KR20220032055A - 광학 요소용 산소 손실 내성 상부 코팅 - Google Patents

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드 커크호프 마르쿠스 아드리아누스 반
치우시 주
클라우스 마틴 흄러
피터 매튜 마이어
케이 호프만
앤드류 데이비드 라포르주
이고르 블라디미로비치 포멘코프
다니엘 존 윌리엄 브라운
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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

리소그래피 장치용 광학 요소가 제공된다. 광학 요소는 산소 공공을 포함하는 캐핑층을 포함한다. 산소 공공은 수소 및 기타 종이 캐핑층 및 하층에 침투하는 것을 방지함으로써 캐핑층의 공격을 방지한다. 캐핑층은 낮은 수소 재결합률을 제공하여 수소가 광학 요소의 표면을 세정할 수 있도록 한다. 캐핑층은 합금된 금속, 혼합된 금속 산화물 또는 도핑된 금속 산화물을 포함할 수 있고, 하나 이상의 도펀트를 포함하는 루테늄 캐핑층일 수 있다.

Description

광학 요소용 산소 손실 내성 상부 코팅
관련출원의 상호참조
본 출원은 광학 요소용 산소 손실 내성 상부 코팅이라는 명칭으로 2019년 7월 16일에 출원된 미국 출원 제 62/874,869 호; 및 광학 요소용 산소 손실 내성 상부 코팅이라는 명칭으로 2020년 6월 2일에 출원된 미국 출원 제 63/033,554 호의 우선권을 주장하며, 이들 두 출원 모두 원용에 의해 그 전체가 본원에 포함된다.
본 발명은 리소그래피 장치용 광학 요소 및 이러한 광학 요소를 포함하는 리소그래피 장치에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에 원하는 패턴을 적용하는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들면, 집적 회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 리소그래피 장치는, 예를 들면, 기판 상에 제공된 방사선 감응성 재료(레지스트) 층 상에 패터닝 디바이스(예를 들면, 마스크)로부터 패턴을 투영할 수 있다.
기판 상에 패턴을 투영하기 위해 리소그래피 장치가 사용하는 방사선의 파장은 그 기판 상에 형성될 수 있는 피처(feature)의 최소 크기를 결정한다. 4-20 nm 범위 내의 파장을 갖는 전자기 방사선인 극자외선(EUV) 방사선을 사용하는 리소그래피 장치는 기판 상에, 예를 들면, 193 nm 등의 더 높은 파장을 갖는 전자기 방사선을 사용하는 리소그래피 장치보다 더 작은 피처를 형성하는 데 사용할 수 있다.
EUV 방사선은 일반적으로 레이저 빔을 통해 연료(전형적으로는 주석) 내에 에너지를 축적함으로써 생성되고, 이는 플라즈마의 이온과의 전자의 탈여기 및 재결합 중에 EUV 방사선을 방출하는 플라즈마를 생성한다. 방출된 방사선은 모든 방향으로 방출되므로 콜렉터 미러(collector mirror)가 이 방사선을 집속하도록 배치 및 구성된다. 연료를 활성화하는 레이저 빔은 콜렉터 미러의 중심에 있는 개구부를 통해 제공된다. EUV 리소그래피 장치에서, 생성된 EUV 방사선을 리소그래피 프로세스의 대상이 되는 기판에 가능한 한 많이 제공하는 것이 바람직하다. 따라서 EUV 방사선의 손실을 최소화하는 것이 바람직하다.
예를 들면, 레이저로 주석 액적을 조사하여 주석 플라즈마를 형성함으로써 EUV 방사선을 생성하는 방법으로 인해, 콜렉터 미러의 영역에 높은 주석 증기 압력이 존재하고 주석 원자가 콜렉터의 표면 상에 퇴적될 수 있다. 퇴적된 주석은 수소 라디칼(H*)과의 반응에 의해 제거될 수 있다. 주석과 수소의 반응에 의해 주위 온도에서 가스상인 주석 수소화물이 생성된다. 그러므로 이들 가스는 콜렉터 미러 상에 퇴적된 주석을 제거할 수 있다. 수소 가스는 레이저가 발사되는 콜렉터 미러의 중심에 있는 구멍을 통해 제공될 수 있다. 수소 가스는 또한 반사면을 실질적으로 횡단하는 방향으로 콜렉터 상에서 반경방향 외측으로 흐르는 가스 흐름을 안내하도록 구축 및 배치된 관형체를 통해 제공될 수 있다. 수소는 콜렉터 미러의 연부로부터 제공되어 콜렉터 미러의 외측 부분을 보호 및 세정할 수도 있다.
펠리클(pellicle)은 마스크 또는 기타 패터닝 디바이스 등의 리소그래피 장치의 광학 부품을 보호한다. 펠리클은 또한 서로 밀봉될 수 있는 리소그래피 장치의 영역들 사이에 리소그래피 방사선을 위한 통로를 제공하기 위해 사용될 수 있다. 펠리클은 또한 스펙트럼 퓨리티 필터(spectral purity filter) 등의 필터로서 또는 리소그래피 장치의 동적 가스 로크(dynamic gas lock)의 일부로서 사용될 수 있다.
본 개시는 일반적으로 EUV 리소그래피 장치용 콜렉터 미러 등의 리소그래피 장치와 관련하는 광학 요소에 관한 것이지만, 광학 요소는 리소그래피 장치 및 펠리클 이외의 다양한 유형의 장치에 적용되고, 동적 가스 로크 멤브레인 및 스펙트럼 퓨리티 필터도 광학 요소로 간주된다. 광학 요소는 또한 현재 사용되는 것보다 더 짧은 방사선을 사용하는 리소그래피 장치에 사용될 수 있다.
또한, 콜렉터 미러, 펠리클, 또는 동적 가스 로크의 컴포넌트 등 리소그래피 장치 내의 광학 요소의 수명을 개선하는 것이 바람직하다. 이들 광학 요소는 사용 시에 리소그래피 장치의 가혹한 환경에 노출되므로 시간의 경과에 따라 손상될 수 있다. 이러한 광학 요소의 손상을 방지, 저감, 또는 제거하는 것이 바람직하다.
리소그래피 장치(및/또는 방법)에서, 레지스트 코팅된 기판 상에 패턴을 형성하기 위해 사용되고 있는 방사선의 강도의 손실을 최소화하는 것이 바람직하다. 그 이유 중 하나는, 이상적으로, 예를 들면, 노광 시간을 단축하여 처리능력을 향상시키기 위해 기판에 패턴을 적용하기 위해 가능한 한 많은 방사선을 이용할 수 있어야 한다는 것이다. 그러므로, 오염은 미러의 반사율을 저하시키므로 콜렉터 미러를 가능한 한 깨끗하게 유지하는 것이 바람직하다. 동시에, 리소그래피 장치를 통과하여 기판 상에 입사하는 원하지 않는 방사선(예를 들면, 대역외 방사선)의 양을 최소화하는 것이 바람직하다.
본 발명은 위에서 특정한 문제 중 적어도 일부에 대처하기 위한 시도에서 발명되었다.
본 발명의 제 1 양태에 따르면, 복수의 산소 공공(oxygen vacancy)을 포함하는 캐핑층(capping layer)을 포함하는 광학 요소가 제공된다. 이 광학 요소는 리소그래피용 광학 요소일 수 있고, 또는 기타 장치가 본 명세서에 기술된 광학 요소 중 임의의 것일 수 있다.
하나의 실시형태에서, 캐핑층은 도핑된 지르코늄 산화물을 포함할 수 있다. 지르코늄 산화물은 이트륨 산화물(Y2O2)(그러나, 이것에 한정되지 않음) 등의 산화 상태의 3 가의 양이온으로 도핑될 수 있다.
본 개시는 EUV 리소그래피 장치용 콜렉터 미러 등의 리소그래피 장치에 관련한 광학 요소를 위한 캐핑층에 관한 것이지만, 본 개시는 펠리클, 동적 가스 로크 멤브레인 및 스펙트럼 퓨리티 필터 등의 광학 요소에서, 리소그래피 장치 이외의 다양한 유형의 장치에서, 그리고 또한 다양한 다른 유형의 광학 부재 상의 코팅으로서 적용된다.
EUV 리소그래피 장치에서, EUV 방사선은 주석 액적을 레이저로 조사하여 주석 플라즈마를 형성함으로써 생성될 수 있다. 이로 인해 콜렉터 미러의 영역에서 높은 주석 증기압이 발생하고, 주석 원자가 콜렉터 미러의 표면 상에 퇴적되는 경향이 있다. 더 나아가, 플라즈마 생성 중에 소비되지 않은 주석의 일부도 나노입자 및 마이크로입자의 형태로 콜렉터 미러 상에 퇴적될 수 있다. 퇴적된 주석은 수소 라디칼(H*)과의 반응에 의해 제거될 수 있다. 주석과 수소 라디칼의 반응에 의해 주석 수소화물이 생성되며, 이것은 EUV 리소그래피 장치가 작동되는 온도 및 주위 온도에서 기체상이다. 그러므로 이들 가스는 콜렉터 미러 상에 퇴적된 주석을 제거할 수 있다. 그러나, 주석 퇴적물을 제거하기 위해 제공되는 원자 수소는 또한 종래의 콜렉터 미러 등의 광학 부품의 캐핑층과 반응하고 이 캐핑층을 공격한다. 종래의 캐핑층에서와 같이 캐핑층이 수소에 의해 환원되면, 콜렉터 미러 캐핑층에서의 수소 라디칼의 재결합률이 증가하고, 콜렉터 미러의 표면 상의 주석 오염의 제거에 부정적인 영향이 미친다. 즉 이용가능한 수소 라디칼의 재결합에 기인된 손실로 인해 주석 제거율이 저하된다. 이는 콜렉터 미러의 동작 수명을 단축시킨다. 콜렉터 미러의 표면의 환원을 경감시키기 위해, 산소 함유 화합물을 리소그래피 장치 내의 수소 가스에 첨가하여 콜렉터 미러의 표면을 산화시킬 수 있다. 첨가되는 산소의 양은 EUV 광원 용기 내의 다른 금속 표면의 원하지 않는 결과 및 EUV 투과 손실로 인해 제한된다. 캐핑층이 사용 중에 손상되면, 콜렉터는 간단한 세정으로는 일신될 수 없으며 비용 및 시간이 드는 재구축 사이클을 통과해야 한다. 소스 작업에서 사용되는 최대 허용가능한 산소 레벨에서 콜렉터의 수명을 연장하기 위해 추가의 완화가 필요하다. 본 개시는 캐핑층으로부터 산소의 손실이 저감되어 콜렉터 미러의 동작 수명을 개선하고 리소그래피 장치의 이용가능성을 개선하는 캐핑층을 제공한다.
이는 복수의 산소 공공을 포함하는 H* 재결합률이 낮은 재료로 제조되는 캐핑층에 의해 달성된다. 환원 환경에서의 산소의 제거는 캐핑층에 손상을 일으키는 것이 발견되었으므로, 캐핑층에 산소 공공을 포함시키면 캐핑층이 안정화되고 표면 산소 흡착을 높인다는 것이 직관에 반하여 발견되었다. 과학적 이론에 구속되는 것을 바라지 않지만, 최외 표면층 내의 산소 공공은 산소를 끌어당기는 데 기여하고, 표면 아래의 산소 공공은 주위의 격자 산소를 이완시켜 공공 부위로 향하게 하고, 산소-산소 결합을 신장시키거나 분극화함으로써 흡착된 분자에 영향을 주는 것으로 생각된다. 또한, 산소 공공의 제공에 의해 생성되는 표면 결정 결함은 보다 활발한 흡착 부위로서 기능하는 것으로 생각된다.
캐핑층은 지르코늄 산화물을 포함할 수 있다. 지르코늄 산화물은 낮은 수소 라디칼 재결합률을 가지며, 따라서 휘발성 금속 수소화물, 특히 주석 수소화물의 자가 세정(self-cleaning)을 강화시키므로 캐핑층으로서 유리하다. 그러나, 고에너지 EUV 방사선 및 수소 라디칼 생성을 포함하는 EUV 리소그래피 장치의 환경에서 이 재료는 아산화물(sub-oxide)로 또는 그 금속 상태로 환원될 수 있다. 이로 인해 캐핑층 표면에서의 수소 라디칼 재결합이 증가하고, 그 결과 광학 미러에 대한 주석 오염의 자가 세정이 감소된다. 캐핑층에 상당한 산소 공공을 포함하면 EUV 리소그래피 장치의 것과 유사한 가스 환경에서 표면수 형성에 의해 지르코늄 산화물이 환원되는데 필요한 활성화 에너지가 2배를 넘는 것으로 밝혀졌다. ZrO2는 전형적으로 500 K(켈빈) 미만의 온도에서 환원을 개시하지만, 보다 낮은 원자가의 보다 큰 양이온으로 도핑된, 그리고 그 결과 더 많은 수의 산소 공공을 내포하는 지르코늄 산화물은 700 K를 초과하는 온도에서 환원을 개시한다. 따라서, 상당한 산소 공공을 함유하는 지르코늄 산화물 캐핑층은, 수소 환경 중에서, 산소 공공을 함유하지 않는 지르코늄 산화물 캐핑층보다 더 안정하다.
지르코늄 산화물 캐핑층 내의 산소 공공은 지르코니아 격자 내에 산소 공공이 포함되도록 화학양론을 제어함으로써 구현될 수 있다.
캐핑층은 이트륨, 세륨, 칼슘, 마그네슘, 타이타늄, 및 희토류 금속 중 하나 이상의 산화물로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 금속 산화물을 더 포함할 수 있다.
이 하나 이상의 금속 산화물을 ZrO2에 첨가하면 산소 공공의 함유량이 증가된 캐핑층이 얻어지고, 이와 관련하여 EUV 리소그래피 장치의 안정성도 향상된다.
일부의 실시형태에서, 캐핑층은 지르코늄 산화물 및 이트륨 산화물을 포함할 수 있다.
과학적 이론에 구속되는 것을 바라지 않지만, 지르코늄 산화물 격자 중의 Zr4+ 양이온이 Y3+ 양이온에 의해 치환되고 이로 인해 초격자 중의 전하 중성을 유지하기 위하여 산소 공공을 형성하는 것으로 생각된다. 2 개의 치환 이트륨 양이온마다, 하나의 산소 공공이 생성된다. 이들 산소 공공의 존재에 의해 재료는 표면수의 형성과 그 후의 탈리(desorption)에 의해 산소를 상실하지 않고 산소를 획득하는 경향을 갖게 된다. 언급된 것과 다른 금속에도 유사한 고려사항이 적용된다.
또한 Y2O3를 첨가하면, 정방정계의 ZrO2가 단사정계의 ZrO2로 상변태할 때, ZrO2 균열을 방지할 수 있다는 것이 밝혀졌다.
캐핑층은 이트륨으로 안정화된 지르코니아를 포함할 수 있다. 캐핑층은 이트륨으로 안정화된 지르코늄 산화물을 포함할 수 있다.
위와 같이, 캐핑층에 이트륨을 첨가하면 더 많은 산소 공공이 형성되고, EUV 리소그래피 장치의 환원 환경 내의 안정성이 개선된다.
하나 이상의 금속 산화물은, 몰분율로, 캐핑층의 약 1% 내지 약 25%를 포함할 수 있다. 일부의 실시형태에서, 하나 이상의 금속 산화물은, 몰분율로, 캐핑층의 약 1.5% 내지 약 20%를 포함할 수 있다. 일부의 실시형태에서, 하나 이상의 금속 산화물은 목표 도펀트에 따라, 몰분율로, 캐핑층의 약 8%를 포함할 수 있다. 몰분율로 약 8%의 이트륨 산화물로 지르코늄 산화물을 도핑함으로써 지르코늄 산화물이 환원되는 활성화 에너지가 2 배를 초과한다는 것이 밝혀졌다.
캐핑층이 지르코늄 산화물 및 다른 금속 산화물을 포함하는 실시형태에서, 다른 금속 산화물에 대한 지르코늄 산화물의 몰분율은 약 70:1 내지 약 5:1일 수 있다. 캐핑층의 두께는 다양한 실시형태에서 5 나노미터 미만일 수 있으나, 다양한 적절한 용도에서는 더 두꺼울 수도 있다.
이러한 양으로 금속 산화물을 포함시킴으로써 광학 요소의 안정성은 캐핑층을 통한 EUV의 투과 손실이 제한되어 개선되는 것이 밝혀졌다. 따라서, 이러한 캐핑층을 가지는 광학 컴포넌트의 수명은 길어지고, EUV의 투과 효율에 대한 영향이 매우 적어진다.
캐핑층은 합금된 금속 또는 합금된 금속 산화물을 포함할 수 있다. 일부의 실시형태에서, 캐핑층은 혼합된 금속 산화물을 포함할 수 있다. 혼합된 금속 산화물은, 일부의 실시형태에서 일체형 결정으로서 적어도 2 가지 유형의 양이온을 구성되는 금속 산화물일 수 있다. 혼합된 금속 산화물은 복수의 금속을 함유하는 산화물로 간주될 수 있다. 일부의 실시형태에서, 혼합된 금속 산화물은 캐핑층을 형성하는 2 개 이상의 금속 산화물의 혼합물에 상당할 수 있다.
위에서 설명한 바와 같이 금속 또는 금속 산화물을 합금하면 안정화된 캐핑층이 얻어진다. 캐핑층을 형성하기 위해 2 개 이상의 금속을 조합하면 단일 금속 또는 단일 금속 산화물에 의해 형성되는 것보다 수소에 의한 환원에 대해 더 안정한 캐핑층이 제공된다. 2 개 이상의 금속의 비율은 EUV 투과율, 수소 표면 재결합률, 및 경도 등의 기타 특성을 최적화하기 위해 1:1로부터 상당히 달라질 수 있다. 이러한 혼합된 금속 산화물의 층은 EUV 반사 미러, 계측 펠리클, 레티클, 또는 레티클 스테이지 피듀셜 마커(reticle-stage fiducial marker)의 보호층으로서, 예를 들면, Mo/Si 다층의 상에 사용하기에 매우 적합하다.
합금된 금속 또는 합금된 금속 산화물은 반금속(semimetal) 및/또는 비금속을 함유하는 합금으로 형성될 수 있다. 반금속은 붕소일 수 있다. 비금속은 질소일 수 있다.
따라서, 캐핑층은 붕소와 합금된 지르코늄 산화물을 포함할 수 있다. 캐핑층은 질소와 합금된 지르코늄 산화물을 포함할 수 있다.
유사하게, 일부의 실시형태에서, 캐핑층은 붕소와 합금된 루테늄으로 형성될 수 있다. 캐핑층은 질소와 합금된 루테늄을 포함할 수 있다.
붕소 및/또는 질소로 루테늄을 도핑하면 루테늄 캐핑층은 비정질성이 높아지고 다결정성이 낮아진다. 이 도핑은 또한 루테늄 층과 하층 사이의 격자 부정합을 저감시키고, 이로 인해 접착을 촉진하고 아일랜드(island)의 형성을 저감시킨다. 유사한 장점이 지르코늄 산화물 캐핑층의 도핑에도 적용된다.
도펀트가 붕소인 경우, 붕소는 몰분율로 캐핑층의 약 5% 내지 약 15%를 포함할 수 있다. 일부의 실시형태에서, 붕소는 몰분율로 캐핑층의 약 10%를 포함할 수 있다. 이들 레벨에서, 캐핑층은 붕소 도핑이 없는 경우보다 비정질성이 높아지고, 수소 및 산소의 침투가 저하하고, 그 결과 하층의 보호가 향상된다는 것이 밝혀졌다. 또한, 붕소 도핑된 캐핑층의 EUV 광학 특성은 도핑되지 않은 캐핑층에 필적하거나 약간 더 우수하다.
하나의 실시형태에서, 캐핑층은 Mo(x-y)RuxBy를 포함할 수 있고, 여기서 x + y = 1이고, 0.01 ≤ y ≤ 0.15이지만, 다른 실시형태에서는 다양한 다른 화학양론 비 및 다양한 다른 배합의 Mo, Ru 및 B가 사용될 수 있다. 이러한 캐핑층도 붕소로 도핑되지 않은 캐핑층보다 비정질성이 높고, 위에서 설명한 바와 같은 장점을 갖는다. 이러한 캐핑층은 도핑된 지르코늄 산화물 또는 루테늄을 포함하는 캐핑층보다 낮은 EUV 반사율을 가지며, 이는 높은 EUV 투과율이 바람직한 펠리클 또는 동적 가스 로크 멤브레인 등의 EUV 반사율이 바람직하지 않는 경우에 바람직할 수 있다.
캐핑층은 콜렉터 미러 등의 광학 요소에 배치될 수 있다. 콜렉터 미러는 EUV 방사선이 생성되는 장소에 매우 가깝게 있으므로, 리소그래피 장치 내의 가장 가혹한 조건 중 일부에 노출되고, 따라서 이러한 가혹한 조건에 견딜 수 있고 사용 중에 세정될 수 있는 재료로 구성된 콜렉터 미러를 갖는 것이 바람직하다.
캐핑층은 펠리클 또는 동적 가스 로크 멤브레인일 수 있는 광학 요소 상에 배치될 수 있다. 이들 광학 요소는 또한 고온, 고출력 방사선, 및 플라즈마에 노출되며, 또한 사용을 통한 열화에 취약하므로 이러한 환경 중에서 안정한 것이 바람직하다.
본 발명의 제 2 양태에 따르면, 본 개시의 제 1 양태, 제 3 양태 또는 제 4 양태에 따른 광학 요소를 포함하는 리소그래피 장치가 제공된다.
전술한 바와 같이, 본 명세서에 개시된 캐핑층을 구비하는 광학 요소는 다른 광학 요소에 비해 유리한 특성을 갖는다. 따라서, 이러한 광학 요소를 포함하는 리소그래피 장치는 또한 보다 고출력으로 동작하는 능력 및 보수 또는 교환을 필요로 하지 않으면서 보다 장기간 동안 동작하는 능력을 포함하는, 그러나 이들에 한정되지 않는, 개선된 성능을 보여준다.
본 발명의 제 3 양태에 따르면, 2 개 이상의 금속의 산화물을 포함하는 캐핑층을 포함하는 광학 요소가 제공된다. 이 광학 요소는 본 명세서에서 전술한 바와 같은 광학 요소 중 임의의 것일 수 있다. 광학 요소는 리소그래피 또는 기타 장치용 광학 요소일 수 있다.
혼합된 금속 산화물을 포함하는 캐핑층은 본 개시의 제 1 양태와 관련하여 설명한 바와 같은 수소에 의한 환원에 대하여 개선된 내성을 제공한다.
캐핑층은 금속 도펀트 또는 반금속 도펀트를 내포할 수 있다. 금속 도펀트는 이트륨, 세륨, 칼슘, 마그네슘, 타이타늄, 및 희토류 금속으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다. 금속 도펀트는, 몰분율로, 캐핑층의 약 1% 내지 약 25% 범위의 양으로 존재할 수 있다. 일부의 실시형태에서, 금속 도펀트는, 몰분율로, 약 8%의 양으로 제공될 수 있다.
하나의 실시형태에서, 캐핑층은 지르코늄 산화물 및 이트륨 산화물을 포함할 수 있다.
본 발명의 제 4 양태에 따르면, 하나 이상의 도펀트를 내포하는 루테늄 캐핑층을 포함하는 광학 요소가 제공된다. 이 광학 요소는 리소그래피 장치 또는 기타 장치용 광학 요소일 수 있고, 본 명세서에서 설명한 광학 요소 중 임의의 것일 수 있다.
하나 이상의 도펀트는 붕소 및 질소로 이루어지는 그룹으로부터 선택될 수 있다. 전술한 바와 같이, 붕소 및 질소에 의해 루테늄 층은 비정질성이 더 높아지고, 디웨팅(dewetting)에 대한 내성이 높아진다. 입자들 사이에 경계 및 개구부를 구비하는 루테늄의 다결정질 구조로 인해 원자 및 작은 분자의 수송이 가능해진다. 이는 루테늄 층과 하층 사이의 격자 부정합에 의해 악화된다. EUV 방사선, 수소 플라즈마, 및 질소 등의 기타 분자의 영향 하에서, 루테늄 미결정은 성장하는 경향이 있고, 이로 인해 루테늄 층의 공극률이 증가한다. 질소 또는 붕소로 도핑하면 루테늄은 비정질성이 더 높아지고, 따라서 이를 통한 원자 및 작은 분자의 통과를 방지하는데 더 우수하다는 것이 밝혀졌다.
일부의 실시형태에서, 하나 이상의 도펀트는, 몰분율로, 캐핑층의 약 1% 내지 약 25%의 양으로 제공될 수 있다.
하나의 유리한 실시형태에서, 광학 요소는 리소그래피 장치의 콜렉터 미러일 수 있다.
본 발명의 임의의 양태에 따른 캐핑층은 임의의 적절한 제조 방법에 의해 제공될 수 있으며, 본 발명은 사용되는 제조 기술에 한정되지 않는다. 예를 들면, 캐핑층은 PECVD, 듀얼 타겟 마그네트론 스퍼터링, 이온 PVD, 또는 ALD 등의 진공 공퇴적(vacuum co-deposition) 방법에 의해 제공될 수 있다. 본 발명의 임의의 양태에 따른 캐핑층은 콜렉터 미러, 펠리클, 동적 가스 로크 멤브레인, 레티클, 및 레티클 스테이지 피듀셜 마커를 포함하는, 그러나 이들에 한정되지 않는, 임의의 광학 요소 상에 제공될 수 있다.
하나의 실시형태에 관하여 기술된 특징은 다른 실시형태에 관하여 기술된 임의의 특징과 조합될 수 있고, 이러한 조합의 모두는 본 명세서에서 명시적으로 고려되고 개시된다는 것이 이해될 것이다. 따라서, 본 발명의 임의의 양태에 관하여 개시된 임의의 특징은 본 발명의 임의의 다른 양태에 관하여 개시된 특징과 조합될 수 있으며, 이러한 조합이 부적합한 경우는 조합되지 않는다.
이하에서 본 발명의 실시형태를 예로서만 첨부한 도면을 참조하여 설명하며, 도면에서 대응하는 참조 기호는 대응하는 부품을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 리소그래피 장치를 도시하며;
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 캐핑층의 단면을 개략적으로 도시하며;
도 3은 본 발명에 따른 캐핑층의 단면을 개략적으로 도시한다.
도면의 특징은 반드시 축적에 따라 작도된 것은 아니다. 본 발명의 특징 및 이점은 도면과 연결하여 설명될 때 아래의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이며, 여기서 유사한 참조 부호는 전체를 통해 대응하는 요소를 식별한다. 도면에서, 유사한 참조 번호는 일반적으로 동일한, 기능적으로 유사한, 및/또는 구조적으로 유사한 요소를 표시한다.
도 1은 리소그래피 시스템을 도시한다. 리소그래피 시스템은 방사선원(SO) 및 리소그래피 장치(LA)를 포함한다. 방사선원(SO)은 극자외선(EUV) 방사 빔(B)을 생성하도록 구성된다. 리소그래피 장치(LA)는 조명 시스템(IL), 패터닝 디바이스(MA)(예를 들면, 마스크)를 지지하도록 구성된 지지 구조물(MT), 투영 시스템(PS), 및 기판(W)을 지지하도록 구성된 기판 테이블(WT)을 포함한다.
조명 시스템(IL)은 방사 빔(B)이 패터닝 디바이스(MA) 상에 입사되기 전에 방사 빔(B)을 조정하도록 구성된다. 투영 시스템은 방사 빔(B)(이제 마스크(MA)에 의해 패턴화되어 방사 빔(B')을 형성함)을 기판(W) 상에 투영하도록 구성된다. 기판(W)은 이전에 형성된 패턴을 포함할 수 있다. 이 경우, 리소그래피 장치는 패턴화된 방사 빔(B)을 기판(W) 상에 이전에 형성된 패턴과 정렬시킨다. 펠리클은 패터닝 디바이스(MA) 등에 대하여 패터닝 디바이스(MA)를 보호하기 위해 방사선의 경로를 따라 배치될 수 있다. 조명 시스템(IL)은 다면형 필드 미러 디바이스(10) 및 다면형 퓨필 미러 디바이스(11)를 포함할 수 있다. 다면형 필드 미러 디바이스(10) 및 다면형 퓨필 미러 디바이스(11)는 함께 원하는 단면 형상 및 원하는 강도 분포를 갖는 EUV 방사 빔(B)을 제공한다. 조명 시스템(IL)은 다면형 필드 미러 디바이스(10) 및 다면형 퓨필 미러 디바이스(11)에 더하여 또는 그 대신으로 다른 미러 또는 디바이스를 포함할 수 있다.
이렇게 조정된 후, EUV 방사 빔(B)은 패터닝 디바이스(MA)와 상호작용한다. 이러한 상호작용의 결과 패터닝된 EUV 방사 빔(B')이 생성된다. 투영 시스템(PS)은 패턴화된 EUV 방사 빔(B')을 기판(W) 상에 투영하도록 구성된다. 그 목적을 위해, 투영 시스템(PS)은 패턴화된 EUV 방사 빔(B')을 기판 테이블(WT)에 의해 파지되는 기판(W) 상에 투영하도록 구성된다. 일부의 실시형태에서, 투영 시스템(PS)은 패턴화된 EUV 방사 빔(B')에 축소 계수(reduction factor)를 적용함으로써 패터닝 디바이스(MA) 상의 대응하는 피처보다 더 작은 피처를 갖는 이미지를 형성할 수 있다. 예를 들면, 일부의 실시형태에서 4 또는 8의 축소 계수가 적용될 수 있다. 도 1에서는 투영 시스템(PS)이 2 개의 미러(13, 14)만을 가지는 것으로서 도시되어 있으나, 다른 실시형태에서 투영 시스템(PS)은 다른 수의 미러(예를 들면, 6 개 또는 8 개의 미러)를 포함할 수 있다.
기판(W)은 이전에 형성된 패턴을 포함할 수 있다. 이 경우, 리소그래피 장치(LA)는 패턴화된 EUV 방사 빔(B')에 의해 형성된 이미지를 기판(W) 상에 이전에 형성된 패턴과 정렬시킨다.
상대적 진공, 즉 대기압보다 훨씬 낮은 압력의 소량의 가스(예를 들면, 수소)가 방사선 소스(SO), 조명 시스템(IL) 및/또는 투영 시스템(PS) 내에 제공될 수 있다.
방사선원(SO), 조명 시스템(IL), 및 투영 시스템(PS)은 모두 외부 환경으로부터 격리될 수 있도록 구성 및 배치될 수 있다. 대기압 미만의 압력의 가스(예를 들면, 수소)가 방사선원(SO)에 제공될 수 있다. 조명 시스템(IL) 및/또는 투영 시스템(PS) 내에 진공이 제공될 수 있다. 전술한 바와 같이, 조명 시스템(IL) 및/또는 투영 시스템(PS)에는 대기압보다 훨씬 낮은 압력의 소량의 가스(예를 들면, 수소)가 제공될 수 있다.
도 1에 도시된 방사선원(SO)은 일종의 레이저 생성 플라즈마(LPP)로 부를 수 있다. 다양한 실시형태에서 CO2 레이저일 수 있는 레이저 시스템(1)은 레이저 빔(2)을 통해 연료 방출기(3)로부터 제공되는 주석(Sn) 등의 연료 내에 에너지를 축적하도록 구성된다. 에너지는 레이저 빔(2)을 따라 연료로 향한다. 이하의 설명에서 주석이 언급되었으나, 임의의 적절한 연료가 사용될 수 있다. 연료는, 예를 들면, 액체 형태일 수 있고, 예를 들면, 금속 또는 합금일 수 있다. 연료 방출기(3)는 플라즈마 형성 영역(4)을 향하는 궤적을 따라 주석(예를 들면, 액적 형태)을 지향하도록 구성된 노즐을 포함할 수 있다. 레이저 빔(2)은 플라즈마 형성 영역(4)에서 주석에 입사된다. 주석 내에 레이저 에너지가 축적되면 플라즈마 형성 영역(4)에서 플라즈마(7)가 생성된다. 이 플라즈마(7)로부터 플라즈마 이온의 탈여기 및 재결합 중에 EUV 방사선을 포함하는 방사선(26)이 방출된다.
EUV 방사선은 수직에 가까운 입사 방사선 콜렉터(5)(보다 일반적으로는 수직 입사 방사선 콜렉터 또는 콜렉터 미러로 부르기도 함)에 의해 집속된다. 콜렉터(5)는 EUV 방사선을 반사하도록 배치되는 다층 구조를 가질 수 있다. EUV 방사선은 약 4 nm 내지 약 20 nm 범위의 파장을 가질 수 있으며, 일부의 실시형태에서, EUV 방사선은 13.5 nm 등의 파장을 가질 수 있다. 일부의 실시형태에서, 콜렉터(5)는 2 개의 타원 초점을 갖는 타원 구성을 가질 수 있다. 제 1 초점은 플라즈마 형성 영역(4)에 있을 수 있고, 제 2 초점은 아래에서 설명하는 바와 같은 중간 초점(6)일 수 있다.
레이저 시스템(1)은 방사선원(SO)으로부터 분리될 수 있다. 이 경우, 레이저 빔(2)은 레이저 빔(2)은, 예를 들면, 적절한 지향성 미러 및/또는 빔 확장기, 및/또는 기타 광학장치를 포함하는 빔 전달 시스템(미도시)을 사용하여 레이저 시스템(1)으로부터 방사선원(SO)으로 진행할 수 있다. 레이저 시스템(1) 및 방사선원(SO)은 함께 방사선 시스템으로 간주될 수 있다.
콜렉터(5)에 의해 반사되는 방사선은 방사 빔(B)을 형성한다. 방사 빔(B)은 하나의 점에서 집속되어 조명 시스템(IL)의 가상 방사선원으로서 기능하는 플라즈마 형성 영역(4)의 이미지를 형성한다. 방사 빔(B)이 집속되는 점은 중간 초점(6)이라고 부를 수 있다. 방사선원(SO)은 중간 초점(6)이 방사선원(SO)의 주위 구조의 개구부(8)에 또는 그 부근에 위치하도록 배치된다.
방사 빔(B)은 방사선원(SO)으로부터 방사 빔을 조정하도록 구성된 조명 시스템(IL) 내로 들어간다. 조명 시스템(IL)은 다면형 필드 미러 디바이스(10) 및 다면형 퓨필 미러 디바이스(11)를 포함할 수 있다. 다면형 필드 미러 디바이스(10) 및 다면형 퓨필 미러 디바이스(11)는 함께 원하는 단면 형상 및 원하는 각도 분포(angular distribution)를 갖는 방사 빔(B)을 제공한다. 방사 빔(B)은 조명 시스템(IL)으로부터 진행하여 지지 구조(MT)에 의해 유지된 패터닝 디바이스(MA) 상에 입사된다. 패터닝 디바이스(MA)는 방사 빔(B)을 반사하고 패턴화한다. 조명 시스템(IL)은 다면형 필드 미러 디바이스(10) 및 다면형 퓨필 미러 디바이스(11)에 더하여 또는 그 대신으로 다른 미러 또는 디바이스를 포함할 수 있다.
패터닝 디바이스(MA)로부터 반사에 이어서, 패턴화된 방사 빔(B)은 투영 시스템(PS)에 들어간다. 투영 시스템은 방사 빔(B)을 기판 테이블(WT)에 의해 유지된 기판(W) 상에 투영하도록 구성된 복수의 미러(13, 14)를 포함한다. 투영 시스템(PS)은 방사 빔에 축소 계수를 적용함으로써 패터닝 디바이스(MA) 상의 대응하는 피처보다 작은 피처를 구비한 이미지를 형성할 수 있다. 예를 들면, 감소 인자 4가 적용될 수 있다. 도 1에서는 투영 시스템(PS)이 2 개의 미러(13, 14)를 가지지만, 이 투영 시스템은 임의의 수의 미러(예를 들면, 6 개의 미러)를 포함할 수 있다.
도 1에 도시된 방사선원(SO)은 도시되지 않은 컴포넌트를 포함할 수 있다. 예를 들면, 분광 필터가 방사선 소스에 제공될 수 있다. 분광 필터는 EUV 방사선에 대해 실질적으로 투과성일 수 있으나, 적외선 방사선과 같은 기타 파장의 방사선에 대해서는 실질적으로 차단성일 수 있다.
패터닝 디바이스(MA)가 보호되지 않은 상태로 유지되면, 오염으로 인해 패터닝 디바이스(MA)는 세정되거나 폐기되어야 할 수 있다. 패터닝 디바이스(MA)를 세정하는 것은 귀중한 제조 시간을 중단시키며, 패터닝 디바이스(MA)를 폐기하는 것은 비용이 든다. 패터닝 디바이스(MA)를 교환하는 것도 귀중한 제조 시간을 중단시킨다. 그러므로 패터닝 디바이스(MA)를 피복하거나 보호하기 위해 펠리클이 사용될 수 있다.
도 2는 캐핑층(16)을 포함하는 기판(20 상의 스택을 도시한다. 예시된 층은 본 출원에서 설명되는 광학 요소 중 하나 이상일 수 있는 기판(20)의 표면 상에 제공된다. 예를 들면, 일부의 실시형태에서, 예시된 캐핑층을 구비한 광학 요소는 도 1의 콜렉터(5)일 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 예시된 층은 펠리클 또는 동적 가스 로크 멤브레인일 수 있는 기판(20)의 표면 상에 또는 다양한 다른 광학 요소 상에 제공될 수 있다. 캐핑층(16) 아래에는 임의의 층(17, 18)이 있을 수 있다. 이들 임의의 층(17, 18)은 다층(19)과 캐핑층(16)의 재료들 사이의 격자 부정합을 저감시키는 기능을 할 수 있고, 또는, 예를 들면, 확산 장벽으로서 기능할 수 있다. 일부의 실시형태에서 다층(19)은 실리콘과 몰리브데넘의 교호층을 포함할 수 있다. 도 2는 다층(19) 내에 4 개의층을 묘사하고 있으나, 다층(19) 내에 임의의 적절한 수의 층이 있을 수 있고, 본 발명은 다층 내의 층의 수에 의해서 제한되지 않으며, 다층으로서의 실리콘 및 몰리브데넘에 의해서도 제한되지 않는다는 것이 이해될 것이다. 캐핑층(16), 임의의 층(17, 18) 및 다층(19)은 본 명세서에 기재된 광학 요소 중 임의의 것을 나타낼 수 있는 기판(20) 상에 배치된다. 임의의 적합한 기판이 사용될 수 있고, 본 발명은 특정 기판이나 특정 광학 요소에 제한되지 않는다. 본 발명에 따른 개시된 캐핑층은 본 명세서에 기재된 캐핑층 중 임의의 것일 수 있고, 복수의 산소 공공을 내포할 수 있다. 하나의 실시형태에서, 캐핑층(16)은 약 70:1 내지 약 5:1의 몰분율로 지르코늄 산화물 및 이트륨 산화물을 포함한다.
도 3은 도 2와 유사하지만, 이 스택은 캐핑층(16) 아래에 하위 캐핑층(16a)을 포함한다. 이 하위 캐핑층(16a)은 복수의 산소 공공을 포함하지 않는 재료를 포함할 수 있다. 따라서, 복수의 산소 공공을 포함하고 본 명세서에 기재된 캐핑층 중 어느 하나일 수 있는 캐핑층(16)은 하위 캐핑층(16a) 상에 배치될 수 있다. 이와 같이, 복수의 산소 공공을 포함하는 캐핑층은 리소그래피 장치용 광학 요소 상에서 이미 사용되고 있는 캐핑층 재료에 추가될 수 있다.
IC의 제조에서의 리소그래피 장치의 사용에 대하여 특히 언급되었으나, 본 명세서에 기재된 리소그래피 장치는 통합 광학 시스템의 제조, 자기 도메인 메모리의 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 막박 자기 헤드 등과 같은 다른 용도를 가질 수 있다는 것을 이해해야 한다. 해당되는 경우, 본 명세서의 개시내용은 이러한 제조 공구 및 다양한 다른 유형의 웨이퍼 또는 기타 처리 공구에서 사용되는 광학 요소에 적용될 수 있다.
본 발명의 특정 실시형태가 위에서 설명되었으나, 본 발명은 기술된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 예를 들면, 다양한 층은 동일한 기능을 수행하는 다른 층에 의해 치환될 수 있다.
본 발명의 다른 양태들은 이하의 번호가 매겨진 절에 기재되어 있다.
1. 리소그래피 장치용 광학 요소로서, 상기 광학 요소는 복수의 산소 공공을 포함하는 캐핑층을 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
2. 제 1 절에 있어서, 상기 캐핑층은 도핑된 지르코늄 산화물을 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
3. 제 2 절에 있어서, 상기 지르코늄 산화물은 도펀트로서 산화 상태의 3 가의 양이온을 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
4. 제 1 절에 있어서, 상기 캐핑층은 이트륨 산화물, 세륨 산화물, 칼슘 산화물, 마그네슘 산화물, 타이타늄 산화물, 및 희토류 금속의 산화물로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 금속 산화물과 지르코늄 산화물을 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
5. 제 1 절에 있어서, 상기 캐핑층은 지르코늄 산화물 및 이트륨 산화물을 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
6. 제 1 절에 있어서, 상기 캐핑층은 이트륨으로 안정화된 지르코늄 산화물을 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
7. 제 4 절에 있어서, 상기 하나 이상의 금속 산화물은, 몰분율로, 상기 캐핑층의 약 1 % 내지 약 25%를 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
8. 제 1 절에 있어서, 상기 캐핑층은 도핑된 지르코늄 산화물을 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
9. 제 8 절에 있어서, 상기 합금된 금속 또는 합금된 금속 산화물은 반금속(semimetal) 및/또는 비금속을 함유하는 합금을 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
10. 제 9 절에 있어서, 상기 반금속 및/또는 비금속은 붕소를 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
11. 제 9 절에 있어서, 상기 반금속 및/또는 비금속은 붕소를 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
12. 제 10 절 또는 제 11 절에 있어서, 상기 합금된 금속 또는 합금된 금속 산화물은 합금된 지르코늄 산화물을 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
13. 제 10 절 또는 제 11 절에 있어서, 상기 합금된 금속 또는 합금된 금속 산화물은 합금된 루테늄을 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
14. 제 10 절에 있어서, 상기 붕소는, 몰분율로, 상기 캐핑층의 약 1% 내지 약 15%를 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
15. 제 1 절에 있어서, 상기 캐핑층은 Mo(x-y)RuxBy을 포함하고, 여기서 x + y = 1이고, 0.01 ≤ y ≤ 0.15인, 리소그래피 장치용 광학 요소.
16. 이전의 절들 중 어느 한 절에 있어서, 상기 광학 요소는 콜렉터 미러인, 리소그래피 장치용 광학 요소.
17. 이전의 절들 중 어느 한 절에 있어서, 상기 광학 요소는 펠리클, 동적 가스 로크 멤브레인, 레티클, 또는 레티클 스테이지 피듀셜 마커인, 리소그래피 장치용 광학 요소.
18. 제 1 절에 있어서, 상기 캐핑층은 혼합된 금속 산화물을 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
19. 제 1 절에 있어서, 상기 캐핑층은 이트륨으로 안정화된 지르코니아를 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
20. 이전의 절들 중 어느 한 절에 따른 광학 요소를 포함하는 리소그래피 장치.
21. 리소그래피 장치용 광학 요소로서, 상기 광학 요소는 2 개 이상의 금속 산화물을 포함하는 캐핑층을 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
22. 제 21 절에 있어서, 상기 캐핑층은 금속 도펀트 또는 반금속 도펀트를 더 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
23. 제 22 절에 있어서, 상기 금속 도펀트는 이트륨, 세륨, 칼슘, 마그네슘, 타이타늄, 및 희토류 금속으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 금속을 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
24. 제 21 절에 있어서, 상기 캐핑층은 지르코늄 산화물 및 이트륨 산화물을 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
25. 리소그래피 장치용 광학 요소로서, 상기 광학 요소는 하나 이상의 도펀트를 포함하는 루테늄 캐핑층을 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
26. 제 25 절에 있어서, 상기 하나 이상의 도펀트는 붕소 및 질소로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
27. 제 26 절에 있어서, 상기 하나 이상의 도펀트는, 몰분율로, 상기 캐핑층의 약 1% 내지 약 25% 범위의 양으로 존재하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
28. 제 21 절 내지 제 27 절 중 어느 한 절에 있어서, 상기 광학 요소는 상기 리소그래피 장치의 콜렉터 미러인, 리소그래피 장치용 광학 요소.
위의 설명은 제한이 아닌 설명을 위한 것이다. 따라서, 이하에 설명된 청구항의 범위로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 전술한 바와 같은 본 발명에 대해 변형이 이루어 질 수 있다는 것이 당업자에게는 명백할 것이다.

Claims (28)

  1. 리소그래피 장치용 광학 요소로서,
    상기 광학 요소는 복수의 산소 공공(oxygen vacancy)을 포함하는 캐핑층(capping layer)을 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐핑층은 도핑된 지르코늄 산화물을 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 도핑된 지르코늄 산화물은 도펀트로서 산화 상태의 3 가의 양이온을 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐핑층은 이트륨 산화물, 세륨 산화물, 칼슘 산화물, 마그네슘 산화물, 타이타늄 산화물, 및 희토류 금속의 산화물로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 금속 산화물과 지르코늄 산화물을 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐핑층은 지르코늄 산화물 및 이트륨 산화물을 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐핑층은 이트륨으로 안정화된 지르코늄 산화물을 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 금속 산화물은, 몰분율로, 상기 캐핑층의 약 1 % 내지 약 25%를 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐핑층은 합금된 금속 또는 합금된 금속 산화물을 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 합금된 금속 또는 합금된 금속 산화물은 반금속(semimetal) 및/또는 비금속을 함유하는 합금을 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 반금속 및/또는 비금속은 질소를 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 반금속 및/또는 비금속은 붕소를 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 합금된 금속 또는 합금된 금속 산화물은 합금된 지르코늄 산화물을 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 붕소는, 몰분율로, 상기 캐핑층의 약 1% 내지 약 15%를 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
  14. 제 8 항에 있어서,
    상기 합금된 금속 또는 합금된 금속 산화물은 합금된 루테늄을 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐핑층은 Mo(x-y)RuxBy을 포함하고, 여기서 x + y = 1이고, 0.01 ≤ y ≤ 0.15인, 리소그래피 장치용 광학 요소.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 광학 요소는 콜렉터 미러(collector mirror)인, 리소그래피 장치용 광학 요소.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 광학 요소는 펠리클(pellicle), 동적 가스 로크 멤브레인, 레티클, 또는 레티클 스테이지 피듀셜 마커(reticle-stage fiducial marker)인, 리소그래피 장치용 광학 요소.
  18. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐핑층은 혼합된 금속 산화물을 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
  19. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐핑층은 이트륨으로 안정화된 지르코니아를 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
  20. 제 5 항에 따른 광학 요소를 포함하는 리소그래피 장치.
  21. 리소그래피 장치용 광학 요소로서,
    상기 광학 요소는 2 개 이상의 금속 산화물을 포함하는 캐핑층을 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 캐핑층은 금속 도펀트 또는 반금속 도펀트를 더 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 금속 도펀트 또는 반금속 도펀트는 이트륨, 세륨, 칼슘, 마그네슘, 타이타늄, 및 희토류 금속으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 금속을 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 광학 요소는 상기 리소그래피 장치의 콜렉터 미러인, 리소그래피 장치용 광학 요소.
  25. 제 21 항에 있어서,
    상기 캐핑층은 지르코늄 산화물 및 이트륨 산화물을 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
  26. 리소그래피 장치용 광학 요소로서,
    상기 광학 요소는 하나 이상의 도펀트를 포함하는 루테늄 캐핑층을 포함하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 도펀트는 붕소 및 질소로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
  28. 제 27 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 도펀트는, 몰분율로, 상기 캐핑층의 약 1% 내지 약 25% 범위의 양으로 존재하는, 리소그래피 장치용 광학 요소.
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