KR20210110383A

KR20210110383A - 프린트 배선판의 제조 방법

Info

Publication number: KR20210110383A
Application number: KR1020217024969A
Authority: KR
Inventors: 요시노리 시미즈; 히로토 이이다; 미사토 미조구치; 아키토시 다카나시; 마코토 호소카와
Original assignee: 미쓰이금속광업주식회사
Priority date: 2019-03-26
Filing date: 2020-03-17
Publication date: 2021-09-07
Also published as: KR102554287B1; JPWO2020196105A1; CN113574977A; WO2020196105A1; TW202044944A; US12004304B2; JP2023030040A; US20220192029A1; JP7410128B2; TWI727715B

Abstract

패턴 불량을 효과적으로 억제하고, 또한 미세 회로 형성성도 우수한, 프린트 배선판의 제조 방법이 제공된다. 이 프린트 배선판의 제조 방법은, 조화면을 구비한 절연 기재를 준비하는 공정과, 절연 기재의 조화면에 무전해 도금을 행하여, JIS B0601-2001에 준거하여 측정되는 산술 평균 파형 Wa가 0.10㎛ 이상 0.25㎛ 이하이며, 또한 ISO 25178에 준거하여 측정되는 쿨토시스 Sku가 2.0 이상 3.5 이하인 표면을 갖는, 두께 1.0㎛ 미만의 무전해 도금층을 형성하는 공정과, 무전해 도금층의 표면에 포토레지스트를 적층하는 공정과, 노광 및 현상을 행하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정과, 무전해 도금층에 전기 도금을 실시하는 공정과, 레지스트 패턴을 박리하는 공정과, 무전해 도금층의 불필요 부분을 에칭에 의해 제거하여 배선 패턴을 형성하는 공정을 포함한다.

Description

프린트 배선판의 제조 방법

본 발명은, 프린트 배선판의 제조 방법에 관한 것이다.

근년 프린트 배선판에 요구되는 소형화 및 고밀도화에 수반하여, 회로의 미세화(파인 피치화)가 요구되고 있다. 회로의 미세화에 적합한 프린트 배선판의 제조 공법으로서, 세미 애디티브법(SAP법)이 널리 채용되고 있다. SAP법은, 극히 미세한 회로를 형성하기에 적합한 방법이며, 그 일례로서 캐리어를 구비한 조화 처리 구리박을 사용하여 행해지고 있다. 예를 들어, 도 10 및 도 11에 도시되는 바와 같이, 조화 처리 구리박(110)을, 하지 기재(111a)에 하층 회로(111b)를 구비한 절연 수지 기판(111) 상에 프리프레그(112)와 프라이머층(113)을 사용하여 프레스하여 밀착시키고(공정 (a)), 캐리어(도시하지 않음)를 박리한 후, 필요에 따라서 레이저 천공에 의해 비아 홀(114)을 형성한다(공정 (b)). 이어서, 조화 처리 구리박(110)을 에칭에 의해 제거하여, 조화 표면 프로파일이 부여된 프라이머층(113)을 노출시킨다(공정 (c)). 이 조화 표면에 무전해 구리 도금(115)을 실시한(공정 (d)) 후에, 드라이 필름(116)을 사용한 노광 및 현상에 의해 소정의 패턴으로 마스킹하고(공정 (e)), 전기 구리 도금(117)을 실시한다(공정 (f)). 드라이 필름(116)을 제거하여 배선 부분(117a)을 형성한(공정 (g)) 후, 인접하는 배선 부분(117a, 117a) 사이의 불필요한 무전해 구리 도금(115)을 에칭에 의해 제거하여(공정 (h)), 소정의 패턴으로 형성된 배선(118)을 얻는다.

이와 같이 조화 처리 구리박을 사용한 SAP법은, 조화 처리 구리박 자체는 레이저 천공 후에 에칭에 의해 제거되게 된다(공정 (c)). 그리고 조화 처리 구리박이 제거된 적층체 표면에는 조화 처리 구리박의 조화 처리면의 요철 형상이 전사되어 있으므로, 그 후의 공정에 있어서 절연층(예를 들어 프라이머층(113) 또는 그것이 없는 경우에는 프리프레그(112))과 도금 회로(예를 들어 배선(118))의 밀착성을 확보할 수 있다. 그러나 도금 회로와의 밀착성을 높이는 데 적합한 표면 프로파일은, 대체로 거친 요철이 되는 경향이 있으므로, 공정 (h)에 있어서 무전해 구리 도금에 대한 에칭성이 저하되기 쉽다. 즉, 무전해 구리 도금이 거친 요철에 파고 들어간 만큼, 잔류 구리를 없애기 위해 더 많은 에칭을 요해 버린다.

그래서 조화 입자를 작게 하고, 또한 잘록한 형상을 갖게 함으로써 SAP법에 사용한 경우에, 필요한 도금 회로 밀착성을 확보하면서 양호한 에칭성을 실현할 수 있는 방법이 제안되어 있다. 예를 들어, 특허문헌 1(국제 공개 제2016/158775호)에는, 적어도 한쪽 측에 조화 처리면을 갖는 조화 처리 구리박이며, 조화 처리면이 구리 입자로 이루어지는 복수의 대략 구상 돌기를 구비하여 이루어지고, 대략 구상 돌기의 평균 높이가 2.60㎛ 이하인 것이 개시되어 있다. 또한, 특허문헌 2(국제 공개 제2018/211951호)에는, 적어도 한쪽 측에 조화 처리면을 갖는 조화 처리 구리박이며, 조화 처리면이 잘록한 부분을 갖는 1차 조화 입자와, 1차 조화 입자 표면 상의 2차 조화 입자를 구비하여 이루어지고, 조화 처리면의 10점 평균 조도 Rz가 1.7㎛ 이하라고 하는 저조도의 것이 개시되어 있다.

국제 공개 제2016/158775호 국제 공개 제2018/211951호

근년 SAP법에 요구되는 회로의 더한층의 미세화에 수반하여 우수한 에칭성을 실현하기 위해, 상술한 바와 같이 표면이 평활하며, 또한 작은 조화 입자를 구비한 구리박을 사용하여, 절연 기재에 조화 표면 프로파일을 부여하는 것을 생각할 수 있다. 또한, 조화 표면 프로파일이 부여된 절연 기재의 표면에, 무전해 도금을 얇게(예를 들어 1.0㎛ 미만) 실시할 수 있으면, 에칭양을 저감하여 회로의 더한층의 미세화를 도모할 수 있으므로 바람직하다. 그러나 SAP법에 있어서, 표면이 평활하며, 또한 작은 조화 입자를 구비한 구리박을 사용함과 함께, 무전해 도금을 얇게 실시하여 회로 형성을 시도하면, 형성된 회로에 쇼트나 볼록부가 발생한다고 하는 패턴 불량의 문제가 발생할 수 있는 것이 판명되었다.

본 발명자들은 금번에 조화면을 구비한 절연 기재에 무전해 도금을 실시하여, 소정의 표면 파라미터를 갖는 두께 1.0㎛ 미만의 무전해 도금층을 형성함으로써 패턴 불량을 효과적으로 억제하고, 또한 미세 회로 형성성도 우수한, 프린트 배선판의 제조 방법을 제공할 수 있다는 지견을 얻었다.

따라서 본 발명의 목적은, 패턴 불량을 효과적으로 억제하고, 또한 미세 회로 형성성도 우수한, 프린트 배선판의 제조 방법을 제공하는 데 있다.

본 발명의 일 양태에 의하면, 프린트 배선판의 제조 방법이며,

(a) 조화면을 구비한 절연 기재를 준비하는 공정과,

(b) 상기 절연 기재의 조화면에 무전해 도금을 행하여, JIS B0601-2001에 준거하여 측정되는 산술 평균 파형 Wa가 0.10㎛ 이상 0.25㎛ 이하이며, 또한 ISO 25178에 준거하여 측정되는 쿨토시스 Sku가 2.0 이상 3.5 이하인 표면을 갖는, 두께 1.0㎛ 미만의 무전해 도금층을 형성하는 공정과,

(c) 상기 무전해 도금층의 표면에 포토레지스트를 적층하는 공정과,

(d) 상기 포토레지스트에 노광 및 현상을 행하여, 레지스트 패턴을 형성하는 공정과,

(e) 상기 레지스트 패턴이 개재한 상태로 상기 무전해 도금층에 전기 도금을 실시하는 공정과,

(f) 상기 레지스트 패턴을 박리하는 공정과,

(g) 상기 레지스트 패턴의 박리에 의해 노출된 상기 무전해 도금층의 불필요 부분을 에칭에 의해 제거하여, 배선 패턴을 형성하는 공정을

포함하는, 방법이 제공된다.

도 1은 본 발명의 제조 방법의 일례에 있어서의, 전반의 공정(공정 (a) 내지 (c))을 도시하는 공정 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 제조 방법의 일례에 있어서의, 후반의 공정(공정 (d) 내지 (g))을 도시하는 공정 흐름도이다.
도 3은 조화면을 구비한 절연 기재를 준비하는 수순의 일례를 도시하는 공정 흐름도이다.
도 4는 무전해 도금 후의 표면에 충분한 요철 형상이 없는 경우에 있어서의, 노광 및 현상 시의 표면 이물의 영향을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 무전해 도금 후의 표면에 충분한 요철 형상이 있는 경우에 있어서의, 노광 및 현상 시의 표면 이물의 영향을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 실시예에 있어서의 티끌 검출수 평가의 수순을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 ISO 25178에 준거하여 결정되는 부하 곡선 및 부하 면적률을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 ISO 25178에 준거하여 결정되는 돌출 골부와 코어부를 분리하는 부하 면적률 Smr2를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 ISO 25178에 준거하여 결정되는 골부의 공극 용적 Vvv를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 SAP법을 설명하기 위한 공정 흐름도이며, 전반의 공정(공정 (a) 내지 공정 (d))을 도시하는 도면이다.
도 11은 SAP법을 설명하기 위한 공정 흐름도이며, 후반의 공정(공정 (e) 내지 공정 (h))을 도시하는 도면이다.

정의

본 발명을 특정하기 위해 사용되는 파라미터의 정의를 이하에 나타낸다.

본 명세서에 있어서, 「산술 평균 파형 Wa」란, JIS B0601-2001에 준거하여 측정되는, 윤곽 곡선으로서의 파형 곡선의 기준 길이에 있어서의 산술 평균 높이이다. 파형 곡선은, 조도 곡선에 의해 나타나는 미세한 요철은 아니며, 더 큰 스케일의 요철(즉, 파형)을 나타내는 것이다. 산술 평균 파형 Wa는, 조화면에 있어서의 소정의 측정 길이(예를 들어 64.124㎛의 1차원 영역)의 표면 프로파일을 시판되고 있는 레이저 현미경으로 측정함으로써 산출할 수 있다.

본 명세서에 있어서, 「쿨토시스 Sku」란, ISO 25178에 준거하여 측정되는, 높이 분포의 뾰족함을 나타내는 파라미터이며, 첨도라고도 칭해진다. Sku＝3은 높이 분포가 정규 분포인 것을 의미하며, Sku＞3이면 표면에 뾰족한 산부나 골부가 많고, Sku＜3이면 표면이 평탄한 것을 의미한다. 쿨토시스 Sku는, 조화면에 있어서의 소정의 측정 면적(예를 들어 6811.801㎛²의 2차원 영역)의 표면 프로파일을 시판되고 있는 레이저 현미경으로 측정함으로써 산출할 수 있다.

본 명세서에 있어서 「최대 높이 Sz」란, ISO 25178에 준거하여 측정되는, 표면의 가장 높은 점으로부터 가장 낮은 점까지의 거리를 나타내는 파라미터이다. 최대 높이 Sz는 조화면에 있어서의 소정의 측정 면적(예를 들어 6811.801㎛²의 2차원 영역)의 표면 프로파일을 시판되고 있는 레이저 현미경으로 측정함으로써 산출할 수 있다.

본 명세서에 있어서 「면의 부하 곡선」(이하, 단순히 「부하 곡선」이라고 함)이란, ISO 25178에 준거하여 측정되는, 부하 면적률이 0％ 내지 100％가 되는 높이를 나타낸 곡선을 말한다. 부하 면적률이란, 도 7에 도시되는 바와 같이, 어느 높이 c 이상의 영역의 면적을 나타내는 파라미터이다. 높이 c에서의 부하 면적률은 도 7에 있어서의 Smr(c)에 상당한다. 도 8에 도시되는 바와 같이, 부하 면적률이 0％로부터 부하 곡선을 따라 부하 면적률의 차를 40％로 하여 그은 부하 곡선의 할선을, 부하 면적률 0％로부터 이동시켜 가서, 할선의 경사가 가장 완만해지는 위치를 부하 곡선의 중앙 부분이라고 한다. 이 중앙 부분에 대해, 종축 방향의 편차의 제곱 합이 최소가 되는 직선을 등가 직선이라고 한다. 등가 직선의 부하 면적률 0％ 내지 100％의 높이의 범위에 포함되는 부분을 코어부라고 한다. 코어부보다 높은 부분을 돌출 산부라 하고, 코어부보다 낮은 부분은 돌출 골부라 한다. 코어부는, 초기 마모가 종료된 후에 다른 물체와 접촉하는 영역의 높이를 나타낸다. 또한, 본 명세서에 있어서 「돌출 골부와 코어부를 분리하는 부하 면적률 Smr2」란, 도 8에 도시되는 바와 같이, ISO 25178에 준거하여 측정되는, 코어부의 하부의 높이와 부하 곡선의 교점에 있어서의 부하 면적률(즉, 코어부와 돌출 골부를 나누는 부하 면적률)을 나타내는 파라미터이다. 이 값이 클수록 돌출 골부가 차지하는 비율이 큰 것을 의미한다.

본 명세서에 있어서 「골부의 공극 용적 Vvv」란, ISO 25178에 준거하여 측정되는, 돌출 골부의 공간의 용적을 나타내는 파라미터이다. Vvv는, 도 9에 도시되는 바와 같이, 부하 면적률 Smr2로부터 부하 면적률 100％까지의 부하 곡선으로부터 산출되는 공간 부분의 용적을 나타낸다. 골부의 공극 용적 Vvv는, 조화면에 있어서의 소정의 측정 면적(예를 들어 6811.801㎛²의 2차원 영역)의 표면 프로파일을 시판되고 있는 레이저 현미경으로 측정함으로써 산출할 수 있다. 본 명세서에서는, 돌출 골부와 코어부를 분리하는 부하 면적률 Smr2를 80％로 지정하여, 골부의 공극 용적 Vvv를 산출하는 것으로 한다.

프린트 배선판의 제조 방법

본 발명은 프린트 배선판의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법은, (a) 절연 기재의 준비, (b) 무전해 도금층의 형성, (c) 포토레지스트의 적층, (d) 레지스트 패턴의 형성, (e) 전기 도금층의 형성, (f) 레지스트 패턴의 박리, 및 (g) 배선 패턴의 형성의 각 공정을 포함한다.

이하, 도 1 내지 도 5를 참조하면서, 공정 (a) 내지 (g)의 각각에 대해 설명한다.

(a) 절연 기재의 준비

도 1의 (a)에 도시되는 바와 같이, 조화면(20a)을 구비한 절연 기재(20)를 준비한다. 절연 기재(20)는 양측에 조화면(20a)을 갖는 것이어도 되고, 한쪽 측에만 조화면(20a)을 갖는 것이어도 된다. 절연 기재(20)는 바람직하게는 절연성 수지를 포함한다. 또한, 절연 기재(20)는 프리프레그 및/또는 수지 시트인 것이 바람직하다. 프리프레그란, 합성 수지판, 유리판, 유리 직포, 유리 부직포, 종이 등의 기재에 합성 수지를 함침시킨 복합 재료의 총칭이다. 프리프레그에 함침되는 절연성 수지의 바람직한 예로서는, 에폭시 수지, 시아네이트 수지, 비스말레이미드트리아진 수지(BT 수지), 폴리페닐렌에테르 수지, 페놀 수지 등을 들 수 있다. 또한, 수지 시트를 구성하는 절연성 수지의 예로서는, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에스테르 수지 등의 절연 수지를 들 수 있다. 절연 기재(20)에는 절연성을 향상시키는 등의 관점에서 실리카, 알루미나 등의 각종 무기 입자로 이루어지는 필러 입자 등이 함유되어 있어도 된다. 절연 기재(20)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 1㎛ 이상 1000㎛ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 2㎛ 이상 400㎛ 이하이고, 더욱 바람직하게는 3㎛ 이상 200㎛ 이하이다. 절연 기재(20)는 복수의 층으로 구성되어 있어도 된다.

절연 기재(20)의 조화면(20a)은 모든 방법에 의해 형성된 것이어도 되지만, 전형적으로는 표면 처리 구리박의 처리 표면의 요철 형상이 절연 기재(20) 표면에 전사됨으로써 형성된다. 본 발명의 바람직한 양태에 의하면, 표면 처리 구리박을 사용한 조화면(20a)의 형성은, (a-1) 소정의 처리 표면을 갖는 표면 처리 구리박을 준비하고, (a-2) 표면 처리 구리박의 처리 표면에 절연 기재를 적층하고, 처리 표면의 표면 형상을 절연 기재의 표면에 전사한 후, (a-3) 에칭에 의해 표면 처리 구리박을 제거하여, 조화면을 구비한 절연 기재를 얻음으로써 행해진다. 각 공정의 구체적인 수순은 이하와 같다.

(a-1) 표면 처리 구리박의 준비

도 3의 (a-1)에 도시되는 바와 같이, 적어도 한쪽 측에 처리 표면(10a)을 갖는 표면 처리 구리박(10)을 준비한다. 처리 표면(10a)은 무언가의 표면 처리가 실시되어 있는 면이며, 전형적으로는 조화 처리면이다. 처리 표면(10a)은 전형적으로는 복수의 혹(예를 들어 조화 입자)을 구비하여 이루어진다. 어느 쪽이든 표면 처리 구리박(10)은 양측에 처리 표면(10a)을 갖는 것이어도 되고, 한쪽 측에만 처리 표면(10a)을 갖는 것이어도 된다. 양측에 처리 표면(10a)을 갖는 경우는, SAP법에 사용한 경우에 레이저 조사측의 면(절연 기재에 밀착시키는 면과 반대측의 면)도 표면 처리되어 있게 되므로, 레이저 흡수성이 높아지는 결과, 레이저 천공성도 향상시킬 수 있다. 또한, 표면 처리 구리박(10)은 캐리어를 구비한 구리박의 형태여도 된다. 이 경우, 캐리어를 구비한 구리박은, 캐리어와, 이 캐리어 상에 마련된 박리층과, 이 박리층 상에 처리 표면(10a)을 외측으로 하여 마련된 표면 처리 구리박(10)을 구비하여 이루어지는 것이 전형적이다. 단, 캐리어를 구비한 구리박은, 표면 처리 구리박(10)을 사용하는 것 이외에는, 공지의 층 구성이 채용 가능하다.

표면 처리 구리박(10)의 처리 표면(10a)은, 산술 평균 파형 Wa가 0.20㎛ 이상 0.35㎛ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.25㎛ 이상 0.32㎛ 이하이다. 또한, 표면 처리 구리박(10)의 처리 표면(10a)은, 최대 높이 Sz가 3.0㎛ 이상 4.0㎛ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3.1㎛ 이상 3.9㎛ 이하이다. 또한, 표면 처리 구리박(10)의 처리 표면(10a)은, 골부의 공극 용적 Vvv가 0.030㎛3/㎛² 이상 0.050㎛³/㎛² 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.035㎛³/㎛² 이상 0.045㎛³/㎛² 이하이다. 이러한 표면 파라미터를 갖는 처리 표면(10a)은 파형이 크며, 또한 혹(예를 들어 조화 입자)이 작은 형상이라고 할 수 있다. 이러한 처리 표면(10a)을 갖는 표면 처리 구리박(10)을 사용하여 절연 기재(20)에 요철 형상을 부여함으로써, 후술하는 특유의 표면 파라미터를 갖는 무전해 도금층(22)을 절연 기재(20)의 조화면(20a)에 형성하기 쉬워진다. 상기 표면 파라미터를 갖는 처리 표면(10a)은 구리박 표면에 공지 내지 원하는 조건에서 표면 처리(전형적으로는 조화 처리)를 실시함으로써 형성할 수 있다. 또한, 상기 여러 조건을 충족하는 처리 표면(10a)을 갖는 시판되고 있는 구리박을 선택적으로 입수해도 된다.

(a-2) 절연 기재로의 요철 형상의 전사

도 3의 (a-2)에 도시되는 바와 같이, 표면 처리 구리박(10)의 처리 표면(10a)에 절연 기재(20')(즉, 조화면(20a)이 형성되어 있지 않은 절연 기재(20))를 적층하여, 동장 적층판(12)으로 한다. 이와 같이 함으로써, 처리 표면(10a)의 표면 형상을 절연 기재(20')의 표면에 전사할 수 있다. 절연 기재(20')의 적층은 열프레스 가공을 수반하는 것이 바람직하고, 이 열프레스 가공의 가공 온도 및 가공 시간은, 적층하는 절연 기재(20')의 종류 등에 따라서, 공지의 조건에 기초하여 적절하게 결정할 수 있다. 절연 기재(20')의 바람직한 종류 등에 대해서는 절연 기재(20)에 관하여 상술한 바와 같다. 또한, 절연 기재(20')는 미리 표면 처리 구리박(10)의 처리 표면(10a)에 도포되는 프라이머층(도시하지 않음)을 통해 표면 처리 구리박(10)에 적층되어도 된다. 이 경우, 프라이머층은 절연 기재의 일부를 구성하는 것으로 간주한다. 프라이머층은 수지로 구성되는 것이 바람직하고, 이 수지는 절연성 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 소망에 따라, 다음 공정인 표면 처리 구리박(10)의 제거에 앞서, 동장 적층판(12)에 대해, 레이저 천공에 의해 비아 홀(도시하지 않음)을 형성해도 된다.

(a-3) 표면 처리 구리박의 제거

도 3의 (a-3)에 도시되는 바와 같이, 동장 적층판(12)의 표면 처리 구리박(10)을 에칭에 의해 제거하여, 조화면(20a)을 구비한 절연 기재(20)를 얻는다. 표면 처리 구리박(10)의 에칭은, 예를 들어 황산-과산화수소계의 에칭액 등을 사용하여 프린트 배선판의 제조에 일반적으로 사용되는 에칭 방법 및 조건에 따라서 행하면 되며, 특별히 한정되지 않는다.

(b) 무전해 도금층의 형성

도 1의 (b)에 도시되는 바와 같이, 절연 기재(20)의 조화면(20a)에 무전해 도금(예를 들어, 무전해 구리 도금)을 행하여, 두께 1.0㎛ 미만의 무전해 도금층(22)을 형성한다. 무전해 도금은, 시판되고 있는 무전해 도금액을 사용하여 프린트 배선판의 제조에 일반적으로 사용되는 방법 및 조건에 따라서 행하면 되며, 특별히 한정되지 않는다. 무전해 도금층(22) 표면은, 산술 평균 파형 Wa가 0.10㎛ 이상 0.25㎛ 이하이고, 또한 쿨토시스 Sku가 2.0 이상 3.5 이하이다. 이와 같이, 조화면(20a)을 구비한 절연 기재(20)에 무전해 도금을 실시하여, 상기 소정의 표면 파라미터를 갖는 두께 1.0㎛ 미만의 무전해 도금층(22)을 형성함으로써, 패턴 불량을 효과적으로 억제하고, 또한 미세 회로 형성성도 우수한, 프린트 배선판의 제조 방법을 제공할 수 있다.

상술한 바와 같이, 근년 SAP법에 요구되는 회로의 더한층의 미세화에 수반하여 우수한 에칭성을 실현하기 위해, 표면이 평활하며, 또한 작은 조화 입자를 구비한 구리박을 사용하여, 절연 기재에 조화 표면 프로파일을 부여하는 것을 생각할 수 있다. 또한, 조화 표면 프로파일이 부여된 절연 기재의 표면에, 무전해 도금을 얇게(예를 들어 1.0㎛ 미만) 실시할 수 있으면, 에칭양을 저감하여 회로의 더한층의 미세화를 도모할 수 있으므로 바람직하다. 그러나 SAP법에 있어서, 표면이 평활하며, 또한 작은 조화 입자를 구비한 구리박을 사용함과 함께, 무전해 도금을 얇게 실시하여 회로 형성을 시도하면, 형성된 회로에 쇼트나 볼록부가 발생한다고 하는 패턴 불량의 문제가 발생할 수 있는 것이 판명되었다. 이 패턴 불량이 발생하는 메커니즘은 반드시 확실한 것은 아니지만, 이하와 같은 것으로 추정된다.

즉, 표면 처리 구리박을 사용하여 절연 기재에 표면 형상을 전사한 경우, 절연 기재의 조화면은 표면 처리 구리박의 표면 프로파일이 대략 반영된 것이 된다. 그리고 이 절연 기재의 조화면에 대해 무전해 도금을 1.0㎛ 미만이라고 하는 얇기로 실시한 경우, 무전해 도금층의 표면 형상은 절연 기재의 조화면의 표면 형상이 대략 반영된 것이 된다. 이 때문에, 절연 기재에 표면 프로파일을 전사하기 위해 사용하는 구리박으로서, 표면이 평활하며, 또한 작은 조화 입자를 구비한 구리박(바꾸어 말하면 미세한 요철 형상을 갖는 구리박)을 사용하면, 무전해 도금층의 표면에는 충분한 요철 형상이 부여되기 어려워진다고 할 수 있다. 그런데 일반적인 프린트 배선판의 제조 공정에 있어서는, 소정의 패턴으로 회로를 형성하기 위해, 도 4의 (i) 내지 (iv)에 도시되는 바와 같이, 절연 기재(20) 상에 적층된 무전해 도금층(22) 표면에 포토레지스트(24)(예를 들어, 드라이 필름 레지스트(24a) 및 지지 필름(24b)을 포함함)를 더 적층하고, 노광 및 현상을 행하여, 레지스트 패턴(26)을 형성하는 것이 행해진다. 여기서, 도 4의 (i)에 도시되는 바와 같이, 포토레지스트(24)의 적층 시 내지 노광 시에 있어서, 포토레지스트(24)의 표면에 이물 F(예를 들어 포토레지스트 표면의 티끌 내지 흠집이나, 포토레지스트 적층 시의 에어 말려들어감 등을 포함함)가 부착 내지 혼입되는 일이 일어날 수 있다. 이 점에서, 충분한 요철 형상이 부여되어 있지 않은 무전해 도금층(22) 표면에 적층된 포토레지스트(24)에 노광을 행하면, 도 4의 (ii)에 도시되는 바와 같이, 적층체의 주면에 대해 수직 방향으로부터 들어간 노광 입사광 I가, 무전해 도금층(22)에서 그대로 반사되어, 노광 입사광 I와 180°반대 방향으로, 노광 반사광 R로서 나가게 된다. 이 때문에, 원래는 노광되어야 했던, 포토레지스트(24)(예를 들어 드라이 필름 레지스트(24a))의 이물 F 바로 아래의 부분이 미노광 상태 그대로이며(도 4의 (iii) 참조), 현상 후에 구멍 H가 형성되어 버린다(도 4의 (iv) 참조). 그 결과, 원래 회로가 형성되지 않아야 하는 개소에 전기 도금이 실시되고, 이 불필요한 전기 도금 부분이 상술한 회로의 쇼트나 볼록부의 원인이 되어, 패턴 불량의 문제가 발생한다고 생각된다.

본 발명자들은, 이러한 점에 착안하여, 무전해 도금층 표면과 이물에 기인하는 미노광부의 관계, 및 무전해 도금층 표면과 미세 회로 형성성의 관계에 대해 검토를 행하였다. 그 결과, 무전해 도금층의 표면에 있어서의, 산술 평균 파형 Wa가 0.10㎛ 이상 0.25㎛ 이하이고, 또한 쿨토시스 Sku가 2.0 이상 3.5 이하임으로써, 패턴 불량이 효과적으로 억제되며, 또한 미세한 회로를 양호하게 형성 가능한 것을 밝혀내어, 본 발명에 이르렀다. 이러한 패턴 불량의 억제와 우수한 미세 회로 형성성은 이하와 같이 하여 실현되는 것이라고 생각된다. 즉, 무전해 도금층(22) 표면에 있어서의 산술 평균 파형 Wa를 0.10㎛ 이상으로 함으로써, 무전해 도금층(22) 표면이 충분한 요철 형상을 갖는 것이 된다(도 5의 (i) 참조). 이 때문에, 노광 시에 있어서, 적층체의 주면에 대해 수직 방향으로부터 들어간 노광 입사광 I가, 무전해 도금층(22) 표면에 도달할 때, 무전해 도금층(22) 표면의 파형에 기인하여 난반사하게 된다(도 5의 (ii) 참조). 또한, 노광 입사광 I가 무전해 도금층(22) 표면의 요철의 골부의 깊숙이 침입하면 강한 광이 리턴되기 어려워지는데, 무전해 도금층(22) 표면에 있어서의 쿨토시스 Sku를 3.5 이하로 함으로써, 무전해 도금층(22) 표면의 요철의 골부의 뾰족함이 억제된다. 이 때문에, 노광 입사광 I가 무전해 도금층(22) 표면의 골부가 얕은 부분에서 난반사할 수 있어, 노광 반사광 R의 광 강도가 강하게 유지된다. 바꾸어 말하면, 상기 파라미터를 갖는 무전해 도금층(22)은 파형이 크며, 또한 골부가 얕은(큰 구멍이 없는) 표면을 가지므로, 노광 입사광 I를 강한 광 강도 그대로 난반사시킬 수 있다고도 할 수 있다. 그 결과, 노광 반사광 R이, 포토레지스트(24)(예를 들어 드라이 필름 레지스트(24a))의 이물 F 바로 아래의 부분을 효과적으로 노광할 수 있다. 이와 같이 하여, 이물 F에 기인하는 포토레지스트(24)의 미노광부의 형성이 효과적으로 방지되며(도 5의 (iii) 참조), 현상에 의한 불필요한 구멍 H의 형성이 억제된다(도 5의 (iv) 참조). 이와 같이 하여, 회로에 쇼트나 볼록부가 발생한다고 하는 패턴 불량의 문제가 발생하기 어려워지는 것이라고 생각된다. 한편, 무전해 도금층(22) 표면이 거친 요철 형상을 갖는 경우, 무전해 도금층(22)에 대한 에칭성이 저하되기 쉬워진다고 할 수 있다. 이 점에서, 무전해 도금층(22)의 두께를 1.0㎛ 미만으로 얇게 형성함과 함께, 무전해 도금층(22) 표면의 산술 평균 파형 Wa를 0.25㎛ 이하로 하며, 또한 쿨토시스 Sku를 2.0㎛ 이상으로 함으로써 무전해 도금층(22)에 대한 양호한 에칭성을 확보할 수 있고, 미세 회로 형성성도 향상시킬 수 있는 것이라고 생각된다.

상기 관점에서, 무전해 도금층(22)의 표면은, 산술 평균 파형 Wa가 0.10㎛ 이상 0.25㎛ 이하이고, 바람직하게는 0.20㎛ 이상 0.25㎛ 이하이다. 또한, 무전해 도금층(22)의 표면은, 쿨토시스 Sku가 2.0 이상 3.5 이하이고, 바람직하게는 3.0 이상 3.5 이하이다.

무전해 도금층(22)의 표면은, 골부의 공극 용적 Vvv가 0.010㎛³/㎛² 이상 0.028㎛³/㎛² 이하인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 0.017㎛³/㎛² 이상 0.025㎛³/㎛² 이하이다. 이와 같이 함으로써, 무전해 도금층(22) 표면의 골부가 얕아져, 결과적으로 한층 더 노광 입사광 I의 난반사를 일으키기 쉬우며, 또한 한층 더 노광 반사광 R의 광 강도를 강한 상태로 유지할 수 있는 것이 된다.

상기 특유의 표면 파라미터를 갖는 무전해 도금층(22)은, 절연 기재(20)의 조화면(20a) 상에 무전해 도금을 1.0㎛ 미만이라고 하는 얇기로 실시함으로써 형성할 수 있다. 상술한 바와 같이, 무전해 도금층(22)의 표면 형상은, 절연 기재(20)의 조화면(20a)의 표면 형상이 대략 반영된 것이라고 할 수 있다. 그리고 이 조화면(20a)은, 예를 들어 상기 (a)에서 설명한 표면 파라미터를 갖는 표면 처리 구리박(10)의 표면 형상을 절연 기재(20)에 전사함으로써 바람직하게 형성할 수 있다.

무전해 도금층(22)의 두께는 1.0㎛ 미만이고, 바람직하게는 0.3㎛ 이상 1.0㎛ 미만이다. 이러한 두께이면, 배선 패턴 형성 시의 에칭양을 적게 하는 것이 가능해, 미세한 회로를 형성하는 데 매우 적합한 것이 된다.

(c) 포토레지스트의 적층

도 1의 (c)에 도시되는 바와 같이, 무전해 도금층(22)의 표면에 포토레지스트(24)를 적층한다. 포토레지스트(24)를 적층할 때의 라미네이트 속도는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 전형적으로는 1.0m/분 이상 2.0m/분 이하이다. 포토레지스트(24)는 프린트 배선판의 제조에 일반적으로 사용되는 공지의 재료를 사용 가능하다. 포토레지스트(24)는 네가티브형 및 포지티브형 중 어느 것이어도 되고, 필름 타입 및 액상 타입 중 어느 것이어도 된다. 바람직하게는, 포토레지스트(24)가 드라이 필름 레지스트(24a)를 포함한다. 또한, 포토레지스트(24)는 감광성 필름인 것이 바람직하며, 예를 들어 감광성 드라이 필름이다. 도 1의 (c)에 도시되는 바와 같이, 포토레지스트(24)는 감광층으로서의 드라이 필름 레지스트(24a) 상에 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 등의 지지 필름(24b)이 더 적층된 것이어도 된다. 포토레지스트(24) 내지 드라이 필름 레지스트(24a)의 두께는 2㎛ 이상 35㎛ 이하인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 5㎛ 이상 24㎛ 이하이다.

(d) 레지스트 패턴의 형성

도 2의 (d)에 도시되는 바와 같이, 포토레지스트(24)에 노광 및 현상을 행함으로써 레지스트 패턴(26)을 형성한다. 노광 및 현상은, 프린트 배선판의 제조에 일반적으로 사용되는 공지의 방법 및 조건에 따라서 행하면 되며, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 노광 방법으로서, 네가티브 또는 포지티브용 마스크 패턴을 사용하는 마스크 노광법 외에, Laser Direct Imaging(LDI) 노광법이나 Digital Light Processing(DLP) 노광법이라고 하는 직접 묘화 노광법 등을 채용할 수 있다. 노광 시에 있어서의 노광량은 5mJ/㎠ 이상 150mJ/㎠ 이하인 것이 바람직하다. 한편, 현상 방법으로서는, 웨트 현상 및 드라이 현상 중 어느 것이어도 된다. 웨트 현상의 경우, 사용하는 현상액으로서는 탄산나트륨, 수산화나트륨, 아민계 수용액 등의 현상액이어도 된다. 또한, 포토레지스트(24)가 지지 필름(24b)을 포함하는 경우에는, 지지 필름(24b)을 제거한 후에 현상을 행하는 것이 바람직하다.

(e) 전기 도금층의 형성

레지스트 패턴(26)이 개재한 상태로 무전해 도금층(22)에 전기 도금(예를 들어 전기 구리 도금)을 실시한다. 이와 같이 함으로써, 도 2의 (e)에 도시되는 바와 같이, 레지스트 패턴(26) 사이에 전기 도금층(28)을 형성할 수 있다. 전기 도금은, 예를 들어 황산구리 도금액이나 피로인산구리 도금액 등의 프린트 배선판의 제조에 일반적으로 사용되는 각종 패턴 도금 방법 및 조건에 따라서 행하면 되며 특별히 한정되지 않는다.

(f) 레지스트 패턴의 박리

이 공정에서는, 레지스트 패턴(26)을 박리한다. 그 결과, 도 2의 (f)에 도시되는 바와 같이, 전기 도금층(28)이 배선 패턴상으로 남아, 무전해 도금층(22)의 배선 패턴을 형성하지 않는 불필요 부분이 노출되게 된다. 레지스트 패턴(26)의 박리는, 수산화나트륨 수용액이나, 아민계 용액 내지 그 수용액 등이 채용되어 프린트 배선판의 일반적으로 사용되는 각종 박리 방법 및 조건에 따라서 행하면 되며, 특별히 한정되지 않는다.

(g) 배선 패턴의 형성

레지스트 패턴(26)의 박리에 의해 노출된 무전해 도금층(22)의 불필요 부분(즉, 배선 패턴을 형성하지 않는 부분)을 에칭에 의해 제거하여, 배선 패턴(30)을 형성한다. 무전해 도금층(22)의 불필요 부분의 에칭은, 예를 들어 황산-과산화수소계의 에칭액 등을 사용하여 프린트 배선판의 제조에 일반적으로 사용되는 에칭 방법 및 조건에 따라서 행하면 되며, 특별히 한정되지 않는다. 배선 패턴(30)의 두께(즉, 회로 높이)는 2㎛ 이상 30㎛ 이하가 바람직하다. 배선 패턴(30)의 배선 피치는 10㎛(예를 들어 라인/스페이스＝5㎛/5㎛)로부터 20㎛(예를 들어 라인/스페이스＝10㎛/10㎛)까지의 범위 내인 것이 바람직하다. 전술한 소정의 표면 파라미터를 갖는 두께 1.0㎛ 미만의 무전해 도금층(22) 상에 회로 형성을 행함으로써, 이와 같이 고도로 미세화된 배선 패턴을 형성하는 것이 가능해진다. 또한, 상기 범위 내의 배선 피치의 배선 패턴은, 쇼트나 볼록부의 발생이라고 하는 패턴 불량의 문제가 발생하기 쉽다고 할 수 있지만, 전술한 바와 같이 본 발명의 방법에 의하면 이러한 문제를 효과적으로 해소할 수 있다.

필요에 따라서, 배선 패턴(30) 상에, 절연층 및 제n 배선 패턴(n은 2 이상의 정수)을 교대로 형성하여 다층 배선판으로 해도 된다. 다층 배선판을 구성하는 각 배선 패턴은, 배선 패턴(30)을 제1 배선 패턴으로 하고, 차례로 제2 배선 패턴, 제3 배선 패턴, ···, 제n 배선 패턴이라고 칭해질 수 있다. 제1 배선 패턴, 제n 배선 패턴 및 절연층으로 구성되는 축차 적층 구조는 빌드 업층 내지 빌드 업 배선층이라고 일반적으로 칭해진다. 제2 배선 패턴 이후의 빌드 업층의 형성 방법에 대한 공법은 특별히 한정되지 않으며, 상술한 SAP법 외에, 모디파이드 세미 애디티브법(MSAP법), 풀 애디티브법, 서브트랙티브법 등을 사용 가능하다. 또한, 빌드 업층의 최표면에 있어서의 배선 패턴 상에, 필요에 따라서 솔더 레지스트나, 필러 등의 실장용의 범프 등을 형성해도 된다. 어느 쪽이든 일반적으로 프린트 배선판에 있어서 채용되는 공지의 공법을 적절하게 추가적으로 행할 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다.

실시예

본 발명을 이하의 예에 의해 더욱 구체적으로 설명한다.

예 1 내지 6

표면 처리 구리박을 6종류 준비하고, 이 표면 처리 구리박을 사용하여 절연 기재에 표면 형상을 전사하였다. 얻어진 절연 기재의 조화면에 무전해 도금을 실시하여 평가용 적층체를 제작하고, 각종 평가를 행하였다. 구체적으로는, 이하와 같다.

(1) 표면 처리 구리박의 준비

표 1에 나타나는 각 파라미터를 갖는 처리 표면(10a)을 적어도 한쪽 면에 구비한 표면 처리 구리박(10)을 6종류 준비하였다. 이들 표면 처리 구리박(10) 중 몇 개는 시판품이고, 그 외는 공지의 방법에 기초하여 별도로 제작한 것이다. 준비한 표면 처리 구리박(10)의 처리 표면(10a)에 있어서의 각 파라미터의 측정 내지 산출 방법은 이하와 같다.

(산술 평균 파형 Wa)

레이저 현미경(가부시키가이샤 키엔스 제조, VK-X200)을 사용하여, 150배의 대물 렌즈를 사용하고, 배율 3000배, 기울기 보정 있음, 광학 보정 있음, 컷오프 없음, 평가 길이 64.124㎛의 조건에서, JIS B0601-2001에 준거하여 구리박 표면의 산술 평균 파형 Wa를 측정하였다.

(최대 높이 Sz 및 골부의 공극 용적 Vvv)

레이저 현미경(가부시키가이샤 키엔스 제조, VK-X200)을 사용하여, 150배의 대물 렌즈를 사용하고, 배율 3000배, 파형 제거 있음(강도 5), 광학 보정 없음, S 필터(0.25㎛) 및 L 필터(0.025㎜)에 의한 컷오프 있음, 평가 영역 6811.801㎛²의 조건에서, ISO 25178에 준거하여 구리박 표면의 최대 높이 Sz 및 골부의 공극 용적 Vvv를 측정하였다.

(2) 평가용 적층체의 제작

프리프레그(미쓰비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 제조, GHPL-830NSF, 두께 100㎛)를 2매 적층한 후, 도 3에 도시되는 바와 같이, 이 절연 기재(20')에 상기 (1)에서 준비한 표면 처리 구리박(10)을, 처리 표면(10a)이 맞닿도록 적층하고, 프레스 온도 220℃, 프레스 시간 90분, 프레스 압력 40㎏f/㎠의 조건에서 프레스를 행하여, 동장 적층판(12)을 얻었다. 이 동장 적층판(12)의 표면 처리 구리박(10)을 황산-과산화수소계 에칭액으로 모두 제거하고, 처리 표면(10a)의 표면 형상이 전사된 조화면(20a)을 갖는 절연 기재(20)를 얻었다. 이 절연 기재(20)에 대해, 무전해 구리 도금액(우에무라 고교 가부시키가이샤 제조, 스루컵 PEA)을 사용하여 무전해 구리 도금을 행하고, 조화면(20a)측에 두께 0.7㎛의 무전해 도금층(22)을 형성하였다. 이와 같이 하여, SAP법에 있어서 포토레지스트가 적층되기 직전의 적층체(이하, 평가용 적층체라고 함)를 얻었다.

(3) 평가용 적층체의 표면 프로파일 측정

상기 얻어진 평가용 적층체의 무전해 도금층(22)측 표면에 있어서의, 각 파라미터의 측정을 이하와 같이 행하였다. 결과는 표 1에 나타나는 바와 같았다.

(산술 평균 파형 Wa)

레이저 현미경(가부시키가이샤 키엔스 제조, VK-X200)을 사용하여, 150배의 대물 렌즈를 사용하고, 배율 3000배, 기울기 보정 있음, DCL/BCL에 의한 노이즈 제거 있음, 컷오프 없음, 평가 길이 64.124㎛의 조건에서, JIS B0601-2001에 준거하여 평가용 적층체의 무전해 도금층(22)측 표면의 산술 평균 파형 Wa를 측정하였다.

(쿨토시스 Sku 및 골부의 공극 용적 Vvv)

레이저 현미경(가부시키가이샤 키엔스 제조, VK-X200)을 사용하여, 150배의 대물 렌즈를 사용하고, 배율 3000배, 파형 제거 있음(강도 5), DCL/BCL에 의한 노이즈 제거 없음, S 필터(0.25㎛) 및 L 필터(0.025㎜)에 의한 컷오프 있음, 평가 영역 6811.801㎛²의 조건에서, ISO 25178에 준거하여 평가용 적층체의 무전해 도금층(22)측 표면의 쿨토시스 Sku 및 골부의 공극 용적 Vvv를 측정하였다.

(4) 평가용 적층체의 평가

상기 얻어진 평가용 적층체에 대해, 각종 특성의 평가를 이하와 같이 행하였다.

<티끌 검출수>

티끌 검출수의 평가를 다음과 같이 하여 행하였다. 먼저, 상기 얻어진 평가용 적층체의 무전해 도금층(22)측 표면에 두께 19㎛의 네가티브형 포토레지스트(24)(히타치 가세이 가부시키가이샤 제조, RY-5319)를 1.5m/분의 라미네이트 속도로 적층하고, 그 후, 도 6의 (i)에 도시되는 바와 같이, 포토레지스트(24)의 표면에 유리 마스크(25)를 적층하였다. 또한, 유리 마스크(25)에는, 100㎛×100㎛로 구획되는 각 영역의 중심부에, 티끌 등의 이물을 상정한 원 형상의 차광부 B(직경 6㎛, 7㎛, 8㎛ 또는 9㎛, 각 200개)가 마련되어 있다. 이 때문에, 유리 마스크(25)의 차광부 B가 마련되어 있지 않은 부분은 광이 투과하는 한편, 유리 마스크(25)의 차광부 B가 마련된 부분은 광이 투과하지 않는 것으로 되어 있다. 유리 마스크(25) 적층 후의 평가용 적층체에 대해, 노광(70mJ/㎠) 및 현상을 행하여, 레지스트 패턴(26)을 형성하였다. 현상 후의 평가용 적층체의 레지스트 패턴(26)측의 표면을 배율 50배의 조건에서 디지털 마이크로스코프(올림푸스 가부시키가이샤 제조, DSX510)로 관찰하고, 도 6의 (ii)에 도시되는 바와 같이, 레지스트 패턴(26)에 형성된 구멍 H의 개수를 카운트하여, 티끌 검출수로 하였다. 결과는, 표 1에 나타나는 바와 같았다. 또한, 티끌 검출수가 많을(즉, 해상성이 좋을)수록, 원래 회로가 형성되지 않아야 하는 개소에 불필요한 전기 도금이 실시될 우려가 높아, 패턴 불량이 발생하기 쉽다고 할 수 있다.

<회로 형성성>

회로 형성성의 평가를 다음과 같이 하여 행하였다. 도 1에 도시되는 바와 같이, 상기 얻어진 평가용 적층체의 무전해 도금층(22)측 표면에 두께 15㎛의 네가티브형 포토레지스트(24)(아사히 가세이 가부시키가이샤 제조, UFG-155)를 1.5m/분의 라미네이트 속도로 적층하고, 그 후, 목적으로 하는 회로 폭이 7㎛가 되도록, 포토레지스트(24) 상에 라인/스페이스(L/S)＝9㎛/6㎛의 마스크를 적층하였다. 도 2에 도시되는 바와 같이, 마스크 적층 후의 평가용 적층체에 대해 노광(70mJ/㎠) 및 현상을 행하여, 레지스트 패턴(26)을 형성하였다. 레지스트 패턴(26) 형성 후의 평가용 적층체에 대해, 공지의 조건에서 전기 구리 도금을 행하여, 레지스트 패턴(26) 사이에 전기 도금층(28)을 형성하였다. 전기 도금층(28) 형성 후의 평가용 적층체에 대해 레지스트 패턴(26)의 박리를 행하고, 그것에 의해 노출된 무전해 도금층(22)의 불필요 부분을 황산-과산화수소계 에칭액을 사용한 에칭에 의해 제거하여, 회로 높이 11㎛의 배선 패턴(30)을 형성하였다. 이때의 에칭양은, 미리 무전해 도금층(22)의 에칭 속도를 측정해 두고, 이른바 저스트 에칭(0.7㎛ 상당)보다 0.3㎛ 상당을 더 에칭하는, 이른바 오버 에칭의 조건에서 행하였다. 이와 같이 하여 얻어진 배선 패턴(30)의 회로 폭을, 배율 5000배의 조건에서 SEM으로 관찰하였다. 이 회로 폭은, SEM의 1시야 내에 있어서의 배선 패턴(30)의 회로 톱 폭을 1㎛ 간격으로 10점 측장하고, 그것들의 평균값을 산출함으로써 결정하였다. 얻어진 회로 폭을 이하의 기준에 따라서 평가하였다. 결과는, 표 1에 나타나는 바와 같았다.

- 평가 A: 6.6㎛ 이상

- 평가 B: 5.6㎛ 이상 6.6㎛ 미만

- 평가 C: 4.6㎛ 이상 5.6㎛ 미만

- 평가 D: 4.6㎛ 미만

Claims

프린트 배선판의 제조 방법이며,
(a) 조화면을 구비한 절연 기재를 준비하는 공정과,
(b) 상기 절연 기재의 조화면에 무전해 도금을 행하여, JIS B0601-2001에 준거하여 측정되는 산술 평균 파형 Wa가 0.10㎛ 이상 0.25㎛ 이하이며, 또한 ISO 25178에 준거하여 측정되는 쿨토시스 Sku가 2.0 이상 3.5 이하인 표면을 갖는, 두께 1.0㎛ 미만의 무전해 도금층을 형성하는 공정과,
(c) 상기 무전해 도금층의 표면에 포토레지스트를 적층하는 공정과,
(d) 상기 포토레지스트에 노광 및 현상을 행하여, 레지스트 패턴을 형성하는 공정과,
(e) 상기 레지스트 패턴이 개재한 상태로 상기 무전해 도금층에 전기 도금을 실시하는 공정과,
(f) 상기 레지스트 패턴을 박리하는 공정과,
(g) 상기 레지스트 패턴의 박리에 의해 노출된 상기 무전해 도금층의 불필요 부분을 에칭에 의해 제거하여, 배선 패턴을 형성하는 공정을
포함하는, 방법.
제1항에 있어서,
상기 공정 (a)가,
(a-1) JIS B0601-2001에 준거하여 측정되는 산술 평균 파형 Wa가 0.20㎛ 이상 0.35㎛ 이하이며, 또한 ISO 25178에 준거하여 측정되는 최대 높이 Sz가 3.0㎛ 이상 4.0㎛ 이하인 처리 표면을 갖는, 표면 처리 구리박을 준비하고,
(a-2) 상기 표면 처리 구리박의 상기 처리 표면에 절연 기재를 적층하여, 상기 처리 표면의 표면 형상을 상기 절연 기재의 표면에 전사한 후,
(a-3) 에칭에 의해 상기 표면 처리 구리박을 제거하여, 상기 조화면을 구비한 절연 기재를 얻는 것을
포함하는, 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 무전해 도금층의 표면에 있어서의, 상기 산술 평균 파형 Wa가 0.20㎛ 이상 0.25㎛ 이하인, 방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 무전해 도금층의 표면에 있어서의, 상기 쿨토시스 Sku가 3.0 이상 3.5 이하인, 방법.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 무전해 도금층의 두께가 0.3㎛ 이상 1.0㎛ 미만인, 방법.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 포토레지스트가 드라이 필름 레지스트를 포함하는, 방법.
제6항에 있어서,
상기 드라이 필름 레지스트의 두께가 2㎛ 이상 35㎛ 이하인, 방법.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 배선 패턴의 두께가 2㎛ 이상 30㎛ 이하인, 방법.