KR20210058838A - 고압 연결 장치 - Google Patents
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Abstract
고온, 고압 환경에 사용되기에 적합한 도관이 개시되며, 이 도관은 제 1 내화 금속으로 만들어진 기다란 부분, 및 이 기다란 부분의 축방향 단부에 부착되고 제 2 내화 금속으로 만들어지는 피팅(fitting) 부분을 포함한다. 부착은 용접으로 이루어질 수 있고, 제 2 내화 금속은 제 1 내화 금속 보다 큰 항복 강도를 가질 수 있다.
Description
본 출원은 2018년 9월 18일에 출원된 미국 출원 62/732,845의 우선권을 주장하고, 그 미국 출원은 전체적으로 여기에 참조로 관련되어 있다.
본 개시는 극자외선 발생원에 타겟 재료를 공급할 때처럼 고압하에서 재료를 전달하는 라인의 연결에 관한 것이다.
극자외선("EUV') 빛, 예컨대, 약 13.5 nm의 파장을 갖는 빛을 포함하여, 대략 50 nm 이하의 파장을 갖는 전자기 방사선(가끔 소프트 x-선이라고도 함)이 포토리소그래피 공정에 사용되어 실리콘 웨이퍼와 같은 기판 상에 극히 작은 피쳐(featurte)를 형성한다. 여기서 그리고 다른 곳에서, "빛" 이라는 용어는, 그 용어를 사용하여 설명되는 방사선이 스펙트럼의 가시 부분에 있지 않을 수 있음을 이해하더라도 사용된다.
EUV 빛을 발생시키기 위한 방법은 타겟 재료를 액체 상태로부터 플라즈마 상태로 전환시키는 것을 포함한다. 타겟 재료는 바람직하게는 EUV 범위에서 하나 이상의 방출선을 갖는 적어도 하나의 요소, 예컨대, 크세논, 리튬 또는 주석을 포함한다. 종종 레이저 발생 플라즈마("LPP")라고 하는 한 그러한 방법에서, 요구되는 플라즈마는 레이저 비임을 사용하여, 요구되는 선방출 요소를 갖는 타겟 재료를 조사(irradiation)하여 발생될 수 있다.
타겟 재료는 많은 형태 중의 하나를 취할 수 있다. 타겟 재료는 고체 또는 용융 상태일 수 있다. 타겟 재료는, 용융 상태이면, 연속적인 스트림 또는 액적 스트림으로 여러 상이한 방식으로 분배될 수 있다. 일 예로, 이하의 논의 대부분에서 타겟 재료는 액적 스트림으로 분배되는 용융 주석이다. 당업자는 그러나 다른 형태의 재료 및 전달 모드가 사용될 수 있음을 이해할 것이다.
따라서, 한 LPP 기술은, 타겟 재료 액적 스트림을 발생시키고 진공 챔버에서 그 액적의 적어도 일부를 레이저 빛 펄스로 조사하는 것을 포함한다. 더 이론적인 용어로 말하면, LPP 광원은, 적어도 하나의 EUV 방출 요소를 갖는 타겟 재료 안으로 레이저 에너지를 투입하여, 수십 전자 볼트(eV)의 전자 온도를 갖는 고이온화 플라즈마를 생성함으로써 EUV 방사선을 발생시킨다.
이들 이온의 탈여기(de-excitation) 및 재결합 동안에 발생된 강력한 방사선이 플라즈마로부터 모든 방향으로 방출된다. 한 일반적인 구성에서, 근수직 입사 미러(종종 "콜렉터 미러" 또는 간단히 "콜렉터" 라고 함)가 위치되어 빛을 중간 위치에 모으고, 지향시키며 또한 어떤 구성에서는 집속시킨다. 모아진 빛은 중간 위치로부터 일 세트의 스캐너 광학 기구에 전달되고 최종적으로 기판에 전달된다.
액적 스트림은 액적 발생기와 같은 타겟 재료 분배기에 의해 발생된다. 액적을 방출하는 액적 발생기의 일부분(노즐 또는 노즐 어셈블리라고 함)은 진공 챔버 내부에 위치된다. 액적 발생기 노즐 어셈블리는 타겟 재료의 일정한 공급을 필요로 한다. 이 타겟 재료는 전형적으로 타겟 재료 저장부에 유지되는 타겟 재료 공급부로부터 제공된다. 타겟 재료는 타겟 재료 저장부로부터 노즐 어셈블리에 전달되어야 한다. 이는 비교적 높은 압력 하에 있는 피가열 도관을 사용하여 달성될 수 있고, 그 도관은 타겟 재료의 용융점 보다 높게 유지되어야 한다. 도관은 TaW(탄탈륨 텅스텐)으로 만들어질 수 있고, Mo(몰리브덴)로 만들어지는 압축 피팅이 제공될 수 있다.
도관에 대한 이 기존의 구성은 제한된 수명과 기능을 갖는다. 압축 피팅이 제공되는 전술한 바와 같은 피가열 도관은 일회의 가열-냉각 사이클만 견딜 수 있고 여전히 액밀한 시일을 유지할 수 있다. 또한, 연결이 끊어지면, 시일링 끝면의 스코어링(scoring) 또는 마손(galling)이 야기될 수 있는데, 이는 커플링 어셈블리에 의해 생기는 시일의 질과 수명을 제한할 것이다. 마손은 슬라이딩 표면 사이의 접착으로 인한 마모의 한 형태이다. 재료가 마손될 때, 특히, 표면들을 함께 압축하는 큰 힘이 있는 경우, 그 재료의 일부가 접촉 표면으로 당겨지게 된다.
그러므로, 더 긴 사용 수명을 가지며 더 많은 수의 용례에 사용될 수 있는 고압, 고온 전달 도관에 대한 필요성이 있다.
이하에서 하나 이상의 실시 형태에 대한 기본적인 이해를 제공하기 위해 그 실시 형태의 간단한 요약이 주어진다. 이 요약은 모든 고려되는 실시 형태의 광범위한 개관이 아니며 또한 모든 실시 형태의 핵심적인 또는 중요한 요소들을 확인하고 임의의 또는 모든 실시 형태의 범위를 한정하고자 하는 의도는 없다. 그의 유일한 목적은, 뒤에서 주어지는 더 상세한 설명에 앞서 하나 이상의 실시 형태의 몇몇 개념을 간단하게 제공하기 위한 것이다.
한 양태에서, EUV 광원이 제공되며, 타겟 재료 저장부로부터 용융 타겟 재료를 노즐 어셈블리에 전달하는 피가열 가압 라인은 적어도 하나의 피팅이 제공되는 고압 도관이며, 도관과 피팅은 서로 다른 재료로 만들어진다. 피팅은 압축 피팅을 사용하여 부착되지 않고 도관에 용접될 수 있다. 도관은 TaW2.5(2.5% 텅스텐)으로 만들어질 수 있고, 피팅은 TaW10(10% 텅스텐)으로 만들어질 수 있다. 피팅 재료는 시일링면의 수명을 길게 하는 더 높은 경도 수준을 유지할 수 있다.
일 실시 형태의 다른 양태에 따르면, 장치가 제공되며, 이 장치는 제 1 내화 금속으로 만들어진 도관 부분; 및 상기 도관 부분의 축방향 단부에 부착되는 피팅 부분을 포함하고, 상기 피팅 부분은 상기 제 1 내화 금속 보다 큰 항복 강도를 갖는 제 2 내화 금속으로 만들어진다. 상기 피팅 부분은 상기 도관 부분의 축방향 단부에 용접된다. 상기 제 1 내화 금속은 TaW2.5를 포함한다. 제 2 내화 금속은 TaW10을 포함한다.
일 실시 형태의 다른 양태에 따르면, 장치가 제공되며, 이 장치는 TaW2.5를 포함하는 도관 부분; 및 상기 도관 부분의 축방향 단부에 용접되는 피팅 부분을 포함하고, 피팅 부분은 TaW10를 포함한다.
일 실시 형태의 다른 양태에 따르면, EUV 광원의 조사(irradiation) 영역에 타겟 재료를 전달하도록 되어 있는 EUV 광원 타겟 재료 전달 시스템이 제공되며, 이 타겟 재료 전달 시스템은, 타겟 재료 저장부; 상기 타겟 재료 저장부와 유체 연통하는 도관; 및 상기 도관과 유체 연통하는 노즐 어셈블리를 포함하고, 상기 도관은 제 1 내화 금속으로 만들어진 도관 부분; 및 도관 부분의 축방향 단부에 부착되는 적어도 하나의 피팅 부분을 포함하고, 적어도 하나의 피팅 부분은 상기 제 1 내화 금속 보다 큰 항복 강도를 갖는 제 2 내화 금속으로 만들어진다. 적어도 하나의 피팅 부분은 상기 도관 부분의 축방향 단부에 용접된다. 상기 제 1 내화 금속은 TaW2.5를 포함한다. 제 2 내화 금속은 TaW10을 포함한다.
일 실시 형태의 다른 양태에 따르면, 도관을 만드는 방법이 제공되며, 이 방법은 제 1 내화 금속으로 만들어진 기다란 도관 부분을 제공하는 단계; 상기 기다란 도관 부분의 축방향 단부에 부착되고 상기 제 1 내화 금속 보다 큰 항복 강도를 갖는 제 2 내화 금속을 포함하는 피팅 부분을 제공하는 단계; 및 상기 피팅 부분을 상기 기다란 도관 부분에 부착하는 단계를 포함한다. 기다란 도관 부분에 피팅 부분을 부착하는 단계는 피팅 부분을 기다란 도관 부분에 용접하는 것을 포함한다. 상기 제 1 내화 금속은 TaW2.5를 포함한다. 제 2 내화 금속은 TaW10을 포함한다.
본 개시의 주제의 추가 실시 형태, 특징과 이점 및 다양한 실시 형태의 구조와 작동은 첨부 도면을 참조하여 아래에서 상세히 설명된다.
도 1은 본 발명의 일 양태에 따른 레이저 발생 플라즈마 EUV 광원 시스템을 위한 전체적인 넓은 개념의 개략도로, 척도에 따르지는 않았다.
도 2는 도 1에 나타나 있는 바와 같은 EUV 광원에 사용될 수 있는 액적 분배기의 평면도이다.
도 3a는 도 2에 나타나 있는 바와 같은 액적 분배기에서 용융 타겟 재료를 압력 하에서 전달하는 것과 같은 용례를 위한 고압 라인의 사시도이고, 도 3b는 도 3a의 고압 라인의 절취 평면도이다.
도 2는 도 1에 나타나 있는 바와 같은 EUV 광원에 사용될 수 있는 액적 분배기의 평면도이다.
도 3a는 도 2에 나타나 있는 바와 같은 액적 분배기에서 용융 타겟 재료를 압력 하에서 전달하는 것과 같은 용례를 위한 고압 라인의 사시도이고, 도 3b는 도 3a의 고압 라인의 절취 평면도이다.
본 발명의 추가 특징과 이점 및 본 발명의 다양한 실시 형태의 구조와 작동이 이하에서 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명된다. 본 발명은 여기서 설명되는 특정한 실시 형태에 한정되지 않음을 유의해야 한다. 이러한 실시 형태는 여기서 실례적인 목적으로만 주어진다. 추가적인 실시 형태가 여기에 포함되어 있는 교시에 근거하여 당업자에게 명백할 것이다.
이제 도면을 참조하여 다양한 실시 형태를 설명하며, 도면에서 유사한 참조 번호는 전체에 걸쳐 유사한 요소를 나타내기 위해 사용된다. 이하의 설명에서, 설명의 목적으로, 하나 이상의 실시 형태에 대한 철저한 이해를 촉진시키기 위해 많은 특정한 상세 내용들이 주어진다. 그러나, 어떤 또는 모든 경우에, 아래에서 설명되는 실시 형태는 아래에서 설명되는 특정한 설계 상세 내용을 사용하지 않고도 실행될 수 있음이 명백할 수 있다.
먼저 도 1을 참조하면, 예시적인 EUV 광원, 예컨대, 본 발명의 일 실시 형태의 한 양태에 따른 레이저 발생 플라즈마 EUC 광원(20)의 개략도가 나타나 있다. 나타나 있는 바와 같이, EUV 광원(20)은 펄스성 또는 연속적인 레이저 발생원(22)을 포함할 수 있는데, 이는 예컨대 10.6 ㎛의 방사선을 발생시키는 펄스성 가스 배출 CO2 레이저 발생원일 수 있다. 펄스성 가스 배출 CO2 레이저 발생원은 높은 파워 및 높은 펄스 반복률로 작동하는 DC 또는 RF 여기를 가질 수 있다.
EUV 광원(20)은, 타겟 재료를 액적 또는 연속적인 액체 스트림의 형태로 전달하기 위한 타겟 전달 시스템(24)을 포함한다. 이 타겟 재료는 주석 또는 주석 화합물로 만들어질 수 있는데, 하지만 다른 재료도 사용될 수 있다. 타겟 전달 시스템(24)은 타겟 재료를 챔버(26)의 내부 안으로 해서 조사(irradiation) 영역(28)에 전달할 수 있고, 이 영역에서 타겟 재료는 조사되어 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 어떤 경우에, 전하가 타겟 재료에 배치되어, 그 타겟 재료가 조사 영역(28) 쪽으로 또는 그로부터 멀어지는 방향으로 조향될 수 있게 해준다. 여기서 사용되는 바와 같이, 조사 영역은 타겟 재료 방사선이 생길 수 있는 영역이고, 심지어는 조사가 실제로 일어나지 않을 때의 조사 영역임을 이해해야 한다.
계속 도 1을 참조하면, 광원(20)은 콜렉터(30)과 같은 하나 이싱의 광학 요소를 또한 포함할 수 있다. 이 콜렉터(30)는 예컨대 수직 입사 반사기일 수 있는데, 이 반사기는 예컨대 다층 미러(또는 "MLM'), 즉 Mo/Si 다층으로 코팅되고 또한 열유도 층간 확산을 효과적으로 차단하기 위해 각 계면에 증착되는 추가적인 얇은 장벽 층을 갖는 SiC 기판일 수 있다. Al 또는 Si와 같은 다른 기판 재료가 또한 사용될 수 있다. 콜렉터(30)는 편장 타원체의 형태일 수 있고, 레이저 빛이 통과하여 조사 영역(28)에 도달할 수 있게 해주는 구멍을 갖는다. 콜렉터(30)는 예컨대, 조사 영역(28)에 있는 제 1 초점 및 소위 중간점(40)에 있는 제 2 초점(중간 초점이라고도 함)을 갖는 타원체의 형상일 수 있고, 제 2 초점에서 EUV 빛이 EUV 광원(20)으로부터 출력되어 예컨대 집적 회로 리소그래피 도구(50)에 입력될 수 있고, 이 도구는 그 빛을 사용하여 예컨대 실리콘 웨이퍼 작업물(52)을 공지된 방식으로 처리하게 된다. 그런 다음 실리콘 웨이퍼 작업물(52)은 공지된 방식으로 추가적으로 처리되어 집적 회로 디바이스가 얻어진다.
EUV 광원(20)은 또한 EUV 광원 제어기 시스템(60)을 포함할 수 있고, 이 제어기는 예컨대 레이저 비임 위치 지정 시스템(나타나 있지 않음)과 함께 레이저 발사 제어 시스템(65)을 포함할 수 있다. EUV 광원(20)은 타겟 위치 검출 시스템을 또한 포함할 수 있는데, 이 시스템은 예컨대 조사 영역(28)에 대한 타겟 액적의 절대적 또는 상대적 위치를 나타내는 출력을 발생시키고 이 출력을 타겟 위치 검출 피드백 시스템(62)에 제공한다. 타겟 위치 검출 피드백 시스템(62)은 이 출력을 사용하여 타겟 위치와 궤적을 계산하고, 이로부터 타겟 오차가 계산될 수 있다. 타겟 오차는 액적별로 또는 평균적으로 또는 어떤 다른 기준으로 계산될 수 있다. 그런 다음 타겟 오차는 광원 제어기(60)에 대한 입력으로서 제공될 수 있다. 그에 응답하여, 광원 제어기(60)는 레이저 위치, 방향 또는 타이밍 보정 신호와 같은 제어 신호를 발생시킬 수 있고 이 제어 신호를 레이저 비임 위치 지정 제어기(나타나 있지 않음)에 제공한다. 레이저 비임 위치 지정 시스템은 제어 신호를 사용하여 레이저 타이밍 회로를 제어할 수 있고 그리고/또는 레이저 비임 위치 및 성형 시스템(나타나 있지 않음)을 제어하여 예컨대 챔버(26) 내의 레이저 비임 초점의 위치 및/또는 초점 파워를 변화시킬 수 있다.
도 1에 나타나 있는 바와 같이, 광원(20)은 타겟 전달 제어 시스템(90)을 포함할 수 있다. 이 타겟 전달 제어 시스템(90)은 신호, 예컨대, 전술한 타겟 오차, 또는 시스템 제어기(60)에 의해 제공되는 타겟 오차로부터 구해진 어떤 양에 응답하여 작동하여, 조사 영역(28) 내에서 타겟 액적의 위치 오차를 보정할 수 있다. 이는 예컨대 타겟 전달 기구(92)가 타겟 액적을 방출하는 점을 재위치시켜 달성될 수 있다. 타겟 전달 기구(92)는 챔버(26) 안으로 연장되어 있고 또한 타겟 재료 및 이 타겟 재료를 압력 하에서 타겟 전달 기구(92) 안에 두기 위한 가스 공급원을 외부에서 공급 받는다.
도 2는 타겟 재료를 챔버(26) 안으로 전달하기 위한 타겟 전달 기구(92)를 더 상세히 나타낸다. 도 2에 나타나 있는 일반화된 실시 형태의 경우, 타겟 전달 기구(92)는 주석과 같은 용융 타겟 재료를 유지하는 저장부(94)를 포함할 수 있다. 가열 요소(나타나 있지 않음)가 타겟 전달 기구(92) 또는 그의 선택된 부분을 타겟 재료의 용융 온도 보다 높은 온도로 제어 가능하게 유지시킨다. 용융 타겟 재료는 공급 라인(96)을 통해 도입되는 아르곤과 같은 불활성 가스를 사용하여 압력 하에 있을 수 있다. 그 압력에 의해 타겟 재료는 공급 도관(98)을 통과하며, 이 공급 도관은 용융 타겟 재료를 밸브(100) 및 노즐(102)에 전달한다. 공급 도관(98)은 가열되고 하나 이상의 필터를 포함할 수 있다. 이 공급 도관(98)은 탄탈륨 텅스텐 합금으로 만들어질 수 있고, 몰리브덴으로 만들어질 수 있는 압축 피팅으로 시스템 내의 다른 구성품과 액밀한 시일을 유지하도록 연결된다. 공급 도관 라인(98)은 바람직하게 가요적이어서, 저장부(94)와 노즐(102)의 상대적인 움직임을 허용한다.
밸브(100)는 열적 밸브일 수 있다. 펠티어(Peltier) 장치와 같은 열전기적 장치가 사용되어 밸브(100)를 형성할 수 있으며, 저장부(94)와 노즐(102) 사이의 타겟 재료를 냉동시켜 밸브(100)를 폐쇄시키고 또한 고화된 타겟 재료를 가열하여 밸브(100)를 개방할 수 있다. 또한 도 2에 나타나 있는 바와 같이, 타겟 전달 기구(92)는 가동 부재(104)에 연결되며, 그래서 이 가동 부재(104)의 움직임에 의해, 액적이 노즐(102)로부터 방출되는 점의 위치가 변하게 된다. 가동 부재(104)의 움직임은 액적 방출점 위치 지정 시스템에 의해 제어된다.
타겟 전달 기구(92)를 위해, 하나 이상의 조절식 또는 비조절식 타겟 재료 분배기가 사용될 수 있다. 예컨대, 오리피스가 형성되어 있는 모세관을 갖는 조절식 분배기가 사용될 수 있다. 노즐(102)은, 선택적으로 팽창 또는 수축되어 모세관을 변형시키고 또한 노즐(102)로부터의 소스 재료의 방출을 조절할 수 있는 하나 이상의 전기 작동식 요소, 예컨대, 압전 재료로 만들어진 액츄에이터를 포함할 수 있다. 조절식 액적 분배기의 예는, 2010년 11월 23일에 발행된 미국 특허 제 7,838,854 호("Method and Apparatus for EUV Plasma Source Target Delivery"), 2009년 9월 15일에 발행된 미국 특허 제 7,589,337 호("LPP EUV Plasma Source Material Target Delivery System"), 및 2008년 5월 27일에 발행된 미국 특허 제 7,378,673 호("Source Material Dispenser for EUV Light Source")에서 찾아 볼 수 있고, 그래서 이들 미국 특허 각각의 전체 내용은 여기에 참조로 관련되어 있다.
일 실시 형태의 한 양태에 따르면, 공급 도관(98) 및 시스템 내의 다른 가열되는 고압 라인은, 제위치에 용접되는 피팅을 단부에서 갖는 복수의 내화 금속으로 만들어진다. 예컨대, 공급 도관(98)은 TaW2.5(2.5% 텅스텐)으로 만들어질 수 있고, 피팅은 TaW10(10% 텅스텐)으로 만들어질 수 있다. 피팅에 대해 이러한 재료를 사용하면, 시일링면의 수명을 길게 하는 더 높은 경도 수준을 갖는 피팅이 얻어진다. 피팅을 갖는 공급 도관(98)의 한 단부는 저장부(94)에 있는 상대 피팅에 연결될 것이고, 피팅을 갖는 공급 도관(98)의 다른 단부는 노즐(102)/밸브(100) 어셈블리에 연결될 것이다. 공급 도관(98)은 시스템의 다른 부분에도 배치될 수 있고, 또한 반도체 리소그래피에 사용되는 것 외의 다른 시스템에도 배치될 수 있다.
처음에 도 3a 및 3b를 참조하면, 피팅(56)을 갖는 공급 도관(98)으로서 사용될 수 있는 도관(54)이 나타나 있다. 피팅(56)은 시일링면(58)을 갖는다. 사용시, 시일링면(58)은 상보적인 피팅의 시일링면과 축방향 결합을 하고 그에 가압된다. 시일링 부재(59)가 두 시일링면 사이에 위치될 수 있다.
언급한 바와 같이, 도관(54)은 내화 금속으로 만들어질 수 있다. 내화 금속은 열과 마모에 대한 내성이 극히 높은 등급의 금속이다. 내화 금속은 니오븀, 몰리브덴, 탄탈륨, 텅스텐, 및 레늄 및 이것들의 합금을 포함한다. 내화 금속은 모두 2000℃ 보다 높은 융점 및 실온에서 높은 경도를 공유한다. 내화 금속은 화학적으로 불활성이고 비교적 높은 밀도를 갖는다. 예컨대, 도관(54)은 2.5 중량% 텅스텐을 갖는 탄탈륨 텅스텐 합금인 TaW2.5로 만들어질 수 있다. 이 재료는 많은 용융 금속에 대한 우수한 내부식성, 양호한 용접성, 및 비교적 양호한 변형성을 갖는다. 순수한 탄탈륨과 비교하여, 이 합금은 더 양호한 강도, 특히 더 양호한 강도를 갖는다. 특히, TaW2.5의 항복 강도는 약 230 MPa 이다. 항복 강도 또는 항복 응력은 재료가 소성적으로 변형하기 시작하는 응력이다.
또한 언급한 바와 같이, 피팅(56) 또한 내화 금속으로 만들어질 수 있다. 예컨대, 피팅(56)은, 10 중량% 텅스텐을 갖는 탄탈륨 텅스텐 합금인 TaW10으로 만들어질 수 있다. 순수한 탄탈륨 및 TaW2.5와 비교하여, 이 합금은 매우 높은 온도까지 상당히 증가된 강도를 갖는다. 예컨대, TaW10의 항복 강도는 875 ∼ 1005 MPa 이다. TaW10은 다른 합금 보다 덜 연성적이고 또한 더 작은 소성을 갖는다. TaW10은 가공하기가 어려워 다른 도관용 재료 보다 덜 적합하지만, 고압 라인의 피팅 부분에 사용될 수 있다. 일 실시 형태의 한 양태에 따르면, 피팅(56)은 내구적인 부착물을 제공하기 위해 압축 피팅을 사용하여 부착되지 않고 도관(50)에 용접된다.
피팅(56)은 이 피팅이 연결되는 상보적인 피팅의 제 2 구성과 맞물리는 또는 작을 이루는 제 1 구성을 가질 수 있다. 제 1 및 제 2 구성은 원형 대칭성이 없는데, 즉 이 구성들은 임의의 각도로 회전되어 동일하게 보일 수 없다는 점에서 원형 비대칭적이다. 원형 대칭성이 없고 또한 상보적이기 때문에, 동등하지 않은 회전력이 피팅에 가해지더라도 제 1 및 제 2 피팅이 축방향으로 결합될 때 제 1 피팅이 제 2 피팅에 대해 회전하는 것이 억제(예컨대, 방지)되는 장치가 얻어진다. 도 3a 및 3b에 나타나 있는 예에서, 피팅(56)에 있는 평평한 영역 또는 어깨부로 인해, 상보적인 내부 구성을 갖는 구멍을 갖는 피팅과 짝을 이루는 절두 원형 단면이 나타난다.
이상의 설명은 타겟 재료를 EUV 발생원에 공급하기 위한 장치에서 신규한 연결부의 사용에 대한 것이지만, 당업자는 여기서 개시된 원리는 튼튼한 고압 연결부가 필요한 다른 용례에도 유리하게 이용될 수 있음을 쉽게 알 것이다.
이상의 설명은 복수의 실시 형태의 예를 포함한다. 물론, 위에서 언급된 실시 형태를 설명하기 위해 구성 요소 또는 방법의 모든 가능한 조합을 설명하는 것은 가능하지 않지만, 당업자는, 다양한 실시 형태의 추가 조합 및 치환이 가능함을 알 수 있다. 따라서, 설명된 실시 형태는 첨부된 청구의 정신과 범위에 속하는 모든 그러한 변경, 수정 및 변화를 포괄하도록 되어 있다. 또한, "포괄한다" 라는 용어가 상세한 설명 또는 청구 범위에서 사용되는 정도로, 그러한 용어는, "포함하는"이 청구 범위에서 전이어로서 사용될 때 해석되는 바와 같이, "포함하는" 이라는 용어와 유사한 방식으로 포괄적인 것이다. 또한, 설명되는 양태 및/또는 실시 형태의 요소가 단수형으로 설명되거나 청구되어 있더라도, 단수형에 제한한다는 명확한 언급이 없다면, 복수도 고려된다. 추가로, 양태 및/또는 실시 형태 모두 또는 그의 일부분은, 다른 언급이 없다면, 다른 양태 및/또는 실시 형태 모두 또는 그의 일부분과 함께 이용될 수 있다.
본 발명의 다른 양태들은 번호 매겨진 이하의 항에 주어져 있다.
1. 장치로서,
제 1 내화 금속으로 만들어진 도관 부분; 및
상기 도관 부분의 축방향 단부에 부착되는 피팅(fitting) 부분을 포함하고,
상기 피팅 부분은 상기 제 1 내화 금속 보다 큰 항복 강도를 갖는 제 2 내화 금속으로 만들어지는, 장치.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 피팅 부분은 상기 도관 부분의 축방향 단부에 용접되는, 장치.
3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 내화 금속은 TaW2.5를 포함하는, 장치.
4. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 내화 금속은 TaW10을 포함하는, 장치.
5. 제 1 항에 있어서, 상기 피팅 부분은 원형 비대칭 단면을 갖는, 장치.
6. 장치로서,
TaW2.5를 포함하는 도관 부분; 및
상기 도관 부분의 축방향 단부에 용접되는 피팅 부분을 포함하고,
상기 피팅 부분은 TaW10를 포함하는, 장치.
7. EUV 광원의 조사(irradiation) 영역에 타겟 재료를 전달하도록 되어 있는 EUV 광원 타겟 재료 전달 시스템으로서,
타겟 재료 저장부;
상기 타겟 재료 저장부와 유체 연통하는 도관; 및
상기 도관과 유체 연통하는 노즐 어셈블리를 포함하고,
상기 도관은 제 1 내화 금속으로 만들어진 도관 부분; 및 도관 부분의 축방향 단부에 부착되는 적어도 하나의 피팅 부분을 포함하고, 적어도 하나의 피팅 부분은 상기 제 1 내화 금속 보다 큰 항복 강도를 갖는 제 2 내화 금속으로 만들어지는, EUV 광원 타겟 재료 전달 시스템.
8. 제 7 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 피팅 부분은 상기 도관 부분의 축방향 단부에 용접되는, EUV 광원 타겟 재료 전달 시스템.
9. 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 내화 금속은 TaW2.5를 포함하는, EUV 광원 타겟 재료 전달 시스템.
10. 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 내화 금속은 TaW10을 포함하는, EUV 광원 타겟 재료 전달 시스템.
11. 도관을 만드는 방법으로서,
제 1 내화 금속으로 만들어진 기다란 도관 부분을 제공하는 단계;
상기 기다란 도관 부분의 축방향 단부에 부착되고 상기 제 1 내화 금속 보다 큰 항복 강도를 갖는 제 2 내화 금속을 포함하는 피팅 부분을 제공하는 단계; 및
상기 피팅 부분을 상기 기다란 도관 부분에 부착하는 단계를 포함하는, 도관을 만드는 방법.
12. 제 11 항에 있어서, 피팅 부분을 기다란 도관 부분에 부착하는 단계는 피팅 부분을 기다란 도관 부분에 용접하는 것을 포함하는, 방법.
13. 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 내화 금속은 TaW2.5를 포함하는, 방법.
14. 제 11 항에 있어서, 상기 제 2 내화 금속은 TaW10을 포함하는, 방법.
15. 제 11 항에 있어서, 상기 피팅 부분은 원형 비대칭 단면을 갖는, 방법.
Claims (15)
- 제 1 내화 금속으로 만들어진 도관 부분; 및
상기 도관 부분의 축방향 단부에 부착되는 피팅(fitting) 부분을 포함하고,
상기 피팅 부분은 상기 제 1 내화 금속 보다 큰 항복 강도를 갖는 제 2 내화 금속으로 만들어지는, 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 피팅 부분은 상기 도관 부분의 축방향 단부에 용접되는, 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 내화 금속은 TaW2.5를 포함하는, 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 내화 금속은 TaW10을 포함하는, 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 피팅 부분은 원형 비대칭 단면을 갖는, 장치. - 장치로서,
TaW2.5를 포함하는 도관 부분; 및
상기 도관 부분의 축방향 단부에 용접되는 피팅 부분을 포함하고,
상기 피팅 부분은 TaW10를 포함하는, 장치. - EUV 광원의 조사(irradiation) 영역에 타겟 재료를 전달하도록 되어 있는 EUV 광원 타겟 재료 전달 시스템으로서,
타겟 재료 저장부;
상기 타겟 재료 저장부와 유체 연통하는 도관; 및
상기 도관과 유체 연통하는 노즐 어셈블리를 포함하고,
상기 도관은 제 1 내화 금속으로 만들어진 도관 부분; 및 도관 부분의 축방향 단부에 부착되는 적어도 하나의 피팅 부분을 포함하고, 적어도 하나의 피팅 부분은 상기 제 1 내화 금속 보다 큰 항복 강도를 갖는 제 2 내화 금속으로 만들어지는, EUV 광원 타겟 재료 전달 시스템. - 제 7 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 피팅 부분은 상기 도관 부분의 축방향 단부에 용접되는, EUV 광원 타겟 재료 전달 시스템. - 제 7 항에 있어서,
상기 제 1 내화 금속은 TaW2.5를 포함하는, EUV 광원 타겟 재료 전달 시스템. - 제 7 항에 있어서,
상기 제 2 내화 금속은 TaW10을 포함하는, EUV 광원 타겟 재료 전달 시스템. - 도관을 만드는 방법으로서,
제 1 내화 금속으로 만들어진 기다란 도관 부분을 제공하는 단계;
상기 기다란 도관 부분의 축방향 단부에 부착되고 상기 제 1 내화 금속 보다 큰 항복 강도를 갖는 제 2 내화 금속을 포함하는 피팅 부분을 제공하는 단계; 및
상기 피팅 부분을 상기 기다란 도관 부분에 부착하는 단계를 포함하는, 도관을 만드는 방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 피팅 부분을 상기 기다란 도관 부분에 부착하는 단계는 피팅 부분을 기다란 도관 부분에 용접하는 것을 포함하는, 방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 제 1 내화 금속은 TaW2.5를 포함하는, 방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 제 2 내화 금속은 TaW10을 포함하는, 방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 피팅 부분은 원형 비대칭 단면을 갖는, 방법.
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