KR102290611B1 - Contact origin detection device of cleaning brush for wafer and its origin detection method - Google Patents

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KR102290611B1 KR1020190149633A KR20190149633A KR102290611B1 KR 102290611 B1 KR102290611 B1 KR 102290611B1 KR 1020190149633 A KR1020190149633 A KR 1020190149633A KR 20190149633 A KR20190149633 A KR 20190149633A KR 102290611 B1 KR102290611 B1 KR 102290611B1
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한국생산기술연구원
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Abstract

본 발명은 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치 및 이의 원점 검출 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼의 표면에 손상을 주지 않고, 세정 효율을 향상시키기 위한 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치 및 이의 원점 검출 방법에 관한 것이다. 본 발명의 구성은 웨이퍼의 상부에 마련되어 상기 웨이퍼의 상면을 세정하도록 마련된 상부브러쉬부; 상기 웨이퍼의 하부에 마련되어 상기 웨이퍼의 하면을 세정하도록 마련된 하부브러쉬부; 상기 웨이퍼의 진동값을 측정하도록 마련된 센서부; 및 상기 센서부에 의해 측정된 상기 진동값을 이용하여 상기 웨이퍼와 상기 상부브러쉬부 및 상기 하부브러쉬부의 접촉 여부를 판단하도록 마련된 산출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치를 제공한다.The present invention relates to an apparatus for detecting the origin of a contact point of a cleaning brush with respect to a wafer and a method for detecting the origin thereof, and more particularly, to a contact of a cleaning brush with a wafer for improving cleaning efficiency without damaging the surface of the wafer. It relates to an origin detecting apparatus and an origin detecting method thereof. The configuration of the present invention is provided on the upper portion of the wafer, the upper brush portion provided to clean the upper surface of the wafer; a lower brush unit provided under the wafer to clean a lower surface of the wafer; a sensor unit provided to measure the vibration value of the wafer; and a calculator provided to determine whether the wafer is in contact with the upper brush unit and the lower brush unit using the vibration value measured by the sensor unit. provide the device.

Description

웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치 및 이의 원점 검출 방법{CONTACT ORIGIN DETECTION DEVICE OF CLEANING BRUSH FOR WAFER AND ITS ORIGIN DETECTION METHOD}Contact origin detection device for cleaning brush on wafer and origin detection method thereof

본 발명은 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치 및 이의 원점 검출 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼의 표면에 손상을 주지 않고, 세정 효율을 향상시키기 위한 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치 및 이의 원점 검출 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for detecting the origin of a contact point of a cleaning brush with respect to a wafer and a method for detecting the origin thereof, and more particularly, to a contact of a cleaning brush with a wafer for improving cleaning efficiency without damaging the surface of the wafer. It relates to an origin detecting apparatus and an origin detecting method thereof.

현재 반도체 제조공정에서 실리콘 기판 위에 생성되는 주 오염물질은 파티클(particle), 유기(organic), 금속(metal) 오염물, 자연 산화막 등으로 칩의 수율 및 품질에 큰 영향을 주고 있으며 이는 습식세정법 및 건식세정법으로 제거할 수 있다.The main contaminants generated on the silicon substrate in the current semiconductor manufacturing process are particles, organic, metal contaminants, and natural oxide films, which have a great influence on the yield and quality of chips. It can be removed by washing.

세정공정은 다량의 화학용액을 사용함으로 인해 웨이퍼 상의 손상이 발생하며 환경 오염 문제가 대두되고 있어, 화학적 요소를 최소화하고 물리적, 기계적인 요소를 강화하여 표면의 손상이 없이 오염물을 제거 용이한 PVA Brush-Scrubbing 및 Megasonic 공정이 두각을 보이고 있다.The cleaning process uses a large amount of chemical solution, which causes damage to the wafer and raises environmental pollution issues. PVA Brush that minimizes chemical elements and strengthens physical and mechanical elements to easily remove contaminants without damaging the surface -Scrubbing and Megasonic processes stand out.

특히, CMP공정 기술은 반도체 소자 제조공정 중 15~20여회를 수행하는 중핵 기술로서 CMP이후 연마입자의 제거 공정으로서 반드시 기계적 제거 작용 원리를 이용한 Post-CMP 세정 공정을 수행해야 한다.In particular, the CMP process technology is a core technology that performs 15 to 20 times during the semiconductor device manufacturing process, and as a process for removing abrasive particles after CMP, a Post-CMP cleaning process using the principle of mechanical removal must be performed.

이러한 Post-CMP 세정 기술은 반도체 분야뿐만 아니라 LCD유리, LED기판, 화합물 반도체 등 그 응용범위가 넓고 신뢰성 확보를 위해 다양한 전기, 전자 및 광학 분야에 그 적용범위가 광범위하여 파급효과가 큰 공정기술이다.This Post-CMP cleaning technology has a wide range of applications such as LCD glass, LED substrates, and compound semiconductors as well as in the semiconductor field, and it is a process technology with a large ripple effect as its application range is wide in various electrical, electronic and optical fields to secure reliability. .

구체적으로, Post-CMP 세정 기술은 높은 수준의 수율을 얻기 위하여 반도체 공정 중에 웨이퍼 표면에 오염물질을 최소화시키는 공정으로서, 반도체 공정 중 30% 이상의 공정을 차지하고 있다.Specifically, the post-CMP cleaning technique is a process of minimizing contaminants on the wafer surface during a semiconductor process in order to obtain a high level of yield, and occupies more than 30% of the process of the semiconductor process.

특히, 나노미터 사이즈의 연마입자를 사용하는 CMP 공정은 반드시 완벽한 세정공정(Post-CMP Cleaning)이 후속되어야 하지만, 다른 습식 스테이션방 식의 세정 공정 방식에서는 웨이퍼에 물리적 화학적으로 흡착된 입자를 제거하는 것이 매우 곤란하다.In particular, the CMP process using nanometer-sized abrasive particles must be followed by a perfect cleaning process (Post-CMP Cleaning). it is very difficult

따라서, CMP 공정 후 다단계의 스테이션에서 화학 기계적 브러쉬 세정 방식에 의해 강하게 흡착된 입자 및 유기물을 제거하고 Megasonic 장치를 활용하여 세정효율을 극대화하는 단계별 세정 연속법의 적용이 필요하다.Therefore, it is necessary to apply a continuous step-by-step cleaning method that removes strongly adsorbed particles and organic matter by a chemical mechanical brush cleaning method in a multi-step station after the CMP process and maximizes cleaning efficiency using a Megasonic device.

하지만, 기존 브러쉬 세정 방식에서는 브러쉬가 지나치게 깊이 밀착되어 웨이퍼에 손상을 주거나, 제대로 접촉이 이루어지지 않아 세정 효율이 떨어지는 문제가 있었다.However, in the conventional brush cleaning method, there is a problem in that the brush is too deeply attached to damage the wafer, or the cleaning efficiency is lowered because the contact is not made properly.

따라서, 웨이퍼의 표면에 손상을 주지 않으면서 동시에 세정 효율을 극대화하기 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 및 접촉 깊이 검출 기술이 필요하다.Therefore, in order to maximize cleaning efficiency while not damaging the surface of the wafer, there is a need for a contact origin detection and contact depth detection technology of a cleaning brush.

한국공개특허 제10-2015-0084247호Korea Patent Publication No. 10-2015-0084247

상기와 같은 문제를 해결하기 위한 본 발명의 목적은 웨이퍼의 표면에 손상을 주지 않고, 세정 효율을 향상시키기 위한 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치 및 이의 원점 검출 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention to solve the above problems is to provide an apparatus for detecting the origin of a contact point of a cleaning brush on a wafer and a method for detecting the origin thereof for improving cleaning efficiency without damaging the surface of the wafer.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned can be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the description below. There will be.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 구성은 웨이퍼의 상부에 마련되어 상기 웨이퍼의 상면을 세정하도록 마련된 상부브러쉬부; 상기 웨이퍼의 하부에 마련되어 상기 웨이퍼의 하면을 세정하도록 마련된 하부브러쉬부; 상기 웨이퍼의 진동값을 측정하도록 마련된 센서부; 및 상기 센서부에 의해 측정된 상기 진동값을 이용하여 상기 웨이퍼와 상기 상부브러쉬부 및 상기 하부브러쉬부의 접촉 여부를 판단하도록 마련된 산출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치를 제공한다.The configuration of the present invention for achieving the above object is provided on the upper portion of the upper brush provided to clean the upper surface of the wafer; a lower brush unit provided under the wafer to clean a lower surface of the wafer; a sensor unit provided to measure the vibration value of the wafer; and a calculator provided to determine whether the wafer is in contact with the upper brush unit and the lower brush unit using the vibration value measured by the sensor unit. provide the device.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 산출부는, 상기 센서부에 의해 측정된 진동값을 이용하여 진동 주파수에 따른 진폭을 검출하도록 마련된 진폭모듈; 및 상기 상부브러쉬부와 상기 하부브러쉬부가 상기 웨이퍼와 접촉할 때 발생되는 기설정된 값인 브러쉬 접촉 주파수의 진폭에 피크가 발생될 때, 상기 상부브러쉬부 및 상기 하부브러쉬부의 위치를 접촉 원점으로 산출하도록 마련된 산출모듈을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the calculator may include: an amplitude module provided to detect an amplitude according to a vibration frequency using the vibration value measured by the sensor unit; and when a peak occurs in the amplitude of the brush contact frequency, which is a preset value generated when the upper brush part and the lower brush part come into contact with the wafer, the positions of the upper brush part and the lower brush part are calculated as the contact origin. It may be characterized in that it includes a calculation module.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 브러쉬 접촉 주파수는,

Figure 112019119381939-pat00001
(여기서, fc는 브러쉬 접촉 주파수, B는 브러쉬 회전수(rpm), N은 브러쉬 반경방향의 돌기 수) 상기 수학식에 의해 산출된 것을 특징으로 할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the brush contact frequency is
Figure 112019119381939-pat00001
(here, fc is the brush contact frequency, B is the brush rotation speed (rpm), N is the number of projections in the radial direction of the brush) It may be characterized in that it is calculated by the above equation.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 상부브러쉬부는, 롤러 형태로 마련된 상부브러쉬; 상기 상부브러쉬의 외주면에 형성되는 상부돌기; 및 상기 상부브러쉬를 지지하며 회전시키도록 마련된 상부브러쉬홀더를 포함하며, 상기 상부돌기는 등간격으로 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the upper brush portion, the upper brush provided in the form of a roller; an upper protrusion formed on an outer peripheral surface of the upper brush; and an upper brush holder provided to support and rotate the upper brush, wherein the upper projections are arranged at equal intervals.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 하부브러쉬부는, 롤러 형태로 마련된 하부브러쉬; 상기 하부브러쉬의 외주면에 형성되는 하부돌기; 및 상기 하부브러쉬를 지지하며 회전시키도록 마련된 하부브러쉬홀더를 포함하며, 상기 하부돌기는 등간격으로 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the lower brush unit, a lower brush provided in the form of a roller; a lower protrusion formed on an outer circumferential surface of the lower brush; and a lower brush holder provided to support and rotate the lower brush, wherein the lower protrusions are arranged at equal intervals.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 웨이퍼의 양측에 마련되며, 상기 웨이퍼를 회전시키도록 마련된 홀더부; 및 상기 홀더부의 하부에 마련되어 상기 홀더부를 지지 및 회전시키도록 마련된 홀더지지부를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.In an embodiment of the present invention, a holder portion provided on both sides of the wafer and provided to rotate the wafer; and a holder support part provided under the holder part to support and rotate the holder part.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 홀더지지부는, 상기 홀더부의 하부를 향해 연장 형성되며, 상기 홀더부를 회전시키도록 마련된 회전로드; 내부에 상기 회전로드가 수용되도록 마련된 홀더커버; 상기 회전로드와 상기 홀더커버 사이에 마련되는 진동전달체; 및 상기 회전로드를 회전시키도록 상기 회전로드에 동력을 제공하는 모터를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the holder support portion is formed to extend toward the lower portion of the holder portion, the rotation rod provided to rotate the holder portion; a holder cover provided to accommodate the rotating rod therein; a vibration transmission body provided between the rotating rod and the holder cover; and a motor for providing power to the rotating rod to rotate the rotating rod.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 센서부는 상기 진동전달체에 마련되며, 상기 진동전달체는 상기 웨이퍼, 상기 홀더부, 상기 회전로드를 통해 전달되는 진동을 상기 센서부에 전달하도록 마련된 것을 특징으로 할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the sensor unit is provided on the vibration transmitting body, and the vibration transmitting body is provided to transmit the vibration transmitted through the wafer, the holder unit, and the rotating rod to the sensor unit. have.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 구성은 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치를 이용한 접촉 원점 검출 방법에 있어서, a) 상기 상부브러쉬부와 상기 하부브러쉬부를 상기 웨이퍼에 근접시키는 단계; b) 상기 상부브러쉬부와 상기 하부브러쉬부가 상기 웨이퍼에 근접되는 동안 상기 센서부가 상기 웨이퍼로부터 전달되는 진동값을 측정하는 단계; c) 측정된 상기 진동값을 상기 산출부에 제공하는 단계; 및 d) 제공된 상기 진동값을 이용하여 접촉 원점을 산출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치를 이용한 접촉 원점 검출 방법을 제공한다.The configuration of the present invention for achieving the above object is a contact origin detection method using a contact origin detection apparatus of a cleaning brush for a wafer, the step of a) bringing the upper brush part and the lower brush part closer to the wafer ; b) measuring a vibration value transmitted from the wafer by the sensor unit while the upper brush unit and the lower brush unit come close to the wafer; c) providing the measured vibration value to the calculator; and d) calculating the origin of contact by using the provided vibration value.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 d) 단계는, d1) 제공된 상기 진동값으로부터 진동 주파수에 따른 진폭을 산출하는 단계; 및 d2) 상기 상부브러쉬부와 상기 하부브러쉬부가 상기 웨이퍼와 접촉할 때 발생되는 기설정된 값인 브러쉬 접촉 주파수의 진폭에 피크가 발생될 때, 상기 상부브러쉬부 및 상기 하부브러쉬부의 위치를 접촉 원점으로 산출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다. In an embodiment of the present invention, the step d) includes: d1) calculating an amplitude according to a vibration frequency from the provided vibration value; and d2) when a peak occurs in the amplitude of the brush contact frequency, which is a preset value generated when the upper brush unit and the lower brush unit come into contact with the wafer, the positions of the upper and lower brush units are calculated as the contact origin. It may be characterized in that it comprises the step of

상기와 같은 구성에 따르는 본 발명의 효과는, 상부브러쉬부와 하부브러쉬부가 웨이퍼이 접촉하는 위치 및 깊이를 실시간으로 정확하게 검출하여 웨이퍼에 손상을 가하지 않으면서도 최적의 세정효율을 갖도록 할 수 있다.According to the effect of the present invention according to the above configuration, it is possible to have the optimum cleaning efficiency without damaging the wafer by accurately detecting the position and depth where the upper brush part and the lower brush part contact the wafer in real time.

본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood that the effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and include all effects that can be inferred from the configuration of the invention described in the detailed description or claims of the present invention.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치의 예시도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 홀더지지부의 내부를 나타낸 예시도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 접촉 깊이를 나타낸 예시도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 접촉 깊이에 따른 마찰력 및 세정효율을 나타낸 그래프이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치의 접촉 원점 검출 방법의 순서도이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 제공된 진동값을 이용하여 접촉 원점을 산출하는 단계의 순서도이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼에 대한 상부브러쉬부 및 하부브러쉬부의 접촉 여부에 따른 진폭을 나타낸 그래프이다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 깊이 검출 장치의 접촉 깊이 검출 방법의 순서도이다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 제공된 진동값을 이용하여 접촉 원점을 산출하는 단계의 순서도이다.
도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 상부브러쉬부 및 하부브러쉬부의 위치에 따른 진폭 변화를 나타낸 그래프이다.
도 11은 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼에 대한 상부브러쉬부 및 하부브러쉬부의 접촉 깊이에 따른 진폭을 나타낸 그래프이다.
1 is an exemplary view of an apparatus for detecting a contact origin of a cleaning brush for a wafer according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is an exemplary view showing the inside of the holder support according to an embodiment of the present invention.
3 is an exemplary view showing a contact depth according to an embodiment of the present invention.
4 is a graph showing frictional force and cleaning efficiency according to a contact depth according to an embodiment of the present invention.
5 is a flowchart of a method of detecting an origin of contact of an apparatus for detecting an origin of contact of a cleaning brush for a wafer according to an embodiment of the present invention.
6 is a flowchart of a step of calculating a contact origin using a provided vibration value according to an embodiment of the present invention.
7 is a graph showing the amplitude according to whether the upper brush part and the lower brush part contact the wafer according to an embodiment of the present invention.
8 is a flowchart of a contact depth detection method of an apparatus for detecting a contact depth of a cleaning brush for a wafer according to an embodiment of the present invention.
9 is a flowchart of a step of calculating a contact origin using a provided vibration value according to an embodiment of the present invention.
10 is a graph showing the amplitude change according to the position of the upper brush part and the lower brush part according to an embodiment of the present invention.
11 is a graph showing the amplitude according to the contact depth of the upper brush part and the lower brush part with respect to the wafer according to an embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the present invention may be embodied in several different forms, and thus is not limited to the embodiments described herein. And in order to clearly explain the present invention in the drawings, parts irrelevant to the description are omitted, and similar reference numerals are attached to similar parts throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결(접속, 접촉, 결합)"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is said to be “connected (connected, contacted, coupled)” with another part, it is not only “directly connected” but also “indirectly connected” with another member interposed therebetween. "Including cases where In addition, when a part "includes" a certain component, this means that other components may be further provided without excluding other components unless otherwise stated.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used herein are used only to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, terms such as "comprises" or "have" are intended to designate that the features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification exist, but one or more other features It should be understood that this does not preclude the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치의 예시도이고, 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 홀더지지부의 내부를 나타낸 예시도이다.1 is an exemplary view of an apparatus for detecting a contact origin of a cleaning brush for a wafer according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an exemplary view showing the inside of a holder support according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2에 도시된 것처럼, 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치(100)는 웨이퍼(110), 상부브러쉬부(120), 하부브러쉬부(130), 홀더부(140), 홀더지지부(150), 센서부(160) 및 산출부(170)를 포함한다.1 and 2, the contact origin detection apparatus 100 of the cleaning brush for the wafer includes a wafer 110, an upper brush unit 120, a lower brush unit 130, a holder unit 140, It includes a holder support unit 150 , a sensor unit 160 , and a calculation unit 170 .

상기 상부브러쉬부(120)는 상기 웨이퍼(110)의 상부에 마련되어 상기 웨이퍼(110)의 상면을 세정하도록 마련되며, 상부브러쉬(121), 상부돌기(122) 및 상부브러쉬홀더(123)를 포함한다.The upper brush part 120 is provided on the upper portion of the wafer 110 to clean the upper surface of the wafer 110, and includes an upper brush 121, an upper protrusion 122, and an upper brush holder 123. do.

상기 상부브러쉬(121)는 상기 웨이퍼(110)의 상부에 마련되며, 롤러 형태로 마련될 수 있다. 그리고, 상기 상부브러쉬(121)는 회전하면서 상기 웨이퍼(110)에 대한 세정을 수행하도록 마련될 수 있다.The upper brush 121 is provided on the wafer 110 and may be provided in the form of a roller. In addition, the upper brush 121 may be provided to perform cleaning of the wafer 110 while rotating.

상기 상부돌기(122)는 상기 상부브러쉬(121)의 외주면에 형성되되, 상기 상부브러쉬(121)의 외주면에 등간격으로 복수개가 배열되어 마련될 수 있다.The upper protrusions 122 may be formed on the outer peripheral surface of the upper brush 121, and a plurality of upper protrusions 122 may be arranged on the outer peripheral surface of the upper brush 121 at equal intervals.

이처럼 상기 상부돌기(122)는 등간격으로 대칭성을 갖도록 형성되기 때문에 후술할 브러쉬 접촉 주파수가 균일하게 발생하게 될 수 있다.As such, since the upper protrusions 122 are formed to have symmetry at equal intervals, a brush contact frequency, which will be described later, may be uniformly generated.

상기 상부브러쉬홀더(123)는 상기 상부브러쉬(121)와 결합되어 상기 상부브러쉬(121)를 지지 및 회전시키도록 마련될 수 있다.The upper brush holder 123 may be coupled to the upper brush 121 to support and rotate the upper brush 121 .

상기 하부브러쉬부(130)는 상기 웨이퍼(110)의 하부에 마련되어 상기 웨이퍼(110)의 하면을 세정하도록 마련되며, 하부브러쉬(131), 하부돌기(132) 및 하부브러쉬홀더(133)를 포함한다.The lower brush unit 130 is provided under the wafer 110 to clean the lower surface of the wafer 110 , and includes a lower brush 131 , a lower protrusion 132 and a lower brush holder 133 . do.

상기 하부브러쉬(131)는 상기 웨이퍼(110)의 하부에 마련되며, 롤러 형태로 마련될 수 있다. 그리고, 상기 하부브러쉬(131)는 회전하면서 상기 웨이퍼(110)에 대한 세정을 수행하도록 마련될 수 있다.The lower brush 131 is provided under the wafer 110 and may be provided in the form of a roller. In addition, the lower brush 131 may be provided to perform cleaning on the wafer 110 while rotating.

상기 하부돌기(132)는 상기 하부브러쉬(131)의 외주면에 형성되되, 상기 하부브러쉬(131)의 외주면에 등간격으로 복수개가 배열되어 마련될 수 있다.The lower protrusions 132 may be formed on the outer circumferential surface of the lower brush 131 , and a plurality of the lower protrusions 132 may be arranged at equal intervals on the outer circumferential surface of the lower brush 131 .

이처럼 상기 하부돌기(132)는 등간격으로 대칭성을 갖도록 형성되기 때문에 후술할 브러쉬 접촉 주파수가 균일하게 발생하게 될 수 있다.As such, since the lower protrusions 132 are formed to have symmetry at equal intervals, a brush contact frequency, which will be described later, may be uniformly generated.

상기 하부브러쉬홀더(133)는 상기 하부브러쉬(131)와 결합되어 상기 하부브러쉬(131)를 지지 및 회전시키도록 마련될 수 있다.The lower brush holder 133 may be coupled to the lower brush 131 to support and rotate the lower brush 131 .

상기 홀더부(140)는 상기 웨이퍼(110)의 양측에 마련되며, 상기 웨이퍼(110)를 회전시키도록 마련될 수 있다.The holder unit 140 is provided on both sides of the wafer 110 , and may be provided to rotate the wafer 110 .

상기 홀더지지부(150)는 상기 홀더부(140)의 하부에 마련되어 상기 홀더부(140)를 지지 및 회전시키도록 마련되며, 회전로드(151), 홀더커버(152), 진동전달체(153) 및 모터(154)를 포함할 수 있다.The holder support unit 150 is provided under the holder unit 140 to support and rotate the holder unit 140 , and includes a rotating rod 151 , a holder cover 152 , a vibration transmission body 153 and A motor 154 may be included.

상기 회전로드(151)는 상기 홀더부(140)의 하부에 결합되어 상기 홀더부(140)의 하부를 향해 연장 형성될 수 있다. 그리고, 상기 회전로드(151)의 중심축에 상기 홀더부(140)의 중심축이 연결되어 상기 회전로드(151)가 회전됨에 따라 상기 홀더부(140)가 회전되도록 마련될 수 있다.The rotating rod 151 may be coupled to a lower portion of the holder unit 140 to extend toward the lower portion of the holder unit 140 . In addition, the central axis of the holder unit 140 may be connected to the central axis of the rotating rod 151 so that the holder unit 140 rotates as the rotating rod 151 rotates.

상기 홀더커버(152)는 내부에 상기 회전로드(151)가 수용되도록 마련되며, 내부에 수용된 구성을 보호하도록 마련될 수 있다.The holder cover 152 is provided to accommodate the rotation rod 151 therein, and may be provided to protect the structure accommodated therein.

상기 진동전달체(153)는 상기 회전로드(151)와 상기 홀더커버(152) 사이에 마련되며, 베어링 형태로 마련될 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.The vibration transmitting body 153 is provided between the rotating rod 151 and the holder cover 152, and may be provided in the form of a bearing, but is not limited thereto.

상기 진동전달체(153)는 상기 모터(154)와 가능한 먼 거리에 마련될 수 있으며, 상기 센서부(160)는 상기 진동전달체(153)에 마련될 수 있다.The vibration transmitting body 153 may be provided as far as possible from the motor 154 , and the sensor unit 160 may be provided in the vibration transmitting body 153 .

이처럼 마련된 상기 진동전달체(153)는 상기 웨이퍼(110), 상기 홀더부(140), 상기 회전로드(151)를 통해 전달되는 진동을 상기 센서부(160)에 전달하도록 마련될 수 있다.The vibration transmitting body 153 provided in this way may be provided to transmit the vibration transmitted through the wafer 110 , the holder unit 140 , and the rotating rod 151 to the sensor unit 160 .

상기 센서부(160)가 상기 회전로드(151)에 직접 부착될 경우, 상기 회전로드(151)와 함께 회전하면서 상기 웨이퍼(110)로부터 전달되는 진동을 정확하게 측정하기 어렵다. 또한, 상기 센서부(160)가 상기 모터(154)에 인접하게 설치될 경우, 상기 모터(154)의 진동에 의해 상기 웨이퍼(110)로부터 전달되는 진동을 측정하기 어렵다.When the sensor unit 160 is directly attached to the rotation rod 151 , it is difficult to accurately measure the vibration transmitted from the wafer 110 while rotating together with the rotation rod 151 . In addition, when the sensor unit 160 is installed adjacent to the motor 154 , it is difficult to measure the vibration transmitted from the wafer 110 by the vibration of the motor 154 .

따라서, 상기 센서부(160)는 상기 진동전달체(153) 또는 상기 진동전달체(153)와 인접한 위치에 마련됨이 바람직하다.Accordingly, the sensor unit 160 is preferably provided at a position adjacent to the vibration transmitting body 153 or the vibration transmitting body 153 .

단, 상기 센서부(160)의 위치는 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 웨이퍼(110)로부터 전달되는 진동을 잘 전달받을 수 있는 위치라면 변경이 가능하다.However, the position of the sensor unit 160 is not limited thereto, and it can be changed as long as it is a position that can well receive the vibration transmitted from the wafer 110 .

상기 모터(154)는 상기 회전로드(151)를 회전시키도록 상기 회전로드(151)에 동력을 제공할 수 있다.The motor 154 may provide power to the rotating rod 151 to rotate the rotating rod 151 .

상기 센서부(160)는 전술한 바와 같이, 상기 진동전달체(153)에 마련되어 상기 웨이퍼(110)의 진동값을 측정하도록 마련될 수 있다.As described above, the sensor unit 160 may be provided on the vibration transmission member 153 to measure the vibration value of the wafer 110 .

그리고, 상기 센서부(160)는 측정한 진동값을 실시간으로 상기 산출부(170)에 제공할 수 있다.In addition, the sensor unit 160 may provide the measured vibration value to the calculator 170 in real time.

상기 산출부(170)는 상기 센서부(160)에 의해 측정된 상기 진동값을 이용하여 상기 웨이퍼(110)와 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)의 접촉 여부 및 접촉 깊이를 검출하도록 마련될 수 있다.The calculation unit 170 uses the vibration value measured by the sensor unit 160 to determine whether the wafer 110 and the upper brush unit 120 and the lower brush unit 130 are in contact with each other and the contact depth. may be provided to detect

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 접촉 깊이를 나타낸 예시도이다.3 is an exemplary view showing a contact depth according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)는 상기 웨이퍼(110)가 접촉하는 순간을 접촉 원점으로 한다. 그리고, 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)가 상기 웨이퍼(110)에 접촉된 상태에서 점차 압입되면서 각각에 상부돌기(122) 및 하부돌기(132)가 변형하게 되는데 접촉 원점에서 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)를 상기 웨이퍼(110)로 더 밀어넣은 깊이가 접촉 깊이이다.Referring to FIG. 3 , the contact origin of the upper brush unit 120 and the lower brush unit 130 is the moment the wafer 110 comes into contact with each other. Then, as the upper brush part 120 and the lower brush part 130 are gradually press-fitted while in contact with the wafer 110 , the upper protrusion 122 and the lower protrusion 132 are deformed, respectively, the contact origin. The depth at which the upper brush part 120 and the lower brush part 130 are further pushed into the wafer 110 is the contact depth.

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 접촉 깊이에 따른 마찰력 및 세정효율을 나타낸 그래프이다.4 is a graph showing frictional force and cleaning efficiency according to a contact depth according to an embodiment of the present invention.

도 4에 도시된 것처럼, 접촉 깊이가 깊어질수록 세정 효율이 증가하나, 상기 웨이퍼(110)에 스크래치와 같은 불량이 발생할 수 있다.As shown in FIG. 4 , the cleaning efficiency increases as the contact depth increases, but defects such as scratches may occur in the wafer 110 .

상기 웨이퍼(110)에 손상을 주지 않음과 동시에 세정 효율을 높이려면 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)가 최적의 접촉 깊이를 갖도록 제어할 필요가 있다. In order not to damage the wafer 110 and to increase cleaning efficiency, it is necessary to control the upper brush part 120 and the lower brush part 130 to have an optimal contact depth.

따라서, 최적의 접촉 깊이를 갖게 하려면 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)가 상기 웨이퍼(110)에 접촉하는 접촉 원점 및 접촉 깊이를 정확하게 알아낼 필요가 있다.Therefore, in order to have an optimal contact depth, it is necessary to accurately find out the contact origin and contact depth where the upper brush part 120 and the lower brush part 130 come into contact with the wafer 110 .

보다 구체적으로, 상기 산출부(170)는 진폭모듈(171) 및 산출모듈(172)을 포함한다.More specifically, the calculation unit 170 includes an amplitude module 171 and a calculation module 172 .

상기 진폭모듈(171)은 상기 센서부(160)에 의해 측정된 진동값을 이용하여 진동 주파수에 따른 진폭을 검출하도록 마련될 수 있다.The amplitude module 171 may be provided to detect an amplitude according to a vibration frequency using the vibration value measured by the sensor unit 160 .

상기 산출모듈(172)은 상기 상부브러쉬부(120)와 상기 하부브러쉬부(130)가 상기 웨이퍼(110)와 접촉할 때 발생되는 기설정된 값인 브러쉬 접촉 주파수의 진폭에 피크가 발생될 때, 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)의 위치를 접촉 원점으로 산출하도록 마련될 수 있다.When a peak occurs in the amplitude of the brush contact frequency, which is a preset value generated when the upper brush unit 120 and the lower brush unit 130 come into contact with the wafer 110 , the calculation module 172 generates the peak. It may be provided to calculate the positions of the upper brush part 120 and the lower brush part 130 as the contact origin.

상기 브러쉬 접촉 주파수는, 하기 수학식 1에 의해 산출된 값일 수 있다.The brush contact frequency may be a value calculated by Equation 1 below.

Figure 112019119381939-pat00002
Figure 112019119381939-pat00002

(여기서, fc는 브러쉬 접촉 주파수, B는 브러쉬 회전수(rpm), N은 브러쉬 반경방향의 돌기 수) 상기 수학식에 의해 산출된 것을 특징으로 할 수 있다.(here, fc is the brush contact frequency, B is the brush rotation speed (rpm), N is the number of projections in the radial direction of the brush) It may be characterized in that it is calculated by the above equation.

일 예로, 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)의 회전 속도가 400 rpm이고, 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)의 반경방향 상부돌기(122) 및 하부돌기(132)의 수가 16 개인 경우, 상기 브러쉬 접촉 주파수는 106.6667이 될 수 있다.As an example, the rotation speed of the upper brush part 120 and the lower brush part 130 is 400 rpm, and the radial upper protrusions 122 of the upper brush part 120 and the lower brush part 130 and When the number of the lower protrusions 132 is 16, the brush contact frequency may be 106.6667.

따라서, 상기 산출모듈(172)은 상기 진폭모듈(171)에 의해 검출되는 상기 브러쉬 접촉 주파수가 106.6667인 지점에서 진폭에 피크가 발생하면 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)가 상가 웨이퍼(110)에 접촉한 것으로 판단하고 해당 위치를 접촉 원점으로 할 수 있다.Accordingly, when a peak occurs in the amplitude at the point where the brush contact frequency detected by the amplitude module 171 is 106.6667, the calculation module 172 determines that the upper brush unit 120 and the lower brush unit 130 are It may be determined that the commercial wafer 110 is in contact and the corresponding position may be used as the contact origin.

또한, 상기 산출모듈(172)은 상기 접촉 원점에서의 상기 브러쉬 접촉 주파수의 진폭을 기준으로 하여 상기 브러쉬 접촉 주파수의 진폭의 변화에 따라 상기 웨이퍼(110)에 대한 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)의 접촉 깊이를 도출하도록 마련될 수 있다.In addition, the calculation module 172 is configured to include the upper brush unit 120 and the upper brush unit 120 for the wafer 110 according to a change in the amplitude of the brush contact frequency based on the amplitude of the brush contact frequency at the contact origin. It may be provided to derive the contact depth of the lower brush unit 130 .

일 예로, 상기 산출모듈(172)은 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)가 상기 웨이퍼에 접촉하는 접촉 깊이에 따른 상기 브러쉬 접촉 주파수의 진폭 값을 미리 측정하여 테이블화 하고, 실제 측정된 상기 브러쉬 접촉 주파수의 진폭에 따라 상기 접촉 깊이를 도출하도록 마련될 수 있다.For example, the calculation module 172 measures the amplitude value of the brush contact frequency according to the contact depth between the upper brush unit 120 and the lower brush unit 130 in contact with the wafer in advance and makes a table, It may be provided to derive the contact depth according to the actually measured amplitude of the brush contact frequency.

이하, 하기 도면을 참조하여, 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치의 접촉 원점 검출 방법을 구체적으로 설명하도록 한다.Hereinafter, a method of detecting an origin of contact of a contact origin detecting apparatus of a cleaning brush for a wafer will be described in detail with reference to the following drawings.

도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치의 접촉 원점 검출 방법의 순서도이다.5 is a flowchart of a method of detecting an origin of contact of an apparatus for detecting an origin of contact of a cleaning brush for a wafer according to an embodiment of the present invention.

도 5에 도시된 것처럼, 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치를 이용한 접촉 원점 검출 방법은, 먼저, 상부브러쉬부와 하부브러쉬부를 웨이퍼에 근접시키는 단계(S210)를 수행할 수 있다.As shown in FIG. 5 , in the method of detecting the origin of contact using the apparatus for detecting the origin of contact of a cleaning brush for a wafer, first, the step ( S210 ) of bringing the upper and lower brushes closer to the wafer may be performed.

상부브러쉬부와 하부브러쉬부를 웨이퍼에 근접시키는 단계(S210) 단계에서, 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)는 상기 웨이퍼(110)로부터 동일한 간격만큼 떨어진 상태에서 상기 웨이퍼(110)를 향해 점차 근접하도록 마련될 수 있다.In the step (S210) of bringing the upper brush part and the lower brush part close to the wafer, the upper brush part 120 and the lower brush part 130 are separated from the wafer 110 by the same distance from the wafer 110. ) may be provided to gradually approach toward.

상부브러쉬부와 하부브러쉬부를 웨이퍼에 근접시키는 단계(S210) 이후에는, 상부브러쉬부와 하부브러쉬부가 웨이퍼에 근접되는 동안 센서부가 웨이퍼로부터 전달되는 진동값을 측정하는 단계(S220)를 수행할 수 있다.After the step (S210) of bringing the upper brush part and the lower brush part close to the wafer, the sensor part measuring the vibration value transmitted from the wafer while the upper brush part and the lower brush part come close to the wafer (S220) can be performed. .

상부브러쉬부와 하부브러쉬부가 웨이퍼에 근접되는 동안 센서부가 웨이퍼로부터 전달되는 진동값을 측정하는 단계(S220)에서, 상기 센서부(160)는 지속적으로 상기 웨이퍼(110)로부터 전달되는 진동을 측정하도록 마련될 수 있다.In the step (S220) of measuring the vibration value transmitted from the wafer by the sensor unit while the upper brush unit and the lower brush unit are close to the wafer (S220), the sensor unit 160 continuously measures the vibration transmitted from the wafer 110. can be provided.

상부브러쉬부와 하부브러쉬부가 웨이퍼에 근접되는 동안 센서부가 웨이퍼로부터 전달되는 진동값을 측정하는 단계(S220) 이후에는, 측정된 진동값을 산출부에 제공하는 단계(S230)를 수행할 수 있다.After the sensor unit measures the vibration value transmitted from the wafer while the upper brush unit and the lower brush unit come close to the wafer (S220), a step (S230) of providing the measured vibration value to the calculator may be performed.

측정된 진동값을 산출부에 제공하는 단계(S230) 이후에는, 제공된 진동값을 이용하여 접촉 원점을 산출하는 단계(S240)를 수행할 수 있다.After providing the measured vibration value to the calculator ( S230 ), calculating the contact origin using the provided vibration value ( S240 ) may be performed.

도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 제공된 진동값을 이용하여 접촉 원점을 산출하는 단계의 순서도이다.6 is a flowchart of a step of calculating a contact origin using a provided vibration value according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 제공된 진동값을 이용하여 접촉 원점을 산출하는 단계(S240)는 먼저, 제공된 진동값으로부터 진동 주파수에 따른 진폭을 산출하는 단계(S241)를 수행할 수 있다.Referring to FIG. 6 , in the step of calculating the contact origin by using the provided vibration value ( S240 ), first, calculating the amplitude according to the vibration frequency from the provided vibration value ( S241 ) may be performed.

제공된 진동값으로부터 진동 주파수에 따른 진폭을 산출하는 단계(S241)에서, 상기 진폭모듈(171)은 상기 센서부(160)에 의해 측정된 상기 진동값으로부터 진동 주파수를 산출하고 이의 진폭을 산출하도록 마련될 수 있다.In the step of calculating the amplitude according to the vibration frequency from the provided vibration value (S241), the amplitude module 171 is provided to calculate the vibration frequency from the vibration value measured by the sensor unit 160 and calculate the amplitude thereof can be

이때, 상기 진폭모듈(171)은 FFT분석을 통해 진동 주파수를 검출하도록 마련될 수 있으며, 이의 진폭을 실시간으로 산출하도록 마련될 수 있다.In this case, the amplitude module 171 may be provided to detect a vibration frequency through FFT analysis, and may be provided to calculate its amplitude in real time.

제공된 진동값으로부터 진동 주파수에 따른 진폭을 산출하는 단계(S241) 이후에는, 상부브러쉬부와 하부브러쉬부가 웨이퍼와 접촉할 때 발생되는 기설정된 값인 브러쉬 접촉 주파수의 진폭에 피크가 발생될 때, 상부브러쉬부 및 하부브러쉬부의 위치를 접촉 원점으로 산출하는 단계(S242)를 수행할 수 있다.After calculating the amplitude according to the vibration frequency from the provided vibration value (S241), when a peak occurs in the amplitude of the brush contact frequency, which is a preset value generated when the upper and lower brush units come into contact with the wafer, the upper brush A step (S242) of calculating the positions of the part and the lower brush part as the contact origin may be performed.

상부브러쉬부와 하부브러쉬부가 웨이퍼와 접촉할 때 발생되는 기설정된 값인 브러쉬 접촉 주파수의 진폭에 피크가 발생될 때, 상부브러쉬부 및 하부브러쉬부의 위치를 접촉 원점으로 산출하는 단계(S242)에서는, 상기 진폭모듈(171)에 의해 검출되는 상기 브러쉬 접촉 주파수인 지점에서 진폭에 피크가 발생하면 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)가 상기 웨이퍼(110)에 접촉한 것으로 판단하고 해당 위치를 접촉 원점으로 산출할 수 있다.When a peak occurs in the amplitude of the brush contact frequency, which is a preset value generated when the upper and lower brush units come into contact with the wafer, calculating the positions of the upper and lower brush units as contact origins (S242), the When a peak occurs in the amplitude at the point of the brush contact frequency detected by the amplitude module 171 , it is determined that the upper brush unit 120 and the lower brush unit 130 are in contact with the wafer 110 , and the corresponding The position can be calculated as the contact origin.

도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼에 대한 상부브러쉬부 및 하부브러쉬부의 접촉 여부에 따른 진폭을 나타낸 그래프이다.7 is a graph showing the amplitude according to whether the upper brush part and the lower brush part contact the wafer according to an embodiment of the present invention.

일 예로, 도 7에 도시된 것처럼, 브러쉬 접촉 주파수가 106.66667일 때, 도 7의 (a)는 브러쉬 접촉 주파수 지점에서 피크가 발생하지 않았으므로 아직 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)가 상기 웨이퍼(110)에 접촉하지 않은 것으로 판단할 수 있다.For example, as shown in FIG. 7, when the brush contact frequency is 106.66667, in FIG. 7 (a), since a peak has not occurred at the brush contact frequency point, the upper brush part 120 and the lower brush part ( It may be determined that the wafer 130 is not in contact with the wafer 110 .

반면에 도 7의 (b)에는 브러쉬 접촉 주파수 지점에서 피크가 발생하였으므로 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)가 상기 웨이퍼(110)에 접촉한 것으로 판단할 수 있다. 이때, 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)의 위치는 접촉 원점으로 산출될 수 있다.On the other hand, in (b) of FIG. 7 , since the peak occurs at the brush contact frequency point, it can be determined that the upper brush unit 120 and the lower brush unit 130 are in contact with the wafer 110 . In this case, the positions of the upper brush part 120 and the lower brush part 130 may be calculated as a contact origin.

이하, 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 깊이 검출 장치의 접촉 깊이 검출 방법을 설명하도록 한다.Hereinafter, a method of detecting a contact depth of the apparatus for detecting a contact depth of a cleaning brush with respect to a wafer will be described.

도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 깊이 검출 장치의 접촉 깊이 검출 방법의 순서도이다.8 is a flowchart of a contact depth detection method of an apparatus for detecting a contact depth of a cleaning brush for a wafer according to an embodiment of the present invention.

도 8에 도시된 것처럼, 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치를 이용한 접촉 원점 검출 방법은, 먼저, 상부브러쉬부와 하부브러쉬부를 웨이퍼에 근접시키는 단계(S310)를 수행할 수 있다.As shown in FIG. 8 , in the method of detecting the origin of contact using the apparatus for detecting the origin of contact of a cleaning brush for a wafer, first, a step S310 of bringing the upper and lower brushes closer to the wafer may be performed.

상부브러쉬부와 하부브러쉬부를 웨이퍼에 근접시키는 단계(S310) 단계에서, 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)는 상기 웨이퍼(110)로부터 동일한 간격만큼 떨어진 상태에서 상기 웨이퍼(110)를 향해 점차 근접하도록 마련될 수 있다.In the step (S310) of bringing the upper brush part and the lower brush part close to the wafer, the upper brush part 120 and the lower brush part 130 are separated from the wafer 110 by the same distance from the wafer 110. ) may be provided to gradually approach toward.

상부브러쉬부와 하부브러쉬부를 웨이퍼에 근접시키는 단계(S310) 이후에는, 상부브러쉬부와 하부브러쉬부가 웨이퍼에 근접되는 동안 센서부가 웨이퍼로부터 전달되는 진동값을 측정하는 단계(S320)를 수행할 수 있다.After the step (S310) of bringing the upper brush part and the lower brush part close to the wafer, the sensor part measures the vibration value transmitted from the wafer while the upper brush part and the lower brush part come close to the wafer (S320) can be performed. .

상부브러쉬부와 하부브러쉬부가 웨이퍼에 근접되는 동안 센서부가 웨이퍼로부터 전달되는 진동값을 측정하는 단계(S320)에서, 상기 센서부(160)는 지속적으로 상기 웨이퍼(110)로부터 전달되는 진동을 측정하도록 마련될 수 있다.In the step (S320) of measuring the vibration value transmitted from the wafer by the sensor unit while the upper brush unit and the lower brush unit are close to the wafer (S320), the sensor unit 160 continuously measures the vibration transmitted from the wafer 110. can be provided.

상부브러쉬부와 하부브러쉬부가 웨이퍼에 근접되는 동안 센서부가 웨이퍼로부터 전달되는 진동값을 측정하는 단계(S320) 이후에는, 측정된 진동값을 산출부에 제공하는 단계(S330)를 수행할 수 있다.After the sensor unit measures the vibration value transmitted from the wafer while the upper brush unit and the lower brush unit come close to the wafer ( S320 ), a step ( S330 ) of providing the measured vibration value to the calculator may be performed.

측정된 진동값을 산출부에 제공하는 단계(S330) 이후에는, 제공된 진동값을 이용하여 접촉 원점을 산출하는 단계(S340)를 수행할 수 있다.After providing the measured vibration value to the calculator ( S330 ), calculating the contact origin using the provided vibration value ( S340 ) may be performed.

도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 제공된 진동값을 이용하여 접촉 원점을 산출하는 단계의 순서도이다.9 is a flowchart of a step of calculating a contact origin using a provided vibration value according to an embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 제공된 진동값을 이용하여 접촉 원점을 산출하는 단계(S340)는 먼저, 제공된 진동값으로부터 진동 주파수에 따른 진폭을 산출하는 단계(S341)를 수행할 수 있다.Referring to FIG. 9 , in the step of calculating the contact origin using the provided vibration value ( S340 ), first, calculating the amplitude according to the vibration frequency from the provided vibration value ( S341 ) may be performed.

제공된 진동값으로부터 진동 주파수에 따른 진폭을 산출하는 단계(S341)에서, 상기 진폭모듈(171)은 상기 센서부(160)에 의해 측정된 상기 진동값으로부터 진동 주파수를 산출하고 이의 진폭을 산출하도록 마련될 수 있다.In the step of calculating the amplitude according to the vibration frequency from the provided vibration value (S341), the amplitude module 171 is provided to calculate the vibration frequency from the vibration value measured by the sensor unit 160 and calculate the amplitude thereof can be

이때, 상기 진폭모듈(171)은 FFT분석을 통해 진동 주파수를 검출하도록 마련될 수 있으며, 이의 진폭을 실시간으로 산출하도록 마련될 수 있다.In this case, the amplitude module 171 may be provided to detect a vibration frequency through FFT analysis, and may be provided to calculate its amplitude in real time.

제공된 진동값으로부터 진동 주파수에 따른 진폭을 산출하는 단계(S341) 이후에는, 상부브러쉬부와 하부브러쉬부가 웨이퍼와 접촉할 때 발생되는 기설정된 값인 브러쉬 접촉 주파수의 진폭에 피크가 발생될 때, 상부브러쉬부 및 하부브러쉬부의 위치를 접촉 원점으로 산출하는 단계(S342)를 수행할 수 있다.After calculating the amplitude according to the vibration frequency from the provided vibration value (S341), when a peak occurs in the amplitude of the brush contact frequency, which is a preset value generated when the upper brush part and the lower brush part come into contact with the wafer, the upper brush A step (S342) of calculating the positions of the part and the lower brush part as the contact origin may be performed.

상부브러쉬부와 하부브러쉬부가 웨이퍼와 접촉할 때 발생되는 기설정된 값인 브러쉬 접촉 주파수의 진폭에 피크가 발생될 때, 상부브러쉬부 및 하부브러쉬부의 위치를 접촉 원점으로 산출하는 단계(S342)에서는, 상기 진폭모듈(171)에 의해 검출되는 상기 브러쉬 접촉 주파수인 지점에서 진폭에 피크가 발생하면 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)가 상기 웨이퍼(110)에 접촉한 것으로 판단하고 해당 위치를 접촉 원점으로 산출할 수 있다.When a peak occurs in the amplitude of the brush contact frequency, which is a preset value generated when the upper and lower brush units come into contact with the wafer, calculating the positions of the upper and lower brush units as contact origins (S342), the When a peak occurs in the amplitude at the point of the brush contact frequency detected by the amplitude module 171 , it is determined that the upper brush unit 120 and the lower brush unit 130 are in contact with the wafer 110 , and the corresponding The position can be calculated as the contact origin.

제공된 진동값을 이용하여 접촉 원점을 산출하는 단계(S340) 이후에는, 접촉 원점을 기준으로 웨이퍼에 대한 상부브러쉬부 및 하부브러쉬부의 접촉 깊이를 도출하는 단계(S350)을 수행할 수 있다.After calculating the contact origin using the provided vibration value ( S340 ), a step ( S350 ) of deriving the contact depths of the upper and lower brush units with respect to the wafer based on the contact origin may be performed.

접촉 원점을 기준으로 웨이퍼에 대한 상부브러쉬부 및 하부브러쉬부의 접촉 깊이를 도출하는 단계(S350)에서, 상기 산출모듈(172)은 상기 접촉 원점에서의 상기 브러쉬 접촉 주파수의 진폭을 기준으로 하여 상기 브러쉬 접촉 주파수의 진폭의 변화에 따라 상기 웨이퍼(110)에 대한 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)의 접촉 깊이를 도출하도록 마련될 수 있다.In the step (S350) of deriving the contact depth of the upper brush part and the lower brush part with respect to the wafer based on the contact origin, the calculation module 172 determines the brush contact frequency at the contact origin based on the amplitude of the brush. A contact depth of the upper brush unit 120 and the lower brush unit 130 with respect to the wafer 110 may be derived according to a change in the amplitude of the contact frequency.

일 예로, 상기 산출모듈(172)은 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)가 상기 웨이퍼에 접촉하는 접촉 깊이에 따른 상기 브러쉬 접촉 주파수의 진폭 값을 미리 측정하여 테이블화 하고, 실제 측정된 상기 브러쉬 접촉 주파수의 진폭에 따라 상기 접촉 깊이를 도출하도록 마련될 수 있다.For example, the calculation module 172 measures the amplitude value of the brush contact frequency according to the contact depth between the upper brush unit 120 and the lower brush unit 130 in contact with the wafer in advance and makes a table, It may be provided to derive the contact depth according to the actually measured amplitude of the brush contact frequency.

도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 상부브러쉬부 및 하부브러쉬부의 위치에 따른 진폭 변화를 나타낸 그래프이다.10 is a graph showing the amplitude change according to the position of the upper brush part and the lower brush part according to an embodiment of the present invention.

도 10을 참조하면, 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)의 접촉 깊이가 증가할수록 브러쉬 접촉 주파수의 진폭도 이에 비례하여 증가하는 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 10 , it can be seen that as the contact depth between the upper brush part 120 and the lower brush part 130 increases, the amplitude of the brush contact frequency increases in proportion to this.

도 11은 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼에 대한 상부브러쉬부 및 하부브러쉬부의 접촉 깊이에 따른 진폭을 나타낸 그래프이다.11 is a graph showing the amplitude according to the contact depth of the upper brush part and the lower brush part with respect to the wafer according to an embodiment of the present invention.

도 11을 더 참조하면, 브러쉬 접촉 주파수가 106.66667일 때, 도 11의 (a)는 브러쉬 접촉 주파수 지점에서 피크가 발생하지 않았으므로 아직 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)가 상기 웨이퍼(110)에 접촉하지 않은 것으로 판단할 수 있다.Referring further to FIG. 11, when the brush contact frequency is 106.66667, in (a) of FIG. 11, a peak has not occurred at the brush contact frequency point, so the upper brush part 120 and the lower brush part 130 are It may be determined that the wafer 110 is not in contact.

그리고, 도 11의 (b)에는 브러쉬 접촉 주파수 지점에서 진폭 피크가 발생하였으므로 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)가 상기 웨이퍼(110)에 접촉한 것으로 판단할 수 있다. 이때, 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)의 위치는 접촉 원점으로 산출될 수 있다.And, since the amplitude peak occurs at the brush contact frequency point in (b) of FIG. 11 , it can be determined that the upper brush unit 120 and the lower brush unit 130 are in contact with the wafer 110 . In this case, the positions of the upper brush part 120 and the lower brush part 130 may be calculated as a contact origin.

그리고 도 11의 (c)에 도시된 것처럼, 브러쉬 접촉 주파수 지점에서의 진폭 피크가 더 크게 증가하였음을 확인할 수 있다.And, as shown in (c) of FIG. 11 , it can be seen that the amplitude peak at the brush contact frequency point increased more significantly.

따라서, 브러쉬 접촉 주파수의 진폭의 증가에 따라 접촉 깊이를 산출할 수 있다.Therefore, the contact depth can be calculated according to the increase in the amplitude of the brush contact frequency.

이처럼 본 발명에 따르면, 상기 웨이퍼(110)에 대한 상기 상부브러쉬부(120) 및 상기 하부브러쉬부(130)의 접촉 원점 및 접촉 깊이를 정확하게 산출할 수 있다. 그리고 그 결과, 웨이퍼(110)에 대한 세정 효율을 극대화하면서도 상기 웨이퍼(110)에 대한 손상이 가해지지 않도록 할 수 있다.As described above, according to the present invention, the contact origin and contact depth of the upper brush unit 120 and the lower brush unit 130 with respect to the wafer 110 can be accurately calculated. And as a result, it is possible to maximize the cleaning efficiency of the wafer 110 and prevent damage to the wafer 110 from being applied.

전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The above description of the present invention is for illustration, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can understand that it can be easily modified into other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. will be. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. For example, each component described as a single type may be implemented in a dispersed form, and likewise components described as distributed may be implemented in a combined form.

본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is indicated by the following claims, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present invention.

100: 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치.
110: 웨이퍼
120: 상부브러쉬부
121: 상부브러쉬
122: 상부돌기
123: 상부브러쉬홀더
130: 하부브러쉬부
131: 하부브러쉬
132: 하부돌기
133: 하부브러쉬홀더
140: 홀더부
150: 홀더지지부
151: 회전로드
152: 홀더커버
153: 진동전달체
154: 모터
160: 센서부
170: 산출부
171: 진폭모듈
172: 산출모듈
100: A contact origin detection device of a cleaning brush with respect to a wafer.
110: wafer
120: upper brush part
121: upper brush
122: upper projection
123: upper brush holder
130: lower brush part
131: lower brush
132: lower projection
133: lower brush holder
140: holder part
150: holder support
151: rotating rod
152: holder cover
153: vibration transmission body
154: motor
160: sensor unit
170: output unit
171: amplitude module
172: calculation module

Claims (11)

웨이퍼의 상부에 마련되어 상기 웨이퍼의 상면을 세정하도록 마련된 상부브러쉬부;
상기 웨이퍼의 하부에 마련되어 상기 웨이퍼의 하면을 세정하도록 마련된 하부브러쉬부;
상기 웨이퍼의 진동값을 측정하도록 마련된 센서부; 및
상기 센서부에 의해 측정된 상기 진동값으로부터 진동 주파수에 따른 진폭을 산출하여 상기 웨이퍼와 상기 상부브러쉬부 및 상기 하부브러쉬부의 접촉 원점을 산출하도록 마련된 산출부를 포함하며,
상기 산출부는, 상기 접촉 원점에서의 브러쉬 접촉 주파수의 진폭을 기준으로 하여 상기 브러쉬 접촉 주파수의 진폭의 변화에 따라 상기 웨이퍼에 대한 상기 상부브러쉬부 및 상기 하부브러쉬부의 접촉 깊이를 더 도출하도록 마련된 것을 특징으로 하는 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치.
an upper brush provided on the wafer to clean the upper surface of the wafer;
a lower brush unit provided under the wafer to clean a lower surface of the wafer;
a sensor unit provided to measure the vibration value of the wafer; and
Comprising a calculator provided to calculate the amplitude according to the vibration frequency from the vibration value measured by the sensor unit to calculate the contact origin of the wafer, the upper brush part and the lower brush part,
The calculation unit is provided to further derive contact depths of the upper and lower brush units with respect to the wafer according to a change in the amplitude of the brush contact frequency based on the amplitude of the brush contact frequency at the contact origin. A contact origin detection device of a cleaning brush with respect to the wafer.
제 1 항에 있어서,
상기 산출부는,
상기 센서부에 의해 측정된 진동값을 이용하여 진동 주파수에 따른 진폭을 검출하도록 마련된 진폭모듈; 및
상기 상부브러쉬부와 상기 하부브러쉬부가 상기 웨이퍼와 접촉할 때 발생되는 기설정된 값인 브러쉬 접촉 주파수의 진폭에 피크가 발생될 때, 상기 상부브러쉬부 및 상기 하부브러쉬부의 위치를 접촉 원점으로 산출하도록 마련된 산출모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치.
The method of claim 1,
The calculation unit,
an amplitude module provided to detect an amplitude according to a vibration frequency using the vibration value measured by the sensor unit; and
When a peak occurs in the amplitude of the brush contact frequency, which is a preset value generated when the upper brush part and the lower brush part come into contact with the wafer, the positions of the upper brush part and the lower brush part are calculated as the contact origin. A contact origin detection device of a cleaning brush for a wafer, comprising a module.
제 2 항에 있어서,
상기 브러쉬 접촉 주파수는,
Figure 112019119381939-pat00003

(여기서, fc는 브러쉬 접촉 주파수, B는 브러쉬 회전수(rpm), N은 브러쉬 반경방향의 돌기 수)
상기 수학식에 의해 산출된 것을 특징으로 하는 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치.
3. The method of claim 2,
The brush contact frequency is
Figure 112019119381939-pat00003

(where fc is the brush contact frequency, B is the brush rotation speed (rpm), and N is the number of projections in the radial direction of the brush)
The contact origin detection apparatus of the cleaning brush for the wafer, characterized in that calculated by the above equation.
제 1 항에 있어서,
상기 상부브러쉬부는,
롤러 형태로 마련된 상부브러쉬;
상기 상부브러쉬의 외주면에 형성되는 상부돌기; 및
상기 상부브러쉬를 지지하며 회전시키도록 마련된 상부브러쉬홀더를 포함하며,
상기 상부돌기는 등간격으로 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치.
The method of claim 1,
The upper brush part,
an upper brush provided in the form of a roller;
an upper protrusion formed on an outer peripheral surface of the upper brush; and
and an upper brush holder provided to support and rotate the upper brush,
The contact origin detection device of the cleaning brush for the wafer, characterized in that the upper projections are arranged at equal intervals.
제 1 항에 있어서,
상기 하부브러쉬부는,
롤러 형태로 마련된 하부브러쉬;
상기 하부브러쉬의 외주면에 형성되는 하부돌기; 및
상기 하부브러쉬를 지지하며 회전시키도록 마련된 하부브러쉬홀더를 포함하며,
상기 하부돌기는 등간격으로 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치.
The method of claim 1,
The lower brush part,
A lower brush provided in the form of a roller;
a lower protrusion formed on an outer circumferential surface of the lower brush; and
and a lower brush holder provided to support and rotate the lower brush,
The contact origin detection device of the cleaning brush for the wafer, characterized in that the lower projections are arranged at equal intervals.
제 1 항에 있어서,
상기 웨이퍼의 양측에 마련되며, 상기 웨이퍼를 회전시키도록 마련된 홀더부; 및
상기 홀더부의 하부에 마련되어 상기 홀더부를 지지 및 회전시키도록 마련된 홀더지지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치.
The method of claim 1,
a holder portion provided on both sides of the wafer and provided to rotate the wafer; and
The contact origin detection apparatus of the cleaning brush for the wafer, characterized in that it further comprises a holder support provided under the holder portion to support and rotate the holder portion.
제 6 항에 있어서,
상기 홀더지지부는,
상기 홀더부의 하부를 향해 연장 형성되며, 상기 홀더부를 회전시키도록 마련된 회전로드;
내부에 상기 회전로드가 수용되도록 마련된 홀더커버;
상기 회전로드와 상기 홀더커버 사이에 마련되는 진동전달체; 및
상기 회전로드를 회전시키도록 상기 회전로드에 동력을 제공하는 모터를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치.
7. The method of claim 6,
The holder support portion,
a rotating rod extending toward a lower portion of the holder and provided to rotate the holder;
a holder cover provided to accommodate the rotating rod therein;
a vibration transmission body provided between the rotating rod and the holder cover; and
and a motor for providing power to the rotating rod to rotate the rotating rod.
제 7 항에 있어서,
상기 센서부는 상기 진동전달체에 마련되며,
상기 진동전달체는 상기 웨이퍼, 상기 홀더부, 상기 회전로드를 통해 전달되는 진동을 상기 센서부에 전달하도록 마련된 것을 특징으로 하는 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치.
8. The method of claim 7,
The sensor unit is provided on the vibration transmission body,
The vibration transmitting member is a contact origin detecting device for a cleaning brush for a wafer, characterized in that it is provided to transmit the vibration transmitted through the wafer, the holder unit, and the rotating rod to the sensor unit.
제 1 항에 따른 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치를 이용한 접촉 원점 검출 방법에 있어서,
a) 상기 상부브러쉬부와 상기 하부브러쉬부를 상기 웨이퍼에 근접시키는 단계;
b) 상기 상부브러쉬부와 상기 하부브러쉬부가 상기 웨이퍼에 근접되는 동안 상기 센서부가 상기 웨이퍼로부터 전달되는 진동값을 측정하는 단계;
c) 측정된 상기 진동값을 상기 산출부에 제공하는 단계; 및
d) 제공된 상기 진동값을 이용하여 접촉 원점을 산출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치를 이용한 접촉 원점 검출 방법.
In the contact origin detection method using the contact origin detection apparatus of the cleaning brush for the wafer according to claim 1,
a) bringing the upper brush part and the lower brush part closer to the wafer;
b) measuring a vibration value transmitted from the wafer by the sensor unit while the upper brush unit and the lower brush unit come close to the wafer;
c) providing the measured vibration value to the calculator; and
d) calculating the origin of contact by using the provided vibration value.
제 9 항에 있어서,
상기 d) 단계는,
d1) 제공된 상기 진동값으로부터 진동 주파수에 따른 진폭을 산출하는 단계; 및
d2) 상기 상부브러쉬부와 상기 하부브러쉬부가 상기 웨이퍼와 접촉할 때 발생되는 기설정된 값인 브러쉬 접촉 주파수의 진폭에 피크가 발생될 때, 상기 상부브러쉬부 및 상기 하부브러쉬부의 위치를 접촉 원점으로 산출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치를 이용한 접촉 원점 검출 방법.
10. The method of claim 9,
Step d) is,
d1) calculating an amplitude according to a vibration frequency from the provided vibration value; and
d2) When a peak occurs in the amplitude of the brush contact frequency, which is a preset value generated when the upper brush part and the lower brush part come into contact with the wafer, the positions of the upper brush part and the lower brush part are calculated as the contact origin A contact origin detection method using a contact origin detection apparatus of a cleaning brush for a wafer, comprising the steps of.
제 10 항에 있어서,
상기 브러쉬 접촉 주파수는,
Figure 112019119381939-pat00004

(여기서, fc는 브러쉬 접촉 주파수, B는 브러쉬 회전수(rpm), N은 브러쉬 반경방향의 돌기 수)
상기 수학식에 의해 산출된 것을 특징으로 하는 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치를 이용한 접촉 원점 검출 방법.
11. The method of claim 10,
The brush contact frequency is
Figure 112019119381939-pat00004

(where fc is the brush contact frequency, B is the brush rotation speed (rpm), and N is the number of projections in the radial direction of the brush)
A contact origin detection method using a contact origin detection device of a cleaning brush for a wafer, characterized in that calculated by the above equation.
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