KR20220020527A - Apparatus and Method for Processing Substrate - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 기판에 대한 증착공정, 식각공정 등과 같은 처리공정을 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing processing processes such as a deposition process and an etching process on a substrate.
일반적으로, 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 기판 상에 소정의 박막층, 박막 회로 패턴, 또는 광학적 패턴을 형성하여야 한다. 이를 위해, 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 증착공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토공정, 선택적으로 노출된 부분의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각공정 등과 같은 기판에 대한 처리공정이 이루어진다. 이러한 기판에 대한 처리공정은 기판처리장치에 의해 이루어진다.In general, in order to manufacture a solar cell, a semiconductor device, a flat panel display, etc., a predetermined thin film layer, a thin film circuit pattern, or an optical pattern must be formed on a substrate. To this end, a deposition process for depositing a thin film of a specific material on a substrate, a photo process for selectively exposing the thin film using a photosensitive material, an etching process for selectively removing the thin film from the exposed portion to form a pattern, etc. The treatment process takes place. A processing process for such a substrate is performed by a substrate processing apparatus.
종래 기술에 따른 기판처리장치는 처리공간을 제공하는 챔버, 기판을 지지하는 지지부, 가스를 분사하는 가스분사부, 및 상기 가스분사부에 가스를 공급하는 가스공급부를 포함한다. 상기 가스공급부가 상기 가스분사부로 가스를 공급하면, 상기 가스분사부는 상기 지지부를 향해 가스를 분사한다. 이에 따라, 상기 지지부에 지지된 기판에 대한 처리공정이 이루어진다.A substrate processing apparatus according to the related art includes a chamber providing a processing space, a support part for supporting a substrate, a gas injection part for spraying gas, and a gas supply part for supplying gas to the gas injection part. When the gas supply unit supplies gas to the gas injection unit, the gas injection unit injects gas toward the support unit. Accordingly, a processing process for the substrate supported by the support is performed.
여기서, 기판에 대한 처리공정의 처리량을 높이기 위해, 종래 기술에 따른 기판처리장치는 상기 챔버를 복수개 구비하도록 구현되었다. 이 경우, 종래 기술에 따른 기판처리장치는 상기 챔버들에 배치된 가스분사부들에 가스를 공급하기 위해 복수개의 가스공급부를 구비하였다. 이에 따라, 종래 기술에 따른 기판처리장치는 상기 가스공급부들을 구축하기 위한 구축비용과 상기 가스공급부들을 관리하기 위한 관리비용이 상승하는 문제가 있었다.Here, in order to increase the throughput of the processing process for the substrate, the substrate processing apparatus according to the related art is implemented to include a plurality of the chambers. In this case, the substrate processing apparatus according to the prior art includes a plurality of gas supply units to supply gas to the gas injection units disposed in the chambers. Accordingly, in the substrate processing apparatus according to the prior art, there is a problem in that the construction cost for building the gas supply units and the management cost for managing the gas supply units increase.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 기판에 대한 처리공정의 처리량을 높이기 위한 구축비용과 관리비용을 줄일 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention has been devised to solve the above-described problems, and to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of reducing construction costs and management costs for increasing the throughput of a processing process for a substrate.
상술한 바와 같은 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 하기와 같은 구성을 포함할 수 있다.In order to solve the problems as described above, the present invention may include the following configuration.
본 발명에 따른 기판처리장치는 기판에 대한 제1처리공정이 이루어지는 제1챔버; 기판에 대한 제2처리공정이 이루어지는 제2챔버; 상기 제1챔버에 가스를 분사하는 제1가스분사부; 상기 제2챔버에 가스를 분사하는 제2가스분사부; 가스를 공급하는 가스공급부; 및 상기 가스공급부의 가스가 상기 제1가스분사부와 상기 제2가스분사부에 각각 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 경로변경부를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to the present invention includes a first chamber in which a first processing process for a substrate is performed; a second chamber in which a second processing process for the substrate is performed; a first gas injection unit for injecting gas into the first chamber; a second gas injection unit for injecting gas into the second chamber; a gas supply unit for supplying gas; and a path change unit configured to change the direction of the gas so that the gas of the gas supply unit is supplied to the first gas injection unit and the second gas injection unit, respectively.
본 발명에 따른 기판처리방법은 기판에 대한 제1처리공정이 이루어지는 제1챔버와 기판에 대한 제2처리공정이 이루어지는 제2챔버를 갖는 기판처리장치를 이용하여 기판에 대한 처리공정을 수행할 수 있다. The substrate processing method according to the present invention can perform a processing process on a substrate using a substrate processing apparatus having a first chamber in which a first processing process is performed on a substrate and a second chamber in which a second processing process is performed on the substrate. there is.
본 발명에 따른 기판처리방법은 가스공급부의 가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계; 상기 제1챔버로 공급된 가스를 이용하여 상기 제1처리공정을 수행하는 단계; 상기 가스공급부의 가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계; 및 상기 제2챔버로 공급된 가스를 이용하여 상기 제2처리공정을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.A substrate processing method according to the present invention includes the steps of changing the direction of the gas so that the gas of the gas supply unit is supplied to the first chamber; performing the first processing process using the gas supplied to the first chamber; changing the direction of the gas so that the gas of the gas supply unit is supplied to the second chamber; and performing the second treatment process using the gas supplied to the second chamber.
본 발명에 따른 기판처리방법은 제1가스공급유닛의 제1가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경하는 단계; 상기 제1챔버에서 제1가스를 이용하여 상기 제1처리공정을 수행하는 단계; 상기 제1가스공급유닛의 제1가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경하고, 제2가스공급유닛의 제2가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경하는 단계; 및 상기 제1챔버에서 제2가스를 이용하여 상기 제1처리공정을 수행하고 상기 제2챔버에서 제1가스를 이용하여 상기 제2처리공정을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.A substrate processing method according to the present invention includes the steps of: changing the direction of the first gas so that the first gas of a first gas supply unit is supplied to the first chamber; performing the first treatment process using a first gas in the first chamber; The direction of the first gas is changed so that the first gas of the first gas supply unit is supplied to the second chamber, and the second gas of the second gas supply unit is supplied to the first chamber. changing direction; and performing the first processing process using the second gas in the first chamber and performing the second processing process using the first gas in the second chamber.
본 발명에 따른 기판처리방법은 기판에 대한 제1처리공정이 이루어지는 제1챔버, 기판에 대한 제2처리공정이 이루어지는 제2챔버, 제1가스를 공급하는 제1가스공급유닛, 제2가스를 공급하는 제2가스공급유닛, 및 제3가스를 공급하는 제3가스공급유닛을 갖는 기판처리장치를 이용하여 기판에 대한 처리공정을 수행할 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 제1가스공급유닛이 상기 제1챔버로 상기 제1가스를 공급하는 단계; 상기 제1가스공급유닛이 상기 제2챔버로 상기 제1가스를 공급하고, 상기 제3가스공급유닛이 상기 제1챔버로 상기 제3가스를 공급하는 단계; 상기 제2가스공급유닛이 상기 제1챔버로 상기 제2가스를 공급하고, 상기 제3가스공급유닛이 상기 제2챔버로 상기 제3가스를 공급하는 단계; 상기 제2가스공급유닛이 상기 제2챔버로 상기 제2가스를 공급하고, 상기 제3가스공급유닛이 상기 제1챔버로 상기 제3가스를 공급하는 단계; 및 상기 제3가스공급유닛이 상기 제2챔버로 상기 제3가스를 공급하는 단계를 포함할 수 있다.A substrate processing method according to the present invention comprises a first chamber in which a first processing process is performed on a substrate, a second chamber in which a second processing process is performed on a substrate, a first gas supply unit supplying a first gas, and a second gas. A processing process on the substrate may be performed using a substrate processing apparatus having a second gas supply unit supplying the second gas and a third gas supply unit supplying the third gas. The method for processing a substrate according to the present invention includes: supplying, by the first gas supply unit, the first gas to the first chamber; supplying the first gas to the second chamber by the first gas supply unit, and supplying the third gas to the first chamber by the third gas supply unit; supplying the second gas to the first chamber by the second gas supply unit, and supplying the third gas to the second chamber by the third gas supply unit; supplying the second gas to the second chamber by the second gas supply unit, and supplying the third gas to the first chamber by the third gas supply unit; and supplying, by the third gas supply unit, the third gas to the second chamber.
본 발명에 따르면, 다음과 같은 효과를 도모할 수 있다.According to the present invention, the following effects can be achieved.
본 발명은 제1챔버에서의 제1처리공정 및 제2챔버에서의 제2처리공정을 수행함에 있어서 가스공급부가 공용으로 사용되도록 구현된다. 따라서, 본 발명은 가스공급부를 구축하기 위한 구축비용과 가스공급부를 관리하기 위한 관리비용을 낮출 수 있다. 또한, 본 발명은 설치공간에서 가스공급부가 차지하는 면적을 줄일 수 있으므로, 해당 설치공간에 대한 공간활용도를 향상시키는데 기여할 수 있다.The present invention is implemented so that the gas supply unit is commonly used in performing the first processing process in the first chamber and the second processing process in the second chamber. Accordingly, the present invention can lower the construction cost for building the gas supply unit and the management cost for managing the gas supply unit. In addition, since the present invention can reduce the area occupied by the gas supply unit in the installation space, it can contribute to improving the space utilization for the installation space.
본 발명은 제1챔버와 제2챔버 각각에 공급되는 가스의 유량을 용이하면서도 정확하게 조절할 수 있도록 구현된다. 또한, 본 발명은 제1가스분사부와 제2가스분사부 각각이 충분한 분사압력으로 가스를 분사하도록 구현된다. 따라서, 본 발명은 충분한 유량과 분사압력으로 분사된 가스를 이용하여 제1처리공정과 제2처리공정이 완료된 기판들에 대한 품질을 향상시킬 수 있다.The present invention is implemented to easily and accurately control the flow rate of gas supplied to each of the first chamber and the second chamber. In addition, the present invention is implemented so that each of the first gas injection unit and the second gas injection unit injects gas with a sufficient injection pressure. Accordingly, according to the present invention, the quality of the substrates on which the first and second processing processes have been completed can be improved by using the gas injected with a sufficient flow rate and injection pressure.
도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치의 개략적인 구성도
도 2는 본 발명에 따른 기판처리장치에 대한 비교예를 나타낸 개략적인 블록도
도 3은 본 발명에 따른 기판처리장치의 개략적인 블록도
도 4 내지 도 7은 본 발명에 따른 기판처리방법의 개략적인 순서도
도 8은 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리방법의 개략적인 순서도1 is a schematic configuration diagram of a substrate processing apparatus according to the present invention;
2 is a schematic block diagram showing a comparative example of a substrate processing apparatus according to the present invention;
3 is a schematic block diagram of a substrate processing apparatus according to the present invention;
4 to 7 are schematic flowcharts of a substrate processing method according to the present invention.
8 is a schematic flowchart of a substrate processing method according to a modified embodiment of the present invention;
이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1을 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 기판에 대한 처리공정을 수행하는 것이다. 상기 기판은 유리기판, 실리콘기판, 메탈기판 등일 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판에 박막을 증착하는 증착공정, 상기 기판에 증착된 박막의 일부를 제거하는 식각공정 등을 수행할 수 있다. 이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치(1)가 상기 증착공정을 수행하는 실시예를 기준으로 설명하나, 이로부터 본 발명에 따른 기판처리장치(1)가 상기 식각공정 등과 같이 다른 처리공정을 수행하는 실시예를 도출하는 것은 본 발명이 속하는 기술분야에 속하는 당업자에게 자명할 것이다.Referring to FIG. 1 , the
본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 제1챔버(2), 제2챔버(3), 가스공급부(4), 및 경로변경부(5)를 포함할 수 있다.The
<제1챔버><First Chamber>
도 1을 참고하면, 상기 제1챔버(2)는 제1처리공간(20)을 제공하는 것이다. 상기 제1처리공간(20)에서는 상기 기판에 대한 증착공정, 식각공정 등과 같은 제1처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 제1처리공간(20)은 상기 제1챔버(2)의 내부에 배치될 수 있다. 상기 제1챔버(2)에는 상기 제1처리공간(20)으로부터 가스를 배기시키는 배기구(미도시)가 결합될 수 있다.Referring to FIG. 1 , the
상기 제1챔버(2)에는 제1가스분사부(21)가 설치될 수 있다.A first
상기 제1가스분사부(21)는 상기 제1챔버(2)의 내부에 가스를 분사하는 것이다. 상기 제1가스분사부(21)는 상기 가스공급부(4)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 제1가스분사부(21)는 상기 가스공급부(4)로부터 공급된 가스를 상기 제1챔버(2)의 내부에 분사할 수 있다.The first
상기 제1챔버(2)에는 제1지지부(22)가 설치될 수 있다.A
상기 제1지지부(22)는 상기 기판을 지지하는 것이다. 상기 제1지지부(22)는 하나의 기판을 지지할 수도 있고, 복수개의 기판을 지지할 수도 있다. 상기 제2지지부(32)에 복수개의 기판이 지지된 경우, 한번에 복수개의 기판에 대한 제1처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 제1지지부(22)는 상기 제1챔버(2)의 내부에 배치되도록 상기 제1챔버(2)에 결합될 수 있다.The
상기 제1지지부(22)는 상기 제1가스분사부(21)에 대해 대향되게 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1가스분사부(21)는 상기 가스공급부(4)로부터 공급된 가스를 상기 제1지지부(22)를 향해 분사할 수 있다. 상기 제1가스분사부(21)는 제1리드(2a)에 결합될 수도 있다. 상기 제1리드(2a)는 상기 제1챔버(2)의 내부에 배치될 수 있다.The
<제2챔버><Second Chamber>
도 1을 참고하면, 상기 제2챔버(3)는 제2처리공간(30)을 제공하는 것이다. 상기 제2처리공간(30)에서는 상기 기판에 대한 증착공정, 식각공정 등과 같은 제2처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 제2처리공정과 상기 제1처리공정은 서로 동일한 공정일 수 있다. 상기 제2처리공정과 상기 제1처리공정은 서로 다른 공정일 수도 있다. 상기 제2처리공간(30)은 상기 제2챔버(3)의 내부에 배치될 수 있다. 상기 제2챔버(3)에는 상기 제2처리공간(30)으로부터 가스를 배기시키는 배기구(미도시)가 결합될 수 있다.Referring to FIG. 1 , the
상기 제2챔버(3)에는 제2가스분사부(31)가 설치될 수 있다.A second
상기 제2가스분사부(31)는 상기 제2챔버(3)의 내부에 가스를 분사하는 것이다. 상기 제2가스분사부(31)는 상기 가스공급부(4)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 제2가스분사부(31)는 상기 가스공급부(4)로부터 공급된 가스를 상기 제2챔버(3)의 내부에 분사할 수 있다.The second
상기 제2챔버(3)에는 제2지지부(32)가 설치될 수 있다.A
상기 제2지지부(32)는 상기 기판을 지지하는 것이다. 상기 제1지지부(22)는 하나의 기판을 지지할 수도 있고, 복수개의 기판을 지지할 수도 있다. 상기 제2지지부(32)에 복수개의 기판이 지지된 경우, 한번에 복수개의 기판에 대한 제2처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 제2지지부(32)는 상기 제1챔버(2)의 내부에 배치되도록 상기 제1챔버(2)에 결합될 수 있다.The
상기 제2지지부(32)는 상기 제2가스분사부(31)에 대해 대향되게 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2가스분사부(31)는 상기 가스공급부(4)로부터 공급된 가스를 상기 제2지지부(32)를 향해 분사할 수 있다. 상기 제2가스분사부(31)는 제2리드(3a)에 결합될 수도 있다. 상기 제2리드(3a)는 상기 제2챔버(3)의 내부에 배치될 수 있다.The
<가스공급부><Gas supply part>
도 1을 참고하면, 상기 가스공급부(4)는 가스를 공급하는 것이다. 상기 가스는 상기 제1처리공정과 상기 제2처리공정에 사용되는 것이다. 예컨대, 상기 가스는 소스가스, 반응가스 등과 같은 공정가스, 공정가스를 퍼지하기 위한 퍼지가스 등일 수 있다. 상기 가스공급부(4)가 공급한 가스는 상기 경로변경부(5)로 공급된 후에, 상기 경로변경부(5)에 의해 상기 제1가스분사부(21)와 상기 제2가스분사부(31) 중에서 선택된 어느 하나로 공급될 수 있다. 상기 경로변경부(5)에 의해 상기 제1가스분사부(21)로 가스가 공급되면, 상기 제1가스분사부(21)가 상기 제1지지부(22)를 향해 가스를 분사함에 따라 상기 제1처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 경로변경부(5)에 의해 상기 제2가스분사부(31)로 가스가 공급되면, 상기 제2가스분사부(31)가 상기 제2지지부(32)를 향해 가스를 분사함에 따라 상기 제2처리공정이 이루어질 수 있다.Referring to FIG. 1 , the
이와 같이, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1챔버(2)에서의 상기 제1처리공정 및 상기 제2챔버(3)에서의 상기 제2처리공정을 수행함에 있어서 상기 가스공급부(4)가 공용으로 사용될 수 있다. 따라서, 상기 챔버들마다 개별적으로 가스공급부들을 구비하는 비교예와 대비할 때, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 가스공급부(4)를 구축하기 위한 구축비용과 상기 가스공급부(4)를 관리하기 위한 관리비용을 낮출 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 비교예와 대비할 때 설치공간에서 상기 가스공급부(4)가 차지하는 면적을 줄일 수 있으므로, 해당 설치공간에 대한 공간활용도를 향상시키는데 기여할 수 있다.As described above, in the
상기 가스공급부(4)가 2종류 이상의 가스를 공급하는 경우, 상기 가스공급부(4)는 가스를 저장하는 복수개의 저장탱크를 포함할 수 있다. 상기 가스공급부(4)는 상기 저장탱크들에 저장된 가스 중에서 기설정된 공정순서에 따라 선택된 가스를 공급할 수 있다. 이 경우, 상기 가스공급부(4)는 가스의 선택적 공급을 위한 복수개의 밸브(Valve)를 포함할 수 있다.When the
<경로변경부><Route Change Department>
도 1 및 도 2를 참고하면, 상기 경로변경부(5)는 상기 가스공급부(4)가 공급한 가스의 방향을 변경하는 것이다. 상기 경로변경부(5)가 상기 가스의 방향을 변경함에 따라, 상기 가스공급부(4)의 가스는 상기 제1가스분사부(21)와 상기 제2가스분사부(31)에 각각 공급될 수 있다. 이 경우, 상기 경로변경부(5)에 의해, 상기 가스공급부(4)의 가스는 상기 제1가스분사부(21)와 상기 제2가스분사부(31)에 교번적으로 공급될 수도 있다. 예컨대, 상기 제1가스분사부(21)에 상기 가스가 공급된 후에 상기 제2가스분사부(31)에 상기 가스가 공급되고, 다시 상기 제1가스분사부(21)에 상기 가스가 공급되는 순서로 상기 가스공급부(4)의 가스가 상기 제1가스분사부(21)와 상기 제2가스분사부(31)에 교번적으로 공급될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 다음과 같은 작용 효과를 도모할 수 있다.1 and 2 , the
첫째, 도 2에 도시된 바와 같이 상기 경로변경부(5) 없이 상기 가스공급부(4)가 상기 제1가스분사부(21)와 상기 제2가스분사부(31) 모두에 가스를 공급하는 비교예의 경우, 상기 가스공급부(4)의 가스는 상기 제1가스분사부(21)와 상기 제2가스분사부(31)로 나누어져 공급된다. 이에 따라, 비교예는 상기 제1가스분사부(21)에 공급되는 가스의 유량과 상기 제2가스분사부(31)에 공급되는 가스의 유량 각각을 정확하게 조절하기 어렵다.First, as shown in FIG. 2 , the
이와 달리, 실시예는 상기 경로변경부(5)를 이용하여 상기 가스공급부(4)의 가스가 상기 제1가스분사부(21)와 상기 제2가스분사부(31)에 각각 공급되므로, 상기 제1가스분사부(21)에 공급되는 가스의 유량과 상기 제2가스분사부(31)에 공급되는 가스의 유량 각각을 용이하면서도 정확하게 조절할 수 있다.Unlike this, in the embodiment, since the gas of the
둘째, 비교예는 상기 가스공급부(4)의 가스가 나누어져서 상기 제1가스분사부(21)를 통해 상기 제1챔버(2)에 공급됨과 아울러 상기 제2가스분사부(31)를 통해 상기 제2챔버(3)로 공급된다. 이에 따라, 비교예는 상기 제1가스분사부(21)가 분사하는 가스의 유량과 상기 제2가스분사부(31)가 분사하는 가스의 유량을 감소시키므로, 상기 제1가스분사부(21)가 분사하는 가스의 분사압력과 상기 제2가스분사부(31)가 분사하는 가스의 분사압력을 감소시킨다. 따라서, 비교예는 낮은 유량과 분사압력으로 분사된 가스로 인해 상기 제1처리공정과 상기 제2처리공정이 완료된 기판들에 대한 품질이 저하될 수 있다.Second, in the comparative example, the gas of the
이에 반해, 실시예는 상기 경로변경부(5)를 이용하여 상기 가스공급부(4)의 가스가 상기 제1가스분사부(21)와 상기 제2가스분사부(31)를 통해 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)로 교번적으로 공급되므로, 상기 제1가스분사부(21)와 상기 제2가스분사부(31) 각각이 충분한 분사압력으로 가스를 분사하도록 구현될 수 있다. 따라서, 실시예는 충분한 유량과 분사압력으로 분사된 가스를 이용하여 상기 제1처리공정과 상기 제2처리공정이 완료된 기판들에 대한 품질을 향상시킬 수 있다. 상기 경로변경부(5)는 삼방 밸브(3-Way Valve)를 이용하여 구현될 수 있다.In contrast, in the embodiment, the gas of the
<제어부><control unit>
도 1 내지 도 4를 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 제어부(6)를 포함할 수 있다.1 to 4 , the
상기 제어부(6)는 상기 경로변경부(5)를 제어하는 것이다. 상기 제어부(6)는 상기 경로변경부(5)를 제어함으로써, 상기 가스공급부(4)가 공급한 가스의 방향을 변경할 수 있다. 상기 제어부(6)는 상기 제1처리공정과 상기 제2처리공정 각각의 공정조건에 따라 기설정된 공정정보에 따라 상기 경로변경부(5)를 제어할 수 있다. 상기 공정정보는 상기 제1처리공정을 수행하기 위해 상기 제1가스분사부에 공급해야 하는 가스의 유량, 상기 제2처리공정을 수행하기 위해 상기 제2가스분사부에 공급해야 하는 가스의 유량, 상기 제1가스분사부와 상기 제2가스분사부 각각에 가스를 공급하는 시간 등으로, 작업자에 의해 미리 설정될 수 있다.The
여기서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 제1가스와 제2가스가 혼합된 혼합가스를 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급하도록 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 가스공급부(4)는 혼합가스를 공급할 수 있다. 상기 경로변경부(5)는 상기 혼합가스가 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급되도록 상기 혼합가스의 방향을 변경할 수 있다. 상기 제1가스는 소스가스이고, 상기 제2가스는 반응가스일 수 있다. 이 경우, 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각에서는 화학기상증착(CVD, Chemical Vapor Deposition)에 의한 처리공정이 이루어질 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 혼합가스를 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급한 후에, 퍼지가스를 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급할 수도 있다. 이에 따라, 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각에 상기 혼합가스가 분사된 이후에 상기 퍼지가스가 분사되는 공정이 반복적으로 이루어질 수 있다.Here, the
도 3을 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1가스와 상기 제2가스가 혼합되지 않은 상태로 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급되도록 구현될 수도 있다. 이 경우, 상기 가스공급부(4)와 상기 경로변경부(5)는 다음과 같이 구현될 수 있다.Referring to FIG. 3 , in the
상기 가스공급부(4)는 제1가스공급유닛(4a), 및 제2가스공급유닛(4b)을 포함할 수 있다. 상기 제1가스공급유닛(4a)은 상기 제1가스를 공급할 수 있다. 상기 제2가스공급유닛(4b)은 상기 제2가스를 공급할 수 있다. 상기 제1가스는 소스가스이고, 상기 제2가스는 반응가스일 수 있다.The
상기 경로변경부(5)는 제1변경유닛(5a), 및 제2변경유닛(5b)을 포함할 수 있다.The path change
상기 제1변경유닛(5a)은 상기 제1가스공급유닛(4a)의 제1가스가 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경할 수 있다. 상기 제1변경유닛(5a)은 상기 제1가스공급유닛(4a), 상기 제1챔버(2), 및 상기 제2챔버(3) 각각에 연결될 수 있다. 상기 제1변경유닛(5a)은 삼방 밸브(3-Way Valve)를 이용하여 구현될 수 있다. 상기 제1변경유닛(5a)은 상술한 상기 경로변경부(5)와 대략 일치하게 구현되므로, 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다.The first changing
상기 제2변경유닛(5b)은 상기 제2가스공급유닛(4b)의 제2가스가 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경할 수 있다. 상기 제2변경유닛(5b)은 상기 제2가스공급유닛(4b), 상기 제1챔버(2), 및 상기 제2챔버(3) 각각에 연결될 수 있다. 상기 제2변경유닛(5b)과 상기 제1변경유닛(5a)은 서로 독립적으로 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 연결될 수 있다. 상기 제2변경유닛(5b)은 삼방 밸브(3-Way Valve)를 이용하여 구현될 수 있다. 상기 제2변경유닛(5b)은 상술한 상기 경로변경부(5)와 대략 일치하게 구현되므로, 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다.The second changing
상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각에서 화학기상증착(CVD)에 의한 처리공정이 이루어지는 경우, 상기 제1변경유닛(5a)과 상기 제2변경유닛(5b)은 상기 제1가스와 상기 제2가스가 상기 제1챔버(2)에 공급되도록 상기 제1가스의 방향과 상기 제2가스의 방향을 변경할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1챔버(2)에서는 상기 제1가스와 상기 제2가스를 이용하여 화학기상증착(CVD)에 의한 제1처리공정이 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 제1변경유닛(5a)과 상기 제2변경유닛(5b)은 상기 제1가스와 상기 제2가스가 상기 제2챔버(3)에 공급되도록 상기 제1가스의 방향과 상기 제2가스의 방향을 변경할 수 있다. 이에 따라, 상기 제2챔버(3)에서는 상기 제1가스와 상기 제2가스를 이용하여 화학기상증착(CVD)에 의한 제2처리공정이 이루어질 수 있다.When a chemical vapor deposition (CVD) process is performed in each of the
상기 가스공급부(4)는 제3가스공급유닛(4c)을 포함할 수 있다. 상기 제3가스공급유닛(4c)은 퍼지가스를 공급하는 것이다.The
상기 제1챔버(2)에서의 제1처리공정과 상기 제2챔버(3)에서의 제2처리공정이 완료되면, 상기 제3가스공급유닛(4c)은 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각에 상기 퍼지가스를 공급할 수 있다. 상기 제3가스공급유닛(4c)은 상기 제1변경유닛(5a)과 상기 제2변경유닛(5b) 중에서 적어도 하나를 통해 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각에 상기 퍼지가스를 공급할 수도 있다. When the first processing process in the
상기 제3가스공급유닛(4c)이 상기 제1변경유닛(5a)을 통해 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각에 상기 퍼지가스를 공급하는 경우, 상기 제1변경유닛(5a)은 상기 퍼지가스가 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급되도록 상기 퍼지가스의 방향을 변경할 수 있다. 이 경우, 상기 제1변경유닛(5a)은 상기 제1가스의 방향과 상기 퍼지가스의 방향을 변경할 수 있도록 구현된다.When the third
상기 제3가스공급유닛(4c)이 상기 제2변경유닛(5b)을 통해 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각에 퍼지가스를 공급하는 경우, 상기 제2변경유닛(5b)은 상기 퍼지가스가 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급되도록 상기 퍼지가스의 방향을 변경할 수 있다. 이 경우, 상기 제2변경유닛(5b)은 상기 제2가스의 방향과 상기 퍼지가스의 방향을 변경할 수 있도록 구현된다.When the third
상기 제3가스공급유닛(4c)이 상기 제1변경유닛(5a)과 상기 제2변경유닛(5b) 모두를 통해 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각에 퍼지가스를 공급하는 경우, 상기 제1변경유닛(5a)과 상기 제2변경유닛(5b)은 각각 상기 퍼지가스가 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급되도록 상기 퍼지가스의 방향을 변경할 수 있다.The third
상기 경로변경부(5)는 제3변경유닛(5c)을 포함할 수 있다.The path change
상기 제3변경유닛(5c)은 상기 제3가스공급유닛(4c)의 퍼지가스가 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급되도록 상기 퍼지가스의 방향을 변경할 수 있다. 상기 제1챔버(2)에서의 제1처리공정이 완료되면, 상기 제3변경유닛(5c)은 상기 퍼지가스가 상기 제1챔버(2)에 공급되도록 상기 퍼지가스의 방향을 변경할 수 있다. 상기 제1챔버(2)에 상기 퍼지가스가 공급되는 동안, 상기 제2챔버(3)에서는 제2처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 제2챔버(3)에서의 제2처리공정이 완료되면, 상기 제3변경유닛(5c)은 상기 퍼지가스가 상기 제2챔버(3)에 공급되도록 상기 퍼지가스의 방향을 변경할 수 있다. 상기 제2챔버(3)에 상기 퍼지가스가 공급되는 동안, 상기 제1챔버(2)에서는 제1처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 제3변경유닛(5c)은 삼방 밸브(3-Way Valve)를 이용하여 구현될 수 있다. 상기 제3변경유닛(5c)은 상술한 상기 경로변경부(5)와 대략 일치하게 구현되므로, 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다.The third changing
상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각에서 원자층증착(ALD, Atomic Layer Deposition)에 의한 처리공정이 이루어지는 경우, 상기 제1변경유닛(5a)이 상기 제1가스의 방향을 변경하여 상기 제1가스를 상기 제1챔버(2)로 공급하는 동안, 상기 제2변경유닛(5b)은 상기 제2가스의 방향을 변경하여 제2가스를 상기 제2챔버(3)로 공급할 수 있다. 그리고, 상기 제1변경유닛(5a)이 상기 제1가스의 방향을 변경하여 상기 제1가스를 상기 제2챔버(3)로 공급하는 동안, 상기 제2변경유닛(5b)은 상기 제2가스의 방향을 변경하여 상기 제2가스를 상기 제1챔버(2)로 공급할 수 있다.When a processing process by atomic layer deposition (ALD) is performed in each of the
상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각에서 원자층증착(ALD)에 의한 처리공정이 이루어지고 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각에 상기 퍼지가스를 공급하는 경우, 상기 제1변경유닛(5a), 상기 제2변경유닛(5b), 및 상기 제3변경유닛(5c)은 다음과 같이 동작할 수 있다.A treatment process by atomic layer deposition (ALD) is performed in each of the
우선, 상기 제1변경유닛(5a)이 상기 제1가스의 방향을 변경하여 상기 제1가스를 상기 제1챔버(2)로 공급하는 동안, 상기 제2변경유닛(5b)은 상기 제2가스의 방향을 변경하여 상기 제2가스를 상기 제2챔버(3)로 공급할 수 있다.First, while the first changing
다음, 상기 제1변경유닛(5a), 상기 제2변경유닛(5b), 및 상기 제3변경유닛(5c) 중에서 적어도 하나가 상기 퍼지가스의 방향을 변경하여 퍼지가스를 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급할 수 있다.Next, at least one of the first changing
다음, 상기 제1변경유닛(5a)이 상기 제1가스의 방향을 변경하여 상기 제1가스를 상기 제2챔버(3)로 공급하는 동안, 상기 제2변경유닛(5b)은 상기 제2가스의 방향을 변경하여 상기 제2가스를 상기 제1챔버(2)로 공급할 수 있다.Next, while the first changing
다음, 상기 제1변경유닛(5a), 상기 제2변경유닛(5b), 및 상기 제3변경유닛(5c) 중에서 적어도 하나가 상기 퍼지가스의 방향을 변경하여 상기 퍼지가스를 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급할 수 있다.Next, at least one of the first changing
이에 따라, 상기 제1챔버(2)에서는 원자층증착(ALD)에 의한 제1처리공정이 이루어지고, 상기 제2챔버(3)에서는 원자층증착(ALD)에 의한 제2처리공정이 이루어질 수 있다.Accordingly, in the
이하에서는 본 발명에 따른 기판처리방법의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an embodiment of a substrate processing method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1 내지 도 4를 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리방법은 기판에 대한 제1처리공정이 이루어지는 제1챔버(2)와 기판에 대한 제2처리공정이 이루어지는 제2챔버(3)를 갖는 기판처리장치(1)를 이용하여 기판에 대한 처리공정을 수행하는 것이다. 본 발명에 따른 기판처리방법은 상술한 본 발명에 따른 기판처리장치(1)를 통해 수행될 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리방법은 다음과 같은 단계들을 포함할 수 있다.1 to 4 , the substrate processing method according to the present invention includes a
우선, 가스가 제1챔버(2)로 공급되도록 가스의 방향을 변경한다(S10). 이러한 단계(S10)는 상기 가스공급부(4)의 가스가 상기 제1챔버(2)로 공급되도록 상기 경로변경부(5)가 상기 가스의 방향을 변경함으로써, 상기 가스를 상기 제1챔버(2)로 공급할 수 있다. 상기 경로변경부(5)는 상기 제어부(6)의 제어에 따라 상기 가스의 방향을 변경할 수 있다.First, the direction of the gas is changed so that the gas is supplied to the first chamber 2 (S10). In this step (S10), the
다음, 제1챔버(2)에서 제1처리공정을 수행한다(S20). 이러한 단계(S20)는 상기 제1가스분사부(21)가 상기 가스공급부(4)와 상기 경로변경부(5)로부터 공급된 가스를 상기 제1지지부(22)에 지지된 기판을 향해 분사함으로써 이루어질 수 있다.Next, a first processing process is performed in the first chamber 2 (S20). In this step (S20), the first
다음, 가스가 제2챔버(3)로 공급되도록 가스의 방향을 변경한다(S30). 이러한 단계(S30)는 상기 가스공급부(4)의 가스가 상기 제2챔버(3)로 공급되도록 상기 경로변경부(5)가 상기 가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다. 상기 경로변경부(5)는 상기 제어부(6)의 제어에 따라 상기 가스의 방향을 변경함으로써, 상기 가스를 상기 제2챔버(3)로 공급할 수 있다.Next, the direction of the gas is changed so that the gas is supplied to the second chamber 3 (S30). This step ( S30 ) may be performed by the
다음, 제2챔버(3)에서 제2처리공정을 수행한다(S40). 이러한 단계(S40)는 상기 제2가스분사부(31)가 상기 가스공급부(4)와 상기 경로변경부(5)로부터 공급된 가스를 상기 제2지지부(32)에 지지된 기판을 향해 분사함으로써 이루어질 수 있다.Next, a second processing process is performed in the second chamber 3 (S40). In this step (S40), the second
상술한 바와 같은 단계들을 반복적으로 수행햄으로써, 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 제1챔버(2)에서 상기 제1처리공정이 이루어짐과 아울러 상기 제2챔버(3)에서 상기 제2처리공정이 이루어지도록 구현될 수 있다.By repeatedly performing the above steps, in the substrate processing method according to the present invention, the first processing process is performed in the
여기서, 상기 가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계(S10) 및 상기 가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계(S30)는 교번적으로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 가스공급부(4)의 가스를 상기 제1챔버(2)로 공급하는 작업과 상기 가스공급부(4)의 가스를 상기 제2챔버(3)로 공급하는 작업이 교번적으로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 제1챔버(2)에 공급되는 가스의 유량과 상기 제2챔버(3)에 공급되는 가스의 유량 각각을 용이하면서도 정확하게 조절할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각에 충분한 분사압력으로 가스를 분사하도록 구현되므로, 충분한 유량과 분사압력으로 분사된 가스를 이용하여 상기 제1처리공정과 상기 제2처리공정이 완료된 기판들에 대한 품질을 향상시킬 수 있다.Here, the step of changing the direction of the gas so that the gas is supplied to the first chamber (S10) and the step of changing the direction of the gas so that the gas is supplied to the second chamber (S30) are alternately performed. can Accordingly, the operation of supplying the gas of the
여기서, 상기 가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계(S10)는 상기 제2챔버(3)로의 가스 공급을 차단시키면서 상기 가스를 상기 제1챔버(2)로 공급함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 가스공급부(4)의 가스 공급량을 기준으로 하여 상기 제1가스분사부(21)가 분사하는 가스의 유량과 분사압력을 높일 수 있으므로, 상기 제1처리공정이 완료된 기판들에 대한 품질을 더 향상시킬 수 있다. 상기 가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계(S10)는 상기 가스의 전부를 상기 제1챔버(2)로 공급함으로써 이루어질 수 있다.Here, the step of changing the direction of the gas so that the gas is supplied to the first chamber (S10) is by supplying the gas to the
여기서, 상기 가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계(S30)는 상기 제1챔버(2)로의 가스 공급을 차단시키면서 상기 가스를 상기 제2챔버(3)로 공급함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 가스공급부(4)의 가스 공급량을 기준으로 하여 상기 제2가스분사부(31)가 분사하는 가스의 유량과 분사압력을 높일 수 있으므로, 상기 제2처리공정이 완료된 기판들에 대한 품질을 더 향상시킬 수 있다. 상기 가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계(S30)는 상기 가스의 전부를 상기 제2챔버(3)로 공급함으로써 이루어질 수 있다.Here, the step of changing the direction of the gas so that the gas is supplied to the second chamber (S30) is by supplying the gas to the
여기서, 본 발명에 따른 기판처리방법은 제1가스와 제2가스가 혼합된 혼합가스를 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급하도록 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계(S10)는, 상기 혼합가스가 상기 제1챔버(2)로 공급되도록 상기 혼합가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 제1챔버에서 제1처리공정을 수행하는 단계(S20)는, 상기 제1챔버(2)에 분사된 혼합가스를 이용하여 화학기상증착에 의한 제1처리공정을 수행함으로써 이루어질 수 있다. 상기 가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계(S30)는, 상기 혼합가스가 상기 제2챔버(3)로 공급되도록 상기 혼합가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 제2챔버에서 제2처리공정을 수행하는 단계(S40)는, 상기 제2챔버(3)에 분사된 혼합가스를 이용하여 화학기상증착에 의한 제2처리공정을 수행함으로써 이루어질 수 있다.Here, the substrate processing method according to the present invention may be implemented to supply a mixed gas in which the first gas and the second gas are mixed to the
도 1 내지 도 5를 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 제1가스와 상기 제2가스가 혼합되지 않은 상태로 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급하도록 구현됨으로써, 화학기상증착(CVD)에 의한 처리공정이 수행되도록 구현될 수 있다. 이 경우, 본 발명에 따른 기판처리방법은 다음과 같이 구현될 수 있다.1 to 5 , in the substrate processing method according to the present invention, the first gas and the second gas are respectively supplied to the
우선, 상기 가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계(S10)는, 상기 제1가스와 상기 제2가스가 상기 제1챔버(2)로 공급되도록 상기 제1가스의 방향과 상기 제2가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다. 이는 상기 제1가스가 상기 제1챔버(2)로 공급되도록 상기 제1변경유닛(5a)이 상기 제1가스의 방향을 변경함과 아울러 상기 제2가스가 상기 제1챔버(2)로 공급되도록 상기 제2변경유닛(5b)이 상기 제2가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 제1챔버에서 제1처리공정을 수행하는 단계(S20)는, 상기 제1챔버(2)에서 상기 제1가스와 상기 제2가스를 이용하여 화학기상증착(CVD)에 의한 제1처리공정을 수행함으로써 이루어질 수 있다.First, the step (S10) of changing the direction of the gas so that the gas is supplied to the first chamber is performed in such a way that the first gas and the second gas are supplied to the
다음, 상기 가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계(S30)는, 상기 제1가스와 상기 제2가스가 상기 제2챔버(3)로 공급되도록 상기 제1가스의 방향과 상기 제2가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다. 이는 상기 제1가스가 상기 제2챔버(3)로 공급되도록 상기 제1변경유닛(5a)이 상기 제1가스의 방향을 변경함과 아울러 상기 제2가스가 상기 제2챔버(3)로 공급되도록 상기 제2변경유닛(5b)이 상기 제2가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 제2챔버에서 제2처리공정을 수행하는 단계(S40)는, 상기 제2챔버(3)에서 상기 제1가스와 상기 제2가스를 이용하여 화학기상증착(CVD)에 의한 제2처리공정을 수행함으로써 이루어질 수 있다.Next, in the step of changing the direction of the gas so that the gas is supplied to the second chamber (S30), the first gas and the second gas are supplied to the
여기서, 본 발명에 따른 기판처리방법은 퍼지가스를 제1챔버로 공급하는 단계(S50), 및 퍼지가스를 제2챔버로 공급하는 단계(S60)를 포함할 수 있다.Here, the substrate processing method according to the present invention may include supplying a purge gas to the first chamber (S50) and supplying the purge gas to the second chamber (S60).
상기 퍼지가스를 제1챔버로 공급하는 단계(S50)는 상기 제1챔버에서 제1처리공정을 수행하는 단계(S20)가 이루어진 이후에 수행될 수 있다. 상기 퍼지가스를 제1챔버로 공급하는 단계(S50)는 상기 제3가스공급유닛(4c)의 퍼지가스가 상기 제1챔버(2)에 공급되도록 상기 제3변경유닛(5c)이 상기 퍼지가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다. 상기 퍼지가스를 제1챔버로 공급하는 단계(S50)는, 상기 가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계(S30)와 상기 제2챔버에서 제2처리공정을 수행하는 단계(S40)가 이루어지는 동안 수행될 수도 있다.The step (S50) of supplying the purge gas to the first chamber may be performed after the step (S20) of performing the first processing process in the first chamber. In the step of supplying the purge gas to the first chamber (S50), the third changing
상기 퍼지가스를 제2챔버로 공급하는 단계(S60)는 상기 제2챔버에서 제2처리공정을 수행하는 단계(S40)가 이루어진 이후에 수행될 수 있다. 상기 퍼지가스를 제2챔버로 공급하는 단계(S60)는 상기 제3가스공급유닛(4c)의 퍼지가스가 상기 제2챔버(3)에 공급되도록 상기 제3변경유닛(5c)이 상기 퍼지가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다. 상기 퍼지가스를 제2챔버로 공급하는 단계(S60)는 상기 가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계(S10)와 상기 제1챔버에서 제1처리공정을 수행하는 단계(S20)가 이루어지는 동안 수행될 수도 있다.The step of supplying the purge gas to the second chamber (S60) may be performed after the step (S40) of performing the second treatment process in the second chamber. In the step of supplying the purge gas to the second chamber (S60), the third changing
도 1 내지 도 6을 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 제1가스와 상기 제2가스가 혼합되지 않은 상태로 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 각각 공급되도록 구현됨으로써, 원자층증착(ALD)에 의한 처리공정이 수행되도록 구현될 수도 있다. 예컨대, 본 발명에 따른 기판처리방법은 상기 제1가스를 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 교번적으로 공급하고, 상기 제2가스를 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 교번적으로 공급하도록 구현될 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리방법은 다음과 같이 구현될 수 있다.1 to 6 , in the substrate processing method according to the present invention, the first gas and the second gas are respectively supplied to the
우선, 상기 가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계(S10)는 제1가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경하는 단계(S11)를 포함할 수 있다.First, changing the direction of the gas so that the gas is supplied to the first chamber (S10) includes changing the direction of the first gas so that the first gas is supplied to the first chamber (S11) can do.
상기 제1가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경하는 단계(S11)는 상기 제1가스가 상기 제1챔버(2)로 공급되도록 상기 제1변경유닛(5a)이 상기 제1가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 제1챔버(2)에서 제1가스를 이용한 제1처리공정이 이루어질 수 있다(S21). 상기 제1가스가 소스가스인 경우, 상기 제1챔버(2)에서는 상기 제1처리공정 중에서 기판에 소스가스를 흡착시키는 흡착공정이 이루어질 수 있다.The step (S11) of changing the direction of the first gas so that the first gas is supplied to the first chamber is performed by the first changing
다음, 상기 가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계(S30)는 상기 제1가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경하는 단계(S31), 및 상기 제2가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경하는 단계(S32)를 포함할 수 있다.Next, changing the direction of the gas so that the gas is supplied to the second chamber (S30) includes changing the direction of the first gas so that the first gas is supplied to the second chamber (S31); and changing the direction of the second gas so that the second gas is supplied to the first chamber (S32).
상기 제1가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경하는 단계(S31)는 상기 제1가스가 상기 제2챔버(3)로 공급되도록 상기 제1변경유닛(5a)이 상기 제1가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 제2챔버(3)에서 제1가스를 이용한 제2처리공정이 이루어질 수 있다(S41). 상기 제1가스가 소스가스인 경우, 상기 제2챔버(3)에서는 상기 제2처리공정 중에서 기판에 소스가스를 흡착시키는 흡착공정이 이루어질 수 있다.The step (S31) of changing the direction of the first gas so that the first gas is supplied to the second chamber is performed by the first changing
상기 제2가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경하는 단계(S32)는 상기 제2가스가 상기 제1챔버(2)로 공급되도록 상기 제2변경유닛(5b)이 상기 제2가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 제1챔버(2)에서 제2가스를 이용한 제1처리공정이 이루어질 수 있다(S42). 상기 제2가스가 반응가스인 경우, 상기 제1챔버(2)에서는 상기 제1처리공정 중에서 기판 상에 흡착된 소스가스와 반응가스가 반응하여 박막이 증착되는 증착공정이 이루어질 수 있다.Changing the direction of the second gas so that the second gas is supplied to the first chamber (S32) is performed by the second changing
상기 제2가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경하는 단계(S32) 및 상기 제1가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경하는 단계(S31)는 동시에 이루어질 수도 있다. 여기서, 동시에 이루어진다는 것은 시작시점과 종료시점 각각이 정확하게 동일한 경우뿐만 아니라 소정 범위 내에서 시작시점과 종료시점 각각이 차이가 있는 경우도 포함되는 것이다.Changing the direction of the second gas so that the second gas is supplied to the first chamber (S32) and changing the direction of the first gas so that the first gas is supplied to the second chamber (S31) ) can be done simultaneously. Here, the simultaneous occurrence includes not only the case where each of the start time and the end time is exactly the same, but also the case where each of the start time and the end time is different within a predetermined range.
여기서, 상기 가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계(S10)는, 제2가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경하는 단계(S12)를 포함할 수 있다.Here, the step of changing the direction of the gas so that the gas is supplied to the first chamber (S10) includes the step of changing the direction of the second gas so that the second gas is supplied to the second chamber (S12). may include
상기 제2가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경하는 단계(S12)는 상기 제2가스가 상기 제2챔버(3)로 공급되도록 상기 제2변경유닛(5b)이 상기 제2가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 제2챔버(3)에서 제2가스를 이용한 제2처리공정이 이루어질 수 있다(S22). 상기 제2가스가 반응가스인 경우, 상기 제2챔버(3)에서는 상기 제2처리공정 중에서 기판 상에 흡착된 소스가스와 반응가스가 반응하여 박막이 증착되는 증착공정이 이루어질 수 있다.The step (S12) of changing the direction of the second gas so that the second gas is supplied to the second chamber is performed by the second changing
상기 제2가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경하는 단계(S12) 및 상기 제1가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경하는 단계(S11)는 동시에 이루어질 수도 있다. 여기서, 동시에 이루어진다는 것은 시작시점과 종료시점 각각이 정확하게 동일한 경우뿐만 아니라 소정 범위 내에서 시작시점과 종료시점 각각이 차이가 있는 경우도 포함되는 것이다.Changing the direction of the second gas so that the second gas is supplied to the second chamber (S12) and changing the direction of the first gas so that the first gas is supplied to the first chamber (S11) ) can be done simultaneously. Here, the simultaneous occurrence includes not only the case where each of the start time and the end time is exactly the same, but also the case where each of the start time and the end time is different within a predetermined range.
한편, 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각에 기판이 로딩된 공정 초기에는, 상기 제1가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경하는 단계(S11)만 수행되고, 상기 제2가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경하는 단계(S12)가 수행되지 않을 수 있다. 상기 제1가스로 먼저 상기 기판에 대한 처리공정을 수행한 후에, 상기 제2가스로 상기 기판에 대한 처리공정을 수행하기 위함이다.Meanwhile, at the initial stage of the process in which the substrates are loaded into the
여기서, 상기 퍼지가스를 제1챔버로 공급하는 단계(S50), 및 상기 퍼지가스를 제2챔버로 공급하는 단계(S60)는 다음과 같이 구현될 수 있다. Here, the step of supplying the purge gas to the first chamber (S50) and the step of supplying the purge gas to the second chamber (S60) may be implemented as follows.
상기 퍼지가스를 제1챔버로 공급하는 단계(S50)는 상기 제1챔버에서 제1가스를 이용하여 상기 제1처리공정을 수행하는 단계(S21)와 상기 제2챔버에서 제2가스를 이용하여 상기 제2처리공정을 수행하는 단계(S22)가 이루어진 이후에 수행될 수 있다. 상기 퍼지가스를 제1챔버로 공급하는 단계(S50)는 퍼지가스가 제1챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S51), 및 퍼지가스가 제2챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S52)를 포함할 수 있다.The step of supplying the purge gas to the first chamber (S50) includes performing the first processing process using the first gas in the first chamber (S21) and the second chamber using the second gas. It may be performed after the step (S22) of performing the second treatment process is performed. In the step of supplying the purge gas to the first chamber (S50), the direction of the purge gas is changed so that the purge gas is supplied to the first chamber (S51), and the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the second chamber (S51). It may include a step (S52) of changing the .
상기 퍼지가스가 제1챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S51)는 상기 제3가스공급유닛(4c)의 퍼지가스가 상기 제1챔버(2)로 공급되도록 상기 제3변경유닛(5c)이 상기 퍼지가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다.Changing the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the first chamber (S51) includes the third changing unit so that the purge gas of the third
상기 퍼지가스가 제2챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S52)는 상기 제3가스공급유닛(4c)의 퍼지가스가 상기 제2챔버(3)로 공급되도록 상기 제3변경유닛(5c)이 상기 퍼지가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다.Changing the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the second chamber (S52) includes the third changing unit so that the purge gas of the third
상기 퍼지가스가 제2챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S52)는 상기 퍼지가스가 제1챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S51)가 수행된 이후에 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 퍼지가스를 제1챔버로 공급하는 단계(S50)는 상기 퍼지가스가 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 교번적으로 공급되도록 상기 퍼지가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다. 한편, 상기 퍼지가스가 제2챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S52)가 수행된 이후에 상기 퍼지가스가 제1챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S51)가 이루어질 수도 있다. 상기 퍼지가스가 제2챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S52) 및 상기 퍼지가스가 제1챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S51)는 동시에 이루어질 수도 있다.The step of changing the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the second chamber (S52) may be performed after the step of changing the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the first chamber (S51) is performed. there is. Accordingly, in the step of supplying the purge gas to the first chamber ( S50 ), the direction of the purge gas is changed so that the purge gas is alternately supplied to the
상기 퍼지가스를 제2챔버로 공급하는 단계(S60)는 상기 제1가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경하는 단계(S31)와 상기 제2가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경하는 단계(S32)가 이루어진 이후에 수행될 수 있다. 상기 퍼지가스를 제2챔버로 공급하는 단계(S60)는 퍼지가스가 제1챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S61), 및 퍼지가스가 제2챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S62)를 포함할 수 있다.The step of supplying the purge gas to the second chamber (S60) includes changing the direction of the first gas so that the first gas is supplied to the second chamber (S31) and the second gas is supplied to the first chamber It can be performed after the step (S32) of changing the direction of the second gas to be supplied to the The supplying of the purge gas to the second chamber (S60) includes changing the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the first chamber (S61), and the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the second chamber. It may include a step (S62) of changing the .
상기 퍼지가스가 제1챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S61)는 상기 제3가스공급유닛(4c)의 퍼지가스가 상기 제1챔버(2)로 공급되도록 상기 제3변경유닛(5c)이 상기 퍼지가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다.Changing the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the first chamber (S61) includes the third changing unit so that the purge gas of the third
상기 퍼지가스가 제2챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S62)는 상기 제3가스공급유닛(4c)의 퍼지가스가 상기 제2챔버(3)로 공급되도록 상기 제3변경유닛(5c)이 상기 퍼지가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다.The step of changing the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the second chamber (S62) is performed by the third changing unit so that the purge gas of the third
상기 퍼지가스가 제2챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S62)는 상기 퍼지가스가 제1챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S61)가 수행된 이후에 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 퍼지가스를 제2챔버로 공급하는 단계(S60)는 상기 퍼지가스가 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3)에 교번적으로 공급되도록 상기 퍼지가스의 방향을 변경함으로써 이루어질 수 있다. 한편, 상기 퍼지가스가 제2챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S62)가 수행된 이후에 상기 퍼지가스가 제1챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S61)가 이루어질 수도 있다. 상기 퍼지가스가 제2챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S62) 및 상기 퍼지가스가 제1챔버로 공급되도록 퍼지가스의 방향을 변경하는 단계(S61)는 동시에 이루어질 수도 있다.Changing the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the second chamber (S62) may be performed after the step (S61) of changing the direction of the purge gas so that the purge gas is supplied to the first chamber is performed. there is. Accordingly, in the step of supplying the purge gas to the second chamber ( S60 ), the direction of the purge gas is changed so that the purge gas is alternately supplied to the
도 1, 도 3, 및 도 8을 참고하면, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리방법은 기판에 대한 처리공정을 수행하는 것이다. 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리방법은 상술한 본 발명에 따른 기판처리장치(1)를 통해 수행될 수 있다. 본 발명의 변형된 실시예에 따른 기판처리방법은 다음과 같은 단계들을 포함할 수 있다.1, 3, and 8, the substrate processing method according to a modified embodiment of the present invention is to perform a processing process on the substrate. The substrate processing method according to the modified embodiment of the present invention may be performed by the above-described
우선, 상기 제1챔버(2)로 상기 제1가스를 공급한다(S100). 이러한 단계(S100)는 상기 제1가스공급유닛(4a)의 제1가스가 상기 제1챔버(2)로 공급됨으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 제1변경유닛(5a)은 상기 제1가스공급유닛(4a)의 제1가스가 상기 제1챔버(2)로 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경할 수 있다. 상기 제1가스는 소스가스일 수 있다. 이에 따라, 상기 제1챔버(2)에서는 상기 소스가스를 이용한 흡착공정이 이루어질 수 있다.First, the first gas is supplied to the first chamber 2 (S100). This step (S100) may be accomplished by supplying the first gas of the first
다음, 상기 제2챔버(3)로 상기 제1가스를 공급하고, 상기 제1챔버(2)로 제3가스를 공급한다(S200). 이러한 단계(S200)는 상기 제1가스공급유닛(4a)이 상기 제2챔버(3)로 상기 제1가스를 공급하고, 상기 제3가스공급유닛(4c)이 상기 제1챔버(2)로 상기 제3가스를 공급함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 제1변경유닛(5a)은 상기 제1가스공급유닛(4a)의 제1가스가 상기 제2챔버(3)로 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경할 수 있다. 상기 제3변경유닛(5c)은 상기 제3가스공급유닛(4c)의 제3가스가 상기 제1챔버(2)로 공급되도록 상기 제3가스의 방향을 변경할 수 있다. 상기 제3가스는 퍼지가스일 수 있다. 이에 따라, 상기 제2챔버(3)에서는 상기 소스가스를 이용한 흡착공정이 이루어지고, 상기 제1챔버(2)에서는 상기 제1가스를 퍼지하는 퍼지공정이 이루어질 수 있다.Next, the first gas is supplied to the
다음, 상기 제1챔버(2)로 상기 제2가스를 공급하고, 상기 제2챔버(3)로 상기 제3가스를 공급한다(S300). 이러한 단계(S300)는 상기 제2가스공급유닛(4b)이 상기 제1챔버(2)로 상기 제2가스를 공급하고, 상기 제3가스공급유닛(4c)이 상기 제2챔버(3)로 상기 제3가스를 공급함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 제2변경유닛(5b)은 상기 제2가스공급유닛(4b)의 제2가스가 상기 제1챔버(2)로 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경할 수 있다. 상기 제3변경유닛(5c)은 상기 제3가스공급유닛(4c)의 제3가스가 상기 제2챔버(3)로 공급되도록 상기 제3가스의 방향을 변경할 수 있다. 상기 제2가스는 반응가스일 수 있다. 이에 따라, 상기 제1챔버(2)에서는 상기 반응가스를 이용한 증착공정이 이루어지고, 상기 제2챔버(3)에서는 상기 제1가스를 퍼지하는 퍼지공정이 이루어질 수 있다.Next, the second gas is supplied to the
다음, 상기 제2챔버(3)로 상기 제2가스를 공급하고, 상기 제1챔버(2)로 상기 제3가스를 공급한다(S400). 이러한 단계(S400)는 상기 제2가스공급유닛(4b)이 상기 제2챔버(3)로 상기 제2가스를 공급하고, 상기 제3가스공급유닛(4c)이 상기 제1챔버(2)로 상기 제3가스를 공급함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 제2변경유닛(5b)은 상기 제2가스공급유닛(4b)의 제2가스가 상기 제2챔버(3)로 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경할 수 있다. 상기 제3변경유닛(5c)은 상기 제3가스공급유닛(4c)의 제3가스가 상기 제1챔버(2)로 공급되도록 상기 제3가스의 방향을 변경할 수 있다. 이에 따라, 상기 제2챔버(3)에서는 상기 반응가스를 이용한 증착공정이 이루어지고, 상기 제1챔버(2)에서는 상기 제2가스를 퍼지하는 퍼지공정이 이루어질 수 있다.Next, the second gas is supplied to the
다음, 상기 제2챔버(3)로 상기 제3가스를 공급한다(S500). 이러한 단계(S500)는 상기 제3가스공급유닛(4c)이 상기 제2챔버(3)로 상기 제3가스를 공급함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 제3변경유닛(5c)은 상기 제3가스공급유닛(4c)의 제3가스가 상기 제2챔버(3)로 공급되도록 상기 제3가스의 방향을 변경할 수 있다. 이에 따라, 상기 제2챔버(3)에서는 상기 제2가스를 퍼지하는 퍼지공정이 이루어질 수 있다.Next, the third gas is supplied to the second chamber 3 (S500). This step ( S500 ) may be accomplished by the third gas supply unit ( 4c ) supplying the third gas to the second chamber ( 3 ). In this case, the third changing
한편, 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각에 기판이 로딩된 직후에 해당하는 공정 초기에는, 상기 제1챔버로 상기 제1가스를 공급하는 단계(S100)만 수행되고, 상기 제2챔버(3)에는 가스가 공급되지 않을 수 있다. 그리고, 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각으로부터 기판이 언로딩되기 직전에 해당하는 공정 말기에는, 상기 제2챔버로 상기 제3가스를 공급하는 단계(S500)만 수행되고, 상기 제1챔버(2)에는 가스가 공급되지 않을 수 있다. 또한, 상기 공정 초기와 상기 공정 말기 사이의 공정 중기에는, 상기 제2챔버로 상기 제3가스를 공급하는 단계(S500)가 이루어지는 동안 상기 제1챔버로 상기 제1가스를 공급하는 단계(S100)가 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 제1챔버(2)와 상기 제2챔버(3) 각각에 위치한 기판에 대해 제1가스, 제3가스, 제2가스, 및 제3가스가 순차적으로 분사되는 사이클이 반복적으로 수행될 수 있다.On the other hand, at the initial stage of the process immediately after the substrate is loaded into each of the
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and it is common in the technical field to which the present invention pertains that various substitutions, modifications and changes are possible within the scope without departing from the technical spirit of the present invention. It will be clear to those who have the knowledge of
1 : 기판처리장치
2 : 제1챔버
2a: 제1리드
20 : 제1처리공간
21 : 제1가스분사부
22 : 제1지지부
3: 제2챔버
3a : 제2리드
30 : 제2처리공간
31 : 제2가스분사부
32 : 제2지지부
4 : 가스공급부
5 : 경로변경부
6 : 제어부1: substrate processing apparatus 2: first chamber
2a: first lead 20: first processing space
21: first gas injection part 22: first support part
3:
30: second processing space 31: second gas injection unit
32: second support part 4: gas supply part
5: route change unit 6: control unit
Claims (15)
기판에 대한 제2처리공정이 이루어지는 제2챔버;
상기 제1챔버에 가스를 분사하는 제1가스분사부;
상기 제2챔버에 가스를 분사하는 제2가스분사부;
가스를 공급하는 가스공급부; 및
상기 가스공급부의 가스가 상기 제1가스분사부와 상기 제2가스분사부에 각각 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 경로변경부를 포함하는 기판처리장치.a first chamber in which a first processing process for the substrate is performed;
a second chamber in which a second processing process for the substrate is performed;
a first gas injection unit for injecting gas into the first chamber;
a second gas injection unit for injecting gas into the second chamber;
a gas supply unit for supplying gas; and
and a path change unit configured to change a direction of the gas so that the gas of the gas supply unit is supplied to the first gas injection unit and the second gas injection unit, respectively.
상기 경로변경부는 상기 가스의 방향을 변경하여 상기 가스를 상기 제1가스분사부로 공급하고, 상기 가스의 방향을 변경하여 상기 가스를 상기 제2가스분사부로 공급하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 1,
The path change unit changes the direction of the gas to supply the gas to the first gas injection unit, and changes the direction of the gas to supply the gas to the second gas injection unit.
상기 가스공급부는 제1가스를 공급하는 제1가스공급유닛, 및 제2가스를 공급하는 제2가스공급유닛을 포함하고,
상기 경로변경부는 상기 제1가스공급유닛의 제1가스가 상기 제1가스분사부와 상기 제2가스분사부에 각각 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경하는 제1변경유닛, 및 상기 제2가스공급유닛의 제2가스가 상기 제1가스분사부와 상기 제2가스분사부에 각각 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경하는 제2변경유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 1,
The gas supply unit includes a first gas supply unit for supplying a first gas, and a second gas supply unit for supplying a second gas,
The path change unit is a first change unit for changing the direction of the first gas so that the first gas of the first gas supply unit is supplied to the first gas injection unit and the second gas injection unit, respectively, and the second and a second changing unit configured to change the direction of the second gas so that the second gas of the gas supply unit is supplied to the first gas injection unit and the second gas injection unit, respectively.
상기 가스공급부는 퍼지가스를 공급하는 제3가스공급유닛을 포함하고,
상기 경로변경부는 상기 제3가스공급유닛의 퍼지가스가 상기 제1가스분사부와 상기 제2가스분사부에 각각 공급되도록 상기 퍼지가스의 방향을 변경하는 제3변경유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.4. The method of claim 3,
The gas supply unit includes a third gas supply unit for supplying a purge gas,
The path changing unit comprises a third changing unit for changing the direction of the purge gas so that the purge gas of the third gas supply unit is supplied to the first gas injection unit and the second gas injection unit, respectively. Substrate processing equipment.
상기 가스공급부는 퍼지가스를 공급하는 제3가스공급유닛을 포함하고,
상기 제1변경유닛은 상기 제1가스의 방향과 상기 퍼지가스의 방향을 변경하며,
상기 제2변경유닛은 상기 제2가스의 방향과 상기 퍼지가스의 방향을 변경하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.4. The method of claim 3,
The gas supply unit includes a third gas supply unit for supplying a purge gas,
The first changing unit changes the direction of the first gas and the direction of the purge gas,
and the second changing unit changes the direction of the second gas and the direction of the purge gas.
가스공급부의 가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계;
상기 제1챔버로 공급된 가스를 이용하여 상기 제1처리공정을 수행하는 단계;
상기 가스공급부의 가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계; 및
상기 제2챔버로 공급된 가스를 이용하여 상기 제2처리공정을 수행하는 단계를 포함하는 기판처리방법.A substrate processing method for performing a processing process on a substrate using a substrate processing apparatus having a first chamber in which a first processing process is performed on a substrate and a second chamber in which a second processing process is performed on the substrate,
changing the direction of the gas so that the gas of the gas supply unit is supplied to the first chamber;
performing the first processing process using the gas supplied to the first chamber;
changing the direction of the gas so that the gas of the gas supply unit is supplied to the second chamber; and
and performing the second processing process using the gas supplied to the second chamber.
상기 가스공급부의 가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계 및 상기 가스공급부의 가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계는 교번적으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.7. The method of claim 6,
Changing the direction of the gas so that the gas of the gas supply unit is supplied to the first chamber and changing the direction of the gas so that the gas of the gas supply unit is supplied to the second chamber are alternately performed substrate processing method.
상기 가스공급부의 가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계는 상기 제2챔버로의 가스 공급을 차단시키면서 상기 가스를 상기 제1챔버로 공급하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.7. The method of claim 6,
The step of changing the direction of the gas so that the gas of the gas supply unit is supplied to the first chamber may include supplying the gas to the first chamber while blocking the gas supply to the second chamber. .
상기 가스공급부의 가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계는 제1가스와 제2가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 제1가스의 방향과 상기 제2가스의 방향을 변경하고,
상기 가스공급부의 가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 가스의 방향을 변경하는 단계는 상기 제1가스와 상기 제2가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 제1가스의 방향과 상기 제2가스의 방향을 변경하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.7. The method of claim 6,
The step of changing the direction of the gas so that the gas of the gas supply unit is supplied to the first chamber includes the direction of the first gas and the direction of the second gas so that the first gas and the second gas are supplied to the first chamber. change the
The step of changing the direction of the gas so that the gas of the gas supply unit is supplied to the second chamber includes the direction of the first gas and the direction of the second gas so that the first gas and the second gas are supplied to the second chamber. Substrate processing method, characterized in that by changing the direction of.
상기 제1처리공정을 수행하는 단계가 이루어진 이후에, 퍼지가스를 상기 제1챔버로 공급하는 단계; 및
상기 제2처리공정을 수행하는 단계가 이루어진 후에, 상기 퍼지가스를 상기 제2챔버로 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.7. The method of claim 6,
supplying a purge gas to the first chamber after performing the first treatment process; and
and supplying the purge gas to the second chamber after performing the second processing process.
제1가스공급유닛의 제1가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경하는 단계;
상기 제1챔버에서 제1가스를 이용하여 상기 제1처리공정을 수행하는 단계;
상기 제1가스공급유닛의 제1가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경하고, 제2가스공급유닛의 제2가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경하는 단계; 및
상기 제1챔버에서 제2가스를 이용하여 상기 제1처리공정을 수행하고 상기 제2챔버에서 제1가스를 이용하여 상기 제2처리공정을 수행하는 단계를 포함하는 기판처리방법.A substrate processing method for performing a processing process on a substrate using a substrate processing apparatus having a first chamber in which a first processing process is performed on a substrate and a second chamber in which a second processing process is performed on the substrate,
changing the direction of the first gas so that the first gas of the first gas supply unit is supplied to the first chamber;
performing the first treatment process using a first gas in the first chamber;
The direction of the first gas is changed so that the first gas of the first gas supply unit is supplied to the second chamber, and the second gas of the second gas supply unit is supplied to the first chamber. changing direction; and
and performing the first processing process using a second gas in the first chamber and performing the second processing process using the first gas in the second chamber.
상기 제2가스공급유닛의 제2가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경하는 단계, 및 상기 제2챔버에서 제2가스를 이용하여 상기 제2처리공정을 수행하는 단계를 포함하고,
상기 제2가스공급유닛의 제2가스가 상기 제2챔버로 공급되도록 상기 제2가스의 방향을 변경하는 단계는 제1가스공급유닛의 제1가스가 상기 제1챔버로 공급되도록 상기 제1가스의 방향을 변경하는 단계가 이루어지는 동안 수행되며,
상기 제2챔버에서 제2가스를 이용하여 상기 제2처리공정을 수행하는 단계는 상기 제1챔버에서 제1가스를 이용하여 상기 제1처리공정을 수행하는 단계가 이루어지는 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.12. The method of claim 11,
changing the direction of the second gas so that the second gas of the second gas supply unit is supplied to the second chamber, and performing the second processing process using the second gas in the second chamber including,
Changing the direction of the second gas so that the second gas of the second gas supply unit is supplied to the second chamber includes the first gas so that the first gas of the first gas supply unit is supplied to the first chamber. is performed during the step of changing the direction of
The performing of the second processing process using the second gas in the second chamber is performed while the performing of the first processing process using the first gas is performed in the first chamber. Substrate processing method.
상기 제1챔버에서 제1가스를 이용하여 상기 제1처리공정을 수행하는 단계와 상기 제2챔버에서 제2가스를 이용하여 상기 제2처리공정을 수행하는 단계가 이루어진 이후에, 퍼지가스를 상기 제1챔버와 상기 제2챔버로 공급하는 단계; 및
상기 제1챔버에서 제2가스를 이용하여 상기 제1처리공정을 수행하고 상기 제2챔버에서 제1가스를 이용하여 상기 제2처리공정을 수행하는 단계가 이루어진 이후에, 상기 퍼지가스를 상기 제1챔버와 상기 제2챔버로 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.13. The method of claim 12,
After performing the first processing process using the first gas in the first chamber and performing the second processing process using the second gas in the second chamber, the purge gas is supplying the first chamber and the second chamber; and
After performing the first treatment process using the second gas in the first chamber and performing the second processing process using the first gas in the second chamber, the purge gas is and supplying the first chamber and the second chamber.
상기 제1가스공급유닛이 상기 제1챔버로 상기 제1가스를 공급하는 단계;
상기 제1가스공급유닛이 상기 제2챔버로 상기 제1가스를 공급하고, 상기 제3가스공급유닛이 상기 제1챔버로 상기 제3가스를 공급하는 단계;
상기 제2가스공급유닛이 상기 제1챔버로 상기 제2가스를 공급하고, 상기 제3가스공급유닛이 상기 제2챔버로 상기 제3가스를 공급하는 단계;
상기 제2가스공급유닛이 상기 제2챔버로 상기 제2가스를 공급하고, 상기 제3가스공급유닛이 상기 제1챔버로 상기 제3가스를 공급하는 단계; 및
상기 제3가스공급유닛이 상기 제2챔버로 상기 제3가스를 공급하는 단계를 포함하는 기판처리방법.A first chamber in which a first processing process is performed on the substrate, a second chamber in which a second processing process is performed on the substrate, a first gas supply unit supplying a first gas, a second gas supply unit supplying a second gas; and a substrate processing method for performing a processing process on a substrate using a substrate processing apparatus having a third gas supply unit for supplying a third gas,
supplying the first gas to the first chamber by the first gas supply unit;
supplying the first gas to the second chamber by the first gas supply unit, and supplying the third gas to the first chamber by the third gas supply unit;
supplying the second gas to the first chamber by the second gas supply unit, and supplying the third gas to the second chamber by the third gas supply unit;
supplying the second gas to the second chamber by the second gas supply unit, and supplying the third gas to the first chamber by the third gas supply unit; and
and supplying, by the third gas supply unit, the third gas to the second chamber.
상기 제3가스공급유닛이 상기 제2챔버로 상기 제3가스를 공급하는 단계가 이루어지는 동안 상기 제1가스공급유닛이 상기 제1챔버로 상기 제1가스를 공급하는 단계가 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.15. The method of claim 14,
wherein the step of supplying the first gas to the first chamber by the first gas supply unit is performed while the step of supplying the third gas to the second chamber by the third gas supply unit is performed processing method.
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