KR20210098990A - Resin composition for millimeter wave substrates, adhesive film for millimeter wave substrates, millimeter wave substrates, millimeter wave radar substrates, and semiconductor devices - Google Patents

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Abstract

수지 조성물의 경화물이 고주파 특성이 우수하고, tanδ의 온도 의존성이 작으며, 또한 난연성이 우수한 밀리파 레이더용의 절연체로서 사용하는 것이 가능한 밀리파 기판용 수지 조성물을 제공하는 것이다. (A) 수첨 스티렌계 엘라스토머와, (B) 비페닐 골격을 갖는 가교 가능한 화합물과, (C) 포스핀산 금속염을 포함하는 난연제를 포함하는 수지 조성물로서, (C) 성분이, (A) 성분과 (B) 성분과 (C) 성분의 합계 100질량부에 대해, 15∼50질량부이고, 경화물의 10G㎐에서의 유전 정접의 25℃에서의 값에 대한 120℃에서의 값의 변화율이 30% 이하인 것을 특징으로 하는 밀리파 기판용 수지 조성물이다.To provide a resin composition for millimeter wave substrates, in which a cured product of the resin composition is excellent in high frequency characteristics, has a small temperature dependence of tan ?, and can be used as an insulator for millimeter wave radars excellent in flame retardancy. A resin composition comprising (A) a hydrogenated styrene-based elastomer, (B) a crosslinkable compound having a biphenyl skeleton, and (C) a flame retardant comprising a metal phosphinic acid salt, wherein the component (C) comprises the component (A) and It is 15-50 mass parts with respect to a total of 100 mass parts of (B) component and (C) component, and the rate of change of the value at 120 degreeC with respect to the value at 25 degreeC of the dielectric loss tangent at 10GHz of hardened|cured material is 30% It is a resin composition for millimeter wave board|substrates characterized by the following.

Description

밀리파 기판용 수지 조성물, 밀리파 기판용 접착 필름, 밀리파 기판, 밀리파 레이더 기판, 및 반도체 장치Resin composition for millimeter wave substrates, adhesive film for millimeter wave substrates, millimeter wave substrates, millimeter wave radar substrates, and semiconductor devices

본 발명은 밀리파 기판용 수지 조성물, 밀리파 기판용 접착 필름, 밀리파 기판, 밀리파 레이더 기판, 및 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition for a millimeter wave substrate, an adhesive film for a millimeter wave substrate, a millimeter wave substrate, a millimeter wave radar substrate, and a semiconductor device.

일반적으로, 고주파 용도의 프린트 배선판에서는 전송 손실이 작은 것이 요구된다. 종래에는 고주파 용도에서도 1G㎐ 대역에서의 전송 손실이 작으면 충분하고, 프린트 배선판의 접착층이나 커버레이나 기판 자체에 있어서, 전송 손실 정도의 지표가 되는 유전 정접(tanδ)의 값이 0.01 이하 레벨이면 문제되지 않았다. 이 때문에, 온도 변화에 의해 tanδ의 값이 다소 변동(드리프트)해도 허용되었다. 예를 들면, tanδ의 상온에서의 값이 0.0100이고, 고온에서의 값이 0.0110일 때, 그 변화량은 0.0010이고, tanδ의 변화율은 10% 이내이다.Generally, in a printed wiring board for a high frequency use, a thing with small transmission loss is calculated|required. Conventionally, even in high-frequency applications, it is sufficient if the transmission loss in the 1GHz band is small, and in the adhesive layer of the printed wiring board, the coverlay, or the substrate itself, if the value of the dielectric loss tangent (tanδ), which is an index of the degree of transmission loss, is at a level of 0.01 or less, it is a problem It didn't happen. For this reason, it was allowed even if the value of tan δ slightly fluctuated (drift) due to temperature change. For example, when the value of tanδ at room temperature is 0.0100 and the value at high temperature is 0.0110, the amount of change is 0.0010, and the rate of change of tanδ is within 10%.

그러나, 근래에는 3G㎐ 이상의 고주파대에 있어서의 특성이 요구되게 되어, 전송 손실을 적게 하기 위해, 예를 들면, tanδ는 0.003 이하와 같이 보다 작은 값이 요구되게 되었다. 그 결과, tanδ 값의 작은 변화에도 tanδ의 변화율은 커지고, 예를 들면, tanδ의 상온에서의 값이 0.0030이고, 고온에서의 값이 0.0040일 때, 그 변화량은 0.0010이지만, tanδ의 변화율은 33.3%로 커진다. 이 때문에, 보다 온도 변화에 따른 tanδ의 변화율이 작은 재료가 요구되게 되었다.However, in recent years, characteristics in a high frequency band of 3 GHz or more have been demanded, and in order to reduce transmission loss, for example, a smaller value such as 0.003 or less for tan δ is required. As a result, even with a small change in the tanδ value, the rate of change of tanδ is large. For example, when the value of tanδ at room temperature is 0.0030 and the value at high temperature is 0.0040, the amount of change is 0.0010, but the rate of change of tanδ is 33.3% grows to For this reason, a material with a smaller rate of change of tan δ with a change in temperature has come to be demanded.

특히, 밀리파 회로용 기판(이하, 밀리파 기판이라고 한다) 용도의 경우, 더욱 고주파대이고, 온도 변화에 따른 tanδ의 변화율이 작은 것(즉, tanδ의 온도 의존성이 작은 것)에 대한 요구가 보다 엄격해진다. 밀리파 레이더용 기판(이하, 밀리파 레이더 기판이라고 한다)을 사용한 차재용 밀리파 레이더에 대해서도 마찬가지로 엄격한 요구가 있다.In particular, in the case of substrates for millimeter wave circuits (hereinafter referred to as millimeter wave boards), there is a demand for a higher frequency band and a small rate of change of tanδ with temperature change (that is, a material with small temperature dependence of tanδ). become stricter There are similarly strict requirements for an on-vehicle millimeter wave radar using a millimeter wave radar board (hereinafter referred to as millimeter wave radar board).

또한, 기판 용도에서는 tanδ의 온도 의존성이 작은 것에 대한 요구에 더해, 추가로 난연성이 요구되는 경우가 있다. 이 때에는 난연제의 사용이 필요해지지만, 현재는 논할로겐인 것이 전제가 되기 때문에, 할로겐계 난연제는 사용할 수 없다.Moreover, in addition to the request|requirement for the temperature dependence of tan-delta being small in a board|substrate use, further flame retardance may be calculated|required. In this case, the use of a flame retardant is necessary, but now it is a premise that it is non-halogen, so a halogen-based flame retardant cannot be used.

여기서, 「고주파수대에서의 우수한 유전 특성 및 유전 특성의 온도 변화에 대한 드리프트성이 작고, 우수한 안정성을 발현하는 인쇄 배선판용 수지 조성물」(특허문헌 1의 제0012, 0015 단락 등)로서, 「분자 중에 시아나토기를 2개 이상 갖는 시아네이트 에스테르 화합물 및/또는 이들의 프리폴리머와, 분자 중에 비페닐 골격을 갖는 에폭시 수지를 적어도 1종 함유하는 에폭시 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄 배선판용 수지 조성물」이 개시되어 있다(특허문헌 1).Here, as "a resin composition for a printed wiring board that exhibits excellent stability with excellent dielectric properties in a high frequency band and low drift of dielectric properties with respect to temperature changes" (paragraphs 0012 and 0015 of Patent Document 1, etc.), "molecular A resin composition for a printed wiring board, comprising: a cyanate ester compound and/or a prepolymer thereof having two or more cyanato groups in the molecule; and an epoxy resin containing at least one epoxy resin having a biphenyl skeleton in the molecule.” This is disclosed (patent document 1).

그러나, 이 인쇄 배선판용 수지 조성물은 25℃에서의 비유전율(ε)의 값이 3.5 이상, tanδ의 값이 0.004 이상으로 높기 때문에, 가령 tanδ의 온도 의존성이 작더라도, 밀리파 기판 용도에서의 사용은 어렵다. 또한, 구체적으로 개시되어 있는 난연제는 할로겐계 난연제이다.However, this resin composition for a printed wiring board has a high relative permittivity (ε) at 25°C of 3.5 or more and a value of tan δ of 0.004 or more, so even if the temperature dependence of tan δ is small, for example, use in millimeter wave substrate applications. is difficult In addition, the specifically disclosed flame retardant is a halogen-based flame retardant.

일본 공개특허공보 2010-212689호Japanese Patent Laid-Open No. 2010-212689

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은 수지 조성물의 경화물이 고주파 특성이 우수하고, tanδ의 온도 의존성이 작으며, 또한 난연성이 우수한 밀리파 기판용 절연체로서 사용하는 것이 가능한 밀리파 기판용 수지 조성물을 제공하는 것이다.The present invention has been made in view of the above circumstances, and its object is that the cured product of the resin composition has excellent high-frequency characteristics, has a small temperature dependence of tanδ, and can be used as an insulator for millimeter wave substrates with excellent flame retardancy. To provide a resin composition for a substrate.

본 발명은 이하의 구성을 가짐으로써 상기 과제를 해결한 밀리파 기판용 수지 조성물, 밀리파 기판용 접착 필름, 밀리파 기판, 밀리파 레이더 기판, 및 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition for a millimeter wave substrate, an adhesive film for a millimeter wave substrate, a millimeter wave substrate, a millimeter wave radar substrate, and a semiconductor device, which have solved the above problems by having the following structures.

[1] (A) 수첨 스티렌계 엘라스토머와, (B) 비페닐 골격을 갖는 가교 가능한 화합물과, (C) 포스핀산 금속염을 포함하는 난연제를 포함하는 수지 조성물로서,[1] A resin composition comprising (A) a hydrogenated styrene-based elastomer, (B) a crosslinkable compound having a biphenyl skeleton, and (C) a flame retardant comprising a metal phosphinic acid salt,

(C) 성분이, (A) 성분과 (B) 성분과 (C) 성분의 합계 100질량부에 대해, 15∼50질량부이고,(C) component is 15-50 mass parts with respect to a total of 100 mass parts of (A) component, (B) component, and (C)component,

경화물의 10G㎐에서의 유전 정접의 25℃에서의 값에 대한 120℃에서의 값의 변화율이 30% 이하인 것을 특징으로 하는 밀리파 기판용 수지 조성물.The resin composition for millimeter wave substrates characterized in that the rate of change of the value at 120°C with respect to the value at 25°C of the dielectric loss tangent at 10 GHz of the cured product is 30% or less.

[2] (C) 성분의 포스핀산 금속염이 5질량부 이상인 상기 [1]에 기재된 밀리파 기판용 수지 조성물.[2] The resin composition for millimeter wave substrates according to the above [1], wherein the metal phosphinic acid salt of component (C) is 5 parts by mass or more.

[3] 10G㎐에서의 유전 정접이 0.0030 이하인 상기 [1] 또는 [2]에 기재된 밀리파 기판용 수지 조성물.[3] The resin composition for millimeter wave substrates according to the above [1] or [2], wherein the dielectric loss tangent at 10 GHz is 0.0030 or less.

[4] (A) 성분이, (A) 성분과 (B) 성분의 합계 100질량부에 대해, 50∼80질량부인 상기 [1]∼[3] 중 어느 하나에 기재된 밀리파 기판용 수지 조성물.[4] The resin composition for millimeter wave substrates according to any one of [1] to [3], wherein the component (A) is 50 to 80 parts by mass based on 100 parts by mass in total of the component (A) and the component (B). .

[5] (A) 성분이 스티렌-에틸렌/부틸렌-스티렌 블록 공중합체인 상기 [1]∼[4] 중 어느 하나에 기재된 밀리파 기판용 수지 조성물.[5] The resin composition for millimeter wave substrates according to any one of [1] to [4], wherein the component (A) is a styrene-ethylene/butylene-styrene block copolymer.

[6] 상기 [1]∼[5] 중 어느 하나에 기재된 밀리파 기판용 수지 조성물을 포함하는 밀리파 기판용 접착 필름.[6] An adhesive film for millimeter wave substrates comprising the resin composition for millimeter wave substrates according to any one of [1] to [5].

[7] 상기 [1]∼[5] 중 어느 하나에 기재된 밀리파 기판용 수지 조성물의 경화물을 포함하는 밀리파 기판.[7] A millimeter wave substrate comprising a cured product of the resin composition for millimeter wave substrates according to any one of [1] to [5].

[8] 상기 [1]∼[5] 중 어느 하나에 기재된 밀리파 기판용 수지 조성물의 경화물을 포함하는 밀리파 레이더 기판.[8] A millimeter wave radar substrate comprising a cured product of the resin composition for millimeter wave substrates according to any one of [1] to [5].

[9] 상기 [7]에 기재된 밀리파 기판 또는 상기 [8]에 기재된 밀리파 레이더 기판을 포함하는 반도체 장치.[9] A semiconductor device comprising the millimeter wave substrate according to the above [7] or the millimeter wave radar substrate according to the above [8].

본 발명 [1]에 의하면, 수지 조성물의 경화물이 고주파 특성이 우수하고, tanδ의 온도 의존성이 작으며, 또한 난연성이 우수한 밀리파 기판용 절연체로서 사용하는 것이 가능한 밀리파 기판용 수지 조성물을 제공할 수 있다.According to the present invention [1], there is provided a resin composition for millimeter wave substrates, which can be used as an insulator for millimeter wave boards, in which the cured product of the resin composition has excellent high frequency characteristics, low temperature dependence of tanδ, and excellent flame retardancy. can do.

본 발명 [7]에 의하면, 고주파 특성이 우수하고, tanδ의 온도 의존성이 작으며, 또한 난연성이 우수한 밀리파 기판을 제공할 수 있다. 본 발명 [8]에 의하면, 고주파 특성이 우수하고, tanδ의 온도 의존성이 작으며, 또한 난연성이 우수한 밀리파 레이더 기판을 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention [7], it is excellent in a high frequency characteristic, the temperature dependence of tan-delta is small, and the millimeter-wave board|substrate excellent in flame retardance can be provided. ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention [8], it is excellent in a high frequency characteristic, and the temperature dependence of tan-delta is small, and the millimeter-wave radar substrate excellent in flame retardance can be provided.

본 발명 [9]에 의하면, 고주파 특성이 우수하고, tanδ의 온도 의존성이 작으며, 또한 난연성이 우수한 밀리파 기판 또는 밀리파 레이더 기판(이하, 기판이라고도 한다)을 포함하는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공할 수 있다.According to the present invention [9], there is provided a highly reliable semiconductor device comprising a millimeter wave substrate or millimeter wave radar substrate (hereinafter also referred to as a substrate) having excellent high frequency characteristics, small temperature dependence of tanδ, and excellent flame retardancy. can provide

이하, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시형태로 한정되지 않는다. 또한, 본 명세서에 있어서, 밀리파 기판이나 밀리파 레이더 기판에 사용되는 주파수 영역은 3G㎐∼300G㎐를 가리키는 것으로 한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiment of this invention is described in detail. However, this invention is not limited to the following embodiment. In addition, in this specification, the frequency range used for a millimeter-wave board|substrate or millimeter-wave radar board shall refer to 3GHz - 300GHz.

[밀리파 기판용 수지 조성물][Resin composition for millimeter wave substrate]

본 발명의 밀리파 기판용 수지 조성물(이하, 기판용 수지 조성물이라고 한다)은, (A) 수첨 스티렌계 엘라스토머와, (B) 비페닐 골격을 갖는 가교 가능한 화합물과, (C) 포스핀산 금속염을 포함하는 난연제를 포함하는 수지 조성물로서,The resin composition for milliwave substrates (hereinafter referred to as resin composition for substrates) of the present invention comprises (A) a hydrogenated styrene-based elastomer, (B) a crosslinkable compound having a biphenyl skeleton, and (C) a metal phosphinic acid salt. As a resin composition comprising a flame retardant comprising:

(C) 성분이, (A) 성분과 (B) 성분과 (C) 성분의 합계 100질량부에 대해, 5∼50질량부이고,(C) component is 5-50 mass parts with respect to a total of 100 mass parts of (A) component, (B) component, and (C)component,

경화물의 10G㎐에서의 유전 정접의 25℃에서의 값에 대한 120℃에서의 값의 변화율이 30% 이하인 것을 특징으로 한다.It is characterized in that the rate of change of the value at 120°C with respect to the value at 25°C of the dielectric loss tangent at 10GHz of the cured product is 30% or less.

(A) 성분인 수첨 스티렌계 엘라스토머는 필름 성상, 내열성 등에 기여한다. 또한, 고주파대에 있어서 우수한 전기 특성, 저유전율, 저유전 정접을 부여한다. 또한, tanδ의 온도 의존성이 작다. 또한, (A) 성분은 경화 후의 기판용 수지 조성물이 외부로부터의 응력을 완화할 수 있는 적당한 유연성을 갖고 있기 때문에, 기판 내에 생기는 응력을 완화할 수 있다. (A) 성분으로는 스티렌-에틸렌/부틸렌-스티렌 블록 공중합체(SEBS), 스티렌-에틸렌/프로필렌-스티렌 블록 공중합체(SEPS), 스티렌-(에틸렌-에틸렌/프로필렌)-스티렌 블록 공중합체(SEEPS)를 들 수 있고, 내열성의 관점에서, 스티렌-에틸렌/부틸렌-스티렌 블록 공중합체(SEBS)가 바람직하다. (A) 성분은 중량 평균 분자량이 30,000∼200,000인 것이 바람직하다. 중량 평균 분자량은 겔 퍼미에이션 크로마토그래피법(GPC)에 의해, 표준 폴리스티렌에 의한 검량선을 이용한 값으로 한다. (A) 성분은 단독이어도, 2종 이상을 병용해도 된다.The hydrogenated styrene-based elastomer as component (A) contributes to film properties, heat resistance, and the like. In addition, it provides excellent electrical properties, low dielectric constant, and low dielectric loss tangent in a high frequency band. In addition, the temperature dependence of tan δ is small. Moreover, since (A) component has moderate flexibility which the resin composition for board|substrates after hardening can relieve|moderate stress from the outside, it can relieve|moderate the stress which arises in a board|substrate. As component (A), styrene-ethylene/butylene-styrene block copolymer (SEBS), styrene-ethylene/propylene-styrene block copolymer (SEPS), styrene-(ethylene-ethylene/propylene)-styrene block copolymer ( SEEPS), and a styrene-ethylene/butylene-styrene block copolymer (SEBS) is preferable from the viewpoint of heat resistance. It is preferable that the weight average molecular weights of (A) component are 30,000-200,000. Let the weight average molecular weight be the value using the analytical curve by standard polystyrene by the gel permeation chromatography method (GPC). (A) A component may be individual or may use 2 or more types together.

(B) 성분인 비페닐 골격을 갖는 가교 가능한 화합물은, 경화물의 Tg를 높게, 경화 후의 기판용 수지 조성물의 경시 변화를 생기기 어렵게 할 수 있어, 기판의 장기 신뢰성을 유지할 수 있다. 또한, tanδ의 온도 의존성이 작다. 비페닐 골격을 갖는 가교 가능한 화합물로는 비닐기가 결합된 페닐기를 양 말단에 갖는 폴리에테르 화합물(이하, 변성 PPE라고 한다), 비페닐 골격을 갖는 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 변성 PPE나 비페닐 골격을 갖는 에폭시 수지는 수지 중의 친수기의 수가 적기 때문에 흡습성이 작고 내습성이 우수하다. 또한, 이들은 절연성이 우수하고, 기판용 수지 조성물로부터 형성되는 기판의 두께를 얇게 하더라도, 기판의 신뢰성을 유지할 수 있다.The crosslinkable compound which has a biphenyl skeleton as component (B) can make Tg of hardened|cured material high, can make it hard to produce the change with time of the resin composition for board|substrates after hardening, and can maintain long-term reliability of a board|substrate. In addition, the temperature dependence of tan δ is small. Examples of the crosslinkable compound having a biphenyl skeleton include a polyether compound having a phenyl group to which a vinyl group is bonded at both ends (hereinafter referred to as modified PPE), an epoxy resin having a biphenyl skeleton, and the like. Since the number of the hydrophilic groups in resin is small, the epoxy resin which has modified PPE or a biphenyl skeleton has small hygroscopicity and is excellent in moisture resistance. Moreover, they are excellent in insulation, and even if the thickness of the board|substrate formed from the resin composition for board|substrates is thin, the reliability of a board|substrate can be maintained.

비닐기가 결합된 페닐기를 양 말단에 갖는 폴리에테르 화합물로는, 식 (1):As a polyether compound having a phenyl group bonded to a vinyl group at both terminals, Formula (1):

Figure pct00001
Figure pct00001

Figure pct00002
Figure pct00002

(식 중, (During the meal,

R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7은 동일 또는 상이해도 되고, 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 할로겐화 알킬기 또는 페닐기이고,R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , and R 7 may be the same or different and represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a halogenated alkyl group or a phenyl group,

-(O-X-O)-는 구조식 (2)로 나타내고, 여기서, R8, R9, R10, R14, R15는 동일 또는 상이해도 되고, 할로겐 원자 또는 탄소수 6 이하의 알킬기 또는 페닐기이고, R11, R12, R13은 동일 또는 상이해도 되고, 수소 원자, 할로겐 원자 또는 탄소수 6 이하의 알킬기 또는 페닐기이고,-(OXO)- is represented by Structural Formula (2), wherein R 8 , R 9 , R 10 , R 14 , R 15 may be the same or different, and represent a halogen atom, an alkyl group having 6 or less carbon atoms, or a phenyl group, and R 11 , R 12 , R 13 may be the same or different, and represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 6 or less carbon atoms, or a phenyl group;

-(Y-O)-는 구조식 (3)으로 나타내는 1종류의 구조, 또는 구조식 (3)으로 나타내는 2종류 이상의 구조가 랜덤으로 배열된 것이고, 여기서, R16, R17은 동일 또는 상이해도 되고, 할로겐 원자 또는 탄소수 6 이하의 알킬기 또는 페닐기이고, R18, R19는 동일 또는 상이해도 되고, 수소 원자, 할로겐 원자 또는 탄소수 6 이하의 알킬기 또는 페닐기이고,-(YO)- represents one type of structure represented by Structural Formula (3), or two or more types of structures represented by Structural Formula (3) arranged at random, wherein R 16 and R 17 may be the same or different, and halogen an atom or an alkyl group or phenyl group having 6 or less carbon atoms, R 18 and R 19 may be the same or different, and are a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group or a phenyl group having 6 or less carbon atoms,

Z는 탄소수 1 이상의 유기기이며, 경우에 따라 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 할로겐 원자를 포함하는 경우도 있고,Z is an organic group having 1 or more carbon atoms, and in some cases contains an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, and a halogen atom,

a, b는 적어도 어느 한쪽이 0이 아닌, 0∼300의 정수를 나타내고,a and b represent an integer of 0 to 300, at least either of which is not 0,

c, d는 0 또는 1의 정수를 나타낸다)로 나타내는 화합물(이하, 변성 PPE라고 한다)을 들 수 있다.and c and d represent an integer of 0 or 1) (hereinafter referred to as modified PPE).

식 (1)로 나타내는 변성 PPE의 -(O-X-O)-에 대한 구조식 (2)에 있어서, R8, R9, R10, R14, R15는 바람직하게는 탄소수 3 이하의 알킬기이고, R11, R12, R13은 바람직하게는 수소 원자 또는 탄소수 3 이하의 알킬기이다. 구체적으로는, 구조식 (4)를 들 수 있다.In the structural formula (2) for -(OXO)- of the modified PPE represented by the formula (1), R 8 , R 9 , R 10 , R 14 , R 15 are preferably an alkyl group having 3 or less carbon atoms, and R 11 , R 12 , and R 13 are preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 3 or less carbon atoms. Structural formula (4) is mentioned specifically,.

Figure pct00003
Figure pct00003

-(Y-O)-에 대한 구조식 (3)에 있어서, R16, R17은 바람직하게는 탄소수 3 이하의 알킬기이고, R18, R19는 바람직하게는 수소 원자 또는 탄소수 3 이하의 알킬기이다. 구체적으로는, 구조식 (5) 또는 (6)을 들 수 있다.In the structural formula (3) for -(YO)-, R 16 and R 17 are preferably an alkyl group having 3 or less carbon atoms, and R 18 , R 19 are preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 3 or less carbon atoms. Structural formula (5) or (6) is mentioned specifically,.

Figure pct00004
Figure pct00004

Z는 탄소수 3 이하의 알킬렌기를 들 수 있고, 구체적으로는 메틸렌기이다.Z includes an alkylene group having 3 or less carbon atoms, and specifically is a methylene group.

a, b는 적어도 어느 한쪽이 0이 아닌, 0∼300의 정수를 나타내고, 바람직하게는 0∼30의 정수를 나타낸다.a and b represent the integer of 0-300 in which at least either one is not 0, Preferably the integer of 0-30 is represented.

수평균 분자량이 1000∼4500인 식 (1)의 변성 PPE가 바람직하다. 보다 바람직한 수평균 분자량은 1000∼3000이다. 상기 변성 PPE는 단독이어도, 2종 이상 조합하여 사용해도 된다.The modified PPE of Formula (1) whose number average molecular weights are 1000-4500 is preferable. A more preferable number average molecular weight is 1000-3000. The said modified PPE may be used individually or in combination of 2 or more types.

비페닐 골격을 갖는 에폭시 수지는 기판용 수지 조성물의 접착 강도 향상, 다른 구조의 에폭시 수지에 비해 tanδ의 온도 의존성을 작게 하는 관점에서 바람직하다. 또한, 에폭시 당량은 150∼300이고, 분자 중에 수산기를 포함하지 않는 것이 바람직하다. 그러나, 비페닐 골격을 갖는 에폭시 수지는 포함되지 않아도 된다. 어떤 양태에 있어서는, 기판용 수지 조성물은 실질적으로 에폭시 수지를 포함하지 않는다.An epoxy resin having a biphenyl skeleton is preferable from the viewpoint of improving the adhesive strength of the resin composition for substrates and making the temperature dependence of tan δ smaller than that of epoxy resins having other structures. Moreover, it is preferable that epoxy equivalent is 150-300, and does not contain a hydroxyl group in a molecule|numerator. However, the epoxy resin which has a biphenyl skeleton does not need to be contained. In a certain aspect, the resin composition for board|substrates does not contain an epoxy resin substantially.

(B) 성분은 추가로 개시제 혹은 경화제를 포함하면 바람직하다. 변성 PPE용 개시제로는 유기 과산화물이, 비페닐 골격을 갖는 에폭시 수지의 경화제로는 페놀계 경화제, 아민계 경화제, 이미다졸계 경화제, 산무수물계 경화제 등을 들 수 있다. 특히, 이미다졸계 경화제이면, 비페닐 골격을 갖는 에폭시 수지에 대한 경화성, 접착성, tanδ의 온도 의존성을 작게 하는 관점에서 바람직하다. (B) 성분은 단독이어도, 2종 이상을 병용해도 된다.It is preferable when (B) component further contains an initiator or a hardening|curing agent. Examples of the initiator for modified PPE include an organic peroxide, and the curing agent for an epoxy resin having a biphenyl skeleton include a phenol-based curing agent, an amine-based curing agent, an imidazole-based curing agent, and an acid anhydride-based curing agent. In particular, if it is an imidazole type hardening|curing agent, it is preferable from a viewpoint of making small the temperature dependence of sclerosis|hardenability with respect to the epoxy resin which has a biphenyl skeleton, adhesiveness, and tan δ. (B) A component may be individual or may use 2 or more types together.

(C) 성분인 포스핀산 금속염을 포함하는 난연제로는, Me(POOR20R21)f (식 중, M은 Li, Na, K, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Ge, Sn, Sb, Bi, Zn, Ti, Zr, Mn, Fe, 또는 Ce이고, R20, R21은 각각 탄소수 1∼5개의 지방족 탄화수소기 또는 방향족 탄화수소기이며, e 및 f는 1∼9의 정수이다)를 들 수 있다. 이들 중에서, 난연성의 관점 및 tanδ의 온도 의존성을 작게 하는 관점에서, 포스핀산 알루미늄이 바람직하고, 디알킬포스핀산 알루미늄이 보다 바람직하며, 디에틸포스핀산 알루미늄이 더욱 바람직하다.(C) As a flame retardant containing a phosphinic acid metal salt as a component, M e (POOR 20 R 21 ) f (wherein M is Li, Na, K, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Ge, Sn, Sb, Bi, Zn, Ti, Zr, Mn, Fe, or Ce, R 20 and R 21 are each an aliphatic hydrocarbon group or aromatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms, and e and f are integers from 1 to 9) can be heard Among these, aluminum phosphinate is preferable, aluminum dialkylphosphinate is more preferable, and aluminum diethylphosphinate is still more preferable from a viewpoint of a flame retardance and a viewpoint of reducing the temperature dependence of tan ?.

(C) 성분으로서 포스핀산 금속염 이외에 사용 가능한 난연제로는, 논할로겐이며, 또한 tanδ의 온도 의존성이 작은 난연제를 들 수 있다. 구체적으로는, 비페놀비스-디자일레닐포스페이트, 10-(2,5-디히드록시페닐)-10-H-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드 등을 들 수 있다. (C) 성분은 단독이어도, 2종 이상을 병용해도 된다.(C) As a flame retardant which can be used other than a phosphinic acid metal salt as a component, it is non-halogen, and the flame retardant with small temperature dependence of tan-delta is mentioned. Specific examples thereof include biphenolbis-disylenyl phosphate and 10-(2,5-dihydroxyphenyl)-10-H-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide. (C) A component may be individual or may use 2 or more types together.

(A) 성분은, (A) 성분과 (B) 성분의 합계 100질량부에 대해, 50∼80질량부이면 바람직하고, 55∼80질량부이면 보다 바람직하다. (A) 성분의 함유량이 (B) 성분의 함유량 이상이 됨으로써, 기판용 수지 조성물의 필 강도가 높아지기 쉽고, 또한 내열 신뢰성(예를 들면, 125℃에서 1000시간 이상)이 향상되기 쉬워진다.(A) It is preferable in it being 50-80 mass parts with respect to a total of 100 mass parts of (A) component and (B) component, and, as for (A) component, it is more preferable in it being 55-80 mass parts. When content of (A) component becomes more than content of (B) component, the peeling strength of the resin composition for board|substrates becomes high easily, and heat-resistant reliability (for example, at 125 degreeC for 1000 hours or more) becomes easy to improve.

또한, (A) 성분은, (A) 성분과 (B) 성분과 (C) 성분의 합계 100질량부에 대해, 32.5∼70질량부이면 바람직하고, 40∼70질량부이면 바람직하며, 40∼64질량부이면 더욱 바람직하다.Moreover, (A) component is preferable in it being 32.5-70 mass parts with respect to a total of 100 mass parts of (A) component, (B) component, and (C)component, It is preferable in it being 40-70 mass parts, It is preferable in it being 40-70 mass parts It is more preferable in it being 64 mass parts.

(C) 성분은 난연성 부여 및 고주파 특성의 관점에서, (A) 성분과 (B) 성분과 (C) 성분의 합계 100질량부에 대해, 15∼50질량부이다.(C)component is 15-50 mass parts with respect to a total of 100 mass parts of (A) component, (B) component, and (C)component from a flame retardance provision and a viewpoint of a high frequency characteristic.

여기서, (C) 성분이 포스핀산 금속염만일 때에는, (A) 성분과 (B) 성분과 (C) 성분의 합계 100질량부에 대해, 포스핀산 금속염은 20∼35질량부이면 바람직하다.Here, when (C)component is only a phosphinic acid metal salt, it is preferable in it being 20-35 mass parts of phosphinic acid metal salts with respect to a total of 100 mass parts of (A) component, (B) component, and (C)component.

(C) 성분이 포스핀산 금속염과, 다른 난연제로 이루어지는 경우에는, 포스핀산 금속염이 (A) 성분과 (B) 성분과 (C) 성분의 합계 100질량부에 대해, 5질량부 이상 15질량부 미만이고, 그 밖의 난연제가 20∼40질량부이며, 또한 (C) 성분인 난연제의 합계가 25∼50질량부이면, 난연성, 고주파 특성, 접착성, 내열성의 관점에서 바람직하다.When (C) component consists of a phosphinic acid metal salt and another flame retardant, a phosphinic acid metal salt is 5 mass parts or more and 15 mass parts with respect to a total of 100 mass parts of (A) component, (B) component, and (C)component. Less than, 20-40 mass parts of other flame retardants, and the sum total of the flame retardant which is (C)component is 25-50 mass parts, from a viewpoint of a flame retardance, a high frequency characteristic, adhesiveness, and heat resistance.

한편, 기판용 수지 조성물은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 무기 필러, 실란 커플링제, 소포제, 분산 보조제, 산화 방지제, 소포제, 레벨링제, 요변제, 블루밍 방지제, 블로킹 방지제 등의 첨가제나 유기 용제를 포함할 수 있다.On the other hand, the resin composition for a substrate is an additive such as an inorganic filler, a silane coupling agent, an antifoaming agent, a dispersing aid, an antioxidant, an antifoaming agent, a leveling agent, a thixotropic agent, an anti-blooming agent, an anti-blocking agent, etc. Organic solvents may be included.

무기 필러로는 경화물 물성을 개선하는 관점에서, 일반적인 무기 필러를 사용할 수 있다. 저열팽창 계수의 관점에서 SiO2, 원하는 경화물 물성을 얻는 점에서 탤크, 카올린, BaSO4, CaCO3, MgO, Al2O3, SiO2, AlN, BN, 다이아몬드 필러, ZnO, SiC로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종 이상의 무기 필러이면 바람직하다. 이들 필러는 표면 처리되어 있어도 된다.As an inorganic filler, a general inorganic filler can be used from a viewpoint of improving the physical property of hardened|cured material. SiO 2 in terms of low coefficient of thermal expansion , talc, kaolin, BaSO 4 , CaCO 3 , MgO, Al 2 O 3 , SiO 2 , AlN, BN, diamond filler, ZnO, SiC in terms of obtaining desired properties of the cured product It is preferable that it is at least 1 or more types of inorganic fillers selected from. These fillers may be surface-treated.

무기 필러의 평균 입경(입상이 아닌 경우에는, 그의 평균 최대 직경)은 특별히 한정되지 않지만, 0.05∼20㎛인 것이 필러 입자 표면의 흡습에 따른 수지 경화물의 내습성의 저하를 막기 위해, 또한, 원하는 두께의 도막을 얻기 위해 바람직하다. 무기 필러의 평균 입경이 0.05㎛ 미만이면, 비표면적이 크기 때문에 무기 필러 표면에 대한 흡습량이 증대하여, 수지 경화물의 내습성이 악화될 우려가 있다. 20㎛ 초과이면, 필요한 도막의 두께에 비해 지나치게 커서, 원하는 두께의 막두께를 얻을 수 없을 우려가 있다. 또한, 미세 패턴의 기판에서의 사용에 있어서는, 패턴의 크기에 비해 필러가 지나치게 크기 때문에, 패턴 상에 필러 재질과 수지가 국재화함으로써 유전 손실이 증대할 우려가 있다. 무기 필러의 평균 입경은, 보다 바람직하게는 1∼10㎛이고, 또한 최대 입경이 10㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 최대 입경을 10㎛ 이하로 함으로써, 10G㎐ 이상의 주파수 대역에 있어서의 유전 손실이 증대하는 것을 막기 쉬워진다. 여기서, 무기 필러의 평균 입경 및 최대 입경은 레이저 산란 회절식 입도 분포 측정 장치로 측정한다. 무기 필러는 단독이어도, 2종 이상을 병용해도 된다.Although the average particle diameter of the inorganic filler (if not granular, its average maximum diameter) is not particularly limited, it is preferably 0.05 to 20 µm in order to prevent a decrease in moisture resistance of the cured resin product due to moisture absorption on the surface of the filler particles, and It is preferable in order to obtain a coating film of thickness. When the average particle diameter of the inorganic filler is less than 0.05 µm, since the specific surface area is large, the amount of moisture absorbed to the surface of the inorganic filler increases, and there is a possibility that the moisture resistance of the cured resin product may deteriorate. If it is more than 20 micrometers, compared with the thickness of a required coating film, it is too large, and there exists a possibility that the film thickness of a desired thickness may not be obtained. In addition, in use in a substrate of a fine pattern, since the filler is too large compared to the size of the pattern, there is a fear that the dielectric loss may increase due to the localization of the filler material and resin on the pattern. The average particle diameter of the inorganic filler is more preferably 1 to 10 µm, and further preferably the maximum particle diameter is 10 µm or less. By setting the maximum particle size to 10 µm or less, it becomes easy to prevent an increase in dielectric loss in a frequency band of 10 GHz or more. Here, the average particle diameter and the maximum particle diameter of the inorganic filler are measured with a laser scattering diffraction type particle size distribution analyzer. An inorganic filler may be individual or may use 2 or more types together.

유기 용제로는 방향족계 용제, 예를 들면, 톨루엔, 자일렌 등, 케톤계 용제, 예를 들면, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등, 또한, 시클로헥사논, 디메틸포름아미드, 1-메틸-2-피롤리돈 등의 고비점 용제 등을 들 수 있다. 유기 용제는 단독이어도, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 또한, 유기 용제의 사용량은 특별히 한정되지 않고, 수지 조성물의 도포 방법에 따라 각각 바람직한 점도가 되도록 조정할 수 있으면 된다. 구체적으로는, 고형분이 20∼80질량%가 되도록 유기 용제를 사용할 수 있다.Examples of the organic solvent include aromatic solvents such as toluene and xylene, ketone solvents such as methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone, and further, cyclohexanone, dimethylformamide, 1-methyl- High boiling point solvents, such as 2-pyrrolidone, etc. are mentioned. The organic solvent may be used individually or in combination of 2 or more type. In addition, the usage-amount of the organic solvent is not specifically limited, What is necessary is just to adjust so that it may become each preferable viscosity according to the coating method of a resin composition. Specifically, an organic solvent can be used so that solid content may be 20-80 mass %.

기판용 수지 조성물은 (A)∼(C) 성분 등을 포함하는 원료를, 유기 용제에 용해 또는 분산 등 시킴으로써 얻을 수 있다. 이들 원료의 용해 또는 분산 등의 장치로는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 가열 장치를 구비한 교반기, 디졸버, 뇌궤기, 3본 롤 밀, 볼 밀, 플라네터리 믹서, 비즈 밀 등을 사용할 수 있다. 또한, 이들 장치를 적절히 조합하여 사용해도 된다.The resin composition for substrates can be obtained by dissolving or dispersing the raw material containing the components (A) to (C) in an organic solvent. Although it is not specifically limited as an apparatus for dissolving or dispersing these raw materials, A stirrer equipped with a heating device, a dissolver, a grinder, a three roll mill, a ball mill, a planetary mixer, a bead mill, etc. can be used. . Moreover, you may use combining these apparatuses suitably.

기판용 수지 조성물은 예를 들면, 130∼220℃, 30∼180분간 열경화시킬 수 있다. 기판용 수지 조성물은 E형 점도계를 이용하여 10rpm, 25℃에서 측정한 값이 0.1∼100Pa·s의 점도인 것을, 원하는 도포 방법에 따라 적절히 선택할 수 있다.The resin composition for board|substrates can be thermosetted for 30-180 minutes at 130-220 degreeC, for example. The resin composition for board|substrates can select suitably according to the desired application|coating method that the value measured at 10 rpm and 25 degreeC using an E-type viscometer is a viscosity of 0.1-100 Pa.s.

기판용 수지 조성물은 경화물의 10G㎐에서의 tanδ의 25℃에서의 값에 대한 120℃에서의 값의 변화율이 30% 이하이다. 10G㎐에서의 tanδ의 25℃에서의 값에 대한 120℃에서의 값의 변화율이 30%보다 큰 경우에는 시장 요구를 만족하지 않는다. 10G㎐에서의 tanδ의 25℃에서의 값에 대한 120℃에서의 값의 변화율은 20% 이하인 것이 바람직하고, 10% 이하인 것이 더욱 바람직하다.As for the resin composition for board|substrates, the rate of change of the value at 120 degreeC with respect to the value at 25 degreeC of tan-delta in 10GHz of hardened|cured material is 30 % or less. When the rate of change of the value at 120°C with respect to the value at 25°C of tanδ at 10GHz is greater than 30%, the market demand is not satisfied. The rate of change of the value at 120°C with respect to the value at 25°C of tan δ at 10 GHz is preferably 20% or less, and more preferably 10% or less.

기판용 수지 조성물은 그 주파수 대역에서의 사용의 관점에서, 10G㎐에서의 유전 정접이 0.0030 이하이면 바람직하다. 기판용 수지 조성물은 배선판의 접착층이나, 커버레이나, 기판 자체에 사용할 수 있다.From the viewpoint of use in the frequency band, the resin composition for substrates preferably has a dielectric loss tangent of 0.0030 or less at 10 GHz. The resin composition for a board|substrate can be used for the adhesive layer of a wiring board, a coverlay, and board|substrate itself.

[밀리파 기판용 수지 조성물의 사용 제품][Products using the resin composition for millimeter wave substrates]

본 발명의 밀리파 기판용 접착 필름은 상술한 밀리파 기판용 수지 조성물을 포함한다. 이 밀리파 기판용 접착 필름은 기판용 수지 조성물에 의해 형성된다.The adhesive film for millimeter wave substrates of the present invention includes the above-described resin composition for millimeter wave substrates. This adhesive film for millimeter wave board|substrates is formed with the resin composition for board|substrates.

밀리파 기판용 접착 필름은 기판용 수지 조성물을 원하는 지지체에 도포한 후, 건조함으로써 얻을 수 있다. 지지체는 특별히 한정되지 않고, 구리, 알루미늄 등의 금속박, 폴리에스테르 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지 등의 유기 필름 등을 들 수 있다. 지지체는 실리콘계 화합물 등으로 이형 처리되어 있어도 된다.After apply|coating the resin composition for board|substrates to a desired support body, the adhesive film for millimeter wave board|substrates can be obtained by drying. The support body is not specifically limited, Organic films, such as metal foils, such as copper and aluminum, a polyester resin, a polyethylene resin, a polyethylene terephthalate resin, etc. are mentioned. The support may be subjected to a release treatment with a silicone-based compound or the like.

기판용 수지 조성물을 지지체에 도포하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 박막화·막두께 제어의 관점에서는, 마이크로 그라비아법, 슬롯 다이법, 닥터 블레이드법이 바람직하다. 슬롯 다이법에 의해, 열경화 후의 두께가 예를 들면, 10∼300㎛인 밀리파 기판용 접착 필름을 얻을 수 있다.Although the method of apply|coating the resin composition for board|substrates to a support body is not specifically limited, From a viewpoint of thin film formation and film thickness control, the micro gravure method, the slot die method, and the doctor blade method are preferable. By the slot die method, the adhesive film for millimeter wave board|substrates whose thickness after thermosetting is 10-300 micrometers, for example can be obtained.

건조 조건은 기판용 수지 조성물에 사용되는 유기 용제의 종류나 양, 도포의 두께 등에 따라 적절히 설정할 수 있으며, 예를 들면, 50∼120℃에서 1∼30분 정도로 할 수 있다. 이와 같이 하여 얻어진 절연성 밀리파 기판용 접착 필름은 양호한 보존 안정성을 갖는다. 한편, 밀리파 기판용 접착 필름은 원하는 타이밍에 지지체로부터 박리할 수 있다.Drying conditions can be suitably set according to the kind and quantity of the organic solvent used for the resin composition for board|substrates, the thickness of application|coating, etc., For example, it can be set as about 1-30 minutes at 50-120 degreeC. Thus, the obtained adhesive film for insulating millimeter wave board|substrates has favorable storage stability. On the other hand, the adhesive film for millimeter wave substrates can be peeled from a support body at a desired timing.

밀리파 기판용 접착 필름은 예를 들면, 130∼220℃, 30∼180분간 열경화시킬 수 있다.The adhesive film for millimeter wave board|substrates can be thermosetted for 30-180 minutes at 130-220 degreeC, for example.

밀리파 기판용 접착 필름의 두께는 10㎛ 이상 300㎛ 이하이면 바람직하고, 20㎛ 이상 200㎛ 이하이면 보다 바람직하다. 10㎛ 미만에서는 원하는 절연성이나, 도막의 강도나, 내구성이 얻어지지 않게 될 우려가 있다. 300㎛를 초과하면, 경화시의 응력이 커지고, 기판이 휘는 등의 문제가 발생할 우려가 있다.It is preferable in it being 10 micrometers or more and 300 micrometers or less, and, as for the thickness of the adhesive film for millimeter wave board|substrates, it is more preferable in it being 20 micrometers or more and 200 micrometers or less. If it is less than 10 micrometers, there exists a possibility that desired insulation, the intensity|strength of a coating film, and durability may not be acquired. When it exceeds 300 micrometers, the stress at the time of hardening may become large, and there exists a possibility that problems, such as bending of a board|substrate, may arise.

본 발명의 밀리파 기판은 상술한 밀리파 기판용 수지 조성물의 경화물을 포함한다. 즉, 상술한 밀리파 기판용 접착 필름의 경화물을 포함한다.The millimeter-wave board|substrate of this invention contains the hardened|cured material of the resin composition for millimeter-wave board|substrates mentioned above. That is, it includes a cured product of the above-described adhesive film for millimeter wave substrates.

본 발명의 밀리파 레이더 기판은 상술한 밀리파 기판용 수지 조성물의 경화물을 포함한다. 즉, 상술한 밀리파 기판용 접착 필름의 경화물을 포함한다.The millimeter wave radar substrate of the present invention includes a cured product of the above-described resin composition for millimeter wave substrates. That is, it includes a cured product of the above-described adhesive film for millimeter wave substrates.

본 발명의 반도체 장치는 상기 밀리파 기판 또는 상기 밀리파 레이더 기판을 포함한다.The semiconductor device of the present invention includes the millimeter wave substrate or the millimeter wave radar substrate.

실시예Example

본 발명에 대해 실시예에 의해 설명하지만, 본 발명은 이들로 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하의 실시예에 있어서, 부, %는 별다른 언급이 없는 한, 질량부, 질량%를 나타낸다.Although an Example demonstrates this invention, this invention is not limited to these. In addition, in the following examples, parts and % represent mass parts and mass % unless otherwise indicated.

표 1∼3에 기재한 실시예·비교예에서 사용한 원료를 이하에 나타낸다.The raw materials used in the Examples and Comparative Examples shown in Tables 1-3 are shown below.

G1652MU:크레이톤 폴리머 제조 수첨 스티렌계 엘라스토머 SEBSG1652MU: Hydrogenated styrene-based elastomer SEBS manufactured by Kraton Polymer

OPE-2St 2200:미츠비시 가스 화학 제조 스티렌 말단 변성 PPE 올리고머(분자량:Mn 2200)OPE-2St 2200: Styrene-terminated PPE oligomer manufactured by Mitsubishi Gas Chemical (Molecular weight: Mn 2200)

YX4000HK:미츠비시 케미컬 제조 비페닐 골격 에폭시 수지YX4000HK: Biphenyl skeleton epoxy resin manufactured by Mitsubishi Chemical

OP935:다음 화학식으로 나타내는 클라리언트 케미컬즈 제조 디에틸포스핀산 알루미늄(포스핀산 알루미늄염):OP935: Aluminum diethylphosphinate (aluminum phosphinate) manufactured by Clariant Chemicals represented by the following formula:

Figure pct00005
Figure pct00005

KBE-846:신에츠 화학 제조 실란 커플링제 비스(트리에톡시실릴프로필)테트라설피드KBE-846: Silane coupling agent bis(triethoxysilylpropyl)tetrasulfide manufactured by Shin-Etsu Chemical

KBM-573:신에츠 화학 제조 실란 커플링제 N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란KBM-573: Silane coupling agent N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane manufactured by Shin-Etsu Chemical

퍼쿠밀 D:니치유 제조 유기 과산화물 디쿠밀퍼옥사이드Percumyl D: Nichiyu Organic Peroxide Dicumyl Peroxide

EH-2021:ADEKA 제조 변성 이미다졸EH-2021: Modified imidazole manufactured by ADEKA

FB-3SDX:덴카 제조 구형 실리카 필러 (평균 입경:3.4㎛)FB-3SDX: spherical silica filler manufactured by Denka (average particle size: 3.4 µm)

PX-200:다음 화학식으로 나타내는 다이하치 화학 공업 제조 레조르시놀 비스-디자일레닐포스페이트:PX-200: Resorcinol bis-disylenyl phosphate manufactured by Daihachi Chemical Industry represented by the following formula:

Figure pct00006
Figure pct00006

PX-202:다음 화학식으로 나타내는 다이하치 화학 공업 제조 비페놀 비스-디자일레닐포스페이트:PX-202: Biphenol bis-disylenyl phosphate manufactured by Daihachi Chemical Industry represented by the following formula:

Figure pct00007
Figure pct00007

TPP:다음 화학식으로 나타내는 다이하치 화학 공업 제조 트리페닐포스페이트:TPP: Triphenyl phosphate manufactured by Daihachi Chemical Industry represented by the following formula:

Figure pct00008
Figure pct00008

FP-600:다음 화학식으로 나타내는 ADEKA 제조 비스페놀A 비스-디페닐포스페이트:FP-600: Bisphenol A bis-diphenyl phosphate manufactured by ADEKA represented by the following formula:

Figure pct00009
Figure pct00009

FP-100:다음 화학식으로 나타내는 후시미 제약소 제조 페녹시시클로포스파젠:FP-100: phenoxycyclophosphazene manufactured by Fushimi Pharmaceutical represented by the following formula:

Figure pct00010
Figure pct00010

HCA-HQ-HS:다음 화학식으로 나타내는 산코 제조 10-(2,5-디히드록시페닐)-10-H-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드:HCA-HQ-HS: 10-(2,5-dihydroxyphenyl)-10-H-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide manufactured by Sanco represented by the following formula:

Figure pct00011
Figure pct00011

HCA:다음 화학식으로 나타내는 산코 제조 9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드:HCA: 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide manufactured by Sanco represented by the following formula:

Figure pct00012
Figure pct00012

TR2003:JSR 제조 비수첨 스티렌계 엘라스토머 SBSTR2003: Non-hydrogenated styrene-based elastomer SBS manufactured by JSR

[실시예 1∼9, 비교예 1∼11][Examples 1 to 9, Comparative Examples 1 to 11]

표 1∼3에 나타내는 배합(질량부)으로 각 성분을 계량한 후, 앞서 소정량의 톨루엔을 투입한 가열 교반기에, (A) 성분 또는 (A') 성분, 및 (B) 성분을 투입하고, 70℃, 상압에서 교반 날개를 회전수 35rpm으로 회전시키면서, 용해 혼합을 2시간 행했다. 그 후, 상온까지 냉각한 후, (C) 성분이나 (C') 성분, 그 밖의 성분을 투입하고, 교반 날개를 회전수 60rpm으로 회전시켜, 교반 혼합을 1시간 행했다. 다음으로, 교반물에, 도공에 적합한 점도가 되도록 소정량의 톨루엔을 첨가하여, 교반하여 희석했다. 그 후, 수지 조성물을 습식 미립화 장치(요시다 기계 흥업 주식회사 제조, 모델번호:나노마이저 MN2-2000AR)를 이용하여 분산시켰다.After measuring each component by the formulation (parts by mass) shown in Tables 1 to 3, (A) component or (A') component, and (B) component are put into the heating stirrer to which a predetermined amount of toluene was previously added, , while rotating the stirring blade at a rotational speed of 35 rpm at 70° C. and atmospheric pressure, dissolution mixing was performed for 2 hours. Then, after cooling to room temperature, (C)component, (C') component, and another component were thrown in, the stirring blade was rotated at the rotation speed of 60 rpm, and stirring and mixing were performed for 1 hour. Next, a predetermined amount of toluene was added to the stirred material to obtain a viscosity suitable for coating, followed by stirring and dilution. Then, the resin composition was disperse|distributed using the wet atomization apparatus (The Yoshida Machinery Kogyo Co., Ltd. make, model number: Nanomizer MN2-2000AR).

이와 같이 하여 얻어진 수지 조성물을 포함하는 도공액을 지지체(이형 처리가 실시된 PET 필름)의 한쪽 면에 도포하고, 100℃에서 건조시킴으로써, 지지체가 형성된 밀리파 기판용 접착 필름(두께 100㎛)을 얻었다.The coating solution containing the resin composition obtained in this way is applied to one side of a support (PET film subjected to release treatment) and dried at 100° C. got it

[1. 난연성 평가][One. Flame-retardant evaluation]

UL94의 VTM 연소 시험 방법에 준거하여 시험을 실시하고 난연성의 판정을 행했다. 얻어진 밀리파 기판용 접착 필름을 200℃×60분, 10kgf에서 가열 경화시켜, 지지체로부터 박리한 후, 길이 200±5mm×폭 50±1mm의 크기로 재단하여 시험편으로 했다. 시험편의 50mm의 변을 저변으로 하고, 저변으로부터 125mm의 위치에 폭을 따라 펜으로 표선을 긋고, 시험편의 길이 방향으로 직경:12.7±0.5mm의 봉을 대어 시험편을 감고, 표선보다 윗부분을 감압 테이프로 첩부한 후, 봉을 뽑아 내고, 이 원통 형상으로 된 시험편의 상단을 굴뚝 효과가 발생하지 않도록 감압 테이프로 밀폐했다. 이 시험편의 상단을 스탠드에 세트한 클램프로 잡아 시험편을 수직으로 유지했다. 내경:9.5±0.3mm(0.374±0.012 인치)의 분젠 버너에 점화하고, 염(炎)을 황색이 없는 청색 염으로, 높이:19mm:(3/4 인치)가 되도록 조절했다. 이 염을 원통 형상 시험편의 하단 중앙부에 버너구와의 간격이 9.5mm(3/8 인치)가 되도록 쬐어, 1회째의 접염을 3±0.5초간 행한 후 제거하고, 시험편의 연소 시간(불씨의 시간도 포함한다)을 측정했다. 소화하면 바로 2회째의 접염을 3±0.5초간 행한 후 제거하고, 연소 시간(불씨의 시간도 포함한다)을 측정했다. 각 실시예, 비교예에 대해 각각 5개의 시험편으로 시험을 행하고, 이하에 나타내는 VTM-0의 판정 조건을 만족한 것을 VTM-0 상당이라고 판단하여 합격으로 하고, 결과의 표기는 VTM-0 상당인 것을 「○」, 그렇지 않은 것을 「×」로 했다.Based on the VTM combustion test method of UL94, the test was done and the flame retardance was judged. The obtained adhesive film for millimeter wave board|substrates was heat-hardened at 200 degreeC x 60 minutes, 10 kgf, and after peeling from a support body, it cut out to the magnitude|size of 200 ± 5 mm in length x 50 ± 1 mm in width to obtain a test piece. Using the 50 mm side of the test piece as the base, draw a marked line with a pen along the width at a position 125 mm from the base, wrap the test piece with a rod with a diameter of 12.7 ± 0.5 mm in the longitudinal direction of the test piece, and wrap the test piece above the marked line with pressure-sensitive tape After affixing with the , the rod was pulled out, and the upper end of this cylindrical test piece was sealed with a pressure-sensitive tape so that a chimney effect would not occur. The upper end of this test piece was held by the clamp set on the stand, and the test piece was held vertically. An inner diameter: 9.5 ± 0.3 mm (0.374 ± 0.012 inch) was ignited on a Bunsen burner, and the salt was adjusted to be a blue salt without yellow, and a height: 19 mm: (3/4 inch). This salt is irradiated to the center of the lower end of the cylindrical test piece so that the distance from the burner port is 9.5 mm (3/8 inch), the first contact is carried out for 3±0.5 seconds, and then removed, and the combustion time of the test piece included) was measured. Immediately after extinguishing, the second contact flame was carried out for 3±0.5 seconds, then removed, and the combustion time (including the time of the embers) was measured. For each Example and Comparative Example, a test is performed with five test pieces, respectively, and those that satisfy the determination conditions of VTM-0 shown below are judged to be VTM-0 equivalent and passed, and the result is expressed as VTM-0 equivalent. The thing was set to "○", and the thing which was not was made into "x".

〈VTM-0의 판정 조건〉<VTM-0 Judgment Conditions>

(1) 각 시험편의 1회째 또는 2회째의 이염 후의 연소 시간이 10초 이하.(1) The combustion time after the first or second color transfer of each test piece is 10 seconds or less.

(2) 5개 시험편의 1회째와 2회째의 연소 시간의 합계가 50초 이하.(2) The sum of the burning times of the 1st and 2nd times of 5 test pieces is 50 seconds or less.

(3) 2회째의 이염 후의 연소 시간의 합계가 30초 이하.(3) The total of the combustion time after the color transfer of the 2nd time is 30 second or less.

(4) 연소가 표선에 달하지 않는 것.(4) Combustion does not reach the mark.

(5) 연소시의 낙하물에 의한 탈지면(시험편의 하방에 설치)의 착화가 없는 것.(5) There is no ignition of the cotton wool (installed below the test piece) by a falling object at the time of combustion.

※ 단, 연소시 낙하물이 없었기 때문에, 탈지면의 착화에는 주목하지 않았다.※ However, since there was no falling object during combustion, no attention was paid to ignition of the cotton wool.

[2. 비유전율(ε), 유전 정접(tanδ)의 평가][2. Evaluation of dielectric constant (ε) and dielectric loss tangent (tanδ)]

밀리파 기판용 접착 필름을 지지체로부터 박리한 후, 약 1mm의 두께가 되도록 적층하여, 200℃×60분, 10kgf에서 가열 경화시킨 후, 폭:약 1mm, 길이:약 20mm가 되도록 재단하여 봉 형상의 시험편으로 했다. 이 시험편의 치수를 측정하고, 정밀 항온조 내에서 공동 공진기에 의해 10G㎐에서의, 25℃에 있어서의 비유전율(ε) 및 유전 정접(tanδ)을 측정했다. 비유전율은 3.5 이하, 유전 정접은 0.003 이하이면 바람직하다.After peeling the adhesive film for millimeter wave substrates from the support, it is laminated to a thickness of about 1 mm, heat-cured at 200° C. × 60 minutes, 10 kgf, and then cut to a width: about 1 mm, length: about 20 mm to form a rod. was used as a test piece of The dimension of this test piece was measured, and the dielectric constant (epsilon) and dielectric loss tangent (tan-delta) in 10 GHz and 25 degreeC were measured by the cavity resonator in a precision thermostat. The dielectric constant is preferably 3.5 or less and the dielectric loss tangent is preferably 0.003 or less.

[3. 비유전율(ε), 유전 정접(tanδ)의 온도 의존성(온도 특성) 평가][3. Evaluation of temperature dependence (temperature characteristics) of dielectric constant (ε) and dielectric loss tangent (tanδ)]

[2. 비유전율(ε), 유전 정접(tanδ)의 평가]에서 제작한 시험편을 120℃로 가온한 정밀 항온조 내에서 공동 공진기를 이용하여, 10G㎐에서의 120℃에 있어서의 비유전율(ε) 및 유전 정접(tanδ)을 측정했다. 이 값으로부터 25℃의 측정값에 대한 변화율%를 구했다. 변화율은 ±30% 이하이면 바람직하다.[2. Evaluation of dielectric constant (ε) and dielectric loss tangent (tanδ)], using a cavity resonator in a precision thermostat heated to 120 ° C. The tangent (tanδ) was measured. From this value, the change rate % with respect to the measured value at 25 degreeC was calculated|required. The rate of change is preferably ±30% or less.

[4. 필 강도의 평가][4. Evaluation of Peel Strength]

밀리파 기판용 접착 필름의 양면에 구리박(CF-T9FZSV, 후쿠다 금속 박분 공업 주식회사 제조, 두께:18㎛)을, 조화면을 내측으로 하여 첩합하여, 프레스기로 200℃×60분, 30kgf의 조건에서 프레스 경화시켰다. 이 시험편을 10mm 폭으로 재단하고, 오토그래프에서 구리박과의 계면으로부터 박리하여 180°의 필 강도를 측정했다(JIS K6854-2에 준거). n=5의 평균값을 측정값으로 했다. 필 강도는 4.5(단위:(N/cm)) 이상이면 바람직하다.Copper foil (CF-T9FZSV, manufactured by Fukuda Metal Foil Powder Industry Co., Ltd., thickness: 18 µm) on both sides of the adhesive film for millimeter wave substrates was bonded with the roughened surface inside, and the conditions were 200° C. × 60 minutes, 30 kgf with a press machine. press hardened in This test piece was cut out to 10 mm width, it peeled from the interface with copper foil with an autograph, and the peeling strength of 180 degrees was measured (based on JISK6854-2). The average value of n=5 was made into the measured value. A peeling strength is preferable in it being 4.5 (unit: (N/cm)) or more.

[5. 땜납 내열성의 평가][5. Evaluation of Solder Heat Resistance]

[4. 필 강도의 평가]와 마찬가지로 구리박을 첩합하여 경화시킨 것을 30×30mm로 재단하여 시험편으로 했다. 이를 260℃로 가열한 땜납욕의 표면에 60초간 올려놓고 팽창 발생의 유무를 육안으로 관찰했다. n=3으로 시험하고, 팽창이 발생하지 않은 것을 「○」, 팽창이 발생한 것을 「×」로 했다.[4. Evaluation of peeling strength] similarly, what was hardened by bonding copper foil was cut out to 30 x 30 mm, and it was set as the test piece. This was placed on the surface of a solder bath heated to 260° C. for 60 seconds, and the presence or absence of expansion was visually observed. It tested with n=3, and made "(circle)" the thing in which expansion|swelling did not generate|occur|produce, and the thing which expansion|swelling generate|occur|produced was made into "x".

Figure pct00013
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Figure pct00014
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Figure pct00015
Figure pct00015

표 1∼3에 실시예·비교예의 배합과 평가 결과를 나타낸다. 표 1∼3에 있어서 필러 비율이란, 톨루엔을 제외한 전체 성분에 대한 실리카 필러의 체적 비율(Vol%)로, 실리카 필러의 비중을 2.2, 그 밖의 성분의 비중을 1.0으로 산출한 것이다. 또한, 엘라스토머 비율이란, (A) 성분과 (B) 성분의 합계 100질량부에 대한, (A) 성분의 질량 비율(%)이다. 실시예 1을 기준의 배합으로 했다. 실시예 1은 (A) 성분과 (B) 성분의 합계 100질량부에 대해, (A) 성분:(B) 성분의 비율을 65:35로 하고, (C) 성분의 배합량을, (A) 성분과 (B) 성분과 (C) 성분의 합계 100질량부에 대해, 30질량부로 하며, 실리카 필러의 배합 비율이 50vol%(체적%)가 되도록 227질량부로 하고, 실란 커플링제로서 KBE-846(설피드계)을 사용한 것이다. 실시예 2는 실시예 1의 배합에서 실리카 필러를 뺀 것이다. 실시예 3은 (C) 성분의 배합량을, (A) 성분과 (B) 성분과 (C) 성분의 합계 100질량부에 대해, 20질량부로 하고, (B) 성분의 일부를 비페닐 골격 에폭시 수지로 치환한 것이다. (A) 성분:(B) 성분의 비율은 60:(35:5)이다. 실시예 4는 (C) 성분의 배합량을, (A) 성분과 (B) 성분과 (C) 성분의 합계 100질량부에 대해, 50질량부로 한 것이다. 실시예 5는 (C) 성분의 배합량을, (A) 성분과 (B) 성분과 (C) 성분의 합계 100질량부에 대해, 15질량부로 한 것이다. 실시예 6은 (C) 성분의 배합량을, (A) 성분과 (B) 성분과 (C) 성분의 합계 100질량부에 대해, 20질량부로 하고, (A) 성분:(B) 성분의 비율을 80:20으로 한 것이다. 실시예 7은 (C) 성분의 배합량을, (A) 성분과 (B) 성분과 (C) 성분의 합계 100질량부에 대해, 20질량부로 하고, (A) 성분:(B) 성분의 비율을 55:45로 한 것이다. 실시예 8은 (C) 성분의 배합량을, (A) 성분과 (B) 성분과 (C) 성분의 합계 100질량부에 대해, 20질량부로 하고, 그 밖의 성분인 실란 커플링제를 KBM-573(아미노계)으로 변경한 것이다. 실시예 9는 2종류의 (C) 난연제를 병용한 것이다. 보다 상세하게는, (C) 성분의 배합량을, (A) 성분과 (B) 성분과 (C) 성분의 합계 100질량부에 대해, 45질량부로 하고, 포스핀산 금속염이 5질량부로, 다른 난연제(HCA-HQ-HS) 40질량부와 조합한 실시예이다.The mixing|blending and evaluation result of an Example and a comparative example are shown to Tables 1-3. In Tables 1-3, a filler ratio is a volume ratio (Vol%) of a silica filler with respect to all components except toluene, Computing the specific gravity of a silica filler to 2.2, and the specific gravity of another component to 1.0. In addition, an elastomer ratio is the mass ratio (%) of (A) component with respect to a total of 100 mass parts of (A) component and (B) component. Example 1 was used as a reference formulation. Example 1 makes the ratio of (A) component: (B) component 65:35 with respect to a total of 100 mass parts of (A) component and (B) component, the compounding quantity of (C)component is (A) With respect to a total of 100 mass parts of a component, (B) component, and (C) component, it shall be 30 mass parts, and it shall be 227 mass parts so that the compounding ratio of a silica filler may be 50 vol% (vol%), and KBE-846 as a silane coupling agent. (sulfide type) was used. Example 2 is obtained by subtracting the silica filler from the formulation of Example 1. Example 3 makes the compounding quantity of (C)component 20 mass parts with respect to a total of 100 mass parts of (A) component, (B) component, and (C)component, and (B) part of component (B) biphenyl skeleton epoxy replaced with resin. (A) Component: (B) The ratio of component is 60:(35:5). Example 4 sets the compounding quantity of (C)component into 50 mass parts with respect to a total of 100 mass parts of (A) component, (B)component, and (C)component. Example 5 sets the compounding quantity of (C)component into 15 mass parts with respect to a total of 100 mass parts of (A) component, (B)component, and (C)component. Example 6 makes the compounding quantity of (C)component 20 mass parts with respect to a total of 100 mass parts of (A) component, (B) component, and (C)component, (A) component: The ratio of (B) component is 80:20. Example 7 makes the compounding quantity of (C)component 20 mass parts with respect to a total of 100 mass parts of (A) component, (B) component, and (C)component, (A) component: The ratio of (B) component is 55:45. Example 8 makes the compounding quantity of (C)component 20 mass parts with respect to a total of 100 mass parts of (A) component, (B) component, and (C)component, and the silane coupling agent which is another component is KBM-573 (amino type). Example 9 uses two types of (C) flame retardants together. More specifically, the compounding quantity of (C) component is 45 mass parts with respect to a total of 100 mass parts of (A) component, (B) component, and (C) component, and a phosphinic acid metal salt is 5 mass parts, another flame retardant (HCA-HQ-HS) It is the Example combined with 40 mass parts.

표 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 1∼9 모두에서 난연성이 VTM-0 상당이며, ε과 ε의 온도 의존성이 낮고, tanδ와 tanδ의 온도 의존성도 작으며, 필 강도는 높고, 땜납 내열성이 높다는 양호한 결과였다.As can be seen from Table 1, in all of Examples 1 to 9, the flame retardancy is equivalent to VTM-0, the temperature dependence of ε and ε is low, the temperature dependence of tanδ and tanδ is also small, the peel strength is high, and the solder heat resistance is high. This was a good result.

표 2로부터 알 수 있는 바와 같이, 비교예 1∼7은 실시예 1의 (C) 성분을 다른 인계 난연제((C') 성분)의 동일한 함유량으로 치환한 것이다. 비교예 1∼7 모두에서 난연성은 VTM-0를 달성하지 못하고, 실시예 1보다 열악했다. 단, PX-202를 사용한 비교예 2와 HCA-HQ-HS를 사용한 비교예 6은 tanδ의 25℃에서의 값은 작고, 또한, 온도 특성도 양호했다(온도 의존성이 작았다). 그러나, 비교예 1, 비교예 3, 비교예 4, 비교예 5, 비교예 7의 온도 특성은 매우 나쁘고(온도 의존성이 크고), 또한, 비교예 3, 비교예 4, 비교예 5는 tanδ의 25℃에서의 값이 0.003을 초과했으며, 밀리파 기판 용도에는 사용할 수 없는 레벨이었다. 또한, 비교예 4, 비교예 7은 필 강도가 낮았다.As can be seen from Table 2, Comparative Examples 1 to 7 substitute the component (C) of Example 1 with the same content of another phosphorus-based flame retardant (component (C')). In all of Comparative Examples 1 to 7, the flame retardancy did not achieve VTM-0, and was inferior to that of Example 1. However, in Comparative Example 2 using PX-202 and Comparative Example 6 using HCA-HQ-HS, the value of tan δ at 25°C was small, and the temperature characteristic was also good (the temperature dependence was small). However, the temperature characteristics of Comparative Example 1, Comparative Example 3, Comparative Example 4, Comparative Example 5, and Comparative Example 7 were very bad (temperature dependence was large), and Comparative Example 3, Comparative Example 4, and Comparative Example 5 had tan δ. The value at 25[deg.] C. exceeded 0.003, which was an unusable level for millimeter wave substrate applications. Moreover, the peeling strength of Comparative Example 4 and Comparative Example 7 was low.

표 3으로부터 알 수 있는 바와 같이, 비교예 8은 실시예 1의 (A) 성분을 비수첨 스티렌계 엘라스토머((A') 성분)로 치환한 것이고, tanδ의 온도 특성이 나빴다(온도 의존성이 컸다). 비교예 9는 실시예 1의 (C) 성분의 배합량을, (A) 성분과 (B) 성분과 (C) 성분의 합계 100질량부에 대해, 55질량부로 한 것이고, 땜납 내열성이 실시예 1에 비해 열악하고, 필 강도도 낮았다. 비교예 10은 실시예 1의 (C) 성분의 배합량을, (A) 성분과 (B) 성분과 (C) 성분의 합계 100질량부에 대해, 10질량부로 한 것이고, 난연성이 VTM-0를 달성하지 못했다. 비교예 11은 실시예 1에서 (C) 성분을 빼고 난연제를 배합하지 않은 것이며, 난연성이 VTM-0를 달성하지 못했다. 한편, 온도 특성은 양호했다(온도 의존성이 작았다).As can be seen from Table 3, in Comparative Example 8, the component (A) of Example 1 was substituted with an unhydrogenated styrenic elastomer (component (A')), and the temperature characteristic of tan δ was poor (temperature dependence was large). ). Comparative Example 9 made the compounding quantity of (C) component of Example 1 into 55 mass parts with respect to a total of 100 mass parts of (A) component, (B) component, and (C) component, and solder heat resistance was Example 1 It was inferior, and the peel strength was low. In Comparative Example 10, the compounding amount of the component (C) of Example 1 was 10 parts by mass with respect to a total of 100 parts by mass of the component (A), component (B) and component (C), and the flame retardancy was VTM-0. did not achieve Comparative Example 11 does not mix a flame retardant except for component (C) in Example 1, and the flame retardancy did not achieve VTM-0. On the other hand, the temperature characteristic was favorable (the temperature dependence was small).

상기와 같이, 본 발명의 밀리파 기판용 수지 조성물은, 수지 조성물의 경화물이 고주파 특성이 우수하고, tanδ의 온도 의존성이 작으며, 또한 난연성이 우수하고, 밀리파 레이더용의 절연체로서 사용하는 것이 가능하며, 고신뢰성 밀리파 기판, 밀리파 레이더 기판, 반도체 장치의 제조에 매우 유용하다.As described above, in the resin composition for millimeter wave substrates of the present invention, the cured product of the resin composition has excellent high frequency characteristics, low temperature dependence of tanδ, and excellent flame retardancy, and is used as an insulator for millimeter wave radar. This is possible, and it is very useful for manufacturing highly reliable millimeter wave substrates, millimeter wave radar boards, and semiconductor devices.

Claims (9)

(A) 수첨 스티렌계 엘라스토머와, (B) 비페닐 골격을 갖는 가교 가능한 화합물과, (C) 포스핀산 금속염을 포함하는 난연제를 포함하는 수지 조성물로서,
(C) 성분이, (A) 성분과 (B) 성분과 (C) 성분의 합계 100질량부에 대해, 15∼50질량부이고,
경화물의 10G㎐에서의 유전 정접의 25℃에서의 값에 대한 120℃에서의 값의 변화율이 30% 이하인 것을 특징으로 하는 밀리파 기판용 수지 조성물.
A resin composition comprising (A) a hydrogenated styrene-based elastomer, (B) a crosslinkable compound having a biphenyl skeleton, and (C) a flame retardant comprising a metal phosphinic acid salt,
(C) component is 15-50 mass parts with respect to a total of 100 mass parts of (A) component, (B) component, and (C) component,
The resin composition for millimeter wave substrates characterized in that the rate of change of the value at 120°C with respect to the value at 25°C of the dielectric loss tangent at 10 GHz of the cured product is 30% or less.
제 1 항에 있어서,
(C) 성분의 포스핀산 금속염이 5질량부 이상인 밀리파 기판용 수지 조성물.
The method of claim 1,
(C) The resin composition for millimeter wave board|substrates in which the phosphinic acid metal salt of component is 5 mass parts or more.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
10G㎐에서의 유전 정접이 0.0030 이하인 밀리파 기판용 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
A resin composition for millimeter wave substrates having a dielectric loss tangent of 0.0030 or less at 10 GHz.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
(A) 성분이, (A) 성분과 (B) 성분의 합계 100질량부에 대해, 50∼80질량부인 밀리파 기판용 수지 조성물.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
(A) The resin composition for millimeter wave board|substrates whose component is 50-80 mass parts with respect to a total of 100 mass parts of (A) component and (B) component.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
(A) 성분이 스티렌-에틸렌/부틸렌-스티렌 블록 공중합체인 밀리파 기판용 수지 조성물.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
(A) The resin composition for millimeter wave board|substrates whose component is a styrene-ethylene/butylene-styrene block copolymer.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항의 밀리파 기판용 수지 조성물을 포함하는 밀리파 기판용 접착 필름.An adhesive film for a millimeter wave substrate comprising the resin composition for millimeter wave substrates according to any one of claims 1 to 5. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항의 밀리파 기판용 수지 조성물의 경화물을 포함하는 밀리파 기판.A millimeter wave substrate comprising a cured product of the resin composition for millimeter wave substrates according to any one of claims 1 to 5. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항의 밀리파 기판용 수지 조성물의 경화물을 포함하는 밀리파 레이더 기판.A millimeter wave radar substrate comprising a cured product of the resin composition for millimeter wave substrates according to any one of claims 1 to 5. 제 7 항의 밀리파 기판 또는 제 8 항의 밀리파 레이더 기판을 포함하는 반도체 장치.A semiconductor device comprising the millimeter wave substrate of claim 7 or the millimeter wave radar substrate of claim 8 .
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