KR20210150883A - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20210150883A
KR20210150883A KR1020200067867A KR20200067867A KR20210150883A KR 20210150883 A KR20210150883 A KR 20210150883A KR 1020200067867 A KR1020200067867 A KR 1020200067867A KR 20200067867 A KR20200067867 A KR 20200067867A KR 20210150883 A KR20210150883 A KR 20210150883A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
dielectric
mode control
chamber housing
gas supply
lead
Prior art date
Application number
KR1020200067867A
Other languages
English (en)
Inventor
최진혁
루쓰칭
남상기
박기수
박수남
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020200067867A priority Critical patent/KR20210150883A/ko
Priority to US17/173,702 priority patent/US20210384012A1/en
Publication of KR20210150883A publication Critical patent/KR20210150883A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/3222—Antennas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/32238—Windows
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32467—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H01J37/32495—Means for protecting the vessel against plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/2007—Holding mechanisms

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

반응 공간을 정의하고 상부가 개방된 챔버 하우징; 상기 챔버 하우징 내에서 기판을 지지하도록 구성된 서셉터(susceptor); 및 상기 챔버 하우징의 상부를 덮는 유전체 커버를 포함하는 기판 처리 장치로서, 상기 유전체 커버는: 유전체 리드(lid); 및 상기 유전체 리드와 이격되어 상기 유전체 리드의 주위에 배치되며, 상기 유전체 리드와의 이격된 거리를 조정 가능하도록 구성된 모드 조절부(mode modifier)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치가 제공된다.

Description

기판 처리 장치 {Substrate processing apparatus}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 파티클로 인한 제품 불량을 방지 또는 저감할 수 있고 제품의 제조 비용이 저렴한 기판 처리 장치에 관한 것이다.
플라스마를 이용하는 기판 처리 장치는 다양한 원인에 의하여 파티클이 발생하고, 이러한 파티클은 처리되는 기판의 표면에 접촉하여 제품 불량의 원인이 될 수 있다. 따라서 이러한 파티클으로 인한 제품 불량을 방지하기 위하여 파티클이 기판과 접촉하는 것을 방지 또는 저감할 필요가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 파티클로 인한 제품 불량을 방지 또는 저감할 수 있고 제품의 제조 비용이 저렴한 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명은 상기 기술적 과제를 이루기 위하여, 반응 공간을 정의하고 상부가 개방된 챔버 하우징; 상기 챔버 하우징 내에서 기판을 지지하도록 구성된 서셉터(susceptor); 및 상기 챔버 하우징의 상부를 덮는 유전체 커버를 포함하는 기판 처리 장치로서, 상기 유전체 커버는: 유전체 리드(lid); 및 상기 유전체 리드와 이격되어 상기 유전체 리드의 주위에 배치되며, 상기 유전체 리드와의 이격된 거리를 조정 가능하도록 구성된 모드 조절부(mode modifier)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 다른 태양은 반응 공간을 정의하고, 측벽에 가스 공급관을 포함하며, 상부가 개방된 챔버 하우징; 상기 챔버 하우징 내에서 기판을 지지하도록 구성된 서셉터(susceptor); 및 상기 챔버 하우징의 상부를 덮는 유전체 커버를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다. 이 때, 상기 가스 공급관은 상기 서셉터의 상부에서 대류에 의한 가스 공급이 확산에 의한 가스 공급보다 우세하도록 구성된다.
본 발명의 또 다른 태양은 반응 공간을 정의하고 상부가 개방된 챔버 하우징; 상기 챔버 하우징 내에서 기판을 지지하도록 구성된 서셉터(susceptor); 재작업된 유전체 리드(lid) 및 상기 유전체 리드와 이격되어 상기 유전체 리드의 주위에 배치된 모드 조절부(mode modifier)를 포함하고, 상기 챔버 하우징의 상부를 덮는 유전체 커버; 상기 유전체 리드의 상부에 제공된 고주파 안테나 장치; 상기 고주파 안테나 장치에 연결된 마이크로파 발생 장치; 및 상기 챔버 하우징의 측벽에 제공되는 복수의 가스 공급관을 포함하고, 상기 모드 조절부는 유전체 스페이서를 사이에 두고 상기 유전체 리드와 이격되고, 상기 가스 공급관은 상기 서셉터의 상부에서 대류에 의한 가스 공급이 확산에 의한 가스 공급보다 우세하도록 구성된 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 기판 처리 장치는 파티클로 인한 제품 불량을 방지 또는 저감할 수 있고, 값비싼 유전체 리드의 재사용이 가능하여 제품의 제조 비용을 절감하는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 나타낸 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 측단면도이다.
도 3은 도 2의 A 부분을 상세하게 나타낸 확대도이다.
도 4a는 유전체 리드를 교체한 직후의 유전체 리드의 아래 표면에서의 반지름 방향의 전기장의 세기를 나타낸 그래프이다.
도 4b는 재작업(rework)을 통해 두께가 얇아진 유전체 리드의 아래 표면에서의 반지름 방향의 전기장의 세기를 도 4a에서의 전기장의 세기와 함께 나타낸 그래프이다.
도 4c는 재작업된 유전체 리드의 외측에 모드 조절부를 배치한 후의 유전체 리드의 아래 표면에서의 반지름 방향의 전기장의 세기를 도 4a에서의 전기장의 세기와 함께 나타낸 그래프이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 모드 조절부와 유전체 스페이서를 나타낸 평면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 모드 조절부와 유전체 스페이서를 나타낸 평면도이다.
도 7a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 모드 조절부와 유전체 스페이서를 나타낸 평면도이고, 도 7b는 도 7a의 반지름 방향 r을 따라 절개한 단면을 나타낸 단면도이다.
도 8a 및 도 8b는 각각 도 7a 및 도 7b의 제 4 스페이서 고리가 제 5 모드 조절 고리로 교체된 예를 나타낸 평면도 및 측면도이다.
도 9a 및 도 9b는 각각 도 7a 및 도 7b의 제 4 모드 조절 고리가 제 5 스페이서 고리로 교체된 예를 나타낸 평면도 및 측면도이다.
도 10a 및 도 10b는 각각 도 7a 및 도 7b의 제 4 스페이서 고리가 제 5 모드 조절 고리로 교체되고 제 4 모드 조절 고리가 제 5 스페이서 고리로 교체된 예를 나타낸 평면도 및 측면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 도 2의 B 부분을 상세하게 나타낸 확대도이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 도 2의 B 부분을 상세하게 나타낸 확대도이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제2 처리 가스 공급관을 포함하는 기판 처리 장치를 나타낸 측단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 기술적 사상의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 명세서 전체를 통해 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 가리키도록 사용된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템(1)을 나타낸 개략도이다.
도 1을 참조하면, 상기 기판 처리 시스템(1)은 원료 공급부(11), 원료 공급 제어기(MF1, MF2, MF3), 기판 처리 장치(100)를 포함한다.
상기 원료 공급부(11)는 액상 원료를 수용하는 원료 용기(rsv)를 구비하고, 이 원료 용기(rsv)에는 원료 용기(rsv) 내에 수용된 액상 원료를 가압하여 배출하기 위한 가압 가스(예컨대 헬륨, 질소, 아르곤)를 공급하는 가압 가스 공급관(tb12)이 연결된다. 또, 상기 원료 용기(rsv)로부터 기화기(vap)로 상기 액상 원료를 공급하기 위한 원료 공급관(tb13)이 원료 용기(rsv)와 기화기(vap) 사이에 제공될 수 있다. 도 1에서는 액상 원료의 기화를 위하여 기화기(vap)가 사용되었지만, 통상의 기술자는 필요에 따라 버블러(bubbler)가 사용될 수도 있음을 이해할 것이다.
기화기(vap)는 상기 원료 용기(rsv)로부터 공급되는 액상 원료를 가열 및/또는 감압에 의해 증발시켜 기상의 원료로 전환시킬 수 있다. 원료가 기상인 경우에는 기화기(vap)는 생략될 수 있다. 기상으로 전환된 원료의 부피 유량(volumetric flow rate)은 원료 공급 제어기(MF1)에 의하여 제어되어 기판 처리 장치(100)의 내부로 공급될 수 있다. 기화된 상기 원료는 뒤에서 도 2를 참조하여 설명하는 제2 처리 가스일 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 질소, 헬륨, 아르곤 등의 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급관(tb14)이 제공될 수 있다. 상기 불활성 가스의 부피 유량은 원료 공급 제어기(MF2)에 의하여 제어되어 기판 처리 장치(100)의 내부로 공급될 수 있다. 상기 불활성 가스는 기상의 원료와 함께 상기 기판 처리 장치(100)의 내부로 공급되도록 배관이 구성될 수 있다.
상기 기판 처리 장치(100)는 반응 공간을 정의하는 챔버 하우징(110)을 포함한다. 상기 챔버 하우징 내에는 처리하고자 하는 기판(W)을 지지하는 서셉터(120)가 제공될 수 있다. 상기 서셉터(120)는 상기 기판(W)을 지지 및 고정할 수 있다.
상기 기판 처리 장치(100)에는 다른 반응 가스를 더 공급할 수 있는 가스 공급계(30)가 더 제공될 수 있다. 상기 가스 공급계(30)는 샤워헤드일 수도 있고, 상기 기판 처리 장치(100)의 내부 공간을 향하여 개방된 튜브일 수도 있다. 상기 반응 가스는 도 2를 참조하여 뒤에서 설명하는 제1 처리 가스일 수 있으며, 가스 공급관(tb15)을 통해 공급된다. 이후 상기 반응 가스는 원료 공급 제어기(MF3)에 의하여 부피 유량이 제어되어 기판 처리 장치(100)의 내부로 공급될 수 있다.
상기 가스 공급계(30)의 상부에는 마이크로파 생성 장치(50)가 더 제공될 수 있다.
이하에서는 상기 기판 처리 장치를 더욱 상세하게 설명한다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)를 나타낸 측단면도이다.
도 2를 참조하면, 상기 기판 처리 장치(100)는 챔버 하우징(110)을 포함한다. 상기 챔버 하우징(110)은 하부 챔버(116), 하부 가스링(112), 및 상부 가스링(114)을 포함할 수 있다. 상기 상부 가스링(114) 위에는 돔 플레이트(dome plate)(118)가 결합될 수 있다. 또한 상기 챔버 하우징(110) 내의 반응 공간(182)의 천정으로서 유전체 리드(lid)(141)가 제공될 수 있다. 상기 챔버 하우징(110), 돔 플레이트(118), 및 유전체 리드(141)는 반응 공간(182)을 정의하는 처리 챔버(180)를 이룰 수 있다.
상기 챔버 하우징(110)의 반응 공간(182)의 내부 측벽에는 상기 하부 챔버(110), 하부 가스링(112), 및 상부 가스링(114)을 플라스마로부터 보호하기 위한 측벽 라이너(184)가 더 구비될 수 있다. 상기 측벽 라이너(184)는 쿼츠, Al2O3, AlN, 및 Y2O3와 같은 절연성 물질로 이루어질 수 있다.
특히, 상기 측벽 라이너(184)는 하부 챔버(116)의 노출된 측벽으로부터 상부 가스링(114)의 노출된 전체 측방향 면적을 모두 커버하도록 구성될 수 있다. 이를 통하여 금속성의 하부 챔버(116), 하부 가스링(112), 및 상부 가스링(114)이 플라스마로부터 보다 완벽하게 보호될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 하부 챔버(116)의 일측에 마련된 게이트 밸브(113)를 통하여 상기 반응 공간(182) 내에 기판(W)을 반입하고 상기 반응 공간(182)으로부터 반출시킬 수 있다.
상기 챔버 하우징(110)의 바닥면에는 기판(W)을 배치하는 배치부로서의 서셉터(120)가 제공될 수 있다. 상기 서셉터(120)는 원통 형상을 가질 수 있다. 상기 서셉터(120)는 쿼츠나 AlN과 같은 무기재료, 또는 알루미늄과 같은 금속으로 이루어질 수 있다.
상기 서셉터(120)의 상면에는 정전척(121)이 제공될 수 있다. 상기 정전척(121)은, 절연재 사이에 전극(122)이 삽입되도록 구성될 수 있다. 상기 전극(122)은 상기 챔버 하우징(110)의 외부에 설치된 직류 전원(123)에 접속될 수 있다. 상기 직류 전원(123)에 의하여 서셉터(120)의 표면에 쿨롱힘을 발생시켜, 상기 기판(W)을 상기 서셉터(120) 상에 정전 흡착시킬 수 있다.
상기 서셉터(120)의 내부에는 히터/쿨러(126)가 제공될 수 있다. 상기 히터/쿨러(126)는 그의 가열/냉각 강도를 제어하기 위한 온도 제어기(127)와 연결되어 있을 수 있다. 즉, 상기 온도 제어기(127)에 의하여 상기 서셉터(120)의 온도를 제어할 수 있고, 그에 의하여 상기 서셉터(120) 상에 배치된 기판(W)의 온도를 원하는 온도로 유지할 수 있다.
상기 서셉터(120)의 주위에는 상기 서셉터(120)를 가이드하기 위한 서셉터 가이드(128)가 제공된다. 상기 서셉터 가이드(128)는 예컨대 세라믹류 또는 석영 등의 절연성 재료가 이용될 수 있다.
상기 서셉터(120)의 내부에는 상기 기판(W)을 아래쪽에서 지지하면서 승강시키기 위한 승강핀이 내장되어 있을 수 있다. 상기 승강핀은 상기 서셉터(120) 내에 형성된 관통 구멍을 삽입 관통하여 상기 서셉터(120)의 상면으로부터 돌출 가능하도록 구성될 수 있다. 또한 상기 승강핀은 상기 기판(W)을 지지하기 위하여 적어도 세 개가 구비될 수 있다.
상기 서셉터(120)의 주위에는 상기 서셉터(120)를 환상(環狀)으로 둘러싸는 배기 공간(130)이 형성되어 있을 수 있다. 상기 배기 공간(130)의 상부에는 상기 기판 처리 장치(100) 내의 기상 물질을 균일하게 배기하기 위하여, 복수의 배기 구멍이 형성된 고리 모양의 배플 플레이트(131)가 제공될 수 있다. 상기 배플 플레이트(131)는 제 1 층(131a) 및 제 2 층(131b)을 포함할 수 있으며, 상기 제 2 층(131b)이 제 1 층(131a)보다 반응 공간(182)에 더 가까이 위치될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 배플 플레이트(131)는 도전성의 금속 재료로 된 하부 챔버(116)와 전기적으로 연결될 수 있다. 또, 상기 하부 챔버(116)는 접지부(111)를 통하여 접지될 수 있다. 이 경우 상기 배플 플레이트(131)는 상기 하부 챔버(116)와의 전기적 연결에 의하여 접지 경로(ground path)를 형성할 수 있다.
상기 기판 처리 장치(100)의 바닥면인 상기 배기 공간(130)의 바닥부에는 배기관(132)이 접속되어 있다. 상기 배기관(132)의 수는 임의로 설정될 수 있고, 원주 방향으로 복수개 구비될 수도 있다. 상기 배기관(132)은, 예를 들면 진공 펌프를 구비한 배기 장치(133)에 접속될 수 있다. 상기 배기 장치(133)는, 상기 기판 처리 장치(100) 내의 분위기를 미리 정해진 진공도까지 감압하도록 구성될 수 있다.
상기 기판 처리 장치(100)의 유전체 리드(141)의 상부에는 플라스마 생성을 위한 마이크로파를 공급하는 고주파(radio frequency, RF) 안테나 장치(140)가 제공될 수 있다. 상기 RF 안테나 장치(140)는 슬롯판(slot plate)(142), 지파판(slow-wave plate)(143), 및 쉴드 덮개(shield cover)(144)를 포함할 수 있다.
상기 유전체 리드(141)는 마이크로파가 잘 투과되도록 유전체, 예를 들면 쿼츠, Al2O3, AlN 등이 이용될 수 있다. 상기 유전체 리드(141)는 O-링 등의 기밀 부재를 이용하여 돔 플레이트(118)에 밀착될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 유전체 리드(141)는 쿼츠 돔(quartz dome)일 수 있다.
상기 슬롯판(142)은 상기 유전체 리드(141)의 상부에 위치하고, 상기 서셉터(120)와 대향하도록 배치될 수 있다. 상기 슬롯판(142)에는 다수의 슬롯들이 형성되어 있을 수 있으며, 안테나로서 기능할 수 있다. 상기 슬롯판(142)으로서는 도전성을 갖는 재료, 예를 들면 구리, 알루미늄, 니켈 등이 이용될 수 있다.
상기 지파판(143)은 상기 슬롯판(142)의 상부에 제공되며 마이크로파의 파장을 단축시키는 역할을 수행할 수 있다. 상기 지파판(143)으로는 저손실 유전체 재료, 예를 들면, 쿼츠, Al2O3, AlN 등이 이용될 수 있다.
상기 쉴드 덮개(144)는 상기 지파판(143)의 상부에서 상기 슬롯판(142) 및 상기 지파판(143)을 덮도록 제공될 수 있다. 상기 쉴드 덮개(144)의 내부에는, 예컨대 냉각 매체를 유통시키는 원환형의 유로(145)가 다수 설치될 수 있다. 상기 유로(145)를 흐르는 냉각 매체에 의해, 유전체 리드(141), 슬롯판(142), 지파판(143), 및 쉴드 덮개(144)의 온도가 미리 정해진 온도로 조절될 수 있다.
상기 쉴드 덮개(144)의 중앙부에는 동축 도파관(150)이 접속될 수 있다. 상기 동축 도파관(150)은 내부 도체(151) 및 외부관(152)을 가질 수 있다. 상기 내부 도체(151)는, 상기 슬롯판(142)와 접속될 수 있다. 상기 내부 도체(151)의 슬롯판(142) 측은 원추형으로 형성될 수 있으며, 상기 슬롯판(142)에 대하여 마이크로파를 효율적으로 전파 가능하도록 구성될 수 있다.
상기 동축 도파관(150)에는 마이크로파를 미리 정해진 진동 모드로 변환하는 모드 변환기(153), 직사각형 도파관(154), 및 마이크로파를 발생하는 마이크로파 발생 장치(155)가 순차적으로 접속될 수 있다. 상기 마이크로파 발생 장치(155)는 미리 정해진 주파수, 예를 들면 2.45GHz의 마이크로파를 생성할 수 있다. 상기 마이크로파 발생 장치(155)에는 약 2000W 이상의 파워가 인가될 수 있다. 상기 마이크로파 발생 장치(155)에는 약 3000W 내지 약 3500W까지의 파워도 인가될 수 있다.
상기 기판 처리 장치(100)에서 플라스마를 생성하는 방식은 용량형(capacitive)일 수도 있고 유도형(inductive)일 수도 있다. 또는 플라스마 튜브와 같은 원격 플라스마 발생기와 연결되어 있을 수도 있다.
이러한 구성에 의해, 마이크로파 발생 장치(155)에 의해 발생된 마이크로파는, 직사각형 도파관(154), 모드 변환기(153), 동축 도파관(150)을 순차 전파하여, RF 안테나 장치(140) 내로 공급되고, 지파판(143)으로 압축되어 단파장화되며, 슬롯판(142)으로 원편파(circularly polarized waves)를 발생시킨 후, 슬롯판(142)으로부터 유전체 리드(141)를 투과하여 반응 공간(182) 내로 방사된다. 이 마이크로파에 의해 상기 반응 공간(182) 내에서는 처리 가스가 플라즈마화하고, 이 플라즈마에 의해 기판(W)의 플라즈마 처리가 행해진다.
여기서 RF 안테나 장치(140), 동축 도파관(150), 모드 변환기(153), 직사각형 도파관(154), 및 마이크로파 발생 장치(155)는 플라스마 생성부를 구성할 수 있다.
상기 RF 안테나 장치(140)의 중앙부에는, 제1 처리 가스 공급부로서의 제1 처리 가스 공급관(160)이 설치되어 있다. 제1 처리 가스 공급관(160)은 RF 안테나 장치(140)를 관통하고, 이 제1 처리 가스 공급관(160)의 일단부는 유전체 리드(141)의 하면을 관통하여 개구되어 있다. 또한, 제1 처리 가스 공급관(160)은 동축 도파관(150)의 내부 도체(151)의 내부를 관통하고, 모드 변환기(153) 내부를 더 삽입 관통하여, 이 제1 처리 가스 공급관(160)의 타단부는 제1 처리 가스 공급원(161)에 접속될 수 있다. 상기 제1 처리 가스 공급원(161)의 내부에는, 처리 가스로서, 예컨대 H2 가스가 저장되어 있을 수 있다. 하지만, 필요에 따라 TSA(트리실릴아민), N2 가스, 및/또는 Ar 가스가 각각 개별적으로 더 저장되어 있을 수 있다. 또한, 상기 제1 처리 가스 공급관(160)에는, 제1 처리 가스의 흐름을 제어하는 밸브나 유량 조절부 등을 포함하는 공급 기기군(162)이 설치되어 있다.
도 2에 도시된 바와 같이 처리 챔버(180)의 측면에는, 제2 처리 가스 공급부로서의 제2 처리 가스 공급관(170)이 설치되어 있다. 제2 처리 가스 공급관(170)은, 처리 챔버(180)의 측면의 원주 상에서 등간격으로 복수개, 예컨대 24개 설치되어 있을 수 있다. 상기 제2 처리 가스 공급관(170)의 일단부는 처리 챔버(180)의 측면에 있어서 개구되고, 타단부는 버퍼부(171)에 접속되어 있다.
상기 버퍼부(171)는, 처리 챔버(180)의 측면 내부에 환상으로 설치되고, 복수의 제2 처리 가스 공급관(170)에 공통으로 설치될 수 있다. 상기 버퍼부(171)에는, 공급관(172)을 통해 제2 처리 가스 공급원(173)이 접속되어 있다. 제2 처리 가스 공급원(173)의 내부에는, 처리 가스로서, 예컨대 TSA(트리실릴아민)과 같은 반응 가스, N2 가스, H2 가스, Ar 가스가 각각 개별로 저류되어 있다. 또한, 상기 공급관(172)에는, 제2 처리 가스의 흐름을 제어하는 밸브나 유량 조절부 등을 포함하는 공급 기기군(174)이 설치되어 있을 수 있다. 그리고, 도 2에 도시된 바와 같이 제2 처리 가스 공급원(173)으로부터 공급된 제2 처리 가스는, 공급관(172)을 통해 버퍼부(171)에 도입되고, 버퍼부(171) 내에서 원주(circumferential) 방향의 압력을 균일화하고 나서 제2 처리 가스 공급관(170)을 통해 처리 챔버(180) 내로 공급될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같은 기판 처리 장치(100)는 기판 처리가 반복 수행됨에 따라 파티클이 점점 더 많이 생성되는 것이 알려져 있다. 그 결과 기판(W)에 점점 더 많은 파티클이 부착되어 제품 불량도 지속적으로 증가하는 문제점이 있었다.
본 출원의 발명자들은 기판 처리가 반복되면서 쿼츠 돔이 부식(corrosion)됨에 따라 쿼츠 돔의 부분들이 미세하게 탈락하여 파티클들이 생성되는 것을 발견하였다. 이러한 파티클 문제를 해결하기 위하여 반응 공간(182)과 마주하는 쪽의 쿼츠 돔의 표면을 매끄럽게 하는 방법도 고려할 수 있으나, 기판 처리 장치(100)에서 수행되는 기판의 처리는 쿼츠 돔의 두께에 극히 민감하게 의존하기 때문에 이러한 재작업(rework)은 적용하기 어렵고 값비싼 쿼츠 돔을 교체해야 한다.
본 출원의 발명자들은 이와 같은 인식에 바탕을 두고 쿼츠 돔에서 발생하는 파티클의 수를 줄이는 제 1 방안과 일단 발생한 파티클이 기판(W)의 표면에 이르는 것을 차단 또는 저감시키는 제 2 방안을 조합 또는 각각 적용함으로써 제품 불량을 크게 감소시킬 수 있음을 발견하였다.
특히 제 1 방안에서는 돔의 마이크로파 반사 바운더리(microwave reflection boundary)를 조절함으로써 쿼츠 돔의 두께 변화에 둔감하게 하는 모드(mode) 조건이 선택될 수 있음을 발견하였다.
또, 제 2 방안에서는 챔버 하우징(110)의 측벽에서 공급되는 가스가 적어도 부분적으로 초음속으로 분사되도록 함으로써 쿼츠 돔에서 탈락되는 파티클이 기판(W)으로 낙하하는 것을 방지 또는 저감할 수 있음을 발견하였다.
도 2의 A로 표시된 부분은 제 1 방안에 관련되고 도 2의 B로 표시된 부분은 제 2 방안에 관련된다. 이 두 방안은 개별적으로도 파티클로 인한 제품 불량에 크게 기여하지만 이 두 방안이 조합되면 각 방안에 의한 효과의 단순합 이상의 불량 저감 효과가 있다. 이하에서는 상기 제 1 방안과 제 2 방안을 더욱 구체적으로 설명한다.
도 3은 도 2의 A 부분을 상세하게 나타낸 확대도이다.
도 3을 참조하면, 돔 플레이트(118)는 모드 조절부(mode modifier)(118_MM)를 포함한다. 상기 모드 조절부(118_MM)는 유전체 리드(141)와 일정 간격을 두고 상기 유전체 리드(141)의 외측에 배치될 수 있다.
상기 모드 조절부(118_MM)는 금속과 같은 전기전도성 물질을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 모드 조절부(118_MM)는 금속으로 이루어질 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 모드 조절부(118_MM)는 철(Fe), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 니오븀(Nb), 망간(Mn), 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 모드 조절부(118_MM)는 금속과 비금속의 복합 소재로 이루어질 수 있다. 이 때 상기 금속은 철(Fe), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 니오븀(Nb), 망간(Mn), 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 비금속은 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리(티오펜비닐렌)(poly(thiophene vinylene)), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리(p-페닐렌)(poly(p-phenylene)), 폴리(p-페닐렌비닐렌)(poly(p-phenylene vinylene)), 폴리(p-페닐렌설파이드)(poly(p-phenylene sulfide)), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리퓨란(polyfuran), 폴리(3,4-에틸렌 디옥시티오펜)(poly(3,4-ethylene dioxythiophene), PEDOT)과 같은 전기전도성 폴리머일 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 비금속은 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리염화비닐(polyvinylchloride), 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리비닐알콜, 폴리비닐리덴클로라이드(polyvinylidene chloride, PVdC), 폴리비닐리덴 플루오라이드(polyvinylidene fluoride, PVdF), ABS 수지 등과 같은 전기적 부도체인 폴리머일 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 돔 플레이트(118)는 유전체 스페이서(118_SP)를 더 포함할 수 있다. 상기 유전체 스페이서(118_SP)는 상기 유전체 리드(141)와 상기 모드 조절부(118_MM) 사이에 배치될 수 있다. 상기 유전체 스페이서(118_SP)는 진공, 공기, 불활성 가스, 질소, 이산화탄소, 폴리아미드, 폴리프로필렌, 폴리염화비닐, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리실록산, 알루미나, 또는 쿼츠일 수 있다.
앞서 언급한 바와 같이 상기 유전체 스페이서(118_SP)는 공기, 불활성 가스, 질소, 이산화탄소와 같은 기체일 수 있는데, 이러한 경우 상기 유전체 스페이서(118_SP)로 표시된 공간은 이러한 기체로 채워질 수 있다. 또, 상기 유전체 스페이서(118_SP)는 진공일 수 있는데, 이러한 경우 상기 유전체 스페이서(118_SP)로 표시된 공간은 실질적으로 빈 공간일 수 있다.
상기 모드 조절부(118_MM)는 유전체 리드(141)의 반지름 방향으로 제 1 폭(w)의 치수를 가질 수 있다. 또, 상기 모드 조절부(118_MM)는 상기 반지름 방향으로 상기 유전체 리드(141)로부터 제 2 폭(g)을 두고 이격될 수 있다. 상기 모드 조절부(118_MM)는 상기 유전체 스페이서(118_SP)를 사이에 두고 상기 유전체 리드(141)로부터 이격되기 때문에 상기 제 2 폭(g)은 상기 유전체 스페이서(118_SP)의 상기 반지름 방향으로의 치수일 수도 있다.
상기 제 1 폭(w)과 상기 제 2 폭(g)은 상기 유전체 리드(141)에 인가된 마이크로파의 주파수, 상기 유전체 스페이서(118_SP)의 유전율, 상기 유전체 리드(141) 내의 공진 특성 등을 고려하여 결정될 수 있다.
도 4a는 유전체 리드(141)를 교체한 직후의 유전체 리드(141)의 아래 표면(l = 0)에서의 반지름 방향의 전기장의 세기를 나타낸 그래프이다.
도 4a를 참조하면, 원점(O)에서 외주(R)까지 9개의 피크를 가지며 공진하는 모습을 볼 수 있다.
도 4b는 재작업(rework)을 통해 두께가 얇아진 유전체 리드(141)의 아래 표면(l = 0)에서의 반지름 방향의 전기장의 세기("b")를 도 4a에서의 전기장의 세기("a")와 함께 나타낸 그래프이다.
상기 재작업은 유전체 리드(141)를 사용함에 따라 파티클 불량이 발생하고, 이를 개선하기 위해 상기 유전체 리드(141)의 하부 표면을 그라인딩하여 매끄럽게 만드는 작업일 수 있다.
도 4b를 참조하면, 재작업 이전의 전기장의 세기("a")에 비하여 재작업 후의 전기장의 세기("b")는 반경 방향의 위치에 따라 변화가 있으며, 특히 유전체 리드(141)의 외주(R) 위치에서 0이 되지 않는 것을 볼 수 있다. 그렇기 때문에 재작업 후의 유전체 리드(141)는 공진이 일어나지 않는다.
도 4c는 재작업된 유전체 리드(141)의 외측에 모드 조절부(118_MM)를 배치한 후의 유전체 리드(141)의 아래 표면(l = 0)에서의 반지름 방향의 전기장의 세기("c")를 도 4a에서의 전기장의 세기("a")와 함께 나타낸 그래프이다.
본 발명의 발명자들은 상기 유전체 리드(141)의 외측에 모드 조절부(118_MM)를 배치함으로써 상기 유전체 리드(141) 내에서의 마이크로파(microwave)의 공진 양상에 변화를 줄 수 있고 이를 이용하여 재작업된 유전체 리드(141)를 계속 사용할 수 있음을 발견하였다.
도 4c를 참조하면, 유전체 리드(141)의 외측에 모드 조절부(118_MM)를 배치한 결과, 유전체 리드(141)의 아래 표면(l = 0)에서의 반지름 방향의 전기장의 세기에 있어서, 유전체 리드(141)의 외주(R) 위치에서 전기장의 세기가 0이 되도록 할 수 있다. 이 때 상기 유전체 리드(141)의 외주(R) 위치에서의 전기장의 세기가 0이 되도록 하기 위하여 유전체 스페이서(118_SP)의 유전율, 제 1 폭(w) 및 제 2 폭(g)(도 3 참조)의 치수 및 이들의 상대적인 비율 등을 적절히 조절할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 유전체 스페이서(118_SP)가 진공에 대하여 갖는 상대 유전율은, 예를 들면, 1 내지 약 15일 수 있다. 만일 상기 유전체 스페이서(118_SP)의 상대 유전율이 너무 크면 상기 모드 조절부(118_MM)에 의한 모드 조절 효과가 충분히 발현되지 않을 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 폭(w)과 상기 제 2 폭(g)의 상대적인 비율은 약 1:0.1 내지 약 1:10, 약 1:0.2 내지 약 1:5, 또는 약 1:0.4 내지 약 1:2.5일 수 있다. 상기 제 1 폭(w)과 상기 제 2 폭(g)의 상대적인 비율이 너무 크거나 너무 작으면 모드 조절 효과가 미흡할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 폭(w)은 약 3 mm 내지 약 50 mm, 약 4 mm 내지 약 40 mm, 약 5 mm 내지 약 35 mm, 약 7 mm 내지 약 30 mm, 또는 약 9 mm 내지 약 25 mm일 수 있다. 또, 상기 제 2 폭(g)은 약 3 mm 내지 약 50 mm, 약 4 mm 내지 약 40 mm, 약 5 mm 내지 약 35 mm, 약 7 mm 내지 약 30 mm, 또는 약 9 mm 내지 약 25 mm일 수 있다.
상기 제 1 폭(w) 및/또는 상기 제 2 폭(g)이 너무 크면 기판 처리 장치(100)에 상기 모드 조절부(118_MM) 및 유전체 스페이서(118_SP)를 채용하기 어려울 수 있다. 상기 제 1 폭(w) 및/또는 상기 제 2 폭(g)이 너무 작으면 모드 조절 효과가 미흡할 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 상기 돔 플레이트(118)는 상기 모드 조절부(118_MM)의 하부에 바디(118_B)를 더 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 바디(118_B)는 생략될 수 있다. 이 경우 상기 모드 조절부(118_MM)는 상부 가스링(114)의 상부 표면과 직접 접촉할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 모드 조절부(118_MM)와 유전체 스페이서(118_SP)를 나타낸 평면도이다.
도 5를 참조하면, 상기 모드 조절부(118_MM)는 복수의 조절 피스들(118_mp)을 포함할 수 있다. 도 5에서는 4개의 조절 피스들(118_mp)이 재작업된 유전체 리드(141)의 주위에 배치된 것이 도시되었지만, 통상의 기술자는 2개, 3개, 또는 5개 이상의 조절 피스들이 상기 재작업된 유전체 리드(141)의 주위에 배치될 수 있음을 이해할 것이다.
상기 조절 피스들(118_mp)은 원호 모양을 가질 수 있다. 또한 상기 반지름 방향에 있어서 상기 조절 피스들(118_mp)의 각각의 폭은 상기 제 1 폭(w)과 동일할 수 있다.
상기 조절 피스들(118_mp)과 상기 재작업된 유전체 리드(141) 사이에는 유전체 스페이서(118_SP)가 배치될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 유전체 스페이서(118_SP)는 상기 재작업된 유전체 리드(141)를 완전히 둘러싸도록 고리 모양으로 될 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이 상기 유전체 스페이서(118_SP)는 진공일 수도 있고 공기 등과 같은 기체일 수도 있는데, 이러한 경우 상기 유전체 스페이서(118_SP)는 이웃하는 두 조절 피스들(118_mp) 사이의 공간까지 연장될 수 있다.
상기 재작업된 유전체 리드(141)를 사용하면서 기판 처리가 반복 수행됨에 따라 파티클 발생에 의한 제품 불량의 문제가 다시 발생할 수 있다. 이 경우, 상기 재작업된 유전체 리드(141)에 대하여 다시 재작업이 수행될 수 있다. 상기 재작업은, 예컨대 위에서 설명한 바와 같이 반응 공간(182)(도 2 참조)과 마주하는 쪽의 쿼츠 돔의 표면을 매끄럽게 하는 것일 수 있다.
이와 같이 재차 재작업이 수행되면 상기 유전체 리드(141)의 두께가 추가적으로 변화하기 때문에 유전체 리드(141) 내에서의 공진 특성이 다시 바뀔 수 있으며 도 4b를 참조하여 설명한 바와 같은 문제가 발생할 수 있다. 이 경우 상기 반지름 방향으로 상기 모드 조절부(118_MM)의 위치를 조절함으로써, 또는 상기 모드 조절부(118_MM)의 두께를 변화시킴으로써 도 4c를 참조하여 설명한 바와 같이 상기 공진 특성을 정상화시킬 수 있다.
상기 모드 조절부(118_MM)의 위치를 조절할 때, 그의 이동 방향은 변화된 공진 특성에 따라 +r 방향일 수도 있고, -r 방향일 수도 있다.
이와 같이 모드 조절부(118_MM)의 위치를 변경하였을 때, 상기 유전체 스페이서(118_SP)는 필요에 따라 교체될 수 있다. 즉, 상기 모드 조절부(118_MM)가 +r 방향으로 이동된 경우, 상기 유전체 스페이서(118_SP)는 더 두꺼운 제 2 폭(g)을 갖는 것으로 교체될 수 있다. 반대로 상기 모드 조절부(118_MM)가 -r 방향으로 이동된 경우, 상기 유전체 스페이서(118_SP)는 더 얇은 제 2 폭(g)을 갖는 것으로 교체될 수 있다. 상기 유전체 스페이서(118_SP)가 진공이거나 기체인 경우에는 이러한 유전체 스페이서(118_SP)의 교체가 불필요할 수 있다.
상기 모드 조절부(118_MM)의 두께를 변화시킬 때, 상기 모드 조절부(118_MM)은 교체될 수 있다. 상기 교체에 의하여 상기 모드 조절부(118_MM)의 상기 반지름 방향의 제 1 폭(w)은 변화된 공진 특성을 고려하여 증가할 수도 있고 감소할 수도 있다.
상기 모드 조절부(118_MM)의 두께가 변화하였을 때, 상기 유전체 스페이서(118_SP)는 필요에 따라 교체될 수 있다. 즉, 상기 모드 조절부(118_MM)가 더 얇아진 경우, 상기 유전체 스페이서(118_SP)는 더 두꺼운 제 2 폭(g)을 갖는 것으로 교체될 수 있다. 반대로 상기 모드 조절부(118_MM)가 더 두꺼워진 경우, 상기 유전체 스페이서(118_SP)는 더 얇은 제 2 폭(g)을 갖는 것으로 교체될 수 있다. 상기 유전체 스페이서(118_SP)가 진공이거나 기체인 경우에는 이러한 유전체 스페이서(118_SP)의 교체가 불필요할 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 모드 조절부(118_MM)와 유전체 스페이서(118_SP)를 나타낸 평면도이다. 도 6의 유전체 스페이서(118_SP)는, 도 5에 도시된 실시예와 대비하여, 복수의 조절 피스들(118_mp)에 대응되는 복수의 스페이서 피스들(118_spp)을 갖는 점에서 차이가 있다. 따라서 이하에서는 이러한 차이점을 중심으로 설명한다.
상기 유전체 스페이서(118_SP)는 복수의 스페이서 피스들(118_spp)을 갖는다. 상기 복수의 스페이서 피스들(118_spp)의 각각은 상기 복수의 조절 피스들(118_mp)에 대응될 수 있다. 도 6에서는 하나의 스페이서 피스(118_spp)에 대하여 하나의 조절 피스(118_mp)가 대응되는 것으로 도시되었지만, 반드시 그렇지 않을 수도 있다. 일부 실시예들에 있어서, 하나의 스페이서 피스(118_spp)에 대하여 복수의 조절 피스들(118_mp)이 대응될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 복수의 스페이서 피스들(118_spp)에 대하여 하나의 조절 피스(118_mp)가 대응될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 스페이서 피스(118_spp)는 상기 조절 피스(118_mp)의 모양에 대응되는 모양을 가질 수 있다. 즉, 상기 스페이서 피스(118_spp)의 바깥쪽 측면은 상기 조절 피스(118_mp)의 안쪽 측면과 매칭되도록 구성될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 스페이서 피스(118_spp)는 원호 모양을 가질 수 있다. 또한 상기 반지름 방향에 있어서 상기 스페이서 피스들(118_spp)의 각각의 폭은 상기 제 2 폭(g)과 동일할 수 있다.
도 5를 참조하여 설명한 실시예에서와 마찬가지로, 상기 유전체 리드(141)에 대하여 재작업이 수행되면 상기 모드 조절부(118_MM)의 위치를 변경하거나 상기 모드 조절부(118_MM)의 두께를 변경할 필요가 있을 수 있다. 이에 대해서는 도 5를 참조하여 설명한 바와 동일하므로 여기서는 상세한 설명을 생략한다.
도 7a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 모드 조절부(118_MM)와 유전체 스페이서(118_SP)를 나타낸 평면도이고, 도 7b는 도 7a의 반지름 방향 r을 따라 절개한 단면을 나타낸 단면도이다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 재작업된 유전체 리드(141)의 주위에 유전체 스페이서(118_SP)를 사이에 두고 모드 조절부(118_MM)가 배치된다.
상기 모드 조절부(118_MM)는 조절 피스로서 하나 이상의 모드 조절 고리들(118_mp1, 118_mp2, 118_mp3, 118_mp4)을 포함할 수 있다. 즉, 상기 모드 조절부(118_MM)는 가장 바깥쪽부터 동심원 모양으로(concentrically) 배치된 제 1 모드 조절 고리(118_mp1), 제 2 모드 조절 고리(118_mp2), 제 3 모드 조절 고리(118_mp3), 및 제 4 모드 조절 고리(118_mp4)를 순차적으로 포함할 수 있다. 도 7a 및 도 7b에서는 모드 조절부(118_MM)가 4 개의 모드 조절 고리들을 포함하는 것으로 도시되었지만, 통상의 기술자는 모드 조절부(118_MM)가 1개, 2개, 3개, 또는 5개 이상의 모드 조절 고리들을 포함할 수 있음을 이해할 것이다.
또, 상기 유전체 스페이서(118_SP)는 스페이서 피스로서 하나 이상의 스페이서 고리들(118_spp1, 118_spp2, 118_spp3, 118_spp4)을 포함할 수 있다. 즉, 상기 유전체 스페이서(118_SP)는 가장 안쪽부터 동심원 모양으로 배치된 제 1 스페이서 고리(118_spp1), 제 2 스페이서 고리(118_spp2), 제 3 스페이서 고리(118_spp3), 및 제 4 스페이서 고리(118_spp4)를 순차적으로 포함할 수 있다. 도 7a 및 도 7b에서는 상기 유전체 스페이서(118_SP)가 4 개의 스페이서 고리들을 포함하는 것으로 도시되었지만, 통상의 기술자는 유전체 스페이서(118_SP)가 1개, 2개, 3개, 또는 5개 이상의 스페이서 고리들을 포함할 수 있음을 이해할 것이다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 유전체 스페이서(118_SP)가 진공 또는 기체인 경우 상기 스페이서 고리들 사이의 경계는 가상적인 것일 수 있다.
상기 모드 조절 고리들(118_mp1, 118_mp2, 118_mp3, 118_mp4)은 모두 동일한 물질로 이루어질 수도 있고, 상이한 물질로 이루어질 수도 있다. 즉, 상기 모드 조절 고리들(118_mp1, 118_mp2, 118_mp3, 118_mp4) 중 일부 고리들은 제 1 물질로 이루어져 있고, 다른 일부 고리들은 제 2 물질로 이루어질 수 있다.
상기 재작업된 유전체 리드(141)를 사용하면서 기판 처리가 반복 수행됨에 따라 파티클 발생에 의한 제품 불량의 문제가 다시 발생할 수 있다. 이 경우, 상기 재작업된 유전체 리드(141)에 대하여 다시 재작업이 수행될 수 있다. 상기 재작업은, 예컨대 위에서 설명한 바와 같이 반응 공간(182)(도 2 참조)과 마주하는 쪽의 쿼츠 돔의 표면을 매끄럽게 하는 것일 수 있다.
이와 같이 재차 재작업이 수행되면 상기 유전체 리드(141)의 두께가 추가적으로 변화하기 때문에 다시 재작업된 유전체 리드(141) 내에서의 공진 특성이 다시 바뀔 수 있으며 도 4b를 참조하여 설명한 바와 같은 문제가 발생할 수 있다. 이 경우 변화된 공진 특성을 고려하여 상기 스페이서 고리들(118_spp1, 118_spp2, 118_spp3, 118_spp4) 중 하나 이상을 추가적인 모드 조절 고리로 교체함으로써 도 4c를 참조하여 설명한 바와 같이 상기 공진 특성을 정상화시킬 수 있다. 또는 변화된 공진 특성을 고려하여 상기 모드 조절 고리들(118_mp1, 118_mp2, 118_mp3, 118_mp4) 중 하나 이상을 추가적인 스페이서 고리들로 교체함으로써 도 4c를 참조하여 설명한 바와 같이 상기 공진 특성을 정상화시킬 수 있다.
도 8a 및 도 8b는 각각 도 7a 및 도 7b의 제 4 스페이서 고리(118_spp4)가 제 5 모드 조절 고리(118_mp5)로 교체된 예를 나타낸 평면도 및 측면도이다.
도 8a 및 도 8b를 참조하면, 유전체 리드(141)의 재작업에 따른 공진 특성 변화를 조절하기 위해 고리 모양을 갖는 제 1 내지 제 3 스페이서 고리들(118_spp1, 118_spp2, 118_spp3)은 그대로 두고 제 4 스페이서 고리(118_spp4)를 제거할 수 있다. 이어서, 상기 제 4 스페이서 고리(118_spp4)가 있던 위치에 제 4 스페이서 고리(118_spp4)와 동일한 치수(예컨대 외경, 내경, 및 z 방향 높이)를 갖는 제 5 모드 조절 고리(118_mp5)를 부가할 수 있다.
제1 내지 제5 모드 조절 고리들(118_mp1, 118_mp2, 118_mp3, 118_mp4, 118_mp5)을 포함하는 모드 조절부(118_MM')는 종전의 제 1 폭(w)에서 증가된 제 1 폭(w1)을 갖는다. 또, 제1 내지 제3 스페이서 고리들(118_spp1, 118_spp2, 118_spp3)을 포함하는 유전체 스페이서(118_SP')는 종전의 제 2 폭(g)에서 감소된 제 2 폭(g1)을 갖는다.
도 9a 및 도 9b는 각각 도 7a 및 도 7b의 제 4 모드 조절 고리(118_mp4)가 제 5 스페이서 고리(118_spp5)로 교체된 예를 나타낸 평면도 및 측면도이다.
도 9a 및 도 9b를 참조하면, 유전체 리드(141)의 재작업에 따른 공진 특성 변화를 조절하기 위해 고리 모양을 갖는 제 1 내지 제 3 모드 조절 고리들(118_mp1, 118_mp2, 118_mp3)은 그대로 두고 제 4 모드 조절 고리(118_mp4)를 제거할 수 있다. 이어서, 상기 제 4 모드 조절 고리(118_mp4)가 있던 위치에 제 4 모드 조절 고리(118_mp4)와 동일한 치수(예컨대 외경, 내경, 및 z 방향 높이)를 갖는 제 5 스페이서 고리(118_spp5)를 부가할 수 있다.
제1 내지 제3 모드 조절 고리들(118_mp1, 118_mp2, 118_mp3)을 포함하는 모드 조절부(118_MM")는 종전의 제 1 폭(w)에서 감소된 제 1 폭(w2)을 갖는다. 또, 제1 내지 제5 스페이서 고리들(118_spp1, 118_spp2, 118_spp3, 118_spp4, 118_spp5)을 포함하는 유전체 스페이서(118_SP")는 종전의 제 2 폭(g)에서 증가된 제 2 폭(g2)을 갖는다.
도 10a 및 도 10b는 각각 도 7a 및 도 7b의 제 4 스페이서 고리(118_spp4)가 제 5 모드 조절 고리(118_mp5)로 교체되고 제 4 모드 조절 고리(118_mp4)가 제 5 스페이서 고리(118_spp5)로 교체된 예를 나타낸 평면도 및 측면도이다.
도 10a 및 도 10b를 참조하면, 유전체 리드(141)의 재작업에 따른 공진 특성 변화를 조절하기 위해 고리 모양을 갖는 제 1 내지 제 3 스페이서 고리들(118_spp1, 118_spp2, 118_spp3)은 그대로 두고 제 4 스페이서 고리(118_spp4)를 제거할 수 있다. 이어서, 상기 제 4 스페이서 고리(118_spp4)가 있던 위치에 제 4 스페이서 고리(118_spp4)와 동일한 치수(예컨대 외경, 내경, 및 z 방향 높이)를 갖는 제 5 모드 조절 고리(118_mp5)를 부가할 수 있다.
또, 고리 모양을 갖는 제 1 내지 제 3 모드 조절 고리들(118_mp1, 118_mp2, 118_mp3)은 그대로 두고 제 4 모드 조절 고리(118_mp4)를 제거할 수 있다. 이어서, 상기 제 4 모드 조절 고리(118_mp4)가 있던 위치에 제 4 모드 조절 고리(118_mp4)와 동일한 치수(예컨대 외경, 내경, 및 z 방향 높이)를 갖는 제 5 스페이서 고리(118_spp5)를 부가할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 반지름 방향으로의 모드 조절부(118_MM+)의 전체 치수의 합은 도 7a 및 도 7b에서와 동일할 수 있다. 또 반지름 방향으로의 유전체 스페이서(118_SP+)의 전체 치수의 합은 도 7a 및 도 7b에서와 동일할 수 있다.
이상에서와 같이 유전체 리드(141)의 재작업에 따른 공진 특성의 변화는 유전체 리드(141)의 외측에 배치되는 모드 조절부(118_MM)와 유전체 스페이서(118_SP)를 다양하게 구성함으로써 적절히 조절될 수 있다. 통상의 기술자는 재작업한 후의 유전체 리드(141)의 공진 특성을 조사하고, 도 5 내지 도 10b를 참조하여 설명한 모드 조절부(118_MM, 118_MM', 118_MM", 118_MM+) 및 유전체 스페이서(118_SP, 118_SP', 118_SP", 118_SP+)를 적절히 조합하여 적용함으로써 공진 특성의 필요한 조정을 달성할 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)에 있어서의 도 2의 B 부분을 상세하게 나타낸 확대도이다.
도 11을 참조하면, 제2 처리 가스가 버퍼부(171)를 통하여 제2 처리 가스 공급관(170)으로 공급될 수 있다.
상기 버퍼부(171)는, 위에서 설명한 바와 같이 제2 처리 가스 공급원(173)에 연결되어 제2 처리 가스를 공급받을 수 있다. 상기 버퍼부(171)는 상기 챔버 하우징(110)의 상부 가스링(114) 내에서 환상으로 연장되며, 상기 챔버 하우징(110)의 내측벽을 따라 제공된 복수의 제2 처리 가스 공급관들(170)과 연통된다.
상기 복수의 제2 처리 가스 공급관들(170)은 도 3 내지 도 10b를 참조하여 설명한 모드 조절부(118_MM, 118_MM', 118_MM", 118_MM+)과 협력하여 파티클이 기판 상으로 낙하하는 것을 방지 또는 저감하는 데 기여할 수 있다. 구체적으로, 상기 복수의 제2 처리 가스 공급관들(170)에서 방출되는 제2 처리 가스는 서셉터의 상부에서 대류에 의한 제2 처리 가스의 공급이 확산에 의한 제2 처리 가스의 공급보다 우세하도록 함으로써 기판 상으로 파티클이 낙하하는 것을 방지 또는 저감할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 복수의 제2 처리 가스 공급관들(170)은 수렴부(170c)와 발산부(170d)를 포함할 수 있다. 상기 발산부(170d)는 상기 수렴부(170c)에 비하여 상기 반응 공간(182)에 더 가까이 배치될 수 있다. 또 상기 수렴부(170c)와 상기 발산부(170d)의 사이에는 연장부(170e)가 더 개재될 수 있다.
상기 수렴부(170c)는 상기 버퍼부(171)와 연결된 입구로부터 상기 연장부(170e)에 연결된 출구까지 내경이 점차 감소할 수 있다. 상기 발산부(170d)는 상기 연장부(170e)에 연결된 입구로부터 상기 반응 공간(182)에 연결된 출구까지 내경이 점차 증가할 수 있다. 이러한 내경의 증가 및/또는 감소는 선형적일 수도 있고 비선형적일 수도 있다.
상기 연장부(170e)의 입구는 상기 수렴부(170c)의 출구와 연결되고, 상기 연장부(170e)의 출구는 상기 발산부(170d)의 입구와 연결될 수 있다. 상기 연장부(170e)의 내경은 일정할 수 있다.
상기 제2 처리 가스 공급관(170)의 중심에서의 제2 처리 가스의 선속도는 적어도 부분적으로 초음속일 수 있다. 이러한 제2 처리 가스의 속도는 버퍼부(171)에서의 압력, 상기 반응 공간(182) 내의 압력, 상기 수렴부(170c)와 상기 발산부(170d)의 형상, 제2 처리 가스의 부피 유량(volumetric flow rate) 등에 의존할 수 있다.
종전의 챔버 하우징의 내측벽에 제공된 제2 처리 가스 공급관은 제2 처리 가스의 공급 속도가 미흡하여 기판의 상부 표면까지 대류 흐름의 영향을 미치지 못하였다. 때문에 제2 처리 가스의 기판 상부 표면으로의 물질 전달(mass transfer)은 대체로 농도차에 의해 구동되는 확산에 의하여 이루어졌다. 이러한 경우 제2 처리 가스는 유전체 리드의 부식(corrosion)에 의해 발생한 파티클이 기판으로 낙하하는 것을 저지하는 데 기여하지 못한다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 제2 처리 가스 공급관(170)은 라발(Laval) 노즐을 포함할 수 있다.
한편, 상기 제2 처리 가스 공급관(170)에서 공급되는 제2 처리 가스는 확산 뿐만 아니라 대류에 의하여도 기판(W)의 상부까지 전달되기 때문에 유전체 리드의 부식에 의해 파티클이 기판으로 낙하하는 것을 저지하는 데 기여할 수 있다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)에 있어서의 도 2의 B 부분을 상세하게 나타낸 확대도이다.
도 12를 참조하면, 제2 처리 가스가 버퍼부(171)를 통하여 제2 처리 가스 공급관(170a)으로 공급될 수 있다. 상기 제2 처리 가스 공급관(170a)은 상기 챔버 하우징(110)의 내측벽을 따라 복수로 제공될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 복수의 제2 처리 가스 공급관들(170a)은 제 1 서브 노즐(170nz1)과 제 2 서브 노즐(170nz2)을 포함할 수 있다.
상기 제 1 서브 노즐(170nz1)은 수렴부(170c)를 포함하며, 상기 반응 공간(182)을 향하여 돌출된 단부를 가질 수 있다. 상기 돌출된 단부는 상기 수렴부(170c)의 출구로서 상기 반응 공간(182)을 향하여 개방된다.
상기 제 2 서브 노즐(170nz2)은 발산부(170d)를 포함하며, 상기 발산부(170d)의 입구는 갭(G)을 두고 상기 제 1 서브 노즐(170nz1)의 돌출된 단부를 둘러쌀 수 있다. 상기 발산부(170d)의 출구는 상기 반응 공간(182)과 연결될 수 있다.
상기 버퍼부(171)을 통하여 공급된 제2 처리 가스는 상기 수렴부(170c)를 통하여 상기 발산부(170d)로 공급된다. 또, 캐리어 가스 버퍼부(171c)를 통하여 공급된 캐리어 가스는 상기 제 1 서브 노즐(170nz1)의 단부와 제 2 서브 노즐(170nz2) 사이의 갭(G)을 통하여 상기 발산부(170d)로 공급된다. 상기 제2 처리 가스는 상기 발산부(170d)에서 캐리어 가스와 혼합되며 상기 반응 공간(182)으로 공급될 수 있다.
상기 캐리어 가스 버퍼부(171c)는 버퍼부(171)와 유사하게 상기 챔버 하우징(110)의 내부에서 환상으로 연장되며, 도관(171cd)을 통하여 상기 제2 서브 노즐(170nz2)과 연통될 수 있다.
도 12에서는 상기 제 1 서브 노즐(170nz1)과 상기 제 2 서브 노즐(170nz2)이 별개의 구성 요소인 것으로 도시되었으나 제 1 서브 노즐(170nz1)과 제 2 서브 노즐(170nz2)은 일체로 형성될 수도 있다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제2 처리 가스 공급관(170b)을 포함하는 기판 처리 장치(100)를 나타낸 측단면도이다.
도 13을 참조하면, 상기 제2 처리 가스 공급관(170b)은 일단은 버퍼부(171)에 연결되고 타단은 서셉터(120)의 상부까지 수평 방향으로 연장될 수 있다. 상기 제2 처리 가스 공급관(170b)은 통상적인 도관일 수 있으며, 상기 제2 처리 가스를 상기 서셉터(120)의 상부까지 직접 안내할 수 있다. 따라서, 상기 제2 처리 가스는 확산에 의하지 않고 직접 기판(W)의 상부까지 이를 수 있으며, 파티클이 기판(W) 위로 낙하하는 것을 저지하는 데 기여할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 제2 처리 가스 공급관(170b)은 도 11 및 도 12에 도시된 실시예들에서와 같이 내부에 수렴부와 발산부를 포함할 수 있다. 하지만 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 기술되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진 사람이라면, 첨부된 청구 범위에 정의된 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 본 발명을 여러 가지로 변형하여 실시할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 앞으로의 실시예들의 변경은 본 발명의 기술을 벗어날 수 없을 것이다.
100: 기판 처리 장치 110: 챔버 하우징
112: 하부 가스링 113: 게이트 밸브
114: 상부 가스링 116: 하부 챔버
118: 돔 플레이트
118_MM, 118_MM', 118_MM", 118_MM+: 모드 조절부
118_mp: 조절 피스
118_mp1, 118_mp2, 118_mp3, 118_mp4: 모드 조절 고리
118_SP: 유전체 스페이서 118_spp: 스페이서 피스
118_spp1, 118_spp2, 118_spp3, 118_spp4: 스페이서 고리
120: 서셉터 121: 정전척
131: 배플 플레이트 140: 고주파 안테나 장치
141: 유전체 리드 142: 슬롯판
143: 지파판 144: 쉴드 덮개
150: 동축 도파관 153: 모드 변환기
155: 마이크로파 발생 장치 170: 제2 처리 가스 공급관
170c: 수렴부 170d: 발산부
170e: 연장부 170nz1: 제1 서브 노즐
170nz2: 제2 서브 노즐 171: 버퍼부
180: 처리 챔버 182: 반응 공간
184: 측벽 라이너

Claims (20)

  1. 반응 공간을 정의하고 상부가 개방된 챔버 하우징;
    상기 챔버 하우징 내에서 기판을 지지하도록 구성된 서셉터(susceptor); 및
    상기 챔버 하우징의 상부를 덮는 유전체 커버;
    를 포함하는 기판 처리 장치로서,
    상기 유전체 커버는:
    유전체 리드(lid); 및
    상기 유전체 리드와 이격되어 상기 유전체 리드의 주위에 배치되며, 상기 유전체 리드와의 이격된 거리를 조정 가능하도록 구성된 모드 조절부(mode modifier);
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 모드 조절부는 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 유전체 리드는 쿼츠(quartz)로 된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 유전체 리드와 상기 모드 조절부는 유전체 스페이서를 사이에 두고 서로 이격된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 모드 조절부는 상기 유전체 리드의 주변에 배치된 복수의 조절 피스들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 조절 피스는 원호 모양 또는 고리 모양인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 유전체 리드의 반지름 방향에 있어서, 모드 조절부는 상기 반지름 방향으로 제 1 폭을 갖고, 상기 유전체 스페이서는 상기 반지름 방향으로 제 2 폭을 갖고,
    상기 제 1 폭과 상기 제 2 폭의 상대적인 비율은 약 1:0.1 내지 약 1:10인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 유전체 스페이서의 진공에 대하여 갖는 상대 유전율은 1 내지 15인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버 하우징의 측벽에 가스 공급관이 제공되고,
    상기 가스 공급관은 상기 모드 조절부와 협력하여 파티클이 상기 기판 상으로 낙하하지 않도록 하기 위하여 반응 가스를 공급하도록 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 가스 공급관은 수렴부(convergent part) 및 발산부(divergent part)를 포함하고,
    상기 수렴부와 상기 발산부는 상기 발산부가 상기 챔버 하우징의 반응 공간에 더 가깝도록 직렬적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 발산부에서의 상기 반응 가스의 속도가 적어도 부분적으로 초음속인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 가스 공급관은:
    상기 수렴부를 포함하고, 상기 챔버 하우징의 반응 공간을 향하여 돌출된 단부를 갖는 제 1 서브 노즐; 및
    상기 발산부를 포함하고, 상기 발산부의 입구가 상기 제 1 서브 노즐의 상기 단부를 갭을 두고 둘러싸는 제 2 서브 노즐;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 가스 공급관은 상기 챔버 하우징의 안쪽 측벽으로부터 상기 서셉터의 상부까지 수평 방향으로 연장되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 반응 공간을 정의하고, 측벽에 가스 공급관을 포함하며, 상부가 개방된 챔버 하우징;
    상기 챔버 하우징 내에서 기판을 지지하도록 구성된 서셉터(susceptor); 및
    상기 챔버 하우징의 상부를 덮는 유전체 커버;
    를 포함하는 기판 처리 장치로서,
    상기 가스 공급관은 상기 서셉터의 상부에서 대류에 의한 가스 공급이 확산에 의한 가스 공급보다 우세하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 유전체 커버는 유전체 리드 및 모드 조절부(mode modifier)를 포함하고,
    상기 모드 조절부는 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 모드 조절부는 상기 유전체 리드와 이격되어 상기 유전체 리드의 주위에 배치되고, 하나 이상의 모드 조절 고리를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 모드 조절부는 유전체 스페이서를 사이에 두고 상기 유전체 리드와 이격되고,
    상기 유전체 스페이서는 하나 이상의 스페이서 고리들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 유전체 스페이서는 진공, 공기, 불활성 가스, 질소, 이산화탄소, 폴리아미드, 폴리프로필렌, 폴리염화비닐, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리실록산, 알루미나, 또는 쿼츠인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  19. 제 15 항에 있어서,
    상기 유전체 리드는 재작업된(reworked) 쿼츠 돔(quartz dome)인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  20. 반응 공간을 정의하고 상부가 개방된 챔버 하우징;
    상기 챔버 하우징 내에서 기판을 지지하도록 구성된 서셉터(susceptor);
    재작업된 유전체 리드(lid) 및 상기 유전체 리드와 이격되어 상기 유전체 리드의 주위에 배치된 모드 조절부(mode modifier)를 포함하고, 상기 챔버 하우징의 상부를 덮는 유전체 커버;
    상기 유전체 리드의 상부에 제공된 고주파 안테나 장치;
    상기 고주파 안테나 장치에 연결된 마이크로파 발생 장치; 및
    상기 챔버 하우징의 측벽에 제공되는 복수의 가스 공급관;
    을 포함하고,
    상기 모드 조절부는 유전체 스페이서를 사이에 두고 상기 유전체 리드와 이격되고,
    상기 가스 공급관은 상기 서셉터의 상부에서 대류에 의한 가스 공급이 확산에 의한 가스 공급보다 우세하도록 구성된 기판 처리 장치.
KR1020200067867A 2020-06-04 2020-06-04 기판 처리 장치 KR20210150883A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200067867A KR20210150883A (ko) 2020-06-04 2020-06-04 기판 처리 장치
US17/173,702 US20210384012A1 (en) 2020-06-04 2021-02-11 Substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200067867A KR20210150883A (ko) 2020-06-04 2020-06-04 기판 처리 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210150883A true KR20210150883A (ko) 2021-12-13

Family

ID=78817789

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200067867A KR20210150883A (ko) 2020-06-04 2020-06-04 기판 처리 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20210384012A1 (ko)
KR (1) KR20210150883A (ko)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100263902B1 (ko) * 1998-04-20 2000-09-01 윤종용 표면 파 플라즈마 식각장치
TW480594B (en) * 1999-11-30 2002-03-21 Tokyo Electron Ltd Plasma processing apparatus
US6910440B2 (en) * 2000-03-30 2005-06-28 Tokyo Electron Ltd. Apparatus for plasma processing
US7527706B2 (en) * 2002-10-10 2009-05-05 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, process vessel for plasma processing apparatus and dielectric plate for plasma processing apparatus
KR100634288B1 (ko) * 2003-12-01 2006-10-16 야스히로 모리 고체물질의 표면 개질방법 및 표면 개질된 고체물질
KR20170066080A (ko) * 2015-12-04 2017-06-14 삼성전자주식회사 배플 플레이트, 플라스마 챔버, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20210384012A1 (en) 2021-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5556501A (en) Silicon scavenger in an inductively coupled RF plasma reactor
US5521351A (en) Method and apparatus for plasma surface treatment of the interior of hollow forms
US6251792B1 (en) Plasma etch processes
US6545420B1 (en) Plasma reactor using inductive RF coupling, and processes
KR100639843B1 (ko) Hdp－cvd챔버용플라즈마소오스
US5888414A (en) Plasma reactor and processes using RF inductive coupling and scavenger temperature control
JP3483147B2 (ja) マイクロ波プラズマ反応器
US6518195B1 (en) Plasma reactor using inductive RF coupling, and processes
KR100886028B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 그것에 이용되는 전극
US20020004309A1 (en) Processes used in an inductively coupled plasma reactor
US20140106573A1 (en) Substrate Processing Apparatus and Method of Manufacturing Semiconductor Device
US20060174834A1 (en) Side RF coil and side heater for plasma processing apparatus
JP2006041539A (ja) デュアル反応チャンバプラズマ処理装置
KR20070108929A (ko) 마이크로파 플라즈마 처리 장치
JP2017079127A (ja) 誘導性結合プラズマ発生装置、セルフバイアス印加装置、プラズマ処理装置、プラズマ生成方法、およびセルフバイアス印加方法
US11551909B2 (en) Ultra-localized and plasma uniformity control in a plasma processing system
TWI658488B (zh) Plasma processing device
US11456154B2 (en) Plasma-generating unit and substrate treatment apparatus including the same
US10510511B2 (en) Apparatus for treating substrate
KR20210150883A (ko) 기판 처리 장치
KR102358480B1 (ko) 대면적 건식 식각처리 장치
KR20190137062A (ko) 플라스마 처리 장치
US11854772B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP6899035B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2017226894A (ja) プラズマ成膜方法およびプラズマ成膜装置