KR20210158409A - 경사면 에칭 챔버를 위한 가열기 지지 키트 - Google Patents

경사면 에칭 챔버를 위한 가열기 지지 키트 Download PDF

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KR20210158409A
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plate
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투안 안 응우옌
정민 이
안자나 엠. 파텔
압둘 아지즈 카자
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

본 명세서에 설명되는 실시예들은 일반적으로, 기판을 프로세싱하기 위한 장치들에 관한 것이다. 하나 이상의 실시예들에서, 가열기 지지 키트는, 상부 표면 및 하부 표면을 갖는 가열기 플레이트를 포함하는 가열기 조립체; 가열기 플레이트의 상부 표면의 적어도 일부 상에 배치된 척 링; 가열기 아암을 포함하고 가열기 조립체를 지지하는 가열기 아암 조립체; 및 가열기 플레이트와 가열기 아암 사이에 배치되고 가열기 플레이트의 하부 표면의 적어도 일부와 접촉하는 가열기 지지 플레이트를 포함한다.

Description

경사면 에칭 챔버를 위한 가열기 지지 키트
[0001] 본 명세서에 설명되는 실시예들은 일반적으로, 기판을 프로세싱하기 위한 방법들 및 장치에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 명세서에 설명되는 실시예들은 경사면 에칭 챔버(bevel etch chamber)들을 위한 가열기 지지 키트들에 관한 것이다.
[0002] 플라즈마 프로세싱은 일반적으로, 집적 회로들, 평판 디스플레이들, 자기 매체들, 및 다른 디바이스들을 제조하기 위한 많은 반도체 제조 프로세스들에 대해 사용된다. 플라즈마, 또는 이온화된 가스가 원격 플라즈마 소스(RPS) 내부에서 생성되고, 프로세싱 챔버 내로 유동되고, 이어서 워크피스에 적용되어 증착, 에칭, 또는 주입과 같은 프로세스를 달성한다. 프로세싱은 일반적으로, 기판을 포함하는 진공 챔버 내로 전구체 가스 또는 가스 혼합물을 도입함으로써 달성된다. 증착 또는 에칭 프로세스들 동안, 컴포넌트, 이를테면 마스크 또는 샤워헤드가 기판 반대편에 위치될 수 있다. 챔버 내의 전구체 가스 또는 가스 혼합물은 RPS를 사용함으로써 플라즈마로 에너자이징(energize)된다(예컨대, 여기된다). 여기된 가스 또는 가스 혼합물은 기판의 에지 상의 막의 층을 선택적으로 에칭하기 위해 반응한다.
[0003] 그러나, 기판의 경사진 에지들, 이를테면 기판의 측부들 및 코너들은 기판의 다른 부분들에서 경험되는 조건들과 상이할 수 있는 조건들을 경험한다. 이러한 상이한 조건들은 막 두께, 에칭 균일성 및/또는 막 응력과 같은 프로세싱 파라미터들에 영향을 준다. 기판의 중심과 에지들 사이의 에칭 레이트 및/또는 막 속성, 이를테면 막 두께 또는 응력의 차이는 상당해지고, 부적당한 특성들을 갖는 디바이스들을 초래할 수 있다.
[0004] 따라서, 당업계에 필요한 것은 경사면 에칭 프로세싱을 위한 개선된 장치이다.
[0005] 본 명세서에 설명되는 실시예들은 일반적으로, 기판을 프로세싱하기 위한 장치들에 관한 것이다. 하나 이상의 실시예들에서, 가열기 지지 키트는 가열기 조립체, 척 링(chuck ring), 가열기 아암(arm) 조립체, 및 가열기 지지 플레이트를 포함한다. 가열기 조립체는 상부 표면 및 하부 표면을 갖는 가열기 플레이트를 포함한다. 척 링은 가열기 플레이트의 상부 표면의 적어도 일부 상에 배치된다. 가열기 아암 조립체는 가열기 아암을 포함하고 가열기 조립체를 지지한다. 가열기 지지 플레이트는 가열기 플레이트와 가열기 아암 사이에 배치되고, 가열기 플레이트의 하부 표면의 적어도 일부와 접촉한다. 다른 실시예들에서, 가열기 지지 키트는 또한, 가열기 지지 플레이트 아래에 배치된 하부 지지 플레이트 및 하부 지지 플레이트 아래에 배치된 센터링 플러그(centering plug)를 포함한다.
[0006] 하나 이상의 실시예들에서, 경사면 에칭 프로세싱을 위한 방법은, 프로세싱 챔버 내부의 기판 지지부 상에 기판을 배치하는 단계를 포함하며, 기판은 증착 층을 갖고, 증착 층은 중심 및 경사면 에지를 포함한다. 마스크가 기판 위에 배치된다. 에지 링은 기판 주위에 그리고 기판 지지부 상에 배치된다. 방법은 또한, 경사면 에지에 인접하게 에칭하기 위해 프로세스 가스 혼합물을 유동시키는 단계, 및 기판의 최상부에 인접한 기판의 중심에 있는 마스크의 제1 홀, 제2 홀, 및 제3 홀을 통해 퍼지 가스를 유동시키는 단계를 포함한다.
[0007] 다른 실시예들에서, 방법은, 프로세싱 챔버 내부의 기판 지지부 상에 기판을 배치하는 단계를 포함하며, 기판은 증착 층을 갖고, 증착 층은 중심 및 경사면 에지를 포함한다. 마스크가 기판 위에 배치된다. 에지 링은 기판 아래에 그리고 기판 지지부 상에 배치된다. 방법은 또한, 마스크와 접촉하도록 에지 링을 상승시키는 단계를 포함한다. 방법은 또한, 경사면 에지에 인접하게 프로세스 가스 혼합물을 유동시키는 단계, 및 기판의 최상부에 인접한 기판의 중심에 있는 마스크의 제1 홀, 제2 홀, 및 제3 홀을 통해 퍼지 가스를 유동시키는 단계를 포함한다.
[0008] 일부 실시예들에서, 방법은, 프로세싱 챔버 내부의 기판 지지부 상에 기판을 배치하는 단계를 포함하며, 기판은 증착 층을 갖고, 증착 층은 중심 및 경사면 에지를 포함한다. 마스크가 기판 위에 배치된다. 에지 링은 기판 주위에 그리고 기판 지지부 상에 배치된다. 방법은 또한, 경사면 에지에 인접하게 프로세스 가스 혼합물을 유동시키는 단계, 및 기판의 최상부에 인접한 기판의 중심에 있는 마스크의 제1 홀, 제2 홀, 및 제3 홀을 통해 퍼지 가스를 유동시키는 단계를 포함한다. 프로세스 가스는 질소(N2), 산소(O2), 질소 트리플루오라이드(NF3), 아르곤, 헬륨, 또는 이들의 임의의 조합 중 하나 이상을 포함한다.
[0009] 본 개시내용의 위에서 언급된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 위에서 간략하게 요약된 본 개시내용의 더 구체적인 설명이 실시예들을 참조하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들 중 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들이 예시적인 실시예들만을 예시하는 것이므로, 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하며, 본 개시내용은 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있다.
[0010] 도 1은 본 명세서에 설명되고 논의되는 하나 이상의 실시예들에 따른 프로세싱 챔버(100)의 개략적인 단면도를 도시한다.
[0011] 도 2는 본 명세서에 설명되고 논의되는 하나 이상의 실시예들에 따른, 도 1의 챔버에서 이용되는 마스크의 개략적인 저면도를 도시한다.
[0012] 도 3은 본 명세서에 설명되고 논의되는 하나 이상의 실시예들에 따른, 도 1의 챔버에서 이용되는 에지 링의 개략적인 저면도를 도시한다.
[0013] 도 4는 본 명세서에 설명되고 논의되는 하나 이상의 실시예들에 따른, 도 1의 챔버에서 이용되는 커버 플레이트의 개략적인 평면도를 도시한다.
[0014] 도 5는 본 명세서에 설명되고 논의되는 하나 이상의 실시예들에 따른, 가열기 지지 키트를 포함하는 프로세싱 챔버의 개략적인 단면도를 도시한다.
[0015] 도 6은 본 명세서에 설명되고 논의되는 하나 이상의 실시예들에 따른, 도 5에 도시된 가열기 지지 키트의 개략적인 평면도를 도시한다.
[0016] 도 7은 본 명세서에 설명되고 논의되는 하나 이상의 실시예들에 따른, 도 5에 도시된 가열기 지지 키트의 개략적인 분해도를 도시한다.
[0017] 도 8은 본 명세서에 설명되고 논의되는 하나 이상의 실시예들에 따른, 다른 가열기 지지 키트를 포함하는 프로세싱 챔버의 개략적인 단면도를 도시한다.
[0018] 도 9는 본 명세서에 설명되고 논의되는 하나 이상의 실시예들에 따른, 도 8에 도시된 가열기 지지 키트의 개략적인 분해도를 도시한다.
[0019] 도 10은 본 명세서에 설명되고 논의되는 하나 이상의 실시예들에 따른 부착 조립체의 개략적인 단면도를 도시한다.
[0020] 도 11은 본 명세서에 설명되고 논의되는 하나 이상의 실시예들에 따른 가열기 조립체의 개략적인 평면도를 도시한다.
[0021] 도 12는 본 명세서에 설명되고 논의되는 하나 이상의 실시예들에 따른, 도 11에 도시된 가열기 조립체의 개략적인 사시도를 도시한다.
[0022] 도 13a 내지 도 13c는 본 명세서에 설명되고 논의되는 하나 이상의 실시예들에 따른 클리트 조립체(cleat assembly)의 개략도들을 도시한다.
[0023] 도 14a 내지 도 14c는 본 명세서에 설명되고 논의되는 하나 이상의 실시예들에 따른 가열기 지지 플레이트의 개략도들을 도시한다.
[0024] 도 15a 및 도 15b는 본 명세서에 설명되고 논의되는 하나 이상의 실시예들에 따른 하부 지지 플레이트의 개략도들을 도시한다.
[0025] 이해를 용이하게 하기 위하여, 도면들에 공통적인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 하나 이상의 실시예들의 엘리먼트들 및 피처들이 다른 실시예들에 유리하게 통합될 수 있다는 것이 예상된다.
[0026] 본 명세서에 설명되는 실시예들은 일반적으로, 기판을 프로세싱하기 위한 방법들 및 장치에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 명세서에 설명되는 실시예들은 경사면 에칭 프로세싱을 위한 방법들 및 장치에 관한 것이다. 일부 실시예들에서, 반도체 기판의 경사면 에지를 세정하는 방법이 제공된다. 방법은 프로세싱 챔버 내부의 커버 플레이트 상에 기판을 배치하는 단계를 포함하며, 기판은 증착 층을 갖고, 증착 층은 중심 및 경사면 에지를 포함한다. 마스크가 기판 위에 배치된다. 에지 링은 기판 주위에/기판 아래에 배치된다. 방법은 또한, 경사면 에지에 인접하게 프로세스 가스 혼합물을 유동시키는 단계, 및 기판의 최상부에 인접한 기판의 중심에 있는 마스크의 제1 홀, 제2 홀, 및 제3 홀을 통해 퍼지 가스를 유동시키는 단계를 포함한다.
[0027] 도 1은 본 개시내용의 일 양상에 따른 프로세싱 챔버(100)의 개략적인 단면도를 예시한다. 도시된 바와 같이, 프로세싱 챔버(100)는 기판, 이를테면 기판(154)을 에칭하기에 적합한 에칭 챔버이다. 본 개시내용의 예시적인 양상들로부터 이익을 얻도록 구성될 수 있는 프로세싱 챔버들의 예들은 캘리포니아 산타클라라에 위치된 Applied Materials, Inc.로부터 상업적으로 입수가능한 Producer® 프로세싱 챔버, 및 PrecisionTM 프로세싱 챔버이다. 다른 제조자들로부터의 프로세싱 챔버들을 포함하는 다른 프로세싱 챔버들이 본 개시내용의 양상들로부터 이익을 얻도록 구성될 수 있다는 것이 고려된다.
[0028] 프로세싱 챔버(100)는 다양한 플라즈마 프로세스들을 위해 사용될 수 있다. 일 양상에서, 프로세싱 챔버(100)는 하나 이상의 에칭제들을 이용하여 건식 에칭을 수행하는 데 사용될 수 있다. 예컨대, 프로세싱 챔버는 하나 이상의 플루오로카본들(예컨대, 카본 테트라플루오라이드, 헥사플루오로에탄 등), 질소(N2), 산소(O2), 질소 트리플루오라이드(NF3), 또는 이들의 조합들로부터의 플라즈마의 점화를 위해 사용될 수 있다. 다른 실시예에서, 프로세싱 챔버(100)는 하나 이상의 화학 작용제들을 이용한 플라즈마 강화 화학 기상 증착을 위해 사용될 수 있다.
[0029] 프로세싱 챔버(100)는 챔버 바디(102), 덮개 조립체(106), 지지 조립체(104), 및 가스 배출구(160)를 포함한다. 덮개 조립체(106)는 챔버 바디(102)의 상부 단부에 포지셔닝된다. 도 1의 덮개 조립체(106) 및 지지 조립체(104)는 플라즈마 또는 열 프로세싱을 위한 임의의 프로세싱 챔버와 함께 사용될 수 있다. 다른 제조자들로부터의 챔버들이 또한, 위에서 설명된 컴포넌트들과 함께 사용될 수 있다. 지지 조립체(104)는 챔버 바디(102) 내부에 배치되고, 덮개 조립체(106)는 챔버 바디(102)에 커플링되고, 프로세싱 볼륨(120)에서 지지 조립체(104)를 둘러싼다. 챔버 바디(102)는 챔버 바디(102)의 측벽에 형성된 슬릿 밸브 개구(126)를 포함한다. 슬릿 밸브 개구(126)는 기판 이송을 위해 기판 핸들링 로봇(도시되지 않음)에 의한 내부 볼륨(120)에 대한 접근을 허용하도록 선택적으로 개방 및 폐쇄된다.
[0030] 세라믹 또는 금속 산화물, 예컨대 알루미늄 산화물 및/또는 알루미늄 질화물과 같은 유전체 재료일 수 있는 아이솔레이터(isolator)(110)는 전극과 접촉하고, 가스 분배기(112) 및 챔버 바디(102)로부터 전극을 전기적으로 그리고 열적으로 분리시킨다. 가스 분배기(112)는 프로세싱 볼륨(120) 내로의 프로세스 가스의 입장을 허가하기 위한 개구들을 특징으로 한다. 프로세스 가스들은 도관(114)을 통해 프로세싱 챔버(100)에 공급될 수 있고, 프로세스 가스들은 개구들을 통해 기판(154)으로 유동되기 전에 가스 혼합 구역(116)에 진입할 수 있다. 가스 분배기(112)는 RPS에 연결될 수 있다.
[0031] 지지 조립체(104)는 진공 척, 정전 척, 또는 가열식 페디스털과 같은 임의의 적합한 기판 지지부일 수 있다. 하나 이상의 실시예들에서, 기판 지지부는 로드 록(load lock) 설치를 위한 공간을 절약하기 위한 "L" 형상 페디스털이다. 지지 조립체는 진공 척 라인, 가열 라인, 및 지지 조립체 온도를 프로빙(probe)하는 TC를 갖는다. 일부 실시예들에서, 기판 지지부(104)는 프로세싱을 위해 기판(154)을 지지하도록 구성된다. 리프트 메커니즘은 기판 지지부(104)가 하부 이송 포지션과 다수의 상승된 프로세스 포지션들 사이에서 챔버 바디(102) 내에서 수직으로 이동되게 허용한다. 지지 조립체(104)는 금속성 또는 세라믹 재료, 예컨대 금속 산화물 또는 질화물 또는 산화물/질화물 혼합물, 이를테면 알루미늄, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 또는 알루미늄 산화물/질화물 혼합물로 형성될 수 있다. 가열기(122)는 지지 조립체(104)에 커플링될 수 있다. 가열기(122)는 지지 조립체(104) 내에 매립되거나 또는 지지 조립체(104)의 표면에 커플링될 수 있다. 가열기(122)는 챔버(100) 외부로 연장되는 전력 소스에 커플링될 수 있다.
[0032] 반응물 차단기 또는 마스크(150)는 덮개 조립체(106)의 일부일 수 있거나, 또는 별개의 탈착가능 피스(detachable piece)일 수 있다. 마스크(150)는 평탄화된 최하부 표면을 갖는 돔 형상 바디(204)를 갖는다. 도 2에 도시된 바와 같이, 마스크(150)는 원형 애퍼처를 갖는다. 애퍼처의 중심에는, 모든 방향들로 퍼지 가스의 균일한 분배를 보장하는 작은 초크를 생성하기 위한 3개의 개구들(202)이 존재한다. 일부 실시예들에서, 3개의 개구들(202)은 균일한 사이즈 및 형상이고, 등거리로 이격될 수 있다. 마스크(150)는 기판(154)과 접촉하도록 하강될 수 있다. 일부 실시예들에서, 마스크(150)는 석영 또는 다른 세라믹 재료일 수 있으며, 원한다면, Ni 또는 NiO, 또는 화학적 내성 또는 플라즈마 내성 재료, 이를테면 이트리아 또는 이트륨 산화물로 코팅될 수 있다. 덮개 조립체(106)는 플라즈마 소스(162)를 더 포함한다. 플라즈마 소스(162)는 마스크(150)에 인접한다.
[0033] 도 3은 본 개시내용의 일 양상에 따른, 도 1의 챔버에서 이용되는 에지 링(180)의 개략적인 평면도를 예시한다. 일부 실시예들에서, 에지 링(180)은 마스크(150)와 접촉하도록 인접하게 배치된다. 에지 링(180)은 환형 바디(306)를 갖는다. 에지 링(180)은 기판 조립체(104)와 맞물리기 위한 여러 개의 개구들(304)을 포함한다. 에지 링(180)은 기판 조립체(104) 상에 배치된다. 일부 실시예들에서, 에지 링(180)은 커버 플레이트(152)에 인접하게 배치될 수 있다. 에지 링(180)은 석영 또는 알루미나와 같은 세라믹 재료를 포함할 수 있다. 에지 링(180)은 복수의 돌출부들(302)을 갖는다. 돌출부들(302)은 원형 범프들, 정사각형, 직사각형, 육각형, 또는 임의의 다른 형상일 수 있다. 돌출부들(302)은 바디(306) 주위에 배열된다. 10개의 돌출부들(302)이 도시되지만, 더 많거나 더 적은 돌출부들(302)이 존재할 수 있다. 돌출부들은 에지 링(180)의 바디(306)의 둘레 주위에 동일하게 이격될 수 있다. 일부 실시예들에서, 돌출부들(302)은 기판 조립체(104) 및 기판(154)으로부터의 열 전달을 감소시킨다. 부가적으로, 에지 링(180)은 기판의 최상부와 기판(154)의 최하부 사이에 압력 차이를 제공한다. 일부 실시예들에서, 에지 링(180)은 기판(154) 위의 균일한 레벨링을 제공한다.
[0034] 도 4는 본 개시내용의 일 양상에 따른, 도 1의 챔버에서 이용되는 커버 플레이트(152)의 개략적인 평면도를 예시한다. 커버 플레이트(152)는 중앙 애퍼처(402), 복수의 개구들(404), 복수의 체결구들(410), 스캘럽형 에지(scalloped edge)(406), 및 복수의 스포크(spoke)들(408)을 포함한다. 중앙 애퍼처(402)는 원형 개구, 육각형 개구, 직사각형 개구, 또는 임의의 다른 형상화된 개구일 수 있다. 복수의 개구들(404)은 중앙 애퍼처(402) 주위에 원주방향으로 변위된 원형 개구들이다. 복수의 개구들(404) 각각은 중앙 애퍼처(402)보다 작다. 본 개시내용이 8개의 개구들(404)을 도시하지만, 복수의 개구들(404)은 8개 초과 또는 그 미만의 개구들(404)을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 개구들(404)은 중앙 애퍼처(402) 주위에 균등하게 이격된다. 다른 실시예들에서, 개구들(404) 사이의 거리들은 변경된다. 복수의 스포크들(408)은 커버 플레이트(152) 내의 그루브(groove)들이다. 복수의 스포크들(408)은 중앙 애퍼처(402)를 둘러싸는 원형 그루브로부터 밖으로 방사된다. 복수의 스포크들(408)은 스캘럽형 에지(406)를 향해 반경방향 외측으로 연장되는 선형 그루브들이다. 스캘럽형 에지(406)는 균일한 만입부들을 갖는 파형 패턴을 포함한다. 스캘럽형 에지(406)는 둥근 에지들, 정사각형 에지들, 또는 뾰족한 에지들을 가질 수 있다. 스캘럽형 에지(406)는 커버 플레이트(152) 및 척 링(180) 상에 배치될 때 기판 슬라이딩을 방지한다.
[0035] 동작 시에, 기판을 에칭하는 방법은 프로세싱 챔버 내부의 기판 지지부 상에 기판을 배치함으로써 시작된다. 동일한 챔버에서 또는 상이한 챔버에서 증착 프로세스를 겪은 이후, 기판은 유전체 층, 중심, 및 경사면 에지를 갖는다. 마스크(150)는 마스크와 기판 사이의 작은 갭을 0.003 인치 내지 0.100 인치로 유지하기 위해 기판(154) 위로 하강된다. 하나 이상의 실시예들에서, 기판(154) 및 에지 링(180)은 마스크(150)와 접촉하도록 상승된다. 일부 실시예들에서, 기판(154)과 마스크(150) 사이의 거리는 100 mil 미만이다. 일부 실시예들에서, 기판(154)과 마스크(150) 사이의 거리는 약 10 mil이다. 다른 실시예들에서, 기판(154)과 마스크(150) 사이의 거리는 100 mil 미만, 이를테면 5 mil 내지 20 mil이다. 에지 링(180)은 기판(154) 주위에/ 기판(154) 아래에 배치된다. 다른 실시예들에서, 에지 링(180)은 커버 플레이트(152) 주위에 배치된다. 다른 실시예들에서, 에지 링(180)은 기판 조립체(104) 위에 배치된다. 방법은 기판(154)의 최상부에 인접하게 그리고 경사면 에지에 인접하게 프로세스 가스 혼합물을 유동시킴으로써 계속된다. 프로세스 가스는 임의의 수의 에천트 가스들일 수 있다. 프로세스 가스는 경사면 에지를 에칭한다. 프로세스 가스는 질소(N2), 산소(O2), 질소 트리플루오라이드(NF3), 아르곤, 헬륨, 또는 이들의 임의의 조합 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 방법은 기판(154)의 중심 주위의 마스크(150)의 3개의 개구들(202)을 통해 퍼지 가스를 유동시키는 단계를 더 포함한다.
[0036] 제1 위치에서 에천트 가스를 유동시키고 제2 위치에서 퍼지 가스를 유동시킴으로써, 더 균일하고 제어되는 에칭이 달성될 수 있다. 부가적으로, 마스크 내의 다양한 개구들은 작은 유동 초크를 생성하며 모든 방향들로의 퍼지 가스의 균일한 분배를 보장한다. 마지막으로, 스캘럽형 커버 플레이트는 기판 배치 및 픽업(pick up) 동안 안정성을 제공한다.
[0037] 도 5는 본 명세서에 설명되고 논의되는 하나 이상의 실시예들에 따른, 가열기 지지 키트(501)를 포함하는 프로세싱 챔버(500)의 개략적인 단면도를 도시한다. 프로세싱 챔버(500)는 위에서 설명되고 논의된 컴포넌트들을 가질 수 있고 그리고/또는 프로세싱 챔버(100)와 동일하게 구성될 수 있다. 대안적으로, 프로세싱 챔버(100) 내의 프로세스 키트 또는 컴포넌트들은 가열기 지지 키트(501) 및/또는 그의 컴포넌트들 또는 부분들로 대체될 수 있다. 프로세싱 챔버(500)는 또한 챔버 바디(502) 및 챔버 덮개(504)를 포함한다.
[0038] 하나 이상의 실시예들에서, 가열기 지지 키트(501)는 도 5에 도시된 바와 같이, 척 링(520), 가열기 조립체(530), 가열기 아암 조립체(540), 가열기 지지 플레이트(560), 하부 지지 플레이트(580), 및 센터링 플러그(590)를 포함한다.
[0039] 본 명세서에 설명되고 논의되는 하나 이상의 실시예들에 따르면, 도 6은 가열기 지지 키트(501)의 개략적인 평면도를 도시하고, 도 7은 가열기 지지 키트(501)의 개략적인 분해도를 도시한다. 일부 실시예들에서, 가열기 조립체(530)는 상부 표면(531) 및 하부 표면(533)을 갖는 가열기 플레이트(532)를 포함하고, 척 링(520)은 가열기 플레이트(532)의 상부 표면(531)의 적어도 일부 상에 배치된다. 가열기 아암 조립체(540)는 가열기 아암(542)을 포함하고, 가열기 조립체(530)를 지지한다. 가열기 아암 조립체(540)는 또한, 가열기 아암(542)의 하부 표면에 커플링된 가열기 냉각 샤프트(544)를 포함한다. 가열기 지지 플레이트(560)는 가열기 플레이트(532)와 가열기 아암(542) 사이에 배치되고, 가열기 플레이트(532)의 하부 표면(533)의 적어도 일부와 접촉한다.
[0040] 가열기 지지 키트(501)는 가열기 지지 플레이트(560) 아래에 배치된 하부 지지 플레이트(580)를 포함한다. 가열기 지지 키트(501)는 하부 지지 플레이트(580) 아래에 배치된 센터링 플러그(590)를 포함한다. 센터링 플러그(590)는 챔버 바디(502)에 커플링되거나 부착될 수 있다. 하부 지지 플레이트(580)는 강철, 스테인리스 강, 철, 크롬, 니켈, 알루미늄, 이들의 합금들, 또는 이들의 임의의 조합과 같은 하나 이상의 재료들을 함유하거나 포함한다. 가열기 지지 키트(501)는 도 7에 도시된 바와 같이 가열기 아암 조립체(540)에 커플링된 펌핑 플레이트(510)를 더 포함한다.
[0041] 다른 실시예들에서, 가열기 지지 키트(501)는, 상부 표면(531) 및 하부 표면(533)을 갖는 가열기 플레이트(532)를 포함하는 가열기 조립체(530), 가열기 플레이트(532)의 상부 표면(531)의 적어도 일부 상에 배치된 척 링(520), 가열기 아암(542)을 포함하고 가열기 조립체(530)를 지지하는 가열기 아암 조립체(540), 및 가열기 플레이트(532)와 가열기 아암(542) 사이에 배치되고 가열기 플레이트(532)의 하부 표면(533)의 적어도 일부와 접촉하는 가열기 지지 플레이트(560)를 포함한다. 가열기 지지 키트(501)는 또한, 가열기 지지 플레이트(560) 아래에 배치된 하부 지지 플레이트(580) 및 하부 지지 플레이트(580) 아래에 배치된 센터링 플러그(590)를 포함한다.
[0042] 도 8은 본 명세서에 설명되고 논의되는 하나 이상의 실시예들에 따른, 가열기 지지 키트(801)를 포함하는 프로세싱 챔버(800)의 개략적인 단면도를 도시한다. 프로세싱 챔버(800)는 컴포넌트들을 가질 수 있고 그리고/또는 위에서 설명되고 논의된 프로세싱 챔버(100)와 동일하게 구성될 수 있다. 대안적으로, 프로세싱 챔버(100) 내의 프로세스 키트 또는 컴포넌트들은 가열기 지지 키트(801) 및/또는 그의 컴포넌트들 또는 부분들로 대체될 수 있다. 프로세싱 챔버는 또한 챔버 바디(802) 및 챔버 덮개(804)를 포함한다.
[0043] 하나 이상의 실시예들에서, 가열기 지지 키트(801)는 도 8에 도시된 바와 같이, 척 링(520), 가열기 조립체(530), 가열기 아암 조립체(840), 가열기 지지 플레이트(560), 및 센터링 플러그(890)를 포함한다. 도 9는 본 명세서에 설명되고 논의되는 하나 이상의 실시예들에 따른, 가열기 지지 키트(801)의 개략적인 분해도를 도시한다.
[0044] 다른 실시예들에서, 가열기 지지 키트(801)는 또한, 가열기 지지 플레이트(560) 아래에 배치된 센터링 플러그(890)를 포함한다. 센터링 플러그(890)는 챔버 바디(802)에 커플링되거나 부착될 수 있다. 가열기 지지 키트(801)는 도 9에 도시된 바와 같이 가열기 아암 조립체(840)에 커플링된 펌핑 플레이트(810)를 더 포함한다. 가열기 아암 조립체(840)는 클리트 조립체(845) 및 가열기 냉각 샤프트(544)를 포함한다. 클리트 조립체(845)는 클리트(846) 및 스핀들(847)을 포함할 수 있다. 클리트(846)는 스핀들(847)을 중심으로 회전할 수 있으며, 챔버 컴포넌트들(예컨대, 챔버 바디(802) 및/또는 챔버 덮개(804)) 및/또는 클리트(846) 사이의 임의의 공간 또는 갭을 감소시키거나 제거하면서 스핀들(847)과 맞물리거나 맞물림해제될 수 있다.
[0045] 일부 실시예들에서, 가열기 지지 키트(801)는, 상부 표면(531) 및 하부 표면(533)을 갖는 가열기 플레이트(532)를 포함하는 가열기 조립체(530), 가열기 플레이트(532)의 상부 표면의 적어도 일부 상에 배치된 척 링(520), 및 가열기 아암(542)을 포함하고 가열기 조립체(530)를 지지하는 가열기 아암 조립체(540)를 포함한다. 가열기 지지 키트(801)는 또한, 가열기 플레이트(532)와 가열기 아암(542) 사이에 배치되고 가열기 플레이트(532)의 하부 표면의 적어도 일부와 접촉하는 가열기 지지 플레이트(560), 및 가열기 지지 플레이트(560) 아래에 배치된 센터링 플러그(890)를 포함한다.
[0046] 도 10은 본 명세서에 설명되고 논의되는 하나 이상의 실시예들에 따른 부착 조립체(535)의 개략적인 단면도를 도시한다. 부착 조립체(535)는 가열기 지지 키트들(501, 801) 중 어느 하나 상에 포함되어 사용될 수 있다. 부착 조립체(535)는 가열기 플레이트(532) 및 센터링 플러그(590, 890)를 함께 커플링시키는 부착 조립체(535)를 포함한다. 부착 조립체(535)는 클램핑 플러그(534), 하나 이상의 체결구들(536), 및 하나 이상의 작동 디바이스들(538)을 포함한다. 일부 예들에서, 부착 조립체(535)는 2개 이상의 체결구들(536) 및 2개 이상의 작동 디바이스들(538)을 포함한다. 체결구(536)는 볼트, 스크루 등이거나 이를 포함할 수 있다. 작동 디바이스(538)는 하나 이상의 스프링들을 포함한다. 일부 예들에서, 작동 디바이스(538)는 하나 이상의 웨이브 스프링(wave spring)들이다. 하나 이상의 작동 디바이스들(538)은 가열기 지지 키트들(501, 801)을 조립할 때 사전-로딩 힘들을 제어하기 위한 부하를 생성하는 데 사용될 수 있다.
[0047] 본 명세서에 설명되고 논의되는 하나 이상의 실시예들에 따르면, 도 11은 가열기 조립체(530)의 개략적인 평면도를 도시하고, 도 12는 가열기 조립체(530)의 개략적인 사시도를 도시한다. 가열기 플레이트(531)는 가열기 플레이트(531)의 외측 측부 부분을 우회하는 그루브(537)를 포함할 수 있다. 도면들에 도시된 바와 같이, 척 링(520)은 그루브(537) 상에 포지셔닝될 수 있다. 가열기 플레이트(531)는 알루미늄, 알루미늄 합금, 티타늄, 강, 스테인리스 강, 이들의 합금들, 또는 이들의 임의의 조합과 같은 하나 이상의 재료들을 포함할 수 있다.
[0048] 도 13a 내지 도 13c는 본 명세서에 설명되고 논의되는 하나 이상의 실시예들에 따른 클리트 조립체(545)의 개략도들을 도시한다. 클리트 조립체(545)는 가열기 아암(542)의 상부 표면(541)에 커플링된 클리트(546)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 클리트 조립체(545)는 하나 이상의 체결구들(548)을 포함한다. 체결구(548) 각각은 독립적으로 볼트 또는 스크루이거나 이를 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 체결구들(548) 각각은 세트 스크루, 잠금 세트 스크루, 파일롯 스크루, 숄더 스크루 등일 수 있다. 하나 이상의 실시예들에서, 클리트 조립체(545)는 세트 스크루, 숄더 스크루, 브리지 바, 및 잠금 세트 스크루를 더 포함한다. 예를 들어, 클리트 조립체(545)는 2개 이상의 세트 스크루들 및 2개 이상의 숄더 스크루들을 포함할 수 있다.
[0049] 도 14a 내지 도 14c는 본 명세서에 설명되고 논의되는 하나 이상의 실시예들에 따른 가열기 지지 플레이트(560)의 개략도들을 도시한다. 가열기 지지 플레이트(560)는 도 14a 및 14c에 각각 도시된 바와 같이 상부 표면(561) 및 하부 표면(563)을 갖는다. 도 14b는 가열기 지지 플레이트(560)의 단면도를 도시한다. 가열기 지지 플레이트(560)는 링이며, 상부 표면(561)과 하부 표면(563) 사이에서 가열기 지지 플레이트(560)를 통해 연장되는 오리피스 또는 홀(562)을 갖는다. 하나 이상의 상승된 피처들(562)은 하부 표면(563)으로부터 연장되고, 가열기 지지 플레이트(560)의 외측 에지 주위에 배치된다.
[0050] 가열기 지지 플레이트(560)는 가열기 플레이트(532)의 외측 에지 상에 물리적 지지를 제공한다. 부착 조립체(535)는 가열기 플레이트(532) 상에 하향으로 축방향력을 제공하고, 가열기 지지 플레이트(560)는 가열기 플레이트(532)가 축방향력 하에서 휘어지거나 변형되는 것을 유지한다. 가열기 지지 플레이트(560)는 하나 이상의 재료들, 이를테면, 석영, 실리카 또는 실리콘 이산화물, 알루미나 또는 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 알루미늄 산질화물, 이트리아 또는 이트륨 산화물, 하나 이상의 금속들, 이들의 실리케이트들, 이들의 세라믹들, 또는 이들의 임의의 조합을 포함한다. 가열기 지지 플레이트(560)에 포함된 예시적인 금속들은 강, 스테인리스 강, 철, 크롬, 니켈, 알루미늄, 이들의 합금들, 또는 이들의 임의의 조합이거나 이를 포함할 수 있다.
[0051] 도 15a 및 도 15b는 본 명세서에 설명되고 논의되는 하나 이상의 실시예들에 따른 하부 지지 플레이트(580)의 개략도들을 도시한다. 하부 지지 플레이트(580)는 도 15a 및 15b에 각각 도시된 바와 같이 상부 표면(581) 및 하부 표면(583)을 갖는다. 하부 지지 플레이트(580)는 강철, 스테인리스 강, 철, 크롬, 니켈, 알루미늄, 이들의 합금들, 또는 이들의 임의의 조합과 같은 하나 이상의 재료들을 포함할 수 있다.
[0052] 하나 이상의 실시예들에서, 가열기에 대한 지지 구조는 경사면 에칭 챔버에서 도움이 된다. 더 높은 온도들에서 가열기를 동작시키고 간격 요건이 엄격할 때(± 수 mils), 가열기 표면들은 가열기 지지 플레이트에 의해 지지될 수 있다. 가스 퍼지 유동은 마스크의 중심을 통해 이루어지며, O2/N2 라디칼 유동들은 웨이퍼 경사면 표면에 있다. 웨이퍼와 마스크 사이의 동작 간격 조건은 약 5 mils 내지 약 20 mils의 거리에 있지만, ±약 1 mil의 간격 허용오차를 갖는다. 일부 예들에서, 간격이 유지되지 않으면, 경사면 에칭 성능 및 챔버 생산성에 대한 영향이 있을 수 있다. 가열기 지지 플레이트는 원하는 간격을 유지하는 것을 돕는다.
[0053] 에칭이 웨이퍼 경사면 표면 상에서 발생하므로, 지지 구조는 도면들에 도시된 바와 같이 가열기의 에지에서 더 견고하다. 따라서, 가열기 지지 플레이트는 가열기 에지 표면 아래에서 사용된다. 일부 예들에서, 가열기 지지 플레이트는 변형 없이 고온에서 동작할 수 있는 재료들, 이를테면 석영, 강 또는 다른 금속, AlOx, AlN, 또는 이들의 조합들을 포함한다. 일부 구성들에서, 가열기 지지 플레이트는 가열기 표면을 지지하는 데 사용되며, 또한 가열기 표면 아래에 균일한 펌핑 채널을 제공할 수 있다. 가열기는 중앙에 스프링이 로딩되어 있다.
[0054] 가열기 지지 플레이트는 경사면 에칭 성능을 더 균일하게 하는 견고성을 제공하며, 웨이퍼 사이클링의 함수로써 어떠한 가열기 변형/크리프(creep)도 허용하지 않는다.
[0055] 가열기 지지 플레이트는 가열기 아래에서 임의의 기하학적 설계로 이루어질 수 있다. 가열기 지지 플레이트는 가열기 표면 아래에 본딩되거나 또는 클램핑되거나 또는 단지 배치될 수 있다. 가열기 지지 플레이트는 에지 상에서 또는 가열기 구조 상에서 또는 중앙에서만 균일할 수 있다.
[0056] 본 개시내용의 실시예들은 추가로, 다음의 단락들 1 내지 18 중 어느 하나 이상의 단락들에 관한 것이다:
[0057] 1. 가열기 지지 키트는, 상부 표면 및 하부 표면을 갖는 가열기 플레이트를 포함하는 가열기 조립체; 가열기 플레이트의 상부 표면의 적어도 일부 상에 배치된 척 링; 가열기 아암을 포함하고 가열기 조립체를 지지하는 가열기 아암 조립체; 및 가열기 플레이트와 가열기 아암 사이에 배치되고 가열기 플레이트의 하부 표면의 적어도 일부와 접촉하는 가열기 지지 플레이트를 포함한다.
[0058] 2. 가열기 지지 키트는, 상부 표면 및 하부 표면을 갖는 가열기 플레이트를 포함하는 가열기 조립체; 가열기 플레이트의 상부 표면의 적어도 일부 상에 배치된 척 링; 가열기 아암을 포함하고 가열기 조립체를 지지하는 가열기 아암 조립체; 가열기 플레이트와 가열기 아암 사이에 배치되고 가열기 플레이트의 하부 표면의 적어도 일부와 접촉하는 가열기 지지 플레이트; 가열기 지지 플레이트 아래에 배치된 하부 지지 플레이트; 및 하부 지지 플레이트 아래에 배치된 센터링 플러그를 포함한다.
[0059] 3. 가열기 지지 키트는, 상부 표면 및 하부 표면을 갖는 가열기 플레이트를 포함하는 가열기 조립체; 가열기 플레이트의 상부 표면의 적어도 일부 상에 배치된 척 링; 가열기 아암을 포함하고 가열기 조립체를 지지하는 가열기 아암 조립체; 가열기 플레이트와 가열기 아암 사이에 배치되고 가열기 플레이트의 하부 표면의 적어도 일부와 접촉하는 가열기 지지 플레이트; 및 가열기 지지 플레이트 아래에 배치된 센터링 플러그를 포함한다.
[0060] 4. 단락 1 내지 단락 3 중 어느 한 단락에 따른 가열기 지지 키트는, 가열기 지지 플레이트 아래에 배치된 하부 지지 플레이트를 더 포함한다.
[0061] 5. 단락 1 내지 단락 4 중 어느 한 단락에 따른 가열기 지지 키트는, 하부 지지 플레이트 아래에 배치된 센터링 플러그를 더 포함한다.
[0062] 6. 단락 1 내지 단락 5 중 어느 한 단락에 따른 가열기 지지 키트에 있어서, 하부 지지 플레이트는 강, 스테인리스 강, 철, 크롬, 니켈, 알루미늄, 이들의 합금들, 또는 이들의 임의의 조합을 포함한다.
[0063] 7. 단락 1 내지 단락 6 중 어느 한 단락에 따른 가열기 지지 키트는, 가열기 지지 플레이트 아래에 배치된 센터링 플러그를 더 포함한다.
[0064] 8. 단락 1 내지 단락 7 중 어느 한 단락에 따른 가열기 지지 키트는, 가열기 플레이트 및 센터링 플러그를 함께 커플링시키는 부착 조립체를 더 포함한다.
[0065] 9. 단락 1 내지 단락 8 중 어느 한 단락에 따른 가열기 지지 키트에 있어서, 부착 조립체는 클램핑 플러그, 체결구, 및 작동 디바이스를 포함한다.
[0066] 10. 단락 1 내지 단락 9 중 어느 한 단락에 따른 가열기 지지 키트에 있어서, 부착 조립체는 2개 이상의 체결구들 및 2개 이상의 작동 디바이스들을 포함한다.
[0067] 11. 단락 1 내지 단락 10 중 어느 한 단락에 따른 가열기 지지 키트에 있어서, 체결구는 볼트 또는 스크루를 포함하고, 작동 디바이스는 스프링을 포함한다.
[0068] 12. 단락 1 내지 단락 11 중 어느 한 단락에 따른 가열기 지지 키트에 있어서, 스프링은 웨이브 스프링이다.
[0069] 13. 단락 1 내지 단락 12 중 어느 한 단락에 따른 가열기 지지 키트에 있어서, 가열기 아암 조립체는 가열기 아암의 상부 표면에 커플링된 클리트를 더 포함한다.
[0070] 14. 단락 1 내지 단락 13 중 어느 한 단락에 따른 가열기 지지 키트에 있어서, 클리트는 세트 스크루, 숄더 스크루, 브리지 바, 및 잠금 세트 스크루를 더 포함한다.
[0071] 15. 단락 1 내지 단락 14 중 어느 한 단락에 따른 가열기 지지 키트에 있어서, 클리트는 2개 이상의 세트 스크루들 및 2개 이상의 숄더 스크루들을 더 포함한다.
[0072] 16. 단락 1 내지 단락 15 중 어느 한 단락에 따른 가열기 지지 키트에 있어서, 가열기 아암 조립체는 가열기 아암의 하부 표면에 커플링된 가열기 냉각 샤프트를 더 포함한다.
[0073] 17. 단락 1 내지 단락 16 중 어느 한 단락에 따른 가열기 지지 키트는, 가열기 아암 조립체에 커플링된 펌핑 플레이트를 더 포함한다.
[0074] 18. 단락 1 내지 단락 17 중 어느 한 단락에 따른 가열기 지지 키트에 있어서, 가열기 지지 플레이트는 석영, 실리카, 실리콘 이산화물, 알루미나, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 알루미늄 산질화물, 이트리아, 이트륨 산화물, 금속, 이들의 실리케이트, 이들의 세라믹, 또는 이들의 임의의 조합을 포함한다.
[0075] 전술한 것이 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 다른 및 추가적인 실시예들이 본 개시내용의 기본적인 범위를 벗어나지 않으면서 안출될 수 있으며, 본 개시내용의 범위는 후속하는 청구항들에 의해 결정된다. 임의의 우선권 문헌들 및/또는 테스팅 절차들을 이들이 본 문서와 불일치하지 않는 정도까지 포함하여, 본 명세서에서 설명된 모든 문헌들이 인용에 의해 본 명세서에 포함된다. 전술한 일반적인 설명 및 특정 실시예들로부터 명백한 바와 같이, 본 개시내용의 형태들이 예시 및 설명되었지만, 본 개시내용의 사상 및 범위를 벗어나지 않으면서 다양한 수정들이 이루어질 수 있다. 따라서, 본 개시내용이 이에 의해 제한되는 것으로 의도되지 않는다. 마찬가지로, 용어 "포함하는(comprising)"은 미국 법률 상 용어 "구비하는(including)"과 동의어로 간주된다. 마찬가지로, 전이 어구(transitional phrase) "포함하는"이 조성, 엘리먼트 또는 엘리먼트들의 그룹에 후행될 때마다, 우리는 또한, 조성, 엘리먼트, 또는 엘리먼트들의 기재에 후행하는 전이 어구들 "~필수적 요소로 하여 구성되는(consisting essentially of)", "~로 이루어지는", "~로 이루어진 그룹으로부터 선택되는", 또는 "~인"을 갖는 조성 또는 엘리먼트들의 그룹에 대해서도 동일하다고 고려하고, 그 반대의 경우도 마찬가지라고 고려한다는 것이 이해된다.
[0076] 특정한 실시예들 및 특징들은 수치 상한들의 세트 및 수치 하한들의 세트를 사용하여 설명되었다. 달리 표시되지 않는 한, 임의의 2개의 값들의 조합, 예컨대, 임의의 하한 값(lower value)과 임의의 상한 값(upper value)의 조합, 임의의 2개의 하한 값들의 조합, 및/또는 임의의 2개의 상한 값들의 조합을 포함하는 범위들이 고려된다는 것이 인식되어야 한다. 특정 하한들, 상한들, 및 범위들은 아래의 하나 이상의 청구항들에 나타난다.

Claims (15)

  1. 가열기 지지 키트로서,
    상부 표면 및 하부 표면을 갖는 가열기 플레이트를 포함하는 가열기 조립체;
    상기 가열기 플레이트의 상부 표면의 적어도 일부 상에 배치된 척 링(chuck ring);
    가열기 아암(heater arm)을 포함하고 상기 가열기 조립체를 지지하는 가열기 아암 조립체; 및
    상기 가열기 플레이트와 상기 가열기 아암 사이에 배치되고 상기 가열기 플레이트의 하부 표면의 적어도 일부와 접촉하는 가열기 지지 플레이트를 포함하는, 가열기 지지 키트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가열기 지지 플레이트 아래에 배치된 하부 지지 플레이트를 더 포함하며,
    상기 하부 지지 플레이트는 강, 스테인리스 강, 철, 크롬, 니켈, 알루미늄, 이들의 합금들, 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는, 가열기 지지 키트.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 하부 지지 플레이트 아래에 배치된 센터링 플러그(centering plug)를 더 포함하는, 가열기 지지 키트.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 가열기 플레이트 및 센터링 플러그를 함께 커플링시키는 부착 조립체를 더 포함하는, 가열기 지지 키트.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 부착 조립체는 클램핑 플러그, 체결구, 및 작동 디바이스를 포함하는, 가열기 지지 키트.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 부착 조립체는 2개 이상의 체결구들 및 2개 이상의 작동 디바이스들을 포함하는, 가열기 지지 키트.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 체결구는 볼트 또는 스크루를 포함하고, 상기 작동 디바이스는 스프링을 포함하는, 가열기 지지 키트.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 가열기 아암 조립체는 상기 가열기 아암의 상부 표면에 커플링된 클리트(cleat)를 더 포함하는, 가열기 지지 키트.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 클리트는 세트 스크루, 숄더 스크루, 브리지 바, 및 잠금 세트 스크루를 더 포함하는, 가열기 지지 키트.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 클리트는 2개 이상의 세트 스크루들 및 2개 이상의 숄더 스크루들을 더 포함하는, 가열기 지지 키트.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 가열기 아암 조립체는 상기 가열기 아암의 하부 표면에 커플링된 가열기 냉각 샤프트를 더 포함하는, 가열기 지지 키트.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 가열기 아암 조립체에 커플링된 펌핑 플레이트를 더 포함하는, 가열기 지지 키트.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 가열기 지지 플레이트는 석영, 실리카, 실리콘 이산화물, 알루미나, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 알루미늄 산질화물, 이트리아, 이트륨 산화물, 금속, 이들의 실리케이트, 이들의 세라믹, 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는, 가열기 지지 키트.
  14. 가열기 지지 키트로서,
    상부 표면 및 하부 표면을 갖는 가열기 플레이트를 포함하는 가열기 조립체;
    상기 가열기 플레이트의 상부 표면의 적어도 일부 상에 배치된 척 링;
    가열기 아암을 포함하고 상기 가열기 조립체를 지지하는 가열기 아암 조립체;
    상기 가열기 플레이트와 상기 가열기 아암 사이에 배치되고 상기 가열기 플레이트의 하부 표면의 적어도 일부와 접촉하는 가열기 지지 플레이트;
    상기 가열기 지지 플레이트 아래에 배치된 하부 지지 플레이트; 및
    상기 하부 지지 플레이트 아래에 배치된 센터링 플러그를 포함하는, 가열기 지지 키트.
  15. 가열기 지지 키트로서,
    상부 표면 및 하부 표면을 갖는 가열기 플레이트를 포함하는 가열기 조립체;
    상기 가열기 플레이트의 상부 표면의 적어도 일부 상에 배치된 척 링;
    가열기 아암을 포함하고 상기 가열기 조립체를 지지하는 가열기 아암 조립체;
    상기 가열기 플레이트와 상기 가열기 아암 사이에 배치되고 상기 가열기 플레이트의 하부 표면의 적어도 일부와 접촉하는 가열기 지지 플레이트; 및
    상기 가열기 지지 플레이트 아래에 배치된 센터링 플러그를 포함하는, 가열기 지지 키트.
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