KR20210154865A - Metal-containing particle, connecting material, connected structure, and method for producing connected structure - Google Patents

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KR20210154865A
KR20210154865A KR1020217040390A KR20217040390A KR20210154865A KR 20210154865 A KR20210154865 A KR 20210154865A KR 1020217040390 A KR1020217040390 A KR 1020217040390A KR 20217040390 A KR20217040390 A KR 20217040390A KR 20210154865 A KR20210154865 A KR 20210154865A
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마사오 사사다이라
유토 도바시
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세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
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Abstract

금속 함유 입자의 금속부의 돌기의 선단을 비교적 저온에서 용융시키고, 용융 후에 고화시켜, 다른 입자 또는 다른 부재에 접합시킬 수 있어, 접속 신뢰성을 높일 수 있는 금속 함유 입자를 제공한다. 본 발명에 따른 금속 함유 입자는, 기재 입자와, 상기 기재 입자의 표면 상에 배치된 금속부를 구비하고, 상기 금속부가 외표면에 복수의 돌기를 갖고, 상기 금속부의 상기 돌기의 선단은 400℃ 이하에서 용융 가능하다.Provided is a metal-containing particle in which the tip of the projection of the metal part of the metal-containing particle can be melted at a relatively low temperature and solidified after melting, so that it can be joined to other particles or other members, thereby improving connection reliability. The metal containing particle which concerns on this invention is equipped with a substrate particle and the metal part arrange|positioned on the surface of the said substrate particle, The said metal part has a some protrusion on the outer surface, The front-end|tip of the said protrusion of the said metal part is 400 degrees C or less can be melted in

Description

금속 함유 입자, 접속 재료, 접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법{METAL-CONTAINING PARTICLE, CONNECTING MATERIAL, CONNECTED STRUCTURE, AND METHOD FOR PRODUCING CONNECTED STRUCTURE}Metal-containing particles, connection material, bonded structure, and manufacturing method of bonded structure TECHNICAL FIELD

본 발명은, 기재 입자와, 해당 기재 입자의 표면 상에 배치된 금속부를 구비하고, 해당 금속부가 외표면에 돌기를 갖는 금속 함유 입자에 관한 것이다. 또한, 본 발명은, 상기 금속 함유 입자를 사용한 접속 재료, 접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법에 관한 것이다.This invention is equipped with a substrate particle and the metal part arrange|positioned on the surface of this substrate particle, The said metal part relates to the metal containing particle|grain which has a processus|protrusion on the outer surface. Moreover, this invention relates to the manufacturing method of the connection material, bonded structure, and bonded structure using the said metal containing particle|grains.

전자 부품 등에 있어서, 2개의 접속 대상 부재를 접속하는 접속부를 형성하기 위해, 금속 입자를 포함하는 접속 재료가 사용되는 경우가 있다.In an electronic component etc., in order to form the connection part which connects two connection object members, the connection material containing a metal particle may be used.

금속 입자의 입경이 100nm 이하의 사이즈까지 작아지고, 구성 원자수가 적어지면, 입자의 부피에 대한 표면적비가 급격하게 증대되어, 융점 또는 소결 온도가 벌크 상태에 비교하여 대폭 저하되는 것이 알려져 있다. 이 저온 소결 기능을 이용하고, 입경이 100nm 이하인 금속 입자를 접속 재료로서 사용하여, 가열에 의해 금속 입자끼리를 소결시킴으로써 접속을 행하는 방법이 알려져 있다. 이 접속 방법에서는, 접속 후의 금속 입자가 벌크 금속으로 변화됨과 동시에, 접속 계면에서 금속 결합에 의한 접속이 얻어지기 때문에, 내열성과 접속 신뢰성과 방열성이 매우 높아진다.It is known that when the particle size of the metal particles decreases to a size of 100 nm or less and the number of constituent atoms decreases, the surface area ratio to the volume of the particles increases rapidly, and the melting point or sintering temperature decreases significantly compared to the bulk state. Using this low-temperature sintering function, using metal particles having a particle diameter of 100 nm or less as a connection material, there is known a method of performing connection by sintering metal particles by heating. In this connection method, since the metal particle after connection changes to a bulk metal and connection by a metal bond is obtained at a connection interface, heat resistance, connection reliability, and heat dissipation property become very high.

이러한 접속을 행하기 위한 접속 재료는, 예를 들어 하기 특허문헌 1에 개시되어 있다.The connection material for performing such a connection is disclosed by the following patent document 1, for example.

특허문헌 1에 기재된 접속 재료는, 나노 사이즈의 복합 은 입자와 나노 사이즈의 은 입자와 수지를 포함한다. 상기 복합 은 입자는, 은 원자의 집합체인 은핵의 주위에 유기 피복층이 형성된 입자이다. 상기 유기 피복층은 탄소수 10 또는 12의 알코올 분자 잔기, 알코올 분자 유도체(여기서, 알코올 분자 유도체는 카르복실산 및/또는 알데히드로 한정됨) 및/또는 알코올 분자의 1종 이상의 알코올 성분에 의해 형성되어 있다.The connecting material described in Patent Document 1 contains nano-sized composite silver particles, nano-sized silver particles, and resin. The composite silver particles are particles in which an organic coating layer is formed around a silver nucleus that is an aggregate of silver atoms. The organic coating layer is formed of an alcohol molecular residue having 10 or 12 carbon atoms, an alcohol molecular derivative (herein, the alcohol molecular derivative is limited to a carboxylic acid and/or an aldehyde), and/or one or more alcohol components of an alcohol molecule.

또한, 하기 특허문헌 2에는, 나노 사이즈의 금속 함유 입자와 도전성 입자를 포함하는 접속 재료가 개시되어 있다.Moreover, the following patent document 2 discloses the connection material containing nano-sized metal containing particle|grains and electroconductive particle.

일본 특허 제5256281호 공보Japanese Patent No. 5256281 일본 특허 공개 제2013-55046호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2013-55046

나노 사이즈의 은 입자 등의 금속 입자는, 접속 시의 가열 처리에 의해 용융 접합되어 벌크가 형성된다. 벌크가 형성되면 융점이 높아지기 때문에, 가열 온도가 높아진다는 문제가 있다. 또한, 형성된 벌크에서는, 나노 사이즈의 입자 사이에 간극이 발생한다. 결과적으로, 접속 신뢰성이 낮아진다.Metal particles, such as nano-sized silver particles, are melt-bonded by heat treatment at the time of connection to form a bulk. When bulk is formed, since melting|fusing point becomes high, there exists a problem that a heating temperature becomes high. In addition, in the formed bulk, gaps are generated between the nano-sized particles. As a result, the connection reliability becomes low.

또한, 특허문헌 1에서는, 상기 복합 은 입자는 표면에 알코올 성분을 갖기 때문에, 해당 알코올 성분에서 유래하여 접속 부분에 보이드가 발생하기 쉽다. 결과적으로 접속 신뢰성이 낮아진다.Moreover, in patent document 1, since the said composite silver particle has an alcohol component on the surface, it originates in this alcohol component, and a void is easy to generate|occur|produce in a connection part. As a result, connection reliability is lowered.

본 발명의 목적은, 금속 함유 입자의 금속부의 돌기의 선단을 비교적 저온에서 용융시키고, 용융 후에 고화시켜, 다른 입자 또는 다른 부재에 접합시킬 수 있어, 접속 신뢰성을 높일 수 있는 금속 함유 입자를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명은, 상기 금속 함유 입자를 사용한 접속 재료, 접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법을 제공하는 것도 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide metal-containing particles that can be bonded to other particles or other members by melting the tip of the projection of the metal part of the metal-containing particle at a relatively low temperature and solidifying it after melting, thereby improving the connection reliability. will be. Moreover, this invention also aims at providing the manufacturing method of the connection material, bonded structure, and bonded structure using the said metal containing particle|grains.

본 발명의 넓은 국면에 의하면, 기재 입자와, 상기 기재 입자의 표면 상에 배치된 금속부를 구비하고, 상기 금속부가 외표면에 복수의 돌기를 갖고, 상기 금속부의 상기 돌기의 선단은 400℃ 이하에서 용융 가능한, 금속 함유 입자가 제공된다.According to the broad situation of this invention, a substrate particle and the metal part arrange|positioned on the surface of the said substrate particle are provided, the said metal part has a some processus|protrusion on the outer surface, The front-end|tip of the said processus|protrusion of the said metal part is 400 degrees C or less. Meltable, metal-containing particles are provided.

본 발명에 따른 금속 함유 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 금속부가 외표면에 복수의 볼록부를 갖고, 상기 금속부가 상기 볼록부의 외표면에 상기 돌기를 갖는다.In a specific aspect of the metal-containing particles according to the present invention, the metal part has a plurality of convex parts on the outer surface, and the metal part has the projections on the outer surface of the convex parts.

본 발명에 따른 금속 함유 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 볼록부의 평균 높이의, 상기 돌기의 평균 높이에 대한 비가 5 이상 1000 이하이다.In a specific situation of the metal-containing particles according to the present invention, the ratio of the average height of the convex portions to the average height of the projections is 5 or more and 1000 or less.

본 발명에 따른 금속 함유 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 볼록부의 기부(基部)의 평균 직경이 3nm 이상 5000nm 이하이다.On the specific situation with the metal-containing particle|grains which concern on this invention, the average diameter of the base part of the said convex part is 3 nm or more and 5000 nm or less.

본 발명에 따른 금속 함유 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 금속부의 외표면의 전 표면적 100% 중, 상기 볼록부가 있는 부분의 표면적이 10% 이상이다.In a specific situation of the metal-containing particles according to the present invention, the surface area of the convex portion is 10% or more among 100% of the total surface area of the outer surface of the metal portion.

본 발명에 따른 금속 함유 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 볼록부의 형상이 침상 또는 구체의 일부 형상이다.In a specific aspect of the metal-containing particle according to the present invention, the shape of the convex portion is a needle-like shape or a partial shape of a sphere.

본 발명에 따른 금속 함유 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 돌기의 꼭지각의 평균이 10° 이상 60° 이하이다.In a specific aspect of the metal-containing particles according to the present invention, the average of the vertex angles of the projections is 10° or more and 60° or less.

본 발명에 따른 금속 함유 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 돌기의 평균 높이가 3nm 이상 5000nm 이하이다.In a specific aspect of the metal-containing particles according to the present invention, the average height of the projections is 3 nm or more and 5000 nm or less.

본 발명에 따른 금속 함유 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 돌기의 기부의 평균 직경이 3nm 이상 1000nm 이하이다.In a specific aspect of the metal-containing particles according to the present invention, the average diameter of the base of the projections is 3 nm or more and 1000 nm or less.

본 발명에 따른 금속 함유 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 돌기의 평균 높이의, 상기 돌기의 기부의 평균 직경에 대한 비가 0.5 이상 10 이하이다.In a specific aspect of the metal-containing particles according to the present invention, the ratio of the average height of the projections to the average diameter of the base of the projections is 0.5 or more and 10 or less.

본 발명에 따른 금속 함유 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 돌기의 형상이 침상 또는 구체의 일부 형상이다.In a specific aspect of the metal-containing particle according to the present invention, the shape of the projection is a needle-like shape or a partial shape of a sphere.

본 발명에 따른 금속 함유 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 돌기의 재료가 은, 구리, 금, 팔라듐, 주석, 인듐 또는 아연을 포함한다.In certain specific aspects of the metal-containing particles according to the present invention, the material of the protrusions comprises silver, copper, gold, palladium, tin, indium or zinc.

본 발명에 따른 금속 함유 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 금속부의 재료가 땜납이 아니다.In certain specific aspects of the metal-containing particles according to the present invention, the material of the metal part is not solder.

본 발명에 따른 금속 함유 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 금속부의 재료가 은, 구리, 금, 팔라듐, 주석, 인듐, 아연, 니켈, 코발트, 철, 텅스텐, 몰리브덴, 루테늄, 백금, 로듐, 이리듐, 인 또는 붕소를 포함한다.In certain specific aspects of the metal-containing particles according to the present invention, the material of the metal part is silver, copper, gold, palladium, tin, indium, zinc, nickel, cobalt, iron, tungsten, molybdenum, ruthenium, platinum, rhodium, iridium, phosphorus or boron.

본 발명에 따른 금속 함유 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 금속부의 상기 돌기의 선단은 바람직하게는 350℃ 이하에서 용융 가능하고, 보다 바람직하게는 300℃ 이하에서 용융 가능하고, 더욱 바람직하게는 250℃ 이하에서 용융 가능하고, 특히 바람직하게는 200℃ 이하에서 용융 가능하다.In a specific aspect of the metal-containing particle according to the present invention, the tip of the projection of the metal part is preferably meltable at 350°C or lower, more preferably meltable at 300°C or lower, still more preferably 250°C or lower. It can be melted at or below, particularly preferably at 200°C or lower.

본 발명에 따른 금속 함유 입자의 어느 특정한 국면에서는, 10% 압축하였을 때의 압축 탄성률이 100N/mm2 이상 25000N/mm2 이하이다.In a particular aspect of the metal-containing particles according to the present invention, the compression modulus is 100N / mm 2 or more 25000N / mm 2 or less at the time when compressed 10%.

본 발명에 따른 금속 함유 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 기재 입자가 실리콘 입자이다.On the specific situation with the metal containing particle which concerns on this invention, the said substrate particle is a silicon particle.

본 발명의 넓은 국면에 의하면, 상술한 금속 함유 입자와 수지를 포함하는 접속 재료가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, there is provided a connecting material comprising the above-described metal-containing particles and a resin.

본 발명의 넓은 국면에 의하면, 제1 접속 대상 부재와, 제2 접속 대상 부재와, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하고, 상기 접속부의 재료가 상술한 금속 함유 입자이거나, 또는 상기 금속 함유 입자와 수지를 포함하는 접속 재료인, 접속 구조체가 제공된다.According to the broad aspect of this invention, a 1st connection object member, a 2nd connection object member, and the connection part which connects the said 1st connection object member and the said 2nd connection object member are provided, The material of the said connection part is the above-mentioned A bonded structure is provided, which is one metal-containing particle or a connection material containing the metal-containing particle and a resin.

본 발명의 넓은 국면에 의하면, 제1 접속 대상 부재와 제2 접속 대상 부재 사이에, 상술한 금속 함유 입자를 배치하거나, 또는 상기 금속 함유 입자와 수지를 포함하는 접속 재료를 배치하는 공정과, 상기 금속 함유 입자를 가열하여, 상기 금속부의 상기 돌기의 선단을 용융시키고, 용융 후에 고화시켜, 상기 금속 함유 입자 또는 상기 접속 재료에 의해, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 형성하는 공정을 구비하는, 접속 구조체의 제조 방법이 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, there is provided a step of disposing the above-described metal-containing particles or disposing a connection material comprising the metal-containing particles and a resin between the first connection object member and the second connection object member, the method comprising: The metal-containing particles are heated to melt the tip of the protrusion of the metal part and solidify after melting, so that the first connection object member and the second connection object member are connected by the metal-containing particles or the connection material, A method for manufacturing a bonded structure is provided, comprising the step of forming a connection portion with an attached portion.

본 발명에 따른 금속 함유 입자는, 기재 입자와, 해당 기재 입자의 표면 상에 배치된 금속부를 구비하고, 상기 금속부가 외표면에 복수의 돌기를 갖고, 상기 금속부의 상기 돌기의 선단은 400℃ 이하에서 용융 가능하므로, 금속 함유 입자의 금속부의 돌기의 선단을 비교적 저온에서 용융시키고, 용융 후에 고화시켜, 다른 입자 또는 다른 부재에 접합시킬 수 있어, 접속 신뢰성을 높일 수 있다.The metal-containing particle which concerns on this invention is equipped with a substrate particle and the metal part arrange|positioned on the surface of this substrate particle, the said metal part has a some processus|protrusion on the outer surface, The front-end|tip of the said processus|protrusion of the said metal part is 400 degrees C or less Since it can be melted in a metal-containing particle, the tip of the protrusion of the metal part of the metal-containing particle is melted at a relatively low temperature and solidified after melting, so that it can be joined to other particles or other members, so that connection reliability can be improved.

도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 금속 함유 입자를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 금속 함유 입자를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은, 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 금속 함유 입자를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는, 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 금속 함유 입자를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는, 본 발명의 제5 실시 형태에 따른 금속 함유 입자를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 6은, 본 발명의 제6 실시 형태에 따른 금속 함유 입자를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 7은, 본 발명의 제7 실시 형태에 따른 금속 함유 입자를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 8은, 본 발명의 제8 실시 형태에 따른 금속 함유 입자를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 9는, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 금속 함유 입자를 사용한 접속 구조체를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 10은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 금속 함유 입자를 사용한 접속 구조체의 변형예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 11은, 제조된 금속 함유 입자의 화상을 나타내는 도면이다.
도 12는, 제조된 금속 함유 입자의 화상을 나타내는 도면이다.
도 13은, 제조된 금속 함유 입자의 화상을 나타내는 도면이다.
도 14는, 제조된 금속 함유 입자의 화상을 나타내는 도면이다.
도 15는, 제조된 금속 함유 입자의 금속부의 돌기의 선단을 용융시킨 후 고화시킨 입자의 화상을 나타내는 도면이다.
도 16은, 제조된 금속 함유 입자의 금속부의 돌기의 선단을 용융시킨 후 고화시킨 입자의 화상을 나타내는 도면이다.
도 17은, 제조된 금속 함유 입자의 금속부의 돌기의 선단을 용융시킨 후 고화시킨 입자의 화상을 나타내는 도면이다.
도 18은, 제조된 금속 함유 입자의 금속부의 돌기의 선단을 용융시킨 후 고화시킨 입자의 화상을 나타내는 도면이다.
도 19의 (a), (b)는, 도통 검사용 부재의 일례를 나타내는 평면도 및 단면도이다.
도 20의 (a) 내지 (c)는, 전자 회로 디바이스의 전기 특성을 도통 검사용 부재에 의해 검사하고 있는 모습을 모식적으로 나타내는 도면이다.
1 is a cross-sectional view schematically showing metal-containing particles according to a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view schematically showing metal-containing particles according to a second embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view schematically showing metal-containing particles according to a third embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view schematically showing metal-containing particles according to a fourth embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view schematically showing metal-containing particles according to a fifth embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view schematically showing metal-containing particles according to a sixth embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view schematically showing metal-containing particles according to a seventh embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view schematically showing metal-containing particles according to an eighth embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view schematically showing a bonded structure using metal-containing particles according to the first embodiment of the present invention.
It is sectional drawing which shows typically the modified example of the bonded structure using the metal-containing particle|grains which concern on 1st Embodiment of this invention.
11 : is a figure which shows the image of the manufactured metal containing particle|grains.
12 : is a figure which shows the image of the manufactured metal containing particle|grains.
13 : is a figure which shows the image of the manufactured metal containing particle|grains.
14 : is a figure which shows the image of the manufactured metal containing particle|grains.
Fig. 15 is a view showing an image of particles obtained by melting and then solidifying the tip of the projection of the metal part of the produced metal-containing particles.
Fig. 16 is a view showing an image of particles obtained by melting and then solidifying the tip of the projection of the metal part of the produced metal-containing particles.
Fig. 17 is a view showing an image of particles obtained by melting and then solidifying the tip of the projection of the metal part of the produced metal-containing particles.
Fig. 18 is a view showing an image of particles obtained by melting and then solidifying the tip of the projection of the metal part of the produced metal-containing particles.
19A and 19B are a plan view and a cross-sectional view showing an example of a member for conduction inspection.
20A to 20C are diagrams schematically showing a state in which the electrical characteristics of an electronic circuit device are inspected by a member for conduction inspection.

이하, 본 발명의 상세를 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the detail of this invention is demonstrated.

(금속 함유 입자)(Metal-containing particles)

본 발명에 따른 금속 함유 입자는 기재 입자와 금속부를 구비한다. 상기 금속부는 상기 기재 입자의 표면 상에 배치되어 있다. 본 발명에 따른 금속 함유 입자에서는, 상기 금속부가 외표면에 복수의 돌기를 갖는다. 본 발명에 따른 금속 함유 입자에서는, 상기 금속부의 상기 돌기의 선단은 400℃ 이하에서 용융 가능하다.The metal containing particle which concerns on this invention is equipped with a substrate particle and a metal part. The said metal part is arrange|positioned on the surface of the said substrate particle. In the metal-containing particle according to the present invention, the metal portion has a plurality of projections on the outer surface. In the metal-containing particle according to the present invention, the tip of the projection of the metal part can be melted at 400° C. or less.

본 발명에서는, 상기 구성이 구비되어 있으므로, 금속부의 돌기의 선단을 비교적 저온에서 용융시킬 수 있다. 이 때문에, 상기 금속 함유 입자에서의 상기 금속부의 돌기의 선단을 비교적 저온에서 용융시키고, 용융 후에 고화시켜, 다른 입자 또는 다른 부재에 접합시킬 수 있다. 또한, 복수의 금속 함유 입자를 용융 접합시킬 수 있다. 또한, 금속 함유 입자를 접속 대상 부재에 용융 접합시킬 수 있다. 또한 추가로, 금속 함유 입자를 전극에 용융 접합시킬 수 있다.In this invention, since the said structure is provided, the front-end|tip of the projection of a metal part can be melt|melted at comparatively low temperature. For this reason, the tip of the projection of the metal part in the metal-containing particle can be melted at a relatively low temperature and solidified after melting, so that it can be joined to other particles or other members. In addition, a plurality of metal-containing particles can be melt-bonded. In addition, the metal-containing particles can be melt-bonded to the member to be connected. In addition, the metal-containing particles may be melt-bonded to the electrode.

금속 입자의 입경이 100nm 이하의 사이즈까지 작아지고, 구성 원자수가 적어지면, 입자의 부피에 대한 표면적비가 급격하게 증대되어, 융점 또는 소결 온도가 벌크 상태에 비교하여 대폭 저하되는 것이 알려져 있다. 본 발명자들은, 상기 금속부의 돌기의 선단 직경을 작게 함으로써, 나노 사이즈의 금속 입자를 사용한 경우와 동일하게, 상기 금속부의 상기 돌기의 선단의 용융 온도를 낮출 수 있음을 발견하였다.It is known that when the particle size of the metal particles decreases to a size of 100 nm or less and the number of constituent atoms decreases, the surface area ratio to the volume of the particles increases rapidly, and the melting point or sintering temperature decreases significantly compared to the bulk state. The present inventors have discovered that, by reducing the diameter of the tip of the protrusion of the metal part, the melting temperature of the tip of the protrusion of the metal part can be lowered, similarly to the case where nano-sized metal particles are used.

상기 금속부의 상기 돌기의 선단의 용융 온도를 낮추기 위해서, 상기 돌기부의 형상을 끝으로 갈수록 가늘어지는 침상으로 해도 된다. 상기 금속부의 상기 돌기의 선단의 용융 온도를 낮추기 위해서, 상기 금속부의 외표면에 복수의 작은 돌기를 형성해도 된다. 상기 금속부의 상기 돌기의 선단의 용융 온도를 낮추기 위해서, 본 발명에 따른 금속 함유 입자에서는, 상기 금속부가 외표면에 복수의 볼록부(제1 돌기)를 갖고, 상기 금속부가 상기 볼록부의 외표면에 상기 돌기(제2 돌기)를 갖는 것이 바람직하다. 상기 볼록부는 상기 돌기보다도 큰 것이 바람직하다. 상기 돌기와는 별도로, 상기 돌기보다도 큰 상기 볼록부가 존재함으로써, 접속 신뢰성이 한층 더 높아진다. 볼록부와 돌기는 일체화되어 있어도 되고, 볼록부 상에 돌기가 부착되어 있어도 된다. 상기 돌기는 입자로 구성되어 있어도 된다. 본 명세서에 있어서, 상기 돌기와 구별하여, 해당 돌기가 외표면 상에 형성되어 있는 돌기 부분을 볼록부라 칭한다. 상기 볼록부의 선단은 400℃ 이하에서 용융 가능하지 않아도 된다.In order to lower the melting temperature of the tip of the projection of the metal portion, the shape of the projection portion may be a needle-like shape tapering toward the end. In order to lower the melting temperature of the tip of the projection of the metal portion, a plurality of small projections may be formed on the outer surface of the metal portion. In order to lower the melting temperature of the tip of the protrusion of the metal part, in the metal-containing particle according to the present invention, the metal part has a plurality of convex parts (first protrusions) on the outer surface, and the metal part is on the outer surface of the convex part. It is preferable to have the said projection (second projection). It is preferable that the said convex part is larger than the said protrusion. Apart from the projections, the presence of the convex portion larger than the projections further increases the connection reliability. The projections and the projections may be integrated, or the projections may be attached to the projections. The said processus|protrusion may be comprised from particle|grains. In the present specification, to distinguish the projection from the projection, the projection portion in which the projection is formed on the outer surface is referred to as a convex portion. The tip of the convex portion does not need to be meltable at 400°C or lower.

이와 같이, 돌기의 선단 직경을 작게 함으로써 용융 온도를 낮출 수 있다. 또한, 용융 온도를 낮추기 위해서 금속부의 재료를 선택할 수 있다. 상기 금속부의 돌기의 선단의 용융 온도를 400℃ 이하로 하기 위해서, 돌기의 형상과 금속부의 재료를 선택하는 것이 바람직하다.In this way, the melting temperature can be lowered by reducing the diameter of the tip of the protrusion. In addition, the material of the metal part can be selected in order to lower the melting temperature. In order to set the melting temperature of the tip of the projection of the metal portion to 400° C. or less, it is preferable to select the shape of the projection and the material of the metal portion.

상기 금속부의 돌기의 선단의 용융 온도는 이하와 같이 하여 평가된다.The melting temperature of the tip of the projection of the metal part is evaluated as follows.

상기 금속부의 돌기의 선단의 용융 온도는 시차 주사 열량계(야마토 가가꾸사제 「DSC-6300」)를 사용하여 측정할 수 있다. 상기 측정은 금속 함유 입자 15g을 사용하여 승온 범위 30℃ 내지 500℃, 승온 속도 5℃/min., 질소 퍼지량 5ml/min.의 측정 조건에서 행한다.The melting temperature of the tip of the projection of the metal part can be measured using a differential scanning calorimeter (“DSC-6300” manufactured by Yamato Chemical Co., Ltd.). The above measurement is performed using 15 g of metal-containing particles under measurement conditions of a temperature increase range of 30°C to 500°C, a temperature increase rate of 5°C/min., and a nitrogen purge amount of 5 ml/min.

이어서, 상기 측정에서 얻어진 용융 온도에서 상기 금속부의 돌기의 선단이 용융되어 있음을 확인한다. 금속 함유 입자 1g을 용기에 넣어, 전기로에 넣는다. 전기로에서 상기 측정으로 얻어진 용융 온도와 동일한 온도를 설정하고, 질소 분위기에서 10분간 가열한다. 그 후, 가열한 금속 함유 입자를 전기로로부터 취출하고, 주사형 전자 현미경을 사용하여 돌기의 선단의 용융 상태(또는 용융 후의 고화 상태)를 확인한다.Then, it is confirmed that the tip of the projection of the metal part is melted at the melting temperature obtained in the above measurement. 1 g of metal-containing particles are placed in a container and placed in an electric furnace. In an electric furnace, the same temperature as the melting temperature obtained by the above measurement was set, and heated in a nitrogen atmosphere for 10 minutes. Thereafter, the heated metal-containing particles are taken out from the electric furnace, and the molten state (or the solidified state after melting) of the tip of the projection is confirmed using a scanning electron microscope.

돌기의 선단의 용융 온도를 효과적으로 낮춰서, 접속 신뢰성을 효과적으로 높이는 관점에서는, 상기 돌기의 형상이 끝으로 갈수록 가늘어지는 침상인 것이 바람직하다. 이 금속 함유 입자에서는, 상기 금속부의 외표면의 상기 돌기의 형상이 종래의 형상과는 달리, 돌기의 형상이 끝으로 갈수록 가늘어지는 침상인 것에 의한 새로운 효과가 발휘된다.From the viewpoint of effectively lowering the melting temperature of the tip of the protrusion and effectively increasing the connection reliability, the shape of the protrusion is preferably a needle-like shape that tapers toward the end. In this metal-containing particle, the shape of the projection on the outer surface of the metal part is different from the conventional shape, and a new effect is exhibited by the shape of the projection being a needle-like shape that tapers toward the end.

본 발명에 따른 금속 함유 입자는, 상기 금속부의 상기 돌기의 선단을 비교적 저온에서 용융 접합시킬 수 있으므로, 2개의 접속 대상 부재의 접속에 사용할 수 있다. 2개의 접속 대상 부재 사이에, 금속 함유 입자에서의 상기 금속부의 돌기의 선단에서 용융 접합시킴으로써, 견고한 접속을 발휘하는 접속부를 형성할 수 있어, 접속 신뢰성을 높일 수 있다.Since the metal-containing particle according to the present invention can melt-bond the tip of the projection of the metal part at a relatively low temperature, it can be used for connection of two members to be connected. By fusion bonding between the two connection target members at the tip of the projection of the metal part in the metal-containing particle, a connection portion exhibiting a strong connection can be formed, and connection reliability can be improved.

또한, 본 발명에 따른 금속 함유 입자는 도전 접속에 사용해도 된다. 또한, 본 발명에 따른 금속 함유성 입자는 갭 제어재(스페이서)로서도 사용할 수 있다.Further, the metal-containing particles according to the present invention may be used for conductive connection. Further, the metal-containing particles according to the present invention can also be used as a gap control material (spacer).

복수의 상기 돌기의 꼭지각의 평균(a)은 바람직하게는 10° 이상, 보다 바람직하게는 20° 이상이며, 바람직하게는 60° 이하, 보다 바람직하게는 45° 이하이다. 상기 꼭지각의 평균(a)이 상기 하한 이상이면, 돌기가 과도하게 꺾이기 어려워진다. 상기 꼭지각의 평균(a)이 상기 상한 이하이면, 용융 온도가 한층 더 낮아진다. 또한, 꺾인 돌기는 도전 접속 시에 전극간의 접속 저항을 상승시키는 경우가 있다.The average (a) of the vertex angles of the plurality of projections is preferably 10° or more, more preferably 20° or more, preferably 60° or less, and more preferably 45° or less. When the average (a) of the vertex angles is equal to or greater than the lower limit, the projections are unlikely to be excessively bent. When the average (a) of the vertex angles is equal to or less than the upper limit, the melting temperature is further lowered. Moreover, the bent protrusion may raise the connection resistance between electrodes at the time of a conductive connection.

상기 돌기의 상기 꼭지각의 평균(a)은, 금속 함유 입자 1개에 포함되는 돌기의 각각의 꼭지각을 평균함으로써 구해진다.The average (a) of the vertex angles of the projections is obtained by averaging the vertex angles of the projections included in one metal-containing particle.

복수의 상기 돌기의 평균 높이(b)는 바람직하게는 3nm 이상, 보다 바람직하게는 5nm 이상, 더욱 바람직하게는 50nm 이상이며, 바람직하게는 5000nm 이하, 보다 바람직하게는 1000nm 이하, 더욱 바람직하게는 800nm 이하이다. 상기 돌기의 평균 높이(b)가 상기 하한 이상이면, 용융 온도가 한층 더 낮아진다. 상기 돌기의 평균 높이(b)가 상기 상한 이하이면, 돌기가 과도하게 꺾이기 어려워진다.The average height (b) of the plurality of projections is preferably 3 nm or more, more preferably 5 nm or more, still more preferably 50 nm or more, preferably 5000 nm or less, more preferably 1000 nm or less, still more preferably 800 nm or less. is below. When the average height (b) of the projections is equal to or greater than the lower limit, the melting temperature is further lowered. When the average height (b) of the projections is equal to or less than the upper limit, the projections are unlikely to be excessively bent.

상기 돌기의 평균 높이(b)는 금속 함유 입자 1개에 포함되는 돌기의 높이의 평균이다. 금속부가 상기 볼록부를 갖지 않고, 또한 상기 돌기를 갖는 경우에는, 상기 돌기의 높이는, 금속 함유 입자의 중심과 돌기의 선단을 연결하는 선(도 1에 나타내는 파선 L1) 상에서의, 돌기가 없다고 상정한 경우의 금속부의 가상선(도 1에 나타내는 파선 L2) 상(돌기가 없다고 상정한 경우의 구상의 금속 함유 입자의 외표면 상)으로부터 돌기의 선단까지의 거리를 나타낸다. 즉, 도 1에 있어서는, 파선 L1과 파선 L2의 교점으로부터 돌기의 선단까지의 거리를 나타낸다. 또한, 상기 금속부가 상기 볼록부를 갖고, 또한 상기 돌기를 갖는 경우에는, 즉 상기 금속부가 상기 볼록부 상에 상기 돌기를 갖는 경우에는, 상기 돌기의 높이는, 돌기가 없다고 상정한 경우의 금속부(볼록부)의 가상선으로부터 돌기의 선단까지의 거리를 나타낸다. 돌기는 복수의 입상물의 집합체여도 된다. 예를 들어, 돌기는, 돌기를 구성하는 입자가 복수 연결되어 형성되어 있어도 된다. 이 경우에, 돌기의 높이는 복수의 입상물의 집합체 또는 연결된 입자를 전체로 보았을 때의 돌기의 높이이다. 도 3에 있어서도, 돌기(1Ba, 3Ba)의 높이는, 돌기가 없다고 상정한 경우의 금속부의 가상선 상으로부터 돌기의 선단까지의 거리를 나타낸다.The average height (b) of the projections is an average of the heights of the projections included in one metal-containing particle. When the metal part does not have the convex part and has the protrusion, the height of the protrusion is assumed to be absent on the line connecting the center of the metal-containing particle and the tip of the protrusion (dashed line L1 shown in Fig. 1). The distance from the imaginary line (dashed line L2 shown in FIG. 1) of the metal part in this case (on the outer surface of the spherical metal-containing particle in the case of assuming that there is no processus|protrusion) to the front-end|tip of a processus|protrusion is shown. That is, in FIG. 1, the distance from the intersection of the broken line L1 and the broken line L2 to the front-end|tip of a processus|protrusion is shown. Moreover, when the said metal part has the said convex part and has the said protrusion, that is, when the said metal part has the said protrusion on the said convex part, the height of the said protrusion is a metal part (convexity) at the time of assuming no protrusion. The distance from the imaginary line of part) to the tip of the protrusion is indicated. The protrusion may be an aggregate of a plurality of granular objects. For example, the protrusion may be formed by connecting a plurality of particles constituting the protrusion. In this case, the height of the projection is the height of the projection when the aggregate of the plurality of granular objects or the connected particles are viewed as a whole. Also in FIG. 3, the height of protrusion 1Ba, 3Ba shows the distance from the imaginary line of the metal part at the time of assuming that there is no protrusion to the front-end|tip of a processus|protrusion.

복수의 상기 돌기의 기부의 평균 직경(c)은 바람직하게는 3nm 이상, 보다 바람직하게는 5nm 이상, 더욱 바람직하게는 50nm 이상이며, 바람직하게는 1000nm 이하, 보다 바람직하게는 800nm 이하이다. 상기 평균 직경(c)이 상기 하한 이상이면, 돌기가 과도하게 꺾이기 어려워진다. 상기 평균 직경(c)이 상기 상한 이하이면, 접속 신뢰성이 한층 더 높아진다.The average diameter (c) of the bases of the plurality of projections is preferably 3 nm or more, more preferably 5 nm or more, still more preferably 50 nm or more, preferably 1000 nm or less, and more preferably 800 nm or less. When the said average diameter c is more than the said minimum, a processus|protrusion becomes difficult to bend excessively. Connection reliability becomes still higher that the said average diameter c is below the said upper limit.

상기 돌기의 기부의 평균 직경(c)은, 금속 함유 입자 1개에 포함되는 돌기의 기부의 직경의 평균이다. 기부의 직경은 돌기에서의 기부의 각각의 최대 직경이다. 상기 금속부가 상기 볼록부를 갖고, 또한 상기 돌기를 갖는 경우에는, 즉 상기 금속부가 상기 볼록부 상에 상기 돌기를 갖는 경우에는, 금속 함유 입자의 중심과 돌기의 선단을 연결하는 선 상에서의, 돌기가 없다고 상정한 경우의 금속부의 가상선 부분의 단부가, 상기 돌기의 기부이며, 상기 가상선 부분의 단부간 거리(단부를 직선으로 연결한 거리)가 기부의 직경이다.The average diameter c of the base of the protrusions is an average of the diameters of the bases of the protrusions contained in one metal-containing particle. The diameter of the base is the respective maximum diameter of the base in the protrusion. When the metal part has the convex part and has the protrusion, that is, when the metal part has the protrusion on the convex part, on the line connecting the center of the metal-containing particle and the tip of the protrusion, the protrusion is The end of the virtual line part of the metal part in the case of assuming that there is no is the base of the said projection, and the distance between the ends of the said virtual line part (the distance which connected the end by a straight line) is the diameter of the base.

복수의 상기 돌기의 평균 높이(b)의, 복수의 상기 돌기의 기부의 평균 직경(c)에 대한 비(평균 높이(b)/평균 직경(c))는 바람직하게는 0.5 이상, 보다 바람직하게는 1.5 이상이며, 바람직하게는 10 이하, 보다 바람직하게는 5 이하이다. 상기 비(평균 높이(b)/평균 직경(c))가 상기 하한 이상이면, 접속 신뢰성이 한층 더 높아진다. 상기 비(평균 높이(b)/평균 직경(c))가 상기 상한 이하이면, 돌기가 과도하게 꺾이기 어려워진다.The ratio of the average height (b) of the plurality of projections to the average diameter (c) of the bases of the plurality of projections (average height (b)/average diameter (c)) is preferably 0.5 or more, more preferably is 1.5 or more, preferably 10 or less, and more preferably 5 or less. Connection reliability becomes still higher that the said ratio (average height (b)/average diameter (c)) is more than the said minimum. When the said ratio (average height (b)/average diameter (c)) is below the said upper limit, a processus|protrusion becomes difficult to bend excessively.

복수의 상기 돌기의 높이의 중앙 위치에서의 평균 직경(d)의, 복수의 상기 돌기의 기부의 평균 직경(c)에 대한 비(평균 직경(d)/평균 직경(c))는 바람직하게는 1/5 이상, 보다 바람직하게는 1/4 이상, 더욱 바람직하게는 1/3 이상이며, 바람직하게는 4/5 이하, 보다 바람직하게는 3/4 이하, 더욱 바람직하게는 2/3 이하이다. 상기 비(평균 직경(d)/평균 직경(c))가 상기 하한 이상이면, 돌기가 과도하게 꺾이기 어려워진다. 상기 비(평균 직경(d)/평균 직경(c))가 상기 상한 이하이면, 접속 신뢰성이 한층 더 높아진다.Preferably, the ratio (average diameter d/average diameter c) of the average diameter d at the central position of the heights of the plurality of projections to the average diameter c of the bases of the plurality of projections is 1/5 or more, more preferably 1/4 or more, still more preferably 1/3 or more, preferably 4/5 or less, more preferably 3/4 or less, still more preferably 2/3 or less. . When the said ratio (average diameter (d)/average diameter (c)) is more than the said lower limit, a processus|protrusion becomes difficult to bend excessively. When the ratio (average diameter (d)/average diameter (c)) is equal to or less than the upper limit, the connection reliability is further improved.

상기 돌기의 높이의 중앙 위치에서의 평균 직경(d)은, 금속 함유 입자 1개에 포함되는 돌기의 높이의 중앙 위치에서의 직경의 평균이다. 돌기의 높이의 중앙 위치에서의 직경은, 돌기의 높이의 중앙 위치의 각각의 최대 직경이다.The average diameter d at the central position of the heights of the projections is an average of the diameters at the central positions of the heights of the projections contained in one metal-containing particle. The diameter at the central position of the height of the projection is the respective maximum diameter of the central position of the height of the projection.

돌기의 과도한 꺾임을 억제하고, 돌기에 의한 용융 접합성을 한층 더 높여, 접속 신뢰성을 효과적으로 높이는 관점에서는, 복수의 상기 돌기의 형상은 침상 또는 구체의 일부 형상인 것이 바람직하다. 침상의 형상은 각추상, 원추상 또는 회전 포물면상인 것이 바람직하고, 원추상 또는 회전 포물면상인 것이 보다 바람직하고, 원추상인 것이 더욱 바람직한다. 상기 돌기의 형상은 각추상이어도 되고, 원추상이어도 되고, 회전 포물면상이어도 된다. 본 발명에서는, 회전 포물면상도 끝으로 갈수록 가늘어지는 침상에 포함된다. 회전 포물면상의 돌기에서는, 기부로부터 선단에 걸쳐 끝으로 갈수록 가늘어진다.From the viewpoint of suppressing excessive bending of the projections, further enhancing the fusion bonding property by the projections, and effectively improving the connection reliability, the shape of the plurality of projections is preferably a needle-like shape or a partial shape of a spherical body. It is preferable that the shape of an acicular shape is a pyramid shape, conical shape, or rotation parabolic shape, It is more preferable that it is conical shape or rotation parabolic shape, It is more preferable that it is conical shape. The shape of the said processus|protrusion may be prismatic, conical shape may be sufficient as it, and rotational parabolic shape may be sufficient as it. In the present invention, the rotational parabolic image is also included in the bed tapering toward the end. In a rotational parabolic protrusion, it tapers toward the end from the base to the front-end|tip.

상기 금속 함유 입자 1개당 상기 금속부의 외표면의 돌기는, 바람직하게는 3개 이상, 보다 바람직하게는 5개 이상이다. 상기 돌기의 수의 상한은 특별히 한정되지 않는다. 돌기의 수의 상한은 금속 함유 입자의 입자 직경 등을 고려하여 적절히 선택할 수 있다. 또한, 상기 금속 함유 입자에 포함되는 돌기는, 끝으로 갈수록 가늘어지는 침상이 아니어도 되고, 또한 상기 금속 함유 입자에 포함되는 돌기 전부가, 끝으로 갈수록 가늘어지는 침상일 필요는 없다.The number of protrusions on the outer surface of the metal part per one metal-containing particle is preferably 3 or more, more preferably 5 or more. The upper limit of the number of the projections is not particularly limited. The upper limit of the number of projections can be appropriately selected in consideration of the particle diameter of the metal-containing particles and the like. In addition, the projections included in the metal-containing particles may not be needle-like tapering toward the tip, and all projections included in the metal-containing particles do not need to be needle-like tapering toward the tip.

상기 금속 함유 입자 1개당 포함되는 돌기의 수에서 차지하는 끝으로 갈수록 가늘어지는 침상인 돌기의 수의 비율은, 바람직하게는 30% 이상, 보다 바람직하게는 50% 이상, 더욱 바람직하게는 60% 이상, 특히 바람직하게는 70% 이상, 특히 바람직하게는 80% 이상이다. 침상의 돌기의 수의 비율이 많을수록, 침상의 돌기에 의한 효과가 한층 더 효과적으로 얻어진다.The ratio of the number of acicular protrusions tapering toward the tip to the number of protrusions contained per one metal-containing particle is preferably 30% or more, more preferably 50% or more, still more preferably 60% or more, Especially preferably, it is 70 % or more, Especially preferably, it is 80 % or more. The greater the ratio of the number of needle-like projections, the more effectively the effect of the needle-like projections is obtained.

금속부의 외표면의 표면적 전체 100% 중, 돌기가 있는 부분의 표면적의 비율(x)은 바람직하게는 10% 이상, 보다 바람직하게는 20% 이상, 더욱 바람직하게는 30% 이상이며, 바람직하게는 90% 이하, 보다 바람직하게는 80% 이하, 더욱 바람직하게는 70% 이하이다. 돌기가 있는 부분의 표면적의 비율이 많을수록, 돌기에 의한 효과가 한층 더 효과적으로 얻어진다.The ratio (x) of the surface area of the protruding portion out of 100% of the total surface area of the outer surface of the metal part is preferably 10% or more, more preferably 20% or more, still more preferably 30% or more, and preferably It is 90 % or less, More preferably, it is 80 % or less, More preferably, it is 70 % or less. The greater the ratio of the surface area of the protrusion, the more effectively the effect of the protrusion is obtained.

접속 신뢰성을 효과적으로 높이는 관점에서는, 금속부의 외표면의 표면적 전체 100% 중, 침상의 돌기가 있는 부분의 표면적의 비율은 바람직하게는 10% 이상, 보다 바람직하게는 20% 이상, 더욱 바람직하게는 30% 이상이며, 바람직하게는 90% 이하, 보다 바람직하게는 80% 이하, 더욱 바람직하게는 70% 이하이다. 침상의 돌기가 있는 부분의 표면적의 비율이 많을수록, 돌기에 의한 효과가 한층 더 효과적으로 얻어진다.From the viewpoint of effectively improving the connection reliability, the ratio of the surface area of the needle-like protrusion to 100% of the total surface area of the outer surface of the metal part is preferably 10% or more, more preferably 20% or more, still more preferably 30% or more. % or more, preferably 90% or less, more preferably 80% or less, still more preferably 70% or less. The more the ratio of the surface area of the needle-like protrusion is, the more effectively the effect of the protrusion is obtained.

복수의 상기 볼록부의 꼭지각의 평균(A)은 바람직하게는 10° 이상, 보다 바람직하게는 20° 이상이며, 바람직하게는 60° 이하, 보다 바람직하게는 45° 이하이다. 상기 꼭지각의 평균(A)이 상기 하한 이상이면, 볼록부가 과도하게 꺾이기 어려워진다. 상기 꼭지각의 평균(A)이 상기 상한 이하이면, 용융 온도가 한층 더 낮아진다. 또한, 꺾인 볼록부는 도전 접속 시에 전극간의 접속 저항을 상승시키는 경우가 있다.The average (A) of the vertex angles of the plurality of convex portions is preferably 10° or more, more preferably 20° or more, preferably 60° or less, and more preferably 45° or less. When the average (A) of the vertex angles is equal to or greater than the lower limit, the convex portions are unlikely to be excessively bent. When the average (A) of the vertex angles is equal to or less than the upper limit, the melting temperature is further lowered. Moreover, the bent convex part may raise the connection resistance between electrodes at the time of a conductive connection.

상기 볼록부의 상기 꼭지각의 평균(A)은, 금속 함유 입자 1개에 포함되는 볼록부의 각각의 꼭지각을 평균함으로써 구해진다.The average (A) of the vertex angles of the convex portions is obtained by averaging the vertex angles of the convex portions included in one metal-containing particle.

복수의 상기 볼록부의 평균 높이(B)는 바람직하게는 5nm 이상, 보다 바람직하게는 50nm 이상이며, 바람직하게는 5000nm 이하, 보다 바람직하게는 1000nm 이하, 더욱 바람직하게는 800nm 이하이다. 상기 볼록부의 평균 높이(B)가 상기 하한 이상이면, 용융 온도가 한층 더 낮아진다. 상기 볼록부의 평균 높이(B)가 상기 상한 이하이면, 볼록부가 과도하게 꺾이기 어려워진다.The average height (B) of the plurality of convex portions is preferably 5 nm or more, more preferably 50 nm or more, preferably 5000 nm or less, more preferably 1000 nm or less, still more preferably 800 nm or less. When the average height B of the said convex part is more than the said minimum, a melting temperature becomes still lower. When the average height B of the said convex part is below the said upper limit, it becomes difficult for a convex part to bend excessively.

상기 볼록부의 평균 높이(B)는 금속 함유 입자 1개에 포함되는 볼록부의 높이의 평균이다. 상기 볼록부의 높이는, 금속 함유 입자의 중심과 볼록부의 선단을 연결하는 선(도 8에 나타내는 파선 L1) 상에서의, 볼록부가 없다고 상정한 경우의 금속부의 가상선(도 8에 나타내는 파선 L2) 상(볼록부가 없다고 상정한 경우의 구상의 금속 함유 입자의 외표면 상)으로부터 볼록부의 선단까지의 거리를 나타낸다. 즉, 도 8에 있어서는, 파선 L1과 파선 L2의 교점으로부터 볼록부의 선단까지의 거리를 나타낸다.The average height B of the convex portions is an average of the heights of the convex portions included in one metal-containing particle. The height of the convex part is on a line (dashed line L1 shown in Fig. 8) connecting the center of the metal-containing particle and the tip of the convex part on an imaginary line (dashed line L2 shown in Fig. 8) of the metal part when it is assumed that there is no convex part ( The distance from the outer surface) of the spherical metal-containing particle|grains at the time of assuming that there is no convex part to the front-end|tip of a convex part is shown. That is, in FIG. 8, the distance from the intersection of the broken line L1 and the broken line L2 to the front-end|tip of a convex part is shown.

복수의 상기 볼록부의 기부의 평균 직경(C)은 바람직하게는 3nm 이상, 보다 바람직하게는 5nm 이상, 더욱 바람직하게는 50nm 이상이며, 바람직하게는 5000nm 이하, 보다 바람직하게는 1000nm 이하, 더욱 바람직하게는 800nm 이하이다. 상기 평균 직경(C)이 상기 하한 이상이면, 볼록부가 과도하게 꺾이기 어려워진다. 상기 평균 직경(C)이 상기 상한 이하이면, 접속 신뢰성이 한층 더 높아진다.The average diameter (C) of the bases of the plurality of convex portions is preferably 3 nm or more, more preferably 5 nm or more, still more preferably 50 nm or more, preferably 5000 nm or less, more preferably 1000 nm or less, still more preferably is less than 800 nm. When the said average diameter C is more than the said minimum, a convex part becomes difficult to bend excessively. Connection reliability becomes still higher that the said average diameter C is below the said upper limit.

상기 볼록부의 기부의 평균 직경(C)은, 금속 함유 입자 1개에 포함되는 볼록부의 기부의 직경의 평균이다. 기부의 직경은 볼록부에서의 기부의 각각의 최대 직경이다. 금속 함유 입자의 중심과 볼록부의 선단을 연결하는 선(도 8에 나타내는 파선 L1) 상에서의, 볼록부가 없다고 상정한 경우의 금속부의 가상선 부분(도 8에 나타내는 파선 L2)의 단부가, 상기 볼록부의 기부이며, 상기 가상선 부분의 단부간 거리(단부를 직선으로 연결한 거리)가 기부의 직경이다.The average diameter (C) of the base of the convex part is an average of the diameter of the base of the convex part contained in one metal-containing particle. The diameter of the base is the respective maximum diameter of the base in the convex portion. On the line connecting the center of the metal-containing particle and the tip of the convex part (dashed line L1 shown in Fig. 8), the edge of the imaginary line portion (dashed line L2 shown in Fig. 8) of the metal part when it is assumed that there is no convex part is the convex It is a negative base, and the distance between the ends of the said imaginary line part (a distance connecting the ends by a straight line) is the diameter of the base.

복수의 상기 볼록부의 높이의 중앙 위치에서의 평균 직경(D)의, 복수의 상기 볼록부의 기부의 평균 직경(C)에 대한 비(평균 직경(D)/평균 직경(C))는 바람직하게는 1/5 이상, 보다 바람직하게는 1/4 이상, 더욱 바람직하게는 1/3 이상이며, 바람직하게는 4/5 이하, 보다 바람직하게는 3/4 이하, 더욱 바람직하게는 2/3 이하이다. 상기 비(평균 직경(D)/평균 직경(C))가 상기 하한 이상이면, 볼록부가 과도하게 꺾이기 어려워진다. 상기 비(평균 직경(D)/평균 직경(C))가 상기 상한 이하이면, 접속 신뢰성이 한층 더 높아진다.Preferably, the ratio (average diameter (D)/average diameter (C)) of the average diameter (D) at the central position of the heights of the plurality of convex portions to the average diameter (C) of the bases of the plurality of convex portions 1/5 or more, more preferably 1/4 or more, still more preferably 1/3 or more, preferably 4/5 or less, more preferably 3/4 or less, still more preferably 2/3 or less. . When the said ratio (average diameter (D)/average diameter (C)) is more than the said lower limit, a convex part becomes difficult to bend excessively. Connection reliability becomes still higher that the said ratio (average diameter (D)/average diameter (C)) is below the said upper limit.

상기 볼록부의 높이의 중앙 위치에서의 평균 직경(D)은, 금속 함유 입자 1개에 포함되는 볼록부의 높이의 중앙 위치에서의 직경의 평균이다. 볼록부의 높이의 중앙 위치에서의 직경은, 볼록부의 높이의 중앙 위치의 각각의 최대 직경이다.The average diameter D at the central position of the height of the convex portion is an average of the diameters at the central position of the height of the convex portion contained in one metal-containing particle. The diameter at the central position of the height of the convex portion is each maximum diameter at the central position of the height of the convex portion.

볼록부의 과도한 꺾임을 억제하고, 볼록부에 의한 용융 접합성을 한층 더 높여, 접속 신뢰성을 효과적으로 높이는 관점에서는, 복수의 상기 볼록부의 형상은 침상 또는 구체의 일부 형상인 것이 바람직하다. 침상의 형상은 각추상, 원추상 또는 회전 포물면상인 것이 바람직하고, 원추상 또는 회전 포물면상인 것이 보다 바람직하고, 원추상인 것이 더욱 바람직한다. 상기 볼록부의 형상은 각추상이어도 되고, 원추상이어도 되고, 회전 포물면상이어도 된다. 본 발명에서는, 회전 포물면상도 끝으로 갈수록 가늘어지는 침상에 포함된다. 회전 포물면상의 볼록부에서는, 기부부터 선단에 걸쳐 끝으로 갈수록 가늘어진다.From a viewpoint of suppressing excessive bending of a convex part, further improving the melt bondability by a convex part, and improving connection reliability effectively, it is preferable that the shape of several said convex part is a needle shape or a part shape of a spherical shape. It is preferable that the shape of an acicular shape is a pyramid shape, conical shape, or rotation parabolic shape, It is more preferable that it is conical shape or rotation parabolic shape, It is more preferable that it is conical shape. The shape of the said convex part may be prismatic, conical shape may be sufficient as it, and rotational parabolic shape may be sufficient as it. In the present invention, the rotational parabolic image is also included in the bed tapering toward the end. In the convex portion on the rotational parabolic surface, from the base to the tip, it becomes tapered toward the end.

상기 금속 함유 입자 1개당 상기 금속부의 외표면의 볼록부는, 바람직하게는 3개 이상, 보다 바람직하게는 5개 이상이다. 상기 볼록부의 수의 상한은 특별히 한정되지 않는다. 볼록부의 수의 상한은 금속 함유 입자의 입자 직경 등을 고려하여 적절히 선택할 수 있다. 또한, 상기 금속 함유 입자에 포함되는 볼록부는, 끝으로 갈수록 가늘어지는 침상이 아니어도 되고, 상기 금속 함유 입자에 포함되는 볼록부 전부가, 끝으로 갈수록 가늘어지는 침상일 필요는 없다.The number of convex portions on the outer surface of the metal portion per one metal-containing particle is preferably 3 or more, more preferably 5 or more. The upper limit of the number of the said convex parts is not specifically limited. The upper limit of the number of convex portions can be appropriately selected in consideration of the particle diameter of the metal-containing particles and the like. In addition, the convex portions included in the metal-containing particles may not be needle-shaped tapering toward the tip, and all of the convex portions included in the metal-containing particles do not need to be needle-shaped tapering toward the tip.

상기 금속 함유 입자 1개당 포함되는 볼록부의 수에서 차지하는 끝으로 갈수록 가늘어지는 침상인 볼록부의 수의 비율은, 바람직하게는 30% 이상, 보다 바람직하게는 50% 이상, 더욱 바람직하게는 60% 이상, 특히 바람직하게는 70% 이상, 특히 바람직하게는 80% 이상이다. 침상의 볼록부의 수의 비율이 많을수록, 침상의 볼록부에 의한 효과가 한층 더 효과적으로 얻어진다.The ratio of the number of acicular convex portions tapering toward the tip to the number of convex portions included per one metal-containing particle is preferably 30% or more, more preferably 50% or more, still more preferably 60% or more, Especially preferably, it is 70 % or more, Especially preferably, it is 80 % or more. The greater the ratio of the number of needle-shaped convex portions, the more effectively the effect of the needle-shaped convex portions is obtained.

금속부의 외표면의 표면적 전체 100% 중, 볼록부가 있는 부분의 표면적의 비율(X)은 바람직하게는 10% 이상, 보다 바람직하게는 20% 이상, 더욱 바람직하게는 30% 이상이며, 바람직하게는 90% 이하, 보다 바람직하게는 80% 이하, 더욱 바람직하게는 70% 이하이다. 볼록부가 있는 부분의 표면적의 비율이 많을수록, 볼록부 상의 돌기에 의한 효과가 한층 더 효과적으로 얻어진다.The ratio (X) of the surface area of the convex portion among 100% of the total surface area of the outer surface of the metal part is preferably 10% or more, more preferably 20% or more, still more preferably 30% or more, and preferably It is 90 % or less, More preferably, it is 80 % or less, More preferably, it is 70 % or less. The greater the ratio of the surface area of the convex portion, the more effectively the effect due to the projection on the convex portion is obtained.

접속 신뢰성을 효과적으로 높이는 관점에서는, 금속부의 외표면의 표면적 전체 100% 중, 침상의 볼록부가 있는 부분의 표면적의 비율은 바람직하게는 10% 이상, 보다 바람직하게는 20% 이상, 더욱 바람직하게는 30% 이상이며, 바람직하게는 90% 이하, 보다 바람직하게는 80% 이하, 더욱 바람직하게는 70% 이하이다. 침상의 볼록부가 있는 부분의 표면적의 비율이 많을수록, 볼록부 상의 돌기에 의한 효과가 한층 더 효과적으로 얻어진다.From the viewpoint of effectively improving the connection reliability, the ratio of the surface area of the needle-shaped convex portion to 100% of the total surface area of the outer surface of the metal part is preferably 10% or more, more preferably 20% or more, still more preferably 30% or more. % or more, preferably 90% or less, more preferably 80% or less, still more preferably 70% or less. The greater the ratio of the surface area of the needle-like convex portion, the more effectively the effect of the projection on the convex portion is obtained.

복수의 상기 볼록부의 평균 높이(B)의, 복수의 상기 돌기의 평균 높이(b)에 대한 비(평균 높이(B)/평균 높이(b))는, 바람직하게는 5 이상, 보다 바람직하게는 10 이상이며, 바람직하게는 1000 이하, 보다 바람직하게는 800 이하이다. 상기 비(평균 높이(B)/평균 높이(b))가 상기 하한 이상이면, 접속 신뢰성이 한층 더 높아진다. 상기 비(평균 높이(B)/평균 높이(b))가 상기 상한 이하이면, 볼록부가 과도하게 꺾이기 어려워진다.The ratio (average height (B)/average height (b)) of the average height (B) of the plurality of projections to the average height (b) of the plurality of projections is preferably 5 or more, more preferably It is 10 or more, Preferably it is 1000 or less, More preferably, it is 800 or less. When the said ratio (average height (B)/average height (b)) is more than the said minimum, connection reliability becomes still higher. When the said ratio (average height B/average height b) is below the said upper limit, a convex part becomes difficult to bend excessively.

복수의 상기 돌기를 갖는 상기 금속부가, 금속 또는 합금의 결정 배향에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 후술하는 실시예에서는, 금속부는 금속 또는 합금의 결정 배향에 의해 형성되어 있다.It is preferable that the said metal part which has a some said processus|protrusion is formed by the crystal orientation of a metal or an alloy. In addition, in the Example mentioned later, the metal part is formed by the crystal orientation of a metal or an alloy.

접속 신뢰성을 효과적으로 높이는 관점에서는, 상기 금속 함유 입자를 10% 압축하였을 때의 압축 탄성률(10% K값)은 바람직하게는 100N/mm2 이상, 보다 바람직하게는 1000N/mm2 이상, 바람직하게는 25000N/mm2 이하, 보다 바람직하게는 10000N/mm2 이하, 보다 바람직하게는 8000N/mm2 이하이다.From the standpoint to increase the connection reliability effectively, the compression modulus (10% K value) when compressing the metal-containing particles of 10% is preferably 100N / mm 2 or more, more preferably 1000N / mm 2 or more, preferably 25000N / mm 2 or less, and more preferably at 10000N / mm 2, more preferably at most 8000N / mm 2 or less.

상기 금속 함유 입자의 상기 압축 탄성률(10% K값)은 이하와 같이 하여 측정할 수 있다.The said compressive modulus (10% K value) of the said metal containing particle|grains can be measured as follows.

미소 압축 시험기를 사용하여, 원주(직경 100㎛, 다이아몬드제)의 평활 압자 단부면으로, 25℃, 압축 속도 0.3mN/초 및 최대 시험 하중 20mN의 조건 하에서 금속 함유 입자를 압축한다. 이 때의 하중값(N) 및 압축 변위(mm)를 측정한다. 얻어진 측정값으로부터, 상기 압축 탄성률을 하기 식에 의해 구할 수 있다. 상기 미소 압축 시험기로서, 예를 들어 피셔사제 「피셔 스코프 H-100」 등이 사용된다.Using a micro compression tester, the metal-containing particles are compressed with a smooth indenter end face of a circumference (100 µm in diameter, made of diamond) under conditions of 25°C, a compression rate of 0.3 mN/sec, and a maximum test load of 20 mN. At this time, the load value (N) and the compression displacement (mm) are measured. From the obtained measured value, the said compressive elastic modulus can be calculated|required by a following formula. As said micro compression tester, "Fischer Scope H-100" by a Fischer company etc. is used, for example.

10% K값(N/mm2)= (3/21/2)ㆍFㆍS-3/2ㆍR-1/2 10% K value (N/mm 2 )= (3/2 1/2 )·F·S -3/2 ·R -1/2

F: 금속 함유 입자가 10% 압축 변형되었을 때의 하중값(N)F: Load value (N) when metal-containing particles are compressed by 10%

S: 금속 함유 입자가 10% 압축 변형되었을 때의 압축 변위(mm)S: Compressive displacement (mm) when metal-containing particles compressively deform 10%

R: 금속 함유 입자의 반경(mm)R: Radius of metal-containing particles (mm)

상기 돌기의 X선 회절에서의 (111)면의 비율이 50% 이상인 것이 바람직하다.It is preferable that the ratio of the (111) plane in the X-ray diffraction of the projections is 50% or more.

이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, specific embodiment of this invention is described, referring drawings.

도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 금속 함유 입자를 모식적으로 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing metal-containing particles according to a first embodiment of the present invention.

도 1에 도시한 바와 같이, 금속 함유 입자(1)는 기재 입자(2)와 금속부(3)를 구비한다.As shown in FIG. 1 , the metal-containing particle 1 includes the substrate particle 2 and the metal part 3 .

금속부(3)는 기재 입자(2)의 표면 상에 배치되어 있다. 금속 함유 입자(1)는 기재 입자(2)의 표면이 금속부(3)에 의해 피복된 피복 입자이다. 금속부(3)는 연속 피막이다.The metal part 3 is arrange|positioned on the surface of the substrate particle 2. The metal-containing particle|grain 1 is the covering particle|grain by which the surface of the substrate particle 2 was coat|covered with the metal part 3. The metal part 3 is a continuous film.

금속 함유 입자(1)는 금속부(3)의 외표면에 복수의 돌기(1a)를 갖는다. 금속부(3)는 외표면에 복수의 돌기(3a)를 갖는다. 복수의 돌기(1a, 3a)의 형상은 끝으로 갈수록 가늘어지는 침상이며, 본 실시 형태에서는 원추상이다. 본 실시 형태에서는, 돌기(1a, 3a)의 선단이 400℃ 이하에서 용융 가능하다. 금속부(3)는 제1 부분과, 해당 제1 부분보다도 두께가 두꺼운 제2 부분을 갖는다. 복수의 돌기(1a, 3a)를 제외한 부분이 금속부(3)의 상기 제1 부분이다. 복수의 돌기(1a, 3a)는, 금속부(3)의 두께가 두꺼운 상기 제2 부분이다.The metal-containing particle 1 has a plurality of projections 1a on the outer surface of the metal part 3 . The metal part 3 has a plurality of projections 3a on the outer surface. The shape of the plurality of projections 1a, 3a is a needle-shaped tapering toward the end, and in the present embodiment is conical. In this embodiment, the tips of the projections 1a and 3a can be melted at 400°C or less. The metal part 3 has a 1st part and a 2nd part thicker than this 1st part. A portion excluding the plurality of projections 1a and 3a is the first portion of the metal part 3 . The plurality of projections 1a and 3a is the second portion where the thickness of the metal portion 3 is thick.

도 2는, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 금속 함유 입자를 모식적으로 나타내는 단면도이다.2 is a cross-sectional view schematically showing metal-containing particles according to a second embodiment of the present invention.

도 2에 도시한 바와 같이, 금속 함유 입자(1A)는 기재 입자(2)와 금속부(3A)를 구비한다.As shown in FIG. 2, 1 A of metal containing particle|grains are equipped with the substrate particle 2 and 3 A of metal parts.

금속부(3A)는 기재 입자(2)의 표면 상에 배치되어 있다. 금속 함유 입자(1A)는 금속부(3A)의 외표면에 복수의 돌기(1Aa)를 갖는다. 금속부(3A)는 외표면에 복수의 돌기(3Aa)를 갖는다. 복수의 돌기(1Aa, 3Aa)의 형상은 끝으로 갈수록 가늘어지는 침상이며, 본 실시 형태에서는 회전 포물면상이다. 본 실시 형태에서는, 돌기(1Aa, 3Aa)의 선단이 400℃ 이하에서 용융 가능하다.The metal part 3A is arrange|positioned on the surface of the substrate particle 2. The metal-containing particles 1A have a plurality of projections 1Aa on the outer surface of the metal portion 3A. The metal part 3A has a plurality of projections 3Aa on its outer surface. The shape of the plurality of projections 1Aa, 3Aa is a needle-shaped tapering toward the end, and in the present embodiment is a rotational parabolic shape. In this embodiment, the tips of the projections 1Aa and 3Aa can be melted at 400°C or less.

금속 함유 입자(1, 1A)와 같이, 상기 금속부에서의 복수의 돌기의 형상은, 끝으로 갈수록 가늘어지는 침상인 것이 바람직하고, 원추상이어도 되고, 회전 포물면상이어도 된다.As with the metal-containing particles 1 and 1A, the shape of the plurality of projections on the metal portion is preferably needle-like, tapering toward the tip, and may be conical or parabolic in shape.

도 3은, 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 금속 함유 입자를 모식적으로 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view schematically showing metal-containing particles according to a third embodiment of the present invention.

도 3에 도시한 바와 같이, 금속 함유 입자(1B)는 기재 입자(2)와 금속부(3B)를 구비한다.As shown in FIG. 3, the metal containing particle|grains 1B are equipped with the substrate particle 2 and the metal part 3B.

금속부(3B)는 기재 입자(2)의 표면 상에 배치되어 있다. 금속 함유 입자(1B)는 금속부(3B)의 외표면에 복수의 돌기(1Ba)를 갖는다. 금속부(3B)는 외표면에 복수의 돌기(3Ba)를 갖는다. 복수의 돌기(1Ba, 3Ba)의 형상은 구체의 일부 형상이다. 금속부(3B)는 외표면 상에 일부가 노출되도록 매립된 금속 입자(3BX)를 갖는다. 금속 입자(3BX)가 노출되어 있는 부분이, 돌기(1Ba, 3Ba)를 구성하고 있다. 본 실시 형태에서는, 돌기(1Ba, 3Ba)의 선단이 400℃ 이하에서 용융 가능하다.The metal part 3B is arrange|positioned on the surface of the substrate particle 2. The metal-containing particles 1B have a plurality of projections 1Ba on the outer surface of the metal portion 3B. The metal portion 3B has a plurality of projections 3Ba on its outer surface. The shape of the plurality of projections 1Ba and 3Ba is a partial shape of a sphere. The metal part 3B has metal particles 3BX embedded so that a part thereof is exposed on the outer surface. The part where the metal particle 3BX is exposed constitutes the projections 1Ba and 3Ba. In this embodiment, the tips of the projections 1Ba and 3Ba can be melted at 400°C or less.

금속 함유 입자(1B)와 같이, 돌기를 작게 함으로써, 돌기의 형상은 끝으로 갈수록 가늘어지는 침상이 아니어도 되고, 예를 들어 구체의 일부 형상이어도 된다.As in the case of the metal-containing particles 1B, by making the projections small, the shape of the projections does not need to be a needle-like shape that tapers toward the end, for example, it may be a partial shape of a spherical body.

도 4는, 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 금속 함유 입자를 모식적으로 나타내는 단면도이다.4 is a cross-sectional view schematically showing metal-containing particles according to a fourth embodiment of the present invention.

도 4에 도시한 바와 같이, 금속 함유 입자(1C)는 기재 입자(2)와 금속부(3C)를 구비한다.As shown in FIG. 4, 1 C of metal containing particle|grains are equipped with the substrate particle 2 and 3 C of metal parts.

금속 함유 입자(1)와 금속 함유 입자(1C)는 금속부만이 상이하다. 즉, 금속 함유 입자(1)에서는 1층 구조의 금속부(3)가 형성되어 있는 것에 비해, 금속 함유 입자(1C)에서는 2층 구조의 금속부(3C)가 형성되어 있다.The metal-containing particles 1 and the metal-containing particles 1C differ only in the metal portion. That is, in the metal-containing particle 1 , the metal part 3 having a one-layer structure is formed, whereas in the metal-containing particle 1C, the metal part 3C having a two-layer structure is formed.

금속부(3C)는 제1 금속부(3CA) 및 제2 금속부(3CB)를 갖는다. 제1, 제2 금속부(3CA, 3CB)는 기재 입자(2)의 표면 상에 배치되어 있다. 기재 입자(2)와 제2 금속부(3CB) 사이에 제1 금속부(3CA)가 배치되어 있다. 따라서, 기재 입자(2)의 표면 상에 제1 금속부(3CA)가 배치되어 있고, 제1 금속부(3CA)의 외표면 상에 제2 금속부(3CB)가 배치되어 있다. 제1 금속부(3CA)의 외형은 구형이다. 금속 함유 입자(1C)는 금속부(3C)의 외표면에 복수의 돌기(1Ca)를 갖는다. 금속부(3C)는 외표면에 복수의 돌기(3Ca)를 갖는다. 제2 금속부(3CB)는 외표면에 복수의 돌기를 갖는다. 복수의 돌기(1Ca, 3Ca)의 형상은 끝으로 갈수록 가늘어지는 침상이며, 본 실시 형태에서는 원추상이다. 본 실시 형태에서는, 돌기(1Ca, 3Ca)의 선단이 400℃ 이하에서 용융 가능하다. 내측의 제1 금속부가 외표면에 복수의 돌기를 갖고 있어도 된다.The metal part 3C has a first metal part 3CA and a second metal part 3CB. 1st, 2nd metal part 3CA, 3CB is arrange|positioned on the surface of the substrate particle 2 . 1st metal part 3CA is arrange|positioned between the substrate particle 2 and 2nd metal part 3CB. Therefore, 1st metal part 3CA is arrange|positioned on the surface of the substrate particle 2, and 2nd metal part 3CB is arrange|positioned on the outer surface of 1st metal part 3CA. The first metal part 3CA has a spherical shape. The metal-containing particles 1C have a plurality of projections 1Ca on the outer surface of the metal part 3C. The metal part 3C has a plurality of projections 3Ca on the outer surface. The second metal part 3CB has a plurality of projections on the outer surface. The shape of the plurality of projections 1Ca and 3Ca is a needle-like tapering end, and in the present embodiment is conical. In this embodiment, the tips of the projections 1Ca and 3Ca can be melted at 400°C or lower. The inner 1st metal part may have a some processus|protrusion on the outer surface.

도 5는, 본 발명의 제5 실시 형태에 따른 금속 함유 입자를 모식적으로 나타내는 단면도이다.5 is a cross-sectional view schematically showing metal-containing particles according to a fifth embodiment of the present invention.

도 5에 도시한 바와 같이, 금속 함유 입자(1D)는 기재 입자(2)와 금속부(3D)를 구비한다.As shown in FIG. 5, metal containing particle|grains 1D are equipped with the substrate particle 2 and the metal part 3D.

금속부(3D)는 기재 입자(2)의 표면 상에 배치되어 있다. 금속 함유 입자(1D)는 금속부(3D)의 외표면에 복수의 돌기(1Da)를 갖는다. 금속 함유 입자(1D)는 금속부(3D)의 외표면에 복수의 볼록부(제1 돌기)(3Da)를 갖는다. 금속부(3D)는 외표면에 복수의 볼록부(제1 돌기)(3Da)를 갖는다. 금속부(3D)는, 볼록부(제1 돌기)(3Da)의 외표면에 볼록부(제1 돌기)(3Da)보다도 작은 돌기(3Db)(제2 돌기)를 갖는다. 볼록부(제1 돌기)(3Da)와 돌기(3Db)(제2 돌기)는 일체화되어 있고, 연결되어 있다. 본 실시 형태에서는, 돌기(3Db)(제2 돌기)의 선단 직경이 작고, 돌기(3Db)(제2 돌기)의 선단이 400℃ 이하에서 용융 가능하다.The metal part 3D is arrange|positioned on the surface of the substrate particle 2. The metal-containing particles 1D have a plurality of projections 1Da on the outer surface of the metal part 3D. The metal-containing particles 1D have a plurality of convex portions (first projections) 3Da on the outer surface of the metal portion 3D. The metal part 3D has a plurality of convex parts (first protrusions) 3Da on the outer surface. The metal portion 3D has a projection 3Db (second projection) smaller than the projection (first projection) 3Da on the outer surface of the projection (first projection) 3Da. The projections (first projections) 3Da and projections 3Db (second projections) are integrated and connected. In the present embodiment, the tip diameter of the projection 3Db (second projection) is small, and the tip of the projection 3Db (second projection) can be melted at 400°C or less.

도 6은, 본 발명의 제6 실시 형태에 따른 금속 함유 입자를 모식적으로 나타내는 단면도이다.6 is a cross-sectional view schematically showing metal-containing particles according to a sixth embodiment of the present invention.

도 6에 도시한 바와 같이, 금속 함유 입자(1E)는 기재 입자(2)와 금속부(3E)와 코어 물질(4E)를 구비한다.As shown in FIG. 6, the metal containing particle|grains 1E are equipped with the substrate particle 2, the metal part 3E, and the core substance 4E.

금속부(3E)는 기재 입자(2)의 표면 상에 배치되어 있다. 금속 함유 입자(1E)는 금속부(3E)의 외표면에 복수의 돌기(1Ea)를 갖는다. 금속 함유 입자(1E)는 금속부(3E)의 외표면에 복수의 볼록부(제1 돌기)(3Ea)를 갖는다. 금속부(3E)는 외표면에 복수의 볼록부(제1 돌기)(3Ea)를 갖는다. 금속부(3E)는, 볼록부(제1 돌기)(3Ea)의 외표면에 볼록부(제1 돌기)(3Ea)보다도 작은 돌기(3Eb)(제2 돌기)를 갖는다. 볼록부(제1 돌기)(3Ea)와 돌기(3Eb)(제2 돌기)는 일체화되어 있고, 연결되어 있다. 본 실시 형태에서는, 돌기(3Eb)(제2 돌기)의 선단 직경이 작고, 돌기(3Eb)(제2 돌기)의 선단이 400℃ 이하에서 용융 가능하다.The metal part 3E is arrange|positioned on the surface of the substrate particle 2. The metal-containing particles 1E have a plurality of projections 1Ea on the outer surface of the metal portion 3E. The metal-containing particles 1E have a plurality of convex portions (first projections) 3Ea on the outer surface of the metal portion 3E. The metal portion 3E has a plurality of convex portions (first projections) 3Ea on its outer surface. The metal part 3E has a projection 3Eb (second projection) smaller than the projection (first projection) 3Ea on the outer surface of the projection (first projection) 3Ea. The projections (first projections) 3Ea and projections 3Eb (second projections) are integrated and connected. In this embodiment, the tip diameter of the projection 3Eb (second projection) is small, and the tip of the projection 3Eb (second projection) can be melted at 400°C or less.

복수의 코어 물질(4E)이 기재 입자(2)의 외표면 상에 배치되어 있다. 복수의 코어 물질(4E)은 금속부(3E)의 내측에 배치되어 있다. 복수의 코어 물질(4E)은 금속부(3E)의 내측에 매립되어 있다. 코어 물질(4E)은 볼록부(3Ea)의 내측에 배치되어 있다. 금속부(3E)는 복수의 코어 물질(4E)를 피복하고 있다. 복수의 코어 물질(4E)에 의해, 금속부(3E)의 외표면이 융기되어 있으며, 볼록부(3Ea)가 형성되어 있다.A plurality of core substances 4E are disposed on the outer surface of the substrate particle 2 . The plurality of core materials 4E are disposed inside the metal portion 3E. A plurality of core materials 4E are embedded inside the metal portion 3E. The core material 4E is disposed inside the convex portion 3Ea. The metal portion 3E covers the plurality of core materials 4E. The outer surface of the metal part 3E is raised by the some core substance 4E, and the convex part 3Ea is formed.

금속 원자 함유 입자(1E)와 같이, 금속 함유 입자는, 금속부의 외표면을 융기시키고 있는 복수의 코어 물질을 구비하고 있어도 된다.Like the metal atom-containing particles 1E, the metal-containing particles may include a plurality of core substances in which the outer surface of the metal portion is raised.

도 7은, 본 발명의 제7 실시 형태에 따른 금속 함유 입자를 모식적으로 나타내는 단면도이다.7 is a cross-sectional view schematically showing metal-containing particles according to a seventh embodiment of the present invention.

도 7에 도시한 바와 같이, 금속 함유 입자(1F)는 기재 입자(2)와 금속부(3F)를 구비한다.As shown in FIG. 7, the metal containing particle|grains 1F are equipped with the substrate particle 2 and the metal part 3F.

금속부(3F)는 기재 입자(2)의 표면 상에 배치되어 있다. 금속 함유 입자(1F)는 금속부(3F)의 외표면에 복수의 돌기(1Fa)를 갖는다. 금속부(3F)는, 볼록부(제1 돌기)(3Fa)의 외표면에 볼록부(제1 돌기)(3Fa)보다도 작은 돌기(3Fb)(제2 돌기)를 갖는다. 볼록부(제1 돌기)(3Fa)와 돌기(3Fb)(제2 돌기)는 일체화되어 있지 않다. 본 실시 형태에서는, 돌기(3Fb)(제2 돌기)의 선단 직경이 작고, 돌기(3Fb)(제2 돌기)의 선단이 400℃ 이하에서 용융 가능하다.The metal part 3F is arrange|positioned on the surface of the substrate particle 2. The metal-containing particles 1F have a plurality of projections 1Fa on the outer surface of the metal portion 3F. The metal portion 3F has a projection 3Fb (second projection) smaller than the projection (first projection) 3Fa on the outer surface of the projection (first projection) 3Fa. The projections (first projections) 3Fa and projections 3Fb (second projections) are not integrated. In the present embodiment, the tip diameter of the projection 3Fb (second projection) is small, and the tip of the projection 3Fb (second projection) can be melted at 400°C or less.

도 8은, 본 발명의 제8 실시 형태에 따른 금속 함유 입자를 모식적으로 나타내는 단면도이다.8 is a cross-sectional view schematically showing metal-containing particles according to an eighth embodiment of the present invention.

도 8에 도시한 바와 같이, 금속 함유 입자(1G)는 기재 입자(2)와 금속부(3G)를 구비한다.As shown in FIG. 8, metal-containing particle|grains 1G are equipped with the substrate particle 2 and the metal part 3G.

금속부(3G)는 제1 금속부(3GA) 및 제2 금속부(3GB)를 갖는다. 제1, 제2 금속부(3GA, 3GB)는 기재 입자(2)의 표면 상에 배치되어 있다. 기재 입자(2)와 제2 금속부(3GB) 사이에 제1 금속부(3GA)가 배치되어 있다. 따라서, 기재 입자(2)의 표면 상에 제1 금속부(3GA)가 배치되어 있고, 제1 금속부(3GA)의 외표면 상에 제2 금속부(3GB)가 배치되어 있다.The metal part 3G includes a first metal part 3GA and a second metal part 3GB. 1st, 2nd metal part 3GA, 3GB is arrange|positioned on the surface of the substrate particle 2 . 1st metal part 3GA is arrange|positioned between the substrate particle 2 and 2nd metal part 3GB. Therefore, 1st metal part 3GA is arrange|positioned on the surface of the substrate particle 2, and 2nd metal part 3GB is arrange|positioned on the outer surface of 1st metal part 3GA.

금속부(3G)는 기재 입자(2)의 표면 상에 배치되어 있다. 금속 함유 입자(1G)는 금속부(3G)의 외표면에 복수의 돌기(1Ga)를 갖는다. 금속 함유 입자(1G)는 금속부(3G)의 외표면에 복수의 볼록부(제1 돌기)(3Ga)를 갖는다. 금속부(3G)는, 볼록부(제1 돌기)(3Ga)의 외표면에 볼록부(제1 돌기)(3Ga)보다도 작은 돌기(3Gb)(제2 돌기)을 갖는다. 볼록부(제1 돌기)(3Ga)와 돌기(3Gb)(제2 돌기) 사이에 계면이 존재한다. 본 실시 형태에서는, 돌기(3Gb)(제2 돌기)의 선단 직경이 작고, 돌기(3Gb)(제2 돌기)의 선단이 400℃ 이하에서 용융 가능하다.Metal part 3G is arrange|positioned on the surface of the substrate particle 2. The metal-containing particles 1G have a plurality of projections 1Ga on the outer surface of the metal portion 3G. The metal-containing particles 1G have a plurality of convex portions (first projections) 3Ga on the outer surface of the metal portion 3G. The metal portion 3G has a projection 3Gb (second projection) smaller than the projection (first projection) 3Ga on the outer surface of the projection (first projection) 3Ga. An interface exists between the convex portion (first protrusion) 3Ga and the protrusion 3Gb (second protrusion). In the present embodiment, the tip diameter of the projection 3Gb (second projection) is small, and the tip of the projection 3Gb (second projection) can be melted at 400°C or less.

또한, 도 11 내지 14에, 실제로 제조된 금속 함유 입자의 화상을 나타냈다. 도 11 내지 14에 나타내는 금속 함유 입자는 금속부의 외표면에 복수의 돌기를 갖고, 복수의 해당 돌기의 선단은 400℃ 이하에서 용융 가능하다. 도 14에 나타내는 금속 함유 입자에서는, 금속부가 외표면에 복수의 볼록부를 갖고, 해당 볼록부의 외표면 상에 상기 볼록부보다도 작은 돌기를 갖는다.11 to 14, images of actually produced metal-containing particles were shown. The metal-containing particles shown in FIGS. 11 to 14 have a plurality of projections on the outer surface of the metal portion, and the tips of the plurality of projections can be melted at 400°C or lower. In the metal-containing particle|grains shown in FIG. 14, a metal part has a some convex part on the outer surface, and has a processus|protrusion smaller than the said convex part on the outer surface of this convex part.

또한, 도 15 내지 18에, 제조된 금속 함유 입자의 금속부의 돌기를 용융시킨 후 고화시킨 입자의 화상을 나타냈다. 도 18은, 도 14에 나타내는 금속 함유 입자의 금속부의 돌기의 선단을 용융시킨 후 고화시킨 입자이다.Also, Figs. 15 to 18 show images of the particles obtained by melting and then solidifying the projections of the metal parts of the prepared metal-containing particles. Fig. 18 is a particle obtained by melting and then solidifying the tip of the projection of the metal part of the metal-containing particle shown in Fig. 14 .

이하, 금속 함유 입자를 보다 자세하게 설명한다. 또한, 이하의 설명에서, 「(메트)아크릴」은 「아크릴」과 「메타크릴」 중 한쪽 또는 양쪽을 의미하고, 「(메트)아크릴레이트」는 「아크릴레이트」와 「메타크릴레이트」 중 한쪽 또는 양쪽을 의미한다.Hereinafter, the metal-containing particles will be described in more detail. In addition, in the following description, "(meth)acryl" means one or both of "acryl" and "methacryl", and "(meth)acrylate" is one of "acrylate" and "methacrylate" or both.

[기재 입자][substrate particles]

상기 기재 입자로서는, 수지 입자, 금속 입자를 제외한 무기 입자, 유기 무기 하이브리드 입자 및 금속 입자 등을 들 수 있다. 상기 기재 입자는 코어와, 해당 코어의 표면 상에 배치된 셸을 갖고 있어도 되고, 코어 셸 입자여도 된다. 상기 기재 입자는 금속 입자를 제외한 기재 입자인 것이 바람직하고, 수지 입자, 금속 입자를 제외한 무기 입자 또는 유기 무기 하이브리드 입자인 것이 보다 바람직하다.As said substrate particle, a resin particle, the inorganic particle except a metal particle, organic-inorganic hybrid particle|grains, a metal particle, etc. are mentioned. The said substrate particle may have a core and the shell arrange|positioned on the surface of this core, and core-shell particle|grains may be sufficient as it. It is preferable that it is a substrate particle except a metal particle, and, as for the said substrate particle, it is more preferable that they are an inorganic particle or organic-inorganic hybrid particle|grains except a resin particle and a metal particle.

상기 기재 입자는 수지 입자 또는 유기 무기 하이브리드 입자인 것이 더욱 바람직하고, 수지 입자여도 되고, 유기 무기 하이브리드 입자여도 된다. 이들 바람직한 기재 입자의 사용에 의해, 2개의 접속 대상 부재의 접속 용도에 적합한 금속 함유 입자가 얻어진다.As for the said substrate particle, it is more preferable that they are a resin particle or organic-inorganic hybrid particle|grains, and a resin particle may be sufficient as it, and an organic-inorganic hybrid particle|grain may be sufficient as it. By use of these preferable substrate particles, the metal-containing particle|grains suitable for the connection use of two connection object members are obtained.

상기 기재 입자가 수지 입자 또는 유기 무기 하이브리드 입자이면, 상기 금속 함유 입자가 변형되기 쉽고, 상기 금속 함유 입자의 유연성이 높아진다. 이 때문에, 접속 후에 충격 흡수성이 높아진다.When the said substrate particle is a resin particle or organic-inorganic hybrid particle|grains, the said metal containing particle|grains are easy to deform|transform, and the softness|flexibility of the said metal containing particle|grains becomes high. For this reason, the shock absorption property becomes high after connection.

상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지로서, 각종 유기물이 적합하게 사용된다. 상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리이소부틸렌, 폴리부타디엔 등의 폴리올레핀 수지; 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리메틸아크릴레이트 등의 아크릴 수지; 폴리알킬레텔레프탈레이트, 폴리카르보네이트, 폴리아미드, 페놀포름알데히드 수지, 멜라민포름알데히드 수지, 벤조구아나민포름알데히드 수지, 요소 포름알데히드 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지, 벤조구아나민 수지, 요소 수지, 에폭시 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 포화 폴리에스테르 수지, 폴리술폰, 폴리페닐렌옥시드, 폴리아세탈, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르술폰 및 에틸렌성 불포화기를 갖는 각종 중합성 단량체를 1종 또는 2종 이상 중합시켜 얻어지는 중합체 등을 들 수 있다. 2개의 접속 대상 부재의 접속 용도에 적합한 임의의 압축 시의 물성을 갖는 수지 입자를 설계 및 합성할 수 있으며, 또한 기재 입자의 경도를 적합한 범위로 용이하게 제어할 수 있으므로, 상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지는, 에틸렌성 불포화기를 복수 갖는 중합성 단량체를 1종 또는 2종 이상 중합시킨 중합체인 것이 바람직하다.As resin for forming the said resin particle, various organic substances are used suitably. Examples of the resin for forming the resin particles include polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyisobutylene, and polybutadiene; acrylic resins such as polymethyl methacrylate and polymethyl acrylate; Polyalkylreterephthalate, polycarbonate, polyamide, phenol formaldehyde resin, melamine formaldehyde resin, benzoguanamine formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, phenol resin, melamine resin, benzoguanamine resin, urea resin, Epoxy resin, unsaturated polyester resin, saturated polyester resin, polysulfone, polyphenylene oxide, polyacetal, polyimide, polyamideimide, polyetheretherketone, polyethersulfone and various polymerizable monomers having an ethylenically unsaturated group. The polymer obtained by making it superpose|polymerize 1 type or 2 or more types, etc. are mentioned. Since it is possible to design and synthesize resin particles having any physical properties at the time of compression suitable for the connection use of the two connection object members, and the hardness of the substrate particles can be easily controlled within a suitable range, the resin particles are formed It is preferable that resin for this is the polymer which polymerized 1 type(s) or 2 or more types of polymerizable monomers which have a plurality of ethylenically unsaturated groups.

상기 수지 입자를, 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체를 중합시켜 얻는 경우에는, 상기 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체로서는, 비가교성 단량체와 가교성 단량체를 들 수 있다.When obtaining the said resin particle by polymerizing the polymerizable monomer which has an ethylenically unsaturated group, a non-crosslinkable monomer and a crosslinkable monomer are mentioned as a polymerizable monomer which has the said ethylenically unsaturated group.

상기 비가교성 단량체로서는, 예를 들어 스티렌, α-메틸스티렌 등의 스티렌계 단량체; (메트)아크릴산, 말레산, 무수 말레산 등의 카르복실기 함유 단량체; 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 세틸(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트 등의 알킬(메트)아크릴레이트 화합물; 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 글리세롤(메트)아크릴레이트, 폴리옥시에틸렌(메트)아크릴레이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등의 산소 원자 함유 (메트)아크릴레이트 화합물; (메트)아크릴로니트릴 등의 니트릴 함유 단량체; 메틸비닐에테르, 에틸비닐에테르, 프로필비닐에테르 등의 비닐에테르 화합물; 아세트산비닐, 부티르산비닐, 라우르산비닐, 스테아르산비닐 등의 산비닐에스테르 화합물; 에틸렌, 프로필렌, 이소프렌, 부타디엔 등의 불포화 탄화수소; 트리플루오로메틸(메트)아크릴레이트, 펜타플루오로에틸(메트)아크릴레이트, 염화비닐, 불화비닐, 클로로스티렌 등의 할로겐 함유 단량체 등을 들 수 있다.As said non-crosslinkable monomer, For example, Styrene-type monomers, such as styrene and (alpha)-methylstyrene; carboxyl group-containing monomers such as (meth)acrylic acid, maleic acid, and maleic anhydride; Methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, cetyl (meth) Alkyl (meth)acrylate compounds, such as acrylate, stearyl (meth)acrylate, cyclohexyl (meth)acrylate, and isobornyl (meth)acrylate; oxygen atom-containing (meth)acrylate compounds such as 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, glycerol (meth)acrylate, polyoxyethylene (meth)acrylate, and glycidyl (meth)acrylate; Nitrile-containing monomers such as (meth)acrylonitrile; vinyl ether compounds such as methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether, and propyl vinyl ether; acid vinyl ester compounds such as vinyl acetate, vinyl butyrate, vinyl laurate, and vinyl stearate; unsaturated hydrocarbons such as ethylene, propylene, isoprene and butadiene; and halogen-containing monomers such as trifluoromethyl (meth)acrylate, pentafluoroethyl (meth)acrylate, vinyl chloride, vinyl fluoride, and chlorostyrene.

상기 가교성 단량체로서는, 예를 들어 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 글리세롤트리(메트)아크릴레이트, 글리세롤디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)테트라메틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등의 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물; 트리알릴(이소)시아누레이트, 트리알릴트리멜리테이트, 디비닐벤젠, 디알릴프탈레이트, 디알릴아크릴아미드, 디알릴에테르, γ-(메트)아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 트리메톡시실릴스티렌, 비닐트리메톡시실란 등의 실란 함유 단량체 등을 들 수 있다.Examples of the crosslinkable monomer include tetramethylolmethane tetra(meth)acrylate, tetramethylolmethane tri(meth)acrylate, tetramethylolmethanedi(meth)acrylate, and trimethylolpropane tri(meth)acryl. Rate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylic polyfunctional (meth)acrylate compounds such as rate, (poly)propylene glycol di(meth)acrylate, (poly)tetramethylene glycol di(meth)acrylate, and 1,4-butanediol di(meth)acrylate; Triallyl (iso) cyanurate, triallyl trimellitate, divinylbenzene, diallyl phthalate, diallyl acrylamide, diallyl ether, γ-(meth) acryloxypropyl trimethoxysilane, trimethoxysilyl styrene and silane-containing monomers such as vinyltrimethoxysilane.

상기 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체를, 공지된 방법에 의해 중합시킴으로써 상기 수지 입자를 얻을 수 있다. 이 방법으로서는, 예를 들어 라디칼 중합 개시제의 존재 하에서 현탁 중합하는 방법, 및 비가교의 종입자를 사용하여 라디칼 중합 개시제와 함께 단량체를 팽윤시켜 중합하는 방법 등을 들 수 있다.The said resin particle can be obtained by superposing|polymerizing the polymeric monomer which has the said ethylenically unsaturated group by a well-known method. As this method, the method of suspension polymerization in presence of a radical polymerization initiator, the method of superposing|polymerizing by swelling a monomer with a radical polymerization initiator using non-crosslinked seed particle|grains, etc. are mentioned, for example.

상기 기재 입자가 금속 입자를 제외한 무기 입자 또는 유기 무기 하이브리드 입자일 경우에, 상기 기재 입자를 형성하기 위한 무기물로서는, 실리카, 알루미나, 티타늄산바륨, 지르코니아 및 카본 블랙 등을 들 수 있다. 상기 무기물은 금속이 아닌 것이 바람직하다. 상기 실리카에 의해 형성된 입자로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 가수 분해성 알콕시실릴기를 2개 이상 갖는 규소 화합물을 가수 분해하여 가교 중합체 입자를 형성한 후에, 필요에 따라서 소성을 행함으로써 얻어지는 입자를 들 수 있다. 상기 유기 무기 하이브리드 입자로서는, 예를 들어 가교한 알콕시실릴 중합체와 아크릴 수지에 의해 형성된 유기 무기 하이브리드 입자 등을 들 수 있다.When the said substrate particle is the inorganic particle or organic-inorganic hybrid particle|grains except a metal particle, a silica, an alumina, barium titanate, a zirconia, carbon black, etc. are mentioned as an inorganic substance for forming the said substrate particle. Preferably, the inorganic material is not a metal. Although it does not specifically limit as particle|grains formed of the said silica, For example, after hydrolyzing the silicon compound which has two or more hydrolysable alkoxysilyl groups to form crosslinked polymer particles, the particle|grains obtained by performing baking as needed are mentioned. have. As said organic-inorganic hybrid particle|grains, the organic-inorganic hybrid particle|grains etc. which were formed of the crosslinked alkoxysilyl polymer and an acrylic resin are mentioned, for example.

상기 유기 무기 하이브리드 입자는 코어와, 해당 코어의 표면 상에 배치된 셸을 갖는 코어 셸형의 유기 무기 하이브리드 입자인 것이 바람직하다. 상기 코어가 유기 코어인 것이 바람직하다. 상기 셸이 무기 셸인 것이 바람직하다. 접속 신뢰성을 효과적으로 높이는 관점에서는, 상기 기재 입자는 유기 코어와 상기 유기 코어의 표면 상에 배치된 무기 셸을 갖는 유기 무기 하이브리드 입자인 것이 바람직하다.It is preferable that the said organic-inorganic hybrid particle is a core-shell type organic-inorganic hybrid particle which has a core and the shell arrange|positioned on the surface of the said core. It is preferable that the said core is an organic core. It is preferable that the said shell is an inorganic shell. It is preferable that the said substrate particle is an organic-inorganic hybrid particle|grain which has an organic core and the inorganic shell arrange|positioned on the surface of the said organic core from a viewpoint of improving connection reliability effectively.

상기 무기 셸을 형성하기 위한 재료로서는, 상술한 기재 입자를 형성하기 위한 무기물을 들 수 있다. 상기 무기 셸을 형성하기 위한 재료는, 실리카인 것이 바람직하다. 상기 무기 셸은 상기 코어의 표면 상에서, 금속 알콕시드를 졸겔법에 의해 셸상물로 한 후, 해당 셸상물을 소성시킴으로써 형성되어 있는 것이 바람직하다. 상기 금속 알콕시드는 실란알콕시드인 것이 바람직하다. 상기 무기 셸은 실란알콕시드에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다.As a material for forming the said inorganic shell, the inorganic substance for forming the above-mentioned substrate particle is mentioned. It is preferable that the material for forming the said inorganic shell is silica. It is preferable that the said inorganic shell is formed by making a metal alkoxide into a shell-like thing by a sol-gel method, and then baking the said shell-like thing on the surface of the said core. It is preferable that the said metal alkoxide is a silane alkoxide. It is preferable that the said inorganic shell is formed of a silane alkoxide.

상기 코어의 입경은 바람직하게는 0.5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1㎛ 이상이며, 바람직하게는 500㎛ 이하, 보다 바람직하게는 100㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 50㎛ 이하, 특히 바람직하게는 20㎛ 이하, 가장 바람직하게는 10㎛ 이하이다. 상기 코어의 입경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 2개의 접속 대상 부재의 접속 용도에 적합하게 사용 가능해진다. 예를 들어, 상기 코어의 입경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 상기 금속 함유 입자를 사용하여 2개의 접속 대상 부재를 접속한 경우에, 금속 함유 입자와 접속 대상 부재의 접촉 면적이 충분히 커지고, 또한 금속부를 형성할 때에 응집된 금속 함유 입자가 형성되기 어려워진다. 또한, 금속 함유 입자를 통해 접속된 2개의 접속 대상 부재의 간격이 너무 커지지 않고, 또한 금속부가 기재 입자의 표면으로부터 박리되기 어려워진다.The particle diameter of the core is preferably 0.5 µm or more, more preferably 1 µm or more, preferably 500 µm or less, more preferably 100 µm or less, still more preferably 50 µm or less, particularly preferably 20 µm or less. or less, most preferably 10 µm or less. When the particle diameter of the said core is more than the said minimum and below the said upper limit, it becomes possible to use suitably for the connection use of two connection object members. For example, if the particle size of the core is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, when two connection object members are connected using the metal-containing particles, the contact area between the metal-containing particles and the connection object member is sufficiently large, Moreover, when forming a metal part, it becomes difficult to form the aggregated metal containing particle|grains. Moreover, the space|interval of two connection object members connected via metal containing particle|grains does not become large too much, and a metal part becomes difficult to peel from the surface of a substrate particle.

상기 코어의 입경은 상기 코어가 진구상일 경우에는, 직경을 의미하고, 상기 코어가 진구상 이외의 형상일 경우에는, 최대 직경을 의미한다. 또한, 코어의 입경은, 코어를 임의의 입경 측정 장치에 의해 측정한 평균 입경을 의미한다. 예를 들어, 레이저광 산란, 전기 저항값 변화, 촬상 후의 화상 해석 등의 원리를 사용한 입도 분포 측정기를 이용할 수 있다.The particle diameter of the core means a diameter when the core has a true spherical shape, and means a maximum diameter when the core has a shape other than a true spherical shape. In addition, the particle diameter of a core means the average particle diameter which measured the core with arbitrary particle diameter measuring apparatuses. For example, the particle size distribution analyzer using principles, such as laser light scattering, a change in electrical resistance value, and image analysis after imaging, can be used.

상기 셸의 두께는 바람직하게는 100nm 이상, 보다 바람직하게는 200nm 이상이며, 바람직하게는 5㎛ 이하, 보다 바람직하게는 3㎛ 이하이다. 상기 셸의 두께가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 2개의 접속 대상 부재의 접속 용도에 적합하게 사용 가능해진다. 상기 셸의 두께는 기재 입자 1개당 평균 두께이다. 졸겔법의 제어에 의해 상기 셸의 두께를 제어 가능하다.The thickness of the shell is preferably 100 nm or more, more preferably 200 nm or more, preferably 5 µm or less, more preferably 3 µm or less. If the thickness of the said shell is more than the said minimum and below the said upper limit, it becomes possible to use suitably for the connection use of two connection object members. The thickness of the said shell is an average thickness per one substrate particle. The thickness of the shell can be controlled by controlling the sol-gel method.

상기 기재 입자가 금속 입자일 경우에, 해당 금속 입자를 형성하기 위한 금속으로서는, 은, 구리, 니켈, 규소, 금 및 티타늄 등을 들 수 있다. 단, 상기 기재 입자는 금속 입자가 아닌 것이 바람직하다.When the said substrate particle is a metal particle, silver, copper, nickel, a silicon, gold, titanium, etc. are mentioned as a metal for forming this metal particle. However, it is preferable that the said substrate particle is not a metal particle.

상기 기재 입자의 입자 직경은 바람직하게는 0.1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.5㎛ 이상, 한층 더 바람직하게는 1㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 1.5㎛ 이상, 특히 바람직하게는 2㎛ 이상이며, 바람직하게는 1000㎛ 이하, 보다 바람직하게는 500㎛ 이하, 한층 더 바람직하게는 400㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 100㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 50㎛ 이하, 또한 한층 바람직하게는 30㎛ 이하, 특히 바람직하게는 5㎛ 이하, 가장 바람직하게는 3㎛ 이하이다. 상기 기재 입자의 입자 직경이 상기 하한 이상이면, 접속 신뢰성이 한층 더 높아진다. 또한, 기재 입자의 표면에 금속부를 무전해 도금에 의해 형성할 때에 응집하기 어려워지고, 응집된 금속 함유 입자가 형성되기 어려워진다. 기재 입자의 평균 입자 직경이 상기 상한 이하이면, 금속 함유 입자가 충분히 압축되기 쉽고, 접속 신뢰성이 한층 더 높아진다.The particle diameter of the said substrate particle becomes like this. Preferably it is 0.1 micrometer or more, More preferably, it is 0.5 micrometer or more, More preferably, it is 1 micrometer or more, More preferably, it is 1.5 micrometer or more, Especially preferably, it is 2 micrometers or more, Preferably is 1000 µm or less, more preferably 500 µm or less, still more preferably 400 µm or less, still more preferably 100 µm or less, still more preferably 50 µm or less, still more preferably 30 µm or less, particularly preferably is 5 μm or less, most preferably 3 μm or less. Connection reliability becomes it still higher that the particle diameter of the said substrate particle is more than the said minimum. Moreover, when forming a metal part by electroless-plating on the surface of a substrate particle, it becomes difficult to aggregate, and it becomes difficult to form the aggregated metal containing particle|grains. If the average particle diameter of a substrate particle is below the said upper limit, it is easy to fully compress a metal containing particle, and connection reliability becomes still higher.

상기 기재 입자의 입자 직경은 기재 입자가 진구상일 경우에는, 직경을 나타내고, 기재 입자가 진구상이 아닐 경우에는, 최대 직경을 나타낸다.When a substrate particle is a true spherical shape, the particle diameter of the said substrate particle shows a diameter, and, when a substrate particle is not a true spherical shape, it shows a largest diameter.

접속 신뢰성의 히트 사이클 시험에서의 접속부의 크랙 또는 박리의 발생을 한층 더 억제하고, 응력 부하 시의 크랙의 발생을 한층 더 억제하는 관점에서는, 상기 기재 입자는 실리콘 수지를 포함하는 입자(실리콘 입자)인 것이 바람직하다. 상기 기재 입자의 재료는 실리콘 수지를 포함하는 것이 바람직하다.From a viewpoint of further suppressing generation|occurrence|production of the crack or peeling of the connection part in the heat cycle test of connection reliability, and suppressing generation|occurrence|production of the crack at the time of stress load further, the said substrate particle is particle|grains (silicon particle) containing a silicone resin It is preferable to be It is preferable that the material of the said substrate particle contains a silicone resin.

상기 실리콘 입자의 재료는, 바람직하게는 라디칼 중합성기를 갖는 실란 화합물과 탄소수 5 이상의 소수기를 갖는 실란 화합물이거나, 라디칼 중합성기를 가지면서 또한 탄소수 5 이상의 소수기를 갖는 실란 화합물이거나, 또는 라디칼 중합성기를 양쪽 말단에 갖는 실란 화합물인 것이 바람직하다. 이들 재료를 반응시킨 경우에는, 실록산 결합이 형성된다. 얻어지는 실리콘 입자에서, 라디칼 중합성기 및 탄소수 5 이상의 소수기는 일반적으로 잔존한다. 이러한 재료를 사용함으로써, 0.1㎛ 이상 500㎛ 이하의 1차 입자 직경을 갖는 실리콘 입자를 용이하게 얻을 수 있고, 게다가 실리콘 입자의 내약품성을 높이고, 또한 투습성을 낮출 수 있다.The material of the silicon particles is preferably a silane compound having a radical polymerizable group and a silane compound having a hydrophobic group having 5 or more carbon atoms, a silane compound having a radical polymerizable group and a hydrophobic group having 5 or more carbon atoms, or a radical polymerizable group It is preferable that it is a silane compound which has at both terminals. When these materials are reacted, siloxane bonds are formed. In the silicon particle obtained, a radically polymerizable group and a C5 or more hydrophobic group generally remain|survive. By using such a material, silicon particles having a primary particle diameter of 0.1 µm or more and 500 µm or less can be easily obtained, and chemical resistance of the silicon particles can be improved, and moisture permeability can be lowered.

상기 라디칼 중합성기를 갖는 실란 화합물에서는, 라디칼 중합성기는 규소 원자에 직접 결합되어 있는 것이 바람직하다. 상기 라디칼 중합성기를 갖는 실란 화합물은 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.In the silane compound which has the said radically polymerizable group, it is preferable that the radically polymerizable group is couple|bonded with the silicon atom directly. As for the silane compound which has the said radically polymerizable group, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

상기 라디칼 중합성기를 갖는 실란 화합물은, 알콕시실란 화합물인 것이 바람직하다. 상기 라디칼 중합성기를 갖는 실란 화합물로서는, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 디메톡시메틸비닐실란, 디에톡시메틸비닐실란, 디비닐메톡시비닐실란, 디비닐에톡시비닐실란, 디비닐디메톡시실란, 디비닐디에톡시실란 및 1,3-디비닐테트라메틸디실록산 등을 들 수 있다.It is preferable that the silane compound which has the said radically polymerizable group is an alkoxysilane compound. Examples of the silane compound having a radical polymerizable group include vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, dimethoxymethylvinylsilane, diethoxymethylvinylsilane, divinylmethoxyvinylsilane, divinylethoxyvinylsilane, and divinyl. Dimethoxysilane, divinyl diethoxysilane, 1, 3- divinyl tetramethyl disiloxane, etc. are mentioned.

상기 탄소수 5 이상의 소수기를 갖는 실란 화합물에서는, 탄소수 5 이상의 소수기는 규소 원자에 직접 결합되어 있는 것이 바람직하다. 상기 탄소수 5 이상의 소수기를 갖는 실란 화합물은 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.In the silane compound having a hydrophobic group having 5 or more carbon atoms, the hydrophobic group having 5 or more carbon atoms is preferably directly bonded to a silicon atom. As for the silane compound which has the said C5 or more hydrophobic group, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

상기 탄소수 5 이상의 소수기를 갖는 실란 화합물은, 알콕시실란 화합물인 것이 바람직하다. 상기 탄소수 5 이상의 소수기를 갖는 실란 화합물로서는, 페닐트리메톡시실란, 디메톡시메틸페닐실란, 디에톡시메틸페닐실란, 디메틸메톡시페닐실란, 디메틸에톡시페닐실란, 헥사페닐디실록산, 1,3,3,5-테트라메틸-1,1,5,5-테트라페닐트리실록산, 1,1,3,5,5-펜타페닐-1,3,5-트리메틸트리실록산, 헥사페닐시클로트리실록산, 페닐트리스(트리메틸실록시)실란 및 옥타페닐시클로테트라실록산 등을 들 수 있다.It is preferable that the said silane compound which has a C5 or more hydrophobic group is an alkoxysilane compound. Examples of the silane compound having a hydrophobic group having 5 or more carbon atoms include phenyltrimethoxysilane, dimethoxymethylphenylsilane, diethoxymethylphenylsilane, dimethylmethoxyphenylsilane, dimethylethoxyphenylsilane, hexaphenyldisiloxane, 1,3,3, 5-tetramethyl-1,1,5,5-tetraphenyltrisiloxane, 1,1,3,5,5-pentaphenyl-1,3,5-trimethyltrisiloxane, hexaphenylcyclotrisiloxane, phenyltris ( trimethylsiloxy)silane, octaphenylcyclotetrasiloxane, and the like.

상기 라디칼 중합성기를 가지면서 또한 탄소수 5 이상의 소수기를 갖는 실란 화합물에서는, 라디칼 중합성기는 규소 원자에 직접 결합되어 있는 것이 바람직하고, 탄소수 5 이상의 소수기는 규소 원자에 직접 결합되어 있는 것이 바람직하다. 상기 라디칼 중합성기를 가지면서 또한 탄소수 5 이상의 소수기를 갖는 실란 화합물은 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.In the silane compound having a radical polymerizable group and a hydrophobic group having 5 or more carbon atoms, the radical polymerizable group is preferably directly bonded to a silicon atom, and the hydrophobic group having 5 or more carbon atoms is preferably directly bonded to a silicon atom. As for the silane compound which has the said radically polymerizable group and has a C5 or more hydrophobic group, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

상기 라디칼 중합성기를 가지면서 또한 탄소수 5 이상의 소수기를 갖는 실란 화합물로서는, 페닐비닐디메톡시실란, 페닐비닐지에톡시실란, 페닐메틸비닐 메톡시실란, 페닐메틸비닐에톡시실란, 디페닐비닐메톡시실란, 디페닐비닐에톡시실란, 페닐디비닐메톡시실란, 페닐디비닐에톡시실란 및 1,1,3,3-테트라페닐-1,3-디비닐디실록산 등을 들 수 있다.Examples of the silane compound having a radical polymerizable group and having a hydrophobic group having 5 or more carbon atoms include phenylvinyldimethoxysilane, phenylvinylethoxysilane, phenylmethylvinylmethoxysilane, phenylmethylvinylethoxysilane, and diphenylvinylmethoxysilane. , diphenylvinylethoxysilane, phenyldivinylmethoxysilane, phenyldivinylethoxysilane, and 1,1,3,3-tetraphenyl-1,3-divinyldisiloxane.

실리콘 입자를 얻기 위해서, 상기 라디칼 중합성기를 갖는 실란 화합물과, 상기 탄소수 5 이상의 소수기를 갖는 실란 화합물을 사용하는 경우에, 상기 라디칼 중합성기를 갖는 실란 화합물과, 상기 탄소수 5 이상의 소수기를 갖는 실란 화합물은, 중량비로 1:1 내지 1:20으로 사용하는 것이 바람직하고, 1:5 내지 1:15로 사용하는 것이 보다 바람직하다.When using the silane compound having a radical polymerizable group and the silane compound having a hydrophobic group having 5 or more carbon atoms to obtain silicon particles, the silane compound having a radical polymerizable group and a silane compound having a hydrophobic group having 5 or more carbon atoms Silver is preferably used in a weight ratio of 1:1 to 1:20, and more preferably 1:5 to 1:15.

실리콘 입자를 얻기 위한 실란 화합물 전체에 있어서, 라디칼 중합성기의 수와 탄소수 5 이상의 소수기의 수는, 1:0.5 내지 1:20인 것이 바람직하고, 1:1 내지 1:15인 것이 보다 바람직하다.The whole silane compound for obtaining a silicone particle WHEREIN: It is preferable that it is 1:0.5 - 1:20, and, as for the number of radically polymerizable groups and the number of C5 or more hydrophobic groups, it is more preferable that they are 1:1 - 1:15.

내약품성을 효과적으로 높이고, 투습성을 효과적으로 낮추며, 10% K값을 적합한 범위로 제어하는 관점에서는, 상기 실리콘 입자는 1개의 규소 원자에 2개 메틸기가 결합한 디메틸실록산 골격을 갖는 것이 바람직하고, 상기 실리콘 입자의 재료는, 1개의 규소 원자에 2개 메틸기가 결합한 실란 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of effectively increasing chemical resistance, effectively lowering moisture permeability, and controlling the 10% K value to a suitable range, the silicone particle preferably has a dimethylsiloxane skeleton in which two methyl groups are bonded to one silicon atom, the silicone particle The material preferably contains a silane compound in which two methyl groups are bonded to one silicon atom.

내약품성을 효과적으로 높이고, 투습성을 효과적으로 낮추며, 10% K값을 적합한 범위로 제어하는 관점에서는, 상기 실리콘 입자는, 상술한 실란 화합물을 라디칼 중합 개시제에 의해 반응시켜, 실록산 결합을 형성시키는 것이 바람직하다. 일반적으로, 라디칼 중합 개시제를 사용하여, 0.1㎛ 이상 500㎛ 이하의 1차 입자 직경을 갖는 실리콘 입자를 얻는 것은 곤란하고, 100㎛ 이하의 1차 입자 직경을 갖는 실리콘 입자를 얻는 것이 특히 곤란하다. 이에 비해, 라디칼 중합 개시제를 사용하는 경우에도, 상기 실란 화합물을 사용함으로써 0.1㎛ 이상 500㎛ 이하의 1차 입자 직경을 갖는 실리콘 입자를 얻을 수 있고, 100㎛ 이하의 1차 입자 직경을 갖는 실리콘 입자를 얻을 수도 있다.From the viewpoint of effectively increasing chemical resistance, effectively lowering moisture permeability, and controlling the 10% K value within a suitable range, it is preferable that the silicon particles react with the above-mentioned silane compound with a radical polymerization initiator to form a siloxane bond. . In general, using a radical polymerization initiator, it is difficult to obtain silicon particles having a primary particle diameter of 0.1 µm or more and 500 µm or less, and it is particularly difficult to obtain silicon particles having a primary particle diameter of 100 µm or less. In contrast, even when a radical polymerization initiator is used, silicon particles having a primary particle diameter of 0.1 μm or more and 500 μm or less can be obtained by using the silane compound, and silicon particles having a primary particle diameter of 100 μm or less. can also get

상기 실리콘 입자를 얻기 위해서, 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖는 실란 화합물을 사용하지 않아도 된다. 이 경우에는, 금속 촉매를 사용하지 않고, 라디칼 중합 개시제를 사용하여 실란 화합물을 중합시킬 수 있다. 결과적으로, 실리콘 입자에 금속 촉매가 포함되지 않도록 할 수 있고, 실리콘 입자에서의 금속 촉매의 함유량을 적게 할 수 있고, 또한 내약품성을 효과적으로 높이며, 투습성을 효과적으로 낮추고, 10% K값을 적합한 범위로 제어할 수 있다.In order to obtain the silicon particles, it is not necessary to use a silane compound having a hydrogen atom bonded to a silicon atom. In this case, the silane compound can be polymerized using a radical polymerization initiator without using a metal catalyst. As a result, it is possible to prevent the silicon particles from containing the metal catalyst, the content of the metal catalyst in the silicon particles can be reduced, chemical resistance can be effectively increased, moisture permeability can be effectively lowered, and the 10% K value can be brought into a suitable range. can be controlled

상기 실리콘 입자의 구체적인 제조 방법으로서는, 현탁 중합법, 분산 중합법, 미니에멀션 중합법 또는 유화 중합법 등으로 실란 화합물의 중합 반응을 행하고, 실리콘 입자를 제작하는 방법 등이 있다. 실란 화합물의 중합을 진행시켜 올리고머를 얻은 후, 현탁 중합법, 분산 중합법, 미니에멀션 중합법 또는 유화 중합법 등으로 중합체(올리고머 등)인 실란 화합물의 중합 반응을 행하여, 실리콘 입자를 제작해도 된다. 예를 들어, 비닐기를 갖는 실란 화합물을 중합시켜, 말단에서 규소 원자에 결합한 비닐기를 갖는 실란 화합물을 얻어도 된다. 페닐기를 갖는 실란 화합물을 중합시켜, 중합체(올리고머 등)로서, 측쇄에서 규소 원자에 결합한 페닐기를 갖는 실란 화합물을 얻어도 된다. 비닐기를 갖는 실란 화합물과 페닐기를 갖는 실란 화합물을 중합시켜, 중합체(올리고머 등)로서, 말단에서 규소 원자에 결합한 비닐기를 가지면서 또한 측쇄에서 규소 원자에 결합한 페닐기를 갖는 실란 화합물을 얻어도 된다.Specific examples of the method for producing the silicone particles include a method of producing silicone particles by performing a polymerization reaction of a silane compound by a suspension polymerization method, a dispersion polymerization method, a mini-emulsion polymerization method, an emulsion polymerization method, or the like. After the polymerization of the silane compound is advanced to obtain an oligomer, a polymerization reaction of the silane compound as a polymer (oligomer, etc.) may be performed by suspension polymerization, dispersion polymerization, mini-emulsion polymerization, emulsion polymerization, etc. to produce silicone particles. . For example, you may polymerize the silane compound which has a vinyl group, and you may obtain the silane compound which has the vinyl group couple|bonded with the silicon atom at the terminal. You may polymerize the silane compound which has a phenyl group, and may obtain the silane compound which has the phenyl group couple|bonded with the silicon atom in the side chain as a polymer (oligomer etc.). A silane compound having a vinyl group and a silane compound having a phenyl group are polymerized to obtain a silane compound having a vinyl group bonded to a silicon atom at the terminal and a phenyl group bonded to a silicon atom in a side chain as a polymer (oligomer, etc.).

실리콘 입자는 복수의 입자를 외표면에 갖고 있어도 된다. 이 경우에, 실리콘 입자는 실리콘 입자 본체와, 실리콘 입자 본체의 표면 상에 배치된 복수의 입자를 구비하고 있어도 된다. 상기 복수의 입자로서는, 실리콘 입자 및 구상 실리카 등을 들 수 있다. 상기 복수의 입자의 존재에 의해 실리콘 입자의 응집을 억제할 수 있다.The silicon particle may have a some particle|grain on the outer surface. In this case, a silicon particle may be equipped with a silicon particle main body, and the some particle|grain arrange|positioned on the surface of a silicon particle main body. As said some particle|grains, a silicon particle, a spherical silica, etc. are mentioned. Aggregation of silicon particles can be suppressed by the presence of the plurality of particles.

[금속부][Metal part]

상기 금속부의 상기 돌기의 선단은 400℃ 이하에서 용융 가능하다. 용융 온도를 낮춤으로써 가열 시의 에너지의 소비량을 억제하고, 또한 접속 대상 부재 등의 열 열화를 억제하는 관점에서는, 상기 금속부의 상기 돌기의 선단은 350℃ 이하에서 용융 가능한 것이 바람직하고, 300℃ 이하에서 용융 가능한 것이 보다 바람직하고, 250℃ 이하에서 용융 가능한 것이 더욱 바람직하고, 200℃ 이하에서 용융 가능한 것이 특히 바람직하다. 상기 돌기의 선단의 용융 온도는 돌기의 선단의 금속의 종류 및 돌기의 선단의 형상에 의해 제어할 수 있다. 상기 볼록부의 기부, 상기 돌기의 높이의 중앙 위치, 상기 돌기의 기부 및 상기 돌기의 높이의 중앙 위치의 융점은 200℃를 초과하고 있어도 되고, 250℃를 초과하고 있어도 되고, 300℃를 초과하고 있어도 되고, 350℃를 초과하고 있어도 되고, 400℃를 초과하고 있어도 된다. 상기 금속부, 상기 볼록부 및 상기 돌기는, 200℃를 초과하는 부분을 갖고 있어도 되고, 250℃를 초과하는 부분을 갖고 있어도 되고, 300℃를 초과하는 부분을 갖고 있어도 되고, 350℃를 초과하는 부분을 갖고 있어도 되고, 400℃를 초과하는 부분을 갖고 있어도 된다.The tip of the protrusion of the metal part can be melted at 400° C. or less. From the viewpoint of suppressing the consumption of energy during heating by lowering the melting temperature and suppressing thermal deterioration of the member to be connected, etc., it is preferable that the tip of the projection of the metal part can be melted at 350 ° C. or less, and 300 ° C. or less It is more preferable that it can be melted at a temperature of 250°C or less, and it is particularly preferable that it can be melted at 200°C or less. The melting temperature of the tip of the projection can be controlled by the type of metal at the tip of the projection and the shape of the tip of the projection. The melting point of the base of the convex portion, the central position of the height of the projection, the base of the projection, and the central position of the height of the projection may exceed 200°C, may exceed 250°C, or exceed 300°C It may be over 350 degreeC, and may exceed 400 degreeC. The said metal part, the said convex part, and the said processus|protrusion may have a part exceeding 200 degreeC, may have a part exceeding 250 degreeC, may have a part exceeding 300 degreeC, and exceeding 350 degreeC. You may have a part and may have a part exceeding 400 degreeC.

상기 금속부의 재료는 특별히 한정되지 않는다. 상기 금속부의 재료는 금속을 포함하는 것이 바람직하다. 해당 금속으로서는, 예를 들어 금, 은, 팔라듐, 로듐, 이리듐, 리튬, 구리, 백금, 아연, 철, 주석, 납, 루테늄, 알루미늄, 코발트, 인듐, 니켈, 크롬, 티타늄, 안티몬, 비스무트, 탈륨, 게르마늄, 카드뮴, 규소 및 이들의 합금 등을 들 수 있다. 또한, 상기 금속으로서는, 주석 도핑 산화인듐(ITO) 등을 들 수 있다.The material of the said metal part is not specifically limited. The material of the metal part preferably includes a metal. Examples of the metal include gold, silver, palladium, rhodium, iridium, lithium, copper, platinum, zinc, iron, tin, lead, ruthenium, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, and thallium. , germanium, cadmium, silicon, and alloys thereof. Moreover, as said metal, tin-doped indium oxide (ITO), etc. are mentioned.

본 발명에서는, 상기 금속부의 돌기의 선단이 400℃ 이하에서 용융 가능하도록 금속부의 재료가 선택된다.In the present invention, the material of the metal part is selected so that the tip of the projection of the metal part can be melted at 400° C. or less.

접속 신뢰성을 효과적으로 높이는 관점에서는, 상기 돌기의 재료는 은, 구리, 금, 팔라듐, 주석, 인듐 또는 아연을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 돌기의 재료는 주석을 포함하고 있지 않아도 된다.From the viewpoint of effectively improving the connection reliability, the material of the projections preferably contains silver, copper, gold, palladium, tin, indium or zinc. The material of the said projection does not need to contain tin.

상기 금속부의 재료는 땜납이 아닌 것이 바람직하다. 상기 금속부의 재료가 땜납이 아닌 점에서, 금속부 전체가 과도하게 용융되는 것을 억제할 수 있다. 상기 금속부의 재료는 주석을 포함하고 있지 않아도 된다.It is preferable that the material of the metal part is not solder. Since the material of the metal part is not solder, it is possible to suppress excessive melting of the entire metal part. The material of the metal part does not need to contain tin.

접속 신뢰성을 효과적으로 높이는 관점에서는, 상기 금속부의 재료는 은, 구리, 금, 팔라듐, 주석, 인듐, 아연, 니켈, 코발트, 철, 텅스텐, 몰리브덴, 루테늄, 백금, 로듐, 이리듐, 인 또는 붕소를 포함하는 것이 바람직하고, 은, 구리, 금, 팔라듐, 주석, 인듐 또는 아연을 포함하는 것이 보다 바람직하고, 은을 포함하는 것이 더욱 바람직한다. 이들 바람직한 재료는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다. 접속 신뢰성을 효과적으로 높이는 관점에서는, 상기 은은 은 단체 또는 산화은으로서 포함되어 있어도 된다. 산화은으로서는, Ag2O 및 AgO를 들 수 있다.From the viewpoint of effectively increasing the connection reliability, the material of the metal part includes silver, copper, gold, palladium, tin, indium, zinc, nickel, cobalt, iron, tungsten, molybdenum, ruthenium, platinum, rhodium, iridium, phosphorus or boron. It is preferable that silver, copper, gold, palladium, tin, indium or zinc are included, and it is more preferable that silver is included. As for these preferable materials, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together. From a viewpoint of improving connection reliability effectively, the said silver may be contained as silver single-piece|unit or silver oxide. Examples of silver oxide include Ag 2 O and AgO.

은을 포함하는 금속부 100중량% 중, 은의 함유량은 바람직하게는 0.1중량% 이상, 보다 바람직하게는 1중량% 이상이며, 바람직하게는 100중량% 이하, 보다 바람직하게는 90중량% 이하, 80중량% 이하여도 되고, 60중량% 이하여도 되고, 40중량% 이하여도 되고, 20중량% 이하여도 되고, 10중량% 이하여도 된다. 은의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 접합 강도가 높아지고, 접속 신뢰성이 한층 더 높아진다.In 100 weight% of the metal parts containing silver, content of silver becomes like this. Preferably it is 0.1 weight% or more, More preferably, it is 1 weight% or more, Preferably it is 100 weight% or less, More preferably, it is 90 weight% or less, 80 weight% or less. Weight % or less may be sufficient, 60 weight% or less may be sufficient, 40 weight% or less may be sufficient, 20 weight% or less may be sufficient, and 10 weight% or less may be sufficient. When content of silver is more than the said minimum and below the said upper limit, bonding strength will become high and connection reliability will become still higher.

상기 구리는 구리 단체 또는 산화구리로서 포함되어 있어도 된다.The said copper may be contained as a copper single-piece|unit or copper oxide.

구리를 포함하는 금속부 100중량% 중, 구리의 함유량은 바람직하게는 0.1중량% 이상, 보다 바람직하게는 1중량% 이상이며, 바람직하게는 100중량% 이하, 보다 바람직하게는 90중량% 이하, 80중량% 이하여도 되고, 60중량% 이하여도 되고, 40중량% 이하여도 되고, 20중량% 이하여도 되고, 10중량% 이하여도 된다. 구리의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 접합 강도가 높아지고, 접속 신뢰성이 한층 더 높아진다.In 100 weight% of metal parts containing copper, content of copper becomes like this. Preferably it is 0.1 weight% or more, More preferably, it is 1 weight% or more, Preferably it is 100 weight% or less, More preferably, it is 90 weight% or less, 80 weight% or less may be sufficient, 60 weight% or less may be sufficient, 40 weight% or less may be sufficient, 20 weight% or less may be sufficient, and 10 weight% or less may be sufficient. Bonding strength becomes it high that content of copper is more than the said minimum and below the said upper limit, and connection reliability becomes still higher.

상기 금속부는 1개의 층에 의해 형성되어 있어도 된다. 상기 금속부는 복수의 층에 의해 형성되어 있어도 된다.The said metal part may be formed by one layer. The said metal part may be formed of several layers.

상기 금속부의 외표면은 방청 처리되어 있어도 된다. 상기 금속 함유 입자는 상기 금속부의 외표면에 방청막을 갖고 있어도 된다. 방청 처리로서는, 금속부의 외표면에 방청제를 배치하는 방법, 금속부의 외표면을 합금화하여 내식성을 향상시키는 방법, 금속부의 외표면에 고내식 금속막을 코팅하는 방법 등을 들 수 있다. 상기 방청제로서는, 벤조트리아졸 화합물, 이미다졸 화합물 등의 질소 함유 헤테로환 화합물; 머캅탄 화합물, 티아졸 화합물, 유기 디술피드 화합물과 같은 황 함유 화합물; 유기 인산 화합물 등의 인 함유 화합물을 들 수 있다.The outer surface of the said metal part may be antirust-treated. The said metal-containing particle|grains may have a rust prevention film on the outer surface of the said metal part. Examples of the rust prevention treatment include a method of disposing a rust inhibitor on the outer surface of the metal portion, a method of alloying the outer surface of the metal portion to improve corrosion resistance, a method of coating a highly corrosion-resistant metal film on the outer surface of the metal portion, and the like. As said rust preventive agent, Nitrogen-containing heterocyclic compounds, such as a benzotriazole compound and an imidazole compound; sulfur-containing compounds such as mercaptan compounds, thiazole compounds, and organic disulfide compounds; Phosphorus containing compounds, such as an organophosphoric acid compound, are mentioned.

[방청 처리][Anti-rust treatment]

금속 함유 입자의 부식을 억제하고, 전극간의 접속 저항을 낮추기 위해서, 상기 금속부의 외표면은 방청 처리 또는 내황화 처리되어 있는 것이 바람직하다.In order to suppress the corrosion of metal-containing particles and to lower the connection resistance between the electrodes, it is preferable that the outer surface of the metal portion is subjected to an antirust treatment or a sulfurization treatment.

내황화제, 방청제나 변색 방지제로서는, 벤조트리아졸 화합물, 이미다졸 화합물 등의 질소 함유 헤테로환 화합물; 머캅탄 화합물, 티아졸 화합물, 유기 디술피드 화합물과 같은 황 함유 화합물; 유기 인산 화합물 등의 인 함유 화합물을 들 수 있다.Examples of the sulfurizing agent, rust inhibitor, and discoloration inhibitor include nitrogen-containing heterocyclic compounds such as benzotriazole compounds and imidazole compounds; sulfur-containing compounds such as mercaptan compounds, thiazole compounds, and organic disulfide compounds; Phosphorus containing compounds, such as an organophosphoric acid compound, are mentioned.

도통 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 금속부의 외표면은, 탄소수 6 내지 22의 알킬기를 갖는 화합물에 의해 방청 처리되어 있는 것이 바람직하다. 상기 금속부의 표면은, 인을 포함하지 않는 화합물에 의해 방청 처리되어 있어도 되고, 탄소수 6 내지 22의 알킬기를 가지면서 또한 인을 포함하지 않는 화합물에 의해 방청 처리되어 있어도 된다. 도통 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 금속부의 외표면은, 알킬 인산 화합물 또는 알킬티올에 의해 방청 처리되어 있는 것이 바람직하다. 방청 처리에 의해 상기 금속부의 외표면에 방청막을 형성할 수 있다.From a viewpoint of further improving the conduction reliability, it is preferable that the outer surface of the metal part is subjected to a rust prevention treatment with a compound having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms. The surface of the said metal part may be rust-preventive-treated with the compound which does not contain phosphorus, and has a C6-C22 alkyl group and may be rust-preventive-treated with the compound which does not contain phosphorus. From the viewpoint of further improving the conduction reliability, it is preferable that the outer surface of the metal part is subjected to a rust prevention treatment with an alkyl phosphate compound or an alkyl thiol. An anti-rust film can be formed on the outer surface of the metal part by the anti-rust treatment.

상기 방청막은 탄소수 6 내지 22의 알킬기를 갖는 화합물(이하, 화합물 A라고도 말함)에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다. 상기 금속부의 외표면은 상기 화합물 A에 의해 표면 처리되어 있는 것이 바람직하다. 상기 알킬기의 탄소수가 6 이상이면, 금속부 전체에서 녹이 한층 더 발생하기 어려워진다. 상기 알킬기의 탄소수가 22 이하이면, 금속 함유 입자의 도전성이 높아진다. 금속 함유 입자의 도전성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 화합물 A에 있어서의 상기 알킬기의 탄소수는 16 이하인 것이 바람직하다. 상기 알킬기는 직쇄 구조를 갖고 있어도 되고, 분지 구조를 갖고 있어도 된다. 상기 알킬기는 직쇄 구조를 갖는 것이 바람직하다.It is preferable that the said rust preventive film is formed of the compound (henceforth referred to as compound A) which has a C6-C22 alkyl group. It is preferable that the outer surface of the said metal part is surface-treated with the said compound A. When carbon number of the said alkyl group is 6 or more, it becomes it more difficult to generate|occur|produce rust in the whole metal part. When carbon number of the said alkyl group is 22 or less, the electroconductivity of a metal containing particle|grains will become high. It is preferable that carbon number of the said alkyl group in the said compound A is 16 or less from a viewpoint of improving the electroconductivity of metal containing particle|grains further. The said alkyl group may have a linear structure and may have a branched structure. It is preferable that the said alkyl group has a linear structure.

상기 화합물 A는 탄소수 6 내지 22의 알킬기를 갖고 있으면 특별히 한정되지 않는다. 상기 화합물 A는 탄소수 6 내지 22의 알킬기를 갖는 인산에스테르 또는 그의 염, 탄소수 6 내지 22의 알킬기를 갖는 아인산에스테르 또는 그의 염, 탄소수 6 내지 22의 알킬기를 갖는 알콕시실란, 탄소수 6 내지 22의 알킬기를 갖는 알킬티올, 또는 탄소수 6 내지 22의 알킬기를 갖는 디알킬 디술피드인 것이 바람직하다. 즉, 상기 탄소수 6 내지 22의 알킬기를 갖는 화합물 A는 인산에스테르 또는 그의 염, 아인산에스테르 또는 그의 염, 알콕시실란, 알킬티올, 또는 디알킬 디술피드인 것이 바람직하다. 이들 바람직한 화합물 A의 사용에 의해, 금속부에 녹을 한층 더 발생하기 어렵게 할 수 있다. 녹을 한층 더 발생하기 어렵게 하는 관점에서는, 상기 화합물 A는 상기 인산에스테르 또는 그의 염, 아인산에스테르 또는 그의 염, 또는 알킬티올인 것이 바람직하고, 상기 인산에스테르 또는 그의 염, 또는 아인산에스테르 또는 그의 염인 것이 보다 바람직하다. 상기 화합물 A는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.The said compound A will not be specifically limited if it has a C6-C22 alkyl group. The compound A is a phosphate ester or salt having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms, a phosphite ester or salt thereof having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms, an alkoxysilane having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms, an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms. It is preferable that it is an alkylthiol which has, or a dialkyl disulfide which has a C6-C22 alkyl group. That is, the compound A having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms is preferably a phosphoric acid ester or a salt thereof, a phosphorous acid ester or a salt thereof, an alkoxysilane, an alkylthiol, or a dialkyl disulfide. By use of these preferable compound A, it can make it difficult to generate|occur|produce further rust in a metal part. From the viewpoint of making rust more difficult to occur, the compound A is preferably the phosphate ester or a salt thereof, a phosphite ester or a salt thereof, or an alkylthiol, and more preferably the phosphate ester or a salt thereof, or a phosphite ester or a salt thereof. desirable. As for the said compound A, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

상기 화합물 A는 상기 금속부의 외표면과 반응 가능한 반응성 관능기를 갖는 것이 바람직하다. 상기 금속 함유 입자가 상기 금속부의 외표면 상에 배치된 절연성 물질을 구비할 경우에, 상기 화합물 A는 상기 절연성 물질과 반응 가능한 반응성 관능기를 갖는 것이 바람직하다. 상기 방청막은 상기 금속부와 화학 결합되어 있는 것이 바람직하다. 상기 방청막은 상기 절연성 물질과 화학 결합되어 있는 것이 바람직하다. 상기 방청막은 상기 금속부 및 상기 절연성 물질의 양쪽과 화학 결합되어 있는 것이 보다 바람직하다. 상기 반응성 관능기의 존재에 의해 및 상기 화학 결합에 의해, 상기 방청막의 박리가 발생하기 어려워지고, 이 결과 금속부에 녹이 한층 더 발생하기 어려워지고, 또한 금속 함유 입자의 표면으로부터 절연성 물질이 의도하지 않고 한층 더 탈리되기 어려워진다.The compound A preferably has a reactive functional group capable of reacting with the outer surface of the metal part. When the metal-containing particles include an insulating material disposed on the outer surface of the metal part, the compound A preferably has a reactive functional group capable of reacting with the insulating material. It is preferable that the rust preventive film is chemically bonded to the metal part. It is preferable that the rust preventive film is chemically bonded to the insulating material. It is more preferable that the rust preventive film is chemically bonded to both the metal part and the insulating material. Due to the presence of the reactive functional group and the chemical bonding, peeling of the rust preventive film is difficult to occur, and as a result, rust is more difficult to occur in the metal part, and the insulating material is not intended from the surface of the metal-containing particles. It becomes more difficult to detach.

상기 탄소수 6 내지 22의 알킬기를 갖는 인산에스테르 또는 그의 염으로서는, 예를 들어 인산헥실에스테르, 인산헵틸에스테르, 인산모노옥틸에스테르, 인산모노노닐에스테르, 인산모노데실에스테르, 인산모노운데실에스테르, 인산모노도데실에스테르, 인산모노트리데실에스테르, 인산모노테트라데실에스테르, 인산모노펜타데실에스테르, 인산모노헥실에스테르모노나트륨염, 인산모노헵틸에스테르모노나트륨염, 인산모노옥틸에스테르모노나트륨염, 인산모노노닐에스테르모노나트륨염, 인산모노데실에스테르모노나트륨염, 인산모노운데실에스테르모노나트륨염, 인산모노도데실에스테르모노나트륨염, 인산모노트리데실에스테르모노나트륨염, 인산모노테트라데실에스테르모노나트륨염 및 인산모노펜타데실에스테르모노나트륨염 등을 들 수 있다. 상기 인산에스테르의 칼륨염을 사용해도 된다.Examples of the phosphate ester having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms or a salt thereof include phosphate hexyl ester, phosphate heptyl ester, phosphate monooctyl ester, phosphate monononyl ester, phosphate monodecyl ester, phosphate monoundecyl ester, and monophosphate ester. Dodecyl ester, phosphoric acid monotridecyl ester, phosphoric acid monotetradecyl ester, phosphoric acid monopentadecyl ester, phosphoric acid monohexyl ester monosodium salt, phosphoric acid monoheptyl ester monosodium salt, phosphoric acid monooctyl ester monosodium salt, phosphoric acid monononyl ester Monosodium phosphate, monosodium phosphate monodecyl ester, monosodium phosphate monoundecyl ester, monosodium phosphate monododecyl ester, monosodium phosphate monotridecyl ester, monosodium phosphate monotetradecyl ester, and monosodium phosphate monotetradecyl ester A pentadecyl ester monosodium salt etc. are mentioned. You may use the potassium salt of the said phosphoric acid ester.

상기 탄소수 6 내지 22의 알킬기를 갖는 아인산에스테르 또는 그의 염으로서는, 예를 들어 아인산헥실에스테르, 아인산헵틸에스테르, 아인산모노옥틸에스테르, 아인산모노노닐에스테르, 아인산모노데실에스테르, 아인산모노운데실에스테르, 아인산모노도데실에스테르, 아인산모노트리데실에스테르, 아인산모노테트라데실에스테르, 아인산모노펜타데실에스테르, 아인산모노헥실에스테르모노나트륨염, 아인산모노헵틸에스테르모노나트륨염, 아인산모노옥틸에스테르모노나트륨염, 아인산모노노닐에스테르모노나트륨염, 아인산모노데실에스테르모노나트륨염, 아인산모노운데실에스테르모노나트륨염, 아인산모노도데실에스테르모노나트륨염, 아인산모노트리데실에스테르모노나트륨염, 아인산모노테트라데실에스테르모노나트륨염 및 아인산모노펜타데실에스테르모노나트륨염 등을 들 수 있다. 상기 아인산에스테르의 칼륨염을 사용해도 된다.As the phosphorous acid ester having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms or a salt thereof, for example, hexyl phosphite, heptyl phosphite, monooctyl phosphite, monononyl phosphite, monodecyl phosphite, monoundecyl phosphite; Phosphorous acid monododecyl ester, phosphorous acid monotridecyl ester, phosphorous acid monotetradecyl ester, phosphorous acid monopentadecyl ester, phosphorous acid monohexyl ester monosodium salt, phosphorous acid monoheptyl ester monosodium salt, phosphorous acid monooctyl ester monosodium salt, phosphorus Monosodium acid monononyl ester, monosodium phosphite monodecyl ester, monosodium phosphite monoundecyl ester, monosodium phosphite monododecyl ester, monosodium phosphite monotridecyl ester, monosodium phosphite monotetradecyl ester salts, and monosodium phosphorous acid monopentadecyl ester salts; and the like. You may use the potassium salt of the said phosphite.

상기 탄소수 6 내지 22의 알킬기를 갖는 알콕시실란으로서는, 예를 들어 헥실트리메톡시실란, 헥실트리에톡시실란, 헵틸트리메톡시실란, 헵틸트리에톡시실란, 옥틸트리메톡시실란, 옥틸트리에톡시실란, 노닐트리메톡시실란, 노닐트리에톡시실란, 데실트리메톡시실란, 데실트리에톡시실란, 운데실트리메톡시실란, 운데실트리에톡시실란, 도데실트리메톡시실란, 도데실트리에톡시실란, 트리데실트리메톡시실란, 트리데실트리에톡시실란, 테트라데실트리메톡시실란, 테트라데실트리에톡시실란, 펜타데실트리메톡시실란 및 펜타데실트리에톡시실란 등을 들 수 있다.Examples of the alkoxysilane having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms include hexyltrimethoxysilane, hexyltriethoxysilane, heptyltrimethoxysilane, heptyltriethoxysilane, octyltrimethoxysilane, octyltriethoxy Silane, nonyltrimethoxysilane, nonyltriethoxysilane, decyltrimethoxysilane, decyltriethoxysilane, undecyltrimethoxysilane, undecyltriethoxysilane, dodecyltrimethoxysilane, dodecyltri and ethoxysilane, tridecyltrimethoxysilane, tridecyltriethoxysilane, tetradecyltrimethoxysilane, tetradecyltriethoxysilane, pentadecyltrimethoxysilane and pentadecyltriethoxysilane. .

상기 탄소수 6 내지 22의 알킬기를 갖는 알킬티올로서는, 예를 들어 헥실티올, 헵틸티올, 옥틸티올, 노닐티올, 데실티올, 운데실티올, 도데실티올, 트리데실티올, 테트라데실티올, 펜타데실티올 및 헥사데실티올 등을 들 수 있다. 상기 알킬티올은 알킬쇄의 말단에 티올기를 갖는 것이 바람직하다.Examples of the alkylthiol having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms include hexylthiol, heptylthiol, octylthiol, nonylthiol, decylthiol, undecylthiol, dodecylthiol, tridecylthiol, tetradecylthiol, and pentadecylthiol. and hexadecylthiol. The alkylthiol preferably has a thiol group at the terminal of the alkyl chain.

상기 탄소수 6 내지 22의 알킬기를 갖는 디알킬디술피드로서는, 예를 들어 디헥실디술피드, 디헵틸디술피드, 디옥틸디술피드, 디노닐디술피드, 디데실디술피드, 디운데실디술피드, 디도데실디술피드, 디트리데실디술피드, 디테트라데실디술피드, 디펜타데실디술피드 및 디헥사데실디술피드 등을 들 수 있다.Examples of the dialkyl disulfide having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms include dihexyldisulfide, diheptyldisulfide, dioctyldisulfide, dinonyldisulfide, didecyldisulfide, diundecyldisulfide, dido Decyl disulfide, ditridecyl disulfide, ditetradecyl disulfide, dipentadecyl disulfide, dihexadecyl disulfide, etc. are mentioned.

도통 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 금속부의 외표면은, 술피드 화합물 또는 티올 화합물을 주성분으로 하는 황 함유 화합물, 벤조트리아졸 화합물 또는 폴리옥시에틸렌에테르 계면 활성제 중 어느 층에 의해 내황화 처리되어 있는 것이 바람직하다. 내황화 처리에 의해 상기 금속부의 외표면에 방청막을 형성할 수 있다.From the viewpoint of further improving the conduction reliability, the outer surface of the metal part is subjected to sulfur-resistance treatment with any layer of a sulfur-containing compound containing a sulfide compound or a thiol compound as a main component, a benzotriazole compound, or a polyoxyethylene ether surfactant. It is preferable to have An anti-rust film can be formed on the outer surface of the metal part by the sulfiding treatment.

상기 술피드 화합물로서는, 디헥실술피드, 디헵틸술피드, 디옥틸술피드, 디데실술피드, 디도데실술피드, 디테트라데실술피드, 디헥사데실술피드, 디옥타데실술피드 등의 탄소수 6 내지 40 정도(바람직하게는 탄소수 10 내지 40 정도)의 직쇄상 또는 분지쇄상의 디알킬술피드(알킬술피드); 디페닐술피드, 페닐-p-톨릴술피드, 4,4-티오비스벤젠티올 등의 탄소수 12 내지 30 정도의 방향족 술피드; 3,3'-티오디프로피온산, 4,4'-티오디부탄산 등의 티오디카르복실산 등을 들 수 있다. 상기 술피드 화합물은 디알킬술피드인 것이 특히 바람직하다.Examples of the sulfide compound include 6 to 40 carbon atoms, such as dihexyl sulfide, diheptyl sulfide, dioctyl sulfide, didecyl sulfide, didodecyl sulfide, ditetradecyl sulfide, dihexadecyl sulfide, and dioctadecyl sulfide. linear or branched dialkyl sulfide (alkyl sulfide) having a degree (preferably about 10 to 40 carbon atoms); aromatic sulfides having about 12 to 30 carbon atoms, such as diphenyl sulfide, phenyl-p-tolyl sulfide, and 4,4-thiobisbenzenethiol; Thiodicarboxylic acids, such as 3,3'- thiodipropionic acid and 4,4'- thiodibutanoic acid, etc. are mentioned. It is especially preferable that the said sulfide compound is a dialkyl sulfide.

상기 티올 화합물로서는, 2-머캅토벤조티아졸, 2-머캅토벤조옥사졸, 2-머캅토벤조이미다졸, 2-메틸-2-프로판티올이나 옥타데실티올 등의 탄소수 4 내지 40 정도(보다 바람직하게는 6 내지 20 정도)의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬티올 등을 들 수 있다. 또한, 이들 화합물의 탄소기에 결합되어 있는 수소 원자가 불소로 치환된 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the thiol compound include about 4 to 40 carbon atoms such as 2-mercaptobenzothiazole, 2-mercaptobenzooxazole, 2-mercaptobenzoimidazole, 2-methyl-2-propanethiol and octadecylthiol (more Preferably about 6-20) linear or branched alkylthiol etc. are mentioned. Moreover, the compound etc. which the hydrogen atom couple|bonded with the carbon group of these compounds were substituted with fluorine are mentioned.

상기 벤조트리아졸 화합물로서는, 벤조트리아졸, 벤조트리아졸염, 메틸벤조트리아졸, 카르복시벤조트리아졸 및 벤조트리아졸 유도체 등을 들 수 있다.As said benzotriazole compound, benzotriazole, a benzotriazole salt, methylbenzotriazole, carboxybenzotriazole, a benzotriazole derivative, etc. are mentioned.

또한, 상기 변색 방지제로서는, 기타이케 산교사제의 상품명 「AC-20」, 「AC-70」, 「AC-80」, 멜텍스사제의 상품명 「엔테크 CU-56」, 야마토 가세이사제의 상품명 「뉴다인실버」, 「뉴다인실버 S-1」, 치요다 케미컬사제의 상품명 「B-1057」 및 치요다 케미컬사제의 상품명 「B-1009NS」 등을 들 수 있다.In addition, as said discoloration inhibitor, the brand name "AC-20", "AC-70", "AC-80" manufactured by Kitaike Sangyo Co., Ltd., the brand name "Ntech CU-56" manufactured by Meltex Corporation, the brand name of Yamato Kasei Co., Ltd. "New Dyne Silver", "New Dyne Silver S-1", the brand name "B-1057" by Chiyoda Chemical Co., Ltd., and the brand name "B-1009NS" by the Chiyoda Chemical Company, etc. are mentioned.

상기 기재 입자의 표면 상에 금속부를 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 금속부를 형성하는 방법으로서는, 예를 들어 무전해 도금에 의한 방법, 전기 도금에 의한 방법, 물리적 증착에 의한 방법, 및 금속 분말 또는 금속 분말과 바인더를 포함하는 페이스트를 기재 입자의 표면에 코팅하는 방법 등을 들 수 있다. 금속부의 형성이 간편하므로, 무전해 도금에 의한 방법이 바람직하다. 상기 물리적 증착에 의한 방법으로서는, 진공 증착, 이온 플레이팅 및 이온 스퍼터링 등의 방법을 들 수 있다.The method of forming a metal part on the surface of the said substrate particle is not specifically limited. As a method of forming a metal part, for example, the method by electroless plating, the method by electroplating, the method by physical vapor deposition, and the method of coating the paste containing metal powder or metal powder and a binder on the surface of a substrate particle. and the like. Since formation of a metal part is simple, the method by electroless plating is preferable. As a method by the said physical vapor deposition, methods, such as vacuum vapor deposition, ion plating, and ion sputtering, are mentioned.

금속부의 외표면에 끝으로 갈수록 가늘어지는 침상의 형상을 갖는 돌기를 형성하는 방법으로서는, 하기 방법을 들 수 있다.The following method is mentioned as a method of forming the processus|protrusion which has a needle-like shape tapering toward the end on the outer surface of a metal part.

환원제로서 히드라진을 사용한 무전해 고순도 니켈 도금에 의한 방법, 환원제로서 히드라진을 사용한 무전해 팔라듐-니켈 합금에 의한 방법, 환원제로서 차아인산 화합물을 사용한 무전해 CoNiP 합금 도금 방법, 환원제로서 히드라진을 사용한 무전해 은 도금에 의한 방법, 및 환원제로서 차아인산 화합물을 사용한 무전해 구리-니켈-인 합금 도금에 의한 방법 등을 들 수 있다.Method by electroless high-purity nickel plating using hydrazine as reducing agent, method by electroless palladium-nickel alloy using hydrazine as reducing agent, electroless CoNiP alloy plating method using hypophosphorous acid as reducing agent, electroless plating using hydrazine as reducing agent The method by silver plating, the method by electroless copper- nickel- phosphorus alloy plating using a hypophosphorous acid compound as a reducing agent, etc. are mentioned.

무전해 도금에 의해 형성하는 방법에서는, 일반적으로 촉매화 공정과 무전해 도금 공정이 행해진다. 이하, 무전해 도금에 의해 수지 입자의 표면에, 구리 및 니켈을 포함하는 합금 도금층 및 금속부의 외표면에 끝으로 갈수록 가늘어지는 침상의 형상을 갖는 돌기를 형성하는 방법의 예를 설명한다.In the method of forming by electroless plating, a catalytic process and an electroless plating process are generally performed. Hereinafter, an example of a method of forming an alloy plating layer containing copper and nickel on the surface of a resin particle by electroless plating and a projection having a needle-like shape tapering toward the end on the outer surface of the metal part will be described.

상기 촉매화 공정에서는, 무전해 도금에 의해 도금층을 형성하기 위한 기점이 되는 촉매를 수지 입자의 표면에 형성시킨다.In the said catalysis process, the catalyst used as the starting point for forming a plating layer by electroless-plating is formed in the surface of a resin particle.

상기 촉매를 수지 입자의 표면에 형성시키는 방법으로서는, 예를 들어 염화팔라듐과 염화 주석을 포함하는 용액에 수지 입자를 첨가한 후, 산 용액 또는 알칼리 용액에 의해 수지 입자의 표면을 활성화시켜, 수지 입자의 표면에 팔라듐을 석출시키는 방법, 및 황산팔라듐과 아미노피리딘을 함유하는 용액에 수지 입자를 첨가한 후, 환원제를 포함하는 용액에 의해 수지 입자의 표면을 활성화시켜, 수지 입자의 표면에 팔라듐을 석출시키는 방법 등을 들 수 있다. 상기 환원제로서, 인 함유 환원제가 사용된다. 또한, 상기 환원제로서, 인 함유 환원제를 사용함으로써 인을 포함하는 금속부를 형성할 수 있다.As a method of forming the catalyst on the surface of the resin particles, for example, after adding the resin particles to a solution containing palladium chloride and tin chloride, the surface of the resin particles is activated with an acid solution or an alkali solution, and the resin particles A method of depositing palladium on the surface of and how to do it. As the reducing agent, a phosphorus-containing reducing agent is used. In addition, as the reducing agent, a metal portion containing phosphorus can be formed by using a phosphorus-containing reducing agent.

상기 무전해 도금 공정에서는, 구리 함유 화합물, 착화제 및 환원제를 함유하는 도금액을 사용하는 무전해 구리-니켈-인 합금 도금 방법에 있어서, 환원제로서 차아인산 화합물을 포함하고, 환원제의 반응 개시 금속 촉매로서 니켈 함유 화합물을 포함하며, 또한 비이온 계면 활성제를 포함하는 구리-니켈-인 합금 도금액을 사용하는 것이 바람직하다.In the electroless plating process, in the electroless copper-nickel-phosphorus alloy plating method using a plating solution containing a copper-containing compound, a complexing agent, and a reducing agent, a hypophosphorous acid compound is included as a reducing agent, and the reducing agent is a reaction initiating metal catalyst It is preferable to use a copper-nickel-phosphorus alloy plating solution containing a nickel-containing compound and a nonionic surfactant.

구리-니켈-인 합금 도금욕 중에 수지 입자를 침지시킴으로써, 촉매가 표면에 형성된 수지 입자의 표면에 구리-니켈-인 합금을 석출시킬 수 있고, 구리, 니켈 및 인을 포함하는 금속부를 형성할 수 있다.By immersing the resin particles in a copper-nickel-phosphorus alloy plating bath, the catalyst can precipitate a copper-nickel-phosphorus alloy on the surface of the resin particles formed on the surface, and form a metal part containing copper, nickel and phosphorus have.

상기 구리 함유 화합물로서는, 황산구리, 염화제2구리 및 질산구리 등을 들 수 있다. 상기 구리 함유 화합물은 황산구리인 것이 바람직하다.Copper sulfate, cupric chloride, copper nitrate, etc. are mentioned as said copper-containing compound. It is preferable that the said copper-containing compound is copper sulfate.

상기 니켈 함유 화합물로서는, 황산니켈, 염화니켈, 탄산니켈, 술팜산니켈 및 질산니켈 등을 들 수 있다. 상기 니켈 함유 화합물은 황산니켈인 것이 바람직하다.Examples of the nickel-containing compound include nickel sulfate, nickel chloride, nickel carbonate, nickel sulfamate, and nickel nitrate. The nickel-containing compound is preferably nickel sulfate.

상기 인 함유 환원제로서는, 차아인산 및 차아인산나트륨 등을 들 수 있다. 상기 인 함유 환원제에 더하여, 보론 함유 환원제를 사용해도 된다. 상기 보론 함유 환원제로서는, 디메틸아민보란, 수소화붕소나트륨 및 수소화붕소칼륨 등을 들 수 있다.As said phosphorus containing reducing agent, hypophosphorous acid, sodium hypophosphite, etc. are mentioned. In addition to the phosphorus-containing reducing agent, a boron-containing reducing agent may be used. As said boron-containing reducing agent, dimethylamine borane, sodium borohydride, potassium borohydride, etc. are mentioned.

상기 착화제는 아세트산나트륨, 프로피온산나트륨 등의 모노카르복실산 착화제, 말론산이나트륨 등의 디카르복실산 착화제, 숙신산이나트륨 등의 트리카르복실산 착화제, 락트산, DL-말산, 로셀염, 시트르산나트륨, 글루콘산나트륨 등의 히드록시산 착화제, 글리신, EDTA 등의 아미노산 착화제, 에틸렌디아민 등의 아민 착화제, 말레산 등의 유기산 착화제, 또는 이들의 염인 것이 바람직하다. 이들 바람직한 착화제는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.The complexing agent is a monocarboxylic acid complexing agent such as sodium acetate and sodium propionate, a dicarboxylic acid complexing agent such as disodium malonate, a tricarboxylic acid complexing agent such as disodium succinate, lactic acid, DL-malic acid, and Rochelle salt , a hydroxy acid complexing agent such as sodium citrate and sodium gluconate, an amino acid complexing agent such as glycine and EDTA, an amine complexing agent such as ethylenediamine, an organic acid complexing agent such as maleic acid, or a salt thereof. Only 1 type may be used for these preferable complexing agents, and 2 or more types may be used together.

상기 계면 활성제로서는, 음이온 계면 활성제, 양이온 계면 활성제, 비이온 계면 활성제 또는 양쪽성 계면 활성제를 들 수 있고, 특히 비이온 계면 활성제가 적합하다. 바람직한 비이온 계면 활성제는 에테르 산소 원자를 포함하는 폴리에테르이다. 바람직한 비이온 계면 활성제로서는, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌글리콜, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌알킬아민 및 에틸렌디아민의 폴리옥시알킬렌 부가물 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 폴리옥시에틸렌모노부틸에테르, 폴리옥시프로필렌모노부틸에테르, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 폴리옥시에틸렌모노알킬에테르, 폴리에틸렌글리콜 또는 페놀에톡실레이트이다. 상기 계면 활성제는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다. 분자량 1000 정도(예를 들어, 500 이상 2000 이하)의 폴리에틸렌글리콜이 특히 바람직하다.As said surfactant, anionic surfactant, cationic surfactant, nonionic surfactant, or amphoteric surfactant is mentioned, Especially a nonionic surfactant is suitable. Preferred nonionic surfactants are polyethers comprising ether oxygen atoms. Preferred nonionic surfactants include polyoxyethylene lauryl ether, polyethylene glycol, polypropylene glycol, polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene polyoxypropylene glycol, polyoxyethylene nonylphenyl ether, polyoxyethylene polyoxypropylene alkylamine and polyoxyalkylene adducts of ethylenediamine. Preferably, they are polyoxyethylene monoalkyl ether, such as polyoxyethylene monobutyl ether, polyoxypropylene monobutyl ether, and polyoxyethylene polyoxypropylene glycol monobutyl ether, polyethyleneglycol, or phenol ethoxylate. As for the said surfactant, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together. Polyethylene glycol having a molecular weight of about 1000 (eg, 500 or more and 2000 or less) is particularly preferable.

금속부의 외표면에 끝으로 갈수록 가늘어지는 침상의 형상을 갖는 돌기를 형성하기 위해서는, 구리 화합물과 니켈 화합물의 몰비를 제어하는 것이 바람직하다. 상기 구리 화합물의 사용량은 니켈 화합물에 대한 몰비로 2배 내지 100배인 것이 바람직하다.In order to form the protrusions having a needle-like shape tapering toward the end on the outer surface of the metal part, it is preferable to control the molar ratio of the copper compound to the nickel compound. The amount of the copper compound used is preferably 2 to 100 times the molar ratio of the nickel compound.

또한, 상기 비이온 계면 활성제 등을 사용하지 않아도, 침상의 형상을 갖는 돌기가 얻어진다. 꼭지각이 보다 예리하게 끝으로 갈수록 가늘어지는 형상의 돌기를 형성하기 위해서는, 비이온 계면 활성제를 사용하는 것이 바람직하고, 분자량 1000 정도(예를 들어, 500 이상 2000 이하)의 폴리에틸렌글리콜을 사용하는 것이 특히 바람직하다.Moreover, even if it does not use the said nonionic surfactant etc., the processus|protrusion which has a needle-like shape is obtained. In order to form a protrusion having a sharper apex angle and a tapering shape, it is preferable to use a nonionic surfactant, and it is particularly preferable to use polyethylene glycol having a molecular weight of about 1000 (eg, 500 or more and 2000 or less). desirable.

복수의 돌기의 평균 높이(b)의, 복수의 상기 돌기의 기부의 평균 직경(c)에 대한 비(평균 높이(b)/평균 직경(c))는 금속부의 두께에 의존하고, 도금욕에의 침지 시간으로 제어할 수 있다. 도금 온도는 바람직하게는 30℃ 이상, 바람직하게는 100℃ 이하이고, 또한 도금욕에의 침지 시간은 바람직하게는 5분 이상이다.The ratio (average height (b)/average diameter (c)) of the average height (b) of the plurality of projections to the average diameter (c) of the bases of the plurality of projections depends on the thickness of the metal part, and can be controlled by the immersion time of The plating temperature is preferably 30°C or higher, preferably 100°C or lower, and the immersion time in the plating bath is preferably 5 minutes or longer.

이어서, 무전해 도금에 의해 수지 입자의 표면에, 은 도금층 및 금속부의 외표면에 끝으로 갈수록 가늘어지는 침상의 형상을 갖는 돌기를 형성하는 방법의 예를 설명한다.Next, an example of a method of forming projections having a needle-like shape tapering toward the end on the outer surface of the silver plating layer and the metal portion on the surface of the resin particles by electroless plating will be described.

상기 촉매화 공정에서는, 무전해 도금에 의해 도금층을 형성하기 위한 기점이 되는 촉매를 수지 입자의 표면에 형성시킨다.In the said catalysis process, the catalyst used as the starting point for forming a plating layer by electroless-plating is formed in the surface of a resin particle.

상기 촉매를 수지 입자의 표면에 형성시키는 방법으로서는, 예를 들어 염화팔라듐과 염화주석을 포함하는 용액에 수지 입자를 첨가한 후, 산 용액 또는 알칼리 용액에 의해 수지 입자의 표면을 활성화시켜, 수지 입자의 표면에 팔라듐을 석출시키는 방법, 및 황산팔라듐과 아미노피리딘을 함유하는 용액에 수지 입자를 첨가한 후, 환원제를 포함하는 용액에 의해 수지 입자의 표면을 활성화시켜, 수지 입자의 표면에 팔라듐을 석출시키는 방법 등을 들 수 있다. 상기 환원제로서, 인 함유 환원제가 사용된다. 또한, 상기 환원제로서, 인 함유 환원제를 사용함으로써 인을 포함하는 금속부를 형성할 수 있다.As a method of forming the catalyst on the surface of the resin particle, for example, after adding the resin particle to a solution containing palladium chloride and tin chloride, the surface of the resin particle is activated with an acid solution or an alkali solution, and the resin particle A method of depositing palladium on the surface of and how to do it. As the reducing agent, a phosphorus-containing reducing agent is used. In addition, as the reducing agent, a metal portion containing phosphorus can be formed by using a phosphorus-containing reducing agent.

상기 무전해 도금 공정에서는, 은 함유 화합물, 착화제 및 환원제를 함유하는 도금액을 사용하는 무전해 은 도금 방법에 있어서, 환원제로서 히드라진, 비이온 계면 활성제 및 황 함유 유기 화합물을 포함하는 은 도금액을 사용하는 것이 바람직하다.In the electroless plating process, in the electroless silver plating method using a plating solution containing a silver-containing compound, a complexing agent, and a reducing agent, a silver plating solution containing hydrazine, a nonionic surfactant and a sulfur-containing organic compound as a reducing agent is used It is preferable to do

은 도금욕 중에 수지 입자를 침지시킴으로써, 촉매가 표면에 형성된 수지 입자의 표면에 은을 석출시킬 수 있고, 은을 포함하는 금속부를 형성할 수 있다.By immersing a resin particle in a silver plating bath, a catalyst can make silver precipitate on the surface of the resin particle formed in the surface, and can form the metal part containing silver.

상기 은 함유 화합물로서는, 시안화은칼륨, 질산은, 티오황산은나트륨, 글루콘산은, 은-시스테인 착체, 메탄술폰산은이 바람직하다.As said silver containing compound, potassium silver cyanide, silver nitrate, silver sodium thiosulfate, silver gluconate, a silver-cysteine complex, and silver methanesulfonate are preferable.

상기 환원제로서는, 히드라진, 차아인산나트륨, 디메틸아민보란, 수소화붕소나트륨 및 수소화붕소칼륨, 포르말린, 포도당 등을 들 수 있다.As said reducing agent, hydrazine, sodium hypophosphite, dimethylamine borane, sodium borohydride, potassium borohydride, formalin, glucose, etc. are mentioned.

침상의 형상을 갖는 돌기를 형성하는 위한 환원제로서는, 히드라진 일수화물, 염산히드라진 및 황산히드라진이 바람직하다.As the reducing agent for forming the needle-like projections, hydrazine monohydrate, hydrazine hydrochloride and hydrazine sulfate are preferable.

상기 착화제는 아세트산나트륨, 프로피온산나트륨 등의 모노카르복실산계 착화제, 말론산이나트륨 등의 디카르복실산계 착화제, 숙신산이나트륨 등의 트리카르복실 산계 착화제, 락트산, DL-말산, 로셀염, 시트르산나트륨, 글루콘산나트륨 등의 히드록시산계 착화제, 글리신, EDTA 등의 아미노산계 착화제, 에틸렌디아민 등의 아민계 착화제, 말레산 등의 유기산계 착화제, 또는 이들의 염인 것이 바람직하다. 이들 바람직한 착화제는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.The complexing agent is a monocarboxylic acid complexing agent such as sodium acetate and sodium propionate, a dicarboxylic acid complexing agent such as disodium malonate, a tricarboxylic acid complexing agent such as disodium succinate, lactic acid, DL-malic acid, and Rochelle salt , a hydroxy acid-based complexing agent such as sodium citrate and sodium gluconate, an amino acid-based complexing agent such as glycine and EDTA, an amine-based complexing agent such as ethylenediamine, an organic acid-based complexing agent such as maleic acid, or a salt thereof . Only 1 type may be used for these preferable complexing agents, and 2 or more types may be used together.

상기 계면 활성제로서는, 음이온 계면 활성제, 양이온 계면 활성제, 비이온 계면 활성제 또는 양쪽성 계면 활성제를 들 수 있고, 특히 비이온 계면 활성제가 적합하다. 바람직한 비이온 계면 활성제는 에테르 산소 원자를 포함하는 폴리에테르이다. 바람직한 비이온 계면 활성제로서는, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌글리콜, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌알킬아민 및 에틸렌디아민의 폴리옥시알킬렌 부가물 등을 들 수 있다. 바람직하게는 폴리옥시에틸렌모노부틸에테르, 폴리옥시프로필렌모노부틸에테르, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 폴리옥시에틸렌모노알킬에테르, 폴리에틸렌글리콜 또는 페놀에톡실레이트이다. 상기 계면 활성제는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다. 분자량 1000 정도(예를 들어, 500 이상 2000 이하)의 폴리에틸렌글리콜이 특히 바람직하다.As said surfactant, anionic surfactant, cationic surfactant, nonionic surfactant, or amphoteric surfactant is mentioned, Especially a nonionic surfactant is suitable. Preferred nonionic surfactants are polyethers comprising ether oxygen atoms. Preferred nonionic surfactants include polyoxyethylene lauryl ether, polyethylene glycol, polypropylene glycol, polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene polyoxypropylene glycol, polyoxyethylene nonylphenyl ether, polyoxyethylene polyoxypropylene alkylamine and polyoxyalkylene adducts of ethylenediamine. Preferably, they are polyoxyethylene monoalkyl ether, such as polyoxyethylene monobutyl ether, polyoxypropylene monobutyl ether, and polyoxyethylene polyoxypropylene glycol monobutyl ether, polyethylene glycol, or phenol ethoxylate. As for the said surfactant, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together. Polyethylene glycol having a molecular weight of about 1000 (eg, 500 or more and 2000 or less) is particularly preferable.

또한, 상기 비이온 계면 활성제 등을 사용하지 않아도, 침상의 형상을 갖는 돌기가 얻어진다. 꼭지각이 보다 예리하게 끝으로 갈수록 가늘어지는 형상의 돌기를 형성하기 위해서는, 비이온 계면 활성제를 사용하는 것이 바람직하고, 분자량 1000 정도(예를 들어, 500 이상 2000 이하)의 폴리에틸렌글리콜을 사용하는 것이 특히 바람직하다.Moreover, even if it does not use the said nonionic surfactant etc., the processus|protrusion which has a needle-like shape is obtained. In order to form a protrusion having a sharper apex angle and a tapering shape, it is preferable to use a nonionic surfactant, and it is particularly preferable to use polyethylene glycol having a molecular weight of about 1000 (eg, 500 or more and 2000 or less). desirable.

상기 황 함유 유기 화합물로서는, 술피드 또는 술폰산기를 갖는 유기 화합물, 티오요소 화합물 및 벤조티아졸 화합물 등을 들 수 있다. 상기 술피드 또는 술폰산기를 갖는 유기 화합물로서는, N,N-디메틸-디티오카르밤산-(3-술포프로필)에스테르, 3-머캅토-프로필술폰산-(3-술포프로필)에스테르, 3-머캅토-프로필술폰산나트륨염, 3-머캅토-1-프로판술폰산칼륨염, 탄산-디티오-o-에틸에스테르, 비스술포프로필디술피드, 비스-(3-술포프로필)-디술피드ㆍ디나트륨염, 3-(벤조티아졸릴-s-티오)프로필술폰산나트륨염, 피리디늄프로필술포베타인, 1-나트륨-3-머캅토프로판-1-술포네이트, N,N-디메틸-디티오카르밤산-(3-술포에틸)에스테르, 3-머캅토-에틸 프로필술폰산-(3-술포에틸)에스테르, 3-머캅토-에틸술폰산나트륨염, 3-머캅토-1-에탄술폰산칼륨염, 탄산-디티오-o-에틸에스테르-s-에스테르, 비스술포에틸디술피드, 3-(벤조티아졸릴-s-티오)에틸술폰산나트륨염, 피리디늄에틸술포베타인, 1-나트륨-3-머캅토에탄-1-술포네이트 및 티오요소 화합물 등을 들 수 있다. 상기 티오요소 화합물로서는, 티오요소, 1,3-디메틸티오요소, 트리메틸티오요소, 디에틸티오요소 및 알릴티오요소 등을 들 수 있다.Examples of the sulfur-containing organic compound include an organic compound having a sulfide or sulfonic acid group, a thiourea compound, and a benzothiazole compound. Examples of the organic compound having a sulfide or sulfonic acid group include N,N-dimethyl-dithiocarbamic acid-(3-sulfopropyl)ester, 3-mercapto-propylsulfonic acid-(3-sulfopropyl)ester, 3-mercapto -Propylsulfonate sodium salt, 3-mercapto-1-propanesulfonic acid potassium salt, carbonic acid-dithio-o-ethyl ester, bissulfopropyldisulfide, bis-(3-sulfopropyl)-disulfide/disodium salt; 3-(benzothiazolyl-s-thio)propylsulfonate sodium salt, pyridiniumpropylsulfobetaine, 1-sodium-3-mercaptopropane-1-sulfonate, N,N-dimethyl-dithiocarbamic acid-( 3-sulfoethyl) ester, 3-mercapto-ethyl propylsulfonic acid-(3-sulfoethyl) ester, 3-mercapto-ethylsulfonic acid sodium salt, 3-mercapto-1-ethanesulfonic acid potassium salt, carbonic acid-dithio -o-ethyl ester-s-ester, bissulfoethyldisulfide, 3-(benzothiazolyl-s-thio)ethylsulfonate sodium salt, pyridinium ethylsulfobetaine, 1-sodium-3-mercaptoethane-1 - A sulfonate, a thiourea compound, etc. are mentioned. Examples of the thiourea compound include thiourea, 1,3-dimethylthiourea, trimethylthiourea, diethylthiourea, and allylthiourea.

또한, 상기 황 함유 유기 화합물 등을 사용하지 않아도, 침상의 형상을 갖는 돌기가 얻어진다. 꼭지각이 보다 예리하게 끝으로 갈수록 가늘어지는 형상의 돌기를 형성하기 위해서는, 황 함유 유기 화합물을 사용하는 것이 바람직하고, 티오요소를 사용하는 것이 특히 바람직하다.Moreover, even if it does not use the said sulfur containing organic compound etc., the processus|protrusion which has a needle-like shape is obtained. In order to form a protrusion having a sharper apex angle and a tapering shape, it is preferable to use a sulfur-containing organic compound, and it is particularly preferable to use thiourea.

복수의 돌기의 평균 높이(b)의, 복수의 상기 돌기의 기부의 평균 직경(c)에 대한 비(평균 높이(b)/평균 직경(c))는 금속부의 두께에 의존하고, 도금욕에의 침지 시간으로 제어할 수 있다. 도금 온도는 바람직하게는 30℃ 이상, 바람직하게는 100℃ 이하이고, 또한 도금욕에의 침지 시간은 바람직하게는 5분 이상이다.The ratio (average height (b)/average diameter (c)) of the average height (b) of the plurality of projections to the average diameter (c) of the bases of the plurality of projections depends on the thickness of the metal part, and can be controlled by the immersion time of The plating temperature is preferably 30°C or higher, preferably 100°C or lower, and the immersion time in the plating bath is preferably 5 minutes or longer.

이어서, 무전해 도금에 의해 수지 입자의 표면에, 고순도 니켈 도금층 및 금속부의 외표면에 끝으로 갈수록 가늘어지는 침상의 형상을 갖는 돌기를 형성하는 방법의 예를 설명한다.Next, an example of a method of forming a high-purity nickel plating layer on the surface of a resin particle by electroless plating and a projection having a needle-like shape tapering toward the end on the outer surface of the metal part will be described.

상기 촉매화 공정에서는, 무전해 도금에 의해 도금층을 형성하기 위한 기점이 되는 촉매를 수지 입자의 표면에 형성시킨다.In the said catalysis process, the catalyst used as the starting point for forming a plating layer by electroless-plating is formed in the surface of a resin particle.

상기 촉매를 수지 입자의 표면에 형성시키는 방법으로서는, 예를 들어 염화팔라듐과 염화주석을 포함하는 용액에 수지 입자를 첨가한 후, 산 용액 또는 알칼리 용액에 의해 수지 입자의 표면을 활성화시켜, 수지 입자의 표면에 팔라듐을 석출시키는 방법, 및 황산팔라듐과 아미노피리딘을 함유하는 용액에 수지 입자를 첨가한 후, 환원제를 포함하는 용액에 의해 수지 입자의 표면을 활성화시켜, 수지 입자의 표면에 팔라듐을 석출시키는 방법 등을 들 수 있다. 상기 환원제로서, 인 함유 환원제가 사용된다. 또한, 상기 환원제로서, 인 함유 환원제를 사용함으로써 인을 포함하는 금속부를 형성할 수 있다.As a method of forming the catalyst on the surface of the resin particle, for example, after adding the resin particle to a solution containing palladium chloride and tin chloride, the surface of the resin particle is activated with an acid solution or an alkali solution, and the resin particle A method of depositing palladium on the surface of and how to do it. As the reducing agent, a phosphorus-containing reducing agent is used. In addition, as the reducing agent, a metal portion containing phosphorus can be formed by using a phosphorus-containing reducing agent.

상기 무전해 도금 공정에서는, 니켈 함유 화합물, 착화제 및 환원제를 함유하는 도금액을 사용하는 무전해 고순도 니켈 도금 방법에 있어서, 환원제로서 히드라진을 포함하는 고순도 니켈 도금액이 적합하게 사용된다.In the electroless plating process, in the electroless high-purity nickel plating method using a plating solution containing a nickel-containing compound, a complexing agent and a reducing agent, a high-purity nickel plating solution containing hydrazine as a reducing agent is suitably used.

고순도 니켈 도금욕 중에 수지 입자를 침지시킴으로써, 촉매가 표면에 형성된 수지 입자의 표면에, 고순도 니켈 도금을 석출시킬 수 있어, 고순도 니켈의 금속부를 형성할 수 있다.By immersing the resin particles in the high-purity nickel plating bath, high-purity nickel plating can be deposited on the surface of the resin particles having the catalyst formed thereon, and a metal portion of high-purity nickel can be formed.

상기 니켈 함유 화합물로서는, 황산니켈, 염화니켈, 탄산니켈, 술팜산니켈 및 질산니켈 등을 들 수 있다. 상기 니켈 함유 화합물은 염화니켈인 것이 바람직하다.Examples of the nickel-containing compound include nickel sulfate, nickel chloride, nickel carbonate, nickel sulfamate, and nickel nitrate. The nickel-containing compound is preferably nickel chloride.

상기 환원제로서는, 히드라진 일수화물, 염산히드라진 및 황산히드라진을 들 수 있다. 상기 환원제는 히드라진 일수화물인 것이 바람직하다.Examples of the reducing agent include hydrazine monohydrate, hydrazine hydrochloride and hydrazine sulfate. The reducing agent is preferably hydrazine monohydrate.

상기 착화제로서는, 아세트산나트륨, 프로피온산나트륨 등의 모노카르복실산계 착화제, 말론산이나트륨 등의 디카르복실산계 착화제, 숙신산이나트륨 등의 트리카르복실산계 착화제, 락트산, DL-말산, 로셀염, 시트르산나트륨, 글루콘산나트륨 등의 히드록시산계 착화제, 글리신, EDTA 등의 아미노산계 착화제, 에틸렌디아민 등의 아민계 착화제, 말레산 등의 유기산계 착화제 등을 들 수 있다. 상기 착화제는, 아미노산계 착화제인 글리신인 것이 바람직하다.Examples of the complexing agent include monocarboxylic acid-based complexing agents such as sodium acetate and sodium propionate, dicarboxylic acid-based complexing agents such as disodium malonate, tricarboxylic acid-based complexing agents such as disodium succinate, lactic acid, DL-malic acid, and rho and hydroxy acid-based complexing agents such as cell salt, sodium citrate and sodium gluconate, amino acid-based complexing agents such as glycine and EDTA, amine-based complexing agents such as ethylenediamine, and organic acid-based complexing agents such as maleic acid. It is preferable that the said complexing agent is glycine which is an amino acid type complexing agent.

금속부의 외표면에 끝으로 갈수록 가늘어지는 침상의 형상을 갖는 돌기를 형성하기 위해서는, 도금액의 pH를 8.0 이상으로 조정하는 것이 바람직하다. 환원제로서 히드라진을 사용하는 무전해 도금액에서는, 히드라진의 산화 반응에 의해 니켈을 환원할 때에 pH의 급격한 저하를 수반한다. 상기 pH의 급격한 저하를 억제하기 위해서, 인산, 붕산, 탄산 등의 완충제를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 완충제는, pH 8.0 이상의 완충 작용의 효과가 있는 붕산인 것이 바람직하다.In order to form protrusions having a needle-like shape tapering toward the end on the outer surface of the metal part, the pH of the plating solution is preferably adjusted to 8.0 or higher. In the electroless plating solution using hydrazine as a reducing agent, when nickel is reduced by the oxidation reaction of hydrazine, it is accompanied by a sharp drop in pH. In order to suppress the abrupt decrease in the pH, it is preferable to use a buffering agent such as phosphoric acid, boric acid, or carbonic acid. It is preferable that the said buffering agent is boric acid which has the effect of a buffering action of pH 8.0 or more.

복수의 돌기의 평균 높이(b)의, 복수의 상기 돌기의 기부의 평균 직경(c)에 대한 비(평균 높이(b)/평균 직경(c))는 금속부의 두께에 의존하고, 도금욕에의 침지 시간으로 제어할 수 있다. 도금 온도는 바람직하게는 30℃ 이상, 바람직하게는 100℃ 이하이고, 또한 도금욕에의 침지 시간은 바람직하게는 5분 이상이다.The ratio (average height (b)/average diameter (c)) of the average height (b) of the plurality of projections to the average diameter (c) of the bases of the plurality of projections depends on the thickness of the metal part, and can be controlled by the immersion time of The plating temperature is preferably 30°C or higher, preferably 100°C or lower, and the immersion time in the plating bath is preferably 5 minutes or longer.

이어서, 무전해 도금에 의해 수지 입자의 표면에, 팔라듐-니켈 합금 도금층 및 금속부의 외표면에 끝으로 갈수록 가늘어지는 침상의 형상을 갖는 돌기를 형성하는 방법의 예를 설명한다.Next, an example of a method of forming a palladium-nickel alloy plating layer on the surface of a resin particle by electroless plating and a projection having a needle-like shape tapering toward the end on the outer surface of the metal part will be described.

상기 촉매화 공정에서는, 무전해 도금에 의해 도금층을 형성하기 위한 기점이 되는 촉매를 수지 입자의 표면에 형성시킨다.In the said catalysis process, the catalyst used as the starting point for forming a plating layer by electroless-plating is formed in the surface of a resin particle.

상기 촉매를 수지 입자의 표면에 형성시키는 방법으로서는, 예를 들어 염화팔라듐과 염화주석을 포함하는 용액에 수지 입자를 첨가한 후, 산 용액 또는 알칼리 용액에 의해 수지 입자의 표면을 활성화시켜, 수지 입자의 표면에 팔라듐을 석출시키는 방법, 및 황산팔라듐과 아미노피리딘을 함유하는 용액에 수지 입자를 첨가한 후, 환원제를 포함하는 용액에 의해 수지 입자의 표면을 활성화시켜, 수지 입자의 표면에 팔라듐을 석출시키는 방법 등을 들 수 있다. 상기 환원제로서, 인 함유 환원제가 사용된다. 또한, 상기 환원제로서, 인 함유 환원제를 사용함으로써 인을 포함하는 금속부를 형성할 수 있다.As a method of forming the catalyst on the surface of the resin particle, for example, after adding the resin particle to a solution containing palladium chloride and tin chloride, the surface of the resin particle is activated with an acid solution or an alkali solution, and the resin particle A method of depositing palladium on the surface of and how to do it. As the reducing agent, a phosphorus-containing reducing agent is used. In addition, as the reducing agent, a phosphorus-containing metal portion can be formed by using a phosphorus-containing reducing agent.

상기 무전해 도금 공정에서는, 니켈 함유 화합물, 팔라듐 화합물, 안정제, 착화제 및 환원제를 함유하는 도금액을 사용하는 무전해 팔라듐-니켈 도금 방법에 있어서, 환원제로서 히드라진을 포함하는 팔라듐-니켈 합금 도금액이 적합하게 사용된다.In the electroless plating process, in the electroless palladium-nickel plating method using a plating solution containing a nickel-containing compound, a palladium compound, a stabilizer, a complexing agent, and a reducing agent, a palladium-nickel alloy plating solution containing hydrazine as a reducing agent is suitable is used sparingly

팔라듐-니켈 합금 도금욕 중에 수지 입자를 침지시킴으로써, 촉매가 표면에 형성된 수지 입자의 표면에, 팔라듐-니켈 합금 도금을 석출시킬 수 있어, 팔라듐-니켈의 금속부를 형성할 수 있다.By immersing the resin particles in a palladium-nickel alloy plating bath, the catalyst can deposit palladium-nickel alloy plating on the surface of the resin particles formed on the surface, and a palladium-nickel metal part can be formed.

상기 니켈 함유 화합물로서는, 황산니켈, 염화니켈, 탄산니켈, 술팜산니켈 및 질산니켈 등을 들 수 있다. 상기 니켈 함유 화합물은 황산니켈인 것이 바람직하다.Examples of the nickel-containing compound include nickel sulfate, nickel chloride, nickel carbonate, nickel sulfamate, and nickel nitrate. The nickel-containing compound is preferably nickel sulfate.

상기 팔라듐 함유 화합물로서는, 디클로로에틸렌디아민팔라듐(II), 염화팔라듐, 디클로로디암민팔라듐(II), 디니트로디암민팔라듐(II), 테트라암민팔라듐(II)질산염, 테트라암민팔라듐(II)황산염, 옥살레이토디암민팔라듐(II), 테트라암민팔라듐(II)옥살산염 및 테트라암민팔라듐(II)클로라이드 등을 들 수 있다. 상기 팔라듐 함유 화합물은 염화팔라듐인 것이 바람직하다.Examples of the palladium-containing compound include dichloroethylenediaminepalladium(II), palladium chloride, dichlorodiamminepalladium(II), dinitrodiamminepalladium(II), tetraamminepalladium(II)nitrate, tetraamminepalladium(II)sulfate, and oxalatodiammine palladium (II), tetraammine palladium (II) oxalate, and tetraammine palladium (II) chloride. The palladium-containing compound is preferably palladium chloride.

상기 안정제로서는, 납 화합물, 비스무트 화합물 및 탈륨 화합물 등을 들 수 있다. 이들 화합물로서는, 구체적으로는 화합물을 구성하는 금속(납, 비스무트, 탈륨)의 황산염, 탄산염, 아세트산염, 질산염 및 염산염 등을 들 수 있다. 환경에 대한 영향을 고려하면, 비스무트 화합물 또는 탈륨 화합물이 바람직하다. 이들 바람직한 안정제는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.As said stabilizer, a lead compound, a bismuth compound, a thallium compound, etc. are mentioned. Specific examples of these compounds include sulfates, carbonates, acetates, nitrates and hydrochlorides of metals (lead, bismuth, and thallium) constituting the compounds. In consideration of the effect on the environment, a bismuth compound or a thallium compound is preferred. As for these preferable stabilizers, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

상기 환원제로서는, 히드라진 일수화물, 염산히드라진 및 황산히드라진을 들 수 있다. 상기 환원제는 히드라진 일수화물인 것이 바람직하다.Examples of the reducing agent include hydrazine monohydrate, hydrazine hydrochloride and hydrazine sulfate. The reducing agent is preferably hydrazine monohydrate.

상기 착화제로서는, 아세트산나트륨, 프로피온산나트륨 등의 모노카르복실산계 착화제, 말론산이나트륨 등의 디카르복실산계 착화제, 숙신산이나트륨 등의 트리카르복실 산계 착화제, 락트산, DL-말산, 로셀염, 시트르산나트륨, 글루콘산나트륨 등의 히드록시산계 착화제, 글리신, EDTA 등의 아미노산계 착화제, 에틸렌디아민 등의 아민계 착화제, 말레산 등의 유기산계 착화제 등을 들 수 있다. 상기 착화제는 아미노산계 착화제인 에틸렌디아민인 것이 바람직하다.Examples of the complexing agent include monocarboxylic acid complexing agents such as sodium acetate and sodium propionate, dicarboxylic acid complexing agents such as disodium malonate, tricarboxylic acid complexing agents such as disodium succinate, lactic acid, DL-malic acid, and rho and hydroxy acid-based complexing agents such as cell salt, sodium citrate and sodium gluconate, amino acid-based complexing agents such as glycine and EDTA, amine-based complexing agents such as ethylenediamine, and organic acid-based complexing agents such as maleic acid. The complexing agent is preferably ethylenediamine, which is an amino acid-based complexing agent.

금속부의 외표면에 끝으로 갈수록 가늘어지는 침상의 형상을 갖는 돌기를 형성하기 위해서는, 도금액의 pH를 8.0 내지 10.0으로 조정하는 것이 바람직하다. pH 7.5 이하에서는, 도금액의 안정성이 저하되어, 욕 분해를 야기하기 때문에, pH 8.0 이상으로 하는 것이 바람직하다.In order to form protrusions having a needle-like shape tapering toward the end on the outer surface of the metal part, it is preferable to adjust the pH of the plating solution to 8.0 to 10.0. If the pH is 7.5 or less, the stability of the plating solution is lowered and bath decomposition is caused, so it is preferable to set the pH to 8.0 or more.

복수의 돌기의 평균 높이(b)의, 복수의 상기 돌기의 기부의 평균 직경(c)에 대한 비(평균 높이(b)/평균 직경(c))는 금속부의 두께에 의존하고, 도금욕에의 침지 시간으로 제어할 수 있다. 도금 온도는 바람직하게는 30℃ 이상, 바람직하게는 100℃ 이하이고, 또한 도금욕에의 침지 시간은 바람직하게는 5분 이상이다.The ratio (average height (b)/average diameter (c)) of the average height (b) of the plurality of projections to the average diameter (c) of the bases of the plurality of projections depends on the thickness of the metal part, and can be controlled by the immersion time of The plating temperature is preferably 30°C or higher, preferably 100°C or lower, and the immersion time in the plating bath is preferably 5 minutes or longer.

이어서, 무전해 도금에 의해 수지 입자의 표면에, 코발트와 니켈을 포함하는 합금 도금층 및 금속부의 외표면에 끝으로 갈수록 가늘어지는 침상의 형상을 갖는 돌기를 형성하는 방법의 일례를 설명한다.Next, an example of a method of forming an alloy plating layer containing cobalt and nickel on the surface of a resin particle by electroless plating and a projection having a needle-like shape tapering toward the end on the outer surface of the metal part will be described.

상기 촉매화 공정에서는, 무전해 도금에 의해 도금층을 형성하기 위한 기점이 되는 촉매를 수지 입자의 표면에 형성시킨다.In the said catalysis process, the catalyst used as the starting point for forming a plating layer by electroless-plating is formed in the surface of a resin particle.

상기 촉매를 수지 입자의 표면에 형성시키는 방법으로서는, 예를 들어 염화팔라듐과 염화주석을 포함하는 용액에 수지 입자를 첨가한 후, 산 용액 또는 알칼리 용액에 의해 수지 입자의 표면을 활성화시켜, 수지 입자의 표면에 팔라듐을 석출시키는 방법, 및 황산팔라듐과 아미노피리딘을 함유하는 용액에 수지 입자를 첨가한 후, 환원제를 포함하는 용액에 의해 수지 입자의 표면을 활성화시켜, 수지 입자의 표면에 팔라듐을 석출시키는 방법 등을 들 수 있다. 상기 환원제로서, 인 함유 환원제가 사용된다. 또한, 상기 환원제로서, 인 함유 환원제를 사용함으로써 인을 포함하는 금속부를 형성할 수 있다.As a method of forming the catalyst on the surface of the resin particle, for example, after adding the resin particle to a solution containing palladium chloride and tin chloride, the surface of the resin particle is activated with an acid solution or an alkali solution, and the resin particle A method of depositing palladium on the surface of and how to do it. As the reducing agent, a phosphorus-containing reducing agent is used. In addition, as the reducing agent, a metal portion containing phosphorus can be formed by using a phosphorus-containing reducing agent.

상기 무전해 도금 공정에서는, 코발트 함유 화합물, 무기 첨가제, 착화제 및 환원제를 함유하는 도금액을 사용하는 무전해 코발트-니켈-인 합금 도금 방법에 있어서, 환원제로서 차아인산 화합물을 포함하고, 환원제의 반응 개시 금속 촉매로서 코발트 함유 화합물을 포함하는 코발트-니켈-인 합금 도금액이 적합하게 사용된다.In the electroless plating process, in the electroless cobalt-nickel-phosphorus alloy plating method using a plating solution containing a cobalt-containing compound, an inorganic additive, a complexing agent and a reducing agent, a hypophosphorous acid compound is included as a reducing agent, and the reducing agent is reacted As the starting metal catalyst, a cobalt-nickel-phosphorus alloy plating solution containing a cobalt-containing compound is suitably used.

코발트-니켈-인 합금 도금욕 중에 수지 입자를 침지시킴으로써, 촉매가 표면에 형성된 수지 입자의 표면에, 코발트-니켈-인 합금을 석출시킬 수 있어, 코발트, 니켈 및 인을 포함하는 금속부를 형성할 수 있다.By immersing the resin particles in the cobalt-nickel-phosphorus alloy plating bath, the catalyst can precipitate a cobalt-nickel-phosphorus alloy on the surface of the resin particles formed on the surface, thereby forming a metal part containing cobalt, nickel and phosphorus. can

상기 코발트 함유 화합물은 황산코발트, 염화코발트, 질산코발트, 아세트산코발트, 또는 탄산코발트인 것이 바람직하다. 상기 코발트 함유 화합물은 황산코발트인 것이 보다 바람직하다.The cobalt-containing compound is preferably cobalt sulfate, cobalt chloride, cobalt nitrate, cobalt acetate, or cobalt carbonate. The cobalt-containing compound is more preferably cobalt sulfate.

상기 니켈 함유 화합물로서는, 황산니켈, 염화니켈, 탄산니켈, 술팜산니켈 및 질산니켈 등을 들 수 있다. 상기 니켈 함유 화합물은 황산니켈인 것이 바람직하다.Examples of the nickel-containing compound include nickel sulfate, nickel chloride, nickel carbonate, nickel sulfamate, and nickel nitrate. The nickel-containing compound is preferably nickel sulfate.

상기 인 함유 환원제로서는, 차아인산 및 차아인산나트륨 등을 들 수 있다. 상기 인 함유 환원제에 더하여 보론 함유 환원제를 사용해도 된다. 상기 보론 함유 환원제로서는, 디메틸아민보란, 수소화붕소나트륨 및 수소화붕소칼륨 등을 들 수 있다.As said phosphorus containing reducing agent, hypophosphorous acid, sodium hypophosphite, etc. are mentioned. In addition to the phosphorus-containing reducing agent, a boron-containing reducing agent may be used. As said boron-containing reducing agent, dimethylamine borane, sodium borohydride, potassium borohydride, etc. are mentioned.

상기 착화제는 아세트산나트륨, 프로피온산나트륨 등의 모노카르복실산계 착화제, 말론산이나트륨 등의 디카르복실산계 착화제, 숙신산이나트륨 등의 트리카르복실산계 착화제, 락트산, DL-말산, 로셀염, 시트르산나트륨, 글루콘산나트륨 등의 히드록시산계 착화제, 글리신, EDTA 등의 아미노산계 착화제, 에틸렌디아민 등의 아민계 착화제, 말레산 등의 유기산계 착화제, 또는 이들의 염인 것이 바람직하다. 이들 바람직한 착화제는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.The complexing agent is a monocarboxylic acid complexing agent such as sodium acetate and sodium propionate, a dicarboxylic acid complexing agent such as disodium malonate, a tricarboxylic acid complexing agent such as disodium succinate, lactic acid, DL-malic acid, and Rochelle salt , a hydroxy acid-based complexing agent such as sodium citrate and sodium gluconate, an amino acid-based complexing agent such as glycine and EDTA, an amine-based complexing agent such as ethylenediamine, an organic acid-based complexing agent such as maleic acid, or a salt thereof . Only 1 type may be used for these preferable complexing agents, and 2 or more types may be used together.

상기 무기 첨가제는 황산암모늄, 염화암모늄 또는 붕산인 것이 바람직하다. 이들 바람직한 무기 첨가제는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다. 상기 무기 첨가제는 무전해 코발트 도금층의 석출을 촉진시키는 작용을 하는 것으로 생각된다.The inorganic additive is preferably ammonium sulfate, ammonium chloride or boric acid. As for these preferable inorganic additives, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together. The inorganic additive is considered to act to promote precipitation of the electroless cobalt plating layer.

금속부의 외표면에 끝으로 갈수록 가늘어지는 침상의 형상을 갖는 돌기를 형성하기 위해서는, 코발트 화합물과 니켈 화합물의 몰비를 제어하는 것이 바람직하다. 상기 코발트 화합물의 사용량은 니켈 화합물에 대한 몰비로 2배 내지 100배인 것이 바람직하다.In order to form protrusions having a needle-like shape tapering toward the end on the outer surface of the metal part, it is preferable to control the molar ratio of the cobalt compound and the nickel compound. The amount of the cobalt compound used is preferably 2 to 100 times the molar ratio to the nickel compound.

또한, 상기 무기 첨가제를 사용하지 않아도, 침상의 형상을 갖는 돌기가 얻어진다. 꼭지각이 보다 작고, 예리하게 끝으로 갈수록 가늘어지는 형상의 돌기를 형성하기 위해서는 무기 첨가제를 사용하는 것이 바람직하고, 황산암모늄을 사용하는 것이 특히 바람직하다.Moreover, even if it does not use the said inorganic additive, the processus|protrusion which has a needle-like shape is obtained. It is preferable to use an inorganic additive, and it is particularly preferable to use ammonium sulfate in order to form a protrusion having a smaller apex angle and a sharply tapering shape.

복수의 돌기의 평균 높이(b)의, 복수의 상기 돌기의 기부의 평균 직경(c)에 대한 비(평균 높이(b)/평균 직경(c))는 금속부의 두께에 의존하고, 도금욕에의 침지 시간으로 제어할 수 있다. 도금 온도는 바람직하게는 30℃ 이상, 바람직하게는 100℃ 이하이고, 또한 도금욕에의 침지 시간은 바람직하게는 5분 이상이다.The ratio (average height (b)/average diameter (c)) of the average height (b) of the plurality of projections to the average diameter (c) of the bases of the plurality of projections depends on the thickness of the metal part, and can be controlled by the immersion time of The plating temperature is preferably 30°C or higher, preferably 100°C or lower, and the immersion time in the plating bath is preferably 5 minutes or longer.

상기 돌기가 없는 부분에서의 금속부 전체의 두께는, 바람직하게는 5nm 이상, 보다 바람직하게는 10nm 이상, 더욱 바람직하게는 20nm 이상, 특히 바람직하게는 50nm 이상이며, 바람직하게는 1000nm 이하, 보다 바람직하게는 800nm 이하, 더욱 바람직하게는 500nm 이하, 특히 바람직하게는 400nm 이하이다. 상기 볼록부가 없는 부분에서의 금속부 전체의 두께는, 바람직하게는 5nm 이상, 보다 바람직하게는 10nm 이상, 더욱 바람직하게는 20nm 이상, 특히 바람직하게는 50nm 이상이며, 바람직하게는 1000nm 이하, 보다 바람직하게는 800nm 이하, 더욱 바람직하게는 500nm 이하, 특히 바람직하게는 400nm 이하이다. 금속부 전체의 두께가 상기 하한 이상이면, 금속부의 박리가 억제된다. 금속부 전체의 두께가 상기 상한 이하이면, 기재 입자와 금속부의 열팽창률의 차가 작아지고, 기재 입자로부터 금속부가 박리되기 어려워진다. 상기 금속부의 두께는, 금속부가 복수의 금속부(제1 금속부와 제2 금속부)를 갖는 경우에는, 금속부 전체의 두께(제1, 제2 금속부의 합계 두께)를 나타낸다.The thickness of the entire metal portion in the non-protrusion portion is preferably 5 nm or more, more preferably 10 nm or more, still more preferably 20 nm or more, particularly preferably 50 nm or more, preferably 1000 nm or less, more preferably Preferably it is 800 nm or less, More preferably, it is 500 nm or less, Especially preferably, it is 400 nm or less. The thickness of the entire metal portion in the portion without the convex portion is preferably 5 nm or more, more preferably 10 nm or more, still more preferably 20 nm or more, particularly preferably 50 nm or more, preferably 1000 nm or less, more preferably Preferably it is 800 nm or less, More preferably, it is 500 nm or less, Especially preferably, it is 400 nm or less. If the thickness of the whole metal part is more than the said lower limit, peeling of a metal part is suppressed. The difference between a substrate particle and the coefficient of thermal expansion of a metal part becomes it small that the thickness of the whole metal part is below the said upper limit, and it becomes difficult to peel a metal part from a substrate particle. The thickness of the metal part represents the thickness of the entire metal part (the total thickness of the first and second metal parts) when the metal part has a plurality of metal parts (the first metal part and the second metal part).

상기 금속부가 복수의 금속부를 갖는 경우에, 최외층의 상기 돌기가 없는 부분에서의 금속부의 두께는, 바람직하게는 1nm 이상, 보다 바람직하게는 10nm 이상이며, 바람직하게는 500nm 이하, 보다 바람직하게는 100nm 이하이다. 상기 금속부가 복수의 금속부를 갖는 경우에, 최외층의 상기 볼록부가 없는 부분에서의 금속부의 두께는, 바람직하게는 1nm 이상, 보다 바람직하게는 10nm 이상이며, 바람직하게는 500nm 이하, 보다 바람직하게는 100nm 이하이다. 상기 최외층의 금속부의 두께가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 최외층의 금속부에 의한 피복을 균일하게 할 수 있어, 내부식성이 충분히 높아지고, 또한 전극간의 접속 저항이 충분히 낮아진다. 또한, 상기 최외층이 내층의 금속부보다도 고가일 경우에, 최외층의 두께가 얇을수록 비용이 낮아진다.When the metal part has a plurality of metal parts, the thickness of the metal part in the non-protrusion portion of the outermost layer is preferably 1 nm or more, more preferably 10 nm or more, preferably 500 nm or less, more preferably less than 100 nm. When the metal part has a plurality of metal parts, the thickness of the metal part in the portion without the convex part of the outermost layer is preferably 1 nm or more, more preferably 10 nm or more, preferably 500 nm or less, more preferably less than 100 nm. When the thickness of the metal portion of the outermost layer is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, the coating by the metal portion of the outermost layer can be made uniform, the corrosion resistance is sufficiently increased, and the connection resistance between the electrodes is sufficiently lowered. Further, in the case where the outermost layer is more expensive than the metal portion of the inner layer, the lower the thickness of the outermost layer, the lower the cost.

상기 금속부의 두께는, 예를 들어 투과형 전자 현미경(TEM)을 사용하여 금속 함유 입자의 단면을 관찰함으로써 측정 가능하다.The thickness of the metal portion can be measured, for example, by observing the cross section of the metal-containing particles using a transmission electron microscope (TEM).

[코어 물질][Core material]

상기 금속 함유 입자는, 상기 금속부의 표면을 융기시키고 있는 복수의 코어 물질을 구비하는 것이 바람직하고, 상기 금속부 내에서 복수의 상기 볼록부 또는 복수의 상기 돌기를 형성하도록, 상기 금속부의 표면을 융기시키고 있는 복수의 코어 물질을 구비하는 것이 보다 바람직하다. 상기 코어 물질이 상기 금속부 중에 매립되어 있음으로써, 상기 금속부가 외표면에 복수의 상기 볼록부 또는 복수의 돌기를 갖도록 하는 것이 용이하다. 단, 금속 함유 입자 및 금속부의 외표면에 볼록부 또는 돌기를 형성하기 위해서, 코어 물질을 반드시 사용하지 않아도 된다. 예를 들어, 무전해 도금에 의해 코어 물질을 사용하지 않고 볼록부 또는 돌기를 형성하는 방법으로서, 무전해 도금에 의해 금속 핵을 발생시켜 기재 입자 또는 금속부의 표면에 금속 핵을 부착시키고, 또한 무전해 도금에 의해 금속부를 형성하는 방법 등을 들 수 있다.Preferably, the metal-containing particles include a plurality of core substances that raise the surface of the metal portion, and the surface of the metal portion is raised so as to form a plurality of the convex portions or a plurality of the projections in the metal portion. It is more preferable to provide a plurality of core substances. Since the core material is embedded in the metal part, it is easy to make the metal part have a plurality of the convex parts or a plurality of protrusions on the outer surface. However, in order to form convex parts or protrusions on the outer surfaces of the metal-containing particles and the metal part, it is not necessarily necessary to use a core material. For example, as a method of forming convex parts or projections by electroless plating without using a core material, metal nuclei are generated by electroless plating to attach metal nuclei to the surface of substrate particles or metal parts, and furthermore, electroless plating The method of forming a metal part by sea plating, etc. are mentioned.

상기 볼록부 또는 돌기를 형성하는 방법으로서는, 기재 입자의 표면에 코어 물질을 부착시킨 후, 무전해 도금에 의해 금속부를 형성하는 방법, 및 기재 입자의 표면에 무전해 도금에 의해 금속부를 형성한 후, 코어 물질을 부착시키고, 또한 무전해 도금에 의해 금속부를 형성하는 방법 등을 들 수 있다.As a method of forming the said convex part or processus|protrusion, after making a core substance adhere to the surface of a substrate particle, After forming a metal part by electroless-plating in the method of forming a metal part by electroless-plating, and the surface of a substrate particle , a method of attaching a core substance and forming a metal part by electroless plating, and the like.

상기 기재 입자의 표면 상에 코어 물질을 배치하는 방법으로서는, 예를 들어 기재 입자의 분산액 내에 코어 물질을 첨가하고, 기재 입자의 표면에 코어 물질을, 예를 들어 반데르발스힘에 의해 집적시켜 부착시키는 방법, 및 기재 입자를 넣은 용기에 코어 물질을 첨가하고, 용기의 회전 등에 의한 기계적인 작용에 의해 기재 입자의 표면에 코어 물질을 부착시키는 방법 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 부착시키는 코어 물질의 양을 제어하기 쉽기 때문에, 분산액 내의 기재 입자의 표면에 코어 물질을 집적시켜 부착시키는 방법이 바람직하다.As a method of arranging a core substance on the surface of the said substrate particle, for example, a core substance is added in the dispersion liquid of a substrate particle, and a core substance is integrated and adhered to the surface of a substrate particle by van der Waals force, for example. The method of adding a core substance to the container which put the method of making and substrate particle, the method of making a core substance adhere to the surface of a substrate particle by the mechanical action by rotation of a container, etc. are mentioned. Especially, since it is easy to control the quantity of the core substance made to adhere, the method of integrating|accumulating and making a core substance adhere to the surface of the substrate particle in a dispersion liquid is preferable.

상기 코어 물질이 상기 금속부 중에 매립되어 있음으로써, 상기 금속부가 외표면에 복수의 상기 볼록부 또는 복수의 돌기를 갖도록 하는 것이 용이하다. 단, 금속 함유 입자의 도전성 표면 및 금속부의 표면에 볼록부 또는 돌기를 형성하기 위해서, 코어 물질을 반드시 사용하지 않아도 된다.Since the core material is embedded in the metal part, it is easy to make the metal part have a plurality of the convex parts or a plurality of protrusions on the outer surface. However, in order to form convex parts or projections on the conductive surface of the metal-containing particles and the surface of the metal part, it is not necessarily necessary to use a core material.

상기 볼록부 또는 돌기를 형성하는 방법으로서는, 기재 입자의 표면에 코어 물질을 부착시킨 후, 무전해 도금에 의해 금속부를 형성하는 방법, 기재 입자의 표면에 무전해 도금에 의해 금속부를 형성한 후, 코어 물질을 부착시키고, 또한 무전해 도금에 의해 금속부를 형성하는 방법, 및 기재 입자의 표면에 무전해 도금에 의해 금속부를 형성하는 도중 단계에서 코어 물질을 첨가하는 방법 등을 들 수 있다.As a method of forming the said convex part or processus|protrusion, after making a core substance adhere to the surface of a substrate particle, After forming a metal part by electroless-plating on the surface of a method of forming a metal part by electroless-plating, The method of adding a core substance in the middle stage of making a core substance adhere and forming a metal part by the method of forming a metal part by electroless-plating and electroless-plating on the surface of a substrate particle, etc. are mentioned.

상기 코어 물질의 재료로서는, 도전성 물질 및 비도전성 물질을 들 수 있다. 상기 도전성 물질로서는, 예를 들어 금속, 금속의 산화물, 흑연 등의 도전성 비금속 및 도전성 중합체 등을 들 수 있다. 상기 도전성 중합체로서는, 폴리아세틸렌 등을 들 수 있다. 상기 비도전성 물질로서는, 실리카, 알루미나, 티타늄산바륨 및 지르코니아 등을 들 수 있다. 그 중에서도 도전성을 높일 수 있고, 또한 접속 저항을 효과적으로 낮출 수 있으므로, 금속이 바람직하다. 상기 코어 물질은 금속 입자인 것이 바람직하다. 상기 코어 물질의 재료인 금속으로서는, 상기 도전 재료의 재료로서 열거된 금속을 적절히 사용 가능하다.Examples of the material of the core material include a conductive material and a non-conductive material. Examples of the conductive substance include metals, metal oxides, conductive nonmetals such as graphite, and conductive polymers. Polyacetylene etc. are mentioned as said conductive polymer. Examples of the non-conductive material include silica, alumina, barium titanate, and zirconia. Especially, since electroconductivity can be raised and connection resistance can be lowered effectively, a metal is preferable. The core material is preferably a metal particle. As a metal which is the material of the said core substance, the metal listed as a material of the said electrically-conductive material can be used suitably.

상기 코어 물질의 재료의 구체예로서는, 티타늄산바륨(모스 경도 4.5), 니켈(모스 경도 5), 실리카(이산화규소, 모스 경도 6 내지 7), 산화티타늄(모스 경도 7), 지르코니아(모스 경도 8 내지 9), 알루미나(모스 경도 9), 탄화텅스텐(모스 경도 9) 및 다이아몬드(모스 경도 10) 등을 들 수 있다. 상기 무기 입자는 니켈, 실리카, 산화티타늄, 지르코니아, 알루미나, 탄화텅스텐 또는 다이아몬드인 것이 바람직하고, 실리카, 산화티타늄, 지르코니아, 알루미나, 탄화텅스텐 또는 다이아몬드인 것이 보다 바람직하고, 산화티타늄, 지르코니아, 알루미나, 탄화텅스텐 또는 다이아몬드인 것이 더욱 바람직하고, 지르코니아, 알루미나, 탄화텅스텐 또는 다이아몬드인 것이 특히 바람직하다. 상기 코어 물질의 재료 모스 경도는 바람직하게는 5 이상, 보다 바람직하게는 6 이상, 더욱 바람직하게는 7 이상, 특히 바람직하게는 7.5 이상이다.Specific examples of the material of the core material include barium titanate (Mohs hardness 4.5), nickel (Mohs hardness 5), silica (silicon dioxide, Mohs hardness 6-7), titanium oxide (Mohs hardness 7), zirconia (Mohs hardness 8) to 9), alumina (Mohs hardness 9), tungsten carbide (Mohs hardness 9), diamond (Mohs hardness 10), and the like. The inorganic particles are preferably nickel, silica, titanium oxide, zirconia, alumina, tungsten carbide or diamond, more preferably silica, titanium oxide, zirconia, alumina, tungsten carbide or diamond, titanium oxide, zirconia, alumina, It is more preferably tungsten carbide or diamond, particularly preferably zirconia, alumina, tungsten carbide or diamond. The material Mohs hardness of the core material is preferably 5 or more, more preferably 6 or more, still more preferably 7 or more, particularly preferably 7.5 or more.

상기 코어 물질의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 코어 물질의 형상은 덩어리상인 것이 바람직하다. 코어 물질로서는, 예를 들어 입자상의 덩어리, 복수의 미소 입자가 응집된 응집 덩어리 및 부정형의 덩어리 등을 들 수 있다.The shape of the core material is not particularly limited. It is preferable that the shape of the core material is lumpy. As a core substance, a particulate-form mass, the aggregated mass in which several microparticles aggregated, the amorphous mass, etc. are mentioned, for example.

상기 코어 물질의 평균 직경(평균 입자 직경)은 바람직하게는 0.001㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.05㎛ 이상이며, 바람직하게는 0.9㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.2㎛ 이하이다. 상기 코어 물질의 평균 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극간의 접속 저항이 효과적으로 낮아진다.The average diameter (average particle diameter) of the core material is preferably 0.001 µm or more, more preferably 0.05 µm or more, preferably 0.9 µm or less, and more preferably 0.2 µm or less. When the average diameter of the core material is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, the connection resistance between the electrodes is effectively lowered.

상기 코어 물질의 「평균 직경(평균 입자 직경)」은 수평균 직경(수평균 입자 직경)을 나타낸다. 코어 물질의 평균 직경은 임의의 코어 물질 50개를 전자 현미경 또는 광학 현미경으로 관찰하여, 평균값을 산출함으로써 구해진다.The "average diameter (average particle diameter)" of the said core substance shows a number average diameter (number average particle diameter). The average diameter of a core substance is calculated|required by observing 50 arbitrary core substances with an electron microscope or an optical microscope, and calculating an average value.

[절연성 물질][insulating material]

본 발명에 따른 금속 함유 입자는 상기 금속부의 외표면 상에 배치된 절연성 물질을 구비하는 것이 바람직하다. 이 경우에는, 금속 함유 입자를 전극간의 접속에 사용하면, 인접하는 전극간의 단락을 방지할 수 있다. 구체적으로는, 복수의 금속 함유 입자가 접촉하였을 때, 복수의 전극간에 절연성 물질이 존재하므로, 상하의 전극간이 아니라 가로 방향으로 인접하는 전극간의 단락을 방지할 수 있다. 또한, 전극간의 접속 시에, 2개의 전극으로 금속 함유 입자를 가압함으로써, 금속 함유 입자의 금속부와 전극 사이의 절연성 물질을 용이하게 배제할 수 있다. 금속부가 외표면에 복수의 돌기를 가지므로, 금속 함유 입자의 금속부와 전극 사이의 절연성 물질을 용이하게 배제할 수 있다. 또한, 금속부가 외표면에 복수의 볼록부를 갖는 경우에는, 금속 함유 입자의 금속부와 전극 사이의 절연성 물질을 용이하게 배제할 수 있다.The metal-containing particles according to the present invention preferably include an insulating material disposed on the outer surface of the metal part. In this case, when metal-containing particles are used for connection between electrodes, short circuit between adjacent electrodes can be prevented. Specifically, when a plurality of metal-containing particles are in contact, an insulating material is present between the plurality of electrodes, so that it is possible to prevent a short circuit between the electrodes adjacent to each other in the horizontal direction, not between the upper and lower electrodes. In addition, by pressing the metal-containing particles with the two electrodes at the time of connection between the electrodes, the insulating substance between the metal portion of the metal-containing particles and the electrode can be easily removed. Since the metal portion has a plurality of projections on the outer surface, the insulating material between the metal portion of the metal-containing particles and the electrode can be easily removed. Further, when the metal portion has a plurality of convex portions on the outer surface, the insulating substance between the metal portion of the metal-containing particles and the electrode can be easily excluded.

전극간의 압착 시에 상기 절연성 물질을 한층 더 용이하게 배제할 수 있는 점에서, 상기 절연성 물질은 절연성 입자인 것이 바람직하다.It is preferable that the said insulating material is an insulating particle at the point that the said insulating material can be excluded more easily at the time of compression between electrodes.

상기 절연성 물질의 재료인 절연성 수지의 구체예로서는, 폴리올레핀 화합물, (메트)아크릴레이트 중합체, (메트)아크릴레이트 공중합체, 블록 중합체, 열가소성 수지, 열가소성 수지의 가교물, 열경화성 수지 및 수용성 수지 등을 들 수 있다.Specific examples of the insulating resin that is the material of the insulating substance include polyolefin compounds, (meth)acrylate polymers, (meth)acrylate copolymers, block polymers, thermoplastic resins, crosslinked products of thermoplastic resins, thermosetting resins, and water-soluble resins. can

상기 폴리올레핀 화합물로서는, 폴리에틸렌, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 및 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 (메트)아크릴레이트 중합체로서는, 폴리메틸(메트)아크릴레이트, 폴리에틸(메트)아크릴레이트 및 폴리부틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 상기 블록 중합체로서는, 폴리스티렌, 스티렌-아크릴산에스테르 공중합체, SB형 스티렌-부타디엔 블록 공중합체 및 SBS형 스티렌-부타디엔 블록 공중합체, 그리고 이들의 수소 첨가물 등을 들 수 있다. 상기 열가소성 수지로서는, 비닐 중합체 및 비닐 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 열경화성 수지로서는, 에폭시 수지, 페놀 수지 및 멜라민 수지 등을 들 수 있다. 상기 수용성 수지로서는, 폴리비닐알코올, 폴리아크릴산, 폴리아크릴아미드, 폴리비닐피롤리돈, 폴리에틸렌옥시드 및 메틸셀룰로오스 등을 들 수 있다. 그 중에서도 수용성 수지가 바람직하고, 폴리비닐알코올이 보다 바람직하다.Examples of the polyolefin compound include polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, and ethylene-acrylic acid ester copolymer. As said (meth)acrylate polymer, polymethyl (meth)acrylate, polyethyl (meth)acrylate, polybutyl (meth)acrylate, etc. are mentioned. Examples of the block polymer include polystyrene, styrene-acrylic acid ester copolymer, SB-type styrene-butadiene block copolymer, SBS-type styrene-butadiene block copolymer, and hydrogenated products thereof. As said thermoplastic resin, a vinyl polymer, a vinyl copolymer, etc. are mentioned. As said thermosetting resin, an epoxy resin, a phenol resin, a melamine resin, etc. are mentioned. Examples of the water-soluble resin include polyvinyl alcohol, polyacrylic acid, polyacrylamide, polyvinylpyrrolidone, polyethylene oxide, and methyl cellulose. Especially, water-soluble resin is preferable and polyvinyl alcohol is more preferable.

상기 금속부의 표면 상에 절연성 물질을 배치하는 방법으로서는, 화학적 방법 및 물리적 또는 기계적 방법 등을 들 수 있다. 상기 화학적 방법으로서는, 예를 들어 계면 중합법, 입자 존재 하에서의 현탁 중합법 및 유화 중합법 등을 들 수 있다. 상기 물리적 또는 기계적 방법으로서는, 스프레이 드라이, 하이브리다이제이션, 정전 부착법, 분무법, 디핑 및 진공 증착에 의한 방법 등을 들 수 있다. 그 중에서도 절연성 물질이 탈리되기 어려운 점에서, 상기 금속부의 표면에 화학 결합을 통해 상기 절연성 물질을 배치하는 방법이 바람직하다.As a method of disposing an insulating material on the surface of the metal part, a chemical method, a physical or mechanical method, or the like may be mentioned. Examples of the chemical method include an interfacial polymerization method, a suspension polymerization method in the presence of particles, an emulsion polymerization method, and the like. Examples of the physical or mechanical method include spray drying, hybridization, electrostatic deposition, spraying, dipping, and vacuum vapor deposition. Among them, a method of disposing the insulating material through a chemical bond on the surface of the metal part is preferable because the insulating material is difficult to be detached.

상기 금속부의 외표면 및 절연성 물질(절연성 입자 등)의 표면은, 각각 반응성 관능기를 갖는 화합물에 의해 피복되어 있어도 된다. 금속부의 외표면과 절연성 물질의 표면은, 직접 화학 결합되어 있지 않아도 되고, 반응성 관능기를 갖는 화합물에 의해 간접적으로 화학 결합되어 있어도 된다. 금속부의 외표면에 카르복실기를 도입한 후, 해당 카르복실기가 폴리에틸렌이민 등의 고분자 전해질을 통해 절연성 물질의 표면 관능기와 화학 결합되어 있어도 상관없다.The outer surface of the said metal part and the surface of an insulating substance (insulating particle etc.) may be coat|covered with the compound which has a reactive functional group, respectively. The outer surface of the metal part and the surface of the insulating substance may not be directly chemically bonded, or may be chemically bonded indirectly by a compound having a reactive functional group. After the carboxyl group is introduced into the outer surface of the metal part, the carboxyl group may be chemically bonded to the surface functional group of the insulating material through a polymer electrolyte such as polyethyleneimine.

상기 절연성 물질의 평균 직경(평균 입자 직경)은 금속 함유 입자의 입자 직경 및 금속 함유 입자의 용도 등에 의해 적절히 선택할 수 있다. 상기 절연성 물질의 평균 직경(평균 입자 직경)은 바람직하게는 0.005㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.01㎛ 이상이며, 바람직하게는 1㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.5㎛ 이하이다. 절연성 물질의 평균 직경이 상기 하한 이상이면, 금속 함유 입자가 바인더 수지 중에 분산되었을 때, 복수의 금속 함유 입자에서의 금속부끼리가 접촉하기 어려워진다. 절연성 물질의 평균 직경이 상기 상한 이하이면, 전극간의 접속 시에, 전극과 금속 함유 입자 사이의 절연성 물질을 배제하기 위해서, 압력을 너무 높게 할 필요가 없어지고, 고온으로 가열할 필요도 없어진다.The average diameter (average particle diameter) of the insulating material can be appropriately selected depending on the particle diameter of the metal-containing particles and the use of the metal-containing particles. The average diameter (average particle diameter) of the insulating material is preferably 0.005 µm or more, more preferably 0.01 µm or more, preferably 1 µm or less, and more preferably 0.5 µm or less. When the average diameter of an insulating substance is more than the said minimum and metal containing particle|grains are disperse|distributed in binder resin, it will become difficult for the metal parts in several metal containing particle|grains to contact. When the average diameter of the insulating material is equal to or less than the upper limit, there is no need to increase the pressure too high in order to exclude the insulating material between the electrode and the metal-containing particles at the time of connection between the electrodes, and there is no need to heat to a high temperature.

상기 절연성 물질의 「평균 직경(평균 입자 직경)」은 수평균 직경(수평균 입자 직경)을 나타낸다. 절연성 물질의 평균 직경은 입도 분포 측정 장치 등을 사용하여 구해진다."Average diameter (average particle diameter)" of the said insulating substance shows a number average diameter (number average particle diameter). The average diameter of an insulating material is calculated|required using a particle size distribution measuring apparatus etc.

(입자 연결체)(Particle Linkage)

본 발명에 따른 금속 함유 입자는 전술한 바와 같이, 금속부의 돌기를 용융시킨 후 고화시킴으로써, 도 15에 도시되는 입자 연결체를 형성할 수 있다. 이러한 입자 연결체는 종래의 금속 함유 입자보다도 높은 접속 신뢰성을 높일 수 있는 신규 재료로서 유용하다. 즉, 본 발명자들은 신규 접속 재료로서 추가로 하기 발명을 발견하였다.As described above, the metal-containing particles according to the present invention can form the particle connection body shown in FIG. 15 by melting and then solidifying the projections of the metal part. Such a particle-connected body is useful as a novel material that can improve connection reliability higher than that of conventional metal-containing particles. That is, the present inventors further discovered the following invention as a novel connection material.

1) 복수의 금속 함유 입자(본 발명에 따른 금속 함유 입자와 구별하여, 금속 함유 입자 본체라고도 함)가 금속을 포함하는 기둥상 연결부를 통해 연결되어 있는 입자 연결체.1) A particle-connected body in which a plurality of metal-containing particles (distinct from the metal-containing particles according to the present invention, also referred to as a metal-containing particle body) are connected through columnar connecting portions comprising metal.

2) 상기 기둥상 연결부가 상기 금속 함유 입자에 포함되는 금속과 동종의 금속을 포함하는, 상기 1)의 입자 연결체.2) The particle connecting body of 1) above, wherein the columnar connecting portion contains a metal of the same kind as the metal contained in the metal-containing particles.

3) 상기 입자 연결체를 구성하는 상기 금속 함유 입자가, 본 발명에 따른 금속 함유 입자에서 유래되는, 상기 1) 또는 2)의 입자 연결체.3) The particle assembly according to 1) or 2) above, wherein the metal-containing particles constituting the particle assembly are derived from the metal-containing particles according to the present invention.

4) 상기 입자 연결체를 구성하는 상기 금속 함유 입자 및 상기 기둥상 연결부가, 본 발명에 따른 금속 함유 입자의 상기 돌기가 용융 고화함으로써 형성되어 있는, 상기 1) 내지 3) 중 어느 하나의 입자 연결체.4) The particle connection according to any one of 1) to 3) above, wherein the metal-containing particles and the columnar connection portion constituting the particle connection body are formed by melting and solidifying the projections of the metal-containing particles according to the present invention. sifter.

5) 상기 기둥상 연결부가 본 발명에 따른 금속 함유 입자의 돌기에서 유래되는, 상기 1) 내지 4) 중 어느 하나의 입자 연결체.5) The particle connection body according to any one of 1) to 4) above, wherein the columnar connection part is derived from the projection of the metal-containing particle according to the present invention.

본 발명의 입자 연결체는 전술한 방법에 의해 제조할 수 있지만, 제조 방법은 전술한 방법에 한정되지 않는다. 예를 들어 금속 함유 입자와 기둥상체를 따로따로 제조하여, 금속 함유 입자를 기둥상체에 의해 연결시켜, 기둥상 연결부를 형성해도 된다.Although the particle-connected body of the present invention can be manufactured by the above-described method, the manufacturing method is not limited to the above-mentioned method. For example, the metal-containing particles and the columnar body may be separately manufactured, and the metal-containing particles may be connected by the columnar body to form the columnar connecting portion.

상기 기둥상 연결부는 원기둥상 연결부 또는 다각기둥상 연결부여도 되고, 기둥의 중앙 부분이 굵어져 있어도 되고, 가늘어져 있어도 된다.A columnar connection part or a polygonal columnar connection part may be sufficient as the said columnar connection part, and the center part of a pillar may thicken and may become thin.

상기 기둥상 연결부에 있어서, 상기 금속 함유 입자와의 접속면의 외접원의 직경(d)은 바람직하게는 3nm 이상, 보다 바람직하게는 100nm 이상이며, 바람직하게는 10000nm 이하, 보다 바람직하게는 1000nm 이하이다.In the columnar connection portion, the diameter (d) of the circumscribed circle of the interface with the metal-containing particles is preferably 3 nm or more, more preferably 100 nm or more, preferably 10000 nm or less, more preferably 1000 nm or less. .

상기 기둥상 연결부에 있어서, 기둥상 연결부의 길이(l)는 바람직하게는 3nm 이상, 보다 바람직하게는 100nm 이상이며, 바람직하게는 10000nm 이하, 보다 바람직하게는 1000nm 이하이다.In the above columnar connecting portion, the length l of the columnar connecting portion is preferably 3 nm or more, more preferably 100 nm or more, preferably 10000 nm or less, more preferably 1000 nm or less.

상기 기둥상 연결부에 있어서, 상기 금속 함유 입자와의 접속면의 외접원의 직경(d)에 대한 기둥상 연결부의 길이(l)의 비((d)/(l))는, 바람직하게는 0.001 이상, 보다 바람직하게는 0.1 이상이며, 바람직하게는 100 이하, 보다 바람직하게는 10 이하이다.In the columnar connecting portion, the ratio ((d)/(l)) of the length l of the columnar connecting portion to the diameter d of the circumscribed circle of the connection surface with the metal-containing particle ((d)/(l)) is preferably 0.001 or more , More preferably, it is 0.1 or more, Preferably it is 100 or less, More preferably, it is 10 or less.

본 발명의 입자 연결체는, 도 15에 도시되는 것과 같은 2개의 금속 함유 입자의 연결체여도 되고, 3개 이상의 금속 함유 입자의 연결체여도 된다.The particle combination of the present invention may be a combination of two metal-containing particles as shown in Fig. 15, or a combination of three or more metal-containing particles.

(접속 재료)(connection material)

본 발명에 따른 접속 재료는 2개의 접속 대상 부재를 접속하는 접속부를 형성하기 위해 적합하게 사용된다. 상기 접속 재료는 상술한 금속 함유 입자와 수지를 포함한다. 상기 접속 재료는 복수의 금속 함유 입자의 금속부의 돌기의 선단을 용융시킨 후에 고화시킴으로써, 상기 접속부를 형성하기 위해 사용되는 것이 바람직하다.The connecting material which concerns on this invention is used suitably for forming the connecting part which connects two connection object members. The connecting material includes the above-mentioned metal-containing particles and a resin. The connecting material is preferably used for forming the connecting portion by melting and then solidifying the tips of the projections of the metal portion of the plurality of metal-containing particles.

상기 수지는 특별히 한정되지 않는다. 상기 수지는 상기 금속 함유 입자를 분산시키는 바인더이다. 상기 수지는 열가소성 수지 또는 경화성 수지를 포함하는 것이 바람직하고, 경화성 수지를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 상기 경화성 수지로서는, 광경화성 수지 및 열경화성 수지를 들 수 있다. 상기 광경화성 수지는 광경화성 수지 및 광중합 개시제를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 열경화성 수지는 열경화성 수지 및 열경화제를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 수지로서는, 예를 들어 비닐 수지, 열가소성 수지, 경화성 수지, 열가소성 블록 공중합체 및 엘라스토머 등을 들 수 있다. 상기 수지는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.The said resin is not specifically limited. The resin is a binder for dispersing the metal-containing particles. It is preferable that a thermoplastic resin or curable resin is included, and, as for the said resin, it is more preferable that curable resin is included. As said curable resin, a photocurable resin and a thermosetting resin are mentioned. The photocurable resin preferably includes a photocurable resin and a photopolymerization initiator. The thermosetting resin preferably includes a thermosetting resin and a thermosetting agent. As said resin, a vinyl resin, a thermoplastic resin, curable resin, a thermoplastic block copolymer, an elastomer etc. are mentioned, for example. As for the said resin, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

상기 비닐 수지로서는, 예를 들어 아세트산비닐 수지, 아크릴 수지 및 스티렌수지 등을 들 수 있다. 상기 열가소성 수지로서는, 예를 들어 폴리올레핀 수지, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 및 폴리아미드 수지 등을 들 수 있다. 상기 경화성 수지로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 우레탄 수지, 폴리이미드 수지 및 불포화 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다. 또한, 상기 경화성 수지는 상온 경화형 수지, 열경화형 수지, 광경화형 수지 또는 습기 경화형 수지여도 된다. 상기 열가소성 블록 공중합체로서는, 예를 들어 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 공중합체의 수소 첨가물 및 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 공중합체의 수소 첨가물 등을 들 수 있다. 상기 엘라스토머로서는, 예를 들어 스티렌-부타디엔 공중합 고무 및 아크릴로니트릴-스티렌 블록 공중합 고무 등을 들 수 있다.As said vinyl resin, vinyl acetate resin, an acrylic resin, a styrene resin, etc. are mentioned, for example. As said thermoplastic resin, polyolefin resin, ethylene-vinyl acetate copolymer, polyamide resin, etc. are mentioned, for example. As said curable resin, an epoxy resin, a urethane resin, a polyimide resin, an unsaturated polyester resin, etc. are mentioned, for example. In addition, room temperature curable resin, thermosetting resin, photocurable resin, or moisture curable resin may be sufficient as the said curable resin. As the thermoplastic block copolymer, for example, a hydrogenated product of a styrene-butadiene-styrene block copolymer, a styrene-isoprene-styrene block copolymer, a styrene-butadiene-styrene block copolymer, and hydrogen of a styrene-isoprene-styrene block copolymer Additives etc. are mentioned. Examples of the elastomer include styrene-butadiene copolymer rubber and acrylonitrile-styrene block copolymer rubber.

상기 금속부의 돌기가 금속 산화물을 포함하는 경우에, 환원제가 사용되는 것이 바람직하다. 상기 환원제로서는, 알코올 화합물(알코올성 수산기를 갖는 화합물), 카르복실산 화합물(카르복시기를 갖는 화합물) 및 아민 화합물(아미노기를 갖는 화합물) 등을 들 수 있다. 상기 환원제는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.When the projections of the metal part contain a metal oxide, a reducing agent is preferably used. Examples of the reducing agent include an alcohol compound (a compound having an alcoholic hydroxyl group), a carboxylic acid compound (a compound having a carboxyl group), and an amine compound (a compound having an amino group). As for the said reducing agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

상기 알코올 화합물로서는, 알킬알코올을 들 수 있다. 상기 알코올 화합물의 구체예로서는, 예를 들어 에탄올, 프로판올, 부틸알코올, 펜틸알코올, 헥실알코올, 헵틸알코올, 옥틸알코올, 노닐알코올, 데실알코올, 운데실알코올, 도데실알코올, 트리데실알코올, 테트라데실알코올, 펜타데실알코올, 헥사데실알코올, 헵타데실알코올, 옥타데실알코올, 노나데실알코올 및 이코실알코올 등을 들 수 있다. 또한, 상기 알코올 화합물로서는, 1급 알코올형 화합물에 한정되지 않고, 2급 알코올형 화합물, 3급 알코올형 화합물, 알칸디올 및 환상 구조를 갖는 알코올 화합물도 사용 가능하다. 또한, 상기 알코올 화합물로서, 에틸렌글리콜 및 트리에틸렌글리콜 등 다수의 알코올기를 갖는 화합물을 사용해도 된다. 또한, 상기 알코올 화합물로서, 시트르산, 아스코르브산 및 글루코오스 등의 화합물을 사용해도 된다.Alkyl alcohol is mentioned as said alcohol compound. Specific examples of the alcohol compound include ethanol, propanol, butyl alcohol, pentyl alcohol, hexyl alcohol, heptyl alcohol, octyl alcohol, nonyl alcohol, decyl alcohol, undecyl alcohol, dodecyl alcohol, tridecyl alcohol, tetradecyl alcohol , pentadecyl alcohol, hexadecyl alcohol, heptadecyl alcohol, octadecyl alcohol, nonadecyl alcohol and icosyl alcohol. In addition, as said alcohol compound, it is not limited to a primary alcohol type compound, A secondary alcohol type compound, a tertiary alcohol type compound, an alkanediol, and the alcohol compound which has a cyclic structure can also be used. Moreover, as said alcohol compound, you may use the compound which has many alcohol groups, such as ethylene glycol and triethylene glycol. Moreover, as said alcohol compound, you may use compounds, such as a citric acid, ascorbic acid, and glucose.

상기 카르복실산 화합물로서는, 알킬카르복실산 등을 들 수 있다. 상기 카르복실산 화합물의 구체예로서는, 부탄산, 펜탄산, 헥산산, 헵탄산, 옥탄산, 노난산, 데칸산, 운데칸산, 도데칸산, 트리데칸산, 테트라데칸산, 펜타데칸산, 헥사데칸산, 헵타데칸산, 옥타데칸산, 노나데칸산 및 이코산산 등을 들 수 있다. 또한, 상기 카르복실산 화합물은 1급 카르복실산형 화합물에 한정되지 않고, 2급 카르복실산형 화합물, 3급 카르복실산형 화합물, 디카르복실산 및 환상 구조를 갖는 카르복실 화합물도 사용 가능하다.Alkyl carboxylic acid etc. are mentioned as said carboxylic acid compound. Specific examples of the carboxylic acid compound include butanoic acid, pentanoic acid, hexanoic acid, heptanoic acid, octanoic acid, nonanoic acid, decanoic acid, undecanoic acid, dodecanoic acid, tridecanoic acid, tetradecanoic acid, pentadecanoic acid, and hexadecanoic acid. acid, heptadecanoic acid, octadecanoic acid, nonadecanoic acid and icosanic acid; and the like. In addition, the said carboxylic acid compound is not limited to a primary carboxylic acid type compound, A secondary carboxylic acid type compound, a tertiary carboxylic acid type compound, dicarboxylic acid, and the carboxyl compound which has a cyclic structure can also be used.

상기 아민 화합물로서는, 알킬아민 등을 들 수 있다. 상기 아민 화합물의 구체예로서는, 부틸아민, 펜틸아민, 헥실아민, 헵틸아민, 옥틸아민, 노닐아민, 데실아민, 운데실아민, 도데실아민, 트리데실아민, 테트라데실아민, 펜타데실아민, 헥사데실아민, 헵타데실아민, 옥타데실아민, 노나데실아민 및 이코데실아민 등을 들 수 있다. 또한, 상기 아민 화합물은 분지 구조를 갖고 있어도 된다. 분지 구조를 갖는 아민 화합물로서는, 2-에틸헥실아민 및 1,5-디메틸헥실아민 등을 들 수 있다. 상기 아민 화합물은 1급 아민형 화합물에 한정되지 않고, 2급 아민형 화합물, 3급 아민형 화합물 및 환상 구조를 갖는 아민 화합물도 사용 가능하다.An alkylamine etc. are mentioned as said amine compound. Specific examples of the amine compound include butylamine, pentylamine, hexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, undecylamine, dodecylamine, tridecylamine, tetradecylamine, pentadecylamine, and hexadecylamine. amine, heptadecylamine, octadecylamine, nonadecylamine and icodecylamine; and the like. Moreover, the said amine compound may have a branched structure. Examples of the amine compound having a branched structure include 2-ethylhexylamine and 1,5-dimethylhexylamine. The amine compound is not limited to a primary amine compound, and a secondary amine compound, a tertiary amine compound, and an amine compound having a cyclic structure may also be used.

상기 환원제는 알데히드기, 에스테르기, 술포닐기 또는 케톤기 등을 갖는 유기물이어도 되고, 카르복실산 금속염 등의 유기물이어도 된다. 카르복실산 금속염은 금속 입자의 전구체로서도 사용되는 한편, 유기물을 함유하고 있기 때문에, 금속 산화물 입자의 환원제로서도 사용된다.The reducing agent may be an organic substance having an aldehyde group, an ester group, a sulfonyl group or a ketone group, or an organic substance such as a carboxylate metal salt. While the carboxylate metal salt is used also as a precursor of metal particles, since it contains an organic substance, it is also used as a reducing agent for metal oxide particles.

상기 접속 재료는 상기 금속 함유 입자 및 상기 수지 이외에도, 예를 들어 충전제, 증량제, 연화제, 가소제, 중합 촉매, 경화 촉매, 착색제, 산화 방지제, 열 안정제, 광안정제, 자외선 흡수제, 활제, 대전 방지제 및 난연제 등의 각종 첨가제를 포함하고 있어도 된다.In addition to the metal-containing particles and the resin, the connection material may include, for example, a filler, an extender, a softener, a plasticizer, a polymerization catalyst, a curing catalyst, a colorant, an antioxidant, a heat stabilizer, a light stabilizer, an ultraviolet absorber, a lubricant, an antistatic agent and a flame retardant. You may contain various additives, such as

상기 접속 재료는 도전 접속에 사용되는 것이 바람직하고, 도전 접속 재료인 것이 바람직하다. 상기 접속 재료는 이방 도전 접속에 사용되는 것이 바람직하고, 이방 도전 접속 재료인 것이 바람직하다. 상기 접속 재료는 페이스트 및 필름 등으로서 사용될 수 있다. 상기 접속 재료가 필름인 경우에는, 금속 함유 입자를 포함하는 필름에, 금속 함유 입자를 포함하지 않는 필름이 적층되어 있어도 된다. 상기 페이스트는 도전 페이스트인 것이 바람직하고, 이방성 도전 페이스트인 것이 보다 바람직하다. 상기 필름은 도전 필름인 것이 바람직하고, 이방성 도전 필름인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that the said connection material is used for a conductive connection, and it is preferable that it is a conductive connection material. It is preferable that the said connection material is used for an anisotropic conductive connection, and it is preferable that it is an anisotropic conductive connection material. The connecting material can be used as a paste, a film, or the like. When the said connection material is a film, the film which does not contain metal containing particle|grains may be laminated|stacked on the film containing metal containing particle|grains. It is preferable that it is an electrically conductive paste, and, as for the said paste, it is more preferable that it is an anisotropic electrically conductive paste. It is preferable that it is a conductive film, and, as for the said film, it is more preferable that it is an anisotropic conductive film.

상기 접속 재료 100중량% 중, 상기 수지의 함유량은 바람직하게는 1중량% 이상, 보다 바람직하게는 5중량% 이상 10중량% 이상이어도 되고, 30중량% 이상이어도 되고, 50중량% 이상이어도 되고, 70중량% 이상이어도 되고, 바람직하게는 99.99중량% 이하, 보다 바람직하게는 99.9중량% 이하이다. 상기 수지의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 접속 신뢰성이 한층 더 높아진다.In 100% by weight of the connecting material, the content of the resin is preferably 1% by weight or more, more preferably 5% by weight or more and 10% by weight or more, 30% by weight or more, or 50% by weight or more, 70 weight% or more may be sufficient, Preferably it is 99.99 weight% or less, More preferably, it is 99.9 weight% or less. Connection reliability becomes still higher that content of the said resin is more than the said minimum and below the said upper limit.

상기 접속 재료 100중량% 중, 상기 금속 함유 입자의 함유량은 바람직하게는 0.01중량% 이상, 보다 바람직하게는 0.1중량% 이상이며, 바람직하게는 99중량% 이하, 보다 바람직하게는 95중량% 이하, 80중량% 이하여도 되고, 60중량% 이하여도 되고, 40중량% 이하여도 되고, 20중량% 이하여도 되고, 10중량% 이하여도 된다. 상기 금속 함유 입자의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 접속 신뢰성이 한층 더 높아진다. 또한, 상기 금속 함유 입자의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 제1, 제2 접속 대상 부재 사이에 금속 함유 입자를 충분히 존재시킬 수 있고, 금속 함유 입자에 의해 제1, 제2 접속 대상 부재 사이의 간격이 부분적으로 좁아지는 것을 한층 더 억제할 수 있다. 이 때문에, 접속부의 방열성이 부분적으로 낮아지는 것을 억제할 수도 있다.The content of the metal-containing particles in 100% by weight of the connection material is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, preferably 99% by weight or less, more preferably 95% by weight or less; 80 weight% or less may be sufficient, 60 weight% or less may be sufficient, 40 weight% or less may be sufficient, 20 weight% or less may be sufficient, and 10 weight% or less may be sufficient. Connection reliability becomes still higher that content of the said metal containing particle is more than the said minimum and below the said upper limit. In addition, when the content of the metal-containing particles is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, the metal-containing particles can be sufficiently present between the first and second connection object members, and the first and second connection objects due to the metal-containing particles It can further suppress that the space|interval between members narrows partially. For this reason, it can also suppress that the heat dissipation property of a connection part becomes low partially.

상기 접속 재료는, 금속 함유 입자와는 별도로, 기재 입자를 갖지 않은 금속 원자 함유 입자를 포함하고 있어도 된다.The said connection material may contain the metal atom containing particle|grains which do not have a substrate particle separately from metal containing particle|grains.

상기 금속 원자 함유 입자로서는, 금속 입자 및 금속 화합물 입자 등을 들 수 있다. 상기 금속 화합물 입자는 금속 원자와 해당 금속 원자 이외의 원자를 포함한다. 상기 금속 화합물 입자의 구체예로서는, 금속 산화물 입자, 금속의 탄산염 입자, 금속의 카르복실산염 입자 및 금속의 착체 입자 등을 들 수 있다. 상기 금속 화합물 입자는 금속 산화물 입자인 것이 바람직하다. 예를 들어, 상기 금속 산화물 입자는 환원제의 존재 하에서 접속 시의 가열로 금속 입자가 된 후에 소결된다. 상기 금속 산화물 입자는 금속 입자의 전구체이다. 상기 금속의 카르복실산염 입자로서는, 금속의 아세트산염 입자 등을 들 수 있다.As said metal atom containing particle|grains, a metal particle, a metal compound particle, etc. are mentioned. The metal compound particles contain a metal atom and atoms other than the metal atom. Specific examples of the metal compound particles include metal oxide particles, metal carbonate particles, metal carboxylate particles, and metal complex particles. The metal compound particles are preferably metal oxide particles. For example, the metal oxide particles are sintered after becoming metal particles by heating at the time of connection in the presence of a reducing agent. The metal oxide particles are precursors of metal particles. As said metal carboxylate particle|grains, a metal acetate particle etc. are mentioned.

상기 금속 입자 및 상기 금속 산화물 입자를 구성하는 금속으로서는, 은, 구리, 니켈 및 금 등을 들 수 있다. 은 또는 구리가 바람직하고, 은이 특히 바람직하다. 따라서, 상기 금속 입자는 바람직하게는 은 입자 또는 구리 입자이며, 보다 바람직하게는 은 입자이다. 상기 금속 산화물 입자는 바람직하게는 산화은 입자 또는 산화구리 입자이며, 보다 바람직하게는 산화은 입자이다. 은 입자 및 산화은 입자를 사용한 경우에는, 접속 후에 잔사가 적고, 부피 감소율도 매우 작다. 해당 산화은 입자에서의 산화은으로서는, Ag2O 및 AgO를 들 수 있다.As a metal which comprises the said metal particle and the said metal oxide particle, silver, copper, nickel, gold|metal|money, etc. are mentioned. Silver or copper is preferred, and silver is particularly preferred. Accordingly, the metal particles are preferably silver particles or copper particles, and more preferably silver particles. The metal oxide particles are preferably silver oxide particles or copper oxide particles, and more preferably silver oxide particles. When silver particle and silver oxide particle are used, there are few residues after connection, and the volume reduction rate is also very small. Ag 2 O and AgO are mentioned as silver oxide in this silver oxide particle.

상기 금속 원자 함유 입자는 400℃ 미만의 가열로 소결시키는 것이 바람직하다. 상기 금속 원자 함유 입자가 소결되는 온도(소결 온도)는 보다 바람직하게는 350℃ 이하, 바람직하게는 300℃ 이상이다. 상기 금속 원자 함유 입자가 소결되는 온도가 상기 상한 이하 또는 상기 상한 미만이면, 소결을 효율적으로 행할 수 있고, 또한 소결에 필요한 에너지를 저감시키며, 또한 환경 부하를 작게 할 수 있다.The metal atom-containing particles are preferably sintered by heating at less than 400°C. The temperature at which the metal atom-containing particles are sintered (sintering temperature) is more preferably 350°C or lower, preferably 300°C or higher. When the temperature at which the metal atom-containing particles are sintered is equal to or less than the upper limit or less than the upper limit, sintering can be performed efficiently, the energy required for sintering can be reduced, and the environmental load can be reduced.

상기 금속 원자 함유 입자를 포함하는 접속 재료는, 평균 입자 직경이 1nm 이상 100nm 이하인 금속 입자를 포함하는 접속 재료이거나, 또는 평균 입자 직경이 1nm 이상 50㎛ 이하인 금속 산화물 입자와 환원제를 포함하는 접속 재료인 것이 바람직하다. 이러한 접속 재료를 사용하면, 접속 시의 가열로 상기 금속 원자 함유 입자들을 양호하게 소결시킬 수 있다. 상기 금속 산화물 입자의 평균 입자 직경은 바람직하게는 5㎛ 이하이다. 상기 금속 원자 함유 입자의 입자 직경은 금속 원자 함유 입자가 진구상일 경우에는, 직경을 나타내고, 금속 원자 함유 입자가 진구상이 아닐 경우에는, 최대 직경을 나타낸다.The connection material containing particles containing metal atoms is a connection material containing metal particles having an average particle diameter of 1 nm or more and 100 nm or less, or a connection material containing metal oxide particles having an average particle diameter of 1 nm or more and 50 μm or less and a reducing agent. it is preferable When such a connecting material is used, it is possible to favorably sinter the metal atom-containing particles by heating at the time of connecting. The average particle diameter of the metal oxide particles is preferably 5 µm or less. The particle diameter of the metal atom-containing particles indicates the diameter when the metal atom-containing particles are spherical, and indicates the maximum diameter when the metal atom-containing particles are not spherical.

상기 접속 재료 100중량% 중, 상기 금속 원자 함유 입자의 함유량은 바람직하게는 10중량% 이상, 보다 바람직하게는 30중량% 이상, 더욱 바람직하게는 50중량% 이상이며, 100중량% 이하, 바람직하게는 99중량% 이하, 보다 바람직하게는 90중량% 이하이다. 상기 접속 재료의 전체량이 상기 금속 원자 함유 입자여도 된다. 상기 금속 원자 함유 입자의 함유량이 상기 하한 이상이면, 상기 금속 원자 함유 입자를 한층 더 치밀하게 소결시킬 수 있다. 이 결과, 접속부에서의 방열성 및 내열성도 높아진다.The content of the metal atom-containing particles in 100% by weight of the connection material is preferably 10% by weight or more, more preferably 30% by weight or more, still more preferably 50% by weight or more, and 100% by weight or less, preferably is 99% by weight or less, more preferably 90% by weight or less. The whole amount of the said connection material may be the said metal atom containing particle|grains. When content of the said metal atom containing particle|grains is more than the said minimum, the said metal atom containing particle|grains can be made to sinter more densely. As a result, the heat dissipation property and heat resistance in a connection part also become high.

상기 금속 원자 함유 입자가 금속 산화물 입자일 경우에, 환원제가 사용되는 것이 바람직하다. 상기 환원제로서는, 알코올 화합물(알코올성 수산기를 갖는 화합물), 카르복실산 화합물(카르복시기를 갖는 화합물) 및 아민 화합물(아미노기를 갖는 화합물) 등을 들 수 있다. 상기 환원제는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.When the metal atom-containing particles are metal oxide particles, a reducing agent is preferably used. Examples of the reducing agent include an alcohol compound (a compound having an alcoholic hydroxyl group), a carboxylic acid compound (a compound having a carboxyl group), and an amine compound (a compound having an amino group). As for the said reducing agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

상기 알코올 화합물로서는, 알킬알코올을 들 수 있다. 상기 알코올 화합물의 구체예로서는, 예를 들어 에탄올, 프로판올, 부틸알코올, 펜틸알코올, 헥실알코올, 헵틸알코올, 옥틸알코올, 노닐알코올, 데실알코올, 운데실알코올, 도데실알코올, 트리데실알코올, 테트라데실알코올, 펜타데실알코올, 헥사데실알코올, 헵타데실알코올, 옥타데실알코올, 노나데실알코올 및 이코실알코올 등을 들 수 있다. 또한, 상기 알코올 화합물로서는, 1급 알코올형 화합물에 한정되지 않고, 2급 알코올형 화합물, 3급 알코올형 화합물, 알칸디올 및 환상 구조를 갖는 알코올 화합물도 사용 가능하다. 또한, 상기 알코올 화합물로서, 에틸렌글리콜 및 트리에틸렌글리콜 등 다수의 알코올기를 갖는 화합물을 사용해도 된다. 또한, 상기 알코올 화합물로서, 시트르산, 아스코르브산 및 글루코오스 등의 화합물을 사용해도 된다.Alkyl alcohol is mentioned as said alcohol compound. Specific examples of the alcohol compound include ethanol, propanol, butyl alcohol, pentyl alcohol, hexyl alcohol, heptyl alcohol, octyl alcohol, nonyl alcohol, decyl alcohol, undecyl alcohol, dodecyl alcohol, tridecyl alcohol, tetradecyl alcohol , pentadecyl alcohol, hexadecyl alcohol, heptadecyl alcohol, octadecyl alcohol, nonadecyl alcohol and icosyl alcohol. In addition, as said alcohol compound, it is not limited to a primary alcohol type compound, A secondary alcohol type compound, a tertiary alcohol type compound, an alkanediol, and the alcohol compound which has a cyclic structure can also be used. Moreover, as said alcohol compound, you may use the compound which has many alcohol groups, such as ethylene glycol and triethylene glycol. Moreover, as said alcohol compound, you may use compounds, such as a citric acid, ascorbic acid, and glucose.

상기 카르복실산 화합물로서는, 알킬카르복실산 등을 들 수 있다. 상기 카르복실산 화합물의 구체예로서는, 부탄산, 펜탄산, 헥산산, 헵탄산, 옥탄산, 노난산, 데칸산, 운데칸산, 도데칸산, 트리데칸산, 테트라데칸산, 펜타데칸산, 헥사데칸산, 헵타데칸산, 옥타데칸산, 노나데칸산 및 이코산산 등을 들 수 있다. 또한, 상기 카르복실산 화합물은 1급 카르복실산형 화합물에 한정되지 않고, 2급 카르복실산형 화합물, 3급 카르복실산형 화합물, 디카르복실산 및 환상 구조를 갖는 카르복실 화합물도 사용 가능하다.Alkyl carboxylic acid etc. are mentioned as said carboxylic acid compound. Specific examples of the carboxylic acid compound include butanoic acid, pentanoic acid, hexanoic acid, heptanoic acid, octanoic acid, nonanoic acid, decanoic acid, undecanoic acid, dodecanoic acid, tridecanoic acid, tetradecanoic acid, pentadecanoic acid, and hexadecanoic acid. acid, heptadecanoic acid, octadecanoic acid, nonadecanoic acid and icosanic acid; and the like. In addition, the said carboxylic acid compound is not limited to a primary carboxylic acid type compound, A secondary carboxylic acid type compound, a tertiary carboxylic acid type compound, dicarboxylic acid, and the carboxyl compound which has a cyclic structure can also be used.

상기 아민 화합물로서는, 알킬아민 등을 들 수 있다. 상기 아민 화합물의 구체예로서는, 부틸아민, 펜틸아민, 헥실아민, 헵틸아민, 옥틸아민, 노닐아민, 데실아민, 운데실아민, 도데실아민, 트리데실아민, 테트라데실아민, 펜타데실아민, 헥사데실아민, 헵타데실아민, 옥타데실아민, 노나데실아민 및 이코데실아민 등을 들 수 있다. 또한, 상기 아민 화합물은 분지 구조를 갖고 있어도 된다. 분지 구조를 갖는 아민 화합물로서는, 2-에틸헥실아민 및 1,5-디메틸헥실아민 등을 들 수 있다. 상기 아민 화합물은 1급 아민형 화합물에 한정되지 않고, 2급 아민형 화합물, 3급 아민형 화합물 및 환상 구조를 갖는 아민 화합물도 사용 가능하다.An alkylamine etc. are mentioned as said amine compound. Specific examples of the amine compound include butylamine, pentylamine, hexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, undecylamine, dodecylamine, tridecylamine, tetradecylamine, pentadecylamine, and hexadecylamine. amine, heptadecylamine, octadecylamine, nonadecylamine and icodecylamine; and the like. Moreover, the said amine compound may have a branched structure. Examples of the amine compound having a branched structure include 2-ethylhexylamine and 1,5-dimethylhexylamine. The amine compound is not limited to a primary amine compound, and a secondary amine compound, a tertiary amine compound, and an amine compound having a cyclic structure may also be used.

또한, 상기 환원제는 알데히드기, 에스테르기, 술포닐기 또는 케톤기 등을 갖는 유기물이어도 되고, 카르복실산 금속염 등의 유기물이어도 된다. 카르복실산 금속염은 금속 입자의 전구체로서도 사용되는 한편, 유기물을 함유하고 있기 때문에, 금속 산화물 입자의 환원제로서도 사용된다.The reducing agent may be an organic substance having an aldehyde group, an ester group, a sulfonyl group, a ketone group, or the like, or an organic substance such as a carboxylate metal salt. While the carboxylate metal salt is used also as a precursor of metal particles, since it contains an organic substance, it is also used as a reducing agent for metal oxide particles.

상기 금속 원자 함유 입자의 소결 온도(접합 온도)보다도 낮은 융점을 갖는 환원제를 사용하면, 접합 시에 응집되고, 접합부에 보이드가 발생하기 쉬워지는 경향이 있다. 카르복실산 금속염의 사용에 의해, 해당 카르복실산 금속염은 접합 시의 가열에 의해 융해되지 않기 때문에, 보이드가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 카르복실산 금속염 이외에도 유기물을 함유하는 금속 화합물을 환원제로서 사용해도 된다.If a reducing agent having a melting point lower than the sintering temperature (junction temperature) of the metal atom-containing particles is used, aggregation occurs at the time of bonding and voids tend to occur in the bonding portion. By use of a carboxylate metal salt, since this carboxylate metal salt does not melt|dissolve by the heating at the time of bonding, it can suppress that a void is generated. Moreover, you may use the metal compound containing an organic substance other than a carboxylate metal salt as a reducing agent.

상기 환원제가 사용되는 경우에는, 상기 접속 재료 100중량% 중, 상기 환원제의 함유량은 바람직하게는 1중량% 이상, 보다 바람직하게는 10중량% 이상이며, 바람직하게는 90중량% 이하, 보다 바람직하게는 70중량% 이하, 더욱 바람직하게는 50중량% 이하이다. 상기 환원제의 함유량이 상기 하한 이상이면, 상기 금속 원자 함유 입자를 한층 더 치밀하게 소결시킬 수 있다. 이 결과, 접합부에서의 방열성 및 내열성도 높아진다.When the reducing agent is used, the content of the reducing agent in 100% by weight of the connecting material is preferably 1% by weight or more, more preferably 10% by weight or more, preferably 90% by weight or less, more preferably is 70% by weight or less, more preferably 50% by weight or less. When content of the said reducing agent is more than the said minimum, the said metal atom containing particle|grains can be sintered more densely. As a result, the heat dissipation property and heat resistance in a joint part also become high.

상기 접속 재료 100중량% 중, 상기 금속 산화물 입자의 함유량은 바람직하게는 10중량% 이상, 보다 바람직하게는 30중량% 이상, 더욱 바람직하게는 60중량% 이상이며, 바람직하게는 99.99중량% 이하, 보다 바람직하게는 99.9중량% 이하, 한층 더 바람직하게는 99.5중량% 이하, 더욱 바람직하게는 99중량% 이하, 특히 바람직하게는 90중량% 이하, 가장 바람직하게는 80중량% 이하이다.The content of the metal oxide particles in 100% by weight of the connection material is preferably 10% by weight or more, more preferably 30% by weight or more, still more preferably 60% by weight or more, preferably 99.99% by weight or less; More preferably, it is 99.9 weight% or less, More preferably, it is 99.5 weight% or less, More preferably, it is 99 weight% or less, Especially preferably, it is 90 weight% or less, Most preferably, it is 80 weight% or less.

상기 접속 재료가 페이스트일 경우, 해당 페이스트에 사용되는 바인더는 특별히 한정되지 않는다. 상기 바인더는 상기 금속 원자 함유 입자가 소결될 때에 소실되는 것이 바람직하다. 상기 바인더는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.When the connection material is a paste, the binder used in the paste is not particularly limited. The binder is preferably lost when the metal atom-containing particles are sintered. As for the said binder, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

상기 바인더의 구체예로서는, 용매로서는 지방족계 용매, 케톤계 용매, 방향족계 용매, 에스테르계 용매, 에테르계 용매, 알코올계 용매, 파라핀계 용매 및 석유계 용매 등을 들 수 있다.Specific examples of the binder include aliphatic solvents, ketone solvents, aromatic solvents, ester solvents, ether solvents, alcohol solvents, paraffin solvents and petroleum solvents as solvents.

상기 지방족계 용매로서는, 시클로헥산, 메틸시클로헥산 및 에틸 시클로헥산 등을 들 수 있다. 상기 케톤계 용매로서는, 아세톤 및 메틸에틸케톤 등을 들 수 있다. 상기 방향족계 용매로서는, 톨루엔 및 크실렌 등을 들 수 있다. 상기 에스테르계 용매로서는, 아세트산에틸, 아세트산부틸 및 아세트산이소프로필 등을 들 수 있다. 상기 에테르계 용매로서는, 테트라히드로푸란(THF) 및 디옥산 등을 들 수 있다. 상기 알코올계 용매로서는, 에탄올 및 부탄올 등을 들 수 있다. 상기 파라핀계 용매로서는, 파라핀 기름 및 나프텐 기름 등을 들 수 있다. 상기 석유계 용매로서는, 미네랄 터르펜 및 나프타 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic solvent include cyclohexane, methylcyclohexane and ethylcyclohexane. Acetone, methyl ethyl ketone, etc. are mentioned as said ketone solvent. Toluene, xylene, etc. are mentioned as said aromatic solvent. As said ester solvent, ethyl acetate, butyl acetate, isopropyl acetate, etc. are mentioned. Examples of the ether solvent include tetrahydrofuran (THF) and dioxane. Ethanol, butanol, etc. are mentioned as said alcohol solvent. Paraffinic oil, a naphthenic oil, etc. are mentioned as said paraffinic solvent. As said petroleum solvent, mineral terpene, naphtha, etc. are mentioned.

(접속 구조체)(connection structure)

본 발명에 따른 접속 구조체는 제1 접속 대상 부재와, 제2 접속 대상 부재와, 제1, 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비한다. 본 발명에 따른 접속 구조체에서는, 상기 접속부가 상기 금속 함유 입자 또는 상기 접속 재료에 의해 형성되어 있다. 상기 접속부의 재료가 상기 금속 함유 입자 또는 상기 접속 재료이다.The connection structure which concerns on this invention is equipped with the 1st connection object member, the 2nd connection object member, and the connection part which is connecting the 1st, 2nd connection object member. In the bonded structure which concerns on this invention, the said connection part is formed of the said metal containing particle|grains or the said connection material. The material of the connecting portion is the metal-containing particle or the connecting material.

본 발명에 따른 접속 구조체의 제조 방법은, 제1 접속 대상 부재와 제2 접속 대상 부재 사이에, 상기 금속 함유 입자를 배치하거나, 또는 상기 접속 재료를 배치하는 공정과, 상기 금속 함유 입자를 가열하여, 상기 금속부의 상기 돌기의 선단을 용융시키고, 용융 후에 고화시켜, 상기 금속 함유 입자 또는 상기 접속 재료에 의해, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 형성하는 공정을 구비한다.A method for manufacturing a bonded structure according to the present invention comprises the steps of disposing the metal-containing particles or disposing the connection material between a first connection object member and a second connection object member, and heating the metal-containing particles, , a step of melting the tip of the projection of the metal part and solidifying it after melting to form a connection part connecting the first connection object member and the second connection object member with the metal-containing particles or the connection material to provide

도 9는, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 금속 함유 입자를 사용한 접속 구조체를 모식적으로 나타내는 단면도이다.9 is a cross-sectional view schematically showing a bonded structure using metal-containing particles according to the first embodiment of the present invention.

도 9에 나타내는 접속 구조체(51)는 제1 접속 대상 부재(52)와, 제2 접속 대상 부재(53)와, 제1, 제2 접속 대상 부재(52, 53)를 접속하고 있는 접속부(54)를 구비한다. 접속부(54)는 금속 함유 입자(1)와 수지(경화한 수지 등)를 포함한다. 접속부(54)는 금속 함유 입자(1)를 포함하는 접속 재료에 의해 형성되어 있다. 접속부(54)의 재료는 상기 접속 재료이다. 접속부(54)는 접속 재료를 경화시킴으로써 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 도 9에서는, 금속 함유 입자(1)의 금속부(3)의 돌기(3a)의 선단은 용융된 후 고화되어 있다. 접속부(54)에서는, 복수의 금속 함유 입자(1)의 접합체를 포함한다. 접속 구조체(51)에서는, 금속 함유 입자(1)와 제1 접속 대상 부재(51)가 접합되어 있으며, 금속 함유 입자(1)와 제2 접속 대상 부재(53)가 접합되어 있다.The connection structure 51 shown in FIG. 9 is the connection part 54 which connects the 1st connection object member 52, the 2nd connection object member 53, and the 1st, 2nd connection object members 52 and 53. ) is provided. The connecting portion 54 includes the metal-containing particles 1 and a resin (cured resin, etc.). The connecting portion 54 is formed of a connecting material containing the metal-containing particles 1 . The material of the connecting portion 54 is the above connecting material. It is preferable that the connection part 54 is formed by hardening a connection material. In addition, in FIG. 9, the front-end|tip of the projection 3a of the metal part 3 of the metal containing particle|grain 1 is solidified after melting. In the connection part 54, the joined body of the several metal containing particle|grains 1 is included. In the bonded structure 51 , the metal-containing particle 1 and the first connection object member 51 are joined, and the metal-containing particle 1 and the second connection object member 53 are joined.

금속 함유 입자(1) 대신에, 금속 함유 입자(1A, 1B, 1C, 1D, 1E, 1F, 1G) 등의 다른 금속 함유 입자를 사용해도 된다.Instead of the metal-containing particles 1, other metal-containing particles such as metal-containing particles 1A, 1B, 1C, 1D, 1E, 1F, and 1G may be used.

제1 접속 대상 부재(52)는 표면(상면)에 복수의 제1 전극(52a)을 갖는다. 제2 접속 대상 부재(53)는 표면(하면)에 복수의 제2 전극(53a)을 갖는다. 제1 전극(52a)과 제2 전극(53a)이 1개 또는 복수의 금속 함유 입자(1)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 따라서, 제1, 제2 접속 대상 부재(52, 53)가 금속 함유 입자(1)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 접속 구조체(51)에서는, 금속 함유 입자(1)와 제1 전극(52a)이 접합되어 있으며, 금속 함유 입자(1)와 제2 전극(53a)이 접합되어 있다.The 1st connection object member 52 has the some 1st electrode 52a on the surface (upper surface). The 2nd connection object member 53 has the some 2nd electrode 53a on the surface (lower surface). The first electrode 52a and the second electrode 53a are electrically connected by one or a plurality of metal-containing particles 1 . Therefore, the 1st, 2nd connection object members 52 and 53 are electrically connected by the metal containing particle|grains 1 . In the bonded structure 51 , the metal-containing particles 1 and the first electrode 52a are joined, and the metal-containing particles 1 and the second electrode 53a are joined.

상기 접속 구조체의 제조 방법은 특별히 한정되지 않는다. 접속 구조체의 제조 방법의 일례로서는, 제1 접속 대상 부재와 제2 접속 대상 부재 사이에 상기 접속 재료를 배치하여, 적층체를 얻은 후, 해당 적층체를 가열 및 가압하는 방법 등을 들 수 있다. 상기 가압의 압력은 9.8×104 내지 4.9×106Pa 정도이다. 상기 가열의 온도는 120 내지 220℃ 정도이다.The manufacturing method of the said bonded structure is not specifically limited. As an example of the manufacturing method of a bonded structure, after arrange|positioning the said connection material between a 1st connection object member and a 2nd connection object member and obtaining a laminated body, the method of heating and pressurizing this laminated body, etc. are mentioned. The pressing pressure is about 9.8×10 4 to 4.9×10 6 Pa. The heating temperature is about 120 to 220 °C.

상기 접속 대상 부재로서는, 구체적으로는, 반도체 칩, 콘덴서 및 다이오드 등의 전자 부품, 및 프린트 기판, 플렉시블 프린트 기판, 유리 에폭시 기판 및 유리 기판 등의 회로 기판인 전자 부품 등을 들 수 있다. 상기 접속 대상 부재는 전자 부품인 것이 바람직하다. 상기 금속 함유 입자는 전자 부품에서의 전극의 전기적인 접속에 사용되는 것이 바람직하다.Specific examples of the member to be connected include electronic components such as semiconductor chips, capacitors and diodes, and electronic components that are circuit boards such as printed circuit boards, flexible printed circuit boards, glass epoxy substrates, and glass substrates. It is preferable that the said connection object member is an electronic component. The metal-containing particles are preferably used for electrical connection of electrodes in electronic components.

상기 접속 대상 부재에 설치되어 있는 전극으로서는, 금 전극, 니켈 전극, 주석 전극, 알루미늄 전극, 구리 전극, 은 전극, SUS 전극, 몰리브덴 전극 및 텅스텐 전극 등의 금속 전극을 들 수 있다. 상기 접속 대상 부재가 플렉시블 프린트 기판일 경우에는, 상기 전극은 금 전극, 니켈 전극, 주석 전극 또는 구리 전극인 것이 바람직하다. 상기 접속 대상 부재가 유리 기판일 경우에는, 상기 전극은 알루미늄 전극, 구리 전극, 몰리브덴 전극 또는 텅스텐 전극인 것이 바람직하다. 또한, 상기 전극이 알루미늄 전극일 경우에는, 알루미늄만으로 형성된 전극이어도 되고, 금속 산화물층의 표면에 알루미늄층이 적층된 전극이어도 된다. 상기 금속 산화물층의 재료로서는, 3가의 금속 원소가 도핑된 산화인듐 및 3가의 금속 원소가 도핑된 산화아연 등을 들 수 있다. 상기 3가의 금속 원소로서는, Sn, Al 및 Ga 등을 들 수 있다.Metal electrodes, such as a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, an aluminum electrode, a copper electrode, a silver electrode, a SUS electrode, a molybdenum electrode, and a tungsten electrode, are mentioned as an electrode provided in the said connection object member. When the said connection object member is a flexible printed circuit board, it is preferable that the said electrode is a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, or a copper electrode. When the said connection object member is a glass substrate, it is preferable that the said electrode is an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, or a tungsten electrode. In addition, when the said electrode is an aluminum electrode, the electrode formed only of aluminum may be sufficient, and the electrode in which the aluminum layer was laminated|stacked on the surface of the metal oxide layer may be sufficient. Examples of the material of the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Sn, Al, Ga, etc. are mentioned as said trivalent metal element.

도 10은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 금속 함유 입자를 사용한 접속 구조체의 변형예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.It is sectional drawing which shows typically the modified example of the bonded structure using the metal-containing particle|grains which concern on 1st Embodiment of this invention.

도 10에 나타내는 접속 구조체(61)는 제1 접속 대상 부재(62)와, 제2 접속 대상 부재(63, 64)와, 제1 접속 대상 부재(62)와 제2 접속 대상 부재(63, 64)를 접속하고 있는 접속부(65, 66)를 구비한다. 접속부(65, 66)는 금속 함유 입자(1)와, 다른 금속 함유 입자(67)를 포함하는 접속 재료를 사용하여 형성되어 있다. 접속부(65, 66)의 재료는 상기 접속 재료이다.The connection structure 61 shown in FIG. 10 is the 1st connection object member 62, the 2nd connection object members 63 and 64, the 1st connection object member 62, and the 2nd connection object members 63 and 64 ) and connecting portions 65 and 66 for connecting them. The connecting portions 65 and 66 are formed using a connecting material including the metal-containing particles 1 and the other metal-containing particles 67 . The material of the connecting portions 65 and 66 is the above connecting material.

제1 접속 대상 부재(62)의 제1 표면(한쪽 표면)측에 접속부(65) 및 제2 접속 대상 부재(63)가 배치되어 있다. 접속부(65)는 제1 접속 대상 부재(62)와 제2 접속 대상 부재(63)를 접속하고 있다.The connection part 65 and the 2nd connection object member 63 are arrange|positioned on the 1st surface (one surface) side of the 1st connection object member 62. As shown in FIG. The connection part 65 is connecting the 1st connection object member 62 and the 2nd connection object member 63. As shown in FIG.

제1 접속 대상 부재(62)의 제1 표면과는 반대의 제2 표면(다른 쪽 표면)측에 접속부(66) 및 제2 접속 대상 부재(64)가 배치되어 있다. 접속부(66)는 제1 접속 대상 부재(62)와 제2 접속 대상 부재(64)를 접속하고 있다.The connection part 66 and the 2nd connection object member 64 are arrange|positioned on the 2nd surface (the other surface) side opposite to the 1st surface of the 1st connection object member 62. As shown in FIG. The connection part 66 is connecting the 1st connection object member 62 and the 2nd connection object member 64. As shown in FIG.

제1 접속 대상 부재(62)와 제2 접속 대상 부재(63, 64) 사이에, 각각 금속 함유 입자(1)와 금속 함유 입자(67)가 배치되어 있다. 본 실시 형태에서는, 접속부(65, 66)에서, 금속 원자 함유 입자 및 금속 함유 입자(1)는 소결된 소결물의 상태이다. 제1 접속 대상 부재(62)와 제2 접속 대상 부재(63, 64) 사이에 금속 함유 입자(1)가 배치되어 있다. 금속 함유 입자(1)에 의해 제1 접속 대상 부재(62)와 제2 접속 대상 부재(63, 64)가 접속되어 있다.Between the 1st connection object member 62 and the 2nd connection object members 63 and 64, the metal containing particle|grains 1 and the metal containing particle|grains 67 are arrange|positioned, respectively. In the present embodiment, in the connecting portions 65 and 66 , the metal atom-containing particles and the metal-containing particles 1 are in a sintered state. The metal-containing particles 1 are disposed between the first to-be-connected member 62 and the second to-be-connected members 63 and 64 . The first connection object member 62 and the second connection object members 63 and 64 are connected by the metal-containing particles 1 .

제2 접속 대상 부재(63)의 접속부(65)측과는 반대의 표면에, 히트 싱크(68)가 배치되어 있다. 제2 접속 대상 부재(64)의 접속부(66)측과는 반대측 표면에, 히트 싱크(69)가 배치되어 있다. 따라서, 접속 구조체(61)는 히트 싱크(68), 제2 접속 대상 부재(63), 접속부(65), 제1 접속 대상 부재(62), 접속부(66), 제2 접속 대상 부재(64) 및 히트 싱크(69)가 이 순서대로 적층된 부분을 갖는다.The heat sink 68 is arrange|positioned on the surface opposite to the connection part 65 side of the 2nd connection object member 63. As shown in FIG. The heat sink 69 is arrange|positioned on the surface of the 2nd connection object member 64 opposite to the connection part 66 side. Therefore, the connection structure 61 is the heat sink 68, the 2nd connection object member 63, the connection part 65, the 1st connection object member 62, the connection part 66, the 2nd connection object member 64 and a portion where the heat sink 69 is stacked in this order.

제1 접속 대상 부재(62)로서는, 정류 다이오드, 파워 트랜지스터(파워 MOSFET, 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터), 사이리스터, 게이트 턴 오프 사이리스터 및 트라이액 등에 사용되는 Si, SiC, GaN 등이 재료인 파워 반도체 소자 등을 들 수 있다. 이러한 제1 접속 대상 부재(62)를 구비하는 접속 구조체(61)에서는, 접속 구조체(61)의 사용 시에, 제1 접속 대상 부재(62)에서 큰 열량이 발생하기 쉽다. 따라서, 제1 접속 대상 부재(62)로부터 발생한 열량을, 히트 싱크(68, 69) 등으로 효율적으로 방산시킬 필요가 있다. 이 때문에, 제1 접속 대상 부재(62)와 히트 싱크(68, 69) 사이에 배치되어 있는 접속부(65, 66)에는, 높은 방열성과 높은 신뢰성이 요구된다.As the first connection target member 62, a power semiconductor element made of Si, SiC, GaN, etc. used for a rectifier diode, a power transistor (power MOSFET, insulated gate bipolar transistor), a thyristor, a gate turn-off thyristor, a triac, etc. can be heard In the connection structure 61 provided with such a 1st connection object member 62, at the time of use of the connection structure 61, large calorie|heat amount is easy to generate|occur|produce in the 1st connection object member 62. As shown in FIG. Therefore, it is necessary to efficiently dissipate the amount of heat generated from the first connection object member 62 to the heat sinks 68 and 69 or the like. For this reason, high heat dissipation property and high reliability are calculated|required by the connection parts 65 and 66 arrange|positioned between the 1st connection object member 62 and the heat sinks 68 and 69.

제2 접속 대상 부재(63, 64)로서는, 세라믹, 플라스틱 등이 재료인 기판 등을 들 수 있다.Examples of the second connection target members 63 and 64 include substrates made of ceramic, plastic, or the like.

접속부(65, 66)는 상기 접속 재료를 가열하여, 상기 금속 함유 입자의 선단을 용융시킨 후에 고화시킴으로써 형성되어 있다.The connecting portions 65 and 66 are formed by heating the connecting material to melt the tips of the metal-containing particles and then solidifying them.

(도통 검사용 부재 또는 도통용 부재)(Members for continuity inspection or members for continuity)

본 발명의 입자 연결체 및 접속 재료는 도통 검사용 부재 또는 도통용 부재에 적용하는 것도 가능하다. 이하, 도통 검사용 부재의 일 형태를 기재한다. 또한, 도통 검사용 부재는 하기 형태에 한정되지 않는다. 상기 도통 검사용 부재 및 상기 도통용 부재는 시트상 도통용 부재여도 된다.It is also possible to apply the particle|grain connection body and connection material of this invention to the member for conduction|electrical_connection test|inspection or the member for conduction|electrical_connection. Hereinafter, one form of the member for conduction inspection is described. In addition, the member for conduction|electrical_connection test|inspection is not limited to the following form. A sheet-like member for conduction may be sufficient as the said member for conduction|electrical_connection inspection and the said member for conduction|electrical_connection.

도 19의 (a), (b)는 도통 검사용 부재의 일례를 나타내는 평면도 및 단면도이다. 도 19의 (b)는 도 19의 (a) 중의 A-A선에 따른 단면도이다.19A and 19B are a plan view and a cross-sectional view showing an example of a member for conduction inspection. Fig. 19(b) is a cross-sectional view taken along line A-A in Fig. 19(a).

도 19의 (a), (b)에 나타내는 도통 검사용 부재(11)는, 관통 구멍(12a)을 갖는 기체(12)와, 기체(12)의 관통 구멍(12a) 내에 배치된 도전부(13)를 구비한다. 도전부(13)의 재료가 상기 금속 함유 입자를 포함한다. 도통 검사용 부재(11)는 도통용 부재여도 된다.The member 11 for conduction inspection shown in FIGS. 19A and 19B includes a base 12 having a through hole 12a, and a conductive part ( 13) is provided. The material of the conductive portion 13 includes the metal-containing particles. The member 11 for conduction|electrical_connection test|inspection may be a member for conduction|electrical_connection.

상기 기체는 상기 도통 검사용 부재의 기판이 되는 부재이다. 상기 기체는 절연성을 갖는 것이 바람직하고, 상기 기체는 절연성 재료에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다. 절연성 재료로서는, 예를 들어 절연성 수지를 들 수 있다.The said base|substrate is a member used as the board|substrate of the said member for conduction|electrical_connection test|inspection. It is preferable that the said base|substrate has insulating property, and it is preferable that the said base|substrate is formed of an insulating material. As an insulating material, insulating resin is mentioned, for example.

상기 기체를 구성하는 절연성 수지는, 예를 들어 열가소성 수지 및 열경화성 수지 중 어느 것이어도 된다. 열가소성 수지로서는, 폴리에스테르 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리아미드 수지, ABS 수지 및 폴리카르보네이트 수지 등을 들 수 있다. 열경화성 수지로서는, 에폭시 수지, 우레탄 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에테르에테르케톤 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에테르이미드계 수지, 실리콘 수지 및 페놀 수지 등을 들 수 있다. 실리콘 수지로서는, 실리콘 고무 등을 들 수 있다.Any of a thermoplastic resin and a thermosetting resin may be sufficient as the insulating resin which comprises the said base|substrate, for example. Examples of the thermoplastic resin include a polyester resin, a polystyrene resin, a polyethylene resin, a polyamide resin, an ABS resin, and a polycarbonate resin. Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, a urethane resin, a polyimide resin, a polyether ether ketone resin, a polyamide imide resin, a polyether imide resin, a silicone resin, and a phenol resin. As a silicone resin, a silicone rubber etc. are mentioned.

상기 기체가 절연성 수지로 형성되는 경우에는, 상기 기체를 구성하는 절연성 수지는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.When the said base|substrate is formed of insulating resin, only 1 type may be used for the insulating resin which comprises the said base|substrate, and 2 or more types may be used together.

상기 기체는 예를 들어 판상, 시트상 등이다. 시트상에는, 필름상이 포함된다. 상기 기체의 두께는 도통 검사용 부재의 종류에 따라서 적절히 설정할 수 있고, 예를 들어 0.005mm 이상 50mm 이하의 두께여도 된다. 상기 기체의 평면시에서의 크기도 목적으로 하는 검사 장치에 따라서 적절히 설정할 수 있다.The substrate is, for example, in the form of a plate, a sheet, or the like. The sheet form includes a film form. The thickness of the said base|substrate can be set suitably according to the kind of member for conduction|electrical_connection test|inspection, For example, the thickness of 0.005 mm or more and 50 mm or less may be sufficient. The size of the base body in plan view can also be appropriately set according to the target inspection apparatus.

상기 기체는, 예를 들어 상기 절연성 수지 등의 절연성 재료를 원료로 하여, 원하는 형상으로 성형함으로써 얻을 수 있다.The base can be obtained, for example, by molding into a desired shape using an insulating material such as the insulating resin as a raw material.

상기 기체의 상기 관통 구멍은 상기 기체에 복수 배치된다. 상기 관통 구멍은, 상기 기체의 두께 방향으로 관통되어 있는 것이 바람직하다.A plurality of the through-holes of the base are disposed in the base. It is preferable that the said through-hole penetrates in the thickness direction of the said base|substrate.

상기 기체의 상기 관통 구멍은 원기둥상으로 형성될 수 있지만, 원기둥상에 한정되지 않고, 그 밖의 형상, 예를 들어 다각기둥상으로 형성되어 있어도 된다. 또한, 상기 관통 구멍은 한쪽 방향으로 끝으로 갈수록 가늘어지는 테이퍼상으로 형성되어 있어도 되고, 그 외에도 일그러진 형상으로 형성되어 있어도 된다.Although the said through-hole of the said base|substrate may be formed in the shape of a cylinder, it is not limited to a cylinder shape, You may form in other shapes, for example, a polygonal pillar shape. In addition, the said through-hole may be formed in the tapered shape which tapers toward the end in one direction, and may be formed in the distorted shape other than that.

상기 관통 구멍의 크기, 예를 들어 평면시에서의 상기 관통 구멍의 겉보기 면적도 적당한 크기로 형성할 수 있고, 예를 들어 도전부를 수용할 수 있으며, 또한 유지할 수 있는 정도의 크기로 형성되어 있으면 된다. 상기 관통 구멍이 예를 들어 원기둥상이면, 상기 관통 구멍의 직경은 바람직하게는 0.01mm 이상, 바람직하게는 10mm 이하이다.The size of the through-hole, for example, the apparent area of the through-hole in a plan view, can also be formed to an appropriate size, for example, it may be formed to a size that can accommodate and hold the conductive part. . If the through hole is, for example, cylindrical, the diameter of the through hole is preferably 0.01 mm or more, preferably 10 mm or less.

또한, 상기 기체의 상기 관통 구멍 전부가 동일한 형상, 동일한 크기여도 되고, 상기 기체의 상기 관통 구멍의 일부의 형상 또는 크기가, 다른 관통 구멍과 상이해도 된다.In addition, all of the said through-holes of the said base|substrate may be the same shape and the same size, and the shape or size of a part of the said through-holes of the said base|substrate may differ from other through-holes.

상기 기체의 상기 관통 구멍의 개수도 적당한 범위로 설정할 수 있고, 도통 검사가 가능한 정도의 개수를 갖고 있으면 되고, 목적으로 하는 검사 장치에 따라서 적절히 설정할 수 있다. 또한, 상기 기체의 상기 관통 구멍의 배치 장소도 목적으로 하는 검사 장치에 따라서 적절히 설정할 수 있다.The number of the through-holes of the base body can also be set within an appropriate range, and the number of the through-holes can be set enough to allow conduction inspection, and can be appropriately set according to the target inspection apparatus. Moreover, the arrangement position of the said through-hole of the said base|substrate can also be set suitably according to the inspection apparatus made into the objective.

상기 기체의 상기 관통 구멍을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 공지된 방법(예를 들어, 레이저 가공)으로 관통 구멍을 형성하는 것이 가능하다.The method for forming the through-hole of the substrate is not particularly limited, and it is possible to form the through-hole by a known method (eg, laser processing).

상기 기체의 상기 관통 구멍 내의 도전부는 도전성을 갖는다.The conductive portion in the through hole of the substrate has conductivity.

구체적으로 도전부는 상기 금속 함유 입자에서 유래되는 입자를 포함한다. 예를 들어, 도전부는 복수의 금속 함유 입자가 관통 구멍 내에 수용되어 형성된다. 상기 도전부는 금속 함유 입자에서 유래되는 입자의 집합체(입자군)를 포함한다.Specifically, the conductive part includes particles derived from the metal-containing particles. For example, the conductive portion is formed by accommodating a plurality of metal-containing particles in a through hole. The conductive portion includes an aggregate (particle group) of particles derived from metal-containing particles.

상기 도전부의 재료는 상기 금속 함유 입자 이외의 재료를 포함하고 있어도 된다. 예를 들어, 상기 도전부의 재료는 상기 금속 함유 입자 이외에 바인더를 포함할 수 있다. 상기 도전부의 재료가 바인더를 포함함으로써, 상기 금속 함유 입자가 보다 견고하게 집합되고, 이에 의해 상기 금속 함유 입자에서 유래되는 입자가 상기 관통 구멍 내에 유지되기 쉬워진다.The material of the said electroconductive part may contain materials other than the said metal containing particle|grains. For example, the material of the conductive part may include a binder in addition to the metal-containing particles. When the material of the conductive portion contains a binder, the metal-containing particles are more firmly aggregated, whereby particles derived from the metal-containing particles are easily retained in the through holes.

상기 바인더로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 광경화성 수지, 열경화성 수지를 들 수 있다. 상기 광경화성 수지는 광경화성 수지 및 광중합 개시제를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 열경화성 수지는 열경화성 수지 및 열경화제를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 수지로서는, 예를 들어 실리콘계 공중합체, 비닐 수지, 열가소성 수지, 경화성 수지, 열가소성 블록 공중합체 및 엘라스토머 등을 들 수 있다. 상기 수지는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.It does not specifically limit as said binder, For example, a photocurable resin and a thermosetting resin are mentioned. The photocurable resin preferably includes a photocurable resin and a photopolymerization initiator. The thermosetting resin preferably includes a thermosetting resin and a thermosetting agent. As said resin, a silicone type copolymer, a vinyl resin, a thermoplastic resin, curable resin, a thermoplastic block copolymer, an elastomer etc. are mentioned, for example. As for the said resin, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

상기 금속 함유 입자에서 유래되는 입자는, 상기 관통 구멍 내에 치밀하게 충전되어 있는 것이 바람직하고, 이 경우, 상기 도통 검사용 부재에 따라서 보다 확실한 도통 검사를 행할 수 있다. 상기 도전부는 도통 검사용 부재 또는 도통용 부재의 표리에 걸쳐 도통 가능하도록 상기 관통 구멍 내에 수용되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the particle|grains derived from the said metal-containing particle|grains are densely filled in the said through hole, and in this case, a more reliable conduction|electrical_connection test can be performed according to the said member for conduction|electrical_connection test|inspection. It is preferable that the said electrically-conductive part is accommodated in the said through hole so that conduction|electrical_connection is possible across the front and back of the member for conduction|electrical_connection test|inspection or the member for conduction|electrical_connection.

상기 도전부에 있어서, 상기 금속 함유 입자에서 유래되는 입자는, 도전부의 표면부터 이면에 걸쳐 연속해서 상기 금속 함유 입자에서 유래되는 입자가 서로 접촉되면서 존재하고 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 도전부의 도통성이 향상된다.In the said conductive part, it is preferable that the particle|grains derived from the said metal-containing particle|grains exist continuously from the surface to the back surface of the conductive part while the particle|grains derived from the said metal-containing particle are in contact with each other. In this case, the conductivity of the conductive portion is improved.

상기 도전부를 상기 관통 구멍 내에 수용하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 금속 함유 입자와 바인더를 포함하는 재료를 기체에 도공하는 방법으로 상기 금속 함유 입자를 관통 구멍 내에 충전하고, 적당한 조건에서 경화시킴으로써 도전부를 관통 구멍 내에 형성할 수 있다. 이에 의해, 도전부가 관통 구멍에 수용된다. 상기 금속 함유 입자와 바인더를 포함하는 재료에는 필요에 따라서 용제가 포함되어 있어도 된다.The method of accommodating the said electrically-conductive part in the said through hole is not specifically limited. For example, the conductive part can be formed in the through hole by filling the metal-containing particles into the through-holes by coating a substrate with a material containing the metal-containing particles and a binder, and curing the metal-containing particles under suitable conditions. Thereby, the conductive part is accommodated in the through hole. A solvent may be contained in the material containing the said metal-containing particle|grains and a binder as needed.

상기 금속 함유 입자와 바인더를 포함하는 재료는, 상기 금속 함유 입자 100중량부에 대하여, 바인더의 함유량은 고형분 환산으로 바람직하게는 5중량부 이상, 보다 바람직하게는 10중량부 이상이며, 바람직하게는 70중량부 이하, 보다 바람직하게는 50중량부 이하이다.In the material containing the metal-containing particles and the binder, the content of the binder is preferably 5 parts by weight or more, more preferably 10 parts by weight or more, in terms of solid content, with respect to 100 parts by weight of the metal-containing particles, preferably It is 70 weight part or less, More preferably, it is 50 weight part or less.

상기 도통 검사용 부재는 프로브 카드로서 사용할 수 있다. 또한, 상기 도통 검사용 부재는, 본 발명의 효과가 저해되지 않는 정도라면, 기타 구성 요소를 구비하고 있어도 된다.The member for conduction inspection can be used as a probe card. In addition, the said member for conduction|electrical_connection test|inspection may be provided with other components as long as the effect of this invention is not impaired.

도 20의 (a) 내지 (c)는, 전자 회로 디바이스의 전기 특성을 도통 검사용 부재에 의해 검사하고 있는 모습을 모식적으로 나타내는 도면이다.20A to 20C are diagrams schematically showing a state in which the electrical characteristics of an electronic circuit device are inspected by a member for conduction inspection.

도 20의 (a) 내지 (c)에서는, 전자 회로 디바이스는 BGA 기판(31)(볼 그리드 어레이 기판)이다. BGA 기판(31)은 접속 패드가 격자 형상으로 다층 기판(31A)에 배열되고, 각 패드에 땜납볼(31B)이 배치된 구조를 갖는 기판이다. 또한, 도 20의 (a) 내지 (c)에서는, 도통 검사용 부재(21)는 프로브 카드이다. 도통 검사용 부재(21)는 기체(22)에 복수의 관통 구멍(22a)이 형성되어 있고, 관통 구멍(22a) 내에는 도전부(23)가 수용되어 있다. 도 20의 (a)와 같이, BGA 기판(31)과 도통 검사용 부재(21)를 준비하고, 도 20의 (b)와 같이, BGA 기판(31)을 도통 검사용 부재(21)에 접촉시켜 압축시킨다. 이 때, 땜납볼(31B)은 관통 구멍(22a) 내의 도전부(23)와 접촉한다. 이 상태에서 도 20의 (c)와 같이, 전류계(32)를 접속하여 도통 검사를 실시하고, BGA 기판(31)의 합격 여부를 판정할 수 있다.20A to 20C, the electronic circuit device is a BGA substrate 31 (a ball grid array substrate). The BGA substrate 31 is a substrate having a structure in which connection pads are arranged on the multilayer substrate 31A in a lattice shape, and solder balls 31B are arranged on each pad. In addition, in (a)-(c) of FIG. 20, the member 21 for conduction|electrical_connection test|inspection is a probe card. As for the member 21 for conduction|electrical_connection test|inspection, the some through-hole 22a is formed in the base|substrate 22, and the electroconductive part 23 is accommodated in the through-hole 22a. As shown in Fig. 20(a), the BGA substrate 31 and the member 21 for the conduction inspection are prepared, and as shown in Fig. 20(b), the BGA substrate 31 is brought into contact with the member 21 for the conduction inspection. and compress it. At this time, the solder ball 31B comes into contact with the conductive portion 23 in the through hole 22a. In this state, as shown in FIG. 20C , the ammeter 32 is connected to conduct a continuity test, and it is possible to determine whether the BGA substrate 31 has passed or not.

이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 구체적으로 설명한다. 본 발명은 이하의 실시예에만 한정되지 않는다.Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited only to the following examples.

(실시예 1)(Example 1)

기재 입자 A로서, 입자 직경이 3.0㎛인 디비닐벤젠 공중합체 수지 입자(세끼스이 가가꾸 고교사제 「미크로펄 SP-203」)를 준비하였다.As the substrate particle A, a particle diameter prepared the divinylbenzene copolymer resin particle ("Micropearl SP-203" made by Sekisui Chemical Co., Ltd.) which is 3.0 micrometers.

팔라듐 촉매액 5중량%를 포함하는 알칼리 용액 100중량부에 기재 입자 A 10중량부를, 초음파 분산기를 사용하여 분산시킨 후, 용액을 여과함으로써, 기재 입자 A를 취출하였다. 계속해서, 기재 입자 A를 디메틸아민보란 1중량% 용액 100중량부에 첨가하여, 기재 입자 A의 표면을 활성화시켰다. 표면이 활성화된 기재 입자 A를 충분히 수세한 후, 증류수 500중량부에 첨가하여 분산시킴으로써, 현탁액 (A)를 얻었다.After disperse|distributing 10 weight part of substrate particles A to 100 weight part of alkali solutions containing 5 weight% of palladium catalyst liquids using the ultrasonic disperser, the substrate particle A was taken out by filtering a solution. Then, the substrate particle A was added to 100 weight part of dimethylamine borane 1 weight% solution, and the surface of the substrate particle A was activated. Suspension (A) was obtained by adding and disperse|distributing the substrate particle A by which the surface was activated sufficiently by adding and disperse|distributing to 500 weight part of distilled water, after washing with water.

이어서, 금속 니켈 입자 슬러리(미츠이 긴조쿠사제 「2020SUS」, 평균 입자 직경 150nm) 1중량부를 3분간에 걸쳐 상기 현탁액 (A)에 첨가하여, 코어 물질이 부착된 기재 입자 A를 포함하는 현탁액 (B)를 얻었다.Then, 1 part by weight of a metallic nickel particle slurry (“2020SUS” manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd., average particle diameter of 150 nm) is added to the suspension (A) over 3 minutes, and the suspension (B) containing the substrate particles A to which the core substance adheres. ) was obtained.

현탁액 (B)를, 황산구리 20g/L 및 에틸렌디아민사아세트산 30g/L을 포함하는 용액 중에 넣어, 입자 혼합액 (C)를 얻었다.The suspension (B) was put in the solution containing 20 g/L of copper sulfate and 30 g/L of ethylenediamine tetraacetic acid, and the particle|grain liquid mixture (C) was obtained.

또한, 무전해 구리 도금액으로서, 황산구리 250g/L, 에틸렌디아민사아세트산 150g/L, 글루콘산나트륨 100g/L 및 포름알데히드 50g/L를 포함하는 혼합액을, 암모니아로 pH 10.5로 조정한 구리 도금액 (D)를 준비하였다.In addition, as an electroless copper plating solution, a copper plating solution obtained by adjusting pH 10.5 with ammonia to a mixed solution containing 250 g/L of copper sulfate, 150 g/L of ethylenediaminetetraacetic acid, 100 g/L of sodium gluconate and 50 g/L of formaldehyde (D ) was prepared.

또한, 무전해 은 도금액으로서, 질산은 30g/L, 숙신산이미드 100g/L 및 포름알데히드 20g/L를 포함하는 혼합액을, 암모니아수로 pH 8.0으로 조정한 은 도금액 (E)를 준비하였다.In addition, as an electroless silver plating solution, a silver plating solution (E) in which a mixed solution containing 30 g/L of silver nitrate, 100 g/L of succinimide, and 20 g/L of formaldehyde was adjusted to pH 8.0 with aqueous ammonia was prepared.

또한, 디메틸아민보란 100g/L 및 수산화나트륨 0.5g/L를 포함하는 돌기 형성용 도금액 (F)(pH 10.0)를 준비하였다.In addition, a plating solution (F) (pH 10.0) for forming protrusions containing 100 g/L of dimethylamine borane and 0.5 g/L of sodium hydroxide was prepared.

55℃로 조정한 분산 상태의 입자 혼합액 (C)에 상기 구리 도금액 (D)를 서서히 적하하여, 무전해 구리 도금을 행하였다. 구리 도금액 (D)의 적하 속도는 30mL/분, 적하 시간은 30분간으로, 무전해 구리 도금을 행하였다. 이와 같이 하여, 수지 입자의 표면에 구리 금속부가 배치되어 있고, 표면에 볼록부를 갖는 금속부를 구비하는 입자를 포함하는 입자 혼합액 (G)를 얻었다.The said copper plating liquid (D) was dripped gradually to the particle|grain liquid mixture (C) in a dispersed state adjusted to 55 degreeC, and electroless copper plating was performed. The dripping rate of the copper plating solution (D) was 30 mL/min, and the dripping time was 30 minutes, and electroless copper plating was performed. In this way, the copper metal part is arrange|positioned on the surface of the resin particle, and the particle|grain liquid mixture (G) containing the particle|grains provided with the metal part which has a convex part on the surface was obtained.

그 후, 입자 혼합액 (G)를 여과함으로써 입자를 취출하고, 수세함으로써 상기 기재 입자 A의 표면 상에 구리 금속부가 배치되어 있고, 표면에 볼록부를 갖는 금속부를 구비하는 입자를 얻었다. 이 입자를 충분히 수세한 후, 증류수 500중량부에 첨가하여 분산시킴으로써, 입자 혼합액 (H)를 얻었다.Then, the copper metal part is arrange|positioned on the surface of the said substrate particle A by taking out particle|grains by filtering the particle|grain liquid mixture (G), and washing with water, and the particle|grain provided with the metal part which has a convex part in the surface was obtained. After sufficiently washing this particle with water, it added and disperse|distributed to 500 weight part of distilled water, the particle|grain liquid mixture (H) was obtained.

이어서, 60℃로 조정한 분산 상태의 입자 혼합액 (H)에 상기 은 도금액 (E)를 서서히 적하하여, 무전해 은 도금을 행하였다. 은 도금액 (E)의 적하 속도는 10mL/분, 적하 시간은 30분간으로, 무전해 은 도금을 행하였다. 그 후, 상기 돌기 형성용 도금액 (F)를 서서히 적하하여, 돌기 형성을 행하였다. 돌기 형성용 도금액 (F)의 적하 속도는 1mL/분, 적하 시간은 10분간으로, 돌기 형성을 행하였다. 돌기 형성용 도금액 (F)의 적하 중에는, 발생한 은 돌기핵을 초음파 교반에 의해 분산시키면서 은 도금을 행하였다(돌기 형성 공정). 그 후, 여과함으로써 입자를 취출하고, 수세하고, 건조시킴으로써, 기재 입자 A의 표면 상에 구리 및 은 금속부(볼록부가 없는 부분에서의 금속부 전체의 두께: 0.1㎛)가 배치되어 있고, 표면에 볼록부를 갖고, 볼록부의 표면 상에 복수의 돌기를 갖는 금속부를 구비하는 금속 함유 입자를 얻었다.Next, the said silver plating liquid (E) was dripped gradually to the particle|grain liquid mixture (H) of the dispersed state adjusted to 60 degreeC, and electroless silver plating was performed. The dropping rate of the silver plating solution (E) was 10 mL/min, and the dropping time was 30 minutes, and electroless silver plating was performed. Then, the said plating liquid (F) for projection formation was dripped gradually, and projection formation was performed. The dropping rate of the plating liquid (F) for projection formation was 1 mL/min, and the dripping time was 10 minutes, and projection formation was performed. During dripping of the plating liquid (F) for projection formation, silver plating was performed, disperse|distributing the generated silver projection nuclei with ultrasonic stirring (projection|protrusion formation process). Then, copper and silver metal part (thickness of the whole metal part in a part without a convex part: 0.1 micrometer) is arrange|positioned on the surface of substrate particle A by taking out particle|grains by filtration, washing with water, and drying, the surface It has a convex part, and the metal containing particle|grains provided with the metal part which has a some processus|protrusion on the surface of a convex part were obtained.

(실시예 2)(Example 2)

금속 니켈 입자 슬러리를 알루미나 입자 슬러리(평균 입자 직경 150nm)로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 금속 함유 입자를 얻었다.Except having changed the metallic nickel particle slurry into the alumina particle slurry (average particle diameter of 150 nm), it carried out similarly to Example 1, and obtained the metal containing particle|grains.

(실시예 3)(Example 3)

실시예 1에서 얻어진 현탁액 (A)를 황산니켈 40ppm, 시트르산3나트륨 2g/L 및 암모니아수 10g/L를 포함하는 용액 중에 넣어, 입자 혼합액 (B)를 얻었다.The suspension (A) obtained in Example 1 was put into a solution containing 40 ppm of nickel sulfate, 2 g/L of trisodium citrate, and 10 g/L of aqueous ammonia to obtain a particle mixture (B).

침상 돌기 형성용 도금액으로서, 황산구리 100g/L, 황산니켈 10g/L, 차아인산나트륨 100g/L, 시트르산3나트륨 70g/L, 붕산 10g/L 및 비이온 계면 활성제로서 폴리에틸렌글리콜 1000(분자량: 1000) 5mg/L를 포함하는 혼합액을, 암모니아수로 pH 10.0으로 조정한 무전해 구리-니켈-인 합금 도금액인 침상 돌기 형성용 도금액 (C)를 준비하였다.As a plating solution for needle formation, copper sulfate 100g/L, nickel sulfate 10g/L, sodium hypophosphite 100g/L, trisodium citrate 70g/L, boric acid 10g/L, and polyethylene glycol 1000 (molecular weight: 1000) as a nonionic surfactant A plating solution (C) for forming needles, which is an electroless copper-nickel-phosphorus alloy plating solution in which a mixed solution containing 5 mg/L was adjusted to pH 10.0 with aqueous ammonia, was prepared.

또한, 무전해 은 도금액으로서, 질산은 30g/L, 숙신산이미드 100g/L 및 포름알데히드 20g/L의 혼합액을, 암모니아수로 pH 8.0으로 조정한 은 도금액 (D)를 준비하였다.In addition, as an electroless silver plating solution, a silver plating solution (D) in which a mixed solution of 30 g/L silver nitrate, 100 g/L succinimide, and 20 g/L formaldehyde was adjusted to pH 8.0 with aqueous ammonia was prepared.

또한, 디메틸아민보란 100g/L 및 수산화나트륨 0.5g/L를 포함하는 돌기 형성용 도금액 (E)(pH 10.0)를 준비하였다.In addition, a plating solution (E) (pH 10.0) for forming protrusions containing 100 g/L of dimethylamine borane and 0.5 g/L of sodium hydroxide was prepared.

70℃로 조정한 분산 상태의 입자 혼합액 (B)에 상기 침상 돌기 형성용 도금액 (C)를 서서히 적하하여, 침상 돌기를 형성하였다. 침상 돌기 형성용 도금액 (C)의 적하 속도는 40mL/분, 적하 시간은 60분간으로, 무전해 구리-니켈-인 합금 도금을 행하였다(침상 돌기 형성 및 구리-니켈-인 합금 도금 공정). 그 후, 여과함으로써 입자를 취출하고, 기재 입자 A의 표면 상에 구리-니켈-인 합금 금속부가 배치되어 있고, 표면에 볼록부를 갖는 금속부를 구비하는 입자 (F)를 얻었다. 입자 (F)를 증류수 500중량부에 첨가하여 분산시킴으로써, 현탁액 (G)를 얻었다.The plating solution for forming needles (C) was gradually added dropwise to the particle mixture (B) in a dispersed state adjusted to 70°C to form needles. Electroless copper-nickel-phosphorus alloy plating was performed (acicular projection formation and copper-nickel-phosphorus alloy plating process) at a dropping rate of the plating solution (C) for forming needles at 40 mL/min and a dropping time of 60 minutes. Then, by filtering, particle|grains were taken out, the copper- nickel- phosphorus alloy metal part is arrange|positioned on the surface of the substrate particle A, and the particle|grain (F) provided with the metal part which has a convex part in the surface was obtained. A suspension (G) was obtained by adding and dispersing the particles (F) to 500 parts by weight of distilled water.

그 후, 현탁액 (G)를 여과함으로써 입자를 취출하고, 수세함으로써 상기 기재 입자 A의 표면 상에 구리-니켈-인 합금 금속부가 배치되어 있고, 표면에 침상 볼록부를 갖는 금속부를 구비하는 입자를 얻었다. 이 입자를 충분히 수세한 후, 증류수 500중량부에 첨가하여 분산시킴으로써, 입자 혼합액 (H)를 얻었다.Then, by filtering suspension (G), particle|grains were taken out, and the copper- nickel- phosphorus alloy metal part is arrange|positioned on the surface of the said substrate particle A by washing with water, and the particle|grain provided with the metal part which has needle-shaped convex parts on the surface was obtained. . After sufficiently washing this particle with water, it added and disperse|distributed to 500 weight part of distilled water, the particle|grain liquid mixture (H) was obtained.

이어서, 60℃로 조정한 분산 상태의 입자 혼합액 (H)에 상기 은 도금액 (D)를 서서히 적하하여, 무전해 은 도금을 행하였다. 은 도금액 (D)의 적하 속도는 10mL/분, 적하 시간은 30분간으로, 무전해 은 도금을 행하였다. 그 후, 상기 돌기 형성용 도금액 (E)를 서서히 적하하여, 돌기 형성을 행하였다. 돌기 형성용 도금액 (E)의 적하 속도는 1mL/분, 적하 시간은 10분간으로, 돌기 형성을 행하였다. 돌기 형성용 도금액 (E)의 적하 중에는, 발생한 은 돌기핵을 초음파 교반에 의해 분산시키면서 은 도금을 행하였다(돌기 형성 공정). 그 후, 여과함으로써 입자를 취출하고, 수세하고, 건조시킴으로써, 기재 입자 A의 표면 상에 구리-니켈-인 합금 및 은 금속부(볼록부가 없는 부분에서의 금속부 전체의 두께: 0.1㎛)가 배치되어 있고, 표면에 복수의 침상 볼록부를 갖고, 볼록부의 표면 상에 복수의 돌기를 갖는 금속부를 구비하는 금속 함유 입자를 얻었다.Then, the said silver plating liquid (D) was dripped gradually to the particle|grain liquid mixture (H) of the dispersed state adjusted to 60 degreeC, and electroless silver plating was performed. The dropping rate of the silver plating solution (D) was 10 mL/min, and the dropping time was 30 minutes, and electroless silver plating was performed. Then, the said plating liquid (E) for projection formation was dripped gradually, and projection formation was performed. The dropping rate of the plating liquid (E) for projection formation was 1 mL/min, and the dripping time was 10 minutes, and projection formation was performed. During dripping of the plating liquid (E) for projection formation, silver plating was performed, disperse|distributing the generated silver projection nuclei with ultrasonic stirring (projection|protrusion formation process). Then, the copper- nickel- phosphorus alloy and silver metal part (thickness of the whole metal part in a part without a convex part: 0.1 micrometer) on the surface of substrate particle A by taking out particle|grains by filtration, washing with water, and drying It arrange|positioned, it had several needle-shaped convex part on the surface, and obtained the metal containing particle|grains provided with the metal part which has a several processus|protrusion on the surface of a convex part.

(실시예 4)(Example 4)

실시예 1에서 얻어진 현탁액 (A)를 황산니켈 80g/L, 질산탈륨 10ppm 및 질산비스무트 5ppm을 포함하는 용액 중에 넣어, 입자 혼합액 (B)를 얻었다.The suspension (A) obtained in Example 1 was put into a solution containing 80 g/L of nickel sulfate, 10 ppm of thallium nitrate, and 5 ppm of bismuth nitrate to obtain a particle mixture (B).

침상 돌기 형성용 도금액으로서, 염화니켈 100g/L, 히드라진 일수화물 100g/L, 시트르산3나트륨 50g/L 및 폴리에틸렌글리콜 1000(분자량: 1000) 20mg/L를 포함하는 혼합액을, 수산화나트륨으로 pH 9.0으로 조정한 무전해 고순도 니켈 도금액인 침상 돌기 형성용 도금액 (C)를 준비하였다.As a plating solution for forming needles, a mixture containing 100 g/L of nickel chloride, 100 g/L of hydrazine monohydrate, 50 g/L of trisodium citrate, and 20 mg/L of polyethylene glycol 1000 (molecular weight: 1000) was adjusted to pH 9.0 with sodium hydroxide. A plating solution (C) for forming needles, which is the adjusted electroless high-purity nickel plating solution, was prepared.

또한, 무전해 은 도금액으로서, 질산은 30g/L, 숙신산이미드 100g/L 및 포름알데히드 20g/L를 포함하는 혼합액을, 암모니아수로 pH 8.0으로 조정한 은 도금액 (D)를 준비하였다.In addition, as an electroless silver plating solution, a silver plating solution (D) in which a mixed solution containing 30 g/L of silver nitrate, 100 g/L of succinimide, and 20 g/L of formaldehyde was adjusted to pH 8.0 with aqueous ammonia was prepared.

또한, 디메틸아민보란 100g/L 및 수산화나트륨 0.5g/L를 포함하는 돌기 형성용 도금액 (E)(pH 10.0)를 준비하였다.In addition, a plating solution (E) (pH 10.0) for forming protrusions containing 100 g/L of dimethylamine borane and 0.5 g/L of sodium hydroxide was prepared.

60℃로 조정한 분산 상태의 입자 혼합액 (B)에 상기 침상 돌기 형성용 도금액 (C)를 서서히 적하하여, 침상 돌기를 형성하였다. 침상 돌기 형성용 도금액 (C)의 적하 속도는 20mL/분, 적하 시간은 50분간으로, 무전해 고순도 니켈 도금을 행하였다(침상 돌기 형성 및 구리-니켈-인 합금 도금 공정). 그 후, 여과함으로써 입자를 취출하고, 기재 입자 A의 표면 상에 고순도 니켈 금속부가 배치되어 있고, 표면에 볼록부를 갖는 금속부를 구비하는 입자 (F)를 얻었다. 입자 (F)를 증류수 500중량부에 첨가하여 분산시킴으로써, 현탁액 (G)를 얻었다.The plating solution for forming needles (C) was gradually added dropwise to the particle mixture (B) in a dispersed state adjusted to 60°C to form needles. Electroless high-purity nickel plating was performed (acicular projection formation and copper-nickel-phosphorus alloy plating process) at a dropping rate of 20 mL/min and a dropping time of 50 minutes of the plating solution (C) for forming needles. Then, the particle|grains were taken out by filtration, the high-purity nickel metal part is arrange|positioned on the surface of the substrate particle A, and the particle|grain (F) provided with the metal part which has a convex part in the surface was obtained. A suspension (G) was obtained by adding and dispersing the particles (F) to 500 parts by weight of distilled water.

그 후, 현탁액 (G)를 여과함으로써 입자를 취출하고, 수세함으로써 상기 기재 입자 A의 표면 상에 고순도 니켈 금속부를 배치하고, 표면에 침상 볼록부를 갖는 금속부를 구비하는 입자를 얻었다. 이 입자를 충분히 수세한 후, 증류수 500중량부에 첨가하여 분산시킴으로써, 입자 혼합액 (H)를 얻었다.Then, a high-purity nickel metal part was arrange|positioned on the surface of the said substrate particle A by taking out particle|grains by filtering suspension (G), and washing with water, and the particle|grain provided with the metal part which has needle-shaped convex part on the surface was obtained. After sufficiently washing this particle with water, it added and disperse|distributed to 500 weight part of distilled water, the particle|grain liquid mixture (H) was obtained.

이어서, 60℃로 조정한 분산 상태의 입자 혼합액 (H)에 상기 은 도금액 (D)를 서서히 적하하여, 무전해 은 도금을 행하였다. 은 도금액 (D)의 적하 속도는 10mL/분, 적하 시간은 30분간으로, 무전해 은 도금을 행하였다. 그 후, 상기 돌기 형성용 도금액 (E)를 서서히 적하하여, 돌기 형성을 행하였다. 돌기 형성용 도금액 (E)의 적하 속도는 1mL/분, 적하 시간은 10분간으로, 돌기 형성을 행하였다. 돌기 형성용 도금액 (E)의 적하 중에는, 발생한 은 돌기핵을 초음파 교반에 의해 분산시키면서 은 도금을 행하였다(돌기 형성 공정). 그 후, 여과함으로써 입자를 취출하고, 기재 입자 A의 표면 상에 고순도 니켈 및 은 금속부가 배치되어 있고, 표면에 침상 볼록부를 갖고, 볼록부의 표면 상에 복수의 돌기를 갖는 금속부를 구비하는 입자 혼합액 (I)을 얻었다.Then, the said silver plating liquid (D) was dripped gradually to the particle|grain liquid mixture (H) of the dispersed state adjusted to 60 degreeC, and electroless silver plating was performed. The dropping rate of the silver plating solution (D) was 10 mL/min, and the dropping time was 30 minutes, and electroless silver plating was performed. Then, the said plating liquid (E) for projection formation was dripped gradually, and projection formation was performed. The dropping rate of the plating liquid (E) for projection formation was 1 mL/min, and the dripping time was 10 minutes, and projection formation was performed. During dripping of the plating liquid (E) for projection formation, silver plating was performed, disperse|distributing the generated silver projection nuclei with ultrasonic stirring (projection|protrusion formation process). Then, particle|grains are taken out by filtration, high-purity nickel and a silver metal part are arrange|positioned on the surface of the substrate particle A, It has needle-shaped convex part on the surface, The particle|grain liquid mixture provided with the metal part which has a some processus|protrusion on the surface of a convex part. (I) was obtained.

그 후, 입자 혼합액 (I)을 여과함으로써 입자를 취출하고, 수세하고, 건조시킴으로써, 기재 입자 A의 표면 상에 고순도 니켈 및 은 금속부(볼록부가 없는 부분에서의 금속부 전체의 두께: 0.1㎛)가 배치되어 있고, 표면에 복수의 침상 볼록부를 갖고, 볼록부의 표면 상에 복수의 돌기를 갖는 금속부를 구비하는 금속 함유 입자를 얻었다.Then, high-purity nickel and silver metal part (thickness of the whole metal part in a part without a convex part: 0.1 micrometer on the surface of substrate particle A by taking out particle|grains by filtering particle liquid mixture (I), washing with water, and drying) ) is disposed, has a plurality of acicular convex portions on the surface, and metal-containing particles having a metal portion having a plurality of projections on the surface of the convex portions were obtained.

(실시예 5)(Example 5)

실시예 1에서 얻어진 현탁액 (A)를 질산은 500ppm, 숙신산이미드 10g/L, 암모니아수 10g/L를 포함하는 용액 중에 넣어, 입자 혼합액 (B)를 얻었다.The suspension (A) obtained in Example 1 was put into a solution containing 500 ppm silver nitrate, 10 g/L succinimide, and 10 g/L aqueous ammonia to obtain a particle mixture (B).

무전해 은 도금액으로서, 질산은 30g/L, 숙신산이미드 100g/L 및 포름알데히드 20g/L를 포함하는 혼합액을, 암모니아수로 pH 8로 조정한 은 도금액 (C)를 준비하였다.As the electroless silver plating solution, a silver plating solution (C) in which a mixed solution containing 30 g/L of silver nitrate, 100 g/L of succinimide, and 20 g/L of formaldehyde was adjusted to pH 8 with aqueous ammonia was prepared.

또한, 디메틸아민보란 100g/L 및 수산화나트륨 0.5g/L를 포함하는 돌기 형성용 도금액 (D)(pH 10.0)를 준비하였다.In addition, a plating solution (D) (pH 10.0) for forming protrusions containing 100 g/L of dimethylamine borane and 0.5 g/L of sodium hydroxide was prepared.

60℃로 조정한 분산 상태의 입자 혼합액 (B)에 상기 무전해 은 도금액 (C)를 서서히 적하하여, 침상 돌기를 형성하였다. 무전해 은 도금액 (C)의 적하 속도는 10mL/분, 적하 시간은 30분간으로, 무전해 은 도금을 행하였다(은 도금 공정). 그 후, 상기 돌기 형성용 도금액 (D)를 서서히 적하하여, 돌기 형성을 행하였다. 돌기 형성용 도금액 (D)의 적하 속도는 1mL/분, 적하 시간은 10분간으로, 돌기 형성을 행하였다. 돌기 형성용 도금액 (D)의 적하 중에는, 발생한 은 돌기핵을 초음파 교반에 의해 분산시키면서 은 도금을 행하였다(돌기 형성 공정). 그 후, 여과함으로써 입자를 취출하고, 수세하고, 건조시킴으로써, 기재 입자 A의 표면 상에 은 금속부(돌기가 없는 부분에서의 금속부 전체의 두께: 0.1㎛)가 배치되어 있고, 표면 상에 복수의 돌기를 갖는 금속부를 구비하는 금속 함유 입자를 얻었다.The said electroless silver plating liquid (C) was dripped gradually to the particle|grain liquid mixture (B) in a dispersed state adjusted to 60 degreeC, and needle-like projections were formed. The dropping rate of the electroless silver plating liquid (C) was 10 mL/min, and the dripping time was 30 minutes, and electroless silver plating was performed (silver plating process). Then, the said plating liquid (D) for projection formation was dripped gradually, and projection formation was performed. The dropping rate of the plating liquid (D) for projection formation was 1 mL/min, and the dripping time was 10 minutes, and projection formation was performed. During the dripping of the plating liquid (D) for projection formation, silver plating was performed, disperse|distributing the generated silver projection nuclei with ultrasonic stirring (projection|protrusion formation process). Then, a silver metal part (thickness of the whole metal part in a part without processus|protrusion: 0.1 micrometer) is arrange|positioned on the surface of substrate particle A by taking out particle|grains by filtration, washing with water, and drying, on the surface The metal-containing particle|grains provided with the metal part which has a some processus|protrusion were obtained.

(실시예 6)(Example 6)

실시예 1에서 얻어진 현탁액 (A)를 시안화은칼륨 500ppm, 시안화칼륨 10g/L 및 수산화칼륨 10g/L를 포함하는 용액 중에 넣어, 입자 혼합액 (B)를 얻었다.The suspension (A) obtained in Example 1 was put into a solution containing 500 ppm of silver potassium cyanide, 10 g/L of potassium cyanide, and 10 g/L of potassium hydroxide to obtain a particle mixture (B).

침상 돌기 형성용 도금액으로서, 시안화은칼륨 80g/L, 시안화칼륨 10g/L, 폴리에틸렌글리콜 1000(분자량: 1000) 20mg/L, 티오요소 50ppm 및 히드라진 일수화물 100g/L를 포함하는 혼합액을, 수산화칼륨으로 pH 7.5로 조정한 은 도금액 (C)를 준비하였다.As a plating solution for needle formation, a mixed solution containing 80 g/L of silver potassium cyanide, 10 g/L of potassium cyanide, 20 mg/L of polyethylene glycol 1000 (molecular weight: 1000), 50 ppm of thiourea and 100 g/L of hydrazine monohydrate is used as potassium hydroxide A silver plating solution (C) adjusted to pH 7.5 was prepared.

80℃로 조정한 분산 상태의 입자 혼합액 (B)에 상기 무전해 은 도금액 (C)를 서서히 적하하여, 침상 돌기를 형성하였다. 무전해 은 도금액 (C)의 적하 속도는 10mL/분, 적하 시간은 60분간으로, 무전해 은 도금을 행하였다(침상 돌기 형성 및 은 도금 공정). 그 후, 여과함으로써 입자를 취출하고, 수세하고, 건조시킴으로써, 수지 입자의 표면에 은 금속부(돌기가 없는 부분에서의 금속부 전체의 두께: 0.1㎛)가 배치되어 있고, 표면에 복수의 침상 돌기가 형성된 은 금속부를 구비하는 금속 함유 입자를 얻었다.The electroless silver plating solution (C) was gradually added dropwise to the particle mixture solution (B) in a dispersed state adjusted to 80°C to form needle-like projections. The dropping rate of the electroless silver plating solution (C) was 10 mL/min, and the dripping time was 60 minutes, and electroless silver plating was performed (acicular processus|protrusion formation and silver plating process). Thereafter, the particles are taken out by filtration, washed with water, and dried to arrange a silver metal part (the total thickness of the metal part in the non-protrusion part: 0.1 µm) on the surface of the resin particle, and a plurality of needles are formed on the surface. The metal-containing particle|grains provided with the silver metal part in which the processus|protrusion was formed were obtained.

(실시예 7)(Example 7)

실시예 1에서 얻어진 현탁액 (A)를 시안화은칼륨 500ppm, 시안화칼륨 10g/L 및 수산화칼륨 10g/L를 포함하는 용액 중에 넣어, 입자 혼합액 (B)를 얻었다.The suspension (A) obtained in Example 1 was put into a solution containing 500 ppm of silver potassium cyanide, 10 g/L of potassium cyanide, and 10 g/L of potassium hydroxide to obtain a particle mixture (B).

침상 돌기 형성용 도금액으로서, 시안화은칼륨 80g/L, 시안화칼륨 10g/L, 폴리에틸렌글리콜 1000(분자량: 1000) 20mg/L, 티오요소 50ppm 및 히드라진 일수화물 100g/L를 포함하는 혼합액을, 수산화칼륨으로 pH 7.5로 조정한 은 도금액 (C)를 준비하였다.As a plating solution for needle formation, a mixed solution containing 80 g/L of silver potassium cyanide, 10 g/L of potassium cyanide, 20 mg/L of polyethylene glycol 1000 (molecular weight: 1000), 50 ppm of thiourea and 100 g/L of hydrazine monohydrate is used as potassium hydroxide A silver plating solution (C) adjusted to pH 7.5 was prepared.

또한, 무전해 은 도금액으로서, 질산은 30g/L, 숙신산이미드 100g/L 및 포름알데히드 20g/L를 포함하는 혼합액을, 암모니아수로 pH 8.0으로 조정한 은 도금액 (D)를 준비하였다.In addition, as an electroless silver plating solution, a silver plating solution (D) in which a mixed solution containing 30 g/L of silver nitrate, 100 g/L of succinimide, and 20 g/L of formaldehyde was adjusted to pH 8.0 with aqueous ammonia was prepared.

또한, 디메틸아민보란 100g/L 및 수산화나트륨 0.5g/L를 포함하는 돌기 형성용 도금액 (E)(pH 10.0)를 준비하였다.In addition, a plating solution (E) (pH 10.0) for forming protrusions containing 100 g/L of dimethylamine borane and 0.5 g/L of sodium hydroxide was prepared.

80℃로 조정한 분산 상태의 입자 혼합액 (B)에 상기 무전해 은 도금액 (C)를 서서히 적하하여, 침상 돌기를 형성하였다. 무전해 은 도금액 (C)의 적하 속도는 10mL/분, 적하 시간은 45분간으로, 무전해 은 도금을 행하였다(침상 돌기 형성 및 은 도금 공정).The electroless silver plating solution (C) was gradually added dropwise to the particle mixture solution (B) in a dispersed state adjusted to 80°C to form needle-like projections. The dropping rate of the electroless silver plating liquid (C) was 10 mL/min, and the dripping time was 45 minutes, and electroless silver plating was performed (acicular processus|protrusion formation and silver plating process).

그 후, 여과함으로써 입자를 취출하고, 기재 입자 A의 표면 상에 은 금속부가 배치되어 있고, 표면에 침상 볼록부를 갖는 금속부를 구비하는 입자 (F)를 얻었다. 입자 (F)를 증류수 500중량부에 첨가하여 분산시킴으로써, 입자 혼합액 (G)를 얻었다.Then, by filtering, particle|grains were taken out, the silver metal part is arrange|positioned on the surface of the substrate particle A, and the particle|grain (F) provided with the metal part which has a needle-shaped convex part in the surface was obtained. A particle mixture (G) was obtained by adding and dispersing the particles (F) to 500 parts by weight of distilled water.

이어서, 60℃로 조정한 분산 상태의 입자 혼합액 (G)에 상기 은 도금액 (D)를 서서히 적하하여, 무전해 은 도금을 행하였다. 은 도금액 (D)의 적하 속도는 10mL/분, 적하 시간은 30분간으로, 무전해 은 도금을 행하였다. 그 후, 상기 돌기 형성용 도금액 (E)를 서서히 적하하여, 돌기 형성을 행하였다. 돌기 형성용 도금액 (E)의 적하 속도는 1mL/분, 적하 시간은 10분간으로, 돌기 형성을 행하였다. 돌기 형성용 도금액 (E)의 적하 중에는, 발생한 은 돌기핵을 초음파 교반에 의해 분산시키면서 은 도금을 행하였다(돌기 형성 공정). 그 후, 여과함으로써 입자를 취출하고, 수세하고, 건조시킴으로써, 기재 입자 A의 표면 상에 은 금속부(볼록부가 없는 부분에서의 금속부 전체의 두께: 0.1㎛)가 배치되어 있고, 표면에 복수의 침상 볼록부를 갖고, 볼록부의 표면 상에 복수의 돌기를 갖는 금속부를 구비하는 금속 함유 입자를 얻었다.Next, the said silver plating liquid (D) was dripped gradually to the particle|grain liquid mixture (G) in a dispersed state adjusted to 60 degreeC, and electroless silver plating was performed. The dropping rate of the silver plating solution (D) was 10 mL/min, and the dropping time was 30 minutes, and electroless silver plating was performed. Then, the said plating liquid (E) for projection formation was dripped gradually, and projection formation was performed. The dropping rate of the plating liquid (E) for projection formation was 1 mL/min, and the dripping time was 10 minutes, and projection formation was performed. During dripping of the plating liquid (E) for projection formation, silver plating was performed, disperse|distributing the generated silver projection nuclei with ultrasonic stirring (projection|protrusion formation process). Then, a silver metal part (thickness of the whole metal part in a part without a convex part: 0.1 micrometer) is arrange|positioned on the surface of the substrate particle A by taking out particle|grains by filtration, washing with water, and drying, and plural on the surface A metal-containing particle having a acicular convex portion and a metal portion having a plurality of projections on the surface of the convex portion was obtained.

(실시예 8)(Example 8)

실시예 1에서 얻어진 현탁액 (B)를 황산니켈 50g/L, 질산탈륨 30ppm 및 질산비스무트 20ppm을 포함하는 용액 중에 넣어, 입자 혼합액 (C)를 얻었다.The suspension (B) obtained in Example 1 was put into a solution containing 50 g/L of nickel sulfate, 30 ppm of thallium nitrate, and 20 ppm of bismuth nitrate to obtain a particle mixture (C).

무전해 니켈-텅스텐-보론 합금 도금액으로서, 황산니켈 100g/L, 텅스텐산나트륨 5g/L, 디메틸아민보란 30g/L, 질산비스무트 10ppm 및 시트르산3나트륨 30g/L를 포함하는 혼합액을, 수산화나트륨으로 pH 6으로 조정한 무전해 니켈-텅스텐-보론 합금 도금액 (D)를 준비하였다.As an electroless nickel-tungsten-boron alloy plating solution, a mixed solution containing 100 g/L of nickel sulfate, 5 g/L of sodium tungstate, 30 g/L of dimethylamine borane, 10 ppm of bismuth nitrate and 30 g/L of trisodium citrate is used with sodium hydroxide. An electroless nickel-tungsten-boron alloy plating solution (D) adjusted to pH 6 was prepared.

또한, 무전해 은 도금액으로서, 질산은 30g/L, 숙신산이미드 100g/L 및 포름알데히드 20g/L의 혼합액을, 암모니아수로 pH 8.0으로 조정한 은 도금액 (E)를 준비하였다.In addition, as an electroless silver plating solution, a silver plating solution (E) in which a mixed solution of 30 g/L silver nitrate, 100 g/L succinimide, and 20 g/L formaldehyde was adjusted to pH 8.0 with aqueous ammonia was prepared.

또한, 디메틸아민보란 100g/L 및 수산화나트륨 0.5g/L를 포함하는 돌기 형성용 도금액 (F)(pH 10.0)를 준비하였다.In addition, a plating solution (F) (pH 10.0) for forming protrusions containing 100 g/L of dimethylamine borane and 0.5 g/L of sodium hydroxide was prepared.

60℃로 조정한 분산 상태의 입자 혼합액 (C)에 상기 무전해 니켈-텅스텐-보론 합금 도금액 (D)를 서서히 적하하여, 무전해 니켈-텅스텐-보론 합금 도금을 행하였다. 무전해 니켈-텅스텐-보론 합금 도금액 (D)의 적하 속도는 15mL/분, 적하 시간은 60분간으로, 무전해 니켈-텅스텐-보론 합금 도금을 행하였다. 이와 같이 하여, 기재 입자 A의 표면 상에 니켈-텅스텐-보론 합금 금속부가 배치되어 있고, 표면에 볼록부를 갖는 금속부를 구비하는 입자를 포함하는 입자 혼합액 (G)를 얻었다.The electroless nickel-tungsten-boron alloy plating solution (D) was gradually added dropwise to the particle mixture solution (C) in a dispersed state adjusted to 60°C to perform electroless nickel-tungsten-boron alloy plating. The electroless nickel-tungsten-boron alloy plating solution (D) was subjected to electroless nickel-tungsten-boron alloy plating at a dropping rate of 15 mL/min and a dropping time of 60 minutes. In this way, the nickel- tungsten- boron alloy metal part is arrange|positioned on the surface of the substrate particle A, and the particle|grain liquid mixture (G) containing the particle|grain provided with the metal part which has a convex part in the surface was obtained.

그 후, 입자 혼합액 (G)를 여과함으로써 입자를 취출하고, 수세함으로써 상기 기재 입자 A의 표면 상에 니켈-텅스텐-보론 합금 금속층이 배치되어 있고, 표면에 볼록부를 갖는 금속부를 구비하는 입자를 얻었다. 이 입자를 충분히 수세한 후, 증류수 500중량부에 첨가하여 분산시킴으로써, 입자 혼합액 (H)를 얻었다.Then, the particle|grains were taken out by filtering the particle|grain liquid mixture (G), and the nickel- tungsten- boron alloy metal layer is arrange|positioned on the surface of the said substrate particle A by washing with water, The particle|grains provided with the metal part which has a convex part on the surface were obtained. . After sufficiently washing this particle with water, it added and disperse|distributed to 500 weight part of distilled water, the particle|grain liquid mixture (H) was obtained.

이어서, 60℃로 조정한 분산 상태의 입자 혼합액 (H)에 상기 은 도금액 (E)를 서서히 적하하여, 무전해 은 도금을 행하였다. 은 도금액 (E)의 적하 속도는 10mL/분, 적하 시간은 30분간으로, 무전해 은 도금을 행하였다. 그 후, 상기 돌기 형성용 도금액 (F)를 서서히 적하하여, 돌기 형성을 행하였다. 돌기 형성용 도금액 (F)의 적하 속도는 1mL/분, 적하 시간은 10분간으로, 돌기 형성을 행하였다. 돌기 형성용 도금액 (F)의 적하 중에는, 발생한 은 돌기핵을 초음파 교반에 의해 분산시키면서 은 도금을 행하였다(돌기 형성 공정). 그 후, 여과함으로써 입자를 취출하고, 수세하고, 건조시킴으로써, 기재 입자 A의 표면 상에 니켈-텅스텐-보론 합금 및 은 금속부(볼록부가 없는 부분에서의 금속부 전체의 두께: 0.1㎛)가 배치되어 있고, 표면에 복수의 볼록부를 갖고, 볼록부의 표면 상에 복수의 돌기를 갖는 금속부를 구비하는 금속 함유 입자를 얻었다.Next, the said silver plating liquid (E) was dripped gradually to the particle|grain liquid mixture (H) of the dispersed state adjusted to 60 degreeC, and electroless silver plating was performed. The dropping rate of the silver plating solution (E) was 10 mL/min, and the dropping time was 30 minutes, and electroless silver plating was performed. Then, the said plating liquid (F) for projection formation was dripped gradually, and projection formation was performed. The dropping rate of the plating liquid (F) for projection formation was 1 mL/min, and the dripping time was 10 minutes, and projection formation was performed. During dripping of the plating liquid (F) for projection formation, silver plating was performed, disperse|distributing the generated silver projection nuclei with ultrasonic stirring (projection|protrusion formation process). Then, a nickel-tungsten-boron alloy and a silver metal part (thickness of the whole metal part in a part without a convex part: 0.1 micrometer) on the surface of substrate particle A by taking out particle|grains by filtration, washing with water, and drying It was arrange|positioned, it has a some convex part on the surface, and the metal containing particle|grains provided with the metal part which has a some processus|protrusion on the surface of a convex part were obtained.

(실시예 9)(Example 9)

실시예 1에서 얻어진 현탁액 (B)를 황산니켈 50g/L, 질산탈륨 30ppm 및 질산비스무트 20ppm을 포함하는 용액 중에 넣어, 입자 혼합액 (C)를 얻었다.The suspension (B) obtained in Example 1 was put into a solution containing 50 g/L of nickel sulfate, 30 ppm of thallium nitrate, and 20 ppm of bismuth nitrate to obtain a particle mixture (C).

무전해 니켈-텅스텐-보론 합금 도금액으로서, 황산니켈 100g/L, 텅스텐산나트륨 2g/L, 디메틸아민보란 30g/L, 질산비스무트 10ppm 및 시트르산3나트륨 30g/L를 포함하는 혼합액을, 수산화나트륨으로 pH 6으로 조정한 무전해 니켈-텅스텐-보론 합금 도금액 (D)를 준비하였다.As an electroless nickel-tungsten-boron alloy plating solution, a mixed solution containing 100 g/L of nickel sulfate, 2 g/L of sodium tungstate, 30 g/L of dimethylamine borane, 10 ppm of bismuth nitrate and 30 g/L of trisodium citrate is used with sodium hydroxide. An electroless nickel-tungsten-boron alloy plating solution (D) adjusted to pH 6 was prepared.

또한, 무전해 금 도금액으로서, 시안화금칼륨 30g/L, 시안화칼륨 2g/L, 시트르산3나트륨 30g/L, 에틸렌디아민사아세트산 15g/L, 수산화칼륨 10g/L 및 디메틸아민보란 20g/L를 포함하는 혼합액을, 수산화칼륨으로 pH 8.0으로 조정한 금 도금액(E)을 준비하였다.In addition, as an electroless gold plating solution, potassium gold cyanide 30 g/L, potassium cyanide 2 g/L, trisodium citrate 30 g/L, ethylenediaminetetraacetic acid 15 g/L, potassium hydroxide 10 g/L, and dimethylamine borane 20 g/L are included. A gold plating solution (E) in which the pH of the mixed solution was adjusted to 8.0 with potassium hydroxide was prepared.

또한, 수소화붕소나트륨 30g/L 및 수산화나트륨 0.5g/L를 포함하는 돌기 형성용 도금액 (F)(pH 10.0)를 준비하였다.Further, a plating solution (F) (pH 10.0) for forming protrusions containing 30 g/L of sodium borohydride and 0.5 g/L of sodium hydroxide was prepared.

60℃로 조정한 분산 상태의 입자 혼합액 (C)에 상기 무전해 니켈-텅스텐-보론 합금 도금액 (D)를 서서히 적하하여, 무전해 니켈-텅스텐-보론 합금 도금을 행하였다. 무전해 니켈-텅스텐-보론 합금 도금액 (D)의 적하 속도는 15mL/분, 적하 시간은 60분간으로, 무전해 니켈-텅스텐-보론 합금 도금을 행하였다. 이와 같이 하여, 기재 입자 A의 표면 상에 니켈-텅스텐-보론 합금 금속부가 배치되어 있고, 표면에 볼록부를 갖는 금속부를 구비하는 입자 (G)를 얻었다.The electroless nickel-tungsten-boron alloy plating solution (D) was gradually added dropwise to the particle mixture solution (C) in a dispersed state adjusted to 60°C to perform electroless nickel-tungsten-boron alloy plating. The electroless nickel-tungsten-boron alloy plating solution (D) was subjected to electroless nickel-tungsten-boron alloy plating at a dropping rate of 15 mL/min and a dropping time of 60 minutes. In this way, the nickel- tungsten- boron alloy metal part is arrange|positioned on the surface of the substrate particle A, and the particle|grain (G) provided with the metal part which has a convex part in the surface was obtained.

그 후, 현탁액 (G)를 여과함으로써 입자를 취출하고, 수세함으로써 상기 기재 입자 A의 표면 상에 니켈-텅스텐-보론 합금 금속부가 배치되어 있고, 표면에 볼록부를 갖는 금속부를 구비하는 입자를 얻었다. 이 입자를 충분히 수세한 후, 증류수 500중량부에 첨가하여 분산시킴으로써, 입자 혼합액 (H)를 얻었다.Then, a nickel- tungsten-boron alloy metal part is arrange|positioned on the surface of the said substrate particle A by taking out particle|grains by filtering suspension (G), and washing with water, and the particle|grain provided with the metal part which has a convex part on the surface was obtained. After sufficiently washing this particle with water, it added and disperse|distributed to 500 weight part of distilled water, the particle|grain liquid mixture (H) was obtained.

이어서, 60℃로 조정한 분산 상태의 입자 혼합액 (H)에 상기 무전해 금 도금액(E)을 서서히 적하하여, 무전해 금도금을 행하였다. 무전해 금 도금액(E)의 적하 속도는 10mL/분, 적하 시간은 30분간으로, 무전해 금도금을 행하였다. 그 후, 상기 돌기 형성용 도금액 (F)를 서서히 적하하여, 돌기 형성을 행하였다. 돌기 형성용 도금액 (F)의 적하 속도는 1mL/분, 적하 시간은 5분간으로, 돌기 형성을 행하였다. 돌기 형성용 도금액 (F)의 적하 중에는, 발생한 금 돌기핵을 초음파 교반에 의해 분산시키면서 금 도금을 행하였다(돌기 형성 공정). 그 후, 여과함으로써 입자를 취출하고, 수세하고, 건조시킴으로써, 기재 입자 A의 표면 상에 니켈-텅스텐-보론 합금 및 금 금속부(볼록부가 없는 부분에서의 금속부 전체의 두께: 0.1㎛)가 배치되어 있고, 표면에 복수의 볼록부를 갖고, 볼록부의 표면 상에 복수의 돌기를 갖는 금속부를 구비하는 금속 함유 입자를 얻었다.Then, the electroless gold plating solution (E) was gradually added dropwise to the particle mixture solution (H) in a dispersed state adjusted to 60°C to perform electroless gold plating. The electroless gold plating solution (E) was subjected to electroless gold plating at a dropping rate of 10 mL/min and a dropping time of 30 minutes. Then, the said plating liquid (F) for projection formation was dripped gradually, and projection formation was performed. The dropping rate of the plating liquid (F) for projection formation was 1 mL/min, and the dripping time was 5 minutes, and projection formation was performed. During the dropwise addition of the plating solution for forming protrusions (F), gold plating was performed while the generated gold protrusion nuclei were dispersed by ultrasonic stirring (protrusion forming step). Then, a nickel-tungsten-boron alloy and gold metal part (the thickness of the whole metal part in a part without a convex part: 0.1 micrometer) on the surface of substrate particle A by taking out particle|grains by filtration, washing with water, and drying It was arrange|positioned, it has a some convex part on the surface, and the metal containing particle|grains provided with the metal part which has a some processus|protrusion on the surface of a convex part were obtained.

(실시예 10)(Example 10)

실시예 1에서 얻어진 현탁액 (B)를 황산구리 20g/L 및 에틸렌디아민사아세트산 30g/L를 포함하는 용액 중에 넣어, 입자 혼합액 (C)를 얻었다.The suspension (B) obtained in Example 1 was put in the solution containing 20 g/L of copper sulfate and 30 g/L of ethylenediamine tetraacetic acid, and the particle|grain liquid mixture (C) was obtained.

또한, 무전해 구리 도금액으로서, 황산구리 250g/L, 에틸렌디아민사아세트산 150g/L, 글루콘산나트륨 100g/L 및 포름알데히드 50g/L를 포함하는 혼합액을, 암모니아로 pH 10.5로 조정한 구리 도금액 (D)를 준비하였다.In addition, as an electroless copper plating solution, a copper plating solution obtained by adjusting pH 10.5 with ammonia to a mixed solution containing 250 g/L of copper sulfate, 150 g/L of ethylenediaminetetraacetic acid, 100 g/L of sodium gluconate and 50 g/L of formaldehyde (D ) was prepared.

또한, 무전해 주석 도금액으로서, 염화주석 20g/L, 니트릴로삼아세트산 50g/L, 티오요소 2g/L, 티오말산 1g/L, 에틸렌디아민사아세트산 7.5g/L 및 삼염화티타늄 15g/L를 포함하는 혼합액을, 황산으로 pH 7.0으로 조정한 주석 도금액 (E)를 준비하였다.In addition, as an electroless tin plating solution, 20 g/L of tin chloride, 50 g/L of nitrilotriacetic acid, 2 g/L of thiourea, 1 g/L of thiomalic acid, 7.5 g/L of ethylenediaminetetraacetic acid, and 15 g/L of titanium trichloride are included. A tin plating solution (E) was prepared in which the pH of the mixed solution was adjusted to 7.0 with sulfuric acid.

또한, 디메틸아민보란 100g/L를 포함하는 돌기 형성용 도금액 (F)(pH 7.0)를 준비하였다.In addition, a plating solution (F) (pH 7.0) for forming projections containing 100 g/L of dimethylamine borane was prepared.

55℃로 조정한 분산 상태의 입자 혼합액 (C)에 상기 구리 도금액 (D)를 서서히 적하하여, 무전해 구리 도금을 행하였다. 구리 도금액 (D)의 적하 속도는 30mL/분, 적하 시간은 30분간으로, 무전해 구리 도금을 행하였다. 그 후, 여과함으로써 입자를 취출하고, 이와 같이 하여 기재 입자 A의 표면 상에 구리 금속부가 배치되어 있고, 표면에 볼록부를 갖는 금속부를 구비하는 입자를 포함하는 입자 혼합액 (G)를 얻었다.The said copper plating liquid (D) was dripped gradually to the particle|grain liquid mixture (C) in a dispersed state adjusted to 55 degreeC, and electroless copper plating was performed. The dripping rate of the copper plating solution (D) was 30 mL/min, and the dripping time was 30 minutes, and electroless copper plating was performed. Then, particle|grains were taken out by filtration, and the copper metal part is arrange|positioned on the surface of the substrate particle A in this way, and the particle|grain liquid mixture (G) containing the particle|grain provided with the metal part which has a convex part in the surface was obtained.

그 후, 입자 혼합액 (G)를 여과함으로써 입자를 취출하고, 수세함으로써 상기 기재 입자 A의 표면 상에 구리 금속부를 배치하고, 표면에 볼록부를 갖는 금속부를 구비하는 입자를 얻었다. 이 입자를 충분히 수세한 후, 증류수 500중량부에 첨가하여 분산시킴으로써, 입자 혼합액 (H)를 얻었다.Then, a copper metal part was arrange|positioned on the surface of the said substrate particle A by taking out particle|grains by filtering the particle|grain liquid mixture (G), and washing with water, and the particle|grain provided with the metal part which has a convex part in the surface was obtained. After sufficiently washing this particle with water, it added and disperse|distributed to 500 weight part of distilled water, the particle|grain liquid mixture (H) was obtained.

이어서, 60℃로 조정한 분산 상태의 입자 혼합액 (H)에 상기 주석 도금액 (E)를 서서히 적하하여, 무전해 주석 도금을 행하였다. 주석 도금액 (E)의 적하 속도는 10mL/분, 적하 시간은 30분간으로, 무전해 주석 도금을 행하였다. 그 후, 상기 돌기 형성용 도금액 (F)를 서서히 적하하여, 돌기 형성을 행하였다. 돌기 형성용 도금액 (F)의 적하 속도는 1mL/분, 적하 시간은 10분간으로, 돌기 형성을 행하였다. 돌기 형성용 도금액 (F)의 적하 중에는, 발생한 주석 돌기핵을 초음파 교반에 의해 분산시키면서 주석 도금을 행하였다(돌기 형성 공정). 그 후, 여과함으로써 입자를 취출하고, 수세하고, 건조시킴으로써, 기재 입자 A의 표면 상에 구리 및 주석 금속부(볼록부가 없는 부분에서의 금속부 전체의 두께: 0.1㎛)가 배치되어 있고, 표면에 복수의 볼록부를 갖고, 볼록부의 표면 상에 복수의 돌기를 갖는 금속부를 구비하는 금속 함유 입자를 얻었다.Then, the said tin plating liquid (E) was dripped gradually to the particle|grain mixture (H) in a dispersed state adjusted to 60 degreeC, and electroless tin plating was performed. The dropping rate of the tin plating liquid (E) was 10 mL/min, and the dripping time was 30 minutes, and electroless tin plating was performed. Then, the said plating liquid (F) for projection formation was dripped gradually, and projection formation was performed. The dropping rate of the plating liquid (F) for projection formation was 1 mL/min, and the dripping time was 10 minutes, and projection formation was performed. During the dropwise addition of the plating solution for forming protrusions (F), tin plating was performed while the generated tin protrusion nuclei were dispersed by ultrasonic stirring (protrusion forming step). Then, copper and a tin metal part (thickness of the whole metal part in a part without a convex part: 0.1 micrometer) is arrange|positioned on the surface of substrate particle A by taking out particle|grains by filtration, washing with water, and drying, the surface A metal-containing particle having a plurality of convex portions and a metal portion having a plurality of projections on the surface of the convex portions was obtained.

(실시예 11)(Example 11)

(1) 실리콘 올리고머의 제작(1) Preparation of silicone oligomers

온욕조 내에 설치한 100ml의 세퍼러블 플라스크에, 1,3-디비닐테트라메틸디실록산 1중량부와 0.5중량% p-톨루엔술폰산 수용액 20중량부를 넣었다. 40℃에서 1시간 교반한 후, 탄산수소나트륨 0.05중량부를 첨가하였다. 그 후, 디메톡시메틸페닐실란 10중량부, 디메틸디메톡시실란 49중량부, 트리메틸메톡시실란 0.6중량부 및 메틸트리메톡시실란 3.6중량부를 첨가하고, 1시간 교반을 행하였다. 그 후, 10중량% 수산화칼륨 수용액 1.9중량부를 첨가하고, 85℃까지 승온하여 아스피레이터(aspirator)로 감압시키면서 10시간 교반, 반응을 행하였다. 반응 종료 후, 상압으로 되돌려 40℃까지 냉각시키고, 아세트산 0.2중량부를 첨가하고, 12시간 이상 분액 깔대기 내에서 정치하였다. 2층 분리 후의 하층을 취출하고, 이배퍼레이터로 정제함으로써 실리콘 올리고머를 얻었다.1 part by weight of 1,3-divinyltetramethyldisiloxane and 20 parts by weight of a 0.5% by weight p-toluenesulfonic acid aqueous solution were placed in a 100 ml separable flask installed in a warm bath. After stirring at 40° C. for 1 hour, 0.05 parts by weight of sodium hydrogen carbonate was added. Then, 10 weight part of dimethoxymethylphenylsilane, 49 weight part of dimethyldimethoxysilane, 0.6 weight part of trimethylmethoxysilane, and 3.6 weight part of methyltrimethoxysilane were added, and it stirred for 1 hour. Then, 1.9 weight part of 10 weight% potassium hydroxide aqueous solution was added, and it stirred and reacted for 10 hours, heating up to 85 degreeC and reducing pressure with an aspirator. After completion of the reaction, the temperature was returned to normal pressure, cooled to 40°C, 0.2 parts by weight of acetic acid was added, and the mixture was left still in a separatory funnel for 12 hours or more. The silicone oligomer was obtained by taking out the lower layer after two-layer separation and refine|purifying with an evaporator.

(2) 실리콘 입자 재료(유기 중합체를 포함함)의 제작(2) Production of silicone particle material (including organic polymer)

얻어진 실리콘 올리고머 30중량부에, tert-부틸-2-에틸퍼옥시헥사노에이트(중합 개시제, 니치유사제 「퍼부틸 O」) 0.5중량부를 용해시킨 용해액 A를 준비하였다. 또한, 이온 교환수 150중량부에, 라우릴황산트리에탄올아민염 40중량% 수용액(유화제) 0.8중량부와 폴리비닐알코올(중합도: 약 2000, 비누화도: 86.5 내지 89몰%, 닛폰 고세이 가가꾸사제 「고세놀 GH-20」)의 5중량% 수용액 80중량부를 혼합하여, 수용액 B를 준비하였다. 온욕조 중에 설치한 세퍼러블 플라스크에 상기 용해액 A를 넣은 후, 상기 수용액 B를 첨가하였다. 그 후, Shirasu Porous Glass(SPG)막(세공 평균 직경 약 1㎛)을 사용함으로써 유화를 행하였다. 그 후, 85℃로 승온하여 9시간 중합을 행하였다. 중합 후의 입자의 전체량을 원심 분리에 의해 물 세정하고, 동결 건조를 행하였다. 건조 후, 입자의 응집체가 목적으로 하는 비(평균 2차 입자 직경/평균 1차 입자 직경)가 될 때까지 볼 밀로 분쇄하고, 입자 직경이 3.0㎛인 실리콘 입자(기재 입자 B)를 얻었다.A solution A was prepared in which 0.5 parts by weight of tert-butyl-2-ethylperoxyhexanoate (polymerization initiator, "Perbutyl O" manufactured by Nichiyo Co., Ltd.) was dissolved in 30 parts by weight of the obtained silicone oligomer. Further, to 150 parts by weight of ion-exchanged water, a 40% by weight aqueous solution of lauryl sulfate triethanolamine salt (emulsifier) and 0.8 parts by weight of polyvinyl alcohol (degree of polymerization: about 2000, degree of saponification: 86.5 to 89 mol%, manufactured by Nippon Kosei Chemicals Co., Ltd.) 80 parts by weight of a 5% by weight aqueous solution of "gosenol GH-20") was mixed to prepare an aqueous solution B. After putting the said solution A into the separable flask installed in the hot bath, the said aqueous solution B was added. Then, emulsification was performed by using a Shirasu Porous Glass (SPG) film|membrane (average pore diameter of about 1 micrometer). Then, it heated up to 85 degreeC and superposition|polymerization was performed for 9 hours. The entire amount of the particles after polymerization was washed with water by centrifugation and freeze-dried. After drying, the aggregates of the particles were pulverized with a ball mill until the target ratio (average secondary particle diameter/average primary particle diameter) was obtained, and silicon particles (substrate particles B) having a particle diameter of 3.0 µm were obtained.

상기 기재 입자 A를 상기 기재 입자 B로 변경하고, 실시예 1과 동일하게 하여 금속부를 형성하여, 금속 함유 입자를 얻었다.The said substrate particle A was changed into the said substrate particle B, it carried out similarly to Example 1, the metal part was formed, and the metal containing particle was obtained.

(실시예 12)(Example 12)

실리콘 올리고머 대신에 양쪽 말단 아크릴실리콘 오일(신에쯔 가가꾸 고교사제 「X-22-2445」)을 사용하여 입자 직경이 3.0㎛인 실리콘 입자(기재 입자 C)를 얻었다.Silicone particles (substrate particles C) having a particle diameter of 3.0 µm were obtained by using both terminal acrylic silicone oil (“X-22-2445” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) instead of the silicone oligomer.

상기 기재 입자 A를 상기 기재 입자 C로 변경하고, 실시예 1과 동일하게 하여 금속부를 형성하여, 금속 함유 입자를 얻었다.The said substrate particle A was changed into the said substrate particle C, it carried out similarly to Example 1, the metal part was formed, and the metal containing particle was obtained.

(실시예 13)(Example 13)

순구리 입자(닛본 아토마이즈 가꼬사제 「HXR-Cu」, 입자 직경 2.5㎛)를 기재 입자 D로서 준비하였다.Pure copper particle ("HXR-Cu" by Nippon Atomization Chemical Corporation, particle diameter 2.5 micrometers) was prepared as the substrate particle D.

상기 기재 입자 A를 상기 기재 입자 D로 변경하고, 실시예 1과 동일하게 하여 금속부를 형성하여, 금속 함유 입자를 얻었다.The said substrate particle A was changed into the said substrate particle D, it carried out similarly to Example 1, the metal part was formed, and the metal containing particle was obtained.

(실시예 14)(Example 14)

순은 입자(입자 직경 2.5㎛)를 기재 입자 E로서 준비하였다.A pure silver particle (2.5 micrometers in particle diameter) was prepared as substrate particle E.

상기 기재 입자 A를 상기 기재 입자 E로 변경하고, 실시예 1과 동일하게 하여 금속부를 형성하여, 금속 함유 입자를 얻었다.The said substrate particle A was changed into the said substrate particle E, it carried out similarly to Example 1, the metal part was formed, and the metal containing particle was obtained.

(실시예 15)(Example 15)

기재 입자 A와 입자 직경만이 상이하고, 입자 직경이 2.0㎛인 기재 입자 F를 준비하였다.Only the substrate particle A and the particle diameter differed, and the particle diameter prepared the substrate particle F which is 2.0 micrometers.

상기 기재 입자 A를 상기 기재 입자 F로 변경하고, 실시예 1과 동일하게 하여 금속부를 형성하여, 금속 함유 입자를 얻었다.The said substrate particle A was changed into the said substrate particle F, it carried out similarly to Example 1, the metal part was formed, and the metal containing particle was obtained.

(실시예 16)(Example 16)

기재 입자 A와 입자 직경만이 상이하고, 입자 직경이 10.0㎛인 기재 입자 G를 준비하였다.Only the substrate particle A and the particle diameter differed, and the particle diameter prepared the substrate particle G which is 10.0 micrometers.

상기 기재 입자 A를 상기 기재 입자 G로 변경하고, 실시예 1과 동일하게 하여 금속부를 형성하여, 금속 함유 입자를 얻었다.The said substrate particle A was changed into the said substrate particle G, it carried out similarly to Example 1, the metal part was formed, and the metal containing particle was obtained.

(실시예 17)(Example 17)

기재 입자 A와 입자 직경만이 상이하고, 입자 직경이 50.0㎛인 기재 입자 H를 준비하였다.Only the substrate particle A and a particle diameter differed, and the particle diameter prepared the substrate particle H which is 50.0 micrometers.

상기 기재 입자 A를 상기 기재 입자 H로 변경하고, 실시예 1과 동일하게 하여 금속부를 형성하여, 금속 함유 입자를 얻었다.The said substrate particle A was changed into the said substrate particle H, it carried out similarly to Example 1, the metal part was formed, and the metal containing particle was obtained.

(실시예 18)(Example 18)

4구 세퍼러블 커버, 교반 날개, 삼방 코크, 냉각관 및 온도 프로브가 설치된 1000mL의 세퍼러블 플라스크에, 메타크릴산메틸 100mmol과, N,N,N-트리메틸-N-2-메타크릴로일옥시에틸암모늄클로라이드 1mmol과, 2,2'-아조비스(2-아미디노프로판)이염산염 1mmol을 포함하는 단량체 조성물을 고형분율이 5중량%가 되도록 이온 교환수로 칭량한 후, 200rpm으로 교반하고, 질소 분위기 하 70℃에서 24시간 중합을 행하였다. 반응 종료 후, 동결 건조시켜, 표면에 암모늄기를 갖고, 평균 입자 직경 220nm 및 CV값 10%의 절연성 입자를 얻었다.In a 1000 mL separable flask equipped with a 4-neck separable cover, stirring blade, three-way cock, cooling tube and temperature probe, 100 mmol of methyl methacrylate and N,N,N-trimethyl-N-2-methacryloyloxy A monomer composition containing 1 mmol of ethylammonium chloride and 1 mmol of 2,2'-azobis(2-amidinopropane)dihydrochloride is weighed with ion-exchanged water so that the solid content is 5% by weight, followed by stirring at 200rpm, Polymerization was performed for 24 hours at 70°C under a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, it was freeze-dried to obtain insulating particles having an ammonium group on the surface and having an average particle diameter of 220 nm and a CV value of 10%.

절연성 입자를 초음파 조사 하에서 이온 교환수에 분산시켜, 절연성 입자의 10중량% 수분산액을 얻었다.The insulating particles were dispersed in ion-exchanged water under ultrasonic irradiation to obtain a 10 wt% aqueous dispersion of the insulating particles.

실시예 1에서 얻어진 금속 함유 입자 10g을 이온 교환수 500mL에 분산시키고, 절연성 입자의 수분산액 4g을 첨가하여, 실온에서 6시간 교반하였다. 3㎛의 메쉬 필터로 여과한 후, 또한 메탄올로 세정하고 건조시켜, 절연성 입자가 부착된 금속 함유 입자를 얻었다.10 g of the metal-containing particles obtained in Example 1 were dispersed in 500 mL of ion-exchanged water, 4 g of an aqueous dispersion of insulating particles was added, and the mixture was stirred at room temperature for 6 hours. After filtration with a 3 mu m mesh filter, further washing with methanol and drying were performed to obtain metal-containing particles to which insulating particles adhered.

주사형 전자 현미경(SEM)에 의해 관찰한 결과, 금속 함유 입자의 표면에 절연성 입자에 의한 피복층이 1층만 형성되어 있었다. 화상 해석에 의해 금속 함유 입자의 중심으로부터 2.5㎛의 면적에 대한 절연성 입자의 피복 면적(즉, 절연성 입자의 입자 직경의 투영 면적)을 산출한 결과, 피복률은 30%였다.As a result of observation with a scanning electron microscope (SEM), only one coating layer of insulating particles was formed on the surface of the metal-containing particles. The coverage was 30% as a result of calculating the coverage area of the insulating particle with respect to the area of 2.5 micrometers from the center of a metal-containing particle|grain (namely, the projected area of the particle diameter of an insulating particle) by image analysis.

(실시예 19)(Example 19)

실시예 1에서 얻어진 현탁액 (B)를, 황산니켈 50g/L, 질산탈륨 30ppm 및 질산비스무트 20ppm을 포함하는 용액 중에 넣어, 입자 혼합액 (C)를 얻었다.The suspension (B) obtained in Example 1 was put in the solution containing 50 g/L of nickel sulfate, 30 ppm of thallium nitrate, and 20 ppm of bismuth nitrate, and the particle|grain liquid (C) was obtained.

무전해 니켈-인 합금 도금액으로서, 황산니켈 100g/L, 차아인산나트륨 30g/L, 질산비스무트 10ppm 및 시트르산3나트륨 30g/L를 포함하는 혼합액을, 수산화나트륨으로 pH 6으로 조정한 무전해 니켈-인 합금 도금액 (D)를 준비하였다.An electroless nickel-phosphorus alloy plating solution, wherein a mixed solution containing 100 g/L of nickel sulfate, 30 g/L of sodium hypophosphite, 10 ppm of bismuth nitrate and 30 g/L of trisodium citrate is adjusted to pH 6 with sodium hydroxide. A phosphorus alloy plating solution (D) was prepared.

또한, 무전해 은 도금액으로서, 질산은 30g/L, 숙신산이미드 100g/L 및 포름알데히드 20g/L의 혼합액을, 암모니아수로 pH 8.0으로 조정한 은 도금액 (E)를 준비하였다.In addition, as an electroless silver plating solution, a silver plating solution (E) in which a mixed solution of 30 g/L silver nitrate, 100 g/L succinimide, and 20 g/L formaldehyde was adjusted to pH 8.0 with aqueous ammonia was prepared.

또한, 차아인산나트륨 130g/L 및 수산화나트륨 0.5g/L를 포함하는 돌기 형성용 도금액 (F)(pH 12.0)를 준비하였다.In addition, a plating solution (F) (pH 12.0) for forming protrusions containing 130 g/L of sodium hypophosphite and 0.5 g/L of sodium hydroxide was prepared.

65℃로 조정한 분산 상태의 입자 혼합액 (C)에 상기 무전해 니켈-인 합금 도금액 (D)를 서서히 적하하여, 무전해 니켈-인 합금 도금을 행하였다. 무전해 니켈-인 합금 도금액 (D)의 적하 속도는 15mL/분, 적하 시간은 60분간으로, 무전해 니켈-인 합금 도금을 행하였다. 이와 같이 하여, 기재 입자 A의 표면 상에 니켈-인 합금 금속부가 배치되어 있고, 표면에 볼록부를 갖는 금속부를 구비하는 입자를 포함하는 입자 혼합액 (G)를 얻었다.The electroless nickel-phosphorus alloy plating solution (D) was gradually added dropwise to the particle mixture solution (C) in a dispersed state adjusted to 65°C to perform electroless nickel-phosphorus alloy plating. The electroless nickel-phosphorus alloy plating solution (D) was subjected to electroless nickel-phosphorus alloy plating at a dropping rate of 15 mL/min and a dropping time of 60 minutes. In this way, the nickel- phosphorus alloy metal part is arrange|positioned on the surface of the substrate particle A, and the particle|grain liquid (G) containing the particle|grain provided with the metal part which has a convex part in the surface was obtained.

그 후, 입자 혼합액 (G)를 여과함으로써 입자를 취출하고, 수세함으로써 상기 기재 입자 A의 표면 상에 니켈-인 합금 금속층이 배치되어 있고, 표면에 볼록부를 갖는 금속부를 구비하는 입자를 얻었다. 이 입자를 충분히 수세한 후, 증류수 500중량부에 첨가하여 분산시킴으로써, 입자 혼합액 (H)를 얻었다.Then, the particle|grains were taken out by filtering the particle liquid mixture (G), and by washing with water, the nickel- phosphorus alloy metal layer is arrange|positioned on the surface of the said substrate particle A, and the particle|grain provided with the metal part which has a convex part in the surface was obtained. After sufficiently washing this particle with water, it added and disperse|distributed to 500 weight part of distilled water, the particle|grain liquid mixture (H) was obtained.

이어서, 60℃로 조정한 분산 상태의 입자 혼합액 (H)에 상기 은 도금액 (E)를 서서히 적하하여, 무전해 은 도금을 행하였다. 은 도금액 (E)의 적하 속도는 10mL/분, 적하 시간은 30분간으로, 무전해 은 도금을 행하였다. 그 후, 상기 돌기 형성용 도금액 (F)를 서서히 적하하여, 돌기 형성을 행하였다. 돌기 형성용 도금액 (F)의 적하 속도는 1mL/분, 적하 시간은 10분간으로, 돌기 형성을 행하였다. 돌기 형성용 도금액 (F)의 적하 중에는, 발생한 은 돌기핵을 초음파 교반에 의해 분산시키면서 은 도금을 행하였다(돌기 형성 공정). 그 후, 여과함으로써 입자를 취출하고, 수세하고, 건조시킴으로써, 기재 입자 A의 표면 상에 니켈-인 합금 및 은 금속부(볼록부가 없는 부분에서의 금속부 전체의 두께: 0.1㎛)가 배치되어 있고, 표면에 복수의 볼록부를 갖고, 볼록부의 표면 상에 복수의 돌기를 갖는 금속부를 구비하는 금속 함유 입자를 얻었다.Next, the said silver plating liquid (E) was dripped gradually to the particle|grain liquid mixture (H) of the dispersed state adjusted to 60 degreeC, and electroless silver plating was performed. The dropping rate of the silver plating solution (E) was 10 mL/min, and the dropping time was 30 minutes, and electroless silver plating was performed. Then, the said plating liquid (F) for projection formation was dripped gradually, and projection formation was performed. The dropping rate of the plating liquid (F) for projection formation was 1 mL/min, and the dripping time was 10 minutes, and projection formation was performed. During dripping of the plating liquid (F) for projection formation, silver plating was performed, disperse|distributing the generated silver projection nuclei with ultrasonic stirring (projection|protrusion formation process). Then, a nickel- phosphorus alloy and a silver metal part (the thickness of the whole metal part in a part without a convex part: 0.1 micrometer) are arrange|positioned on the surface of substrate particle A by taking out particle|grains by filtration, washing with water, and drying There was obtained a metal-containing particle having a plurality of projections on the surface, and a metal portion having a plurality of projections on the surface of the projections.

(실시예 20)(Example 20)

실시예 1에서 얻어진 금속 함유 입자에 대해서, 은 변색 방지제로서 야마토 가세이사제 「뉴다인실버」를 사용하여 황화 방지 처리를 행하였다.About the metal-containing particle|grains obtained in Example 1, the yellowing prevention process was performed using "New Dyne Silver" manufactured by Yamato Chemicals Co., Ltd. as a silver discoloration inhibitor.

뉴다인실버 10중량%를 포함하는 이소프로필알코올 용액 100중량부에, 실시예 1에서 얻어진 금속 함유 입자 10중량부를, 초음파 분산기를 사용하여 분산시킨 후, 용액을 여과함으로써, 황화 방지막이 형성된 금속 함유 입자를 얻었다.After dispersing 10 parts by weight of the metal-containing particles obtained in Example 1 to 100 parts by weight of an isopropyl alcohol solution containing 10% by weight of Nudyne Silver using an ultrasonic disperser, the solution is filtered to contain a metal with an anti-sulfurization film formed. particles were obtained.

(실시예 21)(Example 21)

실시예 1에서 얻어진 금속 함유 입자에 대해서, 은 황화 방지제로서 2-머캅토벤조티아졸 용액을 사용하여 황화 방지 처리를 행하였다.The metal-containing particles obtained in Example 1 were subjected to an anti-sulfurization treatment using a 2-mercaptobenzothiazole solution as a silver anti-sulfurization agent.

2-머캅토벤조티아졸 0.5중량%를 포함하는 이소프로필알코올 용액 100중량부에, 실시예 1에서 얻어진 금속 함유 입자 10중량부를, 초음파 분산기를 사용하여 분산시킨 후, 용액을 여과함으로써, 황화 방지막이 형성된 금속 함유 입자를 얻었다.After dispersing 10 parts by weight of the metal-containing particles obtained in Example 1 to 100 parts by weight of an isopropyl alcohol solution containing 0.5% by weight of 2-mercaptobenzothiazole using an ultrasonic disperser, the solution is filtered to prevent sulfurization film. The formed metal-containing particles were obtained.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

팔라듐 촉매액 5중량%를 포함하는 알칼리 용액 100중량부에, 상기 기재 입자 A 10중량부를, 초음파 분산기를 사용하여 분산시킨 후, 용액을 여과함으로써, 기재 입자 A를 취출하였다. 계속해서, 기재 입자 A를 디메틸아민보란 1중량% 용액 100중량부에 첨가하여, 기재 입자 A의 표면을 활성화시켰다. 표면이 활성화된 기재 입자 A를 충분히 수세한 후, 증류수 500중량부에 첨가하여 분산시킴으로써, 분산액 (A)를 얻었다.After disperse|distributing 10 weight part of said substrate particles A to 100 weight part of alkali solutions containing 5 weight% of palladium catalyst liquids using the ultrasonic disperser, the substrate particle A was taken out by filtering a solution. Then, the substrate particle A was added to 100 weight part of dimethylamine borane 1 weight% solution, and the surface of the substrate particle A was activated. The dispersion liquid (A) was obtained by adding and disperse|distributing the substrate particle A by which the surface was activated enough to 500 weight part of distilled water, after washing with water.

이어서, 금속 니켈 입자 슬러리(미츠이 긴조쿠사제 「2020SUS」, 평균 입자 직경 150nm) 1g을 3분간에 걸쳐 상기 분산액 (A)에 첨가하여, 코어 물질이 부착된 기재 입자 A를 포함하는 현탁액 (B)를 얻었다.Then, 1 g of metallic nickel particle slurry ("2020SUS" manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd., average particle diameter of 150 nm) is added to the dispersion (A) over 3 minutes, and the suspension (B) containing the substrate particles A to which the core substance adheres. got

현탁액 (B)를 황산니켈 50g/L, 질산탈륨 30ppm 및 질산비스무트 20ppm을 포함하는 용액 중에 넣어, 입자 혼합액 (C)를 얻었다.The suspension (B) was put in a solution containing 50 g/L of nickel sulfate, 30 ppm of thallium nitrate, and 20 ppm of bismuth nitrate to obtain a particle mixture (C).

또한, 황산니켈 200g/L, 차아인산나트륨 85g/L, 시트르산나트륨 30g/L, 질산탈륨 50ppm 및 질산비스무트 20ppm을 포함하는 니켈 도금액 (D)(pH 6.5)를 준비하였다.Further, a nickel plating solution (D) (pH 6.5) containing 200 g/L of nickel sulfate, 85 g/L of sodium hypophosphite, 30 g/L of sodium citrate, 50 ppm of thallium nitrate and 20 ppm of bismuth nitrate was prepared.

50℃로 조정한 분산 상태의 입자 혼합액 (C)에 상기 니켈 도금액 (D)를 서서히 적하하여, 무전해 니켈 도금을 행하였다. 니켈 도금액 (D)의 적하 속도는 25mL/분, 적하 시간은 60분간으로, 무전해 니켈 도금을 행하였다(Ni 도금 공정). 그 후, 여과함으로써 입자를 취출하고, 수세하고, 건조시킴으로써, 기재 입자 A의 표면 상에 니켈-인 합금 금속부가 배치되어 있고, 표면에 돌기를 갖는 금속부를 구비하는 금속부를 구비하는 금속 함유 입자 합금(돌기가 없는 부분에서의 금속부 전체의 두께: 0.1㎛)을 얻었다.The nickel plating solution (D) was gradually added dropwise to the particle mixture (C) in a dispersed state adjusted to 50°C to perform electroless nickel plating. The dropping rate of the nickel plating solution (D) was 25 mL/min, and the dropping time was 60 minutes, and electroless nickel plating was performed (Ni plating process). Then, a nickel-phosphorus alloy metal part is arrange|positioned on the surface of the substrate particle A by taking out particle|grains by filtering, washing with water, and drying, and the metal containing particle alloy provided with the metal part provided with the metal part which has a processus|protrusion on the surface. (The thickness of the whole metal part in the part without a processus|protrusion: 0.1 micrometer) was obtained.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

팔라듐 촉매액 5중량%를 포함하는 알칼리 용액 100중량부에, 기재 입자 A 10중량부를, 초음파 분산기를 사용하여 분산시킨 후, 용액을 여과함으로써 기재 입자 A를 취출하였다. 계속해서, 기재 입자 A를 디메틸아민보란 1중량% 용액 100중량부에 첨가하여, 기재 입자 A의 표면을 활성화시켰다. 표면이 활성화된 기재 입자 A를 충분히 수세한 후, 증류수 500중량부에 첨가하여 분산시킴으로써, 현탁액 (A)를 얻었다.After disperse|distributing 10 weight part of substrate particles A to 100 weight part of alkali solutions containing 5 weight% of palladium catalyst liquids using the ultrasonic disperser, the substrate particle A was taken out by filtering a solution. Then, the substrate particle A was added to 100 weight part of dimethylamine borane 1 weight% solution, and the surface of the substrate particle A was activated. Suspension (A) was obtained by adding and disperse|distributing the substrate particle A by which the surface was activated sufficiently by adding and disperse|distributing to 500 weight part of distilled water, after washing with water.

현탁액 (A)를 황산니켈 50g/L, 질산탈륨 30ppm 및 질산비스무트 20ppm을 포함하는 용액 중에 넣어, 입자 혼합액 (B)를 얻었다.The suspension (A) was put in a solution containing 50 g/L of nickel sulfate, 30 ppm of thallium nitrate, and 20 ppm of bismuth nitrate to obtain a particle mixture (B).

또한, 차아인산나트륨 300g/L 및 수산화나트륨 10g/L를 포함하는 돌기 형성용 도금액 (C)(pH 11.0)를 준비하였다.In addition, a plating solution (C) (pH 11.0) for forming protrusions containing 300 g/L of sodium hypophosphite and 10 g/L of sodium hydroxide was prepared.

또한, 황산니켈 200g/L, 차아인산나트륨 85g/L, 시트르산나트륨 30g/L, 질산탈륨 50ppm 및 질산비스무트 20ppm을 포함하는 니켈 도금액 (D)(pH 6.5)를 준비하였다.Further, a nickel plating solution (D) (pH 6.5) containing 200 g/L of nickel sulfate, 85 g/L of sodium hypophosphite, 30 g/L of sodium citrate, 50 ppm of thallium nitrate and 20 ppm of bismuth nitrate was prepared.

50℃로 조정한 분산 상태의 입자 혼합액 (B)에 상기 돌기 형성용 도금액 (C)를 서서히 적하하여, 돌기 형성을 행하였다. 돌기 형성용 도금액 (C)의 적하 속도는 20mL/분, 적하 시간은 5분간으로, 돌기 형성을 행하였다. 돌기 형성용 도금액 (C)의 적하 중에는, 발생한 Ni 돌기핵을 초음파 교반에 의해 분산시키면서 니켈 도금을 행하였다(돌기 형성 공정). 이와 같이 하여, 분산 상태의 Ni 돌기핵 및 입자 혼합액 (E)를 얻었다.The above-mentioned plating solution for forming projections (C) was gradually added dropwise to the particle mixture (B) in a dispersed state adjusted to 50°C to form projections. The dropping rate of the plating liquid (C) for projection formation was 20 mL/min, and the dripping time was 5 minutes, and projection formation was performed. During the dropwise addition of the plating solution for forming protrusions (C), nickel plating was performed while the generated Ni protrusion nuclei were dispersed by ultrasonic stirring (protrusion forming step). In this way, a dispersion of Ni protrusion nuclei and particle mixture (E) was obtained.

그 후, 분산 상태의 Ni 돌기핵 및 입자 혼합액 (E)에 상기 니켈 도금액 (D)를 서서히 적하하여, 무전해 니켈 도금을 행하였다. 니켈 도금액 (D)의 적하 속도는 25mL/분, 적하 시간은 60분간으로, 무전해 니켈 도금을 행하였다. 니켈 도금액 (D)의 적하 중에는, 발생한 Ni 돌기핵을 초음파 교반에 의해 분산시키면서 니켈 도금을 행하였다(Ni 도금 공정). 그 후, 여과함으로써 입자를 취출하고, 수세하고, 건조시킴으로써, 기재 입자 A의 표면 상에 니켈-인 합금 금속부가 배치되어 있고, 표면에 돌기를 갖는 금속부를 구비하는 금속 함유 입자(돌기가 없는 부분에서의 금속부 전체의 두께: 0.1㎛)를 얻었다.Thereafter, the nickel plating solution (D) was gradually added dropwise to the dispersed Ni protrusion nucleus and particle mixture (E), and electroless nickel plating was performed. The dropping rate of the nickel plating solution (D) was 25 mL/min, and the dropping time was 60 minutes, and electroless nickel plating was performed. During the dropwise addition of the nickel plating solution (D), nickel plating was performed while the generated Ni protrusion nuclei were dispersed by ultrasonic stirring (Ni plating step). Then, a nickel- phosphorus alloy metal part is arrange|positioned on the surface of the substrate particle A by taking out particle|grains by filtration, washing with water, and drying, and metal containing particle|grains (part without a processus|protrusion) provided with the metal part which has a processus|protrusion on the surface. The total thickness of the metal part in: 0.1 µm) was obtained.

(평가)(evaluation)

(1) 볼록부 및 돌기의 높이 측정(1) Measuring the height of the convex part and the protrusion

얻어진 금속 함유 입자를 함유량이 30중량%가 되도록, Kulzer사제 「테크노 비트 4000」에 첨가하고 분산시켜, 금속 함유 입자 검사용 매립 수지를 제작하였다. 그 검사용 매립 수지 중에 분산된 금속 함유 입자의 중심 부근을 통과하도록 이온 밀링 장치(히타치 하이테크놀러지즈사제 「IM4000」)를 사용하여, 금속 함유 입자의 단면을 잘라냈다.The obtained metal-containing particle|grains were added and disperse|distributed to "Technobit 4000" by Kulzer so that content might be 30 weight%, and the embedding resin for metal-containing particle|grain test|inspection was produced. The cross section of the metal-containing particles was cut out using an ion milling apparatus ("IM4000" manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) so as to pass near the center of the metal-containing particles dispersed in the embedding resin for inspection.

그리고, 전계 방사형 투과 전자 현미경(FE-TEM)(니혼 덴시사제 「JEM-ARM200F」)을 사용하여, 화상 배율 5만배로 설정하고, 20개의 금속 함유 입자를 무작위로 선택하여, 각각의 금속 함유 입자의 볼록부 및 돌기를 관찰하였다. 얻어진 금속 함유 입자에서의 볼록부 및 돌기의 높이를 계측하고, 그것을 산술 평균하여 볼록부 및 돌기의 평균 높이로 하였다.Then, using a field emission transmission electron microscope (FE-TEM) ("JEM-ARM200F" manufactured by Nippon Electronics Co., Ltd.), the image magnification was set to 50,000 times, 20 metal-containing particles were randomly selected, and each metal-containing The protrusions and projections of the particles were observed. The height of the convex part and processus|protrusion in the obtained metal-containing particle|grains was measured, and it was arithmetic averaged and it was set as the average height of the convex part and processus|protrusion.

(2) 돌기의 기부의 평균 직경의 측정(2) Measurement of the average diameter of the base of the protrusion

얻어진 금속 함유 입자를 함유량이 30중량%가 되도록, Kulzer사제 「테크노 비트 4000」에 첨가하고 분산시켜, 금속 함유 입자 검사용 매립 수지를 제작하였다. 그 검사용 매립 수지 중에 분산된 금속 함유 입자의 중심 부근을 통과하도록 이온 밀링 장치(히타치 하이테크놀러지즈사제 「IM4000」)를 사용하여, 금속 함유 입자의 단면을 잘라냈다.The obtained metal-containing particle|grains were added and disperse|distributed to "Technobit 4000" by Kulzer so that content might be 30 weight%, and the embedding resin for metal-containing particle|grain test|inspection was produced. The cross section of the metal-containing particles was cut out using an ion milling apparatus ("IM4000" manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) so as to pass near the center of the metal-containing particles dispersed in the embedding resin for inspection.

그리고, 전계 방사형 투과 전자 현미경(FE-TEM)(니혼 덴시사제 「JEM-ARM200F」)을 사용하여, 화상 배율 5만배로 설정하고, 20개의 금속 함유 입자를 무작위로 선택하여, 각각의 금속 함유 입자의 볼록부 및 돌기를 관찰하였다. 얻어진 금속 함유 입자에서의 볼록부 및 돌기의 기부의 직경을 계측하고, 그것을 산술 평균하여 볼록부 및 돌기의 평균 기부의 직경으로 하였다.Then, using a field emission transmission electron microscope (FE-TEM) ("JEM-ARM200F" manufactured by Nippon Electronics Co., Ltd.), the image magnification was set to 50,000 times, 20 metal-containing particles were randomly selected, and each metal-containing The convex portions and protrusions of the particles were observed. The diameters of the protrusions and the bases of the protrusions in the obtained metal-containing particles were measured and arithmetic averaged to obtain the average diameters of the protrusions and protrusions.

(3) 볼록부 및 돌기의 형상 관찰(3) Observation of the shape of convex portions and projections

주사형 전자 현미경(FE-SEM)을 사용하여, 화상 배율을 25000배로 설정하고, 20개의 금속 함유 입자를 무작위로 선택하여, 각각의 금속 함유 입자의 볼록부 및 돌기를 관찰하고, 모든 볼록부 및 돌기가 속하는 형상의 종류를 조사하였다.Using a scanning electron microscope (FE-SEM), the image magnification was set to 25000 times, 20 metal-containing particles were randomly selected, and the convex portions and protrusions of each metal-containing particle were observed, and all the convex portions and The type of shape to which the protrusion belongs was investigated.

(4) 볼록부 및 돌기의 꼭지각의 평균 측정(4) Average measurement of apex angles of convex portions and projections

얻어진 금속 함유 입자를 함유량이 30중량%가 되도록, Kulzer사제 「테크노 비트 4000」에 첨가하고 분산시켜, 금속 함유 입자 검사용 매립 수지를 제작하였다. 그 검사용 매립 수지 중에 분산된 금속 함유 입자의 중심 부근을 통과하도록 이온 밀링 장치(히타치 하이테크놀러지즈사제 「IM4000」)를 사용하여, 금속 함유 입자의 단면을 잘라냈다.The obtained metal-containing particle|grains were added and disperse|distributed to "Technobit 4000" by Kulzer so that content might be 30 weight%, and the embedding resin for metal-containing particle|grain test|inspection was produced. The cross section of the metal-containing particles was cut out using an ion milling apparatus ("IM4000" manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) so as to pass near the center of the metal-containing particles dispersed in the embedding resin for inspection.

그리고, 전계 방사형 투과 전자 현미경(FE-TEM)(니혼 덴시사제 「JEM-ARM200F」)을 사용하여, 화상 배율 100만배로 설정하고, 20개의 금속 함유 입자를 무작위로 선택하여, 각각의 금속 함유 입자의 돌기부를 관찰하였다. 얻어진 금속 함유 입자에서의 볼록부 및 돌기의 꼭지각을 계측하고, 그것을 산술 평균하여 볼록부 및 돌기의 꼭지각의 평균으로 하였다.Then, using a field emission transmission electron microscope (FE-TEM) (“JEM-ARM200F” manufactured by Nippon Electronics Co., Ltd.), the image magnification was set to 1 million times, 20 metal-containing particles were randomly selected, and each metal-containing The protrusions of the particles were observed. The vertex angles of the convex portions and the projections in the obtained metal-containing particles were measured, and they were arithmetic averaged to obtain an average of the vertex angles of the convex portions and the projections.

(5) 볼록부 및 돌기의 높이의 중앙 위치에서의 평균 직경의 측정(5) Measurement of the average diameter at the central position of the height of the convex portion and the projection

얻어진 금속 함유 입자를 함유량이 30중량%가 되도록, Kulzer사제 「테크노 비트 4000」에 첨가하고 분산시켜, 금속 함유 입자 검사용 매립 수지를 제작하였다. 그 검사용 매립 수지 중에 분산된 금속 함유 입자의 중심 부근을 통과하도록 이온 밀링 장치(히타치 하이테크놀러지즈사제 「IM4000」)를 사용하여, 금속 함유 입자의 단면을 잘라냈다.The obtained metal-containing particle|grains were added and disperse|distributed to "Technobit 4000" by Kulzer so that content might be 30 weight%, and the embedding resin for metal-containing particle|grain test|inspection was produced. The cross section of the metal-containing particles was cut out using an ion milling apparatus ("IM4000" manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) so as to pass near the center of the metal-containing particles dispersed in the embedding resin for inspection.

그리고, 전계 방사형 투과 전자 현미경(FE-TEM)(니혼 덴시사제 「JEM-ARM200F」)을 사용하여, 화상 배율 5만배로 설정하고, 20개의 금속 함유 입자를 무작위로 선택하여, 각각의 금속 함유 입자의 돌기부를 관찰하였다. 얻어진 금속 함유 입자에서의 볼록부 및 돌기의 기부의 직경을 계측하고, 그것을 산술 평균하여 볼록부 및 돌기의 높이의 중앙 위치에서의 평균 직경을 구하였다.Then, using a field emission transmission electron microscope (FE-TEM) ("JEM-ARM200F" manufactured by Nippon Electronics Co., Ltd.), the image magnification was set to 50,000 times, 20 metal-containing particles were randomly selected, and each metal-containing The protrusions of the particles were observed. The diameters of the protrusions and the bases of the protrusions in the obtained metal-containing particles were measured and arithmetic averaged to determine the average diameter at the central position of the heights of the protrusions and protrusions.

(6) 침상인 볼록부 및 돌기의 수의 비율 측정(6) Measurement of the ratio of the number of needle-like convexities and projections

주사형 전자 현미경(FE-SEM)을 사용하여, 화상 배율을 25000배로 설정하고, 20개의 금속 함유 입자를 무작위로 선택하여, 각각의 금속 함유 입자의 볼록부 및 돌기를 관찰하였다. 모든 볼록부 및 돌기는, 볼록부 형상 및 돌기 형상이 끝으로 갈수록 가늘어지는 침상인지 여부를 평가하여, 볼록부 형상 및 돌기 형상이 끝으로 갈수록 가늘어지는 침상에 의해 형성되어 있는 볼록부 및 돌기와, 볼록부 형상 및 돌기 형상이 끝으로 갈수록 가늘어지는 침상에 의해 형성되지 않은 볼록부 및 돌기로 분별하였다. 이와 같이 하여, 1개의 금속 함유 입자당 1) 끝으로 갈수록 가늘어지는 침상에 의해 형성되어 있는 볼록부 및 돌기의 개수와, 2) 끝으로 갈수록 가늘어지는 침상 형상에 의해 형성되지 않은 볼록부 및 돌기의 개수를 계측하였다. 1)과 2)의 돌기부의 전체 개수 100% 중의 1) 침상인 볼록부 및 돌기의 수의 비율 X를 산출하였다.Using a scanning electron microscope (FE-SEM), the image magnification was set to 25000 times, 20 metal-containing particles were randomly selected, and the protrusions and projections of each metal-containing particle were observed. All the convex parts and projections are evaluated whether the convex part shape and the projection shape are needle-like tapering toward the tip, The minor shape and the protrusion shape were classified into convex parts and protrusions that were not formed by needles that were tapered toward the end. In this way, per one metal-containing particle, 1) the number of convex portions and projections formed by the tapering needles, and 2) the number of projections and projections not formed by the tapering needle shape toward the tip The number was counted. The ratio X of the number of 1) needle-shaped convex portions and projections in 100% of the total number of projections in 1) and 2) was calculated.

(7) 볼록부 및 돌기가 없는 부분에서의 금속부 전체의 두께의 측정(7) Measurement of the thickness of the entire metal part in the convex part and the part without protrusion

얻어진 금속 함유 입자를 함유량이 30중량%가 되도록, Kulzer사제 「테크노 비트 4000」에 첨가하고 분산시켜, 금속 함유 입자 검사용 매립 수지를 제작하였다. 그 검사용 매립 수지 중에 분산된 금속 함유 입자의 중심 부근을 통과하도록 이온 밀링 장치(히타치 하이테크놀러지즈사제 「IM4000」)를 사용하여, 금속 함유 입자의 단면을 잘라냈다.The obtained metal-containing particle|grains were added and disperse|distributed to "Technobit 4000" by Kulzer so that content might be 30 weight%, and the embedding resin for metal-containing particle|grain test|inspection was produced. The cross section of the metal-containing particles was cut out using an ion milling apparatus ("IM4000" manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) so as to pass near the center of the metal-containing particles dispersed in the embedding resin for inspection.

그리고, 전계 방사형 투과 전자 현미경(FE-TEM)(니혼 덴시사제 「JEM-ARM200F」)을 사용하여, 화상 배율 5만배로 설정하고, 20개의 금속 함유 입자를 무작위로 선택하여, 각각의 금속 함유 입자의 돌기가 없는 부분에서의 금속부를 관찰하였다. 얻어진 금속 함유 입자에서의 돌기가 없는 부분에서의 금속부 전체의 두께를 계측하고, 그것을 산술 평균하여 두께(평균 두께)(상기 실시예 및 비교예 중에 기재)로 하였다.Then, using a field emission transmission electron microscope (FE-TEM) ("JEM-ARM200F" manufactured by Nippon Electronics Co., Ltd.), the image magnification was set to 50,000 times, 20 metal-containing particles were randomly selected, and each metal-containing The metal part was observed in the part where there was no protrusion of particle|grains. In the obtained metal-containing particles, the thickness of the entire metal portion in the non-projection-free portion was measured, and it was arithmetic averaged to obtain a thickness (average thickness) (described in the above examples and comparative examples).

(8) 금속 함유 입자의 압축 탄성률(10% K값)(8) Compressive modulus of metal-containing particles (10% K value)

얻어진 금속 함유 입자의 상기 압축 탄성률(10% K값)을 23℃의 조건에서, 상술한 방법에 의해 미소 압축 시험기(피셔사제 「피셔 스코프 H-100」)를 사용하여 측정하였다. 10% K값을 구하였다.The said compressive modulus (10% K-value) of the obtained metal-containing particle|grains was measured using the micro compression tester ("Fischer Scope H-100" manufactured by Fischer) by the method mentioned above on 23 degreeC conditions. A 10% K value was obtained.

(9) 금속부의 면 격자의 평가(9) Evaluation of the face lattice of the metal part

X선 회절 장치(리가꾸 덴끼사제 「RINT2500VHF」)를 사용하여, 회절각에 의존하는 장치 고유의 회절선의 피크 강도비를 산출하였다. 금층의 회절선 전체의 회절 피크 강도에서 차지하는 (111) 방위의 회절 피크 강도의 비율((111)면의 비율)을 구하였다.Using an X-ray diffraction apparatus ("RINT2500VHF" manufactured by Rigaku Electric Co., Ltd.), the peak intensity ratio of the diffraction line unique to the apparatus depending on the diffraction angle was calculated. The ratio of the diffraction peak intensity in the (111) orientation to the diffraction peak intensity of the entire diffraction line of the gold layer (the ratio of the (111) plane) was calculated.

(10) 접속 구조체 A에서의 금속부의 돌기의 선단의 용융 및 고화 상태(10) Melting and solidification state of the tip of the projection of the metal part in the bonded structure A

얻어진 금속 함유 입자를 함유량이 10중량%가 되도록, 미쓰이 가가꾸사제 「스트럭트본드 XN-5A」에 첨가하고 분산시켜 이방성 도전 페이스트를 제작하였다.The obtained metal-containing particle|grains were added and disperse|distributed to the Mitsui Chemicals make "Struct Bond XN-5A" so that content might be 10 weight%, and the anisotropic electrically conductive paste was produced.

L/S가 30㎛/30㎛인 구리 전극 패턴을 상면에 갖는 투명 유리 기판을 준비하였다. 또한, L/S가 30㎛/30㎛인 금 전극 패턴을 하면에 갖는 반도체 칩을 준비하였다.A transparent glass substrate having a copper electrode pattern having an L/S of 30 µm/30 µm on the upper surface was prepared. Further, a semiconductor chip having a gold electrode pattern having an L/S of 30 µm/30 µm on the lower surface was prepared.

상기 투명 유리 기판 상에, 제작 직후의 이방성 도전 페이스트를 두께 30㎛가 되도록 도공하여, 이방성 도전 페이스트층을 형성하였다. 이어서, 이방성 도전 페이스트층 상에 상기 반도체 칩을, 전극끼리가 대향하도록 적층하였다. 그 후, 이방성 도전 페이스트층의 온도가 250℃가 되도록 헤드의 온도를 조정하면서, 반도체 칩의 상면에 가압 가열 헤드를 놓고, 0.5MPa의 압력을 가하여 이방성 도전 페이스트층을 250℃에서 경화시켜, 접속 구조체 A를 얻었다. 접속 구조체 A를 얻기 위해서, 전극간을 0.5MPa의 저압에서 접속시켰다.On the said transparent glass substrate, the anisotropic electrically conductive paste immediately after preparation was coated so that it might become 30 micrometers in thickness, and the anisotropic electrically conductive paste layer was formed. Next, on the anisotropic conductive paste layer, the said semiconductor chip was laminated|stacked so that electrodes might face each other. After that, while adjusting the temperature of the head so that the temperature of the anisotropic conductive paste layer becomes 250 ° C, a pressure heating head is placed on the upper surface of the semiconductor chip, and a pressure of 0.5 MPa is applied to cure the anisotropic conductive paste layer at 250 ° C. Structure A was obtained. In order to obtain the bonded structure A, it was connected between electrodes by the low pressure of 0.5 MPa.

얻어진 접속 구조체를, Kulzer사제 「테크노 비트 4000」에 넣어 경화시켜, 접속 구조체 검사용 매립 수지를 제작하였다. 그 검사용 수지 중의 접속 구조체의 중심 부근을 통과하도록 이온 밀링 장치(히타치 하이테크놀러지즈사제 「IM4000」)를 사용하여, 금속 함유 입자의 단면을 잘라냈다.The obtained bonded structure was put into "Technobit 4000" by Kulzer, and it hardened, and the embedding resin for bonded structure inspection was produced. The cross section of the metal-containing particle was cut out using an ion milling apparatus ("IM4000" manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) so as to pass through the vicinity of the center of the bonded structure in the resin for inspection.

그리고, 주사형 전자 현미경(FE-SEM)을 사용하여, 얻어진 접속 구조체 A를 단면 관찰함으로써, 금속 함유 입자의 금속부의 돌기의 선단이 용융된 후 고화되어 있는지 여부를 판정하였다.And by cross-sectional observation of the obtained bonded structure A using a scanning electron microscope (FE-SEM), it was determined whether the tip of the processus|protrusion of the metal part of a metal-containing particle|grain had melted, after which it had solidified.

[금속부의 돌기의 선단의 용융 및 고화 상태의 판정 기준][Criteria for judging the melted and solidified state of the tip of the projection of the metal part]

A: 금속부의 돌기의 선단이 용융된 후 고화되어 있음A: The tip of the projection of the metal part is melted and then solidified

B: 금속부의 돌기의 선단이 용융된 후 고화되어 있지 않음B: The tip of the projection of the metal part is not solidified after being melted

(11) 접속 구조체 A에서의 금속부의 돌기의 접합 상태(11) Bonding state of the projections of the metal part in the bonded structure A

상기 (10)의 평가에서 얻어진 접속 구조체 A에 있어서, 접속 구조체 A를 단면 관찰함으로써, 금속부의 돌기의 접합 상태를 판정하였다.Bonded structure A obtained by evaluation of said (10) WHEREIN: The bonding state of the processus|protrusion of a metal part was determined by cross-sectional observation of bonded structure A.

[금속부의 돌기의 접합 상태의 판정 기준][Criteria for judging the joint state of the projections of the metal part]

A: 접속부 중에서, 금속 함유 입자에서의 금속부의 돌기의 선단이 용융된 후 고화되고, 전극 및 다른 금속 함유 입자와 접합되어 있음A: In the connection part, the tip of the projection of the metal part in the metal-containing particle is melted and then solidified, and is joined to the electrode and other metal-containing particles

B: 접속부 중에서, 금속 함유 입자에서의 금속부의 돌기의 선단이 용융된 후 고화되고, 전극 및 다른 금속 함유 입자와 접합되어 있지 않음B: In the connection part, the tip of the projection of the metal part in the metal-containing particle is melted and then solidified, and is not joined with the electrode and other metal-containing particles

(12) 접속 구조체 A에 있어서의 접속 신뢰성(12) Connection reliability in bonded structure A

상기 (10)의 평가에서 얻어진 접속 구조체 A 15개의 상하의 전극간의 접속 저항을, 4 단자법에 의해 측정하였다. 접속 저항의 평균값을 산출하였다. 또한, 전압=전류×저항의 관계로부터, 일정한 전류를 흘렸을 때의 전압을 측정함으로써 접속 저항을 구할 수 있다. 접속 신뢰성을 하기 기준으로 판정하였다.The connection resistance between the upper and lower electrodes of 15 bonded structures A obtained by evaluation of said (10) was measured by the 4-probe method. The average value of connection resistance was computed. In addition, from the relationship of voltage = current x resistance, the connection resistance can be calculated|required by measuring the voltage when a constant current flows. Connection reliability was judged according to the following criteria.

[접속 신뢰성의 판정 기준][Criteria for judgment of connection reliability]

○○○: 접속 저항이 1.0Ω 이하○○○: Connection resistance is 1.0Ω or less

○○: 접속 저항이 1.0Ω 초과 2.0Ω 이하○○: Connection resistance greater than 1.0 Ω and less than 2.0 Ω

○: 접속 저항이 2.0Ω 초과 3.0Ω 이하○: Connection resistance greater than 2.0 Ω and less than 3.0 Ω

△: 접속 저항이 3.0Ω 초과 5Ω 이하△: Connection resistance exceeds 3.0 Ω and less than or equal to 5 Ω

×: 접속 저항이 5Ω 초과×: Connection resistance exceeds 5 Ω

(13) 접속 구조체 B에서의 금속부의 돌기의 선단의 용융 및 고화 상태(13) Melting and solidification state of the tip of the projection of the metal part in the bonded structure B

얻어진 금속 함유 입자를 함유량이 5중량%가 되도록, 닛본 스페리아사제 「ANP-1」(금속 원자 함유 입자를 포함함)에 첨가하고 분산시켜, 소결 은 페이스트를 제작하였다.The obtained metal-containing particles were added and dispersed in "ANP-1" manufactured by Nippon Speria Co., Ltd. (including metal atom-containing particles) so that the content was 5% by weight to prepare a sintered silver paste.

제1 접속 대상 부재로서, 접속면에 Ni/Au 도금이 실시된 파워 반도체 소자를 준비하였다. 제2 접속 대상 부재로서, 접속면에 Cu 도금이 실시된 질화알루미늄 기판을 준비하였다.As a 1st connection object member, the power semiconductor element in which Ni/Au plating was given to the connection surface was prepared. As a 2nd connection object member, the aluminum nitride board|substrate in which Cu plating was given to the connection surface was prepared.

제2 접속 대상 부재 상에, 상기 소결 은 페이스트를, 약 70㎛의 두께가 되도록 도포하고, 접속용 은 페이스트층을 형성하였다. 그 후, 접속용 은 페이스트층 상에 상기 제1 접속 대상 부재를 적층하여, 적층체를 얻었다.On the second connection object member, the sintered silver paste was applied to a thickness of about 70 µm, and a silver paste layer for connection was formed. Then, the said 1st connection object member was laminated|stacked on the silver paste layer for a connection, and the laminated body was obtained.

얻어진 적층체를 130℃의 핫 플레이트에서 60초간 예열하고, 그 후 적층체를 10MPa의 압력을 가하여 300℃에서 3분 가열함으로써, 소결 은 페이스트에 포함되어 있는 상기 금속 원자 함유 입자를 소결시켜, 소결물과 금속 함유 입자를 포함하는 접속부를 형성하고, 해당 소결물에 의해 상기 제1, 제2 접속 대상 부재를 접합하여, 접속 구조체 B를 얻었다.The obtained laminate is preheated on a hot plate at 130° C. for 60 seconds, and then the laminate is heated at 300° C. under a pressure of 10 MPa for 3 minutes to sinter and sinter the metal atom-containing particles included in the sintered silver paste. The connection part containing water and metal containing particle|grains was formed, the said 1st, 2nd connection object member was joined with this sintered material, and the bonded structure B was obtained.

얻어진 접속 구조체를, Kulzer사제 「테크노 비트 4000」에 넣어 경화시켜, 접속 구조체 검사용 매립 수지를 제작하였다. 그 검사용 매립 수지 중의 접속 구조체의 중심 부근을 통과하도록 이온 밀링 장치(히타치 하이테크놀러지즈사제 「IM4000」)를 사용하여, 금속 함유 입자의 단면을 잘라냈다.The obtained bonded structure was put into "Technobit 4000" by Kulzer, and it hardened, and the embedding resin for bonded structure inspection was produced. The cross section of the metal-containing particles was cut out using an ion milling apparatus ("IM4000" manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) so as to pass through the vicinity of the center of the bonded structure in the embedding resin for inspection.

그리고, 주사형 전자 현미경(FE-SEM)을 사용하여, 얻어진 접속 구조체 B를 단면 관찰함으로써, 금속 함유 입자의 금속부의 돌기의 선단이 용융된 후 고화되어 있는지 여부를 판정하였다.And by cross-sectional observation of the obtained bonded structure B using a scanning electron microscope (FE-SEM), it was judged whether the front-end|tip of the processus|protrusion of the metal part of a metal-containing particle|grain was solidified after melt|melting.

[금속부의 돌기의 선단의 용융 및 고화 상태의 판정 기준][Criteria for judging the melted and solidified state of the tip of the projection of the metal part]

A: 금속부의 돌기의 선단이 용융된 후 고화되어 있음A: The tip of the projection of the metal part is melted and then solidified

B: 금속부의 돌기의 선단이 용융된 후 고화되어 있지 않음B: The tip of the projection of the metal part is not solidified after being melted

(14) 접속 구조체 B에서의 금속부의 돌기의 접합 상태(14) Bonding state of the projections of the metal part in the bonded structure B

상기 (13)의 평가에서 얻어진 접속 구조체 B에 있어서, 접속 구조체 B를 단면 관찰함으로써, 금속부의 돌기의 접합 상태를 판정하였다.Bonded structure B obtained by evaluation of said (13) WHEREIN: The bonding state of the processus|protrusion of a metal part was determined by cross-sectional observation of bonded structure B.

[금속부의 돌기의 접합 상태의 판정 기준][Criteria for judging the joint state of the projections of the metal part]

A: 접속부 중에서, 금속 함유 입자에서의 금속부의 돌기의 선단이 용융된 후 고화되고, 전극 및 다른 금속 함유 입자와 접합되어 있음A: In the connection part, the tip of the projection of the metal part in the metal-containing particle is melted and then solidified, and is joined to the electrode and other metal-containing particles

B: 접속부 중에서, 금속 함유 입자에서의 금속부의 돌기의 선단이 용융된 후 고화되고, 전극 및 다른 금속 함유 입자와 접합되어 있지 않음B: In the connection part, the tip of the projection of the metal part in the metal-containing particle is melted and then solidified, and is not joined with the electrode and other metal-containing particles

(15) 접속 구조체 B에 있어서의 접속 신뢰성(15) Connection reliability in bonded structure B

상기 (13)의 평가에서 얻어진 접속 구조체 B를, 냉열 충격 시험기(에스펙사제: TSA-101S-W)에 투입하고, 최저 온도 -40℃에서 유지 시간 30분, 최고 온도 200℃에서 유지 시간 30분의 처리 조건을 1사이클로 하여 3000사이클 후에 전단 강도 시험기(레스카사제: STR-1000)로 접합 강도를 측정하였다. 접속 신뢰성을 하기 기준으로 판정하였다.The bonded structure B obtained in the evaluation of the above (13) is put into a cold and thermal shock tester (manufactured by SPEC: TSA-101S-W), the minimum temperature is -40°C for a holding time of 30 minutes, and the maximum temperature is 200°C for a holding time of 30 The bonding strength was measured with a shear strength tester (manufactured by Lesca Corporation: STR-1000) after 3000 cycles with the treatment conditions as 1 cycle. Connection reliability was judged according to the following criteria.

[접속 신뢰성의 판정 기준][Criteria for judgment of connection reliability]

○○○: 접합 강도가 50MPa 이상○○○: Bond strength of 50 MPa or more

○○: 접합 강도가 40MPa 초과 50MPa 이하○○: Joint strength greater than 40 MPa and less than or equal to 50 MPa

○: 접합 강도가 30MPa 초과 40MPa 이하○: bonding strength greater than 30 MPa and less than or equal to 40 MPa

△: 접합 강도가 20MPa 초과 30MPa 이하△: bonding strength greater than 20 MPa and less than or equal to 30 MPa

×: 접합 강도가 20MPa 이하x: bonding strength is 20 MPa or less

(16) 도통 검사용 부재의 접촉 저항값(16) Contact resistance value of member for continuity inspection

실리콘계 공중합체 10중량부, 얻어진 금속 함유 입자 90중량부, 에폭시실란 커플링제(신에쯔 가가꾸 고교사제, 「KBE-303」) 1중량부 및 이소프로필알코올 36중량부를 배합하고, 호모 디스퍼를 사용하여 1000rpm으로 20분 교반시킨 후, 싱키사제 「렌타로 ARE250」을 사용하여 탈포함으로써, 금속 함유 입자와 바인더를 포함하는 도전 재료를 조제하였다.10 parts by weight of the silicone copolymer, 90 parts by weight of the obtained metal-containing particles, 1 part by weight of an epoxysilane coupling agent (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., "KBE-303") and 36 parts by weight of isopropyl alcohol are blended, and homodisper After stirring at 1000 rpm for 20 minutes using a metal-containing particle, an electrically-conductive material containing metal-containing particles and a binder was prepared by defoaming using "Rentaro ARE250" manufactured by Thinky Co., Ltd.

상기 실리콘계 공중합체는 다음 방법으로 중합하였다. 내용량 2L의 금속 혼련기 내에 4,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트(데구사사제) 162g(628mmol), 한쪽 말단 아미노기 변성 폴리디메틸실록산(모멘티브사제 「TSF4709」)(분자량 10000) 900g(90mmol)을 넣고, 70 내지 90℃에서 용해 후, 교반을 2시간 행하였다. 그 후, 네오펜틸글리콜(미쯔비시 가스 가가꾸사제) 65g(625mmol)을 천천히 첨가하여 30분 혼련하고, 이어서 미반응된 네오펜틸글리콜을 감압 제거하였다. 얻어진 실리콘계 공중합체는 20중량%가 되도록 이소프로필알코올에 용해시켜 사용하였다. 또한, 이소시아네이트기의 소실은 IR 스펙트럼으로 확인하였다. 얻어진 실리콘계 공중합체에 있어서, 실리콘 함유량은 80중량%, 중량 평균 분자량은 25000이며, SP값은 7.8, 극성기를 갖는 구조(폴리우레탄)의 반복 단위의 SP값은 10이었다.The silicone-based copolymer was polymerized by the following method. 162 g (628 mmol) of 4,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate (manufactured by Degus Corporation), polydimethylsiloxane modified with an amino group at one end ("TSF4709", manufactured by Momentive) 900 g (molecular weight 10000) (molecular weight 10000) in a metal kneader having a capacity of 2 L ) and dissolved at 70 to 90°C, followed by stirring for 2 hours. Then, 65 g (625 mmol) of neopentyl glycol (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical) was slowly added and kneaded for 30 minutes, and then unreacted neopentyl glycol was removed under reduced pressure. The obtained silicone copolymer was used by dissolving in isopropyl alcohol so that it might become 20 weight%. In addition, loss|disappearance of an isocyanate group was confirmed by the IR spectrum. The obtained silicone copolymer WHEREIN: The silicone content was 80 weight%, the weight average molecular weight was 25000, the SP value was 7.8, and the SP value of the repeating unit of the structure (polyurethane) having a polar group was 10.

이어서, 도통 검사용 부재의 기재(절연 재료에 의해 형성된 시트상의 기재)로서, 실리콘 고무를 준비하였다. 실리콘 고무의 사이즈는 가로폭 25mm, 세로폭 25mm 및 두께 1mm이다. 실리콘 고무에는, 레이저 가공으로 형성한 직경 0.5mm의 원기둥상 관통 구멍이 세로 20개 및 가로 20개로 총 수 400개 형성되어 있다.Next, as a base material (sheet-like base material formed of an insulating material) of the member for conduction inspection, a silicone rubber was prepared. The size of the silicone rubber is 25mm in width, 25mm in length, and 1mm in thickness. In the silicone rubber, a total of 400 cylindrical through-holes with a diameter of 0.5 mm formed by laser processing, 20 vertically and 20 horizontally, are formed.

상기 도전 재료를, 관통 구멍을 갖는 실리콘 고무 상에 나이프 코터를 사용하여 도공하고, 관통 구멍에 도전 재료를 충전하였다. 이어서, 도전 재료가 관통 구멍에 충전된 실리콘 고무를 오븐에서 50℃에서 10분간 건조시킨 후, 계속해서 100℃에서 20분간 더 건조시켜, 두께 1mm의 도통 검사용 부재를 얻었다.The said electrically-conductive material was coated using the knife coater on the silicone rubber which has a through-hole, and the electrically-conductive material was filled in the through-hole. Subsequently, the silicone rubber filled with the conductive material in the through hole was dried in an oven at 50° C. for 10 minutes, and then further dried at 100° C. for 20 minutes to obtain a member for continuity inspection with a thickness of 1 mm.

얻어진 도통 검사용 부재의 접촉 저항값은 접촉 저항 측정 시스템(팩트케이사제 「MS7500」)을 사용하여 측정하였다. 접촉 저항 측정은, 직경 0.5mm의 백금 프로브로 하중 15gf로 얻어진 도통 검사용 부재의 도전부에 수직 방향으로부터 가압하였다. 그 때, 저저항계(쓰루가 덴끼사제 「MODEL3566」)로 5V를 인가하여, 접촉 저항값을 측정하였다. 5군데의 도전부를 측정한 접촉 접속 저항값의 평균값을 산출하였다. 접촉 저항값을 하기 기준으로 판정하였다.The contact resistance value of the obtained member for continuity|electrical_connection test|inspection was measured using the contact resistance measuring system ("MS7500" by the Fact-K company). The contact resistance measurement was carried out by pressing from a perpendicular direction to the conductive part of the member for conduction inspection obtained with a load of 15 gf with a platinum probe having a diameter of 0.5 mm. At that time, 5V was applied with a low resistance meter ("MODEL3566" by Tsuruga Denki Corporation), and the contact resistance value was measured. The average value of the contact connection resistance value which measured the electroconductive part of 5 places was computed. The contact resistance value was determined based on the following reference.

[접촉 저항값의 판정 기준][Criteria for judgment of contact resistance value]

○○: 접속 저항의 평균값이 50.0mΩ 이하○○: The average value of the connection resistance is 50.0 mΩ or less

○: 접속 저항의 평균값이 50.0mΩ 초과 100.0mΩ 이하○: Average value of connection resistance exceeds 50.0 mΩ and less than 100.0 mΩ

△: 접속 저항의 평균값이 100.0mΩ 초과 500.0mΩ 이하△: The average value of the connection resistance exceeds 100.0 mΩ and 500.0 mΩ or less

×: 접속 저항의 평균값이 500.0mΩ 초과×: The average value of the connection resistance exceeds 500.0 mΩ

(17) 도통 검사용 부재의 반복 신뢰성 시험(17) Repeated reliability test of members for continuity inspection

상기 (16) 도통 검사용 부재의 접촉 저항값의 평가의 도통 검사용 부재를 준비하였다.The member for conduction inspection of evaluation of the contact resistance value of said (16) member for conduction inspection was prepared.

얻어진 도통 검사용 부재의 반복 신뢰성 시험 및 접촉 저항값은 접촉 저항 측정 시스템(팩트케이사제 「MS7500」)을 사용하여 측정하였다. 반복 신뢰성 시험은, 직경 0.5mm의 백금 프로브로 하중 15gf로 얻어진 프로브 시트의 도전부에 수직 방향으로부터 1000회 반복하여 가압하였다. 1000회 반복하여 가압한 후에, 저저항계(쓰루가 덴끼사제 「MODEL3566」)로 5V를 인가하여, 접촉 저항값을 측정하였다. 5군데의 도전부를 동일하게 측정한 접촉 저항값의 평균값을 산출하였다. 접촉 저항값을 하기 기준으로 판정하였다.The repeated reliability test and contact resistance value of the obtained member for conduction inspection were measured using the contact resistance measuring system ("MS7500" by Fact-K company). The repeated reliability test was repeated 1000 times from the perpendicular direction to the conductive portion of the probe sheet obtained under a load of 15 gf with a platinum probe having a diameter of 0.5 mm and pressed. After pressurizing repeatedly 1000 times, 5 V was applied with a low-resistance meter ("MODEL3566" manufactured by Tsuruga Electronics Co., Ltd.), and the contact resistance value was measured. The average value of the contact resistance values which measured 5 electroconductive parts similarly was computed. The contact resistance value was determined based on the following reference.

[반복 가압 후의 접촉 저항값의 판정 기준][Criteria for determining the contact resistance value after repeated pressurization]

○○: 접속 저항의 평균값이 100.0mΩ 이하○○: The average value of the connection resistance is 100.0 mΩ or less

○: 접속 저항의 평균값이 100.0mΩ 초과 500.0mΩ 이하○: The average value of connection resistance exceeds 100.0 mΩ and below 500.0 mΩ

△: 접속 저항의 평균값이 500.0mΩ 초과 1000.0mΩ 이하△: The average value of the connection resistance exceeds 500.0 mΩ and 1000.0 mΩ or less

×: 접속 저항의 평균값이 1000.0mΩ 초과×: The average value of the connection resistance exceeds 1000.0 mΩ

조성 및 결과를 표 1 내지 5에 나타낸다.A composition and a result are shown in Tables 1-5.

Figure pat00001
Figure pat00001

Figure pat00002
Figure pat00002

Figure pat00003
Figure pat00003

Figure pat00004
Figure pat00004

Figure pat00005
Figure pat00005

또한, 볼록부 및 돌기에서의 구상은 구의 일부 형상을 포함한다. 또한, 비교예 1, 2에서는, 400℃까지 가열해도, 돌기의 선단이 용융되지 않은 것을 확인하였다.In addition, the spherical shape in the convex portion and the projection includes a partial shape of a sphere. Moreover, in Comparative Examples 1 and 2, even if it heated to 400 degreeC, it confirmed that the front-end|tip of a processus|protrusion did not melt|dissolve.

1, 1A, 1B, 1C, 1D, 1E, 1F, 1G…금속 함유 입자
1a, 1Aa, 1Ba, 1Ca, 1Da, 1Ea, 1Fa, 1Ga…돌기
2…기재 입자
3, 3A, 3B, 3C, 3D, 3E, 3F, 3G…금속부(금속층)
3a, 3Aa, 3Ba, 3Ca, 3Da, 3Ea, 3Fa, 3Ga…돌기
3BX…금속 입자
3CA, 3GA…제1 금속부
3CB, 3GB…제2 금속부
3Da, 3Ea, 3Fa, 3Ga…볼록부
3Db, 3Eb, 3Fb, 3Gb…돌기
4E…코어 물질
11…도통 검사용 부재
12…기체
12a…관통 구멍
13…도전부
21…도통 검사용 부재
22…기체
22a…관통 구멍
23…도전부
31…BGA 기판
31A…다층 기판
31B…땜납볼
32…전류계
51…접속 구조체
52…제1 접속 대상 부재
52a…제1 전극
53…제2 접속 대상 부재
53a…제2 전극
54…접속부
61…접속 구조체
62…제1 접속 대상 부재
63, 64…제2 접속 대상 부재
65, 66…접속부
67…다른 금속 함유 입자
68, 69…히트 싱크
1, 1A, 1B, 1C, 1D, 1E, 1F, 1G… metal-containing particles
1a, 1Aa, 1Ba, 1Ca, 1Da, 1Ea, 1Fa, 1Ga... spin
2… substrate particles
3, 3A, 3B, 3C, 3D, 3E, 3F, 3G… Metal part (metal layer)
3a, 3Aa, 3Ba, 3Ca, 3Da, 3Ea, 3Fa, 3Ga... spin
3BX… metal particles
3CA, 3GA… first metal part
3CB, 3GB… second metal part
3Da, 3Ea, 3Fa, 3Ga... convex
3Db, 3Eb, 3Fb, 3Gb… spin
4E… core material
11… Member for continuity inspection
12… gas
12a… through hole
13… conductive part
21… Member for continuity inspection
22… gas
22a… through hole
23… conductive part
31… BGA board
31A… multilayer substrate
31B… solder ball
32… ammeter
51… connection structure
52... 1st connection target member
52a... first electrode
53… 2nd connection target member
53a… second electrode
54… junction
61... connection structure
62... 1st connection target member
63, 64... 2nd connection target member
65, 66... junction
67… other metal-containing particles
68, 69... heat sink

Claims (23)

기재 입자와,
상기 기재 입자의 표면 상에 배치된 금속부를 구비하고,
상기 금속부가 외표면에 복수의 돌기를 갖고,
상기 금속부의 상기 돌기의 선단은 400℃ 이하에서 용융 가능한, 금속 함유 입자.
substrate particles;
The metal part arrange|positioned on the surface of the said substrate particle is provided,
The metal part has a plurality of projections on the outer surface,
The tip of the protrusion of the metal part is meltable at 400° C. or less, a metal-containing particle.
제1항에 있어서, 상기 금속부가 외표면에 복수의 볼록부를 갖고,
상기 금속부가 상기 볼록부의 외표면에 상기 돌기를 갖는, 금속 함유 입자.
The method according to claim 1, wherein the metal part has a plurality of convex parts on the outer surface,
The metal-containing particle in which the said metal part has the said processus|protrusion on the outer surface of the said convex part.
제2항에 있어서, 상기 볼록부의 평균 높이의, 상기 돌기의 평균 높이에 대한 비가 5 이상 1000 이하인, 금속 함유 입자.The metal-containing particle according to claim 2, wherein the ratio of the average height of the convex portions to the average height of the projections is 5 or more and 1000 or less. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 볼록부의 기부(基部)의 평균 직경이 3nm 이상 5000nm 이하인, 금속 함유 입자. The metal-containing particle according to claim 2 or 3, wherein the average diameter of the base of the convex portion is 3 nm or more and 5000 nm or less. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속부의 외표면의 전 표면적 100% 중, 상기 볼록부가 있는 부분의 표면적이 10% 이상인, 금속 함유 입자.The metal-containing particle according to any one of claims 2 to 4, wherein, out of 100% of the total surface area of the outer surface of the metal portion, the surface area of the portion having the convex portion is 10% or more. 제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 볼록부의 형상이 침상 또는 구체의 일부 형상인, 금속 함유 입자.The metal-containing particle according to any one of claims 2 to 5, wherein the shape of the convex portion is a needle-like shape or a partial shape of a sphere. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 돌기의 꼭지각의 평균이 10° 이상 60° 이하인, 금속 함유 입자.The metal-containing particle according to any one of claims 1 to 6, wherein the average of the vertex angles of the projections is 10° or more and 60° or less. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 돌기의 평균 높이가 3nm 이상 5000nm 이하인, 금속 함유 입자.The metal-containing particle according to any one of claims 1 to 7, wherein the average height of the projections is 3 nm or more and 5000 nm or less. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 돌기의 기부의 평균 직경이 3nm 이상 1000nm 이하인, 금속 함유 입자.The metal-containing particle according to any one of claims 1 to 8, wherein the average diameter of the base of the protrusion is 3 nm or more and 1000 nm or less. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 돌기의 평균 높이의, 상기 돌기의 기부의 평균 직경에 대한 비가 0.5 이상 10 이하인, 금속 함유 입자.The metal-containing particle according to any one of claims 1 to 9, wherein the ratio of the average height of the projections to the average diameter of the base of the projections is 0.5 or more and 10 or less. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 돌기의 형상이 침상 또는 구체의 일부 형상인, 금속 함유 입자.The metal-containing particle according to any one of claims 1 to 10, wherein the shape of the protrusion is a needle-like shape or a partial shape of a sphere. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 돌기의 재료가 은, 구리, 금, 팔라듐, 주석, 인듐 또는 아연을 포함하는, 금속 함유 입자.The metal-containing particle according to any one of claims 1 to 11, wherein the material of the protrusion comprises silver, copper, gold, palladium, tin, indium or zinc. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속부의 재료가 땜납이 아닌, 금속 함유 입자.The metal-containing particle according to any one of claims 1 to 12, wherein the material of the metal part is not solder. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속부의 재료가 은, 구리, 금, 팔라듐, 주석, 인듐, 아연, 니켈, 코발트, 철, 텅스텐, 몰리브덴, 루테늄, 백금, 로듐, 이리듐, 인 또는 붕소를 포함하는, 금속 함유 입자.14. The material according to any one of claims 1 to 13, wherein the material of the metal part is silver, copper, gold, palladium, tin, indium, zinc, nickel, cobalt, iron, tungsten, molybdenum, ruthenium, platinum, rhodium, iridium. , phosphorus or boron. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속부의 상기 돌기의 선단은 350℃ 이하에서 용융 가능한, 금속 함유 입자.The metal-containing particle according to any one of claims 1 to 14, wherein the tip of the projection of the metal part is meltable at 350°C or less. 제15항에 있어서, 상기 금속부의 상기 돌기의 선단은 300℃ 이하에서 용융 가능한, 금속 함유 입자.The metal-containing particle according to claim 15, wherein the tip of the projection of the metal part is meltable at 300°C or less. 제16항에 있어서, 상기 금속부의 상기 돌기의 선단은 250℃ 이하에서 용융 가능한, 금속 함유 입자.The metal-containing particle according to claim 16, wherein the tip of the projection of the metal part is meltable at 250°C or less. 제17항에 있어서, 상기 금속부의 상기 돌기의 선단은 200℃ 이하에서 용융 가능한, 금속 함유 입자.The metal-containing particle according to claim 17, wherein the tip of the projection of the metal part is meltable at 200°C or less. 제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 10% 압축했을 때의 압축 탄성률이 100N/mm2 이상 25000N/mm2 이하인, 금속 함유 입자.Claim 1 to claim 18, wherein according to any one of, wherein the compression elastic modulus 100N / mm 2 or more 25000N / mm 2 or less, the metal-containing particles when compressed 10%. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기재 입자가 실리콘 입자인, 금속 함유 입자.The metal-containing particle according to any one of claims 1 to 19, wherein the substrate particle is a silicon particle. 제1항 내지 제20항 중 어느 한 항에 기재된 금속 함유 입자와,
수지를 포함하는, 접속 재료.
The metal-containing particles according to any one of claims 1 to 20;
A connection material containing a resin.
제1 접속 대상 부재와,
제2 접속 대상 부재와,
상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하고,
상기 접속부의 재료가, 제1항 내지 제20항 중 어느 한 항에 기재된 금속 함유 입자이거나, 또는 상기 금속 함유 입자와 수지를 포함하는 접속 재료인, 접속 구조체.
a first connection target member;
a second connection target member;
a connection portion connecting the first connection object member and the second connection object member;
The bonded structure in which the material of the said connection part is the metal containing particle|grains in any one of Claims 1-20, or is a connection material containing the said metal containing particle and resin.
제1 접속 대상 부재와 제2 접속 대상 부재 사이에, 제1항 내지 제20항 중 어느 한 항에 기재된 금속 함유 입자를 배치하거나, 또는 상기 금속 함유 입자와 수지를 포함하는 접속 재료를 배치하는 공정과,
상기 금속 함유 입자를 가열하여, 상기 금속부의 상기 돌기의 선단을 용융시키고, 용융 후에 고화시켜, 상기 금속 함유 입자 또는 상기 접속 재료에 의해, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 형성하는 공정을 구비하는, 접속 구조체의 제조 방법.
A step of disposing the metal-containing particles according to any one of claims 1 to 20, or disposing a connection material comprising the metal-containing particles and a resin between the first connection object member and the second connection object member class,
The metal-containing particles are heated to melt the tip of the protrusion of the metal part and solidify after melting, so that the first connection object member and the second connection object member are connected by the metal-containing particles or the connection material. The manufacturing method of the bonded structure provided with the process of forming the connection part currently being carried out.
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