KR20070098690A - Nano imprint mask and method for manufacturing thereof - Google Patents

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Abstract

A nano imprint mask and a manufacturing method thereof are provided to inspect easily a defect on a pattern by preventing a transparent substrate from being etched. A nano imprint mask includes a transparent substrate(1) and a first photoresist(4). The first photoresist is formed on one, which is selected from the group consisting of a pressure film(2), a combination of a semi-pressure film(5) and the pressure film, a combination of the pressure film and an anti-reflection film(3), and the combination of a semi-pressure film, the pressure film, and the anti-reflection film. A planarization degree of the transparent substrate lies between 0.1 and 50mum. A heat expansion ratio of the transparent substrate lies between 10^-7 and 10^-5/°C.

Description

나노 임프린트 마스크 및 그 제조방법{Nano imprint mask and method for manufacturing thereof}Nano imprint mask and method for manufacturing thereof

도 1은 종래의 나노 임프린트 마스크를 이용한 임프린트 공정의 개략적인 단면도.1 is a schematic cross-sectional view of an imprint process using a conventional nanoimprint mask.

도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 제1 내지 제6 블랭크 마스크의 단면도.2A to 2F are cross-sectional views of the first to sixth blank masks of the present invention.

도 3a 내지 도3c는 본 발명인 나노 임프린트 마스크를 개략적으로 도시한 단면도. 3A to 3C are cross-sectional views schematically showing the nanoimprint mask of the present invention.

본 발명의 제1 내지 제3 나노 임프린트 마스크의 제조방법을 개략적으로 도시한 공정 단면도.Process sectional drawing which shows schematically the manufacturing method of the 1st thru | or 3rd nanoimprint mask of this invention.

도 7 및 도 8은 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크의 개략적인 공정 단면도.7 and 8 are schematic process cross-sectional views of nanoimprint masks according to the first and second embodiments of the present invention.

도 9 및 도 10은 제3 및 제4 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크의 개략적인 공정 단면도 및 평면도.9 and 10 are schematic process cross-sectional views and plan views of nanoimprint masks according to third and fourth embodiments.

도 11은 본 발명의 제5 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크의 개략적인 공정 단면도.11 is a schematic process cross-sectional view of a nano imprint mask according to a fifth embodiment of the present invention.

도 12는 제6 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크의 개략적인 공정 단면도 및 평면도.12 is a schematic process cross-sectional view and plan view of the nanoimprint mask according to the sixth embodiment;

도 13 및 도 14는 제7 및 제 8 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크의 개략적인 공정 단면도 및 평면도.13 and 14 are schematic process cross-sectional views and plan views of the nanoimprint mask according to the seventh and eighth embodiments.

도 15 본 발명의 제 제 8 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크의 개략적인 공정 단면도.15 is a schematic cross-sectional view of a nanoimprint mask according to an eighth embodiment of the present invention.

도 16은 본 발명의 나노 임프린트 마스크에 의한 임프린트 공정을 개략적으로 도시한 단면도.16 is a cross-sectional view schematically showing an imprint process with a nano imprint mask of the present invention.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>

1 : 투명기판 2 : 압착막1: transparent substrate 2: compressed film

3 : 반사방지막 4, 8 : 제1 및 제2 포토레지스트3: anti-reflection film 4, 8: first and second photoresist

5 : 반압착막 6: 식각저지막5: anti-compression film 6: etch stop film

7 : 점착방지막 30 : TFT 기판 7: anti-sticking film 30: TFT substrate

31 : TFT막 32 : 광경화성 수지 또는 열가소성 수지31 TFT film 32 Photocurable resin or thermoplastic resin

200 : 나노 임프린트 마스크 230 : 압착패턴200: nano imprint mask 230: compression pattern

231, 232: 압착패턴의 압착패턴의 측면231, 232: side of the pressing pattern of the pressing pattern

235: 압착패턴의 상면 235: top surface of the crimp pattern

251, 252: 반압착패턴의 압착패턴의 측면251, 252: side of the compression pattern of the anti-compression pattern

255: 반압착패턴의 상면 255: upper surface of the anti-compression pattern

250 : 반압착패턴 270 : 수지경화패턴250: anti-compression pattern 270: resin cured pattern

500 : 소스 패턴 501 : 드레인 패턴500: source pattern 501: drain pattern

502 : 채널 패턴 503a, 503b : 셀프 얼라인 개구부502: channel patterns 503a and 503b: self-aligned opening

본 발명은 TFT-LCD와 같은 디스플레이 장치용의 TFT(Thin Film Transistor) 및 편광판 등을 제조하기 위해 사용하는 블랭크 마스크와 나노 임프린트(Nano Imprint) 마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 1층 내지 4층 구조의 박막과 포토레지스트가 코팅된 블랭크 마스크와, 상기 각 블랭크 마스크를 이용하여 서로 다른 두께의 압착패턴과, 수지경화패턴 및 반압착패턴이 형성된 나노 임프린트 마스크 및 그 제조방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a blank mask and a nano imprint mask used for manufacturing a thin film transistor (TFT) and a polarizing plate for a display device such as a TFT-LCD, and a method of manufacturing the same. A blank mask coated with a thin layer and a four-layer structure and a photoresist, a nanoimprint mask having different thicknesses of compression patterns, a resin hardening pattern, and a semi-compression pattern using the blank masks, and a method of manufacturing the same will be.

일반적으로, TFT-LCD(Thin Film Transistor - Liquid Crystal Display) 및 PDP(Plasma Display Panel) 등의 평판 디스플레이 제품은 사진공정(Lithography)에 의한 미세 회로 패턴을 형성하여 제조된다. 이러한 사진공정에 사용되는 노광장치는 가격이 워낙 고가인데다 평판 디스플레이 제품의 제조시 사진공정에 소요되는 재료비가 높아 전체적으로 평판 디스플레이 제품의 제조비용을 높이는 원인이 된다.In general, flat panel display products such as TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display) and PDP (Plasma Display Panel) are manufactured by forming a fine circuit pattern by photolithography. The exposure apparatus used in such a photolithography process is very expensive and the material cost required for the photolithography process in manufacturing a flat panel display product increases the overall manufacturing cost of the flat panel display product.

따라서 상기의 제조비용을 감소하기 위하여 많은 기술개발이 진행되고 있다. 예를 들면 TFT-LCD의 경우 슬릿 마스크(Slit Mask)등의 그레이톤 마스크(Graytone)를 이용한 마스크 단축 공정이 적용되고 있으며 최근에는 5회의 사진공정을 거치는 5-마스크 공정에서 4회의 사진공정을 거치는 3-마스크 공정이 적용되고 있는 추세이다.Therefore, in order to reduce the manufacturing cost, a lot of technical developments are in progress. For example, in the case of TFT-LCD, a mask shortening process using graytone, such as a slit mask, is applied, and recently, a photo masking process is performed in a five-mask process, which is a five-time photo process. Three-mask processes are being applied.

그러나 여전히 사진공정을 실시하여야만 하기 때문에 평판 디스플레이 제품의 제조비용 감소에 한계점으로 작용하는 문제점이 있었다. 또한 현재의 사진공정 장비의 해상도의 한계로 인하여 미세 패턴을 형성하는데 문제점이 있으며 TFT-LCD 분야의 경우 2㎛ 이하의 패턴을 형성하기 어려운 문제점이 있었다.However, there is still a problem in that the manufacturing process of the flat panel display products to reduce the manufacturing cost because it still has to perform a photo process. In addition, there is a problem in forming a fine pattern due to the limitation of the resolution of the current photographic processing equipment, and in the case of the TFT-LCD field, there is a problem that it is difficult to form a pattern of 2 μm or less.

상기의 문제점을 해결하기 위하여 최근, 평판 디스플레이 분야에도 나노 임프린트(Nano Imprint)기술이 각광받고 있으며, 도 1과 함께 설명한다.In order to solve the above problems, recently, the field of flat panel display has also been in the spotlight Nano Imprint (Nano Imprint) technology, will be described with reference to FIG.

도 1은 종래의 나노 임프린트 마스크를 이용한 임프린트 공정의 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of an imprint process using a conventional nano imprint mask.

상기의 나노 임프린트 기술은, 도 1a 내지 도 1c에 도시된 바와 같이, 일정한 높이의 패턴이 형성된 나노 임프린트 마스크(또는 스탬프 마스크, 100)를 사용하여 광경화성 또는 열가소성 수지(32)를 압착 및 경화시킨다.The nanoimprint technique, as illustrated in FIGS. 1A to 1C, compresses and cures the photocurable or thermoplastic resin 32 using a nanoimprint mask (or stamp mask) 100 having a pattern having a constant height. .

이때, 상기 광경화성 또는 열가소성 수지(32)는 기판(10) 상에 적층된 제1 및 제2 박막(11, 12) 상에 위치하며, 상기 나노 임프린트 마스크(100)의 일측 상기 패턴 전면과 맞닿아 압착된다. 이어서, 상기 패턴이 형성되어 있지 않은 나노 임프린트 마스크(100)의 타측에 자외선을 조사하거나, 가열 후 냉각하여 상기 광경화성 또는 열가소성 수지(32)에 상기 패턴이 전사되도록 한다. 상기의 나노 임프린트 기술은 반도체 분야의 경우 0.1㎛ 이하의 패턴을 형성할 수 있는 기술로 개발되고 있기 때문에 평판 디스플레이 제품의 제조에 사용하는 경우 종래의 사진공정에 의한 해상도의 한계를 극복할 수 있으며 사진공정에 비하여 제조비용이 절감된다.In this case, the photocurable or thermoplastic resin 32 is positioned on the first and second thin films 11 and 12 stacked on the substrate 10 and is aligned with the entire surface of the pattern on one side of the nanoimprint mask 100. It comes in contact and compresses. Subsequently, ultraviolet rays are irradiated to the other side of the nanoimprint mask 100 in which the pattern is not formed, or cooled after heating to allow the pattern to be transferred to the photocurable or thermoplastic resin 32. Since the nanoimprint technology has been developed as a technology capable of forming a pattern of 0.1 μm or less in the semiconductor field, the nanoimprint technology can overcome the limitations of the resolution due to the conventional photo process when used in the manufacture of flat panel display products. The manufacturing cost is reduced compared to the process.

그러나 상기 종래의 나노 임프린트 기술은 TFT-LCD 제조시 마스크 단축 공정 을 수행할 수 없는 문제점이 있었다. 또한 투명기판을 건식식각하여 평판 디스플레이 제조용 나노 임프린트 마스크를 제조하는 경우 패턴의 검사가 어렵고 또한 반도체용 나노 임프린트 마스크와 달리 대면적의 기판에 건식식각을 수행해야 하는 등의 마스크 제조시의 어려움이 있으며 특히, 투명기판을 건식식각 공정을 수행하게 되면 고가의 투명기판의 재사용이 불가능하여 제조 단가가 높아지는 문제점이 있었다. 또한 나노 임프린트 공정시 나노 임프린트 마스크와 광경화성 또는 열가소성 수지와의 점착에 의한 마스크의 오염으로 인하여 패턴의 불량을 일으키는 문제점이 있었다.However, the conventional nanoimprint technology has a problem that a mask shortening process cannot be performed when manufacturing a TFT-LCD. In addition, when manufacturing a nanoimprint mask for manufacturing a flat panel display by dry etching a transparent substrate, it is difficult to inspect a pattern, and unlike a semiconductor nanoimprint mask, there is a difficulty in manufacturing a mask such as dry etching on a large-area substrate. In particular, when the dry etching process is performed on the transparent substrate, it is impossible to reuse expensive transparent substrates, thereby increasing the manufacturing cost. In addition, the nanoimprint process has a problem in that the defect of the pattern due to the contamination of the mask by the adhesion between the nanoimprint mask and the photocurable or thermoplastic resin.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 마스크 단축 공정을 위해 1층 내지 4층 구조의 박막과 포토레지스트가 코팅된 블랭크 마스크와, 상기 블랭크 마스크를 이용하여 두께변조 가능한 나노 임프린트 마스크 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.The present invention was devised to solve the above problems, a blank mask coated with a thin film and a photoresist of 1 to 4 layers structure for the mask shortening process, and a thickness-modifiable nanoimprint mask using the blank mask. And to provide a method for producing the same.

본 발명의 또 다른 목적은, 패턴의 검사가 쉬운 나노 임프린트 마스크를 제공할 수 있게 하는 것이다.It is still another object of the present invention to provide a nanoimprint mask that is easy to inspect patterns.

본 발명의 또 다른 목적은, 건식식각 방법을 사용하지 않는 두께변조 나노 임프린트 블랭크 마스크와 나노 임프린트 마스크 및 그 제조 방법을 제공할 수 있게 하는 것이다.Still another object of the present invention is to provide a thickness modulated nanoimprint blank mask, a nanoimprint mask, and a method of manufacturing the same, which do not use a dry etching method.

본 발명의 또 다른 목적은, 셀프 얼라인이 가능하여 1차 패턴과 2차 패턴의 얼라인 문제가 없는 블랭크 마스크와 나노 임프린트 마스크 및 그 제조 방법을 제 공할 수 있게 하는 것이다.Still another object of the present invention is to provide a blank mask, a nano imprint mask, and a manufacturing method thereof, which can be self-aligned so that there is no problem of aligning a primary pattern and a secondary pattern.

또한, 본 발명의 또 다른 목적은, 제조 공정의 단축으로 보다 저가격의 나노 임프린트 마스크를 제공할 수 있게 하는 것이다.Still another object of the present invention is to shorten the manufacturing process and to provide a lower cost nanoimprint mask.

또한, 본 발명의 또 다른 목적은, 광경화성 또는 열가소성 수지와의 점착이 작은 나노 임프린트 마스크를 제공할 수 있게 하는 것이다.Still another object of the present invention is to provide a nanoimprint mask having a small adhesion with a photocurable or thermoplastic resin.

상기한 목적을 달성하기 위한 기술적인 구성으로서, 본 발명의 블랭크 마스크는, 투명기판 상에 압착막, 반압착막/압착막, 압착막/반사방지막, 반압착막/압착막/반사방지막 중에서 선택된 어느 하나에 제1 포토레지스트를 형성한 블랭크 마스크에 있어서, 상기 투명기판은 평탄도가 0.1 내지 50 μm이고, 열팽창률이 1× 10-7/℃ 내지 1× 10-5/℃인 것을 특징으로 한다.As a technical configuration for achieving the above object, the blank mask of the present invention is selected from a compression film, a semi-compression film / compression film, a compression film / anti-reflection film, a semi-compression film / compression film / antireflection film on a transparent substrate In the blank mask in which the first photoresist is formed, the transparent substrate has a flatness of 0.1 to 50 μm and a thermal expansion coefficient of 1 × 10 −7 / ° C. to 1 × 10 −5 / ° C. do.

상기한 목적을 달성하기 위한 기술적인 구성으로서, 본 발명의 나노 임프린트 마스크는, 상기 블랭크 마스크를 리소그래피 공정으로 패턴을 형성한 나노 임프린트 마스크에 있어서, 상기 패턴은 압착패턴, 반압착패턴 및 수지경화패턴으로 이루어진 것을 특징으로 한다.As a technical configuration for achieving the above object, the nano-imprint mask of the present invention is a nano-imprint mask in which a pattern is formed by a lithography process of the blank mask, wherein the pattern is a crimp pattern, a semi-compression pattern, and a resin cured pattern. Characterized in that consisting of.

상기한 목적을 달성하기 위한 기술적인 구성으로서, 본 발명의 나노 임프린트 마스크의 제조방법은, (a) 제 1항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 따른 블랭크 마스크를 준비하는 단계, (b) 제1 포토레지스트를 노광 및 현상하여 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, (c) 상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 블랭크 마스크를 식각하는 단계, (d) 상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단 계, (e) 상기 (a) 내지 (d) 단계에 의한 블랭크 마스크의 전면에 제2 포토레지스트를 코팅하는 단계, (f) 상기 제2 포토레지스트를 노광 및 현상하여 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, (g) 상기 제2 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 블랭크 마스크를 식각하는 단계, 및 (h) 상기 제2 포토레지스트 패턴을 제거하여 압착패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.As a technical configuration for achieving the above object, the manufacturing method of the nano-imprint mask of the present invention, (a) preparing a blank mask according to any one of claims 1 to 13, (b) 1 exposing and developing the photoresist to form a first photoresist pattern, (c) etching the blank mask using the first photoresist pattern as a mask, (d) removing the first photoresist pattern (E) coating a second photoresist on the entire surface of the blank mask according to (a) to (d), and (f) exposing and developing the second photoresist to form a second photoresist pattern. Forming a pressing pattern by etching the blank mask using the second photoresist pattern as a mask, and (h) removing the second photoresist pattern to form a crimp pattern. And that is characterized.

상기한 목적을 달성하기 위한 기술적인 구성으로서, 본 발명의 나노 임프린트 마스크의 또 다른 제조방법은, (a) 제 1항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 따른 블랭크 마스크를 준비하는 단계, (b) 제1 포토레지스트를 노광 및 현상하여 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, (c) 상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 블랭크 마스크를 식각하는 단계, (d) 상기 제1 포토레지스트 패턴의 일부만 제거하는 단계, (e) 상기 일부만 제거된 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 블랭크 마스크를 식각하는 단계, 및 (f) 상기 제1 포토레지스트 패턴의 나머지를 제거하여 압착패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.As a technical configuration for achieving the above object, another manufacturing method of the nano-imprint mask of the present invention, (a) preparing a blank mask according to any one of claims 1 to 13, (b Exposing and developing a first photoresist to form a first photoresist pattern, (c) etching the blank mask using the first photoresist pattern as a mask, (d) the first photoresist Removing only part of the pattern, (e) etching the blank mask using the partially removed first photoresist pattern as a mask, and (f) removing the remainder of the first photoresist pattern to form a crimp pattern. It characterized by comprising the step of forming.

이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 본 발명에 따른 블랭크 마스크의 몇몇 실시예에 대해 설명한다.First, some embodiments of the blank mask according to the present invention will be described.

도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 제1 내지 제6 블랭크 마스크의 단면도이다.2A to 2F are cross-sectional views of the first to sixth blank masks of the present invention.

도 2a 내지 도 2f를 참조하면, 후술되는 블랭크 마스크의 제1 내지 제6 블랭크 마스크에 있어서 공통사항으로는, 블랭크 마스크의 투명기판(1) 상(1)에 압착 막(2), 반압착막(5)/압착막(2), 압착막(2)/반사방지막(3), 반압착막(5)/압착막(2)/반사방지막(3) 중에서 선택된 어느 하나에 제1 포토레지스트(4)를 형성한다. 이때, 상기 투명기판(1)은 평탄도가 0.1 내지 50 μm이고, 열팽창률이 1× 10-7/℃ 내지 1× 10-5/℃인 것으로 한다.Referring to FIGS. 2A to 2F, in common with the first to sixth blank masks of the blank mask described later, the compression film 2 and the anti-compression film are formed on the transparent substrate 1 on the blank mask 1. (5) / compression film (2), compression film (2) / reflection film (3), anti-compression film (5) / compression film (2) / reflection film (3) 4) form. In this case, the transparent substrate 1 has a flatness of 0.1 to 50 μm and a thermal expansion coefficient of 1 × 10 −7 / ° C. to 1 × 10 −5 / ° C.

만일, 상기 투명기판(1)의 열팽창률이 5× 10-5/℃ 이상이 되면 열가소성 수지를 이용하는 나노 임프린트 공정시 열팽창에 의한 패턴의 위치 이동이 발생하여 패턴 불량을 일으키게 되고, 1× 10-7/℃ 이하의 열팽창률 가지는 물질은 거의 없으며 열팽창률 감소에 의한 패턴 불량률 감소 효과가 거의 없다.If the coefficient of thermal expansion of the transparent substrate 1 is 5 × 10 −5 / ° C. or more, a pattern shift may occur due to thermal expansion during the nanoimprint process using the thermoplastic resin, resulting in pattern defects. There is almost no material having a thermal expansion rate of 7 / ° C. or less, and there is almost no effect of reducing a pattern defect rate by decreasing the thermal expansion rate.

상기 투명기판(1)은 진공 또는 대기압 하에서 50℃ 내지 800℃로 가열하는 방법, 진공 중에서 플라즈마에 노출시키는 방법 또는 자외선이나 적외선에 노출시키는 방법 중 어느 한 방법으로 최대 120분 동안 전처리하도록 한다. 이는, 상기 투명기판(1) 표면의 수분량을 크게 줄임으로써, 상기 반압착막(5), 압착막(2), 또는 반사방지막(3)과의 접착력을 높인다.The transparent substrate 1 may be pretreated for up to 120 minutes by any one of a method of heating to 50 ° C. to 800 ° C. under vacuum or atmospheric pressure, exposing to plasma in vacuum, or exposing to ultraviolet or infrared light. This greatly reduces the amount of water on the surface of the transparent substrate 1, thereby increasing the adhesion to the anti-compression film 5, the compression film 2, or the anti-reflection film (3).

상기 투명기판(1), 반압착막(5), 압착막(2) 또는 반사방지막(3)의 표면 거칠기는 중심선 평균 조도를 기준으로 0.1nmRMS 내지 50nmRMS인 것으로 한다. 만일, 상기 중심선 평균 조도가 50nmRMS 이상이 되면, 상기 나노 임프린트 마스크가 평판 디스플레이 제조에 사용되는 경우 광경화성 또는 열가소성 수지(32)와의 점착력이 커지게 되고, 그에 따라 상기 나노 임프린트 마스크의 표면이 광경화성 또는 열가소성 수지(32)의 잔류물에 의해 오염되어 불량률이 높아지는 문제가 발생한다.The surface roughness of the transparent substrate 1, the semi-compression film 5, the compression film 2 or the anti-reflection film 3 shall be 0.1 nm RMS to 50 nm RMS based on the center line average roughness. If the center line average roughness is 50 nm RMS or more, when the nanoimprint mask is used for manufacturing a flat panel display, the adhesive force with the photocurable or thermoplastic resin 32 is increased, and thus the surface of the nanoimprint mask is photocurable. Alternatively, there is a problem in that the defect rate is increased due to contamination by the residue of the thermoplastic resin 32.

상기 반압착막(5), 압착막(2) 또는 반사방지막(3)은 코발트, 탄탈륨, 텅스 텐, 몰리브덴, 크롬, 바나듐, 팔라듐, 티타늄, 니오븀, 아연, 하프늄, 게르마늄, 알루미늄, 플래티늄(Pt), 망간, 철, 실리콘, 니켈, 카드뮴, 지르코늄, 마그네슘, 리튬, 셀렌, 구리, 이트륨, 황, 인듐, 주석, 인디움틴옥사이드 으로 이루어진 군으로부터 선택된 1~6 종으로 이루어진 것으로 한다. 이때, 상기 반사방지막(3)은 실리콘, 질소, 탄소, 산소 중 적어도 1종 이상 더 포함하기도 한다.The anti-compression film 5, the compression film 2, or the anti-reflection film 3 may include cobalt, tantalum, tungsten, molybdenum, chromium, vanadium, palladium, titanium, niobium, zinc, hafnium, germanium, aluminum, platinum (Pt). ), Manganese, iron, silicon, nickel, cadmium, zirconium, magnesium, lithium, selenium, copper, yttrium, sulfur, indium, tin, and indium tin oxide. In this case, the anti-reflection film 3 may further include at least one or more of silicon, nitrogen, carbon, and oxygen.

상기 압착막(2) 또는 반사방지막(3)은, 더욱 바람직하게는 크롬 또는 크롬 화합물이고, 상기 반압착막(5)은 탄탈륨 또는 탄탈륨 화합물로 이루어지도록 한다.The pressing film 2 or the antireflection film 3 is more preferably a chromium or chromium compound, and the anti-pressing film 5 is made of tantalum or tantalum compounds.

상기 압착막(2) 또는 반사방지막(3)은 반압착막(5)과의 습식식각비가 3 이상인 것으로 하고, 반사율 차이가 패턴 검사파장 300nm 내지 700nm에서 5 내지 50%인 것으로 한다.The compression film 2 or the anti-reflection film 3 has a wet etching ratio of 3 or more with the semi-compression film 5, and reflectance difference is 5 to 50% at a pattern inspection wavelength of 300 nm to 700 nm.

상기 반사방지막(3)은 상기 압착막(2)과 동일한 식각 특성을 갖도록 하여CAN(Ceric Ammonium Nitrate), NaOH 및 KOH에서 식각되도록 하고, 상기 반압착막(5)은 가열된 NaOH 및 KOH에서 식각되도록 한다.The anti-reflection film 3 has the same etching characteristics as that of the compressed film 2 so that it can be etched in CAN (Ceric Ammonium Nitrate), NaOH and KOH, and the anti-compression film 5 is etched in heated NaOH and KOH. Be sure to

상기 압착막(2), 반압착막(5)/압착막(2), 압착막(2)/반사방지막(3), 반압착막(5)/압착막(2)/반사방지막(3)은 10 내지 50000nm 두께로 형성한다.The compression film 2, the anti-compression film 5 / compression film 2, the compression film 2 / anti-reflection film 3, the anti-compression film 5 / compression film 2 / anti-reflection film 3 Is formed to a thickness of 10 to 50000 nm.

상기 투명기판(1)과 상기 압착막(2), 상기 반압착막(5)과 상기 압착막(2) 사이에 식각저지막(6)을 포함하기도 한다. 이때, 상기 식각저지막(6)은 상기 압착막(2)과의 식각비가 3 이상인 것으로 한다.An etch stop layer 6 may be included between the transparent substrate 1, the compression film 2, the semi-compression film 5, and the compression film 2. In this case, the etch stop layer 6 has an etching ratio of 3 or more with the crimping layer 2.

아울러, 상기 압착막(2)은 동일 두께의 반사방지막(3)으로 대체될 수도 있다. 이때, 본래 반사방지막(3)을 포함하고 있는 경우, 상기 압착막(2)을 대신하는 반사방지막(3)과 동시에 형성된다.In addition, the compression film 2 may be replaced with an anti-reflection film 3 of the same thickness. At this time, when the anti-reflection film 3 is originally included, the anti-reflection film 3 is formed at the same time as the anti-reflection film 3 instead of the compression film 2.

이하 상기와 같은 공통사항을 갖는 제1 내지 제6 블랭크 마스크에 대해 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, the first to sixth blank masks having the same in common will be described in more detail.

도 2a에 도시된 바와 같이, 상기 제1 블랭크 마스크는, 상기 투명기판(1)과 제1 포토 레지스트(4) 사이에 압착막(2)을 적층한다.As shown in FIG. 2A, the first blank mask stacks a compressed film 2 between the transparent substrate 1 and the first photoresist 4.

여기서, 상기 압착막(2)은 상기 제1 포토레지스트(4)를 코팅하기 위해 적층되는 층으로서, 그 두께는 5nm 내지 5000nm 범위로 구성한다.Here, the compressed film 2 is a layer laminated to coat the first photoresist 4, the thickness is composed of 5nm to 5000nm range.

도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 제2 블랭크 마스크는, 상기 제1 블랭크 마스크에 있어서, 상기 투명기판(1)과 압착막(2) 사이에 반압착막(5)을 적층한다.As shown in FIG. 2B, in the second blank mask, a semi-compression film 5 is laminated between the transparent substrate 1 and the compression film 2 in the first blank mask.

도 2c에 도시된 바와 같이, 제3 및 제4 블랭크 마스크는, 각각 상기 제1 및 제2 블랭크 마스크에 있어서, 상기 압착막(2)과 제1 포토레지스트(4) 사이에 반사방지막(3)을 적층한다.As shown in FIG. 2C, the third and fourth blank masks are formed in the first and second blank masks, respectively, between the compression film 2 and the first photoresist 4. Laminated.

이때, 상기 반사방지막(3)은 나노 임프린트 마스크 제조시 스탠딩 웨이브 효과(Standing Wave Effect)를 감소시켜 패턴의 크기를 쉽게 제어하는 목적으로 적층되며, 식각의 편의를 위하여 그 하부의 압착막(2)을 이루는 물질과 동일한 식각 특성을 갖도록 함이 바람직하다.At this time, the anti-reflection film (3) is laminated for the purpose of easily controlling the size of the pattern by reducing the standing wave effect (Standing Wave Effect) when manufacturing the nano-imprint mask, the compression film (2) of the lower portion for the convenience of etching It is desirable to have the same etching characteristics as the material forming the.

제5 및 제6 블랭크 마스크는, 각각 상기 제3 및 제4 블랭크 마스크에 있어서, 상기 투명기판(1)과 압착막(2) 사이 및 상기 반압착막(5)과 상기 압착막(2) 사이에 각각 식각저지막(6)을 적층한 구조이다.The fifth and sixth blank masks are formed in the third and fourth blank masks, respectively, between the transparent substrate 1 and the compression film 2 and between the semi-compression film 5 and the compression film 2. The etch stop layer 6 is laminated on each other.

이때, 상기 식각저지막(6)은 그 상부에 적층된 압착막(2)과의 식각비를 3 이 상으로 하여 구성함이 바람직하다.In this case, the etch stop layer 6 is preferably configured to have an etching ratio of 3 or more with the compressed layer 2 stacked thereon.

이하, 본 발명의 나노 임프린트 마스크에 대해 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, the nanoimprint mask of the present invention will be described in more detail.

도 3a 내지 도3c는 본 발명인 나노 임프린트 마스크를 개략적으로 도시한 단면도이다. 이때, 상기 나노 임프린트 마스크는 상기 제1 내지 제6 블랭크 마스크 중 어떤 블랭크 마스크를 원재료로 해도 되므로, 도면 상에는 상기 나노 임프린트 마스크 내부의 적층 구조는 표시하지 않고 중간층(9)이라 정의한다.3A to 3C are cross-sectional views schematically showing the nanoimprint mask of the present invention. In this case, the nanoimprint mask may be any blank mask of the first to sixth blank masks as a raw material, and thus, the stacked structure inside the nanoimprint mask is defined as an intermediate layer 9 on the drawing.

도 3a 내지 도 3c를 참조하면, 본 발명에 따른 나노 임프린트 마스크(200)는 압착패턴(230), 반압착패턴(250), 및 수지경화패턴(270)을 가지게 되며, 이는 리소그래피 공정에 사용되는 그레이톤 마스크의 투과 패턴, 차광 패턴, 및 반투과 패턴 또는 슬릿 패턴에 각각 대응된다.3A to 3C, the nanoimprint mask 200 according to the present invention has a compression pattern 230, a semi-compression pattern 250, and a resin curing pattern 270, which are used in a lithography process. Corresponding to the transmission pattern, the light shielding pattern, and the transflective pattern or slit pattern of the gray tone mask, respectively.

상기 각 패턴의 높이는, 상기 나노 임프린트 마스크(200)의 저면을 기준으로 상기 압착패턴(230)이 200nm 내지 20000nm로 가장 높고, 상기 반압착패턴(250)이 상기 압착패턴(230)보다 50nm 내지 15000nm 낮으며, 상기 수지경화패턴(270)이 상기 가장 낮게 형성된다.The height of each pattern is the highest of the compression pattern 230 is 200nm to 20,000nm based on the bottom surface of the nano-imprint mask 200, the anti-compression pattern 250 is 50nm to 15000nm than the compression pattern 230 It is low, the resin cured pattern 270 is formed the lowest.

아울러, 상기 압착패턴(230), 반압착패턴(250) 및 수지경화패턴(270)은 전면에 5nm 내지 500nm 두께의 점착방지막(7)을 형성하기도 한다. 만일, 상기 점착방지막(6)을 5nm 이하의 두께로 하는 경우 점착 방지의 역할이 제한되며, 500nm 이상의 두께로 적층하는 경우 스텝 커버리지가 너무 커지기 때문에 패턴의 크기를 제어하기 어렵게 된다.In addition, the compression pattern 230, the semi-compression pattern 250, and the resin cured pattern 270 may form an anti-stick layer 7 having a thickness of 5 nm to 500 nm on the entire surface. If the anti-sticking film 6 has a thickness of 5 nm or less, the role of anti-sticking is limited, and when laminating at a thickness of 500 nm or more, the step coverage becomes too large, making it difficult to control the size of the pattern.

또한, 상기 점착방지막(7)은 코발트, 탄탈륨, 텅스텐, 몰리브덴, 크롬, 바나 듐, 팔라듐, 티타늄, 니오븀, 아연, 하프늄, 게르마늄, 알루미늄, 플래티늄, 망간, 철, 실리콘, 니켈, 카드뮴, 지르코늄, 마그네슘, 리튬, 셀렌, 구리, 이트륨, 황, 인듐, 주석, 인디움틴옥사이드으로 이루어진 군으로부터 선택된 1~6 종으로 이루어진다. 이때, 상기 점착방지막(7)은 실리콘, 질소, 탄소, 산소 중 적어도 1종 이상 더 포함하기도 한다.In addition, the anti-sticking film 7 is cobalt, tantalum, tungsten, molybdenum, chromium, vanadium, palladium, titanium, niobium, zinc, hafnium, germanium, aluminum, platinum, manganese, iron, silicon, nickel, cadmium, zirconium, It consists of 1-6 types chosen from the group which consists of magnesium, lithium, selenium, copper, yttrium, sulfur, indium, tin, and indium tin oxide. At this time, the anti-sticking film 7 may further include at least one or more of silicon, nitrogen, carbon, oxygen.

상기 점착방지막(7) 대신, 상기 압착패턴(230), 반압착패턴(250) 및 수지경화패턴(270)을 50 내지 1000℃에서 가열하는 방법, 100nm 내지 400nm 파장의 자외선을 조사하는 방법, 600nm 내지 3000nm 파장의 적외선을 조사하는 방법, 또는 0.1nm 내지 1nm 파장의 X-ray를 조사하는 방법 중 어느 한 방법으로 표면처리하기도 한다.Instead of the anti-sticking film (7), the pressing pattern 230, the semi-compression pattern 250 and the resin cured pattern 270 is heated at 50 to 1000 ℃, a method of irradiating ultraviolet rays of 100nm to 400nm wavelength, 600nm The surface treatment may be carried out by either a method of irradiating infrared rays with a wavelength of 3000 nm or a method of irradiating X-rays with a wavelength of 0.1 nm to 1 nm.

이때, 상기 표면처리는, 진공 또는 대기압에서 산소(O), 질소(N), 탄소(C), 불소(F), 염소(Cl) 중 어느 1종 이상과, 아르곤(Ar), 헬륨(He), 네온(Ne), 크세논(Xe), 크립톤(Kr) 중 어느 1종 이상을 포함하여 실시한다.At this time, the surface treatment is any one or more of oxygen (O), nitrogen (N), carbon (C), fluorine (F), chlorine (Cl), and argon (Ar), helium (He) under vacuum or atmospheric pressure. ), Neon (Ne), xenon (Xe), krypton (Kr) any one or more.

한편, 도 3d를 참조하면, 본 발명에 따른 나노 임프린트 마스크(200)는 상기 압착패턴(230) 및 반압착패턴(250)의 모서리 각이 둔각이 되도록 형성한다. 이때, 상기 압착패턴(230) 또는 상기 반압착패턴(250)의 상면(235 또는 255)은 측면(231, 232 또는 251, 252)과 90 내지 140 °의 각을 이룬다. Meanwhile, referring to FIG. 3D, the nanoimprint mask 200 according to the present invention is formed such that the corner angles of the compression pattern 230 and the anti-compression pattern 250 become obtuse angles. At this time, the upper surface (235 or 255) of the pressing pattern 230 or the semi-compression pattern 250 forms an angle of 90 to 140 ° with the side surface (231, 232 or 251, 252).

이는, 상기 나노 임프린트 마스크(200)를 이용하여 반복적으로 임프린트 공정을 수행할 때, 상기 압착패턴(230) 및 반압착패턴(250)의 패턴모서리 부분이 파손되는 문제를 감소시키고 마스크와 수지가 잘 분리되도록 하여 마스크의 오염을 방지한다.This reduces the problem that the pattern edge portions of the pressing patterns 230 and the semi-compression patterns 250 are damaged when the imprint process is repeatedly performed by using the nano imprint mask 200, and the mask and the resin are well formed. To prevent contamination of the mask.

다음으로, 본 발명의 나노 임프린트 마스크의 제조방법에 대해 보다 상세하게 설명한다. Next, the manufacturing method of the nanoimprint mask of this invention is demonstrated in detail.

도 4 내지 도 6은 본 발명의 제1 내지 제3 나노 임프린트 마스크의 제조방법을 개략적으로 도시한 공정 단면도이다.4 to 6 are cross-sectional views schematically illustrating a method of manufacturing the first to third nanoimprint masks of the present invention.

도 4a 내지 도 4h를 참조하면, 상기 제1 나노 임프린트 마스크의 제조방법은, (a) 제 1항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 따른 블랭크 마스크를 준비하는 단계, (b) 제1 포토레지스트(4)를 노광 및 현상하여 제1 포토레지스트(4) 패턴을 형성하는 단계, (c) 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 마스크로 이용하여 블랭크 마스크를 식각하는 단계, (d) 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 제거하는 단계, (e) 상기 (a) 내지 (d) 단계에 의한 블랭크 마스크의 전면에 제2 포토레지스트(8)를 코팅하는 단계, (f) 상기 제2 포토레지스트(8)를 노광 및 현상하여 제2 포토레지스트(8) 패턴을 형성하는 단계, (g) 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 마스크로 이용하여 상기 블랭크 마스크를 식각하는 단계, 및 (h) 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 제거하여 압착패턴(230)을 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.4A to 4H, the method of manufacturing the first nanoimprint mask includes: (a) preparing a blank mask according to any one of claims 1 to 13, (b) a first photoresist Exposing and developing (4) to form a first photoresist 4 pattern, (c) etching a blank mask using the first photoresist 4 pattern as a mask, and (d) 1) removing the photoresist 4 pattern; (e) coating a second photoresist 8 on the entire surface of the blank mask according to steps (a) to (d); and (f) the second photo. Exposing and developing the resist 8 to form a second photoresist 8 pattern, (g) etching the blank mask using the second photoresist 8 pattern as a mask, and (h ) Forming a crimp pattern 230 by removing the second photoresist pattern. It is configured.

도 5a 내지 도 5i를 참조하면, 상기 제2 나노 임프린트 마스크의 제조방법은, 상기 제1 나노 임프린트 마스크의 제조방법의 상기 (d) 단계 이후에 반압착막(5)을 형성한 후 (e)~(h)단계를 실시한다.5A to 5I, the method of manufacturing the second nanoimprint mask may include forming the anti-compression film 5 after the step (d) of the method of manufacturing the first nanoimprint mask (e). Perform step (h).

상기 제2 나노 임프린트 마스크의 제조방법은, (a)블랭크 마스크를 준비하는 단계와, (b)상기 제1 포토레지스트(4)를 1차 노광 및 현상하여 제1 포토레지스 트(4) 패턴을 형성하는 단계와, (c)상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 마스크로 상기 블랭크 마스크를 식각하는 단계와, (d)상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 제거하는 단계와, (e)상기 (a) 내지 (d) 단계에 의한 블랭크 마스크의 일측 전면에 상기 반압착막(5)을 형성하는 단계와, (f)상기 (a) 내지 (e) 단계에 의한 블랭크 마스크의 일측 전면에 제2 포토레지스트(8)를 코팅하는 단계와, (g)상기 제2 포토레지스트(8)를 2차 노광 및 현상하여 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 형성하는 단계와, (h)상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 마스크로 상기 블랭크 마스크를 식각하는 단계, 및 (i)상기 제 2 포토레지스트(8) 패턴을 제거하여 상기 압착패턴(230)을 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.The method of manufacturing the second nanoimprint mask may include (a) preparing a blank mask, (b) first exposing and developing the first photoresist 4 to form a pattern of the first photoresist 4. Forming, (c) etching the blank mask using the first photoresist 4 pattern as a mask, (d) removing the first photoresist 4 pattern, and (e) Forming the anti-compression film 5 on one side of the blank mask according to steps (a) to (d), and (f) on the entire surface of one side of the blank mask according to steps (a) to (e). Coating a second photoresist 8, (g) second exposure and development of the second photoresist 8 to form the second photoresist 8 pattern, and (h) the Etching the blank mask using a second photoresist 8 pattern as a mask, and (i) removing the second photoresist 8 pattern And it is configured to include the step of forming the crimp pattern 230.

여기서, 상기 제1 및 제2 나노 임프린트 마스크의 제조방법에 있어서, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴은 상기 수지경화패턴(270)을, 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴은 상기 반압착패턴(250)을 각각 형성하기 위한 패턴일 수 있다. 또한, 상기와 반대로 제1 포토레지스트(4) 패턴은 상기 반압착패턴(250)을, 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴은 상기 수지경화패턴(270)을 각각 형성하기 위한 패턴일 수도 있다.In the method of manufacturing the first and second nanoimprint masks, the first photoresist 4 pattern may include the resin cured pattern 270, and the second photoresist 8 pattern may have the semi-compression pattern. It may be a pattern for forming each 250. In addition, contrary to the above, the first photoresist 4 pattern may be the pattern for forming the semi-compression pattern 250 and the second photoresist 8 pattern may be the resin cured pattern 270, respectively.

아울러, 상기 (h) 단계에서 상기 블랭크 마스크를 더 식각하여 상기 압착패턴(230)의 두께를 조절할 수 있다.In addition, in the step (h), the blank mask may be further etched to adjust the thickness of the crimp pattern 230.

또한, 상기 제1, 제2 포토레지스트(8) 패턴은 상기 블랭크 마스크의 상면에서 서로 다른 위치에 형성하거나, 상기 제1포토레지스트(8) 패턴은 상기 블랭크 마스크의 상면에서 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴이 형성될 위치를 포함한다.In addition, the first and second photoresist patterns 8 may be formed at different positions on the upper surface of the blank mask, or the first photoresist 8 patterns may be formed on the upper surface of the blank mask. 8) the location where the pattern is to be formed.

이러한 나노 임프린트 마스크(200)의 제조방법에 따르면, 상기 압착패 턴(230), 반압착패턴(250), 및 수지경화패턴(270)과 의 얼라인 문제가 해결되어 셀프 얼라인 기능을 갖게 된다.According to the method of manufacturing the nanoimprint mask 200, alignment problems with the compression pattern 230, the semi-compression pattern 250, and the resin hardening pattern 270 are solved to have a self-align function. .

도 6a 내지 도 6f를 참조하면, 상기 제2 나노 임프린트 마스크의 제조방법은, (a) 제 1항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 따른 블랭크 마스크를 준비하는 단계, (b) 제1 포토레지스트(4)를 노광 및 현상하여 제1 포토레지스트(4) 패턴을 형성하는 단계, (c) 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 마스크로 이용하여 상기 블랭크 마스크를 식각하는 단계, (d) 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴의 일부만 제거하는 단계, (e) 상기 일부만 제거된 제1 포토레지스트(4) 패턴을 마스크로 이용하여 상기 블랭크 마스크를 식각하는 단계, (f) 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴의 나머지를 제거하여 압착패턴(230)을 형성하는 단계를 포함하여 하여 구성된다.6A to 6F, the method of manufacturing the second nanoimprint mask includes (a) preparing a blank mask according to any one of claims 1 to 13, and (b) a first photoresist. Exposing and developing (4) to form a first photoresist 4 pattern, (c) etching the blank mask using the first photoresist 4 pattern as a mask, (d) the Removing only a portion of the first photoresist 4 pattern, (e) etching the blank mask using the partially removed first photoresist 4 pattern as a mask, and (f) the first photoresist (4) forming the crimp pattern 230 by removing the rest of the pattern.

이때, 상기 (b) 또는 (d) 단계에서 상기 제1 포토레지스트(4)는 두께 방향으로 일부분만 노광한다.At this time, in the step (b) or (d), only a part of the first photoresist 4 is exposed in the thickness direction.

이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 블랭크 마스크, 본 발명의 나노 임프린트 마스크 및 그 제조방법을 조합하여 몇몇 실시예를 설명하기로 한다. Hereinafter, some embodiments will be described by combining the blank mask of the present invention, the nanoimprint mask of the present invention, and a method of manufacturing the same.

여기서는, 상기 도 3b 및 도3c와 같은 형상의 나노 임프린트 마스크와 그 공정은 거의 같으므로, 상기 도3a와 같은 형상의 나노 임프린트 마스크에 역점을 두고 설명하기로 한다.Here, since the nanoimprint mask having the same shape as that of FIGS. 3B and 3C and the process thereof are almost the same, the following description will focus on the nanoimprint mask having the shape as shown in FIG. 3A.

도 7 및 도 8은 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크의 개략적인 공정 단면도이다.7 and 8 are schematic process cross-sectional views of nanoimprint masks according to the first and second embodiments of the present invention.

도 7a 내지 도 7h를 참조하면, 먼저 제1 실시예에 따른 나노 임프린트 마스 크는 상기 제3 블랭크 마스크를 원재료로 하여 상기 제1 나노 임프린트 마스크의 제조방법에 따라 제조된다.7A to 7H, first, the nanoimprint mask according to the first embodiment is manufactured according to the method of manufacturing the first nanoimprint mask using the third blank mask as a raw material.

도 7a에 도시된 바와 같이, 먼저 상기 제3 블랭크 마스크를 준비한다.As shown in FIG. 7A, first, the third blank mask is prepared.

이어서, 도 7b에 도시된 바와 같이, 상기 제3 블랭크 마스크의 제1 포토레지스트(4)를 1차 노광 및 현상하여 제1 포토레지스트(4) 패턴을 형성하고, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 마스크로 상기 반사방지막(3), 압착막(2), 및 투명기판(1)을 차례로 식각한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 7B, the first photoresist 4 of the third blank mask is first exposed and developed to form a first photoresist 4 pattern, and the first photoresist 4 is formed. The antireflection film 3, the compression film 2, and the transparent substrate 1 are sequentially etched using a pattern as a mask.

이어서, 도 7c에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 제거한 후, 상기 전 단계에 의한 블랭크 마스크의 일측 전면에 제2 포토레지스트(8)를 코팅한다.Subsequently, as shown in FIG. 7C, after the first photoresist 4 pattern is removed, the second photoresist 8 is coated on the entire surface of one side of the blank mask according to the previous step.

이어서, 도 7d에 도시된 바와 같이, 상기 제2 포토레지스트(8)를 2차 노광 및 현상하여 제2 포토레지스트(8) 패턴을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 7D, the second photoresist 8 is subjected to secondary exposure and development to form a second photoresist 8 pattern.

이어서, 도 7e에 도시된 바와 같이, 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 마스크로 이용하여 상기 반사방지막(3), 압착막(2), 및 투명기판(1)을 차례로 식각한다.Subsequently, as shown in FIG. 7E, the antireflection film 3, the compression film 2, and the transparent substrate 1 are sequentially etched using the second photoresist 8 pattern as a mask.

마지막으로, 도 7g에 도시된 바와 같이, 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 제거하여 상기 압착패턴(230)을 형성한다. Finally, as shown in FIG. 7G, the second photoresist 8 pattern is removed to form the crimp pattern 230.

다음으로, 도 8을 참조하면, 제2 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크는 상기 제1 실시예와 마찬가지로 제3 블랭크 마스크를 원재료로 하여 상기 제1 나노 임프린트 마스크의 제조방법에 따라 제조된다.Next, referring to FIG. 8, the nanoimprint mask according to the second embodiment is manufactured according to the method of manufacturing the first nanoimprint mask using the third blank mask as a raw material as in the first embodiment.

도8에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크의 제조공정은, 상기 도7a 내지 7f에 도시된 바와 같은 공정에 준하며, 상기 도 7g에 도시된 공정은 생략한다.As shown in FIG. 8, the manufacturing process of the nanoimprint mask according to the present embodiment is similar to the process illustrated in FIGS. 7A to 7F, and the process illustrated in FIG. 7G is omitted.

본 실시예에서 상기 제1 실시예와 상이한 점은, 먼저 상기 제1 블랭크 마스크를 준비하는 단계에서 상기 압착막(2)의 두께를 보다 두껍게 형성한다는 것이다. 또한, 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 마스크로 상기 블랭크 마스크 식각시, 상기 반사방지막(3) 및 압착막(2)을 차례로 식각하고, 상기 투명기판(1)은 식각에서 제외된다. The present embodiment differs from the first embodiment in that the thickness of the pressing film 2 is formed thicker in the step of preparing the first blank mask. In addition, when the blank mask is etched using the second photoresist 8 pattern as a mask, the anti-reflection film 3 and the compression film 2 are sequentially etched, and the transparent substrate 1 is excluded from etching.

상기한 바와 같이, 제2 실시예에 따른 나노 임프린트의 제조방법은, 상기 1 실시예와 달리 1회의 투명기판(1) 식각공정만으로 제조 가능하며 상기 압착막(2)이 제거되지 않기 때문에 상기 압착패턴(230)의 검사가 용이한 장점이 있다. As described above, the manufacturing method of the nanoimprint according to the second embodiment, unlike the first embodiment, can be manufactured by only one etching process of the transparent substrate 1, and the pressing film 2 is not removed because the pressing process There is an advantage that the inspection of the pattern 230 is easy.

도 9 및 도 10은 제3 및 제4 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크의 개략적인 공정 단면도 및 평면도이다.9 and 10 are schematic cross-sectional views and plan views of nanoimprint masks according to third and fourth embodiments.

도 9a 내지 도 9e를 참조하면, 제3 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크는 상기 제4 블랭크 마스크를 원재료로 하여 상기 제1 나노 임프린트 마스크의 제조방법에 따라 제조된다.9A to 9E, the nanoimprint mask according to the third embodiment is manufactured according to the method of manufacturing the first nanoimprint mask using the fourth blank mask as a raw material.

도 9a에 도시된 바와 같이, 먼저 상기 제4 블랭크 마스크를 준비한다.As shown in FIG. 9A, firstly, the fourth blank mask is prepared.

이어서, 도 9b의 상단에 도시된 바와 같이, 상기 제4 블랭크 마스크의 제1 포토레지스트(4)를 1차 노광 및 현상하여 제1 포토레지스트(4) 패턴을 형성하고, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 마스크로 상기 반사방지막(3), 압착막(2), 및 반 압착막(5)을 차례로 식각한다.Subsequently, as shown in the upper part of FIG. 9B, the first photoresist 4 of the fourth blank mask is first exposed and developed to form a first photoresist 4 pattern, and the first photoresist ( 4) The anti-reflection film 3, the compressed film 2, and the semi-compressed film 5 are sequentially etched using a pattern as a mask.

상기 제1 포토레지스트(4) 패턴에 의한 식각은, 상기 도 9b의 상단에 도시된 바와 같이, 좌측 및 우측에 상기 투명기판(1)만으로 이루어진 수지경화패턴(270)을 형성하게 된다. 상기 좌측 및 우측 수지경화패턴(270)은, 상기 도 9b의 하단에 도시된 바와 같이 각각 소스 및 드레인 패턴(500, 501)에 해당한다.Etching by the first photoresist 4 pattern, as shown in the upper end of Figure 9b, to form a resin cured pattern 270 consisting of only the transparent substrate 1 on the left and right. The left and right resin cured patterns 270 correspond to source and drain patterns 500 and 501, respectively, as shown in the lower part of FIG. 9B.

이어서, 도 9c에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 제거한 후, 상기 전 단계에 의한 블랭크 마스크의 일측 전면에 제2 포토레지스트(8)를 코팅한다.Subsequently, as shown in FIG. 9C, after removing the first photoresist 4 pattern, the second photoresist 8 is coated on the entire surface of one side of the blank mask according to the previous step.

이어서, 도 9d에 도시된 바와 같이, 상기 제2 포토레지스트(8)를 2차 노광 및 현상하여 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 형성하고, 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 마스크로 상기 반사방지막(3) 및 압착막(2)을 차례로 식각한다.Subsequently, as shown in FIG. 9D, the second photoresist 8 is secondarily exposed and developed to form the second photoresist 8 pattern, and the second photoresist 8 pattern is used as a mask. The antireflection film 3 and the compression film 2 are sequentially etched.

상기 제2 포토레지스트(8) 패턴의 일부 영역은, 상기 도 9d에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴의 일부 영역과 중복된다. 또한, 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴에 의한 식각은, 상기 도 9d의 하단에 도시된 바와 같이, 셀프 얼라인 개구부(503a)를 형성하고, 아울러 상기 반압착패턴(250)을 형성하게 된다. 이때, 상기 중복된 패턴 영역은 상기 식각시 더 이상 식각되지 않아 상기 투명기판(1)만으로 이루어지며, 상기 식각 후 드러난 반압착막(5)은 채널 패턴(502)에 해당한다. A portion of the pattern of the second photoresist 8 overlaps with a portion of the pattern of the first photoresist 4, as shown in FIG. 9D. In addition, the etching by the second photoresist 8 pattern, as shown in the lower end of FIG. 9D, forms a self-aligned opening 503a and also forms the anti-compression pattern 250. . In this case, the overlapped pattern region is no longer etched during the etching, and thus is made of the transparent substrate 1 only. The anti-compression film 5 exposed after the etching corresponds to the channel pattern 502.

마지막으로, 도 9e에 도시된 바와 같이, 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 제거하여 상기 압착패턴(230)을 형성한다. Finally, as shown in FIG. 9E, the second photoresist 8 pattern is removed to form the crimp pattern 230.

상기 제2 포토레지스트(8) 제거는, 상기 도 9e의 상단에 도시된 바와 같이, 좌측단 및 우측단에 상기 반사방지막(3), 압착막(2), 반압착막(5) 및 투명기판(1)만으로 이루어진 상기 압착패턴(230)의 상면이 드러나도록 한다. The second photoresist 8 is removed by the anti-reflection film 3, the compression film 2, the anti-compression film 5 and the transparent substrate at the left and right ends, as shown in the upper part of FIG. 9E. The upper surface of the crimping pattern 230 made of only (1) is exposed.

상기한 바와 같이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크는, 상기 채널 패턴은 셀프 얼라인되어 얼라인 오차가 크게 줄어 거의 0에 가깝게 된다.As described above, in the nanoimprint mask according to the third embodiment of the present invention, the channel pattern is self-aligned so that the alignment error is greatly reduced to almost zero.

다음으로, 도 10a 내지 도 9f를 참조하면, 제4 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크는 상기 제4 블랭크 마스크를 원재료로 하여 상기 제1 나노 임프린트 마스크의 제조방법에 따라 제조된다.Next, referring to FIGS. 10A to 9F, the nanoimprint mask according to the fourth embodiment is manufactured according to the method of manufacturing the first nanoimprint mask using the fourth blank mask as a raw material.

도 10a에 도시된 바와 같이, 먼저 상기 제4 블랭크 마스크를 준비한다.As shown in FIG. 10A, firstly, the fourth blank mask is prepared.

이어서, 도 10b에 도시된 바와 같이, 상기 제4 블랭크 마스크의 제1 포토레지스트(4)를 1차 노광 및 현상하여 제1 포토레지스트(4) 패턴을 형성하고, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 마스크로 상기 반사방지막(3) 및 압착막(2)을 차례로 식각한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 10B, the first photoresist 4 of the fourth blank mask is first exposed and developed to form a first photoresist 4 pattern, and the first photoresist 4 is formed. The antireflection film 3 and the compression film 2 are sequentially etched using a pattern as a mask.

상기 제1 포토레지스트(4) 패턴에 의한 식각은, 상기 도 10b에 도시된 바와 같이, 상기 투명기판(1) 상에 적층된 상기 반압착막(5)의 상면이 드러나게 되면서 셀프 얼라인 개구부(503a)를 형성하게 된다. The etching by the first photoresist 4 pattern, as shown in FIG. 10B, reveals an upper surface of the anti-compression film 5 stacked on the transparent substrate 1, and then opens the self-aligned opening ( 503a).

이어서, 도 10c에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 제거한 후, 상기 전 단계에 의한 블랭크 마스크의 일측 전면에 상기 제2 포토레지스트(8)를 코팅한다.Subsequently, as shown in FIG. 10C, after removing the first photoresist 4 pattern, the second photoresist 8 is coated on the entire surface of one side of the blank mask according to the previous step.

이어서, 도 10d에 도시된 바와 같이, 상기 제2 포토레지스트(8)를 2차 노광 및 현상하여 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 10D, the second photoresist 8 is subjected to secondary exposure and development to form the second photoresist 8 pattern.

이어서, 도 10e에 도시된 바와 같이, 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 마스크로 하여 상기 반사방지막(3), 압착막(2), 및 반압착막(5)을 차례로 식각한다.Subsequently, as shown in FIG. 10E, the antireflection film 3, the compressed film 2, and the semi-compressed film 5 are sequentially etched using the second photoresist 8 pattern as a mask.

상기 제2 포토레지스트(8) 패턴의 일부 영역은, 상기 도 10e에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴의 일부 영역과 중복된다. 또한, 상기 제2 포토레지스트 패턴(8)에 의한 식각은, 상기 도 10e의 상단에 도시된 바와 같이, 상기 좌측 및 우측에 상기 투명기판(1)만으로 이루어진 수지경화패턴(270)을 형성하게 된다. 이때, 상기 좌측 및 우측 수지경화패턴(270)은, 상기 도 10e의 하단에 도시된 바와 같이 각각 소스 및 드레인(500, 501) 패턴에 해당한다.A portion of the pattern of the second photoresist 8 overlaps with a portion of the pattern of the first photoresist 4, as shown in FIG. 10E. In addition, etching by the second photoresist pattern 8 may form a resin cured pattern 270 formed of only the transparent substrate 1 on the left and right sides, as shown in the upper portion of FIG. 10E. . In this case, the left and right resin cured patterns 270 correspond to the source and drain patterns 500 and 501, respectively, as shown in the lower part of FIG. 10E.

마지막으로, 도 10f에 도시된 바와 같이, 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 제거하여 상기 압착패턴(230)을 형성한다. Finally, as shown in FIG. 10F, the second photoresist 8 pattern is removed to form the crimp pattern 230.

상기 제2 포토레지스트(8) 제거는, 상기 도 10f의 상단에 도시된 바와 같이, 좌측단 및 우측단에 상기 반사방지막(3), 압착막(2), 반압착막(5) 및 투명기판(1)으로 이루어진 상기 압착패턴(230)의 상면이 드러나도록 한다. The second photoresist 8 is removed by the anti-reflection film 3, the compression film 2, the anti-compression film 5 and the transparent substrate at the left and right ends, as shown in the upper part of FIG. 10F. The upper surface of the crimping pattern 230 made of (1) is exposed.

상기한 바와 같이, 본 발명의 제4실시예에 따른 나노 임프린트 마스크는, 상기 소스,드레인,채널 패턴(500 내지 502)이 셀프 얼라인되어 얼라인 오차가 크게 줄어 거의 0에 가깝게 된다.As described above, in the nanoimprint mask according to the fourth embodiment of the present invention, the source, drain, and channel patterns 500 to 502 are self-aligned so that the alignment error is greatly reduced to almost zero.

도 11은 본 발명의 제5 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크의 개략적인 공정 단면도이다.11 is a schematic cross-sectional view of a nanoimprint mask according to a fifth embodiment of the present invention.

도 11a 내지 도 11f를 참조하면, 제5 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크는 상기 제6 블랭크 마스크를 원재료로 하여 상기 제1 나노 임프린트 마스크의 제조방법에 따라 제조된다.11A to 11F, the nanoimprint mask according to the fifth embodiment is manufactured according to the manufacturing method of the first nanoimprint mask using the sixth blank mask as a raw material.

도 11a에 도시된 바와 같이, 먼저 상기 제6 블랭크 마스크를 준비한다.As shown in FIG. 11A, first, the sixth blank mask is prepared.

이어서, 도 11b에 도시된 바와 같이, 상기 제6 블랭크 마스크의 제1 포토레지스트(4)를 1차 노광 및 현상하여 제1 포토레지스트(4) 패턴을 형성하고, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 마스크로 상기 반사방지막(3), 압착막(2), 식각저지막(6), 및 반압착막(5)을 차례로 식각한다.Subsequently, as shown in FIG. 11B, the first photoresist 4 of the sixth blank mask is first exposed and developed to form a first photoresist 4 pattern, and the first photoresist 4 is formed. Using the pattern as a mask, the antireflection film 3, the compression film 2, the etch stop film 6, and the anti-compression film 5 are sequentially etched.

이어서, 도 11c에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 제거한다.Subsequently, as shown in FIG. 11C, the first photoresist 4 pattern is removed.

이어서, 도 11d에 도시된 바와 같이, 상기 전 단계에 의한 블랭크 마스크의 일측 전면에 제2 포토레지스트(8)를 코팅한다.Subsequently, as shown in FIG. 11D, the second photoresist 8 is coated on the entire surface of one side of the blank mask by the previous step.

이어서, 도 11e에 도시된 바와 같이, 상기 제2 포토레지스트(8)를 2차 노광 및 현상하여 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 형성하고, 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 마스크로 상기 반사방지막(3) 및 압착막(2)을 차례로 식각한다.Subsequently, as shown in FIG. 11E, the second photoresist 8 is secondarily exposed and developed to form the second photoresist 8 pattern, and the second photoresist 8 pattern is used as a mask. The antireflection film 3 and the compression film 2 are sequentially etched.

마지막으로, 도 11f에 도시된 바와 같이, 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 제거하여 상기 압착패턴(230)을 형성한다. Finally, as shown in FIG. 11F, the second photoresist 8 pattern is removed to form the crimp pattern 230.

도 12는 제6 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크의 개략적인 공정 단면도 및 평면도이다.12 is a schematic cross-sectional view and a plan view of a nano imprint mask according to a sixth embodiment.

도 12a 내지 도 12f를 참조하면, 제6 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크는 상기 제1 블랭크 마스크를 원재료로 하여 상기 제2 나노 임프린트 마스크의 제조방법에 따라 제조된다.12A to 12F, the nanoimprint mask according to the sixth embodiment is manufactured according to the method of manufacturing the second nanoimprint mask using the first blank mask as a raw material.

도 12a에 도시된 바와 같이, 먼저 상기 제1 블랭크 마스크를 준비한다.As shown in FIG. 12A, first, the first blank mask is prepared.

이어서, 도 12b에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(4)를 1차 노광 및 현상하여 제1 포토레지스트(4) 패턴을 형성하고, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 마스크로 상기 압착막(2)을 식각한다.Subsequently, as shown in FIG. 12B, the first photoresist 4 is first exposed and developed to form a first photoresist 4 pattern, and the first photoresist 4 pattern is masked. The compressed film 2 is etched.

상기 제1 포토레지스트(4) 패턴에 의한 식각은, 상기 도 12b에 도시된 바와 같이, 상기 투명기판(1)의 상면이 드러나게 되면서 셀프 얼라인 개구부(503a)를 형성하게 된다. In the etching by the first photoresist 4 pattern, as shown in FIG. 12B, the upper surface of the transparent substrate 1 is exposed to form a self-aligned opening 503a.

이어서, 도 12c에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 제거한 후, 상기 전 단계에 의한 블랭크 마스크의 일측 전면에 반압착막(5)을 형성하고, 상기 전 단계에 의한 블랭크 마스크의 일측 전면에 제2 포토레지스트(8)를 코팅한다.Subsequently, as shown in FIG. 12C, after the first photoresist 4 pattern is removed, the anti-compression film 5 is formed on the entire surface of one side of the blank mask according to the previous step, and the blank according to the previous step is formed. The second photoresist 8 is coated on one side of the mask.

이어서, 도 12d에 도시된 바와 같이, 상기 제2 포토레지스트(8)를 2차 노광 및 현상하여 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 12D, the second photoresist 8 is subjected to secondary exposure and development to form the second photoresist 8 pattern.

이어서, 도 12e에 도시된 바와 같이, 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴을 마스크로 상기 반압착막(5) 및 압착막(2)을 식각한다.Next, as shown in FIG. 12E, the semi-compression film 5 and the compression film 2 are etched using the second photoresist 8 pattern as a mask.

상기 제2 포토레지스트(8) 패턴의 일부 영역은, 상기 도 12e에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴의 일부 영역과 중복된다. 또한, 상기 제2 포토레지스트(8) 패턴에 의한 식각은, 상기 도 12e의 상단에 도시된 바와 같이, 상기 좌측 및 우측에 상기 투명기판(1)만으로 이루어진 상기 수지경화패턴(270)을 형성하게 된다. 이때, 상기 좌측 및 우측 수지경화패턴(270)은, 상기 도 12e의 하단에 도시된 바와 같이 각각 소스 및 드레인 패턴(500, 501)에 해당한다. A portion of the pattern of the second photoresist 8 overlaps with a portion of the pattern of the first photoresist 4, as shown in FIG. 12E. In addition, the etching by the second photoresist 8 pattern, as shown in the upper end of Figure 12e, to form the resin cured pattern 270 consisting of only the transparent substrate 1 on the left and right sides do. In this case, the left and right resin cured patterns 270 correspond to the source and drain patterns 500 and 501, respectively, as shown in the lower part of FIG. 12E.

마지막으로, 도 12f에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 포토레지스트(8) 패턴을 제거한다.Finally, as shown in Fig. 12F, the second photoresist 8 pattern is removed.

상기 제2 포토레지스트(8) 제거는, 상기 도 12f의 상단에 도시된 바와 같이, 좌측단 및 우측단에 상기 반압착막(5), 압착막(2) 및 투명기판(1)으로 이루어진 상기 압착패턴(230)이 드러나도록 한다. 또한 상기 반압착막(5)과 투명기판(`)으로 이루어진 상기 반압착패턴(250)이 드러나도록 한다. The second photoresist 8 is removed by the anti-compression film 5, the compression film 2 and the transparent substrate 1 at the left and right ends, as shown in the upper part of FIG. 12F. The compression pattern 230 is exposed. In addition, the anti-compression pattern 250 made of the anti-compression film 5 and the transparent substrate ′ is exposed.

상기한 바와 같이, 본 발명의 제4실시예에 따른 나노 임프린트 마스크는, 상기 소스,드레인,채널 패턴(500 내지 502)이 셀프 얼라인되어 얼라인 오차가 크게 줄어 거의 0에 가깝게 된다.As described above, in the nanoimprint mask according to the fourth embodiment of the present invention, the source, drain, and channel patterns 500 to 502 are self-aligned so that the alignment error is greatly reduced to almost zero.

도 13 및 도 14는 제7 및 제 8 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크의 개략적인 공정 단면도 및 평면도이다.13 and 14 are schematic process cross-sectional views and plan views of the nanoimprint mask according to the seventh and eighth embodiments.

도 13a 내지 도 13e를 참조하면, 제7 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크는 상기 제4 블랭크 마스크를 원재료로 하여 상기 제3 나노 임프린트 마스크의 제조방법에 따라 제조된다.13A to 13E, the nanoimprint mask according to the seventh embodiment is manufactured according to the method of manufacturing the third nanoimprint mask using the fourth blank mask as a raw material.

도 13a에 도시된 바와 같이, 먼저 상기 제4 블랭크 마스크를 준비한 후, 상기 제1 포토레지스트(4)를 1차 노광 및 현상하여 제1 포토레지스트(4) 패턴을 형성한다.As shown in FIG. 13A, first, the fourth blank mask is prepared, and then the first photoresist 4 is first exposed and developed to form a first photoresist 4 pattern.

이어서, 도 13b에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(8) 패턴을 마스크로 상기 반사방지막(3), 압착막(2), 및 반압착막(5)을 식각한다.Subsequently, as shown in FIG. 13B, the antireflection film 3, the compression film 2, and the anti-compression film 5 are etched using the first photoresist 8 pattern as a mask.

상기 제1 포토레지스트(4) 패턴에 의한 식각은, 상기 도 13에 도시된 바와 같이, 좌측 및 우측에 상기 투명기판(1)만으로 이루어진 상기 수지경화패턴(270)을 형성하게 된다. Etching by the first photoresist 4 pattern, as shown in FIG. 13, forms the resin cured pattern 270 formed of only the transparent substrate 1 on left and right sides.

이어서, 도 13c에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴의 일부만 제거한다.Subsequently, as shown in FIG. 13C, only a part of the first photoresist 4 pattern is removed.

이어서, 도 13d에 도시된 바와 같이, 상기 일부만 제거된 제1 포토레지스트(4) 패턴을 마스크로 상기 반사방지막(3) 및 압착막(2)을 식각한다.Subsequently, as shown in FIG. 13D, the antireflection film 3 and the compression film 2 are etched using the first photoresist 4 pattern partially removed as a mask.

상기 일부가 제거된 제1 포토레지스트(4) 패턴에 의한 식각은, 상기 도 13d에 도시된 바와 같이, 상기 반압착막(5)의 상면이 드러나도록 하여 상기 반압착패턴(250)을 형성한다.The etching by the pattern of the first photoresist 4 from which the portion is removed, as shown in FIG. 13D, exposes the top surface of the anti-compression film 5 to form the anti-compression pattern 250. .

마지막으로, 도 13e에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴의 나머지를 제거하여 상기 압착패턴(230)을 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.Finally, as shown in FIG. 13E, the first photoresist 4 pattern is removed to form the crimp pattern 230.

상기 제2 포토레지스트(8) 제거는, 상기 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 반사방지막(3), 압착막(2) 및 반압착막(5)으로 이루어진 상기 압착패턴(230)이 드러나도록 한다. As shown in FIG. 13, the second photoresist 8 may be removed to expose the compression pattern 230 including the anti-reflection film 3, the compression film 2, and the anti-compression film 5. do.

상기한 바와 같이, 본 발명의 제4실시예에 따른 나노 임프린트 마스크는, 상기 소스,드레인,채널 패턴(500 내지 502)이 셀프 얼라인되어 얼라인 오차가 크게 줄어 거의 0에 가깝게 된다.As described above, in the nanoimprint mask according to the fourth embodiment of the present invention, the source, drain, and channel patterns 500 to 502 are self-aligned so that the alignment error is greatly reduced to almost zero.

다음으로, 도 14a 내지 도 14f를 참조하면, 제8 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크는 상기 제1 블랭크 마스크를 원재료로 하여 상기 제3 나노 임프린트 마스크의 제조방법에 따라 제조된다.Next, referring to FIGS. 14A to 14F, the nanoimprint mask according to the eighth embodiment is manufactured according to the method of manufacturing the third nanoimprint mask using the first blank mask as a raw material.

도 14a에 도시된 바와 같이, 먼저 상기 제1 블랭크 마스크를 준비한다.As shown in FIG. 14A, first, the first blank mask is prepared.

이어서, 도 14b에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(4)를 1차 노광 및 현상하여 제1 포토레지스트(4) 패턴을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 14B, the first photoresist 4 is first exposed and developed to form a first photoresist 4 pattern.

이어서, 도 14c에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴을 마스크로 상기 압착막을 식각한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 14C, the compressed film is etched using the first photoresist 4 pattern as a mask.

이어서, 도 14d에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴의 일부만 제거한다.Subsequently, as shown in FIG. 14D, only a part of the first photoresist 4 pattern is removed.

이어서, 도 14e에 도시된 바와 같이, 상기 일부만 제거된 제1 포토레지스트(4) 패턴을 마스크로 상기 압착막(2)을 식각한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 14E, the compressed film 2 is etched using the first photoresist 4 pattern partially removed as a mask.

마지막으로, 도 14f에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(4) 패턴의 나머지를 제거하여 상기 압착패턴(230)을 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.Finally, as shown in FIG. 14F, the first photoresist 4 pattern is removed to form the crimp pattern 230.

아울러, 상기 제1 내지 제 9 실시예의 나노 임프린트 마스크의 제조방법에 있어서, 상기 압착패턴(230), 반압착패턴(250), 및 수지경화패턴(270)의 전면에 점착방지막(7)을 형성하는 공정이 추가되기도 한다.In addition, in the method of manufacturing the nano-imprint mask of the first to ninth embodiment, the pressure-sensitive adhesive film 7 is formed on the entire surface of the compression pattern 230, the semi-compression pattern 250, and the resin cured pattern 270 Some processes are added.

도 15 본 발명의 제 제 8 실시예에 따른 나노 임프린트 마스크의 개략적인 공정 단면도이다.15 is a schematic cross-sectional view of a nanoimprint mask according to an eighth embodiment of the present invention.

도 15를 참조하면, 제4 블랭크 마스크를 원재료로 하여 상기 제1 나노 임프 린트 마스크의 제조방법에 따라 제조한 후, 마지막으로 상기 나노 임프린트 마스크(200)의 패턴 전면에 점착방지막(7)을 형성한다.Referring to FIG. 15, a fourth blank mask is used as a raw material, and then manufactured according to the manufacturing method of the first nanoimprint mask. Finally, an anti-stick layer 7 is formed on the entire surface of the nanoimprint mask 200. do.

상기한 바와 같이, 상기 점착방지막(7)의 형성시 그 재료는 상기 제1 내지 제6 블랭크 마스크 중 어느 한 블랭크 마스크를 선택하여 사용 가능하다. 또한 그 제조 방법은 상기 제1 내지 제 3 나노 임프린트 마스크의 제조방법 중 어느 한 방법을 선택하여 사용가능하다. As described above, the material for forming the anti-sticking film 7 may be used by selecting any of the blank mask of the first to sixth blank mask. In addition, the manufacturing method can be used by selecting any one of the manufacturing method of the first to third nanoimprint mask.

다음은 도 16에 도시한 바와 같이 본 발명의 나노 임프린트 마스크에 의한 임프린트 공정에 대해 개략적으로 설명한다.Next, as shown in FIG. 16, an imprint process using the nanoimprint mask of the present invention will be described schematically.

도 16a에 도시된 바와 같이, 먼저 TFT 기판(30) 위에 열가소성 수지(32)를 도포한다.As shown in FIG. 16A, a thermoplastic resin 32 is first applied onto the TFT substrate 30. FIG.

이어서, 도 16b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 나노 임프린트 마스크(200)를 사용하여 압착하여, 상기 나노 임프린트 마스크(100)를 가열한 후 냉각하여 열가소성 수지(2)의 패턴을 경화시킨다. 그리고, 상기 나노 임프린트 마스크(200)를 들어 올리면, 상기 TFT 기판 상의 TFT 막(31) 위에 상기 열가소성 수지(32)가 거의 없는 패턴과, 상기 열가소성 수지(32)가 1000nm 두께로 형성된 패턴, 및 상기 열가소성 수지(32)가 300nm 두께로 형성된 패턴이 동시에 형성된다.Subsequently, as illustrated in FIG. 16B, the nanoimprint mask 200 of the present invention is compressed to heat the nanoimprint mask 100 and then cooled to cure the pattern of the thermoplastic resin 2. When the nanoimprint mask 200 is lifted up, a pattern in which the thermoplastic resin 32 is almost absent on the TFT film 31 on the TFT substrate, a pattern in which the thermoplastic resin 32 is formed to a thickness of 1000 nm, and the The pattern in which the thermoplastic resin 32 is formed to a thickness of 300 nm is simultaneously formed.

이때, 열가소성 수지(32) 대신 광경화성 수지를 도포하고 압착한 다음 두께변조 나노 임프린트 마스크(200) 뒤편에서 자외선을 조사하는 방법으로 상기 광경화성 수지를 경화시키는 방법을 사용하여도 그 결과는 동일하다. In this case, the result is the same even if the method of curing the photocurable resin by applying and compressing the photocurable resin instead of the thermoplastic resin 32 and irradiating ultraviolet rays from the back of the thickness modulated nanoimprint mask 200. .

이어서, 도 16c에 도시된 바와 같이, 상기 TFT 막(31)을 건식식각 방법으로 얇은 두께의 열가소성 수지(2)를 제거하여 소스 패턴, 드레인 패턴의 TFT막(31) 표면을 노출시켰다. 그 다음 노출된 상기 TFT막(31)을 식각하여 소스 패턴, 드레인 패턴을 형성한다. Subsequently, as shown in FIG. 16C, the TFT film 31 was removed by the dry etching method to expose the surface of the TFT film 31 of the source pattern and the drain pattern by removing the thin thermoplastic resin 2. The exposed TFT film 31 is then etched to form a source pattern and a drain pattern.

이어서, 도 16d에 도시된 바와 같이, 애슁(Ashing)을 실시하여 상기 반압착패턴(250)에 의해 형성된 얇은 두께의 상기 열가소성 수지(32)를 제거하여 상기 채널 패턴의 TFT 막(31) 표면이 노출되도록 한다.Subsequently, as shown in FIG. 16D, ashing is performed to remove the thin thermoplastic resin 32 formed by the anti-compression pattern 250, thereby forming a surface of the TFT film 31 of the channel pattern. To be exposed.

마지막으로, 도 16e에 도시된 바와 같이, 상기 TFT 막(31)에 채널 패턴을 식각한다. Finally, as shown in Fig. 16E, a channel pattern is etched into the TFT film 31.

이로써, 별도의 노광 공정 없이 잔류하는 열가소성 수지(32)를 제거하는 것이 가능하게 된다.Thereby, it becomes possible to remove the thermoplastic resin 32 remaining without a separate exposure process.

이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.As described above, although the present invention has been described by way of limited embodiments and drawings, the present invention is not limited thereto and is intended by those skilled in the art to which the present invention pertains. Of course, various modifications and variations are possible within the scope of equivalents of the claims to be described.

상술한 바와 같이 본 발명의 두께변조 나노 임프린트 마스크용 블랭크 마스크 및 두께변조 나노 임프린트 마스크는 다음과 같은 효과를 제공한다. As described above, the blank mask and the thickness modulated nanoimprint mask for the thickness modulated nanoimprint mask of the present invention provide the following effects.

첫째, TFT-LCD 제조시 사진공정의 해상도 한계를 극복할 수 있고 동시에 마스크 단축공정이 가능한 두께변조 나노 임프린트 블랭크 마스크와 두께변조 나노 임프린트 마스크 및 그 제조 방법을 제공한다.First, the present invention provides a thickness modulated nanoimprint blank mask, a thickness modulated nanoimprint mask, and a method of manufacturing the TFT-LCD, which can overcome the resolution limitation of a photo process and at the same time allow a mask shortening process.

둘째, 패턴의 결함 검사가 쉽고 공정이 단순화된 두께변조 나노 임프린트 블랭크 마스크와 두께변조 나노 임프린트 마스크 및 그 제조 방법을 제공한다.Second, the present invention provides a thickness modulated nanoimprint blank mask, a thickness modulated nanoimprint mask, and a method of manufacturing the same, which facilitate defect inspection of a pattern and simplify a process.

셋째, 투명기판(1)을 식각하지 않음으로 인하여 제조원가가 절감되고 패턴의 결함 검사가 쉬우며 압착패턴(300a)과 반압착패턴(300c)의 두께 제어가 쉬운 두께변조 나노 임프린트 블랭크 마스크와 두께변조 나노 임프린트 마스크 및 그 제조 방법을 제공한다.Third, the thickness modulation nanoimprint blank mask and thickness modulation are easy because the transparent substrate 1 is not etched to reduce manufacturing cost, to easily inspect defects in the pattern, and to easily control the thickness of the crimp pattern 300a and the semi-compression pattern 300c. A nano imprint mask and a method of manufacturing the same are provided.

넷째, 셀프 얼라인 기능으로 인하여 압착막 패턴 및 수지경화패턴과 반압착패턴의 얼라인이 정밀하고 오차가 작은 두께변조 나노 임프린트 블랭크 마스크와 두께변조 나노 임프린트 마스크 및 그 제조 방법을 제공한다.Fourthly, the self-aligning function provides a thickness modulated nanoimprint blank mask, a thickness modulated nanoimprint mask, and a method of manufacturing the same in which the alignment of the compressed film pattern, the resin cured pattern, and the semi-compressed pattern is precise and small.

다섯째, 셀프 얼라인 기능을 가지며 제조 공정이 단축되어 제조 원가가 절감된 두께변조 나노 임프린트 블랭크 마스크와 두께변조 나노 임프린트 마스크 및 그 제조 방법을 제공한다.Fifth, the present invention provides a thickness modulated nanoimprint blank mask, a thickness modulated nanoimprint mask, and a method of manufacturing the same, which have a self-align function and a reduced manufacturing process.

여섯째, 점착방지막(6) 코팅으로 광경화성 수지 또는 열가소성 수지와의 점착이 작음으로 인하여 나노 임프린트 공정시 불량이 적게 발생하는 두께변조 나노 임프린트 블랭크 마스크와 두께변조 나노 임프린트 마스크 및 그 제조 방법을 제공한다.Sixth, the present invention provides a thickness modulated nanoimprint blank mask, a thickness modulated nanoimprint mask, and a method of manufacturing the same, wherein the adhesion of the anti-adhesive film 6 causes little defects during the nanoimprint process due to the small adhesion with the photocurable resin or the thermoplastic resin. .

Claims (33)

투명기판 상에 압착막, 반압착막/압착막, 압착막/반사방지막, 반압착막/압착막/반사방지막 중에서 선택된 어느 하나에 제1 포토레지스트를 형성한 블랭크 마스크에 있어서,In a blank mask in which a first photoresist is formed on any one selected from among a compression film, a semi-compression film / compression film, a compression film / anti-reflection film, and a semi-compression film / compression film / antireflection film on a transparent substrate, 상기 투명기판은 평탄도가 0.1 내지 50 μm이고, 열팽창률이 1× 10-7/℃ 내지 1× 10-5/℃인 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.The transparent substrate has a flatness of 0.1 to 50 μm and a thermal expansion coefficient of 1 × 10 −7 / ° C. to 1 × 10 −5 / ° C. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 압착막, 반압착막/압착막, 압착막/반사방지막, 반압착막/압착막/반사방지막은 10 내지 50000nm 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.The compression film, the anti-compression film / compression film, the compression film / anti-reflection film, the semi-compression film / compression film / anti-reflection film is a blank mask, characterized in that formed to a thickness of 10 to 50000nm. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반압착막, 압착막 또는 반사방지막은 코발트, 탄탈륨, 텅스텐, 몰리브덴, 크롬, 바나듐, 팔라듐, 티타늄, 니오븀, 아연, 하프늄, 게르마늄, 알루미늄, 플래티늄(Pt), 망간, 철, 실리콘, 니켈, 카드뮴, 지르코늄, 마그네슘, 리튬, 셀렌, 구리, 이트륨, 황, 인듐, 주석, 인디움틴옥사이드 으로 이루어진 군으로부터 선택된 1~6 종으로 이루어진 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.The anti-compression film, the compression film or the anti-reflection film may be cobalt, tantalum, tungsten, molybdenum, chromium, vanadium, palladium, titanium, niobium, zinc, hafnium, germanium, aluminum, platinum (Pt), manganese, iron, silicon, nickel, Blank mask, characterized in that consisting of 1 to 6 selected from the group consisting of cadmium, zirconium, magnesium, lithium, selenium, copper, yttrium, sulfur, indium, tin, indium tin oxide. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 반압착막, 압착막 또는 반사방지막은 실리콘, 질소, 탄소, 산소 중 적어도 1종 이상 더 포함하는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.The anti-compression film, the compression film or the anti-reflection film is a blank mask, characterized in that further comprises at least one or more of silicon, nitrogen, carbon, oxygen. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 압착막 또는 반사방지막은 크롬 또는 크롬 화합물이고, 반압착막은 탄탈륨 또는 탄탈륨 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.The pressing film or the anti-reflection film is a chromium or chromium compound, the semi-compression film is a blank mask, characterized in that made of tantalum or tantalum compound. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 압착막 또는 반사방지막은 반압착막과의 습식식각비가 3 이상인 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.The compression mask or the anti-reflection film is a blank mask, characterized in that the wet etching ratio with the anti-compression film 3 or more. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 압착막 또는 반사방지막은 CAN(Ceric Ammonium Nitrate), NaOH 및 KOH에서 식각되고, 반압착막은 가열된 NaOH 및 KOH에서 식각되는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.The compressed film or the anti-reflection film is etched in CAN (Ceric Ammonium Nitrate), NaOH and KOH, the semi-compression film is etched in heated NaOH and KOH. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 투명기판은 진공 또는 대기압 하에서 50℃ 내지 800℃로 가열하는 방법, 진공 중에서 플라즈마에 노출시키는 방법 또는 자외선이나 적외선에 노출시키는 방법 중 어느 한 방법으로 최대 120분 동안 전처리하는 것을 특징으로 하는 블 랭크 마스크.The transparent substrate is pretreated for up to 120 minutes by any one of a method of heating to 50 ° C. to 800 ° C. under vacuum or atmospheric pressure, exposing to plasma in vacuum, or exposing to ultraviolet or infrared light. Mask. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 투명기판, 반압착막, 압착막 또는 반사방지막의 표면 거칠기는 중심선 평균 조도를 기준으로 0.1nmRMS 내지 50nmRMS인 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.The blank mask, characterized in that the surface roughness of the transparent substrate, the anti-compression film, the compressed film or the anti-reflection film is 0.1nmRMS to 50nmRMS based on the center line average roughness. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반압착막과 압착막의 반사율 차이는 패턴 검사파장 300nm 내지 700nm에서 5 내지 50%인 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.The reflectance difference between the semi-compression film and the compressed film is a blank mask, characterized in that 5 to 50% at a pattern inspection wavelength of 300nm to 700nm. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반사방지막은 상기 압착막과 동일한 식각 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.The blank mask is characterized in that the anti-reflection film has the same etching characteristics as the compression film. 상기 제 1항에 있어서,According to claim 1, 상기 투명기판과 상기 압착막, 상기 반압착막과 상기 압착막 사이에 식각저지막을 포함하는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.And a etch stop film between the transparent substrate and the compression film, the semi-compression film and the compression film. 제 12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 식각저지막은 상기 압착막과의 식각비가 3 이상인 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크. The etching blocking film is a blank mask, characterized in that the etching ratio with the crimping film 3 or more. 제 1항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 13, 상기 압착막은 동일 두께의 반사방지막으로 대체되는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.The pressed mask is a blank mask, characterized in that replaced by an anti-reflection film of the same thickness. 제 1항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 따른 블랭크 마스크를 리소그래피 공정으로 패턴을 형성한 나노 임프린트 마스크에 있어서, A nanoimprint mask in which a blank mask according to any one of claims 1 to 13 is formed by a lithography process, 상기 패턴은 압착패턴, 반압착패턴 및 수지경화패턴으로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크.The pattern is a nano-imprint mask, characterized in that consisting of a compression pattern, a semi-compression pattern and a resin cured pattern. 제15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 압착패턴, 반압착패턴, 수지경화패턴의 높이가 서로 다른 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크.The nanoimprint mask, characterized in that the height of the compression pattern, the semi-compression pattern, the resin cured pattern are different. 제 15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 압착패턴 및 반압착패턴의 상면은 측면과 90 내지 140 °의 각을 이루는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크.The upper surface of the compression pattern and the semi-compression pattern is a nano imprint mask, characterized in that forming an angle of 90 to 140 ° with the side. 제 15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 압착패턴과 반압착패턴은 높이가 각각 200nm 내지 20000nm, 50nm 내지 15000nm 인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크.The compression pattern and the semi-compression pattern is a nano imprint mask, characterized in that the height is 200nm to 20000nm, 50nm to 15000nm, respectively. 제 15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 압착패턴, 반압착패턴 및 수지 경화 패턴은 전면에 5nm 내지 500nm 두께의 점착방지막을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크.The compression pattern, the semi-compression pattern and the resin cured pattern are nanoimprint mask, characterized in that to form an anti-stick film of 5nm to 500nm thickness on the front. 제 19항에 있어서,The method of claim 19, 상기 점착방지막은 코발트, 탄탈륨, 텅스텐, 몰리브덴, 크롬, 바나듐, 팔라듐, 티타늄, 니오븀, 아연, 하프늄, 게르마늄, 알루미늄, 플래티늄, 망간, 철, 실리콘, 니켈, 카드뮴, 지르코늄, 마그네슘, 리튬, 셀렌, 구리, 이트륨, 황, 인듐, 주석, 인디움틴옥사이드으로 이루어진 군으로부터 선택된 1~6 종으로 이루어진 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.The anti-sticking film is cobalt, tantalum, tungsten, molybdenum, chromium, vanadium, palladium, titanium, niobium, zinc, hafnium, germanium, aluminum, platinum, manganese, iron, silicon, nickel, cadmium, zirconium, magnesium, lithium, selenium, A blank mask comprising 1 to 6 selected from the group consisting of copper, yttrium, sulfur, indium, tin, and indium tin oxide. 제 20항에 있어서,The method of claim 20, 상기 점착방지막은 실리콘, 질소, 탄소, 산소 중 적어도 1종 이상 더 포함하는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.The anti-sticking film is a blank mask, characterized in that it further comprises at least one or more of silicon, nitrogen, carbon, oxygen. 제 15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 압착패턴, 반압착패턴 및 수지경화패턴을 50 내지 1000℃에서 가열하는 방법, 100nm 내지 400nm 파장의 자외선을 조사하는 방법, 600nm 내지 3000nm 파장의 적외선을 조사하는 방법, 또는 0.1nm 내지 1nm 파장의 X-ray를 조사하는 방법 중 어느 한 방법으로 표면처리 하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크.A method of heating the compression pattern, the semi-compression pattern, and the resin cured pattern at 50 to 1000 ° C., a method of irradiating ultraviolet rays of 100 nm to 400 nm, a method of irradiating infrared rays of 600 nm to 3000 nm, or a wavelength of 0.1 nm to 1 nm. Nanoimprint mask, characterized in that the surface treatment by any method of X-ray irradiation. 제 22항에 있어서,The method of claim 22, 상기 표면처리는, 진공 또는 대기압에서 산소(O), 질소(N), 탄소(C), 불소(F), 염소(Cl) 중 어느 1종 이상과, 아르곤(Ar), 헬륨(He), 네온(Ne), 크세논(Xe), 크립톤(Kr) 중 어느 1종 이상을 포함하여 실시하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크.The surface treatment is any one or more of oxygen (O), nitrogen (N), carbon (C), fluorine (F), chlorine (Cl), argon (Ar), helium (He), under vacuum or atmospheric pressure. A nanoimprint mask comprising at least one of neon (Ne), xenon (Xe), and krypton (Kr). (a) 제 1항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 따른 블랭크 마스크를 준비하는 단계;(a) preparing a blank mask according to any one of claims 1 to 13; (b) 제1 포토레지스트를 노광 및 현상하여 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;(b) exposing and developing the first photoresist to form a first photoresist pattern; (c) 상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 블랭크 마스크를 식각하는 단계;(c) etching the blank mask using the first photoresist pattern as a mask; (d) 상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;(d) removing the first photoresist pattern; (e) 상기 (a) 내지 (d) 단계에 의한 블랭크 마스크의 전면에 제2 포토레지스트를 코팅하는 단계;(e) coating a second photoresist on the entire surface of the blank mask according to steps (a) to (d); (f) 상기 제2 포토레지스트를 노광 및 현상하여 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;(f) exposing and developing the second photoresist to form a second photoresist pattern; (g) 상기 제2 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 블랭크 마스크를 식각하는 단계; 및(g) etching the blank mask using the second photoresist pattern as a mask; And (h) 상기 제2 포토레지스트 패턴을 제거하여 압착패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크의 제조방법.(h) removing the second photoresist pattern to form a compression pattern. 제 24항에 있어서,The method of claim 24, 상기 (d) 단계 이후에 반압착막을 형성한 후 (e)~(h)단계를 실시하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크의 제조방법.After forming the anti-compression film after the step (d) (e) ~ (h) step of manufacturing a nano-imprint mask, characterized in that to perform. 제 24항 또는 제 25항에 있어서,The method of claim 24 or 25, 상기 제1 포토레지스트 패턴은 수지경화패턴을, 상기 제2 포토레지스트 패턴은 반압착 패턴을 식각하기 위한 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크의 제조방법.The first photoresist pattern is a resin cured pattern, the second photoresist pattern is a method for manufacturing a nano-imprint mask, characterized in that for etching the anti-compression pattern. 제 24항 또는 제 25항에 있어서,The method of claim 24 or 25, 상기 제1 포토레지스트 패턴은 반압착패턴을, 상기 제2 포토레지스트 패턴은 수지경화패턴을 식각하기 위한 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크의 제조방법.The first photoresist pattern is a semi-compression pattern, the second photoresist pattern is a method for manufacturing a nano-imprint mask, characterized in that for etching the resin cured pattern. 제 24항 또는 제25항에 있어서,The method of claim 24 or 25, 상기 (h) 단계에서 상기 블랭크 마스크를 더 식각하여 압착패턴의 두께를 조절하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크의 제조방법.The method of manufacturing a nano-imprint mask, characterized in that in the step (h) further etching the blank mask to control the thickness of the compression pattern. 제 24항 또는 제 25항에 있어서,The method of claim 24 or 25, 상기 제1, 제2 포토레지스트 패턴은 상기 블랭크 마스크의 상면에서 서로 다른 위치에 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크의 제조방법.And the first and second photoresist patterns are formed at different positions on the top surface of the blank mask. 제 24항 또는 제 25항에 있어서,The method of claim 24 or 25, 상기 제1포토레지스트 패턴은 상기 블랭크 마스크의 상면에서 상기 제2 포토레지스트 패턴이 형성될 위치를 포함하는 나노 임프린트 마스크의 제조방법.And the first photoresist pattern includes a position where the second photoresist pattern is to be formed on an upper surface of the blank mask. (a) 제 1항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 따른 블랭크 마스크를 준비하는 단계;(a) preparing a blank mask according to any one of claims 1 to 13; (b) 제1 포토레지스트를 노광 및 현상하여 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;(b) exposing and developing the first photoresist to form a first photoresist pattern; (c) 상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 블랭크 마스크를 식각하는 단계;(c) etching the blank mask using the first photoresist pattern as a mask; (d) 상기 제1 포토레지스트 패턴의 일부만 제거하는 단계;(d) removing only a portion of the first photoresist pattern; (e) 상기 일부만 제거된 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 블랭크 마스크를 식각하는 단계;(e) etching the blank mask using the partially removed first photoresist pattern as a mask; (f) 상기 제1 포토레지스트 패턴의 나머지를 제거하여 압착패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크의 제조방법.(f) removing the remainder of the first photoresist pattern to form a compression pattern. 제 24항, 제 25항 또는 제31항에 있어서,32. The method of claim 24, 25 or 31, 상기 제1 및 제2 포토레지스트는,The first and second photoresist, 산소 플라즈마에 노출시키는 애슁(Ashing) 방법, 노광시킨 후 현상하는 방법, 노광시키지 않고 현상하는 방법, 황산(H2SO4)을 포함하는 용액을 사용하는 방법, 용매(Solvent)를 사용하는 방법 중 어느 한 방법을 사용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크의 제조방법.Ashing method exposed to oxygen plasma, developing after exposure, developing without exposure, using a solution containing sulfuric acid (H2SO4), a method using a solvent (Solvent) Method for producing a nano-imprint mask, characterized in that the removal using. 제 31항에 있어서,The method of claim 31, wherein 상기 (b) 또는 (d) 단계에서 상기 제1 포토레지스트는 두께 방향으로 일부분만 노광하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 마스크의 제조방법.The method of manufacturing a nano-imprint mask, characterized in that in the step (b) or (d) the first photoresist only partially exposed in the thickness direction.
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