KR102685922B1 - Conductive particles, conductive materials and connection structures - Google Patents

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Abstract

산 및 알칼리 중 어느 쪽의 존재 하에서도, 니켈을 포함하는 도전층의 부식을 억제할 수 있는 도전성 입자를 제공한다. 본 발명에 따른 도전성 입자는, 기재 입자와, 기재 입자의 표면 상에 배치된 니켈을 포함하는 도전층을 구비하고, 니켈을 포함하는 도전층이, 니켈과 주석 및 인듐 중 적어도 1종을 포함하는 합금층이고, 니켈을 포함하는 도전층의 외표면으로부터 내측을 향하여 두께 1/2까지의 영역의 100중량% 중, 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량이 5중량% 미만이다.Provided are conductive particles that can suppress corrosion of a conductive layer containing nickel even in the presence of either an acid or an alkali. The conductive particle according to the present invention includes a substrate particle and a conductive layer containing nickel disposed on the surface of the substrate particle, and the conductive layer containing nickel contains at least one of nickel, tin, and indium. It is an alloy layer, and the average total content of tin and indium in 100% by weight of the area from the outer surface of the conductive layer containing nickel to 1/2 of the thickness toward the inside is less than 5% by weight.

Description

도전성 입자, 도전 재료 및 접속 구조체Conductive particles, conductive materials and connection structures

본 발명은 기재 입자의 표면 상에 니켈을 포함하는 도전층이 배치되어 있는 도전성 입자에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 도전성 입자를 사용한 도전 재료 및 접속 구조체에 관한 것이다.This invention relates to electroconductive particles in which a conductive layer containing nickel is disposed on the surface of a substrate particle. Furthermore, the present invention relates to an electrically conductive material and a bonded structure using the above-mentioned electrically conductive particles.

이방성 도전 페이스트 및 이방성 도전 필름 등의 이방성 도전 재료가 널리 알려져 있다. 이들 이방성 도전 재료에서는, 결합제 수지 중에 도전성 입자가 분산되어 있다.Anisotropic conductive materials such as anisotropic conductive paste and anisotropic conductive film are widely known. In these anisotropic electrically conductive materials, electrically conductive particles are dispersed in the binder resin.

상기 이방성 도전 재료는, 각종 접속 구조체를 얻기 위해서, 예를 들어 플렉시블 프린트 기판과 유리 기판의 접속(FOG(Film on Glass)), 반도체 칩과 플렉시블 프린트 기판의 접속(COF(Chip on Film)), 반도체 칩과 유리 기판의 접속(COG(Chip on Glass)), 및 플렉시블 프린트 기판과 유리 에폭시 기판의 접속(FOB(Film on Board)) 등에 사용되고 있다.The anisotropic conductive material is used to obtain various connection structures, for example, connection between a flexible printed board and a glass substrate (Film on Glass (FOG)), connection between a semiconductor chip and a flexible printed board (Chip on Film (COF)), It is used for the connection between a semiconductor chip and a glass substrate (COG (Chip on Glass)), and the connection between a flexible printed circuit board and a glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)).

상기 이방성 도전 재료에 의해, 예를 들어 반도체 칩의 전극과 유리 기판의 전극을 전기적으로 접속할 때에는, 유리 기판 상에, 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전 재료를 배치한다. 이어서, 반도체 칩을 적층하고, 가열 및 가압한다. 이에 의해, 이방성 도전 재료를 경화시켜서, 도전성 입자를 개재하여 전극 사이를 전기적으로 접속하여, 접속 구조체를 얻는다.When, for example, the electrode of a semiconductor chip and the electrode of a glass substrate are electrically connected by the anisotropic conductive material, the anisotropic conductive material containing conductive particles is disposed on the glass substrate. Then, semiconductor chips are stacked, heated and pressed. Thereby, the anisotropic electrically-conductive material is hardened, the electrodes are electrically connected via electroconductive particles, and a connected structure is obtained.

상기 도전성 입자의 일례로서, 하기의 특허문헌 1에는, 기재 입자와, 해당 기재 입자의 표면을 피복하는 도전성 금속층을 갖는 도전성 입자가 개시되어 있다. 상기 도전성 금속층을 구성하는 금속의 구체예로서는, 니켈, 니켈 합금(Ni-Au, Ni-Pd, Ni-Pd-Au, Ni-Ag, Ni-P, Ni-B, Ni-Zn, Ni-Sn, Ni-W, Ni-Co, Ni-Ti); 구리, 구리 합금(Cu와 Fe, Co, Ni, Zn, Sn, In, Ga, Tl, Zr, W, Mo, Rh, Ru, Ir, Ag, Au, Bi, Al, Mn, Mg, P, B로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속 원소와의 합금, 바람직하게는 Ag, Ni, Sn, Zn과의 합금); 은, 은 합금(Ag와 Fe, Co, Ni, Zn, Sn, In, Ga, Tl, Zr, W, Mo, Rh, Ru, Ir, Au, Bi, Al, Mn, Mg, P, B로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속 원소와의 합금, 바람직하게는 Ag-Ni, Ag-Sn, Ag-Zn); 주석, 주석 합금(예를 들어 Sn-Ag, Sn-Cu, Sn-Cu-Ag, Sn-Zn, Sn-Sb, Sn-Bi-Ag, Sn-Bi-In, Sn-Au, Sn-Pb 등)이 예시되어 있다.As an example of the electroconductive particle, the following patent document 1 discloses an electroconductive particle having a substrate particle and a conductive metal layer covering the surface of the substrate particle. Specific examples of the metal constituting the conductive metal layer include nickel and nickel alloys (Ni-Au, Ni-Pd, Ni-Pd-Au, Ni-Ag, Ni-P, Ni-B, Ni-Zn, Ni-Sn, Ni-W, Ni-Co, Ni-Ti); Copper, copper alloys (Cu and Fe, Co, Ni, Zn, Sn, In, Ga, Tl, Zr, W, Mo, Rh, Ru, Ir, Ag, Au, Bi, Al, Mn, Mg, P, B an alloy with at least one metal element selected from the group consisting of, preferably an alloy with Ag, Ni, Sn, or Zn); Silver, silver alloy (Ag, Fe, Co, Ni, Zn, Sn, In, Ga, Tl, Zr, W, Mo, Rh, Ru, Ir, Au, Bi, Al, Mn, Mg, P, B) alloy with at least one metal element selected from the group, preferably Ag-Ni, Ag-Sn, Ag-Zn); Tin, tin alloys (e.g. Sn-Ag, Sn-Cu, Sn-Cu-Ag, Sn-Zn, Sn-Sb, Sn-Bi-Ag, Sn-Bi-In, Sn-Au, Sn-Pb, etc. ) is exemplified.

하기의 특허문헌 2에는, 수지 입자의 표면 상에, 금속 피복층이 형성된 도전성 입자가 개시되어 있다. 상기 금속 피복층은, 환원제로서 붕소 화합물 및 차아인산 화합물을 사용한 무전해 니켈 도금 공정에 의해 형성되어 있다. 특허문헌 2에서는, 상기 금속 피복층이 니켈, 붕소 및 인 이외에, 니켈과 함께 공석하는 다른 금속을 함유하고 있어도 됨이 기재되어 있다. 상기 니켈과 함께 공석하는 다른 금속으로서는 코발트, 구리, 아연, 철, 망간, 크롬, 바나듐, 몰리브덴, 팔라듐, 주석, 인듐, 텅스텐 및 레늄이 예시되어 있다.Patent Document 2 below discloses conductive particles in which a metal coating layer is formed on the surface of a resin particle. The metal coating layer is formed by an electroless nickel plating process using a boron compound and a hypophosphorous acid compound as a reducing agent. Patent Document 2 describes that the metal coating layer may contain other metals that co-deposit with nickel in addition to nickel, boron, and phosphorus. Examples of other metals that co-deposit with nickel include cobalt, copper, zinc, iron, manganese, chromium, vanadium, molybdenum, palladium, tin, indium, tungsten, and rhenium.

하기의 특허문헌 3에는, 기재 입자와, 해당 기재 입자의 표면 상에 배치된 니켈을 포함하는 도전층을 구비하는 도전성 입자가 개시되어 있다. 상기 도전층은 니켈과 주석을 포함하는 합금층이다. 상기 도전층의 전체 100중량% 중, 주석의 평균 함유량은 5중량% 이상, 50중량% 이하이다.The following patent document 3 discloses an electroconductive particle including a substrate particle and a conductive layer containing nickel disposed on the surface of the substrate particle. The conductive layer is an alloy layer containing nickel and tin. The average content of tin in the total 100% by weight of the conductive layer is 5% by weight or more and 50% by weight or less.

일본 특허 공개 제2013-125649호 공보Japanese Patent Publication No. 2013-125649 일본 특허 공개 제2008-41671호 공보Japanese Patent Publication No. 2008-41671 일본 특허 공개 제2015-130328호 공보Japanese Patent Publication No. 2015-130328

특허문헌 1, 2의 기재와 같은 종래의 도전성 입자가 산의 존재 하에 노출되면, 니켈을 포함하는 도전층의 부식이 발생하는 경우가 있다. 또한, 특허문헌 1 내지 3의 기재와 같은 종래의 도전성 입자가 알칼리의 존재 하에 노출되면, 니켈을 포함하는 도전층의 부식이 발생하는 경우가 있다. 또한, 종래의 도전성 입자를 사용하여 전극 사이를 접속하여 접속 구조체를 얻은 경우에는, 접속 구조체가 산 또는 알칼리의 존재 하에 노출되었을 때에, 전극 사이의 접속 저항이 상승하는 경우가 있다. 또한, 니켈을 포함하는 도전층에 있어서의 주석의 평균 함유량이 많아지면, 도전층의 비저항이 상승하는 경향이 있고, 또한 도전층이 취화되는 경향이 있기 때문에, 전극 사이의 접속 시의 압축에 의해 도전층의 깨짐이 발생하기 쉬워진다.When conventional conductive particles such as those described in Patent Documents 1 and 2 are exposed to the presence of acid, corrosion of the conductive layer containing nickel may occur. Additionally, when conventional conductive particles such as those described in Patent Documents 1 to 3 are exposed to the presence of alkali, corrosion of the conductive layer containing nickel may occur. Additionally, when a bonded structure is obtained by connecting electrodes using conventional conductive particles, the connection resistance between electrodes may increase when the bonded structure is exposed to the presence of an acid or alkali. Additionally, as the average content of tin in the conductive layer containing nickel increases, the specific resistance of the conductive layer tends to increase and the conductive layer tends to become embrittled, resulting in compression during connection between electrodes. It becomes easy for the conductive layer to crack.

본 발명의 목적은, 산 및 알칼리 중 어느 쪽의 존재 하에서도, 니켈을 포함하는 도전층의 부식을 억제할 수 있는 도전성 입자를 제공하는 것이다.The purpose of the present invention is to provide conductive particles that can suppress corrosion of a conductive layer containing nickel even in the presence of either an acid or an alkali.

또한, 본 발명은 상기 도전성 입자를 사용한 도전 재료 및 접속 구조체를 제공하는 것도 목적으로 한다.Furthermore, the present invention also aims to provide an electrically conductive material and a bonded structure using the above-described electrically conductive particles.

본 발명의 넓은 국면에 의하면, 기재 입자와, 상기 기재 입자의 표면 상에 배치되어 있고, 또한 니켈을 포함하는 도전층을 구비하고, 상기 니켈을 포함하는 도전층이, 니켈과 주석 및 인듐 중 적어도 1종을 포함하는 합금층이고, 상기 니켈을 포함하는 도전층의 외표면으로부터 내측을 향하여 두께 1/2까지의 영역의 100중량% 중, 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량이 5중량% 미만인, 도전성 입자가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, it is provided with substrate particles and a conductive layer that is disposed on the surface of the substrate particle and contains nickel, and the conductive layer containing nickel is at least one of nickel, tin, and indium. It is an alloy layer containing one type, and the average content of the total of tin and indium is less than 5% by weight in 100% by weight of the area from the outer surface of the conductive layer containing nickel to 1/2 the thickness inward. Conductive particles are provided.

본 발명에 따른 도전성 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 니켈을 포함하는 도전층의 외표면으로부터 내측을 향하여 두께 1/4까지의 영역에서의 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량이, 상기 니켈을 포함하는 도전층의 외표면으로부터 내측을 향하여 두께 1/4의 위치에서 두께 1/2의 위치까지 사이의 영역에서의 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량보다도 많다.In a specific aspect of the conductive particle according to the present invention, the average content of the total of tin and indium in the region up to 1/4 of the thickness from the outer surface of the conductive layer containing the nickel toward the inside is the content of the total of tin and indium containing the nickel. It is greater than the total average content of tin and indium in the area between the 1/4th thickness position and the 1/2th thickness position from the outer surface of the conductive layer toward the inside.

본 발명에 따른 도전성 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 니켈을 포함하는 도전층의 외표면으로부터 내측을 향하여 두께 1/4까지의 영역의 100중량% 중, 주석과 인듐의 합계의 함유량의 최댓값이 50중량% 이하이다.In a specific aspect of the conductive particle according to the present invention, the maximum value of the total content of tin and indium in 100% by weight of the area from the outer surface of the conductive layer containing nickel to 1/4 of the thickness toward the inner side is 50. It is less than % by weight.

본 발명에 따른 도전성 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 니켈을 포함하는 도전층이 외표면에 돌기를 갖는다.In a certain situation of the electroconductive particle which concerns on this invention, the said nickel-containing conductive layer has protrusions on the outer surface.

본 발명에 따른 도전성 입자의 어느 특정한 국면에서는, 부피 저항률이 0.003Ω·cm 이하이다.In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the volume resistivity is 0.003 Ω·cm or less.

본 발명에 따른 도전성 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 니켈을 포함하는 도전층의 내표면으로부터 외측을 향하여 두께 1/2까지의 영역의 100중량% 중, 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량이 5중량% 미만이다.In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the average content of the total of tin and indium in 100% by weight of the area from the inner surface to the outside of the nickel-containing conductive layer up to 1/2 of the thickness is 5 weight. It is less than %.

본 발명에 따른 도전성 입자의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전성 입자는, 상기 니켈을 포함하는 도전층의 외표면 상에 배치된 절연성 물질을 더 구비한다.In a specific aspect of the conductive particle according to the present invention, the conductive particle further includes an insulating material disposed on the outer surface of the conductive layer containing nickel.

본 발명의 넓은 국면에 의하면, 상술한 도전성 입자와, 결합제 수지를 포함하는, 도전 재료가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, an electrically conductive material containing the above-mentioned electrically conductive particles and binder resin is provided.

본 발명의 넓은 국면에 의하면, 제1 접속 대상 부재와, 제2 접속 대상 부재와, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하고, 상기 접속부의 재료가, 상술한 도전성 입자이거나, 또는 상기 도전성 입자와 결합제 수지를 포함하는 도전 재료인, 접속 구조체가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, there is provided a first connection target member, a second connection target member, and a connection portion connecting the first connection target member and the second connection target member, and the material of the connection portion is: A bonded structure is provided, which is the conductive particles described above or a conductive material containing the conductive particles and a binder resin.

본 발명에 따른 도전성 입자에서는, 기재 입자와, 상기 기재 입자의 표면 상에 배치되어 있고, 또한 니켈을 포함하는 도전층을 구비하고, 상기 니켈을 포함하는 도전층이, 니켈과 주석 및 인듐 중 적어도 1종을 포함하는 합금층이고, 상기 니켈을 포함하는 도전층의 외표면으로부터 내측을 향하여 두께 1/2까지의 영역의 100중량% 중, 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량이 5중량% 미만이므로, 산 및 알칼리 중 어느 쪽의 존재 하에서도, 니켈을 포함하는 도전층의 부식을 억제할 수 있다.The conductive particle according to the present invention is provided with a substrate particle and a conductive layer that is disposed on the surface of the substrate particle and contains nickel, and the conductive layer containing nickel is at least one of nickel, tin, and indium. It is an alloy layer containing one type, and the average total content of tin and indium is less than 5% by weight in 100% by weight of the area from the outer surface to the inside of the nickel-containing conductive layer up to 1/2 of the thickness. , corrosion of the conductive layer containing nickel can be suppressed even in the presence of either acid or alkali.

도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 도전성 입자를 도시하는 단면도이다.
도 2는, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 도전성 입자를 도시하는 단면도이다.
도 3은, 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 도전성 입자를 도시하는 단면도이다.
도 4의 (a) 및 (b)는, 니켈을 포함하는 도전층에 있어서, 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량을 구하는 각 영역을 설명하기 위한 모식도이다.
도 5는, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 도전성 입자를 사용한 접속 구조체를 모식적으로 도시하는 정면 단면도이다.
1 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a first embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a second embodiment of the present invention.
Fig. 3 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a third embodiment of the present invention.
Figures 4 (a) and (b) are schematic diagrams for explaining each region in which the average total content of tin and indium is calculated in the conductive layer containing nickel.
Fig. 5 is a front cross-sectional view schematically showing a bonded structure using conductive particles according to the first embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 상세를 설명한다.Hereinafter, the details of the present invention will be described.

(도전성 입자)(Conductive particles)

본 발명에 따른 도전성 입자는, 기재 입자와, 해당 기재 입자의 표면 상에 배치되어 있고, 또한 니켈을 포함하는 도전층을 구비한다.The electroconductive particle which concerns on this invention is arrange|positioned on the surface of a substrate particle and this substrate particle, and is provided with the conductive layer which contains nickel.

또한, 본 발명에 따른 도전성 입자에서는, 상기 니켈을 포함하는 도전층은, 니켈과 주석 및 인듐 중 적어도 1종을 포함하는 합금층이다. 본 발명에 따른 도전성 입자에서는, 상기 니켈을 포함하는 도전층의 외표면으로부터 내측을 향하여 두께 1/2까지의 영역의 100중량% 중, 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량이 5중량% 미만이다.In addition, in the conductive particles according to the present invention, the conductive layer containing nickel is an alloy layer containing nickel and at least one type of tin and indium. In the conductive particle according to the present invention, the total average content of tin and indium in 100% by weight of the area from the outer surface of the conductive layer containing nickel to 1/2 the thickness toward the inside is less than 5% by weight.

도전성 입자는, 대기 중의 산성 가스 또는 알칼리성 가스나, 도전 재료에 포함되는 도전성 입자 이외의 산성 성분 또는 알칼리 성분 등에 의해, 산 또는 알칼리의 조건에 노출되는 경우가 있다.Conductive particles may be exposed to acid or alkali conditions due to acidic gas or alkaline gas in the atmosphere or acidic or alkaline components other than the conductive particles contained in the electrically conductive material.

본 발명에 따른 도전성 입자에 있어서의 상술한 구성의 채용에 의해, 산 및 알칼리 중 어느 쪽의 존재 하에서도, 니켈을 포함하는 도전층의 부식을 억제할 수 있다. 상기 도전성 입자가 산 또는 알칼리의 존재 하에 노출되어도, 니켈을 포함하는 도전층의 부식이 발생하기 어려운 점에서, 도전성 입자로서의 성능을 높게 유지할 수 있다. 본 발명에서는, 산의 존재 하에서도, 니켈을 포함하는 도전층의 부식을 억제하면서, 또한 알칼리의 존재 하에서 니켈을 포함하는 도전층의 부식을 억제할 수 있다.By employing the above-described structure in the conductive particles according to the present invention, corrosion of the conductive layer containing nickel can be suppressed even in the presence of either acid or alkali. Even if the conductive particles are exposed to the presence of an acid or alkali, corrosion of the conductive layer containing nickel is unlikely to occur, so the performance as the conductive particles can be maintained high. In the present invention, corrosion of the conductive layer containing nickel can be suppressed even in the presence of an acid, and corrosion of the conductive layer containing nickel can also be suppressed in the presence of an alkali.

또한, 니켈을 포함하는 도전층의 부식을 억제할 수 있기 때문에, 본 발명에 따른 도전성 입자에 의해 전극 사이를 전기적으로 접속하여 접속 구조체를 얻은 경우에, 전극 사이를 접속하기 전의 도전성 입자가 산 또는 알칼리의 존재 하에 노출되어도, 접속 저항을 낮게 유지할 수 있다. 또한, 니켈을 포함하는 도전층의 부식을 억제할 수 있기 때문에, 상기 접속 구조체가 산 또는 알칼리의 존재 하에 노출되어도, 접속 저항을 낮게 유지할 수 있다.In addition, since corrosion of the conductive layer containing nickel can be suppressed, when a bonded structure is obtained by electrically connecting electrodes using the conductive particles according to the present invention, the conductive particles before connecting the electrodes are acid or Even when exposed to the presence of alkali, connection resistance can be kept low. Moreover, since corrosion of the conductive layer containing nickel can be suppressed, the connection resistance can be kept low even if the connection structure is exposed to the presence of acid or alkali.

또한, 본 발명에 따른 도전성 입자에 있어서의 상술한 구성의 채용에 의해, 고습 하에서의 전극 사이의 접속 신뢰성도 높일 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 도전성 입자에 있어서의 상술한 구성의 채용에 의해, 도전성 입자의 응집을 억제할 수 있다. 도전성 입자의 응집을 억제함으로써도, 전극 사이의 접속 저항을 효과적으로 낮게 할 수 있다.Furthermore, by employing the above-described structure in the conductive particles according to the present invention, the reliability of the connection between electrodes under high humidity can also be improved. Furthermore, by employing the above-described structure in the conductive particles according to the present invention, aggregation of the conductive particles can be suppressed. By suppressing the aggregation of conductive particles, the connection resistance between electrodes can be effectively lowered.

또한, 본 발명에 따른 도전성 입자에서는, 니켈을 포함하는 도전층이 주석 및 인듐 중 적어도 1종을 포함하기 때문에, 니켈의 강한 자성을 억제할 수 있어, 자성에 의한 응집을 억제하는 효과가 얻어진다. 이로 인해, 전극 상에 복수의 도전성 입자를 효율적으로 배치시킬 수 있다. 따라서, 전극 사이를 전기적으로 접속한 경우에, 전극 사이의 접속 신뢰성 및 도통 신뢰성을 보다 한층 높일 수 있다. 또한, 접속되어서는 안 되는 가로 방향에 인접하는 전극 사이의 전기적인 접속을 방지할 수 있고, 절연 신뢰성을 보다 한층 높일 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 도전성 입자는 니켈을 포함하는 도전층의 외표면으로부터 내측을 향하여 두께 1/2까지의 영역의 100중량% 중의 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량이 5중량% 미만이기 때문에, 도전층이 취화되기 어려워, 산 또는 알칼리의 존재 하에 있어서의 도전층의 부식이 발생하기 어려우므로, 도전층의 부식 반응에 수반하는 도전성 입자의 응집도 억제할 수 있다.In addition, in the conductive particle according to the present invention, since the conductive layer containing nickel contains at least one kind of tin and indium, the strong magnetism of nickel can be suppressed, and the effect of suppressing agglomeration due to magnetism is obtained. . For this reason, a plurality of conductive particles can be efficiently disposed on the electrode. Therefore, when the electrodes are electrically connected, the connection reliability and conduction reliability between the electrodes can be further improved. Additionally, electrical connection between adjacent electrodes in the horizontal direction that should not be connected can be prevented, and insulation reliability can be further improved. In addition, in the conductive particles according to the present invention, the average content of the total of tin and indium in 100% by weight of the area from the outer surface of the conductive layer containing nickel to the inner side up to 1/2 of the thickness is less than 5% by weight, Since the conductive layer is unlikely to become embrittled and corrosion of the conductive layer in the presence of an acid or alkali is unlikely to occur, aggregation of conductive particles accompanying a corrosion reaction of the conductive layer can also be suppressed.

전극 사이의 접속 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서, 니켈을 포함하는 도전층의 전체 100중량% 중, 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량은 바람직하게는 1중량% 이상, 보다 바람직하게는 2중량% 이상, 바람직하게는 5중량% 이하, 보다 바람직하게는 5중량% 미만이다.From the viewpoint of further improving the reliability of the connection between electrodes, the average total content of tin and indium in the total 100% by weight of the conductive layer containing nickel is preferably 1% by weight or more, more preferably 2% by weight or more. , Preferably it is 5% by weight or less, more preferably less than 5% by weight.

또한, 니켈을 포함하는 도전층의 전체 100중량% 중, 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량이 5중량% 이하인 경우에는, 도전층이 취화되기 어려운 경향이 있다. 따라서, 니켈을 포함하는 도전층의 전체 100중량% 중, 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량이 5중량% 이하인 경우에는, 산 또는 알칼리의 존재 하에 있어서의 도전층의 부식이 보다 한층 발생하기 어려워져, 산 또는 알칼리의 존재 하에 노출된 후의 접속 저항을 보다 한층 효과적으로 낮게 유지할 수 있다. 또한 니켈을 포함하는 도전층의 전체 100중량% 중, 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량이 5중량% 이하인 경우에는, 도전층의 비저항이 상승하기 어려운 경향이 있고, 또한 전극 사이의 접속 시의 압축에 의한 도전층의 깨짐도 발생하기 어려워지기 때문에, 접속 저항을 보다 한층 효과적으로 낮게 유지할 수 있다.Additionally, when the total average content of tin and indium is 5% by weight or less among the total 100% by weight of the conductive layer containing nickel, the conductive layer tends to be difficult to embrittle. Therefore, when the total average content of tin and indium in the total 100% by weight of the conductive layer containing nickel is 5% by weight or less, corrosion of the conductive layer in the presence of acid or alkali becomes more difficult to occur. , the connection resistance after exposure to the presence of acid or alkali can be kept low more effectively. Additionally, when the total average content of tin and indium is 5% by weight or less out of the total 100% by weight of the conductive layer containing nickel, the resistivity of the conductive layer tends to be difficult to increase, and compression occurs when connecting electrodes. Since cracking of the conductive layer is less likely to occur, the connection resistance can be kept low more effectively.

기재 입자와 니켈을 포함하는 도전층의 밀착성을 보다 한층 높이고, 전극 사이의 접속 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서, 니켈을 포함하는 도전층의 내표면으로부터 외측을 향하여 두께 1/2까지의 영역(R1)의 100중량% 중, 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량은 바람직하게는 5중량% 이하, 보다 바람직하게는 5중량% 미만, 더욱 바람직하게는 3중량% 이하, 특히 바람직하게는 2중량% 이하이다. 상기 영역(R1)은 도 4의 (a)에 있어서, 니켈을 포함하는 도전층(3)의 파선 L1보다도 내측의 영역이다.From the viewpoint of further improving the adhesion between the substrate particles and the nickel-containing conductive layer and further improving the connection reliability between electrodes, the region (R1) extending from the inner surface of the nickel-containing conductive layer outward to 1/2 the thickness ), the average content of the total of tin and indium in 100% by weight is preferably 5% by weight or less, more preferably less than 5% by weight, further preferably 3% by weight or less, especially preferably 2% by weight or less. am. The region R1 is a region inside the broken line L1 of the conductive layer 3 containing nickel in Fig. 4(a).

니켈을 포함하는 도전층의 외표면으로부터 내측을 향하여 두께 1/2까지의 영역(R2)의 100중량% 중, 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량이 5중량% 미만이다. 전극 사이의 접속 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서, 니켈을 포함하는 도전층의 전체 100중량% 중, 니켈을 포함하는 도전층의 외표면으로부터 내측을 향하여 두께 1/2까지의 영역(R2)의 100중량% 중, 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량은 바람직하게는 3중량% 이하, 보다 바람직하게는 2중량% 이하이다. 상기 영역(R2)은 도 4의 (a)에 있어서, 니켈을 포함하는 도전층(3)의 파선 L1보다도 외측의 영역이다.The total average content of tin and indium in 100% by weight of the region R2 from the outer surface of the conductive layer containing nickel to 1/2 the thickness inward is less than 5% by weight. From the viewpoint of further improving the reliability of the connection between electrodes, out of the total 100% by weight of the nickel-containing conductive layer, 100% of the region (R2) from the outer surface of the nickel-containing conductive layer toward the inside to 1/2 the thickness. The average total content of tin and indium in weight% is preferably 3% by weight or less, more preferably 2% by weight or less. The region R2 is a region outside the broken line L1 of the conductive layer 3 containing nickel in Fig. 4(a).

상기 영역(R1)에 있어서의 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량은, 상기 영역(R2)에 있어서의 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량보다도 적어도 되고, 상기 영역(R2)에 있어서의 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량과 동일해도 되고, 상기 영역(R2)에 있어서의 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량보다도 많아도 된다.The total average content of tin and indium in the region R1 is less than the total average content of tin and indium in the region R2, and the total average content of tin and indium in the region R2 is It may be equal to the total average content, or may be greater than the total average content of tin and indium in the region R2.

기재 입자와 니켈을 포함하는 도전층의 밀착성을 보다 한층 높이고, 전극 사이의 접속 신뢰성을 보다 한층 높이고, 또한 도전성 입자의 산 또는 알칼리에 의한 부식을 보다 한층 억제하는 관점에서, 상기 영역(R1)에 있어서의 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량은, 상기 영역(R2)에 있어서의 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량보다도 적은 것이 바람직하다.From the viewpoint of further improving the adhesion between the base particles and the conductive layer containing nickel, further improving the reliability of the connection between the electrodes, and further suppressing corrosion of the conductive particles due to acid or alkali, the region R1 The total average content of tin and indium is preferably smaller than the total average content of tin and indium in the region R2.

기재 입자와 니켈을 포함하는 도전층의 밀착성을 보다 한층 높이고, 전극 사이의 접속 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서, 니켈을 포함하는 도전층의 외표면으로부터 내측을 향하여 두께 1/4까지의 영역(R3)의 100중량% 중, 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량은 바람직하게는 20중량% 이하, 보다 바람직하게는 10중량% 이하이다. 상기 영역(R3)은 도 4의 (b)에 있어서, 니켈을 포함하는 도전층(3)의 파선 L2보다도 외측의 영역이다.From the viewpoint of further improving the adhesion between the substrate particles and the nickel-containing conductive layer and further improving the connection reliability between electrodes, the area from the outer surface of the nickel-containing conductive layer toward the inside up to 1/4 of the thickness (R3 ), the average total content of tin and indium is preferably 20% by weight or less, more preferably 10% by weight or less. The region R3 is a region outside the broken line L2 of the conductive layer 3 containing nickel in Fig. 4(b).

기재 입자와 니켈을 포함하는 도전층의 밀착성을 보다 한층 높이고, 전극 사이의 접속 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서, 니켈을 포함하는 도전층의 외표면으로부터 내측을 향하여 두께 1/4의 위치에서 두께 1/2의 위치까지 사이의 영역(R4)의 100중량% 중, 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량은 바람직하게는 10중량% 이하, 보다 바람직하게는 1중량% 이하이다. 상기 영역(R4)은 도 4의 (b)에 있어서, 니켈을 포함하는 도전층(3)의 파선 L1과 파선 L2 사이의 영역이다.From the viewpoint of further improving the adhesion between the substrate particles and the nickel-containing conductive layer and further improving the connection reliability between electrodes, thickness 1 is applied at a position of 1/4 of the thickness toward the inside from the outer surface of the nickel-containing conductive layer. The average total content of tin and indium in 100% by weight of the region R4 up to the /2 position is preferably 10% by weight or less, more preferably 1% by weight or less. The region R4 is a region between the broken line L1 and the broken line L2 of the conductive layer 3 containing nickel in Fig. 4(b).

기재 입자와 니켈을 포함하는 도전층의 밀착성을 보다 한층 높이고, 전극 사이의 접속 신뢰성을 보다 한층 높이고, 또한 도전성 입자의 산 또는 알칼리에 의한 부식을 보다 한층 억제하는 관점에서, 상기 영역(R3)에 있어서의 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량은, 상기 영역(R4)에 있어서의 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량보다도 많은 것이 바람직하다.From the viewpoint of further improving the adhesion between the base particles and the conductive layer containing nickel, further improving the reliability of the connection between the electrodes, and further suppressing corrosion of the conductive particles due to acid or alkali, the region R3 The total average content of tin and indium is preferably greater than the total average content of tin and indium in the region R4.

상기 영역(R3)에 있어서는, 상기 영역(R3)을 전체로서 보았을 때에, 주석과 인듐이 균일하게 분포하고 있지 않은 경우가 있다. 상기 영역(R3)은, 주석과 인듐의 합계의 함유량이 비교적 많은 부분과 주석과 인듐의 합계의 함유량이 비교적 적은 부분을 갖는 경우가 있다. 상기 영역(R3)에서는, 주석과 인듐의 합계의 함유량에 변동이 보이는 경우가 있다. 기재 입자와 니켈을 포함하는 도전층의 밀착성을 보다 한층 높이고, 전극 사이의 접속 신뢰성을 보다 한층 높이고, 또한 도전성 입자의 산 또는 알칼리에 의한 부식을 보다 한층 억제하는 관점에서, 상기 영역(R3)의 100중량% 중, 주석과 인듐의 합계의 함유량의 최댓값은 바람직하게는 5중량% 이상, 보다 바람직하게는 10중량% 이상이고, 바람직하게는 50중량% 이하, 보다 바람직하게는 45중량% 이하이다. 상기 주석과 인듐의 합계의 함유량의 최댓값은, 상기 영역(R3) 내에서의, 주석과 인듐의 합계의 함유량이 가장 많은 위치에서의 함유량을 나타낸다.In the region R3, there are cases where tin and indium are not uniformly distributed when the region R3 is viewed as a whole. The region R3 may have a portion where the total content of tin and indium is relatively high and a portion where the total content of tin and indium is relatively low. In the region R3, there may be a change in the total content of tin and indium. From the viewpoint of further improving the adhesion between the base particles and the conductive layer containing nickel, further improving the reliability of the connection between the electrodes, and further suppressing corrosion of the conductive particles due to acid or alkali, the region R3 The maximum value of the total content of tin and indium in 100% by weight is preferably 5% by weight or more, more preferably 10% by weight or more, preferably 50% by weight or less, more preferably 45% by weight or less. . The maximum value of the total content of tin and indium represents the content at the position in the region R3 where the total content of tin and indium is the highest.

상기 영역(R3)의 100중량% 중, 주석과 인듐의 합계의 함유량의 최댓값은 이하와 같이 하여 측정할 수 있다.The maximum value of the total content of tin and indium in 100% by weight of the region R3 can be measured as follows.

집속 이온빔을 사용하여, 얻어진 도전성 입자의 박막 절편을 제조한다. 전계 방사형 투과 전자 현미경(니혼 덴시사제 「JEM-2010FEF」)을 사용하여, 에너지 분산형 X선 분석 장치(EDS)에 의해, 니켈을 포함하는 도전층의 두께 방향에 있어서의 니켈, 주석 및 인듐의 함유량을 측정함으로써, 니켈을 포함하는 도전층의 두께 방향에 있어서의, 니켈, 주석 및 인듐의 함유량 분포 결과가 얻어진다. 이 결과로부터, 상기 영역(R3)의 100중량% 중의 주석과 인듐의 합계의 함유량의 최댓값을 얻을 수 있다.Using a focused ion beam, a thin film section of the obtained conductive particles is produced. Nickel, tin, and indium in the thickness direction of the conductive layer containing nickel were measured by energy dispersive X-ray spectrometry (EDS) using a field emission transmission electron microscope (“JEM-2010FEF” manufactured by Nippon Electronics). By measuring the content, the content distribution results of nickel, tin, and indium in the thickness direction of the conductive layer containing nickel are obtained. From this result, the maximum value of the total content of tin and indium in 100% by weight of the region R3 can be obtained.

본 발명에 따른 도전성 입자에서는, 상기 니켈을 포함하는 도전층의 융점이 300℃ 이상인 것이 바람직하다. 융점이 300℃ 이상이고, 또한 니켈을 포함하는 도전층은, 일반적으로 주석의 평균 함유량이 적으므로, 일반적으로 땜납이라고 불리는 땜납층과는 상이하고, 융점이 낮은 땜납층과는 상이하다. 상기 니켈을 포함하는 도전층의 융점의 상한은 특별히 한정되지 않는다. 상기 니켈을 포함하는 도전층의 융점은 3000℃ 이하여도 되고, 2000℃ 이하여도 되고, 1000℃ 이하여도 된다. 상기 니켈을 포함하는 도전층의 융점은 400℃ 이상이어도 되고, 500℃ 이상이어도 된다.In the conductive particles according to the present invention, it is preferable that the melting point of the conductive layer containing nickel is 300°C or higher. A conductive layer with a melting point of 300°C or higher and containing nickel generally has a low average content of tin, so it is different from a solder layer generally called solder and different from a solder layer with a low melting point. The upper limit of the melting point of the conductive layer containing nickel is not particularly limited. The melting point of the conductive layer containing nickel may be 3000°C or lower, 2000°C or lower, or 1000°C or lower. The melting point of the conductive layer containing nickel may be 400°C or higher, or 500°C or higher.

접속 저항을 보다 한층 낮게 하고, 전극 사이의 접속 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 도전성 입자를 10% 압축했을 때의 압축 탄성률(10% K값)은, 바람직하게는 10N/㎟ 이상, 보다 바람직하게는 50N/㎟ 이상이고, 바람직하게는 4000N/㎟ 이하, 보다 바람직하게는 3000N/㎟ 이하이다.From the viewpoint of further lowering the connection resistance and further improving the reliability of the connection between electrodes, the compressive elastic modulus (10% K value) when the conductive particles are compressed by 10% is preferably 10 N/mm2 or more, more preferably. Preferably it is 50N/mm2 or more, preferably 4000N/mm2 or less, and more preferably 3000N/mm2 or less.

상기 도전성 입자에 있어서의 상기 압축 탄성률(10% K값)은 이하와 같이 하여 측정할 수 있다.The compressive elastic modulus (10% K value) of the conductive particles can be measured as follows.

미소 압축 시험기를 사용하여, 원기둥(직경 50㎛, 다이아몬드제)의 평활 압자 단부면에서, 25℃, 최대 시험 하중 90mN을 30초간 걸어 부하하는 조건 하에서 도전성 입자를 압축한다. 이때의 하중값(N) 및 압축 변위(mm)를 측정한다. 얻어진 측정값으로부터, 상기 압축 탄성률을 하기 식에 의해 구할 수 있다. 상기 미소 압축 시험기로서, 예를 들어 피셔사제 「피셔 스코프 H-100」 등이 사용된다.Using a micro-compression tester, the conductive particles are compressed on the end surface of a smooth indenter of a cylinder (diameter 50 μm, made of diamond) under the conditions of applying a maximum test load of 90 mN for 30 seconds at 25°C. At this time, measure the load value (N) and compression displacement (mm). From the obtained measured values, the compressive elastic modulus can be obtained by the following equation. As the micro-compression tester, for example, “Fisher Scope H-100” manufactured by Fisher, etc. is used.

K값(N/㎟)=(3/21/2)·F·S-3/2·R-1/2 K value (N/㎟)=(3/2 1/2 )·F·S -3/2 ·R -1/2

F: 도전성 입자가 10% 압축 변형했을 때의 하중값(N)F: Load value (N) when the conductive particles are compressed and deformed by 10%

S: 도전성 입자가 10% 압축 변형했을 때의 압축 변위(mm)S: Compression displacement (mm) when the conductive particles are compressed and deformed by 10%

R: 도전성 입자의 반경(mm)R: Radius of conductive particle (mm)

상기 압축 탄성률은, 도전성 입자의 경도를 보편적이면서도 정량적으로 나타낸다. 상기 압축 탄성률의 사용에 의해, 도전성 입자의 경도를 정량적이면서도 일의적으로 나타낼 수 있다.The compressive elastic modulus universally and quantitatively indicates the hardness of conductive particles. By using the compressive elastic modulus, the hardness of the conductive particles can be expressed quantitatively and uniquely.

도전성 입자의 응집을 보다 한층 억제하여, 전극 사이의 접속 저항을 보다 한층 효과적으로 낮게 하는 관점에서는, 상기 도전성 입자의 부피 저항률은 바람직하게는 0.003Ω·cm 이하이다.From the viewpoint of further suppressing the agglomeration of the conductive particles and effectively lowering the connection resistance between electrodes, the volume resistivity of the conductive particles is preferably 0.003 Ω·cm or less.

이하, 도면을 참조하면서, 본 발명을 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 도전성 입자를 도시하는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a first embodiment of the present invention.

도 1에 도시하는 도전성 입자(1)는, 기재 입자(2)와, 니켈을 포함하는 도전층(3)을 갖는다. 도전층(3)은, 기재 입자(2)의 표면 상에 배치되어 있다. 제1 실시 형태에서는, 도전층(3)은 기재 입자(2)의 표면에 접하고 있다. 도전성 입자(1)는, 기재 입자(2)의 표면이 도전층(3)에 의해 피복된 피복 입자이다.The electroconductive particle 1 shown in FIG. 1 has a substrate particle 2 and a conductive layer 3 containing nickel. The conductive layer 3 is disposed on the surface of the substrate particle 2. In the first embodiment, the conductive layer 3 is in contact with the surface of the substrate particle 2. The electroconductive particle 1 is a coated particle in which the surface of the substrate particle 2 is covered with the conductive layer 3.

도전성 입자(1)에서는, 니켈을 포함하는 도전층(3)은 단층의 도전층이다. 도전성 입자(1)에서는, 니켈을 포함하는 도전층(3)은, 니켈과 주석 및 인듐 중 적어도 1종을 포함하는 합금층이다. 니켈을 포함하는 도전층(3)의 외표면으로부터 내측을 향하여 두께 1/2까지의 영역의 100중량% 중, 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량이 5중량% 미만이다.In the conductive particles 1, the conductive layer 3 containing nickel is a single-layer conductive layer. In the conductive particles 1, the conductive layer 3 containing nickel is an alloy layer containing nickel, at least one type of tin, and indium. In 100% by weight of the area from the outer surface of the conductive layer 3 containing nickel to 1/2 the thickness inward, the average content of the total of tin and indium is less than 5% by weight.

도전성 입자(1)는, 후술하는 도전성 입자(11, 21)와는 상이하고, 코어 물질을 갖지 않는다. 도전성 입자(1)는 표면에 돌기를 갖지 않는다. 도전성 입자(1)는 구상이다. 도전층(3)은 외표면에 돌기를 갖지 않는다. 이와 같이, 본 발명에 따른 도전성 입자는 도전성의 표면에 돌기를 갖고 있지 않아도 되고, 구상이어도 된다. 또한, 도전성 입자(1)는, 후술하는 도전성 입자(11, 21)와는 상이하고, 절연성 물질을 갖지 않는다. 단, 도전성 입자(1)는, 도전층(3)의 외표면 상에 배치된 절연성 물질을 갖고 있어도 된다. 이 경우에, 도전층(3)과 절연성 물질 사이에, 니켈을 포함하지 않는 도전층이 배치되어 있어도 된다.The conductive particles 1 are different from the conductive particles 11 and 21 described later and do not have a core substance. The conductive particles 1 do not have protrusions on the surface. The conductive particles 1 are spherical. The conductive layer 3 has no protrusions on its outer surface. In this way, the conductive particles according to the present invention do not need to have protrusions on the conductive surface and may be spherical. Additionally, the conductive particles 1 are different from the conductive particles 11 and 21 described later and do not contain an insulating material. However, the conductive particles 1 may have an insulating material disposed on the outer surface of the conductive layer 3. In this case, a conductive layer not containing nickel may be disposed between the conductive layer 3 and the insulating material.

도전성 입자(1)에서는, 기재 입자(2)와 니켈을 포함하는 도전층(3)이 접하고 있다. 기재 입자와 니켈을 포함하는 도전층 사이에는, 니켈을 포함하지 않는 도전층이 배치되어 있어도 되고, 니켈을 포함하는 도전층의 외표면 상에, 니켈을 포함하지 않는 도전층이 배치되어 있어도 된다.In the electroconductive particle 1, the substrate particle 2 and the conductive layer 3 containing nickel are in contact with each other. A conductive layer not containing nickel may be disposed between the substrate particles and the conductive layer containing nickel, and a conductive layer not containing nickel may be disposed on the outer surface of the conductive layer containing nickel.

도 2는, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 도전성 입자를 도시하는 단면도이다.Fig. 2 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a second embodiment of the present invention.

도 2에 도시하는 도전성 입자(11)는, 기재 입자(2)와, 니켈을 포함하는 도전층(12)과, 복수의 코어 물질(13)과, 복수의 절연성 물질(14)을 갖는다. 니켈을 포함하는 도전층(12)은, 기재 입자(2)의 표면 상에서 기재 입자(2)에 접하도록 배치되어 있다.The electroconductive particle 11 shown in FIG. 2 has a substrate particle 2, a conductive layer 12 containing nickel, a plurality of core materials 13, and a plurality of insulating materials 14. The conductive layer 12 containing nickel is arranged so as to contact the substrate particle 2 on the surface of the substrate particle 2.

도전성 입자(11)에서는, 니켈을 포함하는 도전층(12)은 단층의 도전층이다. 도전성 입자(11)에서는, 니켈을 포함하는 도전층(12)은, 니켈과 주석 및 인듐 중 적어도 1종을 포함하는 합금층이다. 니켈을 포함하는 도전층(12)의 외표면으로부터 내측을 향하여 두께 1/2까지의 영역의 100중량% 중, 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량이 5중량% 미만이다.In the conductive particles 11, the conductive layer 12 containing nickel is a single-layer conductive layer. In the conductive particles 11, the conductive layer 12 containing nickel is an alloy layer containing nickel and at least one of tin and indium. The total average content of tin and indium in 100% by weight of the area from the outer surface to the inside of the nickel-containing conductive layer 12 up to 1/2 of the thickness is less than 5% by weight.

도전성 입자(11)는 도전성의 표면에, 복수의 돌기(11a)를 갖는다. 니켈을 포함하는 도전층(12)은 외표면에, 복수의 돌기(12a)를 갖는다. 복수의 코어 물질(13)이, 기재 입자(2)의 표면 상에 배치되어 있다. 복수의 코어 물질(13)은 니켈을 포함하는 도전층(12) 내에 매립되어 있다. 코어 물질(13)은 돌기(11a, 12a)의 내측에 배치되어 있다. 니켈을 포함하는 도전층(12)은, 복수의 코어 물질(13)을 피복하고 있다. 복수의 코어 물질(13)에 의해 니켈을 포함하는 도전층(12)의 외표면이 융기되어 있어, 돌기(11a, 12a)가 형성되어 있다.The conductive particles 11 have a plurality of protrusions 11a on the conductive surface. The conductive layer 12 containing nickel has a plurality of protrusions 12a on its outer surface. A plurality of core materials 13 are arranged on the surface of the substrate particles 2. A plurality of core materials 13 are embedded in a conductive layer 12 containing nickel. The core material 13 is disposed inside the protrusions 11a and 12a. The conductive layer 12 containing nickel covers a plurality of core materials 13. The outer surface of the conductive layer 12 containing nickel is raised by the plurality of core materials 13, and projections 11a and 12a are formed.

도전성 입자(11)는, 니켈을 포함하는 도전층(12)의 외표면 상에 배치된 절연성 물질(14)을 갖는다. 니켈을 포함하는 도전층(12)의 외표면의 적어도 일부의 영역이, 절연성 물질(14)에 의해 피복되어 있다. 절연성 물질(14)은 절연성을 갖는 재료에 의해 형성되어 있고, 절연성 입자이다. 이와 같이, 본 발명에 따른 도전성 입자는, 도전층의 외표면 상에 배치된 절연성 물질을 갖고 있어도 된다. 단, 본 발명에 따른 도전성 입자는, 절연성 물질을 반드시 갖고 있지는 않아도 된다.The conductive particles 11 have an insulating material 14 disposed on the outer surface of the conductive layer 12 containing nickel. At least a portion of the outer surface of the conductive layer 12 containing nickel is covered with the insulating material 14. The insulating material 14 is formed of an insulating material and is an insulating particle. In this way, the conductive particles according to the present invention may have an insulating substance disposed on the outer surface of the conductive layer. However, the conductive particles according to the present invention do not necessarily have to have an insulating substance.

도 3은, 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 도전성 입자를 도시하는 단면도이다.Fig. 3 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a third embodiment of the present invention.

도 3에 도시하는 도전성 입자(21)는, 기재 입자(2)와, 니켈을 포함하는 도전층(22)과, 복수의 코어 물질(13)과, 복수의 절연성 물질(14)을 갖는다. 니켈을 포함하는 도전층(22)은 전체로, 기재 입자(2)측에 제1 도전층(22A)과, 기재 입자(2)측과는 반대측에 제2 도전층(22B)을 갖는다.The electroconductive particle 21 shown in FIG. 3 has a substrate particle 2, a conductive layer 22 containing nickel, a plurality of core materials 13, and a plurality of insulating materials 14. The conductive layer 22 containing nickel as a whole has a first conductive layer 22A on the substrate particle 2 side, and a second conductive layer 22B on the opposite side to the substrate particle 2 side.

도전성 입자(11)와 도전성 입자(21)는, 도전층만이 상이하다. 즉, 도전성 입자(11)에서는, 1층 구조의 도전층(12)이 형성되어 있는 것에 반해, 도전성 입자(21)에서는, 2층 구조의 제1 도전층(22A) 및 제2 도전층(22B)이 형성되어 있다. 제1 도전층(22A)과 제2 도전층(22B)은 다른 도전층으로서 형성되어 있다.The conductive particles 11 and 21 differ only in their conductive layers. That is, in the conductive particles 11, a conductive layer 12 with a single-layer structure is formed, whereas in the conductive particles 21, a first conductive layer 22A and a second conductive layer 22B with a two-layer structure are formed. ) is formed. The first conductive layer 22A and the second conductive layer 22B are formed as different conductive layers.

제1 도전층(22A)은, 기재 입자(2)의 표면 상에 배치되어 있다. 기재 입자(2)와 제2 도전층(22B) 사이에, 제1 도전층(22A)이 배치되어 있다. 제1 도전층(22A)은 기재 입자(2)에 접하고 있다. 제2 도전층(22B)은 제1 도전층(22A)에 접하고 있다. 따라서, 기재 입자(2)의 표면 상에 제1 도전층(22A)이 배치되어 있고, 제1 도전층(22A)의 표면 상에 제2 도전층(22B)이 배치되어 있다. 도전성 입자(21)는 도전성의 표면에, 복수의 돌기(21a)를 갖는다. 도전층(22)은 외표면에 복수의 돌기(22a)를 갖는다. 제1 도전층(22A)은 외표면에, 복수의 돌기(22Aa)를 갖는다. 제2 도전층(22B)은 외표면에, 복수의 돌기(22Ba)를 갖는다.22A of 1st conductive layers are arrange|positioned on the surface of the substrate particle 2. The first conductive layer 22A is disposed between the substrate particles 2 and the second conductive layer 22B. The first conductive layer 22A is in contact with the substrate particle 2. The second conductive layer 22B is in contact with the first conductive layer 22A. Therefore, the first conductive layer 22A is disposed on the surface of the substrate particle 2, and the second conductive layer 22B is disposed on the surface of the first conductive layer 22A. The conductive particles 21 have a plurality of protrusions 21a on the conductive surface. The conductive layer 22 has a plurality of protrusions 22a on its outer surface. The first conductive layer 22A has a plurality of protrusions 22Aa on its outer surface. The second conductive layer 22B has a plurality of protrusions 22Ba on its outer surface.

도전성 입자(21)에서는, 니켈을 포함하는 도전층(22)은 2층의 도전층이다. 도전성 입자(21)에서는, 니켈을 포함하는 도전층(22)은, 니켈과 주석 및 인듐 중 적어도 1종을 포함하는 합금층이다. 따라서, 제1 도전층(22A) 및 제2 도전층(22B)은 각각, 니켈과 주석 및 인듐 중 적어도 1종을 포함하는 합금층이다. 니켈을 포함하는 도전층(22)의 외표면으로부터 내측을 향하여 두께 1/2까지의 영역의 100중량% 중, 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량이 5중량% 미만이다.In the conductive particles 21, the conductive layer 22 containing nickel is a two-layer conductive layer. In the conductive particles 21, the conductive layer 22 containing nickel is an alloy layer containing nickel, at least one of tin, and indium. Accordingly, the first conductive layer 22A and the second conductive layer 22B are each an alloy layer containing at least one of nickel, tin, and indium. The total average content of tin and indium in 100% by weight of the area from the outer surface to the inside of the nickel-containing conductive layer 22 up to 1/2 of the thickness is less than 5% by weight.

이하, 도전성 입자의 다른 상세에 대하여 설명한다.Hereinafter, other details of the conductive particles will be described.

(기재 입자)(base particle)

상기 기재 입자로서는 수지 입자, 금속 입자를 제외한 무기 입자, 유기 무기 하이브리드 입자 및 금속 입자 등을 들 수 있다. 상기 기재 입자는, 금속 입자를 제외한 기재 입자인 것이 바람직하고, 수지 입자, 금속 입자를 제외한 무기 입자 또는 유기 무기 하이브리드 입자인 것이 보다 바람직하다. 상기 기재 입자는, 코어와, 해당 코어의 표면 상에 배치된 셸을 갖고 있어도 되고, 코어 셸 입자여도 된다. 상기 코어가 유기 코어여도 되고, 상기 셸이 무기 셸이어도 된다.Examples of the substrate particles include resin particles, inorganic particles excluding metal particles, organic-inorganic hybrid particles, and metal particles. It is preferable that the said substrate particle is a substrate particle excluding a metal particle, and it is more preferable that it is a resin particle, an inorganic particle except a metal particle, or an organic-inorganic hybrid particle. The substrate particle may have a core and a shell disposed on the surface of the core, or may be a core-shell particle. The core may be an organic core, and the shell may be an inorganic shell.

상기 기재 입자는, 수지 입자 또는 유기 무기 하이브리드 입자인 것이 더욱 바람직하고, 수지 입자여도 되고, 유기 무기 하이브리드 입자여도 된다. 상기 도전성 입자를 사용하여 전극 사이를 접속할 때에는, 상기 도전성 입자를 전극 사이에 배치한 후, 압착함으로써 상기 도전성 입자를 압축시킨다. 상기 기재 입자가 수지 입자 또는 유기 무기 하이브리드 입자이면, 상기 압착 시에 상기 도전성 입자가 변형되기 쉽고, 도전성 입자와 전극의 접촉 면적이 커진다. 이로 인해, 전극 사이의 도통 신뢰성을 보다 한층 높일 수 있다.The substrate particles are more preferably resin particles or organic-inorganic hybrid particles, and may be resin particles or organic-inorganic hybrid particles. When connecting electrodes using the conductive particles, the conductive particles are placed between the electrodes and then compressed by pressing. If the substrate particles are resin particles or organic-inorganic hybrid particles, the conductive particles are likely to be deformed during compression, and the contact area between the conductive particles and the electrode increases. For this reason, the reliability of conduction between electrodes can be further improved.

상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지로서, 여러 가지 유기물이 적합하게 사용된다. 상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리이소부틸렌, 폴리부타디엔 등의 폴리올레핀 수지; 폴리메틸메타크릴레이트 및 폴리메틸아크릴레이트 등의 아크릴 수지; 폴리카르보네이트, 폴리아미드, 페놀 포름알데히드 수지, 멜라민 포름알데히드 수지, 벤조구아나민 포름알데히드 수지, 요소 포름알데히드 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지, 벤조구아나민 수지, 요소 수지, 에폭시 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 포화 폴리에스테르 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리술폰, 폴리페닐렌옥시드, 폴리아세탈, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르술폰, 디비닐벤젠 중합체 및 디비닐벤젠계 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 디비닐벤젠계 공중합체 등으로서는, 디비닐벤젠-스티렌 공중합체 및 디비닐벤젠-(메트)아크릴산에스테르 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 수지 입자의 경도를 적합한 범위로 용이하게 제어할 수 있으므로, 상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지는, 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체를 1종 또는 2종 이상 중합시킨 중합체인 것이 바람직하다.As a resin for forming the resin particles, various organic substances are suitably used. Resins for forming the resin particles include, for example, polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyisobutylene, and polybutadiene; Acrylic resins such as polymethyl methacrylate and polymethyl acrylate; Polycarbonate, polyamide, phenol formaldehyde resin, melamine formaldehyde resin, benzoguanamine formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, phenol resin, melamine resin, benzoguanamine resin, urea resin, epoxy resin, unsaturated polyester. Resin, saturated polyester resin, polyethylene terephthalate, polysulfone, polyphenylene oxide, polyacetal, polyimide, polyamidoimide, polyetheretherketone, polyethersulfone, divinylbenzene polymer and divinylbenzene-based copolymer, etc. can be mentioned. Examples of the divinylbenzene-based copolymer include divinylbenzene-styrene copolymer and divinylbenzene-(meth)acrylic acid ester copolymer. Since the hardness of the resin particles can be easily controlled to an appropriate range, the resin for forming the resin particles is preferably a polymer obtained by polymerizing one or two or more types of polymerizable monomers having an ethylenically unsaturated group.

상기 수지 입자를, 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체를 중합시켜서 얻는 경우, 상기 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체로서는, 비가교성의 단량체와 가교성의 단량체를 들 수 있다.When the resin particles are obtained by polymerizing a polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group, examples of the polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group include non-crosslinkable monomers and crosslinkable monomers.

상기 비가교성의 단량체로서는, 예를 들어 스티렌, α-메틸스티렌 등의 스티렌계 단량체; (메트)아크릴산, 말레산, 무수 말레산 등의 카르복실기 함유 단량체; 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 세틸(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트 등의 알킬(메트)아크릴레이트 화합물; 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 글리세롤(메트)아크릴레이트, 폴리옥시에틸렌(메트)아크릴레이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등의 산소 원자 함유 (메트)아크릴레이트 화합물; (메트)아크릴로니트릴 등의 니트릴 함유 단량체; 메틸비닐에테르, 에틸비닐에테르, 프로필비닐에테르 등의 비닐에테르 화합물; 아세트산비닐, 부티르산비닐, 라우르산비닐, 스테아르산비닐 등의 산비닐에스테르 화합물; 에틸렌, 프로필렌, 이소프렌, 부타디엔 등의 불포화 탄화수소; 트리플루오로메틸(메트)아크릴레이트, 펜타플루오로에틸(메트)아크릴레이트, 염화비닐, 불화비닐, 클로로스티렌 등의 할로겐 함유 단량체 등을 들 수 있다.Examples of the non-crosslinkable monomer include styrene-based monomers such as styrene and α-methylstyrene; Carboxyl group-containing monomers such as (meth)acrylic acid, maleic acid, and maleic anhydride; Methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, propyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, lauryl (meth)acrylate, cetyl (meth) Alkyl (meth)acrylate compounds such as acrylate, stearyl (meth)acrylate, cyclohexyl (meth)acrylate, and isobornyl (meth)acrylate; oxygen atom-containing (meth)acrylate compounds such as 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, glycerol (meth)acrylate, polyoxyethylene (meth)acrylate, and glycidyl (meth)acrylate; Nitrile-containing monomers such as (meth)acrylonitrile; Vinyl ether compounds such as methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether, and propyl vinyl ether; Acid vinyl ester compounds such as vinyl acetate, vinyl butyrate, vinyl laurate, and vinyl stearate; Unsaturated hydrocarbons such as ethylene, propylene, isoprene, and butadiene; and halogen-containing monomers such as trifluoromethyl (meth)acrylate, pentafluoroethyl (meth)acrylate, vinyl chloride, vinyl fluoride, and chlorostyrene.

상기 가교성의 단량체로서는, 예를 들어 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 글리세롤트리(메트)아크릴레이트, 글리세롤디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)테트라메틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등의 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물; 트리알릴(이소)시아누레이트, 트리알릴트리멜리테이트, 디비닐벤젠, 디알릴프탈레이트, 디알릴아크릴아미드, 디알릴에테르, γ-(메트)아크릴옥시프로필 트리메톡시실란, 트리메톡시실릴스티렌, 비닐트리메톡시실란 등의 실란 함유 단량체 등을 들 수 있다.Examples of the crosslinkable monomer include tetramethylolmethane tetra(meth)acrylate, tetramethylolmethane tri(meth)acrylate, tetramethylolmethane di(meth)acrylate, and trimethylolpropane tri(meth)acrylate. Latex, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, dipentaerythritol penta(meth)acrylate, glycerol tri(meth)acrylate, glycerol di(meth)acrylate, (poly)ethylene glycol di(meth)acrylate polyfunctional (meth)acrylate compounds such as polyester, (poly)propylene glycol di(meth)acrylate, (poly)tetramethylene glycol di(meth)acrylate, and 1,4-butanediol di(meth)acrylate; Triallyl (iso)cyanurate, triallyl trimellitate, divinylbenzene, diallyl phthalate, diallyl acrylamide, diallyl ether, γ-(meth)acryloxypropyl trimethoxysilane, trimethoxysilyl styrene. and silane-containing monomers such as vinyltrimethoxysilane.

상기 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체를, 공지된 방법에 의해 중합시킴으로써, 상기 수지 입자를 얻을 수 있다. 이 방법으로서는, 예를 들어 라디칼 중합 개시제의 존재 하에서 현탁 중합하는 방법, 및 비가교의 시드 입자를 사용하여 라디칼 중합 개시제와 함께 단량체를 팽윤시켜서 중합하는 방법 등을 들 수 있다.The resin particles can be obtained by polymerizing the polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group by a known method. Examples of this method include a method of performing suspension polymerization in the presence of a radical polymerization initiator, and a method of polymerizing the monomer by swelling it with a radical polymerization initiator using non-crosslinked seed particles.

상기 기재 입자가 금속을 제외한 무기 입자 또는 유기 무기 하이브리드 입자인 경우에는, 기재 입자를 형성하기 위한 무기물로서는 실리카, 알루미나, 티타늄산바륨, 지르코니아 및 카본 블랙 등을 들 수 있다. 상기 무기물은 금속이 아닌 것이 바람직하다. 상기 실리카에 의해 형성된 입자로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 가수 분해성의 알콕시실릴기를 2개 이상 갖는 규소 화합물을 가수분해하여 가교 중합체 입자를 형성한 후에, 필요에 따라 소성을 행함으로써 얻어지는 입자를 들 수 있다. 상기 유기 무기 하이브리드 입자로서는, 예를 들어 가교한 알콕시실릴 중합체와 아크릴 수지에 의해 형성된 유기 무기 하이브리드 입자 등을 들 수 있다.When the substrate particles are inorganic particles other than metal or organic-inorganic hybrid particles, examples of the inorganic materials for forming the substrate particles include silica, alumina, barium titanate, zirconia, and carbon black. It is preferable that the inorganic material is not a metal. The particles formed from the above silica are not particularly limited, but examples include particles obtained by hydrolyzing a silicon compound having two or more hydrolyzable alkoxysilyl groups to form crosslinked polymer particles, and then performing baking as necessary. You can. Examples of the organic-inorganic hybrid particles include organic-inorganic hybrid particles formed of a crosslinked alkoxysilyl polymer and an acrylic resin.

상기 유기 무기 하이브리드 입자는 코어와, 해당 코어의 표면 상에 배치된 셸을 갖는 코어 셸형의 유기 무기 하이브리드 입자인 것이 바람직하다. 상기 코어가 유기 코어인 것이 바람직하다. 상기 셸이 무기 셸인 것이 바람직하다. 전극 사이의 접속 저항을 효과적으로 낮게 하는 관점에서는, 상기 기재 입자는 유기 코어와 상기 유기 코어의 표면 상에 배치된 무기 셸을 갖는 유기 무기 하이브리드 입자인 것이 바람직하다.The organic-inorganic hybrid particles are preferably core-shell type organic-inorganic hybrid particles having a core and a shell disposed on the surface of the core. It is preferred that the core is an organic core. It is preferred that the shell is an inorganic shell. From the viewpoint of effectively lowering the connection resistance between electrodes, it is preferable that the substrate particles are organic-inorganic hybrid particles having an organic core and an inorganic shell disposed on the surface of the organic core.

상기 유기 코어를 형성하기 위한 재료로서는, 상술한 수지 입자를 형성하기 위한 수지 등을 들 수 있다.Materials for forming the organic core include resins for forming the above-mentioned resin particles.

상기 무기 셸을 형성하기 위한 재료로서는, 상술한 기재 입자를 형성하기 위한 무기물을 들 수 있다. 상기 무기 셸을 형성하기 위한 재료는 실리카인 것이 바람직하다. 상기 무기 셸은, 상기 코어의 표면 상에서, 금속 알콕시드를 졸겔법에 의해 셸 형상물로 한 후, 해당 셸 형상물을 소결시킴으로써 형성되어 있는 것이 바람직하다. 상기 금속 알콕시드는 실란 알콕시드인 것이 바람직하다. 상기 무기 셸은 실란 알콕시드에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다.Materials for forming the inorganic shell include inorganic substances for forming the substrate particles described above. The material for forming the inorganic shell is preferably silica. The inorganic shell is preferably formed by forming a metal alkoxide into a shell-like material by a sol-gel method on the surface of the core and then sintering the shell-like material. The metal alkoxide is preferably a silane alkoxide. The inorganic shell is preferably formed of silane alkoxide.

상기 코어의 입경은, 바람직하게는 0.5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1㎛ 이상이고, 바람직하게는 500㎛ 이하, 보다 바람직하게는 100㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 50㎛ 이하, 특히 바람직하게는 20㎛ 이하, 가장 바람직하게는 10㎛ 이하이다. 상기 코어의 입경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 사이의 전기적인 접속에 보다 한층 적합한 도전성 입자가 얻어지고, 기재 입자를 도전성 입자의 용도에 적합하게 사용 가능해진다. 예를 들어, 상기 코어의 입경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 상기 도전성 입자를 사용하여 전극 사이를 접속한 경우에, 도전성 입자와 전극의 접촉 면적이 충분히 커지고, 또한 도전부를 형성할 때에 응집한 도전성 입자를 형성하기 어렵게 할 수 있다. 또한, 도전성 입자를 개재하여 접속된 전극 사이의 간격이 너무 커지지 않고, 또한 도전부를 기재 입자의 표면으로부터 박리하기 어렵게 할 수 있다.The particle diameter of the core is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more, preferably 500 μm or less, more preferably 100 μm or less, further preferably 50 μm or less, particularly preferably 20 μm or less. ㎛ or less, most preferably 10 ㎛ or less. If the particle size of the core is more than the above lower limit and less than the above upper limit, conductive particles more suitable for electrical connection between electrodes are obtained, and the substrate particles can be used suitably for the purpose of the conductive particles. For example, if the particle size of the core is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, when the electrodes are connected using the conductive particles, the contact area between the conductive particles and the electrodes becomes sufficiently large, and aggregation occurs when forming the conductive portion. This can make it difficult to form conductive particles. In addition, the gap between electrodes connected via the conductive particles does not become too large, and it is possible to make it difficult to peel the conductive portion from the surface of the substrate particle.

상기 코어의 입경은, 상기 코어가 진구상인 경우에는 직경을 의미하고, 상기 코어가 진구상 이외의 형상인 경우에는, 최대 직경을 의미한다. 또한, 코어의 입경은, 코어를 임의의 입경 측정 장치에 의해 측정한 평균 입경을 의미한다. 예를 들어, 레이저광 산란, 전기 저항값 변화, 촬상 후의 화상 해석 등의 원리를 사용한 입도 분포 측정기를 이용할 수 있다.The particle diameter of the core means the diameter if the core is spherical, and the maximum diameter if the core has a shape other than a spherical shape. In addition, the particle size of the core means the average particle size of the core measured by an arbitrary particle size measuring device. For example, a particle size distribution measuring device using principles such as laser light scattering, changes in electrical resistance value, and image analysis after imaging can be used.

상기 셸의 두께는, 바람직하게는 100nm 이상, 보다 바람직하게는 200nm 이상이고, 바람직하게는 5㎛ 이하, 보다 바람직하게는 3㎛ 이하이다. 상기 셸의 두께가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 사이의 전기적인 접속에 보다 한층 적합한 도전성 입자가 얻어지고, 기재 입자를 도전성 입자의 용도에 적합하게 사용 가능하게 된다. 상기 셸의 두께는, 기재 입자 1개당의 평균 두께이다. 졸겔법의 제어에 의해, 상기 셸의 두께를 제어 가능하다.The thickness of the shell is preferably 100 nm or more, more preferably 200 nm or more, preferably 5 μm or less, and more preferably 3 μm or less. If the thickness of the shell is more than the lower limit and less than the upper limit, conductive particles more suitable for electrical connection between electrodes are obtained, and the substrate particles can be used suitably for the purpose of the conductive particles. The thickness of the shell is the average thickness per substrate particle. The thickness of the shell can be controlled by controlling the sol-gel method.

상기 기재 입자가 금속 입자인 경우에, 해당 금속 입자의 재료인 금속으로서는 은, 구리, 니켈, 규소, 금 및 티타늄 등을 들 수 있다. 단, 상기 기재 입자는 금속 입자가 아닌 것이 바람직하고, 구리 입자가 아닌 것이 바람직하다.When the substrate particles are metal particles, examples of metals used as materials for the metal particles include silver, copper, nickel, silicon, gold, and titanium. However, it is preferable that the said substrate particle is not a metal particle, and it is preferable that it is not a copper particle.

상기 기재 입자의 입자 직경은, 바람직하게는 0.1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 1.5㎛ 이상, 특히 바람직하게는 2㎛ 이상이고, 바람직하게는 1000㎛ 이하, 보다 바람직하게는 500㎛ 이하, 보다 한층 바람직하게는 300㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 50㎛ 이하, 더욱 한층 바람직하게는 30㎛ 이하, 특히 바람직하게는 5㎛ 이하, 가장 바람직하게는 3㎛ 이하이다. 상기 기재 입자의 입자 직경이 상기 하한 이상이면, 도전성 입자와 전극의 접촉 면적이 커지기 때문에, 전극 사이의 도통 신뢰성을 보다 한층 높일 수 있고, 도전성 입자를 개재하여 접속된 전극 사이의 접속 저항을 보다 한층 낮게 할 수 있다. 또한 기재 입자의 표면에 도전층을 무전해 도금에 의해 형성할 때, 응집한 도전성 입자를 형성하기 어렵게 할 수 있다. 상기 기재 입자의 입자 직경이 상기 상한 이하이면, 도전성 입자가 충분히 압축되기 쉽고, 전극 사이의 접속 저항을 보다 한층 낮게 할 수 있고, 또한 전극 사이의 간격을 보다 작게 할 수 있다.The particle diameter of the substrate particle is preferably 0.1 μm or more, more preferably 1 μm or more, further preferably 1.5 μm or more, particularly preferably 2 μm or more, preferably 1000 μm or less, more preferably is 500 μm or less, more preferably 300 μm or less, further preferably 50 μm or less, even more preferably 30 μm or less, particularly preferably 5 μm or less, and most preferably 3 μm or less. If the particle diameter of the substrate particle is more than the above lower limit, the contact area between the conductive particles and the electrode increases, so the conduction reliability between the electrodes can be further improved, and the connection resistance between the electrodes connected via the conductive particles can be further improved. You can do it low. Additionally, when forming a conductive layer on the surface of a substrate particle by electroless plating, it can be difficult to form aggregated conductive particles. If the particle diameter of the said substrate particle is below the said upper limit, the electroconductive particle is easily compressed enough, the connection resistance between electrodes can be made further lower, and the space between electrodes can be made smaller.

상기 기재 입자의 입자 직경은, 기재 입자가 진구상인 경우에는, 직경을 나타내고, 기재 입자가 진구상이 아닌 경우에는, 최대 직경을 나타낸다.When the substrate particle is spherical, the particle diameter of the substrate particle represents the diameter, and when the substrate particle is not spherical, it represents the maximum diameter.

상기 기재 입자의 입자 직경은 2㎛ 이상, 5㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다. 상기 기재 입자의 입자 직경이 2 내지 5㎛의 범위 내이면, 전극 사이의 간격을 보다 작게 할 수 있고, 또한 도전층의 두께를 두껍게 해도, 작은 도전성 입자를 얻을 수 있다.It is especially preferable that the particle diameter of the said substrate particle is 2 micrometers or more and 5 micrometers or less. If the particle diameter of the substrate particle is within the range of 2 to 5 μm, the space between electrodes can be made smaller, and even if the thickness of the conductive layer is increased, small conductive particles can be obtained.

(도전층)(Challenge floor)

본 발명에 따른 도전성 입자는, 기재 입자와 기재 입자의 표면 상에 배치된 니켈을 포함하는 도전층을 구비한다. 상기 니켈을 포함하는 도전층은, 니켈과 주석 및 인듐 중 적어도 1종을 포함한다. 상기 니켈을 포함하는 도전층의 외표면으로부터 내측을 향하여 두께 1/2까지의 영역의 100중량% 중, 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량이 5중량% 미만이다. 이 니켈을 포함하는 도전층을, 이하의 (도전층)의 란에 있어서, 니켈을 포함하는 도전층을 도전층 X라고 기재하는 경우가 있다. 상기 도전층 X에는, 니켈을 포함하지 않는 도전층은 포함되지 않고, 또한 니켈을 포함하지 않는 도전층 부분은 포함되지 않는다.The electroconductive particle which concerns on this invention is equipped with a conductive layer containing nickel arrange|positioned on the surface of a substrate particle and a substrate particle. The conductive layer containing nickel contains at least one of nickel, tin, and indium. The total average content of tin and indium in 100% by weight of the area from the outer surface to the inside of the nickel-containing conductive layer up to 1/2 of the thickness is less than 5% by weight. This nickel-containing conductive layer may be described as conductive layer X in the (Conductive Layer) column below. The conductive layer

도전성을 효과적으로 높이는 관점에서, 상기 도전층 X의 전체 100중량% 중, 니켈의 평균 함유량은 많을수록 좋다. 따라서, 상기 도전층 X의 전체 100중량% 중, 니켈의 평균 함유량은 바람직하게는 50중량% 이상, 보다 바람직하게는 65중량% 이상, 보다 한층 바람직하게는 70중량% 이상, 더욱 바람직하게는 80중량% 이상, 더욱 한층 바람직하게는 85중량% 이상, 특히 바람직하게는 90중량% 이상, 가장 바람직하게는 95중량% 이상이다. 상기 도전층 X의 전체 100중량% 중, 니켈의 평균 함유량은 바람직하게는 99중량% 이하, 보다 바람직하게는 98중량% 이하, 더욱 바람직하게는 97중량% 이하이다. 니켈의 평균 함유량이 상기 하한 이상이면, 전극 사이의 접속 저항을 보다 한층 낮게 할 수 있다. 또한, 전극이나 도전층의 표면에 있어서의 산화 피막이 적은 경우에는, 니켈의 평균 함유량이 많을수록 전극 사이의 접속 저항이 낮아지는 경향이 있다.From the viewpoint of effectively increasing conductivity, the larger the average content of nickel in the total 100% by weight of the conductive layer X, the better. Therefore, the average content of nickel in the total 100% by weight of the conductive layer It is % by weight or more, more preferably 85% by weight or more, particularly preferably 90% by weight or more, and most preferably 95% by weight or more. The average content of nickel in the total 100% by weight of the conductive layer If the average content of nickel is more than the above lower limit, the connection resistance between electrodes can be further lowered. Additionally, when the oxide film on the surface of the electrode or conductive layer is small, the connection resistance between electrodes tends to decrease as the average content of nickel increases.

상기 니켈을 포함하는 도전층(도전층 X)에 있어서의 니켈, 주석 및 인듐의 각 함유량의 측정 방법은, 기지의 다양한 분석법을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 고주파 유도 결합 플라스마 발광 분광 분석 장치(호리바 세이사꾸쇼사제 「ICP-AES」), 또는 형광 X선 분석 장치(시마즈 세이사쿠쇼사제 「EDX-800HS」) 등을 사용하여 측정할 수 있다.The method of measuring each content of nickel, tin, and indium in the nickel-containing conductive layer (conductive layer It can be measured using a high-frequency inductively coupled plasma emission spectrometer (“ICP-AES” manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd.), a fluorescence X-ray analyzer (“EDX-800HS” manufactured by Shimazu Seisakusho Co., Ltd.), etc.

상기 도전층 X의 두께 방향의 각 영역에서의 니켈, 주석 및 인듐의 각 함유량은, 전계 방사형 투과 전자 현미경(니혼 덴시사제 「JEM-2010FEF」) 등을 사용하여 측정할 수 있다.The respective contents of nickel, tin, and indium in each region in the thickness direction of the conductive layer

상기 도전층 X의 전체의 두께는, 바람직하게는 0.005㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.01㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 0.05㎛ 이상이고, 바람직하게는 1㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.3㎛ 이하이다. 상기 도전층 X의 전체의 두께가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 충분한 도전성을 얻을 수 있고, 또한 도전성 입자가 너무 단단해지지 않아, 전극 사이의 접속 시에 도전성 입자가 충분히 변형될 수 있다.The overall thickness of the conductive layer If the overall thickness of the conductive layer

상기 도전층 X의 전체의 두께는 0.05㎛ 이상, 0.3㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다. 또한, 상기 기재 입자의 입자 직경이 2㎛ 이상, 5㎛ 이하이고, 또한 상기 도전층 X의 전체의 두께가 0.05㎛ 이상, 0.3㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다. 이 경우에는, 도전성 입자를 큰 전류가 흐르는 용도에 보다 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 도전성 입자를 압축하여 전극 사이를 접속한 경우에, 전극이 손상되는 것을 보다 한층 억제할 수 있다.It is particularly preferable that the overall thickness of the conductive layer X is 0.05 μm or more and 0.3 μm or less. Moreover, it is especially preferable that the particle diameter of the said substrate particle is 2 micrometers or more and 5 micrometers or less, and the overall thickness of the said conductive layer X is 0.05 micrometers or more and 0.3 micrometers or less. In this case, the conductive particles can be used more suitably for applications where a large current flows. Additionally, when electrically conductive particles are compressed to connect electrodes, damage to the electrodes can be further prevented.

상기 도전층 X의 두께는, 예를 들어 투과형 전자 현미경(니혼 덴시사제 「JEM-2100」) 등을 사용하여, 도전성 입자의 단면 관찰에 의해 측정할 수 있다.The thickness of the conductive layer

상기 도전층 X는 니켈, 주석 및 인듐 이외의 금속을 포함하고 있어도 된다. 상기 도전층 X에 있어서의 니켈, 주석 및 인듐 이외의 금속으로서는, 예를 들어 금, 은, 구리, 백금, 아연, 철, 납, 알루미늄, 코발트, 팔라듐, 크롬, 시보??, 티타늄, 안티몬, 비스무트, 탈륨, 게르마늄, 카드뮴, 규소, 텅스텐 및 몰리브덴 등을 들 수 있다. 이들 금속은, 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다. 상기 도전층 X에 있어서, 복수의 금속이 포함되는 경우에, 복수의 금속은 합금화되어 있어도 된다.The conductive layer X may contain a metal other than nickel, tin, and indium. Examples of metals other than nickel, tin, and indium in the conductive layer Examples include bismuth, thallium, germanium, cadmium, silicon, tungsten, and molybdenum. As for these metals, only one type may be used, and two or more types may be used together. In the conductive layer X, when a plurality of metals are contained, the plurality of metals may be alloyed.

상기 기재 입자의 표면 상에 상기 도전층 X를 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 도전층을 형성하는 방법으로서는, 예를 들어 무전해 도금에 의한 방법, 전기 도금에 의한 방법, 물리적 증착에 의한 방법, 및 금속 분말 또는 금속 분말과 결합제를 포함하는 페이스트를 기재 입자 또는 다른 도전층의 표면에 코팅하는 방법 등을 들 수 있다. 도전층의 형성이 간편하므로, 무전해 도금에 의한 방법이 바람직하다. 상기 물리적 증착에 의한 방법으로서는 진공 증착, 이온 플레이팅 및 이온 스퍼터링 등의 방법을 들 수 있다.The method of forming the conductive layer X on the surface of the substrate particle is not particularly limited. Methods for forming the conductive layer include, for example, a method using electroless plating, a method using electroplating, a method using physical vapor deposition, and a method using metal powder or a paste containing metal powder and a binder as the base particle or other conductive layer. Examples include a method of coating the surface. Since the formation of the conductive layer is simple, the method using electroless plating is preferable. Examples of the physical vapor deposition method include vacuum deposition, ion plating, and ion sputtering.

상기 도전성 입자의 입자 직경은, 바람직하게는 0.5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1㎛ 이상이고, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 20㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 5㎛ 이하, 특히 바람직하게는 3㎛ 이하이다. 도전성 입자의 입자 직경이 상기 하한 이상 및 상한 이하이면, 상기 도전성 입자를 사용하여 전극 사이를 접속한 경우에, 도전성 입자와 전극의 접촉 면적을 충분히 크게 할 수 있고, 또한 도전층을 형성할 때에 응집한 도전성 입자를 형성하기 어렵게 할 수 있다. 또한, 도전성 입자를 개재하여 접속된 전극 사이의 간격이 너무 커지지 않고, 또한 도전층을 기재 입자의 표면으로부터 박리하기 어렵게 할 수 있다.The particle diameter of the conductive particles is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more, preferably 100 μm or less, more preferably 20 μm or less, further preferably 5 μm or less, especially preferably is 3㎛ or less. If the particle diameter of the conductive particles is more than the above lower limit and less than the upper limit, when connecting electrodes using the above conductive particles, the contact area between the conductive particles and the electrode can be sufficiently increased, and further, they can cohere when forming the conductive layer. This can make it difficult to form conductive particles. In addition, the gap between electrodes connected via the conductive particles does not become too large, and it is possible to make it difficult to peel the conductive layer from the surface of the substrate particles.

상기 도전성 입자의 입자 직경은, 도전성 입자가 진구상인 경우에는, 직경을 나타내고, 도전성 입자가 진구상이 아닌 경우에는, 최대 직경을 나타낸다.The particle diameter of the electroconductive particle indicates the diameter when the electroconductive particle is spherical, and indicates the maximum diameter when the electroconductive particle is not spherical.

상기 도전층 X는 1개의 층에 의해 형성되어 있어도 되고, 복수의 층에 의해 형성되어 있어도 된다. 즉, 상기 도전층 X는 2층 이상의 적층 구조를 갖고 있어도 된다. 상기 도전성 입자는, 상기 도전층 X 이외에, 최외층 등으로서, 금층, 니켈층, 팔라듐층, 구리층, 은층, 또는 주석과 은을 포함하는 합금층을 구비하고 있어도 된다.The conductive layer X may be formed of one layer or may be formed of multiple layers. That is, the conductive layer X may have a laminated structure of two or more layers. In addition to the conductive layer

상기 도전층 X의 각 영역에서의 니켈, 주석 및 인듐의 각 함유량 및 각 평균 함유량을 제어하는 방법으로서는, 예를 들어 무전해 니켈 도금에 의해 도전층 X를 형성할 때, 니켈 도금액의 pH를 제어하는 방법, 니켈 도금액 중의 주석 및 인듐 농도를 조정하는 방법, 및 니켈 도금액 중의 니켈 농도를 조정하는 방법 등을 들 수 있다.As a method of controlling each content and each average content of nickel, tin, and indium in each region of the conductive layer a method of adjusting the concentration of tin and indium in the nickel plating solution, and a method of adjusting the nickel concentration of the nickel plating solution.

무전해 도금에 의해 형성하는 방법에서는, 일반적으로 촉매화 공정과, 무전해 도금 공정이 행해진다. 이하, 무전해 도금에 의해, 수지 입자의 표면에, 니켈을 포함하는 도금층을 형성하는 방법의 일례를 설명한다.In the method of forming by electroless plating, a catalytic process and an electroless plating process are generally performed. Below, an example of a method for forming a plating layer containing nickel on the surface of a resin particle by electroless plating will be described.

상기 촉매화 공정에서는, 무전해 도금에 의해 도금층을 형성하기 위한 기점이 되는 촉매를, 수지 입자의 표면에 형성시킨다.In the catalytic process, a catalyst that serves as a starting point for forming a plating layer by electroless plating is formed on the surface of the resin particle.

상기 촉매를 수지 입자의 표면에 형성시키는 방법으로서는, 예를 들어 염화팔라듐과 염화주석을 포함하는 용액에 수지 입자를 첨가한 후, 산 용액 또는 알칼리 용액에 의해 수지 입자의 표면을 활성화시켜서, 수지 입자의 표면에 팔라듐을 석출시키는 방법, 및 황산팔라듐을 함유하는 용액에 수지 입자를 첨가한 후, 환원제를 포함하는 용액에 의해 수지 입자의 표면을 활성화시켜서, 수지 입자의 표면에 팔라듐을 석출시키는 방법 등을 들 수 있다.As a method of forming the catalyst on the surface of the resin particles, for example, the resin particles are added to a solution containing palladium chloride and tin chloride, and then the surface of the resin particles is activated with an acid solution or an alkaline solution. A method of precipitating palladium on the surface of, and a method of adding resin particles to a solution containing palladium sulfate and then activating the surface of the resin particles with a solution containing a reducing agent to precipitate palladium on the surface of the resin particles, etc. can be mentioned.

상기 무전해 도금 공정에서는, 니켈 함유 화합물, 상기 환원제, 착화제 및 주석 함유 화합물 및 인듐 함유 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 니켈 도금욕이 적합하게 사용된다. 니켈 도금욕 중에 수지 입자를 침지시킴으로써, 촉매가 표면에 형성된 수지 입자의 표면에 니켈을 석출시킬 수 있어, 상기 도전층 X를 형성할 수 있다. 또한, 니켈을 석출시킬 때, 주석 및 인듐 중 적어도 1종을 공석시킴으로써, 니켈과 주석 및 인듐 중 적어도 1종을 포함하는 합금 도금층을 형성할 수 있다.In the electroless plating process, a nickel plating bath containing a nickel-containing compound, the reducing agent, a complexing agent, and at least one of a tin-containing compound and an indium-containing compound is suitably used. By immersing the resin particles in a nickel plating bath, the catalyst can precipitate nickel on the surface of the resin particles formed on the surface, and the conductive layer X can be formed. Additionally, when precipitating nickel, an alloy plating layer containing nickel and at least one type of tin and indium can be formed by co-depositing at least one type of tin and indium.

상기 니켈 함유 화합물로서는, 황산니켈 및 염화니켈 등을 들 수 있다. 상기 니켈 함유 화합물은 니켈염인 것이 바람직하다.Examples of the nickel-containing compound include nickel sulfate and nickel chloride. The nickel-containing compound is preferably a nickel salt.

상기 환원제로서는, 차아인산나트륨, 디메틸아민보란, 수소화붕소나트륨, 수소화붕소칼륨, 히드라진 1수화물, 황산히드라지늄 및 염화티타늄(III) 등을 들 수 있다.Examples of the reducing agent include sodium hypophosphite, dimethylamine borane, sodium borohydride, potassium borohydride, hydrazine monohydrate, hydrazinium sulfate, and titanium(III) chloride.

상기 주석 함유 화합물로서는, 주석산나트륨 3수화물, 주석산칼륨 3수화물, 황산주석(II), 염화주석(IV) 5수화물 및 염화주석(II) 2수화물 등을 들 수 있다.Examples of the tin-containing compounds include sodium tartrate trihydrate, potassium tartrate trihydrate, tin(II) sulfate, tin(IV) chloride pentahydrate, and tin(II) chloride dihydrate.

상기 인듐 함유 화합물로서는, 아세트산인듐(III), 황산인듐(III) 3수화물, 염화인듐(III), 수산화인듐(III) 및 질산인듐(III) 등을 들 수 있다.Examples of the indium-containing compounds include indium(III) acetate, indium(III) sulfate trihydrate, indium(III) chloride, indium(III) hydroxide, and indium(III) nitrate.

상기 착화제는, 아세트산나트륨, 프로피온산나트륨 등의 모노카르복실산계 착화제; 말론산2나트륨 등의 디카르복실산계 착화제; 숙신산2나트륨 등의 트리카르복실산계 착화제; 락트산, DL-말산, 로셀염, 시트르산나트륨, 글루콘산나트륨 등의 히드록시산계 착화제; 글리신, EDTA 등의 아미노산계 착화제; 에틸렌디아민 등의 아민계 착화제; 말레산 등의 유기산계 착화제; 및 이들의 염 등을 들 수 있다. 여기에서 예를 든 착화제로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 착화제를 사용하는 것이 바람직하다.The complexing agent includes monocarboxylic acid-based complexing agents such as sodium acetate and sodium propionate; Dicarboxylic acid-based complexing agents such as disodium malonate; Tricarboxylic acid-based complexing agents such as disodium succinate; Hydroxy acid-based complexing agents such as lactic acid, DL-malic acid, Rochelle's salt, sodium citrate, and sodium gluconate; Amino acid-based complexing agents such as glycine and EDTA; Amine-based complexing agents such as ethylenediamine; Organic acid-based complexing agents such as maleic acid; and salts thereof. It is preferable to use at least one complexing agent selected from the group consisting of the complexing agents exemplified here.

(코어 물질)(core material)

상기 도전성 입자는 도전성의 표면에 돌기를 갖는 것이 바람직하다. 상기 도전층은 외표면에 돌기를 갖는 것이 바람직하다. 상기 돌기는 복수인 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자에 의해 접속되는 전극의 표면에는, 산화 피막이 형성되어 있는 경우가 많다. 또한, 상기 도전성 입자의 도전층의 표면에는, 산화 피막이 형성되어 있는 경우가 많다. 상기 돌기를 갖는 도전성 입자의 사용에 의해, 전극 사이에 도전성 입자를 배치한 후, 압착시킴으로써, 돌기에 의해 산화 피막이 효과적으로 배제된다. 이로 인해, 전극과 도전성 입자를 보다 한층 확실하게 접촉시킬 수 있고, 전극 사이의 접속 저항을 낮게 할 수 있다. 또한, 상기 도전성 입자가 표면에 절연성 물질을 갖는 경우, 또는 도전성 입자가 결합제 수지 중에 분산되어 도전 재료로서 사용되는 경우에, 도전성 입자의 돌기에 의해, 도전성 입자와 전극 사이의 절연성 물질 또는 결합제 수지를 효과적으로 배제할 수 있다. 이로 인해, 전극 사이의 도통 신뢰성을 높일 수 있다.It is preferable that the electrically conductive particles have protrusions on their electrically conductive surfaces. The conductive layer preferably has protrusions on its outer surface. It is preferable that the protrusions are plural. An oxide film is often formed on the surface of the electrode connected by the conductive particles. Additionally, in many cases, an oxide film is formed on the surface of the conductive layer of the electrically conductive particles. By using the conductive particles having the above-described protrusions, the oxide film is effectively excluded by the protrusions by placing the conductive particles between electrodes and then pressing them. For this reason, the electrode and the conductive particles can be brought into contact more reliably, and the connection resistance between the electrodes can be lowered. Additionally, when the conductive particles have an insulating material on the surface, or when the conductive particles are dispersed in a binder resin and used as a conductive material, the protrusions of the conductive particles form an insulating material or binder resin between the conductive particles and the electrode. can be effectively ruled out. Because of this, the reliability of conduction between electrodes can be increased.

또한, 상기 도전성 입자가 도전층의 외표면에 돌기를 갖고 있으면, 상기 도전성 입자끼리가 접촉하는 면적을 작게 할 수 있다. 그로 인해, 복수의 상기 도전성 입자의 응집을 억제할 수 있다. 따라서, 접속되어서는 안 되는 전극 사이의 전기적인 접속을 방지할 수 있고, 절연 신뢰성을 보다 한층 높일 수 있다.Additionally, if the conductive particles have protrusions on the outer surface of the conductive layer, the area where the conductive particles contact each other can be reduced. Therefore, aggregation of a plurality of the above-mentioned conductive particles can be suppressed. Therefore, electrical connection between electrodes that should not be connected can be prevented, and insulation reliability can be further improved.

상기 코어 물질이 상기 도전층 중에 매립되어 있음으로써, 상기 도전층이 외표면에 복수의 돌기를 갖도록 하는 것이 용이하다. 단, 상기 도전성 입자 및 상기 도전층의 외표면에 돌기를 형성하기 위해서, 코어 물질을 반드시 사용하지는 않아도 되고, 코어 물질을 사용하지 않는 것이 바람직하고, 상기 도전성 입자는, 상기 도전층의 외표면을 융기시키기 위한 코어 물질을 갖지 않는 것이 바람직하다. 단, 상기 도전성 입자는, 상기 도전층의 외표면을 융기시키고 있는 코어 물질을 갖고 있어도 된다. 상기 코어 물질이 사용되는 경우에, 상기 코어 물질은, 상기 도전층의 내측 또는 내부에 배치되는 것이 바람직하다.Since the core material is embedded in the conductive layer, it is easy to make the conductive layer have a plurality of protrusions on the outer surface. However, in order to form protrusions on the outer surfaces of the conductive particles and the conductive layer, it is not necessarily necessary to use a core material, and it is preferable not to use a core material, and the conductive particles form the outer surface of the conductive layer. It is desirable not to have a core material for raising. However, the electrically conductive particles may have a core material that protrudes the outer surface of the electrically conductive layer. When the core material is used, the core material is preferably disposed inside or inside the conductive layer.

상기 돌기를 형성하는 방법으로서는, 기재 입자의 표면에 코어 물질을 부착시킨 후, 무전해 도금에 의해 도전층을 형성하는 방법, 기재 입자의 표면에 무전해 도금에 의해 도전층을 형성한 후, 코어 물질을 부착시키고, 또한 무전해 도금에 의해 도전층을 형성하는 방법, 및 기재 입자의 표면에 무전해 도금에 의해 도전층을 형성하는 도중 단계에서 코어 물질을 첨가하는 방법 등을 들 수 있다.As a method of forming the protrusions, a method of forming a conductive layer by electroless plating after attaching a core material to the surface of a substrate particle, or a method of forming a conductive layer by electroless plating on the surface of a substrate particle, and then forming a conductive layer by electroless plating, A method of attaching a substance and further forming a conductive layer by electroless plating, and a method of adding a core material in the middle of forming a conductive layer on the surface of a substrate particle by electroless plating, etc.

상기 기재 입자의 표면 상에 코어 물질을 배치시키는 방법으로서는, 예를 들어 기재 입자의 분산액 중에 코어 물질을 첨가하여, 기재 입자의 표면에 코어 물질을, 예를 들어 반데르발스힘에 의해 집적시켜 부착시키는 방법, 및 기재 입자를 넣은 용기에 코어 물질을 첨가하고, 용기의 회전 등에 의한 기계적인 작용에 의해 기재 입자의 표면에 코어 물질을 부착시키는 방법 등을 들 수 있다. 부착시키는 코어 물질의 양을 제어하기 쉽기 때문에, 분산액 중의 기재 입자의 표면에 코어 물질을 집적시켜 부착시키는 방법이 바람직하다.As a method of disposing the core material on the surface of the substrate particles, for example, the core material is added to a dispersion of the substrate particles, and the core material is integrated and attached to the surface of the substrate particles by, for example, van der Waals forces. and a method of adding a core substance to a container containing base particles and attaching the core substance to the surface of the base particles by mechanical action such as rotation of the container. Since it is easy to control the amount of the core material to be attached, a method of attaching the core material by accumulating it on the surface of the substrate particles in the dispersion is preferable.

상기 코어 물질의 재료로서는, 도전성 물질 및 비도전성 물질을 들 수 있다. 상기 도전성 물질로서는, 예를 들어 금속, 금속의 산화물, 흑연 등의 도전성 비금속 및 도전성 중합체 등을 들 수 있다. 상기 도전성 중합체로서는, 폴리아세틸렌 등을 들 수 있다. 상기 비도전성 물질로서는 실리카, 알루미나, 티타늄산바륨 및 지르코니아 등을 들 수 있다. 산화 피막을 효과적으로 배제하기 위해서, 코어 물질은 단단한 편이 바람직하다. 도전성을 높일 수 있고, 또한 접속 저항을 효과적으로 낮게 할 수 있으므로, 금속이 바람직하다. 상기 코어 물질은 금속 입자인 것이 바람직하다. 상기 코어 물질의 재료인 금속으로서는, 상기 도전층의 재료로서 예를 든 금속을 적절히 사용 가능하다.Materials of the core material include conductive materials and non-conductive materials. Examples of the conductive material include metals, metal oxides, conductive non-metals such as graphite, and conductive polymers. Examples of the conductive polymer include polyacetylene. Examples of the non-conductive materials include silica, alumina, barium titanate, and zirconia. In order to effectively exclude the oxide film, the core material is preferably hard. Metal is preferable because conductivity can be increased and connection resistance can be effectively lowered. The core material is preferably a metal particle. As the metal that is the material of the core material, the metals mentioned as the material of the conductive layer can be appropriately used.

상기 코어 물질 재료의 구체예로서는, 티타늄산바륨(모스 경도 4.5), 니켈(모스 경도 5), 실리카(이산화규소, 모스 경도 6 내지 7), 산화티타늄(모스 경도 7), 지르코니아(모스 경도 8 내지 9), 알루미나(모스 경도 9), 탄화텅스텐(모스 경도 9) 및 다이아몬드(모스 경도 10) 등을 들 수 있다. 상기 무기 입자는 니켈, 실리카, 산화티타늄, 지르코니아, 알루미나, 탄화텅스텐 또는 다이아몬드인 것이 바람직하고, 실리카, 산화티타늄, 지르코니아, 알루미나, 탄화텅스텐 또는 다이아몬드인 것이 보다 바람직하고, 산화티타늄, 지르코니아, 알루미나, 탄화텅스텐 또는 다이아몬드인 것이 더욱 바람직하고, 지르코니아, 알루미나, 탄화텅스텐 또는 다이아몬드인 것이 특히 바람직하다. 상기 코어 물질 재료의 모스 경도는 바람직하게는 5 이상, 보다 바람직하게는 6 이상, 더욱 바람직하게는 7 이상, 특히 바람직하게는 7.5 이상이다.Specific examples of the core material include barium titanate (Mohs hardness 4.5), nickel (Mohs hardness 5), silica (silicon dioxide, Mohs hardness 6 to 7), titanium oxide (Mohs hardness 7), and zirconia (Mohs hardness 8 to 7). 9), alumina (Mohs hardness 9), tungsten carbide (Mohs hardness 9), and diamond (Mohs hardness 10). The inorganic particles are preferably nickel, silica, titanium oxide, zirconia, alumina, tungsten carbide, or diamond, and more preferably silica, titanium oxide, zirconia, alumina, tungsten carbide, or diamond, and are more preferably titanium oxide, zirconia, alumina, Tungsten carbide or diamond is more preferred, and zirconia, alumina, tungsten carbide or diamond is particularly preferred. The Mohs hardness of the core material is preferably 5 or higher, more preferably 6 or higher, further preferably 7 or higher, and particularly preferably 7.5 or higher.

상기 금속으로서는, 예를 들어 금, 은, 구리, 백금, 아연, 철, 납, 주석, 알루미늄, 코발트, 인듐, 니켈, 크롬, 티타늄, 안티몬, 비스무트, 게르마늄 및 카드뮴 등의 금속, 및 주석-납 합금, 주석-구리 합금, 주석-은 합금, 주석-납-은 합금 및 탄화텅스텐 등의 2종류 이상의 금속으로 구성되는 합금 등을 들 수 있다. 니켈, 구리, 은 또는 금이 바람직하다. 상기 코어 물질을 형성하기 위한 금속은, 상기 도전부를 형성하기 위한 금속과 동일해도 되고, 상이해도 된다. 상기 코어 물질을 형성하기 위한 금속은, 상기 도전부를 형성하기 위한 금속을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 코어 물질을 형성하기 위한 금속은 니켈을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 코어 물질을 형성하기 위한 금속은 니켈을 포함하는 것이 바람직하다.Examples of the metal include metals such as gold, silver, copper, platinum, zinc, iron, lead, tin, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, germanium, and cadmium, and tin-lead. alloys, tin-copper alloys, tin-silver alloys, tin-lead-silver alloys, and alloys composed of two or more types of metals such as tungsten carbide. Nickel, copper, silver or gold are preferred. The metal for forming the core material may be the same as or different from the metal for forming the conductive part. The metal for forming the core material preferably includes a metal for forming the conductive portion. The metal for forming the core material preferably contains nickel. The metal for forming the core material preferably contains nickel.

상기 코어 물질의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 상기 코어 물질의 형상은 괴상인 것이 바람직하다. 코어 물질로서는, 예를 들어 입자상의 덩어리, 복수의 미소 입자가 응집한 응집 덩어리 및 부정형의 덩어리 등을 들 수 있다.The shape of the core material is not particularly limited. The shape of the core material is preferably lumpy. Examples of the core material include a particulate mass, an agglomerated mass of a plurality of fine particles, and an irregular mass.

상기 코어 물질의 평균 직경(평균 입자 직경)은, 바람직하게는 0.001㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.05㎛ 이상이고, 바람직하게는 0.9㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.2㎛ 이하이다. 상기 코어 물질의 평균 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 사이의 접속 저항을 효과적으로 낮게 할 수 있다.The average diameter (average particle diameter) of the core material is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, preferably 0.9 μm or less, and more preferably 0.2 μm or less. If the average diameter of the core material is more than the lower limit and less than the upper limit, the connection resistance between electrodes can be effectively lowered.

상기 코어 물질의 「평균 직경(평균 입자 직경)」은, 수 평균 직경(수 평균 입자 직경)을 나타낸다. 코어 물질의 평균 직경은, 임의의 코어 물질 50개를 전자 현미경 또는 광학 현미경으로 관찰하고, 평균값을 산출함으로써 구해진다.The “average diameter (average particle diameter)” of the core material represents the number average diameter (number average particle diameter). The average diameter of the core material is determined by observing 50 arbitrary core materials with an electron microscope or optical microscope and calculating the average value.

상기 도전성 입자 1개당의 상기 돌기의 수는, 바람직하게는 3개 이상, 보다 바람직하게는 5개 이상이다. 상기 돌기의 수의 상한은 특별히 한정되지 않는다. 상기 돌기의 수의 상한은 도전성 입자의 입자 직경 등을 고려하여 적절히 선택할 수 있다.The number of protrusions per one conductive particle is preferably 3 or more, more preferably 5 or more. The upper limit of the number of protrusions is not particularly limited. The upper limit of the number of protrusions can be appropriately selected in consideration of the particle diameter of the conductive particles, etc.

복수의 상기 돌기의 평균 높이는, 바람직하게는 0.001㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.05㎛ 이상이고, 바람직하게는 0.9㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.2㎛ 이하이다. 상기 돌기의 평균 높이가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 사이의 접속 저항을 효과적으로 낮게 할 수 있다.The average height of the plurality of protrusions is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, preferably 0.9 μm or less, and more preferably 0.2 μm or less. If the average height of the protrusion is equal to or greater than the lower limit and equal to or lower than the upper limit, the connection resistance between electrodes can be effectively lowered.

(절연성 물질)(insulating material)

상기 도전성 입자는, 상기 도전층의 표면 상에 배치된 절연성 물질을 구비하는 것이 바람직하다. 이 경우에는, 상기 도전성 입자를 전극 사이의 접속에 사용하면, 인접하는 전극 사이의 단락을 보다 한층 방지할 수 있다. 구체적으로는, 복수의 도전성 입자가 접촉했을 때, 복수의 전극 사이에 절연성 물질이 존재하므로, 상하의 전극 사이가 아니라 가로 방향에 인접하는 전극 사이의 단락을 방지할 수 있다. 또한, 전극 사이의 접속 시에, 2개의 전극으로 도전성 입자를 가압함으로써, 도전성 입자의 도전층과 전극 사이의 절연성 물질을 용이하게 배제할 수 있다. 상기 도전성 입자가 도전층의 외표면에 복수의 돌기를 갖는 경우에는, 상기 도전성 입자의 도전층과 전극 사이의 절연성 물질을 보다 한층 용이하게 배제할 수 있다.The conductive particles preferably include an insulating material disposed on the surface of the conductive layer. In this case, if the above-mentioned conductive particles are used for connection between electrodes, short circuits between adjacent electrodes can be further prevented. Specifically, when a plurality of conductive particles come into contact, an insulating material exists between the plurality of electrodes, so short circuiting can be prevented not between the upper and lower electrodes but between electrodes adjacent to each other in the horizontal direction. Additionally, by pressing the conductive particles with two electrodes when connecting the electrodes, the insulating material between the conductive layers of the conductive particles and the electrodes can be easily removed. When the conductive particle has a plurality of protrusions on the outer surface of the conductive layer, the insulating material between the conductive layer of the conductive particle and the electrode can be removed more easily.

전극 사이의 압착 시에 상기 절연성 물질을 보다 한층 용이하게 배제할 수 있는 점에서, 상기 절연성 물질은 절연성 입자인 것이 바람직하다.Since the insulating material can be more easily removed during compression between electrodes, it is preferable that the insulating material is insulating particles.

상기 절연성 물질의 재료인 절연성 수지의 구체예로서는, 폴리올레핀 화합물, (메트)아크릴레이트 중합체, (메트)아크릴레이트 공중합체, 블록 중합체, 열가소성 수지, 열가소성 수지의 가교물, 열경화성 수지 및 수용성 수지 등을 들 수 있다.Specific examples of the insulating resin that is the material of the insulating material include polyolefin compounds, (meth)acrylate polymers, (meth)acrylate copolymers, block polymers, thermoplastic resins, crosslinked products of thermoplastic resins, thermosetting resins, and water-soluble resins. You can.

상기 폴리올레핀 화합물로서는 폴리에틸렌, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 및 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 (메트)아크릴레이트 중합체로서는, 폴리메틸(메트)아크릴레이트, 폴리에틸(메트)아크릴레이트 및 폴리부틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 상기 블록 중합체로서는, 폴리스티렌, 스티렌-아크릴산에스테르 공중합체, SB형 스티렌-부타디엔 블록 공중합체 및 SBS형 스티렌-부타디엔 블록 공중합체, 및 이들의 수소 첨가물 등을 들 수 있다. 상기 열가소성 수지로서는, 비닐 중합체 및 비닐 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 열경화성 수지로서는 에폭시 수지, 페놀 수지 및 멜라민 수지 등을 들 수 있다. 상기 수용성 수지로서는 폴리비닐알코올, 폴리아크릴산, 폴리아크릴아미드, 폴리비닐피롤리돈, 폴리에틸렌옥시드 및 메틸셀룰로오스 등을 들 수 있다. 수용성 수지가 바람직하고, 폴리비닐알코올이 보다 바람직하다.Examples of the polyolefin compound include polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, and ethylene-acrylic acid ester copolymer. Examples of the (meth)acrylate polymer include polymethyl (meth)acrylate, polyethyl (meth)acrylate, and polybutyl (meth)acrylate. Examples of the block polymer include polystyrene, styrene-acrylic acid ester copolymer, SB type styrene-butadiene block copolymer, SBS type styrene-butadiene block copolymer, and hydrogenated products thereof. Examples of the thermoplastic resin include vinyl polymer and vinyl copolymer. Examples of the thermosetting resin include epoxy resin, phenol resin, and melamine resin. Examples of the water-soluble resin include polyvinyl alcohol, polyacrylic acid, polyacrylamide, polyvinylpyrrolidone, polyethylene oxide, and methylcellulose. Water-soluble resin is preferable, and polyvinyl alcohol is more preferable.

상기 도전층의 외표면 상에 절연성 물질을 배치하는 방법으로서는, 화학적 방법 및 물리적 또는 기계적 방법 등을 들 수 있다. 상기 화학적 방법으로서는, 예를 들어 계면 중합법, 입자 존재 하에서의 현탁 중합법 및 유화 중합법 등을 들 수 있다. 상기 물리적 또는 기계적 방법으로서는 스프레이 드라이, 하이브리다이제이션, 정전 부착법, 분무법, 디핑 및 진공 증착에 의한 방법 등을 들 수 있다. 절연성 물질이 탈리하기 어려운 점에서, 상기 도전층의 표면에, 화학 결합을 통하여 상기 절연성 물질을 배치하는 방법이 바람직하다.Methods for disposing an insulating material on the outer surface of the conductive layer include chemical methods and physical or mechanical methods. Examples of the chemical method include interfacial polymerization, suspension polymerization in the presence of particles, and emulsion polymerization. Examples of the physical or mechanical methods include spray drying, hybridization, electrostatic attachment, spraying, dipping, and vacuum deposition. Since the insulating material is difficult to detach from, a method of disposing the insulating material on the surface of the conductive layer through a chemical bond is preferable.

상기 도전층의 외표면 및 상기 절연성 입자의 표면은 각각, 반응성 관능기를 갖는 화합물에 의해 피복되어 있어도 된다. 상기 도전층의 외표면과 상기 절연성 입자의 표면은, 직접 화학 결합하고 있지 않아도 되고, 반응성 관능기를 갖는 화합물에 의해 간접적으로 화학 결합하고 있어도 된다. 도전층의 외표면에 카르복실기를 도입한 후, 해당 카르복실기가 폴리에틸렌이민 등의 고분자 전해질을 통하여 절연성 입자의 표면 관능기와 화학 결합하고 있어도 상관없다.The outer surface of the conductive layer and the surface of the insulating particles may each be coated with a compound having a reactive functional group. The outer surface of the conductive layer and the surface of the insulating particle do not have to be directly chemically bonded, but may be chemically bonded indirectly through a compound having a reactive functional group. After introducing a carboxyl group to the outer surface of the conductive layer, the carboxyl group may be chemically bonded to the surface functional group of the insulating particle through a polymer electrolyte such as polyethyleneimine.

상기 절연성 물질의 평균 직경(평균 입자 직경)은, 상기 도전성 입자의 입자 직경 및 용도 등에 따라 적절히 선택할 수 있다. 상기 절연성 물질의 평균 직경(평균 입자 직경)은 바람직하게는 0.005㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.01㎛ 이상이고, 바람직하게는 1㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.5㎛ 이하이다. 상기 절연성 물질의 평균 직경이 상기 하한 이상이면, 상기 도전성 입자가 결합제 수지 중에 분산되었을 때, 복수의 상기 도전성 입자의 도전층끼리 접촉하기 어렵게 할 수 있다. 상기 절연성 입자의 평균 직경이 상기 상한 이하이면, 전극 사이의 접속 시, 전극과 도전성 입자 사이의 절연성 입자를 배제하기 위해서, 압력을 너무 높게 하지 않아도 되고, 고온으로 가열하지 않아도 된다.The average diameter (average particle diameter) of the insulating material can be appropriately selected depending on the particle size and purpose of the conductive particles. The average diameter (average particle diameter) of the insulating material is preferably 0.005 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, preferably 1 μm or less, and more preferably 0.5 μm or less. If the average diameter of the insulating material is more than the above lower limit, when the conductive particles are dispersed in the binder resin, it can be difficult for the conductive layers of the plurality of conductive particles to contact each other. If the average diameter of the insulating particles is below the upper limit, the pressure does not need to be too high and the heating to a high temperature does not need to be made too high in order to exclude the insulating particles between the electrodes and the conductive particles when connecting the electrodes.

상기 절연성 물질의 「평균 직경(평균 입자 직경)」은 수 평균 직경(수 평균 입자 직경)을 나타낸다. 절연성 물질의 평균 직경은 입도 분포 측정 장치 등을 사용하여 구해진다.The “average diameter (average particle diameter)” of the insulating material represents the number average diameter (number average particle diameter). The average diameter of the insulating material is determined using a particle size distribution measuring device or the like.

(도전 재료)(Challenge Materials)

본 발명에 따른 도전 재료는, 상술한 도전성 입자와, 결합제 수지를 포함한다. 상기 도전성 입자는, 결합제 수지 중에 분산되어, 도전 재료로서 사용할 수 있는 것이 바람직하다. 상기 도전 재료는 이방성 도전 재료인 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자 및 상기 도전 재료는 각각, 전극 사이의 전기적인 접속에 사용되는 것이 바람직하다. 상기 도전 재료는 회로 접속용 재료인 것이 바람직하다.The electrically conductive material according to the present invention contains the above-mentioned electrically conductive particles and binder resin. It is preferable that the electrically conductive particles are dispersed in a binder resin so that they can be used as an electrically conductive material. It is preferable that the above-mentioned conductive material is an anisotropic conductive material. It is preferable that each of the electroconductive particles and the electroconductive material is used for electrical connection between electrodes. It is preferable that the above-mentioned conductive material is a material for circuit connection.

상기 결합제 수지는 특별히 한정되지 않는다. 상기 결합제 수지로서, 공지된 절연성의 수지가 사용된다.The binder resin is not particularly limited. As the binder resin, a known insulating resin is used.

상기 결합제 수지로서는, 예를 들어 비닐 수지, 열가소성 수지, 경화성 수지, 열가소성 블록 공중합체 및 엘라스토머 등을 들 수 있다. 상기 결합제 수지는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.Examples of the binder resin include vinyl resin, thermoplastic resin, curable resin, thermoplastic block copolymer, and elastomer. Only one type of the binder resin may be used, and two or more types may be used together.

상기 비닐 수지로서는, 예를 들어 아세트산비닐 수지, 아크릴 수지 및 스티렌 수지 등을 들 수 있다. 상기 열가소성 수지로서는, 예를 들어 폴리올레핀 수지, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 및 폴리아미드 수지 등을 들 수 있다. 상기 경화성 수지로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 우레탄 수지, 폴리이미드 수지 및 불포화 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다. 또한, 상기 경화성 수지는 상온 경화형 수지, 열경화형 수지, 광경화형 수지 또는 습기 경화형 수지여도 된다. 상기 경화성 수지는 경화제와 병용되어도 된다. 상기 열가소성 블록 공중합체로서는, 예를 들어 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 공중합체의 수소 첨가물 및 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 공중합체의 수소 첨가물 등을 들 수 있다. 상기 엘라스토머로서는, 예를 들어 스티렌-부타디엔 공중합 고무 및 아크릴로니트릴-스티렌 블록 공중합 고무 등을 들 수 있다.Examples of the vinyl resin include vinyl acetate resin, acrylic resin, and styrene resin. Examples of the thermoplastic resin include polyolefin resin, ethylene-vinyl acetate copolymer, and polyamide resin. Examples of the curable resin include epoxy resin, urethane resin, polyimide resin, and unsaturated polyester resin. Additionally, the curable resin may be a room temperature curable resin, a thermocurable resin, a photocurable resin, or a moisture curable resin. The curable resin may be used in combination with a curing agent. Examples of the thermoplastic block copolymer include styrene-butadiene-styrene block copolymer, styrene-isoprene-styrene block copolymer, hydrogenated product of styrene-butadiene-styrene block copolymer, and hydrogenated product of styrene-isoprene-styrene block copolymer. Additives, etc. can be mentioned. Examples of the elastomer include styrene-butadiene copolymer rubber and acrylonitrile-styrene block copolymer rubber.

상기 도전 재료 및 상기 결합제 수지는 열가소성 성분 또는 열경화성 성분을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 도전 재료 및 상기 결합제 수지는 열가소성 성분을 포함하고 있어도 되고, 열경화성 성분을 포함하고 있어도 된다. 상기 도전 재료 및 상기 결합제 수지는 열경화성 성분을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 열경화성 성분은, 가열에 의해 경화 가능한 경화성 화합물과 열경화제를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 열경화제는 열 양이온 경화 개시제인 것이 바람직하다. 상기 가열에 의해 경화 가능한 경화성 화합물과 상기 열경화제는, 상기 결합제 수지가 경화되도록 적당한 배합비로 사용된다. 상기 결합제 수지가 열 양이온 경화 개시제를 포함하면, 경화물 중에 산이 포함되기 쉽다. 그러나, 본 발명에 따른 도전성 입자의 사용에 의해, 전극 사이의 접속 저항을 낮게 유지할 수 있다.It is preferable that the conductive material and the binder resin contain a thermoplastic component or a thermosetting component. The electrically conductive material and the binder resin may contain a thermoplastic component or a thermosetting component. It is preferable that the electrically conductive material and the binder resin contain a thermosetting component. The thermosetting component preferably contains a curable compound that can be cured by heating and a thermosetting agent. The thermal curing agent is preferably a thermal cationic curing initiator. The curable compound curable by heating and the thermosetting agent are used in an appropriate mixing ratio so that the binder resin can be cured. If the binder resin contains a thermal cationic curing initiator, acids are likely to be included in the cured product. However, by using the conductive particles according to the present invention, the connection resistance between electrodes can be kept low.

상기 도전 재료는, 상기 도전성 입자 및 상기 결합제 수지 이외에, 예를 들어 충전제, 증량제, 연화제, 가소제, 중합 촉매, 경화 촉매, 착색제, 산화 방지제, 열 안정제, 광 안정제, 자외선 흡수제, 활제, 대전 방지제 및 난연제 등의 각종 첨가제를 포함하고 있어도 된다.In addition to the conductive particles and the binder resin, the conductive material includes, for example, fillers, extenders, softeners, plasticizers, polymerization catalysts, curing catalysts, colorants, antioxidants, heat stabilizers, light stabilizers, ultraviolet absorbers, lubricants, antistatic agents, and It may contain various additives such as flame retardants.

상기 도전 재료는 도전 페이스트 및 도전 필름 등으로서 사용될 수 있다. 상기 도전 재료가 도전 필름인 경우에는, 도전성 입자를 포함하는 도전 필름에, 도전성 입자를 포함하지 않는 필름이 적층되어 있어도 된다. 상기 도전 페이스트는 이방성 도전 페이스트인 것이 바람직하다. 상기 도전 필름은 이방성 도전 필름인 것이 바람직하다.The above conductive materials can be used as conductive pastes, conductive films, etc. When the electrically conductive material is a conductive film, a film not containing conductive particles may be laminated on the conductive film containing conductive particles. It is preferable that the electrically conductive paste is an anisotropic electrically conductive paste. It is preferable that the conductive film is an anisotropic conductive film.

상기 도전 재료 100중량% 중, 상기 결합제 수지의 함유량은 바람직하게는 10중량% 이상, 보다 바람직하게는 30중량% 이상, 더욱 바람직하게는 50중량% 이상, 특히 바람직하게는 70중량% 이상이고, 바람직하게는 99.99중량% 이하, 보다 바람직하게는 99.9중량% 이하이다. 상기 결합제 수지의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 사이에 도전성 입자가 효율적으로 배치되고, 도전 재료에 의해 접속된 접속 대상 부재의 접속 신뢰성을 보다 한층 높게 할 수 있다.Among 100% by weight of the conductive material, the content of the binder resin is preferably 10% by weight or more, more preferably 30% by weight or more, further preferably 50% by weight or more, particularly preferably 70% by weight or more, Preferably it is 99.99% by weight or less, more preferably 99.9% by weight or less. If the content of the binder resin is more than the lower limit and less than the upper limit, the conductive particles are efficiently disposed between the electrodes, and the connection reliability of the connection target members connected by the conductive material can be further improved.

상기 도전 재료 100중량% 중, 상기 도전성 입자의 함유량은 바람직하게는 0.01중량% 이상, 보다 바람직하게는 0.1중량% 이상이고, 바람직하게는 80중량% 이하, 보다 바람직하게는 60중량% 이하, 더욱 바람직하게는 40중량% 이하, 특히 바람직하게는 20중량% 이하, 가장 바람직하게는 10중량% 이하이다. 상기 도전성 입자의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 사이의 도통 신뢰성을 보다 한층 높게 할 수 있다.In 100% by weight of the electrically conductive material, the content of the electrically conductive particles is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, preferably 80% by weight or less, more preferably 60% by weight or less, and further. Preferably it is 40% by weight or less, particularly preferably 20% by weight or less, and most preferably 10% by weight or less. If the content of the electroconductive particles is more than the lower limit and less than the upper limit, the reliability of conduction between electrodes can be further improved.

(접속 구조체)(connection structure)

상기 도전성 입자를 사용하여, 또는 상기 도전성 입자와 결합제 수지를 포함하는 상기 도전 재료를 사용하여, 접속 대상 부재를 접속함으로써, 접속 구조체를 얻을 수 있다.A connected structure can be obtained by connecting connection target members using the electrically conductive particles or the electrically conductive material containing the electrically conductive particles and binder resin.

상기 접속 구조체는, 제1 접속 대상 부재와, 제2 접속 대상 부재와, 제1, 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하고, 해당 접속부의 재료가, 본 발명에 따른 도전성 입자이거나, 또는 상기 도전성 입자와 결합제 수지를 포함하는 본 발명에 따른 도전 재료인 접속 구조체인 것이 바람직하다. 상기 접속부가, 본 발명에 따른 도전성 입자에 의해 형성되어 있거나, 또는 상기 도전성 입자와 결합제 수지를 포함하는 본 발명에 따른 도전 재료에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다. 도전성 입자가 사용된 경우에는, 접속부 자체가 도전성 입자이다. 즉, 제1, 제2 접속 대상 부재가 상기 도전성 입자에 의해 접속된다.The connection structure includes a first connection target member, a second connection target member, and a connection portion connecting the first and second connection target members, and the material of the connection portion is the conductive particle according to the present invention, or Or, it is preferable that it is a bonded structure which is the electrically-conductive material according to this invention containing the said electroconductive particle and binder resin. It is preferable that the connection portion is formed of the electrically conductive particles according to the present invention, or is formed of the electrically conductive material according to the present invention containing the electrically conductive particles and a binder resin. When electrically conductive particles are used, the connection part itself is an electrically conductive particle. That is, the first and second connection target members are connected by the electroconductive particles.

도 5에, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 도전성 입자를 사용한 접속 구조체를 모식적으로 정면 단면도로 나타낸다.In Fig. 5, a bonded structure using conductive particles according to the first embodiment of the present invention is schematically shown in front cross-sectional view.

도 5에 도시하는 접속 구조체(51)는, 제1 접속 대상 부재(52)와, 제2 접속 대상 부재(53)와, 제1, 제2 접속 대상 부재(52, 53)를 접속하고 있는 접속부(54)를 구비한다. 접속부(54)는, 도전성 입자(1)를 포함하는 도전 재료를 경화시킴으로써 형성되어 있다. 또한, 도 5에서는, 도전성 입자(1)는 도시의 편의상, 개략도적으로 나타나 있다. 도전성 입자(1) 대신에, 도전성 입자(11, 21) 등을 사용해도 된다.The connection structure 51 shown in FIG. 5 is a connection portion connecting the first connection target member 52, the second connection target member 53, and the first and second connection target members 52 and 53. (54) is provided. The connection portion 54 is formed by hardening the conductive material containing the conductive particles 1. In addition, in FIG. 5, the conductive particles 1 are shown schematically for convenience of illustration. Instead of the conductive particles 1, conductive particles 11, 21, etc. may be used.

제1 접속 대상 부재(52)는 표면(상면)에, 복수의 제1 전극(52a)을 갖는다. 제2 접속 대상 부재(53)는 표면(하면)에, 복수의 제2 전극(53a)을 갖는다. 제1 전극(52a)과 제2 전극(53a)이, 1개 또는 복수의 도전성 입자(1)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 따라서, 제1, 제2 접속 대상 부재(52, 53)가 도전성 입자(1)에 의해 전기적으로 접속되어 있다.The first connection target member 52 has a plurality of first electrodes 52a on its surface (upper surface). The second connection target member 53 has a plurality of second electrodes 53a on its surface (lower surface). The first electrode 52a and the second electrode 53a are electrically connected by one or more conductive particles 1. Accordingly, the first and second connection target members 52 and 53 are electrically connected by the conductive particles 1.

상기 접속 구조체의 제조 방법은 특별히 한정되지 않는다. 상기 접속 구조체의 제조 방법의 일례로서는, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재 사이에 상기 도전 재료를 배치하고, 적층체를 얻은 후, 해당 적층체를 가열 및 가압하는 방법 등을 들 수 있다. 상기 가압의 압력은 9.8×104 내지 4.9×106Pa 정도이다. 상기 가열의 온도는 120 내지 220℃ 정도이다.The manufacturing method of the connection structure is not particularly limited. An example of the manufacturing method of the connection structure includes arranging the conductive material between the first connection target member and the second connection target member, obtaining a laminate, and then heating and pressurizing the laminate. You can. The pressurizing pressure is approximately 9.8×10 4 to 4.9×10 6 Pa. The heating temperature is approximately 120 to 220°C.

상기 접속 대상 부재로서는, 구체적으로는 반도체 칩, 콘덴서 및 다이오드 등의 전자 부품, 및 프린트 기판, 플렉시블 프린트 기판, 유리 에폭시 기판 및 유리 기판 등의 회로 기판을 들 수 있다. 상기 접속 대상 부재는 전자 부품인 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자는, 전자 부품에 있어서의 전극의 전기적인 접속에 사용되는 것이 바람직하다.Specific examples of the connection target members include electronic components such as semiconductor chips, condensers, and diodes, and circuit boards such as printed boards, flexible printed boards, glass epoxy boards, and glass boards. It is preferable that the connection target member is an electronic component. The conductive particles are preferably used for electrical connection of electrodes in electronic components.

상기 접속 대상 부재에 설치되어 있는 전극으로서는, 금 전극, 니켈 전극, 주석 전극, 알루미늄 전극, 구리 전극, 은 전극, SUS 전극, 몰리브덴 전극 및 텅스텐 전극 등의 금속 전극을 들 수 있다. 상기 접속 대상 부재가 플렉시블 프린트 기판인 경우에는, 상기 전극은 금 전극, 니켈 전극, 주석 전극 또는 구리 전극인 것이 바람직하다. 상기 접속 대상 부재가 유리 기판인 경우에는, 상기 전극은 알루미늄 전극, 구리 전극, 몰리브덴 전극 또는 텅스텐 전극인 것이 바람직하다. 또한, 상기 전극이 알루미늄 전극인 경우에는, 알루미늄만으로 형성된 전극이어도 되고, 금속 산화물층의 표면에 알루미늄층이 적층된 전극이어도 된다. 상기 금속 산화물층의 재료로서는, 3가의 금속 원소가 도핑된 산화인듐 및 3가의 금속 원소가 도핑된 산화아연 등을 들 수 있다. 상기 3가의 금속 원소로서는, Sn, Al 및 Ga 등을 들 수 있다.Examples of electrodes provided on the connection target member include metal electrodes such as gold electrodes, nickel electrodes, tin electrodes, aluminum electrodes, copper electrodes, silver electrodes, SUS electrodes, molybdenum electrodes, and tungsten electrodes. When the connection target member is a flexible printed circuit board, the electrode is preferably a gold electrode, nickel electrode, tin electrode, or copper electrode. When the connection target member is a glass substrate, the electrode is preferably an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, or a tungsten electrode. In addition, when the electrode is an aluminum electrode, it may be an electrode formed only of aluminum, or an electrode in which an aluminum layer is laminated on the surface of a metal oxide layer. Examples of the material for the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Examples of the trivalent metal elements include Sn, Al, and Ga.

이하, 실시예 및 비교예를 들어, 본 발명을 구체적으로 설명한다. 본 발명은 이하의 실시예만으로 한정되지 않는다.Hereinafter, the present invention will be described in detail through examples and comparative examples. The present invention is not limited to the following examples.

(실시예 1)(Example 1)

입자 직경이 3.0㎛인 디비닐벤젠 공중합체 수지 입자(기재 입자 A, 세키스이가가쿠 고교사제 「마이크로펄 SP-203」)를 준비하였다. 팔라듐 촉매액을 5중량% 포함하는 알칼리 용액 100중량부에, 상기 기재 입자 A 10중량부를, 초음파 분산기를 사용하여 분산시킨 후, 용액을 여과함으로써, 기재 입자 A를 취출하였다. 이어서, 기재 입자 A를 디메틸아민보란 1중량% 용액 100중량부에 첨가하고, 기재 입자 A의 표면을 활성화시켰다. 표면이 활성화된 기재 입자 A를 충분히 수세한 후, 증류수 500중량부에 첨가하고, 분산시킴으로써, 분산액을 얻었다. 이어서, Ni 입자 슬러리(평균 입자 직경 150nm) 2g을 3분간 가하여 상기 분산액에 첨가하여, 코어 물질이 부착된 기재 입자를 포함하는 현탁액(0)을 얻었다.Divinylbenzene copolymer resin particles (base particle A, “Micropearl SP-203” manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) with a particle diameter of 3.0 μm were prepared. After dispersing 10 parts by weight of the substrate particles A in 100 parts by weight of an alkaline solution containing 5% by weight of a palladium catalyst liquid using an ultrasonic disperser, the substrate particles A were taken out by filtering the solution. Next, the substrate particle A was added to 100 parts by weight of a 1% by weight solution of dimethylamine borane, and the surface of the substrate particle A was activated. After sufficiently washing the surface-activated substrate particle A with water, it was added to 500 parts by weight of distilled water and dispersed to obtain a dispersion liquid. Next, 2 g of Ni particle slurry (average particle diameter: 150 nm) was added to the dispersion over 3 minutes to obtain a suspension (0) containing base particles with attached core material.

또한, 니켈 도금액(1)으로서, 황산니켈 0.14mol/L, 디메틸아민보란 0.46mol/L 및 시트르산나트륨 0.2mol/L을 포함하는 니켈 도금액(1)(pH8.5)을 준비하였다.Additionally, as the nickel plating solution (1), a nickel plating solution (1) (pH 8.5) containing 0.14 mol/L nickel sulfate, 0.46 mol/L dimethylamine borane, and 0.2 mol/L sodium citrate was prepared.

얻어진 현탁액(0)을 60℃에서 교반하면서, 상기 니켈 도금액(1)을 현탁액에 서서히 적하하고, 무전해 니켈-보론 합금 도금을 행하여, 현탁액(1)을 얻었다.While stirring the obtained suspension (0) at 60°C, the nickel plating solution (1) was gradually added dropwise to the suspension, electroless nickel-boron alloy plating was performed, and suspension (1) was obtained.

니켈 도금액(2)로서, 황산니켈 0.14mol/L, 주석산나트륨 3수화물 0.03mol/L, 염화티타늄(III) 0.60mol/L 및 글루콘산나트륨 0.15mol/L을 포함하는 니켈 도금액(2)(pH8.0)을 준비하였다.A nickel plating solution (2) containing 0.14 mol/L nickel sulfate, 0.03 mol/L sodium tartrate trihydrate, 0.60 mol/L titanium (III) chloride, and 0.15 mol/L sodium gluconate (pH 8). .0) was prepared.

현탁액(1)의 액온을 70℃로 설정하고, 상기 니켈 도금액(2)을 상기 현탁액(1)에 서서히 적하하고, 무전해 니켈-주석 합금 도금을 행하여, 현탁액(2)을 얻었다.The liquid temperature of the suspension (1) was set to 70°C, the nickel plating solution (2) was slowly added dropwise to the suspension (1), electroless nickel-tin alloy plating was performed, and the suspension (2) was obtained.

그 후, 상기 현탁액(2)을 여과함으로써, 입자를 취출하고, 수세하여, 건조함으로써, 기재 입자 A의 표면에 니켈을 포함하는 도전층(두께 0.1㎛)이 배치되고, 표면이 도전층인 도전성 입자를 얻었다.Thereafter, the suspension 2 is filtered to remove the particles, washed with water, and dried to form a conductive layer (thickness of 0.1 μm) containing nickel on the surface of the substrate particle A, and the surface is a conductive layer. particles were obtained.

(실시예 2)(Example 2)

니켈 도금액(2)의 주석산나트륨 3수화물 0.03mol/L을, 아세트산인듐(III) 0.04mol/L로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that 0.03 mol/L of sodium tartrate trihydrate in the nickel plating solution (2) was changed to 0.04 mol/L of indium(III) acetate.

(실시예 3)(Example 3)

Ni 입자 슬러리를, 알루미나 입자 슬러리로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1, except that the Ni particle slurry was changed to an alumina particle slurry.

(실시예 4)(Example 4)

돌기 형성에 Ni 입자 슬러리를 사용하지 않고, 도전부의 형성 시에 부분적으로 석출량이 바뀌도록 조정하여 돌기를 형성한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1, except that Ni particle slurry was not used to form the protrusions and the protrusions were formed by adjusting the amount of precipitation to partially change during formation of the conductive portion.

(실시예 5)(Example 5)

니켈 도금액(2)의 염화티타늄(III) 0.60mol/L을, 디메틸아민보란 0.46mol/L로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1, except that 0.60 mol/L of titanium(III) chloride in the nickel plating solution (2) was changed to 0.46 mol/L of dimethylamineborane.

(실시예 6)(Example 6)

니켈 도금액(1)의 디메틸아민보란 0.46mol/L을, 차아인산나트륨 1.40mol/L로 변경한 것, 및 니켈 도금액(2)의 염화티타늄(III) 0.60mol/L을, 차아인산나트륨 1.40mol/L로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.0.46 mol/L of dimethylamine borane in the nickel plating solution (1) was changed to 1.40 mol/L of sodium hypophosphite, and 0.60 mol/L of titanium(III) chloride in the nickel plating solution (2) was changed to 1.40 mol/L of sodium hypophosphite. Except for changing it to /L, conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1.

(실시예 7)(Example 7)

니켈 도금액(1)의 디메틸아민보란 0.46mol/L을, 염화티타늄(III) 0.60mol/L로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1, except that 0.46 mol/L of dimethylamine borane in the nickel plating solution (1) was changed to 0.60 mol/L of titanium (III) chloride.

(실시예 8)(Example 8)

니켈 도금액(1)에, 주석산나트륨 3수화물 0.02mol/L 및 글루콘산나트륨 0.10mol/L을 첨가한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1, except that 0.02 mol/L of sodium tartrate trihydrate and 0.10 mol/L of sodium gluconate were added to the nickel plating solution (1).

(실시예 9)(Example 9)

니켈 도금액(1)에, 주석산나트륨 3수화물 0.04mol/L 및 글루콘산나트륨 0.20mol/L을 첨가한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1, except that 0.04 mol/L of sodium tartrate trihydrate and 0.20 mol/L of sodium gluconate were added to the nickel plating solution (1).

(실시예 10)(Example 10)

니켈 도금액(2)의 주석산나트륨 3수화물의 첨가량을 0.03mol/L로부터 0.05mol/L로 변경한 것, 및 니켈 도금액(2)의 글루콘산나트륨의 첨가량을 0.15mol/L로부터 0.25mol/L로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.The amount of sodium tartrate trihydrate added in the nickel plating solution (2) was changed from 0.03 mol/L to 0.05 mol/L, and the amount of sodium gluconate added in the nickel plating solution (2) was changed from 0.15 mol/L to 0.25 mol/L. Electroconductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except for the changes.

(실시예 11)(Example 11)

니켈 도금액(1)에, 주석산나트륨 3수화물 0.04mol/L 및 글루콘산나트륨 0.20mol/L을 첨가한 것, 니켈 도금액(2)의 주석산나트륨 3수화물의 첨가량을 0.03mol/L로부터 0.05mol/L로 변경한 것, 및 니켈 도금액(2)의 글루콘산나트륨의 첨가량을 0.15mol/L로부터 0.25mol/L로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.To the nickel plating solution (1), 0.04 mol/L of sodium tartrate trihydrate and 0.20 mol/L of sodium gluconate were added. The amount of sodium tartrate trihydrate added to the nickel plating solution (2) was 0.03 mol/L to 0.05 mol/L. Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1, except that the addition amount of sodium gluconate in the nickel plating solution (2) was changed from 0.15 mol/L to 0.25 mol/L.

(실시예 12)(Example 12)

니켈 도금액(2)의 주석산나트륨 3수화물의 첨가량을 0.03mol/L로부터 0.02mol/L로 변경한 것, 및 니켈 도금액(2)에, 아세트산인듐(III) 0.02mol/L을 첨가한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.Except that the amount of sodium tartrate trihydrate added to the nickel plating solution (2) was changed from 0.03 mol/L to 0.02 mol/L, and 0.02 mol/L of indium(III) acetate was added to the nickel plating solution (2). Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1.

(실시예 13)(Example 13)

니켈 도금액(1)(pH8.5)의 조성을, 황산니켈 0.18mol/L, 디메틸아민보란 0.66mol/L 및 시트르산나트륨 0.25mol/L로 변경한 것, 니켈 도금액(2)(pH8.0)의 조성을, 황산니켈 0.18mol/L, 주석산나트륨 3수화물 0.04mol/L, 염화티타늄(III) 0.75mol/L 및 글루콘산나트륨 0.19mol/L로 변경한 것, 및 도전층의 두께를 0.1㎛로부터 0.15㎛로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.The composition of nickel plating solution (1) (pH 8.5) was changed to 0.18 mol/L nickel sulfate, 0.66 mol/L dimethylamine borane, and 0.25 mol/L sodium citrate, and that of nickel plating solution (2) (pH 8.0). The composition was changed to 0.18 mol/L nickel sulfate, 0.04 mol/L sodium tartrate trihydrate, 0.75 mol/L titanium (III) chloride, and 0.19 mol/L sodium gluconate, and the thickness of the conductive layer was changed from 0.1 μm to 0.15 μm. Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that it was changed to ㎛.

(실시예 14)(Example 14)

니켈 도금액(1)(pH8.5)의 조성을, 황산니켈 0.07mol/L, 디메틸아민보란 0.23mol/L 및 시트르산나트륨 0.10mol/L로 변경한 것과, 니켈 도금액(2)(pH8.0)의 조성을 황산니켈 0.07mol/L, 주석산나트륨 3수화물 0.02mol/L, 염화티타늄(III) 0.3mol/L 및 글루콘산나트륨 0.10mol/L로 변경한 것, 및 도전층의 두께를 0.1㎛로부터 0.06㎛로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.The composition of nickel plating solution (1) (pH 8.5) was changed to 0.07 mol/L nickel sulfate, 0.23 mol/L dimethylamine borane, and 0.10 mol/L sodium citrate, and that of nickel plating solution (2) (pH 8.0). The composition was changed to 0.07 mol/L nickel sulfate, 0.02 mol/L sodium tartrate trihydrate, 0.3 mol/L titanium (III) chloride, and 0.10 mol/L sodium gluconate, and the thickness of the conductive layer was changed from 0.1 ㎛ to 0.06 ㎛. Except for changing to , conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1.

(실시예 15)(Example 15)

상기 기재 입자 A와 입자 직경만이 상이하고, 입자 직경이 2.2㎛인 기재 입자 B를 준비하였다. 상기 기재 입자 A를 상기 기재 입자 B로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.Substrate particles B, which were different from the substrate particles A only in particle diameter and had a particle diameter of 2.2 μm, were prepared. Except having changed the said substrate particle A into the said substrate particle B, it carried out similarly to Example 1, and obtained electroconductive particle.

(실시예 16)(Example 16)

상기 기재 입자 A와 입자 직경만이 상이하고, 입자 직경이 10.0㎛인 기재 입자 C를 준비하였다. 상기 기재 입자 A를 상기 기재 입자 C로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.Substrate particle C, which differs from the substrate particle A only in particle diameter and has a particle diameter of 10.0 μm, was prepared. Except having changed the said substrate particle A into the said substrate particle C, it carried out similarly to Example 1, and obtained electroconductive particle.

(실시예 17)(Example 17)

교반기 및 온도계가 설치된 500mL의 반응 용기 내에, 0.13중량%의 암모니아 수용액 300g을 넣었다. 이어서, 반응 용기 내의 암모니아 수용액 중에, 메틸트리메톡시실란 4.1g과, 비닐트리메톡시실란 19.2g과, 실리콘 알콕시 올리고머(신에쓰 가가꾸 고교사제 「X-41-1053」) 0.7g의 혼합물을 천천히 첨가하였다. 교반하면서, 가수분해 및 축합 반응을 진행시킨 후, 25중량% 암모니아 수용액 2.4mL를 첨가한 후, 암모니아 수용액 중에서 입자를 단리하여, 얻어진 입자를 산소 분압 10-17atm, 350℃에서 2시간 소성하여, 입자 직경이 3.0㎛의 유기 무기 하이브리드 입자(기재 입자 D)를 얻었다. 상기 기재 입자 A를 상기 기재 입자 D로 변경한 것 이외에는 실시예 3과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.300 g of a 0.13% by weight aqueous ammonia solution was placed in a 500 mL reaction vessel equipped with a stirrer and thermometer. Next, a mixture of 4.1 g of methyltrimethoxysilane, 19.2 g of vinyl trimethoxysilane, and 0.7 g of silicon alkoxy oligomer (“X-41-1053” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was added to the ammonia aqueous solution in the reaction vessel. It was added slowly. After the hydrolysis and condensation reactions proceeded with stirring, 2.4 mL of a 25% by weight ammonia aqueous solution was added, the particles were isolated from the ammonia aqueous solution, and the obtained particles were calcined at 350°C for 2 hours at an oxygen partial pressure of 10 -17 atm. , organic-inorganic hybrid particles (base particle D) with a particle diameter of 3.0 μm were obtained. Electroconductive particles were obtained in the same manner as in Example 3 except that the substrate particle A was changed to the substrate particle D.

(실시예 18)(Example 18)

도전부의 외표면의 전체 표면적 100% 중, 돌기가 있는 부분의 표면적을 70%에서 25%로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the surface area of the portion with protrusions was changed from 70% to 25% of the total surface area of 100% of the outer surface of the electrically conductive portion.

(실시예 19)(Example 19)

4구 세퍼러블 커버, 교반 날개, 삼방 코크, 냉각관 및 온도 프로브가 설치된 1000mL의 세퍼러블 플라스크에, 메타크릴산메틸 100mmol과, N,N,N-트리메틸-N-2-메타크릴로일옥시에틸암모늄클로라이드 1mmol과, 2,2'-아조비스(2-아미디노프로판) 이염산염 1mmol을 포함하는 단량체 조성물을 고형분율이 5중량%가 되도록 이온 교환수에 칭량투입하였다. 그 후, 200rpm으로 교반하고, 질소 분위기 하 70℃에서 24시간 중합을 행하였다. 반응 종료 후, 동결 건조하여, 표면에 암모늄기를 갖고, 평균 입자 직경 220nm 및 CV값 10%의 절연성 입자를 얻었다. 절연성 입자를 초음파 조사 하에서 이온 교환수에 분산시켜, 절연성 입자의 10중량% 수분산액을 얻었다. 실시예 1에서 얻어진 도전성 입자 10g을 이온 교환수 500mL에 분산시키고, 절연성 입자의 수분산액 4g을 첨가하여, 실온에서 6시간 교반하였다. 3㎛의 메쉬 필터로 여과한 후, 추가로 메탄올로 세정하고, 건조하여, 절연성 입자가 부착된 도전성 입자를 얻었다. 주사형 전자 현미경(SEM)에 의해 관찰한 바, 도전성 입자의 표면에 절연성 입자에 의한 피복층이 1층만 형성되어 있었다. 화상 해석에 의해 도전성 입자의 중심으로부터 2.5㎛의 면적에 대한 절연성 입자의 피복 면적(즉 절연성 입자의 입자 직경 투영 면적)을 산출한 바, 피복률은 30%였다.In a 1000 mL separable flask equipped with a four-neck separable cover, stirring blade, three-way cock, cooling pipe, and temperature probe, 100 mmol of methyl methacrylate and N,N,N-trimethyl-N-2-methacryloyloxy. A monomer composition containing 1 mmol of ethylammonium chloride and 1 mmol of 2,2'-azobis(2-amidinopropane) dihydrochloride was weighed and added to ion-exchanged water so that the solid content ratio was 5% by weight. After that, it was stirred at 200 rpm, and polymerization was performed at 70°C for 24 hours under a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, it was freeze-dried to obtain insulating particles having an ammonium group on the surface, an average particle diameter of 220 nm, and a CV value of 10%. The insulating particles were dispersed in ion-exchanged water under ultrasonic irradiation to obtain a 10% by weight aqueous dispersion of the insulating particles. 10 g of the conductive particles obtained in Example 1 were dispersed in 500 mL of ion-exchanged water, 4 g of an aqueous dispersion of insulating particles was added, and the mixture was stirred at room temperature for 6 hours. After filtration through a 3 µm mesh filter, it was further washed with methanol and dried to obtain conductive particles with attached insulating particles. When observed with a scanning electron microscope (SEM), only one layer of insulating particles was formed on the surface of the conductive particles. The coverage area of the insulating particles (that is, the projected area of the particle diameter of the insulating particles) with respect to an area of 2.5 μm from the center of the conductive particles was calculated through image analysis, and the coverage was 30%.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

니켈 도금액(2)의 주석산나트륨 3수화물의 첨가량을 0.03mol/L로부터 0.10mol/L로 변경한 것, 및 니켈 도금액(2)의 글루콘산나트륨의 첨가량을 0.15mol/L로부터 0.35mol/L로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.The amount of sodium tartrate trihydrate added in the nickel plating solution (2) was changed from 0.03 mol/L to 0.10 mol/L, and the amount of sodium gluconate added in the nickel plating solution (2) was changed from 0.15 mol/L to 0.35 mol/L. Electroconductive particles were obtained in the same manner as in Example 1 except for the changes.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

니켈 도금액(1)에, 주석산나트륨 3수화물 0.04mol/L 및 글루콘산나트륨 0.20mol/L를 첨가한 것 이외에는, 비교예 1과 동일하게 하여, 도전성 입자를 얻었다.Conductive particles were obtained in the same manner as in Comparative Example 1, except that 0.04 mol/L of sodium tartrate trihydrate and 0.20 mol/L of sodium gluconate were added to the nickel plating solution (1).

(평가)(evaluation)

(1) 니켈을 포함하는 도전층의 전체에 있어서의 니켈, 주석 및 인듐의 평균 함유량(1) Average content of nickel, tin, and indium in the entire conductive layer containing nickel

60% 질산 5mL와 37% 염산 10mL의 혼합액에, 도전성 입자 5g을 가하고, 도전층을 완전히 용해시켜, 용액을 얻었다. 얻어진 용액을 사용하여, 니켈, 주석 및 인듐의 함유량을 고주파 유도 결합 플라스마 이온원 질량 분석 장치(히다치 세이사꾸쇼사제 「ICP-MS」)에 의해 분석하였다. 또한, 니켈, 주석 및 인듐 이외의 함유량은, 인 또는 보론이었다.5 g of conductive particles were added to a mixed solution of 5 mL of 60% nitric acid and 10 mL of 37% hydrochloric acid, and the conductive layer was completely dissolved to obtain a solution. Using the obtained solution, the contents of nickel, tin, and indium were analyzed using a high-frequency inductively coupled plasma ion source mass spectrometer (“ICP-MS” manufactured by Hitachi Seisakusho Co., Ltd.). Additionally, contents other than nickel, tin, and indium were phosphorus or boron.

(2) 니켈을 포함하는 도전층의 두께 방향에 있어서의 니켈, 주석 및 인듐의 평균 함유량(2) Average content of nickel, tin and indium in the thickness direction of the conductive layer containing nickel

니켈을 포함하는 도전층의 두께 방향에 있어서의, 니켈, 주석 및 인듐의 함유량 분포를 측정하였다.The content distribution of nickel, tin, and indium in the thickness direction of the conductive layer containing nickel was measured.

집속 이온빔을 사용하여, 얻어진 도전성 입자의 박막 절편을 제조하였다. 전계 방사형 투과 전자 현미경(니혼 덴시사제 「JEM-2010FEF」)을 사용하여, 에너지 분산형 X선 분석 장치(EDS)에 의해, 니켈을 포함하는 도전층의 두께 방향에 있어서의 니켈, 주석 및 인듐의 함유량을 측정하였다. 이 결과로부터, 니켈을 포함하는 도전층의 내표면으로부터 외측을 향하여 두께 1/2까지의 상기 영역(R1)(내표면측의 두께 50%의 영역), 니켈을 포함하는 도전층의 외표면으로부터 내측을 향하여 두께 1/2까지의 상기 영역(R2)(외표면측의 두께 50%의 영역), 니켈을 포함하는 도전층의 외표면으로부터 내측을 향하여 두께 1/4까지의 상기 영역(R3)(외표면측의 두께 25%의 영역) 및 니켈을 포함하는 도전층의 외표면으로부터 내측을 향하여 두께 1/4의 위치에서 두께 1/2의 위치까지 사이의 상기 영역(R4)(외표면측으로부터 두께 25%의 위치에서 두께 50%의 위치까지 사이의 영역)에 있어서의 니켈, 주석 및 인듐의 평균 함유량을 구하였다. 또한, 니켈, 주석 및 인듐 이외의 함유량은, 인 또는 보론이었다. 또한, 상기의 측정에 의해, 니켈을 포함하는 도전층의 두께 방향에 있어서의, 니켈, 주석 및 인듐의 함유량 분포 결과가 얻어졌다. 이 결과로부터, 상기 영역(R3)에 있어서의 주석과 인듐의 합계의 함유량의 최댓값을 얻었다.Thin-film sections of the obtained conductive particles were prepared using a focused ion beam. Nickel, tin, and indium in the thickness direction of the conductive layer containing nickel were measured by energy dispersive X-ray spectrometry (EDS) using a field emission transmission electron microscope (“JEM-2010FEF” manufactured by Nippon Electronics). The content was measured. From these results, the region R1 up to 1/2 the thickness from the inner surface of the conductive layer containing nickel outward (area with a thickness of 50% on the inner surface side), from the outer surface of the conductive layer containing nickel. The region (R2) of up to 1/2 of the thickness toward the inside (area with a thickness of 50% on the outer surface side), and the region (R3) of up to 1/4 of the thickness toward the inside from the outer surface of the conductive layer containing nickel. (25% thickness area on the outer surface side) and the region R4 (outer surface side) between the 1/4 thickness position and the 1/2 thickness position toward the inside from the outer surface of the conductive layer containing nickel. The average content of nickel, tin, and indium in the area (between the 25% thickness position and the 50% thickness position) was determined. Additionally, contents other than nickel, tin, and indium were phosphorus or boron. Additionally, through the above measurement, the content distribution results of nickel, tin, and indium in the thickness direction of the conductive layer containing nickel were obtained. From this result, the maximum value of the total content of tin and indium in the region R3 was obtained.

(3) 도전성 입자의 도전층의 융점(3) Melting point of the conductive layer of conductive particles

얻어진 도전성 입자의 도전층의 융점을, 시차 주사 열량계(야마토 가가꾸사제 「DSC-6300」)를 사용하여 측정하였다. 이 결과, 실시예에 있어서의 도전층의 융점은 300℃ 이상이었다.The melting point of the conductive layer of the obtained conductive particles was measured using a differential scanning calorimeter (“DSC-6300” manufactured by Yamato Chemical Co., Ltd.). As a result, the melting point of the conductive layer in the examples was 300°C or higher.

(4) 도전성 입자의 10% K값(4) 10% K value of conductive particles

얻어진 도전성 입자의 10% K값을 미소 압축 시험기(피셔사제 「피셔 스코프 H-100」)를 사용하여 측정하였다.The 10% K value of the obtained conductive particles was measured using a micro-compression tester (“Fisher Scope H-100” manufactured by Fisher).

(5) 도전성 입자의 부피 저항률(5) Volume resistivity of conductive particles

얻어진 도전성 입자의 부피 저항률을, 미쯔비시 가가꾸사제 「분체 저항률 측정 시스템」을 사용하여 측정하였다.The volume resistivity of the obtained conductive particles was measured using a “powder resistivity measurement system” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.

(6) 접속 저항 A(초기)(6) Connection resistance A (initial)

접속 구조체의 제조:Manufacturing of the connection structure:

열경화성 화합물인 에폭시 화합물(나가세 켐텍스사제 「EP-3300P」) 20중량부와, 열경화성 화합물인 에폭시 화합물(DIC사제 「EPICLON HP-4032D」) 15중량부와, 열경화제인 열 양이온 발생제(산신 가가꾸사제 선에이드 「SI-60」) 5중량부와, 필러인 실리카(평균 입자 직경 0.25㎛) 20중량부를 배합하고, 또한 얻어진 도전성 입자를 배합물 100중량% 중에서의 함유량이 10중량%가 되도록 첨가한 후, 유성식 교반기를 사용하여 2000rpm으로 5분간 교반함으로써, 이방성 도전 페이스트를 얻었다.20 parts by weight of an epoxy compound as a thermosetting compound (“EP-3300P” manufactured by Nagase Chemtex), 15 parts by weight of an epoxy compound as a thermosetting compound (“EPICLON HP-4032D” manufactured by DIC Corporation), and a thermal cation generator (Sansshin) as a thermosetting agent. 5 parts by weight of Sun Aid "SI-60" manufactured by Kagaku Co., Ltd. and 20 parts by weight of silica (average particle diameter 0.25 ㎛) as a filler are mixed, and the obtained conductive particles are mixed so that the content of the obtained conductive particles is 10% by weight in 100% by weight of the mixture. After addition, an anisotropic electrically conductive paste was obtained by stirring for 5 minutes at 2000 rpm using a planetary stirrer.

L/S가 20㎛/20㎛인 Al-Ti 4% 전극 패턴(Al-Ti 4% 전극 두께 1㎛)을 상면에 갖는 유리 기판을 준비하였다. 또한, L/S가 20㎛/20㎛인 금 전극 패턴(금 전극 두께 20㎛)을 하면에 갖는 반도체 칩을 준비하였다.A glass substrate having an Al-Ti 4% electrode pattern (Al-Ti 4% electrode thickness 1 μm) with L/S of 20 μm/20 μm on the upper surface was prepared. Additionally, a semiconductor chip having a gold electrode pattern (gold electrode thickness of 20 μm) with L/S of 20 μm/20 μm on the lower surface was prepared.

상기 유리 기판의 상면에, 제조 직후의 이방성 도전 페이스트를 두께 20㎛가 되도록 도공하여, 이방성 도전 재료층을 형성하였다. 이어서, 이방성 도전 재료층의 상면에 상기 반도체 칩을, 전극끼리가 대향하도록 적층하였다. 그 후, 이방성 도전 재료층의 온도가 170℃가 되도록 헤드의 온도를 조정하면서, 반도체 칩의 상면에 가압 가열 헤드를 싣고, 2.5MPa의 압력을 가하고, 이방성 도전 재료층을 170℃에서 경화시켜, 접속 구조체를 얻었다.An anisotropic conductive paste immediately after production was applied to the upper surface of the glass substrate to a thickness of 20 μm to form an anisotropic conductive material layer. Next, the semiconductor chip was stacked on the upper surface of the anisotropic conductive material layer so that the electrodes faced each other. After that, while adjusting the temperature of the head so that the temperature of the anisotropic conductive material layer is 170°C, a pressure heating head is placed on the upper surface of the semiconductor chip, a pressure of 2.5 MPa is applied, and the anisotropic conductive material layer is cured at 170°C. A connection structure was obtained.

접속 저항의 측정:Measurement of connection resistance:

얻어진 접속 구조체가 대향하는 전극 사이의 접속 저항 A를 4단자법에 의해 측정하였다. 또한, 접속 저항 A를 하기의 기준으로 판정하였다.The connection resistance A between the electrodes facing the obtained connection structure was measured by the four-terminal method. Additionally, the connection resistance A was determined based on the following standards.

[접속 저항 A의 평가 기준][Evaluation criteria for connection resistance A]

○○○: 접속 저항 A가 2.0Ω 이하○○○: Connection resistance A is 2.0Ω or less.

○○: 접속 저항 A가 2.0Ω를 초과하고, 3.0Ω 이하○○: Connection resistance A exceeds 2.0Ω and is 3.0Ω or less.

○: 접속 저항 A가 3.0Ω를 초과하고, 5.0Ω 이하○: Connection resistance A exceeds 3.0Ω and is 5.0Ω or less.

△: 접속 저항 A가 5.0Ω를 초과하고, 10Ω 이하△: Connection resistance A exceeds 5.0Ω and is 10Ω or less.

×: 접속 저항 A가 10Ω를 초과한다×: Connection resistance A exceeds 10Ω

(7) 접속 저항 B(산의 영향 후)(7) Connection resistance B (after influence of acid)

얻어진 도전성 입자를 5%의 황산 수용액에 30분간 침지하였다. 그 후, 여과함으로써, 입자를 취출하고, 수세하고, 에탄올 치환하고 10분간 방치하여 입자를 건조시킴으로써, 산에 노출된 도전성 입자를 얻었다. 얻어진 도전성 입자를 사용하여 상기 (6)과 동일하게 하여 접속 구조체를 제조하고, 접속 저항 A와 동일하게 하여 접속 저항 B를 측정하였다. 또한, 접속 저항 B를 하기의 기준으로 판정하였다.The obtained conductive particles were immersed in a 5% sulfuric acid aqueous solution for 30 minutes. After that, the particles were taken out by filtration, washed with water, replaced with ethanol, and left to dry for 10 minutes to obtain conductive particles exposed to acid. Using the obtained electroconductive particles, a bonded structure was manufactured in the same manner as above (6), and the connection resistance B was measured in the same manner as the connection resistance A. Additionally, the connection resistance B was determined based on the following standards.

[접속 저항 B의 평가 기준][Evaluation criteria for connection resistance B]

○○○: 접속 저항 B가 접속 저항 A의 1배 이상, 1.5배 미만○○○: Connection resistance B is more than 1 time but less than 1.5 times the connection resistance A.

○○: 접속 저항 B가 접속 저항 A의 1.5배 이상, 2배 미만○○: Connection resistance B is 1.5 times or more but less than 2 times that of connection resistance A.

○: 접속 저항 B가 접속 저항 A의 2배 이상, 5배 미만○: Connection resistance B is more than 2 times but less than 5 times that of connection resistance A.

△: 접속 저항 B가 접속 저항 A의 5배 이상, 10배 미만△: Connection resistance B is more than 5 times but less than 10 times that of connection resistance A.

×: 접속 저항 B가 접속 저항 A의 10배 이상×: Connection resistance B is 10 times or more than connection resistance A

(8) 접속 저항 C(알칼리의 영향 후)(8) Connection resistance C (after influence of alkali)

얻어진 도전성 입자를 5%의 수산화나트륨 수용액에 30분간 침지하였다. 그 후, 여과함으로써, 입자를 취출하고, 수세하고, 에탄올 치환하고 10분간 방치하여 입자를 건조시킴으로써, 알칼리에 노출된 도전성 입자를 얻었다. 얻어진 도전성 입자를 사용하여 상기 (6)과 동일하게 하여 접속 구조체를 제조하고, 접속 저항 A와 동일하게 하여 접속 저항 C를 측정하였다. 또한, 접속 저항 C를 하기의 기준으로 판정하였다.The obtained conductive particles were immersed in a 5% aqueous sodium hydroxide solution for 30 minutes. After that, the particles were taken out by filtration, washed with water, replaced with ethanol, and left to dry for 10 minutes to obtain conductive particles exposed to alkali. Using the obtained electroconductive particles, a bonded structure was manufactured in the same manner as above (6), and the connection resistance C was measured in the same manner as the connection resistance A. Additionally, the connection resistance C was determined based on the following standards.

[접속 저항 C의 평가 기준][Evaluation criteria for connection resistance C]

○○○: 접속 저항 C가 접속 저항 A의 1배 이상, 1.5배 미만○○○: Connection resistance C is more than 1 time but less than 1.5 times the connection resistance A.

○○: 접속 저항 C가 접속 저항 A의 1.5배 이상, 2배 미만○○: Connection resistance C is 1.5 times or more but less than 2 times the connection resistance A.

○: 접속 저항 C가 접속 저항 A의 2배 이상, 5배 미만○: Connection resistance C is more than 2 times but less than 5 times the connection resistance A.

△: 접속 저항 C가 접속 저항 A의 5배 이상, 10배 미만△: Connection resistance C is more than 5 times but less than 10 times that of connection resistance A.

×: 접속 저항 C가 접속 저항 A의 10배 이상×: Connection resistance C is 10 times or more than connection resistance A

(9) 응집 상태(9) Aggregation state

비스페놀 A형 에폭시 수지(미쯔비시 가가꾸사제 「에피코트 1009」) 10중량부와, 아크릴 고무(중량 평균 분자량 약 80만) 40중량부와, 메틸에틸케톤 200중량부와, 마이크로 캡슐형 경화제(아사히 가세이 케미컬즈사제 「HX3941HP」) 50중량부와, 실란 커플링제(도레이 다우코닝 실리콘사제 「SH6040」) 2중량부를 혼합하고, 도전성 입자를 함유량이 3중량%로 되도록 첨가하고, 분산시켜, 이방성 도전 재료를 얻었다. 또한 도전성 입자는 접속 저항 A, 접속 저항 B, 접속 저항 C에서 사용한 3조건의 입자를 사용하여, 3종류의 이방성 도전 재료를 제조하였다.10 parts by weight of bisphenol A type epoxy resin (“Epicoat 1009” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), 40 parts by weight of acrylic rubber (weight average molecular weight approximately 800,000), 200 parts by weight of methyl ethyl ketone, and a microcapsule type hardener (Asahi 50 parts by weight of "HX3941HP" manufactured by Kasei Chemicals and 2 parts by weight of a silane coupling agent ("SH6040" manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.) were mixed, and conductive particles were added so that the content was 3% by weight, dispersed, and anisotropic conductivity was obtained. Got the ingredients. In addition, three types of anisotropic electrically conductive materials were manufactured using the conductive particles of the three conditions used in connection resistance A, connection resistance B, and connection resistance C.

얻어진 3종류의 이방성 도전 재료를 25℃에서 72시간 보관하였다. 보관 후에, 이방성 도전 재료에 있어서 응집한 도전성 입자가 침강하고 있는지의 여부를 평가하였다. 응집 상태를 이하의 기준으로 판정하였다.The three types of anisotropic conductive materials obtained were stored at 25°C for 72 hours. After storage, it was evaluated whether the aggregated conductive particles were settling in the anisotropic conductive material. The state of aggregation was determined based on the following criteria.

[응집 상태의 판정 기준][Judgment criteria for aggregation state]

○: 3종류의 이방성 도전 재료의 전체에서, 응집한 도전성 입자가 침강하고 있지 않다○: Agglomerated conductive particles do not settle in all three types of anisotropic conductive materials.

△: 1종의 이방성 도전 재료만으로, 응집한 도전성 입자가 침강하고 있다△: Only one type of anisotropic conductive material is used, and the aggregated conductive particles are settling.

×: 2종류 이상의 이방성 도전 재료로, 응집한 도전성 입자가 침강하고 있다×: Two or more types of anisotropic conductive materials, and the aggregated conductive particles are settling.

결과를 하기의 표 1 내지 3에 나타내었다.The results are shown in Tables 1 to 3 below.

Figure 112018005966919-pct00001
Figure 112018005966919-pct00001

Figure 112018005966919-pct00002
Figure 112018005966919-pct00002

Figure 112018005966919-pct00003
Figure 112018005966919-pct00003

1…도전성 입자
2…기재 입자
3…니켈을 포함하는 도전층
11…도전성 입자
11a…돌기
12…니켈을 포함하는 도전층
12a…돌기
13…코어 물질
14…절연성 물질
21…도전성 입자
21a…돌기
22…니켈을 포함하는 도전층
22a…돌기
22A…제1 도전층
22Aa…돌기
22B…제2 도전층
22Ba…돌기
51…접속 구조체
52…제1 접속 대상 부재
52a…제1 전극
53…제2 접속 대상 부재
53a…제2 전극
54…접속부
One… conductive particles
2… substrate particles
3… Conductive layer containing nickel
11… conductive particles
11a… spin
12… Conductive layer containing nickel
12a… spin
13… core material
14… insulating material
21… conductive particles
21a… spin
22… Conductive layer containing nickel
22a… spin
22A… first conductive layer
22Aa… spin
22B… second conductive layer
22Ba… spin
51… connection structure
52… Absence of first connection target
52a… first electrode
53… Absence of second connection target
53a… second electrode
54… connection

Claims (9)

기재 입자와, 상기 기재 입자의 표면 상에 배치되어 있고, 또한 니켈을 포함하는 도전층을 구비하고,
상기 니켈을 포함하는 도전층이, 니켈과 주석 및 인듐 중 적어도 1종을 포함하는 합금층이고,
상기 니켈을 포함하는 도전층의 외표면으로부터 내측을 향하여 두께 1/2까지의 영역의 100중량% 중, 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량이 5중량% 미만이고,
상기 니켈을 포함하는 도전층의 내표면으로부터 외측을 향하여 두께 1/2까지의 영역에 있어서의 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량은, 상기 니켈을 포함하는 도전층의 외표면으로부터 내측을 향하여 두께 1/2까지의 영역에 있어서의 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량보다도 적은, 도전성 입자.
Equipped with substrate particles and a conductive layer disposed on the surface of the substrate particles and containing nickel,
The conductive layer containing nickel is an alloy layer containing nickel, at least one of tin, and indium,
The total average content of tin and indium is less than 5% by weight in 100% by weight of the area from the outer surface of the conductive layer containing nickel to 1/2 the thickness inward,
The average content of the total tin and indium in the area up to 1/2 the thickness from the inner surface of the conductive layer containing nickel toward the outside is 1/2 of the thickness from the outer surface of the conductive layer containing nickel toward the inside. Conductive particles smaller than the total average content of tin and indium in the area up to /2.
제1항에 있어서, 상기 니켈을 포함하는 도전층의 외표면으로부터 내측을 향하여 두께 1/4까지의 영역에서의 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량이, 상기 니켈을 포함하는 도전층의 외표면으로부터 내측을 향하여 두께 1/4의 위치에서 두께 1/2의 위치까지 사이의 영역에서의 주석과 인듐의 합계의 평균 함유량보다도 많은, 도전성 입자.The method according to claim 1, wherein the total average content of tin and indium in a region up to 1/4 of the thickness toward the inside from the outer surface of the conductive layer containing nickel is Conductive particles that are greater than the average content of the sum of tin and indium in the area between the 1/4th thickness position and the 1/2th thickness position toward the inside. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 니켈을 포함하는 도전층의 외표면으로부터 내측을 향하여 두께 1/4까지의 영역의 100중량% 중, 주석과 인듐의 합계의 함유량의 최댓값이 50중량% 이하인, 도전성 입자.The method according to claim 1 or 2, wherein the maximum total content of tin and indium in 100% by weight of the area from the outer surface of the conductive layer containing nickel to 1/4 of the thickness inward is 50% by weight. Below, conductive particles. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 니켈을 포함하는 도전층이 외표면에 돌기를 갖는, 도전성 입자.The conductive particle according to claim 1 or 2, wherein the conductive layer containing nickel has protrusions on its outer surface. 제1항 또는 제2항에 있어서, 부피 저항률이 0.003Ω·cm 이하인, 도전성 입자.The electroconductive particle according to claim 1 or 2, wherein the electroconductive particle has a volume resistivity of 0.003 Ω·cm or less. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 니켈을 포함하는 도전층의 외표면 상에 배치된 절연성 물질을 더 구비하는, 도전성 입자.The conductive particle according to claim 1 or 2, further comprising an insulating material disposed on the outer surface of the conductive layer containing nickel. 제1항 또는 제2항에 기재된 도전성 입자와, 결합제 수지를 포함하는, 도전 재료.An electrically-conductive material containing the electroconductive particle of Claim 1 or 2, and binder resin. 제1 접속 대상 부재와,
제2 접속 대상 부재와,
상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하고,
상기 접속부의 재료가, 제1항 또는 제2항에 기재된 도전성 입자이거나, 또는 상기 도전성 입자와 결합제 수지를 포함하는 도전 재료인, 접속 구조체.
A first connection target member,
Absence of a second connection target,
It has a connection part connecting the first connection target member and the second connection target member,
A connected structure in which the material of the connection portion is the conductive particles according to claim 1 or 2, or an electrically conductive material containing the conductive particles and a binder resin.
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