KR20210127442A - Substrate processing system - Google Patents

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KR20210127442A
KR20210127442A KR1020200045302A KR20200045302A KR20210127442A KR 20210127442 A KR20210127442 A KR 20210127442A KR 1020200045302 A KR1020200045302 A KR 1020200045302A KR 20200045302 A KR20200045302 A KR 20200045302A KR 20210127442 A KR20210127442 A KR 20210127442A
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안해진
장원준
김주섭
권현범
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주식회사 원익아이피에스
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Abstract

The present invention discloses a substrate processing system. The substrate processing system comprises an inner tube forming a reaction space, and an outer tube accommodating a portion of the inner tube and forming a protection space; a pumping line for pumping the reaction space; an inner exhaust line exhausting the reaction space; an outer exhaust line exhausting the protection space; a main exhaust line connecting a vacuum pump and an external exhaust device; a buffer tank disposed between a substrate processing apparatus and the vacuum pump and storing a gas generated by an exhaust process when perform the exhaust process from the substrate processing apparatus; and a buffer pumping line for pumping the buffer tank.

Description

기판 처리 시스템{SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}Substrate processing system {SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}

본 발명은 기판 처리 시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 고압 및 저압에 의해 기판 처리가 수행되는 기판 처리 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing system, and more particularly, to a substrate processing system in which substrate processing is performed by high pressure and low pressure.

기판 처리 시스템에 포함된 기판 처리 장치는 웨이퍼와 같은 기판에 대한 반도체 공정을 처리하는 것으로 이해될 수 있다. 기판 처리 장치의 일예로 기판의 열처리를 위하여 보트를 이용하는 리액터(Reactor)가 이용될 수 있다. A substrate processing apparatus included in a substrate processing system may be understood as processing a semiconductor process for a substrate such as a wafer. As an example of the substrate processing apparatus, a reactor using a boat for heat treatment of a substrate may be used.

리액터는 일정 매수 단위(예시적으로 180매)로 웨이퍼들을 차지(Charge)한 보트가 열처리를 위하여 로딩 영역에서 승강되거나 열처리된 웨이퍼들을 디스차지(Discharge)하기 위하여 보트가 로딩 영역으로 하강되도록 구성된다.The reactor is configured such that a boat that charges wafers in units of a predetermined number (eg 180 sheets) is raised from the loading area for heat treatment, or the boat is lowered into the loading area to discharge the heat treated wafers. .

상기한 기판 처리 장치는 원료가스, 반응가스 및 캐리어 가스 등을 공급하며 적절한 온도와 압력을 가하여 원하는 두께의 박막을 기판에 형성하기 위하여 이용된다.The above-described substrate processing apparatus is used to form a thin film of a desired thickness on a substrate by supplying a source gas, a reaction gas, a carrier gas, and the like, and applying an appropriate temperature and pressure.

박막을 형성하는 과정에서, 박막의 내부 또는 박막의 표면의 잔류물은 수율을 저하시키는 원인으로 작용될 수 있다.In the process of forming the thin film, residues inside the thin film or on the surface of the thin film may act as a cause of lowering the yield.

그러므로, 상기한 잔류물을 전처리하거나 공정 중 처리하거나 그리고 공정 후 처리하는 기술의 개발이 요구되며, 이 가운데 배기 공정에서 개발된 기술을 효과적으로 적용하기 위한 기판 처리 장치를 포함한 기판 처리 시스템의 개발이 요구된다.Therefore, it is required to develop a technology for pre-treating, processing, or post-processing the residues described above, and among them, the development of a substrate processing system including a substrate processing apparatus for effectively applying the technology developed in the exhaust process is required. do.

본 발명의 목적은 반응 공간에 대한 배기를 할 때 배기 속도의 조절이 용이한 기판 처리 시스템을 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a substrate processing system in which it is easy to control an exhaust velocity when exhausting a reaction space.

또한, 본 발명의 다른 목적은 반응 공간보다 낮은 압력을 유지하는 버퍼 탱크를 이용하여 반응 공간의 배기를 보다 급속하게 수행하며, 반응 공간에 대한 배기를 스크러버 용량 이상으로 할 수 있는 기판 처리 시스템을 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing system capable of more rapidly evacuating the reaction space using a buffer tank that maintains a pressure lower than that of the reaction space, and capable of evacuating the reaction space to a scrubber capacity or more. is in

본 발명의 기판 처리 시스템은, 내부에 반응 공간을 형성하는 이너 튜브와, 상기 이너 튜브의 일부를 수용하고 내부에 보호 공간을 형성하는 아우터 튜브를 포함하는 기판 처리 장치; 상기 이너 튜브와 진공 펌프 사이를 연결하며, 상기 반응 공간의 내부 압력이 상압보다 작은 저압 상태에서 공정이 수행될 수 있도록 상기 반응 공간을 펌핑하는 펌핑 라인; 상기 이너 튜브와 외부 배기 장치 사이를 연결하며, 상기 반응 공간의 내부 압력이 상압보다 높은 고압 상태에서 공정이 수행될 수 있도록 상기 반응 공간을 배기하는 이너 배기 라인; 상기 아우터 튜브와 상기 외부 배기 장치 사이를 연결하며, 상기 보호 공간을 배기하는 아우터 배기 라인; 상기 진공 펌프와 상기 외부 배기 장치 사이를 연결하는 메인 배기 라인; 상기 기판 처리 장치와 상기 진공 펌프 사이에 배치되고, 상기 기판 처리 장치로부터 배기가 진행될 때 상기 배기에 의한 가스를 저장하는 버퍼 탱크; 상기 이너 배기 라인과 상기 버퍼 탱크 사이를 연결하는 급속 배기 라인; 상기 진공 펌프의 펌핑 구동에 의해 상기 버퍼 탱크 내부 압력이 상기 반응 공간의 압력보다 낮도록 상기 버퍼 탱크를 펌핑하는 버퍼 펌핑 라인;을 포함함을 특징으로 한다.A substrate processing system of the present invention includes: a substrate processing apparatus including an inner tube forming a reaction space therein, and an outer tube accommodating a portion of the inner tube and forming a protective space therein; a pumping line connecting the inner tube and the vacuum pump and pumping the reaction space so that the process can be performed in a low pressure state in which the internal pressure of the reaction space is smaller than normal pressure; an inner exhaust line connecting the inner tube and an external exhaust device and exhausting the reaction space so that a process can be performed in a high-pressure state in which the internal pressure of the reaction space is higher than normal pressure; an outer exhaust line connecting the outer tube and the external exhaust device to exhaust the protection space; a main exhaust line connecting the vacuum pump and the external exhaust device; a buffer tank disposed between the substrate processing apparatus and the vacuum pump and configured to store a gas generated by the exhaust when the exhaust is performed from the substrate processing apparatus; a rapid exhaust line connecting the inner exhaust line and the buffer tank; and a buffer pumping line for pumping the buffer tank so that the internal pressure of the buffer tank is lower than the pressure of the reaction space by the pumping operation of the vacuum pump.

또한, 본 발명의 기판 처리 시스템은, 내부에 반응 공간을 형성하는 이너 튜브와, 상기 이너 튜브의 일부를 수용하고 내부에 보호 공간을 형성하는 아우터 튜브를 포함하는 기판 처리 장치; 상기 이너 튜브와 진공 펌프 사이를 연결하며, 상기 반응 공간의 내부 압력이 상압보다 작은 저압 상태에서 공정이 수행될 수 있도록 상기 반응 공간을 펌핑하는 펌핑 라인; 상기 이너 튜브와 외부 배기 장치 사이를 연결하며, 상기 반응 공간의 내부 압력이 상압보다 높은 고압 상태에서 공정이 수행될 수 있도록 상기 반응 공간을 배기하는 이너 배기 라인; 상기 아우터 튜브와 상기 외부 배기 장치 사이를 연결하며, 상기 보호 공간을 배기하는 아우터 배기 라인; 상기 진공 펌프와 상기 외부 배기 장치 사이를 연결하는 메인 배기 라인; 상기 기판 처리 장치와 상기 진공 펌프 사이에 배치되고, 상기 기판 처리 장치로부터 배기가 진행될 때 상기 배기에 의한 가스를 저장하는 버퍼 탱크; 상기 버퍼 탱크와, 상기 이너 배기 라인과 상기 아우터 배기 라인이 서로 합쳐진 라인 사이를 연결하는 급속 배기 라인; 상기 진공 펌프의 펌핑 구동에 의해 상기 버퍼 탱크 내부 압력이 상기 반응 공간의 압력보다 낮도록 상기 버퍼 탱크를 펌핑하는 버퍼 펌핑 라인;을 포함하는 것을 특징으로 한다.Further, the substrate processing system of the present invention includes: a substrate processing apparatus including an inner tube forming a reaction space therein, and an outer tube accommodating a portion of the inner tube and forming a protective space therein; a pumping line connecting the inner tube and the vacuum pump and pumping the reaction space so that the process can be performed in a low pressure state in which the internal pressure of the reaction space is smaller than normal pressure; an inner exhaust line connecting the inner tube and an external exhaust device and exhausting the reaction space so that a process can be performed in a high-pressure state in which the internal pressure of the reaction space is higher than normal pressure; an outer exhaust line connecting the outer tube and the external exhaust device to exhaust the protection space; a main exhaust line connecting the vacuum pump and the external exhaust device; a buffer tank disposed between the substrate processing apparatus and the vacuum pump and configured to store a gas generated by the exhaust when the exhaust is performed from the substrate processing apparatus; a rapid exhaust line connecting the buffer tank and a line in which the inner exhaust line and the outer exhaust line are merged; and a buffer pumping line for pumping the buffer tank so that the internal pressure of the buffer tank is lower than the pressure of the reaction space by the pumping operation of the vacuum pump.

본 발명에 의하면, 반응 공간을 배기할 때 배기 속도를 쉽게 조절할 수 있는 이점이 있다.According to the present invention, there is an advantage that the exhaust speed can be easily adjusted when exhausting the reaction space.

또한, 본 발명에 의하면, 반응 공간보다 낮은 압력을 유지하는 버퍼 탱크를 이용하여 반응 공간에 대한 배기를 수행하므로 배기를 스크러버 용량 이상으로 할 수 있는 이점이 있다.In addition, according to the present invention, since the reaction space is evacuated using a buffer tank that maintains a pressure lower than that of the reaction space, there is an advantage in that the exhaust can be made more than the scrubber capacity.

또한 본 발명에 의하면, 버퍼 탱크를 이용하여 보다 급속한 배기를 이룰 수 있고, 버퍼 탱크의 용량에 따라 급속한 배기의 속도도 조절할 수 있는 이점이 있다.In addition, according to the present invention, more rapid exhaust can be achieved using the buffer tank, and the speed of rapid exhaust can be adjusted according to the capacity of the buffer tank.

도 1은 본 발명의 기판 처리 장치에 따른 실시예의 제1 위치의 단면도.
도 2는 본 발명의 기판 처리 장치에 따른 실시예의 제2 위치의 단면도.
도 3은 매니폴드 어셈블리의 구성을 설명하는 분해 사시도.
도 4는 도 3에 대응하는 매니폴드 어셈블리의 조립 상태를 설명하는 단면도.
도 5는 실시예의 배기 및 펌핑을 위한 계통을 나타내는 블록도.
도 6은 다른 실시예의 배기 및 펌핑을 위한 계통을 나타내는 블록도.1 is a cross-sectional view in a first position of an embodiment according to a substrate processing apparatus of the present invention;
2 is a cross-sectional view in a second position of an embodiment according to a substrate processing apparatus of the present invention;
3 is an exploded perspective view illustrating a configuration of a manifold assembly;
4 is a cross-sectional view illustrating an assembly state of the manifold assembly corresponding to FIG. 3 ;
5 is a block diagram showing a system for exhaust and pumping of the embodiment.
6 is a block diagram showing a system for exhaust and pumping of another embodiment.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. 본 명세서 및 특허청구범위에 사용된 용어는 통상적이거나 사전적 의미로 한정되어 해석되지 아니하며, 본 발명의 기술적 사항에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The terms used in the present specification and claims are not limited to a conventional or dictionary meaning, and should be interpreted in a meaning and concept consistent with the technical matters of the present invention.

본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예이며, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것이 아니므로, 본 출원 시점에서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있다.The configuration shown in the embodiments and drawings described in this specification is a preferred embodiment of the present invention, and does not represent all of the technical spirit of the present invention, so various equivalents and modifications that can be substituted for them at the time of the present application are provided. there may be

본 발명은 기판 처리를 위한 공정을 수행하는 기판 처리 시스템을 예시한다.The present invention illustrates a substrate processing system that performs a process for processing a substrate.

본 발명에 포함된 기판 처리 장치에 의한 기판 처리를 위한 공정은 웨이퍼와 같은 기판에 막질을 형성하기 위한 공정이나 어닐(Anneal) 등이 예시될 수 있다. A process for processing a substrate by the substrate processing apparatus included in the present invention may be exemplified by a process for forming a film on a substrate such as a wafer or annealing.

본 발명의 기판 처리 시스템은 박막을 형성하기 전에, 반응 공간이 상압보다 높은 고압을 갖는 고압 공정과 반응 공간이 상압보다 낮은 저압을 갖는 저압 공정을 진행할 수 있으며, 보다 바람직하게는 고압 공정을 진행한 후 저압 공정을 진행할 수 있다. In the substrate processing system of the present invention, before forming the thin film, a high pressure process in which the reaction space has a high pressure higher than normal pressure and a low pressure process in which the reaction space has a low pressure lower than normal pressure may be performed, and more preferably, a high pressure process is performed. After that, a low pressure process may be performed.

이 경우, 본 발명의 기판 처리 시스템은 박막을 형성하기 전 상기한 변압 과정을 통해 기판을 전처리하는 것으로 이해될 수 있으며, 상기한 전처리에 의해 기판의 계면 격자에서 불순물이나 기타 원인으로 인한 박막의 불완전성을 제거할 수 있다.In this case, it can be understood that the substrate processing system of the present invention pre-treats the substrate through the above-described transformation process before forming the thin film. sex can be removed.

예시적으로, 기판의 표면이 염소(CL)에 의해 오염된 경우, 염소(Cl)는 기판의 실리콘 원자와 약한 결합상태를 이루고 있다. 이 때 수소(H2)를 이용하여 반응 공간이 적절한 온도와 상압 이상의 적절한 고압을 갖도록 하면 가벼운 원자인 수소는 측벽 표면뿐만 아니라 실리콘 격자 구조의 표면으로부터 어느 정도의 깊이까지 침투 가능하다. 그러므로 고압의 수소는 염소 불순물과의 환원 반응이 촉진되어 실리콘 표면으로부터 분리된다. 분리된 불순물들은 저압으로 감소되는 과정에서 리액터 또는 챔버 밖으로 배출된다. For example, when the surface of the substrate is contaminated by chlorine (CL), chlorine (Cl) forms a weak bond with the silicon atoms of the substrate. At this time, when hydrogen (H 2 ) is used to allow the reaction space to have an appropriate temperature and an appropriate high pressure above atmospheric pressure, hydrogen, which is a light atom, can penetrate to a certain depth from the surface of the silicon lattice structure as well as the surface of the side wall. Therefore, hydrogen at high pressure is separated from the silicon surface by promoting a reduction reaction with chlorine impurities. The separated impurities are discharged out of the reactor or chamber in the process of being reduced to a low pressure.

그리고, 고압 상태에서는 실리콘 결정 원자들의 열진동이 증가하고, 증가한 열진동에 의해 실리콘 표면 원자와 약한 결합을 이루고 있던 불순물은 제거되고, 반도체 표면이 재결정화(recrystallize) 또는 마이그레이션(migration) 현상이 촉진되어 어닐링(annealing) 효과를 얻을 수 있다. 이러한 재결정화는 박막을 이루는 원소들 사이의 분자결합을 더욱 강하게 만들어 주게 되어 설사 불순물들이 아직 남아 있더라도 다시 반도체 표면과 반응하여 들러붙는 것을 방지한다. In addition, in a high-pressure state, thermal vibration of silicon crystal atoms increases, impurities forming a weak bond with silicon surface atoms are removed by the increased thermal vibration, and recrystallization or migration of the semiconductor surface is promoted. Thus, an annealing effect can be obtained. This recrystallization makes the molecular bonds between the elements constituting the thin film stronger, and even if impurities still remain, they react with the semiconductor surface and prevent adhesion.

또한, 본 발명의 기판 처리 시스템은 박막을 형성하는 중에, 반응 공간이 상압보다 높은 고압을 갖는 고압 공정과 반응 공간이 상압보다 낮은 저압을 갖는 저압 공정을 진행할 수 있으며, 보다 바람직하게는 고압 공정을 진행한 후 저압 공정을 진행할 수 있다. In addition, the substrate processing system of the present invention may perform a high-pressure process in which the reaction space has a high pressure higher than normal pressure and a low-pressure process in which the reaction space has a low pressure lower than normal pressure, and more preferably, a high-pressure process during the formation of the thin film. After the process, a low pressure process may be performed.

이 경우, 본 발명의 기판 처리 시스템은 박막을 형성하는 중 반응 공간을 적절한 가스를 이용하여 반응 공간이 상압 이상의 고압을 갖도록 하고, 그 후 반응 공간의 압력을 상압보다 낮은 저압을 갖도록 함으로써 일부 두께의 박막의 특성을 개선할 수 있다.In this case, the substrate processing system of the present invention uses an appropriate gas for the reaction space during the formation of the thin film so that the reaction space has a high pressure equal to or higher than normal pressure, and thereafter, the pressure of the reaction space is lower than the normal pressure to have a low pressure lower than the normal pressure. It is possible to improve the properties of the thin film.

예시적으로, TiN 박막의 경우에, 박막의 일부가 형성되면 원료가스를 배기하여 성막을 멈추고, 이 상태에서 수소(H2)를 반응 공간 내로 주입하여 반응 공간이 고압을 갖도록 한다. 고압 동안 수소 분자의 밀도가 증가할 뿐만 아니라 수소 분자 기체들의 움직임이 더욱 빨라지게 된다. 그러므로 수소 분자들이 비교적 약한 결합을 이루고 있는 잔류 Cl 원소나, 비교적 단단한 결합을 하고 있는 Cl 원소와의 반응이 더욱 활성화되어 배기에 유리한 HCl 가스로 환원된다. 게다가 고압의 환원 분위기에서는 박막을 이루는 원소들의 재결정화가 촉진되어 박막의 질이 개선된다. 이러한 재결정화는 박막을 이루는 원소들 사이의 분자결합을 더욱 강하게 만들어 주게 된다. 고압을 위하여 선택되는 원소는 박막 내 불순물과 결합하여 불순물의 배출을 돕는 기체가스이다.Illustratively, in the case of a TiN thin film, when a part of the thin film is formed, the source gas is exhausted to stop the film formation, and in this state, hydrogen (H 2 ) is injected into the reaction space so that the reaction space has a high pressure. During high pressure, not only the density of hydrogen molecules increases, but also the movement of molecular hydrogen gases becomes faster. Therefore, the reaction with the residual Cl element in which the hydrogen molecules form a relatively weak bond or the Cl element in a relatively hard bond is further activated, and is reduced to HCl gas, which is advantageous for exhaust. In addition, in a high-pressure reducing atmosphere, recrystallization of elements constituting the thin film is promoted, and the quality of the thin film is improved. This recrystallization makes the molecular bonds between the elements constituting the thin film stronger. The element selected for high pressure is a gaseous gas that binds to impurities in the thin film and helps to discharge impurities.

다음 순서로 강제 배기의 방식으로 반응 공간이 저압을 갖도록 하면 잔류하였던 Cl 등의 불순물들이 HCl 가스 상태로 배기된다. 이러한 고압 공정-저압 공정, 즉 변압과정을 거쳐 TiN 박막내의 바람직하지 않은 여러 잔류물들이 박막 원소와 이루는 약한 결합들은 깨지게 된다. 그리하여 깨진 잔류물들은 기존보다 더 효과적으로 제거되고, 박막을 이루는 결정구조의 불완전성이나 기타의 유기물들도 보다 더 효과적으로 제거되어 어닐(anneal)된다.In the following order, if the reaction space is made to have a low pressure in the manner of forced exhaust, the remaining impurities such as Cl are exhausted as HCl gas. Through this high-pressure process-low-pressure process, that is, a transformation process, the weak bonds formed by various undesirable residues in the TiN thin film with the thin film elements are broken. Thus, the broken residues are removed more effectively than before, and imperfections of the crystal structure forming the thin film and other organic substances are also more effectively removed and annealed.

다음으로 반응 공간 내에 원료가스를 투입하여 TiN 박막의 나머지 두께를 성막한다.Next, a raw material gas is introduced into the reaction space to form the remaining thickness of the TiN thin film.

또한, 본 발명의 기판 처리 시스템은 박막을 형성한 후에, 반응 공간이 상압보다 높은 고압을 갖도록 하고, 그 후 반응 공간이 상압보다 낮은 저압을 갖도록 구성될 수 있다.Further, the substrate processing system of the present invention may be configured such that, after forming the thin film, the reaction space has a high pressure higher than the normal pressure, and then the reaction space has a low pressure lower than the normal pressure.

이 경우, 본 발명의 기판 처리 시스템은 박막을 형성한 후 상기한 변압 과정을 거쳐서 박막의 특성을 개선할 수 있으며, 이에 대한 특성 개선은 상술한 예시들로 이해될 수 있으므로 구체적인 설명은 생략한다.In this case, the substrate processing system of the present invention may improve the characteristics of the thin film through the above-described transformation process after forming the thin film.

본 발명의 기판 처리 시스템은 상술한 바 고압 공정과 저압 공정을 포함하는 변압 공정을 수행할 수 있는 구조를 갖도록 도 1 및 도 2와 같이 실시될 수 있다.The substrate processing system of the present invention may be implemented as shown in FIGS. 1 and 2 to have a structure capable of performing the transformation process including the high-pressure process and the low-pressure process as described above.

도 1 및 도 2는 기판 처리 장치의 일례로서 리액터를 예시한다. 도 1 및 도 2의 리액터는 설명의 편의를 위하여 기판 처리 장치로 호칭한다. 도 1은 내부의 열전대 보호관(100)을 보이기 위한 제1 위치의 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 3의 1-1 절단 부분에 해당한다. 그리고, 도 2는 내부의 가스 공급관(69)을 보이기 위한 제2 위치의 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 3의 2-2 절단 부분에 해당한다.1 and 2 illustrate a reactor as an example of a substrate processing apparatus. The reactor of FIGS. 1 and 2 is referred to as a substrate processing apparatus for convenience of description. FIG. 1 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus in a first position to show the internal thermocouple protection tube 100 , and corresponds to cut 1-1 of FIG. 3 . And, FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus in a second position for showing the gas supply pipe 69 therein, and corresponds to a portion 2-2 cut in FIG. 3 .

기판 처리 장치는 격벽(CA)을 기준으로 히터(10)가 구성된 상부와 보트(80)가 로딩되는 하부로 구분된다.The substrate processing apparatus is divided into an upper portion in which the heater 10 is configured and a lower portion in which the boat 80 is loaded, based on the partition wall CA.

히터(10)는 상기한 격벽(CA)의 상부에 구성되며 내부에 히팅 공간(12)을 갖는다. 히팅 공간(12)에는 아우터 튜브(20)와 이너 튜브(30)가 수용된다. 히팅 공간(12)은 하부에 입구를 가지며, 내부에 수용되는 아우터 튜브(20)와 이너 튜브(30)의 형상에 대응하여 천정이 막힌 원통 형상을 갖도록 형성될 수 있다.The heater 10 is configured above the partition wall CA and has a heating space 12 therein. The outer tube 20 and the inner tube 30 are accommodated in the heating space 12 . The heating space 12 has an inlet at the lower portion, and may be formed to have a cylindrical shape with a closed ceiling corresponding to the shapes of the outer tube 20 and the inner tube 30 accommodated therein.

격벽(CA)은 히팅 공간(12)의 입구에 대응하는 관통 영역을 갖도록 구성된다. The partition wall CA is configured to have a through area corresponding to the entrance of the heating space 12 .

격벽(CA) 상면에는 소정 두께의 히터 베이스(14)를 개재하여 히터 베이스 위에 히터(10)를 지지하도록 구성된다.A heater base 14 having a predetermined thickness is interposed on the upper surface of the partition wall CA to support the heater 10 on the heater base.

히터(10)는 높이 단위로 구분되는 복수의 히팅 블록들(도시되지 않음)을 포함하는 것으로 예시될 수 있으며, 각 히팅 블록 별로 가열 온도가 독립적으로 제어될 수 있다. The heater 10 may be exemplified as including a plurality of heating blocks (not shown) divided by height units, and the heating temperature may be independently controlled for each heating block.

본 발명의 기판 처리 장치는 아우터 튜브(20) 및 이너 튜브(30)를 구비한다.The substrate processing apparatus of the present invention includes an outer tube 20 and an inner tube 30 .

아우터 튜브(20)는 제1 돔형 천정을 갖는 수직 원통형으로 구성되고, 내부에 보호 공간(22)이 형성되며, 하부에 제1 입구가 형성된다. 그리고, 아우터 튜브(20)는 제1 입구에서 외측으로 연장된 링형의 아우터 플랜지(28)를 갖는다.The outer tube 20 is configured in a vertical cylindrical shape having a first domed ceiling, a protective space 22 is formed therein, and a first inlet is formed in the lower portion. And, the outer tube 20 has a ring-shaped outer flange 28 extending outward from the first inlet.

보호 공간(22)은 아우터 튜브(20)와 이너 튜브(30) 사이에 형성되는 이격된 공간이다. 보호 공간(22)은 압력이 제어되는 공간이며, 이너 튜브(30)의 반응 공간(32)이 상압 이상의 압력을 가질 경우, 보호 공간의 압력은 반응 공간(32) 보다 일정 정도 높은 고압을 가진다. 반응 공간(32)이 상압 미만의 저압인 경우 보호 공간의 압력은 상압을 유지한다. 그러므로, 보호 공간(22)은 이격 공간이나 압력 제어 공간으로 이해될 수 있으며, 이너 튜브(30)가 손상되는 경우 파티클에 의한 오염 범위가 확산되는 것을 방지하는 역할을 한다.The protective space 22 is a spaced space formed between the outer tube 20 and the inner tube 30 . The protective space 22 is a space in which the pressure is controlled, and when the reaction space 32 of the inner tube 30 has a pressure equal to or higher than normal pressure, the pressure of the protective space has a higher pressure than the reaction space 32 to a certain degree. When the reaction space 32 has a low pressure less than the atmospheric pressure, the pressure of the protective space maintains the normal pressure. Therefore, the protection space 22 may be understood as a spaced space or a pressure control space, and serves to prevent the spread of contamination by particles when the inner tube 30 is damaged.

이너 튜브(30)는 제2 돔형 천정을 갖는 수직 원통형으로 구성되고, 내부에 반응 공간(32)을 형성하며, 하부에 제2 입구가 형성되되, 일부가 아우터 튜브(20)에 수용되고, 제2 입구가 형성된 부분은 아우터 튜브 외측으로 돌출되도록 구성될 수 있다. 그리고, 이너 튜브(30)는 제2 입구에서 외측으로 연장된 링형의 이너 플랜지(38)를 갖는다.The inner tube 30 is configured in a vertical cylindrical shape having a second dome-shaped ceiling, and forms a reaction space 32 therein, and a second inlet is formed at the lower portion, a portion of which is accommodated in the outer tube 20, and the second 2 The portion in which the inlet is formed may be configured to protrude outside the outer tube. And, the inner tube 30 has a ring-shaped inner flange 38 extending outward from the second inlet.

여기에서, 아우터 튜브(20)의 아우터 플랜지(28)와 이너 튜브(30)의 이너 플랜지(38)는 동일 외경을 가질 수 있다.Here, the outer flange 28 of the outer tube 20 and the inner flange 38 of the inner tube 30 may have the same outer diameter.

그리고, 아우터 튜브(20)는 금속 재질로 형성되고, 이너 튜브(30)는 비금속 재질로 형성될 수 있다. 이와 달리 아우터 튜브(20)와 이너 튜브(30) 모두 비금속 재질로 형성될 수 있다. 서스(SUS)가 금속 재질의 일예로 예시될 수 있고, 석영이 비금속 재질의 일예로 예시될 수 있다.In addition, the outer tube 20 may be formed of a metal material, and the inner tube 30 may be formed of a non-metal material. In contrast, both the outer tube 20 and the inner tube 30 may be formed of a non-metal material. SUS may be exemplified as an example of a metallic material, and quartz may be exemplified as an example of a non-metallic material.

아우터 튜브(20)는 이너 튜브(30)의 일부를 내부에 수용하면서 내측벽이 이너 튜브(30)의 외측벽과 균일한 이격 간격을 갖도록 구성될 수 있다. 그에 따라서 아우터 튜브(20)는 이너 튜브(30)의 측벽 외경보다 큰 내경을 갖도록 구성된다. 즉, 아우터 튜브(20)의 보호 공간(22)의 제1 입구는 이너 튜브(30)의 반응 공간(32)의 제2 입구보다 큰 내경을 갖도록 형성된다.The outer tube 20 may be configured to accommodate a portion of the inner tube 30 therein while having an inner wall having a uniform spacing from the outer wall of the inner tube 30 . Accordingly, the outer tube 20 is configured to have an inner diameter greater than the outer diameter of the side wall of the inner tube 30 . That is, the first inlet of the protective space 22 of the outer tube 20 is formed to have a larger inner diameter than the second inlet of the reaction space 32 of the inner tube 30 .

아우터 튜브(20)의 제1 돔형 천정과 이너 튜브(30)의 제2 돔형 천정은 이격 간격이 균일하도록 제작자에 의해 다양한 형상으로 구성될 수 있다. 예시적으로, 아우터 튜브(20)와 이너 튜브(30)의 돔형 천정들은 동일한 곡률을 갖는 반구형으로 형성될 수 있다.The first domed ceiling of the outer tube 20 and the second dome-shaped ceiling of the inner tube 30 may be configured in various shapes by the manufacturer so that the spacing is uniform. For example, the domed ceilings of the outer tube 20 and the inner tube 30 may be formed in a hemispherical shape having the same curvature.

상기한 구성에 의해서, 아우터 튜브(20)와 이너 튜브(30)가 결합되는 경우, 아우터 튜브(20)와 이너 튜브(30) 사이에 보호 공간(22)이 형성될 수 있다. According to the above configuration, when the outer tube 20 and the inner tube 30 are coupled, the protective space 22 may be formed between the outer tube 20 and the inner tube 30 .

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예는 아우터 튜브(20)와 이너 튜브(30)에 의한 이중 튜브 구조를 갖는다. As described above, the embodiment of the present invention has a double tube structure by the outer tube 20 and the inner tube 30 .

그러므로, 이너 튜브(30)는 외부 환경과 내부의 반응 공간(32)의 환경 차에 의하여 손상되는 것이 방지될 수 있다.Therefore, the inner tube 30 can be prevented from being damaged by the environmental difference between the external environment and the internal reaction space 32 .

또한, 본 발명의 실시예는 각각 돔형 천정을 갖도록 아우터 튜브(20)와 이너 튜브(30)가 형성된다. 돔형 구조는 내압과 외압을 효과적으로 분산시킬 수 있다. 그러므로, 아우터 튜브(20)와 이너 튜브(30)는 돔형 천정에 의해 압력에 대해 안전성을 확보할 수 있다. 그리고, 돔형 천정은 기류의 흐름을 원활히 한다. 그러므로, 이너 튜브(30)는 반응 공간의 상부에서 와류가 형성되거나 기류 흐름이 부분적으로 정체되는 것이 방지되는 이점을 가질 수 있다.In addition, in the embodiment of the present invention, the outer tube 20 and the inner tube 30 are formed to each have a domed ceiling. The dome-shaped structure can effectively distribute internal pressure and external pressure. Therefore, the outer tube 20 and the inner tube 30 can secure safety against pressure by the dome-shaped ceiling. And, the dome-shaped ceiling facilitates the flow of airflow. Therefore, the inner tube 30 may have the advantage that a vortex is formed in the upper part of the reaction space or the airflow flow is prevented from being partially stagnated.

상기한 바에서, 이너 튜브(30)의 반응 공간(32)은 상술한 바와 같이 기판에 대한 박막의 증착 전, 박막의 증착 중 그리고 박막의 증착 후에 고압을 가진 후 저압을 가질 수 있다. 아우터 튜브(20)의 보호 공간(22)은 반응 공간(32)이 상기한 변압 과정 중 상압 이상의 고압인 경우 반응 공간(32)보다 균일한 차의 높은 압력을 유지한다. As described above, the reaction space 32 of the inner tube 30 may have a low pressure after having a high pressure before, during, and after the deposition of the thin film on the substrate as described above. The protective space 22 of the outer tube 20 maintains a uniformly higher pressure than the reaction space 32 when the reaction space 32 has a high pressure higher than or equal to atmospheric pressure during the above-described pressure transformation process.

상기한 압력차를 갖도록 이너 튜브(30)와 아우터 튜브(20)를 구성하는 것은, 이너 튜브(30)가 불특정한 이유로 손상되는 경우, 공정 중 부산물, 반응 공간의 처리 가스 및 파티클 등이 아우터 튜브(20)의 외부로 확산되는 것을 아우터 튜브(20)의 보호 공간(20)의 높은 압력에 의해 방지하기 위한 것이다. In the configuration of the inner tube 30 and the outer tube 20 to have the above-described pressure difference, when the inner tube 30 is damaged for an unspecified reason, by-products during the process, processing gas and particles in the reaction space, etc. It is to prevent diffusion to the outside of (20) by the high pressure of the protective space (20) of the outer tube (20).

한편, 본 발명은 매니폴드 어셈블리를 구비하며, 매니폴드 어셈블리는 아우터 튜브(20)의 하부에 보호 공간(22)과 연결되는 제1 내부 공간을 형성하고 이너 튜브(30)의 하부에 반응 공간(32)과 연결되는 제2 내부 공간을 형성한다. 그리고, 매니폴드 어셈블리는 보호 공간(22)과 제1 내부 공간을 사이에 두고 아우터 튜브(20)와 이너 튜브(30)를 이격하여 지지한다.Meanwhile, the present invention includes a manifold assembly, wherein the manifold assembly forms a first internal space connected to the protective space 22 at the lower portion of the outer tube 20 and a reaction space ( 32) to form a second internal space connected to it. In addition, the manifold assembly supports the outer tube 20 and the inner tube 30 with the protective space 22 and the first inner space interposed therebetween.

이를 위하여, 매니폴드 어셈블리는 아우터 매니폴드(50)와 이너 매니폴드(60)를 포함한다. 아우터 매니폴드(50)는 아우터 튜브(20)의 하단부를 지지하며 보호 공간(22)과 연결되는 제1 내부 공간을 형성한다. 이너 매니폴드(60)는 아우터 매니폴드(50) 하부에 결합되어서, 이너 튜브(30)의 하단부를 지지하며 반응 공간(32)과 연결되는 제2 내부 공간을 형성한다.To this end, the manifold assembly includes an outer manifold 50 and an inner manifold 60 . The outer manifold 50 supports the lower end of the outer tube 20 and forms a first inner space connected to the protective space 22 . The inner manifold 60 is coupled to the lower portion of the outer manifold 50 to support the lower end of the inner tube 30 and form a second internal space connected to the reaction space 32 .

상기한 바에서, 보호 공간(22)과 제1 내부 공간은 서로 연결된 독립된 하나의 공간을 형성하고, 반응 공간(32)과 제2 내부 공간도 서로 연결된 독립된 하나의 공간을 형성한다.As described above, the protective space 22 and the first internal space form an independent space connected to each other, and the reaction space 32 and the second internal space also form an independent space connected to each other.

그리고, 상기한 매니폴드 어셈블리의 하부는 캡 플랜지(70)에 의해 밀폐된다.And, the lower portion of the manifold assembly is sealed by the cap flange (70).

상술한 바에서, 도 3 및 도 4을 더 참조하여 매니폴드 어셈블리의 구조를 살펴본다.From the above bar, the structure of the manifold assembly will be described with further reference to FIGS. 3 and 4 .

매니폴드 어셈블리는 링형 커버(40), 아우터 매니폴드(50) 및 이너 매니폴드(60)를 포함한다.The manifold assembly includes a ring-shaped cover 40 , an outer manifold 50 , and an inner manifold 60 .

링형 커버(40)는 아우터 튜브(20)의 아우터 플랜지(28)를 상부에서 커버하며, 아우터 매니폴드(50)와 결합되도록 구성된다. 그러므로, 아우터 플랜지(28)는 결합된 링형 커버(40)와 아우터 매니폴드(50) 사이에 개재된다.The ring-shaped cover 40 covers the outer flange 28 of the outer tube 20 from the top, and is configured to be coupled to the outer manifold 50 . Therefore, the outer flange 28 is interposed between the coupled ring-shaped cover 40 and the outer manifold 50 .

보다 구체적으로, 링형 커버(40)는 변부에 결합 부재의 체결이 가능한 복수의 체결부가 형성될 수 있고, 아우터 매니폴드(50)는 후술하는 제1 상부 플랜지(51)의 변부에 결합 부재의 체결이 가능한 복수의 체결부가 형성될 수 있다. 결합 부재가 링형 커버(40)와 아우터 매니폴드(50)의 마주하는 체결부들을 결합함으로써, 링형 커버(40)와 아우터 매니폴드(50)는 결합될 수 있다. 여기에서, 결합 부재는 나사(또는 너트)로 이해될 수 있으며, 복수의 체결부는 나사공(또는 볼트공)으로 이해될 수 있다.More specifically, the ring-shaped cover 40 may be formed with a plurality of fastening portions capable of fastening the coupling member to the side portion, and the outer manifold 50 is coupled to the side portion of the first upper flange 51 to be described later. A plurality of possible fastening portions may be formed. The ring-shaped cover 40 and the outer manifold 50 may be coupled by the coupling member coupling the opposite fastening parts of the ring-shaped cover 40 and the outer manifold 50 . Here, the coupling member may be understood as a screw (or nut), and the plurality of fastening units may be understood as a screw hole (or bolt hole).

보다 구체적으로, 상기한 링형 커버(40)는 아우터 튜브(20)의 아우터 플랜지(28)의 상면과 마주하는 수평부(44) 및 변부에 형성된 제1 수직부(42)를 구비하는 링형으로 구성되고, 링형 커버(40)의 링형 관통구에는 아우터 튜브(20)가 삽입된다. 링형 커버(40)의 제1 수직부(42)는 아우터 플랜지(28)를 벗어난 위치에 형성되며, 체결부들인 나사공들(또는 볼트공들)이 링형 변부를 따라 배치되면서 제1 수직부(42)를 수직으로 관통하도록 형성될 수 있다.More specifically, the ring-shaped cover 40 is formed in a ring shape having a horizontal portion 44 facing the upper surface of the outer flange 28 of the outer tube 20 and a first vertical portion 42 formed on the edge portion. and the outer tube 20 is inserted into the ring-shaped through-hole of the ring-shaped cover 40 . The first vertical portion 42 of the ring-shaped cover 40 is formed at a position outside the outer flange 28, and the first vertical portion ( 42) may be formed to vertically penetrate.

아우터 매니폴드(50)는 제1 측벽(55), 제1 상부 플랜지(51) 및 제1 하부 플랜지(53)를 구비할 수 있다.The outer manifold 50 may include a first sidewall 55 , a first upper flange 51 , and a first lower flange 53 .

제1 측벽(55)은 원통형의 제1 내부 공간을 형성하도록 구성되며, 제1 상부 플랜지(51)는 제1 측벽(55) 상부의 둘레에 외측으로 연장되며 아우터 튜브(50)의 하단부 즉 아우터 플랜지(28)를 지지하도록 구성되고, 제1 하부 플랜지(53)는 제1 측벽(55) 하부의 둘레에 외측으로 연장되며 이너 매니폴드(60)와 결합되되 둘레를 따라 결합 부재의 체결이 가능한 복수의 제1 체결부가 형성되도록 구성된다.The first side wall 55 is configured to form a first cylindrical inner space, and the first upper flange 51 extends outwardly around the upper portion of the first side wall 55 and is the lower end of the outer tube 50 , that is, the outer. It is configured to support the flange 28, and the first lower flange 53 extends outwardly around the lower portion of the first side wall 55 and is coupled to the inner manifold 60, and the coupling member can be fastened along the circumference. It is configured to form a plurality of first fastening portions.

이 중, 제1 상부 플랜지(51)는 변부에 결합 부재의 체결이 가능한 복수의 체결부가 형성될 수 있다. 제1 상부 플랜지(51)의 변부에는 링형 커버(40)의 체결부들이 형성된 위치별로 대응하는 체결부들인 나사공들(또는 볼트공들)이 변부를 따라 배치되면서 수직으로 관통하도록 형성될 수 있다. Among them, the first upper flange 51 may be formed with a plurality of fastening portions capable of fastening the coupling member to the edge portion. On the edge of the first upper flange 51, screw holes (or bolt holes), which are fastening parts corresponding to the positions where the fastening parts of the ring-shaped cover 40 are formed, may be formed to penetrate vertically while being disposed along the edge. .

상기한 구성에 의해서, 링형 커버(40)와 아우터 매니폴드(50)의 제1 상부 플랜지(51)는 마주하는 나사공들(또는 볼트공들)을 결합 부재인 나사(또는 볼트)로써 결합함으로써 결합될 수 있다.By means of the above configuration, the ring-shaped cover 40 and the first upper flange 51 of the outer manifold 50 are coupled by screwing (or bolt) facing screw holes (or bolt holes) with a screw (or bolt) as a coupling member. can be combined.

그리고, 아우터 매니폴드(50)는 제1 상부 플랜지(51)의 복수의 위치에서 측면으로 연장되며 수직 관통구를 갖는 체결부들(56)을 더 구비할 수 있다.In addition, the outer manifold 50 may further include fastening parts 56 extending laterally from a plurality of positions of the first upper flange 51 and having vertical through-holes.

상기한 바에서, 체결부들(56)은 관통구들을 관통하는 볼트들(58)에 의해 링형 커버(40)의 상부의 상부 구조와 결합될 수 있다. 여기에서, 상부 구조는 즉 격벽(CA), 히터 베이스(14) 및 히터(10) 중 적어도 하나일 수 있고, 볼트들(58)과 관통구들의 결합은 체결부들(56)을 상부 구조와 결합하기 위한 결합재로 예시한 것으고, 상기한 결합재는 제작자의 의도에 따라 다양하게 변형 실시될 수 있다.As described above, the fastening portions 56 may be coupled to the upper structure of the upper portion of the ring-shaped cover 40 by bolts 58 passing through the through holes. Here, the upper structure may be at least one of the partition wall CA, the heater base 14 and the heater 10, and the coupling of the bolts 58 and the through-holes connects the fastening parts 56 with the upper structure. It is exemplified as a binder for the purpose, and the above-described binder may be variously modified according to the intention of the manufacturer.

상기한 아우터 매니폴드(50)의 구조에 의해서, 링형 커버(40)와 아우터 매니폴드(50)는 아우터 튜브(20)의 아우터 플랜지(28)를 개재하면서 결합될 수 있다. 또한, 아우터 매니폴드(50)는 링형 커버(40)의 상부에 위치한 상부 구조 즉, 격벽(CA), 히터 베이스(14) 및 히터(10) 중 적어도 하나와 체결부들(56)을 이용하여 결합될 수 있다. Due to the structure of the outer manifold 50 , the ring-shaped cover 40 and the outer manifold 50 may be coupled with the outer flange 28 of the outer tube 20 interposed therebetween. In addition, the outer manifold 50 is coupled to at least one of the upper structure located above the ring-shaped cover 40 , that is, the partition wall CA, the heater base 14 , and the heater 10 using the coupling parts 56 . can be

그리고, 상기한 아우터 매니폴드(50)의 제1 하부 플랜지(53)는 이너 튜브(30)의 이너 플랜지(38)를 사이에 두고 이너 매니폴드(60)의 제2 상부 플랜지(61)와 결합된다. 이들 간의 결합 방법은 후술한다. 상기한 이너 매니폴드(60)는 제2 측벽(65), 제2 상부 플랜지(61) 및 제2 하부 플랜지(63)를 구비할 수 있다.In addition, the first lower flange 53 of the outer manifold 50 is coupled to the second upper flange 61 of the inner manifold 60 with the inner flange 38 of the inner tube 30 interposed therebetween. do. The binding method between them will be described later. The inner manifold 60 may include a second side wall 65 , a second upper flange 61 , and a second lower flange 63 .

제2 측벽(65)은 원통형의 제2 내부 공간을 형성하도록 구성되며, 제2 상부 플랜지(61)는 제2 측벽(65) 상부의 둘레에 외측으로 연장되며 아우터 매니폴드(50)와 결합되되 둘레를 따라 결합 부재의 체결이 가능한 복수의 제2 체결부가 형성되도록 구성되고, 제2 하부 플랜지(63)는 제2 측벽(65) 하부의 둘레에 외측으로 연장되며 캡 플랜지(70)에 의해 밀폐되도록 구성된다. The second side wall 65 is configured to form a second cylindrical inner space, and the second upper flange 61 extends outwardly around the upper portion of the second side wall 65 and is coupled to the outer manifold 50 . A plurality of second fastening portions capable of fastening the coupling member are formed along the circumference, and the second lower flange 63 extends outwardly around the lower portion of the second side wall 65 and is closed by the cap flange 70 . configured to be

아우터 매니폴드(50)의 제1 측벽(55)의 내경은 이너 매니폴드(60)의 제2 측벽(65)의 내경보다 크게 형성됨이 바람직하다.Preferably, the inner diameter of the first sidewall 55 of the outer manifold 50 is larger than the inner diameter of the second sidewall 65 of the inner manifold 60 .

이너 매니폴드(60)의 제2 상부 플랜지(61)는 이너 튜브(30)의 하단부 즉 이너 플랜지(38)를 지지하도록 구성되며 아우터 매니폴드(50)의 제1 하부 플랜지(53)와 결합된다.The second upper flange 61 of the inner manifold 60 is configured to support the lower end of the inner tube 30 , that is, the inner flange 38 , and is coupled with the first lower flange 53 of the outer manifold 50 . .

즉, 아우터 매니폴드(50)의 제1 하부 플랜지(53)와 이너 매니폴드(60)의 제2 상부 플랜지(61)는 나사(또는 볼트)와 같은 결합 부재에 의해 서로 대응하는 제1 체결부 및 제2 체결부의 결합에 의해 결합될 수 있다. 여기에서, 제1 체결부 및 제2 체결부는 나사공들(또는 볼트공들)로 예시될 수 있다.That is, the first lower flange 53 of the outer manifold 50 and the second upper flange 61 of the inner manifold 60 are first fastening portions corresponding to each other by a coupling member such as a screw (or bolt). And it may be coupled by the coupling of the second fastening part. Here, the first fastening part and the second fastening part may be exemplified by screw holes (or bolt holes).

이때, 아우터 매니폴드(50)의 제1 하부 플랜지(53)와 이너 매니폴드(60)의 제2 상부 플랜지(61)는 이너 튜브(30)의 이너 플랜지(38)를 사이에 두고 결합된다.At this time, the first lower flange 53 of the outer manifold 50 and the second upper flange 61 of the inner manifold 60 are coupled with the inner flange 38 of the inner tube 30 interposed therebetween.

그리고, 이너 매니폴드(60)의 제2 상부 플랜지(61)의 변부는 상기한 제2 체결부의 형성을 위하여 제2 수직부(67)가 더 구성될 수 있다. 이너 매니폴드(60)의 제2 수직부(67)는 이너 플랜지(28)를 벗어난 위치에 아우터 매니폴드(50)의 제1 하부 플랜지(53)의 변부에 대응하는 영역에 형성될 수 있고, 제2 체결부들인 나사공들(또는 볼트공들)이 변부를 따라 배치되면서 수직으로 관통하도록 형성될 수 있다.In addition, the edge of the second upper flange 61 of the inner manifold 60 may further include a second vertical portion 67 to form the second fastening portion. The second vertical portion 67 of the inner manifold 60 may be formed in a region corresponding to the edge of the first lower flange 53 of the outer manifold 50 at a position outside the inner flange 28, The screw holes (or bolt holes), which are the second fastening parts, may be formed to penetrate vertically while being disposed along the edge.

그러므로, 제1 하부 플랜지(53)와 제2 상부 플랜지(61)의 제2 수직부(67)가 나사(또는 볼트)와 같은 결합 부재에 의해 결합될 수 있고, 그 결과 아우터 매니폴드(50)와 이너 매니폴드(60)가 이너 플랜지(38)를 사이에 두고 결합될 수 있다.Therefore, the second vertical portion 67 of the first lower flange 53 and the second upper flange 61 may be coupled by a coupling member such as a screw (or bolt), and as a result, the outer manifold 50 . The wine manifold 60 may be coupled with the inner flange 38 interposed therebetween.

한편, 상기와 같이 구성되는 아우터 매니폴드(50)의 제1 측벽(55)에는 아우터 가스 배기구(54)와 아우터 가스 공급구(52)가 형성된다. Meanwhile, an outer gas exhaust port 54 and an outer gas supply port 52 are formed on the first sidewall 55 of the outer manifold 50 configured as described above.

그리고, 상기와 같이 구성되는 이너 폴드(60)의 제2 측벽(65)에는 이너 가스 공급구(62), 이너 가스 배기구(64) 및 펌핑구(66)가 형성된다. 상기한 공정 가스는 수소(H), 산소(O), 질소(N), 염소(Cl), 불소(F) 등과 같은 원소를 하나 이상 포함하는 가스로 구성될 수 있으며, 수소(H2), 중수소(D2), 산소(O2), 수증기(H2O), 암모니아(NH3) 등의 형태로 이용될 수 있다.In addition, an inner gas supply port 62 , an inner gas exhaust port 64 , and a pumping port 66 are formed on the second sidewall 65 of the inner fold 60 configured as described above. The process gas may be composed of a gas containing one or more elements such as hydrogen (H), oxygen (O), nitrogen (N), chlorine (Cl), fluorine (F), hydrogen (H2), deuterium (D2), oxygen (O2), water vapor (H2O), ammonia (NH3), and the like may be used.

그리고, 이너 매니폴드(60)의 제2 측벽(65)에는 상기 반응 공간의 온도를 측정하는 열전대가 설치되는 열전대 보호관(100)이 체결되는 열전대 체결구가 더 형성될 수 있다. 열전대 체결구에는 열전대 보호관(100)의 삽입을 위한 열전대 보호관 삽입단(104)이 구성될 수 있다.In addition, a thermocouple fastener to which the thermocouple protection tube 100 to which a thermocouple measuring the temperature of the reaction space is installed is fastened may be further formed on the second sidewall 65 of the inner manifold 60 . A thermocouple protection tube insertion end 104 for inserting the thermocouple protection tube 100 may be configured in the thermocouple fastener.

또한, 본 발명의 실시예에 실링부들이 구성되며, 실링부들은 아우터 플랜지(28)의 저면과 제1 상부 플랜지(51)의 상면 사이, 제1 하부 플랜지(53)의 저면과 이너 플랜지(38)의 상면 사이 및 이너 플랜지(38)의 저면과 제2 상부 플랜지(61)의 상면 사이에 각각 개재될 수 있다. 상기한 실링부들은 예시적으로 오링(OR)으로 구성될 수 있으며, 제1 상부 플랜지(51)의 상면, 제1 하부 플랜지(53)의 저면 및 제2 상부 플랜지(61)의 상면에 오링(OR)을 일부 삽입하여 구정하기 위한 오링홈(도시되지 않음)이 형성됨이 바람직하다.In addition, sealing parts are configured in the embodiment of the present invention, and the sealing parts are between the bottom surface of the outer flange 28 and the top surface of the first upper flange 51 , the bottom surface of the first lower flange 53 and the inner flange 38 . ) and between the lower surface of the inner flange 38 and the upper surface of the second upper flange 61 , respectively. The sealing parts may be exemplarily configured as an O-ring (OR), and an O-ring ( OR), it is preferable that an O-ring groove (not shown) is formed for inserting a part of the oral cavity.

그리고, 이너 매니폴드(60)의 제2 하부 플랜지(63)의 하부에는 승하강되는 캡 플랜지(70)가 구성된다.In addition, a cap flange 70 that elevates and lowers is formed at a lower portion of the second lower flange 63 of the inner manifold 60 .

상기한 구성에 의하여, 아우터 매니폴드(50)는 아우터 튜브(20)의 하부를 지지하며 보호 공간(22)과 연결되는 제1 내부 공간을 형성하며, 이너 매니폴드(60)는 이너 튜브(30)의 하부를 지지하며 반응 공간(32)과 연결되는 제2 내부 공간을 형성한다. 제1 내부 공간은 아우터 매니폴드(50)의 제1 측벽(55)에 의해 둘러싸인 공간으로 이해될 수 있고, 제2 내부 공간은 이너 매니폴드(60)의 제2 측벽(65)에 의해 둘러싸인 공간으로 이해될 수 있다. According to the above configuration, the outer manifold 50 supports the lower portion of the outer tube 20 and forms a first inner space connected to the protective space 22 , and the inner manifold 60 is the inner tube 30 . ) and forms a second inner space connected to the reaction space 32 and supporting the lower portion. The first internal space may be understood as a space surrounded by the first sidewall 55 of the outer manifold 50 , and the second internal space is a space surrounded by the second sidewall 65 of the inner manifold 60 . can be understood as

상기한 제2 내부 공간은 승강된 캡 플랜지(70)의 상면이 이너 매니폴드(50)의 제2 하부 플랜지(63)에 밀착됨으로써 밀폐된다. 여기에서, 제2 내부 공간은 상부의 반응 공간(32)과 연결되어서 하나의 공간을 형성한다. 그러므로, 캡 플랜지(70)는 제2 하부 플랜지(63)와 밀착됨에 의해 이너 튜브(30) 내부의 반응 공간(32)과 이너 매니폴드(60)의 제2 내부 공간을 같이 밀폐하는 것으로 이해될 수 있다.The second inner space is sealed by bringing the upper surface of the raised cap flange 70 into close contact with the second lower flange 63 of the inner manifold 50 . Here, the second internal space is connected to the upper reaction space 32 to form one space. Therefore, it will be understood that the cap flange 70 seals the reaction space 32 inside the inner tube 30 and the second inner space of the inner manifold 60 together by being in close contact with the second lower flange 63 . can

그리고, 아우터 매니폴드(50)는 아우터 튜브(20)의 아우터 플랜지(28)와 이너 튜브(30)의 이너 플랜지(38) 사이에 구성되며, 보호 공간(22)과 제1 내부 공간을 사이에 두고 아우터 튜브(20)와 이너 튜브(30) 사이를 이격한다.And, the outer manifold 50 is configured between the outer flange 28 of the outer tube 20 and the inner flange 38 of the inner tube 30, the protective space 22 and the first inner space between and spaced apart between the outer tube 20 and the inner tube 30 .

본 발명의 실시예는 상술한 바와 같이 이너 튜브(30)와 아우터 튜브(20)의 각각의 하부에 이너 매니폴드(60)와 아우터 매니폴드(50)가 구성된다. 그러므로, 이너 튜브(30)와 아우터 튜브(20)의 이격 및 이들에 대한 독립적인 가스의 공급과 배기가 가능하고, 가스의 공급 및 배기 구조가 이너 튜브와 아우터 튜브의 하부에 집중됨으로써 기판 처리 장치의 설계 및 조립의 편의성이 확보될 수 있다.In the embodiment of the present invention, the inner manifold 60 and the outer manifold 50 are configured under each of the inner tube 30 and the outer tube 20 as described above. Therefore, it is possible to separate the inner tube 30 and the outer tube 20 , and to supply and exhaust gas independently therebetween, and the gas supply and exhaust structure is concentrated in the lower part of the inner tube and the outer tube, so that the substrate processing apparatus Convenience of design and assembly can be secured.

한편, 캡 플랜지(70)는 이너 매니폴드(60)의 하부를 커버할 수 있도록 원판 형태로 구성될 수 있다. Meanwhile, the cap flange 70 may be configured in a disk shape to cover the lower portion of the inner manifold 60 .

캡 플랜지(70)는 승하강 플레이트(210)의 승강 또는 하강에 연동하여 승강 또는 하강된다.The cap flange 70 is elevated or lowered in association with the elevating or lowering of the elevating plate 210 .

캡 플랜지(70)는 승강되면 상면의 변부가 이너 매니폴드(60)의 저면과 제1 이격 간격을 갖도록 밀착되며 이너 매니폴드(60)의 하부를 커버한다. 캡 플랜지(70)는 이너 매니폴드(60) 하부를 커버함으로써 이너 매니폴드(60)의 내부와 연결된 이너 튜브(30)의 반응 공간(32)을 외부와 격리시킬 수 있다. When the cap flange 70 is raised and lowered, the upper side of the cap flange 70 is in close contact with the lower surface of the inner manifold 60 to have a first spacing, and covers the lower portion of the inner manifold 60 . The cap flange 70 may cover the lower portion of the inner manifold 60 to isolate the reaction space 32 of the inner tube 30 connected to the inside of the inner manifold 60 from the outside.

상기한 캡 플랜지(70)의 상부에는 보트(80)가 안착되는 로테이션 플레이트(90)가 구성될 수 있다. A rotation plate 90 on which the boat 80 is seated may be configured on the upper portion of the cap flange 70 .

로테이션 플레이트(90)는 상부에 안착된 보트(80)의 하부와 결합하고 하부의 구동부(400)로부터 회전력을 전달받도록 구성된다. 로테이션 플레이트(90)는 구동부(400)의 회전력에 의해 상부의 보트(80)를 회전시키도록 구성될 수 있다. 보트(80)가 공정 기간에 회전되는 경우, 보트(80)에 차지된 기판들에 반응을 위한 가스가 고르게 공급될 수 있으며, 그 결과 수율이 향상될 수 있다.The rotation plate 90 is coupled to the lower portion of the boat 80 seated on the upper portion and is configured to receive rotational force from the lower driving unit 400 . The rotation plate 90 may be configured to rotate the upper boat 80 by the rotational force of the driving unit 400 . When the boat 80 is rotated during the process period, a gas for reaction may be uniformly supplied to the substrates occupied by the boat 80 , and as a result, the yield may be improved.

캡 플랜지(70)의 하부에는 베이스 플레이트(200), 승하강 플레이트(210), 클램프 모듈(300) 및 구동부(400)가 구성된다.A base plate 200 , an elevating plate 210 , a clamp module 300 , and a driving unit 400 are configured under the cap flange 70 .

먼저, 캡 플랜지(70)의 하부에는 볼트 결합에 의해 베이스 플레이트(200)가 고정되며, 베이스 플레이트(200)는 캡 플랜지(70) 하부에 평행하게 이격을 유지하며 고정된다. First, the base plate 200 is fixed to the lower portion of the cap flange 70 by bolting, and the base plate 200 is fixed while maintaining a distance parallel to the lower portion of the cap flange 70 .

베이스 플레이트(200)는 복수의 클램프 모듈(300)을 설치하기 위한 것이다. 복수의 클램프 모듈(300)은 베이스 플레이트(200)의 복수의 위치에 분산 설치된다.The base plate 200 is for installing a plurality of clamp modules 300 . The plurality of clamp modules 300 are distributedly installed at a plurality of positions of the base plate 200 .

그리고, 본 발명의 실시를 위하여 진공 펌프(도 5의 700)가 구성되며, 진공 펌프(700)는 이너 튜브(30)의 반응 공간(32)에 대한 펌핑을 수행한다. 진공 펌프(700)는 상압 미만의 압력을 갖도록 반응 공간(32)에 대한 펌핑을 수행한다. 상기한 진공 펌프(700)의 구동은 도 5를 참조하여 후술한다.In addition, a vacuum pump ( 700 in FIG. 5 ) is configured to practice the present invention, and the vacuum pump 700 pumps the reaction space 32 of the inner tube 30 . The vacuum pump 700 pumps the reaction space 32 to have a pressure less than normal pressure. The operation of the vacuum pump 700 will be described later with reference to FIG. 5 .

복수의 클램핑 모듈(300)은 캡 플랜지(70)와 이너 매니폴드(60)의 제2 하부 플랜지(63)를 클램핑한다. The plurality of clamping modules 300 clamp the cap flange 70 and the second lower flange 63 of the inner manifold 60 .

보다 구체적으로, 클램핑 모듈(300)은 클램프(310), 클램프 브라켓(320) 및 액츄에이터(330)를 구비한다.More specifically, the clamping module 300 includes a clamp 310 , a clamp bracket 320 , and an actuator 330 .

클램프(310)는 상술한 바와 같이 캡 플랜지(70)의 측면을 마주하는 클립형의 클램핑 채널(312)을 구비한다.The clamp 310 has a clip-type clamping channel 312 facing the side of the cap flange 70 as described above.

그리고, 클램핑 브라켓(320)은 클램프(310)를 수직으로 지지하며 판상으로 구성될 수 있다.In addition, the clamping bracket 320 vertically supports the clamp 310 and may be configured in a plate shape.

그리고, 액츄에이터(330)는 베이스 플레이트(200)의 저면에 고정되고, 로드(332)를 통하여 클램프 브라켓(320)에 연결된다. 액츄에이터(330)는 로드(332)를 구동함으로써 클램프 브라켓(320) 및 클램프(310)를 전진 또는 후진시킨다.Then, the actuator 330 is fixed to the bottom surface of the base plate 200 and is connected to the clamp bracket 320 through the rod 332 . The actuator 330 moves the clamp bracket 320 and the clamp 310 forward or backward by driving the rod 332 .

그러므로, 클램프(310)는 액츄에이터(330)의 구동에 의해서 클램핑을 위한 잠금 위치와 클램핑 해제를 위한 해제 위치 간을 이동한다.Therefore, the clamp 310 moves between the locking position for clamping and the unlocking position for releasing the clamp by driving the actuator 330 .

상기한 베이스 플레이트(200)의 하부에는 승하강 플레이트(210)가 구성되며, 승하강 플레이트(210)는 탄성부의 탄성력에 의해 베이스 플레이트(200)와 이격 간격이 유지되도록 구성된다.The elevating plate 210 is configured in the lower portion of the base plate 200, and the elevating plate 210 is configured to maintain a spaced apart distance from the base plate 200 by the elastic force of the elastic part.

여기에서, 탄성부는 베이스 플레이트(200)와 승하강 플레이트(210) 사이에 개재되는 스프링(212)으로 예시될 수 있으며, 스프링(212)은 캡 플랜지(70)가 이너 매니폴드(60)의 저면에 맞닿도록 승강된 경우 캡 플랜지(70)의 상면과 이너 매니폴드(60)의 저면이 제1 이격 간격을 갖도록 밀착시키기 위한 탄성력을 제공한다. Here, the elastic part may be exemplified by the spring 212 interposed between the base plate 200 and the elevating plate 210 , and the spring 212 is the cap flange 70 of the lower surface of the inner manifold 60 . When lifted to abut against the , it provides an elastic force for adhering the upper surface of the cap flange 70 and the lower surface of the inner manifold 60 to have a first separation distance.

승하강 플레이트(210)는 스프링(212)에 삽입된 복수의 핀(214)을 이용하여 베이스 플레이트(200)와 이격되면서 유동 가능하게 결합되며, 승하강 플레이트(210)와 베이스 플레이트(200) 간의 이격은 스프링(212)의 탄성에 의해 유지된다. The elevating plate 210 is movably coupled while being spaced apart from the base plate 200 using a plurality of pins 214 inserted into the spring 212 , and between the elevating plate 210 and the base plate 200 . The separation is maintained by the elasticity of the spring 212 .

승하강 플레이트(210)는 승하강력을 제공하는 승하강 모듈(도시되지 않음)에 결합됨으로써 승하강될 수 있다. 승하강 모듈은 회전에 의해 승하강되는 체인을 구비하는 것으로 예시될 수 있으며, 승하강 플레이트(210)는 체인에 결합된 것으로 예시될 수 있다. The elevating plate 210 may be elevating by being coupled to an elevating module (not shown) that provides elevating force. The elevating module may be exemplified as having a chain elevating by rotation, and the elevating plate 210 may be exemplified as being coupled to the chain.

상기한 승하강 플레이트(210)는 상부의 베이스 플레이트(200), 캡 플랜지(70), 로테이션 플레이트(90) 및 보트(80)와 같이 승강되거나 같이 하강된다. 스프링(210)은 승하강 플레이트(210)가 승하강할 때 발생하는 진동을 완충할 수 있으며, 승하강 플레이트(210)가 승강한 경우 캡 플랜지(70)가 목적하는 위치에서 이너 매니폴드(60)의 저면과 밀착하기 위한 탄성을 제공할 수 있다.The elevating plate 210 is raised or lowered like the upper base plate 200 , the cap flange 70 , the rotation plate 90 and the boat 80 . The spring 210 can buffer vibrations generated when the elevating plate 210 elevates, and when the elevating plate 210 elevates, the cap flange 70 is positioned at the desired position in the inner manifold 60. It can provide elasticity for close contact with the bottom of the.

상기와 같이 구성된 본 발명의 실시예는 아우터 튜브(20) 및 이너 튜브(30)의 배기를 위하여 도 5와 같은 계통을 갖도록 실시될 수 있다.The embodiment of the present invention configured as described above may be implemented to have the system shown in FIG. 5 for exhausting the outer tube 20 and the inner tube 30 .

도 5 및 도6에서, 아우터 튜브(20) 및 이너 튜브(30)는 도 1 내지 도 2의 실시예를 참조하여 이해할 수 있으므로 중복 설명은 생략한다.5 and 6 , the outer tube 20 and the inner tube 30 may be understood with reference to the embodiments of FIGS. 1 to 2 , and thus a redundant description thereof will be omitted.

도 5 및 도6에서, 실시예는 버퍼 탱크(600), 진공 펌프(700), 스크러버(800), 펌핑 라인(L1), 이너 배기 라인(L2), 아우터 배기 라인(L3), 기판 처리 장치 배기 라인(L4), 급속 배기 라인(L5), 버퍼 펌핑 라인(L6), 퍼지 라인(L7), 버퍼 탱크 배기 라인(L8), 안전 라인(L9) 및 메인 배기 라인(L10)를 포함한다. 도시되지는 않았지만 기판 처리 장치 배기 라인(L4)와 이너 배기 라인(L2) 또는 아우터 배기 라인(L1)사이에는 별도의 펌프가 설치될 수 있다.5 and 6 , the embodiment shows a buffer tank 600 , a vacuum pump 700 , a scrubber 800 , a pumping line L1 , an inner exhaust line L2 , an outer exhaust line L3 , and a substrate processing apparatus an exhaust line L4, a rapid exhaust line L5, a buffer pumping line L6, a purge line L7, a buffer tank exhaust line L8, a safety line L9, and a main exhaust line L10. Although not shown, a separate pump may be installed between the substrate processing apparatus exhaust line L4 and the inner exhaust line L2 or the outer exhaust line L1 .

기판 처리 장치 배기 라인(L4)는 기판 처리 장치(00)의 배기를 위하여 기판 처리 장치(900)과 외부 배기장치(793) 사이에서, 이너 배기 라인(L2)나 아우터 배기 라인(L3) 각각 또는 이들이 합쳐진 라인과 연속되는 라인을 통칭하는 의미로 사용될 수 있다.The substrate processing apparatus exhaust line L4 is between the substrate processing apparatus 900 and the external exhaust apparatus 793 for exhausting the substrate processing apparatus 00 , each of the inner exhaust line L2 and the outer exhaust line L3 or It may be used as a generic term for a line in which these are combined and a continuous line.

또한, 버퍼 탱크(600)에는 도시되지는 않았더라도, 탱크 내의 압력을 측정할 수 있는 압력 측정 장치가 장착되어 있을 수 있다.In addition, although not shown, the buffer tank 600 may be equipped with a pressure measuring device capable of measuring the pressure in the tank.

스크러버(800)은 외부 배기 장치(793)에 포함될 수 있다.The scrubber 800 may be included in the external exhaust device 793 .

여기에서, 펌핑 라인(L1)은 이너 튜브(30)의 펌핑을 위한 것이며 이너 튜브(30)와 진공 펌프(700) 사이에 구성되고 이너 매니폴드(60)의 펌핑 노즐(66)에 연결된다.Here, the pumping line L1 is for pumping the inner tube 30 , and is configured between the inner tube 30 and the vacuum pump 700 and is connected to the pumping nozzle 66 of the inner manifold 60 .

여기에서, 펌핑 라인(L1) 상에는 개폐를 위한 메인 펌핑 밸브(V1)가 구비되고, 또한 도시되지는 않았지만 저압을 단속하는 저압 단속 밸브가 추가로 장착될 수 있다. 이너 튜브(30)의 반응 공간(32)은 메인 펌핑 밸브(V1)가 열리고 진공 펌프(700)가 펌핑하면 압력이 하강하여서 상압보다 낮은 저압을 갖게 된다.Here, a main pumping valve V1 for opening and closing is provided on the pumping line L1, and, although not shown, a low pressure regulating valve for intermittent low pressure may be additionally mounted. In the reaction space 32 of the inner tube 30 , when the main pumping valve V1 is opened and the vacuum pump 700 is pumped, the pressure is lowered to have a low pressure lower than the normal pressure.

이너 배기 라인(L2)은 이너 튜브(30)의 반응 공간(32)의 배기를 위한 것이며 이너 튜브(30)와 기판 처리 장치 배기 라인(L4) 사이에 구성된다. 이너 배기 라인(L2)은 이너 매니폴드(60)의 공정 가스 배기 노즐(64)과 연결을 통하여 이너 튜브(30)의 반응 공간(32)에 연결된 것으로 이해될 수 있다.The inner exhaust line L2 is for exhausting the reaction space 32 of the inner tube 30 and is configured between the inner tube 30 and the substrate processing apparatus exhaust line L4 . It may be understood that the inner exhaust line L2 is connected to the reaction space 32 of the inner tube 30 through a connection with the process gas exhaust nozzle 64 of the inner manifold 60 .

아우터 배기 라인(L3)은 아우터 튜브(20)의 보호 공간(22)의 배기를 위한 것이며 아우터 튜브(20)와 기판 처리 장치 배기 라인(L4) 사이에 구성된다. 아우터 배기 라인(L3)은 아우터 매니폴드(50)의 이너 가스 배기구(54)과 연결을 통하여 아우터 튜브(20)의 보호 공간(22)에 연결된 것으로 이해될 수 있다.The outer exhaust line L3 is for exhausting the protective space 22 of the outer tube 20 and is configured between the outer tube 20 and the substrate processing apparatus exhaust line L4 . It may be understood that the outer exhaust line L3 is connected to the protective space 22 of the outer tube 20 through a connection with the inner gas exhaust port 54 of the outer manifold 50 .

이너 배기 라인(L2)은 제2 고압 제어 밸브(OCV) 및 제2 고압 배기 밸브(CV1)를 구비하며, 아우터 배기 라인(L3)은 제1 고압 제어 밸브(OCV) 및 제1 고압 배기 밸브(CV2)를 구비한다. The inner exhaust line L2 includes a second high-pressure control valve OCV and a second high-pressure exhaust valve CV1, and the outer exhaust line L3 includes a first high-pressure control valve OCV and a first high-pressure exhaust valve CV1. CV2) is provided.

체크 밸브들(CV1, CV2)은 이너 배기 라인(L2)에서 이너 튜브(30)로 가스가 역유입되는 것과 아우터 배기 라인(L3)에서 아우터 튜브(20)로 가스가 역유입되는 것을 방지하기 위한 것이다. The check valves CV1 and CV2 are for preventing gas from flowing backward from the inner exhaust line L2 to the inner tube 30 and from the outer exhaust line L3 from flowing back into the outer tube 20 . will be.

그리고, 제2 고압 제어 밸브(OCV)는 상압 이상의 이너 튜브(30)에 대한 배기를 위한 배기량을 조절하기 위한 밸브이며, 제1 고압 제어 밸브(OCV)는 상압 이상의 아우터 튜브(20)에 대한 배기를 위한 배기량을 조절하기 위한 밸브이다. 제2 고압 제어 밸브(OCV)는 미리 설정된 값에 의해 이너 튜브(30)의 반응 공간(32)의 압력을 제어하며, 제1 고압 제어 밸브(OCV)는 제2 고압 제어 밸브(OCV)의 배기량을 기준으로 아우터 튜브(20)가 이너 튜브(30)보다 균일한 차의 높은 압력을 갖도록 아우터 튜브(20)에 대한 배기량을 조절한다.In addition, the second high pressure control valve OCV is a valve for controlling an exhaust amount for exhausting the inner tube 30 above atmospheric pressure, and the first high pressure control valve OCV is an exhaust for the outer tube 20 above atmospheric pressure. It is a valve for regulating the exhaust volume for The second high-pressure control valve OCV controls the pressure of the reaction space 32 of the inner tube 30 by a preset value, and the first high-pressure control valve OCV has the displacement amount of the second high-pressure control valve OCV. Based on , the displacement of the outer tube 20 is adjusted so that the outer tube 20 has a uniformly higher pressure than the inner tube 30 .

이너 배기 라인(L2)과 아우터 배기 라인(L3)은 기판 처리 장치 배기 라인(L4)에 연결된다. 기판 처리 장치 배기 라인(L4)은 이너 배기 라인(L2)과 아우터 배기 라인(L3)을 스크러버(800)를 포함한 외부 배기 장치(793)에 연결시켜서 배기를 수행하기 위한 것이며, 체크 밸브(CV3)와 메인 배기 밸브(V2)를 구비한다. 체크 밸브(CV3)는 배기되는 가스의 역진행을 방지하기 위한 것이며, 메인 배기 밸브(V2)는 스크러버(800)를 통한 배기를 위하여 개폐되는 것이다.The inner exhaust line L2 and the outer exhaust line L3 are connected to the substrate processing apparatus exhaust line L4 . The substrate processing apparatus exhaust line L4 is for performing exhaust by connecting the inner exhaust line L2 and the outer exhaust line L3 to the external exhaust device 793 including the scrubber 800, and a check valve CV3 and a main exhaust valve (V2). The check valve CV3 is to prevent reverse flow of the exhausted gas, and the main exhaust valve V2 is opened and closed for exhaust through the scrubber 800 .

급속 배기 라인(L5)은 기판 처리 장치 배기 라인(L4) 또는 이너 배기 라인(L2), 또는 이너 배기 라인(L2)과 아우터 배기 라인(L3)이 서로 합쳐진 라인에서 분기되며, 버퍼 탱크(600)에 연결된다. 급속 배기 라인(L5)은 체크 밸브(CV4)와 급속 배기 밸브(V3)를 구비한다. 체크 밸브(CV4)는 급속 배기되는 가스의 역진행을 방지하기 위한 것이며, 급속 배기 밸브(V3)는 이너 튜브(30)와 아우터 튜브(20)에서 버퍼 탱크(600)로 급속 배기를 진행하기를 위하여 개방된다.The rapid exhaust line L5 is branched from the substrate processing apparatus exhaust line L4 or the inner exhaust line L2, or a line in which the inner exhaust line L2 and the outer exhaust line L3 are merged with each other, and the buffer tank 600 . is connected to The rapid exhaust line L5 has a check valve CV4 and a rapid exhaust valve V3. The check valve CV4 is for preventing the reverse flow of the rapidly exhausted gas, and the rapid exhaust valve V3 prevents rapid exhaust from the inner tube 30 and the outer tube 20 to the buffer tank 600 . open for

버퍼 펌핑 라인(L6)은 버퍼 탱크(600)와 진공 펌프(700) 사이에 연결되며, 버퍼 펌핑 밸브(V4) 및 오리피스(OP)를 구비한다. 버퍼 펌핑 라인(L6)은 버퍼 탱크(600)가 급속 배기를 위한 압력을 갖기 위한 펌핑에 이용된다. 버퍼 펌핑 밸브(V4)는 펌핑을 위하여 개폐되고, 오리피스(OP)는 펌핑을 균일한 양으로 조절하기 위한 것이다. The buffer pumping line L6 is connected between the buffer tank 600 and the vacuum pump 700 and includes a buffer pumping valve V4 and an orifice OP. The buffer pumping line L6 is used for pumping the buffer tank 600 to have a pressure for rapid exhaust. The buffer pumping valve V4 is opened and closed for pumping, and the orifice OP is for controlling the pumping to a uniform amount.

퍼지 라인(L7)은 버퍼 탱크(600)에 퍼지 가스를 공급하기 위한 것이며, 퍼지 밸브(V6)를 구비한다. 퍼지 라인(L7)을 통하여 외부에서 질소와 같은 퍼지 가스가 버퍼 탱크(600)에 공급될 수 있다.The purge line L7 is for supplying a purge gas to the buffer tank 600 , and includes a purge valve V6 . A purge gas such as nitrogen may be supplied to the buffer tank 600 from the outside through the purge line L7 .

버퍼 탱크 배기 라인(L8)은 버퍼 탱크(600)의 배기를 위하여 버퍼 탱크(600)와 스크러버(800) 사이에 연결되며, 버퍼 배기 밸브(V5) 및 오리피스(OP)를 구비한다. 버퍼 배기 밸브(V5)는 버퍼 탱크(600)의 배기를 위하여 개폐되고, 오리피스(OP)는 균일한 양으로 배기되도록 버퍼 탱크 배기 라인(L8)의 배기량을 조절하기 위한 것이다.The buffer tank exhaust line L8 is connected between the buffer tank 600 and the scrubber 800 for exhausting the buffer tank 600 , and includes a buffer exhaust valve V5 and an orifice OP. The buffer exhaust valve V5 is opened and closed for exhausting the buffer tank 600 , and the orifice OP is for controlling the exhaust amount of the buffer tank exhaust line L8 so that it is exhausted in a uniform amount.

안전 라인(L9)은 버퍼 탱크(600)와 버퍼 탱크 배기 라인(L8) 사이에 연결되며, 릴리프 밸브(REV)와 오리피스(OP)를 구비한다. 안전 라인(L9)은 릴리프 밸브(REV)의 동작에 의하여 배기가 제어되며, 버퍼 탱크(600)가 미리 설정된 압력 이상(예시적으로 3 기압)이면 릴리프 밸브(REV)를 통하여 버퍼 탱크(600)의 배기를 수행하기 위한 것이다. 릴리프 밸브(REV)는 미리 설정된 압력 이상이면 기계적으로 개방되는 것이고, 오리피스(OP)는 균일한 양으로 배기되도록 안전 라인(L9)의 배기량을 조절하기 위한 것이다.The safety line L9 is connected between the buffer tank 600 and the buffer tank exhaust line L8 and includes a relief valve REV and an orifice OP. In the safety line L9, the exhaust is controlled by the operation of the relief valve REV. to carry out the exhaust of The relief valve REV is mechanically opened when the pressure is greater than or equal to a preset pressure, and the orifice OP is for controlling the exhaust amount of the safety line L9 to be exhausted in a uniform amount.

한편, 스크러버(800)가 포함된 외부 배기 장치(793)에는 기판 처리 장치 배기 라인(L4), 진공 펌프(700)로부터의 메인 배기 라인(L10) 및 버퍼 탱크 배기 라인(L8)이 각각 연결됨으로써 펌핑 또는 배기에 의한 가스를 배기할 수 있다. Meanwhile, the substrate processing apparatus exhaust line L4 , the main exhaust line L10 from the vacuum pump 700 , and the buffer tank exhaust line L8 are connected to the external exhaust device 793 including the scrubber 800 , respectively. The gas may be evacuated by pumping or evacuation.

상술한 바 구성에서, 버퍼 탱크(600)는 이너 튜브(30)의 반응 공간(32) 및 아우터 튜브(20)의 보호 공간(22)보다 낮은 압력을 갖도록 설정될 수 있다. 바람직하게 버퍼 탱크(600)는 상압 보다 낮은 저압을 유지하며 예시적으로 10 Torr 수준의 저압을 유지할 수 있다.In the above-described configuration, the buffer tank 600 may be set to have a lower pressure than the reaction space 32 of the inner tube 30 and the protective space 22 of the outer tube 20 . Preferably, the buffer tank 600 maintains a low pressure lower than the normal pressure, and may maintain a low pressure of 10 Torr by way of example.

그리고, 버퍼 탱크(600)는 이너 튜브(30)와 아우터 튜브(20)에 대한 급속 배기를 원활히 진행될 수 있도록 이너 튜브(30) 및 아우터 튜브(20)의 용량들을 합한 것보다 적어도 2배 이상의 용량을 갖도록 구성됨이 바람직하다.In addition, the buffer tank 600 has at least twice the capacity of the sum of the capacities of the inner tube 30 and the outer tube 20 so that rapid exhaust of the inner tube 30 and the outer tube 20 can be smoothly performed. It is preferable to be configured to have

그리고, 진공 펌프(700)는 이너 튜브(30)와 버퍼 탱크(600)에 저압을 형성하기 위한 펌핑을 수행하도록 구성된 것이다. 그리고, 스크러버(800)는 진공 펌프(700), 이너 튜브(30), 아우터 튜브(20) 및 버퍼 탱크(600)의 배기를 위하여 구성된 것이다.And, the vacuum pump 700 is configured to perform pumping to form a low pressure in the inner tube 30 and the buffer tank 600 . In addition, the scrubber 800 is configured to exhaust the vacuum pump 700 , the inner tube 30 , the outer tube 20 , and the buffer tank 600 .

상술한 바와 같이 구성된 본 발명의 기판 처리 장치에 따른 실시예는 박막을 형성하기 전, 박막을 형성하는 중 또는 박막을 형성한 후 반응 공간(32)이 상압보다 높은 고압을 갖도록 하고, 그 후 반응 공간(32)이 상압보다 낮은 전압을 갖도록 할 수 있다. 이때, 보호 공간(22)은 반응 공간(32)이 상압 이상의 고압인 경우 반응 공간(32)의 압력보다 일정치 높은 고압을 갖는다. 그리고, 보호 공간(22)은 반응 공간(32)이 상압 이하의 저압인 경우 상압을 유지한다.The embodiment according to the substrate processing apparatus of the present invention configured as described above allows the reaction space 32 to have a higher pressure than normal pressure before, during or after forming the thin film, and then react The space 32 may have a voltage lower than normal pressure. At this time, when the reaction space 32 has a high pressure equal to or higher than normal pressure, the protective space 22 has a high pressure that is higher than the pressure of the reaction space 32 by a certain value. And, the protective space 22 maintains the normal pressure when the reaction space 32 has a low pressure equal to or less than the atmospheric pressure.

본 발명에 의한 버퍼 탱크(600)는 상압보다 높은 고압을 갖는 반응 공간(32)과 보호 공간(22)을 감압시키기 위한 급속 배기에 이용될 수 있다.The buffer tank 600 according to the present invention may be used for rapid exhaust for depressurizing the reaction space 32 and the protective space 22 having a higher pressure than normal pressure.

상기한 급속 배기를 위하여, 고압 제어 밸브들(ICV, OCV) 및 급속 배기 밸브(V3)는 개방되며, 메인 배기 밸브(V2)는 폐쇄된다. 이때, 버퍼 탱크(600)로 급속 배기를 위한 경로가 이너 튜브(30) 및 아우터 튜브(20)에 대하여 형성된다. 급속 배기를 위한 경로는 이너 배기 라인(L2), 아우터 배기 라인(L3), 기판 처리 장치 배기 라인(L4) 및 급속 배기 라인(L5)을 포함하도록 형성된다.For the above-described rapid exhaust, the high pressure control valves ICV and OCV and the rapid exhaust valve V3 are opened, and the main exhaust valve V2 is closed. At this time, a path for rapid exhaust to the buffer tank 600 is formed with respect to the inner tube 30 and the outer tube 20 . A path for rapid exhaust is formed to include an inner exhaust line L2 , an outer exhaust line L3 , a substrate processing apparatus exhaust line L4 , and a rapid exhaust line L5 .

버퍼 탱크(600)는 예시적으로 10 Torr 수준의 낮은 저압을 유지하며 이너 튜브(30) 및 아우터 튜브(20)의 용량을 합한 것보다 2 배 이상 큰 용량을 갖는다.The buffer tank 600 exemplarily maintains a low pressure of 10 Torr and has a capacity that is at least two times greater than the sum of the capacities of the inner tube 30 and the outer tube 20 .

그러므로, 이너 튜브(30)와 아우터 튜브(20)에서 고압을 형성한 가스들은 급속 배기를 위한 경로를 통하여 버퍼 탱크(600)로 분배되며, 이너 튜브(30)의 반응 공간(32)과 아우터 튜브(20)의 보호 공간(22)의 압력은 버퍼 탱크(600)로 급속 배기된 배기량만큼 낮아진다.Therefore, the gases having high pressure in the inner tube 30 and the outer tube 20 are distributed to the buffer tank 600 through a path for rapid exhaust, and the reaction space 32 of the inner tube 30 and the outer tube The pressure in the protective space 22 at ( 20 ) is lowered by the amount of the exhaust rapidly exhausted to the buffer tank ( 600 ).

예시적으로, 이너 튜브(30)와 아우터 튜브(20)의 가스 용량의 합이 100L이고 이너 튜브(30)의 압력이 2기압의 고압이고 아우터 튜브(20)의 압력이 2.3 기압의 고압이라 가정하고, 버퍼 탱크(600)가 300L의 용량을 가지고 10Torr의 저압을 갖는 것으로 가정하면, 이너 튜브(30)와 아우터 튜브(20)의 압력은 상기한 급속 배기를 위한 경로를 통한 급속 배기에 의해서 감압된다. 이때, 이너 튜브(30)의 압력은 상압보다 낮아질 수 있고, 아우터 튜브(20)의 압력은 고압에서 상압까지 낮아진다. 아우터 튜브(20)의 압력이 상압에 도달하면, 제1 고압 제어 밸브(OCV)가 폐쇄되며, 아우터 튜브(20)에 대한 급속 배기가 중지된다. 이너 튜브(30)에 대한 급속 배기는 이너 튜브(30)의 압력이 미리 설정된 수준에 도달하거나 버퍼 탱크(600)와 이너 튜브(30)가 동일한 압력을 가질 때까지 진행될 수 있으며, 급속 배기를 진행하는 시간은 제작자의 의도에 따라 다양하게 설정될 수 있다.For example, it is assumed that the sum of the gas capacities of the inner tube 30 and the outer tube 20 is 100L, the pressure of the inner tube 30 is a high pressure of 2 atmospheres, and the pressure of the outer tube 20 is a high pressure of 2.3 atmospheres. and, assuming that the buffer tank 600 has a capacity of 300L and a low pressure of 10 Torr, the pressures of the inner tube 30 and the outer tube 20 are reduced by rapid exhaust through the rapid exhaust path. do. At this time, the pressure of the inner tube 30 may be lower than the normal pressure, and the pressure of the outer tube 20 is lowered from the high pressure to the normal pressure. When the pressure of the outer tube 20 reaches normal pressure, the first high-pressure control valve OCV is closed, and rapid exhaust of the outer tube 20 is stopped. Rapid exhaust of the inner tube 30 may be performed until the pressure of the inner tube 30 reaches a preset level or the buffer tank 600 and the inner tube 30 have the same pressure, and rapid exhaust is performed. The time can be set in various ways according to the intention of the manufacturer.

상기와 같은 급속 배기에 의해 감압된 이너 튜브(30)의 반응 공간(32)은 펌핑에 의해 더 감압될 수 있다. 즉, 진공 펌프(700)의 펌핑이 진행되면, 이너 튜브(30)의 반응 공간(32)은 펌핑 라인(L1)을 통하여 펌핑에 의해 상압 이하의 저압을 갖게 된다.The reaction space 32 of the inner tube 30 depressurized by the rapid exhaust as described above may be further depressurized by pumping. That is, when the vacuum pump 700 is pumped, the reaction space 32 of the inner tube 30 has a low pressure of normal pressure or less by pumping through the pumping line L1 .

진공 펌프(700)에 의한 이너 튜브(30)의 반응 공간(32)에 대한 펌핑이 진행될 때, 제2 고압 제어 밸브(OCV)는 폐쇄되고, 메인 펌핑 밸브(V1)는 개방된다. 제1 고압 제어 밸브(OCV)와 메인 배기 밸브(V2)는 아우터 튜브(20)의 보호 공간(22)의 상압 유지를 위하여 개방될 수 있고, 급속 배기 밸브(V3)는 폐쇄된다.When the vacuum pump 700 pumps the inner tube 30 to the reaction space 32 , the second high-pressure control valve OCV is closed and the main pumping valve V1 is opened. The first high-pressure control valve OCV and the main exhaust valve V2 may be opened to maintain normal pressure in the protective space 22 of the outer tube 20 , and the rapid exhaust valve V3 may be closed.

상술한 바에 의해서, 고압의 이너 튜브(30)는 급속 배기와 펌핑의 순차적인 진행에 의해 상압보다 낮은 저압을 가질 수 있다.As described above, the high-pressure inner tube 30 may have a low pressure lower than the normal pressure by sequentially performing rapid exhaust and pumping.

상기한 이너 튜브(30)와 아우터 튜브(20)의 버퍼 탱크(600)를 이용한 급속 배기는 통상적인 스크러버(800)에 의한 배기보다 빠른 속도로 진행된다. 그러므로, 급속 배기에 의한 공정 효과 및 공정 효율이 증대 및 기대될 수 있다.The rapid exhaust using the buffer tank 600 of the inner tube 30 and the outer tube 20 proceeds at a faster speed than the exhaust by the conventional scrubber 800 . Therefore, the process effect and process efficiency by rapid exhaust can be increased and expected.

한편, 진공 펌프(700)는 이너 튜브(30)와 아우터 튜브(20)의 급속 배기에 이용된 버퍼 탱크(600)가 저압을 유지하도록 펌핑될 수 있다. 이때, 버퍼 탱크(600)의 저압을 유지하기 위한 진공 펌프(700)의 펌핑은 이너 튜브(30)를 저압으로 형성하기 위한 펌핑과 다른 기간에 수행된다.Meanwhile, the vacuum pump 700 may be pumped so that the buffer tank 600 used for rapid exhaust of the inner tube 30 and the outer tube 20 maintains a low pressure. At this time, the pumping of the vacuum pump 700 for maintaining the low pressure of the buffer tank 600 is performed in a period different from the pumping for forming the inner tube 30 at the low pressure.

버퍼 탱크(600)의 펌핑은 버퍼 펌핑 라인(L6)을 통하여 수행되며, 이때, 버퍼 펌핑 밸브(V4)는 개방되고 펌핑량은 오리피스(OP)에 의해 균일하게 유지되도록 제어될 수 있다.The pumping of the buffer tank 600 is performed through the buffer pumping line L6 . At this time, the buffer pumping valve V4 is opened and the pumping amount may be controlled to be uniformly maintained by the orifice OP.

그리고, 버퍼 탱크(600)는 공정을 수행하기 전의 초기 세팅 기간이나 공정을 종료한 후 유지 관리 기간에 퍼지를 수행할 수 있다.In addition, the buffer tank 600 may be purged during the initial setting period before performing the process or during the maintenance period after the process is finished.

이를 위하여, 퍼지 라인(L7) 및 버퍼 탱크 배기 라인(L8)이 구성된다.To this end, a purge line L7 and a buffer tank exhaust line L8 are configured.

버퍼 탱크(600)의 퍼지를 위하여, 퍼지 라인(L7)을 통하여 퍼지 가스가 상압 이상으로 공급될 수 있다. 이때, 퍼지 밸브(V6)는 개방된다. 그리고, 버퍼 탱크 배기 라인(L8)의 버퍼 배기 밸브(V5)도 개방된다.In order to purge the buffer tank 600 , a purge gas may be supplied above normal pressure through the purge line L7 . At this time, the purge valve V6 is opened. Then, the buffer exhaust valve V5 of the buffer tank exhaust line L8 is also opened.

그러므로, 퍼지 가스는 퍼지 라인(L7)을 통하여 버퍼 탱크(600)로 공급되고, 버퍼 탱크(600)의 압력은 퍼지 가스에 의해 상압 이상을 형성할 수 있다. 그리고, 퍼지 가스는 버퍼 탱크(600) 내부의 잔류 가스와 같이 버퍼 탱크 배기 라인(L8)을 통하여 배기된다. 이때, 버퍼 탱크 배기 라인(L8)을 통하여 배기되는 배기량은 오리피스(OP)에 의해 균일하게 제어된다.Therefore, the purge gas may be supplied to the buffer tank 600 through the purge line L7, and the pressure of the buffer tank 600 may be higher than or equal to the normal pressure by the purge gas. Then, the purge gas is exhausted through the buffer tank exhaust line L8 like the residual gas in the buffer tank 600 . At this time, the amount of exhaust exhausted through the buffer tank exhaust line L8 is uniformly controlled by the orifice OP.

그리고, 퍼지 가스에 의해 버퍼 탱크(600) 내부에 과도한 압력이 인가되는 경우, 안전 라인(L9)의 릴리프 밸브(REV)는 미리 설정된 이상의 압력에 대하여 버퍼 탱크(600)에 대한 배기를 수행하도록 동작된다. 이때, 릴리프 밸브(REV)를 통하여 배기되는 배기량은 오리피스(OP)에 의해 균일하게 조절된다.And, when an excessive pressure is applied to the inside of the buffer tank 600 by the purge gas, the relief valve REV of the safety line L9 operates to exhaust the buffer tank 600 with respect to a pressure greater than or equal to a preset pressure. do. At this time, the amount of exhaust exhausted through the relief valve REV is uniformly controlled by the orifice OP.

그리고, 버퍼 탱크(600)는 안전을 위하여 내부의 온도와 내부의 압력을 모니터링 할 수 있다. 이를 위하여, 버퍼 탱크(600)는 온도를 모니터링하는 온도 센서(TC)와 압력을 모니터링하는 압력 센서(PT)를 구비할 수 있다.In addition, the buffer tank 600 may monitor the internal temperature and internal pressure for safety. To this end, the buffer tank 600 may include a temperature sensor TC for monitoring a temperature and a pressure sensor PT for monitoring a pressure.

온도 센서(TC)와 압력 센서(PT)는 온도 센싱 신호와 압력 센싱 신호를 제공하도록 구성될 수 있고, 상기한 온도 센싱 신호와 압력 센싱 신호는 버퍼 탱크(600)가 저압을 유지하기 위한 제어에 이용될 수 있다.The temperature sensor TC and the pressure sensor PT may be configured to provide a temperature sensing signal and a pressure sensing signal, and the temperature sensing signal and the pressure sensing signal are used to control the buffer tank 600 to maintain a low pressure. can be used

상술한 바에 의하여, 본 발명의 실시예는 버퍼 탱크(600)를 이용함으로써 스크러버(800)에서 제공하는 용량 이상으로 이너 튜브(30)와 아우터 튜브(20)를 위한 급속 배기를 진행할 수 있다. 그러므로, 급속 배기에 의한 공정 효과 및 공정 효율이 증대될 수 있다.As described above, in the embodiment of the present invention, rapid exhaust for the inner tube 30 and the outer tube 20 can be performed beyond the capacity provided by the scrubber 800 by using the buffer tank 600 . Therefore, the process effect and process efficiency by the rapid exhaust can be increased.

또한, 본 발명은 실시예에 의하여 기판 처리 장치의 신뢰성을 확보할 수 있으며, 공정 효율 및 공정 수율을 개선할 수 있는 등 다양한 효과를 기대할 수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, reliability of the substrate processing apparatus can be secured, and various effects such as improvement of process efficiency and process yield can be expected.

Claims (12)

내부에 반응 공간을 형성하는 이너 튜브와, 상기 이너 튜브의 일부를 수용하고 내부에 보호 공간을 형성하는 아우터 튜브를 포함하는 기판 처리 장치;
상기 이너 튜브와 진공 펌프 사이를 연결하며, 상기 반응 공간의 내부 압력이 상압보다 작은 저압 상태에서 공정이 수행될 수 있도록 상기 반응 공간을 펌핑하는 펌핑 라인;
상기 이너 튜브와 외부 배기 장치 사이를 연결하며, 상기 반응 공간의 내부 압력이 상압보다 높은 고압 상태에서 공정이 수행될 수 있도록 상기 반응 공간을 배기하는 이너 배기 라인;
상기 아우터 튜브와 상기 외부 배기 장치 사이를 연결하며, 상기 보호 공간을 배기하는 아우터 배기 라인;
상기 진공 펌프와 상기 외부 배기 장치 사이를 연결하는 메인 배기 라인;
상기 기판 처리 장치와 상기 진공 펌프 사이에 배치되고, 상기 기판 처리 장치로부터 배기가 진행될 때 상기 배기에 의한 가스를 저장하는 버퍼 탱크;
상기 이너 배기 라인과 상기 버퍼 탱크 사이를 연결하는 급속 배기 라인;
상기 진공 펌프의 펌핑 구동에 의해 상기 버퍼 탱크 내부 압력이 상기 반응 공간의 압력보다 낮도록 상기 버퍼 탱크를 펌핑하는 버퍼 펌핑 라인;을 포함하는 기판 처리 시스템.a substrate processing apparatus comprising: an inner tube forming a reaction space therein; and an outer tube accommodating a portion of the inner tube and forming a protective space therein;
a pumping line connecting the inner tube and the vacuum pump to pump the reaction space so that the process can be performed in a low pressure state where the internal pressure of the reaction space is smaller than normal pressure;
an inner exhaust line connecting the inner tube and an external exhaust device to exhaust the reaction space so that a process can be performed in a high-pressure state in which the internal pressure of the reaction space is higher than normal pressure;
an outer exhaust line connecting the outer tube and the external exhaust device to exhaust the protection space;
a main exhaust line connecting the vacuum pump and the external exhaust device;
a buffer tank disposed between the substrate processing apparatus and the vacuum pump and configured to store a gas generated by the exhaust when the exhaust is performed from the substrate processing apparatus;
a rapid exhaust line connecting the inner exhaust line and the buffer tank;
and a buffer pumping line for pumping the buffer tank such that the internal pressure of the buffer tank is lower than the pressure of the reaction space by the pumping operation of the vacuum pump. 내부에 반응 공간을 형성하는 이너 튜브와, 상기 이너 튜브의 일부를 수용하고 내부에 보호 공간을 형성하는 아우터 튜브를 포함하는 기판 처리 장치;
상기 이너 튜브와 진공 펌프 사이를 연결하며, 상기 반응 공간의 내부 압력이 상압보다 작은 저압 상태에서 공정이 수행될 수 있도록 상기 반응 공간을 펌핑하는 펌핑 라인;
상기 이너 튜브와 외부 배기 장치 사이를 연결하며, 상기 반응 공간의 내부 압력이 상압보다 높은 고압 상태에서 공정이 수행될 수 있도록 상기 반응 공간을 배기하는 이너 배기 라인;
상기 아우터 튜브와 상기 외부 배기 장치 사이를 연결하며, 상기 보호 공간을 배기하는 아우터 배기 라인;
상기 진공 펌프와 상기 외부 배기 장치 사이를 연결하는 메인 배기 라인;
상기 기판 처리 장치와 상기 진공 펌프 사이에 배치되고, 상기 기판 처리 장치로부터 배기가 진행될 때 상기 배기에 의한 가스를 저장하는 버퍼 탱크;
상기 버퍼 탱크와, 상기 이너 배기 라인과 상기 아우터 배기 라인이 서로 합쳐진 라인 사이를 연결하는 급속 배기 라인;
상기 진공 펌프의 펌핑 구동에 의해 상기 버퍼 탱크 내부 압력이 상기 반응 공간의 압력보다 낮도록 상기 버퍼 탱크를 펌핑하는 버퍼 펌핑 라인;을 포함하는 기판 처리 시스템.a substrate processing apparatus comprising: an inner tube forming a reaction space therein; and an outer tube accommodating a portion of the inner tube and forming a protective space therein;
a pumping line connecting the inner tube and the vacuum pump to pump the reaction space so that the process can be performed in a low pressure state where the internal pressure of the reaction space is smaller than normal pressure;
an inner exhaust line connecting the inner tube and an external exhaust device to exhaust the reaction space so that a process can be performed in a high-pressure state in which the internal pressure of the reaction space is higher than normal pressure;
an outer exhaust line connecting the outer tube and the external exhaust device to exhaust the protection space;
a main exhaust line connecting the vacuum pump and the external exhaust device;
a buffer tank disposed between the substrate processing apparatus and the vacuum pump and configured to store a gas generated by the exhaust when the exhaust is performed from the substrate processing apparatus;
a rapid exhaust line connecting the buffer tank and a line in which the inner exhaust line and the outer exhaust line are merged;
and a buffer pumping line for pumping the buffer tank such that the internal pressure of the buffer tank is lower than the pressure of the reaction space by the pumping operation of the vacuum pump. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 버퍼 탱크와 상기 외부 배기 장치와 직접 연결되는 버퍼 탱크 배기 라인을 더 포함하는 기판 처리 시스템.3. The method according to claim 1 or 2,
and a buffer tank exhaust line directly connected to the buffer tank and the external exhaust device. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 버퍼 탱크와 상기 외부 배기 장치를 연결하는 안전 라인과, 상기 안전 라인 상에 설치되어 상기 버퍼 탱크의 압력이 소정 압력 이상이 되었을 때 상기 버퍼 탱크로 유입된 배기 가스를 상기 외부 배기 장치로 배출하는 릴리프 밸브를 더 포함하는 기판 처리 시스템.3. The method according to claim 1 or 2,
a safety line connecting the buffer tank and the external exhaust device; and a safety line installed on the safety line to discharge the exhaust gas flowing into the buffer tank to the external exhaust device when the pressure of the buffer tank exceeds a predetermined pressure A substrate processing system further comprising a relief valve. 제1 항에 있어서,
상기 급속 배기 라인은 상기 이너 배기 라인 대신 상기 아우터 배기 라인에 연결되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.According to claim 1,
The rapid exhaust line is connected to the outer exhaust line instead of the inner exhaust line. 제2 항에 있어서,
상기 급속 배기 라인은 상기 이너 배기 라인과 상기 아우터 배기 라인이 합쳐진 상기 라인 대신 상기 아우터 배기 라인에 연결되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.3. The method of claim 2,
The rapid exhaust line is connected to the outer exhaust line instead of the combined line of the inner exhaust line and the outer exhaust line. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 버퍼 탱크에는 배기 가스를 퍼지하기 위하여 퍼지 라인이 연결되는 유입구가 형성되어 있는 기판 처리 시스템.3. The method according to claim 1 or 2,
The buffer tank is provided with an inlet to which a purge line is connected to purge the exhaust gas. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 아우터 배기 라인 상에 설치되어 상기 보호 공간의 배기를 단속하는 제1 고압 배기 밸브와, 상기 제1 고압 배기 밸브와 상기 외부 배기 장치 사이에 설치되며 상기 아우터 배기 라인을 통해 배기되는 상기 보호 공간의 배기량을 제어하는 제1 고압 제어 밸브를 포함하고,
상기 이너 배기 라인 상에 설치되어 상기 반응 공간의 배기를 단속하는 제2 고압 배기 밸브와, 상기 제2고압 배기 밸브와 상기 외부 배기 장치 사이에 설치되며 상기 이너 배기 라인을 통해 배기되는 상기 반응 공간의 배기량을 제어하는 제2 고압 제어 밸브를 포함하고,
상기 진공 펌프에 연결되어 상기 진공 펌프로의 가스 흐름을 단속하는 저압 단속 밸브와, 상기 저압 단속 밸브와 상기 진공 펌프 사이에 설치되어 상기 반응 공간의 압력을 상압보다 낮게 유지하도록 제어하는 메인 펌핑 밸브를 포함하는 기판 처리 시스템.3. The method according to claim 1 or 2,
a first high-pressure exhaust valve installed on the outer exhaust line to control the exhaust of the protective space, and a first high-pressure exhaust valve installed between the first high-pressure exhaust valve and the external exhaust device and exhausted through the outer exhaust line A first high-pressure control valve for controlling the exhaust amount,
a second high-pressure exhaust valve installed on the inner exhaust line to control exhaust of the reaction space, and a second high-pressure exhaust valve installed between the second high-pressure exhaust valve and the external exhaust device and exhausted through the inner exhaust line A second high-pressure control valve for controlling the exhaust amount,
a low-pressure shut-off valve connected to the vacuum pump to regulate gas flow to the vacuum pump, and a main pumping valve installed between the low-pressure shut-off valve and the vacuum pump to control the pressure in the reaction space to be lower than normal pressure; A substrate processing system comprising. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 급속 배기 라인에는 고압 단속 밸브를 포함하는 기판 처리 시스템.3. The method according to claim 1 or 2,
and a high-pressure shut-off valve in the rapid exhaust line. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 버퍼 탱크에는 상기 버퍼 탱크 내의 압력을 측정하는 장치를 포함하는 기판 처리 시스템.3. The method according to claim 1 or 2,
The buffer tank includes a device for measuring a pressure in the buffer tank. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치와 상기 외부 배기 장치를 연결하는 라인에는 상기 이너 튜브 및 상기 아우터 튜브로부터의 가스를 차단 또는 배기할 수 있는 메인 배기 밸브를 포함하는 기판 처리 시스템.3. The method according to claim 1 or 2,
and a main exhaust valve configured to block or exhaust gas from the inner tube and the outer tube in a line connecting the substrate processing apparatus and the external exhaust apparatus. 제1 항에 있어서,
상기 외부 배기 장치는 스크러버를 포함하는 기판 처리 시스템.According to claim 1,
The external exhaust device includes a scrubber.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023200142A1 (en) * 2022-04-12 2023-10-19 주식회사 에이치피에스피 High-pressure substrate processing apparatus and high-pressure chemical vapor deposition method for substrate using same

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