KR20210109549A - 발광 디바이스, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 - Google Patents
발광 디바이스, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20210109549A KR20210109549A KR1020217020930A KR20217020930A KR20210109549A KR 20210109549 A KR20210109549 A KR 20210109549A KR 1020217020930 A KR1020217020930 A KR 1020217020930A KR 20217020930 A KR20217020930 A KR 20217020930A KR 20210109549 A KR20210109549 A KR 20210109549A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- layer
- organic compound
- emitting device
- skeleton
- Prior art date
Links
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 317
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 claims abstract description 65
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 306
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 89
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 73
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 57
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 56
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 56
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 53
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 41
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 claims description 34
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 24
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 17
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 claims description 15
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 claims description 13
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N dibenzothiophene Chemical group C1=CC=CC=2[34S]C3=C(C=21)C=CC=C3 IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N 0.000 claims description 7
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 567
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 80
- 239000010408 film Substances 0.000 description 73
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 65
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 52
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 52
- 230000006870 function Effects 0.000 description 50
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 49
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 49
- 235000019557 luminance Nutrition 0.000 description 46
- -1 9-fluorenyl group Chemical group 0.000 description 42
- VOZBMWWMIQGZGM-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(9,10-dinaphthalen-2-ylanthracen-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC=C(C=2C=C3C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C3=CC=2)C=C1 VOZBMWWMIQGZGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 34
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 30
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 29
- MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N iridium(3+) Chemical compound [Ir+3] MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 26
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 23
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 22
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 22
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 19
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 19
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 19
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 17
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 17
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 17
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 17
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 17
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 16
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 15
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 14
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 14
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 14
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 13
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 13
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 13
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 11
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 11
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 11
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 11
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 10
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 9
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 8
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 8
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 8
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 7
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N benzonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1 JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 7
- 238000005011 time of flight secondary ion mass spectroscopy Methods 0.000 description 7
- 238000002042 time-of-flight secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910008449 SnF 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 6
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 6
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 6
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 6
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 6
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 5
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 description 5
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 5
- IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 1-benzofuran Chemical compound C1=CC=C2OC=CC2=C1 IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 4
- AZFHXIBNMPIGOD-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxypent-3-en-2-one iridium Chemical compound [Ir].CC(O)=CC(C)=O.CC(O)=CC(C)=O.CC(O)=CC(C)=O AZFHXIBNMPIGOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BHHMPZQRVWVAAR-UHFFFAOYSA-N 7-bromo-8-methylpyrido[2,3-b]pyrazine Chemical compound C1=CN=C2C(C)=C(Br)C=NC2=N1 BHHMPZQRVWVAAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002430 Fibre-reinforced plastic Polymers 0.000 description 4
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 4
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 4
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 4
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 4
- 125000006268 biphenyl-3-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C1=C([H])C(*)=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 description 4
- 125000000000 cycloalkoxy group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000004431 deuterium atom Chemical group 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 239000011151 fibre-reinforced plastic Substances 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-O hydron;quinoline Chemical compound [NH+]1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 4
- 238000001566 impedance spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 4
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 4
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 4
- SMAJQIMJGFHCCR-UHFFFAOYSA-N 4-[3,5-di(dibenzothiophen-4-yl)phenyl]dibenzothiophene Chemical compound C12=CC=CC=C2SC2=C1C=CC=C2C1=CC(C=2C=3SC4=CC=CC=C4C=3C=CC=2)=CC(C2=C3SC=4C(C3=CC=C2)=CC=CC=4)=C1 SMAJQIMJGFHCCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical group C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IFFZVKXEHGJBIA-UHFFFAOYSA-N 9-naphthalen-1-yl-10-(4-naphthalen-2-ylphenyl)anthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC=C(C=C2)C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 IFFZVKXEHGJBIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical class CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N dibenzothiophene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N dimethylmethane Natural products CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical group C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 3
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 3
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 3
- 125000006239 protecting group Chemical group 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000001894 space-charge-limited current method Methods 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003981 vehicle Substances 0.000 description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 3
- CYPYTURSJDMMMP-WVCUSYJESA-N (1e,4e)-1,5-diphenylpenta-1,4-dien-3-one;palladium Chemical compound [Pd].[Pd].C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 CYPYTURSJDMMMP-WVCUSYJESA-N 0.000 description 2
- ZABORCXHTNWZRV-UHFFFAOYSA-N 10-[4-(4,6-diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)phenyl]phenoxazine Chemical compound O1C2=CC=CC=C2N(C2=CC=C(C=C2)C2=NC(=NC(=N2)C2=CC=CC=C2)C2=CC=CC=C2)C2=C1C=CC=C2 ZABORCXHTNWZRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-5-[3-[5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]phenyl]-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=C(C=CC=2)C=2OC(=NN=2)C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)O1 FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FTZXDZQJFKXEGW-UHFFFAOYSA-N 3-(9,9-dimethylacridin-10-yl)xanthen-9-one Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C)(C)C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3OC2=C1 FTZXDZQJFKXEGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CINYXYWQPZSTOT-UHFFFAOYSA-N 3-[3-[3,5-bis(3-pyridin-3-ylphenyl)phenyl]phenyl]pyridine Chemical compound C1=CN=CC(C=2C=C(C=CC=2)C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=NC=CC=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=NC=CC=2)=C1 CINYXYWQPZSTOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGEVROQFKHXUQA-UHFFFAOYSA-N 71012-25-4 Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C2=C1C1=CC=CC=C1N2 BGEVROQFKHXUQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RUGYQLVGFGAYKG-UHFFFAOYSA-N ClC1=CN=C(C(=N1)N)C1=C(C=CC2=CC=CC=C12)OC Chemical compound ClC1=CN=C(C(=N1)N)C1=C(C=CC2=CC=CC=C12)OC RUGYQLVGFGAYKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 150000001341 alkaline earth metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- YNHIGQDRGKUECZ-UHFFFAOYSA-L bis(triphenylphosphine)palladium(ii) dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Pd+2].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 YNHIGQDRGKUECZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 2
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- 125000005331 diazinyl group Chemical group N1=NC(=CC=C1)* 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N erbium(iii) oxide Chemical compound O=[Er]O[Er]=O VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 2
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- 125000001484 phenothiazinyl group Chemical group C1(=CC=CC=2SC3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 2
- 125000001644 phenoxazinyl group Chemical group C1(=CC=CC=2OC3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 2
- 238000001296 phosphorescence spectrum Methods 0.000 description 2
- SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-M picolinate Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=N1 SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 150000003216 pyrazines Chemical class 0.000 description 2
- OWJJRQSAIMYXQJ-UHFFFAOYSA-N pyrene-1,6-diamine Chemical compound C1=C2C(N)=CC=C(C=C3)C2=C2C3=C(N)C=CC2=C1 OWJJRQSAIMYXQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 150000002909 rare earth metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 2
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 2
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KBLZDCFTQSIIOH-UHFFFAOYSA-M tetrabutylazanium;perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC KBLZDCFTQSIIOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K tripotassium phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- BWHDROKFUHTORW-UHFFFAOYSA-N tritert-butylphosphane Chemical compound CC(C)(C)P(C(C)(C)C)C(C)(C)C BWHDROKFUHTORW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 2
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- NHVWTZOWDLOBBS-UHFFFAOYSA-N (2-methoxynaphthalen-1-yl)boronic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(B(O)O)C(OC)=CC=C21 NHVWTZOWDLOBBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006736 (C6-C20) aryl group Chemical group 0.000 description 1
- IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C\C(O)=C\C(C)=O.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N 0.000 description 1
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- XGCDBGRZEKYHNV-UHFFFAOYSA-N 1,1-bis(diphenylphosphino)methane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)CP(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 XGCDBGRZEKYHNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPWZWQGQRNPKTE-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trimethylidenecyclopropane Chemical class C=C1C(=C)C1=C UPWZWQGQRNPKTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCQFHFNWMCLWKC-UHFFFAOYSA-N 1-n,4-n,4-n-triphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C=1C=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 OCQFHFNWMCLWKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=NC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYPVTICNYNXTQP-UHFFFAOYSA-N 10-[4-[4-(9,9-dimethylacridin-10-yl)phenyl]sulfonylphenyl]-9,9-dimethylacridine Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C)(C)C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(S(=O)(=O)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C(C)(C)C3=CC=CC=C32)C=C1 CYPVTICNYNXTQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ASXSTQHYXCIZRV-UHFFFAOYSA-N 10-phenylspiro[acridine-9,10'-anthracene]-9'-one Chemical compound C12=CC=CC=C2C(=O)C2=CC=CC=C2C1(C1=CC=CC=C11)C2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 ASXSTQHYXCIZRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 10H-phenothiazine Chemical group C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3SC2=C1 WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYKQKWIPLZEVOW-UHFFFAOYSA-N 11h-benzo[a]carbazole Chemical group C1=CC2=CC=CC=C2C2=C1C1=CC=CC=C1N2 MYKQKWIPLZEVOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 1H-1,2,3-Triazole Chemical group C=1C=NNN=1 QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQYLCTWBSBBHPN-UHFFFAOYSA-N 2,3-bis[4-(10-phenylanthracen-9-yl)phenyl]-6-pyridin-2-ylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=2C(=NC(=CC=2)C=2N=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)C=C1 HQYLCTWBSBBHPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11-tetratert-butylperylene Chemical group CC(C)(C)C1=CC(C2=CC(C(C)(C)C)=CC=3C2=C2C=C(C=3)C(C)(C)C)=C3C2=CC(C(C)(C)C)=CC3=C1 BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNSRBJWFPJMRFB-UHFFFAOYSA-N 2,8-diphenyl-4-[4-(9-phenylfluoren-9-yl)phenyl]dibenzothiophene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(SC=2C3=CC(=CC=2C=2C=CC(=CC=2)C2(C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C42)C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C3=C1 CNSRBJWFPJMRFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFQFDAGQJUVDKP-UHFFFAOYSA-N 2,8-ditert-butyl-5,11-bis(4-tert-butylphenyl)-6,12-diphenyltetracene Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC(=CC=C2C(C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)=C11)C(C)(C)C)=C(C=CC(=C2)C(C)(C)C)C2=C1C1=CC=CC=C1 WFQFDAGQJUVDKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 2-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenol zinc Chemical compound [Zn].Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1.Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1 UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YDNOJUAQBFXZCR-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)acetonitrile Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(CC#N)C(F)=C1F YDNOJUAQBFXZCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJLCPQHEVZERAU-UHFFFAOYSA-N 2-(3-dibenzothiophen-4-ylphenyl)-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC=CC(C=2C=3SC4=CC=CC=C4C=3C=CC=2)=C1 GJLCPQHEVZERAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLXZUMSHKWCWPG-UHFFFAOYSA-N 2-[7-(dicyanomethylidene)-1,3,4,5,6,8,9,10-octafluoropyren-2-ylidene]propanedinitrile Chemical compound N#CC(C#N)=C1C(F)=C2C(F)=C(F)C3=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(C(F)=C4F)C3=C2C4=C1F LLXZUMSHKWCWPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004974 2-butenyl group Chemical group C(C=CC)* 0.000 description 1
- BWLBGMIXKSTLSX-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyisobutyric acid Chemical compound CC(C)(O)C(O)=O BWLBGMIXKSTLSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-O 2-phenylpyridin-1-ium Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=[NH+]1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKAQNAJLIITRHR-UHFFFAOYSA-N 3-(3-dibenzothiophen-4-ylphenyl)phenanthro[9,10-b]pyrazine Chemical compound C1=CC=C2C3=NC(C=4C=CC=C(C=4)C4=C5SC=6C(C5=CC=C4)=CC=CC=6)=CN=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 MKAQNAJLIITRHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAJDLGKOJABKAN-UHFFFAOYSA-N 3-(4-naphthalen-1-ylphenyl)-9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=C(C=3C=CC(=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)C=C2C2=CC=CC=C21 WAJDLGKOJABKAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PUMOFXXLEABBTC-UHFFFAOYSA-N 3-(9h-carbazol-3-yl)-9h-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC(C4=CC=C5NC=6C(C5=C4)=CC=CC=6)=CC=C3NC2=C1 PUMOFXXLEABBTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLDZJTIZVZFNCM-UHFFFAOYSA-J 3-[18-(2-carboxyethyl)-8,13-diethyl-3,7,12,17-tetramethylporphyrin-21,24-diid-2-yl]propanoic acid;dichlorotin(2+) Chemical compound [H+].[H+].[Cl-].[Cl-].[Sn+4].[N-]1C(C=C2C(=C(C)C(=CC=3C(=C(C)C(=C4)N=3)CC)[N-]2)CCC([O-])=O)=C(CCC([O-])=O)C(C)=C1C=C1C(C)=C(CC)C4=N1 LLDZJTIZVZFNCM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- PCUTZMWETFJZDZ-UHFFFAOYSA-N 3-[3-(3-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]phenanthro[9,10-b]pyrazine Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(C=2C=CC=C(C=2)C=2N=C3C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C4C3=NC=2)=CC=C1 PCUTZMWETFJZDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVSJCRDHNCCXFC-UHFFFAOYSA-N 3-[9-[4-(4,6-diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)phenyl]carbazol-3-yl]-9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=NC(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=C(C=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=C3C4=CC=CC=C4N(C=4C=CC=CC=4)C3=CC=2)=N1 QVSJCRDHNCCXFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOLCKGGORFPPJC-UHFFFAOYSA-N 3-bromo-6-chloropyrazin-2-amine Chemical compound NC1=NC(Cl)=CN=C1Br BOLCKGGORFPPJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGVHCUNJUVMAKG-UHFFFAOYSA-N 4,6-bis(3-phenanthren-9-ylphenyl)pyrimidine Chemical compound C1=CC=C2C(C=3C=CC=C(C=3)C=3C=C(N=CN=3)C=3C=CC=C(C=3)C=3C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C4C=3)=CC3=CC=CC=C3C2=C1 DGVHCUNJUVMAKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- WCLJYPCISBEIQN-UHFFFAOYSA-N 4-(3-dibenzothiophen-4-ylphenyl)-8-(4-phenylphenyl)-[1]benzofuro[3,2-d]pyrimidine Chemical compound C1(=CC=C(C=C1)C=1C=CC2=C(C=1)C=1N=CN=C(C=1O2)C1=CC(=CC=C1)C1=CC=CC2=C1SC1=C2C=CC=C1)C1=CC=CC=C1 WCLJYPCISBEIQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(4-(dimethylamino)styryl)-4H-pyran Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C=CC1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4h-pyran Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(CCCN2CCC3)=C2C3=C1 ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- HGHBHXZNXIDZIZ-UHFFFAOYSA-N 4-n-(9,10-diphenylanthracen-2-yl)-1-n,1-n,4-n-triphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=CC=C1 HGHBHXZNXIDZIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJVFZXJHZBXCJC-UHFFFAOYSA-N 4-n-[4-(9,10-diphenylanthracen-2-yl)phenyl]-1-n,1-n,4-n-triphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)C=1C=C2C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=CC=C1 IJVFZXJHZBXCJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLNDKWAYVMOOFU-UHFFFAOYSA-N 4-n-[9,10-bis(2-phenylphenyl)anthracen-2-yl]-1-n,1-n,4-n-triphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C(C=3C(=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C(=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLNDKWAYVMOOFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OPYUBDQDQKABTN-UHFFFAOYSA-N 4-phenyl-6-[4-(9-phenylfluoren-9-yl)phenyl]dibenzothiophene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=C1SC1=C(C=3C=CC(=CC=3)C3(C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C43)C=3C=CC=CC=3)C=CC=C12 OPYUBDQDQKABTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AEJARLYXNFRVLK-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,3-triazole Chemical group C1C=NN=N1 AEJARLYXNFRVLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIYZNTXHGDXHQH-UHFFFAOYSA-N 5,12-diphenyl-6,11-bis(4-phenylphenyl)tetracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C3=C(C=4C=CC=CC=4)C4=CC=CC=C4C(C=4C=CC=CC=4)=C3C(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)C=C1 KIYZNTXHGDXHQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYGSHIPXFUQBJO-UHFFFAOYSA-N 5-n,5-n,11-n,11-n-tetrakis(4-methylphenyl)tetracene-5,11-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C2=CC3=CC=CC=C3C(N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=C2C=C2C=CC=CC2=1)C1=CC=C(C)C=C1 TYGSHIPXFUQBJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTHBTUVMXUWUNO-UHFFFAOYSA-N 6-[3-(9,10-diphenylanthracen-2-yl)phenyl]naphtho[2,1-b][1]benzofuran Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=C(C=C11)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=3OC4=CC=CC=C4C=3C3=CC=CC=C3C=2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 WTHBTUVMXUWUNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFHIIYSJKXQYIJ-UHFFFAOYSA-N 7-[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-7h-dibenzo[c,g]carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(N2C3=C(C4=CC=CC=C4C=C3)C3=C4C=CC=CC4=CC=C32)C=C1 JFHIIYSJKXQYIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJJZDHLZRNRKHD-UHFFFAOYSA-N 8-chloro-4-(3-dibenzothiophen-4-ylphenyl)-[1]benzofuro[3,2-d]pyrimidine Chemical compound ClC=1C=CC2=C(C=1)C=1N=CN=C(C=1O2)C1=CC(=CC=C1)C1=CC=CC2=C1SC1=C2C=CC=C1 XJJZDHLZRNRKHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOOBIWAELCOCHK-BQYQJAHWSA-N 870075-87-9 Chemical compound O1C(C(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 UOOBIWAELCOCHK-BQYQJAHWSA-N 0.000 description 1
- RZVHIXYEVGDQDX-UHFFFAOYSA-N 9,10-anthraquinone Chemical group C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C(=O)C2=C1 RZVHIXYEVGDQDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSEQNGYLWKBMJI-UHFFFAOYSA-N 9,9-dimethyl-10h-acridine Chemical compound C1=CC=C2C(C)(C)C3=CC=CC=C3NC2=C1 JSEQNGYLWKBMJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CGFUVIXJVPZYTG-UHFFFAOYSA-N 9,9-dimethyl-n-[4-(9-phenylcarbazol-3-yl)phenyl]fluoren-2-amine Chemical compound C1=C2C(C)(C)C3=CC=CC=C3C2=CC=C1NC(C=C1)=CC=C1C(C=C1C2=CC=CC=C22)=CC=C1N2C1=CC=CC=C1 CGFUVIXJVPZYTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUSBGJQBCNEPES-UHFFFAOYSA-N 9,9-dimethyl-n-phenyl-n-[4-(9-phenylcarbazol-3-yl)phenyl]fluoren-2-amine Chemical compound C1=C2C(C)(C)C3=CC=CC=C3C2=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=CC=C1 QUSBGJQBCNEPES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 9-(3-carbazol-9-ylphenyl)carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=CC=C1 MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMFWPCTUTSVMLQ-UHFFFAOYSA-N 9-N,9-N,21-N,21-N-tetrakis(4-methylphenyl)-4,15-diphenylheptacyclo[12.10.1.13,7.02,12.018,25.019,24.011,26]hexacosa-1,3,5,7,9,11(26),12,14,16,18(25),19(24),20,22-tridecaene-9,21-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=C2C(C=3[C]4C5=C(C=6C=CC=CC=6)C=CC6=CC(=CC([C]56)=C4C=C4C(C=5C=CC=CC=5)=CC=C2C=34)N(C=2C=CC(C)=CC=2)C=2C=CC(C)=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 SMFWPCTUTSVMLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VDHOGVHFPFGPIP-UHFFFAOYSA-N 9-[3-[5-(3-carbazol-9-ylphenyl)pyridin-3-yl]phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(C=2C=NC=C(C=2)C=2C=CC=C(C=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=CC=C1 VDHOGVHFPFGPIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWUBEMMFTUPINB-UHFFFAOYSA-N 9-[3-carbazol-9-yl-5-(4,6-diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)phenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=NC(C=2C=C(C=C(C=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=N1 SWUBEMMFTUPINB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQVFZEYHQJJGPD-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(10-phenylanthracen-9-yl)phenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 UQVFZEYHQJJGPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZZALARSKCRKLE-UHFFFAOYSA-N 9-[4-[5-(4-carbazol-9-ylphenyl)pyridin-3-yl]phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=C(C=NC=2)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 LZZALARSKCRKLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHMSJRYEKYBHTN-UHFFFAOYSA-N 9-phenyl-10-[4-[4-(9-phenylfluoren-9-yl)phenyl]phenyl]anthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)C2(C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC=CC=2)C=C1 BHMSJRYEKYBHTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDCOSPFEMPUOFY-UHFFFAOYSA-N 9-phenyl-3-[4-(10-phenylanthracen-9-yl)phenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=2C=C3C4=CC=CC=C4N(C=4C=CC=CC=4)C3=CC=2)C=C1 DDCOSPFEMPUOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQJUJGAVDBINPI-UHFFFAOYSA-N 9H-thioxanthene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3SC2=C1 PQJUJGAVDBINPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100025982 BMP/retinoic acid-inducible neural-specific protein 1 Human genes 0.000 description 1
- HKMTVMBEALTRRR-UHFFFAOYSA-N Benzo[a]fluorene Chemical group C1=CC=CC2=C3CC4=CC=CC=C4C3=CC=C21 HKMTVMBEALTRRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYNFGMXIAPFYDQ-UHFFFAOYSA-N C1=CC=C(C=C1)N1C(=NN=C1C1=CC=C(C=C1)N1C2=CC=CC=C2N(C2=CC=CC=C2)C2=CC=CC=C12)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C1=CC=C(C=C1)N1C(=NN=C1C1=CC=C(C=C1)N1C2=CC=CC=C2N(C2=CC=CC=C2)C2=CC=CC=C12)C1=CC=CC=C1 ZYNFGMXIAPFYDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGXBVAMMNYFGSZ-UHFFFAOYSA-N C1=CC=CC=C1N(C1=CC=C(C2=C3SC4=C(C3=CC=C2)C=CC=C4)C=C1)C1=CC=C(C=C1)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C1=CC=C(C2=C3SC4=C(C3=CC=C2)C=CC=C4)C=C1)C1=CC=C(C=C1)C1=CC=CC=C1 WGXBVAMMNYFGSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSDMPJCOOXURQD-UHFFFAOYSA-N C545T Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC=4C=C5C6=C(C=4OC3=O)C(C)(C)CCN6CCC5(C)C)=NC2=C1 MSDMPJCOOXURQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUMJZLKCYQHZNW-UHFFFAOYSA-N CC=1C=C(C=C(C1)C)C=1C=CC=2N(C3=CC=C(C=C3C2C1)C1=CC(=CC(=C1)C)C)C1=CC=CC=C1 Chemical compound CC=1C=C(C=C(C1)C)C=1C=CC=2N(C3=CC=C(C=C3C2C1)C1=CC(=CC(=C1)C)C)C1=CC=CC=C1 IUMJZLKCYQHZNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical group [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 101000933342 Homo sapiens BMP/retinoic acid-inducible neural-specific protein 1 Proteins 0.000 description 1
- 101000715194 Homo sapiens Cell cycle and apoptosis regulator protein 2 Proteins 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMUWJDCTOIKWNR-UHFFFAOYSA-N N-(4-naphthalen-1-ylphenyl)-N-[3-(6-phenyldibenzofuran-4-yl)phenyl]naphthalen-1-amine Chemical compound O1C2=C(C=CC=C2C2=CC=CC=C2)C2=C1C(=CC=C2)C1=CC=CC(=C1)N(C1=CC=C(C=C1)C1=CC=CC2=C1C=CC=C2)C1=C2C=CC=CC2=CC=C1 IMUWJDCTOIKWNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHXQIAWFIIMOKG-UHFFFAOYSA-N NClO Chemical compound NClO PHXQIAWFIIMOKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMTOLUWGNWPBLD-UHFFFAOYSA-N Nc1cc2ccccc2c2c1oc1ccccc21 Chemical compound Nc1cc2ccccc2c2c1oc1ccccc21 YMTOLUWGNWPBLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100030361 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) pph-3 gene Proteins 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical group N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical class C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical group C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- HYWNGEYOXQESBM-UHFFFAOYSA-N [1]benzofuro[2,3-b]pyrazine Chemical group C1=CN=C2C3=CC=CC=C3OC2=N1 HYWNGEYOXQESBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITOKSWHFPQBNSE-UHFFFAOYSA-N [1]benzofuro[3,2-d]pyrimidine Chemical group N1=CN=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 ITOKSWHFPQBNSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJHVGSLMZTVDRA-UHFFFAOYSA-N [1]benzothiolo[2,3-b]pyrazine Chemical group C1=CN=C2C3=CC=CC=C3SC2=N1 BJHVGSLMZTVDRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OICJTSLHQGDCTQ-UHFFFAOYSA-N [1]benzothiolo[3,2-d]pyrimidine Chemical group N1=CN=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 OICJTSLHQGDCTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQNIVQXCEWRMFU-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Ca+2].[O-2].[Al+3] Chemical compound [O-2].[Ca+2].[O-2].[Al+3] RQNIVQXCEWRMFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBKYFASVJPZWLI-UHFFFAOYSA-N [Pt+2].N1C(C=C2C(=C(CC)C(C=C3C(=C(CC)C(=C4)N3)CC)=N2)CC)=C(CC)C(CC)=C1C=C1C(CC)=C(CC)C4=N1 Chemical compound [Pt+2].N1C(C=C2C(=C(CC)C(C=C3C(=C(CC)C(=C4)N3)CC)=N2)CC)=C(CC)C(CC)=C1C=C1C(CC)=C(CC)C4=N1 GBKYFASVJPZWLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEEBMHFZRDUQFW-UHFFFAOYSA-L [Pt](Cl)Cl.C(C)C1=C(C=2C=C3C(=C(C(=CC=4C(=C(C(=CC5=C(C(=C(N5)C=C1N2)CC)CC)N4)CC)CC)N3)CC)CC)CC Chemical compound [Pt](Cl)Cl.C(C)C1=C(C=2C=C3C(=C(C(=CC=4C(=C(C(=CC5=C(C(=C(N5)C=C1N2)CC)CC)N4)CC)CC)N3)CC)CC)CC OEEBMHFZRDUQFW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- SDXHEKVPVRFSRP-UHFFFAOYSA-N [Si]=O.[Sn]=O Chemical compound [Si]=O.[Sn]=O SDXHEKVPVRFSRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYNZMQVSXQQRNQ-UHFFFAOYSA-J [Sn](F)(F)(F)F.C(C)C1=C(C=2C=C3C(=C(C(=CC=4C(=C(C(=CC5=C(C(=C(N5)C=C1N2)CC)CC)N4)CC)CC)N3)CC)CC)CC Chemical compound [Sn](F)(F)(F)F.C(C)C1=C(C=2C=C3C(=C(C(=CC=4C(=C(C(=CC5=C(C(=C(N5)C=C1N2)CC)CC)N4)CC)CC)N3)CC)CC)CC FYNZMQVSXQQRNQ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 125000000641 acridinyl group Chemical group C1(=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- FZEYVTFCMJSGMP-UHFFFAOYSA-N acridone Chemical group C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3NC2=C1 FZEYVTFCMJSGMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 1
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001769 aryl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 1
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- HTJWUNNIRKDDIV-UHFFFAOYSA-N bis(1-adamantyl)-butylphosphane Chemical compound C1C(C2)CC(C3)CC2CC13P(CCCC)C1(C2)CC(C3)CC2CC3C1 HTJWUNNIRKDDIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004556 carbazol-9-yl group Chemical group C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3N(C12)* 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 125000005578 chrysene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JRUYYVYCSJCVMP-UHFFFAOYSA-N coumarin 30 Chemical compound C1=CC=C2N(C)C(C=3C4=CC=C(C=C4OC(=O)C=3)N(CC)CC)=NC2=C1 JRUYYVYCSJCVMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000332 coumarinyl group Chemical group O1C(=O)C(=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 125000004986 diarylamino group Chemical group 0.000 description 1
- XNKVIGSNRYAOQZ-UHFFFAOYSA-N dibenzofluorene Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C2=C1CC1=CC=CC=C12 XNKVIGSNRYAOQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- YQGOJNYOYNNSMM-UHFFFAOYSA-N eosin Chemical class [Na+].OC(=O)C1=CC=CC=C1C1=C2C=C(Br)C(=O)C(Br)=C2OC2=C(Br)C(O)=C(Br)C=C21 YQGOJNYOYNNSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ADHNFLCTOCFIFV-UHFFFAOYSA-N europium(3+) 1,10-phenanthroline Chemical compound [Eu+3].c1cnc2c(c1)ccc1cccnc21 ADHNFLCTOCFIFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052811 halogen oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001041 indolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N iridium 1-phenylisoquinoline Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011156 metal matrix composite Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- BBNZOXKLBAWRSH-UHFFFAOYSA-N n,9-diphenyl-n-[4-(10-phenylanthracen-9-yl)phenyl]carbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)C=C1 BBNZOXKLBAWRSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NCCYEOZLSGJEDF-UHFFFAOYSA-N n,n,9-triphenyl-10h-anthracen-9-amine Chemical compound C12=CC=CC=C2CC2=CC=CC=C2C1(C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NCCYEOZLSGJEDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTSAYWZCLNPTGP-UHFFFAOYSA-N n,n-bis(4-dibenzofuran-4-ylphenyl)-4-(4-phenylphenyl)aniline Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=3OC4=CC=CC=C4C=3C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=3OC4=CC=CC=C4C=3C=CC=2)C=C1 VTSAYWZCLNPTGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRWAGLGPZJUQQK-UHFFFAOYSA-N n-(4-carbazol-9-ylphenyl)-4-[2-[4-(n-(4-carbazol-9-ylphenyl)anilino)phenyl]ethenyl]-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=CC=1C=CC(C=C1)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21)C1=CC=CC=C1 CRWAGLGPZJUQQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKQKUOFOSZLDGL-UHFFFAOYSA-N n-(4-carbazol-9-ylphenyl)-n-phenyl-9,10-bis(2-phenylphenyl)anthracen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C(C=3C(=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C(=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 DKQKUOFOSZLDGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJNJGJDDJIBTBP-UHFFFAOYSA-N n-(9,10-diphenylanthracen-2-yl)-n,9-diphenylcarbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=2)C3=C1 AJNJGJDDJIBTBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002560 nitrile group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical group C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 1
- MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N oxidophosphanium Chemical group [PH3]=O MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXNAVEXFUKBNMK-UHFFFAOYSA-N palladium(II) acetate Substances [Pd].CC(O)=O.CC(O)=O LXNAVEXFUKBNMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L palladium(ii) acetate Chemical compound [Pd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001792 phenanthrenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C=CC12)* 0.000 description 1
- KBBSSGXNXGXONI-UHFFFAOYSA-N phenanthro[9,10-b]pyrazine Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=N1 KBBSSGXNXGXONI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001791 phenazinyl group Chemical group C1(=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C12)* 0.000 description 1
- BZBAYMUKLAYQEO-UHFFFAOYSA-N phenylborane Chemical compound BC1=CC=CC=C1 BZBAYMUKLAYQEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005359 phenylpyridines Chemical class 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 125000005575 polycyclic aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M potassium hydrogencarbonate Chemical compound [K+].OC([O-])=O TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N propionitrile Chemical compound CCC#N FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003226 pyrazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005581 pyrene group Chemical group 0.000 description 1
- BUAWIRPPAOOHKD-UHFFFAOYSA-N pyrene-1,2-diamine Chemical class C1=CC=C2C=CC3=C(N)C(N)=CC4=CC=C1C2=C43 BUAWIRPPAOOHKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical group C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006824 pyrimidine synthesis Effects 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N scandium oxide Chemical compound O=[Sc]O[Sc]=O HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical group C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000967 suction filtration Methods 0.000 description 1
- SEEPANYCNGTZFQ-UHFFFAOYSA-N sulfadiazine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)NC1=NC=CC=N1 SEEPANYCNGTZFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003115 supporting electrolyte Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- DKWSBNMUWZBREO-UHFFFAOYSA-N terbium Chemical compound [Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb][Tb] DKWSBNMUWZBREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IOGXOCVLYRDXLW-UHFFFAOYSA-N tert-butyl nitrite Chemical compound CC(C)(C)ON=O IOGXOCVLYRDXLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012414 tert-butyl nitrite Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 125000005579 tetracene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003698 tetramethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- JIIYLLUYRFRKMG-UHFFFAOYSA-N tetrathianaphthacene Chemical compound C1=CC=CC2=C3SSC(C4=CC=CC=C44)=C3C3=C4SSC3=C21 JIIYLLUYRFRKMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002366 time-of-flight method Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004665 trialkylsilyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical group 0.000 description 1
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000404 tripotassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019798 tripotassium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 125000001834 xanthenyl group Chemical group C1=CC=CC=2OC3=CC=CC=C3C(C12)* 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJGUQZGGEUNPFQ-UHFFFAOYSA-L zinc;2-(1,3-benzothiazol-2-yl)phenolate Chemical compound [Zn+2].[O-]C1=CC=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2S1.[O-]C1=CC=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2S1 CJGUQZGGEUNPFQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- HTPBWAPZAJWXKY-UHFFFAOYSA-L zinc;quinolin-8-olate Chemical compound [Zn+2].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 HTPBWAPZAJWXKY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
- H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H01L51/5004—
-
- H01L27/3225—
-
- H01L51/0052—
-
- H01L51/0059—
-
- H01L51/0072—
-
- H01L51/0073—
-
- H01L51/5056—
-
- H01L51/5076—
-
- H01L51/508—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F27/00—Combined visual and audible advertising or displaying, e.g. for public address
-
- H01L2251/5361—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/30—Highest occupied molecular orbital [HOMO], lowest unoccupied molecular orbital [LUMO] or Fermi energy values
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/80—Composition varying spatially, e.g. having a spatial gradient
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
- H10K50/165—Electron transporting layers comprising dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
- H10K50/166—Electron transporting layers comprising a multilayered structure
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
신규 발광 디바이스, 발광 효율이 높은 발광 디바이스, 수명이 긴 발광 디바이스, 또는 구동 전압이 낮은 발광 디바이스를 제공한다. EL층은 제 1 층, 제 2 층, 제 3 층, 발광층, 및 제 4 층을 양극 측으로부터 이 순서대로 포함한다. 제 1 층은 제 1 유기 화합물 및 제 2 유기 화합물을 포함한다. 제 4 층은 제 7 유기 화합물을 포함한다. 제 1 유기 화합물은 제 2 유기 화합물에 대하여 전자 수용성을 나타낸다. 제 2 유기 화합물의 HOMO 준위는 -5.7eV 이상 -5.4eV 이하이다. 제 4 층은 두께 방향에 있어서 제 7 유기 화합물의 양이 많은 영역과, 제 7 유기 화합물의 양이 적은 영역을 포함한다.
Description
본 발명의 실시형태는 발광 소자, 발광 디바이스, 디스플레이 모듈, 조명 모듈, 표시 장치, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치에 관한 것이다. 또한 본 발명의 일 형태는 상기 기술분야에 한정되지 않는다. 본 명세서 등에 개시(開示)되는 발명의 일 형태의 기술분야는 물건, 방법, 또는 제작 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 형태는 공정(process), 기계(machine), 제품(manufacture), 또는 조성물(composition of matter)에 관한 것이다. 구체적으로는 본 명세서에 개시되는 본 발명의 일 형태의 기술분야의 예에는 반도체 장치, 표시 장치, 액정 표시 장치, 발광 장치, 조명 장치, 축전 장치, 기억 장치, 촬상 장치, 이들의 구동 방법, 및 이들의 제작 방법이 포함된다.
유기 화합물을 포함하고 일렉트로루미네선스(EL)를 이용하는 발광 디바이스(유기 EL 디바이스)가 실용화되고 있다. 이러한 발광 디바이스의 기본적인 구조에서는, 한 쌍의 전극 사이에 발광 재료를 포함한 유기 화합물층(EL층)이 개재(介在)되어 있다. 이 디바이스에 전압을 인가하여 캐리어를 주입하고, 상기 캐리어의 재결합 에너지를 사용함으로써, 발광 재료로부터 발광을 얻을 수 있다.
이러한 발광 디바이스는 자발광형이기 때문에, 디스플레이의 화소로서 사용하면 액정 디스플레이에 비하여 시인성이 높고 백라이트가 불필요하다는 이점이 있고, 플랫 패널 디스플레이 디바이스로서 적합하다. 이러한 발광 디바이스를 포함하는 디스플레이는 얇고 가볍게 할 수 있다는 점에서도 매우 유리하다. 또한 이러한 발광 디바이스는 응답 속도가 매우 빠르다는 특징도 가진다.
이러한 발광 디바이스의 발광층은 2차원적으로 연속하여 형성될 수 있기 때문에, 면 발광을 실현할 수 있다. 이 특징은 백열등 및 LED로 대표되는 점광원, 또는 형광등으로 대표되는 선광원으로는 실현하기 어렵다. 따라서 발광 디바이스는 조명 장치 등에 사용할 수 있는 면광원으로서의 이용 가치도 높다.
상술한 바와 같이, 발광 디바이스를 포함하는 디스플레이 또는 조명 장치는 다양한 전자 기기에 적합하게 사용될 수 있지만, 더 높은 효율 또는 더 긴 수명을 위하여 발광 디바이스의 연구 개발이 진행되고 있다.
특허문헌 1에 개시된 구조에서는, 발광층과, 정공 주입층과 접하는 제 1 정공 수송층 사이에, HOMO 준위가 제 1 정공 주입층의 HOMO 준위와 호스트 재료의 HOMO 준위 사이에 있는 정공 수송성 재료가 제공되어 있다.
발광 디바이스의 특성은 현저히 향상되어 왔지만, 효율 및 내구성을 포함한 다양한 특성에 대한 고도의 요구를 아직 만족시키지 못하고 있다.
본 발명의 일 형태의 과제는 신규 발광 디바이스를 제공하는 것이다. 본 발명의 일 형태의 다른 과제는 발광 효율이 높은 발광 디바이스를 제공하는 것이다. 본 발명의 일 형태의 다른 과제는 수명이 긴 발광 디바이스를 제공하는 것이다. 본 발명의 일 형태의 다른 과제는 구동 전압이 낮은 발광 디바이스를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 형태의 다른 과제는 신뢰성이 높은 발광 장치, 전자 기기, 및 표시 장치 각각을 제공하는 것이다. 본 발명의 일 형태의 다른 과제는 소비 전력이 낮은 발광 장치, 전자 기기, 및 표시 장치 각각을 제공하는 것이다.
본 발명에서는 상술한 과제들 중 적어도 하나를 달성하면 된다.
본 발명의 일 형태는 양극, 음극, 및 양극과 음극 사이의 EL층을 포함하는 발광 디바이스이다. EL층은 발광층 및 전자 수송층을 포함한다. 전자 수송층은 제 1 물질 및 제 2 물질을 포함한다. 제 1 물질은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 유기 착체, 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 화합물 중 어느 것이다. 제 2 물질은 전자 수송성을 가지는 유기 화합물이다. 전자 수송층은 두께 방향에 있어서 제 1 물질의 양이 적은 영역과, 제 1 물질의 양이 많은 영역을 포함한다. 제 1 물질의 양이 많은 영역은 제 1 물질의 양이 적은 영역보다 발광층에 가깝다. 발광 디바이스에 일정한 전류를 공급할 때 얻어지는 발광의 휘도 변화를 나타내는 열화 곡선은 극댓값을 가진다.
본 발명의 다른 일 형태는 양극, 음극, 및 양극과 음극 사이의 EL층을 포함하는 발광 디바이스이다. EL층은 발광층 및 전자 수송층을 포함한다. 전자 수송층은 제 1 물질 및 제 2 물질을 포함한다. 제 1 물질은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 유기 착체, 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 화합물 중 어느 것이다. 제 2 물질은 전자 수송성을 가지는 유기 화합물이다. 전자 수송층은 두께 방향에 있어서 제 2 물질의 양이 많은 영역과, 제 2 물질의 양이 적은 영역을 포함한다. 제 2 물질의 양이 적은 영역은 제 2 물질의 양이 많은 영역보다 발광층에 가깝다. 발광 디바이스에 일정한 전류를 공급할 때 얻어지는 발광의 휘도 변화를 나타내는 열화 곡선은 극댓값을 가진다.
본 발명의 다른 일 형태는 양극, 음극, 및 양극과 음극 사이의 EL층을 포함하는 발광 디바이스이다. EL층은 제 1 층, 제 2 층, 제 3 층, 발광층, 및 제 4 층을 양극 측으로부터 이 순서대로 포함한다. 제 1 층은 양극과 접한다. 제 1 층은 제 1 유기 화합물 및 제 2 유기 화합물을 포함한다. 제 2 층은 제 3 유기 화합물을 포함한다. 제 3 층은 제 4 유기 화합물을 포함한다. 발광층은 제 5 유기 화합물 및 제 6 유기 화합물을 포함한다. 제 4 층은 제 7 유기 화합물 및 제 1 물질을 포함한다. 제 1 유기 화합물은 제 2 유기 화합물에 대하여 전자 수용성을 나타낸다. 제 5 유기 화합물은 발광 중심 물질이다. 제 1 물질은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 유기 착체, 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 화합물 중 어느 것이다. 제 2 유기 화합물의 HOMO 준위는 -5.7eV 이상 -5.4eV 이하이다. 제 7 유기 화합물의 전자 이동도는 전계 강도[V/cm]의 제곱근이 600일 때 1Х10-7cm2/Vs 이상 5Х10-5cm2/Vs 이하이다. 제 4 층은 두께 방향에 있어서 제 7 유기 화합물의 양이 많은 영역과, 제 7 유기 화합물의 양이 적은 영역을 포함한다. 제 7 유기 화합물의 양이 적은 영역은 제 7 유기 화합물의 양이 많은 영역보다 발광층에 가깝다. 발광 디바이스에 일정한 전류를 공급할 때 얻어지는 발광의 휘도 변화를 나타내는 열화 곡선은 극댓값을 가진다.
본 발명의 다른 일 형태는 양극, 음극, 및 양극과 음극 사이의 EL층을 포함하는 발광 디바이스이다. EL층은 제 1 층, 제 2 층, 제 3 층, 발광층, 및 제 4 층을 양극 측으로부터 이 순서대로 포함한다. 제 1 층은 양극과 접한다. 제 4 층은 발광층과 접한다. 제 1 층은 제 1 유기 화합물 및 제 2 유기 화합물을 포함한다. 제 2 층은 제 3 유기 화합물을 포함한다. 제 3 층은 제 4 유기 화합물을 포함한다. 발광층은 제 5 유기 화합물 및 제 6 유기 화합물을 포함한다. 제 4 층은 제 7 유기 화합물 및 제 1 물질을 포함한다. 제 1 유기 화합물은 제 2 유기 화합물에 대하여 전자 수용성을 나타낸다. 제 5 유기 화합물은 발광 중심 물질이다. 제 1 물질은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 유기 착체, 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 화합물 중 어느 것이다. 제 2 유기 화합물의 HOMO 준위는 -5.7eV 이상 -5.4eV 이하이다. 제 7 유기 화합물의 전자 이동도는 전계 강도[V/cm]의 제곱근이 600일 때 1Х10-7cm2/Vs 이상 5Х10-5cm2/Vs 이하이다. 제 7 유기 화합물의 HOMO 준위는 -6.0eV 이상이다. 제 4 층은 두께 방향에 있어서 제 7 유기 화합물의 양이 많은 영역과, 제 7 유기 화합물의 양이 적은 영역을 포함한다. 제 7 유기 화합물의 양이 적은 영역은 제 7 유기 화합물의 양이 많은 영역보다 발광층에 가깝다. 발광 디바이스에 일정한 전류를 공급할 때 얻어지는 발광의 휘도 변화를 나타내는 열화 곡선은 극댓값을 가진다.
본 발명의 다른 일 형태는 양극, 음극, 및 양극과 음극 사이의 EL층을 포함하는 발광 디바이스이다. EL층은 제 1 층, 제 2 층, 제 3 층, 발광층, 및 제 4 층을 양극 측으로부터 이 순서대로 포함한다. 제 1 층은 양극과 접한다. 제 4 층은 발광층과 접한다. 제 1 층은 제 1 유기 화합물 및 제 2 유기 화합물을 포함한다. 제 2 층은 제 3 유기 화합물을 포함한다. 제 3 층은 제 4 유기 화합물을 포함한다. 발광층은 제 5 유기 화합물 및 제 6 유기 화합물을 포함한다. 제 4 층은 제 7 유기 화합물 및 제 1 물질을 포함한다. 제 1 유기 화합물은 제 2 유기 화합물에 대하여 전자 수용성을 나타낸다. 제 5 유기 화합물은 발광 중심 물질이다. 제 1 물질은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 유기 착체, 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 화합물 중 어느 것이다. 제 2 유기 화합물의 HOMO 준위는 -5.7eV 이상 -5.4eV 이하이다. 제 3 유기 화합물의 HOMO 준위와 제 2 유기 화합물의 HOMO 준위의 차이는 0.2eV 이하이다. 제 3 유기 화합물의 HOMO 준위는 제 2 유기 화합물의 HOMO 준위와 같거나 그보다 깊다. 제 7 유기 화합물의 전자 이동도는 전계 강도[V/cm]의 제곱근이 600일 때 1Х10-7cm2/Vs 이상 5Х10-5cm2/Vs 이하이다. 제 7 유기 화합물의 HOMO 준위는 -6.0eV 이상이다. 제 4 층은 두께 방향에 있어서 제 7 유기 화합물의 양이 많은 영역과, 제 7 유기 화합물의 양이 적은 영역을 포함한다. 제 7 유기 화합물의 양이 적은 영역은 제 7 유기 화합물의 양이 많은 영역보다 발광층에 가깝다. 발광 디바이스에 일정한 전류를 공급할 때 얻어지는 발광의 휘도 변화를 나타내는 열화 곡선은 극댓값을 가진다.
본 발명의 다른 일 형태는 양극, 음극, 및 양극과 음극 사이의 EL층을 포함하는 발광 디바이스이다. EL층은 제 1 층, 제 2 층, 제 3 층, 발광층, 및 제 4 층을 양극 측으로부터 이 순서대로 포함한다. 제 1 층은 양극과 접한다. 제 4 층은 발광층과 접한다. 제 1 층은 제 1 유기 화합물 및 제 2 유기 화합물을 포함한다. 제 2 층은 제 3 유기 화합물을 포함한다. 제 3 층은 제 4 유기 화합물을 포함한다. 발광층은 제 5 유기 화합물 및 제 6 유기 화합물을 포함한다. 제 4 층은 제 7 유기 화합물 및 제 1 물질을 포함한다. 제 1 유기 화합물은 제 2 유기 화합물에 대하여 전자 수용성을 나타낸다. 제 2 유기 화합물은 제 1 정공 수송성 골격을 가진다. 제 3 유기 화합물은 제 2 정공 수송성 골격을 가진다. 제 4 유기 화합물은 제 3 정공 수송성 골격을 가진다. 제 5 유기 화합물은 발광 중심 물질이다. 제 1 물질은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 유기 착체, 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 화합물 중 어느 것이다. 제 2 유기 화합물의 HOMO 준위는 -5.7eV 이상 -5.4eV 이하이다. 제 1 정공 수송성 골격, 제 2 정공 수송성 골격, 및 제 3 정공 수송성 골격은 독립적으로 카바졸 골격, 다이벤조퓨란 골격, 다이벤조싸이오펜 골격, 및 안트라센 골격 중 어느 하나이다. 제 7 유기 화합물의 전자 이동도는 전계 강도[V/cm]의 제곱근이 600일 때 1Х10-7cm2/Vs 이상 5Х10-5cm2/Vs 이하이다. 제 7 유기 화합물의 HOMO 준위는 -6.0eV 이상이다. 제 4 층은 두께 방향에 있어서 제 7 유기 화합물의 양이 많은 영역과, 제 7 유기 화합물의 양이 적은 영역을 포함한다. 제 7 유기 화합물의 양이 적은 영역은 제 7 유기 화합물의 양이 많은 영역보다 발광층에 가깝다. 발광 디바이스에 일정한 전류를 공급할 때 얻어지는 발광의 휘도 변화를 나타내는 열화 곡선은 극댓값을 가진다.
본 발명의 다른 일 형태는 열화 곡선이 휘도가 100%를 넘는 부분을 가지는, 상기 구조를 가지는 발광 디바이스이다.
본 발명의 다른 일 형태는 양극, 음극, 및 양극과 음극 사이의 EL층을 포함하는 발광 디바이스이다. EL층은 발광층 및 전자 수송층을 포함한다. 전자 수송층은 제 1 물질 및 제 2 물질을 포함한다. 제 1 물질은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 유기 착체, 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 화합물 중 어느 것이다. 제 2 물질은 전자 수송성을 가지는 유기 화합물이다. 전자 수송층은 두께 방향에 있어서 제 1 물질의 양이 적은 영역과, 제 1 물질의 양이 많은 영역을 포함한다. 제 1 물질의 양이 많은 영역은 제 1 물질의 양이 적은 영역보다 발광층에 가깝다.
본 발명의 다른 일 형태는 양극, 음극, 및 양극과 음극 사이의 EL층을 포함하는 발광 디바이스이다. EL층은 발광층 및 전자 수송층을 포함한다. 전자 수송층은 제 1 물질 및 제 2 물질을 포함한다. 제 1 물질은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 유기 착체, 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 화합물 중 어느 것이다. 제 2 물질은 전자 수송성을 가지는 유기 화합물이다. 전자 수송층은 두께 방향에 있어서 제 2 물질의 양이 많은 영역과, 제 2 물질의 양이 적은 영역을 포함한다. 제 2 물질의 양이 적은 영역은 제 2 물질의 양이 많은 영역보다 발광층에 가깝다.
본 발명의 다른 일 형태는 양극, 음극, 및 양극과 음극 사이의 EL층을 포함하는 발광 디바이스이다. EL층은 제 1 층, 제 2 층, 제 3 층, 발광층, 및 제 4 층을 양극 측으로부터 이 순서대로 포함한다. 제 1 층은 양극과 접한다. 제 1 층은 제 1 유기 화합물 및 제 2 유기 화합물을 포함한다. 제 2 층은 제 3 유기 화합물을 포함한다. 제 3 층은 제 4 유기 화합물을 포함한다. 발광층은 제 5 유기 화합물 및 제 6 유기 화합물을 포함한다. 제 4 층은 제 7 유기 화합물 및 제 1 물질을 포함한다. 제 1 유기 화합물은 제 2 유기 화합물에 대하여 전자 수용성을 나타낸다. 제 5 유기 화합물은 발광 중심 물질이다. 제 1 물질은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 유기 착체, 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 화합물 중 어느 것이다. 제 2 유기 화합물의 HOMO 준위는 -5.7eV 이상 -5.4eV 이하이다. 제 7 유기 화합물의 전자 이동도는 전계 강도[V/cm]의 제곱근이 600일 때 1Х10-7cm2/Vs 이상 5Х10-5cm2/Vs 이하이다. 제 4 층은 두께 방향에 있어서 제 7 유기 화합물의 양이 많은 영역과, 제 7 유기 화합물의 양이 적은 영역을 포함한다. 제 7 유기 화합물의 양이 적은 영역은 제 7 유기 화합물의 양이 많은 영역보다 발광층에 가깝다.
본 발명의 다른 일 형태는 양극, 음극, 및 양극과 음극 사이의 EL층을 포함하는 발광 디바이스이다. EL층은 제 1 층, 제 2 층, 제 3 층, 발광층, 및 제 4 층을 양극 측으로부터 이 순서대로 포함한다. 제 1 층은 양극과 접한다. 제 4 층은 발광층과 접한다. 제 1 층은 제 1 유기 화합물 및 제 2 유기 화합물을 포함한다. 제 2 층은 제 3 유기 화합물을 포함한다. 제 3 층은 제 4 유기 화합물을 포함한다. 발광층은 제 5 유기 화합물 및 제 6 유기 화합물을 포함한다. 제 4 층은 제 7 유기 화합물 및 제 1 물질을 포함한다. 제 1 유기 화합물은 제 2 유기 화합물에 대하여 전자 수용성을 나타낸다. 제 5 유기 화합물은 발광 중심 물질이다. 제 1 물질은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 유기 착체, 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 화합물 중 어느 것이다. 제 2 유기 화합물의 HOMO 준위는 -5.7eV 이상 -5.4eV 이하이다. 제 7 유기 화합물의 전자 이동도는 전계 강도[V/cm]의 제곱근이 600일 때 1Х10-7cm2/Vs 이상 5Х10-5cm2/Vs 이하이다. 제 7 유기 화합물의 HOMO 준위는 -6.0eV 이상이다. 제 4 층은 두께 방향에 있어서 제 7 유기 화합물의 양이 많은 영역과, 제 7 유기 화합물의 양이 적은 영역을 포함한다. 제 7 유기 화합물의 양이 적은 영역은 제 7 유기 화합물의 양이 많은 영역보다 발광층에 가깝다.
본 발명의 다른 일 형태는 양극, 음극, 및 양극과 음극 사이의 EL층을 포함하는 발광 디바이스이다. EL층은 제 1 층, 제 2 층, 제 3 층, 발광층, 및 제 4 층을 양극 측으로부터 이 순서대로 포함한다. 제 1 층은 양극과 접한다. 제 4 층은 발광층과 접한다. 제 1 층은 제 1 유기 화합물 및 제 2 유기 화합물을 포함한다. 제 2 층은 제 3 유기 화합물을 포함한다. 제 3 층은 제 4 유기 화합물을 포함한다. 발광층은 제 5 유기 화합물 및 제 6 유기 화합물을 포함한다. 제 4 층은 제 7 유기 화합물 및 제 1 물질을 포함한다. 제 1 유기 화합물은 제 2 유기 화합물에 대하여 전자 수용성을 나타낸다. 제 5 유기 화합물은 발광 중심 물질이다. 제 1 물질은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 유기 착체, 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 화합물 중 어느 것이다. 제 2 유기 화합물의 HOMO 준위는 -5.7eV 이상 -5.4eV 이하이다. 제 3 유기 화합물의 HOMO 준위와 제 2 유기 화합물의 HOMO 준위의 차이는 0.2eV 이하이다. 제 3 유기 화합물의 HOMO 준위는 제 2 유기 화합물의 HOMO 준위와 같거나 그보다 깊다. 제 7 유기 화합물의 전자 이동도는 전계 강도[V/cm]의 제곱근이 600일 때 1Х10-7cm2/Vs 이상 5Х10-5cm2/Vs 이하이다. 제 7 유기 화합물의 HOMO 준위는 -6.0eV 이상이다. 제 4 층은 두께 방향에 있어서 제 7 유기 화합물의 양이 많은 영역과, 제 7 유기 화합물의 양이 적은 영역을 포함한다. 제 7 유기 화합물의 양이 적은 영역은 제 7 유기 화합물의 양이 많은 영역보다 발광층에 가깝다.
본 발명의 다른 일 형태는 양극, 음극, 및 양극과 음극 사이의 EL층을 포함하는 발광 디바이스이다. EL층은 제 1 층, 제 2 층, 제 3 층, 발광층, 및 제 4 층을 양극 측으로부터 이 순서대로 포함한다. 제 1 층은 양극과 접한다. 제 4 층은 발광층과 접한다. 제 1 층은 제 1 유기 화합물 및 제 2 유기 화합물을 포함한다. 제 2 층은 제 3 유기 화합물을 포함한다. 제 3 층은 제 4 유기 화합물을 포함한다. 발광층은 제 5 유기 화합물 및 제 6 유기 화합물을 포함한다. 제 4 층은 제 7 유기 화합물 및 제 1 물질을 포함한다. 제 1 유기 화합물은 제 2 유기 화합물에 대하여 전자 수용성을 나타낸다. 제 2 유기 화합물은 제 1 정공 수송성 골격을 가진다. 제 3 유기 화합물은 제 2 정공 수송성 골격을 가진다. 제 4 유기 화합물은 제 3 정공 수송성 골격을 가진다. 제 5 유기 화합물은 발광 중심 물질이다. 제 1 물질은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 유기 착체, 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 화합물 중 어느 것이다. 제 2 유기 화합물의 HOMO 준위는 -5.7eV 이상 -5.4eV 이하이다. 제 1 정공 수송성 골격, 제 2 정공 수송성 골격, 및 제 3 정공 수송성 골격은 독립적으로 카바졸 골격, 다이벤조퓨란 골격, 다이벤조싸이오펜 골격, 및 안트라센 골격 중 어느 하나이다. 제 7 유기 화합물의 전자 이동도는 전계 강도[V/cm]의 제곱근이 600일 때 1Х10-7cm2/Vs 이상 5Х10-5cm2/Vs 이하이다. 제 7 유기 화합물의 HOMO 준위는 -6.0eV 이상이다. 제 4 층은 두께 방향에 있어서 제 7 유기 화합물의 양이 많은 영역과, 제 7 유기 화합물의 양이 적은 영역을 포함한다. 제 7 유기 화합물의 양이 적은 영역은 제 7 유기 화합물의 양이 많은 영역보다 발광층에 가깝다.
본 발명의 다른 일 형태는 제 7 유기 화합물이 안트라센 골격을 가지는, 상기 구조를 가지는 발광 디바이스이다.
본 발명의 다른 일 형태는 제 7 유기 화합물이 안트라센 골격 및 헤테로 고리 골격을 가지는, 상기 구조를 가지는 발광 디바이스이다.
본 발명의 다른 일 형태는 제 7 유기 화합물의 전자 이동도가 제 6 유기 화합물의 전자 이동도보다 낮은, 상기 구조를 가지는 발광 디바이스이다.
본 발명의 다른 일 형태는 제 3 유기 화합물과 제 4 유기 화합물의 HOMO 준위의 차이가 0.2eV 이하인, 상기 구조를 가지는 발광 디바이스이다.
본 발명의 다른 일 형태는 제 4 유기 화합물의 HOMO 준위가 제 3 유기 화합물의 HOMO 준위보다 깊은, 상기 구조를 가지는 발광 디바이스이다.
본 발명의 다른 일 형태는 제 2 유기 화합물이 다이벤조퓨란 골격을 가지는, 발광 디바이스이다.
본 발명의 다른 일 형태는 제 2 유기 화합물과 제 3 유기 화합물이 같은 물질인, 발광 디바이스이다.
본 발명의 다른 일 형태는 제 5 유기 화합물이 청색 형광 발광 재료인, 상기 구조를 가지는 발광 디바이스이다.
본 발명의 다른 일 형태는 상기 구조를 가지는 발광 디바이스, 및 센서, 조작 버튼, 스피커, 또는 마이크로폰을 포함하는 전자 기기이다.
본 발명의 다른 일 형태는 상기 구조를 가지는 발광 디바이스, 및 트랜지스터 또는 기판을 포함하는 발광 장치이다.
본 발명의 다른 일 형태는 상기 구조를 가지는 발광 디바이스, 및 하우징을 포함하는 조명 장치이다.
또한 본 명세서에서의 발광 장치는 발광 디바이스를 사용한 화상 표시 디바이스를 그 범주에 포함한다. 발광 장치는, 발광 디바이스에 이방성 도전막 또는 TCP(tape carrier package) 등의 커넥터가 제공된 모듈, TCP의 끝에 인쇄 배선판이 제공된 모듈, 및 발광 디바이스에 COG(chip on glass) 방식에 의하여 집적 회로(IC)가 직접 실장된 모듈에 포함되어도 좋다. 발광 장치는 조명 장치 등에 포함되어도 좋다.
본 발명의 일 형태는 신규 발광 디바이스를 제공할 수 있다. 본 발명의 다른 일 형태는 수명이 긴 발광 디바이스를 제공할 수 있다. 본 발명의 다른 일 형태는 발광 효율이 높은 발광 디바이스를 제공할 수 있다.
본 발명의 다른 일 형태는 신뢰성이 높은 발광 장치, 전자 기기, 및 표시 장치 각각을 제공할 수 있다. 본 발명의 다른 일 형태는 소비 전력이 낮은 발광 장치, 전자 기기, 및 표시 장치 각각을 제공할 수 있다.
또한 이들 효과의 기재는 다른 효과의 존재를 방해하지 않는다. 본 발명의 일 형태는 상술한 효과 모두를 반드시 달성할 필요는 없다. 다른 효과는 명세서, 도면, 및 청구항 등의 기재로부터 명백해질 것이고 추출될 수 있다.
첨부 도면에 있어서:
도 1의 (A1), (A2), (B), 및 (C)는 발광 디바이스의 모식도이다.
도 2의 (A) 및 (B)는 장수명화를 설명하는 도면이다.
도 3의 (A) 및 (B)는 휘도 상승을 설명하는 도면이다.
도 4의 (A) 및 (B)는 액티브 매트릭스 발광 장치의 개념도이다.
도 5의 (A) 및 (B)는 액티브 매트릭스 발광 장치의 개념도이다.
도 6은 액티브 매트릭스 발광 장치의 개념도이다.
도 7의 (A) 및 (B)는 패시브 매트릭스 발광 장치의 개념도이다.
도 8의 (A) 및 (B)는 조명 장치를 도시한 것이다.
도 9의 (A), (B1), (B2), 및 (C)는 전자 기기를 도시한 것이다.
도 10의 (A) 내지 (C)는 전자 기기를 도시한 것이다.
도 11은 조명 장치를 도시한 것이다.
도 12는 조명 장치를 도시한 것이다.
도 13은 차량 탑재용 표시 장치 및 조명 장치를 도시한 것이다.
도 14의 (A) 및 (B)는 전자 기기를 도시한 것이다.
도 15의 (A) 내지 (C)는 전자 기기를 도시한 것이다.
도 16은 발광 디바이스 1 내지 발광 디바이스 3 및 비교 발광 디바이스 1의 휘도-전류 밀도 특성을 나타낸 것이다.
도 17은 발광 디바이스 1 내지 발광 디바이스 3 및 비교 발광 디바이스 1의 전류 효율-휘도 특성을 나타낸 것이다.
도 18은 발광 디바이스 1 내지 발광 디바이스 3 및 비교 발광 디바이스 1의 휘도-전압 특성을 나타낸 것이다.
도 19는 발광 디바이스 1 내지 발광 디바이스 3 및 비교 발광 디바이스 1의 전류-전압 특성을 나타낸 것이다.
도 20은 발광 디바이스 1 내지 발광 디바이스 3 및 비교 발광 디바이스 1의 외부 양자 효율-휘도 특성을 나타낸 것이다.
도 21은 발광 디바이스 1 내지 발광 디바이스 3 및 비교 발광 디바이스 1의 발광 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 22는 발광 디바이스 1 내지 발광 디바이스 3 및 비교 발광 디바이스 1의 정규화 휘도의 시간 의존성을 나타낸 것이다.
도 23의 (A1), (A2), (B1), 및 (B2)는 각각 전자 수송층에서의 제 1 물질의 농도를 나타낸 것이다.
도 24의 (A) 및 (B)는 ToF-SIMS 분석 결과를 나타낸 것이다.
도 25는 측정용 디바이스의 구조를 도시한 것이다.
도 26은 측정용 디바이스의 전류 밀도-전압 특성을 나타낸 것이다.
도 27은 DC 전압이 7.0V이고 ZADN 대 Liq의 비율이 1:1일 때의 산출된 정전 용량 C의 주파수 특성을 나타낸 것이다.
도 28은 DC 전압이 7.0V이고 ZADN 대 Liq의 비율이 1:1일 때의 -△B의 주파수 특성을 나타낸 것이다.
도 29는 유기 화합물의 전자 이동도의 전계 강도 의존성을 나타낸 것이다.
도 30은 발광 디바이스 4 및 발광 디바이스 5의 휘도-전류 밀도 특성을 나타낸 것이다.
도 31은 발광 디바이스 4 및 발광 디바이스 5의 전류 효율-휘도 특성을 나타낸 것이다.
도 32는 발광 디바이스 4 및 발광 디바이스 5의 휘도-전압 특성을 나타낸 것이다.
도 33은 발광 디바이스 4 및 발광 디바이스 5의 전류-전압 특성을 나타낸 것이다.
도 34는 발광 디바이스 4 및 발광 디바이스 5의 외부 양자 효율-휘도 특성을 나타낸 것이다.
도 35는 발광 디바이스 4 및 발광 디바이스 5의 발광 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 36은 발광 디바이스 4 및 발광 디바이스 5의 정규화 휘도의 시간 의존성을 나타낸 것이다.
도 37은 발광 디바이스 6의 휘도-전류 밀도 특성을 나타낸 것이다.
도 38은 발광 디바이스 6의 전류 효율-휘도 특성을 나타낸 것이다.
도 39는 발광 디바이스 6의 휘도-전압 특성을 나타낸 것이다.
도 40은 발광 디바이스 6의 전류-전압 특성을 나타낸 것이다.
도 41은 발광 디바이스 6의 외부 양자 효율-휘도 특성을 나타낸 것이다.
도 42는 발광 디바이스 6의 발광 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 43은 발광 디바이스 6의 정규화 휘도의 시간 의존성을 나타낸 것이다.
도 44는 발광 디바이스 7의 휘도-전류 밀도 특성을 나타낸 것이다.
도 45는 발광 디바이스 7의 전류 효율-휘도 특성을 나타낸 것이다.
도 46은 발광 디바이스 7의 휘도-전압 특성을 나타낸 것이다.
도 47은 발광 디바이스 7의 전류-전압 특성을 나타낸 것이다.
도 48은 발광 디바이스 7의 외부 양자 효율-휘도 특성을 나타낸 것이다.
도 49는 발광 디바이스 7의 발광 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 50은 발광 디바이스 7의 정규화 휘도의 시간 의존성을 나타낸 것이다.
도 51은 발광 디바이스 8 및 발광 디바이스 9의 휘도-전류 밀도 특성을 나타낸 것이다.
도 52는 발광 디바이스 8 및 발광 디바이스 9의 전류 효율-휘도 특성을 나타낸 것이다.
도 53은 발광 디바이스 8 및 발광 디바이스 9의 휘도-전압 특성을 나타낸 것이다.
도 54는 발광 디바이스 8 및 발광 디바이스 9의 전류-전압 특성을 나타낸 것이다.
도 55는 발광 디바이스 8 및 발광 디바이스 9의 외부 양자 효율-휘도 특성을 나타낸 것이다.
도 56은 발광 디바이스 8 및 발광 디바이스 9의 발광 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 57은 발광 디바이스 8 및 발광 디바이스 9의 정규화 휘도의 시간 의존성을 나타낸 것이다.
도 1의 (A1), (A2), (B), 및 (C)는 발광 디바이스의 모식도이다.
도 2의 (A) 및 (B)는 장수명화를 설명하는 도면이다.
도 3의 (A) 및 (B)는 휘도 상승을 설명하는 도면이다.
도 4의 (A) 및 (B)는 액티브 매트릭스 발광 장치의 개념도이다.
도 5의 (A) 및 (B)는 액티브 매트릭스 발광 장치의 개념도이다.
도 6은 액티브 매트릭스 발광 장치의 개념도이다.
도 7의 (A) 및 (B)는 패시브 매트릭스 발광 장치의 개념도이다.
도 8의 (A) 및 (B)는 조명 장치를 도시한 것이다.
도 9의 (A), (B1), (B2), 및 (C)는 전자 기기를 도시한 것이다.
도 10의 (A) 내지 (C)는 전자 기기를 도시한 것이다.
도 11은 조명 장치를 도시한 것이다.
도 12는 조명 장치를 도시한 것이다.
도 13은 차량 탑재용 표시 장치 및 조명 장치를 도시한 것이다.
도 14의 (A) 및 (B)는 전자 기기를 도시한 것이다.
도 15의 (A) 내지 (C)는 전자 기기를 도시한 것이다.
도 16은 발광 디바이스 1 내지 발광 디바이스 3 및 비교 발광 디바이스 1의 휘도-전류 밀도 특성을 나타낸 것이다.
도 17은 발광 디바이스 1 내지 발광 디바이스 3 및 비교 발광 디바이스 1의 전류 효율-휘도 특성을 나타낸 것이다.
도 18은 발광 디바이스 1 내지 발광 디바이스 3 및 비교 발광 디바이스 1의 휘도-전압 특성을 나타낸 것이다.
도 19는 발광 디바이스 1 내지 발광 디바이스 3 및 비교 발광 디바이스 1의 전류-전압 특성을 나타낸 것이다.
도 20은 발광 디바이스 1 내지 발광 디바이스 3 및 비교 발광 디바이스 1의 외부 양자 효율-휘도 특성을 나타낸 것이다.
도 21은 발광 디바이스 1 내지 발광 디바이스 3 및 비교 발광 디바이스 1의 발광 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 22는 발광 디바이스 1 내지 발광 디바이스 3 및 비교 발광 디바이스 1의 정규화 휘도의 시간 의존성을 나타낸 것이다.
도 23의 (A1), (A2), (B1), 및 (B2)는 각각 전자 수송층에서의 제 1 물질의 농도를 나타낸 것이다.
도 24의 (A) 및 (B)는 ToF-SIMS 분석 결과를 나타낸 것이다.
도 25는 측정용 디바이스의 구조를 도시한 것이다.
도 26은 측정용 디바이스의 전류 밀도-전압 특성을 나타낸 것이다.
도 27은 DC 전압이 7.0V이고 ZADN 대 Liq의 비율이 1:1일 때의 산출된 정전 용량 C의 주파수 특성을 나타낸 것이다.
도 28은 DC 전압이 7.0V이고 ZADN 대 Liq의 비율이 1:1일 때의 -△B의 주파수 특성을 나타낸 것이다.
도 29는 유기 화합물의 전자 이동도의 전계 강도 의존성을 나타낸 것이다.
도 30은 발광 디바이스 4 및 발광 디바이스 5의 휘도-전류 밀도 특성을 나타낸 것이다.
도 31은 발광 디바이스 4 및 발광 디바이스 5의 전류 효율-휘도 특성을 나타낸 것이다.
도 32는 발광 디바이스 4 및 발광 디바이스 5의 휘도-전압 특성을 나타낸 것이다.
도 33은 발광 디바이스 4 및 발광 디바이스 5의 전류-전압 특성을 나타낸 것이다.
도 34는 발광 디바이스 4 및 발광 디바이스 5의 외부 양자 효율-휘도 특성을 나타낸 것이다.
도 35는 발광 디바이스 4 및 발광 디바이스 5의 발광 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 36은 발광 디바이스 4 및 발광 디바이스 5의 정규화 휘도의 시간 의존성을 나타낸 것이다.
도 37은 발광 디바이스 6의 휘도-전류 밀도 특성을 나타낸 것이다.
도 38은 발광 디바이스 6의 전류 효율-휘도 특성을 나타낸 것이다.
도 39는 발광 디바이스 6의 휘도-전압 특성을 나타낸 것이다.
도 40은 발광 디바이스 6의 전류-전압 특성을 나타낸 것이다.
도 41은 발광 디바이스 6의 외부 양자 효율-휘도 특성을 나타낸 것이다.
도 42는 발광 디바이스 6의 발광 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 43은 발광 디바이스 6의 정규화 휘도의 시간 의존성을 나타낸 것이다.
도 44는 발광 디바이스 7의 휘도-전류 밀도 특성을 나타낸 것이다.
도 45는 발광 디바이스 7의 전류 효율-휘도 특성을 나타낸 것이다.
도 46은 발광 디바이스 7의 휘도-전압 특성을 나타낸 것이다.
도 47은 발광 디바이스 7의 전류-전압 특성을 나타낸 것이다.
도 48은 발광 디바이스 7의 외부 양자 효율-휘도 특성을 나타낸 것이다.
도 49는 발광 디바이스 7의 발광 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 50은 발광 디바이스 7의 정규화 휘도의 시간 의존성을 나타낸 것이다.
도 51은 발광 디바이스 8 및 발광 디바이스 9의 휘도-전류 밀도 특성을 나타낸 것이다.
도 52는 발광 디바이스 8 및 발광 디바이스 9의 전류 효율-휘도 특성을 나타낸 것이다.
도 53은 발광 디바이스 8 및 발광 디바이스 9의 휘도-전압 특성을 나타낸 것이다.
도 54는 발광 디바이스 8 및 발광 디바이스 9의 전류-전압 특성을 나타낸 것이다.
도 55는 발광 디바이스 8 및 발광 디바이스 9의 외부 양자 효율-휘도 특성을 나타낸 것이다.
도 56은 발광 디바이스 8 및 발광 디바이스 9의 발광 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 57은 발광 디바이스 8 및 발광 디바이스 9의 정규화 휘도의 시간 의존성을 나타낸 것이다.
이하에서 본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 참조하여 자세히 설명한다. 또한 본 발명은 이하의 설명에 한정되지 않고, 본 발명의 취지 및 범위에서 벗어나지 않고 본 발명의 형태 및 자세한 사항을 다양하게 변경할 수 있다는 것은 통상의 기술자에 의하여 쉽게 이해된다. 그러므로 본 발명은 이하의 실시형태의 설명에 한정하여 해석되지 말아야 한다.
(실시형태 1)
도 1의 (A1) 및 (A2)는 각각 본 발명의 일 형태에 따른 발광 디바이스를 도시한 것이다. 본 발명의 일 형태에 따른 발광 디바이스는 양극(101), 음극(102), 및 EL층(103)을 포함한다. 상기 EL층은 정공 주입층(111), 정공 수송층(112), 발광층(113), 및 전자 수송층(114)을 포함한다. 정공 수송층(112)은 제 1 정공 수송층(112-1) 및 제 2 정공 수송층(112-2)을 포함하고, 전자 수송층(114)은 도 1의 (A2)에 도시된 바와 같이 제 1 전자 수송층(114-1) 및 제 2 전자 수송층(114-2)을 포함하는 것이 바람직하다.
도 1의 (A1) 및 (A2)의 각각은 EL층(103)에 전자 주입층(115)을 추가적으로 도시한 것이지만, 발광 디바이스의 구조는 이에 한정되지 않는다. 상술한 구성요소를 포함하기만 하면, 다른 기능을 가지는 층이 포함되어도 좋다.
정공 주입층(111)은 제 1 유기 화합물 및 제 2 유기 화합물을 포함한다. 제 1 유기 화합물은 제 2 유기 화합물에 대하여 전자 수용성을 나타낸다. 제 2 유기 화합물은 -5.7eV 이상 -5.4eV 이하로 비교적 깊은 HOMO 준위를 가진다. 비교적 깊은 HOMO 준위를 가지는 제 2 유기 화합물에 의하여, 정공의 유발(induction)이 적절히 억제되고, 또한 유발된 정공을 정공 수송층(112)에 주입하는 것이 용이하게 된다.
제 1 유기 화합물로서는 예를 들어 전자 흡인기(특히 사이아노기, 또는 플루오로기 등의 할로젠기)를 가지는 유기 화합물을 사용할 수 있다. 이러한 유기 화합물 중에서, 제 2 유기 화합물에 대하여 전자 수용성을 나타내는 물질을 적절히 선택한다. 이러한 유기 화합물의 예에는 7,7,8,8-테트라사이아노-2,3,5,6-테트라플루오로퀴노다이메테인(약칭: F4-TCNQ), 클로라닐, 2,3,6,7,10,11-헥사사이아노-1,4,5,8,9,12-헥사아자트라이페닐렌(약칭: HAT-CN), 1,3,4,5,7,8-헥사플루오로테트라사이아노-나프토퀴노다이메테인(약칭: F6-TCNNQ), 및 2-(7-다이사이아노메틸렌-1,3,4,5,6,8,9,10-옥타플루오로-7H-피렌-2-일리덴)말로노나이트릴이 포함된다. HAT-CN과 같이 헤테로 원자를 복수로 가지는 축합 방향족 고리에 전자 흡인기가 결합된 화합물은 열적으로 안정적이기 때문에 바람직하다. 전자 흡인기(특히 사이아노기, 또는 플루오로기 등의 할로젠기)를 가지는 [3]라디알렌 유도체는 전자 수용성이 매우 높기 때문에 바람직하다. 구체적인 예에는 α,α',α''-1,2,3-사이클로프로페인트라이일리덴트리스[4-사이아노-2,3,5,6-테트라플루오로벤젠아세토나이트릴], α,α',α''-1,2,3-사이클로프로페인트라이일리덴트리스[2,6-다이클로로-3,5-다이플루오로-4-(트라이플루오로메틸)벤젠아세토나이트릴], 및 α,α',α''-1,2,3-사이클로프로페인트라이일리덴트리스[2,3,4,5,6-펜타플루오로벤젠아세토나이트릴]이 포함된다.
제 2 유기 화합물은 정공 수송성을 가지는 유기 화합물인 것이 바람직하고, 카바졸 골격, 다이벤조퓨란 골격, 다이벤조싸이오펜 골격, 및 안트라센 골격 중 어느 것을 가지는 것이 더 바람직하다. 특히 다이벤조퓨란 고리 또는 다이벤조싸이오펜 고리를 포함하는 치환기를 가지는 방향족 아민, 또는 나프탈렌 고리를 포함하는 방향족 모노아민이 바람직하고, 9-플루오렌일기가 아릴렌기를 통하여 아민의 질소에 결합되는 방향족 모노아민을 사용하여도 좋다. 또한 N,N-비스(4-바이페닐)아미노기를 가지는 제 2 유기 화합물은 수명이 긴 발광 디바이스를 제작할 수 있기 때문에 바람직하다. 제 2 유기 화합물의 구체적인 예에는 N-(4-바이페닐)-6,N-다이페닐벤조[b]나프토[1,2-d]퓨란-8-아민(약칭: BnfABP), N,N-비스(4-바이페닐)-6-페닐벤조[b]나프토[1,2-d]퓨란-8-아민(약칭: BBABnf), 4,4'-비스(6-페닐벤조[b]나프토[1,2-d]퓨란-8-일)-4''-페닐트라이페닐아민(약칭: BnfBB1BP), N,N-비스(4-바이페닐)벤조[b]나프토[1,2-d]퓨란-6-아민(약칭: BBABnf(6)), N,N-비스(4-바이페닐)벤조[b]나프토[1,2-d]퓨란-8-아민(약칭: BBABnf(8)), N,N-비스(4-바이페닐)벤조[b]나프토[2,3-d]퓨란-4-아민(약칭: BBABnf(II)(4)), N,N-비스[4-(다이벤조퓨란-4-일)페닐]-4-아미노-p-터페닐(약칭: DBfBB1TP), N-[4-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-N-페닐-4-바이페닐아민(약칭: ThBA1BP), 4-(2-나프틸)-4',4''-다이페닐트라이페닐아민(약칭: BBAβNB), 4-[4-(2-나프틸)페닐]-4',4''-다이페닐트라이페닐아민(약칭: BBAβNBi), 4-(2;1'-바이나프틸-6-일)-4',4''-다이페닐트라이페닐아민(약칭: BBAαNβNB), 4,4'-다이페닐-4''-(7;1'-바이나프틸-2-일)트라이페닐아민(약칭: BBAαNβNB-03), 4,4'-다이페닐-4''-(7-페닐)나프틸-2-일트라이페닐아민(약칭: BBAPβNB-03), 4-(6;2'-바이나프틸-2-일)-4',4''-다이페닐트라이페닐아민(약칭: BBA(βN2)B), 4-(2;2'-바이나프틸-7-일)-4',4''-다이페닐트라이페닐아민(약칭: BBA(βN2)B-03), 4-(1;2'-바이나프틸-4-일)-4',4''-다이페닐트라이페닐아민(약칭: BBAβNαNB), 4-(1;2'-바이나프틸-5-일)-4',4''-다이페닐트라이페닐아민(약칭: BBAβNαNB-02), 4-(4-바이페닐릴)-4'-(2-나프틸)-4''-페닐트라이페닐아민(약칭: TPBiAβNB), 4-(3-바이페닐릴)-4'-[4-(2-나프틸)페닐]-4''-페닐트라이페닐아민(약칭: mTPBiAβNBi), 4-(4-바이페닐릴)-4'-[4-(2-나프틸)페닐]-4''-페닐트라이페닐아민(약칭: TPBiAβNBi), 4-(1-나프틸)-4'-페닐트라이페닐아민(약칭: αNBA1BP), 4,4'-비스(1-나프틸)트라이페닐아민(약칭: αNBB1BP), 4,4'-다이페닐-4''-[4'-(카바졸-9-일)바이페닐-4-일]트라이페닐아민(약칭: YGTBi1BP), 4'-[4-(3-페닐-9H-카바졸-9-일)페닐]트리스(1,1'-바이페닐-4-일)아민(약칭: YGTBi1BP-02), 4-[4'-(카바졸-9-일)바이페닐-4-일]-4'-(2-나프틸)-4''-페닐트라이페닐아민(약칭: YGTBiβNB), N-[4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐]-N-[4-(1-나프틸)페닐]-9,9'-스파이로바이[9H-플루오렌]-2-아민(약칭: PCBNBSF), N,N-비스([1,1'-바이페닐]-4-일)-9,9'-스파이로바이[9H-플루오렌]-2-아민(약칭: BBASF), N,N-비스([1,1'-바이페닐]-4-일)-9,9'-스파이로바이[9H-플루오렌]-4-아민(약칭: BBASF(4)), N-(1,1'-바이페닐-2-일)-N-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)-9,9'-스파이로바이[9H-플루오렌]-4-아민(약칭: oFBiSF), N-(4-바이페닐)-N-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)다이벤조퓨란-4-아민(약칭: FrBiF), N-[4-(1-나프틸)페닐]-N-[3-(6-페닐다이벤조퓨란-4-일)페닐]-1-나프틸아민(약칭: mPDBfBNBN), 4-페닐-4'-(9-페닐플루오렌-9-일)트라이페닐아민(약칭: BPAFLP), 4-페닐-3'-(9-페닐플루오렌-9-일)트라이페닐아민(약칭: mBPAFLP), 4-페닐-4'-[4-(9-페닐플루오렌-9-일)페닐]트라이페닐아민(약칭: BPAFLBi), 4-페닐-4'-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBA1BP), 4,4'-다이페닐-4''-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBBi1BP), 4-(1-나프틸)-4'-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBANB), 4,4'-다이(1-나프틸)-4''-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBNBB), N-페닐-N-[4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐]스파이로-9,9'-바이플루오렌-2-아민(약칭: PCBASF), 및 N-(1,1'-바이페닐-4-일)-9,9-다이메틸-N-[4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐]-9H-플루오렌-2-아민(약칭: PCBBiF)이 포함된다.
정공 주입층(111)에서의 제 1 유기 화합물 대 제 2 유기 화합물의 중량비는 1:0.01 내지 1:0.15인 것이 바람직하고, 1:0.01 내지 1:0.1인 것이 더 바람직하다.
정공 수송층(112)은 제 1 정공 수송층(112-1) 및 제 2 정공 수송층(112-2)을 포함하는 것이 바람직하다. 제 1 정공 수송층(112-1)은 제 2 정공 수송층(112-2)보다 양극(101) 측에 가깝다. 또한 제 2 정공 수송층(112-2)은 전자 차단층으로서 기능하는 경우도 있다.
제 1 정공 수송층(112-1) 및 제 2 정공 수송층(112-2)은 각각, 제 3 유기 화합물 및 제 4 유기 화합물을 포함한다.
제 3 유기 화합물 및 제 4 유기 화합물은 정공 수송성을 가지는 유기 화합물인 것이 바람직하다. 제 3 유기 화합물 및 제 4 유기 화합물로서는 제 2 유기 화합물로서 사용할 수 있는 유기 화합물을 마찬가지로 사용할 수 있다.
제 2 유기 화합물 및 제 3 유기 화합물의 재료는, 제 3 유기 화합물의 HOMO 준위가 제 2 유기 화합물의 HOMO 준위보다 깊고 이 HOMO 준위의 차이가 0.2eV 이하가 되도록 선택되는 것이 바람직하다.
또한 제 4 유기 화합물의 HOMO 준위는 제 3 유기 화합물의 HOMO 준위보다 깊은 것이 바람직하다. 제 3 유기 화합물 및 제 4 유기 화합물의 재료는 HOMO 준위의 차이가 0.2eV 이하가 되도록 선택되는 것이 바람직하다. 제 2 유기 화합물, 제 3 유기 화합물, 및 제 4 유기 화합물의 HOMO 준위가 상술한 관계에 있으면, 각 층에 정공이 원활하게 주입되므로, 구동 전압의 상승 및 발광층에서의 정공의 부족이 방지된다.
제 2 유기 화합물, 제 3 유기 화합물, 및 제 4 유기 화합물은 각각 정공 수송성 골격을 가지는 것이 바람직하다. 상기 유기 화합물들의 HOMO 준위가 지나치게 얕아지지 않는 카바졸 골격, 다이벤조퓨란 골격, 다이벤조싸이오펜 골격, 및 안트라센 골격을 정공 수송성 골격으로서 사용하는 것이 바람직하다. 인접한 층에 포함된 재료(예를 들어 제 2 유기 화합물과 제 3 유기 화합물 또는 제 3 유기 화합물과 제 4 유기 화합물)가 같은 정공 수송성 골격을 가지면, 정공을 원활하게 주입할 수 있기 때문에 바람직하다. 특히 다이벤조퓨란 골격을 정공 수송성 골격으로서 사용하는 것이 바람직하다.
또한 인접한 층에 포함되는 재료(예를 들어 제 2 유기 화합물과 제 3 유기 화합물 또는 제 3 유기 화합물과 제 4 유기 화합물)가 같으면, 정공을 더 원활하게 주입할 수 있기 때문에 바람직하다. 특히 제 2 유기 화합물과 제 3 유기 화합물은 같은 재료인 것이 바람직하다.
발광층(113)은 제 5 유기 화합물 및 제 6 유기 화합물을 포함한다. 제 5 유기 화합물은 발광 중심 물질이고, 제 6 유기 화합물은 제 5 유기 화합물을 분산시키는 호스트 재료이다. 또한 발광층(113)은 제 5 유기 화합물 및 제 6 유기 화합물에 더하여 또 다른 재료를 포함하여도 좋다.
발광 중심 물질로서는 형광 발광 물질, 인광 발광 물질, 열 활성화 지연 형광(TADF)을 나타내는 물질, 또는 다른 발광 재료를 사용하여도 좋다. 또한 발광층(113)은 단층이어도 좋고, 복수의 층을 포함하여도 좋다. 또한 본 발명의 일 형태는 발광층(113)이 형광, 특히 청색 형광을 방출하는 경우에 더 적합하다.
발광층(113)에서 형광 발광 물질로서 사용할 수 있는 재료의 예는 다음과 같다. 그 외의 형광 발광 물질을 사용할 수도 있다.
예에는, 5,6-비스[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-2,2'-바이피리딘(약칭: PAP2BPy), 5,6-비스[4'-(10-페닐-9-안트릴)바이페닐-4-일]-2,2'-바이피리딘(약칭: PAPP2BPy), N,N'-다이페닐-N,N'-비스[4-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]피렌-1,6-다이아민(약칭: 1,6FLPAPrn), N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-비스[3-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]피렌-1,6-다이아민(약칭: 1,6mMemFLPAPrn), N,N'-비스[4-(9H-카바졸-9-일)페닐]-N,N'-다이페닐스틸벤-4,4'-다이아민(약칭: YGA2S), 4-(9H-카바졸-9-일)-4'-(10-페닐-9-안트릴)트라이페닐아민(약칭: YGAPA), 4-(9H-카바졸-9-일)-4'-(9,10-다이페닐-2-안트릴)트라이페닐아민(약칭: 2YGAPPA), N,9-다이페닐-N-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸-3-아민(약칭: PCAPA), 페릴렌, 2,5,8,11-테트라(tert-뷰틸)페릴렌(약칭: TBP), 4-(10-페닐-9-안트릴)-4'-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBAPA), N,N''-(2-tert-뷰틸안트라센-9,10-다이일다이-4,1-페닐렌)비스[N,N',N'-트라이페닐-1,4-페닐렌다이아민](약칭: DPABPA), N,9-다이페닐-N-[4-(9,10-다이페닐-2-안트릴)페닐]-9H-카바졸-3-아민(약칭: 2PCAPPA), N-[4-(9,10-다이페닐-2-안트릴)페닐]-N,N',N'-트라이페닐-1,4-페닐렌다이아민(약칭: 2DPAPPA), N,N,N',N',N'',N'',N''',N'''-옥타페닐다이벤조[g,p]크리센-2,7,10,15-테트라아민(약칭: DBC1), 쿠마린30, N-(9,10-다이페닐-2-안트릴)-N,9-다이페닐-9H-카바졸-3-아민(약칭: 2PCAPA), N-[9,10-비스(1,1'-바이페닐-2-일)-2-안트릴]-N,9-다이페닐-9H-카바졸-3-아민(약칭: 2PCABPhA), N-(9,10-다이페닐-2-안트릴)-N,N',N'-트라이페닐-1,4-페닐렌다이아민(약칭: 2DPAPA), N-[9,10-비스(1,1'-바이페닐-2-일)-2-안트릴]-N,N',N'-트라이페닐-1,4-페닐렌다이아민(약칭: 2DPABPhA), 9,10-비스(1,1'-바이페닐-2-일)-N-[4-(9H-카바졸-9-일)페닐]-N-페닐안트라센-2-아민(약칭: 2YGABPhA), N,N,9-트라이페닐안트라센-9-아민(약칭: DPhAPhA), 쿠마린545T, N,N'-다이페닐퀴나크리돈(약칭: DPQd), 루브렌, 5,12-비스(1,1'-바이페닐-4-일)-6,11-다이페닐테트라센(약칭: BPT), 2-(2-{2-[4-(다이메틸아미노)페닐]에텐일}-6-메틸-4H-피란-4-일리덴)프로페인다이나이트릴(약칭: DCM1), 2-{2-메틸-6-[2-(2,3,6,7-테트라하이드로-1H,5H-벤조[ij]퀴놀리진-9-일)에텐일]-4H-피란-4-일리덴}프로페인다이나이트릴(약칭: DCM2), N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)테트라센-5,11-다이아민(약칭: p-mPhTD), 7,14-다이페닐-N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)아세나프토[1,2-a]플루오란텐-3,10-다이아민(약칭: p-mPhAFD), 2-{2-아이소프로필-6-[2-(1,1,7,7-테트라메틸-2,3,6,7-테트라하이드로-1H,5H-벤조[ij]퀴놀리진-9-일)에텐일]-4H-피란-4-일리덴}프로페인다이나이트릴(약칭: DCJTI), 2-{2-tert-뷰틸-6-[2-(1,1,7,7-테트라메틸-2,3,6,7-테트라하이드로-1H,5H-벤조[ij]퀴놀리진-9-일)에텐일]-4H-피란-4-일리덴}프로페인다이나이트릴(약칭: DCJTB), 2-(2,6-비스{2-[4-(다이메틸아미노)페닐]에텐일}-4H-피란-4-일리덴)프로페인다이나이트릴(약칭: BisDCM), 2-{2,6-비스[2-(8-메톡시-1,1,7,7-테트라메틸-2,3,6,7-테트라하이드로-1H,5H-벤조[ij]퀴놀리진-9-일)에텐일]-4H-피란-4-일리덴}프로페인다이나이트릴(약칭: BisDCJTM), N,N'-(피렌-1,6-다이일)비스[(6,N-다이페닐벤조[b]나프토[1,2-d]퓨란)-8-아민](약칭: 1,6BnfAPrn-03), 3,10-비스[N-(9-페닐-9H-카바졸-2-일)-N-페닐아미노]나프토[2,3-b;6,7-b']비스벤조퓨란(약칭: 3,10PCA2Nbf(IV)-02), 및 3,10-비스[N-(다이벤조퓨란-3-일)-N-페닐아미노]나프토[2,3-b;6,7-b']비스벤조퓨란(약칭: 3,10FrA2Nbf(IV)-02)이 포함된다. 1,6FLPAPrn, 1,6mMemFLPAPrn, 및 1,6BnfAPrn-03 등의 피렌다이아민 화합물로 대표되는 축합 방향족 다이아민 화합물은 정공 트랩성이 높고, 발광 효율이 높고, 신뢰성이 높기 때문에 특히 바람직하다.
발광층(113)에서 인광 발광 물질을 발광 중심 물질로서 사용하는 경우에 사용할 수 있는 재료의 예는 다음과 같다.
예에는, 트리스{2-[5-(2-메틸페닐)-4-(2,6-다이메틸페닐)-4H-1,2,4-트라이아졸-3-일-κN 2]페닐-κC}이리듐(III)(약칭: [Ir(mpptz-dmp)3]), 트리스(5-메틸-3,4-다이페닐-4H-1,2,4-트라이아졸레이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(Mptz)3]), 및 트리스[4-(3-바이페닐)-5-아이소프로필-3-페닐-4H-1,2,4-트라이아졸레이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(iPrptz-3b)3]) 등의 4H-트라이아졸 골격을 가지는 유기 금속 이리듐 착체, 트리스[3-메틸-1-(2-메틸페닐)-5-페닐-1H-1,2,4-트라이아졸레이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(Mptz1-mp)3]) 및 트리스(1-메틸-5-페닐-3-프로필-1H-1,2,4-트라이아졸레이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(Prptz1-Me)3]) 등의 1H-트라이아졸 골격을 가지는 유기 금속 이리듐 착체, fac-트리스[1-(2,6-다이아이소프로필페닐)-2-페닐-1H-이미다졸]이리듐(III)(약칭: [Ir(iPrpmi)3]) 및 트리스[3-(2,6-다이메틸페닐)-7-메틸이미다조[1,2-f]페난트리디네이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(dmpimpt-Me)3]) 등의 이미다졸 골격을 가지는 유기 금속 이리듐 착체, 및 비스[2-(4',6'-다이플루오로페닐)피리디네이토-N,C 2']이리듐(III)테트라키스(1-피라졸릴)보레이트(약칭: FIr6), 비스[2-(4',6'-다이플루오로페닐)피리디네이토-N,C 2']이리듐(III)피콜리네이트(약칭: FIrpic), 비스{2-[3',5'-비스(트라이플루오로메틸)페닐]피리디네이토-N,C 2'}이리듐(III)피콜리네이트(약칭: [Ir(CF3ppy)2(pic)]), 및 비스[2-(4',6'-다이플루오로페닐)피리디네이토-N,C 2']이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: FIr(acac)) 등의 전자 흡인기를 가지는 페닐피리딘 유도체가 리간드인 유기 금속 이리듐 착체가 포함된다. 이들 화합물은 440nm 내지 520nm에 발광 피크를 가지는 청색 인광을 방출한다.
다른 예에는, 트리스(4-메틸-6-페닐피리미디네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(mppm)3]), 트리스(4-t-뷰틸-6-페닐피리미디네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(tBuppm)3]), (아세틸아세토네이토)비스(6-메틸-4-페닐피리미디네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(mppm)2(acac)]), (아세틸아세토네이토)비스(6-tert-뷰틸-4-페닐피리미디네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(tBuppm)2(acac)]), (아세틸아세토네이토)비스[6-(2-노보닐)-4-페닐피리미디네이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(nbppm)2(acac)]), (아세틸아세토네이토)비스[5-메틸-6-(2-메틸페닐)-4-페닐피리미디네이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(mpmppm)2(acac)]), 및 (아세틸아세토네이토)비스(4,6-다이페닐피리미디네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(dppm)2(acac)]) 등의 피리미딘 골격을 가지는 유기 금속 이리듐 착체, (아세틸아세토네이토)비스(3,5-다이메틸-2-페닐피라지네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(mppr-Me)2(acac)]) 및 (아세틸아세토네이토)비스(5-아이소프로필-3-메틸-2-페닐피라지네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(mppr-iPr)2(acac)]) 등의 피라진 골격을 가지는 유기 금속 이리듐 착체, 트리스(2-페닐피리디네이토-N,C 2')이리듐(III)(약칭: [Ir(ppy)3]), 비스(2-페닐피리디네이토-N,C 2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: [Ir(ppy)2(acac)]), 비스(벤조[h]퀴놀리네이토)이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: [Ir(bzq)2(acac)]), 트리스(벤조[h]퀴놀리네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(bzq)3]), 트리스(2-페닐퀴놀리네이토-N,C 2')이리듐(III)(약칭: [Ir(pq)3]), 및 비스(2-페닐퀴놀리네이토-N,C 2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: [Ir(pq)2(acac)]) 등의 피리딘 골격을 가지는 유기 금속 이리듐 착체, 및 트리스(아세틸아세토네이토)(모노페난트롤린)터븀(III)(약칭: [Tb(acac)3(Phen)]) 등의 희토류 금속 착체가 포함된다. 이들 화합물은 500nm 내지 600nm에 발광 피크를 가지는 녹색의 인광을 주로 방출한다. 또한 피리미딘 골격을 가지는 유기 금속 이리듐 착체는 신뢰성 및 발광 효율이 두드러지게 높기 때문에 특히 바람직하다.
다른 예에는, (다이아이소뷰티릴메타네이토)비스[4,6-비스(3-메틸페닐)피리미디네이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(5mdppm)2(dibm)]), 비스[4,6-비스(3-메틸페닐)피리미디네이토](다이피발로일메타네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(5mdppm)2(dpm)]), 및 비스[4,6-다이(나프탈렌-1-일)피리미디네이토](다이피발로일메타네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(d1npm)2(dpm)]) 등의 피리미딘 골격을 가지는 유기 금속 이리듐 착체, (아세틸아세토네이토)비스(2,3,5-트라이페닐피라지네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(tppr)2(acac)]), 비스(2,3,5-트라이페닐피라지네이토)(다이피발로일메타네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(tppr)2(dpm)]), 및 (아세틸아세토네이토)비스[2,3-비스(4-플루오로페닐)퀴녹살리네이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(Fdpq)2(acac)]) 등의 피라진 골격을 가지는 유기 금속 이리듐 착체, 트리스(1-페닐아이소퀴놀리네이토-N,C 2')이리듐(III)(약칭: [Ir(piq)3]) 및 비스(1-페닐아이소퀴놀리네이토-N,C 2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: [Ir(piq)2(acac)]) 등의 피리딘 골격을 가지는 유기 금속 이리듐 착체, 2,3,7,8,12,13,17,18-옥타에틸-21H,23H-포르피린 백금(II)(약칭: PtOEP) 등의 백금 착체, 및 트리스(1,3-다이페닐-1,3-프로페인다이오네이토)(모노페난트롤린)유로퓸(III)(약칭: [Eu(DBM)3(Phen)]) 및 트리스[1-(2-테노일)-3,3,3-트라이플루오로아세토네이토](모노페난트롤린)유로퓸(III)(약칭: [Eu(TTA)3(Phen)]) 등의 희토류 금속 착체가 포함된다. 이들 화합물은 600nm 내지 700nm에 발광 피크를 가지는 적색 인광을 방출한다. 또한 피라진 골격을 가지는 유기 금속 이리듐 착체는 색도가 좋은 적색광을 방출할 수 있다.
상기 인광성 화합물 외에, 공지의 인광 재료를 선택하여 사용하여도 좋다.
TADF 재료의 예에는 풀러렌, 그 유도체, 아크리딘, 그 유도체, 및 에오신 유도체가 포함된다. 다른 예에는, 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 주석(Sn), 백금(Pt), 인듐(In), 또는 팔라듐(Pd)을 포함하는 포르피린 등의 금속 함유 포르피린이 포함된다. 금속 함유 포르피린의 예에는, 이하의 구조식으로 나타내어지는 프로토포르피린-플루오린화 주석 착체(SnF2(Proto IX)), 메소포르피린-플루오린화 주석 착체(SnF2(Meso IX)), 헤마토포르피린-플루오린화 주석 착체(SnF2(Hemato IX)), 코프로포르피린 테트라메틸 에스터-플루오린화 주석 착체(SnF2(Copro III-4Me)), 옥타에틸포르피린-플루오린화 주석 착체(SnF2(OEP)), 에티오포르피린-플루오린화 주석 착체(SnF2(Etio I)), 및 옥타에틸포르피린-염화 백금 착체(PtCl2OEP)가 포함된다.
[화학식 1]
또는 이하의 구조식으로 나타내어지는, 2-(바이페닐-4-일)-4,6-비스(12-페닐인돌로[2,3-a]카바졸-11-일)-1,3,5-트라이아진(약칭: PIC-TRZ), 9-(4,6-다이페닐-1,3,5-트라이아진-2-일)-9'-페닐-9H,9'H-3,3'-바이카바졸(약칭: PCCzTzn), 2-{4-[3-(N-페닐-9H-카바졸-3-일)-9H-카바졸-9-일]페닐}-4,6-다이페닐-1,3,5-트라이아진(약칭: PCCzPTzn), 2-[4-(10H-페녹사진-10-일)페닐]-4,6-다이페닐-1,3,5-트라이아진(약칭: PXZ-TRZ), 3-[4-(5-페닐-5,10-다이하이드로페나진-10-일)페닐]-4,5-다이페닐-1,2,4-트라이아졸(약칭: PPZ-3TPT), 3-(9,9-다이메틸-9H-아크리딘-10-일)-9H-크산텐-9-온(약칭: ACRXTN), 비스[4-(9,9-다이메틸-9,10-다이하이드로아크리딘)페닐]설폰(약칭: DMAC-DPS), 또는 10-페닐-10H,10'H-스파이로[아크리딘-9,9'-안트라센]-10'-온(약칭: ACRSA) 등, π전자 과잉형 헤테로 방향족 고리 및 π전자 부족형 헤테로 방향족 고리 중 한쪽 또는 양쪽 모두를 가지는 헤테로 고리 화합물을 사용할 수 있다. 이러한 헤테로 고리 화합물은, π전자 과잉형 헤테로 방향족 고리 및 π전자 부족형 헤테로 방향족 고리 때문에 전자 수송성 및 정공 수송성이 우수하므로 바람직하다. π전자 부족형 헤테로 방향족 고리를 가지는 골격 중에서, 피리딘 골격, 다이아진 골격(피리미딘 골격, 피라진 골격, 또는 피리다진 골격), 및 트라이아진 골격은 안정성 및 신뢰성이 높기 때문에 바람직하다. 특히 벤조퓨로피리미딘 골격, 벤조티에노피리미딘 골격, 벤조퓨로피라진 골격, 및 벤조티에노피라진 골격은 수용성 및 신뢰성이 높기 때문에 바람직하다. π전자 과잉형 헤테로 방향족 고리를 가지는 골격 중에서, 아크리딘 골격, 페녹사진 골격, 페노싸이아진 골격, 퓨란 골격, 싸이오펜 골격, 및 피롤 골격은 안정성 및 신뢰성이 높기 때문에, 이들 골격 중 적어도 하나를 포함하는 것이 바람직하다. 퓨란 골격으로서는 다이벤조퓨란 골격이 바람직하다. 싸이오펜 골격으로서는 다이벤조싸이오펜 골격이 바람직하다. 피롤 골격으로서는 인돌 골격, 카바졸 골격, 인돌로카바졸 골격, 바이카바졸 골격, 및 3-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)-9H-카바졸 골격이 특히 바람직하다. 또한 π전자 과잉형 헤테로 방향족 고리가 π전자 부족형 헤테로 방향족 고리와 직접 결합된 물질은, π전자 과잉형 헤테로 방향족 고리의 전자 공여성 및 π전자 부족형 헤테로 방향족 고리의 전자 수용성이 모두 향상되고, S1 준위와 T1 준위의 에너지 차이가 작아지므로, 열 활성화 지연 형광을 높은 효율로 얻을 수 있기 때문에 특히 바람직하다. 또한 π전자 부족형 헤테로 방향족 고리 대신에, 사이아노기 등 전자 흡인기가 결합된 방향족 고리를 사용하여도 좋다. π전자 과잉형 골격으로서는 방향족 아민 골격 또는 페나진 골격 등을 사용할 수 있다. π전자 부족형 골격으로서는 크산텐 골격, 싸이오크산텐다이옥사이드 골격, 옥사다이아졸 골격, 트라이아졸 골격, 이미다졸 골격, 안트라퀴논 골격, 페닐보레인 또는 보란트렌 등의 붕소 함유 골격, 벤조나이트릴 또는 사이아노벤젠 등의 나이트릴기 또는 사이아노기를 가지는 방향족 고리 또는 헤테로 방향족 고리, 벤조페논 등의 카보닐 골격, 포스핀옥사이드 골격, 또는 설폰 골격 등을 사용할 수 있다. 상술한 바와 같이, π전자 부족형 헤테로 방향족 고리 및 π전자 과잉형 헤테로 방향족 고리 중 적어도 하나 대신에 π전자 부족형 골격 및 π전자 과잉형 골격을 사용할 수 있다.
[화학식 2]
TADF 재료는 아래의 일반식(G1) 내지 일반식(G11) 중 어느 것으로 나타내어지는 물질인 것이 바람직하다.
[화학식 3]
[화학식 4]
상기 일반식(G1)에서, R1 내지 R5 중 적어도 하나는 사이아노기를 나타내고, R1 내지 R5 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 9-카바졸릴기, 치환 또는 비치환된 1,2,3,4-테트라하이드로-9-카바졸릴기, 치환 또는 비치환된 1-인돌일기, 또는 치환 또는 비치환된 다이아릴아미노기를 나타내고, R1 내지 R5 중 나머지는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다.
상기 일반식(G2)에서, R11 및 R12는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 임의의 치환기를 나타내고, A는 치환기를 가져도 좋은 적어도 하나의 헤테로아릴기 또는 치환기를 가져도 좋은 적어도 하나의 아릴아미노기가 직접 또는 방향족기를 통하여 피리딘 고리의 4위치 탄소와 결합된 치환기를 나타낸다.
상기 일반식(G3)에서, Ar1 내지 Ar3은 각각 아릴기를 나타내고, Ar1 내지 Ar3 중 적어도 하나는 다이벤조-1,4-옥사진기 또는 다이벤조-1,4-싸이아진기로 치환된 아릴기를 나타낸다.
상기 일반식(G4)에서, X는 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로 고리기, 치환 또는 비치환된 축합 다환 방향족기, 또는 방향족 탄화수소기, 방향족 헤테로 고리기, 및 축합 다환 방향족기에서 선택되는 기로 치환된 2기 치환된(disubstituted) 아미노기를 나타낸다. Y는 수소 원자, 중수소 원자, 플루오린 원자, 염소 원자, 사이아노기, 나이트로기, 치환기를 가져도 좋고 탄소수 1 내지 6의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기, 치환기를 가져도 좋고 탄소수 5 내지 10의 사이클로알킬기, 치환기를 가져도 좋고 탄소수 2 내지 6의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알케닐기, 치환기를 가져도 좋고 탄소수 1 내지 6의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬옥시기, 치환기를 가져도 좋고 탄소수 5 내지 10의 사이클로알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로 고리기, 치환 또는 비치환된 축합 다환 방향족기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 또는 방향족 탄화수소기, 방향족 헤테로 고리기, 및 축합 다환 방향족기에서 선택되는 기로 치환된 2기 치환된 아미노기를 나타낸다. R21, R22, 및 R25 내지 R28은 서로 같아도 좋고 달라도 좋고, 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 플루오린 원자, 염소 원자, 사이아노기, 나이트로기, 치환기를 가져도 좋고 탄소수 1 내지 6의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기, 치환기를 가져도 좋고 탄소수 5 내지 10의 사이클로알킬기, 치환기를 가져도 좋고 탄소수 2 내지 6의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알케닐기, 치환기를 가져도 좋고 탄소수 1 내지 6의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬옥시기, 치환기를 가져도 좋고 탄소수 5 내지 10의 사이클로알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로 고리기, 치환 또는 비치환된 축합 다환 방향족기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 또는 방향족 탄화수소기, 방향족 헤테로 고리기, 및 축합 다환 방향족기에서 선택되는 기로 치환된 2기 치환된 아미노기를 나타낸다. R21, R22, 및 R25 내지 R28은 단결합, 치환 또는 비치환된 메틸렌기, 산소 원자, 또는 황 원자를 통하여 서로 결합되어 고리를 형성하여도 좋다.
상기 일반식(G5)에서, A1 내지 A3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 다이벤조퓨란일기를 나타낸다.
상기 일반식(G6)에서, R31 내지 R34 및 a 내지 h는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 또는 아미노기를 나타낸다.
상기 일반식(G7)에서, R41 내지 R48은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 전자 공여기를 나타내고, R41 내지 R48 중 적어도 하나는 전자 공여기를 나타낸다. R49 내지 R56은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 트라이아지노기 이외의 전자 흡인기를 나타내고, R49 내지 R56 중 적어도 하나는 트라이아지노기 이외의 전자 흡인기를 나타낸다. 또한 R41 내지 R56 중 11개 내지 14개는 수소 원자를 나타낸다.
상기 일반식(G8)에서, R61 내지 R68 및 R77은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 전자 공여기를 나타내고, R61 내지 R68 및 R77 중 적어도 하나는 전자 공여기를 나타낸다. R69 내지 R76은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 α위치에 비공유 전자쌍을 가지지 않는 전자 흡인기를 나타낸다. Z는 단결합 또는 =C=Y를 나타내고, Y는 S, C(CN)2, 또는 C(COOH)2를 나타낸다. 또한 Z가 단결합을 나타내는 경우, R69 내지 R76 중 적어도 하나는 α위치에 비공유 전자쌍을 가지지 않는 전자 흡인기를 나타낸다.
상기 일반식(G9)에서, 고리 α는 인접한 고리와 임의의 위치에서 축합되고 식(g9-1)으로 나타내어지는 방향족 고리이고, 고리 β는 인접한 고리와 임의의 위치에서 축합되고 식(g9-2)으로 나타내어지는 헤테로 고리이다. 식(G9)에서의 Ar 및 식(g9-2)에서의 Ar는 각각 독립적으로 방향족 탄화수소기 또는 방향족 헤테로 고리기를 나타낸다. 식(G9)에서의 R 및 식(g9-1)에서의 R는 각각 독립적으로 수소, 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 1 내지 10의 알킬싸이오기, 탄소수 1 내지 10의 알킬아미노기, 탄소수 2 내지 10의 아실기, 탄소수 7 내지 20의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소기, 및 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 6원 방향족 헤테로 고리기로 이루어지는 군에서 선택된 1가의 치환기를 나타내고, 인접한 치환기가 서로 결합되어 고리를 형성하여도 좋다. 또한 n은 1 이상 4 이하의 정수(整數)를 나타낸다.
상기 일반식(G10)에서, X1, X2, 및 X3은 서로 같아도 좋고 달라도 좋고, 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 플루오린 원자, 염소 원자, 사이아노기, 나이트로기, 치환기를 가져도 좋고 탄소수 1 내지 6의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기, 치환기를 가져도 좋고 탄소수 5 내지 10의 사이클로알킬기, 치환기를 가져도 좋고 탄소수 2 내지 6의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알케닐기, 치환기를 가져도 좋고 탄소수 1 내지 6의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬옥시기, 치환기를 가져도 좋고 탄소수 5 내지 10의 사이클로알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로 고리기, 치환 또는 비치환된 축합 다환 방향족기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 또는 방향족 탄화수소기, 방향족 헤테로 고리기, 및 축합 다환 방향족기에서 선택되는 기로 치환된 2기 치환된 아미노기를 나타낸다. X1, X2, 및 X3 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로 고리기, 치환 또는 비치환된 축합 다환 방향족기, 또는 방향족 탄화수소기, 방향족 헤테로 고리기, 및 축합 다환 방향족기에서 선택되는 기로 치환된 2기 치환된 아미노기를 나타낸다. Ar4는 치환 또는 비치환된 2가의 방향족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 2가의 헤테로 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 2가의 축합 다환 방향족 탄화수소기를 나타낸다. R81 내지 R86 및 R89 내지 R94는 서로 같아도 좋고 달라도 좋고, 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 플루오린 원자, 염소 원자, 사이아노기, 나이트로기, 치환기를 가져도 좋고 탄소수 1 내지 6의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기, 치환기를 가져도 좋고 탄소수 5 내지 10의 사이클로알킬기, 치환기를 가져도 좋고 탄소수 2 내지 6의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알케닐기, 치환기를 가져도 좋고 탄소수 1 내지 6의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬옥시기, 치환기를 가져도 좋고 탄소수 5 내지 10의 사이클로알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로 고리기, 치환 또는 비치환된 축합 다환 방향족기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 또는 방향족 탄화수소기, 방향족 헤테로 고리기, 및 축합 다환 방향족기에서 선택되는 기로 치환된 2기 치환된 아미노기를 나타낸다. R81 내지 R86 및 R89 내지 R94는 단결합, 치환 또는 비치환된 메틸렌기, 산소 원자, 또는 황 원자를 통하여 서로 결합되어 고리를 형성하여도 좋다.
상기 일반식(G11)에서, R101 내지 R104는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 사이클로알킬기를 나타내고, R105 내지 R106은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기를 나타내고, R107, R108, 및 R109는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 알킬기를 나타내고, n1 내지 n4 및 n7은 각각 독립적으로 0 내지 4에서 선택된 정수를 나타내고, n5 및 n6은 각각 독립적으로 0 내지 3에서 선택된 정수를 나타내고, n8 및 n9는 각각 독립적으로 0 내지 5에서 선택된 정수를 나타낸다. R101 내지 R109에 각각 대응하는 n1 내지 n9가 각각 2 이상의 정수인 경우, R101들은 서로 같아도 좋고 달라도 좋으며, 이는 R102 내지 R109에 대해서도 마찬가지이다.
또한 TADF 재료는, S1 준위와 T1 준위의 차이가 작고, 역 항간 교차에 의하여 삼중항 여기 에너지를 단일항 여기 에너지로 변환하는 기능을 가지는 재료이다. 그러므로 TADF 재료는, 소량의 열 에너지를 사용하여 삼중항 여기 에너지를 단일항 여기 에너지로 업컨버트(즉 역 항간 교차)하고 단일항 여기 상태를 효율적으로 생성할 수 있다. 또한 삼중항 여기 에너지를 발광으로 변환할 수 있다.
2종류의 물질로 여기 상태를 형성하는 들뜬 복합체는 S1 준위와 T1 준위의 차이가 매우 작고, 삼중항 여기 에너지를 단일항 여기 에너지로 변환할 수 있는 TADF 재료로서 기능한다.
T1 준위의 지표에는 저온(예를 들어 77K 내지 10K)에서 관측되는 인광 스펙트럼을 사용한다. 형광 스펙트럼에 단파장 측의 꼬리에서 접선을 외삽함으로써 얻어지는 선의 파장의 에너지 준위가 S1 준위이고, 인광 스펙트럼에 단파장 측의 꼬리에서 접선을 외삽함으로써 얻어지는 선의 파장의 에너지 준위가 T1 준위일 때, TADF 재료의 S1 준위와 T1 준위의 차이는 0.3eV 이하인 것이 바람직하고, 0.2eV 이하인 것이 더 바람직하다.
TADF 재료를 발광 중심 물질로서 사용하는 경우, 호스트 재료의 S1 준위 및 T1 준위는 TADF 재료의 S1 준위 및 T1 준위보다 높은 것이 바람직하다.
발광층의 호스트 재료로서는 전자 수송성을 가지는 재료, 정공 수송성을 가지는 재료, 및 TADF 재료 등 다양한 캐리어 수송 재료를 사용할 수 있다.
정공 수송성을 가지는 재료로서는 아민 골격 또는 π전자 과잉형 헤테로 방향족 고리 골격을 가지는 유기 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 정공 수송성을 가지는 재료의 예에는 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: NPB), N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-다이페닐-[1,1'-바이페닐]-4,4'-다이아민(약칭: TPD), 4,4'-비스[N-(스파이로-9,9'-바이플루오렌-2-일)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: BSPB), 4-페닐-4'-(9-페닐플루오렌-9-일)트라이페닐아민(약칭: BPAFLP), 4-페닐-3'-(9-페닐플루오렌-9-일)트라이페닐아민(약칭: mBPAFLP), 4-페닐-4'-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBA1BP), 4,4'-다이페닐-4''-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBBi1BP), 4-(1-나프틸)-4'-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBANB), 4,4'-다이(1-나프틸)-4''-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBNBB), 9,9-다이메틸-N-페닐-N-[4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐]플루오렌-2-아민(약칭: PCBAF), 및 N-페닐-N-[4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐]스파이로-9,9'-바이플루오렌-2-아민(약칭: PCBASF) 등의 방향족 아민 골격을 가지는 화합물, 1,3-비스(N-카바졸릴)벤젠(약칭: mCP), 4,4'-다이(N-카바졸릴)바이페닐(약칭: CBP), 3,6-비스(3,5-다이페닐페닐)-9-페닐카바졸(약칭: CzTP), 및 3,3'-비스(9-페닐-9H-카바졸)(약칭: PCCP) 등의 카바졸 골격을 가지는 화합물, 4,4',4''-(벤젠-1,3,5-트라이일)트라이(다이벤조싸이오펜)(약칭: DBT3P-II), 2,8-다이페닐-4-[4-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]다이벤조싸이오펜(약칭: DBTFLP-III), 및 4-[4-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]-6-페닐다이벤조싸이오펜(약칭: DBTFLP-IV) 등의 싸이오펜 골격을 가지는 화합물, 및 4,4',4''-(벤젠-1,3,5-트라이일)트라이(다이벤조퓨란)(약칭: DBF3P-II) 및 4-{3-[3-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]페닐}다이벤조퓨란(약칭: mmDBFFLBi-II) 등의 퓨란 골격을 가지는 화합물이 포함된다. 상기 재료 중에서, 방향족 아민 골격을 가지는 화합물 및 카바졸 골격을 가지는 화합물은, 신뢰성이 높고 정공 수송성이 높아, 구동 전압의 저감에 기여하기 때문에 바람직하다. 또한 상기 제 2 유기 화합물의 예로 든 유기 화합물을 사용할 수 있다.
전자 수송성을 가지는 재료로서는 예를 들어, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리네이토)베릴륨(II)(약칭: BeBq2), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이토)(4-페닐페놀레이토)알루미늄(III)(약칭: BAlq), 비스(8-퀴놀리놀레이토)아연(II)(약칭: Znq), 비스[2-(2-벤즈옥사졸릴)페놀레이토]아연(II)(약칭: ZnPBO), 및 비스[2-(2-벤조싸이아졸릴)페놀레이토]아연(II)(약칭: ZnBTZ) 등의 금속 착체, 또는 π전자 부족형 헤테로 방향족 고리 골격을 가지는 유기 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. π전자 부족형 헤테로 방향족 고리 골격을 가지는 유기 화합물의 예에는, 2-(4-바이페닐릴)-5-(4-tert-뷰틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸(약칭: PBD), 3-(4-바이페닐릴)-4-페닐-5-(4-tert-뷰틸페닐)-1,2,4-트라이아졸(약칭: TAZ), 1,3-비스[5-(p-tert-뷰틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸-2-일]벤젠(약칭: OXD-7), 9-[4-(5-페닐-1,3,4-옥사다이아졸-2-일)페닐]-9H-카바졸(약칭: CO11), 2,2',2''-(1,3,5-벤젠트라이일)트리스(1-페닐-1H-벤즈이미다졸)(약칭: TPBI), 및 2-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-1-페닐-1H-벤즈이미다졸(약칭: mDBTBIm-II) 등의 폴리아졸 골격을 가지는 헤테로 고리 화합물, 2-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2mDBTPDBq-II), 2-[3'-(다이벤조싸이오펜-4-일)바이페닐-3-일]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2mDBTBPDBq-II), 2-[3'-(9H-카바졸-9-일)바이페닐-3-일]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2mCzBPDBq), 4,6-비스[3-(페난트렌-9-일)페닐]피리미딘(약칭: 4,6mPnP2Pm), 및 4,6-비스[3-(4-다이벤조싸이엔일)페닐]피리미딘(약칭: 4,6mDBTP2Pm-II) 등의 다이아진 골격을 가지는 헤테로 고리 화합물, 및 3,5-비스[3-(9H-카바졸-9-일)페닐]피리딘(약칭: 35DCzPPy) 및 1,3,5-트라이[3-(3-피리딜)페닐]벤젠(약칭: TmPyPB) 등의 피리딘 골격을 가지는 헤테로 고리 화합물이 포함된다. 상기 재료 중에서, 다이아진 골격을 가지는 헤테로 고리 화합물 및 피리딘 골격을 가지는 헤테로 고리 화합물은 신뢰성이 높기 때문에 바람직하다. 특히 다이아진(피리미딘 또는 피라진) 골격을 가지는 헤테로 고리 화합물은 전자 수송성이 우수하여, 구동 전압의 저감에 기여한다.
호스트 재료로서 사용할 수 있는 TADF 재료로서는 상술한 TADF 재료를 사용할 수도 있다. TADF 재료를 호스트 재료로서 사용하면, TADF 재료에서 생성된 삼중항 여기 에너지가 역 항간 교차에 의하여 단일항 여기 에너지로 변환되고 발광 중심 물질로 이동함으로써, 발광 디바이스의 발광 효율을 높일 수 있다. 여기서 TADF 재료는 에너지 도너로서 기능하고, 발광 중심 물질은 에너지 억셉터로서 기능한다.
이것은 상기 발광 중심 물질이 형광 발광 물질인 경우에 매우 유효하다. 이 경우 높은 발광 효율을 달성할 수 있게 하기 위해서는 TADF 재료의 S1 준위는 형광 발광 물질의 S1 준위보다 높은 것이 바람직하다. 또한 TADF 재료의 T1 준위는 형광 발광 물질의 S1 준위보다 높은 것이 바람직하다. 그러므로 TADF 재료의 T1 준위는 형광 발광 물질의 T1 준위보다 높은 것이 바람직하다.
파장이 형광 발광 물질의 가장 낮은 에너지 측의 흡수대의 파장과 중첩되는 광을 방출하는 TADF 재료를 사용하면, 여기 에너지가 TADF 재료로부터 형광 발광 물질로 원활하게 이동하고, 발광을 효율적으로 얻을 수 있기 때문에 바람직하다.
또한 역 항간 교차에 의하여 삼중항 여기 에너지로부터 단일항 여기 에너지를 효율적으로 생성할 수 있게 하기 위해서는, TADF 재료에서 캐리어의 재결합이 일어나는 것이 바람직하다. 또한 TADF 재료에서 생성된 삼중항 여기 에너지가 형광 발광 물질의 삼중항 여기 에너지로 이동하지 않는 것이 바람직하다. 이러한 이유로, 형광 발광 물질은 형광 발광 물질의 발광단(발광을 일으키는 골격) 주위에 보호기를 가지는 것이 바람직하다. 보호기로서는 π결합을 가지지 않는 치환기, 및 포화 탄화수소를 사용하는 것이 바람직하다. 구체적인 예에는 탄소수 3 내지 10의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 10의 사이클로알킬기, 및 탄소수 3 내지 10의 트라이알킬실릴기가 포함된다. 형광 발광 물질은 복수의 보호기를 가지는 것이 더 바람직하다. π결합을 가지지 않는 치환기는 캐리어 수송성이 부족하기 때문에, 캐리어 수송 또는 캐리어의 재결합에 영향을 거의 미치지 않고 TADF 재료와 형광 발광 물질의 발광단을 서로 멀어지게 할 수 있다. 여기서 발광단이란, 형광 발광 물질에서 발광을 일으키는 원자단(골격)을 말한다. 발광단은 π결합을 가지는 골격인 것이 바람직하고, 방향족 고리를 포함하는 것이 더 바람직하고, 축합 방향족 고리 또는 축합 헤테로 방향족 고리를 포함하는 것이 더욱 바람직하다. 축합 방향족 고리 또는 축합 헤테로 방향족 고리의 예에는 페난트렌 골격, 스틸벤 골격, 아크리돈 골격, 페녹사진 골격, 및 페노싸이아진 골격이 포함된다. 구체적으로는 나프탈렌 골격, 안트라센 골격, 플루오렌 골격, 크리센 골격, 트라이페닐렌 골격, 테트라센 골격, 피렌 골격, 페릴렌 골격, 쿠마린 골격, 퀴나크리돈 골격, 및 나프토비스벤조퓨란 골격 중 어느 것을 가지는 형광 발광 물질은 형광 양자 수율이 높기 때문에 바람직하다.
발광 중심 물질로서 형광 발광 물질을 사용하는 경우, 호스트 재료로서는 안트라센 골격을 가지는 재료를 사용하는 것이 적합하다. 안트라센 골격을 가지는 물질을 형광 발광 물질의 호스트 재료로서 사용하면, 발광 효율이 높고 내구성이 높은 발광층을 얻을 수 있다. 안트라센 골격을 가지는 물질 중에서, 다이페닐안트라센 골격을 가지는 물질, 특히 9,10-다이페닐안트라센 골격을 가지는 물질은 화학적으로 안정적이므로 호스트 재료로서 사용되는 것이 바람직하다. 호스트 재료가 카바졸 골격을 가지면, 정공 주입성 및 정공 수송성이 향상되기 때문에 바람직하고, 호스트 재료가 카바졸에 벤젠 고리가 더 축합된 벤조카바졸 골격을 가지면, 카바졸보다 HOMO 준위가 약 0.1eV 얕아지므로 호스트 재료에 정공이 들어가기 쉬워지기 때문에 더 바람직하다. 특히 호스트 재료가 다이벤조카바졸 골격을 가지면, 카바졸보다 HOMO 준위가 약 0.1eV 얕아지므로 호스트 재료에 정공이 들어가기 쉬워지고, 정공 수송성이 향상되고, 내열성이 높아지기 때문에 바람직하다. 따라서 호스트 재료로서는 9,10-다이페닐안트라센 골격 및 카바졸 골격(또는 벤조카바졸 또는 다이벤조카바졸 골격)의 양쪽 모두를 가지는 물질이 더 바람직하다. 또한 상술한 정공 주입성 및 정공 수송성의 관점에서, 카바졸 골격 대신에 벤조플루오렌 골격 또는 다이벤조플루오렌 골격을 사용하여도 좋다. 이러한 물질의 예에는 9-페닐-3-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸(약칭: PCzPA), 3-[4-(1-나프틸)-페닐]-9-페닐-9H-카바졸(약칭: PCPN), 9-[4-(10-페닐-9-안트라센일)페닐]-9H-카바졸(약칭: CzPA), 7-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-7H-다이벤조[c,g]카바졸(약칭: cgDBCzPA), 6-[3-(9,10-다이페닐-2-안트릴)페닐]-벤조[b]나프토[1,2-d]퓨란(약칭: 2mBnfPPA), 9-페닐-10-{4-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)바이페닐-4'-일}안트라센(약칭: FLPPA), 및 9-(1-나프틸)-10-[4-(2-나프틸)페닐]안트라센(약칭: αN-βNPAnth)이 포함된다. 또한 CzPA, cgDBCzPA, 2mBnfPPA, 및 PCzPA는 특성이 우수하므로 선택되는 것이 바람직하다.
또한 호스트 재료는 복수 종류의 물질의 혼합물이어도 좋고, 혼합된 호스트 재료를 사용하는 경우에는 전자 수송성을 가지는 재료를 정공 수송성을 가지는 재료와 혼합하는 것이 바람직하다. 전자 수송성을 가지는 재료를 정공 수송성을 가지는 재료와 혼합함으로써, 발광층(113)의 수송성을 쉽게 조정할 수 있고 재결합 영역을 쉽게 제어할 수 있다. 정공 수송성을 가지는 재료의 함유량 대 전자 수송성을 가지는 재료의 함유량의 중량비는 1:19 내지 19:1로 할 수 있다.
또한 혼합된 재료의 일부로서는 인광 발광 물질을 사용할 수 있다. 형광 발광 물질을 발광 중심 물질로서 사용할 때, 형광 발광 물질에 여기 에너지를 공급하는 에너지 도너로서 인광 발광 물질을 사용할 수 있다.
이들 혼합된 재료로 들뜬 복합체를 형성하여도 좋다. 파장이 발광 재료의 가장 낮은 에너지 측의 흡수대의 파장과 중첩되는 발광을 나타내는 들뜬 복합체가 형성되도록 이들 혼합된 재료를 선택하면, 에너지가 원활하게 이동할 수 있고, 발광을 효율적으로 얻을 수 있다. 이러한 구조를 사용하면, 구동 전압도 저감할 수 있기 때문에 바람직하다.
또한 들뜬 복합체를 형성하는 재료 중 적어도 하나는 인광 발광 물질이어도 좋다. 이 경우 역 항간 교차에 의하여 삼중항 여기 에너지를 단일항 여기 에너지로 효율적으로 변환할 수 있다.
전자 수송성을 가지는 재료와, HOMO 준위가 전자 수송성을 가지는 재료의 HOMO 준위 이상인 정공 수송성을 가지는 재료의 조합은 들뜬 복합체를 효율적으로 형성하는 데 바람직하다. 또한 정공 수송성을 가지는 재료의 LUMO 준위는 전자 수송성을 가지는 재료의 LUMO 준위 이상인 것이 바람직하다. 또한 재료의 LUMO 준위 및 HOMO 준위는, 사이클릭 볼타메트리(CV)에 의하여 측정되는 재료의 전기 화학적 특성(환원 전위 및 산화 전위)에서 도출할 수 있다.
들뜬 복합체의 형성은, 예를 들어 정공 수송성을 가지는 재료, 전자 수송성을 가지는 재료, 및 이들 재료의 혼합막의 발광 스펙트럼을 비교함으로써 관측되는, 정공 수송성을 가지는 재료와 전자 수송성을 가지는 재료의 혼합막의 발광 스펙트럼이 각 재료의 발광 스펙트럼보다 장파장 측으로 시프트하는(또는 장파장 측에 다른 피크를 가지는) 현상에 의하여 확인할 수 있다. 또는 들뜬 복합체의 형성은, 정공 수송성을 가지는 재료, 전자 수송성을 가지는 재료, 및 이들 재료의 혼합막의 과도 PL(photoluminescence)을 비교함으로써 관측되는 과도 응답의 차이(예를 들어 혼합막의 과도 PL 수명이 각 재료의 과도 PL 수명보다 더 장수명의 성분을 가지거나 지연 성분의 비율이 더 큰 현상)에 의하여 확인할 수 있다. 과도 PL을 과도 EL(electroluminescence)로 바꿔 읽을 수 있다. 즉 들뜬 복합체의 형성은, 정공 수송성을 가지는 재료, 전자 수송성을 가지는 재료, 및 이들 재료의 혼합막의 과도 EL을 비교함으로써 관측되는, 과도 응답의 차이에 의해서도 확인할 수 있다.
전자 수송층(114)은 도 1의 (A1)에 도시된 바와 같이, 발광층(113)과 접하여 제공되고, 제 7 유기 화합물 및 제 1 물질을 포함한다. 제 7 유기 화합물은 정공 수송성보다 전자 수송성이 높은 것이 바람직하다. 제 7 유기 화합물의 전자 이동도는 전계 강도[V/cm]의 제곱근이 600일 때 1Х10-7cm2/Vs 이상 5Х10-5cm2/Vs 이하인 것이 바람직하다. 전자 수송층의 전자 수송성을 저하시킴으로써 발광층으로의 전자의 주입수를 제어할 수 있기 때문에, 발광층이 전자를 과잉으로 가지는 것을 방지할 수 있다.
제 7 유기 화합물은 안트라센 골격을 가지는 것이 바람직하고, 안트라센 골격 및 헤테로 고리 골격의 양쪽 모두를 가지는 것이 더 바람직하다. 헤테로 고리 골격은 질소 함유 5원자 고리 골격인 것이 바람직하다. 특히 제 7 유기 화합물은 피라졸 고리, 이미다졸 고리, 옥사졸 고리, 또는 싸이아졸 고리 등, 2개의 헤테로 원자를 고리에 포함하는 질소 함유 5원자 고리 골격인 것이 바람직하다.
제 1 물질은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 유기 착체, 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 화합물 중 어느 것이다. 제 1 물질의 예에는 Li 및 Li2O가 포함된다. 특히 리튬의 유기 착체가 바람직하고, 그 중에서도 8-하이드록시퀴놀리네이토리튬(약칭: Liq)이 바람직하다.
또한 제 1 물질과 제 7 유기 화합물의 혼합비는 전자 수송층(114)의 두께 방향에 있어서 영역들 간에서 상이하다. 음극 측에서 제 7 유기 화합물에 대한 제 1 물질의 혼합비는 작은 것이 바람직하다. 혼합비는 ToF-SIMS(time-of-flight secondary ion mass spectrometry)에 의하여 측정되는 원자 또는 분자의 수로부터 추정될 수 있다. 같은 2가지 재료를 상이한 혼합비로 포함하는 영역들에 있어서, ToF-SIMS 분석에 의하여 측정된 혼합비들은 그 영역들에서의 원자 또는 분자의 비율에 상당한다. 그러므로 제 7 유기 화합물의 검출량 및 제 1 물질의 검출량의 비교를 함으로써 혼합비의 추정이 가능하다.
즉 전자 수송층(114)에서는 제 7 유기 화합물의 양이 적은 영역은 제 7 유기 화합물의 양이 많은 영역보다 발광층에 가깝다. 바꿔 말하면 전자 수송층(114)에서는 제 1 물질의 양이 많은 영역은 제 1 물질의 양이 적은 영역보다 발광층에 가깝다.
제 7 유기 화합물의 양이 많은 영역(제 1 물질의 양이 적은 영역)의 전자 이동도는 전계 강도[V/cm]의 제곱근이 600일 때 1Х10-7cm2/Vs 이상 5Х10-5cm2/Vs 이하인 것이 바람직하다.
도 1의 (A2)에 도시된 바와 같이, 전자 수송층(114)은 제 1 전자 수송층(114-1) 및 제 2 전자 수송층(114-2)을 발광층(113) 측으로부터 이 순서대로 포함하는 것이 바람직하다. 제 1 물질과 제 7 유기 화합물의 혼합비는 제 1 전자 수송층(114-1)과 제 2 전자 수송층(114-2) 간에서 상이하다. 구체적으로는 제 1 전자 수송층(114-1)에서의 제 7 유기 화합물에 대한 제 1 물질의 혼합비는 제 2 전자 수송층(114-2)에서보다 높고, 제 1 전자 수송층(114-1)에서의 제 1 물질에 대한 제 7 유기 화합물의 혼합비는 제 2 전자 수송층(114-2)에서보다 낮은 것이 바람직하다. 또한 이들 혼합비는 상술한 바와 같이 ToF-SIMS 분석에 의하여 측정되는 원자 또는 분자의 수로부터 추정될 수 있다. 즉 제 1 전자 수송층(114-1)에서의 제 1 물질의 양은 제 2 전자 수송층(114-2)에서보다 많고, 제 1 전자 수송층(114-1)에서의 제 7 유기 화합물의 양은 제 2 전자 수송층(114-2)에서보다 적은 것이 바람직하다.
제 1 전자 수송층(114-1)이 제 2 전자 수송층(114-2)보다 발광층(113)에 가깝기만 하면, 제 1 전자 수송층(114-1)과 제 2 전자 수송층(114-2) 사이에 다른 층이 제공되어도 좋다.
도 1의 (A1)과 같이 전자 수송층(114)에서 층들 간의 명확한 경계가 없는 경우, 제 1 물질과 제 7 유기 화합물의 양의 비는 도 23의 (A1) 및 (A2)와 같이 연속적으로 변화하고 있어도 좋고, 한편 도 1의 (A2)와 같이 전자 수송층(114)에서 층들 간의 경계가 있는 경우, 제 1 물질과 제 7 유기 화합물의 양의 비는 도 23의 (B1) 및 (B2)와 같이 계단상으로 변화하고 있어도 좋다. 어느 쪽이든, 전자 수송층(114)에서 제 1 물질의 농도가 높은 영역이, 전자 이동도를 결정하는 제 1 물질의 농도가 낮은 영역보다 발광층(113)에 가깝게 제공되는 것이 중요하다. 또한 본 명세서에서는 편의상 ToF-SIMS에 의하여 양, 농도, 및 혼합비를 측정하고 있으나, 양, 농도, 및 혼합비를 측정할 수 있기만 하면 기타 방법을 채용하여도 좋다.
도 24의 (A) 및 (B)는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 디바이스의 ToF-SIMS 분석 결과를 나타낸 것이다. 도 24의 (A)는 m/z가 6의 리튬 원자의 검출 결과를 나타낸 것이고, 도 24의 (B)는 제 7 유기 화합물로서 사용한 유기 화합물에 상당하는 분자수의 검출 결과를 나타낸 것이다. 도 24의 (A)와 (B)에서 검출 감도에는 차이가 있지만, 도 24의 (A)와 (B)는 둘 다 디바이스 구조와 혼합비를 반영한 검출 강도를 나타내고 있다.
제 7 유기 화합물은 전자 수송성을 가지고 HOMO 준위가 -6.0eV 이상인 것이 바람직하다.
또는 제 7 유기 화합물로서 사용할 수 있는 전자 수송 유기 화합물로서는, 호스트 재료로서 사용할 수 있는 상술한 전자 수송 유기 화합물 및 형광 발광 물질의 호스트 재료로서 사용할 수 있는 상술한 유기 화합물 중 어느 것을 사용할 수 있다.
제 7 유기 화합물의 전자 이동도는 전계 강도[V/cm]의 제곱근이 600일 때 제 6 유기 화합물 또는 발광층(113)의 그것보다 작은 것이 바람직하다.
발광층이 전자를 과잉으로 가지면, 도 2의 (A)에 도시된 바와 같이 발광 영역(113-1)이 일부에 한정되고 그 부분에 큰 부담이 가해져 열화가 촉진된다. 또한 전자가 재결합하지 못하고 발광층을 통과하는 것에 의해서도 수명 및 발광 효율이 저하된다. 본 발명의 일 형태에서는, 전자 수송층(114)의 전자 수송성을 저하시킴으로써, 도 2의 (B)에 도시된 바와 같이 발광 영역(113-1)을 확대하고 발광층(113)에 포함되는 재료에 대한 부담을 분산시킨다. 그러므로 수명이 길고 발광 효율이 높은 발광 디바이스를 제공할 수 있다.
일정한 전류 밀도에서의 구동 시험에 의하여 얻어지는, 이러한 구조를 가지는 발광 디바이스의 휘도 열화 곡선이 극댓값을 가지는 경우가 있다. 바꿔 말하면 본 발명의 일 형태에 따른 발광 디바이스의 열화 곡선은 시간에 따라 휘도가 상승되는 부분을 가지는 경우가 있다. 이러한 열화 거동을 나타내는 발광 디바이스는 초기 열화라고 불리는 구동 초기의 급격한 열화를 상기 휘도 상승에 의하여 상쇄할 수 있다. 그러므로 초기 열화가 더 작고 구동 수명이 매우 긴 발광 디바이스로 할 수 있다. 이러한 발광 디바이스를 ReSTI(recombination-site tailoring injection) 디바이스라고 한다.
극댓값을 가지는 이러한 열화 곡선의 미분값은 어떤 부분에서는 0이다. 그러므로 열화 곡선에 미분값이 0인 부분을 가지는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 디바이스를 초기 열화가 더 작고 수명이 매우 긴 것으로 할 수 있다.
상술한 열화 거동은, 도 3의 (A)에 도시된 바와 같이, 전자 수송층에서의 전자 이동도가 낮기 때문에 발생되며 비발광 재결합 영역(120)에서 발광에 기여하지 않는 재결합으로 인하여 일어난다고 생각된다. 상술한 구조를 가지는 본 발명의 발광 디바이스에서는, 구동 초기에 정공 주입 장벽이 작고, 전자 수송층(114)의 전자 수송성이 비교적 낮기 때문에, 발광 영역(113-1)(즉 재결합 영역)이 전자 수송층(114) 측에 형성된다. 전자 수송층(114)에 포함되는 제 7 유기 화합물의 HOMO 준위가 -6.0eV 이상으로 비교적 높기 때문에, 일부 정공도 전자 수송층(114)까지 도달되어 전자 수송층(114)에서도 재결합이 일어나고, 이로써 비발광 재결합 영역(120)이 형성된다. 재결합 영역이 전자 수송층(114)의 내부까지 도달되기 때문에, 제 6 유기 화합물과 제 7 유기 화합물의 HOMO 준위의 차이가 0.2eV 이하인 것이 바람직하다.
본 발명의 일 형태에 따른 발광 디바이스에 있어서는, 구동 시간이 경과하면서 캐리어 밸런스가 변화되어, 도 3의 (B)에 나타낸 바와 같이 발광 영역(113-1)(재결합 영역)이 정공 수송층(112) 측으로 이동된다. 비발광 재결합 영역(120)의 면적이 축소되면, 재결합된 캐리어의 에너지를 발광에 유효하게 기여시킬 수 있기 때문에, 구동 초기와 비교하여 휘도가 상승된다. 이 휘도 상승에 의하여 초기 열화라고 불리는 발광 디바이스의 구동 초기의 급격한 휘도 저하가 상쇄된다. 그러므로 초기 열화가 더 작고 구동 수명이 긴 발광 디바이스로 할 수 있다.
본 발명의 일 형태에 따른 발광 디바이스에 있어서의 캐리어 밸런스의 변화는, 전자 수송층(114)의 전자 이동도의 변화에 의하여 초래되는 것으로 생각된다. 본 발명의 일 형태에 따른 발광 디바이스에 있어서는 전자 수송층(114) 내에 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 유기 금속 착체 또는 화합물(제 1 물질)의 농도차가 있는데, 제 1 물질의 농도가 낮은 영역과 발광층 사이에 제 1 물질의 농도가 높은 영역이 있다. 즉 제 1 물질의 농도가 낮은 영역이 제 1 물질의 농도가 높은 영역보다 음극에 가깝다. 전자 수송층(114)의 전자 이동도는, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 유기 금속 착체 또는 화합물의 농도가 높을수록 높아지기 때문에, 전자 수송층(114)의 전자 이동도는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 유기 금속 착체 또는 화합물의 농도가 낮은 영역에 의존한다.
본 발명자들은, 구동을 위하여 발광 디바이스에 전압을 인가함에 의하여, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 유기 금속 착체 또는 화합물(제 1 물질)이 양극 측으로부터 음극 측으로(농도가 높은 영역으로부터 농도가 낮은 영역으로) 확산되는 것을 발견하였다. 즉, 제 1 물질의 농도가 높은 영역이 제 1 물질의 농도가 낮은 영역보다 양극에 가깝기 때문에, 구동에 따라 전자 수송층의 전자 이동도가 향상된다. 이에 의하여 발광 디바이스 내에서 캐리어 밸런스의 변화가 일어나 재결합 영역의 이동이 유발되므로, 상술한 열화 곡선을 가지고 수명이 긴 발광 디바이스를 얻을 수 있다.
상술한 구조를 가지는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 디바이스를 수명이 매우 긴 것으로 할 수 있다. 특히, 열화가 매우 작다는 것을 뜻하는, 휘도가 초기 휘도의 약 95%로 저하될 때까지의 수명(LT95)을 현저히 늘릴 수 있다.
초기 열화를 저감할 수 있으면, 유기 EL 디바이스의 큰 약점으로서 여전히 언급되는 잔상(burn-in) 문제, 및 그 문제 저감을 위한, 출하 전의 에이징에 할애되는 시간과 노력을 크게 저감할 수 있다.
(실시형태 2)
다음으로, 상술한 발광 디바이스의 구체적인 구조 및 재료의 예에 대하여 설명한다. 상술한 바와 같이, 본 발명의 일 형태에 따른 발광 디바이스는 한 쌍의 전극(양극(101) 및 음극(102)) 사이에 위치하고 복수의 층을 가지는 EL층(103)을 포함한다. EL층(103)에서는 적어도, 정공 주입층(111), 제 1 정공 수송층(112-1), 제 2 정공 수송층(112-2), 발광층(113), 및 전자 수송층(114)이 양극(101) 측으로부터 제공된다.
EL층(103)에 포함되는 그 외의 층에 대한 특별한 한정은 없고, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층, 캐리어 차단층, 여기자 차단층, 및 전하 발생층 등 다양한 층을 채용할 수 있다.
양극(101)은 일함수가 큰(구체적으로는 일함수가 4.0eV 이상인) 금속, 합금, 도전성 화합물, 또는 이들의 혼합물 등을 사용하여 형성되는 것이 바람직하다. 구체적인 예에는 산화 인듐-산화 주석(ITO: indium tin oxide), 실리콘 또는 산화 실리콘을 포함하는 산화 인듐-산화 주석, 산화 인듐-산화 아연, 그리고 산화 텅스텐 및 산화 아연을 포함하는 산화 인듐(IWZO)이 포함된다. 이러한 도전성 금속 산화물막은 일반적으로 스퍼터링법에 의하여 형성되지만, 졸겔법 등을 응용하여 형성되어도 좋다. 형성 방법의 어떤 예에서는, 산화 인듐에 대하여 1wt% 내지 20wt%의 산화 아연을 첨가하여 얻은 타깃을 사용하여 스퍼터링법에 의하여 산화 인듐-산화 아연을 퇴적한다. 또한 산화 인듐에 대하여 산화 텅스텐이 0.5wt% 내지 5wt%, 그리고 산화 아연이 0.1wt% 내지 1wt% 첨가된 타깃을 사용하여 스퍼터링법에 의하여 산화 텅스텐 및 산화 아연을 포함하는 산화 인듐(IWZO)을 퇴적할 수 있다. 또는 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 크로뮴(Cr), 몰리브데넘(Mo), 철(Fe), 코발트(Co), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 또는 금속 재료의 질화물(예를 들어 질화 타이타늄) 등을 사용할 수 있다. 그래핀을 사용할 수도 있다. 또한 앞에서는 양극을 형성하기 위한 대표적인 재료를 열거하였지만, 정공 수송성을 가지는 유기 화합물과 이 유기 화합물에 대하여 전자 수용성을 나타내는 물질의 복합 재료를 본 발명의 일 형태의 정공 주입층(111)에 사용하기 때문에 일함수에 상관없이 전극 재료를 선택할 수 있다.
EL층(103)의 적층 구조에 대하여, 도 1의 (A1) 및 (A2)에 도시된, 정공 주입층(111), 제 1 정공 수송층(112-1), 제 2 정공 수송층(112-2), 발광층(113), 및 전자 수송층(114)(제 1 전자 수송층(114-1) 및 제 2 전자 수송층(114-2))에 더하여 전자 주입층(115)을 각각 포함하는 구조와, 도 1의 (B)에 도시된, 전자 주입층(115) 대신에 전하 발생층(116)을 포함하는 구조의 2가지 설명한다. 이 층들의 재료에 대하여 이하에서 구체적으로 설명한다.
정공 주입층(111), 정공 수송층(112)(정공 수송층(112-1) 및 정공 수송층(112-2)), 발광층(113), 및 전자 수송층(114)(전자 수송층(114-1) 및 전자 수송층(114-2))에 대해서는 실시형태 1에서 자세히 설명하였기 때문에, 이들의 설명은 반복하지 않는다. 실시형태 1의 설명을 참조하기 바란다.
전자 수송층(114)과 음극(102) 사이에, 전자 주입층(115)으로서, 플루오린화 리튬(LiF), 플루오린화 세슘(CsF), 또는 플루오린화 칼슘(CaF2) 등의 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 또는 이들의 화합물을 포함하는 층을 제공하여도 좋다. 예를 들어 전자화물(electride), 또는 전자 수송성을 가지는 물질을 사용하여 형성되며 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 또는 이들의 화합물을 포함하는 층을 전자 주입층(115)으로서 사용하여도 좋다. 전자화물의 예에는 산화 칼슘-산화 알루미늄에 전자가 고농도로 첨가된 물질이 포함된다.
전자 주입층(115) 대신에 전자 수송층(114)과 음극(102) 사이에 전하 발생층(116)을 제공하여도 좋다(도 1의 (B)). 전하 발생층(116)이란, 전위가 인가될 때 전하 발생층(116)의 음극 측과 접하는 층에 정공을, 그 양극 측과 접하는 층에 전자를 주입할 수 있는 층을 말한다. 전하 발생층(116)은 적어도 p형층(117)을 포함한다. p형층(117)은, 정공 주입층(111)에 사용할 수 있는 재료의 예로서 앞에서 든 복합 재료들 중 어느 것을 사용하여 형성되는 것이 바람직하다. p형층(117)은, 복합 재료에 포함되는 재료로서 상술한 억셉터 재료를 포함하는 막과, 정공 수송성 재료를 포함하는 막을 적층시켜 형성되어도 좋다. p형층(117)에 전위를 인가하면, 전자 수송층(114)에 전자가 주입되고, 음극(102)에 정공이 주입되므로, 발광 디바이스가 동작된다.
또한 전하 발생층(116)은 p형층(117)에 더하여 전자 릴레이층(118) 및/또는 전자 주입 버퍼층(119)을 포함하는 것이 바람직하다.
전자 릴레이층(118)은 전자 수송성을 가지는 물질을 적어도 포함하고, 전자 주입 버퍼층(119)과 p형층(117)의 상호 작용을 방지하고 전자를 원활하게 수송하는 기능을 가진다. 전자 릴레이층(118)에 포함되는 전자 수송성을 가지는 물질의 LUMO 준위는, p형층(117)에서의 전자 수용성 물질의 LUMO 준위와, 전자 수송층(114)에서 전하 발생층(116)과 접하는 층에 포함되는 물질의 LUMO 준위 사이에 있는 것이 바람직하다. 에너지 준위의 구체적인 값으로서는 전자 릴레이층(118)에서의 전자 수송성을 가지는 물질의 LUMO 준위가 -5.0eV 이상인 것이 바람직하고, -5.0eV 이상 -3.0eV 이하인 것이 더 바람직하다. 또한 전자 릴레이층(118)에서의 전자 수송성을 가지는 물질로서는 프탈로사이아닌계 재료 또는 금속-산소 결합과 방향족 리간드를 가지는 금속 착체를 사용하는 것이 바람직하다.
전자 주입 버퍼층(119)에는 전자 주입성이 우수한 물질을 사용할 수 있다. 예를 들어 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 또는 이들의 화합물(알칼리 금속 화합물(산화 리튬 등의 산화물, 할로젠화물, 그리고 탄산 리튬 및 탄산 세슘 등의 탄산염을 포함함)), 알칼리 토금속 화합물(산화물, 할로젠화물, 및 탄산염을 포함함), 또는 희토류 금속 화합물(산화물, 할로젠화물, 및 탄산염을 포함함)을 사용할 수 있다.
전자 주입 버퍼층(119)이 전자 수송성을 가지는 물질과 전자 공여성을 가지는 물질을 포함하는 경우, 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 또는 이들의 화합물(알칼리 금속 화합물(산화 리튬 등의 산화물, 할로젠화물, 그리고 탄산 리튬 및 탄산 세슘 등의 탄산염을 포함함), 알칼리 토금속 화합물(산화물, 할로젠화물, 및 탄산염을 포함함), 또는 희토류 금속 화합물(산화물, 할로젠화물, 및 탄산염을 포함함))에 더하여, 테트라싸이아나프타센(약칭: TTN), 니켈로센, 또는 데카메틸니켈로센 등의 유기 화합물을 전자 공여성을 가지는 물질로서 사용할 수 있다. 전자 수송성을 가지는 물질로서는 상술한 전자 수송층(114)의 재료와 비슷한 재료를 사용할 수 있다.
음극(102)에는, 일함수가 작은(구체적으로는 일함수가 3.8eV 이하인) 금속, 합금, 전기 전도성 화합물, 이들의 혼합물 등을 사용할 수 있다. 이러한 음극 재료의 구체적인 예에는 알칼리 금속(예를 들어 리튬(Li) 및 세슘(Cs)), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 및 스트론튬(Sr) 등 주기율표의 1족 및 2족에 속하는 원소, 이들 원소를 포함하는 합금(예를 들어 MgAg 및 AlLi), 유로퓸(Eu) 및 이터븀(Yb) 등의 희토류 금속, 그리고 이들 희토류 금속을 포함하는 합금이 포함된다. 그러나 음극(102)과 전자 수송층 사이에 전자 주입층을 제공하면, 일함수에 상관없이, Al, Ag, ITO, 혹은 실리콘 또는 산화 실리콘을 포함한 산화 인듐-산화 주석 등 다양한 도전 재료를 음극(102)에 사용할 수 있다. 이들 도전 재료의 막은, 진공 증착법 또는 스퍼터링법 등의 드라이 프로세스, 잉크젯법, 혹은 스핀 코팅법 등에 의하여 형성할 수 있다. 또는 졸겔법을 사용한 웨트 프로세스 또는 금속 재료의 페이스트를 사용한 웨트 프로세스를 사용하여도 좋다.
또한 EL층(103)을 형성하는 데에는, 건식법인지 습식법인지에 상관없이 다양한 방법 중 임의의 것을 사용할 수 있다. 예를 들어 진공 증착법, 그라비어 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 스크린 인쇄법, 잉크젯법, 또는 스핀 코팅법을 사용하여도 좋다.
다른 방법을 사용하여 상술한 전극들 또는 층들을 형성하여도 좋다.
양극(101)과 음극(102) 사이에 제공되는 층의 구조는 상술한 구조에 한정되지 않는다. 발광 영역과 전극 및 캐리어 주입층에 사용되는 금속의 근접으로 인한 소광이 방지될 있도록, 정공과 전자가 재결합되는 발광 영역이 양극(101) 및 음극(102)에서 떨어져 위치하는 것이 바람직하다.
또한 발광층에서 생성된 여기자로부터의 에너지 이동을 억제할 수 있도록, 발광층(113)과 접하는 정공 수송층 및 전자 수송층, 특히 발광층(113)의 재결합 영역에 더 가까운 캐리어 수송층은, 발광층의 발광 재료 또는 발광층에 포함되는 발광 재료보다 밴드 갭이 넓은 물질을 사용하여 형성되는 것이 바람직하다.
다음으로 복수의 발광 유닛이 적층된 구조를 가지는 발광 디바이스(발광 디바이스의 이 형태를 적층 발광 디바이스 또는 탠덤 발광 디바이스라고도 함)의 형태에 대하여 도 1의 (C)를 참조하여 설명한다. 이 발광 디바이스는, 양극과 음극 사이에 복수의 발광 유닛을 포함한다. 하나의 발광 유닛은 도 1의 (A1) 또는 (A2)에 도시된 EL층(103)과 대략 같은 구조를 가진다. 바꿔 말하면 도 1의 (A1), (A2), 또는 (B)에 도시된 발광 디바이스는 하나의 발광 유닛을 포함하고, 도 1의 (C)에 도시된 발광 디바이스는 복수의 발광 유닛을 포함한다.
도 1의 (C)에서는, 양극(501)과 음극(502) 사이에 제 1 발광 유닛(511)과 제 2 발광 유닛(512)이 적층되고, 제 1 발광 유닛(511)과 제 2 발광 유닛(512) 사이에 전하 발생층(513)이 제공되어 있다. 양극(501) 및 음극(502)은 각각, 도 1의 (A1)에 도시된 양극(101) 및 음극(102)에 상당하며, 도 1의 (A1)의 설명에서 제시한 재료가 사용될 수 있다. 또한 제 1 발광 유닛(511) 및 제 2 발광 유닛(512)은 같은 구조를 가져도 좋고 다른 구조를 가져도 좋다.
전하 발생층(513)은, 양극(501)과 음극(502) 사이에 전압이 인가될 때, 한쪽 발광 유닛에 전자를 주입하고 다른 쪽 발광 유닛에 정공을 주입하는 기능을 가진다. 즉 도 1의 (C)에서, 양극의 전위가 음극의 전위보다 높아지도록 전압이 인가되면, 전하 발생층(513)은 제 1 발광 유닛(511)에 전자를, 제 2 발광 유닛(512)에 정공을 주입한다.
전하 발생층(513)은 도 1의 (B)를 참조하여 설명한 전하 발생층(116)과 비슷한 구조를 가지는 것이 바람직하다. 유기 화합물과 금속 산화물의 복합 재료는 캐리어 주입성 및 캐리어 수송성이 우수하기 때문에, 저전압 구동 및 저전류 구동을 실현할 수 있다. 발광 유닛의 양극 측의 면이 전하 발생층(513)과 접하는 경우에는 전하 발생층(513)은 발광 유닛의 정공 주입층으로서도 기능할 수 있기 때문에, 발광 유닛에 정공 주입층을 제공하지 않아도 된다.
전하 발생층(513)이 전자 주입 버퍼층(119)을 포함하는 경우, 전자 주입 버퍼층(119)은 양극 측의 발광 유닛에서 전자 주입층으로서 기능하기 때문에, 양극 측의 발광 유닛에는 전자 주입층을 형성하지 않아도 된다.
2개의 발광 유닛을 가지는 발광 디바이스에 대하여 도 1의 (C)를 참조하여 설명하였지만, 본 발명의 일 형태는 3개 이상의 발광 유닛이 적층된 발광 디바이스에도 적용될 수 있다. 본 실시형태에 따른 발광 디바이스와 같이, 한 쌍의 전극 사이에서 복수의 발광 유닛을 전하 발생층(513)으로 칸막이함으로써, 낮은 전류 밀도로 휘도가 높은 광을 방출할 수 있는, 수명이 긴 디바이스를 제공할 수 있다. 낮은 전압으로 구동될 수 있으며 소비 전력이 낮은 발광 장치를 제공할 수도 있다.
발광 유닛들의 발광색을 다르게 하면, 발광 디바이스 전체로서 원하는 색의 발광을 얻을 수 있다. 예를 들어 2개의 발광 유닛을 가지는 발광 디바이스에서, 제 1 발광 유닛의 발광색이 적색 및 녹색이고 제 2 발광 유닛의 발광색이 청색이면, 발광 디바이스 전체로서 백색광을 방출할 수 있다. 3개 이상의 발광 유닛이 적층된 발광 디바이스는, 예를 들어 제 1 발광 유닛이 제 1 청색 발광층을 포함하고, 제 2 발광 유닛이 황색 또는 황록색 발광층 및 적색 발광층을 포함하고, 제 3 발광 유닛이 제 2 청색 발광층을 포함하는 탠덤 디바이스로 할 수 있다. 이 탠덤 디바이스는 상기 발광 디바이스와 같이 백색 발광을 제공할 수 있다.
EL층(103), 제 1 발광 유닛(511), 제 2 발광 유닛(512), 및 전하 발생층 등의 상술한 층 및 전극은, 증착법(진공 증착법을 포함함), 액적 토출법(잉크젯법이라고도 함), 도포법, 또는 그라비어 인쇄법 등의 방법으로 형성할 수 있다. 저분자 재료, 중분자 재료(올리고머 및 덴드리머를 포함함), 또는 고분자 재료가 층 및 전극에 포함되어도 좋다.
(실시형태 3)
본 실시형태에서는 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 발광 디바이스를 포함하는 발광 장치에 대하여 설명한다.
본 실시형태에서는 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 발광 디바이스를 사용하여 제작된 발광 장치에 대하여 도 4의 (A) 및 (B)를 참조하여 설명한다. 또한 도 4의 (A)는 발광 장치의 상면도이고, 도 4의 (B)는 도 4의 (A)의 선 A-B 및 선 C-D를 따라 취한 단면도이다. 이 발광 장치는, 발광 디바이스의 발광을 제어하는 것이며, 점선으로 도시된 구동 회로부(소스선 구동 회로)(601), 화소부(602), 및 구동 회로부(게이트선 구동 회로)(603)를 포함한다. 부호 604는 밀봉 기판을 나타내고, 부호 605는 밀봉 재료를 나타내고, 부호 607은 밀봉 재료(605)로 둘러싸인 공간을 나타낸다.
리드 배선(608)은, 소스선 구동 회로(601) 및 게이트선 구동 회로(603)에 입력되는 신호를 전송(傳送)하며, 외부 입력 단자로서 기능하는 FPC(flexible printed circuit)(609)로부터 비디오 신호, 클록 신호, 스타트 신호, 및 리셋 신호 등의 신호를 수신하기 위한 배선이다. 여기서는 FPC만을 도시하였지만, 이 FPC에는 인쇄 배선판(PWB)이 장착되어도 좋다. 본 명세서에서의 발광 장치는 발광 장치 자체뿐만 아니라, FPC 또는 PWB가 제공된 발광 장치도 그 범주에 포함한다.
다음으로 도 4의 (B)를 참조하여 단면 구조에 대하여 설명한다. 소자 기판(610) 위에는 구동 회로부 및 화소부가 형성되어 있다. 여기서는 구동 회로부인 소스선 구동 회로(601), 및 화소부(602)의 하나의 화소를 도시하였다.
소자 기판(610)은 유리, 석영, 유기 수지, 금속, 합금, 또는 반도체를 포함하는 기판이어도 좋고, FRP(fiber reinforced plastic), PVF(polyvinyl fluoride), 폴리에스터, 또는 아크릴 등으로 형성된 플라스틱 기판이어도 좋다.
화소 및 구동 회로에 사용되는 트랜지스터의 구조는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어 역 스태거형 트랜지스터를 사용하여도 좋고, 스태거형 트랜지스터를 사용하여도 좋다. 또한 톱 게이트형 트랜지스터 또는 보텀 게이트형 트랜지스터를 사용하여도 좋다. 트랜지스터에 사용되는 반도체 재료는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 실리콘, 저마늄, 탄소화 실리콘, 또는 질화 갈륨 등을 사용할 수 있다. 또는 In-Ga-Zn계 금속 산화물 등, 인듐, 갈륨, 및 아연 중 적어도 하나를 포함하는 산화물 반도체를 사용하여도 좋다.
트랜지스터에 사용하는 반도체 재료의 결정성에 대한 특별한 한정은 없고, 비정질 반도체 또는 결정성을 가지는 반도체(미결정(microcrystalline) 반도체, 다결정 반도체, 단결정 반도체, 또는 부분적으로 결정 영역을 포함하는 반도체)를 사용하여도 좋다. 결정성을 가지는 반도체를 사용하는 경우, 트랜지스터 특성의 열화를 억제할 수 있어 바람직하다.
여기서 화소 및 구동 회로에 제공되는 트랜지스터, 및 후술하는 터치 센서에 사용되는 트랜지스터 등의 반도체 장치에는 산화물 반도체를 사용하는 것이 바람직하다. 특히 실리콘보다 밴드 갭이 넓은 산화물 반도체를 사용하는 것이 바람직하다. 실리콘보다 밴드 갭이 넓은 산화물 반도체를 사용하면, 트랜지스터의 오프 상태 전류를 저감할 수 있다.
산화물 반도체는 적어도 인듐(In) 또는 아연(Zn)을 포함하는 것이 바람직하다. 산화물 반도체는 In-M-Zn계 산화물(M은 Al, Ti, Ga, Ge, Y, Zr, Sn, La, Ce, 또는 Hf 등의 금속을 나타냄)로 나타내어지는 산화물을 포함하는 것이 더 바람직하다.
본 발명의 일 형태에 사용할 수 있는 산화물 반도체에 대하여 이하에서 설명한다.
산화물 반도체는 단결정 산화물 반도체와 비단결정 산화물 반도체로 분류된다. 비단결정 산화물 반도체의 예에는 CAAC-OS(c-axis aligned crystalline oxide semiconductor), 다결정 산화물 반도체, nc-OS(nanocrystalline oxide semiconductor), a-like OS(amorphous-like oxide semiconductor), 및 비정질 산화물 반도체가 포함된다.
CAAC-OS는 c축 배향을 가지고, 그 나노 결정들이 a-b면 방향에서 연결되어 있고, 그 결정 구조가 변형을 가진다. 또한 변형이란, 나노 결정들이 연결된 영역에서, 격자 배열이 규칙적인 영역과 격자 배열이 규칙적인 다른 영역 사이에서 격자 배열의 방향이 변화되는 부분을 말한다.
나노 결정의 형상은 기본적으로 육각형이지만, 반드시 정육각형인 것은 아니고, 비정육각형인 경우가 있다. 변형에는 오각형의 격자 배열 및 칠각형의 격자 배열 등이 포함되는 경우가 있다. 또한 CAAC-OS의 변형 근방에서도 명확한 결정립계를 관찰하는 것은 어렵다. 즉 격자 배열이 변형되어 있기 때문에 결정립계의 형성이 억제된다. 이는, a-b면 방향에서 산소 원자의 배열의 밀도가 낮은 것, 및 금속 원소의 치환에 의하여 원자간 결합 거리가 변화되는 것 등에 의하여 CAAC-OS가 변형을 허용할 수 있기 때문이다.
CAAC-OS는, 인듐 및 산소를 포함하는 층(이하 In층), 그리고 원소 M, 아연, 및 산소를 포함하는 층(이하 (M, Zn)층)이 적층된 층상 결정 구조(적층 구조라고도 함)를 가지는 경향이 있다. 또한 인듐과 원소 M은 서로 치환될 수 있고, (M, Zn)층의 원소 M이 인듐으로 치환되는 경우, 상기 층을 (In, M, Zn)층이라고 할 수 있다. In층의 인듐이 원소 M으로 치환되는 경우에는 상기 층을 (In, M)층이라고 할 수 있다.
CAAC-OS는 결정성이 높은 산화물 반도체이다. 한편, CAAC-OS에서는, 명확한 결정립계를 관찰하기 어렵기 때문에, 결정립계에 기인하는 전자 이동도의 저하가 일어나기 어렵다. 불순물의 침입 또는 결함의 형성 등에 의하여 산화물 반도체의 결정성이 저하되는 경우가 있다. 이는, CAAC-OS는 불순물 및 결함(예를 들어 산소 결손(VO: oxygen vacancy))의 양이 적은 산화물 반도체라는 것을 뜻한다. 따라서 CAAC-OS를 포함하는 산화물 반도체는 물리적으로 안정적이다. 그러므로 CAAC-OS를 포함하는 산화물 반도체는 내열성이 있고 신뢰성이 높다.
nc-OS에서, 미소한 영역(예를 들어 크기가 1nm 이상 10nm 이하의 영역, 특히 크기가 1nm 이상 3nm 이하의 영역)은 주기적인 원자 배열을 가진다. nc-OS에서 상이한 나노 결정들 사이에 결정 배향의 규칙성은 없다. 따라서 막 전체에서 배향이 관찰되지 않는다. 그러므로 분석 방법에 따라서는 nc-OS를 a-like OS 또는 비정질 산화물 반도체와 구별할 수 없는 경우가 있다.
또한 인듐, 갈륨, 및 아연을 포함하는 산화물 반도체인 인듐-갈륨-아연 산화물(이하 IGZO)은, 상술한 나노 결정으로 형성됨으로써 안정적인 구조를 가지는 경우가 있다. 특히 IGZO 결정은 대기 중에서 성장하지 않는 경향이 있기 때문에, 큰 결정(여기서는 크기가 수mm 또는 수cm의 결정)보다 작은 결정(예를 들어 상술한 나노 결정)으로 IGZO가 형성되는 경우에 안정적인 구조가 얻어진다.
a-like OS는 nc-OS와 비정질 산화물 반도체의 중간의 구조를 가지는 산화물 반도체이다. a-like OS는 공동(void) 또는 밀도가 낮은 영역을 가진다. 즉 a-like OS는 nc-OS 및 CAAC-OS와 비교하여 결정성이 낮다.
산화물 반도체는 다양하고 상이한 특성을 나타내는 여러 가지 구조 중 어느 것을 가질 수 있다. 비정질 산화물 반도체, 다결정 산화물 반도체, a-like OS, nc-OS, 및 CAAC-OS 중 2개 이상이 본 발명의 일 형태에 따른 산화물 반도체에 포함되어도 좋다.
상기 이외의 산화물 반도체로서 CAC-OS(cloud-aligned composite OS)를 사용하여도 좋다.
CAC-OS는 재료의 일부에서는 도전성 기능을 가지고, 재료의 다른 일부에서는 절연성 기능을 가지고, 전체로서는 CAC-OS는 반도체의 기능을 가진다. 또한 CAC-OS를 트랜지스터의 반도체층에 사용하는 경우, 도전성 기능은 캐리어로서 기능하는 전자(또는 정공)를 흐르게 하는 것이고, 절연성 기능은 캐리어로서 기능하는 전자를 흐르지 않게 하는 것이다. 도전성 기능과 절연성 기능의 상보적인 작용에 의하여, CAC-OS는 스위칭 기능(온/오프 기능)을 가질 수 있다. CAC-OS에서는, 상기 기능을 분리함으로써 각 기능을 극대화할 수 있다.
또한 CAC-OS는 도전성 영역 및 절연성 영역을 포함한다. 도전성 영역은 상술한 도전성 기능을 가지고, 절연성 영역은 상술한 절연성 기능을 가진다. 재료 내에서 도전성 영역과 절연성 영역은 나노 입자 레벨로 분리되어 있는 경우가 있다. 또한 재료 내에서 도전성 영역과 절연성 영역은 고르지 않게 분포되어 있는 경우가 있다. 도전성 영역은 그 경계가 흐릿해져 클라우드상(cloud-like)으로 연결되어 관찰되는 경우가 있다.
또한 CAC-OS에서, 도전성 영역 및 절연성 영역 각각은 0.5nm 이상 10nm 이하, 바람직하게는 0.5nm 이상 3nm 이하의 크기를 가지고, 재료 내에서 분산되어 있는 경우가 있다.
또한 CAC-OS는 상이한 밴드 갭을 가지는 성분을 포함한다. 예를 들어 CAC-OS는 절연성 영역에 기인하는 와이드 갭(wide gap)을 가지는 성분과, 도전성 영역에 기인하는 내로 갭(narrow gap)을 가지는 성분을 포함한다. 이러한 조성의 경우, 내로 갭을 가지는 성분에 캐리어가 주로 흐른다. 내로 갭을 가지는 성분이 와이드 갭을 가지는 성분을 보완하고, 내로 갭을 가지는 성분과 연동하여 와이드 갭을 가지는 성분에도 캐리어가 흐른다. 따라서 상술한 CAC-OS를 트랜지스터의 채널 형성 영역에 사용하는 경우, 트랜지스터의 온 상태에서의 높은 전류 구동 능력, 즉 높은 온 상태 전류 및 높은 전계 효과 이동도를 얻을 수 있다.
바꿔 말하면 CAC-OS를 매트릭스 복합재(matrix composite) 또는 금속 매트릭스 복합재(metal matrix composite)라고 할 수도 있다.
반도체층에 상술한 산화물 반도체 재료를 사용함으로써, 전기 특성의 변동이 억제된, 신뢰성이 높은 트랜지스터를 제공할 수 있다.
트랜지스터의 오프 상태 전류가 낮기 때문에, 상술한 반도체층을 포함하는 트랜지스터를 통하여 용량 소자에 축적된 전하가 오랫동안 유지될 수 있다. 이러한 트랜지스터를 화소에 사용하면, 각 표시 영역에 표시된 화상의 계조를 유지하면서, 구동 회로의 동작을 정지할 수 있다. 결과적으로, 소비 전력이 매우 낮은 전자 기기를 얻을 수 있다.
트랜지스터의 안정적인 특성 등을 위하여 하지막을 제공하는 것이 바람직하다. 하지막은 산화 실리콘막, 질화 실리콘막, 산화질화 실리콘막, 또는 질화산화 실리콘막 등의 무기 절연막을 사용하여 단층 구조 또는 적층 구조로 형성할 수 있다. 하지막은 스퍼터링법, CVD(chemical vapor deposition)법(예를 들어 플라스마 CVD법, 열 CVD법, 또는 MOCVD(metal organic CVD)법), ALD(atomic layer deposition)법, 도포법, 또는 인쇄법 등에 의하여 형성할 수 있다. 또한 하지막을 반드시 제공할 필요는 없다.
또한 구동 회로부(601)에 형성되는 트랜지스터로서 FET(623)를 도시하였다. 또한 구동 회로는 CMOS 회로, PMOS 회로, 및 NMOS 회로 등 다양한 회로 중 임의의 것을 사용하여 형성될 수 있다. 본 실시형태에서는 기판 위에 구동 회로가 형성되는 드라이버 일체형을 도시하였지만, 구동 회로를 기판 위에 반드시 형성할 필요는 없고, 구동 회로는 기판 외부에 형성할 수 있다.
화소부(602)는 스위칭 FET(611), 전류 제어 FET(612), 및 전류 제어 FET(612)의 드레인에 전기적으로 접속된 양극(613)을 각각 포함하는 복수의 화소를 포함한다. 본 발명의 일 형태는 이 구조에 한정되지 않는다. 화소부(602)는 3개 이상의 FET와 용량 소자를 조합하여 포함하여도 좋다.
또한 양극(613)의 단부를 덮어 절연물(614)이 형성되어 있다. 여기서는 포지티브 감광성 아크릴을 사용하여 절연물(614)을 형성할 수 있다.
나중에 형성되는 EL층 등의 피복성을 향상시키기 위하여 절연물(614)은 그 상단부 또는 하단부에 곡률을 가지는 곡면을 가지도록 형성된다. 예를 들어 절연물(614)의 재료로서 포지티브 감광성 아크릴을 사용하는 경우, 절연물(614)의 상단부만이 곡률 반경(0.2μm 내지 3μm)을 가지는 곡면을 가지는 것이 바람직하다. 절연물(614)로서는 네거티브 감광성 수지 및 포지티브 감광성 수지 중 어느 쪽이든 사용할 수 있다.
양극(613) 위에는 EL층(616) 및 음극(617)이 형성되어 있다. 여기서 양극(613)에 사용하는 재료로서는 일함수가 큰 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어 ITO막, 실리콘을 포함하는 인듐 주석 산화물막, 산화 아연을 2wt% 내지 20wt% 포함하는 산화 인듐막, 질화 타이타늄막, 크로뮴막, 텅스텐막, Zn막, 또는 Pt막 등의 단층막, 질화 타이타늄막과 알루미늄을 주성분으로 포함하는 막의 적층, 또는 질화 타이타늄막, 알루미늄을 주성분으로 포함하는 막, 및 질화 타이타늄막의 3개의 층의 적층 등을 사용할 수 있다. 상기 적층 구조는 낮은 배선 저항 및 양호한 옴 콘택트(ohmic contact)를 가능하게 하고, 양극으로서 기능할 수 있다.
EL층(616)은 증착 마스크를 사용하는 증착법, 잉크젯법, 및 스핀 코팅법 등 각종 방법 중 어느 것에 의하여 형성된다. EL층(616)은 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 구조를 가진다. EL층(616)에 포함되는 다른 재료로서는 저분자 화합물 또는 고분자 화합물(올리고머 또는 덴드리머를 포함함)을 사용하여도 좋다.
EL층(616) 위에 형성된 음극(617)에 사용하는 재료로서는 일함수가 작은 재료(예를 들어 Al, Mg, Li, 및 Ca, 또는 이들의 합금 또는 화합물(MgAg, MgIn, 또는 AlLi 등))를 사용하는 것이 바람직하다. EL층(616)에서 발생된 광이 음극(617)을 통과하는 경우에는 금속 박막과 투명 도전막(예를 들어 ITO, 산화 아연을 2wt% 내지 20wt% 포함하는 산화 인듐, 실리콘을 포함하는 인듐 주석 산화물, 또는 산화 아연(ZnO))의 적층을 음극(617)에 사용하는 것이 바람직하다.
또한 상기 발광 디바이스는 양극(613), EL층(616), 및 음극(617)으로 형성되어 있다. 상기 발광 디바이스는 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 발광 디바이스이다. 본 실시형태의 발광 장치에서, 복수의 발광 디바이스를 포함하는 화소부는 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 발광 디바이스와, 다른 구조를 가지는 발광 디바이스의 양쪽을 포함하여도 좋다.
밀봉 재료(605)로 밀봉 기판(604)을 소자 기판(610)에 접착시킴으로써, 소자 기판(610), 밀봉 기판(604), 및 밀봉 재료(605)로 둘러싸인 공간(607)에 발광 디바이스(618)가 제공된다. 공간(607)은 충전제로 충전되고, 불활성 가스(질소 또는 아르곤 등) 또는 밀봉 재료로 충전되는 경우도 있다. 밀봉 기판에 건조제가 제공된 오목부가 제공되면, 수분의 영향으로 인한 열화를 억제할 수 있어 바람직하다.
밀봉 재료(605)에는 에폭시계 수지 또는 유리 프릿(glass frit)을 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 재료는 수분 또는 산소를 가능한 한 투과시키지 않는 것이 바람직하다. 밀봉 기판(604)으로서는 유리 기판, 석영 기판, 또는 FRP(fiber reinforced plastic), PVF(polyvinyl fluoride), 폴리에스터, 또는 아크릴로 형성된 플라스틱 기판을 사용할 수 있다.
도 4의 (A) 및 (B)에는 도시되지 않았지만, 음극 위에 보호막을 제공하여도 좋다. 보호막으로서는 유기 수지막 또는 무기 절연막을 형성할 수 있다. 밀봉 재료(605)의 노출된 부분을 덮도록 보호막이 형성되어도 좋다. 보호막은, 한 쌍의 기판의 표면과 측면, 그리고 밀봉층 및 절연층 등의 노출된 측면을 덮도록 제공될 수 있다.
보호막은, 물 등의 불순물을 쉽게 투과시키지 않는 재료를 사용하여 형성될 수 있다. 따라서 물 등의 불순물이 외부로부터 내부로 확산되는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.
보호막의 재료로서는 산화물, 질화물, 플루오린화물, 황화물, 3원 화합물, 금속, 또는 폴리머 등을 사용할 수 있다. 예를 들어 상기 재료는 산화 알루미늄, 산화 하프늄, 하프늄 실리케이트, 산화 란타넘, 산화 실리콘, 타이타늄산 스트론튬, 산화 탄탈럼, 산화 타이타늄, 산화 아연, 산화 나이오븀, 산화 지르코늄, 산화 주석, 산화 이트륨, 산화 세륨, 산화 스칸듐, 산화 어븀, 산화 바나듐, 산화 인듐, 질화 알루미늄, 질화 하프늄, 질화 실리콘, 질화 탄탈럼, 질화 타이타늄, 질화 나이오븀, 질화 몰리브데넘, 질화 지르코늄, 질화 갈륨, 타이타늄 및 알루미늄을 포함하는 질화물, 타이타늄 및 알루미늄을 포함하는 산화물, 알루미늄 및 아연을 포함하는 산화물, 망가니즈 및 아연을 포함하는 황화물, 세륨 및 스트론튬을 포함하는 황화물, 어븀 및 알루미늄을 포함하는 산화물, 또는 이트륨 및 지르코늄을 포함하는 산화물 등을 포함하여도 좋다.
보호막은 단차 피복성(step coverage)이 양호한 퇴적 방법을 사용하여 형성하는 것이 바람직하다. 이러한 방법의 하나로서 ALD(atomic layer deposition)법이 있다. ALD법에 의하여 퇴적할 수 있는 재료를 보호막에 사용하는 것이 바람직하다. ALD법에 의하여, 크랙 또는 핀홀 등의 결함이 저감되거나 두께가 균일한, 치밀한 보호막을 형성할 수 있다. 또한 보호막의 형성 시에 가공 부재에 생기는 손상을 저감할 수 있다.
ALD법에 의하여, 복잡한 요철 형상을 가지는 표면, 또는 터치 패널의 상면, 측면, 및 하면에도 결함이 적고 균일한 보호막을 형성할 수 있다.
상술한 바와 같이, 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 발광 디바이스를 사용하여 제작된 발광 장치를 얻을 수 있다.
본 실시형태에서의 발광 장치는, 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 발광 디바이스를 사용하여 제작되기 때문에, 양호한 특성을 가질 수 있다. 구체적으로는 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 발광 디바이스는 수명이 길기 때문에, 신뢰성이 높은 발광 장치로 할 수 있다. 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 발광 디바이스를 사용한 발광 장치는 발광 효율이 높기 때문에, 소비 전력이 낮은 발광 장치를 실현할 수 있다.
도 5의 (A) 및 (B)는 각각, 풀 컬러 화상을 표시하도록 백색 발광을 나타내는 발광 디바이스 및 착색층(컬러 필터) 등을 포함하는 발광 장치의 예를 도시한 것이다. 도 5의 (A)에는 기판(1001), 하지 절연막(base insulating film)(1002), 게이트 절연막(1003), 게이트 전극(1006, 1007, 및 1008), 제 1 층간 절연막(1020), 제 2 층간 절연막(1021), 주변부(1042), 화소부(1040), 구동 회로부(1041), 발광 디바이스의 양극(1024W, 1024R, 1024G, 및 1024B), 격벽(1025), EL층(1028), 발광 디바이스의 음극(1029), 밀봉 기판(1031), 및 밀봉 재료(1032) 등을 도시하였다.
도 5의 (A)에서는, 투명 기재(1033) 상에 착색층(적색 착색층(1034R), 녹색 착색층(1034G), 및 청색 착색층(1034B))이 제공되어 있다. 블랙 매트릭스(1035)가 추가적으로 제공되어도 좋다. 착색층 및 블랙 매트릭스가 제공된 투명 기재(1033)는 정렬되고 기판(1001)에 고정된다. 또한 착색층 및 블랙 매트릭스(1035)는 오버코트층(1036)으로 덮여 있다. 도 5의 (A)에서는, 발광층의 일부로부터 방출된 광은 착색층을 통과하지 않고, 발광층의 다른 일부로부터 방출된 광은 착색층을 통과한다. 착색층을 통과하지 않는 광은 백색이고 착색층들 중 어느 하나를 통과하는 광은 적색, 녹색, 또는 청색이기 때문에, 그 4가지 색의 화소를 사용하여 화상을 표시할 수 있다.
도 5의 (B)에는 착색층(적색 착색층(1034R), 녹색 착색층(1034G), 및 청색 착색층(1034B))이 게이트 절연막(1003)과 제 1 층간 절연막(1020) 사이에 제공된 예를 도시하였다. 이 구조와 같이, 착색층은 기판(1001)과 밀봉 기판(1031) 사이에 제공되어도 좋다.
상술한 발광 장치는, FET가 형성되는 기판(1001) 측으로부터 광이 추출되는 구조(보텀 이미션 구조(bottom emission structure))를 가지지만, 밀봉 기판(1031) 측으로부터 광이 추출되는 구조(톱 이미션 구조(top emission structure))를 가져도 좋다. 도 6은 톱 이미션 구조를 가지는 발광 장치의 단면도이다. 이 경우 기판(1001)으로서 광을 투과시키지 않는 기판을 사용할 수 있다. FET와 발광 디바이스의 양극을 접속시키는 접속 전극을 형성하는 단계까지 공정은, 보텀 이미션 구조를 가지는 발광 장치와 비슷한 식으로 수행된다. 그리고 제 3 층간 절연막(1037)이 전극(1022)을 덮어 형성된다. 이 절연막은 평탄화 기능을 가져도 좋다. 제 3 층간 절연막(1037)은 제 2 층간 절연막과 비슷한 재료를 사용하여, 또는 다른 공지의 재료 중 임의의 것을 사용하여 형성할 수 있다.
여기서는, 발광 디바이스의 양극(1024W, 1024R, 1024G, 및 1024B)은 양극이지만, 음극으로서 형성되어도 좋다. 또한 도 6에 도시된 바와 같은 톱 이미션 구조를 가지는 발광 장치의 경우, 양극은 반사 전극인 것이 바람직하다. EL층(1028)은, 백색 발광을 얻을 수 있는, 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 EL층(103)의 구조와 비슷한 구조를 가지도록 형성된다.
도 6에 도시된 바와 같은 톱 이미션 구조의 경우, 착색층(적색 착색층(1034R), 녹색 착색층(1034G), 및 청색 착색층(1034B))이 제공된 밀봉 기판(1031)으로 밀봉을 할 수 있다. 밀봉 기판(1031)에는 화소들 사이에 위치하는 블랙 매트릭스(1035)를 제공하여도 좋다. 착색층(적색 착색층(1034R), 녹색 착색층(1034G), 및 청색 착색층(1034B))과 블랙 매트릭스는 오버코트층(1036)으로 덮여 있어도 좋다. 또한 밀봉 기판(1031)으로서 투광성 기판을 사용한다. 여기서는 적색, 녹색, 청색, 및 백색의 4가지 색을 사용하여 풀 컬러 표시를 수행하는 예를 나타내었지만, 특별한 제한은 없으며, 적색, 황색, 녹색, 및 청색의 4가지 색, 또는 적색, 녹색, 및 청색의 3가지 색을 사용하는 풀 컬러 표시를 수행하여도 좋다.
톱 이미션 구조를 가지는 발광 장치에서는, 마이크로캐비티 구조를 적합하게 채용할 수 있다. 마이크로캐비티 구조를 가지는 발광 디바이스는 양극으로서 반사 전극을, 음극으로서 반투과·반반사 전극을 사용하여 형성된다. 마이크로캐비티 구조를 가지는 발광 디바이스는 반사 전극과 반투과·반반사 전극 사이에 EL층을 포함한다. EL층은 발광 영역으로서 기능하는 발광층을 적어도 포함한다.
또한 반사 전극은 가시광의 반사율이 40% 내지 100%, 바람직하게는 70% 내지 100%이고, 저항률이 1Х10-2Ωcm 이하이다. 또한 반투과·반반사 전극은 가시광의 반사율이 20% 내지 80%, 바람직하게는 40% 내지 70%이고, 저항률이 1Х10-2Ωcm 이하이다.
EL층에 포함되는 발광층으로부터 방출되는 광은, 반사 전극 및 반투과·반반사 전극에 의하여 반사되어 공진한다.
상기 발광 디바이스에서는, 투명 도전막, 복합 재료, 및 캐리어 수송 재료 등의 두께를 바꿈으로써 반사 전극과 반투과·반반사 전극 사이의 광로 길이를 바꿀 수 있다. 그러므로 반사 전극과 반투과·반반사 전극 사이에서 공진하는 파장의 광을 강하게 할 수 있고, 이들 사이에서 공진하지 않는 파장의 광을 약하게 할 수 있다.
또한 반사 전극에 의하여 반사되어 되돌아온 광(제 1 반사광)은, 발광층으로부터 반투과·반반사 전극으로 직접 들어가는 광(제 1 입사광)에 상당히 간섭한다. 이러한 이유로, 반사 전극과 발광층 사이의 광로 길이를 (2n-1)λ/4(n은 1 이상의 자연수이고 λ는 증폭될 색의 파장임)로 조절하는 것이 바람직하다. 광로 길이를 조절함으로써, 제 1 반사광과 제 1 입사광의 위상을 서로 일치시키고 발광층으로부터 방출되는 광을 더 증폭시킬 수 있다.
또한 상기 구조에서, EL층은 복수의 발광층을 포함하여도 좋고, 단층의 발광층을 포함하여도 좋다. 상술한 탠덤 발광 디바이스는 EL층과 조합되어도 좋고, 예를 들어 발광 디바이스는, 복수의 EL층이 제공되고, EL층들 사이에 전하 발생층이 제공되고, 각 EL층이 복수의 발광층 또는 단층의 발광층을 포함하는 구조를 가져도 좋다.
마이크로캐비티 구조를 가지면, 정면 방향에서의 특정 파장의 발광 강도를 높일 수 있기 때문에, 소비 전력을 저감할 수 있다. 또한 적색, 황색, 녹색, 및 청색의 4가지 색의 부화소로 화상을 표시하는 발광 장치의 경우에는 황색 발광에 의하여 휘도를 높일 수 있고, 각 부화소가 대응하는 색의 파장에 적합한 마이크로캐비티 구조를 채용할 수 있기 때문에, 양호한 특성의 발광 장치로 할 수 있다.
본 실시형태에서의 발광 장치는, 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 발광 디바이스를 사용하여 제작되기 때문에, 양호한 특성을 가질 수 있다. 구체적으로는 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 발광 디바이스는 수명이 길기 때문에, 신뢰성이 높은 발광 장치로 할 수 있다. 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 발광 디바이스를 사용한 발광 장치는 발광 효율이 높기 때문에, 소비 전력이 낮은 발광 장치를 실현할 수 있다.
앞에서는 액티브 매트릭스 발광 장치에 대하여 설명하였지만, 이하에서는 패시브 매트릭스 발광 장치에 대하여 설명한다. 도 7의 (A) 및 (B)는 본 발명을 사용하여 제작된 패시브 매트릭스 발광 장치를 도시한 것이다. 또한 도 7의 (A)는 발광 장치의 사시도이고, 도 7의 (B)는 도 7의 (A)의 선 X-Y를 따라 취한 단면도이다. 도 7의 (A) 및 (B)에서, 기판(951) 위에는, 전극(952)과 전극(956) 사이에 EL층(955)이 제공되어 있다. 전극(952)의 단부는 절연층(953)으로 덮여 있다. 절연층(953) 위에는 격벽층(954)이 제공되어 있다. 격벽층(954)의 측벽들은, 측벽들 간의 거리가 기판 표면을 향하여 서서히 좁아지도록 경사져 있다. 바꿔 말하면 격벽층(954)의 짧은 변 방향을 따라 취한 단면은 사다리꼴이고, 저변(절연층(953)의 표면에 평행하며 절연층(953)과 접하는 사다리꼴의 변)은 윗변(절연층(953)의 표면에 평행하며 절연층(953)과 접하지 않는 사다리꼴의 변)보다 짧다. 이러한 식으로 격벽층(954)을 제공하면 정전기 등에 기인한 발광 디바이스의 결함을 방지할 수 있다. 패시브 매트릭스 발광 장치도 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 발광 디바이스를 포함하기 때문에, 신뢰성이 높은 발광 장치 또는 소비 전력이 낮은 발광 장치로 할 수 있다.
상술한 발광 장치에서는 매트릭스상으로 배열된 다수의 미세한 발광 디바이스를 독립적으로 제어할 수 있기 때문에, 상기 발광 장치는 화상을 표시하기 위한 표시 장치로서 적합하게 사용할 수 있다.
본 실시형태는 다른 실시형태 중 임의의 것과 자유로이 조합할 수 있다.
(실시형태 4)
본 실시형태에서는 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 발광 디바이스를 조명 장치에 사용하는 예에 대하여 도 8의 (A) 및 (B)를 참조하여 설명한다. 도 8의 (B)는 조명 장치의 상면도이고, 도 8의 (A)는 도 8의 (B)의 선 e-f를 따라 취한 단면도이다.
본 실시형태의 조명 장치에서는, 지지체이며 투광성을 가지는 기판(400) 위에 양극(401)이 형성되어 있다. 양극(401)은 실시형태 2의 양극(101)에 상당한다. 양극(401) 측으로부터 광을 추출하는 경우, 양극(401)은 투광성을 가지는 재료를 사용하여 형성된다.
음극(404)에 전압을 인가하기 위한 패드(412)가 기판(400) 위에 형성된다.
양극(401) 위에는 EL층(403)이 형성된다. EL층(403)의 구조는, 예를 들어 실시형태 1 및 실시형태 2에서의 EL층(103)의 구조, 또는 발광 유닛(511 및 512)과 전하 발생층(513)이 조합된 구조에 상당한다. 이 구조에 대해서는 상기 설명을 참조하기 바란다.
EL층(403)을 덮어 음극(404)을 형성한다. 음극(404)은 실시형태 2에서의 음극(102)에 상당한다. 음극(404)은, 양극(401) 측으로부터 광이 추출되는 경우, 반사율이 높은 재료를 사용하여 형성된다. 음극(404)은 패드(412)에 접속됨으로써, 전압이 인가된다.
상술한 바와 같이, 본 실시형태에서 설명한 조명 장치는 양극(401), EL층(403), 및 음극(404)을 포함하는 발광 디바이스를 포함한다. 상기 발광 디바이스는 발광 효율이 높기 때문에, 본 실시형태에서의 조명 장치의 소비 전력을 낮게 할 수 있다.
상기 구조를 가지는 발광 디바이스가 제공된 기판(400)을 밀봉 재료(405 및 406)에 의하여 밀봉 기판(407)에 고정하고 밀봉함으로써, 조명 장치가 완성된다. 밀봉 재료(405) 및 밀봉 재료(406) 중 한쪽만을 사용할 수 있다. 내부 밀봉 재료(406)(도 8의 (B)에는 도시하지 않았음)는 건조제와 혼합될 수 있어 수분을 흡착할 수 있기 때문에, 신뢰성 향상으로 이어진다.
패드(412) 및 양극(401)의 일부가 밀봉 재료(405 및 406)의 외부로 연장되어 있으면, 그 연장된 부분은 외부 입력 단자로서 기능할 수 있다. 외부 입력 단자 위에는 컨버터 등이 실장된 IC칩(420)을 제공하여도 좋다.
본 실시형태에서 설명한 조명 장치는 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 발광 디바이스를 EL 디바이스로서 포함하기 때문에, 신뢰성이 높은 발광 장치로 할 수 있다. 또한 소비 전력이 낮은 발광 장치로 할 수 있다.
(실시형태 5)
본 실시형태에서는 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 발광 디바이스를 각각 포함하는 전자 기기의 예에 대하여 설명한다. 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 발광 디바이스는 수명이 길고 신뢰성이 높다. 그 결과, 본 실시형태에서 설명하는 전자 기기는 신뢰성이 높은 발광부를 각각 포함할 수 있다.
상기 발광 디바이스를 포함하는 전자 기기의 예에는 텔레비전 장치(텔레비전 또는 텔레비전 수신기라고도 함), 컴퓨터용 등의 모니터, 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라, 디지털 포토 프레임, 휴대 전화(이동 전화 또는 이동 전화기라고도 함), 휴대용 게임기, 휴대 정보 단말기, 음향 재생 장치, 및 파친코 기기 등의 대형 게임기가 포함된다. 이들 전자 기기의 구체적인 예를 이하에서 설명한다.
도 9의 (A)는 텔레비전 장치의 예를 도시한 것이다. 상기 텔레비전 장치에서는, 하우징(7101)에 표시부(7103)가 포함되어 있다. 여기서는 하우징(7101)이 스탠드(7105)로 지지되어 있다. 표시부(7103)에 화상을 표시할 수 있고, 표시부(7103)에서는, 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 발광 디바이스들이 매트릭스상으로 배열된다.
텔레비전 장치는 하우징(7101)의 조작 스위치 또는 별체의 리모트 컨트롤러(7110)로 조작할 수 있다. 리모트 컨트롤러(7110)의 조작 키(7109)에 의하여 채널 및 음량을 제어할 수 있고, 표시부(7103)에 표시되는 화상을 제어할 수 있다. 또한 리모트 컨트롤러(7110)에는 리모트 컨트롤러(7110)로부터 출력되는 데이터를 표시하기 위한 표시부(7107)가 제공되어도 좋다.
또한 텔레비전 장치에는 수신기 및 모뎀 등이 제공된다. 수신기를 사용하여, 일반 텔레비전 방송을 수신할 수 있다. 또한 모뎀을 통하여 유선 또는 무선의 통신 네트워크에 텔레비전 장치를 접속하면, 단방향(송신자로부터 수신자) 또는 쌍방향(송신자와 수신자 사이 또는 수신자들 사이)의 데이터 통신을 수행할 수 있다.
도 9의 (B1)은 본체(7201), 하우징(7202), 표시부(7203), 키보드(7204), 외부 접속 포트(7205), 및 포인팅 디바이스(7206) 등을 포함하는 컴퓨터를 도시한 것이다. 또한 이 컴퓨터는, 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명되고, 표시부(7203)에서 매트릭스상으로 배열된 발광 디바이스를 사용하여 제작된다. 도 9의 (B1)에 도시된 컴퓨터는 도 9의 (B2)에 도시된 구조를 가져도 좋다. 도 9의 (B2)에 도시된 컴퓨터에는 키보드(7204)와 포인팅 디바이스(7206) 대신에 제 2 표시부(7210)가 제공되어 있다. 제 2 표시부(7210)는 터치 패널이며, 제 2 표시부(7210) 상의 입력용 표시를 손가락 또는 전용 펜으로 터치함으로써 입력 조작을 수행할 수 있다. 제 2 표시부(7210)는 입력용 표시 외의 화상을 표시할 수도 있다. 표시부(7203)도 터치 패널이어도 좋다. 상기 2개의 화면을 힌지로 접속시킴으로써, 예를 들어 컴퓨터를 보관 또는 운반하는 동안에 화면이 긁히거나 파손되는 문제를 방지할 수 있다.
도 9의 (C)는 휴대 단말기의 예를 도시한 것이다. 휴대 전화에는 하우징(7401)에 포함된 표시부(7402), 조작 버튼(7403), 외부 접속 포트(7404), 스피커(7405), 및 마이크로폰(7406) 등이 제공되어 있다. 또한 휴대 전화는, 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명되고 매트릭스상으로 배열된 발광 디바이스를 포함하는 표시부(7402)를 가진다.
도 9의 (C)에 도시된 휴대 단말기의 표시부(7402)를 손가락 등으로 터치하면, 휴대 단말기에 데이터를 입력할 수 있다. 이 경우 전화를 걸거나 이메일을 작성하는 등의 조작은, 표시부(7402)를 손가락 등으로 터치함으로써 수행할 수 있다.
표시부(7402)는 주로 3가지 화면 모드를 가진다. 제 1 모드는 주로 화상을 표시하기 위한 표시 모드이다. 제 2 모드는 주로 문자 등의 데이터를 입력하기 위한 입력 모드이다. 제 3 모드는 표시 모드와 입력 모드의 2가지 모드가 조합된 표시 및 입력 모드이다.
예를 들어 전화를 걸거나 이메일을 작성하는 경우에는 표시부(7402)에 대하여 주로 문자를 입력하기 위한 문자 입력 모드를 선택함으로써, 화면에 표시된 문자를 입력할 수 있다. 이 경우 표시부(7402)의 화면의 거의 전체에 키보드 또는 번호 버튼을 표시하는 것이 바람직하다.
휴대 단말기 내에, 자이로스코프 센서 또는 가속도 센서 등 기울기를 검지하기 위한 센서를 포함하는 검지 장치가 제공되어 있으면, 휴대 단말기의 방향(휴대 단말기가 가로로 배치되는지 세로로 배치되는지)을 판정함으로써 표시부(7402)의 화면의 표시를 자동적으로 변경할 수 있다.
화면 모드는 표시부(7402)를 터치하거나 하우징(7401)의 조작 버튼(7403)을 조작함으로써 전환된다. 또는 표시부(7402)에 표시되는 화상의 종류에 따라 화면 모드를 전환할 수 있다. 예를 들어 표시부에 표시되는 화상의 신호가 동영상 데이터의 신호이면 화면 모드가 표시 모드로 전환된다. 신호가 텍스트 데이터의 신호이면 화면 모드가 입력 모드로 전환된다.
또한 입력 모드에서 표시부(7402)의 광 센서로 검지되는 신호를 검지하는 동안에 표시부(7402)의 터치에 의한 입력이 일정 기간 수행되지 않는 경우에는 화면 모드가 입력 모드에서 표시 모드로 전환되도록 제어하여도 좋다.
표시부(7402)는 이미지 센서로서 기능할 수도 있다. 예를 들어 표시부(7402)를 손바닥 또는 손가락으로 터치하였을 때 장문 또는 지문 등의 화상을 촬영함으로써, 개인 인증을 수행할 수 있다. 또한 근적외광을 방출하는 백라이트 또는 센싱용 광원을 표시부에 제공함으로써, 손가락 정맥 또는 손바닥 정맥 등의 화상을 촬영할 수 있다.
또한 본 실시형태에서 설명하는 구조는 실시형태 1 내지 실시형태 4에서 설명한 구조 중 임의의 것과 적절히 조합할 수 있다.
상술한 바와 같이, 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 발광 디바이스를 가지는 발광 장치의 적용 범위는 매우 넓기 때문에, 이 발광 장치를 다양한 분야의 전자 기기에 사용할 수 있다. 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 발광 디바이스를 사용함으로써, 신뢰성이 높은 전자 기기를 얻을 수 있다.
도 10의 (A)는 로봇 청소기의 예를 도시한 모식도이다.
로봇 청소기(5100)는 그 상면에 있는 디스플레이(5101), 그 측면에 있는 복수의 카메라(5102), 솔(5103), 및 조작 버튼(5104)을 포함한다. 도시하지 않았지만 로봇 청소기(5100)의 밑면에는 타이어 및 흡입구 등이 제공되어 있다. 또한 로봇 청소기(5100)는 적외선 센서, 초음파 센서, 가속도 센서, 압전 센서, 광 센서, 및 자이로스코프 센서 등의 다양한 센서를 포함한다. 로봇 청소기(5100)는 무선 통신 수단을 가진다.
로봇 청소기(5100)는 자주식이고, 먼지(5120)를 검지하고 밑면에 제공된 흡입구로부터 먼지를 흡인한다.
로봇 청소기(5100)는, 카메라(5102)로 촬영한 화상을 분석하여 벽, 가구, 또는 단차 등의 장애물의 유무를 판단할 수 있다. 화상 분석에 의하여 로봇 청소기(5100)가 솔(5103)에 걸릴 수 있는 물건(예를 들어 와이어)을 검지한 경우에는 솔(5103)의 회전을 멈출 수 있다.
디스플레이(5101)에는 배터리의 잔량 및 모은 먼지의 양 등을 표시할 수 있다. 디스플레이(5101)에는 로봇 청소기(5100)가 주행한 경로를 표시하여도 좋다. 디스플레이(5101)는 터치 패널이어도 좋고, 조작 버튼(5104)을 디스플레이(5101)에 제공하여도 좋다.
로봇 청소기(5100)는 스마트폰 등의 휴대용 전자 기기(5140)와 통신할 수 있다. 휴대용 전자 기기(5140)는 카메라(5102)로 촬영한 화상을 표시할 수 있다. 따라서 로봇 청소기(5100)의 소유자는 집에 없을 때도 자신의 방을 모니터할 수 있다. 소유자는 디스플레이(5101)의 표시를 스마트폰 등의 휴대용 전자 기기(5140)로 확인할 수도 있다.
본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치는 디스플레이(5101)에 사용할 수 있다.
도 10의 (B)에 도시된 로봇(2100)은 연산 장치(2110), 조도 센서(2101), 마이크로폰(2102), 상부 카메라(2103), 스피커(2104), 디스플레이(2105), 하부 카메라(2106), 장애물 센서(2107), 및 이동 기구(2108)를 포함한다.
마이크로폰(2102)은 사용자의 말하는 목소리 및 환경음 등을 검지하는 기능을 가진다. 스피커(2104)는 음성을 출력하는 기능을 가진다. 로봇(2100)은 마이크로폰(2102) 및 스피커(2104)를 사용하여 사용자와 의사소통할 수 있다.
디스플레이(2105)는 다양한 종류의 정보를 표시하는 기능을 가진다. 로봇(2100)은 사용자가 원하는 정보를 디스플레이(2105)에 표시할 수 있다. 디스플레이(2105)에는 터치 패널이 제공되어도 좋다. 또한 디스플레이(2105)는 탈착 가능한 정보 단말기이어도 좋고, 이 경우 로봇(2100)의 정위치(定位置)에 디스플레이(2105)를 설치함으로써, 충전 및 데이터 통신을 수행할 수 있다.
상부 카메라(2103) 및 하부 카메라(2106)는 각각 로봇(2100)의 주변의 화상을 촬영하는 기능을 가진다. 장애물 센서(2107)는 로봇(2100)이 이동 기구(2108)를 사용하여 전진하는 방향에서의 장애물을 검지할 수 있다. 로봇(2100)은 상부 카메라(2103), 하부 카메라(2106), 및 장애물 센서(2107)를 사용하여 주변의 환경을 인식함으로써 안전하게 이동할 수 있다. 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치는 디스플레이(2105)에 사용할 수 있다.
도 10의 (C)는 고글형 디스플레이의 예를 도시한 것이다. 고글형 디스플레이는 예를 들어 하우징(5000), 표시부(5001), 스피커(5003), LED 램프(5004), 접속 단자(5006), 센서(5007)(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 광, 액체, 자기, 온도, 화학 물질, 음성, 시간, 경도, 전기장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경사도, 진동, 냄새, 또는 적외선을 측정하는 기능을 가지는 센서), 마이크로폰(5008), 표시부(5002), 지지부(5012), 및 이어폰(5013)을 포함한다.
본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치를 표시부(5001) 및 표시부(5002)에 사용할 수 있다.
도 11은, 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 발광 디바이스를 조명 장치인 테이블 램프에 사용한 예를 도시한 것이다. 도 11에 도시된 테이블 램프는 하우징(2001) 및 광원(2002)을 포함하고, 광원(2002)에는 실시형태 3에서 설명한 조명 장치를 사용하여도 좋다.
도 12는, 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 발광 디바이스를 실내 조명 장치(3001)에 사용한 예를 도시한 것이다. 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 발광 디바이스는 신뢰성이 높기 때문에, 신뢰성이 높은 조명 장치로 할 수 있다. 또한 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 발광 디바이스는 대면적으로 할 수 있기 때문에, 발광 디바이스를 대면적 조명 장치에 사용할 수 있다. 또한 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 발광 디바이스는 얇기 때문에, 두께가 저감된 조명 장치에 발광 디바이스를 사용할 수 있다.
실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 발광 디바이스는 자동차의 앞유리 또는 자동차의 대시 보드에 사용될 수도 있다. 도 13은 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 발광 디바이스를 자동차의 앞유리 및 자동차의 대시 보드에 사용한 일 형태를 도시한 것이다. 표시 영역(5200 내지 5203)은 각각 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 발광 디바이스를 포함한다.
표시 영역(5200 및 5201)은 자동차의 앞유리에 제공되며, 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 발광 디바이스가 포함된 표시 장치이다. 실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 발광 디바이스는, 투광성을 가지는 전극으로 형성된 양극 및 음극을 포함함으로써, 반대쪽을 볼 수 있는 소위 시스루 표시 장치로 할 수 있다. 이러한 시스루 표시 장치는 시야를 방해하는 일 없이 자동차의 앞유리에도 제공할 수 있다. 구동 트랜지스터 등이 제공되는 경우, 유기 반도체 재료를 포함하는 유기 트랜지스터 또는 산화물 반도체를 포함하는 트랜지스터 등 투광성을 가지는 트랜지스터를 사용하는 것이 바람직하다.
실시형태 1 및 실시형태 2에서 설명한 발광 디바이스가 포함된 표시 장치는 필러 부분의 표시 영역(5202)에 제공된다. 표시 영역(5202)은 차체에 제공된 촬상 유닛으로 촬영한 화상을 표시함으로써, 필러로 가려진 시야를 보완할 수 있다. 마찬가지로, 대시 보드 부분에 제공된 표시 영역(5203)은 자동차의 외부에 제공된 촬상 유닛으로 촬영한 화상을 표시함으로써, 차체로 가려진 시야를 보완할 수 있다. 그러므로 안 보이는 영역을 없애 안전성을 높일 수 있다. 운전자가 볼 수 없는 영역을 보완하는 화상을 표시함으로써, 운전자는 쉽고 편하게 안전을 확인할 수 있다.
표시 영역(5203)은 내비게이션 데이터, 속도계, 및 태코미터 등을 표시함으로써, 다양한 정보를 제공할 수 있다. 표시의 내용 또는 레이아웃은 사용자에 의하여 적절히 자유롭게 변경할 수 있다. 또한 이러한 정보는 표시 영역(5200 내지 5202)에도 표시할 수 있다. 표시 영역(5200 내지 5203)은 조명 장치로서 사용할 수도 있다.
도 14의 (A) 및 (B)는 접을 수 있는 휴대 정보 단말기(5150)를 도시한 것이다. 접을 수 있는 휴대 정보 단말기(5150)는 하우징(5151), 표시 영역(5152), 및 굴곡부(5153)를 포함한다. 도 14의 (A)는 펼친 휴대 정보 단말기(5150)를 도시한 것이다. 도 14의 (B)는 접은 휴대 정보 단말기(5150)를 도시한 것이다. 휴대 정보 단말기(5150)는 표시 영역(5152)이 큼에도 불구하고, 접으면 크기가 작고 휴대성이 우수하다.
표시 영역(5152)은 굴곡부(5153)에 의하여 반으로 접을 수 있다. 굴곡부(5153)는 가요성 부재 및 복수의 지지 부재를 포함한다. 표시 영역을 접는 경우에는 가요성 부재가 늘어나고 굴곡부(5153)가 2mm 이상, 바람직하게는 3mm 이상의 곡률 반경을 가진다.
또한 표시 영역(5152)은 터치 센서(입력 장치)를 포함한 터치 패널(입출력 장치)이어도 좋다. 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치를 표시 영역(5152)에 사용할 수 있다.
도 15의 (A) 내지 (C)는 접을 수 있는 휴대 정보 단말기(9310)를 도시한 것이다. 도 15의 (A)는 펼친 휴대 정보 단말기(9310)를 도시한 것이다. 도 15의 (B)는 펼쳐지거나 접히고 있는 휴대 정보 단말기(9310)를 도시한 것이다. 도 15의 (C)는 접은 휴대 정보 단말기(9310)를 도시한 것이다. 휴대 정보 단말기(9310)는 접었을 때 휴대가 매우 쉽다. 휴대 정보 단말기(9310)는 펼쳤을 때는 이음매가 없고 표시 영역이 크기 때문에 일람성이 높다.
표시 패널(9311)은 힌지(9313)에 의하여 서로 연결된 3개의 하우징(9315)으로 지지되어 있다. 또한 표시 패널(9311)은 터치 센서(입력 장치)를 포함하는 터치 패널(입출력 장치)이어도 좋다. 2개의 하우징(9315) 사이의 힌지(9313)에서 표시 패널(9311)을 접음으로써, 휴대 정보 단말기(9310)를 펼친 상태로부터 접은 상태로 가역적으로 변형할 수 있다. 표시 패널(9311)에는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치를 사용할 수 있다.
(실시예 1)
본 실시예에서는, 본 발명의 일 형태에 따른 발광 디바이스 1 내지 발광 디바이스 3과 비교 발광 디바이스 1에 대하여 설명한다. 발광 디바이스 1 내지 발광 디바이스 3과 비교 발광 디바이스 1에 사용한 유기 화합물의 구조식을 이하에 나타낸다.
[화학식 5]
(발광 디바이스 1의 제작 방법)
우선, 유리 기판 위에, 산화 실리콘을 포함하는 인듐 주석 산화물(ITSO)을 스퍼터링법에 의하여 퇴적하여 양극(101)을 형성하였다. 양극(101)의 두께는 70nm로 하고, 전극의 면적은 2mmХ2mm로 하였다.
다음으로 기판 위에 발광 디바이스를 형성하기 위한 전처리에서, 기판의 표면을 물로 세정하고 200℃에서 1시간 동안 소성한 다음, UV 오존 처리를 370초 동안 수행하였다.
그 후, 10-4Pa 정도까지 압력이 저감된 진공 증착 장치로 기판을 이동하고, 진공 증착 장치의 가열 체임버에서 진공 소성을 170℃에서 30분 동안 수행한 다음, 기판을 약 30분 동안 냉각시켰다.
다음으로 양극(101)이 형성된 면이 아래쪽을 향하도록, 양극(101)이 제공된 기판을 진공 증착 장치 내에 제공된 기판 홀더에 고정하였다. 그리고 구조식(i)으로 나타내어지는 N,N-비스(4-바이페닐)-6-페닐벤조[b]나프토[1,2-d]퓨란-8-아민(약칭: BBABnf)과, ALD-MP001Q(Analysis Atelier Corporation 제조, 재료 일련번호 1S20170124)를 BBABnf 대 ALD-MP001Q의 중량비가 1:0.1이 되도록, 저항 가열법을 사용하여 양극(101) 위에 두께 10nm로 공증착하여 퇴적함으로써, 정공 주입층(111)을 형성하였다.
이어서, 정공 주입층(111) 위에, BBABnf를 두께 20nm로 증착하여 퇴적함으로써 제 1 정공 수송층(112-1)을 형성한 다음, 구조식(ii)으로 나타내어지는 3,3'-(나프탈렌-1,4-다이일)비스(9-페닐-9H-카바졸)(약칭: PCzN2)을 두께 10nm로 증착하여 퇴적함으로써 제 2 정공 수송층(112-2)을 형성하여, 정공 수송층(112)을 형성하였다. 또한 제 2 정공 수송층(112-2)은 전자 차단층으로서도 기능한다.
그리고 구조식(iii)으로 나타내어지는 9-(1-나프틸)-10-[4-(2-나프틸)페닐]안트라센(약칭: αN-βNPAnth)과, 구조식(iv)으로 나타내어지는 3,10-비스[N-(9-페닐-9H-카바졸-2-일)-N-페닐아미노]나프토[2,3-b;6,7-b']비스벤조퓨란(약칭: 3,10PCA2Nbf(IV)-02)을 αN-βNPAnth 대 3,10PCA2Nbf(IV)-02의 중량비가 1:0.015가 되도록 두께 25nm로 공증착하여 퇴적함으로써 발광층(113)을 형성하였다.
다음으로 발광층(113) 위에, 구조식(v)으로 나타내어지는 2-{4-[9,10-다이(나프탈렌-2-일)-2-안트릴]페닐}-1-페닐-1H-벤즈이미다졸(약칭: ZADN)과, 구조식(vi)으로 나타내어지는 8-하이드록시퀴놀리네이토리튬(약칭: Liq)을 ZADN 대 Liq의 중량비가 0.9:1이 되도록 두께 12.5nm로 공증착하여 퇴적하고, 이어서 ZADN과 Liq를 ZADN 대 Liq의 중량비가 1:0.9가 되도록 두께 12.5nm로 공증착하여 퇴적함으로써, 전자 수송층(114)을 형성하였다.
전자 수송층(114)을 형성한 후, Liq를 두께 1nm로 증착하여 퇴적함으로써 전자 주입층(115)을 형성하였다. 그리고 알루미늄을 두께 200nm로 증착하여 퇴적함으로써 음극(102)을 형성하였다. 이로써 본 실시예의 발광 디바이스 1이 제작되었다.
(발광 디바이스 2의 제작 방법)
발광 디바이스 2는, 전자 수송층(114)을, ZADN과 Liq를 중량비 ZADN:Liq=0.7:1이 되도록 두께 12.5nm로 공증착하고, 이어서 ZADN과 Liq를 중량비 ZADN:Liq=1:0.7이 되도록 두께 12.5nm로 공증착하여 형성한 것을 제외하고는 발광 디바이스 1과 같은 식으로 제작하였다.
(발광 디바이스 3의 제작 방법)
발광 디바이스 3은, 전자 수송층(114)을, ZADN과 Liq를 중량비 ZADN:Liq=0.5:1이 되도록 두께 12.5nm로 공증착하고, 이어서 ZADN과 Liq를 중량비 ZADN:Liq=1:0.5가 되도록 두께 12.5nm로 공증착하여 형성한 것을 제외하고는 발광 디바이스 1과 같은 식으로 제작하였다.
(비교 발광 디바이스 1의 제작 방법)
비교 발광 디바이스 1은, 전자 수송층(114)을, ZADN과 Liq를 중량비 ZADN:Liq=1:1이 되도록 두께 25nm로 공증착하여 형성한 것을 제외하고는 발광 디바이스 1과 같은 식으로 제작하였다.
발광 디바이스 1 내지 발광 디바이스 3 및 비교 발광 디바이스 1의 구조를 이하의 표에 열거한다.
[표 1]
본 실시예에서 사용한 유기 화합물의 HOMO 준위, LUMO 준위, 및 전자 이동도를 이하의 표에 열거한다. 전자 이동도는 전계 강도[V/cm]의 제곱근이 600일 때 측정된 것이다.
[표 2]
발광 디바이스는, 대기에 노출되지 않도록 질소 분위기를 포함하는 글로브 박스 내에서 유리 기판을 사용하여 밀봉되었다(밀봉 재료를 디바이스 주변에 도포하고, 밀봉 시에 UV 처리 및 80℃에서 1시간의 열처리를 수행하였음). 그리고 발광 디바이스의 초기 특성 및 신뢰성을 측정하였다. 또한 측정은 실온에서 수행하였다.
도 16은 발광 디바이스 1 내지 발광 디바이스 3 및 비교 발광 디바이스 1의 휘도-전류 밀도 특성을 나타낸 것이다. 도 17은 전류 효율-휘도 특성을 나타낸 것이다. 도 18은 휘도-전압 특성을 나타낸 것이다. 도 19는 전류-전압 특성을 나타낸 것이다. 도 20은 외부 양자 효율-휘도 특성을 나타낸 것이다. 도 21은 발광 스펙트럼을 나타낸 것이다. 표 3에는 약 1000cd/m2의 휘도에서의 발광 디바이스 1 내지 발광 디바이스 3 및 비교 발광 디바이스 1의 주요한 특성을 나타내었다.
[표 3]
도 16 내지 도 21 및 표 3을 보면, 본 발명의 일 형태에 따른 발광 디바이스 1 내지 발광 디바이스 3 및 비교 발광 디바이스 1이 초기 특성이 양호한 청색 발광 디바이스라는 것을 알 수 있다.
도 22는 전류 밀도 50mA/cm2에서의 발광 디바이스 1 내지 발광 디바이스 3(도 22에서는 device 1 내지 device 3) 및 비교 발광 디바이스 1(도 22에서는 Comparative device 1)의 구동 시간에 따른 휘도의 변화를 나타낸 그래프이다. 도 22에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 일 형태에 따른 발광 디바이스 1 내지 발광 디바이스 3의 휘도는 구동의 시작 후에 상승되어 초기 휘도보다 높아진 후 서서히 하강되었다. 즉 열화 곡선이 극댓값을 가진다. 이 결과로부터, 특히 약 2% 내지 5%의 열화가 적은 상태에서의 구동 수명이 현저하게 향상된 것을 알 수 있다. 이에 더하여, 전자 수송층에서의 ZADN과 Liq의 비율을 변경함으로써 휘도 상승의 정도를 제어할 수 있다.
(실시예 2)
본 실시예에서는, 본 발명의 일 형태에 따른 발광 디바이스 4 및 발광 디바이스 5에 대하여 설명한다. 발광 디바이스 4 및 발광 디바이스 5에 사용한 유기 화합물의 구조식을 이하에 나타낸다.
[화학식 6]
(발광 디바이스 4 및 발광 디바이스 5의 제작 방법)
우선, 유리 기판 위에 반사 전극으로서 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu)의 합금막, 즉 APC(Ag-Pd-Cu)막을 스퍼터링법에 의하여 두께 100nm로 형성한 다음, 투명 전극으로서 질화 실리콘을 포함하는 인듐 주석 산화물(ITSO)을 스퍼터링법에 의하여 두께 85nm로 형성하여 양극(101)을 형성하였다. 전극의 면적은 4mm2(2mmХ2mm)로 하였다.
다음으로 기판 위에 발광 디바이스를 형성하기 위한 전처리에서, 기판의 표면을 물로 세정하고 200℃에서 1시간 동안 소성한 다음, UV 오존 처리를 370초 동안 수행하였다.
그 후, 10-4Pa 정도까지 압력이 저감된 진공 증착 장치로 기판을 이동하고, 진공 증착 장치의 가열 체임버에서 진공 소성을 170℃에서 30분 동안 수행한 다음, 기판을 약 30분 동안 냉각시켰다.
다음으로 양극(101)이 형성된 면이 아래쪽을 향하도록, 양극(101)이 제공된 기판을 진공 증착 장치 내에 제공된 기판 홀더에 고정하였다. 그리고 구조식(i)으로 나타내어지는 N,N-비스(4-바이페닐)-6-페닐벤조[b]나프토[1,2-d]퓨란-8-아민(약칭: BBABnf)과, ALD-MP001Q(Analysis Atelier Corporation 제조, 재료 일련번호 1S20170124)를 BBABnf 대 ALD-MP001Q의 중량비가 1:0.05가 되도록, 저항 가열법을 사용하여 양극(101) 위에 두께 10nm로 공증착하여 퇴적함으로써, 정공 주입층(111)을 형성하였다.
이어서, 정공 주입층(111) 위에, BBABnf를 두께 25nm로 증착하여 퇴적함으로써 제 1 정공 수송층(112-1)을 형성한 다음, 구조식(ii)으로 나타내어지는 3,3'-(나프탈렌-1,4-다이일)비스(9-페닐-9H-카바졸)(약칭: PCzN2)을 두께 10nm로 증착하여 퇴적함으로써 제 2 정공 수송층(112-2)을 형성하여, 정공 수송층(112)을 형성하였다. 또한 제 2 정공 수송층(112-2)은 전자 차단층으로서도 기능한다.
그리고 구조식(iii)으로 나타내어지는 9-(1-나프틸)-10-[4-(2-나프틸)페닐]안트라센(약칭: αN-βNPAnth)과, 구조식(iv)으로 나타내어지는 3,10-비스[N-(9-페닐-9H-카바졸-2-일)-N-페닐아미노]나프토[2,3-b;6,7-b']비스벤조퓨란(약칭: 3,10PCA2Nbf(IV)-02)을 αN-βNPAnth 대 3,10PCA2Nbf(IV)-02의 중량비가 1:0.015가 되도록 두께 25nm로 공증착하여 퇴적함으로써 발광층(113)을 형성하였다.
다음으로 발광층(113) 위에, 구조식(v)으로 나타내어지는 2-{4-[9,10-다이(나프탈렌-2-일)-2-안트릴]페닐}-1-페닐-1H-벤즈이미다졸(약칭: ZADN)과, 구조식(vi)으로 나타내어지는 8-하이드록시퀴놀리네이토리튬(약칭: Liq)을 ZADN 대 Liq의 중량비가 0.7:1이 되도록 두께 12.5nm로 공증착하여 퇴적하고, 이어서 ZADN과 Liq를 ZADN 대 Liq의 중량비가 1:0.7이 되도록 두께 12.5nm로 공증착하여 퇴적함으로써, 전자 수송층(114)을 형성하였다.
전자 수송층(114)을 형성한 후, 은(Ag)과 마그네슘(Mg)을 체적비 Ag:Mg=1:0.1이 되도록 두께 15nm로 증착함으로써 음극(102)을 형성하였다. 이로써 발광 디바이스 4 및 발광 디바이스 5가 제작되었다. 음극(102)은 광을 반사하는 기능과 광을 투과시키는 기능을 가지는 반투과·반반사 전극이므로, 본 실시예의 발광 디바이스 4 및 발광 디바이스 5는 각각 음극(102)을 통하여 광이 추출되는 톱 이미션 디바이스이다. 음극(102) 위에, 구조식(vii)으로 나타내어지는 1,3,5-트라이(다이벤조싸이오펜-4-일)-벤젠(약칭: DBT3P-II)을 두께 80nm로 증착하여 퇴적함으로써 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
발광 디바이스 4 및 발광 디바이스 5의 구조를 이하의 표에 열거한다.
[표 4]
본 실시예에서 사용한 유기 화합물의 HOMO 준위, LUMO 준위, 및 전자 이동도를 이하의 표에 열거한다. 전자 이동도는 전계 강도[V/cm]의 제곱근이 600일 때 측정된 것이다.
[표 5]
발광 디바이스는, 대기에 노출되지 않도록 질소 분위기를 포함하는 글로브 박스 내에서 유리 기판을 사용하여 밀봉되었다(밀봉 재료를 디바이스 주변에 도포하고, 밀봉 시에 UV 처리 및 80℃에서 1시간의 열처리를 수행하였음). 그리고 발광 디바이스의 초기 특성 및 신뢰성을 측정하였다. 또한 측정은 실온에서 수행하였다.
도 30은 발광 디바이스 4 및 발광 디바이스 5의 휘도-전류 밀도 특성을 나타낸 것이다. 도 31은 전류 효율-휘도 특성을 나타낸 것이다. 도 32는 휘도-전압 특성을 나타낸 것이다. 도 33은 전류-전압 특성을 나타낸 것이다. 도 34는 외부 양자 효율-휘도 특성을 나타낸 것이다. 도 35 발광 스펙트럼을 나타낸 것이다. 표 6에는 약 1000cd/m2의 휘도에서의 발광 디바이스 4 및 발광 디바이스 5의 주요한 특성을 나타내었다.
[표 6]
도 30 내지 도 35 및 표 6을 보면, 본 발명의 일 형태에 따른 발광 디바이스 4 및 발광 디바이스 5가 특성이 양호한 청색 발광 디바이스라는 것을 알 수 있다.
도 36은 초기 휘도 1450cd/m2, 전류 밀도 일정의 조건에서의 발광 디바이스의 구동 시간에 따른 휘도의 변화를 나타낸 것이다. 도 36에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 일 형태에 따른 발광 디바이스 4 및 발광 디바이스 5의 휘도는 구동의 시작 후에 상승되어 초기 휘도보다 높아진 후 서서히 하강되었다. 즉 열화 곡선이 극댓값을 가진다. 이는 발광 디바이스 4 및 발광 디바이스 5가 450시간이 경과하였을 때도 초기 휘도의 101%를 유지한 것을 나타내며, 열화가 적은 상태에서의 구동 수명을 현저하게 향상시킬 수 있는 것을 증명한다.
(실시예 3)
본 실시예에서는, 본 발명의 일 형태에 따른 발광 디바이스 6에 대하여 설명한다. 발광 디바이스 6에 사용한 유기 화합물의 구조식을 이하에 나타낸다.
[화학식 7]
(발광 디바이스 6의 제작 방법)
우선, 유리 기판 위에 반사 전극으로서 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu)의 합금막, 즉 APC(Ag-Pd-Cu)막을 스퍼터링법에 의하여 두께 100nm로 형성한 다음, 투명 전극으로서 질화 실리콘을 포함하는 인듐 주석 산화물(ITSO)을 스퍼터링법에 의하여 두께 85nm로 형성하여 양극(101)을 형성하였다. 전극의 면적은 4mm2(2mmХ2mm)로 하였다.
다음으로 기판 위에 발광 디바이스를 형성하기 위한 전처리에서, 기판의 표면을 물로 세정하고 200℃에서 1시간 동안 소성한 다음, UV 오존 처리를 370초 동안 수행하였다.
그 후, 10-4Pa 정도까지 압력이 저감된 진공 증착 장치로 기판을 이동하고, 진공 증착 장치의 가열 체임버에서 진공 소성을 170℃에서 30분 동안 수행한 다음, 기판을 약 30분 동안 냉각시켰다.
다음으로 양극(101)이 형성된 면이 아래쪽을 향하도록, 양극(101)이 제공된 기판을 진공 증착 장치 내에 제공된 기판 홀더에 고정하였다. 그리고 구조식(i)으로 나타내어지는 N,N-비스(4-바이페닐)-6-페닐벤조[b]나프토[1,2-d]퓨란-8-아민(약칭: BBABnf)과, ALD-MP001Q(Analysis Atelier Corporation 제조, 재료 일련번호 1S20170124)를 BBABnf 대 ALD-MP001Q의 중량비가 1:0.05가 되도록, 저항 가열법을 사용하여 양극(101) 위에 두께 10nm로 공증착하여 퇴적함으로써, 정공 주입층(111)을 형성하였다.
이어서, 정공 주입층(111) 위에, BBABnf를 두께 10nm로 증착하여 퇴적함으로써 제 1 정공 수송층(112-1)을 형성한 다음, 구조식(viii)으로 나타내어지는 4,4'-다이페닐-4''-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBBi1BP)을 두께 50nm로 증착하여 퇴적함으로써 제 2 정공 수송층(112-2)을 형성하여, 정공 수송층(112)을 형성하였다. 또한 제 2 정공 수송층(112-2)은 전자 차단층으로서도 기능한다.
다음으로 구조식(ix)으로 나타내어지는 8-(1,1'-바이페닐-4-일)-4-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘(약칭: 8BP-4mDBtPBfpm), 구조식(x)으로 나타내어지는 9-(2-나프틸)-9'-페닐-9H,9'H-3,3'-바이카바졸(약칭: βNCCP), 및 구조식(xi)으로 나타내어지는 [2-메틸-(2-피리딘일-κN)벤조퓨로[2,3-b]피리딘-κC]비스[2-(2-피리딘일-κN)페닐-κC]이리듐(III)(약칭: [Ir(ppy)2(mbfpypy)])을 8BP-4mDBtPBfpm 대 βNCCP 대 [Ir(ppy)2(mbfpypy)]의 중량비가 0.4:0.6:0.1이 되도록 두께 50nm로 공증착하여 퇴적함으로써 발광층(113)을 형성하였다.
다음으로 발광층(113) 위에, 구조식(v)으로 나타내어지는 2-{4-[9,10-다이(나프탈렌-2-일)-2-안트릴]페닐}-1-페닐-1H-벤즈이미다졸(약칭: ZADN)과, 구조식(vi)으로 나타내어지는 8-하이드록시퀴놀리네이토리튬(약칭: Liq)을 ZADN 대 Liq의 중량비가 0.3:1.0이 되도록 두께 17.5nm로 공증착하여 퇴적하고, 이어서 ZADN과 Liq를 ZADN 대 Liq의 중량비가 1.0:0.3이 되도록 두께 17.5nm로 공증착하여 퇴적함으로써, 전자 수송층(114)을 형성하였다.
전자 수송층(114)을 형성한 후, 은(Ag)과 마그네슘(Mg)을 체적비 Ag:Mg=1:0.3이 되도록 두께 15nm로 증착함으로써 음극(102)을 형성하였다. 이로써 발광 디바이스 6이 제작되었다. 음극(102)은 광을 반사하는 기능과 광을 투과시키는 기능을 가지는 반투과·반반사 전극이므로, 본 실시예의 발광 디바이스 6은 음극(102)을 통하여 광이 추출되는 톱 이미션 디바이스이다. 음극(102) 위에, 1,3,5-트라이(다이벤조싸이오펜-4-일)-벤젠(약칭: DBT3P-II)을 두께 80nm로 증착하여 퇴적함으로써 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
발광 디바이스 6의 구조를 이하의 표에 열거한다.
[표 7]
본 실시예에서 사용한 유기 화합물의 HOMO 준위, LUMO 준위, 및 전자 이동도를 이하의 표에 열거한다. 전자 이동도는 전계 강도[V/cm]의 제곱근이 600일 때 측정된 것이다.
[표 8]
발광 디바이스는, 대기에 노출되지 않도록 질소 분위기를 포함하는 글로브 박스 내에서 유리 기판을 사용하여 밀봉되었다(밀봉 재료를 디바이스 주변에 도포하고, 밀봉 시에 UV 처리 및 80℃에서 1시간의 열처리를 수행하였음). 그리고 발광 디바이스의 초기 특성 및 신뢰성을 측정하였다. 또한 측정은 실온에서 수행하였다.
도 37은 발광 디바이스 6의 휘도-전류 밀도 특성을 나타낸 것이고, 도 38은 전류 효율-휘도 특성을 나타낸 것이고, 도 39는 휘도-전압 특성을 나타낸 것이고, 도 40은 전류-전압 특성을 나타낸 것이고, 도 41은 외부 양자 효율-휘도 특성을 나타낸 것이고, 도 42는 발광 스펙트럼을 나타낸 것이다. 표 9에는 약 1000cd/m2의 휘도에서의 발광 디바이스 6의 주요한 특성을 나타내었다.
[표 9]
도 37 내지 도 42 및 표 9를 보면, 본 발명의 일 형태에 따른 발광 디바이스 6이 특성이 양호한 발광 디바이스라는 것을 알 수 있다.
도 43은 전류 밀도 50mA/cm2에서의 구동 시간에 따른 휘도의 변화를 나타낸 그래프이다. 도 43에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 일 형태에 따른 발광 디바이스 6은 250시간이 경과하였을 때도 초기 휘도의 90% 이상을 유지하였다. 이는, 구동 시간에 따른 휘도의 저하가 특히 작고 본 발명의 일 형태에 따른 발광 디바이스 6은 수명이 길다는 것을 시사한다.
(실시예 4)
본 실시예에서는, 본 발명의 일 형태에 따른 발광 디바이스 7에 대하여 설명한다. 발광 디바이스 7에 사용한 유기 화합물의 구조식을 이하에 나타낸다.
[화학식 8]
(발광 디바이스 7의 제작 방법)
우선, 유리 기판 위에 반사 전극으로서 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu)의 합금막, 즉 APC(Ag-Pd-Cu)막을 스퍼터링법에 의하여 두께 100nm로 형성한 다음, 투명 전극으로서 질화 실리콘을 포함하는 인듐 주석 산화물(ITSO)을 스퍼터링법에 의하여 두께 110nm로 형성하여 양극(101)을 형성하였다. 전극의 면적은 4mm2(2mmХ2mm)로 하였다.
다음으로 기판 위에 발광 디바이스를 형성하기 위한 전처리에서, 기판의 표면을 물로 세정하고 200℃에서 1시간 동안 소성한 다음, UV 오존 처리를 370초 동안 수행하였다.
그 후, 10-4Pa 정도까지 압력이 저감된 진공 증착 장치로 기판을 이동하고, 진공 증착 장치의 가열 체임버에서 진공 소성을 170℃에서 30분 동안 수행한 다음, 기판을 약 30분 동안 냉각시켰다.
다음으로 양극(101)이 형성된 면이 아래쪽을 향하도록, 양극(101)이 제공된 기판을 진공 증착 장치 내에 제공된 기판 홀더에 고정하였다. 그리고 구조식(i)으로 나타내어지는 N,N-비스(4-바이페닐)-6-페닐벤조[b]나프토[1,2-d]퓨란-8-아민(약칭: BBABnf)과, ALD-MP001Q(Analysis Atelier Corporation 제조, 재료 일련번호 1S20170124)를 BBABnf 대 ALD-MP001Q의 중량비가 1:0.05가 되도록, 저항 가열법을 사용하여 양극(101) 위에 두께 10nm로 공증착하여 퇴적함으로써, 정공 주입층(111)을 형성하였다.
이어서, 정공 주입층(111) 위에, BBABnf를 두께 30nm로 증착하여 퇴적함으로써 제 1 정공 수송층(112-1)을 형성한 다음, 구조식(xii)으로 나타내어지는 N-(1,1'-바이페닐-4-일)-N-[4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐]-9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-아민(약칭: PCBBiF)을 두께 70nm로 증착하여 퇴적함으로써 제 2 정공 수송층(112-2)을 형성하여, 정공 수송층(112)을 형성하였다. 또한 제 2 정공 수송층(112-2)은 전자 차단층으로서도 기능한다.
다음으로 구조식(xiii)으로 나타내어지는 9-[(3'-다이벤조싸이오펜-4-일)바이페닐-3-일]나프토[1',2':4,5]퓨로[2,3-b]피라진(약칭: 9mDBtBPNfpr), PCBBiF, 및 구조식(xiv)으로 나타내어지는 비스[4,6-다이메틸-2-(7-(2-메틸프로필)-2-퀴놀린일-κN)페닐-κC](2,4-펜테인다이오네이토-κ2 O,O')이리듐(III)(약칭: RS003)을 9mDBtBPNfpr 대 PCBBiF 대 RS003의 중량비가 0.6:0.4:0.05가 되도록 두께 60nm로 공증착하여 퇴적함으로써 발광층(113)을 형성하였다.
다음으로 발광층(113) 위에, 구조식(v)으로 나타내어지는 2-{4-[9,10-다이(나프탈렌-2-일)-2-안트릴]페닐}-1-페닐-1H-벤즈이미다졸(약칭: ZADN)과, 구조식(vi)으로 나타내어지는 8-하이드록시퀴놀리네이토리튬(약칭: Liq)을 ZADN 대 Liq의 중량비가 0.3:1.0이 되도록 두께 17.5nm로 공증착하여 퇴적하고, 이어서 ZADN과 Liq를 ZADN 대 Liq의 중량비가 1.0:0.3이 되도록 두께 17.5nm로 공증착하여 퇴적함으로써, 전자 수송층(114)을 형성하였다.
전자 수송층(114)을 형성한 후, 은(Ag)과 마그네슘(Mg)을 체적비 Ag:Mg=1:0.3이 되도록 두께 15nm로 증착함으로써 음극(102)을 형성하였다. 이로써 발광 디바이스 7이 제작되었다. 음극(102)은 광을 반사하는 기능과 광을 투과시키는 기능을 가지는 반투과·반반사 전극이므로, 본 실시예의 발광 디바이스 7은 음극(102)을 통하여 광이 추출되는 톱 이미션 디바이스이다. 음극(102) 위에, 1,3,5-트라이(다이벤조싸이오펜-4-일)-벤젠(약칭: DBT3P-II)을 두께 80nm로 증착하여 퇴적함으로써 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
발광 디바이스 7의 구조를 이하의 표에 열거한다.
[표 10]
본 실시예에서 사용한 유기 화합물의 HOMO 준위, LUMO 준위, 및 전자 이동도를 이하의 표에 열거한다. 전자 이동도는 전계 강도[V/cm]의 제곱근이 600일 때 측정된 것이다.
[표 11]
발광 디바이스는, 대기에 노출되지 않도록 질소 분위기를 포함하는 글로브 박스 내에서 유리 기판을 사용하여 밀봉되었다(밀봉 재료를 디바이스 주변에 도포하고, 밀봉 시에 UV 처리 및 80℃에서 1시간의 열처리를 수행하였음). 그리고 발광 디바이스의 초기 특성 및 신뢰성을 측정하였다. 또한 측정은 실온에서 수행하였다.
도 44는 발광 디바이스 7의 휘도-전류 밀도 특성을 나타낸 것이고, 도 45는 전류 효율-휘도 특성을 나타낸 것이고, 도 46은 휘도-전압 특성을 나타낸 것이고, 도 47은 전류-전압 특성을 나타낸 것이고, 도 48은 외부 양자 효율-휘도 특성을 나타낸 것이고, 도 49는 발광 스펙트럼을 나타낸 것이다. 표 12에는 약 1000cd/m2의 휘도에서의 발광 디바이스 7의 주요한 특성을 나타내었다.
[표 12]
도 44 내지 도 49 및 표 12를 보면, 본 발명의 일 형태에 따른 발광 디바이스 7이 특성이 양호한 발광 디바이스라는 것을 알 수 있다.
도 50은 전류 밀도 75mA/cm2에서의 구동 시간에 따른 휘도의 변화를 나타낸 그래프(열화 곡선)이다. 도 50에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 일 형태에 따른 발광 디바이스 7은 400시간이 경과하였을 때도 초기 휘도의 100% 이상을 유지하였다. 이는, 구동 시간에 따른 휘도의 저하가 특히 작고 본 발명의 일 형태에 따른 발광 디바이스 7은 수명이 매우 길다는 것을 시사한다. 열화 곡선이 극댓값을 가진다는 점에서 특징적인 형상을 가지기 때문에, 상술한 열화 거동을 나타냄으로써 발광 디바이스 7을 수명이 매우 긴 것으로 할 수 있다.
(실시예 5)
본 실시예에서는, 본 발명의 일 형태에 따른 발광 디바이스 8 및 발광 디바이스 9에 대하여 설명한다. 발광 디바이스 8 및 발광 디바이스 9에 사용한 유기 화합물의 구조식을 이하에 나타낸다.
[화학식 9]
(발광 디바이스 8의 제작 방법)
우선, 유리 기판 위에, 산화 실리콘을 포함하는 인듐 주석 산화물(ITSO)을 스퍼터링법에 의하여 퇴적하여 양극(101)을 형성하였다. 양극(101)의 두께는 70nm로 하고, 전극의 면적은 2mmХ2mm로 하였다.
다음으로 기판 위에 발광 디바이스를 형성하기 위한 전처리에서, 기판의 표면을 물로 세정하고 200℃에서 1시간 동안 소성한 다음, UV 오존 처리를 370초 동안 수행하였다.
그 후, 10-4Pa 정도까지 압력이 저감된 진공 증착 장치로 기판을 이동하고, 진공 증착 장치의 가열 체임버에서 진공 소성을 170℃에서 30분 동안 수행한 다음, 기판을 약 30분 동안 냉각시켰다.
다음으로 양극(101)이 형성된 면이 아래쪽을 향하도록, 양극(101)이 제공된 기판을 진공 증착 장치 내에 제공된 기판 홀더에 고정하였다. 그리고 구조식(i)으로 나타내어지는 N,N-비스(4-바이페닐)-6-페닐벤조[b]나프토[1,2-d]퓨란-8-아민(약칭: BBABnf)과, ALD-MP001Q(Analysis Atelier Corporation 제조, 재료 일련번호 1S20170124)를 BBABnf 대 ALD-MP001Q의 중량비가 1:0.05가 되도록, 저항 가열법을 사용하여 양극(101) 위에 두께 10nm로 공증착하여 퇴적함으로써, 정공 주입층(111)을 형성하였다.
이어서, 정공 주입층(111) 위에, BBABnf를 두께 30nm로 증착하여 퇴적함으로써 제 1 정공 수송층(112-1)을 형성한 다음, 구조식(xv)으로 나타내어지는 3,3'-비스(9-페닐-9H-카바졸)(약칭: PCCP)을 두께 20nm로 증착하여 퇴적함으로써 제 2 정공 수송층(112-2)을 형성하여, 정공 수송층(112)을 형성하였다. 또한 제 2 정공 수송층(112-2)은 전자 차단층으로서도 기능한다.
다음으로 구조식(xvi)으로 나타내어지는 9-[3-(4,6-다이페닐-1,3,5-트라이아진-2-일)페닐]-9'-페닐-2,3'-바이-9H-카바졸(약칭: mPCCzPTzn-02), PCCP, 및 구조식(xvii)으로 나타내어지는 3',3''',6',6'''-테트라페닐-9,9',9'',9''',9''''-(사이아노벤젠-2,3,4,5,6-펜탄일)펜타키스(9H-카바졸)(약칭: 3Cz2DPhCzBN)을 mPCCzPTzn-02 대 PCCP 대 3Cz2DPhCzBN의 중량비가 0.6:0.4:0.5가 되도록 두께 40nm로 공증착하여 퇴적함으로써 발광층(113)을 형성하였다.
다음으로 발광층(113) 위에, 구조식(v)으로 나타내어지는 2-{4-[9,10-다이(나프탈렌-2-일)-2-안트릴]페닐}-1-페닐-1H-벤즈이미다졸(약칭: ZADN)과, 구조식(vi)으로 나타내어지는 8-하이드록시퀴놀리네이토리튬(약칭: Liq)을 ZADN 대 Liq의 중량비가 0.4:1이 되도록 두께 12.5nm로 공증착하여 퇴적하고, 이어서 ZADN과 Liq를 ZADN 대 Liq의 중량비가 1:0.4가 되도록 두께 12.5nm로 공증착하여 퇴적함으로써, 전자 수송층(114)을 형성하였다.
전자 수송층(114)을 형성한 후, Liq를 두께 1nm로 증착하여 퇴적함으로써 전자 주입층(115)을 형성하였다. 그리고 알루미늄을 두께 200nm로 증착하여 퇴적함으로써 음극(102)을 형성하였다. 이로써 본 실시예의 발광 디바이스 8이 제작되었다.
(발광 디바이스 9의 제작 방법)
발광 디바이스 9는, 정공 수송층을 BBABnf가 두께 40nm이 되도록 증착하여 형성하고, 발광층(113)을 mPCCzPTzn-02와, PCCP와, 3Cz2DPhCzBN과, 구조식(xviii)으로 나타내어지는 2,8-다이-tert-뷰틸-5,11-비스(4-tert-뷰틸페닐)-6,12-다이페닐테트라센(약칭: TBRb)을 중량비 mPCCzPTzn-02 대 PCCP 대 3Cz2DPhCzBN 대 TBRb가 0.6:0.4:0.5:0.01이 되도록 두께 40nm로 공증착하여 형성한 것을 제외하고는 발광 디바이스 8과 같은 식으로 제작하였다.
발광 디바이스 8 및 발광 디바이스 9의 구조를 이하의 표에 열거한다.
[표 13]
또한 3Cz2DPhCzBN은 TADF 재료이고 TBRb는 형광 발광 재료이다. 즉 발광 디바이스 8은 발광 재료로서 TADF 재료를 포함하고, 발광 디바이스 9는 발광 재료로서 3Cz2DPhCzBN으로부터 에너지를 받을 수 있는 TBRb를 포함한다.
본 실시예에서 사용한 유기 화합물의 HOMO 준위, LUMO 준위, 및 전자 이동도를 이하의 표에 열거한다. 전자 이동도는 전계 강도[V/cm]의 제곱근이 600일 때 측정된 것이다.
[표 14]
발광 디바이스는, 대기에 노출되지 않도록 질소 분위기를 포함하는 글로브 박스 내에서 유리 기판을 사용하여 밀봉되었다(밀봉 재료를 디바이스 주변에 도포하고, 밀봉 시에 UV 처리 및 80℃에서 1시간의 열처리를 수행하였음). 그리고 발광 디바이스의 초기 특성 및 신뢰성을 측정하였다. 또한 측정은 실온에서 수행하였다.
도 51은 발광 디바이스 8 및 발광 디바이스 9의 휘도-전류 밀도 특성을 나타낸 것이고, 도 52는 전류 효율-휘도 특성을 나타낸 것이고, 도 53은 휘도-전압 특성을 나타낸 것이고, 도 54는 전류-전압 특성을 나타낸 것이고, 도 55는 외부 양자 효율-휘도 특성을 나타낸 것이고, 도 56은 발광 스펙트럼을 나타낸 것이다. 표 15에는 약 1000cd/m2의 휘도에서의 발광 디바이스 8 및 발광 디바이스 9의 주요한 특성을 나타내었다.
[표 15]
도 51 내지 도 56 및 표 15를 보면, 본 발명의 일 형태에 따른 발광 디바이스 8 및 발광 디바이스 9가 특성이 양호한 발광 디바이스라는 것을 알 수 있다.
도 57은 전류 밀도 50mA/cm2에서의 구동 시간에 따른 휘도의 변화를 나타낸 그래프이다. 도 57에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 일 형태에 따른 발광 디바이스 8 및 발광 디바이스 9의 휘도는 구동의 시작 후에 상승되어 초기 휘도보다 높아진 후 서서히 하강되었다. 즉 열화 곡선이 극댓값을 가진다. 이 결과로부터, 열화가 적은 상태에서의 구동 수명이 현저하게 향상된 것을 알 수 있다.
<참고예 1>
본 참고예에서는, 실시예에서 사용한 유기 화합물의 HOMO 준위, LUMO 준위, 및 전자 이동도의 산출 방법에 대하여 설명한다.
HOMO 준위 및 LUMO 준위는 CV(cyclic voltammetry) 측정을 통하여 산출할 수 있다.
측정 장치로서는 전기 화학 애널라이저(ALS 모델 600A 또는 600C, BAS Inc. 제조)를 사용하였다. CV 측정을 위한 용액은, 지지 전해질로서의 과염소산 테트라-n-뷰틸암모늄(n-Bu4NClO4, Tokyo Chemical Industry Co., Ltd. 제조, 카탈로그 번호 T0836)을 용매로서의 탈수 다이메틸폼아마이드(DMF, Sigma-Aldrich Co. LLC. 제조, 99.8%, 카탈로그 번호 22705-6)에 100mmol/L의 농도로 용해시키고, 측정 대상을 2mmol/L의 농도로 그 안에 용해시키는 식으로 준비하였다. 작용 전극으로서는 백금 전극(PTE 백금 전극, BAS Inc. 제조)을 사용하고, 보조 전극으로서는 다른 백금 전극(VC-3용 Pt 대향 전극(5cm), BAS Inc. 제조)을 사용하고, 참조 전극으로서는 Ag/Ag+ 전극(RE7 비수용매용 참조 전극, BAS Inc. 제조)을 사용하였다. 또한 측정은 실온(20℃내지 25℃에서 수행하였다. 또한 CV 측정 시의 스캔 속도는 0.1V/sec로 고정하고, 참조 전극에 대한 산화 전위 Ea[V] 및 환원 전위 Ec[V]를 측정하였다. 전위 Ea는 산화-환원파의 중간 전위이고, 전위 Ec는 환원-산화파의 중간 전위이다. 여기서 본 실시예에서 사용하는 참조 전극의 진공 준위에 대한 퍼텐셜 에너지는 -4.94[eV]인 것으로 알려져 있기 때문에, HOMO 준위[eV]=-4.94-Ea 및 LUMO 준위[eV]=-4.94-Ec라는 식으로부터 HOMO 준위 및 LUMO 준위를 산출할 수 있다.
전자 이동도는 IS(impedance spectroscopy)법에 의하여 측정할 수 있다.
EL 재료의 캐리어 이동도를 측정하는 방법으로서, TOF(time-of-flight)법 또는 SCLC(space-charge-limited current)의 I-V 특성을 사용한 방법 등이 오래 전부터 알려져 있다. TOF법은 실제의 유기 EL 디바이스보다 훨씬 두꺼운 시료를 필요로 한다. SCLC법은 예를 들어 캐리어 이동도의 전계 강도 의존성을 얻을 수 없다는 단점이 있다. IS법을 채용한 측정에 요구되는 유기막은 얇기 때문에(약 수백nm), 비교적 소량의 EL 재료로 유기막을 형성할 수 있어, 실제의 EL 디바이스에서의 막 두께에 가까운 두께로 이동도를 측정할 수 있다. 이 방법에서는, 캐리어 이동도의 전계 강도 의존성을 측정할 수도 있다.
IS법에서는, EL 디바이스에 미소 사인파 전압 신호(V=V 0[exp(jωt)])를 가하고, 응답 전류 신호(I=I0exp[j(ωt+Φ)])의 전류 진폭과 입력 신호의 위상차에서 EL 디바이스의 임피던스(Z=V/I)를 얻는다. 전압의 주파수를 고레벨에서 저레벨로 변화시키면서 EL 디바이스에 전압을 인가함으로써, 임피던스에 기여하는 다양한 완화 시간을 가지는 성분을 분리 및 측정할 수 있다.
여기서 임피던스의 역수인 어드미턴스 Y(=1/Z)는 하기 식(1)에 나타낸 바와 같이, 컨덕턴스 G와 서셉턴스 B로 나타낼 수 있다.
[수학식 1]
또한 단일 주입(single injection) 모델에 의하여, 하기 식(2) 및 식(3)을 산출할 수 있다. 여기서 식(4)에서의 g는 미분 컨덕턴스이다. 식에서 C는 정전 용량을 나타내고, θ는 주행각(ωt)을 나타내고, ω는 각주파수를 나타내고, t는 주행 시간을 나타낸다. 분석에는 전류 방정식, 푸아송 방정식, 및 전류 연속 방정식을 사용하고, 확산 전류 및 트랩 준위를 무시한다.
[수학식 2]
정전 용량의 주파수 특성에서 이동도를 산출하는 방법이 -△B법이다. 컨덕턴스의 주파수 특성에서 이동도를 산출하는 방법이 ω△G법이다.
실제로는 우선, 전자 이동도를 산출하고자 하는 재료를 사용하여 측정용 디바이스를 제작한다. 측정용 디바이스는 캐리어로서 전자만이 흐르도록 설계된 것이다. 본 명세서에서는, 정전 용량의 주파수 특성에서 전자 이동도를 산출하는 방법(-△B법)에 대하여 설명한다. 도 25는 본 실시예에서 사용된 측정용 디바이스의 모식도이다.
도 25에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서 제작된 측정용 디바이스는, 양극(201)과 음극(202) 사이에 제 1 층(210), 제 2 층(211), 및 제 3 층(212)을 포함한다. 전자 이동도를 산출하고자 하는 재료는 제 2 층(211)의 재료로서 사용한다. 중량비가 1:1의 ZADN과 Liq의 공증착으로 형성된 막의 전자 이동도를 측정한 예를 들어 설명한다. 구체적인 구조예는 이하의 표에 열거한다.
[표 16]
도 26은, ZADN과 Liq의 공증착으로 형성된 막을 제 2 층(211)으로서 사용한 측정용 디바이스의 전류 밀도-전압 특성을 나타낸 것이다.
임피던스는 주파수가 1Hz 내지 3MHz이고, AC 전압이 70mV이고, DC 전압을 5.0V 내지 9.0V의 범위 내에서 인가하는 조건하에서 측정하였다. 여기서 얻어진 임피던스의 역수인 어드미턴스(상기 식(1))에서 정전 용량을 산출한다. 도 27은, 인가 전압이 7.0V일 때의 산출된 정전 용량 C의 주파수 특성을 나타낸 것이다.
정전 용량 C의 주파수 특성은, 미소 전압 신호에 의하여 주입된 캐리어로 생성된 공간 전하가 미소 AC 전압을 완전하게는 추종할 수 없기 때문에 생성되는 전류의 위상차에서 얻어진다. 막 내의 주입된 캐리어의 주행 시간은, 상기 캐리어가 대향 전극에 도달할 때까지의 시간 T로 정의되고, 하기 식(5)으로 나타내어진다.
[수학식 3]
음의 서셉턴스 변화(-△B)는, 정전 용량 변화 -△C에 각주파수 ω를 곱함으로써 얻어지는 값(-ω△C)에 대응한다. 식(3)에 따르면, 가장 낮은 주파수 측의 피크 주파수 f'max(=ωmax/2π)와 주행 시간 T 사이에는 하기 식(6)에 나타낸 바와 같은 관계가 있다.
[수학식 4]
도 28은, 상기 측정에서 산출한 -△B(즉 DC 전압이 7.0V일 때의 -△B)의 주파수 특성을 나타낸 것이다. 가장 낮은 주파수 측의 피크 주파수 f'max는 도 28에서 화살표로 나타내었다.
상기 측정 및 분석에서 얻어지는 f'max에서 주행 시간 T가 얻어지기 때문에(상기 식(6) 참조), 본 실시예에서는 DC 전압이 7.0V일 때의 전자 이동도를 상기 식(5)에서 얻을 수 있다. DC 전압 5.0V 내지 9.0V의 범위 내에서 같은 측정을 함으로써, 각 전압(전계 강도)에서의 전자 이동도를 산출할 수 있기 때문에, 이동도의 전계 강도 의존성을 측정할 수도 있다.
도 29는, 상기 산출 방법에 의하여 얻어진 유기 화합물의 전자 이동도의 최종적인 전계 강도 의존성을 나타낸 것이고, 표 17은 도면에서 판독한 전계 강도[V/cm]의 제곱근이 600[V/cm]1/2인 경우의 전자 이동도의 값을 나타낸 것이다.
[표 17]
상술한 바와 같이, 전자 이동도를 산출할 수 있다. 측정 방법에 대한 자세한 사항에 대해서는 T. Okachi et al., Japanese Journal of Applied Physics, vol. 47, No. 12, pp. 8965-8972, 2008을 참조하기 바란다.
<참고예 2>
실시예에서 사용한 미공개 물질인 9mDBtBPNfpr 및 8BP-4mDBtPBfpm의 합성 방법에 대하여 설명한다.
<<9mDBtBPNfpr의 합성 방법>>
실시예 4에서 구조식(xiii)으로 나타내어진 9-[(3'-다이벤조싸이오펜-4-일)바이페닐-3-일]나프토[1',2':4,5]퓨로[2,3-b]피라진(약칭: 9mDBtBPNfpr)의 합성 방법에 대하여 설명한다. 9mDBtBPNfpr의 구조를 이하에 나타낸다.
[화학식 10]
<단계 1: 6-클로로-3-(2-메톡시나프탈렌-1-일)피라진-2-아민의 합성>
우선, 환류관이 장착된 3구 플라스크 내에 3-브로모-6-클로로피라진-2-아민 4.37g, 2-메톡시나프탈렌-1-보론산 4.23g, 플루오린화 포타슘 4.14g, 및 탈수 테트라하이드로퓨란 75mL를 넣고, 플라스크 내의 공기를 질소로 치환하였다. 플라스크 내의 혼합물을 감압하에서 교반함으로써 탈기한 다음, 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0)(약칭: Pd2(dba)3) 0.57g 및 트라이-tert-뷰틸포스핀(약칭: P(tBu)3) 4.5mL를 첨가하였다. 이 혼합물을 80℃에서 54시간 동안 교반하여 반응시켰다.
소정의 시간이 경과한 후, 얻어진 혼합물을 흡인 여과하고 여과액을 농축하였다. 그리고 전개 용매(톨루엔:아세트산 에틸=9:1)를 사용하여 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에 의하여 정제함으로써, 목적물인 피라진 유도체(노르스름한 백색 분말)를 2.19g, 수율 36%로 얻었다. 단계 1의 합성 스킴을 이하에 나타낸다.
[화학식 11]
<단계 2: 9-클로로나프토[1',2':4,5]퓨로[2,3-b]피라진의 합성>
다음으로 3구 플라스크에, 단계 1에서 얻은 6-클로로-3-(2-메톡시나프탈렌-1-일)피라진-2-아민 2.18g, 탈수 테트라하이드로퓨란 63mL, 및 빙초산(glacial acetic acid) 84mL를 넣고, 플라스크 내의 공기를 질소로 치환하였다. 플라스크를 -10℃까지 냉각시킨 후, 아질산 tert-뷰틸 2.8mL를 적하하고, 이 혼합물을 -10℃에서 30분 동안, 그리고 0℃에서 3시간 동안 교반하였다. 소정의 시간이 경과한 후, 얻어진 현탁액에 물 250mL를 첨가하고 흡인 여과함으로써, 목적물인 피라진 유도체(노르스름한 백색 분말)를 1.48g, 수율 77%로 얻었다. 단계 2의 합성 스킴을 이하에 나타낸다.
[화학식 12]
<단계 3: 9-[(3'-다이벤조싸이오펜-4-일)바이페닐-3-일]나프토[1',2':4,5]퓨로[2,3-b]피라진(약칭: 9mDBtBPNfpr)의 합성>
3구 플라스크에, 단계 2에서 얻은 9-클로로나프토[1',2':4,5]퓨로[2,3-b]피라진 1.48g, 3'-(4-다이벤조싸이오펜)-1,1'-바이페닐-3-보론산 3.41g, 2M 탄산 포타슘 수용액 8.8mL, 톨루엔 100mL, 및 에탄올 10mL를 넣고, 플라스크 내의 공기를 질소로 치환하였다. 플라스크 내의 혼합물을 감압하에서 교반함으로써 탈기한 다음, 비스(트라이페닐포스핀)팔라듐(II)다이클로라이드(약칭: Pd(PPh3)2Cl2) 0.84g을 첨가하였다. 이 혼합물을 80℃에서 18시간 동안 교반하여 반응시켰다.
소정의 시간이 경과한 후, 얻어진 현탁액을 흡인 여과하고, 이어서 물 및 에탄올로 세정하였다. 얻어진 고체를 톨루엔에 용해시키고, 셀라이트, 알루미나, 및 셀라이트가 이 순서대로 적층된 여과 보조제를 통하여 혼합물을 여과하고, 톨루엔과 헥세인의 혼합 용매를 사용하여 재결정함으로써, 목적물인 담황색 고체를 2.66g, 수율 82%로 얻었다.
트레인 서블리메이션법에 의하여, 얻어진 담황색 고체 2.64g을 승화 정제하였다. 승화 정제에서는, 2.6Pa의 압력하, 아르곤 가스 유량 15mL/min으로 고체를 315℃에서 가열하였다. 승화 정제 후, 목적물인 담황색 고체를 2.34g, 회수율 89%로 얻었다. 단계 3의 합성 스킴을 이하에 나타낸다.
[화학식 13]
단계 3에서 얻어진 담황색 고체의 핵자기 공명(1H-NMR) 분광법에 의한 분석 결과를 이하에 나타낸다. 이 결과로부터 9mDBtBPNfpr가 얻어진 것을 알았다.
1H-NMR. δ (CD2Cl2): 7.47-7.51 (m, 2H), 7.60-7.69 (m, 5H), 7.79-7.89 (m, 6H), 8.05 (d, 1H), 8.10-8.11 (m, 2H), 8.18-8.23 (m, 3H), 8.53 (s, 1H), 9.16 (d, 1H), 9.32 (s, 1H).
<<8BP-4mDBtPBfpm의 합성 방법>>
실시예 3에서 구조식(ix)으로 나타내어진 8-(1,1'-바이페닐-4-일)-4-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘(약칭: 8BP-4mDBtPBfpm)의 합성 방법에 대하여 설명한다. 8BP-4mDBtPBfpm의 구조를 이하에 나타낸다.
[화학식 14]
<8-(1,1'-바이페닐-4-일)-4-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘의 합성>
3구 플라스크에, 8-클로로-4-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘 1.37g, 4-바이페닐보론산 0.657g, 인산 삼포타슘 1.91g, 다이글라임 30mL, 및 t-뷰탄올 0.662g을 넣었다. 이 혼합물을 감압하에서 교반함으로써 탈기하고, 플라스크 내의 공기를 질소로 치환하였다.
이 혼합물을 60℃에서 가열하고, 아세트산 팔라듐(II) 23.3mg 및 다이(1-아다만틸)-n-뷰틸포스핀 66.4mg을 첨가하고, 이어서 120℃에서 27시간 동안 교반하였다. 이 반응 용액에 물을 첨가하고, 흡인 여과하고, 얻어진 잔류물을 물, 에탄올, 및 톨루엔으로 세정하였다. 이 잔류물을 가열된 톨루엔에 용해시키고, 이어서 셀라이트, 알루미나, 및 셀라이트가 이 순서대로 충전된 여과 보조제를 통하여 여과하였다. 얻어진 용액을 농축 및 건고(乾固)시킨 다음, 톨루엔을 사용하여 재결정함으로써, 목적물인 백색 고체를 1.28g, 수율 74%로 얻었다.
트레인 서블리메이션법에 의하여, 상기 백색 고체 1.26g을 승화 정제하였다. 승화 정제에서는, 2.56Pa의 압력하, 아르곤 가스 유량 10mL/min으로 고체를 310℃에서 가열하였다. 승화 정제 후, 목적물인 담황색 고체를 1.01g, 회수율 80%로 얻었다. 합성 스킴을 이하에 나타낸다.
[화학식 15]
상기 반응에 의하여 얻어진 담황색 고체의 핵자기 공명(1H-NMR) 분광법에 의한 분석 결과를 이하에 나타낸다. 이 결과로부터 8BP-4mDBtPBfpm이 얻어진 것을 알았다.
1H-NMR. δ (CDCl3): 7.39 (t, 1H), 7.47-7.53 (m, 4H), 7.63-7.67 (m, 2H), 7.68 (d, 2H), 7.75 (d, 2H), 7.79-7.83 (m, 4H), 7.87 (d, 1H), 7.98 (d, 1H), 8.02 (d, 1H), 8.23-8.26 (m, 2H), 8.57 (s, 1H), 8.73 (d, 1H), 9.05 (s, 1H), 9.34 (s, 1H).
101: 양극, 102: 음극, 103: EL층, 111: 정공 주입층, 112: 정공 수송층, 112-1: 제 1 정공 수송층, 112-2: 제 2 정공 수송층, 113: 발광층, 113-1: 발광 영역, 114: 전자 수송층, 114-1: 제 1 전자 수송층, 114-2: 제 2 전자 수송층, 115: 전자 주입층, 116: 전하 발생층, 117: p형층, 118: 전자 릴레이층, 119: 전자 주입 버퍼층, 120: 비발광 재결합 영역, 201: 양극, 202: 음극, 210: 제 1 층, 211: 제 2 층, 212: 제 3 층, 400: 기판, 401: 양극, 403: EL층, 404: 음극, 405: 밀봉 재료, 406: 밀봉 재료, 407: 밀봉 기판, 412: 패드, 420: IC칩, 501: 양극, 502: 음극, 511: 제 1 발광 유닛, 512: 제 2 발광 유닛, 513: 전하 발생층, 601: 구동 회로부(소스선 구동 회로), 602: 화소부, 603: 구동 회로부(게이트선 구동 회로), 604: 밀봉 기판, 605: 밀봉 재료, 607: 공간, 608: 배선, 609: FPC(flexible printed circuit), 610: 소자 기판, 611: 스위칭 FET, 612: 전류 제어 FET, 613: 양극, 614: 절연물, 616: EL층, 617: 음극, 618: 발광 디바이스, 951: 기판, 952: 전극, 953: 절연층, 954: 격벽층, 955: EL층, 956: 전극, 1001: 기판, 1002: 하지 절연막(base insulating film), 1003: 게이트 절연막, 1006: 게이트 전극, 1007: 게이트 전극, 1008: 게이트 전극, 1020: 제 1 층간 절연막, 1021: 제 2 층간 절연막, 1022: 전극, 1024W: 양극, 1024R: 양극, 1024G: 양극, 1024B: 양극, 1025: 격벽, 1028: EL층, 1029: 음극, 1031: 밀봉 기판, 1032: 밀봉 재료, 1033: 투명 기재, 1034R: 적색 착색층, 1034G: 녹색 착색층, 1034B: 청색 착색층, 1035: 블랙 매트릭스, 1036: 오버코트층, 1037: 제 3 층간 절연막, 1040: 화소부, 1041: 구동 회로부, 1042: 주변부, 2001: 하우징, 2002: 광원, 2100: 로봇, 2110: 연산 장치, 2101: 조도 센서, 2102: 마이크로폰, 2103: 상부 카메라, 2104: 스피커, 2105: 디스플레이, 2106: 하부 카메라, 2107: 장애물 센서, 2108: 이동 기구, 3001: 조명 장치, 5000: 하우징, 5001: 표시부, 5002: 제 2 표시부, 5003: 스피커, 5004: LED 램프, 5005: 조작 키, 5006: 접속 단자, 5007: 센서, 5008: 마이크로폰, 5012: 지지부, 5013: 이어폰, 5100: 로봇 청소기, 5101: 디스플레이, 5102: 카메라, 5103: 솔, 5104: 조작 버튼, 5150: 휴대 정보 단말기, 5151: 하우징, 5152: 표시 영역, 5153: 굴곡부, 5120: 먼지, 5200: 표시 영역, 5201: 표시 영역, 5202: 표시 영역, 5203: 표시 영역, 7101: 하우징, 7103: 표시부, 7105: 스탠드, 7107: 표시부, 7109: 조작 키, 7110: 리모트 컨트롤러, 7201: 본체, 7202: 하우징, 7203: 표시부, 7204: 키보드, 7205: 외부 접속 포트, 7206: 포인팅 디바이스, 7210: 제 2 표시부, 7401: 하우징, 7402: 표시부, 7403: 조작 버튼, 7404: 외부 접속 포트, 7405: 스피커, 7406: 마이크로폰, 9310: 휴대 정보 단말기, 9311: 표시 패널, 9313: 힌지, 9315: 하우징
본 출원은 2018년 12월 28일에 일본 특허청에 출원된 일련번호 2018-247999의 일본 특허 출원, 2019년 2월 6일에 일본 특허청에 출원된 일련번호 2019-020056의 일본 특허 출원, 2019년 2월 20일에 일본 특허청에 출원된 일련번호 2019-028460의 일본 특허 출원, 2019년 4월 19일에 일본 특허청에 출원된 일련번호 2019-080376의 일본 특허 출원, 및 2019년 4월 30일에 일본 특허청에 출원된 일련번호 2019-087061의 일본 특허 출원에 기초하고, 본 명세서에 그 전문이 참조로 통합된다.
본 출원은 2018년 12월 28일에 일본 특허청에 출원된 일련번호 2018-247999의 일본 특허 출원, 2019년 2월 6일에 일본 특허청에 출원된 일련번호 2019-020056의 일본 특허 출원, 2019년 2월 20일에 일본 특허청에 출원된 일련번호 2019-028460의 일본 특허 출원, 2019년 4월 19일에 일본 특허청에 출원된 일련번호 2019-080376의 일본 특허 출원, 및 2019년 4월 30일에 일본 특허청에 출원된 일련번호 2019-087061의 일본 특허 출원에 기초하고, 본 명세서에 그 전문이 참조로 통합된다.
Claims (19)
- 발광 디바이스로서,
양극;
음극; 및
상기 양극과 상기 음극 사이의 EL층을 포함하고,
상기 EL층은 발광층 및 전자 수송층을 포함하고,
상기 전자 수송층은 제 1 물질 및 제 2 물질을 포함하고,
상기 제 1 물질은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 유기 착체, 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 화합물 중 어느 것이고,
상기 제 2 물질은 전자 수송성을 가지는 유기 화합물이고,
상기 전자 수송층은 두께 방향에 있어서 상기 제 1 물질의 양과 상기 제 2 물질의 양 중 한쪽 또는 양쪽이 상이한 영역을 포함하고,
상기 전자 수송층에 있어서 상기 제 1 물질의 양이 많은 영역은 상기 제 1 물질의 양이 적은 영역보다 상기 양극에 가까운, 발광 디바이스. - 발광 디바이스로서,
양극;
음극; 및
상기 양극과 상기 음극 사이의 EL층을 포함하고,
상기 EL층은 발광층 및 전자 수송층을 포함하고,
상기 전자 수송층은 제 1 물질 및 제 2 물질을 포함하고,
상기 제 1 물질은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 유기 착체, 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 화합물 중 어느 것이고,
상기 제 2 물질은 전자 수송성을 가지는 유기 화합물이고,
상기 전자 수송층은 두께 방향에 있어서 상기 제 1 물질의 양과 상기 제 2 물질의 양 중 한쪽 또는 양쪽이 상이한 영역을 포함하고,
상기 전자 수송층에 있어서 상기 제 2 물질의 양이 적은 영역은 상기 제 2 물질의 양이 많은 영역보다 상기 양극에 가까운, 발광 디바이스. - 발광 디바이스로서,
양극;
음극; 및
상기 양극과 상기 음극 사이의 EL층을 포함하고,
상기 EL층은 제 1 층, 제 2 층, 제 3 층, 발광층, 및 제 4 층을 상기 양극 측으로부터 이 순서대로 포함하고,
상기 제 1 층은 상기 양극과 접하고,
상기 제 1 층은 제 1 유기 화합물 및 제 2 유기 화합물을 포함하고,
상기 제 2 층은 제 3 유기 화합물을 포함하고,
상기 제 3 층은 제 4 유기 화합물을 포함하고,
상기 발광층은 제 5 유기 화합물 및 제 6 유기 화합물을 포함하고,
상기 제 4 층은 제 7 유기 화합물 및 제 1 물질을 포함하고,
상기 제 1 유기 화합물은 상기 제 2 유기 화합물에 대하여 전자 수용성을 나타내고,
상기 제 5 유기 화합물은 발광 중심 물질이고,
상기 제 1 물질은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 유기 착체, 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 화합물 중 어느 것이고,
상기 제 2 유기 화합물의 HOMO 준위는 -5.7eV 이상 -5.4eV 이하이고,
상기 제 7 유기 화합물의 전자 이동도는 전계 강도[V/cm]의 제곱근이 600일 때 1Х10-7cm2/Vs 이상 5Х10-5cm2/Vs 이하이고,
상기 제 4 층은 두께 방향에 있어서 제 1 영역과 제 2 영역을 포함하고,
상기 제 1 영역에서의 상기 제 7 유기 화합물의 양은 상기 제 2 영역에서의 제 7 유기 화합물의 양보다 적고,
상기 제 4 층에 있어서 상기 제 1 영역은 상기 제 2 영역보다 상기 양극에 가까운, 발광 디바이스. - 제 3 항에 있어서,
상기 제 4 층은 상기 발광층과 접하고,
상기 제 7 유기 화합물의 HOMO 준위는 -6.0eV 이상인, 발광 디바이스. - 제 3 항에 있어서,
상기 제 3 유기 화합물의 HOMO 준위와 상기 제 2 유기 화합물의 HOMO 준위의 차이는 0.2eV 이하이고,
상기 제 3 유기 화합물의 HOMO 준위는 상기 제 2 유기 화합물의 HOMO 준위와 같거나 그보다 깊은, 발광 디바이스. - 제 3 항에 있어서,
상기 제 2 유기 화합물은 제 1 정공 수송성 골격을 포함하고,
상기 제 3 유기 화합물은 제 2 정공 수송성 골격을 포함하고,
상기 제 4 유기 화합물은 제 3 정공 수송성 골격을 포함하고,
제 1 정공 수송성 골격, 제 2 정공 수송성 골격, 및 제 3 정공 수송성 골격은 독립적으로 카바졸 골격, 다이벤조퓨란 골격, 다이벤조싸이오펜 골격, 및 안트라센 골격 중 어느 하나인, 발광 디바이스. - 제 3 항에 있어서,
상기 제 7 유기 화합물은 안트라센 골격을 포함하는, 발광 디바이스. - 제 3 항에 있어서,
상기 제 7 유기 화합물은 안트라센 골격 및 헤테로 고리 골격을 포함하는, 발광 디바이스. - 제 3 항에 있어서,
상기 제 7 유기 화합물의 전자 이동도는 상기 제 6 유기 화합물의 전자 이동도보다 낮은, 발광 디바이스. - 제 3 항에 있어서,
상기 제 4 유기 화합물의 HOMO 준위와 상기 제 3 유기 화합물의 HOMO 준위의 차이는 0.2eV 이하인, 발광 디바이스. - 제 3 항에 있어서,
상기 제 4 유기 화합물의 HOMO 준위는 상기 제 3 유기 화합물의 HOMO 준위보다 깊은, 발광 디바이스. - 제 3 항에 있어서,
상기 제 2 유기 화합물은 다이벤조퓨란 골격을 포함하는, 발광 디바이스. - 제 3 항에 있어서,
상기 제 2 유기 화합물과 상기 제 3 유기 화합물은 같은 물질인, 발광 디바이스. - 제 3 항에 있어서,
상기 제 5 유기 화합물은 청색 형광 발광 재료인, 발광 디바이스. - 제 3 항에 있어서,
상기 발광 디바이스에 일정한 전류를 공급할 때 얻어지는 발광의 휘도 변화를 나타내는 열화 곡선이 극댓값을 가지는, 발광 디바이스. - 제 15 항에 있어서,
상기 열화 곡선은 상기 휘도가 100%를 넘는 부분을 포함하는, 발광 디바이스. - 전자 기기로서,
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 따른 발광 디바이스; 및
센서, 조작 버튼, 스피커, 또는 마이크로폰을 포함하는, 전자 기기. - 발광 장치로서,
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 따른 발광 디바이스; 및
트랜지스터 또는 기판을 포함하는, 발광 장치. - 조명 장치로서,
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 따른 발광 디바이스; 및
하우징을 포함하는, 조명 장치.
Applications Claiming Priority (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2018-247999 | 2018-12-28 | ||
| JP2018247999 | 2018-12-28 | ||
| JPJP-P-2019-020056 | 2019-02-06 | ||
| JP2019020056 | 2019-02-06 | ||
| JP2019028460 | 2019-02-20 | ||
| JPJP-P-2019-028460 | 2019-02-20 | ||
| JP2019080376 | 2019-04-19 | ||
| JPJP-P-2019-080376 | 2019-04-19 | ||
| JP2019087061 | 2019-04-30 | ||
| JPJP-P-2019-087061 | 2019-04-30 | ||
| PCT/IB2019/060883 WO2020136499A1 (en) | 2018-12-28 | 2019-12-17 | Light-emitting device, light-emitting apparatus, electronic device, and lighting device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210109549A true KR20210109549A (ko) | 2021-09-06 |
Family
ID=71127584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020217020930A KR20210109549A (ko) | 2018-12-28 | 2019-12-17 | 발광 디바이스, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220077397A1 (ko) |
| JP (1) | JP2020184613A (ko) |
| KR (1) | KR20210109549A (ko) |
| CN (1) | CN113228328A (ko) |
| TW (1) | TW202029550A (ko) |
| WO (1) | WO2020136499A1 (ko) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011065136A1 (ja) | 2009-11-27 | 2011-06-03 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、およびその製造方法、ならびに有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011040479A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-24 | Panasonic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| KR20150028554A (ko) * | 2013-09-06 | 2015-03-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| JP6519910B2 (ja) * | 2014-12-11 | 2019-05-29 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ素子の製造方法 |
| CN104761535A (zh) * | 2015-01-05 | 2015-07-08 | 北京鼎材科技有限公司 | 一种稠杂环芳烃衍生物及其应用 |
| JP6769712B2 (ja) * | 2015-07-01 | 2020-10-14 | 国立大学法人九州大学 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP6850261B2 (ja) * | 2015-12-17 | 2021-03-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器および照明装置 |
-
2019
- 2019-12-17 KR KR1020217020930A patent/KR20210109549A/ko active Search and Examination
- 2019-12-17 CN CN201980086735.1A patent/CN113228328A/zh active Pending
- 2019-12-17 WO PCT/IB2019/060883 patent/WO2020136499A1/en active Application Filing
- 2019-12-17 US US17/416,754 patent/US20220077397A1/en active Pending
- 2019-12-19 TW TW108146796A patent/TW202029550A/zh unknown
- 2019-12-27 JP JP2019237886A patent/JP2020184613A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011065136A1 (ja) | 2009-11-27 | 2011-06-03 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、およびその製造方法、ならびに有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113228328A (zh) | 2021-08-06 |
| US20220077397A1 (en) | 2022-03-10 |
| TW202029550A (zh) | 2020-08-01 |
| WO2020136499A1 (en) | 2020-07-02 |
| JP2020184613A (ja) | 2020-11-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102257063B1 (ko) | 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 | |
| JP6877107B2 (ja) | 発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置 | |
| KR102330776B1 (ko) | 발광 디바이스, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 | |
| JP2023179700A (ja) | 発光デバイス、発光装置および照明装置 | |
| JP2024061839A (ja) | 発光デバイス、発光装置、電子機器及び照明装置 | |
| CN112310294A (zh) | 发光器件、发光装置、电子设备、照明装置及化合物 | |
| JP2020205421A (ja) | 発光デバイス、発光装置、電子機器および照明装置 | |
| JP2020167411A (ja) | 発光デバイス、発光装置、電子機器および照明装置 | |
| CN113785410A (zh) | 发光器件、发光装置、电子设备及照明装置 | |
| KR20210109549A (ko) | 발광 디바이스, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 | |
| WO2021186306A1 (ja) | 発光デバイス、発光装置、電子機器および照明装置 | |
| JP2018206981A (ja) | 発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置 | |
| CN113748529A (zh) | 发光器件、发光装置、电子设备及照明装置 | |
| TW202416813A (zh) | 發光器件、發光裝置、電子裝置及照明設備 | |
| CN113228329A (zh) | 发光器件、发光装置、电子设备及照明装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination |