KR20210143917A - 고밀도, 제어된 집적 회로들 공장 - Google Patents

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Abstract

고밀도, 제어된 집적 회로들 공장은 공장 플로어 공간의 대략 2/3를 점유하는 프로세스 모듈들을 갖고 공장 플로어 공간의 남은 1/3은 프로세스 모듈들을 서비스하기 위해 그리고 프로세스 모듈들로 그리고 프로세스 모듈들로부터 웨이퍼들을 로딩 및 언로딩하기 위해 사용된다. 서브플로어 (subfloor) 가 서비스 리프트들이 공장을 가로질러 이동하도록 공장 플로어 아래에 제공된다. 서비스 리프트들은 프로세스 모듈들을 서비스하기 위해 공장 플로어 레벨까지 상승될 수 있다. 오버헤드 라인들 (overhead lines) 이 또한 공장을 가로질러 웨이퍼들뿐만 아니라 서비스 아이템들을 이송하도록 프로세스 모듈들 위에 제공된다.

Description

고밀도, 제어된 집적 회로들 공장
본 개시는 집적 회로들 (IC) 프로세싱에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 개시는 가능한 한 치밀하고 환경을 제어하는 공장에 IC 프로세싱 챔버들을 통합하는 것에 관한 것이다.
현재 IC 제작 플랫폼들은 반도체 디바이스들 (devices) 을 형성하는데 사용된 툴들 (예를 들어, 프로세싱 챔버들) 을 인간들이 동작하도록 설계되었다. 현재 설계는 반도체 웨이퍼들이 대기와 진공 사이에서 자주 이송되기 때문에 공장 내에서 낭비되는 공간을 초래한다. 현재, 오버헤드 공간은 툴들 앞에서만 사용되고 복도들은 대형 시스템들을 이동하도록 시스템들 사이에 제공된다.
현재 공장들은 시스템들 사이에 대기 또는 N2에서 웨이퍼들을 전송한다. 시스템들 자체는 통상적으로 진공에서 동작한다. 일부 시스템들, 예컨대 습식 세정 시스템들은 대기 또는 N2에서 동작한다. 이로써, 웨이퍼들은 대기와 진공 사이에서 자주 이송되는데, 이는 시간, 에너지 그리고 공간을 소모한다.
따라서, IC 프로세싱이 보다 적은 인간 상호작용을 갖도록 발전함에 따라, 가능한 한 낭비되는 공간이 거의 없는, 효율적인 공장 설계를 갖는 것이 바람직할 것이다.
관련 출원들에 대한 교차 참조
본 출원은 2019년 4월 18일에 출원된, 미국 가출원 번호 제 62/835,984 호의 우선권 및 이익을 주장하며, 모든 목적들을 위해 본 명세서에서 참조로서 인용된다.
일 실시 예에 따르면, 집적 회로 제작 공장이 제공된다. 공장은 공장의 플로어 (floor) 상에 포지셔닝된 (positioned) 집적 회로들을 프로세싱하기 위한 복수의 프로세스 모듈들 및 공장의 플로어의 비점유 공간을 포함한다. 복수의 프로세스 모듈들은 공장의 플로어의 과반을 점유하고 비점유 공간은 공장의 플로어의 절반 미만이다.
또 다른 실시 예에 따르면, 집적 회로 제작 공장이 제공된다. 공장은 집적 회로들을 프로세싱 하기 위한 복수의 프로세스 모듈들 및 공장의 플로어의 비점유 공간을 포함한다. 복수의 프로세스 모듈들은 공장의 플로어 상에 포지셔닝되고 비점유 공간은 공장의 플로어 상에 포지셔닝된 복수의 서비스 영역들 및 공장의 플로어 상에 포지셔닝된 복수의 로드 영역들을 포함한다.
본 개시는, 제한이 아니라, 예시로서 예시되고 유사 참조 번호들은 유사 엘리먼트들을 지칭한다:
도 1a는 통상적인 IC 제작 공장의 일 예의 개략적인 평면도이다.
도 1b는 도 1a에 도시된 IC 제작 공장에서의 통상적인 프로세스 툴을 도시한다.
도 2a는 일 실시 예에 따른 효율적인 IC 제작 공장의 클린룸 레벨의 개략적인 평면도이다.
도 2b는 예시적인 서비스 영역을 보다 상세히 도시한다.
도 2c는 예시적인 로드 영역을 보다 상세히 도시한다.
도 3a는 이동식 진공 이송 모듈의 일 실시 예의 단면도이다.
도 3b는 이동식 진공 이송 모듈의 또 다른 실시 예의 단면도이다.
도 3c는 이동식 진공 이송 모듈의 실시 예의 평면도이다.
도 4는 공장의 서브플로어 (subfloor) 레벨의 일 실시 예의 개략적인 평면도이다.
도 5는 공장의 일 실시 예의 단면도이다.
본 개시는 첨부된 도면들에 예시된 바와 같은 몇몇 바람직한 실시 예들을 참조하여 이제 상세히 기술된다. 후술할 기술에서, 본 개시의 완전한 이해를 제공하기 위해 다수의 특정 세부사항들이 제시된다. 그러나, 본 개시는 이러한 특정 세부사항들의 일부 또는 전부 없이 실시될 수도 있다는 것이 당업자에게 명백할 것이다. 다른 예들에서, 공지된 프로세스 단계들 및/또는 구조들은 본 개시를 불필요하게 모호하게 하지 않기 위하여 상세히 기술되지 않았다.
도 1a는 통상적인 IC 제작 공장 (100) 의 일 예의 개략적인 평면도이다. 도 1a에 도시된 바와 같이, 현재 IC 공장은 공장 내의 프로세스 툴들 (110) 을 인간들이 동작하도록 설계된다. 통상적인 프로세스 툴 (110) 이 도 1b에 도시되고 VTM (Vacuum Transfer Modules), EFEM (Enclosed Front End Modules), 및 화학적 기계적 연마 (chemical mechanical planarization), 막 증착 (film deposition) (예를 들어, PVD (Physical Vapor Deposition), CVD (Chemical Vapor Deposition), 전착 (electrodeposition)), 연마, 에칭 (etching), 패터닝 (patterning) 또는 리소그래피 (lithography), 포토레지스트 스핀 코팅, 이온 주입, 확산, 및 유전체 막 성장을 위한 산화와 같은 반도체 프로세싱 단계들을 수행하기 위한 프로세스 모듈들을 포함할 수 있다. 도 1b에 도시된 바와 같이, 프로세스 툴 (110) 은 대기로부터 진공으로 웨이퍼들을 이송하기 위한 이송 모듈인 EFEM (112) 뿐만 아니라 진공과 프로세스 챔버 (116) 사이에서 웨이퍼들을 이송하기 위한 이송 모듈인 VTM (114) 을 포함한다.
통상적인 IC 공장은 필요한 경우 프로세스 툴들 (110) 을 꺼내기 위한 공간을 제공하기 위해 프로세스 툴들 (110) 사이에 제공되는 복도들을 갖는다. 도 1a에 도시된 바와 같이, 프로세스 툴들 (110) 을 서비스하기 위한 공간을 제공하는 서비스 영역들 (120) 및 작업자들이 프로세스 툴들 (110) 을 동작할 뿐만 아니라 프로세스 챔버들 안팎으로 웨이퍼들을 이송하기 위한 로드 및 툴 오퍼레이터 영역들 (130) 을 포함하는 프로세스 툴들 (110) 사이의 복도들에 할애된 (devoted) 많은 낭비되는 플로어 공간이 있다. 이로써, 현재 IC 제작 공장들의 프로세스 툴들 (110) 에 의해 비점유 많은 플로어 공간이 있다. 이하 기술된 IC 공장들의 실시 예들에서, 비점유 플로어 공간은 적고 플로어 공간을 차지하는 별도의 VTM들 및 EFEM들이 또한 필요하지 않다.
도 2a는 일 실시 예에 따른 효율적인 IC 제작 공장 (200) 의 클린룸 레벨의 개략적인 평면도이다. 본 명세서에 기술된 실시 예들에서, 공장 플로어 공간의 과반이 IC 프로세싱 모듈들 (210) 에 의해 점유되고 공장 플로어 공간의 절반 미만은 IC 프로세싱 모듈들 (210) 에 의해 점유되지 않는다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 공장 플로어 공간의 대략 2/3는 IC 프로세싱 모듈들 (210) 에 의해 점유되고 공장 플로어 공간의 대략 1/3은 공간으로 하여금 프로세싱 모듈들 (210) 을 서비스하기 위한 그리고 IC 프로세싱 모듈들 (210) 로 및 IC 프로세싱 모듈들 (210) 로부터 웨이퍼들을 로딩 및 언로딩 하기 위한 공간이 되도록 점유되지 않는다. 점유되지 않은 플로어 공간은 (프로세스 모듈들 (210) 의 서비스를 위한) 서비스 영역들 (220) 및 (프로세스 모듈들 (210) 로 및 프로세스 모듈들 (210) 로부터 웨이퍼들을 로딩 및 언로딩 하기 위한) 로드 영역들 (230) 을 포함한다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 서비스 영역 (220) 및 로드 영역 (230) 은 프로세스 모듈 각각의 상이한 측면들에 있다. 일 서비스 영역 (220) 은 2 개 이상의 프로세스 모듈 (210) 을 서비스하기 위해 제공될 수 있다. 도 2a에 도시된 실시 예에서, 서비스 영역 (220) 각각은 적어도 2 개의 프로세스 모듈들 (210) 을 서비스하기 위해 제공된다. 일부 서비스 영역들 (220) 은 최대 4 개의 프로세스 모듈들 (210) 을 서비스할 수 있다. 유사하게, 일 로드 영역 (230) 은 2 개 이상의 프로세스 모듈 (210) 로 그리고 2 개 이상의 프로세스 모듈 (210) 로부터 웨이퍼들을 로딩 및 언로딩하기 위해 제공될 수 있다. 도 2a에 도시된 실시 예에서, 로드 영역 (230) 각각은 적어도 2 개의 프로세스 모듈들 (210) 로 그리고 적어도 2 개의 프로세스 모듈들 (210) 로부터 웨이퍼들을 로딩 및 언로딩하기 위해 제공된다. 일부 로드 영역들 (230) 은 최대 4 개의 상이한 프로세스 모듈들 (210) 로 그리고 최대 4 개의 상이한 프로세스 모듈들 (210) 로부터 웨이퍼들을 로딩 및 언로딩하기 위해 사용될 수 있다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 공장 (200) 에 또한 프로세스 모듈들 (210) 위에 공장을 가로질러 아이템들을 이송을 허용하기 위한 오버헤드 라인들 (overhead lines) (240, 250) 이 제공된다. 일부 실시 예들에 따르면, 프로세스 모듈들 (210) 위의 레일들을 따라 이동하기 위해 서비스 아이템들 (예를 들어, 스페어 부품) 또는 이동식 진공 이송 모듈들 (Mobile Vacuum Transfer Modules; MVTMs) (300) (도 3a 내지 도 3c) 과 같은 아이템들을 오버헤드 이송 시스템들로 하여금 이송하게 하는 레일들이 오버헤드 라인들 (240, 250) 에 제공된다. 서비스 아이템들은 오버헤드 라인들 (240) 을 따라 서비스되어야 하는 특정 프로세스 모듈 (210) 로 이송될 수 있다. 유사하게, 아래에서 보다 상세히 기술되지만, MVTM들 (300) 은 프로세스 모듈 (210) 로부터 웨이퍼를 언로딩하기 위해 특정 프로세스 모듈 (210) 과 도킹하고 또 다른 프로세스 모듈 (210) 에 MVTM (300) 의 제어된 진공 환경 내의 웨이퍼를 이송하도록 오버헤드 라인들 (250) 을 따라 또한 운송될 수 있다. 다른 실시 예들에 따르면, 오버헤드 라인들 (240, 250) 은 레일들을 가지지 않고 대신 드론과 같은 디바이스들이 서비스 아이템들 및 MVTM들 (300) 을 운송하기 위해 따라 비행할 수 있는 경로들을 제공한다.
상기 언급된 바와 같이, 오버헤드 라인들 (240) 은 스페어 부품과 같이 프로세스 모듈들을 서비스하기 위해 필요할 수도 있는 서비스 아이템들의 오버헤드 이송을 허용하고 오버헤드 라인들 (250) 은 공장 (200) 을 가로질러 MVTM들 (300) 의 오버헤드 이송을 허용한다. 도 3a 내지 도 3c는 MVTM (300) 을 보다 상세히 도시한다.
MVTM (300) 은 제어된 진공 환경 (350) 내에서 웨이퍼 (380) 의 이송을 허용하는 컴팩트한 이동식 FOUP (front opening universal pod) 이며, 이는 진공과 대기 사이에 웨이퍼들을 이송하는 데 낭비되는 시간의 양을 감소시킨다. MVTM (300) 은 프로세스 모듈들 (210) 사이에 이송되는 동안 웨이퍼가 진공에 유지되게 할 것이다. 일 실시 예에 따르면, MVTM (300) 은 적어도 20 분 동안 1 e-4 토르 (torr) 의 진공을 유지하도록 구성된다.
MVTM (300) 은 MVTM (300) 이 도킹하는 특정 프로세스 모듈 (210) 을 위한 로드 영역 (230) 에 도달하도록 오버헤드 라인들 (250) 을 따라 운송될 수 있다. 도 3c에 도시된 바와 같이, MVTM (300) 은 프로세스 모듈 (210) 로 웨이퍼를 로딩하고 프로세스 모듈 (210) 로부터 웨이퍼를 언로딩하기 위한 SCARA (Selective Compliance Assembly Robot Arm 또는 Selective Compliance Articulated Robot Arm) 로봇 (310) 과 같은 빌트인 (built-in) 웨이퍼 핸들러를 포함한다.
이러한 실시 예에 따르면, MVTM (300) 은 독립형 프로세스 모듈 (210) 에 직접 도킹한다. MTVM (300) 은 프로세스 모듈들 (210) 을 포함한 공장의 다른 툴들과 인터페이싱하기 위한 표준화된 전기 및 통신 인터페이싱들을 갖는다. MVTM (300) 은 또한 프로세스 모듈들 (210) 과 인터페이싱하기 위해 표준화된 그리고 자동화된 메인 도어 및 러핑 펌프 (roughing pump) 연결부들을 갖는다. 전기 및 통신 인터페이싱들, 웨이퍼 핸들러 (310), 및 MVTM (300) 의 다른 기능들은 통합 제어기 (330) 에 의해 제어된다. 일부 실시 예들에서, 제어기 (330) 는 MVTM (300) 내부의 온도를 관리할 수 있다. 제어기 (330) 는 도 3a에 도시되지 않았지만, 도 3a의 실시 예는 이러한 제어기를 또한 가질 수 있음이 이해될 것이다.
MVTM (300) 은 또한 운송 중에 웨이퍼를 제자리에 고정하기 위한 웨이퍼 클램프를 갖는다. 웨이퍼 클램프는 진공, 정전기, 기계 및 자기와 같은 클램핑 기술을 채용할 수 있다. 웨이퍼 클램프는 MVTM (300) 의 최대 허용 가속도로 운송하는 동안 MVTM (300) 내에서 웨이퍼 (380) 포지션을 유지한다. 도 3a는 일 실시 예에 따른 자기 구동 웨이퍼 클램프 (340) 를 도시하고, 도 3b는 또 다른 실시 예에 따른 ESC (electrostatic chuck) (344) 를 도시한다.
도 3a에 도시된 실시 예에서, 자기 구동 웨이퍼 클램프들 (340) 각각은 자기 선형 베어링들을 갖는 자기 결합 드라이브 (342) 에 의해 구동되는 리프트 (341) 에 의해 제어된다. 도 3b에 도시된 실시 예에서, ESC (344) 는 리프트핀 드라이브들 (346) 에 의해 구동된다.
일부 실시 예들에서, 도 3a에 도시된 바와 같이, MVTM (300) 에 비상 웨이퍼 언로딩과 같은 목적들을 위해 MVTM (300) 을 동작시킬 수 있는 자체 내장형 배터리 팩 (320) 이 제공될 수 있다. MVTM (300) 이 드론과 같은 디바이스인 일 실시 예에서, 배터리 팩 (320) 은 MVTM (300) 의 모든 기능들에 전력을 공급할 수 있다. 오버헤드 라인 (250) 의 레일들을 따라 이동하는 MVTM (300) 의 실시 예들에서, MVTM (300) 은 표준화된 전기 인터페이싱들을 통해 오버헤드 라인 (250) 에 의해 전력을 공급받을 수 있다.
일부 실시 예들에서, 도 3a에 도시된 바와 같이, MVTM (300) 에 계측 툴 (metrology tool) (348) 이 또한 제공될 수 있다. 계측 툴 (348) 은 도 3b에 도시되지 않았지만, 도 3b에 도시된 실시 예에는 계측 툴이 또한 제공될 수 있음이 이해될 것이다. 일부 실시 예들에서, 또한 공장 (200) 내에서의 그 위치가 공장 (200) 내에서 추적될 수 있도록 RF ID 태그가 MVTM (300) 에 제공된다. 비증발 게터 펌프 (non-evaporable getter pump) (390) 가 또한 도 3a에 도시된 실시 예에서 제공된다.
상기 기술된 바와 같은 레이아웃을 가진 공장 (200) 은 가능한 가장 치밀한 레이아웃을 가지며, 여기서 웨이퍼들은 일 사이트 (로드 영역 (230)) 에서 프로세스 모듈 (210) 내로 로딩되고 그리고 프로세스 모듈 (210) 로부터 언로딩되고, 프로세스 모듈 (210) 은 제 2 사이트 (서비스 영역 (220)) 으로부터 서비스되고, MVTM들 (300) 및 서비스 아이템들은 프로세스 모듈들 (210) 위에서부터 운송되고 그리고 서비스 리프트들 (510) (도 5) 이 아래의 서브플로어 레벨로부터 올려진다. 프로세스 모듈 (210) 각각은 하나의 측면으로부터 로딩 및 언로딩되고 또 다른 측면으로부터 서비스된다.
예시된 실시 예에 따르면, 공장 (200) 의 에지들 상의 서비스 영역들 (220) 을 제외하고, 서비스 영역 (220) 각각은 그 주위에 포지셔닝된 4 개의 프로세스 모듈들 (210) 을 갖는다. 도 2b는 예시적인 서비스 영역 (220) 을 보다 상세히 도시한다. 도 2b에 도시된 바와 같이, 4 개의 프로세스 모듈들 (210) 은 서비스/유지보수를 허용하는 프로세스 모듈 (210) 의 서비스 측면 (212) 이 서비스 영역 (220) 과 마주보도록 서비스 영역 (220) 둘레에 배향되고 포지셔닝된다. 이로써, 프로세스 모듈 (210) 각각은 인접한 서비스 영역 (220) 으로부터 서비스될 수 있다. 도 2b는 2개의 부가적인 프로세스 모듈들 (210) 을 도시한다; 그러나, 이들 2 개의 프로세스 모듈들 (210) 은 도 2b에 도시되지 않은 상이한 서비스 영역들에 의해 서비스된다. 도 2b에 도시된 바와 같이, 이들 2 개의 프로세스 모듈들 (210) 은 도 2b에 도시된 서비스 영역 (220) 과 마주보지 않는 서비스 측면들 (212) 을 갖는다.
프로세스 모듈 (210) 각각은 서비스 측면 (212) 및 로드 측면 (214) 을 갖는다. 예시된 실시 예에 도시된 바와 같이, 서비스 측면 (212) 은 로드 측면 (214) 으로부터 90 도 측면에 포지셔닝된다. 서비스 측면 (212) 은 프로세스 모듈 (210) 의 유지보수 및 서비스를 허용하도록 프로세스 모듈 (210) 상에 제공된다. 로드 측면 (214) 에 로드 측면 (214) 과 도킹하도록 구성된 MVTM (300) 의 표준화된 개구부와 인터페이싱하도록 구성된 표준화된 개구부가 제공된다.
유사하게, 예시된 실시 예에서, 공장 (200) 의 에지들 상의 로드 영역들 (230) 을 제외하고, 로드 영역 (230) 각각은 그 주위에 포지셔닝된 4 개의 프로세스 모듈들 (210) 을 갖는다. 프로세스 모듈들 (210) 은 웨이퍼들의 로딩 및 언로딩을 허용하는 프로세스 모듈 (210) 의 측면이 로드 영역 (230) 과 마주보도록 로드 영역 (230) 둘레에 배향되고 포지셔닝된다. 예를 들어, MVTM (300) 은 오버헤드 라인 (250) 을 따라 운송될 수 있고 웨이퍼를 언로딩하는 프로세스 모듈 앞의 로드 영역 (230) 에 드롭다운 (drop down) 할 수 있다.
도 2c는 예시적인 로드 영역 (230) 을 보다 상세히 도시한다. 도 2c에 도시된 바와 같이, 4 개의 프로세스 모듈들 (210) 은 웨이퍼들의 로딩 및 언로딩을 허용하는 프로세스 모듈 (210) 의 로드 측면 (214) 이 로드 영역 (230) 과 마주보도록 로드 영역 (230) 둘레에 배향되고 포지셔닝된다. 이로써, 프로세스 모듈 (210) 각각은 인접한 로드 영역 (230) 으로부터 로딩되거나 언로딩된 웨이퍼들을 가질 수 있다. 도 2c는 2 개의 부가적인 프로세스 모듈들 (210) 을 도시한다; 그러나, 이들 2 개의 프로세스 모듈들 (210) 의 웨이퍼들은 도 2c에 도시되지 않은 상이한 로드 영역들에 로딩 및 언로딩된다. 도 2c에 도시된 바와 같이, 이들 2 개의 프로세스 모듈들 (210) 은 도 2c에 도시된 로드 영역 (230) 과 마주보지 않는 로드 측면들 (214) 을 갖는다.
도 4는 공장 (200) 의 서브플로어 레벨 (400) 의 일 실시 예의 개략적인 평면도이다. 도 4에 도시된 서브플로어 레벨 (400) 은 도 2a에 도시된 레벨보다 낮다는 것이 이해될 것이다. 냉각기들 및 RF 생성기들과 같은 원격 모듈들은 프로세스 모듈들 (210) 아래의 서브플로어 레벨 (400) 상의 대각선 원격 모듈 스트립들 (410) 에 포지셔닝될 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 대각선 원격 모듈 스트립들 (410) 은 궤도들 (alleys) 을 사이에 두고 스트립들로 포지셔닝된다. 도 2a의 레벨의 레이아웃이 프로세스 모듈들 (210), 서비스 영역들 (220), 및 로드 영역들 (230) 에 대한 원격 모듈들의 포지셔닝을 보여주기 위해 도 4에 도시됨이 이해될 것이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 대각선 원격 모듈 스트립들 (410) 사이의 궤도들은 서비스 리프트들 (510) (도 5) 로 하여금 이 서비스 영역 (220) 에 도달하기 위해 궤도들을 따라 이동하게 하도록 서비스 영역들 (220) 및 로드 영역들 (230) 밑에 포지셔닝된다. 즉, 서비스 리프트들 (510) 은 서브플로어 레벨 상의 대각선 원격 모듈 스트립들 (410) 사이의 궤도들을 따라 이동할 수 있고 이어서 클린룸 레벨의 프로세스 모듈들 (210) 을 서비스하도록 상승된다.
도 5는 공장 (200) 의 일 실시 예의 단면도이고, 도 2a의 클린룸 레벨 및 도 4의 서브플로어 레벨을 모두 도시한다. 도 5에 도시된 바와 같이, 서비스 리프트 (510) 는 기술자로 하여금 프로세스 모듈 (210) 을 서비스하게 하도록 서브플로어 레벨에서부터 클린룸 레벨까지 리프트된다. 도 5에 도시된 바와 같이, 프로세스 모듈 (210) 을 서비스하기 위해 서브플로어 레벨에서부터 클린룸 레벨까지 사다리 또는 서비스 리프트 (510) 가 상승하게 하도록 서브플로어 레벨과 클린룸 레벨 사이의 서비스 영역들 (220) 에 플로어가 존재하지 않는다. 또한 도 5에 도시된 바와 같이, 프로세스 모듈 (210) 의 스페어 부품과 같은, 서비스 아이템 (520) 은 공장 (200) 을 가로질러 스페어 부품을 사용하여 서비스되어야 하는 프로세스 모듈 (210) 로 오버헤드 라인 (240) 을 통해 운송될 수 있다.
본 명세서에 기술된 공장 (200) 레이아웃은 가능한 낭비되는 공간이 거의 없는 가능한 가장 치밀한 레이아웃을 갖는다. 본 명세서에 기술된 레이아웃의 이점들은 별도의 VTM 및 EFEM을 필요로 하지 않기 때문에 가능한 가장 치밀한 레이아웃을 사용하여 비용을 낮추는 것을 포함한다. 진공과 대기 사이의 웨이퍼 이송의 제거가 펌프 다운 (pump down) 및 벤팅 (venting) 의 감소로 인해 산화 및 입자 성능을 방지함에 따라 성능이 또한 향상된다.
본 발명의 몇몇 실시 예들만이 상세히 기술되었지만, 본 발명은 본 발명의 사상 또는 범위를 벗어나지 않고 많은 다른 형태들로 구현될 수도 있음이 이해되어야 한다. 전술한 모든 것을 고려하여, 본 실시 예들은 예시적이고 제한적이지 않으며 본 발명은 본 명세서에 제공된 상세들로 제한되지 않고, 첨부된 청구범위들의 범위 및 균등물들 내에서 수정될 수 있음이 자명할 것이다.

Claims (21)

  1. 집적 회로 제작 공장에 있어서,
    집적 회로들을 프로세싱하기 위한 복수의 프로세스 모듈들로서, 상기 복수의 프로세스 모듈들은 공장의 플로어 (floor) 상에 포지셔닝되고, 그리고 상기 복수의 프로세스 모듈들은 상기 공장의 상기 플로어의 과반을 점유하는, 상기 복수의 프로세스 모듈들; 및
    상기 공장의 상기 플로어의 비점유 (unoccupied) 공간으로서, 상기 비점유 공간은 상기 공장의 상기 플로어의 절반 미만인, 상기 공장의 상기 플로어의 비점유 공간을 포함하는, 집적 회로 제작 공장.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 비점유 공간은 상기 공장의 상기 플로어 상에 포지셔닝된 복수의 서비스 영역들 및 상기 공장의 상기 플로어 상에 포지셔닝된 복수의 로드 영역들을 포함하는, 집적 회로 제작 공장.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 프로세스 모듈들 각각은 서비스 측면 및 로드 측면을 포함하는, 집적 회로 제작 공장.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 프로세스 모듈들 각각의 상기 서비스 측면 및 상기 로드 측면은 상기 프로세스 모듈의 상이한 측면 상에 있는, 집적 회로 제작 공장.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 서비스 측면은 상기 로드 측면으로부터 90 도로 포지셔닝되는, 집적 회로 제작 공장.
  6. 제 3 항에 있어서,
    서비스 영역은 상기 서비스 영역을 마주하는 적어도 2 개의 서비스 측면들을 갖고, 상기 적어도 2 개의 서비스 측면들은 제 1 프로세스 모듈의 제 1 서비스 측면 및 제 2 프로세스 모듈의 제 2 서비스 측면을 포함하는, 집적 회로 제작 공장.
  7. 제 3 항에 있어서,
    로드 영역은 상기 로드 영역을 마주하는 적어도 2 개의 로드 측면들을 갖고, 상기 적어도 2 개의 로드 측면들은 제 1 프로세스 모듈의 제 1 로드 측면 및 제 2 프로세스 모듈의 제 2 로드 측면을 포함하는, 집적 회로 제작 공장.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 공장을 가로지르는 오버헤드 라인들 (overhead lines) 을 더 포함하고, 상기 오버헤드 라인들은 상기 공장을 가로질러 아이템들을 이송하기 위해 상기 프로세스 모듈들 위에 포지셔닝되는, 집적 회로 제작 공장.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 오버헤드 라인들은 적어도 하나의 서비스 오버헤드 라인 및 적어도 하나의 웨이퍼 이송 오버헤드 라인을 포함하고, 상기 적어도 하나의 서비스 오버헤드 라인은 서비스 영역들로 그리고 서비스 영역들로부터 서비스 아이템들을 이송하도록 구성되고, 상기 적어도 하나의 웨이퍼 이송 오버헤드 라인은 로드 영역들로 그리고 로드 영역들로부터 이동식 진공 이송 모듈들을 이송하도록 구성되는, 집적 회로 제작 공장.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 이동식 진공 이송 모듈들은 프로세스 모듈과 도킹하도록 구성되는, 집적 회로 제작 공장.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 이동식 진공 이송 모듈들 각각은 웨이퍼 이송 오버헤드 라인을 따라 프로세스 모듈들 사이에서 진공으로 웨이퍼를 운송하도록 구성되는, 집적 회로 제작 공장.
  12. 제 2 항에 있어서,
    상기 플로어 아래 서브플로어 (subfloor) 를 더 포함하고, 서비스 리프트들이 상기 서브플로어 상의 궤도들 (alleys) 을 따라 이동할 수 있고, 상기 궤도들은 상기 서비스 영역들 및 상기 로드 영역들 밑에 포지셔닝되는, 집적 회로 제작 공장.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 서비스 리프트들은 프로세스 모듈을 서비스하기 위해 상기 서브플로어로부터 상승될 수 있는, 집적 회로 제작 공장.
  14. 집적 회로 제작 공장에 있어서,
    집적 회로들을 프로세싱하기 위한 복수의 프로세스 모듈들로서, 상기 복수의 프로세스 모듈들은 상기 공장의 플로어 상에 포지셔닝되는, 상기 복수의 프로세스 모듈들; 및
    상기 공장의 상기 플로어의 비점유 공간으로서, 상기 비점유 공간은 상기 공장의 상기 플로어 상에 포지셔닝된 복수의 서비스 영역들 및 상기 공장의 상기 플로어 상에 포지셔닝된 복수의 로드 영역들을 포함하는, 상기 비점유 공간을 포함하는, 집적 회로 제작 공장.
  15. 제 14 항에 있어서,
    서비스 영역 각각은 적어도 2 개의 상이한 프로세스 모듈들을 서비스하기 위해 구성되는, 집적 회로 제작 공장.
  16. 제 15 항에 있어서,
    적어도 하나의 서비스 영역은 4 개의 프로세스 모듈들을 서비스하기 위해 구성되는, 집적 회로 제작 공장.
  17. 제 14 항에 있어서,
    로드 영역 각각은 2 개 이상의 프로세스 모듈로 그리고 2 개 이상의 프로세스 모듈로부터 웨이퍼들을 로딩 및 언로딩하기 위해 구성되는, 집적 회로 제작 공장.
  18. 제 17 항에 있어서,
    적어도 하나의 로드 영역은 4 개의 상이한 프로세스 모듈들로 그리고 4 개의 상이한 프로세스 모듈들로부터 웨이퍼들을 로딩 및 언로딩하기 위해 구성되는, 집적 회로 제작 공장.
  19. 제 14 항에 있어서,
    상기 공장을 가로지르는 오버헤드 라인들을 더 포함하고, 상기 오버헤드 라인들은 상기 공장을 가로질러 아이템들을 이송하기 위해 상기 프로세스 모듈들 위에 포지셔닝되고, 그리고 상기 오버헤드 라인들은 적어도 하나의 서비스 오버헤드 라인 및 적어도 하나의 웨이퍼 이송 오버헤드 라인을 포함하고, 상기 적어도 하나의 서비스 오버헤드 라인은 서비스 영역들로 그리고 서비스 영역들로부터 서비스 아이템들을 이송하도록 구성되고, 그리고 상기 적어도 하나의 웨이퍼 이송 오버헤드 라인은 로드 영역들로 그리고 로드 영역들로부터 이동식 진공 이송 모듈들을 이송하도록 구성되는, 집적 회로 제작 공장.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 오버헤드 라인들은 레일들 또는 드론 경로들을 포함하는, 집적 회로 제작 공장.
  21. 제 14 항에 있어서,
    적어도 하나의 서비스 리프트; 및
    상기 플로어 아래의 서브플로어로서, 상기 서브플로어는 상기 적어도 하나의 서비스 리프트가 따라 이동할 수 있는 궤도들을 포함하고, 상기 궤도들은 상기 서비스 영역들 및 상기 로드 영역들 밑에 포지셔닝되고, 그리고 상기 적어도 하나의 서비스 리프트는 프로세스 모듈을 서비스하기 위해 상기 서브플로어로부터 상승될 수 있는, 상기 서브플로어를 더 포함하는, 집적 회로 제작 공장.
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