KR20220040382A - Substrate processing device and substrate processing method - Google Patents

Substrate processing device and substrate processing method Download PDF

Info

Publication number
KR20220040382A
KR20220040382A KR1020210116865A KR20210116865A KR20220040382A KR 20220040382 A KR20220040382 A KR 20220040382A KR 1020210116865 A KR1020210116865 A KR 1020210116865A KR 20210116865 A KR20210116865 A KR 20210116865A KR 20220040382 A KR20220040382 A KR 20220040382A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
substrates
unit
board
processing
Prior art date
Application number
KR1020210116865A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102517035B1 (en
Inventor
히로유키 나카타
Original Assignee
가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 filed Critical 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Publication of KR20220040382A publication Critical patent/KR20220040382A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102517035B1 publication Critical patent/KR102517035B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67225Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67754Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

An objective of the present invention is to provide technology capable of more properly collecting parameters. To achieve the objective, a substrate treatment apparatus includes a simultaneous treatment part, a carrying part, a first sensor and a control part. The simultaneous treatment part can collectively treat N (N is an integer no less than 2) substrates. The carrying part can collectively carry no more than N substrates to the simultaneous treatment part. The first sensor is installed on the simultaneous treatment part to measure a first parameter regarding a treatment by the simultaneous treatment part. The control part (60), when N substrates are carried from the carrying part into the simultaneous treatment part, memorizes first parameters, which are measured by the first sensor during the treatment of the simultaneous treatment part on the corresponding N substrates, by matching the first parameters with the corresponding N substrates, and also, when M (M is an integer no less than 1 and less than N) substrates are carried from the carrying part into the simultaneous treatment part, the control part memorizes first parameters, which are measured by the first sensor during the treatment of the simultaneous treatment part on the corresponding M substrates, by matching the first parameters with the corresponding M substrates.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

본원은, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present application relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

복수의 처리 장치를 갖는 코터/디벨로퍼 장치가 알려져 있다. 예를 들면, 특허문헌 1에 기재된 코터/디벨로퍼 장치에서는, 인덱서부에 재치(載置)된 카세트로부터 취출(取出)된 복수의 기판이 순차적으로, 세정 장치에 투입되고, 그 후, 탈수 베이크 장치, 레지스트 도포 장치, 프리베이크 장치, 노광 장치, 현상 장치, 및, 포스트베이크 장치를 순서대로 경유하여, 다시 카세트에 수용된다.Coater/developer devices having a plurality of processing devices are known. For example, in the coater/developer apparatus described in Patent Document 1, a plurality of substrates taken out from a cassette placed in the indexer unit are sequentially put into a cleaning apparatus, and then, a dewatering bake apparatus , the resist coating apparatus, the pre-bake apparatus, the exposure apparatus, the developing apparatus, and the post-baking apparatus are passed through in this order, and are accommodated in the cassette again.

이 코터/디벨로퍼 장치에는, 다음의 2개의 타입의 처리 장치가 혼재한다. 즉, 순차 처리 장치와 동시 처리 장치가 혼재한다. 순차 처리 장치는 기판을 순차적으로 일방향으로 반송하여 기판에 대해 1장씩 처리를 행한다. 이 순차 처리 장치로서는, 세정 장치 및 현상 장치가 예시된다. 동시 처리 장치에는 복수 장의 기판이 일괄적으로 반입된다. 동시 처리 장치는, 복수 장의 기판에 대해 일괄적으로 처리를 행한다. 이 동시 처리 장치로서는, 예를 들면 탈수 베이크 장치가 예시된다. 이 탈수 베이크 장치에서는 복수의 처리부로서 가열부 및 냉각부가 설치된다.In this coater/developer apparatus, the following two types of processing apparatuses are mixed. That is, sequential processing units and simultaneous processing units are mixed. The sequential processing apparatus sequentially transports the substrates in one direction to process the substrates one by one. As this sequential processing apparatus, a washing|cleaning apparatus and a developing apparatus are illustrated. A plurality of substrates are collectively loaded into the simultaneous processing apparatus. A simultaneous processing apparatus performs a process with respect to a plurality of board|substrates collectively. As this simultaneous processing apparatus, a dehydration baking apparatus is illustrated, for example. In this dehydration baking apparatus, a heating unit and a cooling unit are provided as a plurality of processing units.

일본국 특허공개 2020-17604호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2020-17604

기판 처리 장치에 있어서의 처리가 적절히 행해지고 있는지 여부를 확인하기 위해, 순차 처리 장치 및 동시 처리 장치 각각에는, 처리에 관한 파라미터를 측정하는 센서가 설치될 수 있다. 예를 들면, 탈수 베이크 장치에서는, 당해 파라미터로서, 기판의 온도를 측정하는 온도 센서가 설치될 수 있다.In order to confirm whether the processing in the substrate processing apparatus is properly performed, a sensor for measuring a parameter related to processing may be provided in each of the sequential processing apparatus and the simultaneous processing apparatus. For example, in the dehydration baking apparatus, a temperature sensor for measuring the temperature of the substrate may be provided as the parameter.

기판 처리 장치는, 각 센서에 의해 측정된 파라미터를 기판에 대응지어서 수집할 수 있다. 바꾸어 말하면, 기판 처리 장치는, 파라미터를 기판마다 수집해도 된다. 기판 처리 장치가 각 기판에 대한 처리의 파라미터를 조작자에게 알림으로써, 조작자는 각 기판에 대한 처리의 파라미터를 확인할 수 있다.The substrate processing apparatus may collect parameters measured by each sensor in correspondence with the substrate. In other words, the substrate processing apparatus may collect parameters for each substrate. When the substrate processing apparatus notifies the operator of the parameters of the processing for each substrate, the operator can confirm the parameters of the processing for each substrate.

그러나, 반드시 파라미터를 기판마다 수집하는 것이 최적이라고는 한정하지 않는다. 예를 들면, 측정한 파라미터를 각 기판에 개별적으로 대응지어서 수집하면, 수집 데이터의 데이터량이 커진다.However, it is not necessarily limited to collecting parameters from substrate to substrate as optimal. For example, when measured parameters are individually matched to each substrate and collected, the amount of data collected increases.

그래서, 본원은, 보다 적절하게 파라미터를 수집할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, an object of the present application is to provide a technique capable of collecting parameters more appropriately.

기판 처리 장치의 제1 양태는, N(N은 2 이상의 정수)장의 기판을 일괄적으로 처리 가능한 동시 처리부와, 상기 동시 처리부에 N장 이하의 기판을 일괄적으로 반송하는 반송부와, 상기 동시 처리부에 설치되어, 상기 동시 처리부에 의한 처리에 관한 제1 파라미터를 측정하는 제1 센서와, 상기 동시 처리부에 상기 반송부로부터 N장의 기판이 반입된 경우, 당해 N장의 기판에 대한 상기 동시 처리부의 처리 중에 상기 제1 센서에 의해 측정된 상기 제1 파라미터를, 당해 N장의 기판에 대응지어서 기억하고, 상기 동시 처리부에 상기 반송부로부터 M(M은 1 이상 N 미만의 정수)장의 기판이 반입된 경우, 당해 M장의 기판에 대한 상기 동시 처리부의 처리 중에 상기 제1 센서에 의해 측정된 상기 제1 파라미터를, 당해 M장의 기판에 대응지어서 기억하는 제어부를 구비한다.A first aspect of the substrate processing apparatus includes: a simultaneous processing unit capable of collectively processing N (N is an integer of 2 or more) substrates; a conveying unit configured to collectively convey N or less substrates to the simultaneous processing unit; a first sensor installed in the processing unit for measuring a first parameter related to processing by the simultaneous processing unit; During processing, the first parameter measured by the first sensor is stored in correspondence with the N substrates, and M (M is an integer greater than or equal to N) substrates loaded from the transfer unit into the simultaneous processing unit. case, the control unit for storing the first parameter measured by the first sensor during processing of the simultaneous processing unit for the M substrates in association with the M substrates.

기판 처리 장치의 제2 양태는, 제1 양태에 따른 기판 처리 장치로서, N장의 기판을 일괄적으로 반입 가능한 기판 도입부를 포함하고, 상기 기판 도입부로부터 당해 기판을 순차적으로 반송하면서, 당해 기판에 대해 순차적으로 처리를 행하는 순차 처리부와, 상기 순차 처리부에 설치되어, 상기 순차 처리부에 의한 처리에 관한 제2 파라미터를 측정하는 제2 센서를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 순차 처리부의 처리 중에 상기 제2 센서에 의해 검출된 상기 제2 파라미터를, 당해 기판에 개별적으로 대응지어서 기억한다.A second aspect of the substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to the first aspect, comprising a substrate introduction unit capable of collectively loading N substrates, while sequentially transferring the substrates from the substrate introduction unit to the substrates a sequential processing unit for sequentially processing; and a second sensor installed in the sequential processing unit to measure a second parameter related to processing by the sequential processing unit, wherein the control unit includes: The second parameter detected by the sensor is stored individually in association with the substrate.

기판 처리 방법은, N(N은 2 이상의 정수)장의 기판을 일괄적으로 동시 처리부에 반입하는 공정과, 상기 동시 처리부가 당해 N장의 기판에 대해 일괄적으로 처리를 행하는 공정과, 당해 N장의 기판에 대한 상기 동시 처리부의 처리 중에, 상기 동시 처리부에 의한 처리에 관한 제1 파라미터를 제1 센서에 의해 측정하는 공정과, 상기 동시 처리부로부터 당해 N장의 기판을 취출하는 공정과, M(M은 1 이상 N 미만의 정수)장의 기판을 일괄적으로 상기 동시 처리부에 반입하는 공정과, 상기 동시 처리부가 당해 M장의 기판에 대해 일괄적으로 처리를 행하는 공정과, 당해 M장의 기판에 대한 상기 동시 처리부의 처리 중에 상기 제1 파라미터를 상기 제1 센서에 의해 측정하는 공정과, 상기 동시 처리부로부터 당해 M장의 기판을 취출하는 공정과, 당해 N장의 기판에 대한 상기 동시 처리부의 처리 중에 상기 제1 센서에 의해 측정된 상기 제1 파라미터를, 당해 N장의 기판에 대응지어서 기억하고, 당해 M장의 기판에 대한 상기 동시 처리부의 처리 중에 상기 제1 센서에 의해 측정된 상기 제1 파라미터를, 당해 M장의 기판에 대응지어서 기억하는 공정을 구비한다.The substrate processing method includes a step of collectively loading N (N is an integer of 2 or more) substrates into a simultaneous processing unit, a step of collectively processing the N substrates by the simultaneous processing unit, and the N substrates During the processing of the simultaneous processing unit for an integer less than or equal to N) a step of collectively loading the M substrates into the simultaneous processing unit; a step of collectively processing the M substrates by the simultaneous processing unit; Measuring the first parameter by the first sensor during processing; taking out the M substrates from the simultaneous processing unit; The measured first parameter is stored in association with the N boards, and the first parameter measured by the first sensor during processing of the M boards for the simultaneous processing unit corresponds to the M boards. Build and memorize the process.

기판 처리 장치의 제1 양태 및 기판 처리 방법에 의하면, 동시 처리부는 N장의 기판을 일괄적으로 처리 가능하다. 동시 처리부가 복수의 기판을 일괄적으로 처리하는 경우, 상이한 처리 타이밍에 기판이 처리되는 경우에 비해, 제1 파라미터의 기판간의 불균일은 작고, 예를 들면 거의 같다.According to the 1st aspect of a substrate processing apparatus, and the substrate processing method, a simultaneous processing part can process N board|substrates collectively. When the simultaneous processing unit processes a plurality of substrates in batches, the non-uniformity between the substrates of the first parameter is small, for example, almost the same as compared to the case where the substrates are processed at different processing timings.

동시 처리부에 N장의 기판이 반입되면, 제1 파라미터가 N장의 기판에 대응지어서 기억되고, 동시 처리부에 M장의 기판이 반입되면, 제1 파라미터가 M장의 기판에 대응지어서 기억된다. 즉, 제1 파라미터는 각 기판에 개별적으로 대응지어지지 않고, 동시 처리부에 반입된 기판의 그룹에 대해 대응지어져 기억된다. 이에 의하면, 기판의 장수의 변동에 대응할 수 있으면서도, 제1 파라미터를 각 기판에 개별적으로 대응지어서 기억하는 경우에 비해, 보다 적은 데이터량으로 적절하게 제1 파라미터를 수집할 수 있다.When N substrates are loaded into the simultaneous processing unit, the first parameter is stored in correspondence with the N substrates, and when M substrates are loaded into the simultaneous processing unit, the first parameter is stored in correspondence with the M substrates. That is, the first parameter is stored in association with a group of substrates loaded into the simultaneous processing unit without being individually associated with each substrate. According to this configuration, while it is possible to respond to variations in the number of substrates, it is possible to appropriately collect the first parameters with a smaller amount of data compared to the case where the first parameters are individually associated with each substrate and stored.

기판 처리 장치의 제2 양태에 의하면, 순차 처리부에 있어서는 기판이 순차적으로 반송되면서 기판에 대해 순차적으로 처리가 행해진다. 따라서, 기판에는, 서로 상이한 타이밍에 처리가 행해진다. 따라서, 제2 파라미터의 기판간의 불균일은 비교적 크다. 이러한 제2 파라미터는 기판에 개별적으로 대응지어서 기억되므로, 기판간의 불균일 정보를 소실하지 않고, 제2 파라미터를 수집할 수 있다.According to the second aspect of the substrate processing apparatus, in the sequential processing unit, the substrates are sequentially processed while the substrates are sequentially conveyed. Accordingly, the substrate is processed at different timings. Therefore, the non-uniformity between the substrates of the second parameter is relatively large. Since the second parameter is stored individually in correspondence with the substrate, the second parameter can be collected without losing information on non-uniformity between the substrates.

도 1은, 기판 처리 장치의 구성의 일례를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는, 순차 처리 장치의 구성의 일례를 개략적으로 나타내는 측면도이다.
도 3은, 동시 처리 장치의 구성의 일례를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 4는, 제어부의 구성의 일례를 개략적으로 나타내는 기능 블록도이다.
도 5는, 순차 수집 데이터의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 6은, 순차 수집 데이터의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 7은, 동시 수집 데이터의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 8은, 카세트에 있어서 복수의 기판이 수용되는 양태를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 9는, 카세트에 있어서 복수의 기판이 수용되는 양태를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 10은, 동시 처리 장치의 구성의 일례를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 11은, 동시 수집 데이터의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 12는, 동시 수집 데이터의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 13은, 동시 처리 장치의 동작의 일례를 나타내는 플로차트이다.
1 is a plan view schematically showing an example of a configuration of a substrate processing apparatus.
2 is a side view schematically showing an example of the configuration of a sequential processing apparatus.
3 is a plan view schematically showing an example of a configuration of a simultaneous processing apparatus.
4 is a functional block diagram schematically showing an example of a configuration of a control unit.
5 is a diagram schematically illustrating an example of sequentially collected data.
6 is a diagram schematically illustrating an example of sequentially collected data.
7 : is a figure which shows typically an example of simultaneous collection data.
8 : is a figure which shows typically the aspect in which a some board|substrate is accommodated in a cassette.
9 is a diagram schematically showing a mode in which a plurality of substrates are accommodated in a cassette.
10 is a plan view schematically showing an example of the configuration of a simultaneous processing apparatus.
11 : is a figure which shows typically an example of simultaneous collection data.
12 : is a figure which shows typically an example of simultaneous collection data.
13 is a flowchart showing an example of the operation of the simultaneous processing device.

이하, 첨부되는 도면을 참조하면서 실시 형태에 대해서 설명한다. 또한, 도면은 개략적으로 나타나는 것이며, 설명의 편의를 위해, 적절히, 구성의 생략 및 구성의 간략화가 이루어지는 것이다. 또, 도면에 나타나는 구성의 크기 및 위치의 상호 관계는, 반드시 정확하게 기재되는 것이 아니라, 적절히 변경될 수 있는 것이다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment is described, referring an accompanying drawing. In addition, the drawings are shown schematically, and for the convenience of description, the configuration is appropriately omitted and the configuration is simplified. In addition, the mutual relationship of the magnitude|size and position of the structure shown in a figure is not necessarily described precisely, and can be changed suitably.

또, 이하에 나타나는 설명에서는, 동일한 구성 요소에는 같은 부호를 붙여 도시하고, 그들의 명칭과 기능에 대해서도 동일한 것으로 한다. 따라서, 그들에 대한 상세한 설명을, 중복을 피하기 위해 생략하는 경우가 있다.In addition, in the description shown below, the same code|symbol is attached|subjected to the same component, and it shows and assumes the same thing also about those names and functions. Accordingly, detailed descriptions thereof are sometimes omitted in order to avoid duplication.

또, 이하에 기재되는 설명에 있어서, 「제1」 또는 「제2」 등의 서수가 이용되는 경우가 있어도, 이들 용어는, 실시 형태의 내용을 이해하는 것을 용이하게 하기 위해 편의상 이용되는 것이며, 이들 서수에 의해 발생할 수 있는 순서 등에 한정되는 것은 아니다.In addition, in the description described below, even if an ordinal number such as "first" or "second" is used in some cases, these terms are used for convenience in order to facilitate understanding of the contents of the embodiment, It is not limited to the order that can occur by these ordinal numbers.

상대적 또는 절대적인 위치 관계를 나타내는 표현(예를 들면 「일방향으로」 「일방향을 따라」 「평행」 「직교」 「중심」 「동심」 「동축」 등)은, 특별히 언급하지 않는 한, 그 위치 관계를 엄밀하게 나타낼 뿐만 아니라, 공차 혹은 동일 정도의 기능이 얻어지는 범위에서 상대적으로 각도 또는 거리에 관하여 변위된 상태도 나타내는 것으로 한다. 같은 상태인 것을 나타내는 표현(예를 들면 「동일」 「같다」 「균질」 등)은, 특별히 언급하지 않는 한, 정량적으로 엄밀하게 같은 상태를 나타낼 뿐만 아니라, 공차 혹은 동일 정도의 기능이 얻어지는 차가 존재하는 상태도 나타내는 것으로 한다. 형상을 나타내는 표현(예를 들면, 「사각형상」또는 「원통형상」 등)은, 특별히 언급하지 않는 한, 기하학적으로 엄밀하게 그 형상을 나타낼 뿐만 아니라, 동일 정도의 효과가 얻어지는 범위에서, 예를 들면 요철이나 모따기 등을 갖는 형상도 나타내는 것으로 한다. 하나의 구성 요소를 「비치하다」 「갖추다」 「구비하다」 「포함하다」 또는 「갖는다」라는 표현은, 다른 구성 요소의 존재를 제외하는 배타적 표현이 아니다. 「A, B 및 C 중 적어도 어느 하나」라는 표현은, A만, B만, C만, A, B 및 C 중 임의의 2개, 그리고, A, B 및 C 전부를 포함한다.Expressions indicating a relative or absolute positional relationship (for example, "in one direction", "along one direction", "parallel", "orthogonal", "center", "concentric", "coaxial", etc.) In addition to being strictly expressed, the state displaced with respect to an angle or a distance is also indicated relative to a tolerance or a range in which the same degree of function is obtained. Expressions indicating that they are in the same state (e.g., "same", "same", "homogeneous", etc.), unless otherwise specified, not only express the same quantitatively and strictly, but also have tolerances or differences in which functions of the same degree are obtained. It shall also indicate the state of Expressions representing shapes (for example, “square shape” or “cylindrical shape”), unless otherwise specified, not only represent the shape strictly geometrically, but also within the range where the same degree of effect is obtained. For example, it is assumed that a shape having irregularities, chamfers, or the like is also indicated. The expressions “to have”, “to have”, “to have”, “to include” or “to have” one component are not exclusive expressions that exclude the presence of other components. The expression "at least any one of A, B and C" includes only A, only B, only C, any two of A, B and C, and all of A, B and C.

<1. 기판 처리 장치의 전체 구성·전체 동작> <1. Overall configuration and overall operation of substrate processing apparatus>

도 1은, 기판 처리 장치(1)의 구성의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 1의 예에서는, 기판 처리 장치(1)는 코터/디벨로퍼 장치이며, 주로, 세정 장치(12), 탈수 베이크 장치(13), 도포 관련 장치(14), 프리베이크 장치(15), 현상 장치(17) 및 포스트베이크 장치(18)의 각 처리 장치를 구비한다. 또, 기판 처리 장치(1)의 일방측에는, 기판 처리 장치(1)에 대해 기판을 반입, 반출하는 인덱서부(11)가 배치된다. 또한 기판 처리 장치(1)의 타방측에 도시하지 않은 인터페이스부를 개재하여 노광 장치(16)가 배치된다.1 is a diagram schematically showing an example of the configuration of the substrate processing apparatus 1 . In the example of FIG. 1 , the substrate processing apparatus 1 is a coater/developer apparatus, mainly a cleaning apparatus 12 , a dehydration baking apparatus 13 , a coating-related apparatus 14 , a prebaking apparatus 15 , and a developing apparatus (17) and each processing apparatus of the post-baking apparatus 18 are provided. Moreover, on one side of the substrate processing apparatus 1, the indexer part 11 which carries in and carries out a board|substrate with respect to the substrate processing apparatus 1 is arrange|positioned. Moreover, the exposure apparatus 16 is arrange|positioned through the interface part not shown in the other side of the substrate processing apparatus 1 .

인덱서부(11)로부터 노광 장치(16)까지의 진행 라인에는, 세정 장치(12), 탈수 베이크 장치(13), 도포 관련 장치(14) 및 프리베이크 장치(15)가 이 순서로 배치된다. 노광 장치(16)로부터 인덱서부(11)까지의 복귀 라인에는, 현상 장치(17) 및 포스트베이크 장치(18)가 이 순서로 배치된다.On the advancing line from the indexer unit 11 to the exposure apparatus 16 , the cleaning apparatus 12 , the dehydration baking apparatus 13 , the application-related apparatus 14 , and the prebaking apparatus 15 are arranged in this order. On the return line from the exposure apparatus 16 to the indexer unit 11, the developing apparatus 17 and the post-baking apparatus 18 are arranged in this order.

인덱서부(11)에는 복수의 기판을 수납하는 복수의 카세트(도시 생략)가 재치된다. 기판은, 예를 들면 액정 표시 장치에 이용되는 직사각형상의 유리 기판이다. 인덱서부(11)에는, 기판을 반송하는 반송부의 일례인 인덱서 로봇(도시 생략)이 배치되어 있다. 인덱서 로봇은 카세트로부터 기판을 취출하고, 이 기판을 세정 장치(12)로 반송한다. 세정 장치(12)에 있어서는, 기판에 세정 처리가 행해진다. 세정 처리가 행해진 기판은, 탈수 베이크 장치(13)에 반송된다. 탈수 베이크 장치(13)에 있어서는, 가열에 의해 탈수 처리(탈수 베이크 처리)가 행해진다. 탈수 베이크 처리가 행해진 기판은, 도포 관련 장치(14)에 반송되어, 레지스트의 도포 처리를 포함하는 각종 처리가 행해진다. 이 처리가 행해진 기판은, 프리베이크 장치(15)에 반송되어, 가열 처리가 행해진다. 가열 처리가 행해진 기판은, 노광 장치(16)에 반송되어, 노광 처리가 행해진다.A plurality of cassettes (not shown) for accommodating a plurality of substrates are mounted on the indexer unit 11 . A board|substrate is a rectangular glass substrate used for a liquid crystal display device, for example. In the indexer unit 11 , an indexer robot (not shown) which is an example of a conveyance unit for conveying a substrate is disposed. The indexer robot takes out the substrate from the cassette and transfers the substrate to the cleaning device 12 . In the cleaning apparatus 12, a cleaning process is performed on the substrate. The substrate to which the washing process has been performed is conveyed to the dehydration baking apparatus 13 . In the dehydration baking apparatus 13, a dehydration process (dehydration baking process) is performed by heating. The board|substrate which has been subjected to the dehydration baking process is conveyed to the coating-related apparatus 14, and various processes including a resist coating process are performed. The board|substrate on which this process was performed is conveyed to the prebaking apparatus 15, and heat processing is performed. The substrate to which the heat treatment has been performed is conveyed to the exposure apparatus 16 and subjected to exposure treatment.

이들 처리가 행해진 기판은, 현상 장치(17)에 반송되어, 현상 처리가 행해진다. 현상 처리가 행해진 기판은, 포스트베이크 장치(18)에 반송되어, 가열 처리가 행해진다. 그 후, 당해 기판은, 인덱서 로봇에 의해 인덱서부(11)에 재치되는 카세트에 수용된다. 이들 일련의 처리에 의해, 기판의 표면에는 레지스트의 패턴이 형성된다.The substrate on which these processes have been performed is conveyed to the developing apparatus 17 and developed. The board|substrate on which the developing process was performed is conveyed to the post-baking apparatus 18, and heat processing is performed. Thereafter, the substrate is accommodated in a cassette placed on the indexer unit 11 by the indexer robot. By these series of treatments, a resist pattern is formed on the surface of the substrate.

이하에서는 제1 처리가 제2 처리에 앞서 행해질 때, 제1 처리를 행하는 장치는 제2 처리를 행하는 장치의 「상류」에 있다고 설명되고, 제2 처리를 행하는 장치는 제1 처리를 행하는 장치의 「하류」에 있다고 설명된다. 인덱서부(11)는 세정 장치(12)에 대해 상류에 있으며, 또한 포스트베이크 장치(18)에 대해 하류에 있다. 「상류」 「하류」라고 하는 용어는 장치나 당해 장치를 구성하는 제(諸) 요소에 대해서 뿐만 아니라, 반송되는 기판의 위치 관계를 설명하는 경우에도 채용된다.Hereinafter, when the first processing is performed prior to the second processing, it is explained that the apparatus performing the first processing is "upstream" of the apparatus performing the second processing, and the apparatus performing the second processing is that of the apparatus performing the first processing. It is described as being “downstream”. The indexer section 11 is upstream to the cleaning device 12 and downstream to the post-bake device 18 . The terms "upstream" and "downstream" are employed not only for an apparatus or elements constituting the apparatus, but also when describing a positional relationship of a substrate to be conveyed.

<2. 처리 장치의 타입> <2. Type of processing device>

이 기판 처리 장치(1)에서는, 처리 장치의 타입으로서 다음의 2개의 타입의 처리 장치가 혼재하고 있다. 즉, 기판을 순차적으로 일방향으로 반송하면서 당해 기판에 대해 1장씩 처리를 행하는 순차 처리 장치(평류 처리 장치)와, N(2 이상의 정수)장의 기판에 대해 일괄적으로 동시에 처리 가능한 동시 처리 장치가 혼재한다. 또한 동시 처리 장치에 의한 N장의 기판의 처리 기간은 완전히 일치할 필요는 없고, 각 처리 기간의 적어도 일부가 겹치면 된다. 요컨데, 여기서 말하는 동시란, 각 처리 기간이 전혀 겹치지 않는 상태와 대비된 의미로 이용된다. 순차 처리 장치로서는, 세정 장치(12) 및 현상 장치(17)가 예시되고, 동시 처리 장치로서는, 탈수 베이크 장치(13), 도포 관련 장치(14), 프리베이크 장치(15) 및 포스트베이크 장치(18)가 예시된다.In this substrate processing apparatus 1, the following two types of processing apparatuses are mixed as a type of processing apparatus. That is, a sequential processing apparatus (a parallel flow processing apparatus) that processes each substrate one by one while sequentially transporting the substrates in one direction, and a simultaneous processing apparatus capable of simultaneously processing N (an integer greater than or equal to 2) substrates simultaneously do. In addition, the processing period of N board|substrates by a simultaneous processing apparatus does not need to coincide completely, and at least a part of each processing period may overlap. In short, the term "simultaneous" used herein is used in contrast to the state in which the respective processing periods do not overlap at all. A washing apparatus 12 and a developing apparatus 17 are exemplified as the sequential processing apparatus, and as the simultaneous processing apparatus, a dehydration baking apparatus 13, a coating-related apparatus 14, a pre-baking apparatus 15 and a post-baking apparatus ( 18) is exemplified.

순차 처리 장치는 기판 처리 장치(1)의 일부분인 순차 처리부라고 볼 수 있다. 동시 처리 장치는 기판 처리 장치(1)의 일부분인 동시 처리부라고 볼 수 있다.The sequential processing apparatus may be regarded as a sequential processing unit that is a part of the substrate processing apparatus 1 . The simultaneous processing apparatus may be regarded as a simultaneous processing unit which is a part of the substrate processing apparatus 1 .

<2-1. 순차 처리 장치> <2-1. Sequential processing unit>

도 2는, 순차 처리 장치(30)의 구성의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다. 순차 처리 장치(30)는 처리 장치 본체(32)와, 기판 도출부(33)를 구비하고 있으며, 순차 처리 장치(30)의 바로 앞에는, 기판 도입부(수용부)(31)가 설치되어 있다. 기판 도입부(31)는 상류의 장치로부터 반송되는 복수(N장)의 기판(W)을 일괄적으로 수용한다. 처리 장치 본체(32)는 기판 도입부(31)로부터 반송되는 복수의 기판(W)을 1장씩 순차적으로 수취하고, 이 기판(W)을 일방향(반송 방향: 도 2에 있어서는 좌측에서 우측을 향하는 방향)을 따라 반송시키면서, 기판(W)에 대해 각종 처리를 행한다. 처리 후의 기판(W)은 처리 장치 본체(32)로부터 기판 도출부(33)로 반송된다. 기판 도출부(33)는 처리 장치 본체(32)로부터 반송된 복수의 기판(W)을 순차적으로 수취한다. 기판 도출부(33)는 순차적으로 수취한 기판(W)을 복수(N장) 유지할 수 있다. 복수의 기판(W)은 기판 도출부(33)로부터 일괄적으로 취출되어, 하류의 장치로 반송된다. 또한 기판 도입부(31)는 순차 처리 장치(30)에 포함되어 있다고 간주해도 상관없다. 기판 도입부(31)는 순차 처리 장치(30)의 입구부로서 기능할 수 있고, 기판 도출부(33)는 순차 처리 장치(30)의 출구부로서 기능할 수 있다. 이하에서는 N=2인 경우가 예시된다.2 is a diagram schematically showing an example of the configuration of the sequential processing device 30 . The sequential processing apparatus 30 includes a processing apparatus main body 32 and a substrate lead-out part 33 , and a substrate introduction part (accommodating part) 31 is provided in front of the sequential processing apparatus 30 . The board|substrate introduction part 31 collectively accommodates the several (N sheets) board|substrate W conveyed from an upstream apparatus. The processing apparatus main body 32 sequentially receives a plurality of substrates W conveyed from the substrate introduction unit 31 one by one, and transfers the substrates W in one direction (transfer direction: from left to right in FIG. 2 ). ), various processes are performed with respect to the board|substrate W, conveying along. The processed substrate W is transferred from the processing apparatus main body 32 to the substrate lead-out unit 33 . The substrate lead-out unit 33 sequentially receives the plurality of substrates W conveyed from the processing apparatus main body 32 . The substrate lead-out unit 33 can hold a plurality (N sheets) of the sequentially received substrates W. The plurality of substrates W are collectively taken out from the substrate lead-out unit 33 and conveyed to a downstream apparatus. In addition, you may consider that the board|substrate introduction part 31 is included in the sequential processing apparatus 30. As shown in FIG. The substrate introduction part 31 may function as an inlet part of the sequential processing apparatus 30 , and the substrate lead-out part 33 may function as an exit part of the sequential processing apparatus 30 . Hereinafter, the case of N=2 is exemplified.

<2-1-1. 기판 도입부(31)> <2-1-1. Substrate introduction part 31>

기판 도입부(31)는 반송 기구로서의 복수의 롤러(311) 및 복수의 롤러(313)와, 센서(314, 315)를 갖고 있다. 롤러(311, 313)의 단면은 원 형상을 갖고 있으며, 롤러(311, 313)는, 그 중심축이 기판(W)의 반송 방향에 대략 수직 또한 대략 수평이 되도록 설치된다. 여기서 말하는 반송 방향이란, 순차 처리 장치(30)에 있어서의 기판(W)의 반송 방향이다. 복수의 롤러(311)는 반송 방향을 따라 간격을 두고 나란히 설치된다. 각 롤러(311)는 자신의 중심축을 회전축으로 하여 회전할 수 있다. 각 롤러(311)의 중심축에 있어서의 양단은, 각각 지지판(도시하지 않음)에 회전 가능하게 고정된다. 이 한 쌍의 지지판은 반송 방향을 따라 연장되는 판상 부재이며, 바닥면에 설치된 소정의 가대(架臺)(312)에 고정된다. 복수의 롤러(313)는 반송 방향을 따라 간격을 두고 나란히 설치된다. 롤러(313)는 롤러(311)보다 하류측에 위치하고 있으며, 롤러(311)와 같은 높이에 설치되어 있다. 각 롤러(313)는 자신의 중심축을 회전축으로 하여 회전할 수 있다. 각 롤러(313)의 중심축에 있어서의 양단은, 각각 지지판에 회전 가능하게 고정된다.The substrate introduction unit 31 includes a plurality of rollers 311 and a plurality of rollers 313 as a conveying mechanism, and sensors 314 and 315 . The cross-sections of the rollers 311 and 313 have a circular shape, and the rollers 311 and 313 are provided so that the central axis thereof is substantially perpendicular and substantially horizontal to the conveyance direction of the substrate W. As shown in FIG. The conveyance direction here is a conveyance direction of the board|substrate W in the processing apparatus 30 sequentially. The plurality of rollers 311 are installed side by side at intervals along the conveying direction. Each roller 311 may rotate with its central axis as a rotation axis. Both ends in the central axis of each roller 311 are rotatably fixed to a support plate (not shown), respectively. This pair of support plates is a plate-shaped member extending along a conveyance direction, and is fixed to the predetermined mount 312 provided in the floor surface. The plurality of rollers 313 are installed side by side at intervals along the conveying direction. The roller 313 is located on the downstream side of the roller 311, and is provided at the same height as the roller 311. Each roller 313 may rotate with its central axis as a rotation axis. Both ends in the central axis of each roller 313 are rotatably fixed to a support plate, respectively.

복수의 롤러(311)는 구동부(도시하지 않음)에 의해 구동되어, 미리 정해진 같은 방향으로 대략 같은 회전 속도로 회전(동기 회전)한다. 구동부는 모터를 갖고 있다. 복수의 롤러(311) 상에는, 기판(W)이 재치된다. 기판(W)은 그 주면(主面)의 법선 방향이 연직 방향(도 2에 있어서는 상하 방향)을 따르도록 재치된다. 이 상태에서, 복수의 롤러(311)가 같은 방향으로 동기 회전함으로써, 기판(W)은 롤러(311) 상을 반송 방향을 따라 처리 장치 본체(32)로 이동한다. 복수의 롤러(313)도 구동부(도시하지 않음)에 의해 구동되어 동기 회전한다. 롤러(311, 313)는 서로 상이한 구동부에 의해 구동되기 때문에, 서로 독립적으로 제어된다.The plurality of rollers 311 are driven by a driving unit (not shown) to rotate (synchronously rotate) in the same predetermined direction and at approximately the same rotational speed. The drive unit has a motor. On the some rollers 311, the board|substrate W is mounted. The board|substrate W is mounted so that the normal line direction of the main surface may follow a vertical direction (up-and-down direction in FIG. 2). In this state, as the plurality of rollers 311 synchronously rotate in the same direction, the substrate W moves on the roller 311 to the processing apparatus main body 32 along the conveyance direction. The plurality of rollers 313 are also driven by a driving unit (not shown) to synchronously rotate. Since the rollers 311 and 313 are driven by different driving units, they are controlled independently of each other.

롤러(311, 313) 상에는, 1장씩 기판(W)이 재치된다. 예를 들면 인덱서부(11)로부터 2장의 기판(W)이 롤러(311, 313) 상에 재치되어도 된다. 이 상태에서 롤러(313)만이 동기 회전함으로써, 롤러(313) 상의 기판(W)을 처리 장치 본체(32)로 반송할 수 있다. 다음에 롤러(311, 313) 양쪽이 동기 회전함으로써, 롤러(313) 상의 기판(W)을 처리 장치 본체(32)로 반송할 수 있다.On the rollers 311 and 313, the board|substrate W is mounted one by one. For example, from the indexer part 11, the board|substrate W of 2 sheets may be mounted on the rollers 311, 313. When only the roller 313 synchronously rotates in this state, the board|substrate W on the roller 313 can be conveyed to the processing apparatus main body 32. As shown in FIG. Next, when both of the rollers 311 and 313 rotate synchronously, the board|substrate W on the roller 313 can be conveyed to the processing apparatus main body 32. As shown in FIG.

센서(314)는 롤러(311) 상의 정지 위치에 기판(W)이 존재하고 있는지 여부를 검출한다. 센서(315)는 롤러(313) 상의 정지 위치에 기판(W)이 존재하고 있는지 여부를 검출한다. 센서(314, 315)는 예를 들면 광학식 센서로서, 기판(W)으로부터의 반사광을 수광했을 때에, 기판(W)을 검출한다. 센서(314, 315)의 검출 결과는 제어부(60)로 출력된다.The sensor 314 detects whether the substrate W is present at the stop position on the roller 311 . The sensor 315 detects whether the substrate W is present at the stop position on the roller 313 . The sensors 314 and 315 are, for example, optical sensors, and detect the substrate W when the reflected light from the substrate W is received. The detection results of the sensors 314 and 315 are output to the control unit 60 .

이하에서는, 2장의 기판(W) 중 한쪽을 기판(W1)이라고도 부르고, 다른 쪽을 기판(W2)라고도 부른다. 여기에서는, 기판(W1)은 기판(W2)보다 상류측에 위치하는 것으로 한다.Hereinafter, one of the board|substrates W of 2 sheets is also called the board|substrate W1, and the other is also called the board|substrate W2. Here, it is assumed that the substrate W1 is located on the upstream side of the substrate W2.

<2-1-2. 기판 도출부(33)> <2-1-2. Substrate derivation part 33>

기판 도출부(33)는, 처리 장치 본체(32)로부터 순차적으로 반송되는 기판(W)의 복수(N장)를 유지할 수 있다. 기판 도출부(33)가 유지 가능한 기판(W)의 장수는, 다음의 동시 처리 장치(40)(예를 들면 순차 처리 장치(30)가 세정 장치(12)이면, 탈수 베이크 장치(13))에서 처리 가능한 기판(W)의 장수와 같다. 여기에서는, 일례로서, 기판 도출부(33)는 2장의 기판(W)을 유지하고, 동시 처리 장치(40)는 2장의 기판(W)에 대해 동시에 처리를 행하는 것으로 한다.The substrate lead-out unit 33 can hold a plurality (N sheets) of the substrates W sequentially conveyed from the processing apparatus main body 32 . The number of substrates W that the substrate lead-out unit 33 can hold is the following simultaneous processing apparatus 40 (for example, if the sequential processing apparatus 30 is the cleaning apparatus 12, the dehydration baking apparatus 13) It is equal to the number of substrates (W) that can be processed in Here, as an example, it is assumed that the substrate lead-out unit 33 holds the two substrates W, and the simultaneous processing apparatus 40 processes the two substrates W simultaneously.

기판 도출부(33)는, 반송 기구로서의 복수의 롤러(331) 및 복수의 롤러(332)와, 센서(334, 335)를 구비하고 있다. 롤러(331, 332)의 단면은 원 형상을 갖고 있다. 롤러(331)는, 그 중심축이 기판(W)의 반송 방향에 수직 또한 수평이 되도록 반송 방향을 따라 간격을 두고 배치된다. 롤러(332)는 롤러(331)보다 하류측에 배치된다. 롤러(332)는 롤러(331)와 동일한 자세로 반송 방향을 따라 간격을 두고 배치된다. 각 롤러(331, 332)의 중심축에 있어서의 양단은, 각각 지지판(도시하지 않음)에 회전 가능하게 고정된다. 복수의 롤러(331)는 구동부(도시하지 않음)에 의해 동기 회전하고, 복수의 롤러(332)는 구동부(도시하지 않음)에 의해 동기 회전한다. 롤러(331) 및 롤러(332)는 서로 상이한 구동부에 의해 구동되기 때문에, 서로 독립적으로 제어 가능하다. 각 구동부는 예를 들면 모터를 갖는다.The board|substrate lead-out part 33 is equipped with the some roller 331 and some roller 332 as a conveyance mechanism, and the sensors 334 and 335. As shown in FIG. The cross-sections of the rollers 331 and 332 have a circular shape. The rollers 331 are arrange|positioned at intervals along the conveyance direction so that the central axis may become perpendicular|vertical and horizontal to the conveyance direction of the board|substrate W. As shown in FIG. The roller 332 is disposed downstream of the roller 331 . The rollers 332 are arranged at intervals along the conveying direction in the same posture as the rollers 331 . Both ends in the central axis of each of the rollers 331 and 332 are rotatably fixed to a support plate (not shown), respectively. The plurality of rollers 331 are synchronously rotated by a driving unit (not shown), and the plurality of rollers 332 are synchronously rotated by a driving unit (not shown). Since the rollers 331 and 332 are driven by different driving units, they are controllable independently of each other. Each drive unit has, for example, a motor.

롤러(331, 332)는, 서로 같은 높이에 설치되어 있다. 기판(W)은 처리 장치 본체(32)로부터 롤러(331)로 반송되고, 적절히 롤러(331)로부터 롤러(332)로 반송된다. 이후에 설명하는 바와 같이, 롤러(331) 상에는 1장의 기판(W)이 정지하고, 롤러(332) 상에는 1장의 기판(W)이 정지한다. 이로 인해, 기판 도출부(33)는 2장의 기판(W)을 유지할 수 있다.The rollers 331 and 332 are provided at the same height as each other. The board|substrate W is conveyed by the roller 331 from the processing apparatus main body 32, and is conveyed from the roller 331 to the roller 332 suitably. As will be described later, one substrate W is stopped on the roller 331 , and one substrate W is stopped on the roller 332 . For this reason, the board|substrate lead-out part 33 can hold|maintain the board|substrate W of 2 sheets.

센서(334)는 롤러(331) 상의 정지 위치에 기판(W)이 존재하고 있는지 여부를 검출한다. 센서(335)는 롤러(332) 상의 정지 위치에 기판(W)이 존재하고 있는지 여부를 검출한다. 센서(334, 335)는 예를 들면 광학식 센서로서, 기판(W)으로부터의 반사광을 수광했을 때에, 기판(W)을 검출한다. 센서(334, 335)의 검출 결과는 제어부(60)로 출력된다.The sensor 334 detects whether the substrate W is present at the stop position on the roller 331 . The sensor 335 detects whether the substrate W is present at the stop position on the roller 332 . The sensors 334 and 335 are, for example, optical sensors, and detect the substrate W when the reflected light from the substrate W is received. The detection results of the sensors 334 and 335 are output to the control unit 60 .

기판 도출부(33)는 처리 장치 본체(32)로부터 2장의 기판(W)을 순차적으로 수취하고, 이들을 유지할 수 있다. 이하에서는 우선, 간단하게 2장의 기판(W)이 일괄적으로 처리되는 경우에 대해서 설명한다. N장의 기판(W)이 일괄되지 않게 처리되는 경우에 대해서는, 이후에 상세하게 설명된다.The substrate lead-out unit 33 can sequentially receive and hold two substrates W from the processing apparatus main body 32 . Hereinafter, the case in which the two board|substrates W are processed collectively first is demonstrated simply. A case in which the N sheets of the substrates W are processed without being batched will be described in detail later.

우선 1장째의 기판(W)은 롤러(331, 332)가 동기 회전함으로써, 롤러(332) 상의 정지 위치까지 반송된다. 구체적으로는, 센서(334, 335) 양쪽이 기판(W)을 검출하고 있지 않을 때에, 롤러(331, 332)를 동기 회전시켜, 처리 장치 본체(32)로부터의 기판(W)을 기판 도출부(33)로 반송한다. 그리고 센서(335)가 기판(W)을 검출했을 때에 롤러(332)의 동기 회전을 정지한다. 이로 인해, 1장째의 기판(W)(하류측의 기판(W2))은 롤러(332) 상에서 정지하여 지지된다. 2장째의 기판(W)(상류측의 기판(W1))에 대해서는, 롤러(332)를 회전시키지 않고, 롤러(331)를 동기 회전시킴으로써, 롤러(331)의 정지 위치까지 당해 기판(W)을 반송한다. 구체적으로는 센서(334)가 기판(W)을 검출했을 때에 롤러(331)의 동기 회전을 정지한다. 즉, 센서(334, 335) 양쪽이 기판(W)을 검출하고 있을 때에, 롤러(331)의 동기 회전을 정지한다. 이로 인해, 2장째의 기판(W)은 롤러(331) 상에서 정지하여 지지된다. 이와 같이 기판 도출부(33)는 2장의 기판(W)을 유지할 수 있다.First, the first board|substrate W is conveyed to the stop position on the roller 332 when the rollers 331, 332 rotate synchronously. Specifically, when both of the sensors 334 and 335 are not detecting the substrate W, the rollers 331 and 332 are synchronously rotated to transfer the substrate W from the processing apparatus main body 32 to the substrate derivation unit. Return to (33). And when the sensor 335 detects the board|substrate W, the synchronous rotation of the roller 332 is stopped. For this reason, the 1st board|substrate W (downstream board|substrate W2) is stopped on the roller 332, and is supported. About the 2nd board|substrate W (upstream board|substrate W1), without rotating the roller 332, by rotating the roller 331 synchronously, the said board|substrate W until the stop position of the roller 331. return the Specifically, when the sensor 334 detects the board|substrate W, the synchronous rotation of the roller 331 is stopped. That is, when both the sensors 334 and 335 are detecting the board|substrate W, the synchronous rotation of the roller 331 is stopped. For this reason, the board|substrate W of the 2nd sheet is stopped and supported on the roller 331. In this way, the board lead-out part 33 can hold the two boards W.

<2-1-3. 처리 장치 본체(32)> <2-1-3. Processing device body 32>

처리 장치 본체(32)는 반송 기구로서의 복수의 롤러(321)를 갖고 있다. 복수의 롤러(321)는 롤러(311)와 동일한 형상을 갖고 있으며, 롤러(311)와 동일한 자세로 배치된다. 롤러(321)의 중심축에 있어서의 양단은, 각각 지지판(도시하지 않음)에 회전 가능하게 고정된다. 복수의 롤러(321)는 반송 방향을 따라 간격을 두고 늘어서 있다. 복수의 롤러(321)는 기판 도입부(31)의 롤러(311)와 같은 높이에 설치되어 있으며, 기판(W)은 롤러(311)로부터 롤러(313, 321, 331)를 이 순서를 통해 롤러(332)로 이동할 수 있다.The processing apparatus main body 32 has the some roller 321 as a conveyance mechanism. The plurality of rollers 321 have the same shape as the roller 311 and are disposed in the same posture as the roller 311 . Both ends of the central axis of the roller 321 are rotatably fixed to a support plate (not shown), respectively. The plurality of rollers 321 are arranged at intervals along the conveyance direction. The plurality of rollers 321 are installed at the same height as the rollers 311 of the substrate introduction part 31, and the substrate W moves the rollers 313, 321, 331 from the roller 311 through the rollers ( 332) can be moved to.

처리 장치 본체(32)는, 롤러(321) 상을 흐르는 기판(W)에 대해, 그 반송 방향의 각 위치에 있어서 적절히 처리를 행한다. 여기에서는, 순차 처리 장치(30)로서 세정 장치(12)를 예로 들어 설명한다. 예를 들면 처리 장치 본체(32)는, 약액부(34), 수세부(35) 및 탈수부(36)를 갖고 있다. 약액부(34), 수세부(35) 및 탈수부(36)는 상류에서 하류를 향해 이 순서로 직렬로 설치되어 있다. 또 복수의 롤러(321)는 약액부(34), 수세부(35) 및 탈수부(36)에 걸쳐 설치되어 있다. 복수의 롤러(321)는 구동부(도시하지 않음)에 의해 구동되어 동기 회전한다. 이로 인해, 기판(W)을 반송 방향을 따라 반송하여, 약액부(34), 수세부(35) 및 탈수부(36)를 이 순서로 통과시킬 수 있다.The processing apparatus main body 32 processes suitably in each position of the conveyance direction with respect to the board|substrate W which flows on the roller 321. Here, the washing|cleaning apparatus 12 is taken as an example as the sequential processing apparatus 30, and it demonstrates. For example, the processing apparatus main body 32 has the chemical|medical solution part 34, the water detail part 35, and the dehydration part 36. The chemical liquid part 34, the water detail part 35, and the dehydration part 36 are provided in series in this order from an upstream to a downstream. In addition, the plurality of rollers 321 are provided across the chemical liquid part 34 , the water detail part 35 , and the dewatering part 36 . The plurality of rollers 321 are driven by a driving unit (not shown) to synchronously rotate. For this reason, the board|substrate W can be conveyed along a conveyance direction, and the chemical|medical solution part 34, the washing|cleaning part 35, and the dehydrating part 36 can pass through this order.

약액부(34)는, 롤러(321) 상의 기판(W)으로 약액을 공급하여 기판(W)을 세정하는 장치이다. 약액부(34)는, 약액을 토출하는 복수의 노즐(341)과, 약액을 저류하는 약액조(342)와, 약액조(342) 및 노즐(341)을 연결하는 공급관(343)과, 공급관(343)을 경유하여 약액을 노즐(341)에 공급하는 펌프(344)를 구비하고 있다. 노즐(341)은 연직 방향에 있어서 기판(W)의 양측에 설치되어 있으며, 기판(W)의 양면으로 약액을 공급한다. 공급관(343)에는 유량 센서(345)가 설치되어, 공급되는 약액의 양의 제어에 기여한다. 약액부(34)는, 기판(W)을 브러싱하기 위한 브러시(도시하지 않음) 등을 갖고 있어도 된다. 약액을 기판(W)에 공급하면서 브러싱을 행함으로써, 세정 효과를 높일 수 있다. 기판(W)에 공급된 약액은 주로 기판(W)의 둘레 가장자리로부터 떨어져, 약액조(342)로 회수된다.The chemical liquid part 34 is a device for cleaning the substrate W by supplying a chemical liquid to the substrate W on the roller 321 . The chemical liquid unit 34 includes a plurality of nozzles 341 for discharging the chemical solution, a chemical solution tank 342 for storing the chemical solution, a supply pipe 343 connecting the chemical solution tank 342 and the nozzle 341 , and a supply pipe A pump 344 for supplying a chemical solution to the nozzle 341 via a 343 is provided. The nozzles 341 are provided on both sides of the substrate W in the vertical direction, and supply the chemical to both surfaces of the substrate W. A flow sensor 345 is installed in the supply pipe 343 to contribute to the control of the amount of the supplied chemical. The chemical|medical solution part 34 may have the brush (not shown) etc. for brushing the board|substrate W. By brushing while supplying the chemical to the substrate W, the cleaning effect can be enhanced. The chemical solution supplied to the substrate W is mainly separated from the peripheral edge of the substrate W, and is recovered to the chemical solution tank 342 .

수세부(35)는, 기판(W)에 대해 세정수를 공급함으로써 기판(W)에 잔류한 약액을 씻어내는 장치이다. 수세부(35)는 세정수를 저류하는 제1 수조(355) 및 제2 수조(356)를 갖고 있다. 또 수세부(35)는 상류에서 하류를 향해 이 순서로 배치되는 저압수 공급부(351), 고압수 공급부(352), 초음파 세정수 공급부(353) 및 순수 공급부(354)를 갖고 있다. 각 부(351~354)는 약액부(34)와 마찬가지로, 기판(W)에 액을 토출하는 노즐과, 당해 노즐에 연결된 공급관과, 당해 공급관을 경유하여 당해 노즐에 액을 공급하는 펌프를 구비하고 있다.The water washing unit 35 is a device for rinsing out the chemical solution remaining on the substrate W by supplying cleaning water to the substrate W. The washing water unit 35 has a first water tank 355 and a second water tank 356 for storing the washing water. Further, the water detailing unit 35 includes a low pressure water supply unit 351 , a high pressure water supply unit 352 , an ultrasonic cleaning water supply unit 353 , and a pure water supply unit 354 arranged in this order from upstream to downstream. Each of the units 351 to 354 includes a nozzle for discharging the liquid to the substrate W, a supply pipe connected to the nozzle, and a pump for supplying the liquid to the nozzle via the supply pipe, similarly to the chemical liquid unit 34 . are doing

저압수 공급부(351)의 펌프(35t)는 저압 펌프로서, 낮은 압력으로 제1 수조(355)로부터 세정수를 퍼 올려 노즐에 공급한다. 이로 인해, 저압수 공급부(351)는 저압으로 세정수를 기판(W)에 공급할 수 있다. 저압수 공급부(351)에는 슬릿 노즐(액 나이프라고도 부른다)(35a)가 설치되고, 액 나이프(35a)로부터도 세정수가 기판(W)에 공급된다. 저압수 공급부(351)에 공급되는 세정수의 압력은 압력 센서(357)에 의해 측정된다.The pump 35t of the low-pressure water supply unit 351 is a low-pressure pump that pumps washing water from the first water tank 355 at a low pressure and supplies it to the nozzle. Accordingly, the low-pressure water supply unit 351 may supply the washing water to the substrate W at a low pressure. A slit nozzle (also referred to as a liquid knife) 35a is provided in the low pressure water supply unit 351 , and cleaning water is also supplied to the substrate W from the liquid knife 35a . The pressure of the washing water supplied to the low-pressure water supply unit 351 is measured by the pressure sensor 357 .

고압수 공급부(352)의 펌프(35r)는 고압 펌프로서, 높은 압력으로 제1 수조(355)로부터 세정수를 퍼 올려 노즐에 공급한다. 이로 인해, 고압수 공급부(352)는 고압으로 세정수를 기판(W)에 공급할 수 있다. 고압수 공급부(352)에 공급되는 세정수의 압력은 압력 센서(358)에 의해 측정된다. 저압수 공급부(351) 및 고압수 공급부(352)에 의해 공급된 세정수는 주로 기판(W)의 둘레 가장자리로부터 떨어져 제1 수조(355)로 회수된다.The pump 35r of the high-pressure water supply unit 352 is a high-pressure pump, which pumps washing water from the first water tank 355 at a high pressure and supplies it to the nozzle. For this reason, the high-pressure water supply unit 352 may supply the washing water to the substrate W at a high pressure. The pressure of the washing water supplied to the high-pressure water supply unit 352 is measured by the pressure sensor 358 . The washing water supplied by the low-pressure water supply unit 351 and the high-pressure water supply unit 352 is mainly recovered from the peripheral edge of the substrate W to the first water tank 355 .

초음파 세정수 공급부(353)의 노즐(35b)에는, 제2 수조(356)로부터의 세정수에 초음파 진동을 부여하는 초음파 진동자가 설치되어 있다. 노즐(35b)은 액 나이프로서 기능한다. 초음파 세정수 공급부(353)의 펌프(35s)는, 제2 수조(356)로부터 세정수를 퍼 올려 노즐(35b)에 공급한다. 노즐(35b)의 초음파 진동자가 진동함으로써, 초음파 세정수 공급부(353)는 노즐(35b)로부터 진동 상태의 세정수를 기판(W)에 공급한다. 초음파 세정수 공급부(353)에 의해 공급된 세정수는 주로 제2 수조(356)로 회수된다. 노즐(35b)에 공급되는 세정수의 유량은 유량 센서(359)에 의해 측정된다.An ultrasonic vibrator for applying ultrasonic vibrations to the washing water from the second water tank 356 is installed in the nozzle 35b of the ultrasonic cleaning water supply unit 353 . The nozzle 35b functions as a liquid knife. The pump 35s of the ultrasonic washing water supply unit 353 pumps washing water from the second water tank 356 and supplies it to the nozzle 35b. As the ultrasonic vibrator of the nozzle 35b vibrates, the ultrasonic washing water supply unit 353 supplies the washing water in a vibrating state to the substrate W from the nozzle 35b. The washing water supplied by the ultrasonic washing water supply unit 353 is mainly recovered to the second water tank 356 . The flow rate of the washing water supplied to the nozzle 35b is measured by the flow rate sensor 359 .

순수 공급부(354)의 노즐은, 순수 공급원(365)으로부터 공급되는 순수를 기판(W)을 향해 공급한다. 순수 공급원(365)은 예를 들면 공장 설비(유틸리티)로서 설치된다. 이 순수는 주로 제2 수조(356)로 회수된다.The nozzle of the pure water supply unit 354 supplies the pure water supplied from the pure water supply unit 365 toward the substrate W. The pure water supply source 365 is installed as a factory facility (utility), for example. This pure water is mainly returned to the second water tank 356 .

탈수부(36)는 기판(W)으로 고압의 기류를 흘림으로써 기판(W)으로부터 물을 날려 보내는 장치이다. 탈수부(36)는, 기판(W)에 기체를 분사하는 분사부(건조 에어 나이프)(361)와, 기체를 공급하는 기체 공급원(362)과, 분사부(361) 및 기체 공급원(362)을 연결하는 관로(363)를 갖고 있다. 관로(363)에는 당해 기체의 유량을 측정하는 유량 센서(364)가 설치된다. 기체 공급원(362)은 공장 설비(유틸리티)로서 설치된 기체원이다.The dewatering unit 36 is a device that blows water from the substrate W by flowing a high-pressure airflow to the substrate W. The dewatering unit 36 includes an injection unit (dry air knife) 361 for injecting gas onto the substrate W, a gas supply source 362 for supplying gas, an injection unit 361 , and a gas supply source 362 . It has a conduit 363 connecting the. A flow rate sensor 364 for measuring the flow rate of the gas is installed in the pipeline 363 . The gas supply source 362 is a gas source installed as a factory facility (utility).

이상과 같이, 처리 장치 본체(32)에 있어서 기판(W)은 반송 방향을 따라 반송되어, 각 위치에 있어서 각종 처리가 행해진다. 처리 장치 본체(32)에 의해 모든 처리가 행해진 기판(W)은 기판 도출부(33)로 반송된다.As mentioned above, in the processing apparatus main body 32, the board|substrate W is conveyed along a conveyance direction, and various processes are performed in each position. The substrate W on which all the processes have been performed by the processing apparatus main body 32 is conveyed to the substrate lead-out unit 33 .

<3. 동시 처리 장치(40)> <3. Simultaneous processing unit 40>

도 3은, 동시 처리 장치(40)의 구성의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다. 여기에서는 동시 처리 장치(40)로서 탈수 베이크 장치(13)를 예로 들어 설명한다. 도 3은, 탈수 베이크 장치(13)의 구성의 일례를 연직 하향을 따라 보아서 나타내는 개략적인 도면이다.3 is a diagram schematically showing an example of the configuration of the simultaneous processing device 40 . Here, the dehydration baking apparatus 13 is mentioned as an example as the simultaneous processing apparatus 40, and it demonstrates. FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of the configuration of the dewatering and baking apparatus 13 as viewed vertically downward.

<3-1. 탈수 베이크 장치(13)> <3-1. Dehydration baking device (13)>

탈수 베이크 장치(13)는 가열부(82) 및 냉각부(83)를 구비하고 있다. 이 탈수 베이크 장치(13)는, (순차 처리 장치(30)인) 세정 장치(12)에 의해 세정 처리가 행해진 기판(W)을 반송 로봇(반송부)(81)으로부터 수취하고, 수취한 기판(W)에 대해 동시에 처리를 행한다. 탈수 베이크 장치(13)는 복수 장(N장)의 기판(W)에 대해서 동시에 처리를 행할 수 있다. 이하에서는 우선, 간단하게 2장의 기판(W)이 일괄적으로 처리되는 경우에 대해서 설명한다. N장의 기판(W)이 일괄되지 않게 처리되는 경우에 대해서는, 이후에 상세하게 설명된다.The dehydration baking apparatus 13 is provided with the heating part 82 and the cooling part 83. The dewatering and baking apparatus 13 receives, from the transfer robot (transfer unit) 81 , the substrate W that has been cleaned by the cleaning apparatus 12 (which is the sequential processing apparatus 30 ), and receives the received substrate. (W) is processed simultaneously. The dehydration baking apparatus 13 can process simultaneously with respect to the board|substrate W of a plurality (N sheets). Hereinafter, the case in which the two board|substrates W are processed collectively first is demonstrated simply. A case in which the N sheets of the substrates W are processed without being batched will be described in detail later.

<3-1-1. 반송 로봇(81)> <3-1-1. Transport robot 81>

반송 로봇(81)은 핸드(H1)와 이동 기구(51)와 승강 기구(52)와 회전 기구(53)를 갖고 있다. 이동 기구(51)는 핸드(H1)를 수평면 내에서 이동시킬 수 있다. 예를 들면 이동 기구(51)는 한 쌍의 아암(도시하지 않음)을 갖고 있다. 각 아암은 장척상의 복수의 연결 부재를 갖고 있으며, 그 연결 부재의 단부끼리 회전 가능하게 연결된다. 각 아암의 일단은 핸드(H1)에 연결되고, 타단은 승강 기구(52)에 연결된다. 연결 부재의 연결 각도가 제어됨으로써, 핸드(H1)를 수평면 내에서 이동시킬 수 있다. 승강 기구(52)는 아암을 연직 방향을 따라 승강시킴으로써, 핸드(H1)를 승강시킨다. 승강 기구(52)는 예를 들면 볼 나사 기구를 갖고 있다. 회전 기구(53)는 연직 방향을 따르는 회전축을 중심으로 하여 승강 기구(52)를 회전시킬 수 있다. 이로 인해, 핸드(H1)는 둘레 방향을 따라 회동한다. 이 회동에 의해, 핸드(H1)의 방향을 바꿀 수 있다. 회전 기구(53)는 예를 들면 모터를 갖고 있다.The transport robot 81 includes a hand H1 , a moving mechanism 51 , a lifting mechanism 52 , and a rotating mechanism 53 . The moving mechanism 51 can move the hand H1 in a horizontal plane. For example, the moving mechanism 51 has a pair of arms (not shown). Each arm has a plurality of elongated connecting members, and ends of the connecting members are rotatably connected to each other. One end of each arm is connected to the hand H1 , and the other end is connected to the lifting mechanism 52 . By controlling the connecting angle of the connecting member, it is possible to move the hand H1 in the horizontal plane. The lifting mechanism 52 raises and lowers the hand H1 by raising and lowering the arm along the vertical direction. The lifting mechanism 52 has, for example, a ball screw mechanism. The rotating mechanism 53 can rotate the lifting mechanism 52 centering on a rotational axis along the vertical direction. For this reason, the hand H1 rotates along the circumferential direction. By this rotation, the direction of the hand H1 can be changed. The rotation mechanism 53 has, for example, a motor.

핸드(H1)에는, 2장의 기판(W)이 수평한 일방향(도 3에 있어서 좌우 방향)에 있어서 늘어선 상태로 재치된다. 핸드(H1)는 예를 들면 복수 개의 손가락 형상 부재(F1)와, 손가락 형상 부재(F1)의 기단끼리를 연결하는 기단 부재(P1)를 갖고 있다. 이 기단 부재(P1)에는 상술된 아암의 일단이 연결된다. 손가락 형상 부재(F1)는 장척상의 형상을 갖고 있으며, 그 상면에 있어서 기판(W)이 재치된다. 이 2장의 기판(W)은 손가락 형상 부재(F1)의 길이 방향(도 3에 있어서 좌우 방향)을 따라 나란히 재치된다. 따라서, 손가락 형상 부재(F1)의 길이 방향의 길이는, 기판(W)의 2장분의 길이와, 기판(W) 사이의 간격에 따라 설정된다.On the hand H1, two board|substrates W are mounted in the state in which they lined up in one horizontal direction (left-right direction in FIG. 3). The hand H1 includes, for example, a plurality of finger-shaped members F1 and a base end member P1 connecting the base ends of the finger-shaped members F1 to each other. One end of the above-mentioned arm is connected to this base end member P1. The finger-shaped member F1 has an elongated shape, and the substrate W is placed on its upper surface. These two boards W are placed side by side along the longitudinal direction (left-right direction in Fig. 3) of the finger-shaped member F1. Accordingly, the length in the longitudinal direction of the finger-shaped member F1 is set according to the length of two sheets of the substrate W and the distance between the substrates W. As shown in FIG.

반송 로봇(81)은 핸드(H1)를 적절히 이동 및 회전시킴으로써, 핸드(H1)를 가열부(82), 냉각부(83), 세정 장치(12)의 기판 도출부(33) 및 다음 공정인 도포 관련 장치(14)(도 3에 있어서 도시하지 않음) 각각으로 이동시킬 수 있다. 반송 로봇(81)은 2장의 기판(W)을 일괄적으로 기판 도출부(33), 가열부(82) 및 냉각부(83) 각각으로부터 취출하거나, 혹은, 2장의 기판(W)을 일괄적으로 가열부(82), 냉각부(83) 및 도포 관련 장치(14) 각각으로 건넬 수 있다.The transfer robot 81 moves and rotates the hand H1 appropriately to move the hand H1 to the heating unit 82 , the cooling unit 83 , the substrate lead-out unit 33 of the cleaning device 12 , and the next process. It can be moved to each of the application|coating related apparatuses 14 (not shown in FIG. 3). The transfer robot 81 takes out the two boards W from each of the board lead-out part 33, the heating part 82, and the cooling part 83 collectively, or the two board|substrates W are collectively carried out. As a result, the heating unit 82, the cooling unit 83, and the application-related device 14 can be passed to each.

예를 들면 반송 로봇(81)은 다음과 같이 기판 도출부(33)로부터 2장의 기판(W)을 일괄적으로 취출한다. 즉, 반송 로봇(81)은, 기판 도출부(33)에서 유지된 2장의 기판(W)의 하방에 핸드(H1)를 위치시키기 위해, 핸드(H1)를 기판 도출부(33)로 이동시킨다.For example, the conveyance robot 81 takes out the board|substrate W of 2 sheets collectively from the board|substrate lead-out part 33 as follows. That is, the transfer robot 81 moves the hand H1 to the substrate lead-out unit 33 in order to position the hand H1 below the two substrates W held by the substrate lead-out unit 33 . .

또한 롤러(331, 332)는, 반송 로봇(81)의 핸드(H1)와의 충돌을 피하도록 구성되어 있다. 그리고 반송 로봇(81)은 핸드(H1)를 연직 상방으로 상승시킴으로써, 2장의 기판(W)을 핸드(H1)에 의해 들어 올릴 수 있다. 이로 인해, 2장의 기판(W)은 각각 롤러(331, 332)로부터 멀어진다. 2장의 기판(W)은 핸드(H1) 상에 있어서, 그 길이 방향을 따라 간격을 두고 나란히 재치되게 된다. 2장의 기판(W)은 그 주면의 법선 방향이 연직 방향을 따르는 자세로 핸드(H1) 상에 재치된다.Moreover, the rollers 331 and 332 are comprised so that a collision with the hand H1 of the conveyance robot 81 may be avoided. And the transfer robot 81 can lift the board|substrate W of 2 sheets with the hand H1 by raising the hand H1 vertically upward. For this reason, the board|substrate W of 2 sheets moves away from the rollers 331 and 332, respectively. The two board|substrates W are placed side by side on the hand H1 at intervals along the longitudinal direction. The two boards W are placed on the hand H1 in a posture in which the normal direction of the main surface follows the vertical direction.

2장의 기판(W)은 핸드(H1) 상에 있어서, 그 횡방향(폭 방향)을 따라 간격을 두고 나란히 재치되어도 된다. 이러한 재치는, 예를 들면 턴테이블을 설치하여 기판(W)을 90도 회전시킴으로써 실현된다.The two board|substrates W may be placed side by side on the hand H1 at intervals along the lateral direction (width direction). Such placement is realized by, for example, installing a turntable and rotating the substrate W by 90 degrees.

다음에 반송 로봇(81)은 핸드(H1)를 기판 도출부(33)로부터 멀어지도록 이동시킴으로써, 기판 도출부(33)로부터 2장의 기판(W)을 일괄적으로 취출한다.Next, the transfer robot 81 collectively takes out the two boards W from the board lead-out part 33 by moving the hand H1 away from the board lead-out part 33 .

또한 손가락 형상 부재(F1)의 상면(기판(W)이 재치되는 면)에는, 복수의 흡인구가 형성되어 있어도 상관없다. 이 흡인구는 2장의 기판(W)과 대향하는 위치에 형성되어 있으며, 당해 흡인구로부터 공기가 인발되어 기판(W)을 흡인한다. 이로 인해, 기판(W)을 유지하기 위한 유지력을 향상시킬 수 있다.In addition, a plurality of suction ports may be formed on the upper surface of the finger-shaped member F1 (the surface on which the substrate W is mounted). This suction port is formed in the position opposite to the board|substrate W of 2 sheets, Air is drawn out from the said suction port, and the board|substrate W is sucked. For this reason, the holding force for holding the board|substrate W can be improved.

반송 로봇(81)은 상기 동작과 동일한 동작에 의해 가열부(82) 및 냉각부(83) 각각으로부터 2장의 기판(W)을 일괄적으로 취출한다. 한편, 반송 로봇(81)은 상기 동작과는 반대의 순서로, 가열부(82), 냉각부(83) 및 도포 관련 장치(14) 각각(이하, 각 부라고 부른다)으로 2장의 기판(W)을 일괄적으로 건넨다. 즉, 반송 로봇(81)은 2장의 기판(W)이 재치된 핸드(H1)를 각 부의 내부로 이동시키고, 핸드(H1)를 하강시켜 각 부의 기판 유지부의 상면에 2장의 기판(W)을 일괄적으로 재치한다. 또한, 각 부의 기판 유지부는 2장의 기판(W)의 반출입 시에 핸드(H1)와 충돌하지 않도록 구성되어 있다. 그리고 반송 로봇(81)은 핸드(H1)를 각 부의 내부에서 외부로 이동시킨다. 이로 인해, 2장의 기판(W)이 각 부에 일괄적으로 건네진다.The transfer robot 81 collectively takes out two substrates W from each of the heating unit 82 and the cooling unit 83 by the same operation as the above operation. On the other hand, the transfer robot 81 uses the heating unit 82 , the cooling unit 83 , and the coating-related device 14 respectively (hereinafter referred to as each unit) in the order opposite to the above operation by using two substrates W ) are given in bulk. That is, the transfer robot 81 moves the hand H1 on which the two substrates W are placed into each unit, and lowers the hand H1 to place the two substrates W on the upper surface of the substrate holding unit of each unit. collectively witty Moreover, the board|substrate holding part of each part is comprised so that it may not collide with the hand H1 at the time of carrying in and taking out the board|substrate W of 2 sheets. And the transfer robot 81 moves the hand H1 from the inside of each part to the outside. For this reason, the board|substrate W of 2 sheets is delivered collectively to each part.

이상과 같이, 반송 로봇(81)은, 순차 처리 장치인 세정 장치(12)에 의해 처리된 복수의 기판(W) 중 N장(2장)의 기판(W)을 수평한 일방향으로 늘어놓아 유지하면서, 이 N장(2장)의 기판(W)을 일괄적으로 동시 처리 장치인 탈수 베이크 장치(13)로 반송할 수 있다. 복수 장의 기판(W)을 일괄적으로 반송함으로써, 기판(W)을 1장씩 반송하는 경우에 비해, 반송 동작의 스루풋을 향상시킬 수 있다.As described above, the transfer robot 81 arranges and holds N (2) substrates W among the plurality of substrates W processed by the cleaning apparatus 12 which is a sequential processing apparatus in one horizontal direction. While doing this, the N sheets (2 sheets) of the substrates W can be collectively conveyed to the dewatering and baking apparatus 13 which is a simultaneous processing apparatus. By collectively conveying the plurality of substrates W, the throughput of the conveying operation can be improved compared to the case where the substrates W are conveyed one by one.

<3-1-2. 가열부(82)> <3-1-2. Heating part 82>

가열부(82)에는, 반송 로봇(81)으로부터 2장의 기판(W)이 일괄적으로 건네진다. 이 가열부(82)는, 이 2장의 기판(W)을 수평 방향으로 늘어놓아 유지하는 기판 유지부(91)와, 이 2장의 기판(W)에 대해 일괄적으로 동시에 가열 처리를 행하는 가열 수단(92)을 구비하고 있다. 환언하면, 가열부(82)는, 2장의 기판(W)에 대해 동시에 가열 처리를 행한다.To the heating unit 82 , two substrates W are collectively passed from the transfer robot 81 . The heating unit 82 includes a substrate holding unit 91 for arranging and holding the two substrates W in a horizontal direction, and a heating means for simultaneously heating the two substrates W at once. (92) is provided. In other words, the heating unit 82 performs heat treatment on the two substrates W at the same time.

기판 유지부(91)는 2장의 기판(W)의 하면을 지지하는 부재를 갖고 있다. 2장의 기판(W)은 이 부재 상에 재치됨으로써 유지된다. 2장의 기판(W)은 그 주면의 법선 방향이 연직 방향을 따르는 자세로 재치된다. 예를 들면 기판 유지부(91)는 복수의 리프트 핀(도시하지 않음)을 구비한다. 이 복수의 리프트 핀은, 기판 유지부(91)의 상면으로부터, 그 선단을 돌출시킨 상측 위치와, 상면으로부터 하측으로 퇴피한 하측 위치 사이에서 승강한다. 반송 로봇(81)은 상방으로 돌출한 복수의 리프트 핀에 2장의 기판(W)을 건넨 후, 가열부(82)로부터 퇴피한다. 복수의 리프트 핀은 2장의 기판(W)을 지지한 상태로 하강하고, 기판 유지부(91)의 상면에 2장의 기판(W)을 재치한다.The board|substrate holding part 91 has the member which supports the lower surface of the board|substrate W of 2 sheets. The two board|substrates W are hold|maintained by being mounted on this member. The two board|substrates W are mounted in the attitude|position which the normal line direction of the main surface follows a perpendicular direction. For example, the substrate holding unit 91 includes a plurality of lift pins (not shown). The plurality of lift pins are raised and lowered from the upper surface of the substrate holding part 91 between an upper position where the tip protrudes and a lower position retracted downward from the upper surface. The transfer robot 81 evacuates from the heating unit 82 after passing two substrates W to the plurality of lift pins protruding upward. The plurality of lift pins descend in a state in which the two boards W are supported, and the two boards W are placed on the upper surface of the board holding part 91 .

가열 수단(92)은 예를 들면 히터 등이며, 기판 유지부(91)에 의해 유지된 2장의 기판(W)에 대해 일괄적으로 동시에 가열 처리를 행한다. 이 가열 처리에 의해, 예를 들면 기판(W)에 잔류한 순수를 증발시킬 수 있다(탈수 처리). 복수 장의 기판(W)에 대해 일괄적으로 동시에 가열 처리를 행함으로써, 기판(W)에 대해 1장씩 가열 처리를 행하는 경우에 비해, 가열 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.The heating means 92 is, for example, a heater, etc., and simultaneously heat-processes the two board|substrates W hold|maintained by the board|substrate holding part 91 at the same time. By this heat treatment, for example, the pure water remaining on the substrate W can be evaporated (dehydration treatment). By heat-processing simultaneously with respect to the board|substrate W of several sheets collectively, compared with the case where heat-processing is performed with respect to the board|substrate W one by one, the throughput of heat processing can be improved.

가열 수단(92)은 예를 들면 기판 유지부(91)에 내장되어도 된다. 또, 가열부(82)에는, 복수의 가열 수단(92)이 설치되어도 된다. 복수의 가열 수단(92)은 평면에서 보았을 때 서로 이웃하여 배치되고, 서로 독립적으로 제어되어도 된다. 2장의 기판(W)은 예를 들면 복수의 가열 수단(92)과 연직 방향에 있어서 서로 마주 보는 위치에 재치된다. 이 경우, 2장의 기판(W)의 평면시(平面視)에 있어서의 복수의 영역에 있어서의 온도를 당해 영역마다 조정할 수 있다. 기판(W)의 평면시의 사이즈가 커지면, 단일한 가열 수단(92)으로 균일하게 기판(W)을 가열하는 것은 곤란하므로, 복수의 가열 수단(92)이 설치됨으로써, 기판(W)을 보다 균일하게 가열할 수 있다.The heating means 92 may be incorporated in the substrate holding part 91 , for example. In addition, a plurality of heating means 92 may be provided in the heating unit 82 . The plurality of heating means 92 may be arranged adjacent to each other in a plan view, and may be controlled independently of each other. The two board|substrates W are mounted in the several heating means 92 and the mutually opposing position in a perpendicular direction, for example. In this case, the temperature in the some area|region in the planar view of the board|substrate W of 2 sheets can be adjusted for every said area|region. When the planar size of the substrate W becomes large, it is difficult to uniformly heat the substrate W with a single heating means 92 , so that a plurality of heating means 92 are provided to make the substrate W more heated. It can be heated uniformly.

가열부(82)는, 기판(W)의 온도를 측정하는 온도 센서(95)를 추가로 포함하고 있다. 가열부(82)에는, 복수의 온도 센서(95)가 설치되어도 된다. 각 온도 센서(95)는 평면에서 보았을 때 서로 상이한 영역의 온도를 측정한다. 예를 들면 온도 센서(95)는 가열 수단(92)과 일대일로 설치되어도 된다. 이 경우, 온도 센서(95)는, 대응하는 가열 수단(92)의 가열 대상 영역의 온도를 측정한다.The heating unit 82 further includes a temperature sensor 95 for measuring the temperature of the substrate W. A plurality of temperature sensors 95 may be provided in the heating unit 82 . Each temperature sensor 95 measures the temperature of different regions when viewed in a plan view. For example, the temperature sensor 95 may be provided one-to-one with the heating means 92 . In this case, the temperature sensor 95 measures the temperature of the heating target region of the corresponding heating means 92 .

온도 센서(95)에 의해 측정된 온도는 제어부(60)에 출력된다. 제어부(60)는, 예를 들면, 온도 센서(95)에 의해 측정된 측정 온도에 의거하여, 가열 수단(92)을 제어해도 된다. 이로 인해, 기판(W)의 온도를 보다 균일하게 목표값에 가깝게 할 수 있다.The temperature measured by the temperature sensor 95 is output to the control unit 60 . The control part 60 may control the heating means 92 based on the measured temperature measured by the temperature sensor 95, for example. For this reason, the temperature of the board|substrate W can be made close to a target value more uniformly.

<3-1-3. 냉각부(83)> <3-1-3. Cooling part 83>

냉각부(83)에는, 가열부(82)에 의해 가열된 2장의 기판(W)이 반송 로봇(81)으로부터 일괄적으로 건네진다. 즉, 반송 로봇(81)은, 순차 처리 장치인 세정 장치(12)에 의해 처리된 후에 가열부(82)에 의해 처리된 2장의 기판(W)을, 수평한 일방향으로 늘어놓아 유지하면서, 당해 2장의 기판(W)을 일괄적으로 냉각부(83)로 반송한다. 이 냉각부(83)는, 이 2장의 기판(W)을 수평 방향으로 늘어놓아 유지하는 기판 유지부(93)와, 이 2장의 기판(W)에 대해 일괄적으로 냉각 처리를 행하는 냉각 수단(94)을 구비하고 있다. 환언하면, 냉각부(83)는, 2장의 기판(W)에 대해 동시에 냉각 처리를 행한다.To the cooling unit 83 , the two substrates W heated by the heating unit 82 are collectively passed from the transfer robot 81 . That is, the transfer robot 81 sequentially holds the two substrates W processed by the heating unit 82 after being processed by the cleaning device 12 as a processing device, arranged in a horizontal direction in one direction. The two substrates W are collectively transferred to the cooling unit 83 . The cooling unit 83 includes a substrate holding unit 93 for holding the two substrates W arranged in a horizontal direction, and a cooling means for collectively cooling the two substrates W. 94) are provided. In other words, the cooling unit 83 performs cooling processing on the two substrates W at the same time.

이 기판 유지부(93)는 2장의 기판(W)의 하면을 지지하는 부재(도시하지 않음)를 갖고 있다. 2장의 기판(W)은 이 부재 상에 재치됨으로써 유지된다. 2장의 기판(W)은 그 주면의 법선 방향이 연직 방향을 따르는 자세로 재치된다. 기판 유지부(93)의 구조는 기판 유지부(91)와 동일하다.This board|substrate holding part 93 has a member (not shown) which supports the lower surface of the board|substrate W of 2 sheets. The two board|substrates W are hold|maintained by being mounted on this member. The two board|substrates W are mounted in the attitude|position which the normal line direction of the main surface follows a perpendicular direction. The structure of the substrate holding part 93 is the same as that of the substrate holding part 91 .

냉각 수단(94)은 예를 들면 금속판의 내부에 형성된 액로에 냉수를 흘리는 냉각판 등이며, 기판 유지부(93)에 유지된 2장의 기판(W)에 대해 일괄적으로 냉각 처리를 행한다. 냉각 수단(94)은 제어부(60)에 의해 제어된다. 이 냉각 처리에 의해, 2장의 기판(W)이 냉각되고, 2장의 기판(W)의 온도를 하류측의 처리 장치(도포 관련 장치(14))에 적합한 온도로 할 수 있다. 2장의 기판(W)에 대해 일괄적으로 동시에 냉각 처리를 행함으로써, 기판(W)에 대해 1장씩 냉각 처리를 행하는 경우에 비해, 냉각 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.The cooling means 94 is, for example, a cooling plate that flows cold water to a liquid path formed inside the metal plate, and collectively performs cooling processing on the two substrates W held by the substrate holding unit 93 . The cooling means 94 is controlled by the control unit 60 . By this cooling process, the two board|substrates W are cooled, and the temperature of the two board|substrates W can be made into the temperature suitable for the downstream processing apparatus (application-related apparatus 14). By performing the cooling process at the same time with respect to the board|substrate W of 2 sheets, compared with the case where the cooling process is performed with respect to the board|substrate W one by one, the throughput of a cooling process can be improved.

냉각 수단(94)은 예를 들면 기판 유지부(93)에 내장되어도 된다. 또, 냉각부(83)에는, 복수의 냉각 수단(94)이 설치되어도 된다. 복수의 냉각 수단(94)은 평면에서 보았을 때 서로 이웃하여 배치되고, 서로 독립적으로 제어되어도 된다. 2장의 기판(W)은 예를 들면 복수의 냉각 수단(94)과 연직 방향에 있어서 서로 마주 보는 위치에 재치된다. 이 경우, 기판(W)의 평면시에 있어서의 복수의 영역에 있어서의 온도를 당해 영역마다 조정할 수 있다. 기판(W)의 평면시의 사이즈가 커지면, 단일한 냉각 수단(94)으로 균일하게 기판(W)을 가열하는 것은 곤란하므로, 복수의 냉각 수단(94)이 설치됨으로써, 기판(W)을 보다 균일하게 냉각시킬 수 있다.The cooling means 94 may be incorporated in the substrate holding part 93 , for example. In addition, a plurality of cooling means 94 may be provided in the cooling unit 83 . The plurality of cooling means 94 may be arranged adjacent to each other in a plan view, and may be controlled independently of each other. The two board|substrates W are mounted in the several cooling means 94 and the mutually opposing position in a perpendicular direction, for example. In this case, the temperature in the some area|region in the planar view of the board|substrate W can be adjusted for each said area|region. When the planar size of the substrate W becomes large, it is difficult to uniformly heat the substrate W with a single cooling means 94. It can be cooled uniformly.

냉각부(83)는, 기판(W)의 온도를 측정하는 온도 센서(96)을 추가로 포함하고 있다. 냉각부(83)에는, 복수의 온도 센서(96)가 설치되어도 된다. 각 온도 센서(96)는 평면에서 보았을 때 서로 상이한 영역의 온도를 검출한다. 예를 들면 온도 센서(96)는 냉각 수단(94)과 일대일로 설치되어도 된다. 이 경우, 온도 센서(96)는, 대응하는 냉각 수단(94)의 냉각상 영역의 온도를 측정한다.The cooling unit 83 further includes a temperature sensor 96 for measuring the temperature of the substrate W. A plurality of temperature sensors 96 may be provided in the cooling unit 83 . Each of the temperature sensors 96 detects temperatures in different regions from each other in a plan view. For example, the temperature sensor 96 may be provided one-to-one with the cooling means 94 . In this case, the temperature sensor 96 measures the temperature of the cooling bed region of the corresponding cooling means 94 .

온도 센서(96)에 의해 측정된 온도는 제어부(60)에 출력된다. 제어부(60)는, 예를 들면, 온도 센서(96)에 의해 측정된 측정 온도에 의거하여, 냉각 수단(94)을 제어해도 된다. 이로 인해, 기판(W)의 온도를 보다 균일하게 목표값에 가깝게 할 수 있다.The temperature measured by the temperature sensor 96 is output to the control unit 60 . The control part 60 may control the cooling means 94 based on the measured temperature measured by the temperature sensor 96, for example. For this reason, the temperature of the board|substrate W can be made close to a target value more uniformly.

또한 냉각부(83)는 자연 냉각에 의해 2장의 기판(W)을 냉각해도 된다. 자연 냉각이란, 가열된 기판(W)에 대해 동력(전력)을 이용한 냉각을 행하지 않고, 기판(W)을 방치하여 냉각하는 것이다. 이 경우, 냉각판 등의 구성으로서의 냉각 수단(94)은 불필요하다.Moreover, the cooling part 83 may cool the board|substrate W of 2 sheets by natural cooling. Natural cooling does not perform cooling using motive power (electric power) with respect to the heated board|substrate W, but leaves the board|substrate W standing to cool. In this case, the cooling means 94 as a configuration such as a cooling plate is unnecessary.

<3-1-4. 탈수 베이크 장치의 일련의 처리> <3-1-4. A series of processing of the dehydration baking apparatus>

다음에 탈수 베이크 장치(13)에 의한 일련의 처리를 간단하게 설명한다. 반송 로봇(81)은 상류측의 세정 장치(12)의 기판 도출부(33)로부터 2장의 기판(W)을 일괄적으로 취출하고, 이 2장의 기판(W)을 일괄적으로 가열부(82)에 건넨다. 이 가열부(82)에서도, 2장의 기판(W)은 수평 방향으로 늘어선 상태로 유지된다. 가열부(82)는 이 2장의 기판(W)에 대해 일괄적으로 가열 처리를 행한다. 가열 처리 후의 2장의 기판(W)은 반송 로봇(81)에 의해 일괄적으로 취출되고, 냉각부(83)로 일괄적으로 건네진다. 냉각부(83)에서도, 2장의 기판(W)은 수평 방향으로 늘어선 상태로 유지된다. 냉각부(83)는 이 2장의 기판(W)에 대해 일괄적으로 냉각 처리를 행한다. 냉각 처리가 행해진 2장의 기판(W)은 반송 로봇(81)에 의해 일괄적으로 취출되어, 도포 관련 장치(14)로 일괄적으로 반송된다.Next, a series of processes by the dehydration baking device 13 will be briefly described. The transfer robot 81 collectively takes out two substrates W from the substrate lead-out unit 33 of the upstream cleaning device 12 , and collectively heats the two substrates W by the heating unit 82 . ) is given to Also in this heating part 82, the board|substrate W of 2 sheets is hold|maintained in the state lined up in a horizontal direction. The heating unit 82 collectively heats the two substrates W. The two board|substrates W after heat processing are taken out collectively by the conveyance robot 81, and are passed to the cooling part 83 collectively. Also in the cooling part 83, the two board|substrates W are maintained in the state lined up in the horizontal direction. The cooling unit 83 collectively cools the two substrates W. The two board|substrates W to which the cooling process was performed are taken out collectively by the conveyance robot 81, and are conveyed collectively by the application|coating related apparatus 14.

<4. 제어부> <4. Control Unit>

도 1에 예시하는 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 각 처리 장치에서의 처리 및 기판의 반송을 제어하는 제어부(60)를 갖고 있다. 도 4는, 제어부(60)의 구성의 일례를 개략적으로 나타내는 기능 블록도이다.As illustrated in FIG. 1 , the substrate processing apparatus 1 includes a control unit 60 that controls processing in each processing apparatus and transfer of the substrate. 4 is a functional block diagram schematically showing an example of the configuration of the control unit 60 .

제어부(60)는 제어 회로로서, 도 4에 나타나는 바와 같이, 예를 들면, CPU(Central Processing Unit)(61), ROM(Read Only Memory)(62), RAM(Random Access Memory)(63) 및 기억 장치(64) 등이, 버스 라인(65)을 통해 상호 접속된 일반적인 컴퓨터에 의해 구성된다. ROM(62)은 기본 프로그램 등을 저장하고 있으며, RAM(63)은 CPU(61)가 소정의 처리를 행할 때의 작업 영역으로서 제공된다. 기억 장치(64)는, 플래쉬 메모리, 혹은, 하드 디스크 장치 등의 불휘발성 기억 장치에 의해 구성된다.The control unit 60 is a control circuit, and as shown in FIG. 4 , for example, a CPU (Central Processing Unit) 61, a ROM (Read Only Memory) 62, a RAM (Random Access Memory) 63 and The storage device 64 and the like are constituted by a general computer interconnected via a bus line 65 . The ROM 62 stores a basic program and the like, and the RAM 63 is provided as a work area for the CPU 61 to perform predetermined processing. The storage device 64 is constituted by a flash memory or a nonvolatile storage device such as a hard disk device.

또, 제어부(60)에서는, 입력부(66), 표시부(67), 통신부(68)도 버스 라인(65)에 접속되어 있다. 입력부(66)는, 각종 스위치, 혹은, 터치 패널 등에 의해 구성되어 있으며, 오퍼레이터로부터 처리 레시피 등의 각종 입력 설정 지시를 받는다. 표시부(67)는, 액정 표시 장치 및 램프 등에 의해 구성되어 있으며, CPU(61)에 의한 제어 하에 각종 정보를 표시한다. 통신부(68)는, LAN(Local Area Network) 등을 통한 데이터 통신 기능을 갖는다.In the control unit 60 , the input unit 66 , the display unit 67 , and the communication unit 68 are also connected to the bus line 65 . The input unit 66 is constituted by various switches or a touch panel, and receives various input setting instructions such as processing recipes from the operator. The display unit 67 is constituted by a liquid crystal display device, a lamp, and the like, and displays various types of information under the control of the CPU 61 . The communication unit 68 has a data communication function via a LAN (Local Area Network) or the like.

또, 제어부(60)에는, 각 로봇(인덱서 로봇 등의 반송 로봇 등) 및 상술한 각 처리 장치가 제어 대상으로서 접속되어 있다. 즉 제어부(60)는 기판(W)의 반송을 제어하는 반송 제어부로서 기능할 수 있다.Moreover, each robot (transfer robots, such as an indexer robot, etc.) and each processing apparatus mentioned above are connected to the control part 60 as a control object. That is, the control unit 60 can function as a conveyance control unit that controls conveyance of the substrate W. As shown in FIG.

제어부(60)의 기억 장치(64)에는, 기판 처리 장치(1)를 구성하는 각 장치를 제어하기 위한 처리 프로그램(P)이 저장되어 있다. 제어부(60)의 CPU(61)가 처리 프로그램(P)을 실행함으로써, 기판의 반송 동작 및 처리 동작이 제어된다. 또, 처리 프로그램(P)은, 기록 매체에 기억되어 있어도 된다. 이 기록 매체를 이용하면, 제어부(60)(컴퓨터)에 처리 프로그램(P)을 인스톨할 수 있다. 또 제어부(60)가 실행하는 기능의 일부 또는 전부는 반드시 소프트웨어에 의해 실현될 필요는 없고, 전용의 논리 회로 등의 하드웨어에 의해 실현되어도 된다.The storage device 64 of the control unit 60 stores a processing program P for controlling each apparatus constituting the substrate processing apparatus 1 . When the CPU 61 of the control unit 60 executes the processing program P, the transfer operation and the processing operation of the substrate are controlled. Moreover, the processing program P may be memorize|stored in the recording medium. If this recording medium is used, the processing program P can be installed in the control part 60 (computer). In addition, some or all of the functions executed by the control unit 60 do not necessarily have to be realized by software, but may be realized by hardware such as a dedicated logic circuit.

제어부(60)는 복수 계층 구조를 갖고 있어도 된다. 예를 들면, 제어부(60)는, 주제어부와, 복수의 말단 제어부를 포함해도 된다. 말단 제어부는, 예를 들면, 인덱서부(11), 세정 장치(12), 탈수 베이크 장치(13), 도포 관련 장치(14), 프리베이크 장치(15), 노광 장치(16), 현상 장치(17) 및 포스트베이크 장치(18)의 각 처리 장치에 설치된다. 주제어부는 기판 처리 장치(1)에 설치되고, 복수의 말단 제어부와 통신한다. 주제어부는 기판 처리 장치(1)의 전체 동작을 관리하고, 말단 제어부는 대응하는 각 장치의 동작을 제어한다.The control unit 60 may have a plurality of hierarchical structures. For example, the control unit 60 may include a main control unit and a plurality of terminal control units. The end control section includes, for example, the indexer section 11, the cleaning device 12, the dehydration baking device 13, the coating-related device 14, the prebaking device 15, the exposure device 16, the developing device ( 17) and each processing apparatus of the post-baking apparatus 18 is provided. The main control unit is installed in the substrate processing apparatus 1 and communicates with a plurality of end control units. The main control unit manages the overall operation of the substrate processing apparatus 1 , and the distal control unit controls the operation of each corresponding apparatus.

복수의 말단 제어부는 상호 통신 가능하다. 예를 들면, 말단 제어부 사이에서, 기판(W)에 관한 데이터가 송수신된다. 기판(W)에 관한 데이터는, 예를 들면, 그룹 단위로의 기판(W)의 데이터를 나타내고, 기판(W)의 처리의 내용을 나타내는 정보가 당해 데이터에 포함되어 있다. 말단 제어부는, 하나의 상류측의 말단 제어부로부터 수취한 기판(W)의 데이터에 의거하여, 대응하는 장치를 제어하고, 기판(W)을 처리한다. 예를 들면, 세정 장치(12)의 말단 제어부는, 인덱서부(11)의 말단 제어부로부터 기판(W)의 데이터를 수취하는 것과 더불어, 세정 장치(12)에 기판(W)이 그룹 단위로 반입된다. 세정 장치(12)의 말단 제어부는, 수취한 기판의 데이터에 의거하여 세정 장치(12)를 제어하고, 반입된 기판(W)에 대한 세정 처리를 행한다. 그리고, 기판(W)의 처리 종료 후에 기판(W)이 그룹 단위로 탈수 베이크 장치(13)에 반송되면서, 세정 장치(12)의 말단 제어부로부터 탈수 베이크 장치(13)의 말단 장치에 기판(W)의 데이터가 전달된다. 이하, 동일하게 하여 처리가 행해진다.The plurality of distal controls are communicable with each other. For example, data regarding the board|substrate W is transmitted/received between the terminal control part. The data relating to the substrate W indicates, for example, data of the substrate W in a group unit, and information indicating the contents of the processing of the substrate W is included in the data. The end control unit controls the corresponding apparatus and processes the substrate W based on the data of the substrate W received from the one upstream end control unit. For example, the end control unit of the cleaning apparatus 12 receives the data of the substrate W from the end control unit of the indexer unit 11 , and the substrate W is loaded into the cleaning apparatus 12 in a group unit. do. The distal end control unit of the cleaning device 12 controls the cleaning device 12 based on the received substrate data, and performs cleaning processing on the loaded substrate W. Then, after the processing of the substrate W is finished, the substrate W is transferred to the dewatering and baking apparatus 13 in a group unit, while the substrate W is transferred from the terminal control of the cleaning apparatus 12 to the terminal of the dewatering and baking apparatus 13 . ) data is transmitted. Hereinafter, processing is performed in the same manner.

<5. 처리 파라미터의 수집> <5. Collection of processing parameters>

상술한 바와 같이, 기판 처리 장치(1)에는 각종 센서(예를 들면 유량 센서(345, 359, 364), 압력 센서(357, 358) 및 온도 센서(95, 96)가 설치된다. 이들 센서는, 처리에 관한 파라미터를 측정하는 센서라고 할 수 있다. 이하에서는, 동시 처리 장치(40)(예를 들면 탈수 베이크 장치(13))에 설치된 센서를 제1 센서라고도 부르는 경우가 있으며, 순차 처리 장치(30)(예를 들면 세정 장치(12))에 설치된 센서를 제2 센서라고 부르는 경우가 있다.As described above, various sensors (for example, flow rate sensors 345 , 359 , 364 , pressure sensors 357 , 358 , and temperature sensors 95 and 96 are installed in the substrate processing apparatus 1 . These sensors are , can be said to be a sensor that measures a parameter related to processing.Hereinafter, the sensor provided in the simultaneous processing device 40 (eg, the dehydration and baking device 13) may also be referred to as a first sensor, and a sequential processing device The sensor provided in (30) (for example, the washing|cleaning apparatus 12) may be called a 2nd sensor.

제1 센서로서는, 온도 센서(95, 96)가 예시된다. 온도 센서(95, 96)는, 처리에 관한 파라미터(제1 파라미터)로서, 기판(W)의 온도를 측정한다. 제2 센서로서는, 유량 센서(345, 359, 364) 및 압력 센서(357, 358)가 예시된다. 유량 센서(345, 359, 364)는, 처리에 관한 파라미터(제2 파라미터)로서, 기판(W)에 공급하는 유체의 유량을 측정한다. 압력 센서(357, 358)는, 처리에 관한 파라미터(제2 파라미터)로서, 기판(W)에 공급하는 유체의 압력을 측정한다.As the first sensor, the temperature sensors 95 and 96 are exemplified. The temperature sensors 95 and 96 measure the temperature of the substrate W as a parameter (first parameter) related to the process. As the second sensor, flow sensors 345 , 359 , 364 and pressure sensors 357 , 358 are exemplified. The flow rate sensors 345 , 359 , and 364 measure the flow rate of the fluid supplied to the substrate W as a parameter (second parameter) related to the process. The pressure sensors 357 and 358 measure the pressure of the fluid supplied to the substrate W as a parameter (second parameter) related to the process.

제어부(60)는, 제1 센서 및 제2 센서 각각에 의해 측정된 파라미터를, 기판(W)에 대응지어서, 불휘발성 기억 매체(예를 들면 기억 장치(64))에 기억한다. 이하, 순차 처리 장치(30)와 동시 처리 장치(40)로 나누어 파라미터의 수집에 대해서 설명한다. 이하에서는, 일례로서, 2장의 기판(W)을 포함하는 그룹마다 반송 및 처리되는 경우에 대해서 설명한다.The control unit 60 stores the parameters measured by each of the first sensor and the second sensor in a nonvolatile storage medium (eg, the storage device 64 ) in association with the substrate W . Hereinafter, it is divided into the sequential processing unit 30 and the simultaneous processing unit 40, and the parameter collection is demonstrated. Hereinafter, as an example, the case where each group containing the board|substrate W of 2 sheets is conveyed and processed is demonstrated.

<5-1. 순차 처리 장치(30)에 있어서의 파라미터의 수집> <5-1. Collection of parameters in sequential processing device 30>

상술한 바와 같이, 순차 처리 장치(30)의 기판 도입부(31)에는, 하나의 그룹에 속하는 2장의 기판(W)이 일괄적으로 반입된다. 순차 처리 장치(30)는, 반입된 2장의 기판(W)을 1장씩 순차적으로 반송하면서 각 기판(W)에 대해 순차적으로 처리를 행한다. 구체적으로는, 우선, 2장의 기판(W) 중 하류측의 기판(W2)이 반송되어, 처리 장치 본체(32)에 의해 기판(W2)에 대한 처리가 행해지면서, 계속해서 상류측의 기판(W1)이 반송되어, 처리 장치 본체(32)에 의해 기판(W1)에 대한 처리가 행해진다. 이하에서는, 대표적으로 기판(W2)에 대해서 설명한다.As described above, two substrates W belonging to one group are collectively loaded into the substrate introduction unit 31 of the sequential processing apparatus 30 . The sequential processing apparatus 30 sequentially processes each board|substrate W, conveying each board|substrate W of 2 carried in one by one sequentially. Specifically, first of the two substrates W, the downstream substrate W2 is transported, and the processing apparatus main body 32 performs the processing on the substrate W2, while the upstream substrate ( W1) is conveyed, and the processing apparatus main body 32 performs a process with respect to the board|substrate W1. Hereinafter, the substrate W2 will be described representatively.

약액부(34)에서는, 노즐(341)로부터 기판(W2)에 약액이 공급된다. 이로 인해, 기판(W2)에는 약액에 따른 처리가 행해진다. 기판(W2)에 공급되는 약액의 유량은 유량 센서(345)에 의해 측정되고, 그 측정값을 나타내는 측정 신호가 유량 센서(345)로부터 제어부(60)에 출력된다.In the chemical liquid part 34 , the chemical liquid is supplied to the substrate W2 from the nozzle 341 . For this reason, the processing according to the chemical|medical solution is performed to the board|substrate W2. The flow rate of the chemical solution supplied to the substrate W2 is measured by the flow sensor 345 , and a measurement signal representing the measured value is output from the flow sensor 345 to the controller 60 .

다음에 기판(W2)은 수세부(35)에 반송된다. 수세부(35)에서는, 기판(W2)은 우선 저압수 공급부(351)에 반송되고, 액 나이프(35a)로부터 기판(W2)에 세정수가 공급된다. 기판(W2)에 공급되는 세정수의 압력은 압력 센서(357)에 의해 측정되고, 그 측정 신호가 압력 센서(357)로부터 제어부(60)에 출력된다.Next, the substrate W2 is transferred to the washing unit 35 . In the water washing unit 35 , the substrate W2 is first transferred to the low pressure water supply unit 351 , and washing water is supplied to the substrate W2 from the liquid knife 35a . The pressure of the washing water supplied to the substrate W2 is measured by the pressure sensor 357 , and a measurement signal thereof is output from the pressure sensor 357 to the control unit 60 .

다음에 기판(W2)은 고압수 공급부(352)에 반송되고, 고압수 공급부(352)의 노즐로부터 기판(W2)에 세정수가 공급된다. 기판(W2)에 공급되는 세정수의 압력은 압력 센서(358)에 의해 측정되고, 그 측정 신호가 압력 센서(358)로부터 제어부(60)에 출력된다.Next, the substrate W2 is transferred to the high-pressure water supply unit 352 , and washing water is supplied to the substrate W2 from the nozzle of the high-pressure water supply unit 352 . The pressure of the washing water supplied to the substrate W2 is measured by the pressure sensor 358 , and a measurement signal thereof is output from the pressure sensor 358 to the control unit 60 .

다음에 기판(W2)은 초음파 세정수 공급부(353)에 반송되고, 노즐(35b)로부터 기판(W2)에 세정수가 공급된다. 기판(W2)에 공급되는 세정수의 압력은 유량 센서(359)에 의해 측정되고, 그 측정 신호가 유량 센서(359)로부터 제어부(60)에 출력된다.Next, the substrate W2 is transferred to the ultrasonic cleaning water supply unit 353 , and the cleaning water is supplied to the substrate W2 from the nozzle 35b. The pressure of the washing water supplied to the substrate W2 is measured by the flow sensor 359 , and a measurement signal thereof is output from the flow sensor 359 to the controller 60 .

다음에 기판(W2)은 순수 공급부(354)에 반송되고, 순수 공급부(354)의 노즐로부터 기판(W2)에 순수가 공급된다. 순수 공급부(354)에는, 기판(W2)에 공급되는 순수의 유량을 검출하는 유량 센서가 설치되어도 되고, 이 경우, 그 측정 신호가 당해 유량 센서로부터 제어부(60)에 출력된다.Next, the substrate W2 is transferred to the pure water supply unit 354 , and pure water is supplied to the substrate W2 from the nozzle of the pure water supply unit 354 . A flow rate sensor for detecting the flow rate of the pure water supplied to the substrate W2 may be provided in the pure water supply unit 354 , and in this case, the measurement signal is output from the flow rate sensor to the control unit 60 .

이상과 같이, 수세부(35)에서는 기판(W2)에 세정수 및 순수가 순차적으로 공급되어, 기판(W2)가 세정된다.As described above, in the water cleaning unit 35 , washing water and pure water are sequentially supplied to the substrate W2 to clean the substrate W2 .

다음에 기판(W2)은 탈수부(36)에 반송되고, 탈수부(36)의 분사부(361)로부터 기판(W2)에 기체가 공급된다. 이로 인해, 기판(W2)에 부착된 액이 날려 보내진다. 기판(W2)에 공급되는 기체의 유량은 유량 센서(364)에 의해 측정되고, 그 측정 신호가 유량 센서(364)로부터 제어부(60)에 출력된다.Next, the substrate W2 is transferred to the dewatering unit 36 , and gas is supplied to the substrate W2 from the spraying unit 361 of the dewatering unit 36 . For this reason, the liquid adhering to the board|substrate W2 is blown away. The flow rate of the gas supplied to the substrate W2 is measured by the flow rate sensor 364 , and the measurement signal is output from the flow rate sensor 364 to the control unit 60 .

제어부(60)는, 유량 센서(345, 359, 364)에 의해 측정된 유량 및 압력 센서(357, 358)에 의해 측정된 압력을 기판(W2)에 대응지어서, 순차 수집 데이터로서 예를 들면 기억 장치(64)에 기억한다. 즉, 제어부(60)는, 기판(W2)에 대한 순차 처리 장치(30)의 처리 중에 제2 센서에 의해 측정된 파라미터를, 기판(W2)에 대응지어서 기억 장치(64)에 기억한다.The control unit 60 associates the flow rates measured by the flow sensors 345 , 359 , and 364 and the pressures measured by the pressure sensors 357 and 358 to the substrate W2, and stores, for example, as sequentially collected data. stored in device 64 . That is, the control unit 60 stores the parameters measured by the second sensor during the sequential processing of the processing device 30 on the substrate W2 in association with the substrate W2 in the storage device 64 .

도 5는, 기판(W2)에 대한 순차 수집 데이터의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 5의 예에서는, 순차 수집 데이터는, 그룹 식별 정보(Da1)와, 위치 정보(Db1)와, 처리 정보(Dd1)를 포함하고 있다. 그룹 식별 정보(Da1) 및 위치 정보(Db1)는, 기판(W)을 식별하기 위한 정보이며, 이후에 상세하게 설명한다. 처리 정보(Dd1)는, 각 제2 센서에 의해 측정된 파라미터의 측정값(이른바 실측값)를 나타내는 정보이다. 도 5의 예에서는, 순차 수집 데이터에는, 세정 장치(12)에 있어서의 유량 센서(345, 359, 364) 및 압력 센서(357, 358)에 따라, 5개의 처리 정보(Dd1)가 포함되어 있다. 도 5의 예에서는, 측정값은 「****」으로 모식적으로 나타나 있다.5 : is a figure which shows typically an example of sequentially acquired data with respect to the board|substrate W2. In the example of FIG. 5 , the sequentially collected data includes group identification information Da1, positional information Db1, and processing information Dd1. The group identification information Da1 and the position information Db1 are information for identifying the board|substrate W, and are demonstrated in detail later. The processing information Dd1 is information indicating a measurement value (so-called actual value) of a parameter measured by each second sensor. In the example of FIG. 5 , the sequentially collected data includes five pieces of processing information Dd1 according to the flow rate sensors 345 , 359 , 364 and the pressure sensors 357 and 358 in the cleaning device 12 . . In the example of FIG. 5, the measured value is represented typically by "****".

상술한 예에서는, 기판(W2)에 대해서 서술했는데, 기판(W1)에서도 마찬가지이다. 즉, 제어부(60)는, 기판(W1)에 대한 순차 처리 장치(30)의 처리 중에 제2 센서에 의해 측정된 파라미터를, 기판(W1)에 대응지어서 예를 들면 기억 장치(64)에 기억한다. 도 6은, 기판(W1)에 대한 순차 수집 데이터의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 6의 예에서도, 기판(W1)에 대한 순차 수집 데이터는, 그룹 식별 정보(Da1)와, 위치 정보(Db1)와, 처리 정보(Dd1)를 포함하고 있다.In the example mentioned above, although the board|substrate W2 was described, it is the same also with the board|substrate W1. That is, the control unit 60 stores the parameters measured by the second sensor during the sequential processing of the substrate W1 by the processing device 30 in association with the substrate W1, for example, in the storage device 64 . do. 6 : is a figure which shows typically an example of sequentially acquired data with respect to the board|substrate W1. Also in the example of FIG. 6 , the sequentially collected data for the substrate W1 includes group identification information Da1, position information Db1, and processing information Dd1.

그룹 식별 정보(Da1)는, 기판(W)의 그룹을 식별하는 정보이다. 그룹은 예를 들면 N장(여기에서는 2장)의 기판(W1, W2)에 의해 구성된다. 여기에서는 기판(W1, W2)은 동일 그룹에 속하고 있으므로, 기판(W1, W2)의 그룹 식별 정보(Da1)는 서로 동일하다. 도 5 및 도 6의 예에서는, 그룹 식별 정보(Da1)로서 「페어 번호 k」가 나타나 있다. 예를 들면 그룹 식별 정보(Da1)는 「k」의 값이 커질수록, 그룹은 상류측에 있는 것을 나타낸다. 위치 정보(Db1)는, 기판(W)의 그룹 내의 위치를 나타내는 정보이다. 여기에서는, 기판(W2)은 기판(W1)보다 하류측에 위치하고 있으므로, 기판(W2)의 위치 정보(Db1)(도 5 참조)는 「하류」를 나타내고 있으며, 기판(W1)의 위치 정보(Db1)(도 6 참조)는 「상류」를 나타내고 있다. 그룹 식별 정보(Da1) 및 위치 정보(Db1)에 의해 기판(W)을 개별적으로 식별할 수 있다.The group identification information Da1 is information for identifying a group of the substrate W. The group is constituted by, for example, N (2 in this case) substrates W1 and W2. Here, since the substrates W1 and W2 belong to the same group, the group identification information Da1 of the substrates W1 and W2 is the same. 5 and 6, "pair number k" is indicated as the group identification information Da1. For example, the group identification information Da1 indicates that the group is located on the upstream side as the value of "k" increases. The positional information Db1 is information indicating the position in the group of the substrates W. As shown in FIG. Here, since the substrate W2 is located on the downstream side of the substrate W1, the position information Db1 (refer to FIG. 5) of the substrate W2 indicates "downstream", and the position information ( Db1) (refer to Fig. 6) indicates "upstream". The substrate W may be individually identified by the group identification information Da1 and the position information Db1.

상술한 예에서는, 순차 처리 장치(30)로서 세정 장치(12)가 설명되었는데, 다른 순차 처리 장치(30)에서도 마찬가지이다. 다른 순차 처리 장치(30)에서도, 처리에 관한 파라미터를 측정하는 제2 센서가 설치된다. 제어부(60)는, 기판(W2)의 처리 중에 제2 센서에 의해 측정된 파라미터를, 기판(W2)에 대응지어서 예를 들면 기억 장치(64)에 기억한다. 구체적으로는, 제어부(60)는, 다른 순차 처리 장치(30)의 제2 센서에 의해 측정된 파라미터의 측정값을 나타내는 처리 정보(Dd1)를, 기판(W2)의 순차 수집 데이터에 부가한다. 기판(W1)도 마찬가지이다. 도 5 및 도 6에서는, 다른 순차 처리 장치(30)에 대응한 처리 정보(Dd1)의 존재를, 종방향으로 늘어선 검은 동그라미로 모식적으로 나타내고 있다.In the above-described example, the cleaning device 12 has been described as the sequential processing device 30 , and the same applies to the other sequential processing devices 30 . Also in the other sequential processing apparatus 30, a second sensor for measuring a parameter related to processing is provided. The control part 60 stores the parameter measured by the 2nd sensor during the process of the board|substrate W2 in the memory|storage device 64 in association with the board|substrate W2, for example. Specifically, the control unit 60 adds the processing information Dd1 indicating the measured value of the parameter measured by the second sensor of the other sequential processing apparatus 30 to the sequentially collected data of the substrate W2 . The same applies to the substrate W1. 5 and 6 , the existence of the processing information Dd1 corresponding to the other sequential processing apparatuses 30 is schematically indicated by black circles arranged in the vertical direction.

이상과 같이, 순차 처리 장치(30)에는, 기판(W)이 그룹 단위로 반입되지만, 순차 처리 장치(30)는, 당해 그룹에 속하는 기판(W1, W2)을 1장씩 반송하여, 기판(W1, W2)을 1장씩 처리한다. 즉, 기판(W1, W2)에는 서로 상이한 타이밍에 개별적으로 처리가 행해진다. 예를 들면 기판(W2)에는, 기판(W1)에 앞서, 약액부(34)의 노즐(341)로부터 약액이 공급되고, 그 후, 기판(W1)에 노즐(341)로부터 약액이 공급된다. 노즐(341)로부터 토출되는 약액의 유량은 시간의 경과와 함께 변동될 수 있기 때문에, 기판(W1, W2)에 공급되는 약액의 유량은 서로 상이할 수 있다. 즉, 비록 동일 그룹에 속하는 기판(W1, W2)이어도 순차 처리 장치(30)에 있어서의 파라미터는 서로 상이할 수 있다. 그래서, 제어부(60)는, 순차 처리 장치(30)에 있어서 측정되는 파라미터를 기판(W1, W2)에 개별적으로 대응지어서 기억하고 있다.As described above, the substrates W are loaded into the sequential processing apparatus 30 in groups, but the sequential processing apparatus 30 transports the substrates W1 and W2 belonging to the group one by one, and the substrate W1 , W2) are processed one by one. That is, the substrates W1 and W2 are individually processed at different timings. For example, the chemical liquid is supplied to the substrate W2 from the nozzle 341 of the chemical liquid part 34 prior to the substrate W1 , and then the chemical liquid is supplied to the substrate W1 from the nozzle 341 . Since the flow rate of the chemical solution discharged from the nozzle 341 may vary with the lapse of time, the flow rate of the chemical solution supplied to the substrates W1 and W2 may be different from each other. That is, even if the substrates W1 and W2 belong to the same group, parameters in the sequential processing apparatus 30 may be different from each other. Therefore, the control unit 60 stores the parameters measured in the sequential processing apparatus 30 in association with the substrates W1 and W2 individually.

<5-2. 동시 처리 장치(40)에 있어서의 파라미터의 수집> <5-2. Collection of parameters in the simultaneous processing device 40>

상술한 바와 같이, 동시 처리 장치(40)에도, 기판(W)이 그룹 단위로 일괄적으로 반입된다. 즉, 1 그룹에 속하는 2장의 기판(W1, W2)이 일괄적으로 동시 처리 장치(40)에 반입된다. 그리고, 동시 처리 장치(40)는, 반입된 2장의 기판(W1, W2)을 일괄적으로 처리한다.As described above, also in the simultaneous processing apparatus 40, the substrates W are collectively carried in groups. That is, two substrates W1 and W2 belonging to one group are collectively loaded into the simultaneous processing apparatus 40 . And the simultaneous processing apparatus 40 processes the board|substrates W1 and W2 of 2 sheets carried in collectively.

예를 들면 가열부(82)에는, 2장의 기판(W1, W2)이 일괄적으로 반입되고, 가열부(82)는 2장의 기판(W1, W2)을 일괄적으로 가열한다. 제1 센서의 일례인 온도 센서(95)는 기판(W1, W2)의 온도를 측정하고, 그 측정 신호를 제어부(60)에 출력한다. 제어부(60)는, 온도 센서(95)에 의해 측정된 기판(W1, W2)의 온도와, 가열 온도의 목표값에 의거하여, 가열 수단(92)을 제어해도 된다. 이로 인해, 기판(W1, W2)의 온도를 가열 온도의 목표값에 가깝게 할 수 있다. 기판(W1, W2)의 온도는 서로 거의 동일한 값이 되도록 제어된다.For example, the two board|substrates W1, W2 are carried in to the heating part 82 at once, and the heating part 82 heats the two board|substrates W1, W2 collectively. The temperature sensor 95 , which is an example of the first sensor, measures the temperature of the substrates W1 and W2 , and outputs the measurement signal to the control unit 60 . The control part 60 may control the heating means 92 based on the temperature of the board|substrates W1, W2 measured by the temperature sensor 95, and the target value of a heating temperature. For this reason, the temperature of the board|substrates W1, W2 can be made close to the target value of a heating temperature. The temperatures of the substrates W1 and W2 are controlled to be substantially equal to each other.

냉각부(83)에도, 2장의 기판(W1, W2)이 일괄적으로 반입된다. 냉각부(83)는 2장의 기판(W1, W2)을 일괄적으로 냉각한다. 제1 센서의 일례인 온도 센서(96)는 기판(W1, W2)의 온도를 측정하고, 그 측정 신호를 제어부(60)에 출력한다. 제어부(60)는 온도 센서(96)에 의해 측정된 기판(W1, W2)의 온도와, 냉각 온도의 목표값에 의거하여, 냉각 수단(94)을 제어해도 된다. 이로 인해, 기판(W1, W2)의 온도를 냉각 온도의 목표값에 가깝게 할 수 있다. 기판(W1, W2)의 온도는 서로 거의 동일한 값이 되도록 제어된다.The two board|substrates W1 and W2 are carried in also to the cooling part 83 collectively. The cooling unit 83 cools the two substrates W1 and W2 collectively. The temperature sensor 96 as an example of the first sensor measures the temperature of the substrates W1 and W2 and outputs the measurement signal to the control unit 60 . The control unit 60 may control the cooling means 94 based on the temperature of the substrates W1 and W2 measured by the temperature sensor 96 and the target value of the cooling temperature. For this reason, the temperature of the board|substrates W1 and W2 can be made close to the target value of a cooling temperature. The temperatures of the substrates W1 and W2 are controlled to be substantially equal to each other.

제어부(60)는, 기판(W1, W2)에 대한 가열부(82)의 가열 처리 중에 온도 센서(95)에 의해 측정된 온도를 기판(W1, W2)의 그룹에 대응지어서, 동시 수집 데이터로서, 예를 들면 기억 장치(64)에 기억한다. 마찬가지로, 제어부(60)는, 기판(W1, W2)에 대한 냉각부(83)의 냉각 처리 중에 온도 센서(96)에 의해 측정된 온도를 기판(W1, W2)의 그룹에 대응지어서, 동시 수집 데이터로서, 예를 들면 기억 장치(64)에 기억한다.The control unit 60 associates the temperature measured by the temperature sensor 95 during the heat treatment of the heating unit 82 with respect to the substrates W1 and W2 to the group of the substrates W1 and W2, and as simultaneous collection data. , for example, is stored in the storage device 64 . Similarly, the control unit 60 associates the temperature measured by the temperature sensor 96 to the group of the substrates W1 and W2 during the cooling process of the cooling unit 83 with respect to the substrates W1 and W2, and collects them simultaneously As data, it is stored in the memory|storage device 64, for example.

도 7은, 동시 수집 데이터의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 7의 예에서는, 동시 수집 데이터는, 그룹 식별 정보(Da1)와, 기판 유무 정보(De1)와, 목표 정보(Df1)와, 처리 정보(Dd1)를 포함하고 있다. 기판 유무 정보(De1)는, 그룹의 기판 구성을 나타내는 정보이다. 여기에서는, 기판(W1, W2) 양쪽이 그룹을 구성하기 때문에, 도 7의 예에서는, 기판 유무 정보(De1)는, 기판(W1, W2) 양쪽을 나타내는 「양쪽 기판」을 나타내고 있다.7 : is a figure which shows typically an example of simultaneous collection data. In the example of FIG. 7 , the simultaneous collection data includes group identification information Da1, substrate presence/absence information De1, target information Df1, and process information Dd1. The board|substrate presence/absence information De1 is information which shows the board|substrate structure of a group. Here, since both of the substrates W1 and W2 constitute a group, in the example of FIG. 7 , the substrate presence/absence information De1 indicates “both substrates” indicating both of the substrates W1 and W2.

목표 정보(Df1)는, 처리에 관한 파라미터에 대한 목표값이다. 보다 구체적인 일례로서, 목표 정보(Df1)는, 가열부(82)에 있어서의 기판(W)의 목표 온도, 및, 냉각부(83)에 있어서의 기판(W)의 목표 온도 각각을 나타낸다. 도 7의 예에서는, 가열부(82)에 있어서의 목표 정보(Df1) 및 온도 센서(95)에 대한 처리 정보(Dd1)는 상하로 인접하여 나타나 있으며, 냉각부(83)에 있어서의 목표 정보(Df1) 및 온도 센서(96)에 대한 처리 정보(Dd1)도 상하로 인접하여 나타나 있다. 도 7의 예에서는, 측정값 및 목표값은 「****」으로 모식적으로 나타나 있다.The target information Df1 is a target value for a parameter related to processing. As a more specific example, the target information Df1 indicates the target temperature of the substrate W in the heating unit 82 and the target temperature of the substrate W in the cooling unit 83 , respectively. In the example of FIG. 7 , the target information Df1 in the heating unit 82 and the processing information Dd1 for the temperature sensor 95 are displayed vertically adjacent to each other, and the target information in the cooling unit 83 is displayed. (Df1) and processing information Dd1 for the temperature sensor 96 are also shown vertically adjacent to each other. In the example of FIG. 7, the measured value and the target value are represented typically by "****".

상술한 예에서는, 동시 처리 장치(40)로서 가열부(82) 및 냉각부(83)가 설명되었는데, 다른 동시 처리 장치(40)에서도 마찬가지이다. 다른 동시 처리 장치(40)에서도, 처리에 관한 파라미터를 측정하는 제1 센서가 설치된다. 제어부(60)는, 기판(W1, W2)에 대한 동시 처리 장치(40)의 처리 중에 제1 센서에 의해 측정된 파라미터를, 기판(W1, W2)의 그룹에 대응지어서 예를 들면 기억 장치(64)에 기억한다. 구체적으로는, 제어부(60)는, 다른 동시 처리 장치(40)의 제1 센서에 의해 측정된 파라미터의 측정값을 나타내는 처리 정보(Dd1)를, 기판(W1, W2)의 동시 수집 데이터에 부가한다. 또, 다른 동시 처리 장치(40)의 목표 정보(Df1)도 동시 수집 데이터에 부가해도 된다. 도 7의 예에서는, 다른 동시 처리 장치(40)에 대응한 처리 정보(Dd1) 및 목표 정보(Df1)의 존재를, 종방향으로 늘어선 검은 동그라미로 모식적으로 나타내고 있다.In the above-described example, the heating unit 82 and the cooling unit 83 have been described as the simultaneous processing device 40 , and the same applies to the other simultaneous processing devices 40 . Also in the other simultaneous processing device 40, a first sensor for measuring a parameter related to processing is provided. The control unit 60 associates the parameters measured by the first sensor during the processing of the simultaneous processing device 40 for the substrates W1 and W2 to the groups of the substrates W1 and W2, for example, a storage device ( 64) is remembered. Specifically, the control unit 60 adds processing information Dd1 indicating the measured value of the parameter measured by the first sensor of the other simultaneous processing device 40 to the simultaneous collection data of the substrates W1 and W2. do. Moreover, you may add target information Df1 of the other simultaneous processing apparatus 40 to simultaneous collection data. In the example of FIG. 7 , the existence of the processing information Dd1 and the target information Df1 corresponding to the other simultaneous processing devices 40 is schematically indicated by black circles arranged in the vertical direction.

이상과 같이, 동시 처리 장치(40)에는, 기판(W)이 그룹 단위로 반입된다. 그리고, 동시 처리 장치(40)는 기판(W)을 그룹 단위로 일괄적으로 처리한다. 여기에서는, 동시 처리 장치(40)는 기판(W1, W2)을 일괄적으로 처리한다. 따라서, 상이한 타이밍에 처리되는 순차 처리 장치(30)에 비해, 동시 처리 장치(40)에 있어서의 기판(W1, W2)의 파라미터(예를 들면 온도)의 불균일은 작고, 서로 거의 같다. 그래서, 제어부(60)는, 동시 처리 장치(40)에 있어서 측정되는 파라미터를 기판(W1, W2)의 그룹에 개별적으로 대응지어서 기억하고 있다. 이로 인해, 당해 파라미터를 기판(W1, W2)에 개별적으로 대응짓는 경우에 비해, 보다 적은 기억 용량으로 동시 처리 장치(40)에 있어서의 파라미터를 수집할 수 있다.As described above, the substrate W is loaded into the simultaneous processing apparatus 40 in a group unit. In addition, the simultaneous processing apparatus 40 processes the substrates W collectively in group units. Here, the simultaneous processing apparatus 40 processes the board|substrates W1 and W2 collectively. Therefore, compared with the sequential processing apparatus 30 processed at different timings, the nonuniformity of the parameter (for example, temperature) of the board|substrates W1 and W2 in the simultaneous processing apparatus 40 is small and mutually substantially equal. Then, the control part 60 stores the parameters measured in the simultaneous processing apparatus 40 in association with the group of the board|substrates W1 and W2 individually. For this reason, compared with the case where the said parameter is individually mapped to the board|substrates W1, W2, the parameter in the simultaneous processing apparatus 40 can be collected with a smaller storage capacity|capacitance.

<6. 기판의 결여> <6. lack of substrate>

상술한 예에서는, 1 그룹에 2장의 기판(W1, W2) 양쪽이 포함되는 경우를 설명했다. 그러나, 복수의 그룹 중 적어도 어느 하나에 있어서, 기판(W1, W2) 중 한쪽이 결여되는 경우가 있다. 이하에서는, 구체적인 일례로서, 기판 처리 장치(1)에 반입되는 카세트의 내부에 있어서, 기판(W1, W2) 중 한쪽이 결여되어 있는 경우에 대해서 설명한다.In the above-mentioned example, the case where both of the board|substrates W1 and W2 of 2 sheets are contained in one group has been demonstrated. However, in at least one of the plurality of groups, there is a case where one of the substrates W1 and W2 is lacking. Below, as a specific example, the inside of the cassette carried in to the substrate processing apparatus 1 WHEREIN: The case where one of the board|substrates W1, W2 is lacking is demonstrated.

도 8 및 도 9는, 카세트(10)에 있어서 복수의 기판(W)이 그룹마다 수용되는 양태를 모식적으로 나타내는 도면이다. 이 카세트(10)는 인덱서부(11)에 반입된다. 복수의 기판(W)은 카세트(10)에 있어서 그룹마다 서로 상이한 수용 위치(슬롯)에 수용된다. 도 8 및 9에 있어서 상이한 슬롯은 도면에 있어서 상하로 위치한다.8 and 9 are diagrams schematically showing a mode in which a plurality of substrates W are accommodated for each group in the cassette 10 . This cassette 10 is loaded into the indexer unit 11 . The plurality of substrates W are accommodated in different receiving positions (slots) for each group in the cassette 10 . 8 and 9 the different slots are positioned up and down in the figure.

도 8의 예에서는, 각 슬롯에는, 2장의 기판(W1, W2)이 좌우 방향으로 나란히 저장되어 있다. 인덱서부(11)의 인덱서 로봇은, 카세트(10)의 각 슬롯으로부터 기판(W1, W2)을 일괄적으로 취출하여, 세정 장치(12)에 반입한다. 따라서, 각 슬롯이 그룹에 대응한다. 도 8의 예에서는, 모든 슬롯에 있어서 기판(W1, W2)이 저장되어 있으므로, 인덱서 로봇은 어느 슬롯으로부터도 2장의 기판(W1, W2)을 일괄적으로 취출한다. 이 경우, 모든 그룹이 2장의 기판(W1, W2)에 의해 구성된다.In the example of FIG. 8, two board|substrates W1, W2 are stored side by side in the left-right direction in each slot. The indexer robot of the indexer unit 11 collectively takes out the substrates W1 and W2 from each slot of the cassette 10 and carries them into the cleaning device 12 . Thus, each slot corresponds to a group. In the example of FIG. 8, since the board|substrates W1 and W2 are stored in all the slots, the indexer robot takes out two board|substrates W1, W2 collectively from any slot. In this case, all the groups are constituted by two substrates W1 and W2.

한편, 도 9의 예에서는, 2장의 기판(W)이 저장된 슬롯과, 1장의 기판(W)만이 저장된 슬롯이 혼재하고 있다. 구체적으로는, 도 9의 예에서는, 위에서부터 2번째의 슬롯에는, 좌측에만 기판(W1)이 저장되어 있으며, 위에서부터 5번째의 슬롯에는, 우측에만 기판(W2)이 저장되어 있다. 이들 이외의 슬롯에는, 2장의 기판(W1, W2)이 좌우 방향으로 나란히 저장되어 있다. 이 경우, 인덱서 로봇에 의해 카세트(10)로부터 취출되는 기판(W)의 장수는 슬롯에 따라 상이하다.On the other hand, in the example of FIG. 9 , a slot in which two substrates W are stored and a slot in which only one substrate W is stored are mixed. Specifically, in the example of FIG. 9 , the substrate W1 is stored only on the left side in the second slot from the top, and the substrate W2 is stored only on the right side in the fifth slot from the top. In slots other than these, two boards W1 and W2 are stored side by side in the left-right direction. In this case, the number of substrates W taken out from the cassette 10 by the indexer robot differs depending on the slot.

인덱서 로봇은 예를 들면 위에서부터 순서대로 카세트(10)의 슬롯으로부터 기판(W)을 취출해도 된다. 이 경우, 인덱서 로봇은, 우선 가장 위의 슬롯으로부터 기판(W1, W2)을 일괄적으로 취출하여 세정 장치(12)에 반송한다. 이 그룹은 기판(W1, W2)에 의해 구성된다. 다음에, 인덱서 로봇은 2번째의 슬롯으로부터 1장의 기판(W1)을 취출하여 세정 장치(12)에 반송한다. 이 그룹은 기판(W1)으로만 구성된다. 이후, 동일하게 하여, 인덱서 로봇은 카세트(10)의 각 슬롯으로부터 기판(W)을 취출하여 세정 장치(12)에 반송한다. 또한, 인덱서 로봇은, N장(여기에서는 2장) 이하의 기판(W)을 반송하는 반송부라고 말할 수 있다.The indexer robot may take out the board|substrate W from the slot of the cassette 10 in order from top, for example. In this case, first, the indexer robot collectively takes out the substrates W1 and W2 from the uppermost slot and transfers them to the cleaning device 12 . This group is constituted by substrates W1 and W2. Next, the indexer robot takes out one substrate W1 from the second slot and transfers it to the cleaning device 12 . This group consists only of the substrate W1. Thereafter, in the same manner, the indexer robot takes out the substrate W from each slot of the cassette 10 and transfers it to the cleaning device 12 . In addition, it can be said that the indexer robot is a conveyance part which conveys the board|substrate W of N or less (2 sheets here).

기판(W1, W2) 양쪽을 취출한 경우에는, 그 1 그룹은 기판(W1, W2)에 의해 구성된다. 기판(W1)만을 취출한 경우, 그 1 그룹은 기판(W1)으로만 구성된다. 즉, 이 1 그룹에서는, 기판(W2)이 결여된다. 또, 기판(W2)만을 취출한 경우, 그 1 그룹은 기판(W2)으로만 구성된다. 즉, 이 1 그룹에서는, 기판(W1)이 결여된다.When both of the substrates W1 and W2 are taken out, one group is constituted by the substrates W1 and W2. When only the substrate W1 is taken out, one group is composed of only the substrate W1. That is, in this one group, the board|substrate W2 is lacking. Moreover, when only the board|substrate W2 is taken out, that 1 group is comprised only with the board|substrate W2. That is, in this one group, the board|substrate W1 is lacking.

인덱서 로봇은 카세트(10)의 기판(W)을 슬롯마다 순차적으로 취출하고, 그때마다, 세정 장치(12)에 반송하기 때문에, 세정 장치(12)에는, 기판(W1, W2)이 일괄적으로 반입되거나, 기판(W1)만이 반입되거나, 기판(W2)만이 반입된다.Since the indexer robot sequentially takes out the substrates W of the cassette 10 for each slot and transports them to the cleaning apparatus 12 each time, the cleaning apparatus 12 includes the substrates W1 and W2 at once. It is carried in, only the board|substrate W1 is carried in, or only the board|substrate W2 is carried in.

제어부(60)는, 카세트(10) 내의 기판(W)의 저장 양태를 알 수 있다. 예를 들면, 카세트(10)의 각 슬롯의 각 위치에 있어서의 기판(W)의 존재 여부를 나타내는 저장 정보가 제어부(60)에 입력된다. 제어부(60)는 당해 저장 정보에 의거하여, 각 그룹의 기판 구성을 알 수 있다. 저장 정보는, 예를 들면, 조작자에 의한 입력부(66)를 이용한 입력에 의해, 제어부(60)에 입력되어도 되고, 혹은, 기판 처리 장치(1)보다 상류측의 장치로부터 제어부(60)에 송신되어도 되고, 혹은, 카세트(10)에 있어서의 기판(W)의 존재 여부를 검출하는 센서가 기판 처리 장치(1)에 설치되어도 된다.The control unit 60 can know the storage mode of the substrate W in the cassette 10 . For example, storage information indicating the presence or absence of the substrate W at each position of each slot of the cassette 10 is input to the control unit 60 . The control unit 60 can know the substrate configuration of each group based on the stored information. The storage information may be input to the control unit 60 by, for example, input using the input unit 66 by an operator, or transmitted from an apparatus upstream of the substrate processing apparatus 1 to the control unit 60 . Alternatively, a sensor for detecting the presence or absence of the substrate W in the cassette 10 may be provided in the substrate processing apparatus 1 .

제어부(60)는, 저장 정보에 의해, 각 그룹의 기판 구성(각 기판(W1, W2)의 유무)을 알 수 있으므로, 저장 정보에 의거하여 기판 처리 장치(1)를 제어함으로써, 그룹마다 기판(W)의 반송 및 처리를 관리할 수 있다. 또한, 제어부(60)는, 세정 장치(12)의 기판 도입부(31)의 센서(314, 315)의 검출 결과를 이용하여, 그룹의 기판 구성을 알아도 된다. 혹은, 인덱서 로봇의 핸드에 기판(W)의 존재 여부를 검출하는 센서가 설치되는 경우에는, 제어부(60)는 당해 센서의 검출 결과에 의거하여, 그룹의 기판 구성을 알아도 된다.Since the control unit 60 can know the substrate configuration of each group (the presence or absence of each substrate W1 and W2) from the stored information, the control unit 60 controls the substrate processing apparatus 1 based on the stored information to control the substrate processing apparatus 1 for each group. (W) can manage the return and processing. In addition, the control part 60 may use the detection result of the sensors 314 and 315 of the board|substrate introduction part 31 of the washing|cleaning apparatus 12, and may know the board|substrate structure of a group. Alternatively, when a sensor for detecting the presence or absence of the substrate W is provided in the hand of the indexer robot, the control unit 60 may know the group substrate configuration based on the detection result of the sensor.

기판(W1, W2) 양쪽을 포함하는 그룹에 대한 반송 및 처리는 상술한 바와 같다. 즉, 세정 장치(12)는 기판(W1, W2)을 순차적으로 반송하면서 기판(W1, W2)에 대해 순차적으로 처리를 행한다. 그리고, 반송 로봇(81)은, 기판(W1, W2) 양쪽이 기판 도출부(33)에 반송되었을 때에, 기판(W1, W2)을 일괄적으로 탈수 베이크 장치(13)에 반송한다. 탈수 베이크 장치(13)는 기판(W1, W2)을 일괄적으로 처리한다. 구체적으로는, 가열부(82)는, 반입된 기판(W1, W2)에 대해 일괄적으로 가열 처리를 행한다. 가열 처리가 종료되면, 기판(W1, W2)은 반송 로봇(81)에 의해 냉각부(83)에 일괄적으로 반송된다. 냉각부(83)는, 반입된 기판(W1, W2)에 대해 냉각 처리를 행한다. 냉각 처리가 종료되면, 기판(W1, W2)은 반송 로봇(81)에 의해 하류측의 장치에 반송된다. 이후, 당해 그룹에서는, 기판(W1, W2)이 다른 동시 처리 장치(40) 및 다른 순차 처리 장치(30)에 반송되어, 다른 동시 처리 장치(40) 및 다른 순차 처리 장치(30)에서 처리가 행해진다.The conveyance and processing for the group including both the substrates W1 and W2 are as described above. That is, the cleaning apparatus 12 sequentially processes the substrates W1 and W2 while sequentially conveying the substrates W1 and W2. And when both of the board|substrates W1, W2 are conveyed to the board|substrate lead-out part 33, the conveyance robot 81 conveys the board|substrates W1, W2 to the dewatering baking apparatus 13 collectively. The dehydration baking apparatus 13 processes the board|substrates W1 and W2 collectively. Specifically, the heating unit 82 collectively heats the loaded substrates W1 and W2 . Upon completion of the heat treatment, the substrates W1 and W2 are collectively transferred to the cooling unit 83 by the transfer robot 81 . The cooling unit 83 performs cooling processing on the loaded substrates W1 and W2. When the cooling process is finished, the substrates W1 and W2 are transferred to the downstream device by the transfer robot 81 . Thereafter, in this group, the substrates W1 and W2 are transferred to another simultaneous processing apparatus 40 and another sequential processing apparatus 30, and processing in the other simultaneous processing apparatus 40 and another sequential processing apparatus 30 is performed. is done

한편, 예를 들면 기판(W2)만을 포함하는 그룹에서는, 인덱서 로봇은 세정 장치(12)의 기판 도입부(31)에 기판(W2)만을 반입한다. 이 기판(W2)은 기판 도입부(31)의 롤러(313) 상에 재치되고, 센서(315)에 의해 검출된다. 또한, 기판 도입부(31)는 2장의 기판(W1, W2)을 일괄적으로 반입 가능한 한편, 1장의 기판(W)도 반입 가능하다.On the other hand, for example, in a group including only the substrate W2 , the indexer robot carries only the substrate W2 into the substrate introduction part 31 of the cleaning apparatus 12 . This substrate W2 is placed on the roller 313 of the substrate introduction part 31 , and is detected by the sensor 315 . In addition, the board|substrate introduction part 31 can carry in two board|substrates W1, W2 at once, while carrying in one board|substrate W is also possible.

제어부(60)는 롤러(313)를 동기 회전시켜, 기판(W2)을 처리 장치 본체(32)에 반송시킨다. 이 기판(W2)은 처리 장치 본체(32)에 있어서 각종 처리를 받아, 기판 도출부(33)의 롤러(332)까지 반송된다. 기판(W2)은 기판 도출부(33)의 센서(335)에 의해 검출된다. 이 그룹에서는 기판(W1)이 결여되어 있으므로, 반송 로봇(81)은 기판 도출부(33)의 센서(334)에 의한 기판(W1)의 검출을 기다리지 않고, 기판 도출부(33)로부터 기판(W2)을 취출하여, 기판(W2)을 탈수 베이크 장치(13)(가열부(82))에 반송한다. 또한, 반송 로봇(81)도, N장(여기에서는 2장) 이하의 기판(W)을 반송하는 반송부라고 말할 수 있다.The control unit 60 synchronously rotates the roller 313 to convey the substrate W2 to the processing apparatus main body 32 . This board|substrate W2 receives various processes in the processing apparatus main body 32, and is conveyed to the roller 332 of the board|substrate lead-out part 33. As shown in FIG. The substrate W2 is detected by the sensor 335 of the substrate lead-out part 33 . Since the substrate W1 is lacking in this group, the transfer robot 81 does not wait for the detection of the substrate W1 by the sensor 334 of the substrate lead-out unit 33, but moves the substrate ( W2) is taken out, and the board|substrate W2 is conveyed to the dehydration baking apparatus 13 (heating part 82). In addition, it can be said that the conveyance robot 81 is also a conveyance part which conveys the board|substrate W of N sheets (here, 2 sheets) or less.

도 10은, 탈수 베이크 장치(13)의 구성의 일례를 개략적으로 나타내는 평면도이다. 도 10의 예에서는, 가열부(82)에는 기판(W2)만이 반입되어 있다. 가열부(82)는, 반입된 기판(W2)에 대해서만 가열 처리를 행한다. 가열 처리가 종료되면, 기판(W2)은 반송 로봇(81)에 의해 냉각부(83)에 반송된다. 냉각부(83)는, 반입된 기판(W2)에 대해서만 냉각 처리를 행한다. 냉각 처리가 종료되면, 기판(W2)은 반송 로봇(81)에 의해 하류측의 장치에 반송된다. 이후, 당해 그룹에서는, 기판(W2)만이 다른 동시 처리 장치(40) 및 다른 순차 처리 장치(30)에 반송되어, 다른 동시 처리 장치(40) 및 다른 순차 처리 장치(30)에서 처리가 행해진다. 기판(W1)만을 포함하는 그룹도 마찬가지이다.10 is a plan view schematically showing an example of the configuration of the dewatering and baking apparatus 13. As shown in FIG. In the example of FIG. 10 , only the substrate W2 is loaded into the heating unit 82 . The heating part 82 heat-processes only with respect to the board|substrate W2 carried in. When the heat treatment is finished, the substrate W2 is transferred to the cooling unit 83 by the transfer robot 81 . The cooling part 83 performs a cooling process only with respect to the board|substrate W2 carried in. When the cooling process is finished, the substrate W2 is transferred to the downstream device by the transfer robot 81 . Thereafter, in this group, only the substrate W2 is transferred to the other simultaneous processing apparatus 40 and the other sequential processing apparatus 30 , and processing is performed in the other simultaneous processing apparatus 40 and the other sequential processing apparatus 30 . . The same applies to the group including only the substrate W1.

<6-1. 파라미터의 수집> <6-1. Collection of parameters>

다음에, 1장의 기판(W)만을 포함하는 그룹에 대한 파라미터의 수집에 대해서 서술한다. 이하에서는, 대표적으로 기판(W2)만을 포함하는 그룹에 대해서 설명한다.Next, the collection of parameters for a group including only one substrate W will be described. Hereinafter, a representative group including only the substrate W2 will be described.

상술한 바와 같이, 기판(W2)만이 세정 장치(12)의 기판 도입부(31)에 반입되면, 세정 장치(12)는, 반입된 기판(W2)을 반송하면서 처리를 행한다. 당해 처리 중에 있어서, 제2 센서(유량 센서(345, 359, 364) 및 압력 센서(357, 358))가 파라미터를 측정하고, 그 측정 신호를 제어부(60)에 출력한다. 제어부(60)는, 제2 센서에 의해 측정된 파라미터를 기판(W2)에 대응지어서, 순차 수집 데이터로서 예를 들면 기억 장치(64)에 기억한다. 기판(W2)에 대한 순차 수집 데이터는 도 5와 동일하다.As described above, when only the substrate W2 is loaded into the substrate introduction unit 31 of the cleaning device 12 , the cleaning device 12 performs processing while conveying the loaded substrate W2 . During the process, the second sensors (flow rate sensors 345 , 359 , 364 and pressure sensors 357 , 358 ) measure parameters and output the measurement signals to the control unit 60 . The control part 60 associates the parameter measured by the 2nd sensor with the board|substrate W2, and memorize|stores, for example in the memory|storage device 64 as sequential collection data. The sequentially collected data for the substrate W2 is the same as in FIG. 5 .

기판(W2)이 기판 도출부(33)에 도착하면, 즉, 기판 도출부(33)의 센서(335)가 기판(W2)을 검출하면, 반송 로봇(81)은 이 1장의 기판(W2)을 기판 도출부(33)로부터 취출하여, 가열부(82)에 반송한다.When the board|substrate W2 arrives at the board|substrate lead-out part 33, that is, when the sensor 335 of the board|substrate lead-out part 33 detects the board|substrate W2, the transfer robot 81 sends this one board|substrate W2. is taken out from the substrate lead-out unit 33 and transferred to the heating unit 82 .

가열부(82)는, 반입된 1장의 기판(W2)에 대해서만 가열 처리를 행한다(도 10 참조). 당해 처리 중에 있어서, 온도 센서(95)가 기판(W2)의 온도를 측정하고, 그 측정 신호를 제어부(60)에 출력한다. 이 경우, 제어부(60)는, 온도 센서(95)에 의해 측정된 온도를 1장의 기판(W2)에 대응지어서, 동시 수집 데이터로서 예를 들면 기억 장치(64)에 기억한다. 도 11은, 기판(W2)만을 포함하는 그룹에 대한 동시 수집 데이터의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 11의 예에서는, 기판 유무 정보(De1)는, 그룹에 있어서 하류측의 기판(W2)만이 존재하고 있는 것을 나타내는 「하류 기판」을 나타내고 있다. 도 11의 예에서도, 가열 온도의 목표 정보(Df1)와, 온도 센서(95)에 의해 측정된 온도를 나타내는 처리 정보(Dd1)가 인접하여 나타나 있다.The heating part 82 heat-processes only with respect to the board|substrate W2 of 1 sheet carried in (refer FIG. 10). During the process, the temperature sensor 95 measures the temperature of the substrate W2 and outputs the measurement signal to the control unit 60 . In this case, the control part 60 associates the temperature measured by the temperature sensor 95 to one board|substrate W2, and memorize|stores it in the memory|storage device 64 as simultaneous collection data, for example. 11 is a diagram schematically showing an example of simultaneous collection data for a group including only the substrate W2. In the example of FIG. 11, the board|substrate presence/absence information De1 has shown "downstream board|substrate" which shows that only the board|substrate W2 on the downstream side exists in a group. Also in the example of FIG. 11 , the target information Df1 of the heating temperature and the processing information Dd1 indicating the temperature measured by the temperature sensor 95 are displayed adjacently.

가열부(82)의 가열 처리가 종료되면, 반송 로봇(81)은 가열부(82)로부터 1장의 기판(W2)을 취출하여, 냉각부(83)에 반송한다. 냉각부(83)는, 반입된 1장의 기판(W2)에 대해 냉각 처리를 행한다. 당해 처리 중에 있어서, 제1 센서(온도 센서(96))가 기판(W2)의 온도를 측정하고, 그 측정 신호를 제어부(60)에 출력한다. 이 경우, 제어부(60)는, 온도 센서(96)에 의해 측정된 온도를 1장의 기판(W2)에 대응지어서, 동시 수집 데이터로서 예를 들면 기억 장치(64)에 기억한다. 도 11의 예에서도, 냉각 온도의 목표 정보(Df1)와, 온도 센서(96)에 의해 측정된 온도를 나타내는 처리 정보(Dd1)가 인접하여 나타나 있다.When the heating treatment of the heating unit 82 is finished, the transfer robot 81 takes out one substrate W2 from the heating unit 82 and transfers it to the cooling unit 83 . The cooling part 83 performs a cooling process with respect to the one board|substrate W2 carried in. During the process, the first sensor (temperature sensor 96 ) measures the temperature of the substrate W2 , and outputs the measurement signal to the control unit 60 . In this case, the control part 60 associates the temperature measured by the temperature sensor 96 to the board|substrate W2 of 1 sheet, and memorize|stores it in the memory|storage device 64 as simultaneous collection data, for example. Also in the example of FIG. 11 , the target information Df1 of the cooling temperature and the processing information Dd1 indicating the temperature measured by the temperature sensor 96 are displayed adjacently.

상술한 예에서는, 기판(W2)만이 그룹을 구성하는 경우에 대해서 서술했지만, 기판(W1)만이 그룹을 구성하는 경우에 대해서도 마찬가지이다. 즉, 순차 처리 장치(30)(예를 들면 세정 장치(12))에 있어서 측정된 파라미터는 기판(W1)에 대응지어져, 순차 수집 데이터로서 예를 들면 기억 장치(64)에 기억된다. 기판(W1)에 대한 순차 수집 데이터는 도 6과 동일하다.In the above-mentioned example, although the case where only the board|substrate W2 comprises a group was described, it is the same also about the case where only the board|substrate W1 comprises a group. That is, the parameters measured in the sequential processing device 30 (eg, the cleaning device 12 ) are associated with the substrate W1 and stored in, for example, the storage device 64 as sequentially collected data. The sequentially collected data for the substrate W1 is the same as in FIG. 6 .

동시 처리 장치(40)(예를 들면 탈수 베이크 장치(13))에 있어서 측정된 파라미터는 1장의 기판(W1)에 대응지어져, 동시 수집 데이터로서 예를 들면 기억 장치(64)에 기억된다. 도 12는, 기판(W1)만을 포함하는 그룹에 대한 동시 수집 데이터의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 12의 예에서는, 기판 유무 정보(De1)는, 상류측의 기판(W1)만이 존재하고 있는 것을 나타내는 「상류 기판」을 나타내고 있다. 도 12의 예에서도, 가열 온도의 목표 정보(Df1)와, 온도 센서(95)에 의해 측정된 온도를 나타내는 처리 정보(Dd1)가 인접하여 나타나고, 냉각 온도의 목표 정보(Df1)와, 온도 센서(96)에 의해 측정된 온도를 나타내는 처리 정보(Dd1)가 인접하여 나타나 있다.The parameters measured in the simultaneous processing apparatus 40 (for example, the dehydration and baking apparatus 13) are associated with one board|substrate W1, and are memorize|stored in the memory|storage device 64 as simultaneous collection data, for example. 12 is a diagram schematically showing an example of simultaneous collection data for a group including only the substrate W1. In the example of FIG. 12, the board|substrate presence/absence information De1 has shown "upstream board|substrate" which shows that only the upstream board|substrate W1 exists. Also in the example of FIG. 12 , the target information Df1 of the heating temperature and the processing information Dd1 indicating the temperature measured by the temperature sensor 95 appear adjacent to each other, and the target information Df1 of the cooling temperature and the temperature sensor Process information Dd1 indicating the temperature measured by (96) is shown adjacently.

또한, 상술한 예에서는, 기판(W)의 결여로서, 카세트(10) 내의 각 슬롯에 빈 곳이 있는 경우에 대해서 설명했다. 그런데, 기판 처리 장치(1)에 있어서의 기판(W)의 처리 중에 이상(異常)이 발생한 경우에, 그 이상이 발생한 기판(W)이 기판 처리 장치(1)로부터 제거되는 경우도 있다. 당해 이상의 종류는 특별히 제한되지 않지만, 당해 이상으로서 기판(W)의 균열을 예시할 수 있다. 기판 처리 장치(1)는 이상이 발생했을 때에 동작을 중단해도 된다. 그리고, 조작자는, 이상이 발생한 기판(W)을 수동으로 기판 처리 장치(1)로부터 제거한다. 이 때, 조작자는, 어느 기판(W)을 제거했는지를 나타내는 정보를 입력부(66)에 입력한다. 이로 인해, 제어부(60)는, 어느 기판(W)이 제거되었는지를 알 수 있다.In addition, in the above-mentioned example, the case where there exists an empty place in each slot in the cassette 10 as a lack of the board|substrate W was demonstrated. By the way, when an abnormality generate|occur|produces during the process of the board|substrate W in the substrate processing apparatus 1, the board|substrate W in which the abnormality generate|occur|produced may be removed from the substrate processing apparatus 1 . Although the kind in particular of the said abnormality is not restrict|limited, The crack of the board|substrate W can be illustrated as the said abnormality. The substrate processing apparatus 1 may stop operation|movement when abnormality generate|occur|produces. And the operator removes the board|substrate W in which abnormality has occurred from the substrate processing apparatus 1 manually. At this time, the operator inputs information indicating which substrate W has been removed to the input unit 66 . For this reason, the control part 60 can know which board|substrate W has been removed.

<6-2. 플로차트> <6-2. Flowchart>

여기서, 도 9에 나타나는 카세트(10)에 있어서, 가장 위의 슬롯의 기판(W1, W2)과, 2번째의 슬롯의 기판(W1)에 대한 기판 처리 장치(1)의 동작을, 동시 처리 장치(40)에 착목하여 설명한다. 우선, 가장 위의 슬롯의 2장의 기판(W1, W2)이 취출되어 처리되고, 다음에 2번째의 슬롯의 1장의 기판(W1)이 취출되어 처리된다. 도 13은, 동시 처리 장치(40)의 동작의 일례를 나타내는 플로차트이다. 여기에서는, 동시 처리 장치(40)로서 탈수 베이크 장치(13)의 가열부(82)를 예로 든다.Here, in the cassette 10 shown in FIG. 9 , the operations of the substrate processing apparatus 1 with respect to the substrates W1 and W2 in the uppermost slot and the substrate W1 in the second slot are performed simultaneously. (40) will be described. First, two boards W1 and W2 from the uppermost slot are taken out and processed, and then, one board W1 from the second slot is taken out and processed. 13 is a flowchart showing an example of the operation of the simultaneous processing device 40 . Here, the heating part 82 of the dehydration baking apparatus 13 is taken as the simultaneous processing apparatus 40 as an example.

카세트(10)의 가장 위의 슬롯에 저장되어 있던 기판(W1, W2)에 대한 세정 장치(12)의 처리가 종료되면, 반송 로봇(81)은 세정 장치(12)의 기판 도출부(33)로부터 2장의 기판(W1, W2)을 취출하여, 동시 처리 장치(40)의 일례인 가열부(82)에 일괄적으로 반입한다(단계 S1).When the processing of the cleaning device 12 for the substrates W1 and W2 stored in the uppermost slot of the cassette 10 is finished, the transfer robot 81 transfers the substrate lead-out unit 33 of the cleaning device 12 to the cleaning device 12 . The two substrates W1 and W2 are taken out from the substrate and collectively loaded into the heating unit 82 which is an example of the simultaneous processing apparatus 40 (step S1).

다음에, 가열부(82)가 2장의 기판(W1, W2)을 일괄적으로 가열 처리한다(단계 S2). 이 가열 처리와 병행하여, 온도 센서(95)가 기판(W1, W2)의 온도를 측정한다(단계 S3). 즉, 온도 센서(95)는 2장의 기판(W1, W2)에 대한 가열부(82)의 처리 중에 기판(W1, W2)의 온도를 측정한다. 가열 처리가 종료되면, 반송 로봇(81)은 가열부(82)로부터 2장의 기판(W1, W2)을 일괄적으로 취출하여, 기판(W1, W2)을 냉각부(83)에 반송한다(단계 S4).Next, the heating part 82 heat-processes the two board|substrates W1 and W2 collectively (step S2). In parallel with this heat treatment, the temperature sensor 95 measures the temperature of the substrates W1 and W2 (step S3). That is, the temperature sensor 95 measures the temperature of the substrates W1 and W2 during the processing of the heating unit 82 with respect to the two substrates W1 and W2. Upon completion of the heating treatment, the transfer robot 81 collectively takes out the two substrates W1 and W2 from the heating unit 82 and transfers the substrates W1 and W2 to the cooling unit 83 (step S4).

다음에, 카세트(10)의 2번째의 슬롯에 저장되어 있던 기판(W1)에 대한 세정 장치(12)의 처리가 종료되면, 반송 로봇(81)은 세정 장치(12)의 기판 도출부(33)로부터 1장의 기판(W1)을 취출하여, 가열부(82)에 반입한다(단계 S5).Next, when the processing of the cleaning device 12 for the substrate W1 stored in the second slot of the cassette 10 is finished, the transfer robot 81 transfers the substrate lead-out unit 33 of the cleaning device 12 . ), one substrate W1 is taken out and loaded into the heating unit 82 (step S5).

다음에, 가열부(82)가 1장의 기판(W1)을 가열 처리한다(단계 S6). 이 가열 처리와 병행하여, 온도 센서(95)가 기판(W1)의 온도를 측정한다(단계 S7). 즉, 온도 센서(95)는 1장의 기판(W1)에 대한 가열부(82)의 처리 중에 기판(W1)의 온도를 측정한다. 가열 처리가 종료되면, 반송 로봇(81)은 가열부(82)로부터 1장의 기판(W1)을 취출하여, 기판(W1)을 냉각부(83)에 반송한다(단계 S8).Next, the heating unit 82 heats one substrate W1 (step S6). In parallel with this heat treatment, the temperature sensor 95 measures the temperature of the substrate W1 (step S7). That is, the temperature sensor 95 measures the temperature of the substrate W1 during processing of the heating unit 82 for one substrate W1 . Upon completion of the heating treatment, the transfer robot 81 takes out one substrate W1 from the heating unit 82 , and transfers the substrate W1 to the cooling unit 83 (step S8 ).

다음에, 제어부(60)는, 단계 S3에서 측정된 제1 파라미터를 단계 S2에서 처리된 2장의 기판(W1, W2)에 대응지어서 기억하고, 단계 S7에서 측정된 제1 파라미터를 단계 S6에서 처리된 1장의 기판(W1)에 대응지어서 기억한다(단계 S9). 또한, 제어부(60)는, 단계 S2의 가열 처리의 종료에 응답하여, 단계 S3에서 측정된 제1 파라미터를 단계 S2에서 처리된 2장의 기판(W1, W2)에 대응지어서 기억해도 된다.Next, the control unit 60 stores the first parameter measured in step S3 in association with the two substrates W1 and W2 processed in step S2, and processes the first parameter measured in step S7 in step S6 It is stored in association with the one board|substrate W1 which has been replaced (step S9). Further, in response to the end of the heat treatment in step S2 , the control unit 60 may store the first parameter measured in step S3 in association with the two substrates W1 and W2 processed in step S2 .

<7. 작용 효과> <7. action effect>

이상과 같이, 본 실시 형태에서는, 동시 처리 장치(40)의 제1 센서에 의해 측정된 파라미터는 그룹에 대응지어져, 제어부(60)에 의해 기억된다.As described above, in the present embodiment, the parameter measured by the first sensor of the simultaneous processing device 40 is associated with a group and stored by the control unit 60 .

그런데, 동시 처리 장치(40)에서는, 상술한 바와 같이, 각 기판(W)에 대한 처리의 타이밍은 실질적으로 동일하다. 따라서, 동일 그룹에 속하는 기판(W)에 대한 파라미터의 불균일은 작고, 거의 동일하다. 이러한 파라미터를 기판(W)에 개별적으로 대응지어서 기억하면, 수집 데이터의 데이터량이 커져, 기억 장치(64)에 있어서의 기억 용량을 크게 소비한다.By the way, in the simultaneous processing apparatus 40, as mentioned above, the timing of the processing with respect to each board|substrate W is substantially the same. Therefore, the non-uniformity of the parameters for the substrates W belonging to the same group is small and almost the same. When these parameters are individually associated with the substrate W and stored, the data amount of the collected data becomes large, and the storage capacity of the storage device 64 is greatly consumed.

이에 대해, 본 실시 형태에서는, 동시 처리 장치(40)의 제1 센서에 의해 측정된 파라미터는 그룹에 대응지어져, 제어부(60)에 의해 기억된다. 따라서, 보다 작은 데이터량으로 파라미터를 수집할 수 있다.On the other hand, in this embodiment, the parameter measured by the 1st sensor of the simultaneous processing apparatus 40 is matched with a group, and the control part 60 stores it. Accordingly, parameters can be collected with a smaller data amount.

게다가, 그룹을 구성하는 기판(W)의 장수가 변동되는 경우, 동시 처리 장치(40)의 제1 센서에 의해 측정된 파라미터는, 그 기판(W)의 장수의 변동에 따라 수집된다. 구체적으로는, 2장의 기판(W)이 동시 처리 장치(40)에 일괄적으로 반입되는 경우에는, 제어부(60)는, 제1 센서에 의해 측정된 파라미터를 2장의 기판(W)에 대응지어서 기억하고(도 7 참조), 1장의 기판(W)이 동시 처리 장치(40)에 일괄적으로 반입되는 경우에는, 제어부(60)는, 제1 센서에 의해 측정된 파라미터를 1장의 기판(W)에 대응지어서 기억한다(도 11 및 도 12 참조).In addition, when the number of sheets of the substrates W constituting the group varies, the parameter measured by the first sensor of the simultaneous processing apparatus 40 is collected in accordance with the fluctuation of the number of sheets of the substrates W. As shown in FIG. Specifically, when two substrates W are collectively loaded into the simultaneous processing apparatus 40 , the control unit 60 associates the parameters measured by the first sensor to the two substrates W, When stored (refer to FIG. 7 ) and one substrate W is loaded into the simultaneous processing apparatus 40 at once, the control unit 60 sets the parameter measured by the first sensor to the one substrate W ) and memorize (refer to Figs. 11 and 12).

보다 일반적으로 설명하면, N장의 기판(W)이 동시 처리 장치(40)에 일괄적으로 반입되는 경우에는, 제어부(60)는, N장의 기판(W)에 대한 동시 처리 장치(40)의 처리 중에 제1 센서에 의해 측정된 파라미터를, 당해 N장의 기판(W)의 그룹에 대응지어서 기억하고, M(M은 1 이상 N 미만의 정수)장의 기판(W)이 동시 처리 장치(40)에 일괄적으로 반입되는 경우에는, 제어부(60)는, M장의 기판(W)에 대한 동시 처리 장치(40)의 처리 중에 제1 센서에 의해 측정된 파라미터를, 당해 M장의 기판(W)의 그룹에 대응지어서 기억한다.More generally, when the N sheets of substrates W are collectively loaded into the simultaneous processing apparatus 40 , the control unit 60 processes the N sheets of the simultaneous processing apparatus 40 with respect to the simultaneous processing apparatus 40 . The parameters measured by the first sensor are stored in association with a group of the N substrates W, and M (M is an integer greater than or equal to 1 and less than N) substrates W are transferred to the simultaneous processing device 40 . In the case of batch loading, the control unit 60 sets the parameter measured by the first sensor during the processing of the simultaneous processing device 40 for the M substrates W to the group of the M substrates W. remember in response to

이에 의하면, 그룹을 구성하는 기판(W)의 장수가 변동되어도, 그 변동 후의 기판(W)의 장수에 따라 파라미터가 수집된다. 따라서, 기판(W)의 장수의 변동에 따라, 적절히 파라미터를 수집할 수 있다.According to this, even if the number of substrates W constituting the group fluctuates, parameters are collected according to the number of substrates W after the change. Therefore, according to the fluctuation|variation of the number of sheets of the board|substrate W, a parameter can be collected suitably.

또 상술한 예에서는, 순차 처리 장치(30)의 제2 센서에 의해 측정된 파라미터는 그룹이 아니라, 기판(W)에 개별적으로 대응지어져, 제어부(60)에 의해 기억된다. 순차 처리 장치(30)에 있어서는, 각 기판(W)에 대한 처리의 타이밍은 서로 상이하므로, 순차 처리 장치(30)의 제2 센서에 의해 측정되는 파라미터는, 비록 동일 그룹이어도, 기판(W)마다 불균일하다. 특히 유체를 기판(W)에 공급하는 세정 장치(12) 등의 순차 처리 장치(30)에서는, 그 유체의 유량 및 압력은 시간에 따라 변동되기 쉽기 때문에, 파라미터의 불균일은 비교적 커진다.In addition, in the above example, the parameters measured by the second sensor of the sequential processing apparatus 30 are not grouped, but individually associated with the substrate W, and stored by the control unit 60 . In the sequential processing apparatus 30, since the timing of processing for each substrate W is different from each other, the parameter measured by the second sensor of the sequential processing apparatus 30 is the same group, even if the substrate W each is non-uniform. In particular, in the sequential processing apparatus 30 such as the cleaning apparatus 12 that supplies the fluid to the substrate W, the flow rate and pressure of the fluid tend to fluctuate with time, so that the non-uniformity of the parameter becomes relatively large.

상술한 예에서는, 순차 처리 장치(30)의 제2 센서에 의해 측정된 파라미터는 그룹이 아니라, 기판(W)에 개별적으로 대응지어져, 제어부(60)에 의해 기억된다. 따라서, 파라미터의 기판(W)간의 불균일에 대한 정보를 소실하지 않고, 파라미터를 적절히 수집할 수 있다.In the above-described example, the parameters measured by the second sensor of the sequential processing apparatus 30 are not grouped but individually associated with the substrate W, and stored by the control unit 60 . Accordingly, it is possible to appropriately collect the parameters without losing information about the non-uniformity between the substrates W of the parameters.

<8. 처리 파라미터의 알림> <8. Notification of processing parameters>

조작자는 수집 데이터(순차 수집 데이터 및 동시 수집 데이터)를 확인하고 싶을 때에, 입력부(66)에 수집 데이터의 알림 지시를 입력한다. 제어부(60)는 당해 입력에 응답하여, 예를 들면 기억 장치(64)에 기억된 순차 수집 데이터 및 동시 수집 데이터를 조작자에게 알린다. 예를 들면 제어부(60)는 순차 수집 데이터 및 동시 수집 데이터를 표시부(67)에 표시시킨다. 이로 인해, 조작자는 기판(W)에 대한 제1 파라미터 및 제2 파라미터를 확인할 수 있으며, 기판(W)의 처리의 적합 여부를 확인할 수 있다.When the operator wants to check the collected data (sequentially collected data and simultaneously collected data), he inputs a notification instruction of the collected data to the input unit 66 . In response to the input, the control unit 60 informs the operator of, for example, sequentially collected data and simultaneous collected data stored in the storage device 64 . For example, the control unit 60 displays the sequentially collected data and the simultaneous collected data on the display unit 67 . Accordingly, the operator can confirm the first parameter and the second parameter for the substrate W, and can confirm whether the processing of the substrate W is suitable.

예를 들면 조작자는, 기판(W1, W2) 양쪽을 포함하는 그룹에 대한 동시 수집 데이터(도 7 참조)와, 기판(W1, W2) 중 한쪽만을 포함하는 그룹에 대한 동시 수집 데이터(도 11 및 도 12 참조)를 비교함으로써, 이들 차이를 확인할 수 있다. 예를 들면, 기판(W1, W2) 중 한쪽만을 포함하는 그룹에 대한 온도 센서(95)의 측정 온도가, 기판(W1, W2) 양쪽을 포함하는 그룹에 대한 온도 센서(95)의 측정 온도보다 높아지는 경우가 있다. 이는, 기판(W)의 장수가 적을수록, 가열부(82)에 있어서 기판(W)의 온도가 상승하기 쉽기 때문이다. 이 경우, 측정 온도가 보다 가열 온도의 목표값에 가까워지도록, 기판(W1, W2) 중 한쪽만을 처리할 때의 가열 온도의 목표값을 보다 작은 값으로 갱신해도 된다. 이러한 갱신은, 예를 들면, 기판(W1, W2) 중 한쪽만이 처리될 때의 새로운 목표값을, 조작자가 입력부(66)에 입력함으로써, 제어부(60)에 입력해도 된다.For example, the operator can simultaneously collect data for a group including both substrates W1 and W2 (see Fig. 7) and simultaneously collect data for a group including only one of the substrates W1 and W2 (Fig. 11 and 12), these differences can be confirmed. For example, the temperature measured by the temperature sensor 95 for the group including only one of the substrates W1 and W2 is higher than the temperature measured by the temperature sensor 95 for the group including both the substrates W1 and W2. sometimes it rises. This is because the temperature of the board|substrate W in the heating part 82 rises easily, so that the number of sheets of the board|substrate W is small. In this case, you may update the target value of the heating temperature at the time of processing only one of the board|substrates W1 and W2 to a smaller value so that a measurement temperature may approach the target value of a heating temperature more. In such an update, for example, an operator may input a new target value when only one of the substrates W1 and W2 is processed into the input unit 66 , thereby inputting the new target value into the control unit 60 .

또, 조작자는 각 기판(W)에 대한 순차 수집 데이터들을 비교함으로써, 이들의 차이를 확인할 수 있다. 조작자는, 당해 차이가 허용값보다 큰 경우에는, 당해 차이를, 예를 들면, 세정 장치(12)의 각 배관 상의 밸브(도시하지 않음)의 조정 여부의 판단에 이용하거나, 배관 상의 필터(도시하지 않음)의 교환 여부의 판단에 이용하거나, 펌프의 구동 방식의 변경 여부의 판단에 이용할 수 있다.In addition, by comparing the sequentially collected data for each substrate W, the operator can check the difference therebetween. When the difference is larger than an allowable value, the operator uses the difference to determine whether to adjust, for example, a valve (not shown) on each pipe of the washing device 12, or a filter on the pipe (not shown). It can be used to determine whether to replace or not) or to determine whether to change the driving method of the pump.

<9. 변형예> <9. Modifications>

상술한 예에서는, 제어부(60)는, 처리 중에 측정된 파라미터를 적절히 기판(W)에 대응지어서 수집하고 있다. 이 수집의 대상이 되는 파라미터의 측정 타이밍은 특별히 제한되지 않는다. 제어부(60)는 처리 중에 적절한 타이밍에 측정된 파라미터를 기억하면 된다. 각 기판(W)에 대한 처리 개시로부터 측정 타이밍까지의 기간의 길이는, 복수의 기판(W) 사이에서 공통의 길이여도 되고, 약간 상이해도 된다. 또 기판(W)의 처리 중에 센서가 반복하여 파라미터를 측정하는 경우에는, 제어부(60)는 파라미터의 시간적인 통계값(예를 들면 평균값)를 산출하고, 그 통계값을 기판(W)에 대한 파라미터로서 기억해도 된다.In the example described above, the control unit 60 collects parameters measured during processing in association with the substrate W as appropriate. The measurement timing of the parameter to be collected is not particularly limited. The control unit 60 may store the measured parameters at an appropriate timing during processing. The length of the period from the start of the process to the measurement timing for each substrate W may be a length common among the plurality of substrates W, or may differ slightly. In addition, when the sensor repeatedly measures a parameter during processing of the substrate W, the control unit 60 calculates a temporal statistical value (for example, an average value) of the parameter, and sets the statistical value to the substrate W. You may store it as a parameter.

또 같은 파라미터를 측정하는 복수의 센서(예를 들면 복수의 온도 센서(95))가 설치되는 경우에는, 제어부(60)는 복수의 센서에 의해 측정된 복수의 파라미터 중 적어도 어느 하나를 기억하면 된다. 혹은, 제어부(60)는 당해 복수의 파라미터의 통계값(예를 들면 평균값)를 기억해도 된다.Further, when a plurality of sensors (for example, a plurality of temperature sensors 95) for measuring the same parameter are provided, the control unit 60 may store at least one of the plurality of parameters measured by the plurality of sensors. . Alternatively, the control unit 60 may store statistical values (eg, average values) of the plurality of parameters.

이상, 기판 처리 장치의 실시 형태에 대해서 설명했는데, 이 실시 형태는 그 취지를 일탈하지 않는 한에 있어서 상술한 것 이외에 여러 가지 변경을 행하는 것이 가능하다. 상술한 각종 실시 형태 및 변형예는 적절히 조합하여 실시할 수 있다.As mentioned above, although embodiment of a substrate processing apparatus was described, this embodiment can make various changes other than what was mentioned above unless it deviates from the meaning. The various embodiments and modifications described above can be implemented in combination as appropriate.

예를 들면, 기판(W1, W2)의 크기는 서로 상이해도 된다. 또, 제어부(60)는 복수 계층 구조를 갖고 있어도 된다. 예를 들면, 제어부(60)는, 주제어부와, 복수의 말단 제어부를 포함해도 된다. 말단 제어부는, 예를 들면, 인덱서부(11), 세정 장치(12), 탈수 베이크 장치(13), 도포 관련 장치(14), 프리베이크 장치(15), 노광 장치(16), 현상 장치(17) 및 포스트베이크 장치(18)의 각 처리 장치에 설치된다. 주제어부는 기판 처리 장치(1)에 설치되고, 복수의 말단 제어부와 통신한다. 복수의 기판 처리 장치(1)가 설치되는 경우에는, 이들 기판 처리 장치(1)를 집중적으로 관리하는 중앙 제어부가 설치되어도 된다. 중앙 제어부는 복수의 기판 처리 장치(1)의 주제어부와 통신한다. 각 장치에 있어서의 센서의 측정 신호는 말단 제어부에 전달되어 수집된다. 그 수집 데이터는 말단 제어부로부터, 보다 상위의 주제어부 및 중앙 제어부에 전달되면 된다. 이로 인해, 중앙 제어부에 있어서, 복수의 기판 처리 장치(1)의 수집 데이터를 관리할 수 있다.For example, the sizes of the substrates W1 and W2 may be different from each other. Moreover, the control part 60 may have a multiple hierarchical structure. For example, the control unit 60 may include a main control unit and a plurality of terminal control units. The end control section includes, for example, the indexer section 11, the cleaning device 12, the dehydration baking device 13, the coating-related device 14, the prebaking device 15, the exposure device 16, the developing device ( 17) and each processing apparatus of the post-baking apparatus 18 is provided. The main control unit is installed in the substrate processing apparatus 1 and communicates with a plurality of end control units. When a plurality of substrate processing apparatuses 1 are provided, a central control unit that centrally manages these substrate processing apparatuses 1 may be provided. The central control unit communicates with the main control unit of the plurality of substrate processing apparatuses 1 . The measurement signal of the sensor in each device is transmitted to the end control unit and collected. The collected data may be transmitted from the terminal control unit to the higher-level main control unit and the central control unit. For this reason, in the central control part, the collection data of the some substrate processing apparatus 1 can be managed.

1: 기판 처리 장치
30: 순차 처리부(순차 처리 장치)
40: 동시 처리부(동시 처리 장치)
60: 제어부
81: 반송부(반송 로봇)
95, 96: 제1 센서(온도 센서)
345, 359, 364: 제2 센서(유량 센서)
357, 358: 제2 센서(압력 센서)
W: 기판
1: Substrate processing apparatus
30: sequential processing unit (sequential processing unit)
40: concurrent processing unit (concurrent processing unit)
60: control unit
81: transfer unit (transfer robot)
95, 96: first sensor (temperature sensor)
345, 359, 364: second sensor (flow sensor)
357, 358: second sensor (pressure sensor)
W: substrate

Claims (3)

N(N은 2 이상의 정수)장의 기판을 일괄적으로 처리 가능한 동시 처리부와,
상기 동시 처리부에 N장 이하의 기판을 일괄적으로 반송하는 반송부와,
상기 동시 처리부에 설치되어, 상기 동시 처리부에 의한 처리에 관한 제1 파라미터를 측정하는 제1 센서와,
상기 동시 처리부에 상기 반송부로부터 N장의 기판이 반입된 경우, 당해 N장의 기판에 대한 상기 동시 처리부의 처리 중에 상기 제1 센서에 의해 측정된 상기 제1 파라미터를, 당해 N장의 기판에 대응지어서 기억하고, 상기 동시 처리부에 상기 반송부로부터 M(M은 1 이상 N 미만의 정수)장의 기판이 반입된 경우, 당해 M장의 기판에 대한 상기 동시 처리부의 처리 중에 상기 제1 센서에 의해 측정된 상기 제1 파라미터를, 당해 M장의 기판에 대응지어서 기억하는 제어부
를 구비하는, 기판 처리 장치.
A simultaneous processing unit capable of collectively processing N (N is an integer of 2 or more) substrates;
a conveying unit for collectively conveying N or fewer substrates to the simultaneous processing unit;
a first sensor installed in the simultaneous processing unit to measure a first parameter related to processing by the simultaneous processing unit;
When N substrates are loaded from the transfer unit to the simultaneous processing unit, the first parameter measured by the first sensor during processing of the N substrates by the simultaneous processing unit is stored in association with the N substrates and, when M (M is an integer greater than or equal to 1 N) substrates loaded from the transfer unit to the simultaneous processing unit, the M substrates measured by the first sensor during processing of the simultaneous processing unit A control unit that stores 1 parameter in association with the M substrates
A substrate processing apparatus comprising:
청구항 1에 있어서,
N장의 기판을 일괄적으로 반입 가능한 기판 도입부를 포함하고, 상기 기판 도입부로부터 당해 기판을 순차적으로 반송하면서, 당해 기판에 대해 순차적으로 처리를 행하는 순차 처리부와,
상기 순차 처리부에 설치되어, 상기 순차 처리부에 의한 처리에 관한 제2 파라미터를 측정하는 제2 센서
를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 순차 처리부의 처리 중에 상기 제2 센서에 의해 검출된 상기 제2 파라미터를, 당해 기판에 개별적으로 대응지어서 기억하는, 기판 처리 장치.
The method according to claim 1,
a sequential processing unit comprising a substrate introduction unit capable of collectively loading N substrates, and sequentially processing the substrates while sequentially transferring the substrates from the substrate introduction unit;
A second sensor installed in the sequential processing unit to measure a second parameter related to processing by the sequential processing unit
to provide
The control unit stores the second parameter detected by the second sensor during processing of the sequential processing unit in association with the substrate individually.
N(N은 2 이상의 정수)장의 기판을 일괄적으로 동시 처리부에 반입하는 공정과,
상기 동시 처리부가 당해 N장의 기판에 대해 일괄적으로 처리를 행하는 공정과,
당해 N장의 기판에 대한 상기 동시 처리부의 처리 중에, 상기 동시 처리부에 의한 처리에 관한 제1 파라미터를 제1 센서에 의해 측정하는 공정과,
상기 동시 처리부로부터 당해 N장의 기판을 취출(取出)하는 공정과,
M(M은 1 이상 N 미만의 정수)장의 기판을 일괄적으로 상기 동시 처리부에 반입하는 공정과,
상기 동시 처리부가 당해 M장의 기판에 대해 일괄적으로 처리를 행하는 공정과,
당해 M장의 기판에 대한 상기 동시 처리부의 처리 중에 상기 제1 파라미터를 상기 제1 센서에 의해 측정하는 공정과,
상기 동시 처리부로부터 당해 M장의 기판을 취출하는 공정과,
당해 N장의 기판에 대한 상기 동시 처리부의 처리 중에 상기 제1 센서에 의해 측정된 상기 제1 파라미터를, 당해 N장의 기판에 대응지어서 기억하고, 당해 M장의 기판에 대한 상기 동시 처리부의 처리 중에 상기 제1 센서에 의해 측정된 상기 제1 파라미터를, 당해 M장의 기판에 대응지어서 기억하는 공정
을 구비하는, 기판 처리 방법.

A step of collectively loading N (N is an integer greater than or equal to 2) substrates into the simultaneous processing unit;
a step of collectively processing the N substrates by the simultaneous processing unit;
measuring, by a first sensor, a first parameter related to processing by the simultaneous processing unit during processing of the N substrates by the simultaneous processing unit;
a step of taking out the N substrates from the simultaneous processing unit;
A step of collectively loading M (M is an integer of 1 or more and less than N) sheet to the simultaneous processing unit;
a step of collectively processing the M substrates by the simultaneous processing unit;
measuring the first parameter with the first sensor during processing of the simultaneous processing unit for the M substrates;
taking out the M substrates from the simultaneous processing unit;
The first parameter measured by the first sensor during processing of the simultaneous processing unit for the N substrates is stored in association with the N substrates, and during processing of the M substrates by the simultaneous processing unit, the first parameter is stored. A step of storing the first parameter measured by one sensor in association with the M substrates
A substrate processing method comprising a.

KR1020210116865A 2020-09-23 2021-09-02 Substrate processing device and substrate processing method KR102517035B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020158355A JP7157786B2 (en) 2020-09-23 2020-09-23 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
JPJP-P-2020-158355 2020-09-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220040382A true KR20220040382A (en) 2022-03-30
KR102517035B1 KR102517035B1 (en) 2023-04-03

Family

ID=80791489

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210116865A KR102517035B1 (en) 2020-09-23 2021-09-02 Substrate processing device and substrate processing method

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7157786B2 (en)
KR (1) KR102517035B1 (en)
CN (1) CN114256096B (en)
TW (1) TWI806104B (en)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003257837A (en) * 2002-03-05 2003-09-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Device and system for treating substrate
JP2004335750A (en) * 2003-05-08 2004-11-25 Tokyo Electron Ltd Treatment scheduling method
JP2005259934A (en) * 2004-03-11 2005-09-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Wafer management method
KR20060105518A (en) * 2005-03-29 2006-10-11 동경 엘렉트론 주식회사 Substrate processing apparatus, history information recording method, history information recording program, and history information recording system
JP2011071271A (en) * 2009-09-25 2011-04-07 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate transfer method
JP2011171648A (en) * 2010-02-22 2011-09-01 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate processing system
KR20180025290A (en) * 2016-08-31 2018-03-08 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing method and substrate processing system
JP2018160586A (en) * 2017-03-23 2018-10-11 株式会社Screenホールディングス Substrate processing system and substrate processing method
JP2020017604A (en) 2018-07-25 2020-01-30 株式会社Screenホールディングス Device and method for substrate processing

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10189465A (en) * 1996-12-26 1998-07-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Heat treating apparatus for substrate and thin film forming apparatus provided with the apparatus
US5896294A (en) * 1997-03-11 1999-04-20 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for inspecting manufactured products for defects in response to in-situ monitoring
JP4068404B2 (en) 2002-06-26 2008-03-26 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing system, substrate processing apparatus, substrate processing method, program, and recording medium
JP5100179B2 (en) * 2007-03-30 2012-12-19 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
JPWO2014115643A1 (en) 2013-01-25 2017-01-26 株式会社日立国際電気 Substrate processing apparatus abnormality determination method, abnormality determination apparatus, substrate processing system, and recording medium

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003257837A (en) * 2002-03-05 2003-09-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Device and system for treating substrate
JP2004335750A (en) * 2003-05-08 2004-11-25 Tokyo Electron Ltd Treatment scheduling method
JP2005259934A (en) * 2004-03-11 2005-09-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Wafer management method
KR20060105518A (en) * 2005-03-29 2006-10-11 동경 엘렉트론 주식회사 Substrate processing apparatus, history information recording method, history information recording program, and history information recording system
JP2011071271A (en) * 2009-09-25 2011-04-07 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate transfer method
JP2011171648A (en) * 2010-02-22 2011-09-01 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate processing system
KR20180025290A (en) * 2016-08-31 2018-03-08 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing method and substrate processing system
JP2018160586A (en) * 2017-03-23 2018-10-11 株式会社Screenホールディングス Substrate processing system and substrate processing method
JP2020017604A (en) 2018-07-25 2020-01-30 株式会社Screenホールディングス Device and method for substrate processing
KR20200011867A (en) * 2018-07-25 2020-02-04 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Also Published As

Publication number Publication date
CN114256096B (en) 2023-07-14
JP7157786B2 (en) 2022-10-20
CN114256096A (en) 2022-03-29
KR102517035B1 (en) 2023-04-03
JP2022052151A (en) 2022-04-04
TWI806104B (en) 2023-06-21
TW202213454A (en) 2022-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100807177B1 (en) Substrate processing system and substrate processing method
JP5841389B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR100855777B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR100664344B1 (en) Coating apparatus
JP6126248B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
TWI713810B (en) Substrate processing system and substrate processing method
JP2010045214A (en) Substrate carrying device and substrate treatment device having the same
KR102269981B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20220040382A (en) Substrate processing device and substrate processing method
JP5524304B2 (en) Substrate transport method in substrate processing apparatus
KR102571030B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102375623B1 (en) Unit for measuring flowrate, Apparatus for treating substrate with the unit, and method for measuring flowrate
TW202137382A (en) Substrate processing system and substrate processing method capable of suppressing process variation caused by fluctuation in the number of substrates processed by a simultaneous processing unit
JP5778944B2 (en) Substrate processing equipment
JP3793063B2 (en) Processing method and processing apparatus
KR20170042238A (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and recording medium
KR20070080515A (en) Apparatus and method for treating a substrate
KR20210003985A (en) Apparatus and Method for treating substrate
JPH0729833U (en) Substrate processing equipment

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant