KR20210068568A - 기판 파라미터에 대한 처리 장치의 기여도를 결정하는 방법 - Google Patents

기판 파라미터에 대한 처리 장치의 기여도를 결정하는 방법 Download PDF

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Abstract

개시된 제 1 기판에 걸친 파라미터의 지문에 대한 처리 장치의 기여도를 결정하기 위한 방법으로서, 기판 상의 제 1 피쳐의 검사와 연관된 제 1 퓨필 이미지와 기판 상의 제 2 피쳐의 검사와 연관된 제 2 퓨필 이미지 사이의 차이에 관련되는 델타 이미지를 획득하는 단계 - 상기 제 1 피쳐와 상기 제 2 피쳐는 상이한 선량 감도를 가짐 -; 상기 제 1 피쳐와 상기 제 2 피쳐를 형성하기 위하여 사용되는 선량의 변동에 응답하여, 상기 차이의 변화율을 결정하는 단계; 델타 이미지 내에 포함된, 미리 결정된 임계치보다 높은 변화율을 가지는 복수 개의 픽셀을 선택하는 단계; 및 결정된 변화율 및 상기 복수 개의 픽셀로 한정된 델타 이미지를 사용하여 상기 기여도를 결정하는 단계를 포함하는, 기여도 결정 방법이 개시된다.

Description

기판 파라미터에 대한 처리 장치의 기여도를 결정하는 방법
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2019 년 11 월 12 일에 출원되고 그 전체 내용이 원용되어 본원에 통합되는 EP 출원 번호 18205693.7의 우선권을 주장한다.
본 발명은 제 1 기판에 걸친 파라미터의 지문에 대한 처리 장치의 기여도를 결정하기 위한 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 사용 전 또는 사용 중에 리소그래피 장치를 교정하기 위하여 사용될 수 있는 교정 메트릭을 결정하는 것에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 원하는 패턴을 기판에 적용하도록 구성된 기계이다. 리소그래피 장치는 예컨대 집적회로(IC)의 제조 시에 사용될 수 있다. 리소그래피 장치는 예를 들어 패터닝 디바이스(예를 들어 마스크)에서의 패턴("디자인 레이아웃" 또는 "디자인"이라고도 불림)을 기판(예를 들어, 웨이퍼) 위에 제공된 방사선-감응 재료(레지스트)의 층에 투영시킬 수 있다.
기판에 패턴을 투영하기 위하여, 리소그래피 장치는 전자기 방사선을 사용할 수 있다. 이러한 방사선의 파장이 기판 상에 형성될 수 있는 피쳐의 최소 크기를 결정한다. 현재 사용되는 통상적인 파장은 365 nm(i-라인), 248 nm, 193 nm 및 13.5 nm이다. 4 - 20 nm의 범위, 예를 들어 6.7 nm 또는 13.5 nm에 속하는 파장을 가지는 극자외(EUV) 방사선을 사용하는 리소그래피 장치는, 예를 들어 193 nm의 파장을 가지는 전자기 방사선을 사용하는 리소그래피 장치보다 더 작은 피쳐를 기판 위에 형성하기 위해 사용될 수 있다.
리소그래피 장치의 전통적인 분해능 한계보다 작은 치수의 피쳐를 처리하기 위하여 저-k1 리소그래피가 사용될 수 있다. 이러한 프로세스에서, 분해능 공식은 CD = k1×λ/NA로 표현될 수 있는데, λ는 채용된 방사선의 파장이고, NA는 리소그래피 장치 내의 투영 광학기의 개구수이며, CD는 "임계 치수"(일반적으로 인쇄된 최소 피쳐 크기이지만 이러한 경우에는 하프-피치임)이고, k1은 경험적 분해능 인자이다. 일반적으로, k1이 더 작을수록 특정한 전기적 기능성과 성능을 얻기 위해서 회로 디자이너에 의하여 계획된 형상과 치수를 닮은 패턴을 기판 상에 재현하는 것은 더 어려워진다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여, 복잡한 미세-튜닝 단계들이 리소그래피 투영 장치 및/또는 설계 레이아웃에 적용될 수 있다. 예를 들어, 이것은 NA, 맞춤화된 조명 방식, 위상 시프트 패터닝 디바이스의 사용, 설계 레이아웃에서의 광학 근접 정정(optical proximity correction; OPC, 가끔 "광학적 프로세스 정정"이라고도 불림)의 설계 레이아웃의 다양한 최적화, 또는 일반적으로 "분해능 향상 기법(resolution enhancement techniques; RET)"이라고 규정되는 다른 방법을 포함하지만, 이들로 한정되는 것은 아니다. 또는, 리소그래피 장치의 안정성을 제어하기 위한 엄격 제어 루프가 낮은 k1에서 패턴의 재현을 개선하기 위하여 사용될 수 있다.
통상적인 반도체 제조 프로세스는 포토레지스트 막을 증착하는 단계(막 증착); 포토레지스트를 베이킹하는 단계; 포토레지스트를 노광시켜서 필수 패턴을 제공하는 단계; 노광된 레지스트를 현상하고 기판을 에칭하는 단계인 기본적인 단계를 포함할 것이다. 프로세스에 요동이 생기면 기판에 걸쳐서 임계 치수에 원치않는 변동이 생길 수 있고, 따라서 임계 치수 균일도(CDU)가 악화된다. CDU는 임의의 집적 회로의 양호한 성능 및 신뢰가능한 기능성을 보장하기 위하여 중요한 파라미터이고, 이러한 척도를 최대화하는 것이 반도체 제조 산업에서의 계속되는 목표이다.
각각의 프로세스 단계에 의해 도입되는 변동은 해당 프로세스 단계에 고유할 수 있고, 지문이라고 불릴 수 있다. 처리 단계들 모두의 누적된 변동은 통합 지문이라고 불릴 수 있다.
통합 지문을 결정하기 위하여 다양한 계측 방법이 공지되어 있다. 하나의 방법은, 후처리된 기판에서의 다양한 파라미터를 측정하고, 측정치를 임계 치수를 결정하기 위한 함수들의 라이브러리와 비교하는 것을 포함한다. 이것은 계산량이 많고 통상적으로 큰 부정확성을 포함하는, 시간이 많이 걸리고 어려운 방법이다. 예시적인 계측 방법은 프로세스 맵을 사용하여 에칭후 프로세스가 어떻게 웨이퍼에 걸쳐서 변하는지를 기술할 수 있다. 프로세스 맵은 CDSEM 툴을 사용하여 획득된 앵커 피쳐의 CD 임계 치수 측정에 기반한다.
본 발명은, 처리된 기판의 파라미터에 대한 처리 장치의 기여도를 결정하기 위한 개선된 방법을 제공하는 것을 목적으로 하고, 또한 개선된 교정 및 제어 기법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 첨부된 청구항들에 따른 방법 및 장치를 제공한다.
본원에서는 제 1 기판에 걸친 파라미터의 지문에 대한 처리 장치의 기여도를 결정하기 위한 방법으로서, 기판 상의 제 1 피쳐의 검사와 연관된 제 1 퓨필 이미지와 기판 상의 제 2 피쳐의 검사와 연관된 제 2 퓨필 이미지 사이의 차이에 관련되는 델타 이미지를 획득하는 단계 - 상기 제 1 피쳐와 상기 제 2 피쳐는 상이한 선량 감도를 가짐 -; 상기 제 1 피쳐와 상기 제 2 피쳐를 형성하기 위하여 사용되는 선량의 변동에 응답하여, 상기 차이의 변화율을 결정하는 단계; 델타 이미지 내에 포함된, 미리 결정된 임계치보다 높은 변화율을 가지는 복수 개의 픽셀을 선택하는 단계; 및 결정된 변화율 및 상기 복수 개의 픽셀로 한정된 델타 이미지를 사용하여 상기 기여도를 결정하는 단계를 포함하는, 기여도 결정 방법이 개시된다.
기여도는 실효 선량의 하나 이상의 값으로서 표현될 수 있다.
제 1 퓨필 이미지와 제 2 퓨필 이미지는 퓨필 이미지들의 쌍을 형성할 수 있다. 이러한 방법은, 퓨필 이미지들의 복수 개의 쌍들에 대한 차이를 획득하는 단계를 더 포함할 수 있다. 퓨필 이미지들의 제 1 쌍과 연관된 피쳐를 형성하기 위하여 사용되는 선량은, 퓨필 이미지들의 제 2 쌍과 연관된 피쳐를 형성하기 위하여 사용되는 선량과 다를 수 있다.
상기 방법은,
상기 제 1 쌍의 퓨필 이미지들 사이의 차이 및 상기 제 2 쌍의 퓨필 이미지들 사이의 차이를 사용하여, 이미지 세기-대-선량 곡선을 결정하고, 상기 이미지 세기-대-선량 곡선을 사용하여 상기 변화율을 결정하는 단계를 더 포함할 수 있다.
변화율은 이미지 세기-대-선량 곡선의 도함수일 수 있다.
제 1 퓨필 이미지와 상기 제 2 퓨필 이미지 사이의 차이를 획득하는 단계는, 상기 제 1 퓨필 이미지와 제 2 퓨필 이미지로부터의 이미지 데이터를 합산하고, 상기 제 1 퓨필 이미지로부터의 합산된 이미지 데이터를 상기 제 2 퓨필 이미지로부터의 합산된 이미지 데이터로부터 감산하는 것을 포함할 수 있다.
데이터는 산란측정 데이터일 수 있다. 제 1 퓨필 이미지와 제 2 퓨필 이미지는 산란측정 세기 데이터의 분포를 포함할 수 있다. 델타 이미지는 복수 개의 픽셀을 포함할 수 있고, 상기 방법은, 상기 델타 이미지 내로부터 픽셀을 선택하고, 선택된 픽셀을 사용하여 상기 변화율을 결정하는 단계를 더 포함한다. 상기 방법은, 미리 결정된 임계치보다 높은 변화율을 가지는 픽셀을 선택하는 단계를 더 포함할 수 있다.
제 1 피쳐 및 제 2 피쳐는 기판 상에서 서로 인접할 수 있다. 퓨필 이미지들의 제 1 쌍은 제 1 기판 구역으로부터 선택되고, 퓨필 이미지들의 제 2 쌍은 제 2 기판 구역으로부터 선택되며, 상기 제 1 기판 구역과 상기 제 2 기판 구역은 상이한 선량을 수광한 바 있다.
제 1 또는 제 2 피쳐 중 어느 하나는 라인 피쳐일 수 있다. 제 1 또는 제 2 피쳐 중 어느 하나는 공간 피쳐일 수 있다. 제 1 피쳐는 제 2 피쳐의 반전일 수 있다.
기판은 복수 개의 제 1 및 제 2 피쳐를 포함할 수 있다. 기판은, 표면에 걸쳐 분포되고 복수 개의 상이한 노광 구역 내에 있는 복수 개의 제 1 피쳐 및 제 2 피쳐를 가지는 초점 노광 매트릭스(Focus Exposure Matrix)일 수 있고, 노광 구역들 각각은 상이한 선량을 수광한다. 노광 구역은 기판의 표면에 걸쳐서 무작위로 분산될 수 있다.
기판은, 증착, 베이킹, 코팅, 현상, 노광 및 에칭의 처리 단계들 중 하나 이상을 사용하여 처리되었을 수 있다.
실효 선량의 하나 이상의 변동 값은, 상기 델타 이미지 또는 델타 이미지의 일부분의 합산된 세기를 상기 변화율로 나눔으로써 결정될 수 있다.
상기 방법은, 실효 선량의 하나 이상의 값을 사용하여 실효 선량 맵을 결정하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 방법은, 비-노광 처리 단계를 표현하는 순(pure) 프로세스 이미지 데이터를 제공하도록, 상기 실효 선량을 상기 델타 퓨필 이미지로부터 감산하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 방법은, 순 프로세스 맵을 제공하도록, 웨이퍼에 걸친 복수 개의 위치에 대한 순 프로세스 이미지 데이터를 획득하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 방법은, 제 2 기판을 제공하는 단계; 복수 개의 제 2 기판 델타 이미지를 제공하도록, 복수 개의 제 2 기판 퓨필 쌍들 사이의 차이를 획득하는 단계; 및 결정된 기여도를 사용하여, 상기 제 2 기판에 대한 제 2 기판 계측 맵을 생성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
제 2 기판은 제 1 기판과 다를 수 있다. 제 2 기판은 임계 치수 웨이퍼일 수 있다. 제 2 기판 계측 맵은 복수 개의 제 2 기판 델타 이미지로부터의 세기 데이터를 포함하는 세기 맵일 수 있다.
제 2 기판 계측 맵은 제 2 기판 실효 선량 맵을 포함할 수 있다.
상기 방법은, 상기 순 프로세스 맵 및 제 2 기판 계측 맵을 합산하여 실효 제 2 기판 프로세스 맵을 제공하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 방법은, 실효 제 2 기판 프로세스 맵을 사용하여 제작 프로세스의 하나 이상의 파라미터를 모니터링 및/또는 제어하는 단계를 더 포함할 수 있다.
파라미터는 노광 시스템에 관련될 수 있다.
상기 방법은, 상기 실효 제 2 기판 프로세스 맵을 사용하여 제 2 기판 또는 제 3 기판의 임계 치수 또는 임계 치수 균일도를 결정하는 단계를 더 포함할 수 있다.
파라미터는 필드내 효과에 관련될 수 있다.
상기 방법은, 상기 기여도와 연관된 실효 선량의 하나 이상의 값을 사용하여, 기판 상의 피쳐의 임계 치수 또는 임계 치수 균일도를 결정하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 본원에서 설명되는 방법들 중 임의의 것에 따른 방법을 실행하도록 구성되는 프로세서를 포함하는 리소그래피 장치가 본원에 기술된다. 또한, 컴퓨터 프로그램으로서, 적어도 하나의 프로세서에서 실행될 때, 본원에서 설명되는 방법들 중 임의의 방법을 수행하도록 적어도 하나의 프로세서가 장치를 제어하게 하기 위한 명령을 포함하는, 컴퓨터 프로그램이 기술된다. 또한, 본원에서는 앞서 언급된 컴퓨터 프로그램을 포함하는 캐리어가 기술된다. 캐리어는 전자 신호, 광 신호, 무선 신호, 비-일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체 중 하나일 수 있다.
본 발명의 실시예는 첨부된 개략적인 도면을 참조하여 이제 예시하는 방식으로만 설명될 것이다:
- 도 1은 리소그래피 장치의 개략적인 개요를 도시한다;
- 도 2는 리소그래피 셀의 개략적인 개요를 도시한다;
- 도 3은 반도체 제조를 최적화하는 데에 중요한 세 가지 기술들 사이의 협력을 나타내는, 홀리스틱 리소그래피의 개략적인 표현을 도시한다;
- 도 4는 프로세스 특이적 지문의 개략적인 표현이다;
- 도 5는 제 1 기판에 걸친 파라미터의 지문에 대한 처리 장치의 기여도를 결정하기 위한 방법의 개략적인 흐름도를 제공한다;
- 도 6은 도 5의 방법 내의 메모리의 그림 표현을 제공한다;
- 도 7은 실효 선량 맵을 사용하여 처리 장치의 일부를 제어하기 위한 개략적인 흐름도를 제공한다.
본 명세서에서, "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 자외 방사선(예를 들어 365, 248, 193, 157 또는 126 nm의 파장을 가지는 방사선) 및 EUV(예를 들어 약 5-100 nm 범위의 파장을 가지는 극자외 방사선)를 포함하는 모든 타입의 전자기 방사선을 망라하도록 사용된다. "레티클", "마스크" 또는 "패터닝 디바이스"라는 용어는 본 명세서에서 채용될 때, 인입하는 방사선 빔에 기판의 타겟부 내에 생성될 패턴에 대응하여 패터닝된 단면을 부여하기 위하여 사용될 수 있는 일반적 패터닝 디바이스를 지칭하는 것으로 넓게 해석될 수 있다. "광 밸브"라는 용어도 이러한 콘텍스트에서 사용될 수 있다. 전통적인 마스크(투과성 또는 반사성; 이진, 페이즈-시프트, 하이브리드 등) 외에, 다른 이러한 패터닝 디바이스들의 예에는 프로그램가능 미러 어레이 및 프로그램가능(LCD) 어레이가 포함된다.
도 1은 리소그래피 장치(LA)를 개략적으로 묘사한다. 리소그래피 장치(LA)는 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 DUV 방사선 또는 EUV 방사선)을 조절하도록 구성되는 조명 시스템(조명기(IL)라고도 불림), 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고 특정 파라미터에 따라서 패터닝 디바이스(MA)를 정확하게 위치설정하도록 구성되는 제 1 위치설정기(PM)에 연결되는 마스크지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT), 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 홀딩하도록 구성되고 특정 파라미터에 따라서 기판 지지대를 정확하게 위치설정하도록 구성되는 제 2 위치설정기(PW)에 연결되는 기판 지지대(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT), 및 패터닝 디바이스(MA)에 의하여 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 기판(W)의 타겟부(C)(예를 들어, 하나 이상의 다이를 포함) 상에 투영하도록 구성되는 투영 시스템(예를 들어, 굴절형 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다.
동작 시에, 조명 시스템(IL)은 방사선 빔을 빔 전달 시스템(BD)을 통해 방사선 소스(SO)로부터 수광한다. 조명 시스템(IL)은 방사선을 지향시키고, 성형(shaping)하며, 또는 제어하기 위한 다양한 유형의 광 컴포넌트, 예컨대 굴절식, 반사, 자기적, 전자기, 정전기 및/또는 다른 유형의 광 컴포넌트, 및/또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수도 있다. 조명기(IL)는 방사선 빔(B)이 패터닝 디바이스(MA)의 평면 상에 그 단면에서 원하는 공간 및 각도 세기 분포를 가지도록 조정하기 위하여 사용될 수도 있다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템(PS)"이라는 용어는, 이용되고 있는 노광 방사선(exposure radiation)에 대해 적합하거나 또는 침지액(immersion liquid)의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 요인들에 대해 적합한, 굴절식, 반사식, 반사 굴절식(catadioptric), 애너모픽(anamorphic), 자기식, 전자기식, 및/또는 정전식 광학 시스템, 및/또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 다양한 타입의 투영 시스템도 포함하는 것으로 넓게 해석되어야 한다. 본 명세서에서 "투영 렌즈"라는 용어의 모든 사용은 더 일반적인 용어인 "투영 시스템(PS)"과 같은 의미인 것으로 간주될 수도 있다.
리소그래피 장치(LA)는, 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이의 공간을 채우기 위해 기판의 적어도 일부분이 상대적으로 높은 굴절률을 가진 액체, 예컨대 물에 의해 커버될 수 있는 유형일 수 있으며 이것은 침지 리소그래피라고도 불린다. 침지 기법에 대한 더 많은 정보가 본 명세서에서 원용에 의해 통합되는 US6952253에 제공된다.
리소그래피 장치(LA)는 두 개 이상의 기판 지지대(WT)를 가지는 타입일 수도 있다("듀얼 스테이지"라고도 불림). 이러한 "다중 스테이지" 머신에서, 기판 지지대(WT)는 병렬적으로 사용될 수 있고, 및/또는 기판(W)의 후속 노광을 준비하는 단계들이 기판 지지대(WT) 중 하나 상에 위치될 수 있는 반면에, 다른 기판 지지대(WT) 상의 다른 기판(W)은 다른 기판(W) 상에 패턴을 노광시키기 위해서 사용되고 있다.
기판 지지대(WT)에 추가하여, 리소그래피 장치(LA)는 측정 스테이지를 포함할 수 있다. 측정 스테이지는 센서 및/또는 세정 디바이스를 홀딩하도록 구성된다. 센서는 투영 시스템(PS)의 속성 또는 방사선 빔(B)의 속성을 측정하도록 구성될 수 있다. 측정 스테이지는 다수의 센서를 홀딩할 수 있다. 세정 디바이스는 리소그래피 장치의 부분, 예를 들어 투영 시스템(PS)의 부분 또는 침지액을 제공하는 시스템의 부분을 세정하도록 구성될 수 있다. 측정 스테이지는, 기판 지지대(WT)가 투영 시스템(PS)으로부터 멀어질 때 투영 시스템(PS) 아래에서 이동할 수 있다.
동작 시에, 방사선 빔(B)은 패터닝 디바이스, 예를 들어 지지 구조체(MT) 상에 홀딩되는 마스크(MA) 상에 입사하고, 그리고 패터닝 디바이스(MA) 상에 있는 패턴(디자인 레이아웃)에 의하여 패터닝된다. 패터닝 디바이스(MA)를 가로지르면, 방사선 빔(B)은 기판(W)의 타겟부(C) 상에 빔을 포커싱하는 투영 시스템(PS)을 통과한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 측정 시스템(IF)의 도움을 받아, 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로에 있는 상이한 타겟부들(C)을 포커싱되고 정렬된 위치에 위치설정하기 위하여, 기판 지지대(WT)가 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정 디바이스(PM) 및 가능하게는 다른 위치 센서(도 1에는 명확하게 묘사되지 않음)가, 방사선 빔(B)의 경로에 대하여 패터닝 디바이스(MA)를 정확하게 위치설정하기 위하여 사용될 수 있다. 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다. 비록 도시된 바와 같이 기판 정렬 마크들(P1, P2)이 전용 타겟부들 점유하지만, 이들은 타겟부들 사이의 공간에 위치될 수도 있다. 기판 정렬 마크(P1, P2)는 타겟부들(C) 사이에 위치되면 스크라이브 레인 정렬 마크라고 알려져 있다.
도 2에 도시된 것처럼, 리소그래피 장치(LA)는 리소셀 또는 (리소)클러스터라고도 지칭되는 리소그래피 셀(LC)의 일부를 형성할 수 있고, 이는 또한 기판(W) 상에서 노광 전 그리고 노광 후 프로세스를 수행하기 위한 장치를 포함한다. 통상적으로, 이러한 장치는, 예를 들어 레지스트층 내의 솔벤트를 조절하기 위해서 예를 들어 기판(W)의 온도를 조절하기 위하여, 레지스트층을 증착하기 위한 스핀 코터(spin coater; SC), 노광된 레지스트를 현상하기 위한 현상기(DE), 냉각 플레이트(chill plate; CH), 및 베이크 플레이트(bake plate; BK)를 포함한다. 기판 핸들러 또는 로봇(RO)이 입력/출력 포트(I/O1, I/O2)로부터 기판(W)을 픽업하여, 이들을 상이한 공정 장치 간에 이동시키며, 기판(W)을 리소그래피 장치(LA)의 로딩 베이(loading bay; LB)에 전달한다. 통칭하여 트랙으로도 지칭되는, 리소셀 내의 디바이스는 통상적으로 감독 제어 시스템(supervisory control system; SCS)에 의해 제어될 수 있는 트랙 제어 유닛(TCU)의 제어 하에 있게 되며, 감독 제어 시스템은 또한 리소그래피 제어 유닛(LACU)을 통해 리소그래피 장치(LA)를 제어할 수 있다.
리소그래피 장치(LA)에 의해 노광되는 기판이 정확하고 일정하게 노광되도록 하기 위해서는, 기판을 검사하여 후속 층들 사이의 오버레이 오차, 라인 두께, 임계 치수(CD) 등과 같은, 패터닝된 구조체의 속성을 측정하는 것이 바람직할 수 있다. 이러한 목적을 위해, 검사 툴(미도시)이 리소셀(LC) 내에 포함될 수 있다. 오차가 검출되면, 특히 검사가 동일한 배치 또는 로트의 다른 기판(W)이 여전히 노광되거나 처리되어야 하기 전에 이루어진다면, 예를 들어 후속 기판의 노광에 또는 기판(W) 상에서 수행될 다른 프로세스 단계에 조절이 이루어질 수 있다.
계측 장치라고도 불릴 수 있는 검사 장치가, 기판(W)의 속성, 및 구체적으로 상이한 기판(W)의 속성이 또는 동일 기판(W)의 상이한 층과 연관된 속성이 층에 따라 어떻게 변화하는지를 결정하기 위해 사용된다. 또는, 검사 장치는 기판(W) 상의 결점을 식별하도록 구성될 수 있고, 예를 들어 리소셀(LC)의 일부일 수 있으며, 또는 리소그래피 장치(LA)에 통합될 수 있고, 또는 심지어 독립형 디바이스일 수도 있다. 검사 장치는 잠상(노광 후의 레지스트 층 내의 이미지), 또는 반-잠상(노광후 베이크 단계(PEB) 후의 레지스트 층 내의 이미지), 또는 현상된 레지스트 이미지(레지스트의 노광되거나 비노광된 부분이 제거되었음), 또는 심지어 에칭된 이미지(에칭과 같은 패턴 전사 단계 이후)의 속성을 측정할 수 있다.
통상적으로, 리소그래피 장치(LA) 내에서의 패터닝 프로세스는, 기판(W) 상의 구조체의 높은 치수 및 배치 정확도를 요구하는, 처리 중 가장 중요한 단계들 중 하나이다. 이러한 높은 정확도를 보장하기 위하여, 개략적으로 도 3에서 도시되는 것과 같은 소위 "홀리스틱(holistic)" 제어 환경에서 세 가지 시스템이 통합될 수 있다. 이러한 시스템 중 하나는 계측 툴(MT)(제 2 시스템) 및 컴퓨터 시스템(CL)(제 3 시스템)에 (가상적으로) 연결되는 리소그래피 장치(LA)이다. 이러한 "홀리스틱" 환경의 중요한 점은, 전체 프로세스 윈도우를 개선하고 리소그래피 장치(LA)에 의해 수행되는 패터닝이 프로세스 윈도우 내에 유지되도록 보장하기 위한 엄격 제어 루프를 제공하기 위하여, 이러한 세 개의 시스템들 사이의 협력을 최적화하는 것이다. 프로세스 윈도우는 그 안에서 특정한 제조 프로세스가 규정된 결과(예를 들어 기능성 반도체 디바이스)를 제공하는 프로세스 파라미터(예를 들어 선량, 초점, 오버레이)의 범위를 규정한다 - 통상적으로 리소그래피 프로세스 또는 패터닝 프로세스의 프로세스 파라미터는 그 안에서 변할 수 있다.
컴퓨터 시스템(CL)은, 사용할 분해능 향상 기법을 예측하기 위하여 패터닝될 디자인 레이아웃(또는 그 일부)을 사용하고, 어떤 마스크 레이아웃 및 리소그래피 장치 설정이 패터닝 프로세스의 최대 전체 프로세스 윈도우를 획득하는지를 결정하기 위하여(도 3에서 제 1 스케일(SC1)에서의 이중 화살표로 도시됨) 계산적 리소그래피 시뮬레이션 및 연산을 수행할 수 있다. 통상적으로, 분해능 향상 기법은 리소그래피 장치(LA)의 패터닝 가능성과 매칭되도록 구현된다. 컴퓨터 시스템(CL)은, 프로세스 윈도우 내의 어디에서 리소그래피 장치(LA)가, 예를 들어 최적에 미달하는 처리에 기인하여 결함이 존재할 수 있는지 여부를 예측하기 위해서 현재 동작하고 있는지(예를 들어 계측 툴(MT)로부터의 입력을 사용함)를 검출하기 위해서 사용될 수 있다(도 3에서 제 2 저울(SC2)에서 "0"을 가리키는 화살표에 의해 표현됨).
계측 툴(MT)은 컴퓨터 시스템(CL)에 입력을 제공하여 정확한 시뮬레이션 및 예측이 가능하게 할 수 있고, 예를 들어 리소그래피 장치(LA)의 교정 상태에서 피드백을 리소그래피 장치(LA)에 제공하여 가능한 드리프트(도 3에서 제 3 저울(SC3)에 있는 여러 화살표로 표시됨)를 식별하게 할 수 있다.
리소그래피 프로세스에서는, 예를 들어 프로세스 제어 및 검증을 위하여, 생성되는 구조체를 자주 측정하는 것이 바람직하다. 이러한 측정을 하기 위한 툴들은 통상적으로 계측 툴(MT)이라고 불린다. 스캐닝 전자 현미경 또는 다양한 형태의 산란계 계측 툴(MT)을 포함하는, 이러한 측정을 하기 위한 상이한 타입의 계측 툴(MT)이 알려져 있다. 산란계는, 센서를 산란계의 대물 렌즈의 퓨필 평면 또는 퓨필과 공액인 평면에 있게 함으로써(이러한 경우 측정은 보통 퓨필 기반 측정이라고 불림), 또는 센서를 이미지 평면 또는 이미지 평면과 공액인 평면에 있게 함으로써(이러한 경우 측정은 보통 이미지 또는 필드 기반 측정이라고 불림), 리소그래피 프로세스의 파라미터의 측정이 가능해지게 하는 다기능 기구이다. 이러한 산란계 및 연관된 측정 기법은 특허 출원 US20100328655, US2011102753A1, US20120044470A, US20110249244, US20110026032 또는 EP1628164A에 더 상세히 설명되는데, 이들은 그 전체 내용이 원용되어 본원에 통합된다. 앞서 언급된 산란계는 소프트 x-선 및 가시광선 내지 근적외선 파장 범위로부터의 광을 사용하여 격자를 측정할 수 있다.
산란계(MT)는 각도 분해된 산란계일 수 있다. 이러한 산란계 재구성 방법은 격자의 속성을 재구성 또는 계산하기 위해서, 측정된 신호에 적용될 수 있다. 이러한 재구성은, 예를 들어 산란된 방사선과 타겟 구조체의 수학적 모델의 상호작용을 시뮬레이션하고 시뮬레이션 결과를 측정의 결과와 비교함으로써 이루어질 수 있다. 수학적 모델의 파라미터는, 시뮬레이션된 상호작용이 실제 타겟으로부터 관찰된 것과 유사한 회절 패턴을 생성할 때까지 조절된다.
산란계(MT)는 분광식 산란계(MT)일 수도 있다. 이러한 분광식 산란계(MT)에서, 방사선 소스에 의해 방출된 방사선은 타겟 상으로 지향되고 타겟으로부터 반사되거나 산란된 방사선은 분광계 검출기로 지향되며, 이것이 경면 반사된 방사선의 스펙트럼(즉 파장의 함수인 세기의 측정치)을 측정한다. 이러한 데이터로부터, 예를 들어 정밀 결합 파 분석(Rigorous Coupled Wave Analysis) 및 비선형 회귀(non-linear regression)에 의해 또는 시물레이션된 스펙트럼(simulated spectra)의 라이브러리와의 비교에 의해, 검출된 스펙트럼을 초래하는 타겟의 구조 또는 프로파일이 재구성될 수도 있다.
산란계(MT)는 편광해석(ellipsometric) 산란계일 수도 있다. 편광 해석 산란계는, 산란된 방사선을 각각의 편광 상태에 대해 측정함으로써 리소그래피 프로세스의 파라미터를 결정할 수 있게 한다. 이러한 계측 장치는, 예를 들어 계측 장치의 조명 섹션 내의 적절한 편광 필터를 사용하여, 편광된 광(예컨대 선형, 원형, 또는 타원형)을 방출한다. 계측 장치를 위해 적합한 소스는 편광된 방사선도 역시 제공할 수 있다. 현존하는 편광 해석 산란계의 다양한 실시예가 그 전체가 본 명세서에 원용에 의해 통합되는 US 특허 출원 제 11/451,599, 제 11/708,678, 제 12/256,780, 제 12/486,449, 제 12/920,968, 제 12/922,587, 제 13/000,229, 제 13/033,135, 제 13/533,110 및 제 13/891,410에 설명된다.
산란계(MT)는 반사된 스펙트럼 및/또는 검출 구조(detection configuration) 내의 비대칭을 측정함으로써 두 개의 오정렬된 격자 또는 주기적 구조체의 오버레이를 측정하도록 적응될 수 있는데, 비대칭은 오버레이의 정도에 관련된다. 두 개의(통상적으로 중첩함) 격자 구조체는 두 개의 상이한 층(연속하는 층이어야 하는 것은 아님)에 적용될 수 있고, 실질적으로 웨이퍼 상의 동일한 포지션에 형성될 수 있다. 산란계는 임의의 비대칭이 분명하게 구별가능하도록, 예를 들어 공동 소유인 특허 출원 제 EP1628164에 설명된 바와 같은 대칭적 검출 구조를 가질 수 있다. 그러면 격자 내의 오정렬을 측정하기 위한 단순한 방식이 제공된다. 타겟이 측정될 때 주기적 구조체의 비대칭을 통해 주기적 구조체를 보유한 두 층들 사이의 오버레이 오차를 측정하기 위한 추가적인 예는, 그 전체가 본 명세서에 원용에 의해 통합되는 PCT 특허 출원 공개 번호 제 WO2011/012624 또는 US 특허 출원 US 20160161863에서 발견될 수 있다.
다른 관심 파라미터는 초점 및 선량일 수 있다. 초점 및 선량은, 그 전체 내용이 본 명세서에서 원용에 의해 통합되는 US 특허 출원 US2011-0249244에 기술된 바와 같은 산란측정에 의해(또는 대안적으로 스캐닝 전자 현미경 검사에 의해) 동시에 결정될 수 있다. 초점 에너지 행렬(FEM - 또한 초점 노광 행렬이라고 불림) 내의 각각의 포인트에 대한 임계 치수 및 측벽각 측정치의 고유한 조합을 가지는 단일 구조체가 사용될 수 있다. 임계 치수 및 측벽각의 이러한 고유한 조합이 사용가능하다면, 초점 및 선량 값은 이러한 측정으로부터 고유하게 결정될 수 있다.
계측 타겟은, 거의 레지스트 내이지만 예를 들어 에칭 프로세스 이후에 리소그래피 프로세스에 의해 형성되는 합성물 격자들의 모음일 수 있다. 통상적으로 격자 내의 구조체의 피치 및 선폭은, 계측 타겟으로부터 오는 회절 차수를 캡쳐할 수 있으려면 측정 광학기(특히 광학기의 NA)에 크게 의존한다. 앞서 표시된 바와 같이, 회절된 신호는 두 개의 층 사이의 천이('오버레이'라고도 불림)를 결정하기 위하여 사용될 수 있고, 또는 리소그래피 프로세스에 의해 생산되는 원본 격자의 적어도 일부를 재구성하기 위하여 사용될 수 있다. 이러한 재구성은 리소그래피 프로세스의 품질을 유도하기 위하여 사용될 수 있고, 리소그래피 프로세스의 적어도 일부를 제공하기 위하여 사용될 수 있다. 타겟은, 타겟 내의 디자인 레이아웃의 기능성 부분의 치수를 모방하도록 구성되는 더 작은 서브-세그먼트를 가질 수 있다. 이러한 서브-세그멘트화에 기인하여, 전체 프로세스 파라미터 측정치들이 디자인 레이아웃의 기능성 부분을 더 잘 닮도록, 타겟은 디자인 레이아웃의 기능성 부분과 더 유사하게 동작할 것이다. 타겟은 언더필된 모드 또는 오버필된 모드에서 측정될 수 있다. 언더필된 모드에서, 측정 빔은 전체 타겟보다 작은 스폿을 생성한다. 오버필된 모드에서, 측정 빔은 전체 타겟보다 큰 스폿을 생성한다. 이러한 오버필된 모드에서, 상이한 타겟들을 동시에 측정하여, 상이한 처리 파라미터를 동시에 결정하는 것도 가능할 수 있다.
특정 타겟을 사용하는 리소그래피 파라미터의 전체 측정 품질은 이러한 리소그래피 파라미터를 측정하기 위하여 사용되는 측정 레시피에 의하여 적어도 부분적으로 결정된다. "기판 측정 레시피"라는 용어는 측정 자체의 하나 이상의 파라미터, 측정된 하나 이상의 패턴의 하나 이상의 파라미터, 또는 양자 모두를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판 측정 레시피에서 사용된 측정이 회절-기반 광학 측정이라면, 측정의 파라미터 중 하나 이상은 방사선의 파장, 방사선의 편광, 기판에 상대적인 방사선의 입사각, 기판 상의 패턴에 상대적인 방사선의 배향 등을 포함할 수 있다. 측정 레시피를 선택하는 기준들 중 하나는, 예를 들어 처리 변이에 대한 측정 파라미터 중 하나의 감도일 수 있다. 더 많은 예들이 본 명세서에서 그 전체가 원용에 의해 포함되는 US 특허 출원 제 US2016-0161863 및 공개된 US 특허 출원 제 US 2016/0370717A1에 기술된다.
방사선의 초점 및 선량은 기판 상에 노광되는 패턴 또는 구조체의 파라미터에 직접적으로 영향을 준다. 산란계를 사용하여 측정될 수 있는 파라미터는, 예를 들어 막대형 구조체의 임계 치수(CD) 또는 측벽각(SWA)과 같이 기판 상에 인쇄된 구조체의 물리적 속성이다. 임계 치수는 실질적으로, 측정된 구조체에 따라서, 예를 들어, 막대, 공간, 도트 또는 홀과 같은 구조체의 평균 폭이다. 측벽각은 기판의 표면과 구조체의 상승 또는 하강하는 부분 사이의 각도이다.
또한, 스크라이브 레인 구조체가 초점 측정을 위한 제품 마스크와 함께 사용되면, 예를 들어, 마스크의 휨을 정정하기 위한 초점 정정과 같은 마스크 형상 정정이 적용될 수 있다.
초점 및 선량은 산란측정에 의하여, 또는 스캐닝 전자 현미경 검사에 의하여 마스크 패턴 내의 1-차원의 구조체로부터 동시에 결정되었는데, 기판 상에 측정이 이루어지는 1-차원의 마커가 생기게 한다. 단일 구조체는, 구조체가 노광되고 처리될 때 초점 에너지 매트릭스(focus energy matrix; FEM) 내의 각각의 포인트에 대하여 임계 치수 및 측벽각 측정치의 고유한 조합을 가지는 한 사용될 수 있다. 임계 치수 및 측벽각의 이러한 고유한 조합이 이용가능하다면, 초점 및 선량 값은 이러한 측정치들로부터 고유하게 결정될 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 기판은 통상적으로 막 증착(410), 베이크, 노광 및 현상(412) 및 에칭(414)을 포함하는 여러 순차적인 스테이지에서 제작된다. 이러한 스테이지, 및 임의의 다른 스테이지들 각각은 해당 표면 상에 생성되는 피쳐의 치수에 영향을 줄 수 있다. 이와 같이, 웨이퍼에 걸친 임계 치수 균일도가 각각의 스테이지에 의해 영향받을 수 있다. 도 4에 시연된 바와 같이, 각각의 스테이지에서 생성된 오차가 누적되어 전체 웨이퍼 오차 패턴 또는 프로세스 특이적 지문을 제공한다.
프로세스 특이적 지문 및 연관된 임계 치수를 이해하는 것이 중요하다. 이것은 상이한 프로세스들이 어떻게 기여하고 있으며 임계 치수 균일도를 개선하기 위해서 조절될 수 있는지에 대한 통찰을 제공한다. 본 명세서에서 설명되는 방법은 기판에 걸친 파라미터의 지문을 이해하고 특징짓기 위하여 계측 데이터를 사용한다. 이러한 정보는 처리 장치의 기여도를 결정하기 위하여 사용될 수 있다. 처리 장치로부터의 기여도가 임계 치수 또는 임계 치수 균일도가 감소하게 하는 경우에, 임계 치수의 감소를 노광을 조절함으로써 정정하는 것이 가능할 수 있다. 따라서, 기여도는 실효 선량의 하나 이상의 값으로서 표현될 수 있다. 실효 선량은 임계 치수에 영향을 주는 프로세스 변동이라고 여겨질 수 있고, 선량 변동이 응답가능한 것처럼 모델링된다.
처리 장치는, 예를 들어 리소그래피 장치일 수 있다. 그러나, 다른 프로세스 장치 및 기여도가 결정될 수도 있다. 예를 들어, 처리 장치는 처리 환경 내의 임의의 것이거나 여러 처리 장치들의 병합일 수도 있다. 일 예에서, 기여도는 리소그래피 장치 이외의 프로세스 장치들 모두에 관련될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 기여도는 실효 선량 이외의 임의의 기여도일 수 있다. 예를 들어, 기여도는 필드내 분포에 있는 불균일도일 수 있다.
실효 선량이 웨이퍼에 걸쳐서 상이한 위치에서 결정되어 실효 선량 맵을 제공할 수 있다. 실효 선량 맵은 실효 선량의 전-웨이퍼(cross wafer) 표현을 제공하고, 프로세스 변동을 고려하기 위하여 노광이 어떻게 정정될 수 있는지를 결정하기 위해 사용될 수 있다. 실효 선량 맵은 다른 목적을 위해서 사용될 수도 있다. 예를 들어, 실효 선량 맵은 다른 프로세스의 기여도를 결정하기 위하여 사용될 수 있다. 실효 선량 맵은 웨이퍼의 세기 맵으로부터 감사되어 노광 이외의 프로세스들 모두의 기여도를 제공할 수 있는데, 세기 맵은 처리된 웨이퍼를 나타내는 세기 계측 데이터를 포함한다. 세기 맵은 후술되는 바와 같이 델타 퓨필 이미지들의 콜렉션을 포함할 수 있다.
본 명세서에서 설명되는 방법은, 전체의 실효 프로세스 맵을 결정하는 방법을 제공한다. 실효 프로세스 맵은 임계 치수에 기여하는 프로세스 변동에 관련된 데이터 또는 표현을 제공할 수 있다. 실효 프로세스 맵은 실효 선량 맵 및 순 프로세스 맵을 포함할 수 있다. 순 프로세스 맵은 실효 선량이 제거된 후의 델타 이미지로부터 계산할 수 있다. 예를 들어, 실효 프로세스 맵은, 예를 들어 주어진 층에 적용되는 증착, 베이킹, 노광, 현상 및 에칭에 의해 야기된 프로세스 변동을 캡쳐할 수 있다.
실효 선량 맵 및 실효 프로세스 맵 중 어느 하나 또는 양자 모두는, 프로세스 단계의 하나 이상의 파라미터를 정정할 수 있는 정정 동작을 결정하기 위하여 사용될 수 있다. 예를 들어, 실효 선량 맵은 하나 이상의 선량 제어 장치, 시스템, 방법 또는 레시피를 제어하기 위한 입력으로서 사용될 수 있다. 실효 프로세스 맵은 프로세스 모니터링 맵으로서, 또는 결함 예측 모델로의 입력으로서 사용될 수 있다. 실효 프로세스 맵은 정정 프로세스 맵으로서 사용되거나 처리된 기판에 대한 정보를 나타낼 수 있다.
계측 데이터는 두 개 이상의 세기 신호를 포함할 수 있다. 세기 신호는 전술된 바와 같이 하나 이상의 계측 장치를 사용하여 측정될 수 있다. 계측 장치는 회절 기반 계측기일 수 있다. 회절 기반 계측은 산란측정 기반 계측일 수 있다.
세기 신호는 차동적으로 사용될 수도 있다. 제 1 피쳐의 제 1 세기 신호, 및 제 2 피쳐의 세기 신호를 획득함으로써, 두 이미지들 사이의 대조(contrasting) 이미지를 얻는 것이 가능해진다. 두 이미지들은 상이한 선량 감도를 가지기 때문에 대조될 수 있다. 그러므로, 제 1 피쳐는 제 1 선량 감도를 가질 수 있고, 제 2 피쳐는 제 2 선량 감도를 가질 수 있는데, 제 1 선량 감도 및 제 2 선량 감도는 다르다. 두 개의 선량 감도를 감산하면 주어진 위치에서의 세기의 차분 또는 델타 이미지가 제공된다.
세기의 차분을 획득하는 장점은, 처리 오차의 공통 양태가 제거될 수 있다는 것이다. 즉, 하나의 다른 이미지로부터 이미지를 감산하는 것은, 피쳐의 선량 감도에 관련되지 않고 제 1 피쳐와 제 2 피쳐 양자 모두에 공통되는 차이가 제거되는 것을 돕는다. 이것은 제 1 피쳐와 제 2 피쳐가 그 아래에 동일한 스택을 가지는 동일한 층 상에 제공되는 경우에 유용하다. 델타 퓨필 이미지 내의 잔여 성분은 임계 치수의 발산에 관련될 수 있고, 프로세스 변동을 고려하기 위하여 어떠한 정정이 필요할 수 있는지에 대한 표지를 제공한다. 이와 같이, 델타 이미지 세기는 특정 위치에서 실효 선량을 제공하기 위하여 사용될 수 있고, 이것은 노광을 조절하고, 따라서 해당 위치에서의 임계 치수를 개선하기 위해 사용될 수 있다.
제 1 피쳐와 제 2 피쳐 내의 세기의 차이는 피쳐들을 정확하게 선택하는 것과 함께 제공될 수 있다. 피쳐의 선택은 특정 피쳐에 대한 선량 감도의 이전의 지식을 사용하여 이루어질 수 있다. 일 실례에서, 라인은 제 1 피쳐로서 선택되고 공간이 제 2 피쳐로서 선택될 수 있지만, 다른 대조되는 피쳐들도 알려질 수 있다. 제 1 피쳐와 제 2 피쳐는 세기 콘트라스트에서의 차이를 최대화하기 위해서 선택될 수 있다. 예를 들어, 제 1 피쳐와 제 2 피쳐, 또는 그들의 각각의 세기 이미지는 서로에 대하여 반전될 수 있다. 이러한 방식으로 반전된 피쳐 또는 반전된 세기 응답은, 델타 이미지에 의해 제공되는 세기 신호가 증가되도록 돕고, 이것은 신호 대 잡음 비가 증가되는 것을 돕는다. 일부 예들에서, 이러한 방법은 단일 위치 내에 상이한 피쳐 타입을 채용할 수 있다.
다른 유리한 기법은, 열악한 임계 치수를 표시하는 양호한 선량 응답에 기반하여 델타 퓨필 이미지로부터 픽셀을 선택하는 것이다. 그렇게 함에 있어서, 신호 대 잡음 비가 증가될 수 있고, 이를 통하여 분석의 품질을 개선한다. 이것이 도 5와 연계하여 상세히 후술된다.
일 예에서, 상이한 델타 이미지가 웨이퍼의 표면에 걸친 상이한 위치로부터 획득된다. 상이한 위치는 상이한 선량을 수광했다. 따라서, 웨이퍼는 제 1 위치에서는 제 1 선량을, 그리고 제 2 위치에서는 제 2 선량을 수광했을 수 있고, 여기에서 제 1 및 제 2 선량은 서로 다르다. 선량이 위치들 사이에서 변한다고 가정하면, 웨이퍼에 걸친 복수 개의 위치에서 델타 이미지를 획득함으로써 선량 감도 맵이 생성될 수 있다. 상이한 위치로부터의 델타 이미지가 델타 퓨필 세기-대-선량의 곡선(도 6에 도시된 바와 같음)을 결정하기 위하여 사용될 수 있다. 이것은 수신된 선량의 함수로서, 델타 이미지로부터 획득된 픽셀 세기의 변화율을 표현하는 교정 곡선이라고 불릴 수 있다. 그러므로, 변화율이 복수 개의 델타 이미지로부터 결정될 수 있다.
제 1 피쳐와 제 2 피쳐를 형성하기 위하여 사용되는 선량의 변동에 응답하는 차이의 변화율은, 기판 상의 특정 위치에서 수광된 실효 선량에 대한 정보를 제공할 수 있다. 따라서, 특정 선량이 기판 상의 특정 위치에서 사용된 것으로 알려지는 경우, 변화율 및/또는 교정 곡선에 의해 표현되는 선량 감도가 해당 위치에서 수광된 실제 선량을 결정하기 위하여 사용될 수 있다.
전술된 바와 같이, 본원에서는 복수 개의 처리 단계를 거친 처리된 웨이퍼의 특성을 결정하기 위한 방법 및 장치가 개시된다. 이러한 특성은 지문 및/또는 임계 치수 및/또는 임계 치수 균일도, 또는 다른 측정치에 대한 처리 장치의 기여도를 나타낼 수 있다.
도 5는 제 1 기판에 걸친 파라미터의 지문에 대한 처리 장치의 기여도를 결정하기 위한 방법(500)의 주요 단계들을 보여준다. 이러한 방법은, 제 1 위치에서 제 1 피쳐 및 제 2 피쳐를 선택하는 단계(501); 제 1 피쳐와 제 2 피쳐(502)의 측정치를 획득하는 단계; 델타 이미지를 제공하도록, 제 1 피쳐 및 제 2 피쳐(503)의 측정치들 사이의 차이를 획득하는 단계를 포함한다. 델타 이미지가 획득되면, 상이한 선량에서 추가적인 측정이 요구되는지 여부에 대한 결정이 이루어진다(504). 상이한 선량에서 요구되는 델타 이미지들의 개수는 미리 결정될 수 있다. 요구된 선량 및 대응하는 측정치들의 개수는 애플리케이션마다 달라질 것이지만, 변화율이 계산될 수 있으려면 충분한 측정이 수행되어야 한다. 측정의 횟수는 카운터 또는 다른 레지스터에서 추적될 수 있다.
선량은 타겟 선량의 플러스 마이너스 10% 사이의 범위에서 변할 수 있다. 그러므로, 10mJ의 타겟 선량의 경우, 이러한 범위는 일반적으로 기대되는 변동에 추가하여 9mJ 및 11mJ 사이일 수 있다.
요구된 개수의 델타 퓨필 이미지가 수집되면, 델타 이미지에 대한 세기-대-선량이 획득되고(505), 조합되며(collated) 및 저장될 수 있다. 세기-대-선량은 변화율이 계산되게 하기에 충분한 데이터 세트 또는 유사한 표현에 의해 표현될 수 있다. 일부 예들에서, 세기 데이터 대 선량 데이터는 교정 곡선이라고 불릴 수 있는 곡선인 것으로 여겨질 수 있다. 이러한 곡선의 도함수는 제 1 피쳐와 제 2 피쳐를 형성하기 위하여 사용되는 선량의 변동에 응답하는 차이의 변화율을 제공할 것이다.
도 5의 방법은 또한, 기판으로부터 취해진 계측 데이터를 사용하여 세기 데이터의 선량 감도 맵을 제공하는 것으로 여겨질 수 있다. 더 나아가, 이러한 방법은 리소그래피 장치에 대한 노광 선량을 교정하는 방법의 일부인 것으로 여겨질 수 있다.
전술된 바와 같이, 이러한 방법은 기판에 걸친 파라미터의 지문에 대한 처리 장치의 기여도를 결정하는 단계를 포함할 수 있다. 이것이 상세히 후술된다. 기여도는 어떤 웨이퍼에 대한 실효 선량의 하나 이상의 값으로서 표현될 수 있다.
도 5의 프로세스는 언제라도 필요할 때 수행될 수 있다. 기판에 걸친 파라미터의 지문이 프로세스에 특이적일 수 있기 때문에, 변화율 및/또는 세기-대-선량 데이터가 새로운 프로세스의 시작 시에 획득 및/또는 결정되는 것이 가능하다. 그러나, 이러한 방법이 프로세스 전체에 걸쳐서 적절한 간격으로 반복될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 이것은 미리 결정된 간격마다 수행될 수 있고, 또는 프로세스 지문을 나타내는 데이터에 대한 반응이, 처리 지문 내의 드리프트를 생성한 처리 시스템의 다른 곳에서의 변경에 기인하여 변경될 수 있다.
제 1 퓨필 이미지와 제 2 퓨필 이미지는 편리하게 이미지들의 쌍이라고 불릴 수 있다. 따라서, 퓨필 이미지들의 제 1 쌍은 제 1 퓨필 이미지와 제 2 퓨필 이미지를 포함할 수 있고, 퓨필 이미지들의 제 2 쌍은 제 3 퓨필 이미지 및 제 4 퓨필 이미지를 포함할 수 있는 등이다. 그러므로, 이러한 방법은, 퓨필 이미지들의 복수 개의 쌍에 대한 차이를 획득하는 단계를 더 포함할 수 있는데, 퓨필 이미지들의 제 1 쌍과 연관된 피쳐를 형성하기 위하여 사용되는 선량은, 퓨필 이미지들의 제 2 쌍과 연관된 피쳐를 형성하기 위하여 사용되는 선량과 다르다. 퓨필 이미지들의 쌍의 개수는 통상적으로 2 개와 N 개의 퓨필 사이일 것이고, N은 정수이다. N은 변화율이 정확하게 계산되게 하기 위한 충분한 데이터를 제공하는 임의의 적절한 숫자일 수 있다.
제 1 퓨필 이미지와 상기 제 2 퓨필 이미지 사이의 차이를 획득하는 단계는, 제 1 퓨필 이미지와 제 2 퓨필 이미지 각각으로부터의 이미지 데이터를 합산하고, 상기 제 1 퓨필 이미지로부터의 합산된 이미지 데이터를 상기 제 2 퓨필 이미지로부터의 합산된 이미지 데이터로부터 감산하는 것을 포함할 수 있다.
퓨필 이미지에 관련되는 계측 데이터는 광학 측정 또는 광계측에 관련될 수 있다. 일 예에서, 회절 기반 계측이 사용될 수 있다. 회절 기반 계측은, 당업계에 잘 알려진 바와 같은 산란측정 기반 기법을 포함할 수 있다. 광학 측정 방법을 사용하면, 사용 중이거나 리소그래피 또는 현상 이후의 검사를 제공할 수 있고, 일반적으로는 파괴적인 측정 방법인, 일반적으로 사용되는 임계 치수 스캐닝 전자 현미경 측정 측정에 대한 대체재가 제공된다. 이러한 방법에서는, 프로세스 맵을 획득하는 것은 상이한 기법을 사용하여 상이한 피쳐 특성을 결정하는 것을 통상적으로 수반한다. 그러나, 이들은 감도가 다르기 때문에 프로세스에 기인한 상이한 임계 치수 응답을 가질 수 있다. 광학적 기법을 사용하고 델타 이미지를 제공하는 장점은, 프로세스 변동이 선량 감도에서의 차이에 의해서만 구별되는 두 개의 이미지들의 감산에 기인하여 불변하는 피쳐일 것이라는 것을 의미한다. 광학적 기법, 특히 회절 기반 계측 및 산란측정을 사용하는 추가적인 장점은, 합리적으로 빠른 데이터 획득이 가능하다는 것이다.
앞선 설명으로부터 이해될 수 있는 것처럼, 제 1 퓨필 이미지와 제 2 퓨필 이미지는 산란측정 세기 데이터의 분포를 포함한다. 일 예에서, 제 1 퓨필 이미지와 제 2 퓨필 이미지는 복수 개의 픽셀을 각각 포함하고, 이러한 방법은 델타 퓨필 이미지 내로부터 픽셀을 선택하고 선택된 픽셀을 사용하여 차이를 결정하는 단계를 더 포함한다. 선택된 픽셀은 미리 결정된 임계치보다 높은 선량 감도의 변화율을 가질 수 있다. 미리 결정된 임계치는 애플리케이션에 특이적일 것이지만, 일반적으로 특정 시스템 및/또는 피쳐에 대해서 필요한 요구된 세기 데이터의 경험 및 지식을 사용하여 설정될 것이다. 예를 들어, 임계치는 임계 치수 또는 수율 임계치에 대응할 수 있다.
상이한 선량 변동을 제공하기 위하여, 노광 선량은 웨이퍼에 걸쳐서 변동될 수 있다. 선량 변동은 웨이퍼에 걸쳐서 무작위로 일어날 수 있다. 선량의 양을 무작위화하면, 실효 선량의 지문에 있는 오차의 누적(build-up)을 줄이는 것을 돕게 된다. 따라서, 이러한 방법은 제 1 기판 구역으로부터 퓨필 이미지들의 제 1 쌍을 선택하고, 퓨필 이미지들의 제 2 쌍을 제 2 기판 구역으로부터 선택하는 것을 포함할 수 있는데, 제 1 및 제 2 기판 구역은 상이한 선량을 수광했다. 제 1 피쳐 및 제 2 피쳐는, 양자 모두의 피쳐가 동일한 선량을 수광했다는 것을 보장하기 위해서 기판 상에서 서로 인접할 수 있다.
교정 곡선/변화율이 결정되는 기판은 특히 제공된 이러한 목적을 위하여 제공될 수 있다. 기판은 리소그래피 장치의 복수 개의 초점 및 선량 설정에서 수행된 노광들의 매트릭스를 포함할 수 있다. 공지된 기판은 초점 노광 매트릭스(FEM)이고, 통상적으로 리소그래피 프로세스에 의해 생성된 피쳐의 초점 및 선량 감도를 결정하기 위하여 사용된다. 피쳐는, 예를 들어 웨이퍼의 표면에 걸쳐서 분산된 라인 및 공간/트렌치를 포함할 수 있다. 따라서, 이러한 방법은, 웨이퍼에 걸쳐서 동일하고 복수 개의 노광 구역에 걸쳐서 분산되는 복수 개의 제 1 피쳐와 제 2 피쳐를 포함하는 기판을 사용하는 것을 포함할 수 있다. 노광 구역에 의하여, 각각의 노광 구역이 다른 노광 구역과 비교할 때 상이한 노광 선량을 수광했다는 것이 이해될 것이다.
도 6은 전술된 방법의 그림 표현(600)을 보여준다. 따라서, 기판의 표면으로부터 세기 이미지를 획득하도록 동작가능한 계측 시스템(610)이 제공된다. 전술된 바와 같이, 계측 시스템은 산란계와 같은 광학 시스템을 포함할 수 있다. 복수 개의 제 1 피쳐(612) 및 제 2 피쳐(614)가 기판 상에 제공되고, 제 1 퓨필 이미지(616) 및 제 2 퓨필 이미지(618)를 포함하는 복수 개의 퓨필 이미지가 획득된다. 이미지(616, 618)는 서로 감산되어, 제 1 퓨필(616) 및 제 2 퓨필(618)의 위치에서의 선량 감도에 관련되는 델타 세기 이미지(620)를 제공한다. 복수 개의 선량 변동에 대한 델타 이미지를 획득하면, 세기-대-선량의 상호관계가 결정되고, 선택적으로 곡선(622)과 같이 표시될 수 있다. 그러면, 이러한 변동의 변화율을 결정하는 단계가, 프로세스 장치의 기여도를 결정하기 위해서 사용될 수 있다.
위에서 언급된 바와 같이, 양호한 선량 응답을 보여주는 특정한 부분 또는 픽셀이 델타 퓨필 이미지 내로부터 선택될 수 있다. 그러므로, 구역(624)이 델타 퓨필 세기 값을 제공하기 위하여 선택되고 사용될 수 있다.
결정된 기여도는 실효 선량이라고 표현될 수 있다. 실효 선량은 변화율의 역수와 델타 이미지의 합산된 선택된 픽셀 세기를 승산함으로써 결정될 수 있다. 그러므로, 실효 선량은 델타 이미지 또는 델타 이미지의 일부분의 합산된 세기를 변화율로 나눈 것과 같을 수 있다.
이러한 방법은 실효 선량 맵을 결정하는 단계를 더 포함할 수 있다. 실효 선량 맵은 웨이퍼에 걸친 복수 개의 위치에서 실효 선량을 결정함으로써 획득될 수 있다. 실효 선량 맵은 프로세스 지문에 기인하여 기판에 걸친 각각의 위치에서 실제로 수광된 선량의 척도를 제공한다. 결정되면, 실효 선량 맵은 후술되는 바와 같은 다른 프로세스에서 사용되도록 적절한 메모리 내에 저장될 수 있다.
일부 애플리케이션에서는 프로세스의 지문에 대한 다른 기여인자(contributor)를 결정하는 것이 가능하고 유용할 수 있다. 본원에서는, 기판에 걸친 프로세스 변동의 추정에 관련된 프로세스 맵을 결정하는 방법이 개시된다. 프로세스 맵은 실효 선량의 변동이 아닌, 모든 프로세스 단계에 의해 발생되는 프로세스 변동을 나타낼 수 있다. 이것은 순 프로세스 맵이라고 불릴 수 있다. 현재의 경우, 순 프로세스 맵을 결정하는 것은, 어떤 위치에 대한 실효 선량을, 예를 들어 전술된 바와 같은 실효 선량을 사용하여 획득하고, 이것을 해당 위치에서의 계측 데이터, 예를 들어 델타 이미지로부터 감산함으로써 달성될 수 있다. 일 예에서, 실효 선량은 델타 이미지로부터 획득되고, 해당 델타 이미지로부터 감산될 수 있다. 잔여 세기는 실효 선량 이외의 프로세스 변동에 의해 초래된 변동에 관련될 것이다. 실효 선량이 감산되었으면, 델타 지문을 추정하기 위한 저차수 근사화를 수행함으로써 저차수 지문이 계산될 수 있다. 저차수 근사화를 결정하기 위한 적절한 함수는 제르니케 다항식이다. 저차수 근사화는, 예를 들어 에칭 또는 막 증착으로부터의 프로세스 기여도를 추정하기에 충분한데, 그 이유는 이것이 웨이퍼 전체에 걸친 저주파수 지문을 가지기 때문이다.
실효 선량 맵 및/또는 순 프로세스 맵은 처리 장치의 하나 이상의 부분의 모니터링 또는 조절을 결정하고 제공하기 위해서 사용될 수 있다. 예를 들어, 실효 선량 맵은 소스 장치에 의해 제공되는 선량의 제어, 교정 또는 정정을 제공하기 위하여 사용될 수 있다. 따라서, 실효 선량 맵은 특정 프로세스 또는 레시피의 일부로서, 또는 장치를 주어진 간격으로 또는 필요할 때에 계측 및 성능 척도에 따라서 교정하기 위하여 사용될 수 있다.
또한, 실효 선량 맵 및 순 프로세스 맵은 실효 프로세스 맵을 결정하기 위하여 사용될 수 있다. 실효 프로세스 맵은, 임계 치수 균일도에 관련될 수 있는 기판에 걸친 실효 선량 및 순 프로세스에 대한 실효 선량 및 순 프로세스의 총 기여도를 제공할 수 있다.
실효 프로세스 맵은 제 2 기판 또는 그 이상의 나아가 기판의 임계 치수 또는 임계 치수 균일도를 결정하기 위하여 사용될 수 있다. 제 2 기판은 임계 치수 기판일 수 있다. 실효 프로세스 맵은 프로세스 모니터링 맵으로서 또는 결함 예측 모델에 대한 입력으로서 사용될 수 있다. 후자에서는, 세기 데이터를 포함하는 실효 프로세스 맵을 상이한 피쳐에 대한 임계 치수 데이터로 변환하기 위하여 적절한 알고리즘이 사용될 수 있다. 일 예에서, 피쳐 N은 알파의 선량 감도를 가질 수 있다. 이러한 경우, 피쳐 N의 예측된 임계 치수는 실효 선량에 알파가 승산된 것과 같을 수 있다. 실효 선량은 본 명세서에서 설명되는 방법에 따라서 결정될 수 있다.
대안적으로 또는 추가적으로, 실효 선량 데이터는 하나 이상의 상이한 계측 타입, 예컨대 임계 치수 스캐닝 전자 현미경 검사(CDSEM)를 사용하여 임계 치수 데이터로 변환될 수 있다. 그러므로, 실효 선량이 결정되면, 웨이퍼 내의 임의의 피쳐의 CD-선량 감도(시뮬레이션 또는 실험으로부터 독립적으로 규정됨)가 주어지면 선량은 CD로 변환될 수 있다.
도 7은 어떤 기판에 대한 실효 프로세스 맵을 제공하기 위한 방법을 보여준다. 기판은 임계 치수 웨이퍼일 수 있다. 프로세스(700)는 이러한 방법이 수행될 적절한 기판(701)을 제공하는 것으로 시작된다. 기판은 통상적으로 선량 감도 및 결정 변화율을 획득하기 위하여 사용되는 전술된 제 1 기판과 다르다. 기판은 제 1 기판과 실질적으로 유사하지만, 기판에 걸쳐서 무작위화된 노광 선량을 수광하지 않았을 수 있다. 그러므로, 기판은 대응하는 피쳐를 포함할 수 있지만, 실질적으로 균일한 전-웨이퍼(cross wafer) 노광을 수광했다. 실질적으로 균일하다는 것에 의해서, 이것이 보통 경험될 수 있는 미소한 국소 또는 전-웨이퍼 변동을 배제하지 않는다는 것이 이해될 것이다. 이러한 방법이 주어진 프로세스, 특히 프로세스의 선량 감도에 적용될 수 있기 때문에, 제 2 기판은 실질적으로 동일한 프로세스를 거쳤을 것이다.
제 2 기판은, 차이 또는 델타 퓨필 이미지가 전술된 바와 같이 제공될 수 있도록, 두 개 이상의 타겟 상의 적어도 두 개의 퓨필 이미지를 획득하게끔 측정될 수 있다(702). 그러면, 이러한 프로세스가 계측 맵을 제공하기 위해서 필요한 수의 위치에 대하여, 다수의 위치에서 반복된다(703). 계측 맵은 제 2 기판 델타 퓨필 이미지로부터의 세기 데이터를 포함하는 세기 맵일 수 있다. 계측 맵은 스캐너를 제어하기 위한 교정 툴로서 사용되기 위한 적절한 분해능을 제공하기 위해서 충분한 데이터 포인트를 가질 수 있다.
델타 이미지가 획득되면, 변동의 변화율이 델타 이미지의 각각에 적용되어, 실효 선량 맵을 제공한다(704). 이것에 추가하여, 전술된 바와 같이 순 프로세스 맵은 실효 선량 맵에 가산되어 전체 실효 프로세스 맵을 제공할 수 있다. 그러므로, 이러한 방법은, 순 프로세스 맵 및 제 2 기판 계측 맵을 합산하여 실효 제 2 기판 프로세스 맵을 제공하는 단계를 포함할 수 있다.
위에서 언급된 바와 같이, 실효 제 2 기판 프로세스 맵은 제조 프로세스의 하나 이상의 파라미터를 모니터링 및/또는 제어하기 위해서 사용될 수 있다(705). 파라미터는 노광 시스템에 관련된다.
전술된 기여도는 일반적으로 처리 장치 및 웨이퍼 전체의 선량 감도에 대한 그 영향에 관련되었다. 그러나, 노광 소스 및/또는 패터닝 디바이스 내에는 필드내 변동이 존재할 수 있다는 것이 이해될 것이다. 노광 필드에 걸쳐서 충분한 제 1 피쳐와 제 2 피쳐를 식별하면, 델타 이미지 퓨필이 이러한 변동을 추정하기 위해서 사용될 수 있다. 변동이 결정되면, 측정된 세기를 선량 단위 및 임계 치수 측정으로 변환하기 위해서 교정이 수행될 수 있다.
이해될 수 있는 것처럼, 전술된 방법은 리소그래피 장치와 연계하여 또는 리소그래피 장치에 의하여 수행될 수 있다. 리소그래피 장치(LA)는 당업계에 공지된 바와 같은 임의의 적절한 것일 수 있다. 전술된 바와 같이, 리소그래피 장치는 프로세스 단계를 제어 및/또는 모니터링하도록 구성되는 컴퓨터 시스템(CL)을 포함할 수 있다. 컴퓨터 시스템은 본 명세서에서 설명되는 방법 또는 그 일부를 실행하도록 구성되는 하나 이상의 프로세서를 포함할 수 있다. 프로세서는 머신들 및/또는 위치들 사이에서 분산되기 위한 분산형 프로세서일 수 있다. 그러므로, 예를 들어 이러한 방법의 단계 또는 단계들은 제 1 위치에서 수행될 수 있고, 이러한 방법의 제 2 부분 또는 부분들은 제 2 위치에서 수행될 수 있다. 예를 들어, 계측 데이터, 즉 퓨필 이미지의 획득이 리소그래피 장치(LA)와 같은 위치에서 수행될 수 있다. 방법의 다른 부분, 예컨대 실효 선량 또는 프로세스 맵을 결정하는 것은 상이한 위치에서 그리고 대안적 컴퓨터 시스템에 의하여 수행될 수 있다. 이러한 방법이, 컴퓨터 프로그램으로서, 적어도 하나의 프로세서에서 실행될 때, 본원에서 설명되는 방법들 중 임의의 방법 또는 그 일부를 수행하도록 적어도 하나의 프로세서가 장치를 제어하게 하기 위한 명령을 포함하는, 컴퓨터 프로그램으로 구현될 수 있다는 것도 역시 이해될 것이다. 이러한 컴퓨터 프로그램을 포함하는 캐리어가 추가적으로 개시된다. 캐리어는 전자 신호, 광 신호, 무선 신호, 비-일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체 중 하나일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예들은 아래의 번호가 매겨진 절들의 목록에서 개시된다:
1. 제 1 기판에 걸쳐 파라미터의 지문에 대한 처리 장치의 기여도를 결정하기 위한 방법으로서,
기판 상의 제 1 피쳐의 검사와 연관된 제 1 퓨필 이미지와 기판 상의 제 2 피쳐의 검사와 연관된 제 2 퓨필 이미지 사이의 차이에 관련되는 델타 이미지를 획득하는 단계 - 상기 제 1 피쳐와 상기 제 2 피쳐는 상이한 선량 감도를 가짐 -;
상기 제 1 피쳐와 상기 제 2 피쳐를 형성하기 위하여 사용되는 선량의 변동에 응답하여, 상기 차이의 변화율을 결정하는 단계;
결정된 변화율 및 델타 이미지를 사용하여 상기 기여도를 결정하는 단계를 포함하는, 기여도 결정 방법.
2. 제 1 절에 있어서,
상기 기여도는 실효 선량의 하나 이상의 값으로서 표현되는, 기여도 결정 방법.
3. 제 1 절 또는 제 2 절에 있어서,
상기 제 1 퓨필 이미지 및 상기 제 2 퓨필 이미지는 퓨필 이미지들의 쌍을 형성하고,
상기 방법은,
퓨필 이미지들의 복수 개의 쌍에 대한 차이를 획득하는 단계 - 퓨필 이미지들의 제 1 쌍과 연관된 피쳐를 형성하기 위하여 사용되는 선량은, 퓨필 이미지들의 제 2 쌍과 연관된 피쳐를 형성하기 위하여 사용되는 선량과 상이함 -를 더 포함하는, 기여도 결정 방법.
4. 제 3 절에 있어서,
상기 방법은,
상기 제 1 쌍의 퓨필 이미지들 사이의 차이 및 상기 제 2 쌍의 퓨필 이미지들 사이의 차이를 사용하여, 이미지 세기-대-선량 곡선을 결정하고, 상기 이미지 세기-대-선량 곡선을 사용하여 상기 변화율을 결정하는 단계를 더 포함하는, 기여도 결정 방법.
5. 제 4 절에 있어서,
상기 변화율은 상기 이미지 세기-대-선량 곡선의 도함수인, 기여도 결정 방법.
6. 제 1 절 내지 제 5 절 중 어느 한 절에 있어서,
제 1 퓨필 이미지와 상기 제 2 퓨필 이미지 사이의 차이를 획득하는 단계는,
상기 제 1 퓨필 이미지와 제 2 퓨필 이미지로부터의 이미지 데이터를 합산하고, 상기 제 1 퓨필 이미지로부터의 합산된 이미지 데이터를 상기 제 2 퓨필 이미지로부터의 합산된 이미지 데이터로부터 감산하는 것을 포함하는, 기여도 결정 방법.
7. 제 6 절에 있어서,
데이터는 산란측정 데이터인, 기여도 결정 방법.
8. 제 7 절에 있어서,
상기 제 1 퓨필 이미지와 상기 제 2 퓨필 이미지는, 산란측정 세기 데이터의 분포를 포함하는, 기여도 결정 방법.
9. 제 1 절 내지 제 8 절 중 어느 한 절에 있어서,
상기 델타 이미지는 복수 개의 픽셀을 포함하고, 상기 방법은,
상기 델타 이미지 내로부터 픽셀을 선택하고, 선택된 픽셀을 사용하여 상기 변화율을 결정하는 단계를 더 포함하는, 기여도 결정 방법.
10. 제 9 절에 있어서,
상기 방법은,
미리 결정된 임계치보다 높은 변화율을 가지는 픽셀을 선택하는 단계를 더 포함하는, 기여도 결정 방법.
11. 제 1 절 내지 제 10 절 중 어느 한 절에 있어서,
상기 제 1 피쳐와 상기 제 2 피쳐는 기판 상에서 서로 인접한, 기여도 결정 방법.
12. 제 3 절 내지 제 11 절 중 어느 한 절에 있어서,
퓨필 이미지들의 제 1 쌍은 제 1 기판 구역으로부터 선택되고, 퓨필 이미지들의 제 2 쌍은 제 2 기판 구역으로부터 선택되며,
상기 제 1 기판 구역과 상기 제 2 기판 구역은 상이한 선량을 수광한 바 있는, 기여도 결정 방법.
13. 제 1 절 내지 제 12 절 중 어느 한 절에 있어서,
상기 제 1 피쳐 또는 상기 제 2 피쳐 중 하나는 라인 피쳐인, 기여도 결정 방법.
14. 제 1 절 내지 제 13 절 중 어느 한 절에 있어서,
상기 제 1 피쳐 또는 상기 제 2 피쳐 중 하나는 공간 피쳐인, 기여도 결정 방법.
15. 제 1 절 내지 제 14 절 중 어느 한 절에 있어서,
상기 제 1 피쳐는 상기 제 2 피쳐의 반전(inversion)인, 기여도 결정 방법.
16. 제 1 절 내지 제 15 절 중 어느 한 절에 있어서,
상기 기판은 복수 개의 제 1 및 제 2 피쳐를 포함하는, 기여도 결정 방법.
17. 제 16 절에 있어서,
상기 기판은, 표면에 걸쳐 분포되고 복수 개의 상이한 노광 구역 내에 있는 복수 개의 제 1 피쳐 및 제 2 피쳐를 가지는 초점 노광 매트릭스(Focus Exposure Matrix)이고,
노광 구역들 각각은 상이한 선량을 수광하는, 기여도 결정 방법.
18. 제 17 절에 있어서,
상기 노광 구역은 기판의 표면에 걸쳐서 무작위로 분산되는, 기여도 결정 방법.
19. 제 1 절 내지 제 18 절 중 어느 한 절에 있어서,
상기 기판은, 증착, 베이킹, 코팅, 현상, 노광 및 에칭의 처리 단계들 중 하나 이상을 사용하여 처리된 바 있는, 기여도 결정 방법.
20. 제 2 절 내지 제 19 절 중 어느 한 절에 있어서,
실효 선량의 하나 이상의 변동 값이, 상기 델타 이미지 또는 델타 이미지의 일부분의 합산된 세기를 상기 변화율로 나눔으로써 결정되는, 기여도 결정 방법.
21. 제 20 절에 있어서,
상기 방법은,
실효 선량의 하나 이상의 값을 사용하여 실효 선량 맵을 결정하는 단계를 더 포함하는, 기여도 결정 방법.
22. 제 20 절 또는 제 21 절에 있어서,
상기 방법은,
비-노광 처리 단계를 표현하는 순 프로세스 이미지 데이터를 제공하도록, 상기 실효 선량을 상기 델타 퓨필 이미지로부터 감산하는 단계를 더 포함하는, 기여도 결정 방법.
23. 제 22 절에 있어서,
상기 방법은,
순 프로세스 맵을 제공하도록, 웨이퍼에 걸친 복수 개의 위치에 대한 순 프로세스 이미지 데이터를 획득하는 단계를 더 포함하는, 기여도 결정 방법.
24. 제 23 절에 있어서,
상기 방법은,
제 2 기판을 제공하는 단계;
복수 개의 제 2 기판 델타 이미지를 제공하도록, 복수 개의 제 2 기판 퓨필 쌍들 사이의 차이를 획득하는 단계; 및
결정된 기여도를 사용하여, 상기 제 2 기판에 대한 제 2 기판 계측 맵을 생성하는 단계를 더 포함하는, 기여도 결정 방법.
25. 제 24 절에 있어서,
상기 제 2 기판은 상기 제 1 기판과 상이한, 기여도 결정 방법.
26. 제 25 절에 있어서,
상기 제 2 기판은 임계 치수 웨이퍼인, 기여도 결정 방법.
27. 제 25 절 또는 제 26 절에 있어서,
상기 제 2 기판 계측 맵은 복수 개의 제 2 기판 델타 이미지로부터의 세기 데이터를 포함하는 세기 맵인, 기여도 결정 방법
28. 제 27 절에 있어서,
상기 제 2 기판 계측 맵은 제 2 기판 실효 선량 맵을 포함하는, 기여도 결정 방법.
29. 제 22 절을 인용하는 제 24 절 내지 제 28 절 중 어느 한 절에 있어서,
상기 방법은,
상기 순 프로세스 맵 및 제 2 기판 계측 맵을 합산하여 실효 제 2 기판 프로세스 맵을 제공하는 단계를 더 포함하는, 기여도 결정 방법.
30. 제 29 절에 있어서,
상기 방법은,
실효 제 2 기판 프로세스 맵을 사용하여 제작 프로세스의 하나 이상의 파라미터를 모니터링 및/또는 제어하는 단계를 더 포함하는, 기여도 결정 방법.
31. 제 30 절에 있어서,
상기 파라미터는 노광 시스템에 관련되는, 기여도 결정 방법.
32. 제 29 절 내지 제 31 절 중 어느 한 절에 있어서,
상기 방법은,
상기 실효 제 2 기판 프로세스 맵을 사용하여 제 2 기판 또는 제 3 기판의 임계 치수 또는 임계 치수 균일도를 결정하는 단계를 더 포함하는, 기여도 결정 방법.
33. 제 1 절 내지 제 32 절 중 어느 한 절에 있어서,
상기 파라미터는 필드내 효과에 관련되는, 기여도 결정 방법.
34. 제 2 절 내지 제 34 절 중 어느 한 절에 있어서,
상기 방법은,
상기 기여도와 연관된 실효 선량의 하나 이상의 값을 사용하여, 기판 상의 피쳐의 임계 치수 또는 임계 치수 균일도를 결정하는 단계를 더 포함하는, 기여도 결정 방법.
35. 제 1 절 내지 제 34 절 중 어느 한 절에 따른 방법에 의해 형성되는 실행하도록 구성되는 프로세서를 포함하는, 리소그래피 장치.
36. 컴퓨터 프로그램으로서,
적어도 하나의 프로세서에서 실행될 때, 제 1 절 내지 제 34 절 중 어느 한 절에 따른 방법을 수행하도록 적어도 하나의 프로세서가 장치를 제어하게 하기 위한 명령을 포함하는, 컴퓨터 프로그램.
37. 제 36 절에 있어서,
캐리어는 전자 신호, 광 신호, 무선 신호, 또는 비-일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체 중 하나인, 기여도 결정 방법.
본 명세서에서 IC를 제조하는 분야에 리소그래피 장치를 이용하는 것에 대해 특히 언급될 수 있지만, 본원에서 기술된 리소그래피 장치는 다른 응용예를 가질 수 있음이 이해돼야 한다. 가능한 다른 적용예는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리(magnetic domain memory)용 가이드 및 검출 패턴(guidance and detection pattern), 평판 디스플레이, LCD(Liquid Crystal Display), 박막 자기 헤드 등의 제조를 포함한다.
비록 본 명세서에서 리소그래피 장치의 맥락에서 본 발명의 실시예가 특정하게 참조되었지만, 본 발명의 실시예는 다른 장치에서도 사용될 수 있다. 본 발명의 실시예는 마스크 검사 장치, 계측 장치, 또는 웨이퍼(또는 다른 기판) 또는 마스크(또는 다른 패터닝 디바이스)와 같은 대상물을 측정하거나 처리하는 임의의 장치의 일부가 될 수 있다. 이러한 장치는 일반적으로 리소그래피 툴이라고 지칭될 수 있다. 이러한 리소그래피 툴은 진공 조건 또는 주변(비-진공) 조건을 사용할 수 있다.
비록 특정한 참조가 위에서 광 리소그래피의 콘텍스트에서의 본 발명의 실시예의 사용에 대하여 이루어졌지만, 콘텍스트가 허용하는 경우 본 발명은 광학 리소그래피로 한정되지 않고, 다른 애플리케이션, 예를 들어 임프린트(imprint) 리소그래피에서 사용될 수도 있다는 것이 인정될 것이다.
비록 본 발명의 특정한 실시예가 위에서 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 위의 설명은 한정적인 것이 아니라 예시적인 의도로 제공된다. 따라서, 다음 진술되는 청구항의 범위로부터 벗어나지 않으면서, 설명된 바와 같은 본 발명에 변경이 이루어질 수 있다는 것이 당업자에게는 명백할 것이다.

Claims (15)

  1. 제 1 기판에 걸친 파라미터의 지문에 대한 처리 장치의 기여도를 결정하기 위한 방법으로서,
    기판 상의 제 1 피쳐의 검사와 연관된 제 1 퓨필 이미지와 기판 상의 제 2 피쳐의 검사와 연관된 제 2 퓨필 이미지 사이의 차이에 관련되는 델타 이미지를 획득하는 단계 - 상기 제 1 피쳐와 상기 제 2 피쳐는 상이한 선량 감도를 가짐 -;
    상기 제 1 피쳐와 상기 제 2 피쳐를 형성하기 위하여 사용되는 선량의 변동에 응답하여, 상기 차이의 변화율을 결정하는 단계;
    델타 이미지 내에 포함된, 미리 결정된 임계치보다 높은 변화율을 가지는 복수 개의 픽셀을 선택하는 단계; 및
    결정된 변화율 및 상기 복수 개의 픽셀로 한정된 델타 이미지를 사용하여 상기 기여도를 결정하는 단계를 포함하는, 기여도 결정 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기여도는 실효 선량의 하나 이상의 값으로서 표현되는, 기여도 결정 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 퓨필 이미지 및 상기 제 2 퓨필 이미지는 퓨필 이미지들의 쌍을 형성하고,
    상기 방법은,
    퓨필 이미지들의 복수 개의 쌍에 대한 차이를 획득하는 단계 - 퓨필 이미지들의 제 1 쌍과 연관된 피쳐를 형성하기 위하여 사용되는 선량은, 퓨필 이미지들의 제 2 쌍과 연관된 피쳐를 형성하기 위하여 사용되는 선량과 상이함 -를 더 포함하는, 기여도 결정 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 방법은,
    상기 제 1 쌍의 퓨필 이미지들 사이의 차이 및 상기 제 2 쌍의 퓨필 이미지들 사이의 차이를 사용하여, 이미지 세기-대-선량 곡선을 결정하고, 상기 이미지 세기-대-선량 곡선을 사용하여 상기 변화율을 결정하는 단계를 더 포함하는, 기여도 결정 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 변화율은 상기 이미지 세기-대-선량 곡선의 도함수인, 기여도 결정 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방법은,
    실효 선량의 하나 이상의 값을 사용하여 실효 선량 맵을 결정하는 단계를 더 포함하는, 기여도 결정 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 방법은,
    비-노광 처리 단계를 표현하는 순(pure) 프로세스 이미지 데이터를 제공하도록, 상기 실효 선량을 상기 델타 퓨필 이미지로부터 감산하는 단계를 더 포함하는, 기여도 결정 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 방법은,
    순 프로세스 맵을 제공하도록, 웨이퍼에 걸친 복수 개의 위치에 대한 순 프로세스 이미지 데이터를 획득하는 단계를 더 포함하는, 기여도 결정 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 방법은,
    제 2 기판을 제공하는 단계;
    복수 개의 제 2 기판 델타 이미지를 제공하도록, 복수 개의 제 2 기판 퓨필 쌍들 사이의 차이를 획득하는 단계; 및
    결정된 기여도를 사용하여, 상기 제 2 기판에 대한 제 2 기판 계측 맵을 생성하는 단계를 더 포함하는, 기여도 결정 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 기판은 상기 제 1 기판과 상이한, 기여도 결정 방법.
  11. 제 2 항에 있어서,
    상기 방법은,
    상기 기여도와 연관된 실효 선량의 하나 이상의 값을 사용하여, 기판 상의 피쳐의 임계 치수 또는 임계 치수 균일도를 결정하는 단계를 더 포함하는, 기여도 결정 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 피쳐는 상기 제 2 피쳐의 반전(inversion)인, 기여도 결정 방법.
  13. 제 2 항에 있어서,
    실효 선량의 하나 이상의 변동 값이, 상기 델타 이미지 또는 델타 이미지의 일부분의 합산된 세기를 상기 변화율로 나눔으로써 결정되는, 기여도 결정 방법.
  14. 컴퓨터 프로그램으로서,
    적어도 하나의 프로세서에서 실행될 때, 상기 적어도 하나의 프로세서가 제 1 항에 따른 방법을 수행하도록 장치를 제어하게 하기 위한 명령을 포함하는, 컴퓨터 프로그램.
  15. 제 14 항의 컴퓨터 프로그램을 함유하는 캐리어로서,
    캐리어는 전자 신호, 광 신호, 무선 신호, 또는 비-일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체 중 하나인, 캐리어.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150089082A (ko) * 2012-11-30 2015-08-04 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 도즈 및 포커스를 결정하는 방법, 검사 장치, 패터닝 디바이스, 기판 및 디바이스 제조 방법
US20170023867A1 (en) * 2015-07-24 2017-01-26 Asml Netherlands B.V. Inspection Apparatus, Inspection Method, Lithographic Apparatus and Manufacturing Method
WO2018153711A1 (en) * 2017-02-22 2018-08-30 Asml Netherlands B.V. Computational metrology

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2290707A (en) 1939-12-11 1942-07-21 Truscon Lab Inc Composition for preventing moisture from attacking paint films on surfaces of porous masonry from therebelow
KR100432491B1 (ko) 2001-08-31 2004-05-22 (주)니트 젠 융선방향 모델을 이용한 지문 특징데이터 추출방법
SG135052A1 (en) 2002-11-12 2007-09-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7791727B2 (en) 2004-08-16 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
US7791724B2 (en) 2006-06-13 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Characterization of transmission losses in an optical system
US7701577B2 (en) 2007-02-21 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
SG152187A1 (en) 2007-10-25 2009-05-29 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
NL1036123A1 (nl) 2007-11-13 2009-05-14 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
NL1036245A1 (nl) 2007-12-17 2009-06-18 Asml Netherlands Bv Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology.
NL1036684A1 (nl) 2008-03-20 2009-09-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
NL1036685A1 (nl) 2008-03-24 2009-09-25 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
NL1036734A1 (nl) 2008-04-09 2009-10-12 Asml Netherlands Bv A method of assessing a model, an inspection apparatus and a lithographic apparatus.
NL1036857A1 (nl) 2008-04-21 2009-10-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
CN102067040B (zh) 2008-06-26 2013-05-08 Asml荷兰有限公司 重叠测量设备、光刻设备和使用这种重叠测量设备的器件制造方法
US8891061B2 (en) 2008-10-06 2014-11-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic focus and dose measurement using a 2-D target
JP5545782B2 (ja) 2009-07-31 2014-07-09 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置の焦点測定方法、散乱計、リソグラフィシステム、およびリソグラフィセル
NL2006229A (en) 2010-03-18 2011-09-20 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, and associated computer readable product.
NL2007176A (en) 2010-08-18 2012-02-21 Asml Netherlands Bv Substrate for use in metrology, metrology method and device manufacturing method.
NL2009004A (en) 2011-07-20 2013-01-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, and lithographic apparatus.
NL2010717A (en) 2012-05-21 2013-11-25 Asml Netherlands Bv Determining a structural parameter and correcting an asymmetry property.
CN107111250B (zh) 2014-11-26 2019-10-11 Asml荷兰有限公司 度量方法、计算机产品和系统
WO2016096361A1 (en) 2014-12-17 2016-06-23 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for using patterning device topography induced phase
WO2016202695A1 (en) 2015-06-17 2016-12-22 Asml Netherlands B.V. Recipe selection based on inter-recipe consistency

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150089082A (ko) * 2012-11-30 2015-08-04 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 도즈 및 포커스를 결정하는 방법, 검사 장치, 패터닝 디바이스, 기판 및 디바이스 제조 방법
US20170023867A1 (en) * 2015-07-24 2017-01-26 Asml Netherlands B.V. Inspection Apparatus, Inspection Method, Lithographic Apparatus and Manufacturing Method
WO2018153711A1 (en) * 2017-02-22 2018-08-30 Asml Netherlands B.V. Computational metrology

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Publication number Publication date
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