KR20210126694A - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 기판 처리 방법은, 제1 처리부에서, 표면에 요철 패턴이 형성된 기판에 습식 처리(단계 S104)를 실시한 후, 기판의 표면을 유기 용제를 포함하는 액막으로 덮고, 당해 액막의 적어도 표면을 응고시켜 응고막을 형성하는 공정(단계 S105)과, 응고막으로 덮인 기판을 제2 처리부에 반송하는 공정(단계 S106, S107)과, 제2 처리부에서, 응고막에 대하여 용해액을 공급하여 응고막을 용해하고, 기판의 표면으로부터 용해액을 제거하여 기판을 건조시키는 공정(단계 S108)을 구비한다. 기판의 표면에 형성된 요철 패턴의 도괴를 확실하게 방지하면서, 처리 유닛 간에서의 반송의 용이함을 확보할 수 있다.In the substrate processing method according to the present invention, in a first processing unit, after wet processing (step S104) is performed on a substrate having an uneven pattern formed on the surface, the surface of the substrate is covered with a liquid film containing an organic solvent, and at least the surface of the liquid film a step of coagulating to form a coagulated film (step S105), a step of conveying the substrate covered with the coagulated film to the second processing unit (steps S106, S107), and in the second processing unit, supplying a solution to the coagulated film to coagulate and a step of dissolving the film and removing the solution from the surface of the substrate to dry the substrate (step S108). The easiness of conveyance between processing units can be ensured, reliably preventing the collapse of the uneven|corrugated pattern formed on the surface of a board|substrate.
Description
이 발명은, 표면에 요철 패턴이 형성된 기판에 습식 처리를 실시한 후에 건조시키는 프로세스를 포함하는 기판 처리 방법, 및, 이것을 실행하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing method including a process of drying a substrate having an uneven pattern on its surface, followed by wet processing, and a substrate processing apparatus for performing the same.
표면에 미세한 요철 패턴이 형성된 기판을 액체에 의하여 습식 처리(예를 들면 세정 처리)한 후, 기판을 건조시키는 기판 처리 기술에 있어서는, 건조 처리 중에, 패턴 내에 잔류하는 액체의 표면장력의 작용에 기인하는 패턴 도괴가 일어난다고 하는 문제가 알려져 있다. 이 문제를 해소하기 위하여, 액체를 보다 낮은 표면장력을 갖는 유체로 치환하고 나서 건조시킨다고 하는 종래 기술이 있다. 표면장력이 매우 낮은 유체로서, 예를 들면 액체 이산화탄소를 이용한 것이 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).In a substrate processing technique for drying a substrate after wet treatment (eg, cleaning treatment) of a substrate having a fine concavo-convex pattern on its surface with a liquid, it is due to the action of the surface tension of the liquid remaining in the pattern during the drying treatment. There is a known problem that pattern collapse occurs. In order to solve this problem, there is a prior art in which a liquid is replaced with a fluid having a lower surface tension and then dried. As a fluid with very low surface tension, there exists a fluid which used liquid carbon dioxide, for example (for example, refer patent document 1).
또 다른 종래 기술로서 승화 건조 기술이 있다. 이 기술에서는, 습식 처리 후의 기판 표면에 액상의 승화성 물질에 의한 액막을 형성한 후 이것을 냉각하여 응고시킨다. 그리고, 응고한 승화성 물질을 승화시킴으로써, 패턴 도괴의 원인이 되는 기액 계면이 생기지 않도록 한다(예를 들면, 특허문헌 2 참조).Another prior art is sublimation drying technology. In this technique, a liquid film of a liquid sublimable substance is formed on the surface of the substrate after wet processing, and then it is cooled and solidified. Then, by sublimating the solidified sublimable substance, a gas-liquid interface that causes pattern collapse is prevented from occurring (for example, refer to Patent Document 2).
이들 종래 기술에 있어서는, 기판 표면에 액막을 형성하기 위한 처리 유닛과, 기판을 건조시키기 위한 처리 유닛이 별체로 되어 있다. 따라서, 이들 유닛 간에서 기판을 반송하기 위한, 반송 기구가 설치되어 있다.In these prior arts, a processing unit for forming a liquid film on the substrate surface and a processing unit for drying the substrate are separate. Therefore, a conveyance mechanism for conveying a board|substrate between these units is provided.
특허문헌 1에 기재된 종래 기술에서는, 표면에 형성된 액막을 유지하면서 기판을 반송할 필요가 있다. 이 때문에, 기판을 항상 수평 자세로 유지하지 않으면 안되고, 또 반송 속도에 대해서도 비교적 저속이 되지 않을 수 없다. 그러나, 반송 시의 진동에 의한 액체의 유출이나 증발에 의하여 기판 표면이 노출되어 버릴 우려가 있고, 이것은 패턴 도괴의 원인이 될 수 있다.In the prior art described in
이에 대하여 특허문헌 2에 기재된 종래 기술에서는, 기판 표면이 응고한 승화성 물질에 의하여 덮인 상태로 반송되기 때문에, 반송 시의 제약은 보다 적다고 할 수 있다. 그러나, 패턴의 추가적인 미세화에 의하여, 이 기술로도 대응할 수 없는 문제가 발생할 우려가 있다. 그 이유는 이하와 같다.On the other hand, in the prior art described in Patent Document 2, since the substrate surface is conveyed in a state covered by the solidified sublimable substance, it can be said that there are fewer restrictions on conveyance. However, due to the further miniaturization of the pattern, there is a fear that a problem that cannot be dealt with by this technique may occur. The reason is as follows.
일반적으로 액체의 응고점으로서 알려져 있는 물성값은, 액체가 자유 공간 혹은 비교적 큰 공간에 있을 때의 값이다. 한편, 예를 들면 나노미터 단위와 같은 미세한 공간에 들어간 액체에서는, 그 응고점이, 상기한 일반적인 수치보다 큰 폭으로 저하한다고 하는 현상이 있다. 이 때문에, 냉각 온도를 충분히 낮게 하고 긴 냉각 시간을 부여하지 않는 한, 미세한 패턴 내부에 침투한 액체가 충분히 고화하지 않아 액상인 채로 잔류하게 된다. 이에 의하여, 반송 후의 승화 건조 처리 프로세스가, 실질적으로는 「승화」가 아니라 액상을 통한 것이 되어, 기액 계면이 생겨 패턴을 도괴시킬 우려가 있다.A property value, generally known as the freezing point of a liquid, is a value when the liquid is in free space or a relatively large space. On the other hand, there is a phenomenon that, for example, in the case of a liquid entering a microscopic space such as a nanometer unit, the solidification point decreases significantly more than the general numerical value described above. For this reason, unless the cooling temperature is sufficiently low and a long cooling time is not provided, the liquid penetrating into the fine pattern does not sufficiently solidify and remains in a liquid state. Thereby, the sublimation drying treatment process after conveyance does not substantially "sublime" but becomes a liquid phase, and there exists a possibility that a gas-liquid interface may arise and the pattern may collapse.
이 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 표면에 요철 패턴이 형성된 기판에 습식 처리를 실시한 후에 건조시키는 기판 처리 기술에 있어서, 처리 유닛 간에서의 반송의 용이함을 확보하면서, 게다가 패턴 도괴를 확실하게 방지할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention has been made in view of the above problems, and in a substrate processing technique for drying a substrate having an uneven pattern on its surface after performing wet processing, while ensuring easiness of transport between processing units, the pattern collapse is also reliably prevented. The purpose is to provide technology that can prevent it.
이 발명에 따른 기판 처리 방법의 일 양태는, 상기 목적을 달성하기 위하여, 제1 처리부에서, 표면에 요철 패턴이 형성된 기판에 습식 처리를 실시한 후, 상기 기판의 표면을 유기 용제를 포함하는 액막으로 덮는 공정과, 상기 액막의 적어도 표면을 응고시켜 응고막을 형성하는 공정과, 상기 응고막으로 덮인 상기 기판을 제2 처리부에 반송하는 공정과, 상기 제2 처리부에서, 상기 응고막에 대하여 용해액을 공급하여, 상기 응고막을 용해하는 공정과, 상기 기판의 표면으로부터 상기 용해액을 제거하여 상기 기판을 건조시키는 공정을 구비하고 있다.In one aspect of the method for processing a substrate according to the present invention, in order to achieve the above object, in the first processing unit, a wet treatment is performed on a substrate having an uneven pattern on the surface, and then the surface of the substrate is formed as a liquid film containing an organic solvent. a step of covering, a step of solidifying at least the surface of the liquid film to form a coagulated film, a step of conveying the substrate covered with the coagulated film to a second processing unit; supplying to dissolve the coagulated film;
또, 이 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 양태는, 상기 목적을 달성하기 위하여, 표면에 요철 패턴이 형성된 기판에 대하여, 습식 처리, 상기 기판의 표면을 액막으로 덮는 처리, 및, 상기 액막을 구성하는 액체의 응고점보다 저온으로 냉각하여 상기 액막을 응고시켜 응고막으로 전환시키는 처리를 실행하는 제1 처리부와, 상기 응고막이 형성된 상기 기판을 받아 들이고, 상기 응고막에 대하여 용해액을 공급하여 상기 응고막을 용해시키는 처리, 및, 상기 기판의 표면으로부터 상기 용해액을 제거하여 상기 기판을 건조시키는 처리를 실행하는 제2 처리부와, 상기 제1 처리부로부터 상기 제2 처리부로, 상기 응고막이 형성된 상기 기판을 반송하는 반송 기구를 구비하고 있다.Further, in one aspect of the substrate processing apparatus according to the present invention, in order to achieve the above object, a wet treatment for a substrate having an uneven pattern on its surface, a treatment for covering the surface of the substrate with a liquid film, and configuring the liquid film A first processing unit for performing a process of converting the liquid film into a solidified film by cooling it to a lower temperature than the freezing point of the liquid, and the substrate on which the solidified film is formed is received, and a solution is supplied to the solidified film to solidify the liquid film a second processing unit for performing a treatment for dissolving a film, and a treatment for drying the substrate by removing the dissolving solution from the surface of the substrate; A conveying mechanism for conveying is provided.
이와 같이 구성된 발명에서는, 제1 처리부로부터 제2 처리부로의 기판의 반송은, 기판 표면이 응고막에 덮인 상태로 실행된다. 이 때문에, 반송 중에 액체가 기판 표면으로부터 유실되거나 증발하거나 하는 것에 의한 기판 표면의 노출의 우려는 충분히 낮다. 따라서 기판의 반송은 비교적 용이하다.In the invention constituted as described above, the transfer of the substrate from the first processing unit to the second processing unit is performed in a state in which the surface of the substrate is covered with the solidified film. For this reason, the risk of exposure of the substrate surface due to loss or evaporation of the liquid from the substrate surface during transport is sufficiently low. Therefore, the transport of the substrate is relatively easy.
그리고, 기판이 반송된 제2 처리부에서는, 응고막을 용해액으로 용해시키고 나서 용해액을 제거함으로써 기판을 건조시킨다. 이 때문에, 응고막을 직접 승화시키는 승화 건조 기술과 달리, 패턴 내부에 들어간 액체가 고화하고 있지 않은 것은 패턴 도괴의 원인이 되지 않는다. 즉, 본 발명에 의하면, 미세한 패턴이더라도 그 도괴를 방지하는 것이 가능하다.And in the 2nd processing part to which the board|substrate was conveyed, the board|substrate is dried by dissolving a solidified film with a solution, and then removing the solution. For this reason, unlike the sublimation drying technique in which the solidified film is directly sublimated, the fact that the liquid entering the inside of the pattern is not solidified does not cause the pattern to collapse. That is, according to the present invention, it is possible to prevent the collapse of even a fine pattern.
오히려 후속 공정에서의 다른 유체에 의한 치환의 용이함을 생각하면, 패턴 내부의 액체는 고화하고 있지 않은 편이 바람직하다. 반송의 편의를 위해서는, 적어도 액막의 표면 부분만이 응고하고 있으면 충분하다. 따라서, 액막의 냉각에 필요로 하는 에너지 및 시간도 적어도 된다. 즉, 본 발명은, 에너지 효율 및 스루풋의 관점에서도 우수한 작용 효과를 갖는 것이라고 할 수 있다.Rather, considering the ease of substitution with another fluid in the subsequent process, it is preferable that the liquid inside the pattern is not solidified. For the convenience of conveyance, it is sufficient that at least only the surface portion of the liquid film is solidified. Accordingly, the energy and time required for cooling the liquid film are also reduced. That is, it can be said that the present invention has an excellent effect from the viewpoint of energy efficiency and throughput.
상기와 같이, 본 발명에서는, 표면에 요철 패턴이 형성된 기판에 습식 처리를 실시한 후 건조시키는 기판 처리 기술에 있어서, 기판의 반송의 용이함을 확보하면서, 게다가 미세한 패턴이더라도 그 도괴를 확실하게 방지할 수 있다.As described above, in the present invention, in the substrate processing technique for drying a substrate having an uneven pattern on the surface after performing a wet treatment, it is possible to reliably prevent the collapse of even a fine pattern while ensuring the ease of transport of the substrate. have.
이 발명의 상기 그리고 그 외의 목적과 신규 특징은, 첨부 도면을 참조하면서 다음의 상세한 설명을 읽으면, 보다 완전히 명확해질 것이다. 단, 도면은 오로지 해설을 위한 것이며, 이 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다.The above and other objects and novel features of the present invention will become more completely clear when the following detailed description is read with reference to the accompanying drawings. However, the drawings are for explanation only, and do not limit the scope of the present invention.
도 1a는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 실시 형태의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 1b는, 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 실시 형태의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는, 센터 로봇의 구성 및 설치 환경을 나타내는 도면이다.
도 3a는, 습식 처리를 실행하는 기판 처리 유닛을 나타내는 도면이다.
도 3b는, 습식 처리를 실행하는 기판 처리 유닛을 나타내는 도면이다.
도 3c는, 습식 처리를 실행하는 기판 처리 유닛을 나타내는 도면이다.
도 4는, 초임계 건조 처리를 실행하는 기판 처리 유닛을 나타내는 도면이다.
도 5는, 이 기판 처리 장치의 동작을 나타내는 플로차트이다.
도 6은, 응고 처리를 나타내는 플로차트이다.
도 7은, 건조 처리를 나타내는 플로차트이다.
도 8a는, 응고막에 발생할 수 있는 문제를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 8b는, 응고막에 발생할 수 있는 문제를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 8c는, 응고막에 발생할 수 있는 문제를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 9는, 응고 처리의 다른 예를 나타내는 플로차트이다.
도 10은, 이 변형예에 있어서의 액막의 상태를 모식적으로 나타내는 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows the schematic structure of one Embodiment of the substrate processing apparatus which concerns on this invention.
1B is a diagram showing a schematic configuration of an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention.
2 : is a figure which shows the structure of a center robot, and an installation environment.
3A is a diagram illustrating a substrate processing unit that performs wet processing.
3B is a diagram illustrating a substrate processing unit that performs wet processing.
3C is a diagram illustrating a substrate processing unit that performs wet processing.
4 is a diagram illustrating a substrate processing unit that performs a supercritical drying process.
5 is a flowchart showing the operation of this substrate processing apparatus.
6 is a flowchart showing the coagulation process.
7 is a flowchart showing a drying process.
8A is a diagram schematically illustrating a problem that may occur in a coagulated film.
8B is a diagram schematically illustrating a problem that may occur in a coagulated film.
8C is a diagram schematically showing a problem that may occur in the coagulated film.
9 is a flowchart showing another example of the coagulation process.
10 is a diagram schematically showing the state of the liquid film in this modified example.
도 1a 및 도 1b는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 실시 형태의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 보다 구체적으로는, 도 1a는 본 발명의 일 실시 형태인 기판 처리 장치(1)를 나타내는 평면도이고, 도 1b는 기판 처리 장치(1)를 나타내는 측면도이다. 또한, 이들 도면은 장치의 외관을 나타내는 것이 아니라, 장치의 외벽 패널이나 그 외의 일부 구성을 제외함으로써 그 내부 구조를 알기 쉽게 나타낸 모식도이다. 이 기판 처리 장치(1)는, 예를 들면 클린 룸 내에 설치되고 기판에 대하여 소정의 처리를 실시하기 위한 장치이다.1A and 1B are diagrams showing a schematic configuration of an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. More specifically, FIG. 1A is a plan view illustrating a
여기서, 본 실시 형태에 있어서의 「기판」으로서는, 반도체 기판, 포토마스크용 유리 기판, 액정 표시용 유리 기판, 플라즈마 표시용 유리 기판, FED(Field Emission Display)용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판 등의 각종 기판을 적용 가능하다. 이하에서는 주로 반도체 기판의 처리에 이용되는 기판 처리 장치를 예로 들어 도면을 참조하여 설명한다. 그러나, 위에 예시한 각종 기판의 처리에도 동일하게 적용 가능하다.Here, as "substrate" in this embodiment, semiconductor substrate, photomask glass substrate, liquid crystal display glass substrate, plasma display glass substrate, FED (Field Emission Display) substrate, optical disk substrate, magnetic disk use Various substrates such as substrates and substrates for magneto-optical disks are applicable. Hereinafter, a substrate processing apparatus mainly used for processing a semiconductor substrate will be described with reference to the drawings. However, it is equally applicable to the processing of the various board|substrates illustrated above.
도 1a에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)에 대하여 처리를 실시하는 기판 처리부(10)와, 이 기판 처리부(10)에 결합된 인덱서부(20)를 구비하고 있다. 인덱서부(20)는, 용기 유지부(21)와 인덱서 로봇(22)을 구비하고 있다. 용기 유지부(21)는, 기판(S)을 수용하기 위한 용기(C)를 복수 개 유지할 수 있다. 인덱서 로봇(22)은, 이 용기 유지부(21)에 유지된 용기(C)에 액세스하여, 미처리의 기판(S)을 용기(C)로부터 꺼내거나, 처리 완료된 기판을 용기(C)에 수납하거나 할 수 있다. 용기(C)로서는, 복수의 기판(S)을 밀폐한 상태로 수용하는 FOUP(Front Opening Unified Pod), SMIF(Standard Mechanical Interface) 포드, OC(Open Cassette) 등을 적용 가능하다. 각 용기(C)에는, 복수 장의 기판(S)이 거의 수평인 자세로 수용되어 있다.As shown in FIG. 1A , the
인덱서 로봇(22)은, 장치 하우징에 고정된 베이스부(221)와, 베이스부(221)에 대하여 연직축 둘레로 회동(回動) 가능하게 설치된 다관절 아암(222)과, 다관절 아암(222)의 선단에 장착된 핸드(223)를 구비한다. 핸드(223)는 그 상면에 기판(S)을 재치(載置)하여 유지할 수 있는 구조로 되어 있다. 이와 같은 다관절 아암 및 기판 유지용 핸드를 갖는 인덱서 로봇은 공지이므로, 상세한 설명을 생략한다.The
기판 처리부(10)는, 평면에서 보았을 때 거의 중앙에 배치된 센터 로봇(15)과, 이 센터 로봇(15)을 둘러싸도록 배치된 복수의 기판 처리 유닛을 구비하고 있다. 구체적으로는, 센터 로봇(15)이 배치된 공간에 면하여 복수의 (이 예에서는 4개의) 기판 처리 유닛(11A, 12A, 13A, 14A)이 배치되어 있다. 이들 기판 처리 유닛(11A~14A)은, 각각 기판(S)에 대하여 소정의 처리를 실행하는 것이다. 이들 처리 유닛을 동일한 기능의 것으로 한 경우에는, 복수 기판의 병렬 처리가 가능해진다. 또, 기능이 상이한 처리 유닛을 조합하여, 1개의 기판에 대하여 상이한 처리를 순서대로 실행하도록 구성할 수도 있다.The
후술하는 바와 같이, 이 실시 형태의 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)을 소정의 처리액에 의하여 습식 처리한 후, 기판(S)을 건조시킨다고 하는 일련의 처리에 사용된다. 이 목적을 위하여, 4개의 기판 처리 유닛 중 2개의 기판 처리 유닛(11A, 12A)은, 기판(S)에 대한 습식 처리를 담당하고, 이것을 가능하게 하기 위한 구성을 내부에 구비하고 있다. 또, 다른 2개의 기판 처리 유닛(13A, 14A)은, 습식 처리 후의 기판(S)으로부터 잔존액을 제거하여 기판(S)을 건조시키는 처리(건조 처리)를 담당하고, 이것을 가능하게 하기 위한 구성을 내부에 구비하고 있다.As will be described later, the
각 기판 처리 유닛(11A~14A)에서는, 센터 로봇(15)에 면하는 측면에 개폐 자유자재인 셔터가 설치된 처리 챔버 내에, 기판(S)에 대한 처리를 실행하는 기판 처리 주체가 수용되어 있다. 즉, 기판 처리 유닛(11A)은, 처리 챔버(110)와, 처리 챔버(110)의 센터 로봇(15)에 면하는 측면에 설치된 셔터(111)를 갖는다. 셔터(111)는, 처리 챔버(110)의 센터 로봇(15)에 면하는 측면에 설치된 개구부(도시하지 않음)를 덮도록 설치되어 있다. 셔터(111)가 열리면 개구부가 노출되고, 당해 개구부를 통하여 기판(S)의 반입 및 반출이 가능해진다. 또, 처리 챔버(110) 내에서 기판(S)에 대한 처리가 실행될 때에는, 셔터(111)가 닫힘으로써, 처리 챔버(110) 내의 분위기가 외부로부터 차단된다.In each of the
마찬가지로, 기판 처리 유닛(12A)은, 처리 챔버(120)와, 처리 챔버(120)의 센터 로봇(15)에 면하는 측면에 설치된 셔터(121)를 갖는다. 또, 기판 처리 유닛(13A)은, 처리 챔버(130)와, 처리 챔버(130)의 센터 로봇(15)에 면하는 측면에 설치된 셔터(131)를 갖는다. 또, 기판 처리 유닛(14A)은, 처리 챔버(140)와, 처리 챔버(140)의 센터 로봇(15)에 면하는 측면에 설치된 셔터(141)를 갖는다.Similarly, the
그리고, 이와 같이 수평 방향으로 배치된 기판 처리 유닛의 세트가 상하 방향으로 복수 단(이 예에서는 2단) 배치되어 있다. 즉, 도 1b에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 유닛(11A)의 하방에는 기판 처리 유닛(11B)이 설치되어 있다. 기판 처리 유닛(11B)의 구성 및 기능은, 기판 처리 유닛(11A)과 같다. 또, 기판 처리 유닛(12A)의 하방에는, 기판 처리 유닛(12A)과 동일 구성, 동일 기능의 기판 처리 유닛(12B)이 설치되어 있다. 마찬가지로, 기판 처리 유닛(13A)의 하부에도 기판 처리 유닛(13B)(도 2)이, 또 기판 처리 유닛(14A)의 하부에도 도시하지 않은 기판 처리 유닛이 설치된다. 또한, 기판 처리 유닛의 단 수는, 여기에 예시하는 2에 한정되지 않고 임의이다. 또 1단당 기판 처리 유닛의 배치 수도 상기에 한정되지 않는다.And the set of the board|substrate processing units arrange|positioned in the horizontal direction in this way is arrange|positioned at multiple stages (two stages in this example) in an up-down direction. That is, as shown in FIG. 1B , the
도 2는 센터 로봇의 구성 및 설치 환경을 나타내는 도면이다. 센터 로봇(15)은, 인덱서 로봇(22)으로부터 미처리의 기판(S)을 수취할 수 있고, 또한 처리 완료된 기판(S)을 인덱서 로봇(22)에 수도할 수 있다. 보다 구체적으로는, 센터 로봇(15)은, 기대부(151)와, 승강 베이스(152)와, 회전 베이스(153)와, 신축 아암(154)과, 핸드(155)를 구비하고 있다. 기대부(151)는, 기판 처리부(10)의 바닥부 프레임에 고정되어 있고, 센터 로봇(15)의 각 구성을 지지하고 있다. 승강 베이스(152)는 기대부(151)에 장착되고, 승강 베이스(152)의 상부에 회전 베이스(153)가 장착되어 있다. 승강 베이스(152)는 연직 방향으로 신축 자유자재로 되어 있고, 이 신축 운동에 의하여 회전 베이스(153)를 승강시킨다.2 is a view showing the configuration and installation environment of the center robot. The
회전 베이스(153)는, 승강 베이스(152)에 대하여 연직축 둘레로 회동 가능하게 되어 있다. 회전 베이스(153)에는 신축 아암(154)의 기부(基部)가 장착되고, 신축 아암(154)의 선단부에 핸드(155)가 장착되어 있다. 신축 아암(154)은 수평 방향으로 소정의 범위에서 신축한다. 핸드(155)는, 그 상면에 기판(S)을 재치하여 유지할 수 있고, 게다가, 인덱서 로봇(22)의 핸드(223)와의 사이에서 기판(S)의 수도가 가능한 구조로 되어 있다. 이와 같은 구조의 핸드 기구는 공지이므로, 상세한 설명을 생략한다.The
신축 아암(154)이 수평 방향으로 신축함으로써, 핸드(155)에 유지한 기판(S)을 수평 방향으로 이동시킬 수 있다. 또, 회전 베이스(153)가 승강 베이스(152)에 대하여 회동함으로써, 기판(S)의 수평 이동의 방향을 규정할 수 있다. 또, 승강 베이스(152)가 회전 베이스(153)를 승강시킴으로써, 기판(S)의 높이, 즉 연직 방향 위치를 조정할 수 있다.When the
상기와 같이 구성된 기판 처리 장치(1)에서는, 다음과 같이 하여 기판(S)에 대한 처리가 실행된다. 초기 상태에서는, 용기 유지부(21)에 재치된 용기(C)에 미처리의 기판(S)이 수용되어 있다. 인덱서 로봇(22)은, 용기(C)로부터 1장의 미처리 기판(S)을 꺼내어 센터 로봇(15)에 수도한다. 센터 로봇(15)은, 수취한 기판(S)을, 당해 기판(S)에 대한 처리를 실행하는 기판 처리 유닛에 반입한다.In the
예를 들면 기판 처리 유닛(11A)에 기판(S)을 반입하는 경우, 도 2에 나타내는 바와 같이, 센터 로봇(15)은, 승강 베이스(152)에 의하여 회전 베이스(153)의 높이를 조정하고, 핸드(155)에 유지한 기판(S)을, 기판 처리 유닛(11A)의 처리 챔버(110) 측면의 셔터(111)의 높이로 위치 결정한다. 셔터(111)가 열리고, 신축 아암(154)이 처리 챔버(110) 측면의 개구부를 향하여 신장함으로써, 기판(S)이 처리 챔버(110)에 반입된다. 신축 아암(154)이 퇴피한 후, 셔터(111)가 닫히고, 처리 챔버(110) 내에서 기판(S)에 대한 처리가 실행된다. 다른 기판 처리 유닛으로의 기판(S)의 반입도 동일하게 하여 행할 수 있다.For example, when loading the substrate S into the
한편, 기판 처리 유닛(11A)으로부터 처리 완료된 기판(S)을 꺼낼 때에는, 셔터(111)가 열린 처리 챔버(110)에 신축 아암(154)이 진입하여 처리 완료된 기판(S)을 꺼낸다. 꺼내어진 기판(S)에 대해서는, 다른 기판 처리 유닛에 반입되어 새로운 처리가 실행되어도 되고, 또 인덱서 로봇(22)을 통하여 용기(C)에 되돌려져도 된다. 이 실시 형태에 있어서의 구체적인 처리 시퀀스에 대해서는 뒤에 상세하게 설명한다.On the other hand, when the processed substrate S is taken out from the
도 2에 나타내는 바와 같이, 센터 로봇(15)은, 측방 및 상방이 격벽(101)에 의하여 외부 공간으로부터 이격된 반송 공간(TS)에 설치되어 있다. 기판 처리 유닛(11A)은, 처리 챔버(110)의 셔터(111)가 설치된 측면을 반송 공간(TS)에 임하게 하여, 격벽(101)의 측부에 장착되어 있다. 다른 기판 처리 유닛도 동일하다.As shown in FIG. 2, the
상기 외에, 기판 처리 장치(1)에는, 장치 각 부의 동작을 제어하기 위한 제어 유닛(90)이 설치되어 있다. 제어 유닛(90)은, 적어도 CPU(Central Processing Unit)(91)와, 메모리(92)를 포함한다. CPU(91)는, 미리 준비된 제어 프로그램을 실행함으로써, 장치 각 부로 하여금 소정의 동작을 실행하게 한다. 또, 메모리(92)는, CPU(91)가 실행해야 하는 제어 프로그램이나, 그 실행에 의하여 생기는 데이터 등을 기억한다. 상기한 인덱서 로봇(22) 및 센터 로봇(15)의 동작, 각 처리 챔버에 있어서의 셔터의 개폐나 기판(S)에 대한 각종 처리 등에 관련된 동작은, 제어 프로그램을 실행하는 CPU(91)에 의하여 제어된다.In addition to the above, the
도 3a 내지 도 3c는 습식 처리를 실행하는 기판 처리 유닛을 나타내는 도면이다. 보다 구체적으로는, 도 3a는 기판 처리 유닛(11A)의 구성을 나타내는 도면이고, 도 3b 및 도 3c는 기판 처리 유닛(11A)의 동작을 설명하기 위한 도면이다. 여기에서는 기판 처리 유닛(11A)의 구성에 대하여 설명하지만, 습식 처리를 실행하는 다른 기판 처리 유닛(11B, 12A) 등의 구성도 기본적으로 같다.3A to 3C are diagrams illustrating a substrate processing unit for performing wet processing. More specifically, FIG. 3A is a diagram showing the configuration of the
기판 처리 유닛(11A)은, 기판 처리 주체로서의 습식 처리부(30)를 처리 챔버(110) 내에 구비하고 있다. 습식 처리부(30)는, 기판(S)의 상면에 처리액을 공급하여 기판(S)의 표면 처리나 세정 등을 행한다. 또, 습식 처리 후의 기판(S)의 반송을 용이하게 하기 위하여, 습식 처리부(30)는 응고 처리를 아울러 실행한다. 응고 처리는, 기판(S)의 상면을 액막으로 덮고 이것을 응고시킴으로써, 기판(S)의 상면을 응고막으로 덮는 처리이다.The
이 목적을 위하여, 습식 처리부(30)는, 기판 유지부(31), 스플래시 가드(32), 처리액 공급부(33), 응고액 공급부(35) 및 냉각 가스 공급부(34)를 구비하고 있다. 이들 동작은 제어 유닛(90)에 의하여 제어된다. 기판 유지부(31)는, 기판(S)과 거의 동등한 직경을 갖는 원판 형상의 스핀 척(311)을 갖고, 스핀 척(311)의 주연부에는 복수의 척 핀(312)이 설치되어 있다. 척 핀(312)이 기판(S)의 주연부에 맞닿아 기판(S)을 지지함으로써, 스핀 척(311)은 그 상면으로부터 이격시킨 상태로 기판(S)을 수평 자세로 유지할 수 있다.For this purpose, the wet processing unit 30 includes a
스핀 척(311)은, 그 하면 중앙부로부터 하향으로 연장되는 회전 지축(313)에 의하여 상면이 수평이 되도록 지지되어 있다. 회전 지축(313)은, 처리 챔버(110)의 바닥부에 장착된 회전 기구(314)에 의하여 회전 자유자재로 지지되어 있다. 회전 기구(314)는, 도시하지 않은 회전 모터를 내장하고 있다. 제어 유닛(90)으로부터의 제어 지령에 따라 회전 모터가 회전함으로써, 회전 지축(313)에 직결된 스핀 척(311)이 1점 쇄선으로 나타내는 연직축 둘레로 회전한다. 도 3a에 있어서는 상하 방향이 연직 방향이다. 이에 의하여, 기판(S)이 수평 자세인 채로 연직축 둘레로 회전된다.The
기판 유지부(31)를 측방으로부터 둘러싸도록, 스플래시 가드(32)가 설치된다. 스플래시 가드(32)는, 스핀 척(311)의 주연부를 덮도록 설치된 개략 통 형상의 컵(321)과, 컵(321)의 외주부의 하방에 설치된 액 받이부(322)를 갖고 있다. 컵(321)은 제어 유닛(90)으로부터의 제어 지령에 따라 승강한다. 컵(321)은, 도 3a에 나타내는 바와 같이 컵(321)의 상단부(上端部)가 스핀 척(311)에 유지된 기판(S)의 주연부보다 하방까지 하강한 하방 위치와, 도 3b에 나타내는 바와 같이 컵(321)의 상단부가 기판(S)의 주연부보다 상방에 위치하는 상방 위치의 사이에서 승강 이동한다.A
컵(321)이 하방 위치에 있을 때에는, 도 3a에 나타내는 바와 같이, 스핀 척(311)에 유지되는 기판(S)이 컵(321) 밖에 노출된 상태가 되어 있다. 이 때문에, 예를 들면 스핀 척(311)으로의 기판(S)의 반입 및 반출 시에, 컵(321)이 장애가 되는 것이 방지된다.When the
또, 컵(321)이 상방 위치에 있을 때에는, 도 3b에 나타내는 바와 같이, 스핀 척(311)에 유지되는 기판(S)의 주연부를 둘러싸게 된다. 이에 의하여, 후술하는 액 공급 시에 기판(S)의 주연부로부터 떨쳐 내어지는 처리액이 처리 챔버(110) 내에 비산하는 것이 방지되어, 처리액을 확실하게 회수하는 것이 가능해진다. 즉, 기판(S)이 회전함으로써 기판(S)의 주연부로부터 떨쳐 내어지는 처리액의 액적은 컵(321)의 내벽에 부착되어 하방으로 흘러내리고, 컵(321)의 하방에 배치된 액 받이부(322)에 의하여 모아져 회수된다. 복수의 처리액을 개별적으로 회수하기 위하여, 복수 단의 컵이 동심으로 설치되어도 된다.Moreover, when the
처리액 공급부(33)는, 처리 챔버(110)에 고정된 베이스(331)에 대하여 회동 자유자재로 설치된 회동 지축(332)으로부터 수평으로 신장되는 아암(333)의 선단에, 노즐(334)이 장착된 구조를 갖고 있다. 회동 지축(332)이 제어 유닛(90)으로부터의 제어 지령에 따라 회동함으로써 아암(333)이 요동하고, 아암(333) 선단의 노즐(334)이, 도 3a에 나타내는 기판(S)의 상방으로부터 측방으로 퇴피한 퇴피 위치와, 도 3b에 나타내는 기판(S) 상방의 처리 위치의 사이를 이동한다.The processing
노즐(334)은, 제어 유닛(90)에 설치된 처리액 공급원(도시 생략)에 접속되어 있다. 처리액 공급원으로부터 적절한 처리액이 송출되면, 노즐(334)로부터 기판(S)을 향하여 처리액이 토출된다. 도 3b에 나타내는 바와 같이, 스핀 척(311)이 비교적 저속으로 회전함으로써 기판(S)을 회전시키면서, 기판(S)의 회전 중심의 상방에 위치 결정된 노즐(33)로부터 처리액(Lq)을 공급함으로써, 기판(S)의 상면(Sa)이 처리액(Lq)에 의하여 처리된다. 처리액(Lq)으로서는, 현상액, 에칭액, 세정액, 린스액 등의 각종 기능을 갖는 액체를 이용할 수 있고, 그 조성은 임의이다. 또 복수 종의 처리액이 조합되어 처리가 실행되어도 된다.The
응고액 공급부(35)도, 처리액 공급부(33)와 대응하는 구성을 갖고 있다. 즉, 응고액 공급부(35)는, 베이스(351), 회동 지축(352), 아암(353), 노즐(354) 등을 갖고 있다. 이들 구성은, 처리액 공급부(33)에 있어서 대응하는 것과 동등하다. 회동 지축(352)이 제어 유닛(90)으로부터의 제어 지령에 따라 회동함으로써, 아암(353)이 요동한다. 아암(353) 선단의 노즐(354)은, 습식 처리 후의 기판(S)의 상면(Sa)에 대하여 응고막을 형성하기 위한 응고액을 공급한다.The coagulation
상기한 도 3b의 설명에 있어서의 「처리액(Lq)」, 「아암(333)」, 「노즐(334)」을 각각 「응고액(Lq)」, 「아암(353)」, 「노즐(354)」로 교체함으로써, 응고액 공급부(35)의 동작이 설명된다. 단 응고액은, 상기한 처리액과는 달리, 액체의 상태로 기판(S)의 상면(Sa)에 공급된 후, 응고하여 고체가 되는 것이다."Processing liquid Lq", "
처리 대상이 되는 기판 상면(Sa)이 미세한 요철 패턴(이하, 간단하게 「패턴」이라고 한다)이 형성된 것이라고 한다. 이때, 습식 처리 후의 젖은 기판(S)이 건조되는 과정에 있어서, 패턴 내에 들어간 액체의 표면장력에 의하여, 패턴 도괴가 발생할 우려가 있다. 이것을 방지하기 위한 방법으로서는, 패턴 내의 액체를 보다 표면장력이 낮은 액체로 치환하고 나서 건조시키는 방법, 기판 상면(Sa)을 승화성 물질의 고체로 덮고 승화성 물질을 승화시키는 승화 건조법, 본 실시 형태에서 채용하는 초임계 건조법 등이 있다.It is assumed that a fine uneven pattern (hereinafter simply referred to as a “pattern”) is formed on the upper surface Sa of the substrate to be processed. At this time, in the process of drying the wet substrate S after the wet treatment, there is a fear that the pattern collapse may occur due to the surface tension of the liquid entering the pattern. As a method for preventing this, a method in which the liquid in the pattern is replaced with a liquid having a lower surface tension and then dried, a sublimation drying method in which the upper surface of the substrate Sa is covered with a solid of a sublimable material to sublimate the sublimable material, this embodiment There is a supercritical drying method employed in
고온, 고압 상태를 필요로 하는 초임계 건조 처리를 행하기 위해서는, 습식 처리를 행하는 챔버와는 다른 고압 챔버를 필요로 한다. 이 때문에, 습식 처리 후의 기판(S)을 고압 챔버에 반송할 필요가 발생한다. 반송 중의 패턴의 노출에 기인하는 도괴를 피하기 위하여, 기판 상면(Sa)을 액체 또는 고체로 덮어 두는 것이 바람직하다. 여기서, 기판(S)을 액막으로 덮은 상태에서의 반송은, 액막을 담지하는 기판(S)의 핸들링에 특별한 배려가 필요하다. 또 반송 중의 낙액(落液)에 의하여, 패턴이 노출되거나 장치 내에 액체가 비산하거나 할 우려가 있다. 이러한 점을 감안하면, 기판 상면(Sa)을 고체로 덮은 상태로 반송하는 것이 바람직하다.In order to perform the supercritical drying process which requires a high temperature and high pressure state, a high pressure chamber different from the chamber which performs a wet process is required. For this reason, the need to convey the board|substrate S after a wet process to a high-pressure chamber arises. In order to avoid collapsing due to exposure of the pattern during transport, it is preferable to cover the upper surface of the substrate Sa with a liquid or solid. Here, special consideration is required for the handling of the substrate S carrying the liquid film in the conveyance in a state in which the substrate S is covered with the liquid film. Moreover, there exists a possibility that a pattern may be exposed or a liquid may scatter in an apparatus by falling liquid during conveyance. In view of this point, it is preferable to convey the substrate upper surface Sa in a state covered with a solid.
그래서, 이 실시 형태에서는 기판 상면(Sa)을 응고막으로 덮은 상태로 반송을 행한다. 응고막은 이하와 같이 하여 형성된다. 도 3b에 나타내는 바와 같이, 기판(S)이 소정의 회전 속도로 회전된 상태로, 노즐(354)로부터 응고액(Lq)이 공급됨으로써, 기판 상면(Sa)은 응고액의 액막(LF)으로 덮인 상태가 된다. 응고액으로서는, 습식 처리에 이용되는 처리액과의 혼화성이 양호하고, 처리액보다 표면장력이 작고, 또한 응고점이 실온에 가까운 것이 바람직하다. 예를 들면 처리액이 물을 주성분으로 하는 것일 때, 이소프로필알코올(IPA)을 적합하게 이용 가능하다.Then, in this embodiment, conveyance is performed in the state which covered the board|substrate upper surface Sa with the solidification film. The coagulated film is formed as follows. As shown in FIG. 3B , in a state in which the substrate S is rotated at a predetermined rotation speed, the coagulating liquid Lq is supplied from the
이렇게 하여 기판 상면(Sa)에 액막(LF)이 형성되면, 도 3c에 나타내는 바와 같이, 노즐(354) 대신에, 냉각 가스 공급부(34)의 노즐(344)이 기판(S)의 회전 중심 상방에 위치 결정된다. 냉각 가스 공급부(34)는, 처리 챔버(110)에 고정된 베이스(341)에 대하여 회동 자유자재로 설치된 회동 지축(342)으로부터 수평으로 신장되는 아암(343)의 선단에 노즐(344)이 장착된 구조를 갖고 있다. 처리액 공급부(33)와 동일하게, 회동 지축(342)이 제어 유닛(90)으로부터의 제어 지령에 따라 회동함으로써 아암(343)이 요동한다. 이렇게 하여 아암(343) 선단의 노즐(344)이, 기판(S)의 상방으로부터 측방으로 퇴피한 퇴피 위치와 기판(S) 상방의 처리 위치의 사이를 이동한다.When the liquid film LF is formed on the upper surface Sa of the substrate in this way, as shown in FIG. 3C , instead of the
노즐(344)은 제어 유닛(90)에 설치된 냉각 가스 공급부(도시 생략)에 접속되어 있다. 냉각 가스 공급부로부터 공급되는, 액막(LF)을 구성하는 응고액의 응고점보다 저온의 냉각 가스(G)가, 노즐(344)로부터 기판(S)을 향하여 토출된다. 이에 의하여 기판(S) 상의 액막(LF)이 그 표면 측으로부터 냉각된다. 도 3c에 나타내는 바와 같이, 액막(LF)이 형성된 기판 상면(Sa)에 저온의 냉각 가스(G)를 토출하는 노즐(344)이, 기판(S)의 외주부를 향하여 주사 이동한다. 이렇게 함으로써, 기판 상면(Sa)의 액막(LF)이 중심부로부터 순차적으로 응고하고, 최종적으로는 기판 상면(Sa)의 액막(LF) 전체가, 응고액이 응고하여 이루어지는 응고막(FF)으로 전환된다.The
여기서, 본 실시 형태에서는 액막(LF) 전체가 응고할 필요는 없고, 적어도 액막(LF)의 표면 근방이 응고하고 있으면 충분하다. 즉, 액막(LF)의 표면 전체가 반송에 지장이 없을 정도, 즉 반송 시의 진동 등에 의하여 변형될 일이 없을 정도까지 응고하고 있으면 된다. 예를 들면 응고막(FF)과 기판(S)의 사이에 있어서, 액막(LF)이 액상으로 유지되어 있어도 된다. 전체의 응고를 필요로 하지 않음으로써, 응고를 위한 소비 에너지 및 처리 시간을 저감시킬 수 있다.Here, in the present embodiment, it is not necessary for the entire liquid film LF to be solidified, and it is sufficient that at least the vicinity of the surface of the liquid film LF is solidified. That is, it is sufficient that the entire surface of the liquid film LF is solidified to such an extent that there is no problem in conveyance, that is, it is not deformed by vibration or the like during conveyance. For example, between the solidified film FF and the substrate S, the liquid film LF may be held in a liquid state. By not requiring total coagulation, energy consumption and processing time for coagulation can be reduced.
또한, 기판(S)을 응고막으로 덮는 처리는, 상기와 같이 액막(LF)을 냉각하는 방법에 한정되지 않는다. 예를 들면, 실온보다 높은 응고점을 갖고 응고점 이상으로 가온된 상태의 액체를 기판(S)에 공급하고, 자연 냉각에 의하여 고화시키는 방법이어도 된다. 또, 실온보다 높은 응고점을 갖는 물질을 적절한 용매에 용해시킨 용액으로 하여 기판(S)에 공급하고, 용매를 휘발시킴으로써 고화시키는 방법이어도 된다. 이 방법으로서는, 예를 들면 고화 물질로서의 터셔리부틸알코올(TBA)을 용매로서의 IPA에 용해시킨 용액을, 응고액으로서 이용할 수 있다.In addition, the process of covering the board|substrate S with the solidification film is not limited to the method of cooling the liquid film LF as mentioned above. For example, it may be a method in which a liquid having a solidification point higher than room temperature and heated above the freezing point is supplied to the substrate S and solidified by natural cooling. Moreover, the method of making it solidify by supplying to the board|substrate S as a solution which melt|dissolved the substance which has a solidification point higher than room temperature in an appropriate solvent, and volatilizing the solvent may be sufficient. In this method, for example, a solution obtained by dissolving tert-butyl alcohol (TBA) as a solidifying substance in IPA as a solvent can be used as a coagulating liquid.
TBA의 융점(응고점)은 대략 실온(25.5℃)이다. IPA 용매에 TBA를 용해시킨 용액에 의하여 액막을 기판(S)에 형성하면, 표면의 IPA 용매가 증발함에 따라 액막의 표면 근방으로부터 응고막이 형성된다. 이에 의하여, 기판(S)과 응고막(FF)의 사이에 액상의 용액의 층이 유지된 상태를 실현할 수 있다.The melting point (solidification point) of TBA is approximately room temperature (25.5°C). When a liquid film is formed on the substrate S by a solution obtained by dissolving TBA in an IPA solvent, a solidified film is formed from the vicinity of the surface of the liquid film as the IPA solvent on the surface evaporates. Thereby, the state in which the layer of the liquid solution is maintained between the board|substrate S and the solidification film FF can be implement|achieved.
이와 같이 상면(Sa)이 응고막(FF)으로 덮인 상태로 반출되는 기판(S)은, 기판 처리 유닛(13A)에 반송되어 건조 처리를 받는다. 즉 기판 처리 유닛(13A)은, 기판 처리로서, 수평 자세로 반입되는 기판(S)의 상면(Sa)에 형성되어 있는 응고막(FF)을 제거하고, 기판(S)을 건조시키는 건조 처리를 실행하는 기능을 갖는다. 건조 처리로서는, 기판(S)을 초임계 유체로 덮고 나서 초임계 유체를 (액상을 통하는 일 없이) 기화시켜 제거하는, 초임계 건조가 적용된다. 여기에서는 기판 처리 유닛(13A)의 구성에 대하여 설명하지만, 건조 처리를 실행하는 다른 기판 처리 유닛(13B, 14A) 등의 구성도 기본적으로 같다.Thus, the board|substrate S carried out in the state covered with the solidification film FF on the upper surface Sa is conveyed to 13 A of substrate processing units, and receives a drying process. That is, the
도 4는 초임계 건조 처리를 실행하는 기판 처리 유닛을 나타내는 도면이다. 보다 구체적으로는, 도 4는 기판 처리 유닛(13A)의 내부 구조를 나타내는 측면 단면도이다. 초임계 건조 처리의 원리 및 그를 위하여 필요한 기본 구성은 공지이기 때문에, 여기에서는 상세한 설명을 생략한다. 기판 처리 유닛(13A)은 고압 챔버(130)를 구비하고, 그 내부에, 건조 처리의 실행 주체로서의 건조 처리부(40)가 설치되어 있다. 건조 처리부(40)에서는, 기판(S)을 재치하기 위한 스테이지(41)가 고압 챔버(130) 내에 설치되어 있다. 스테이지(41)는 흡착 유지 또는 기계적 유지에 의하여, 상면(Sa)이 응고막에 덮인 기판(S)을 유지한다. 고압 챔버(130)는 고압이 되기 때문에, 이것에 견디기 위하여 내부 구성은 비교적 간소하고, 또한 고압에 견딜 수 있는 부재가 사용된다.4 is a diagram illustrating a substrate processing unit that performs a supercritical drying process. More specifically, FIG. 4 is a side cross-sectional view showing the internal structure of the
스테이지(41)의 하면 중앙에는 회전 지축(42)이 하향으로 연장되어 있다. 회전 지축(42)은 고압 챔버(130)의 바닥면에 고압 시일 회전 도입 기구(43)를 개재하여 삽입 통과되어 있다. 고압 시일 회전 도입 기구(43)의 회전축(431)은 회전 기구(432)에 접속되어 있다. 이 때문에, 제어 유닛(90)으로부터의 제어 지령에 따라 회전 기구(432)가 작동하면, 기판(S)이 스테이지(41)와 함께, 1점 쇄선으로 나타내는 연직 방향의 회전축 둘레로 회전한다.In the center of the lower surface of the
고압 챔버(130)의 내부에서 스테이지(41)의 상방에는, 유체 분산 부재(44)가 설치되어 있다. 유체 분산 부재(44)는, 평판 형상의 폐색판(441)에 대하여 상하로 관통하는 관통 구멍(442)을 복수 형성한 것이다. 고압 챔버(130)의 상부에는 이산화탄소 공급부(45)로부터 이산화탄소 가스가 필요에 따라 공급된다. 이산화탄소 가스는 유체 분산 부재(44)에 의하여 정류되어, 기판(S)의 상방으로부터 균일하게 기판(S)을 향하여 공급된다.A
또, 고압 챔버(130) 내에는 질소 공급부(46)로부터 질소가 필요에 따라 도입된다. 질소는 필요에 따라 다양한 형태로 공급된다. 즉, 고압 챔버(130) 내의 가스를 퍼지하거나 챔버 내를 냉각하거나 하는 목적에 따라, 상온 또는 승온된 가스로서, 혹은 냉각되어 액화한 액체 질소로서 고압 챔버(130) 내에 공급된다.In addition, nitrogen is introduced into the high-
또, 고압 챔버(130) 내에는 용해액 공급부(47)로부터 용해액이 필요에 따라 공급된다. 용해액은 응고막(FF)을 용해하기 위한 액체이며, 응고막(FF)이 형성된 상태로 반입되는 기판(S)의 상면(Sa)에 공급된다. 용해액으로서는, 응고막(FF)을 구성하는 액체인 응고액에 대한 혼화성을 갖고, 보다 바람직하게는 표면장력이 응고액과 동등 또는 보다 낮은 액체를 이용할 수 있다. 예를 들면 응고액이 IPA를 포함하는 것인 경우, 용해액으로서는 IPA, 아세톤 등의 유기 용제, 또는 IPA 가용(可溶)인 초임계 유체, 예를 들면 초임계 이산화탄소를 이용할 수 있다.In addition, in the high-
또한, 후술하는 바와 같이, 이 실시 형태에서는, 고압 챔버(130) 내에 도입된 이산화탄소 가스를 가압하여 액화하고 또한 초임계 유체화하기 때문에, 이것을 용해액으로서 이용하는 경우에는 용해액 공급부(47)를 별도 설치할 필요는 없다.In addition, as will be described later, in this embodiment, the carbon dioxide gas introduced into the high-
또한, 고압 챔버(130)에는 배출 기구(48)가 접속되어 있다. 배출 기구(48)는, 고압 챔버(130) 내에 도입되는 기체나 액체 등의 각종 유체를 필요에 따라 배출하는 기능을 갖는다. 배출 기구(48)는, 이를 위한 배관이나 밸브, 펌프 등을 구비한다. 이에 의하여, 필요한 경우에는 고압 챔버(130) 내의 유체를 신속하게 배출할 수 있다.In addition, a
도시를 생략하지만, 제어 유닛(90)은, 고압 챔버(130) 내의 압력이나 온도를 검출하기 위한 구성 및 이들을 소정 값으로 제어하기 위한 구성을 갖고 있다. 즉, 제어 유닛(90)은, 고압 챔버(130) 내의 압력 및 온도를 소정의 목표값으로 제어하는 기능을 갖고 있다.Although not shown, the
다음으로, 상기와 같이 구성된 기판 처리 장치(1)의 동작에 대하여 설명한다. 지금까지 설명한 바와 같이, 이 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)에 대하여 습식 처리 및 건조 처리를 순서대로 실행하는 장치이다. 이 처리의 주된 흐름은 이하와 같다. 즉, 습식 처리를 실행하는 기판 처리 유닛에 기판(S)을 반송하여 처리액에 의한 처리를 행한 후, 응고액에 의한 응고막을 형성하고, 건조 처리를 실행하는 기판 처리 유닛에 이 기판(S)을 반송하여 응고막을 제거하고 기판(S)을 건조시킨다. 이하, 그 구체적인 처리 내용에 대하여 설명한다.Next, the operation of the
여기에서는 1개의 기판(S)에 대하여 기판 처리 유닛(11A)이 습식 처리를 실행하고, 기판 처리 유닛(13A)이 건조 처리를 실행하는 것으로서 설명한다. 그러나, 습식 처리를 실행하는 기판 처리 유닛과 건조 처리를 실행하는 기판 처리 유닛의 조합은 이에 한정되는 것은 아니고 임의이다. 또, 이하의 설명에 있어서는, 각 기판 처리 유닛의 역할을 명시하기 위하여, 습식 처리를 실행하는 기판 처리 유닛(11A) 등을 「습식 처리 유닛」이라고 칭하는 경우가 있다. 또, 건조 처리를 실행하는 기판 처리 유닛(13A) 등을 「건조 처리 유닛」이라고 칭하는 경우가 있다.Here, it demonstrates as that 11 A of substrate processing units perform a wet process with respect to one board|substrate S, and 13 A of substrate processing units perform a dry process. However, the combination of the substrate processing unit for performing wet processing and the substrate processing unit for drying processing is not limited to this and arbitrary. In addition, in the following description, in order to clarify the role of each substrate processing unit, 11 A of substrate processing units etc. which perform wet processing may be called a "wet processing unit." In addition, the
도 5는 이 기판 처리 장치의 동작을 나타내는 플로차트이다. 이 동작은, CPU(91)가 미리 준비된 제어 프로그램을 실행하여 장치 각 부로 하여금 소정의 동작을 행하게 함으로써 실현된다. 먼저, 인덱서 로봇(22)이 미처리 기판을 수용하는 용기(C) 중 1개로부터 1장의 미처리 기판(S)을 꺼낸다(단계 S101). 그리고, 기판(S)은 인덱서 로봇(22)으로부터 센터 로봇(15)에 수도된다(단계 S102). 센터 로봇(15)은, 습식 처리를 실행하는 기판 처리 유닛(습식 처리 유닛)(11A)에 기판(S)을 반입한다(단계 S103).5 is a flowchart showing the operation of this substrate processing apparatus. This operation is realized by the
기판(S)이 반입된 기판 처리 유닛(11A)은, 기판(S)에 대하여 습식 처리를 실행한다(단계 S104). 습식 처리의 내용은, 앞서 설명한 바와 같이, 기판(S)에 처리액을 공급하여 기판 상면(Sa)의 가공이나 세정을 행하는 것이다. 습식 처리 후의 기판(S)에 대해서는, 응고막(FF)을 형성하기 위한 응고 처리가 실행된다(단계 S105).The
도 6은 응고 처리를 나타내는 플로차트이다. 응고 처리에 있어서는, 기판(S)의 회전 중심 상방에 배치된 응고액 공급부(35)의 노즐(354)로부터, 습식 처리 후의 기판 상면(Sa)에 대하여 응고액으로서 예를 들면 IPA와 같은 유기 용제가 공급된다. 이에 의하여, 기판 상면(Sa)에 잔류하는 처리액이 응고액에 의하여 치환되고, 기판 상면(Sa)에 응고액에 의한 액막(LF)이 형성된다(단계 S201). 계속해서, 냉각 가스를 토출하는 노즐(344)이 기판 상면(Sa)을 따라 주사 이동함으로써, 액막(LF)이 냉각되어 응고하여 응고막(FF)이 형성된다(단계 S202).6 is a flowchart showing a coagulation process. In the coagulation process, from the
도 5로 되돌아와, 응고 처리에 의하여 상면(Sa)에 응고막(FF)이 형성된 기판(S)은, 센터 로봇(15)에 의하여 기판 처리 유닛(11A)으로부터 꺼내어진다(단계 S106). 그리고, 건조 처리를 실행하는 기판 처리 유닛(건조 처리 유닛)(13A)에 기판(S)이 반입된다(단계 S107).Returning to Fig. 5 , the substrate S having the solidification film FF formed on the upper surface Sa by the solidification process is taken out from the
기판(S)이 반입된 기판 처리 유닛(13A)은, 기판(S)에 대하여 건조 처리를 실행한다. 즉, 기판(S)에 부착되어 있는 액체를 제거하여 기판(S)을 건조시킨다(단계 S108). 건조 처리의 내용에 대해서는 뒤에서 설명한다. 처리 후의 기판(S)은 센터 로봇(15)에 의하여 기판 처리 유닛(13A)으로부터 꺼내어진다(단계 S109). 꺼내어진 처리 후의 기판(S)은 센터 로봇(15)으로부터 인덱서 로봇(22)에 수도된다(단계 S110). 인덱서 로봇(22)은, 기판(S)을 용기(C) 중 1개에 수용한다(단계 S111). 처리 완료된 기판(S)이 수용되는 용기(C)는, 미처리 상태의 당해 기판(S)이 수용되어 있었던 용기여도 되고, 또 다른 용기여도 된다.The
추가로 처리해야 할 기판이 있는 경우에는(단계 S112에 있어서 YES), 단계 S101로 되돌아와, 다음의 기판(S)에 대하여 상기한 처리가 실행된다. 처리해야 할 기판이 없으면(단계 S112에 있어서 NO), 처리는 종료한다.If there is a substrate to be further processed (YES in step S112), the flow returns to step S101, and the above-described processing is performed for the next substrate S. If there is no substrate to be processed (NO in step S112), the processing ends.
이상, 1장의 기판(S)을 처리하는 경우의 흐름에 대하여 설명했지만, 실제의 장치에서는 복수 기판에 대한 처리가 병행하여 실행된다. 즉, 1장의 기판(S)이 1개의 기판 처리 유닛 내에서 처리를 받고 있는 사이, 동시에 인덱서 로봇(22) 및 센터 로봇(15)에 의한 다른 기판의 반송, 그리고 다른 기판 처리 유닛에 의한 기판 처리 중 적어도 1개를 병행하여 실행하는 것이 가능하다.As mentioned above, although the flow in the case of processing the board|substrate S of 1 sheet was demonstrated, in an actual apparatus, the process with respect to a plurality of board|substrates is performed in parallel. That is, while one substrate S is being processed in one substrate processing unit, the
보다 구체적으로는, 예를 들면 단계 S102에 있어서 기판(S)이 인덱서 로봇(22)으로부터 센터 로봇(15)에 수도된 후에는, 인덱서 로봇(22)은 새롭게 용기(C)에 액세스하여 다른 기판을 꺼내는 것이 가능하다. 또 예를 들면, 단계 S103에 있어서 1장의 기판(S)이 기판 처리 유닛(11A)에 반입된 후, 센터 로봇(15)은 다른 기판을 다른 기판 처리 유닛에 반입하거나, 혹은 다른 기판 처리 유닛에서 처리된 다른 기판을 반출하는 것이 가능하다.More specifically, for example, after the substrate S is transferred from the
따라서, 복수 장의 기판(S)에 대하여 순차 처리를 행할 필요가 있는 경우에는, 각 기판(S)을 처리하기 위한 장치 각 부의 동작 시퀀스를 적절히 조절함으로써, 복수 장의 기판에 대한 처리를 병행하여 진행시킨다. 이렇게 함으로써, 기판 처리 장치(1) 전체적인 처리의 스루풋을 향상시키는 것이 가능해진다. 구체적인 동작 시퀀스는, 처리의 사양, 상기 각 단계의 소요 시간이나 동시 처리의 가부 등에 따라, 적절히 정해질 필요가 있다.Therefore, when it is necessary to sequentially process the plurality of substrates S, the processing for the plurality of substrates is performed in parallel by appropriately adjusting the operation sequence of each unit of the apparatus for processing the respective substrates S. . By doing in this way, it becomes possible to improve the throughput of the process of the
도 7은 건조 처리를 나타내는 플로차트이다. 기판 처리 유닛(건조 처리 유닛)(13A)은, 상면(Sa)이 응고막(FF)으로 덮인 상태의 기판(S)을 받아 들여 건조 처리를 실행한다. 상술한 바와 같이, 여기에서는 초임계 유체를 이용한 초임계 건조 처리가 행해진다. 구체적으로는, 우선 용해액 공급부(47)가 기판 상면(Sa)에 대하여 용해액을 공급하고, 이에 의하여 응고막(FF)을 용해시킨다(단계 S301).7 is a flowchart showing a drying process. The substrate processing unit (drying processing unit) 13A receives the substrate S in a state in which the upper surface Sa is covered with the solidified film FF, and performs drying processing. As described above, a supercritical drying treatment using a supercritical fluid is performed here. Specifically, first, the
용해액이 응고막(FF)을 구성하는 물질과 같은 것인 경우, 기판 상면(Sa)은 습식 처리 유닛(11A)으로부터 반출되기 직전의 상태, 즉 상면(Sa)이 응고액의 액막(LF)으로 덮인 상태로 되돌아온다. 예를 들면 응고막(FF)이 IPA에 의하여 형성되고, 용해액도 IPA인 경우가 이에 해당한다.When the solution is the same as the material constituting the coagulation film FF, the substrate upper surface Sa is in a state immediately before being discharged from the
한편, 용해액이 응고막의 재료와는 달리 이것을 용해하는 성질의 것인 경우에는, 기판 상면(Sa)은 응고액과 용해액의 혼합액의 액막으로 덮이게 된다. 추가로 용해액을 공급함으로써, 기판 상면(Sa)에 잔존하는 응고액을 용해액에 의하여 치환할 수 있다.On the other hand, when the dissolving solution has a property of dissolving it differently from the material of the coagulating film, the upper surface Sa of the substrate is covered with a liquid film of a mixed solution of the coagulating solution and the dissolving solution. Further, by supplying the dissolving solution, the coagulating solution remaining on the upper surface of the substrate Sa can be replaced with the dissolving solution.
그 후, 기판(S)의 회전에 의하여 액막을 떨쳐 내면(단계 S302), 기판 상면(Sa)의 용해액의 대부분은 제거되지만, 패턴 내에는 용해액이 잔존한 상태가 된다. 떨쳐 내어진 액체는 배출 기구(48)에 의하여 배출된다. 이 상태로 이산화탄소 공급부(45)로부터 이산화탄소가 고압 챔버(130) 내에 도입된다.Thereafter, the liquid film is removed by rotation of the substrate S (step S302), and most of the solution on the upper surface of the substrate Sa is removed, but the solution remains in the pattern. The shaken off liquid is discharged by the discharge mechanism (48). In this state, carbon dioxide is introduced into the high-
이산화탄소 가스를 고압 챔버(130)에 공급하여 챔버 내압을 충분히 높임으로써, 이산화탄소를 액화해도 된다. 또, 액상의 이산화탄소가 고압 챔버(130)에 도입되어도 된다. 액상의 이산화탄소는 기판 상면(Sa)을 덮는다. 액화한 이산화탄소는 유기 용제를 잘 녹인다. 따라서, 패턴 내에 잔존하는 IPA 등의 용해액은, 액상의 이산화탄소에 의하여 치환된다(단계 S303).Carbon dioxide may be liquefied by supplying carbon dioxide gas to the high-
또한, 용해액으로서 액상의 이산화탄소가 이용되는 경우, 단계 S303에 있어서의 이산화탄소의 공급은, 치환을 위해서가 아니라 다음에 초임계 상태를 창출하기 위한 준비로서의 의미를 갖게 된다.In addition, when liquid carbon dioxide is used as the solution, the supply of carbon dioxide in step S303 has a meaning not for substitution but as preparation for creating a supercritical state next.
계속해서, 고압 챔버(130) 내의 온도 및 압력이, 이산화탄소를 초임계 상태로 하는 조건으로 조정된다. 이에 의하여 고압 챔버(130) 내의 이산화탄소가 초임계 유체가 된다(단계 S304). 초임계 상태의 유체는 매우 유동성이 높고 표면장력이 작다. 특히 이산화탄소로부터 생성된 초임계 유체는, IPA, 아세톤 등의 유기 용제를 잘 녹인다. 이 때문에, 이산화탄소의 초임계 유체는, 미세한 패턴의 깊숙이까지 들어가, 잔존하는 유기 용제 성분을 패턴 내로부터 운반해 간다. 비교적 저압, 저온에서 초임계 상태가 되는 점도, 이산화탄소가 초임계 건조 처리에 적합한 이유 중 1개이다.Then, the temperature and pressure in the high-
그리고, 고압 챔버(130) 내가 급격하게 감압된다(단계 S305). 이에 의하여, 초임계 유체는 액상을 거치는 일 없이 직접 기화하여 기판(S)으로부터 제거된다. 이에 의하여, 기판(S)은 액체 성분이 완전히 제거되어 건조한 상태가 된다. 패턴 내에 잔존하는 액체 성분은 초임계 유체에 의하여 치환되고, 초임계 유체가 직접 기화함으로써, 패턴 내의 액체의 표면장력에 기인하는 패턴 도괴의 문제는 회피된다.Then, the pressure inside the high-
이와 같이, 패턴 내에 잔존하는 액체는 최종적으로 초임계 유체에 의하여 치환된다. 그 때문에, 반송 시에 형성되는 응고막(FF)은, 반드시 저표면장력 물질로 구성될 필요는 없다고도 할 수 있다. 예를 들면 물을 주성분으로 하는 액체로 응고막(FF)을 형성했다고 하더라도, 상기한 반송 시의 이점은 얻어진다. 그러나, 물은 액상 또는 초임계 상태의 이산화탄소에 대한 용해도가 낮기 때문에, 효과적으로 치환을 행하게 한다는 관점에서는 바람직하지 않다. 이산화탄소에 대하여 높은 용해도를 나타내는 것이 IPA, 아세톤 등의 유기 용제이며, 이들은 대체로 물보다 표면장력이 낮다. 또, 처리의 성질로부터 생각해도, 응고액 및 용해액에 대해서는 표면장력이 낮은 편이 유리한 것은 확실하다.In this way, the liquid remaining in the pattern is finally replaced by the supercritical fluid. Therefore, it can be said that the solidified film FF formed at the time of conveyance does not necessarily have to be composed of a low surface tension material. For example, even if the solidified film FF is formed with a liquid containing water as a main component, the above-described advantages at the time of conveyance are obtained. However, since water has low solubility in carbon dioxide in a liquid or supercritical state, it is not preferable from the viewpoint of effectively performing substitution. Organic solvents such as IPA and acetone have high solubility in carbon dioxide, and they generally have lower surface tension than water. In addition, it is certain that the lower surface tension is advantageous for the coagulating solution and the dissolving solution even from the nature of the treatment.
이상과 같이, 이 실시 형태에서는, 습식 처리 유닛(11A)에 있어서 기판(S)의 상면(Sa)을 액막으로 덮어 응고시키고, 응고 상태인 채로 반송한다. 이에 의하여, 반송 중의 낙액에 기인하는 기판 상면(Sa)의 노출의 회피 등, 액상으로의 반송보다 편리성이 높아져 있다. 한편, 이 기판(S)을 받아 들이는 건조 처리 유닛(13A)에서는, 응고막을 일단 용해시킨 후, 최종적으로 초임계 유체에 의하여 치환함으로써, 액체 성분을 잔존시키지 않고, 게다가 패턴 도괴를 발생시키지 않고 기판(S)을 건조시킨다.As described above, in this embodiment, in the
이와 같이, 본 실시 형태에서는, 기판에 응고막을 형성한 상태로 반송하고, 응고막을 제거함으로써 기판을 건조시킨다. 이와 같은 처리 내용은, 승화성 물질로 형성한 응고막을 승화시킴으로써 제거하는 종래 기술인, 승화 건조 처리와 유사하다고 할 수 있다. 그러나, 본 실시 형태에서는, 응고막을 용해하여 액상으로 되돌린 후, 초임계 유체에 의한 치환 및 건조라고 하는 프로세스를 취하고 있다. 이것은, 단지 반송상의 편의만이 아니라, 이하의 사정도 고려한 것이다.As described above, in the present embodiment, the substrate is transported in a state in which the solidified film is formed, and the substrate is dried by removing the solidified film. It can be said that such a process is similar to the sublimation-drying process which is the prior art which removes by sublimating the coagulated film formed with a sublimable substance. However, in this embodiment, after dissolving the coagulated film and returning it to a liquid phase, the process of substitution with a supercritical fluid and drying is taken. This takes into consideration not only the convenience of conveyance, but also the following circumstances.
도 8a 내지 도 8c는 응고막에 발생할 수 있는 문제를 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 8a에 나타내는 바와 같이, 기판(S)의 상면(Sa)에 미세한 패턴(PT)이 서로 근접하여 다수 형성되고, 습식 처리 후에는 이들이 응고액의 액막(LF)에 의하여 덮여 있는 것으로 한다. 여기서, 인접하는 패턴(PT) 간의 간격을 갭 사이즈(GS)라고 칭하는 것으로 한다. 액막(LF)에 그 응고점보다 저온의 냉각 가스를 공급함으로써 액막(LF)은 응고한다. 단, 갭 사이즈(GS)가 미소해지면 다음과 같은 문제가 발생하게 된다.8A to 8C are diagrams schematically illustrating problems that may occur in the coagulation film. As shown in Fig. 8A, it is assumed that a large number of fine patterns PT are formed close to each other on the upper surface Sa of the substrate S, and these are covered with the liquid film LF of the coagulating liquid after the wet treatment. Here, the interval between the adjacent patterns PT is referred to as a gap size GS. The liquid film LF is solidified by supplying the liquid film LF with a cooling gas at a temperature lower than its freezing point. However, when the gap size GS becomes small, the following problem occurs.
미소한 공간에 넣어진 액체에서는 응고점이 급격하게 저하한다고 하는 현상이 있다. 예를 들면 물의 경우, 도 8b에 나타내는 바와 같이, 충분히 넓은(갭 사이즈(GS)가 큰) 공간 내에서는 물의 응고점은 0℃이다. 그러나, 예를 들면 100nm 이하의 좁은 갭 내에서는 응고점이 점차 저하하고, 예를 들면 갭 사이즈(GS)가 1nm 정도이면 응고점은 (-50)℃ 정도까지 저하한다. 액막 재료로서 일반적으로 이용되는 IPA에서도, 동일한 경향이 있는 것을 알 수 있다.There is a phenomenon in which the solidification point decreases rapidly in a liquid placed in a minute space. For example, in the case of water, as shown in FIG. 8B , the freezing point of water is 0° C. in a sufficiently wide space (gap size GS is large). However, for example, within a narrow gap of 100 nm or less, the freezing point gradually decreases, for example, when the gap size GS is about 1 nm, the freezing point decreases to about (-50)°C. It turns out that there exists a similar tendency also with IPA generally used as a liquid film material.
물을 주성분으로 하는 액막을 응고시키려고 하는 경우, 자유 공간에서의 응고점(0℃)보다 충분히 저온의 냉각 가스가 이용되게 된다. 그 온도(Tg)로서는, 예를 들면 (-5)℃ 내지 (-20)℃ 정도가 현실적이라고 생각된다. 그러나, 도 8b는, 갭 사이즈가 나노미터 단위가 되게 되면, 이 온도(Tg)에서는 갭 내의 액체를 응고시킬 수 없는 것을 나타내고 있다.When trying to solidify a liquid film containing water as a main component, a cooling gas sufficiently lower than the freezing point (0°C) in free space is used. As the temperature (Tg), it is considered that, for example, about (-5)°C to (-20)°C is realistic. However, Fig. 8B shows that the liquid in the gap cannot be solidified at this temperature (Tg) when the gap size becomes nanometer units.
그 결과, 도 8c에 나타내는 바와 같이, 비록 액막(LF)의 표면이 냉각에 의하여 응고막(FF)으로 전환되어 있었다고 하더라도, 냉각 온도 및 시간에 따라서는, 패턴의 심부에서는 액체 상태인 채로 되어 있을 가능성이 있다. 승화 건조 처리에 있어서 이와 같은 현상이 발생하고 있으면, 기대되는 고상으로부터 기상으로의 상변화가 아니라, 액상으로부터 기상으로의 상변화에 의하여 건조가 진행되게 된다. 그렇게 하면, 액체의 표면장력에 기인하는 패턴 도괴를 방지한다고 하는 목적은 달성되지 않는다.As a result, as shown in Fig. 8C, even if the surface of the liquid film LF has been converted to the solidified film FF by cooling, depending on the cooling temperature and time, the liquid film may remain in the liquid state in the deep part of the pattern. There is a possibility. If such a phenomenon occurs in the sublimation drying treatment, drying proceeds not by the expected phase change from the solid phase to the gas phase, but by the phase change from the liquid phase to the gas phase. In doing so, the objective of preventing pattern collapse due to the surface tension of the liquid is not achieved.
본 실시 형태에서는, 응고막을 용해시키고 나서 초임계 유체로 치환하여 제거하기 때문에, 이와 같은 문제는 발생하지 않는다. 즉, 본 실시 형태에서는, 응고막을 형성한 상태로 반송하고, 반송 후에 응고막을 용해시키고 나서 초임계 건조 처리를 행한다. 이와 같은 처리는, 단지 반송의 편의를 위해서만이 아니라, 특히 미세한 패턴이더라도 그 도괴를 확실하게 방지한다고 하는 목적에도 맞는 것이다.In this embodiment, since the coagulated film is dissolved and then removed by replacing it with a supercritical fluid, such a problem does not occur. That is, in this embodiment, after conveying in the state in which the coagulated film was formed, and dissolving the coagulated film after conveyance, a supercritical drying process is performed. Such processing is suitable not only for the convenience of conveyance, but also for the purpose of reliably preventing the collapse of a particularly fine pattern.
바꾸어 말하면, 이 실시 형태의 처리에 있어서 응고막은, 반송 시의 편의를 위하여 적어도 표면이 유동하지 않을 정도로 응고하고 있으면 되고, 패턴의 안쪽 부분까지 완전히 응고하는 것을 필요로 하지 않는다. 이것은, 액막(LF)을 냉각할 때의 온도 및 처리 시간에 있어서의 조건이, 액막을 완전히 응고시키는 경우보다 완화되는 것을 의미한다. 따라서, 냉각에 필요로 하는 에너지를 저감시켜 냉각 시간을 단축하는 것이 가능하다. 또, 액막의 표층이 응고하고 있으면 심부는 액상이어도 상관없다고 하는 관점에서는, 이하와 같은 변형예도 성립할 수 있다.In other words, in the treatment of this embodiment, the solidified film only needs to be solidified at least to the extent that the surface does not flow for convenience during transport, and it is not necessary to completely solidify to the inner part of the pattern. This means that the conditions for the temperature and processing time when cooling the liquid film LF are more relaxed than when the liquid film is completely solidified. Accordingly, it is possible to reduce the energy required for cooling and shorten the cooling time. Further, from the viewpoint that the core portion may be liquid as long as the surface layer of the liquid film is solidified, the following modifications can also be made.
도 9는 응고 처리의 다른 예를 나타내는 플로차트이다. 또, 도 10은 이 변형예에 있어서의 액막의 상태를 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 9에 나타내는 처리는, 도 5의 단계 S105에 적용되는 처리로서, 도 6의 응고 처리 대신에 실행 가능한 것이다. 이 변형예에 있어서는, 응고막의 형성 시에, 우선 패턴 내를 액체로 채우기 위한 충전용 액막(F1)이 형성된다(단계 S401). 충전용 액막(F1)은 패턴 내에 충전되는 것을 목적으로 하는 것이며, 상기 이유에서, 응고하는 것을 필요로 하지 않는다. 따라서, 그 응고점에 제약되는 일 없이, 표면장력이 충분히 작은 물질이 선택되면 된다. 냉각 온도에서는 응고하지 않는 재료가, 의도적으로 선택되어도 된다. 또, 액막(F1)의 두께는, 패턴(PT)의 높이와 동일한 정도면 된다.9 is a flowchart showing another example of the coagulation process. Moreover, FIG. 10 is a figure which shows typically the state of the liquid film in this modification. The process shown in FIG. 9 is a process applied to step S105 of FIG. 5, and can be performed instead of the coagulation process of FIG. In this modification, at the time of formation of the solidified film, first, the filling liquid film F1 for filling the inside of the pattern with the liquid is formed (step S401). The liquid film F1 for filling aims to be filled in a pattern, and for the said reason, solidification is not required. Accordingly, a material having a sufficiently small surface tension may be selected without being restricted by its freezing point. A material that does not solidify at a cooling temperature may be intentionally selected. In addition, the thickness of the liquid film F1 may be about the same as the height of the pattern PT.
다음으로, 충전용 액막(F1)을 덮도록, 응고액에 의한 응고용 액막(F2)이 형성된다(단계 S402). 응고용 액막(F2)에 대해서는, 표면장력에 제약되지 않고, 응고하기 쉬운 재료를 선택하여 이용할 수 있다. 충전용 액막(F1)과 응고용 액막(F2)은 혼합되지 않아도 된다. 이렇게 하여 형성된 액막(F1, F2)에 냉각 가스가 공급되어, 응고용 액막(F2)이 응고한다(단계 S403).Next, the liquid film F2 for coagulation is formed by the coagulation liquid so as to cover the liquid film F1 for filling (step S402). For the liquid film F2 for solidification, it is not restricted by surface tension, and a material which is easy to solidify can be selected and used. The liquid film F1 for filling and the liquid film F2 for solidification do not need to be mixed. A cooling gas is supplied to the liquid films F1 and F2 formed in this way, and the liquid film F2 for solidification is solidified (step S403).
여기서, 예를 들면 충전용 액막(F1)을 구성하는 액체의 응고점이 실온 이상이고, 응고용 액막(F2)을 구성하는 액체의 응고점이 실온 이하이면, 특별히 냉각을 행하는 일 없이 응고용 액막(F2)을 응고시키는 것도 가능하다. 단, 응고용 액막(F2)을 구성하는 액체는 기판(S)에 공급되는 시점에서 액체인 것을 필요로 하고, 예를 들면 응고점보다 약간 높은 온도로 가온된 상태로 공급되면 된다.Here, for example, if the solidification point of the liquid constituting the liquid film F1 for filling is room temperature or higher and the freezing point of the liquid constituting the liquid film F2 for solidification is room temperature or lower, the liquid film F2 for solidification without special cooling is performed. ) is also possible to coagulate. However, the liquid constituting the liquid film F2 for solidification needs to be a liquid at the time it is supplied to the substrate S, and may be supplied in a heated state, for example, to a temperature slightly higher than the solidification point.
이 변형예에서는, 상기 실시 형태와 동일하게, 응고용 액막(F2)이 응고하고 있는 것에 의하여 반송 시의 편리성 향상이라고 하는 이점을 얻을 수 있다. 또, 냉각 온도를 종래보다 높게 설정함으로써 소비 에너지의 저감을 도모할 수 있다. 한편, 충전용 액막(F1)은 완전히는 응고하지 않아 액상이기 때문에, 반송 후의 제거가 용이하다. 그리고, 액막으로 덮는 것에 의한 반송 중의 패턴 보호 작용도 충분히 기능한다. 또, 액막 형성 재료의 선택의 자유도도 높아진다.In this modified example, similarly to the above embodiment, since the solidifying liquid film F2 is solidified, an advantage of improved convenience during transport can be obtained. Moreover, reduction of energy consumption can be aimed at by setting the cooling temperature higher than before. On the other hand, since the liquid film F1 for filling does not solidify completely and is liquid, it is easy to remove after conveyance. And the pattern protection action during conveyance by covering with a liquid film also fully functions. Moreover, the degree of freedom in the selection of the liquid film forming material is also increased.
또, 본 실시 형태와 종래 기술인 승화 건조 처리의 대비에서는, 다음과 같은 차이도 있다. 종래 기술에 있어서, 기판을 덮는 응고막은 승화성 물질에 의하여 형성된다. 승화성 물질은 휘발성이 높기 때문에, 반송 중에도 휘발이 진행되어 기판 표면이 노출되어 버릴 우려가 있다. 또, 휘발된 승화성 물질이 비산하여 장치 내에서 재석출되고, 그것이 장치나 처리 중인 기판의 오염원이 될 우려가 있다. 혹은, 비산한 물질이 장치 밖으로 누출되지 않게 하기 위한 대책을 강구하지 않으면 안 되는 상황도 발생할 수 있다. 한편, 본 실시 형태에서는 응고막에 승화성이 요구되지 않기 때문에, 이와 같은 문제 발생의 우려는 크게 저감된다.Moreover, in contrast between this embodiment and the sublimation drying process which is a prior art, there also exist the following differences. In the prior art, the solidified film covering the substrate is formed by a sublimable material. Since the sublimable substance is highly volatile, there is a fear that volatilization proceeds even during transport and the surface of the substrate is exposed. Further, the volatilized sublimable material scatters and re-precipitates in the apparatus, which may become a source of contamination of the apparatus or the substrate being processed. Alternatively, there may be a situation in which it is necessary to take measures to prevent the scattered substances from leaking out of the device. On the other hand, in this embodiment, since sublimation property is not requested|required of the coagulated film|membrane, the possibility of such a problem generation|occurrence|production is greatly reduced.
이상 설명한 바와 같이, 상기 실시 형태에 있어서는, 습식 처리 유닛인 기판 처리 유닛(11A) 등이 본 발명의 「제1 처리부」로서 기능하고, 건조 처리 유닛인 기판 처리 유닛(13A) 등이 본 발명의 「제2 처리부」로서 기능하고 있다. 그리고, 센터 로봇(15)이 본 발명의 「반송 기구」로서 기능하고 있다. 또, 고압 챔버(130)가 본 발명의 「챔버」로서 기능하고, 이산화탄소 공급부(45)가 본 발명의 「유체 공급부」로서 기능하고 있다.As described above, in the above embodiment, the
또한, 본 발명은 상기한 실시 형태에 한정되는 것이 아니고, 그 취지를 벗어나지 않는 한에 있어서 상술한 것 이외에 다양한 변경을 행하는 것이 가능하다. 예를 들면, 상기 실시 형태는, 본 발명의 「제1 처리부」, 「제2 처리부」, 「반송 기구」에 각각 상당하는 기판 처리 유닛(11A), 기판 처리 유닛(13A), 센터 로봇(15)이 1개의 하우징에 담겨 일체의 처리 시스템을 구성하는 것이다. 그러나, 본 발명은, 서로 독립적으로 설치된 제1 처리부 및 제2 처리부와, 이들 사이에서 기판을 반송하는 반송 기구를 갖는 처리 시스템에 대해서도 적용 가능하다.In addition, this invention is not limited to above-mentioned embodiment, Unless it deviates from the meaning, it is possible to make various changes other than what was mentioned above. For example, in the above embodiment, the
또, 상기 실시 형태에서 사용되는 각종 화학 물질은 일부의 예를 나타낸 것이고, 상기한 본 발명의 기술 사상에 합치하는 것이면, 이것 대신에 다양한 것을 사용하는 것이 가능하다.In addition, various chemical substances used in the said embodiment show some examples, and if it agrees with the technical idea of this invention mentioned above, it is possible to use various substances instead of this.
또, 상기 실시 형태의 설명에 있어서는, 요철 패턴의 안쪽 부분에 들어간 액체가 응고하고 있지 않을 가능성에 대하여 언급하고 있다. 그러나, 상기한 프로세스 자체는, 패턴 내에서 액체가 완전히 응고하고 있는지 여부에 상관없이 성립하는 것이다. 또한, 패턴 내부에서 액상이라고 하는 상태를 확실한 것으로 하기 위해서는, 예를 들면 냉각 가스의 온도를, 액막을 구성하는 액체의 자유 공간에 있어서의 응고점보다는 낮고, 또한 처리 대상 기판의 패턴이 갖는 갭 사이즈에 대응하는 응고점보다는 높아지도록 설정하면 된다.In addition, in the description of the embodiment, the possibility that the liquid entering the inner portion of the concave-convex pattern is not solidified is mentioned. However, the above process itself holds true regardless of whether or not the liquid is completely solidified in the pattern. In addition, in order to ensure the liquid state inside the pattern, for example, the temperature of the cooling gas is lower than the solidification point in the free space of the liquid constituting the liquid film, and in accordance with the gap size of the pattern of the substrate to be processed. It can be set to be higher than the corresponding freezing point.
또, 본 발명의 기판 처리 방법은, 소정의 구성을 갖는 기판 처리 장치를 제어하는 컴퓨터에 의하여 실행되는 제어 프로그램으로서 실시하는 것도 가능하다. 또, 이 제어 프로그램을 컴퓨터 판독 가능한 형식으로 비일시적으로 기록한 기록 매체에 의하여, 본 발명의 실시 형태를 반포하는 것도 가능하다.The substrate processing method of the present invention can also be implemented as a control program executed by a computer that controls a substrate processing apparatus having a predetermined configuration. It is also possible to distribute the embodiment of the present invention by means of a recording medium in which the control program is non-temporarily recorded in a computer-readable format.
이상, 구체적인 실시 형태를 예시하여 설명해 온 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리 방법에 있어서, 예를 들면 응고막이, 액막의 적어도 표면을 냉각함으로써 형성되어도 된다. 본 발명에 있어서 액막은 전체가 응고하는 것을 필요로 하지 않고, 적어도 그 표면이 반송에 적합한 정도까지 응고하고 있으면 된다. 따라서, 액막의 표면 및 그 근방을 냉각하여 응고막을 형성하는 방법은, 열효율의 점에서 유효하다.As described above with reference to specific embodiments, in the substrate processing method according to the present invention, for example, the solidified film may be formed by cooling at least the surface of the liquid film. In the present invention, the liquid film does not need to be solidified in its entirety, and at least the surface thereof may be solidified to a degree suitable for conveyance. Therefore, the method of forming a solidified film by cooling the surface of the liquid film and its vicinity is effective in terms of thermal efficiency.
이 경우, 예를 들면, 기판을 건조시키는 공정에서는, 초임계 유체를 이용하여 기판을 건조시켜도 된다. 이와 같은 구성에 의하면, 표면장력이 매우 낮은 초임계 유체로 패턴 내부의 잔류 액체를 치환하여 제거할 수 있다. 그 때문에, 미세한 요철 패턴을 갖는 기판에 대해서도 양호하게 건조시킬 수 있다.In this case, for example, in the step of drying the substrate, the substrate may be dried using a supercritical fluid. According to this configuration, it is possible to remove the residual liquid in the pattern by replacing the supercritical fluid with a very low surface tension. Therefore, it can dry favorably also about the board|substrate which has a fine uneven|corrugated pattern.
예를 들면, 제2 처리부는, 기판을 받아 들이는 챔버를 갖고, 챔버 내에서 액상의 저표면장력액에 의하여 용해액을 치환한 후, 저표면장력액을 초임계 유체의 상태로부터 기화시켜 기판을 건조시킬 수 있다. 여기서 말하는 저표면장력액은, 용해액보다 표면장력이 작은 액체이다. 이와 같은 구성에 의하면, 원래보다 표면장력이 작은 액체가 초임계 상태를 거쳐 기화함으로써 기판이 건조되므로, 액상의 개재에 의한 패턴 도괴를 효과적으로 억제하는 것이 가능하다.For example, the second processing unit has a chamber for receiving the substrate, replaces the solution with a liquid low surface tension solution in the chamber, and then vaporizes the low surface tension solution from the supercritical fluid state to the substrate. can be dried. The low surface tension liquid referred to herein is a liquid having a surface tension smaller than that of the dissolved liquid. According to such a configuration, since the substrate is dried by vaporization of a liquid having a smaller surface tension than the original through a supercritical state, it is possible to effectively suppress pattern collapse due to liquid intervening.
이들 경우에 있어서, 초임계 유체로서는 이산화탄소를 이용할 수 있다. 이산화탄소에 있어서의 초임계 조건은, 초임계 상태가 되는 물질 중에서는 비교적 저온, 저압이다. 이 때문에, 초임계 상태를 실현하기 위한 장치의 구성은 비교적 소규모여도 되어서 처리 비용을 억제할 수 있다. 또, 초임계 상태의 이산화탄소는 유기 용제를 잘 녹이기 위하여, 기판에 잔존하는 유기 용제 성분을 제거하는 데에 적합하다.In these cases, carbon dioxide can be used as the supercritical fluid. Supercritical conditions for carbon dioxide are relatively low temperature and low pressure among substances that are in a supercritical state. For this reason, the structure of the apparatus for realizing a supercritical state may be comparatively small, and processing cost can be suppressed. In addition, carbon dioxide in a supercritical state is suitable for removing the organic solvent component remaining on the substrate in order to dissolve the organic solvent well.
또 예를 들면, 액막의 적어도 표면이 냉각에 의하여 응고막으로 전환되는 한편, 응고막과 기판의 사이에서 액막의 일부가 액상으로 유지되어 있어도 된다. 본 발명에 있어서 응고막은 패턴을 보호하면서 기판의 가반성을 높이기 위하여 형성되고, 반송 후에 응고막은 용해된다. 따라서 패턴을 보호하는 액막은 액상이어도 된다. 액막 전체를 응고시키지 않음으로써, 응고에 필요로 하는 에너지 및 처리 시간을 저감시키는 것이 가능하다.Further, for example, while at least the surface of the liquid film is converted into a solidified film by cooling, a part of the liquid film may be held in a liquid state between the solidified film and the substrate. In the present invention, the solidified film is formed to enhance the portability of the substrate while protecting the pattern, and the solidified film is dissolved after transport. Therefore, the liquid film protecting the pattern may be liquid. By not coagulating the entire liquid film, it is possible to reduce the energy and processing time required for coagulation.
또 예를 들면, 액막은 유기 용제에 더하여 융점이 상온과 동등 또는 그 이상인 첨가제를 포함하고 있어도 된다. 이와 같은 구성에 의하면, 액막 표면으로부터의 유기 용제의 증발에 의하여 첨가제가 응고하여 응고막이 형성되므로, 통상의 사용 환경에서는 냉각을 위한 구성 및 처리를 생략하는 것이 가능하다. 이와 같은 첨가제로서 적합한 물질로서, 예를 들면 터셔리부틸알코올을 이용할 수 있다. 여기서, 「상온」이란, 광의로는 일본 공업 규격에 「JIS Z8703」으로서 규정되어 있는 5℃ 내지 35℃를 가리키고, 보다 협의로는 15℃ 내지 25℃를 가리킨다. 실제의 운용에 있어서는, 본 발명의 기판 처리 장치가 설치되는 환경에 있어서의 주위 온도를 「상온」으로 간주할 수 있다.Moreover, for example, in addition to the organic solvent, the liquid film may contain the additive whose melting|fusing point is equal to or more than normal temperature. According to such a configuration, since the additive is solidified by evaporation of the organic solvent from the surface of the liquid film to form a solidified film, it is possible to omit the configuration and treatment for cooling in a normal use environment. As a suitable material as such an additive, for example, tert-butyl alcohol can be used. Here, "normal temperature" refers to 5 degreeC - 35 degreeC prescribed|regulated as "JIS Z8703" by Japanese Industrial Standards in a broad sense, and 15 degreeC - 25 degreeC more narrowly. In actual operation, the ambient temperature in the environment in which the substrate processing apparatus of the present invention is installed can be regarded as "normal temperature".
또 예를 들면, 액막에 포함되는 유기 용제 및 용해액 중 적어도 한쪽은, 이소프로필알코올 또는 아세톤이어도 된다. 이들 액체는, 예를 들면 물을 주체로 하는 액체보다 표면장력이 작아, 본 발명의 목적에 적합한 것이다.Moreover, for example, isopropyl alcohol or acetone may be sufficient as at least one of the organic solvent and solution contained in a liquid film. These liquids, for example, have a smaller surface tension than liquids mainly composed of water, and are suitable for the purpose of the present invention.
또 예를 들면, 액막으로서, 요철 패턴의 내부를 충전하는 충전용 액막과, 충전용 액막과는 상이한 재료에 의하여 충전용 액막을 덮는 응고용 액막을 형성하고, 응고용 액막을 구성하는 액체의 응고점보다 저온으로 냉각함으로써 응고용 액막을 응고시키는 구성으로 해도 된다. 이와 같은 구성에 의하면, 요철 패턴의 내부를 충전용 액막으로 충전한 상태로, 이것을 덮는 응고막이 형성된다. 이에 의하여 반송 시의 편리성은 확보되어 있고, 게다가 이후의 응고막 제거를 효율적으로 실행할 수 있다. 또 충전용 액막과 응고용 액막에서 상이한 재료를 사용 가능하고, 재료 선택이나 처리 조건의 설정에 있어서의 자유도가 높아진다.Further, for example, as a liquid film, a liquid film for filling filling the inside of the concave-convex pattern and a liquid film for solidification covering the liquid film for filling with a material different from the liquid film for filling are formed, and the solidification point of the liquid constituting the liquid film for solidification It is good also as a structure which solidifies the liquid film for solidification by cooling to a lower temperature. According to such a structure, the solidification film|membrane which covers the inside of an uneven pattern is formed in the state filled with the liquid film for filling. Thereby, the convenience at the time of conveyance is ensured and furthermore, the subsequent removal of the coagulated film can be performed efficiently. Moreover, different materials can be used for the liquid film for filling and the liquid film for solidification, and the degree of freedom in material selection and setting of processing conditions increases.
이 경우, 예를 들면, 충전용 액막을 구성하는 액체로서는 그 응고점이 상온 이하인 것을, 또 응고용 액막을 구성하는 액체로서는 그 응고점이 상온 이상인 것을 이용할 수 있다. 이와 같은 구성에 의하면, 상온 정도의 사용 환경에 있어서 응고막과 액막의 공존을 실현하기 위하여, 특별한 장치나 처리를 필요로 하지 않는다.In this case, for example, as the liquid constituting the liquid film for filling, those having a freezing point of room temperature or lower, and as the liquid constituting the liquid film for solidification, those having the freezing point of room temperature or higher can be used. According to such a structure, in order to implement|achieve coexistence of a coagulation|solidification film and a liquid film in a use environment of about room temperature, a special apparatus or process is not required.
또, 본 발명에 따른 기판 처리 장치에서는, 제2 처리부는, 응고막에 대하여 용해액으로서의 유기 용제를 공급하는 용해액 공급부를 가져도 된다. 이와 같은 구성에 의하면, 응고막을 유기 용제로 용해하여, 기판이 액막에 덮인 상태를 용이하게 복원할 수 있다.Moreover, in the substrate processing apparatus which concerns on this invention, the 2nd processing part may have a solution supply part which supplies the organic solvent as a solution with respect to the coagulation|solidified film. According to such a configuration, it is possible to easily restore the state in which the substrate is covered with the liquid film by dissolving the solidified film with an organic solvent.
이상, 특정 실시예를 따라 발명을 설명했지만, 이 설명은 한정적인 의미로 해석될 것을 의도한 것은 아니다. 발명의 설명을 참조하면, 본 발명의 그 외의 실시 형태와 동일하게, 개시된 실시 형태의 다양한 변형예가, 이 기술에 정통한 자에게 명확해질 것이다. 고로, 첨부된 특허청구범위는, 발명의 진정한 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서, 당해 변형예 또는 실시 형태를 포함하는 것으로 생각된다.Although the invention has been described in accordance with specific embodiments, this description is not intended to be construed in a limiting sense. Referring to the description of the present invention, similarly to other embodiments of the present invention, various modifications of the disclosed embodiment will become apparent to those skilled in the art. Therefore, the appended claims are intended to cover such modifications or embodiments without departing from the true scope of the invention.
이 발명은, 기판을 응고막으로 덮은 상태로 반송하고, 반송처에서 응고막을 제거하여 기판을 건조시키는 프로세스를 포함하는 기판 처리 기술 전반에 적용할 수 있다. 특히, 미세한 요철 패턴을 갖는 기판의 처리에 적합하다.The present invention can be applied to all substrate processing techniques including the process of transporting a substrate in a state covered with a solidified film and drying the substrate by removing the solidified film at a transfer destination. In particular, it is suitable for processing a substrate having a fine concavo-convex pattern.
1 기판 처리 장치
11A 습식 처리 유닛, 기판 처리 유닛(제1 처리부)
13A 건조 처리 유닛, 기판 처리 유닛(제2 처리부)
15 센터 로봇(반송 기구)
130 고압 챔버(챔버)
FF 응고막
LF 액막
PT 패턴(요철 패턴)
S 기판1 Substrate processing unit
11A wet processing unit, substrate processing unit (first processing unit)
13A dry processing unit, substrate processing unit (second processing unit)
15 Center robot (transfer mechanism)
130 high pressure chamber (chamber)
FF coagulated membrane
LF amulet
PT pattern (concave-convex pattern)
S board
Claims (19)
상기 액막의 적어도 표면을 응고시켜 응고막을 형성하는 공정과,
상기 응고막으로 덮인 상기 기판을 제2 처리부에 반송하는 공정과,
상기 제2 처리부에서, 상기 응고막에 대하여 용해액을 공급하여, 상기 응고막을 용해하는 공정과,
상기 기판의 표면으로부터 상기 용해액을 제거하여 상기 기판을 건조시키는 공정
을 구비하는, 기판 처리 방법.A step of, in the first processing unit, performing a wet treatment on a substrate having an uneven pattern formed on the surface, and then covering the surface of the substrate with a liquid film containing an organic solvent;
forming a solidified film by solidifying at least the surface of the liquid film;
transferring the substrate covered with the coagulation film to a second processing unit;
a step of dissolving the coagulated film by supplying a solution to the coagulated film in the second processing unit;
A process of drying the substrate by removing the solution from the surface of the substrate
A substrate processing method comprising a.
상기 응고막이, 상기 액막의 적어도 표면을 냉각함으로써 형성되는, 기판 처리 방법.The method according to claim 1,
The substrate processing method, wherein the solidified film is formed by cooling at least a surface of the liquid film.
상기 기판을 건조시키는 공정에서는, 초임계 유체를 이용하여 상기 기판을 건조시키는, 기판 처리 방법.The method according to claim 1 or 2,
In the step of drying the substrate, the substrate is dried using a supercritical fluid.
상기 제2 처리부는, 상기 기판을 받아 들이는 챔버를 갖고,
상기 챔버 내에서, 액상의 저표면장력액에 의하여 상기 용해액을 치환한 후, 상기 저표면장력액을 초임계 유체 상태로부터 기화시켜 상기 기판을 건조시키는, 기판 처리 방법.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The second processing unit has a chamber for receiving the substrate,
In the chamber, after replacing the solution with a liquid low surface tension solution, the low surface tension solution is evaporated from a supercritical fluid state to dry the substrate.
상기 초임계 유체가 이산화탄소인, 기판 처리 방법.5. The method according to claim 3 or 4,
The method of claim 1, wherein the supercritical fluid is carbon dioxide.
상기 액막의 적어도 표면이 냉각에 의하여 상기 응고막으로 전환되는 한편, 상기 응고막과 상기 기판의 사이에서 상기 액막의 일부가 액상으로 유지되는, 기판 처리 방법.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
at least a surface of the liquid film is converted into the solidified film by cooling, while a part of the liquid film is maintained in a liquid phase between the solidified film and the substrate.
상기 액막에 포함되는 상기 유기 용제가 이소프로필알코올 또는 아세톤인, 기판 처리 방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
The substrate processing method, wherein the organic solvent contained in the liquid film is isopropyl alcohol or acetone.
상기 액막은, 상기 유기 용제에 더하여, 융점이 상온과 같거나 또는 그 이상인 첨가제를 포함하는, 기판 처리 방법.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
The liquid film includes, in addition to the organic solvent, an additive having a melting point equal to or higher than room temperature.
상기 첨가제가 터셔리부틸알코올인, 기판 처리 방법.9. The method of claim 8,
wherein the additive is tert-butyl alcohol.
상기 용해액이 이소프로필알코올 또는 아세톤인, 기판 처리 방법.10. The method according to any one of claims 1 to 9,
The method for treating a substrate, wherein the solution is isopropyl alcohol or acetone.
상기 액막으로서, 상기 요철 패턴의 내부를 충전하는 충전용 액막과, 상기 충전용 액막과는 상이한 재료에 의하여 상기 충전용 액막을 덮는 응고용 액막을 형성하고,
상기 응고용 액막을 구성하는 액체의 응고점보다 저온으로 냉각함으로써 상기 응고용 액막을 응고시키는, 기판 처리 방법.11. The method according to any one of claims 1 to 10,
forming a liquid film for filling filling the inside of the concave-convex pattern as the liquid film, and a liquid film for solidification covering the liquid film for filling with a material different from the liquid film for filling;
A method for processing a substrate, wherein the liquid film for solidification is solidified by cooling to a temperature lower than a freezing point of a liquid constituting the liquid film for solidification.
상기 응고용 액막을 구성하는 액체의 응고점이, 상기 충전용 액막을 구성하는 액체의 응고점보다 낮은, 기판 처리 방법.12. The method of claim 11,
A method for processing a substrate, wherein a solidification point of a liquid constituting the liquid film for solidification is lower than a freezing point of a liquid constituting the liquid film for filling.
상기 충전용 액막을 구성하는 액체의 응고점이 상온 이하이며, 상기 응고용 액막을 구성하는 액체의 응고점이 상온 이상인, 기판 처리 방법.12. The method of claim 11,
A method for processing a substrate, wherein a solidification point of a liquid constituting the liquid film for filling is equal to or lower than room temperature, and a freezing point of a liquid constituting the liquid film for solidification is equal to or higher than room temperature.
상기 응고막이 형성된 상기 기판을 받아 들이고, 상기 응고막에 대하여 용해액을 공급하여 상기 응고막을 용해시키는 처리, 및, 상기 기판의 표면으로부터 상기 용해액을 제거하여 상기 기판을 건조시키는 처리를 실행하는 제2 처리부와,
상기 제1 처리부로부터 상기 제2 처리부로, 상기 응고막이 형성된 상기 기판을 반송하는 반송 기구
를 구비하는, 기판 처리 장치.Wet treatment, treatment of covering the surface of the substrate with a liquid film, and treatment of cooling the liquid film to a temperature lower than the freezing point of the liquid constituting the liquid film to solidify the liquid film to convert the liquid film into a solidified film A first processing unit that executes
A agent that receives the substrate on which the coagulation film is formed, supplies a solution to the coagulation film to dissolve the coagulation film, and removes the solution from the surface of the substrate to dry the substrate 2 processing unit;
A conveying mechanism for conveying the substrate on which the solidified film is formed from the first processing unit to the second processing unit
A substrate processing apparatus comprising:
상기 제1 처리부는,
상기 습식 처리를 위한 처리액을 상기 기판에 공급하는 처리액 공급부와,
상기 액막을 형성하기 위한 응고액을 상기 기판에 공급하는 응고액 공급부와,
상기 응고액의 응고점보다 저온의 냉각 가스를 상기 기판에 공급하는 냉각 가스 공급부
를 구비하고,
상기 제2 처리부는,
상기 용해액을 상기 기판에 공급하는 용해액 공급부와,
상기 용해액을 치환하는 유체를 공급하는 유체 공급부
를 구비하는, 기판 처리 장치.15. The method of claim 14,
The first processing unit,
a processing liquid supply unit supplying the processing liquid for the wet processing to the substrate;
a coagulating solution supply unit for supplying a coagulating solution for forming the liquid film to the substrate;
A cooling gas supply unit for supplying a cooling gas lower than the freezing point of the coagulating liquid to the substrate
to provide
The second processing unit,
a solution supply unit for supplying the solution to the substrate;
A fluid supply unit for supplying a fluid replacing the solution
A substrate processing apparatus comprising:
상기 제2 처리부는 상기 기판을 수용하는 챔버를 갖고, 상기 유체 공급부는 상기 챔버의 내부 공간에 초임계 상태의 상기 유체를 공급하는, 기판 처리 장치.16. The method of claim 15,
The second processing unit has a chamber accommodating the substrate, and the fluid supply unit supplies the fluid in a supercritical state to an internal space of the chamber.
상기 유체가 이산화탄소인, 기판 처리 장치.17. The method of claim 15 or 16,
wherein the fluid is carbon dioxide.
상기 용해액이 유기 용제인, 기판 처리 장치.18. The method according to any one of claims 14 to 17,
The said solution is an organic solvent, The substrate processing apparatus.
상기 용해액이 이소프로필알코올 또는 아세톤인, 기판 처리 장치.19. The method of claim 18,
The said solution is isopropyl alcohol or acetone, the substrate processing apparatus.
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Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008130685A (en) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Sony Corp | Microstructure processing method and apparatus, and the microstructure |
JP2012074564A (en) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2012243869A (en) | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Tokyo Electron Ltd | Substrate drying method and substrate processing apparatus |
JP2013201302A (en) | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2015050414A (en) * | 2013-09-04 | 2015-03-16 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate drier |
JP2017152600A (en) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing device and substrate processing method |
JP2018163992A (en) * | 2017-03-27 | 2018-10-18 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2019029491A (en) * | 2017-07-27 | 2019-02-21 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing method, substrate processing liquid and substrate processing device |
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Family Cites Families (5)
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008130685A (en) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Sony Corp | Microstructure processing method and apparatus, and the microstructure |
JP2012074564A (en) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2012243869A (en) | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Tokyo Electron Ltd | Substrate drying method and substrate processing apparatus |
JP2013201302A (en) | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2015050414A (en) * | 2013-09-04 | 2015-03-16 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate drier |
JP2017152600A (en) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing device and substrate processing method |
JP2018163992A (en) * | 2017-03-27 | 2018-10-18 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2019029491A (en) * | 2017-07-27 | 2019-02-21 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing method, substrate processing liquid and substrate processing device |
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