KR20220032357A - Method of preparing high purity vanadium dioxide based on hydrothermal syntheses and high purity vanadium dioxide prepared by the same - Google Patents
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- GRUMUEUJTSXQOI-UHFFFAOYSA-N vanadium dioxide Chemical compound O=[V]=O GRUMUEUJTSXQOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 88
- 229910021542 Vanadium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 86
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 70
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 36
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 66
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 45
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 22
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 claims description 15
- IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N hydrazine monohydrate Substances O.NN IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 8
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UNTBPXHCXVWYOI-UHFFFAOYSA-O azanium;oxido(dioxo)vanadium Chemical compound [NH4+].[O-][V](=O)=O UNTBPXHCXVWYOI-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 6
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004984 smart glass Substances 0.000 claims description 6
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 claims description 6
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 5
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims description 5
- NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N (2s)-2,6-diaminohexanoic acid;(2s)-2-hydroxybutanedioic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O.NCCCC[C@H](N)C(O)=O NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N 0.000 claims description 2
- FSJSYDFBTIVUFD-SUKNRPLKSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;oxovanadium Chemical compound [V]=O.C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O FSJSYDFBTIVUFD-SUKNRPLKSA-N 0.000 claims description 2
- FUSNOPLQVRUIIM-UHFFFAOYSA-N 4-amino-2-(4,4-dimethyl-2-oxoimidazolidin-1-yl)-n-[3-(trifluoromethyl)phenyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C1NC(C)(C)CN1C(N=C1N)=NC=C1C(=O)NC1=CC=CC(C(F)(F)F)=C1 FUSNOPLQVRUIIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QUEDYRXQWSDKKG-UHFFFAOYSA-M [O-2].[O-2].[V+5].[OH-] Chemical compound [O-2].[O-2].[V+5].[OH-] QUEDYRXQWSDKKG-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- BIVUUOPIAYRCAP-UHFFFAOYSA-N aminoazanium;chloride Chemical compound Cl.NN BIVUUOPIAYRCAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- -1 hydrazine anhydride Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000012493 hydrazine sulfate Substances 0.000 claims description 2
- 229910000377 hydrazine sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HKOOXMFOFWEVGF-UHFFFAOYSA-N phenylhydrazine Chemical compound NNC1=CC=CC=C1 HKOOXMFOFWEVGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940067157 phenylhydrazine Drugs 0.000 claims description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract description 22
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 39
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 21
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 21
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 15
- 238000000445 field-emission scanning electron microscopy Methods 0.000 description 12
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 11
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229910003206 NH4VO3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000002064 nanoplatelet Substances 0.000 description 3
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 3
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- UUUGYDOQQLOJQA-UHFFFAOYSA-L vanadyl sulfate Chemical compound [V+2]=O.[O-]S([O-])(=O)=O UUUGYDOQQLOJQA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000352 vanadyl sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 description 1
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940041260 vanadyl sulfate Drugs 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
Description
본 발명은 수열합성 공정 기반 고순도 바나듐 다이옥사이드의 제조 방법 및 상기 방법에 의해 제조되는 고순도 바나듐 다이옥사이드에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명을 크기 선택적 분리 공정을 포함하는 수열합성 공정 기반 고순도 바나듐 다이옥사이드의 제조 방법 및 상기 방법에 의해 제조된 결정성 및 상전이 효과가 우수한 고순도 바나듐 다이옥사이드에 관한 것이다. The present invention relates to a method for producing high-purity vanadium dioxide based on a hydrothermal synthesis process and to high-purity vanadium dioxide produced by the method. More specifically, the present invention relates to a method for producing high-purity vanadium dioxide based on a hydrothermal synthesis including a size-selective separation process, and to high-purity vanadium dioxide having excellent crystallinity and phase transition effect prepared by the method.
바나듐 다이옥사이드 나노 입자는 금속-절연체 상전이 물질로 약 66℃에서 수십 펨토초 (10-15 unit 즉, 1 천억 분의 1초)의 속도로 일어나는 금속-절연체 상전이의 특성이 있는 덕분에 차세대 스위칭 소자, 메모리 소자, 그리고 스마트 윈도우와 같은 분야에 많이 적용되고 있다. 그 중에서도 스마트 윈도우에 적용되는 경우, 66℃에서 절연체인 모노클리닉으로부터 금속인 루틸 바나듐 다이옥사이드로 상전이 하는 것이 잘 알려져 있다. 위의 금속-절연체 상전이 과정은 극적인 광학특성의 변화를 수반한다. 구체적으로는, 절연체 상인 모노클리닉 VO2 (M)에서 금속상인 루틸 VO2 (R)로 상전이 되는 동안, 가시광영역의 투과도는 변화하지 않지만, 근적외선 영역의 투과도는 크게 감소한다. 근적외선은 열을 내는 효과가 있으므로, 근적외선을 차단하는 것만으로 여름철 실내온도를 낮추는 효과가 있다. 이러한 특성을 이용하여 건물의 창호에 적용되어 외부의 에너지 공급 없이 여름철 실내 온도를 조절하는 용도로 사용할 수 있다. 바나듐 다이옥사이드를 스마트 윈도우에 적용할 때, 바나듐 다이옥사이드가 불순물 없이 높은 순도의 단일 결정상으로 얻어질수록 상전이 특성이 극대화된다. 이 상전이 특성이 극대화되어야 가시광 투과도의 저하 없이 근적외선 투과도의 감소효과가 극대화 되므로, 순도 높은 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드의 제조가 필요하다.Vanadium dioxide nanoparticles are a metal-insulator phase transition material, and thanks to the property of the metal-insulator phase transition occurring at a rate of several tens of femtoseconds (10-15 units, or 100 billionths of a second) at about 66°C, next-generation switching devices, memories It is widely applied in fields such as devices and smart windows. Among them, when applied to a smart window, it is well known that the phase transition from monoclinic, an insulator, to rutile vanadium dioxide, a metal, at 66°C. The above metal-insulator phase transition process is accompanied by dramatic optical properties change. Specifically, during the phase change from monoclinic VO2 (M), which is an insulator, to rutile, VO2 (R), which is a metal phase, the transmittance of the visible light region does not change, but the transmittance of the near-infrared region is greatly reduced. Since near-infrared radiation has an effect of generating heat, it is effective in lowering the indoor temperature in summer just by blocking the near-infrared radiation. By using these characteristics, it can be applied to the windows of buildings and used to control the indoor temperature in summer without external energy supply. When vanadium dioxide is applied to a smart window, the phase transition characteristics are maximized as vanadium dioxide is obtained as a single crystal phase of high purity without impurities. When this phase transition characteristic is maximized, the effect of reducing the near-infrared transmittance without lowering the visible light transmittance is maximized. Therefore, it is necessary to manufacture monoclinic vanadium dioxide with high purity.
기존에 잘 알려진 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드를 합성하는 방법으로는 화학기상증착법, 이온 주입공정, 졸-겔법 등의 방법이 몇몇 문헌을 통해 보고되었다. 기존의 화학기상증착법의 경우 매우 균일하고 순도 높은 바나듐 다이옥사이드 박막을 제작할 수 있으나, 증착 시의 기판 사이의 거리, 온도, 압력에 굉장히 민감하며 공정 단가가 높고, 대면적 박막 제조가 어렵다는 단점이 있다. 또 잘 알려진 기존의 입자합성방법으로는 고온에서 열처리를 하거나 하향식 공정(top down) 공정을 통한 합성법이 있는데, 이 경우 입자의 크기가 매우 커져 용매들에 대한 분산성이 좋지 않은 경우가 대부분이었다. 용액공정을 통하여 바나듐 옥사이드 나노 입자를 만드는 방법은 크게 졸-겔합성, 열분해합성, 반응물질로 바나딜 설페이트(VOSO4)를 사용하는 방법(RSC Advances 2014, 4 (25), 13026-13033), V2O5를 환원시키는 방법(Chemistry of Materials 2010, 22 (10), 3043-3050., Appied Surface Science 2019, 476, 259-264.) 등이 보고되었다. 그러나 위의 합성법은 바나듐 다이옥사이드의 A, B, D, P, 그리고 M 상과 같은 다형태성(polymorphism)으로 인하여 모노클리닉(M) 바나듐 다이옥사이드만 선택적으로 합성하기 어려우며, 합성된 입자의 모양과 크기가 균일하지 않다는 단점이 보고된 바 있다. 또한, 대부분의 용액공정에서 고온의 열처리 과정이 수반된다. 이는 입자의 크기를 매우 크게 만들어 분산성을 떨어뜨리거나, 고분자 필름을 이용한 유연기판을 제조하거나 소자위에 박막을 형성시키는 경우 기판을 손상시킨다는 단점이 있다. 또한, 용액공정을 통해 바나듐 다이옥사이드를 재현성 있게 합성하는 논문들은 그 성공 사례가 드물어 공정에 대한 신뢰도가 낮다는 문제가 있다. 진공 증착 공정의 경우, 예를 들어, 스퍼터를 이용한 바나듐 다이옥사이드 제작에는 균일한 코팅이 가능하다는 장점이 있지만, 다른 결정상의 바나듐 산화물의 증착으로 인해 순도가 낮아질 가능성이 높고, 공정비용이 비싸며, 용액 공정과 비교해서 대면적 공정이 상대적으로 어려워 산업적으로 응용하는데 제한이 있다. 또한, 바나듐 다이옥사이드에 텅스텐, 몰리브데늄, 알루미늄 등의 이원자를 도핑하여 상전이 온도를 낮출 수 있는데, 진공 증착 공정을 통해서는 도핑으로 전이 온도를 낮추기 어렵다는 단점이 있다. 수열합성 이후 추가적인 고온 소결 과정이 더해지는 투 스텝(Two step) 수열합성법의 경우(Inorganic chemistry 2018, 57 (15), 8857-8865.) 소결과정 중에 입자끼리 응집이 일어나 입자의 크기가 커져, 용매에 대한 분산성이 떨어지는 현상이 발생한다. 또한, 이러한 전구체를 각각의 단계별로 정제하는 과정에서 고순도의 바나듐 다이옥사이드의 합성에 방해가 되는 요인을 명확히 규명한 문헌은 알려져 있지 않아, 입자의 합성에 난항을 겪고 있다. 용매를 이용한 코팅공정은 대면적 코팅공정에 용이하고, 공정단가가 저렴하며, 이 용이하고, 상온에서 코팅이 가능하여 유연 폴리머 기판에도 코팅이 가능하다는 등 많은 장점이 있다. 이러한 용매를 이용하기 위해서는 바나듐 다이옥사이드 입자의 분산성이 확보되어야 한다. Methods such as chemical vapor deposition, ion implantation, and sol-gel methods have been reported through several literatures as methods for synthesizing well-known monoclinic vanadium dioxide. In the case of the conventional chemical vapor deposition method, a very uniform and high-purity vanadium dioxide thin film can be produced, but it is very sensitive to the distance, temperature, and pressure between the substrates during deposition. In addition, as a well-known conventional particle synthesis method, there is a method of heat treatment at high temperature or a synthesis method through a top down process. Methods for producing vanadium oxide nanoparticles through solution process are largely sol-gel synthesis, thermal decomposition synthesis, and a method using vanadyl sulfate (VOSO4) as a reactant (RSC Advances 2014, 4 (25), 13026-13033), V2O5 A method of reducing (Chemistry of Materials 2010, 22 (10), 3043-3050., Appied Surface Science 2019, 476, 259-264.) and the like have been reported. However, in the above synthesis method, it is difficult to selectively synthesize only monoclinic (M) vanadium dioxide due to polymorphism such as A, B, D, P, and M phases of vanadium dioxide, and the shape and size of the synthesized particles are The disadvantage of not being uniform has been reported. In addition, a high-temperature heat treatment process is involved in most solution processes. This has disadvantages in that dispersibility is reduced by making the particle size very large, or the substrate is damaged when a flexible substrate is manufactured using a polymer film or a thin film is formed on the device. In addition, the papers reproducibly synthesizing vanadium dioxide through a solution process have a problem that the reliability of the process is low because the success cases are rare. In the case of the vacuum deposition process, for example, vanadium dioxide production using sputtering has the advantage that a uniform coating is possible, but the purity is highly likely to be lowered due to the deposition of other crystalline vanadium oxide, the process cost is high, and the solution process Compared to that, the large-area process is relatively difficult, which limits its industrial application. In addition, the phase transition temperature can be lowered by doping binary atoms such as tungsten, molybdenum, and aluminum into vanadium dioxide, but there is a disadvantage in that it is difficult to lower the transition temperature by doping through the vacuum deposition process. In the case of the two-step hydrothermal synthesis method, in which an additional high-temperature sintering process is added after hydrothermal synthesis (Inorganic chemistry 2018, 57 (15), 8857-8865.), particles agglomerate during the sintering process and the size of the particles increases, There is a phenomenon in which the dispersibility decreases. In addition, in the process of purifying these precursors in each step, there is no known literature that clearly identifies factors that interfere with the synthesis of high-purity vanadium dioxide, so the synthesis of particles is difficult. The coating process using a solvent has many advantages, such as being easy for a large-area coating process, low cost, and easy to use, and can be coated on a flexible polymer substrate because it can be coated at room temperature. In order to use such a solvent, the dispersibility of the vanadium dioxide particles must be secured.
따라서, 스마트 윈도우에 적용하기 위한 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드의 대면적 박막 제작을 위해서는, 크기가 작고 균일한 고순도의 입자 합성을 통한 분산성 확보 및 코팅액 제조를 통한 대면적 코팅이 가능하도록 개발이 진행되어야한다. 그러므로, 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드 입자의 합성은 고온 소결 공정 없는 고순도의 바나듐 다이옥사이드 제조 공정의 개발이 필요하다.Therefore, in order to manufacture a large-area thin film of monoclinic vanadium dioxide for application to a smart window, development must be carried out to ensure dispersibility through the synthesis of small-sized and uniform high-purity particles and to enable large-area coating through the preparation of a coating solution. . Therefore, the synthesis of monoclinic vanadium dioxide particles requires the development of a high-purity vanadium dioxide manufacturing process without a high-temperature sintering process.
이에 본 발명자들은 고온 소결 과정 없이, 수열합성 공정 전에 크기 선택적 분리 공정을 수행하는 경우, 공정을 단순화하여 경제적인 부담을 낮추고, 결정성이 뛰어나며 상전이 효율이 높은 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드를 합성할 수 있음을 확인한 후, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. Accordingly, the present inventors have reduced the economic burden by simplifying the process when performing a size-selective separation process before the hydrothermal synthesis process without a high-temperature sintering process, and high-purity monoclinic vanadium dioxide with excellent crystallinity and high phase transition efficiency can be synthesized. After confirming, the present invention was completed.
본 발명은 (A) 바나듐 전구체, 바나듐 환원제 및 용매를 4 시간 내지 20시간 동안 교반하여 바나듐 전구체 용액을 제조하는 단계; (B) 상기 바나듐 전구체 용액을 크기 선택적 분리를 수행하여 순수한 결정 구조를 갖는 전구체 물질을 획득하는 단계; 및 (C) 상기 전구체 물질을 수열합성공정을 사용하여 고순도의 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드를 합성하는 단계를 포함하는 수열합성 기반 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention comprises the steps of (A) preparing a vanadium precursor solution by stirring a vanadium precursor, a vanadium reducing agent, and a solvent for 4 to 20 hours; (B) performing size-selective separation of the vanadium precursor solution to obtain a precursor material having a pure crystal structure; and (C) synthesizing high-purity monoclinic vanadium dioxide using the hydrothermal synthesis process of the precursor material.
본 발명은 또한 상기 방법에 의해 제조되는 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드를 제공하는 것을 목적으로 한다. Another object of the present invention is to provide a high-purity monoclinic vanadium dioxide produced by the above method.
본 발명은 또한 상기 방법에 의해 제조되는 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드를 포함하는 광학 제품을 제조하는 것을 목적으로 한다. Another object of the present invention is to prepare an optical product comprising high-purity monoclinic vanadium dioxide produced by the above method.
본 발명에 따른 수열합성 기반 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드의 제조 방법에 의해 제조된 바나듐 다이옥사이드는 다른 바나듐 다이옥사이드를 포함하지 않는 고순도의 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드 (VO2(M))으로서, 상전이 특성 및 생산 효율이 우수해 열전이 필름으로 응용이 용이하며, 그러한 열전이 필름 제조를 통해 여름철 및 겨울철 냉난방비 절감효과와 효율적인 에너지 사용이 가능하다.The vanadium dioxide produced by the hydrothermal synthesis-based method for producing high-purity monoclinic vanadium dioxide according to the present invention is a high-purity monoclinic vanadium dioxide (VO 2 (M)) that does not contain other vanadium dioxide, and has phase transition characteristics and production efficiency. It is excellent and easy to apply as a heat transfer film, and through the manufacture of such a heat transfer film, it is possible to reduce heating and cooling costs in summer and winter and use energy efficiently.
도 1은 실시예 1에 따른 바나듐 다이옥사이드의 FE-SEM 및 XRD 분석 결과를 나타낸다. (a) FE-SEM 분석을 통해 얻은 고배율에서의 바나듐 전구체 팔면체 입자 이미지, (b) FE-TEM 분석을 통해 얻은 고배율에서의 수열합성 이후 바나듐 전구체 팔면체의 모서리 이미지, (c) XRD 분석을 통해 얻은 바나듐 전구체 입자의 결정성, (d) FE-SEM 분석을 통해 얻은 원형 바나듐 다이옥사이드 모노클리닉 입자의 결정성, (e) FE-TEM 분석을 통해 얻은 고배율에서의 수열합성 이후 원형 나노 입자 이미지 및 (f) XRD 분석을 통해 얻은 원형 바나듐 다이옥사이드 모노클리닉 입자의 결정성.
도 2는 실시예 3에 따른 바나듐 다이옥사이드의 열변성특성 결과를 나타낸다. (a) 시차 주사 열용량 분석을 통해 텅스텐 도핑 유무에 따른 바나듐 다이옥사이드의 상전이 온도, 및 (b) 텅스텐 도핑 유무에 따른 바나듐 다이옥사이드의 히스테리시스 곡선.
도 3은 실시예 4에 따른 수열합성 시간에 따른 바나듐 다이옥사이드의 시차주사열량분석 (a) 및 X선 회절 분석 결과 (b)를 나타낸다.
도 4는 비교예 1에 따른 바나듐 다이옥사이드의 FE-SEM 및 XRD 분석 결과를 나타낸다. (a) FE-SEM 분석을 통해 얻은 고배율에서의 원형 나노 전구체 입자 이미지, (b) FE-SEM 분석을 통해 얻은 저배율에서의 수열합성 이후 나노 판상 입자 이미지, (c) FE-TEM 분석을 통해 얻은 저배율에서의 수열합성 이후 나노 판상 입자 이미지, 및 (d) XRD 분석을 통해 얻은 나노 판상입자의 결정성.
도 5는 비교예 2에 따른 바나듐 다이옥사이드의 FE-SEM 및 XRD 분석 결과를 나타낸다. (a) FE-SEM 분석을 통해 얻은 고배율에서의 원형 나노 막대 입자 이미지, (b) FE-SEM 분석을 통해 얻은 저배율에서의 수열합성 이후 나노 막대 입자 이미지, (c) FE-TEM 분석을 통해 얻은 저배율에서의 수열합성 이후 나노 막대 입자 이미지, 및 (d) XRD 분석을 통해 얻은 원형 바나듐 옥사이드 (B) 입자의 결정성.1 shows the results of FE-SEM and XRD analysis of vanadium dioxide according to Example 1. (a) Vanadium precursor octahedral particle image at high magnification obtained through FE-SEM analysis, (b) Edge image of vanadium precursor octahedron after hydrothermal synthesis at high magnification obtained through FE-TEM analysis, (c) obtained through XRD analysis Crystallinity of vanadium precursor particles, (d) crystallinity of circular vanadium dioxide monoclinic particles obtained through FE-SEM analysis, (e) circular nanoparticle image after hydrothermal synthesis at high magnification obtained through FE-TEM analysis, and (f) ) Crystallinity of circular vanadium dioxide monoclinic particles obtained through XRD analysis.
2 shows the results of thermal denaturation characteristics of vanadium dioxide according to Example 3. (a) Phase transition temperature of vanadium dioxide with and without tungsten doping through differential scanning thermal capacity analysis, and (b) hysteresis curve of vanadium dioxide with and without tungsten doping.
3 shows differential scanning calorimetry (a) and X-ray diffraction analysis results (b) of vanadium dioxide according to hydrothermal synthesis time according to Example 4.
4 shows the results of FE-SEM and XRD analysis of vanadium dioxide according to Comparative Example 1. (a) Circular nanoprecursor particle image at high magnification obtained through FE-SEM analysis, (b) Nanoplatelet image after hydrothermal synthesis at low magnification obtained through FE-SEM analysis, (c) FE-TEM analysis obtained Image of nanoplatelet particles after hydrothermal synthesis at low magnification, and (d) crystallinity of nanoplatelet particles obtained through XRD analysis.
5 shows the results of FE-SEM and XRD analysis of vanadium dioxide according to Comparative Example 2. (a) Circular nanorod particle image at high magnification obtained through FE-SEM analysis, (b) Nanorod particle image after hydrothermal synthesis at low magnification obtained through FE-SEM analysis, (c) FE-TEM analysis obtained Image of nanorod particles after hydrothermal synthesis at low magnification, and (d) crystallinity of circular vanadium oxide (B) particles obtained through XRD analysis.
아하, 발명의 구체적인 구현예에 따른 수열합성 공정 기반 고순도 바나듐 다이옥사이드의 제조 방법 및 상기 방법에 의해 제조되는 고순도 바나듐 다이옥사이드에 대하여 상세하게 설명하기로 한다. 다만, 이는 발명의 하나의 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 발명의 권리범위가 한정되는 것은 아니며, 발명의 권리범위 내에서 구현예에 대한 다양한 변형이 가능함은 당업자에게 자명하다.Aha, a method for producing high-purity vanadium dioxide based on a hydrothermal synthesis process according to a specific embodiment of the present invention and high-purity vanadium dioxide produced by the method will be described in detail. However, this is presented as an example of the invention, thereby not limiting the scope of the invention, it is apparent to those skilled in the art that various modifications to the embodiment are possible within the scope of the invention.
본 명세서 전체에서 특별한 언급이 없는 한 "포함" 또는 "함유"라 함은 어떤 구성 요소(또는 구성 성분)를 별다른 제한 없이 포함함을 지칭하며, 다른 구성 요소(또는 구성 성분)의 부가를 제외하는 것으로 해석될 수 없다.Throughout this specification, unless otherwise specified, "including" or "containing" refers to including any component (or component) without particular limitation, and excludes the addition of other components (or components). cannot be construed as
본 명세서 전체에서 특별한 언급이 없는 한 용어 "고순도"라 함은 90% 이상의 순도, 바람직하게는 95% 이상의 순도, 더 바람직하게는 98% 이상의 순도를 의미한다.Throughout the present specification, unless otherwise specified, the term "high purity" means a purity of 90% or more, preferably a purity of 95% or more, and more preferably a purity of 98% or more.
제1구현예에 따르면, According to the first embodiment,
본 발명은 수열합성 공정을 이용한 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드의 제조 방법으로, 상기 방법은:The present invention is a method for producing high-purity monoclinic vanadium dioxide using a hydrothermal synthesis process, the method comprising:
(A) 바나듐 전구체, 바나듐 환원제 및 용매를 상온에서 4 시간 내지 20시간 동안 교반하여 바나듐 전구체 용액을 제조하는 단계; (A) preparing a vanadium precursor solution by stirring a vanadium precursor, a vanadium reducing agent, and a solvent at room temperature for 4 to 20 hours;
(B) 상기 바나듐 전구체 용액을 크기 선택적 분리 공정을 수행하여 순수한 결정 구조를 갖는 전구체 물질을 획득하는 단계; 및(B) performing a size-selective separation process on the vanadium precursor solution to obtain a precursor material having a pure crystal structure; and
(C) 상기 전구체 물질을 수열합성공정을 사용하여 바나듐 다이옥사이드를 합성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. (C) synthesizing vanadium dioxide using a hydrothermal synthesis process for the precursor material.
본 발명에 따른 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드의 제조 방법에 있어서, 상기 단계 (A)에서 전이금속을 첨가하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 전이금속은 텅스텐, 몰리브덴, 티타늄, 주석, 니오븀 및 안티몬으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다. 바람직하기는, 상기 전이금속은 텅스텐일 수 있다. 상기 전이금속은 0.01 at% 내지 10 at%의 양으로 도핑될 수 있다. 상기 전이금속의 도핑량이 0.01 at% 보다 적으면 도핑된 물질의 함량이 적어 도핑의 효과가 나타나지 않아 상전이 온도 감소에 영향을 미치지 못할 수 있으며, 10 at%를 초과하면 바나듐 다이옥사이드의 결정성이 약해지고, 도핑된 전이금속의 산화물 형태 (MOx)로 변화하기 때문에, 전이금속의 도핑량을 상기 범위로 설정하는 것이 바람직하다.In the method for producing high-purity monoclinic vanadium dioxide according to the present invention, it is characterized in that it further comprises the step of adding a transition metal in step (A). The transition metal may be at least one selected from the group consisting of tungsten, molybdenum, titanium, tin, niobium and antimony. Preferably, the transition metal may be tungsten. The transition metal may be doped in an amount of 0.01 at% to 10 at%. If the doping amount of the transition metal is less than 0.01 at%, the content of the doped material is small, so the effect of doping does not appear, so it may not affect the reduction of the phase transition temperature, and if it exceeds 10 at%, the crystallinity of vanadium dioxide becomes weak, Since the doped transition metal changes to the oxide form (MOx), it is preferable to set the doping amount of the transition metal within the above range.
본 발명에 따른 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드의 제조 방법에 있어서, 상기 단계 (A)에서 바나듐 전구체는 암모늄 메타바나데이트(Ammonium metavanadate), 바나듐펜톡사이드(Vanadium pentoxide), 바나듐 트라이옥사이드(Vanadium trioxide) 및 바나딜 아세틸아세토네이트(Vanadyl acetylacetonate)로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 한다. In the method for producing high purity monoclinic vanadium dioxide according to the present invention, in the step (A), the vanadium precursor is ammonium metavanadate, vanadium pentoxide, vanadium trioxide, and vanadium. It is characterized in that at least one selected from the group consisting of diyl acetylacetonate (Vanadyl acetylacetonate).
본 발명에 따른 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드의 제조 방법에 있어서, 상기 단계 (A)에서 바나듐 환원제는 하이드라진, 하이드라진무수물, 염산하이드 라진, 황산하이드라진, 하이드라진 하이드레이트 및 페닐하이드라진으로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 한다. In the method for producing high-purity monoclinic vanadium dioxide according to the present invention, the vanadium reducing agent in step (A) is at least one selected from the group consisting of hydrazine, hydrazine anhydride, hydrazine hydrochloride, hydrazine sulfate, hydrazine hydrate and phenylhydrazine. characterized in that
본 발명에 따른 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드의 제조 방법에 있어서, 상기 단계 (A)에서 제조된 바나듐 전구체는 4 내지 10 마이크로미터의 정팔면체 전구체, 150 내지 300 나노미터의 구형 전구체 또는 100 내지 200 나노미터의 육각판상 전구체로 존재하는 것을 특징으로 한다. In the method for producing high purity monoclinic vanadium dioxide according to the present invention, the vanadium precursor prepared in step (A) is an octahedral precursor of 4 to 10 micrometers, a spherical precursor of 150 to 300 nanometers, or 100 to 200 nanometers. It is characterized in that it exists as a hexagonal plate-shaped precursor.
본 발명에 따른 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드의 제조 방법에 있어서, 상기 단계 (B)는 In the method for producing a high-purity monoclinic vanadium dioxide according to the present invention, the step (B) comprises:
(b-1) 바나듐 전구체 용액 내 침전물로서 제1형태의 바나듐 전구체를 분리하는 단계, 또는(b-1) isolating the vanadium precursor in the first form as a precipitate in the vanadium precursor solution, or
(b-2) 바나듐 전구체 용액 내 침전물이 제거된 상층액을 원심분리하고, 원심분리에 의해 생성된 침전물로서 제2형태의 바나듐 전구체를 분리하는 단계, 또는 (b-2) centrifuging the supernatant from which the precipitate in the vanadium precursor solution is removed, and separating the second form of the vanadium precursor as a precipitate generated by centrifugation, or
(b-3) 바나듐 전구체 용액 내 침전물이 제거된 상층액을 원심분리하고, 원심분리에 의해 생성된 상층액을 추가 원심분리하여 생성된 침전물로서 제3형태의 바나듐 전구체를 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 단계 (B)가 (b-1)인 경우 제1형태의 바나듐 전구체는 4 내지 10 마이크로미터의 정팔면체 전구체이고, 제2형태의 바나듐 전구체는 150 내지 300 나노미터의 구형 전구체이고, 제3형태의 바나듐 전구체는 100 내지 200 나노미터의 육각판상 전구체일 수 있다. 여기서, 상기 제1형태의 바나듐 전구체는 후속 단계인 수열합성공정에 의해 30 내지 50 나노미터의 구형의 바나듐 (VO2(M)) 나노입자를 형성할 수 있다. 상기 제2형태의 바나듐 전구체는 후속 단계인 수열합성공정에 의해 바나듐 (VO2(B)) 나노입자를 형성할 수 있다. 또한, 제3형태의 바나듐 전구체는 바나듐 (NH4V5O9) 나노입자를 형성할 수 있다. (b-3) centrifuging the supernatant from which the precipitate in the vanadium precursor solution has been removed, and further centrifuging the supernatant produced by centrifugation to separate the vanadium precursor of the third form as a precipitate produced characterized in that When step (B) is (b-1), the vanadium precursor of the first form is an octahedral precursor of 4 to 10 micrometers, the vanadium precursor of the second form is a spherical precursor of 150 to 300 nanometers, and the third form The vanadium precursor of may be a hexagonal plate-shaped precursor of 100 to 200 nanometers. Here, the vanadium precursor of the first form may form 30 to 50 nanometer spherical vanadium (VO 2 (M)) nanoparticles by a hydrothermal synthesis process, which is a subsequent step. The second form of the vanadium precursor may form vanadium (VO 2 (B)) nanoparticles by a hydrothermal synthesis process, which is a subsequent step. In addition, the vanadium precursor of the third form may form vanadium (NH 4 V 5 O 9 ) nanoparticles.
본 발명에 따른 본 발명에 따른 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드의 제조 방법에 있어서, 상기 (b-1), (b-2) 또는 (b-3)에서 분리는 용매의 존재 하에 원심분리에 의해 수행되는 것을 특징으로 한다. 예를 들면, 상기 용매는 메탄올, 에탄올, 아세톤 및 에틸아세테이트로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택될 수 있다. In the method for producing high-purity monoclinic vanadium dioxide according to the present invention according to the present invention, the separation in (b-1), (b-2) or (b-3) is performed by centrifugation in the presence of a solvent. characterized in that For example, the solvent may be at least one selected from the group consisting of methanol, ethanol, acetone and ethyl acetate.
본 발명에 따른 본 발명에 따른 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드의 제조 방법에 있어서, 상기 (b-1), (b-2) 및 (b-3)에서 원심분리는 7000 내지 12000 rpm의 속도로 1분 내지 5분 동안 수행되는 것을 특징으로 한다.In the method for producing high-purity monoclinic vanadium dioxide according to the present invention according to the present invention, centrifugation in (b-1), (b-2) and (b-3) is performed at a speed of 7000 to 12000 rpm for 1 minute It is characterized in that it is carried out for 5 minutes.
본 발명에 따른 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드의 제조 방법에 있어서, 상기 단계 (C)에서 수열합성공정은 150 ℃ 내지 320 ℃ 범위의 온도에서 4 내지 20 시간, 바람직하기는 18시간 동안 수행되는 것을 특징으로 한다. 상기 수열합성공정이 4시간 미만으로 수행되는 경우 바나듐 다이옥사이드의 합성 및 결정화가 충분히 이루어지지 않을 수 있고, 20 시간을 초과하여 수행되는 경우 바나듐 다이옥사이드의 입자들이 응집되어 침전하는 현상이 발생할 수도 있다. In the method for producing high purity monoclinic vanadium dioxide according to the present invention, the hydrothermal synthesis process in step (C) is performed at a temperature in the range of 150 ° C to 320 ° C for 4 to 20 hours, preferably for 18 hours. do. When the hydrothermal synthesis process is performed for less than 4 hours, the synthesis and crystallization of vanadium dioxide may not be sufficiently performed.
제2구현예에 따르면, According to the second embodiment,
본 발명은 상기 수열합성 공정 기반 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드의 제조 방법에 의해 제조된 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드를 제공하고자 한다. An object of the present invention is to provide a high-purity monoclinic vanadium dioxide prepared by the method for producing high-purity monoclinic vanadium dioxide based on the hydrothermal synthesis process.
본 발명에 따른 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드에 있어서, 상기 바나듐 다이옥사이드는 30 내지 50 나노미터의 구형의 바나듐 (VO2(M)) 나노입자인 것을 특징으로 한다. In the high-purity monoclinic vanadium dioxide according to the present invention, the vanadium dioxide is 30 to 50 nanometer spherical vanadium (VO 2 (M)) nanoparticles.
본 발명에 따른 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드에 있어서, 상기 바나듐 다이옥사이드의 상전이 온도는 70 ℃ 이하, 바람직하기는 60 ℃이사, 더욱 바람직하기는 50 ℃ 이하, 가장 바람직하기는 40 ℃ 이하인 것을 특징으로 한다. 구체적으로, 본 발명에 따른 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드는 상온에서 단사정계(monoclinic)의 결정구조를 가지며, 상전이 온도, 예를 들면 약 67 ℃ 보다 높은 온도에서는 정방정계(tetragonal) 결정으로 변하게 된다. 본 발명에 따른 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드가 텅스텐으로 도핑된 경우 상기 상전이 온도는 특정의 온도는 약 40도 이하로 낮아질 수 있다. In the high-purity monoclinic vanadium dioxide according to the present invention, the phase transition temperature of the vanadium dioxide is 70 ° C or less, preferably 60 ° C or less, more preferably 50 ° C or less, and most preferably 40 ° C or less. Specifically, the high-purity monoclinic vanadium dioxide according to the present invention has a monoclinic crystal structure at room temperature, and changes to a tetragonal crystal at a temperature higher than the phase transition temperature, for example, about 67 ° C. When the high purity monoclinic vanadium dioxide according to the present invention is doped with tungsten, the specific temperature of the phase transition temperature may be lowered to about 40 degrees or less.
본 발명에 따른 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드에 있어서, 상기 바나듐 다이옥사이드는 X선 회절 분석시 27.8°(1 0), 37°(2 0 0), 42.1°(2 1 0) 및 55.4°(2 0) 위치에서 피크가 나타나는 것을 특징으로 한다. In the high-purity monoclinic vanadium dioxide according to the present invention, the vanadium dioxide is 27.8° (1 0), 37° (2 0 0), 42.1° (2 1 0) and 55.4° (2 0) in X-ray diffraction analysis. It is characterized in that a peak appears at the position.
제3구현예에 따르면, According to the third embodiment,
본 발명은 또한 상기 방법에 의해 제조되는 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드를 포함하는 광학 제품을 제공하고자 한다. The present invention also intends to provide an optical product comprising high-purity monoclinic vanadium dioxide produced by the above method.
본 발명에 따른 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드를 포함하는 광학 제품에 있어서, 상기 광학 제품은 스마트 윈도우인 것을 특징으로 한다. In the optical product containing the high purity monoclinic vanadium dioxide according to the present invention, the optical product is characterized in that the smart window.
본 발명의 수열합성 공정 기반 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드의 제조 방법에 따르면, 수열합성 공정 전에 크기 선택적 분리 공정을 수행함으로써, 생성된 바나듐 다이옥사이드의 나노입자의 크기 및 모양 균일도가 상승할 뿐만 아니라 상전이 효과가 우수한 순수상의 모노클리닉계 바나듐 다이옥사이드의 합성이 가능하다. 또한, 본 발명에 따른 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드는 주변 온도에 따라 적외선의 투과 및 반사를 선택적으로 할 수 있기 때문에 건물 내부의 냉난방 에너지 소비량 감소를 가능하게 하여 에너지 효율 (energy efficiency)면에서 우수하다는 장점이 있다.According to the method for producing high-purity monoclinic vanadium dioxide based on the hydrothermal synthesis process of the present invention, by performing a size-selective separation process before the hydrothermal synthesis process, the size and shape uniformity of the nanoparticles of the generated vanadium dioxide increases as well as the phase transition effect It is possible to synthesize excellent pure monoclinic vanadium dioxide. In addition, since the high-purity monoclinic vanadium dioxide according to the present invention can selectively transmit and reflect infrared rays according to the ambient temperature, it is possible to reduce the amount of energy consumption for heating and cooling inside the building, thereby being excellent in energy efficiency. There is this.
이하, 실시 예를 통해서 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다. 하지만, 이들은 본 발명을 보다 상세하게 설명하기 위한 것일 뿐 본 발명의 권리범위가 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail through examples. However, these are only for describing the present invention in more detail, and the scope of the present invention is not limited thereto.
<실시예> <Example>
실시예 1. 4 내지 10 ㎛의 입자 크기를 가지는 정팔면체의 전구체를 이용한 고순도의 VOExample 1. High-purity VO using an octahedral precursor having a particle size of 4 to 10 μm 22 (M) 모노클리닉 나노입자 합성 (M) Monoclinic Nanoparticle Synthesis
1-1. 4 내지 10 ㎛의 입자 크기를 가지는 정팔면체의 전구체 합성1-1. Synthesis of a precursor of an octahedron having a particle size of 4 to 10 μm
2.34g의 암모늄 바나데이트와 70g 초순수를 추가한 후, 1.356g의 하이드라진 모노하이드레이트 (NH₄VO₃대비 1: 0.579 질량비율)를 100ml 2구 플라스크에 넣었다. 마그네틱바를 추가하여 플라스크 내의 혼합물을 80도까지 승온하여 4시간 교반을 진행한 후, 반응 용액을 8000rpm으로 2분간 원심분리를 진행하였다. 원심분리 후 가라앉은 샘플을 분리하여 19.8g의 아세톤을 추가하여 세척해주고, 8000rpm으로 2분간 원심분리를 통해 최종 입자를 수득하였다.After adding 2.34 g of ammonium vanadate and 70 g of ultrapure water, 1.356 g of hydrazine monohydrate (1: 0.579 mass ratio of NH₄VO₃) was placed in a 100ml two-necked flask. By adding a magnetic bar, the temperature of the mixture in the flask was raised to 80° C., followed by stirring for 4 hours, and then centrifugation of the reaction solution was performed at 8000 rpm for 2 minutes. After centrifugation, the submerged sample was separated, washed by adding 19.8 g of acetone, and centrifuged at 8000 rpm for 2 minutes to obtain final particles.
1-2. 상기 정팔면체의 전구체를 이용한 VO2 (M) 모노클리닉 나노입자의 합성1-2. Synthesis of VO 2 (M) monoclinic nanoparticles using the octahedral precursor
상기 4 내지 10 ㎛의 크기를 가지는 정팔면체 전구체 입자를 25g의 초순수를 사용하여 분산시킨 후, 수열합성기를 280도에서 18시간 동안 반응을 진행하였다. 반응 후 반응물 원심분리기를 통하여 8000rpm의 속도로 2분간 원심분리하여 가라앉은 샘플을 수득하였다. 추가 세척 공정을 위해 19.8g의 아세톤을 사용하여 두번 정제하였다. 위와 같은 방법으로, 30 나노미터 내지 50 나노미터의 크기를 가지는 바나듐 다이옥사이드를 제조하고, 제조된 바나듐 다이옥사이드의 결정 및 형태를 각각 XRD 및 FE-SEM 분석으로 확인하였다. After the octahedral precursor particles having a size of 4 to 10 μm were dispersed using 25 g of ultrapure water, the reaction was performed in a hydrothermal synthesizer at 280 degrees for 18 hours. After the reaction, the reaction mass was centrifuged for 2 minutes at a speed of 8000 rpm through a centrifuge to obtain a submerged sample. It was purified twice using 19.8 g of acetone for further washing process. By the above method, vanadium dioxide having a size of 30 nanometers to 50 nanometers was prepared, and the crystals and shapes of the prepared vanadium dioxide were confirmed by XRD and FE-SEM analysis, respectively.
그 결과, 4 내지 10 ㎛의 크기를 가지는 정팔면체 전구체 입자를 이용하여 크기 선택적 분리 공정 및 수열합성공정에 의해 바나듐 다이옥사이드를 제조하는 경우, 30 나노미터 내지 50 나노미터의 크기를 가지는 구형의 X선 회절 분석시 27.8°(1 0), 37°(2 0 0), 42.1°(2 1 0) 및 55.4°(2 0) 위치에서 피크가 나타나는 고순도의 VO2 (M)가 제조될 수 있음이 확인되었다 (도 1)As a result, when vanadium dioxide is prepared by a size-selective separation process and a hydrothermal synthesis process using octahedral precursor particles having a size of 4 to 10 μm, X-ray diffraction of a spherical shape having a size of 30 nanometers to 50 nanometers. It was confirmed that high-purity VO 2 (M) with peaks at positions 27.8° (1 0), 37° (2 0 0), 42.1° (2 1 0) and 55.4° (2 0) can be prepared during analysis became (Fig. 1)
실시예 2. 텅스텐 도핑된 VOExample 2. Tungsten Doped VO 22 (M) 모노클리닉 나노입자의 합성 (M) Synthesis of monoclinic nanoparticles
상기 실시예 1-1과 마찬가지로 2.34g의 암모늄 바나데이트와 70g 초순수를 추가한 후, 원하는 도핑양의 원자량 비율로 암모늄 메타 텅스테이트를 추가하였다. 상전이 온도를 37도 부근으로 내리기 위해선 암모늄 메타 텅스테이트를 0.0.25g을 추가한다. 이후, 1.356g의 하이드라진 모노하이드레이트 (NH₄VO₃대비 1: 0.579 질량비율)를 100ml 2구 플라스크에 넣었다. 이후 마그네틱바를 추가하여 플라스크 내의 혼합물을 80도까지 승온하여 4시간 교반을 진행한 후, 반응 용액을 8000rpm으로 2분간 원심분리를 진행한다. 원심분리 후 가라앉은 샘플을 분리하여 19.8g의 아세톤을 추가하여 세척해주고, 8000rpm으로 2분간 원심분리를 통해 최종 입자를 수득하였다. 수득한 입자를 25g의 초순수를 사용하여 분산시킨 후, 수열합성기를 280도에서 18시간 동안 반응을 진행하였다. 반응 후 반응물 원심분리기를 통하여 8000rpm의 속도로 2분간 원심분리하여 가라앉은 샘플을 수득하였다. 추가 세척 공정을 위해 19.8g의 아세톤을 사용하여 두번 정제하였다. 위와 같이 도핑하고자 하는 원자의 프리커서를 넣어주는 간단한 방법으로, 도핑을 하지 않았을 때의 크기인 30 나노미터 내지 50 나노미터 크기와 같은 크기 가지는 텅스텐 도핑된 고순도의 VO2 모노클리닉 나노입자를 제조하였다. As in Example 1-1, 2.34 g of ammonium vanadate and 70 g of ultrapure water were added, and then ammonium metatungstate was added at an atomic weight ratio of a desired doping amount. In order to lower the phase transition temperature to around 37°C, add 0.025 g of ammonium metatungstate. Then, 1.356 g of hydrazine monohydrate (NH₄VO₃ to 1:0.579 mass ratio) was placed in a 100ml two-necked flask. Thereafter, by adding a magnetic bar, the temperature of the mixture in the flask was raised to 80° C. and stirred for 4 hours, and then the reaction solution was centrifuged at 8000 rpm for 2 minutes. After centrifugation, the submerged sample was separated, washed by adding 19.8 g of acetone, and centrifuged at 8000 rpm for 2 minutes to obtain final particles. After the obtained particles were dispersed using 25 g of ultrapure water, the reaction was performed in a hydrothermal synthesizer at 280 degrees for 18 hours. After the reaction, the reaction mass was centrifuged for 2 minutes at a speed of 8000 rpm through a centrifuge to obtain a submerged sample. It was purified twice using 19.8 g of acetone for further washing process. As above, by a simple method of putting a precursor of an atom to be doped, tungsten-doped high-purity VO 2 monoclinic nanoparticles having the same size as the size of 30 to 50 nanometers when not doping was prepared. .
실시예 3. VOExample 3. VO 22 (M) 모노클리닉 나노입자의 열변색 특성 확인 (M) Confirmation of thermochromic properties of monoclinic nanoparticles
상기 실시예 1 및 3에서 제조된 VO2 (M)의 열변색 특성을 확인하기 위하여 시차 주사 열용량 분석을 수행하였다. Differential scanning heat capacity analysis was performed to confirm the thermochromic characteristics of VO 2 (M) prepared in Examples 1 and 3.
그 결과, 실시예 1에서 제조된 VO2 (M)의 경우 약 67℃에서 상전이 온도를 가졌으며, 실시예 3에서 제조된 VO2 (M)의 경우 약 40℃에서 상전이 온도를 갖는 것으로 확인되었다. As a result, in the case of VO 2 (M) prepared in Example 1 had a phase transition temperature at about 67 ℃, in the case of VO 2 (M) prepared in Example 3 It was confirmed to have a phase transition temperature at about 40 ℃ .
실시예 4. 수열합성 시간에 따른 VOExample 4. VO according to hydrothermal synthesis time 2 2 (M) 모노클리닉 나노입자의 합성(M) Synthesis of monoclinic nanoparticles
4-1. 4시간 수열합성을 이용한 고순도의 VO2 (M) 모노클리닉 나노입자의 합성4-1. Synthesis of high-purity VO 2 (M) monoclinic nanoparticles using hydrothermal synthesis for 4 hours
상기 4 내지 10 ㎛의 크기를 가지는 정팔면체의 하층 전구체를 25g의 초순수를 사용하여 분산시킨 후, 라이너(유리 그릇)에 옮겨 담아 수열합성기에 추가하였다. 그 다음 수열합성기를 280도에서 4시간동안 반응을 진행한 후, 만들어지는 샘플을 원심분리기를 통하여 8000rpm의 속도로 2분간 정제한 후, 모아진 샘플을 19.8g의 아세톤을 사용하여 두번 정제하였다. 위와 같은 방법으로, 30 나노미터 내지 50 나노미터의 크기를 가지는 고순도의 VO2 모노클리닉 나노입자를 제조하였다. The octahedral lower layer precursor having a size of 4 to 10 μm was dispersed using 25 g of ultrapure water, and then transferred to a liner (glass bowl) and added to the hydrothermal synthesizer. Then, after the hydrothermal synthesizer was reacted at 280 degrees for 4 hours, the resulting sample was purified for 2 minutes at a speed of 8000 rpm through a centrifuge, and then the collected sample was purified twice using 19.8 g of acetone. By the above method, high-purity VO 2 monoclinic nanoparticles having a size of 30 nanometers to 50 nanometers were prepared.
4-2. 6시간 수열합성을 이용한 고순도의 VO2 (M) 모노클리닉 나노입자의 합성4-2. Synthesis of high-purity VO 2 (M) monoclinic nanoparticles using hydrothermal synthesis for 6 hours
상기 4 내지 10 ㎛의 크기를 가지는 정팔면체 전구체 입자를 25g의 초순수를 사용하여 분산시킨 후, 라이너(유리 그릇)에 옮겨 담아 수열합성기에 추가하였다. 그 다음 수열합성기를 280도에서 6시간동안 반응을 진행한 후, 만들어지는 샘플을 원심분리기를 통하여 8000rpm의 속도로 2분간 정제한 후, 모아진 샘플을 19.8g의 아세톤을 사용하여 두번 정제하였다. 위와 같은 방법으로, 30 나노미터 내지 50 나노미터의 크기를 가지는 고순도의 VO2 모노클리닉 나노입자를 제조하였다. The octahedral precursor particles having a size of 4 to 10 μm were dispersed using 25 g of ultrapure water, and then transferred to a liner (glass bowl) and added to the hydrothermal synthesizer. Then, after the hydrothermal synthesizer was reacted at 280 degrees for 6 hours, the resulting sample was purified for 2 minutes at a speed of 8000 rpm through a centrifuge, and then the collected sample was purified twice using 19.8 g of acetone. By the above method, high-purity VO 2 monoclinic nanoparticles having a size of 30 nanometers to 50 nanometers were prepared.
4-3. 12시간 수열합성을 이용한 고순도의 VO2 (M) 모노클리닉 나노입자의 합성4-3. Synthesis of high-purity VO 2 (M) monoclinic nanoparticles using hydrothermal synthesis for 12 hours
상기 4 내지 10 ㎛의 크기를 가지는 정팔면체 전구체 입자를 25g의 초순수를 사용하여 분산시킨 후, 라이너(유리 그릇)에 옮겨 담아 수열합성기에 추가하였다. 그 다음 수열합성기를 280도에서 12시간동안 반응을 진행한 후, 만들어지는 샘플을 원심분리기를 통하여 8000rpm의 속도로 2분간 정제한 후, 모아진 샘플을 19.8g의 아세톤을 사용하여 두번 정제하였다. 위와 같은 방법으로, 30 나노미터 내지 50 나노미터의 크기를 가지는 고순도의 VO2 모노클리닉 나노입자를 제조하였다.The octahedral precursor particles having a size of 4 to 10 μm were dispersed using 25 g of ultrapure water, and then transferred to a liner (glass bowl) and added to the hydrothermal synthesizer. Then, after the hydrothermal synthesizer was reacted at 280 degrees for 12 hours, the resulting sample was purified for 2 minutes at a speed of 8000 rpm through a centrifuge, and then the collected sample was purified twice using 19.8 g of acetone. By the above method, high-purity VO 2 monoclinic nanoparticles having a size of 30 nanometers to 50 nanometers were prepared.
4-4. 결과4-4. result
그 결과, 시차주사열량계 분석을 통해 수열합성 시간에 따라 상전이 온도의 변화 및 열량의 증감이 확인되었으며, X선 회절 분석법을 통해 수열합성 시간이 증가할수록, 반치전폭이 감소하여, 입자 크기가 큰 바나듐이 생성되는 것으로 나타났다 (도 3).As a result, the change in the phase transition temperature and the increase or decrease of the amount of heat were confirmed according to the hydrothermal synthesis time through differential scanning calorimetry analysis. Through X-ray diffraction analysis, as the hydrothermal synthesis time increased, the full width at half maximum decreased, resulting in a large vanadium particle size. appeared to be generated (Figure 3).
비교예 1. 150 내지 300 nm의 입자 크기를 가지는 구형의 전구체를 이용한 고순도의 VOComparative Example 1. High purity VO using a spherical precursor having a particle size of 150 to 300 nm 22 모노클리닉 나노입자 합성 Monoclinic Nanoparticle Synthesis
1-1. 150 내지 300 nm의 입자 크기를 가지는 구형의 전구체 합성1-1. Synthesis of spherical precursors having a particle size of 150 to 300 nm
100ml 2구 플라스크 안에 70ml 초순수에 2.34g의 암모늄 바나데이트를 분산시켜준 후, 1.356ml의 하이드라진 모노하이드레이트(NH₄VO₃대비 1: 0.579 비율)를 추가하였다. 플라스크 내의 혼합 용액을 80도까지 승온하여 마그네틱바를 이용해 4시간 교반을 진행한 후, 8000rpm으로 2분간 원심분리를 진행하였다. 가라앉은 침전물을 제외한 분산되어 있는 샘플을 모은 후, 25ml의 아세톤을 추가하여 12000rpm으로 2분간 원심분리를 두 번 진행한 후 침전된 샘플을 분리하였다.After dispersing 2.34 g of ammonium vanadate in 70 ml of ultrapure water in a 100 ml two-necked flask, 1.356 ml of hydrazine monohydrate (ratio of 1: 0.579 to NH₄VO₃) was added. The temperature of the mixed solution in the flask was raised to 80°C, followed by stirring for 4 hours using a magnetic bar, followed by centrifugation at 8000 rpm for 2 minutes. After collecting the dispersed samples except for the settled sediment, 25 ml of acetone was added and centrifugation was performed twice at 12000 rpm for 2 minutes to separate the precipitated sample.
1-2. 사각 판상 형태의 (NH4)2V4O9 나노입자 합성1-2. Synthesis of (NH 4 ) 2 V 4 O 9 nanoparticles in the form of a square plate
150 내지 300 nm의 입자 크기를 가지는 구형의 전구체 입자를 25g의 초순수를 사용하여 분산시킨 후 280도에서 18시간동안 수열합성 반응을 진행하였다. 이후 합성된 용액을 원심분리기를 통하여 8000rpm의 속도로 2분간 원심분리하고 가라앉은 샘플을 수득하고, 19.8g의 아세톤을 사용하여 두번 정제하여 2 마이크로미터 내지 4 마이크로미터의 크기를 가지는 바나듐 다이옥사이드를 제조하고, 제조된 바나듐 다이옥사이드의 결정 및 형태를 각각 XRD 및 FE-SEM 분석하여, 사각 판상 형태의 (NH4)2V4O9 나노입자가 형성됨을 확인하였다 (도 4)After dispersing the spherical precursor particles having a particle size of 150 to 300 nm using 25 g of ultrapure water, a hydrothermal synthesis reaction was performed at 280°C for 18 hours. Then, the synthesized solution was centrifuged for 2 minutes at a speed of 8000 rpm through a centrifuge to obtain a submerged sample, and then purified twice using 19.8 g of acetone to prepare vanadium dioxide having a size of 2 micrometers to 4 micrometers. and XRD and FE-SEM analysis of the prepared vanadium dioxide crystals and shapes, respectively, it was confirmed that (NH 4 ) 2 V 4 O 9 nanoparticles in the form of a square plate were formed (FIG. 4)
비교예 2. 100 내지 200 nm의 입자 크기를 가지는 육각 판상의 전구체를 이용한 고순도의 VOComparative Example 2. High-purity VO using a hexagonal plate-shaped precursor having a particle size of 100 to 200 nm 22 (B) 모노클리닉 나노입자 합성 (B) Monoclinic Nanoparticle Synthesis
2-1. 100 내지 200 nm의 입자 크기를 가지는 육각 판상의 전구체 합성2-1. Synthesis of a hexagonal plate-shaped precursor having a particle size of 100 to 200 nm
2.34g의 암모늄 바나데이트와 70g의 초순수를 추가한 후, 1.356g의 하이드라진 모노하이드레이트(NH₄VO₃대비 1: 0.579 비율)를 100ml 2구 플라스크에 넣었다. 마그네틱바를 추가하여 플라스크 내의 혼합물을 80도까지 승온하여 4시간간 교반을 진행한 후, 8000rpm으로 2분간 원심분리를 진행하였다. 가라앉은 샘플을 제외한 분산되어 있는 샘플을 스포이드로 모은 후, 12000rpm에서 2분간 원심분리를 진행하였다. 그 다음 가라앉은 샘플을 모아 19.8g의 아세톤을 추가하여 8000rpm으로 2분간 원심분리를 두번 진행하였다. After adding 2.34 g of ammonium vanadate and 70 g of ultrapure water, 1.356 g of hydrazine monohydrate (ratio of 1: 0.579 to NH₄VO₃) was placed in a 100ml two-necked flask. The mixture in the flask was heated to 80°C by adding a magnetic bar and stirred for 4 hours, followed by centrifugation at 8000 rpm for 2 minutes. After collecting the dispersed samples except for the submerged sample with a dropper, centrifugation was performed at 12000 rpm for 2 minutes. Then, 19.8 g of acetone was added to the collected samples, and centrifugation was performed twice at 8000 rpm for 2 minutes.
2-2. 상기 육각 판상의 전구체를 이용한 VO2 (B) 모노클리닉 나노입자의 합성2-2. Synthesis of VO 2 (B) monoclinic nanoparticles using the hexagonal plate-shaped precursor
100 내지 200 nm의 입자 크기를 가지는 육각 판상의 전구체 입자를 25ml의 초순수를 사용하여 분산시킨 후, 라이너(유리 그릇)에 옮겨 담아 수열합성기에 추가하였다. 수열합성기를 280도에서 18시간동안 반응을 진행한 후, 만들어지는 샘플을 원심분리기를 통하여 8000rpm의 속도로 2분간 정제한 후, 모아진 샘플을 19.8g의 아세톤을 사용하여 두번 정제하여, 폭 100 나노미터와 길이 800 나노미터로 종횡비가 1:8인 막대기 형상을 가지는 바나듐 다이옥사이드를 제조하고, 제조된 바나듐 다이옥사이드의 결정 및 형태를 각각 XRD 및 FE-SEM 분석하여, 막대 형태의 VO2 (B) 나노입자가 형성됨을 확인하였다 (도 5)Hexagonal plate-shaped precursor particles having a particle size of 100 to 200 nm were dispersed using 25 ml of ultrapure water, and then transferred to a liner (glass bowl) and added to the hydrothermal synthesizer. After reacting the hydrothermal synthesizer at 280°C for 18 hours, the resulting sample was purified for 2 minutes at a speed of 8000rpm through a centrifuge, and then the collected sample was purified twice using 19.8g of acetone, 100 nanometers wide A bar-shaped vanadium dioxide having an aspect ratio of 1:8 with a meter and length of 800 nanometers was prepared, and the crystals and forms of the prepared vanadium dioxide were analyzed by XRD and FE-SEM, respectively, to obtain rod-shaped VO 2 (B) nano It was confirmed that particles were formed (FIG. 5)
이상으로 본 발명 내용의 특정한 부분을 상세히 기술하였는바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 이러한 구체적 기술은 단지 바람직한 실시태양일 뿐이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항들과 그것들의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.As described above in detail a specific part of the content of the present invention, for those of ordinary skill in the art, it is clear that this specific description is only a preferred embodiment, and the scope of the present invention is not limited thereby. something to do. Accordingly, it is intended that the substantial scope of the present invention be defined by the appended claims and their equivalents.
Claims (10)
(B) 상기 바나듐 전구체 용액을 크기 선택적 분리 공정을 수행하여 순수한 결정 구조를 갖는 전구체 물질을 획득하는 단계; 및
(C) 상기 전구체 물질을 수열합성공정을 사용하여 바나듐 다이옥사이드를 합성하는 단계를 포함하는 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드의 제조 방법.
(A) preparing a vanadium precursor solution by stirring a vanadium precursor, a vanadium reducing agent, and a solvent at room temperature for 4 to 20 hours;
(B) performing a size-selective separation process on the vanadium precursor solution to obtain a precursor material having a pure crystal structure; and
(C) A method for producing a high-purity monoclinic vanadium dioxide comprising the step of synthesizing vanadium dioxide using the hydrothermal synthesis process of the precursor material.
상기 단계 (A)에서 전이금속을 첨가하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 것인, 방법.
According to claim 1,
The method, characterized in that it further comprises the step of adding a transition metal in step (A).
상기 전이금속은 텅스텐인 것을 특징으로 하는 것인, 방법.
3. The method of claim 2,
The method, characterized in that the transition metal is tungsten.
상기 단계 (A)에서 바나듐 전구체는 암모늄 메타바나데이트(Ammonium metavanadate), 바나듐펜톡사이드(Vanadium pentoxide), 바나듐 트라이옥사이드(Vanadium trioxide) 및 바나딜 아세틸아세토네이트(Vanadyl acetylacetonate)로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 것인, 방법.
The method of claim 1,
In the step (A), the vanadium precursor is at least one from the group consisting of ammonium metavanadate, vanadium pentoxide, vanadium trioxide, and vanadyl acetylacetonate. A method, characterized in that selected.
상기 단계 (A)에서 바나듐 환원제는 하이드라진, 하이드라진무수물, 염산하이드 라진, 황산하이드라진, 하이드라진 하이드레이트 및 페닐하이드라진으로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 것인, 방법.
The method of claim 1,
The vanadium reducing agent in step (A) is characterized in that at least one selected from the group consisting of hydrazine, hydrazine anhydride, hydrazine hydrochloride, hydrazine sulfate, hydrazine hydrate and phenylhydrazine.
상기 단계 (A)에서 제조된 바나듐 전구체는 4 내지 10 마이크로미터의 정팔면체 전구체, 150 내지 300 나노미터의 구형 전구체 또는 100 내지 200 나노미터의 육각판상 전구체로 존재하는 것을 특징으로 하는 것인, 방법.
The method of claim 1,
The vanadium precursor prepared in step (A) is characterized in that it exists as an octahedral precursor of 4 to 10 micrometers, a spherical precursor of 150 to 300 nanometers, or a hexagonal plate-shaped precursor of 100 to 200 nanometers.
상기 단계 (B)는
(b-1) 바나듐 전구체 용액 내 침전물로서 제1형태의 바나듐 전구체를 분리하는 단계, 또는
(b-2) 바나듐 전구체 용액 내 침전물이 제거된 상층액을 원심분리하고, 원심분리에 의해 생성된 침전물로서 제2형태의 바나듐 전구체를 분리하는 단계, 또는
(b-3) 바나듐 전구체 용액 내 침전물이 제거된 상층액을 원심분리하고, 원심분리에 의해 생성된 상층액을 추가 원심분리하여 생성된 침전물로서 제3형태의 바나듐 전구체를 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 것인, 방법.
According to claim 1,
The step (B) is
(b-1) isolating the vanadium precursor in the first form as a precipitate in the vanadium precursor solution, or
(b-2) centrifuging the supernatant from which the precipitate in the vanadium precursor solution is removed, and separating the second form of the vanadium precursor as a precipitate generated by centrifugation, or
(b-3) centrifuging the supernatant from which the precipitate in the vanadium precursor solution has been removed, and further centrifuging the supernatant produced by centrifugation to separate the vanadium precursor of the third form as a precipitate produced characterized in that the method.
상기 (b-1), (b-2) 또는 (b-3)에서 분리는 용매의 존재 하에 7000 내지 12000 rpm의 속도로 1분 내지 5분 동안 원심분리에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 것인, 방법.
According to claim 1,
The separation in (b-1), (b-2) or (b-3) is characterized in that it is performed by centrifugation in the presence of a solvent at a speed of 7000 to 12000 rpm for 1 minute to 5 minutes , method.
상기 단계 (C)에서 수열합성공정은 150 ℃ 내지 320 ℃ 범위의 온도에서 4 내지 20 시간 수행되는 것을 특징으로 하는 것인, 방법.
According to claim 1,
The hydrothermal synthesis process in step (C) is characterized in that it is carried out at a temperature in the range of 150 ℃ to 320 ℃ 4 to 20 hours, the method.
상기 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드는 스마토 윈도우에 사용되는 것을 특징으로 하는 것인, 고순도 모노클리닉 바나듐 다이옥사이드.
A high-purity monoclinic vanadium dioxide prepared by the method according to any one of claims 1 to 9, comprising:
The high-purity monoclinic vanadium dioxide is characterized in that used in the smart window, high-purity monoclinic vanadium dioxide.
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|---|---|---|---|---|
| KR20230146217A (en) * | 2022-04-12 | 2023-10-19 | 경북대학교 산학협력단 | VO2 Nanoparticle Synthesis Method |
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- 2020-09-07 KR KR1020200114025A patent/KR102410773B1/en active IP Right Grant
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