KR20210154052A - 실리콘계 점착성 보호 필름 및 이를 포함하는 광학 부재 - Google Patents

실리콘계 점착성 보호 필름 및 이를 포함하는 광학 부재 Download PDF

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Abstract

화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지를 포함하는 조성물로 형성되는 실리콘계 점착성 보호 필름으로서, 상기 실리콘계 점착성 보호 필름은 식 1과 식 2를 만족하는 것인, 실리콘계 점착성 보호 필름 및 이를 포함하는 광학 부재가 제공된다.

Description

실리콘계 점착성 보호 필름 및 이를 포함하는 광학 부재{SILICONE BASED ADHESIVE PROTECTIVE FILM AND OPTICAL MEMBER COMPRISING THE SAME}
본 발명은 실리콘계 점착성 보호 필름 및 이를 포함하는 광학 부재에 관한 것이다.
웨어러블(wearable) 디스플레이 장치, 폴더블 디스플레이 장치 등 새로운 디스플레이 장치에 대한 관심이 높아지고 있다. 이러한 디스플레이 장치에서는 패널은 박막화 및/또는 유연화될 수 밖에 없다. 따라서, 패널로서 필름 소재 및/또는 굴곡성이 있는 유리 소재를 사용하는 방법이 고려되고 있다.
패널과 디스플레이 소자를 조립하여 디스플레이 장치를 제조하기 전에, 패널은 보호 필름에 의해 보호되어야 한다. 일반적으로 패널의 상부면과 하부면이 각각 보호 필름에 의해 보호된다. 따라서, 보호 필름은 패널에 대한 밀착력이 우수해야 할 뿐만 아니라 패널에 점착되어 패널을 보호하다가 제거 시 패널의 손상 및/또는 파손이 없도록 해야 한다. 특히, 패널의 상부면을 보호하는 보호 필름은 패널의 상부면에 접합된 상태에서 소정의 크기로 절단되는 공정을 거쳐야 한다. 이 공정에서 절단면으로부터 파티클이 발생하지 않아야 한다. 생성된 파티클은 패널을 오염시켜 패널 신뢰성을 낮출 수 있다.
본 발명의 배경 기술은 한국공개특허 제2012-0050136호 등에 개시되어 있다.
본 발명의 목적은 실리콘 질화막에 점착된 후 실리콘 질화막으로부터 쉽게 제거되고, 실리콘 질화막에 점착시킨 후 고온에서 방치한 후에도 실리콘 질화막으로부터 쉽게 제거되는 실리콘계 점착성 보호 필름을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 우수한 경시 박리력, 신뢰성 및 비산 방지 특성 개선 효과를 갖는 실리콘계 점착성 보호 필름을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 기재 밀착력, 단차 매립성이 우수한 실리콘계 점착성 보호 필름을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 굴곡이 있는 피착체에 점착 가능한 실리콘계 점착성 보호 필름을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 관점은 실리콘계 점착성 보호 필름이다.
실리콘계 점착성 보호 필름은 하기 화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지를 포함하는 조성물로 형성되고, 상기 실리콘계 점착성 보호 필름은 하기 식 1과 하기 식 2를 만족한다:
[화학식 1]
(R1R2SiO2/2)
(상기 화학식 1에서,
R1, R2는 각각 페닐기이다),
[식 1]
0% ≤ {|PS[@실리콘 질화막, 85℃, 2일] - PS[@실리콘 질화막, 초기]|/ PS[@실리콘 질화막, 초기]} x 100 ≤ 100%
(상기 식 1에서,
PS[@실리콘 질화막, 초기]은 실리콘 질화막에 대한 실리콘계 점착성 보호 필름의 초기 박리력(단위: gf/inch),
PS[@실리콘 질화막, 85℃, 2일]은 실리콘 질화막에 실리콘계 점착성 보호 필름을 적층시키고 85℃에서 2일 동안 방치한 후, 실리콘 질화막에 대한 실리콘계 점착성 보호 필름의 박리력(단위: gf/inch)이다),
[식 2]
1 ≤ {PS[@실리콘 질화막, 초기]}/{PS[@유리판, 초기]} ≤ 4
(상기 식 2에서,
PS[@실리콘 질화막, 초기]은 실리콘 질화막에 대한 실리콘계 점착성 보호 필름의 초기 박리력(단위: gf/inch),
PS[@유리판, 초기]은 유리판에 대한 실리콘계 점착성 보호 필름의 초기 박리력(단위: gf/inch)이다).
본 발명의 다른 관점은 광학 부재이다.
광학 부재는 광학 필름 및 상기 광학 필름의 일면에 형성된 본 발명의 실리콘계 점착성 보호 필름을 포함한다.
본 발명은 실리콘 질화막에 점착된 후 실리콘 질화막으로부터 쉽게 제거되고, 실리콘 질화막에 점착시킨 후 고온에서 방치한 후에도 실리콘 질화막으로부터 쉽게 제거되는 실리콘계 점착성 보호 필름을 제공하였다.
본 발명은 우수한 경시 박리력, 신뢰성 및 비산 방지 특성 개선 효과를 갖는 실리콘계 점착성 보호 필름을 제공하였다.
본 발명은 기재 밀착력, 단차 매립성이 우수한 실리콘계 점착성 보호 필름을 제공하였다.
본 발명은 굴곡이 있는 피착체에 점착 가능한 실리콘계 점착성 보호 필름을 제공하였다.
도 1은 실시예와 비교예에서 모듈러스 및 신율의 측정을 위한 시편의 모식도이다.
본 발명을 하기 실시예들을 참고하여 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 본 출원에 개시된 기술은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 단지, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록, 그리고 당업자에게 본 출원의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서 "모듈러스"는 영스 모듈러스(Young's modulus)을 의미한다. 상기 모듈러스는 하기 상술되는 실험예에서 기술된 방법에 의해 측정될 수 있다. 특별히 언급되지 않는다면, 모듈러스는 25℃에서 측정된 값일 수 있다.
본 명세서에서 "박리력"은 실리콘계 점착성 보호 필름을 실리콘 질화막 또는 유리판으로부터 박리 온도 25℃, 박리 속도 2400mm/min, 박리 각도 180°에서 박리시켰을 때의 박리력을 의미한다. 상기 박리력은 하기 상술되는 실험예에서 기술된 방법에 의해 측정될 수 있다.
본 명세서에서 "피착체"는 유리판, 실리콘 질화막 중 1종 이상을 구비하는 광학 부재가 될 수 있다.
본 명세서에서 "실리콘 질화막"은 SixNy(y/x는 1 내지 1.4이다)으로서, 스퍼터링 방법에 의해 형성될 수 있다. 예를 들면 실리콘 질화막은 Si3N3.3이 될 수 있다.
본 명세서에서 수치 범위 기재 시 "X 내지 Y"는 X 이상 Y 이하(X≤ 그리고 ≤Y)를 의미한다.
본 발명의 실리콘계 점착성 보호 필름은 피착체에 점착된 후 제거됨으로써 피착체를 일시적으로 보호하는 용도를 갖는다. 본 발명의 실리콘계 점착성 보호 필름은 실리콘 질화막에서의 박리력이 낮다. 이것은 실리콘 질화막으로부터 점착성 보호 필름을 용이하게 제거할 수 있도록 하여 실리콘 질화막의 변형 및/또는 손상이 없도록 할 수 있다. 또한, 실리콘계 점착성 보호 필름은 실리콘 질화막에 점착시킨 후 고온에서 방치한 후에도 실리콘 질화막에서의 박리력 변화율이 낮았다. 이것은 실리콘 질화막에 점착성 보호 필름을 점착시킨 후 고온에서 방치한 후에도 실리콘 질화막으로부터 점착성 보호 필름을 용이하게 제거할 수 있도록 하여 실리콘 질화막의 변형 및/또는 손상이 없도록 할 수 있다.
또한, 본 발명의 실리콘계 점착성 보호 필름은 유리판에서의 박리력과 실리콘 질화막에서의 박리력이 하기 식 2의 특정 비율을 만족함으로써 경시 박리력, 신뢰성 및 비산 방지 특성 개선 효과를 제공하였다. 여기에서, 비산 방지 특성은 피착체와 실리콘계 점착성 보호 필름의 적층체를 절단하는 공정에서 비산되는 파티클의 생성이 없도록 하는 것을 의미한다.
또한, 본 발명의 실리콘계 점착성 보호 필름은 기재 밀착력, 단차 매립성이 우수하고, 굴곡이 있는 피착체에도 점착 가능할 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시예의 실리콘계 점착성 보호 필름을 설명한다.
실리콘계 점착성 보호 필름은 하기 식 1을 만족한다:
[식 1]
0% ≤ {|PS[@실리콘 질화막, 85℃, 2일] - PS[@실리콘 질화막, 초기]|/ PS[@실리콘 질화막, 초기]} x 100 ≤ 100%
(상기 식 1에서,
PS[@실리콘 질화막, 초기]은 실리콘 질화막에 대한 실리콘계 점착성 보호 필름의 초기 박리력(단위: gf/inch),
PS[@실리콘 질화막, 85℃, 2일]은 실리콘 질화막에 실리콘계 점착성 보호 필름을 적층시키고 85℃에서 2일 동안 방치한 후, 실리콘 질화막에 대한 실리콘계 점착성 보호 필름의 박리력(단위: gf/inch)이다).
식 1은 실리콘계 점착성 보호 필름이 실리콘 질화막에 점착되고 고온에서 방치한 후에도 실리콘 질화막으로부터 실리콘계 점착성 보호 필름을 용이하게 제거할 수 있도록 하여 실리콘 질화막의 변형 및/또는 손상이 없도록 할 수 있음을 평가하는 것이다. 식 1을 만족함으로써 실리콘 질화막에 점착되고 고온에서 방치한 후에도 실리콘 질화막으로부터 점착성 보호 필름을 용이하게 제거할 수 있다. 식 1의 값이 100%를 초과하면, 점착 필름 제거시 실리콘 질화막 또는 실리콘 질화막을 구비하는 광학 부재의 파단, 변형이 있을 수 있다.
식 1에서 PS[@실리콘 질화막, 초기]은 6gf/inch 이하, 예를 들면 0.1gf/inch 내지 6gf/inch, 구체적으로 0.1, 0.5, 1.0, 1.5, 2.0, 2.5, 3, 3.5, 4.0, 4.5, 5.0, 5.5, 6gf/inch가 될 수 있다. 상기 범위에서, 실리콘 질화막에 점착된 후 바로 제거하였을 때 실리콘 질화막으로부터 용이하게 제거될 수 있다.
식 1에서 PS[@실리콘 질화막, 85℃, 2일]은 15gf/inch 이하, 예를 들면 0.1gf/inch 내지 15gf/inch, 구체적으로 0.1, 0.5, 1.0, 1.5, 2.0, 2.5, 3, 3.5, 4.0, 4.5, 5.0, 5.5, 6.0, 6.5, 6.5, 7.0. 7.5, 8.0, 8.5, 9.0, 9.5, 10.0, 10.5, 11.0, 11.5, 12.0, 12.5, 13.0, 13.5, 14.0, 14.5, 15gf/inch가 될 수 있다. 상기 범위에서, 실리콘 질화막에 점착된 후 소정 기간 경과 후 제거하였을 때에도 실리콘 질화막의 파단 및/또는 변형이 없이 실리콘 질화막으로부터 용이하게 제거될 수 있다.
바람직하게는, 식 1의 값은 0% 내지 60%, 0% 내지 50%, 0% 내지 40%, 구체적으로 0%, 5%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%, 35%, 40%, 45%, 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 95% 또는 100%가 될 수 있다.
실리콘계 점착성 보호 필름은 하기 식 2를 또한 만족한다:
[식 2]
1 ≤ {PS[@실리콘 질화막, 초기]}/{PS[@유리판, 초기]} ≤ 4
(상기 식 2에서,
PS[@실리콘 질화막, 초기]은 실리콘 질화막에 대한 실리콘계 점착성 보호 필름의 초기 박리력(단위: gf/inch),
PS[@유리판, 초기]은 유리판에 대한 실리콘계 점착성 보호 필름의 초기 박리력(단위: gf/inch)이다).
식 2는 경시 박리력, 신뢰성 및 비산 방지 특성 개선 여부를 평가하는 것이다. 식 2를 만족함으로써 경시 박리력 신뢰성 및 비산 방지 특성 개선 효과를 얻을 수 있다.
식 2를 만족함으로써 실리콘계 점착 필름은 실리콘 질화막에 대한 경시 박리력 신뢰성이 우수할 수 있다.
실리콘계 점착 필름은 실리콘 질화막에 점착하고 50℃에서 7일 경과 후 측정된 박리력이 10gf/inch 이하, 예를 들면 1gf/inch 내지 9gf/inch, 구체적으로 1.0, 1.5, 2.0, 2.5, 3.0, 3.5, 4.0, 4.5, 5.0, 5.5, 6.0, 6.5, 7.0, 7.5, 8.0, 8.5, 9.0, 9.5, 10gf/inch가 될 수 있다. 상기 범위에서, 실리콘 질화막에 고온에서 장기간 점착 후 제거하더라도 실리콘 질화막 또는 실리콘 질화막이 부착된 광학 부재의 파단, 손상이 없도록 할 수 있다. 따라서, 실리콘계 점착 필름은 하기 식 3의 경시 박리력 변화율이 500% 이하, 예를 들면 10% 내지 500%, 구체적으로 10% 내지 100%가 될 수 있다:
[식 3]
경시 박리력 변화율 = {|PS[@실리콘 질화막, 50℃, 7일] - PS[@실리콘 질화막, 초기]|/ PS[@실리콘 질화막, 초기]} x 100
식 2에서 PS[@유리판, 초기]는 3gf/inch 이하, 예를 들면 0.1gf/inch 내지 3gf/inch, 구체적으로 0.1, 0.5, 1.0, 1.5, 2.0, 2.5, 3.0gf/inch가 될 수 있다. 상기 범위에서, 유리판으로부터 실리콘계 점착성 보호 필름을 용이하게 제거할 수 있고, 상기 식 2를 용이하게 만족할 수 있다.
식 2에서 PS[@실리콘 질화막, 초기]은 6gf/inch 이하, 예를 들면 0.1gf/inch 내지 6gf/inch, 구체적으로 0.1, 0.5, 1.0, 1.5, 2.0, 2.5, 3.0, 3.5, 4.0, 4.5, 5.0, 5.5, 6.0gf/inch가 될 수 있다. 상기 범위에서, 실리콘 질화막에 점착된 후 바로 제거하였을 때 실리콘 질화막으로부터 용이하게 제거될 수 있고 상기 식 2를 용이하게 만족할 수 있다.
바람직하게는, 상기 식 2의 값은 1.1 내지 4, 1.2 내지 3.9, 1.3 내지 3.8, 1.4 내지 3.7, 1.5 내지 3.6, 1.5 내지 3.5, 1.5 내지 3.4, 1.5 내지 3.3, 1.5 내지 3.2, 1.5 내지 3.1, 1.6 내지 3이 될 수 있다.
실리콘계 점착성 보호 필름은 헤이즈가 5% 이하, 예를 들면 0% 내지 1%가 될 수 있다. 상기 범위에서, 실리콘계 점착성 보호 필름을 광학표시장치 용도에 사용할 수 있다.
실리콘계 점착성 보호 필름은 모듈러스가 0.5MPa 이상, 예를 들면 0.5MPa 내지 6.0MPa, 구체적으로 0.5, 1.0, 1.5, 2.0, 2.5, 3.0, 3.5, 4.0, 4.5, 5.0, 5.5, 6.0MPa가 될 수 있다. 상기 범위에서, 단차 매립 특성이 우수한 효과가 있을 수 있다.
실리콘계 점착성 보호 필름은 신율이 100% 이상, 예를 들면 100% 내지 200%가 될 수 있다. 상기 범위에서, 유연성이 우수하여 굴곡이 있는 피착체에 용이하게 적용될 수 있다.
실리콘계 점착성 보호 필름은 두께가 100㎛ 이하, 예를 들면 75㎛ 이하, 0㎛ 초과 75㎛ 이하가 될 수 있다. 상기 범위에서, 피착체에 점착시 피착체를 보호하고 피착체로부터 용이하게 박리시킬 수 있다.
화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지
실리콘계 점착성 보호 필름은 하기 화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지를 포함하는 조성물로 형성된다:
[화학식 1]
(R1R2SiO2/2)
(상기 화학식 1에서, R1, R2는 각각 페닐기이다)
화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지는 상기 조성물에 포함되어 본 발명의 효과 구현이 용이하도록 할 수 있다.
일 구체예에서, 상기 화학식 1의 실록산 단위는 상기 실리콘계 점착성 보호 필름의 전체 실록산 단위 중 0.1몰% 내지 20몰%, 바람직하게는 0.3몰% 내지 10몰%, 0.5, 1.0, 1.5, 2.0, 2.5, 3.0, 3.5, 4.0, 4.5, 5.0, 5.5, 6.0, 6.5, 7.0, 7.5, 8.0, 8.5, 9.0, 9.5, 10몰%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 본 발명의 효과 구현이 용이할 수 있고, 박리력 신뢰성 개선 효과가 있을 수 있다. 상기 화학식 1의 실록산 단위의 점착성 보호 필름 중 몰수는 당업자에게 알려진 통상의 방법으로 얻어질 수 있다.
상기 "실리콘계 점착성 보호 필름의 전체 실록산 단위"는 실리콘계 점착성 보호 필름의 제조용 조성물에 포함되는 복수 개의 실리콘계 수지로부터 유래되는 실록산 단위로서 M 단위, D 단위, T 단위 및 Q 단위 전체 뿐만 아니라 각각의 실리콘계 수지의 말단에 포함되는 실리콘 함유 말단도 모두 포함하는 것이다.
화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지는 점착성 보호 필름 중 주제(主劑)를 이룬다. 일 구체예에서, 화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지는 주제 중 90중량% 내지 100중량%, 바람직하게는 100중량%를 이룰 수 있다.
화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지는 상기 화학식 1의 실록산 단위 및 비닐기를 갖는다.
일 구체예에서, 화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지는 비닐기 함량이 0.3mmol/g 이하, 예를 들면 0.001mmol/g 내지 0.3mmol/g이 될 수 있다. 상기 범위에서, 피착체에 대한 밀착력이 우수하고, 피착체에 대한 박리력의 조절이 용이할 수 있다. 본 명세서에서 "비닐기 함량"은 당업자에게 알려진 통상의 방법으로 확인하거나 제조 회사의 카탈로그를 참조할 수 있다.
화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지는 상기 화학식 1의 실록산 단위를 소정량 함유함으로써 실리콘계 점착성 보호 필름의 비산 방지 특성을 개선할 수 있다.
일 구체예에서, 화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지는 상기 화학식 1의 실록산 단위를 0.01mol% 내지 10mol%, 예를 들면 0.1mol% 내지 5mol%로 포함할 수 있다. 상기 범위에서, 피착체에 대한 비산 방지 특성이 우수할 수 있다.
화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지는 중량평균분자량이 30만 내지 60만이 될 수 있다. 상기 범위에서, 비산 방지 특성이 우수한 효과가 있을 수 있다.
일 구체예에서, 화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지는 하기 화학식 2의 실리콘계 수지를 포함할 수 있다:
[화학식 2]
(R1R2SiO2/2)x(R3R4SiO2/2)y(R5R6SiO2/2)z
(상기 화학식 2에서,
R1, R2는 각각 페닐기,
R3은 비닐기, 또는 말단에 비닐기를 갖는 1가 유기기,
R4는 1가 유기기,
R5, R6은 각각 독립적으로 1가 유기기,
0<x<1, 0<y<1, 0<z<1, x+y+z=1)
상기 화학식 2에서, "1가 유기기"는 탄소수 1 내지 5의 알킬기 예를 들면 메틸기가 될 수 있다.
일 구체예에서, 화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지는 하기 화학식 2-1의 실리콘계 수지를 포함할 수 있다.
[화학식 2-1]
R7R8R9Si-(R1R2SiO2/2)x(R3R4SiO2/2)y(R5R6SiO2/2)z-OSiR10R11R12
(상기 화학식 2-1에서,
R1, R2, R3, R4, R5, R6, x, y, z는 각각 상기 화학식 2에서 정의한 바와 같고,
R7, R8, R9, R10, R11, R12는 각각 독립적으로 수소 또는 1가 유기기이다).
상기 화학식 2-1에서, "1가 유기기"는 탄소 수 1 내지 탄소 수 5의 알킬기 예를 들면 메틸기가 될 수 있다.
일 구체예에서, 상기 화학식 2 또는 화학식 2-1에서, 0.0001≤x≤0.1, 0.0002≤y≤0.005, 0.895≤z≤0.9988, x+y+z=1이 될 수 있다. 상기 범위에서, 본 발명의 효과 구현이 보다 용이할 수 있다.
바람직하게는, 화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지는 R(CH3)2Si-(Ph2SiO2/2)x(CH3ViSiO2/2)y((CH3)2SiO2/2)z-OSi(CH3)2R(이때, Ph는 페닐기, Vi는 비닐기, R은 수소 또는 1가 유기기, x,y,z는 상기 화학식 2에서 정의한 바와 같다)가 될 수 있다.
화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지는 비닐기 및 상기 화학식 1의 실록산 단위를 갖는 실리콘계 수지 1종을 포함할 수 있다.
그러나, 보호 필름용 조성물은 비닐기 함량 및/또는 중량평균분자량이 서로 상이한 2종 이상의 화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지를 포함할 수 있다. 이를 통해, 상기 조성물은 피착체에 대한 박리력을 확보하여 피착체에 대한 보호 효과가 우수하고, 점착성 보호 필름의 빌드-업(build-up) 특성이 개선됨으로써 피착체에 점착성 보호 필름을 점착하고 장기간 경과 후 박리하더라도 박리력이 증가하지 않아서 피착체의 손상 및/또는 파괴가 없을 수 있다.
상기 "빌드-업 특성"은 점착성 보호 필름을 피착체에 점착하고 장기간 경과 후에도 피착체에 대한 박리력이 증가하지 않으며 박리력 변화율이 낮음을 의미한다. 일반적으로 실리콘계 점착 필름은 장기간 경과 후 초기 대비 박리력이 증가하는 경향이 있다.
일 구체예에서, 화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지는 비닐기 함량이 서로 다른 2종의 화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지의 혼합물을 포함할 수 있다.
예를 들면, 화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지는 비닐기 함량이 0.05mmol/g 내지 0.3mmol/g인 실리콘계 수지 및 비닐기 함량이 0.01mmol/g 내지 0.2mmol/g인 실리콘계 수지의 혼합물을 포함할 수 있다. 이를 통해 점착성 보호 필름의 빌드-업 특성과 피착체에 대한 박리력을 확보할 수 있다.
비닐기 함량이 0.05mmol/g 내지 0.3mmol/g인 실리콘계 수지 및 비닐기 함량이 0.01mmol/g 내지 0.2mmol/g인 실리콘계 수지 모두 상술 화학식 2 또는 화학식 2-1의 실리콘계 수지를 포함할 수 있다.
비닐기 함량이 0.05mmol/g 내지 0.3mmol/g인 실리콘계 수지는 중량평균분자량이 40만 내지 60만이 될 수 있다. 상기 범위에서, 웨팅성 및 비산 방지 특성이 우수한 효과가 있을 수 있다.
비닐기 함량이 0.01mmol/g 내지 0.2mmol/g인 실리콘계 수지는 중량평균분자량이 40만 내지 60만이 될 수 있다. 상기 범위에서, 웨팅성 및 비산 방지 특성이 우수한 효과가 있을 수 있다.
비닐기 함량이 0.05mmol/g 내지 0.3mmol/g인 실리콘계 수지는 비닐기 함량이 0.01mmol/g 내지 0.2mmol/g인 실리콘계 수지와 비닐기 함량이 0.05mmol/g 내지 0.3mmol/g 인 실리콘계 수지의 총합 100중량부 중 10중량부 내지 70중량부, 구체적으로 10중량부 내지 40중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 점착성 보호 필름의 빌드-업 특성 개선이 용이할 수 있다.
비닐기 함량이 0.01mmol/g 내지 0.2mmol/g인 실리콘계 수지는 비닐기 함량이 0.01mmol/g 내지 0.2mmol/g인 실리콘계 수지와 비닐기 함량이 0.05mmol/g 내지 0.3mmol/g인 실리콘계 수지의 총합 100중량부 중 30중량부 내지 90중량부, 구체적으로 60중량부 내지 90중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 점착성 보호 필름의 빌드업 특성 개선이 용이할 수 있다.
D 단위와 Q 단위를 갖는 실리콘계 수지
상기 조성물은 D 단위와 Q 단위를 모두 갖는 실리콘계 수지를 포함한다. 이를 통해, 실리콘계 점착성 보호 필름은 상기 식 1과 상기 식 2를 만족할 수 있다.
상기 "D 단위"는 (X1X2SiO2/2)(상기, X1, X2는 각각 독립적으로 1가 유기기이다)를 의미한다. 바람직하게는, 1가 유기기는 탄소 수 1 내지 10의 알킬기, 더 바람직하게는 탄소 수 1 내지 5의 알킬기, 더 바람직하게는 메틸기가 될 수 있다.
상기 "Q 단위"는 SiO4/2 단위를 의미할 수 있다.
상기 실리콘계 수지 중 D 단위와 Q 단위는 실리콘계 수지의 주쇄를 형성하여, 실리콘계 수지의 주쇄에는 D 단위와 Q 단위를 포함할 수 있다.
일 구체예에서, 상기 실리콘계 수지는 말단에 비닐기를 가질 수 있다. 상기 비닐기는 상술한 화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지와 경화 반응함으로써 박리력을 제공할 수 있다. 상기 실리콘계 수지는 비닐기 함량이 0.05mmol/g 내지 0.5 mmol/g이 될 수 있다. 상기 범위에서, 박리력을 낮추는 효과가 있을 수 있다.
상기 실리콘계 수지는 중량평균분자량이 5천 내지 50만, 바람직하게는 2만 내지 5만이 될 수 있다. 상기 범위에서, 웨팅성 및 비산 방지 특성이 우수한 효과가 있을 수 있다.
상기 실리콘계 수지는 하기 화학식 3의 실리콘계 수지를 포함할 수 있다:
[화학식 3]
X3X4X5Si-(X1X2SiO2/2)x(SiO4/2)y-OSiX6X7X8
(상기 화학식 3에서,
X1, X2는 각각 독립적으로 1가 유기기,
X3, X4, X5는 각각 독립적으로 1가 유기기, 비닐기 또는 말단에 비닐기를 갖는 1가 유기기, X3, X4, X5 중 하나 이상은 비닐기 또는 말단에 비닐기를 갖는 1가 유기기,
X6, X7, X8은 각각 독립적으로 1가 유기기, 비닐기 또는 말단에 비닐기를 갖는 1가 유기기, X6, X7, X8 중 하나 이상은 비닐기 또는 말단에 비닐기를 갖는 1가 유기기,
0<x<1, 0<y<1, x+y=1)
상기 화학식 3에서, "1가 유기기"는 탄소 수 1 내지 탄소 수 5의 알킬기 예를 들면 메틸기가 될 수 있다.
일 구체예에서, 상기 화학식 3에서, 0.7≤x≤0.99, 0.01≤y≤0.3, x+y=1이 될 수 있다. 상기 범위에서, 본 발명의 효과 구현이 보다 용이할 수 있다.
바람직하게는, 화학식 3의 실리콘계 수지는 Vi(CH3)2Si-((CH3)2SiO2/2) x(SiO4/2)y-OSi(CH3)2Vi(이때, Vi는 비닐기, x,y는 상기 화학식 3에서 정의한 바와 같다)가 될 수 있다.
D 단위와 Q 단위를 모두 갖는 실리콘계 수지는 화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지 또는 그의 총합 100중량부에 대해 1중량부 내지 20중량부, 바람직하게는 5중량부 내지 20중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 본 발명의 식 1과 식 2를 만족시킬 수 있고, 저 박리력 효과가 있을 수 있다.
비반응성 MQ 실리콘계 수지
상기 조성물은 비반응성 MQ 실리콘계 수지를 더 포함한다. 이를 통해, 실리콘계 점착성 보호 필름은 본 발명의 식 1과 식 2를 만족할 수 있다. 반응성 MQ 실리콘계 수지를 포함하는 보호 필름은 본 발명의 효과를 얻을 수 없었다. 여기에서 "비반응성"은 비닐기 또는 비닐기를 갖는 1가 유기기를 갖지 않는 것을 의미한다.
비반응성 MQ 실리콘계 수지는 Y1Y2Y3SiO1/2(이때, Y1, Y2, Y3은 각각 독립적으로 탄소 수 1 내지 5의 알킬기이다) 단위 및 SiO4/2 단위를 갖는 실리콘계 수지를 포함할 수 있다. 구체적으로, Y1, Y2, Y3은 각각 독립적으로 메틸기, 에틸기, 프로필기 등이 될 수 있다.
일 구체예에서, 제2실리콘계 수지는 하기 화학식 4의 실리콘계 수지를 포함할 수 있다:
[화학식 4]
(Y1Y2Y3SiO1/2)x(SiO4/2)y
(상기 화학식 4에서,
Y1, Y2, Y3은 각각 독립적으로 탄소 수 1 내지 5의 알킬기,
0<x<1, 0<y<1, x+y=1)
비반응성 MQ 실리콘계 수지는 주제 예를 들면 화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지 또는 그의 총합 100중량부에 대하여 1중량부 내지 20중량부, 예를 들면 1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14,15,16,17,18,19 또는 20중량부, 바람직하게는 5중량부 내지 15중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 본 발명의 식 1, 식 2를 만족시킬 수 있고, 비산 방지 특성이 우수한 효과가 있을 수 있다.
상기 조성물은 경화제 및 경화 촉매를 더 포함할 수 있다.
경화제
경화제는 분자 내에 실리콘 결합된 수소(Si-H)를 2개 이상 갖는 실록산 수지를 포함할 수 있다. 경화제는 화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지 및 D 단위와 Q 단위를 갖는 실리콘계 수지 각각의 비닐기와 하이드로실릴화 반응함으로써, 화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지 및 D 단위와 Q 단위를 갖는 실리콘계 수지를 경화시킨다. 수소 원자 이외에 실리콘에 결합된 유기기는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜텔기, 헥실기 등의 알킬기, 페닐기, 톨릴기, 자일리기 등의 아릴기, 벤질기, 페네틸기와 같은 아릴알킬기 등이 될 수 있다.
일 구체예에서, 경화제는 하기 화학식 5로 표시될 수 있다.
[화학식 5]
R4R5R6SiO-(HR1SiO2/2)x(R2R3SiO2/2)y-SiR7R8R9
(상기 화학식 5에서,
R1은 탄소수 1 내지 탄소수 10의 알킬기,
R2, R3은 각각 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 탄소수 10의 알킬기,
R4, R5, R6, R7, R8, R9는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 탄소수 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 탄소수 10의 아릴기,
0<x≤1, 0≤y<1, x+y=1)
구체적으로, 경화제는 분자 중 양쪽 말단이 트리메틸실록시기로 캡핑된 메틸히드로젠폴리실록산, 분자 중 양쪽 말단이 트리메틸실록시기로 캡핑된 메틸히드로젠실록산과 디메틸실록산의 공중합체 중 1종 이상을 포함할 수 있다.
경화제는 주제 예를 들면 화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지 또는 그의 총합 100중량부에 대해 0.1중량부 내지 5중량부, 바람직하게는 0.1중량부 내지 3중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 박리력 경시 변환율이 낮아지는 효과가 있을 수 있다.
경화 촉매
경화 촉매는 화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지 및 D 단위와 Q 단위를 갖는 실리콘계 수지 및 경화제 간의 반응을 촉매한다. 경화 촉매는 백금계, 루테늄계, 또는 오스뮴계 촉매를 포함할 수 있으며, 구체적인 종류는 당업자에게 알려진 통상의 백금 촉매를 포함할 수 있다. 예를 들면, 경화 촉매는 염화 백금산, 염화 백금산의 알코올 용액, 염화 백금산과 올레핀의 착체(complex), 염화 백금산과 알케닐 실록산의 착체 등을 포함할 수 있다.
경화 촉매는 주제 예를 들면 화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지 또는 그의 총합 100중량부에 대해 0.1중량부 내지 3중량부, 바람직하게는 0.5중량부 내지 2중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 박리력 경시 변화율이 낮아지는 효과가 있을 수 있다.
상기 조성물은 앵커제를 더 포함할 수 있다.
앵커제
앵커제는 실리콘계 점착성 보호 필름의 박리력을 더 높일 수 있다. 앵커제는 실록산계 화합물로서 당업자에게 알려진 통상의 화합물을 포함할 수 있다. 앵커제는 비닐트리에톡시실란, 알릴트리메톡시실란, 알릴트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-(메트)아크릴옥시프로필트리메톡시실란 중 1종 이상을 포함할 수 있다. 앵커제는 글리시독시기를 갖는 유기폴리실록산 중 1종 이상을 포함할 수 있다.
앵커제는 주제 예를 들면 화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지 또는 그의 총합 100중량부에 대해 1중량부 미만, 구체적으로 0.05중량부 이상 1중량부 미만, 바람직하게는 0.1중량부 내지 0.5중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 실리콘계 점착성 보호 필름의 기재 필름에 대한 밀착성이 높아지는 효과가 있을 수 있다.
상기 조성물은 히드로실릴화 반응 억제제를 더 포함할 수 있다.
히드로실릴화 반응 억제제
히드로실릴화 반응 억제제는 제1실리콘계 수지와 가교제 간의 반응 및/또는 제2실리콘계 수지와 가교제 간의 반응을 억제함으로써 목적으로 하는 점도의 조성물을 얻을 수 있도록 하고 보관 안정성을 높일 수 있다. 히드로실릴화 반응 억제제는 당업자에게 알려진 통상의 종류를 포함할 수 있다. 예를 들면 히드로실릴화 반응 억제제는 3-메틸-1-부틴-1-올, 3,5-디메틸-1-부틴-1-올 등이 될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
점착성 보호 필름의 조성물은 유기 용제를 더 포함으로써, 상기 조성물의 도포성을 높여 박막의 도포막을 얻도록 할 수 있다. 유기 용제는 특별히 제한되지 않으며, 톨루엔, 자일렌, 헥센, 헵탄, 메틸에틸케톤 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
점착성 보호 필름의 조성물은 UV 흡수제, 염료, 산화 방지제 등 통상의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 해당 첨가제는 당업자에게 알려진 통상의 종류를 채용할 수 있다.
실리콘계 점착성 보호 필름은 점착성 보호 필름용 조성물을 이형 필름에 소정의 두께로 코팅하고 80℃ 내지 150℃에서 1분 내지 30분간 동안 열 경화시켜, 실리콘계 점착성 보호 필름과 이형 필름의 적층체를 제조한 후 이형 필름으로부터 박리시켜 제조될 수 있다. 열경화 후 에이징 처리를 추가로 거칠 수도 있다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 부재를 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 광학 부재는 광학 필름, 및 상기 광학 필름의 적어도 일면에 형성된 점착성 보호 필름을 포함하고, 점착성 보호 필름은 본 발명의 실시예들에 따른 실리콘계 점착성 보호 필름을 포함한다.
광학 필름은 디스플레이 패널로서 실리콘 질화막 또는 유리판을 포함할 수 있다.
일 구체예에서, 광학 필름은 발광소자층 및 발광소자층의 적어도 일면에 형성된 폴리이미드 필름으로 구성될 수 있다. 광학 필름과 실리콘계 점착성 보호 필름 사이에는 유기 절연막 또는 무기 절연막이 더 형성될 수도 있다. 광학 부재는 실리콘계 점착성 보호 필름의 다른 일면에 이형 필름(라이너)을 더 포함할 수 있다. 이형 필름은 점착성 보호 필름이 외부의 이물질 등에 의해 오염되는 것을 막을 수 있다. 이형 필름은 상술한 광학 필름과 동종 또는 이종의 물질로 형성된 광학 필름을 사용할 수 있다. 예를 들면, 이형 필름은 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리이미드 수지, 폴리(메트)아크릴레이트 수지, 시클릭올레핀폴리머 수지, 아크릴 수지 중 하나 이상의 수지로 형성된 필름일 수 있다. 이형 필름은 두께가 10㎛ 내지 100㎛, 바람직하게는 10㎛ 내지 50㎛가 될 수 있다. 상기 범위에서, 점착성 보호 필름을 지지할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되지는 않는다.
실시예 1
하기 표 2에서 설명된 하기 표 1의 성분을 고형분 기준으로 하기 표 1의 함량(단위: 중량부)으로 혼합하고 용매 톨루엔 10중량부를 더 혼합하여 실리콘계 점착성 보호 필름용 조성물을 제조하였다. 하기 표 1에서 "-"는 해당 성분이 포함되지 않음을 의미한다.
상기 제조한 조성물을 이형 필름(폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름, 두께: 25㎛)에 소정의 두께로 도포하고 80℃에서 2분 동안, 130℃에서 3분 동안 건조시키고, 실온에서 3일 동안 숙성시켜, 실리콘계 점착성 보호 필름(두께: 75㎛)과 이형 필름의 적층체를 제조하였다.
실시예 2 내지 실시예 3
실시예 1에서 실리콘계 점착성 보호 필름용 조성물 중 각 성분의 종류 및/또는 함량을 하기 표 1과 같이 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 실시하여 실리콘계 점착성 보호 필름(두께: 75㎛)과 이형 필름의 적층체를 제조하였다.
비교예 1 내지 비교예 5
실시예 1에서 실리콘계 점착성 보호 필름용 조성물 중 각 성분의 종류 및/또는 함량을 하기 표 1과 같이 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 실시하여 실리콘계 점착성 보호 필름(두께: 75㎛)과 이형 필름의 적층체를 제조하였다.
실시예와 비교예에서 제조한 적층체를 가지고 하기 물성을 평가하였으며 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
(1)유리판에 대한 초기 박리력(단위: gf/inch)
실시예와 비교예의 적층체를 길이 x 폭(20cm x 2.5cm)로 절단하고, 얻은 적층체를 길이 x 폭(20cm x 2.5cm)의 유리판에 상기 실리콘계 점착성 보호 필름을 매개로 합지하고 2kg 롤러로 가압한 후 상온에서 24시간 방치시켜 시편을 제조하였다.
그런 다음, Texture analyzer(TA)를 사용해서 상기 유리판으로부터 상기 실리콘계 점착성 보호 필름을 박리 속도 2400mm/min, 박리 각도 180°, 박리 온도 25℃에서 박리 시 박리력을 측정하였다. 상기 시편을 3개 제조하고 박리력을 측정한 다음 평균값으로 구하였다.
(2)실리콘 질화막에 대한 초기 박리력(단위: gf/inch)
실리콘 질화막은 스퍼터링 방법으로 제조된 것을 사용하였다.
실시예와 비교예의 적층체를 길이 x 폭(20cm x 2.5cm)로 절단하고, 얻은 적층체를 길이 x 폭(20cm x 2.5cm)의 상기 실리콘 질화막에 상기 실리콘계 점착성 보호 필름을 매개로 합지하고 2kg 롤러로 가압한 후 상온에서 24시간 방치시켜 시편을 제조하였다. 그런 다음, Texture analyzer(TA)를 사용해서 상기 실리콘 질화막으로부터 상기 실리콘계 점착성 보호 필름을 박리 속도 2400mm/min, 박리 각도 180°, 박리 온도 25℃에서 박리 시 박리력을 측정하였다. 상기 시편을 3개 제조하고 박리력을 측정한 다음 평균값으로 구하였다.
(3)85℃에서 2일 경과 후 실리콘 질화막에 대한 박리력(단위: gf/inch)
(2)와 동일한 방법으로 시편을 제조하고 제조된 시편을 85℃에서 2일 동안 방치하였다.
방치시킨 시편을 가지고 (2)와 동일한 방법으로 박리 속도 2400mm/min, 박리 각도 180°, 박리 온도 25℃에서 박리 시 박리력을 측정하였다. 상기 시편을 3개 제조하고 박리력을 측정한 다음 평균값으로 구하였다.
(4) Young's 모듈러스(단위: MPa)
불소 처리된 필름(동원 인텍, FL-75BML)의 일면에 실시예와 비교예의 점착성 보호 필름용 조성물을 소정의 두께로 코팅하고 얻은 코팅층에 PET 필름을 합지한 후 130℃에서 5분 동안 경화시켜, 불소 처리된 필름과 PET 필름 사이에 두께 75㎛의 실리콘계 점착성 보호 필름이 적층된 적층체를 제조하였다.
상기 적층체를 도 1의 도그 본(dog bone) 형상으로 절단하고 상기 불소 처리된 필름과 PET 필름을 제거하여 모듈러스 측정을 위한 시편을 제조하였다.
도 1을 참조하면, 시편은 도그 본(dog bone)의 형상을 가지며, 도그 본의 전체 길이는 40mm, 도그 본의 전체 폭은 15mm이고, 두께는 75㎛이다. 제조한 모듈러스 측정용 시편에 대하여 모듈러스 측정 장치(Instron社)를 사용해서 측정하였다. 구체적으로, 도 1의 도그 본 중 좌측 말단을 상기 모듈러스 측정 장치의 제1지그에 연결하고 우측 말단을 상기 모듈러스 측정 장치의 제2지그에 연결하였다. 이때, 좌측 말단 중 제1지그에 연결되는 부분과 우측 말단 중 제2지그에 연결되는 부분은 동일 면적으로 하였다. 그런 다음, 제1지그는 고정시킨 상태에서 제2지그를 load cell: 1kN, 인장 속도: 50mm/min, 25℃에서 인장시켜 도 1의 도그 본 중 폭 15mm, 두께 5mm으로 표시된 부분이 끊어질 때의 값을 모듈러스로 구하였다.
(5)신율(단위: %)
(4)와 동일한 방법으로 도그 본 형상의 시편을 제조하고 ASTM D882 방법에 의하여, U.T.M을 이용하여 크로스 헤드 스피드(cross head speed)를 50 mm/min으로 25℃에서 당긴 후, 시편이 파단될 때까지 시편이 늘어난 최종 길이를 측정한 후, 신율을 다음과 같이 계산하였다: 시편의 최초 길이는 40mm이다.
신율 (%) = (시편이 파단될 때까지 시편이 늘어난 최종 길이/시편의 최초 길이) × 100.
(6) 50℃에서 7일 경과 후 실리콘 질화막에 대한 박리력(단위: gf/inch)
실시예와 비교예의 적층체를 길이 x 폭(20cm x 2.5cm)로 절단하고, 얻은 적층체를 길이 x 폭(20cm x 2.5cm)의 상기 실리콘 질화막에 상기 실리콘계 점착성 보호 필름을 매개로 합지하고 2kg 롤러로 가압한 후 50℃에서 7일 방치시켜 시편을 제조하였다. 그런 다음, Texture analyzer(TA)를 사용해서 상기 실리콘 질화막으로부터 상기 실리콘계 점착성 보호 필름을 박리 속도 2400mm/min, 박리 각도 180°, 박리 온도 25℃에서 박리 시 박리력을 측정하였다. 상기 시편을 3개 제조하고 박리력을 측정한 다음 평균값으로 구하였다.
(7)기재 밀착력: 크로스 컷 시험 기준인 ASTM D3002/D3359의 규격에 준거하여, 크로스 컷 테스트를 수행하였다. 구체적으로, 실시예와 비교예의 실리콘계 점착성 보호 필름과 이형 필름의 적층체를 길이 x 폭(10cm x 10cm)으로 절단하여 시편을 준비하고 길이, 폭 1cm의 간격으로 실리콘계 점착성 보호 필름 면을 가로 및 세로 방향으로 각각 칼로 그어서 가로와 세로가 각각 1cm인 100개의 정사각형 격자를 형성하였다. 그 후, 3M社의 #610 접착 테이프를 상기 재단면에 부착한 후 떼어낼 때에, 함께 떨어지는 면의 상태를 측정하여 하기 기준으로 평가하였다. 5B 인 경우 OK, 0B 내지 4B인 경우 NG로 평가하였다.
<기재 밀착력 평가 기준>
5B: 떨어진 면이 없는 전혀 없는 경우
4B: 떨어진 면이 총 면적 대비 0% 초과 5% 이하인 경우
3B: 떨어진 면이 총 면적 대비 5% 초과 15% 이하인 경우
2B: 떨어진 면이 총 면적 대비 15% 초과 35% 이하인 경우
1B: 떨어진 면이 총 면적 대비 35% 초과 65% 이하인 경우
0B: 떨어진 면이 총 면적 대비 65% 초과인 경우
(8)비산 방지 성: 실시예와 비교예의 실리콘계 점착성 보호 필름과 이형 필름(PET 필름)의 적층체 중 실리콘계 점착성 보호 필름 면에 대해 측정하였다. 연필 경도계(CT-PC2, 코아 테크)를 사용하여 JIS K5400 방법에 의거하여 SUS 펜이 점착성 보호 필름을 누르는 하중: 1kg, 점착성 보호 필름 면과 SUS 펜이 이루는 각도: 45°, SUS 펜이 점착성 보호 필름을 긋는 속도 48mm/min, SUS 펜의 직경 1mm의 조건으로 실리콘계 점착성 보호 필름 면을 그어 이때 발생되는 파티클 유무를 육안으로 확인하였다. 파티클 발생이 없는 경우 OK, 파티클이 발생한 경우 NG로 평가하였다.
실시예 비교예
1 2 3 1 2 3 4 5
7626 - - - 5 5 - - -
XX-01 5 10 20 - - - - 5
VGP-061 40 40 40 40 40 - 40 40
3306 - - - - - 60 - -
KS-774 60 60 60 60 60 - 60 60
776 - - - - - 40 - -
7426 9 10 12 6 3 - 9 -
SYL-OFF 7210 - - - 3 5 - - 9
SYL-OFF SL 7028 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 - - 1.5
CAT-PL-50T - - - - - 0.5 - -
4000 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 - 0.5 0.5
보호 필름 중 화학식 1의 단위 비율
(몰%)		 3.5 3.5 3.3 3.5 3.5 0.5 3.5 3.5
초기 박리력
(@유리판)		 1.8 1.9 1.8 1.9 1.8 1.7 6.5 2.2
초기 박리력
(@실리콘 질화막)		 5.0 4.3 3.5 10 15 8 11.3 8.0
85℃/2일 경과 후 박리력
(@실리콘 질화막)		 6.5 5.1 4.2 22 30 13 30.5 45.2
식 1 30 19 20 120 100 63 170 465
식 2 2.8 2.3 1.9 5.3 8.3 4.7 1.7 3.6
Young's 모듈러스 3.1 3.5 4.0 4.2 4.3 3.2 1.8 8.5
신율 130 110 100 150 160 80 120 250
50℃/7일 경과 후 박리력
(@실리콘 질화막)		 6.0 6.7 6.3 18 25.5 13.4 19.2 15
식 3 20 55.8 80 80 70 67.5 69.9 87.5
기재 밀착력 OK OK OK NG NG OK OK NG
비산 방지성 OK OK OK OK OK NG OK OK
제품명 분류(제조사) 화학 설명
7626 유기폴리실록산(다우) 디메틸실록산을 갖는 폴리실록산,디메틸비닐실옥시기로 양쪽 말단 캡핑됨
디페닐실록산을 갖지 않음
XX-01 유기폴리실록산(다우) D 단위와 Q 단위를 갖는 실리콘계 수지디메틸실록산,
Figure pat00001
을 갖는 폴리실록산.
디메틸비닐실옥시기로 양쪽 말단 캡핑됨.
비닐기 함량: 0.37mmol/g.
중량평균분자량: 25000
VGP-061 유기폴리실록산(Gelest) 화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지디메틸실록산, 메틸비닐실록산, 디페닐실록산을 갖는 유기폴리실록산.
트리메틸실옥시기로 양쪽 말단 캡핑됨.
비닐기 함량: 0.2 ~ 0.3mmol/g
3306 유기폴리실록산(신예츠) 화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지디메틸실록산, 메틸비닐실록산, 디페닐실록산을 갖는 유기폴리실록산.
트리메틸실옥시기로 양쪽 말단 캡핑됨.
비닐기 함량: <0.1 mmol/g.
KS-774 유기폴리실록산(신예츠) 화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지디메틸실록산, 메틸비닐실록산, 디페닐실록산을 갖는 유기폴리실록산.
트리메틸실옥시기로 양쪽 말단 캡핑됨.
비닐기 함량: 0.1 ~ 0.15 mmol/g.
776 유기폴리실록산(신예츠) 디메틸실록산, 메틸비닐실록산, 디페닐실록산을 갖는 유기폴리실록산.트리메틸실옥시기로 양쪽 말단 캡핑됨.
비닐기 함량: ~0.1 mmol/g.
7426 비반응성 MQ 유기 폴리실록산(다우) 비반응성 MQ 실리콘계 수지트리메틸실록산, 및 SiO4/2를 갖는 유기폴리실록산.
비닐기 없음
SYL-OFF 7210 반응성 MQ 유기폴리실록산(다우) 반응성 MQ 실리콘계 수지디메틸비닐실록산, 트리메틸실록산, 및 SiO4/2를 갖는 유기폴리실록산
SYL-OFF SL7028 경화제(다우) 메틸하이드로젠폴리실록산,트리메틸실옥시기로 말단 캡핑됨
CAT-PL-50T 히드로실릴화촉매(신예츠) 백금 촉매
4000 히드로실릴화촉매(다우) 백금 촉매
상기 표 1에서 나타난 바와 같이, 본 발명의 실리콘계 점착성 보호 필름은 실리콘 질화막에 대한 초기 박리력, 실리콘 질화막에 부착 후 고온에서 경과한 후의 박리력이 본원 범위를 만족하고 식 1을 만족함으로써, 실리콘 질화막에서의 제거가 용이할 수 있다. 또한, 본 발명의 실리콘계 점착성 보호 필름은 식 2를 만족함으로써 우수한 경시 박리력, 신뢰성이 우수하였으며, 기재 밀착력, 단차 매립성, 비산 방지 특성이 우수하였다.
반면에, 본 발명의 식 1과 식 2를 모두 만족하지 못하는 비교예의 실리콘계 점착성 보호 필름은 본 발명의 효과를 얻을 수 없었다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.

Claims (18)

  1. 하기 화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지를 포함하는 조성물로 형성되는 실리콘계 점착성 보호 필름으로서,
    상기 실리콘계 점착성 보호 필름은 하기 식 1과 하기 식 2를 만족하는 것인, 실리콘계 점착성 보호 필름:
    [화학식 1]
    (R1R2SiO2/2)
    (상기 화학식 1에서,
    R1, R2는 각각 페닐기이다)
    [식 1]
    0% ≤ {|PS[@실리콘 질화막, 85℃, 2일] - PS[@실리콘 질화막, 초기]|/ PS[@실리콘 질화막, 초기]} x 100 ≤ 100%
    (상기 식 1에서,
    PS[@실리콘 질화막, 초기]은 실리콘 질화막에 대한 실리콘계 점착성 보호 필름의 초기 박리력(단위: gf/inch),
    PS[@실리콘 질화막, 85℃, 2일]은 실리콘 질화막에 실리콘계 점착성 보호 필름을 적층시키고 85℃에서 2일 동안 방치한 후, 실리콘 질화막에 대한 실리콘계 점착성 보호 필름의 박리력(단위: gf/inch)이다),
    [식 2]
    1 ≤ {PS[@실리콘 질화막, 초기]}/{PS[@유리판, 초기]} ≤ 4
    (상기 식 2에서,
    PS[@실리콘 질화막, 초기]은 실리콘 질화막에 대한 실리콘계 점착성 보호 필름의 초기 박리력(단위: gf/inch),
    PS[@유리판, 초기]은 유리판에 대한 실리콘계 점착성 보호 필름의 초기 박리력(단위: gf/inch)이다).
  2. 제1항에 있어서, 상기 식 1에서 PS[@실리콘 질화막, 초기]은 6gf/inch 이하인 것인, 실리콘계 점착성 보호 필름.
  3. 제1항에 있어서, 상기 식 1에서 PS[@실리콘 질화막, 85℃, 2일]은 15gf/inch 이하인 것인, 실리콘계 점착성 보호 필름.
  4. 제1항에 있어서, 상기 식 2에서 PS[@유리판, 초기]는 3gf/inch 이하인 것인, 실리콘계 점착성 보호 필름.
  5. 제1항에 있어서, 상기 실리콘계 점착성 보호 필름은 모듈러스가 0.5MPa 이상인 것인, 실리콘계 점착성 보호 필름.
  6. 제1항에 있어서, 상기 실리콘계 점착성 보호 필름은 신율이 100% 이상인 것인, 실리콘계 점착성 보호 필름.
  7. 제1항에 있어서, 상기 실리콘계 점착성 보호 필름은 하기 식 3의 경시 박리력 변화율이 500% 이하인 것인, 실리콘계 점착성 보호 필름:
    [식 3]
    경시 박리력 변화율 = {|PS[@실리콘 질화막, 50℃, 7일] - PS[@실리콘 질화막, 초기]|/ PS[@실리콘 질화막, 초기]} x 100
  8. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 실록산 단위는 상기 실리콘계 점착성 보호 필름의 전체 실록산 단위 중 0.1몰% 내지 20몰%로 포함되는 것인, 실리콘계 점착성 보호 필름.
  9. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지는 하기 화학식 2의 실리콘계 수지를 포함하는 것인, 실리콘계 점착성 보호 필름:
    [화학식 2]
    (R1R2SiO2/2)x(R3R4SiO2/2)y(R5R6SiO2/2)z
    (상기 화학식 2에서,
    R1, R2는 각각 페닐기,
    R3은 비닐기, 또는 말단에 비닐기를 갖는 1가 유기기,
    R4는 1가 유기기,
    R5, R6은 각각 독립적으로 1가 유기기,
    0<x<1, 0<y<1, 0<z<1, x+y+z=1).
  10. 제9항에 있어서, 상기 화학식 2의 실리콘계 수지는 R(CH3)2Si-(Ph2SiO2/2) x(CH3ViSiO2/2)y((CH3)2SiO2/2)z-OSi(CH3)2R(이때, Ph는 페닐기, Vi는 비닐기, R은 수소 또는 1가 유기기, x,y,z는 상기 화학식 2에서 정의한 바와 같다)를 포함하는 것인, 실리콘계 점착성 보호 필름.
  11. 제9항에 있어서, 상기 조성물은 비닐기 함량이 0.01mmol/g 내지 0.2mmol/g인 화학식 2의 실리콘계 수지와 비닐기 함량이 0.05mmol/g 내지 0.3mmol/g인 화학식 2의 실리콘계 수지의 혼합물을 포함하는 것인, 실리콘계 점착성 보호 필름.
  12. 제11항에 있어서, 상기 비닐기 함량이 0.01mmol/g 내지 0.2mmol/g인 화학식 2의 실리콘계 수지와 상기 비닐기 함량이 0.05mmol/g 내지 0.3mmol/g인 화학식 2의 실리콘계 수지의 총합 100중량부 중 상기 비닐기 함량이 0.01mmol/g 내지 0.2mmol/g인 화학식 2의 실리콘계 수지는 30중량부 내지 90중량부, 상기 비닐기 함량이 0.05mmol/g 내지 0.3mmol/g인 화학식 2의 실리콘계 수지는 10중량부 내지 70중량부로 포함되는 것인, 실리콘계 점착성 보호 필름.
  13. 제1항에 있어서, 상기 조성물은 D 단위와 Q 단위를 모두 갖는 실리콘계 수지 및 비반응성 MQ 실리콘계 수지를 더 포함하는 것인, 실리콘계 점착성 보호 필름.
  14. 제13항에 있어서, 상기 D 단위와 Q 단위를 모두 갖는 실리콘계 수지는 하기 화학식 3의 실리콘계 수지를 포함하는 것인, 실리콘계 점착성 보호 필름:
    [화학식 3]
    X3X4X5Si-(X1X2SiO2/2)x(SiO4/2)y-OSiX6X7X8
    (상기 화학식 3에서,
    X1, X2는 각각 독립적으로 1가 유기기,
    X3, X4, X5는 각각 독립적으로 1가 유기기, 비닐기 또는 말단에 비닐기를 갖는 1가 유기기, X3, X4, X5 중 하나 이상은 비닐기 또는 말단에 비닐기를 갖는 1가 유기기,
    X6, X7, X8은 각각 독립적으로 1가 유기기, 비닐기 또는 말단에 비닐기를 갖는 1가 유기기, X6, X7, X8 중 하나 이상은 비닐기 또는 말단에 비닐기를 갖는 1가 유기기,
    0<x<1, 0<y<1, x+y=1).
  15. 제14항에 있어서, 상기 화학식 3의 실리콘계 수지는 Vi(CH3)2Si-((CH3)2SiO2/2)x(SiO4/2)y-OSi(CH3)2Vi(이때, Vi는 비닐기, x,y는 상기 화학식 3에서 정의한 바와 같다)를 포함하는 것인, 실리콘계 점착성 보호 필름.
  16. 제13항에 있어서, 상기 D 단위와 Q 단위를 모두 갖는 실리콘계 수지는 상기 화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지 또는 그의 총합 100중량부에 대해 1중량부 내지 20중량부로 포함되는 것인, 실리콘계 점착성 보호 필름.
  17. 제13항에 있어서, 상기 비반응성 MQ 실리콘계 수지는 상기 화학식 1의 단위를 갖는 실리콘계 수지 또는 그의 총합 100중량부에 대하여 1중량부 내지 20중량부로 포함되는 것인, 실리콘계 점착성 보호 필름.
  18. 광학 필름; 및
    상기 광학 필름의 일면에 형성된 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항의 실리콘계 점착성 보호 필름을 포함하는 것인, 광학 부재.

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