KR20210054504A - 이중 대역 트랜스폰더 및 이중 대역 트랜스폰더를 구비하는 직물 라벨 - Google Patents

이중 대역 트랜스폰더 및 이중 대역 트랜스폰더를 구비하는 직물 라벨 Download PDF

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Abstract

이중 대역 트랜스폰더(20)는 적어도 하나의 평면 기판 층을 갖는 캐리어 기판(16)을 포함한다. 초고주파 루프 안테나(11)는 캐리어 기판(16)의 평면 기판 층들 중 하나의 제1 표면 상에 장착된다. 고주파 루프 안테나(12)는 캐리어 기판(16)의 평면 기판 층들 중 하나의 두 대향 표면들 상에 장착된다. 초고주파 루프 안테나(11)는 적어도 하나의 평면 기판 층과 평행한 평면에서 고주파 루프 안테나(12)를 완전히 둘러싼다. 직물 라벨(10)은 직물 라벨 서브스트레이트(19) 및 직물 라벨 서브스트레이트(19) 상에 장착 된 대응되는 이중 대역 트랜스폰더((20)를 포함한다.

Description

이중 대역 트랜스폰더 및 이중 대역 트랜스폰더를 구비하는 직물 라벨
본 발명은 이중 대역 트랜스폰더에 관한 것이며, 특히 극초단파(UHF: ultra-high frequency range) 범위 및 근거리 무선통신(NFC: near-field communication) 범위에서 결합된 데이터 전송 기능을 갖는 트랜스폰더에 관한 것이다. 본 발명은 또한 이러한 이중 대역 트랜스폰더를 갖는 직물 라벨에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이러한 이중 대역 트랜스폰더, 및 이중 대역 트랜스폰더를 구비한 직물 라벨을 위한 제조 방법에 관한 것이다.
직물 산업의 부가가치 체인의 경우, 고주파 및/또는 초고주파 트랜스폰더(소위 "무선 주파수 식별 태그"(RFID 태그))를 구비하는 라벨을 사용하는 것이 일반적이다. 이러한 트랜스폰더는 태그가 달린 제품의 제조, 식별, 유통, 판매 및 마케팅과 관련된 데이터를 판독 가능한 방식으로 저장할 수 있다.
근거리 통신(NFC: near field communication) 기술은 일반적으로 RFID 기술을 기반으로하고, 비접촉 데이터 교환을 위한 국제 전송 표준으로서 확립되었다. 이를 위해, 피드백 효과를 측정하여 NFC 트랜스폰더에서 NFC 지원 판독 디바이스로 데이터를 전송할 수 있도록 하기 위해서 전자기 유도 원리를 사용하여 몇 센티미터의 공극으로 분리된 코일이 일시적으로 결합된다. 직물 분야는 예를 들어, 마케팅 목적으로 소매 고객과의 통신을 위해 이러한 NFC 태그를 사용할 수 있다.
동일한 제품에 대한 서로 다른 무선 데이터 통신 기술의 사용은 부가가치 체인의 여러 단계에서 이점을 얻을 수 있다. 한 가지 가능성은, 두 개의 서로 다른 RFID 라벨을 사용하는 것을 수반하며, 이로써, 유지되는 데이터의 프로그래밍 및 유지 관리를 더 복잡하게 만든다. 또 다른 옵션은 여러 주파수 대역에서 작동될 수 있고 다양한 고주파 통신 표준을 사용할 수있는 트랜스폰더를 구비한 라벨을 사용하는 것이다. 그러나, RFID 사용 가능 라벨에서 서로 다른 트랜스폰더를 나란히 삽입함으로써, 일반적으로 개별 트랜스폰더의 성능이 저하되고 라벨을 위한 공간 요구 사항이 증가된다.
다중 대역 사용 고주파 트랜스폰더의의 문제를 다루는 선행 기술 접근 방식은 DE 10 2008 033 537 A1, DE 10 2013 111 027 A1, US 2009/0231139 A1 및 US 2016/0342883 A1 문서에서 찾을 수 있다.
따라서 본 발명의 목적 중 하나는 이중 대역 트랜스폰더의 소형화, 특히 직물 산업의 부가가치 체인에 적용하기 위한 솔루션을 찾기 위해 구성된다.
이러한 목적 및 다른 목적은 청구항 1의 특징부를 갖는 이중 대역 트랜스폰더에 의해서, 청구항 16의 특징부를 갖는 직물 라벨에 의해서 그리고 청구항 22의 특징부를 갖는 직물 라벨을 제조하기 위한 방법에 의해서 해결된다.
본 발명의 제1 양태에 따르면, 이중 대역 트랜스폰더는 적어도 하나의 평면 기판 층을 포함한다. 초고주파 루프 안테나는 캐리어 기판의 평면 기판 층들 중 하나의 제1 표면 상에 장착된다. 고주파 루프 안테나는 캐리어 기판의 평면 기판 층들 중 하나의 두 대향 표면들 상에 장착된다. 초고주파 루프 안테나는 적어도 하나의 평면 기판 층과 평행한 평면에서 고주파 루프 안테나를 완전히 둘러싼다. 직물 라벨은 직물 라벨 서브스트레이트 및 직물 라벨 서브스트레이트 상에 장착된 대응되는 이중 대역 트랜스폰더를를 포함한다.
본 발명의 제2 양태에 따르면, 직물 라벨은 직물 라벨 서브스트레이트 및 본 발명의 제1 양태에 따른 이중 대역 트랜스폰더를 포함하며, 트랜스폰더는 직물 라벨 서브스트레이트 상에 장착된다.
본 발명의 제3 양태에 따르면, 직물 라벨, 특히 본 발명의 제2 양태의 직물 라벨을 제조하기 위한 방법은 적어도 하나의 평면 기판 층을 갖는 캐리어 기판의 제1 표면 상에 초고주파 루프 안테나를 장착하는 단계, 초고주파 루프 안테나가 적어도 하나의 평면 기판 층에 평행한 평면에서 고주파 루프 안테나를 완전히 둘러싸도록, 고주파 루프 안테나를 캐리어 기판의 두 대향 표면 상에 장착하는 단계, 초고주파 루프 안테나에 초고주파 트랜스폰더 칩을 결합시키는 단계, 고주파 트랜스 폰더 칩을 고주파 루프 안테나에 결합하는 단계, 직물 라벨 서브스트레이트에 다이폴 안테나를 편물하거나 직조하는 단계, 및 초고주파 루프 안테나, 고주파 루프 안테나, 초고주파 트랜스폰더 칩 및 고주파 트랜스폰더 칩을 갖는 캐리어 기판을 직물 라벨 서브스트레이트 상에 장착하는 단계를 포함한다.
본 발명의 기본 아이디어는 초고주파 범위(UHF)와 고주파수 범위(HF)에 대한 두 개의 안테나를 공간 또는 동조 측면에서 서로 분리하지 않고, 대신 고주파 안테나를 초고주파 안테나의 기능적으로 일체된 부분으로 간주하는 것을 관여시킨다. 두 개의 안테나와 관련된 각각의 주파수 범위는 각각의 수신 및 송신 대역에서 상호 손상이 방지될 수 있도록 서로 충분히 멀리 떨어져 있다. 각각의 안테나는, 각각의 다른 안테나와 결합해서만 최대 성능을 발휘할 수 있는 방식으로 서로 동조된다. 예를 들어, 초고주파 루프 안테나는 단독으로 약 800 MHz의 중심 주파수로 튜닝될 수 있다. 고주파 루프 안테나는 초고주파 루프 안테나가 약 900 MHz의 중심 주파수로 디튜닝되는 방식으로 초고주파 루프 안테나의 윤곽선 내에 배치될 수 있다, 즉 초고주파 루프 안테나와 고주파 루프 안테나는 함께 900 MHz의 초고주파 범위에서 중심 주파수를 설정한다.
트랜스폰더의 안테나 구조를 가능한 콤팩트하게 형성하기 위해, 본 발명의 주요 아이디어 중 하나는 고주파 안테나를 초고주파 안테나로 완전히 둘러싸는 것이다. 고주파 안테나를 초고주파 안테나에 의해 완전히 둘러싸는 것은 이러한 맥락에서 고주파 안테나의 전자기 유효 통과 영역이 초고주파 안테나의 전자기 유효 통과 영역에 의해 완전히 덮이는 것을 의미한다. 즉, 초고주파 루프 안테나의 모든 루프는, 고주파 루프 안테나의 안테나 부분이 캐리어 기판의 평면에서 초고주파 루프 안테나의 유효 안테나 영역을 넘어 확장되지 않도록, 고주파 루프 안테나의 루프 및 가능하면 다른 안테나 부분을 둘러싼다.
결과적으로, 생성된 끼워진 안테나 구조체의 치수는 약 13x13 mm, 즉 170 mm² 미만으로 제한될 수 있다. 따라서, 공간 요구 사항이 거의 없는 이중 대역 트랜스폰더를 구축 할 수 있으며 특히 소형 직물 라벨에 적합할 수 있다. 구체적으로, 캐리어 기판의 두 개의 표면 측부 또는 캐리어 기판의 기판 층 상에 각각 고주파 루프 안테나를 구현하는 것은, 고주파 루프 안테나의 전체 길이는 충분히 길지만, 캐리어 기판의 기판 층 평면에서 고주파 루프 안테나에 대한 공간 요구 사항은 초고주파 루프 안테나가 고주파 루프 안테나를 완전히 둘러쌀 수 있을 만큼 충분히 낮은 점을 보장한다.
유리한 실시형태 및 변형예는 도면을 고려한 명세서뿐만 아니라 추가 종속 청구항에서 찾을 수 있다.
본 발명의 이중 대역 트랜스폰더의 일부 실시형태에 따르면, 캐리어 기판은 적어도 두 개의 평면 기판 층을 포함할 수 있다. 이들 실시형태 중 일부에서, 초고주파 루프 안테나는 캐리어 기판의 적어도 두 개의 평면 기판 층 중 제1 평면 기판 층의 제1 면 상에 장착될 수 있다. 이들 실시형태 중 일부에서, 초고주파 루프 안테나는 캐리어 기판의 적어도 두 개의 평면 기판 층 중 제2 평면 기판 층의 두 개의 양 측부 상에 장착될 수 있다.
본 발명의 이중 대역 트랜스폰더의 일부 추가 실시형태에 따르면, 캐리어 기판의 적어도 두 개의 평면 기판 층 중 제2 기판 층을 통해 이어지고, 캐리어 기판 의 적어도 두 개의 평면 기판 층 중 제2 기판 층의 제1 측부 상의 고주파 루프 안테나의 일부를 캐리어 기판의 적어도 두 개의 평면 기판 층 중 제2 기판 층의 제2 측부 상의 고주파 루프 안테나의 일부에 전기적으로 전도적으로 연결하는 제1 층간 연결 요소를 더 포함할 수 있다. 층간 연결 요소의 수는 캐리어 기판의 양 측부 상에 있는 고주파 루프 안테나의 안테나 요소의 수에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 두 개의 분리된 층간 연결 요소는 캐리어 기판의 평면 확장부에 본질적으로 수직인 캐리어 기판의 비아에서 구현될 수 있다.
본 발명의 이중 대역 트랜스폰더의 일부 추가 실시형태에 따르면, 캐리어 기판의 적어도 두 개의 평면 기판 층 중 제1 평면 기판 층을 통해서 이어지는 제2 층간 연결 요소를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 이중 대역 트랜스폰더의 일부 실시형태에 따르면, 초고주파 루프 안테나 및 고주파 루프 안테나에 결합된 이중 대역 트트랜스폰더 칩을 더 포함할 수 있다. 이중 대역 트랜스폰더 칩은 이와 관련하여 초고주파 범위뿐만 아니라 고주파 범위 모두에서 작동 가능하고 다른 주파수 범위에 대해 다른 전송 프로토콜을 지원하는 칩일 수 있다.
본 발명의 이중 대역 트랜스폰더의 일부 실시형태에 따르면, 이중 대역 트랜스폰더는 초고주파 루프 안테나에 결합된 초고주파 트랜스폰더 칩 및 고주파 루프 안테나에 결합된 고주파 트트랜스폰더 칩을 더 포함할 수 있다. 초고주파 트랜스폰더 칩과 고주파 트랜스폰더 칩은 이와 관련하여 서로 다른 주파수 범위에서 작동될 수 있으며 RAIN RFID 및 NFC와 같은 서로 다른 데이터 전송 프로토콜에 따라 구성될 수 있다. 초고주파 트랜스폰더 칩과 고주파 트랜스폰더 칩은 두 가지 다른 공정으로 조립될 수 있다. 이로써 열극의 크기는 8 mm일 수 있어, 두 번째 조립 공정을 위한 열극이 더 이상 이미 조립된 칩에 닿지 않게 하기 위해 초고주파 트랜스폰더 칩과 고주파 트랜스폰더 칩의 측방향 간격을 적어도 8 mm로 설정하는 것이 유리하다.
본 발명의 이중 대역 트랜스폰더의의 일부 추가 실시형태에 따르면, 이중 대역 트랜스폰더는 캐리어 기판의 적어도 두 개의 평면 기판 층 중 제1 평면 기판 층을 통해 이어지는 제2 층간 연결 요소를 더 포함할 수 있되, 이중 대역 트랜스폰더 칩 또는 초고주파 트랜스폰더 칩은 제2 층간 연결 요소에 의해 초고주파 루프 안테나에 결합될 수 있다.
본 발명의 이중 대역 트랜스폰더의 일부 추가 실시형태에 따르면, 제2 층간 연결 요소는 캐리어 기판의 적어도 두 개의 평면 기판 층 중 제2 평면 기판 층을 통해 더 이어질 수 있다.
본 발명의 이중 대역 트랜스폰더의 일부 추가 실시형태에 따르면, 이중 대역 트랜스폰더는 캐리어 기판의 적어도 두 개의 평면 기판 층 중 제1 평면 기판 층과 캐리어 기판의 적어도 두 개의 평면 기판 층 중 제2 평면 기판 층 사이에 도포된 접착 층을 더 포함할 수 있다. 이중 대역 트랜스폰더 칩 또는 대안적으로 초고주파 트랜스폰더 칩 및 고주파 트랜스폰더 칩은 이와 관련하여 접착 층에 배열될 수 있다.
본 발명의 이중 대역 트랜스폰더의 일부 대안적인 실시형태에 따르면, 캐리어 기판은 정확히 하나의 평면 기판 층을 포함할 수 있다. 이 경우, 초고주파 루프 안테나와 고주파 루프 안테나는 정확히 하나의 평면 기판 층의 측부 표면 상에 장착될 수 있다.
본 발명의 이중 대역 트랜스폰더의의 일부 추가 실시형태에 따르면, 층간 연결 요소는 정확히 하나의 평면 기판 층을 통해 이어질 수 있다. 이에 의해, 초고주파 루프 안테나 및 고주파 루프 안테나는 이중 대역 트랜스폰더 칩에 결합 될 수 있다.
본 발명의 이중 대역 트랜스폰더의 일부 대안적인 실시형태에 따르면, 층간 연결 요소는 정확히 하나의 평면 기판 층을 통해 이어져, 초고주파 루프 안테나가 초고주파 트랜스폰더 칩에 연결되고 고주파 루프 안테나가 고주파 트랜스폰더 칩에 연결된다.
본 발명의 이중 대역 트랜스폰더의 일부 추가 실시형태에 따르면, 초고주파 루프 안테나와 고주파 루프 안테나는, 고주파 루프 안테나가 존재하지 않는다면 초고주파 루프 안테나의 작동성이 감소되는 방식으로 서로 동조된다.
본 발명의 이중 대역 트랜스폰더의 일부 추가 실시형태에 따르면, 캐리어 기판의 평면 기판 층의 평면에서 이중 대역 트랜스폰더의 영역의 표면적은 170 mm²미만이다.
본 발명의 텍스타일 라벨의 일부 실시형태에 따르면, 텍스타일 라벨은 텍스타일 라벨 서브스트레이트에 편물되거나 직조된 다이폴 안테나를 포함할 수 있다. 여기서, 일부 실시형태에서, 초고주파 루프 안테나는 다이폴 안테나에 유도적으로 결합될 수있다.
본 발명의 텍스타일 라벨의 일부 추가 실시형태에 따르면, 이중 대역 트랜스폰더는 직물 전달 접착제로 코팅되고 직물 전달 접착제를 통해 직물 라벨 서브스트레이트에 세척 방지 방식으로 접착될 수 있다.
본 발명의 텍스타일 라벨의 일부 추가 구현 예에 따르면, 이중 대역 트랜스폰더의 캐리어 기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리이미드(PI), FR4(유리 섬유 직물 및 에폭시 수지의 화합물) 및 폴리에테르 에테르 케톤(PEEK)의 그룹으로부터의 재료 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 여기서, 이중 대역 트랜스폰더는, 일반적으로 세탁성, 수밀성 및/또는 땀이나 세제와 같은 물질에 대한 내화학성에 대한 요구 사항에 따라 다층을 갖는 적층으로 구현될 수 있다.
본 발명의 직물 라벨의 일부 추가 실시형태에 따르면, 초고주파 루프 안테나와 고주파 루프 안테나 사이의 간격은 적어도 0.8 mm일 수 있다. 초고주파 트랜스폰더 칩과 고주파 트랜스폰더 칩은 두 가지 별개의 공정으로 조립될 수 있다. 이와 관련하여, 열극의 크기는 8 mm일 수 있어, 두 번째 조립 공정을 위한 열극이 더 이상 이미 조립된 칩에 닿지 않게 하기 위해 초고주파 트랜스폰더 칩과 고주파 트랜스폰더 칩의 측방향 간격을 적어도 8 mm로 설정하는 것이 유리하다.
본 발명의 방법의 일부 실시형태에 따르면, 초고주파 트랜스폰더 칩에 대한 식별 코드는 고주파 트랜스폰더 칩의 메모리에 프로그래밍될 수 있다. 본 발명의 방법의 일부 실시형태에 따르면, 고주파 트랜스폰더 칩에 대한 식별 코드는 초고주파 트랜스폰더 칩의 메모리에 프로그래밍될 수 있다.
위에서 논의된 구현예 및 변형예는 적절하게 임의의 방식으로 결합될 수 있다. 본 발명의 추가 가능한 구현예, 변형예 및 실시형태는, 앞에서 그리고 아래에서 논의되는 바와 같이 본 발명의 실시형태의 특징부의 명시적으로 도시하지 않은 조합을 포함한다. 구체적으로, 당업자는 또한 본 발명의 각각의 기본 형태에 대해 개선예 또는 부가예로서 개별적 양태를 포함할 것이다.
본 발명은 다음과 같은 여러 실시형태를 도시하는 첨부 도면을 참조하여 보다 상세히 설명될 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 개략적인 평면도로 그 위에 장착된 이중 대역 트랜스폰더를를 갖는 직물 라벨을 도시한다.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 다양한 가능한 실시형태에 따른 절단 라인 A-A'를 따라 도 1의 이중 대역 트랜스폰더의 영역에서 단면의 개략도를 도시한다.
도 3은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 이중 대역 트랜스폰더 용 트랜스폰더 칩 모듈의 기능적 구성요소의 개략적인 블록도를 도시한다.
도 4는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 직물 라벨을 제조하기 위한 예시적인 방법의 요약된 흐름도이다.
첨부된 도면은 본 발명의 추가 이해를 제공하기 위해 포함된다. 도면은 본 발명의 실시형태를 도해하고, 설명과 함께 본 발명의 원리를 설명하는 역할을 한다. 본 발명의 다른 실시형태 및 본 발명의 의도된 많은 장점은 도면을 참조하여 쉽게 인식될 것이다. 도면의 요소는 반드시 서로에 대해 축적에 따라 도시되는 것은 아니다. "상부", "하부", "왼쪽", "오른쪽", "위", "아래", "수평", "수직", "전방", "후방" 및 기타 용어와 같은 배향을 나타내는 용어는 설명의 목적으로만 기능하고, 본 발명을 도면에 도시된 특정 구현으로 제한하려는 것은 아니다.
도면에서 동일한 참조 번호는 달리 언급되지 않는 한 동일한 기능 및 동일한 효과를 갖는 대응되는 유사한 부분을 지정한다.
본 발명의 의미 내의 RFID 트랜스폰더는, 기본적으로 전자 메모리 칩, 및 이 메모리 칩에 결합되고 모듈 안에 일체화된 안테나를 포함하는 전자 모듈이다. RFID 트랜스폰더는 상이한 주파수 범위들에서, 예를 들어, 125 kHz("저주파", LF)와 5.8 GHz("초고주파", SHF) 사이의 범위에서, 전자기 신호를 방출하고 수신할 수 있다. 원하는 주파수 대역에 따라, 일체화된 안테나의 구현 형태가 선택될 수 있다. 특정 중요성은 약 13.56 MHz("고주파", HF) 및 860 MHz 내지 960MHz("초고주파", UHF)의 주파수 범위에 할당된다.
UHF 주파수 대역은 예를 들어, 물류 응용분야에서 사용될 수 있는데, 그 이유는 이러한 채널이 HF 채널보다 더 높은 액세스 및 판독 범위를 나타낼 수 있기 때문이다. 주파수, 안테나의 형태 및 안테나의 크기는 원하는 액세스 및 판독 범위, 간섭 및 외부 영향에 대한 회복력, 및 서로 간의 RFID 트랜스폰더의 간섭에 대한 회복력을 보장하기 위해 적합하게 맞춤될 수 있다. 무선 인터페이스는 무선으로 데이터를 교환하는 역할을 할 수 있는 RFID 트랜스폰더의 일체화된 안테나와 판독 디바이스 사이의 전자기장에 의해, 그리고 RFID 트랜스폰더의의 메모리 칩과 판독 디바이스의 프로세서 사이에 미리 정의된 데이터 교환 프로토콜을 사용함으로써 설정될 수 있다.
RFID 트랜스폰더는 전처리 단계, 즉 소위 인레이(inlay)를 사용하여 제조될 수 있다. 인레이는 캐리어 기판에 장착된 칩과 안테나로만 구성된다. 다음으로, 인레이는 외부 영향에 회복력이 있고 금속 물체에 대해 충분히 격리된 트랜스폰더 모듈을 얻기 위해 연관된 하우징 또는 보호 코팅을 구비할 수 있다.
본 개시내용의 의미 내의 이중 대역 트랜스폰더는, 적어도 두 개의 상이한 주파수 상에서 또는 두 개의 상이한 주파수 범위에서 데이터를 각각 송수신할 수 있는 RFID 트랜스폰더이다. 이 점에서, 이중 대역 트랜스폰더는 특히, 13.56 MHz에서와 같은 수 MHz의 고주파 영역에서 뿐만 아니라 860 내지 950 MHz와 같은 수백 내지 천 MHz의 초고주파 영역에서 동작 가능할 수 있다. 근거리 무선통신(NFC: Near Field Communication) 기술은, 유도 결합 원리를 기반으로 하고 대략 센티미터 판독 거리에서 작동하는 RFID 기술을 나타낸다. NFC는 13.56 MHz에서 그리고 최대 초당 424 kBit의 데이터 전송 속도로 상술된 고주파 영역에서 작동된다. NFC는 국제적으로, 예를 들어, ISO 18092, ECMA 340 및 ETSI TS 102190으로 표준화되어 있다.
도 1은 이중 대역 트랜스폰더(20)가 위에 장착된 직물 라벨(10)을 개략적인 평면도로 도시한다. 직물 라벨(10)은 예를 들어, 편물 또는 직조 직물로부터 제조된 직물 라벨 서브스트레이트(19)를 포함한다. 직물 라벨(10)은 예를 들어, 본질적으로 직사각형의 외측 윤곽을 가질 수 있고, 의류에 재봉 또는 접착하기 위해 제공될 수 있다. 다이폴 안테나는 예를 들어, 전기 전도성 날실 또는 씨실로부터 직물 라벨 서브스트레이트(19)에 편물되거나 또는 직조된다. 다이폴 안테나는 초고주파 원거리장에서 신호 전송을 위해 사용된다. 이와 관련하여, 다이폴 안테나는, 일 측으로 개방되고 직물 라벨 서브스트레이트(19)의 중앙에 놓인 루프 안테나(17)를 갖는 두 개의 세장형 아암을 포함할 수 있다. 구불 구불한 패턴을 갖는 두 개의 확장부(18)는 다이폴 안테나의 두 개의 세장형 아암에 부착될 수 있다. 다이폴 안테나 아암을 사행 또는 프랙탈(fractal) 구조로 접는 경우, 원하는 전기적 특성을 유지하는 것과 동시에 공간 절약 방식으로 다이폴 안테나의 치수를 제한하는 것 사이의 좋은 절충이 얻어질 수 있다.
이중 대역 트랜스폰더(20)는 직물 라벨 서브스트레이트(19) 상에, 예를 들어 직물 라벨 서브스트레이트(19)의 다이폴 안테나의 루프 요소(17) 위로 중앙에 장착된다. 이중 대역 트랜스폰더(20)는 예를 들어, 직물 전달 접착제(transfer adhesive)(3)로 하부 측부가 코팅될 수 있다. 이 직물 전달 접착제(3)는 이중 대역 트랜스폰더(20)의 직물 라벨 서브스트레이트(19)에 대한 영구적인 접착을 보장한다. 특히, 직물 전달 접착제(3)는 이중 대역 트랜스폰더(20)와 직물 라벨 서브스트레이트(19) 사이의 연결이 느슨해지지 않고 직물 라벨(10)이 여러 번 세척 가능하도록 선택될 수 있다.
이중 대역 트랜스폰더(20)는 일반적으로, 초고주파 루프 안테나(11) 및 고주파 루프 안테나(12)가 장착된 캐리어 기판(16)을 포함한다. 초고주파 루프 안테나(11) 및 고주파 루프 안테나(12)는, 초고주파 루프 안테나(11)가 캐리어 기판(16)의 폭(latitudinal) 영역에 평행한 평면에서 고주파 루프 안테나(12)를 완전히 둘러싸도록, 즉 도 1의 평면도에서 고주파 루프 안테나(12)의 부분은 초고주파 루프 안테나(11)의 외측 윤곽을 넘어 확장되지 않도록 배열된다.
초고주파 루프 안테나(11)는 예를 들어, 단일 루프를 포함할 수 있지만, 또한 다수의 동심적으로 그리고 나선형으로 배열된 루프를 포함할 수 있다. 유사하게, 고주파 루프 안테나(12)는 다수의 동심적으로 그리고 나선형으로 배열된 루프를 포함할 수 있다. 개별 루프의 윤곽은 도 1에 예시적으로 도해된 바와 같이 원형일 수 있다. 코너가 둥근 직사각형, 달걀 모양 또는 이들의 하이브리드와 같은 다른 루프 형태를 선택하는 것이 또한 가능할 수 있다.
초고주파 루프 안테나(11)와 고주파 루프 안테나(12)는, 고주파 루프 안테나(12)가 존재하지 않는다면 초고주파 루프 안테나(11)의 작동성이 감소되는 방식으로 서로 동조된다. 즉, 두 개의 루프 안테나(11 및 12)의 서로에 대한 전자기적 영향은, 양 루프 안테나(11 및 12)가 모두 이중 대역 트랜스폰더(20)에 존재할 때에만 완전한 성능을 얻기 위해서 설계 단계에서 이미 고려되었다. 루프 안테나들(11 및 12)을 끼움으로써, 도 1의 평면도에서 이중 대역 트랜스폰더((20)의 범위의 표면적은 170mm² 미만이 될 수 있으며, 예를 들어 13mm x 13mm의 정사각형 영역으로 한정될 수 있다.
초고주파 루프 안테나(11)는 다이폴 안테나의 루프 요소(17) 안에 유도 결합될 수 있도록 배열된다. 이중 대역 트랜스폰더(20)의 형상은 가능한 긴, 다이폴 안테나의 루프 요소(17)에 대한 초고주파 루프 안테나(11)의 결합 섹션을 얻도록 선택된다.
직물 라벨(10)의 형성을 위해 도 1의 직물 라벨 서브스트레이트(19)에 장착될 수 있는 이중 대역 트랜스폰더(20)의 구현을 위한 예시적인 변형예가 도 2a 내지 도 2f에 도해된다. 이중 대역 트랜스폰더(20)의 추가(명확하게 도시되지 않음) 변형예를 얻기 위해 도 2a 내지 도 2f의 변형예의 개별적인 특징부가 서로 결합될 수 있다는 점이 이해될 것이다.
캐리어 기판(16)은 적어도 하나의 평면 기판 층을 포함할 수 있고, 하나의 재료 또는 상이한 재료로 제조될 수 있다. 예시적인 재료 및 재료의 조합은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리이미드(PI), FR4 및 폴리에테르 에테르 케톤(PEEK)이다. 직물에 대해 일반적으로 수행되는 세탁 사이클 또는 다른 처리 단계로부터 캐리어 기판(16) 및 그 위에 장착된 회로 요소를 보호하고 트랜스폰드의 적절한 기능을 유지하기 위해, 캐리어 기판(16)에는 PET 시트, 경화 접착제 및/또는 감압 접착제(PSA)를 갖는 다층 라미네이트가 추가로 구비될 수 있다.
도 2a, 도 2b, 도 2d 및 도 2e에 도시된 바와 같이, 캐리어 기판(16)은 정확히 하나의 평면 기판 층으로 구성될 수 있다. 초고주파 루프 안테나(11)는 이러한 맥락에서(도 2a 및 도 2d에 도시된 바와 같이) 평면 기판 층의 하부 측부 상에 또는 (도 2b 및 도 2e에 도시된 바와 같이) 평면 기판 층의 상부 측부 상에 장착될 수 있다. 고주파 루프 안테나(12)는 정확히 하나의 평면 기판 층의 양 측부 표면 상에 장착되고, 양 측부 상의 구성 요소들은 기판 층을 통해 구현된 층간 연결 요소(2)에 의해 서로 전기적으로 전도 결합될 수 있다. 초고주파 루프 안테나(11)가 어느 측부에 장착되는지에 따라, 각각의 다른 측부 표면으로부터 초고주파 루프 안테나(11)로의 전기적 전도 결합을 보장하기 위해. 추가의 층간 연결 요소(1)가 정확히 하나의 기판 층을 통해 구현될 수 있다.
초고주파 루프 안테나(11) 및 고주파 루프 안테나(12)는 각각 예를 들어, 마스크 에칭, PVD 또는 CVD에 의해 알루미늄 또는 구리와 같은 전기적 전도 층으로부터 제조될 수 있다.
도 2a 내지 도 2c에 도시된 바와 같이, 초고주파 루프 안테나(11) 및 고주파 루프 안테나(12)는 단일 이중 대역 트랜스폰더 칩(15)과 집합적으로 결합될 수 있다. 이 이중 대역 트랜스폰더 칩(15)은 초고주파 영역과 고주파 영역 모두에서 작동 가능할 수 있고, 주파수 영역에 따라 송수신을 위해 루프 안테나(11 및 12) 각각과 협력할 수 있다.
대안적으로, 도 2d 내지 도 2f에 도시된 바와 같이, 루프 안테나(11 및 12) 각각에 대해 별도의 칩을 제공하는 것이 가능하다. 예를 들어, 초고주파 루프 안테나(11)는 초고주파 트랜스폰더 칩(13)에 결합될 수 있고, 고주파 루프 안테나(12)는 고주파 트랜스폰더 칩(14)에 결합될 수 있다. 이와 관련하여 캐리어 기판(16)의 표면 상의 두 개의 칩(13, 14) 사이의 측방향 거리(L)는, 예를 들어 각각의 다른 칩을 손상시키지 않고 두 개의 개별 조립 프로세스에서 칩을 조립할 수 있기 위해서 적어도 8 mm일 수 있다.
도 2c 및 도 2f에 도시된 바와 같이, 캐리어 기판(16)은 또한, 다른 하나의 상부에 적층된 적어도 두 개의 평면 기판 층을 포함할 수 있다. 이러한 맥락에서, 초고주파 루프 안테나(11)는 예를 들어, 캐리어 기판(16)의 적어도 두 개의 평면 기판 층 중 제1 기판 층(16)의 제1 표면 상에 장착될 수 있다. 다음으로, 고주파 루프 안테나(12)는 캐리어 기판(16)의 적어도 두 개의 평면 기판 층의 제2 기판 층(16b)의 두 개의 대향 표면들 상에 장착될 수 있다. 도 2c 및 도 2f에서, 초고주파 루프 안테나(11)는 제1 기판 층(16a)의 하부 표면 상에 장착되는 것으로 도해되어 있으나, 도 2b 및 도 2e의 변형예와 유사하게, 초고주파 루프 안테나(11)를 제1 기판 층(16a)의 상부 측부에 장착하는 것이 동일하게 가능할 수 있다는 점이 이해될 것이다. 이러한 경우에 층간 연결 요소(1)는 제2 기판 층(16b)만을 통해 구현될 필요가 있거나, 결국 모두 생략될 수 있다.
도 2c 및 도 2f에서와 같이, 층간 연결 요소(2)는, 제2 기판 층(16b)의 제1 표면상의 고주파 루프 안테나(12)의 각 부분이 제2 기판 층(16b)의 제2 표면상의 고주파 루프 안테나(12)의 부분에 전기적 전도 방식으로 연결되도록, 캐리어 기판(16)의 제2 기판 층(16b)을 통해 구현된다.
다시, 초고주파 루프 안테나(11) 및 고주파 루프 안테나(12)에 결합된 공통 이중 대역 트랜스폰더 칩(15)을 제공하거나, 또는 루프 안테나(11 및 12) 중 하나에 각각 결합되는 별개의 초고주파 트랜스폰더 칩(13) 및 별개의 고주파 트랜스폰더 칩(14)을 제공하는 것이 가능할 수 있다.
적어도 두 개의 기판 층(16a 및 16b)을 구비하는 변형예에서, 캐리어 기판(16)의 두 개의 평면 기판 층 사이에 접착 층(5)을 삽입하는 것이 가능할 수 있다. 다음으로, 이중 대역 트랜스폰더 칩(15)은 이 접착 층(5)에 매립될 수 있고, 전기적 전도 방식으로 하부 측부 및 상부 측부로부터 각각 개별 기판 층의 각각의 루프 안테나에 연결될 수 있다(도 2C 참조). 대안적으로, 초고주파 트랜스폰더 칩(13) 및 고주파 트랜스폰더 칩(14)과 같은 두 개의 개별 칩을 접착 층(5)에 매립하는 것이 가능할 수 있다(도 2F 참조).
도 4는 직물 라벨을 제조하기 위한 추상화된 흐름도(M)를 도해한다. 방법(M)은 특히, 도 1과 관련하여 설명된 바와 같은 직물 라벨(10)을 제조하기 위해 사용될 수 있다. 방법(M)에서, 이중 대역 트랜스폰더, 특히, 도 2a 내지 도 2f 및 도 3과 관련하여 설명된 바와 같은 이중 대역 트랜스폰더((20)가 각각 제조되거나 사용될 수 있다.
제1 단계(M1)에서, 적어도 하나의 평면 기판 층을 갖는 캐리어 기판(16)의 제1 표면 상에 초고주파 루프 안테나(11)가 장착된다. 제2 단계(M2)에서, 고주파 루프 안테나(12)는, 초고주파 루프 안테나(11)가 적어도 하나의 평면 기판 층에 평행한 평면에서 고주파 루프 안테나(12)를 완전히 둘러싸도록 캐리어 기판(16)의 두 대향 표면 상에 장착된다. 두 단계(M1 및 M2)는 프로세스 과정에서 전환된 순서로 또는 본질적으로 동시에 수행될 수 있다.
고주파 안테나(12)를 초고주파 안테나(11)에 의해 완전히 둘러싸는 것은 이러한 맥락에서 고주파 안테나(12)의 전자기 유효 통과 영역이 초고주파 안테나의 전자기 유효 통과 영역에 의해 완전히 덮이는 것을 의미한다.
제3 단계(M3)에서, 초고주파 트랜스폰더 칩(13)이 초고주파 루프 안테나(11)에 결합된다. 제4 단계(M4)에서, 초고주파 트랜스폰더 칩(14)이 고주파 루프 안테나(12)에 결합된다. 두 단계(M13 및 M4)는 전환된 순서로 또는 본질적으로 동시에 수행될 수 있다.
제5 단계(M5)에서, 다이폴 안테나는 예를 들어, 전기 전도성 안테나 스레드(thread)를 사용하여 직물 라벨 서브스트레이트(19) 안으로 편물되거나 또는 직조된다. 직물 라벨 서브스트레이트(19)는 특히, 편물 또는 직조 직물 패브릭 자체일 수 있다. 초고주파 루프 안테나(11), 고주파 루프 안테나(12), 초고주파 트랜스폰더 칩(13) 및 고주파 트랜스폰더 칩(14)을 갖는 캐리어 기판(16)은 제6 단계(M6)에서 직물 라벨 서브스트레이트(19) 상에 장착된다.
선택적으로, 제7 단계(M7) 및 제8 단계(M8)에서 각각의 다른 칩에 두 개의 칩의 상호 매핑을 저장할 수 있다. 즉, 고주파 트랜스폰더 칩(14)의 메모리(14a)에 초고주파 트랜스폰더 칩(13)에 대한 식별 코드(예: 태그 식별자)를 프로그래밍할 수 있고, 초고주파 트랜스폰더 칩(13)의 메모리(13a)에 고주파 트랜스폰더 칩(14)에 대한 식별 코드(예: 고유 식별자(UID: unique identifier))를 프로그래밍할 수 있다. 각각의 메모리(13a, 14a)는 각각의 칩(13, 14)의 사용자 액세스 가능 메모리 뱅크의 각각의 메모리 파티션일 수 있다.
위의 상세한 설명에서, 예시의 엄격함을 개선하기 위해 다양한 특징부가 하나 이상의 실시예에서 결합되었다. 그러나, 위의 설명이 단지 예시적인 것이지 결코 제한적인 것이 아니라는 것이 명확할 것이다. 이것은 다양한 특징부 및 예시적인 실시형태의 모든 대안물, 수정물 및 ?換儲걋? 포괄하는 역할을 한다. 많은 다른 실시예들은 상기 설명을 고려하여 후자의 기술 지식에 기초하여 당업자에게 즉각적이고 직접적으로 명백할 것이다.
예시적인 실시형태는 본 발명의 기초가되는 원리 및 실제로 가능한 최선의 방식으로 그 적용 가능성을 제시할 수 있도록 선택되고 설명되었다. 그 결과, 당업자는 의도된 사용 목적과 관련하여 본 발명 및 그 다양한 예시적인 실시형태를 최적으로 수정하고 활용할 수 있다. 청구범위 및 설명에서 "포함하는(including)"및 "갖는"이라는 용어는 해당 용어 "포함하는(comprising)"에 대한 중립적인 언어 개념으로 사용됩니다. 또한, "일" 및 "하나"라는 용어의 사용은 원칙적으로 이와 같이 설명된 복수의 특징 및 구성 요소를 배제하지 않아야 한다.

Claims (23)

  1. 이중 대역 트랜스폰더(dual band transponder)(20)에 있어서,
    적어도 하나의 평면 기판 층을 갖는 캐리어 기판(16);
    상기 캐리어 기판(16)의 상기 평면 기판 층들 중 하나의 제1 표면에 장착된 초고주파 루프 안테나(11);
    상기 캐리어 기판(16)의 상기 평면 기판 층들 중 하나의 두 대향 표면들 상에 장착된 고주파 루프 안테나(12)를 포함하되,
    상기 초고주파 루프 안테나(11)는 상기 적어도 하나의 평면 기판 층과 평행한 평면에서 상기 고주파 루프 안테나(12)를 완전히 둘러싸는, 이중 대역 트랜스폰더.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 캐리어 기판(16)은 적어도 두 개의 평면 기판 층(16a, 16b)을 포함하고, 상기 초고주파 루프 안테나(11)는 상기 캐리어 기판(16)의 상기 적어도 두 개의 평면 기판 층(16a, 16b) 중 제1 평면 기판 층의 제1 측부 상에 장착되고, 상기 고주파 루프 안테나(12)는 상기 캐리어 기판(16)의 상기 적어도 두 개의 평면 기판 층(16a, 16b) 중 제2 평면 기판 층의 두 개의 대향 측부 상에 장착되는, 이중 대역 트랜스폰더(20).
  3. 제2항에 있어서,
    상기 캐리어 기판(16)의 상기 적어도 두 개의 평면 기판 층(16a, 16b) 중 상기 제2 평면 기판 층을 통해 이어지고, 상기 캐리어 기판(16)의 상기 적어도 두 개의 평면 기판 층(16a, 16b) 중 상기 제2 평면 기판 층의 제1 측부 상의 상기 고주파 루프 안테나(12)의 일부를 상기 캐리어 기판(16)의 상기 적어도 두 개의 평면 기판 층(16a, 16b) 중 상기 제2 평면 기판 층의 제2 측부 상의 상기 고주파 루프 안테나(12)의 일부에 전기적으로 전도적으로 연결하는 제1 층간 연결 요소(2)를 더 포함하는, 이중 대역 트랜스폰더(20).
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 캐리어 기판(16)의 상기 적어도 두 개의 평면 기판 층(16a, 16b) 중 상기 제1 평면 기판 층을 통해서 이어지는 제2 층간 연결 요소(1)를 더 포함하는, 이중 대역 트랜스폰더(20).
  5. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 초고주파 루프 안테나(11)와 상기 고주파 루프 안테나(12)에 결합된 이중 대역 트트랜스폰더 칩(15)을 더 포함하는, 이중 대역 트랜스폰더(20).
  6. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 초고주파 루프 안테나(11)에 결합된 초고주파 트랜스폰더 칩(13); 및
    상기 고주파 루프 안테나(12)에 결합된 고주파 트랜스폰더 칩(14)을 더 포함하는, 이중 대역 트랜스폰더(20).
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 이중 대역 트랜스폰더(20)는 상기 캐리어 기판(16)의 상기 적어도 두 개의 평면 기판 층(16a, 16b) 중 상기 제1 평면 기판 층을 통해 이어지는 제2 층간 연결 요소(1)를 더 포함하되, 상기 이중 대역 트랜스폰더 칩(15) 또는 상기 초고주파 트랜스폰더 칩(13)은 상기 제2 층간 연결 요소(1)에 의해 상기 초고주파 루프 안테나(11)에 결합되는, 이중 대역 트랜스폰더(20).
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제2 층간 연결 요소(1)는 상기 캐리어 기판(16)의 상기 적어도 두 개의 평면 기판 층(16a, 16b) 중 상기 제2 평면 기판 층을 통해서 더 이어지는, 이중 대역 트랜스폰더(20).
  9. 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 캐리어 기판(16)의 상기 적어도 두 개의 평면 기판 층(16a, 16b) 중 상기 제1 평면 기판 층과 상기 캐리어 기판(16)의 상기 적어도 두 개의 평면 기판 층(16a, 16b) 중 상기 제2 평면 기판 층 사이에 도포된 접착 층(5)을 더 포함하되, 상기 이중 대역 트랜스폰더 칩(15) 또는 대안적으로 상기 초고주파 트랜스폰더 칩(13) 및 상기 고주파 트랜스폰더 칩(15)이 접착 층(5)에 배열되는, 이중 대역 트랜스폰더(20).
  10. 제1항에 있어서,
    상기 캐리어 기판(16)은 정확히 하나의 평면 기판 층을 포함하고, 상기 초고주파 루프 안테나(11)와 상기 고주파 루프 안테나(12)는 상기 정확히 하나의 평면 기판 층의 측부들에 장착되는, 이중 대역 트랜스폰더(20).
  11. 제10항에 있어서,
    층간 연결 요소(1)는 상기 초고주파 루프 안테나(11)와 상기 고주파 루프 안테나(12)를 이중 대역 트랜스폰더 칩(15)에 결합하는 정확히 하나의 평면 기판 층을 통해 이어지는, 이중 대역 트랜스폰더(20).
  12. 제10항에 있어서,
    층간 연결 요소(1)는 정확히 하나의 평면 기판 층을 통해 이어지고, 상기 초고주파 루프 안테나(11)는 초고주파 트랜스폰더 칩(13)에 결합되고, 상기 고주파 루프 안테나(12)는 고주파 트랜스폰더 칩(14)에 연결되는, 이중 대역 트랜스폰더(20).
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 초고주파 루프 안테나(11)와 상기 고주파 루프 안테나(12)는, 상기 고주파 루프 안테나(12)가 존재하지 않는다면 상기 초고주파 루프 안테나(11)의 작동성이 감소되는 방식으로 서로 동조되는, 이중 대역 트랜스폰더(20).
  14. 제13항에 있어서,
    상기 초고주파 루프 안테나(11)는 단독으로 약 800 MHz의 중심 주파수로 조정되고, 상기 고주파 루프 안테나(12)는 상기 초고주파 루프 안테나(11)가 약 900 MHz의 중심 주파수로 디튜닝(detune)되도록 배열되는, 이중 대역 트랜스폰더(20).
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 캐리어 기판(16)의 상기 평면 기판 층의 상기 평면에서 상기 이중 대역 트랜스폰더(20)의 영역의 표면적은 170 mm²미만인, 이중 대역 트랜스폰더(20).
  16. 직물 라벨(10)에 있어서,
    직물 라벨 서브스트레이트(19); 및
    상기 직물 라벨 서브스트레이트(19)에 장착되는 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 따른 이중 대역 트랜스폰더(20)를 포함하는, 직물 라벨.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 직물 라벨 서브스트레이트(19)에 편물되거나 직조된 다이폴 안테나(17, 18)를 더 포함하는, 직물 라벨(10).
  18. 제17항에 있어서,
    상기 초고주파 루프 안테나(11)는 상기 다이폴 안테나(17, 18)에 유도 결합되는, 직물 라벨(10).
  19. 제16항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 이중 대역 트랜스폰더(20)는 직물 전달 접착제(3)로 코팅되고 상기 직물 전달 접착제(3)를 통해 상기 직물 라벨 서브스트레이트(19)에 세척 방지 방식으로 접착되는, 직물 라벨(10).
  20. 제16항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 이중 대역 트랜스폰더(20)의 상기 캐리어 기판(16)은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리이미드(PI), FR4 및 폴리에테르 에테르 케톤(PEEK)의 그룹으로부터의 재료 중 적어도 하나를 포함하는, 직물 라벨(10).
  21. 제16항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 초고주파 루프 안테나(11)와 상기 고주파 루프 안테나(12) 사이의 거리(L)는 적어도 0.8 mm인, 직물 라벨(10).
  22. 직물 라벨(10), 특히 제16항 내지 제21항 중 어느 한 항의 직물 라벨(10)을 제조하기 위한 방법(M)에 있어서,
    적어도 하나의 평면 기판 층을 갖는 캐리어 기판(16)의 제1 표면 상에 초고주파 루프 안테나(11)를 장착하는 단계(M1);
    상기 초고주파 루프 안테나(11)가 상기 적어도 하나의 평면 기판 층에 평행한 평면에서 고주파 루프 안테나(12)를 완전히 둘러싸도록 상기 캐리어 기판(16)의 두 대향 표면 상에 고주파 루프 안테나(12)를 장착하는 단계(M2);
    상기 초고주파 루프 안테나(11)에 초고주파 트랜스폰더 칩(13)을 결합시키는 단계(M3); 및
    상기 고주파 루프 안테나(12)에 고주파 트랜스폰더 칩(14)을 결합시키는 단계(M4);
    직물 라벨 기판(19)에 다이폴 안테나를 편물하거나 또는 직조하는 단계(M5); 및
    상기 초고주파 루프 안테나(11), 상기 고주파 루프 안테나(12), 상기 초고주파 트랜스폰더 칩(13) 및 상기 고주파 트랜스폰더 칩(14)을 갖는 상기 캐리어 기판(16)을 상기 직물 라벨 서브스트레이트(19) 상에 장착하는 단계(M6)를 포함하는, 방법(M).
  23. 제22항에 있어서,
    상기 고주파 트랜스폰더 칩(14)의 메모리(14a)에 상기 초고주파 트랜스폰더 칩(13)에 대한 식별 코드를 프로그래밍하는 단계(M7); 및
    상기 초고주파 트랜스폰더 칩(13)의 메모리(13a)에 상기 고주파 트랜스폰더 칩(14)에 대한 식별 코드를 프로그래밍하는 단계(M8)를 더 포함하는, 방법(M).
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