KR20210134514A - 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품 제조 방법 - Google Patents

임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품 제조 방법 Download PDF

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KR20210134514A
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히로유키 세키구치
겐이치 고바야시
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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

몰드를 사용하여 기판의 샷 영역 상의 임프린트재를 성형하는 임프린트 방법은, 임프린트재와 몰드의 패턴 영역이 서로 접촉하는 상태에서 샷 영역과 몰드를 정렬시키는 정렬 단계; 및 정렬 단계 후에 임프린트재에 경화 광을 조사함으로써 임프린트재를 경화시키는 경화 단계를 포함한다. 정렬 단계는 샷 영역을 변형시키기 위해 사용되는 변형 광이 임프린트재를 통해 기판에 부여되는 기간 및 임프린트재의 점도를 증가시키기 위해서 사용되는 중합 광이 임프린트재에 부여되는 기간이 서로 중복하는 중복 기간을 포함하도록 제어된다. 임프린트재에 부여되는 중합 광은 중복 기간 동안 임프린트재에 부여되는 변형 광에 따라 제어된다.

Description

임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품 제조 방법{IMPRINT METHOD, IMPRINT APPARATUS, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.
일본 특허 공개 공보 제2016-058735호는, 임프린트재의 점탄성을 증가시키는 광을 임프린트재에 조사하는 단계, 광이 조사된 임프린트재를 갖는 기판과 몰드를 정렬시키는 단계, 및 임프린트재를 경화시키는 광을 부여하는 단계를 포함하는 임프린트 방법을 기재하고 있다. 일본 특허 공개 공보 제2013-102132호는, 몰드의 패턴 영역을 변형시키는 형상 보정 기구, 기판의 기판측 패턴 영역을 가열해서 기판측 패턴 영역을 변형시키는 가열 기구, 및 제어부를 포함하는 임프린트 장치를 기재하고 있다. 제어부는, 몰드의 패턴 영역과 기판측 패턴 영역 사이의 형상 차에 관한 정보에 기초하여, 몰드의 패턴 영역과 기판측 패턴 영역 사이의 형상 차를 저감하도록 형상 보정 기구 및 가열 기구를 제어한다.
기판의 샷 영역과 몰드의 패턴 영역을 고정밀도로 중첩시키면서 스루풋을 증가시키기 위해서, 임프린트재를 경화시키지 않는 파장 대역을 갖는 광을 사용해서 샷 영역을 변형시키고 정렬 동안 임프린트재의 점도를 증가시키는 것이 유효하다. 그러나, 샷 영역을 변형시키기 위한 변형 광과 임프린트재의 점도를 증가시키기 위한 중합 광이 동시에 임프린트재에 조사되면, 중합 광만이 임프린트재에 조사되는 경우보다 임프린트재의 점도가 증가된 현상이 확인되었다. 따라서, 정렬 동안의 변형 광 조사 조건과 중합 광 조사 조건을 서로 독립적으로 결정하는 경우, 임프린트재의 점도가 목표 점도보다 높아지고, 이것은 중첩 정밀도의 저하 또는 정렬에 필요한 긴 시간으로 인한 스루풋의 저하를 야기할 수 있다.
본 발명은 중첩 정밀도 및 스루풋의 향상에 유리한 기술을 제공한다.
본 발명의 양태 중 하나는 몰드를 사용해서 기판의 샷 영역 상의 임프린트재를 성형하는 임프린트 방법을 제공하며, 상기 방법은 상기 임프린트재와 상기 몰드의 패턴 영역이 서로 접촉하는 상태에서 상기 샷 영역과 상기 몰드를 정렬시키는 정렬 단계; 및 상기 정렬 단계 후에, 상기 임프린트재에 경화 광을 조사함으로써 상기 임프린트재를 경화시키는 경화 단계를 포함하고, 상기 정렬 단계는, 상기 샷 영역을 변형시키기 위해 사용되는 변형 광이 상기 임프린트재를 통해 상기 기판에 부여되는 기간과 상기 임프린트재의 점도를 증가시키기 위해 사용되는 중합 광이 상기 임프린트재에 부여되는 기간이 서로 중복하는 중복 기간을 포함하도록 제어되며, 상기 임프린트재에 부여되는 상기 중합 광은 상기 중복 기간 동안 상기 임프린트재에 부여되는 상기 변형 광에 따라 제어된다.
본 발명의 추가적인 특징은 첨부된 도면을 참고한 예시적인 실시형태에 대한 다음의 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 실시형태에 따른 임프린트 장치의 구성을 도시하는 도면이다.
도 2a 및 도 2b는 도 1에 도시된 임프린트 장치의 노광 장치의 구성을 도시하는 도면이다.
도 3은 실시형태에 따른 임프린트 시퀀스를 도시하는 도면이다.
도 4는 기판에 대하여 부여되는 변형 광의 조도 분포(광량 분포)를 예시하는 도면이다.
도 5는 실시형태에 따른 패턴 형성 방법을 예시하는 흐름도이다.
도 6은 중합 제어 정보 생성 방법을 예시하기 위한 그래프이다.
도 7은 중합 광의 조사 시간을 예시하는 도면이다.
도 8은 비교예를 도시하는 도면이다.
도 9a 내지 도 9f는 물품 제조 방법을 예시하는 도면이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 실시형태를 상세하게 설명한다. 이하의 실시형태는 청구된 발명의 범위를 한정하려는 것이 아니라는 것에 유의한다. 실시형태에는 다수의 특징이 기재되어 있지만, 이러한 특징 모두를 필요로 하는 발명으로 제한되지 않으며, 이러한 다수의 특징은 적절히 조합될 수 있다. 또한, 첨부 도면에서는, 동일하거나 유사한 구성에는 동일한 참조 번호가 부여되며, 그에 대한 중복하는 설명은 생략한다.
도 1은 실시형태에 따른 임프린트 장치(1)의 구성을 개략적으로 도시한다. 임프린트 장치(1)는, 기판(10)의 샷 영역 상의 임프린트재(IM)를 몰드(M)와 접촉시키고, 샷 영역과 몰드(M) 사이의 정렬을 수행하며, 임프린트재(IM)에 경화 광을 조사함으로써 임프린트재(IM)를 경화시킬 수 있다. 이에 의해, 임프린트재(IM)의 경화물로 형성되는 패턴이 기판(10)의 샷 영역 위에 형성될 수 있다. 그 후, 임프린트 장치(1)는 임프린트재(IM)의 경화물로 형성되는 패턴으로부터 몰드(M)를 분리할 수 있다. 임프린트 장치(1)는, 몰드(M)를 사용해서 기판(10)의 샷 영역 상에 임프린트재(IM)를 성형하는 임프린트 방법을 실행하는 장치로서 이해될 수 있다. 몰드(M)는 템플릿 또는 원판이라고도 지칭될 수 있다. 임프린트 장치(1)는, 물품, 예를 들어 반도체 디바이스 등의 디바이스를 제조하는데 사용될 수 있다.
임프린트 장치(1)는, 몰드(M)를 보유지지 및 구동하는 몰드 구동 기구(3)(임프린트 헤드), 기판(10)을 보유지지 및 구동하는 기판 구동 기구(4), 및 기판(10) 위에 임프린트재(IM)를 공급하는 공급부(5)(디스펜서)를 포함할 수 있다. 또한, 임프린트 장치(1)는, 임프린트재(IM)의 점도를 증가시키는 중합 광(108) 또는 임프린트재(IM)를 경화시키는 경화 광(109)을 임프린트재(IM)에 조사하는 노광 장치(제1 조사부)(2)를 포함할 수 있다. 임프린트 장치(1)는, 기판(10), 임프린트재(IM), 및 몰드(M)에 조명광(18)을 조사하고, 예를 들어 몰드(M)와 임프린트재(IM) 사이의 접촉 상태 및 이물의 유무를 검사하기 위한 촬상을 행하는 촬상 장치(6)를 더 포함할 수 있다. 또한, 임프린트 장치(1)는 임프린트 장치(1)의 동작을 제어하는 제어부(7)를 포함할 수 있다. 임프린트 장치(1)는, 몰드(M)의 정렬 마크 및 기판(10)의 정렬 마크를 검출하는 검출기(12)를 더 포함할 수 있다. 검출기(12)는, 정렬 마크를 조명하기 위한 검출광(15)을 정렬 마크에 조사하기 위한 조명 장치(도시되지 않음) 및 정렬 마크를 촬상하는 촬상 장치(도시되지 않음)를 포함할 수 있다.
기판 구동 기구(4)는, 기판(10)을 보유지지하는 기판 척(16), 기판 척(16)을 지지하는 기판 스테이지(17), 및 기판 스테이지(17)를 구동하는 기판 스테이지 구동 장치(26)를 포함할 수 있다. 임프린트 장치(1)는 기판 스테이지(17)의 위치를 검출하는 검출 시스템(24)(예를 들어, 간섭계 또는 인코더)을 포함할 수 있다. 기판(10)의 위치는 검출 시스템(24)의 검출 결과에 기초하여 기판 스테이지(17)의 위치를 제어함으로써 제어될 수 있다.
몰드 구동 기구(3)는 몰드(M)를 보유지지하기 위해 사용되는 몰드 척(11) 및 몰드 척(11)을 구동하는 몰드 척 구동 장치(19)(액추에이터)를 포함할 수 있다. 몰드 구동 기구(3)는 몰드(M)의 패턴 영역(PR)을 기판(10)의 샷 영역 상의 임프린트재(IM)에 접촉시키는 접촉 동작 및 임프린트재(IM)가 경화된 후에 행해지는 몰드 분리 동작을 행할 수 있다. 몰드 구동 기구(3)는 몰드(M)의 이면측(패턴 영역(PR)의 반대측)에 폐쇄 공간(13)을 포함할 수 있다. 몰드 구동 기구(3)는 폐쇄 공간(13)의 압력을 제어함으로써 패턴 영역(PR)의 형상을 제어하는 압력 제어부(도시되지 않음)를 더 포함할 수 있다. 접촉 동작 및 몰드 분리 동작에서, 압력 제어부는 폐쇄 공간(13)의 압력을 양압으로 함으로써 몰드(M) 또는 패턴 영역(PR)을 기판(10)을 향해서 볼록 형상으로 변형시킬 수 있다.
임프린트 장치(1)는 조도 분포 형성 장치(제2 조사부)(20)를 포함할 수 있다. 조도 분포 형성 장치(20)는 임프린트재(IM) 또는 기판(10)에 부여되는 광의 조도 분포를 제어하는 디바이스, 예를 들어 DMD(Digital Mirror Device)를 포함할 수 있다. 조도 분포 형성 장치(20)는, 기판(10)의 샷 영역을 목표 형상으로 변형시키도록 조도 분포가 제어된 변형 광(107)을 임프린트재(IM)를 통해 기판(10)에 조사할 수 있다. 변형 광(107)의 조사에 의해, 기판(10)에는 변형 광(107)의 조도 분포(광량 분포)에 따른 온도 분포가 형성되고, 이것은 기판(10)의 샷 영역을 변형시킬 수 있다. 또한, 조도 분포 형성 장치(20)는, 임프린트재(IM)가 목표 점도 분포를 갖게 하도록 조도 분포가 제어된 중합 광(106)을 임프린트재(IM)에 조사할 수 있다. 여기서, 변형 광(107) 및 중합 광(106)은 서로 상이한 파장 대역을 갖는 광 빔일 수 있다. 변형 광(107)은, 변형 광(107)만이 임프린트재(IM)에 조사되는 경우에, 임프린트재(IM)의 광중합 반응을 야기하지 않는 파장 대역을 가질 수 있다. 중합 광(106)은, 중합 광(106)이 임프린트재(IM)에 조사되었을 경우에, 임프린트재(IM)의 광중합 반응을 야기하는 파장 대역을 가질 수 있다.
임프린트재(IM)에 대한 중합 광(106)의 조사는, 기판(10)의 샷 영역 상의 임프린트재(IM)와 몰드(M)의 패턴 영역(PR)이 서로 접촉하는 상태에서 행해지는 기판(10)의 샷 영역과 몰드(M)의 패턴 영역(PR) 사이의 정렬에서 행해질 수 있다. 임프린트재(IM)에 대한 중합 광(106)의 조사에 의해, 임프린트재(IM)에 의해 발생하는 기판(10)과 몰드(M) 사이의 결합 강도가 증가되고, 따라서 기판(10)과 몰드(M) 사이의 상대적인 진동이 억제될 수 있다. 따라서, 기판(10)의 샷 영역과 몰드(M)의 패턴 영역(PR) 사이의 정렬에 필요한 시간을 단축할 수 있다. 이것은 스루풋의 향상에 기여할 수 있다.
일례에서, 조도 분포 형성 장치(20)는, 제어부(7)로부터의 명령에 따라 변형 광(107) 및 중합 광(106) 중 하나를 선택적으로 기판(10)을 향해서 방출할 수 있다. 기판(10)의 샷 영역과 몰드(M)의 패턴 영역(PR) 사이의 정렬과 병행하여, 기판(10)의 샷 영역과 몰드(M)의 패턴 영역(PR) 사이의 공간으로의 임프린트재(IM)의 충전 및 패턴 영역(PR)의 오목부로의 임프린트재(IM)의 충전이 행해질 수 있다.
임프린트 장치(1)는, 임프린트재(IM)의 광중합 반응을 야기하는 중합 광(108) 또는 경화 광(109)을 임프린트재(IM)에 조사하는 노광 장치(제1 조사부)(2)를 포함할 수 있다. 중합 광(108)은 정렬 단계에서 임프린트재(IM)에 조사되는 광일 수 있으며, 경화 광(109)은 정렬 단계 후의 경화 단계에서 임프린트재(IM)에 조사되는 광일 수 있다. 중합 광(108)과 경화 광(109)의 파장 대역은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 중합 광 및 경화 광은 모두 각각 임프린트재(IM)의 중합도를 증가시키는 노광 광 빔이라는 것에 유의한다. 그러나, 본 명세서에서는, 이들을 구별하기 위해서, 정렬 동안 사용되는 노광 광을 중합 광이라 칭하고, 정렬 후에 사용되는 노광 광을 경화 광이라 칭한다.
합성 미러(22)는 조명 광(18)과 변형 광(107) 또는 중합 광(106)을 합성하고 합성된 광을 기판(10)을 향해서 조사한다. 다이크로익 미러(23a)는 조명 광(18), 변형 광(107) 및 중합 광(106)을 투과시키고 검출 광(15)을 반사한다. 다이크로익 미러(23b)는 다이크로익 미러(23a)로부터의 광을 투과시키고, 중합 광(108) 및 경화 광(109)을 반사한다. 검출기(12)는, 몰드(M)의 정렬 마크와 기판(10)의 정렬 마크 사이의 상대 위치를 검출하기 위해서 사용된다. 제어부(7)는, 검출기(12)를 사용해서 검출되는 몰드(M)의 정렬 마크와 기판(10)의 정렬 마크 사이에서 각각 획득되는 (복수의) 상대 위치에 기초하여, 기판(10)의 샷 영역과 몰드(M)의 패턴 영역(PR) 사이의 정렬 오차를 검출할 수 있다. 제어부(7)는, 정렬 오차에 기초하여, 기판 구동 기구(4) 및 몰드 구동 기구(3) 중 적어도 하나를 제어함으로써 정렬 오차를 저감(즉, 샷 영역과 패턴 영역(PR) 사이의 정렬을 수행)할 수 있다.
제어부(7)는, 몰드 구동 기구(3), 기판 구동 기구(4), 공급부(5), 노광 장치(2), 검출기(12), 조도 분포 형성 장치(20), 및 촬상 장치(6)를 제어하도록 구성될 수 있다. 제어부(7)는, 예를 들어 FPGA(Field Programmable Gate Array의 약어) 등의 PLD(Programmable Logic Device의 약어), ASIC(Application Specific Integrated Circuit의 약어), 프로그램이 내장된 범용 또는 전용 컴퓨터, 또는 이들 구성요소의 전부 또는 일부의 조합에 의해 형성될 수 있다.
임프린트재(IM)로서는, 광 조사에 의해 경화되는 경화성 조성물(미경화 상태의 수지라고도 칭함)이 사용된다. 광은, 예를 들어 10 nm(포함) 내지 1 mm(포함)의 파장 범위로부터 선택되는 적외선, 가시광선, 또는 자외선 등일 수 있다. 광 조사에 의해 경화되는 경화성 조성물은, 적어도 중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하고, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용제를 함유할 수 있다. 비중합성 화합물은 증감제, 수소 공여체, 내첨형 이형제, 계면활성제, 산화방지제, 폴리머 성분 등을 포함하는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이다. 임프린트재(IM)는 스핀 코터 또는 슬릿 코터에 의해 기판 상에 막 형상으로 부여된다. 대안적으로, 임프린트재(IM)는 액체 분사 헤드를 사용하여 액적 형상 또는 복수의 액적이 연결되어 형성되는 섬 또는 막 형상으로 기판(10) 위에 부여될 수 있다. 임프린트재(IM)의 점도(25℃에서의 점도)는 예를 들어 1 mPa·s(포함) 내지 100 mPa·s(포함)일 수 있다. 기판(10)으로서는, 유리, 세라믹, 금속, 반도체, 수지 등이 사용될 수 있다. 필요에 따라, 기판(10)의 표면에는 기판(10)과는 다른 재료로 이루어지는 부재가 형성될 수 있다. 기판(10)은, 예를 들어 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 실리카 유리 등일 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 노광 장치(2)의 구성예를 나타낸다. 노광 장치(2)는, 예를 들어 광원(83), 셔터 기구(81), 결상 광학계(84), 플라이-아이 렌즈(fly-eye lens)(85), 결상 광학계(86)를 포함할 수 있다. 광원(83)은, 예를 들어 수은 램프 등의 램프 또는, 레이저 또는 LED 등의 고체 광원일 수 있다. 셔터 기구(81)는 셔터판(811)과 셔터판(811)을 구동하는 액추에이터(819)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 액추에이터(819)는 셔터판(811)이 피벗하게 구성될 수 있지만, 셔터판(811)을 1축 방향으로 구동(왕복 구동)하게 구성될 수 있다.
셔터판(811)이 배치되는 면에는, 광원(83)의 중간 상이 형성될 수 있다. 결상 광학계(84)는, 셔터판(811)이 배치되는 면과 플라이-아이 렌즈(85)의 입사면이 광학적으로 공액 위치 관계를 갖도록 구성될 수 있다. 결상 광학계(86)는, 플라이-아이 렌즈(85)의 입사면과 기판(10)이 광학적으로 공액 위치 관계를 갖도록 구성될 수 있다. 셔터판(811)은, 구동축(812)을 통해 액추에이터(819)에 연결되고, 액추에이터(819)에 의해 피벗될 수 있다. 도 2b 중의 점선은, 광원(83)으로부터의 노광 광(9)이 입사하는 영역(광로)을 나타낸다. 셔터판(811)은 광원(83)으로부터의 노광 광(9)을 차단하는 차단부(813)를 포함할 수 있다. 또한, 셔터판(811)은, 샷 영역 상의 전체 임프린트재(IM)의 일부의 점도를 증가시키도록 해당 일부에 중합 광(108)을 조사(예비 노광)하기 위해 사용되는 제1 통과부(814)를 포함할 수 있다. 이 예에서는, 제1 통과부(814)를 통과하는 노광 광(9)이 중합 광(108)이다. 또한, 셔터판(811)은 샷 영역 상의 전체 임프린트재(IM)에 경화 광(109)을 조사하기 위해 사용되는 제2 통과부(815)를 포함할 수 있다. 이 예에서는, 제2 통과부(815)를 통과하는 노광 광(9)이 경화 광(109)이다. 도 2b에 도시된 예에서는, 셔터판(811)은 2회 대칭 구조를 갖지만, 다른 구조를 가질 수 있다.
이 예에서는, 광원(83)으로부터의 노광 광(9)을 차단하지 않음으로써, 정렬 후에 임프린트재(IM)를 경화시키기 위한 경화 광(109)이 생성된다. 또한, 광원(83)으로부터의 노광 광(9)을 부분적으로 차단함으로써, 정렬 동안 임프린트재(IM)의 점도를 증가시키기 위한 중합 광(108)이 생성된다. 그러나, 경화 광을 발생시키는 광원과 중합 광을 발생시키는 광원이 별개로 제공될 수 있다.
일례에서, 제1 통과부(814)를 통과하는 중합 광(108)은 조도 분포 형성 장치(20)로부터의 중합 광(106)보다 높은 강도를 가질 수 있다. 이것은, 더 짧은 시간에 임프린트재(IM)의 중합 반응을 일으켜서 점도를 증가시키는 데 유리하다. 한편, 임프린트재(IM)의 점도를 높은 정밀도로 목표 점도로 조정하기 위해서는, 제1 통과부(814)를 통과하는 중합 광(108)보다 강도가 낮은 조도 분포 형성 장치(20)로부터의 중합 광(106)을 사용하는 것이 유리하다. 따라서, 제1 통과부(814)를 통과하는 중합 광(108)이 먼저 임프린트재(IM)에 부여될 수 있고, 그 후 조도 분포 형성 장치(20)로부터의 중합 광(106)이 임프린트재(IM)에 부여될 수 있다. 그러나, 제1 통과부(814)를 통과하는 중합 광(108)과 조도 분포 형성 장치(20)로부터의 중합 광(106)의 양쪽 모두가 임프린트재(IM)에 조사되는 기간이 있을 수 있다.
도 8은 임프린트 시퀀스에서의 임프린트재(IM)에 대한 광 조사의 비교예를 나타낸다. 중합 광(B)(106) 및 변형 광(107)은 조도 분포 형성 장치(20)에 의해 생성된다. 중합 광(A)(108) 및 경화 광(109)은 노광 장치(2)에 의해 생성된다. 임프린트재의 경화물로 이루어지는 패턴을 형성하는 임프린트 시퀀스는, 예를 들어 강하 단계(101), 접촉 단계(102), 정렬 단계(103), 경화 단계(104), 및 분리 단계(105)를 포함할 수 있다. 강하 단계(101)에서는, 제어부(7)는 몰드(M)를 미리결정된 높이까지 강하시키도록 몰드 구동 기구(3)를 동작시킨다. 접촉 단계(102)에서는, 제어부(7)는, 몰드(M)를 더 강하시키고 샷 영역 상의 임프린트재(IM)를 몰드(M)의 패턴 영역(PR)과 접촉시키도록 몰드 구동 기구(3)를 동작시킨다. 임프린트재(IM)와 몰드(M)의 패턴 영역(PR) 사이의 접촉에 의해, 임프린트재(IM)의 충전이 개시된다. 임프린트재(IM)의 충전은, 기판(10)의 샷 영역과 몰드(M)의 패턴 영역(PR) 사이의 공간에의 임프린트재(IM)의 충전 및 패턴 영역(PR)의 오목부에의 임프린트재(IM)의 충전을 포함할 수 있다.
정렬 단계(103)에서는, 제어부(7)는 기판(10)의 샷 영역과 몰드(M)의 패턴 영역(PR) 사이의 정렬을 행한다. 정렬은 샷 영역과 패턴 영역(PR) 사이의 상대적인 위치 오차 및 상대적인 회전 오차를 저감하는 것과 샷 영역과 패턴 영역(PR) 사이의 형상 차를 저감하는 것을 포함할 수 있다. 전자는, 검출기(12)를 사용해서 검출되는 정렬 오차에 기초하여, 정렬 오차를 저감하도록 제어부(7)에 의해 기판 구동 기구(4) 및 몰드 구동 기구(3) 중 적어도 하나를 동작시킴으로써 수행될 수 있다. 후자는, 샷 영역과 패턴 영역(PR) 사이의 형상 차를 저감하도록, 조도 분포 형성 장치(20)에 의해 발생되는 변형 광(107)을 제어부(7)에 의해 제어함으로써 수행될 수 있다. 샷 영역과 패턴 영역(PR) 사이의 형상 차는 검출기(12)를 사용해서 실시간으로 계측될 수 있거나 미리 계측될 수 있다.
경화 단계(104)에서는, 제어부(7)는, 임프린트재(IM)와 몰드(M)가 서로 접촉한 상태에서 임프린트재(IM)에 경화 광(109)이 조사되도록 노광 장치(2)를 제어함으로써 임프린트재(IM)를 경화시킨다. 분리 단계(105)에서는, 제어부(7)는 임프린트재(IM)의 경화물로 형성되는 패턴으로부터 몰드(M)를 분리하도록 몰드 구동 기구(3)를 동작시킨다.
정렬 단계(103)가 개시된 후, 제어부(7)는 임프린트재(IM)에 중합 광(A)(108)을 부여하도록 노광 장치(2)를 동작시킨다. 이 동작에 의해, 임프린트재(IM)는 그 점도가 변화하기 쉬운 상태로 변화될 수 있다. 그 후, 정렬 단계(103)에서, 제어부(7)는 임프린트재(IM)에 중합 광(B)(106)을 부여하도록 조도 분포 형성 장치(20)를 동작시킨다. 이 동작에 의해, 임프린트재(IM)의 점도가 목표 점도까지 증가된다. 그 후, 정렬 단계(103)에서, 제어부(7)는 임프린트재(IM)를 통해 기판(10)에 변형 광(107)을 부여하도록 조도 분포 형성 장치(20)를 동작시킨다. 이 동작에 의해, 기판(10)의 샷 영역은 목표 형상으로 변형될 수 있다. 그 후, 경화 단계(104)에서, 제어부(7)는 임프린트재(IM)에 경화 광(109)을 부여하도록 노광 장치(2)를 동작시킨다. 이 동작에 의해, 임프린트재(IM)가 경화된다. 그 후, 분리 단계(105)에서, 몰드(M)는 임프린트재(IM)의 경화물로 형성되는 패턴으로부터 분리된다.
도 8에서, 정렬 파형은 기판(10)의 샷 영역과 몰드(M)의 패턴 영역(PR) 사이의 정렬 오차의 1 성분(예를 들어, X 또는 Y 방향 편차)을 나타낸다. 조도 분포 형성 장치(20)에 의해 수행되는 임프린트재(IM)로의 중합 광(B)(106)의 조사에 의해 임프린트재(IM)의 점도가 증가되고, 그에 따라 정렬 오차가 작게 변화한다. 그 후, 조도 분포 형성 장치(20)는, 임프린트재(IM)에 부여되는 광을 중합 광(B)(106)으로부터 변형 광(107)으로 변경하여, 샷 영역을 목표 형상으로 변형시킨다.
도 3은 임프린트 시퀀스에서의 임프린트재(IM)에 대한 광 조사의 실시형태를 나타낸다. 도 3에 도시되는 실시형태는 달리 구체화되지 않는 한 비교예를 따를 수 있다. 본 실시형태에서는, 정렬 단계(103)는, 변형 광(107)이 임프린트재(IM)를 통해 기판(10)에 부여되는 기간과 중합 광(A)(108)이 임프린트재(IM)에 부여되는 기간이 서로 중복하는 중복 기간(T)을 포함하도록 제어부(7)에 의해 제어될 수 있다. 임프린트재(IM)에 부여되는 중합 광(A)(108) 및 중합 광(B)(106)은 중복 기간(T) 동안 임프린트재(IM)에 부여되는 변형 광(107)에 따라서 제어부(7)에 의해 제어될 수 있다.
중복 기간(T)의 존재는, 조도 분포 형성 장치(20)에 의해 임프린트재(IM)에 변형 광(107)이 부여되는 기간의 전부 또는 일부가 노광 장치(2)에 의해 임프린트재(IM)에 중합 광(B)(108)이 부여되는 기간의 전부 또는 일부와 중복하는 것을 의미한다. 중복 기간(T)을 제공함으로써, 정렬에 요하는 시간이 단축되며, 이것은 스루풋의 향상을 초래할 수 있다. 조도 분포 형성 장치(20)는, 임프린트재(IM)를 통해 기판(10)에 변형 광(107)을 부여한 후에 중합 광(B)(106)을 임프린트재(IM)에 부여할 수 있다.
여기서, 조도 분포 형성 장치(20)에 의해 임프린트재(IM)에 부여되는 변형 광(107)은, 변형 광(107)만이 임프린트재(IM)에 조사되었을 때에는, 임프린트재(IM)의 점도(중합도)를 변화시키지 않는다. 그러나, 변형 광(107) 및 중합 광(A)(108)이 임프린트재(IM)에 조사되었을 경우, 중합 광(A)(108)만이 임프린트재(IM)에 조사되었을 경우보다 임프린트재(IM)의 점도(중합도)가 증가하는 것이 실험에 의해 확인되었다.
이 이유를 변형 광(107)의 파장을 X로 하고 중합 광(A)(108)의 파장을 Y로 하여 설명한다. 임프린트재(IM)의 광중합 개시제는 파장 X를 갖는 변형 광(107)만의 조사에서는 광중합을 개시할 수 없다. 그러나, 파장 Y를 갖는 중합 광(A)(108)에 의해 여기된 광중합 개시제가 파장 X를 갖는 광을 흡수하는 특성을 가지면, 파장 X 및 파장 Y를 포함하는 광의 조사에 의해, 파장 X의 변형 광(107)만의 조사의 경우보다, 광중합의 속도가 증가한다.
변형 광(107)의 조사에 의한 임프린트재(IM)의 점도 변화의 촉진은 정렬 동안의 샷 영역과 패턴 영역 사이의 상대적인 진동의 수렴에 영향을 줄 수 있다. 도 4는 기판(10)에 부여되는 변형 광(107)의 조도 분포(광량 분포)를 예시한다. 여기서, 각 직사각형은 샷 영역을 나타낸다. 각 샷 영역에서의 정렬 오차를 최소화하기 위해서, 변형 광(107)의 조도 분포(광량 분포)는 각 샷 영역마다 결정될 수 있다. 각 샷 영역마다의 변형 광(107)의 조도 분포(광량 분포)는 샷 영역의 형상에 따라서 결정될 수 있다. 각 샷 영역의 형상은 제조되는 디바이스의 설계, 제조 프로세스 등에 의존할 수 있다.
전술한 바와 같이, 변형 광(107)의 조사에 의한 임프린트재(IM)의 점도 변화의 촉진은 정렬 동안의 샷 영역과 패턴 영역 사이의 상대적인 진동의 수렴에 영향을 줄 수 있다. 따라서, 본 실시형태에서는, 제어부(7)는, 중복 기간(T) 동안 임프린트재(IM)에 부여되는 변형 광(107)에 따라, 임프린트재(IM)에 부여되는 중합 광(A)(108) 및 중합 광(B)(106)을 제어하도록 구성된다. 이러한 제어는 각 샷 영역마다 개별적으로 수행될 수 있다. 즉, 변형 광(107)의 제어는, 각 샷 영역마다 다를 수 있고, 그에 따라 중합 광(A)(108) 및 중합 광(B)(106)의 제어도 각 샷 영역마다 다를 수 있다.
도 5는 실시형태에 따른 패턴 형성 방법을 도시한다. 단계 S201에서는, 기판(10)의 샷 영역과 몰드(M)의 패턴 영역 사이의 형상 차가 계측된다. 단계 S201은, 예를 들어 임프린트 장치(1)에 의해 기판(10)의 샷 영역 상에 몰드(M)를 사용해서 패턴 영역(PR)을 전사하고, 해당 샷 영역과 전사된 패턴 영역 사이의 형상 차를 중첩 검사 장치 등에 의해 계측하는 것을 포함할 수 있다. 단계 S201은, 임프린트 장치(1)에서 기판(10)의 샷 영역 상의 임프린트재(IM)에 몰드(M)의 패턴 영역(PR)을 접촉시키고, 검출기(12)를 사용해서 몰드(M)의 정렬 마크와 기판(10)의 정렬 마크 사이의 상대 위치를 검출하는 것을 포함할 수 있다. 검출기(12)를 사용하는 방법은, 디바이스 등의 물품을 임프린트 장치(1)에 의해 제조할 때에 정렬 단계에서 수행될 수 있거나 물품을 제조하기 전에 테스트 기판을 사용해서 수행될 수 있다.
단계 S202(제1 생성 단계)에서는, 단계 S201에서 얻어진 형상 차에 기초하여 변형 광(107)을 제어하기 위해 사용되는 변형 제어 정보가 생성된다. 변형 제어 정보는, 변형 광(107)의 조도 분포, 조사 면적 및 조사 시간 중 적어도 하나를 제어하기 위해 사용되는 정보를 포함할 수 있다. 변형 제어 정보는, 샷 영역과 패턴 영역(PR) 사이의 정렬 오차가 목표 정밀도 범위 내에 들어오게 하도록 해당 샷 영역의 형상을 제어하기 위해 사용되는 정보일 수 있다. 단계 S202는, 제어부(7)에 의해 수행될 수 있거나, 임프린트 장치(1)의 외부의 컴퓨터 등에 의해 수행될 수 있다. 단계 S203(제2 생성 단계)에서는, 단계 S202에서 생성된 변형 제어 정보에 기초하여, 임프린트재(IM)에 대한 중합 광(A)(108) 및 중합 광(B)(106)의 조사를 제어하기 위해 사용되는 중합 제어 정보가 생성된다. 단계 S203은, 제어부(7)에 의해 수행될 수 있거나, 임프린트 장치(1)의 외부의 컴퓨터 등에 의해 수행될 수 있다. 중합 제어 정보는, 변형 광(107)이 임프린트재(IM)를 통해 기판(10)에 부여되는 중복 기간과 중합 광(A)(108)이 임프린트재(IM)에 부여되는 중복 기간이 서로 중복하는 중복 기간(T)을 포함하도록 생성될 수 있다.
일례에서, 단계 S203(제2 생성 단계)에서는, 중복 기간(T) 동안 샷 영역에 부여되는 변형 광(107)의 광량을 평균화함으로써 해당 샷 영역에서 얻어진 값에 기초하여 중합 제어 정보가 생성될 수 있다. 다른 예에서, 단계 S203(제2 생성 단계)에서는, 중합 광(A)(108) 및 중합 광(B)(106)을 제어하기 위해서 미리 설정된 기준 정보를 변형 제어 정보에 기초하여 보정함으로써 중합 제어 정보가 생성될 수 있다. 중복 기간(T) 동안 임프린트재(IM)에 부여되는 중합 광(A)(108)의 조도는 변형 제어 정보에 따라서 결정될 수 있다. 중복 기간(T)은 변형 제어 정보에 따라서 결정될 수 있다. 중합 제어 정보는, 임프린트재(IM)의 점도가 목표 점도에 도달하도록 중합 광(A)(108) 및 중합 광(B)(106)의 조사를 제어하기 위해 사용되는 정보일 수 있다. 단계 S204에서는, 임프린트 장치(1)에서, 도 3에 도시된 바와 같은 임프린트 시퀀스가 기판(10)의 각 샷 영역에 대하여 수행된다. 이에 의해, 기판(10)의 각 샷 영역에 임프린트재의 경화물로 형성되는 패턴이 형성된다.
도 6을 참조하여, 단계 S203에서의 중합 제어 정보 생성 방법에 대해서 설명한다. 여기에서는, 중합 광(B)(106)의 조사 조건(예를 들어, 조도 분포 및 조사 시간)이 고정 조건이고, 중합 광(A)(108)의 조사 조건의 일례로서의 역할을 하는 조사 시간(중복 기간(T))이 결정되는 예를 설명한다. 중합 광(A)(108)의 조사 시간(중복 기간(T))은, 당해 중복 기간(T) 동안 임프린트재(IM)에 부여되는 변형 광(107)(예를 들어, 변형 광(107)의 광량(J))에 따라서 결정될 수 있다. 이에 의해, 중합 광(A)(108) 및 중합 광(B)(106)의 조사 후의 임프린트재(IM)의 점도를 복수의 샷 영역 또는 복수의 기판(10) 간에 일정하게 할 수 있고, 기판(10)과 몰드(M) 사이의 상대적인 진동의 수렴 상태를 안정시킬 수 있다.
도 6에서, 횡축은 샷 영역 내에서의 변형 광(107)의 광량(J)의 평균값을 나타내고, 종축은 중합 광(A)(108)의 조사 시간(중복 시간(T))을 나타낸다. 변형 광(107)의 조사가 없을 경우, 즉 J=0의 경우에, 중합 광(A)(108)의 최적 조사 시간(T)을 T0으로 한다. 변형 광(107)의 광량(J)이 증가함에 따라, 중합 광(A)(108)에 의해 야기되는 임프린트재(IM)의 점도의 변화(증가)가 증가되기 때문에, 조사 시간(T)을 저감시킬 필요가 있다. 임프린트재(IM)의 점도는 광량(J)이 광량(J1)에 도달할 때까지 변형 광(107)의 광량(J)에 따라 변화되며, 광량(J1) 이상의 광량에서는 점도는 더 변화되지 않는다. 이 경우, T=T1이 된다. 이것은 식 (1)로서 표현된다:
Figure pat00001
···(1)
계수(α)는 실험에 의해 미리 결정될 수 있다.
도 4는, 기판(10)의 각 샷 영역과 몰드(M)의 패턴 영역(PR) 사이의 형상 차를 저감하도록 결정되는 변형 광(107)의 조도 분포를 예시한다. 검정색이 진할수록, 조도(광량)는 높다. 광량은 조도를 조사 시간으로 적분함으로써 획득되는 값이라는 것에 유의한다. 조도가 일정한 경우, 광량은 조도에 비례한다. 도 7은 도 4에 도시된 조도 분포(변형 제어 정보)에 기초하여 식 (1)에 따라서 중합 광(A)(108)의 조사 시간(중복 기간(T))을 계산함으로써 얻어지는 결과를 나타낸다. 샷 영역 내의 변형 광(107)의 조도(광량)가 낮을수록, 그 내부의 중합 광(A)(108)의 조사 시간이 길어진다(결과적으로, 중합 광(A) 및 중합 광(B)의 조사 시간이 길어진다)는 것을 알 수 있다.
상술한 예에서는, 변형 광(107)의 조도(광량)에 기초하여 중합 광(A)(108)의 조사 시간(중복 기간(T))이 조정되지만, 변형 광(107)의 조도(광량)에 기초하여 중합 광(A)(108)의 조도가 조정되거나 결정될 수 있다. 대안적으로, 중합 광(A)(108)의 조사 시간 및/또는 조도를 조정하는 대신, 중합 광(B)(106)의 조사 시간 및/또는 조도가 조정될 수 있다. 중합 광(B)(106)의 조사는 반드시 필요한 것은 아니다.
또한, 상술한 예에서는, 샷 영역 내의 변형 광(107)의 조도 또는 광량의 평균값에 기초하여 중합 제어 정보를 생성하지만, 변형 광(107)의 조도 분포, 조사 면적 및 조사 시간 중 적어도 하나를 제어하기 위해 사용되는 정보에 기초하여 중합 제어 정보를 생성할 수 있다. 예를 들어, 샷 영역에서, 변형 광(107)이 조사되지 않는 영역보다 변형 광(107)이 조사되는 부분에서 임프린트재의 점도의 변화가 크다. 따라서, 변형 광(107)의 조도 분포에서 조도가 높은 부분은, 중합 광(A) 및/또는 중합 광(B)의 강도가 저하될 수 있다. 이에 의해, 임프린트재의 충전성을 샷 영역 내에서 균일화할 수 있다.
기준이 되는 조도 분포를 규정하는 기준 변형 제어 정보에 적합한 중합 광 조사 조건을 규정하는 기준 중합 제어 정보를 미리 설정할 수 있고, 기준 변형 제어 정보와 변형 제어 정보 사이의 차이 등에 기초하여 기준 중합 제어 정보를 보정함으로써 중합 제어 정보를 생성할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 실시형태에 따르면, 변형 광이 임프린트재를 통해 기판에 부여되는 기간과 중합 광이 임프린트재에 부여되는 기간이 서로 중복하는 중복 기간을 제공할 수 있다. 또한, 임프린트재에 부여되는 중합 광은 중복 기간 동안 임프린트재에 부여되는 변형 광에 따라 제어될 수 있다. 따라서, 중첩 정밀도 및 스루풋이 향상될 수 있다.
임프린트 장치를 사용해서 형성한 경화물의 패턴은 각종 물품의 적어도 일부에 영구적으로 또는 각종 물품을 제조할 때에 일시적으로 사용된다. 물품은 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 몰드 등이다. 전기 회로 소자의 예는, DRAM, SRAM, 플래시 메모리, 및 MRAM과 같은 휘발성 및 비휘발성 반도체 메모리와 LSI, CCD, 이미지 센서, 및 FPGA와 같은 반도체 소자이다. 몰드는 임프린트 몰드 등을 포함한다.
경화물의 패턴은 상술한 물품의 구성 부재의 적어도 일부로서 그대로 사용되거나 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 기판 가공 단계에서 에칭 또는 이온 주입이 행해진 후, 레지스트 마스크는 제거된다.
이어서, 임프린트 장치가 기판에 패턴을 형성하고, 패턴이 형성된 기판을 처리하고, 처리된 기판으로부터 물품을 제조하는 물품 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 9a에 나타내는 바와 같이, 절연체 등의 피가공재(2z)가 표면에 형성된 실리콘 웨이퍼 등의 기판(1z)을 준비한다. 계속해서, 잉크젯법 등에 의해 피가공재(2z)의 표면에 임프린트재(3z)를 부여한다. 여기에서는, 임프린트재(3z)가 복수의 액적으로서 기판 상에 부여된 상태를 나타낸다.
도 9b에 나타내는 바와 같이, 임프린트용 몰드(4z)의 오목-볼록 패턴을 갖는 측을 기판 상의 임프린트재(3z)를 향하게 하여 거기에 대향시킨다. 도 9c에 나타내는 바와 같이, 임프린트재(3z)가 부여된 기판(1z)을 몰드(4z)와 접촉시키고, 압력을 가한다. 임프린트재(3z)는 몰드(4z)와 피가공재(2z) 사이의 간극에 충전된다. 이 상태에서, 경화용 에너지로서 광을 몰드(4z)를 통해 임프린트재(3z)에 조사하면, 임프린트재(3z)는 경화된다.
도 9d에 나타내는 바와 같이, 임프린트재(3z)가 경화된 후, 몰드(4z)는 기판(1z)으로부터 분리되고, 기판(1z) 위에 임프린트재(3z)의 경화물의 형성된다. 경화물의 패턴에서, 몰드의 오목부는 경화물의 볼록부에 대응하며, 몰드의 볼록부는 경화물의 오목부에 대응한다. 즉, 임프린트재(3z)에 몰드(4z)의 오목-볼록 패턴이 전사된다.
도 9e에 나타내는 바와 같이, 경화물의 패턴을 내에칭 마스크로서 사용하여 에칭을 행하면, 피가공재(2z)의 표면 중 경화물이 존재하지 않거나 얇게 잔존하는 부분이 제거되어 홈(5z)을 형성한다. 도 9f에 나타내는 바와 같이, 경화물의 패턴을 제거하면, 피가공재(2z)의 표면에 홈(5z)이 형성된 물품을 얻을 수 있다. 여기에서는, 경화물의 패턴이 제거된다. 그러나, 처리 후에 경화물의 패턴을 제거하는 대신, 이를 예를 들어 반도체 소자 등에 포함되는 층간 절연막, 즉 물품의 구성 부재로서 사용할 수 있다.
다른 실시형태
본 발명의 실시형태(들)는, 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 저장 매체(보다 완전하게는 '비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체'라 칭할 수도 있음)에 기록된 컴퓨터 실행가능 명령어(예를 들어, 하나 이상의 프로그램)를 판독 및 실행하고 그리고/또는 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하는 하나 이상의 회로(예를 들어, 주문형 집적 회로(ASIC))를 포함하는 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해, 그리고 예를 들어 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 저장 매체로부터 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독 및 실행함으로써 그리고/또는 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 하나 이상의 회로를 제어함으로써 상기 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해 실행되는 방법에 의해 실현될 수도 있다. 컴퓨터는 하나 이상의 프로세서(예를 들어, 중앙 처리 유닛(CPU), 마이크로 처리 유닛(MPU))를 포함할 수 있고 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독 및 실행하기 위한 개별 컴퓨터 또는 개별 프로세서의 네트워크를 포함할 수 있다. 컴퓨터 실행가능 명령어는 예를 들어 네트워크 또는 저장 매체로부터 컴퓨터에 제공될 수 있다. 저장 매체는, 예를 들어 하드 디스크, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 판독 전용 메모리(ROM), 분산형 컴퓨팅 시스템의 스토리지, 광학 디스크(예를 들어, 콤팩트 디스크(CD), 디지털 다기능 디스크(DVD) 또는 블루레이 디스크(BD)™), 플래시 메모리 디바이스, 메모리 카드 등 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
(기타의 실시예)
본 발명은, 상기의 실시형태의 1개 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억 매체를 개입하여 시스템 혹은 장치에 공급하고, 그 시스템 혹은 장치의 컴퓨터에 있어서 1개 이상의 프로세서가 프로그램을 읽어 실행하는 처리에서도 실현가능하다.
또한, 1개 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어, ASIC)에 의해서도 실행가능하다.
본 발명을 예시적인 실시형태를 참고하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시형태로 한정되지 않음을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

Claims (19)

  1. 몰드를 사용해서 기판의 샷 영역 상에 임프린트재를 성형하는 임프린트 방법이며,
    상기 임프린트재와 상기 몰드의 패턴 영역이 서로 접촉하는 상태에서 상기 샷 영역과 상기 몰드를 정렬시키는 정렬 단계; 및
    상기 정렬 단계 후에, 상기 임프린트재에 경화 광을 조사함으로써 상기 임프린트재를 경화시키는 경화 단계를 포함하고,
    상기 정렬 단계는, 상기 샷 영역을 변형시키기 위해 사용되는 변형 광이 상기 임프린트재를 통해 상기 기판에 부여되는 기간과 상기 임프린트재의 점도를 증가시키기 위해 사용되는 중합 광이 상기 임프린트재에 부여되는 기간이 서로 중복하는 중복 기간을 포함하도록 제어되며,
    상기 임프린트재에 부여되는 상기 중합 광은 상기 중복 기간 동안 상기 임프린트재에 부여되는 상기 변형 광에 따라 제어되는, 임프린트 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 경화 광의 파장 대역과 상기 변형 광의 파장 대역이 서로 상이한, 임프린트 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 변형 광과 상기 중합 광의 양자 모두가 상기 임프린트재에 부여되는 경우, 상기 임프린트재의 점도는 상기 변형 광과 상기 중합 광 중 상기 중합 광만을 상기 임프린트재에 부여하는 경우보다 증가되는, 임프린트 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 기판에 대한 상기 변형 광의 조사를 제어하기 위해 사용되는 변형 제어 정보를 생성하는 단계; 및
    상기 변형 제어 정보에 기초하여, 상기 임프린트재에 대한 상기 중합 광의 조사를 제어하기 위해 사용되는 중합 제어 정보를 생성하는 단계를 더 포함하는, 임프린트 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 중합 제어 정보를 생성하는 단계에서, 상기 중합 제어 정보는, 상기 변형 제어 정보에 기초하여, 상기 중합 광을 제어하기 위해 미리 설정되어 있는 기준 정보를 보정함으로써 생성되는, 임프린트 방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 중복 기간 동안 상기 임프린트재에 부여되는 상기 중합 광의 조도가 상기 변형 제어 정보에 기초하는, 임프린트 방법.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 중복 기간은 상기 변형 제어 정보에 기초하는, 임프린트 방법.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 중합 제어 정보를 생성하는 단계에서, 상기 중합 제어 정보는, 상기 중복 기간 동안 상기 샷 영역에 부여되는 상기 변형 광의 광량을 평균화함으로써 상기 샷 영역에서 획득되는 값에 기초하여 생성되는, 임프린트 방법.
  9. 제4항에 있어서,
    상기 변형 제어 정보는 상기 변형 광의 조도 분포, 조사 면적, 및 조사 시간 중 적어도 하나를 제어하기 위해 사용되는 정보를 포함하는, 임프린트 방법.
  10. 제4항에 있어서,
    상기 변형 제어 정보는, 상기 샷 영역과 상기 패턴 영역 사이의 정렬 오차가 목표 정밀도 범위 내에 들어오게 하도록 상기 샷 영역의 형상을 제어하기 위해 사용되는 정보이며,
    상기 중합 제어 정보는, 상기 임프린트재의 상기 점도가 목표 점도에 도달하도록 상기 중합 광의 조사를 제어하기 위해 사용되는 정보인, 임프린트 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 중합 광이 상기 임프린트재에 부여되는 기간은 상기 중복 기간 이외에 상기 중복 기간 후의 기간을 포함하며,
    상기 중복 기간 후의 기간에서는, 제1 조사부가 상기 중복 기간에 상기 임프린트재에 상기 중합 광을 부여하며, 상기 제1 조사부와는 상이한 제2 조사부가 상기 임프린트재에 상기 중합 광을 부여하는, 임프린트 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 변형 광은 상기 제2 조사부에 의해 상기 기판에 부여되는, 임프린트 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 중복 기간 후의 기간에서의 상기 변형 광의 파장 대역과 상기 중합 광의 파장 대역은 서로 상이한, 임프린트 방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 경화 광은 상기 제1 조사부에 의해 상기 임프린트재에 부여되는, 임프린트 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 중복 기간 동안의 상기 중합 광은 상기 제1 조사부에 제공되는 셔터판의 제1 통과부를 통해 상기 임프린트재에 부여되며, 상기 경화 광은 상기 셔터판의 제2 통과부를 통해 상기 임프린트재에 부여되는, 임프린트 방법.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 경화 광은 상기 제1 조사부에 의해 상기 임프린트재에 부여되는, 임프린트 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 중복 기간 동안의 상기 중합 광은 상기 제1 조사부에 제공되는 셔터판의 제1 통과부를 통해 상기 임프린트재에 부여되며, 상기 경화 광은 상기 셔터판의 제2 통과부를 통해 상기 임프린트재에 부여되는, 임프린트 방법.
  18. 기판의 샷 영역 상의 임프린트재를 몰드의 패턴 영역과 접촉시키고, 상기 샷 영역과 상기 패턴 영역 간의 정렬을 수행하며, 상기 임프린트재에 경화 광을 조사함으로써 상기 임프린트재를 경화시키는 임프린트 장치이며, 상기 장치는
    상기 정렬에서, 상기 샷 영역을 변형시키기 위해 사용되는 변형 광이 상기 임프린트재를 통해 상기 기판에 부여되는 기간과 상기 임프린트재의 점도를 증가시키기 위해 사용되는 중합 광이 상기 임프린트재에 부여되는 기간이 서로 중복하는 중복 기간이 포함되도록 상기 기판에 대한 상기 변형 광의 조사 및 상기 임프린트재에 대한 상기 중합 광의 조사를 제어하도록 구성되는 제어부를 포함하며,
    상기 제어부는, 상기 중복 기간 동안 상기 임프린트재에 부여되는 상기 변형 광에 따라 상기 임프린트재에 대한 상기 중합 광의 조사를 제어하는, 임프린트 장치.
  19. 물품 제조 방법이며,
    제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에서 규정되는 임프린트 방법에 따라 기판 상에 패턴을 형성하는 형성 단계; 및
    상기 형성 단계에서 상기 패턴이 형성된 기판을 가공하는 가공 단계를 포함하며,
    상기 가공 단계를 거친 상기 기판으로부터 물품을 획득하는, 물품 제조 방법.
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