KR20210098084A - 발열 소자 및 이의 제조 방법 - Google Patents
발열 소자 및 이의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20210098084A KR20210098084A KR1020200011829A KR20200011829A KR20210098084A KR 20210098084 A KR20210098084 A KR 20210098084A KR 1020200011829 A KR1020200011829 A KR 1020200011829A KR 20200011829 A KR20200011829 A KR 20200011829A KR 20210098084 A KR20210098084 A KR 20210098084A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- heating element
- film
- manufacturing
- nbs
- heating
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 title description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 57
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 17
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 12
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 9
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 7
- -1 transparent PI Substances 0.000 claims description 7
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 6
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 4
- 229910020042 NbS2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 2
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 abstract description 3
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 101100069231 Caenorhabditis elegans gkow-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000003841 Raman measurement Methods 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VRSMQRZDMZDXAU-UHFFFAOYSA-N bis(sulfanylidene)niobium Chemical compound S=[Nb]=S VRSMQRZDMZDXAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001787 chalcogens Chemical group 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
- H05B2203/017—Manufacturing methods or apparatus for heaters
Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
본 발명은 발열 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 2차원 전이 금속 디칼코게나이드 화합물로서 NbS2 를 포함하는 발열 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 발열 소자는 열효율이 높고 온도 유지율이 양호할 뿐만 아니라, 간단한 방법으로 미세 패턴과 대면적이 모두 가능하기 때문에, gas sensor, MEMS heater, defogger, defrost 등의 다양한 응용 분야를 기대할 수 있다.
본 발명에 의한 발열 소자는 열효율이 높고 온도 유지율이 양호할 뿐만 아니라, 간단한 방법으로 미세 패턴과 대면적이 모두 가능하기 때문에, gas sensor, MEMS heater, defogger, defrost 등의 다양한 응용 분야를 기대할 수 있다.
Description
본 발명은 발열 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 2차원 전이 금속 칼코겐 화합물로서 NbS2 를 포함하는 발열 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
이차원 물질(two-dimensional material)(2D material)은 원자들이 소정의 결정 구조를 이루고 있는 단층(single-layer) 또는 다층(multi-layer의 고체로, 대표적인 이차원 물질로 그래핀(graphene)이 있다. 그래핀에 대한 연구를 시작으로 반도체 또는 절연체 특성을 갖는 다양한 이차원 물질에 대한 연구 및 개발이 이루어지고 있다. 이러한 이차원 물질들은 기존 소자의 한계를 극복할 수 있는 차세대 소재로 주목받고 있다.
일반적으로 2차원 전이 금속 칼코겐 화합물은 금속과 칼코겐 원자의 X-M-X 샌드위치 구조로 이루어진 원자층 수준의 두께를 가지고 있는 초박막 필름으로 제조된다.
2차원 전이 금속 칼코겐 화합물은 다양한 원소들을 조합해서 금속, 반도체 및 초전도 특성을 가지는 다양한 물질의 구현이 가능하며, 대표적인 물질은 MoS2, WS2, WSe2, TeS2, TeSe2, NbSe2, NbS2 등이 있다.
특히 본 발명에서 활용된 NbS2 (Niobium disulfide) 소재는 2차원 물질임과 동시에, 금속처럼 물질 내부에 캐리어 농도가 높아 높은 전도도를 가지면서도 외부전압이 강하게 인가되어 캐리어가 이동하면 격자 산란이 발생하여 줄열에 의해 열이 발생하는 것으로 알려져 있어 히터(heater)로 응용될 수 있는 가능성을 시사한다.
기존에 히터 소재로 활용된 대표적인 2차원 물질인 그래핀이 있다. 그러나, 그래핀은 화학기상증착법(CVD)법을 이용하여 Cu 필름위에 성장한 후, 다시 Cu 필름으로부터 원하는 최종 타겟 기판으로 전사해야 하는 작업의 번거로움이 있었다. 반면 NbS2는 웨이퍼에 바로 증착해서 사용할 수 있으며 유연한 기판에 전사도 가능하다. 전이금속-디칼코겐화합물은 이황화몰리브덴(MoS2)을 제외하면 자연계에서는 거의 존재하지 않기 때문에 인공 합성을 통하여 2차원 물질로 제조되고 있으며, 벌크 전이금속 칼코겐 화합물은 일반적으로 2단 화학기상 수송법으로 제조되고 있다.
본 발명은 제조 방법이 용이하면서도 높은 열효율 및 열 유지 안전성을 나타내는 새로운 발열 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 제조 방법이 용이하면서도 높은 열효율 및 열 유지 안전성을 나타내는 새로운 발열 소자의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기와 같은 과제를 해결하기 위하여
절연층이 구비된 기판;
상기 절연층 상부에 구비된 전이금속-디칼코게나이드 포함 발열 박막; 및
상기 발열 박막 상부에 구비된 전극; 을 포함하고,
상기 전이금속-디칼코게나이드 포함 발열 박막은 MX2로 표기되며, 상기 M은 Ti, V, Cr, Mn, Fe, Ni, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Pd, Hf, Ta, W, Re, 및 Pt로 이루어지는 군에서 적어도 하나를 포함하고, 상기 X는 S, Se, 및 Te로 이루어지는 군에서 적어도 하나를 포함하는 발열소자를 제공한다.
본 발명에 의한 발열 소자에 있어서, 상기 전이금속-디칼코게나이드 포함 발열 박막은 NbS2 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 발열 소자에 있어서, 상기 전이금속-디칼코게나이드 포함 발열 박막의 두께는 5 내지 10 nm 인 것을 특징으로 한다. 발열 소자의 경우 박막의 두께를 자유롭게 조절가능한 것이 중요하다. 본 발명에 의한 발열 소자는 스퍼러링에 의하여 박막의 두께를 10 nm 이하로도 형성하는 것이 가능하다.
본 발명에 의한 발열 소자에 있어서, 상기 전이금속-디칼코게나이드 포함 발열 박막은 p type 으로 정공(Hole) 전하 농도가 2.0 x 1021/cm3 이상인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 발열 소자의 breakdown 이 45 내지 55V 인 것을 특징으로 한다. 발열 소자의 전압 breakdown 이 더뎌져서 발열 성능이 크게 향상됨을 알 수 있다.
본 발명에 의한 발열 소자에 있어서, 상기 기판은 실리콘(Si) 기판, PET, 투명한 PI, PES, PEN, PDMS 및 섬유로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 발열 소자의 제조 방법은 디칼코게나이드 화합물을 스퍼터링 방법에 의해 기판의 제한없이 증착할 수 있으므로 유연 기판 재료도 사용 가능하 다.
본 발명은 또한,
절연층이 구비된 기판에 Nb2O5 필름을 증착하는 단계; 및 상기 Nb2O5 필름을 NbS2 로 황처리하는 단계; 를 포함하는 본 발명에 의한 발열 소자의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 의한 발열 소자의 제조 방법에 있어서, 상기 Nb2O5 필름을 증착하는 단계 에서는 스퍼터링에 의하여 Nb2O5 필름을 증착하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 발열 소자의 제조 방법에 있어서, 스퍼터링이라 함은 플라즈마 증착(Plasma Deposition), 스퍼터 증착(Sputtering Deposition), 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition: CVD), 반응성 스퍼터링(Reactive Sputtering), 마그네트론 스퍼터링(Magnetron Sputtering), DC 스퍼터링, RF 스퍼터링(Radio Frequency Sputtering) 등의 다양한 증착 기법으로 해석될 수 있다.
본 발명에 의한 발열 소자의 제조 방법은 스퍼터링 방법에 의해 기판의 제한없이 디칼코게나이드 화합물인 Nb2O5 필름을 증착할 수 있으므로, 이후 Nb2O5 필름을 원하는 기판으로 옮길 필요가 없다.
본 발명에 의한 발열 소자의 제조 방법에 있어서, 상기 Nb2O5 필름을 NbS2 로 황처리하는 단계에서는 화학기상증착법에 의한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 발열 소자의 제조 방법에 있어서, 상기 Nb2O5 필름을 NbS2 로 황처리하는 단계에서는 H2S 가스를 이용하여 화학기상증착법에 의한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 발열 소자는 열효율이 높고 온도 유지율이 양호할 뿐만 아니라, 본 발명에 의한 발열 소자의 제조 방법은 기판의 종류에 무관하게 박막의 증착이 가능하므로, 박막 증착 후 다른 기판으로 옮기는 과정이 필요없어 간단한 방법으로 미세 패턴과 대면적이 모두 가능하기 때문에, gas sensor, MEMS heater, defogger, defrost 등의 다양한 응용 분야를 기대할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의하여 제조된 NbS2 필름에 대해 라만 데이터를 측정한 결과를 나타낸다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의하여 제조된 발열 소자의 구조를 나타낸다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의하여 제조된 발열 소자의 전류 특성 및 발열 특성을 측정한 결과를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의하여 제조된 발열 소자에 대한 인가 전압을 변화시켰을 때 전력값을 측정한 결과를 나타낸다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 의하여 제조된 발열 소자에 전압을 인가하면서 시간에 따른 발열 특성을 측정하여 신뢰성을 평가한 결과를 나타낸다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의하여 제조된 발열 소자에 인가 전압을 증가시키면서 breakdown 특성을 측정한 결과를 나타낸다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의하여 제조된 발열 소자의 구조를 나타낸다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의하여 제조된 발열 소자의 전류 특성 및 발열 특성을 측정한 결과를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의하여 제조된 발열 소자에 대한 인가 전압을 변화시켰을 때 전력값을 측정한 결과를 나타낸다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 의하여 제조된 발열 소자에 전압을 인가하면서 시간에 따른 발열 특성을 측정하여 신뢰성을 평가한 결과를 나타낸다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의하여 제조된 발열 소자에 인가 전압을 증가시키면서 breakdown 특성을 측정한 결과를 나타낸다.
이하에서는 본 발명을 실시예에 의하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명이 이하의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
<
실시예
1>
Nb
2
O
5
증착
세척된 SiO2/Si 기판을 스퍼터(sputter)에 넣고, Nb2O5 타겟를 넣고 약 3 mTorr의 진공 분위기 및 상온에서 Nb2O5를 증착하였다.
증착 프로세스는 10 sccm Ar gas plasma에서 이루어졌고, 증착 시간을 제어하여 최종 NNb2O5 두께를 제어하였으며, 40초 증착하여 9nm의 두께로 증착하였다.
<
실시예
2>
NbS2
형성
상기 실시예에서 증착된 Nb2O5 필름을 sulfurization 하기 위해 CVD 프로세스를 진행하였다.
황의 소스가 되는 H2S 가스를 10sccm 흘려주면서 온도를 900℃까지 30분동안 증가시키고 1시간 유지한 다음 상온에서 냉각하여 NbS2 필름을 형성하였다.
<실험예> 라만 측정
상기 실시예에서 제조된 NbS2 필름에 대해 라만 데이터를 측정하고 그 결과를 도 1에 나타내었다.
도 1(a) 에서 E peak과 A peak이 각각 331/cm, 384/cm에서 나타나 전형적인 NbS2 필름이 형성되었음을 확인할 수 있다.
도 1(b)는 Hall measurement를 통한 IV를 나타낸다. Hall measurement로부터 캐리어유형: p-type, 전하 농도: 2.9 x 1021/cm3. 면저항: 582 ohm/□ 로 측정되어, hole이 majority carrier이고 캐리어 농도가 매우 높은 금속 특성을 가지고 있다는 것을 알 수 있음.
<실험예> TEM 및 FFT 회절 패턴 측정
상기 실시예에서 제조된 NbS2 필름에 대해 TEM 및 FFT 회절 패턴 특성을 측정하고 그 결과를 도 1(c) 및 도 1(d) 에 나타내었다.
<실시예 3> 금속 전극 형성 및 히터 제조
상기 실시예 2에서 제작한 NbS2/SiO2/Si 샘플을 스퍼터링 챔퍼에 넣고 약 1 X 10-6 torr의 진공 상태를 유지하였다.
Ti 타겟을 이용하여 DC 200W power로 Ti 를 5nm 두께로 증착하고, 이후 Au 타겟을 이용하여 RF power로 Au 를 50nm 두께로 증착하였다.
공정 압력은 5 mtorr에서 Ar(99.999%) gas flow는 20 sccm, 온도는 상온(~25℃), 기판회전속도는 ~20RPM의 조건으로 스퍼터링으로 금속 전극을 형성하여 도 2 에 나타난 구조의 NbS2 히터를 제조하였다.
<
실험예
> IV 측정
상기 실시예 3에서 제조된 NbS2 히터에 전압을 걸어주었을 때의 전류 값 데이터를 측정하고 그 결과를 도 2(b) 에 나타내었다. 도 2(b) 에서 전류값이 전압에 따라 변하는 옴의 법칙을 따르면서 전형적인 레지스터 (resistor)의 특성을 나타내는 것을 확인할 수 있다.
<실험예> 인가 전압 변화에 따른 발열 특성 측정
상기 실시예 3에서 제조된 NbS2 히터에 인가 전압을 변화시켰을때 전류 특성 및 발열 특성을 측정하고 그 결과를 도 3에 나타내었다.
도 3(a)에서 전압은 각각 10, 15, 20, 25, 30, 40V로 인가하였으며, 인가 전압이 증가될수록 전류값이 높게 나타나는 것을 확인할 수 있다.
도 3(b)에서 10℃에서 20℃ 범위에서 인가 전압이 증가할수록 높은 온도로 발열하고 줄열(Joule heating)이 더 많이 발생하는 것을 확인할 수 있다.
<실험예> 인가 전압 변화에 따른 전력량 측정
상기 실시예 3에서 제조된 NbS2 히터에 인가 전압을 변화시켰을 때 전력값을 측정하고 그 결과를 도 4에 나타내었다.
도 4 에서 인가하는 전압 변화에 따라 전력 값은 선형적으로 증가하고 온도 증가량은 완벽한 선형은 아니지만 전압이 증가할수록 온도 증가량이 늘어나는 것을 확인할 수 있다.
<실험예> 히터의 신뢰성 측정
상기 실시예 3에서 제조된 NbS2 히터에 전압을 인가하면서 시간에 따른 발열 특성을 측정하여 신뢰성을 평가하고, 그 결과를 도 5에 나타내었다.
도 5에서 보는 바와 같이 측정 시간이 1시간 경과한 이후에는 전류값과 발열 온도가 일정하게 유지되는 것을 확인할 수 있다.
<실험예> 히터의 breakdown 특성 측정
상기 실시예 3에서 제조된 NbS2 히터에 인가 전압을 증가시키면서 breakdown 특성을 측정하고 그 결과를 도 6에 나타내었다.
도 6 에서 본 발명에 의한 NbS2 히터는 49V 에서 breakdown 이 되는 것을 확인할 수 있다. 발열 소자의 전압 breakdown 이 더뎌져서 발열 성능이 크게 향상됨을 알 수 있다.
Claims (10)
- 절연층이 구비된 기판;
상기 절연층 상부에 구비된 전이금속-디칼코게나이드 포함 발열 박막; 및
상기 발열 박막 상부에 구비된 전극; 을 포함하고,
상기 전이금속-디칼코게나이드 포함 발열 박막은 MX2로 표기되며,
상기 M은 Ti, V, Cr, Mn, Fe, Ni, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Pd, Hf, Ta, W, Re, 및 Pt로 이루어지는 군에서 적어도 하나를 포함하고,
상기 X는 S, Se, 및 Te로 이루어지는 군에서 적어도 하나를 포함하는
발열 소자
- 제 1 항에 있어서,
상기 전이금속-디칼코게나이드 포함 발열 박막은 NbS2 를 포함하는 것인
발열 소자
- 제 1 항에 있어서,
상기 전이금속-디칼코게나이드 포함 발열 박막의 두께는 5 내지 10 nm 인 것인
발열 소자
- 제 1 항에 있어서,
상기 전이금속-디칼코게나이드 포함 발열 박막은 p type 으로 정공(hole) 전하 농도가 2.0 x 1021/cm3 이상인 것인
발열 소자
- 제 1 항에 있어서,
상기 발열 소자의 breakdown 이 45 내지 55V 인 것인
발열 소자
- 제 1 항에 있어서,
상기 기판은 실리콘(Si) 기판, PET, 투명한 PI, PES, PEN, PDMS 및 섬유로 이루어진 그룹에서 선택되는 것인
발열 소자
- 절연층이 구비된 기판에 Nb2O5 필름을 증착하는 단계; 및
상기 Nb2O5 필름을 NbS2 로 황처리하는 단계; 를 포함하는
제 1 항에 의한 발열 소자의 제조 방법
- 제 7 항에 있어서,
상기 Nb2O5 필름을 증착하는 단계 에서는 스퍼터링에 의하여 Nb2O5 필름을 증착하는 것인
발열 소자의 제조 방법
- 제 7 항에 있어서,
상기 Nb2O5 필름을 NbS2 로 황처리하는 단계에서는 화학기상증착법에 의한 것인
발열 소자의 제조 방법
- 제 9 항에 있어서,
상기 Nb2O5 필름을 NbS2 로 황처리하는 단계에서는 H2S 가스를 이용하여 화학기상증착법에 의한 것인
발열 소자의 제조 방법
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200011829A KR102350888B1 (ko) | 2020-01-31 | 2020-01-31 | 발열 소자 및 이의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200011829A KR102350888B1 (ko) | 2020-01-31 | 2020-01-31 | 발열 소자 및 이의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210098084A true KR20210098084A (ko) | 2021-08-10 |
| KR102350888B1 KR102350888B1 (ko) | 2022-01-13 |
Family
ID=77315997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020200011829A KR102350888B1 (ko) | 2020-01-31 | 2020-01-31 | 발열 소자 및 이의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102350888B1 (ko) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101641654B1 (ko) * | 2015-05-13 | 2016-07-22 | 한국기계연구원 | 반도체 소자 및 반도체 소자 제조방법 |
| KR20180055117A (ko) * | 2016-11-16 | 2018-05-25 | 재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단 | 이차원 전이금속 화합물 기반 pn 다이오드를 이용한 무전원 가스센서 및 그 제작 방법 |
| KR101874258B1 (ko) * | 2017-10-19 | 2018-08-02 | 경희대학교 산학협력단 | 전이금속 디칼코게나이드 박막 및 그 제조방법 |
| KR20190013482A (ko) * | 2017-07-31 | 2019-02-11 | 삼성전자주식회사 | 구조체, 이를 포함하는 면상 발열체, 상기 면상 발열체를 포함하는 가열 장치, 및 상기 구조체의 제조방법 |
-
2020
- 2020-01-31 KR KR1020200011829A patent/KR102350888B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101641654B1 (ko) * | 2015-05-13 | 2016-07-22 | 한국기계연구원 | 반도체 소자 및 반도체 소자 제조방법 |
| KR20180055117A (ko) * | 2016-11-16 | 2018-05-25 | 재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단 | 이차원 전이금속 화합물 기반 pn 다이오드를 이용한 무전원 가스센서 및 그 제작 방법 |
| KR20190013482A (ko) * | 2017-07-31 | 2019-02-11 | 삼성전자주식회사 | 구조체, 이를 포함하는 면상 발열체, 상기 면상 발열체를 포함하는 가열 장치, 및 상기 구조체의 제조방법 |
| KR101874258B1 (ko) * | 2017-10-19 | 2018-08-02 | 경희대학교 산학협력단 | 전이금속 디칼코게나이드 박막 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102350888B1 (ko) | 2022-01-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Park et al. | Reproducible resistive switching in nonstoichiometric nickel oxide films grown by rf reactive sputtering for resistive random access memory applications | |
| Zhang et al. | An ultrathin memristor based on a two-dimensional WS 2/MoS 2 heterojunction | |
| Yin et al. | High‐performance memristors based on ultrathin 2D copper chalcogenides | |
| CN108914062A (zh) | 一种大面积和图形化过渡金属硫化物薄膜的制备方法 | |
| TW200534488A (en) | Amorphous oxide and thin film transistor | |
| CN103887430B (zh) | 掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法 | |
| Huang et al. | Forming-free resistive switching of tunable ZnO films grown by atomic layer deposition | |
| US11094558B2 (en) | Doped metal-chalcogenide thin film and method of manufacturing the same | |
| Li et al. | Optimizing endurance performance of Ga2O3 random resistive access memories by altering oxygen vacancy content | |
| US20010015319A1 (en) | Process for producing thin film gas sensors with dual ion beam sputtering | |
| Subramanyam et al. | Optimization of sputtered AZO thin films for device application | |
| CN109728162B (zh) | 相变薄膜、相变存储单元及其制备方法及相变存储器 | |
| Wu et al. | Study on thermoelectric property optimization of mixed-phase bismuth telluride thin films deposited by co-evaporation process | |
| KR102350888B1 (ko) | 발열 소자 및 이의 제조 방법 | |
| US10510534B2 (en) | Thin film, method of fabricating the same, and apparatus for fabricating the same | |
| KR101463776B1 (ko) | 문턱 스위칭용 ｄｏｐｅｄ－ＧｅＴｅ 박막의 형성 방법 | |
| JP2015216241A (ja) | 機能性素子、二酸化バナジウム薄膜製造方法 | |
| Suzuki et al. | Electrical Properties of Evaporated Polyacrylonitrile Films | |
| Shakra et al. | Electrical and switching behavior of quaternary defect chalcopyrite CdInGaSe 4 thin films | |
| Dimitriadis et al. | Microstructure and its effect on the conductivity of magnetron sputtered carbon thin films | |
| JP2021192402A (ja) | 熱電変換材料、その製造方法およびそれを用いた熱電変換素子 | |
| Qin et al. | Memristive behavior of ZnO film with embedded Ti nano-layers | |
| CN113078261B (zh) | 一种Sn-Se系列超晶格相变存储材料及其制备方法 | |
| Mala et al. | Influence of post-deposition annealing temperature on structural and electrical properties of TiW contact thin films | |
| Zhang et al. | The oxidation process of NiSi x film at high temperature in air and the antioxidant effect of SiO x N y/NiSi x film |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant |