KR20210055801A - 패턴화된 전극들을 포함한 분산 모드 라우드스피커 액추에이터 - Google Patents
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Abstract
출력 주파수를 사용하여 분산 모드 라우드스피커 전극을 선택하기 위한 컴퓨터 저장매체 상에 인코딩된 컴퓨터 프로그램을 포함하는 방법, 시스템 및 장치가 제공된다. 방법들 중 하나는 압전 트랜스듀서에 대해, 사운드가 출력될 주파수의 서브세트를 주파수들의 범위로부터 결정하는 단계; 주파수의 서브세트에 기초하여,사운드를 생성하도록 압전 트랜스듀서에 포함된 2 이상의 전극 쌍들로부터 하나 이상의 전극 쌍을 선택하는 단계; 및 상기 압전 트랜스듀서로 하여금 힘을 생성하게 하도록, 상기 2 이상의 전극 쌍들 각각에 연결된 구동 모듈에 의해서 상기 선택된 하나 이상의 전극 쌍 각각에 전류를 제공하는 단계를 포함하며, 상기 힘은 상기 부하에 제공될 때, 상기 부하로 하여금 상기 주파수 서브세트 내에서 사운드를 생성하게 한다.
Description
본 발명은 분산 모드 라우드스피커 액추에이터를 위한 방법 및 시스템에 관한 발명이다.
일부 디바이스는 분산 모드 라우드스피커(distributed mode loudspaeker: DML)를 사용하여 사운드를 생성한다. DML은 패널을 진동시켜 사운드를 생성하는 스피커이다. DML은 보이스 코일 액츄에이터 대신에 패널을 진동시키고 사운드를 발생시키기 위해, 압전 트랜스듀서(piezoelectric transducer)와 같은 분산 모드 액츄에이터("DMA")를 사용할 수 있다. 예를 들어, 스마트 폰은 스마트 폰의 디스플레이 패널(예를 들어, LCD 또는 OLED 패널)에 힘을 가하는 DMA를 포함할 수 있다. 이러한 힘은 디스플레이 패널의 진동을 생성하며, 이는 주변 공기와 결합하여 예를 들어 사람의 귀에서 들을 수 있는 20Hz 내지 20kHz의 범위에서 음파를 발생시킨다.
분산 모드 라우드스피커의 압전 트랜스듀서는 서로 다른 주파수들에서 사운드를 생성하는데 사용되는 다수의 전극 쌍들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 압전 트랜스듀서는 각각의 전극 쌍 사이에서 연장되는 압전 물질(예를 들어, 압전 세라믹 물질)의 층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 전극 쌍 중 제 1 전극은 상기 층의 상부(top)에 있을 수 있으며, 상기 전극 쌍 중 제 2 전극은 상기 층의 하부에 있을 수 있다.
분산 모드 라우드스피커는 구동 모듈을 포함하고, 상기 구동 모듈은 분산 모드 라우드스피커가 사운드들을 생성할 수 있는 주파수들의 범위 내의 특정 주파수 서브세트에서 사운드를 생성하도록, 하나 이상의 다수의 전극 쌍들을 선택적으로 활성화(energize)시킬 수 있다. 구동 모듈은 하나 이상의 선택된 전극 쌍에 전류를 제공하여, 분산 모드 액츄에이터에 연결된 부하(예컨대, 디스플레이 패널)가 특정 주파수 서브세트에서 사운드를 생성하게 할 수 있다.
일반적으로, 본 명세서에 서술된 본 발명의 주제의 하나의 혁신적인 양상은 방법으로 구현될 수 있으며, 상기 방법은, 주파수들의 범위 내에서 사운드를 생성하도록 부하에 진동을 야기하는 힘을 생성하는 분산 모드 라우드스피커의 압전 트랜스듀서(piezoelectric transducer)에 대하여, 사운드가 출력될 주파수 서브세트를 상기 주파수들의 범위로부터 결정하는 단계; 상기 주파수 서브세트에 기초하여, 사운드를 생성하도록 상기 압전 트랜스듀서에 포함된 2 이상의 전극 쌍들 중에서 하나 이상의 전극 쌍을 선택하는 단계, 각각의 전극 쌍은 상기 압전 트랜스듀서에 포함된 층의 제 1 표면 상의 제 1 전극 및 상기 제 1 표면과 대향하는 상기 층의 제 2 표면 상의 제 2 전극을 포함하고, 상기 각각의 전극 쌍은 상기 층의 서로 다른 부분에 연결되며; 그리고 상기 압전 트랜스듀서로 하여금 힘을 생성하게 하도록, 상기 2 이상의 전극 쌍들 각각에 연결된 구동 모듈에 의해서 상기 선택된 하나 이상의 전극 쌍 각각에 전류를 제공하는 단계를 포함하며, 상기 힘은 상기 부하에 제공될 때, 상기 부하로 하여금 상기 주파수 서브세트 내에서 사운드를 생성하게 할 수 있다. 이러한 양상의 다른 실시예들은, 대응하는 컴퓨터 시스템, 장치, 및 하나 이상의 컴퓨터 저장 디바이스에 기록된 컴퓨터 프로그램을 포함하며, 이들 각각은 상기 방법의 동작들을 수행하도록 구성된다. 컴퓨터 시스템은 하나 이상의 컴퓨터를 포함할 수 있으며, 소프트웨어, 펌웨어, 하드웨어 또는 이들의 조합이 시스템 상에 설치되어 동작시에 상기 시스템이 동작들을 수행하게 함으로써 특정 동작들 또는 행동들을 수행하도록 구성될 수 있다. 하나 이상의 컴퓨터 프로그램은 명령들을 포함함으로써 특정 동작들 또는 행동들을 수행하도록 구성될 수 있는바, 상기 명령들은 데이터 프로세싱 장치에 의해 실행될 때 상기 장치로 하여금 동작들을 수행하게 할 수 있다.
일반적으로, 본 명세서에 서술된 본 발명의 주제의 하나의 혁신적인 양상은 시스템으로 구현될 수 있으며, 상기 시스템은, 분산 모드 라우드스피커를 포함하고, 상기 분산 모드 라우드스피커는 압전 트랜스듀서, 콘트롤러, 및 구동 모듈을 포함하며, 상기 압전 트랜스듀서는, 2 이상의 전극 쌍들을 포함하고, 상기 2 이상의 전극 쌍들 각각은, a) 상기 압전 트랜스듀서에 포함된 층의 제 1 표면 상의 제 1 전극을 포함하고, b) 상기 제 1 표면과 대향하는 상기 층의 제 2 표면 상의 제 2 전극을 포함하며, c) 상기 층의 서로 다른 부분에 연결되며; 그리고 주파수들의 범위 내에서 사운드를 생성하도록 부하에 진동을 야기하는 힘을 생성하며; 상기 콘트롤러는, 상기 압전 트랜스듀서에 대하여, 사운드가 출력될 주파수 서브세트를 상기 주파수들의 범위로부터 결정하고; 그리고 상기 주파수 서브세트에 기초하여, 사운드를 생성하도록 상기 압전 트랜스듀서에 포함된 2 이상의 전극 쌍들 중에서 하나 이상의 전극 쌍을 선택하며; 상기 구동 모듈은, 상기 2 이상의 전극 쌍들 각각에 연결되고, 상기 압전 트랜스듀서로 하여금 힘을 생성하게 하도록 상기 2 이상의 전극 쌍들 중 적어도 일부에 전류를 제공하도록 구성되고; 그리고 상기 압전 트랜스듀서로 하여금 힘을 생성하게 하도록 상기 선택된 하나 이상의 전극 쌍 각각에 전류를 제공하도록 구성되며, 상기 힘은 상기 부하에 제공될 때, 상기 부하로 하여금 상기 주파수 서브세트 내에서 사운드를 생성하게 한다. 이러한 양상의 다른 실시예들은, 대응하는 컴퓨터 시스템, 방법, 및 하나 이상의 컴퓨터 저장 디바이스에 기록된 컴퓨터 프로그램을 포함하며, 이들 각각은 상기 동작들의 행위들을 수행하도록 구성된다. 컴퓨터 시스템은 하나 이상의 컴퓨터를 포함할 수 있으며, 소프트웨어, 펌웨어, 하드웨어 또는 이들의 조합이 시스템 상에 설치되어 동작시에 상기 시스템이 동작들을 수행하게 함으로써 특정 동작들 또는 행동들을 수행하도록 구성될 수 있다. 하나 이상의 컴퓨터 프로그램은 명령들을 포함함으로써 특정 동작들 또는 행동들을 수행하도록 구성될 수 있는바, 상기 명령들은 데이터 프로세싱 장치에 의해 실행될 때 상기 장치로 하여금 동작들을 수행하게 할 수 있다.
일반적으로, 본 명세서에 서술된 본 발명의 주제의 하나의 혁신적인 양상은 장치로서 구현될 수 있으며, 상기 장치는, 스마트폰을 포함하고, 상기 스마트폰은, 컨텐츠를 제시하는 디스플레이; 압전 트랜스듀서, 상기 압전 트랜스듀서는, 2 이상의 전극 쌍들을 포함하고, 상기 2 이상의 전극 쌍들 각각은, a) 상기 압전 트랜스듀서에 포함된 층의 제 1 표면 상의 제 1 전극을 포함하고, b) 상기 제 1 표면과 대향하는 상기 층의 제 2 표면 상의 제 2 전극을 포함하며, c) 상기 층의 서로 다른 부분에 연결되며; 그리고 주파수들의 범위 내에서 사운드를 생성하도록 부하에 진동을 야기하는 힘을 생성하며; 콘트롤러, 상기 콘트롤러는, 상기 압전 트랜스듀서에 대하여, 사운드가 출력될 주파수 서브세트를 상기 주파수들의 범위로부터 결정하고; 그리고 상기 주파수 서브세트에 기초하여, 사운드를 생성하도록 상기 압전 트랜스듀서에 포함된 2 이상의 전극 쌍들 중에서 하나 이상의 전극 쌍을 선택하며; 구동 모듈, 상기 구동 모듈은, 상기 2 이상의 전극 쌍들 각각에 연결되고, 상기 압전 트랜스듀서로 하여금 힘을 생성하게 하도록 상기 2 이상의 전극 쌍들 중 적어도 일부에 전류를 제공하도록 구성되고; 그리고 상기 압전 트랜스듀서로 하여금 힘을 생성하게 하도록 상기 선택된 하나 이상의 전극 쌍 각각에 전류를 제공하도록 구성되며, 상기 힘은 상기 부하에 제공될 때, 상기 부하로 하여금 상기 주파수 서브세트 내에서 사운드를 생성하게 하며; 상기 스마트폰을 위해 어플리케이션을 실행하는 하나 이상의 어플리케이션 프로세서들; 및 명령들을 저장하는 하나 이상의 메모리들을 포함하고, 상기 명령들은 상기 하나 이상의 어플리케이션 프로세서들에 의해 실행될 때, 상기 하나 이상의 어플리케이션 프로세서들로 하여금 상기 어플리케이션을 실행하게 한다. 이러한 양상의 다른 실시예들은, 대응하는 컴퓨터 시스템, 방법, 및 하나 이상의 컴퓨터 저장 디바이스에 기록된 컴퓨터 프로그램을 포함하며, 이들 각각은 상기 동작들의 행위들을 수행하도록 구성된다. 컴퓨터 시스템은 하나 이상의 컴퓨터를 포함할 수 있으며, 소프트웨어, 펌웨어, 하드웨어 또는 이들의 조합이 시스템 상에 설치되어 동작시에 상기 시스템이 동작들을 수행하게 함으로써 특정 동작들 또는 행동들을 수행하도록 구성될 수 있다. 하나 이상의 컴퓨터 프로그램은 명령들을 포함함으로써 특정 동작들 또는 행동들을 수행하도록 구성될 수 있는바, 상기 명령들은 데이터 프로세싱 장치에 의해 실행될 때 상기 장치로 하여금 동작들을 수행하게 할 수 있다.
전술한 실시예들 및 다른 실시예들은 각각 선택적으로 다음과 같은 하나 이상의 피처들을 단독으로 혹은 조합하여 가질 수 있다. 상기 주파수 서브세트에 기초하여, 사운드를 생성하도록 상기 압전 트랜스듀서에 포함된 2 이상의 전극 쌍들 중에서 하나 이상의 전극 쌍을 선택하는 단계는, 상기 주파수 서브세트에 기초하여 상기 2 이상의 전극 쌍들 중 전극 쌍들의 서브세트를 선택하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 사운드가 출력될 주파수 서브세트를 상기 주파수들의 범위로부터 결정하는 단계는, 사운드가 출력될 고주파수 범위의 서브세트를 상기 주파수들의 범위로부터 결정하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 주파수 서브세트에 기초하여 상기 2 이상의 전극 쌍들 중 전극 쌍들의 서브세트를 선택하는 단계는, 상기 결정된 고주파수 범위의 서브세트에 기초하여, 상기 2 이상의 전극 쌍들 중 하나의 전극 쌍을 선택하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 결정된 고주파수 범위의 서브세트에 기초하여 상기 2 이상의 전극 쌍들 중 하나의 전극 쌍을 선택하는 단계는, 상기 결정된 고주파수 범위의 서브세트에 기초하여 지지부(support)에 가장 가까운 특정 전극 쌍을 선택하는 단계를 포함할 수 있으며, 상기 지지부는 a) 상기 압전 트랜스듀서에 고정식으로(fixedly) 연결되고, b) 상기 부하에 연결되며, 그리고 c) 상기 힘을 상기 압전 트랜스듀서로부터 상기 부하로 전달한다. 상기 방법은, 상기 사운드와는 다른 제 2 사운드가 출력될 중간 주파수 범위의 서브세트를 상기 주파수들의 범위로부터 결정하는 단계; 상기 결정된 중간 주파수 범위의 서브세트에 기초하여, 상기 압전 트랜스듀서에 포함된 3 이상의 전극 쌍들 중에서 2 이상의 특정 전극 쌍들을 선택하는 단계, 상기 3 이상의 전극 쌍들은 상기 2 이상의 전극 쌍들을 포함하며; 그리고 상기 압전 트랜스듀서로 하여금 상기 부하에 힘을 제공하도록, 상기 3 이상의 전극 쌍들 각각에 연결된 구동 모듈에 의해서 상기 선택된 2 이상의 특정 전극 쌍 각각에 전류를 제공하는 단계를 포함하며, 상기 부하는 상기 중간 주파수 범위의 서브세트 내에서 상기 제 2 사운드를 생성한다.
일부 실시예들에서, 상기 주파수 서브세트에 기초하여 사운드를 생성하도록 상기 압전 트랜스듀서에 포함된 2 이상의 전극 쌍들 중에서 하나 이상의 전극 쌍을 선택하는 단계는, 상기 주파수 서브세트에 기초하여 사운드를 생성하도록 상기 2 이상의 전극 쌍들 모두를 선택하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 사운드가 출력될 주파수 서브세트를 상기 주파수들의 범위로부터 결정하는 단계는, 상기 주파수들의 범위로부터 사운드가 출력될 저주파수 범위의 서브세트를 결정하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 주파수 서브세트에 기초하여 상기 2 이상의 전극 쌍들 모두를 선택하는 단계는, 상기 결정된 저주파수 범위의 서브세트에 기초하여 상기 2 이상의 전극 쌍들 모두를 선택하는 단계를 포함할 수 있다.
일부 구현예에서, 시스템은 부하를 포함한다. 시스템은 스마트폰을 포함할 수 있다. 부하는, 예를 들어 컨텐츠를 제시하도록 구성된 스마트폰의 디스플레이일 수 있다. 디스플레이는 스마트폰을 조작하는 사용자에게 컨텐츠를 제공할 수 있다. 분산 모드 라우드스피커는 압전 트랜스듀서에 고정식으로 연결된 지지부를 포함할 수 있으며, 이는 부하에 연결될 때 압전 트랜스듀서에 의해 생성된 힘의 적어도 일부를 부하로 전달한다. 2 이상의 전극 쌍들 중 적어도 일부의 전극 쌍들은 공통 접지를 공유할 수도 있고 개별적인 접지를 가질 수도 있다. 일부 전극 쌍들은 공통 접지를 공유하고, 일부 전극 쌍들은 별도의 접지를 가질 수 있다. 2 이상의 전극 쌍들 각각의 전극 쌍은 별도의 접지를 가질 수 있다. 상기 층은 세라믹일 수 있다.
본 발명의 여러 장점들 중에서, 이하에 서술된 시스템들 및 방법들은 분산 모드 라우드스피커의 전력 사용을 감소시킬 수 있고, 분산 모드 라우드스피커에서 임피던스를 증가시킬 수 있으며, 분산 모드 라우드스피커에서 캐패시턴스를 감소시킬 수 있으며, 또는 이들 중 2개 이상의 조합을 성취할 수 있다.
본 명세서에 기술된 본 발명의 하나 이상의 구현예들의 세부 사항들은 첨부된 도면들을 참조하여 그리고 아래의 상세한 설명에 기재되어 있다. 본 발명의 주제의 다른 특징, 양상 및 이점은 상세한 설명, 도면 및 청구 범위로부터 명백해질 것이다.
도 1a 내지 도 1c는 분산 모드 라우드스피커를 포함하는 예시적인 디바이스를 도시한다.
도 2a-c는 출력 주파수 서브세트에 기초하여 트랜스듀서 층을 작동시키기 위해 전극 쌍들을 개별적으로 활성화시키는 분산 모드 라우드스피커를 도시한다.
도 3은 압전 트랜스듀서에 포함된 2 이상의 전극 쌍들의 서브세트에 전류를 제공하기 위한 프로세스의 흐름도이다.
도면에서 유사한 참조 번호들은 유사한 요소들을 나타낸다.
도 2a-c는 출력 주파수 서브세트에 기초하여 트랜스듀서 층을 작동시키기 위해 전극 쌍들을 개별적으로 활성화시키는 분산 모드 라우드스피커를 도시한다.
도 3은 압전 트랜스듀서에 포함된 2 이상의 전극 쌍들의 서브세트에 전류를 제공하기 위한 프로세스의 흐름도이다.
도면에서 유사한 참조 번호들은 유사한 요소들을 나타낸다.
도 1a 내지 도 1c는 분산 모드 라우드스피커(102)를 포함하는 예시적인 디바이스(100)를 도시한다. 스마트 폰 또는 다른 유형의 컴퓨터와 같은 디바이스(100)는 도 1c에 도시된 분산 모드 라우드스피커(102)를 사용하여 사운드를 생성한다. 사운드는 전화 대화, 음악, 오디오 스트림, 비디오 사운드 또는 게임 사운드와 같은 모든 유형의 사운드일 수 있다.
분산 모드 라우드스피커(102)는 진동하여 음파를 생성하는 패널(104)을 포함한다. 패널(104)은 음파를 생성할 수 있는 디바이스(100)에 포함된 임의의 적절한 패널일 수 있다. 예를 들어, 패널(104)은 디바이스(100)에 포함된 디스플레이 패널일 수 있다. 디스플레이 패널은 터치 스크린 또는 임의의 다른 적절한 유형의 디스플레이를 포함할 수 있다.
패널(104)은 도 1b-1c에 도시된 지지부(support)(104)에 접속되며, 지지부(106)는 압전 트랜스듀서(108)로부터 패널(104)로 힘을 전달한다. 지지부(106)가 패널(104)로 힘을 효율적으로 전달할 수 있도록, 패널(104)은 지지부(106)에 견고하게 연결된다. 일부 구현예에서, 패널(104)은 디바이스(100)의 제조 동안 지지부(106)에 착탈식으로 연결될 수 있는바, 예를 들어, 지지부(106)는 패널(104)로부터 분리될 수 있다. 일부 예에서, 패널(104)은 지지부(106)에 고정식으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 패널(104)로부터 지지부(106)를 제거하기 위해 손상을 주지 않으면서 지지부(106)는 패널(104)에 영구적으로 고정될 수 있다.
일부 구현예에서, 다른 구성 요소가 패널(104) 및 지지부(106) 사이의 연결의 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 지지부(106)는 섀시에 견고하게 연결될 수 있으며, 새시는 패널(104)에 견고하게 연결된다.
압전 트랜스듀서(108)는 지지부(106)에 연결되어, 압전 트랜스듀서(108)에 의해 생성된 힘의 적어도 일부를 압전 트랜스듀서(108)로부터, 지지부(106)를 통해, 패널(104)로 전달할 수 있다. 압전 트랜스듀서(108)는 지지부(106)에 견고하게 연결되며, 따라서 압전 트랜스듀서(108)는 지지부(106)로 힘을 효율적으로 전달할 수 있다. 일부 일례들에서, 압전 트랜스듀서(108)는 지지부(106)에 고정식으로 연결되며, 예컨대, 지지부(106)에 영구적으로 고정되고, 따라서, 이를 제거하는 것은 지지부(106), 압전 트랜스듀서(108) 또는 둘다에 손상을 야기할 수 있다. 압전 트랜스듀서(108)는 지지부(106)에 착탈가능하게 연결될 수 있는바, 예를 들어, 압전 트랜스듀서(108) 및 지지대(106) 중 어느 하나의 손상을 유발함이 없이, 지지대(106)로부터 압전 트랜스듀서(108)가 분리될 수 있다.
압전 트랜스듀서(108)는 분산 모드 라우드스피커(102)에 포함된 구동 모듈로부터의 신호의 수신함에 응답하여 작동함으로써, 힘을 생성한다. 예를 들어, 압전 트랜스듀서(108)는 다수의 전극 쌍들(110-114)을 포함하고, 이들 전극 쌍들 각각이 구동 모듈에 연결되어, 해당 전극 쌍이 구동 모듈로부터 활성화 신호, 예컨대, 전류를 수신할 수 있다. 전극 쌍(110-114)이 구동 모듈로부터 신호를 수신하면, 전극 쌍(110-114)은 압전 트랜스듀서(108)의 압전 물질의 층(116)의 적어도 일부에 걸쳐 전기장을 생성한다. 이러한 전기장은 압전 물질의 치수에 물리적 변화를 야기하고, 액추에이터의 관련 변위는 힘을 발생시킨다.
전극 쌍들(110-114)은 임의의 적절한 방법으로 상기 층(116)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 전극 쌍들(110-114)은 제조 동안, 예를 들어 증착 및 패터닝 프로세스를 통해 상기 층(116)에 고정식으로 연결될 수 있다. 전극 쌍(110-114)은 별도의 접지를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전극들(110a, 112a, 114a)은 포지티브 전극(이하, 양극 혹은 양의 전극이라 할 수도 있음)일 수 있으며, 이들 각각은 대응하는 접지 전극(110b, 112b, 114b)을 갖는다. 압전 트랜스듀서(108)는 양극 및 접지 전극들의 임의의 적절한 조합을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전극들(110a, 112b 및 114b)은 양극일 수 있고, 다른 전극들(110b, 112a 및 114a)은 접지 전극들일 수 있다. 일부 예에서, 전극 쌍(110-114)은 공통 접지를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전극들(110a, 112a 및 114a)은 양극일 수 있고 전극들(110b, 112b 및 114b)은 하나의 공통 접지 전극일 수 있다.
상기 층(116)은 임의의 적절한 유형의 압전 물질일 수 있다. 예를 들어, 상기 층(116)은 세라믹 또는 결정질 압전 물질일 수 있다. 세라믹 압전 물질의 예는 예를 들어 바륨 티타네이트(barium titanate), 납 지르코늄 티타네이트(lead zirconium titanate), 비스무트 페라이트(bismuth ferrite) 및 니오브산 나트륨(sodium niobate)을 포함한다. 결정질 압전 물질의 예는 토파즈(topaz), 납 티타네이트(lead titanate), 리튬 니오베이트(lithium niobate) 및 리튬 탄탈라이트(lithium tantalite)를 포함한다.
상기 전극 쌍들(110-114)에 의한 층(116)의 액추에이션은, 상기 층(116)의 넓은 표면에 직각인 수직 방향(118)으로의 상기 층(116)의 일부분이 움직이는 것일 수 있다. 상기 층(116)를 서로 다른 부분들은, 구동 모듈로부터 신호를 수신하는 전극 쌍들(110-114)에 따라 개별적으로 액추에이트될 수 있다. 예를 들어, 제 1 전극 쌍(110a-b)이 구동 모듈로부터 신호를 수신할 때, 제 1 전극 쌍(110a-b)은 지지부(106)에 가장 근접하고 제 1 전극 쌍에 연결된 상기 층(116)의 일부분을 주로 액추에이트하게 할 수 있다. 제 2 전극 쌍(112a-b)이 구동 모듈로부터 신호를 수신할 때, 제 2 전극 쌍(112a-b)은 상기 제 2 전극 쌍(112a-b)에 연결된 상기 층(116)의 가운데 부분을 주로 액추에이트하게 할 수 있다. 제 3 전극 쌍(114a-b)이 구동 모듈로부터 신호를 수신할 때, 제 3 전극 쌍(114a-b)은 지지부(106)로부터 가장 멀리 있으며 제 3 전극 쌍(114a-b)에 연결된 상기 층(116)의 끝 부분을 주로 액추에이트하게 할 수 있다.
신호의 수신에 응답하여, 다양한 전극 쌍들(110-114)은 상기 층(116)의 각각의 부분이 주로 액추에이트하게 할 수 있는바, 왜냐하면 상기 층(116)의 인접한 부분들은, 전극 쌍이 연결되어 있는 상기 층(116)의 각각의 부분에 비하여 더 적은 정도로 액추에이트되기 때문이다. 예를 들어, 제 1 전극 쌍(110a-b)이 구동 모듈로부터 신호를 수신하면, 제 1 전극 쌍(110a-b)은 주로 제 1 전극 쌍(110a-b)에 연결된 층(116)의 일부를 액추에이트하게 하여 힘을 발생시키고 또한, 제 2 전극 쌍(112a-b)에 연결된 상기 층(116)의 부분 중 일부를 액추에이트시킬 수도 있다.
분산 모드 라우드스피커(102)는 상기 층(116)의 서로 다른 부분들이 별도로 선택, 활성화(energization), 또는 이들 둘다를 허용하는 복수의 전극들을 포함한다. 예를 들어, 분산 모드 라우드스피커(102)는 상기 전극들 중 일부를 선택적으로 활성화할 수 있는바, 이는 소정 주파수들에서 사운드를 보다 양호하게 재생하기 위한 것, 전력 소모를 감소시키기 위한 것, 또는 이들 둘다를 위한 것이다.
도 2a-c는 출력 주파수 서브세트에 기초하여 트랜스듀서 층(204)을 액추에이트시키도록, 전극 쌍들(202a-c)을 개별적으로 활성화시키는 분산 모드 라우드스피커(200)를 도시한다. 분산 모드 라우드스피커(200)는 도 1을 참조하여 논의된 분산 모드 라우드스피커(102)의 일례일 수 있다. 전극 쌍들(202a-c)은 전극 쌍들(110-114)에 대응할 수 있다. 트랜스듀서 층(204)은 상기 층(116)에 대응할 수 있다. 지지부(208)는 지지부(106)에 대응할 수 있다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 고주파수 사운드를 생성할 때, 분산 모드 라우드스피커(200)에 포함된 구동 모듈(206)은, 전극 쌍들(202a-c) 중 일부만을 활성화시킬 수 있다. 일부 예에서, 구동 모듈(206)은 고주파 사운드 생성을 위해 제 1 전극 쌍(202a)을 활성화시킬 수 있다. 제 1 전극 쌍(202)은 전극들(202a-c) 및 트랜스듀서 층(204)을 포함하는 압전 트랜스듀서가 연결된 지지부에 가장 근접할 수 있다. 구동 모듈(206)은 전극 쌍들(202a-c) 중 일부만을 활성화시켜서, 사운드를 생성할 때 전력 소비를 감소시킬 수 있다.
도 2b에 도시된 바와 같이, 구동 모듈(206)은 다수의 전극 쌍들(202a-b)을 활성화시켜서, 중간 주파수 사운드를 생성할 수 있다. 다수의 전극 쌍들(202a-b)은 2 이상의 전극 쌍들을 포함할 수 있다. 다수의 전극 쌍들(202a-b)은 분산 모드 라우드스피커(200)에 포함된 모든 전극 쌍들(202a-c)보다 적은 개수의 전극 쌍을 포함할 수 있다. 일부 예에서, 구동 모듈(206)은 인접한 전극 쌍들을 선택 및 활성화시킬 수 있는바, 예를 들어, 지지부(208)에 가장 근접한 2 개의 전극 쌍(202a-202) 또는 지지부(208)로부터 가장 먼 2 개의 전극 쌍(202c-202)을 선택 및 활성화시켜서 중간 주파수 사운드를 생성할 수 있다. 일부 예에서, 구동 모듈(206)은 서로 인접하지 않은 2 개의 전극 쌍, 예를 들어, 제 1 전극 쌍(202a) 및 제 3 전극 쌍(202c)을 선택하고 활성화시킬 수 있다.
도 2c에 도시된 바와 같이, 구동 모듈(206)은 다수의 전극 쌍들(202a-c)을 활성화시켜서, 저주파수 사운드를 생성할 수 있다. 다수의 전극 쌍들(202a-b)은 3 이상의 전극 쌍들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 구동 모듈(206)은 분산 모드 라우드스피커(200)에 포함된 모든 전극 쌍들(202a-c)을 선택 및 활성화시켜서 저주파수 사운드를 생성할 수 있다. 구동 모듈(206)은 분산 모드 라우드스피커(200)에 의한 저주파 사운드의 보다 정확한 재생을 위해(예를 들어, 더 넓은 범위의 저주파수 사운드를 재생하기 위해) 다수의 전극 쌍(202a-c)을 선택할 수 있다.
도 3은 압전 트랜스듀서에 포함된 2 이상의 전극 쌍의 서브세트에 전류를 제공하기 위한 프로세스(300)의 흐름도이다. 예를 들어, 프로세스(300)는 디바이스(100)로부터 분산 모드 라우드스피커(102)에 의해 사용될 수 있다.
분산 모드 라우드스피커는 출력할 사운드를 식별하는 입력을 수신한다(302). 예를 들어, 분산 모드 라우드스피커에 포함된 구동 모듈 또는 콘트롤러는 출력할 사운드를 식별하는 신호를 수신할 수 있다. 신호는 스피커, 분산 모드 라우드스피커 또는 둘 다에 적합한 유형의 신호일 수 있다. 구동 모듈 또는 콘트롤러는 디바이스 상에서 실행되는 어플리케이션, 예를 들어, 스마트 폰의 전화 또는 음악 어플리케이션으로부터 입력을 수신할 수 있다. 드라이브 모듈은 분산 모드 라우드스피커에서 콘트롤러와 동일한 구성요소일 수 있다. 일부 예에서, 구동 모듈은 분산 모드 라우드스피커에서 콘트롤러와 다른 구성요소일 수 있다.
분산 모드 라우드스피커는 주파수들의 범위에서 사운드를 생성하도록 구성된다. 예를 들어, 분산 모드 라우드스피커에 모두 포함되는 패널, 지지부 및 압전 트랜스듀서에 대한 구성 파라미터들을 포함수 있는 분산 모드 라우드스피커의 제조 설계는 분산 모드 라우드스피커가 사운드를 생성수 있는 분산 모드 라우드스피커의 주파수 범위에 대응할 수 있다.
분산 모드 라우드스피커로 사운드를 출력하는 주파수들의 서브세트를 결정한다(304). 주파수들의 서브세트는 분산 모드 라우드스피커가 사운드를 생성할 수 있는 주파수들의 범위로부터의 주파수 서브세트이다. 주파수 서브세트는 분산 모드 라우드스피커가 사운드를 생성할 수 있는 주파수들의 범위의 적절한 서브세트일 수 있다. 구동 모듈 또는 콘트롤러는 상기 신호로부터의 데이터를 사용하여 주파수들의 서브세트를 결정할 수 있다. 예를 들어, 구동 모듈 또는 콘트롤러는 사운드를 출력할 주파수들의 서브세트를 상기 신호가 식별한다라고 결정할 수 있다.
분산 모드 라우드스피커는, 주파수들의 서브세트에 기초하여, 압전 트랜스듀서에 포함된 2 이상의 전극 쌍들로부터 하나 이상의 전극 쌍을 선택하여 사운드를 생성할 수 있다(306). 구동 모듈 또는 콘트롤러는 임의의 적절한 방법을 사용하여 주파수들의 서브세트에 기초하여 하나 이상의 전극 쌍을 선택할 수 있다. 일부 예에서, 구동 모듈 또는 콘트롤러는 주파수들의 서브세트에 대하여, 활성화되는 전극 쌍들의 개수, 활성화되는 전극 쌍들에 대한 식별자들, 또는 이들 둘다를 출력하는 알고리즘을 이용하여 사운드를 생성할 수 있다. 예를 들어, 구동 모듈 또는 콘트롤러는 압전 트랜스듀서에 포함된 2 이상의 전극 쌍으로부터 1 이상의 전극 쌍을 선택할 때, 주파수들 범위로부터, 입력 값들로의 주파수 서브세트 범위들의 맵핑을 사용할 수 있다.
일부 일례들에서, 상기 콘트롤러는 상기 구동 모듈과는 다른 구성 요소이며 그리고 상기 콘트롤러가 주파수 서브세트를 결정하는 경우, 콘트롤러는 주파수 서브세트에 대한 데이터를 구동 모듈에 제공한다. 예를 들어, 콘트롤러는 사운드가 출력될 주파수 서브세트를 결정하고 그리고 주파수 서브세트에 대한 데이터를 구동 모듈에 제공한다. 주파수 서브세트에 대한 데이터는 주파수 서브세트를 식별하는 데이터, 예를 들어 주파수 서브세트에 대한 수치 값을 나타내는 데이터일 수 있다. 주파수 서브세트에 대한 데이터를 수신하는 것에 응답하여, 구동 모듈은 주파수 서브세트에 대한 데이터를 사용하여 압전 트랜스듀서에 포함된 하나 이상의 전극 쌍을 선택하여 사운드를 생성한다.
분산 모드 라우드스피커는 압전 트랜스듀서를 포함한다. 분산 모드 라우드스피커는 2 이상의 임의의 적절한 개수의 전극 쌍을 포함할 수 있다. 예를 들어, 분산 모드 라우드스피커는 2, 3, 4, 5, 6 또는 9 개의 전극 쌍을 포함할 수 있다.
분산 모드 라우드스피커는 구동 모듈을 이용하여, 선택된 하나 이상의 전극 쌍들 각각에 전류를 제공한다(308). 예를 들어, 구동 모듈은 선택된 하나 이상의 전극 쌍들 중 양의 전극들에 전류를 제공한다. 전극 쌍들 중 적어도 일부가 공통 접지를 공유하는 경우, 구동 모듈은 전극 쌍들 중 하나인 각각의 양의(positive) 전극에 입력 전류를 제공하고, 분산 모드 라우드스피커는 공통 접지를 통해 상기 전극 쌍들로부터 출력 전류를 수신한다. 전극 쌍들이 별도의 접지 전극들을 갖는 경우, 분산 모드 라우드스피커는 선택된 하나 이상의 전극 쌍들 중 각각의 양극들에 입력 전류를 제공함에 기초하여, 선택된 하나 이상의 전극 쌍들 중 개별 접지 전극들로부터 출력 전류를 수신한다.
분산 모드 라우드스피커는 선택된 하나 이상의 전극 쌍들과 압전 트랜스듀서를 이용하여 힘을 생성하며, 상기 힘은 부하에 제공되었을 때 상기 부하로 하여금 주파수 서브세트 내에서 사운드를 생성하게 한다(310). 예를 들어, 전극 쌍들에 의한 전류의 수신은 압전 트랜스듀서에 포함된 상기 층으로 하여금 액추에이트하여 힘을 생성하게 한다. 분산 모드 라우드스피커에 포함된 지지부는 압전 트랜스듀서로부터 패널로 힘 또는 힘의 적어도 일부를 전달할 수 있다. 패널이 상기 힘 또는 상기 힘의 일부를 수신하면, 상기 패널이 진동하여 입력에 의해 식별되는 사운드를 생성한다.
몇몇 구현에서, 프로세스(300)는 더 많은 단계들, 더 적은 단계들을 포함할 수도 있으며, 또는 일부 단계들은 여러 단계들로 나뉠 수도 있다. 예를 들어, 분산 모드 라우드스피커는 프로세스(300)의 다른 단계들을 수행함이 없이, 사운드가 출력될 주파수 서브세트를 결정하고 그리고 하나 이상의 전극 쌍들을 선택하여 사운드를 생성수 있다. 일부 예에서, 분산 모드 라우드스피커는 프로세스(300)에서 다른 단계들을 수행하지 않고 단계들(304, 306, 및 308)을 수행할 수 있다.
프로세스(300)의 하나 이상의 단계들은 프로세스(300) 내의 이전 단계에 응답하여 자동으로 수행될 수 있다. 예를 들어, 분산 모드 라우드스피커의 입력을 수신함에 응답하여 주파수 서브세트를 결정할 수 있다. 분산 모드 라우드스피커는 주파수 서브세트를 결정함에 응답하여, 압전 트랜스듀서에 포함된 2 개 이상의 전극 쌍들로부터 하나 이상의 전극 쌍을 선택할 수 있다. 하나 이상의 전극 쌍을 선택함에 응답하여, 구동 모듈은 선택된 하나 이상의 전극 쌍들 각각에 전류를 제공할 수 있다. 구동 모듈로부터 전류를 수신함에 응답하여 압전 트랜스듀서는 힘을 생성할 수 있다.
일부 구현예에서, 분산 모드 라우드스피커가 스마트폰에 포함되는 경우, 상기 스마트폰은 디스플레이(예컨대, 디스플레이 패널), 하나 이상의 프로세서, 하나 이상의 메모리를 포함할 수 있다. 디스플레이는 분산 모드 라우드스피커가 사운드를 생성하기 위해 사용하는 부하일 수 있다. 일부 예에서, 스마트 폰은 사운드를 생성할 때 분산 모드 라우드스피커가 사용하기 위한, 디스플레이와는 다른 부하를 포함할 수 있다.
메모리들은 어플리케이션에 대한 명령들을 저장하며, 예컨대, 상기 어플리케이션으로부터 분산 모드 라우드스피커는 출력할 사운드를 식별하는 입력을 수신할 수 있다. 하나 이상의 프로세서, 예를 들어 하나 이상의 어플리케이션 프로세서는 하나 이상의 메모리에 저장된 명령을 사용하여 어플리케이션을 실행할 수 있다. 어플리케이션, 예를 들어 전화 어플리케이션 또는 음악 어플리케이션 또는 게임의 실행 동안, 어플리케이션은 사용자에게 출력할 사운드를 결정할 수 있다. 어플리케이션은 사운드에 대한 데이터를 분산 모드 스피커에 제공할 수 있다.
분산 모드 라우드스피커 내의 콘트롤러 또는 구동 모듈은 사운드에 대한 데이터를 입력으로 수신한다. 콘트롤러는 스마트 폰에서 동일한 구성요소일 수 있다. 일부 예에서, 콘트롤러는 스마트 폰에서 구동 모듈과 다른 구성 요소이다. 콘트롤러, 구동 모듈 또는 이 둘의 조합은 사운드에 대한 데이터를 사용하여 주파수 서브세트를 결정하고, 하나 이상의 전극 쌍을 선택하고, 선택된 하나 이상의 전극 쌍에 전류를 제공한다.
일부 일례들에서, 하나 이상의 프로세서, 하나 이상의 메모리들, 또는 이들 둘다는 구동 모듈, 콘트롤러, 또는 이들 둘다와 별개이다. 예를 들어, 콘트롤러, 구동 모듈 또는 이들 둘다는 하나 이상의 프로세서, 하나 이상의 메모리 또는 이들 둘다를 포함할 수 있다. 적어도 하나의 프로세서는 하나 이상의 프로세서와 다른 세트의 프로세서일 수 있다. 적어도 하나의 메모리는 하나 이상의 메모리와 다른 메모리일 수 있다.
본 명세서에서 설명된 본 발명의 실시예들 및 기능적 동작들은 본 명세서에 개시된 구조들 및 이들의 구조적 균등물을 포함하여, 디지털 전자 회로, 유형적으로 구현되는 컴퓨터 소프트웨어 또는 펌웨어, 컴퓨터 하드웨어, 또는 이들의 하나 이상의 조합으로 구현될 수 있다. 본 명세서에 서술된 주제의 실시예들은 하나 이상의 컴퓨터 프로그램, 즉, 데이터 프로세싱 장치에 의한 실행을 위해 또는 데이터 프로세싱 장치의 동작을 제어하도록 유형의 비일시적 프로그램 캐리어 상에 인코딩된 컴퓨터 프로그램 명령의 하나 이상의 모듈로서 구현될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 프로그램 명령은 데이터 프로세싱 장치에 의한 실행을 위해 적절한 수신기 디바이스로의 전송을 위해 정보를 인코딩하기 위해 생성되는, 인공적으로 생성된 전파 신호, 예를 들어 머신-생성 전기, 광학 또는 전자기 신호에 인코딩될 수 있다. 컴퓨터 저장 매체는 머신 판독가능 저장 디바이스, 머신 판독가능 저장 기판, 랜덤 또는 직렬 액세스 메모리 디바이스, 또는 이들 중 하나 이상의 조합일 수 있다.
"데이터 프로세싱 장치"라는 용어는 데이터 프로세싱 하드웨어를 지칭하며 그리고 예시적으로, 프로그램가능한 프로세서, 또는 복수의 프로세서를 포함하여, 데이터를 처리하기 위한 모든 종류의 장치들, 디바이스들, 및 머신들을 포괄할 수 있다. 상기 장치는 특수 목적의 논리 회로, 예를 들어 FPGA(필드 프로그램가능 게이트 어레이) 또는 ASIC(주문형 집적회로)이거나 이를 포함할 수 있다. 상기 장치는 선택적으로는, 하드웨어 이외에도, 컴퓨터 프로그램에 대한 실행 환경을 생성하는 코드, 예를 들어 프로세서 펌웨어를 구성하는 코드, 프로토콜 스택, 운영 체제, 또는 이들의 하나 이상의 조합을 포함할 수 있다.
예를 들어, 분산 모드 라우드스피커, 예컨대, 구동 모듈 또는 콘트롤러 또는 이들 둘다는 데이터 프로세싱 장치를 포함할 수 있다. 분산 모드 라우드스피커는 본 명세서에 설명된 하나 이상의 동작을 수행하기 위해 적어도 하나의 메모리와 함께 데이터 프로세싱 장치를 사용할 수 있다.
프로그램, 소프트웨어, 소프트웨어 어플리케이션, 모듈, 소프트웨어 모듈, 스크립트, 또는 코드로 언급 또는 설명될 수 있는 컴퓨터 프로그램은 컴파일 또는 해석 언어 또는 선언적 또는 절차적 언어를 포함하여 임의 형태의 프로그래밍 언어로 쓰여질 수 있으며, 그리고 독립형 프로그램으로서, 또는 모듈, 컴포넌트, 서브루틴 또는 컴퓨팅 환경에서 사용하기에 적합한 다른 단위로 구현될 수 있다. 컴퓨터 프로그램은 파일 시스템의 파일에 해당할 수 있지만 반드시 그런 것은 아니다. 이러한 프로그램은 다른 프로그램 또는 데이터를 보유하는 파일의 일부, 예컨대, 마크업 언어 문서에 저장된 하나 이상의 스크립트들, 해당 프로그램 전용의 단일 파일, 또는 예를 들어 복수의 조정된 파일들 예를 들어, 하나 이상의 모듈, 서브 프로그램 또는 코드의 일부를 저장하는 파일들에 저장될 수 있다. 컴퓨터 프로그램은 하나의 컴퓨터 또는 한 사이트에 위치하거나 또는 여러 사이트에 분산되어 있고 통신 네트워크로 상호 연결된 여러 컴퓨터에서 실행될 수 있다.
본 명세서에 서술된 프로세스들 및 논리 흐름들은 입력 데이터상에서 동작하고 출력을 생성함으로써 기능을 수행하는 하나 이상의 컴퓨터 프로그램을 실행하는 하나 이상의 프로그램 가능한 컴퓨터에 의해 수행될 수 있다. 프로세스 및 로직 흐름은 또한 FPGA(필드 프로그램가능 게이트 어레이), ASIC(주문형 집적 회로)과 같은 특수 목적 로직 회로로서 구현될 수 있다.
컴퓨터 프로그램의 실행에 적합한 컴퓨터는, 예로서, 일반 또는 특수 목적 마이크로 프로세서들 또는 임의 종류의 중앙 처리 유닛을 포함할 수 있다. 일반적으로, 중앙 처리 유닛은 판독 전용 메모리 또는 랜덤 액세스 메모리 또는 둘 다로부터 명령 및 데이터를 수신할 것이다. 컴퓨터의 필수 요소는 명령을 수행 또는 실행하기 위한 중앙 처리 유닛 및 명령 및 데이터를 저장하기 위한 하나 이상의 메모리 디바이스이다. 일반적으로, 컴퓨터는 또한 예를 들어 자기, 광 자기 디스크 또는 광 디스크와 같은 데이터를 저장하기 위한 하나 이상의 대용량 저장 디바이스를 포함하거나 이들과 데이터를 송수신하기 위해 동작가능하게 연결될 것이다. 하지만, 컴퓨터는 이러한 디바이스를 반드시 필요로 하는 것은 아니다. 또한, 컴퓨터는 다른 디바이스, 예를 들어 이동 전화, 개인 휴대 정보 단말기(PDA), 모바일 오디오 또는 비디오 플레이어, 게임 콘솔, GPS(Global Positioning System) 수신기 또는 예를 들어 USB(범용 직렬 버스) 플래시 드라이브 등의 휴대용 저장 디바이스에 내장될 수 있다.
컴퓨터 프로그램 명령 및 데이터를 저장하기에 적합한 컴퓨터 판독 가능 매체는 예컨대, 반도체 메모리 디바이스, 예컨대, EPROM, EEPROM, 및 플래시 메모리 디바이스, 자기 디스크, 예를 들어, 내부 하드 디스크 또는 이동식 디스크; 광 자기 디스크; 및 CD ROM 및 DVD-ROM 디스크를 포함하여 모든 형태의 비휘발성 메모리 매체와 메모리 디바이스를 포함한다. 프로세서 및 메모리는 특수 목적 논리 회로에 의해 보완되거나 통합될 수 있다.
분산 모드 라우드스피커는 명령들을 저장하는 하나 이상의 메모리를 포함할 수 있으며, 상기 명령들은 분산 모드 라우드스피커에 의해 실행될 때, 상기 분산 모드 라우드스피커로 하여금 본 명세서에 서술된 하나 이상의 동작들을 수행하게 할 수 있다. 예를 들어, 상기 명령들은 분산 모드 라우드스피커로 하여금, 출력 주파수 서브세트를 결정하거나, 하나 이상의 전극을 활성화(energize)시키거나, 또는 이들 둘다를 수행하게 할 수 있다. 일부 일례들에서, 드라이브 모듈 또는 콘트롤러 또는 이들 둘다는 상기 하나 이상의 메모리들 또는 상기 하나 이상의 메모리들 중 일부를 포함할 수 있다.
사용자와의 상호 작용을 제공하기 위해, 본 명세서에서 설명된 본 발명의 실시예들은 예를 들어, LCD(액정 디스플레이) 모니터 등의 사용자에게 정보를 디스플레이하기 위한 디스플레이 디바이스 및 사용자가 컴퓨터에 입력을 제공할 수 있는 키보드 및 포인팅 디바이스, 예를 들어 마우스 또는 트랙볼을 갖는 컴퓨터에서 구현될 수 있다. 사용자와의 상호 작용을 제공하기 위해 다른 종류의 디바이스가 사용될 수도 있다. 예를 들어, 사용자에게 제공되는 피드백은 임의의 형태의 감각 피드백, 예를 들어 시각적 피드백, 청각 피드백 또는 촉각 피드백일 수 있으며, 사용자로부터의 입력은 음향, 음성 또는 촉각 입력을 포함하는 임의의 형태로 수신될 수 있다. 또한, 컴퓨터는 사용자에 의해 사용되는 디바이스와 문서를 주고받음으로써 사용자와 상호작용할 수 있는바, 예를 들어, 웹 브라우저로부터 수신된 요청에 응답하여 웹 페이지를 사용자 디바이스의 웹 브라우저에 전송함으로써 사용자와 상호작용할 수 있다.
본 명세서에는 많은 특정한 구현예의 세부 사항들이 포함되어 있지만, 이들은 발명의 범위 또는 청구될 수도 있는 것들의 범위에 대한 제한으로 간주되어서는 안되며, 오히려 특정 발명의 특정 실시예에 해당될 수 있는 피처들에 대한 설명으로 이해되어야 한다. 본 명세서에서 개별적인 실시예들의 문맥에서 서술된 소정의 피처들은 하나의 실시예에서 조합되어 구현될 수도 있다. 반대로, 하나의 실시예와 관련하여 설명된 다양한 피처들은 또한 다수의 실시예들에서 개별적으로 또는 임의의 적절한 하위 조합으로 구현될 수 있다. 또한, 소정 피처들은 소정의 조합으로 작용하는 것으로 앞서 서술될 수도 있으며 심지어 초기에는 그렇게 청구될 수도 있지만, 청구된 조합으로부터의 하나 이상의 피처들은 일부 경우에 조합으로부터 제외될 수 있고, 청구된 조합은 하위 조합 또는 하위 조합의 변형에 관한 것일 수 있다.
이와 유사하게, 비록 동작들이 도면들에서 특정 순서로 도시되어 있다 하더라도, 이는 이러한 동작들이 도시된 특정 순서대로 또는 순차적으로 수행될 것을 요구하는 것으로 이해되어서는 안되며, 또는 바람직한 결과를 얻기 위해 도시된 모든 동작들이 반드시 수행되어야 함을 의미하지도 않는다. 특정 상황에서는, 멀티 태스킹 및 병렬 처리가 유리할 수도 있다. 더욱이, 전술한 실시예들에서 다양한 시스템 모듈들 및 컴포넌트들의 분리는 모든 실시예에서 이러한 분리를 요구하는 것으로 이해되어서는 안되며, 서술된 프로그램 컴포넌트들 및 시스템들은 일반적으로 단일 소프트웨어 제품으로 통합될 수 있거나 또는 여러 소프트웨어 제품으로 패키지될 수도 있다.
본 발명의 특정 실시예들이 설명되었다. 다른 실시예들은 다음의 청구 범위의 범위 내에 속한다. 예를 들어, 청구 범위에 기재된 동작들은 다른 순서로 수행될 수 있으며 여전히 바람직한 결과를 달성할 수 있다. 일례로서, 첨부된 도면에 도시된 프로세스는 바람직한 결과를 달성하기 위해 도시된 특정 순서 또는 순차적 순서를 반드시 요구할 필요는 없다. 일부의 경우, 멀티 태스킹 및 병렬 프로세싱이 유리할 수 있다.
Claims (20)
- 방법으로서,
주파수들의 범위 내에서 사운드를 생성하도록 패널에 진동을 야기하는 힘을 생성하는 분산 모드 라우드스피커의 압전 트랜스듀서(piezoelectric transducer)에 대하여, 사운드가 출력될 주파수 서브세트를 상기 주파수들의 범위로부터 결정하는 단계, 상기 분산 모드 라우드스피커는 상기 압전 트랜스듀서로부터 상기 패널로 힘을 전달하는 지지부(support)를 포함하고, 상기 지지부는 제 1 말단(end)에서 상기 패널에 부착되고 제 2 말단에서 상기 압전 트랜스듀서에 부착되며, 상기 지지부는 상기 패널에 수직인 방향으로 연장되는 표면을 포함하며, 상기 압전 트랜스듀서는 상기 표면에 접속된 말단으로부터 상기 압전 트랜스듀서의 자유 말단(free end)까지 연장되며;
상기 주파수 서브세트에 기초하여 그리고 상기 지지부로부터의 거리에 적어도 일부 기초하여, 사운드를 생성하도록 상기 압전 트랜스듀서에 포함된 2 이상의 전극 쌍들 중에서 하나 이상의 전극 쌍을 선택하는 단계, 각각의 전극 쌍은 상기 압전 트랜스듀서에 포함된 층의 제 1 표면 상의 제 1 전극 및 상기 제 1 표면과 대향하는 상기 층의 제 2 표면 상의 제 2 전극을 포함하고, 상기 각각의 전극 쌍은 상기 층의 서로 다른 부분에 연결되며; 그리고
상기 압전 트랜스듀서로 하여금 힘을 생성하게 하도록, 상기 2 이상의 전극 쌍들 각각에 연결된 구동 모듈에 의해서 상기 선택된 하나 이상의 전극 쌍 각각에 전류를 제공하는 단계를 포함하며,
상기 힘은 상기 패널에 제공될 때, 상기 패널로 하여금 상기 주파수 서브세트 내에서 사운드를 생성하게 하는 것을 특징으로 하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 주파수 서브세트에 기초하여, 사운드를 생성하도록 상기 압전 트랜스듀서에 포함된 2 이상의 전극 쌍들 중에서 하나 이상의 전극 쌍을 선택하는 단계는, 상기 주파수 서브세트에 기초하여 상기 2 이상의 전극 쌍들 중 전극 쌍들의 서브세트를 선택하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법. - 제2항에 있어서,
상기 사운드가 출력될 주파수 서브세트를 상기 주파수들의 범위로부터 결정하는 단계는, 사운드가 출력될 고주파수 범위의 서브세트를 상기 주파수들의 범위로부터 결정하는 단계를 포함하고; 그리고
상기 주파수 서브세트에 기초하여 상기 2 이상의 전극 쌍들 중 전극 쌍들의 서브세트를 선택하는 단계는, 상기 결정된 고주파수 범위의 서브세트에 기초하여, 상기 2 이상의 전극 쌍들 중 하나의 전극 쌍을 선택하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법. - 제3항에 있어서,
상기 결정된 고주파수 범위의 서브세트에 기초하여 상기 2 이상의 전극 쌍들 중 하나의 전극 쌍을 선택하는 단계는, 상기 결정된 고주파수 범위의 서브세트에 기초하여 상기 지지부(support)에 가장 가까운 특정 전극 쌍을 선택하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법. - 제3항에 있어서,
상기 사운드와는 다른 제 2 사운드가 출력될 중간 주파수 범위의 서브세트를 상기 주파수들의 범위로부터 결정하는 단계;
상기 결정된 중간 주파수 범위의 서브세트에 기초하여, 상기 압전 트랜스듀서에 포함된 3 이상의 전극 쌍들 중에서 2 이상의 특정 전극 쌍들을 선택하는 단계, 상기 3 이상의 전극 쌍들은 상기 2 이상의 전극 쌍들을 포함하며; 그리고
상기 압전 트랜스듀서로 하여금 상기 패널을 제공하도록, 상기 3 이상의 전극 쌍들 각각에 연결된 구동 모듈에 의해서 상기 선택된 2 이상의 특정 전극 쌍 각각에 전류를 제공하는 단계를 포함하며,
상기 패널은 상기 중간 주파수 범위의 서브세트 내에서 상기 제 2 사운드를 생성하는 것을 특징으로 하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 주파수 서브세트에 기초하여 사운드를 생성하도록 상기 압전 트랜스듀서에 포함된 2 이상의 전극 쌍들 중에서 하나 이상의 전극 쌍을 선택하는 단계는,
상기 주파수 서브세트에 기초하여 사운드를 생성하도록 상기 2 이상의 전극 쌍들 모두를 선택하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법. - 제6항에 있어서,
상기 사운드가 출력될 주파수 서브세트를 상기 주파수들의 범위로부터 결정하는 단계는, 상기 주파수들의 범위로부터 사운드가 출력될 저주파수 범위의 서브세트를 결정하는 단계를 포함하고;
상기 주파수 서브세트에 기초하여 상기 2 이상의 전극 쌍들 모두를 선택하는 단계는, 상기 결정된 저주파수 범위의 서브세트에 기초하여 상기 2 이상의 전극 쌍들 모두를 선택하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법. - 시스템으로서,
분산 모드 라우드스피커를 포함하고,
상기 분산 모드 라우드스피커는 압전 트랜스듀서, 지지부, 콘트롤러, 및 구동 모듈을 포함하며,
상기 압전 트랜스듀서는,
2 이상의 전극 쌍들을 포함하고, 상기 2 이상의 전극 쌍들 각각은, a) 상기 압전 트랜스듀서에 포함된 층의 제 1 표면 상의 제 1 전극을 포함하고, b) 상기 제 1 표면과 대향하는 상기 층의 제 2 표면 상의 제 2 전극을 포함하며, c) 상기 층의 서로 다른 부분에 연결되며; 그리고
주파수들의 범위 내에서 사운드를 생성하도록 패널에 진동을 야기하는 힘을 생성하며;
상기 지지부는 상기 압전 트랜스듀서로부터 상기 패널로 힘을 전달하고, 상기 지지부는 제 1 말단(end)에서 상기 패널에 부착되고 제 2 말단에서 상기 압전 트랜스듀서에 부착되며, 상기 지지부는 상기 패널에 수직인 방향으로 연장되는 표면을 포함하며, 상기 압전 트랜스듀서는 상기 표면에 접속된 말단으로부터 상기 압전 트랜스듀서의 자유 말단(free end)까지 연장되며;
상기 콘트롤러는,
상기 압전 트랜스듀서에 대하여, 사운드가 출력될 주파수 서브세트를 상기 주파수들의 범위로부터 결정하고; 그리고
상기 주파수 서브세트에 기초하여 그리고 상기 지지부로부터의 거리에 적어도 일부 기초하여, 사운드를 생성하도록 상기 압전 트랜스듀서에 포함된 2 이상의 전극 쌍들 중에서 하나 이상의 전극 쌍을 선택하며;
상기 구동 모듈은,
상기 2 이상의 전극 쌍들 각각에 연결되고, 상기 압전 트랜스듀서로 하여금, 힘을 생성하게 하도록 상기 2 이상의 전극 쌍들 중 적어도 일부에 전류를 제공하고, 상기 힘은 상기 패널에 제공될 때 상기 패널이 사운드를 생성하게 하며; 그리고
상기 압전 트랜스듀서로 하여금, 힘을 생성하게 하도록 상기 선택된 하나 이상의 전극 쌍 각각에 전류를 제공하도록 구성되고, 상기 힘은 상기 패널에 제공될 때 상기 패널이 상기 주파수 서브세트 내에서 사운드를 생성하게 하는 것을 특징으로 하는 시스템. - 제8항에 있어서,
상기 분산 모드 라우드스피커는 상기 압전 트랜스듀서에 고정식으로 연결된 지지부를 포함하며, 상기 지지부는 상기 패널에 연결될 때, 상기 압전 트랜스듀서에 의해 생성된 힘의 적어도 일부를 상기 패널로 전달하는 것을 특징으로 하는 시스템. - 제8항에 있어서,
상기 2 이상의 전극 쌍들 중 적어도 일부의 전극 쌍들은 공통 접지를 공유하는 것을 특징으로 하는 시스템. - 제8항에 있어서,
상기 2 이상의 전극 쌍들의 각각의 전극 쌍은 개별적인 접지를 갖는 것을 특징으로 하는 시스템. - 제8항에 있어서,
상기 층은 세라믹인 것을 특징으로 하는 시스템. - 제8항에 있어서,
상기 콘트롤러는, 상기 주파수 서브세트에 기초하여 상기 2 이상의 전극 쌍들 중 전극 쌍들의 서브세트를 선택함으로써, 상기 주파수 서브세트에 기초하여 사운드를 생성하도록 상기 압전 트랜스듀서에 포함된 2 이상의 전극 쌍들 중에서 하나 이상의 전극 쌍을 선택하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 시스템. - 제13항에 있어서,
상기 콘트롤러는,
사운드가 출력될 고주파수 범위의 서브세트를 상기 주파수들의 범위로부터 결정함으로써, 사운드가 출력될 주파수 서브세트를 상기 주파수들의 범위로부터 결정하고; 그리고
상기 결정된 고주파수 범위의 서브세트에 기초하여 상기 2 이상의 전극 쌍들 중 하나의 전극 쌍을 선택함으로써, 상기 주파수 서브세트에 기초하여 상기 2 이상의 전극 쌍들 중 전극 쌍들의 서브세트를 선택하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 시스템. - 제14항에 있어서,
상기 콘트롤러는, 상기 결정된 고주파수 범위의 서브세트에 기초하여 상기 지지부에 가장 가까운 특정 전극 쌍을 선택함으로써, 상기 결정된 고주파수 범위의 서브세트에 기초하여 상기 2 이상의 전극 쌍들 중 하나의 전극 쌍을 선택하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 시스템. - 제14항에 있어서,
상기 콘트롤러는,
상기 사운드와는 다른 제 2 사운드가 출력될 중간 주파수 범위의 서브세트를 상기 주파수들의 범위로부터 결정하고;
상기 결정된 중간 주파수 범위의 서브세트에 기초하여, 상기 압전 트랜스듀서에 포함된 3 이상의 전극 쌍들 중에서 2 이상의 특정 전극 쌍들을 선택하도록 구성되며, 상기 3 이상의 전극 쌍들은 상기 2 이상의 전극 쌍들을 포함하며;
상기 구동 모듈은, 상기 압전 트랜스듀서로 하여금 상기 패널에 힘을 제공하도록, 상기 3 이상의 전극 쌍들 각각에 연결된 상기 구동 모듈에 의해서 상기 선택된 2 이상의 특정 전극 쌍 각각에 전류를 제공하도록 구성되고, 상기 패널은 상기 중간 주파수 범위의 서브세트 내에서 상기 제 2 사운드를 생성하는 것을 특징으로 하는 시스템. - 제8항에 있어서,
상기 콘트롤러는, 상기 주파수 서브세트에 기초하여 상기 2 이상의 전극 쌍들 모두를 선택함으로써, 상기 주파수 서브세트에 기초하여 사운드를 생성하도록 상기 압전 트랜스듀서에 포함된 2 이상의 전극 쌍들 중에서 하나 이상의 전극 쌍을 선택하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 시스템. - 제17항에 있어서,
상기 콘트롤러는,
사운드가 출력될 저주파수 범위의 서브세트를 상기 주파수들의 범위로부터 결정함으로써, 상기 사운드가 출력될 주파수 서브세트를 상기 주파수들의 범위로부터 결정하고;
상기 결정된 저주파수 범위의 서브세트에 기초하여 상기 2 이상의 전극 쌍들 모두를 선택함으로써, 상기 주파수 서브세트에 기초하여 상기 2 이상의 전극 쌍들 모두를 선택하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 시스템. - 장치로서,
컨텐츠를 제시하는 디스플레이;
압전 트랜스듀서, 상기 압전 트랜스듀서는,
2 이상의 전극 쌍들을 포함하고, 상기 2 이상의 전극 쌍들 각각은, a) 상기 압전 트랜스듀서에 포함된 층의 제 1 표면 상의 제 1 전극을 포함하고, b) 상기 제 1 표면과 대향하는 상기 층의 제 2 표면 상의 제 2 전극을 포함하며, c) 상기 층의 서로 다른 부분에 연결되며; 그리고
주파수들의 범위 내에서 사운드를 생성하도록 패널에 진동을 야기하는 힘을 생성하며;
지지부, 상기 지지부는 상기 압전 트랜스듀서로부터 상기 패널로 힘을 전달하고, 상기 지지부는 제 1 말단(end)에서 상기 패널에 부착되고 제 2 말단에서 상기 압전 트랜스듀서에 부착되며, 상기 지지부는 상기 패널에 수직인 방향으로 연장되는 표면을 포함하며, 상기 압전 트랜스듀서는 상기 표면에 접속된 말단으로부터 상기 압전 트랜스듀서의 자유 말단(free end)까지 연장되며;
콘트롤러, 상기 콘트롤러는,
상기 압전 트랜스듀서에 대하여, 사운드가 출력될 주파수 서브세트를 상기 주파수들의 범위로부터 결정하고; 그리고
상기 주파수 서브세트에 기초하여 그리고 상기 지지부로부터의 거리에 적어도 일부 기초하여, 사운드를 생성하도록 상기 압전 트랜스듀서에 포함된 2 이상의 전극 쌍들 중에서 하나 이상의 전극 쌍을 선택하며;
구동 모듈, 상기 구동 모듈은,
상기 2 이상의 전극 쌍들 각각에 연결되고, 상기 압전 트랜스듀서로 하여금 힘을 생성하게 하도록 상기 2 이상의 전극 쌍들 중 적어도 일부에 전류를 제공하도록 구성되고, 상기 힘은 상기 패널에 제공될 때 상기 패널로 하여금 사운드를 생성하게 하고; 그리고
상기 압전 트랜스듀서로 하여금 힘을 생성하게 하도록 상기 선택된 하나 이상의 전극 쌍 각각에 전류를 제공하도록 구성되며, 상기 힘은 상기 패널에 제공될 때, 상기 패널로 하여금 상기 주파수 서브세트 내에서 사운드를 생성하게 하며;
스마트폰을 위해 어플리케이션을 실행하는 하나 이상의 어플리케이션 프로세서들; 및
명령들을 저장하는 하나 이상의 메모리들
을 포함하고,
상기 명령들은 상기 하나 이상의 어플리케이션 프로세서들에 의해 실행될 때, 상기 하나 이상의 어플리케이션 프로세서들로 하여금 상기 어플리케이션을 실행하게 하며,
상기 장치는 스마트폰인 것을 특징으로 하는 장치. - 제19항에 있어서,
상기 디스플레이는 상기 패널을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US10356523B2 (en) | 2017-12-13 | 2019-07-16 | Nvf Tech Ltd | Distributed mode loudspeaker actuator including patterned electrodes |
| CN110196650A (zh) * | 2018-02-27 | 2019-09-03 | 深圳富泰宏精密工业有限公司 | 通过压电阵列实现触摸反馈及声音输出的电子装置 |
| JP7123197B2 (ja) * | 2021-01-06 | 2022-08-22 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 音響発生器及び音響装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006116399A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Citizen Electronics Co Ltd | 撓み振動型エキサイタ |
| JP2008125005A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Kenwood Corp | 音声発生装置 |
| KR20080069225A (ko) * | 2005-11-23 | 2008-07-25 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 캔틸레버식 생체 음향 센서 및 이의 사용 방법 |
| KR20100070230A (ko) * | 2008-12-17 | 2010-06-25 | 한국전자통신연구원 | 압전형 스피커 시스템 |
| KR20140078702A (ko) * | 2011-09-23 | 2014-06-25 | 퀄컴 인코포레이티드 | 조합된 두께 및 폭 진동 모드들을 갖는 압전 공진기 |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58161396U (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-27 | 三洋電機株式会社 | 圧電型電気音響変換器 |
| JPS59189800A (ja) | 1983-04-11 | 1984-10-27 | Sony Corp | Ｐｃｍ変換器 |
| US6324052B1 (en) | 1996-09-03 | 2001-11-27 | New Transducers Limited | Personal computing devices comprising a resonant panel loudspeaker |
| US6324294B1 (en) | 1996-09-03 | 2001-11-27 | New Transducers Limited | Passenger vehicles incorporating loudspeakers comprising panel-form acoustic radiating elements |
| US6137890A (en) | 1997-05-06 | 2000-10-24 | Compaq Computer Corporation | Lumped parameter resonator of a piezoelectric speaker |
| TW511391B (en) | 2000-01-24 | 2002-11-21 | New Transducers Ltd | Transducer |
| US7151837B2 (en) * | 2000-01-27 | 2006-12-19 | New Transducers Limited | Loudspeaker |
| WO2001093628A2 (en) | 2000-05-31 | 2001-12-06 | New Transducers Limited | Loudspeaker of the bending wave type and exciter therefor |
| US20020015507A1 (en) | 2000-05-31 | 2002-02-07 | Neil Harris | Loudspeaker |
| JP2002135896A (ja) | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Sony Corp | スピーカ装置 |
| US7039206B2 (en) * | 2001-06-28 | 2006-05-02 | Nokia Corporation | Dual diaphragm speaker |
| KR100512960B1 (ko) | 2002-09-26 | 2005-09-07 | 삼성전자주식회사 | 플렉서블 ｍｅｍｓ 트랜스듀서와 그 제조방법 및 이를채용한 플렉서블 ｍｅｍｓ 무선 마이크로폰 |
| US7475598B2 (en) | 2003-09-11 | 2009-01-13 | New Transducers Limited | Electromechanical force transducer |
| GB0321292D0 (en) * | 2003-09-11 | 2003-10-15 | New Transducers Ltd | Transducer |
| GB0414652D0 (en) | 2004-06-30 | 2004-08-04 | New Transducers Ltd | Transducer or actuator |
| JP4807761B2 (ja) * | 2005-11-02 | 2011-11-02 | ビジュアルソニックス インコーポレイテッド | アレイ超音波トランスデューサ |
| US20100086151A1 (en) * | 2005-12-07 | 2010-04-08 | Tpo Displays Corp. | Piezoelectric Speaker |
| GB2464117B (en) | 2008-10-03 | 2015-01-28 | Hiwave Technologies Uk Ltd | Touch sensitive device |
| JP2012216905A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Nec Casio Mobile Communications Ltd | 表示装置及び電子機器 |
| TW201314979A (zh) * | 2011-09-19 | 2013-04-01 | Chief Land Electronic Co Ltd | 換能器與能量轉換模組 |
| GB201207045D0 (en) | 2012-04-23 | 2012-06-06 | Hiwave Technologies Uk Ltd | Transducers with improved impedance matching |
| IL225374A0 (en) | 2013-03-21 | 2013-07-31 | Noveto Systems Ltd | Array@Matamari |
| CN103438614B (zh) | 2013-09-02 | 2015-08-26 | 东南大学 | 基于真空沸腾并实现凝结可控的溶液再生装置 |
| JP5676043B1 (ja) | 2013-10-28 | 2015-02-25 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 音響を発生させる装置 |
| US9299275B2 (en) * | 2014-01-02 | 2016-03-29 | Pixtronix, Inc. | Display apparatus incorporating corrugated beam actuators |
| US10356523B2 (en) | 2017-12-13 | 2019-07-16 | Nvf Tech Ltd | Distributed mode loudspeaker actuator including patterned electrodes |
-
2017
- 2017-12-13 US US15/840,232 patent/US10356523B2/en active Active
-
2018
- 2018-12-13 EP EP18822455.4A patent/EP3725098B1/en active Active
- 2018-12-13 KR KR1020217013835A patent/KR102460512B1/ko active IP Right Grant
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-
2019
- 2019-07-12 US US16/510,740 patent/US10631089B2/en active Active
-
2020
- 2020-03-30 US US16/833,916 patent/US11032643B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006116399A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Citizen Electronics Co Ltd | 撓み振動型エキサイタ |
| KR20080069225A (ko) * | 2005-11-23 | 2008-07-25 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 캔틸레버식 생체 음향 센서 및 이의 사용 방법 |
| JP2008125005A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Kenwood Corp | 音声発生装置 |
| KR20100070230A (ko) * | 2008-12-17 | 2010-06-25 | 한국전자통신연구원 | 압전형 스피커 시스템 |
| KR20140078702A (ko) * | 2011-09-23 | 2014-06-25 | 퀄컴 인코포레이티드 | 조합된 두께 및 폭 진동 모드들을 갖는 압전 공진기 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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