KR20210116276A - 포토마스크 및 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

중자외 노광광을 사용하여 노광함으로써, 피전사체 상에 미세한 홀 패턴을 전사하는 우수한 전사 성능을 갖는 포토마스크를 제공한다.
피전사체 상에, 중자외 노광광을 사용하여, 사이즈가 Dp이며 또한 Dp≤3㎛의 홀 패턴을 형성하기 위한 표시 장치 제조용의 포토마스크이며, 투명 기판 상에 홀 패턴을 포함하는 전사용 패턴을 갖고, 전사용 패턴에 있어서의 홀 패턴은 하프톤 영역에 둘러싸인 투광부로 이루어지고, 포토마스크를 노광하기 위한 중자외 노광광에 포함되는 기준 파장의 광에 대하여, 투광부와 하프톤 영역의 위상차 θ가 거의 180도임과 함께, 하프톤 영역의 기준 파장의 광에 대한 투과율 T가 10％≤T≤35％인 포토마스크.

Description

포토마스크 및 표시 장치의 제조 방법 {PHOTOMASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE}

본 발명은 포토마스크에 관한 것으로, 특히 고정밀의 표시 장치 제조용에 유리한 포토마스크, 및 그것을 사용한 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.

특허문헌 1에는 표시 장치 제조용의 위상 시프트 마스크 블랭크, 및 해당 위상 시프트 마스크 블랭크에 의해 제조된 위상 시프트 마스크가 기재되어 있다. 특허문헌 1에는 또한, 해당 위상 시프트 마스크를 i선, h선 및 g선을 포함하는 복합광에 의해 노광하는 것이 기재되어 있다.

특허문헌 2에는 노광광에 대한 파장 의존성이 억제된 광학 특성을 나타내는 위상 시프트막을 구비한, 표시 장치 제조용의 위상 시프트 마스크 블랭크가 기재되어 있다. 해당 위상 시프트 마스크 블랭크에 있어서의 위상 시프트막은, 파장 365nm에 있어서의 투과율이 3.5％ 이상 8％ 이하의 범위이고, 파장 365nm에 있어서의 위상차가 160도 이상 200도 이하의 범위이고, 파장 365nm 이상 436nm 이하의 범위에 있어서의 투과율의, 파장에 의존하는 변화량이 5.5％ 이내이다.

일본 특허 공개 제2014-194531호 공보 일본 특허 공개 제2015-102633호 공보

LCD(액정 디스플레이)나 OLED 디스플레이(유기 EL 디스플레이)를 포함하는 표시 장치에는, 근년, 밝고 고정밀의 표시 성능에 추가하여, 전력 절약이나 동화상의 응답 속도와 같은 표시 성능에 대한 요구가 있다. 이 때문에, 이들 표시 장치의 제조 과정에서 사용하는 포토마스크의 패턴도 점점 미세화, 고집적화가 요망되며, 나아가 포토마스크가 갖는 패턴을 피전사체(표시 패널 기판 등)에 정교하고 치밀하게 해상하는 기술이 요망될 것으로 생각된다.

그런데, 포토마스크가 갖는 전사용 패턴을 광학적으로 피전사체 상에 해상할 수 없다면, 의도한 정밀 패턴을 갖는 표시 장치는 구성할 수 없다. 여기서, 광학상의 공간적 해상도는 레일리(Rayleigh)의 분해능 기준식, 즉 이하의 식 (1)에 의해 나타낼 수 있다.

δ=k1×λ/NA … (1)

여기서, δ는 최소 해상 선폭, λ는 노광 파장, NA는 노광 장치의 광학계가 갖는 개구수이며, k1은 k1 팩터로도 불리는 계수이다.

표시 장치(이하, FPD(Flat Panel Display)라고도 함)의 분야에서는, 노광을 위한 광으로서, 고압 수은 램프의 특정 파장 영역이 사용되고 있다. 즉 복수의 파장광을 포함하고, 그것들을 혼합한 파장대(이하, 브로드밴드라고도 함)의 광이 사용되며, 특히 고압 수은 램프의 광에 포함되는 파장광인 g선(파장 436nm), h선(파장 405nm) 및 i선(파장 365nm)의 3파장의 광을 포함하는 노광광의 적용이 알려져 있다(특허문헌 1, 2 참조).

한편, 상기 식 (1)에 의해, 미세한 패턴에 대한 해상성을 향상시키기(즉, 최소 해상 선폭 δ를 작게 하기) 위해서는, λ를 작게 하거나 또는 NA를 크게 하는 것이 유효하다. 그런데, NA의 향상은, 이하의 식 (2)에 따르면, 초점 심도가 감소하는 점에서, 리소그래피 프로세스의 안정성을 상대적으로 악화시키는 것을 알 수 있다. 식 (2)는 레일리(Rayleigh)의 초점 심도식으로도 일컬어진다.

DOF=k2×λ/NA² … (2)

여기서, DOF(Depth of Focus)는 초점 심도를 의미하고, k2는 계수이다.

식 (2)의 좌변의 값의 대소는, 상기 분해능 기준식(식 (1))과는 우열의 관계성이 역전된다. 즉, 식 (1)에 있어서는 좌변의 값이 작은 것이 바람직하지만, 식 (2)에 있어서는 반대로 큰 것이 요망된다.

따라서, 최소 해상 선폭 δ와 초점 심도 DOF는 트레이드오프적인 상관을 나타낸다. 단, 식 (2)에 나타내는 DOF는, NA의 제곱에 비례하여 열화되는 점에서, 동일 레벨의 해상성 향상을 상정하면, NA를 크게 하는 것보다 노광광의 단파장화를 도모하는 편이 보다 합리적이라고도 할 수 있다. 즉, 해상성을 향상시키면서, DOF의 저하를 억제할 수 있다.

상기 브로드밴드 노광 환경으로부터 용이하게 단파장화를 실현하는 방법으로서, g선, h선 및 i선을 포함하는 혼합 파장 노광의 대체로서, i선 단일 파장에 의한 노광으로 전환함으로써, 실효적으로 파장을 작게 하는 것을 고려할 수 있다. 단 이 방법은 상기 3파장 중 2개에 의한 기여를 끊게 되어, 단위 시간당 일량이 단순 계산으로 1/3로 떨어지는 것을 의미한다. FPD의 생산 분야에서는, 상기 해상성에 추가하여, 또 하나의 중요한 요소는 생산 효율인 점에서, 단일 파장화도 채택하기 어려운 사정이 있다.

그래서, 브로드밴드 노광 환경을 유지하면서, 그 중심을 단파장측으로 시프트하는 방법이 고려된다. 고압 수은 램프광에 있어서는 i선보다 단파장측에, 광 강도의 피크를 갖는 몇개의 파장군이 존재하는 점에서, 상기 방법은 해당 파장군의 광을 노광 에너지로서 이용하는 방법이다.

본 발명자는 종래의 노광광이 이용되어 온 파장 영역을 단파장측으로 시프트한 새로운 브로드밴드 노광 환경을 고려하였을 때, 그 환경에 적응하고, 우수한 전사성을 나타내는 포토마스크가 어떠한 것인지를 예의 검토하여, 본 발명을 완성하였다.

본 발명의 제1 양태는,

피전사체 상에, 중자외 노광광을 사용하여, 사이즈가 Dp이며 또한 Dp≤3㎛의 홀 패턴을 형성하기 위한 표시 장치 제조용의 포토마스크이며,

투명 기판 상에, 홀 패턴을 포함하는 전사용 패턴을 갖고,

상기 전사용 패턴에 있어서의 홀 패턴은, 하프톤 영역에 둘러싸인 투광부로 이루어지고,

상기 포토마스크를 노광하기 위한 중자외 노광광에 포함되는 기준 파장의 광에 대하여, 상기 투광부와 상기 하프톤 영역의 위상차 θ가 거의 180도임과 함께,

상기 하프톤 영역의 상기 기준 파장의 광에 대한 투과율 T가 10％≤T≤35％인,

포토마스크이다.

본 발명의 제2 양태는,

상기 전사용 패턴에 있어서의 홀 패턴은, 상기 투명 기판 상에 형성된 위상 시프트막이 패터닝됨으로써 형성된, 상기 투명 기판이 노출되는 투광부에 의해 이루어지고,

상기 하프톤 영역은, 상기 투명 기판 상에 상기 위상 시프트막이 형성되어 이루어지고,

상기 위상 시프트막은, 상기 기준 파장의 광에 대하여 거의 180도의 위상 시프트양을 가짐과 함께, 투과율 T를 갖고, 10％≤T≤35％인, 상기 제1 양태에 기재된 포토마스크이다.

본 발명의 제3 양태는,

피전사체 상에, 중자외 노광광을 사용하여, 사이즈가 Dp이며 또한 Dp≤3㎛의 홀 패턴을 형성하기 위한 표시 장치 제조용의 포토마스크이며,

투명 기판 상에, 홀 패턴을 포함하는 전사용 패턴을 갖고,

상기 전사용 패턴에 있어서의 홀 패턴은, 하프톤 영역에 둘러싸인 투광부로 이루어지고,

기준 파장을 λ1로 하고, λ1<365nm일 때, 상기 λ1의 파장의 광에 대하여, 상기 투광부와 상기 하프톤 영역의 위상차 θ가 180도임과 함께,

상기 하프톤 영역의 상기 λ1의 파장의 광에 대한 투과율 T가 10％≤T≤35％인,

포토마스크이다.

본 발명의 제4 양태는,

상기 전사용 패턴에 있어서의 홀 패턴은, 상기 투명 기판 상에 형성된 위상 시프트막이 패터닝됨으로써 형성된, 상기 투명 기판이 노출되는 투광부에 의해 이루어지고,

상기 하프톤 영역은, 상기 투명 기판 상에 상기 위상 시프트막이 형성되어 이루어지고,

상기 위상 시프트막은, 상기 λ1의 파장의 광에 대하여 180도의 위상 시프트양을 가짐과 함께, 투과율 T를 갖고, 10％≤T≤35％인, 상기 제3 양태에 기재된 포토마스크이다.

본 발명의 제5 양태는,

상기 전사용 패턴은 고립 홀 패턴을 포함하는 것인, 상기 제1 내지 제4 중 어느 하나의 양태에 기재된 포토마스크이다.

본 발명의 제6 양태는,

상기 전사용 패턴은, 근접 거리에 있는 2개 이상의 홀 패턴을 포함하는 근접 홀 패턴을 갖는, 상기 제1 내지 제4 중 어느 하나의 양태에 기재된 포토마스크이다.

본 발명의 제7 양태는,

상기 근접 홀 패턴에 포함되는 2개의 상기 홀 패턴의 중심간 거리가 9㎛ 이하인, 상기 제6 양태에 기재된 포토마스크이다.

본 발명의 제8 양태는,

상기 전사용 패턴에 있어서의 홀 패턴의 사이즈를 Dm이라고 하였을 때 Dm>Dp인, 상기 제1 내지 제7 중 어느 하나의 양태에 기재된 포토마스크이다.

본 발명의 제9 양태는,

상기 기준 파장이 313nm 또는 334nm인, 상기 제1 내지 제8 중 어느 하나의 양태에 기재된 포토마스크이다.

본 발명의 제10 양태는,

Dm/Dp가 1.1 내지 1.8인, 상기 제8 양태에 기재된 포토마스크이다.

본 발명의 제11 양태는,

표시 장치의 제조 방법이며,

상기 제1 내지 제10 중 어느 하나의 양태에 기재된 포토마스크를 준비하는 공정과,

중자외 노광광을 사용하여 상기 포토마스크를 노광하는 노광 공정을 갖고,

상기 중자외 노광광은, 파장 λ가 200nm≤λ≤400nm를 충족하는 파장 영역을 포함하며, 또한 λ>400nm 및 λ<200nm인 파장을 포함하지 않는 것인,

표시 장치의 제조 방법이다.

본 발명의 제12 양태는,

상기 노광 공정에 의해, 피전사체 상에 사이즈 Dp≤3㎛의 홀 패턴을 형성하는, 상기 제11 양태에 기재된 표시 장치의 제조 방법이다.

본 발명에 따른 포토마스크는, 후술하는 중자외 노광광을 사용하여 노광함으로써, 피전사체 상에 미세한 홀 패턴을 전사하는 우수한 전사 성능을 갖는다.

도 1은 본 발명의 제1 포토마스크(10)의 평면 모식도이다.
도 2는, (a)는 본 발명의 제2 포토마스크(20)의 평면 모식도이고, (b)는 제2 포토마스크(20)를 노광함으로써 형성되는 레지스트 패턴의 단면 모식도이다.
도 3은, (a)는 참고예 1의 포토마스크의 평면 모식도이고, (b)는 참고예 1의 포토마스크를 노광함으로써 형성되는 레지스트 패턴의 단면 모식도이다.
도 4는, (a)는 참고예 2의 포토마스크의 평면 모식도이고, (b)는 참고예 2의 포토마스크를 노광함으로써 형성되는 레지스트 패턴의 단면 모식도이다.
도 5는 본 발명의 실시예 1 및 참고예 1 내지 4에 관한 막의 특성을 도시하는 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예 1 및 참고예 1 내지 4에 관한 광학 시뮬레이션의 결과를 나타내는 도면이다.
도 7은, (a)는 참고예 3의 포토마스크의 평면 모식도이고, (b)는 참고예 3의 포토마스크를 노광함으로써 형성되는 레지스트 패턴의 단면 모식도이다.
도 8은, (a)는 참고예 4의 포토마스크의 평면 모식도이고, (b)는 참고예 4의 포토마스크를 노광함으로써 형성되는 레지스트 패턴의 단면 모식도이다.
도 9는, (a)는 참고예 5의 포토마스크의 평면 모식도이고, (b)는 참고예 5의 포토마스크를 노광함으로써 형성되는 레지스트 패턴의 단면 모식도이다.
도 10은, (a)는 참고예 6의 포토마스크의 평면 모식도이고, (b)는 참고예 6의 포토마스크를 노광함으로써 형성되는 레지스트 패턴의 단면 모식도이다.
도 11은 참고예 5, 6에 관한 광학 시뮬레이션의 결과를 나타내는 도면이다.

<본 발명의 제1 실시 형태>

본 발명의 포토마스크는 중자외 노광용의 포토마스크이며, 중자외광을 노광광으로서 적용하기 위한 포토마스크이다. 여기서, 중자외광이란, 파장 200 내지 400nm의 파장 영역에 있는 복수의 파장을 포함하며, 또한 200nm 미만 및 400nm를 초과하는 파장을 포함하지 않는 파장 영역을 갖는 노광광을 말한다. 상기 노광광의 광원으로서는, 예를 들어 고압 수은 램프가 갖는 파장 영역의 적절한 부분을 적합하게 사용할 수 있다. 이 경우, 예를 들어 강도 피크를 갖는 313nm, 334nm, 365nm(i선) 중 2개 이상을 포함하는 브로드밴드 파장을 적용하는 것이 바람직하지만, h선, g선은 포함하지 않는다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「A 내지 B」란, 「A 이상 B 이하」의 수치 범위인 것을 의미한다.

이러한 노광광은, 종래, 표시 장치 제조용의 노광 장치에 사용된, i선, h선, g선을 포함하는 파장 영역에 비하여, 단파장측으로 시프트된 파장 영역을 갖는 브로드밴드광으로 할 수 있다. 이러한 노광광은, 본 발명자의 검토에 따르면, 홀 패턴 형성용으로 사용할 때, 해상성에 있어서 특히 유리한 데다가 단일 파장 노광과 같은 비효율(예를 들어, 생산 효율이 저하되는 일)이 발생하지 않는다.

본 발명의 포토마스크는,

피전사체 상에, 사이즈가 Dp(㎛)(단, Dp≤3)인 홀 패턴을 형성하기 위한 중자외 노광용의 포토마스크이며,

투명 기판 상에, 홀 패턴을 포함하는 전사용 패턴을 갖고,

상기 전사용 패턴에 있어서의 홀 패턴은, 하프톤 영역에 둘러싸인 투광부로 이루어지고,

상기 포토마스크를 노광하기 위한 중자외 노광광에 포함되는 기준 파장의 광에 대하여, 상기 투광부의 투과광과 상기 하프톤 영역의 투과광의 위상차 θ가 거의 180도임과 함께,

상기 하프톤 영역의 상기 기준 파장의 광에 대한 투과율 T(％)가 10≤T≤35이다.

도 1에 본 발명의 제1 포토마스크(10)를 예시한다. 제1 포토마스크(10)의 전사용 패턴은, 하프톤 영역(11)에 둘러싸인 투광부(12)로 이루어지는 고립 홀 패턴을 갖는다. 또한, 고립 홀 패턴이란, 1개의 홀 패턴으로부터 소정의 근접 거리(상세는 후술) 이내의 영역에, 다른 홀 패턴이 존재하지 않는 것을 의미한다.

또한, 도 2의 (a)에 본 발명의 제2 포토마스크(20)를 예시한다. 제2 포토마스크(20)는, 하프톤 영역(11)에 둘러싸인 투광부(12)로 이루어지고, 소정의 근접 거리에서 이격된 복수의 홀 패턴이 나란히 마련된 근접 홀 패턴을 갖는다. 도 2의 (a)에서는, 근접 거리에서 이격된 2개의 홀 패턴이 나란히 배치되어 있다. 이러한 홀 패턴은 2연 홀 패턴이라고도 한다. 여기서는, 2개의 홀 패턴이 서로 동일한 형상(정사각형), 동일한 사이즈로 나란히 배치된 경우를 예시한다. 도 2의 (b)는, 본 발명의 제2 포토마스크(20)를 노광함으로써 형성되는 레지스트 패턴의 단면 형상의 일례이다.

근접 거리란, 노광광을 받았을 때, 홀 패턴끼리의 투과광이 서로 광학적인 상호 작용을 발생시키는 정도의 거리이다.

또한, 이하에 있어서, 포토마스크의 전사용 패턴이 갖는 홀 패턴을, 피전사체 상에 형성하는 홀 패턴과 구별하기 위해, 마스크 홀 패턴이라고 하는 경우가 있다.

본 실시 형태의 포토마스크의 마스크 홀 패턴을, 상기 노광광의 광원을 갖는 노광 장치에 의해 노광함으로써, 피전사체(표시 패널 기판 등) 상에 사이즈 Dp(㎛)를 갖는 홀 패턴을 형성할 수 있다. 여기서 Dp≤3인 미세 홀 형성의 경우에, 본 발명의 효과가 현저하게 얻어진다. 또한, 한층 더한 미세화 동향의 진전에 따라 Dp≤2 혹은 Dp≤1.5의 홀의 형성에도, 본 발명은 유용하게 적용할 수 있다. 또한, 0.5≤Dp인 것이 바람직하다.

이러한 전사용 패턴은, 표시 장치(액정, 유기 EL을 포함함)의 표시 패널 기판의 구성에 필요한 콘택트 홀을 얻기 위한 레이어(예를 들어, 홀 레이어)에 유용한 것이다. 피전사체 상에 형성되는 홀 패턴이 원 형상인 경우에는, 그 직경을 Dp로 하고, 그 밖의 형상인 경우에는, 그 형상과 면적이 동일하게 되는 원형으로 근사(환산)하였을 때의 직경을 Dp로 한다.

Dp가 3㎛ 초과인 경우에는, 종래의 표시 장치 제조용의 노광 장치에 의해 피전사체 상에 원하는 홀 패턴을 얻기 위한 소정의 해상 성능이, 종래의 포토마스크(예를 들어 바이너리 마스크)를 사용함으로써 얻어진다. 그러나, 본 발명자는 피전사체 상에 얻으려고 하는 홀 패턴의 사이즈 Dp가 3㎛ 이하인 경우에, 종래의 포토마스크에서는 충분한 해상성을 갖는 전사상이 얻어지지 않는다고 하는 과제가 생기는 것에 착안하였다.

본 실시 형태의 포토마스크에서는, 석영 등의 투명 재료를 평탄 또한 평활하게 가공한 투명 기판의 주표면 상에 전사용 패턴이 형성된 것으로 할 수 있다.

본 실시 형태의 제1 포토마스크(10), 제2 포토마스크(20)에 있어서 전사용 패턴이 갖는 마스크 홀 패턴은, 사방이 둘러싸인 사각형의 펀칭 패턴이며, 투명 기판이 노출된 투광부(12)로서 형성될 수 있다. 또한, 해당 사각형이 갖는 4개의 코너는 완전한 90도일 필요는 없고, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 해당 4개의 코너와 그 근방이 원호상의 형상을 형성하고 있어도 된다.

마스크 홀 패턴의 형상은 사각형(정사각형 또는 직사각형)인 것이 바람직하고, 정사각형이 보다 바람직하다. 해당 마스크 홀 패턴의 직경 혹은 한 변의 사이즈를 Dm(㎛)이라고 할 때, Dm≤3.5로 할 수 있다. 정사각형이면, 그 한 변의 길이(예를 들어 CD-X)와, 그것에 수직인 한 변의 길이(CD-Y)의 수치가 동등하며, 이 길이를 Dm이라고 한다. 또한, 직사각형이면, 그 긴 변(예를 들어 CD-X)을 Dm으로 한다. Dm≤2.0인 경우에, 본 발명의 효과가 현저하다. 또한, 사각형의 마스크 홀 패턴에 있어서, CD-X도 CD-Y도 2㎛ 이하일 때, 특히 본 발명의 효과가 현저하게 얻어진다. 또한, CD는 Critical Dimension이라고도 기재되며, 본 명세서에서는 CD-X는 X 방향의 패턴의 치수, CD-Y는 Y 방향의 패턴의 치수를 의미하는 것으로서 사용한다. 여기서, X 방향은 포토마스크의 주표면 상의 하나의 방향을 의미하고, Y 방향은 해당 X 방향에 수직인 다른 방향을 의미한다.

또한, 이 마스크 홀 패턴(제1 포토마스크(10)에 예시하는 고립 홀 패턴, 또는 제2 포토마스크(20)에 예시하는 근접 홀 패턴)은, 상기 투명 기판 상에 있어서 하프톤 영역(11)에 둘러싸여 있다. 본 실시 형태의 하프톤 영역(11)은, 투명 기판의 주표면 상에 위상 시프트막이 형성되어 이루어지고, 이 위상 시프트막은, 기준 파장 λ1(nm)의 노광광에 대하여 거의 180도의 위상 시프트양을 갖는다. 따라서, 투광부(12)와 하프톤 영역(11)은, 기준 파장 λ1의 노광광에 대하여 거의 180도의 위상차 θ를 갖는다. 여기서, 거의 180도란, 180±60도의 범위 내로 하고, 보다 바람직하게는 180±30도의 범위 내로 하고, 더욱 바람직하게는 180±15도의 범위 내로 한다. 위상차 θ(위상 시프트막이 갖는 위상 시프트양)는 거의 180도이면 되지만, 특히 180도(정확히 180도의 의미)이면 한층 더 바람직하다. 기준 파장 λ1에 대해서는 상세를 후술한다.

또한, 하프톤 영역(11)의 기준 파장 λ1의 노광광에 대한 투과율 T(％)는 10≤T≤35를 충족한다. 즉, 본 실시 형태의 하프톤 영역(11)에 있어서의 위상 시프트막은, 기준 파장 λ1의 노광광에 대하여 투과율 T를 갖는다. T의 값이 과도하게 크면, 포토마스크의 노광에 의해 피전사체 상에 형성되는 레지스트 패턴이 손상을 받는 문제가 발생하기 쉽고, T의 값이 과도하게 작으면, 필요한 노광량이 커지는 경향이 있다. 하프톤 영역(11)의 기준 파장 λ1의 노광광에 대한 투과율 T(％)는, 바람직하게는 12≤T≤30이고, 보다 바람직하게는 14≤T≤25이다. 또한, 본 명세서에 있어서의 투과율(％)은, 특기하지 않는 한, 투명 기판의 투과율을 기준(100％)으로 하여 환산한 값을 의미한다.

고립 홀 패턴이 포함되는 전사용 패턴의 경우(예를 들어, 제1 포토마스크(10))에는, 바람직하게는 10≤T≤35이고, 보다 바람직하게는 10≤T≤25이고, 더욱 바람직하게는 12≤T≤25이다. 또한, 근접 홀 패턴이 포함되는 전사용 패턴의 경우(예를 들어, 제2 포토마스크(20))에는 10≤T≤22인 것이 보다 바람직하다. 즉, 하나의 포토마스크가 구비하는 전사용 패턴에 있어서, 고립 홀 패턴과 근접 홀 패턴을 양쪽 포함하는 경우를 고려하면, 하프톤 영역(11)의 투과율은 10≤T≤22로 하는 것이 바람직하고, 12≤T≤22로 하는 것이 보다 바람직하고, 15≤T≤22로 하는 것이 더욱 바람직하다.

상기에 있어서, 위상 시프트양 및 투과율의 기준 파장 λ1로서는, 상기한 중자외 노광광의 파장 영역(200 내지 400nm)에 포함되는 어느 파장으로 할 수 있다. 기준 파장 λ1은, 보다 바람직하게는 250nm≤λ1≤400nm로 할 수 있고, 더욱 바람직하게는 250nm<λ1<400nm로 할 수 있다. 기준 파장 λ1은 i선보다 단파장으로 하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 기준 파장 λ1은 λ1<365nm로 할 수 있고, 바람직하게는 200nm≤λ1<365nm, 보다 바람직하게는 250nm≤λ1<365nm, 더욱 바람직하게는 250nm<λ1<365nm로 할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 일례로서, 334nm의 파장을 기준 파장 λ1로 한다. 이 파장은, 상기 중자외광의 파장 영역의 강도 분포를 고려한 가중 평균에 가깝고, 또한 고압 수은 램프의 스펙트럼에 있어서, 소정의 강도(피크 높이)를 갖는 점에서, 위상 시프트 효과에 관계되는 기준으로서 적절할 뿐만 아니라, 후술하는 DOF(초점 심도) 향상 효과를 얻는 측면에서도 가장 유리하다. 또한, 기준 파장 λ1은 313nm로 해도 된다.

본 실시 형태의 전사용 패턴은, 제2 포토마스크(20)와 같이 근접 홀 패턴을 포함하는 경우에, 특히 현저한 효과가 얻어진다. 해당 근접 홀 패턴에 있어서, 마스크 홀 패턴끼리의 거리는, 양자의 중심간 거리(이하, 피치 P(㎛)라고도 함)가 9㎛ 이하인 것이 바람직하고, 2≤P≤9인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 피치 P가 2≤P≤6이고, 피치 P가 2≤P≤4로 될 때, 본 발명의 장점이 보다 크다.

또한, 전사용 패턴의 디자인은, 제1 포토마스크(10), 제2 포토마스크(20)가 갖는 전사용 패턴의 디자인에 한정되지 않는다. 특히, 포토마스크가 근접 홀 패턴을 갖는 경우에는, 상기의 2연 홀 패턴에 추가하여, 부가적인 근접 홀 패턴이 형성되어 있어도 된다. 예를 들어, 3개 이상의 동일 형상의 근접 홀 패턴이 피치 P로 일방향으로 규칙적으로 배열되어도 되고, 또는 이들이 일정한 피치 P로 2차원적으로 규칙적으로 배열되어 있어도 된다. 또는 피치 P가 반드시 일정하지는 않아도 된다.

또한, 개개의 홀 패턴의 사이즈는 동일한 경우 외에, 사이즈가 다른 홀 패턴이 혼재되어 있어도 된다.

단, 근접 홀 패턴의 서로의 중심간 거리(피치 P)는, 상기한 바와 같이 9㎛ 이하인 경우에 발명의 효과가 보다 크다.

또한, 홀 패턴끼리는 접촉하지 않는 것이 필요하지만, 바람직하게는 홀 패턴끼리의 에지(외연)의 최단 이격 거리 d는 0.5 내지 2.0㎛인 것이 바람직하다.

본 실시 형태의 제1 포토마스크(10), 제2 포토마스크(20)는 표시 장치 제조용의 포토마스크이며, 예를 들어 한 변이 300 내지 1800mm, 두께가 5 내지 16mm인 사각형의 투명 기판의 주표면 상에 전사용 패턴이 형성된 것으로 할 수 있다.

이 포토마스크는 표시 장치 제조용의 노광 장치에 의해 노광되기 위한 것이다. 예를 들어, 노광 장치의 투영 광학계의 개구수 NA는 0.08 내지 0.20 정도이고, 그 노광광의 광원은 상술한 바와 같은 중자외 영역을 갖는 것이다.

본 실시 형태의 포토마스크는, 투명 기판 상에 형성한 위상 시프트막을 패터닝하여, 마스크 홀 패턴에 대응하는 펀칭(拔) 패턴을 형성함으로써 얻어지는 포토마스크로 할 수 있다. 예를 들어, 도 2의 (a)의 제2 포토마스크(20)에서는, 2개의 펀칭 패턴이 근접한 2연 홀 패턴이 형성되어 있다. 마스크 홀 패턴 부분은 투명 기판이 노출된 투광부(12)이며, 그 주위는 투명 기판 상에 위상 시프트막이 형성되어 이루어지는 하프톤 영역(11)이다.

본 실시 형태의 마스크 홀 패턴의 사이즈 Dm은 Dp보다 큰(Dm>Dp) 것이 바람직하다. 즉, 피전사체 상에 형성하는 홀 패턴의 사이즈 Dp에 대하여, 마스크 바이어스 β(㎛)를 부가한 치수의 Dm을 형성하는 것이 바람직하다(β=Dm-Dp임).

마스크 바이어스는, 예를 들어 Dm/Dp가 1.1 내지 1.8로 되도록 설정할 수 있다. 특히, 근접 홀 패턴(여기서는 2연)을 포함하는 전사용 패턴인 경우에는, Dm/Dp를 1.2 내지 1.7로 하는 것이 바람직하고, 1.25 내지 1.65로 하는 것이 더욱 바람직하다. 이때, 위상 시프트막의 투과율 T를 10 내지 22％로 하는 것이 바람직하고, 12 내지 22％로 하는 것이 보다 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 해당 포토마스크를 노광하였을 때, DOF나 필요 노광량이 적합한 범위로 될 뿐만 아니라, 도 2의 (b)에 도시하는 바와 같이, 피전사체 상에 형성되는 레지스트 패턴(여기서는 포지티브형의 포토레지스트로 함)에 있어서, 2연 홀 패턴의 사이에 형성되는 구분벽(13)(상세는 후술)에 손상이 없고, 2연 홀 패턴이 연결되어 버리는 문제가 발생하기 어렵다.

<실시예 1>

도 2의 (a)에 도시하는 제2 포토마스크(20)를 실시예 1로 하고, 도 3의 (a)에 도시하는 참고예 1의 바이너리 마스크, 도 4의 (a)에 도시하는 참고예 2의 하프톤형 위상 시프트 마스크(기준 파장을 i선으로 한 것)와 비교하기 위해, 각각의 전사 특성에 대한 광학 시뮬레이션을 행하였다.

실시예 1의 제2 포토마스크(20)에 있어서, 하프톤 영역(11)에 사용한 위상 시프트막은, 중자외의 노광 파장(기준 파장 334nm)에 대하여 180도의 위상 시프트양과 투과율 16.1％를 갖는 것으로 하였다(도 5의 「중자외 PSM(Phase Shift Mask)」 참조).

또한, 참고예 1의 포토마스크는, 실시예 1에 있어서의 하프톤 영역(11)에 대응하는 영역(차광 영역(14))에, 위상 시프트막이 아니라, 차광막(실질적으로 노광광을 투과하지 않는 막)을 형성하였다.

참고예 2의 포토마스크는, 실시예 1에 있어서의 하프톤 영역(11)에, 기준 파장인 i선(365nm)에 대하여 180도의 위상 시프트양과 투과율 5.2％를 갖는 위상 시프트막을 형성하였다. 이것은 상기 특허문헌 2에 있어서, 위상 시프트막의 투과율이 5 내지 6％ 정도인 것을 참고로 하였다.

상기 막 구성의 포토마스크의 전사 성능을 평가하기 위한 전사용 패턴의 디자인은, 근접(2연) 마스크 홀 패턴으로 하였다. 그리고, 피전사체 상에, 직경의 사이즈가 1.5㎛인 2연의 홀 패턴을 형성하는 것을 목표로 하여, 이하의 항목에 관하여 평가를 행하였다. 실시예 1, 참고예 1 및 참고예 2가 갖는 각 전사용 패턴의 형상은 각각, 도 2의 (a), 도 3의 (a) 및 도 4의 (a)에 도시한다. 하프톤 영역(11)(참고예 1의 바이너리 마스크에서는 차광 영역(14))의 막의 특성은, 각각 도 5에 도시한다.

(1) 노광량(mJ/㎠)

여기서의 노광량은, 목표 치수의 패턴을 피전사체 상에 얻기 위한 필요 노광량을 나타낸다. 이 필요 노광량은 작은 쪽이 바람직하며, 예를 들어 50mJ/㎠ 이하인 것이 바람직하다.

(2) DOF(㎛)

여기서의 DOF는, 목표 CD값에 대하여 ±10％ 이내로 되는 초점 심도를 나타낸다. DOF는 큰 쪽이 바람직하며, 예를 들어 15㎛ 이상인 것이 바람직하다.

(3) MEEF(Mask Error Enhancement Factor: 마스크 오차 증대 계수)

MEEF는, 포토마스크의 CD 오차에 대한, 피전사체 상에 형성되는 전사상의 CD 오차의 비율을 나타낸다. MEEF는 작은 쪽이 바람직하다. 또한, 포토마스크의 CD 오차란, 포토마스크 상의 목표 CD값에 대한, 실제의 포토마스크 상의 CD 오차(어긋남양)를 의미한다. 또한, 피전사체 상에 형성되는 전사상의 CD 오차란, 피전사체 상에 형성되는 전사상의 목표 CD값에 대한, 실제의 전사상의 CD 오차(어긋남양)를 의미한다.

실시예 1, 참고예 1 및 참고예 2에 있어서의 전사 특성의 광학 시뮬레이션 결과를 도 6에 도시한다. 또한, 실시예 1, 참고예 1 및 참고예 2에 있어서, 피전사체 상에 형성되는 레지스트 패턴의 단면 형상을, 각각 도 2의 (b), 도 3의 (b) 및 도 4의 (b)에 도시한다.

참고예 1(바이너리 마스크)은 레퍼런스로 되는 마스크이며, 이후에서는 레퍼런스라고도 기재하는 경우가 있다. 도 3의 (b)에 도시하는 바와 같이, 참고예 1의 포토마스크에서는, 피전사체 상에 형성되는 레지스트 패턴(여기서는 포지티브형 포토레지스트 패턴)에 있어서, 2연의 홀 패턴끼리의 사이에 충분한 높이, 두께의 칸막이(이하, 구분벽(13)이라고 함)가 형성되어 있다. 한편, 도 6에 도시하는 바와 같이, 참고예 1의 포토마스크에서는 DOF가 15㎛ 미만으로 작아, 표시 장치 제조 상의 프로세스 마진이 불충분하다.

참고예 2에서는, 기존의 하프톤형 위상 시프트 마스크에서 얻어지는 효과와 마찬가지로, DOF의 개선 효과가 보여진다. 그러나, 참고예 2에서는 필요 노광량이 참고예 1의 150％ 정도로 되어, 표시 장치의 생산 효율이 내려가는 점에서, 양산에 적합하다고는 할 수 없다.

실시예 1에 있어서는, 충분한 DOF가 얻어지는 데다가, 노광량에 있어서도 참고예 1, 2보다 대폭 저감 가능(50mJ/㎠ 이하)하며, 또한 도 2의 (b)에 도시되는 바와 같이, 레지스트 패턴 단면 형상에 있어서도, 근접 홀의 사이에 있는 구분벽(13)이 적절하게 형성되는 점에서 매우 유용함을 알 수 있다. 실시예 1에 있어서는, MEEF의 수치에도 저감 효과가 확인된다. 또한, 실시예 1에 있어서는, 피전사체 상에 형성하는 목표 홀 사이즈 1.5㎛에 대하여, 마스크 상의 홀 사이즈를 2.1㎛로 하였다. 즉, Dm/Dp가 1.4로 되는 마스크 바이어스 β를 부여하였다.

여기서, 확인을 위해, 참고예 1, 참고예 2에 대해서도 실시예 1과 마찬가지의 바이어스를 부여한 경우에, 전사성이 향상되는지 여부를 검증하였다. 참고예 1에 있어서, 바이어스를 부여함으로써 마스크 홀 패턴의 사이즈를 2.1㎛로 한 것을 참고예 3(도 7의 (a))으로 하고, 참고예 2에 있어서, 마찬가지로 바이어스를 부여한 것을 참고예 4(도 8의 (a))로 하여, 각각의 전사 성능의 광학 시뮬레이션을 행한 결과도 도 6에 도시한다.

이 참고예 3 및 참고예 4에 관한 광학 시뮬레이션 결과에 따르면, 참고예 3에서는 바이어스 부여에 의해 노광량의 저감을 도모할 수는 있었지만, DOF는 레퍼런스(참고예 1)를 하회할 정도로 저하되어 버렸다. 또한, 도 7의 (b)에 도시하는 바와 같이, 참고예 3에 있어서의 레지스트 패턴의 단면을 보면, 2연의 홀 패턴간의 구분벽(13)이 충분히 형성되지 않아, 2연의 홀 패턴끼리 연결되어 버렸다. 또한, 참고예 4에 따르면, 역시 DOF의 개선 효과가 레퍼런스에 비하여 작을 뿐만 아니라, 도 8의 (b)에 도시하는 바와 같이, 레지스트 패턴 단면으로부터는, 2연 홀 패턴간의 구분벽(13)이 매우 얇아 파괴되기 쉬운 것임을 알 수 있었다. 얻으려고 하는 표시 장치에 있어서, 불량이 없는 회로 패턴을 얻기 위해, 상기 레지스트 패턴의 구분벽(13)은, 레지스트의 초기 두께를 잃지 않는 것이 가장 바람직하지만, 초기 두께에 대하여, 적어도 50％ 이상의 두께가 구분벽(13)에 있어서 잔존하는 것이 바람직하고, 60％ 이상의 두께가 잔존하는 것이 보다 바람직하다.

상기에 의해, 본 실시 형태의 포토마스크의 전사 성능이 매우 우수한 것을 확인할 수 있었다.

<실시예 2>

도 9의 (a)에 도시하는 참고예 5의 포토마스크, 및 도 10의 (a)에 도시하는 참고예 6의 포토마스크는, 근접(2연) 홀 패턴을 갖는 포토마스크이며, 하프톤 영역(11)의 위상 시프트막의 투과율을 변화시킨 것 이외는, 상기 실시예 1과 마찬가지로 형성한 것이다. 참고예 5 및 참고예 6에서는, 상기 실시예 1과 마찬가지로 피전사체 상에 1.5㎛ 사이즈의 근접(2연) 홀 패턴을 형성하는 것을 목표로 하고 있다.

참고예 5 및 참고예 6에 대해서도, 실시예 1과 마찬가지로 전사 성능의 광학 시뮬레이션을 행하였다. 해당 광학 시뮬레이션에 있어서의 평가 항목은, 실시예 1과 마찬가지이다. 해당 광학 시뮬레이션 결과를 도 11에 도시한다. 또한, 참고예 5 및 참고예 6에 있어서, 피전사체 상에 형성되는 레지스트 패턴의 단면 형상을, 각각 도 9의 (b) 및 도 10의 (b)에 도시한다.

참고예 5는, 하프톤 영역(11)에 사용하는 위상 시프트막의 투과율(노광광의 파장 334nm 기준)을 8％로 하였다. 시뮬레이션 결과에 따르면, DOF의 값, 레지스트 패턴의 단면 형상에 특별한 문제는 없지만, 필요 노광량의 저감 효과가 거의 얻어지지 않았다.

또한, 참고예 6은, 하프톤 영역(11)의 위상 시프트막의 투과율(파장 334nm 기준)을 25％로 한 바, 노광량이나 DOF, MEEF에 특별한 문제는 보이지 않았다. 그러나, 참고예 6에서는, 도 10의 (b)에 도시하는 바와 같이, 레지스트 패턴의 단면 형상에 있어서, 홀 패턴간의 구분벽(13)을 충분히 형성할 수 없었다.

따라서, 근접(2연) 홀 패턴에 있어서의 하프톤 영역(11)의 투과율은 참고예 6에 도시하는 것보다 작은 것이 바람직하다(구체적으로는 22％ 이하). 한편, 고립 홀 패턴에서는 참고예 6에 나타내는 투과율(25％) 정도의 투과율로도 실용에 제공할 가능성이 충분히 있다고 보여진다.

상기 제1 포토마스크(10), 제2 포토마스크(20) 등에 예시되는 본 발명의 포토마스크는, 리소그래피 공정을 이용하여 제조할 수 있다. 즉, 석영 등의 투명 재료로 이루어지는 기판의 주평면에, 위상 시프트막을 성막한 포토마스크 블랭크를 사용하여 제조할 수 있다. 위상 시프트막을 투명 기판 상에 형성함에 있어서는, 스퍼터링법 등의 공지된 수단을 사용하면 된다. 이 위상 시프트막(하프톤 영역(11)을 형성함)은, 예를 들어 중자외의 파장 영역에 대하여 위상 반전 작용을 갖는 것으로 한다. 그리고, 이 위상 시프트막에 대하여, 얻으려고 하는 디바이스에 기초하는, 원하는 패터닝을 행한다.

제1 포토마스크(10), 제2 포토마스크(20)에 적용한 위상 시프트막의 재료에 특별히 제약은 없다. 예를 들어, 전이 금속의 실리사이드가 적합하게 사용된다. 예를 들어, 몰리브덴 실리사이드(MoSi)나 그의 화합물(MoSiO, MoSiN, MoSiC, MoSiON, MoSiCN, MoSiCO, MoSiCON 등)이 바람직하다.

혹은, 위상 시프트막의 재료는 크롬(Cr) 또는 그의 화합물(CrO, CrN, CrC, CrON, CrCN, CrCO, CrCON 등)이어도 된다.

나아가, 위상 시프트막의 재료는, 금속 성분으로서 Ta(탄탈), Zr(지르코늄), 또는 Ti를 포함하는 것(예를 들어 Zr 실리사이드, Mo 및 Zr을 포함하는 실리사이드), 또는 그것들의 화합물(산화물, 질화물, 탄화물 등 상기에 예시한 화합물)이 예시된다.

본 형태의 제1 포토마스크(10), 제2 포토마스크(20)는, 위상 시프트막에 MoSi 화합물을 사용하는 것으로서, 시뮬레이션을 행하였다. 이 위상 시프트막은 100 내지 200nm의 막 두께로 할 수 있고, 스퍼터링법 등의 공지된 성막 방법에 의해 형성할 수 있다. 또한, 위상 시프트막의 패터닝에는 건식 에칭을 사용해도 습식 에칭을 사용해도 되지만, 표시 장치 제조용의 대형 포토마스크로서, 습식 에칭이 유리한 경우가 있다.

또한, 상기 제1 포토마스크(10), 제2 포토마스크(20)에서는, 모두 하프톤 영역(11)에 중자외 영역의 노광광을 반전시키는 위상 시프트막을 사용하였지만, 이것들과는 다른 구성을 갖는 포토마스크로 할 수도 있다. 예를 들어, 하프톤 영역(11)에는, 노광광의 투과율 T％(예를 들어 10≤T≤35)를 갖는 반투광막이며, 실질적으로 위상 반전 작용이 없는 것을 사용해도 된다. 실질적으로 위상 반전 작용이 없다는 의미는, 기준 파장 λ1에 대하여 위상 시프트양이 90도 이하, 바람직하게는 60도 이하인 것이다. 한편, 마스크 홀 패턴을 구성하는 투광부(12)는, 투명 기판의 표면이 소정 두께만큼 파넣어진 굴입부로서 형성할 수 있다. 이에 의해, 투광부(12)와 하프톤 영역(11)의 위상차 θ를 거의 180도(또는 정확히 180도)로 할 수 있고, 이러한 포토마스크에 있어서도 본 발명의 작용 효과가 얻어진다.

또한, 상기 실시 형태의 포토마스크에 대하여, 본 발명의 작용 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 부가적인 막(반사 제어막이나 에칭 저지막 등)이 투명 기판 상에 형성되어 있어도 된다.

본 발명은 상기 포토마스크를 사용하여 표시 장치를 제조하는 방법을 포함한다. 여기서, 표시 장치란, 표시 장치를 구성하는 디바이스를 포함한다.

본 발명의 노광에는 NA가 0.08 내지 0.20 정도인 등배 또는 축소 노광을 행하는 프로젝션 노광 장치를 사용할 수 있다. NA는, 바람직하게는 0.08 내지 0.18, 더욱 바람직하게는 0.08 내지 0.15로 할 수 있다.

노광 장치의 조명계는, 통상 조명을 사용할 수 있다. 또는, 통상 조명 이외, 즉 변형 조명(포토마스크로의 입사광으로부터 수직 입사 성분을 제외한 것)을 사용해도 상관없다.

최근의 고화질의 유기 EL 디스플레이(OLED)용 회로에서는, 회로의 고정밀화에 기인하여 2연 이상의 근접 홀 패턴을 갖는 전사용 패턴의 유용성이 높게 되어 있다. 이러한 새로운 기술 과제에 대하여, 본 발명에 따른 포토마스크는 대응하는 것이다.

이상, 본 발명의 실시 형태에 대하여 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 상술한 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다.

10: 제1 포토마스크
11: 하프톤 영역
12: 투광부
13: 구분벽
14: 차광 영역
20: 제2 포토마스크

Claims (12)

1. 피전사체 상에, 중자외 노광광을 사용하여, 사이즈가 Dp이며 또한 Dp≤3㎛의 홀 패턴을 형성하기 위한 표시 장치 제조용의 포토마스크이며,
   투명 기판 상에, 홀 패턴을 포함하는 전사용 패턴을 갖고,
   상기 전사용 패턴에 있어서의 홀 패턴은, 하프톤 영역에 둘러싸인 투광부로 이루어지고,
   상기 포토마스크를 노광하기 위한 중자외 노광광에 포함되는 기준 파장의 광에 대하여, 상기 투광부와 상기 하프톤 영역의 위상차 θ가 거의 180도임과 함께,
   상기 하프톤 영역의 상기 기준 파장의 광에 대한 투과율 T가 10％≤T≤35％인, 포토마스크.
2. 제1항에 있어서, 상기 전사용 패턴에 있어서의 홀 패턴은, 상기 투명 기판 상에 형성된 위상 시프트막이 패터닝됨으로써 형성된, 상기 투명 기판이 노출되는 투광부에 의해 이루어지고,
   상기 하프톤 영역은, 상기 투명 기판 상에 상기 위상 시프트막이 형성되어 이루어지고,
   상기 위상 시프트막은, 상기 기준 파장의 광에 대하여 거의 180도의 위상 시프트양을 가짐과 함께, 투과율 T를 갖고, 10％≤T≤35％인, 포토마스크.
3. 피전사체 상에, 중자외 노광광을 사용하여, 사이즈가 Dp이며 또한 Dp≤3㎛의 홀 패턴을 형성하기 위한 표시 장치 제조용의 포토마스크이며,
   투명 기판 상에, 홀 패턴을 포함하는 전사용 패턴을 갖고,
   상기 전사용 패턴에 있어서의 홀 패턴은, 하프톤 영역에 둘러싸인 투광부로 이루어지고,
   기준 파장을 λ1로 하고, λ1<365nm일 때, 상기 λ1의 파장의 광에 대하여, 상기 투광부와 상기 하프톤 영역의 위상차 θ가 180도임과 함께,
   상기 하프톤 영역의 상기 λ1의 파장의 광에 대한 투과율 T가 10％≤T≤35％인, 포토마스크.
4. 제3항에 있어서, 상기 전사용 패턴에 있어서의 홀 패턴은, 상기 투명 기판 상에 형성된 위상 시프트막이 패터닝됨으로써 형성된, 상기 투명 기판이 노출되는 투광부에 의해 이루어지고,
   상기 하프톤 영역은, 상기 투명 기판 상에 상기 위상 시프트막이 형성되어 이루어지고,
   상기 위상 시프트막은, 상기 λ1의 파장의 광에 대하여 180도의 위상 시프트양을 가짐과 함께, 투과율 T를 갖고, 10％≤T≤35％인, 포토마스크.
5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전사용 패턴은 고립 홀 패턴을 포함하는 것인, 포토마스크.
6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전사용 패턴은, 근접 거리에 있는 2개 이상의 홀 패턴을 포함하는 근접 홀 패턴을 갖는, 포토마스크.
7. 제6항에 있어서, 상기 근접 홀 패턴에 포함되는 2개의 상기 홀 패턴의 중심간 거리가 9㎛ 이하인, 포토마스크.
8. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전사용 패턴에 있어서의 홀 패턴의 사이즈를 Dm이라고 하였을 때 Dm>Dp인, 포토마스크.
9. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기준 파장이 313nm 또는 334nm인, 포토마스크.
10. 제8항에 있어서, Dm/Dp가 1.1 내지 1.8인, 포토마스크.
11. 표시 장치의 제조 방법이며,
    제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 포토마스크를 준비하는 공정과,
    중자외 노광광을 사용하여 상기 포토마스크를 노광하는 노광 공정을 갖고,
    상기 중자외 노광광은, 파장 λ가 200nm≤λ≤400nm를 충족하는 파장 영역을 포함하며, 또한 λ>400nm 및 λ<200nm인 파장을 포함하지 않는 것인, 표시 장치의 제조 방법.
12. 제11항에 있어서, 상기 노광 공정에 의해, 피전사체 상에 사이즈 Dp≤3㎛의 홀 패턴을 형성하는, 표시 장치의 제조 방법.

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