KR20210154842A - 유리 또는 유리 세라믹 패널 및 이러한 패널을 제조하기 위한 방법 - Google Patents

유리 또는 유리 세라믹 패널 및 이러한 패널을 제조하기 위한 방법 Download PDF

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KR20210154842A
KR20210154842A KR1020217037892A KR20217037892A KR20210154842A KR 20210154842 A KR20210154842 A KR 20210154842A KR 1020217037892 A KR1020217037892 A KR 1020217037892A KR 20217037892 A KR20217037892 A KR 20217037892A KR 20210154842 A KR20210154842 A KR 20210154842A
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클라우스 프랑크
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쇼오트 아게
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Abstract

본 발명은 유리 또는 유리 세라믹 패널(1)에 관한 것으로서, 직교 xyz 좌표계에서 xy 평면에 위치된 제1 상부 표면(2) 및 제2 상부 표면(3), 적어도 하나의 제1 에지 표면(10)과 적어도 하나의 제2 에지 표면(20)을 갖는 둘레 방향 하부 에지(100) 및 둘레 방향 상부 에지(110)를 구비하고, 이러한 에지 표면들은 서로 각도 γ를 형성하고, 프로파일 PE 및 코너 각도 W를 포함하는, 2개의 에지 표면(10, 20)을 연결하는 코너 표면(30)을 갖는다. 제1 상부 표면(2)은 2개의 에지 표면(10, 20) 중 적어도 하나 상에 패싯 표면(42)을 갖는 패싯(40)을 포함하고, 이에 의해 에지 표면(10, 20) 상에 프로파일 PR을 갖는 잔여 에지 표면(60)이 형성되고, 프로파일 PR은 하부 에지(100)로부터 거리 zR을 포함하는 윤곽 라인 KR을 포함하고, 프로파일 PE는 하부 에지(100)로부터 거리 zE를 포함하는 윤곽 라인 KE를 포함한다. 거리 zE 및 zR의 경우, zR < zE가 적용된다. 잔여 에지 표면(60)과 코너 표면(30) 사이에는, 프로파일 PE 및 PR과는 상이한 프로파일
Figure pct00040
을 갖는 전이 표면(50)이 제공되고, 전이 표면(50)은 적어도 3개의 코너(58a, b, c)를 포함하고, 그 중 2개의 코너(58b, c)는 하부 에지(100) 상에 위치되고, 전이 표면(50)은 코너 표면(30)과 함께 제1 제한 라인(52)을 형성하고, 잔여 에지 표면(60)과 함께 제2 제한 라인(54)을 형성하고, 전이 표면(50)의 제3 코너 지점(58a)은 제1 제한 라인(52)과 제2 제한 라인(54)의 교차 지점(59)에 위치된다.

Description

유리 또는 유리 세라믹 패널 및 이러한 패널을 제조하기 위한 방법
본 발명은 본원의 청구항 제1항 및 청구항 제10항의 전제부에 따른 유리 또는 유리 세라믹 패널에 관한 것이다. 본 발명은 또한 본원의 청구항 제13항 및 청구항 제20항에 따른 이러한 유형의 유리 또는 유리 세라믹 패널을 제조하기 위한 방법에 관한 것이다.
유리 또는 유리 세라믹 패널은 사용 목적에 따라 패싯(facet)이 있거나 또는 패싯 없이 제조된다. 이러한 유형의 유리 또는 유리 세라믹 패널은 일반적으로 직사각형 형상을 가지며, 치수 정확성을 생성하기 위해 그리고 안전한 취급을 위해, 제1 공정 단계에서 사전 연삭으로 지칭되는 그라인딩이 둘레 방향으로 제공된다. 이러한 그라인딩은 정의된 에지(edge) 기하학적 형상을 갖는 프로파일을 생성하고, 예를 들어 선행 공정으로 인해 에지 상에 "유리 파단"을 발생하는 날카로운 에지 전이부 및 결함을 제거한다. 이러한 사전 연삭에서, 패널의 코너(corner)에는 일반적으로 라운딩이 제공된다. 라운딩의 코너 반경은 패널의 직선 측면으로 이어지므로, 평면도에서 연속적으로 연장되는 윤곽 라인을 볼 수 있다.
종종 패널은 하나 이상의 측면 상에 패싯이 제공된다.
에지의 패시팅(faceting) 시, 상부 표면 상에는 일반적으로 연삭 및 연마(polishing)를 통해 경사부가 제공된다. 패싯은 외부 에지에 평행하게 연장된다. 이를 통해, 원래 패널 두께는 일반적으로 20% 내지 80%의 값으로 감소된다. 나머지 에지는 잔여 에지로 지칭된다. 패싯 그라인딩을 통해, 챔퍼(chamfer)가 제공된 후에도 여전히 그 자체로 충돌 공격에 민감한, 노출된 에지가 형성된다. 이를 통해, 공작물의 기계적 강도가 감소된다.
패싯이 제조될 때 재료의 제거를 통해 잔여 에지의 프로파일도 또한 변경된다. 따라서, 잔여 에지가 후속 연삭되고, 새로운 프로파일이 제공된다. 이러한 추가적인 재료 제거에 의해, 라운딩에도 또한 영향을 받는다. 재료의 제거는 코너 표면을 단축시키고, 코너 각도를 감소시키므로, 라운딩의 반경이 더 이상 잔여 에지로 완전히 이어지지 않는다. 에지 라인은 코너 표면으로부터 잔여 에지 표면으로의 전이부에서, 평면도로 볼 때 불연속성뿐만 아니라, 패널의 측면도로 볼 때 수평 및 수직 오프셋도 또한 포함한다. 미적 인상은 크게 손상된다.
잔여 에지의 패시팅 및 후속 연삭을 위해, 일반적으로 필요한 연삭 및 연마 공구를 선형으로 배치함으로써 2개의 가공 프로세스를 직접 연속적으로 수행하는 자동 기계가 제공된다. 이러한 자동 기계에서 공작물은 연삭 및 연마 공구 옆으로 직선으로 지나가게 된다. 이 경우, 잔여 에지의 후속 연삭은 대응하는 공구 위치가 공작물 에지를 향해 이동되거나 또는 후퇴됨으로써 선택적으로 선택되거나 또는 선택 해제될 수 있다.
본 발명의 과제는 특히 코너 표면으로부터 잔여 에지 표면으로의 전이부에서 둘레 방향 윤곽 라인이 가능한 한 균일하게 연장되는, 패싯 처리된 유리 또는 유리 세라믹 패널을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 과제는 이러한 유리 또는 유리 세라믹 패널을 제조하기 위한 대응하는 방법을 제공하는 것이다.
이러한 과제는 본원의 청구항 제1항의 특징을 갖는 유리 또는 유리 세라믹 패널에 의해 달성된다.
유리 또는 유리 세라믹 패널은 거리 zE 및 zR에 대해 zR < zE가 적용되고, 잔여 에지 표면과 코너 표면 사이에는 프로파일 PE 및 PR과는 상이한 프로파일
Figure pct00001
을 갖는 전이 표면이 제공되고, 여기서 전이 표면은 적어도 3개의 코너를 포함하고, 그 중 2개의 코너는 하부 에지 상에 위치되고, 전이 표면은 코너 표면과 함께 제1 제한 라인을 형성하고, 잔여 에지 표면과 함께 제2 제한 라인을 형성하고, 여기서 전이 표면의 제3 코너 지점은 제1 제한 라인과 제2 제한 라인의 교차 지점에 위치되는 것을 특징으로 한다.
프로파일이라 함은, 2개의 파라미터(VK 및 HK)를 특징으로 하는 에지 표면의 윤곽을 의미하는 것으로 이해된다. 수직 윤곽 VK는 yz 평면에 위치된 윤곽이고, 수평 윤곽 HK는 xy 평면에 위치된 윤곽이며, 여기서 윤곽 VK 및 HK는 직선 및/또는 관련 반경을 가진 곡률을 포함한다.
xyz 좌표계는 단지 본 발명의 보다 나은 설명을 위해서만 사용되며, 공간, 예를 들어 설치 상황에서 유리 또는 유리 세라믹 패널의 정렬을 고정하지 않는다. 이는 "하부" 및 "상부"라는 용어에도 또한 적용된다.
패널은 평면도로 볼 때 패널의 외부 둘레 라인을 의미하는 것으로 이해되는 윤곽 라인 K를 포함한다. 윤곽 라인 KR 및 KE는 이러한 윤곽 라인 K의 섹션이다.
코너 각도 W는 전이 표면을 제공함으로써 종래 기술에 비해 확대될 수 있는 것으로 나타났다. 코너 각도 W는 윤곽 라인 KE를 통해 형성된다. 이를 통해, 윤곽 라인 K는 코너 표면으로부터 잔여 에지 표면으로의 전이부에서 균등화되며, 이는 유리 또는 유리 세라믹 패널의 미적 인상을 향상시킨다. 또한, 코너 표면으로부터 잔여 에지 표면으로의 전이부에서 윤곽 라인 K의 프로파일은 긍정적인 영향을 받을 수 있다.
바람직하게는, 전이 표면은 제한 라인의 교차 지점이 z 방향으로 윤곽 라인 KR 및 KE 사이에 위치되는 방식으로 형성된다. 이러한 실시예에서, 제2 제한 라인의 섹션은 윤곽 라인의 섹션을 형성한다.
바람직하게는, 전이 표면은 교차 지점이 윤곽 라인 KE의 상부에 또는 그 하부에 위치되는 방식으로 형성되며, 이는 제2 제한 라인의 섹션이 윤곽 라인 KR 및 KE를 서로 연결한다는 이점을 갖는다. 교차 지점이 윤곽 라인 KE 상에 위치되는 경우, 윤곽 라인 KR 및 KE의 연결은 단지 제2 제한 라인에 의해서만 정의된다. 교차 지점이 윤곽 라인 KE의 하부에 위치되면, 윤곽 라인 KR 및 KE의 연결은 제2 제한 라인을 통해 그리고 코너 표면의 제한 라인의 섹션에 의해 형성된다.
바람직하게는, 프로파일 중 적어도 하나(PE 또는 PR)는 적어도 하나의 곡률 반경을 갖는 z 방향으로 둥근 프로파일이다. 이러한 프로파일은 C 프로파일로 지칭된다. C 프로파일의 윤곽 라인은 정점 라인이다.
C 프로파일은, 2개의 상부 표면으로의 전이부의 에지가 날카롭지 않으므로, 패널의 취급이 개선된다는 이점을 갖는다. 또한 이를 통해, 패널의 충돌 민감성이 감소된다.
바람직하게는, 2개의 프로파일 PE 및 PR은 적어도 하나의 곡률 반경을 갖는 z 방향으로 둥근 프로파일이다.
바람직하게는, 이러한 C 프로파일은 xy 평면에 위치된 관련 패널 섹션의 중심 라인에 대해 대칭이다. 대칭형 C 프로파일은 양호한 에지 강도를 특징으로 한다.
바람직하게는, 프로파일 PE는 xz 평면에 위치된 윤곽 VKE 및 xy 평면에 위치된 윤곽 HKE를 포함하고, 프로파일
Figure pct00002
은 yz 평면에 위치된 윤곽
Figure pct00003
및 xy 평면에 위치된 윤곽
Figure pct00004
을 포함한다. 이 경우, 윤곽
Figure pct00005
은 윤곽 VKE와 동일한 것이 바람직하다. 윤곽
Figure pct00006
및 VKE의 이러한 일치의 이점은, 연삭 공정이 단순화될 수 있다는 것이다.
바람직하게는, 윤곽
Figure pct00007
은 곡률 반경
Figure pct00008
을 포함한다.
바람직하게는, 곡률 반경
Figure pct00009
≥RS이고, 여기서 RS는 에지 표면의 가공을 위해 사용될 수 있는 연삭 공구, 특히 연삭 휠의 반경이다.
소위 C 프로파일 대신, 예를 들어 인접한 챔퍼가 있는 직선 표면을 포함하는 프로파일과 같은 다른 프로파일이 또한 사용될 수도 있다. 이러한 유형의 프로파일은 V 프로파일로서 지칭된다. 바람직하게는, V 프로파일은 xy 평면에 위치된 관련 패널 섹션의 중심 라인에 대칭이다. 중심 라인은 윤곽 라인을 형성한다.
바람직하게는, 프로파일 PE는 윤곽 VKE 및 윤곽 HKE를 포함하며, 여기서 윤곽 VKE는 에지 표면의 프로파일 P1의 윤곽 VK1과 동일하다.
이하의 패널 파라미터가 바람직하다:
D 2 ㎜ 내지 5 ㎜, 특히 4 ㎜
DR 2.0 ㎜ 내지 3 ㎜, 특히 2.5 ㎜
R 1.5 ㎜ 내지 30 ㎜, 특히 5 ㎜
γ 80° 내지 100°, 특히 90°
연삭 휠 반경 RS 10 ㎜ 내지 150 ㎜, 특히 130 ㎜
R1 1.75 ㎜ 내지 6 ㎜
RR 1.75 ㎜ 내지 6 ㎜
바람직하게는, 유리 세라믹 패널은 적어도 코너 표면 상에 유리질 표면 구역을 포함한다. 바람직하게는, 유리질 표면 구역은 적어도 전체 코너 표면에 걸쳐 연장된다.
보다 바람직하게는, 유리 세라믹 패널은 적어도 코너 표면 및 전이 표면 상에 유리질 표면 구역을 포함한다. 바람직하게는, 유리질 표면 구역은 적어도 전체 코너 표면 및 전체 전이 표면에 걸쳐 연장된다.
LAS 유리 세라믹의 비결정질 (유리질) 표면 구역이라 함은, 유리 세라믹 표면에 직접적인 구역 또는 층을 의미하는 것으로 이해되며, 이는 내부와는 대조적으로, 즉 이러한 가장자리 층 하부의 구조가 일반적으로 20 ㎚ 내지 100 ㎚의 큰 HQMK (또는 기타) 결정을 포함하지 않고, 주로 비결정질이다. 실질적으로 비결정질인 표면 구역은 여기서, HQMK 또는 KMK(keatite mixed crystal)(키타이트 고용체)의 경우, 주 결정 상으로서 최대 10 부피% 결정을 포함하는데, 즉 표면 구역의 적어도 90 부피%는 유리질 매트릭스로 구성된다(스위핑 X선 회절을 통해 검증 가능). 특히 바람직하게는, 비결정질 표면 영역은 1 부피% 미만의 결정을 포함한다. 이와 대조적으로, 유리 세라믹 제품의 실질적으로 결정질인 내부의 결정은 적어도 70 부피%, 바람직하게는 적어도 80 부피%, 특히 바람직하게는 적어도 90 부피%의 비율을 갖는다.
이러한 층은 투과형 전자 현미경(TEM)에서 또는 간접적으로 주사 전자 현미경(SEM)에서 "스위핑 X선 회절"을 통해 또는 횡단면 제작 및 전자 회절을 통해 검출될 수 있다. SEM 검사를 위해, 횡단면은 희석된 불산으로 사전에 화학적으로 에칭된다. 불산은 HQMK/KMK 결정보다 명백히 더 강하게 LAS 유리 세라믹의 유리 상(phase)에 결합된다. 이러한 방식으로, 결정의 대비가 강화되고, 결정의 결정립계를 SEM에서 인지할 수 있으므로, 당업자는 X선 회절 및 SEM/TEM으로 볼 수 있는 생성된 구조적 차이에 기초하여, 결정 내부와 유리질 표면 영역 사이를 구별할 수 있다.
유리질 표면 구역의 두께는 여기서 50 ㎚ 내지 5000 ㎚, 바람직하게는 250 ㎚ 내지 3000 ㎚ 및 특히 바람직하게는 300 ㎚ 내지 1500 ㎚의 범위이다.
전이 영역은 유리 세라믹 제품의 유리질 가장자리 영역과 결정질 내부 사이를 중재하며, 여기서 유리질 매트릭스에 비해 결정의 수 또는 비율은 결정질 내부 방향으로 증가한다. 유리질 가장자리 영역과 제품의 결정질 내부 사이의 전이 영역은 여기서 유리한 방식으로는 가능한 한 작다. 본 발명에 따른 방법으로 인해, 바람직하게는 두께가 100 ㎚ 미만으로 유지된다. 유리질 가장자리 영역과 결정질 내부 사이의 가능한 한 작은 전이 영역은 제조된 제품의 투과율을 높인다. 이 경우, 두 층 간의 전이부가 더 날카로울수록, 투과율은 더 높아진다.
이러한 유리질 표면 구역에서 유리 세라믹은 높은 투과율뿐만 아니라, 높은 기계적 강도도 또한 포함하여, 이는 특히 조리 표면으로 사용될 때 특히 유리하다.
이러한 고강도의, 고도로 투명한 유리 세라믹 제품은 특정 체류 시간 및 신속한 냉각 속도를 갖는 핵 형성 온도 및 결정화 온도의 특정 조합에 의해 제조될 수 있다. 위에서 언급된 특성들의 개선은 상이한 조성의 초기 유리를 위해 제공된다. 투과율 및 강도에 대한 이점은 바람직하게는 리튬 알루미노실리케이트 유리 세라믹(LAS 유리 세라믹)에서 특히 두드러진다.
유리 또는 유리 세라믹 패널은 직교 xyz 좌표계에서 xy 평면에 위치된 상부 표면 및 하부 표면을 갖고, 적어도 하나의 제1 에지 표면과 적어도 하나의 제2 에지 표면을 갖는 둘레 방향 하부 에지 및 둘레 방향 상부 에지를 가지며, 여기서 에지 표면들은 서로 각도 γ를 형성하고, 중심 지점(M), 윤곽 라인 KE 및 코너 각도 W를 갖는 곡률 반경 R을 포함하는, 2개의 에지 표면을 연결하는 코너(E)의 만곡된 코너 표면을 포함하고, 여기서 상부 표면은 2개의 에지 표면 중 적어도 하나 상에 패싯 표면을 갖는 패싯을 포함하고, 이에 의해 에지 표면에서 두께 DR 및 윤곽 라인 KR을 갖는 잔여 에지 표면이 형성되고, 중심 지점(M)으로부터 윤곽 라인 KR의 거리 AR에는 0.9·R≤AR≤1.1·R이 적용되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는 0.95·R≤AR≤1.05·R가 적용된다.
상기 과제는 제1 실시예에 따르면, 다음의 순서로 다음의 단계를 갖는 유리 또는 유리 세라믹 패널을 제조하기 위한 방법에 의해서도 또한 달성된다:
a) 패널 블랭크를 제공하는 단계,
- 직교 xyz 좌표계에서 xy 평면에 위치된 제1 상부 표면 및 평행한 xy 평면에 위치된 제2 상부 표면, 및
- 서로 각도 γ를 형성하는 적어도 하나의 제1 에지 표면 및 적어도 하나의 제2 에지 표면을 구비함 -,
b) 적어도 에지 표면을 사전 연삭하는 단계,
- 적어도 에지 표면 사이에, 연삭 윤곽의 코너 반경 R 및 코너 각도 β를 갖는 코너 표면이 제조되고,
- 적어도 하나의 에지 표면 상에서, 코너 표면에 인접하여 x 방향으로 또는 y 방향으로 에지 표면 위로 연장되는 폭 BZG를 갖는 가장자리 스트립이 가공되고,
- 적어도 에지 표면, 코너 표면 및 가장자리 스트립에는 프로파일 P1이 제공됨 -,
c) 상부 표면을 패시팅하는 단계 - 가장자리 스트립을 포함하는 에지 표면을 향해 테이퍼지는 적어도 하나의 패싯이 제조되고, 에지 표면은 잔여 에지 표면을 향해 감소됨 -,
d) 잔여 에지 표면을 후속 연삭하는 단계 - 잔여 에지 표면에 프로파일 PR이 제공됨 -.
제조 공정의 이점은, y 방향으로 에지 표면 위로 연장되는 가장자리 스트립이 가공되므로, 방법 단계 d)에서 잔여 에지가 후속 연삭될 때, 코너 표면이 종래의 방법의 경우와 같은 정도로 단축되지 않도록 한다는 점이다. 코너 각도 W는 보다 길게 이어질 수 있고, 이는 미적 인상을 개선시킨다. 이는 x 방향으로 연장되는 가장자리 스트립에도 또한 동일하게 적용된다.
유리 세라믹 패널의 제조 시, 유리 세라믹 또는 유리로 이루어진 패널 블랭크가 단계 a)에서 제공될 수 있다.
바람직하게는, 방법 단계 a)에서 유리로 이루어진 패널 블랭크가 가정된다. 본 방법의 이러한 실시예에서, 유리 블랭크의 세라믹화는 추후 시점에 수행되고, 바람직하게는 모든 방법 단계 a) 내지 d) 이후에 수행될 수 있다.
방법 단계 c)에서 패시팅 전 또는 후에 세라믹화를 수행하는 것이 특히 바람직하다.
방법 공정의 후반부에 세라믹화가 수행될수록, 유리질 표면 구역을 포함하는 패널 표면의 부분이 더 커진다.
바람직하게는, 가장자리 스트립이 가공될 때, 직선 가장자리 스트립 섹션, 및 전이 섹션 표면이 있는 전이 섹션이 제조되며, 여기서 전이 섹션 표면은 코너 표면을 향해 테이퍼진다. 직선 가장자리 스트립의 양 단부 상에 전이 섹션을 제공하는 것은, 가장자리 스트립의 제조를 용이하게 한다. 전이 섹션의 연속적인 프로파일을 통해, 가장자리 스트립의 날카로운 에지가 방지된다.
바람직하게는, 곡률 반경
Figure pct00010
을 갖는 전이 섹션 표면이 제조된다.
바람직하게는, 곡률 반경
Figure pct00011
은
Figure pct00012
≥RS가 되도록 선택되며, 여기서 RS는 사전 연삭을 위해 제공되는 연삭 공구의 반경이다.
바람직하게는, 가장자리 스트립의 가공 시, 연삭 윤곽의 코너 각도 β는 60°≤β≤90°로 설정된다.
연삭 윤곽의 코너 각도 β는 전이 표면의 y 방향의 길이 및 전이 표면의 형상 및 윤곽 라인 KR 및 KE의 오프셋 VY에 y 방향으로 또는 x 방향으로 영향을 주는 것으로 나타났다. β가 더 작게 선택될수록, 전이 표면은 더 작아지므로, 이에 따라 값 VY도 또한 작아진다. 그러나, 각도 β는 너무 작게 선택되어서는 안 되는데, 이를 통해 각도 W가 과도하게 감소되기 때문이다.
바람직하게는, 방법 단계 d)의 후속 연삭 단계에서, 가장자리 스트립의 직선 가장자리 스트립 섹션의 영역에는 재료 제거(BAT)가 수반되며, 여기서 0.1·BZG≤BAT≤2·BZG이다. 바람직하게는, 0.5·BZG≤BAT≤1.5·BZG이다.
재료 제거(BAT)의 크기는 전이 표면의 길이와 크기에 영향을 주는 것으로 나타났다. 재료 제거는 재료 추가(BZG)와 동일하게 선택하는 것이 바람직하다.
폭 BZG는 바람직하게는 0.2 ㎜ 내지 2 ㎜, 특히 0.5 ㎜ 내지 1 ㎜이다.
상기 과제는 제2 실시예에 따르면, 다음 순서로 다음의 단계를 갖는 유리 또는 유리 세라믹 패널을 제조하기 위한 방법에 의해 달성된다:
a) 패널 블랭크를 제공하는 단계
- 직교 xyz 좌표계에서 xy 평면에 위치된 제1 상부 표면 및 평행한 xy 평면에 위치된 제2 상부 표면,
- 코너의 각도 γ를 함께 형성하는, 적어도 하나의 제1 에지 표면 및 적어도 하나의 제2 에지 표면,
- 폭 B1 및 길이 L1 - 적어도 하나의 에지 표면 상에 폭의 재료 추가(BZG)가 고려됨 - 를 구비함 -,
b) 적어도 에지 표면을 사전 연삭하는 단계
- 적어도 에지 표면에는 프로파일 P1이 제공됨 -,
c) 상부 표면을 패시팅하는 단계,
- 재료 추가(BZG)를 포함하는 에지 표면을 향해 테이퍼지는 적어도 하나의 패싯이 제조되고, 에지 표면이 잔여 에지 표면을 향해 감소됨 -,
d) 잔여 에지 표면을 후속 연삭하는 단계,
- 잔여 에지 표면에는 프로파일 PR이 제공됨 -,
e) 적어도 하나의 코너를 후속 연삭하는 단계,
- 에지 표면 사이에는, 연삭 윤곽의 코너 반경 R 및 코너 각도 β를 갖는 코너 표면이 생성됨.
본 방법의 제1 실시예에서와 같이, 방법 단계 a)에서 유리 또는 유리 세라믹으로 이루어진 패널 블랭크가 가정될 수 있다. 유리 세라믹 패널의 제조를 위해 유리 패널이 제공되는 경우, 모든 방법 단계 a) 내지 e) 이후에 본 방법의 제1 실시예에서와 같은 세라믹화가 수행될 수 있다.
제2 실시예에 따른 제조 방법의 주요 차이점은, 코너 표면 또는 복수의 코너 표면의 제조가 본 방법의 종료 시에만 수행된다는 점이다. 이러한 방법 관리의 이점은, 방법 단계 b)에서 2개의 대향하여 위치되는 에지가 연속 공정에서 직선으로 동시에 가공되는 단순화된 에지 연삭 방법이 사용될 수 있다는 것이다. 이러한 가공 기계는 직사각형의 편평한 판유리의 간단한 가공을 위해 유리 산업에서 널리 사용된다. 정의된 코너 반경은 여기서 추가되지 않는다.
이러한 제2 실시예에서도 또한, 제1 실시예에서와 같이, 프로파일 PE 및 PR가 z 방향으로 오프셋된 윤곽 라인 KE 및 KR을 포함하기 때문에 전이 표면이 생성된다.
재료 추가(BZG)를 고려함으로써, 치수 B1 및/또는 치수 L1은 최종 치수 B 및/또는 L과 비교하여 후속하는 방법 단계 동안 에지 가공에 의해 적어도 부분적으로 제거되는 대응하는 초과 치수를 포함하여, 최종적으로 최종 치수를 획득할 수 있다.
바람직하게는, 재료 추가(BZG)는 적어도 B1=B2 + n·BZG 및/또는 L1=L2 + n·BZG이고, n=1 또는 n=2가 적용되는 방식으로 고려된다. 여기서 패싯이 단지 하나의 에지 표면 상에만 제공되는 경우, n=1이 선택된다. 패싯이 2개의 대향하여 위치되는 에지 표면 상에 제공되는 경우에는, n=2가 선택된다.
바람직하게는, 재료 추가의 폭 BZG는 전체 폭 B1 및/또는 전체 길이 L1에 걸쳐 연장된다.
바람직하게는, 방법 단계 d)에서 후속 연삭은 재료 제거(BAT)를 수반하며, 여기서 0.1·BZG≤BAT≤2·BZG이다.
특히, 후속 연삭은 방법 단계 d)에서 재료 제거(BAT)에 의해 수행되며, 여기서 BZG=BAT이다.
바람직하게는, 방법 단계 e)는 연삭 공구에 의해 수행되며, 여기서 연삭 공구는 에지 표면에서 코너 각도 β에 도달할 때까지 코너 주위로 안내된 다음, 이어서 잔여 에지 표면 위로 지속적으로 멀어진다.
연삭 공구는 S 형상의 궤도 곡선을 따라 이동하며, 여기서 궤도 곡선이 지속적으로 테이퍼링될 때, 잔여 에지 표면에서 전이 표면이 가공된다.
바람직하게는, 폭의 재료 추가(BZG)는 방법 단계 b)에서 적용된 프로파일 P1이 방법 단계 d)에서 프로파일 PR로 완전히 대체될 정도로 크게 선택된다.
바람직하게는, 프로파일 PR은 곡률 반경 RR을 갖는 프로파일로서 생성된다.
바람직하게는, 프로파일 PR은 대칭형 프로파일로서 생성된다.
바람직하게는, 코너 반경의 프로파일 PE는, 인접한 에지 표면의 프로파일 P1에 상응하게 제조된다.
본 발명의 예시적인 실시예들은 도면을 참조하여 이하에서 보다 상세히 설명된다.
도 1a는 본 방법의 제1 실시예 및 제2 실시예에 따른 방법 단계 a)에 따른 패널 블랭크의 평면도를 도시한다.
도 1b는 도 1a에 따른 블랭크를 통한 도 1a의 라인 Ⅰ-Ⅱ을 따른 부분 단면도를 도시한다.
도 2a는 본 방법의 제1 실시예에 따른 방법 단계 b)의 수행 후의 패널 블랭크의 평면도를 도시한다.
도 2b는 도 2a의 라인 Ⅰ-Ⅱ을 따른 가공된 블랭크를 통한 단면도를 도시한다.
도 2c는 제1 실시예에 따른 도 2a의 가공된 블랭크의 상부 가장자리 영역의 확대도를 도시한다.
도 2d는 다른 실시예에 따른 도 2a의 가공된 블랭크의 상부 좌측 코너 영역의 확대도를 도시한다.
도 2e는 방법 단계 b)를 수행하기 위한 연삭 휠이 있는 도 2a의 가공된 블랭크의 상부 좌측 코너 영역의 확대도를 도시한다.
도 2f는 도 2a에 도시된 블랭크의 코너 영역의 사시도를 도시한다.
도 3a는 본 방법의 제1 실시예에 따른 방법 단계 c)에 따라 패시팅이 수행된 후의 가공된 블랭크의 평면도를 도시한다.
도 3b는 도 3a의 라인 Ⅰ-Ⅱ을 따른 가공된 블랭크를 통한 단면도를 도시한다.
도 3c는 도 3a에 따른 가공된 블랭크의 코너 영역의 사시도를 도시한다.
도 4a는 본 방법의 제1 실시예에 따른 방법 단계 d)를 따라 후속 연삭된 후의 완성된 패널의 평면도를 도시한다.
도 4b는 도 4a의 패널의 우측 상부 코너 영역의 확대도를 도시한다.
도 4c는 도 4b의 라인 Ⅰ-Ⅱ을 따른 패널을 통한 단면도를 도시한다.
도 5는 폭 BZG를 설명하기 위해 블랭크 및 완성된 패널을 통한 단면도를 도시한다.
도 6은 도 4a에 따른 유리 또는 유리 세라믹 패널의 코너의 사시도를 도시한다.
도 7은 다른 실시예에 따른 패널의 코너의 사시도를 도시한다.
도 8은 다른 실시에에 따른 패널의 코너의 사시도를 도시한다.
도 8a는 도 7의 코너의 확대도를 도시한다.
도 9는 다른 실시예에 따른 패널의 코너의 사시도를 도시한다.
도 10은 다른 실시예에 따른 코너의 사시도를 도시한다.
도 11 내지 도 13은 도 2a, 도 3a 및 도 4a에 대응하는, 각각 방법 단계 b), c) 및 d) 이후의, 2개의 패싯을 포함하는 블랭크 및 완성된 패널의 평면도를 도시한다.
도 14는 2개의 패싯을 갖는 패널의 코너의 평면 사시도를 도시한다.
도 15는 다른 실시예에 따른 2개의 패싯을 갖는 패널의 코너의 사시도를 도시한다.
도 16은 종래 기술에 따른 패널의 코너의 사시도를 도시한다.
도 17은 도 9에 따른 패널의 코너의 사시도를 도시한다.
도 18a는 종래 기술에 따른 하부면이 보이는 패널의 코너의 사시도를 도시한다.
도 18b는 도 18a에 도시된 종래 기술에 따른 패널의 하부면의 평면도를 도시한다.
도 19a는 하부면이 보이는 패널의 코너의 사시도를 도시한다.
도 19b는 도 19a에 도시된 패널의 하부면의 평면도를 도시한다.
도 20a는 본 방법의 제2 실시예에 따른 방법 단계 b)가 수행된 후의 패널 블랭크의 평면도를 도시한다.
도 20b는 도 20a의 라인 Ⅰ-Ⅱ을 따른 가공된 블랭크를 통한 단면도를 도시한다.
도 21a는 본 방법의 제2 실시예에 따른 방법 단계 c)에 따라 패시팅이 수행된 후의 가공된 블랭크의 평면도를 도시한다.
도 21b는 도 21a의 라인 Ⅰ-Ⅱ을 따른 패널을 통한 단면도를 도시한다.
도 22a는 본 방법의 제2 실시예에 따른 방법 단계 d)에 따라 후속 연삭된 후의 패널의 평면도를 도시한다.
도 22b는 도 22a의 라인 Ⅰ-Ⅱ을 따른 패널을 통한 단면도를 도시한다.
도 23은 본 방법의 제2 실시예에 따른 방법 단계 e)에 따라 후속 연삭된 후의 완성된 패널의 평면도를 도시한다.
도 24는 본 방법의 제2 실시예에 따른 방법 단계 e)를 설명하기 위한 코너의 사시도를 도시한다.
도 1a에는 유리 또는 유리 세라믹으로 이루어질 수 있는 블랭크(200)의 평면도가 도시되어 있다. 블랭크(200)는 두께 D, 폭 B1 및 길이 L1을 갖는 직사각형 패널, 및 대향하여 위치되는 제1 에지 표면(210) 및 대향하여 위치되는 제2 에지 표면(220)으로 구성되며, 이들은 모두 가공되지 않았다. 블랭크(200)는 서로 평행하게 배치되고 xy 평면에 위치된 제1 상부 표면(2) 및 제2 상부 표면(3)을 갖는다(도 1b 참조). 설치 상황에서, 예를 들어 호브에서 제1 상부 표면(2)은 상부면을 형성할 수 있고, 제2 상부 표면(3)은 하부면을 형성할 수 있다.
도 2a에는 제1 에지 가공이 수행된 후의 블랭크(200)의 평면도가 도시되어 있다. 이는 방법 특징 b)에 따른 사전 연삭이고, 여기서 에지 표면(210)과 에지 표면(220) 사이에는 각각 연삭 윤곽의 코너 반경 R 및 코너 각도 β를 갖는 코너 표면(230)이 제조된다(도 2c 참조).
모든 에지 가공은 재료 제거와 관련되기 때문에, 블랭크(200)의 폭 및 길이가 감소되었다. 블랭크(200)의 길이 L1은 후속 방법 단계를 통해 길이 L이 변경되지 않으므로, 완성 가공된 패널(1)의 최종 치수에 대응하는 길이 L로 단축되었다.
폭 B1은 폭 B3으로 감소되었다. 가장자리 스트립(240)을 가공함으로써, 폭 B3은 폭 B2 및 가장자리 스트립(240)의 폭 BZG로 구성된다. 폭 BZG는 방법 단계 c) 이후에 마지막 방법 단계 d)에서 적어도 부분적으로 다시 제거되는 재료 추가를 나타낸다. 이러한 재료 제거는 BAT로 지칭되며, 이는 도 4a 및 도 4b에 도시되어 있다. 방법 단계 d) 이후에만, 최종 치수 B가 달성된다.
방법 단계 b)에 따른 에지 가공 동안, 모든 에지 표면, 즉 에지 표면(210 및 220) 및 4개의 코너 표면(230)에는 프로파일 P1이 제공된다. 도 2b의 단면도에서 알 수 있는 바와 같이, C 프로파일로 지칭되는 곡률 반경 R1을 갖는 둥근 프로파일이다(도 2f 및 도 5도 또한 참조). 여기에 도시된 도면에서, C 프로파일은 블랭크(200)의 중심 라인 MP에 대칭으로 형성되어 있다.
도 2c에는 도 2a의 가공된 블랭크(200)의 상부 가장자리 영역이 확대되어 도시되어 있다. 제1 에지 표면(210)은 각각 코너 각도 β에 걸쳐 연장되는 코너(E)의 코너 표면(230)으로 병합된다. 여기에 도시된 실시예에서, 코너 각도 β는 90°이고, 이는 제1 에지 표면(210)과 제2 에지 표면(220) 사이의 각도 γ에 대응한다.
코너(E)의 코너 표면(230)은 접선 지점(248)에서 가장자리 스트립(240)으로 병합되며, 이러한 가장자리 스트립(240)은 직선 가장자리 스트립 섹션(242), 및 직선 가장자리 스트립 섹션(242)에 인접한, 전이 섹션 표면(250)이 있는 2개의 전이 섹션(244)으로 구성된다. 연결 라인(243)은 2개의 접선 지점(248)을 연결한다.
전이 섹션(244)은 도 2e에 도시된 바와 같이, 방법 단계 b)에 사용되는 연삭 휠(300)의 반경 Rs과 동일할 수 있는 곡률 반경
Figure pct00013
을 갖는다.
도 2d에는 코너 각도 β가 대략 70°인 다른 실시예가 도시되어 있다. 따라서, 가장자리 스트립(240)은 코너 영역으로 연장되고, 각각 인접한 코너 표면(230)을 단축시킨다.
도 2f의 사시도는 도 2c에 따른 가공된 블랭크(200)의 코너(E)를 도시한다. 블랭크(200)에는 둘레 방향으로 C 프로파일 P1이 제공되었기 때문에, 표면(210, 220, 230)의 정점 라인은 폐쇄된 윤곽 라인 K를 형성한다.
도 3a는 방법 단계 c) 이후의 가공된 블랭크(200)를 평면도로 도시하며, 여기서 패싯 표면(42) 및 패싯 에지(44)를 포함하는 패싯(40)이 가장자리 스트립(240)이 위치되어 있는 제2 에지 표면(220) 상에 제조된다. 블랭크(200)의 가장자리 영역에 대응하는 단면이 도 3b에 도시되어 있다. 이러한 방법 단계에서, 제2 에지 표면(220)의 폭은 잔여 에지 표면(220a)을 향해 축소된다.
도 3c의 사시도는 도 3a에 따른 가공된 블랭크(200)의 코너(E)를 도시한다.
도 4a는 에지 표면(10, 20, 60) 및 방법 단계 d) 이후의 최종 치수 B 및 길이 L을 갖는 완성된 패널(1)의 평면도를 도시하며, 여기서 잔여 에지 표면(220a)이 후속 연삭되었다. 방법 단계 d)에서, 잔여 에지 표면(60)에는 - 도 4c에 도시된 바와 같이 - 마찬가지로 C 프로파일인 프로파일 PR이 제공되었다. 후속 연삭된 잔여 에지 표면(60)은 두께 DR을 포함한다.
후속 연삭 공정 동안, 폭 BAT를 특징으로 하는, 가장자리 스트립(240)으로부터의 재료 제거가 수행되었다(도 4b 또한 참조).
재료 제거가 바람직하게 결정되는 방법은 도 5에 도시되어 있고, 이는 완성된 패널(1)을 통한 단면과 조합된 블랭크(200)를 통한 단면을 도시한다. 도 5는 방법 단계 b) 이후에 제2 에지 표면(220)을 갖는 블랭크(200) 및 방법 단계 d) 이후에, 즉 잔여 에지의 후속 연삭 후에 잔여 에지 표면(60)을 갖는 완성된 패널을 도시한다.
프로파일 P1은 프로파일 PR과 마찬가지로 C 프로파일이다. 프로파일 P1 및 PR에는 대응하는 반경 R1 및 RR이 속한다. 프로파일 P1 및 PR의 윤곽 라인은 정점 라인 S1 및 SR이다. Ph1 및 Ph2는 x 방향으로 프로파일 높이를 지정한다.
ZR은 제2 상부 표면(3)의 xy 평면에서 둘레 방향으로 하부 에지(100)로부터 잔여 에지 표면(60)의 정점 라인 SR에 대응하는 윤곽 라인 KR의 거리를 나타낸다. Z1은 에지 표면(10)의 정점 라인 S1에 대응하는 윤곽 라인 K1의 둘레 방향 하부 에지(100)로부터의 거리를 나타낸다. ZE는 코너 표면(30)의 정점 라인 SE에 대응하는 윤곽 라인 KE의 둘레 방향 하부 에지(100)로부터의 거리를 나타낸다.
폭 BZG의 재료 추가는 다음과 같이 계산된다:
Figure pct00014
이고, 여기서
Figure pct00015
그리고
Figure pct00016
이다.
BZG는 바람직하게는, 적어도 잔여 에지 표면(60)의 프로파일 PR이 사전 연삭의 프로파일 P1 내에 위치되도록 하는 정도의 넓이이다.
폭의 재료 제거(BAT)는 바람직하게는 BZG≤BAT, 특히 BAT=BZG이고, 도 6에서 볼 수 있는 바와 같이, 크기 VY, 즉 윤곽 라인 KE에 대한 윤곽 라인 KR의 오프셋에 영향을 준다.
도 6은 모든 방법 단계 a) 내지 d)가 수행된 후의 유리 또는 유리 세라믹 패널(1)의 코너(E)의 사시도를 도시한다.
유리 세라믹 패널(1)은 둘레 방향 하부 에지(100) 및 둘레 방향 상부 에지(110)를 포함한다. 패싯(40)은 상부 에지(21) 및 패싯 에지(44)에 의해 제한된다. 코너(E)의 코너 표면(30)은 경계 라인(33), 상부 에지(31), 하부 에지(32) 및 제한 라인(34 및 52)에 의해 제한된다.
적어도 코너 표면(30) 및 전이 표면(50)은 유리질 표면 구역을 포함한다.
도 6에 도시된 패널(1)의 좌측 코너(E)에 대한 설명은, 대응하는 방식으로 패널(1)의 제2 우측 코너에, 그리고 추가 패싯 표면(40)이 제공되는 경우에는 패널(1)의 추가의 코너에도 적용된다.
파라미터는 다음과 같이 선택되었다:
D=4 ㎜, DR=2.5 ㎜, R=5 ㎜, γ=90°, β= 90°, BZG=0.5 ㎜, BAT=0.5 ㎜, P1 및 PR은 각각 곡률 반경 R1=3 ㎜ 및 RR=3 ㎜인 C 프로파일이고, 패싯(40)은 8.5°의 패싯 각도 α 및 10 ㎜의 패싯 폭을 포함한다. 각도 γ 및 β는 중심 지점(M)과 관련이 있다.
관련된 블랭크의 파라미터는 도 2c에 도시된 블랭크(200)의 평면도에 대응한다.
도 6에는 프로파일 P1에 대해 수평 윤곽 HK1 및 수직 윤곽 VK1이 표시되어 있고, 및 프로파일 PE에 의해 수직 윤곽 VKE 및 수평 윤곽 HKE가 표시되어 있다. 프로파일 PR은 수평 윤곽 HKR 및 수직 윤곽 VKR을 포함한다. 전이 표면(50)은 윤곽
Figure pct00017
및
Figure pct00018
을 갖는 프로파일
Figure pct00019
을 갖는다. 프로파일 P1, PE 및 PR은 윤곽 라인 K1, KE 및 KR을 갖는 C 프로파일이며, 이러한 윤곽 라인 K1, KE 및 KR은 정점 라인 S1, SE 및 SR과 동일하다.
각도 γ=90°는 각도 W=78.8°로 감소되었으며, 여기서 수직 오프셋은 VZ=0.75 ㎜이고, 수평 오프셋은 VY=5.95 ㎜인 것을 알 수 있다. 코너 각도 W는 윤곽 라인 KE를 통해 형성된다.
잔여 에지 표면(60)은 프로파일 PR과 상이한 프로파일
Figure pct00020
을 포함하는 전이 표면(50)을 포함한다. 전이 표면(50)은 잔여 에지가 후속 연삭될 때 기계 가공되지 않은 전이 섹션(244)의 잔여물이다. 재료 제거(BAT)가 확대되면, 전이 표면(50)의 크기도 또한 감소한다. 재료 제거가 증가됨에 따라, 도 7에 도시된 바와 같이 코너 각도 W뿐만 아니라 VY도 또한 변경된다. 재료 제거는 0.6 ㎜이므로, 각도 W는 73.9°로 감소된다. VY는 1.17 ㎜이다.
도 8에는 연삭 윤곽의 코너 각도 β가 β=82°로 선택되어 있는 다른 실시예가 도시되어 있다(도 2d 또한 참조). 패널(1)의 다른 파라미터는 도 6에 대응한다.
도 6에서와 같이, 도 8에서의 전이 표면(50)은 삼각형이고, 코너(58a, b, c)를 포함한다. 전이 표면(50)은 하부 에지(56) 및 2개의 제한 라인(52 및 54)에 의해 제한되며, 이는 전이 표면(50)에 "돛 형상의" 형태를 제공한다. 2개의 윤곽 라인 KE 및 KR은 제한 라인(54)의 섹션과 제한 라인(34)의 섹션으로 형성된 연결 윤곽 라인 KV에 의해 서로 연결된다. 제한 라인(34, 54 및 52)은 교차 지점(59)에서 만난다. 따라서, 윤곽 라인 KV는 대부분 전이 표면(50)의 형상에 의해 결정된다.
교차 지점(59)은 윤곽 라인 KE 및 KR 사이에 위치된다. 윤곽 라인 KV의 길이는 마찬가지로 오프셋 VX 및 오프셋 VZ로 표시되어 있는 도 8에 도시된 바와 같이, 수평 오프셋 VY를 특징으로 한다.
도 9에는 패널(1)의 다른 실시예가 도시되어 있고, 각도 β는 78.8°이다. 다른 파라미터는 도 8의 패널에 대응한다. 연삭 윤곽의 코너 각도 β의 감소를 통해, 교차 지점(59)이 상부를 향해 이동되고, 이러한 실시예에서는 윤곽 라인 KE에 놓이게 된다.
도 10에는 코너 각도의 반경 R이 10 ㎜인 다른 실시예가 도시되어 있다. 연삭 윤곽의 각도 β는 각도 W와 마찬가지로 82.1°이다. 전이 표면(50)이 도 9에서와 같이 동일한 형상을 포함하는 것을 알 수 있다. 도 9에서는 오프셋 VY가 0.95 ㎜인 반면, 도 10의 실시예에서 오프셋 VY는 1.33 ㎜이다.
도 11 내지 도 13은 도 2a, 도 3a 및 도 4a에 대응하고, 2개의 패싯(40)을 갖는 패널에 관한 것이다.
도 11에는 블랭크(200)가 도시되어 있고, 이는 에지 표면(220) 상에 및 에지 표면(210) 상에 각각 가장자리 스트립(240)을 포함한다. 연삭 윤곽의 각도 β는 90°이다. 도 11의 패널의 평면도는 방법 단계 b)에 따른 블랭크를 도시한다. 재료 추가(BZG)는 2개의 가장자리 스트립(240)에 대해 동일한 크기이다. 길이 L2는 재료 추가가 없는 길이를 나타내고, 길이 L3는 사전 연삭 후 블랭크의 길이를 나타낸다.
도 12에는 방법 단계 c)에 따라 패시팅이 수행된 후의 블랭크가 도시되어 있다. 2개의 패싯(40)은 코너(E)에서 서로 인접한다.
도 13에는, 방법 단계 d)가 수행된 후 완성된 패널(1)이 도시되어 있다. 도 13의 코너(E)의 사시도는 도 14에서 볼 수 있다. 2중 패시팅을 통해, 코너 각도 W는 67.6°로 감소되었다. 재료 추가는 0.5 ㎜이고, 재료 제거는 0.5 ㎜이고, 연삭 휠 반경
Figure pct00021
은 130 ㎜이다. 수평 오프셋 VY는 2개의 패싯 상에서 5.93 ㎜와 같다.
도 15에는 2개의 패싯(40)을 갖는 패널(1)의 다른 실시예가 도시되어 있다. 도 14에서는 연삭 윤곽의 각도 β가 90°인 반면, 도 15에 따른 실시예에서의 각도 β는 67.6°이다. 코너 각도 W는 마찬가지로 67.6°이다.
도 16은 종래 기술에 따른 패널(1')을 도시하고, 도 17은 도 9에 도시된 바와 같은 패널(1)을 도시한다. 도 16 및 도 17 모두에는, 코너(E)의 중심 지점(M)으로부터 윤곽 라인 KR의 거리를 나타내는 거리 AR이 도시되어 있다. 2개의 패널(1 및 1')은 동일한 치수(D, DR, R, ZE, ZR, P1, PE, PR)를 포함한다. 78.8°인 패널(1)의 각도 W는, 종래 기술에 따른 W=61.8°인 패널(1')의 각도 W보다 명백히 더 큰 것을 알 수 있다.
다른 본질적인 차이는, 코너(E)의 중심 지점(M)으로부터 잔여 에지 표면(60)의 에지 라인 KR의 거리 AR에 존재하며, 이러한 거리 AR은 코너(E)의 코너 반경 R에 대응한다. 종래 기술에서의 방법에 따른 잔여 에지 표면(60)의 후속 연삭을 통해, 이와 관련된 재료 제거(BAT)에 의해 거리 AR이 상당히 감소되는데, 이는 재료 추가(BZG)가 가장자리 스트립으로서 별도로 적용되지 않고, 이는 각도 W에 대응하는 영향을 미치기 때문이다. 본 발명에 따른 방법에서, 재료의 목표된 추가를 통해 가장자리 스트립(240)의 형태 및 바람직하게는 BAT=BZG인 후속적으로 수행되는 재료 제거(BAT)가 달성되어, 거리는 AR=R이다.
이하의 표에는 도 6, 도 7, 도 8, 도 9, 도 10 및 도 14 내지 도 16의 패널의 데이터가 요약되어 있다:
Figure pct00022
도 18a에서, 종래 기술에 따른 패널(1')의 코너(E)의 하부면이 사시도로 도시되어 있다. 도 18b는 도 18a에 도시된 패널(1')의 평면도를 도시한다. 패널(1')의 가장자리 영역에서 3개의 표면(10, 30 및 60)을 명확하게 볼 수 있다.
도 19a 및 도 19b는 본 발명에 따른 패널(1)에 대한 도 18a 및 도 18b에 대응하는 도면을 도시한다. 저면도는 추가적인 전이 표면(50)에 의해 구분된다.
도 20a 내지 도 24에는 본 방법의 제2 실시예에 따른 방법 단계가 도시되어 있다.
도 1은 블랭크의 폭 B1에 재료 추가(BZG)가 고려되었다는 차이와 함께, 본 방법의 제2 실시예에 대해 방법 단계 a)에 따른 초기 상황을 또한 도시한다.
도 20a는 본 방법의 제2 실시예에 따른 방법 단계 b)가 수행된 후 패널 블랭크(200)의 평면도를 도시한다. 재료 추가(BZG)는 전체 길이 L에 걸쳐 연장된다. 에지 표면의 사전 연삭을 통해, 폭 B1은 폭 B3으로 감소되었다.
도 20b는 프로파일 P1을 볼 수 있도록, 도 20a의 라인 Ⅰ-Ⅱ을 따른 가공된 블랭크(200)를 통한 단면도를 도시한다.
도 21a는 방법 단계 c)에 따라 패시팅이 수행된 후 가공된 블랭크의 평면도를 도시한다. 도 21a의 라인 Ⅰ-Ⅱ에 따른 단면도가 도 21b에 도시되어 있다.
도 22a는 방법 단계 d)에 따라 잔여 에지 표면(60)의 후속 연삭 후의 패널의 평면도를 도시하고, 도 22b는 프로파일 PR을 볼 수 있도록 도 22a의 라인Ⅰ-Ⅱ에 따른 패널을 통한 단면도를 도시한다.
도 23은 방법 단계 e)에 따라 코너(E)의 후속 연삭 후 완성된 패널(1)의 평면도를 도시한다.
도 24에는 코너(E)와 전이 표면(60)의 라운딩을 제조하기 위한 도시되지 않은 연삭 공구의 이동 경로(400)가 파선으로 도시되어 있다. 여기에 도시되지 않은 도면에서 이동 곡선은 실질적으로 S 형상으로 연장된다.
1 : 유리 또는 유리 세라믹 패널
1' : 종래 기술에 따른 유리 또는 유리 세라믹 패널
2 : 제1 상부 표면 3 : 제2 상부 표면
10 : 제1 에지 표면 20 : 제2 에지 표면
21 : 상부 에지 30 : 코너 표면
31 : 상부 에지 32 : 하부 에지
33 : 경계 라인 34 : 제한 라인
40 : 패싯 42 : 패싯 표면
44 : 패싯 에지 50 : 전이 표면
52 : 제1 제한 라인 54 : 제2 제한 라인
56 : 하부 에지 라인 58a, b, c : 전이 표면의 코너
59 : 교차 지점 60 : 잔여 에지 표면
100 : 둘레 방향 하부 에지 110 : 둘레 방향 상부 에지
200 : 블랭크 210 : 제1 에지 표면
220 : 제2 에지 표면 220a : 잔여 에지 표면
230 : 코너 표면 240 : 가장자리 스트립
242 : 직선 가장자리 스트립 섹션 243 : 연결 라인
244 : 전이 섹션 248 : 접선 지점
250 : 전이 섹션 표면 300 : 연삭 공구, 연삭 휠
400 : 연삭 공구의 이동 경로 B : 패널(1)의 최종 치수의 폭
B1 : 블랭크의 폭 B2 : 재료 추가 없는 블랭크의 폭
B3 : 사전 연삭 후 블랭크의 폭 BZG : 재료 추가의 폭
BAT : 재료 제거의 폭 L : 패널(1)의 최종 치수의 길이
L1 : 블랭크의 길이 L2 : 재료 추가 없는 블랭크의 길이
L3 : 사전 연삭 후 블랭크의 길이 W : 코너 각도
α : 패싯 각도 β : 연삭 윤곽의 코너 각도
γ : 제1 에지 표면(10, 210)과 제2 에지 표면(20, 220) 사이의 각도
P1 : 프로파일 PR : 잔여 에지 프로파일
PE : 코너 프로파일
Figure pct00023
: 전이 표면의 프로파일
R1 : 프로파일 P1의 곡률 반경 RR : 프로파일 PR의 곡률 반경
HK1 : 프로파일 P1의 수평 윤곽 VK1 : 프로파일 P1의 수직 윤곽
HKR : 프로파일 PR의 수평 윤곽 VKR : 프로파일 PR의 수직 윤곽
HKE : 프로파일 PE의 수평 윤곽 VKE : 프로파일 PE의 수직 윤곽
Figure pct00024
: 프로파일
Figure pct00025
의 수평 윤곽
Figure pct00026
: 프로파일
Figure pct00027
의 수직 윤곽
K : 윤곽 라인 K1 : 제1 에지 표면의 윤곽 라인
KE : 코너의 윤곽 라인 KR : 잔여 에지의 윤곽 라인
KV : 연결 윤곽 라인 R : 코너 반경
RS : 연삭 휠의 반경
Figure pct00028
: 전이 표면 섹션의 반경
S1 : 제1 정점 라인 S2 : 정점 라인
SR : 잔여 에지의 정점 라인 SE : 코너(E)의 정점 라인
Ph1 : x 방향으로의 프로파일 높이 Ph2 : x 방향으로의 프로파일 높이
VY : 윤곽 라인 KE 및 KR의 수평 오프셋
VZ : 윤곽 라인 KE 및 KR의 수직 오프셋
VX : x 방향으로의 윤곽 라인 KE 및 KR의 오프셋
D : 패널의 두께
DR : 잔여 에지 표면 상에서 패널의 두께
M : 코너 각도 W의 중심 지점 MP : 패널의 중심 라인
z1 : 하부 에지(100)로부터 윤곽 라인 K1의 거리
zR : 하부 에지(100)로부터 윤곽 라인 KR의 거리
zE : 하부 에지(100)로부터 윤곽 라인 KE의 거리
AR : M으로부터 KR의 거리 E : 코너

Claims (28)

  1. 유리 또는 유리 세라믹 패널(1)로서,
    직교 xyz 좌표계에서 xy 평면에 위치된 제1 상부 표면(2) 및 제2 상부 표면(3),
    둘레 방향 하부 에지(100) 및 둘레 방향 상부 에지(110),
    서로 각도 γ를 형성하는, 적어도 하나의 제1 에지 표면(10) 및 적어도 하나의 제2 에지 표면(20), 및
    프로파일 PE 및 코너 각도 W를 갖는 2개의 에지 표면(10, 20)을 연결하는 코너 표면(30)
    을 구비하고,
    상기 제1 상부 표면(2)은 상기 2개의 에지 표면(10, 20) 중 적어도 하나 상에 패싯 표면(42)을 갖는 패싯(facet)(40)을 포함하고, 이에 의해 상기 에지 표면(10, 20) 상에 프로파일 PR을 갖는 잔여 에지 표면(60)이 형성되고, 및
    상기 프로파일 PR은 상기 하부 에지(100)로부터의 거리 zR을 포함하는 윤곽 라인 KR을 포함하고, 상기 프로파일 PE는 상기 하부 에지(100)로부터의 거리 zE를 포함하는 윤곽 라인 KE를 포함하는 것인, 유리 또는 유리 세라믹 패널(1)에 있어서,
    상기 거리 zE 및 zR에 대해, zR < zE가 적용되고,
    상기 잔여 에지 표면(60)과 상기 코너 표면(30) 사이에는, 프로파일 PE 및 PR과는 상이한 프로파일
    Figure pct00029
    을 갖는 전이 표면(50)이 제공되고, 상기 전이 표면(50)은 적어도 3개의 코너(58a, b, c)를 포함하고, 상기 3개의 코너(58a, b, c) 중 2개의 코너(58b, c)는 상기 하부 에지(100) 상에 위치되고,
    상기 전이 표면(50)은 상기 코너 표면(30)과 함께 제1 제한 라인(52)을 형성하고, 상기 잔여 에지 표면(60)과 함께 제2 제한 라인(54)을 형성하고, 상기 전이 표면(50)의 제3 코너 지점(58a)은 상기 제1 제한 라인(52)과 상기 제2 제한 라인(54)의 교차 지점(59)에 위치되는 것을 특징으로 하는 유리 또는 유리 세라믹 패널.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전이 표면(50)은, 상기 제한 라인(52 ,54)의 상기 교차 지점(59)이 z 방향으로 상기 윤곽 라인 KR 및 KE 사이에 위치되는 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유리 또는 유리 세라믹 패널.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전이 표면(50)은 상기 제한 라인(52, 54)의 상기 교차 지점(59)이 상기 윤곽 라인 KE의 상부에 또는 하부에 위치되는 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유리 또는 유리 세라믹 패널.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 프로파일 중 적어도 하나(PE 또는 PR)는, 적어도 하나의 곡률 반경을 갖는 z 방향으로 둥근 프로파일인 것을 특징으로 하는 유리 또는 유리 세라믹 패널.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 2개의 프로파일 PE 및 PR은 적어도 하나의 곡률 반경을 갖는 z 방향으로 둥근 프로파일인 것을 특징으로 하는 유리 또는 유리 세라믹 패널.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 프로파일 PE는, 상기 yz 평면에 위치된 윤곽 VKE 및 상기 xy 평면에 위치된 윤곽 HKE를 포함하고,
    상기 프로파일
    Figure pct00030
    은, 상기 yz 평면에 위치된 윤곽
    Figure pct00031
    및 상기 xy 평면에 위치된 윤곽
    Figure pct00032
    을 포함하고,
    상기 윤곽
    Figure pct00033
    은 상기 윤곽 VKE와 동일한 것을 특징으로 하는 유리 또는 유리 세라믹 패널.
  7. 제6항에 있어서, 상기 윤곽
    Figure pct00034
    은 곡률 반경
    Figure pct00035
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 또는 유리 세라믹 패널.
  8. 제7항에 있어서, 상기 곡률 반경은
    Figure pct00036
    ≥RS이고, RS는 상기 에지 표면(10, 20)의 가공을 위해 사용될 수 있는 연삭 공구(300)의 반경인 것을 특징으로 하는 유리 또는 유리 세라믹 패널.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 프로파일 PE는 윤곽 VKE 및 윤곽 HKE를 포함하고, 상기 윤곽 VKE는 에지 표면(10, 20)의 프로파일 P1의 윤곽 VK1과 동일한 것을 특징으로 하는 유리 또는 유리 세라믹 패널.
  10. 유리 또는 유리 세라믹 패널(1)로서,
    직교 xyz 좌표계에서 xy 평면에 위치된 제1 상부 표면(2) 및 제2 상부 표면(3),
    적어도 하나의 제1 에지 표면(10) 및 적어도 하나의 제2 에지 표면(20)을 갖는 둘레 방향 하부 에지(100) 및 둘레 방향 상부 에지(110), - 상기 에지 표면(10, 20)은 서로 각도 γ를 형성함 -, 및
    중심 지점(M), 윤곽 라인 KE 및 코너 각도 W를 갖는 곡률 반경 R을 포함하는, 2개의 에지 표면(10, 20)을 연결하는 만곡된 코너 표면(30)
    을 구비하고,
    상기 제1 상부 표면(2)은, 상기 2개의 에지 표면(10, 20) 중 적어도 하나 상에 패싯 표면(42)을 갖는 패싯(40)을 포함하고, 이에 의해 상기 에지 표면(10, 20) 상에 두께 DR 및 윤곽 라인 KR을 갖는 잔여 에지 표면(60)이 형성되는 것인, 유리 또는 유리 세라믹 패널에 있어서,
    상기 중심 지점(M)으로부터 상기 윤곽 라인 KR의 거리 AR에는 0.9·R≤AR≤1.1·R이 적용되는 것을 특징으로 하는 유리 또는 유리 세라믹 패널.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 상기 코너 표면(30)은 유리질 표면 구역을 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 세라믹 패널.
  12. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 코너 표면(30) 및 상기 전이 표면(50)은 유리질 표면 구역을 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 세라믹 패널.
  13. 유리 또는 유리 세라믹 패널(1)을 제조하기 위한 방법으로서, 다음의 순서로 다음 단계들:
    a) 패널 블랭크(200)를 제공하는 단계,
    - 직교 xyz 좌표계에서 xy 평면에 위치된 제1 상부 표면(2) 및 평행한 xy 평면에 위치된 제2 상부 표면(3), 및
    - 서로 각도 γ를 형성하는 적어도 하나의 제1 에지 표면(210) 및 제2 에지 표면(220)을 구비함 -,
    b) 적어도 상기 에지 표면(210, 220)을 사전 연삭하는 단계,
    - 적어도 상기 에지 표면(210, 220) 사이에 상기 연삭 윤곽의 코너 반경 R 및 코너 각도 β를 갖는 코너 표면(230)이 제조되고,
    - 상기 적어도 하나의 에지 표면(210, 220) 상에서, 상기 코너 표면(230)에 인접하여 x 방향으로 또는 y 방향으로 상기 에지 표면(210, 220) 위로 연장되는 폭 BZG를 갖는 가장자리 스트립(240)이 가공되고,
    - 적어도 상기 에지 표면(210, 220), 상기 코너 표면(230) 및 상기 가장자리 스트립(240)에는 프로파일 P1이 제공됨 -,
    c) 상부 표면(2, 3)을 패시팅하는 단계 - 상기 가장자리 스트립(240)을 포함하는 상기 에지 표면(210, 220)을 향해 테이퍼지는 적어도 하나의 패싯(40)이 제조되고, 상기 에지 표면(210, 220)은 잔여 에지 표면(60)을 향해 감소됨 -,
    d) 상기 잔여 에지 표면(60)을 후속 연삭하는 단계 - 상기 잔여 에지 표면(60)에 프로파일 PR이 제공됨 -
    를 포함하는, 유리 또는 유리 세라믹 패널(1)을 제조하기 위한 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 가장자리 스트립(240)의 가공 시, 직선 가장자리 스트립 섹션(242), 및 전이 섹션 표면(250)이 있는 전이 섹션(244)이 제조되며, 상기 전이 섹션 표면(250)은 상기 코너 표면(230)을 향해 테이퍼지는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서, 곡률 반경
    Figure pct00037
    을 갖는 상기 전이 섹션 표면(250)이 제조되는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 곡률 반경
    Figure pct00038
    은,
    Figure pct00039
    ≥RS가 되도록 선택되며, RS는 사전 연삭을 위해 제공되는 상기 연삭 공구(300)의 반경인 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제13항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가장자리 스트립(240)의 가공 시, 상기 연삭 윤곽의 코너 각도 β는 60°≤β≤90°로 설정되는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제13항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 방법 단계 d)의 상기 후속 연삭 단계에서, 상기 가장자리 스트립(240)의 상기 직선 가장자리 스트립 섹션(242)의 영역에는 재료 제거(BAT)가 수반되며, 0.1·BZG≤BAT≤2·BZG인 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 방법 단계 d)의 상기 후속 연삭 단계에서, 상기 가장자리 스트립(240)의 상기 직선 가장자리 스트립 섹션(242)의 영역에는 재료 제거(BAT)가 수반되며, BZG=BAT인 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 유리 또는 유리 세라믹 패널(1)을 제조하기 위한 방법으로서, 다음의 순서로 다음의 단계들:
    a) 패널 블랭크(200)를 제공하는 단계
    - 직교 xyz 좌표계에서 xy 평면에 위치된 제1 상부 표면(2) 및 평행한 xy 평면에 위치된 제2 상부 표면(3),
    - 코너(E)의 각도 γ를 함께 형성하는, 적어도 하나의 제1 에지 표면(210) 및 제2 에지 표면(220),
    - 폭 B1 및 길이 L1 - 적어도 하나의 에지 표면(210, 220) 상에 상기 폭 BZG의 재료 추가가 고려됨 - 를 구비함 -,
    b) 적어도 상기 에지 표면(210, 220)을 사전 연삭하는 단계,
    - 적어도 상기 에지 표면(210, 220)에는 프로파일 P1이 제공됨 -,
    c) 상부 표면(2, 3)을 패시팅하는 단계,
    - 상기 재료 추가(BZG)를 포함하는 상기 에지 표면(210, 220)을 향해 테이퍼지는 적어도 하나의 패싯(40)이 제조되고, 상기 에지 표면(210, 220)이 잔여 에지 표면(60)을 향해 감소됨 -,
    d) 상기 잔여 에지 표면(60)을 후속 연삭하는 단계,
    - 상기 잔여 에지 표면(60)에는 프로파일 PR이 제공됨 -,
    e) 상기 적어도 하나의 코너(E)를 후속 연삭하는 단계,
    - 상기 에지 표면(210, 220) 사이에는, 상기 연삭 윤곽의 코너 반경 R 및 코너 각도 β를 갖는 코너 표면(230)이 생성됨 -
    를 포함하는, 유리 또는 유리 세라믹 패널(1)을 제조하기 위한 방법.
  21. 제20항에 있어서, 상기 폭의 상기 재료 추가(BZG)는 전체 폭 B1 및/또는 전체 길이 L1에 걸쳐 연장되는 것을 특징으로 하는 방법.
  22. 제20항 또는 제21항에 있어서, 상기 방법 단계 d)에서 상기 후속 연삭은 재료 제거(BAT)를 수반하며, 0.1·BZG≤BAT≤2·BZG인 것을 특징으로 하는 방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 방법 단계 d)에서 상기 후속 연삭은 재료 제거(BAT)를 수반하며, BZG=BAT인 것을 특징으로 하는 방법.
  24. 제20항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 방법 단계 e)는 연삭 공구에 의해 수행되며, 상기 연삭 공구(300)는 에지 표면(210, 220)에서 상기 코너 각도 β에 도달할 때까지 상기 코너(E) 주위로 안내된 다음, 이어서 상기 잔여 에지 표면(60) 위로 지속적으로 멀어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  25. 제13항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 폭 BZG는, 상기 가장자리 스트립(240)의 상기 프로파일 P1이 상기 방법 단계 d)에서 상기 프로파일 PR로 완전히 대체될 정도로 크게 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  26. 제13항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 프로파일 PR은 곡률 반경 RR을 갖는 프로파일로서 제조되는 것을 특징으로 하는 방법.
  27. 제13항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 프로파일 PR은 대칭형 프로파일로서 제조되는 것을 특징으로 하는 방법.
  28. 제13항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 코너 반경의 프로파일 PE는, 인접한 에지 표면(10, 20)의 상기 프로파일 P1에 상응하게 제조되는 것을 특징으로 하는 방법.
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