KR20220106047A - A quantum dot, a quantum dot dispersion, a light converting curable composition, electronic device, color filter, a light converting laminating unit and a display device - Google Patents

A quantum dot, a quantum dot dispersion, a light converting curable composition, electronic device, color filter, a light converting laminating unit and a display device Download PDF

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KR20220106047A
KR20220106047A KR1020220003855A KR20220003855A KR20220106047A KR 20220106047 A KR20220106047 A KR 20220106047A KR 1020220003855 A KR1020220003855 A KR 1020220003855A KR 20220003855 A KR20220003855 A KR 20220003855A KR 20220106047 A KR20220106047 A KR 20220106047A
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quantum dot
formula
group
light conversion
quantum dots
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KR1020220003855A
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Korean (ko)
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김형주
김주호
왕현정
김소희
김현우
이종수
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동우 화인켐 주식회사
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    • C09K11/02Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
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Abstract

The present invention provides a quantum dot having a ligand layer on a surface, wherein the ligand layer includes a compound having a specific chemical structure, a quantum dot dispersion comprising the quantum dot, and a light conversion ink composition. In addition, the quantum dot according to the present invention has excellent oxidation stability and reliability and thus can be effectively applied to various uses such as electronic devices, color filters, and light conversion laminated substrates.

Description

양자점, 양자점 분산체, 광변환 잉크 조성물, 전자 소자, 컬러필터, 광변환 적층기재 및 화상표시장치{A QUANTUM DOT, A QUANTUM DOT DISPERSION, A LIGHT CONVERTING CURABLE COMPOSITION, ELECTRONIC DEVICE, COLOR FILTER, A LIGHT CONVERTING LAMINATING UNIT AND A DISPLAY DEVICE}QUANTUM DOT, A QUANTUM DOT DISPERSION, A LIGHT CONVERTING CURABLE COMPOSITION, ELECTRONIC DEVICE, COLOR FILTER, A LIGHT CONVERTING LAMINATING UNIT AND A DISPLAY DEVICE}

본 발명은 양자점, 양자점 분산체, 광변환 잉크 조성물, 전자 소자, 컬러필터, 광변환 적층기재 및 화상표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to quantum dots, a quantum dot dispersion, a light conversion ink composition, an electronic device, a color filter, a light conversion laminated substrate, and an image display device.

양자점은 높은 발광성과 폭이 좁은 발광 스펙트럼을 가지며, 하나의 여기 파장으로 발광 파장을 조절할 수 있고, 빛에 대해 안정한 양자점 고유의 특성을 갖기 때문에 최근까지 생물학적 영상이나 에너지 변환, 그리고 조명(LED)과 같은 중요한 응용 분야로 사용하기 위한 연구가 많이 이루어져 왔다.Quantum dots have high luminescence and a narrow emission spectrum, can control the emission wavelength with one excitation wavelength, and have unique characteristics of a quantum dot that is stable against light. A lot of research has been done to use it in such an important application field.

이러한 양자점은 표면의 상태에 굉장히 민감한 물질로서, 분산되어 있는 용매나 주변 환경에 따라 표면으로부터 산화가 일어나게 되어 결국 발광 효율이 급격하게 감소한다. 양자점의 다양한 응용을 위해서는 최초 분산되어 있던 유기 용매 이외에 다양한 용매에서 분산되어야 하거나 또는 표면에 특정 작용기를 형성해야 하는데 이러한 과정들에 의해 양자점의 표면에 손상을 주게 되고 결국 발광 효율의 감소로 이어지게 되는 문제점이 있다.These quantum dots are very sensitive to the state of the surface, and oxidation occurs from the surface depending on the dispersed solvent or the surrounding environment, resulting in a sharp decrease in luminous efficiency. For various applications of quantum dots, they must be dispersed in various solvents other than the organic solvent in which they were initially dispersed, or specific functional groups must be formed on the surface. There is this.

이러한 문제점을 극복하기 위해 많은 시도가 이루어졌으며, 현재 다양한 방법들이 제시되고 있다. 그 중 하나가, 양자점 표면에 존재하는 유기 물질들을 원하는 작용기가 있는 분자로 치환하는 작용기 치환(ligand exchange) 방법이다. 이 방법은 양자점 표면에 존재하는 유기 분자를 응용하고자 하는데 적합한 유기 분자와 치환 하는 방법이나, 양자점 표면에 직접적인 영향을 주기 때문에 발광 효율에 치명적인 문제점을 야기하는 단점이 있다.Many attempts have been made to overcome these problems, and various methods are currently being proposed. One of them is a ligand exchange method in which organic materials present on the surface of quantum dots are replaced with molecules having a desired functional group. This method is a method of substituting organic molecules with suitable organic molecules to apply the organic molecules present on the surface of the quantum dot, but has a disadvantage in causing a fatal problem in luminous efficiency because it directly affects the surface of the quantum dot.

대한민국 공개특허 제10-2018-0002716호 및 대한민국 등록특허 제10-1628065호는 표면에 배치되는 리간드를 포함하는 양자점에 대해 개시하고 있으나, 상용성이 낮아 분산성이 떨어지고, 안정성 및 신뢰성이 충분치 못하며, 시간경과에 따라 내광성이 감소되고, 점도 안정성이 충분치 못해 잉크젯 방식에 적합하지 않은 등의 문제를 해결하고 있지 못한 실정이다.Korean Patent Application Laid-Open No. 10-2018-0002716 and Korean Patent Registration No. 10-1628065 disclose quantum dots including ligands disposed on the surface, but the compatibility is low, the dispersibility is poor, and the stability and reliability are insufficient. , the light resistance is reduced over time, and the viscosity stability is not sufficient to solve the problems such as not suitable for the inkjet method.

대한민국 공개특허 제10-2018-0002716호Republic of Korea Patent Publication No. 10-2018-0002716 대한민국 등록특허 제10-1628065호Republic of Korea Patent Registration No. 10-1628065

본 발명의 일 목적은 광특성, 산화안정성 및 신뢰성이 우수한 양자점을 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide a quantum dot excellent in optical properties, oxidation stability and reliability.

또한, 본 발명은 상기 양자점을 포함하며, 분산성 및 점도 안정성이 우수한 양자점 분산액 및 상기 양자점 분산액 포함하는 광변환 잉크 조성물을 제공하는 것을 일 목적로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a quantum dot dispersion comprising the quantum dots, excellent dispersibility and viscosity stability, and a light conversion ink composition comprising the quantum dot dispersion.

또한, 본 발명은 상기 양자점을 발광층으로 포함하는 전자 소자를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide an electronic device including the quantum dots as a light emitting layer.

또한, 본 발명은 상기 광변환 잉크 조성물을 이용하여 형성되는 경화막을 포함하는 컬러필터, 광변환 적층기재 및 화상표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. Another object of the present invention is to provide a color filter including a cured film formed by using the light conversion ink composition, a light conversion laminated substrate, and an image display device.

또한, 본 발명은 상기 전자 소자가 양자점 발광 다이오드(quantum dot LED, QLED)인 화상표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide an image display device in which the electronic device is a quantum dot LED (QLED).

본 발명은 표면 상에 리간드층을 가지는 양자점으로서,The present invention is a quantum dot having a ligand layer on the surface,

상기 리간드층이 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 양자점을 제공한다.The ligand layer provides a quantum dot including a compound represented by the following formula (1).

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 1에서,In Formula 1,

A는

Figure pat00002
또는
Figure pat00003
이고,A is
Figure pat00002
or
Figure pat00003
ego,

R1 및 R2는, 각각 독립적으로, C6 내지 C16의 아릴렌기 또는 C5 내지 C16의 헤테로아릴렌기이며,R 1 and R 2 are each independently a C6 to C16 arylene group or a C5 to C16 heteroarylene group,

R3 및 R4는, 각각 독립적으로, C6 내지 C16의 아릴기 또는 C5 내지 C16의 헤테로아릴기이며,R 3 and R 4 are each independently a C6 to C16 aryl group or a C5 to C16 heteroaryl group,

Y는 C4 내지 C16의 접합된 고리형 방향족기이며,Y is a C4 to C16 fused cyclic aromatic group,

B는 직접결합,

Figure pat00004
,
Figure pat00005
,
Figure pat00006
,
Figure pat00007
,
Figure pat00008
,
Figure pat00009
,
Figure pat00010
또는
Figure pat00011
이며,B is a direct bond,
Figure pat00004
,
Figure pat00005
,
Figure pat00006
,
Figure pat00007
,
Figure pat00008
,
Figure pat00009
,
Figure pat00010
or
Figure pat00011
is,

C는 -(CH2)n1-, -(OCH2CH2)n2- 또는 -(CH2CH2O)n3- 이며,C is -(CH 2 ) n1 -, -(OCH 2 CH 2 ) n2 - or -(CH 2 CH 2 O) n3 -,

n1 내지 n3은, 각각 독립적으로, 0 내지 20의 정수이며,n1 to n3 are each independently an integer of 0 to 20,

F는 -COOH, -SH, -NH3,

Figure pat00012
,
Figure pat00013
또는
Figure pat00014
이며,F is -COOH, -SH, -NH 3 ,
Figure pat00012
,
Figure pat00013
or
Figure pat00014
is,

x 및 y는, 각각 독립적으로, 0 내지 4의 정수이다.x and y are each independently an integer of 0-4.

또한, 본 발명은 상기 양자점을 포함하는 양자점 분산체를 제공한다.In addition, the present invention provides a quantum dot dispersion comprising the quantum dots.

또한, 본 발명은 상기 양자점 분산체를 포함하는 광변환 잉크 조성물을 제공한다.In addition, the present invention provides a light conversion ink composition comprising the quantum dot dispersion.

또한, 본 발명은 상기 양자점을 발광층으로 포함하는 전자 소자를 제공한다.In addition, the present invention provides an electronic device including the quantum dots as a light emitting layer.

또한, 본 발명은 상기 광변환 잉크 조성물을 이용하여 형성되는 경화막을 포함하는 컬러필터 또는 광변환 적층기재를 제공한다. In addition, the present invention provides a color filter or a light conversion laminated substrate including a cured film formed using the light conversion ink composition.

또한, 본 발명은 상기 컬러필터 또는 광변환 적층기재를 포함하는 화상표시장치를 제공한다.In addition, the present invention provides an image display device including the color filter or the light conversion laminated substrate.

또한, 본 발명은 상기 전자소자가 양자점 발광 다이오드(quantum dot LED, QLED)인 화상표시장치를 제공한다.In addition, the present invention provides an image display device in which the electronic device is a quantum dot light emitting diode (QLED).

본 발명에 따른 양자점은 특정 화학식 구조로 표시되는 화합물을 리간드층으로 포함함으로써, 양자점의 표면이 보호되어 되어 산화 안정성이 우수함에 따라 발광특성 및 광유지율이 뛰어나다. 이에 따라 전자 소자의 발광층에 유용하게 적용 가능하다.The quantum dot according to the present invention includes a compound represented by a specific chemical structure as a ligand layer, so that the surface of the quantum dot is protected, and thus, the quantum dot has excellent oxidative stability and thus has excellent luminescence properties and light retention. Accordingly, it can be usefully applied to a light emitting layer of an electronic device.

또한, 본 발명의 양자점은 모노머와 상용성이 우수하여 분산특성이 뛰어나, 상기 양자점을 포함하는 광변환 잉크 조성물을 이용하면 잉크젯 노즐막힘과 같은 불량발생을 억제시켜 건조성 및 연속제팅과 같은 공정특성이 뛰어나 공정수율을 향상시키며, 소량사용으로 생산비용을 절감시킬 수 있다. In addition, the quantum dots of the present invention have excellent compatibility with monomers and thus have excellent dispersion properties. When the photoconversion ink composition containing the quantum dots is used, the occurrence of defects such as inkjet nozzle clogging is suppressed, and process characteristics such as dryness and continuous jetting. This is excellent, improving the process yield and reducing the production cost by using a small amount.

따라서, 상기 양자점 및 이를 포함하는 광변환 잉크 조성물은 휘도 등의 광특성, 신뢰성 및 공정특성 등이 모두 향상되는 효과를 제공하므로, 컬러필터, 광변환 적층기재 등의 다양한 용도에 효과적으로 적용될 수 있으며, 이에 따라 고품질의 화상표시장치를 제공할 수 있다.Therefore, the quantum dots and the light conversion ink composition including the same provide an effect of improving all optical properties such as luminance, reliability and process properties, and thus can be effectively applied to various uses such as color filters and light conversion laminated substrates, Accordingly, it is possible to provide a high-quality image display device.

본 발명은 표면 상에 리간드층을 가지는 양자점으로서, 리간드층이 특정 화학식 구조의 화합물을 포함하는 양자점과, 상기 양자점을 포함하는 양자점 분산체 및 광변환 잉크 조성물을 제공한다. 또한, 본 발명에 따른 양자점은 산화 안정성 및 신뢰성이 우수하여 전자 소자, 컬러필터, 광변환 적층기재 등의 다양한 용도에 효과적으로 적용될 수 있다.The present invention provides a quantum dot having a ligand layer on its surface, a quantum dot including a compound having a specific chemical structure in the ligand layer, and a quantum dot dispersion and a light conversion ink composition including the quantum dot. In addition, the quantum dots according to the present invention are excellent in oxidation stability and reliability, and thus can be effectively applied to various uses such as electronic devices, color filters, and light conversion laminated substrates.

또한, 본 발명은 상기 컬러필터, 광변환 적층기재 및/또는 전자 소자를 포함하는 화상표시장치를 제공한다.In addition, the present invention provides an image display device including the color filter, the light conversion laminated substrate and/or an electronic device.

본 발명의 전자 소자, 컬러필터, 광변환 적층기재, 화상표시장치는, 양자점 발광 다이오드(quantum dot LED, QLED)가 적용된 것 또는 양자점 발광 다이오드(quantum dot LED, QLED)에 적용하기 위한 것일 수 있다. The electronic device, color filter, light conversion laminated substrate, and image display device of the present invention may be applied to a quantum dot light emitting diode (quantum dot LED, QLED) or to a quantum dot light emitting diode (QLED). .

본 명세서에서 사용되는 '접합된 고리형 방향족기'는, 이웃한 2개 이상의 탄소원자를 공유하는 고리를 갖는 방향족기를 의미한다.As used herein, the term 'fused cyclic aromatic group' refers to an aromatic group having a ring sharing two or more adjacent carbon atoms.

이하, 본 발명의 구성을 상세히 설명한다.Hereinafter, the configuration of the present invention will be described in detail.

< 양자점 >< Quantum dots >

본 발명에서, 양자점은 광원에 의해 자체 발광하며 가시광선 및 적외선 영역의 광을 발생시키기 위해 사용되는 것일 수 있다. 양자점은 수 나노 크기의 결정 구조를 가진 물질로, 수백에서 수천 개 정도의 원자로 구성되는 것일 수 있다. 원자가 분자를 이루고, 분자는 클러스터(cluster)라고 하는 작은 분자들의 집합체를 구성하여 나노 입자를 이루는데, 통상 이러한 나노 입자들이 특히 반도체의 특성을 띠고 있을 때 이를 양자점이라고 한다. 본 발명의 양자점은 이러한 개념에 부합하는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 물체가 나노 크기 이하로 작아지는 경우 그 물체의 에너지 밴드 갭(band gap)이 커지는 현상인 양자 구속 효과(quantum confinement effect)가 나타나며, 양자점이 외부에서 에너지를 받아 들뜬 상태에 이르면, 자체적으로 에너지 밴드 갭에 해당하는 에너지를 방출하며, 자발광할 수 있다.In the present invention, quantum dots may be used to emit light by a light source and generate light in the visible and infrared regions. A quantum dot is a material with a crystal structure of several nanometers, and may be composed of hundreds to thousands of atoms. Atoms form molecules, and molecules form aggregates of small molecules called clusters to form nanoparticles. Usually, when these nanoparticles have semiconductor characteristics, they are called quantum dots. The quantum dot of the present invention is not particularly limited as long as it conforms to this concept. When an object becomes smaller than nano size, the quantum confinement effect, which is a phenomenon in which the energy band gap of the object becomes larger, occurs. It emits energy corresponding to the gap and can emit light.

본 발명에 따른 양자점은 표면 상에 리간드 층을 가지며, 상기 리간드층이 하기 화학식 1 로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라 양자점 표면이 보호되어 산화안정성이 우수하여 양자효율의 저하가 방지됨에 따라 뛰어난 광특성을 나타내며, 신뢰성이 향상될 수 있다.The quantum dot according to the present invention has a ligand layer on the surface, and the ligand layer is characterized in that it comprises a compound represented by the following formula (1). Accordingly, the quantum dot surface is protected and excellent in oxidation stability to prevent a decrease in quantum efficiency, thereby exhibiting excellent optical properties and improving reliability.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00015
Figure pat00015

상기 화학식 1에서,In Formula 1,

A는

Figure pat00016
또는
Figure pat00017
이고,A is
Figure pat00016
or
Figure pat00017
ego,

R1 및 R2는, 각각 독립적으로, C6 내지 C16의 아릴렌기 또는 C5 내지 C16의 헤테로아릴렌기이며,R 1 and R 2 are each independently a C6 to C16 arylene group or a C5 to C16 heteroarylene group,

R3 및 R4는, 각각 독립적으로, C6 내지 C16의 아릴기 또는 C5 내지 C16의 헤테로아릴기이며,R 3 and R 4 are each independently a C6 to C16 aryl group or a C5 to C16 heteroaryl group,

Y는 C4 내지 C16의 접합된 고리형 방향족기이며,Y is a C4 to C16 fused cyclic aromatic group,

B는 직접결합,

Figure pat00018
,
Figure pat00019
,
Figure pat00020
,
Figure pat00021
,
Figure pat00022
,
Figure pat00023
,
Figure pat00024
또는
Figure pat00025
이며,B is a direct bond,
Figure pat00018
,
Figure pat00019
,
Figure pat00020
,
Figure pat00021
,
Figure pat00022
,
Figure pat00023
,
Figure pat00024
or
Figure pat00025
is,

C는 -(CH2)n1-, -(OCH2CH2)n2- 또는 -(CH2CH2O)n3- 이며,C is -(CH 2 ) n1 -, -(OCH 2 CH 2 ) n2 - or -(CH 2 CH 2 O) n3 -,

n1 내지 n3은, 각각 독립적으로, 0 내지 20의 정수이며,n1 to n3 are each independently an integer of 0 to 20,

F는 -COOH, -SH, -NH3,

Figure pat00026
,
Figure pat00027
또는
Figure pat00028
이며,F is -COOH, -SH, -NH 3 ,
Figure pat00026
,
Figure pat00027
or
Figure pat00028
is,

x 및 y는, 각각 독립적으로, 0 내지 4의 정수이다.x and y are each independently an integer of 0-4.

본 발명에 있어서, 상기 화학식 1에 x와 y의 합이 1이상일 수 있으며, 보다 바람직하게는 x 및 y의 합이 4이상일 수 있다. 이 경우, 경화성 모노머와의 상용성이 우수하여 분산성 양호하여 분산안정성이 뛰어난 양자점 분산액의 제공이 가능하다.In the present invention, the sum of x and y in Formula 1 may be 1 or more, and more preferably, the sum of x and y may be 4 or more. In this case, it is possible to provide a quantum dot dispersion having excellent dispersion stability due to excellent compatibility with the curable monomer and good dispersibility.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 1-9 중 어느 하나로 표시되는 화합물일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the compound represented by Formula 1 may be a compound represented by any one of Formulas 1-1 to 1-9 below.

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure pat00029
Figure pat00029

[화학식 1-2][Formula 1-2]

Figure pat00030
Figure pat00030

[화학식 1-3][Formula 1-3]

Figure pat00031
Figure pat00031

[화학식 1-4][Formula 1-4]

Figure pat00032
Figure pat00032

[화학식 1-5][Formula 1-5]

Figure pat00033
Figure pat00033

[화학식 1-6][Formula 1-6]

Figure pat00034
Figure pat00034

[화학식 1-7][Formula 1-7]

Figure pat00035
Figure pat00035

[화학식 1-8][Formula 1-8]

Figure pat00036
Figure pat00036

[화학식 1-9][Formula 1-9]

Figure pat00037
Figure pat00037

본 발명에서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 리간드로써 양자점의 표면에 배위 결합되어 양자점을 안정화시키는 역할을 수행할 수 있다.In the present invention, the compound represented by Formula 1 may be coordinated to the surface of the quantum dot as an organic ligand to serve to stabilize the quantum dot.

통상적으로 제조된 양자점은 표면 상에 리간드층을 갖는 것이 일반적이며, 제조 직후 리간드층은 올레익산(oleic acid), 라우르산(lauric acid), 2-(2-메톡시에톡시)아세트산, 2-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]아세트산, 숙신산 모노-[2-(2-메톡시-에톡시)-에틸]에스테르 등으로 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 리간드층으로 포함하는 본 발명의 양자점과 비교하여, 리간드층과 양자점간의 보다 약한 결합력으로 인해 양자점 표면의 비결합 결함에 의한 이유로 표면 보호 효과가 저하될 수 있다. 또한 올레익산의 경우 고휘발성 화합물(VOC; volatile organic compound)인 n-헥산과 같은 포화 탄화수소계 용제, 클로로포름, 벤젠과 같은 방향족계 용제에 잘 분산이 되나, PGMEA와 같은 용제나 모노머(광중합성 화합물)에 분산성이 불량하다.Generally, the prepared quantum dots generally have a ligand layer on the surface, and immediately after the preparation, the ligand layer is oleic acid, lauric acid, 2-(2-methoxyethoxy)acetic acid, 2 -[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]acetic acid, succinic acid mono-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethyl]ester, and the like. In this case, compared with the quantum dots of the present invention comprising the compound represented by Formula 1 as a ligand layer, the surface protection effect may be reduced due to non-binding defects on the surface of the quantum dots due to the weaker bonding force between the ligand layer and the quantum dots. have. In addition, in the case of oleic acid, it is well dispersed in saturated hydrocarbon solvents such as n-hexane, a highly volatile organic compound (VOC), and aromatic solvents such as chloroform and benzene, but solvents such as PGMEA or monomers (photopolymerizable compounds). ) has poor dispersibility.

본 발명에 따른 양자점은 리간드층에 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함함으로써, 양자점의 표면이 보호됨에 따라 종래의 양자점에 비해 우수한 산화 안정성을 나타낼 수 있을 뿐만 아니라, 모노머에서의 분산성이 매우 뛰어나 광 특성을 향상시키는 효과가 나타난다. The quantum dot according to the present invention includes the compound represented by Formula 1 in the ligand layer, so that the surface of the quantum dot is protected, so it can exhibit excellent oxidation stability compared to the conventional quantum dot, and has excellent dispersibility in the monomer. The effect of improving the optical characteristics appears.

또한, 본 발명의 양자점은 클로로포름 등의 방향족계 용제뿐만 아니라 PGMEA와 같은 용제에서도 우수한 분산성을 나타내어 QLED 소자 제조시 적용될 수 있다. In addition, the quantum dots of the present invention exhibit excellent dispersibility in not only aromatic solvents such as chloroform but also solvents such as PGMEA, and thus can be applied in the manufacture of QLED devices.

일부 실시예에 있어서, 본 발명에 따른 양자점은 리간드층에 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하면서, 올레익산(oleic acid), 라우르산(lauric acid), 2-(2-메톡시에톡시)아세트산, 2-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]아세트산, 숙신산 모노-[2-(2-메톡시-에톡시)-에틸]에스테르 등을 더 포함할 수 있다.In some embodiments, the quantum dots according to the present invention include the compound represented by Formula 1 in the ligand layer, oleic acid, lauric acid, 2-(2-methoxyethoxy) ) acetic acid, 2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]acetic acid, succinic acid mono-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethyl]ester, and the like may be further included.

상기 양자점은 광 또는 전기에 의한 자극으로 발광할 수 있는 양자점 입자라면 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, II-VI족 반도체 화합물; III-V족 반도체 화합물; IV-VI족 반도체 화합물; IV족 원소 또는 이를 포함하는 화합물; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.The quantum dot is not particularly limited as long as it is a quantum dot particle capable of emitting light by stimulation by light or electricity. For example, a group II-VI semiconductor compound; III-V semiconductor compounds; group IV-VI semiconductor compounds; Group IV element or a compound containing the same; And may be selected from the group consisting of a combination thereof, these may be used alone or in mixture of two or more.

예를 들면, 상기 II-VI족 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the II-VI semiconductor compound may include a binary compound selected from the group consisting of CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, and mixtures thereof; a triatomic compound selected from the group consisting of CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe and mixtures thereof; and CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, and mixtures thereof.

상기 III-V족 반도체 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The group III-V semiconductor compound may include a binary compound selected from the group consisting of GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, and mixtures thereof; a ternary compound selected from the group consisting of GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, and mixtures thereof; and GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, and mixtures thereof. The present invention is not limited thereto.

상기 IV-VI족 반도체 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상일 수 있으나, 역시 이에 한정되지 않는다.The group IV-VI semiconductor compound may include a binary compound selected from the group consisting of SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, and mixtures thereof; a ternary compound selected from the group consisting of SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, and mixtures thereof; And SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, and may be at least one selected from the group consisting of a quaternary compound selected from the group consisting of mixtures thereof, but is also not limited thereto.

상기 IV족 원소 또는 이를 포함하는 화합물은 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 원소; 및 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The group IV element or a compound containing the same may include an element selected from the group consisting of Si, Ge, and mixtures thereof; and SiC, SiGe, and a di-element compound selected from the group consisting of mixtures thereof, but is not limited thereto.

양자점은 균질한(homogeneous) 단일 구조; 코어-쉘(core-shell) 구조 및 그래디언트(gradient) 구조 등과 같은 이중 구조; 또는 이들의 혼합 구조일 수 있으며, 본 발명에서 양자점은 광에 의한 자극으로 발광할 수 있는 것이라면 그 종류를 특별히 한정하지 않는다.Quantum dots have a homogeneous single structure; dual structures such as core-shell structures and gradient structures; Or they may have a mixed structure, and the quantum dots in the present invention are not particularly limited as long as they can emit light by stimulation by light.

일 실시예에 따르면, 양자점은 코어-쉘 구조를 가지며, 상기 코어는 InP, InZnP, InGaP, CdSe, CdS, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdSeTe, CdZnS, CdSeS, PbSe, PbS, PbTe, AgInZnS, HgS, HgSe, HgTe, GaN, GaP, GaAs, InGaN, InAs 및 ZnO로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하고, 상기 쉘은 ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, CdS, CdSe, CdTe, CdO, InP, InS, GaP, GaN, GaO, InZnP, InGaP, InGaN, InZnSCdSe, PbS, TiO, SrSe 및 HgSe로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있으며, 바람직하게는, InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/ZnSeTe/ZnS 및 InP/MnSe/ZnS로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to an embodiment, the quantum dot has a core-shell structure, and the core includes InP, InZnP, InGaP, CdSe, CdS, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdSeTe, CdZnS, CdSeS, PbSe, PbS, PbTe, AgInZnS, At least one selected from the group consisting of HgS, HgSe, HgTe, GaN, GaP, GaAs, InGaN, InAs and ZnO, wherein the shell is ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, CdS, CdSe, CdTe, CdO, InP , InS, GaP, GaN, GaO, InZnP, InGaP, InGaN, InZnSCdSe, PbS, TiO, may include one or more selected from the group consisting of SrSe and HgSe, preferably, InP / ZnS, InP / ZnSe , InP/GaP/ZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/ZnSeTe/ZnS, and InP/MnSe/ZnS, may include at least one selected from the group consisting of, but is not limited thereto.

일반적으로 양자점은 습식화학공정(wet chemical process), 유기 금속 화학증착 공정(MOCVD, metal organic chemical vapor deposition) 또는 분자선 에피택시 공정(MBE, molecular beam epitaxy)에 의해 제조될 수 있다.In general, quantum dots may be manufactured by a wet chemical process, a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) process, or a molecular beam epitaxy (MBE) process.

본 발명에 따른 양자점은 습식화학공정에 의해 합성될 수 있다.The quantum dots according to the present invention may be synthesized by a wet chemical process.

상기 습식 화학 공정은 유기 용제에 전구체 물질을 넣어 입자들을 성장시키는 방법으로, 결정이 성장할 때 유기 용제가 자연스럽게 양자점 결정의 표면에 배위되어 분산제 역할을 하여 결정의 성장을 조절하게 되므로 유기금속 화학증착이나 분자선 에피택시와 같은 기상 증착법보다 더 쉽고 저렴한 공정을 통하여 양자점 입자의 크기 성장을 제어할 수 있다.The wet chemical process is a method of growing particles by putting a precursor material in an organic solvent. When the crystal grows, the organic solvent naturally coordinates on the surface of the quantum dot crystal and acts as a dispersant to control the growth of the crystal. It is possible to control the size growth of quantum dot particles through an easier and cheaper process than vapor deposition such as molecular beam epitaxy.

습식 화학 공정에 의해 양자점을 제조하는 경우 양자점의 응집을 방지하고 양자점의 입자 크기를 나노 수준으로 제어하기 위하여 유기 리간드가 사용된다. 이러한 유기 리간드로는 일반적으로 올레익산이 사용될 수 있다.In the case of producing quantum dots by a wet chemical process, an organic ligand is used to prevent aggregation of quantum dots and to control the particle size of quantum dots to a nano level. As such an organic ligand, oleic acid may be generally used.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 양자점의 제조 과정에서 사용된 올레익산은 리간드 교환방법을 통해 상기 화학식 1로 표시되는 화합물로 대체된다.In one embodiment of the present invention, the oleic acid used in the manufacturing process of the quantum dots is replaced with the compound represented by Formula 1 through the ligand exchange method.

상기 리간드 교환은 원래의 유기 리간드, 즉 올레익산을 갖는 양자점을 함유하는 분산체에, 교환하고자 하는 유기 리간드, 즉 화학식 1로 표시되는 화합물을 첨가하고 이를 상온 내지 200℃에서 30분 내지 3시간 동안 교반하여 화학식 1로 표시되는 화합물이 결합된 양자점을 수득함으로써 수행될 수 있다.The ligand exchange is an original organic ligand, that is, a dispersion containing quantum dots having oleic acid, an organic ligand to be exchanged, that is, a compound represented by Formula 1 is added, and this is added at room temperature to 200° C. for 30 minutes to 3 hours. It can be carried out by stirring to obtain a quantum dot to which the compound represented by Formula 1 is bound.

필요에 따라 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 결합된 양자점을 분리하고 정제하는 과정을 추가로 수행할 수도 있다.If necessary, a process of isolating and purifying the quantum dots to which the compound represented by Formula 1 is bound may be additionally performed.

본 발명의 일 실시형태에 따른 양자점은 상기한 바와 같이 상온에서 간단한 교반 처리 하에 유기 리간드 교환 방법에 의해 제조 가능하여 대량 생산이 가능한 이점이 있다.Quantum dots according to an embodiment of the present invention can be manufactured by an organic ligand exchange method under a simple stirring treatment at room temperature as described above, so there is an advantage that mass production is possible.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점은 15일 이후에도 초기 양자 효율 대비 약 85% 이상의 양자 효율을 유지할 수 있어 장기간 동안 안정적으로 보관이 가능하여 다양한 용도로 상용화가 가능하다.In addition, the quantum dot according to an embodiment of the present invention can maintain a quantum efficiency of about 85% or more compared to the initial quantum efficiency even after 15 days, so that it can be stably stored for a long period of time, so that it can be commercialized for various purposes.

< 양자점 분산체 >< Quantum Dot Dispersion >

본 발명의 일 실시 양태는 양자점 분산체에 관한 것이다. 본 발명에 따른 양자점 분산체는 상술한 양자점과, 모노머 및 용제로부터 선택된 1종 이상을 포함한다.One embodiment of the present invention relates to a quantum dot dispersion. The quantum dot dispersion according to the present invention includes at least one selected from the aforementioned quantum dots, monomers, and solvents.

양자점quantum dots

본 발명에 있어 상기 양자점은 상기 양자점 분산체 고형분 전체 100 중량부에 대하여 10 내지 95 중량부, 바람직하게는 20 내지 90 중량부, 더욱 바람직하게는 20 내지 80 중량부로 포함될 수 있다. 상기 양자점이 상기 범위 내로 포함되는 경우 발광특성이 우수한 양자점 광변환 조성물 또는 자발광 감광성 수지 조성물의 제공이 가능하다. 상기 양자점이 상기 함량범위 미만으로 포함될 경우 광특성이 저하될 수 있어 고품위의 표시장치의 구현이 어려울 수 있다. 또한 상기 함량범위를 초과할 경우 경화 또는 현상성을 구현하는 성분들이 부족하여 패턴 미형성 또는 도막의 경화도 부족에 의해 디스플레이 제조 후공정의 생산성 및 제품의 신뢰성을 저하시킬 수 있다. In the present invention, the quantum dots may be included in an amount of 10 to 95 parts by weight, preferably 20 to 90 parts by weight, more preferably 20 to 80 parts by weight based on 100 parts by weight of the total solid content of the quantum dot dispersion. When the quantum dots are included within the above range, it is possible to provide a quantum dot light conversion composition or a self-luminous photosensitive resin composition having excellent light emitting properties. When the quantum dots are included in less than the content range, optical characteristics may be deteriorated, and thus it may be difficult to implement a high-quality display device. In addition, when the content exceeds the above range, there are insufficient components for implementing curing or developability, and thus the productivity and product reliability of the post-production process of the display may be reduced due to lack of pattern formation or lack of curing degree of the coating film.

본 발명의 양자점 분산체에 포함되는 모노머는 상기 양자점을 분산시키기는 역할을 하는 분산용 경화성 모노머이다.The monomer contained in the quantum dot dispersion of the present invention is a curable monomer for dispersion that serves to disperse the quantum dots.

상기 모노머는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.The monomer may include a compound represented by Formula 2 below.

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00038
Figure pat00038

상기 화학식 2에서, In Formula 2,

R5는 C1-C20의 알킬렌기, C1-C20의 페닐렌기 또는 C3-C10의 사이클로알킬렌기이며, R6 및 R7은, 각각 독립적으로, 수소 또는 메틸기이고, m은 1 내지 15의 정수이다.R 5 is a C 1 -C 20 alkylene group, a C 1 -C 20 phenylene group or a C 3 -C 10 cycloalkylene group, R 6 and R 7 are each independently hydrogen or a methyl group, and m is It is an integer from 1 to 15.

본 명세서에서 사용되는 C3-C10의 사이클로알킬렌기는 탄소수 3 내지 10개로 구성된 단순 또는 융합 고리형 2가 탄화수소를 의미하며, 예를 들어 사이클로프로필렌, 사이클로부틸렌, 사이클로펜틸렌, 사이클로헥실렌 등이 포함되나 이에 한정되는 것은 아니다.As used herein, a C 3 -C 10 cycloalkylene group refers to a simple or fused cyclic divalent hydrocarbon having 3 to 10 carbon atoms, for example, cyclopropylene, cyclobutylene, cyclopentylene, cyclohexylene. and the like, but are not limited thereto.

상기 C1-C20의 알킬렌기, C1-C20의 페닐렌기 및 C3-C10의 사이클로알킬렌기는 한 개 또는 그 이상의 수소가 C1-C6의 알킬기, C2-C6의 알케닐기, C2-C6의 알키닐기, C3-C10의 사이클로알킬기, C3-C10의 헤테로사이클로알킬기, C3-C10의 헤테로사이클로알킬옥시기, C1-C6의 할로알킬기, C1-C6의 알콕시기, C1-C6의 티오알콕시기, 아릴기, 아실기, 히드록시, 티오(thio), 할로겐, 아미노, 알콕시카르보닐, 카르복시, 카바모일, 시아노, 니트로 등으로 치환될 수 있다.In the C 1 -C 20 alkylene group, C 1 -C 20 phenylene group and C 3 -C 10 cycloalkylene group, one or more hydrogens are C 1 -C 6 alkyl group, C 2 -C 6 Alkenyl group, C 2 -C 6 Alkynyl group, C 3 -C 10 Cycloalkyl group, C 3 -C 10 Heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 Heterocycloalkyloxy group, C 1 -C 6 Halo Alkyl group, C 1 -C 6 Alkoxy group, C 1 -C 6 Thioalkoxy group, aryl group, acyl group, hydroxy, thio, halogen, amino, alkoxycarbonyl, carboxy, carbamoyl, cyano group , nitro, etc. may be substituted.

예를 들면, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물로는 1,6-헥산디올 디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 2-하이드록시-3-메타크릴프로필아크릴레이트, 1,9-비스아크릴로일옥시노난, 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. For example, as the compound represented by Formula 2, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, 2-hydroxy-3-methacrylpropyl acrylate, 1,9-bisacryloyl oxide cynonane, tripropylene glycol diacrylate, and the like, but is not limited thereto.

본 발명에서, 양자점 분산체에 포함되는 모노머는 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 1종 이상 포함할 수 있다.In the present invention, the monomer included in the quantum dot dispersion may include at least one compound represented by Formula 2 above.

상기 화학식 2로 표시되는 화합물은, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 리간드층으로 갖는 본 발명의 양자점과 함께 사용될 경우 상기 리간드와의 상용성이 우수하여 양자점의 분산성을 더욱 향상시킬 수 있다.When the compound represented by Formula 2 is used together with the quantum dot of the present invention having the compound represented by Formula 1 as a ligand layer, it has excellent compatibility with the ligand, thereby further improving dispersibility of the quantum dot.

본 발명의 양자점 분산체는, 필요에 따라, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 외에도 분산용 모노머로써 단관능 단량체, 2관능 단량체, 그 밖의 다관능 단량체 등을 더 포함할 수 있으며, 이 중에서 바람직하게는 2관능 이상의 단량체를 사용할 수 있다. The quantum dot dispersion of the present invention may further include a monofunctional monomer, a bifunctional monomer, and other polyfunctional monomers as a dispersion monomer in addition to the compound represented by Formula 2, if necessary, among which, preferably A difunctional or higher functional monomer may be used.

상기 단관능 단량체의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 노닐페닐카르비톨아크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트, 2-에틸헥실카르비톨아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트 등을 들 수 있다.The type of the monofunctional monomer is not particularly limited, and for example, nonylphenyl carbitol acrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate, 2-ethylhexyl carbitol acrylate, and 2-hydroxyethyl acryl rate etc. are mentioned.

상기 2관능 단량체의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 1,4-부탄디올디(메타)아크리레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 비스페놀 A의 비스(아크릴로일옥시에틸)에테르, 3-메틸펜탄디올디(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.The type of the bifunctional monomer is not particularly limited, and for example, 1,4-butanediol di(meth)acrylate, 1,6-hexanediol di(meth)acrylate, ethylene glycol di(meth)acrylate , neopentyl glycol di(meth)acrylate, triethylene glycol di(meth)acrylate, bis(acryloyloxyethyl)ether of bisphenol A, 3-methylpentanediol di(meth)acrylate, etc. are mentioned. .

상기 다관능 단량체의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 톡실레이티드트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 프로폭실레이티드트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트, 에톡실레이티드디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 프로폭실레이티드디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.The type of the polyfunctional monomer is not particularly limited, and for example, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, oxylated trimethylolpropane tri(meth)acrylate, propoxylated trimethylolpropane tri(meth) Acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, ethoxylated dipentaerythritol hexa ( Meth)acrylate, propoxylated dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, etc. are mentioned.

상기 분산용 모노머는 양자점 전체 분산체 중 고형분 100 중량부에 대하여 10 내지 90 중량부로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 20 내지 80 중량부로 포함될 수 있으며, 보다 바람직하게 30 내지 70 중량부인 것이 좋다.The dispersion monomer may be included in an amount of 10 to 90 parts by weight, preferably 20 to 80 parts by weight, and more preferably 30 to 70 parts by weight based on 100 parts by weight of the solid content of the total quantum dot dispersion.

상술한 함Žc범위 미만이면 분산특성이 저하 또는 분산액의 고점도화로 코팅 또는 젯팅 특성이 악화 될 수 있으며, 이와 반대로 상기 범위를 초과하는 경우 양자점의 광원 흡수율이 부족하여 색재현성의 저하 및 발광효율의 성능저하로 광학특성이 저하될 수 있다.If it is less than the above-mentioned c range, the dispersion properties may be deteriorated or the coating or jetting properties may be deteriorated due to the high viscosity of the dispersion. The optical properties may be degraded due to performance degradation.

본 발명에 따른 양자점은 용제를 사용하여 분산시킬 수 있다. The quantum dots according to the present invention can be dispersed using a solvent.

상기 용제로서는, 예를 들면, 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르 등의 알킬렌글리콜 모노알킬에테르류; 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디프로필에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르 등의 디에틸렌글리콜디알킬에테르류; 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 모노프로필에테르아세테이트, 메톡시부틸아세테이트, 펜틸아세테이트(n-Pentyl acetate), 클로로포름, 페닐-아세트산 에틸 에스테르, 3-페닐-프로피온산 메틸 에스테르, 3-페닐-프로피온산 에틸 에스테르, 4-페닐-부티르산 에틸 에스테르, 5-페닐-펜타노산 에틸 에스테르, 6-페닐-헥사노산 에틸 에스테르, 4-페닐-부티르산 프로필 에스테르, 4-(4-클로로-페닐)-부티르산 에틸 에스테르, 4-(3,4-디클로로-페닐)-부티르산 에틸 에스테르, 3-사이클로펜타-1,3-디에닐-프로피온산 메틸 에스테르, 4-사이클로펜타-1,3-디에닐-부티르산 에틸 에스테르, 5-사이클로펜타-1,3-디에닐-펜타노산 에틸 에스테르, 6-사이클로펜타-1,3-디에닐-헥사노산 에틸 에스테르, 4-사이클로펜타-1,3-디에닐-부티르산 프로필 에스테르, 3-퓨란-2-일-프로피온산 메틸 에스테르, 4-퓨란-2-일-부티르산 에틸 에스테르, 5-퓨란-2-일-펜타노산 에틸 에스테르, 6-퓨란-2-일-헥사노산 에틸 에스테르, 4-퓨란-2-일-부티르산 프로필 에스테르, 퓨란-2-카르복실산 프로필 에스테르, 퓨란-2-카르복실산 부틸 에스테르, 3-사이클로펜틸-프로피온산 메틸 에스테르, 4-사이클로펜틸-부티르산 에틸 에스테르, 5-사이클로펜틸-펜타노산 에틸 에스테르, 6-사이클로펜틸-헥사노산 에틸 에스테르, 4-사이클로펜틸-부티르산 프로필 에스테르, 사이클로펜탄카르복실산 이소부틸 에스테르, 사이클로펜탄카르복실산 펜틸 에스테르, 3-(테트라하이드로-퓨란-3-일)-프로피온산 메틸 에스테르, 4-(테트라하이드로-퓨란-3-일)-부티르산 에틸 에스테르, 5-(테트라하이드로-퓨란-3-일)-펜타노산 에틸 에스테르, 6-(테트라하이드로-퓨란-3-일)-헥사노산 에틸 에스테르, 4-(테트라하이드로-퓨란-3-일)-부티르산 프로필 에스테르, 테트라하이드로-퓨란-3-카르복실산 프로필 에스테르, 테트라하이드로-퓨란-3-카르복실산 부틸 에스테르, 3-(테트라하이드로-퓨란-2-일)-프로피온산 메틸 에스테르, 4-(테트라하이드로-퓨란-2-일)-부티르산 에틸 에스테르, 5-(테트라하이드로-퓨란-2-일)-펜타노산 에틸 에스테르, 6-(테트라하이드로-퓨란-2-일)-헥사노산 에틸 에스테르, 4-(테트라하이드로-퓨란-2-일)-부티르산 프로필 에스테르, 테트라하이드로-퓨란-2-카르복실산 2-에틸-헥실 에스테르, 사이클로헥실-아세트산 에틸 에스테르, 3-사이클로헥실-프로피온산 메틸 에스테르, 4-사이클로헥실-부티르산 에틸 에스테르, 5-사이클로헥실-펜타노산 에틸 에스테르, 6-사이클로헥실-헥사노산 에틸 에스테르, 4-사이클로헥실-부티르산 프로필 에스테르, 사이클로헥산카르복실산 프로필 에스테르, 사이클로헥산카르복실산 헥실 에스테르, 사이클로헥실-아세트산 알릴 에스테르, 3-(테트라하이드로-피란-2-일)-프로피온산 메틸 에스테르, 4-(테트라하이드로-피란-2-일)-부티르산 에틸 에스테르, 5-(테트라하이드로-피란-2-일)-펜타노산 에틸 에스테르, 6-(테트라하이드로-피란-2-일)-헥사노산 에틸 에스테르, 4-(테트라하이드로-피란-2-일)-부티르산 프로필 에스테르, 테트라하이드로-피란-2-카르복실산 프로필 에스테르, 테트라하이드로-피란-2-카르복실산 부틸 에스테르, 3-(테트라하이드로-피란-3-일)-프로피온산 메틸 에스테르, 4-(테트라하이드로-피란-3-일)-부티르산 에틸 에스테르, 5-(테트라하이드로-피란-2-일)-펜타노산 에틸 에스테르, 6-(테트라하이드로-피란-3-일)-헥사노산 에틸 에스테르, 4-(테트라하이드로-피란-3-일)-부티르산 프로필 에스테르, 테트라하이드로-피란-3-카르복실산 이소부틸 에스테르, 테트라하이드로-피란-3-카르복실산 펜틸 에스테르, 3-(테트라하이드로-피란-4-일)-프로피온산 메틸 에스테르, 4-(테트라하이드로-피란-4-일)-부티르산 에틸 에스테르, 5-(테트라하이드로-피란-4-일)-펜타노산 에틸 에스테르, 6-(테트라하이드로-피란-4-일)-헥사노산 에틸 에스테르, 4-(테트라하이드로-피란-4-일)-부티르산 프로필 에스테르, 테트라하이드로-피란-4-카르복실산 부틸 에스테르, 테트라하이드로-피란-4-카르복실산 프로필 에스테르 등을 예로 들 수 있다.As said solvent, For example, alkylene glycol monoalkyl ethers, such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, and ethylene glycol monobutyl ether; diethylene glycol dialkyl ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dipropyl ether, and diethylene glycol dibutyl ether; Methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, methoxybutyl acetate, pentyl acetate (n-Pentyl acetate), chloroform, phenyl -Acetic acid ethyl ester, 3-phenyl-propionic acid methyl ester, 3-phenyl-propionic acid ethyl ester, 4-phenyl-butyric acid ethyl ester, 5-phenyl-pentanoic acid ethyl ester, 6-phenyl-hexanoic acid ethyl ester, 4-phenyl -Butyric acid propyl ester, 4-(4-chloro-phenyl)-butyric acid ethyl ester, 4-(3,4-dichloro-phenyl)-butyric acid ethyl ester, 3-cyclopenta-1,3-dienyl-propionic acid methyl ester , 4-cyclopenta-1,3-dienyl-butyric acid ethyl ester, 5-cyclopenta-1,3-dienyl-pentanoic acid ethyl ester, 6-cyclopenta-1,3-dienyl-hexanoic acid ethyl ester , 4-Cyclopenta-1,3-dienyl-butyric acid propyl ester, 3-furan-2-yl-propionic acid methyl ester, 4-furan-2-yl-butyric acid ethyl ester, 5-furan-2-yl-penta Noic acid ethyl ester, 6-furan-2-yl-hexanoic acid ethyl ester, 4-furan-2-yl-butyric acid propyl ester, furan-2-carboxylic acid propyl ester, furan-2-carboxylic acid butyl ester, 3 -Cyclopentyl-propionic acid methyl ester, 4-cyclopentyl-butyric acid ethyl ester, 5-cyclopentyl-pentanoic acid ethyl ester, 6-cyclopentyl-hexanoic acid ethyl ester, 4-cyclopentyl-butyric acid propyl ester, cyclopentanecarboxyl Acid isobutyl ester, cyclopentanecarboxylic acid pentyl ester, 3-(tetrahydro-furan-3-yl)-propionic acid methyl ester, 4-(tetrahydro-furan-3-yl)-butyric acid ethyl ester, 5-( Tetrahydro-furan-3-yl)-pentanoic acid ethyl ester, 6-(tetrahydro-furan-3-yl)-hexanoic acid ethyl ester, 4-(tetrahydro-furan-3-yl)-butyric acid propyl ester, Tetrahydro-furan-3-carboxylic acid propyl ester , Tetrahydro-furan-3-carboxylic acid butyl ester, 3-(tetrahydro-furan-2-yl)-propionic acid methyl ester, 4-(tetrahydro-furan-2-yl)-butyric acid ethyl ester, 5- (Tetrahydro-furan-2-yl)-pentanoic acid ethyl ester, 6-(tetrahydro-furan-2-yl)-hexanoic acid ethyl ester, 4-(tetrahydro-furan-2-yl)-butyric acid propyl ester , Tetrahydro-furan-2-carboxylic acid 2-ethyl-hexyl ester, cyclohexyl-acetic acid ethyl ester, 3-cyclohexyl-propionic acid methyl ester, 4-cyclohexyl-butyric acid ethyl ester, 5-cyclohexyl-pentanoic acid Ethyl ester, 6-cyclohexyl-hexanoic acid ethyl ester, 4-cyclohexyl-butyric acid propyl ester, cyclohexanecarboxylic acid propyl ester, cyclohexanecarboxylic acid hexyl ester, cyclohexyl-acetic acid allyl ester, 3-(tetrahydro -Pyran-2-yl)-propionic acid methyl ester, 4-(tetrahydro-pyran-2-yl)-butyric acid ethyl ester, 5-(tetrahydro-pyran-2-yl)-pentanoic acid ethyl ester, 6-( Tetrahydro-pyran-2-yl)-hexanoic acid ethyl ester, 4-(tetrahydro-pyran-2-yl)-butyric acid propyl ester, tetrahydro-pyran-2-carboxylic acid propyl ester, tetrahydro-pyran- 2-Carboxylic acid butyl ester, 3-(tetrahydro-pyran-3-yl)-propionic acid methyl ester, 4-(tetrahydro-pyran-3-yl)-butyric acid ethyl ester, 5-(tetrahydro-pyran- 2-yl)-Pentanoic acid ethyl ester, 6-(tetrahydro-pyran-3-yl)-hexanoic acid ethyl ester, 4-(tetrahydro-pyran-3-yl)-butyric acid propyl ester, tetrahydro-pyran- 3-carboxylic acid isobutyl ester, tetrahydro-pyran-3-carboxylic acid pentyl ester, 3-(tetrahydro-pyran-4-yl)-propionic acid methyl ester, 4-(tetrahydro-pyran-4-yl )-Butyric acid ethyl ester, 5-(tetrahydro-pyran-4-yl)-pentanoic acid ethyl ester, 6-(tetrahydro-pyran-4-yl)- hexanoic acid ethyl ester, 4-(tetrahydro-pyran-4-yl)-butyric acid propyl ester, tetrahydro-pyran-4-carboxylic acid butyl ester, tetrahydro-pyran-4-carboxylic acid propyl ester, etc. can be heard

또한, 아세트산 벤질 에스테르, 프로피온산 페네틸 에스테르, 프로피온산 3-페닐-프로필 에스테르, 프로피온산 4-페닐-부틸 에스테르, 부티르산 페네틸 에스테르, 프로피온산 2-(4-클로로-페닐)-에틸 에스테르, 프로피온산 2-(3,4-디클로로-페닐)-에틸 에스테르, 아세트산 사이클로펜타-1,3-디에닐메틸 에스테르, 프로피온산 2-사이클로펜타-1,3-디에닐-에틸 에스테르, 프로피온산 3-사이클로펜타-1,3-디에닐-프로필 에스테르, 프로피온산 4-사이클로펜타-1,3-디에닐-부틸 에스테르, 부티르산 2-사이클로펜타-1,3-디에닐-에틸 에스테르, 아세트산 퓨란-2-일메틸 에스테르, 프로피온산 2-퓨란-2-일-에틸 에스테르, 프로피온산 3-퓨란-2-일-프로필 에스테르, 프로피온산 4-퓨란-2-일-부틸 에스테르, 부티르산 2-퓨란-2-일-에틸 에스테르, 아세트산 사이클로펜틸메틸 에스테르, 프로피온산 2-사이클로펜틸-에틸 에스테르, 프로피온산 3-사이클로펜틸-프로필 에스테르, 프로피온산 4-사이클로펜틸-부틸 에스테르, 부티르산 2-사이클로펜틸-에틸 에스테르, 아세트산 테트라하이드로-퓨란-3-일메틸 에스테르, 프로피온산 2-(테트라하이드로-퓨란-3-일)-에틸 에스테르, 프로피온산 3-(테트라하이드로-퓨란-3-일)-프로필 에스테르, 프로피온산 4-(테트라하이드로-퓨란-3-일)-부틸 에스테르, 부티르산 2-(테트라하이드로-퓨란-3-일)-에틸 에스테르, 아세트산 테트라하이드로-퓨란-2-일메틸 에스테르, 프로피온산 2-(테트라하이드로-퓨란-2-일)-에틸 에스테르, 프로피온산 3-(테트라하이드로-퓨란-2-일)-프로필 에스테르, 프로피온산 4-(테트라하이드로-퓨란-2-일)-부틸 에스테르, 부티르산 2-(테트라하이드로-퓨란-2-일)-에틸 에스테르, 아세트산 사이클로헥실메틸 에스테르, 프로피온산 2-사이클로헥실-에틸 에스테르, 프로피온산 3-사이클로헥실-프로필 에스테르, 프로피온산 4-사이클로헥실-부틸 에스테르, 부티르산 2-사이클로헥실-에틸 에스테르, 부트-3-에노산 사이클로헥실메틸 에스테르, 아세트산 테트라하이드로-피란-2-일메틸 에스테르, 프로피온산 2-(테트라하이드로-피란-2-일)-에틸 에스테르, 프로피온산 3-(테트라하이드로-피란-2-일)-프로필 에스테르, 프로피온산 4-(테트라하이드로-피란-2-일)-부틸 에스테르, 부티르산 2-(테트라하이드로-피란-2-일)-에틸 에스테르, 아세트산 테트라하이드로-피란-3-일메틸 에스테르, 프로피온산 2-(테트라하이드로-피란-3-일)-에틸 에스테르, 프로피온산 3-(테트라하이드로-피란-2-일)-프로필 에스테르, 프로피온산 4-(테트라하이드로-피란-3-일)-부틸 에스테르, 부티르산 2-(테트라하이드로-피란-3-일)-에틸 에스테르, 아세트산 테트라하이드로-피란-4-일메틸 에스테르, 프로피온산 2-(테트라하이드로-피란-4-일)-에틸 에스테르, 프로피온산 3-(테트라하이드로-피란-4-일)-프로필 에스테르, 프로피온산 4-(테트라하이드로-피란-4-일)-부틸 에스테르, 부티르산 2-(테트라하이드로-피란-4-일)-에틸 에스테르 등을 들 수 있다. 본 발명에서 용제는 단독으로 사용될 수도 있고, 또는 상술한 모노머와 혼합하여 사용될 수 있다.Also, benzyl acetate ester, propionic acid phenethyl ester, propionic acid 3-phenyl-propyl ester, propionic acid 4-phenyl-butyl ester, butyric acid phenethyl ester, propionic acid 2-(4-chloro-phenyl)-ethyl ester, propionic acid 2-( 3,4-Dichloro-phenyl)-ethyl ester, acetic acid cyclopenta-1,3-dienylmethyl ester, propionic acid 2-cyclopenta-1,3-dienyl-ethyl ester, propionic acid 3-cyclopenta-1,3 -dienyl-propyl ester, propionic acid 4-cyclopenta-1,3-dienyl-butyl ester, butyric acid 2-cyclopenta-1,3-dienyl-ethyl ester, acetic acid furan-2-ylmethyl ester, propionic acid 2 -furan-2-yl-ethyl ester, propionic acid 3-furan-2-yl-propyl ester, propionic acid 4-furan-2-yl-butyl ester, butyric acid 2-furan-2-yl-ethyl ester, acetic acid cyclopentylmethyl Ester, propionic acid 2-cyclopentyl-ethyl ester, propionic acid 3-cyclopentyl-propyl ester, propionic acid 4-cyclopentyl-butyl ester, butyric acid 2-cyclopentyl-ethyl ester, acetic acid tetrahydro-furan-3-ylmethyl ester, Propionic acid 2-(tetrahydro-furan-3-yl)-ethyl ester, propionic acid 3-(tetrahydro-furan-3-yl)-propyl ester, propionic acid 4-(tetrahydro-furan-3-yl)-butyl ester , Butyric acid 2-(tetrahydro-furan-3-yl)-ethyl ester, acetic acid tetrahydro-furan-2-ylmethyl ester, propionic acid 2-(tetrahydro-furan-2-yl)-ethyl ester, propionic acid 3- (Tetrahydro-furan-2-yl)-propyl ester, propionic acid 4-(tetrahydro-furan-2-yl)-butyl ester, butyric acid 2-(tetrahydro-furan-2-yl)-ethyl ester, acetic acid cyclo Hexylmethyl ester, propionic acid 2-cyclohexyl-ethyl ester, propionic acid 3-cyclohexyl-propyl ester, propionic acid 4-cyclohexyl-butyl ester, butyric acid 2-cyclohexyl-ethyl ester, but-3-enoic acid cyclohexylmethyl ester Ster, Acetic acid tetrahydro-pyran-2-ylmethyl ester, propionic acid 2-(tetrahydro-pyran-2-yl)-ethyl ester, propionic acid 3-(tetrahydro-pyran-2-yl)-propyl ester, propionic acid 4-(Tetrahydro-pyran-2-yl)-butyl ester, butyric acid 2-(tetrahydro-pyran-2-yl)-ethyl ester, acetic acid tetrahydro-pyran-3-ylmethyl ester, propionic acid 2-(tetra Hydro-pyran-3-yl)-ethyl ester, propionic acid 3-(tetrahydro-pyran-2-yl)-propyl ester, propionic acid 4-(tetrahydro-pyran-3-yl)-butyl ester, butyric acid 2-( Tetrahydro-pyran-3-yl)-ethyl ester, acetic acid tetrahydro-pyran-4-ylmethyl ester, propionic acid 2-(tetrahydro-pyran-4-yl)-ethyl ester, propionic acid 3-(tetrahydro-pyran) -4-yl)-propyl ester, propionic acid 4-(tetrahydro-pyran-4-yl)-butyl ester, butyric acid 2-(tetrahydro-pyran-4-yl)-ethyl ester, and the like. In the present invention, the solvent may be used alone or may be used in combination with the above-mentioned monomers.

상기 용제는 양자점 분산체에 전체 100중량부에 있어 10 내지 90 중량부, 바람직하게는 20 내지 80 중량부로 포함될 수 있으며, 또는 용제를 포함하지 않는 무용제형일 수 있다. 용제가 상기 범위 미만으로 포함되는 경우 분산특성이 저하되어 이물에 의한 성막특성이 저하 및 발광특성이 악화될 수 있으며, 상기 범위 이상으로 포함되는 경우 발광 세기의 부족 및 광원의 빛샘으로 인해 디스플레이의 색영역의 저하가 발생될 수 있으므로, 상기 범위를 만족하는 것이 바람직하다.The solvent may be included in an amount of 10 to 90 parts by weight, preferably 20 to 80 parts by weight, based on 100 parts by weight of the quantum dot dispersion, or a solvent-free type that does not contain a solvent. When the solvent is included in less than the above range, the dispersion characteristic is lowered, and the film formation characteristic by foreign substances may be deteriorated and the luminescent characteristic may be deteriorated. Since a decrease in the area may occur, it is preferable to satisfy the above range.

상기 양자점(QD) 분산체에 있어서, 양자점은 모노머 또는 용제 중 어느 하나의 단독 성분으로 분산시킬 수 있고, 또는 모노머와 용제를 혼합하여 이를 통해 상기 양자점을 분산시킴으로써 양자점(QD) 분산체를 제조할 수 있다. In the quantum dot (QD) dispersion, quantum dots can be dispersed as a single component of either a monomer or a solvent, or a quantum dot (QD) dispersion can be prepared by mixing a monomer and a solvent and dispersing the quantum dots through this. can

본 발명에서, 용제와 모노머를 혼합하여 사용할 경우 용제와 모노머의 전체 중량비에 대하여 용제는 0.1 내지 100 중량부로 포함될 수 있다. 보다 바람직하게는 20 내지 80 중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위 내로 포함될 경우 분산성 및 점도 안정성이 향상되어 보관안정성이 우수하고 성막특성이 뛰어나 생산성이 향상될 수 있으며, 우수한 색영역과 휘도로 고품위의 자발광 디스플레이의 제공이 가능할 수 있다.In the present invention, when a solvent and a monomer are mixed and used, the solvent may be included in an amount of 0.1 to 100 parts by weight based on the total weight ratio of the solvent and the monomer. More preferably, it may be included in an amount of 20 to 80 parts by weight. When included within the above range, dispersibility and viscosity stability are improved, so that storage stability is excellent, film-forming properties are excellent, so productivity can be improved, and a high-quality self-luminous display with excellent color gamut and luminance can be provided.

<광변환 잉크 조성물><Light Conversion Ink Composition>

본 발명의 광변환 잉크 조성물은 상술한 양자점 분산체를 포함한다.The light conversion ink composition of the present invention includes the quantum dot dispersion described above.

또한, 산란입자, 광중합성 화합물, 광중합 개시제로부터 선택된 1종 이상을 더 포함할 수 있으며, 필요에 따라, 본 기술분야에서 알려진 첨가제와 같은 구성 성분을 더 포함할 수도 있다.In addition, it may further include one or more selected from scattering particles, a photopolymerizable compound, and a photopolymerization initiator, and, if necessary, may further include constituents such as additives known in the art.

또한, 본 발명의 광변환 잉크 조성물은 상술한 양자점 분산체를 포함함에 따라 용제를 포함하지 않아도 점도 특성이 우수하여 잉크젯 공정에 적합하게 사용되나, 필요에 따라서 10ppm 내지 9000ppm의 용제를 더 포함할 수 있다. 이때 광변환 잉크 조성물에 포함되는 용제는 본 기술분야에서 사용될 수 있는 것이라면 본 발명이 목적하는 범위 내에서 특별한 제한 없이 사용할 수 있다.In addition, as the light conversion ink composition of the present invention includes the quantum dot dispersion described above, it has excellent viscosity properties even without including a solvent, so it is suitably used for an inkjet process, but may further include a solvent of 10 ppm to 9000 ppm if necessary. have. In this case, the solvent included in the light conversion ink composition may be used without any particular limitation within the scope of the present invention as long as it can be used in the art.

이하, 본 발명의 광변환 잉크 조성물에 포함되는 각 성분에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, each component included in the light conversion ink composition of the present invention will be described in detail.

양자점 분산체quantum dot dispersion

본 발명의 광변환 잉크 조성물에 포함되는 양자점 분산체는 상술한 양자점 분산체가 그대로 적용된다.The quantum dot dispersion included in the light conversion ink composition of the present invention is applied as it is.

본 발명의 광변환 잉크 조성물에 양자점 분산체가 포함되면, 광변환 잉크 조성물 제조시에 아웃가스 발생량을 저감시킬 수 있으며, 제조된 광변환 잉크 조성물이 원하는 점도 특성을 나타내면서, 우수한 광발광 특성을 나타낼 수 있다. 이러한 측면에서, 본 발명의 광변환 잉크 조성물에 양자점 분산체가 전체 광변환 잉크 조성물에 대하여 10 내지 90 중량%, 바람직하게는 20 내지 80 중량%로 포함되는 것이 바람직하다.When the quantum dot dispersion is included in the light conversion ink composition of the present invention, it is possible to reduce the amount of outgas generated during the manufacture of the light conversion ink composition, and the prepared light conversion ink composition exhibits desired viscosity characteristics and excellent photoluminescence properties. have. In this aspect, the quantum dot dispersion in the light conversion ink composition of the present invention is preferably included in an amount of 10 to 90 wt%, preferably 20 to 80 wt%, based on the total light conversion ink composition.

산란입자scattering particles

본 발명에 따른 광변환 잉크 조성물은 산란입자를 포함할 수 있다. The light conversion ink composition according to the present invention may include scattering particles.

상기 산란입자는 통상의 무기 재료를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 평균입경이 30 내지 1000 nm인 금속산화물을 포함할 수 있다.The scattering particles may use a conventional inorganic material, and preferably may include a metal oxide having an average particle diameter of 30 to 1000 nm.

상기 금속산화물은 Li, Be, B, Na, Mg, Al, Si, K, Ca, Sc, V, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Rb, Sr, Y, Mo, Cs, Ba, La, Hf, W, Tl, Pb, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Ti, Sb, Sn, Zr, Nb, Ce, Ta, In 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 금속을 포함하는 산화물일 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.The metal oxide is Li, Be, B, Na, Mg, Al, Si, K, Ca, Sc, V, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Rb, Sr, Y, Mo, Cs, Ba, La, Hf, W, Tl, Pb, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Ti, Sb, Sn, Zr, Nb, It may be an oxide including one type of metal selected from the group consisting of Ce, Ta, In, and combinations thereof, but is not limited thereto.

구체적으로 Al2O3, SiO2, ZnO, ZrO2, BaTiO3, TiO2, Ta2O5, Ti3O5, ITO, IZO, ATO, ZnO-Al, Nb2O3, SnO, MgO 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종이 가능하다. 필요한 경우 아크릴레이트 등의 불포화 결합을 갖는 화합물로 표면 처리된 재질도 사용 가능하다.Specifically, Al 2 O 3 , SiO 2 , ZnO, ZrO 2 , BaTiO 3 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , Ti 3 O 5 , ITO, IZO, ATO, ZnO-Al, Nb 2 O 3 , SnO, MgO and One selected from the group consisting of combinations thereof is possible. If necessary, a material surface-treated with a compound having an unsaturated bond such as acrylate may be used.

본 발명에 따른 광변환 잉크 조성물은 산란입자를 포함할 경우 상기 산란입자를 통해 양자점에서 자발적으로 방출된 빛의 경로를 증가시켜 컬러필터 또는 광변환 적층기재에서의 전체적인 광효율을 높일 수 있어 바람직하다.When the light conversion ink composition according to the present invention includes scattering particles, it is preferable to increase the path of light spontaneously emitted from the quantum dots through the scattering particles, thereby increasing the overall light efficiency in the color filter or the light conversion laminated substrate.

바람직하기로, 산란입자는 30 내지 1000 nm의 평균입경을 가질 수 있으며, 바람직하기로 100 내지 500 nm 범위인 것을 사용한다. 이때 입자 크기가 너무 작으면 양자점으로부터 방출된 빛의 충분한 산란 효과를 기대할 수없고, 이와 반대로 너무 큰 경우에는 조성물 내에 가라 앉거나 균일한 품질의 자발광층 표면을 얻을 수 없으므로, 상기 범위 내에서 적절히 조절하여 사용한다.Preferably, the scattering particles may have an average particle diameter of 30 to 1000 nm, preferably 100 to 500 nm. At this time, if the particle size is too small, a sufficient scattering effect of the light emitted from the quantum dots cannot be expected. use it

상기 산란입자는 상기 전체 광변환 잉크 조성물 전체 100 중량부에 대하여 0.1 내지 50 중량부, 바람직하게는 0.5 내지 30 중량부로 사용할 수 있다. 상기 산란입자가 상기 범위 내로 포함될 경우 발광 세기 증가 효과가 극대화될 수 있어 바람직하다. 상기 산란입자가 상기 범위 미만으로 포함될 경우 얻고자 하는 발광 세기의 확보가 다소 어려울 수 있고, 상기 범위를 초과할 경우 더 이상의 발광 세기 증가 효과가 미비할 뿐만 아니라 조성물의 안정성 저하 문제가 발생할 수 있으므로, 상기 범위 내에서 적절하게 사용하는 것이 바람직하다.The scattering particles may be used in an amount of 0.1 to 50 parts by weight, preferably 0.5 to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total light conversion ink composition. When the scattering particles are included within the above range, the effect of increasing the luminescence intensity can be maximized, which is preferable. When the scattering particles are included in less than the above range, it may be somewhat difficult to secure the desired luminescence intensity, and when it exceeds the above range, not only the effect of increasing the luminescence intensity is insufficient, but also the stability of the composition may be deteriorated, It is preferable to use it appropriately within the above range.

광중합성 화합물photopolymerizable compound

본 발명에서의 광중합성 화합물은 광 및 후술하는 광중합 개시제의 작용으로 중합할 수 있는 화합물이다.The photopolymerizable compound in the present invention is a compound capable of polymerization by the action of light and a photopolymerization initiator described later.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 광중합성 화합물은 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the photopolymerizable compound may include a compound represented by the formula (2).

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00039
Figure pat00039

상기 화학식 2에서, In Formula 2,

R5는 C1-C20의 알킬렌기, C1-C20의 페닐렌기 또는 C3-C10의 사이클로알킬렌기이며, R6 및 R7은, 각각 독립적으로, 수소 또는 메틸기이고, m은 1 내지 15의 정수이다.R 5 is a C 1 -C 20 alkylene group, a C 1 -C 20 phenylene group or a C 3 -C 10 cycloalkylene group, R 6 and R 7 are each independently hydrogen or a methyl group, and m is It is an integer from 1 to 15.

본 명세서에서 사용되는 C3-C10의 사이클로알킬렌기는 탄소수 3 내지 10개로 구성된 단순 또는 융합 고리형 2가 탄화수소를 의미하며, 예를 들어 사이클로프로필렌, 사이클로부틸렌, 사이클로펜틸렌, 사이클로헥실렌 등이 포함되나 이에 한정되는 것은 아니다.As used herein, a C 3 -C 10 cycloalkylene group refers to a simple or fused cyclic divalent hydrocarbon having 3 to 10 carbon atoms, for example, cyclopropylene, cyclobutylene, cyclopentylene, cyclohexylene. and the like, but are not limited thereto.

상기 C1-C20의 알킬렌기, C1-C20의 페닐렌기 및 C3-C10의 사이클로알킬렌기는 한 개 또는 그 이상의 수소가 C1-C6의 알킬기, C2-C6의 알케닐기, C2-C6의 알키닐기, C3-C10의 사이클로알킬기, C3-C10의 헤테로사이클로알킬기, C3-C10의 헤테로사이클로알킬옥시기, C1-C6의 할로알킬기, C1-C6의 알콕시기, C1-C6의 티오알콕시기, 아릴기, 아실기, 히드록시, 티오(thio), 할로겐, 아미노, 알콕시카르보닐, 카르복시, 카바모일, 시아노, 니트로 등으로 치환될 수 있다.In the C 1 -C 20 alkylene group, C 1 -C 20 phenylene group and C 3 -C 10 cycloalkylene group, one or more hydrogens are C 1 -C 6 alkyl group, C 2 -C 6 Alkenyl group, C 2 -C 6 Alkynyl group, C 3 -C 10 Cycloalkyl group, C 3 -C 10 Heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 Heterocycloalkyloxy group, C 1 -C 6 Halo Alkyl group, C 1 -C 6 Alkoxy group, C 1 -C 6 Thioalkoxy group, aryl group, acyl group, hydroxy, thio, halogen, amino, alkoxycarbonyl, carboxy, carbamoyl, cyano group , nitro, etc. may be substituted.

예를 들면, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물로는 1,6-헥산디올 디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 2-하이드록시-3-메타크릴프로필아크릴레이트, 1,9-비스아크릴로일옥시노난, 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. For example, as the compound represented by Formula 2, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, 2-hydroxy-3-methacrylpropyl acrylate, 1,9-bisacryloyl oxide cynonane, tripropylene glycol diacrylate, and the like, but is not limited thereto.

본 발명에서, 양자점 분산체에 포함되는 모노머는 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 1종 이상 포함할 수 있다.In the present invention, the monomer included in the quantum dot dispersion may include at least one compound represented by Formula 2 above.

상기 화학식 2로 표시되는 화합물은, 저점도 특성을 나타내어 저점도 광변환 잉크 조성물의 구현을 가능하게 한다. 예를 들면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 리간드층으로 갖는 본 발명의 양자점과 함께 사용될 경우 상기 리간드와의 상용성이 우수하여 양자점의 분산성을 더욱 향상시켜 용제 없이도 광특성이 우수한 저점도 광변환 잉크 조성물의 구현을 가능하게 할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 광변환 잉크 조성물은 잉크젯 인쇄 방식으로 컬러필터를 제조하는데 효과적으로 사용될 수 있다.The compound represented by Chemical Formula 2 exhibits low-viscosity characteristics to enable the realization of a low-viscosity light conversion ink composition. For example, when used together with the quantum dots of the present invention having the compound represented by Formula 1 as a ligand layer, the low-viscosity light has excellent compatibility with the ligand and further improves dispersibility of the quantum dots without a solvent. It may enable the implementation of a conversion ink composition. Accordingly, the light conversion ink composition according to the present invention can be effectively used to manufacture a color filter by an inkjet printing method.

본 발명의 광변환 잉크 조성물은 상기 화학식 2로 표시되는 중합성 화합물 외에도 본 발명의 목적을 벗어나지 않는 한도 내에서 당 분야에서 통상적으로 사용되는 중합성 화합물를 더 포함할 수 있다. 예를 들면 단관능 단량체, 2관능 단량체, 그 밖의 다관능 단량체 등을 들 수 있으며, 이들 중에서 2관능 단량체가 바람직하게 사용된다.In addition to the polymerizable compound represented by Formula 2, the light conversion ink composition of the present invention may further include a polymerizable compound commonly used in the art without departing from the object of the present invention. For example, a monofunctional monomer, a bifunctional monomer, another polyfunctional monomer, etc. are mentioned, Among these, a bifunctional monomer is used preferably.

상기 단관능 단량체의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 노닐페닐카르비톨아크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트, 2-에틸헥실카르비톨아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, N-비닐피롤리돈 등을 들 수 있다.The type of the monofunctional monomer is not particularly limited, and for example, nonylphenyl carbitol acrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate, 2-ethylhexyl carbitol acrylate, and 2-hydroxyethyl acryl rate, N-vinylpyrrolidone, and the like.

상기 2관능 단량체의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 비스페놀 A의 비스(아크릴로일옥시에틸)에테르, 3-메틸펜탄디올디(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.The type of the bifunctional monomer is not particularly limited, and for example, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, ethylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, triethylene Glycol di(meth)acrylate, bis(acryloyloxyethyl)ether of bisphenol A, 3-methylpentanediol di(meth)acrylate, etc. are mentioned.

상기 다관능 단량체의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 에톡실레이티드트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 프로폭실레이티드트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트, 에톡실레이티드디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 프로폭실레이티드디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.The type of the polyfunctional monomer is not particularly limited, and for example, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, ethoxylated trimethylolpropane tri(meth)acrylate, propoxylated trimethylolpropane tri(meth) ) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, ethoxylated dipentaerythritol hexa (meth)acrylate, propoxylated dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, etc. are mentioned.

본 발명의 광변환 잉크 조성물에 포함되는 광중합성 화합물은 상기 양자점 분산체에 포함된 모노머와 서로 동일하거나 다른 종류의 화합물을 포함할 수 있다.The photopolymerizable compound included in the light conversion ink composition of the present invention may include a compound of the same or different type from the monomer included in the quantum dot dispersion.

이러한 광중합성 화합물은 광변환 잉크 조성물 전체 100 중량부에 대하여 1 내지 45 중량부로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 1 내지 20 중량부인 것이 좋다. 만약, 그 함량이 상기 범위 미만이면 광감도가 저하될 수 있으며, 이와 반대로 상기 범위를 초과하는 경우 양자점 광변환층 및 자발광 감광성 층의 밀착성 불충분하여 필름의 강도가 충분치 않아 도막 들뜸이 발생하여 생산 수율의 저하를 초래할 수 있다.The photopolymerizable compound may be included in an amount of 1 to 45 parts by weight, preferably 1 to 20 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total light conversion ink composition. If the content is less than the above range, the photosensitivity may be lowered. On the contrary, if the content exceeds the above range, the adhesion of the quantum dot light conversion layer and the self-luminous photosensitive layer is insufficient, and the film strength is not sufficient, causing the coating film to float, resulting in production yield may lead to a decrease in

광중합 개시제photopolymerization initiator

본 발명에서의 광중합 개시제는 앞서 설명한 광중합성 화합물의 중합을 개시하기 위한 화합물로 본 발명에서 특별히 한정하지는 않으나 아실포스핀계, 아세토페논계, 벤조페논계, 트리아진계, 티오크산톤계, 옥심계, 벤조인계, 안트라센계, 안트라퀴논계, 비이미다졸계 화합물 등을 사용할 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용이 가능하다.The photopolymerization initiator in the present invention is a compound for initiating polymerization of the above-described photopolymerizable compound, and is not particularly limited in the present invention, but acylphosphine-based, acetophenone-based, benzophenone-based, triazine-based, thioxanthone-based, oxime-based, Benzoin-based, anthracene-based, anthraquinone-based, biimidazole-based compounds, etc. may be used, and these may be used alone or in combination of two or more.

일 예로, 상기 벤조페논계 화합물로는 벤조페논, 벤조일 안식향산, 벤조일 안식향산 메틸, 4-페닐 벤조페논, 히드록시 벤조페논, 아크릴화 벤조페논, 4,4'-비스(디메틸 아미노)벤조페논, 4,4'-비스(디에틸 아미노) 벤조페논 등이 가능하다.For example, the benzophenone-based compound includes benzophenone, benzoyl benzoic acid, methyl benzoyl benzoate, 4-phenyl benzophenone, hydroxy benzophenone, acrylated benzophenone, 4,4'-bis (dimethyl amino) benzophenone, 4, 4'-bis(diethyl amino) benzophenone and the like are possible.

그 밖의 광중합 개시제로는 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥시드, 10-부틸-2-클로로아크리돈, 9,10-페난트렌퀴논, 캄포퀴논, 페닐클리옥실산 메틸, 티타노센 화합물 등을 사용할 수 있다.Other photopolymerization initiators include 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, 10-butyl-2-chloroacridone, 9,10-phenanthrenequinone, camphorquinone, methyl phenylclioxylate, titanocene compounds and the like can be used.

이러한 광중합 개시제의 함량은 전체 조성물 100 중량부에 대하여 0.1 내지 20 중량부, 바람직하게는 0.5 내지 15 중량부로 포함될 수 있다.The content of the photopolymerization initiator may be included in an amount of 0.1 to 20 parts by weight, preferably 0.5 to 15 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total composition.

상기 광중합 개시제의 함량이 상기의 범위에 포함되는 경우 광변환 잉크 조성물이 고감도화되어 화소부의 강도나, 이 화소부 표면에서의 평활성이 양호하게 되는 경향이 있기 때문에 바람직하다. 또한, 광중합 개시 보조제의 함량이 상기의 범위에 있으면 광변환 잉크 조성물의 감도 효율성이 더욱 높아지고, 이 조성물을 사용하여 형성되는 컬러필터의 생산성이 향상되는 경향이 있기 때문에 바람직하다.When the content of the photopolymerization initiator is within the above range, it is preferable because the light conversion ink composition tends to be highly sensitive to improve the strength of the pixel portion and smoothness on the surface of the pixel portion. In addition, when the content of the photopolymerization initiation auxiliary agent is within the above range, the sensitivity efficiency of the photoconversion ink composition is further increased, and the productivity of a color filter formed using the composition tends to be improved.

첨가제additive

본 발명에 따른 광변환 잉크 조성물은 다양한 목적으로 인해 공지의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 이러한 첨가제로는 예컨대, 충진제, 다른 고분자 화합물, 경화제, 밀착 촉진제, 산화방지제, 자외선 흡수제, 응집 방지제 등의 첨가제를 병행하는 것도 가능하다. 이들 첨가제는 1종 또는 2종 이상이 가능하며, 광 효율 등을 고려하여 전체 조성물 내에서 1 중량% 이하로 사용하는 것이 바람직하다.The light conversion ink composition according to the present invention may further include known additives for various purposes. Such additives include, for example, fillers, other high molecular compounds, curing agents, adhesion promoters, antioxidants, ultraviolet absorbers, anti-aggregation agents, and the like may be used in parallel. One or two or more of these additives may be used, and it is preferable to use them in an amount of 1 wt % or less in the total composition in consideration of light efficiency and the like.

본 발명에 광변환 잉크 조성물은 광특성, 내광성, 점도특성이 우수하기 때문에 컬러필터 또는 광변환 적층기재 등에 포함되는 경화막 형성시 효과적으로 적용될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 잉크 조성물은 컬러필터 또는 광변환 적층기재를 포함하는 화상표시장치의 제조에 바람직하게 사용될 수 있다.Since the light conversion ink composition of the present invention has excellent optical properties, light resistance, and viscosity properties, it can be effectively applied when forming a cured film included in a color filter or a light conversion laminated base material. Therefore, the ink composition according to the present invention can be preferably used for manufacturing an image display device including a color filter or a light conversion laminated substrate.

<전자 소자><Electronic device>

본 발명의 일 실시예에 따르면, 본 발명에 따른 양자점은 발광 다이오드, 유기발광다이오드, 센서, 이미징 센서, 태양전지, LCD 등의 전자 소자에 유용하게 적용될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the quantum dots according to the present invention may be usefully applied to electronic devices such as light emitting diodes, organic light emitting diodes, sensors, imaging sensors, solar cells, and LCDs.

본 발명에 따른 상기 전자 소자는 상술한 양자점을 발광층으로 포함할 수 있다. 예를 들어, 서로 마주보는 제1 전극과 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층에 본 발명의 양자점이 포함될 수 있다.The electronic device according to the present invention may include the above-described quantum dots as a light emitting layer. For example, the quantum dots of the present invention may be included in a first electrode and a second electrode facing each other and a light emitting layer positioned between the first electrode and the second electrode.

상기 발광층에 사용되는 양자점은 코어-쉘 구조를 가지며, 상기 코어는 InP, InZnP, InGaP, CdSe, CdS, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdSeTe, CdZnS, CdSeS, PbSe, PbS, PbTe, AgInZnS, HgS, HgSe, HgTe, GaN, GaP, GaAs, InGaN, InAs 및 ZnO로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하고, 상기 쉘은 ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, CdS, CdSe, CdTe, CdO, InP, InS, GaP, GaN, GaO, InZnP, InGaP, InGaN, InZnSCdSe, PbS, TiO, SrSe 및 HgSe로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있으며, 바람직하게는, InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/ZnSeTe/ZnS 및 InP/MnSe/ZnS로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The quantum dots used in the light emitting layer have a core-shell structure, and the cores are InP, InZnP, InGaP, CdSe, CdS, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdSeTe, CdZnS, CdSeS, PbSe, PbS, PbTe, AgInZnS, HgS. , HgSe, HgTe, GaN, GaP, GaAs, InGaN, InAs and at least one selected from the group consisting of ZnO, the shell is ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, CdS, CdSe, CdTe, CdO, InP, InS, GaP, GaN, GaO, InZnP, InGaP, InGaN, InZnSCdSe, PbS, TiO, may include at least one selected from the group consisting of SrSe and HgSe, preferably, InP / ZnS, InP / ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/ZnSeTe/ZnS and InP/MnSe/ZnS may include at least one selected from the group consisting of, but is not limited thereto.

일 예로써, 양자점 발광다이오드(quantum dot LED, QLED)는 양자점을 전기적으로 여기시켜 빛을 내게 하는 전기발광(Electroluminescence, EL) 방식의 소자이다.As an example, a quantum dot light emitting diode (quantum dot LED, QLED) is an electroluminescence (EL) type device that emits light by electrically exciting quantum dots.

상기 양자점 발광다이오드(QLED)는 양쪽 전극에서 주입된 전자와 홀이 양자점 발광층에서 엑시톤을 형성하고, 엑시톤의 발광재결합(radiative recombination)을 통해 빛을 방출한다. 이는 유기 발광다이오드(Organic Light-Emitting Diode, OLED)와 동작원리가 동일하므로 통상의 OLED의 전자/홀 주입층 및 수송층 등을 그대로 사용한 다층 소자구조에서 발광층만 유기발광소재 대신에 양자점으로 대체하여 구성될 수 있다.In the quantum dot light emitting diode (QLED), electrons and holes injected from both electrodes form excitons in the quantum dot emission layer, and light is emitted through radiative recombination of the excitons. Since it has the same operating principle as organic light-emitting diode (OLED), it is composed by replacing only the light-emitting layer with quantum dots instead of organic light-emitting materials in a multilayer device structure using the electron/hole injection layer and transport layer of conventional OLEDs as they are. can be

본 발명의 양자점 발광다이오드의 제조 방법은 특별히 한정되지 않으며, 당해 기술분야에 공지된 방법을 사용할 수 있다.The manufacturing method of the quantum dot light emitting diode of the present invention is not particularly limited, and a method known in the art may be used.

일 실시예를 들어, 양자점 발광다이오드의 제조 방법은, 양극, 음극, 전자주입·수송층, 발광층, 정공수송층 및 정공주입층을 순차적으로 적층하여 제조할 수 있다.For example, the method of manufacturing a quantum dot light emitting diode may be manufactured by sequentially stacking an anode, a cathode, an electron injection/transport layer, a light emitting layer, a hole transport layer, and a hole injection layer.

다른 실시예를 들어, 양자점 발광다이오드의 제조 방법은, 음극, 전자주입수송층, 발광층, 정공수송층, 정공주입층 및 양극을 순차적으로 적층하여 제조할 수도 있으며, 또 다른 실시예를 들어, 양자점 발광다이오드의 제조 방법은, 양극, 정공주입층, 정공수송층, 전자차단층, 발광층, 전자주입·수송층 및 음극을 순차적으로 적층하여 제조할 수도 있다.For another embodiment, the method for manufacturing a quantum dot light emitting diode may be manufactured by sequentially stacking a cathode, an electron injection transport layer, a light emitting layer, a hole transport layer, a hole injection layer, and an anode, and in another embodiment, a quantum dot light emitting diode The manufacturing method may be prepared by sequentially stacking an anode, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, a light emitting layer, an electron injection/transport layer, and a cathode.

이때, 상기 발광층이 상술한 양자점을 포함할 수 있다.In this case, the light emitting layer may include the above-described quantum dots.

< 경화막 >< Cured film >

본 발명은 상기 광변환 잉크 조성물을 이용하여 형성되는 경화막을 제공하며, 상기 경화막은 컬러필터 또는 광변환 적층기재에 포함될 수 있다. The present invention provides a cured film formed by using the light conversion ink composition, and the cured film may be included in a color filter or a light conversion laminated substrate.

<광변환 적층기재><Light conversion laminated substrate>

본 발명에 따른 광 변환 적층기재는 광변환 잉크 조성물의 경화물을 포함한다. 상기 광 변환 적층 기재는 유리 기재에 코팅할 수 있는 광변환 잉크 조성물을 포함함으로써, 인체유해물질에 해당되지 않는 용제를 사용할 수 있어, 작업자의 안전과 제품 생산성을 향상시킬 수 있다.The light conversion laminated substrate according to the present invention includes a cured product of the light conversion ink composition. Since the light conversion laminated substrate includes a light conversion ink composition that can be coated on a glass substrate, a solvent that does not correspond to a substance harmful to the human body can be used, thereby improving worker safety and product productivity.

상기 광변환 적층기재는 실리콘(Si), 실리콘 산화물(SiOx) 또는 고분자 기판을 포함할 수 있으며, 상기 고분자 기판은 폴리에테르설폰(polyethersulfone, PES) 또는 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 등일 수 있다. The light conversion laminated substrate may include silicon (Si), silicon oxide (SiOx), or a polymer substrate, and the polymer substrate may be polyethersulfone (PES) or polycarbonate (PC).

상기 광변환 적층 기재는 상기 광변환 잉크 조성물을 도포하고 열경화하여 형성될 수 있다.The light conversion laminated substrate may be formed by applying the light conversion ink composition and thermosetting.

<컬러필터><Color filter>

본 발명의 컬러필터는 상술한 광변환 잉크 조성물을 이용하여 형성된다. The color filter of the present invention is formed using the above-described light conversion ink composition.

본 발명의 컬러필터를 형성하는 도막 형성 방법은 당해 기술분야에 공지된 방법을 사용할 수 있다.The method for forming a coating film for forming the color filter of the present invention may use a method known in the art.

일 실시예를 들면, 도막 형성 방법은,In one embodiment, the method of forming a coating film,

a) 기판에 광 변환 잉크 조성물을 도포하는 단계;a) applying a light conversion ink composition to a substrate;

b) 얻어진 피막 위에 활성 광선을 조사해 경화시키는 단계; b) curing the obtained film by irradiating actinic light;

c) 포스트 베이크 수행 단계;를 포함할 수 있다.c) performing post-baking; may include.

상기 기판은 유리 기판이나 폴리머 기판이 사용될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 유리 기판으로는, 특히 소다 석회 유리, 바륨 또는 스트론튬 함유 유리, 납유리, 알루미노규산 유리, 붕규산 유리, 바륨 붕규산 유리 또는 석영 등이 바람직하게 사용할 수 있다. 또 폴리머 기판으로는, 폴리카보네이트, 아크릴, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에테르 설파이드 또는 폴리 설폰 기판 등을 들 수 있다.The substrate may be a glass substrate or a polymer substrate, but is not limited thereto. As a glass substrate, especially soda-lime glass, barium or strontium containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, quartz, etc. can be used preferably. Examples of the polymer substrate include polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide or polysulfone substrates.

이때 도포는 원하는 두께를 얻을 수 있도록 롤 코터, 스핀 코터, 슬릿 앤드 스핀 코터, 슬릿 코터(다이 코터라고도 하는 경우가 있음), 잉크젯 등의 도포 장치를 이용한 공지의 습식 코팅 방법에 의해 수행될 수 있다.At this time, the coating may be performed by a known wet coating method using an application device such as a roll coater, a spin coater, a slit and spin coater, a slit coater (sometimes referred to as a die coater), or an inkjet to obtain a desired thickness. .

노광은, 노광기에서 방출되는 빛으로 감광시킨다. 이때 조사하는 빛은, 예를 들면, 가시광선, 자외선, X선 및 전자선 등을 사용할 수 있다. Exposure is sensitized with light emitted from an exposure machine. In this case, the irradiated light may be, for example, visible light, ultraviolet light, X-ray, electron beam, or the like.

포스트 베이크는 막과 기판과의 밀착성과 경화도를 높이기 위해서 수행하며, 예를 들면 80 내지 250℃에서 10 내지 120분의 조건으로 열처리를 통해 이루어질 수 있다. 포스트 베이크는 프리베이크와 같게, 오븐, 핫 플레이트 등을 이용하여 수행할 수 있다.The post-baking is performed to increase adhesion between the film and the substrate and the degree of curing, and may be performed, for example, through heat treatment at 80 to 250° C. for 10 to 120 minutes. The post-baking may be performed using an oven, a hot plate, or the like, like the pre-bake.

< 화상표시장치 >< Image display device >

본 발명에 따른 화상표시장치는 전술한 컬러필터, 광변환 적층기재, 및/또는 전자 소자를 포함한다. The image display apparatus according to the present invention includes the above-described color filter, light conversion laminated substrate, and/or an electronic device.

본 발명의 화상표시장치는, 전자 소자로써 양자점 발광 다이오드(quantum dot LED, QLED)가 적용된 화상표시장치일 수 있다. The image display device of the present invention may be an image display device to which a quantum dot LED (QLED) is applied as an electronic device.

상기 화상표시장치는 구체적으로, 액정 디스플레이(액정표시장치; LCD), 유기 EL 디스플레이(유기 EL 표시장치), 액정 프로젝터, 게임기용 표시장치, 휴대전화 등의 휴대단말용 표시장치, 디지털 카메라용 표시장치, 카 네비게이션용 표시장치 등의 표시장치 등을 들 수 있으며, 특히 컬러 표시장치가 적합하다.The image display device is specifically, a liquid crystal display (liquid crystal display device; LCD), an organic EL display (organic EL display device), a liquid crystal projector, a display device for a game machine, a display device for a portable terminal such as a mobile phone, a display for a digital camera display devices such as a device and a display device for car navigation, and the like, and a color display device is particularly suitable.

상기 화상표시장치는 상기 컬러필터 또는 광 변환 적층기재를 구비한 것을 제외하고는, 본 발명의 기술분야에서 당업자에게 알려진 구성을 포함하며, 더 포함할 수 있으며, 즉, 본 발명은 컬러필터 또는 광변환 적층기재를 적용할 수 있는 화상표시장치를 포함한다.The image display device includes a configuration known to those skilled in the art, except for having the color filter or the light conversion laminated substrate, and may further include, that is, the present invention includes a color filter or a light It includes an image display device to which a conversion laminated substrate can be applied.

본 발명에 따른 컬러 필터를 포함하는 화상표시장치는 색 재현성, 휘도, 내열성 및 신뢰성 등에 있어서 우수한 특성을 가질 수 있다.The image display device including the color filter according to the present invention may have excellent characteristics in color reproducibility, luminance, heat resistance, reliability, and the like.

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail through examples. However, the following examples are for explaining the present invention in more detail, and the scope of the present invention is not limited by the following examples.

합성예Synthesis example

합성예 1: InP/ZnS 코어-쉘 양자점 합성Synthesis Example 1: InP/ZnS core-shell quantum dot synthesis

삼구 플라스크(3-neck flask)에 인듐 아세테이트 0.05839g, 올레익산 0.12019g 및 1-옥타데센(ODE) 10 mL를 넣었다. 상기 플라스크를 교반하면서 110℃, 100 mTorr 하에서 30분 동안 탈기(degassing) 과정을 거친 후, 용액이 투명해질 때까지 비활성 기체 하에서 270℃의 온도로 가열해주었다.0.05839 g of indium acetate, 0.12019 g of oleic acid, and 10 mL of 1-octadecene (ODE) were placed in a 3-neck flask. The flask was subjected to a degassing process for 30 minutes at 110° C. under 100 mTorr while stirring, and then heated to a temperature of 270° C. under an inert gas until the solution became transparent.

인 (P) 전구체로서 트리스(트리메틸실릴)포스핀을 0.025054g 준비하여, 1-옥타데센 0.5 mL와 트리-n-옥틸포스핀 0.5 mL에 넣고 교반하여 이를 비활성 기체 하에서 270℃로 가열된 상기 플라스크에 빠르게 주입하였다. 1시간 동안 반응시킨 후 빠르게 냉각시켜 반응을 종결시켰다. 이후 플라스크의 온도가 100℃에 도달하였을 때, 10mL의 톨루엔을 주입한 후 50 mL 원심분리 튜브에 옮겨 담았다. 에탄올 10 mL를 첨가한 후, 침전 및 재분산 방법을 활용하여 두 차례 정제하였다. 정제된 InP 코어 나노입자를 1-옥타데센에 분산시킨 후 저장하였다.Prepare 0.025054 g of tris(trimethylsilyl)phosphine as a phosphorus (P) precursor, put it in 0.5 mL of 1-octadecene and 0.5 mL of tri-n-octylphosphine, stir it, and heat it to 270° C. under inert gas in the flask was quickly injected into After reacting for 1 hour, the reaction was terminated by rapid cooling. Then, when the temperature of the flask reached 100 °C, 10 mL of toluene was injected and transferred to a 50 mL centrifuge tube. After adding 10 mL of ethanol, it was purified twice using precipitation and redispersion methods. The purified InP core nanoparticles were dispersed in 1-octadecene and then stored.

삼구 플라스크에 징크 아세테이트 3.669 g, 올레익산 20 mL 및 1-옥타데센 20 mL를 넣고, 교반하면서 110℃, 100 mTorr 하에서 30분 동안 탈기(degassing) 과정을 거친 후, 용액이 투명해질 때까지 비활성 기체 하에서 270℃의 온도로 가열한 후 60℃로 냉각시켜 투명한 징크 올레에이트 형태의 전구체 용액을 얻었다.3.669 g of zinc acetate, 20 mL of oleic acid, and 20 mL of 1-octadecene were put in a three-necked flask, and after degassing for 30 minutes at 110 °C and 100 mTorr while stirring, inert gas until the solution became transparent After heating to a temperature of 270 °C under

삼구 플라스크에 황 0.6412 g 및 트리-n-옥틸포스핀 10 mL를 넣고 용액이 투명해질 때까지 비활성 기체 분위기에서 교반하면서 80℃의 온도로 가열한 후 상온으로 냉각시켜 TOP:S 형태의 S 전구체 용액을 얻었다.Add 0.6412 g of sulfur and 10 mL of tri-n-octylphosphine to a three-necked flask, heat to 80 °C while stirring in an inert gas atmosphere until the solution becomes transparent, and then cool to room temperature to obtain TOP:S-form S precursor solution got

별도의 삼구 플라스크에 미리 준비한 InP 코어의 나노입자 용액을 넣고, 플라스크의 온도를 300℃로 조절한 후 미리 준비한 징크 전구체 용액 0.6 mL를 주사기를 활용하여 빠르게 주입하였다. 이 후 미리 준비한 S 전구체 용액 0.3 mL를 주사기 펌프를 활용하여 2 mL/hr의 속도로 플라스크에 주입하였다. 주입이 끝난 후 3 시간 반응을 더 진행하고 빠르게 냉각시켜 반응을 종결시켰다. 플라스크의 온도가 100℃에 도달하였을 때, 10mL의 톨루엔을 주입한 후, 50 mL 원심분리 튜브에 옮겨 담았다. 에탄올 10 mL를 첨가한 후, 침전 및 재분산 방법을 활용하여 두 차례 정제하였다. 정제된 InP/ZnS 코어-쉘 구조의 나노입자를 n-클로로포름에 분산시킨 후 저장하였다. 고형분은 10%로 조정하였다. 최대발광파장은 525nm 였다.In a separate three-necked flask, the prepared InP core nanoparticle solution was put, the temperature of the flask was adjusted to 300 °C, and 0.6 mL of the zinc precursor solution prepared in advance was quickly injected using a syringe. After that, 0.3 mL of the S precursor solution prepared in advance was injected into the flask at a rate of 2 mL/hr using a syringe pump. After the injection was completed, the reaction was further carried out for 3 hours, and the reaction was terminated by rapid cooling. When the temperature of the flask reached 100° C., 10 mL of toluene was injected, and then transferred to a 50 mL centrifuge tube. After adding 10 mL of ethanol, it was purified twice using precipitation and redispersion methods. The purified InP/ZnS core-shell structured nanoparticles were dispersed in n-chloroform and then stored. The solid content was adjusted to 10%. The maximum emission wavelength was 525 nm.

합성예 2: InP/ZnSe/ZnS 코어-쉘 양자점 합성Synthesis Example 2: InP/ZnSe/ZnS core-shell quantum dot synthesis

인듐 아세테이트(Indium acetate) 0.4mmol(0.058g), 팔미트산(palmitic acid) 0.6mmol(0.15g) 및 1-옥타데센(octadecene) 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하였다. 280℃로 가열한 후, 트리스(트리메틸실릴)포스핀(TMS3P) 0.2mmol(58㎕) 및 트리옥틸포스핀 1.0mL의 혼합 용액을 신속히 주입하고 0.5분간 반응시켰다. 0.4 mmol (0.058 g) of indium acetate, 0.6 mmol (0.15 g) of palmitic acid, and 20 mL of 1-octadecene were placed in a reactor and heated to 120 °C under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen. After heating to 280° C., a mixed solution of 0.2 mmol (58 μl) of tris (trimethylsilyl) phosphine (TMS 3 P) and 1.0 mL of trioctylphosphine was quickly injected and reacted for 0.5 minutes.

이어서 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레익산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 코어 용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 셀레늄(Se/TOP) 4.8 mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe 코어-쉘을 형성시켰다. Then, 2.4 mmol of zinc acetate (0.448 g), 4.8 mmol of oleic acid and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120° C. under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen and the temperature of the reactor was raised to 280°C. 2 mL of the previously synthesized InP core solution was added, and then 4.8 mmol of selenium (Se/TOP) in trioctylphosphine was added, and the final mixture was reacted for 2 hours. Ethanol was added to the reaction solution cooled quickly to room temperature, and the precipitate obtained by centrifugation was filtered under reduced pressure and dried under reduced pressure to form an InP/ZnSe core-shell.

이어서, 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레익산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 코어 용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 황(S/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe/ZnS 코어-쉘 구조의 양자점을 수득 후 클로로포름에 분산시켰다. 고형분은 10%로 조정하였다. 최대발광파장은 520nm 였다.Then, 2.4 mmol of zinc acetate (0.448 g), 4.8 mmol of oleic acid and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120° C. under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was switched to nitrogen and the temperature of the reactor was raised to 280°C. 2 mL of the previously synthesized InP core solution was added, followed by 4.8 mmol of sulfur (S/TOP) in trioctylphosphine, and the final mixture was reacted for 2 hours. Ethanol was added to the reaction solution cooled quickly to room temperature, and the precipitate obtained by centrifugation was filtered under reduced pressure and dried under reduced pressure to obtain quantum dots of InP/ZnSe/ZnS core-shell structure, which were then dispersed in chloroform. The solid content was adjusted to 10%. The maximum emission wavelength was 520 nm.

합성예 3: 리간드 M1의 합성Synthesis Example 3: Synthesis of Ligand M1

환류냉각기를 구비한 4구 플라스크에 THF 60mL, Pd2(dba)3 1.48g(1.61mmol), 그리고 (dicyclohexylphosphino)biphenyl 1.36g(3.87mmol)을 넣고 30분 교반하였다. 4-bromo-4'-hydroxybiphenyl 16.08g(64.6mmol), N-Phenyl-1-naphthylamine 28.32g(131.2mmol), LiN(SiMe3)2 23.78g(142mmol)을 THF 140mL에 녹여 넣었다. 3일 환류냉각 반응 후 실리카를 이용하여 여과 후 소금물로 세정 후 유기층을 분리하여 황산마그네슘으로 건조하였다. 농축 후 컬럼정제로 리간드 M1을 수득하였다. 연한 오렌지 색 파우더로, 14.92g(60%), LC-MS([M+H]+): 388이다.THF 60mL, Pd 2 (dba) 3 1.48g (1.61mmol), and (dicyclohexylphosphino)biphenyl 1.36g (3.87mmol) were put in a 4-neck flask equipped with a reflux condenser and stirred for 30 minutes. 4-bromo-4'-hydroxybiphenyl 16.08 g (64.6 mmol), N-Phenyl-1-naphthylamine 28.32 g (131.2 mmol), and LiN(SiMe 3 ) 2 23.78 g (142 mmol) were dissolved in 140 mL of THF. After cooling under reflux for 3 days, the resultant was filtered using silica, washed with brine, and the organic layer was separated and dried over magnesium sulfate. After concentration, the ligand M1 was obtained by column purification. Light orange powder, 14.92 g (60%), LC-MS ([M+H] + ): 388.

화합물 M1:

Figure pat00040
Compound M1:
Figure pat00040

합성예 4: 리간드 M2의 합성 Synthesis Example 4: Synthesis of Ligand M2

환류냉각기를 구비한 4구 플라스크에 톨루엔 40mL, dioxane 40mL를 넣고 4-bromo-4'-hydroxybiphenyl 10g (40.2mmol)과 카바졸 8.06g(48.2mmol)을 넣고 질소 분위기에서 교반했다. Pd2(dba)3 0.35(0.382mmol), 그리고 P(tBu)3 0.077g(0.382mmol)을 넣고 LiN(SiMe3)2 14.8g(48.2mmol)을 넣었다. 80℃에서 2일 환류냉각 반응시켰다. 반응 종료 후 상온으로 낮춘 후 1M의 염산 수용액 20mL를 넣고 30분동안 교반하였다. 10% 탄산수소나트륨 수용액으로 중화 후 DI water 100mL로 수세를 2회 처리 후 유기층을 분리하여 황산마그네슘으로 건조 및 농축 후 컬럼정제로 리간드 M2를 수득하였다. 흰색 파우더로, 6.6g(50%), LC-MS([M+H]+):336이다.Toluene 40mL and dioxane 40mL were put into a four-neck flask equipped with a reflux condenser, 10g (40.2mmol) of 4-bromo-4'-hydroxybiphenyl and 8.06g (48.2mmol) of carbazole were added and stirred in a nitrogen atmosphere. Pd 2 (dba) 3 0.35 (0.382 mmol), and P(tBu) 3 0.077g (0.382mmol) was put into LiN(SiMe 3 ) 2 14.8g (48.2mmol) was put. The reaction was carried out under reflux cooling at 80 °C for 2 days. After completion of the reaction, after lowering to room temperature, 20 mL of a 1M aqueous hydrochloric acid solution was added and stirred for 30 minutes. After neutralization with 10% aqueous sodium bicarbonate solution and washing with 100 mL of DI water twice, the organic layer was separated, dried over magnesium sulfate and concentrated, and then the ligand M2 was obtained by column purification. White powder, 6.6 g (50%), LC-MS ([M+H] + ):336.

화합물 M2:

Figure pat00041
Compound M2:
Figure pat00041

합성예 5: 리간드 M3의 합성Synthesis Example 5: Synthesis of ligand M3

환류냉각기를 구비한 4구 플라스크에 THF 60mL, Pd2(dba)3 1.48g(1.61mmol), 그리고 (dicyclohexylphosphino)biphenyl 1.36g(3.87mmol)을 넣고 30분 교반하였다. 4-bromo-4'-hydroxyquaterphenyl 25.92g(64.6mmol), N-Phenyl-1-naphthylamine 28.32g(131.2mmol), LiN(SiMe3)2 23.78g(142mmol)을 THF 140mL에 녹여 넣었다. 3일 환류냉각 반응 후 실리카를 이용하여 여과 후 소금물로 세정 후 유기층을 분리하여 황산마그네슘으로 건조하였다. 농축 후 컬럼정제로 리간드 M3을 수득하였다. 연한 오렌지 색 파우더로, 14.92g(60%), LC-MS([M+H]+): 401.05이다.THF 60mL, Pd 2 (dba) 3 1.48g (1.61mmol), and (dicyclohexylphosphino)biphenyl 1.36g (3.87mmol) were put in a 4-neck flask equipped with a reflux condenser and stirred for 30 minutes. 4-bromo-4'-hydroxyquaterphenyl 25.92 g (64.6 mmol), N-Phenyl-1-naphthylamine 28.32 g (131.2 mmol), and LiN(SiMe 3 ) 2 23.78 g (142 mmol) were dissolved in 140 mL of THF. After cooling under reflux for 3 days, the resultant was filtered using silica, washed with brine, and the organic layer was separated and dried over magnesium sulfate. After concentration, the ligand M3 was obtained by column purification. Light orange powder, 14.92 g (60%), LC-MS ([M+H] + ): 401.05.

화합물 M3:

Figure pat00042
Compound M3:
Figure pat00042

합성예 6: 리간드 M4의 합성 Synthesis Example 6: Synthesis of ligand M4

환류냉각기를 구비한 4구 플라스크에 톨루엔 40mL, dioxane 40mL를 넣고 4-bromo-4'-hydroxyquaterphenyl 25.92g(64.6mmol)과 카바졸 8.06g(48.2mmol)을 넣고 질소 분위기에서 교반했다. Pd2(dba)3 0.35(0.382mmol), 그리고 P(tBu)3 0.077g(0.382mmol)을 넣고 LiN(SiMe3)2 14.8g(48.2mmol)을 넣었다. 80℃에서 2일 환류냉각 반응시켰다. 반응 종료 후 상온으로 낮춘 후 1M의 염산 수용액 20mL를 넣고 30분동안 교반하였다. 10% 탄산수소나트륨 수용액으로 중화 후 DI water 100mL로 수세를 2회 처리 후 유기층을 분리하여 황산마그네슘으로 건조 및 농축 후 컬럼정제로 리간드 M4를 수득하였다. 흰색 파우더로, 6.6g(50%), LC-MS([M+H]+): 488.19이다.Toluene 40mL and dioxane 40mL were put into a 4-neck flask equipped with a reflux condenser, 25.92g (64.6mmol) of 4-bromo-4'-hydroxyquaterphenyl and 8.06g (48.2mmol) of carbazole were added and stirred in a nitrogen atmosphere. Pd 2 (dba) 3 0.35 (0.382 mmol), and P(tBu) 3 0.077g (0.382mmol) was put into LiN(SiMe 3 ) 2 14.8g (48.2mmol) was put. The reaction was carried out under reflux cooling at 80 °C for 2 days. After completion of the reaction, after lowering to room temperature, 20 mL of a 1M aqueous hydrochloric acid solution was added and stirred for 30 minutes. After neutralization with 10% aqueous sodium bicarbonate solution and washing with 100 mL of DI water twice, the organic layer was separated, dried over magnesium sulfate and concentrated, and then the ligand M4 was obtained by column purification. As a white powder, 6.6 g (50%), LC-MS ([M+H] + ): 488.19.

화합물 M4:

Figure pat00043
Compound M4:
Figure pat00043

합성예 7: 화합물 L1(화학식 1-1)의 합성Synthesis Example 7: Synthesis of compound L1 (Formula 1-1)

100mL THF에 리간드 M2 69g(177mmol), Mono-tert-butyl succinate 30.83g(177mmol), DMAP 100mg(0.8mmol)을 넣고 10분 교반하였다. DIC 22.3g(177mmol)을 투입하고 질소분위기에서 상온 6시간 반응시켰다. 반응종료 후 상온으로 냉각시키고 여과를 진행하고 10% 탄산수소나트륨 수용액으로 중화 후 DI water 100mL로 수세처리 후 유기층을 분리하여 황산마그네슘으로 건조 및 농축하였다. 디클로로메탄 80mL 녹여 트리플루오로아세트산 10g 투입 후 상온에서 12시간 교반하였다. 반응 종료 후 10% 탄산수소나트륨 수용액으로 중화 후 DI water 100mL로 수세처리 후 유기층을 분리하여 황산마그네슘으로 건조 및 농축 후 컬럼정제로 화합물 L1(화학식 1-1)을 수득하였다. 연한 노란색 고체로, 51g(59%), LC-MS([M+H]+):488, 1H NMR (CDCl3, 300 MHz): 7.10~7.51(m, 13H), 6.45~6.81 (m, 6H), 6.63 (t, 1H), 2.67(d, 4H)이다.Ligand M2 69g (177mmol), Mono-tert-butyl succinate 30.83g (177mmol), DMAP 100mg (0.8mmol) were added to 100mL THF and stirred for 10 minutes. DIC 22.3g (177mmol) was added and reacted at room temperature for 6 hours in a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, the reaction was cooled to room temperature, filtered, neutralized with 10% aqueous sodium hydrogen carbonate solution, washed with 100 mL of DI water, and the organic layer was separated, dried over magnesium sulfate, and concentrated. 80 mL of dichloromethane was dissolved, 10 g of trifluoroacetic acid was added, and the mixture was stirred at room temperature for 12 hours. After completion of the reaction, neutralized with 10% aqueous sodium hydrogen carbonate solution, washed with 100 mL of DI water, the organic layer was separated, dried over magnesium sulfate, concentrated, and column purification was performed to obtain compound L1 (Formula 1-1). As a pale yellow solid, 51 g (59%), LC-MS([M+H] + ):488, 1 H NMR (CDCl 3 , 300 MHz): 7.10-7.51 (m, 13H), 6.45-6.81 (m) , 6H), 6.63 (t, 1H), and 2.67 (d, 4H).

Figure pat00044
: L1
Figure pat00044
: L1

합성예 8: 화합물 L2(화학식 1-2)의 합성Synthesis Example 8: Synthesis of compound L2 (Formula 1-2)

100mL THF에 리간드 M1 69g(177mmol), 6-Mercaptohexanoic acid 26.24g(177mmol), DMAP 100mg(0.8mmol)을 넣고 10분 교반하였다. DIC 22.3g(177mmol)을 투입하고 질소분위기에서 상온 6시간 반응시켰다. 반응종료 후 상온으로 냉각시키고 여과를 진행하고 감압 농축하였다. 소량의 클로로포름에 녹여 컬럼정제를 실시하여 화합물 L2(화학식 1-2)을 수득하였다. 연한 노랑색의 파우더로, 61g(67%), LC-MS([M+H]+):518, 1H NMR (CDCl3, 300 MHz): 7.10~7.51(m, 13H), 6.45~6.81 (m, 6H), 6.61 (t, 1H), 2.58(d, 2H), 2.24(d, 2H), 1.30~1.60(m, 6H)이다.Ligand M1 69g (177mmol), 6-Mercaptohexanoic acid 26.24g (177mmol), DMAP 100mg (0.8mmol) was added to 100mL THF and stirred for 10 minutes. DIC 22.3g (177mmol) was added and reacted at room temperature for 6 hours in a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, the mixture was cooled to room temperature, filtered, and concentrated under reduced pressure. Column purification was performed by dissolving in a small amount of chloroform to obtain compound L2 (Formula 1-2). Light yellow powder, 61 g (67%), LC-MS([M+H] + ): 518, 1 H NMR (CDCl 3 , 300 MHz): 7.10~7.51(m, 13H), 6.45~6.81 ( m, 6H), 6.61 (t, 1H), 2.58 (d, 2H), 2.24 (d, 2H), 1.30 to 1.60 (m, 6H).

Figure pat00045
:L2
Figure pat00045
:L2

합성예 9: 화합물 L3(화학식 1-3)의 합성Synthesis Example 9: Synthesis of compound L3 (Formula 1-3)

100mL THF에 리간드 M2 59.3g(177mmol), Mono-tert-butyl succinate 30.83g (177mmol), DMAP 100mg(0.8mmol)을 넣고 10분 교반하였다. DIC 22.3g(177mmol)을 투입하고 질소분위기에서 상온 6시간 반응시켰다. 반응종료 후 상온으로 냉각시키고 여과를 진행하고 감압 농축하였다. 디클로로메탄 80mL 녹여 트리플루오로아세트산 10g 투입 후 상온에서 12시간 교반하였다. 반응 종료 후 10% 탄산수소나트륨 수용액으로 중화 후 DI water 100mL로 수세처리 후 유기층을 분리하여 황산마그네슘으로 건조 및 농축 후 컬럼정제로 화합물 L3(화학식 1-3)를 수득하였다. 베이지색 파우더로, 48g(62%), LC-MS([M+H]+) :436 1H NMR (CDCl3, 300 MHz): 8.05(d, 2H), 7.51~8.01 (m, 14H), 2.56(d, 2H)이다.Ligand M2 59.3g (177mmol), Mono-tert-butyl succinate 30.83g (177mmol), DMAP 100mg (0.8mmol) were added to 100mL THF and stirred for 10 minutes. DIC 22.3g (177mmol) was added and reacted at room temperature for 6 hours in a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, the mixture was cooled to room temperature, filtered, and concentrated under reduced pressure. 80 mL of dichloromethane was dissolved, 10 g of trifluoroacetic acid was added, and the mixture was stirred at room temperature for 12 hours. After completion of the reaction, the reaction was neutralized with a 10% aqueous sodium hydrogen carbonate solution, washed with 100 mL of DI water, the organic layer was separated, dried over magnesium sulfate, concentrated, and column purification was performed to obtain compound L3 (Formula 1-3). As a beige powder, 48 g (62%), LC-MS ([M+H] + ) : 436 1 H NMR (CDCl 3 , 300 MHz): 8.05 (d, 2H), 7.51-8.01 (m, 14H) , 2.56(d, 2H).

Figure pat00046
:L3
Figure pat00046
:L3

합성예 10: 화합물 L4(화학식 1-4)의 합성Synthesis Example 10: Synthesis of compound L4 (Formula 1-4)

100mL THF에 리간드 M2 70.8g(177mmol), 3-Mercaptohexanoic acid 26.24g(177mmol), DMAP 100mg(0.8mmol)을 넣고 10분 교반하였다. DIC 22.3g(177mmol)을 투입하고 질소분위기에서 상온 6시간 반응시켰다. 반응종료 후 상온으로 냉각시키고 여과를 진행하고 감압 농축하였다. 소량의 클로로포름에 녹여 컬럼정제를 실시하여 화합물 L4(화학식 1-4)를 수득하였다. 연한 베이지색 파우더로, 56g(68%), LC-MS: 466, LC-MS([M+H]+):436 1H NMR (CDCl3, 300 MHz): 8.04(d, 2H), 7.50~8.00 (m, 14H), 2.56(d, 2H), 2.22(d, 2H), 1.31~1.61(m, 6H)이다.Ligand M2 70.8g (177mmol), 3-Mercaptohexanoic acid 26.24g (177mmol), DMAP 100mg (0.8mmol) was added to 100mL THF and stirred for 10 minutes. DIC 22.3g (177mmol) was added and reacted at room temperature for 6 hours in a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, the mixture was cooled to room temperature, filtered, and concentrated under reduced pressure. Column purification was performed by dissolving in a small amount of chloroform to obtain compound L4 (Formula 1-4). Light beige powder, 56 g (68%), LC-MS: 466, LC-MS ([M+H] + ): 436 1 H NMR (CDCl 3 , 300 MHz): 8.04 (d, 2H), 7.50 ∼8.00 (m, 14H), 2.56 (d, 2H), 2.22 (d, 2H), and 1.31∼1.61 (m, 6H).

Figure pat00047
:L4
Figure pat00047
:L4

합성예 11: 화합물 L5(화학식 1-5)의 합성Synthesis Example 11: Synthesis of compound L5 (Formula 1-5)

100mL THF에 리간드 M3 70.18g(177mmol), 3-Mercaptopropionic acid 18.79g(177mmol), DMAP 100mg(0.8mmol)을 넣고 10분 교반하였다. DIC 22.3g(177mmol)을 투입하고 질소분위기에서 상온 6시간 반응시켰다. 반응종료 후 상온으로 냉각시키고 여과를 진행하고 감압 농축하였다. 소량의 클로로포름에 녹여 컬럼정제를 실시하여 화합물 L5(화학식 1-5)를 수득하였다. 연한 노랑색의 파우더로, 65g(58%), LC-MS([M+H]+) : 628.8, 1H NMR (CDCl3, 300 MHz): 7.10~7.51(m, 21H), 6.45~6.81 (m, 6H), 6.61 (t, 1H), 2.85(d, 2H), 2.54(d, 2H)이다. Ligand M3 70.18g (177mmol), 3-Mercaptopropionic acid 18.79g (177mmol), DMAP 100mg (0.8mmol) was added to 100mL THF and stirred for 10 minutes. DIC 22.3g (177mmol) was added and reacted at room temperature for 6 hours in a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, the mixture was cooled to room temperature, filtered, and concentrated under reduced pressure. Column purification was performed by dissolving in a small amount of chloroform to obtain compound L5 (Formula 1-5). Light yellow powder, 65 g (58%), LC-MS([M+H] + ): 628.8, 1 H NMR (CDCl 3 , 300 MHz): 7.10~7.51(m, 21H), 6.45~6.81 ( m, 6H), 6.61 (t, 1H), 2.85 (d, 2H), 2.54 (d, 2H).

Figure pat00048
:L5
Figure pat00048
:L5

합성예 12: 화합물 L6(화학식 1-6)의 합성Synthesis Example 12: Synthesis of compound L6 (Formula 1-6)

100mL THF에 리간드 M4 86.23g(177mmol), 3-Mercaptopropionic acid 18.79g(177mmol), DMAP 100mg(0.8mmol)을 넣고 10분 교반하였다. DIC 22.3g(177mmol)을 투입하고 질소분위기에서 상온 6시간 반응시켰다. 반응종료 후 상온으로 냉각시키고 여과를 진행하고 감압 농축하였다. 소량의 클로로포름에 녹여 컬럼정제를 실시하여 화합물 L6(화학식 1-6)를 수득하였다. 연한 베이지색 파우더로, 56g(68%), LC-MS([M+H]+):: 576.7, 1H NMR (CDCl3, 300 MHz): 8.05(d, 2H), 7.01~8.02 (m, 22H), 2.82(d, 2H), 2.51(d, 2H)이다.Ligand M4 86.23g (177mmol), 3-Mercaptopropionic acid 18.79g (177mmol), DMAP 100mg (0.8mmol) were added to 100mL THF and stirred for 10 minutes. DIC 22.3g (177mmol) was added and reacted at room temperature for 6 hours in a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, the mixture was cooled to room temperature, filtered, and concentrated under reduced pressure. Column purification was performed by dissolving in a small amount of chloroform to obtain compound L6 (Formula 1-6). Light beige powder, 56 g (68%), LC-MS ([M+H] + ):: 576.7, 1 H NMR (CDCl 3 , 300 MHz): 8.05 (d, 2H), 7.01-8.02 (m , 22H), 2.82 (d, 2H), and 2.51 (d, 2H).

Figure pat00049
: L6
Figure pat00049
: L6

합성예 13: 화학식 1-7 화합물의 합성Synthesis Example 13: Synthesis of the compound of Formula 1-7

100mL THF에 리간드 M1 69g(177mmol), DL-Cysteine(시그마알드리치) 21.45g(177mmol), DMAP 100mg(0.8mmol)을 넣고 10분 교반하였다. DIC 22.3g(177mmol)을 투입하고 질소분위기에서 상온 12시간 반응시켰다. 반응종료 후 상온으로 냉각시키고 여과를 진행하고 감압 농축하였다. 소량의 클로로포름에 녹여 컬럼정제를 실시하여 화학식 1-7의 화합을 수득하였다. 베이지색의 파우더로, 45g(51%), LC-MS([M+H]+):492이다.Ligand M1 69g (177mmol), DL-Cysteine (Sigma-Aldrich) 21.45g (177mmol), DMAP 100mg (0.8mmol) was added to 100mL THF and stirred for 10 minutes. DIC 22.3g (177mmol) was added and reacted at room temperature for 12 hours in a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, the mixture was cooled to room temperature, filtered, and concentrated under reduced pressure. It was dissolved in a small amount of chloroform and subjected to column purification to obtain a compound of Formula 1-7. It is a beige powder, 45 g (51%), LC-MS ([M+H] + ):492.

Figure pat00050
: L7
Figure pat00050
: L7

합성예 14: 화학식 1-8의 화합물 합성Synthesis Example 14: Synthesis of the compound of Formula 1-8

100mL THF에 리간드 M4 86.23g(177mmol), 2-(sulfanylmethyl)succinic acid 29.06g(177mmol), DMAP 100mg(0.8mmol)을 넣고 10분 교반하였다. DIC 29.6g(177mmol)을 투입하고 질소분위기에서 상온 48시간 반응시켰다. 반응종료 후 상온으로 냉각시키고 여과를 진행하고 감압 농축하였다. 소량의 클로로포름에 녹여 컬럼정제를 실시하여 화학식 1-8의 화합물을 수득하였다. 베이지색 파우더로, 35g(31%), LC-MS([M+H]+): 634이다.Ligand M4 86.23g (177mmol), 2-(sulfanylmethyl)succinic acid 29.06g (177mmol), DMAP 100mg (0.8mmol) were added to 100mL THF and stirred for 10 minutes. DIC 29.6g (177mmol) was added and reacted at room temperature in a nitrogen atmosphere for 48 hours. After completion of the reaction, the mixture was cooled to room temperature, filtered, and concentrated under reduced pressure. It was dissolved in a small amount of chloroform and subjected to column purification to obtain a compound of Formula 1-8. As a beige powder, 35 g (31%), LC-MS ([M+H] + ): 634.

Figure pat00051
: L8
Figure pat00051
: L8

합성예 15: 화학식 1-9 화합물의 합성Synthesis Example 15: Synthesis of compounds of Formula 1-9

100mL THF에 리간드 M2 59.3g(177mmol), DL-Cysteine(시그마알드리치) 21.45g(177mmol), DMAP 100mg(0.8mmol)을 넣고 10분 교반하였다. DIC 22.3g(177mmol)을 투입하고 질소분위기에서 상온 14시간 반응시켰다. 반응종료 후 상온으로 냉각시키고 여과를 진행하고 감압 농축하였다. 소량의 클로로포름에 녹여 컬럼정제를 실시하여 화학식 1-9의 화합물을 수득하였다. 베이지색의 파우더로, 41g(48%), LC-MS([M+H]+): 483이다.Ligand M2 59.3g (177mmol), DL-Cysteine (Sigma-Aldrich) 21.45g (177mmol), DMAP 100mg (0.8mmol) was added to 100mL THF and stirred for 10 minutes. DIC 22.3g (177mmol) was added and reacted at room temperature for 14 hours in a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, the mixture was cooled to room temperature, filtered, and concentrated under reduced pressure. It was dissolved in a small amount of chloroform and subjected to column purification to obtain a compound of Formula 1-9. It is a beige powder, 41 g (48%), LC-MS ([M+H] + ): 483.

Figure pat00052
: L9
Figure pat00052
: L9

제조예 1 내지 21: 양자점 분산체 제조Preparation Examples 1 to 21: Quantum dot dispersion preparation

제조예 1: 양자점 분산체 A-1Preparation Example 1: Quantum Dot Dispersion A-1

합성예 1의 양자점 3.00g을 원심분리 튜브에 넣고 에탄올 20mL를 넣어 침전시켰다. 원심분리를 통해 상층액은 버리고 침전물에 3mL의 클로로포름을 넣어 양자점을 분산시킨 다음 "화합물 L1" 1.0g을 넣고 질소분위기 하에서 60℃로 가열하면서 한시간 동안 반응시켰다.3.00 g of quantum dots of Synthesis Example 1 were placed in a centrifuge tube, and 20 mL of ethanol was added to precipitate. The supernatant was discarded through centrifugation, and 3 mL of chloroform was added to the precipitate to disperse the quantum dots, and 1.0 g of "Compound L1" was added and reacted for one hour while heating to 60° C. under a nitrogen atmosphere.

이어서, 반응물에 25mL의 n-헥산을 넣어 양자점을 침전시킨 후 원심분리를 실시하여 침전물을 분리한 다음 HDDA(1,6-Hexanediol diacrylate)를 투입하여 80℃로 가열하면서 분산시켰다. HDDA로 고형분은 40%로 조정하였다. 최대발광파장은 524nm 였다.Then, 25 mL of n-hexane was added to the reaction to precipitate quantum dots, followed by centrifugation to separate the precipitate, and then HDDA (1,6-Hexanediol diacrylate) was added and dispersed while heating to 80°C. The solid content was adjusted to 40% with HDDA. The maximum emission wavelength was 524 nm.

제조예 2: 양자점 분산체 A-2Preparation Example 2: Quantum Dot Dispersion A-2

합성예 1의 양자점을 3.00g에 "화합물 L2"를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일하게 진행하였다. The quantum dots of Synthesis Example 1 were carried out in the same manner as in Example 1, except that “Compound L2” was used in 3.00 g.

HDDA로 고형분은 40%로 조정하였다. 최대발광파장은 524nm 였다.The solid content was adjusted to 40% with HDDA. The maximum emission wavelength was 524 nm.

제조예 3: 양자점 분산체 A-3Preparation Example 3: Quantum Dot Dispersion A-3

합성예 1의 양자점을 3.00g에 "화합물 L3"를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일하게 진행하였다. The quantum dots of Synthesis Example 1 were carried out in the same manner as in Example 1, except that “Compound L3” was used in 3.00 g.

HDDA로 고형분은 40%로 조정하였다. 최대발광파장은 525nm 였다.The solid content was adjusted to 40% with HDDA. The maximum emission wavelength was 525 nm.

제조예 4: 양자점 분산체 A-4Preparation Example 4: Quantum Dot Dispersion A-4

합성예 1의 양자점을 3.00g에 "화합물 L4"를 사용한 것을 제외하고, 제조예 1과 동일하게 진행하였다. The quantum dots of Synthesis Example 1 were carried out in the same manner as in Preparation Example 1, except that “Compound L4” was used in 3.00 g.

HDDA로 고형분은 40%로 조정하였다. 최대발광파장은 526nm 였다.The solid content was adjusted to 40% with HDDA. The maximum emission wavelength was 526 nm.

제조예 5: 양자점 분산체 A-5Preparation Example 5: Quantum Dot Dispersion A-5

합성예 2의 양자점 3g을 원심분리 튜브에 넣고 에탄올 20mL를 넣어 침전시켰다. 원심분리를 통해 상층액은 버리고 침전물에 3mL의 클로로포름을 넣어 양자점을 분산시킨 다음 "화합물 L1" 1.0g을 넣고 질소분위기 하에서 60℃로 가열하면서 한시간 동안 반응시켰다.3 g of quantum dots of Synthesis Example 2 were placed in a centrifuge tube, and 20 mL of ethanol was added to precipitate. The supernatant was discarded through centrifugation, and 3 mL of chloroform was added to the precipitate to disperse the quantum dots, and 1.0 g of "Compound L1" was added and reacted for one hour while heating to 60° C. under a nitrogen atmosphere.

이어서, 반응물에 25mL의 n-헥산을 넣어 양자점을 침전시킨 후 원심분리를 실시하여 침전물을 분리한 다음 HDDA를 투입하여 80℃로 가열하면서 분산시켰다. 고형분은 40%로 조정하였다. 최대발광파장은 521nm 였다.Then, 25 mL of n-hexane was added to the reaction mixture to precipitate quantum dots, followed by centrifugation to separate the precipitate, and then HDDA was added and dispersed while heating to 80°C. The solid content was adjusted to 40%. The maximum emission wavelength was 521 nm.

제조예 6: 양자점 분산체 A-6Preparation Example 6: Quantum Dot Dispersion A-6

제조예 5에서 사용한 리간드 대신 "화합물 L3" 를 사용한 것을 제외하고, 제조예 5와 동일하게 진행하였다. The same procedure as in Preparation Example 5 was performed, except that "Compound L3" was used instead of the ligand used in Preparation Example 5.

HDDA로 고형분은 40%로 조정하였다. 최대발광파장은 520nm 였다.The solid content was adjusted to 40% with HDDA. The maximum emission wavelength was 520 nm.

제조예 7: 양자점 분산체 A-7Preparation Example 7: Quantum Dot Dispersion A-7

합성예 1의 양자점 3.00g을 원심분리 튜브에 넣고 에탄올 20mL를 넣어 침전시켰다. 원심분리를 통해 상층액은 버리고 침전물에 3mL의 클로로포름을 넣어 양자점을 분산시킨 다음 "화합물 L1"1.0g을 넣고 질소분위기 하에서 60℃로 가열하면서 한시간 동안 반응시켰다.3.00 g of quantum dots of Synthesis Example 1 were placed in a centrifuge tube, and 20 mL of ethanol was added to precipitate. The supernatant was discarded through centrifugation, and 3 mL of chloroform was added to the precipitate to disperse the quantum dots, then 1.0 g of "Compound L1" was added and reacted for one hour while heating to 60° C. under a nitrogen atmosphere.

이어서, 반응물에 25mL의 n-헥산을 넣어 양자점을 침전시킨 후 원심분리를 실시하여 침전물을 분리한 다음 클로로포름을 투입하여 80℃로 가열하면서 분산시켰다. 고형분은 5%로 조정하였다. 최대발광파장은 524nm 였다.Then, 25 mL of n-hexane was added to the reaction mixture to precipitate quantum dots, followed by centrifugation to separate the precipitate, and then chloroform was added and dispersed while heating to 80°C. The solid content was adjusted to 5%. The maximum emission wavelength was 524 nm.

제조예 8: 양자점 분산체 A-8Preparation Example 8: Quantum Dot Dispersion A-8

합성예 1의 양자점 3.00g에 "화합물 L2"를 사용한 것을 제외하고, 제조예 7과 동일하게 진행하였다. 클로로포름으로 고형분은 5%로 조정하였다. 최대발광파장은 524nm 였다.Except that "Compound L2" was used in 3.00 g of the quantum dots of Synthesis Example 1, the same procedure as in Preparation Example 7 was carried out. The solid content was adjusted to 5% with chloroform. The maximum emission wavelength was 524 nm.

제조예 9: 양자점 분산체 A-9Preparation Example 9: Quantum Dot Dispersion A-9

합성예 1의 양자점 3.00g에 "화합물 L3"를 사용한 것을 제외하고, 제조예 7과 동일하게 진행하였다. 클로로포름으로 고형분은 5%로 조정하였다. 최대발광파장은 525nm 였다.Except that "Compound L3" was used in 3.00 g of the quantum dots of Synthesis Example 1, the same procedure as in Preparation Example 7 was carried out. The solid content was adjusted to 5% with chloroform. The maximum emission wavelength was 525 nm.

제조예 10: 양자점 분산체 A-10Preparation 10: quantum dot dispersion A-10

합성예 1의 양자점 3.00g에 "화합물 L4"를 사용한 것을 제외하고, 제조예 7과 동일하게 진행하였다. 클로로포름으로 고형분은 5%로 조정하였다. 최대발광파장은 526nm 였다.Except that "Compound L4" was used in 3.00 g of the quantum dots of Synthesis Example 1, the same procedure as in Preparation Example 7 was carried out. The solid content was adjusted to 5% with chloroform. The maximum emission wavelength was 526 nm.

제조예 11: 양자점 분산체 A-11 Preparation Example 11: Quantum Dot Dispersion A-11

합성예 1의 양자점 3.00g에 "화합물 L5"를 사용한 것을 제외하고, 제조예 1과 동일하게 진행하였다. HDDA로 고형분은 40%로 조정하였다. 최대발광파장은 523nm 였다.Except for using "Compound L5" in 3.00 g of the quantum dots of Synthesis Example 1, the same procedure as in Preparation Example 1 was carried out. The solid content was adjusted to 40% with HDDA. The maximum emission wavelength was 523 nm.

제조예 12: 양자점 분산체 A-12Preparation 12: quantum dot dispersion A-12

합성예 1의 양자점을 3.00g에 "화합물 L6"를 사용한 것을 제외하고, 제조예 1과 동일하게 진행하였다. HDDA로 고형분은 40%로 조정하였다. 최대발광파장은 523nm 였다.The quantum dots of Synthesis Example 1 were carried out in the same manner as in Preparation Example 1, except that “Compound L6” was used in 3.00 g. The solid content was adjusted to 40% with HDDA. The maximum emission wavelength was 523 nm.

제조예 13: 양자점 분산체 A-13Preparation 13: quantum dot dispersion A-13

제조예 5에서 사용한 "화합물 L1"대신 "화합물 L5" 를 사용한 것을 제외하고, 제조예 5와 동일하게 진행하였다. HDDA로 고형분은 40%로 조정하였다. 최대발광파장은 521nm 였다.The same procedure as in Preparation Example 5 was performed except that “Compound L5” was used instead of “Compound L1” used in Preparation Example 5. The solid content was adjusted to 40% with HDDA. The maximum emission wavelength was 521 nm.

제조예 14: 양자점 분산체 A-14Preparation Example 14: Quantum Dot Dispersion A-14

제조예 5에서 사용한 "화합물 L1" 대신 "화합물 L6"를 사용한 것을 제외하고, 제조예 5와 동일하게 진행하였다. HDDA로 고형분은 40%로 조정하였다. 최대발광파장은 522nm 였다.The same procedure as in Preparation Example 5 was performed, except that “Compound L6” was used instead of “Compound L1” used in Preparation Example 5. The solid content was adjusted to 40% with HDDA. The maximum emission wavelength was 522 nm.

제조예 15: 양자점 분산체 A-15Preparation 15: quantum dot dispersion A-15

제조예 5에서 사용한 "화합물 L1"대신 "화학식 1-7의 화합물"을 사용한 것을 제외하고, 제조예 5와 동일하게 진행하였다. HDDA로 고형분은 40%로 조정하였다. 최대발광파장은 521nm 였다.It proceeded in the same manner as in Preparation Example 5, except that "Compound of Formula 1-7" was used instead of "Compound L1" used in Preparation Example 5. The solid content was adjusted to 40% with HDDA. The maximum emission wavelength was 521 nm.

제조예 16: 양자점 분산체 A-16Preparation 16: quantum dot dispersion A-16

제조예 5에서 사용한 "화합물 L1" 대신 "화학식 1-8의 화합물"을 사용한 것을 제외하고, 제조예 5와 동일하게 진행하였다. HDDA로 고형분은 40%로 조정하였다. 최대발광파장은 523nm 였다.It proceeded in the same manner as in Preparation Example 5, except that "Compound of Formula 1-8" was used instead of "Compound L1" used in Preparation Example 5. The solid content was adjusted to 40% with HDDA. The maximum emission wavelength was 523 nm.

제조예 17: 양자점 분산체 A-17Preparation 17: quantum dot dispersion A-17

제조예 5에서 사용한 "화합물 L1" 대신 "화학식 1-9의 화합물"을 사용한 것을 제외하고, 제조예 5와 동일하게 진행하였다. HDDA로 고형분은 40%로 조정하였다. 최대발광파장은 521nm 였다.It proceeded in the same manner as in Preparation Example 5, except that "Compound of Formula 1-9" was used instead of "Compound L1" used in Preparation Example 5. The solid content was adjusted to 40% with HDDA. The maximum emission wavelength was 521 nm.

제조예 18: 양자점 분산체 A-18 Preparation 18: quantum dot dispersion A-18

합성예 1의 양자점 3.00g을 원심분리 튜브에 넣고 에탄올 20mL를 넣어 침전시켰다. 원심분리를 통해 상층액은 버리고 침전물에 3mL의 클로로포름을 넣어 양자점을 분산시킨 다음 “화합물 L5”1.0g을 넣고 질소분위기 하에서 60℃로 가열하면서 한시간 동안 반응시켰다.3.00 g of quantum dots of Synthesis Example 1 were placed in a centrifuge tube, and 20 mL of ethanol was added to precipitate. The supernatant was discarded through centrifugation, and 3 mL of chloroform was added to the precipitate to disperse the quantum dots, then 1.0 g of “Compound L5” was added and reacted for one hour while heating to 60° C. under a nitrogen atmosphere.

이어서, 반응물에 25mL의 n-헥산을 넣어 양자점을 침전시킨 후 원심분리를 실시하여 침전물을 분리한 다음 클로로포름을 투입하여 80℃로 가열하면서 분산시켰다. 고형분은 5%로 조정하였다. 최대발광파장은 525nm 였다.Then, 25 mL of n-hexane was added to the reaction mixture to precipitate quantum dots, followed by centrifugation to separate the precipitate, and then chloroform was added and dispersed while heating to 80°C. The solid content was adjusted to 5%. The maximum emission wavelength was 525 nm.

제조예 19: 양자점 분산체 A-19 Preparation 19: quantum dot dispersion A-19

합성예 1의 양자점 3.00g을 원심분리 튜브에 넣고 에탄올 20mL를 넣어 침전시켰다. 원심분리를 통해 상층액은 버리고 침전물에 3mL의 클로로포름을 넣어 양자점을 분산시킨 다음 “화합물 L6”1.0g을 넣고 질소분위기 하에서 60℃로 가열하면서 한시간 동안 반응시켰다.3.00 g of quantum dots of Synthesis Example 1 were placed in a centrifuge tube, and 20 mL of ethanol was added to precipitate. The supernatant was discarded through centrifugation, and 3 mL of chloroform was added to the precipitate to disperse the quantum dots, then 1.0 g of “Compound L6” was added and reacted for one hour while heating to 60° C. under a nitrogen atmosphere.

이어서, 반응물에 25mL의 n-헥산을 넣어 양자점을 침전시킨 후 원심분리를 실시하여 침전물을 분리한 다음 클로로포름을 투입하여 80℃로 가열하면서 분산시켰다. 고형분은 5%로 조정하였다. 최대발광파장은 526nm 였다.Then, 25 mL of n-hexane was added to the reaction mixture to precipitate quantum dots, followed by centrifugation to separate the precipitate, and then chloroform was added and dispersed while heating to 80°C. The solid content was adjusted to 5%. The maximum emission wavelength was 526 nm.

제조예 20: 양자점 분산체 A-20Preparation 20: quantum dot dispersion A-20

합성예 1의 양자점 3.00g을 원심분리 튜브에 넣고 에탄올 20mL를 넣어 침전시켰다. 원심분리를 통해 상층액은 버리고 침전물에 3mL의 클로로포름을 넣어 양자점을 분산시킨 다음 “화합물 L8”1.0g을 넣고 질소분위기 하에서 60℃로 가열하면서 한시간 동안 반응시켰다.3.00 g of quantum dots of Synthesis Example 1 were placed in a centrifuge tube, and 20 mL of ethanol was added to precipitate. The supernatant was discarded through centrifugation, and 3 mL of chloroform was added to the precipitate to disperse the quantum dots, then 1.0 g of “Compound L8” was added and reacted for one hour while heating to 60° C. under a nitrogen atmosphere.

이어서, 반응물에 25mL의 n-헥산을 넣어 양자점을 침전시킨 후 원심분리를 실시하여 침전물을 분리한 다음 클로로포름을 투입하여 80℃로 가열하면서 분산시켰다. 고형분은 5%로 조정하였다. 최대발광파장은 524nm 였다.Then, 25 mL of n-hexane was added to the reaction to precipitate quantum dots, followed by centrifugation to separate the precipitate, and then chloroform was added and dispersed while heating to 80 °C. The solid content was adjusted to 5%. The maximum emission wavelength was 524 nm.

제조예 21: 양자점 분산체 A-21Preparation 21: quantum dot dispersion A-21

합성예 2의 양자점 3.00g을 원심분리 튜브에 넣고 에탄올 20mL를 넣어 침전시켰다. 원심분리를 통해 상층액은 버리고 침전물에 3mL의 클로로포름을 넣어 양자점을 분산시킨 다음 “화합물 L6”1.0g을 넣고 질소분위기 하에서 60℃로 가열하면서 한시간 동안 반응시켰다.3.00 g of quantum dots of Synthesis Example 2 were placed in a centrifuge tube, and 20 mL of ethanol was added to precipitate. The supernatant was discarded through centrifugation, and 3 mL of chloroform was added to the precipitate to disperse the quantum dots, then 1.0 g of “Compound L6” was added and reacted for one hour while heating to 60° C. under a nitrogen atmosphere.

이어서, 반응물에 25mL의 n-헥산을 넣어 양자점을 침전시킨 후 원심분리를 실시하여 침전물을 분리한 다음 클로로포름을 투입하여 80℃로 가열하면서 분산시켰다. 고형분은 5%로 조정하였다. 최대발광파장은 522nm 였다.Then, 25 mL of n-hexane was added to the reaction mixture to precipitate quantum dots, followed by centrifugation to separate the precipitate, and then chloroform was added and dispersed while heating to 80°C. The solid content was adjusted to 5%. The maximum emission wavelength was 522 nm.

실시예 1-1 내지 1-15 및 비교예 1-1 내지 1-2: 광변환 잉크 조성물의 제조Examples 1-1 to 1-15 and Comparative Examples 1-1 to 1-2: Preparation of light conversion ink composition

상기 제조예 A-1 내지 A-21의 양자점 분산체와, 합성예 1 내지 2의 양자점을 HDDA로 50:50 분산한 A-22 내지 A-23의 양자점 분산체를 이용하여 하기 표 1 및 표 2의 성분 및 함량에 따라 광변환 잉크 조성물을 제조하였다.The quantum dot dispersions of Preparation Examples A-1 to A-21 and the quantum dots of Synthesis Examples 1 and 2 were dispersed 50:50 with HDDA using the quantum dot dispersions of A-22 to A-23 below Table 1 and Tables A light conversion ink composition was prepared according to the components and contents of No. 2.

(중량%)(weight%) 실시예Example 1-11-1 1-21-2 1-31-3 1-41-4 1-51-5 1-61-6 1-71-7 1-81-8 1-91-9 1-101-10 양자점
분산체
quantum dots
dispersion
A-1A-1 5555 -- -- -- -- -- -- -- -- --
A-2A-2 -- 5050 -- -- -- -- -- -- -- -- A-3A-3 -- -- 5050 -- -- -- -- -- -- -- A-4A-4 -- -- -- 5050 -- -- -- -- -- -- A-5A-5 -- -- -- -- 5555 -- -- -- -- -- A-6A-6 -- -- -- -- -- 6060 -- -- -- -- A-9A-9 -- -- -- -- -- -- 5555 -- -- -- A-10A-10 -- -- -- -- -- -- -- 5050 -- -- A-11A-11 -- -- -- -- -- -- -- -- 5050 -- A-12A-12 -- -- -- -- -- -- -- -- -- 5050 A-13A-13 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- A-14A-14 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- A-15A-15 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- A-16A-16 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- A-17A-17 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- A-18A-18 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- A-19A-19 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- A-20A-20 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- A-21A-21 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- A-22A-22 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- A-23A-23 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 광중합성
화합물
photopolymerization
compound
MN-1MN-1 3939 4141 4242 4242 3737 3232 3232 4242 4242 3737
산란입자scattering particles 55 88 55 33 55 55 1010 55 55 1010 광중합
개시제
light curing
initiator
PI-1PI-1 1One 1One 33 55 33 33 33 33 33 33

(중량%)(weight%) 실시예Example 비교예comparative example 1-111-11 1-121-12 1-131-13 1-141-14 1-151-15 1-11-1 1-21-2 양자점
분산체
quantum dots
dispersion
A-1A-1 -- -- -- -- -- -- --
A-2A-2 -- -- -- -- -- -- -- A-3A-3 -- -- -- -- -- -- -- A-4A-4 -- -- -- -- -- -- -- A-5A-5 -- -- -- -- -- -- -- A-6A-6 -- -- -- -- -- -- -- A-9A-9 -- -- -- -- -- -- -- A-10A-10 -- -- -- -- -- -- -- A-11A-11 -- -- -- -- -- -- -- A-12A-12 -- -- -- -- -- -- -- A-13A-13 5555 -- -- -- -- -- -- A-14A-14 -- 5050 -- -- -- -- -- A-15A-15 -- -- 5050 -- -- -- -- A-16A-16 -- -- -- 5050 -- -- -- A-17A-17 -- -- -- 5050 -- -- A-18A-18 -- -- -- -- -- -- -- A-19A-19 -- -- -- -- -- -- -- A-20A-20 -- -- -- -- -- -- -- A-21A-21 -- -- -- -- -- -- -- A-22A-22 -- -- -- -- -- 5050 -- A-23A-23 -- -- -- -- -- -- 5050 광중합성
화합물
photopolymerization
compound
MN-1MN-1 4141 4444 4444 3737 4444 4444 4444
산란입자scattering particles 1One 33 33 1010 33 33 55 광중합
개시제
light curing
initiator
PI-1PI-1 33 33 33 33 33 33 1One

- A-1 ~ A-21: 제조예 1 내지 21의 양자점 분산체 - A-1 to A-21: quantum dot dispersion of Preparation Examples 1 to 21

- A-22: 합성예 1의 양자점을 HDDA로 50:50 분산한 분산체- A-22: Dispersion in which the quantum dots of Synthesis Example 1 were dispersed 50:50 with HDDA

- A-23: 합성예 2의 양자점을 HDDA로 50:50 분산한 분산체- A-23: Dispersion in which the quantum dots of Synthesis Example 2 were dispersed 50:50 with HDDA

- MN-1: HDDA(1,6-Hexanediol diacrylate) - MN-1: HDDA (1,6-Hexanediol diacrylate)

- 산란입자: 산란입자: TiO2 (훈츠만사, TR-88, 입경 220nm)- Scattering particles: Scattering particles: TiO 2 (Huntzmann, TR-88, particle size 220nm)

- PI-1: Irgacure OXE-01 (바스프사 제조)- PI-1: Irgacure OXE-01 (manufactured by BASF)

실시예 2-1 내지 2-4 및 비교예 2-1 내지 2-2: 발광 소자의 제조Examples 2-1 to 2-4 and Comparative Examples 2-1 to 2-2: Preparation of light-emitting devices

실시예 2-1Example 2-1

유리 기판 상에 ITO를 증착하여 애노드를 형성하고, 그 위에 PEDOT:PSS 및 Tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amine(TCTA)을 스핀 코팅하여 정공 수송층을 형성한다. 상기 정공 수송층 위에 제조예 18에 따른 양자점 분산체 A-18을 스핀 코팅하여 발광층을 형성한다. 발광층 위에 AlQ3를 진공증착하여 전자수송층을 형성한다. 상기 전자 수송층 위에 Al을 증착하여 캐소드를 형성하여 발광 소자를 제작한다.ITO is deposited on a glass substrate to form an anode, and PEDOT:PSS and Tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amine (TCTA) are spin-coated thereon to form a hole transport layer. A light emitting layer is formed by spin coating the quantum dot dispersion A-18 according to Preparation Example 18 on the hole transport layer. AlQ3 is vacuum-deposited on the light emitting layer to form an electron transport layer. A light emitting device is manufactured by depositing Al on the electron transport layer to form a cathode.

실시예 2-2Example 2-2

제조예 18에 따른 양자점 분산체 대신 제조예 19에 따른 양자점 분산체 A-19를 사용한 것을 제외하고 실시예 2-1과 동일한 방법으로 발광 소자를 제작한다.A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 2-1, except that the quantum dot dispersion A-19 according to Preparation Example 19 was used instead of the quantum dot dispersion according to Preparation Example 18.

실시예 2-3Example 2-3

제조예 18에 따른 양자점 분산체 대신 제조예 20에 따른 양자점 분산체 A-20 사용한 것을 제외하고 실시예 2-1과 동일한 방법으로 발광 소자를 제작한다.A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 2-1, except that the quantum dot dispersion A-20 according to Preparation Example 20 was used instead of the quantum dot dispersion according to Preparation Example 18.

실시예 2-4Example 2-4

제조예 18에 따른 양자점 분산체 대신 제조예 21에 따른 양자점 분산체 A-21 사용한 것을 제외하고 실시예 2-1과 동일한 방법으로 발광 소자를 제작한다.A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 2-1, except that the quantum dot dispersion A-21 according to Preparation Example 21 was used instead of the quantum dot dispersion according to Preparation Example 18.

비교예 2-1Comparative Example 2-1

제조예 18에 따른 양자점 분산체 대신 합성예 1에 따라 제조된 양자점을 사용한 것을 제외하고 실시예 2-1과 동일한 방법으로 발광 소자를 제작한다.A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 2-1, except that the quantum dots prepared according to Synthesis Example 1 were used instead of the quantum dot dispersion according to Preparation Example 18.

비교예 2-2Comparative Example 2-2

제조예 18에 따른 양자점 분산체 대신 합성예 2에 따라 제조된 양자점을 사용한 것을 제외하고 실시예 2-1과 동일한 방법으로 발광 소자를 제작한다.A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 2-1, except that the quantum dots prepared according to Synthesis Example 2 were used instead of the quantum dot dispersion according to Preparation Example 18.

실험예Experimental example

(1) 광변환 코팅층의 제조 및 광변환 효율 측정(1) Preparation of light conversion coating layer and measurement of light conversion efficiency

실시예 1-1 내지 1-15 및 비교예 1-1 내지 1-2 에서 제조된 각각의 광변환 잉크 조성물을 잉크젯 방식으로 5cmХ5cm 유리 기판 위에 도포한 다음, 자외선 광원으로서 g, h, i 선을 모두 함유하는 1kW 고압 수은등을 사용하여 1000mJ/cm2로 조사 후 180℃의 가열 오븐에서 30분 동안 가열하여 광변환 코팅층을 제조하였다.Each of the photoconversion ink compositions prepared in Examples 1-1 to 1-15 and Comparative Examples 1-1 to 1-2 was applied on a 5cmХ5cm glass substrate by an inkjet method, and then g, h, and i lines were applied as an ultraviolet light source. After irradiation at 1000mJ/cm 2 using a 1kW high-pressure mercury lamp containing all, the light conversion coating layer was prepared by heating in a heating oven at 180° C. for 30 minutes.

제조된 광변환 코팅층을 청색(blue) 광원(XLamp XR-E LED, Royal blue 450, Cree 社) 상부에 위치시킨 후 휘도 측정기(CAS140CT Spectrometer, Instrument systems 社)를 이용하여 광변환 효율을 하기의 수학식 1을 이용하여 측정하였고, 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다. After placing the prepared light conversion coating layer on top of a blue light source (XLamp XR-E LED, Royal blue 450, Cree Corporation), the light conversion efficiency was calculated using a luminance meter (CAS140CT Spectrometer, Instrument systems) using the following math It was measured using Equation 1, and the results are shown in Table 3 below.

[수학식 1][Equation 1]

Figure pat00053
Figure pat00053

(2)(2) 점도 안정성 평가Viscosity stability evaluation

실시예 1-1 내지 1-15 및 비교예 1-1 내지 1-2에서 사용한 양자점 분산체에 대하여, R형 점도계(VISCOMETER MODEL RE120L SYSTEM, 도키 산교 가부시끼가이샤 제품)를 사용하여 회전수 20rpm, 온도 30℃의 조건에서 초기 점도 및 저온 5℃에서 1개월 보관후 점도를 측정하였다. 점도변화율로 점도안정성을 평가하여 하기 표 3에 기재하였다.For the quantum dot dispersions used in Examples 1-1 to 1-15 and Comparative Examples 1-1 to 1-2, using an R-type viscometer (VISCOMETER MODEL RE120L SYSTEM, manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.), the number of rotations was 20 rpm, The initial viscosity under the condition of a temperature of 30°C and the viscosity after storage for one month at a low temperature of 5°C were measured. Viscosity stability was evaluated by the rate of change of viscosity and is shown in Table 3 below.

<평가기준><Evaluation criteria>

○: 점도변화율 105% 이하○: Viscosity change rate 105% or less

△: 점도변화율 105% 초과 내지 110% 이하△: Viscosity change rate greater than 105% to 110% or less

×: 점도변화율 110% 초과×: Viscosity change rate exceeding 110%

(3) 분산체 입도평가(3) Dispersion particle size evaluation

실시예 1-1 내지 1-15 및 비교예 1-1 내지 1-2에서 사용한 양자점 분산체의 분산입도를 ELSZ-2000ZS(오츠카사 제)을 이용하여 측정하고, 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.The dispersed particle size of the quantum dot dispersion used in Examples 1-1 to 1-15 and Comparative Examples 1-1 to 1-2 was measured using ELSZ-2000ZS (manufactured by Otsuka Corporation), and the results are shown in Table 3 below. It was.

(4) 연속제팅 횟수 (4) Number of continuous jetting

실시예 1-1 내지 1-15 및 비교예 1-1 내지 1-2의 광변환 잉크 조성물을 유니젯사 잉크젯프린팅 설비에 충진 후 젯팅 헤드의 온도를 40℃로 고정한 다음 1분간 잉크토출 후 30분간 방치를 젯팅 헤드부의 노즐 막힘으로 토출이 되지 않을 때까지 반복 수행하여 연속제팅횟수를 평가 하였고, 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.After filling the photoconversion ink compositions of Examples 1-1 to 1-15 and Comparative Examples 1-1 to 1-2 in Unijet's inkjet printing equipment, the temperature of the jetting head was fixed at 40° C., and then the ink was discharged for 1 minute for 30 minutes. The number of continuous jetting was evaluated by repeating the leaving until the nozzle was not discharged due to clogging of the nozzle of the jetting head, and the results are shown in Table 3 below.

(5) 도막경도(5) Film hardness

상기 실험예에서 제조된 코팅막의 경화도를 경도계(HM500; Fischer사 제품)를 사용하여 150℃고온에서 측정하였으며, 표면경도는 하기 기준으로 평가하였다. 그 결과는 하기 표 3에 나타내었다. The degree of curing of the coating film prepared in the Experimental Example was measured at 150° C. using a hardness meter (HM500; manufactured by Fischer), and the surface hardness was evaluated based on the following criteria. The results are shown in Table 3 below.

<평가 기준><Evaluation criteria>

○: 표면경도 50 이상○: surface hardness of 50 or more

△: 표면경도 30 내지 50 미만△: surface hardness less than 30 to 50

×: 표면경도 30 미만×: surface hardness less than 30

광변환효율
(%)
light conversion efficiency
(%)
점도안정성Viscosity stability 분산입도
(nm)
dispersed particle size
(nm)
연속제팅횟수Number of consecutive jets 도막경도film hardness
실시예Example 1-11-1 32.032.0 6.46.4 10회초과more than 10 1-21-2 32.532.5 5.65.6 10회초과more than 10 1-31-3 33.033.0 6.26.2 10회초과more than 10 1-41-4 33.533.5 6.56.5 10회초과more than 10 1-51-5 34.634.6 6.46.4 10회초과more than 10 1-61-6 31.531.5 66 10회10 episodes 1-71-7 31.031.0 6.46.4 10회초과more than 10 1-81-8 32.532.5 5.65.6 10회초과more than 10 1-91-9 32.132.1 6.26.2 10회초과more than 10 1-101-10 33.533.5 6.56.5 10회초과more than 10 1-111-11 32.432.4 6.46.4 10회10 episodes 1-121-12 33.633.6 66 10회초과more than 10 1-131-13 32.032.0 6.46.4 10회초과more than 10 1-141-14 33.533.5 5.65.6 10회초과more than 10 1-151-15 34.034.0 6.26.2 10회초과more than 10 비교예comparative example 1-11-1 24.024.0 2424 측정불가not measurable xx 1-21-2 23.123.1 xx 3232 1회1 time

(6) 내광성(6) light resistance

상기 실시예 1-1 내지 1-15 및 비교예 1-1 내지 1-2의 양자점 분산액 제조 초기의 양자효율과 상온에서 청색 LED 광원에 7일 방치 후의 절대양자효율을 QE-2100(오츠카社)를 이용하여 측정하였다.QE-2100 (Otsuka) measured the quantum efficiency at the initial stage of manufacturing the quantum dot dispersions of Examples 1-1 to 1-15 and Comparative Examples 1-1 to 1-2 and the absolute quantum efficiency after 7 days left in a blue LED light source at room temperature. was measured using

그 결과를 하기 표 4에 나타내었다.The results are shown in Table 4 below.

내광성light fastness 초기 QY(%)Initial QY (%) 7일 방치 후 QY(%)QY (%) after leaving for 7 days Δ QY(%)Δ QY (%) 실시예Example 1-11-1 8888 7777 8888 1-21-2 9090 7979 8888 1-31-3 8989 8181 9191 1-41-4 9090 76.576.5 8585 1-51-5 8888 8181 9292 1-61-6 8686 7575 8787 1-71-7 8888 7979 9090 1-81-8 8686 8181 9494 1-91-9 8787 8282 9494 1-101-10 8686 7878 9191 1-111-11 8989 7878 8888 1-121-12 8484 7878 9393 1-131-13 8686 7676 8888 1-141-14 8585 7373 8686 1-151-15 8787 7676 8787 비교예comparative example 1-11-1 7474 4040 5454 1-21-2 8888 3535 4040

(7) 외부 양자 효율, 전류 효율 및 구동 전압 평가(7) Evaluation of external quantum efficiency, current efficiency and driving voltage

상기 실시예 2-1 내지 2-4 및 비교예 2-1 내지 2-2에서 제조된 발광소자의 ITO 전극과 Al 전극 사이에 전압(0 V 내지 8 V)을 가하면서 외부 양자 효율(EQE), 전류효율 및 구동전압을 측정하였다. 그 결과를 하기 표 5에 나타내었다.External quantum efficiency (EQE) while applying a voltage (0 V to 8 V) between the ITO electrode and the Al electrode of the light emitting device prepared in Examples 2-1 to 2-4 and Comparative Examples 2-1 to 2-2 , current efficiency and driving voltage were measured. The results are shown in Table 5 below.

외부양자효율(EQE)External Quantum Efficiency (EQE) 전류효율(Cd/A)Current efficiency (Cd/A) Turn on Volate(5mA)Turn on Volate (5mA) 실시예Example 2-12-1 4.24.2 3.03.0 3.23.2 2-22-2 4.84.8 3.53.5 3.53.5 2-32-3 5.15.1 4.64.6 3.13.1 2-42-4 4.94.9 2.32.3 3.33.3 비교예comparative example 2-12-1 1.91.9 0.650.65 5.55.5 2-22-2 2.02.0 1.31.3 6.06.0

상기 표 3 및 표 4를 참조하면, 본 발명에 따른 광변환 잉크 조성물은 특정한 화학식 구조로 표시되는 리간드 화합물이 도입된 양자점을 이용함으로써, 비교예 1 및 2 대비 우수한 광변환 효율을 나타냄과 동시에 보다 안정한 점도 특성을 나타냄을 확인할 수 있었다. 또한, 본 발명에 따른 양자점 분산체들은 분산성이 뛰어나, 이를 포함하는 본 발명의 광변환 잉크 조성물의 연속제팅성이 우수해 생산효율을 향상할 수 있음을 알 수 있었다.Referring to Tables 3 and 4, the light conversion ink composition according to the present invention uses quantum dots into which a ligand compound represented by a specific chemical structure is introduced, thereby exhibiting superior light conversion efficiency compared to Comparative Examples 1 and 2 and at the same time more It was confirmed that a stable viscosity characteristic was exhibited. In addition, it was found that the quantum dot dispersions according to the present invention have excellent dispersibility, and the continuous jetting property of the light conversion ink composition of the present invention including the same can improve production efficiency.

참고로 표 5의 실험예에 따르면, 본 발명의 표면에 리간드를 포함하는 양자점 분산체를 이용한 발광 소자의 경우, 양자점에 리간드를 포함하지 않는 비교예 2-1 내지 2-2의 발광소자 대비 외부양자효율 및 전류효율이 우수하고, 구동전압 성능도 개선되는 것으로 나타났다.For reference, according to the experimental example of Table 5, in the case of a light emitting device using a quantum dot dispersion containing a ligand on the surface of the present invention, compared to the light emitting device of Comparative Examples 2-1 to 2-2 that does not contain a ligand in the quantum dots, the outside It was found that the quantum efficiency and current efficiency were excellent, and the driving voltage performance was also improved.

Claims (16)

표면 상에 리간드층을 가지는 양자점으로서,
상기 리간드층이 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 양자점:
[화학식 1]
Figure pat00054

상기 화학식 1에서,
A는
Figure pat00055
또는
Figure pat00056
이고,
R1 및 R2는, 각각 독립적으로, C6 내지 C16의 아릴렌기 또는 C5 내지 C16의 헤테로아릴렌기이며,
R3 및 R4는, 각각 독립적으로, C6 내지 C16의 아릴기 또는 C5 내지 C16의 헤테로아릴기이며,
Y는 C4 내지 C16의 접합된 고리형 방향족기이며,
B는 직접결합,
Figure pat00057
,
Figure pat00058
,
Figure pat00059
,
Figure pat00060
,
Figure pat00061
,
Figure pat00062
,
Figure pat00063
또는
Figure pat00064
이며,
C는 -(CH2)n1-, -(OCH2CH2)n2- 또는 -(CH2CH2O)n3- 이며,
n1 내지 n3은, 각각 독립적으로, 0 내지 20의 정수이며,
F는 -COOH, -SH, -NH3,
Figure pat00065
,
Figure pat00066
또는
Figure pat00067
이며,
x 및 y는, 각각 독립적으로, 0 내지 4의 정수이다.
A quantum dot having a ligand layer on its surface, comprising:
Quantum dots comprising a compound represented by the following formula (1) in the ligand layer:
[Formula 1]
Figure pat00054

In Formula 1,
A is
Figure pat00055
or
Figure pat00056
ego,
R 1 and R 2 are each independently a C 6 to C 16 arylene group or a C 5 to C 16 heteroarylene group,
R 3 and R 4 are each independently a C 6 to C 16 aryl group or a C 5 to C 16 heteroaryl group,
Y is a C 4 to C 16 fused cyclic aromatic group,
B is a direct bond,
Figure pat00057
,
Figure pat00058
,
Figure pat00059
,
Figure pat00060
,
Figure pat00061
,
Figure pat00062
,
Figure pat00063
or
Figure pat00064
is,
C is -(CH 2 ) n1 -, -(OCH 2 CH 2 ) n2 - or -(CH 2 CH 2 O) n3 -,
n1 to n3 are each independently an integer of 0 to 20,
F is -COOH, -SH, -NH 3 ,
Figure pat00065
,
Figure pat00066
or
Figure pat00067
is,
x and y are each independently an integer of 0-4.
청구항 1에 있어서, 상기 리간드층은 하기 화학식 1-1 내지 1-9로 표시되는 화합물에서 선택되는 1종 이상을 포함하는, 양자점.
[화학식 1-1]
Figure pat00068

[화학식 1-2]
Figure pat00069

[화학식 1-3]
Figure pat00070

[화학식 1-4]
Figure pat00071

[화학식 1-5]
Figure pat00072

[화학식 1-6]
Figure pat00073

[화학식 1-7]
Figure pat00074

[화학식 1-8]
Figure pat00075

[화학식 1-9]
Figure pat00076
The quantum dot according to claim 1, wherein the ligand layer includes at least one selected from compounds represented by the following Chemical Formulas 1-1 to 1-9.
[Formula 1-1]
Figure pat00068

[Formula 1-2]
Figure pat00069

[Formula 1-3]
Figure pat00070

[Formula 1-4]
Figure pat00071

[Formula 1-5]
Figure pat00072

[Formula 1-6]
Figure pat00073

[Formula 1-7]
Figure pat00074

[Formula 1-8]
Figure pat00075

[Formula 1-9]
Figure pat00076
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1에 x 및 y의 합이 4 이상인, 양자점.The quantum dot according to claim 1, wherein the sum of x and y in Formula 1 is 4 or more. 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 따른 양자점을 모노머 또는 용제 중 어느 하나 이상을 포함하여 분산시킨, 양자점 분산체.A quantum dot dispersion in which the quantum dots according to any one of claims 1 to 3 are dispersed including any one or more of a monomer or a solvent. 청구항 4에 있어서, 상기 모노머는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는, 양자점 분산체.
[화학식 2]
Figure pat00077

상기 화학식 2에서,
R5는 C1-C20의 알킬렌기, C1-C20의 페닐렌기 또는 C3-C10의 사이클로알킬렌기이며,
R6 및 R7은, 각각 독립적으로, 수소 또는 메틸기이고,
m은 1 내지 15의 정수이다.
The quantum dot dispersion according to claim 4, wherein the monomer comprises a compound represented by the following formula (2).
[Formula 2]
Figure pat00077

In Formula 2,
R 5 is a C 1 -C 20 alkylene group, a C 1 -C 20 phenylene group, or a C 3 -C 10 cycloalkylene group,
R 6 and R 7 are each independently hydrogen or a methyl group,
m is an integer from 1 to 15;
청구항 5에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 1,6-헥산디올 디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 2-하이드록시-3-메타크릴프로필아크릴레이트, 1,9-비스아크릴로일옥시노난 및 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는, 양자점 분산체.The method according to claim 5, The compound represented by Formula 2 is 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, 2-hydroxy-3-methacrylpropyl acrylate, 1,9-bisacryloyl oxide A quantum dot dispersion comprising at least one selected from cynonane and tripropylene glycol diacrylate. 청구항 4에 따른 양자점 분산체를 포함하며, 산란입자, 광중합성 화합물 및 광중합 개시제로부터 선택되는 어느 하나 이상을 더 포함하는, 광변환 잉크 조성물.A light conversion ink composition comprising the quantum dot dispersion according to claim 4, further comprising any one or more selected from scattering particles, a photopolymerizable compound, and a photopolymerization initiator. 청구항 7에 있어서, 상기 산란입자는 Al2O3, SiO2, ZnO, ZrO2, BaTiO3, TiO2, Ta2O5, Ti3O5, ITO, IZO, ATO, ZnO-Al, Nb2O3, SnO, MgO 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는, 광변환 잉크 조성물.The method according to claim 7, The scattering particles are Al 2 O 3 , SiO 2 , ZnO, ZrO 2 , BaTiO 3 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , Ti 3 O 5 , ITO, IZO, ATO, ZnO-Al, Nb 2 O 3 , SnO, MgO, and a light conversion ink composition comprising at least one selected from the group consisting of combinations thereof. 청구항 7에 있어서, 10ppm 내지 9000ppm의 용제를 포함하거나, 또는 용제를 포함하지 않는, 광변환 잉크 조성물. The method according to claim 7, 10ppm to 9000ppm of a solvent, or does not contain a solvent, the light conversion ink composition. 청구항 1의 양자점을 발광층으로 포함하는, 전자 소자.An electronic device comprising the quantum dots of claim 1 as a light emitting layer. 청구항 10에 있어서, 발광 다이오드, 유기발광 다이오드, 센서, 이미징 센서, 태양전지 또는 LCD 소자에 적용되는, 전자 소자.The electronic device according to claim 10, which is applied to a light emitting diode, an organic light emitting diode, a sensor, an imaging sensor, a solar cell or an LCD device. 청구항 7에 따른 광변환 잉크 조성물을 이용하여 형성되는 경화막을 포함하는 컬러필터.A color filter comprising a cured film formed using the light conversion ink composition according to claim 7. 청구항 7에 따른 광변환 잉크 조성물을 이용하여 형성되는 경화막을 포함하는 광변환 적층기재.A light conversion laminated substrate comprising a cured film formed using the light conversion ink composition according to claim 7. 청구항 12의 컬러필터 또는 청구항 13의 광변환 적층기재를 포함하는, 화상표시장치.An image display device comprising the color filter of claim 12 or the light conversion laminated substrate of claim 13 . 청구항 10의 전자 소자를 포함하는, 화상표시장치.An image display device comprising the electronic device of claim 10 . 청구항 15에 있어서, 전자 소자는 양자점 발광다이오드(quantum dot LED, QLED)를 포함하는, 화상표시장치.The image display device of claim 15 , wherein the electronic device comprises a quantum dot LED (QLED).
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