KR20210066102A - Horizontal correction device for wafer cleaning brush - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a horizontal correction device of a wafer cleaning brush, which is to prevent damage to a wafer and to improve cleaning efficiency. The horizontal correction device of a wafer cleaning brush of the present invention comprises: a wafer holder unit to which a wafer is coupled, and provided to rotate the wafer; an upper brush unit provided on an upper part of the wafer to clean the same; a lower brush unit provided on a lower part of the wafer to clean the same; a sensor unit provided in the wafer holder unit, and provided to measure a vibration value of the wafer; a control unit for receiving the vibration value of the wafer from the sensor unit to derive the horizontality of the upper and lower brush units; and a horizontal adjustment unit provided to adjust the inclination of the upper and lower brush units by a command of the control unit.

Description

웨이퍼 세정용 브러쉬의 수평 보정 장치{HORIZONTAL CORRECTION DEVICE FOR WAFER CLEANING BRUSH}Horizontal correction device for wafer cleaning brushes {HORIZONTAL CORRECTION DEVICE FOR WAFER CLEANING BRUSH}

본 발명은 웨이퍼 세정용 브러쉬의 수평 보정 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼의 손상을 방지하고 세정 효율을 향상시키기 위한 웨이퍼 세정용 브러쉬의 수평 보정 장치에 관한 것이다The present invention relates to a horizontal compensation device for a wafer cleaning brush, and more particularly, to a horizontal compensation device for a wafer cleaning brush for preventing damage to a wafer and improving cleaning efficiency

현재 반도체 제조공정에서 실리콘 기판 위에 생성되는 주 오염물질은 파티클(particle), 유기(organic), 금속(metal) 오염물, 자연 산화막 등으로 칩의 수율 및 품질에 큰 영향을 주고 있으며 이는 습식세정법 및 건식세정법으로 제거할 수 있다.The main contaminants generated on the silicon substrate in the current semiconductor manufacturing process are particles, organic, metal contaminants, and natural oxide films, etc., which greatly affect the yield and quality of chips. It can be removed by washing.

세정공정은 다량의 화학용액을 사용함으로 인해 웨이퍼 상의 손상이 발생하며 환경 오염 문제가 대두되고 있어, 화학적 요소를 최소화하고 물리적, 기계적인 요소를 강화하여 표면의 손상이 없이 오염물을 제거 용이한 PVA Brush-Scrubbing 및 Megasonic 공정이 두각을 보이고 있다.The cleaning process uses a large amount of chemical solution, which causes damage to the wafer and raises environmental pollution issues. PVA Brush that minimizes chemical elements and strengthens physical and mechanical elements to easily remove contaminants without damaging the surface -Scrubbing and Megasonic processes stand out.

특히, CMP공정 기술은 반도체 소자 제조공정 중 15~20여회를 수행하는 중핵 기술로서 CMP이후 연마입자의 제거 공정으로서 반드시 기계적 제거 작용 원리를 이용한 Post-CMP 세정 공정을 수행해야 한다.In particular, the CMP process technology is a core technology that performs 15 to 20 times during the semiconductor device manufacturing process, and as a process for removing abrasive particles after CMP, a Post-CMP cleaning process using the principle of mechanical removal must be performed.

이러한 Post-CMP 세정 기술은 반도체 분야뿐만 아니라 LCD유리, LED기판, 화합물 반도체 등 그 응용범위가 넓고 신뢰성 확보를 위해 다양한 전기, 전자 및 광학 분야에 그 적용범위가 광범위하여 파급효과가 큰 공정기술이다.This Post-CMP cleaning technology has a wide range of applications such as LCD glass, LED substrates, and compound semiconductors as well as the semiconductor field, and it is a process technology with a large ripple effect as its application range is wide in various electrical, electronic and optical fields to secure reliability. .

구체적으로, Post-CMP 세정 기술은 높은 수준의 수율을 얻기 위하여 반도체 공정 중에 웨이퍼 표면에 오염물질을 최소화시키는 공정으로서, 반도체 공정 중 30% 이상의 공정을 차지하고 있다.Specifically, the post-CMP cleaning technique is a process of minimizing contaminants on the wafer surface during a semiconductor process in order to obtain a high level of yield, and occupies more than 30% of the semiconductor process.

특히, 나노미터 사이즈의 연마입자를 사용하는 CMP 공정은 반드시 완벽한 세정공정(Post-CMP Cleaning)이 후속되어야 하지만, 다른 습식 스테이션방 식의 세정 공정 방식에서는 웨이퍼에 물리적 화학적으로 흡착된 입자를 제거하는 것이 매우 곤란하다.In particular, in the CMP process using nanometer-sized abrasive particles, a perfect cleaning process (Post-CMP Cleaning) must be followed, but in other wet station cleaning processes, it is necessary to remove particles physically and chemically adsorbed on the wafer. it is very difficult

따라서, CMP 공정 후 다단계의 스테이션에서 화학 기계적 브러쉬 세정 방식에 의해 강하게 흡착된 입자 및 유기물을 제거하고 Megasonic 장치를 활용하여 세정효율을 극대화하는 단계별 세정 연속법의 적용이 필요하다.Therefore, it is necessary to apply a continuous step-by-step cleaning method that removes strongly adsorbed particles and organic matter by a chemical mechanical brush cleaning method in a multi-step station after the CMP process and maximizes cleaning efficiency using a Megasonic device.

하지만, 브러쉬는 소모품으로 일정시간 사용 후 교체해야 하나, 브러쉬 수평 교정 방법은 장비 업체마다 다르며 규격화된 방식이 없다.However, brushes are consumables and should be replaced after use for a certain period of time.

즉, 브러쉬 교정 작업 후 브러쉬와 웨이퍼가 균일하게 접촉하는지 확인하기 어려우며, 교정 후 세척 공정 테스를 진행해야만 브러쉬 틀어짐 및 교정 정확도를 알 수 있다. 또한, 현재 브러쉬 교정 방식으로는 틀어진 위치를 검출하고 기울기를 정확하게 보정할 수 있는 방법이 없는 문제가 있다.That is, it is difficult to check whether the brush and the wafer are in uniform contact after the brush calibration operation, and the brush misalignment and calibration accuracy can be known only by performing a cleaning process test after calibration. In addition, there is a problem that there is no method of detecting a wrong position and accurately correcting the inclination in the current brush correction method.

이처럼 브러쉬가 수평을 이루지 않으면 웨이퍼에 손상을 주거나, 제대로 접촉이 이루어지지 않아 세정 효율이 떨어질 수 있다.If the brush is not leveled like this, it may damage the wafer or reduce cleaning efficiency due to improper contact.

따라서, 웨이퍼의 표면에 손상을 주지 않으면서 동시에 세정 효율을 극대화하기 위해 세정용 브러쉬의 수평 보정 기술이 필요하다.Therefore, in order to maximize cleaning efficiency while not damaging the surface of the wafer, a horizontal correction technique for cleaning brushes is required.

한국공개특허 제10-2015-0084247호Korea Patent Publication No. 10-2015-0084247

상기와 같은 문제를 해결하기 위한 본 발명의 목적은 웨이퍼의 손상을 방지하고 세정 효율을 향상시키기 위한 웨이퍼 세정용 브러쉬의 수평 보정 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention for solving the above problems is to provide a horizontal correction device for a wafer cleaning brush for preventing damage to the wafer and improving cleaning efficiency.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned can be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the description below. There will be.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 구성은 웨이퍼가 결합되며, 상기 웨이퍼를 회전시키도록 마련된 웨이퍼홀더부; 상기 웨이퍼의 상부에 마련되며, 상기 웨이퍼의 상부를 세정하도록 마련된 상부브러쉬부; 상기 하부에 마련되며, 상기 웨이퍼의 하부를 세정하도록 마련된 하부브러쉬부; 상기 웨이퍼홀더부에 마련되며, 상기 웨이퍼의 진동값을 측정하도록 마련된 센서부; 상기 센서부로부터 상기 웨이퍼의 진동값을 제공받아 상기 상부브러쉬부 및 상기 하부브러쉬부의 수평도를 도출하도록 마련된 제어부; 및 상기 제어부의 명령에 의해 상기 상부브러쉬부 및 상기 하부브러쉬부의 기울기를 조절하도록 마련된 수평조절부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정용 브러쉬의 수평 보정 장치를 제공한다.The configuration of the present invention for achieving the above object is a wafer is coupled, the wafer holder portion provided to rotate the wafer; an upper brush portion provided on the wafer and provided to clean the upper portion of the wafer; a lower brush portion provided on the lower portion and provided to clean the lower portion of the wafer; a sensor unit provided in the wafer holder unit and provided to measure a vibration value of the wafer; a control unit provided to receive the vibration value of the wafer from the sensor unit and to derive the horizontality of the upper brush unit and the lower brush unit; and a horizontal adjustment unit provided to adjust the inclination of the upper brush unit and the lower brush unit according to the command of the controller.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 상부브러쉬부는, 상기 웨이퍼의 상부에 마련되며, 롤러 형태로 마련되는 상부브러쉬; 및 상기 상부브러쉬의 외주면에 돌출 형성되는 상부돌기를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the upper brush portion, is provided on the upper portion of the wafer, the upper brush is provided in the form of a roller; and an upper protrusion protruding from the outer peripheral surface of the upper brush.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 하부브러쉬부는, 상기 웨이퍼의 하부에 마련되며, 롤러 형태로 마련되는 하부브러쉬; 및 상기 하부브러쉬의 외주면에 돌출 형성되는 하부돌기를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the lower brush portion, is provided under the wafer, the lower brush provided in the form of a roller; and a lower protrusion protruding from the outer circumferential surface of the lower brush.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 상부브러쉬부가 결합되어 상기 상부브러쉬부를 회전시키도록 마련된 상부홀더부; 및 상기 하부브러쉬부가 결합되어 상기 하부브러쉬부를 회전시키도록 마련된 하부홀더부를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the upper brush portion is coupled to the upper holder portion provided to rotate the upper brush portion; and a lower holder portion provided to rotate the lower brush portion by being coupled to the lower brush portion.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 상부홀더부는, 상기 상부브러쉬부의 중심축에 삽입되어 상기 상부브러쉬부를 회전시키도록 마련된 상부로드; 및 상기 상부로드가 결합되는 상부홀더를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the upper holder portion, the upper rod is inserted into the central axis of the upper brush portion provided to rotate the upper brush portion; and an upper holder to which the upper rod is coupled.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 하부홀더부는, 상기 하부브러쉬부의 중심축에 삽입되어 상기 하부브러쉬부를 회전시키도록 마련된 하부로드; 및 상기 하부로드가 결합되는 하부홀더를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the lower holder portion, the lower rod is inserted into the central axis of the lower brush portion provided to rotate the lower brush portion; and a lower holder to which the lower rod is coupled.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제어부는, 상기 센서부로부터 제공받은 진동값의 진동 주파수를 분석하여 상기 상부브러쉬부 및 상기 하부브러쉬부의 수평도를 도출하도록 마련된 것을 특징으로 할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the control unit may be provided to derive the horizontality of the upper brush unit and the lower brush unit by analyzing the vibration frequency of the vibration value provided from the sensor unit.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제어부는, 상기 상부브러쉬부 및 상기 하부브러쉬부가 수평을 이루는 상태에서 상기 웨이퍼에 접촉할 때의 정상 진동 주파수와 상기 센서부에 의해 측정된 진동 주파수를 비교하여 상기 상부브러쉬부 및 상기 하부브러쉬부의 수평도를 도출하도록 마련된 것을 특징으로 할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the control unit compares the normal vibration frequency when the upper brush part and the lower brush part contact the wafer in a horizontal state with the vibration frequency measured by the sensor part to obtain the It may be characterized in that it is provided to derive the horizontality of the upper brush part and the lower brush part.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 수평조절부는, 상기 상부브러쉬부의 기울기를 조절하도록 마련된 상부수평모듈; 및 상기 하부브러쉬부의 기울기를 조절하도록 마련된 하부수평모듈을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the horizontal adjustment unit, the upper horizontal module provided to adjust the inclination of the upper brush portion; and a lower horizontal module provided to adjust the inclination of the lower brush part.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 상부수평모듈은, 상기 상부홀더부의 상부로드에 결합되어 상기 상부로드를 상하좌우 방향으로 조절 가능하게 마련된 상부위치조절체; 및 상기 상부위치조절체에 동력을 제공하는 상부모터를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the upper horizontal module may include: an upper position adjuster coupled to the upper rod of the upper holder part to adjust the upper rod in vertical, horizontal, and horizontal directions; and an upper motor for providing power to the upper position adjusting body.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 하부수평모듈은, 상기 하부홀더부의 하부로드에 결합되어 상기 하부로드를 상하좌우 방향으로 조절 가능하게 마련된 하부위치조절체; 및 상기 하부위치조절체에 동력을 제공하는 하부모터를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the lower horizontal module may include: a lower position adjuster coupled to the lower rod of the lower holder part to adjust the lower rod in up, down, left and right directions; and a lower motor for providing power to the lower position adjusting body.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 구성은 웨이퍼 세정용 브러쉬의 수평 보정 장치가 적용된 웨이퍼 세정용 브러쉬를 제공한다.The configuration of the present invention for achieving the above object provides a wafer cleaning brush to which the horizontal correction device of the wafer cleaning brush is applied.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 구성은 웨이퍼 세정용 브러쉬의 수평 보정 장치의 수평 보정 방법을 제공한다.The configuration of the present invention for achieving the above object provides a horizontal compensation method of a horizontal compensation device for a wafer cleaning brush.

상기와 같은 구성에 따르는 본 발명의 효과는, 상부브러쉬부와 하부브러쉬부의 수평을 신속하게 맞출 수 있으며, 이에 따라 웨이퍼의 손상을 방지하고 세정 효율을 향상시킬 수 있다.According to the effect of the present invention according to the above configuration, it is possible to quickly align the upper brush part and the lower brush part, thereby preventing damage to the wafer and improving cleaning efficiency.

본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood that the effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and include all effects that can be inferred from the configuration of the invention described in the detailed description or claims of the present invention.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 세정용 브러쉬의 수평 보정 장치의 예시도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 세정용 브러쉬의 수평 보정 장치의 측면도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 상부브러쉬부의 수평 정렬 전후를 나타낸 예시도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 상부브러쉬부가 일측으로 기울어졌을 때 상기 웨이퍼에 가해지는 압력을 나타낸 예시도이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 상부브러쉬부의 수평, 기울기 상태에 따른 스펙트로그램 분석 결과의 2차원 이미지이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 세정용 브러쉬의 수평 보정 방법의 순서도이다.1 is an exemplary diagram of a horizontal correction device for a wafer cleaning brush according to an embodiment of the present invention.
2 is a side view of a horizontal correction device for a wafer cleaning brush according to an embodiment of the present invention.
3 is an exemplary view showing before and after horizontal alignment of the upper brush part according to an embodiment of the present invention.
4 is an exemplary view illustrating the pressure applied to the wafer when the upper brush part is inclined to one side according to an embodiment of the present invention.
5 is a two-dimensional image of a spectrogram analysis result according to the horizontal and inclination states of the upper brush part according to an embodiment of the present invention.
6 is a flowchart of a horizontal correction method for a wafer cleaning brush according to an embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the present invention may be embodied in several different forms, and thus is not limited to the embodiments described herein. And in order to clearly explain the present invention in the drawings, parts irrelevant to the description are omitted, and similar reference numerals are attached to similar parts throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결(접속, 접촉, 결합)"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is said to be “connected (connected, contacted, coupled)” with another part, it is not only “directly connected” but also “indirectly connected” with another member interposed therebetween. "Including cases where In addition, when a part "includes" a certain component, this means that other components may be further provided without excluding other components unless otherwise stated.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used herein are used only to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, terms such as "comprise" or "have" are intended to designate that a feature, number, step, operation, component, part, or a combination thereof described in the specification exists, but one or more other features It should be understood that this does not preclude the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 세정용 브러쉬의 수평 보정 장치의 예시도이고, 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 세정용 브러쉬의 수평 보정 장치의 측면도이다.1 is an exemplary view of a horizontal correction apparatus for a wafer cleaning brush according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a side view of the horizontal correction apparatus for a wafer cleaning brush according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 웨이퍼 세정용 브러쉬의 수평 보정 장치(100)는 웨이퍼홀더부(110), 상부브러쉬부(120), 하부브러쉬부(130), 상부홀더부(140), 하부홀더부(150), 센서부(160), 제어부(170) 및 수평조절부를 포함한다.Referring to FIGS. 1 and 2 , the horizontal correction device 100 of the brush for wafer cleaning includes a wafer holder part 110 , an upper brush part 120 , a lower brush part 130 , an upper holder part 140 , and a lower part. It includes a holder unit 150 , a sensor unit 160 , a control unit 170 , and a horizontal adjustment unit.

상시 웨이퍼홀더부(110)는 상기 웨이퍼(W)의 양측에 마련되며, 상기 웨이퍼(W)를 회전시키도록 마련될 수 있다.The regular wafer holder parts 110 are provided on both sides of the wafer W, and may be provided to rotate the wafer W.

상기 상부브러쉬부(120)는 상기 웨이퍼(W)의 상부에 마련되어 상기 웨이퍼(W)의 상면을 세정하도록 마련되며, 상부브러쉬(121), 상부돌기(122)를 포함한다.The upper brush part 120 is provided on the upper portion of the wafer W to clean the upper surface of the wafer W, and includes an upper brush 121 and an upper protrusion 122 .

상기 상부브러쉬(121)는 상기 웨이퍼(W)의 상부에 마련되며, 롤러 형태로 마련될 수 있다. 그리고, 상기 상부브러쉬(121)는 회전하면서 상기 웨이퍼(W)에 대한 세정을 수행하도록 마련될 수 있다.The upper brush 121 is provided on the wafer W, and may be provided in the form of a roller. In addition, the upper brush 121 may be provided to perform cleaning on the wafer W while rotating.

상기 상부돌기(122)는 상기 상부브러쉬(121)의 외주면에 형성되되, 상기 상부브러쉬(121)의 외주면에 등간격으로 복수개가 배열되어 마련될 수 있다.The upper protrusion 122 may be formed on the outer peripheral surface of the upper brush 121, and a plurality of upper protrusions 122 may be arranged on the outer peripheral surface of the upper brush 121 at equal intervals.

이처럼 상기 상부돌기(122)는 등간격으로 대칭성을 갖도록 형성되기 때문에 후술할 브러쉬 접촉 주파수가 균일하게 발생하게 될 수 있다.As such, since the upper protrusions 122 are formed to have symmetry at equal intervals, a brush contact frequency, which will be described later, may be uniformly generated.

상기 하부브러쉬부(130)는 상기 웨이퍼(W)의 하부에 마련되어 상기 웨이퍼(W)의 하면을 세정하도록 마련되며, 하부브러쉬(131), 하부돌기(132)를 포함한다.The lower brush part 130 is provided under the wafer W to clean the lower surface of the wafer W, and includes a lower brush 131 and a lower protrusion 132 .

상기 하부브러쉬(131)는 상기 웨이퍼(W)의 하부에 마련되며, 롤러 형태로 마련될 수 있다. 그리고, 상기 하부브러쉬(131)는 회전하면서 상기 웨이퍼(W)에 대한 세정을 수행하도록 마련될 수 있다.The lower brush 131 is provided under the wafer W, and may be provided in the form of a roller. In addition, the lower brush 131 may be provided to perform cleaning of the wafer W while rotating.

상기 하부돌기(132)는 상기 하부브러쉬(131)의 외주면에 형성되되, 상기 하부브러쉬(131)의 외주면에 등간격으로 복수개가 배열되어 마련될 수 있다.The lower protrusions 132 may be formed on the outer circumferential surface of the lower brush 131 , and a plurality of the lower protrusions 132 may be arranged at equal intervals on the outer circumferential surface of the lower brush 131 .

이처럼 상기 하부돌기(132)는 등간격으로 대칭성을 갖도록 형성되기 때문에 후술할 브러쉬 접촉 주파수가 균일하게 발생하게 될 수 있다.As such, since the lower protrusions 132 are formed to have symmetry at equal intervals, a brush contact frequency, which will be described later, may be uniformly generated.

상기 상부홀더부(140)는 상기 상부브러쉬부(120)가 결합되어 상기 상부브러쉬부(120)를 회전시키도록 마련될 수 있다.The upper holder unit 140 may be provided so that the upper brush unit 120 is coupled to rotate the upper brush unit 120 .

상기 상부홀더부(140)는 상부로드(141) 및 상부홀더(142)를 포함한다.The upper holder unit 140 includes an upper rod 141 and an upper holder 142 .

상기 상부로드(141)는 상기 상부브러쉬부(120)의 중심축에 삽입되어 상기 상부브러쉬부(120)를 회전시키도록 마련될 수 있다.The upper rod 141 may be inserted into the central axis of the upper brush unit 120 to rotate the upper brush unit 120 .

상기 상부홀더(142)는 상기 상부로드(141)가 결합되도록 마련되며, 상기 상부로드(141)는 상기 상부홀더(142)에 의해 지지되도록 마련될 수 있다.The upper holder 142 may be provided to be coupled to the upper rod 141 , and the upper rod 141 may be provided to be supported by the upper holder 142 .

상기 하부홀더부(150)는 상기 하부브러쉬부(130)가 결합되어 상기 하부브러쉬부(130)를 회전시키도록 마련될 수 있다.The lower holder part 150 may be provided so that the lower brush part 130 is coupled to rotate the lower brush part 130 .

상기 하부홀더부(150)는 하부로드(151) 및 하부홀더(152)를 포함한다.The lower holder part 150 includes a lower rod 151 and a lower holder 152 .

상기 하부로드(151)는 상기 하부브러쉬부(130)의 중심축에 삽입되어 상기 하부브러쉬부(130)를 회전시키도록 마련될 수 있다.The lower rod 151 may be inserted into the central axis of the lower brush unit 130 to rotate the lower brush unit 130 .

상기 하부홀더(152)는 상기 하부로드(151)가 결합되도록 마련되며, 상기 하부로드(151)는 상기 하부홀더(152)에 의해 지지되도록 마련될 수 있다.The lower holder 152 may be provided to be coupled to the lower rod 151 , and the lower rod 151 may be provided to be supported by the lower holder 152 .

상기 센서부(160)는 상기 웨이퍼홀더부(110)에 마련되며, 상기 웨이퍼(W)의 진동값을 측정하도록 마련될 수 있다.The sensor unit 160 may be provided in the wafer holder unit 110 and may be provided to measure a vibration value of the wafer W.

도시하지 않았으나, 본 발명은 홀더지지부를 더 포함할 수 있다.Although not shown, the present invention may further include a holder support.

상기 홀더지지부는 상기 웨이퍼홀더부(110)의 하부에 마련되어 상기 홀더부를 지지 및 회전시키도록 마련되며, 회전로드, 홀더커버, 진동전달체 및 모터를 포함할 수 있다.The holder support part is provided under the wafer holder part 110 to support and rotate the holder part, and may include a rotating rod, a holder cover, a vibration transmitting body, and a motor.

상기 회전로드는 상기 웨이퍼홀더부(110)의 하부에 결합되어 상기 웨이퍼홀더부(110)의 하부를 향해 연장 형성될 수 있다. 그리고, 상기 회전로드의 중심축에 상기 웨이퍼홀더부의 중심축이 연결되어 상기 회전로드가 회전됨에 따라 상기 웨이퍼홀더부(110)가 회전되도록 마련될 수 있다.The rotating rod may be coupled to a lower portion of the wafer holder unit 110 to extend toward the lower portion of the wafer holder unit 110 . In addition, a central axis of the wafer holder part may be connected to the central axis of the rotation rod so that the wafer holder part 110 rotates as the rotation rod rotates.

상기 홀더커버는 내부에 상기 회전로드가 수용되도록 마련되며, 내부에 수용된 구성을 보호하도록 마련될 수 있다.The holder cover is provided to accommodate the rotating rod therein, and may be provided to protect the configuration accommodated therein.

상기 진동전달체는 상기 회전로드와 상기 홀더커버 사이에 마련되며, 베어링 형태로 마련될 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.The vibration transmitting body is provided between the rotating rod and the holder cover, and may be provided in the form of a bearing, but is not limited thereto.

상기 진동전달체는 상기 모터와 가능한 먼 거리에 마련될 수 있으며, 상기 센서부(160)는 웨이퍼홀더부(110)가 아닌 상기 진동전달체에 마련될 수도 있다.The vibration transmitting body may be provided as far away as possible from the motor, and the sensor unit 160 may be provided in the vibration transmitting body instead of the wafer holder 110 .

이처럼 마련된 상기 진동전달체는 상기 웨이퍼(W), 상기 웨이퍼홀더부(110), 상기 회전로드를 통해 전달되는 진동을 상기 센서부(160)에 전달하도록 마련될 수 있다.The vibration transmitting body provided as described above may be provided to transmit vibrations transmitted through the wafer W, the wafer holder unit 110 and the rotating rod to the sensor unit 160 .

상기 센서부(160)가 상기 회전로드에 직접 부착될 경우, 상기 회전로드와 함께 회전하면서 상기 웨이퍼(W)로부터 전달되는 진동을 정확하게 측정하기 어렵다. 또한, 상기 센서부(160)가 상기 모터에 인접하게 설치될 경우, 상기 모터의 진동에 의해 상기 웨이퍼(W)로부터 전달되는 진동을 측정하기 어렵다.When the sensor unit 160 is directly attached to the rotating rod, it is difficult to accurately measure the vibration transmitted from the wafer W while rotating together with the rotating rod. In addition, when the sensor unit 160 is installed adjacent to the motor, it is difficult to measure the vibration transmitted from the wafer W due to the vibration of the motor.

따라서, 상기 센서부(160)는 상기 진동전달체 또는 상기 웨이퍼홀더부(110)에 마련됨이 바람직하다.Accordingly, the sensor unit 160 is preferably provided on the vibration transmitting body or the wafer holder unit 110 .

단, 상기 센서부(160)의 위치는 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 웨이퍼(W)로부터 전달되는 진동을 잘 전달받을 수 있는 위치라면 변경이 가능하다.However, the position of the sensor unit 160 is not limited thereto, and it can be changed as long as it is a position where the vibration transmitted from the wafer W can be well transmitted.

상기 모터는 상기 회전로드를 회전시키도록 상기 회전로드에 동력을 제공할 수 있다.The motor may provide power to the rotating rod to rotate the rotating rod.

상기 센서부(160)는 측정한 진동값을 실시간으로 상기 제어부(170)에 제공할 수 있다.The sensor unit 160 may provide the measured vibration value to the control unit 170 in real time.

상기 제어부(170)는 상기 센서부(160)로부터 상기 웨이퍼(W)의 진동값을 제공받아 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)의 수평도를 도출하도록 마련될 수 있다.The control unit 170 may be provided to receive the vibration value of the wafer W from the sensor unit 160 to derive the horizontality of the upper brush unit 120 and the lower brush unit 130 .

구체적으로, 상기 제어부(170)는, 상기 센서부(160)로부터 제공받은 진동값의 진동 주파수를 분석하여 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)의 수평도를 도출하도록 마련될 수 있다.Specifically, the control unit 170 is provided to derive the horizontality of the upper brush unit 120 and the lower brush unit 130 by analyzing the vibration frequency of the vibration value provided from the sensor unit 160 . can

상기 제어부(170)는, 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)가 수평을 이루는 상태에서 상기 웨이퍼(W)에 접촉할 때의 정상 진동 주파수와 상기 센서부(160)에 의해 측정된 진동 주파수를 비교하여 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)의 수평도를 도출하도록 마련될 수 있다.The control unit 170 is controlled by the normal vibration frequency and the sensor unit 160 when the upper brush unit 120 and the lower brush unit 130 are in contact with the wafer W in a horizontal state. It may be provided to derive the horizontality of the upper brush part 120 and the lower brush part 130 by comparing the measured vibration frequencies.

일 예로, 상기 제어부(170)는 상기 센서부(160)에 의해 측정된 진동값을 이용하여 진동 주파수에 따른 진폭을 검출하도록 마련될 수 있다.For example, the control unit 170 may be provided to detect an amplitude according to a vibration frequency using the vibration value measured by the sensor unit 160 .

그리고, 상기 제어부(170)는 상기 상부브러쉬부(120)와 상기 하부브러쉬부(130)가 상기 웨이퍼(W)와 접촉할 때 발생되는 기설정된 값인 브러쉬 접촉 주파수의 진폭에 피크가 발생될 때, 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)의 위치를 접촉 원점으로 산출하도록 마련될 수 있다.In addition, the control unit 170 generates a peak in the amplitude of the brush contact frequency, which is a preset value generated when the upper brush unit 120 and the lower brush unit 130 come into contact with the wafer W, when a peak occurs. It may be provided to calculate the positions of the upper brush part 120 and the lower brush part 130 as a contact origin.

상기 브러쉬 접촉 주파수는, 하기 수학식 1에 의해 산출된 값일 수 있다.The brush contact frequency may be a value calculated by Equation 1 below.

Figure pat00001
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(여기서, fc는 브러쉬 접촉 주파수, B는 브러쉬 회전수(rpm), N은 브러쉬 반경방향의 돌기 수) 상기 수학식에 의해 산출된 것을 특징으로 할 수 있다.(here, fc is the brush contact frequency, B is the brush rotation speed (rpm), N is the number of projections in the radial direction of the brush) It may be characterized in that it is calculated by the above equation.

일 예로, 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)의 회전 속도가 400 rpm이고, 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)의 반경방향 상부돌기(122) 및 하부돌기(132)의 수가 16 개인 경우, 상기 브러쉬 접촉 주파수는 106.6667이 될 수 있다.As an example, the rotation speed of the upper brush part 120 and the lower brush part 130 is 400 rpm, and the radial upper protrusions 122 of the upper brush part 120 and the lower brush part 130 and When the number of the lower protrusions 132 is 16, the brush contact frequency may be 106.6667.

따라서, 상기 제어부(170)는 검출되는 상기 브러쉬 접촉 주파수가 106.6667인 지점에서 진폭에 피크가 발생하면 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)가 상가 웨이퍼(W)에 접촉한 것으로 판단하고 해당 위치를 접촉 원점으로 할 수 있다.Accordingly, when a peak occurs in amplitude at the point where the detected brush contact frequency is 106.6667, the control unit 170 determines that the upper brush unit 120 and the lower brush unit 130 are in contact with the commercial wafer (W). It can be judged and the corresponding position can be used as the contact origin.

그리고, 상기 제어부(170)는 접촉 원점에서 미리 도출된 상기 상부브러쉬부 및 상기 하부브러쉬의 정상 진동 주파수와 실시간으로 상기 센서부(160)에 의해 측정된 진동 주파수를 비교하여 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)의 수평도를 도출하도록 마련될 수 있다.In addition, the control unit 170 compares the normal vibration frequencies of the upper and lower brushes derived in advance from the origin of the contact with the vibration frequencies measured by the sensor unit 160 in real time, and the upper brush unit 120 ) and may be provided to derive the horizontality of the lower brush unit 130 .

이때, 상기 제어부(170)는 도출된 상기 진동 주파수와 상기 정상 진동 주파수에 대하여 AI 분석 또는 FFT분석을 수행하여 상기 상부브러쉬부와(120) 상기 하부브러쉬부(130)의 수평도를 분석하도록 마련될 수 있다.At this time, the control unit 170 is provided to analyze the horizontality of the upper brush unit 120 and the lower brush unit 130 by performing AI analysis or FFT analysis on the derived vibration frequency and the normal vibration frequency. can be

또한, 상기 제어부(170)는 도출된 상기 진동 주파수와 상기 정상 진동 주파수를 비교하여 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130) 중 기울어진 브러쉬부 및 기울어진 방향을 더 도출하도록 마련될 수 있다.In addition, the control unit 170 compares the derived vibration frequency with the normal vibration frequency to further derive the inclined brush part and the inclined direction among the upper brush part 120 and the lower brush part 130 . can be

이를 위해, 상기 제어부(170)는 상기 스펙트로그램(spectrogram) 분석을 이용하여 도출된 2차원 이미지를 분석하도록 마련될 수 있다.To this end, the controller 170 may be provided to analyze the two-dimensional image derived using the spectrogram analysis.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 상부브러쉬부의 수평 정렬 전후를 나타낸 예시도이다.3 is an exemplary view showing before and after horizontal alignment of the upper brush part according to an embodiment of the present invention.

도 3을 더 참조하면, 상기 수평조절부는 상기 제어부(170)의 명령에 의해 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)의 기울기를 조절하도록 마련될 수 있으며, 상부수평모듈(180) 및 하부수평모듈(190)을 포함한다.Referring further to FIG. 3 , the horizontal adjustment unit may be provided to adjust the inclinations of the upper brush unit 120 and the lower brush unit 130 by the command of the control unit 170 , and the upper horizontal module 180 . ) and a lower horizontal module 190 .

상기 상부수평모듈(180)은 상기 상부브러쉬부(120)의 기울기를 조절하도록 마련되며, 상부위치조절체(181) 및 상부모터(182)를 포함한다.The upper horizontal module 180 is provided to adjust the inclination of the upper brush part 120 , and includes an upper position adjusting body 181 and an upper motor 182 .

상기 상부위치조절체(181)는 상기 상부홀더부(140)의 상부로드(141)에 결합되어 상기 상부로드(141)를 상하좌우 방향으로 조절 가능하게 마련될 수 있다.The upper position adjusting body 181 may be provided to be coupled to the upper rod 141 of the upper holder 140 so as to be able to adjust the upper rod 141 in up, down, left, and right directions.

상기 상부위치조절체(181)는 상기 상부로드(141)의 일단에만 형성될 수도 있고, 양단에 마련되는 것도 가능하다.The upper position adjusting body 181 may be formed only at one end of the upper rod 141 or may be provided at both ends.

이처럼 마련된 상기 상부위치조절체(181)는 상기 상부로드(141)의 일단 또는 양단을 상기 제어부(170)의 명령에 따라 상하좌우 방향으로 움직여 수평을 이루도록 조절할 수 있다.The upper position adjusting body 181 provided in this way can adjust one or both ends of the upper rod 141 to be horizontal by moving it in up, down, left, and right directions according to the command of the control unit 170 .

상기 상부모터(182)는 상기 상부위치조절체(181)에 동력을 제공하도록 마련될 수 있다.The upper motor 182 may be provided to provide power to the upper position adjusting body 181 .

상기 하부수평모듈(190)은 상기 하부브러쉬부(130)의 기울기를 조절하도록 마련되며, 하부위치조절체(191) 및 하부모터(192)를 포함한다.The lower horizontal module 190 is provided to adjust the inclination of the lower brush unit 130 , and includes a lower position adjusting body 191 and a lower motor 192 .

상기 하부위치조절체(191)는 상기 하부홀더부(150)의 하부로드(151)에 결합되어 상기 하부로드(151)를 상하좌우 방향으로 조절 가능하게 마련될 수 있다.The lower position adjusting body 191 may be coupled to the lower rod 151 of the lower holder part 150 to be able to adjust the lower rod 151 in up, down, left, and right directions.

상기 하부위치조절체(191)는 상기 하부로드(151)의 일단에만 형성될 수도 있고, 양단에 마련되는 것도 가능하다.The lower position adjusting body 191 may be formed only at one end of the lower rod 151 or may be provided at both ends.

이처럼 마련된 상기 하부위치조절체(191)는 상기 하부로드(151)의 일단 또는 양단을 상기 제어부(170)의 명령에 따라 상하좌우 방향으로 움직여 수평을 이루도록 조절할 수 있다.The lower position adjusting body 191 provided in this way can adjust one end or both ends of the lower rod 151 to be horizontal by moving it in up, down, left, and right directions according to the command of the control unit 170 .

상기 하부모터(192)는 상기 하부위치조절체(191)에 동력을 제공하도록 마련될 수 있다.The lower motor 192 may be provided to provide power to the lower position adjusting body 191 .

이처럼 마련된 상기 상부수평모듈(180) 및 상기 하부수평모듈(190)은, 도출된 상기 진동 주파수의 진폭과 상기 정상 진동 주파수의 진폭이 기설정된 오차 범위 내에 위치할 때까지 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)의 기울기를 조절하도록 마련될 수 있다.The upper horizontal module 180 and the lower horizontal module 190 provided in this way, the upper brush part 120 until the derived amplitude of the vibration frequency and the amplitude of the normal vibration frequency are located within a preset error range. And it may be provided to adjust the inclination of the lower brush unit 130 .

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 상부브러쉬부가 일측으로 기울어졌을 때 상기 웨이퍼에 가해지는 압력을 나타낸 예시도이다.4 is an exemplary view showing the pressure applied to the wafer when the upper brush part is inclined to one side according to an embodiment of the present invention.

도 4에 도시된 것처럼, 상부브러쉬부(120) 일측으로 기울어지게 되면, 상기 상부브러쉬부(120)가 상기 웨이퍼(W)에 대해 편중된 힘을 가함으로써, 압력이 편중되게 된다. 그 결과, 상기 웨이퍼(W)에 손상이 가해지며 세정 효율이 저하되게 된다.As shown in FIG. 4 , when the upper brush part 120 is inclined to one side, the upper brush part 120 applies a biased force to the wafer W, so that the pressure is biased. As a result, damage is applied to the wafer W and the cleaning efficiency is lowered.

도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 상부브러쉬부의 수평, 기울기 상태에 따른 스펙트로그램 분석 결과의 2차원 이미지이다.5 is a two-dimensional image of a spectrogram analysis result according to the horizontal and inclination states of the upper brush part according to an embodiment of the present invention.

그리고 도 5를 참조하면, 시간에 따른 주파수의 변화를 스펙트로그램 분석을 통해 분석하면, 상기 상부브러쉬부(120)가 수평 상태인 도 5의 (a), 상기 상부브러쉬부(120)가 상기 센서부(160)측으로 기울어진 상태의 도 5의 (b), 상기 상부브러쉬부(120)가 상기 센서부(160)의 반대측으로 기울어진 상태의 도 5의 (c)의 2차원 이미지가 서로 다름을 확인할 수 있다.And, referring to FIG. 5 , when the frequency change with time is analyzed through spectrogram analysis, in FIG. 5 (a) in which the upper brush unit 120 is in a horizontal state, the upper brush unit 120 is the sensor. The two-dimensional image of FIG. 5 (b) of FIG. 5 (b) inclined toward the part 160 and FIG. 5 (c) of the state where the upper brush part 120 is inclined to the opposite side of the sensor part 160 are different from each other. can confirm.

따라서, 본 발명에 따르면, 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130) 중 기울어진 브러쉬부 및 기울어진 방향을 더 도출할 수 있다.Therefore, according to the present invention, the inclined brush part and the inclined direction among the upper brush part 120 and the lower brush part 130 can be further derived.

계속해서, 상기 웨이퍼세정용 브러쉬의 수평 보정 장치를 이용한 수평 보정 방법을 설명하도록 한다.Subsequently, a horizontal correction method using the horizontal correction device of the wafer cleaning brush will be described.

도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 세정용 브러쉬의 수평 보정 방법의 순서도이다.6 is a flowchart of a horizontal correction method for a wafer cleaning brush according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 웨이퍼 세정용 브러쉬의 수평 보정 방법은 먼저, 상부브러쉬부 및 하부브러쉬부가 수평한 상태에서 웨이퍼에 접촉할 때의 정상 진동 주파수를 얻는 단계(S10)를 수행할 수 있다.Referring to FIG. 6 , the horizontal correction method of the wafer cleaning brush may first obtain a normal vibration frequency when the upper brush part and the lower brush part contact the wafer in a horizontal state ( S10 ).

구체적으로, 상부브러쉬부 및 하부브러쉬부가 수평한 상태에서 웨이퍼에 접촉할 때의 정상 진동 주파수를 얻는 단계(S10)에서, 상기 제어부(170)는 상기 센서부(160)에 의해 측정된 진동값을 이용하여 진동 주파수에 따른 진폭을 검출하도록 마련될 수 있다.Specifically, in the step (S10) of obtaining a normal vibration frequency when the upper brush part and the lower brush part contact the wafer in a horizontal state, the control unit 170 receives the vibration value measured by the sensor unit 160 . It may be provided to detect the amplitude according to the vibration frequency by using the .

그리고, 상기 제어부(170)는 상기 상부브러쉬부(120)와 상기 하부브러쉬부(130)가 상기 웨이퍼(W)와 접촉할 때 발생되는 기설정된 값인 브러쉬 접촉 주파수의 진폭에 피크가 발생될 때, 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)의 위치를 접촉 원점으로 산출하도록 마련될 수 있다.In addition, the control unit 170 generates a peak in the amplitude of the brush contact frequency, which is a preset value generated when the upper brush unit 120 and the lower brush unit 130 come into contact with the wafer W, when a peak occurs. It may be provided to calculate the positions of the upper brush part 120 and the lower brush part 130 as a contact origin.

상기 제어부(170)는 검출되는 상기 브러쉬 접촉 주파수인 지점에서 진폭에 피크가 발생하면 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)가 상가 웨이퍼(W)에 접촉한 것으로 판단하고 해당 위치를 접촉 원점으로 할 수 있다.When a peak occurs in amplitude at the detected brush contact frequency, the control unit 170 determines that the upper brush unit 120 and the lower brush unit 130 are in contact with the commercial wafer W, and determines the corresponding position. can be taken as the contact origin.

그리고, 상기 제어부(170)는 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)가 상기 웨이퍼(W)에 접촉한 접촉 원점에서의 진동 주파수의 진폭을 측정하여 저장할 수 있다.In addition, the control unit 170 may measure and store the amplitude of the vibration frequency at the origin of the contact between the upper brush unit 120 and the lower brush unit 130 in contact with the wafer (W).

다음으로, 웨이퍼에 상부브러쉬부 및 하부브러쉬부를 접촉시키는 단계(S20)를 수행할 수 있다.Next, the step (S20) of contacting the upper brush part and the lower brush part to the wafer may be performed.

다음으로, 웨이퍼에 상부브러쉬부 및 하부브러쉬부가 접촉될 때의 웨이퍼의 진동값을 측정하는 단계(S30)를 수행할 수 있다.Next, a step ( S30 ) of measuring the vibration value of the wafer when the upper and lower brush units are in contact with the wafer may be performed.

다음으로, 측정된 웨이퍼의 진동값으로부터 진동 주파수를 도출하는 단계(S40)를 수행할 수 있다. Next, a step ( S40 ) of deriving a vibration frequency from the measured vibration value of the wafer may be performed.

측정된 웨이퍼의 진동값으로부터 진동 주파수를 도출하는 단계(S40)에서, 상기 제어부(170)는 상기 진동 주파수와 진동 주파수의 진폭 등을 도출하도록 마련될 수 있다.In the step of deriving the vibration frequency from the measured vibration value of the wafer ( S40 ), the controller 170 may be provided to derive the vibration frequency and the amplitude of the vibration frequency.

다음으로, 도출된 진동 주파수를 이용하여 상부브러쉬부 및 하부브러쉬부의 수평도를 도출하는 단계(S50)를 수행할 수 있다.Next, the step of deriving the horizontality of the upper brush part and the lower brush part using the derived vibration frequency (S50) may be performed.

도출된 진동 주파수를 이용하여 상부브러쉬부 및 하부브러쉬부의 수평도를 도출하는 단계(S50)는 도출된 진동 주파수와 정상 진동 주파수를 비교하여 상기 상부브러쉬부(120) 및 하부브러쉬부(130)의 수평도를 도출하도록 마련될 수 있다.The step (S50) of deriving the horizontality of the upper brush part and the lower brush part using the derived vibration frequency is compared with the derived vibration frequency and the normal vibration frequency of the upper brush part 120 and the lower brush part 130. It may be provided to derive the horizontality.

보다 구체적으로, 도출된 진동 주파수를 이용하여 상부브러쉬부 및 하부브러쉬부의 수평도를 도출하는 단계(S50)는, 도출된 진동 주파수와 정상 진동 주파수에 대하여 AI 분석 또는 FFT분석을 수행하여 상기 상부브러쉬부(120)와 상기 하부브러쉬부(130)의 수평도를 분석하도록 마련될 수 있다.More specifically, the step of deriving the horizontality of the upper brush part and the lower brush part using the derived vibration frequency (S50) is performed by performing AI analysis or FFT analysis on the derived vibration frequency and the normal vibration frequency to the upper brush. It may be provided to analyze the horizontality of the part 120 and the lower brush part 130 .

또한, 도출된 진동 주파수를 이용하여 상부브러쉬부 및 하부브러쉬부의 수평도를 도출하는 단계(S50)에서, 도출된 진동 주파수와 정상 진동 주파수를 비교하여 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130) 중 기울어진 브러쉬부 및 기울어진 방향을 더 도출하도록 마련될 수 있다.In addition, in the step (S50) of deriving the horizontality of the upper brush part and the lower brush part using the derived vibration frequency, the derived vibration frequency and the normal vibration frequency are compared to the upper brush part 120 and the lower brush part It may be provided to further derive the inclined brush part and the inclined direction in 130 .

이때, 도출된 진동 주파수를 이용하여 상부브러쉬부 및 하부브러쉬부의 수평도를 도출하는 단계(S50)에서는, 스펙트로그램(spectrogram) 분석을 이용하여 도출된 2차원 이미지를 분석하여 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130) 중 기울어진 브러쉬부 및 기울어진 방향을 더 도출할 수 있다. At this time, in the step of deriving the horizontality of the upper brush part and the lower brush part using the derived vibration frequency (S50), the upper brush part 120 by analyzing the two-dimensional image derived using spectrogram analysis. ) and the inclined brush part and the inclined direction of the lower brush part 130 may be further derived.

다음으로, 상부브러쉬부 및 하부브러쉬부가 상호 수평을 이루도록 기울기를 조절하는 단계(S60)를 수행할 수 있다. Next, the step ( S60 ) of adjusting the inclination of the upper brush unit and the lower brush unit so that they are horizontal to each other may be performed.

일 예로, 상부브러쉬부 및 하부브러쉬부가 상호 수평을 이루도록 기울기를 조절하는 단계(S60)에서는 도출된 상기 진동 주파수의 진폭과 상기 정상 진동 주파수의 진폭이 기설정된 오차 범위 내에 위치할 때까지 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)의 기울기를 조절하도록 마련될 수 있다.For example, in the step (S60) of adjusting the inclination so that the upper brush part and the lower brush part are horizontal to each other, the upper brush until the derived amplitude of the vibration frequency and the amplitude of the normal vibration frequency are located within a preset error range. It may be provided to adjust the inclination of the part 120 and the lower brush part 130 .

이처럼 마련된 본 발명은 상기 상부브러쉬부(120)와 상기 하부브러쉬부(130)의 수평을 신속하게 맞출 수 있으며, 이에 따라 웨이퍼의 손상을 방지하고 세정 효율을 향상시킬 수 있다.According to the present invention prepared in this way, the upper brush part 120 and the lower brush part 130 can be quickly leveled, thereby preventing damage to the wafer and improving cleaning efficiency.

전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The above description of the present invention is for illustration, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can understand that it can be easily modified into other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. will be. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. For example, each component described as a single type may be implemented in a dispersed form, and likewise components described as distributed may be implemented in a combined form.

본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is indicated by the following claims, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention.

100: 웨이퍼 세정용 브러쉬의 수평 보정 장치
110: 웨이퍼홀더부
120: 상부브러쉬부
121: 상부브러쉬
122: 상부돌기
130: 하부브러쉬부
131: 하부브러쉬
132: 하부돌기
140: 상부홀더부
141: 상부로드
142: 상부홀더
150: 하부홀더부
151: 하부로드
152: 하부홀더
160: 센서부
170: 제어부
180: 상부수평모듈
181: 상부위치조절체
182: 상부모터
190: 하부수평모듈
191: 하부위치조절체
192: 하부모터
W: 웨이퍼100: horizontal correction device for wafer cleaning brush
110: wafer holder unit
120: upper brush part
121: upper brush
122: upper projection
130: lower brush part
131: lower brush
132: lower projection
140: upper holder part
141: upper rod
142: upper holder
150: lower holder part
151: lower rod
152: lower holder
160: sensor unit
170: control unit
180: upper horizontal module
181: upper position control body
182: upper motor
190: lower horizontal module
191: lower position control body
192: lower motor
W: Wafer

Claims (13)

웨이퍼가 결합되며, 상기 웨이퍼를 회전시키도록 마련된 웨이퍼홀더부;
상기 웨이퍼의 상부에 마련되며, 상기 웨이퍼의 상부를 세정하도록 마련된 상부브러쉬부;
상기 하부에 마련되며, 상기 웨이퍼의 하부를 세정하도록 마련된 하부브러쉬부;
상기 웨이퍼홀더부에 마련되며, 상기 웨이퍼의 진동값을 측정하도록 마련된 센서부;
상기 센서부로부터 상기 웨이퍼의 진동값을 제공받아 상기 상부브러쉬부 및 상기 하부브러쉬부의 수평도를 도출하도록 마련된 제어부; 및
상기 제어부의 명령에 의해 상기 상부브러쉬부 및 상기 하부브러쉬부의 기울기를 조절하도록 마련된 수평조절부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정용 브러쉬의 수평 보정 장치.
a wafer holder unit to which a wafer is coupled and provided to rotate the wafer;
an upper brush portion provided on the wafer and provided to clean the upper portion of the wafer;
a lower brush portion provided on the lower portion and provided to clean the lower portion of the wafer;
a sensor unit provided in the wafer holder unit and provided to measure a vibration value of the wafer;
a control unit provided to receive the vibration value of the wafer from the sensor unit and to derive the horizontality of the upper brush unit and the lower brush unit; and
and a horizontal adjustment unit provided to adjust the inclination of the upper brush unit and the lower brush unit according to a command from the controller.
 제 1 항에 있어서,
상기 상부브러쉬부는,
상기 웨이퍼의 상부에 마련되며, 롤러 형태로 마련되는 상부브러쉬; 및
상기 상부브러쉬의 외주면에 돌출 형성되는 상부돌기를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정용 브러쉬의 수평 보정 장치.
The method of claim 1,
The upper brush part,
an upper brush provided on the wafer and provided in the form of a roller; and
A horizontal correction device for a wafer cleaning brush, characterized in that it includes an upper protrusion protruding from the outer peripheral surface of the upper brush.
 제 1 항에 있어서,
상기 하부브러쉬부는,
상기 웨이퍼의 하부에 마련되며, 롤러 형태로 마련되는 하부브러쉬; 및
상기 하부브러쉬의 외주면에 돌출 형성되는 하부돌기를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정용 브러쉬의 수평 보정 장치.
The method of claim 1,
The lower brush part,
a lower brush provided under the wafer and provided in the form of a roller; and
A horizontal correction device for a wafer cleaning brush, characterized in that it includes a lower protrusion protruding from the outer peripheral surface of the lower brush.
 제 1 항에 있어서,
상기 상부브러쉬부가 결합되어 상기 상부브러쉬부를 회전시키도록 마련된 상부홀더부; 및
상기 하부브러쉬부가 결합되어 상기 하부브러쉬부를 회전시키도록 마련된 하부홀더부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정용 브러쉬의 수평 보정 장치.
The method of claim 1,
an upper holder portion provided to rotate the upper brush portion to which the upper brush portion is coupled; and
and a lower holder part provided to rotate the lower brush part by being coupled to the lower brush part.
 제 4 항에 있어서,
상기 상부홀더부는,
상기 상부브러쉬부의 중심축에 삽입되어 상기 상부브러쉬부를 회전시키도록 마련된 상부로드; 및
상기 상부로드가 결합되는 상부홀더를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정용 브러쉬의 수평 보정 장치.
5. The method of claim 4,
The upper holder part,
an upper rod inserted into the central shaft of the upper brush unit to rotate the upper brush unit; and
A horizontal correction device for a wafer cleaning brush, characterized in that it comprises an upper holder to which the upper rod is coupled.
 제 4 항에 있어서,
상기 하부홀더부는,
상기 하부브러쉬부의 중심축에 삽입되어 상기 하부브러쉬부를 회전시키도록 마련된 하부로드; 및
상기 하부로드가 결합되는 하부홀더를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정용 브러쉬의 수평 보정 장치.
5. The method of claim 4,
The lower holder part,
a lower rod inserted into the central shaft of the lower brush unit to rotate the lower brush unit; and
A horizontal correction device for a wafer cleaning brush, characterized in that it comprises a lower holder to which the lower rod is coupled.
 제 4 항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 센서부로부터 제공받은 진동값의 진동 주파수를 분석하여 상기 상부브러쉬부 및 상기 하부브러쉬부의 수평도를 도출하도록 마련된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정용 브러쉬의 수평 보정 장치.
5. The method of claim 4,
The control unit is
The horizontal correction device for a wafer cleaning brush, characterized in that it is provided to derive the horizontality of the upper brush part and the lower brush part by analyzing the vibration frequency of the vibration value provided from the sensor part.
 제 7 항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 상부브러쉬부 및 상기 하부브러쉬부가 수평을 이루는 상태에서 상기 웨이퍼에 접촉할 때의 정상 진동 주파수와 상기 센서부에 의해 측정된 진동 주파수를 비교하여 상기 상부브러쉬부 및 상기 하부브러쉬부의 수평도를 도출하도록 마련된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정용 브러쉬의 수평 보정 장치.
8. The method of claim 7,
The control unit is
By comparing the normal vibration frequency when the upper brush part and the lower brush part are in contact with the wafer in a horizontal state and the vibration frequency measured by the sensor part, the horizontality of the upper brush part and the lower brush part is derived A horizontal correction device for cleaning brushes for wafers, characterized in that provided so as to do so.
 제 4 항에 있어서,
상기 수평조절부는,
상기 상부브러쉬부의 기울기를 조절하도록 마련된 상부수평모듈; 및
상기 하부브러쉬부의 기울기를 조절하도록 마련된 하부수평모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정용 브러쉬의 수평 보정 장치.
5. The method of claim 4,
The horizontal adjustment unit,
an upper horizontal module provided to adjust the inclination of the upper brush part; and
A horizontal correction device for a wafer cleaning brush, characterized in that it comprises a lower horizontal module provided to adjust the inclination of the lower brush part.
 제 9 항에 있어서,
상기 상부수평모듈은,
상기 상부홀더부의 상부로드에 결합되어 상기 상부로드를 상하좌우 방향으로 조절 가능하게 마련된 상부위치조절체; 및
상기 상부위치조절체에 동력을 제공하는 상부모터를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정용 브러쉬의 수평 보정 장치.
10. The method of claim 9,
The upper horizontal module,
an upper position adjusting body coupled to the upper rod of the upper holder to adjust the upper rod in the vertical, horizontal, and horizontal directions; and
A horizontal correction device for a wafer cleaning brush, characterized in that it comprises an upper motor for providing power to the upper position adjusting body.
 제 9 항에 있어서,
상기 하부수평모듈은,
상기 하부홀더부의 하부로드에 결합되어 상기 하부로드를 상하좌우 방향으로 조절 가능하게 마련된 하부위치조절체; 및
상기 하부위치조절체에 동력을 제공하는 하부모터를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정용 브러쉬의 수평 보정 장치.
10. The method of claim 9,
The lower horizontal module,
a lower position adjusting body coupled to the lower rod of the lower holder and provided to adjust the lower rod in up, down, left and right directions; and
A horizontal correction device for a wafer cleaning brush, characterized in that it comprises a lower motor for providing power to the lower position adjusting body.
 제 1 항에 따른 웨이퍼 세정용 브러쉬의 수평 보정 장치가 적용된 웨이퍼 세정용 브러쉬.
The wafer cleaning brush to which the horizontal correction device of the wafer cleaning brush according to claim 1 is applied.
 제 1 항에 따른 웨이퍼 세정용 브러쉬의 수평 보정 장치의 수평 보정 방법.The horizontal correction method of the horizontal correction device of the wafer cleaning brush according to claim 1 .
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