KR20210059356A - Film mask, manufacturing method of film mask and manufacturing method of pattern using film mask - Google Patents

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배남석
손용구
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Abstract

The present specification relates to a film mask, a method for manufacturing a film mask, and a method for manufacturing a pattern using a film mask. The film mask includes a transparent substrate, a transparent pattern layer, a light blocking pattern, and a surface release layer.

Description

필름 마스크, 필름 마스크의 제조 방법 및 필름 마스크를 이용한 패턴의 제조 방법 {FILM MASK, MANUFACTURING METHOD OF FILM MASK AND MANUFACTURING METHOD OF PATTERN USING FILM MASK}[FILM MASK, MANUFACTURING METHOD OF FILM MASK AND MANUFACTURING METHOD OF PATTERN USING FILM MASK}

본 명세서는 필름 마스크, 필름 마스크의 제조 방법 및 필름 마스크를 이용한 패턴의 제조 방법에 관한 것이다.The present specification relates to a film mask, a method of manufacturing a film mask, and a method of manufacturing a pattern using a film mask.

일반적인 필름 마스크 기반의 롤투롤(Roll to Roll) 포토리소그래피 기술은 패터닝을 진행하고자 하는 기재와의 밀착력 확보가 되지 않는 경우에는 패턴의 해상도 저하 및 위치별 편차가 발생한다. In the case of a roll-to-roll photolithography technology based on a general film mask, when the adhesion to the substrate to be patterned is not secured, the resolution of the pattern is deteriorated and the positional deviation occurs.

대면적 패터닝 형성 시 라미네이트 공정은 라미네이트를 위한 닙 롤(Nip Roll)의 가공 공차, 일반적으로 3/100mm 이상의 공차 및 압력에 따른 변형 등의 특성으로 인하여, 정확한 공차를 유지하기 어려운 단점이 있다. 이러한 단점을 극복하기 위하여, 최근 드라이 필름 레지스트(Dry Film Resist, 이하 DFR)를 이용한 패터닝 기술이 시도되고 있으며, 이는 상온에서 필름 상태인 드라이 필름 레지스트 온도를 약 100℃근방으로 승온시키고, 이를 기재에 라미네이팅하고, 이후에 다시 필름 마스크를 라미네이팅한 후 UV 노광을 진행하는 공정을 수행하고 있다.When forming large area patterning, the lamination process has a disadvantage in that it is difficult to maintain accurate tolerances due to characteristics such as processing tolerance of a nip roll for lamination, a tolerance of generally 3/100 mm or more, and deformation due to pressure. In order to overcome these shortcomings, a patterning technology using a dry film resist (DFR) has been recently attempted, which raises the temperature of the dry film resist in a film state to about 100°C at room temperature, which is then applied to the substrate. After laminating and then laminating the film mask again, a process of performing UV exposure is performed.

하지만, 이러한 드라이 필름 레지스트의 경우에도 필름의 두께 제어는 어느 정도 용이하나, 가격적으로 비싸고, 해상도 및 부착 특성이 좋지 않은 단점이 있다. 그 외에도 용액 공정으로 UV 수지를 코팅한 후, 노광 공정을 진행하는 방법도 있으나 이는 코팅 공정 및 건조 공정이 추가되어 공정 단계가 복잡해지고 이에 따라 비용이 비싸지는 단점이 있다.However, even in the case of such a dry film resist, it is easy to control the thickness of the film to some extent, but it is expensive in terms of price, and has disadvantages of poor resolution and adhesion characteristics. In addition, there is a method of coating the UV resin by a solution process and then performing the exposure process, but this has a disadvantage in that a coating process and a drying process are added, which complicates the process step and, accordingly, increases the cost.

이에 임프린팅 필름 마스크로 홈부를 포함하는 패턴이 구비된 투명 패턴 상에 홈부를 제외한 전 영역에 UV 투과를 차단하는 차광층을 형성하여 균일한 형태의 패턴을 형성하는 방법이 사용되고 있다.Accordingly, a method of forming a uniform pattern by forming a light-shielding layer that blocks UV transmission over the entire area except for the groove portion on a transparent pattern provided with a pattern including a groove portion as an imprinting film mask is used.

하지만, 패턴 형태의 정밀화 및 패턴의 단차 구현 등 패턴의 형태에 대한 정밀화 및 세분화가 진행됨에 따라 2 중 단차 이상의 패턴을 제작하기 위하여는 홈부 패턴 자체가 복잡한 형태로 제작되어야 하며, 이러한 형태의 투명 패턴 층의 제작은 단일의 홈부를 갖는 패턴에 비해 제작 공정의 난이도가 높아, 제조 공정상 비용이 많이 발생하며, 대량 생산이 어려운 단점이 있다.However, as the shape of the pattern is refined and subdivided, such as the refinement of the pattern shape and the realization of the step difference of the pattern, in order to manufacture a pattern with a double level difference or more, the groove pattern itself must be manufactured in a complex shape, and this type of transparent pattern The fabrication of the layer has a high difficulty in the fabrication process compared to a pattern having a single groove, a high cost in the fabrication process, and it is difficult to mass-produce.

따라서, 2 중 단차 이상의 패턴, 선택적 단차 패턴 및 이로부터 형성될 수 있는 다양한 형상의 패턴을 용이하게 형성할 수 있는 필름 마스크의 필요성의 증가에 따라, 이에 대한 연구가 진행되고 있다.Accordingly, with an increase in the need for a film mask capable of easily forming a double step or higher pattern, an optional step pattern, and a pattern of various shapes that can be formed therefrom, research on this is in progress.

한국 특허 공개 제10-2007-0098690 호Korean Patent Publication No. 10-2007-0098690

본 명세서는 필름 마스크, 필름 마스크의 제조 방법 및 필름 마스크를 이용한 패턴의 제조 방법에 관한 것이다.The present specification relates to a film mask, a method of manufacturing a film mask, and a method of manufacturing a pattern using a film mask.

본 출원의 일 실시상태는 투명 기판; 상기 투명 기판의 일면에 구비되고, 오목부와 볼록부를 포함하며, 볼록부를 적어도 3 이상 포함하는 투명 패턴 층; 상기 투명 패턴 층의 적어도 하나의 볼록부 상에 구비된 제1 차광 패턴 및 상기 투명 패턴 층의 적어도 하나의 오목부 상에 구비된 제2 차광 패턴을 포함하는 차광 패턴; 및 상기 제1 및 제2 차광 패턴이 형성된 상기 투명 패턴 층의 상기 투명 기판과 접하는 면의 반대면에 구비된 표면 이형 층을 포함하는 필름 마스크로,An exemplary embodiment of the present application is a transparent substrate; A transparent pattern layer provided on one surface of the transparent substrate, including a concave portion and a convex portion, and including at least three convex portions; A light blocking pattern including a first light blocking pattern provided on at least one convex portion of the transparent pattern layer and a second light blocking pattern provided on at least one concave portion of the transparent pattern layer; And a surface release layer provided on a surface opposite to a surface of the transparent pattern layer on which the first and second blocking patterns are formed and in contact with the transparent substrate,

상기 볼록부의 적어도 하나의 선폭은 상기 제1 차광 패턴의 적어도 하나의 선폭보다 큰 것인 필름 마스크를 제공하고자 한다.It is intended to provide a film mask in which at least one line width of the convex portion is larger than at least one line width of the first light blocking pattern.

또 다른 일 실시상태에 있어서, 투명 기판 및 상기 투명 기판의 일면에, 오목부와 볼록부를 포함하며, 볼록부를 적어도 3 이상 포함하는 투명 패턴 층을 준비하는 단계; 상기 투명 패턴 층의 상기 투명 기판과 접하는 면의 반대면에 차광층을 형성하는 단계; 상기 차광층을 포토레지스트 공정을 통해 에칭하여 차광 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 차광 패턴이 형성된 상기 투명 패턴 층의 상기 투명 기판과 접하는 면의 반대면에 표면 이형 층을 형성하는 단계를 포함하는 필름 마스크의 제조 방법으로,In yet another exemplary embodiment, the steps of: preparing a transparent substrate and a transparent pattern layer including a concave portion and a convex portion, and including at least three convex portions on one surface of the transparent substrate; Forming a light blocking layer on a surface of the transparent pattern layer opposite to a surface in contact with the transparent substrate; Etching the light-shielding layer through a photoresist process to form a light-shielding pattern; And forming a surface release layer on a surface of the transparent pattern layer on which the light blocking pattern is formed on a surface opposite to the surface in contact with the transparent substrate,

상기 차광 패턴은 투명 패턴 층의 적어도 하나의 볼록부 상에 구비된 제1 차광 패턴 및 상기 투명 패턴 층의 적어도 하나의 오목부 상에 구비된 제2 차광 패턴을 포함하며,The light blocking pattern includes a first light blocking pattern provided on at least one convex portion of the transparent pattern layer and a second light blocking pattern provided on at least one concave portion of the transparent pattern layer,

상기 볼록부의 적어도 하나의 선폭은 상기 제1 차광 패턴의 적어도 하나의 선폭보다 큰 것인 필름 마스크의 제조 방법을 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a film mask in which at least one line width of the convex portion is larger than at least one line width of the first light blocking pattern.

마지막으로, 본 출원의 일 실시상태에 있어서, 기판 및 상기 기판의 일면에 자외선 경화형 수지층을 준비하는 단계; 본 출원에 따른 필름 마스크의 상기 투명 패턴 층에 대응되는 면을 상기 자외선 경화형 수지층에 임프린팅(imprinting) 하는 단계; 상기 필름 마스크 측으로부터 자외선을 조사하는 단계; 상기 필름 마스크를 상기 자외선 경화형 수지층으로부터 박리하는 단계; 및 상기 자외선 경화형 수지층의 미경화 영역을 박리하는 단계를 포함하는 패턴의 제조 방법을 제공하고자 한다.Finally, in the exemplary embodiment of the present application, preparing a substrate and an ultraviolet curable resin layer on one surface of the substrate; Imprinting a surface of the film mask according to the present application corresponding to the transparent pattern layer on the ultraviolet curable resin layer; Irradiating ultraviolet rays from the side of the film mask; Peeling the film mask from the ultraviolet curable resin layer; And peeling off the uncured region of the ultraviolet curable resin layer.

본 출원의 일 실시상태에 따른 필름 마스크의 투명 패턴 층의 적어도 하나의 볼록부 상에 구비된 제1 차광 패턴 및 상기 투명 패턴 층의 적어도 하나의 오목부 상에 구비된 제2 차광 패턴을 포함하고, 상기 볼록부의 적어도 하나의 선폭은 상기 제1 차광 패턴의 적어도 하나의 선폭보다 큰 것으로, 이를 통한 패턴의 제조시 2 중 단차를 갖는 패턴 및 이를 응용한 패턴을 보다 용이하게 형성할 수 있는 것을 특징으로 한다.Including a first light blocking pattern provided on at least one convex portion of the transparent pattern layer of the film mask according to an exemplary embodiment of the present application and a second light blocking pattern provided on at least one concave portion of the transparent pattern layer, , At least one line width of the convex portion is larger than at least one line width of the first shading pattern, and a pattern having a double step difference and a pattern using the same can be more easily formed when the pattern is manufactured through the same. It is done.

또한, 본 출원에 따른 필름 마스크는 차광 패턴 및 투명 패턴 층의 상부를 모두 덮는 형태로 구비된 표면 이형 층을 구비하고 있어, 필름 마스크를 통한 패턴 형성 시 무용제 타입의 자외선 경화형 수지에 접촉/노광 공정 후, 클리닝 공정을 통해 반영구적으로 사용할 수 있어 제조 공정상 비용 절감의 효과를 갖게 되며, 또한 표면 이형 층은 필름 마스크에 포함되는 투명 패턴 층을 보호할 수 있어, 상기 필름 마스크의 보호 특성이 강화될 수 있는 특징을 갖게 된다.In addition, the film mask according to the present application has a surface release layer provided in a form that covers both the upper portion of the light-shielding pattern and the transparent pattern layer, so when forming a pattern through the film mask, contact/exposure process with a solvent-free type UV-curable resin. Afterwards, it can be used semi-permanently through the cleaning process, so that it has the effect of cost reduction in the manufacturing process, and the surface release layer can protect the transparent pattern layer included in the film mask, so that the protective properties of the film mask will be reinforced. You will have the characteristics that you can do.

또한, 본 출원에 따른 필름 마스크는 특정 물질의 차광 패턴을 가져, 플렉서블(Flexible)한 기재층 상에 형성 및 이에 따라 벤딩(bending)시 차광 패턴의 크랙(crack) 발생을 줄일 수 있어, 식각 공정에서 패턴의 유실이 발생하지 않는 특징을 갖게 된다.In addition, since the film mask according to the present application has a light blocking pattern of a specific material, it is formed on a flexible substrate layer, and accordingly, it is possible to reduce the occurrence of cracks in the light blocking pattern when bending. It has the characteristic that the pattern is not lost in.

도 1은 본 출원의 일 실시상태에 따른 필름 마스크의 측면도를 나타낸 것이다.
도 2는 본 출원의 일 실시상태에 따른 필름마스크의 일부를 확대한 측면도이다.
도 3은 본 출원의 일 실시상태에 따른 필름 마스크의 제조 방법을 나타낸 개략적 도이다.
도 4는 본 출원의 일 실시상태에 따른 필름 마스크를 통한 패턴의 제조 방법을 나타낸 개략적 도이다.
도 5는 본 출원에 따라 형성된 패턴의 일 예시를 나타낸 도이다.
도 6은 본 출원의 일 실시상태에 따른 필름 마스크의 광학현미경 형상 및 이를 이용하여 제작된 패턴의 형상을 나타낸 도이다.
도 7은 본 출원의 일 실시상태에 따른 필름 마스크를 이용하여 제작된 패턴의 광학프로필러 형상을 나타낸 도이다.
도 8은 비교예 1에 따른 필름 마스크의 제조 방법을 나타낸 개략적 도이다.
도 9는 비교예 1에 따른 필름 마스크로부터 형성된 패턴의 광학현미경 형상을 나타낸 도이다. 1 is a side view of a film mask according to an exemplary embodiment of the present application.
2 is an enlarged side view of a part of the film mask according to an exemplary embodiment of the present application.
3 is a schematic diagram showing a method of manufacturing a film mask according to an exemplary embodiment of the present application.
4 is a schematic diagram showing a method of manufacturing a pattern through a film mask according to an exemplary embodiment of the present application.
5 is a diagram illustrating an example of a pattern formed according to the present application.
6 is a view showing a shape of an optical microscope of a film mask according to an exemplary embodiment of the present application and a shape of a pattern manufactured using the same.
7 is a diagram showing the shape of an optical profiler of a pattern manufactured using a film mask according to an exemplary embodiment of the present application.
8 is a schematic diagram showing a method of manufacturing a film mask according to Comparative Example 1.
9 is a view showing the shape of an optical microscope of a pattern formed from a film mask according to Comparative Example 1.

이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present specification will be described in more detail.

본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art can easily implement the present invention. However, the present invention may be implemented in various different forms and is not limited to the embodiments described herein.

본 출원의 일 실시상태는 투명 기판; 상기 투명 기판의 일면에 구비되고, 오목부와 볼록부를 포함하며, 볼록부를 적어도 3 이상 포함하는 투명 패턴 층; 상기 투명 패턴 층의 적어도 하나의 볼록부 상에 구비된 제1 차광 패턴 및 상기 투명 패턴 층의 적어도 하나의 오목부 상에 구비된 제2 차광 패턴을 포함하는 차광 패턴; 및 상기 제1 및 제2 차광 패턴이 형성된 상기 투명 패턴 층의 상기 투명 기판과 접하는 면의 반대면에 구비된 표면 이형 층을 포함하는 필름 마스크로,An exemplary embodiment of the present application is a transparent substrate; A transparent pattern layer provided on one surface of the transparent substrate, including a concave portion and a convex portion, and including at least three convex portions; A light blocking pattern including a first light blocking pattern provided on at least one convex portion of the transparent pattern layer and a second light blocking pattern provided on at least one concave portion of the transparent pattern layer; And a surface release layer provided on a surface opposite to a surface of the transparent pattern layer on which the first and second blocking patterns are formed and in contact with the transparent substrate,

상기 볼록부의 적어도 하나의 선폭은 상기 제1 차광 패턴의 적어도 하나의 선폭보다 큰 것인 필름 마스크를 제공하고자 한다.It is intended to provide a film mask in which at least one line width of the convex portion is larger than at least one line width of the first light blocking pattern.

본 출원의 일 실시상태에 따른 필름 마스크의 투명 패턴 층의 적어도 하나의 볼록부 상에 구비된 제1 차광 패턴 및 상기 투명 패턴 층의 적어도 하나의 오목부 상에 구비된 제2 차광 패턴을 포함하고, 상기 볼록부의 적어도 하나의 선폭은 상기 제1 차광 패턴의 적어도 하나의 선폭보다 큰 것으로, 이를 통한 패턴의 제조시 2 중 단차를 갖는 패턴 및 이를 응용한 패턴을 보다 용이하게 형성할 수 있는 것을 특징으로 한다.Including a first light blocking pattern provided on at least one convex portion of the transparent pattern layer of the film mask according to an exemplary embodiment of the present application and a second light blocking pattern provided on at least one concave portion of the transparent pattern layer, , At least one line width of the convex portion is larger than at least one line width of the first shading pattern, and a pattern having a double step difference and a pattern using the same can be more easily formed when the pattern is manufactured through the same. It is done.

즉, 필름 마스크 형성 공정에 있어 상기 투명 패턴 층의 오목부와 볼록부의 형상을 변경하는 공정에 비하여 필름 마스크의 제조 공정이 용이하여, 2 이상의 단차를 갖는 패턴 및 이를 응용한 패턴을 형성하는데 용이한 특징을 갖게 된다.That is, compared to the process of changing the shape of the concave portion and the convex portion of the transparent pattern layer in the film mask formation process, the manufacturing process of the film mask is easier, and it is easy to form a pattern having a step difference of two or more and a pattern using the same. Have a characteristic.

도 1은 본 출원의 일 실시상태에 따른 필름 마스크의 측면도를 나타낸 것으로, 필름마스크의 차광 패턴이 투명 패턴 층의 적어도 하나의 볼록부 상에 구비된 제1 차광 패턴(40) 및 상기 투명 패턴 층의 적어도 하나의 오목부 상에 구비된 제2 차광 패턴(50)을 포함하고, 상기 볼록부의 적어도 하나의 선폭은 상기 제1 차광 패턴의 적어도 하나의 선폭보다 큰 것을 확인할 수 있다.1 is a side view of a film mask according to an exemplary embodiment of the present application, in which a first light blocking pattern 40 and the transparent pattern layer provided on at least one convex portion of a transparent pattern layer with a light blocking pattern of the film mask It can be seen that a second light blocking pattern 50 provided on at least one concave part of is included, and at least one line width of the convex part is larger than at least one line width of the first light blocking pattern.

또한, 상기 차광 패턴이 형성된 상기 투명 패턴 층의 상기 투명 기판과 접하는 면의 반대면에 구비된 표면 이형 층을 갖는 다는 것은, 도 1에서와 같이 상기 투명 패턴 층의 상기 투명 기판과 접하는 면의 반대면 상을 모두 덮는 형태를 의미할 수 있다.In addition, having a surface release layer provided on a surface of the transparent pattern layer on which the light blocking pattern is formed on the opposite surface of the surface in contact with the transparent substrate is opposite to the surface of the transparent pattern layer in contact with the transparent substrate, as shown in FIG. 1. It may mean a form that covers all of the surface.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 볼록부의 선폭은 A1, 상기 제1 차광 패턴의 선폭은 A2이고, 상기 A1 및 A2는 하기 식 1을 만족하는 것인 필름 마스크를 제공한다.In the exemplary embodiment of the present application, a line width of the convex portion is A1, a line width of the first shading pattern is A2, and A1 and A2 satisfy Equation 1 below.

[식 1][Equation 1]

0.1 < A2/A1 < 0.950.1 <A2/A1 <0.95

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 볼록부의 선폭 및 상기 차광 패턴의 선폭은 그 적용 분야에 따라 변형되어 사용 가능하며, 상기 볼록부의 적어도 하나의 선폭이 상기 제1 차광 패턴의 적어도 하나의 선폭보다 큰 것으로 이루어지기만 하면 수치 범위는 적용 분야에 따라 변경 가능하다.In the exemplary embodiment of the present application, the line width of the convex portion and the line width of the light blocking pattern may be modified and used according to the application field, and at least one line width of the convex portion is greater than at least one line width of the first light blocking pattern. As long as it is made up of a large one, the numerical range can be changed according to the application field.

구체적으로, 본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 차광 패턴은 원형, 라인형, 사각형, 메쉬형 등 적용되는 분야에 따라 다양한 패턴의 형태가 사용될 수 있다.Specifically, in the exemplary embodiment of the present application, the shading pattern may be in a shape of various patterns depending on the field to which it is applied, such as a circle, a line shape, a square shape, and a mesh shape.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 차광 패턴이 원형인 경우 A2는 원형의 지름을 의미할 수 있으며, 10 μm 이상 110 μm 이하, 바람직하게는 10 μm 이상 50 μm이하일 수 있으며, 적용되는 분야에 따라 다양하게 변경하여 사용 가능하다.In the exemplary embodiment of the present application, when the shading pattern is circular, A2 may mean a diameter of a circular shape, and may be 10 μm or more and 110 μm or less, preferably 10 μm or more and 50 μm or less, and It can be used in various ways according to the requirements.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 차광 패턴이 라인형인 경우 A2는 10 μm 이상 110 μm 이하, 바람직하게는 10 μm 이상 50 μm이하일 수 있으며, 적용되는 분야에 따라 다양하게 변경하여 사용 가능하다.In the exemplary embodiment of the present application, when the shading pattern is a line type, A2 may be 10 μm or more and 110 μm or less, preferably 10 μm or more and 50 μm or less, and may be used in various ways depending on the applied field.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 식 1은 0.1 < A2/A1 < 0.95, 바람직하게는 0.1 < A2/A1 < 0.90, 더욱 바람직하게는 0.2 < A2/A1 < 0.85를 만족할 수 있다.In the exemplary embodiment of the present application, Equation 1 may satisfy 0.1 <A2/A1 <0.95, preferably 0.1 <A2/A1 <0.90, and more preferably 0.2 <A2/A1 <0.85.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 A1은 100μm ≤ A1 ≤ 9000μm, 바람직하게는 110μm ≤ A1 ≤ 8000μm, 더욱 바람직하게는 130μm ≤ A1 ≤ 7000μm일 수 있다.In the exemplary embodiment of the present application, A1 may be 100 μm ≤ A1 ≤ 9000 μm, preferably 110 μm ≤ A1 ≤ 8000 μm, more preferably 130 μm ≤ A1 ≤ 7000 μm.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 A2은 30μm ≤ A2 ≤ 8000μm, 바람직하게는 35μm ≤ A2 ≤ 7000μm, 더욱 바람직하게는 50μm ≤ A2 ≤ 6000μm일 수 있다.In the exemplary embodiment of the present application, A2 may be 30 μm ≤ A2 ≤ 8000 μm, preferably 35 μm ≤ A2 ≤ 7000 μm, more preferably 50 μm ≤ A2 ≤ 6000 μm.

본 출원의 일 실시상태에 따른 필름 마스크는 투명 패턴 층이 오목부와 볼록부를 포함하며, 볼록부를 적어도 3 이상 포함하고, 상기 볼록부의 적어도 하나의 선폭이 상기 제1 차광 패턴의 적어도 하나의 선폭보다 큰 것으로 이루어지는 것으로, 구체적으로 상기 식 1을 만족하는 특징을 갖게 된다.In the film mask according to an exemplary embodiment of the present application, the transparent pattern layer includes a concave portion and a convex portion, and includes at least three convex portions, and at least one line width of the convex portion is greater than at least one line width of the first shading pattern. It is made of a large one, and has a characteristic that specifically satisfies the above equation 1.

상기 볼록부의 선폭과 상기 제1 차광 패턴의 선폭이 상기 범위를 만족함에 따라, 확산광 이용시 빛의 회절 등으로 인한 차광 효과의 저하를 방지할 수 있으며, 생성되는 패턴의 2중 단차 형상을 보다 용이하게 형성할 수 있으며, 차광 패턴의 크랙(Crack)을 방지하여 상기 투명 패턴 층으로부터 유실을 방지할 수 있으며, 추후 패턴 형성시 차광 패턴의 변형을 방지할 수 있는 특징을 갖게 된다.As the line width of the convex portion and the line width of the first shading pattern satisfy the above range, it is possible to prevent deterioration of the shading effect due to diffraction of light, etc. when using diffused light, and the double step shape of the generated pattern is more easily achieved. It can be formed to be formed, it is possible to prevent the loss of the transparent pattern layer by preventing cracks in the light-shielding pattern, and has a feature of preventing the deformation of the light-shielding pattern when the pattern is formed later.

또한, 특히 상기 제1 차광 패턴의 선폭(A2)이 상기 범위를 만족하는 경우 빛의 회절에 따른 차광 효과의 저하를 방지할 수 있는 특징을 갖게 된다.In addition, in particular, when the line width A2 of the first shading pattern satisfies the above range, it has a feature capable of preventing deterioration of the shading effect due to diffraction of light.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 오목부의 깊이는 H1이며, 상기 H1은 하기 식 2를 만족하는 것인 필름 마스크를 제공한다.In the exemplary embodiment of the present application, the depth of the concave portion is H1, and the H1 provides a film mask that satisfies Equation 2 below.

[식 2][Equation 2]

1 μm ≤ H1 ≤ 500μm1 μm ≤ H1 ≤ 500 μm

상기 오목부는 본 출원에 따른 필름 마스크에 형성된 투명 패턴 층의 홈부를 의미하며, 투명 패턴 층의 오복부의 깊이는 투명 패턴 층의 높이보다 작을 수 있다.The concave portion refers to a groove portion of the transparent pattern layer formed in the film mask according to the present application, and the depth of the concave portion of the transparent pattern layer may be smaller than the height of the transparent pattern layer.

본 출원의 일 실시상태에 따른 투명 패턴 층은 오목부와 볼록부가 번갈아가며 형성되는 형태를 가지며, 오목부와 볼록부는 연속적으로 구비되어 있고, 상기 투명 패턴 층의 높이를 기준으로 상기 투명 기판 측으로 홈부를 형성한 영역을 오목부로 표현할 수 있으며, 오목부를 기준으로 상기 투명 패턴 층의 높이까지 형성된 영역을 볼록부로 표현할 수 있다.The transparent pattern layer according to the exemplary embodiment of the present application has a shape in which concave portions and convex portions are alternately formed, and a concave portion and a convex portion are continuously provided, and a groove toward the transparent substrate based on the height of the transparent pattern layer. A region in which a portion is formed may be expressed as a concave portion, and an area formed up to the height of the transparent pattern layer based on the concave portion may be expressed as a convex portion.

즉, 본 출원의 일 실시상태에 따른 오목부의 깊이(H1)는 볼록부의 높이와 동일한 의미를 가질 수 있다.That is, the depth H1 of the concave portion according to the exemplary embodiment of the present application may have the same meaning as the height of the convex portion.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 식 2는 1 μm ≤ H1 ≤ 500μm, 바람직하게는 1 μm ≤ H1 ≤ 300μm, 더욱 바람직하게는 5 μm ≤ H1 ≤ 100 μm일 수 있다.In the exemplary embodiment of the present application, Equation 2 may be 1 μm ≤ H1 ≤ 500 μm, preferably 1 μm ≤ H1 ≤ 300 μm, more preferably 5 μm ≤ H1 ≤ 100 μm.

상기 오목부의 깊이는 추후 형성되는 패턴의 높이를 제어할 수 있는 요소로, 상기 범위를 만족함에 따라 보다 정밀한 패턴을 형성할 수 있고, 패턴 제작이 용이한 특징을 갖게 된다.The depth of the concave portion is an element capable of controlling the height of a pattern to be formed later, and as it satisfies the above range, a more precise pattern can be formed and pattern production is easy.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 차광 패턴의 높이는 H3로 표시될 수 있으며, 100nm ≤ H3 ≤ 200nm, 바람직하게는 130nm ≤ H3 ≤ 170nm 를 만족할 수 있다. In the exemplary embodiment of the present application, the height of the shading pattern may be expressed as H3, and may satisfy 100nm ≤ H3 ≤ 200nm, preferably 130nm ≤ H3 ≤ 170nm.

상기 차광 패턴의 높이는 추후 임프린팅 공정에 있어, 임프린팅되는 깊이와 함께 형성될 패턴의 단차 높이를 제어할 수 있는 요소로, 상기 범위를 만족함에 따라 정밀한 패턴을 형성할 수 있으며, 차광 패턴 형성시 차광 패턴의 유실 및 변형을 방지할 수 있는 특징을 갖게 된다.The height of the shading pattern is an element capable of controlling the height of the step difference of the pattern to be formed together with the depth to be imprinted in a later imprinting process. As the above range is satisfied, a precise pattern can be formed. It has a feature that can prevent the loss and deformation of the shading pattern.

도 2는 본 출원의 일 실시상태에 따른 필름마스크의 일부를 확대한 측면도이다. 도 2에서 볼록부의 선폭(A1), 제1 차광 패턴의 선폭(A2), 오목부의 깊이(H1) 및 차광 패턴의 높이(H3)의 관계를 확인할 수 있다.2 is an enlarged side view of a part of the film mask according to an exemplary embodiment of the present application. In FIG. 2, the relationship between the line width A1 of the convex portion, the line width A2 of the first shading pattern, the depth H1 of the concave portion, and the height H3 of the shading pattern can be confirmed.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 표면 이형 층은 두께가 매우 얇은 투명 패턴 층 및 차광 패턴을 보호하기 위한 층으로서, 투명 패턴 층의 상부 전면에 표면 이형 처리를 통하여 형성되는 투명층을 말하는 것이며, 기계적 강도, 열안정성, 수분차폐성, 등방성 등을 향상시키기 위한 표면 처리에 해당한다. 예를들면, 상기 표면 이형 처리를 통한 상기 표면 이형 층은 아세테이트계, 폴리에스테르계, 폴리에테르술폰계, 폴리카보네이트계, 폴리아미드계, 폴리이미드계, 폴리올레핀계, 시클로올레핀계, 폴리우레탄계, 아크릴계, 불소계 및 실리콘계 수지로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상을 포함할 수 있다.In the exemplary embodiment of the present application, the surface release layer is a transparent pattern layer having a very thin thickness and a layer for protecting the light-shielding pattern, and refers to a transparent layer formed through a surface release treatment on the entire upper surface of the transparent pattern layer, It corresponds to a surface treatment to improve mechanical strength, thermal stability, moisture shielding property, and isotropic property. For example, the surface release layer through the surface release treatment is acetate-based, polyester-based, polyethersulfone-based, polycarbonate-based, polyamide-based, polyimide-based, polyolefin-based, cycloolefin-based, polyurethane-based, acrylic-based , It may include one or more selected from the group consisting of fluorine-based and silicone-based resins.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 표면 이형 층은 불소계 및 실리콘계 수지를 포함할 수 있다.In the exemplary embodiment of the present application, the surface release layer may include a fluorine-based and a silicone-based resin.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 표면 이형 층은 차광 패턴이 형성된 투명 패턴 층의 상부 전면에 형성하는 것으로, 구체적으로 차광 패턴의 상부, 투명 패턴 층의 볼록부 및 투명 패턴 층의 오목부를 포함하는 전면에 형성되며, 건식 코팅 및 습식코팅의 방식을 이용할 수 있고, 바람직하게는 건식 코팅 방식을 통하여 표면 이형 층을 형성할 수 있다.In the exemplary embodiment of the present application, the surface release layer is formed on the entire upper surface of the transparent pattern layer on which the light-shielding pattern is formed, and specifically includes an upper portion of the light-shielding pattern, a convex portion of the transparent pattern layer, and a concave portion of the transparent pattern layer. It is formed on the entire surface, and dry coating and wet coating methods can be used, and preferably, a surface release layer can be formed through a dry coating method.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 차광 패턴이 형성된 상기 투명 패턴 층의 상기 투명 기판과 접하는 면의 반대면에 표면 이형 층을 형성하는 단계는 상기 차광 패턴이 형성된 상기 투명 패턴 층의 전면에 습식 코팅; 또는 건식 코팅 공정으로 형성하는 것인 필름 마스크의 제조 방법을 제공한다.In the exemplary embodiment of the present application, the forming of a surface release layer on the surface of the transparent pattern layer on which the light blocking pattern is formed on the opposite surface of the surface in contact with the transparent substrate is wet-type on the entire surface of the transparent pattern layer on which the light blocking pattern is formed. coating; Or it provides a method of manufacturing a film mask that is formed by a dry coating process.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 표면 이형 층의 두께는 10nm 이상 1000nm 이하, 바람직하게는 20nm 이상 800nm 이하, 더욱 바람직하게는 40nm 이상 100nm 이하일 수 있다.In the exemplary embodiment of the present application, the thickness of the surface release layer may be 10 nm or more and 1000 nm or less, preferably 20 nm or more and 800 nm or less, and more preferably 40 nm or more and 100 nm or less.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 표면 이형 층의 표면에너지는 30 dyne/cm 이하, 바람직하게는 20 dyne/cm 이하, 더욱 바람직하게는 10 dyne/cm 이하일 수 있으며, 1 dyne/cm 이상일 수 있다.In the exemplary embodiment of the present application, the surface energy of the surface release layer may be 30 dyne/cm or less, preferably 20 dyne/cm or less, more preferably 10 dyne/cm or less, and 1 dyne/cm or more. have.

본 출원에 따른 필름 마스크는 차광 패턴 및 투명 패턴 층의 상부를 모두 덮는 형태로 구비된 표면 이형 층을 구비하고 있어, 필름 마스크를 통한 패턴 형성 시 무용제 타입의 자외선 경화형 수지에 접촉/노광 공정 후, 클리닝 공정을 통해 반영구적으로 사용할 수 있어 제조 공정상 비용 절감의 효과를 갖게 되며, 또한 표면 이형 층은 필름 마스크에 포함되는 투명 패턴 층을 보호할 수 있어, 상기 필름 마스크의 보호 특성이 강화될 수 있는 특징을 갖게 된다.The film mask according to the present application has a surface release layer provided in a form that covers both the upper part of the light-shielding pattern and the transparent pattern layer, so when forming a pattern through the film mask, after the contact/exposure process with a solvent-free UV-curable resin, Since it can be used semi-permanently through the cleaning process, it has the effect of cost reduction in the manufacturing process, and the surface release layer can protect the transparent pattern layer included in the film mask, so that the protective properties of the film mask can be reinforced. Have a characteristic.

특히, Roll to Roll 공정 진행시 무용제 타입의 수지를 이용하여 접촉 노광 방식으로 패턴을 형성하는 임프린팅 공정의 경우, 클리닝 공정에서 상기 필름 마스크의 이형이 상기 무용제 타입의 수지로부터 완벽하게 형성되는 것이 중요하며, 본 출원에 따른 이형 필름을 투명 패턴 층 상부에 전면으로 형성함에 따라 이를 가능하게 하는 특징을 갖게 된다.In particular, in the case of the imprinting process in which a pattern is formed by contact exposure using a solvent-free resin during the Roll to Roll process, it is important that the release of the film mask is completely formed from the solvent-free resin in the cleaning process. And, as the release film according to the present application is formed on the entire surface of the transparent pattern layer, it has a feature that enables this.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 암색 차광 패턴 층은 UV 영역의 차단 특성을 나타내는 것이 바람직하며, 예컨대 UV 영역대의 반사율이 30% 이하인 재료가 사용될 수 있다.In the exemplary embodiment of the present application, the dark shading pattern layer preferably exhibits blocking properties in the UV region, and for example, a material having a reflectance of 30% or less in the UV region may be used.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 차광 패턴은 물리적 연성(Phisical Ductility)이 0.55 이상인 금속을 포함하는 금속층, 물리적 연성(Phisical Ductility)이 0.55 이상인 금속의 금속산화물층, 물리적 연성(Phisical Ductility)이 0.55 이상인 금속의 금속질화물층 및 물리적 연성(Phisical Ductility)이 0.55 이상인 금속의 금속산질화물층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 층을 포함하는 것인 필름 마스크를 제공한다.In the exemplary embodiment of the present application, the shading pattern is a metal layer including a metal having a physical ductility of 0.55 or more, a metal oxide layer of a metal having a physical ductility of 0.55 or more, and a physical ductility. It provides a film mask comprising at least one layer selected from the group consisting of a metal nitride layer of a metal of 0.55 or more and a metal oxynitride layer of a metal having a physical ductility of 0.55 or more.

상기 물리적 연성(Phisical Ductility)은 금속 자체의 물리적 특성으로, 끊어지거나 파손되지 않고 얇게 펴지거나 선(wire) 형태로 길게 신축될 수 있는 능력을 나타내는 기준으로 사용될 수 있다.The physical ductility is a physical property of the metal itself, and may be used as a criterion indicating the ability to be thinly stretched or stretched in a wire shape without being broken or damaged.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 차광 패턴에 포함되는 금속은 물리적 연성(Phisical Ductility)이 0.55 이상일 수 있으며, 0.99 이하의 값을 가질 수 있다.In the exemplary embodiment of the present application, the metal included in the shading pattern may have a physical ductility of 0.55 or more and a value of 0.99 or less.

또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 차광 패턴에 포함되는 금속은 물리적 연성(Phisical Ductility)이 0.55 이상 0.99 이하, 0.58 이상 0.95 이하, 바람직하게는 0.60 이상 0.94 이하의 값을 가질 수 있다.In another exemplary embodiment, the metal included in the shading pattern may have a physical ductility of 0.55 or more and 0.99 or less, 0.58 or more and 0.95 or less, and preferably 0.60 or more and 0.94 or less.

상기 차광 패턴에 포함되는 금속으로는 금(Au), 납(Pb), 백금(Pt), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 구리(Cu) 및 탄탈륨(Ta)로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.Metals included in the shading pattern include gold (Au), lead (Pb), platinum (Pt), silver (Ag), aluminum (Al), tin (Sn), copper (Cu), and tantalum (Ta). It can be selected from the group.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 차광 패턴은 상기 금속을 포함하는 금속층, 금속산화물층, 금속질화물층 또는 금속산질화물층을 포함할 수 있다.In the exemplary embodiment of the present application, the light blocking pattern may include a metal layer including the metal, a metal oxide layer, a metal nitride layer, or a metal oxynitride layer.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 차광 패턴은 알루미늄층(Al) 및 알루미늄 산질화물층(AlOxNy)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 층을 포함하며, 상기 알루미늄 산질화물층(AlOxNy)에 있어서, x 및 y는 Al 1 원자에 대한 각각의 O 및 N의 원자 수의 비를 의미하며, 0 ≤ x ≤ 1.5 이고, 0 ≤ y ≤ 1인 것이 바람직하다.In the exemplary embodiment of the present application, the shading pattern includes at least one layer selected from the group consisting of an aluminum layer (Al) and an aluminum oxynitride layer (AlOxNy), and in the aluminum oxynitride layer (AlOxNy), x and y mean the ratio of the number of atoms of each O and N to the Al 1 atom, 0≦x≦1.5, and preferably 0≦y≦1.

상기 차광 패턴으로 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물 또는 알루미늄 산질화물을 사용하는 경우, 차광 패턴 단독으로도 UV 파장에 대한 반투과 특성 및 반사방지특성을 나타낼 수 있으므로, 이를 기초로 차광 패턴의 두께에 따라, 또는 금속층과의 적층구조를 도입함으로써 다층 패터닝의 목적으로 사용되는 하프톤 마스크의 제조에 적용될 수 있다.In the case of using aluminum oxide, aluminum nitride, or aluminum oxynitride as the shading pattern, the shading pattern alone may exhibit semi-transmissive properties and anti-reflection properties for UV wavelengths, and thus depending on the thickness of the shading pattern, or By introducing a laminated structure with a metal layer, it can be applied to the manufacture of a halftone mask used for the purpose of multilayer patterning.

상기 차광 패턴의 재료 및 두께는 필름 마스크를 이용하여 패턴화하고자 하는 재료 및 패턴의 크기나 형태에 따라 결정될 수 있으며, 특히 요구되는 UV 광 투과도에 따라 그 두께가 결정될 수 있다. 예컨대, 상기 차광 패턴은 5 nm 내지 200 nm의 두께를 가질 수 있으며, 빛을 차단하는 두께이면 어느 두께든지 무방하다.The material and thickness of the light-shielding pattern may be determined according to the size or shape of the material and pattern to be patterned using a film mask, and the thickness may be determined according to a particularly required UV light transmittance. For example, the shading pattern may have a thickness of 5 nm to 200 nm, and any thickness may be used as long as it blocks light.

상기 차광 패턴은 UV 노광에 의하여 구현하고자 하는 패턴의 형태를 개구 영역으로 갖는 패턴 형태를 가질 수 있다. 예컨대, 원기둥 형태 또는 도트 형태의 패턴을 형성하고자 하는 경우, 상기 차광 패턴은 원형의 개구들을 갖는 패턴을 가질 수 있다. 상기 차광 패턴을 전술한 AlOxNy로 형성하는 경우, 개구의 크기를 원하는 크기로 형성하기에 용이하며, 예컨대 직경이 1 내지 30 마이크로미터인 원형, 또는 선폭이 1 내지 30 마이크로미터인 선형의 개구를 가질 수 있다. 특히, 상기 차광 패턴을 전술한 AlOxNy로 형성하는 경우, 15 마이크로미터 이하의 고해상도 패턴을 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 노광 방식에 의한 스캔 무라 문제가 최소화될 수 있다. The shading pattern may have a pattern shape having a shape of a pattern to be implemented by UV exposure as an opening area. For example, when it is desired to form a pattern in the form of a column or a dot, the light shielding pattern may have a pattern having circular openings. When the shading pattern is formed of the aforementioned AlOxNy, it is easy to form the size of the opening to a desired size, for example, it has a circular opening having a diameter of 1 to 30 micrometers, or a linear opening having a line width of 1 to 30 micrometers. I can. In particular, when the shading pattern is formed of the aforementioned AlOxNy, a high-resolution pattern of 15 micrometers or less can be formed, and a scan mura problem caused by the exposure method can be minimized.

상기 차광 패턴을 구현하기 위해서는 통상적으로 사용되는 레이져를 이용한 직접(Direct) 노광 공정 외 포토리소 그라피를 활용하거나 오프셋 및 잉크젯 등 인쇄 기법을 이용하는 다양한 방법이 적용될 수 있다. 예컨대, 본 발명자들은 Al층 및 Al계 질산화물 각각의 단일 층 및 적층 (AlOxNy/Al)구조의 UV 영역 (100nm~400nm)에 대한 반사 및 흡수 파장을 측정한 결과, 적층 구조의 경우 UV 영역대에 대해서는 30% 이하의 반사율을 지니고 있음을 확인하였으며, 나머지 빛은 흡수함으로써 전체적으로 마스크 소재로 사용할 수 있음을 확인하였다. 다시 말하면, AlOxNy층 단독으로도 UV 파장에 대한 반투과특성 및 반사방지특성을 나타내므로, 종래의 마스크 구조에서 반사방지막의 역할을 할 수 있음을 확인하였다.In order to implement the shading pattern, various methods using photolithography or printing techniques such as offset and inkjet may be applied in addition to a direct exposure process using a laser that is commonly used. For example, the present inventors measured the reflection and absorption wavelengths in the UV region (100 nm to 400 nm) of the single layer and stacked (AlOxNy/Al) structure of each of the Al layer and the Al-based nitride oxide. For this, it was confirmed that it had a reflectance of 30% or less, and it was confirmed that it can be used as a mask material as a whole by absorbing the rest of the light. In other words, it was confirmed that the AlOxNy layer alone also exhibits semi-transmissive properties and anti-reflection properties for UV wavelengths, and thus can serve as an anti-reflection film in a conventional mask structure.

본 출원에 따른 필름 마스크는 상기와 같이 특정 물질의 차광 패턴을 가져, 플렉서블(Flexible)한 기재층 상에 형성 및 이에 따라 벤딩(bending)시 차광 패턴의 크랙(crack) 발생을 줄일 수 있어, 식각 공정에서 패턴의 유실이 발생하지 않는 특징을 갖게 된다.The film mask according to the present application has a light-shielding pattern of a specific material as described above, is formed on a flexible substrate layer, and accordingly, it is possible to reduce the occurrence of cracks in the light-shielding pattern when bending. It has a characteristic that the pattern is not lost in the process.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 투명 기판은 PET(polyethylene terephthalate), 폴리에스테르(polyester), PC(Polycarbonate), PI(polyimide), PEN(polyethylene naphthalate), PEEK(polyether ether ketone), PAR(polyarylate), PCO(polycylicolefin), 폴리노보넨(polynorbornene), PES(polyethersulphone) 및 COP(cycloolefin polymer)로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 필름 마스크를 제공한다.In the exemplary embodiment of the present application, the transparent substrate is PET (polyethylene terephthalate), polyester, PC (polycarbonate), PI (polyimide), PEN (polyethylene naphthalate), PEEK (polyether ether ketone), PAR ( polyarylate), PCO (polycylicolefin), polynorbornene (polynorbornene), PES (polyethersulphone) and COP (cycloolefin polymer) to provide a film mask selected from the group consisting of.

여기서 말하는 투명 기판은 기판이 투명하다는 것으로, 상기 투명하다는 의미는 가시광(400~700nm)의 광투과율이 80% 이상인 것을 나타낸다.The transparent substrate referred to herein means that the substrate is transparent, and the meaning of transparent means that the light transmittance of visible light (400 to 700 nm) is 80% or more.

또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 투명 기판은 PET(polyethylene terephthalate)일 수 있다.In another exemplary embodiment, the transparent substrate may be PET (polyethylene terephthalate).

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 투명 기판의 두께는 25 ㎛ 이상 300 ㎛ 이하, 바람직하게는 30 ㎛ 이상 270 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 40 ㎛ 이상 250 ㎛ 이하일 수 있다.In the exemplary embodiment of the present application, the thickness of the transparent substrate is not less than 25 ㎛ 300 ㎛ Hereinafter, preferably, it may be 30 µm or more and 270 µm or less, and more preferably 40 µm or more and 250 µm or less.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 투명 기판 및 상기 투명 기판의 일면에, 오목부와 볼록부를 포함하며, 볼록부를 적어도 3 이상 포함하는 투명 패턴 층을 준비하는 단계; 상기 투명 패턴 층의 상기 투명 기판과 접하는 면의 반대면에 차광층을 형성하는 단계; 상기 차광층을 포토레지스트 공정을 통해 에칭하여 차광 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 차광 패턴이 형성된 상기 투명 패턴 층의 상기 투명 기판과 접하는 면의 반대면에 표면 이형 층을 형성하는 단계를 포함하는 필름 마스크의 제조 방법으로,In the exemplary embodiment of the present application, the steps of: preparing a transparent substrate and a transparent pattern layer including a concave portion and a convex portion, and including at least three convex portions on one surface of the transparent substrate; Forming a light blocking layer on a surface of the transparent pattern layer opposite to a surface in contact with the transparent substrate; Etching the light-shielding layer through a photoresist process to form a light-shielding pattern; And forming a surface release layer on a surface of the transparent pattern layer on which the light blocking pattern is formed on a surface opposite to the surface in contact with the transparent substrate,

상기 차광 패턴은 투명 패턴 층의 적어도 하나의 볼록부 상에 구비된 제1 차광 패턴 및 상기 투명 패턴 층의 적어도 하나의 오목부 상에 구비된 제2 차광 패턴을 포함하며,The light blocking pattern includes a first light blocking pattern provided on at least one convex portion of the transparent pattern layer and a second light blocking pattern provided on at least one concave portion of the transparent pattern layer,

상기 볼록부의 적어도 하나의 선폭은 상기 제1 차광 패턴의 적어도 하나의 선폭보다 큰 것인 필름 마스크의 제조 방법을 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a film mask in which at least one line width of the convex portion is larger than at least one line width of the first light blocking pattern.

도 3은 본 출원의 일 실시상태에 따른 필름 마스크의 제조 방법을 나타낸 개략적 도이다.3 is a schematic diagram showing a method of manufacturing a film mask according to an exemplary embodiment of the present application.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 차광층을 포토레지스트 공정을 통해 에칭하여 차광 패턴을 형성하는 단계는 상기 차광층 상에 포토레지스트 조성물을 도포하는 단계; 상기 포토레지스트 조성물 상에 포토마스크 형성 및 상기 포토레지스트 조성물을 선택적 경화하는 단계; 및 상기 포토레지스트 조성물 중 미경화 영역을 제거한 후, 상기 차광층을 에칭하여 차광 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것인 필름 마스크의 제조 방법을 제공한다.In the exemplary embodiment of the present application, the forming of a light shielding pattern by etching the light shielding layer through a photoresist process comprises: applying a photoresist composition on the light shielding layer; Forming a photomask on the photoresist composition and selectively curing the photoresist composition; And after removing the uncured region of the photoresist composition, etching the light blocking layer to form a light blocking pattern.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 차광 패턴은 투명 패턴 층의 적어도 하나의 볼록부 상에 구비된 제1 차광 패턴 및 상기 투명 패턴 층의 적어도 하나의 오목부 상에 구비된 제2 차광 패턴을 포함하며, 상기 볼록부의 적어도 하나의 선폭은 상기 제1 차광 패턴의 적어도 하나의 선폭보다 큰 것으로, 상기와 같이 포토레지스트 공정에 의하여 형성될 수 있다.In the exemplary embodiment of the present application, the light blocking pattern includes a first light blocking pattern provided on at least one convex portion of the transparent pattern layer and a second light blocking pattern provided on at least one concave part of the transparent pattern layer. And at least one line width of the convex portion is larger than at least one line width of the first light blocking pattern, and may be formed by a photoresist process as described above.

구체적으로 차광 패턴을 형성하지 않는 구역의 경우, 상기 포토레지스트 조성물 상부에 포토마스크를 선택적으로 형성 및 경화 단계를 거친 후, 포토레지스트 조성물의 미경화 부분을 박리하고, 포토레지스트 조성물이 형성되지 않은 노출된 부분의 차광층을 선택적으로 에칭하는 공정에 의하여 특정한 위치에 특정 패턴을 갖는 차광 패턴이 형성될 수 있다. Specifically, in the case of a region where the light-shielding pattern is not formed, after selectively forming and curing a photomask on the photoresist composition, the uncured portion of the photoresist composition is peeled off, and the photoresist composition is not exposed. A light-shielding pattern having a specific pattern may be formed at a specific location by a process of selectively etching the light-shielding layer of the previously formed portion.

이하에서, 본 발명에 따른 필름 마스크를 통하여 패턴을 제작하는 공정에 대하여 설명한다.Hereinafter, a process of manufacturing a pattern through the film mask according to the present invention will be described.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 기판 및 상기 기판의 일면에 자외선 경화형 수지층을 준비하는 단계; 본 출원에 따른 필름 마스크의 상기 투명 패턴 층에 대응되는 면을 상기 자외선 경화형 수지층에 임프린팅(imprinting) 하는 단계; 상기 필름 마스크 측으로부터 자외선을 조사하는 단계; 상기 필름 마스크를 상기 자외선 경화형 수지층으로부터 박리하는 단계; 및 상기 자외선 경화형 수지층의 미경화 영역을 박리하는 단계를 포함하는 패턴의 제조 방법을 제공한다.In an exemplary embodiment of the present application, the step of preparing a substrate and an ultraviolet curable resin layer on one surface of the substrate; Imprinting a surface of the film mask according to the present application corresponding to the transparent pattern layer on the ultraviolet curable resin layer; Irradiating ultraviolet rays from the side of the film mask; Peeling the film mask from the ultraviolet curable resin layer; And peeling off the uncured region of the ultraviolet curable resin layer.

도 4는 본 출원의 일 실시상태에 따른 필름 마스크를 통한 패턴의 제조 방법을 나타낸 개략적 도이다.4 is a schematic diagram showing a method of manufacturing a pattern through a film mask according to an exemplary embodiment of the present application.

본 출원의 일 실시상태에 따른 필름 마스크는 투명 패턴 층이 오목부와 볼록부를 포함하며, 볼록부를 적어도 3 이상 포함하고, 상기 차광 패턴이 특정의 위치에 형성됨에 따라, 이를 통한 패턴의 제조시 2 중 단차를 갖는 패턴 및 이를 응요한 패턴을 보다 용이하게 형성할 수 있는 것을 특징으로 한다.In the film mask according to an exemplary embodiment of the present application, when the transparent pattern layer includes a concave portion and a convex portion, and includes at least three convex portions, and the light-shielding pattern is formed at a specific position, when the pattern is manufactured through the 2 It is characterized in that it is possible to more easily form a pattern having a middle step and a pattern corresponding to the same.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 필름 마스크 측으로부터 자외선을 조사하는 단계는 고압 UV 램프 등 다양한 광원 사용이 가능하며, 자외선 경화형 수지층의 종류 및 목적하는 패턴에 따라 적정 광량을 선택할 수 있으며, 투명 패턴일수록, 빛 투과 영역이 넓을수록 광량은 줄어들 수 있다.In the exemplary embodiment of the present application, in the step of irradiating ultraviolet rays from the side of the film mask, various light sources such as a high-pressure UV lamp may be used, and an appropriate amount of light may be selected according to the type of the ultraviolet curable resin layer and a desired pattern, The amount of light may decrease as the transparent pattern increases and the light transmittance area increases.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 필름 마스크 측으로부터 자외선을 조사하는 단계는 LED 램프로 100mJ/cm2 내지 5000mJ/cm2의 광량으로 1초 내지 1분 조사하는 공정을 포함하는 것인 패턴의 제조 방법을 제공한다.In the exemplary embodiment of the present application, the step of irradiating ultraviolet rays from the side of the film mask is 100mJ/cm 2 with an LED lamp. It provides a method for producing a pattern comprising the step of irradiating for 1 second to 1 minute with an amount of light of to 5000 mJ/cm 2.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 필름 마스크 측으로부터 자외선을 조사하는 단계는 라드텍 社의 395nm LED 램프를 광원을 이용할 수 있으며, 500rpm, 20Dial 수준으로 노광할 수 있다.In the exemplary embodiment of the present application, in the step of irradiating ultraviolet rays from the side of the film mask, a 395nm LED lamp of Radtech may be used as a light source, and exposure may be performed at a level of 500rpm and 20Dial.

상기 자외선 조사를 통하여 자외선 경화형 수지층이 경화되며, 이 때 상기 필름 마스크에 형성된 차광 패턴에 대응되는 부분은 자외선이 투과되지 않아 경화되지 않으며, 이에 따라 상기 필름 마스크를 박리하고, 미경화 영역을 제거하는 경우 원하는 형태의 패턴을 형성할 수 있는 특징을 갖게 된다.The UV-curable resin layer is cured through the UV irradiation, and at this time, the portion corresponding to the light-shielding pattern formed on the film mask does not pass through and is not cured. Accordingly, the film mask is peeled off and the uncured area is removed. In this case, it has a characteristic capable of forming a pattern of a desired shape.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 자외선 경화형 수지층의 미경화 영역을 박리하는 단계 이후, 상기 자외선 경화형 수지의 잔류층(Residual Layer)의 높이는 H2이며, 상기 H2는 하기 식 3을 만족하는 것인 패턴의 제조 방법을 제공한다.In the exemplary embodiment of the present application, after the step of peeling off the uncured region of the UV-curable resin layer, the height of the residual layer of the UV-curable resin is H2, and H2 satisfies Equation 3 below. It provides a method for producing a phosphorus pattern.

[식 3][Equation 3]

1 μm ≤ H2 ≤ 1000μm1 μm ≤ H2 ≤ 1000 μm

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 식 3은 0.1 μm ≤ H2 ≤ 100μm일 수 있으며, 0.5 μm ≤ H2 ≤ 50μm, 바람직하게는 1 μm ≤ H2 ≤ 30μm일 수 있다.In the exemplary embodiment of the present application, Equation 3 may be 0.1 μm ≤ H2 ≤ 100 μm, 0.5 μm ≤ H2 ≤ 50 μm, preferably 1 μm ≤ H2 ≤ 30 μm.

도 5는 본 출원에 따라 형성된 패턴의 일 예시를 나타낸 도이다. 도 5에서 확인할 수 있듯, 본 발명에 따른 패턴의 제조 방법으로 형성된 패턴은 2중의 단차를 갖는 형태를 가짐을 확인할 수 있다.5 is a diagram illustrating an example of a pattern formed according to the present application. As can be seen from FIG. 5, it can be seen that the pattern formed by the method of manufacturing a pattern according to the present invention has a shape having a double step difference.

이하에서, 실시예를 통하여 본 명세서를 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 이하의 실시예는 본 명세서를 예시하기 위한 것일 뿐, 본 명세서를 한정하기 위한 것은 아니다.Hereinafter, the present specification will be described in more detail through examples. However, the following examples are for illustrative purposes only and are not intended to limit the present specification.

<< 제조예Manufacturing example >>

<필름 마스크의 제조-<Production of film mask- 실시예Example 1> 1>

투명 기판 상에, 25um DFR을 100℃ 조건에서 열 라미네이트 한다. 이후 피치(Pitch) 350um 패턴의 허니컴(honeycomb) 패턴 (일부 단선 적용) 마스크를 이용하여(허니컴 패턴만 빛이 차광됨) 노광한다. 노광 후, 현상 공정을 통해서 미경화된 허니컴 음각 영역을 제거하여 투명 패턴 층을 형성하였다. 노광 공정에 있어서, 광량은 당업자에 따라 광량을 제어하여, 선폭 함께 제어하였다.On the transparent substrate, 25um DFR is thermally laminated at 100°C. Thereafter, exposure is performed using a honeycomb pattern (some disconnection applied) with a pitch of 350um pattern (only the honeycomb pattern is shielded from light). After exposure, the uncured honeycomb intaglio region was removed through a developing process to form a transparent pattern layer. In the exposure step, the amount of light was controlled according to a person skilled in the art, and the line width was also controlled.

위와 같이 제작된 투명 패턴 층 상에 R2R Sputter 공정을 통해서 차광 층으로, 알루미늄(Al)계 블랙 메탈을 증착하였다.An aluminum (Al)-based black metal was deposited as a light-shielding layer on the transparent pattern layer prepared as above through the R2R sputter process.

이후, 전면에 포토레지스트(네거티브)를 코팅한 후, 후열처리를 통해 도막을 안정적으로 만든다. 그 후 라인 패턴(400um 투과, 200um 미투과)의 필름 마스크를 이용하여 노광한다. 그 후 현상 공정을 통해서 미경화 영역 (200um) 영역의 레지스트를 제거하여, 라인 형상의 포토레지스트 패턴을 형성한다.Thereafter, after coating a photoresist (negative) on the entire surface, the coating film is stably made through post-heat treatment. After that, exposure is performed using a film mask having a line pattern (400um transmission, 200um non-transmission). Thereafter, the resist in the uncured region (200 μm) is removed through a developing process to form a line-shaped photoresist pattern.

그 후 Al 식각액을 통해 포토레지스트 패턴이 없는 영역을 식각한 후에, 박리 공정을 통해서 레지스트를 제거하고, 최종적으로 필름 상에 표면 이형 층을 형성시켰다.Thereafter, after etching the region without the photoresist pattern through an Al etching solution, the resist was removed through a peeling process, and a surface release layer was finally formed on the film.

도 6은 본 출원의 일 실시상태에 따른 필름 마스크의 광학현미경 형상 및 이를 이용하여 제작된 패턴의 형상을 나타낸 도이다. 구체적으로 A-IFM 형상은 실시예 1에 따라 제조된 필름 마스크의 광학현미경 형상(투과모드)을 나타낸 것이며, 패턴형상(OM)은 실시예 1에 따른 필름 마스크를 이용하여 제작한 패턴의 광학현미경 형상(투과모드)을 나타낸 것이고, 패턴형상(OP)는 실시예 1에 따른 필름 마스크를 이용하여 제작한 패턴의 광학프로필러(Optical Profiler) 형상(3D 모드)이고, 실시예 1에 따른 필름 마스크를 이용하여 제작한 패턴의 SEM(주사전자현미경) 이미지를 나타낸 도이다.6 is a view showing the shape of an optical microscope of a film mask according to an exemplary embodiment of the present application and a shape of a pattern manufactured using the same. Specifically, the A-IFM shape represents the optical microscope shape (transmission mode) of the film mask manufactured according to Example 1, and the pattern shape (OM) is an optical microscope of a pattern manufactured using the film mask according to Example 1. The shape (transmission mode) is shown, and the pattern shape (OP) is an optical profiler shape (3D mode) of a pattern produced using the film mask according to Example 1, and the film mask according to Example 1 is used. It is a diagram showing a scanning electron microscope (SEM) image of a pattern produced by using.

도 7은 본 출원의 일 실시상태에 따른 필름 마스크를 이용하여 제작된 패턴의 광학프로필러 형상을 나타낸 도이다. 구체적으로 본 출원에 따른 실시예 1에 따라 제작된 패턴의 높이를 측정한 것으로, 패턴의 높이는 25μm이며, 오목부의 깊이는 15μm~20μm 수준으로 측정되었다.7 is a diagram showing the shape of an optical profiler of a pattern manufactured using a film mask according to an exemplary embodiment of the present application. Specifically, the height of the pattern manufactured according to Example 1 according to the present application was measured, and the height of the pattern was 25 μm, and the depth of the recess was measured at a level of 15 μm to 20 μm.

<< 비교예Comparative example 1- 필름 마스크의 제조> 1- Preparation of film mask>

투명 기판 상에, 25um DFR을 100℃조건에서 열라미네이트 한다. 원형 패턴 마스크를 이용하여(메쉬 패턴만 빛이 차광됨) 노광한다. 노광 후, 현상 공정을 통해서 미경화된 메쉬 음각 영역을 제거하여 투명 패턴 층을 형성하였다. 노광 공정에 있어서, 광량은 당업자에 따라 광량을 제어하여, 선폭 함께 제어하였다.On the transparent substrate, 25um DFR is thermally laminated at 100°C. Exposure is performed using a circular pattern mask (only the mesh pattern is shaded from light). After exposure, the uncured mesh intaglio region was removed through a developing process to form a transparent pattern layer. In the exposure step, the amount of light was controlled according to a person skilled in the art, and the line width was also controlled.

위와 같이 제작된 투명 패턴 층 상에 R2R Sputter 공정을 통해서 차광 층으로, 알루미늄(Al)계 블랙 메탈을 증착하였다On the transparent pattern layer prepared as above, an aluminum (Al)-based black metal was deposited as a light-shielding layer through the R2R sputter process.

일반 리버스 오프 공정을 통해서 투명 패턴 층의 볼록부 전면에 레지스트 패턴을 형성하였다. A resist pattern was formed on the entire surface of the convex portion of the transparent pattern layer through a general reverse-off process.

그 후 알루미늄(Al) 식각액을 통해 상기 투명 패턴 층의 레지스트가 없는 영역을 식각한 후에, 박리 공정을 통해서 레지스트를 제거하여 투명 패턴 층의 볼록부 전면에 차광 패턴을 형성하였다Thereafter, after etching the resist-free region of the transparent pattern layer through an aluminum (Al) etchant, the resist was removed through a stripping process to form a light-shielding pattern on the entire convex portion of the transparent pattern layer.

그 후, 기상 증착 방식을 통해서 실리콘 및 불소 계열이 혼재된 표면 이형 층을 상기 차광 패턴이 형성된 투명 패턴 층의 상부에 표면 처리하여 형성하였다.Thereafter, through a vapor deposition method, a surface release layer in which silicon and fluorine-based mixtures are mixed was formed by surface treatment on the transparent pattern layer on which the light-shielding pattern was formed.

도 8은 상기 비교예 1에 따른 필름 마스크의 제조 방법을 나타낸 개략적 도이다. 구체적으로, 투명 패턴 층의 볼록부 전면에 레지스트 패턴을 형성함에 따라, 투명 패턴 층의 볼록부 전면에 차광 패턴이 형성 되었음을 확인할 수 있었다.8 is a schematic diagram showing a method of manufacturing a film mask according to Comparative Example 1. Specifically, as the resist pattern was formed on the entire surface of the convex portion of the transparent pattern layer, it was confirmed that the light-shielding pattern was formed on the entire surface of the convex portion of the transparent pattern layer.

도 9는 비교예 1에 따른 필름 마스크로부터 형성된 패턴의 광학현미경 형상을 나타낸 도이다. 구체적으로 상기 실시예 1에서 형성된 패턴(2중 단차 패턴)과 비교하였을 때, 단차가 없는 형태를 가짐을 확인할 수 있었다.9 is a view showing the shape of an optical microscope of a pattern formed from a film mask according to Comparative Example 1. Specifically, when compared with the pattern formed in Example 1 (double stepped pattern), it was confirmed that it had a shape without step.

즉, 본 출원의 일 실시상태에 따른 필름 마스크는 투명 패턴 층이 오목부와 볼록부를 포함하며, 볼록부를 적어도 3 이상 포함하고, 적어도 하나의 오목부 및 적어도 하나의 볼록부에 차광 패턴을 형성하며, 상기 볼록부의 적어도 하나의 선폭이 상기 차광 패턴의 적어도 하나의 선폭보다 큰 것으로 이루어져, 이를 통한 패턴의 제조시 2중 단차를 갖는 패턴을 보다 용이하게 형성할 수 있음을 확인할 수 있었다.That is, in the film mask according to the exemplary embodiment of the present application, the transparent pattern layer includes a concave portion and a convex portion, includes at least three convex portions, and forms a light-shielding pattern on at least one concave portion and at least one convex portion. , It was confirmed that at least one line width of the convex portion was made to be larger than at least one line width of the light-shielding pattern, so that a pattern having a double step difference can be more easily formed when the pattern is manufactured through the same.

10: 투명 기판
20: 투명 패턴 층
30: 표면 이형 층
40: 제1 차광 패턴
50: 제2 차광 패턴
60: 자외선 경화형 수지층
70: 기판
A1: 볼록부의 선폭
A2: 제1 차광 패턴의 선폭
H1: 오목부의 깊이
H3: 차광 패턴의 높이10: transparent substrate
20: transparent pattern layer
30: surface release layer
40: first shading pattern
50: second shading pattern
60: UV curable resin layer
70: substrate
A1: Line width of the convex part
A2: Line width of the first shading pattern
H1: depth of recess
H3: height of the shading pattern

Claims (13)

투명 기판;
상기 투명 기판의 일면에 구비되고, 오목부와 볼록부를 포함하며, 상기 볼록부를 적어도 3 이상 포함하는 투명 패턴 층;
상기 투명 패턴 층의 적어도 하나의 볼록부 상에 구비된 제1 차광 패턴 및 상기 투명 패턴 층의 적어도 하나의 오목부 상에 구비된 제2 차광 패턴을 포함하는 차광 패턴; 및
상기 제1 및 제2 차광 패턴이 형성된 상기 투명 패턴 층의 상기 투명 기판과 접하는 면의 반대면에 구비된 표면 이형 층;
을 포함하는 필름 마스크로,
상기 볼록부의 적어도 하나의 선폭은 상기 제1 차광 패턴의 적어도 하나의 선폭보다 큰 것인 필름 마스크.Transparent substrate;
A transparent pattern layer provided on one surface of the transparent substrate, including a concave portion and a convex portion, and including at least three convex portions;
A light blocking pattern including a first light blocking pattern provided on at least one convex part of the transparent pattern layer and a second light blocking pattern provided on at least one concave part of the transparent pattern layer; And
A surface release layer provided on a surface opposite to a surface of the transparent pattern layer on which the first and second blocking patterns are formed and in contact with the transparent substrate;
With a film mask comprising a,
A film mask wherein at least one line width of the convex portion is larger than at least one line width of the first light blocking pattern. 청구항 1에 있어서,
상기 볼록부의 선폭은 A1, 상기 제1 차광 패턴의 선폭은 A2이고,
상기 A1 및 A2는 하기 식 1을 만족하는 것인 필름 마스크:
[식 1]
0.1 < A2/A1 < 0.95The method according to claim 1,
The line width of the convex portion is A1, the line width of the first shading pattern is A2,
A1 and A2 is a film mask that satisfies Equation 1 below:
[Equation 1]
0.1 <A2/A1 <0.95 청구항 1에 있어서,
상기 오목부의 깊이는 H1이며,
상기 H1은 하기 식 2를 만족하는 것인 필름 마스크:
[식 2]
1 μm ≤ H1 ≤ 500μmThe method according to claim 1,
The depth of the recess is H1,
The H1 is a film mask that satisfies the following formula 2:
[Equation 2]
1 μm ≤ H1 ≤ 500 μm 청구항 1에 있어서,
상기 표면 이형 층은 아세테이트계, 폴리에스테르계, 폴리에테르술폰계, 폴리카보네이트계, 폴리아미드계, 폴리이미드계, 폴리올레핀계, 시클로올레핀계, 폴리우레탄계, 아크릴계, 불소계 및 실리콘계 수지로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상을 포함하는 것인 필름 마스크.The method according to claim 1,
The surface release layer is selected from the group consisting of acetate-based, polyester-based, polyethersulfone-based, polycarbonate-based, polyamide-based, polyimide-based, polyolefin-based, cycloolefin-based, polyurethane-based, acrylic, fluorine-based and silicone-based resins. The film mask comprising at least one of the. 청구항 1에 있어서,
상기 차광 패턴은 물리적 연성(Phisical Ductility)이 0.55 이상인 금속을 포함하는 금속층, 물리적 연성(Phisical Ductility)이 0.55 이상인 금속의 금속산화물층, 물리적 연성(Phisical Ductility)이 0.55 이상인 금속의 금속질화물층 및 물리적 연성(Phisical Ductility)이 0.55 이상인 금속의 금속산질화물층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 층을 포함하는 것인 필름 마스크.The method according to claim 1,
The shading pattern includes a metal layer including a metal having a physical ductility of 0.55 or more, a metal oxide layer of a metal having a physical ductility of 0.55 or more, a metal nitride layer of a metal having a physical ductility of 0.55 or more, and physical ductility. A film mask comprising at least one layer selected from the group consisting of a metal oxynitride layer of a metal having a physical ductility of 0.55 or more. 청구항 1에 있어서, 상기 차광 패턴은 UV 영역대의 반사율이 30% 이하인 것인 필름 마스크.The film mask of claim 1, wherein the light blocking pattern has a reflectance of 30% or less in the UV region. 청구항 5에 있어서,
상기 차광 패턴은 알루미늄층(Al) 및 알루미늄 산질화물층(AlOxNy)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 층을 포함하며,
상기 알루미늄 산질화물층(AlOxNy)에 있어서, x 및 y는 Al 1 원자에 대한 각각의 O 및 N의 원자 수의 비를 의미하며,
0 ≤ x ≤ 1.5 이고,
0 ≤ y ≤ 1인 것인 필름 마스크.The method of claim 5,
The light blocking pattern includes at least one layer selected from the group consisting of an aluminum layer (Al) and an aluminum oxynitride layer (AlOxNy),
In the aluminum oxynitride layer (AlOxNy), x and y refer to the ratio of the number of atoms of O and N, respectively, to Al 1 atom,
0 ≤ x ≤ 1.5,
A film mask wherein 0≦y≦1. 청구항 1에 있어서,
상기 투명 기판은 PET(polyethylene terephthalate), 폴리에스테르(polyester), PC(Polycarbonate), PI(polyimide), PEN(polyethylene naphthalate), PEEK(polyether ether ketone), PAR(polyarylate), PCO(polycylicolefin), 폴리노보넨(polynorbornene), PES(polyethersulphone) 및 COP(cycloolefin polymer)로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 필름 마스크.The method according to claim 1,
The transparent substrate is PET (polyethylene terephthalate), polyester, PC (polycarbonate), PI (polyimide), PEN (polyethylene naphthalate), PEEK (polyether ether ketone), PAR (polyarylate), PCO (polycylicolefin), poly The film mask that is selected from the group consisting of norbornene (polynorbornene), PES (polyethersulphone) and COP (cycloolefin polymer). 투명 기판 및 상기 투명 기판의 일면에, 오목부와 볼록부를 포함하며, 상기 볼록부를 적어도 3 이상 포함하는 투명 패턴 층을 준비하는 단계;
상기 투명 패턴 층의 상기 투명 기판과 접하는 면의 반대면에 차광층을 형성하는 단계;
상기 차광층을 포토레지스트 공정을 통해 에칭하여 차광 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 차광 패턴이 형성된 상기 투명 패턴 층의 상기 투명 기판과 접하는 면의 반대면에 표면 이형 층을 형성하는 단계;
를 포함하는 필름 마스크의 제조 방법으로,
상기 차광 패턴은 투명 패턴 층의 적어도 하나의 볼록부 상에 구비된 제1 차광 패턴 및 상기 투명 패턴 층의 적어도 하나의 오목부 상에 구비된 제2 차광 패턴을 포함하며,
상기 볼록부의 적어도 하나의 선폭은 상기 제1 차광 패턴의 적어도 하나의 선폭보다 큰 것인 필름 마스크의 제조 방법.Preparing a transparent substrate and a transparent pattern layer on one surface of the transparent substrate, including a concave portion and a convex portion, and including at least three convex portions;
Forming a light blocking layer on a surface of the transparent pattern layer opposite to a surface in contact with the transparent substrate;
Etching the light-shielding layer through a photoresist process to form a light-shielding pattern; And
Forming a surface release layer on a surface of the transparent pattern layer on which the light blocking pattern is formed on a surface opposite to a surface in contact with the transparent substrate;
As a method of manufacturing a film mask comprising a,
The light blocking pattern includes a first light blocking pattern provided on at least one convex portion of the transparent pattern layer and a second light blocking pattern provided on at least one concave portion of the transparent pattern layer,
The method of manufacturing a film mask, wherein at least one line width of the convex portion is larger than at least one line width of the first light blocking pattern. 청구항 9에 있어서,
상기 차광층을 포토레지스트 공정을 통해 에칭하여 차광 패턴을 형성하는 단계는
상기 차광층 상에 포토레지스트 조성물을 도포하는 단계;
상기 포토레지스트 조성물 상에 포토마스크 형성 및 상기 포토레지스트 조성물을 선택적 경화하는 단계; 및
상기 포토레지스트 조성물 중 미경화 영역을 제거한 후, 상기 차광층을 에칭하여 차광 패턴을 형성하는 단계;
를 포함하는 것인 필름 마스크의 제조 방법.The method of claim 9,
Etching the light-shielding layer through a photoresist process to form a light-shielding pattern
Applying a photoresist composition on the light-shielding layer;
Forming a photomask on the photoresist composition and selectively curing the photoresist composition; And
After removing the uncured region of the photoresist composition, etching the light blocking layer to form a light blocking pattern;
The method of manufacturing a film mask comprising a. 청구항 9에 있어서,
상기 차광 패턴이 형성된 상기 투명 패턴 층의 상기 투명 기판과 접하는 면의 반대면에 표면 이형 층을 형성하는 단계는
상기 차광 패턴이 형성된 상기 투명 패턴 층의 전면에 습식 코팅; 또는 건식 코팅 공정으로 형성하는 것인 필름 마스크의 제조 방법.The method of claim 9,
The step of forming a surface release layer on a surface of the transparent pattern layer on which the light blocking pattern is formed is opposite to a surface in contact with the transparent substrate
Wet coating on the entire surface of the transparent pattern layer on which the light blocking pattern is formed; Or a method of manufacturing a film mask to be formed by a dry coating process. 기판 및 상기 기판의 일면에 자외선 경화형 수지층을 준비하는 단계;
청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 따른 필름 마스크의 상기 투명 패턴 층에 대응되는 면을 상기 자외선 경화형 수지층에 임프린팅(imprinting) 하는 단계;
상기 필름 마스크 측으로부터 자외선을 조사하는 단계;
상기 필름 마스크를 상기 자외선 경화형 수지층으로부터 박리하는 단계; 및
상기 자외선 경화형 수지층의 미경화 영역을 박리하는 단계;
를 포함하는 패턴의 제조 방법.Preparing a substrate and an ultraviolet curable resin layer on one surface of the substrate;
Imprinting a surface of the film mask according to any one of claims 1 to 8, corresponding to the transparent pattern layer, on the UV-curable resin layer;
Irradiating ultraviolet rays from the side of the film mask;
Peeling the film mask from the ultraviolet curable resin layer; And
Peeling off the uncured region of the ultraviolet curable resin layer;
A method for producing a pattern comprising a. 청구항 12에 있어서,
상기 자외선 경화형 수지층의 미경화 영역을 박리하는 단계 이후,
상기 자외선 경화형 수지의 잔류층(Residual Layer)의 높이는 H2이며,
상기 H2는 하기 식 3을 만족하는 것인 패턴의 제조 방법:
[식 3]
1 μm ≤ H2 ≤ 1000μmThe method of claim 12,
After the step of peeling off the uncured region of the ultraviolet curable resin layer,
The height of the residual layer of the UV-curable resin is H2,
The H2 is a method for producing a pattern that satisfies the following formula 3:
[Equation 3]
1 μm ≤ H2 ≤ 1000 μm
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