KR20210143754A - Authentication device and film - Google Patents

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KR20210143754A
KR20210143754A KR1020217029171A KR20217029171A KR20210143754A KR 20210143754 A KR20210143754 A KR 20210143754A KR 1020217029171 A KR1020217029171 A KR 1020217029171A KR 20217029171 A KR20217029171 A KR 20217029171A KR 20210143754 A KR20210143754 A KR 20210143754A
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히데아키 도야마
히사토 마츠이
와타루 고우다
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도레이 카부시키가이샤
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Abstract

필름의 배향각에 인증성이 의존하지 않는 인증 디바이스를 제공하는 것을 과제로 하는 것이고, 광원, 편광자, 필름 및 광 감도 센서를 갖는 인증 디바이스이며, 편광자와 인증 대상물 사이에 특정한 특성을 갖는 필름이 배치되어 있는 인증 디바이스를 본 취지로 한다.An object of the present invention is to provide an authentication device that does not depend on the orientation angle of a film for authentication, and is an authentication device having a light source, a polarizer, a film and a light sensitivity sensor, wherein a film having specific characteristics is disposed between the polarizer and an object to be authenticated An authentication device that has been used is intended for this purpose.

Description

인증 디바이스 및 필름Authentication device and film

본 발명은 광원, 편광자, 필름, 광 감도 센서를 갖는 인증 디바이스에 관한 것이다.The present invention relates to an authentication device having a light source, a polarizer, a film and a light sensitivity sensor.

근년의 화상 처리 기술 및 데이터 해석 기술의 발전에 수반하여, 다양한 인증 시스템이 실용화되어 있다. 특히 지문 인증, 홍채 인증, 정맥 인증, 얼굴 인증 등의 생체 인증 디바이스는 정밀도의 향상과 저비용화가 진행되고, 휴대 전화나 차량 등 다양한 전자 제품에 있어서 사용되기 시작하였다. 금후 또한 차량이나 전자 결제 등에서 사용될 것으로 예상되는 점에서, 한층 더한 정밀도나 저비용화, 또한 장기로 사용하는 경우의 내구성을 갖는 인증 디바이스가 요구되고 있다.With the development of image processing technology and data analysis technology in recent years, various authentication systems have been put into practical use. In particular, biometric authentication devices, such as fingerprint authentication, iris authentication, vein authentication, and face authentication, have begun to be used in various electronic products such as mobile phones and vehicles, with improved precision and reduced cost. Since it is expected to be used in vehicles, electronic payments, etc. in the future, there is a demand for an authentication device having further precision, lower cost, and durability in the case of long-term use.

특허문헌 1에 개시되어 있는 바와 같이, 일반적으로 광학식의 인증 디바이스는 광원으로부터 발해진 광을 인증 대상물에 조사하고, 반사된 광을 광 감도 센서에서 수광, 촬상하고, 패턴화한 화상을 미리 등록되어 있는 패턴과 매칭함으로써 인증을 행한다. 그러한 인증 디바이스에서는, 광원으로부터 발해진 것 이외의 광이 입사되어 버리면 오인증의 원인이 되기 때문에, 편광자를 사용하여 외광의 반사를 억제하는 경우가 많다. 또한, 최표층에는 폴리에스테르나 폴리카르보네이트 등 열가소성 수지의 필름을 사용함으로써, 파손이나 흠집에 의한 인증 기능 저하를 방지하고 있다.As disclosed in Patent Document 1, in general, an optical authentication device irradiates light emitted from a light source to an object to be authenticated, receives and captures the reflected light by a photosensitive sensor, and registers a patterned image in advance. Authentication is performed by matching the existing pattern. In such an authentication device, when light other than that emitted from a light source becomes incident, since it becomes a cause of erroneous authentication, a polarizer is used to suppress the reflection of external light in many cases. In addition, by using a film of a thermoplastic resin such as polyester or polycarbonate for the outermost layer, deterioration of the authentication function due to damage or scratches is prevented.

국제 공개 제2017/126153호International Publication No. 2017/126153

그러나, 상기 필름에 편광성이나 선광성이 있을 경우, 광원으로부터의 광이 편광/선광되어버리는 결과, 편광/선광된 광은 광 감도 센서에 도달할 때까지 편광자에 의해 차단되기 때문에, 인증성이 저하된다는 문제가 발생한다.However, when the film has polarization or optical rotation, the light from the light source is polarized / rotated, and as a result, the polarized / rotated light is blocked by the polarizer until it reaches the photosensitivity sensor, so the authenticity is lowered. A problem arises that

이러한 문제에 대하여는 2가지 대책을 생각할 수 있다. 첫번째는 광학적으로 거의 등방인 폴리카르보네이트 등의 미연신, 혹은 미세 연신 필름을 보호 필름으로 하는 방법이 있다. 그러나, 연신 배율이 낮은 필름은 찢어지기 쉽고, 내충격성에 어려움이 있다. 또한, 내충격성이 높은 폴리카르보네이트 필름은 고가라는 과제를 갖는다.Two countermeasures can be considered for this problem. First, there is a method in which an unstretched or finely stretched film such as polycarbonate, which is almost optically isotropic, is used as a protective film. However, a film with a low draw ratio is easily torn and has difficulty in impact resistance. Moreover, a polycarbonate film with high impact resistance has the subject that it is expensive.

두번째는 배향시킨 폴리에스테르 필름을 보호 필름으로서 사용하고, 배향 폴리에스테르 필름의 주배향축을 편광자의 투과축과 평행하게 함으로써, 보호 필름에서의 편광을 실질적으로 없애는 방법이다. 그러나, 이러한 방법에서는 주배향축의 방향과 편광자의 투과축이 불과 몇번 어긋나면 편광성이 현재화되어버려, 인증성이 저하된다는 과제를 갖는다.The second is a method in which the oriented polyester film is used as a protective film and the main orientation axis of the oriented polyester film is parallel to the transmission axis of the polarizer, whereby polarization in the protective film is substantially eliminated. However, in such a method, when the direction of the main alignment axis and the transmission axis of the polarizer shift only a few times, the polarization property becomes visible and there is a problem that the authenticity decreases.

또한 광원으로서 OLED(Organic Light Emitting Diode)를 사용하고 있는 인증 디바이스에서는, 자외선 등에 의한 OLED의 열화가 장기 사용을 위한 걸림돌이 되고 있어, OLED의 내구성을 향상시키는 것이 인증 디바이스의 내용연수 향상으로 직결되는 과제로 되어 있다.In addition, in authentication devices using OLED (Organic Light Emitting Diode) as a light source, deterioration of OLED due to ultraviolet rays or the like becomes a stumbling block for long-term use. is a task.

본 발명은 상기 과제를 해결하고자 하는 것이며, 필름의 배향각에 인증성이 의존하지 않는 인증 디바이스를 제공하는 것을 과제로 한다.An object of the present invention is to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an authentication device that does not depend on the orientation angle of the film.

본 발명은 상기 과제를 해결하고자 하는 것이다. 즉, 광원, 편광자, 필름, 광 감도 센서를 갖는 인증 디바이스이며, 상기한 필름은 편광자와 인증 대상물 사이에 배치되고, 또한 하기 (1) 및 (2)를 만족하는 것을 특징으로 하는 인증 디바이스이다.The present invention is intended to solve the above problems. That is, it is an authentication device having a light source, a polarizer, a film, and a photosensitive sensor, wherein the above-described film is disposed between the polarizer and the object to be authenticated, and the following (1) and (2) are satisfied.

(1) 상기 광원으로부터 출사하는 광선의 투과율이, 당해 광선의 가장 강한 강도의 파장에 있어서 70% 이상 100% 이하인 것.(1) The transmittance|permeability of the light source emitted from the said light source is 70% or more and 100% or less in the wavelength of the strongest intensity|strength of the said light source.

(2) 하기 (I)식을 만족하는 정수 n이 존재하는 것.(2) An integer n satisfying the following formula (I) exists.

(I) A×n-150≤Re≤A×n+150(I) A×n-150≤Re≤A×n+150

여기서, A는 상기 광원으로부터 출사하는 광선에 있어서 가장 강한 강도를 나타내는 파장(nm)이며, Re는 상기 필름을 평행 니콜 회전법을 사용하여 입사각 0°에서의 파장 587.8nm에서 측정하였을 때의 면 내 위상차(nm)이다.Here, A is the wavelength (nm) showing the strongest intensity in the light emitted from the light source, and Re is the in-plane when the film is measured at a wavelength of 587.8 nm at an incident angle of 0° using the parallel Nicole rotation method. is the phase difference (nm).

본 발명에 따르면, 필름의 배향각에 인증성이 의존하지 않는 인증 디바이스를 제공할 수 있다. 또한, 저렴한 필름을 사용할 수 있고, 광원의 내구성 및 화면의 내충격성을 향상시킬 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the authentication device which does not depend on the orientation angle of a film can be provided. In addition, an inexpensive film can be used, and durability of the light source and impact resistance of the screen can be improved.

도 1은 본 발명의 인증 디바이스의 구성의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 인증 디바이스에서 인증에 사용하는 광의 움직임의 일례를 나타내는 도면이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows typically an example of the structure of the authentication device of this invention.
Fig. 2 is a diagram showing an example of movement of light used for authentication in the authentication device of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예를 포함한 실시 형태에 한정되어 해석되는 것은 아니고, 발명의 목적을 달성할 수 있고, 또한 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에 있어서의 다양한 변경은 당연할 수 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, although embodiment of this invention is described in detail, this invention is limited to embodiment including the following example, and is not interpreted, The objective of invention can be achieved, and it does not deviate from the summary of invention. Various changes in scope may be expected.

본 발명의 인증 디바이스는 광원, 편광자, 필름, 광 감도 센서를 갖는 인증 디바이스이며, 편광자와 인증 대상물 사이에 하기 (1) 및 (2)를 만족하는 필름이 배치되어 있는 인증 디바이스이다.The authentication device of the present invention is an authentication device having a light source, a polarizer, a film, and a light sensitivity sensor, and is an authentication device in which a film satisfying the following (1) and (2) is disposed between the polarizer and the object to be authenticated.

(1) 상기 필름이, 상기 광원으로부터 출사하는 광의 가장 강한 강도를 갖는 파장에 있어서의 투과율이 70% 이상 100% 이하인 것.(1) The transmittance|permeability in the wavelength in which the said film has the strongest intensity|strength of the light radiate|emitted from the said light source is 70 % or more and 100 % or less.

(2) 상기 광원으로부터 출사하는 광선의 가장 강한 강도를 갖는 파장을 A(nm), 상기 필름의 평행 니콜 회전법으로 측정되는 입사각 0°에서의 파장 587.8nm의 면 내 위상차를 Re(nm)로 하였을 때, 하기 (I')식을 만족하는 것.(2) The wavelength having the strongest intensity of the light emitted from the light source is A (nm), and the in-plane retardation at a wavelength of 587.8 nm at an incident angle of 0° measured by the parallel Nicole rotation method of the film is Re (nm). When it does, it satisfies the following (I') formula.

(I') A×n-150≤Re<A×n+150(I') A×n-150≤Re<A×n+150

단, n은 정수이다.However, n is an integer.

보다 상세하게는, 본 발명의 인증 디바이스는 광원, 편광자, 필름 및 광 감도 센서를 갖는 인증 디바이스이며, 상기한 필름은 편광자와 인증 대상물 사이에 배치되고, 또한 하기 (1) 및 (2)를 만족하는 것을 특징으로 하는 인증 디바이스이다.More specifically, the authentication device of the present invention is an authentication device having a light source, a polarizer, a film and a light sensitivity sensor, wherein the above film is disposed between the polarizer and the object to be authenticated, and also satisfies the following (1) and (2) It is an authentication device, characterized in that.

(1) 상기 광원으로부터 출사하는 광선의 투과율이, 당해 광선의 가장 강한 강도의 파장에 있어서 70% 이상 100% 이하인 것.(1) The transmittance|permeability of the light source emitted from the said light source is 70% or more and 100% or less in the wavelength of the strongest intensity|strength of the said light source.

(2) 하기 (I)식을 만족하는 정수 n이 존재하는 것.(2) An integer n satisfying the following formula (I) exists.

(I) A×n-150≤Re≤A×n+150(I) A×n-150≤Re≤A×n+150

여기서, A는 상기 광원으로부터 출사하는 광선에 있어서 가장 강한 강도를 나타내는 파장(nm)이며, Re는 상기 필름을 평행 니콜 회전법을 사용하여 입사각 0°에서의 파장 587.8nm에서 측정하였을 때의 면 내 위상차(nm)이다.Here, A is the wavelength (nm) showing the strongest intensity in the light emitted from the light source, and Re is the in-plane when the film is measured at a wavelength of 587.8 nm at an incident angle of 0° using the parallel Nicole rotation method. is the phase difference (nm).

본 발명의 인증 디바이스는, 도 1에 나타내는 대로 광원(1), 편광자(2), 필름(3), 광 감도 센서(4)를 포함하여 이루어진다. 광원, 편광자, 필름의 순서대로 배치되어 이루어지는 것이 바람직하다. 이하, 이들 구성에 대하여 기재한다.The authentication device of this invention consists of the light source 1, the polarizer 2, the film 3, and the photosensitive sensor 4, as shown in FIG. It is preferable to arrange|position in order of a light source, a polarizer, and a film. Hereinafter, these structures are described.

<광원><Light Source>

본 발명의 인증 디바이스를 구성하는 광원의 종류는, 광 감도 센서로 검지 가능한 파장 영역에 발광을 나타내는 것이면 어느 광원이라도 사용할 수 있다. 예를 들어, 열음극관이나 냉음극관, 무기 EL 등의 형광성 광원, 유기 일렉트로루미네센스 소자 광원(유기 EL), 발광 다이오드(LED), 백열 광원 등 어느 광원이라도 이용 가능하다. 특히는 유기 EL 또는 LED가 적합한 광원이다. 후술하는 바와 같이, 필름의 면 내 위상차를 상기 광원으로부터 출사하는 광의 가장 강한 강도를 갖는 파장(광원으로부터 출사하는 광의 가장 강한 강도를 갖는 파장을, 광원 파장이라고 하는 경우가 있음)의 대략 정수배로 조정하는 것이 인증성 향상을 위해 중요해진다. 필름의 면 내 위상차의 대략 약수로부터 이격된 파장의 광이 많을수록 인증성의 저하로 이어지기 때문에, 발광 파장 대역이 좁고, 또한 발광 파장을 조정 가능한 광원을 사용하는 것이 바람직하다. 광원으로부터 출사하는 광선의 가장 강한 강도를 갖는 피크의 반값폭은 5nm 이상 150nm 이하인 것이 바람직하다. 5nm 이상 70nm 이하인 것이 더욱 바람직하다. 5nm 이상 50nm 이하인 것이 특히 바람직하다. 파장 대역이 좁고 필름의 면 내 위상차의 정수배에 가까울수록, 인증성에 영향을 주는 필름의 배향각 의존성을 억제할 수 있다. 여기에서 말하는 배향각이란, 편광자의 투과축과 필름의 주배향축이 이루는 각을 가리킨다. 또한, 본 발명에 있어서 필름의 주배향축은, 후술하는 측정 방법에 의해 구해지는 지상축의 방향을 나타낸다. 또한, 만곡된 디스플레이 등의 표면에 해당 인증 디바이스를 설치하는 경우에는 유연한 유기 EL을 바람직하게 사용할 수 있다.As the kind of light source constituting the authentication device of the present invention, any light source can be used as long as it emits light in a wavelength region detectable by a photosensitive sensor. For example, any light source, such as a fluorescent light source, such as a hot cathode tube, a cold cathode tube, inorganic EL, an organic electroluminescent element light source (organic EL), a light emitting diode (LED), an incandescent light source, can be used. In particular, organic EL or LED is a suitable light source. As will be described later, the in-plane retardation of the film is adjusted to approximately an integer multiple of the wavelength having the strongest intensity of the light emitted from the light source (the wavelength having the strongest intensity of the light emitted from the light source is sometimes referred to as the light source wavelength). It becomes important to improve authentication. Since it leads to a decrease in authenticity as the amount of light with a wavelength spaced apart from the approximate divisor of the in-plane retardation of the film increases, it is preferable to use a light source having a narrow emission wavelength band and adjustable emission wavelength. It is preferable that the half-width of the peak having the strongest intensity of the light emitted from the light source is 5 nm or more and 150 nm or less. It is more preferable that they are 5 nm or more and 70 nm or less. It is especially preferable that they are 5 nm or more and 50 nm or less. The narrower the wavelength band and the closer to an integer multiple of the in-plane retardation of the film, the more it is possible to suppress the dependence of the orientation angle of the film affecting the authenticity. The orientation angle here refers to the angle which the transmission axis of a polarizer and the main orientation axis of a film make. In addition, in this invention, the main orientation axis of a film shows the direction of the slow axis calculated|required by the measuring method mentioned later. Moreover, when installing this authentication device on the surface of curved displays etc., flexible organic electroluminescent can be used preferably.

유기 EL을 광원으로 하는 경우에는, 후술하는 자외선을 차폐하는 구성으로 하는 것이 특히 바람직하다. 자외선을 차폐함으로써, 플렉시블성 등의 유기 EL의 우수한 점을 도입하면서, 자외선 열화되기 쉽다는 유기 EL의 결점을 보충할 수 있다.When using organic EL as a light source, it is especially preferable to set it as the structure which shields the ultraviolet-ray mentioned later. By shielding an ultraviolet-ray, the fault of organic EL that ultraviolet-ray deterioration is easy can be supplemented, introduce|transducing the outstanding point of organic EL, such as flexibility.

광원은 1종류의 발광 피크를 갖는 것이어도 되고, 2종류 이상의 발광 피크를 갖는 것이어도 되지만, 색순도를 높이기 위해서는 1종류의 발광 피크를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 발광 피크의 종류가 다른 복수의 광원을 임의로 조합하여 사용하는 것도, 시큐리티 향상 등의 점에서 바람직하다. 복수의 광원을 사용하는 경우에는, 각각의 광원에 적합한(면 내 위상차가 광원 파장의 대략 정수배가 되어 있는) 필름을 사용하는 것이 바람직하다.The light source may have one type of emission peak or may have two or more types of emission peaks, but it is preferable to have one type of emission peak in order to improve color purity. Moreover, it is also preferable from points, such as a security improvement, to use combining arbitrarily the some light source from which the kind of emission peak differs. When using a plurality of light sources, it is preferable to use a film suitable for each light source (in-plane retardation is approximately an integer multiple of the wavelength of the light source).

<광 감도 센서><Light sensitivity sensor>

본 발명의 인증 디바이스는, 대상으로부터 반사되어 온 광을 인식하기 위해 광 감도 센서를 포함하는 구성으로 할 필요가 있다. 광 감도 센서로서는, 전하 결합 소자(Charge-Coupled Device(CCD)), 상보성 금속 산화물 반도체(Complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS)) 등을 들 수 있다. 그 중에서도 CMOS(Live MOS, 이면 조사형 CMOS, 적층형 CMOS, 곡면 CMOS, 유기 박막 CMOS, Foveon 등을 포함함)를 사용하는 것이, 제조 비용이나 판독 스피드의 관점에서 바람직하다. 특히 유기 박막 CMOS와 후술하는 자외선 차폐를 조합함으로써, 박막 등의 유기 박막 CMOS를 얻으면서도, 자외선 열화되기 쉽다는 유기 박막 CMOS의 난점을 보충할 수 있다.The authentication device of the present invention needs to be configured to include a light sensitivity sensor in order to recognize the light reflected from the object. Examples of the photosensitive sensor include a charge-coupled device (CCD), a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS), and the like. Among them, it is preferable to use CMOS (including live MOS, back-illuminated CMOS, stacked CMOS, curved CMOS, organic thin-film CMOS, Foveon, etc.) from the viewpoints of manufacturing cost and read speed. In particular, by combining the organic thin-film CMOS with the ultraviolet shielding described later, it is possible to compensate for the difficulties of the organic thin-film CMOS, which are prone to deterioration by ultraviolet rays, while obtaining an organic thin-film CMOS such as a thin film.

<편광자><Polarizer>

본 발명의 인증 디바이스에는, 외광의 입사에 의한 오인증을 방지하기 위해서 편광자를 포함하는 구성으로 할 필요가 있다. 여기에서 말하는 외광이란, 광원으로부터 발해진 광 이외이며 필름으로부터 광 감도 센서측에 입사하는 광을 가리킨다. 편광자의 소재로서는 임의로 선택할 수 있지만, 예를 들어 폴리비닐알코올(PVA) 필름을 요오드 화합물 등의 2색성 재료에 의해 염색하고, 연신 처리를 행함으로써 형성할 수 있다. PVA 필름은 일례로서, 쿠라레제 VF-PS#7500 등을 적용할 수 있다.In the authentication device of this invention, in order to prevent erroneous authentication by incident of external light, it is necessary to set it as the structure containing a polarizer. External light here refers to light incident to the photosensitive sensor side from the film other than the light emitted from the light source. Although it can select arbitrarily as a raw material of a polarizer, For example, it can form by dyeing|staining a polyvinyl alcohol (PVA) film with dichroic materials, such as an iodine compound, and performing an extending|stretching process. As an example of the PVA film, Kurarese VF-PS#7500 or the like can be applied.

<필름><Film>

본 발명의 인증 디바이스는 필름을 포함하는 구성으로 할 필요가 있다. 상기 필름은, 광원으로부터 출사하는 광선의 가장 강한 강도를 갖는 파장에 있어서의 투과율(광원 광선 투과율)이 70% 이상 100% 이하인 것이 필요해진다. 투과율이 70% 미만인 경우, 광이 충분히 광 감도 센서에 도달하지 않아 인증성이 저하되는 경우가 있다. 보다 바람직하게는 80% 이상 100% 이하이다.The authentication device of this invention needs to be set as the structure containing a film. The film needs to have a transmittance (light source light transmittance) of 70% or more and 100% or less at a wavelength having the strongest intensity of light emitted from the light source. When the transmittance|permeability is less than 70 %, light may not fully reach a photosensitive sensor, but authentication property may fall. More preferably, they are 80 % or more and 100 % or less.

또한, 본 발명의 인증 디바이스에서는, 광원으로부터 출사하는 광선에 있어서 가장 강한 강도를 나타내는 파장(광원 파장)을 A(nm), 상기 필름의 평행 니콜 회전법으로 측정되는 입사각 0°에서의 파장 587.8nm의 면 내 위상차를 Re(nm)로 하였을 때, (I')식을 만족할 필요가 있다.Further, in the authentication device of the present invention, the wavelength (light source wavelength) showing the strongest intensity in the light emitted from the light source is A (nm), and the wavelength at an incident angle of 0° measured by the parallel Nicol rotation method of the film is 587.8 nm. When the in-plane retardation of Re(nm) is assumed, it is necessary to satisfy the equation (I').

(I') A×n-150≤Re<A×n+150(I') A×n-150≤Re<A×n+150

단, n은 정수이다.However, n is an integer.

보다 상세하게는, 본 발명의 인증 디바이스는 광원, 편광자, 필름 및 광 감도 센서를 갖는 인증 디바이스이며, 상기 필름은 편광자와 인증 대상물 사이에 배치되고, 또한 하기 (1) 및 (2)를 만족하는 것을 특징으로 하는 인증 디바이스이다.More specifically, the authentication device of the present invention is an authentication device having a light source, a polarizer, a film, and a light sensitivity sensor, wherein the film is disposed between the polarizer and an object to be authenticated, and also satisfies the following (1) and (2) It is an authentication device, characterized in that.

(1) 상기 광원으로부터 출사하는 광선의 투과율이, 당해 광선의 가장 강한 강도의 파장에 있어서 70% 이상 100% 이하인 것.(1) The transmittance|permeability of the light source emitted from the said light source is 70% or more and 100% or less in the wavelength of the strongest intensity|strength of the said light source.

(2) 하기 (I)식을 만족하는 정수 n이 존재하는 것.(2) An integer n satisfying the following formula (I) exists.

(I) A×n-150≤Re≤A×n+150(I) A×n-150≤Re≤A×n+150

여기서, A는 상기 광원으로부터 출사하는 광선에 있어서 가장 강한 강도를 나타내는 파장(nm)이며, Re는 상기 필름을 평행 니콜 회전법을 사용하여 입사각 0°에서의 파장 587.8nm에서 측정하였을 때의 면 내 위상차(nm)이다.Here, A is the wavelength (nm) showing the strongest intensity in the light emitted from the light source, and Re is the in-plane when the film is measured at a wavelength of 587.8 nm at an incident angle of 0° using the parallel Nicole rotation method. is the phase difference (nm).

(I)식은 필름의 면 내 위상차가 광원 파장의 대략 정수배(정수배로부터 ±150nm의 범위)인 것을 나타내고 있다. 필름의 면 내 위상차는 광원 파장의 정수배로부터 ±120nm의 범위인 것이 바람직하고, ±100nm의 범위인 것이 더욱 바람직하다. 필름의 면 내 위상차가 상기 범위 내가 아닐 경우에는, 광원으로부터 사출된 광이 필름을 통과하였을 때에 편광되기 때문에, 편광자에 의한 광흡수의 영향이 커지고, 인증성의 저하가 문제가 된다. 또한, 편광의 정도는 배향각에 의존하게 된다. 또한, 프로세스 윈도우를 확장하는 관점에서는 면 내 위상차는 400nm 이상인 것이 바람직하고, 600nm 이상이 보다 바람직하고, 800nm 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 후술하는 바와 같이 면 내 위상차 조절의 수단의 하나로서 연신 배율을 조정하는 것을 들 수 있지만, 필름 강도 향상의 관점에서는 일방향으로만 강하게 연신하는 것은 바람직하지 않기 때문에, 면 내 위상차 3000nm 미만인 것이 바람직하다. 면 내 위상차는 필름 두께의 영향을 크게 받기 때문에, 필름 두께가 너무 두꺼운 경우에는 면 내 위상차 3000nm 미만의 필름을 제작하는 것은 곤란하고, 마찬가지로 필름 두께가 너무 얇으면 면 내 위상차 400nm 이상의 필름을 제작하는 것은 곤란하다. 면 내 위상차를 상기 바람직한 범위로 하기 위해서는, 두께 10㎛ 이상 100㎛ 미만으로 하는 것이 면 내 위상차 조절의 용이함의 관점에서 바람직하다. 15㎛ 이상 50㎛ 미만인 것이 더욱 바람직하다.Equation (I) shows that the in-plane retardation of the film is approximately an integer multiple of the wavelength of the light source (range from an integer multiple of ±150 nm). The in-plane retardation of the film is preferably in the range of ±120 nm from an integer multiple of the wavelength of the light source, and more preferably in the range of ±100 nm. When the in-plane retardation of the film is not within the above range, since the light emitted from the light source is polarized when it passes through the film, the effect of light absorption by the polarizer becomes large, and a decrease in authenticity becomes a problem. Also, the degree of polarization depends on the orientation angle. Further, from the viewpoint of extending the process window, the in-plane retardation is preferably 400 nm or more, more preferably 600 nm or more, and still more preferably 800 nm or more. In addition, as will be described later, one of the means of adjusting the in-plane retardation is to adjust the draw ratio, but from the viewpoint of improving the film strength, it is not preferable to strongly stretch in only one direction, so it is preferable that the in-plane retardation is less than 3000 nm do. Since the in-plane retardation is greatly affected by the film thickness, it is difficult to produce a film with an in-plane retardation of less than 3000 nm when the film thickness is too thick, and similarly, if the film thickness is too thin, a film with an in-plane retardation of 400 nm or more it is difficult In order to make in-plane retardation into the said preferable range, it is preferable from a viewpoint of easiness of in-plane retardation control to set it as 10 micrometers or more and less than 100 micrometers in thickness. It is more preferable that they are 15 micrometers or more and less than 50 micrometers.

또한 연신 배율을 낮춤으로써 면 내 위상차를 0에 근접시킴으로써 인증성을 향상시키는 것도 가능하지만, 필름이 물러지기 때문에 내충격성의 관점에서는 바람직하지 않다.Moreover, although it is also possible to improve authentication property by making an in-plane retardation approach 0 by lowering|hanging a draw ratio, since a film becomes brittle, it is unpreferable from a viewpoint of impact resistance.

또한, 면 내 위상차는 광원 파장에서 측정하는 것이 가장 바람직하지만, 측정 장치의 광 강도 안정성으로부터 587.8nm에서 측정을 행하고 있다. 광원 파장에서의 면 내 위상차와, 측정 장치에서 측정 가능한 파장에서의 면 내 위상차의 차가 40nm 이하인 것이 바람직하다.In addition, although it is most preferable to measure the in-plane retardation at the wavelength of the light source, it is measured at 587.8 nm from the light intensity stability of a measuring apparatus. It is preferable that the difference between the in-plane retardation at the wavelength of the light source and the in-plane retardation at the wavelength measurable by the measuring device is 40 nm or less.

면 내 위상차가 상기 범위 내가 아닐 경우에 편광자에 의한 광흡수가 커지는 메커니즘에 대하여 설명한다. 본 발명의 인증 디바이스에 있어서 인증 대상물을 인증할 때, 광원으로부터 사출된 광은 편광자, 필름의 순으로 통과한 후, 인증 대상물에 도달하고, 인증 대상물에서 반사된 광은 필름, 편광자의 순으로 통과하고, 광 감도 센서에서 검출된다. 광의 경로를 화살표로 나타내면, 도 2와 같아진다.A mechanism in which light absorption by the polarizer is increased when the in-plane retardation is not within the above range will be described. When the authentication object is authenticated in the authentication device of the present invention, the light emitted from the light source passes through the polarizer and the film in the order, then reaches the authentication object, and the light reflected from the authentication object passes through the film and the polarizer in the order and is detected by a photosensitive sensor. When the path of light is indicated by an arrow, it becomes the same as that of FIG.

편광자는 특정한 편광 상태의 광을 흡수하고, 기타의 편광 상태의 광만을 투과한다. 그 때문에, 광원으로부터 사출된 광이 편광자를 통과하면, 직선 편광 또는 원 편광이 된다. 필름에 편광성이 없는(광학적으로 등방성) 경우에는, 광원으로부터 사출되어 편광자를 통과하여 필름에 입사하는 광, 및 인증 대상물에서 반사되어 필름에 입사하는 광은, 필름의 통과 전후에서 편광 상태가 바뀌지 않는다. 그 때문에, 필름에 편광성이 없는(광학적으로 등방성) 경우에는, 광원으로부터 사출되어 편광자를 통과한 후 필름을 통과할 때, 및 인증 대상물에서 반사 후 필름을 통과하여 편광자에 입사할 때까지 편광 상태는 변함없기 때문에, 편광자에서 흡수되지 않고 통과하고, 광 감도 센서에 의해 인식되게 된다.A polarizer absorbs light in a specific polarization state and transmits only light in other polarization states. Therefore, when light emitted from the light source passes through the polarizer, it becomes linearly polarized light or circularly polarized light. In the case where the film has no polarization (optically isotropic), the polarization state does not change before and after the film passes through the light emitted from the light source, passing through the polarizer and incident on the film, and the light reflected from the object to be authenticated and incident on the film. does not Therefore, in the case where the film has no polarization (optically isotropic), the polarization state is emitted from the light source and passes through the polarizer and then passes through the film, and after reflection from the object to be authenticated, passes through the film and enters the polarizer is unchanged, so it passes without being absorbed by the polarizer and is recognized by the light sensitivity sensor.

그러나 필름에 편광성이 있을 경우에는, 광원으로부터 사출되어 편광자를 통과한 광은 필름을 통과할 때, 및 인증 대상물에 의해 반사된 후에 필름을 통과할 때에 편광 상태가 변화된다. 그 때문에, 일부의 광은 편광자에서 흡수되어, 통과할 수 없다. 그 때문에, 광 감도 센서까지 도달하는 광의 강도가 저하되고, 인증성의 저하로 이어진다. 필름의 편광성은 주배향축 방향과 주배향축에 수직인 방향의 광로 길이차, 즉 면 내 위상차에 의해 발생한다. 주배향축 방향으로 진동하는 광이 수직 방향으로 진동하는 광에 비하여 빠르거나 또는 느림으로써 2개의 광의 위상이 어긋나고, 편광된다.However, when the film has polarization, the polarization state is changed when light emitted from the light source and passed through the polarizer passes through the film and passes through the film after being reflected by the object to be authenticated. Therefore, some light is absorbed by the polarizer and cannot pass. Therefore, the intensity|strength of the light which reaches|attains to a photosensitive sensor falls, and it leads to the fall of authentication property. The polarization of the film is caused by the difference in the optical path length between the direction of the main alignment axis and the direction perpendicular to the main alignment axis, that is, the in-plane retardation. When the light vibrating in the main alignment axis direction is faster or slower than the light vibrating in the vertical direction, the phases of the two lights are shifted and polarized.

한편, 본 발명의 인증 디바이스에서는 면 내 위상차를 광원 파장의 대략 정수배로 함으로써, 위상의 어긋남을 2π의 대략 정수배로 하여, 실질적으로 위상의 어긋남을 제로에 가깝게 한다. 위상의 어긋남이 작아지면, 배향각이 어긋나 있어도 편광자 투과 후의 광의 강도의 저하는 억제된다. 따라서, 필름의 면 내 위상차가 상기 (I)식의 범위 내이면, 인증성의 저하를 억제할 수 있다.On the other hand, in the authentication device of the present invention, by setting the in-plane phase difference to an approximately integer multiple of the wavelength of the light source, the phase shift is made an approximately integer multiple of 2π, and the phase shift is substantially close to zero. When the shift of the phase becomes small, even if the orientation angle shifts, the decrease in the intensity of the light after transmission of the polarizer is suppressed. Therefore, when the in-plane retardation of the film is within the range of the formula (I), the decrease in authenticity can be suppressed.

예를 들어 광원 파장이 525nm인 경우에는, 면 내 위상차가 525nm의 정수배일 때에는 배향각에 의존하지 않고 높은 투과율이 되는 것을 발견하였다. 인증성에 대해서도 후술하는 방법으로 확인을 행하고, 면 내 위상차를 조정함으로써 인증성이 A 또는 B가 되면, 화면 내 지문 인증 스마트폰의 화면 보호 용도로서 양호한 인증 성능을 나타내는 것을 확인하였다. 스마트폰의 기종으로서는, 예를 들어 Vivo제 X20 Plus UD, X21, NEX를 들 수 있다.For example, when the wavelength of the light source is 525 nm, when the in-plane retardation is an integer multiple of 525 nm, it has been found that the transmittance is high regardless of the orientation angle. Authenticity was also confirmed by the method described later, and when the authentication property was A or B by adjusting the in-plane phase difference, it was confirmed that good authentication performance was exhibited for the screen protection use of the in-screen fingerprint authentication smartphone. As a model of a smartphone, Vivo X20 Plus UD, X21, and NEX are mentioned, for example.

또한, 광원이 복수색 존재하고 있으며, 어떠한 색도 광 감도 센서에 수광시키고자 할 경우에는, 광원으로부터 출사하는 광선의 2번째로 강한 강도를 갖는 파장에 대해서도 정수배가 되는 면 내 위상차를 갖는 필름으로 하는 것이 바람직하다.In addition, when the light source exists in multiple colors, and any color is to be received by the photosensitive sensor, the film having an in-plane retardation that is an integer multiple of the wavelength having the second strongest intensity of the light emitted from the light source is used. it is preferable

즉, 광원으로부터 출사하는 광선에 있어서 2번째로 강한 강도를 나타내는 파장을 B(nm), 상기 필름을 평행 니콜 회전법을 사용하여 입사각 0°에서의 파장 587.8nm에서 측정하였을 때의 면 내 위상차를 Re(nm)로 하였을 때, 하기 (II)식을 만족하는 정수 m이 존재하는 것이 바람직하다.In other words, the wavelength showing the second strongest intensity in the light emitted from the light source is B (nm), and the in-plane retardation when the film is measured at a wavelength of 587.8 nm at an incident angle of 0° using the parallel Nicol rotation method. When Re (nm), it is preferable that an integer m satisfying the following formula (II) exists.

(II) B×m-150≤Re≤B×m+150.(II) B×m-150≤Re≤B×m+150.

또한, 여기에서 말하는 「2번째로 강한 강도를 나타내는 파장」은 각 광원의 광선의 강도의 파장 의존성을 플롯하였을 때에 피크가 되는 파장으로부터 선택된다. 여기에서 말하는 「피크」란, 광선의 발광 강도의 파장 의존성을 플롯하였을 때에 극댓값이 되는 파장을 가리킨다. 여기에서 말하는 「극댓값」이란, 광선의 강도를 파장으로 미분하였을 때, 부호가 양으로부터 음으로 변화되는 파장을 가리킨다. 광원이 하나인 경우에는, 피크가 되는 파장 중, 「가장 강한 강도를 나타내는 파장 (A)」의 다음으로 강한 강도이고, 또한 다음의 2점에 해당하지 않는 파장을 「2번째로 강한 강도를 나타내는 파장 (B)」로 한다. 단, A의 강도를 P(A), B의 강도를 P(B)로 한다.In addition, the "wavelength showing the second strongest intensity" referred to herein is selected from wavelengths that become peaks when the wavelength dependence of the intensity of the light from each light source is plotted. A "peak" here refers to a wavelength that becomes a local maximum when the wavelength dependence of the emission intensity of light is plotted. The "local maximum" as used herein refers to a wavelength at which the sign changes from positive to negative when the intensity of light is differentiated by the wavelength. When there is only one light source, among the wavelengths used as the peak, the wavelength that is the second strongest after "wavelength (A) showing the strongest intensity" Wavelength (B)". However, let the intensity of A be P(A), and let the intensity of B be P(B).

1. A-20<B<A+201. A-20<B<A+20

2. P(B)×100<P(A)2. P(B)×100<P(A)

상기 1점째는, A의 피크의 선단이 갈라진 상태나 A의 피크에 숄더가 있는 상태일 때에, B의 피크로 간주되는 것을 제외하고 있다. 그 때문에, 피크 형상에 따라서는 A의 ±20nm의 범위에 머물지 않고 제외 범위를 확장하는 것이 필요한 경우도 생각할 수 있다.The first point is excluded from being regarded as the peak of B when the tip of the peak of A is split or the peak of A has a shoulder. Therefore, depending on the peak shape, it is considered that it is necessary to extend the exclusion range without staying within the range of +/-20 nm of A.

상기 2점째는, 노이즈가 B의 피크로서 간주되는 것을 제외하고 있다. 그 때문에, 각 광원의 광선의 강도의 파장 의존성을 측정할 때의 노이즈 레벨에 따라서는, A의 100분의 1 이상의 강도라도 노이즈로 간주해야 하는 경우가 있다.The second point above excludes that noise is regarded as the peak of B. Therefore, depending on the noise level at the time of measuring the wavelength dependence of the intensity of light of each light source, even an intensity of 1/100 or more of A may be regarded as noise.

광원이 2개인 경우에는, 각각의 광원에서 「가장 강한 강도를 갖는 파장」 중, 강도가 강한 쪽을 「가장 강한 강도를 나타내는 파장 (A)」, 강도가 약한 쪽을 「2번째로 강한 강도를 나타내는 파장 (B)」로 한다.When there are two light sources, among the "wavelengths with the strongest intensity" in each light source, the one with the strongest intensity is designated as the "wavelength showing the strongest intensity (A)", and the one with the weakest intensity is designated as the "second strongest intensity". The indicated wavelength (B)”.

마찬가지로 하여, 광원이 3개 이상인 경우에도 필름의 면 내 위상차를, 각각의 광원의 「가장 강한 강도를 갖는 파장」의 공배수로 하는 것이 바람직하다.Similarly, even when there are three or more light sources, it is preferable to make the in-plane retardation of a film into a common multiple of "the wavelength with the strongest intensity|strength" of each light source.

또한, 각각의 광원에서 「가장 강한 강도를 갖는 파장」은 아니었다고 해도, 인증 디바이스의 구조상 중요한 역할을 갖는 파장에 대하여는 정수배가 되는 면 내 위상차를 갖는 필름을 사용하는 것이 바람직하다. 여기에서 말하는 중요한 역할이란, 인증을 위한 촬상에 한정되지 않고, 대상물에 영향을 주어 변화를 일으키는 역할이나 대상물 이외의 영향의 배제 등도 포함된다.In addition, even if it is not the "wavelength having the strongest intensity" in each light source, it is preferable to use a film having an in-plane retardation that is an integer multiple of a wavelength having an important role in the structure of the authentication device. The important role here is not limited to imaging for authentication, but also includes a role that affects an object to cause a change, exclusion of influences other than the object, and the like.

필름의 면 내 위상차를 상기 범위 내로 하기 위한 방법은 한정되지 않지만, 수지의 굴절률의 조정이나 연신 배율 및 연신 온도를 조정함으로써 달성된다.Although the method for making the in-plane retardation of a film into the said range is not limited, It is achieved by adjusting the refractive index of resin, a draw ratio, and adjusting a extending|stretching temperature.

본 발명의 필름을 구성하는 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(약칭: PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(약칭: PEN) 등의 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 셀로판, 셀룰로오스디아세테이트, 셀룰로오스트리아세테이트(약칭: TAC), 셀룰로오스아세테이트부티레이트, 셀룰로오스아세테이트프로피오네이트(약칭: CAP), 셀룰로오스아세테이트프탈레이트, 셀룰로오스나이트레이트 등의 셀룰로오스에스테르류 및 그들의 유도체, 폴리염화비닐리덴, 폴리비닐알코올, 폴리에틸렌비닐알코올, 신디오택틱 폴리스티렌, 폴리카르보네이트(약칭: PC), 노르보르넨 수지, 폴리메틸펜텐, 폴리에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르술폰(약칭: PES), 폴리페닐렌술피드, 폴리술폰류, 폴리에테르이미드, 폴리에테르케톤이미드, 폴리아미드, 불소 수지, 나일론, 폴리메틸메타크릴레이트, 아크릴 및 폴리아릴레이트류, 아톤(등록 상표)(상품명, JSR사제) 및 아펠(등록 상표)(상품명, 미쓰이 가가꾸사제) 등의 시클로올레핀계 수지 등을 들 수 있다.As the resin constituting the film of the present invention, for example, polyester such as polyethylene terephthalate (abbreviation: PET) and polyethylene naphthalate (abbreviation: PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate ( Abbreviation: TAC), cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate (abbreviation: CAP), cellulose acetate phthalate and cellulose nitrate and their derivatives, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, Diotactic polystyrene, polycarbonate (abbreviation: PC), norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide, polyether sulfone (abbreviation: PES), polyphenylene sulfide, polysulfones, polyether E Mid, polyether ketoneimide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethyl methacrylate, acryl and polyarylates, Atone (registered trademark) (trade name, manufactured by JSR Corporation) and Arpel (registered trademark) (trade name, Mitsui Corporation) Cycloolefin-based resins, such as Gwasa Co., Ltd.), etc. are mentioned.

이들 수지 중, 비용이나 입수의 용이성, 제막 시의 프로세스 윈도우의 확장, 강도나 파단점 신도 등 물성의 점에서는 적어도 폴리에스테르를 구성 재료로 하는 필름이 바람직하게 사용된다.Among these resins, a film made of at least polyester as a constituent material is preferably used from the viewpoint of physical properties such as cost, ease of availability, expansion of the process window at the time of film forming, strength, and elongation at break.

본 발명에서 설명하는 바의 폴리에스테르란, 방향족 디카르복실산 또는 지방족 디카르복실산과 디올을 주된 구성 성분으로 하는 단량체로부터의 중합에 의해 얻어지는 축중합체이다. 폴리에스테르의 공업적 제조 방법으로서는, 공지된 바와 같이 에스테르 교환 반응(에스테르 교환법)이나 직접 에스테르화 반응(직접 중합법)이 사용된다. 여기서 방향족 디카르복실산으로서는, 예를 들어 테레프탈산, 이소프탈산, 프탈산, 1,4-나프탈렌디카르복실산, 1,5-나프탈렌디카르복실산, 2,6-나프탈렌디카르복실산, 4,4'-디페닐디카르복실산, 4,4'-디페닐에테르디카르복실산, 4,4'-디페닐술폰디카르복실산 등을 들 수 있다. 지방족 디카르복실산으로서는, 예를 들어 아디프산, 수베르산, 세바스산, 다이머산, 도데칸디온산, 1,4-시클로헥산디카르복실산과 그들의 에스테르 유도체 등을 들 수 있다. 그 중에서도 높은 굴절률을 발현하는 테레프탈산과 2,6-나프탈렌디카르복실산이 바람직하게 사용된다. 디카르복실산 성분은 이들 중 1종류를 사용해도 되고, 2종류 이상을 병용하여 사용해도 된다.The polyester as described in the present invention is a condensation polymer obtained by polymerization from a monomer containing an aromatic dicarboxylic acid or an aliphatic dicarboxylic acid and a diol as main constituent components. As a method for industrially producing polyester, a known transesterification reaction (ester exchange method) or a direct esterification reaction (direct polymerization method) is used. Here, as aromatic dicarboxylic acid, for example, terephthalic acid, isophthalic acid, phthalic acid, 1,4-naphthalenedicarboxylic acid, 1,5-naphthalenedicarboxylic acid, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, 4, 4'-diphenyl dicarboxylic acid, 4,4'- diphenyl ether dicarboxylic acid, 4,4'- diphenyl sulfone dicarboxylic acid, etc. are mentioned. Examples of the aliphatic dicarboxylic acid include adipic acid, suberic acid, sebacic acid, dimer acid, dodecanedioic acid, 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid and their ester derivatives. Among them, terephthalic acid and 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, which exhibit a high refractive index, are preferably used. A dicarboxylic acid component may use 1 type among these, and may use it in combination of 2 or more types.

또한, 디올 성분으로서는, 예를 들어 에틸렌글리콜, 1,2-프로판디올, 1,3-프로판디올, 네오펜틸글리콜, 1,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 1,6-헥산디올, 1,2-시클로헥산디메탄올, 1,3-시클로헥산디메탄올, 1,4-시클로헥산디메탄올, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 폴리알킬렌글리콜, 2,2-비스(4-히드록시에톡시페닐)프로판, 이소소르베이트, 스피로글리콜 등을 들 수 있다. 그 중에서도 에틸렌글리콜이 바람직하게 사용된다. 이들 디올 성분은 1종류만 사용해도 되고, 2종류 이상을 병용하여 사용해도 된다.Moreover, as a diol component, for example, ethylene glycol, 1,2-propanediol, 1,3-propanediol, neopentyl glycol, 1,3-butanediol, 1,4-butanediol, 1,5-pentanediol, 1 ,6-hexanediol, 1,2-cyclohexanedimethanol, 1,3-cyclohexanedimethanol, 1,4-cyclohexanedimethanol, diethylene glycol, triethylene glycol, polyalkylene glycol, 2,2- Bis(4-hydroxyethoxyphenyl)propane, isosorbate, spiroglycol, etc. are mentioned. Among them, ethylene glycol is preferably used. These diol components may be used alone or in combination of two or more.

필름 강도의 향상과 연신성의 향상의 관점에서는, 수지 A를 포함하는 층과 수지 A와는 다른 수지 C를 포함하는 층을 교호로 5층 이상 적층한 적층 필름인 것이 바람직하다. 또한, 상기 수지 A가 결정성 수지 A를 주성분으로 하고, 상기 수지 C가 비정질성 수지 C를 주성분으로 하면, 면 내 위상차의 조절이 용이해지는 관점에서 바람직하다. 저굴절률의 수지로서는, 연신 시에 굴절률의 상승이 어려운 비정질성 수지 등을 사용할 수 있다.It is preferable that it is a laminated|multilayer film which laminated|stacked the layer containing resin A, and the layer containing resin C different from resin A from a viewpoint of the improvement of film strength and stretchability|strengthening 5 or more layers laminated|stacked alternately. In addition, when the resin A contains the crystalline resin A as the main component and the resin C contains the amorphous resin C as the main component, it is preferable from the viewpoint of facilitating adjustment of the in-plane retardation. As the low-refractive-index resin, an amorphous resin or the like whose refractive index is difficult to increase during stretching can be used.

결정성 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트 및 그의 공중합체, 폴리에틸렌나프탈레이트 및 그의 공중합체, 폴리부틸렌테레프탈레이트 및 그의 공중합체, 폴리부틸렌나프탈레이트 및 그의 공중합체, 나아가 폴리헥사메틸렌테레프탈레이트 및 그의 공중합체, 폴리헥사메틸렌나프탈레이트 및 그의 공중합체 등을 사용할 수도 있다. 이 때 공중합 성분으로서는, 상기한 디카르복실산 성분 및 디올 성분이 각각 1종류 이상 공중합되어 있는 것이 바람직하다.Examples of the crystalline resin include polyethylene terephthalate and its copolymers, polyethylene naphthalate and its copolymers, polybutylene terephthalate and its copolymers, polybutylene naphthalate and its copolymers, further polyhexamethylene terephthalate and Its copolymer, polyhexamethylene naphthalate, its copolymer, etc. can also be used. At this time, as a copolymerization component, it is preferable that 1 or more types of said dicarboxylic acid component and diol component are respectively copolymerized.

저굴절률의 수지로서는 특별히 한정되는 것은 아니며, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리(4-메틸펜텐-1), 폴리아세탈 등의 쇄상 폴리올레핀, 노르보르넨류의 개환 메타세시스 중합, 부가 중합, 다른 올레핀류와의 부가 공중합체인 지환족 폴리올레핀, 폴리락트산, 폴리부틸숙시네이트 등의 생분해성 폴리머, 나일론 6, 나일론 11, 나일론 12, 나일론 66 등의 폴리아미드, 아라미드, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리비닐알코올, 폴리비닐부티랄, 에틸렌아세트산비닐 코폴리머, 폴리아세탈, 폴리글루콜산, 폴리스티렌, 스티렌 공중합 폴리메타크릴산메틸, 폴리카르보네이트, 폴리프로필렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌-2,6-나프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리에테르술폰, 폴리에테르에테르케톤, 변성 폴리페닐렌에테르, 폴리페닐렌술피드, 폴리에테르이미드, 폴리이미드, 폴리아릴레이트, 4불화에틸렌 수지, 3불화에틸렌 수지, 3불화염화에틸렌 수지, 4불화에틸렌-6불화프로필렌 공중합체, 폴리불화비닐리덴 등을 사용할 수 있다. 이 중에서, 강도나 내열성, 투명성 및 범용성의 관점에서, 특히 또한 결정성 수지와의 밀착성 및 적층성의 관점에서도, 수지 C로서 폴리에스테르를 구성 성분으로서 포함하는 것이 가장 바람직하다. 여기서, 저굴절률의 수지는 공중합체여도 혼합물이어도 된다.The low refractive index resin is not particularly limited, and chain polyolefins such as polyethylene, polypropylene, poly(4-methylpentene-1) and polyacetal, ring-opening metathesis polymerization of norbornenes, addition polymerization, and other olefins Biodegradable polymers such as alicyclic polyolefin, polylactic acid, and polybutyl succinate, polyamides such as nylon 6, nylon 11, nylon 12, and nylon 66, aramid, polymethyl methacrylate, polyvinyl chloride, poly vinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, ethylene vinyl acetate copolymer, polyacetal, polyglucolic acid, polystyrene, styrene copolymer polymethyl methacrylate, polycarbonate, polypropylene terephthalate, polyethylene terephthalate, Polyester such as polybutylene terephthalate and polyethylene-2,6-naphthalate, polyethersulfone, polyetheretherketone, modified polyphenyleneether, polyphenylenesulfide, polyetherimide, polyimide, polyarylate, Ethylene tetrafluoride resin, ethylene trifluoride resin, ethylene trifluorochloride resin, tetrafluoroethylene-6 fluoride propylene copolymer, polyvinylidene fluoride, etc. can be used. Among them, from the viewpoint of strength, heat resistance, transparency, and versatility, in particular, also from the viewpoint of adhesion and lamination properties with the crystalline resin, it is most preferable as the resin C to contain polyester as a constituent component. Here, the low refractive index resin may be a copolymer or a mixture may be sufficient as it.

예를 들어, 이소프탈산을 포함하는 폴리에스테르는 결정성을 저하시킬 수 있기 때문에, 용이하게 면 내 위상차를 억제할 수 있고, 또한 2축 연신해도 두께 방향의 굴절률이 저하되기 어렵기 때문에, 광원으로부터의 광의 입사각이 변화되어도 무지개 얼룩의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 다른 바람직한 비정질성 폴리에스테르로서는, 공중합 성분으로서 스피로글리콜을 포함하는 폴리에스테르가 바람직하다. 스피로글리콜을 포함하는 폴리에스테르는 2축 연신이나 보잉에 의한 필름 변형에 있어서 배향되기 어렵기 때문에, 폭 방향의 면 내 위상차 변동이 발생하기 어렵다. 또한, 유리 전이점이 높아지는 효과가 있기 때문에, 비정질성 수지를 사용하는 것에 의한 열수축률의 증가를 억제할 수 있다. 이 밖에 바람직한 공중합 비정질 성분으로서는, 시클로헥산디메탄올, 네오펜틸글리콜, 시클로헥산디카르복실산, 이소소르비드 등을 들 수 있다.For example, since polyester containing isophthalic acid can reduce crystallinity, in-plane retardation can be easily suppressed, and even if it is biaxially stretched, the refractive index in the thickness direction is difficult to decrease, so Even if the incident angle of the light is changed, the occurrence of rainbow spots can be suppressed. Moreover, as another preferable amorphous polyester, the polyester containing spiroglycol as a copolymerization component is preferable. Since the polyester containing spiroglycol is difficult to orientate in the film deformation by biaxial stretching or bowing, it is difficult to generate|occur|produce the in-plane retardation fluctuation|variation in the width direction. Moreover, since there exists an effect that a glass transition point becomes high, the increase in thermal contraction rate by using an amorphous resin can be suppressed. In addition, preferred copolymerized amorphous components include cyclohexanedimethanol, neopentylglycol, cyclohexanedicarboxylic acid, isosorbide, and the like.

또한, 상기 필름은 미연신 필름이어도 되고, 연신 필름이어도 되지만, 강도나 면 내 위상차 조절, 생산성의 관점에서는 적어도 1 방향으로 연신한 필름이 바람직하다. 특히 인증 디바이스의 필름이 유리 등 깨질 가능성이 있는 소재로 지지되어 있을 경우에는, 적절하게 연신함으로써 파단점 신도를 향상시켜, 표면이 파손되는 것에 의한 파편의 비산을 방지할 수 있는 것이 바람직하다. 길이 방향, 폭 방향 어느 쪽의 연신 배율을 크게 함으로써, 필름 내의 분자가 배향되어 면 내 위상차를 향상시킬 수 있다. 폭 방향의 연신 배율을 크게 함으로써, 면 내 위상차 및 주배향축이 폭 방향으로 균일해지고, 사용 가능한 제품 폭을 크게 취할 수 있기 때문에 바람직하다. 열수축률을 저감시키기 위해 연신 후에 열처리를 행하는 경우, 열처리하면서 폭 방향으로 더욱 연신하는 것, 열처리 전에 일단 냉각시키는 것, 연신 시의 온도와 열처리 시의 온도차를 작게 하는 것 등의 방법을 사용함으로써도, 면 내 위상차 및 주배향축이 폭 방향으로 균일해지고, 사용 가능한 제품 폭을 크게 취할 수 있기 때문에 바람직하다. 또한, 연신 온도를 낮게 하면 연신 시의 배향이 붙기 쉬워, 이에 의해서도 면 내 위상차를 향상시킬 수 있다. 반대로 연신 시의 온도를 높이면 분자가 배향되지 않은 채 연신되기 때문에 면 내 위상차는 높아지기 어렵다. 본 발명에서는 면 내 위상차를 광원 파장의 대략 정수배로 하기 위해서, 연신 배율 및 연신 온도를 조정하는 것이 필요해진다. 그러나, 연신 배율, 연신 온도는 필름의 강도나 파단점 신도 등 필름을 사용함에 있어서 중요한 물성에 크게 영향을 미치기 때문에, 필름의 강도나 파단점 신도와 목적으로 하는 면 내 위상차를 양립시키는 것은 어렵다. 그 때문에, 면 내 위상차를 조정하는 방법으로서, 2종류 이상의 수지를 교호로 5층 이상 적층한 필름을 사용하는 것이 바람직하다. 연신 배율, 연신 온도에 더하여, 사용하는 수지의 굴절률을 조정함으로써, 필름의 강도나 파단점 신도와 면 내 위상차의 설계의 양립이 용이해지기 때문이다.In addition, although the said film may be an unstretched film or a stretched film may be sufficient, the film stretched in at least one direction from a viewpoint of intensity|strength, in-plane retardation control, and productivity is preferable. In particular, when the film of the authentication device is supported by a material that may be broken, such as glass, it is preferable that the elongation at break is improved by appropriately stretching and the scattering of fragments due to damage to the surface can be prevented. By increasing the draw ratio in either the longitudinal direction or the width direction, the molecules in the film are oriented and the in-plane retardation can be improved. By enlarging the draw ratio in the width direction, the in-plane retardation and the main orientation axis become uniform in the width direction, and the usable product width can be large, which is preferable. When heat treatment is performed after stretching to reduce thermal shrinkage, further stretching in the width direction during heat treatment, cooling once before heat treatment, reducing the temperature difference between stretching and heat treatment, etc. , it is preferable because the in-plane retardation and the main orientation axis become uniform in the width direction, and the usable product width can be large. Moreover, when extending|stretching temperature is made low, the orientation at the time of extending|stretching will stick easily, and in-plane retardation can be improved also by this. Conversely, if the temperature during stretching is increased, the in-plane retardation is difficult to increase because the molecules are stretched without being oriented. In this invention, in order to make an in-plane phase difference into substantially integer multiple of the wavelength of a light source, it is necessary to adjust a draw ratio and a extending|stretching temperature. However, since the draw ratio and the stretching temperature greatly affect important physical properties in using the film, such as the strength and elongation at break, of the film, it is difficult to make the strength and elongation at break of the film and the target in-plane retardation compatible. Therefore, as a method of adjusting in-plane retardation, it is preferable to use the film which laminated|stacked 5 or more layers of 2 or more types of resin alternately. It is because coexistence of the design of the intensity|strength of a film, break point elongation, and in-plane retardation becomes easy by adjusting the refractive index of resin to be used in addition to a draw ratio and extending|stretching temperature.

또한, 본 발명의 인증 디바이스에서는, 이하의 방법으로 측정되는 PT(0) 및 PT(45)가 하기 식 (III) 및 식 (IV)를 만족하는 것이 바람직하다.Further, in the authentication device of the present invention, it is preferable that PT(0) and PT(45) measured by the following method satisfy the following formulas (III) and (IV).

(III) PT(45)≥0.65(III) PT(45)≥0.65

(IV) 1≥PT(45)/PT(0)≥0.6(IV) 1≥PT(45)/PT(0)≥0.6

[PT(0) 및 PT(45)의 측정 방법][Method of measuring PT(0) and PT(45)]

(1) 50W 텅스텐 램프를 광원으로 한 분광 광도계를 사용하여 측정을 행한다.(1) Measurement is performed using a spectrophotometer using a 50 W tungsten lamp as a light source.

(2) 편광자를 2매로 커트하고, 2매의 편광자의 면이 분광 광도계의 광축에 수직이 되도록, 또한 2매의 편광자의 투과축끼리가 평행이 되도록 배치한다.(2) The polarizers are cut into two sheets and arranged so that the planes of the two polarizers are perpendicular to the optical axis of the spectrophotometer and the transmission axes of the two polarizers are parallel to each other.

(3) 2매의 편광자에 대하여, 상기 광원으로부터 출사하는 광선의 가장 강한 강도를 갖는 파장에 있어서의 투과광량의 측정(백그라운드 측정)을 행한다. 백그라운드 측정에서 얻어진 광원 소등 상태에서의 투과광량을 PT(D), 광원 점등 상태에서의 투과광량을 PT(L)로 하였다.(3) With respect to the two polarizers, the amount of transmitted light at a wavelength having the strongest intensity of the light emitted from the light source (background measurement) is measured. The amount of transmitted light in the light source turned off state obtained in the background measurement was taken as PT(D), and the transmitted light amount in the light source turned on state was defined as PT(L).

(4) 2매의 편광자 사이에 상기 필름을 필름의 면이 분광 광도계의 광축에 수직이 되도록 배치한다.(4) The film is placed between the two polarizers so that the surface of the film is perpendicular to the optical axis of the spectrophotometer.

(5) 상기 필름만을 분광 광도계의 광축에 수직인 면 내에서 회전시키면서, 상기 광원으로부터 출사하는 광선의 가장 강한 강도를 갖는 파장에 있어서의 투과광량의 측정을 행한다. 2매의 편광자의 투과축과 상기 필름의 주배향축이 이루는 각이 0°일 때의 투과광량을 PT'(0), 45°일 때의 투과광량을 PT'(45)로 한다.(5) While rotating only the film in a plane perpendicular to the optical axis of the spectrophotometer, the amount of transmitted light at a wavelength having the strongest intensity of light emitted from the light source is measured. When the angle between the transmission axes of the two polarizers and the main alignment axis of the film is 0°, the transmitted light amount is PT′(0), and the transmitted light amount when 45° is 45° is PT′(45).

(6) 하기 식으로부터 PT(0) 및 PT(45)를 얻는다.(6) PT(0) and PT(45) are obtained from the following equations.

PT(0)=(PT'(0)-PT(D))/(PT(L)-PT(D))PT(0)=(PT'(0)-PT(D))/(PT(L)-PT(D))

PT(45)=(PT'(45)-PT(D))/(PT(L)-PT(D))PT(45)=(PT'(45)-PT(D))/(PT(L)-PT(D))

상기에서 구해지는 PT(45)는, 가장 투과도가 저하된다고 생각되는 각도로 첩부한 경우의 투과도라고 해석된다. 식 (III)은 가장 투과도가 저하된 상태라도, 투과도가 0.65 이상이 되는 것이 바람직한 것을 나타내고 있다. 투과도가 0.65 이하가 되면, 인증성의 저하로 이어지는 경우가 있다.The PT 45 obtained above is interpreted as the transmittance when the PT 45 is affixed at an angle considered to have the lowest transmittance. Formula (III) has shown that it is preferable that the transmittance|permeability becomes 0.65 or more even if it is the state in which the transmittance|permeability fell most. When the transmittance becomes 0.65 or less, it may lead to the fall of authentication property.

상기에서 구해지는 PT(0)는 배향각이 0°, 즉 투과도 향상의 관점으로부터 이상적인 각도로 필름을 첩부한 경우의 투과도를 나타낸다. PT(45)와의 비인 (PT(45)/PT(0))은 필름의 첩부 방식이 이상적인 각도로부터 어긋났을 경우에, 투과도가 저하되는 정도를 나타낸다. PT(0), PT(45)의 비가 상기 범위 내에 있지 않을 경우, 즉 PT(45)가 PT(0)보다 크거나, PT(45)가 PT(0)에 비해 너무 작거나 하는 경우, 즉 PT(45)/PT(0)가 0.6보다 작은 경우에는, 인증 디바이스의 인증성을 양호하게 하기 위해서, 편광자의 투과축과 필름의 주배향축이 평행이 되도록 설치하는 것이 필요해지고, 생산성이 저하되는 경우가 있다. 보다 바람직하게는 0.75 이상 1.0 미만이다.PT(0) obtained above indicates transmittance when the orientation angle is 0°, that is, when the film is affixed at an ideal angle from the viewpoint of improving transmittance. The ratio (PT(45)/PT(0)) with PT(45) indicates the degree to which the transmittance decreases when the film pasting method deviates from the ideal angle. When the ratio of PT(0) and PT(45) is not within the above range, that is, if PT(45) is greater than PT(0) or PT(45) is too small compared to PT(0), that is, When PT(45)/PT(0) is smaller than 0.6, in order to improve the authenticity of the authentication device, it is necessary to install so that the transmission axis of the polarizer and the main orientation axis of the film are parallel to each other, and productivity is lowered. there may be cases More preferably, it is 0.75 or more and less than 1.0.

본 발명에 적용 가능한 필름은 수지의 굴절률, 연신 배율, 연신 온도를 조절할 수 있으면, 종래 공지된 일반적인 제막 방법이지만 특정한 제막 조건에 의해 제조하는 것이 가능하다. 예를 들어, 재료가 되는 수지를 압출기에 의해 용융시키고, 환상 다이나 T 다이에 의해 압출하여 급랭시킴으로써, 실질적으로 무정형이며 배향되지 않은 미연신의 필름을 제조할 수 있다. 전술한 바와 같이, 면 내 위상차의 조절과 필름 강도 향상을 양립하기 위해서는 2종류 이상의 수지를 적층하는 것도 바람직하다. 마찬가지의 관점에서 2종류의 수지가 교호로 5층 이상 적층된 구조를 포함하는 것이 특히 바람직하다. 나아가, 또한 미연신의 필름을 1축 연신, 텐터식 축차 2축 연신, 텐터식 동시 2축 연신, 튜블러식 동시 2축 연신 등의 공지된 방법에 의해, 필름의 길이 방향(반송 방향, 종축 방향, MD 방향), 또는 필름의 길이 방향과 직각인 방향(폭 방향, 횡축 방향, TD 방향)으로 연신함으로써, 2축 연신한 필름을 제조할 수 있다. 이 경우의 연신 배율은 필름의 원료가 되는 수지에 맞게 적절히 선택할 수 있지만, 종축 방향 및 횡축 방향으로 각각 2 내지 10배의 범위 내인 것이 바람직하다. 인증 디바이스로서 가공할 때의 수축을 억제하기 위해서, 연신 후에 열처리를 실시하는 것도 바람직하다.The film applicable to the present invention is a conventionally known general film forming method as long as the refractive index, draw ratio, and draw temperature of the resin can be adjusted, but it can be produced under specific film forming conditions. For example, a substantially amorphous, non-oriented, unstretched film can be produced by melting the resin used as the material by an extruder, extruding it with an annular die or T-die and quenching it. As described above, in order to achieve both control of in-plane retardation and improvement of film strength, it is also preferable to laminate two or more types of resins. From the same viewpoint, it is particularly preferable to include a structure in which two types of resins are alternately laminated in five or more layers. Furthermore, the unstretched film is further uniaxially stretched, tenter type sequential biaxial stretching, tenter type simultaneous biaxial stretching, tubular type simultaneous biaxial stretching, etc. , MD direction), or by extending|stretching in the direction (width direction, transverse axis direction, TD direction) perpendicular to the longitudinal direction of a film, the biaxially stretched film can be manufactured. Although the draw ratio in this case can be suitably selected according to the resin used as the raw material of a film, It is preferable to exist in the range of 2 to 10 times in a longitudinal direction and a transverse direction, respectively. In order to suppress the shrinkage at the time of processing as an authentication device, it is also preferable to heat-process after extending|stretching.

상기 조건의 범위 내에서 제막함으로써, 필름의 주배향축 방향 및 주배향축과 직교하는 방향의 25℃에 있어서의 파단점 신도가 모두 30% 이상 300% 이하인 것이, 가공 시의 핸들링성 향상과 필름으로서의 강도 향상의 관점에서 바람직하다. 50% 이상 200% 이하인 것이 더욱 바람직하다. 파단점 신도가 30% 이하인 경우, 가공 시의 파단이나 인증 디바이스의 표면의 파손 가능성이 높아지기 때문에 바람직하지 않다. 또한, 300%를 초과하면 가공 시의 늘어짐이나 필름으로서의 강도가 낮아지는 것에 의한, 흠집이나 오목부에 의한 인증성의 저하로 이어지는 경우가 있다.By forming into a film within the above conditions, the elongation at break at 25°C in the direction orthogonal to the main orientation axis and the main orientation axis of the film is 30% or more and 300% or less, handling property improvement at the time of processing and the film It is preferable from the viewpoint of improving the strength as It is more preferable that they are 50 % or more and 200 % or less. When the elongation at break is 30% or less, it is not preferable because the possibility of breakage during processing or damage to the surface of the authentication device increases. Moreover, when it exceeds 300 %, it may lead to the fall at the time of a process, and the fall of the authenticity by the flaw or recessed part by the intensity|strength as a film becoming low.

또한 후술하는 바와 같이, 인증 디바이스에 설치할 때 투과율, 나아가서는 인증성의 관점에서 편광자의 투과축과 필름의 주배향축이 평행한 것이 바람직하다. 그 때문에, 필름의 주배향축의 방향이 필름의 MD 방향, TD 방향으로 일정한 것이 바람직하다. 배향각을 일정하게 하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 MD 방향 또는 TD 방향의 연신 배율을 다른 쪽의 연신 배율에 비해 크게 함으로써, 주배향축 방향 및 주배향축과 직교하는 방향의 100℃에서 30분 처리하였을 때의 열수축률의 최댓값과 최솟값의 비(최댓값/최솟값)를 일정한 값 이상으로 하는 것을 들 수 있다. 바람직하게는 최댓값과 최솟값의 비가 1.7 이상, 더욱 바람직하게는 2.0 이상, 더욱 바람직하게는 3.0 이상이다.Moreover, as mentioned later, when installing in an authentication device, it is preferable that the transmission axis of a polarizer and the main orientation axis of a film are parallel from a viewpoint of transmittance|permeability, furthermore, authentication property. Therefore, it is preferable that the direction of the main orientation axis of a film is constant in the MD direction and TD direction of a film. The method of making the orientation angle constant is not particularly limited, For example, by increasing the draw ratio in the MD direction or the TD direction compared to the other draw ratio, 100° C. in the main orientation axis direction and in the direction orthogonal to the main orientation axis It is mentioned that the ratio (maximum/minimum value) of the maximum value and minimum value of the thermal contraction rate at the time of processing for 30 minutes is more than a fixed value. Preferably, the ratio of the maximum value to the minimum value is 1.7 or more, more preferably 2.0 or more, still more preferably 3.0 or more.

필름의 두께로서는 3 내지 200㎛의 범위 내에 있는 것이 바람직하지만, 보다 바람직하게는 10 내지 150㎛의 범위 내이며, 특히 바람직하게는 20 내지 120㎛의 범위 내이다. 상기 범위 내로 함으로써, 가공 시에 필요한 강도를 담보하면서, 인증 디바이스 전체의 두께를 얇게 할 수 있다.Although it is preferable to exist in the range of 3-200 micrometers as thickness of a film, More preferably, it exists in the range of 10-150 micrometers, Especially preferably, it exists in the range of 20-120 micrometers. By setting it in the said range, the thickness of the whole authentication device can be made thin, ensuring the intensity|strength required at the time of a process.

또한, 필름의 주배향축과 상기 편광자의 투과축이 이루는 각도가 10°미만인 것이, 인증성의 저하를 억제하는 관점에서 바람직하다. 10°를 초과하는 경우에는, 인증성이 양호한 면 내 위상차의 범위가 좁아지고, 필름면 내에서의 면 내 위상차의 변동이 인증성의 저하로 이어지는 경우가 있다. 그런데, 필름 제막 시에는, 일본 특허 공개 제2010-240976호 공보에 기재된 보잉이라는 현상이 발생하기 때문에, 배향각이 인증성에 영향을 주지 않을 정도로 정렬되어 있는 범위는 한정되고, 배향각이 정렬되어 있지 않은 범위는 생산 손실이 된다. 본 발명의 필름 제막 조건에 있어서 세로 연신 배율을 3.5배 이하, 또는/또한 가로 연신 배율은 3.5배 이상으로 함으로써, 필름의 넓은 폭에 걸쳐 주배향축의 방향이 일정하게 가까워지기 때문에, 생산성의 관점에서 바람직하다. 세로 연신 배율을 3.2배 이하, 또는/또한 가로 연신 배율을 4배 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하고, 세로 연신 배율을 2.9배 이하, 또는/또한 가로 연신 배율을 4.5배 이상으로 하는 것이 특히 바람직하다. 그 밖에도, 다층 구조의 필름으로 함으로써 폭 방향의 배향각의 변화를 억제하기 쉬워지기 때문에 바람직하다.In addition, it is preferable that the angle between the main alignment axis of the film and the transmission axis of the polarizer is less than 10° from the viewpoint of suppressing the decrease in authenticity. When it exceeds 10 degrees, the range of the in-plane retardation with good authentication property narrows, and the fluctuation|variation of the in-plane retardation within a film plane may lead to the fall of authentication property. However, at the time of film formation, since the phenomenon of bowing described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-240976 occurs, the range in which the orientation angles are aligned to the extent that they do not affect the authenticity is limited, and the orientation angles are not aligned. A non-existent range is a production loss. In the film forming conditions of the present invention, by setting the longitudinal stretch ratio to 3.5 times or less, or/or the horizontal stretch ratio to 3.5 times or more, the direction of the main orientation axis becomes uniformly close over the wide width of the film, so from the viewpoint of productivity desirable. It is more preferable that the longitudinal stretch ratio be 3.2 times or less, and/or the transverse stretch ratio is 4 times or more, and it is particularly preferable that the longitudinal stretch ratio is 2.9 times or less, and/or the horizontal stretch ratio is 4.5 times or more. In addition, since it becomes easy to suppress the change of the orientation angle of the width direction by setting it as a film of a multilayer structure, it is preferable.

본 발명의 인증 디바이스에서 사용되는 상기 필름은 인증성의 불균일 저감의 관점에서, 필름면 내에서의 면 내 위상차의 불균일이 작은 쪽이 바람직하다. 불균일의 평가 방법으로서는 예를 들어, 필름면 내에 있어서 최대 길이를 나타내는 양단(A, B), 점 A, B를 연결하는 직선 AB와 직교하고, 또한 직선 AB의 중점을 통과하는 직선의 필름의 양단(C, D)의 합계 4점의 면 내 위상차를 측정하는 방법을 들 수 있다. 얻어진 4점의 면 내 위상차의 최댓값과 최솟값의 차가 200nm 이하인 것이 바람직하다. 상기 면 내 위상차의 차가 150nm 이하인 것이 더욱 바람직하고, 100nm 이하인 것이 특히 바람직하다. 면 내 위상차를 상기 범위 내로 하기 위해서는 특별히 방법은 한정되지 않지만, 필름 연신 시에 한번에 2.7배 이상 연신함으로써, 필름에 걸리는 응력을 전체적으로 안정시키는 것이 바람직하다.It is preferable that the said film used in the authentication device of this invention has a small nonuniformity of the in-plane retardation within a film plane from a viewpoint of nonuniformity reduction of an authentication property. As an evaluation method of non-uniformity, for example, both ends of a straight line film which is orthogonal to the straight line AB which connects the both ends (A, B) and the points A and B which show the maximum length in a film plane, and passes through the midpoint of the straight line AB. The method of measuring the in-plane phase difference of a total of 4 points|pieces of (C, D) is mentioned. It is preferable that the difference between the maximum and minimum of the obtained four points|pieces in-plane phase difference is 200 nm or less. It is more preferable that the difference of the said in-plane retardation is 150 nm or less, and it is especially preferable that it is 100 nm or less. Although the method is not specifically limited in order to make the in-plane retardation within the said range, It is preferable to stabilize the stress applied to a film as a whole by extending|stretching 2.7 times or more at a time at the time of film extending|stretching.

또한 내부의 편광자 및 광원의 열화를 방지하기 위해서, 필름은 자외선(여기서는 410nm 이하의 파장을 갖는 광으로 함)을 차폐하는 것이 바람직하다. 광원이 OLED 등 유기 재료에 의해 구성되어 있는 경우에는, 특히 자외선 차폐 효과가 요망된다. 410nm 이하의 광을 완전히 차단하는 것이 가장 바람직하지만, 예를 들어 파장 380nm의 광선 투과율을 5% 이하로 함으로써 내부의 편광자 및 광원의 열화를 방지하는 것이 가능해진다. 자외선을 차폐하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 다층 구조에 의해 자외광을 반사시키는 것이 바람직하다. 반사 파장의 설정은 일본 특허 공개 제2016-215643호에 기재되어 있는 바와 같이, 다층 적층 필름의 각 층의 층 두께에 의해 결정할 수 있다. 반사 이외에 자외선 흡수제를 사용, 또는 반사 설계와 병용해도 된다.In addition, in order to prevent deterioration of the internal polarizer and light source, it is preferable that the film shields ultraviolet rays (here, light having a wavelength of 410 nm or less). When a light source is comprised by organic materials, such as OLED, especially the ultraviolet-ray shielding effect is desired. Although it is most preferable to completely block the light of 410 nm or less, it becomes possible to prevent deterioration of the internal polarizer and a light source by making the light transmittance of wavelength 380 nm into 5 % or less, for example. Although the method of shielding an ultraviolet-ray is not specifically limited, It is preferable to reflect an ultraviolet light by a multilayer structure. The setting of the reflection wavelength can be determined by the layer thickness of each layer of the multilayer laminated film, as described in Japanese Patent Laid-Open No. 2016-215643. In addition to reflection, an ultraviolet absorber may be used or may be used in combination with a reflection design.

본 발명에서 이용할 수 있는 자외선 흡수제로서, 분자량이 300g/mol 이상인, 벤조트리아졸계, 벤조페논계, 벤조에이트계, 트리아진계의 것을 사용하는 것이 바람직하다. 자외선 흡수제는 이들 중 1종류를 선택해도 되고, 2종류 이상을 병용해도 된다. 분자량과 자외선 흡수제를 비롯한 첨가제의 승화성은 관련이 있고, 분자량이 큰 첨가제를 이용한 경우에는 승화가 일어나기 어렵다. 분자량은 400g/mol 이상이 보다 바람직하고, 500g/mol 이상이 더욱 바람직하다. 분자량이 높은 자외선 흡수제는 기본적인 방향족환 골격에 장쇄 알킬쇄가 부속되어 있는 것이 많고, 이들이 자외선 흡수제끼리의 스태킹을 저해하고, 수지 내에 있어서 결정화되어 헤이즈의 증가를 초래하는 등의 문제점을 발생하지 않게 되기 때문에 바람직하다.As the ultraviolet absorber usable in the present invention, it is preferable to use a benzotriazole-based, benzophenone-based, benzoate-based, or triazine-based UV absorber having a molecular weight of 300 g/mol or more. One type of a ultraviolet absorber may be selected from these, and may use 2 or more types together. The molecular weight and the sublimation properties of additives including the UV absorber are related, and when an additive having a large molecular weight is used, sublimation is difficult to occur. The molecular weight is more preferably 400 g/mol or more, and still more preferably 500 g/mol or more. UV absorbers with high molecular weight often have long-chain alkyl chains attached to the basic aromatic ring backbone, and they inhibit the stacking of UV absorbers, crystallize in the resin and cause haze to increase. It is preferable because

첨가할 수 있는 자외선 흡수제는, 벤조트리아졸계 자외선 흡수제로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 2-(2'-히드록시-5'-메틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2'-히드록시-3',5'-디제3부틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2'-히드록시-3'-제3부틸-5'-메틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2'-히드록시-5'-제3옥틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2'-히드록시-3',5'-디쿠밀페닐)벤조트리아졸, 2-(2'-히드록시-3'-제3부틸-5'-카르복시페닐)벤조트리아졸, 2,2'-메틸렌비스(4-제3옥틸-6-벤조트리아졸릴)페놀 등의 2-(2'-히드록시페닐)벤조트리아졸류 등을 들 수 있다.Although the ultraviolet absorber that can be added is not specifically limited as a benzotriazole type ultraviolet absorber, For example, 2-(2'-hydroxy-5'-methylphenyl) benzotriazole, 2-(2'-hydroxy-3) ',5'-ditert-butylphenyl)-5-chlorobenzotriazole, 2-(2'-hydroxy-3'-tertbutyl-5'-methylphenyl)-5-chlorobenzotriazole, 2-( 2'-hydroxy-5'-tertiary octylphenyl)benzotriazole, 2-(2'-hydroxy-3',5'-dicumylphenyl)benzotriazole, 2-(2'-hydroxy- 2-(2'-hydroxyphenyl) such as 3'-tert-butyl-5'-carboxyphenyl)benzotriazole and 2,2'-methylenebis(4-tert-octyl-6-benzotriazolyl)phenol Benzotriazoles, etc. are mentioned.

벤조페논계 자외선 흡수제로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 2,4-디히드록시벤조페논, 2-히드록시-4-메톡시벤조페논, 2-히드록시-4-옥톡시벤조페논, 5,5'-메틸렌비스(2-히드록시-4-메톡시벤조페논) 등의 2-히드록시벤조페논류를 들 수 있다.Although it does not specifically limit as a benzophenone type|system|group ultraviolet absorber, For example, 2, 4- dihydroxybenzophenone, 2-hydroxy-4- methoxybenzophenone, 2-hydroxy-4- octoxybenzophenone, 5, 2-hydroxybenzophenones, such as 5'- methylenebis(2-hydroxy-4- methoxybenzophenone), are mentioned.

벤조에이트계 자외선 흡수제로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 페닐살리실레이트, 레조르시놀모노벤조에이트, 2,4-디제3부틸페닐-3,5-디제3부틸-4-히드록시벤조에이트, 2,4-디제3아밀페닐-3,5-디제3부틸-4-히드록시벤조에이트, 헥사데실-3,5-디제3부틸-4-히드록시벤조에이트 등을 들 수 있다.Although it does not specifically limit as a benzoate-type ultraviolet absorber, For example, phenyl salicylate, resorcinol monobenzoate, 2, 4- di tert-butylphenyl-3, 5- di tert-butyl-4-hydroxybenzoate, 2,4-ditertiary amylphenyl-3,5-ditertiary butyl-4-hydroxybenzoate, hexadecyl-3,5-ditertiary butyl-4-hydroxybenzoate, etc. are mentioned.

트리아진계 자외선 흡수제로서는 특별히 한정되지 않지만, 2-(2-히드록시-4-옥톡시페닐)-4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-s-트리아진, 2-(2-히드록시-4-헥실옥시페닐)-4,6-디페닐-s-트리아진, 2-(2-히드록시-4-프로폭시-5-메틸페닐)-4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-s-트리아진, 2-(2-히드록시-4-헥실옥시페닐)-4,6-디비페닐-s-트리아진, 2,4-비스(2-히드록시-4-옥톡시페닐)-6-(2,4-디메틸페닐)-s-트리아진, 2,4,6-트리스(2-히드록시-4-옥톡시페닐)-s-트리아진, 2-(4-이소옥틸옥시카르보닐에톡시페닐)-4,6-디페닐-s-트리아진 등의 트리아릴트리아진류 등을 들 수 있다.Although it does not specifically limit as a triazine type ultraviolet absorber, 2-(2-hydroxy-4- octoxyphenyl)-4,6-bis(2,4-dimethylphenyl)-s-triazine, 2-(2-hydroxy Roxy-4-hexyloxyphenyl)-4,6-diphenyl-s-triazine, 2-(2-hydroxy-4-propoxy-5-methylphenyl)-4,6-bis(2,4-dimethyl Phenyl)-s-triazine, 2-(2-hydroxy-4-hexyloxyphenyl)-4,6-dibiphenyl-s-triazine, 2,4-bis(2-hydroxy-4-octoxy) Phenyl)-6-(2,4-dimethylphenyl)-s-triazine, 2,4,6-tris(2-hydroxy-4-octoxyphenyl)-s-triazine, 2-(4-iso and triaryl triazines such as octyloxycarbonylethoxyphenyl)-4,6-diphenyl-s-triazine.

기타 자외선 흡수제로서 살리실산계에서는, 예를 들어 페닐살리실레이트, t-부틸페닐살리실레이트, p-옥틸페닐살리실레이트 등, 그 밖에는 천연물계(예를 들어, 오리자놀, 시아버터, 바이칼린 등), 생체계(예를 들어, 각질 세포, 멜라닌, 우로카닌 등) 등도 이용할 수 있다. 이들 자외선 흡수제에는 안정제로서 힌더드 아민계 화합물도 병용할 수 있다. 무기계의 자외선 흡수제는 베이스가 되는 수지와 상용되지 않아 헤이즈의 상승으로 이어지고, 인증 디바이스에 화상 표시하였을 때의 시인성을 악화시키기 때문에 바람직하지 않다.As other ultraviolet absorbers, salicylic acid-based agents include, for example, phenyl salicylate, t-butylphenyl salicylate, p-octylphenyl salicylate, and other natural products (eg, oryzanol, shea butter, baicalin, etc.). ), biological systems (eg, keratinocytes, melanin, urocanin, etc.) can also be used. A hindered amine compound can also be used together with these ultraviolet absorbers as a stabilizer. The inorganic ultraviolet absorber is not compatible with the base resin, leading to a rise in haze, and is undesirable because it deteriorates visibility when an image is displayed on an authentication device.

자외선 흡수제를 이용하는 경우, 본 발명의 바람직한 양태인 적층한 2축 배향 필름의 최외층을 포함하는 A층 혹은 내층인 B층 혹은 그의 양쪽에 첨가해도 된다. 그 중에서도, B층에만 자외선 흡수제를 함유하는 것이 가장 바람직하다. 최외층에 자외선 흡수제를 첨가하면, 첨가한 자외선 흡수제가 필름 표면에 석출되는 현상, 및 그것이 휘산되는 현상이 발생하기 쉬워지고, 이에 의해 필름 제막기가 오염되고, 석출물이 가공 공정에 있어서 악영향을 미치기 때문에 바람직하지 않은 것이다. 내층에만 첨가함으로써, 최외층이 자외선 흡수제의 휘산을 방지하는 덮개로서의 역할을 하기 때문에, 석출 현상이 일어나기 어려워져 바람직한 것이다.When using a ultraviolet absorber, you may add to A-layer containing the outermost layer of the laminated|stacked biaxially oriented film which is a preferable aspect of this invention, or B-layer which is an inner layer, or both. Especially, it is most preferable to contain a ultraviolet absorber only in B-layer. When an ultraviolet absorber is added to the outermost layer, a phenomenon in which the added ultraviolet absorber is precipitated on the film surface and a phenomenon in which it is volatilized easily occur, thereby contaminating the film forming machine, and the precipitate exerts a bad influence on the processing process That's why it's undesirable. By adding it only to the inner layer, since the outermost layer serves as a cover for preventing volatilization of the ultraviolet absorber, it is preferable because the precipitation phenomenon does not occur easily.

필름 표면에 내흠집 발생성 등의 기능성을 부여하는 코팅을 실시해도 된다. 코팅 방법으로서는 경화성 수지를 주성분으로 하고, 멜라민·옥사졸린 등의 가교제를 첨가하고, 자외광에 의해 경화시키는 방법을 사용할 수 있다.You may apply the coating which provides functionality, such as scratch resistance, to the film surface. As a coating method, the method of having curable resin as a main component, adding crosslinking agents, such as a melamine oxazoline, and hardening by ultraviolet light can be used.

경화성 수지로서는 고투명이며 내구성이 있는 것이 바람직하고, 예를 들어 아크릴 수지, 우레탄 수지, 불소계 수지, 실리콘 수지, 폴리카르보네이트계 수지, 염화비닐계 수지를 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 특히, 경화성이나 가요성, 생산성의 점에 있어서, 경화성 수지는 폴리아크릴레이트 수지로 대표되는 아크릴 수지 등의 활성 에너지선 경화형 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 곡면 추종성이 요구되는 부위에 적용하는 필름에 요구되는 절곡 시의 내찰상성을 부가하는 경우, 경화성 수지는 열경화성 우레탄 수지를 포함하는 것이 바람직하다.The curable resin is preferably highly transparent and durable. For example, an acrylic resin, a urethane resin, a fluorine-based resin, a silicone resin, a polycarbonate-based resin, or a vinyl chloride-based resin can be used alone or in combination. In particular, it is preferable that curable resin contains active energy ray-curable resin, such as an acrylic resin typified by polyacrylate resin, from the point of sclerosis|hardenability, flexibility, and productivity. In addition, when adding abrasion resistance at the time of bending required to a film applied to a site requiring curved followability, the curable resin preferably includes a thermosetting urethane resin.

또한 인증 디바이스가 예를 들어 표피에 존재하는 멜라닌 색소의 분포 패턴을 인식 대상으로 하는 경우에는, 멜라닌 색소가 자외선으로부터 청색광을 강하게 흡수하기 때문에, 광원 파장이 청색광(최대 피크의 파장이 415nm 이상 495nm 이하)이며, 필름의 면 내 위상차가 광원 파장의 정수배로부터 ±120nm의 범위인 것, 즉 하기 (V)식을 만족하는 정수 n이 존재하는 것이 명료한 패턴을 얻을 수 있는 점에서 바람직하다. 광원 파장이 415nm보다 짧은 경우에는, 자외선에 의한 광원의 열화나 멜라닌 색소 이외에 의한 흡수도 커지는 것에 의한 오인증이 문제가 되는 경우가 있다.In addition, when the authentication device targets the distribution pattern of the melanin pigment present in the epidermis, for example, since the melanin pigment strongly absorbs blue light from ultraviolet light, the light source wavelength is blue light (the wavelength of the maximum peak is 415 nm or more and 495 nm or less) ), and that the in-plane retardation of the film is in the range of ±120 nm from an integer multiple of the wavelength of the light source, that is, the presence of an integer n satisfying the following formula (V) is preferable from the viewpoint of obtaining a clear pattern. When the wavelength of the light source is shorter than 415 nm, there is a case where the deterioration of the light source due to ultraviolet rays or the misrecognition due to the increase in absorption by other than melanin pigment becomes a problem.

(V) A×n-120≤Re≤A×n+120, 또한 415≤A≤495.(V) Axn-120≤Re≤Axn+120, and 415≤A≤495.

또한, 예를 들어 정맥 인증과 같이 헤모글로빈의 분포 패턴을 인식 대상으로 하는 경우에는, 헤모글로빈이 적외선 영역에 강한 흡수 피크를 갖기 때문에, 광원 파장이 적외선 영역(최대 피크의 파장이 800nm 이상 1200nm 이하)이며, 필름의 면 내 위상차가 광원 파장의 정수배로부터 ±150nm의 범위인 것, 즉 하기 (VIII)식을 만족하는 정수 n이 존재하는 것이 명료한 패턴을 얻을 수 있는 점에서 바람직하다. 또한, 망막, 홍채, 얼굴 인증 등의 경우에도 인증 대상자가 광을 직접 보게 되기 때문에, 인증 대상자의 불쾌감을 완화시킬 수 있는 점에서 적외선을 사용하는 것이 바람직하는 경우가 있다.In addition, when the distribution pattern of hemoglobin is to be recognized, for example, as in vein authentication, since hemoglobin has a strong absorption peak in the infrared region, the wavelength of the light source is in the infrared region (the wavelength of the maximum peak is 800 nm or more and 1200 nm or less). , that the in-plane retardation of the film is in the range of ±150 nm from an integer multiple of the wavelength of the light source, that is, the presence of an integer n satisfying the following formula (VIII) is preferable from the viewpoint of obtaining a clear pattern. In addition, in the case of retina, iris, face authentication, etc., since the authentication target directly sees the light, it is sometimes preferable to use infrared rays from the viewpoint of alleviating the discomfort of the authentication target.

(VIII) A×n-150≤Re≤A×n+150, 또한 800≤A≤1200.(VIII) Axn-150≤Re≤Axn+150, and also 800≤A≤1200.

마찬가지로 인증 대상의 색이나 의장성 등에 의해 광원 파장이 녹색(최대 피크의 파장이 495nm 이상 570nm 이하), 즉 하기 (VI)식을 만족하는 정수 n이 존재하는 것이 바람직한 경우가 있다. 또한 황색 내지 적색(최대 피크의 파장이 570nm 이상 800nm 이하), 즉 하기 (VII)식을 만족하는 정수 n이 존재하는 것이 바람직하는 경우가 있다.Similarly, in some cases, it is preferable that the wavelength of the light source is green (the wavelength of the maximum peak is 495 nm or more and 570 nm or less), ie, an integer n satisfying the following formula (VI) is present due to the color or designability of the object to be authenticated. In addition, it is sometimes preferable that there is an integer n that satisfies the following formula (VII), that is, yellow to red (the wavelength of the maximum peak is 570 nm or more and 800 nm or less).

(VI) A×n-100≤Re≤A×n+100, 또한 495≤A≤570.(VI) A×n-100≦Re≦A×n+100, and also 495≦A≦570.

(VII) A×n-120≤Re≤A×n+120, 또한 570≤A≤800.(VII) Axn-120≤Re≤Axn+120, and 570≤A≤800.

또한 상기 파장을 복수 조합하는 것도 인증 정밀도의 향상을 위해 유효하지만, 본 발명의 효과를 얻기 위해서는, 필름의 면 내 위상차를 사용하고 있는 각 광원 파장의 대략 공배수로 하는 것, 혹은 각 광원에 대하여 다른 면 내 위상차의 필름을 사용하는 것이 바람직하다.Combining a plurality of the above wavelengths is also effective for improving the authentication accuracy, but in order to obtain the effect of the present invention, the in-plane retardation of the film is made to be approximately a common multiple of the wavelengths of each light source used, or different for each light source. It is preferable to use a film of in-plane retardation.

본 발명의 인증 디바이스에 있어서의 인증 가능한 영역의 면적은 특별히 한정되는 것은 아니며, 인증 대상물이나 용도에 따라 적절히 조절된다. 본 발명의 인증 디바이스는 균일한 면 내 위상차 및 주배향축을 갖는 필름을 사용하고 있기 때문에, 인증 가능한 영역의 면적을 크게 취할 수 있다. 즉, 본 발명의 인증 디바이스는 인증 가능한 영역의 면적이 100cm2 이상, 나아가 225cm2 이상, 나아가 400cm2 이상인 디바이스에 적합하게 사용할 수 있다.The area of the region that can be authenticated in the authentication device of the present invention is not particularly limited, and is appropriately adjusted according to the object to be authenticated or the use. Since the authentication device of the present invention uses a film having a uniform in-plane retardation and a main orientation axis, the area of a region that can be authenticated can be large. That is, the authentication device of the present invention can be suitably used for a device, the area of certifiable area than 100cm 2 or more, further 225cm 2 or more, and even 400cm 2.

본 발명의 인증 디바이스는 상기한 바와 같이, 다양한 인증 대상물을 고정밀도로 인식할 수 있기 때문에, 지문, 홍채, 얼굴, 수형(手形), 체형, 정맥 중 적어도 1종을 인증의 대상으로 하는 인증 디바이스에 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 인증 디바이스는 편광자의 투과축과 필름의 주배향축이 이루는 각이 커도 인증 정밀도를 양호하게 할 수 있기 때문에, 수율을 저감시킬 수 있다.As described above, the authentication device of the present invention is capable of recognizing various authentication objects with high precision, so that at least one of a fingerprint, an iris, a face, a hand shape, a body shape, and a vein is used as an authentication device for authentication. can be used appropriately. Moreover, since the authentication device of this invention can make the authentication precision favorable even if the angle which the transmission axis of a polarizer and the main orientation axis of a film make is large, a yield can be reduced.

[특성의 평가 방법][Method for evaluating characteristics]

필름의 평가evaluation of the film

A. 면 내 위상차(Re) 및 면 내 위상차의 차(Δ위상차)A. Difference between in-plane phase difference (Re) and in-plane phase difference (Δphase difference)

오지 게이소꾸 기끼(주)제, 「KOBRA-21ADH」를 사용하고, 입사각 0°에 있어서의 파장 587.8nm의 면 내 위상차 및 지상축을 측정하였다. 지상축의 방향을 주배향축으로 하였다. 샘플은 필름으로부터 장소를 옮겨서 5군데×4cm×4cm로 잘라내고, 각각 측정한 평균값을 사용하였다.The in-plane phase difference and slow axis of the wavelength 587.8nm in 0 degree of incidence angle were measured using the Oji Scientific Instruments Co., Ltd. product, "KOBRA-21ADH". The direction of the slow axis was set as the main orientation axis. The sample was moved from the film, cut out to 5 places x 4 cm x 4 cm, and the average value measured was used for each.

면 내 위상차의 불균일은 필름면 내에 있어서 최대 길이를 나타내는 양단(A, B), 점 A, B를 연결하는 직선 AB와 직교하고, 또한 직선 AB의 중점을 통과하는 직선의 필름의 양단(C, D)의 합계 4점의 면 내 위상차를 측정하고, 최댓값과 최솟값의 차를 사용하였다.The non-uniformity of the in-plane retardation is orthogonal to the straight line AB connecting the both ends (A, B) and the points A and B indicating the maximum length in the film plane, and the both ends of the straight film (C, The in-plane phase difference of a total of 4 points|pieces of D) was measured, and the difference between a maximum value and a minimum value was used.

B. PT(45) 및 PT(0)B. PT(45) and PT(0)

(1) 인증 디바이스에 사용되고 있는 편광자, 또는 사용되고 있는 편광자와 동등한 편광도를 갖는 편광자(TS 와이어 그리드 편광 필름(에드몬드 옵티쿠스 재팬(주)제))를 2매로 커트하고, 2매의 편광자의 면이 50W 텅스텐 램프를 광원으로 한 분광 광도계의 광축에 수직이 되도록, 또한 2매의 편광자의 투과축끼리가 평행이 되도록 배치하고, 광원 소등 상태와 광원 점등 상태에서의 백그라운드 측정을 행한다. 광원 소등 상태에서 측정된 투과광량을 PT(D), 광원 점등 상태에서 측정된 투과광량을 PT(L)로 한다.(1) A polarizer used in the authentication device or a polarizer having a polarization degree equivalent to the polarizer being used (TS wire grid polarizing film (Edmund Opticus Japan Co., Ltd.)) is cut into two sheets, and the surfaces of the two polarizers are The 50W tungsten lamp is arranged so as to be perpendicular to the optical axis of the spectrophotometer as the light source and the transmission axes of the two polarizers are parallel to each other, and background measurement is performed in the light source off state and the light source on state. Let PT(D) be the amount of transmitted light measured when the light source is turned off, and PT(L) be the amount of transmitted light measured when the light source is on.

(2) 2매의 편광자 사이에 상기 필름을 필름의 면이 분광 광도계의 광축에 수직이 되도록 배치한다.(2) The film is placed between two polarizers so that the surface of the film is perpendicular to the optical axis of the spectrophotometer.

(3) 상기 필름만을 분광 광도계의 광축에 수직인 면 내에서 회전시키면서, 상기 광원으로부터 출사하는 광선의 가장 강한 강도를 갖는 파장에 있어서의 투과광량의 측정을 행한다. 2매의 편광자의 투과축과 상기 필름의 주배향축이 이루는 각이 0°일 때의 투과광량을 PT'(0), 45°일 때의 투과광량을 PT'(45)로 한다.(3) While rotating only the film in a plane perpendicular to the optical axis of the spectrophotometer, the amount of transmitted light at a wavelength having the strongest intensity of light emitted from the light source is measured. When the angle between the transmission axes of the two polarizers and the main alignment axis of the film is 0°, the transmitted light amount is PT′(0), and the transmitted light amount when 45° is 45° is PT′(45).

(4) 하기 식으로부터 PT(0), PT(45)를 얻는다.(4) PT(0) and PT(45) are obtained from the following equations.

PT(0)=(PT'(0)-PT(D))/(PT(L)-PT(D))PT(0)=(PT'(0)-PT(D))/(PT(L)-PT(D))

PT(45)=(PT'(45)-PT(D))/(PT(L)-PT(D))PT(45)=(PT'(45)-PT(D))/(PT(L)-PT(D))

C. 광원 광선 투과율 및 380nm 투과율C. Light source light transmittance and 380nm transmittance

(주)히타치 하이테크놀러지즈제 분광 광도계(U-4100 Spectrophotometer)를 사용하여 입사 각도=0°에 있어서의 투과율을 측정하였다.The transmittance|permeability in incident angle = 0 degree was measured using the Hitachi High-Technologies Co., Ltd. product spectrophotometer (U-4100 Spectrophotometer).

측정 조건: 슬릿은 2nm로 하고, 게인은 2로 설정하고, 주사 속도를 600nm/분으로 하였다. 샘플은 필름으로부터 장소를 옮겨서 5군데×4cm×4cm로 잘라내어 각각 측정한 평균값을 사용하였다.Measurement conditions: The slit was set to 2 nm, the gain was set to 2, and the scanning speed was 600 nm/min. The sample was moved from the film, cut out to 5 places x 4 cm x 4 cm, and the average value measured for each was used.

적분구의 반사판은 산화알루미늄을 사용하고 있으며, 측광 방식은 더블빔 직접 비율 측광 방식, 분광기는 프리즘, 그레이팅·그레이팅형 더블 모노크롬을 사용하였다.The reflector of the integrating sphere uses aluminum oxide, the light metering method is a double beam direct ratio metering method, and the spectrometer uses a prism and grating/grating type double monochrome.

광원 광선 투과율이란, 인증 디바이스의 광원으로부터 출사하는 광선의 가장 강한 강도를 갖는 파장에 있어서의 투과율을 나타낸다.The light source light transmittance indicates transmittance at a wavelength having the strongest intensity of light emitted from the light source of the authentication device.

D. 파단점 신도D. Elongation at break

필름을 샘플 폭 중앙부로부터 10mm폭×150mm폭으로 잘라내었다. 디지털식 마이크로미터(마츠오 산교제 HKT-1208), 인장 시험기(RTG1210)를 사용하여, JIS-C-2151, ASTM-D-882에 준하여 측정을 행하였다. 주배향축 방향으로 척으로 파지하고, 속도 200mm/min으로 인장하고, 시료가 절단(파단)되었을 때의 강도(인장 하중값을 시험편의 단면적으로 나눈 값), 및 신율을 구하였다. 인장 신율은 다음 식에 의해 산출하였다.The film was cut out to 10 mm width x 150 mm width from the center part of the sample width. Measurement was performed according to JIS-C-2151 and ASTM-D-882 using a digital micrometer (HKT-1208 manufactured by Matsuo Sangyo) and a tensile tester (RTG1210). The strength (the value of the tensile load divided by the cross-sectional area of the test piece) and the elongation when gripped with a chuck in the direction of the main orientation axis, tensioned at a speed of 200 mm/min, and the sample was cut (broken), and elongation were determined. The tensile elongation was calculated by the following formula.

인장 신율(%)=100×(L-Lo)/LoTensile elongation (%) = 100 × (L-Lo)/Lo

Lo: 시험 전의 시료 길이 L: 파단 시의 시료 길이Lo: sample length before test L: sample length at break

측정은 5회 행하고, 그의 평균값을 사용하였다. 마찬가지로 하여, 주배향축과 직교하는 방향의 파단점 신도도 측정하였다. 측정은 25℃로 유지된 방에서 행하였다.The measurement was performed 5 times, and the average value was used. Similarly, the elongation at break in the direction orthogonal to the main orientation axis was also measured. The measurement was performed in a room maintained at 25°C.

E. 광원 파장 및 광원 반값폭E. Light source wavelength and light source half width

하마마츠 포토닉스제 미니 분광 광도기(C10083MD, C9914GB)에 NA0.22의 광 파이버를 설치하고, 광원의 광을 계측하였다. 320nm 이상 1500nm 이하의 범위에서 가장 높은 강도를 갖는 파장을 광원 파장, 광원 파장의 피크의 강도의 1/2의 강도에 있어서의 피크의 폭을 반값폭으로 한다.An optical fiber of NA0.22 was installed in a mini spectrophotometer (C10083MD, C9914GB) manufactured by Hamamatsu Photonics, and the light from the light source was measured. The wavelength having the highest intensity in the range of 320 nm or more and 1500 nm or less is the wavelength of the light source, and the width of the peak at half the intensity of the peak of the wavelength of the light source is the half width.

F. 두께F. Thickness

디지털식 마이크로미터(마츠오 산교제 HKT-1208)를 사용하여, JIS-C-2151에 준하여 필름 중앙 부분을 측정하였다. 측정은 3회 행하고, 그의 평균값을 사용하였다.Using a digital micrometer (HKT-1208 manufactured by Matsuo Sangyo), the film center portion was measured according to JIS-C-2151. The measurement was performed 3 times, and the average value was used.

인증 디바이스의 평가Evaluation of authentication devices

G. 인증성G. Authenticity

23℃ 65RH%의 환경에서, 인증 대상물 α를 등록한다. 실시예 10의 경우에는 홍채, 그 이외의 경우에는 지문을 인증 대상물로 한다. 그 후, 인증 대상물 α와 등록되지 않은 인증 대상물 β를 교호로 200회씩 인증 디바이스에 인식시킨다. 인식시키는 시간은 2초씩으로 한다. α를 거부하는 확률(본인 거부율: FRR), β를 받아들이는 확률(타인 수납률: FAR)로부터 이하와 같이 평가한다. A를 양호, B를 가능, C, D를 부적당으로 하였다.In an environment of 23°C and 65RH%, the object to be authenticated α is registered. In the case of Example 10, the iris, and in other cases, the fingerprint is the object of authentication. After that, the authentication device is made to recognize the authentication object α and the unregistered authentication object β alternately 200 times. The recognition time is set to 2 seconds each. The probability of rejecting α (self rejection rate: FRR) and the probability of accepting β (other person acceptance rate: FAR) are evaluated as follows. A is good, B is possible, and C and D are unsuitable.

A: FRR≤1.0%, FAR≤0.5%A: FRR≤1.0%, FAR≤0.5%

B: 1.0%<FRR≤3.0%, FAR≤0.5%B: 1.0%<FRR≤3.0%, FAR≤0.5%

C: 3.0%<FRR≤5.0% 혹은/또한 0.5%<FAR≤1.0%C: 3.0%<FRR≤5.0% or/or 0.5%<FAR≤1.0%

D: 5.0%<FRR 혹은 1.0%<FAR.D: 5.0%<FRR or 1.0%<FAR.

H. 광원 내구성H. Light source durability

인증 디바이스를 23℃ 65RH% 분위기 하에서 광원 점등 상태를 1000h 유지하고, 시험 전후에서의 인증 성능의 변화를 평가하였다. 판정 기준은 이하와 같다. 단, ΔFRR, ΔFAR은 각각 시험 후의 FRR, FAR로부터 시험 전의 FRR, FAR을 뺀 값을 나타낸다.The authentication device was maintained in the light source lighting state for 1000 hours in 23 degreeC 65RH% atmosphere, and the change of the authentication performance before and behind a test was evaluated. The judgment criteria are as follows. However, ΔFRR and ΔFAR represent values obtained by subtracting FRR and FAR before the test from the FRR and FAR after the test, respectively.

A: ΔFRR=0, 또한 ΔFAR=0.A: ΔFRR=0, also ΔFAR=0.

B: 「0<ΔFRR≤1.0, 또한 0<ΔFAR≤0.5」B: "0<ΔFRR≤1.0, and 0<ΔFAR≤0.5"

C: 「1.0<ΔFRR≤2.0, 또한 0<ΔFAR≤0.5」, 「0<ΔFRR≤1.0, 또한 0.5<ΔFAR≤1.5」 또는 「1.0<ΔFRR≤2.0, 또한 0.5<ΔFAR≤1.5」C: "1.0<ΔFRR≤2.0, further 0<ΔFAR≤0.5", "0<ΔFRR≤1.0, further 0.5<ΔFAR≤1.5" or "1.0<ΔFRR≤2.0, further 0.5<ΔFAR≤1.5"

D: A, B, C 중 어느 것에도 해당하지 않는다.D: It does not correspond to any of A, B, or C.

I. 충격 내구성I. Impact resistance

필름 임팩트 테스터(도요 세이키 세이사쿠쇼제)에 의해, 직경 1/2인치의 반구상 충격 헤드를 사용하여, 온도 23℃, 습도 65%RH의 분위기 하에서 임팩트값의 측정을 행하였다. 측정은 1 샘플에 대하여 5회 행하였다. 또한, 1회마다의 임팩트값을 측정 샘플에 부속된 필름 두께로 나누어, 단위 두께당 임팩트값으로 하고, 5회의 측정의 평균값으로부터 구하였다. 측정값으로부터 하기와 같이 평가하였다.The impact value was measured by a film impact tester (manufactured by Toyo Seiki Seisakusho) in an atmosphere of a temperature of 23°C and a humidity of 65% RH using a hemispherical impact head having a diameter of 1/2 inch. The measurement was performed 5 times with respect to 1 sample. In addition, the impact value for every time was divided by the film thickness attached to the measurement sample, it was set as the impact value per unit thickness, and it calculated|required from the average value of 5 measurements. From the measured values, it was evaluated as follows.

A: 1.0N·m/mm 이상A: 1.0N·m/mm or more

B: 0.5N·m/mm 이상 1.0N·m/mm 미만B: 0.5 N·m/mm or more and less than 1.0 N·m/mm

C: 0.5N·m/mm 미만.C: Less than 0.5 N·m/mm.

J: 열수축률J: heat shrinkage

필름의 MD 방향 및 TD 방향 각각에 대하여, 폭 10mm, 길이 200mm(측정 방향)의 시료를 5개 잘라내고, 양단으로부터 25mm의 위치에 표선으로서 표시를 붙이고, 만능 투영기로 표선간의 거리를 측정하여 시험편 길이(10)로 한다. 이어서, 시험편을 종이에 끼워넣어 하중 제로의 상태에서 100℃로 보온된 오븐 내에서 30분 가열 후에 취출하여, 실온에서 냉각 후, 치수(11)를 만능 투영기로 측정하여 하기 식으로 구하고, 5개의 평균값을 열수축률로 하였다.For each of the MD and TD directions of the film, 5 samples with a width of 10 mm and a length of 200 mm (measurement direction) were cut out, marked as marked lines at 25 mm from both ends, and the distance between the marked lines was measured with a universal projector, and the test piece Let it be length (10). Next, the test piece is inserted into paper and taken out after heating for 30 minutes in an oven kept at 100° C. in a state of zero load, and after cooling at room temperature, the dimension 11 is measured with a universal projector to obtain the following equation, The average value was made into thermal contraction rate.

열수축률={(10-11)/10}×100(%)Thermal shrinkage = {(10-11)/10} × 100 (%)

실시예Example

이하, 본 발명에 대하여 실시예를 들어 설명하지만, 본 발명이 반드시 이들에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although an Example is given and demonstrated about this invention, this invention is not necessarily limited to these.

(실시예 1)(Example 1)

광원 및 광 감도 센서는 Synaptics제 ClearID FS9500(광원 파장 525nm, 광원 반값폭 30nm)을 사용하였다.As the light source and the light sensitivity sensor, ClearID FS9500 made by Synaptics (light source wavelength 525 nm, light source half width 30 nm) was used.

편광자는 편광도 80% 이상의 일반적인 편광 필름으로서 쿠라레제 VF-PS#7500을 사용하였다. 필름은 이하의 방법으로 제작하였다.As the polarizer, VF-PS#7500 made by Kuraray was used as a general polarizing film having a polarization degree of 80% or more. The film was produced by the following method.

(필름 제작에 사용한 수지)(resin used to make the film)

수지 A: 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)(고유 점도: 0.65)Resin A: polyethylene terephthalate (PET) (intrinsic viscosity: 0.65)

수지 B: 디올 성분 전체에 대하여 스피로글리콜 25mol%, 디카르복실산 성분 전체에 대하여 시클로헥산디카르복실산 30mol%를 공중합한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET/SPG/CHDC)(고유 점도: 0.72)Resin B: Polyethylene terephthalate (PET/SPG/CHDC) copolymerized with 25 mol% of spiroglycol with respect to the entire diol component and 30 mol% of cyclohexanedicarboxylic acid with respect to the entire dicarboxylic acid component (intrinsic viscosity: 0.72)

수지 C: 수지 B(90중량%)와 자외선 흡수제인 2,2'-메틸렌비스[6-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀](10중량%)을 압출기를 사용하여 혼합하고, 펠릿화하였다.Resin C: Resin B (90% by weight) and 2,2'-methylenebis[6-(2H-benzotriazol-2-yl)-4-(1,1,3,3-tetramethylbutyl as an ultraviolet absorber) ) phenol] (10% by weight) was mixed using an extruder and pelletized.

수지 D: 수지 A(90중량%)와 자외선 흡수제인 2,2'-메틸렌비스[6-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀](10중량%)을 압출기를 사용하여 혼합하고, 펠릿화하였다.Resin D: Resin A (90% by weight) and 2,2'-methylenebis[6-(2H-benzotriazol-2-yl)-4-(1,1,3,3-tetramethylbutyl as an ultraviolet absorber) ) phenol] (10% by weight) was mixed using an extruder and pelletized.

수지 E: 평균 입경 0.70㎛의 디비닐벤젠/스티렌 공중합체 입자를 0.8중량%와 평균 2차 입경 0.08㎛의 응집 알루미나 입자를 1.5중량% 함유한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)(고유 점도: 0.65).Resin E: Polyethylene terephthalate (PET) containing 0.8% by weight of divinylbenzene/styrene copolymer particles having an average particle diameter of 0.70 μm and 1.5% by weight of aggregated alumina particles having an average secondary particle diameter of 0.08 μm (intrinsic viscosity: 0.65).

(필름의 제작)(production of film)

A층을 구성하는 수지로서 수지 A, B층을 구성하는 수지로서 수지 C를 사용하였다. 또한, 이 수지 C의 고유 점도는 0.72인 비정질성 수지이며, 필름화한 후의 면 내 평균 굴절률은 1.55였다. 열가소성 수지 A 및 열가소성 수지 C를 각각 압출기로 280℃에서 용융시키고, FSS 타입의 리프 디스크 필터를 5매 개재한 후, 기어 펌프로 토출비(적층비)가 수지 A/수지 C=1.5/1이 되고, 또한 2축 연신 후의 필름 두께가 35㎛가 되도록 계량하면서, 201층 피드 블록(A층이 101층, B층이 100층)으로 교호로 합류시켰다. 이어서 T 다이에 공급하고, 시트상으로 성형한 후, 와이어로 8kV의 정전 인가 전압을 가하면서, 표면 온도 25℃로 유지된 캐스팅 드럼 상에서 급랭 고화하여, 미연신 다층 적층 필름을 얻었다. 이 미연신 필름에 축차 2축 연신을 실시하였다. 먼저 105℃에서 테플론(등록 상표) 롤로 반송한 후에, 길이 방향으로 출력을 500W로 한 적외선 히터로 가열하면서, 95℃에서 2.8배 연신하여 1축 연신 필름을 얻었다. 이 1축 연신 필름을 텐터 내에서 폭 방향으로 100℃에서 4.5배 연신하고, 계속해서 220℃에서 열고정하고, 그 때 폭 방향으로 1.7% 이완하여 반송 공정에서 냉각시킨 후, 에지를 절단 후에 권취하여 필름을 얻었다. 얻어진 필름의 물성을 표 1 및 표 3에 나타낸다.Resin A was used as the resin constituting the layer A, and the resin C was used as the resin constituting the layer B. In addition, the intrinsic viscosity of this resin C was an amorphous resin of 0.72, and the in-plane average refractive index after film-forming was 1.55. Thermoplastic resin A and thermoplastic resin C were melted at 280°C with an extruder, respectively, and 5 FSS type leaf disc filters were interposed, and then the discharge ratio (stacking ratio) was resin A/resin C=1.5/1 with a gear pump. and, while measuring so that the film thickness after biaxial stretching might be set to 35 micrometers, it was made to join alternately with a 201 layer feed block (A layer 101 layers, B layer 100 layers). Then, it was supplied to a T-die, molded into a sheet, and then quenched and solidified on a casting drum maintained at a surface temperature of 25° C. while applying an electrostatic applied voltage of 8 kV with a wire to obtain an unstretched multilayer laminated film. This unstretched film was sequentially biaxially stretched. First, after conveying with a Teflon (trademark) roll at 105 degreeC, it extended|stretched 2.8 times at 95 degreeC, heating with the infrared heater which made the output 500W in the longitudinal direction, and obtained the uniaxially stretched film. This uniaxially stretched film is stretched 4.5 times at 100° C. in the width direction in a tenter, and then heat-set at 220° C., then relaxes 1.7% in the width direction at that time, is cooled in the conveying step, and the edge is wound after cutting. got a film. The physical properties of the obtained film are shown in Tables 1 and 3.

(인증 디바이스의 제작)(Production of authentication device)

ClearID(광원, 광 감도 센서), 편광자, 필름의 순으로 광학용 투명 점착제(OCA: Optically Clear Adhesive)를 사용하여 접착하고, 인증 디바이스를 얻었다. 그 때, 필름의 주배향축이 편광자의 투과축과 평행이 되도록 배치하였다. 인증 디바이스의 인증 가능 면적은 1cm2로 하였다. 얻어진 인증 디바이스의 특성을 표 2 및 표 4에 나타낸다. 우수한 인증성과 내구성을 갖는 인증 디바이스가 얻어졌다.ClearID (light source, photosensitive sensor), a polarizer, and a film were adhered using an optically clear adhesive (OCA: Optically Clear Adhesive) in this order to obtain an authentication device. At that time, it arrange|positioned so that the main orientation axis of a film may become parallel with the transmission axis of a polarizer. The authenticable area of the authentication device was 1 cm 2 . Tables 2 and 4 show the characteristics of the obtained authentication device. An authentication device having excellent authentication properties and durability was obtained.

(실시예 2)(Example 2)

디바이스에 첩부되는 필름의 주배향축을 편광자의 투과축에 대하여 45°로 한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 인증 디바이스를 얻었다. 표 2에 나타낸 바와 같이, 우수한 인증성과 내구성을 갖는 인증 디바이스가 얻어졌다.An authentication device was obtained in the same manner as in Example 1 except that the main orientation axis of the film affixed on the device was 45° with respect to the transmission axis of the polarizer. As shown in Table 2, an authentication device having excellent authentication properties and durability was obtained.

(실시예 3)(Example 3)

폭 방향의 연신 배율을 5.5배로 하는 것 이외에는 실시예 2와 마찬가지로 하여 필름, 및 인증 디바이스를 얻었다. 우수한 인증성과 내구성을 갖는 인증 디바이스가 얻어졌다.Except having made the draw ratio of the width direction into 5.5 times, it carried out similarly to Example 2, and obtained the film and the authentication device. An authentication device having excellent authentication properties and durability was obtained.

(실시예 4)(Example 4)

길이 방향의 연신 배율을 3.0배로 하는 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 필름, 및 인증 디바이스를 얻었다. 우수한 인증성과 내구성을 갖는 인증 디바이스가 얻어졌다.A film and an authentication device were obtained in the same manner as in Example 1 except that the draw ratio in the longitudinal direction was set to 3.0. An authentication device having excellent authentication properties and durability was obtained.

(실시예 5)(Example 5)

필름의 주배향축을 편광자의 투과축에 대하여 10°로 한 것 이외에는 실시예 4와 마찬가지로 하여 인증 디바이스를 얻었다. 양호한 인증성과 우수한 내구성을 갖는 인증 디바이스가 얻어졌다.An authentication device was obtained in the same manner as in Example 4 except that the main orientation axis of the film was set to 10° with respect to the transmission axis of the polarizer. An authentication device having good authentication properties and excellent durability was obtained.

(실시예 6)(Example 6)

필름의 주배향축을 편광자의 투과축에 대하여 45°로 한 것 이외에는 실시예 4와 마찬가지로 하여 인증 디바이스를 얻었다. 양호한 인증성과 우수한 내구성을 갖는 인증 디바이스가 얻어졌다.An authentication device was obtained in the same manner as in Example 4 except that the main orientation axis of the film was 45° with respect to the transmission axis of the polarizer. An authentication device having good authentication properties and excellent durability was obtained.

(실시예 7)(Example 7)

길이 방향의 연신 배율을 2.6배로 하는 것 이외에는 실시예 2와 마찬가지로 하여 필름, 및 인증 디바이스를 얻었다. 양호한 인증성과 우수한 내구성을 갖는 인증 디바이스가 얻어졌다.Except for making the draw ratio of the longitudinal direction into 2.6 times, it carried out similarly to Example 2, and obtained the film and the authentication device. An authentication device having good authentication properties and excellent durability was obtained.

(실시예 8)(Example 8)

B층을 구성하는 수지로서 수지 D를 사용하는 것 이외에는 실시예 2와 마찬가지로 하여 필름, 및 인증 디바이스를 얻었다. 양호한 인증성과 내구성을 갖는 인증 디바이스가 얻어졌다.Except using resin D as resin which comprises B-layer, it carried out similarly to Example 2, and obtained the film and the authentication device. An authentication device having good authentication properties and durability was obtained.

(실시예 9)(Example 9)

길이 방향으로 연신할 때의 온도를 90℃, 폭 방향으로 연신할 때의 온도를 120℃로 하는 것 이외에는 실시예 2와 마찬가지로 하여 필름, 및 인증 디바이스를 얻었다. 양호한 인증성과 우수한 내구성을 갖는 인증 디바이스가 얻어졌다.The film and the authentication device were obtained like Example 2 except the temperature at the time of extending|stretching in a longitudinal direction into 90 degreeC and the temperature at the time of extending|stretching in a width direction into 120 degreeC. An authentication device having good authentication properties and excellent durability was obtained.

(실시예 10)(Example 10)

ClearID 대신에 파나소닉제 BM ET-200을 광원 및 광 감도 센서로서 사용하고, 길이 방향의 연신 배율을 3.2배로 하는 것 이외에는 실시예 2와 마찬가지로 하여 필름, 및 인증 디바이스를 얻었다. 우수한 인증성과 내구성을 갖는 인증 디바이스가 얻어졌다.A film and an authentication device were obtained in the same manner as in Example 2 except that BM ET-200 made by Panasonic was used as a light source and a light sensitivity sensor instead of ClearID, and the stretch ratio in the longitudinal direction was increased to 3.2. An authentication device having excellent authentication properties and durability was obtained.

(실시예 11)(Example 11)

3층 피드 블록(A층이 외측 2층, B층이 내측 1층)을 사용하는 것 이외에는 실시예 2와 마찬가지로 하여 필름, 및 인증 디바이스를 얻었다. 우수한 인증성을 갖는 인증 디바이스가 되었다.A film and an authentication device were obtained in the same manner as in Example 2 except that a three-layer feed block (A layer was two outer layers and B was an inner one layer). It has become an authentication device having excellent authentication properties.

(실시예 12)(Example 12)

B층을 구성하는 수지로서 수지 B를 사용하는 것 이외에는 실시예 2와 마찬가지로 하여 필름, 및 인증 디바이스를 얻었다. 우수한 인증성을 갖는 인증 디바이스가 되었다.Except using resin B as resin which comprises B-layer, it carried out similarly to Example 2, and obtained the film and the authentication device. It has become an authentication device having excellent authentication properties.

(실시예 13)(Example 13)

길이 방향의 연신 배율을 1.05배, 폭 방향의 연신 배율을 1.05배로 하고, 열처리를 행하지 않는 것 이외에는 실시예 2와 마찬가지로 하여 필름, 및 인증 디바이스를 얻었다. 우수한 인증성을 갖는 인증 디바이스가 되었다.A film and an authentication device were obtained in the same manner as in Example 2 except that the draw ratio in the longitudinal direction was 1.05 times and the draw ratio in the width direction was 1.05 times, and the heat treatment was not performed. It has become an authentication device having excellent authentication properties.

(실시예 14)(Example 14)

필름으로서 폴리카르보네이트 필름(데이진제 팬라이트 PC-7129)을 사용하는 것 이외에는 실시예 2와 마찬가지로 하여 필름, 및 인증 디바이스를 얻었다. 우수한 인증성을 갖는 인증 디바이스가 되었다.A film and an authentication device were obtained in the same manner as in Example 2 except for using a polycarbonate film (Panlite PC-7129 manufactured by Teijin) as the film. It has become an authentication device having excellent authentication properties.

(실시예 15)(Example 15)

인증 가능 면적을 50cm2로 하는 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 인증 디바이스를 얻었다. 우수한 인증성을 갖는 인증 디바이스가 되었다.An authentication device was obtained in the same manner as in Example 1 except that the authenticateable area was 50 cm 2 . It has become an authentication device having excellent authentication properties.

(실시예 16)(Example 16)

길이 방향의 연신 배율을 4.2배, 폭 방향의 연신 배율을 2.3배로 하는 것 이외에는 실시예 15와 마찬가지로 하여 필름, 및 인증 디바이스를 얻었다. 양호한 인증성을 갖는 인증 디바이스가 되었다.Except for making the draw ratio of the longitudinal direction into 4.2 times and the draw ratio of the width direction into 2.3 times, it carried out similarly to Example 15, and obtained the film and the authentication device. It has become an authentication device with good authentication properties.

(실시예 17)(Example 17)

폭 방향의 연신 배율을 4.4배로 하는 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 필름, 및 인증 디바이스를 얻었다. 또한, 본 필름은 면 내 위상차를 측정할 때에 광원 파장을 587.8nm로 하여 측정함과 함께, 컬러 필터로 광원 파장을 525nm로 해서도 측정을 행하였다. 525nm에서 측정한 결과는, 표 3 내의 Re(nm)의 열의 괄호 내에 나타내고 있다. 표 4에 나타낸 바와 같이, 인증성 시험에서 FRR=0%인 특히 우수한 인증성을 갖는 인증 디바이스가 되었다.Except having made the draw ratio of the width direction into 4.4 times, it carried out similarly to Example 1, and obtained the film and the authentication device. In addition, while measuring this film by setting the light source wavelength as 587.8 nm when measuring the in-plane retardation, it measured also as the light source wavelength to 525 nm with a color filter. The results measured at 525 nm are shown in parentheses in the column of Re (nm) in Table 3. As shown in Table 4, an authentication device having particularly excellent authenticity with FRR = 0% in the authenticity test was obtained.

(실시예 18)(Example 18)

폭 방향의 연신 배율을 4.4배로 하는 것 이외에는 실시예 2와 마찬가지로 하여 필름, 및 인증 디바이스를 얻었다. 또한, 본 필름은 면 내 위상차를 측정할 때에 광원 파장을 587.8nm로 해서 측정함과 함께, 컬러 필터로 광원 파장을 525nm로 해서도 측정을 행하였다. 525nm에서 측정한 결과는, 표 3 내의 Re(nm)의 열의 괄호 내에 나타내고 있다. 표 4에 나타낸 바와 같이, 인증성 시험에서 FRR=0%인 특히 우수한 인증성을 갖는 인증 디바이스가 되었다.Except having made the draw ratio of the width direction into 4.4 times, it carried out similarly to Example 2, and obtained the film and the authentication device. In addition, while measuring this film as 587.8 nm of light source wavelengths when measuring in-plane retardation, it measured also as 525 nm of light source wavelengths with a color filter. The results measured at 525 nm are shown in parentheses in the column of Re (nm) in Table 3. As shown in Table 4, an authentication device having particularly excellent authenticity with FRR = 0% in the authenticity test was obtained.

(실시예 19)(Example 19)

ClearID의 광원 및 광 감도 센서와, BM ET-200의 광원 및 광 감도 센서를 동시에 사용하는 것 이외에는 실시예 2와 마찬가지로 하여 인증 디바이스를 얻었다. ClearID와 BM ET-200에서는 ClearID쪽이 광원의 광선의 강도가 높았다. ClearID의 광 감도 센서로부터의 데이터만 우수한 인증성을 갖는 인증 디바이스가 되었다. 표 3 및 표 4 내의 측정 항목 중, 광원 파장이 측정에 필요한 항목에 대하여는, 괄호 밖에 525nm에서의 측정 결과를 기재하고, 괄호 내에 850nm에서의 결과를 기재하고 있다.An authentication device was obtained in the same manner as in Example 2 except that the ClearID light source and photosensitive sensor and the light source and photosensitive sensor of BM ET-200 were used simultaneously. In ClearID and BM ET-200, the intensity of light from the light source was higher in ClearID. Only the data from ClearID's light sensitivity sensor became an authentication device with excellent authenticity. Among the measurement items in Tables 3 and 4, the measurement results at 525 nm are described outside the parentheses, and the results at 850 nm are described in the parentheses for the items in which the light source wavelength is required for measurement.

(실시예 20)(Example 20)

폭 방향의 연신 배율을 5.7배로 하는 것 이외에는 실시예 19와 마찬가지로 하여 필름, 및 인증 디바이스를 얻었다. ClearID와 BM ET-200에서는 ClearID쪽이 광원의 광선의 강도가 높았다. ClearID의 광 감도 센서와, BM ET-200의 광 감도 센서 중 어느 것으로부터의 데이터도 우수한 인증성을 갖는 인증 디바이스가 되었다. 표 3 및 표 4 내의 측정 항목 중, 광원 파장이 측정에 필요한 항목에 대하여는, 괄호 밖에 525nm에서의 측정 결과를 기재하고, 괄호 내에 850nm에서의 결과를 기재하고 있다.Except having made the draw ratio of the width direction into 5.7 times, it carried out similarly to Example 19, and obtained the film and the authentication device. In ClearID and BM ET-200, the intensity of light from the light source was higher in ClearID. Data from either the ClearID optical sensitivity sensor or the BM ET-200 optical sensitivity sensor became an authentication device having excellent authentication properties. Among the measurement items in Tables 3 and 4, the measurement results at 525 nm are described outside the parentheses, and the results at 850 nm are described in the parentheses for the items in which the wavelength of the light source is required for measurement.

(실시예 21)(Example 21)

열처리 온도를 240℃로 하는 것 이외에는 실시예 5와 마찬가지로 하여 필름, 및 인증 디바이스를 얻었다. 표 4에 나타낸 바와 같이, 양호한 인증성을 갖는 인증 디바이스가 되었다.A film and an authentication device were obtained in the same manner as in Example 5 except that the heat treatment temperature was set to 240°C. As shown in Table 4, an authentication device having good authentication properties was obtained.

(실시예 22)(Example 22)

길이 방향의 연신 배율을 2.6배, 폭 방향의 연신 배율을 4.0배로 하는 것 이외에는 실시예 2와 마찬가지로 하여 필름, 및 인증 디바이스를 얻었다. 표 4에 나타낸 바와 같이, 면 내 위상차의 변동이 약간 크기는 하지만, 전체로서는 양호한 인증성을 갖는 인증 디바이스가 되었다.Except for making the draw ratio of the longitudinal direction into 2.6 times and the draw ratio of the width direction into 4.0 times, it carried out similarly to Example 2, and obtained the film and the authentication device. As shown in Table 4, although the variation in the in-plane phase difference is slightly large, the authentication device as a whole has good authenticity.

(실시예 23)(Example 23)

수지 A 대신에 수지 E를 사용하는 것 이외에는 실시예 5와 마찬가지로 하여 필름, 및 인증 디바이스를 얻었다. 표 4에 나타낸 바와 같이, 양호한 인증성을 갖는 인증 디바이스가 되었다.Except using resin E instead of resin A, it carried out similarly to Example 5, and obtained the film and an authentication device. As shown in Table 4, an authentication device having good authentication properties was obtained.

(실시예 24)(Example 24)

9층 피드 블록(A층이 외측 5층, B층이 내측 4층)을 사용하는 것 이외에는 실시예 2와 마찬가지로 하여 필름, 및 인증 디바이스를 얻었다. 표 4에 나타낸 바와 같이, 우수한 인증성을 갖는 인증 디바이스가 되었다.A film and an authentication device were obtained in the same manner as in Example 2 except for using a 9-layer feed block (A layer was 5 outer layers and B layer was inner 4 layers). As shown in Table 4, an authentication device having excellent authentication properties was obtained.

(실시예 25)(Example 25)

101층 피드 블록(A층이 외측 51층, B층이 내측 50층)을 사용함과 함께, 토출량을 조정하여 연신 후의 두께를 18㎛로 한 것 이외에는 실시예 2와 마찬가지로 하여 필름, 및 인증 디바이스를 얻었다. 박막화에 의해 내충격성은 약간 저하되지만, 박막이 요구되는 용도에도 적용 가능한 필름이 되었다. 표 4에 나타낸 바와 같이 우수한 인증성을 갖는 인증 디바이스가 되었다.A film and an authentication device were prepared in the same manner as in Example 2 except that a 101-layer feed block (A layer was 51 layers on the outer side, B layer was an inner layer of 50 layers), and the discharge amount was adjusted and the thickness after stretching was set to 18 µm. got it Although the impact resistance is slightly lowered by thinning, it became a film applicable also to the use which a thin film is requested|required. As shown in Table 4, an authentication device having excellent authentication properties was obtained.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

길이 방향의 연신 배율을 3.2배로 하고, 필름의 주배향축을 편광자의 투과축에 대하여 10°로 하는 것 이외에는 실시예 2와 마찬가지로 하여 필름, 및 인증 디바이스를 얻었다. 인증성이 약간 떨어지는 인증 디바이스가 되었다.A film and an authentication device were obtained in the same manner as in Example 2 except that the draw ratio in the longitudinal direction was 3.2 times and the main orientation axis of the film was 10° with respect to the transmission axis of the polarizer. It has become an authentication device with slightly inferior authenticity.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

길이 방향의 연신 배율을 3.2배로 하는 것 이외에는 실시예 2와 마찬가지로 하여 필름, 및 인증 디바이스를 얻었다. 인증성이 떨어지는 인증 디바이스가 되었다.Except having made the draw ratio of the longitudinal direction into 3.2 time, it carried out similarly to Example 2, and obtained the film and the authentication device. It has become an authentication device with poor authenticity.

(비교예 3)(Comparative Example 3)

폭 방향의 연신 배율을 4.9배로 하는 것 이외에는 실시예 2와 마찬가지로 하여 필름, 및 인증 디바이스를 얻었다. 인증성이 떨어지는 인증 디바이스가 되었다.Except having made the draw ratio of the width direction into 4.9 times, it carried out similarly to Example 2, and obtained the film and the authentication device. It has become an authentication device with poor authenticity.

(비교예 4)(Comparative Example 4)

길이 방향의 연신 배율을 3.2배, 폭 방향의 연신 배율을 4.4배로 하는 것 이외에는 비교예 2와 마찬가지로 하여 필름, 및 인증 디바이스를 얻었다. 인증성이 떨어지는 인증 디바이스가 되었다.A film and an authentication device were obtained in the same manner as in Comparative Example 2 except that the draw ratio in the longitudinal direction was 3.2 times and the draw ratio in the width direction was 4.4 times. It has become an authentication device with poor authenticity.

Figure pct00001
Figure pct00001

Figure pct00002
Figure pct00002

Figure pct00003
Figure pct00003

Figure pct00004
Figure pct00004

본 발명의 인증 디바이스는 인증 성능이 필름의 배향각에 의존하지 않고, 자외선을 필름이 흡수, 반사함으로써 광원, 편광자의 내구성을 높이고, 또한 저렴한 폴리에스테르를 필름의 원료로 할 수 있는 것이다. 그 때문에, 양호한 인증 성능과 내구성을 갖고, 저렴하면서 또한 생산성이 우수하다.In the authentication device of the present invention, the authentication performance does not depend on the orientation angle of the film, and the film absorbs and reflects ultraviolet rays, thereby increasing the durability of the light source and the polarizer, and can use inexpensive polyester as a raw material for the film. Therefore, it has favorable authentication performance and durability, and is inexpensive and is excellent in productivity.

1: 광원
2: 편광자
3: 필름
4: 광 감도 센서
5: 광원으로부터 사출된 광이 인증 대상물에서 반사된 광
6: 광원으로부터 사출된 광
1: light source
2: Polarizer
3: film
4: light sensitivity sensor
5: The light emitted from the light source is reflected from the object to be authenticated
6: Light emitted from the light source

Claims (20)

광원, 편광자, 필름 및 광 감도 센서를 갖는 인증 디바이스이며, 상기 필름은 편광자와 인증 대상물 사이에 배치되고, 또한 하기 (1) 및 (2)를 만족하는 것을 특징으로 하는 인증 디바이스.
(1) 상기 광원으로부터 출사하는 광선의 투과율이, 당해 광선의 가장 강한 강도의 파장에 있어서 70% 이상 100% 이하인 것.
(2) 하기 (I)식을 만족하는 정수 n이 존재하는 것.
(I) A×n-150≤Re≤A×n+150
여기서, A는 상기 광원으로부터 출사하는 광선에 있어서 가장 강한 강도를 나타내는 파장(nm)이며,
Re는 상기 필름을 평행 니콜 회전법을 사용하여 입사각 0°에서의 파장 587.8nm에서 측정하였을 때의 면 내 위상차(nm)이다.
An authentication device comprising a light source, a polarizer, a film, and a light sensitivity sensor, wherein the film is disposed between the polarizer and an object to be authenticated, and the following (1) and (2) are satisfied.
(1) The transmittance|permeability of the light source emitted from the said light source is 70% or more and 100% or less in the wavelength of the strongest intensity|strength of the said light source.
(2) An integer n satisfying the following formula (I) exists.
(I) A×n-150≤Re≤A×n+150
Here, A is the wavelength (nm) showing the strongest intensity in the light emitted from the light source,
Re is the in-plane retardation (nm) of the film measured at a wavelength of 587.8 nm at an incident angle of 0° using a parallel Nicol rotation method.
제1항에 있어서, 상기 (I)식을 만족함과 함께, 하기 (II)식을 만족하는 정수 m이 존재하는 인증 디바이스.
(II) B×m-150≤Re≤B×m+150
여기서, B는 상기 광원으로부터 출사하는 광선에 있어서 2번째로 강한 강도를 나타내는 파장(nm)이며,
Re는 상기 필름을 평행 니콜 회전법을 사용하여 입사각 0°에서의 파장 587.8nm에서 측정하였을 때의 면 내 위상차(nm)이다.
The authentication device according to claim 1, wherein an integer m that satisfies the following formula (II) while satisfying the above expression (I) exists.
(II) B×m-150≤Re≤B×m+150
Here, B is the wavelength (nm) showing the second strongest intensity in the light emitted from the light source,
Re is the in-plane retardation (nm) of the film measured at a wavelength of 587.8 nm at an incident angle of 0° using a parallel Nicol rotation method.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 필름이 하기 식 (III) 및 (IV)를 만족하는 인증 디바이스.
(III) PT(45)≥0.65
(IV) 1≥PT(45)/PT(0)≥0.6
여기서, PT(45)와 PT(0)는 하기와 같이 구해진다.
(1) 편광자를 2매로 커트하고, 2매의 편광자의 면이 50W 텅스텐 램프를 광원으로 한 분광 광도계의 광축에 수직이 되도록, 또한 2매의 편광자의 투과축끼리가 평행이 되도록 배치하고, 광원 소등 상태와 광원 점등 상태에서의 백그라운드 측정을 행한다. 광원 소등 상태에서 측정된 투과광량을 PT(D), 광원 점등 상태에서 측정된 투과광량을 PT(L)로 한다.
(2) 2매의 편광자 사이에 상기 필름을 필름의 면이 분광 광도계의 광축에 수직이 되도록 배치한다.
(3) 상기 필름만을 분광 광도계의 광축에 수직인 면 내에서 회전시키면서, 상기 광원으로부터 출사하는 광선의 가장 강한 강도를 갖는 파장에 있어서의 투과광량의 측정을 행한다. 2매의 편광자의 투과축과 상기 필름의 주배향축이 이루는 각이 0°일 때의 투과광량을 PT'(0), 45°일 때의 투과광량을 PT'(45)로 한다.
(4) 하기 식으로부터 PT(0), PT(45)를 얻는다.
PT(0)=(PT'(0)-PT(D))/(PT(L)-PT(D))
PT(45)=(PT'(45)-PT(D))/(PT(L)-PT(D)).
The authentication device according to claim 1 or 2, wherein the film satisfies the following formulas (III) and (IV).
(III) PT(45)≥0.65
(IV) 1≥PT(45)/PT(0)≥0.6
Here, PT(45) and PT(0) are obtained as follows.
(1) The polarizers are cut into two pieces, and the planes of the two polarizers are arranged so that they are perpendicular to the optical axis of a spectrophotometer using a 50W tungsten lamp as a light source, and the transmission axes of the two polarizers are parallel to each other, and the light source Background measurement is performed in the off state and in the light source on state. Let PT(D) be the amount of transmitted light measured when the light source is turned off, and PT(L) be the amount of transmitted light measured when the light source is on.
(2) The film is placed between two polarizers so that the surface of the film is perpendicular to the optical axis of the spectrophotometer.
(3) While rotating only the film in a plane perpendicular to the optical axis of the spectrophotometer, the amount of transmitted light at a wavelength having the strongest intensity of light emitted from the light source is measured. When the angle between the transmission axes of the two polarizers and the main alignment axis of the film is 0°, the transmitted light amount is PT′(0), and the transmitted light amount when 45° is 45° is PT′(45).
(4) PT(0) and PT(45) are obtained from the following equations.
PT(0)=(PT'(0)-PT(D))/(PT(L)-PT(D))
PT(45)=(PT'(45)-PT(D))/(PT(L)-PT(D)).
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광원으로부터 출사하는 광선에 있어서 가장 강한 강도를 나타내는 피크의 반값폭이 5nm 이상 70nm 이하인 인증 디바이스.The authentication device according to any one of claims 1 to 3, wherein the half-width of the peak showing the strongest intensity in the light emitted from the light source is 5 nm or more and 70 nm or less. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 하기 (V)식을 만족하는 정수 n이 존재하는 인증 디바이스.
(V) A×n-120≤Re≤A×n+120, 또한 415≤A≤495.
The authentication device according to any one of claims 1 to 4, wherein an integer n satisfying the following expression (V) exists.
(V) Axn-120≤Re≤Axn+120, and 415≤A≤495.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 하기 (VI)식을 만족하는 정수 n이 존재하는 인증 디바이스.
(VI) A×n-100≤Re≤A×n+100, 또한 495≤A≤570.
The authentication device according to any one of claims 1 to 4, wherein an integer n satisfying the following formula (VI) exists.
(VI) A×n-100≦Re≦A×n+100, and also 495≦A≦570.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 하기 (VII)식을 만족하는 정수 n이 존재하는 인증 디바이스.
(VII) A×n-120≤Re≤A×n+120, 또한 570≤A≤800.
The authentication device according to any one of claims 1 to 4, wherein an integer n satisfying the following formula (VII) exists.
(VII) Axn-120≤Re≤Axn+120, and 570≤A≤800.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 하기 (VIII)식을 만족하는 정수 n이 존재하는 인증 디바이스.
(VIII) A×n-150≤Re≤A×n+150, 또한 800≤A≤1600.
The authentication device according to any one of claims 1 to 4, wherein an integer n satisfying the following formula (VIII) exists.
(VIII) A×n-150≦Re≦A×n+150, and also 800≦A≦1600.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 필름의 면 내 위상차가 400nm 이상 3000nm 이하인 인증 디바이스.The authentication device according to any one of claims 1 to 8, wherein the in-plane retardation of the film is 400 nm or more and 3000 nm or less. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 필름이 수지 A를 포함하는 층과 수지 A와는 다른 수지 B를 포함하는 층을 교호로 5층 이상 적층한 적층 필름인 인증 디바이스.The authentication device according to any one of claims 1 to 9, wherein the film is a laminated film in which five or more layers are alternately laminated with a layer containing a resin A and a layer containing a resin B different from the resin A. 제10항에 있어서, 상기 필름을 구성하는 수지 B가, 시클로헥산디메탄올, 스피로글리콜, 네오펜틸글리콜, 이소프탈산, 시클로헥산디카르복실산, 이소소르비드 중 적어도 1종류를 포함하고, 폴리에스테르를 주성분으로 하는 것을 특징으로 하는 인증 디바이스.The polyester according to claim 10, wherein the resin B constituting the film contains at least one selected from cyclohexanedimethanol, spiroglycol, neopentylglycol, isophthalic acid, cyclohexanedicarboxylic acid, and isosorbide. An authentication device, characterized in that it has as a main component. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 필름의 주배향축 방향 및 주배향축과 직교하는 방향의 25℃에 있어서의 파단점 신도가 모두 30% 이상 300% 이하인 인증 디바이스.The authentication device according to any one of claims 1 to 11, wherein the elongation at break at 25°C in the main orientation axis direction and the direction orthogonal to the main orientation axis of the film are 30% or more and 300% or less. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 필름의 주배향축 방향 및 주배향축과 직교하는 방향의 100℃에서 30분 처리하였을 때의 열수축률의 최댓값과 최솟값의 비(최댓값/최솟값)가 1.7 이상인 인증 디바이스.The ratio of the maximum to the minimum of the thermal contraction rate according to any one of claims 1 to 12, wherein the film is treated at 100° C. for 30 minutes in the direction orthogonal to the main orientation axis and the main orientation axis (maximum value / Authenticated devices with a minimum value of 1.7 or higher. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 필름의 주배향축과 상기 편광자의 투과축이 이루는 각도가 10°미만인 인증 디바이스.The authentication device according to any one of claims 1 to 13, wherein an angle between the main alignment axis of the film and the transmission axis of the polarizer is less than 10°. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 필름이, 필름면 내에 있어서 최대 길이를 나타내는 양단(A, B), 점 A, B를 연결하는 직선 AB와 직교하고, 또한 직선 AB의 중점을 통과하는 직선의 필름의 양단(C, D)의 합계 4점의 면 내 위상차에 있어서, 최댓값과 최솟값의 차가 200nm 이하인 인증 디바이스.15. The film according to any one of claims 1 to 14, wherein the film is orthogonal to a straight line AB connecting both ends (A, B) and points A and B representing the maximum length in the film plane, and An authentication device whose difference between the maximum value and the minimum value is 200 nm or less in a total of four points of in-plane retardation of both ends (C, D) of a straight film passing through a midpoint. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 인증 가능한 영역의 면적이 10cm2 이상인 인증 디바이스.The authentication device according to any one of claims 1 to 15, wherein the area of the authenticable area is 10 cm 2 or more. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광원이 유기 EL(유기 일렉트로루미네센스 소자), 발광 다이오드(LED) 중 어느 것을 포함하고, 상기 필름의 파장 380nm의 광선 투과율이 5% 이하인 인증 디바이스.The light source according to any one of claims 1 to 16, wherein the light source contains any one of an organic EL (organic electroluminescent element) and a light emitting diode (LED), and the light transmittance of the film at a wavelength of 380 nm is 5% The following authentication devices. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광 감도 센서가 CMOS(Complementary metal-oxide-semiconductor; 상보성 금속 산화물 반도체) 센서인 인증 디바이스.18. The authentication device according to any one of claims 1 to 17, wherein the photosensitive sensor is a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) sensor. 광원, 편광자, 필름 및 광 감도 센서를 갖는 인증 디바이스에 사용되는 필름이며, 하기 (1) 및 (2)를 만족하는 필름.
(1) 상기 필름이, 상기 광원으로부터 출사하는 광선의 투과율이, 당해 광선의 가장 강한 강도의 파장에 있어서 70% 이상 100% 이하인 것.
(2) 하기 (I)식을 만족하는 정수 n이 존재하는 것.
(I) A×n-150≤Re≤A×n+150
여기서, A는 상기 광원으로부터 출사하는 광선에 있어서 가장 강한 강도를 나타내는 파장(nm)이며,
Re는 상기 필름을 평행 니콜 회전법을 사용하여 입사각 0°에서의 파장 587.8nm에서 측정하였을 때의 면 내 위상차(nm)이다.
A film used for an authentication device having a light source, a polarizer, a film, and a photosensitive sensor, and satisfying the following (1) and (2).
(1) In the said film, the transmittance|permeability of the light ray emitted from the said light source is 70 % or more and 100 % or less in the wavelength of the strongest intensity|strength of the said light ray.
(2) An integer n satisfying the following formula (I) exists.
(I) A×n-150≤Re≤A×n+150
Here, A is the wavelength (nm) showing the strongest intensity in the light emitted from the light source,
Re is the in-plane retardation (nm) of the film measured at a wavelength of 587.8 nm at an incident angle of 0° using a parallel Nicol rotation method.
제19항에 있어서, 상기 필름이 하기 식 (III) 및 (IV)를 만족하는 필름.
(III) PT(45)≥0.65
(IV) 1≥PT(45)/PT(0)≥0.6
여기서, PT(45)와 PT(0)는 하기와 같이 구해진다.
(1) 편광자를 2매로 커트하고, 2매의 편광자의 면이 50W 텅스텐 램프를 광원으로 한 분광 광도계의 광축에 수직이 되도록, 또한 2매의 편광자의 투과축끼리가 평행이 되도록 배치하고, 백그라운드 측정을 행한다. 광원 소등 상태에서 측정된 투과광량을 PT(D), 광원 점등 상태에서 측정된 투과광량을 PT(L)로 한다.
(2) 2매의 편광자 사이에 상기 필름을 필름의 면이 분광 광도계의 광축에 수직이 되도록 배치한다.
(3) 상기 필름만을 분광 광도계의 광축에 수직인 면 내에서 회전시키면서, 상기 광원으로부터 출사하는 광선에 있어서 가장 강한 강도를 나타내는 파장에 있어서의 투과광량의 측정을 행한다. 2매의 편광자의 투과축과 상기 필름의 주배향축이 이루는 각이 0°일 때의 투과광량을 PT'(0), 45°일 때의 투과광량을 PT'(45)로 한다.
(4) 하기 식으로부터 PT(0), PT(45)를 얻는다.
PT(0)=(PT'(0)-PT(D))/(PT(L)-PT(D))
PT(45)=(PT'(45)-PT(D))/(PT(L)-PT(D)).
The film according to claim 19, wherein the film satisfies the following formulas (III) and (IV).
(III) PT(45)≥0.65
(IV) 1≥PT(45)/PT(0)≥0.6
Here, PT(45) and PT(0) are obtained as follows.
(1) The polarizers are cut into two sheets, and the planes of the two polarizers are arranged so that they are perpendicular to the optical axis of the spectrophotometer using a 50W tungsten lamp as a light source, and the transmission axes of the two polarizers are parallel to each other, and the background Take measurements. Let PT(D) be the amount of transmitted light measured when the light source is turned off, and PT(L) be the amount of transmitted light measured when the light source is on.
(2) The film is placed between two polarizers so that the surface of the film is perpendicular to the optical axis of the spectrophotometer.
(3) While rotating only the film in a plane perpendicular to the optical axis of the spectrophotometer, the amount of transmitted light at a wavelength showing the strongest intensity in the light emitted from the light source is measured. When the angle between the transmission axes of the two polarizers and the main alignment axis of the film is 0°, the transmitted light amount is PT′(0), and the transmitted light amount when 45° is 45° is PT′(45).
(4) PT(0) and PT(45) are obtained from the following equations.
PT(0)=(PT'(0)-PT(D))/(PT(L)-PT(D))
PT(45)=(PT'(45)-PT(D))/(PT(L)-PT(D)).
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