KR20210102758A - Quantum Dot Dispersion and Curable Composition Comprising the Same - Google Patents

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KR20210102758A
KR20210102758A KR1020200017189A KR20200017189A KR20210102758A KR 20210102758 A KR20210102758 A KR 20210102758A KR 1020200017189 A KR1020200017189 A KR 1020200017189A KR 20200017189 A KR20200017189 A KR 20200017189A KR 20210102758 A KR20210102758 A KR 20210102758A
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Abstract

The present invention relates to a quantum dot dispersion and a curable composition comprising the same. The quantum dot dispersion according to the present invention has excellent light resistance of quantum dots and excellent physical properties such as coating film hardness when applied to a coating film. Therefore, the quantum dot dispersion according to the present invention can be effectively applied to various quantum dot applications such as color filters and light conversion sheets to realize an image display device with excellent reliability.

Description

양자점 분산체 및 이를 포함하는 경화성 조성물 {Quantum Dot Dispersion and Curable Composition Comprising the Same}Quantum Dot Dispersion and Curable Composition Comprising the Same

본 발명은 양자점 분산체 및 이를 포함하는 경화성 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 양자점의 내광성이 우수할 뿐만 아니라 도막 적용시 도막 경도를 향상시킬 수 있는 양자점 분산체 및 이를 포함하는 경화성 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a quantum dot dispersion and a curable composition comprising the same, and more particularly, to a quantum dot dispersion having excellent light resistance of quantum dots and improving the coating film hardness when applying a coating film, and to a curable composition comprising the same .

근래 컬러필터를 구현하는 방법 중의 하나로서, 안료 분산형의 감광성 수지를 이용한 안료 분산법이 적용되고 있으나, 광원에서 조사된 광이 컬러필터를 투과하는 과정에서 광의 일부가 컬러필터에 흡수되어 광 효율이 저하되고, 또한 컬러필터에 포함되어 있는 안료의 특성으로 인하여 색재현이 저하되는 문제점이 발생하고 있다.As one of the methods of implementing a color filter in recent years, a pigment dispersion method using a pigment-dispersed photosensitive resin is applied. In addition, there is a problem in that color reproduction is lowered due to the characteristics of the pigment included in the color filter.

이러한 문제를 해결할 수 있는 방안으로, 양자점 감광성 수지 조성물을 이용한 컬러필터가 제시되었다. 예를 들어, 대한민국 특허공개 제2009-0036373호는 기존의 컬러필터를 양자점 형광체로 이루어진 발광층으로 대체함으로써 발광 효율을 향상시켜 표시장치의 표시품질을 개선할 수 있다고 개시하고 있다. As a way to solve this problem, a color filter using a quantum dot photosensitive resin composition has been proposed. For example, Korean Patent Publication No. 2009-0036373 discloses that the display quality of a display device can be improved by improving the luminous efficiency by replacing the existing color filter with a light emitting layer made of a quantum dot phosphor.

이렇게 양자점을 컬러필터의 발광 물질로 사용할 경우 발광 파형을 좁힐 수 있고 안료에서는 구현하지 못하는 높은 색재현 능력을 가지게 되며, 우수한 휘도 특성을 지닌다. 그러나, 양자점 컬러필터가 장착된 화상표시장치는 광원으로 청색광을 사용하는데, 이때 사용하는 청색광이 양자점의 광특성을 저하시키는 문제점이 있었다.In this way, when quantum dots are used as a light emitting material of a color filter, the light emission waveform can be narrowed, and high color reproduction ability that cannot be realized with pigments is obtained, and has excellent luminance characteristics. However, an image display device equipped with a quantum dot color filter uses blue light as a light source, but there is a problem in that the blue light used at this time deteriorates the optical characteristics of the quantum dot.

따라서, 양자점의 내광성을 향상시킬 수 있는 기술에 대한 개발이 요구되고 있다.Therefore, the development of a technology capable of improving the light resistance of quantum dots is required.

아울러, 양자점을 이용하여 도막을 형성하는 경우, 도막의 물성을 증가시킬 수 있는 방안이 필요하다.In addition, when a coating film is formed using quantum dots, a method capable of increasing the physical properties of the coating film is required.

대한민국 특허공개 제2009-0036373호Korean Patent Publication No. 2009-0036373

본 발명의 한 목적은 내광성 및 도막 경도를 향상시킬 수 있는 양자점 분산체를 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide a quantum dot dispersion capable of improving light resistance and coating film hardness.

본 발명의 다른 목적은 상기 양자점 분산체를 포함하는 경화성 조성물을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a curable composition comprising the quantum dot dispersion.

본 발명의 또 다른 목적은 상기 경화성 조성물을 이용하여 형성되는 경화막을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a cured film formed using the curable composition.

본 발명의 또 다른 목적은 상기 경화막을 포함하는 화상표시장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an image display device including the cured film.

한편으로, 본 발명은 양자점, 및 3 내지 6원의 황 함유 지환식 탄화수소기를 갖는 화합물을 포함하는 양자점 분산체를 제공한다.On the other hand, the present invention provides a quantum dot dispersion comprising a quantum dot, and a compound having a 3 to 6 membered sulfur-containing alicyclic hydrocarbon group.

본 발명의 일 실시형태에서, 상기 3 내지 6원의 황 함유 지환식 탄화수소기를 갖는 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the compound having the 3 to 6 membered sulfur-containing alicyclic hydrocarbon group may include a compound represented by the following formula (1).

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 식에서,In the above formula,

Z는

Figure pat00002
Figure pat00003
Figure pat00004
Figure pat00005
또는
Figure pat00006
이고, Z is
Figure pat00002
Figure pat00003
Figure pat00004
Figure pat00005
or
Figure pat00006
ego,

R1 및 R2는 각각 독립적으로 존재하지 않거나 사슬 탄소 중 하나 이상이 산소로 치환되거나 치환되지 않은 C1-C6의 알킬렌기이며,R 1 and R 2 are each independently an absent or unsubstituted C 1 -C 6 alkylene group in which at least one of the chain carbons is substituted with oxygen,

A는 존재하지 않거나 또는 O, NR4 또는 S이며,A is absent or is O, NR 4 or S,

R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 또는 C1-C6의 알킬기이고,R 3 and R 4 are each independently hydrogen or a C 1 -C 6 alkyl group,

n 및 m은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이며,n and m are each independently an integer of 1 to 4,

p는 1 내지 100의 정수이다.p is an integer from 1 to 100;

본 발명의 일 실시형태에서, n 및 m은 1일 수 있다.In one embodiment of the present invention, n and m may be 1.

본 발명의 일 실시형태에 따른 양자점 분산체는 경화성 모노머 및 용제 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다.The quantum dot dispersion according to an embodiment of the present invention may further include at least one of a curable monomer and a solvent.

다른 한편으로, 본 발명은 상기 양자점 분산체를 포함하는 경화성 조성물을 제공한다.On the other hand, the present invention provides a curable composition comprising the quantum dot dispersion.

본 발명의 일 실시형태에서, 상기 경화성 조성물은 광변환 잉크 조성물, 광변환 수지 조성물 또는 자발광 감광성 수지 조성물일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the curable composition may be a light conversion ink composition, a light conversion resin composition, or a self-luminous photosensitive resin composition.

또 다른 한편으로, 본 발명은 상기 경화성 조성물을 이용하여 형성되는 경화막을 제공한다.On the other hand, the present invention provides a cured film formed using the curable composition.

본 발명의 일 실시형태에서, 상기 경화막은 컬러필터 또는 광변환 시트일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the cured film may be a color filter or a light conversion sheet.

또 다른 한편으로, 본 발명은 상기 경화막을 포함하는 화상표시장치를 제공한다.On the other hand, the present invention provides an image display device including the cured film.

본 발명에 따른 양자점 분산체는 양자점의 내광성이 우수하고 도막 적용시 도막 경도 등의 물리적 특성이 우수하다. 따라서, 본 발명에 따른 양자점 분산체는 컬러필터, 광변환 시트 등의 다양한 양자점 활용 분야에 효과적으로 적용되어 신뢰성이 우수한 화상표시장치를 구현할 수 있다.The quantum dot dispersion according to the present invention has excellent light resistance of quantum dots and excellent physical properties such as coating film hardness when applying a coating film. Therefore, the quantum dot dispersion according to the present invention can be effectively applied to various quantum dot application fields such as color filters and light conversion sheets to implement an image display device with excellent reliability.

이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명의 일 실시형태는 양자점(A), 및 3 내지 6원의 황 함유 지환식 탄화수소기를 갖는 화합물(B)을 포함하는 양자점 분산체에 관한 것이다.One embodiment of the present invention relates to a quantum dot dispersion comprising a quantum dot (A), and a compound (B) having a 3 to 6 membered sulfur-containing alicyclic hydrocarbon group.

양자점(A)Quantum dots (A)

본 발명의 일 실시형태에서, 상기 양자점은 나노 크기의 반도체 물질을 일컬을 수 있다. 원자가 분자를 이루고, 분자는 클러스터라고 하는 작은 분자들의 집합체를 구성하여 나노 입자를 이루게 되는데, 이러한 나노 입자들이 반도체 특성을 띠고 있을 때 양자점이라고 한다. 상기 양자점은 외부에서 에너지를 받아 들뜬 상태에 이르면, 상기 양자점의 자체적으로 해당하는 에너지 밴드갭에 따른 에너지를 방출하게 된다.In one embodiment of the present invention, the quantum dots may refer to a nano-sized semiconductor material. Atoms form molecules, and molecules form aggregates of small molecules called clusters to form nanoparticles. When these nanoparticles have semiconductor properties, they are called quantum dots. When the quantum dot receives energy from the outside and reaches an excited state, the quantum dot emits energy according to its own corresponding energy bandgap.

본 발명의 일 실시형태에서, 상기 양자점은 비카드뮴계 양자점일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the quantum dots may be non-cadmium-based quantum dots.

상기 비카드뮴계 양자점은 광에 의한 자극으로 발광할 수 있는 양자점 입자라면 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, II-VI족 반도체 화합물; III-V족 반도체 화합물; IV-VI족 반도체 화합물; IV족 원소 또는 이를 포함하는 화합물; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.The non-cadmium-based quantum dot is not particularly limited as long as it is a quantum dot particle capable of emitting light by stimulation by light. For example, a group II-VI semiconductor compound; III-V semiconductor compounds; group IV-VI semiconductor compounds; Group IV element or a compound containing the same; And may be selected from the group consisting of a combination thereof, these may be used alone or in mixture of two or more.

구체적으로, 상기 II-VI족 반도체 화합물은 ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.Specifically, the group II-VI semiconductor compound may include a binary compound selected from the group consisting of ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, and mixtures thereof; ternary compound selected from the group consisting of ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, and mixtures thereof; and HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, and a quaternary compound selected from the group consisting of mixtures thereof, but is not limited thereto.

상기 III-V족 반도체 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The group III-V semiconductor compound may include a binary compound selected from the group consisting of GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, and mixtures thereof; a ternary compound selected from the group consisting of GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, and mixtures thereof; and GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, and mixtures thereof. It is not limited.

상기 IV-VI족 반도체 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상일 수 있으나, 역시 이에 한정되지 않는다.The group IV-VI semiconductor compound may include a binary compound selected from the group consisting of SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, and mixtures thereof; a ternary compound selected from the group consisting of SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, and mixtures thereof; And SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, and may be at least one selected from the group consisting of a quaternary compound selected from the group consisting of mixtures thereof, but is also not limited thereto.

이에 한정되지는 않으나, 상기 IV족 원소 또는 이를 포함하는 화합물은 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 원소; 및 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.Although not limited thereto, the group IV element or a compound including the same may include an element selected from the group consisting of Si, Ge, and mixtures thereof; and SiC, SiGe, and mixtures thereof.

상기 양자점은 균질한(homogeneous) 단일 구조; 코어-쉘(core-shell), 그래디언트(gradient) 구조 등과 같은 이중 구조; 또는 이들의 혼합 구조일 수 있다. 바람직하게는, 상기 양자점은 코어 및 코어를 덮은 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다.The quantum dots have a homogeneous single structure; dual structures such as core-shell, gradient structures, and the like; or a mixed structure thereof. Preferably, the quantum dots may have a core-shell structure including a core and a shell covering the core.

구체적으로, 상기 코어-쉘의 이중 구조에서, 각각의 코어와 쉘을 이루는 물질은 상기 언급된 서로 다른 반도체 화합물로 이루어질 수 있다. 예컨대, 상기 코어는 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, 및 InAlPSb로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하며, 상기 쉘은 ZnSe, ZnS 및 ZnTe로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Specifically, in the double structure of the core-shell, the material constituting each core and the shell may be made of the different semiconductor compounds mentioned above. For example, the core may be GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP , InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, and InAlPSb comprising at least one selected from the group consisting of , The shell may include one or more selected from the group consisting of ZnSe, ZnS and ZnTe, but is not limited thereto.

예를 들어, 코어-쉘 구조의 양자점은 InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/ZnSeTe/ZnS 및 InP/MnSe/ZnS 등을 들 수 있다.For example, core-shell structure quantum dots include InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/ZnSeTe/ZnS, and InP/MnSe/ZnS.

상기 양자점은 습식 화학 공정(wet chemical process), 유기금속 화학증착 공정(MOCVD, metal organic chemical vapor deposition) 또는 분자선 에피텍시 공정(MBE, molecular beam epitaxy)에 의해 합성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니나, 바람직하게는 습식 화학 공정(wet chemical process)에 의해 합성하는 것이 더욱 광특성이 우수한 양자점을 수득할 수 있다.The quantum dots may be synthesized by a wet chemical process, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), or molecular beam epitaxy (MBE), but is not limited thereto. , preferably synthesizing by a wet chemical process can obtain quantum dots with better optical properties.

상기 습식 화학 공정이란 유기용제에 전구체 물질을 넣어 입자를 성장시키는 방법이다. 결정이 성장될 때 유기용제가 자연스럽게 양자점 결정의 표면에 배위되어 분산제 역할을 하여 결정의 성장을 조절하게 되므로, 유기금속 화학증착 공정이나 분자선 에피텍시와 같은 기상증착법보다 더 쉽고 저렴한 공정을 통하여 나노 입자의 성장을 제어할 수 있으므로, 상기 습식 화학 공정을 사용하여 상기 양자점을 제조하는 것이 바람직하다.The wet chemical process is a method of growing particles by adding a precursor material to an organic solvent. When the crystal is grown, the organic solvent is naturally coordinated on the surface of the quantum dot crystal and acts as a dispersant to control the growth of the crystal. Since the growth of particles can be controlled, it is preferable to use the wet chemical process to prepare the quantum dots.

습식 화학 공정에 의해 양자점을 제조하는 경우 양자점의 응집을 방지하고 양자점의 입자 크기를 나노 수준으로 제어하기 위하여 유기 리간드가 사용된다. 이러한 유기 리간드로는 일반적으로 올레산이 사용될 수 있다.In the case of producing quantum dots by a wet chemical process, an organic ligand is used to prevent aggregation of quantum dots and to control the particle size of quantum dots to a nano level. As such an organic ligand, oleic acid may be generally used.

본 발명의 일 실시형태에서, 상기 양자점의 제조 과정에서 사용된 올레산은 필요에 따라 다른 유기 리간드로 리간드 교환 방법에 의해 대체될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the oleic acid used in the manufacturing process of the quantum dots may be replaced with another organic ligand by a ligand exchange method, if necessary.

상기 리간드 교환은 원래의 유기 리간드, 즉 올레산을 갖는 양자점을 함유하는 분산액에, 교환하고자 하는 유기 리간드를 첨가하고 이를 상온 내지 200℃에서 30분 내지 3시간 동안 교반하여 수행될 수 있다. 필요에 따라 상기 리간드 교환 반응이 완료된 양자점을 분리하고 정제하는 과정을 추가로 수행할 수도 있다.The ligand exchange may be performed by adding an organic ligand to be exchanged to a dispersion containing the original organic ligand, that is, quantum dots having oleic acid, and stirring it at room temperature to 200° C. for 30 minutes to 3 hours. If necessary, a process of isolating and purifying the quantum dots on which the ligand exchange reaction has been completed may be additionally performed.

상기 다른 유기 리간드로는 예컨대 C5 내지 C20의 알킬 카르복실산, C5 내지 C20의 알케닐 카르복실산, C5 내지 C20의 알키닐 카르복실산, 티올(thiol), 인산, 피리딘, 메르캅토 알콜, 포스핀, 포스핀 산화물 등을 포함할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the other organic ligand include C 5 to C 20 alkyl carboxylic acid, C 5 to C 20 alkenyl carboxylic acid, C 5 to C 20 alkynyl carboxylic acid, thiol, phosphoric acid, pyridine. , mercapto alcohol, phosphine, phosphine oxide, and the like, but is not limited thereto.

상기 양자점(A)은 양자점 분산체 전체 100 중량%에 대하여 5 내지 80 중량%, 바람직하게는 10 내지 70 중량%로 포함될 수 있다. 상기 양자점이 상기 범위 내로 포함될 경우 분산 안정성이 우수하다.The quantum dots (A) may be included in an amount of 5 to 80% by weight, preferably 10 to 70% by weight, based on 100% by weight of the total quantum dot dispersion. When the quantum dots are included within the above range, dispersion stability is excellent.

3 내지 6원의 황 함유 지환식 탄화수소기를 갖는 화합물(B)Compound (B) having a 3- to 6-membered sulfur-containing alicyclic hydrocarbon group

본 발명의 일 실시형태에서, 상기 3 내지 6원의 황 함유 지환식 탄화수소기를 갖는 화합물(B)은 양자점의 내광성을 향상시키고 도막 적용시 경도 등의 물리적 특성을 강화하기 위한 첨가제이자 양자점의 분산매로서의 역할을 한다.In one embodiment of the present invention, the compound (B) having the 3 to 6 membered sulfur-containing alicyclic hydrocarbon group is an additive for improving the light resistance of quantum dots and strengthening physical properties such as hardness when applying a coating film as a dispersion medium for quantum dots. plays a role

구체적으로, 상기 3 내지 6원의 황 함유 지환식 탄화수소기를 갖는 화합물은 청색 광원에 의해 영향을 받을 수 있는 양자점의 광유지율을 향상시킬 수 있다. 아울러, 상기 3 내지 6원의 황 함유 지환식 탄화수소기를 갖는 화합물은 양자점을 경화성 조성물에 적용하여 도막을 형성하는 경우 도막의 경도 등의 물리적 특성을 향상시킬 수 있다.Specifically, the compound having the 3 to 6 membered sulfur-containing alicyclic hydrocarbon group may improve the light retention of quantum dots that may be affected by a blue light source. In addition, the compound having the 3 to 6 membered sulfur-containing alicyclic hydrocarbon group may improve physical properties such as hardness of the coating film when a coating film is formed by applying quantum dots to the curable composition.

바람직하기로, 상기 3 내지 6원의 황 함유 지환식 탄화수소기를 갖는 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.Preferably, the compound having a 3- to 6-membered sulfur-containing alicyclic hydrocarbon group may include a compound represented by the following formula (1).

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00007
Figure pat00007

상기 식에서,In the above formula,

Z는

Figure pat00008
Figure pat00009
Figure pat00010
Figure pat00011
또는
Figure pat00012
이고, Z is
Figure pat00008
Figure pat00009
Figure pat00010
Figure pat00011
or
Figure pat00012
ego,

R1 및 R2는 각각 독립적으로 존재하지 않거나 사슬 탄소 중 하나 이상이 산소로 치환되거나 치환되지 않은 C1-C6의 알킬렌기이며,R 1 and R 2 are each independently an absent or unsubstituted C 1 -C 6 alkylene group in which at least one of the chain carbons is substituted with oxygen,

A는 존재하지 않거나 또는 O, NR4 또는 S이며,A is absent or is O, NR 4 or S,

R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 또는 C1-C6의 알킬기이고,R 3 and R 4 are each independently hydrogen or a C 1 -C 6 alkyl group,

n 및 m은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이며,n and m are each independently an integer of 1 to 4,

p는 1 내지 100의 정수이다.p is an integer from 1 to 100;

본 명세서에서 사용되는 사슬 탄소 중 하나 이상이 산소로 치환되거나 치환되지 않은 C1-C6의 알킬렌기는 탄소수 1 내지 6개로 구성된 직쇄형 또는 분지형의 2가 탄화수소에서 사슬 탄소 중 하나 이상이 산소로 치환되거나 치환되지 않은 작용기를 의미하며, 예를 들어 메틸렌, 에틸렌, 프로필렌, 부틸렌, 옥시에틸렌 등이 포함되나 이에 한정되는 것은 아니다. As used herein, the C 1 -C 6 alkylene group in which at least one of the chain carbons is substituted with oxygen or unsubstituted is oxygen at least one of the chain carbons in a linear or branched divalent hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms. It refers to a functional group substituted or unsubstituted with, for example, methylene, ethylene, propylene, butylene, oxyethylene, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에서 사용되는 C1-C6의 알킬기는 탄소수 1 내지 6개로 구성된 직쇄형 또는 분지형의 1가 탄화수소를 의미하며, 예를 들어 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸, t-부틸, n-펜틸, n-헥실 등이 포함되나 이에 한정되는 것은 아니다.As used herein, C 1 -C 6 Alkyl group refers to a linear or branched monovalent hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, for example, methyl, ethyl, n-propyl, i-propyl, n-butyl , i-butyl, t-butyl, n-pentyl, n-hexyl, and the like.

본 발명의 일 실시형태에서, n 및 m은 1일 수 있다.In one embodiment of the present invention, n and m may be 1.

상기 3 내지 6원의 황 함유 지환식 탄화수소기를 갖는 화합물(B)은 양자점 분산체 전체 100 중량%에 대하여 5 내지 95 중량%, 바람직하게는 5 내지 90 중량%로 포함될 수 있다. 상기 3 내지 6원의 황 함유 지환식 탄화수소기를 갖는 화합물이 양자점 분산체 전체 100 중량%에 대하여 5 중량% 미만의 양으로 포함되면 양자점의 분산성이 저하될 수 있고, 95 중량% 초과의 양으로 포함되면 분산체의 분산 특성은 우수하나 필름화하였을 때 여기광의 누출(leakage)로 인해 색재현 특성이 저하될 수 있다.The compound (B) having the 3 to 6 membered sulfur-containing alicyclic hydrocarbon group may be included in an amount of 5 to 95% by weight, preferably 5 to 90% by weight, based on 100% by weight of the total quantum dot dispersion. When the compound having the 3 to 6 membered sulfur-containing alicyclic hydrocarbon group is included in an amount of less than 5% by weight based on 100% by weight of the total quantum dot dispersion, the dispersibility of the quantum dots may be reduced, and in an amount of more than 95% by weight When included, the dispersion properties of the dispersion are excellent, but color reproduction properties may be deteriorated due to leakage of excitation light when it is formed into a film.

본 발명의 일 실시형태에 따른 양자점 분산체는 경화성 모노머(C) 및 용제(D) 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다.The quantum dot dispersion according to an embodiment of the present invention may further include at least one of a curable monomer (C) and a solvent (D).

경화성 모노머(C)Curable monomer (C)

본 발명의 일 실시형태에서, 상기 경화성 모노머(C)는 광이나 열의 작용에 의한 반응성을 갖고, 양자점의 분산매로서 작용한다.In one embodiment of the present invention, the curable monomer (C) has reactivity by the action of light or heat, and acts as a dispersion medium for quantum dots.

예를 들어, 상기 경화성 모노머(C)는 단관능 단량체, 2관능 단량체, 그 밖의 다관능 단량체 등을 들 수 있으며, 이들 중에서 2관능 단량체가 바람직하게 사용된다.For example, as for the said curable monomer (C), a monofunctional monomer, a bifunctional monomer, another polyfunctional monomer, etc. are mentioned, Among these, a bifunctional monomer is used preferably.

상기 단관능 단량체의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 노닐페닐카르비톨아크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트, 2-에틸헥실카르비톨아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, N-비닐피롤리돈 등을 들 수 있다.The type of the monofunctional monomer is not particularly limited, and for example, nonylphenyl carbitol acrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate, 2-ethylhexyl carbitol acrylate, and 2-hydroxyethyl acryl Late, N-vinylpyrrolidone, etc. are mentioned.

상기 2관능 단량체의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 1,4-부탄디올디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 비스페놀 A의 비스(아크릴로일옥시에틸)에테르, 3-메틸펜탄디올디(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.The type of the bifunctional monomer is not particularly limited, and for example, 1,4-butanediol di(meth)acrylate, 1,6-hexanediol di(meth)acrylate, ethylene glycol di(meth)acrylate, Neopentyl glycol di(meth)acrylate, triethylene glycol di(meth)acrylate, bis(acryloyloxyethyl)ether of bisphenol A, 3-methylpentanediol di(meth)acrylate, etc. are mentioned.

상기 다관능 단량체의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 에톡실레이티드트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 프로폭실레이티드트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트, 에톡실레이티드디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 프로폭실레이티드디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.The type of the polyfunctional monomer is not particularly limited, and for example, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, ethoxylated trimethylolpropane tri(meth)acrylate, propoxylated trimethylolpropane tri(meth) ) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, ethoxylated dipentaerythritol hexa (meth)acrylate, propoxylated dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, etc. are mentioned.

상기 경화성 모노머(C)는 양자점 분산체 전체 100 중량%에 대하여 5 내지 80 중량%, 바람직하게는 5 내지 70 중량%로 포함될 수 있다. 상기 경화성 모노머가 양자점 분산체 전체 100 중량%에 대하여 5 중량% 미만의 양으로 포함되면 분산성이 저하되거나 도막의 경화밀도가 떨어져 금속 보호막 증착 시 주름 또는 크랙과 같은 문제가 발생될 수 있고, 80 중량% 초과의 양으로 포함되면 여기광의 누출에 의해 색재현 특성이 저하될 수 있다.The curable monomer (C) may be included in an amount of 5 to 80% by weight, preferably 5 to 70% by weight, based on 100% by weight of the total quantum dot dispersion. When the curable monomer is included in an amount of less than 5% by weight based on 100% by weight of the total quantum dot dispersion, the dispersibility is lowered or the curing density of the coating film is lowered, so that problems such as wrinkles or cracks may occur when depositing a metal protective film, 80 When included in an amount exceeding the weight %, color reproduction characteristics may be deteriorated due to leakage of excitation light.

용제(D)Solvent (D)

본 발명의 일 실시형태에서, 상기 용제(D)는 특별한 제한 없이 당해 기술분야에서 통상적으로 사용되는 유기 용제일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the solvent (D) may be an organic solvent commonly used in the art without any particular limitation.

예컨대, 상기 용제로는 에테르 또는 에스테르계 용제, 지방족 포화 탄화수소계 용제, 할로겐화 탄화수소계 용제, 방향족 탄화수소계 용제, 케톤계 용제, 알코올계 용제 등을 사용할 수 있다.For example, as the solvent, an ether or ester solvent, an aliphatic saturated hydrocarbon solvent, a halogenated hydrocarbon solvent, an aromatic hydrocarbon solvent, a ketone solvent, an alcohol solvent, or the like may be used.

구체적으로, 상기 에테르 또는 에스테르계 용제로는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, n-펜틸 아세테이트, 3-메톡시부틸아세테이트, 메톡시부틸아세테이트, 메톡시펜틸아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-메톡시프로피온산메틸, γ-부티로락톤, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디프로필에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르 등을 들 수 있다.Specifically, the ether or ester solvent is propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, n-pentyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, methoxybutyl acetate, methoxypentyl acetate, ethylene glycol mono Ethyl ether acetate, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, 3-ethoxy ethyl propionate, 3-methoxymethyl propionate, γ-butyrolactone, propylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol Monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dipropyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, etc. are mentioned.

상기 지방족 포화 탄화수소계 용제로는 헥산, 펜탄, 헵탄, 사이클로펜탄, 사이클로헥산, 케로신(kerosene) 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic saturated hydrocarbon solvent include hexane, pentane, heptane, cyclopentane, cyclohexane, and kerosene.

상기 할로겐화 탄화수소계 용제로는 클로로포름, 디클로로메탄, 4염화탄소, 디클로로에탄, 테트라클로로에탄 등을 들 수 있다.Examples of the halogenated hydrocarbon solvent include chloroform, dichloromethane, carbon tetrachloride, dichloroethane, and tetrachloroethane.

상기 방향족 탄화수소계 용제로는 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 메시틸렌, 디클로로벤젠 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic hydrocarbon-based solvent include benzene, toluene, xylene, mesitylene, and dichlorobenzene.

상기 케톤계 용제로는 메틸에틸케톤, 아세톤, 메틸아밀케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논 등을 들 수 있다.Examples of the ketone-based solvent include methyl ethyl ketone, acetone, methyl amyl ketone, methyl isobutyl ketone, and cyclohexanone.

상기 알코올계 용제로는 에탄올, 프로판올, 부탄올, 헥산올, 시클로헥산올, 에틸렌글리콜, 글리세린 등을 들 수 있다.Examples of the alcohol-based solvent include ethanol, propanol, butanol, hexanol, cyclohexanol, ethylene glycol, and glycerin.

상기 용제들은 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.These solvents may be used alone or in combination of two or more.

상기 용제(D)는 양자점 분산체 전체 100 중량%에 대하여 20 내지 90 중량%, 바람직하게는 25 내지 85 중량%로 포함될 수 있다. 상기 용제가 상기 범위 내로 포함되면 양자점 분산체 내에서 입자의 침전이 억제될 수 있으며, 분산 안정성 및 광학 특성이 우수하여 분산체의 보관안정성면에서 유리하다.The solvent (D) may be included in an amount of 20 to 90% by weight, preferably 25 to 85% by weight, based on 100% by weight of the total quantum dot dispersion. When the solvent is included within the above range, precipitation of particles in the quantum dot dispersion can be suppressed, and dispersion stability and optical properties are excellent, which is advantageous in terms of storage stability of the dispersion.

<경화성 조성물><Curable composition>

본 발명의 일 실시형태는 상술한 양자점 분산체를 포함하는 경화성 조성물에 관한 것이다.One embodiment of the present invention relates to a curable composition comprising the quantum dot dispersion described above.

예를 들면, 상기 경화성 조성물은 광변환 잉크 조성물, 광변환 수지 조성물 또는 자발광 감광성 수지 조성물일 수 있다.For example, the curable composition may be a light conversion ink composition, a light conversion resin composition, or a self-luminous photosensitive resin composition.

본 발명의 일 실시형태에서, 상기 광변환 잉크 조성물은 상기 양자점 분산체 이외에 광중합성 모노머 및 광중합 개시제를 추가로 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the light conversion ink composition may further include a photopolymerizable monomer and a photopolymerization initiator in addition to the quantum dot dispersion.

상기 광중합성 모노머는 광 및 후술할 광중합 개시제의 작용으로 중합할 수 있는 화합물이라면, 상술한 양자점 분산체에서 사용되는 경화성 모노머와 동일한 것일 수 있다.The photopolymerizable monomer may be the same as the curable monomer used in the quantum dot dispersion described above, as long as it is a compound that can be polymerized by the action of light and a photopolymerization initiator to be described later.

상기 광중합성 모노머는 상기 광변환 잉크 조성물 전체 100 중량%에 대하여 20 내지 90 중량%, 바람직하게는 30 내지 80 중량%로 포함될 수 있다. 상기 광중합성 모노머가 상기 범위 내로 포함될 경우 화소부의 강도나 평활성 측면에서 바람직한 이점이 있다. 상기 광중합성 모노머가 상기 범위 미만으로 포함되는 경우 화소부의 강도가 다소 저하될 수 있으며, 상기 광중합성 모노머가 상기 범위를 초과하여 포함되는 경우 평활성이 다소 저하될 수 있으므로 상기 범위 내로 포함되는 것이 바람직하다.The photopolymerizable monomer may be included in an amount of 20 to 90% by weight, preferably 30 to 80% by weight, based on 100% by weight of the total weight of the light conversion ink composition. When the photopolymerizable monomer is included within the above range, there is a desirable advantage in terms of strength or smoothness of the pixel portion. When the photopolymerizable monomer is included in less than the above range, the intensity of the pixel portion may be slightly lowered, and when the photopolymerizable monomer is included in excess of the above range, smoothness may be slightly reduced, so it is preferable to be included within the above range. .

상기 광중합 개시제는 상기 광중합성 모노머를 중합시킬 수 있는 것이라면 그 종류를 특별히 제한하지 않고 사용할 수 있다. 특히, 상기 광중합 개시제는 중합특성, 개시효율, 흡수파장, 입수성, 가격 등의 관점에서 아세토페논계 화합물, 벤조페논계 화합물, 트리아진계 화합물, 비이미다졸계 화합물, 옥심계 화합물 및 티오크산톤계 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.The photopolymerization initiator may be used without any particular limitation as long as it can polymerize the photopolymerizable monomer. In particular, the photopolymerization initiator is an acetophenone-based compound, a benzophenone-based compound, a triazine-based compound, a biimidazole-based compound, an oxime-based compound, and thioxic acid in terms of polymerization characteristics, initiation efficiency, absorption wavelength, availability, price, etc. It is preferable to use at least one compound selected from the group consisting of ton-based compounds.

상기 광중합 개시제는 상기 광변환 잉크 조성물 전체 100 중량%에 대하여 0.01 내지 20 중량%, 바람직하게는 0.5 내지 15 중량%로 포함될 수 있다. 상기 광중합 개시제가 상기 범위 내로 포함되는 경우 상기 광변환 잉크 조성물이 고감도화되어 노광 시간이 단축되므로 생산성이 향상할 수 있기 때문에 바람직하다. 또한, 본 발명에 따른 광변환 잉크 조성물을 사용하여 형성한 화소부의 강도와 상기 화소부의 표면에서의 평활성이 양호해지는 이점이 있다.The photopolymerization initiator may be included in an amount of 0.01 to 20% by weight, preferably 0.5 to 15% by weight, based on 100% by weight of the total light conversion ink composition. When the photopolymerization initiator is included in the above range, it is preferable because the photoconversion ink composition is highly sensitive and the exposure time is shortened, so that productivity can be improved. In addition, there is an advantage in that the strength of the pixel portion formed by using the photoconversion ink composition according to the present invention and smoothness on the surface of the pixel portion are improved.

상기 광중합 개시제는 본 발명에 따른 광변환 잉크 조성물의 감도를 향상시키기 위해서, 광중합 개시 보조제를 더 포함할 수 있다. 상기 광중합 개시 보조제가 포함되는 경우 감도가 더욱 높아져 생산성이 향상되는 이점이 있다.The photopolymerization initiator may further include a photopolymerization initiation aid to improve the sensitivity of the photoconversion ink composition according to the present invention. When the photopolymerization initiation adjuvant is included, sensitivity is further increased, and thus productivity is improved.

상기 광중합 개시 보조제는 예컨대, 아민 화합물, 카르복시산 화합물, 티올기를 가지는 유기 황화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물이 바람직하게 사용될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. The photopolymerization initiation adjuvant may be, for example, at least one compound selected from the group consisting of an amine compound, a carboxylic acid compound, and an organic sulfur compound having a thiol group, but is not limited thereto.

상기 광중합 개시 보조제는 본 발명의 효과를 해치지 않는 범위에서 적절히 추가하여 사용할 수 있다.The said photoinitiation adjuvant can be added and used suitably in the range which does not impair the effect of this invention.

본 발명의 일 실시형태에서, 상기 광변환 잉크 조성물은 산란 입자를 추가로 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the light conversion ink composition may further include scattering particles.

상기 산란 입자는 양자점에서 방출된 광의 경로를 증가시켜 전체적인 광효율을 높이는 역할을 한다.The scattering particles serve to increase the overall light efficiency by increasing the path of light emitted from the quantum dots.

상기 산란 입자로는 통상의 무기 재료를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 금속 산화물을 사용할 수 있다.As the scattering particles, a conventional inorganic material may be used, and a metal oxide may be preferably used.

상기 금속산화물은 Li, Be, B, Na, Mg, Al, Si, K, Ca, Sc, V, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Rb, Sr, Y, Mo, Cs, Ba, La, Hf, W, Tl, Pb, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Ti, Sb, Sn, Zr, Nb, Ce, Ta, In 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속을 포함하는 산화물일 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.The metal oxide is Li, Be, B, Na, Mg, Al, Si, K, Ca, Sc, V, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Rb, Sr, Y, Mo, Cs, Ba, La, Hf, W, Tl, Pb, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Ti, Sb, Sn, Zr, Nb, It may be an oxide including at least one metal selected from the group consisting of Ce, Ta, In, and combinations thereof, but is not limited thereto.

구체적으로 Al2O3, SiO2, ZnO, ZrO2, BaTiO3, TiO2, Ta2O5, Ti3O5, ITO, IZO, ATO, ZnO-Al, Nb2O3, SnO, MgO 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종이 가능하다. 필요한 경우 아크릴레이트 등의 불포화 결합을 갖는 화합물로 표면 처리된 재질도 사용 가능하다.Specifically, Al 2 O 3 , SiO 2 , ZnO, ZrO 2 , BaTiO 3 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , Ti 3 O 5 , ITO, IZO, ATO, ZnO-Al, Nb 2 O 3 , SnO, MgO and One selected from the group consisting of combinations thereof is possible. If necessary, a material surface-treated with a compound having an unsaturated bond such as acrylate may be used.

산란 입자는 50 내지 1000nm의 평균입경을 가질 수 있으며, 바람직하기로 100 내지 500 nm, 더욱 바람직하기로 150 내지 300nm의 범위인 것이 좋다. 이때 입자 크기가 너무 작으면 양자점으로부터 방출된 빛의 충분한 산란 효과를 기대할 수 없고, 이와 반대로 너무 큰 경우에는 조성물 내에 가라 앉거나 균일한 품질의 광변환층 표면을 얻을 수 없으므로, 상기 범위 내에서 적절히 조절하여 사용한다.The scattering particles may have an average particle diameter of 50 to 1000 nm, preferably in the range of 100 to 500 nm, more preferably in the range of 150 to 300 nm. At this time, if the particle size is too small, a sufficient scattering effect of light emitted from the quantum dots cannot be expected. Adjust and use.

본 발명에서 평균입경이란, 수평균 입경일 수 있으며, 예컨대 전계방출 주사전자현미경(FE-SEM) 또는 투과전자현미경(TEM)에 의해 관찰한 상으로부터 구할 수 있다. 구체적으로, FE-SEM 또는 TEM의 관찰 화상으로부터 몇 개의 샘플을 추출하고 이들 샘플의 직경을 측정하여 산술 평균한 값으로 얻을 수 있다.In the present invention, the average particle diameter may be a number average particle diameter, and for example, it can be obtained from an image observed by a field emission scanning electron microscope (FE-SEM) or a transmission electron microscope (TEM). Specifically, it is possible to obtain a value obtained by extracting several samples from an observation image of FE-SEM or TEM, measuring the diameters of these samples, and arithmetic average.

상기 산란입자는 상기 광변환 잉크 조성물의 전체 100 중량%에 대하여 0.5 내지 20 중량%, 바람직하게는 1 내지 15 중량%로 포함할 수 있다. 상기 산란입자가 상기 범위 내로 포함될 경우에는 발광 세기 증가 효과가 극대화될 수 있어 바람직하며, 상기 범위 미만으로 포함될 경우에는 얻고자 하는 발광 세기의 확보가 다소 어려울 수 있고, 상기 범위를 초과할 경우에는 청색 조사광의 투과도가 저하되어 발광효율에 문제가 발생할 수 있다.The scattering particles may be included in an amount of 0.5 to 20% by weight, preferably 1 to 15% by weight, based on 100% by weight of the total weight of the light conversion ink composition. When the scattering particles are included within the above range, the effect of increasing the luminescence intensity can be maximized, and it is preferable. The transmittance of the irradiated light may be lowered, which may cause a problem in luminous efficiency.

본 발명의 일 실시형태에 따른 광변환 잉크 조성물은 상기한 성분들 이외에, 도막 평탄성 또는 밀착성을 증진시키기 위해서 계면활성제, 밀착촉진제와 같은 첨가제를 추가로 포함할 수 있다.The light conversion ink composition according to an embodiment of the present invention may further include additives such as a surfactant and an adhesion promoter in order to improve the flatness or adhesion of the coating film, in addition to the above-described components.

본 발명의 일 실시형태에 따른 광변환 잉크 조성물은 용제형 또는 무용제형일 수 있으며, 연속공정성면에서 바람직하기로는 무용제형일 수 있다.The light conversion ink composition according to an embodiment of the present invention may be a solvent type or a non-solvent type, and may preferably be a non-solvent type in view of continuous processability.

상기 광변환 잉크 조성물이 용제형인 경우, 상술한 양자점 분산체에서 설명한 바와 동일한 용제를 사용할 수 있다.When the light conversion ink composition is a solvent type, the same solvent as described for the above-described quantum dot dispersion may be used.

본 발명의 일 실시형태에서, 상기 광변환 수지 조성물은 상기 양자점 분산체 이외에 경화성 수지를 추가로 포함한다.In one embodiment of the present invention, the light conversion resin composition further comprises a curable resin in addition to the quantum dot dispersion.

상기 경화성 수지는 양자점의 분산매이자 결합제 수지로서 작용한다.The curable resin serves as a dispersion medium for quantum dots and a binder resin.

상기 경화성 수지로는 광을 투과하는 투명한 고분자를 사용할 수 있으며, 특히 양자점 열화 방지 측면에서 저투습, 저투기 특성을 갖는 수지를 사용할 수 있다.As the curable resin, a transparent polymer that transmits light may be used, and in particular, a resin having low moisture permeability and low air permeability in terms of preventing quantum dot degradation may be used.

예컨대, 상기 경화성 수지는 에폭시 수지, 아크릴계 수지, 에폭시 아크릴레이트 수지, 폴리비닐아세테이트, 폴리비닐알코올, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리카보네이트, 폴리비닐클로라이드 등을 단독으로 또는 2종 이상 포함할 수 있으며, 특히 에폭시 수지를 포함할 수 있다.For example, the curable resin may include an epoxy resin, an acrylic resin, an epoxy acrylate resin, polyvinyl acetate, polyvinyl alcohol, polyethylene, polypropylene, polycarbonate, polyvinyl chloride, etc. alone or two or more kinds, particularly It may include an epoxy resin.

상기 경화성 수지의 겔 투과 크로마토그래피(GPC; 테트라히드로퓨란을 용출용제로 함)로 측정한 폴리스티렌 환산 중량평균분자량(이하, 간단히 '중량평균분자량'이라고 한다)은 5000 g/mol 내지 50000 g/mol, 바람직하게는 8000 g/mol 내지 40000 g/mol인 것이 바람직하다. 중량평균분자량이 상기 범위에 있으면, 도막의 경도가 증가하는 장점이 있어 바람직하다.The polystyrene equivalent weight average molecular weight (hereinafter simply referred to as 'weight average molecular weight') measured by gel permeation chromatography (GPC; using tetrahydrofuran as the elution solvent) of the curable resin is 5000 g/mol to 50000 g/mol , preferably 8000 g/mol to 40000 g/mol. When the weight average molecular weight is in the above range, there is an advantage in that the hardness of the coating film is increased, which is preferable.

상기 경화성 수지는 광변환 수지 조성물 중 고형분 전체 100 중량%에 대하여 5 내지 60 중량%, 바람직하게는 10 내지 50 중량%의 양으로 포함될 수 있다. 상기 경화성 수지가 5 중량% 미만의 양으로 포함되면 공정상 후막의 경화막을 얻기가 힘들 수 있고, 60 중량% 초과의 양으로 포함되면 균일한 두께의 경화막 형성이 어려울 수 있다.The curable resin may be included in an amount of 5 to 60% by weight, preferably 10 to 50% by weight, based on 100% by weight of the total solid content of the light conversion resin composition. When the curable resin is included in an amount of less than 5% by weight, it may be difficult to obtain a cured film of a thick film in the process, and when it is included in an amount of more than 60% by weight, it may be difficult to form a cured film of a uniform thickness.

본 발명의 일 실시형태에서, 상기 광변환 수지 조성물은 산란 입자, 용제, 분산제 및/또는 경화제를 추가로 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the light conversion resin composition may further include scattering particles, a solvent, a dispersant and/or a curing agent.

상기 산란 입자는 상술한 광변환 잉크 조성물에서 사용하는 것과 동일한 것을 사용할 수 있다.The scattering particles may be the same as those used in the above-described light conversion ink composition.

상기 산란 입자는 광변환 수지 조성물 중 고형분 전체 100 중량%에 대하여 0.5 내지 30 중량%의 양으로 포함될 수 있다. 상기 산란 입자가 0.5 중량% 미만의 양으로 포함되면 광산란의 효과가 너무 낮아 도막에서 사용할 수 있는 적절한 광출력을 내지 못할 수 있고, 30 중량% 초과의 양으로 포함되면 산란의 효과가 너무 강해 양자점의 발광된 빛이 투과가 되지 않아 도막을 빠져나오지 못해 광출력이 낮아질 수 있다.The scattering particles may be included in an amount of 0.5 to 30% by weight based on 100% by weight of the total solid content in the light conversion resin composition. When the scattering particles are included in an amount of less than 0.5% by weight, the effect of light scattering may be too low to give an appropriate light output that can be used in the coating film, and when included in an amount of more than 30% by weight, the effect of scattering is too strong The light output may be lowered because the emitted light does not pass through and cannot escape the coating film.

상기 용제로는 상술한 양자점 분산체에서 설명한 바와 동일한 용제를 사용할 수 있다.As the solvent, the same solvent as described for the quantum dot dispersion may be used.

상기 분산제는 양자점의 탈응집 효과를 제공한다. 상기 분산제로는 카르복실산 및 불포화 이중결합을 포함하는 화합물을 사용할 수 있다.The dispersant provides a deagglomeration effect of quantum dots. As the dispersing agent, a compound containing a carboxylic acid and an unsaturated double bond may be used.

상기 경화제로는 에폭시 화합물, 다관능 이소시아네이트 화합물, 옥세탄 화합물 등을 사용할 수 있다.As the curing agent, an epoxy compound, a polyfunctional isocyanate compound, an oxetane compound, or the like may be used.

본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 필요에 따라 계면활성제, 밀착 촉진제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 응집 방지제 등의 첨가제를 추가로 포함할 수 있다.The light conversion resin composition according to the present invention may further include additives such as surfactants, adhesion promoters, antioxidants, ultraviolet absorbers, and anti-aggregation agents, if necessary.

본 발명의 일 실시형태에서, 상기 자발광 감광성 수지 조성물은 상기 양자점 분산체 이외에 알칼리 가용성 수지, 광중합성 모노머 및 광중합 개시제를 추가로 포함한다.In one embodiment of the present invention, the self-luminous photosensitive resin composition further includes an alkali-soluble resin, a photopolymerizable monomer, and a photopolymerization initiator in addition to the quantum dot dispersion.

상기 알칼리 가용성 수지는 상기 자발광 감광성 수지 조성물로 제조하는 패턴의 비노광부를 알칼리 가용성으로 만들어 제거 가능하게 하고, 노광 영역을 잔류시키는 역할을 수행할 수 있다. 또한, 상기 자발광 감광성 수지 조성물이 상기 알칼리 가용성 수지를 포함하는 경우, 상기 양자점이 조성물 내에 고르게 분산될 수 있으며, 공정 중에 상기 양자점을 보호하여 휘도를 유지하도록 하는 역할을 수행할 수 있다.The alkali-soluble resin may serve to make the non-exposed portion of the pattern prepared from the self-luminous photosensitive resin composition alkali-soluble to remove it, and to leave the exposed region. In addition, when the self-luminous photosensitive resin composition includes the alkali-soluble resin, the quantum dots may be evenly dispersed in the composition, and may serve to protect the quantum dots during the process to maintain luminance.

상기 알칼리 가용성 수지는 50 내지 200 (KOHmg/g)의 산가를 갖는 것을 선정하여 사용할 수 있다. 상기 “산가”란, 중합체 1g을 중화하는데 필요한 수산화칼륨의 양(mg)으로서 측정되는 값으로 용해성에 관여한다. 상기 알칼리 가용성 수지의 산가가 상기 범위 미만인 경우 충분한 현상속도를 확보하기 어려울 수 있으며, 상기 범위를 초과하면 기판과의 밀착성이 감소되어 패턴의 단락이 발생하기 쉽고, 전체 조성물의 저장 안정성이 저하되어 점도가 상승하는 문제가 발생할 수 있다.The alkali-soluble resin may be used by selecting one having an acid value of 50 to 200 (KOHmg/g). The "acid value" is a value measured as the amount (mg) of potassium hydroxide required to neutralize 1 g of the polymer and is involved in solubility. When the acid value of the alkali-soluble resin is less than the above range, it may be difficult to secure a sufficient development speed. There may be problems with the rise.

또한, 상기 알칼리 가용성 수지의 중량평균분자량은 3,000 내지 30,000, 바람직하게는 5,000 내지 20,000이고, 분자량 분포도는 1.5 내지 6.0, 바람직하기로 1.8 내지 4.0일 수 있다.In addition, the alkali-soluble resin may have a weight average molecular weight of 3,000 to 30,000, preferably 5,000 to 20,000, and a molecular weight distribution of 1.5 to 6.0, preferably 1.8 to 4.0.

상기 알칼리 가용성 수지는 카르복실기 함유 불포화 단량체의 중합체, 또는 이와 공중합 가능한 불포화 결합을 갖는 단량체와의 공중합체 및 이들의 조합일 수 있다.The alkali-soluble resin may be a polymer of a carboxyl group-containing unsaturated monomer, a copolymer with a monomer having an unsaturated bond copolymerizable therewith, or a combination thereof.

상기 카르복실기 함유 불포화 단량체로는 불포화 모노카르복시산, 불포화 디카르복시산, 불포화 트리카르복시산 등이 가능하다. 구체적으로, 불포화 모노카르복시산으로서는, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, α-클로로아크릴산, 신남산 등을 들 수 있다. 불포화 디카르복시산으로서는, 예를 들면 말레산, 푸마르산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산 등을 들 수 있다. 불포화 디카르복시산은 산무수물일 수도 있으며, 구체적으로는 말레산 무수물, 이타콘산 무수물, 시트라콘산 무수물 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 디카르복시산은 그의 모노(2-(메타)아크릴로일옥시알킬)에스테르일 수도 있으며, 예를 들면 숙신산 모노(2-아크릴로일옥시에틸), 숙신산 모노(2-메타크릴로일옥시에틸), 프탈산 모노(2-아크릴로일옥시에틸), 프탈산 모노(2-메타크릴로일옥시에틸) 등을 들 수 있다. 불포화 디카르복시산은 그 양말단 디카르복시 중합체의 모노(메타)아크릴레이트일 수도 있으며, 예를 들면 ω-카르복시폴리카프로락톤 모노아크릴레이트, ω-카르복시폴리카프로락톤 모노메타크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 카르복실기 함유 단량체는 각각 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.Examples of the carboxyl group-containing unsaturated monomer include unsaturated monocarboxylic acid, unsaturated dicarboxylic acid, and unsaturated tricarboxylic acid. Specific examples of the unsaturated monocarboxylic acid include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, α-chloroacrylic acid, and cinnamic acid. Examples of the unsaturated dicarboxylic acid include maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, citraconic acid, and mesaconic acid. The unsaturated dicarboxylic acid may be an acid anhydride, and specific examples thereof include maleic anhydride, itaconic anhydride, and citraconic anhydride. In addition, the unsaturated dicarboxylic acid may be its mono(2-(meth)acryloyloxyalkyl)ester, for example, succinic acid mono(2-acryloyloxyethyl), succinic acid mono(2-methacryloyloxy) ethyl), monophthalic acid mono(2-acryloyloxyethyl), phthalic acid mono(2-methacryloyloxyethyl), etc. are mentioned. The unsaturated dicarboxylic acid may be a mono(meth)acrylate of the dicarboxy polymer at both terminals, and examples thereof include ω-carboxypolycaprolactone monoacrylate and ω-carboxypolycaprolactone monomethacrylate. These carboxyl group-containing monomers can be used individually or in mixture of 2 or more types, respectively.

또한, 카르복실기 함유 불포화 단량체와 공중합이 가능한 단량체는 방향족 비닐 화합물, 불포화 카르복시산 에스테르 화합물, 불포화 카르복시산 아미노알킬에스테르 화합물, 불포화 카르복시산 글리시딜에스테르 화합물, 카르복시산 비닐에스테르 화합물, 불포화 에테르 화합물, 시안화 비닐 화합물, 불포화 아미드 화합물, 불포화 이미드 화합물, 지방족 공액 디엔 화합물, 분자쇄의 말단에 모노아크릴로일기 또는 모노메타크릴로일기를 갖는 거대 단량체, 벌키성 단량체 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상이 가능하다.In addition, the monomer copolymerizable with the carboxyl group-containing unsaturated monomer is an aromatic vinyl compound, an unsaturated carboxylic acid ester compound, an unsaturated carboxylic acid aminoalkyl ester compound, an unsaturated carboxylic acid glycidyl ester compound, a carboxylic acid vinyl ester compound, an unsaturated ether compound, a vinyl cyanide compound, an unsaturated At least one selected from the group consisting of amide compounds, unsaturated imide compounds, aliphatic conjugated diene compounds, macromonomers having monoacryloyl or monomethacryloyl groups at the ends of molecular chains, bulky monomers, and combinations thereof is possible do.

상기 알칼리 가용성 수지는 자발광 감광성 수지 조성물의 고형분 전체 100 중량%에 대하여 5 내지 80 중량%, 구체적으로 10 내지 70 중량%, 더욱 구체적으로 15 내지 60 중량%로 포함될 수 있다.The alkali-soluble resin may be included in an amount of 5 to 80% by weight, specifically 10 to 70% by weight, more specifically 15 to 60% by weight based on 100% by weight of the total solid content of the self-luminous photosensitive resin composition.

상기 광중합성 모노머는 광 및 후술할 광중합 개시제의 작용으로 중합할 수 있는 화합물이라면, 상술한 양자점 분산체에서 사용되는 경화성 모노머와 동일한 것일 수 있다.The photopolymerizable monomer may be the same as the curable monomer used in the quantum dot dispersion described above, as long as it is a compound that can be polymerized by the action of light and a photopolymerization initiator to be described later.

상기 광중합성 모노머는 자발광 감광성 수지 조성물의 고형분 전체 100 중량%에 대하여 5 내지 70 중량%, 구체적으로 10 내지 60 중량%, 더욱 구체적으로 15 내지 50 중량%로 포함될 수 있다.The photopolymerizable monomer may be included in an amount of 5 to 70 wt%, specifically 10 to 60 wt%, more specifically 15 to 50 wt%, based on 100 wt% of the total solid content of the self-luminous photosensitive resin composition.

상기 광중합 개시제는 상술한 광변환 잉크 조성물에서 사용하는 것과 동일한 것을 사용할 수 있으며, 필요에 따라 광중합 개시 보조제를 더 포함할 수 있다.The photopolymerization initiator may be the same as that used in the above-described photoconversion ink composition, and may further include a photopolymerization initiation aid if necessary.

상기 광중합 개시제는 자발광 감광성 수지 조성물의 고형분 전체 100 중량%에 대하여 0.1 내지 20 중량%, 바람직하게는 0.5 내지 15 중량%, 더욱 바람직하게는 1 내지 10 중량%로 포함될 수 있다.The photopolymerization initiator may be included in an amount of 0.1 to 20% by weight, preferably 0.5 to 15% by weight, more preferably 1 to 10% by weight based on 100% by weight of the total solid content of the self-luminous photosensitive resin composition.

상기 자발광 감광성 수지 조성물은 용제를 추가로 포함할 수 있으며, 상기 용제로는 상술한 양자점 분산체에서 설명한 바와 동일한 용제를 사용할 수 있다.The self-luminous photosensitive resin composition may further include a solvent, and the same solvent as described for the quantum dot dispersion may be used as the solvent.

상기 자발광 감광성 수지 조성물 중의 용제 함량은 상기 자발광 감광성 수지 조성물 전체 100 중량%에 대하여 20 내지 90 중량%, 바람직하게는 25 내지 85 중량%, 보다 바람직하게는 30 내지 80 중량%로 포함될 수 있다.The solvent content in the self-luminous photosensitive resin composition may be included in an amount of 20 to 90 wt%, preferably 25 to 85 wt%, more preferably 30 to 80 wt%, based on 100 wt% of the total self-luminescence photosensitive resin composition. .

본 발명에 따른 자발광 감광성 수지 조성물은 필요에 따라 밀착촉진제, 계면활성제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 응집 방지제 등의 첨가제를 추가로 포함할 수 있다.The self-luminous photosensitive resin composition according to the present invention may further include additives such as adhesion promoters, surfactants, antioxidants, ultraviolet absorbers, and aggregation inhibitors, if necessary.

<경화막><Cured film>

본 발명의 일 실시형태는 상술한 경화성 조성물을 이용하여 형성되는 경화막에 관한 것이다.One embodiment of the present invention relates to a cured film formed using the above-described curable composition.

본 발명의 일 실시형태에서, 상기 경화막은 컬러필터 또는 광변환 시트일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the cured film may be a color filter or a light conversion sheet.

본 발명에 따른 컬러필터 및 광변환 시트는 본 발명의 양자점 분산체를 포함하는 경화성 조성물의 경화물을 포함하기 때문에 양자점의 내광성이 우수하고 도막 경도가 우수한 이점이 있다.Since the color filter and the light conversion sheet according to the present invention include a cured product of the curable composition including the quantum dot dispersion of the present invention, the light resistance of the quantum dots is excellent and the coating film hardness is excellent.

상기 컬러필터는 기판 및 상기 기판의 상부에 형성된 패턴층을 포함한다.The color filter includes a substrate and a pattern layer formed on the substrate.

상기 기판은 상기 컬러필터 자체 기판일 수 있으며, 또는 디스플레이 장치 등에 컬러필터가 위치되는 부위일 수도 있는 것으로, 특별히 제한되지 않는다. 상기 기판은 유리, 실리콘(Si), 실리콘 산화물(SiOx), Al, GaAs 또는 고분자 기판일 수 있으며, 상기 고분자는 폴리에테르설폰, 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 방향족 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리이미드 등일 수 있다. 상기 기판은 격벽 매트릭스가 형성되어 있을 수도 있다.The substrate may be a substrate of the color filter itself, or may be a portion in which a color filter is positioned on a display device, and the like, and is not particularly limited. The substrate may be glass, silicon (Si), silicon oxide (SiO x ), Al, GaAs or a polymer substrate, wherein the polymer is polyethersulfone, polycarbonate, polyester, aromatic polyamide, polyamideimide, polyimide etc. The substrate may have a barrier rib matrix formed thereon.

상기 패턴층은 본 발명의 경화성 조성물을 포함하는 층으로, 잉크젯 인쇄 패터닝 방식으로 패턴화되거나 포토리소그래피에 의해 패턴화된 것일 수 있다.The pattern layer is a layer including the curable composition of the present invention, and may be patterned by an inkjet printing patterning method or patterned by photolithography.

상기 잉크젯 인쇄 패터닝 방식을 이용한 패턴 형성 방법은, 상술한 경화성 조성물을 잉크젯 방식으로 소정 영역에 도포하고, 상기 도포된 경화성 조성물을 경화시킴으로써 수행될 수 있다.The pattern forming method using the inkjet printing patterning method may be performed by applying the above-described curable composition to a predetermined area by an inkjet method and curing the applied curable composition.

먼저, 본 발명의 경화성 조성물을 잉크젯 분사기에 주입하여 기판의 소정 영역에 프린팅한다.First, the curable composition of the present invention is injected into an inkjet injector and printed on a predetermined area of the substrate.

잉크젯 분사기의 일례인 피에조 잉크젯 헤드에서 분사되어 기판 위에서 적절한 상(phase)을 형성하기 위하여, 점도, 유동성, 양자점 입자 등의 특성이 잉크젯 헤드와 균형 있게 맞춰져야 한다.  본 발명에서 사용된 피에조 잉크젯 헤드는 제한되지 않으나, 약 10 내지 100pL, 바람직하게는 약 20 내지 40pL의 액적 크기를 가지는 잉크를 분사한다.In order to form an appropriate phase on a substrate by being ejected from a piezo inkjet head, which is an example of an inkjet injector, properties such as viscosity, fluidity, and quantum dot particles must be balanced with the inkjet head. The piezo inkjet head used in the present invention is not limited, but ejects ink having a droplet size of about 10 to 100 pL, preferably about 20 to 40 pL.

잉크젯 인쇄 패터닝 방식을 이용하는 경우, 본 발명의 경화성 조성물의 점도는 약 3 내지 30cP가 적당하며, 보다 바람직하게는 7 내지 20cP의 범위에서 조절된다.When using the inkjet printing patterning method, the viscosity of the curable composition of the present invention is suitably about 3 to 30 cP, and more preferably, it is adjusted in the range of 7 to 20 cP.

상기 포토리소그래피 방식을 이용한 패턴 형성 방법은, 상술한 경화성 조성물을 도포하고 소정의 패턴으로 노광, 현상 및 열경화시킴으로써 수행될 수 있다. 상기 포토리소그래피 방식을 이용한 패턴 형성 방법은 당해 기술분야에서 통상적으로 알려진 방법을 수행함으로써 형성할 수 있다.The pattern forming method using the photolithography method may be performed by applying the above-described curable composition and exposing, developing, and thermally curing the composition in a predetermined pattern. The pattern forming method using the photolithography method may be formed by performing a method commonly known in the art.

상기 컬러필터는 적색 패턴층, 녹색 패턴층 및 청색 패턴층 중 2종 색상의 패턴층만을 구비할 수도 있으나, 이에 한정되지 않는다. 다만, 상기 컬러필터가 2종 색상의 패턴층만을 구비하는 경우 상기 패턴층은 상기 양자점 입자를 함유하지 않는 투명 패턴층을 더 구비할 수 있다.The color filter may include only two color pattern layers among a red pattern layer, a green pattern layer, and a blue pattern layer, but is not limited thereto. However, when the color filter has only two color pattern layers, the pattern layer may further include a transparent pattern layer that does not contain the quantum dot particles.

상기 컬러필터가 상기 2종 색상의 패턴층만을 구비하는 경우에는 상기 2종 색상 외의 색상을 나타내는 파장의 빛을 방출하는 광원을 사용할 수 있다. 예컨대, 상기 컬러필터가 적색 패턴층 및 녹색 패턴층을 포함하는 경우에는 청색광을 방출하는 광원을 사용할 수 있으며, 이 경우 적 양자점은 적색광을, 녹 양자점은 녹색광을 방출하고, 상기 투명 패턴층은 상기 광원에 의한 청색광이 그대로 투과함에 따라 청색을 띨 수 있다.When the color filter includes only the pattern layer of the two types of colors, a light source emitting light of a wavelength representing a color other than the two types of colors may be used. For example, when the color filter includes a red pattern layer and a green pattern layer, a light source emitting blue light may be used. In this case, the red quantum dots emit red light and the green quantum dots emit green light, and the transparent pattern layer is As blue light from the light source is transmitted as it is, it may appear blue.

상기 광변환 시트는 발광 소자가 방출하는 광의 파장을 변환하여 방출하는 시트이다.The light conversion sheet is a sheet that converts the wavelength of light emitted by the light emitting device and emits the light.

상기 광변환 시트는 기재를 더 포함할 수 있다.The light conversion sheet may further include a substrate.

상기 광변환 시트는 기재 상에 상술한 경화성 조성물을 도포하고 건조한 후 경화시켜 형성될 수 있다.The light conversion sheet may be formed by applying the above-described curable composition on a substrate, drying and curing the composition.

상기 기재는 필요에 따라 이형처리된 것일 수 있다.The substrate may be release-treated if necessary.

상기 기재로는 유리 또는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 등을 사용할 수 있다.As the substrate, glass or polyethylene terephthalate (PET) film may be used.

상기 경화는 열경화 또는 광경화 조건으로 수행할 수 있다.The curing may be performed under thermal curing or photocuring conditions.

<화상표시장치><Image display device>

본 발명의 일 실시형태는 상술한 경화막을 포함하는 화상표시장치에 관한 것이다.One embodiment of the present invention relates to an image display device including the cured film described above.

본 발명의 일 실시형태에 따른 화상표시장치에서 상술한 경화막은 컬러필터 또는 광변환 시트로서 적용될 수 있으며, 이에 따라 컬러필터 기판이나 백라이트 유닛의 광원을 제조하는데 사용될 수 있다.In the image display device according to an embodiment of the present invention, the above-described cured film may be applied as a color filter or a light conversion sheet, and thus may be used to manufacture a color filter substrate or a light source of a backlight unit.

본 발명의 경화막은 통상의 액정표시장치(LCD)뿐만 아니라, 전계발광표시장치(EL), 플라스마표시장치(PDP), 전계방출표시장치(FED), 유기발광소자(OLED), 양자점 발광다이오드(Quantum Dot Light-Emitting Diode, QLED) 등 각종 화상표시장치에 적용이 가능하다.The cured film of the present invention is not only a general liquid crystal display device (LCD), but also an electroluminescence display device (EL), a plasma display device (PDP), a field emission display device (FED), an organic light emitting device (OLED), a quantum dot light emitting diode ( It can be applied to various image display devices such as Quantum Dot Light-Emitting Diode, QLED).

본 발명의 화상표시장치는 상술한 경화막을 구비한 것을 제외하고는, 당해 기술분야에서 알려진 구성을 포함한다.The image display device of the present invention includes a configuration known in the art, except for having the cured film described above.

또한, 본 발명의 일 실시형태에 따른 양자점은 상술한 디스플레이뿐만 아니라 조명용 광원, 태양전지, 반도체 레이저/광증폭기, 바이오 이미징 등의 소재로도 적용이 가능하다.In addition, the quantum dot according to an embodiment of the present invention can be applied not only to the display described above, but also as a material for lighting, a light source, a solar cell, a semiconductor laser/optical amplifier, and bio-imaging.

이하, 실시예, 비교예 및 실험예에 의해 본 발명을 보다 구체적으로 설명하고자 한다. 이들 실시예, 비교예 및 실험예는 오직 본 발명을 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이들에 국한되지 않는다는 것은 당업자에게 있어서 자명하다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of Examples, Comparative Examples and Experimental Examples. These Examples, Comparative Examples, and Experimental Examples are only for illustrating the present invention, and it is apparent to those skilled in the art that the scope of the present invention is not limited thereto.

합성예 1: 양자점(A-1) 합성Synthesis Example 1: Quantum Dot (A-1) Synthesis

삼구 플라스크(3-neck flask)에 인듐 아세테이트 0.05839g, 올레익산 0.12019g 및 1-옥타데센(ODE) 10 mL를 넣었다. 상기 플라스크를 교반하면서 110℃, 100 mTorr 하에서 30분 동안 탈기(degassing) 과정을 거친 후, 용액이 투명해질 때까지 비활성 기체 하에서 270℃의 온도로 가열해주었다.0.05839 g of indium acetate, 0.12019 g of oleic acid, and 10 mL of 1-octadecene (ODE) were placed in a 3-neck flask. The flask was subjected to a degassing process for 30 minutes at 110° C. under 100 mTorr while stirring, and then heated to a temperature of 270° C. under an inert gas until the solution became transparent.

인 (P) 전구체로서 트리스(트리메틸실릴)포스핀을 0.025054g 준비하여, 1-옥타데센 0.5 mL와 트리-n-옥틸포스핀 0.5 mL에 넣고 교반하여 이를 비활성 기체 하에서 270℃로 가열된 상기 플라스크에 빠르게 주입하였다. 1시간 동안 반응시킨 후 빠르게 냉각시켜 반응을 종결시켰다. 이후 플라스크의 온도가 100℃에 도달하였을 때, 10mL의 톨루엔을 주입한 후 50 mL 원심분리 튜브에 옮겨 담았다. 에탄올 10 mL를 첨가한 후, 침전 및 재분산 방법을 활용하여 두 차례 정제하였다. 정제된 InP 코어 나노입자를 1-옥타데센에 분산시킨 후 저장하였다.As a phosphorus (P) precursor, 0.025054 g of tris (trimethylsilyl) phosphine was prepared, put into 0.5 mL of 1-octadecene and 0.5 mL of tri-n-octylphosphine, stirred, and the flask was heated to 270° C. under inert gas. was quickly injected into After reacting for 1 hour, the reaction was terminated by rapid cooling. Then, when the temperature of the flask reached 100 °C, 10 mL of toluene was injected and transferred to a 50 mL centrifuge tube. After adding 10 mL of ethanol, it was purified twice using a precipitation and redispersion method. The purified InP core nanoparticles were dispersed in 1-octadecene and then stored.

삼구 플라스크에 징크 아세테이트 3.669 g, 올레익산 20 mL 및 1-옥타데센 20 mL를 넣고, 교반하면서 110℃, 100 mTorr 하에서 30분 동안 탈기(degassing) 과정을 거친 후, 용액이 투명해질 때까지 비활성 기체 하에서 270℃의 온도로 가열한 후 60℃로 냉각시켜 투명한 징크 올레에이트 형태의 전구체 용액을 얻었다.3.669 g of zinc acetate, 20 mL of oleic acid, and 20 mL of 1-octadecene were put in a three-necked flask, and after degassing for 30 minutes at 110 °C and 100 mTorr while stirring, inert gas until the solution became transparent After heating to a temperature of 270°C under

삼구 플라스크에 황 0.6412 g 및 트리-n-옥틸포스핀 10 mL를 넣고 용액이 투명해질 때까지 비활성 기체 분위기에서 교반하면서 80℃의 온도로 가열한 후 상온으로 냉각시켜 TOP:S 형태의 S 전구체 용액을 얻었다.Add 0.6412 g of sulfur and 10 mL of tri-n-octylphosphine to a three-necked flask, heat to 80 °C while stirring in an inert gas atmosphere until the solution becomes transparent, and then cool to room temperature to obtain TOP:S-form S precursor solution got

별도의 삼구 플라스크에 미리 준비한 InP 코어의 나노입자 용액을 넣고, 플라스크의 온도를 300℃로 조절한 후 미리 준비한 징크 전구체 용액 0.6 mL를 주사기를 활용하여 빠르게 주입하였다. 이 후 미리 준비한 S 전구체 용액 0.3 mL를 주사기 펌프를 활용하여 2 mL/hr의 속도로 플라스크에 주입하였다. 주입이 끝난 후 3 시간 반응을 더 진행하고 빠르게 냉각시켜 반응을 종결시켰다. 플라스크의 온도가 100℃에 도달하였을 때, 10mL의 톨루엔을 주입한 후, 50 mL 원심분리 튜브에 옮겨 담았다. 에탄올 10 mL를 첨가한 후, 침전 및 재분산 방법을 활용하여 두 차례 정제하였다. 정제된 InP/ZnS 코어-쉘 구조의 나노입자를 n-클로로포름에 분산시킨 후 저장하였다. 고형분은 25%로 조정하였다. 최대발광파장은 525nm였다.In a separate three-necked flask, the prepared InP core nanoparticle solution was put, the temperature of the flask was adjusted to 300 °C, and 0.6 mL of the zinc precursor solution prepared in advance was quickly injected using a syringe. Thereafter, 0.3 mL of the S precursor solution prepared in advance was injected into the flask at a rate of 2 mL/hr using a syringe pump. After the injection was completed, the reaction was further carried out for 3 hours, and the reaction was terminated by rapid cooling. When the temperature of the flask reached 100° C., 10 mL of toluene was injected, and then transferred to a 50 mL centrifuge tube. After adding 10 mL of ethanol, it was purified twice using a precipitation and redispersion method. The purified InP/ZnS core-shell structure nanoparticles were dispersed in n-chloroform and then stored. The solid content was adjusted to 25%. The maximum emission wavelength was 525 nm.

합성예 2: 양자점(A-2) 합성Synthesis Example 2: Quantum Dot (A-2) Synthesis

인듐 아세테이트(Indium acetate) 0.4mmol(0.058g), 팔미트산(palmitic acid) 0.6mmol(0.15g) 및 1-옥타데센(1-octadecene) 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하였다. 280℃로 가열한 후, 트리스(트리메틸실릴)포스핀(TMS3P) 0.2mmol(58㎕) 및 트리옥틸포스핀 1.0mL의 혼합 용액을 신속히 주입하고 0.5분간 반응시켰다. 0.4 mmol (0.058 g) of indium acetate (0.058 g), 0.6 mmol (0.15 g) of palmitic acid and 20 mL of 1-octadecene were placed in a reactor and heated to 120 °C under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen. After heating to 280° C., a mixed solution of 0.2 mmol (58 μl) of tris (trimethylsilyl) phosphine (TMS 3 P) and 1.0 mL of trioctylphosphine was quickly injected and reacted for 0.5 minutes.

이어서 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레익산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 코어 용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 셀레늄(Se/TOP) 4.8 mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전물을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe 코어-쉘을 형성시켰다. Then, 2.4 mmol of zinc acetate (0.448 g), 4.8 mmol of oleic acid and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120° C. under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen and the temperature of the reactor was raised to 280°C. 2 mL of the previously synthesized InP core solution was added, and then 4.8 mmol of selenium (Se/TOP) in trioctylphosphine was added, and the final mixture was reacted for 2 hours. Ethanol was added to the reaction solution cooled quickly to room temperature, and the precipitate obtained by centrifugation was filtered under reduced pressure and dried under reduced pressure to form an InP/ZnSe core-shell.

이어서, 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레익산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 코어 용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 황(S/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전물을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe/ZnS 코어-쉘 구조의 양자점을 수득 후 클로로포름에 분산시켰다. 고형분은 25%로 조정하였다. 최대발광파장은 520nm였다.Then, 2.4 mmol of zinc acetate (0.448 g), 4.8 mmol of oleic acid and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120° C. under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen and the temperature of the reactor was raised to 280°C. 2 mL of the previously synthesized InP core solution was added, followed by 4.8 mmol of sulfur (S/TOP) in trioctylphosphine, and the final mixture was reacted for 2 hours. Ethanol was added to the reaction solution cooled quickly to room temperature, and the precipitate obtained by centrifugation was filtered under reduced pressure and dried under reduced pressure to obtain quantum dots of InP/ZnSe/ZnS core-shell structure, which were then dispersed in chloroform. The solid content was adjusted to 25%. The maximum emission wavelength was 520 nm.

실시예 및 비교예: 양자점 분산체의 제조Examples and Comparative Examples: Preparation of quantum dot dispersion

하기 표 1의 조성으로 각각의 성분들을 혼합하여 양자점 분산체를 제조하였다(중량%).A quantum dot dispersion was prepared by mixing each component with the composition of Table 1 below (% by weight).

양자점quantum dots 3 내지 6원의 황 함유 지환식 탄화수소기를 갖는 화합물A compound having a 3 to 6 membered sulfur-containing alicyclic hydrocarbon group 경화성 모노머curable monomer 용제solvent A-1A-1 A-2A-2 B-1B-1 B-2B-2 B-3B-3 C-1C-1 C-2C-2 D-1D-1 D-2D-2 D-3D-3 실시예 1Example 1 4040 6060 실시예 2Example 2 4040 6060 실시예 3Example 3 4040 6060 실시예 4Example 4 4040 6060 실시예 5Example 5 4040 6060 실시예 6Example 6 4040 6060 실시예 7Example 7 5050 55 4545 실시예 8Example 8 5050 2525 2525 실시예 9Example 9 5050 4545 55 실시예 10Example 10 5050 2525 2525 실시예 11Example 11 4040 55 5555 실시예 12Example 12 4040 2525 3535 실시예 13Example 13 4040 1010 5050 실시예 14Example 14 4040 1515 4545 실시예 15Example 15 4040 3030 3030 비교예 1Comparative Example 1 4040 6060 비교예 2Comparative Example 2 4040 6060 비교예 3Comparative Example 3 4040 6060 비교예 4Comparative Example 4 4040 6060

A-1: 합성예 1에서 제조된 양자점 파우더A-1: Quantum dot powder prepared in Synthesis Example 1

A-2: 합성예 2에서 제조된 양자점 파우더A-2: Quantum dot powder prepared in Synthesis Example 2

B-1: Z는

Figure pat00013
이고, R1
Figure pat00014
이며, R2
Figure pat00015
이고, n은 1이고, m은 1인 화학식 1로 표시되는 화합물B-1: Z is
Figure pat00013
and R 1 is
Figure pat00014
and R 2 is
Figure pat00015
, n is 1, and m is 1, a compound represented by Formula 1

B-2: Z는

Figure pat00016
이고, R1
Figure pat00017
이며, R2
Figure pat00018
이고, n은 1이고, m은 1인 화학식 1로 표시되는 화합물B-2: Z is
Figure pat00016
and R 1 is
Figure pat00017
and R 2 is
Figure pat00018
, n is 1, and m is 1, a compound represented by Formula 1

B-3: Z는

Figure pat00019
이고, R1
Figure pat00020
이며, R2
Figure pat00021
이고, n은 1이고, m은 1인 화학식 1로 표시되는 화합물B-3: Z is
Figure pat00019
and R 1 is
Figure pat00020
and R 2 is
Figure pat00021
, n is 1, and m is 1, a compound represented by Formula 1

C-1: BDDA(1,4-Butanediol diacrylate)C-1: BDDA (1,4-Butanediol diacrylate)

C-2: PETA(Pentaerithritol triacrylate)C-2: PETA (Pentaerithritol triacrylate)

D-1: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트D-1: propylene glycol monomethyl ether acetate

D-2: n-펜틸 아세테이트D-2: n-pentyl acetate

D-3: 3-메톡시부틸아세테이트D-3: 3-methoxybutyl acetate

실시예 및 비교예: 광변환 잉크 조성물의 제조Examples and Comparative Examples: Preparation of Light Conversion Ink Compositions

하기 표 2 및 표 3의 조성으로 각각의 성분들을 혼합하여 광변환 잉크 조성물을 제조하였다(중량%).A light conversion ink composition was prepared by mixing each component in the composition of Tables 2 and 3 below (wt%).

조성(중량%)Composition (wt%) 실시예 16Example 16 실시예 17Example 17 실시예 18Example 18 실시예 19Example 19 실시예 20Example 20 실시예 21Example 21 실시예 22Example 22 실시예 23Example 23 실시예 24Example 24 실시예 25Example 25 실시예 26Example 26 실시예 27Example 27 실시예 28Example 28 실시예 29Example 29 실시예 30Example 30 양자점 분산체quantum dot dispersion 실시예 1Example 1 5050 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 실시예 2Example 2 -- 5050 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 실시예 3Example 3 -- -- 5050 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 실시예 4Example 4 -- -- -- 2020 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 실시예 5Example 5 -- -- -- -- 5050 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 실시예 6Example 6 -- -- -- -- -- 5050 -- -- -- -- -- -- -- -- -- 실시예 7Example 7 -- -- -- -- -- -- 5050 -- -- -- -- -- -- -- -- 실시예 8Example 8 -- -- -- -- -- -- -- 5050 -- -- -- -- -- -- -- 실시예 9Example 9 -- -- -- -- -- -- -- -- 4040 -- -- -- -- -- -- 실시예 10Example 10 -- -- -- -- -- -- -- -- -- 5050 -- -- -- -- -- 실시예 11Example 11 5050 -- -- -- -- 실시예 12Example 12 -- 5050 -- -- -- 실시예 13Example 13 -- -- 5050 -- -- 실시예 14Example 14 -- -- -- 5050 -- 실시예 15Example 15 -- -- -- -- 5050 광중합성
모노머
photopolymerization
monomer
MN-1MN-1 4343 -- 4343 -- 4343 4343 4343 -- 5353 -- 4343 -- 4343 -- 4343
MN-2MN-2 -- 4343 -- 7373 -- -- -- 4343 -- 4343 -- 4343 -- 4343 -- 산란입자scattering particles 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 광중합 개시제photopolymerization initiator PI-1PI-1 1One 1One 1One 1One 1One 1One 1One 1One 1One 1One 1One 1One 1One 1One 1One

조성(중량%)Composition (wt%) 비교예 5Comparative Example 5 비교예 6Comparative Example 6 비교예 7Comparative Example 7 비교예 8Comparative Example 8 비교예 9Comparative Example 9 양자점 분산체quantum dot dispersion 비교예 1Comparative Example 1 5050 -- 4040 -- -- 비교예 2Comparative Example 2 -- 3030 -- -- -- 비교예 3Comparative Example 3 5050 -- 비교예 4Comparative Example 4 -- 5050 광중합성
모노머
photopolymerization
monomer
MN-1MN-1 4343 6363 -- 4343 --
MN-2MN-2 -- -- 5353 -- 4343 산란입자scattering particles 66 66 66 66 66 광중합 개시제photopolymerization initiator PI-1PI-1 1One 1One 1One 1One 1One

MN-1: 1,6-헥산디올 디아크릴레이트MN-1: 1,6-hexanediol diacrylate

MN-2: 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트MN-2: pentaerythritol triacrylate

산란입자: TiO2 (훈츠만사, TR-88, 입경 220nm)Scattering particles: TiO 2 (Huntzmann, TR-88, particle size 220nm)

PI-1: 4,4'-디(N,N'-디메틸아미노)-벤조페논(호도가야 카가쿠사 제조)PI-1: 4,4'-di(N,N'-dimethylamino)-benzophenone (manufactured by Hodogaya Chemical Co., Ltd.)

실험예 1: Experimental Example 1:

상기 실시예 및 비교예에서 제조된 양자점 분산체의 점도 안정성, 분산입도 및 내광성을 하기와 같은 방법으로 측정하고, 그 결과는 하기 표 4에 나타내었다.The viscosity stability, dispersion particle size and light resistance of the quantum dot dispersions prepared in Examples and Comparative Examples were measured in the following manner, and the results are shown in Table 4 below.

(1) 점도 안정성(1) Viscosity stability

실시예 1 내지 15 및 비교예 1 내지 비교예 4의 양자점 분산체에 대하여, R형 점도계(VISCOMETER MODEL RE120L SYSTEM, 도키 산교 가부시끼가이샤 제품)를 사용하여 회전수 10 rpm, 온도 30℃의 조건에서 초기 점도 및 저온 5℃에서 1개월 보관후 점도를 측정하였다. 점도변화율로 점도안정성을 하기 평가기준에 따라 평가하였다.For the quantum dot dispersions of Examples 1 to 15 and Comparative Examples 1 to 4, an R-type viscometer (VISCOMETER MODEL RE120L SYSTEM, manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.) was used at a rotation speed of 10 rpm and a temperature of 30 ° C. The viscosity was measured after storage for 1 month at the initial viscosity and at a low temperature of 5°C. Viscosity stability was evaluated by the rate of change of viscosity according to the following evaluation criteria.

<평가기준><Evaluation criteria>

○: 점도변화율 105% 이하○: Viscosity change rate 105% or less

△: 점도변화율 105% 초과 내지 110% 이하△: Viscosity change rate greater than 105% to 110% or less

×: 점도변화율 110% 초과×: Viscosity change rate exceeding 110%

(2) 분산입도(2) Dispersion particle size

상기 실시예 1 내지 15 및 비교예 1 내지 비교예 4의 양자점 분산체의 분산입도를 ELSZ-2000ZS(오츠카사 제)을 이용하여 측정하였다.The dispersed particle sizes of the quantum dot dispersions of Examples 1 to 15 and Comparative Examples 1 to 4 were measured using ELSZ-2000ZS (manufactured by Otsuka Corporation).

(3) 내광성(광유지율)(3) Light resistance (light retention rate)

양자점 분산체 제조 초기의 양자효율(QY%)과 상온에서 15일 방치 후의 양자효율(QY%)를 PL 분광 광도계 및 UV-Vis 분광 광도계를 이용하여 측정하였다.The quantum efficiency (QY%) at the beginning of the quantum dot dispersion preparation and the quantum efficiency (QY%) after 15 days at room temperature were measured using a PL spectrophotometer and a UV-Vis spectrophotometer.

양자점의 표면이 산화되면, 양자효율이 감소하게 되므로, 양자효율의 감소량을 측정하여 내광성(광유지율)을 확인할 수 있다. 즉, ΔQY%를 측정하여 내광성을 확인할 수 있다.When the surface of the quantum dot is oxidized, the quantum efficiency is reduced, so the light resistance (light retention) can be confirmed by measuring the decrease in the quantum efficiency. That is, light resistance can be confirmed by measuring ΔQY%.

  점도 안정성Viscosity Stability 분산입도dispersed particle size 내광성(광유지율)Light fastness (light retention) 초기 QY(%)Initial QY (%) 15일 방치 후 QY(%)QY (%) after 15 days Δ QY(%)Δ QY (%) 실시예 1Example 1 5.85.8 8282 7575 77 실시예 2Example 2 6.26.2 8080 7171 99 실시예 3Example 3 5.95.9 8888 8787 1One 실시예 4Example 4 7.27.2 8787 8585 22 실시예 5Example 5 6.56.5 8989 8484 55 실시예 6Example 6 6.86.8 8686 8484 22 실시예 7Example 7 5.55.5 9090 8484 66 실시예 8Example 8 6.46.4 8989 8282 77 실시예 9Example 9 6.56.5 8787 8080 77 실시예 10Example 10 7.67.6 8484 7979 55 실시예 11Example 11 6.86.8 8282 7474 88 실시예 12Example 12 7.27.2 8080 7070 1010 실시예 13Example 13 6.96.9 8888 8181 77 실시예 14Example 14 7.77.7 8787 8282 55 실시예 15Example 15 7.57.5 8989 7979 1010 비교예 1Comparative Example 1 4242 8686 3232 5454 비교예 2Comparative Example 2 ×× 4848 8888 4545 4343 비교예 3Comparative Example 3 3232 8282 4040 4242 비교예 4Comparative Example 4 2121 8686 5252 3434

상기 표 4에 나타낸 바와 같이, 3 내지 6원의 황 함유 지환식 탄화수소기를 갖는 화합물을 포함하는 실시예의 양자점 분산체는 3 내지 6원의 황 함유 지환식 탄화수소기를 갖는 화합물을 포함하지 않는 비교예의 양자점 분산체에 비해 점도 안정성, 분산입도 및 내광성이 크게 향상되는 것을 확인할 수 있었다.As shown in Table 4, the quantum dot dispersion of the embodiment comprising a compound having a 3 to 6 membered sulfur-containing alicyclic hydrocarbon group is a quantum dot of Comparative Example that does not include a compound having a 3 to 6 membered sulfur-containing alicyclic hydrocarbon group It was confirmed that viscosity stability, dispersed particle size and light resistance were significantly improved compared to the dispersion.

실험예 2: Experimental Example 2:

상기 실시예 및 비교예에서 제조된 광변환 잉크 조성물을 사용하여 아래와 같이 광변환 코팅층을 제조하였으며, 이때의 광변환 효율, 내광성(광유지율), 연속제팅횟수 및 도막 경도를 하기와 같은 방법으로 측정하고, 그 결과는 하기 표 5에 나타내었다.The light conversion coating layer was prepared as follows by using the light conversion ink composition prepared in Examples and Comparative Examples, and the light conversion efficiency, light resistance (light retention), the number of continuous jetting and the coating film hardness were measured in the following way. and the results are shown in Table 5 below.

<광변환 코팅층의 제조><Production of light conversion coating layer>

실시예 및 비교예에서 제조된 각각의 광변환 잉크 조성물을 잉크젯 방식으로 5cm×5cm 유리 기판 위에 도포한 다음, 자외선 광원으로서 g, h, i 선을 모두 함유하는 1kW 고압 수은등을 사용하여 100mJ/㎠로 조사 후 180℃의 가열 오븐에서 30분 동안 가열하여 광변환 코팅층을 제조하였다.Each of the photoconversion ink compositions prepared in Examples and Comparative Examples was applied on a 5cm×5cm glass substrate by an inkjet method, and then 100mJ/cm2 using a 1kW high-pressure mercury lamp containing all g, h, and i lines as an ultraviolet light source. After irradiation with a furnace, it was heated in a heating oven at 180° C. for 30 minutes to prepare a light conversion coating layer.

(1) 광변환 효율(1) light conversion efficiency

제조된 광변환 코팅층을 청색(blue) 광원(XLamp XR-E LED, Royal blue 450, Cree 社) 상부에 위치시킨 후 휘도 측정기(CAS140CT Spectrometer, Instrument systems 社)를 이용하여 광변환 효율을 하기의 수학식 1을 이용하여 측정하였다. After placing the prepared light conversion coating layer on top of a blue light source (XLamp XR-E LED, Royal blue 450, Cree Corporation), the light conversion efficiency was calculated using a luminance meter (CAS140CT Spectrometer, Instrument systems) using the following math It was measured using Equation 1.

광변환 효율(%)이 높을수록 우수한 휘도를 얻을 수 있다.The higher the light conversion efficiency (%), the better the luminance can be obtained.

[수학식 1][Equation 1]

Figure pat00022
Figure pat00022

(2) 내광성(광유지율)(2) Light resistance (light retention rate)

제조된 광변환 코팅층을 청색(blue) 광원(XLamp XR-E LED, Royal blue 450, Cree 社) 상부에 위치시킨 후 휘도 측정기(CAS140CT Spectrometer, Instrument systems 社)를 이용하여 초기 광변환 효율을 상기 수학식 1로 산출하였다. 이 후, 상기 광변환 코팅층을 80mW/㎠ 조도의 450nm LED로 3일 동안 조사한 다음 상기와 같이 광변환 효율을 측정하여 하기 수학식 2를 이용하여 광유지율을 산출하였다.After placing the prepared light conversion coating layer on top of a blue light source (XLamp XR-E LED, Royal blue 450, Cree), the initial light conversion efficiency was calculated using a luminance meter (CAS140CT Spectrometer, Instrument systems). It was calculated by Equation 1. Thereafter, the light conversion coating layer was irradiated with a 450 nm LED of 80 mW/cm 2 illuminance for 3 days, and then the light conversion efficiency was measured as described above to calculate the light retention rate using Equation 2 below.

[수학식 2][Equation 2]

Figure pat00023
Figure pat00023

(3) 연속제팅횟수(3) Number of continuous jetting

상기 실시예 16 내지 30 및 비교예 5 내지 9의 광변환 잉크 조성물을 유니젯사 잉크젯프린팅 설비에 충진 후 젯팅 헤드의 온도를 40℃로 고정한 다음 1분간 잉크토출 후 30분간 방치를 젯팅 헤드부의 노즐 막힘으로 토출이 되지 않을 때까지 반복 수행하여 연속제팅횟수를 평가 하였다.After filling the photoconversion ink compositions of Examples 16 to 30 and Comparative Examples 5 to 9 in Unijet's inkjet printing equipment, the temperature of the jetting head was fixed at 40° C., and the ink was discharged for 1 minute and left for 30 minutes. Nozzle clogging of the jetting head. The number of continuous jetting was evaluated by repeating until no discharge was performed.

연속젯팅 횟수가 증가할수록 연속공정에 우수한 특성을 얻을 수 있다.As the number of continuous jetting increases, excellent properties can be obtained in the continuous process.

(4) 도막 경도(4) film hardness

상기 제조된 광변환 코팅층의 경도를 경도계(HM500; Fischer사 제품)를 사용하여 150℃ 고온에서 측정하였으며, 표면경도는 하기 평가기준으로 평가하였다.The hardness of the prepared light conversion coating layer was measured at a high temperature of 150° C. using a hardness meter (HM500; manufactured by Fischer), and the surface hardness was evaluated according to the following evaluation criteria.

<평가 기준><Evaluation criteria>

○: 표면경도 50 N/㎟ 이상○: surface hardness of 50 N/㎟ or more

△: 표면경도 30 N/㎟ 이상 50 N/㎟ 미만△: surface hardness of 30 N/mm2 or more and less than 50 N/mm2

×: 표면경도 30 N/㎟ 미만×: surface hardness less than 30 N/㎟

  광변환 효율(%)Light Conversion Efficiency (%) 내광성(광유지율)Light fastness (light retention) 연속제팅횟수Number of consecutive jets 도막경도film hardness 실시예16Example 16 35.2%35.2% 92%92% 5회초과more than 5 실시예17Example 17 34.2%34.2% 96%96% 5회초과more than 5 실시예18Example 18 34.8%34.8% 90%90% 5회초과more than 5 실시예19Example 19 35.2%35.2% 89%89% 5회초과more than 5 실시예20Example 20 35.6%35.6% 93%93% 5회초과more than 5 실시예21Example 21 36.2%36.2% 92%92% 5회초과more than 5 실시예22Example 22 34.2%34.2% 95%95% 5회초과more than 5 실시예23Example 23 35.2%35.2% 90%90% 5회초과more than 5 실시예24Example 24 35.5%35.5% 89%89% 5회초과more than 5 실시예25Example 25 34.2%34.2% 87%87% 5회초과more than 5 실시예26Example 26 36.0%36.0% 88%88% 5회초과more than 5 실시예27Example 27 35.1%35.1% 96%96% 5회초과more than 5 실시예28Example 28 37.0%37.0% 98%98% 5회초과more than 5 실시예29Example 29 34.5%34.5% 94%94% 5회초과more than 5 실시예30Example 30 33.6%33.6% 99%99% 5회초과more than 5 비교예5Comparative Example 5 24.2%24.2% 61%61% 3회3rd time 비교예6Comparative Example 6 23.2%23.2% 54%54% 4회4 times 비교예7Comparative Example 7 25.2%25.2% 70%70% 1회1 time 비교예8Comparative Example 8 28.6%28.6% 63%63% 3회3rd time ×× 비교예9Comparative Example 9 24.1%24.1% 78%78% 2회Episode 2 ××

상기 표 5에 나타낸 바와 같이, 3 내지 6원의 황 함유 지환식 탄화수소기를 갖는 화합물을 포함하는 양자점 분산체를 이용한 실시예의 광변환 잉크 조성물은 3 내지 6원의 황 함유 지환식 탄화수소기를 갖는 화합물을 포함하지 않는 양자점 분산체를 이용한 비교예의 광변환 잉크 조성물에 비해 광변환 효율, 내광성(광유지율), 연속제팅횟수 및 도막 경도가 더욱 우수한 것을 확인할 수 있었다.As shown in Table 5, the light conversion ink composition of an embodiment using a quantum dot dispersion comprising a compound having a 3 to 6 membered sulfur-containing alicyclic hydrocarbon group is a compound having a 3 to 6 membered sulfur-containing alicyclic hydrocarbon group. It was confirmed that the light conversion efficiency, light resistance (light retention), the number of continuous jetting and the coating film hardness were more excellent than the light conversion ink composition of Comparative Example using the quantum dot dispersion not containing it.

이상으로 본 발명의 특정한 부분을 상세히 기술하였는 바, 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 이러한 구체적인 기술은 단지 바람직한 구현예일 뿐이며, 이에 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아님은 명백하다. 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기 내용을 바탕으로 본 발명의 범주 내에서 다양한 응용 및 변형을 행하는 것이 가능할 것이다. As the specific part of the present invention has been described in detail above, for those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains, it is clear that these specific techniques are only preferred embodiments, and the scope of the present invention is not limited thereto. do. Those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will be able to make various applications and modifications within the scope of the present invention based on the above contents.

따라서, 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 특허청구범위와 그의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.Accordingly, the substantial scope of the present invention will be defined by the appended claims and their equivalents.

Claims (9)

양자점, 및 3 내지 6원의 황 함유 지환식 탄화수소기를 갖는 화합물을 포함하는 양자점 분산체.A quantum dot dispersion comprising a compound having a quantum dot, and a 3 to 6 membered sulfur-containing alicyclic hydrocarbon group. 제1항에 있어서, 상기 3 내지 6원의 황 함유 지환식 탄화수소기를 갖는 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 양자점 분산체:
[화학식 1]
Figure pat00024

상기 식에서,
Z는
Figure pat00025
Figure pat00026
Figure pat00027
Figure pat00028
또는
Figure pat00029
이고,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 존재하지 않거나 사슬 탄소 중 하나 이상이 산소로 치환되거나 치환되지 않은 C1-C6의 알킬렌기이며,
A는 존재하지 않거나 또는 O, NR4 또는 S이며,
R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 또는 C1-C6의 알킬기이고,
n 및 m은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이며,
p는 1 내지 100의 정수이다.
According to claim 1, wherein the compound having a sulfur-containing alicyclic hydrocarbon group of 3 to 6 members is a quantum dot dispersion comprising a compound represented by the following formula (1):
[Formula 1]
Figure pat00024

In the above formula,
Z is
Figure pat00025
Figure pat00026
Figure pat00027
Figure pat00028
or
Figure pat00029
ego,
R 1 and R 2 are each independently an absent or unsubstituted C 1 -C 6 alkylene group in which at least one of the chain carbons is substituted with oxygen,
A is absent or is O, NR 4 or S,
R 3 and R 4 are each independently hydrogen or a C 1 -C 6 alkyl group,
n and m are each independently an integer of 1 to 4,
p is an integer from 1 to 100;
제2항에 있어서, n 및 m은 1인 양자점 분산체.The quantum dot dispersion according to claim 2, wherein n and m are 1. 제1항에 있어서, 경화성 모노머 및 용제 중 하나 이상을 더 포함하는 양자점 분산체.The quantum dot dispersion according to claim 1, further comprising at least one of a curable monomer and a solvent. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 양자점 분산체를 포함하는 경화성 조성물.A curable composition comprising the quantum dot dispersion according to any one of claims 1 to 4. 제5항에 있어서, 상기 경화성 조성물은 광변환 잉크 조성물, 광변환 수지 조성물 또는 자발광 감광성 수지 조성물인 경화성 조성물.The curable composition of claim 5, wherein the curable composition is a light conversion ink composition, a light conversion resin composition, or a self-luminous photosensitive resin composition. 제5항에 따른 경화성 조성물을 이용하여 형성되는 경화막.A cured film formed using the curable composition according to claim 5. 제7항에 있어서, 상기 경화막은 컬러필터 또는 광변환 시트인 경화막.The cured film according to claim 7, wherein the cured film is a color filter or a light conversion sheet. 제7항에 따른 경화막을 포함하는 화상표시장치.An image display device comprising the cured film according to claim 7.
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