KR102275077B1 - Method and apparatus for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 공간이 형성된 챔버, 상기 챔버 내에 위치되고, 기판을 지지하는 지지 유닛, 상기 챔버 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스 유닛 그리고 상기 챔버의 내측면을 따라 제공되며, 상기 공정 가스가 여기되는 여기 공간을 둘러싸는 라이너를 포함하되, 상기 라이너는 그 내측면에 상기 플라즈마로 인한 상기 라이너의 부식 정도를 측정하는 검출 유닛을 포함할 수 있다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber having a space formed therein, a support unit positioned in the chamber and supporting a substrate, and supplying a process gas into the chamber a gas supply unit for generating plasma, a plasma source unit for generating plasma from the process gas, and a liner provided along an inner surface of the chamber and surrounding an excitation space in which the process gas is excited, wherein the liner is formed on the inner surface of the chamber. and a detection unit for measuring a degree of corrosion of the liner due to the plasma.

Description

기판 처리 장치 및 방법{METHOD AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}Substrate processing apparatus and method {METHOD AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus using plasma and a substrate processing method using the same.

반도체소자를 제조하기 위해서, 기판을 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막증착, 그리고 세정 등 다양한 공정을 수행하여 기판 상에 원하는 패턴을 형성한다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 막 중 선택된 가열 영역을 제거하는 공정으로 습식식각과 건식식각이 사용된다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning are performed on the substrate to form a desired pattern on the substrate. Among them, the etching process is a process of removing a selected heating region from among the films formed on the substrate, and wet etching and dry etching are used.

이 중 건식식각을 위해 플라즈마를 이용한 식각 장치가 사용된다. 일반적으로 플라즈마를 형성하기 위해서는 챔버의 내부공간에 전자기장을 형성하고, 전자기장은 챔버 내에 제공된 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다.Among them, an etching apparatus using plasma is used for dry etching. In general, in order to form a plasma, an electromagnetic field is formed in the inner space of the chamber, and the electromagnetic field excites a process gas provided in the chamber into a plasma state.

플라즈마는 이온이나 전자, 라디칼등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라즈마를 사용하여 식각 공정을 수행한다. 식각 공정은 플라즈마에 함유된 이온 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다. 식각 공정이 진행됨에 따라 기판 처리 장치의 내부가 식각 또는 부식되어 장비의 성능이 악화되고, 공정 결과에 영향을 미친다.Plasma refers to an ionized gas state composed of ions, electrons, and radicals. Plasma is generated by very high temperatures, strong electric fields or RF electromagnetic fields. In a semiconductor device manufacturing process, an etching process is performed using plasma. The etching process is performed when ion particles contained in plasma collide with the substrate. As the etching process proceeds, the inside of the substrate processing apparatus is etched or corroded, thereby deteriorating the performance of the equipment and affecting the process result.

본 발명은 플라즈마를 이용한 기판 처리 공정에서 적시에 부품을 교체할 수 있도록 모니터링하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that monitors so that parts can be replaced in a timely manner in a substrate processing process using plasma.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the present specification and the accompanying drawings. will be.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 공간이 형성된 챔버, 상기 챔버 내에 위치되고, 기판을 지지하는 지지 유닛, 상기 챔버 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스 유닛 그리고 상기 챔버의 내측면을 따라 제공되며, 상기 공정 가스가 여기되는 여기 공간을 둘러싸는 라이너를 포함하되, 상기 라이너는 그 내측면에 상기 플라즈마로 인한 상기 라이너의 부식 정도를 측정하는 검출 유닛을 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber having a space formed therein, a support unit positioned in the chamber and supporting a substrate, a gas supply unit supplying a process gas into the chamber, and plasma from the process gas and a liner provided along an inner surface of the chamber for generating a plasma source unit and enclosing an excitation space in which the process gas is excited, wherein the liner is provided on the inner surface to determine the degree of corrosion of the liner due to the plasma. It may include a detection unit for measuring.

상기 검출 유닛은, 상기 라이너에 삽입되는 바디 및 상기 라이너의 상기 내측면에 대응되는 면에 유전물질로 코팅된 유전판을 포함할 수 있다.The detection unit may include a body inserted into the liner and a dielectric plate coated with a dielectric material on a surface corresponding to the inner surface of the liner.

상기 라이너의 상기 내측면은, 상기 유전물질로 상기 유전판과 동일한 두께만큼 코팅될 수 있다.The inner surface of the liner may be coated with the dielectric material to the same thickness as the dielectric plate.

상기 유전물질은 이트륨을 포함할 수 있다.The dielectric material may include yttrium.

상기 검출 유닛은 도전성 와이어에 의해 전기적으로 접속된 도전성 물질을 포함할 수 있다.The detection unit may include a conductive material electrically connected by a conductive wire.

상기 검출 유닛은, 상기 유전판이 부식되어 기설정된 설정 라인에 도달하면 알람을 발생시킬 수 있다.The detection unit may generate an alarm when the dielectric plate is corroded and reaches a preset setting line.

상기 유전판은 원 형상으로 복수 개 제공될 수 있다.A plurality of dielectric plates may be provided in a circular shape.

상기 복수 개의 유전판은 상기 내측면에 서로 일정한 거리로 이격되어 제공될 수 있다.The plurality of dielectric plates may be provided to be spaced apart from each other by a predetermined distance on the inner surface.

상기 유전판은 링 형상으로 제공되고, 상기 링의 외측 반경은 상기 라이너의 내측 반경과 대응되게 제공될 수 있다. The dielectric plate may be provided in a ring shape, and an outer radius of the ring may be provided to correspond to an inner radius of the liner.

본 발명의 실시예에 의하면, 플라즈마를 이용한 기판 처리 공정에서 적시에 부품을 교체할 수 있도록 모니터링하는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to provide a substrate processing apparatus that monitors so that parts can be replaced in a timely manner in a substrate processing process using plasma.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the present specification and accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 라이너를 보여주는 도면이다.
도 3 및 도 4는 일 실시예에 따른, 도 2의 검출 유닛을 보여주는 도면이다.
도 5 및 도 6은 검출 유닛이 동작하는 과정을 보여주는 도면이다.
도 7은 다른 실시예에 따른 검출 유닛을 보여주는 도면이다.
도 8 내지 도 10은 라이너의 교체 시기를 판별할 수 있는 지표를 나타내는 도면들이다. 1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a view showing the liner of FIG. 1 ;
3 and 4 are diagrams showing the detection unit of FIG. 2 , according to an embodiment.
5 and 6 are diagrams illustrating a process in which the detection unit operates.
7 is a view showing a detection unit according to another embodiment.
8 to 10 are views illustrating an index capable of determining the replacement timing of the liner.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This example is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Accordingly, the shapes of the components in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.

본 발명의 실시예에서는 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 기판 처리 장치 에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 그 상부에 놓여진 기판을 가열하는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다. In an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus for etching a substrate using plasma will be described. However, the present invention is not limited thereto, and can be applied to various types of apparatuses for heating a substrate placed thereon.

또한 본 발명의 실시예에서는 지지 유닛으로 정전 척을 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 지지 유닛은 기계적 클램핑에 의해 기판을 지지하거나, 진공에 의해 기판을 지지할 수 있다. In addition, in the embodiment of the present invention, an electrostatic chuck is described as an example of the support unit. However, the present invention is not limited thereto, and the support unit may support the substrate by mechanical clamping or support the substrate by vacuum.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 소스 유닛(400), 그리고 배기 유닛(500)을 포함한다. Referring to FIG. 1 , the substrate processing apparatus 10 processes the substrate W using plasma. For example, the substrate processing apparatus 10 may perform an etching process on the substrate W. The substrate processing apparatus 10 includes a chamber 100 , a support unit 200 , a gas supply unit 300 , a plasma source unit 400 , and an exhaust unit 500 .

챔버(100)는 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 챔버(100)는 하우징(110), 커버(120), 그리고 라이너(130)를 포함한다. The chamber 100 provides a space in which a substrate processing process is performed. The chamber 100 includes a housing 110 , a cover 120 , and a liner 130 .

하우징(110)은 내부에 상면이 개방된 공간을 가진다. 하우징(110)의 내부 공간은 기판 처리 공정이 수행되는 공간으로 제공된다. 하우징(110)은 금속 재질로 제공된다. 하우징(110)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 하우징(110)은 접지될 수 있다. 하우징(110)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 하우징의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 하우징(110) 내부는 소정 압력으로 감압된다. The housing 110 has an open upper surface therein. The inner space of the housing 110 is provided as a space in which a substrate processing process is performed. The housing 110 is provided with a metal material. The housing 110 may be made of an aluminum material. The housing 110 may be grounded. An exhaust hole 102 is formed in the bottom surface of the housing 110 . The exhaust hole 102 is connected to the exhaust line 151 . Reaction by-products generated during the process and gas remaining in the inner space of the housing may be discharged to the outside through the exhaust line 151 . The inside of the housing 110 is decompressed to a predetermined pressure by the exhaust process.

커버(120)는 하우징(110)의 개방된 상면을 덮는다. 커버(120)는 판 형상으로 제공되며, 하우징(110)의 내부공간을 밀폐시킨다. 커버(120)는 유전체(dielectric substance) 창을 포함할 수 있다.The cover 120 covers the open upper surface of the housing 110 . The cover 120 is provided in a plate shape, and seals the inner space of the housing 110 . The cover 120 may include a dielectric substance window.

도 2는 도 1의 라이너(130)를 보여주는 도면이다. 라이너(130)는 하우징(110) 내부에 제공된다. 라이너(130)는 검출 유닛(140)을 포함한다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 내부 공간을 가진다. 라이너(130)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 따라 제공된다. 라이너(130)의 내측면은, 유전물질(134)로 코팅되어 제공된다. 일 예로, 라이너(130)의 내측면의 유전물질(134)은, 검출 유닛(140)의 유전판(144)과 동일한 두께로 코팅될 수 있다. 라이너(130)의 상단에는 지지 링(131)이 형성된다. 지지 링(131)은 링 형상의 판으로 제공되며, 라이너(130)의 둘레를 따라 라이너(130)의 외측으로 돌출된다. 지지 링(131)은 하우징(110)의 상단에 놓이며, 라이너(130)를 지지한다. 라이너(130)는 하우징(110)과 동일한 재질로 제공될 수 있다. 일 예로, 라이너(130)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110) 내측면을 보호한다. 라이너(130)는 공정 가스가 여기되는 여기 공간을 둘러싼다. 공정 가스가 여기되는 과정에서 챔버(100) 내부에는 아크(Arc) 방전이 발생될 수 있다. 아크 방전은 주변 장치들을 손상시킨다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 보호하여 하우징(110)의 내측면이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지한다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 불순물이 하우징(110)의 내측벽에 증착되는 것을 방지한다. 라이너(130)는 하우징(110)에 비하여 비용이 저렴하고, 교체가 용이하다. 따라서, 아크 방전으로 라이너(130)가 손상될 경우, 작업자는 새로운 라이너(130)로 교체할 수 있다. FIG. 2 is a view showing the liner 130 of FIG. 1 . The liner 130 is provided inside the housing 110 . The liner 130 includes a detection unit 140 . The liner 130 has an inner space in which the upper and lower surfaces are open. The liner 130 may be provided in a cylindrical shape. The liner 130 may have a radius corresponding to the inner surface of the housing 110 . The liner 130 is provided along the inner surface of the housing 110 . An inner surface of the liner 130 is coated with a dielectric material 134 . For example, the dielectric material 134 on the inner surface of the liner 130 may be coated to the same thickness as the dielectric plate 144 of the detection unit 140 . A support ring 131 is formed on the upper end of the liner 130 . The support ring 131 is provided as a ring-shaped plate, and protrudes to the outside of the liner 130 along the circumference of the liner 130 . The support ring 131 is placed on the top of the housing 110 and supports the liner 130 . The liner 130 may be made of the same material as the housing 110 . For example, the liner 130 may be made of an aluminum material. The liner 130 protects the inner surface of the housing 110 . The liner 130 surrounds the excitation space where the process gas is excited. An arc discharge may be generated inside the chamber 100 while the process gas is excited. Arc discharge damages peripheral devices. The liner 130 protects the inner surface of the housing 110 to prevent the inner surface of the housing 110 from being damaged by arc discharge. In addition, impurities generated during the substrate processing process are prevented from being deposited on the inner wall of the housing 110 . The liner 130 has a lower cost than the housing 110 and is easy to replace. Accordingly, when the liner 130 is damaged by arc discharge, the operator may replace the liner 130 with a new one.

도 3 및 도 4는 일 실시예에 따른, 도 2의 검출 유닛(140)을 보여주는 도면이다. 도 5 및 도 6은 검출 유닛(140)이 동작하는 과정을 보여주는 도면이다. 도 7은 다른 실시예에 따른 검출 유닛(140)을 보여주는 도면이다. 이하, 도 3 내지 도 6을 참조하여, 검출 유닛(140)이 부식 정도를 측정하는 과정을 설명한다. 검출 유닛(140)은 플라즈마에 의해, 부품의 부식 정도를 측정한다. 일 예로, 검출 유닛(140)은 라이너(130)의 부식 정도를 측정하여, 라이너(130)의 교체 시기를 판단할 수 있다. 라이너(130)의 교체 시기를 판단하면, 아크 발생을 사전에 방지할 수 있다. 이로 인해 공정 효율성 및 안정적인 공정 진행이 가능하다. 3 and 4 are diagrams illustrating the detection unit 140 of FIG. 2 , according to an embodiment. 5 and 6 are diagrams illustrating a process in which the detection unit 140 operates. 7 is a diagram illustrating a detection unit 140 according to another embodiment. Hereinafter, a process in which the detection unit 140 measures the degree of corrosion will be described with reference to FIGS. 3 to 6 . The detection unit 140 measures the degree of corrosion of the component by plasma. For example, the detection unit 140 may measure the degree of corrosion of the liner 130 to determine the replacement timing of the liner 130 . When the replacement timing of the liner 130 is determined, arc generation can be prevented in advance. As a result, process efficiency and stable process progress are possible.

검출 유닛(140)은 바디(142) 및 유전판(144)을 가진다. 일 실시예에 따른 검출 유닛(140)은, 원형의 유전판(144)을 가진다. 검출 유닛(140)은 복수 개 제공될 수 있다. 검출 유닛(140)이 복수 개 제공되는 경우, 복수 개의 검출 유닛(140)은 서로 일정 거리로 이격되어 제공될 수 있다. 도 2와 같이, 바디(142)는 라이너(130)에 삽입된다. 일 예로, 바디(142)는 라이너(130)와 동일한 두께로 제공될 수 있다. 유전판(144)은 라이너(130)의 내측면과 대응되는 면으로, 유전물질로 코팅된다. 유전물질은 이트륨을 포함할 수 있다. 일 예로, 유전물질은 산화이트륨(Y2O3)일 수 있다. 유전판(144)의 단면은 바디(142)의 단면보다 크게 제공될 수 있다. 선택적으로, 유전판(144)의 단면은 바디(142)의 단면과 동일하게 제공될 수 있다. 검출 유닛(140)은 도전성 와이어에 의해 전기적으로 접속된 도전성 물질을 포함한다. 일 예로, 검출 유닛(140)은 프로브 및 프로브 회로를 포함할 수 있다. 프로브는 도체 와이어를 통해 프로브 회로와 접속된다. 프로브는 플라즈마에 의해 노출될 경우, 플라즈마로부터 이온 전류를 생성할 수 있다. 프로브는 와이어 단편 또는 핀 형상을 가질 수 있다. 프로브 회로는 프로브와 접지 사이에 전위를 인가하는 전원 공급기를 포함할 수 있고, 양단의 전압을 측정할 수 있도록 제공된다. 복수 개의 프로브가 제공되는 경우, 모든 프로브들은 도체 와이어를 통해 프로부 회로에 커플링 될 수 있다. 선택적으로, 복수 개의 프로브들 중 일부의 프로브들은 서로 전기적으로 접속될 수 있다. The detection unit 140 has a body 142 and a dielectric plate 144 . The detection unit 140 according to an embodiment has a circular dielectric plate 144 . A plurality of detection units 140 may be provided. When a plurality of detection units 140 are provided, the plurality of detection units 140 may be provided to be spaced apart from each other by a predetermined distance. 2 , the body 142 is inserted into the liner 130 . For example, the body 142 may be provided to have the same thickness as the liner 130 . The dielectric plate 144 is a surface corresponding to the inner surface of the liner 130 and is coated with a dielectric material. The dielectric material may include yttrium. For example, the dielectric material may be yttrium oxide (Y 2 O 3 ). A cross-section of the dielectric plate 144 may be larger than a cross-section of the body 142 . Optionally, the cross-section of the dielectric plate 144 may be provided to be the same as the cross-section of the body 142 . The detection unit 140 includes a conductive material electrically connected by a conductive wire. As an example, the detection unit 140 may include a probe and a probe circuit. The probe is connected with the probe circuit via a conductor wire. The probe can generate an ionic current from the plasma when exposed by the plasma. The probe may have a wire fragment or pin shape. The probe circuit may include a power supply that applies a potential between the probe and the ground, and is provided to measure the voltage at both ends. When a plurality of probes are provided, all of the probes may be coupled to the probe circuit via a conductor wire. Optionally, some of the plurality of probes may be electrically connected to each other.

검출 유닛(140)은 기설정된 설정 라인(A)을 포함한다. 설정 라인(A)은 유전물질 두께 내에 설정될 수 있다. 플라즈마 공정이 진행됨에 따라, 공정 공간을 둘러싸는 라이너(130)의 내측면은 전자에 의한 식각 또는 부식이 일어난다. 설정 라인(A)이 노출됨에 따라, 작업자는 라이너(130)를 교체 시기를 판단할 수 있다. 또한, 유전판(144)이 부식되어 설정 라인(A)에 도달하면, 검출 유닛(140)은 알람을 발생시킬 수 있다. The detection unit 140 includes a preset setting line (A). The setting line (A) may be established within the dielectric material thickness. As the plasma process proceeds, the inner surface of the liner 130 surrounding the process space is etched or etched by electrons. As the setting line A is exposed, the operator may determine when to replace the liner 130 . Also, when the dielectric plate 144 is corroded and reaches the setting line A, the detection unit 140 may generate an alarm.

이와 달리, 검출 유닛(140)은 링 형상으로 제공될 수 있다. 도 7에 따르면, 검출 유닛(140)의 외측 반경은 라이너(130)의 내측 반경과 대응되게 제공될 수 있다. 이 때, 검출 유닛(140)의 높이는 라이너(130)의 높이와 대응되게 제공될 수 있다. 선택적으로, 검출 유닛(140)은 라이너(130)의 높이의 일부분에 대응되게 제공될 수 있다. Alternatively, the detection unit 140 may be provided in a ring shape. Referring to FIG. 7 , an outer radius of the detection unit 140 may be provided to correspond to an inner radius of the liner 130 . In this case, the height of the detection unit 140 may be provided to correspond to the height of the liner 130 . Optionally, the detection unit 140 may be provided to correspond to a portion of the height of the liner 130 .

도 8 내지 도 10은 라이너(130)의 교체 시기를 판별할 수 있는 지표를 나타내는 도면들이다. 도 8은 일정 전압을 인가하였을 때의 전류값을 보여주는 도면이다. 도 9는 시간에 따른 전압 또는 전류값을 보여주는 도면이다. 도 10은 전압에 따른 플라즈마의 플로팅 전위를 보여주는 도면이다. 라이너(130)의 교체 시기는 공정 파라미터들의 측정값에 따라 판단될 수 있다. 도 8과 같이, 일정 전압을 인가하였을 때 설정 전류(Is)를 넘어서는 전류값이 측정되는 경우, 플라즈마의 식각에 의해 공정이 영향을 받음을 알 수 있다. 또한, 도 9와 같이, 시간에 따라 전압 또는 전류를 인가하였을 때, 그 시그널이 설정값(Ss)을 넘어서는 경우, 플라즈마의 식각에 의해 공정이 영향을 받음을 확인할 수 있다. 또한, 플라즈마의 플로팅 전위를 측정할 때, 플로팅 전위가 (-) 방향으로 이동된 경우, 플라즈마의 식각에 의해 공정이 영향을 받았음을 파악할 수 있다.8 to 10 are diagrams illustrating indicators for determining the replacement timing of the liner 130 . 8 is a view showing a current value when a constant voltage is applied. 9 is a diagram showing voltage or current values according to time. 10 is a diagram showing a floating potential of plasma according to voltage. The replacement timing of the liner 130 may be determined according to measured values of process parameters. As shown in FIG. 8 , when a current value exceeding the set current Is is measured when a constant voltage is applied, it can be seen that the process is affected by the etching of the plasma. In addition, as shown in FIG. 9 , when a voltage or current is applied over time, when the signal exceeds the set value Ss, it can be confirmed that the process is affected by the etching of the plasma. In addition, when measuring the floating potential of the plasma, if the floating potential is moved in the (-) direction, it can be understood that the process is affected by the etching of the plasma.

하우징(110)의 내부에는 지지 유닛(200)이 위치한다. 지지 유닛(200)은 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척(210)을 포함할 수 있다. 이하에서는 정전 척(210)을 포함하는 지지 유닛(200)에 대하여 설명한다.The support unit 200 is positioned inside the housing 110 . The support unit 200 supports the substrate W. The support unit 200 may include an electrostatic chuck 210 for adsorbing the substrate W using an electrostatic force. Hereinafter, the support unit 200 including the electrostatic chuck 210 will be described.

지지 유닛(200)은 정전 척(210) 및 하부 커버(270)를 포함한다. 지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부에서 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 제공될 수 있다.The support unit 200 includes an electrostatic chuck 210 and a lower cover 270 . The support unit 200 may be provided to be spaced apart from the bottom surface of the housing 110 to the top inside the chamber 100 .

정전 척(210)은 바디(215) 및 절연 플레이트(250)를 가진다. 바디(215)는 세라믹 퍽(220), 전극(224), 가열 유닛(2250), 지지판(230), 그리고 접착층(236)을 포함한다. 세라믹 퍽(220)은 정전 척(210)의 상단부로 제공된다. 일 예에 의하면, 세라믹 퍽(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)를 포함할 수 있다. 세라믹 퍽(220)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 세라믹 퍽(220)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다. 때문에, 기판(W) 가장자리 가열 영역은 세라믹 퍽(220)의 외측에 위치한다. 세라믹 퍽(220)에는 제 1 공급 유로(221)가 형성된다. 제 1 공급 유로(221)는 서로 이격하여 복수개 형성되며, 기판(W)의 저면으로 열전달 매체가 공급되는 통로로 제공된다. The electrostatic chuck 210 has a body 215 and an insulating plate 250 . The body 215 includes a ceramic puck 220 , an electrode 224 , a heating unit 2250 , a support plate 230 , and an adhesive layer 236 . The ceramic puck 220 is provided as an upper end of the electrostatic chuck 210 . According to one example, the ceramic puck 220 may include a disk-shaped dielectric (dielectric substance). A substrate W is placed on the upper surface of the ceramic puck 220 . The upper surface of the ceramic puck 220 has a smaller radius than the substrate W. For this reason, the edge heating region of the substrate W is located on the outside of the ceramic puck 220 . A first supply passage 221 is formed in the ceramic puck 220 . A plurality of first supply passages 221 are formed to be spaced apart from each other, and are provided as passages through which the heat transfer medium is supplied to the bottom surface of the substrate W .

세라믹 퍽(220)의 하부에는 지지판(230)이 위치한다. 세라믹 퍽(220)의 저면과 지지판(230)의 상면은 접착층(236)에 의해 접착될 수 있다. 지지판(230)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 지지판(230)은 전극을 포함할 수 있다. 지지판(230)의 상면은 중심 가열 영역이 가장자리 가열 영역보다 높게 위치되도록 단차질 수 있다. 지지판(230)의 상면 중심 가열 영역은 세라믹 퍽(220)의 저면에 상응하는 면적을 가지며, 세라믹 퍽(220)의 저면과 접착된다. 지지판(230)에는 순환 유로(231), 냉각 유로(232), 그리고 제2 공급 유로(233)가 형성된다.A support plate 230 is positioned under the ceramic puck 220 . The lower surface of the ceramic puck 220 and the upper surface of the support plate 230 may be adhered by an adhesive layer 236 . The support plate 230 may be made of an aluminum material. The support plate 230 may include an electrode. The upper surface of the support plate 230 may be stepped such that the central heating region is positioned higher than the edge heating region. The central heating region of the upper surface of the support plate 230 has an area corresponding to the lower surface of the ceramic puck 220 and is adhered to the lower surface of the ceramic puck 220 . A circulation passage 231 , a cooling passage 232 , and a second supply passage 233 are formed in the support plate 230 .

순환 유로(231)는 열전달 매체가 순환하는 통로로 제공된다. 순환 유로(231)는 지지판(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 순환 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 순환 유로(231)들은 서로 연통될 수 있다. 순환 유로(231)들은 동일한 높이에 형성된다.The circulation passage 231 is provided as a passage through which the heat transfer medium circulates. The circulation passage 231 may be formed in a spiral shape inside the support plate 230 . Alternatively, the circulation passage 231 may be arranged such that ring-shaped passages having different radii have the same center. Each of the circulation passages 231 may communicate with each other. The circulation passages 231 are formed at the same height.

냉각 유로(232)는 바디를 냉각시킨다. 냉각 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각 유로(232)는 지지판(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 냉각 유로(232)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 냉각 유로(232)들은 서로 연통될 수 있다. 냉각 유로(232)는 순환 유로(231)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 냉각 유로(232)들은 동일한 높이에 형성된다. 냉각 유로(232)는 순환 유로(231)의 하부에 위치될 수 있다. 제2 공급 유로(233)는 순환 유로(231)부터 상부로 연장되며, 지지판(230)의 상면으로 제공된다. 제2 공급 유로(243)는 제1 공급 유로(221)에 대응하는 개수로 제공되며, 순환 유로(231)와 제1 공급 유로(221)를 연결한다.The cooling passage 232 cools the body. The cooling passage 232 is provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The cooling passage 232 may be formed in a spiral shape inside the support plate 230 . Also, the cooling passage 232 may be arranged such that ring-shaped passages having different radii have the same center. Each of the cooling passages 232 may communicate with each other. The cooling passage 232 may have a larger cross-sectional area than the circulation passage 231 . The cooling passages 232 are formed at the same height. The cooling passage 232 may be located below the circulation passage 231 . The second supply passage 233 extends upward from the circulation passage 231 and is provided on the upper surface of the support plate 230 . The second supply passage 243 is provided in the number corresponding to the first supply passage 221 , and connects the circulation passage 231 and the first supply passage 221 .

순환 유로(231)는 열전달 매체 공급라인(231b)을 통해 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된다. 열전달 매체 저장부(231a)에는 열전달 매체가 저장된다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함한다. 실시예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함한다. 헬륨 가스는 공급 라인(231b)을 통해 순환 유로(231)에 공급되며, 제2 공급 유로(233)와 제1 공급 유로(221)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급된다. 헬륨 가스는 플라즈마에서 기판(W)으로 전달된 열이 정전 척(210)으로 전달되는 매개체 역할을 한다.The circulation passage 231 is connected to the heat transfer medium storage unit 231a through the heat transfer medium supply line 231b. A heat transfer medium is stored in the heat transfer medium storage unit 231a. The heat transfer medium includes an inert gas. According to an embodiment, the heat transfer medium comprises helium (He) gas. The helium gas is supplied to the circulation passage 231 through the supply line 231b, and is sequentially supplied to the bottom surface of the substrate W through the second supply passage 233 and the first supply passage 221 . The helium gas serves as a medium through which heat transferred from the plasma to the substrate W is transferred to the electrostatic chuck 210 .

냉각 유로(232)는 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된다. 냉각 유체 저장부(232a)에는 냉각 유체가 저장된다. 냉각 유체 저장부(232a) 내에는 냉각기(232b)가 제공될 수 있다. 냉각기(232b)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킨다. 이와 달리, 냉각기(232b)는 냉각 유체 공급 라인(232c) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유로(232)에 공급된 냉각 유체는 냉각 유로(232)를 따라 순환하며 지지판(230)을 냉각한다. 지지판(230)은 냉각되면서 세라믹 퍽(220)와 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킨다. The cooling passage 232 is connected to the cooling fluid storage unit 232a through the cooling fluid supply line 232c. A cooling fluid is stored in the cooling fluid storage unit 232a. A cooler 232b may be provided in the cooling fluid storage unit 232a. The cooler 232b cools the cooling fluid to a predetermined temperature. Alternatively, the cooler 232b may be installed on the cooling fluid supply line 232c. The cooling fluid supplied to the cooling passage 232 through the cooling fluid supply line 232c circulates along the cooling passage 232 to cool the support plate 230 . The support plate 230 cools the ceramic puck 220 and the substrate W together while being cooled to maintain the substrate W at a predetermined temperature.

포커스 링(240)은 정전 척(210)의 가장자리 가열 영역에 배치된다. 포커스 링(240)은 링 형상을 가지며, 세라믹 퍽(220)의 둘레를 따라 배치된다. 포커스 링(240)의 상면은 외측부(240a)가 내측부(240b)보다 높도록 단차질 수 있다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 세라믹 퍽(220)의 상면과 동일 높이에 위치된다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 세라믹 퍽(220)의 외측에 위치된 기판(W)의 가장자리 가열 영역을 지지한다. 포커스 링(240)의 외측부(240a)는 기판(W)의 가장자리 가열 영역을 둘러싸도록 제공된다. 포커스 링(240)은 챔버(100) 내에서 플라즈마가 기판(W)과 마주하는 가열 영역으로 집중되도록 한다.The focus ring 240 is disposed on the edge heating area of the electrostatic chuck 210 . The focus ring 240 has a ring shape and is disposed along the circumference of the ceramic puck 220 . The upper surface of the focus ring 240 may be stepped such that the outer portion 240a is higher than the inner portion 240b. The inner portion 240b of the upper surface of the focus ring 240 is positioned at the same height as the upper surface of the ceramic puck 220 . The upper inner portion 240b of the focus ring 240 supports the edge heating region of the substrate W positioned outside the ceramic puck 220 . The outer portion 240a of the focus ring 240 is provided to surround the edge heating region of the substrate W. As shown in FIG. The focus ring 240 allows plasma to be concentrated in the heating region facing the substrate W in the chamber 100 .

지지판(230)의 하부에는 절연 플레이트(250)가 위치한다. 절연 플레이트(250)는 지지판(230)에 상응하는 단면적으로 제공된다. 절연 플레이트(250)는 지지판(230)과 하부 커버(270) 사이에 위치한다. 절연 플레이트(250)는 절연 재질로 제공되며, 지지판(230)과 하부 커버(270)를 전기적으로 절연시킨다.An insulating plate 250 is positioned under the support plate 230 . The insulating plate 250 is provided with a cross-sectional area corresponding to the support plate 230 . The insulating plate 250 is positioned between the support plate 230 and the lower cover 270 . The insulating plate 250 is made of an insulating material, and electrically insulates the support plate 230 and the lower cover 270 .

하부 커버(270)는 지지 유닛(200)의 하단부에 위치한다. 하부 커버(270)는 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치한다. 하부 커버(270)는 상면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 하부 커버(270)의 상면은 절연 플레이트(250)에 의해 덮어진다. 따라서 하부 커버(270)의 단면의 외부 반경은 절연 플레이트(250)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(270)의 내부 공간에는 반송되는 기판(W)을 외부의 반송 부재로부터 정전 척(210)으로 이동시키는 리프트 핀 모듈(미도시) 등이 위치할 수 있다. The lower cover 270 is located at the lower end of the support unit 200 . The lower cover 270 is positioned to be spaced apart from the bottom surface of the housing 110 upwardly. The lower cover 270 has an open upper surface therein. The upper surface of the lower cover 270 is covered by the insulating plate 250 . Accordingly, the outer radius of the cross-section of the lower cover 270 may be the same length as the outer radius of the insulating plate 250 . A lift pin module (not shown) for moving the transferred substrate W from an external transfer member to the electrostatic chuck 210 may be positioned in the inner space of the lower cover 270 .

하부 커버(270)는 연결 부재(273)를 갖는다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면과 하우징(110)의 내측벽을 연결한다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면에 일정한 간격으로 복수개 제공될 수 있다. 연결 부재(273)는 지지 유닛(200)를 챔버(100) 내부에서 지지한다. 또한, 연결 부재(273)는 하우징(110)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(270)가 전기적으로 접지(grounding)되도록 한다. 제1 하부 전원(223a)과 연결되는 제1 전원라인(223c), 제2 하부 전원(225a)과 연결되는 제2 전원라인(225c), 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된 열전달 매체 공급라인(231b) 그리고 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된 냉각 유체 공급 라인(232c)등은 연결 부재(273)의 내부 공간을 통해 하부 커버(270) 내부로 연장된다.The lower cover 270 has a connecting member 273 . The connecting member 273 connects the outer surface of the lower cover 270 and the inner wall of the housing 110 . A plurality of connection members 273 may be provided on the outer surface of the lower cover 270 at regular intervals. The connection member 273 supports the support unit 200 in the chamber 100 . In addition, the connection member 273 is connected to the inner wall of the housing 110 so that the lower cover 270 is electrically grounded. A first power line 223c connected to the first lower power source 223a, a second power line 225c connected to the second lower power source 225a, and a heat transfer medium supply line connected to the heat transfer medium storage unit 231a ( 231b) and the cooling fluid supply line 232c connected to the cooling fluid storage unit 232a extend into the lower cover 270 through the inner space of the connection member 273 .

가스 공급 유닛(300)은 챔버(100) 내부에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 공급 노즐(310), 가스 공급 라인(320), 그리고 가스 저장부(330)를 포함한다. 가스 공급 노즐(310)은 커버(120)의 중앙부에 설치된다. 가스 공급 노즐(310)의 저면에는 분사구가 형성된다. 분사구는 커버(120)의 하부에 위치하며, 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 공급 노즐(310)과 가스 저장부(330)를 연결한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(330)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(310)에 공급한다. 가스 공급 라인(320)에는 밸브(321)가 설치된다. 밸브(321)는 가스 공급 라인(320)을 개폐하며, 가스 공급 라인(320)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절한다.The gas supply unit 300 supplies a process gas into the chamber 100 . The gas supply unit 300 includes a gas supply nozzle 310 , a gas supply line 320 , and a gas storage unit 330 . The gas supply nozzle 310 is installed in the center of the cover 120 . An injection hole is formed on the bottom surface of the gas supply nozzle 310 . The injection hole is located under the cover 120 , and supplies the process gas into the chamber 100 . The gas supply line 320 connects the gas supply nozzle 310 and the gas storage unit 330 . The gas supply line 320 supplies the process gas stored in the gas storage unit 330 to the gas supply nozzle 310 . A valve 321 is installed in the gas supply line 320 . The valve 321 opens and closes the gas supply line 320 and controls the flow rate of the process gas supplied through the gas supply line 320 .

플라즈마 소스(400)는 챔버(100) 내에 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 소스(400)로는 유도결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 안테나 실(410), 안테나(420), 그리고 플라즈마 전원(430)을 포함한다. 안테나 실(410)은 하부가 개방된 원통 형상으로 제공된다. 안테나 실(410)은 내부에 공간이 제공된다. 안테나 실(410)은 챔버(100)와 대응되는 직경을 가지도록 제공된다. 안테나 실(410)의 하단은 커버(120)에 탈착 가능하도록 제공된다. 안테나(420)는 안테나 실(410)의 내부에 배치된다. 안테나(420)는 복수 회 감기는 나선 형상의 코일로 제공되고, 플라즈마 전원(430)과 연결된다. 안테나(420)는 플라즈마 전원(430)으로부터 전력을 인가받는다. 플라즈마 전원(430)은 챔버(100) 외부에 위치할 수 있다. 전력이 인가된 안테나(420)는 챔버(100)의 처리공간에 전자기장을 형성할 수 있다. 공정가스는 전자기장에 의해 플라즈마 상태로 여기된다.The plasma source 400 excites the process gas in the chamber 100 into a plasma state. As the plasma source 400 , an inductively coupled plasma (ICP) source may be used. The plasma source 400 includes an antenna chamber 410 , an antenna 420 , and a plasma power source 430 . The antenna chamber 410 is provided in a cylindrical shape with an open bottom. The antenna chamber 410 is provided with a space therein. The antenna chamber 410 is provided to have a diameter corresponding to that of the chamber 100 . The lower end of the antenna chamber 410 is provided to be detachably attached to the cover 120 . The antenna 420 is disposed inside the antenna chamber 410 . The antenna 420 is provided as a spiral coil wound a plurality of times, and is connected to the plasma power source 430 . The antenna 420 receives power from the plasma power source 430 . The plasma power source 430 may be located outside the chamber 100 . The antenna 420 to which power is applied may form an electromagnetic field in the processing space of the chamber 100 . The process gas is excited into a plasma state by an electromagnetic field.

배기 유닛(500)은 하우징(110)의 내측벽과 지지부재(400)의 사이에 위치된다. 배기 유닛(500)은 관통홀(511)이 형성된 배기판(510)을 포함한다. 배기판(510)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배기판(510)에는 복수의 관통홀(511)들이 형성된다. 하우징(110) 내에 제공된 공정가스는 배기판(510)의 관통홀(511)들을 통과하여 배기홀(102)로 배기된다. 배기판(510)의 형상 및 관통홀(511)들의 형상에 따라 공정가스의 흐름이 제어될 수 있다. The exhaust unit 500 is positioned between the inner wall of the housing 110 and the support member 400 . The exhaust unit 500 includes an exhaust plate 510 in which a through hole 511 is formed. The exhaust plate 510 is provided in an annular ring shape. A plurality of through holes 511 are formed in the exhaust plate 510 . The process gas provided in the housing 110 passes through the through holes 511 of the exhaust plate 510 and is exhausted to the exhaust hole 102 . The flow of the process gas may be controlled according to the shape of the exhaust plate 510 and the shape of the through holes 511 .

상술한 예에서는 가열 유닛(2250)은 세라믹 퍽(220) 내에 제공되는 것으로 설명하였다. 이와 달리, 가열 유닛(2250)은 지지판(230) 내에 제공될 수 있다. 또한, 상술한 예에서는 세라믹 퍽(220)과 지지판(230)이 접착층(236)에 의해서 결합되는 것으로 설명하였다. 이와 달리, 세라믹 퍽(220)과 지지판(230)은 다른 다양한 방식으로 결합될 수 있다. In the above example, it has been described that the heating unit 2250 is provided in the ceramic puck 220 . Alternatively, the heating unit 2250 may be provided in the support plate 230 . In addition, in the above-described example, it has been described that the ceramic puck 220 and the support plate 230 are coupled by the adhesive layer 236 . Alternatively, the ceramic puck 220 and the support plate 230 may be coupled in various other ways.

또한, 이상에서 상술한 실시예는 검출 유닛이 라이너에 제공되는 것으로 설명하였으나, 이와 달리, 기판 처리 장치 내 다양한 구성 및 종류의 부품들에도 검출 유닛이 제공될 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 검출 유닛의 유전판이 바디에 결합되어 라이너에 삽입되는 구조를 갖는 것으로 설명하였으나, 이와 달리 바디는 제공되지 않을 수 있다. 일 예로, 검출 유닛은 라이너의 내측면에 부착되는 구조로 제공될 수 있다.In addition, in the above-described embodiment, the detection unit is provided in the liner, but the detection unit may be provided in various components and types of components in the substrate processing apparatus. In addition, although the present embodiment has been described as having a structure in which the dielectric plate of the detection unit is coupled to the body and inserted into the liner, the body may not be provided otherwise. For example, the detection unit may be provided in a structure attached to the inner surface of the liner.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical spirit of the present invention, and various modifications and variations will be possible without departing from the essential characteristics of the present invention by those skilled in the art to which the present invention pertains. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, but to explain, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be construed by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

10: 기판 처리 장치
100: 챔버
120: 밀폐 커버
130: 라이너
140: 검출 유닛
142: 바디
144: 유전판
200: 지지 유닛
300: 가스 공급 유닛
400: 플라즈마 소스
500: 배기 유닛10: substrate processing apparatus
100: chamber
120: sealing cover
130: liner
140: detection unit
142: body
144: dielectric plate
200: support unit
300: gas supply unit
400: plasma source
500: exhaust unit

Claims (15)

내부에 공간이 형성된 챔버;
상기 챔버 내에 위치되고, 기판을 지지하는 지지 유닛;
상기 챔버 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛;
상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스 유닛; 그리고
상기 챔버의 내측면을 따라 제공되며, 상기 공정 가스가 여기되는 여기 공간을 둘러싸는 라이너를 포함하되,
상기 라이너는 그 내측면에 상기 플라즈마로 인한 상기 라이너의 부식 정도를 측정하는 검출 유닛을 포함하고,
상기 검출 유닛은,
상기 라이너에 삽입되는 바디; 및
상기 라이너의 상기 내측면에 대응되는 면에 유전물질로 코팅된 유전판을 포함하며,
상기 라이너의 상기 내측면은, 상기 유전판과 동일한 두께를 가지는 상기 유전물질로 코팅되는 기판 처리 장치.a chamber having a space formed therein;
a support unit positioned in the chamber and supporting a substrate;
a gas supply unit supplying a process gas into the chamber;
a plasma source unit generating plasma from the process gas; And
a liner provided along an inner surface of the chamber and surrounding an excitation space into which the process gas is excited;
The liner includes a detection unit on its inner surface for measuring the degree of corrosion of the liner due to the plasma,
The detection unit is
a body inserted into the liner; and
a dielectric plate coated with a dielectric material on a surface corresponding to the inner surface of the liner;
The inner surface of the liner is coated with the dielectric material having the same thickness as the dielectric plate. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 유전물질은 이트륨을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
wherein the dielectric material includes yttrium. 제 4 항에 있어서,
상기 검출 유닛은 도전성 와이어에 의해 전기적으로 접속된 도전성 물질을 포함하는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
and the detection unit includes a conductive material electrically connected by a conductive wire. 제 5 항에 있어서,
상기 검출 유닛은, 상기 유전판이 부식되어 기설정된 설정 라인에 도달하면 알람을 발생시키는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
The detection unit is configured to generate an alarm when the dielectric plate is corroded and reaches a preset setting line. 제 6 항에 있어서,
상기 유전판은 원 형상으로 복수 개 제공되는 기판 처리 장치. 7. The method of claim 6,
The substrate processing apparatus is provided with a plurality of dielectric plates in a circular shape. 제 7 항에 있어서,
상기 복수 개의 유전판은 상기 내측면에 서로 일정한 거리로 이격되어 제공되는 기판 처리 장치. 8. The method of claim 7,
The plurality of dielectric plates are provided to be spaced apart from each other by a predetermined distance on the inner surface. 제 6 항에 있어서,
상기 유전판은 링 형상으로 제공되고, 상기 링의 외측 반경은 상기 라이너의 내측 반경과 대응되게 제공되는 기판 처리 장치.7. The method of claim 6,
The dielectric plate is provided in a ring shape, and an outer radius of the ring is provided to correspond to an inner radius of the liner. 제 1 항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서, 상기 검출 유닛으로 상기 라이너의 상기 내측면의 부식 정도를 측정하는 기판 처리 방법. A substrate processing method for processing a substrate using the substrate processing apparatus of claim 1 , wherein a degree of corrosion of the inner surface of the liner is measured by the detection unit. 제 10 항에 있어서,
상기 검출 유닛은,
상기 라이너에 삽입되는 바디; 및
상기 라이너의 상기 내측면에 대응되는 면에 유전물질로 코팅된 유전판을 포함하는 기판 처리 방법.11. The method of claim 10,
The detection unit is
a body inserted into the liner; and
and a dielectric plate coated with a dielectric material on a surface corresponding to the inner surface of the liner. 제 11 항에 있어서,
상기 라이너의 상기 내측면은, 상기 유전물질로 상기 유전판과 동일한 두께만큼 코팅된 기판 처리 방법.12. The method of claim 11,
The inner surface of the liner is coated with the dielectric material to the same thickness as the dielectric plate. 제 12 항에 있어서,
상기 유전물질은 이트륨을 포함하는 기판 처리 방법.13. The method of claim 12,
wherein the dielectric material includes yttrium. 제 13 항에 있어서,
상기 검출 유닛은 도전성 와이어에 의해 전기적으로 접속된 도전성 물질을 포함하는 기판 처리 방법.14. The method of claim 13,
and the detection unit includes a conductive material electrically connected by a conductive wire. 제 14 항에 있어서,
상기 검출 유닛은 상기 유전판이 부식되어 기설정된 설정 라인에 도달하면 알람을 발생시키는 기판 처리 방법.15. The method of claim 14,
The detection unit generates an alarm when the dielectric plate is corroded and reaches a preset setting line.
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