KR20220024652A - 테스트 포토마스크를 사용하는 tdi 이미지 센서에 대한 euv 인 시튜 선형성 캘리브레이션 - Google Patents

테스트 포토마스크를 사용하는 tdi 이미지 센서에 대한 euv 인 시튜 선형성 캘리브레이션 Download PDF

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하이펭 후앙
데이먼 크밤메
루이-팡 시
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케이엘에이 코포레이션
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Abstract

TDI 포토마스크 검사 툴을 캘리브레이트하기 위해, 복수의 구별되게 패턴화된 영역들을 갖는 포토마스크가 툴로 로딩된다. 복수의 구별되게 패턴화된 영역들은 EUV 광 빔으로 연속하여 조명된다. 각 구별되게 패턴화된 영역들을 조명하면서, 각 구별되게 패턴화된 영역들의 각 이미징 인스턴스들이 검사 툴에서 TDI 센서를 사용하여 수행된다. 각 이미징 인스턴스들을 수행하면서, 기준 강도 검출기를 사용하여, 포토마스크로부터 집광되는 EUV 광의 기준 강도들이 측정된다. 각 이미징 인스턴스들의 결과들, 및 EUV 광의 측정된 기준 강도들에 기초하여, TDI 센서의 선형성이 결정된다.

Description

테스트 포토마스크를 사용하는 TDI 이미지 센서에 대한 EUV 인 시튜 선형성 캘리브레이션
관련 출원
본 출원은 2019년 6월 20일자로 출원된 미국 특허 가출원 제60/864,313호의 이익을 주장하며, 이는 전문이 모든 목적을 위해 원용된다.
기술분야
본 개시는 이미지 센서들에 관한 것이고, 보다 구체적으로, 극자외선(extreme ultraviolet, EUV)으로 시간 지연 적분(time-delay-integration, TDI) 이미지 센서들을 캘리브레이트하는 것에 관한 것이다.
포토마스크(즉, 레티클)들을 검사하기 위한 광학 검사 툴들은 TDI 이미지 센서들(또는 간단히, TDI 센서들)을 사용한다. 제로에 가까운 강도 왜곡을 갖는 포토마스크 검사 이미지들을 레코딩하기 위해서는 TDI 센서들의 선형성(또는 동등하게, 비선형성)이 픽셀 수준까지 정확하게 캘리브레이트되어야 한다. 193 nm 광을 사용하는 광학 검사 툴들의 TDI 센서들의 선형성을 캘리브레이트하기 위해서는 193 nm 광의 상이한 강도 레벨들이 생성되고 상이한 강도 레벨들에 대해 이미지들이 레코딩된다. 이러한 캘리브레이션 프로세스를 위해 상이한 강도 레벨들이 생성될 수 있게 하는 광 강도 제어는 편광기를 사용하여 실현된다: 193 nm 광 편광 상태는 빔 프로파일을 변경하지 않고 제어된다. 패터닝되지 않은 작은 마스크 영역은 전체 TDI를 사용하여 이미징된다. 캘리브레이트된 기준 강도 검출기는 강도 제어의 하류에 배치된다. TDI 센서로부터의 각 픽셀의 TDI 신호를 기준 강도 검출기로부터의 기준 신호와 비교하는 것은 TDI 센서의 선형성을 캘리브레이트한다. 이러한 캘리브레이션 프로세스는 투과형 광학계에 기초한다.
TDI 센서 선형성 캘리브레이트는 또한 극자외선(EUV) 포토마스크 검사 툴들(예를 들어, 13.5 nm의 파장 또는 다른 EUV 파장들에서의 광을 사용하는 툴들)에 대해서도 요구된다. 그러나, 모든 알려져 있는 재료들이 (여전히 다양한 정도이지만) EUV 광을 강하게 흡수하기 때문에, 193 nm 검사 툴들에 대한 것과 유사한 투과 방법으로 EUV TDI 센서 선형성 캘리브레이션을 수행하는 것은 실현 가능하지 않다. 하나의 가능한 방법은 입사 EUV 광의 강도를 제어하기 위해 상이한 감쇠 레벨들의 중성 밀도(neutral-density, ND) 필터들을 사용하는 것이다. 그러나, 이러한 ND 필터들을 위한 재료들(예를 들어, 폴리실리콘)을 찾을 수 있다 하더라도, 그러한 ND 필터들의 두께는 수십 나노미터 정도로 매우 얇을 것이다. 이러한 얇은 두께로 인해 TDI 센서 선형성 캘리브레이션에 ND 필터들을 사용하는 것은 비실용적이다.
TDI 센서 선형성 캘리브레이션은 전통적으로 가시 파장 광원을 사용하여 벤치 셋업에서 수행되었다. 균질 구체는 TDI 센서 상에 거의 균일한 조명을 생성한다. 광 강도를 변경하고 잘 캘리브레이트된 기준 검출기를 사용함으로써, TDI 센서 선형성(즉, TID 반응 비선형성)이 캘리브레이트될 수 있다. 그러나, 이러한 전통적인 접근법은 몇 가지 단점들을 갖는다. 첫째, 이러한 접근법은 센서 비선형성의 파장 의존성을 고려하지 않는다. 둘째, TDI 센서 상의 조명 프로파일을 동요시키지 않고 전체 광 강도를 변경하는 것이 어렵다. 셋째, EUV TDI 센서 선형성 캘리브레이션은 인 시튜(in situ)로(즉, 검사 툴 내부에서, TDI 센서가 검사 툴에 설치된 상태로) 수행되어야 한다. 인 시튜 캘리브레이션은 편리성함 때문에 바람직하다: EUV 검사 시스템들의 복잡성으로 인해 벤치 캘리브레이션을 위해 TDI 센서를 제거하는 것이 비실용적이다. 인 시튜 캘리브레이션은 또한 캘리브레이트 비용을 감소시키기 위해 바람직하다: 벤치 캘리브레이션은 여분의 EUV 광원, 진공 조건들, 및 실내 공간과 같은 고비용 자원들을 필요로 한다. 마지막으로, TDI 센서는 그 수명에 걸쳐 몇몇 데드 픽셀들(즉, 결함이 되고 기능을 못하는 픽셀들)을 축적할 수 있다. 이러한 데드 픽셀들로 인해 TDI 센서의 스캔 평균 비선형성을 주기적으로 인 시튜 캘리브레이트해야 한다. 벤치 캘리브레이션은 이러한 스캔 평균 비선형성을 캘리크레이트할 수 없다.
따라서, 인 시튜 EUV TDI 센서 선형성 캘리브레이션을 수행하기 위한 효과적이고 편리한 방법들 및 시스템들이 요구된다. 이러한 요구는 상이한 강도들의 EUV 광이 인 시튜로 발생될 수 있게 하는 테스트 포토마스크들로 충족될 수 있다.
일부 실시예들에서, 이미지 센서 캘리브레이션용 테스트 구조체는 극자외선(extreme ultraviolet, EUV) 빔에 의한 조명에 반응하여 상이한 각 강도들의 EUV 광을 제공하기 위해 복수의 구별되게(distinctly) 패턴화된 영역들을 갖는 포토마스크를 포함한다.
일부 실시예들에서, 캘리브레이션 방법은 복수의 구별되게 패턴화된 영역들을 갖는 포토마스크를 시간 지연 적분(time-delay-integration, TDI) 검사 툴로 로딩하는 단계를 포함한다. 복수의 구별되게 패턴화된 영역들은 EUV 광 빔으로 연속하여 조명된다. 복수의 구별되게 패턴화된 영역들의 각 구별되게 패턴화된 영역들을 조명하면서, TDI 검사 툴에서 TDI 센서를 사용하여 각 구별되게 패턴화된 영역들의 각 이미징 인스턴스들이 수행된다. 각 이미징 인스턴스들을 수행하면서, 기준 강도 검출기를 사용하여, 포토마스크로부터 집광되는 EUV 광의 기준 강도들을 측정한다. 각 이미징 인스턴스들의 결과들, 및 기준 강도 검출기에 의해 측정된 EUV 광의 기준 강도들에 기초하여, TDI 센서의 선형성이 결정된다.
일부 실시예들에서, 시스템은 EUV 광원 및 TDI 센서를 갖는 TDI 검사 툴을 포함한다. 본 시스템은 또한, TDI 검사 툴로 로딩될 포토마스크를 포함한다. 포토마스크는 EUV 광원에 의해 발생되는 EUV 빔에 의한 조명에 반응하여 상이한 각 강도들의 EUV 광을 제공하기 위해 복수의 구별되게 패턴화된 영역들을 갖는다. 본 시스템은 또한, 포토마스크로부터 집광되는 EUV 광의 강도들을 측정하기 위해 TDI 검사 툴에 장착될 기준 강도 검출기를 포함한다.
다양한 설명된 구현예들에 대한 보다 양호한 이해를 위해, 아래의 상세한 설명이 다음의 도면들과 함께 참조되어야 한다. 도면들은 축척대로 도시되지 않을 수 있다.
도 1은 일부 실시예들에 따른, EUV 포토마스크 검사 툴에서 검사되는 포토마스크의 축외(off-axis) 이미징을 도시한다. 크기 및 각도들은 축척대로 도시되지 않을 수 있다.
도 2는 일부 실시예들에 따른, 테스트 포토마스크의 표면 상의 영역들에 위치된 선-공간 격자 패턴의 평면도이다.
도 3은 일부 실시예들에 따른, 테스트 포토마스크의 표면 상의 영역들에 위치된 선-공간 격자 패턴의 단면도이다.
도 4는 일부 실시예들에 따른, 테스트 포토마스크의 축외 이미징을 도시한다. 크기 및 각도들은 축척대로 도시되지 않는다.
도 5a 및 도 5b는 일부 실시예들에 따른, 테스트 포토마스크의 표면 상에서 상이한 반사도들을 갖는 EUV 반사 영역들로서의 역할을 하는 각 다층 코팅들의 단면도들이다.
도 6은 일부 실시예들에 따른, 다층 코팅들의 계산된 반사율 대 코팅들 내의 이중층의 수의 플롯이다.
도 7은 일부 실시예들에 따른, 테스트 포토마스크의 표면 상의 경사진(graded) 다층 코팅의 단면도이다.
도 8a 및 도 8b는 일부 실시예들에 따른, 각 EUV 반사 다층 코팅들 상에 배치된 상이한 두께들의 각 EUV 흡수체 영역들을 갖는 테스트 포토마스크의 표면 상의 각 영역들의 단면도들이다.
도 9는 일부 실시예들에 따른, EUV 흡수체의 두께에 대한 도 8a 및 도 8b의 구조체의 계산된 반사율의 플롯이다.
도 10은 일부 실시예들에 따른, EUV 포토마스크 검사 툴을 캘리브레이트하고 사용하는 방법을 도시한 흐름도이다.
도 11은 일부 실시예들에 따른, 포토마스크 검사 시스템의 블록도이다.
유사한 참조 부호들은 도면들 및 명세서 전반에 걸쳐 대응하는 부분들을 나타낸다.
이제 다양한 실시예들이 상세히 참조될 것이며, 이의 예들이 첨부 도면들에 도시되어 있다. 다음 상세한 설명에서, 설명되는 다양한 실시예들에 대한 충분한 이해를 제공하기 위해 많은 특정 세부 사항들이 제시된다. 그러나, 설명되는 다양한 실시예들이 이러한 특정 세부 사항들 없이도 실시될 수 있다는 것이 당업자에게 명백할 것이다. 다른 경우들에서, 주지의 방법들, 절차들, 컴포넌트들, 회로들, 및 네트워크들은 실시예들의 양태들을 불필요하게 모호하게 하지 않기 위해 상세히 설명되지 않는다.
극자외선(extreme ultraviolet, EUV) 포토마스크(즉, 레티클) 검사 툴들은 통상적으로 완전 반사성이다. EUV는 124 nm에서 10 nm까지의 범위 내의 파장을 갖는 광을 지칭하는 일반적인 주지의 잘 알려진 기술 용어이다. 예를 들어, EUV 포토마스크 검사 툴에 사용되는 EUV 광은 13.5 nm 광일 수 있다. EUV 포토마스크 검사 툴 내의 이미징 시스템은 투과형 광학계 없이, 수 개의 반사형 EUV 미러들을 포함한다. 조명 경로(즉, 검사되는 포토마스크에 EUV 광을 제공하기 위한 광학 경로)와 이미징 경로(즉, 검사되는 포토마스크로부터 집광되는 광에 대한 광학 경로)는 공간적으로 분리된다. 따라서, 이러한 검사 툴들은 축외 이미징 설계를 갖는다.
도 1은 일부 실시예들에 따른, EUV 포토마스크 검사 툴(예를 들어, 도 11의 검사 툴(1130))에서 검사되는 포토마스크(100)의 축외 이미징을 도시한다. 포토마스크(100)는 결함들에 대해 검사되는 패턴화된 마스크 표면(102)을 갖는다. EUV 광원(도시되지 않음)(예를 들어, 도 4의 소스(402))에 의해 발생되는 조명 EUV 광원추(104)는 패턴화된 마스크 표면(102) 상에 포커싱되어, 작은 크기의 영역(예를 들어, 200 미크론 x 200 미크론)을 조명한다. 조명되는 패턴화된 마스크 표면(102)으로부터 오는 이미징 EUV 광원추(108)는 TDI 센서(116)에 의해 집광되고 이미징된다. 조명 EUV 광원추(104)는 이미징 EUV 광원추(108)로부터 공간적으로 분리된다. 조명 EUV 광원추(104)는 패턴화된 마스크 표면(102)의 표면 법선(112)(즉, 법선 방향)으로부터의 주 광선 각도(chief ray angle, CRA)(106)를 갖는다. 이미징 EUV 광원추(108)는 표면 법선(112)으로부터의 CRA(110)를 갖는다. 이미징 경로의 개구수(numerical aperture, NA)는 이미징 EUV 광원추(108)의 크기를 결정한다. 이미징 경로(즉, 이미징 EUV 광원추(108)의 경로) 내의 EUV 이미징 광학계(114)는 TDI 센서(116) 상에 이미징 EUV 광원추(108)를 포커싱하여, 모든 TDI 픽셀들을 조명한다. EUV 이미징 광학계(114)는 EUV 미러들을 포함한다. 조명 경로(즉, 조명 EUV 광원추(104)의 경로)도 또한, 조명 EUV 광원추(104)를 패턴화된 마스크 표면(102)으로 지향시키기 위해 사용되는 EUV 미러들을 갖는 EUV 광학계를 가질 수 있다. 이러한 거울들은 단순화를 위해 도 1에 도시되어 있지 않다.
EUV 포토마스크 검사 툴들은 통상적으로 시간 지연 적분(time-delay-integration; TDI)을 수행하고, 이에 따라 TDI 이미지 센서들(약어로, TDI 센서들)을 포함한다. TDI 센서들은 검사 결과들(예를 들어, 검사되는 포토마스크들의 이미지들)이 정확함을 보장하기 위해 주기적으로 캘리브레이트되어야 한다. TDI 센서를 캘리브레이트하기 위해, 이의 선형성이 결정된다. 선형성은 TDI 센서가 상이한 강도 레벨들에 대해, 입사광의 강도를 얼마나 정확하게 측정하는지를 지칭한다. 정량화된 부정확성은 TDI 센서에 대한 대응하는 비선형도를 나타낸다. 이에 따라, TDI 센서의 선형성을 결정하는 것은 TDI 센서에 대한 임의의 비선형성을 정량화하는 것을 포함한다. 캘리브레이션을 통해 결정되는 바와 같은 TDI 센서 선형성(또는 동등하게, 비선형성)은 저장되고 후속 검사 결과들(예를 들어, 후속하여 검사 툴에 의해 검사되는 포토마스크들의 이미지들)을 정정하기 위해 사용된다.
이에 따라, TDI 센서를 캘리브레이트하는 것은 TDI 센서 상에 입사하는 상이한 강도 레벨들의 EUV 광을 발생시키는 것을 수반한다. 이러한 캘리브레이션은 EUV 빔에 의한 각 영역들의 조명(예를 들어, 조명 EUV 광원추(104))에 반응하여, 상이한 각 강도들의 EUV 광을 TDI 센서에 제공하기 위해 그 표면 상에 복수의 구별되게 패턴화된 영역들을 갖는 EUV 테스트 포토마스크(즉, 캘리브레이트 포토마스크)를 사용하여 EUV 포토마스크 검사 툴에서 인 시튜로 수행될 수 있다. 구별되게 패턴화된 상이한 영역들은 동일한 EUV 빔으로(즉, 각 패턴화된 영역 상 상에 입사하는 동일한 EUV 빔 프로파일로) 조명될 때 상이한 강도들의 EUV 광을 발생(예를 들어, 반사)시킨다.
일부 실시예들에서, 구별되게 패턴화된 영역들은 교번하는 EUV 흡수체 선들 및 EUV 반사 영역들의 각 선-공간 격자 패턴들(즉, 격자들)을 갖는 영역들을 포함한다. 상이한 영역들의 선-공간 격자 패턴들은 상이한 흡수체 듀티비(duti ratio)들을 갖는다. 일부 실시예들에서, 구별되게 패턴화된 영역들은 상이한 반사도들을 갖는 EUV 반사 영역들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 구별되게 패턴화된 영역들은 경사진 두께 및 이에 따른 다양한 반사율의 EUV 반사 영역을 조성한다. 일부 실시예들에서, 구별되게 패턴화된 영역들은 상이한 두께들을 갖는 EUV 흡수체 영역들을 포함하며, 각 EUV 흡수체 영역은 EUV 반사 영역 위에 위치된다.
교번하는 EUV 흡수체 선들 및 EUV 반사 영역들의 선-공간 격자 패턴들
도 2는 일부 실시예들에 따른, 테스트 포토마스크의 표면 상의 영역들에 위치된 선-공간 격자 패턴(200)의 평면도이다. 선-공간 격자 패턴(200)은 교번하는 EUV 반사 다층 코팅들(202)(즉, 미러 코팅들) 및 EUV 흡수체 선들(304)을 포함한다. EUV 흡수체 선들(204)의 주기(즉, EUV 흡수체 선(204)의 시작 에지와 다음 EUV 흡수체 선(204)의 시작 에지 사이의 간격)는 격자 피치(206)이다. EUV 흡수체 선들(204)의 폭(즉, EUV 흡수체 선 폭) 대 피치의 비를 흡수체 듀티비라고 한다. (폭은 도 2에서 x 방향이다.) 일부 실시예들에서, EUV 흡수체 선들(204)은 캘리브레이션 동안 조명 및 이미징 경로들의 CRA들(106 및 110)(도 1)에 의해 형성되는 평면에 수직으로 배향된다.
도 3은 일부 실시예들에 따른, 테스트 포토마스크의 표면 상의 영역들에 위치된 선-공간 격자 패턴(300)의 단면도이다. 선-공간 격자 패턴(200)(도 2)의 일 예인 선-공간 격자 패턴(300)은 격자 피치(206)를 갖고 교번하는 EUV 반사 다층 코팅들(316) 및 EUV 흡수체 선들(318)을 포함한다. EUV 반사 다층 코팅들(316) 및 EUV 흡수체 선들(318)은 각각 EUV 반사 다층 코팅들(202) 및 EUV 흡수체 선들(204)(도 2)의 예들이다.
EUV 반사 다층 코팅들(316)(사실상 EUV 흡수체 선들(318)에 의해 상이한 EUV 반사 영역들로 분할되는 단일의 다층 코팅)은 기판(예를 들어, 블랭크 포토마스크)(302) 위에 몰리브덴(Mo)(304)과 실리콘(Si)(306)이 교번하는 층들을 포함하며, 캡핑층(308)이 Mo(304)과 Si(306)이 교번하는 층들을 덮는다. 캡핑층(308)은 루테늄(Ru) 또는 붕소(B)일 수 있다. 인접한 Mo(304)과 Si(306) 층들의 각 쌍은 MoSi 이중층(314)이라고 한다. 일부 실시예들에서, Mo 층(304) 두께는 2.8 nm이고, Si 층(306) 두께는 4.2 nm이며, 캡핑층(308) 두께는 2.5 nm이다. (두께들은 도 3에서 z 방향이다.) EUV 반사 다층 코팅들(316)은 완전 반사하는 것이 아니라, EUV 광에 대해 부분적으로 반사한다. (다층 코팅들(316)의 반사율은 도 6과 관련하여 아래에서 논의된다.) MoSi 이중층들(314)의 수는 비교적 높은 정도의 반사율(예를 들어, 적어도 60% 또는 적어도 65% 반사율)을 제공하도록 선택된다. 일부 실시예들에서, 선-공간 격자 패턴(300)에서의 MoSi 이중층들(314)의 수는 40, 또는 40-45, 또는 35-40, 또는 50이다.
EUV 흡수체 선들(318)은 다층 코팅(316) 위에 위치된다. EUV 흡수체 선들(318)은 캡핑층(308) 위의 탄탈-질화 붕소(TaBN) 층(310), 그리고 탄탈-질화 붕소(TaBN) 층(310) 위의 탄탈-산화 붕소(TaBO) 캡핑층(312)을 포함한다. 일부 실시예들에서, TaBO 캡핑층(312)은 2 nm의 두께를 갖는다. TaBN은 강하게 EUV룰 흡수하는 물질이다. (예를 들어, 후술될 바와 같은 도 9에 따르면) TaBN 층(310)의 두께는 가변적이고, 실질적으로 모든 입사 EUV 광을 흡수하도록 선택된다. 일부 실시예들에서, TaBN 층(310)은 70-80 nm의 두께를 갖는다.
테스트 포토마스크의 표면 상의 상이한 영역들은 구별되는 흡수체 듀티비들(즉, 상이한 각 흡수체 듀티비들)을 갖는 각 선-공간 격자 패턴들(200)(도 2)(예를 들어, 선-공간 격자 패턴들(300), 도 3)을 갖는다. 예를 들어, 테스트 포토마스크의 표면 상의 각 선-공간 격자 패턴들(200)(도 2)(예를 들어, 도 3의 선-공간 격자 패턴(300))은 동일한 격자 피치들(206)을 갖되, 구별되는 각 EUV 흡수체 선(318) 폭들을 갖는다. (폭들은 도 2 및 도 3에서 x 방향이다.) 이에 따라, 피치(206)는 영역들에 걸쳐 일정할 수 있는 한편, EUV 흡수체 선들(318)의 폭은 특정 영역 내에서 일정하면서 영역들 사이에서 변할 수 있다.
도 4는 일부 실시예들에 따른, 그 표면(402) 상에 선-공간 격자 패턴(200)(도 2)(예를 들어, 도 3의 선-공간 격자 패턴 300)을 갖는 테스트 포토마스크(400)의 축외 이미징을 도시한다. 격자 패턴들(200)은 도 4에 대한 페이지에 수직인 x-y 평면에 있고, 도 4에서는 보이지 않는다. 격자 패턴(200)의 작은 영역(예를 들어, 200 미크론 x 200 미크론)은 EUV 광원(402)에 의해 발생되는 조명 EUV 광원추(104)(도 4에서 단순화를 위해 단일 화살표로서 도시됨)로 조명된다. 격자 패턴(200)은 0차 빔(406)(m=0)(즉, 조명 EUV 광원추(104)의 격자 표면으로부터의 단순 반사), 양의 1차(m=+1) 회절 빔(408), 및 음의 1차(m=-1) 회절 빔(410)을 포함한 다수의 차수의 회절 빔들을 발생시킨다. 1차 회절 빔들(408 및 410)을 차단하고 0차 빔(406)을 선택하기 위해 이미징 경로 내에 불투명 개구경(412)이 설치된다. EUV 이미징 광학계(114)에 의해 TDI 센서(116) 상으로 포커싱되는 0차 빔(406)은 TDI 센서(116)에 의해 이미징된다. 일부 실시예들에서, 0차 빔(406)은 TDI 센서(116) 내의 모든 TDI 픽셀들을 조명하고, 이것들을 사용하여 이미징된다. 0차 빔(406)의 강도(즉, 기준 강도 검출기(416) 상에 입사하는 0차 빔(106)의 프로파일의 일부의 강도)를 검출하기 위해 이미징 경로 내에(예를 들어, 0차 빔(406)에 또는 그 근처에) 캘리브레이트된 기준 강도 검출기(416)가 설치된다. 일부 실시예들에서, 기준 강도 검출기(416)는 개구경(412)의 에지에 위치된다. 예를 들어, 기준 강도 검출기(416)는 개구경(412)에 부착될 수 있다(예를 들어, 개구경(412)의 에지로부터 0차 빔(106)으로 연장된다).
일부 실시예들에서, 개구경(412)은 검사 툴로부터 제거 가능하다, 즉 개구경(412)은 캘리브레이션을 수행하기 위해 검사 툴에 설치될 수 있고, 그 후 캘리브레이션이 완료된 후 그리고 검사 툴이 후속하여 제작 포토마스크들을 검사하기 위해 사용되기 전에 검사 툴로부터 제거될 수 있다. 일부 실시예들에서, 개구경(412)은 검사 툴에 영구적으로 설치된다, 즉 개구경(412)은 캘리브레이션 동안 이미징 경로 내로 이동될 수 있고 제작 포토마스크들의 검사를 위해 이미징 경로 밖으로 이동될 수 있도록, 검사 툴 내에서 이동 가능할 수 있다. 일부 실시예들에서, 기준 강도 검출기(416)는 검사 툴로부터 제거 가능하다, 즉 이는 캘리브레이션을 수행하기 위해 검사 툴에 설치될 수 있고, 그 후 캘리브레이션이 완료된 후 그리고 검사 툴이 후속하여 제작 포토마스크들을 검사하기 위해 사용되기 전에 검사 툴로부터 제거될 수 있다. 단일의 제거 가능한 기준 강도 검출기(416)가 다수의 검사 툴들을 캘리브레이트하기 위해 사용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 기준 강도 검출기(416)는 인증된 또는 공식 표준 단체(예를 들어, NIST(National Institute of Standards and Technology) 또는 유사한 정부 표준 기관)에 의해 캘리브레이트되었다.
상이한 흡수체 듀티비들을 갖는 상이한 선-공간 격자 패턴들(200)(도 2)(예를 들어, 도 3의 선-공간 격자 패턴들(300))은 테스트 포토마스크(400)의 상이한 영역들에 위치될 수 있다. TDI 센서(116)를 캘리브레이트하기 위해, 이러한 상이한 영역들은 도 4에 도시된 축외 이미징을 사용하여 차례로 조명되고 이미징될 수 있다. TDI 센서(116)를 사용하여 얻어지는 이미징 결과들은 기준 강도 검출기(416)에 의해 검출되는 강도들과 비교된다. 이 비교를 통해 TDI 센서(116)의 선형성이 결정된다.
TDI 센서(116)는 두 가지 모드들, 즉 프레임 이미지 모드 및 스캔 모드로 작동할 수 있다. 프레임 이미지 모드에서, TDI 센서(116)의 모든 픽셀들은 동시에 짧은 시구간(예를 들어, 0.001 ms 내지 수 밀리초)에 프레임이라고 하는 그것들의 자체 광 강도를 캡처하고, 픽셀 간 적분이 발생하지 않는다. 스캔 모드에서, 픽셀 간 광 강도는 스캔 방향(예를 들어, x 방향)에서 적분된다. 스캔 모드는 통상적으로 제작 포토마스크 검사에 사용된다. TDI 선형성 캘리브레이션을 위해, 프레임 이미지 모드는 픽셀들의(예를 들어, 각 픽셀의) 반응 선형성을 캘리브레이트하기 위해 사용될 수 있다. 스캔 모드의 TDI 반응 선형성은 프레임 이미지 모드에서 측정된 바와 같은 픽셀 레벨 선형성으로부터 계산될 수 있다.
상이한 흡수체 듀티비들의 선-공간 격자 패턴들(200)이 조명될 때, 일부 실시예들에 따르면, 피치(206)가 동일하기 때문에, 상이한 패턴들에 대해 1차 회절 빔들(408 및 410)의 각 회절 각도들이 동일하다. (그러나, 양의 1차 회절 빔(408)의 각도는 일반적으로 음의 1차 회절 빔(410)의 각도와 상이하다.) 그렇지만, EUV 흡수체 선들(204)의 폭이 변화하기 때문에(예를 들어, EUV 흡수체 선들(318)에 의해 덮이는 다층 코팅(316)의 면적이 변화함), 0차 회절 빔(406)의 강도는 변화한다. 0차 회절 빔(406)의 빔 프로파일은 사실상 이것이 입사 빔(즉, 조명 EUV 광원추(104))의 단순 반사이기 때문에, 조명 빔과 동일하게 유지된다. 따라서, 특정 선-공간 격자 패턴(200)을 선택함으로써, TDI 선형성 캘리브레이션을 위해 TDI 센서(116)에 제공되는 EUV 광의 강도는 입사 빔 프로파일을 변경하지 않고 제어될 수 있다.
불투명 개구경(412)이 순수한 0차 회절 빔(406)을 선택하기 위해, 조명 파라미터 σ는 0차 회절 빔(406)과 두 개의 1차 회절 빔들(408 및 410) 사이의 중첩이 또한 작도록 충분히 작아야 한다. 표 1은 상이한 격자 피치들(206)에 대한 σ의 계산된 최대 값들을 제시한다. 이러한 계산들에서, 조명 및 이미징 경로들 양자에 대해 이미징 NA는 0.2인 것으로 가정되고, CRA는 8.15°이다.
표 1: 상이한 격자 피치들에 대한 최대 조명 파라미터 σ
Figure pct00001
표 1의 세 개의 중앙 열들은 8.15°의 조명 CRA에 대한 격자 방정식을 사용하여 계산된 세 개의 회절 차수들의 CRA들이다. σ의 최대 값은 m=0 CRA와 m=+/-1 CRA들 사이의 두 개의 반각들 중 더 작은 것을 취하고, 이를 NA에 대한 입체각의 반각으로 나눔으로써 계산된다. 예를 들어, 80 nm 피치에 대해, m=0과 m=+1 회절 차수들 사이의 CRA 차이는 9.7°이고, m=0과 m=-1 회절 차수들의 CRA 차이는 9.94°이다. 9.7°의 더 작은 CRA 차이가 선택된다. 조명 EUV 광원추(104)가 9.7°/2 = 4.85°의 반각을 갖는다면, 세 개의 회절 차수들 간에 중첩이 존재하지 않을 것이다. 이러한 조건은 조명 σ = 4.85°/11.5° = 0.42(여기서 11.5°는 NA = 0.2에 대한 입체각의 반각임)에 대응한다. σ가 0.42보다 크다면, 순 0차 회절 빔(406)을 선하기 위해 더 작은 개구경이 필요하다.
표 2에서, 선-공간 격자 패턴들(300)(도 3)에 대한 0차 유효 반사율이 상이한 흡수체 듀티비들 및 선-공간 격자 피치들(206)에 대해 계산된다. 이러한 유효 반사율은 13.5 nm 파장 및 8.15° 입사각에서의 순 다층 코팅(316)(즉, 도 3의 EUV 흡수체 선들(318)의 전무시, 흡수체 듀티비가 0이 됨)의 반사율에 대해 정규화된다. 계산들에서, EUV 광은 편광되지 않은 것으로 가정되고, 70 nm의 흡수체 두께(즉, TaBN 층(310)의 두께)가 사용된다. 제1 열에 제시된 바와 같은 피치(206)의 각 값에 대해, 정규화된 0차 유효 반사율이 0.8, 0.65, 0.5, 0.35, 0.2, 및 0의 흡수체 듀티비들에 대해 계산된다. 흡수체 듀티비의 두 가지 극단적인 경우들은 순 흡수체(예를 들어, 도 3의 다층 코팅(316)이 EUV 흡수체에 의해 완전히 덮임) 및 순 EUV 반사 다층 코팅(예를 들어, EUV 흡수체가 존재하지 않으며, 도 3의 전체 다층 코팅(316)이 노출됨)이며, 이는 각각 최소 및 최대 광 강도들을 제공한다. 표 2에 제시된 상이한 반사율들은 상이한 강도들의 EUV 광을 발생시킬 수 있는 능력을 입증하는데, 이는 그 강도가 소정의 강도의 입사광에 대한(즉, 주어진 조명 EUV 광원추(104)에 대한) 반사율에 대응하기 때문이다. 이러한 캘리브레이션에서, 상이한 흡수체 선 듀티비들에 의해 야기되는 포커스 변화는 TDI 센서(116)에 의한 이미징 동안 정정되어야 한다.
표 2: 피치별 반사율 대 흡수체 듀티비
Figure pct00002
EUV 흡수체 선들(204)(도 2)(예를 들어, 도 3의 EUV 흡수체 선들(318))의 선 폭이 점점 더 좁아짐에 따라, 선-공간 격자 패턴(200)(도 2)(예를 들어, 도 3의 선-공간 격자 패턴(300))의 제조가 더 어려워진다. 더 큰 격자 피치(206)를 사용하는 것은 제조를 더 용이하게 하지만, 표 1에 제시된 바와 같이, 최대 허용 조명 σ가 더 작아진다. 경험으로 보아, EUV 포토마스크 상에 제조될 수 있는 가장 좁은 흡수체 선은 흡수체 두께의 1/3이다. 흡수체 두께(즉, 흡수체 선 높이)(예를 들어, TaBN 층(310)의 두께)가 70 nm라면, 가장 좁은 실제적인 흡수체 선은 23.3 nm의 폭을 가지며, 이는 80 nm 피치(206)에 대한 0.29의 듀티비에 대응한다. 작은 피치 선-공간 격자 패턴들에 대해, 최적의 0차 유효 반사율 및 격자 패턴 제조의 용이성을 위해 흡수체 두께(흡수체 선 높이)가 감소될 수 있다.
상이한 반사도들을 갖는 EUV 반사 영역들
도 5a 및 도 5b는 일부 실시예들에 따른, 테스트 포토마스크의 표면 상의 각 영역들에서 상이한 반사도들을 갖는 EUV 반사 영역들로서의 역할을 하는 각 다층 코팅들(500-1 및 500-2)의 단면도들이다. 다층 코팅들(500-1 및 500-2)은 다층 코팅들(316)(도 3)과 동일한 구조 및/또는 층 두께들을 가질 수 있다. 다층 코팅(500-2)(도 5b)은 다층 코팅(500-1)(도 5a)보다 더 많은 Mo 층들(304) 및 Si 층들(306), 및 이에 따른 더 많은 MoSi 이중층들(314)을 갖는다. 테스트 포토마스크의 표면 상의 다른 영역들은 구별되는 각(즉, 상이한) 수들의 Mo 층들(304) 및 Si 층들(306), 및 이에 따른 구별되는 각 수들의 MoSi 이중층들(314)을 갖는 다층 코팅들(500)을 가질 수 있다. 일반적으로, 테스트 포토마스크의 표면 상의 구별되는 각 영역들에서의 EUV 반사 다층 코팅들은 구별되는 각 수들의 층들을 갖는다.
다층 코팅들(500-1 및 500-2)의 EUV 반사율은 MoSi 이중층들(314)의 수의 함수이다. 도 6은 다층 코팅들(500)의 계산된 반사율(604) 대 이중층들(314)의 수(602)의 플롯(600)이다. 플롯(600) 이면의 계산들은 8.15°의 입사각에서의 비편광 13.5 nm 광 및 도 3에 대해 설명된 바와 같은 층 두께를 가정한다. 도 6은 70% 초과의 이론적 반사율이 달성될 수 있음을 보여준다. 실제로, 적어도 65%의 반사율은 이중층들(314)의 충분한 수(602)로(예를 들어, 40개 이상의 이중층들(314)로) 달성될 수 있다. 표 3은 40-이중층 다층 코팅(500)의 반사율에 대해 정규화된 몇몇 이중층 수들의 계산된 반사율을 요약한다.
표 3: MoSi 이중층들의 수 대 정규화된 반사율
Figure pct00003
그 표면 상의 각 영역에 상이한 층 수(그리고 이에 따른 상이한 이중층(314) 수)의 다층 코팅들(500)을 갖는 테스트 포토마스크는 TDI 센서(116)를 캘리브레이트하기 위해 도 4의 축외 이미징 장치에 사용될 수 있다. 개구경(412)은 축외 이미징 장치로부터 생략될 수 있는데, 이는 조명 EUV 광원추(104)의 회절이 없고 격자가 없기 때문이다. 조명 및 이미징을 위해 테스트 포토마스크의 표면 상의 상이한 영역들을 선택함으로써, TDI 센서(116)에 제공되는 EUV 광의 강도가 캘리브레이션 동안 소정의 조명 EUV 광원추(104)에 대해 제어된 방식으로 달라질 수 있다. 이중층들의 수들을 달리함으로써 야기되는 포커스 오프셋은 TDI 센서(116)에 의한 이미징 동안 정정되어야 한다.
경사진 두께의 EUV 반사 영역
상이한 수들의 이중층들을 갖는 다층 코팅들(예를 들어, 도 5a 및 도 5b의 다층 코팅들(500-1 및 500-2))의 사용의 하나의 변형안은 테스트 포토마스크의 표면 상에 경사진 다층 코팅을 제조하는 것이다. 경사화는 각 이중층에서의 층들 간의 두께비를 동일하게(즉, 일정하게) 유지하면서 테스트 포토마스크의 표면 상의 상이한 영역들에 대한 상이한 (평균) 이중층 두께들을 초래한다. 경사진 다층 코팅에서, 상이한 이중층 두께들은 피크 반사율의 상이한 파장들에 대응한다. 이에 따라, 파장과 입사각이 동일하다면, 상이한 이중층 두께들은 상이한 반사율들을 제공한다. 경사진 다층 코팅의 상이한 영역들이 (예를 들어, 도 4의 축외 장치를 사용하지만, 개구경(412)이 없이) TDI 센서(116)에 의해 이미징될 때, (예를 들어, 소정의 조명 EUV 광원추(104)에 대해) 코팅에 의해 반사되는 EUV 광의 강도가 변화한다.
도 7은 일부 실시예들에 따른, 테스트 포토마스크의 표면 상의 경사진 다층 코팅(700)의 단면도이다. 다층 코팅(700)은 다층 코팅들(316)(도 3)과 동일한 구조를 가질 수 있고, 특정 수의 이중층들(314)(예를 들어, 40개의 이중층들(314))을 갖는다. 일부 실시예들에서, MoSi 이중층들(314)(예를 들어, 교번하는 Mo 층들(304)과 Si 층들(306) 양자)의 두께는 제1 방향(예를 들어, x 방향)에서 변화하고, 제1 방향에 수직인 제2 방향(예를 들어, 도 7에 대한 페이지에 수직인 y 방향)에서 균일하다. Si 층들(306)과 Mo 층들(304) 사이의 두께비는 다층 코팅(700) 전체에 걸쳐 일정하게 유지된다(예를 들어, 두께비가 도 5a 및 도 5b의 다층 코팅들(500-1 및 500-2)에 대해서와 동일함).
경사진 다층 코팅(700)의 이중층 두께 변화는 두께가 TDI 센서(116)에 대한 시야(field of view, FOV)(예를 들어, 200 미크론 x 200 미크론) 내에서 일정하게 취급될 수 있을 정도로 충분히 작다. 이에 따라, TDI 센서(116)의 각 픽셀에 대해, 반사율(즉, 강도 스케일링 팩터)은 테스트 포토마스크의 표면 상의 소정의 영역에 대해 사실상 동일하다. 경사진 다층 코팅(700)의 변화하는 두께에 의해 야기되는 포커스 오프셋은 TDI 센서(116)에 의한 이미징 동안 정정되어야 한다.
EUV 반사 영역들 위에 위치되는 상이한 두께들을 갖는 EUV 흡수체 영역들
인 시튜 EUV 광 강도 제어의 또 다른 기법은 테스트 포토마스크의 표면 상의 각 영역들에 상이한 흡수체 두께들의 순 흡수체 영역들을 사용하는 것이다. 흡수체 영역들은 EUV 반사 다층 코팅들 위에 위치된다. 도 8a 및 도 8b는 일부 실시예들에 따른 테스트 포토마스크의 표면 상의 각 영역들(800-1 및 800-2)의 단면도들이다. 영역들(800-1 및 800-2)은 각 EUV 흡수체 영역들 및 각 EUV 반사 다층 코팅들을 포함하며, 각 영역(800)의 EUV 흡수체 영역이 그 영역(800)의 EUV 반사 다층 코팅 영역 위에 위치된다. 일부 실시예들에서, 영역들(800-1 및 800-2)의 EUV 반사 다층 코팅들은 다층 코팅들(316)(도 3)과 동일한 구조 및/또는 층 두께들을 갖는다, 즉 일련의 MoSi 이중층들(314)이 기판(302) 상에 배치되고 캡핑층(308)에 의해 덮인다. Mo 층(304)의 두께는 2.8 nm일 수 있고, Si 층(306)의 두께는 4.2 nm일 수 있으며, 캡핑층(308)의 두께는 2.5 nm일 수 있다. (두께들은 도 8a 및 도 8b에서 z 방향이다.) 각 영역(800)(예를 들어, 영역(800-1)과 영역(800-2) 양자)은 동일한 수의 MoSi 이중층들(314)(예를 들어, 40개의 이중층들(314), 또는 40-45개의 이중층들(314), 또는 35-40개의 이중층들(314))을 가질 수 있다. EUV 흡수체 영역들은 EUV 흡수체 선들(318)(도 3)과 동일한 구조를 가질 수 있다, 즉 TaBN 층(310)이 캡핑층(308) 위에 배치되고 (예를 들어, 2 nm 두께를 갖는) TaBO 캡핑층(312)에 의해 덮인다. TaBN 층(310)의 두께는 상이한 영역들(800)에 대해 상이하다. 예를 들어, 영역(800-2)(도 8b)에서의 TaBN 층(310)이 영역(800-1)(도 8a)에서의 TaBN 층(310)보다 더 두껍다. TaBN 층(310)의 두께를 변화시키는 것은 전체 구조의 반사율을 변화시킨다.
도 9는 일부 실시예들에 따른, TaBN 층(310)의 두께(902)에 대한 도 8a 및 도 8b의 구조체의 계산된 반사율(904)의 플롯(900)이다. 도 9 이면의 계산들은 8.15°의 입사각을 갖는 비편광 13.5 nm 광, 40개의 MoSi 이중층들(314), 및 고정된 두께의 TaBO 캡핑층(312)을 가정한다. 도 9는 에탈론 효과를 반사율 곡선으로 도시하며, 변화 주기는 약 7.2 nm(
Figure pct00004
λ/2)이다: 반사율은 두께(902)가 증가함에 따라 하강한 후, 다시 하강하기 전에 다소 상승한다. 표 4는 TaBN 층(310)의 두께(902)에 대한 정규화된 반사율(TaBN 층(310)의 부재시 EUV 반사 다층 코팅의 반사율에 대해 정규화됨)을 요약한다.
표 4: 정규화된 반사율 대 흡수체 두께
Figure pct00005
상이한 두께들의 각 EUV 흡수체 영역들을 갖는 영역들(800)(예를 들어, 영역들(800-1 및 800-2)을 포함함)을 갖는 테스트 포토마스크는 TDI 센서(116)를 캘리브레이트하기 위해 도 4의 축외 이미징 장치에 사용될 수 있다. 개구경(412)은 축외 이미징 장치로부터 생략될 수 있는데, 이는 조명 EUV 광원추(104)의 회절이 없고 격자가 없기 때문이다. 조명 및 이미징을 위해 상이한 영역들을 선택함으로써, TDI 센서(116)에 제공되는 EUV 광의 강도가 캘리브레이션을 위해 제어된 방식으로 달라질 수 있다. 상이한 흡수체 두께들에 의해 야기되는 포커스 오프셋은 TDI 센서(116)를 사용하여 영역들(800)을 이미징할 때 정정되어야 한다.
방법 흐름도
도 10은 일부 실시예들에 따른, EUV 포토마스크 검사 툴(예를 들어, 도 11의 검사 툴(1130))을 캘리브레이트하고 사용하는 방법(1000)을 도시한 흐름도이다. 방법(1000)에서, 복수의 구별되게 패턴화된 영역들을 포함하는 포토마스크(예를 들어, 도 4의 테스트 포토마스크(400))가 TDI 검사 툴로 로딩된다(1002). 일부 실시예들에서, 포토마스크는 교번하는 EUV 흡수체 선들 및 EUV 반사 다층 코팅들의 각 선-공간 격자 패턴들(예를 들어, 도 2의 선-공간 격자 패턴들(200); 도 3의 선- 공간 격자 패턴들(300))을 갖는 복수의 영역들을 포함한다(1004). 각 선-공간 격자 패턴들은 구별되는 각 흡수체 듀티비들(즉, EUV 흡수체 선 폭 대 격자 피치의 비들)을 갖는다. 예를 들어, 각 선-공간 격자 패턴들은 동일한 격자 피치들을 갖되, 구별되는 각 EUV 흡수체 선 폭들을 갖는다. 일부 실시예들에서, 포토마스크는 각 EUV 반사 다층 코팅들(예를 들어, 도 5a 및 도 5b의 다층 코팅들(500-1 및 500-2))을 갖는 복수의 영역들을 포함한다(1006). 각 EUV 반사 다층 코팅들은 구별되는 각 수들의 층들(예를 들어, 도 5a 및 도 5b의 구별되는 각 수들의 MoSi 이중층들(314))을 갖는다. 일부 실시예들에서, 복수의 구별되게 패턴화된 영역들은 경사진 EUV 반사 다층 코팅(예를 들어, 도 7의 경사진 EUV 반사 다층 코팅(700))을 조성한다(1008). 일부 실시예들에서, 포토마스크는 각 EUV 흡수체 영역들 및 각 EUV 반사 다층 코팅들을 갖는 복수의 영역들(예를 들어, 도 8a 및 도 8b의 영역들(800-1 및 800-2))을 포함한다(1010). 각 EUV 흡수체 영역들은 각 EUV 반사 다층 코팅들 위에 위치되고 구별되는 각 두께들을 갖는다.
복수의 구별되게 패턴화된 영역들은 EUV 광 빔(예를 들어, 도 4의 조명 EUV 광원추(104))(예를 들어, 비편광될 수 있는 13.5 nm 광)으로 연속하여 조명된다(1012), 즉 각 구별되게 패턴화된 영역들이 EUV 빔으로 차례로 조명된다. 복수의 구별되게 패턴화된 영역들의 각 구별되게 패턴화된 영역들을 조명하면서, TDI 검사 툴에서 TDI 센서(예를 들어, 도 4의 TDI 센서(116))를 사용하여 각 구별되게 패턴화된 영역들의 각 이미징 인스턴스들이 수행된다(1012). 각 이미징 인스턴스들은 프레임 이미지 모드에서 수행될 수 있다. 각 이미징 인스턴스들을 수행하면서, 기준 강도 검출기(예를 들어, 도 4의 기준 강도 검출기(416))를 사용하여, 포토마스크로부터 집광되는 EUV 광의 기준 강도들을 측정한다(1012).
(예를 들어, 포토마스크가 교번하는 EUV 흡수체 선들 및 EUV 반사 다층 코팅들의 각 선-공간 격자 패턴들을 갖는 복수의 영역들을 포함하는(1004)) 일부 실시예들에서, 개구경(예를 들어, 도 4의 개구경(412))은 포토마스크로부터 집광되는 광으로서 0차 회절 빔(예를 들어, 도 4의 0차 빔(406))을 선택하도록 위치된다.
각 이미징 인스턴스들의 결과들, 및 EUV 광의 측정된 기준 강도들에 기초하여, TDI 센서의 선형성이 결정된다(1014). 일부 실시예들에서, 각 이미징 인스턴스들의 결과 및 측정된 기준 강도들에 기초하여 TDI 센서의 픽셀별 선형성이 결정된다(1016). 픽셀별 선형성을 결정하기 위해 TDI 센서로부터의 신호와 기준 강도 검출기로부터의 신호의 픽셀별 비교가 수행된다. 일부 실시예들에서, 픽셀별 캘리브레이션 결과들을 적분함으로써(예를 들어, TDI 스캔의 방향에서 TDI 센서의 전체 2차원 픽셀 어레이에 대한 캘리브레이트 결과들을 적분함으로써), 픽셀별 선형성에 기초하여 TDI 센서에 대한 TDI 적분 강도 선형(예를 들어, 스캔 평균 강도 선형성)이 결정된다(1018).
일부 실시예들에서, 복수의 구별되게 패턴화된 영역들을 조명할 때(1012), EUV 빔은 펄싱된다. 검사 동안 포토마스크의 움직임에 따라 이미지가 이동되기 때문에, 이러한 펄싱은 TDI 센서 내의 픽셀들의 서브세트를 선택하는 효과를 가질 수 있다. 이러한 픽셀들의 서브세트의 선형성은 단계 1014에서 결정될 수 있다.
방법(1000)의 이 지점에서, TDI 센서는 캘리브레이트되었고, TDI 검사 툴은 사용할 준비가 되어 있다. TDI 검사 툴을 사용하여 제작 포토마스크(예를 들어, 제조되었지만 아직 반도체 디바이스를 제조하는 데 사용되지 않은 레티클)가 검사된다(1020). 이러한 검사는 제작 포토마스크의 결함들을 검사하기 위해 수행된다. 제작 포토마스크의 검사 결과들이 결정된 TDI 센서의 선형성에 기초하여 캘리브레이트된다(1022). 예를 들어, 검사 단계(1020)에서 발생된 이미지가 결정된 TDI 센서의 선형성에 기초하여 캘리브레이트된다. TDI 센서가 캘리브레이트되면, 단계 1020 및 단계 1022는 다수의 제작 포토마스크들을 검사하기 위해 반복적으로 수행될 수 있다. 단계 1002 내지 단계 1014의 캘리브레이션 프로세스는 TDI 검사 툴의 정확한 동작을 보장하기 위해 주기적으로 반복될 수 있다.
시스템 블록도
도 11은 일부 실시예들에 따른, 포토마스크 검사 시스템(1100)(즉, 레티클 검사 시스템)의 블록도이다. 포토마스크 검사 시스템(1100)은 EUV 포토마스크 검사 툴(1130), 및 하나 이상의 프로세서(1102)(예를 들어, CPU)를 갖는 컴퓨터 시스템, 사용자 인터페이스(1106), 메모리(1110), 및 이들 컴포넌트들을 상호연결하는 통신 버스(들)(1104)를 포함한다. 대안적으로, 컴퓨터 시스템은 하나 이상의 네트워크를 통해 EUV 포토마스크 검사 툴(1130)과 통신 가능하게 커플링될 수 있다. 컴퓨터 시스템은 또한, EUV 포토마스크 검사 툴(1130) 및/또는 원격 컴퓨터 시스템과 통신하기 위한 하나 이상의 네트워크 인터페이스(유선 및/또는 무선, 도시되지 않음)를 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 포토마스크 검사 시스템(1100)은 도 4의 축외 이미징을 수행하도록 구성 가능하다. 개구경(412)은 (예를 들어, 캘리브레이션을 위해 영구적으로 또는 일시적으로) 검사 툴(1130)에 설치될 수 있다. 기준 강도 검출기(416)는 (예를 들어, 캘리브레이션을 위해 일시적으로) 검사 툴(1130)에 설치될 수 있다. 테스트 포토마스크가 캘리브레이션을 수행하기 위해 검사 툴(1130)로 로딩될 수 있다. 제작 포토마스크들은 검사를 위해 캘리브레이트된 검사 툴(1130)로 로딩될 수 있다.
사용자 인터페이스들(1106)은 디스플레이(1107) 및 하나 이상의 입력 디바이스(1108)(예를 들어, 키보드, 마우스, 디스플레이(1107)의 터치 감지 표면 등)을 포함할 수 있다. 디스플레이(1107)는 방법(1000)(도 10)의 결과들을 디스플레이할 수 있다.
메모리(1110)는 휘발성 및/또는 비휘발성 메모리를 포함한다. 메모리(1110)(예를 들어, 메모리(1110) 내의 비휘발성 메모리)는 컴퓨터 판독 가능한 비일시적 저장 매체를 포함한다. 메모리(1110)는 선택 사항으로서, 프로세서(1102)로부터 원격에 위치된 하나 이상의 저장 디바이스, 및/또는 시스템(1100)으로 제거 가능하게 삽입되는 컴퓨터 판독 가능한 비일시적 저장 매체를 포함한다. 일부 실시예들에서, 메모리(1110)(예를 들어, 메모리(1110)의 컴퓨터 판독 가능한 비일시적 저장 매체)는 다음의 모듈들 및 데이터, 또는 이의 서브세트 또는 수퍼세트를 저장한다: 다양한 기본 시스템 서비스들을 핸들링하고 하드웨어 의존 작업들을 수행하기 위한 절차들을 포함하는 운영 체제(1112), 패턴화된(예를 들어, 도 2, 도 3, 도 5a 내지 도 5b, 도 7, 및/또는 도 8a 내지 도 8b에 따라 패턴화됨) 테스트 포토마스크(예를 들어, 도 4의 테스트 포토마스크(400))를 사용하여 검사 툴(1130)을 캘리브레이트하기 위한 캘리브레이션 모듈(1114), 포토마스크들을 검사하기 위한 TDI 검사 모듈(1116), 캘리브레이션을 통해 결정되는 TDI 센서 선형성에 기초하여 검사 결과들(예를 들어, 이미지들)을 정정하기 위한 결과 캘리브레이트 모듈(1118), 및 캘리브레이션 및/ 또는 검사 결과들을 리포트하기 위한 리포팅 모듈(1120). 이에 따라, 메모리(1110)(예를 들어, 메모리(1110)의 컴퓨터 판독 가능한 비일시적 저장 매체)는 방법(1000)(도 10)의 전부 또는 일부를 수행하기 위한 명령어들을 포함한다.
메모리(1110)에 저장된 모듈들 각각은 본 명세서에서 설명된 하나 이상의 기능을 수행하기 위한 명령어들의 세트에 대응한다. 별개의 모듈들이 별개의 소프트웨어 프로그램들로서 구현될 필요는 없다. 모듈들 및 모듈들의 다양한 서브세트들은 조합되거나 그 외 재배열될 수 있다. 일부 실시예들에서, 메모리(1110)는 위에서 식별된 모듈들 및/또는 데이터 구조체들의 서브세트 또는 수퍼세트를 저장한다.
도 11은 구조적 개략도로서보다 포토마스크 검사 시스템에 존재할 수 있는 다양한 특징부들에 대한 기능적 설명으로서 더 의도된다. 예를 들어, 포토마스크 검사 시스템(1100)에서의 컴퓨터 시스템의 기능은 다수의 디바이스들 간에서 나뉠 수 있다. 메모리(1110)에 저장된 모듈들의 일부는 대안적으로 하나 이상의 네트워크를 통해 포토마스크 검사 시스템(1100)의 컴퓨터 시스템과 통신 가능하게 커플링된 하나 이상의 다른 컴퓨터 시스템에 저장될 수 있다.
전술한 설명은 설명을 위해, 특정 실시예들을 참조하여 설명되었다. 그러나, 상기한 예시적인 논의들은 완전한 것으로, 또는 청구항들의 범위를 개시된 정확한 형태들로 제한하는 것으로 의도되지 않는다. 상기한 교시 내용을 고려하여 많은 수정 및 변형이 가능하다. 실시예들은 청구항들 및 이들의 실제 적용예들의 기초를 이루는 원리를 가장 잘 설명하기 위해 선택되었고, 이에 의해 당업자들이 실시예들을 고려된 특정 용도들에 적합한 다양하게 변형하여 가장 잘 사용할 수 있게 한다.

Claims (22)

  1. 이미지 센서를 캘리브레이트하기 위한 테스트 구조체로서,
    극자외선(extreme ultraviolet, EUV) 빔에 의한 조명에 반응하여 상이한 각 강도들의 EUV 광을 제공하기 위해 복수의 구별되게(distinctly) 패턴화된 영역들을 포함한 포토마스크를 포함하는, 테스트 구조체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 구별되게 패턴화된 영역들은 교번하는 EUV 흡수체 선들 및 EUV 반사 다층 코팅들의 각 선-공간 격자 패턴들을 갖는 복수의 영역들을 포함하고;
    상기 각 선-공간 격자 패턴들은 구별되는 각 흡수체 듀티비(duty ratio)들을 가지며, 상기 흡수체 듀티비는 EUV 흡수체 선 폭 대 격자 피치의 비인 것인, 테스트 구조체.
  3. 제2항에 있어서, 상기 각 선-공간 격자 패턴들은 동일한 격자 피치들을 갖되, 구별되는 각 EUV 흡수체 선 폭들을 갖는 것인, 테스트 구조체.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 EUV 흡수체 선들은 탄탈-질화 붕소(TaBN)를 포함하고;
    상기 EUV 반사 다층 코팅들은 몰리브덴(Mo) 및 실리콘(Si) 교번층들을 포함하는 것인, 테스트 구조체.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 구별되게 패턴화된 영역들은 각 EUV 반사 다층 코팅들을 갖는 복수의 영역들을 포함하고;
    상기 각 EUV 반사 다층 코팅들은 구별되는 각 수의 층들을 갖는 것인, 테스트 구조체.
  6. 제5항에 있어서, 상기 각 EUV 반사 다층 코팅들은 구별되는 각 수의 Mo 및 Si 교번층들을 포함하는 것인, 테스트 구조체.
  7. 제1항에 있어서, 상기 복수의 구별되게 패턴화된 영역들은 경사진(graded) EUV 반사 다층 코팅을 조성하는 것인, 테스트 구조체.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 경사진 EUV 반사 다층 코팅은 다수의 Mo 및 Si 교번층들을 포함하고;
    상기 Mo 및 Si 교번층들은 제1 방향에서 경사진 두께들을 갖고, 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향에서 균일한 두께들을 가지며;
    상기 Mo 및 Si 교번층들은 일정한 두께비를 갖는 것인, 테스트 구조체.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 구별되게 패턴화된 영역들은 각 EUV 흡수체 영역들 및 각 EUV 반사 다층 코팅들을 포함한 복수의 영역들을 포함하며, 상기 각 EUV 흡수체 영역들은 상기 각 EUV 반사 다층 코팅들 위에 위치되고;
    상기 각 EUV 흡수체 영역들은 구별되는 각 두께들을 갖는 것인, 테스트 구조체.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 각 EUV 흡수체 영역들은 TaBN, 및 상기 TaBN 위의 TaBO 캡핑층을 포함하고;
    상기 각 EUV 반사 다층 코팅들은 동일한 수의 Mo 및 Si 교번층들을 포함하는 것인, 테스트 구조체.
  11. 캘리브레이션 방법으로서,
    포토마스크를 시간 지연 적분(time-delay-integration, TDI) 검사 툴로 로딩하는 단계 - 상기 포토마스크는 복수의 구별되게 패턴화된 영역들을 포함함 -;
    상기 복수의 구별되게 패턴화된 영역들을 극자외선(EUV) 광 빔으로 연속하여 조명하는 단계;
    상기 복수의 구별되게 패턴화된 영역들의 각 구별되게 패턴화된 영역들을 조명하면서, 상기 TDI 검사 툴에서 TDI 센서를 사용하여 상기 각 구별되게 패턴화된 영역들의 각 이미징 인스턴스들을 수행하는 단계;
    상기 각 이미징 인스턴스들을 수행하면서, 기준 강도 검출기를 사용하여 상기 포토마스크로부터 집광되는 EUV 광의 기준 강도들을 측정하는 단계; 및
    상기 각 이미징 인스턴스들의 결과들, 및 상기 기준 강도 검출기에 의해 측정된 상기 EUV 광의 기준 강도들에 기초하여, 상기 TDI 센서의 선형성을 결정하는 단계를 포함하는, 캘리브레이션 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 TDI 센서의 선형성을 결정하는 단계는:
    상기 각 이미징 인스턴스들의 결과들, 및 상기 기준 강도 검출기에 의해 측정된 상기 EUV 광의 기준 강도들에 기초하여, 상기 TDI 센서의 픽셀별 선형성을 결정하는 단계; 및
    상기 픽셀별 선형성에 기초하여 상기 TDI 센서에 대한 TDI 적분 강도 선형성을 결정하는 단계를 포함하는 것인, 캘리브레이션 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 조명하는 단계는 상기 EUV 빔을 펄싱하는 단계를 포함하고;
    상기 결정하는 단계는 상기 TDI 센서 내의 픽셀들의 서브세트 - 상기 서브세트는 상기 펄싱에 의해 선택됨 - 의 선형성을 결정하는 단계를 포함하는 것인, 캘리브레이션 방법.
  14. 제11항에 있어서, 상기 포토마스크는 제작 포토마스크와 별개인 캘리브레이션 포토마스크이며, 상기 방법은 상기 TDI 센서의 선형성을 결정하는 단계 후에:
    상기 TDI 검사 툴을 사용하여 상기 제작 포토마스크를 검사하는 단계; 및
    결정된 상기 TDI 센서의 선형성에 기초하여, 상기 검사의 결과들을 정정하는 단계를 더 포함하는 것인, 캘리브레이션 방법.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 복수의 구별되게 패턴화된 영역들은 교번하는 EUV 흡수체 선들 및 EUV 반사 다층 코팅들의 각 선-공간 격자 패턴들을 갖는 복수의 영역들을 포함하고;
    상기 각 선-공간 격자 패턴들은 구별되는 각 흡수체 듀티비들을 가지며, 상기 흡수체 듀티비는 EUV 흡수체 선 폭 대 격자 피치의 비인 것인, 캘리브레이션 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 포토마스크로부터 집광되는 광으로서 0차 회절 빔을 선택하도록 개구경을 위치시키는 단계를 더 포함하는, 캘리브레이션 방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 각 선-공간 격자 패턴들은 동일한 격자 피치들을 갖되, 구별되는 각 EUV 흡수체 선 폭들을 갖는 것인, 캘리브레이션 방법.
  18. 제11항에 있어서,
    상기 복수의 구별되게 패턴화된 영역들은 각 EUV 반사 다층 코팅들을 갖는 복수의 영역들을 포함하고;
    상기 각 EUV 반사 다층 코팅들은 구별되는 각 수의 층들을 갖는 것인, 캘리브레이션 방법.
  19. 제11항에 있어서, 상기 복수의 구별되게 패턴화된 영역들은 경사진 EUV 반사 다층 코팅을 조성하는 것인, 캘리브레이션 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 경사진 EUV 반사 다층 코팅은 다수의 Mo 및 Si 교번층들을 포함하고;
    상기 Mo 및 Si 교번층들은 제1 방향에서 경사진 두께들을 갖고, 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향에서 균일한 두께들을 가지며;
    상기 Mo 및 Si 교번층들은 일정한 두께비를 갖는 것인, 캘리브레이션 방법.
  21. 제11항에 있어서,
    상기 복수의 구별되게 패턴화된 영역들은 각 EUV 흡수체 영역들 및 각 EUV 반사 다층 코팅들을 포함한 복수의 영역들을 포함하며, 상기 각 EUV 흡수체 영역들은 상기 각 EUV 반사 다층 코팅들 위에 위치되고;
    상기 각 EUV 흡수체 영역들은 구별되는 각 두께들을 갖는 것인, 캘리브레이션 방법.
  22. 시스템으로서,
    극자외선(EUV) 광원 및 시간 지연 적분(TDI) 센서를 포함하는 TDI 검사 툴;
    상기 TDI 검사 툴로 로딩될 포토마스크 - 상기 포토마스크는 상기 EUV 광원에 의해 발생되는 EUV 빔에 의한 조명에 반응하여 상이한 각 강도들의 EUV 광을 제공하기 위해 복수의 구별되게 패턴화된 영역들을 포함함-; 및
    상기 포토마스크로부터 집광되는 EUV 광의 강도들을 측정하기 위해 상기 TDI 검사 툴에 장착될 기준 강도 검출기를 포함하는, 시스템.
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Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1333258B1 (en) * 2000-11-10 2013-08-21 ARKRAY, Inc. Method for correcting sensor output
AU2003237501A1 (en) * 2002-06-10 2003-12-22 Dupont Photomasks, Inc. Photomask and method for repairing defects
US7126699B1 (en) * 2002-10-18 2006-10-24 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for multi-dimensional metrology and/or inspection of a specimen
US7564544B2 (en) 2006-03-22 2009-07-21 3i Systems Corporation Method and system for inspecting surfaces with improved light efficiency
JP2009300426A (ja) * 2008-05-16 2009-12-24 Nuflare Technology Inc レチクル欠陥検査装置およびレチクル欠陥検査方法
JP6211270B2 (ja) 2009-06-19 2017-10-11 ケーエルエー−テンカー・コーポレーションＫｌａ−Ｔｅｎｃｏｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 極紫外線マスクブランクの欠陥検出のための検査システム及び方法
WO2011157643A1 (en) * 2010-06-15 2011-12-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Mask for euv lithography, euv lithography system and method for optimising the imaging of a mask
WO2013031863A1 (ja) * 2011-09-01 2013-03-07 旭硝子株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクブランクの品質管理方法
JP5944189B2 (ja) 2012-03-15 2016-07-05 株式会社東芝 マスク基板の欠陥検査方法及び欠陥検査装置、フォトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
US9494854B2 (en) * 2013-03-14 2016-11-15 Kla-Tencor Corporation Technique for repairing an EUV photo-mask
US10042270B2 (en) * 2014-02-21 2018-08-07 Paul Scherrer Institut Imaging system in reflection mode using coherent diffraction imaging methods and using micro-pinhole and aperture system
US9891177B2 (en) 2014-10-03 2018-02-13 Kla-Tencor Corporation TDI sensor in a darkfield system
CN107851315B (zh) * 2015-08-10 2020-03-17 科磊股份有限公司 用于预测晶片级缺陷可印性的设备及方法
JP6004126B1 (ja) * 2016-03-02 2016-10-05 レーザーテック株式会社 検査装置、及びそのフォーカス調整方法
CN107884318B (zh) 2016-09-30 2020-04-10 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种平板颗粒度检测方法
EP3454127A1 (en) 2017-09-11 2019-03-13 ASML Netherlands B.V. Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method

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