KR20210155121A - Substrate supporting unit and substrate processing apparatus - Google Patents

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KR20210155121A
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Abstract

The substrate support unit of the present invention includes an electrostatic chuck; a focus ring provided to surround the outer periphery of the electrostatic chuck; and a blocking member for blocking foreign substances from penetrating into a gap between the electrostatic chuck and the focus ring. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of preventing plasma from penetrating into a gap between an electrostatic chuck and a focus ring.

Description

기판 지지 유닛 및 기판 처리 장치{SUBSTRATE SUPPORTING UNIT AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}SUBSTRATE SUPPORTING UNIT AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to an apparatus for processing a substrate using plasma.

일반적으로, 반도체 장치를 제조하는 공정은 반도체 웨이퍼(이하, 기판이라 함) 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 막을 평탄화하기 위한 화학/기계적 연마 공정과, 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 포토레지스트 패턴을 이용하여 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각공정과, 기판의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 기판 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 막 또는 패턴이 형성된 기판의 표면을 검사하기 위한 검사 공정 등을 포함한다. In general, a process for manufacturing a semiconductor device includes a deposition process for forming a film on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a substrate), a chemical/mechanical polishing process for planarizing the film, and a photoresist pattern on the film A photolithography process, an etching process for forming a film into a pattern having electrical characteristics using a photoresist pattern, an ion implantation process for implanting specific ions into a predetermined region of the substrate, and cleaning to remove impurities on the substrate process, and an inspection process for inspecting the surface of the substrate on which the film or pattern is formed, and the like.

식각 공정은 기판 상에 포토리소그래피 공정에 의해 형성된 포토레지스트 패턴의 노출된 영역을 제거하기 위한 공정이다. 일반적으로, 식각 공정의 종류는 건식 식각(dry etching)과 습식 식각(wet etching)으로 나눌 수 있다. The etching process is a process for removing the exposed region of the photoresist pattern formed by the photolithography process on the substrate. In general, types of etching processes may be divided into dry etching and wet etching.

건식 식각 공정은 식각 공정이 진행되는 밀폐된 내부 공간에 소정 간격 이격 설치된 상부 전극 및 하부 전극에 고주파 전력을 인가하여 전기장을 형성하고, 밀폐 공간 내부로 공급된 반응 가스에 전기장을 가해 반응 가스를 활성화시켜 플라즈마 상태로 만든 후, 플라즈마 내의 이온이 하부 전극 상에 위치한 기판을 식각하도록 한다. In the dry etching process, an electric field is formed by applying high-frequency power to the upper and lower electrodes installed at a predetermined interval in the enclosed interior space where the etching process is performed, and the reaction gas is activated by applying an electric field to the reaction gas supplied into the enclosed space. After making it into a plasma state, ions in the plasma etch the substrate located on the lower electrode.

이때, 기판의 상면 전체에서 플라즈마를 균일하게 형성할 필요가 있다. 기판의 상면 전체에서 플라즈마를 균일하게 형성하기 위해 포커스 링이 구비된다. At this time, it is necessary to uniformly form plasma over the entire upper surface of the substrate. A focus ring is provided to uniformly form plasma over the entire upper surface of the substrate.

포커스 링은 하부 전극 상에 배치된 정전 척의 가장 자리를 둘러싸도록 설치된다. The focus ring is installed to surround the edge of the electrostatic chuck disposed on the lower electrode.

정전 척의 상부에는 고주파 전력 인가에 의해 전기장이 형성되는 데, 포커스 링은 전기장이 형성되는 영역을 기판이 위치되는 영역에 비하여 크게 확장시킨다. 따라서, 기판은 플라즈마가 형성되는 영역의 중심에 위치되며, 이에 따라, 기판이 균일하게 식각될 수 있다. An electric field is formed on the upper portion of the electrostatic chuck by applying high-frequency power, and the focus ring greatly expands an area where the electric field is formed compared to an area where the substrate is located. Accordingly, the substrate is positioned at the center of the region where the plasma is formed, so that the substrate can be etched uniformly.

이러한 과정에서 정전 척과 포커스 링 사이의 공간 사이로 플라즈마가 침투하여 본딩층을 보호하고 있는 밴드와 본딩층의 식각이 발생할 수 있다.In this process, plasma may penetrate into the space between the electrostatic chuck and the focus ring, and the band protecting the bonding layer and the bonding layer may be etched.

밴드와 본딩층이 식각되면 에지(edge)부 유전층과 Al 바디 사이의 열전달이 제대로 이루어지지 않아 급격히 온도가 상승할 수 있고 공정에 심삭한 문제를 유발시킬 수 있다. 또한, 본딩층의 식각은 정전척 유전층의 분리를 유발시킬 수 있다.When the band and the bonding layer are etched, heat transfer between the edge portion dielectric layer and the Al body is not performed properly, and the temperature may rise rapidly, which may cause serious problems in the process. Also, etching of the bonding layer may cause separation of the electrostatic chuck dielectric layer.

본 발명의 실시예들은 정전척과 포커스링 사이의 틈새로 플라즈마가 침투하는 것을 차단할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.SUMMARY Embodiments of the present invention provide a substrate processing apparatus capable of preventing plasma from penetrating into a gap between an electrostatic chuck and a focus ring.

본 발명의 실시예들은 정전척의 밴드 및 본딩층의 식각을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.SUMMARY Embodiments of the present invention provide a substrate processing apparatus capable of preventing etching of a band and a bonding layer of an electrostatic chuck.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited thereto, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 측면에 따르면, 정전척; 상기 정전척의 외주를 둘러싸도록 제공되는 포커스 링; 및 상기 정전척과 상기 포커스 링 사이 틈새로 이물질이 침투하는 것을 차단하는 차단 부재를 포함하는 기판 지지 유닛이 제공될 수 있다. According to one aspect of the present invention, an electrostatic chuck; a focus ring provided to surround an outer periphery of the electrostatic chuck; and a blocking member blocking foreign substances from penetrating into a gap between the electrostatic chuck and the focus ring.

또한, 상기 차단 부재는 상기 틈새로 불활성가스를 공급할 수 있다.In addition, the blocking member may supply an inert gas to the gap.

또한, 상기 정전척과 상기 포커스 링이 놓여지는 베이스 플레이트를 더 포함하고, 상기 차단 부재는 상기 틈새와 대응되는 상기 베이스 플레이트에 제공되고, 불활성 가스를 상기 틈새로 분사하는 분사홀들; 및 상기 분사홀들에 불활성 가스를 공급하는 불활성가스 공급부를 포함할 수 있다.The device may further include a base plate on which the electrostatic chuck and the focus ring are placed, the blocking member may include: injection holes provided in the base plate corresponding to the gap, and injecting an inert gas into the gap; and an inert gas supply unit supplying an inert gas to the injection holes.

또한, 상기 분사홀들은 상기 틈새를 따라 일정간격 이격되어 제공될 수 있다.In addition, the injection holes may be provided to be spaced apart from each other along the gap.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 챔버 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 그리고 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하되, 상기 지지 유닛은 기판이 놓여지는 정전척과 상기 정전척의 외주를 둘러싸도록 제공되는 포커스 링 사이의 틈새로 플라즈마가 침투하는 것을 차단하는 차단 부재를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다. According to another aspect of the present invention, there is provided a chamber having a processing space therein; a support unit for supporting a substrate in the chamber; a gas supply unit supplying a process gas into the chamber; and a plasma source for generating plasma from the process gas, wherein the support unit includes a blocking member for preventing plasma from penetrating into a gap between an electrostatic chuck on which a substrate is placed and a focus ring provided to surround an outer periphery of the electrostatic chuck. A substrate processing apparatus including the may be provided.

또한, 상기 차단 부재는 상기 정전척과 상기 포커스 링이 놓여지는 베이스 플레이트 상에 상기 틈새와 대응되도록 제공되고, 불활성 가스를 상기 틈새로 분사하는 분사홀들; 및 상기 분사홀들에 불활성 가스를 공급하는 불활성가스 공급부를 포함할 수 있다. The blocking member may include: injection holes provided on a base plate on which the electrostatic chuck and the focus ring are placed to correspond to the gap, and injecting an inert gas into the gap; and an inert gas supply unit supplying an inert gas to the injection holes.

본 발명에 의하면, 정전척과 포커스링 사이의 틈새로 불활성 가스를 분사함으로써 그 틈새로 플라즈마가 침투하여 밴드 및 본딩층을 손상시키는 것을 방지할 수 있다. According to the present invention, by injecting an inert gas into the gap between the electrostatic chuck and the focus ring, it is possible to prevent plasma from penetrating into the gap and damaging the band and the bonding layer.

도 1은 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 지지 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2에서 포커스 링이 위치되는 부분을 확대한 도면이다.
도 4는 분사홀들이 형성된 베이스 플레이트를 보여주는 평면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a substrate processing apparatus of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing the support unit shown in FIG. 1 .
FIG. 3 is an enlarged view of a portion in which a focus ring is positioned in FIG. 2 .
4 is a plan view showing a base plate in which injection holes are formed.

본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술 되는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Other advantages and features of the present invention, and a method for achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various different forms, and only this embodiment serves to complete the disclosure of the present invention, and to obtain common knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to fully inform the possessor of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적인 사전들에 의해 정의된 용어들은 관련된 기술 그리고/혹은 본 출원의 본문에 의미하는 것과 동일한 의미를 갖는 것으로 해석될 수 있고, 그리고 여기서 명확하게 정의된 표현이 아니더라도 개념화되거나 혹은 과도하게 형식적으로 해석되지 않을 것이다.Even if not defined, all terms (including technical or scientific terms) used herein have the same meaning as commonly accepted by common technology in the prior art to which this invention belongs. Terms defined by general dictionaries may be interpreted as having the same meaning as in the related description and/or in the text of the present application, and shall not be conceptualized or overly formally construed even if not expressly defined herein. won't

본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다' 및/또는 이 동사의 다양한 활용형들 예를 들어, '포함', '포함하는', '포함하고', '포함하며' 등은 언급된 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 본 명세서에서 '및/또는' 이라는 용어는 나열된 구성들 각각 또는 이들의 다양한 조합을 가리킨다.The terminology used herein is for the purpose of describing the embodiments and is not intended to limit the present invention. In this specification, the singular also includes the plural unless specifically stated otherwise in the phrase. As used herein, 'comprise' and/or the various conjugations of this verb, eg, 'comprising', 'comprising', 'comprising', 'comprising', etc., refer to the referenced composition, ingredient, component, A step, operation and/or element does not exclude the presence or addition of one or more other compositions, components, components, steps, operations and/or elements. As used herein, the term 'and/or' refers to each of the listed components or various combinations thereof.

도 1은 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 지지 유닛을 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating a substrate processing apparatus of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating the support unit shown in FIG. 1 .

도 1 및 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 소스(400) 및 배기 유닛(500)을 포함한다.1 and 2 , the substrate processing apparatus 10 processes the substrate W using plasma. For example, the substrate processing apparatus 10 may perform an etching process on the substrate W. The substrate processing apparatus 10 includes a chamber 100 , a support unit 200 , a gas supply unit 300 , a plasma source 400 , and an exhaust unit 500 .

챔버(100)는 내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 가진다. 챔버(100)는 하우징(110) 및 커버(120)를 포함한다. The chamber 100 has a processing space for processing a substrate therein. The chamber 100 includes a housing 110 and a cover 120 .

하우징(110)은 내부에 상면이 개방된 공간을 가진다. 하우징(110)의 내부 공간은 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간으로 제공된다. 하우징(110)은 금속 재질로 제공된다. 하우징(110)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 하우징(110)은 접지될 수 있다. 하우징(110)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 하우징(110)의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 하우징(110) 내부는 소정 압력으로 감압된다. 도시되지 않았으나, 기판 처리 자치910)는 배기 라인에 연결된 펌프를 더 포함할 수 있다.The housing 110 has a space with an open upper surface therein. The inner space of the housing 110 is provided as a processing space in which a substrate processing process is performed. The housing 110 is provided with a metal material. The housing 110 may be made of an aluminum material. The housing 110 may be grounded. An exhaust hole 102 is formed in the bottom surface of the housing 110 . The exhaust hole 102 is connected to the exhaust line 151 . Reaction by-products generated during the process and gas remaining in the inner space of the housing 110 may be discharged to the outside through the exhaust line 151 . The inside of the housing 110 is decompressed to a predetermined pressure by the exhaust process. Although not shown, the substrate processing unit 910 may further include a pump connected to an exhaust line.

커버(120)는 하우징(110)의 개방된 상면을 덮는다. 커버(120)는 판 형상으로 제공되며, 하우징(110)의 내부공간을 밀폐시킨다. 커버(120)는 유전체(dielectric substance) 창을 포함할 수 있다.The cover 120 covers the open upper surface of the housing 110 . The cover 120 is provided in a plate shape, and seals the inner space of the housing 110 . The cover 120 may include a dielectric substance window.

라이너(130)는 하우징(110) 내부에 제공된다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 내부 공간을 가진다. 라이너(130)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 따라 제공된다. 라이너(130)의 상단에는 지지 링(131)이 형성된다. 지지 링(131)은 링 형상의 판으로 제공되며, 라이너(130)의 둘레를 따라 라이너(130)의 외측으로 돌출된다. 지지 링(131)은 하우징(110)의 상단에 놓이며, 라이너(130)를 지지한다. 라이너(130)는 하우징(110)과 동일한 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110) 내측면을 보호한다. 예를 들면, 공정 가스가 여기되는 과정에서 챔버(100) 내부에는 아크(Arc) 방전이 발생될 수 있다. 아크 방전은 주변 장치들을 손상시킨다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 보호하여 하우징(110)의 내측면이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지한다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 반응 부산물이 하우징(110)의 내측벽에 증착되는 것을 방지한다. 라이너(130)는 하우징(110)에 비하여 비용이 저렴하고, 교체가 용이하다. 따라서, 아크 방전으로 라이너(130)가 손상될 경우, 작업자는 새로운 라이너(130)로 교체할 수 있다.The liner 130 is provided inside the housing 110 . The liner 130 has an inner space in which the upper and lower surfaces are open. The liner 130 may be provided in a cylindrical shape. The liner 130 may have a radius corresponding to the inner surface of the housing 110 . The liner 130 is provided along the inner surface of the housing 110 . A support ring 131 is formed on the upper end of the liner 130 . The support ring 131 is provided as a ring-shaped plate, and protrudes to the outside of the liner 130 along the circumference of the liner 130 . The support ring 131 is placed on the top of the housing 110 and supports the liner 130 . The liner 130 may be made of the same material as the housing 110 . The liner 130 may be made of an aluminum material. The liner 130 protects the inner surface of the housing 110 . For example, an arc discharge may be generated inside the chamber 100 while the process gas is excited. Arc discharge damages peripheral devices. The liner 130 protects the inner surface of the housing 110 to prevent the inner surface of the housing 110 from being damaged by arc discharge. In addition, a reaction by-product generated during the substrate processing process is prevented from being deposited on the inner wall of the housing 110 . The liner 130 has a lower cost than the housing 110 and is easy to replace. Accordingly, when the liner 130 is damaged by arc discharge, an operator may replace the liner 130 with a new one.

가스 공급 유닛(300)은 챔버(100) 내부의 처리 공간에 공정 가스를 공급한다. 일 예로, 가스 공급 유닛(300)은 가스 공급 노즐(310), 가스 공급 라인(320), 그리고 가스 저장부(330)를 포함할 수 있다. The gas supply unit 300 supplies a process gas to the processing space inside the chamber 100 . For example, the gas supply unit 300 may include a gas supply nozzle 310 , a gas supply line 320 , and a gas storage unit 330 .

가스 공급 노즐(310)은 커버(120)의 중앙부에 설치된다. 가스 공급 노즐(310)의 저면에는 분사구가 형성된다. 분사구는 커버(120)의 하부에 위치하며, 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 공급 노즐(310)과 가스 저장부(330)를 연결한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(330)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(310)에 공급한다. 가스 공급 라인(320)에는 밸브(321)가 설치된다. 밸브(321)는 가스 공급 라인(320)을 개폐하며, 가스 공급 라인(320)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절한다.The gas supply nozzle 310 is installed in the center of the cover 120 . An injection hole is formed on the bottom surface of the gas supply nozzle 310 . The injection hole is located under the cover 120 , and supplies a process gas into the chamber 100 . The gas supply line 320 connects the gas supply nozzle 310 and the gas storage unit 330 . The gas supply line 320 supplies the process gas stored in the gas storage unit 330 to the gas supply nozzle 310 . A valve 321 is installed in the gas supply line 320 . The valve 321 opens and closes the gas supply line 320 and controls the flow rate of the process gas supplied through the gas supply line 320 .

플라즈마 소스(400)는 챔버(100) 내부의 처리 공간 내에 공급된 공정가스로부터 플라즈마를 생성한다. 플라즈마 소스(400)는 챔버(100)의 처리 공간의 외부에 제공된다. 일 실시 예에 따르면, 플라즈마 소스(400)로는 유도결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. The plasma source 400 generates plasma from the process gas supplied into the processing space inside the chamber 100 . The plasma source 400 is provided outside the processing space of the chamber 100 . According to an embodiment, an inductively coupled plasma (ICP) source may be used as the plasma source 400 .

다른 실시 예에 따르면, 플라즈마 소스(400)로는 용량결합형 플라즈마(CCP: capacitively coupled plasma) 소스가 사용될 수도 있다.According to another embodiment, a capacitively coupled plasma (CCP) source may be used as the plasma source 400 .

일 실시예에 따르면, 플라즈마 소스(400)는 안테나 실(410), 안테나(420), 그리고 플라즈마 전원(430)을 포함한다. 안테나 실(410)은 하부가 개방된 원통 형상으로 제공된다. 안테나 실(410)은 내부에 공간이 제공된다. 안테나 실(410)은 챔버(100)와 대응되는 직경을 가지도록 제공된다. 안테나 실(410)의 하단은 커버(120)에 탈착 가능하도록 제공된다. 안테나(420)는 안테나 실(410)의 내부에 배치된다. According to one embodiment, the plasma source 400 includes an antenna chamber 410 , an antenna 420 , and a plasma power source 430 . The antenna chamber 410 is provided in a cylindrical shape with an open bottom. The antenna chamber 410 is provided with a space therein. The antenna chamber 410 is provided to have a diameter corresponding to that of the chamber 100 . The lower end of the antenna chamber 410 is provided to be detachably attached to the cover 120 . The antenna 420 is disposed inside the antenna chamber 410 .

안테나(420)는 복수 회 감기는 나선 형상의 코일로 제공되고, 플라즈마 전원(430)과 연결된다. 안테나(420)는 플라즈마 전원(430)으로부터 전력을 인가 받는다. 플라즈마 전원(430)은 챔버(100) 외부에 위치할 수 있다. 전력이 인가된 안테나(420)는 챔버(100)의 처리공간에 전자기장을 형성할 수 있다. 공정가스는 전자기장에 의해 플라즈마 상태로 여기 된다. The antenna 420 is provided as a spiral coil wound a plurality of times, and is connected to the plasma power source 430 . The antenna 420 receives power from the plasma power source 430 . The plasma power source 430 may be located outside the chamber 100 . The antenna 420 to which power is applied may form an electromagnetic field in the processing space of the chamber 100 . The process gas is excited into a plasma state by an electromagnetic field.

다른 실시 예에 따르면, 도 1의 도시와 달리, 플라즈마 소스(400)는 챔버(100)의 상부에 배치되는 샤워헤드 및 상부 전극을 포함할 수 있다.According to another embodiment, unlike shown in FIG. 1 , the plasma source 400 may include a showerhead and an upper electrode disposed above the chamber 100 .

배기 유닛(500)은 하우징(110)의 내측벽과 지지 유닛(200)의 사이에 위치된다. 배기 유닛(500)은 관통홀(511)이 형성된 배기판(510)을 포함한다. 배기판(510)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배기판(510)에는 복수의 관통홀(511)들이 형성된다. 하우징(110) 내에 제공된 공정가스는 배기판(510)의 관통홀(511)들을 통과하여 배기홀(102)로 배기된다. 배기판(510)의 형상 및 관통홀(511)들의 형상에 따라 공정가스의 흐름이 제어될 수 있The exhaust unit 500 is positioned between the inner wall of the housing 110 and the support unit 200 . The exhaust unit 500 includes an exhaust plate 510 in which a through hole 511 is formed. The exhaust plate 510 is provided in an annular ring shape. A plurality of through holes 511 are formed in the exhaust plate 510 . The process gas provided in the housing 110 passes through the through holes 511 of the exhaust plate 510 and is exhausted to the exhaust hole 102 . The flow of the process gas may be controlled according to the shape of the exhaust plate 510 and the shape of the through holes 511 .

지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부의 처리 공간 내에서 기판을 지지한다. 예를 들면, 지지 유닛(200)은 하우징(110)의 내부에 배치된다. 지지 유닛(200)은 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(200)은 정전기력(electrostatic force)을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전척 방식으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수도 있다. 이하에서는 정전척 방식으로 제공된 지지 유닛(200)에 대하여 설명한다.The support unit 200 supports the substrate in the processing space inside the chamber 100 . For example, the support unit 200 is disposed inside the housing 110 . The support unit 200 supports the substrate W. The support unit 200 may be provided in an electrostatic chuck method for adsorbing the substrate W using an electrostatic force. Alternatively, the support unit 200 may support the substrate W in various ways such as mechanical clamping. Hereinafter, the support unit 200 provided in an electrostatic chuck method will be described.

지지 유닛(200)은 척 부재(220, 230, 250), 포커스 링(240) 및 플라즈마 차단 부재(280)을 포함할 수 있다.The support unit 200 may include chuck members 220 , 230 , and 250 , a focus ring 240 , and a plasma blocking member 280 .

척 부재(220, 230, 250)는 공정 처리 시 기판을 지지한다. 척 부재(220, 230, 250)는 정전척(220), 베이스 플레이트(230) 및 절연 플레이트(250)를 포함할 수 있다.The chuck members 220 , 230 , and 250 support the substrate during processing. The chuck members 220 , 230 , and 250 may include an electrostatic chuck 220 , a base plate 230 , and an insulating plate 250 .

정전척(220)은 지지 유닛(200)의 상단부에 위치한다. 정전척(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공된다. 정전척(220)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 정전척(220)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다. 정전척(220)에는 기판(W)의 저면으로 열 전달 가스가 공급되는 통로로 이용되는 제1 공급 유로(221)가 형성될 수 있다. 정전척(220) 내에는 정전 전극(223)과 히터(225)가 매설될 수 있다. The electrostatic chuck 220 is located at an upper end of the support unit 200 . The electrostatic chuck 220 is provided as a disk-shaped dielectric substance. A substrate W is placed on the upper surface of the electrostatic chuck 220 . The top surface of the electrostatic chuck 220 has a smaller radius than the substrate W. A first supply passage 221 used as a passage through which a heat transfer gas is supplied to the bottom surface of the substrate W may be formed in the electrostatic chuck 220 . An electrostatic electrode 223 and a heater 225 may be embedded in the electrostatic chuck 220 .

정전 전극(223)은 히터(225)의 상부에 위치한다. 정전 전극(223)은 제1 하부 전원(223a)과 전기적으로 연결된다. 정전 전극(223)에 인가된 전류에 의해 정전 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 정전척(220)에 흡착된다.The electrostatic electrode 223 is positioned above the heater 225 . The electrostatic electrode 223 is electrically connected to the first lower power source 223a. An electrostatic force acts between the electrostatic electrode 223 and the substrate W by the current applied to the electrostatic electrode 223 , and the substrate W is adsorbed to the electrostatic chuck 220 by the electrostatic force.

히터(225)는 제2 하부 전원(225a)과 전기적으로 연결된다. 히터(225)는 제2 하부 전원(225a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 정전척(220)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 히터(225)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 설정 온도로 유지된다. 히터(225)는 나선 형상의 코일을 포함한다. 정전척(220)의 하부에는 베이스 플레이트(230)이 위치된다. The heater 225 is electrically connected to the second lower power source 225a. The heater 225 generates heat by resisting the current applied from the second lower power source 225a. The generated heat is transferred to the substrate W through the electrostatic chuck 220 . The substrate W is maintained at a set temperature by the heat generated by the heater 225 . The heater 225 includes a spiral-shaped coil. A base plate 230 is positioned under the electrostatic chuck 220 .

정전척(220)의 아래에는 베이스 플레이트(230)가 위치될 수 있다. 정전척(220)과 베이스 플레이트(210)는 본딩층(236)에 의해 접착될 수 있고, 일 예로 본딩층(236)은 실리콘(Silicone) 등으로 형성될 수 있다. 본딩층(236)의 가장자리는 밴드(BAND;B)에 의해 둘러 싸여질 수 있다. A base plate 230 may be positioned under the electrostatic chuck 220 . The electrostatic chuck 220 and the base plate 210 may be bonded by a bonding layer 236 , and for example, the bonding layer 236 may be formed of silicon or the like. An edge of the bonding layer 236 may be surrounded by a band (BAND;B).

베이스 플레이트(230)에는 제1 순환 유로(231), 제2 순환 유로(232), 그리고 제2 공급 유로(233)가 형성될 수 있다. 베이스 플레이트(230)는 알루미늄 등의 금속 물질로 이루어질 수 있다. 제1 순환 유로(231)는 열 전달 가스가 순환하는 통로로 제공된다. 제2 순환 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 제2 공급 유로(233)는 제1 순환 유로(231)와 제1 공급 유로(221)를 연결한다. 제1 순환 유로(231)는 열 전달 가스가 순환하는 통로로 제공된다. 제1 순환 유로(231)는 베이스 플레이트(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제1 순환 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제1 순환 유로(231)들은 서로 연통될 수 있다. 제1 순환 유로(231)들은 동일한 높이에 형성된다.A first circulation passage 231 , a second circulation passage 232 , and a second supply passage 233 may be formed in the base plate 230 . The base plate 230 may be made of a metal material such as aluminum. The first circulation passage 231 is provided as a passage through which the heat transfer gas circulates. The second circulation passage 232 is provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The second supply passage 233 connects the first circulation passage 231 and the first supply passage 221 . The first circulation passage 231 is provided as a passage through which the heat transfer gas circulates. The first circulation passage 231 may be formed in a spiral shape inside the base plate 230 . Alternatively, the first circulation passage 231 may be arranged such that ring-shaped passages having different radii have the same center. Each of the first circulation passages 231 may communicate with each other. The first circulation passages 231 are formed at the same height.

제1 순환 유로(231)는 열전달 매체 공급라인(231b)을 통해 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된다. 열전달 매체 저장부(231a)에는 열전달 매체가 저장된다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함한다. 실시 예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함한다. 헬륨 가스는 공급 라인(231b)을 통해 제1 순환 유로(231)에 공급되며, 제2 공급 유로(233)와 제1 공급 유로(221)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급된다. 헬륨 가스는 기판(W)과 정전척(220) 간에 열 교환을 돕는 매개체 역할을 한다. 따라서 기판(W)은 전체적으로 온도가 균일하게 된다.The first circulation passage 231 is connected to the heat transfer medium storage unit 231a through the heat transfer medium supply line 231b. A heat transfer medium is stored in the heat transfer medium storage unit 231a. The heat transfer medium includes an inert gas. According to an embodiment, the heat transfer medium includes helium (He) gas. The helium gas is supplied to the first circulation passage 231 through the supply line 231b, and is sequentially supplied to the bottom surface of the substrate W through the second supply passage 233 and the first supply passage 221 . The helium gas serves as a medium that helps heat exchange between the substrate W and the electrostatic chuck 220 . Accordingly, the temperature of the substrate W is uniform as a whole.

제2 순환 유로(232)는 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된다. 냉각 유체 저장부(232a)에는 냉각 유체가 저장된다. 냉각 유체 저장부(232a) 내에는 냉각기(232b)가 제공될 수 있다. 냉각기(232b)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킨다. 이와 달리, 냉각기(232b)는 냉각 유체 공급 라인(232c) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 제2 순환 유로(232)에 공급된 냉각 유체는 제2 순환 유로(232)를 따라 순환하며 베이스 플레이트(230)를 냉각한다. 베이스 플레이트(230)는 냉각되면서 정전척(220)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킨다. 상술한 바와 같은 이유로, 일반적으로, 포커스 링(240)의 하부는 상부에 비해 낮은 온도로 제공된다.The second circulation passage 232 is connected to the cooling fluid storage unit 232a through the cooling fluid supply line 232c. A cooling fluid is stored in the cooling fluid storage unit 232a. A cooler 232b may be provided in the cooling fluid storage unit 232a. The cooler 232b cools the cooling fluid to a predetermined temperature. Alternatively, the cooler 232b may be installed on the cooling fluid supply line 232c. The cooling fluid supplied to the second circulation passage 232 through the cooling fluid supply line 232c circulates along the second circulation passage 232 to cool the base plate 230 . While the base plate 230 is cooled, the electrostatic chuck 220 and the substrate W are cooled together to maintain the substrate W at a predetermined temperature. For the reasons described above, in general, the lower portion of the focus ring 240 is provided at a lower temperature than the upper portion.

베이스 플레이트(230)의 하부에는 절연 플레이트(250)가 위치한다. 절연 플레이트(250)는 절연 재질로 제공되며, 베이스 플레이트(230)와 하부 커버(270)를 전기적으로 절연시킨다. An insulating plate 250 is positioned under the base plate 230 . The insulating plate 250 is made of an insulating material and electrically insulates the base plate 230 and the lower cover 270 from each other.

하부 커버(270)는 지지 유닛(200)의 하단부에 위치한다. 하부 커버(270)는 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치한다. 하부 커버(270)는 상면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 하부 커버(270)의 상면은 절연 플레이트(250)에 의해 덮어진다. 따라서 하부 커버(270)의 단면의 외부 반경은 절연 플레이트(250)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(270)의 내부 공간에는 반송되는 기판(W)을 외부의 반송 부재로부터 전달받아 정전척으로 안착시키는 리프트 핀 등이 위치할 수 있다.The lower cover 270 is located at the lower end of the support unit 200 . The lower cover 270 is positioned to be spaced apart from the bottom surface of the housing 110 upwardly. The lower cover 270 has an open top surface therein. The upper surface of the lower cover 270 is covered by the insulating plate 250 . Accordingly, the outer radius of the cross-section of the lower cover 270 may be the same length as the outer radius of the insulating plate 250 . In the inner space of the lower cover 270 , a lift pin for receiving the transferred substrate W from an external transfer member and mounting the transferred substrate W to the electrostatic chuck may be positioned.

하부 커버(270)는 연결 부재(273)를 갖는다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면과 하우징(110)의 내측벽을 연결한다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면에 일정한 간격으로 복수개 제공될 수 있다. 연결 부재(273)는 지지 유닛(200)을 챔버(100) 내부에서 지지한다. 또한, 연결 부재(273)는 하우징(110)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(270)가 전기적으로 접지(grounding)되도록 한다. 제1 하부 전원(223a)과 연결되는 제1 전원라인(223c), 제2 하부 전원(225a)과 연결되는 제2 전원라인(225c), 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된 열전달 매체 공급라인(231b) 그리고 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된 냉각 유체 공급 라인(232c)등은 연결 부재(273)의 내부 공간을 통해 하부 커버(270) 내부로 연장된다.The lower cover 270 has a connecting member 273 . The connecting member 273 connects the outer surface of the lower cover 270 and the inner wall of the housing 110 . A plurality of connection members 273 may be provided on the outer surface of the lower cover 270 at regular intervals. The connection member 273 supports the support unit 200 in the chamber 100 . In addition, the connection member 273 is connected to the inner wall of the housing 110 so that the lower cover 270 is electrically grounded. A first power line 223c connected to the first lower power source 223a, a second power line 225c connected to the second lower power source 225a, and a heat transfer medium supply line connected to the heat transfer medium storage unit 231a ( 231b) and the cooling fluid supply line 232c connected to the cooling fluid storage unit 232a extend into the lower cover 270 through the inner space of the connection member 273 .

플라즈마 차단 부재(280)는 포커스 링과 정전척 사이의 틈새(T)로 플라즈마가 침투하는 것을 차단한다. 플라즈마 차단 부재(280)는 틈새(T)로 불활성 가스를 분사할 수 있으며, 이에 대한 상세한 설명은 아래에서 설명하기로 한다. The plasma blocking member 280 blocks penetration of plasma into the gap T between the focus ring and the electrostatic chuck. The plasma blocking member 280 may inject an inert gas into the gap T, and a detailed description thereof will be described below.

도 3은 도 2에서 포커스 링이 위치되는 부분을 확대한 도면이다.FIG. 3 is an enlarged view of a portion in which a focus ring is positioned in FIG. 2 .

도 2 및 도 3을 참조하면, 포커스 링(240)은 지지 유닛(200)의 가장자리 영역에 배치된다. 포커스 링(240)은 링 형상을 가지며, 정전척(220)을 둘러싸도록 제공된다. 예를 들면, 포커스 링(240)은 정전척(220)의 둘레를 따라 배치된다. 2 and 3 , the focus ring 240 is disposed on an edge region of the support unit 200 . The focus ring 240 has a ring shape and is provided to surround the electrostatic chuck 220 . For example, the focus ring 240 is disposed along the circumference of the electrostatic chuck 220 .

정전척(220)의 외측면과 포커스 링(240)의 내측면은 설정 거리 이격되어 위치됨으로써 그 사이에 틈새가 제공될 수 있다. 포커스 링(240)에 의해 시스, 플라즈마 계면 및 전기장을 조절되어, 플라스마는 기판(W) 상으로 집중되도록 유도될 수 있다. 포커스 링(240)은 도전성 소재로 제공될 수 있다. 포커스 링(240)은 규소, 탄화 규소 등으로 제공될 수 있다. 포커스 링(240)의 외측에는 차폐 부재(도 2의 247)가 위치될 수 있다. 차폐 부재(247)는 포커스 링(240)의 외측을 둘러 싸도록 링 형상으로 제공된다. 차폐 부재(247)는 포커스 링(240)의 측면이 플라즈마에 직접 노출되거나, 포커스 링(240)의 측부로 플라즈마가 유입되는 것을 방지한다.The outer surface of the electrostatic chuck 220 and the inner surface of the focus ring 240 are spaced apart from each other by a set distance, so that a gap may be provided therebetween. The sheath, the plasma interface, and the electric field are controlled by the focus ring 240 , so that the plasma can be induced to be focused onto the substrate W . The focus ring 240 may be made of a conductive material. The focus ring 240 may be made of silicon, silicon carbide, or the like. A shielding member ( 247 of FIG. 2 ) may be positioned outside the focus ring 240 . The shielding member 247 is provided in a ring shape to surround the outside of the focus ring 240 . The shielding member 247 prevents the side surface of the focus ring 240 from being directly exposed to the plasma or from flowing into the side surface of the focus ring 240 .

플라즈마 차단 부재(280)는 분사홀(282)들과 불활성가스 공급부(284)를 포함할 수 있다. The plasma blocking member 280 may include injection holes 282 and an inert gas supply unit 284 .

분사홀(282)들은 틈새(T)와 대응되는 베이스 플레이트(230)에 제공될 수 있다. 불활성가스 공급부(284)는 가스 공급 라인(283)을 통해 분사홀(282)들에 불활성 가스를 공급한다. 불활성 가스는 분사홀(282)들을 통해 틈새(T)로 분사됨으로써 공정 진행시 플라즈마가 틈새(T)로 침투되는 것을 차단하여 밴드(B)와 본딩층(의 식각을 효과적이고 능동적으로 방지할 수 있다. 여기서, 불활성 가스는 헬륨가스, 질소 가스, 청정에어 등을 포함할 수 있다. The injection holes 282 may be provided in the base plate 230 corresponding to the gap T. The inert gas supply unit 284 supplies the inert gas to the injection holes 282 through the gas supply line 283 . The inert gas is injected into the gap (T) through the injection holes (282), thereby preventing the plasma from penetrating into the gap (T) during the process to effectively and actively prevent the etching of the band (B) and the bonding layer ( Here, the inert gas may include helium gas, nitrogen gas, clean air, and the like.

예를 들어, 분사홀(282)들은 열전달 매체 공급라인(231b)과 독립적으로 혹은 별개로 제공될 수 있다. 가스 공급 라인(283)도 열전달 매체 공급라인(231b)과 독립적으로 혹은 별개로 제공될 수 있다. 예를 들어, 제1 순환 유로(231)를 통해 기판(W)의 저면으로 공급되는 열전달 매체의 압력과 불활성가스 공급부(284)에 의해 공급되는 불활성 가스의 압력은 서로 독립적으로 혹은 별개로 제어될 수 있다.For example, the injection holes 282 may be provided independently or separately from the heat transfer medium supply line 231b. The gas supply line 283 may also be provided independently or separately from the heat transfer medium supply line 231b. For example, the pressure of the heat transfer medium supplied to the bottom surface of the substrate W through the first circulation passage 231 and the pressure of the inert gas supplied by the inert gas supply unit 284 may be controlled independently or separately from each other. can

한편, 분사홀(282)들 각각의 일단에는 다공성의 필터(281)가 제공될 수 있다. 다공성의 필터(281)는 세라믹 소재로 구성될 수 있으며, 분사홀(282)을 통해 분사되는 불활성 가스는 다공성의 필터(281)을 통과한 후 틈새(T)로 제공될 수 있다. On the other hand, a porous filter 281 may be provided at one end of each of the injection holes 282 . The porous filter 281 may be made of a ceramic material, and the inert gas injected through the injection hole 282 may be provided as a gap T after passing through the porous filter 281 .

도 4는 분사홀들이 형성된 베이스 플레이트를 보여주는 평면도이다.4 is a plan view showing a base plate in which injection holes are formed.

도 4에서와 같이, 분사홀(282)들은 틈새를 따라 일정 간격 이격되어 제공될 수 있다. As shown in FIG. 4 , the injection holes 282 may be provided to be spaced apart from each other at regular intervals along the gap.

실시 예에 있어서, 배기 라인(151)에 연결된 펌프는 가스 공급 유닛(300)에 의해 챔버(100) 내부의 처리 공간으로 공급되는 공정 가스뿐만 아니라, 분사홀들(282)과 틈새들(T)을 통해 챔버(100) 내부의 처리 공간으로 공급되는 불활성 가스를 고려하여, 배기 동작을 수행하고 챔버(100) 내부의 처리 공간을 소정 압력으로 감압시킬 수 있다.In an embodiment, the pump connected to the exhaust line 151 includes not only the process gas supplied to the processing space inside the chamber 100 by the gas supply unit 300 , but also the injection holes 282 and the gaps T. An exhaust operation may be performed in consideration of the inert gas supplied to the processing space inside the chamber 100 through the , and the processing space inside the chamber 100 may be reduced to a predetermined pressure.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are possible. Therefore, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed as including other embodiments.

10: 기판 처리 장치 W: 기판
100: 챔버 200: 지지 유닛
240: 포커스 링 300: 가스 공급 유닛
400: 플라스마 소스 500: 배기 유닛10: substrate processing apparatus W: substrate
100: chamber 200: support unit
240: focus ring 300: gas supply unit
400: plasma source 500: exhaust unit

Claims (9)

정전척;
상기 정전척의 외주를 둘러싸도록 제공되는 포커스 링; 및
상기 정전척과 상기 포커스 링 사이 틈새로 이물질이 침투하는 것을 차단하는 차단 부재를 포함하는 기판 지지 유닛. electrostatic chuck;
a focus ring provided to surround an outer periphery of the electrostatic chuck; and
and a blocking member blocking foreign substances from penetrating into a gap between the electrostatic chuck and the focus ring. 제 1 항에 있어서,
상기 차단 부재는
상기 틈새로 불활성가스를 공급하는 기판 지지 유닛. The method of claim 1,
The blocking member is
A substrate support unit for supplying an inert gas to the gap. 제 1 항에 있어서,
상기 정전척과 상기 포커스 링이 놓여지는 베이스 플레이트를 더 포함하고,
상기 차단 부재는
상기 틈새와 대응되는 상기 베이스 플레이트에 제공되고, 불활성 가스를 상기 틈새로 분사하는 분사홀들; 및
상기 분사홀들에 불활성 가스를 공급하는 불활성가스 공급부를 포함하는 기판 지지 유닛. The method of claim 1,
and a base plate on which the electrostatic chuck and the focus ring are placed;
The blocking member is
injection holes provided in the base plate corresponding to the gap and injecting an inert gas into the gap; and
and an inert gas supply unit supplying an inert gas to the injection holes. 제 3 항에 있어서,
상기 분사홀들은 상기 틈새를 따라 일정간격 이격되어 제공되는 기판 지지 유닛. 4. The method of claim 3,
The injection holes are provided to be spaced apart from each other at regular intervals along the gap. 제 3 항에 있어서,
상기 분사홀들 각각의 일단에 다공성의 필터가 제공되는 기판 지지 유닛.4. The method of claim 3,
A substrate support unit provided with a porous filter at one end of each of the injection holes. 기판을 처리하는 장치에 있어서:
내부에 처리 공간을 가지는 챔버;
상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛;
상기 챔버 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 그리고
상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하되,
상기 지지 유닛은
기판이 놓여지는 정전척과 상기 정전척의 외주를 둘러싸도록 제공되는 포커스 링 사이의 틈새로 플라즈마가 침투하는 것을 차단하는 차단 부재를 포함하는 기판 처리 장치. An apparatus for processing a substrate comprising:
a chamber having a processing space therein;
a support unit for supporting a substrate in the chamber;
a gas supply unit supplying a process gas into the chamber; and
a plasma source for generating plasma from the process gas;
the support unit
A substrate processing apparatus comprising: a blocking member blocking plasma from penetrating into a gap between an electrostatic chuck on which a substrate is placed and a focus ring provided to surround an outer periphery of the electrostatic chuck. 제 6 항에 있어서,
상기 차단 부재는
상기 정전척과 상기 포커스 링이 놓여지는 베이스 플레이트 상에 상기 틈새와 대응되도록 제공되고, 불활성 가스를 상기 틈새로 분사하는 분사홀들; 및
상기 분사홀들에 불활성 가스를 공급하는 불활성가스 공급부를 포함하는 기판 처리 장치.7. The method of claim 6,
The blocking member is
injection holes provided on a base plate on which the electrostatic chuck and the focus ring are placed to correspond to the gap and injecting an inert gas into the gap; and
and an inert gas supply unit supplying an inert gas to the injection holes. 제 7 항에 있어서,
상기 공정 가스와 상기 불활성 가스를 고려하여 상기 챔버 내부를 소정 압력으로 감압하는 펌프를 더 포함하는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
and a pump for reducing the pressure inside the chamber to a predetermined pressure in consideration of the process gas and the inert gas. 제 7 항에 있어서,
상기 분사홀들 각각의 일단에 다공성의 필터가 제공되는 기판 처리 장치.
8. The method of claim 7,
A substrate processing apparatus provided with a porous filter at one end of each of the injection holes.
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