KR20220004770A - 대상체의 3차원 형상을 결정하기 위한 장치 및 방법 - Google Patents

대상체의 3차원 형상을 결정하기 위한 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

본 개시는 대상체의 3차원 형상을 결정하기 위한 장치를 제안한다. 본 개시에 따른 장치는, 상기 대상체로 하나 이상의 제1 패턴광을 조사하는 하나 이상의 제1 광원; 한 위상 범위를 가지는 하나 이상의 제2 패턴광을 순차적으로 조사하는 제2 광원; 상기 위상 범위의 각 위상에 대응하는 광이 상기 대상체의 상면의 일부 영역에 분산하여 도달하도록, 상기 하나 이상의 제2 패턴광의 광로를 변경하는 빔 스플리터 및 하나 이상의 렌즈; 상기 하나 이상의 제1 패턴광이 상기 대상체로부터 반사되어 생성된 하나 이상의 제1 반사광 및 상기 하나 이상의 제2 패턴광이 상기 일부 영역으로부터 반사되어 생성된 하나 이상의 제2 반사광을 캡쳐하는 이미지 센서; 및 상기 하나 이상의 제1 광원, 상기 제2 광원 및 상기 이미지 센서와 전기적으로 연결된 프로세서를 포함하고, 상기 프로세서는, 상기 하나 이상의 제1 반사광 및 상기 하나 이상의 제2 반사광에 기초하여, 상기 대상체의 상기 제1 3차원 형상을 결정할 수 있다.

Description

대상체의 3차원 형상을 결정하기 위한 장치 및 방법
본 개시는 대상체의 3차원 형상을 결정하기 위한 기술에 관한 것이다.
기판에 소자(예: 다이(die))를 실장하는 공정에 있어서, 공정이 적절히 수행되었는지에 관한 다양한 검사가 수행될 수 있다. 예를 들어, 소자가 기판 상 적절한 위치에 배치되지 않은 경우 공정 후 기판에 불량을 야기할 수 있기 때문에, 기판 상 소자의 3차원 형상을 파악하는 것이 필요할 수 있다. 본 개시에서, 소자는 전기 회로, 반도체 장치 등 전자적 장치 전반에서 그 구성요소로서 사용되는 부품 내지 칩셋을 의미할 수 있다. 예를 들어, 소자는 코일, 콘덴서, 저항체, 트랜지스터, 다이오드, LED 등을 의미할 수 있다. 본 개시에서 소자는 상술한 예시로 한정되지 아니한다.
소자(즉, 대상체)의 3차원 형상을 결정함에 있어, 특히 소자의 상면이 기판(즉, 기준면)에 대하여 가지는 각도가 검사될 수 있다. 해당 각도는, 소자와 기판 사이의 기울어짐(tilt)이 없는지 여부를 검사하는 데에 활용될 수 있다. 소자의 하면이 기판에 밀착되도록 배치 또는 실장되거나, 기판에 도포된 솔더 또는 솔더볼의 도포 상태에 따라 소자가 기판에 대해 기울어진 상태로 배치 또는 실장된 경우, 기판의 불량을 야기할 수 있기 때문이다.
소자의 3차원 형상 결정에 있어 소자 상면의 기울어짐을 검사하기 위하여, 소자에 조명을 조사하고 그 반사광이 결상되는 위치를 활용해 기울어짐을 검사하는 방법이 활용될 수 있다. 그러나 이 방법은 소자가 경면인 경우, 소자가 작은 각도로만 기울어져도 반사각이 크게 변하므로, 반사광의 결상 위치를 측정하기 위해 많은 공간이 필요하게 되고, 검사 장비의 소형화가 어려워지는 단점이 있을 수 있다. 또한, 소자 상면의 기울어짐을 검사하기 위하여, 소자에 구조광(Structured Light)을 조사하고, 소자 위쪽 공중에 구조광에 의한 회절 무늬를 형성하여, 그 회절 무늬의 위상 변화를 통해 기울어짐을 검사하는 방법이 활용될 수 있다. 그러나 이 방법은 회절 무늬가 공중에 결상되므로 많은 노이즈가 발생하는 단점이 있을 수 있다.
본 개시는 대상체의 3차원 형상을 결정하기 위한 기술을 제공한다.
본 개시의 한 측면으로서, 대상체의 3차원 형상을 결정하기 위한 장치가 제안될 수 있다. 본 개시의 한 측면에 따른 장치는, 기준면 상에 위치한 대상체의 제1 3차원 형상을 결정하는 장치일 수 있다. 장치는 상기 대상체로 하나 이상의 제1 패턴광을 조사하는 하나 이상의 제1 광원; 한 위상 범위를 가지는 하나 이상의 제2 패턴광을 순차적으로 조사하는 제2 광원; 상기 위상 범위의 각 위상에 대응하는 광이 상기 대상체의 상면의 일부 영역에 분산하여 도달하도록, 상기 하나 이상의 제2 패턴광의 광로를 변경하는 빔 스플리터 및 하나 이상의 렌즈; 상기 하나 이상의 제1 패턴광이 상기 대상체로부터 반사되어 생성된 하나 이상의 제1 반사광 및 상기 하나 이상의 제2 패턴광이 상기 일부 영역으로부터 반사되어 생성된 하나 이상의 제2 반사광을 캡쳐하는 이미지 센서; 및 상기 하나 이상의 제1 광원, 상기 제2 광원 및 상기 이미지 센서와 전기적으로 연결된 프로세서를 포함하고, 상기 프로세서는, 상기 하나 이상의 제1 반사광 및 상기 하나 이상의 제2 반사광에 기초하여, 상기 대상체의 상기 제1 3차원 형상을 결정할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 프로세서는, 상기 하나 이상의 제1 반사광의 상기 하나 이상의 제1 패턴광으로부터의 위상 변화 각각에 기초하여, 상기 대상체의 제2 3차원 형상을 결정하고, 상기 하나 이상의 제2 반사광 각각의 광량 값으로부터 상기 하나 이상의 제2 반사광 각각의 위상 값을 도출하고, 상기 위상 값에 기초하여, 상기 기준면에 대한 상기 상면의 각도를 결정하고, 상기 상면의 각도에 기초하여 상기 제2 3차원 형상이 나타내는 상기 대상체의 상면을 보정하여, 상기 대상체의 상기 제1 3차원 형상을 결정할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 본 개시에 따른 장치는 상기 기준면에 대한 상기 상면의 각도 및 상기 하나 이상의 제2 반사광 각각의 위상 값 사이의 관계를 지시하는 연관 정보를 저장하는 메모리를 더 포함하고, 상기 프로세서는, 상기 위상 값 및 상기 연관 정보에 기초하여, 상기 기준면에 대한 상기 상면의 각도를 결정할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 본 개시에 따른 장치는 상기 대상체를 향하여, 상기 기준면에 대해 하나 이상의 각도로 하나 이상의 파장에 따른 조명광을 각각 조사하는 하나 이상의 제3 광원을 더 포함하고, 상기 이미지 센서는 상기 하나 이상의 파장에 따른 조명광 각각이 상기 대상체로부터 반사되어 생성된 하나 이상의 제3 반사광을 캡쳐하고, 상기 프로세서는, 상기 하나 이상의 제1 반사광의 상기 하나 이상의 제1 패턴광으로부터의 위상 변화 각각 및 상기 하나 이상의 제3 반사광의 상기 하나 이상의 파장에 따른 조명광으로부터의 광량 변화 각각에 기초하여, 상기 대상체의 상기 제2 3차원 형상을 결정할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 광원은 단색광을 더 조사하고, 상기 빔 스플리터 및 상기 하나 이상의 렌즈는 상기 단색광이 상기 상면에 도달하도록 상기 단색광의 광로를 변경하고, 상기 이미지 센서는 상기 단색광이 상기 상면으로부터 반사되어 생성된 제4 반사광을 캡쳐하고, 상기 프로세서는, 상기 하나 이상의 제1 반사광의 상기 하나 이상의 제1 패턴광으로부터의 위상 변화 각각 및 상기 제4 반사광의 상기 단색광으로부터의 광량 변화에 기초하여, 상기 대상체의 상기 제2 3차원 형상을 결정할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 프로세서는, 상기 제4 반사광의 상기 단색광으로부터의 광량 변화에 기초하여, 상기 상면의 반사율을 도출하고, 상기 상면의 반사율이 미리 설정된 기준 반사율 이상인 경우, 상기 하나 이상의 제2 패턴광을 순차적으로 조사하도록 상기 제2 광원을 제어할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 하나 이상의 제1 패턴광 각각은, 제1 방향 또는 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로의 패턴을 가지는 패턴광이 미리 설정된 위상 간격의 정수배로 위상 천이되어 생성된 패턴광일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 하나 이상의 제2 패턴광 각각은, 제1 방향 또는 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로의 패턴을 가지는 패턴광이 미리 설정된 위상 간격의 정수배로 위상 천이되어 생성된 패턴광일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 이미지 센서는, 상기 대상체가 위치한 상기 기준면 상 영역의 수직 상방에서 상기 대상체에 대향하여 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 하나 이상의 제1 광원 각각은, 상기 기준면의 상방에서 상기 대상체를 향하여 서로 다른 광축을 따라 상기 하나 이상의 제1 패턴광을 각각 조사하도록 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 하나 이상의 제3 광원 각각은, 상기 기준면의 상방에 배치되고, 상기 기준면에 평행한 원주 상에서 서로 이격되어 설치된 복수의 조명 광원을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 본 개시에 따른 장치는 상기 제2 광원으로부터 조사된 상기 하나 이상의 제2 패턴광을 상기 빔 스플리터로 통과시키는 제1 조리개; 및 상기 일부 영역으로부터 진행하는 상기 하나 이상의 제2 반사광을 상기 이미지 센서로 통과시키는 제2 조리개를 더 포함하고, 상기 하나 이상의 제2 반사광 각각의 광량 값은, 상기 제1 조리개를 통과하고 상기 일부 영역에 의해 반사되어 상기 제2 조리개를 통과하는 광의 광량에 따라 결정될 수 있다.
본 개시의 한 측면으로서, 대상체의 3차원 형상을 결정하기 위한 방법이 제안될 수 있다. 본 개시의 한 측면에 따른 방법은, 기준면 상에 위치한 대상체의 제1 3차원 형상을 결정하는 방법일 수 있다. 본 개시의 한 측면에 따른 방법 하나 이상의 제1 광원이, 상기 대상체로 하나 이상의 제1 패턴광을 조사하는 단계; 이미지 센서가, 상기 하나 이상의 제1 패턴광이 상기 대상체로부터 반사되어 생성된 하나 이상의 제1 반사광을 캡쳐하는 단계; 제2 광원이, 한 위상 범위를 가지는 하나 이상의 제2 패턴광을 순차적으로 조사하는 단계; 빔 스플리터 및 하나 이상의 렌즈가, 상기 위상 범위의 각 위상에 대응하는 광이 상기 대상체의 상면의 일부 영역에 분산하여 도달하도록, 상기 하나 이상의 제2 패턴광의 광로를 변경하는 단계; 상기 이미지 센서가, 상기 하나 이상의 제2 패턴광이 상기 일부 영역으로부터 반사되어 생성된 하나 이상의 제2 반사광을 캡쳐하는 단계; 및 프로세서가, 상기 하나 이상의 제1 반사광 및 상기 하나 이상의 제2 반사광에 기초하여, 상기 대상체의 상기 제1 3차원 형상을 결정하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 3차원 형상을 결정하는 단계는: 상기 프로세서가, 상기 하나 이상의 제1 반사광의 상기 하나 이상의 제1 패턴광으로부터의 위상 변화 각각에 기초하여, 상기 대상체의 제2 3차원 형상을 결정하는 단계; 상기 프로세서가, 상기 하나 이상의 제2 반사광 각각의 광량 값으로부터 상기 하나 이상의 제2 반사광 각각의 위상 값을 도출하는 단계; 상기 프로세서가, 상기 위상 값에 기초하여, 상기 기준면에 대한 상기 상면의 각도를 결정하는 단계; 및 상기 프로세서가, 상기 상면의 각도에 기초하여 상기 제2 3차원 형상이 나타내는 상기 대상체의 상면을 보정하여, 상기 대상체의 상기 제1 3차원 형상을 결정하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 본 개시에 따른 방법은, 상기 제2 광원이 단색광을 조사하는 단계; 상기 빔 스플리터 및 상기 하나 이상의 렌즈가 상기 단색광이 상기 상면에 도달하도록 상기 단색광의 광로를 변경하는 단계; 및 상기 이미지 센서가 상기 단색광이 상기 상면으로부터 반사되어 생성된 제4 반사광을 캡쳐하는 단계를 더 포함하고, 상기 제2 3차원 형상을 결정하는 단계는, 상기 프로세서가, 상기 하나 이상의 제1 반사광의 상기 하나 이상의 제1 패턴광으로부터의 위상 변화 각각 및 상기 제4 반사광의 상기 단색광으로부터의 광량 변화에 기초하여, 상기 대상체의 상기 제2 3차원 형상을 결정하는 단계를 포함할 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예들에 의하면, 대상체(예: 소자)로부터의 반사광이 가지는 광량을 이용해 대상체 상면의 기울어짐을 효율적으로 측정함으로써, 대상체의 3차원 형상의 결정을 개선할 수 있다. 대상체의 3차원 형상을 통해 전체 기판 실장 공정이 적절히 수행되고 있는지를 검사할 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예들에 의하면, 대상체로부터의 반사광의 결상 위치에 기초하여 대상체의 기울어짐을 검사하지 않으므로, 검사 장치의 소형화가 용이해 질 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예들에 의하면, 대상체 위쪽 공중에 형성되는 회절 무늬에 기초하여 대상체의 기울어짐을 검사하지 않으므로, 노이즈에 강건한 검사가 수행될 수 있다.
도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른 장치(100)를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른, 장치(100)의 동작 과정을 나타낸 도면이다.
도 3은 본 개시의 일 실시예에 따른 장치(100)의 블록도를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 개시의 일 실시예에 따른, 패턴광이 대상체에 조사되는 과정을 나타낸 도면이다.
도 5는 본 개시의 일 실시예에 따른, 반사광이 조리개를 통과하는 과정을 나타낸 도면이다.
도 6은 본 개시의 일 실시예에 따른, 반사광이 조리개를 통과하는 과정을 나타낸 도면이다.
도 7은 본 개시의 일 실시예에 따른, 패턴광원에서 조사되는 패턴광의 조리개에서의 모습을 나타낸 도면이다.
도 8은 본 개시의 일 실시예에 따른 연관 정보를 나타낸 도면이다.
도 9는 본 개시의 일 실시예에 따른, 패턴광이 가지는 패턴의 방향을 나타낸 도면이다.
도 10은 본 개시의 일 실시예에 따른, 장치(100)의 조명광을 이용한 검사 과정을 나타낸 도면이다.
도 11은 본 개시의 일 실시예에 따른, 패턴광원이 백색광을 추가적으로 조사하는 과정을 나타낸 도면이다.
도 12는 본 개시의 일 실시예에 따른 장치(1210)를 나타낸 도면이다.
도 13은 본 개시의 일 실시예에 따른 장치(1210)의 블록도를 나타낸 도면이다.
도 14는 본 개시에 따른 장치(100)에 의해 수행될 수 있는, 대상체의 3차원 형상을 결정하는 방법(1700)의 일 실시예를 나타낸 도면이다.
도 15는 본 개시에 따른 장치(1210)에 의해 수행될 수 있는, 대상체 상면의 각도를 결정하는 방법(1800)의 일 실시예를 나타낸 도면이다.
본 문서에 기재된 다양한 실시예들은, 본 개시의 기술적 사상을 명확히 설명하기 위한 목적으로 예시된 것이며, 이를 특정한 실시 형태로 한정하려는 것이 아니다. 본 개시의 기술적 사상은, 본 문서에 기재된 각 실시예의 다양한 변경(modifications), 균등물(equivalents), 대체물(alternatives) 및 각 실시예의 전부 또는 일부로부터 선택적으로 조합된 실시예를 포함한다. 또한 본 개시의 기술적 사상의 권리 범위는 이하에 제시되는 다양한 실시예들이나 이에 대한 구체적 설명으로 한정되지 않는다.
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본 문서에서 사용되는 "제1", "제2", 또는 "첫째", "둘째" 등의 표현은, 문맥상 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 동종 대상들을 지칭함에 있어 한 대상을 다른 대상과 구분하기 위해 사용되며, 해당 대상들간의 순서 또는 중요도를 한정하는 것은 아니다.
본 문서에서 사용되는 "A, B, 및 C," "A, B, 또는 C," "A, B, 및/또는 C" 또는 "A, B, 및 C 중 적어도 하나," "A, B, 또는 C 중 적어도 하나," "A, B, 및/또는 C 중 적어도 하나," "A, B, 및 C 중에서 선택된 적어도 하나," "A, B, 또는 C 중에서 선택된 적어도 하나," "A, B, 및/또는 C 중에서 선택된 적어도 하나" 등의 표현은, 각각의 나열된 항목 또는 나열된 항목들의 가능한 모든 조합들을 의미할 수 있다. 예를 들어, "A 및 B 중에서 선택된 적어도 하나"는, (1) A, (2) A 중 적어도 하나, (3) B, (4) B 중 적어도 하나, (5) A 중 적어도 하나 및 B 중 적어도 하나, (6) A 중 적어도 하나 및 B, (7) B 중 적어도 하나 및 A, (8) A 및 B를 모두 지칭할 수 있다.
본 문서에서 사용되는 "부"라는 표현은, 소프트웨어, 또는 FPGA(field-programmable gate array), ASIC(application specific integrated circuit)과 같은 하드웨어 구성요소 및 광학요소 등의 하드웨어 구성요소를 포괄하여 통칭하는 개념일 수 있다. 그러나, "부"는 하드웨어 및 소프트웨어에 한정되는 것은 아니다. "부"는 어드레싱할 수 있는 저장 매체에 저장되어 있도록 구성될 수도 있고, 하나 또는 그 이상의 프로세서들을 실행시키도록 구성될 수도 있다. 일 실시예에서, "부"는 소프트웨어 구성요소들, 객체지향 소프트웨어 구성요소들, 클래스 구성요소들 및 태스크 구성요소들과 같은 구성요소들과, 프로세서, 함수, 속성, 프로시저, 서브루틴, 프로그램 코드의 세그먼트, 드라이버, 펌웨어, 마이크로코드, 회로, 데이터, 데이터베이스, 데이터 구조, 테이블, 어레이 및 변수를 포함할 수 있다.
본 문서에서 사용되는 "~에 기초하여"라는 표현은, 해당 표현이 포함되는 어구 또는 문장에서 기술되는, 결정, 판단의 행위 또는 동작에 영향을 주는 하나 이상의 인자를 기술하는데 사용되고, 이 표현은 해당 결정, 판단의 행위 또는 동작에 영향을 주는 추가적인 인자를 배제하지 않는다.
본 문서에서 사용되는, 어떤 구성요소(예: 제1 구성요소)가 다른 구성요소(예: 제2 구성요소)에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다는 표현은, 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로 연결 또는 접속되는 것뿐 아니라, 새로운 다른 구성요소(예: 제3 구성요소)를 매개로 하여 연결 또는 접속되는 것을 의미할 수 있다.
본 문서에서 사용된 표현 "~하도록 구성된(configured to)"은 문맥에 따라, "~하도록 설정된", "~하는 능력을 가지는", "~하도록 변경된", "~하도록 만들어진", "~를 할 수 있는" 등의 의미를 가질 수 있다. 해당 표현은, "하드웨어적으로 특별히 설계된"의 의미로 제한되지 않으며, 예를 들어 특정 동작을 수행하도록 구성된 프로세서란, 소프트웨어를 실행함으로써 그 특정 동작을 수행할 수 있는 범용 프로세서(generic-purpose processor)를 의미할 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예를 설명하기 위하여, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 가지는 직교 좌표계가 정의될 수 있다. 본 문서에서 사용되는, 직교 좌표계의 "X축 방향", "Y축 방향", "Z축 방향" 등의 표현은, 해당 설명에서 특별히 다르게 정의되지 않는 한, 직교 좌표계의 각 축이 뻗어나가는 양쪽 방향을 의미할 수 있다. 또한, 각 축 방향의 앞에 붙는 +부호는, 해당 축 방향으로 뻗어나가는 양쪽 방향 중 어느 한 방향인 양의 방향을 의미할 수 있고, 각 축 방향의 앞에 붙는 -부호는, 해당 축 방향으로 뻗어나가는 양쪽 방향 중 나머지 한 방향인 음의 방향을 의미할 수 있다.
본 문서에서 사용되는 "상방", "상" 등의 방향지시어는, 해당 설명에서 특별히 다르게 정의되지 않는 한, 첨부된 도면에서 양의 Z축 방향을 기준으로 하고, "하방", "하" 등의 방향지시어는 그 반대 방향을 의미한다.
본 개시에서, 기판(substrate)은 반도체 칩, 다이 등의 소자를 실장하는 판 내지 용기로서, 소자와 소자 간의 전기적 신호의 연결 통로의 역할 수행할 수 있다. 기판은 집적 회로 제작 등을 위하여 사용될 수 있고, 실리콘 등의 소재로 생성될 수 있다. 예를 들어 기판은 인쇄 회로 기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있으며, 실시예에 따라 웨이퍼(wafer) 등으로 불릴 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여, 본 개시의 다양한 실시예들을 설명한다. 첨부된 도면 및 도면에 대한 설명에서, 동일하거나 실질적으로 동등한(substantially equivalent) 구성요소에는 동일한 참조부호가 부여될 수 있다. 또한, 이하 다양한 실시예들의 설명에 있어서, 동일하거나 대응하는 구성요소를 중복하여 기술하는 것이 생략될 수 있으나, 이는 해당 구성요소가 그 실시예에 포함되지 않는 것을 의미하지는 않는다.
도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른 장치(100)를 나타낸 도면이다. 본 개시에 따른 대상체의 3차원 형상을 결정하기 위한 기술은 다양한 실시예에 따른 장치로 구현될 수 있다. 본 개시의 장치(100)는 다양한 검사 방법을 이용해 대상체(예: 소자)의 3차원 형상을 결정할 수 있다. 본 개시에서, 대상체의 형상이란 대상체가 가지는 3차원 공간 상의 형태 및 대상체 표면이 가지는 색상, 질감 등을 모두 포함하는 개념일 수 있다. 일 실시예에서, 장치(100)는 패턴광을 이용한 검사 및/또는 동축 편향측정법(Coaxial deflectometry)을 이용한 검사를 수행할 수 있다. 일 실시예에서, 장치(100)는 조명광을 이용한 검사를 더 수행할 수도 있다.
본 실시예에 있어서, 장치(100)는 패턴광 조사부(110), DFM(Deflectometry) 부(120), 측정부(130) 및/또는 조명광 조사부(140)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 조명광 조사부(140)는 생략될 수도 있다. 패턴광 조사부(110)는, 패턴광을 이용한 검사를 수행하기 위하여 대상체를 향하여 패턴광을 조사할 수 있다. DFM 부(120)는, 동축 편향측정법을 이용한 검사를 수행하기 위하여 대상체를 향하여 패턴광을 조사할 수 있다. 측정부(130)는, 패턴광 조사부(110) 및 DFM 부(120)에 의해 조사되어 대상체로부터 반사된 반사광을 캡쳐하고, 대상체의 3차원 형상을 결정할 수 있다. 조명광 조사부(140)는, 조명광을 이용한 검사를 수행하기 위하여 대상체를 향하여 조명광을 조사할 수 있다. 조명광은 대상체로부터 반사되어 측정부(130)에 의해 캡쳐되고, 대상체의 3차원 형상을 결정하는 데에 이용될 수 있다. 각 부의 구체적인 동작 및 검사 방법에 대해서는 후술한다.
도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른, 장치(100)의 동작 과정을 나타낸 도면이다. 도시된 실시예에 따른 장치(100)는 패턴광을 이용한 검사 방법 및/또는 동축 편향측정법을 이용한 검사 방법을 수행할 수 있다. 장치(100)는 검사 결과에 기초하여 대상체의 3차원 형상을 결정할 수 있다. 결정된 3차원 형상은 수행된 공정의 적절성을 판단하는 데에 사용될 수 있다. 장치(100)가 조명광을 이용해 검사를 수행하는 과정은 추가 실시예로서 후술한다.
본 실시예에서, 하나 이상의 패턴광원(210)이 기준면(R) 상에 위치한 대상체를 향하여 하나 이상의 패턴광(212)을 조사할 수 있다. 하나 이상의 패턴광원(210)은 패턴광 조사부(110)에 속할 수 있다. 하나 이상의 패턴광원(210)은 기준면(R)의 상방에서, 각기 서로 다른 광축을 따라 대상체를 향해 하나 이상의 패턴광(212)을 조사하도록 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 하나 이상의 패턴광원(210) 각각은 기준면(R)의 상방에 위치한 가상의 원주 상에 서로 간격을 두고 배치될 수 있다. 하나 이상의 패턴광(212) 각각은 대상체로부터 반사될 수 있다. 대상체가 가지는 형상에 따라, 반사 전후의 패턴광(212)의 위상은 변화될 수 있다. 즉, 패턴광(212)이 대상체에 반사되어 생성된 반사광(214)은, 대응되는 패턴광(212)의 위상과는 다른 위상을 가질 수 있다.
이미지 센서(220)는, 하나 이상의 패턴광(212) 각각이 반사되어 생성된 하나 이상의 반사광(214) 각각을 캡쳐할 수 있다. 이미지 센서(220)는 측정부(130)에 속할 수 있다. 일 실시예에서, 이미지 센서(220)는 대상체가 위치한 기준면(R) 상 영역의 수직 상방에서, 대상체에 대향하여 배치될 수 있다.
장치(100)는 하나 이상의 반사광(214) 각각의 위상 및 하나 이상의 패턴광(212) 각각의 위상에 대한 정보를 획득할 수 있다. 장치(100)는 하나 이상의 반사광(214) 각각의 하나 이상의 패턴광(212) 각각으로부터의 위상 변화에 기초하여, 대상체의 1차 3차원 형상을 결정할 수 있다.
한편, 하나 이상의 패턴광원(210)과 별도로 설치된 패턴광원(230)은 하나 이상의 패턴광(232)을 순차적으로 조사할 수 있다. 패턴광원(230)은 DFM 부(120)에 속할 수 있다. 하나 이상의 패턴광(232) 각각은 동일한 하나의 위상 범위(예: 0 ~ 7×π/4)를 가질 수 있다. 일 실시예에서, 하나 이상의 패턴광(232) 각각은, 전술한 위상 범위 내의 한 패턴광이 미리 설정된 위상 간격(예: π/2)의 정수배로 각각 위상 천이(phase shift)되어 생성된 것일 수 있다.
하나 이상의 패턴광(232)은 렌즈(250) 및/또는 기타 광학요소(예: 거울)들을 거쳐 빔 스플리터(240)로 진행할 수 있다. 일 실시예에서, 패턴광(232)은 조리개(252)를 거쳐 빔 스플리터(240)로 진행할 수 있다. 빔 스플리터(240)는 하나 이상의 패턴광(232)을 반사하여, 대상체를 향하도록 할 수 있다. 이 때, 빔 스플리터(240) 및 하나 이상의 렌즈(250)는, 전술한 위상 범위의 각 위상에 대응하는 광이 대상체 상면의 일부 영역(A)에 분산하여 도달하도록, 하나 이상의 패턴광(232)의 광로를 변경할 수 있다. 즉, 패턴광(232)의 전술한 위상 범위(예: 0 ~ 7×π/4) 중 한 위상(예: 3×π/4)에 해당하는 광이, 전술한 일부 영역(A)에 해당하는 면의 각 점에 각각 도달하도록, 패턴광(232)의 각 위상에 해당하는 광의 광로가 변경(조정)될 수 있다. 빔 스플리터(240) 및 하나 이상의 렌즈(250)는 이러한 광로 변경이 가능할 수 있도록 패턴광(232)의 광 경로 상에 배치될 수 있다. 빔 스플리터(240) 및 하나 이상의 렌즈(250)는 DFM 부(120)에 속할 수 있다.
광 경로가 변경(조정)된 하나 이상의 패턴광(232) 각각은 대상체에 도달할 수 있다. 각 위상에 따른 광이 대상체 상면의 일부 영역(A) 전체에 분산되어 조사되기 때문에, 일부 영역(A)의 각 점에는 패턴광(232)의 평균 광량에 해당하는 광이 도달할 수 있다. 일부 영역(A)에 도달한 하나 이상의 패턴광(232) 각각은 일부 영역(A)으로부터 반사될 수 있다. 패턴광(232)이 반사된 광(이하, 반사광(234))은 렌즈(250) 및 빔 스플리터(240)를 차례로 투과할 수 있다. 일 실시예에서, 반사광(234)은 조리개(262)를 통과하고, 필요에 따라 추가적으로 배치된 렌즈(260)를 통과하여 이미지 센서(220)에 도달할 수 있다. 이미지 센서(220)는 도달한 하나 이상의 반사광(234) 각각을 캡쳐할 수 있다.
대상체 상면의 일부 영역(A)이 기준면(R)에 대하여 기울어지면, 일부 영역(A)으로부터 반사된 광 중 일부만이 조리개(262)를 통과하여 이미지 센서(220)로 입력될 수 있다. 즉, 조리개(252)는 패턴광(232)을 빔 스플리터(240)로 통과시키고, 조리개(262)는 일부 영역(A)으로부터 진행되는 반사광(234)을 이미지 센서로 통과시킨다. 따라서, 이미지 센서(220)가 캡쳐하는 반사광(234)의 광량 값은, 조리개(252)를 통과하고 일부 영역(A)에 의해 반사되어 다시 조리개(262)를 통과하는 광의 광량에 따라 결정될 수 있다. 이 때, 이미지 센서(220)에 의해 캡쳐된 광은, 처음에 조사된 패턴광(232)의 전술한 위상 범위(예: 0 ~ 7×π/4) 중 일부 위상 범위(예: 3×π/4 ~ 5×π/4)에 해당하는 광일 수 있다. 즉, 대상체 상면 내지 일부 영역(A)이 기준면(R)에 대해 기울어진 정도에 따라, 조리개(262)를 통과하여 이미지 센서(220)에 의해 캡쳐되는 광량이 변화할 수 있다. 이러한 원리를 이용하면, 캡쳐되는 반사광의 광량에 기초해 반사면의 기울어진 정도를 도출해 낼 수 있는데, 본 개시에서는 이를 편향측정법(Deflectometry)이라 할 수 있다. 특히 도시된 실시예와 같이, 대상체로 입사되는 패턴광(232)과 대상체로부터 반사되는 반사광(234)이 대략(substantially) 같은 광축을 따라 진행하는 경우에 있어, 편향측정법은 동축 편향측정법(Coaxial deflectometry)이라 불릴 수 있다. 편향측정법의 구체적인 원리에 대해서는 후술한다.
편향측정법에 따라, 장치(100)는 하나 이상의 반사광(234) 각각의 광량 값에 기초하여, 기준면(R)에 대한 대상체의 상면의 각도를 결정할 수 있다. 장치(100)는 결정한 상면의 각도를 이용해 앞서 결정한 1차 3차원 형상을 보정하여, 2차 3차원 형상을 결정할 수 있다. 즉, 장치(100)는 1차 3차원 형상이 나타내는 상면을, 편향측정법에 따라 측정한 상면의 각도에 대한 정보를 이용해 수정하여, 보완된 새 3차원 형상, 즉 2차 3차원 형상을 도출할 수 있다. 일 실시예에서, 해당 수정은, 1차 3차원 형상이 나타내는 상면이 가지는 각도를 편향측정법에 따라 도출된 상면의 각도로 대체(override)하는 방법으로 수행될 수 있다. 일 실시예에서, 해당 수정은 1차 3차원 형상이 나타내는 상면의 각도와 편향측정법에 따라 도출된 상면의 각도의 평균값을, 2차 3차원 형상이 나타내는 상면의 각도로 결정하는 방법으로 수행될 수도 있다. 2차 3차원 형상은 대상체에 대한 최종적 3차원 형상으로서, 실장 등의 공정에 대한 적절성을 판단하는데 사용될 수 있다
도 3은 본 개시의 일 실시예에 따른 장치(100)의 블록도를 나타낸 도면이다. 본 실시예에서, 장치(100)는 하나 이상의 패턴광원(210), 이미지 센서(220), 패턴광원(230), 빔 스플리터(240), 하나 이상의 렌즈(250), 하나 이상의 프로세서(310) 및/또는 하나 이상의 메모리(320)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 장치(100)의 이러한 구성요소들 중 적어도 하나가 생략되거나, 다른 구성요소가 장치(100)에 추가될 수 있다. 일 실시예에서, 추가적으로(additionally) 또는 대체적으로(alternatively), 일부의 구성요소들이 통합되어 구현되거나, 단수 또는 복수의 개체로 구현될 수 있다. 본 개시에서, 하나 이상의 프로세서는 프로세서라고 표현될 수 있다. 프로세서라는 표현은, 문맥상 명백히 다르게 표현하지 않는 이상, 하나 또는 그 이상의 프로세서의 집합을 의미할 수 있다. 본 개시에서, 하나 이상의 메모리는 메모리라고 표현될 수 있다. 메모리라는 표현은, 문맥상 명백히 다르게 표현하지 않는 이상, 하나 또는 그 이상의 메모리의 집합을 의미할 수 있다. 일 실시예에서, 장치(100) 내, 외부의 구성요소들 중 적어도 일부의 구성요소들은 버스, GPIO(general purpose input/output), SPI(serial peripheral interface) 또는 MIPI(mobile industry processor interface) 등을 통해 서로 연결되어, 데이터 및/또는 시그널을 주고 받을 수 있다.
하나 이상의 패턴광원(210)의 각각은, 전술한 바와 같이 하나 이상의 패턴광(212)을 조사할 수 있다. 패턴광원(210)은 다양한 방식으로 패턴광(212)을 생성할 수 있다. 예를 들어, 패턴광(212)의 패턴은 디지털 방식에 의해 형성되거나, 아날로그 방식에 의해 형성될 수 있다. 디지털 방식에는 LCD(Liquid Crystal Display)를 이용한 액정 투과 방식, LCoS((Liquid　Crystal　on　Silicon))를 이용한 액정 반사 방식, DMD(Digital Micromirror Device) 또는 DLP(Digital Light Processing)를 이용한 미러(mirror) 반사 방식이 있을 수 있다. 아날로그 방식에는 주기 패턴, 그래디언트(gradient) 패턴, 격자 패턴 등의 패턴을 이용하여 패턴을 형성하는 방식이 있을 수 있다. 전술한 바와 같이, 하나 이상의 패턴광원(210) 각각은 기준면(R)의 상방에서 서로 다른 광축을 따라 패턴광(212)을 조사하도록 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 4개의 패턴광원(210)이 가상의 원주 상에서 약 90도의 간격으로 떨어져 배치될 수 있다(4-way). 일 실시예에서, 8개의 패턴광원(210)이 가상의 원주 상에서 약 45도의 간격으로 떨어져 배치될 수도 있다(8-way). 일 실시예에서, 패턴광원(210) 각각은 4개의 버킷(bucket)으로 위상 천이된 하나 이상의 패턴광(212)을 순차적으로 조사할 수 있다. 일 실시예에서, 하나 이상의 패턴광(212) 각각은, 한 패턴광이 미리 설정된 위상 간격(예: π/2)의 정수배로 각각 위상 천이되어 생성된 것일 수 있다. 예를 들어 8개의 패턴광원(210)이 사용되고 4개의 버킷으로 위상 천이된 패턴광(212)이 순차적으로 조사된다면, 총 32(8Х4)개의 패턴광(212)이 대상체로 조사될 수 있다. 이에 따라 총 32개의 이미지가 캡쳐되고, 32개의 위상 변화에 대한 정보가 대상체의 1차 3차원 형상을 결정하는 데에 사용될 수 있다.
이미지 센서(220)는 전술한 바와 같이 하나 이상의 반사광(214) 및 반사광(234)을 각각 캡쳐할 수 있다. 예를 들어, 이미지 센서(220)는 CCD(Charge Coupled Device) 또는 CMOS(Complimentary Metal Oxide Semiconductor) 센서 등으로 구현될 수 있다.
패턴광원(230)은, 패턴광원(210)과 마찬가지로, 다양한 방식으로 패턴광(232)을 생성해 조사할 수 있다. 일 실시예에서, 패턴광원(230) 각각은 4개의 버킷으로 위상 천이된 하나 이상의 패턴광(232)을 순차적으로 조사할 수 있다. 일 실시예에서, 한 방향(이하, w축 방향)으로 형성된 패턴광을 4개의 버킷으로 위상 천이한 패턴광(232) 및 w축 방향에 수직인 방향(이하, v축 방향)으로 형성된 패턴광을 4개의 버킷으로 위상 천이한 패턴광(232)을 사용한다면, 총 8(4+4)개의 패턴광(232)이 순차적으로 조사될 수 있다. 이에 따라 총 8개의 이미지가 캡쳐되어, 대상체 상면의 각도를 결정하는 데에 사용될 수 있다.
빔 스플리터(240), 하나 이상의 렌즈(250) 및/또는 기타 전술한 광학요소는 본 개시의 기술분야에서 알려진 방식에 따른 광학소자들에 의해 다양하게 구현될 수 있다. 일 실시예에서, 빔 스플리터(240) 및/또는 하나 이상의 렌즈(250)는 편향측정법을 위해 전술한 패턴광(232)의 광로 변경을 수행할 수 있도록 배치될 수 있다. 또는 일 실시예에서, 빔 스플리터(240) 및/또는 하나 이상의 렌즈(250)가 해당 광로 변경을 수행할 수 있도록, 프로세서(310)가 그 위치, 배치 및 관련 파라미터를 조정할 수도 있다. 일 실시예에서, 장치(100)는 전술한 조리개(252) 및 조리개(262) 역시 포함할 수 있다.
프로세서(310)는 소프트웨어(예: 명령, 프로그램 등)를 구동하여 프로세서(310)에 연결된 장치(100)의 적어도 하나의 구성요소를 제어할 수 있다. 또한 프로세서(310)는 본 개시와 관련된 다양한 연산, 처리, 데이터 생성, 가공 등의 동작을 수행할 수 있다. 또한 프로세서(310)는 데이터 등을 메모리(320)로부터 로드하거나, 메모리(320)에 저장할 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(310)는 하나 이상의 반사광(214) 각각의 하나 이상의 패턴광(212) 각각으로부터의 위상 변화에 기초하여, 대상체의 1차 3차원 형상을 결정할 수 있다. 또한 프로세서(310)는 편향측정법에 따라, 하나 이상의 반사광(234) 각각의 광량 값에 기초하여, 기준면(R)에 대한 대상체의 상면의 각도를 결정할 수 있다. 프로세서(310)는 결정한 상면의 각도를 이용해 1차 3차원 형상을 보정하여 2차(최종) 3차원 형상을 결정할 수 있다.
메모리(320)는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 메모리(320)에 저장되는 데이터는, 장치(100)의 적어도 하나의 구성요소에 의해 획득되거나, 처리되거나, 사용되는 데이터로서, 소프트웨어(예: 명령, 프로그램 등)를 포함할 수 있다. 메모리(320)는 휘발성 및/또는 비휘발성 메모리를 포함할 수 있다. 본 개시에서, 명령 내지 프로그램은 메모리(320)에 저장되는 소프트웨어로서, 장치(100)의 리소스를 제어하기 위한 운영체제, 어플리케이션 및/또는 어플리케이션이 장치(100)의 리소스들을 활용할 수 있도록 다양한 기능을 어플리케이션에 제공하는 미들 웨어 등을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 메모리(320)는 프로세서(310)에 의한 실행 시 프로세서(310)가 연산을 수행하도록 하는 명령들을 저장할 수 있다.
일 실시예에서, 장치(100)는 통신 인터페이스(도시되지 않음)를 더 포함할 수 있다. 통신 인터페이스는, 장치(100)와 서버 또는 장치(100)와 다른 장치 간의 무선 또는 유선 통신을 수행할 수 있다. 예를 들어, 통신 인터페이스는 eMBB(enhanced Mobile Broadband),　URLLC(Ultra Reliable Low-Latency Communications), MMTC(Massive Machine Type Communications), LTE(Long-Term Evolution), LTE-A(LTE Advance), NR(New Radio), UMTS(Universal Mobile Telecommunications System), GSM(Global System for Mobile communications), CDMA(Code Division Multiple Access), WCDMA(Wideband CDMA), WiBro(Wireless Broadband), WiFi(Wireless Fidelity), 블루투스(Bluetooth), NFC(Near Field Communication), GPS(Global Positioning System) 또는 GNSS(Global Navigation Satellite System) 등의 방식에 따른 무선 통신을 수행할 수 있다. 예를 들어, 통신 인터페이스는 USB(Universal Serial Bus), HDMI(High Definition Multimedia Interface), RS-232(Recommended Standard-232) 또는 POTS(Plain Old Telephone Service) 등의 방식에 따른 유선 통신을 수행할 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(310)는 통신 인터페이스를 제어하여 서버로부터 본 개시에 따른 기술을 구현하는데 필요한 정보를 획득할 수 있다. 서버로부터 획득된 정보는 메모리(320)에 저장될 수 있다. 일 실시예에서, 서버로부터 획득되는 정보는 기판 내지 대상체에 대한 정보, 기준면(R)에 대한 정보, 후술할 연관 정보 등을 포함할 수 있다.
도 4 내지 도 8은 전술한 동축 편향측정법의 원리를 설명하기 위한 도면이다. 도 4는 본 개시의 일 실시예에 따른, 패턴광(232)이 대상체에 조사되는 과정을 나타낸 도면이다. 전술한 바와 같이, 하나 이상의 패턴광(232) 각각에 있어서, 해당 위상 범위(예: 0 ~ 7×π/4)의 각 위상에 대응하는 광이 대상체 상면의 일부 영역(A)에 분산하여 도달하도록, 하나 이상의 패턴광(232) 각각의 광로를 변경될 수 있다. 이하, 하나의 패턴광(232)을 기준으로 설명한다.
전술한 바와 같이, 패턴광원(230)은 한 위상 범위에 해당하는 패턴광(232)을 조사할 수 있다. 전술한 위상 범위 내의 임의의 세 위상에 해당하는 광의 광로(410, 420, 430)가 도시되었다. 각 광은 하나 이상의 렌즈(250), 조리개(252) 및/또는 빔 스플리터(240)를 거쳐 대상체 상면의 일부 영역(A)에 조사될 수 있다. 전술한 바와 같이, 한 위상에 해당하는 광은 일부 영역(A)의 전체에 분산되어 조사될 수 있다. 즉, 한 위상에 해당하는 광(410)은 일부 영역(A)에 해당하는 면의 각 점에 도달하도록 조사될 수 있다. 패턴광(232)의 다른 위상에 해당하는 광(420, 430 등)도 같은 방식으로 대상체에 조사될 수 있다. 이에 따라 대상체 상 일부 영역(A)의 한 점에는, 전술한 위상 범위의 위상 각각에 해당하는 광이 모두 조사될 수 있다. 예를 들어, 도시된 실시예에서 광(410, 420, 430)은 대상체 상 일부 영역(A)의 각 점에 모두 도달한다. 따라서, 대상체의 일부 영역(A) 전체에는, 전술한 위상 범위에 해당하는 패턴광(232)의 평균 광량을 광량으로 가지는 광이 조사될 수 있다.
패턴광(232)이 일부 영역(A)으로부터 반사되어 생성된 반사광(234)은 조리개(262)를 통과하여 이미지 센서(220)에 입력될 수 있다. 전술한 바와 같이, 대상체 상면이 기준면(R)에 대하여 기울어진 경우, 반사광(234)의 일부만 조리개(262)를 통과할 수 있다. 조리개(262)를 통과하는 반사광의 일부는, 패턴광원(230)으로부터 조사된 패턴광(232)의 위상 범위 중 일부 위상 범위에 해당할 수 있다. 이 일부 위상 범위에 해당하는 광들의 평균 광량이 결과적으로 이미지 센서(220)에 의해 캡쳐될 수 있다.
도시된 실시예(440)에서, 기준면(R)에 대한 대상체 상면의 각도는 0도일 수 있다. 이 경우, 일부 영역(A)의 한 점에서 반사된 광 대부분은 조리개(262)를 통과하고, 이미지 센서(220)에 의해 캡쳐될 수 있다. 즉, 실시예(440)에서 A, A`로 표시된 위상 구간에 해당하는 광이 일부 영역(A)으로부터 반사되고, 조리개(262)를 통과하여 이미지 센서(220)로 입력될 수 있다.
도시된 실시예(450)에서, 대상체는 기준면(R)에 대하여 3도의 각도로 기울어져 있을 수 있다. 이 경우, 일부 영역(A)의 한 점에서 반사된 광 중 일부만이 조리개(262)를 통과하고, 이미지 센서(220)에 의해 캡쳐될 수 있다. 구체적으로, 조리개(252)가 통과시키는 패턴광(232)의 위상 범위가 직선(451)이 나타내는 구간이라면, 조리개(262)가 통과시키는 반사광(234)의 위상 범위는 직선(452)이 나타내는 구간에 해당할 수 있다. 따라서, 조리개(252) 및 조리개(262)를 모두 통과하는 광로를 가지는 광은, 도시된 A, A`로 표시된 위상 구간에 해당하는 광일 수 있다. 이 경우 이미지 센서(220)가 획득하는 반사광(234)의 광량은 A, A`로 표시된 위상 구간에 해당하는 광들의 평균 광량일 수 있다.
도시된 실시예(460)에서, 대상체는 기준면(R)에 대하여 5도의 각도로 기울어져 있을 수 있다. 이 경우, 일부 영역(A)의 한 점에서 반사된 광 대부분은 조리개(262)를 통과하지 못할 수 있다. 이에 따라 이미지 센서(220)는 반사광(234)을 캡쳐하지 못할 수 있다. 전술한 실시예(440, 450, 460)에서의 대상체 상면의 각도는 설명을 위해 선택한 예시적인 값일 수 있다.
즉, 대상체 상면의 각도에 따라 조리개(252) 및 조리개(262)를 모두 통과하여 이미지 센서(220)로 입력되는 광량이 변화할 수 있다. 변화하는 반사광(234)의 광량을 이용하여, 장치(100)는 대상체 상면의 각도를 결정(도출)할 수 있다.
도 5는 본 개시의 일 실시예에 따른, 반사광(234)이 조리개(262)를 통과하는 과정을 나타낸 도면이다. 도시된 실시예는 전술한 실시예(450)와 같이, 대상체 상면이 기준면(R)에 대하여 소정의 각도로 기울어진 경우를 나타낼 수 있다.
마찬가지로, 한 위상 범위를 가지는 패턴광(232)이 패턴광원(230)으로부터 조사되고, 대상체 상면의 일부 영역(A)에 분산되어 조사될 수 있다. 대상체 상면이 기울어져 있는 바, 반사광(234)의 일부만이 조리개(262)을 통과하여 이미지 센서(220)로 입력될 수 있다. 일부 영역(A)으로 입사된 광(410, 420, 430 등)의 반사광 중, 굵은 실선으로 나타나는 범위 내에서 광로가 진행되는 반사광들만이 조리개(262)을 통과하여 이미지 센서(220)로 입력될 수 있다.
이미지 센서(220)로 입력되는 반사광의 일부는, 패턴광(232)의 전술한 위상 범위 중 일부 범위에 해당하는 광이 대상체 상 일부 영역(A)으로부터 반사된 것일 수 있다. 결국 이미지 센서(220)가 획득하는 반사광(234)의 광량은, 패턴광(232)의 전술한 일부 범위에 해당하는 광들의 평균 광량일 수 있다.
도 6은 본 개시의 일 실시예에 따른, 반사광(234)이 조리개(262)를 통과하는 과정을 나타낸 도면이다. 도시된 실시예에 있어서, 대상체 상면의 일부 영역(A) 중 일부(A1)는 기준면(R)에 대하여 기울어지지 않았고, 다른 일부(A2)는 기울어진 상태일 수 있다.
기울어지지 않은 지점(A1)으로부터 반사된 광은, 전술한 실시예(440)과 같이, 조리개(262)를 통과하여 이미지 센서(220)의 대응되는 지점으로 입력될 수 있다(굵은 실선). 이미지 센서(220)의 해당 지점은 패턴광원(230)에서 조사된 전술한 위상 범위에 해당하는 광들의 평균 광량을 입력받을 수 있다. 기울어진 지점(A2)으로부터 반사된 광은, 전술한 실시예(450)과 같이, 그 일부만이 조리개(262)를 통과하여 이미지 센서(220)로 입력될 수 있다(굵은 점선). 이미지 센서(220)의 해당 지점은 패턴광원(230)에서 조사된 전술한 위상 범위 중 일부의 범위에 해당하는 광들만의 평균 광량을 입력받을 수 있다. 이미지 센서(220)의 각 지점(픽셀) 별로 입력된 평균 광량 값들을 각각 이용하여, 대상체 상 일부 영역(A)의 각 지점에서의 기울기 값이 획득될 수 있다.
도 7은 본 개시의 일 실시예에 따른, 패턴광원(230)에서 조사되는 패턴광(232)의 조리개(252)에서의 모습을 나타낸 도면이다. 한 패턴광(232)의 패턴은 주기를 가질 수 있다. 한 주기에 해당하는 위상을 2π라고할 때, 0에서 π/2까지의 구간 동안 패턴광의 패턴은 점점 밝아질 수 있고, π/2에서 3×π/2의 구간 동안 패턴광의 패턴은 점점 어두워질 수 있고, 3×π/2에서 2π의 구간 동안 패턴광의 패턴은 다시 점점 밝아질 수 있다. 전술한 바와 같이, 패턴광원(230)은 한 위상 범위를 가지는 패턴광(232)을 조사할 수 있다. 이 위상 범위는 필요에 따라 적절히 설정될 수 있다. 일 실시예에서, 위상 범위는 패턴의 한 주기 또는 한 주기의 배수가 되지 않도록 설정될 수 있다. 즉, 위상 범위는 0, 2π, 4π, ..., 2nπ에 해당하는 위상 범위가 아닌 범위로 설정될 수 있다. 이는 일부 영역(A)에는 패턴광(232)의 평균 광량에 해당하는 광이 조사되므로, 한 주기 또는 한 주기의 배수가 되는 위상 범위의 패턴광이 사용되는 경우, 패턴광의 각 위상에 해당하는 광이 서로 모두 상쇄될 수 있기 때문이다. 또한, 일 실시예에서, 위상 범위는 패턴광의 반 주기에 해당하는 위상 범위보다 크고, 패턴광의 한 주기에 해당하는 위상 범위보다 작게 설정될 수 있다. 또한, 일 실시예에서, 위상 범위는 패턴광의 (N+1/2) 주기에 해당하는 위상 범위보다 크고(N은 자연수), 패턴광의 (N+1) 주기에 해당하는 위상 범위 보다 작게 설정될 수 있다. 이러한 위상 범위는 반사광의 측정을 용이하게 하기 위하여, 패턴광의 전체 광량 자체를 늘려야 필요가 있을 때 설정될 수 있다.
하나 이상의 패턴광(232)의 각각은, 전술한 위상 범위에 해당하는 한 패턴광이 미리 설정된 위상 간격(예: π/2)의 정수배로 각각 위상 천이되어 생성된 것일 수 있다. 일 실시예에서, 전술한 위상 간격은 0보다 크고 π보다 작은 값으로 설정될 수 있다. 하나 이상의 패턴광(232) 각각은 0번째 버킷, 첫 번째 버킷, 두 번째 버킷 및 세 번째 버킷, 즉 4개의 버킷으로 불릴 수 있다. 위상 천이되어 생성되는 패턴광(232) 각각 역시 전술한 위상 범위(α)를 가질 수 있다. 즉, 예를 들어, 패턴광(232) 각각은 0부터 α의 위상 범위, π/2로부터 π/2+α의 위상 범위, π로부터 π+α의 위상 범위, 3×π/2로부터 3×π/2+α의 위상 범위를 가질 수 있다. 각 버킷 별 패턴광(232)은, 조리개(252)에서는 도시된 패턴(710)과 같이 나타날 수 있다. 일 실시예에서, 조리개(252)를 통과하게 되는 패턴광의 영역은 원형(720)일 수 있고, 이에 따라 패턴광원(230)에서의 사각형 형태의 패턴광 중, 해당 원형 영역에 해당하는 광이 대상체로 조사될 수 있다. 일 실시예에서, 장치(100)는 패턴광(232) 하나만을 이용해 대상체 상면의 각도를 결정할 수도 있다. 그러나, 복수의 패턴광을 사용하여 대상체 상면의 각도를 측정함으로써, 대상체 상면의 재질에 따른 오차 등 각종 측정 오차를 줄일 수 있다.
패턴광(232)이 패턴광원(230)에서 가지는 전체 광량 값은 아래의 수식과 같이 계산될 수 있다.
Figure pct00001
Io는 패턴광(232)의 패턴이 가지는 정현파 그래프의 진폭을 결정하는 상수이고, Io는 패턴이 가지는 정현파 그래프의 오프셋을 결정하는 상수일 수 있다. 패턴광원(230)에서의 패턴광(232)을 위상 범위에서(α에서 β) 적분하여, 전체 광량 값(ILCoS)가 도출될 수 있다.
도 8은 본 개시의 일 실시예에 따른 연관 정보를 나타낸 도면이다. 전술한 바와 같이, 장치(100)는 하나 이상의 반사광(234) 각각의 광량 값에 기초하여, 기준면(R)에 대한 대상체 상면의 각도를 결정할 수 있다. 장치(100)는 반사광(234)의 광량 값으로부터 반사광(234)의 위상 값을 도출하고, 도출된 위상 값을 연관 정보와 대비하여 대상체 상면의 각도를 결정할 수 있다.
본 실시예에서, 프로세서(310)는 하나 이상의 반사광(234) 각각의 광량 값으로부터, 하나 이상의 반사광(234) 각각의 위상 값을 도출할 수 있다. 한 패턴광(232)이 대상체의 일부 영역(A)으로부터 반사되어 이미지 센서(220)에 의해 캡쳐될 때, 그 반사광의 광량 값(In)은 다음 수식과 같이 나타날 수 있다.
Figure pct00002
A와 B는 각각 전술한 Io와 Io에 대응될 수 있다. φ(x, y)는 일부 영역(A)의 한 점(x, y)으로부터 반사된 반사광이 가지는 위상 값일 수 있다. α(t)는 패턴광(232)이 가지는, 전술한 위상 천이량을 나타낼 수 있다. 예를 들어, π/2의 위상 간격으로 위상 천이되어 생성된 복수의 패턴광(232) 각각(즉 4개의 버킷)이, 일부 영역(A)으로부터 반사되어 생성된 반사광의 광량 값(I1, I2, I3, I4)은 다음 수학식 3과 같이 나타날 수 있다. 수학식 3은 수학식 2에 각각의 위상 천이량 α(t)을 대입하여 정리한 것일 수 있다.
Figure pct00003
전술한 바와 같이, 이미지 센서(220)는 패턴광(232)의 위상 범위 중 일부 범위에 해당하는 광의 평균 광량을 가진 광을 캡쳐할 수 있다. 여기서 일부 범위에 해당하는 광은, 대상체 상면이 가지는 각도 및/또는 어느 버킷에 따른 패턴광(232)이 조사되었는지에 따라 달라질 수 있다. 즉, 같은 각도로 기울어진 대상체라고 해도, 조사된 패턴광(232)이 얼마만큼 위상 천이되어 있는지에 따라, 전술한 일부 범위에 해당하는 광의 구성이 달라질 수 있다. 그 각각의 버킷에 대한 반사광의 광량이 전술한 I1, I2, I3, I4일 수 있다.
각 반사광의 광량 값(I1, I2, I3, I4)은 이미지 센서(220)에 의해서 측정될 수 있는 값이다. A, B 및 φ는 전술한 I1, I2, I3, I4에 대한 4개의 등식을 이용하여 도출될 수 있다. 미지수가 3개이므로, 적어도 3개 이상의 등식이 필요하며, 따라서 서로 다른 3개 이상의 패턴광(232)을 통한 측정이 적어도 3번 수행되어야 할 수 있다. 이에 따라 전술한 수학식 3을 정리하면 반사광의 위상 값 φ를 다음 수학식 4를 도출해 낼 수 있다.
Figure pct00004
이와 같은 과정을 통해 하나 이상의 반사광(234)의 광량 값으로부터 하나 이상의 반사광(234)의 위상 값이 각각 도출될 수 있다. 이 도출 과정은 프로세서(310)에 의해 수행될 수 있다.
일 실시예에서, 장치(100)의 메모리(320)는 연관 정보를 더 저장할 수 있다. 연관 정보는, 기준면(R)에 대한 대상체 상면의 각도 및 반사광(234)의 위상 값 사이의 관계를 지시할 수 있다. 도시된 연관 정보가 나타내는 수치 값은 예시적인 값이며, 실시예에 따라 연관 정보의 값은 변경될 수 있다. 연관 정보가 나타내는 위상 값과 대상체의 기울어진 각도 사이의 관계는, 측정 및 계산을 통해 데이터 베이스화되어 메모리(220)에 저장된 것일 수 있다.
도시된 바와 같이, 연관 정보는 대상체의 기울어진 각도, 해당 각도 별로 측정된 각 버킷 별 반사광의 광량 값(I1, I2, I3, I4) 및 측정된 광량 값을 통해 도출된 반사광의 위상 값에 대한 정보를 포함할 수 있다. 예를 들어 대상체의 기울어진 각도가 1도인 경우, 측정된 각 버킷 별 반사광의 광량 값(I1, I2, I3, I4)은 각각 239.50, 145.67, 132.41, 226.34일 수 있다. 이 광량 값을 통해 도출한 위상 값은 37.02도 일 수 있다. 일 실시예에서, 연관 정보는 전술한 수학식 3의 A, B의 값 역시 포함할 수 있다.
프로세서(310)는 반사광(234)의 위상 값 및 연관 정보에 기초하여, 기준면(R)에 대한 대상체 상면의 각도를 결정할 수 있다. 프로세서(310)는 결정된 상면의 각도를 이용해 1차 3차원 형상이 나타내는 상면을 수정하여, 보완된 2차(최종) 3차원 형상을 결정할 수 있다.
도 9는 본 개시의 일 실시예에 따른, 패턴광(212, 232)이 가지는 패턴의 방향을 나타낸 도면이다. 일 실시예에서, 패턴광원(210, 230)은 사각 면 상에 패턴을 가지는 패턴광(212, 232)을 생성할 수 있다. 사각형의 한 변에 해당하는 축을 w축, 다른 한 변에 해당하고 w축에 수직인 축을 v축이라고 할 때, 패턴광(212, 232)의 패턴은 w축 방향 또는 v축 방향으로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 하나 이상의 패턴광(212, 232) 각각은 w축 방향 또는 w축에 수직인 v축 방향으로의 패턴을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 버킷 별로 패턴광(212, 232)의 패턴 방향이 다르게 설정될 수 있다. 일 실시예에서, 각 축 방향으로 형성된 복수의 패턴을 사용함으로써, 대상체의 3차원 형상을 결정하는 데에 오차를 줄일 수 있다.
도 10은 본 개시의 일 실시예에 따른, 장치(100)의 조명광을 이용한 검사 과정을 나타낸 도면이다. 전술한 장치(100)의 구성요소 중 일부는 임의로 생략되었다. 일 실시예에서, 장치(100)는 조명광을 이용한 검사를 더 수행할 수 있다. 장치(100)는 전술한 패턴광을 이용한 검사 결과 외에도 조명광을 이용한 검사 결과를 추가로 반영하여, 대상체의 1차 3차원 형상을 결정할 수 있다.
본 실시예에서, 장치(100)는 하나 이상의 조명광원(1010)을 더 포함할 수 있다. 조명광원(1010)은 조명광 조사부(140)에 속할 수 있다. 조명광원(1010) 각각은 기준면(R)에 위치한 대상체를 향하여 조명광(1020)을 조사할 수 있다. 일 실시예에서, 하나의 조명광원(1010)은 원주 상에 소정 간격을 두고 서로 이격되어 배치된 복수의 조명광원(예: LED 조명)을 포함하는 형태로 구현될 수 있다. 해당 원주는 기준면(R)에 평행하게 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 하나의 조명광원(1010)은 원주 형태를 가지는 하나의 조명광원으로 구현될 수도 있다. 조명광원(1010) 각각은 기준면(R) 내지 대상체의 상방에 배치될 수 있다. 조명광원(1010) 각각은 기준면(R)에 대하여 하나 이상의 각도(예: 17도, 40도, 58도, 70도 등)로 기울어진 광축을 따라 조명광을 대상체로 조사하도록 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 조명광원(1010)은 도시된 바와 같이 총 4개 사용될 수 있다. 본 개시에서, 조명광은 하나 이상의 파장에 따른 광일 수 있다. 일 실시예에서, 조명광은 적색(Red)광, 녹색(Green)광 또는 청색(Blue)광일 수 있다. 조명광원(1010) 각각은 RGB 광원으로 구현될 수 있으며, 적색광원, 녹색광원 및/또는 청색광원을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 조명광원(1010)은 적어도 두 개의 광원을 동시에 조사할 수 있으며, 적색, 녹색 및 청색광을 동시에 조사하여, 백색광이 조사되도록 할 수도 있다.
조명광(1020)은 대상체로부터 반사될 수 있다. 이미지 센서(220)는 조명광(1020)이 반사된 광(이하, 반사광(1030))을 캡쳐할 수 있다. 이 때, 조명광(1020)이 대상체로 조사되는 각도 및 반사광(1030)이 대상체에서 반사되는 각도에 따라, 이미지 센서(220)가 캡쳐하는 광의 광량이 달라질 수 있다. 반사 전후로 변화한 광량 값에 기초하여, 대상체의 형상이 결정될 수 있다.
즉, 프로세서(310)는 하나 이상의 반사광(1030)의 각각의, 하나 이상의 파장에 따른 조명광(1020) 각각으로부터의 광량 변화를 획득할 수 있다. 프로세서(310)는 해당 광량 변화에 기초하여 대상체의 전술한 1차 3차원 형상을 결정할 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(310)는 패턴광을 이용한 검사 결과 및 조명광을 이용한 검사 결과 모두를 이용하여 대상체의 1차 3차원 형상을 결정할 수도 있다. 이 경우, 프로세서(310)는 하나 이상의 반사광(214) 각각의 하나 이상의 패턴광(212) 각각으로부터의 위상 변화 및 하나 이상의 반사광(1030) 각각의, 하나 이상의 파장에 따른 조명광(1020) 각각으로부터의 광량 변화에 기초하여, 대상체의 1차 3차원 형상을 결정할 수 있다. 이후, 전술한 바와 같이, 프로세서(310)는 결정된 상면의 각도를 이용하여 해당 1차 3차원 형상을 수정함으로써, 대상체의 2차(최종) 3차원 형상을 결정할 수 있다. 일 실시예에서, 4개의 조명광원(1010)이 사용되고 각 조명광원(1010)이 적색광, 녹색광 및 청색광을 순차적으로 조사한다면, 총 12(4Х3)개의 조명광이 대상체로 조사될 수 있다. 이에 따라 총 12개의 반사광이 이미지 센서(220)에 의해 캡쳐될 수 있고, 대상체의 1차 3차원 형상을 결정하는 데에 이용될 수 있다.
도 11은 본 개시의 일 실시예에 따른, 패턴광원(230)이 백색광(1110)을 추가적으로 조사하는 과정을 나타낸 도면이다. 전술한 장치(100)의 구성요소 중 일부는 임의로 생략되었다. 일 실시예에서, 장치(100)의 패턴광원(230)은 백색광(1110)을 더 조사할 수 있고, 그 반사광(1120)에 대한 정보를 이용하여 보다 정확한 대상체의 1차 3차원 형상을 결정할 수 있다.
본 실시예에서, 패턴광원(230)은 적색(Red)광, 녹색(Green)광 또는 청색(Blue)광, 백색광(white) 중 적어도 하나의 단색광을 조사할 수 있으며, 예를 들어 백색광(1120)을 조사할 수 있다. 패턴광원(230)에서 패턴을 생성해 내는 소자를 제어함으로써, 패턴이 없는 백색의 조명광이 패턴광원(230)으로부터 조사되도록 할 수 있다. 백색광(1120)은 전술한 패턴광(232)와 유사한 광로를 따라 진행할 수 있다. 빔 스플리터(240) 및 하나 이상의 렌즈(250)는 백색광(1110)이 대상체의 상면에 도달하도록 백색광(1110)의 광로를 변경할 수 있다. 예를 들어, 백색광(1110)은 렌즈(250), 조리개(252) 및 기타 광학요소를 거쳐 빔 스플리터(240)로 진행할 수 있다. 빔 스플리터(240)는 백색광(1110)가 대상체의 상면을 향하도록 백색광(1110)의 광로를 변경할 수 있다.
백색광(1110)은 대상체의 상면으로부터 반사될 수 있다. 대상체의 형상에 따라, 반사 전후로 백색광(1110)의 광량이 변화할 수 있다. 즉, 백색광(1110)의 광량과 반사광(1120)의 광량은 다를 수 있다. 반사광(1120)은 빔 스플리터(240)를 향해 진행하고, 빔 스플리터(240)는 반사광(1120)을 이미지 센서(220)로 통과시킬 수 있다. 이미지 센서(220)는 반사광(1120)을 캡쳐할 수 있다.
프로세서(310)는 반사 전후로 변화한 광량 값에 기초하여, 대상체의 형상을 결정할 수 있다. 즉, 프로세서(310)는 반사광(1120)의 백색광(1110)으로부터의 광량 변화를 획득하고, 해당 광량 변화에 기초하여 대상체의 1차 3차원 형상을 결정할 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(310)는 패턴광을 이용한 검사 결과 및 백색광을 이용한 검사 결과 모두를 이용하여 대상체의 1차 3차원 형상을 결정할 수도 있다. 이 경우, 프로세서(310)는 하나 이상의 반사광(214) 각각의 하나 이상의 패턴광(212) 각각으로부터의 위상 변화 및 반사광(1120)의 백색광(1110)으로부터의 광량 변화에 기초하여, 대상체의 1차 3차원 형상을 결정할 수 있다. 이후, 전술한 바와 같이, 프로세서(310)는 결정된 상면의 각도를 이용하여 해당 1차 3차원 형상을 수정함으로써, 대상체의 2차(최종) 3차원 형상을 결정할 수 있다.
일 실시예에서, 장치(100)는 미리 설정된 기준을 만족하는 경우에만 동축 편향측정법을 이용한 검사를 수행해 2차 3차원 형상을 결정하고, 그렇지 않은 경우 1차 3차원 형상만을 결정할 수 있다. 이는 필요하다고 판단되는 경우에만 대상체 상면에 대한 추가 검사를 수행해, 검사 과정에 소요되는 시간을 단축시키기 위함이다. 일 실시예에서, 장치(100)는 대상체 상면의 반사율이 미리 설정된 기준 반사율 이상인 경우, 해당 대상체에 대하여 동축 편향측정법을 이용한 검사를 추가로 수행할 수 있다. 대상체 상면이 경면이거나, 리플로우 공정 후에 경면화된 경우, 조명광 내지 패턴광을 이용한 검사만으로는 대상체 상면에 대한 형상을 정확히 측정하기 어려울 수 있다. 따라서 대상체 상면이 경면이라고 판단되는 경우(즉, 반사율이 미리 설정된 기준 반사율 이상인 경우), 장치(100)는 동축 편향측정법을 이용한 검사를 추가로 수행할 수 있다.
구체적으로, 프로세서(310)는 패턴광원(230)으로부터 백색광(1110)의 광량 정보를 획득하고, 이미지 센서(220)로부터 반사광(1120)의 광량 정보를 획득할 수 있다. 프로세서(310)는 반사광(1120)의 백색광(1110)으로부터의 광량 변화에 기초하여, 대상체 상면의 반사율을 도출할 수 있다. 프로세서(310)는 도출된 상면의 반사율이 미리 설정된 기준 반사율 이상인 경우, 패턴광원(230)을 제어하여, 전술한 하나 이상의 패턴광(232)을 순차적으로 조사하도록 할 수 있다. 일 실시예에서, 미리 설정된 기준 반사율에 대한 정보는 메모리(320)에 저장되어 있을 수 있다.
일 실시예에서, 장치(100)는 패턴광을 이용한 검사를 먼저 수행하고, 편향측정법을 이용한 검사를 수행할 수 있다. 즉, 패턴광(212)을 먼저 조사하여 그 반사광(214)을 캡쳐하고, 이후 패턴광(232)를 조사하여 그 반사광(234)을 캡쳐할 수 있다. 일 실시예에서, 조명광을 이용한 검사는 편향측정법을 이용한 검사 이전에 수행될 수 있다.
일 실시예로서, 장치(100)는 패턴광을 이용하여 기준면(R), 대상체, 또는 기준면(R) 및 대상체를 촬상하여 3차원 형상을 결정하고, 이후 편향측정법을 이용하여 대상체 상면의 각도를 도출할 수 있다.
즉, 대상체 상면이 경면인 경우에는 패턴광을 이용하여 기준면(R)을 확인 가능하나, 대상체에 대한 정확한 3차원 형상 복원은 어려울 수 있으므로, 편향측정법을 이용하여 도출된 대상체 상면의 각도 정보를 토대로 기준면(R) 대비 대상체의 상면 정보 및 대상체의 3차원 형상 정보를 정확히 도출할 수 있다.
도 12는 본 개시의 일 실시예에 따른 장치(1210)를 나타낸 도면이다. 장치(1210)는 전술한 DFM 부(120)에 대응하는 장치로서, 기준면(R) 상에 위치한 대상체의 상면의 각도를 결정할 수 있다. 장치(1210) 내 적어도 하나의 구소요소는 탈착식 장치로서 구현되어, 장치(1220)에 결합될 수 있다. 장치(1210)가 결합되지 않는 경우, 그 결합되었던 해당 위치에 동축 2D 광원이 부착될 수 있다. 동축 2D 광원은 적색(Red)광, 녹색(Green)광, 청색(Blue)광 및 백색광(white) 중에서 선택된 적어도 하나의 단색광을 조사할 수 있다. 동축 2D 광원은 LED 등의 광학 요소를 통해 구현될 수 있다. 이러한 탈착식 장치(1210) 또는 동축 2D 광원을 통해 2D 단색 조명을 조사함으로써, 대상체에 따라 좀 더 정확한 3차원 형상 복원을 수행할 수 있다.
장치(1220)는 전술한 패턴광 조사부(110), 측정부(130) 및/또는 조명광 조사부(140)를 포함하는 장치일 수 있다. 장치(1220)는 기준면(R) 상 대상체의 전술한 1차 3차원 형상을 결정할 수 있다. 장치(1210)가 장치(1220)에 결합하면 전술한 장치(100)의 구성과 유사한 구성을 가질 수 있다. 결합된 장치(1210) 및 장치(1220)는, 장치(100)과 같은 방식으로, 대상체의 전술한 2차(최종) 3차원 형상을 결정할 수 있다. 즉, 장치(1220)는 패턴광을 이용한 검사 및/또는 조명광을 이용한 검사를 수행하여 대상체의 1차 3차원 형상을 결정하고, 장치(1210)는 대상체 상면의 각도를 결정할 수 있다. 상면의 각도를 이용해 대상체의 1차 3차원 형상을 수정하여 2차 3차원 형상이 결정될 수 있다. 실시예에 따라, 수정 및 2차 3차원 형상의 결정 과정은 장치(1210) 또는 장치(1220)가 수행할 수 있다.
구체적으로, 장치(1210)의 패턴광원(1230)은 하나 이상의 패턴광(1232)을 순차적으로 조사할 수 있다. 패턴광원(1230) 및 패턴광(1232)은, 전술한 패턴광원(230) 및 패턴광(232)에 각각 대응될 수 있다. 패턴광(232)과 마찬가지로, 패턴광(1232) 각각은 동일한 한 위상 범위를 가질 수 있다. 또한 패턴광(1232) 각각은 w축 방향 또는 v축 방향으로의 패턴을 가지는 패턴광이 미리 설정된 위상 간격의 정수배로 위상 천이되어 생성된 것일 수 있다.
빔 스플리터(1240) 및 하나 이상의 렌즈(1250)는, 하나 이상의 패턴광(1232)의 광로를 변경할 수 있다. 빔 스플리터(1240) 및 하나 이상의 렌즈(1250)는, 전술한 빔 스플리터(240) 및 하나 이상의 렌즈(250)에 각각 대응될 수 있다. 전술한 빔 스플리터(240) 및 하나 이상의 렌즈(250)와 마찬가지로, 빔 스플리터(1240) 및 하나 이상의 렌즈(1250)는, 전술한 위상 범위의 각 위상에 대응하는 광이 대상체 상면의 일부 영역(A)에 분산하여 도달하도록, 하나 이상의 패턴광(1232)의 광로를 변경할 수 있다. 일 실시예에서, 필요한 기타 광학요소(예: 거울)가 해당 광로 변경에 더 사용될 수도 있다. 일 실시예에서, 패턴광(1232)은 빔 스플리터(1240)로 입력되기 전 조리개(1252)를 통과할 수 있다.
하나 이상의 패턴광(1232)은 대상체의 일부 영역(A)으로부터 반사될 수 있다. 패턴광(1232)이 반사된 광(이하, 반사광(1234))은 빔 스플리터(1240), 조리개(1262), 기타 렌즈(1260) 등을 거쳐, 장치(1220)의 이미지 센서로 입력될 수 있다. 이 이미지 센서는 전술한 이미지 센서(220)에 대응될 수 있다.
장치(1210)는, 장치(1220)로부터, 하나 이상의 반사광(1234)에 대한 정보(1270)를 획득할 수 있다. 장치(1210)는 정보(1270)에 기초하여, 기준면(R)에 대한 대상체 상면의 각도를 결정할 수 있다. 상면의 각도를 결정하는 과정은, 전술한 장치(100)에서 설명한 과정과 동일할 수 있다. 일 실시예에서, 정보(1270)는 하나 이상의 반사광(1234) 각각의 광량 값을 지시하는 정보를 포함할 수 있다.
전술한 바와 같이, 장치(1220)는 전술한 패턴광 조사부(110), 측정부(130) 및/또는 조명광 조사부(140)를 포함하는 장치로서, 패턴광 및/또는 조명광을 이용한 검사를 수행할 수 있다. 구체적으로, 장치(1220)는 하나 이상의 패턴광원(패턴광원(210)에 대응), 이미지 센서(이미지 센서(220)에 대응) 및/또는 프로세서(프로세서(310)에 대응)를 포함할 수 있다. 패턴광원은, 대상체로 하나 이상의 패턴광(패턴광(212)에 대응)을 조사할 수 있다. 이미지 센서는 패턴광(패턴광(212)에 대응)의 반사광(반사광(214)에 대응)을 캡쳐할 수 있다. 또한 이미지 센서는 패턴광(1232)의 반사광(반사광(234)에 대응)도 캡쳐할 수 있다. 프로세서는 캡쳐한 반사광들에 기초하여, 대상체의 1차 3차원 형상을 결정하고, 결정된 1차 3차원 형상을 지시하는 정보를 장치(1210)로 전달할 수 있다.
도 13은 본 개시의 일 실시예에 따른 장치(1210)의 블록도를 나타낸 도면이다. 일 실시예에서, 장치(1210)는 패턴광원(1230), 빔 스플리터(1240), 하나 이상의 렌즈(1250), 통신 인터페이스(1330), 하나 이상의 프로세서(1310) 및/또는 하나 이상의 메모리(1320)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 장치(1210)의 이러한 구성요소들 중 적어도 하나가 생략되거나, 다른 구성요소가 장치(1210)에 추가될 수 있다. 일 실시예에서, 추가적으로(additionally) 또는 대체적으로(alternatively), 일부의 구성요소들이 통합되어 구현되거나, 단수 또는 복수의 개체로 구현될 수 있다. 일 실시예에서, 장치(1210) 내, 외부의 구성요소들 중 적어도 일부의 구성요소들은 버스, GPIO(general purpose input/output), SPI(serial peripheral interface) 또는 MIPI(mobile industry processor interface) 등을 통해 서로 연결되어, 데이터 및/또는 시그널을 주고 받을 수 있다.
패턴광원(1230), 빔 스플리터(1240) 및 하나 이상의 렌즈(1250)는, 전술한 패턴광원(230), 빔 스플리터(240) 및 하나 이상의 렌즈(250)에 대응될 수 있고, 편향측정법에 따른 검사를 수행하기 위해 동일, 유사한 동작을 수행할 수 있다.
통신 인터페이스(1330)는 전술한 장치(100)의 통신 인터페이스와 유사한 방식으로 구현될 수 있다. 통신 인터페이스(1330)는, 프로세서(1310)에 의해 제어되어, 장치(1220)과 통신할 수 있다. 예를 들어, 통신 인터페이스(1330)는 하나 이상의 반사광(1234)에 대한 정보(1270)를 장치(1220)로부터 획득해 올 수 있다.
프로세서(1310)는 전술한 장치(100)의 프로세서(310)와 유사한 방식으로 구현될 수 있다. 프로세서(1310)는 통신 인터페이스(1330)를 제어하여 하나 이상의 반사광(1234)에 대한 정보(1270)를 획득하고, 해당 정보(1270)에 기초하여 기준면(R)에 대한 대상체 상면의 각도를 결정할 수 있다.
일 실시예에서, 장치(1210)의 프로세서(1310)는 하나 이상의 반사광(1234) 각각의 광량 값으로부터, 하나 이상의 반사광(1234) 각각의 위상 값을 도출할 수 있다. 프로세서(1310)는 도출한 위상 값에 기초하여, 기준면(R)에 대한 대상체 상면의 각도를 결정할 수 있다. 이 과정은, 전술한 프로세서(310)가 반사광(234)의 광량 값으로부터 위상 값을 도출해 내고, 위상 값으로부터 상면의 각도를 결정하는 과정에 대응될 수 있다. 일 실시예에서, 메모리(1320)는 메모리(320)와 마찬가지로 연관 정보를 저장할 수 있고, 프로세서(1310)는 반사광(1234) 각각의 위상 값 및 연관 정보에 기초하여, 상면의 각도를 결정할 수 있다.
일 실시예에서, 장치(1210)는 도출된 상면의 각도를 지시하는 정보를 장치(1220)로 전달해, 장치(1220)가 2차 3차원 형상을 결정하도록 할 수 있다. 구체적으로, 프로세서(1310)는 통신 인터페이스(1330)를 제어하여, 도출된 상면의 각도를 지시하는 정보를 장치(1220)로 전달할 수 있다. 전술한 바와 같이, 장치(1220)는 패턴광 및/또는 조명광을 이용한 검사를 통해 대상체의 1차 3차원 형상을 결정할 수 있다. 상면의 각도를 지시하는 해당 정보는, 장치(1220)가 1차 3차원 형상이 나타내는 대상체의 상면을 보정(수정)하여 2차 3차원 형상을 결정하는데 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 장치(1210)는 장치(1220)로부터 대상체의 1차 3차원 형상을 지시하는 정보를 획득하고, 이를 이용해 직접 2차 3차원 형상을 결정할 수도 있다. 구체적으로, 프로세서(1310)는 통신 인터페이스(1330)를 제어하여, 장치(1220)가 결정한 대상체의 1차 3차원 형상에 대한 정보를 획득할 수 있다. 프로세서(1310)는 결정된 상면의 각도에 기초하여, 1차 3차원 형상이 나타내는 대상체의 상면을 보정(수정)하여 2차 3차원 형상을 결정할 수 있다.
일 실시예에서, 패턴광원(1230)은 백색광을 더 조사하고, 빔 스플리터(1240) 및 하나 이상의 렌즈(1250)는 백색광이 대상체 상면에 도달하도록 백색광의 광로를 변경할 수 있다. 이는 전술한 장치(100)의 패턴광원(230)이 백색광(1110)을 조사하는 것에 대응될 수 있다. 전술한 바와 같이, 백색광은 대상체 상면으로부터 반사될 수 있다. 장치(1220)는 반사광을 캡쳐하고, 반사광의 백색광으로부터의 광량 변화에 기초하여 대상체의 1차 3차원 형상을 결정할 수 있다.
일 실시예에서, 프로세서(1310)는 통신 인터페이스(1330)를 제어하여, 장치(1220)로부터 대상체 상면의 반사율을 지시하는 정보를 획득할 수 있다. 프로세서(1310)는 상면의 반사율이 미리 설정된 기준 반사율 이상인 경우, 패턴광원(1230)을 제어하여, 하나 이상의 패턴광(1232)을 순차적으로 조사하도록 할 수 있다. 이는 전술한 장치(100)의 프로세서(310)가 기준 반사율에 기초하여 패턴광원(230)을 제어한 것에 대응될 수 있다.
도 14 내지 15는 본 개시에 따른 장치(100, 1210)들에 의해 각각 수행될 수 있는 방법들의 일 실시예를 나타낸 도면이다. 본 개시에 따른 방법들은 컴퓨터로 구현된 방법일 수 있다. 도시된 흐름도에서 본 개시에 따른 방법 또는 알고리즘의 각 단계들이 순차적인 순서로 설명되었지만, 각 단계들은 순차적으로 수행되는 것 외에, 본 개시에 의해 임의로 조합될 수 있는 순서에 따라 수행될 수도 있다. 본 흐름도에 따른 설명은, 방법 또는 알고리즘에 변화 또는 수정을 가하는 것을 제외하지 않으며, 임의의 단계가 필수적이거나 바람직하다는 것을 의미하지 않는다. 일 실시예에서, 적어도 일부의 단계가 병렬적, 반복적 또는 휴리스틱하게 수행될 수 있다. 일 실시예에서, 적어도 일부의 단계가 생략되거나, 다른 단계가 추가될 수 있다.
도 14는 본 개시에 따른 장치(100)에 의해 수행될 수 있는, 대상체의 3차원 형상을 결정하는 방법(1700)의 일 실시예를 나타낸 도면이다. 본 개시에 따른 장치(100)는, 기준면 상에 위치한 대상체의 제1 3차원 형상(예: 2차 3차원 형상)을 결정함에 있어서 방법(1700)을 수행할 수 있다. 본 개시의 일 실시예에 따른 방법(1700)은, 대상체로 하나 이상의 제1 패턴광을 조사하는 단계(S1710), 하나 이상의 제1 반사광을 캡쳐하는 단계(S1720), 한 위상 범위를 가지는 하나 이상의 제2 패턴광을 순차적으로 조사하는 단계(S1730), 위상 범위의 각 위상에 대응하는 광이 일부 영역에 분산하여 도달하도록 제2 패턴광의 광로를 변경하는 단계(S1740), 하나 이상의 제2 반사광을 캡쳐하는 단계(S1750), 및/또는 하나 이상의 제1 반사광 및 하나 이상의 제2 반사광에 기초하여 대상체의 제1 3차원 형상을 결정하는 단계(S1760)를 포함할 수 있다.
단계 S1710에서, 장치(100)의 하나 이상의 제1 광원(예: 패턴광원(210))은 대상체로 하나 이상의 제1 패턴광(예: 패턴광(212))을 조사할 수 있다. 단계 S1720에서, 이미지 센서(220)는 하나 이상의 제1 패턴광(예: 패턴광(212))이 대상체로부터 반사되어 생성된 하나 이상의 제1 반사광(예: 반사광(214))을 캡쳐할 수 있다.
단계 S1730에서, 제2 광원(예: 패턴광원(230))은 한 위상 범위를 가지는 하나 이상의 제2 패턴광(예: 패턴광(232))을 순차적으로 조사할 수 있다. 단계 S1740에서, 빔 스플리터(240) 및 하나 이상의 렌즈(250)는 해당 위상 범위의 각 위상에 대응하는 광이 대상체의 상면의 일부 영역(A)에 분산하여 도달하도록, 하나 이상의 제2 패턴광(예: 패턴광(232))의 광로를 변경할 수 있다. 단계 S1750에서, 이미지 센서(220)는 하나 이상의 제2 패턴광(예: 패턴광(232))이 일부 영역(A)으로부터 반사되어 생성된 하나 이상의 제2 반사광(예: 반사광(234))을 캡쳐할 수 있다.
단계 S1760에서, 프로세서(310)는 하나 이상의 제1 반사광(예: 반사광(214)) 및 하나 이상의 제2 반사광(예: 반사광(234))에 기초하여, 대상체의 제1 3차원 형상(예: 2차 3차원 형상)을 결정할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 3차원 형상(예: 2차 3차원 형상)을 결정하는 단계(S1760)는, 프로세서(310)가 하나 이상의 제1 반사광(예: 반사광(214))의 하나 이상의 제1 패턴광(예: 패턴광(212))으로부터의 위상 변화 각각에 기초하여, 대상체의 제2 3차원 형상(예: 1차 3차원 형상)을 결정하는 단계를 포함할 수 있다. 또한 단계(S1760)는, 프로세서(310)가 하나 이상의 제2 반사광(예: 반사광(234)) 각각의 광량 값으로부터 하나 이상의 제2 반사광(예: 반사광(234)) 각각의 위상 값을 도출하는 단계를 포함할 수 있다. 또한 단계(S1760)는, 프로세서(310)가 위상 값에 기초하여, 기준면(R)에 대한 상면의 각도를 결정하는 단계를 포함할 수 있다. 또한 단계(S1760)는, 프로세서(310)가 상면의 각도에 기초하여 제2 3차원 형상(예: 1차 3차원 형상)이 나타내는 대상체의 상면을 보정하여, 대상체의 제1 3차원 형상(예: 2차 3차원 형상)을 결정하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상면의 각도를 결정하는 단계는, 프로세서(310)가 해당 위상 값 및 연관 정보에 기초하여 기준면(R)에 대한 상면의 각도를 결정하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 장치(100)는 하나 이상의 제3 광원(예: 조명광원(1010))을 더 포함할 수 있다. 또한 대상체의 제2 3차원 형상(예: 1차 3차원 형상)을 결정하는 단계는, 프로세서(310)가, 하나 이상의 제1 반사광(예: 반사광(214))의 하나 이상의 제1 패턴광(예: 패턴광(212))으로부터의 위상 변화 각각 및 하나 이상의 제3 반사광(예: 반사광(1030))의 하나 이상의 파장에 따른 조명광(1020)으로부터의 광량 변화 각각에 기초하여, 대상체의 제2 3차원 형상(예: 1차 3차원 형상)을 결정하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 방법(1700)은 제2 광원(예: 패턴광원(230))이 백색광(1110)을 조사하는 단계; 빔 스플리터(240) 및 하나 이상의 렌즈(250)가 백색광(1110)이 상면에 도달하도록 백색광(1110)의 광로를 변경하는 단계; 및/또는 이미지 센서(220)가 백색광(1110)이 상면으로부터 반사되어 생성된 제4 반사광(예: 반사광(1120))을 캡쳐하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제2 3차원 형상(예: 1차 3차원 형상)을 결정하는 단계는, 프로세서(310)가, 하나 이상의 제1 반사광(예: 반사광(214))의 하나 이상의 제1 패턴광(예: 패턴광(212))으로부터의 위상 변화 각각 및 제4 반사광(예: 반사광(1120))의 백색광(1110)으로부터의 광량 변화에 기초하여, 대상체의 제2 3차원 형상(예: 1차 3차원 형상)을 결정하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 방법(1700)은, 프로세서(310)가, 제4 반사광(예: 반사광(1120))의 백색광(1110)으로부터의 광량 변화에 기초하여 상면의 반사율을 도출하는 단계; 및/또는 상면의 반사율이 미리 설정된 기준 반사율 이상인 경우, 하나 이상의 제2 패턴광(예: 패턴광(232))을 순차적으로 조사하도록 제2 광원(예: 패턴광원(230))을 제어하는 단계를 더 포함할 수 있다.
도 15는 본 개시에 따른 장치(1210)에 의해 수행될 수 있는, 대상체 상면의 각도를 결정하는 방법(1800)의 일 실시예를 나타낸 도면이다. 본 개시의 일 실시예에 따른 방법(1800)은, 하나 이상의 제1 패턴광을 순차적으로 조사하는 단계(S1810), 위상 범위의 각 위상에 대응하는 광이 일부 영역에 분산하여 도달하도록, 제1 패턴광의 광로를 변경하는 단계(S1820), 제1 장치로부터 하나 이상의 제1 반사광에 대한 제1 정보를 획득하는 단계(S1830) 및/또는 제1 정보에 기초하여 기준면에 대한 상면의 각도를 결정하는 단계(S1840)를 포함할 수 있다.
단계(S1810)에서, 제1 광원(예: 패턴광원(1230))은 한 위상 범위를 가지는 하나 이상의 제1 패턴광(예: 패턴광(1232))을 순차적으로 조사할 수 있다. 단계(S1820)에서, 빔 스플리터(예: 빔 스플리터(1240)) 및 하나 이상의 렌즈(예: 렌즈(1250))는, 해당 위상 범위의 각 위상에 대응하는 광이 상면의 일부 영역(A)에 분산하여 도달하도록, 하나 이상의 제1 패턴광(예: 패턴광(1232))의 광로를 변경할 수 있다.
단계(S1830)에서, 제1 프로세서(예: 프로세서(1310))는 제1 장치(예: 장치(1220))로부터, 하나 이상의 제1 패턴광(예: 패턴광(1232))이 일부 영역(A)으로부터 반사되어 생성된 하나 이상의 제1 반사광(예: 반사광(1234))에 대한 제1 정보(예: 정보(1270))를 획득할 수 있다.
단계(S1840)에서, 제1 프로세서(예: 프로세서(1310))는 제1 정보(예: 정보(1270))에 기초하여 기준면(R)에 대한 상면의 각도를 결정할 수 있다.
일 실시예에서, 상면의 각도를 결정하는 단계는, 제1 프로세서(예: 프로세서(1310))가, 하나 이상의 제1 반사광(예: 반사광(1234)) 각각의 광량 값으로부터 하나 이상의 제1 반사광(예: 반사광(1234)) 각각의 위상 값을 도출하는 단계; 및/또는 도출된 위상 값에 기초하여 기준면(R)에 대한 상면의 각도를 결정하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 방법(1800)은, 제1 프로세서(예: 프로세서(1310))가, 상면의 각도를 지시하는 제2 정보를 제1 장치(예: 장치(1220))로 전달하는 단계를 더 포함할 수 있다. 제2 정보는, 제1 장치(예: 장치(1220))가 제1 3차원 형상(예: 1차 3차원 형상)이 나타내는 대상체의 상면을 보정하여, 대상체의 제2 3차원 형상(예: 2차 3차원 형상)을 결정하는 데에 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 방법(1800)은, 제1 프로세서(예: 프로세서(1310))가, 제1 장치(예: 장치(1220))로부터 대상체의 제1 3차원 형상(예: 1차 3차원 형상)을 지시하는 제3 정보를 획득하는 단계; 및/또는 상면의 각도에 기초하여 제1 3차원 형상(예: 1차 3차원 형상)이 나타내는 대상체의 상면을 보정하여, 대상체의 제2 3차원 형상(예: 2차 3차원 형상)을 결정하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 방법(1800)은, 제1 광원(예: 패턴광원(1230))이 백색광을 더 조사하는 단계; 및/또는 빔 스플리터(예: 빔 스플리터(1240)) 및 하나 이상의 렌즈(예: 렌즈(1250))가 백색광이 상면에 도달하도록 백색광의 광로를 변경하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 방법(1800)은, 제1 프로세서(예: 프로세서(1310))가 통신 인터페이스(1330)를 제어하여, 제1 장치(예: 장치(1220))로부터 상면의 반사율을 지시하는 제4 정보를 획득하는 단계; 및/또는 상면의 반사율이 미리 설정된 기준 반사율 이상인 경우, 하나 이상의 제1 패턴광(예: 패턴광(1232))을 순차적으로 조사하도록 제1 광원(예: 패턴광원(1230))을 제어하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예들은 기기(machine)가 읽을 수 있는 기록 매체(machine-readable recording medium)에 기록된 소프트웨어로 구현될 수 있다. 소프트웨어는 전술한 본 개시의 다양한 실시예들을 구현하기 위한 소프트웨어일 수 있다. 소프트웨어는 본 개시가 속하는 기술분야의 프로그래머들에 의해 본 개시의 다양한 실시예들로부터 추론될 수 있다. 예를 들어 소프트웨어는 기기가 읽을 수 있는 명령(예: 코드 또는 코드 세그먼트) 또는 프로그램일 수 있다. 기기는 기록 매체로부터 호출된 명령어에 따라 동작이 가능한 장치로서, 예를 들어 컴퓨터일 수 있다. 일 실시예에서, 기기는 본 개시의 실시예들에 따른 장치(100, 1210)일 수 있다. 일 실시예에서, 기기의 프로세서는 호출된 명령을 실행하여, 기기의 구성요소들이 해당 명령에 해당하는 기능을 수행하게 할 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서는 본 개시의 실시예들에 따른 하나 이상의 프로세서일 수 있다. 기록 매체는 기기에 의해 읽혀질 수 있는, 데이터가 저장되는 모든 종류의 기록 매체(recording medium)를 의미할 수 있다. 기록 매체는, 예를 들어 ROM, RAM, CD-ROM, 자기 테이프, 플로피 디스크, 광 데이터 저장 장치 등을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 기록 매체는 하나 이상의 메모리일 수 있다. 일 실시예에서, 기록 매체는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템 등에 분산된 형태로서 구현될 수도 있다. 소프트웨어는 컴퓨터 시스템 등에 분산되어 저장되고, 실행될 수 있다. 기록 매체는 비일시적(non-transitory) 기록 매체일 수 있다. 비일시적 기록 매체는, 데이터가 반영구적 또는 임시적으로 저장되는 것과 무관하게 실재하는 매체(tangible medium)를 의미하며, 일시적(transitory)으로 전파되는 신호(signal)를 포함하지 않는다.
이상 다양한 실시예들에 의해 본 개시의 기술적 사상이 설명되었지만, 본 개시의 기술적 사상은 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 이해할 수 있는 범위에서 이루어질 수 있는 다양한 치환, 변형 및 변경을 포함한다. 또한, 그러한 치환, 변형 및 변경은 첨부된 청구범위 내에 포함될 수 있는 것으로 이해되어야 한다.

Claims (15)

  1. 기준면 상에 위치한 대상체의 제1 3차원 형상을 결정하는 장치에 있어서,
    상기 대상체로 하나 이상의 제1 패턴광을 조사하는 하나 이상의 제1 광원;
    한 위상 범위를 가지는 하나 이상의 제2 패턴광을 순차적으로 조사하는 제2 광원;
    상기 위상 범위의 각 위상에 대응하는 광이 상기 대상체의 상면의 일부 영역에 분산하여 도달하도록, 상기 하나 이상의 제2 패턴광의 광로를 변경하는 빔 스플리터 및 하나 이상의 렌즈;
    상기 하나 이상의 제1 패턴광이 상기 대상체로부터 반사되어 생성된 하나 이상의 제1 반사광 및 상기 하나 이상의 제2 패턴광이 상기 일부 영역으로부터 반사되어 생성된 하나 이상의 제2 반사광을 캡쳐하는 이미지 센서; 및
    상기 하나 이상의 제1 광원, 상기 제2 광원 및 상기 이미지 센서와 전기적으로 연결된 프로세서를 포함하고,
    상기 프로세서는,
    상기 하나 이상의 제1 반사광 및 상기 하나 이상의 제2 반사광에 기초하여, 상기 대상체의 상기 제1 3차원 형상을 결정하는, 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 하나 이상의 제1 반사광의 상기 하나 이상의 제1 패턴광으로부터의 위상 변화 각각에 기초하여, 상기 대상체의 제2 3차원 형상을 결정하고,
    상기 하나 이상의 제2 반사광 각각의 광량 값으로부터 상기 하나 이상의 제2 반사광 각각의 위상 값을 도출하고,
    상기 위상 값에 기초하여, 상기 기준면에 대한 상기 상면의 각도를 결정하고,
    상기 상면의 각도에 기초하여 상기 제2 3차원 형상이 나타내는 상기 대상체의 상면을 보정하여, 상기 대상체의 상기 제1 3차원 형상을 결정하는, 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 기준면에 대한 상기 상면의 각도 및 상기 하나 이상의 제2 반사광 각각의 위상 값 사이의 관계를 지시하는 연관 정보를 저장하는 메모리를 더 포함하고,
    상기 프로세서는,
    상기 위상 값 및 상기 연관 정보에 기초하여, 상기 기준면에 대한 상기 상면의 각도를 결정하는, 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 대상체를 향하여, 상기 기준면에 대해 하나 이상의 각도로 하나 이상의 파장에 따른 조명광을 각각 조사하는 하나 이상의 제3 광원을 더 포함하고,
    상기 이미지 센서는 상기 하나 이상의 파장에 따른 조명광 각각이 상기 대상체로부터 반사되어 생성된 하나 이상의 제3 반사광을 캡쳐하고,
    상기 프로세서는,
    상기 하나 이상의 제1 반사광의 상기 하나 이상의 제1 패턴광으로부터의 위상 변화 각각 및 상기 하나 이상의 제3 반사광의 상기 하나 이상의 파장에 따른 조명광으로부터의 광량 변화 각각에 기초하여, 상기 대상체의 상기 제2 3차원 형상을 결정하는, 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 제2 광원은 단색광을 더 조사하고,
    상기 빔 스플리터 및 상기 하나 이상의 렌즈는 상기 단색광이 상기 상면에 도달하도록 상기 단색광의 광로를 변경하고,
    상기 이미지 센서는 상기 단색광이 상기 상면으로부터 반사되어 생성된 제4 반사광을 캡쳐하고,
    상기 프로세서는,
    상기 하나 이상의 제1 반사광의 상기 하나 이상의 제1 패턴광으로부터의 위상 변화 각각 및 상기 제4 반사광의 상기 단색광으로부터의 광량 변화에 기초하여, 상기 대상체의 상기 제2 3차원 형상을 결정하는, 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 제4 반사광의 상기 단색광으로부터의 광량 변화에 기초하여, 상기 상면의 반사율을 도출하고,
    상기 상면의 반사율이 미리 설정된 기준 반사율 이상인 경우, 상기 하나 이상의 제2 패턴광을 순차적으로 조사하도록 상기 제2 광원을 제어하는, 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 하나 이상의 제1 패턴광 각각은, 제1 방향 또는 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로의 패턴을 가지는 패턴광이 미리 설정된 위상 간격의 정수배로 위상 천이되어 생성된 패턴광인, 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 하나 이상의 제2 패턴광 각각은, 제1 방향 또는 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로의 패턴을 가지는 패턴광이 미리 설정된 위상 간격의 정수배로 위상 천이되어 생성된 패턴광인, 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 이미지 센서는, 상기 대상체가 위치한 상기 기준면 상 영역의 수직 상방에서 상기 대상체에 대향하여 배치되는, 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 하나 이상의 제1 광원 각각은, 상기 기준면의 상방에서 상기 대상체를 향하여 서로 다른 광축을 따라 상기 하나 이상의 제1 패턴광을 각각 조사하도록 배치되는, 장치.
  11. 제4항에 있어서,
    상기 하나 이상의 제3 광원 각각은, 상기 기준면의 상방에 배치되고, 상기 기준면에 평행한 원주 상에서 서로 이격되어 설치된 복수의 조명 광원을 포함하는, 장치.
  12. 제2항에 있어서,
    상기 제2 광원으로부터 조사된 상기 하나 이상의 제2 패턴광을 상기 빔 스플리터로 통과시키는 제1 조리개; 및
    상기 일부 영역으로부터 진행하는 상기 하나 이상의 제2 반사광을 상기 이미지 센서로 통과시키는 제2 조리개를 더 포함하고,
    상기 하나 이상의 제2 반사광 각각의 광량 값은, 상기 제1 조리개를 통과하고 상기 일부 영역에 의해 반사되어 상기 제2 조리개를 통과하는 광의 광량에 따라 결정되는, 장치.
  13. 기준면 상에 위치한 대상체의 제1 3차원 형상을 결정하는 방법에 있어서,
    하나 이상의 제1 광원이, 상기 대상체로 하나 이상의 제1 패턴광을 조사하는 단계;
    이미지 센서가, 상기 하나 이상의 제1 패턴광이 상기 대상체로부터 반사되어 생성된 하나 이상의 제1 반사광을 캡쳐하는 단계;
    제2 광원이, 한 위상 범위를 가지는 하나 이상의 제2 패턴광을 순차적으로 조사하는 단계;
    빔 스플리터 및 하나 이상의 렌즈가, 상기 위상 범위의 각 위상에 대응하는 광이 상기 대상체의 상면의 일부 영역에 분산하여 도달하도록, 상기 하나 이상의 제2 패턴광의 광로를 변경하는 단계;
    상기 이미지 센서가, 상기 하나 이상의 제2 패턴광이 상기 일부 영역으로부터 반사되어 생성된 하나 이상의 제2 반사광을 캡쳐하는 단계; 및
    프로세서가, 상기 하나 이상의 제1 반사광 및 상기 하나 이상의 제2 반사광에 기초하여, 상기 대상체의 상기 제1 3차원 형상을 결정하는 단계를 포함하는, 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제1 3차원 형상을 결정하는 단계는:
    상기 프로세서가, 상기 하나 이상의 제1 반사광의 상기 하나 이상의 제1 패턴광으로부터의 위상 변화 각각에 기초하여, 상기 대상체의 제2 3차원 형상을 결정하는 단계;
    상기 프로세서가, 상기 하나 이상의 제2 반사광 각각의 광량 값으로부터 상기 하나 이상의 제2 반사광 각각의 위상 값을 도출하는 단계;
    상기 프로세서가, 상기 위상 값에 기초하여, 상기 기준면에 대한 상기 상면의 각도를 결정하는 단계; 및
    상기 프로세서가, 상기 상면의 각도에 기초하여 상기 제2 3차원 형상이 나타내는 상기 대상체의 상면을 보정하여, 상기 대상체의 상기 제1 3차원 형상을 결정하는 단계를 포함하는, 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제2 광원이 단색광을 조사하는 단계;
    상기 빔 스플리터 및 상기 하나 이상의 렌즈가 상기 단색광이 상기 상면에 도달하도록 상기 단색광의 광로를 변경하는 단계; 및
    상기 이미지 센서가 상기 단색광이 상기 상면으로부터 반사되어 생성된 제4 반사광을 캡쳐하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제2 3차원 형상을 결정하는 단계는, 상기 프로세서가, 상기 하나 이상의 제1 반사광의 상기 하나 이상의 제1 패턴광으로부터의 위상 변화 각각 및 상기 제4 반사광의 상기 단색광으로부터의 광량 변화에 기초하여, 상기 대상체의 상기 제2 3차원 형상을 결정하는 단계를 포함하는, 방법.
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Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10223168A (ja) * 1997-02-12 1998-08-21 Hitachi Ltd 試料分析装置
US7353954B1 (en) * 1998-07-08 2008-04-08 Charles A. Lemaire Tray flipper and method for parts inspection
JP2003017536A (ja) * 2001-07-04 2003-01-17 Nec Corp パターン検査方法及び検査装置
KR100612932B1 (ko) * 2005-12-14 2006-08-14 주식회사 고영테크놀러지 3차원 형상 측정장치 및 방법
CN101011860A (zh) * 2006-02-01 2007-08-08 海迪斯联合股份公司 热熔性塑料管状零件的镜面焊接工具
KR100708352B1 (ko) * 2006-03-07 2007-04-18 한국과학기술원 모아레 원리의 2π 모호성과 위상천이 수단이 없도록실시되는 3차원 형상 측정장치 및 그 방법
DE102006015792A1 (de) * 2006-04-05 2007-10-18 Isra Surface Vision Gmbh Verfahren und System zur Formmessung einer reflektierenden Oberfläche
KR20080043047A (ko) * 2006-11-13 2008-05-16 주식회사 고영테크놀러지 새도우 모아레를 이용한 3차원형상 측정장치
US8224066B2 (en) * 2007-05-29 2012-07-17 Gerd Haeusler Method and microscopy device for the deflectometric detection of local gradients and the three-dimensional shape of an object
US8115906B2 (en) * 2007-12-14 2012-02-14 Nikon Corporation Movable body system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and measurement device, and device manufacturing method
CN103134446B (zh) * 2008-02-26 2017-03-01 株式会社高永科技 三维形状测量装置及测量方法
JP2010185692A (ja) * 2009-02-10 2010-08-26 Hitachi High-Technologies Corp ディスク表面検査装置、その検査システム及びその検査方法
JP2010192470A (ja) * 2009-02-13 2010-09-02 Canon Inc 計測装置、露光装置及びデバイスの製造方法
DE102010064593A1 (de) * 2009-05-21 2015-07-30 Koh Young Technology Inc. Formmessgerät und -verfahren
WO2010137637A1 (ja) * 2009-05-27 2010-12-02 株式会社ニコン 形状測定装置、形状測定方法、および、製造方法
KR101150755B1 (ko) * 2009-09-14 2012-06-14 이제선 영상촬영장치
KR101640935B1 (ko) * 2010-01-22 2016-07-20 주식회사 고영테크놀러지 3차원 형상 측정장치
CN102052907B (zh) * 2010-11-18 2012-05-23 华中科技大学 一种基于投影莫尔原理的bga共面度测量系统
TWI546518B (zh) * 2012-04-20 2016-08-21 德律科技股份有限公司 三維量測系統與三維量測方法
TWI460394B (zh) * 2012-07-20 2014-11-11 Test Research Inc 三維影像量測裝置
JP2016008941A (ja) * 2014-06-26 2016-01-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥観察方法及びその装置並びに欠陥検出装置
EP3032241B1 (en) * 2014-12-11 2023-03-01 X-Rite Europe GmbH Method and apparatus for digitizing the appearance of a real material
KR20160121716A (ko) * 2015-04-10 2016-10-20 한국교통대학교산학협력단 하이브리드 조명 기반 표면 검사 장치
KR101659302B1 (ko) * 2015-04-10 2016-09-23 주식회사 고영테크놀러지 3차원 형상 측정장치
KR101639227B1 (ko) * 2015-06-08 2016-07-13 주식회사 고영테크놀러지 3차원 형상 측정장치
JP6109255B2 (ja) * 2015-07-14 2017-04-05 Ckd株式会社 三次元計測装置
JP6791631B2 (ja) * 2016-01-06 2020-11-25 株式会社サキコーポレーション 画像生成方法及び検査装置
WO2017119118A1 (ja) * 2016-01-08 2017-07-13 オリンパス株式会社 標本形状測定方法及び標本形状測定装置
KR102079181B1 (ko) * 2016-03-04 2020-02-19 주식회사 고영테크놀러지 패턴광 조사 장치 및 방법
WO2018022130A1 (en) * 2016-07-27 2018-02-01 Scannmen Ltd. Hybrid 3d optical scanning system
US10036630B1 (en) * 2017-05-22 2018-07-31 Asm Technology Singapore Pte Ltd Three-dimensional imaging using a multi-phase projector

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