KR20210158364A - Uv light emitting device and lighting system - Google Patents

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KR20210158364A
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쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드
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Abstract

An embodiment relates to an ultraviolet light emitting device, a method for manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and a lighting system. An ultraviolet light emitting device according to an embodiment may include: a second conductivity-type semiconductor layer (116): an active layer (114) on the second conductivity-type semiconductor layer (116); a first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer (113) on the active layer (114); and a first AlGaN-based light extraction pattern (P1) having a reduced horizontal width on the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer (113).

Description

자외선 발광소자 및 조명시스템{UV LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHTING SYSTEM}UV light emitting device and lighting system {UV LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHTING SYSTEM}

실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device, a method for manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and a lighting system.

발광소자(Light Emitting Device)는 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드를 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소가 화합되어 생성될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.A light emitting device (Light Emitting Device) can be produced by combining a pn junction diode with a characteristic in which electric energy is converted into light energy, a group 3-5 element or a group 2-6 element on the periodic table, and the composition ratio of the compound semiconductor is Various colors can be realized by adjusting.

예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 자외선(UV) 발광소자, 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.For example, nitride semiconductors are receiving great attention in the field of developing optical devices and high-power electronic devices due to their high thermal stability and wide bandgap energy. In particular, ultraviolet (UV) light-emitting devices, blue light-emitting devices, green light-emitting devices, and red light-emitting devices using nitride semiconductors have been commercialized and widely used.

예를 들어, 자외선 발광소자(UV LED)의 경우, 200nm~400nm의 파장대에 분포되어 있는 빛을 발생하는 발광소자로서, 상기 파장대 에서, 단파장의 경우, 살균, 정화 등에 사용되며, 장파장의 경우 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다.For example, in the case of an ultraviolet light emitting device (UV LED), it is a light emitting device that generates light distributed in a wavelength range of 200 nm to 400 nm. Or it may be used in a curing machine and the like.

예를 들어, 근자외선 발광소자(Near UV LED)는 위폐감식, 수지 경화, 또는 자외선 치료 등에 사용되고 있고, 형광체와 조합되어 다양한 색상의 가시광선을 구현하는 조명 장치에서도 사용되고 있다.For example, a near UV light emitting device (Near UV LED) is used for counterfeit detection, resin curing, or UV treatment, and is also used in lighting devices that realize visible light of various colors in combination with a phosphor.

한편, 자외선 발광소자는 청색 발광소자에 비해, 광 취득 효율 및 광 출력이 떨어진다는 문제가 있다. 이는 자외선 발광소자의 실용화에 장벽으로 작용하고 있다.On the other hand, the ultraviolet light emitting device has a problem in that light acquisition efficiency and light output are inferior compared to the blue light emitting device. This is acting as a barrier to the practical use of the ultraviolet light emitting device.

예를 들어, 자외선 발광소자에 사용되는 Ⅲ족 질화물은 가시광선에서 자외선까지 광범위하게 활용될 수 있으나, 가시광선 대비 자외선의 효율이 떨어지는 문제가 있다. 그 이유는 자외선의 파장으로 갈수록 Ⅲ족 질화물이 자외선을 흡수한다는 것과, 낮은 결정성에 의한 내부 양자효율의 저하가 원인이다.For example, a group III nitride used in an ultraviolet light emitting device can be widely used from visible light to ultraviolet light, but there is a problem in that the efficiency of ultraviolet light compared to visible light is lowered. The reason is that group III nitride absorbs ultraviolet rays as the wavelength of ultraviolet rays increases, and the internal quantum efficiency decreases due to low crystallinity.

이에 따라, 종래기술에 의하면 Ⅲ족 질화물에서의 자외선 흡수를 방지하기 위해, 성장기판, GaN층, AlGaN층, 활성층 등을 순차적으로 성장한 후에, 자외선 흡수 가능성이 있는 GaN층을 제거하고 AlGaN층을 노출시키고 있으나, AlGaN층의 낮은 결정성에 의해 내부 양자효율 저하의 문제는 해결하기 어려운 실정이다.Accordingly, according to the prior art, in order to prevent UV absorption in group III nitrides, a growth substrate, a GaN layer, an AlGaN layer, an active layer, etc. are sequentially grown, and then the GaN layer with a potential for UV absorption is removed and the AlGaN layer is exposed. However, it is difficult to solve the problem of lowering the internal quantum efficiency due to the low crystallinity of the AlGaN layer.

예를 들어, 종래기술에 의하면 GaN층에 AlGaN층 성장시 상호 격자상수 차이 등에 의해 AlGaN층에 인장응력(Tensile Stress)이 발생하여 크랙(Crack)이 발생함에 따라 결정품질이 저하되어 광도가 저하되는 문제가 있다.For example, according to the prior art, when an AlGaN layer is grown on a GaN layer, a tensile stress is generated in the AlGaN layer due to a mutual lattice constant difference, etc. there is a problem.

또한 종래기술에 의하면, 텍스처링에 의한 광추출 구조를 형성하게 되는데, GaN층에 AlGaN층 성장시 격자상수 차이 등에 의해 AlGaN층을 두껍게 형성하기 어려우며, 이에 따라 GaN층 제거후 노출되는 AlGaN층에 텍스처링에 의한 광추출 구조를 형성이 어려워 광추출 효율이 저하되는 문제가 있다.In addition, according to the prior art, a light extraction structure is formed by texturing. When the AlGaN layer is grown on the GaN layer, it is difficult to form a thick AlGaN layer due to a difference in lattice constant, etc. Therefore, the AlGaN layer exposed after removing the GaN layer is subjected to texturing. There is a problem in that the light extraction efficiency is lowered because it is difficult to form a light extraction structure.

실시예는 광도가 향상된 자외선 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.Embodiments are to provide an ultraviolet light emitting device with improved luminous intensity, a method for manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and a lighting system.

또한 실시예는 광추출 효율이 향상된 자외선 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.In addition, the embodiment intends to provide an ultraviolet light emitting device with improved light extraction efficiency, a method for manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and a lighting system.

실시예에 따른 자외선 발광소자는 제2 도전형 반도체층(116): 상기 제2 도전형 반도체층(116) 상에 활성층(114); 상기 활성층(114) 상에 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113); 및 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113) 상에 수평폭이 감소하는 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴(P1);을 포함할 수 있다.An ultraviolet light emitting device according to the embodiment includes a second conductivity-type semiconductor layer 116: an active layer 114 on the second conductivity-type semiconductor layer 116; a first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 on the active layer 114; and a first AlGaN-based light extraction pattern P1 having a reduced horizontal width on the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 .

또한 실시예에 따른 자외선 발광소자는 제2 전극층(120); 상기 제2 전극층(120) 상에 제2 도전형 반도체층(116); 상기 제2 도전형 반도체층(116) 상에 활성층(114); 상기 활성층(114) 상에 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113); 및 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113) 상에 AlGaN 계열 응력완화층(118);을 포함할 수 있다.In addition, the ultraviolet light emitting device according to the embodiment includes a second electrode layer 120; a second conductivity-type semiconductor layer 116 on the second electrode layer 120; an active layer 114 on the second conductivity type semiconductor layer 116; a first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 on the active layer 114; and an AlGaN-based stress relief layer 118 on the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 .

실시예에 따른 조명시스템은 상기 발광소자를 구비하는 조명유닛을 포함할 수 있다.The lighting system according to the embodiment may include a lighting unit including the light emitting device.

실시예는 에피층의 결정품질 향상에 따라 광도가 향상된 자외선 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.The embodiment may provide an ultraviolet light emitting device with improved luminosity according to the improvement of crystal quality of the epitaxial layer, a method of manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and a lighting system.

또한 실시예는 광추출 효율이 현저히 향상된 자외선 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.In addition, the embodiment can provide an ultraviolet light emitting device with significantly improved light extraction efficiency, a method for manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and a lighting system.

도 1은 제1 실시예에 따른 자외선 발광소자의 단면도.
도 2 내지 도 12는 제1 실시예에 따른 발광소자의 제조방법 공정 단면도.
도 13은 제2 실시예에 따른 자외선 발광소자의 단면도.
도 14는 제3 실시예에 따른 자외선 발광소자의 단면도.
도 15은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 16은 실시예에 따른 조명 장치의 사시도.1 is a cross-sectional view of an ultraviolet light emitting device according to a first embodiment;
2 to 12 are cross-sectional views of a method of manufacturing a light emitting device according to the first embodiment.
13 is a cross-sectional view of an ultraviolet light emitting device according to a second embodiment.
14 is a cross-sectional view of an ultraviolet light emitting device according to a third embodiment.
15 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment.
16 is a perspective view of a lighting device according to an embodiment;

실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of embodiments, each layer (film), region, pattern or structure is “on/over” or “under” the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. In the case of being described as being formed on, “on/over” and “under” include both “directly” or “indirectly” formed through another layer. do. In addition, the reference for the upper / upper or lower of each layer will be described with reference to the drawings.

(실시예)(Example)

도 1은 제1 실시예에 따른 자외선 발광소자(100)의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of an ultraviolet light emitting device 100 according to a first embodiment.

실시예는 에피층의 결정품질 향상에 따라 광도가 향상된 자외선 발광소자를 제공하고자 한다.The embodiment is intended to provide an ultraviolet light emitting device having improved luminosity according to the improvement of the crystal quality of the epitaxial layer.

종래기술에 의하면 GaN층에 AlGaN층 성장시 격자상수 차이 등에 의해 AlGaN층에 인장응력이 발생하여 크랙이 발생함에 따라 결정품질이 저하되어 광도가 저하되는 문제가 있고, 이러한 크랙은 수율 및 광특성 저하를 가져오고 있다.According to the prior art, when the AlGaN layer is grown on the GaN layer, tensile stress is generated in the AlGaN layer due to the difference in lattice constant, etc. is bringing

또한 종래기술에 의하면, AlGaN층을 성장함에 따라 격가상수 차이의 누적에 의해 인장응력은 더욱 강해진다. 예를 들어, AlGa층에서 Al%가 약 5%인경우, AlGaN층이 약 2.5㎛ 이상으로 성장되면 크랙이 기하 급수적으로 늘어나기 때문에 2.5㎛ 이상으로 AlGaN층을 성장하기 어려움이 있고, 이러한 크랙 발생으로 인해 수율 및 광특성 저하가 발생되고 있다.In addition, according to the prior art, as the AlGaN layer grows, the tensile stress becomes stronger due to the accumulation of the price constant difference. For example, if the Al% in the AlGa layer is about 5%, when the AlGaN layer is grown to about 2.5 μm or more, cracks increase exponentially, so it is difficult to grow the AlGaN layer to 2.5 μm or more, and such cracks occur As a result, yield and optical properties are deteriorated.

또한 실시예는 광추출 효율이 현저히 향상된 자외선 발광소자를 제공하고자 한다.In addition, the embodiment intends to provide an ultraviolet light emitting device with significantly improved light extraction efficiency.

종래 발광소자에서는 칩(Chip) 제작시 에칭(etching)공정을 통해 텍스쳐링(Texturing)을 형성하여 광추출 구조를 형성하게 되는데, 종래기술의 경우 AlGaN층을 두껍게 형성할 수 없기 때문에, 광추출 구조 형성을 위한 에칭 공정시 활성층이 손상되는 문제가 있어서 광추출 구조를 형성하지 못하거나, 형성하더라도 활성층의 손상에 따라 발광소자 칩의 전기적인 신뢰성을 저하시키는 문제가 있었다.In a conventional light emitting device, a light extraction structure is formed by forming texturing through an etching process when manufacturing a chip. There was a problem in that the light extraction structure could not be formed because the active layer was damaged during the etching process for , or the electrical reliability of the light emitting device chip was lowered according to the damage of the active layer even if formed.

도 1과 같이, 제1 실시예에 따른 발광소자(100)는 제2 도전형 반도체층(116)과, 상기 제2 도전형 반도체층(116) 상에 활성층(114)과, 상기 활성층(114) 상에 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113) 및 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113) 상에 수평폭이 감소하는 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴(P1)을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(116), 상기 활성층(114) 및 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)은 발광구조물(110)로 정의될 수 있다. As shown in FIG. 1 , the light emitting device 100 according to the first embodiment includes a second conductivity type semiconductor layer 116 , an active layer 114 on the second conductivity type semiconductor layer 116 , and the active layer 114 . ) may include a first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 and a first AlGaN-based light extraction pattern P1 having a reduced horizontal width on the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 . The second conductivity type semiconductor layer 116 , the active layer 114 , and the first conductivity type AlGaN-based semiconductor layer 113 may be defined as a light emitting structure 110 .

상기 발광구조물(110) 하측에는 컨택층(122), 반사층(124) 및 전도성 지지부재(126)을 포함하는 제2 전극층(120)이 배치될 수 있으며, 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113) 상에 제1 전극(131)을 더 포함하여 수직형 구조의 발광소자 칩이 될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.A second electrode layer 120 including a contact layer 122, a reflective layer 124, and a conductive support member 126 may be disposed under the light emitting structure 110, and the first conductivity type AlGaN-based semiconductor layer ( 113) may further include a first electrode 131 on the light emitting device chip having a vertical structure, but is not limited thereto.

실시에에서 상기 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴(P1)은 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)과 같은 물질로 형성될 수 있다.In an embodiment, the first AlGaN-based light extraction pattern P1 may be formed of the same material as the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 .

실시예에서 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)의 두께(D1)는 약 2.5㎛ 이상 확보됨으로써 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴(P1)을 안정적으로 구비함으로써 광추출 효율을 높일 수 있다.In an embodiment, the thickness D1 of the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 is secured to be about 2.5 μm or more, thereby stably providing the first AlGaN-based light extraction pattern P1 to increase light extraction efficiency.

예를 들어, 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)의 두께(D1)는 약 2.5㎛ 내지 5.0 ㎛로 크랙(Crack) 없이 높은 품질(High quality)로 확보됨으로써 발광효율을 향상, 신뢰성의 향상과 더불어 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴(P1)을 전기적인 숏트 없이 구비할 수 있어 광추출 효율을 현저히 향상시킬 수 있다.For example, the thickness D1 of the first conductivity type AlGaN-based semiconductor layer 113 is about 2.5 μm to 5.0 μm, which is secured with high quality without cracks, thereby improving luminous efficiency and reliability. In addition to the improvement, the first AlGaN-based light extraction pattern P1 can be provided without an electrical short, thereby remarkably improving the light extraction efficiency.

또한 실시예는 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)의 상측 표면에 AlGaN 계열 제2 광추출 패턴(P2)을 더 포함하여 광추출 효율을 현저히 향상시킬 수 있다.In addition, the embodiment further includes an AlGaN-based second light extraction pattern P2 on the upper surface of the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 to significantly improve light extraction efficiency.

실시예에 의하면, 도 4와 같이 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)에서의 크랙(Crack) 발생을 억제하기 위하여, 높은 조성(High Composition) AlGaN 계열 응력완화층(118)을 삽입하여 스트레스(Stress)를 제거하고, AlGaN 계열 응력완화층(118)을 삽입에 따라 발생된 크랙(Crack)은 GaN 계열 패턴(119)에 의해 메워짐으로써, 이후 두껍게 성장되는 저농도(Low Composition)의 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)은 인장응력(Tensilie Stress)이 아닌 오히려 압축응력(Compressive Stress)를 받기 때문에 크랙(Crack) 발생을 현저히 억제 할 수 있다.According to the embodiment, as shown in FIG. 4 , in order to suppress the occurrence of cracks in the first conductivity type AlGaN-based semiconductor layer 113 , a high composition AlGaN-based stress relief layer 118 is inserted to reduce stress. (Stress) is removed, and cracks generated by inserting the AlGaN-based stress relief layer 118 are filled by the GaN-based pattern 119, so that the first low-concentration (Low Composition) is grown thickly thereafter. Since the conductive AlGaN-based semiconductor layer 113 receives a compressive stress rather than a tensile stress, the occurrence of cracks can be significantly suppressed.

제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)에서 크랙(Crack)이 발생하지 않으면 2.5㎛ 이상으로 두껍게 성장이 가능하여 광추출 패턴 형성공정이 가능하여 광추출 효율을 향상시키면서 신뢰성을 높일 수 있다.If cracks do not occur in the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113, it is possible to grow to a thickness of 2.5 μm or more.

이하, 도 2 내지 도 12를 참조하여 제1 실시예에 따른 자외선 발광소자의 제조방법을 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing an ultraviolet light emitting device according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 2 to 12 .

우선, 도 2와 같이 기판(105)을 준비한다. 상기 기판(105)은 열전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판일수 있다. 예를 들어, 상기 기판(105)은 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, and Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. 상기 기판(105) 위에는 요철 구조가 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.First, the substrate 105 is prepared as shown in FIG. 2 . The substrate 105 may be formed of a material having excellent thermal conductivity, and may be a conductive substrate or an insulating substrate. For example, the substrate 105 may include at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, and Ga 2 0 3 . A concave-convex structure may be formed on the substrate 105 , but the present invention is not limited thereto.

상기 기판(105) 위에는 버퍼층(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 버퍼층은 이후 형성되는 발광구조물(110)의 재료와 기판(105)의 격자 부정합을 완화시켜 줄 수 있으며, 상기 버퍼층의 재료는 3족-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.A buffer layer (not shown) may be formed on the substrate 105 . The buffer layer may relieve a lattice mismatch between the material of the light emitting structure 110 and the substrate 105 to be formed later, and the material of the buffer layer may be a group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor, for example, GaN, InN. , AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, may be formed of at least one of AlInN.

다음으로, 상기 제1 기판(105) 상에 제1 도전형 반도체층(112)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 도전형 반도체층(112)은 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있고, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. Next, a first conductivity type semiconductor layer 112 may be formed on the first substrate 105 . For example, the first conductivity-type semiconductor layer 112 may be implemented with a compound semiconductor such as Group III-5 or Group II-6, and may be doped with a first conductivity-type dopant.

상기 제1 도전형 반도체층(112)이 n형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. When the first conductivity-type semiconductor layer 112 is an n-type semiconductor layer, the first conductivity-type dopant is an n-type dopant and may include Si, Ge, Sn, Se, and Te, but is not limited thereto.

상기 제1 도전형 반도체층(112)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 도전형 반도체층(112)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN,AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The first conductivity type semiconductor layer 112 may include a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1). can For example, the first conductivity type semiconductor layer 112 may be formed of any one or more of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, and InP. can be

다음으로, 상기 제1 도전형 반도체층(112) 상에 제1 AlGaN 계열 응력완화층(118a)을 형성할 수 있다. Next, a first AlGaN-based stress relief layer 118a may be formed on the first conductivity type semiconductor layer 112 .

이후 도 3과 같이, 제1 AlGaN 계열 응력완화층(118a) 상에 제2 AlGaN 계열 응력완화층(118b)을 형성하여 AlGaN 계열 응력완화층(118)을 형성할 수 있다.Thereafter, as shown in FIG. 3 , the AlGaN-based stress relieving layer 118 may be formed by forming the second AlGaN-based stress relieving layer 118b on the first AlGaN-based stress relieving layer 118a.

이후, 도 4와 같이 AlGaN 계열 응력완화층(118) 상에 GaN 계열 패턴(119)을 형성하고, 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)을 형성할 수 있다.Thereafter, as shown in FIG. 4 , a GaN-based pattern 119 may be formed on the AlGaN-based stress relief layer 118 , and the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 may be formed.

실시예에 의하면, 이후 형성되는 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)에서의 크랙(Crack) 발생을 억제하기 위하여, 높은 조성(High Composition) AlGaN 계열 응력완화층(118)을 삽입하여 스트레스(Stress)를 제거하고, AlGaN 계열 응력완화층(118)을 삽입에 따라 발생된 크랙(Crack)은 GaN 계열 패턴(119)에 의해 메워짐으로써, 2.5㎛ 이상으로 두껍게 성장되는 저농도(Low Composition)의 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)은 인장응력(Tensilie Stress)이 아닌 오히려 압축응력(Compressive Stress)를 받기 때문에 크랙(Crack) 발생을 현저히 억제 될 수 있다.According to the embodiment, in order to suppress the occurrence of cracks in the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 to be formed later, a high composition AlGaN-based stress relief layer 118 is inserted to reduce stress ( Stress) is removed, and cracks generated by inserting the AlGaN-based stress relief layer 118 are filled by the GaN-based pattern 119, so that the Since the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 receives a compressive stress rather than a tensile stress, the occurrence of cracks can be significantly suppressed.

실시예에 의하면, 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)에서 크랙(Crack)이 발생하지 않으면 2.5㎛ 이상으로 두껍게 성장이 가능하여 광추출 패턴 형성공정이 가능하여 광추출 효율을 향상시키면서 신뢰성을 높일 수 있다.According to the embodiment, if cracks do not occur in the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113, it is possible to grow thickly to 2.5 μm or more, so that the light extraction pattern forming process is possible, thereby improving light extraction efficiency and reliability. can be raised

이하, 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)에서 크랙(Crack)이 발생하지 않는 메커니즘을 좀 더 상술하기로 한다.Hereinafter, a mechanism in which cracks do not occur in the first conductivity type AlGaN-based semiconductor layer 113 will be described in more detail.

실시예에 의하면 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113) 보다 Al 조성이 더 높은 AlGaN 계열 응력완화층(118)을 삽입하여 일부러 11-20 방향의 미스핏 전위(Misfit dislocation)을 생성하여 기존 응력(Stress)을 완화(relief)하고, 3D mode로 성장되는 GaN 계열 패턴(119)에 의해 AlGaN 계열 응력완화층(118) 삽입으로 유발된 크랙을 메워 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113) 성장시 크랙 발생을 억제함과 동시에 결정 품질(Quality)를 향상시킬 수 있다.According to the embodiment, an AlGaN-based stress relief layer 118 having a higher Al composition than that of the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 is inserted to intentionally generate a misfit dislocation in the 11-20 direction, thereby generating the existing stress. The first conductivity type AlGaN-based semiconductor layer 113 is grown by relieving the stress and filling the crack caused by the insertion of the AlGaN-based stress relief layer 118 by the GaN-based pattern 119 grown in 3D mode. It is possible to suppress the occurrence of cracks and improve crystal quality at the same time.

Al 조성이 더 높은 AlGaN 계열 응력완화층(118)에 의해서 발생된 크랙은 GaN 계열 패턴(119), 예를 들어 GaN Island 패턴 들에 의해 부분부분 메워지며, 크랙이 발생하지 않은 부분은 Al 조성이 높은 AlGaN 계열 응력완화층(118) 영역이기 때문에 격자상수가 작아 그 이후에 두껍게 성장되는 Al 농도가 낮은 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)은 인장응력(Tensile Stress)이 아닌 오히려 압축응력(Compressive Stress)를 받기 때문에 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)에서의 크랙(Crack) 발생을 억제 할 수 있다.The cracks generated by the AlGaN-based stress relieving layer 118 having a higher Al composition are partially filled by the GaN-based patterns 119, for example, GaN Island patterns. Since it is a high AlGaN-based stress relief layer 118 region, the lattice constant is small and the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 with a low Al concentration, which is grown thickly thereafter, is not a tensile stress, but rather a compressive stress ( Compressive Stress), it is possible to suppress the occurrence of cracks in the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 .

이하, AlGaN 계열 응력완화층(118)에 대해서 좀 더 상술하기로 한다.Hereinafter, the AlGaN-based stress relief layer 118 will be described in more detail.

실시예에서 AlGaN 계열 응력완화층(118)은 하나층이거나 복수의 층으로 구비될 수 있다. 한편, 실시예에서 최상측에 배치되는 AlGaN 계열 응력완화층(118) 이후의 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)은 적어도 1.5㎛ 이상일 수 있다. 이를 통해 전체 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)의 두께는 2.5 ㎛ 이상으로 확보될 수 있다.In an embodiment, the AlGaN-based stress relieving layer 118 may be provided as one layer or a plurality of layers. Meanwhile, in the embodiment, the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 after the AlGaN-based stress relief layer 118 disposed on the uppermost side may be at least 1.5 μm or more. Through this, the thickness of the entire first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 may be secured to be 2.5 μm or more.

실시예에서 자외선 발광소자가 약 365nm UVLED인 경우, 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)에서의 Al 조성(x)은 약 2% 내지 8%일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In the embodiment, when the UV light emitting device is about 365 nm UVLED, the Al composition (x) in the first conductivity type AlGaN-based semiconductor layer 113 may be about 2% to 8%, but is not limited thereto.

실시예에서 AlGaN 계열 응력완화층(118)은 제1 AlGaN 계열 응력완화층(118a)과 제2 AlGaN 계열 응력완화층(118b)을 포함할 수 있다.In an embodiment, the AlGaN-based stress relieving layer 118 may include a first AlGaN-based stress relieving layer 118a and a second AlGaN-based stress relieving layer 118b.

AlGaN 계열 응력완화층(118)은 nAlyGaN(x<y<0.5)의 Al 조성(y)를 구비할 수 있다. 또한 AlGaN 계열 응력완화층(118)의 Al 조성(y)은 약 0.25 내지 0.35 일 때 더욱 효과적일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The AlGaN-based stress relieving layer 118 may have an Al composition (y) of nAl y GaN (x<y<0.5). In addition, the Al composition (y) of the AlGaN-based stress relief layer 118 may be more effective when it is about 0.25 to 0.35, but is not limited thereto.

AlGaN 계열 응력완화층(118)의 Al 조성(y)이 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)의 Al의 조성(x)보다 작을 경우, 크랙(Crack)이 대량으로 생성되지 않아서 스트레스 완화(Stress relief)에 효과적이지 못하고, 그 이후에 성장되는 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)에서 계속해서 인장응력(Tensile Stress)이 작용되어 크랙이 발생할 가능성이 있다. When the Al composition (y) of the AlGaN-based stress relieving layer 118 is smaller than the Al composition (x) of the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113, cracks are not generated in large quantities to relieve stress ( It is not effective for stress relief, and there is a possibility that a crack may occur because a tensile stress is continuously applied to the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 grown thereafter.

AlGaN 계열 응력완화층(118)의 Al 조성(y)이 0.50 이상인 경우 격자상수 차이에 의해 필요이상의 대량의 크랙 및 미스핏 전위(Misfit dislocation)이 발생하여 품질(Quality)에 안 좋을 수 있다.When the Al composition (y) of the AlGaN-based stress relieving layer 118 is 0.50 or more, a large amount of cracks and misfit dislocations more than necessary may occur due to a difference in lattice constant, which may cause poor quality.

실시예에서 AlGaN 계열 응력완화층(118)의 두께는 50nm 내지 200nm일 수 있으며, 그 두께가 80nm 내지 120nm 일 때 더욱 효과적일 수 있다.In an embodiment, the thickness of the AlGaN-based stress relieving layer 118 may be 50 nm to 200 nm, and may be more effective when the thickness is 80 nm to 120 nm.

상기 AlGaN 계열 응력완화층(118)의 두께가 50nm 미만인 경우, 인장응력(Tensile Stress)이 충분히 발생하지 않아 크랙, 미스핏 전위 들이 발생하지 않을 가능성이 있고, 그 두께가 200nm 보다 두꺼울 경우 필요이상의 대량의 크랙 및 미스핏 전위가 발생하여 품질이 저하될 수 있다.When the thickness of the AlGaN-based stress relieving layer 118 is less than 50 nm, there is a possibility that cracks and misfit dislocations do not occur because tensile stress is not sufficiently generated. cracks and misfit dislocations may occur, resulting in deterioration of quality.

다음으로, 도 4를 참조하여 GaN 계열 패턴(119)을 설명하기로 한다.Next, the GaN-based pattern 119 will be described with reference to FIG. 4 .

상기 GaN 계열 패턴(119)은 언도프트 GaN 계열 패턴 또는 제1 도전형 GaN 계열 패턴을 포함할 수 있다. The GaN-based pattern 119 may include an undoped GaN-based pattern or a first conductivity-type GaN-based pattern.

상기 GaN 계열 패턴(119)은 3D mode로 성장될 수 있다. 예를 들어, 제2 AlGaN 계열 응력완화층(118b)의 Facet 면에서 성장하기 때문에 크랙을 메울 수 있다.The GaN-based pattern 119 may be grown in a 3D mode. For example, the crack can be filled because it grows on the facet surface of the second AlGaN-based stress relief layer 118b.

상기 GaN 계열 패턴(119)이 Facet 면으로 성장, 즉 3D Mode 성장하기 위해서 약 700℃ 내지 1100℃의 온도에서 성장될 수 있다.The GaN-based pattern 119 may be grown at a temperature of about 700° C. to 1100° C. in order to grow as a facet surface, that is, in 3D mode.

한편, 약 700℃ 내지 800℃의 저온에서 성장하게 되면 품질(Quality)이 안 좋아질 수 있으므로 약 900℃ 내지 1100℃의 온도, 약 400mbar~500mbar 정도의 높은 압력에서 성장을 하면 3D 성장이 품질을 유지하면서 가능할 수 있다.On the other hand, when grown at a low temperature of about 700 ° C to 800 ° C, quality may deteriorate, so when grown at a temperature of about 900 ° C to 1100 ° C and a high pressure of about 400 mbar to 500 mbar, 3D growth maintains the quality while it may be possible

한편, Ⅴ/Ⅲ 가 높으면 2D mode 가 강화되고, 낮을 경우 3D mode 가 강화되는데 Ⅴ/Ⅲ Reactor 종류에 따라 다르므로 각 장비에 따른 최적 조건을 찾아야 한다.On the other hand, when V/III is high, 2D mode is strengthened, and when V/III is low, 3D mode is reinforced.

*예를 들어, 온도는 약 900℃ 내지 1100℃가 적정하며, 압력은 400mbar~500mbar 사이에서 Ⅴ/Ⅲ 최적조건을 찾아서 성장하면 3D-mode로 성장이 가능하다.*For example, the temperature is appropriate at about 900℃ to 1100℃, and the pressure is between 400mbar and 500mbar.

상기 GaN 계열 패턴(119)의 두께는 약 10nm 내지 50nm일 수 있으며, 약 20nm 내지 30nm 일 때, 더 효과적일 수 있다.The thickness of the GaN-based pattern 119 may be about 10 nm to 50 nm, and when it is about 20 nm to 30 nm, it may be more effective.

상기 GaN 계열 패턴(119)의 두께가 10nm 보다 얇을 경우, 크랙을 효과적으로 메우기 어려우며, 그 두께가 50nm 초과인 경우 GaN 계열 패턴(119)에서의 광 흡수에 의한 광 손실이 일어날 수 있다.When the thickness of the GaN-based pattern 119 is thinner than 10 nm, it is difficult to effectively fill the crack, and when the thickness is more than 50 nm, light loss may occur due to light absorption in the GaN-based pattern 119 .

상기 GaN 계열 패턴(119)이 언도프트 GaN 계열 패턴인 경우 전류 확산(Current Spreading) 효과를 볼 수 있다. 상기 GaN 계열 패턴(119)이 잔존하는 경우 이후 형성되는 제1 전극과 상하간에 오버랩되어 전류확산효과를 더욱 증대시킬 수 있다.When the GaN-based pattern 119 is an undoped GaN-based pattern, a current spreading effect can be seen. When the GaN-based pattern 119 remains, the first electrode and the upper and lower portions overlapped thereafter to further increase the current diffusion effect.

상기 GaN 계열 패턴(119)이 제1 도전형 GaN 계열 패턴을 포함하는 경우, n형 도펀트의 농도는 0 초과 내지 1.0x1020일 수 있으며, n형 도펀트 도핑에 의해 전류주입효율이 증대될 수 있다.When the GaN-based pattern 119 includes the first conductivity-type GaN-based pattern, the concentration of the n-type dopant may be greater than 0 to 1.0x10 20 , and the current injection efficiency may be increased by doping the n-type dopant. .

다음으로 도 5와 같이, 실시예에서 GaN 계열 패턴(119)이 AlGaN 계열 응력완화층(118) 상에 형성 중에 그 사이에 공기층(air layer)(V)이 형성될 수 있으며, 공기층(V)에 의해 광 확산에 의해 광추출 효율이 향상될 수 있다.Next, as shown in FIG. 5 , in the embodiment, an air layer (V) may be formed between the GaN-based pattern 119 while the AlGaN-based stress relief layer 118 is formed on, and the air layer (V) By this, light extraction efficiency may be improved by light diffusion.

다음으로 도 6과 같이, 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113) 상에 활성층(114), 전자차단층(115), 제2 도전형 AlGaN 계열 반도체층(116)이 형성될 수 있다.Next, as shown in FIG. 6 , an active layer 114 , an electron blocking layer 115 , and a second conductivity type AlGaN-based semiconductor layer 116 may be formed on the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 .

상기 활성층(114)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. The active layer 114 may be formed of at least one of a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW) structure, a quantum-wire structure, or a quantum dot structure.

예를 들어, 상기 활성층(114)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자우물구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.For example, in the active layer 114, trimethyl gallium gas (TMGa), ammonia gas (NH 3 ), nitrogen gas (N 2 ), and trimethyl indium gas (TMIn) are injected to form a multi-quantum well structure. The present invention is not limited thereto.

상기 활성층(114)은 양자우물과 양자벽을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(114)은 AlGaN/GaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, InAlGaN/GaN, GaAs/AlGaAs, InGaAs/AlGaAs, GaP/AlGaP, InGaP AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The active layer 114 may include a quantum well and a quantum wall. For example, the active layer 114 may have a pair structure of at least one of AlGaN/GaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, InAlGaN/GaN, GaAs/AlGaAs, InGaAs/AlGaAs, GaP/AlGaP, and InGaP AlGaP. may be formed, but is not limited thereto.

상기 제2 도전형 AlGaN 계열 반도체층(116)은 반도체 화합물, 예를 들어 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 116 may be implemented with a semiconductor compound, for example, a compound semiconductor such as Group III-5, Group II-6, and may be doped with a second conductivity-type dopant. .

예를 들어, 상기 제2 도전형 AlGaN 계열 반도체층(116) AlqGa1-qN (0≤q≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 AlGaN 계열 반도체층(116)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.For example, the second conductivity type AlGaN-based semiconductor layer 116 may include a semiconductor material having a composition formula of Al q Ga 1-q N (0≤q≤1). When the second conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 116 is a p-type semiconductor layer, the second conductivity-type dopant is a p-type dopant and may include Mg, Zn, Ca, Sr, Ba, or the like.

다음으로, 상기 활성층(114) 상에 전자차단층(115)이 형성되어 전자 차단(electron blocking) 및 활성층의 클래딩(MQW cladding) 역할을 해줌으로써 발광효율을 개선할 수 있다. 예를 들어, 상기 전자차단층(115)은 AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x≤1,0≤y≤1)계 반도체로 형성될 수 있으며, 상기 활성층(114)의 에너지 밴드 갭보다는 높은 에너지 밴드 갭을 가질 수 있다. Next, an electron blocking layer 115 is formed on the active layer 114 to serve as electron blocking and cladding (MQW cladding) of the active layer, thereby improving luminous efficiency. For example, the electron blocking layer 115 may be formed of an Al x In y Ga (1-xy) N (0≤x≤1, 0≤y≤1) based semiconductor, and It may have a higher energy band gap than the energy band gap.

실시예에서 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)은 n형 반도체층, 상기 제2 도전형 AlGaN 계열 반도체층(116)은 p형 반도체층으로 구현할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.In an embodiment, the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 may be an n-type semiconductor layer, and the second conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 116 may be implemented as a p-type semiconductor layer, but is not limited thereto.

또한 상기 제2 도전형 AlGaN 계열 반도체층(116) 위에는 상기 제2 도전형과 반대의 극성을 갖는 반도체 예컨대 n형 반도체층(미도시)을 형성할 수 있다. 이에 따라 발광구조물(110)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.In addition, a semiconductor having a polarity opposite to that of the second conductivity type, for example, an n-type semiconductor layer (not shown) may be formed on the second conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 116 . Accordingly, the light emitting structure 110 may be implemented as any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure.

다음으로 도 7과 같이, 상기 제2 도전형 AlGaN 계열 반도체층(116) 상에 제2 전극층(120)이 형성될 수 있다. 상기 제2 전극층(120)은 컨택층(122), 반사층(124) 및 전도성 지지부재(126)가 형성될 수 있다.Next, as shown in FIG. 7 , a second electrode layer 120 may be formed on the second conductivity type AlGaN-based semiconductor layer 116 . The second electrode layer 120 may include a contact layer 122 , a reflective layer 124 , and a conductive support member 126 .

상기 컨택층(122)은 캐리어 주입을 효율적으로 할 수 있도록 단일 금속 혹은 금속합금, 금속산화물 등을 다중으로 적층하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 컨택층(122)은 반도체와 전기적인 접촉인 우수한 물질로 형성될 수 있다.The contact layer 122 may be formed by stacking a single metal, a metal alloy, or a metal oxide in multiple layers to efficiently inject carriers. For example, the contact layer 122 may be formed of a superior material that is in electrical contact with a semiconductor.

예를 들어, 상기 컨택층(122)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.For example, the contact layer 122 may include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), or IGTO. (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), IZON (IZO Nitride), AGZO (Al-Ga ZnO), IGZO (In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, and Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt , Au, and may be formed including at least one of Hf, but is not limited to these materials.

상기 컨택층(122) 상에는 반사층(124)이 형성될 수 있다. 상기 반사층(124)은 반사성이 우수하고, 전기적인 접촉이 우수한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 반사층(124)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. A reflective layer 124 may be formed on the contact layer 122 . The reflective layer 124 may be formed of a material having excellent reflectivity and excellent electrical contact. For example, the reflective layer 124 may be formed of a metal or alloy including at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, and Hf.

또한, 상기 반사층(124)은 상기 금속 또는 합금과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 예를 들어, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다.In addition, the reflective layer 124 may be formed as a multi-layer using the metal or alloy and a light-transmitting conductive material such as IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, and ATO, for example, IZO/Ni, AZO. It can be laminated with /Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni, or the like.

다음으로, 상기 반사층(124) 상에 전도성 지지부재(126)가 형성될 수 잇따.Next, a conductive support member 126 may be formed on the reflective layer 124 .

상기 전도성 지지부재(126)는 효율적으로 캐리어 주입할 수 있도록 전기 전도성이 우수한 금속, 금속합금, 혹은 전도성 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 전도성 지지부재(126)는 구리(Cu), 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni-nickel), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC 등) 등을 선택적으로 포함할 수 있다.The conductive support member 126 may be made of a metal, a metal alloy, or a conductive semiconductor material having excellent electrical conductivity to efficiently inject a carrier. For example, the conductive support member 126 may include copper (Cu), gold (Au), copper alloy (Cu Alloy), nickel (Ni-nickel), copper-tungsten (Cu-W), a carrier wafer (eg: GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, etc.) may optionally be included.

상기 전도성 지지부재(126)를 형성시키는 방법은 전기화학적인 금속증착방법이나 유테틱 메탈을 이용한 본딩 방법 등을 사용할 수 있다.As a method of forming the conductive support member 126, an electrochemical metal deposition method or a bonding method using eutectic metal may be used.

다음으로, 도 8과 같이 상기 기판(105)이 발광구조물(110)로부터 제거될 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(105)을 제거하는 방법은 고출력의 레이저를 이용하여 기판을 분리하거나 화학적 식각 방법을 사용할 수 있다. 또한, 상기 기판(105)은 물리적으로 갈아냄으로써 제거할 수도 있다. Next, as shown in FIG. 8 , the substrate 105 may be removed from the light emitting structure 110 . For example, the method of removing the substrate 105 may use a high-power laser to separate the substrate or use a chemical etching method. In addition, the substrate 105 may be removed by physically grinding.

예를 들어, 레이저 리프트 오프 방법은 상온에서 소정의 에너지를 가해주게 되면 상기 기판(105)과 발광구조물의 계면에서 에너지가 흡수되어 발광구조물의 접합표면이 열분해 되어 기판(105)과 발광구조물을 분리할 수 있다.For example, in the laser lift-off method, when a predetermined energy is applied at room temperature, energy is absorbed at the interface between the substrate 105 and the light emitting structure, and the bonding surface of the light emitting structure is thermally decomposed to separate the substrate 105 and the light emitting structure. can do.

다음으로 도 9와 같이, 제1 도전형 반도체층(112)을 습식 또는 건식 에칭 등으로 제거하여 AlGaN 계열 응력완화층(118)이 노출되도록 할 수 있다. Next, as shown in FIG. 9 , the AlGaN-based stress relief layer 118 may be exposed by removing the first conductivity type semiconductor layer 112 by wet or dry etching.

다음으로 도 10과 같이, AlGaN 계열 응력완화층(118)과 GaN 계열 패턴(119)을 순차적 또는 동시에 습식 또는 건식 에칭 등으로 제거하여 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)이 노출되도록 할 수 있다. Next, as shown in FIG. 10 , the AlGaN-based stress relief layer 118 and the GaN-based pattern 119 are sequentially or simultaneously removed by wet or dry etching, etc. to expose the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 . have.

이를 통해, 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113) 상에 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴(P1)이 형성될 수 있으며, 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴(P1)은 규칙적인 패턴이거나 불규칙적인 패턴 또는 이들의 혼합일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.Through this, a first AlGaN-based light extraction pattern P1 may be formed on the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 , and the first AlGaN-based light extraction pattern P1 may be a regular pattern or an irregular pattern. or a mixture thereof, but is not limited thereto.

실시예에서 상기 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴(P1)은 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113) 상에 소정의 수평폭을 구비하며, 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)과 같은 물질로 형성될 수 있다.In an embodiment, the first AlGaN-based light extraction pattern P1 has a predetermined horizontal width on the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 and includes the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 and It can be formed of the same material.

실시예에 의하면, 상기 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴(121)의 수평폭이 점차 감소함에 따라 광추출 표면적을 넓힐 수 있고, 외부로 광추출 될 수 있는 가능성을 높여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment, as the horizontal width of the first AlGaN-based light extraction pattern 121 is gradually reduced, the light extraction surface area can be increased, and the possibility of light extraction to the outside can be increased to improve the light extraction efficiency. .

실시예에서 상기 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴(P1)의 높이를 제외한 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)의 두께가 1.5 ㎛ 이상, 예를 들어 2.5 ㎛ 내지 5.0 ㎛로 구비됨으로써 광추출 패턴으로서의 기능을 충실히 수행하면서 발광소자 칩에 전기적인 신뢰성에 영향을 미치지 않을 수 있다.In the embodiment, the thickness of the first conductivity type AlGaN-based semiconductor layer 113 excluding the height of the first AlGaN-based light extraction pattern P1 is 1.5 μm or more, for example, 2.5 μm to 5.0 μm. It may not affect the electrical reliability of the light emitting device chip while faithfully performing its function.

다음으로 도 11과 같이, 상기 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴(P1) 사이에 제2 AlGaN 계열 광추출 패턴(P2)을 형성할 수 있다. Next, as shown in FIG. 11 , a second AlGaN-based light extraction pattern P2 may be formed between the first AlGaN-based light extraction patterns P1 .

상기 제2 AlGaN 계열 광추출 패턴(P2)은 상기 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴(P1)의 측면과 상면에도 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The second AlGaN-based light extraction pattern P2 may also be formed on the side surface and the upper surface of the first AlGaN-based light extraction pattern P1, but is not limited thereto.

이를 통해, 사이즈가 큰 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴(P1) 및 이보다 사이즈가 작은 제2 AlGaN 계열 광추출 패턴(P2)를 통해 복합적인 광추출 메커니즘의 작동에 의해 광추출 효율이 더욱 향상될 수 있다.Through this, the light extraction efficiency can be further improved by the operation of a complex light extraction mechanism through the large-sized first AlGaN-based light extraction pattern P1 and the smaller size of the second AlGaN-based light extraction pattern P2. have.

다음으로, 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113) 상에 제1 전극(131)을 형성할 수 있다. 상기 제1 전극(131)은 Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. Next, a first electrode 131 may be formed on the first conductivity type AlGaN-based semiconductor layer 113 . The first electrode 131 may be formed of a metal or alloy including at least one of Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, and Hf.

이를 통해 제1 실시예에 따른 자외선 발광소자를 제조할 수 있다.Through this, the ultraviolet light emitting device according to the first embodiment can be manufactured.

다음으로, 도 13은 제2 실시예에 따른 자외선 발광소자(102)의 단면도이다.Next, FIG. 13 is a cross-sectional view of the ultraviolet light emitting device 102 according to the second embodiment.

제2 실시예는 제1 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있다.The second embodiment may adopt the technical features of the first embodiment.

제2 실시예에 따른 자외선 발광소자(102)는 제2 전극층(120)과, 상기 제2 전극층(120) 상에 제2 도전형 반도체층(116)과, 상기 제2 도전형 반도체층(116) 상에 활성층(114)과, 상기 활성층(114) 상에 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113) 및 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113) 상에 AlGaN 계열 응력완화층(118);을 포함할 수 있다.The ultraviolet light emitting device 102 according to the second embodiment includes a second electrode layer 120 , a second conductivity type semiconductor layer 116 on the second electrode layer 120 , and the second conductivity type semiconductor layer 116 . ), an active layer 114 on the active layer 114, a first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 on the active layer 114, and an AlGaN-based stress relief layer 118 on the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113. ; may be included.

제2 실시예는 제1 실시예에 비해, 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113) 상에 AlGaN 계열 응력완화층(118)을 잔존시키고, 상기 AlGaN 계열 응력완화층(118) 상에 투광성 전극층(132)을 더 형성한 후, 제1 전극(131)을 형성한 수직형 타입의 자외선 발광소자일 수 있다.Compared to the first embodiment, in the second embodiment, the AlGaN-based stress relief layer 118 remains on the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 , and a light-transmitting electrode layer on the AlGaN-based stress relief layer 118 . After further forming 132 , it may be a vertical type UV light emitting device in which the first electrode 131 is formed.

상기 투광성 전극층(132)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO) 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.The light-transmitting electrode layer 132 includes indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), and indium gallium tin (IGTO). oxide), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IZO nitride (IZON), AGZO (Al-Ga ZnO), and IGZO (In-Ga ZnO). It can be formed by, but is not limited to these materials.

실시예에서 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113) 상에 수평폭이 감소하는 AlGaN 계열 돌출 패턴(P3)을 포함할 수 있다.In an embodiment, an AlGaN-based protrusion pattern P3 having a reduced horizontal width may be included on the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 .

AlGaN 계열 돌출 패턴(P3)은 규칙적인 패턴이거나 불규칙적인 패턴 또는 이들의 혼합일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The AlGaN-based protrusion pattern P3 may be a regular pattern, an irregular pattern, or a mixture thereof, but is not limited thereto.

실시예에서 상기 AlGaN 계열 돌출 패턴(P3)은 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113) 상에 소정의 수평폭을 구비하며, 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)과 같은 물질로 형성될 수 있다.In an embodiment, the AlGaN-based protrusion pattern P3 has a predetermined horizontal width on the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 and is made of the same material as the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 . can be formed.

제2 실시예에서 상기 AlGaN 계열 돌출 패턴(P3)은 복수로 구비되며, 상기 AlGaN 계열 돌출 패턴(P3)들은 서로 이격되며, 상기 AlGaN 계열 돌출 패턴(P3) 사이에 GaN 계열 패턴(119)을 더 포함할 수 있다.In the second embodiment, a plurality of AlGaN-based protruding patterns P3 are provided, the AlGaN-based protruding patterns P3 are spaced apart from each other, and a GaN-based pattern 119 is further interposed between the AlGaN-based protruding patterns P3. may include

제2 실시예와 다른 실시예로는, 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113) 상에서 AlGaN 계열 응력완화층(118)이 제거되고, GaN 계열 패턴(119)이 잔존하는 형태의 수직형 자외선 발광소자가 될 수 있다. 제1 전극(131)은 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(131)은 AlGaN 계열 돌출 패턴(P3) 상에 배치될 수도 있다.In an embodiment different from the second embodiment, the AlGaN-based stress relief layer 118 is removed on the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 and the GaN-based pattern 119 remains. can be small The first electrode 131 may be electrically connected to the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 . For example, the first electrode 131 may be disposed on the AlGaN-based protrusion pattern P3 .

상기 GaN 계열 패턴(119)은 언도프트 GaN 계열 패턴 또는 제1 도전형 GaN 계열 패턴을 포함할 수 있다.The GaN-based pattern 119 may include an undoped GaN-based pattern or a first conductivity-type GaN-based pattern.

상기 GaN 계열 패턴(119)은 3D mode로 성장될 수 있다. 예를 들어, 제2 AlGaN 계열 응력완화층(118b)의 Facet 면에서 성장하기 때문에 크랙을 메울 수 있다.The GaN-based pattern 119 may be grown in a 3D mode. For example, the crack can be filled because it grows on the facet surface of the second AlGaN-based stress relief layer 118b.

상기 GaN 계열 패턴(119)이 Facet 면으로 성장, 즉 3D Mode 성장하기 위해서 약 700℃ 내지 1100℃의 온도에서 성장될 수 있다.The GaN-based pattern 119 may be grown at a temperature of about 700° C. to 1100° C. in order to grow as a facet surface, that is, in 3D mode.

상기 GaN 계열 패턴(119)의 두께는 약 10nm 내지 50nm일 수 있으며, 약 20nm 내지 30nm 일 때, 더 효과적일 수 있다.The thickness of the GaN-based pattern 119 may be about 10 nm to 50 nm, and when it is about 20 nm to 30 nm, it may be more effective.

상기 GaN 계열 패턴(119)의 두께가 10nm 보다 얇을 경우, 크랙을 효과적으로 메우기 어려우며, 그 두께가 50nm 초과인 경우 GaN 계열 패턴(119)에서의 광 흡수에 의한 광 손실이 일어날 수 있다.When the thickness of the GaN-based pattern 119 is thinner than 10 nm, it is difficult to effectively fill the crack, and when the thickness is more than 50 nm, light loss may occur due to light absorption in the GaN-based pattern 119 .

상기 GaN 계열 패턴(119)이 언도프트 GaN 계열 패턴인 경우 전류 확산(Current Spreading) 효과를 볼 수 있다. 상기 GaN 계열 패턴(119)이 잔존하는 경우 제1 전극(131)과 상하간에 오버랩되어 전류확산효과를 더욱 증대시킬 수 있다.When the GaN-based pattern 119 is an undoped GaN-based pattern, a current spreading effect can be seen. When the GaN-based pattern 119 remains, the first electrode 131 and the upper and lower portions are overlapped to further increase the current diffusion effect.

상기 GaN 계열 패턴(119)이 제1 도전형 GaN 계열 패턴을 포함하는 경우, n형 도펀트의 농도는 0 초과 내지 1.0x1020일 수 있으며, n형 도펀트 도핑에 의해 전류주입효율이 증대될 수 있다.When the GaN-based pattern 119 includes the first conductivity-type GaN-based pattern, the concentration of the n-type dopant may be greater than 0 to 1.0x10 20 , and the current injection efficiency may be increased by doping the n-type dopant. .

한편, 도 5와 같이, 실시예에서 GaN 계열 패턴(119)이 AlGaN 계열 응력완화층(118) 상에 형성 중에 그 사이에 공기층(air layer)(V)이 형성될 수 있으며, 공기층(V)에 의해 광 확산에 의해 광추출 효율이 향상될 수 있다On the other hand, as shown in FIG. 5 , in the embodiment, an air layer (V) may be formed between the GaN-based pattern 119 while it is formed on the AlGaN-based stress relief layer 118, and the air layer (V) light extraction efficiency can be improved by light diffusion

실시예는 상기 GaN 계열 패턴(119) 상에 상기 AlGaN 계열 응력완화층(118)을 포함할 수 있다. 상기 AlGaN 계열 응력완화층(118)에서의 Al의 조성은 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)에서의 Al의 조성보다 높을 수 있다.In the embodiment, the AlGaN-based stress relief layer 118 may be included on the GaN-based pattern 119 . A composition of Al in the AlGaN-based stress relief layer 118 may be higher than that of Al in the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 .

AlGaN 계열 응력완화층(118)은 nAlyGaN(x<y<0.5)의 Al 조성(y)를 구비할 수 있다. 또한 AlGaN 계열 응력완화층(118)의 Al 조성(y)은 약 0.25 내지 0.35 일 때 더욱 효과적일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The AlGaN-based stress relieving layer 118 may have an Al composition (y) of nAl y GaN (x<y<0.5). In addition, the Al composition (y) of the AlGaN-based stress relief layer 118 may be more effective when it is about 0.25 to 0.35, but is not limited thereto.

AlGaN 계열 응력완화층(118)의 Al 조성(y)이 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)의 Al의 조성(x)보다 작을 경우, 크랙(Crack)이 대량으로 생성되지 않아서 스트레스 완화(Stress relief)에 효과적이지 못하고, 그 이후에 성장되는 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)에서 계속해서 인장응력(Tensile Stress)이 작용되어 크랙이 발생할 가능성이 있다. When the Al composition (y) of the AlGaN-based stress relieving layer 118 is smaller than the Al composition (x) of the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113, cracks are not generated in large quantities to relieve stress ( It is not effective for stress relief, and there is a possibility that a crack may occur because a tensile stress is continuously applied to the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 grown thereafter.

AlGaN 계열 응력완화층(118)의 Al 조성(y)이 0.50 이상인 경우 격자상수 차이에 의해 필요이상의 대량의 크랙 및 미스핏 전위(Misfit dislocation)이 발생하여 품질(Quality)에 안 좋을 수 있다.When the Al composition (y) of the AlGaN-based stress relieving layer 118 is 0.50 or more, a large amount of cracks and misfit dislocations more than necessary may occur due to a difference in lattice constant, which may cause poor quality.

실시예에서 AlGaN 계열 응력완화층(118)의 두께는 50nm 내지 200nm일 수 있으며, 그 두께가 80nm 내지 120nm 일 때 더욱 효과적일 수 있다.In an embodiment, the thickness of the AlGaN-based stress relieving layer 118 may be 50 nm to 200 nm, and may be more effective when the thickness is 80 nm to 120 nm.

상기 AlGaN 계열 응력완화층(118)의 두께가 50nm 미만인 경우, 인장응력(Tensile Stress)이 충분히 발생하지 않아 크랙, 미스핏 전위 들이 발생하지 않을 가능성이 있고, 그 두께가 200nm 보다 두꺼울 경우 필요이상의 대량의 크랙 및 미스핏 전위가 발생하여 품질이 저하될 수 있다.When the thickness of the AlGaN-based stress relieving layer 118 is less than 50 nm, there is a possibility that cracks and misfit dislocations do not occur because tensile stress is not sufficiently generated. cracks and misfit dislocations may occur, resulting in deterioration of quality.

도 14는 제3 실시예에 따른 자외선 발광소자(103)의 단면도이다.14 is a cross-sectional view of the ultraviolet light emitting device 103 according to the third embodiment.

제3 실시예는 제1 실시예 또는 제1 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있다.The third embodiment may adopt the first embodiment or the technical features of the first embodiment.

제3 실시예는 수평형 발광소자일 수 있다.The third embodiment may be a horizontal light emitting device.

예를 들어, 제3 실시예에 따른 자외선 발광소자(103)는 기판(105)과 상기 기판(105) 상에 제1 도전형 반도체층(112)과, 상기 제1 도전형 반도체층(112) 상에 AlGaN 계열 응력완화층(118)과, 상기 AlGaN 계열 응력완화층(118) 상에 GaN 계열 패턴(119)과, 상기 GaN 계열 패턴(119) 상에 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)과, 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113) 상에 활성층(114)과, 상기 활성층(114) 상에 전자차단층(115)과 상기 전자차단층(115) 상에 제2 도전형 반도체층(116)과 상기 제2 도전형 반도체층(116) 상에 투광성 전극(132)과 상기 투광성 전극(132) 상에 제2 전극(125)과 노출된 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113) 상에 제1 전극(131)을 포함할 수 있다.For example, the ultraviolet light emitting device 103 according to the third embodiment includes a substrate 105 , a first conductivity type semiconductor layer 112 on the substrate 105 , and the first conductivity type semiconductor layer 112 . An AlGaN-based stress relief layer 118 on the AlGaN-based stress relief layer 118 , a GaN-based pattern 119 on the AlGaN-based stress relief layer 118 , and a first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113 on the GaN-based pattern 119 . ), an active layer 114 on the AlGaN-based semiconductor layer 113 of the first conductivity type, an electron blocking layer 115 on the active layer 114 and a second conductivity type on the electron blocking layer 115 A light-transmitting electrode 132 on the semiconductor layer 116 and the second conductivity-type semiconductor layer 116, a second electrode 125 on the light-transmitting electrode 132, and an exposed first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer ( The first electrode 131 may be included on the 113 .

제3 실시예에 의하면, Al의 농도가 높은 AlGaN 계열 응력완화층(118)에 의해 발광된 빛의 산란, 굴절을 높여서 외부 광추출 효율을 증대시킬 수 있다.According to the third embodiment, it is possible to increase the scattering and refraction of light emitted by the AlGaN-based stress relief layer 118 having a high Al concentration, thereby increasing the external light extraction efficiency.

또한 제3 실시예는 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113)이 AlGaN 계열 돌출 패턴(P3)을 복수로 구비하며, 상기 AlGaN 계열 돌출 패턴(P3) 사이에 GaN 계열 패턴(119)이 더 포함될 수 있다.In addition, in the third embodiment, the first conductivity type AlGaN-based semiconductor layer 113 includes a plurality of AlGaN-based protruding patterns P3 , and a GaN-based pattern 119 is further included between the AlGaN-based protruding patterns P3 . can

상기 GaN 계열 패턴(119)은 언도프트 GaN 계열 패턴 또는 제1 도전형 GaN 계열 패턴을 포함할 수 있으며, 발광된 빛의 산란, 굴절의 정도를 높여서 광추출 효율을 증대시킬 수 있다.The GaN-based pattern 119 may include an undoped GaN-based pattern or a first conductivity-type GaN-based pattern, and may increase the degree of scattering and refraction of emitted light to increase light extraction efficiency.

실시예에서 상기 GaN 계열 패턴(119)의 두께는 약 10nm 내지 50nm일 수 있으며, 약 20nm 내지 30nm 일 때, 더 효과적일 수 있다.In an embodiment, the thickness of the GaN-based pattern 119 may be about 10 nm to 50 nm, and when it is about 20 nm to 30 nm, it may be more effective.

상기 GaN 계열 패턴(119)의 두께가 10nm 보다 얇을 경우, 크랙을 효과적으로 메우기 어려우며, 그 두께가 50nm 초과인 경우 GaN 계열 패턴(119)에서의 광 흡수에 의한 광 손실이 일어날 수 있다.When the thickness of the GaN-based pattern 119 is thinner than 10 nm, it is difficult to effectively fill the crack, and when the thickness is more than 50 nm, light loss may occur due to light absorption in the GaN-based pattern 119 .

자외선 발광소자는 파장이 긴 순서대로 UV-A((315~400nm)), UV-B(280~315nm), UV-C(200~280nm) 세 가지고 나뉜다.Ultraviolet light emitting devices are divided into UV-A ((315~400nm)), UV-B (280~315nm), and UV-C (200~280nm) in the order of the longest wavelength.

실시예에 따른 자와선 발광소자(UV LED)는 파장에 따라, UV-A(315~400nm) 영역은 산업용 UV경화, 인쇄 잉크경화, 노광기, 위폐감별, 광촉매 살균, 특수조명(수족관/농업용 등) 등의 다양하게 적용될 수 있고, UV-B (280~315nm) 영역은 의료용으로 사용될 수 있고, UV-C(200~280nm) 영역은 공기 정화, 정수, 살균 제품 등에 적용될 수 있다.The magnetic ray light emitting device (UV LED) according to the embodiment depends on the wavelength, and the UV-A (315~400nm) region is industrial UV curing, printing ink curing, exposure machine, counterfeit detection, photocatalytic sterilization, special lighting (aquarium/agricultural use, etc.) ), etc., the UV-B (280-315nm) region can be used for medical purposes, and the UV-C (200-280nm) region can be applied to air purification, water purification, and sterilization products.

실시예에 따른 발광소자는 패키지 형태로 복수개가 기판 상에 어레이될 수 있으며, 발광소자 패키지에서 방출되는 광의 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트, 형광 시트 등이 배치될 수 있다.A plurality of light emitting devices according to the embodiment may be arrayed on a substrate in the form of a package, and optical members such as a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, a fluorescent sheet, etc. may be disposed on a path of light emitted from the light emitting device package.

실시예에 따른 발광소자는 백라이트 유닛, 조명 유닛, 디스플레이 장치, 지시 장치, 램프, 가로등, 차량용 조명장치, 차량용 표시장치, 스마트 시계 등에 적용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The light emitting device according to the embodiment may be applied to a backlight unit, a lighting unit, a display device, an indicator device, a lamp, a street lamp, a vehicle lighting device, a vehicle display device, a smart watch, and the like, but is not limited thereto.

예를 들어, 도 15는 실시예들에 따른 발광소자가 설치된 발광소자 패키지(200)를 설명하는 도면이다.For example, FIG. 15 is a view for explaining a light emitting device package 200 in which a light emitting device according to embodiments is installed.

*실시예에 따른 발광 소자 패키지는 패키지 몸체부(205)와, 상기 패키지 몸체부(205)에 설치된 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)과, 상기 패키지 몸체부(205)에 설치되어 상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)과 전기적으로 연결되는 발광 소자(100)와, 상기 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩부재(230)가 포함된다.* The light emitting device package according to the embodiment is installed on the package body 205 , the third electrode layer 213 and the fourth electrode layer 214 installed on the package body 205 , and the package body 205 . and a light emitting device 100 electrically connected to the third electrode layer 213 and the fourth electrode layer 214 , and a molding member 230 surrounding the light emitting device 100 .

상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공하는 역할을 한다. 또한, 상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)은 상기 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시키는 역할을 할 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The third electrode layer 213 and the fourth electrode layer 214 are electrically isolated from each other, and serve to provide power to the light emitting device 100 . In addition, the third electrode layer 213 and the fourth electrode layer 214 may serve to increase light efficiency by reflecting the light generated from the light emitting device 100 , and It can also serve to dissipate heat to the outside.

상기 발광 소자(100)는 상기 제3 전극층(213) 및/또는 제4 전극층(214)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. The light emitting device 100 may be electrically connected to the third electrode layer 213 and/or the fourth electrode layer 214 by any one of a wire method, a flip chip method, and a die bonding method.

상기 발광소자(100)는 제1 실시예에 따른 자외선 발광소자일 수 있으나 이에 한정되지 않으며, 제2 실시예에 따른 발광소자(102), 제3 실시예에 따른 발광소자(103) 등을 포함할 수 있다.The light emitting device 100 may be an ultraviolet light emitting device according to the first embodiment, but is not limited thereto, and includes the light emitting device 102 according to the second embodiment and the light emitting device 103 according to the third embodiment. can do.

상기 몰딩부재(230)에는 형광체(232)가 포함되어 백색광의 발광소자 패키지가 될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The molding member 230 may include a phosphor 232 to form a white light light emitting device package, but is not limited thereto.

도 16은 실시예에 따른 조명시스템의 분해 사시도이다.16 is an exploded perspective view of a lighting system according to an embodiment.

실시예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.The lighting device according to the embodiment may include a cover 2100 , a light source module 2200 , a heat sink 2400 , a power supply unit 2600 , an inner case 2700 , and a socket 2800 . In addition, the lighting device according to the embodiment may further include any one or more of the member 2300 and the holder 2500 . The light source module 2200 may include a light emitting device or a light emitting device package according to an embodiment.

상기 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다. 상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. The light source module 2200 may include a light source unit 2210 , a connection plate 2230 , and a connector 2250 . The member 2300 is disposed on the upper surface of the heat sink 2400 and has guide grooves 2310 into which a plurality of light sources 2210 and a connector 2250 are inserted.

상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)를 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. The holder 2500 blocks the receiving groove 2719 of the insulating part 2710 of the inner case 2700 . Accordingly, the power supply unit 2600 accommodated in the insulating unit 2710 of the inner case 2700 is sealed. The holder 2500 has a guide protrusion 2510 .

상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다. 상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The power supply unit 2600 may include a protrusion part 2610 , a guide part 2630 , a base 2650 , and an extension part 2670 . The inner case 2700 may include a molding unit together with the power supply unit 2600 therein. The molding part is a part where the molding liquid is hardened, and allows the power supply unit 2600 to be fixed inside the inner case 2700 .

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the above embodiments are included in at least one embodiment, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment can be combined or modified for other embodiments by those of ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents related to such combinations and variations should be interpreted as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In the above, the embodiment has been mainly described, but this is only an example and does not limit the embodiment, and those of ordinary skill in the art to which the embodiment belongs are provided with several examples not illustrated above in the range that does not deviate from the essential characteristics of the embodiment. It can be seen that the transformation and application of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be implemented by modification. And differences related to such modifications and applications should be construed as being included in the scope of the embodiments set forth in the appended claims.

제2 도전형 반도체층(116); 활성층(114);
제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층(113); 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴(P1)a second conductivity type semiconductor layer 116; active layer 114;
a first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer 113; First AlGaN-based light extraction pattern (P1)

Claims (13)

기판 상에 제1 도전형 반도체층을 형성하는 단계;
상기 제1 도전형 반도체층 상에 AlGaN 계열 응력완화층을 형성하는 단계;
상기 AlGaN 계열 응력완화층 상에 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층을 형성하는 단계;
상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층 상에 활성층, 제2 도전형 반도체층을 순차로 형성하는 단계; 및
상기 기판을 제거하는 단계;를 포함하는 자외선 발광소자 제조 방법.
forming a first conductivity-type semiconductor layer on a substrate;
forming an AlGaN-based stress relief layer on the first conductivity-type semiconductor layer;
forming a first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer on the AlGaN-based stress relief layer;
sequentially forming an active layer and a second conductivity type semiconductor layer on the first conductivity type AlGaN-based semiconductor layer; and
Removing the substrate; UV light emitting device manufacturing method comprising a.
 제1항에 있어서,
상기 제1 도전형 반도체층 상에 AlGaN 계열 응력완화층을 형성한 후, GaN 계열 패턴을 형성하는 단계;를 더 포함하고,
상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층은 상기 AlGaN 계열 응력완화층 및 상기GaN 계열 패턴 상에 형성되는 자외선 발광소자 제조 방법.
According to claim 1,
After forming an AlGaN-based stress relief layer on the first conductivity-type semiconductor layer, forming a GaN-based pattern; further comprising,
The first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer is formed on the AlGaN-based stress relaxation layer and the GaN-based pattern.
 제2항에 있어서,
상기 AlGaN 계열 응력완화층은 서로 이격된 AlGaN 계열 돌출 패턴을 포함하도록 형성되고,
상기 GaN 계열 패턴은 상기 AlGaN 계열 돌출 패턴 상에 형성되는 자외선 발광소자 제조 방법.
3. The method of claim 2,
The AlGaN-based stress relief layer is formed to include AlGaN-based protruding patterns spaced apart from each other,
The GaN-based pattern is a UV light emitting device manufacturing method formed on the AlGaN-based protrusion pattern.
 제3항에 있어서,
상기 AlGaN 계열 돌출 패턴의 수평 폭이 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층 상에서 감소하는 자외선 발광소자 제조 방법.
4. The method of claim 3,
A method of manufacturing an ultraviolet light emitting device in which the horizontal width of the AlGaN-based protrusion pattern is decreased on the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer.
 제1항에 있어서,
상기 AlGaN 계열 응력완화층의 AL 조성은 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층에서의 Al 조성보다 높은 자외선 발광소자 제조 방법.
According to claim 1,
The AL composition of the AlGaN-based stress relaxation layer is higher than the Al composition of the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer.
 제2항에 있어서,
상기 GaN 계열 패턴과 상기 AlGaN 계열 응력완화층 사이에 공기층이 형성되는 자외선 발광소자 제조 방법.
3. The method of claim 2,
A method of manufacturing an ultraviolet light emitting device in which an air layer is formed between the GaN-based pattern and the AlGaN-based stress relief layer.
 제2항에 있어서,
싱기 GaN 계열 패턴은 언도핑된 GaN 계열 패턴인 자외선 발광소자 제조 방법.
3. The method of claim 2,
Shingi GaN-based pattern is an undoped GaN-based pattern, an ultraviolet light emitting device manufacturing method.
 제1항에 있어서,
상기 기판을 제거한 후, 상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 AlGaN 계열 응력완화층을 제거하여 상기 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층이 노출되도록하는 단계;를 더 포함하고,
상기 노출된 제1 도전형 AlGaN 계열 반도체층은 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴을 갖는 자외선 발광소자 제조 방법.
According to claim 1,
After removing the substrate, removing the first conductivity-type semiconductor layer and the AlGaN-based stress relief layer to expose the first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer; further comprising,
The exposed first conductivity-type AlGaN-based semiconductor layer is a method of manufacturing an ultraviolet light emitting device having a first AlGaN-based light extraction pattern.
 제1항에 있어서,
상기 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴 상에 제1 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 자외선 발광소자 제조 방법.
According to claim 1,
The method of manufacturing an ultraviolet light emitting device further comprising the step of forming a first electrode layer on the first AlGaN-based light extraction pattern.
 제8항 및 제9항 중 어느 하나에 있어서,
상기 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴들 사이에 제2 AlGaN 계열 광추출 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 자외선 발광소자 제조 방법.
10. The method according to any one of claims 8 and 9,
The UV light emitting device manufacturing method further comprising the step of forming a second AlGaN-based light extraction pattern between the first AlGaN-based light extraction patterns.
 제10항에 있어서,
상기 제2 AlGaN 계열 광추출 패턴은 상기 제1 AlGaN 계열 광추출 패턴보다 작은 수평폭을 가지는 자외선 발광소자 제조 방법.
11. The method of claim 10,
The second AlGaN-based light extraction pattern has a smaller horizontal width than the first AlGaN-based light extraction pattern UV light emitting device manufacturing method.
 제2항 내지 제4항, 제6항 및 제7항 중 어느 하나에 있어서,
제1 전극 및 제2 전극이 형성되고,
상기 AlGaN 계열 응력 완화층 및 GaN 계열 패턴 중 적어도 하나가 유지되는 자외선 발광소자 제조 방법.
8. The method according to any one of claims 2 to 4, 6 and 7,
A first electrode and a second electrode are formed,
A method of manufacturing an ultraviolet light emitting device in which at least one of the AlGaN-based stress relaxation layer and the GaN-based pattern is maintained.
 제1항 내지 제9항 중 어느 하나의 방법에 따라 제조된 자외선 발광소자.An ultraviolet light emitting device manufactured according to any one of claims 1 to 9.
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