 커넥터 핀은 상기 절연 단자와 공간적으로 분리되고, 상기 도전 단자와 전기적으로 연결되는 메모리 장치.
  9. 커넥터 핀을 포함하는 호스트 커넥터; 및
    상기 호스트 커넥터의 상기 커넥터 핀에 전기적으로 연결되는 접속 단자를 포함하는 메모리 커넥터를 포함하되,
    상기 커넥터 핀은,
    도전체를 포함하는 제1 도체부와,
    상기 도전체를 포함하고, 상기 제1 도체부로부터 상기 접속 단자에 근접하는 방향으로 절곡되는 제2 도체부와,
    상기 제2 도체부로부터 상기 접속 단자에서 멀어지는 방향으로 절곡되고, 절연체를 포함하는 스터브를 포함하고,
    상기 접속 단자는,
    절연체를 포함하는 제1 영역과,
    도전체를 포함하는 제2 영역을 포함하고,
    상기 제2 도체부와 상기 제2 영역이 전기적으로 연결되어 상기 호스트 커넥터와 상기 메모리 커넥터가 전기적으로 연결되는 전자 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 접속 단자의 길이에 대한 상기 제1 영역의 길이의 비는 0.64 내지 0.77을 만족하는 전자 장치.
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