KR20210130032A - 온/오프 스위칭이 가능한 중주파 플라즈마 처리장치 - Google Patents
온/오프 스위칭이 가능한 중주파 플라즈마 처리장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20210130032A KR20210130032A KR1020200048292A KR20200048292A KR20210130032A KR 20210130032 A KR20210130032 A KR 20210130032A KR 1020200048292 A KR1020200048292 A KR 1020200048292A KR 20200048292 A KR20200048292 A KR 20200048292A KR 20210130032 A KR20210130032 A KR 20210130032A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- plasma
- medium frequency
- power supply
- plasma processing
- switching
- Prior art date
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 19
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 238000009623 Bosch process Methods 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012163 sequencing technique Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
Description
도 3은 본 발명에 따른 온/오프 스위칭 기능이 있는 중주파 전원 공급기를 이용하여 만든 온/오프 스위칭 중주파 플라즈마 처리장치 개념도이다.
도 4는 온/오프 스위칭 중주파 플라즈마 처리장치로 산소와 아르곤 혼합 가스 플라즈마의 발광 피크 그래프이다.
도 5는 도 4에서 얻은 산소와 아르곤 플라즈마 피크를 각각 일정 시간동안 측정한 그래프이다.
112: 반응가스 공급부 114: 반응가스 배출부
120: 중주파 전원 장치 130, 140: 전극
230, 240: 전극 250: 중주파 전원 장치
Claims (6)
- 중주파의 주파수 범위를 가지는 중주파 전원 장치를 이용한 플라즈마 처리장치에 있어서,
외부와 독립되어 소정의 밀폐된 공간을 제공하는 반응챔버;
반응가스를 상기 반응챔버에 소정의 압력으로 공급하는 반응가스 공급부;
상기 반응챔버에서 반응이 완료된 반응가스를 배출하는 반응가스 배출부;
상기 반응챔버 내부에서 서로 대향되도록 설치되는 2개의 전극;
상기 전극에 각각 연결되며 주기적으로 온/오프 자동 스위칭 기능을 가지는 중주파 전원 장치;
를 포함하며,
상기 중주파 전원 장치를 사용하여 전극 전원의 인가와 차폐를 반복적으로 수행하여 플라즈마를 발생시키는 온/오프 스위칭이 가능한 중주파 플라즈마 처리장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 중주파 전원 장치는 추가적인 외부 컴퓨터 프로그램 제어 없이 중주파 전원 장치 내부에 온/오프 기능의 회로를 융합하여 독립적으로 일정한 시간을 지정하여 플라즈마를 발생시키는데 사용되는 전원의 인가와 차폐를 자동으로 하는 것을 특징으로 하는 온/오프 스위칭이 가능한 중주파 플라즈마 처리장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 중주파 전원 장치의 온/오프 자동 스위칭 기능은 0.1 ~ 20초의 범위에서 작동하는 것을 특징으로 하는 온/오프 스위칭이 가능한 중주파 플라즈마 처리장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 전극에 인가되는 출력 주파수는 20~100 KHz의 주파수를 사용하여 플라즈마를 발생시키는 것을 특징으로 하는 온/오프 스위칭이 가능한 중주파 플라즈마 처리장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 전극은 서로 대향하는 판형상의 전극으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 온/오프 스위칭이 가능한 중주파 플라즈마 처리장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 전극은 반응챔버 내부에서 수평적으로 평행한 형태로 설치되는 것을 특징으로 하는 온/오프 스위칭이 가능한 중주파 플라즈마 처리장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200048292A KR102359463B1 (ko) | 2020-04-21 | 2020-04-21 | 온/오프 스위칭이 가능한 중주파 플라즈마 처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200048292A KR102359463B1 (ko) | 2020-04-21 | 2020-04-21 | 온/오프 스위칭이 가능한 중주파 플라즈마 처리장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210130032A true KR20210130032A (ko) | 2021-10-29 |
KR102359463B1 KR102359463B1 (ko) | 2022-02-08 |
Family
ID=78231528
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200048292A KR102359463B1 (ko) | 2020-04-21 | 2020-04-21 | 온/오프 스위칭이 가능한 중주파 플라즈마 처리장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102359463B1 (ko) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004273312A (ja) * | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ発生装置、プラズマ処理装置およびこれを用いたプラズマ発生方法 |
KR20110019743A (ko) * | 2008-05-14 | 2011-02-28 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Rf 전력 전달을 위한 시간 분석된 조정 방식을 이용하는 펄스화된 플라즈마 처리를 위한 방법 및 장치 |
KR20180008427A (ko) | 2015-04-30 | 2018-01-24 | 에스아이오2 메디컬 프로덕츠, 인크. | 열가소성 물품으로의 희석 생체분자 부착의 감소를 가져오는 비중합성 화합물을 이용한 플라즈마 처리 |
-
2020
- 2020-04-21 KR KR1020200048292A patent/KR102359463B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004273312A (ja) * | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ発生装置、プラズマ処理装置およびこれを用いたプラズマ発生方法 |
KR20110019743A (ko) * | 2008-05-14 | 2011-02-28 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Rf 전력 전달을 위한 시간 분석된 조정 방식을 이용하는 펄스화된 플라즈마 처리를 위한 방법 및 장치 |
KR20180008427A (ko) | 2015-04-30 | 2018-01-24 | 에스아이오2 메디컬 프로덕츠, 인크. | 열가소성 물품으로의 희석 생체분자 부착의 감소를 가져오는 비중합성 화합물을 이용한 플라즈마 처리 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102359463B1 (ko) | 2022-02-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102145815B1 (ko) | 플라스마 처리 방법 및 플라스마 처리 장치 | |
JP4794449B2 (ja) | ナローギャップ容量結合リアクタのrfパルシング技術 | |
KR102038617B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
TW426888B (en) | Plasma processing method | |
KR101872763B1 (ko) | 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법 | |
CN101094557A (zh) | 使用双重阴极频率混合的等离子体控制 | |
JP3424182B2 (ja) | 表面処理装置 | |
US7771608B2 (en) | Plasma processing method and apparatus | |
KR20210065045A (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
KR20200096734A (ko) | 고주파 전원 및 플라즈마 처리 장치 | |
CN108471666B (zh) | 一种等离子体产生方法及装置和半导体处理设备 | |
KR102359463B1 (ko) | 온/오프 스위칭이 가능한 중주파 플라즈마 처리장치 | |
JP2972227B2 (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
JP2017028000A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
KR20210097027A (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
JPH07142453A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
JPH0820880A (ja) | ドライエッチング方法 | |
JPH0888218A (ja) | プラズマエッチング方法及びその装置 | |
JPH07249614A (ja) | プラズマエッチング方法及びその装置 | |
JP7330391B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
KR20240090877A (ko) | 플라즈마 반응기 내의 전극들에 대한 이온 에너지 제어 | |
US20240222085A1 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus including applying a voltage to a lower electrode in a substrate support with a gas supplied into a chamber | |
WO2024062804A1 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2004134716A (ja) | 2電源方式プラズマ発生装置 | |
TW202425048A (zh) | 基板處理系統及基板處理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20200421 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20210617 Patent event code: PE09021S01D |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20220126 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20220203 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20220204 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20250124 Start annual number: 4 End annual number: 4 |