KR20210045543A - Apparatus for treating substrate - Google Patents

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Abstract

The present invention provides an apparatus for liquid processing a substrate. In one embodiment, an apparatus for liquid processing a substrate includes: a container having a processing space; a support unit for supporting a substrate in the processing space; a nozzle unit for supplying a processing liquid to the substrate; a controller. The surface of the nozzle unit may include an electrode layer including an electrode; an insulating layer provided on the electrode layer; and a hydrophobic layer provided on the insulating layer. The controller controls power applied to the electrode. The substrate can be processed efficiently.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}Substrate processing apparatus {APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus.

일반적으로 반도체 소자는, 실리콘 웨이퍼와 같은 기판에 대해 사진 공정(photo process), 식각 공정(etching process), 이온 주입 공정(ion implantation process) 그리고 증착 공정(Deposition process) 등과 같은 다양한 공정을 통해 형성된다.In general, semiconductor devices are formed on a substrate such as a silicon wafer through various processes such as a photo process, an etching process, an ion implantation process, and a deposition process. .

각각의 공정에서 다양한 처리액이 사용될 수 있다. 예컨대 사진 공정에서 포토레지스트액을 도포하는 공정 또는 각 처리 공정 사이에 제공되어 기판에 부착된 각종 오염물을 제거하기 위해 세정 공정에서 처리액이 사용될 수 있다.Various treatment liquids can be used in each process. For example, a treatment liquid may be used in a cleaning process in order to remove various contaminants attached to a substrate by applying a photoresist solution in a photo process or between each treatment process.

처리액은 노즐을 통해 공급되며, 기판에 공급되면서 비산된다. 처리액의 비산에 의해 노즐 주변은 처리액 맺힘 현상이 발생하여 기판을 오염시키고, 용기등에 맺힌 처리액은 점진적인 오염원이 된다. 특히 노즐에 맺힌 약액은 성장하여 갑작스럽게 기판에 떨어지면서 얼룩 또는 패턴의 붕괴를 일으킨다. The processing liquid is supplied through a nozzle, and scattered while being supplied to the substrate. Due to the scattering of the treatment liquid, condensation of the treatment liquid occurs around the nozzle, contaminating the substrate, and the treatment liquid formed on the container becomes a gradual contamination source. In particular, the chemical liquid formed on the nozzle grows and suddenly falls on the substrate, causing the stain or the pattern to collapse.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 장치 및 방법를 제공한다.The present invention provides an apparatus and method capable of efficiently processing a substrate.

본 발명은 기판의 처리 과정에서 노즐에 비산된 약액을 효과적으로 제어할 수 있는 장치 및 방법을 제공한다.The present invention provides an apparatus and method capable of effectively controlling a chemical liquid scattered on a nozzle during a substrate processing process.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 액 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시예에 있어서, 기판을 액 처리하는 장치는, 처리 공간을 가지는 용기와; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 기판으로 처리액을 공급하는 노즐 유닛과; 제어기를 포함하되, 상기 노즐 유닛의 표면은, 전극을 포함하는 전극층과; 상기 전극층의 상부에 제공되는 절연층과; 상기 절연층의 상부에 제공되는 소수성층을 포함하고,상기 제어기는, 상기 전극에 인가되는 전력을 제어한다.The present invention provides an apparatus for liquid processing a substrate. In one embodiment, an apparatus for liquid processing a substrate comprises: a container having a processing space; A support unit supporting a substrate in the processing space; A nozzle unit supplying a processing liquid to the substrate; Including a controller, wherein the surface of the nozzle unit, an electrode layer including an electrode; An insulating layer provided on the electrode layer; And a hydrophobic layer provided on the insulating layer, and the controller controls power applied to the electrode.

일 실시예에 있어서, 상기 전극은 복수개로 제공되며, 상기 제어기에 의해 상기 복수개의 전극이 각각 제어될 수 있다.In one embodiment, a plurality of the electrodes may be provided, and each of the plurality of electrodes may be controlled by the controller.

일 실시예에 있어서, 상기 전극은 링 형상으로 제공될 수 있다.In one embodiment, the electrode may be provided in a ring shape.

일 실시예에 있어서, 상기 복수개의 전극은 중력 방향을 따라 배열될 수 있다.In one embodiment, the plurality of electrodes may be arranged along the direction of gravity.

일 실시예에 있어서, 상기 제어기는, 공정 처리 전 또는 후에 상기 복수개의 전극 중 상부에 배치된 전극부터 하부에 배치된 전극 순으로 순차적으로 전력을 인가하여 상기 노즐의 상기 외부 표면에 맺힌 액을 제거할 수 있다.In one embodiment, the controller removes the liquid formed on the outer surface of the nozzle by sequentially applying power in order from an upper electrode to a lower electrode among the plurality of electrodes before or after processing. can do.

일 실시예에 있어서, 상기 제어기는, 공정 처리 전 또는 후에 상기 전극에 전력을 인가하여 상기 노즐의 상기 외부 표면에 맺힌 액을 제거할 수 있다.In one embodiment, the controller may apply power to the electrode before or after processing to remove liquid formed on the outer surface of the nozzle.

일 실시예에 있어서, 상기 제어기는, 상기 노즐 유닛의 이동 중에 상기 전극에 전력을 인가하도록 제어할 수 있다.In one embodiment, the controller may control to apply electric power to the electrode while the nozzle unit is moving.

일 실시예에 있어서, 상기 제어기는, 상기 처리액의 공급 중에 상기 전극에 전력 공급을 중단되도록 제어할 수 있다.In one embodiment, the controller may control to stop supplying power to the electrode while the processing liquid is being supplied.

일 실시예에 있어서, 상기 제어기는, 상기 노즐의 세정 공정이 진행되는 상태에서 상기 전극에 전력 공급을 중단되도록 제어할 수 있다.In an embodiment, the controller may control to stop supplying power to the electrode while the nozzle cleaning process is in progress.

본 발명의 일 실시 예에 의하면 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to efficiently process a substrate.

본 발명의 일 실시 예에 의하면 노즐에 비산된 약액을 효과적으로 제어할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to effectively control the chemical liquid scattered on the nozzle.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 나타낸 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 3은 일 실시 예에 따른 노즐 유닛(380)의 노즐(400)의 단면을 간략히 보여주는 도면이다.
도 4 및 도 5는 일 실시 예에 따른 표면층(415)의 단면을 도시한 도면이다.
도 6 및 도 7은 다른 실시 예에 따른 표면층(415)의 단면을 도시한 도면이다.
도 8, 도 9 및 도 10은 표면층(415)의 제어 방법을 설명하는 도면이다.
도 11 및 도 12는 다른 실시 예에 따른 표면층(415)의 단면을 도시한 도면이다.
도 13은 다른 실시 예에 따른 표면층(415)이 적용된 노즐(400)의 단면을 간략하게 보여주는 도면이다.
도 14는 다른 실시 예에 따른 표면층(415)이 적용된 노즐(400)을 투영한 사시도이다.1 is a plan view showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a view schematically showing a cross section of the nozzle 400 of the nozzle unit 380 according to an embodiment.
4 and 5 are diagrams illustrating a cross section of a surface layer 415 according to an exemplary embodiment.
6 and 7 are diagrams illustrating a cross section of a surface layer 415 according to another embodiment.
8, 9, and 10 are views for explaining a method of controlling the surface layer 415.
11 and 12 are views illustrating a cross section of a surface layer 415 according to another embodiment.
13 is a view schematically showing a cross section of a nozzle 400 to which the surface layer 415 is applied according to another embodiment.
14 is a perspective view of a nozzle 400 to which the surface layer 415 is applied according to another embodiment.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely describe the present invention to those with average knowledge in the art. Therefore, the shape of the element in the drawings is exaggerated to emphasize a more clear description.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 나타낸 평면도이다. 1 is a plan view showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(100)과 공정 처리 모듈(200)을 포함한다. 인덱스 모듈(100)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 포함한다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(200)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(200)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다.Referring to FIG. 1, a substrate processing facility 1 includes an index module 100 and a process processing module 200. The index module 100 includes a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process processing module 200 are sequentially arranged in a row. Hereinafter, a direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the process processing module 200 are arranged is referred to as a first direction 12. And when viewed from the top, the direction perpendicular to the first direction 12 is referred to as the second direction 14, and the direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as the third direction. It is called (16).

로드포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 놓인다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(200)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)으로 복수 개가 제공된다. 기판(W)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어(130)내에 위치된다. 캐리어(130)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.The carrier 130 in which the substrate W is accommodated is placed on the load port 120. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a row along the second direction 14. In Figure 1, it is shown that four load ports 120 are provided. However, the number of load ports 120 may increase or decrease according to conditions such as process efficiency and footprint of the process processing module 200. A slot (not shown) provided to support the edge of the substrate W is formed in the carrier 130. A plurality of slots are provided in the third direction 16. The substrates W are positioned in the carrier 130 to be stacked in a state spaced apart from each other along the third direction 16. As the carrier 130, a front opening integrated pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(200)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 포함한다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송챔버(240)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(260)이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측에 위치한 공정챔버들(260)과 이송챔버(240)의 타측에 위치한 공정챔버들(260)은 이송챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process processing module 200 includes a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed in a longitudinal direction parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are disposed on one side and the other side of the transfer chamber 240 along the second direction 14, respectively. The process chambers 260 located on one side of the transfer chamber 240 and the process chambers 260 located on the other side of the transfer chamber 240 are provided to be symmetrical to each other with respect to the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the length direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are disposed to be stacked on each other. That is, on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an arrangement of A X B (A and B are a natural number of 1 or more, respectively). Here, A is the number of process chambers 260 provided in a row along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in a 2 X 2 or 3 X 2 arrangement. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. In addition, unlike the above, the process chamber 260 may be provided in a single layer on one side and both sides of the transfer chamber 240.

버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼유닛(220)에서 이송프레임(140)과 마주보는 면과 이송챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space in which the substrate W stays between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140 before the substrate W is transferred. The buffer unit 220 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are provided so as to be spaced apart from each other along the third direction 16. In the buffer unit 220, a surface facing the transfer frame 140 and a surface facing the transfer chamber 240 are each opened.

이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 바디(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 바디(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 바디(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 바디(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 바디(144b)에 결합되고, 바디(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(200)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(200)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 입자이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the carrier 130 seated on the load port 120 and the buffer unit 220. The transport frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided in a longitudinal direction parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and moves linearly along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. In addition, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to move forward and backward with respect to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided to be individually driven. The index arms 144c are disposed to be stacked apart from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used when transferring the substrate W from the process processing module 200 to the carrier 130, and some of the index arms 144c are used to transfer the substrate W from the carrier 130 to the process processing module 200. It can be used when returning. This can prevent particles generated from the substrate W before the process treatment from adhering to the substrate W after the process treatment during the process of the index robot 144 carrying in and carrying out the substrate W.

이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 바디(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 바디(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 바디(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 바디(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 바디(244b)에 결합되고, 이는 바디(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼유닛(220)에서 공정챔버(260)로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)과 공정챔버(260)에서 버퍼유닛(220)으로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)은 서로 상이할 수 있다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. A guide rail 242 and a main robot 244 are provided in the transfer chamber 240. The guide rail 242 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rail 242 and moves linearly along the first direction 12 on the guide rail 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. In addition, the body 244b is provided to be rotatable on the base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided to be movable forward and backward with respect to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided to be individually driven. The main arms 244c are disposed to be stacked apart from each other along the third direction 16. The main arm 244c used when transferring the substrate W from the buffer unit 220 to the process chamber 260 and the substrate W used when transferring the substrate W from the process chamber 260 to the buffer unit 220 The main arms 244c may be different from each other.

공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 각각의 공정챔버(260) 내에 제공된 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 공정챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(240)의 일측에는 제1그룹의 공정챔버들(260)이 제공되고, 이송챔버(240)의 타측에는 제2그룹의 공정챔버들(260)이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(240)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 공정챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 공정챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 공정챔버(260)와 제2그룹의 공정챔버(260)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다.A substrate processing apparatus 300 for performing a cleaning process on the substrate W is provided in the process chamber 260. The substrate processing apparatus 300 provided in each process chamber 260 may have a different structure depending on the type of cleaning process to be performed. Optionally, the substrate processing apparatus 300 in each process chamber 260 may have the same structure. Optionally, the process chambers 260 are divided into a plurality of groups, and the substrate processing apparatuses 300 provided to the process chambers 260 belonging to the same group have the same structure and provided to the process chambers 260 belonging to different groups. The substrate processing apparatuses 300 may have different structures. For example, when the process chamber 260 is divided into two groups, a first group of process chambers 260 is provided on one side of the transfer chamber 240, and a second group of process chambers 260 is provided on the other side of the transfer chamber 240. Process chambers 260 may be provided. Optionally, a first group of process chambers 260 may be provided at a lower layer on one side and the other side of the transfer chamber 240, and a second group of process chambers 260 may be provided at an upper layer. The process chamber 260 of the first group and the process chamber 260 of the second group may be classified according to the type of chemical used or the type of cleaning method, respectively.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.2 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 챔버(310), 용기(320), 지지 유닛(340), 승강 유닛(360), 노즐 유닛(380)을 포함하고, 보조 노즐 유닛(390)을 더 포함할 수 있다. 2, the substrate processing apparatus 300 includes a chamber 310, a container 320, a support unit 340, an elevating unit 360, a nozzle unit 380, and an auxiliary nozzle unit 390 It may further include.

챔버(310)는 내부에 공간을 제공한다. 용기(320)은 챔버(310) 내 공간에 위치한다. 용기(320)은 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공하며, 그 상부는 개방된다. 용기(320)은 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 처리유체 중 서로 상이한 처리유체를 회수한다. 내부회수통(322)은 지지 유닛(340)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리유체가 유입되는 유입구(410)로서 기능한다. 각각의 회수통(322, 324, 326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b, 324b, 326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b, 324b, 326b)은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 처리유체를 배출한다. 배출된 처리유체는 외부의 처리유체 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.The chamber 310 provides a space therein. The container 320 is located in a space within the chamber 310. The container 320 provides a space in which a substrate processing process is performed, and its upper part is opened. The container 320 has an internal recovery container 322, an intermediate recovery container 324, and an external recovery container 326. Each of the recovery bins 322, 324, and 326 recover different treatment fluids among the treatment fluids used in the process. The inner recovery container 322 is provided in an annular ring shape surrounding the support unit 340, the intermediate recovery container 324 is provided in an annular ring shape surrounding the inner recovery container 322, and the outer recovery container 326 ) Is provided in an annular ring shape surrounding the intermediate recovery tank 324. The inner space 322a of the inner recovery tank 322, the space 324a between the inner recovery tank 322 and the intermediate recovery tank 324, and the space between the intermediate recovery tank 324 and the outer recovery tank 326 ( 326a) functions as an inlet port 410 through which the treatment fluid is introduced into the internal recovery tank 322, the intermediate recovery tank 324, and the external recovery tank 326, respectively. The recovery lines 322b, 324b, 326b extending vertically in a direction below the bottom surface are connected to each of the recovery bins 322, 324, 326. Each of the recovery lines (322b, 324b, 326b) discharges the treatment fluid introduced through the respective recovery vessels (322, 324, 326). The discharged treatment fluid can be reused through an external treatment fluid regeneration system (not shown).

지지 유닛(340)은 용기(320)의 처리 공간 내에 배치된다. 지지 유닛(340)은 공정 진행 중 기판을 지지하고 기판을 회전시킨다. 지지 유닛(340)은 스핀 척(342), 지지핀(344), 척핀(346), 구동축(348) 그리고 구동부(349)를 가진다. 스핀 척(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 스핀 척(342)의 저면에는 구동부(349)에 의해 회전가능한 구동축(348)이 고정결합된다. 구동축(348)이 회전하면 스핀헤드(342)가 회전된다. 스핀 척(342)는 기판을 지지할 수 있도록, 지지핀(344)과 척핀(346)을 포함한다. 지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 스핀 척(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 스핀 척(342)에서 상부로 돌출된다. 지지핀들(344)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 스핀 척(342)의 상부면으로부터 기판이 일정거리 이격되도록 기판의 저면 가장자리를 지지한다. 척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 스핀 척(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 스핀 척(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 지지 유닛(340)이 회전될 때 기판이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판의 측면을 지지한다. 척핀(346)은 스핀 척(342)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 스핀 척(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판이 지지 유닛(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척핀(346)은 대기 위치에 위치되고, 기판에 대해 공정 수행시에는 척핀(346)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척핀(346)은 기판의 측부와 접촉된다. The support unit 340 is disposed in the processing space of the container 320. The support unit 340 supports the substrate and rotates the substrate during the process. The support unit 340 has a spin chuck 342, a support pin 344, a chuck pin 346, a drive shaft 348, and a drive part 349. The spin chuck 342 has an upper surface that is provided in a generally circular shape when viewed from the top. A drive shaft 348 rotatable by a drive unit 349 is fixedly coupled to the bottom of the spin chuck 342. When the drive shaft 348 rotates, the spin head 342 is rotated. The spin chuck 342 includes a support pin 344 and a chuck pin 346 to support a substrate. A plurality of support pins 344 are provided. The support pins 344 are disposed to be spaced apart at predetermined intervals at an edge portion of the upper surface of the spin chuck 342 and protrude upward from the spin chuck 342. The support pins 344 are arranged to have an annular ring shape as a whole by combination with each other. The support pin 344 supports the edge of the bottom surface of the substrate so that the substrate is spaced apart from the upper surface of the spin chuck 342 by a predetermined distance. A plurality of chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther from the center of the spin chuck 342 than the support pin 344. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the spin chuck 342. The chuck pin 346 supports the side surface of the substrate so that the substrate is not separated from the original position in the lateral direction when the support unit 340 is rotated. The chuck pin 346 is provided to be linearly movable between the standby position and the support position along the radial direction of the spin chuck 342. The standby position is a position farther from the center of the spin chuck 342 compared to the support position. When the substrate is loaded or unloaded into the support unit 340, the chuck pin 346 is positioned at a standby position, and when a process is performed on the substrate, the chuck pin 346 is positioned at the support position. In the supporting position, the chuck pin 346 is in contact with the side of the substrate.

승강 유닛(360)은 용기(320)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 승강 유닛(360)은 용기(320)의 복수의 회수통(322, 324, 326)을 이동시킬 수 있다. 또는 도시하지는 않았으나, 각각의 회수통을 개별적으로 이동시킬 수 있다. 용기(320)이 상하로 이동됨에 따라 지지 유닛(340)에 대한 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 지지 유닛(340)에 놓이거나, 지지 유닛(340)으로부터 들어올려 질 때 지지 유닛(340)이 용기(320)의 상부로 돌출되도록 용기(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리유체의 종류에 따라 처리유체가 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 용기(320)의 높이가 조절한다. 예컨대, 제1처리유체로 기판을 처리하고 있는 동안에 기판은 내부회수통(322)의 내측공간(322a)과 대응되는 높이에 위치된다. 또한, 제2처리유체, 그리고 제3처리유체로 기판을 처리하는 동안에 각각 기판은 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 상술한 바와 달리 승강 유닛(360)은 용기(320) 대신 지지 유닛(340)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 용기(320)은 단일의 회수통(322)을 가질 수 있다.The lifting unit 360 linearly moves the container 320 in the vertical direction. The lifting unit 360 may move a plurality of collection containers 322, 324, 326 of the container 320. Or, although not shown, each of the collection bins can be moved individually. As the container 320 is moved up and down, the relative height of the container 320 with respect to the support unit 340 is changed. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixedly installed on the outer wall of the container 320, and a moving shaft 364, which is moved in the vertical direction by the actuator 366, is fixedly coupled to the bracket 362. When the substrate W is placed on the support unit 340 or is lifted from the support unit 340, the container 320 is lowered so that the support unit 340 protrudes to the top of the container 320. In addition, when the process is in progress, the height of the container 320 is adjusted so that the processing fluid can be introduced into the predetermined collection container 360 according to the type of the processing fluid supplied to the substrate W. For example, while the substrate is being processed with the first processing fluid, the substrate is positioned at a height corresponding to the inner space 322a of the inner recovery cylinder 322. In addition, during the processing of the substrate with the second processing fluid and the third processing fluid, each of the substrates has a space 324a between the internal recovery tank 322 and the intermediate recovery tank 324, and the intermediate recovery tank 324 and the outside. It may be located at a height corresponding to the space 326a between the recovery container 326. Unlike the above, the lifting unit 360 may move the support unit 340 in the vertical direction instead of the container 320. Also, unlike the above, the container 320 may have a single collection container 322.

노즐 유닛(380)은 기판(W)에 제1처리액을 공급한다. 일예로 제1처리액은 공정에 따라 세정액, 현상액, 감광액 등 일 수 있다. 노즐 유닛(380)은 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 노즐 유닛(380)은 노즐 지지대(382), 지지대(386), 구동부(388), 그리고 노즐(400)을 가진다. 지지대(386)는 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지대(386)의 하단에는 구동부(388)가 결합된다. 구동부(388)는 지지대(386)를 회전 및 승강 운동한다. 노즐지지대(382)는 구동부(388)와 결합된 지지대(386)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(400)은 노즐지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(400)은 구동부(388)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(400)이 용기(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(400)이 용기(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다.The nozzle unit 380 supplies the first processing liquid to the substrate W. As an example, the first treatment liquid may be a cleaning liquid, a developer, a photosensitive liquid, or the like depending on the process. One or more nozzle units 380 may be provided. The nozzle unit 380 has a nozzle support 382, a support 386, a driving part 388, and a nozzle 400. The support 386 is provided along the third direction 16 in its longitudinal direction, and a driving part 388 is coupled to the lower end of the support 386. The driving unit 388 rotates and lifts the support 386. The nozzle support 382 is vertically coupled to the opposite end of the support 386 coupled with the driving unit 388. The nozzle 400 is installed on the bottom of the end of the nozzle support 382. The nozzle 400 is moved to the process position and the standby position by the driving unit 388. The process position is a position where the nozzle 400 is disposed vertically above the vessel 320, and the standby position is a position where the nozzle 400 is deviated from the vertical upper portion of the vessel 320.

보조 노즐 유닛(390)은 기판(W)에 제2처리액을 공급한다. 일예에 의하면 제2처리액은 제1처리액과 상이한 종류의 액일 수 있다. 보조 노즐 유닛(390)은 회동이 가능할 수 있다. 보조 노즐 유닛(390)은 보조 노즐(398) 지지대(392), 보조 지지대(396), 보조 구동부(397), 그리고 보조 노즐(398)을 가진다. 보조 지지대(396)는 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 보조 지지대(396)의 하단에는 보조 구동부(397)가 결합된다. 보조 구동부(397)는 보조 지지대(396)를 이동시킨다. 일 예로, 보조 구동부(397)는 보조 지지대(396)를 회전시킬 수 있다. 또한, 보조 구동부(397)는 보조 지지대(396)를 승강 시킬 수 있다. 보조 노즐 지지대(382)는 보조 지지대(396)의 상부에 결합된다. 보조 노즐(398)은 보조 노즐 지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 보조 노즐(398)은 보조 구동부(397)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 보조 노즐(398)이 용기(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 보조 노즐(398)이 용기(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다.The auxiliary nozzle unit 390 supplies the second processing liquid to the substrate W. According to an example, the second treatment liquid may be a different type of liquid from the first treatment liquid. The auxiliary nozzle unit 390 may be rotatable. The auxiliary nozzle unit 390 has an auxiliary nozzle 398, a support 392, an auxiliary support 396, an auxiliary driving unit 397, and an auxiliary nozzle 398. The auxiliary support 396 is provided along the third direction 16 in its longitudinal direction, and an auxiliary driving part 397 is coupled to the lower end of the auxiliary support 396. The auxiliary driving unit 397 moves the auxiliary support 396. For example, the auxiliary driving unit 397 may rotate the auxiliary support 396. In addition, the auxiliary driving unit 397 may elevate the auxiliary support 396. The auxiliary nozzle support 382 is coupled to the upper portion of the auxiliary support 396. The auxiliary nozzle 398 is installed on the lower end of the auxiliary nozzle support 382. The auxiliary nozzle 398 is moved to the process position and the standby position by the auxiliary driving unit 397. The process position is a position where the auxiliary nozzle 398 is disposed at the vertical top of the container 320, and the standby position is a position where the auxiliary nozzle 398 is deviated from the vertical top of the container 320.

도 3은 일 실시 예에 따른 노즐 유닛(380)의 노즐(400)의 단면을 간략히 보여주는 도면이다. 노즐(400)은 바디(410)를 포함한다. 바디(410)의 내부는 공급 유로(411)이 형성된다. 공급 유로(411)를 통해 처리액이 공급되 수 있다. 본 명세서에서 바디(410)의 공급 유로(411)를 형성하는 표면을 내부 표면이라하고, 바디(410)에서 공급 유로(411)가 형성되는 표면이 아닌 바디(410)의 외측을 이루는 표면을 외부 표면이라고 정의한다. 내부 표면에는 내부 표면층(413)이 제공되고, 외부 표면에는 외부 표면층(415)이 제공된다. 내부 표면층(413)과 외부 표면층(415)에 대해서는 후술되는 도 4 및 도 5에서 상세히 설명한다.3 is a view schematically showing a cross section of the nozzle 400 of the nozzle unit 380 according to an embodiment. The nozzle 400 includes a body 410. A supply passage 411 is formed inside the body 410. The processing liquid may be supplied through the supply passage 411. In the present specification, the surface forming the supply passage 411 of the body 410 is referred to as an inner surface, and the surface forming the outer side of the body 410 is referred to as an outer surface, not the surface on which the supply passage 411 is formed in It is defined as a surface. An inner surface layer 413 is provided on the inner surface, and an outer surface layer 415 is provided on the outer surface. The inner surface layer 413 and the outer surface layer 415 will be described in detail in FIGS. 4 and 5 to be described later.

도 4 및 도 5는 일 실시 예에 따른 표면층(415)의 단면을 도시한 도면이다. 4 and 5 are diagrams illustrating a cross section of a surface layer 415 according to an exemplary embodiment.

일 예에 있어서 표면층(415)은 전극층(4151)과 절연층(4152)과 소수성층(4153)을 포함한다. 표면층(415)는 전기 습윤 구조(electro-wetting structure)로서 전기 습윤 표면을 이룬다. 전기 습윤 구조는 전기 습윤 현상(고체와 전해액의 전위차로 인한 고체-전해액 접촉각의 변화)을 이용한 것으로서, 전극 위에 소수성 절연층 제공한 구조이다. 전기 습윤 구조 위에 유체가 제공되었을 때, 그 유체가 전기장에 의해 표면 장력이 변화하는 현상을 일으킨다.In one example, the surface layer 415 includes an electrode layer 4151, an insulating layer 4152, and a hydrophobic layer 4153. The surface layer 415 forms an electro-wetting surface as an electro-wetting structure. The electrowetting structure uses the electrowetting phenomenon (a change in the contact angle between the solid and the electrolyte due to the potential difference between the solid and the electrolyte), and is a structure in which a hydrophobic insulating layer is provided on the electrode. When a fluid is provided on the electrowetting structure, the fluid causes a phenomenon in which the surface tension changes due to the electric field.

전극층(4151)은 바디(410)의 표면에 제공된다. 전극층(4151)은 전극으로 이루어진다. 전극은 스위치(600)와 연결되고, 스위치(600)는 제어기(500)에 의해 제어된다. 제어기(500)는 전극층(4151)에 인가되는 전력을 제어할 수 있다. 일 실시예로 제어기(500)가 스위치를 제어하는 것으로 도시하였으나, 제어기(500)가 전원을 직접 제어하여도 무방하다.The electrode layer 4151 is provided on the surface of the body 410. The electrode layer 4151 is made of an electrode. The electrode is connected to the switch 600, and the switch 600 is controlled by the controller 500. The controller 500 may control power applied to the electrode layer 4151. In one embodiment, the controller 500 is shown to control the switch, but the controller 500 may directly control the power supply.

절연층(4152)은 전극층(4151)의 상부에 제공된다. 절연층(4152)은 전극층(4151)을 전기적으로 절연시킨다. 소수성층(153)은 절연층(4152)의 상부에 제공된다. 소수성층(4153)이 가장 바깥표면에 존재하기 때문에 표면층은 기본적으로 소수성을 나타낸다. The insulating layer 4152 is provided on the electrode layer 4151. The insulating layer 4152 electrically insulates the electrode layer 4151. The hydrophobic layer 153 is provided on the insulating layer 4152. Since the hydrophobic layer 4153 is present on the outermost surface, the surface layer basically exhibits hydrophobicity.

도 4와 같이 전극층(4151)에 전력이 인가되지 않는 상태에서 표면층은 소수성을 나타내기 때문에 액과 표면층의 부착력이 약하다. 도 5과 같이 전극층(4151)에 전력이 인가되는 경우 표면층은 친수성을 나타내기 때문에 액과 표면층의 부착력이 강해진다.As shown in FIG. 4, since the surface layer exhibits hydrophobicity in a state in which power is not applied to the electrode layer 4151, the adhesion between the liquid and the surface layer is weak. As shown in FIG. 5, when power is applied to the electrode layer 4151, since the surface layer exhibits hydrophilicity, the adhesion between the liquid and the surface layer becomes strong.

다른 실시 예에 있어서, 도 6 및 도 7과 같이 절연층(4152')은 소수성으로 제공될 수 있다. 절연층(4152')이 소수성으로 제공되는 경우 후술하는 소수성층(4153)은 제공되지 않을 수 있다.In another embodiment, as shown in FIGS. 6 and 7, the insulating layer 4152 ′ may be provided with hydrophobicity. When the insulating layer 4152 ′ is provided with hydrophobicity, the hydrophobic layer 4153 to be described later may not be provided.

도 8, 도 9 및 도 10은 표면층(415)의 제어 방법을 설명하는 도면이다. 도 8과 같이 처리액이 공급 중인 경우 또는 공정 진행 중에는 표면층(415)이 소수성을 나타내도록 제어기(500)는 스위치를 오프 상태로 두어 전력이 인가되지 않도록 제어한다. 따라서, 처리액의 공급 중에 비산된 처리액이 노즐(400)에 접촉하더라도 바운스되거나 노즐(400)에 붙더라도 부착력이 적어 쉽게 제거될 수 있다. 도 9와 같이 공정 처리 전 또는 공정 처리 후에는 표면층(415)이 친수성을 나타내도록 제어기(500)는 스위치를 온 상태로 두어 전력이 인가되도록 제어한다. 이로서 노즐의 이동 중에도 흔들림과 같은 현상에 의해 처리액이 표면으로 떨어지는 현상을 방지할 수 있다. 도 10과 같이 노즐(400)을 클리닝할 경우에는 표면층(415)이 소수성을 나타내도록 스위치를 오프 상태로 두어 전력이 인가되지 않도록 제어한다. 이로서 세정효율이 극대화 될 수 있다.8, 9, and 10 are views for explaining a method of controlling the surface layer 415. As shown in FIG. 8, when the treatment liquid is being supplied or during the process, the controller 500 controls the power not to be applied by turning the switch off so that the surface layer 415 exhibits hydrophobicity. Therefore, even if the treatment liquid scattered during the supply of the treatment liquid contacts the nozzle 400, it bounces or sticks to the nozzle 400, but the adhesion is small and thus can be easily removed. As shown in FIG. 9, the controller 500 controls the power to be applied by leaving the switch on so that the surface layer 415 exhibits hydrophilicity before or after the process treatment. As a result, it is possible to prevent the treatment liquid from falling onto the surface due to phenomena such as shaking even while the nozzle is moving. In the case of cleaning the nozzle 400 as shown in FIG. 10, the switch is turned off so that the surface layer 415 exhibits hydrophobicity, so that power is not applied. This can maximize the cleaning efficiency.

도 11 및 도 12는 다른 실시 예에 따른 표면층(415)의 단면을 도시한 도면이다. 도 11 및 도 12를 참조하면, 전극층(4151)은 복수개의 전극으로 구성될 수 있다. 전극층(4151)을 이루는 복수개의 전극은 각각이 제어될 수 있다. 도시되는 일예에 의하면, 전극층(4151)은 제1 전극(4151a), 제2 전극(4151b), 제3 전극(4151c), 제4 전극(4151d)을 포함하고, 제1 전극(4151a)은 제1 스위치(2500a)에 연결되고, 제2 전극(4151b)은 제2 스위치(2500b)에 연결되고, 제3 전극(4151c)은 제3 스위치(4151c)에 연결되고, 제4 전극(4151d)은 제4 스위치(4151e)에 연결된다. 제어기는 제1 스위치(2500a), 제2 스위치(2500b), 제3 스위치(2500c) 그리고 제4 스위치(2500d)를 각각 제어할 수 있다. 실시예에서는 4개의 전극만을 표현하였으나, 전극은 필요한 수 만큼 제공될 수 있다.11 and 12 are views illustrating a cross section of a surface layer 415 according to another embodiment. 11 and 12, the electrode layer 4151 may be formed of a plurality of electrodes. Each of the plurality of electrodes constituting the electrode layer 4151 may be controlled. According to the illustrated example, the electrode layer 4151 includes a first electrode 4151a, a second electrode 4151b, a third electrode 4151c, and a fourth electrode 4151d, and the first electrode 4151a is a 1 is connected to the switch 2500a, the second electrode 4151b is connected to the second switch 2500b, the third electrode 4151c is connected to the third switch 4151c, and the fourth electrode 4151d is It is connected to the fourth switch 4151e. The controller may control the first switch 2500a, the second switch 2500b, the third switch 2500c, and the fourth switch 2500d, respectively. In the embodiment, only four electrodes are expressed, but as many electrodes as necessary may be provided.

예컨대, 제2 전극(4151b)의 상층에 액이 위치된 경우 제2 전극(4151b)을 제어하는 제2 스위치(2500a)를 오프 상태로 두어 표면을 소수화하고, 제3 전극(4151c)을 제어하는 제3 스위치(2500c)을 온 상태로 두어 표면을 친수화하면, 액은 제2 전극(4151b)의 상부에서 제3 전극(2500c)의 상부로 이동될 수 있다. 이러한 방법을 이용하여 표면의 액을 이동시킬 수 있다.For example, when a liquid is located on the upper layer of the second electrode 4151b, the second switch 2500a that controls the second electrode 4151b is turned off to make the surface hydrophobic and control the third electrode 4151c. When the third switch 2500c is turned on to make the surface hydrophilic, the liquid may move from the top of the second electrode 4151b to the top of the third electrode 2500c. Using this method, the liquid on the surface can be moved.

도 13은 다른 실시 예에 따른 표면층(415)이 적용된 노즐(400)의 단면도이다. 도시되는 실시예는 노즐의 외측 둘레를 따라 감기게 제공되는 다수개의 전극은 중력 방향을 따라 다수개 배열하여 전극층(4151)을 이룬다. 도 14를 참조하듯 다수개의 전극(4151a, 4151b, 4151c,...,n)은 필요한 만큼 제공된다. 전극은 링형상으로 제공될 수 있다. 이로서, 노즐(400)에 맺힌 액이 중력 방향으로 빠르게 떨어뜨리도록 제어할 수 있다. 예컨대, 상부에서 하부로 액이 움직이도록 제어할 수 있다. 13 is a cross-sectional view of a nozzle 400 to which a surface layer 415 is applied according to another embodiment. In the illustrated embodiment, a plurality of electrodes provided to be wound along the outer periphery of the nozzle are arranged in a plurality along the direction of gravity to form an electrode layer 4151. As shown in FIG. 14, a plurality of electrodes 4151a, 4151b, 4151c, ..., n are provided as needed. The electrode may be provided in a ring shape. As a result, it is possible to control the liquid formed on the nozzle 400 to rapidly drop in the direction of gravity. For example, it is possible to control the liquid to move from top to bottom.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The detailed description above is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and/or the technology or knowledge in the art. The above-described embodiments are to describe the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application fields and uses of the present invention are also possible. Therefore, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiment. In addition, the appended claims should be construed as including other embodiments.

4151: 전극층
4152: 절연층
4153: 소수성층4151: electrode layer
4152: insulating layer
4153: hydrophobic layer

Claims (15)

기판을 액 처리하는 장치에 있어서,
처리 공간을 가지는 용기와;
상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
상기 기판으로 처리액을 공급하는 노즐 유닛과;
제어기를 포함하되,
상기 노즐 유닛의 표면은,
전극을 포함하는 전극층과;
상기 전극층의 상부에 제공되는 절연층을 포함하고,
상기 제어기는,
상기 전극에 인가되는 전력을 제어하는 기판 처리 장치.In the apparatus for liquid processing a substrate,
A container having a processing space;
A support unit supporting a substrate in the processing space;
A nozzle unit supplying a processing liquid to the substrate;
Including a controller,
The surface of the nozzle unit,
An electrode layer including an electrode;
Including an insulating layer provided on the top of the electrode layer,
The controller,
A substrate processing apparatus that controls power applied to the electrode. 제1 항에 있어서,
상기 절연층의 상부에 제공되는 소수성층을 더 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
A substrate processing apparatus further comprising a hydrophobic layer provided on the insulating layer. 제1 항에 있어서,
상기 절연층은 소수성으로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The substrate processing apparatus is provided with the insulating layer hydrophobic. 제1 항에 있어서,
상기 전극은 복수개로 제공되며, 상기 제어기에 의해 상기 복수개의 전극이 각각 제어되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The plurality of electrodes are provided, and the plurality of electrodes are each controlled by the controller. 제4 항에 있어서,
상기 전극은 링 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 4,
The electrode is a substrate processing apparatus provided in a ring shape. 제5 항에 있어서,
상기 복수개의 전극은 중력 방향을 따라 배열되는 기판 처리 장치.The method of claim 5,
The plurality of electrodes are arranged along the direction of gravity. 제6 항에 있어서,
상기 제어기는,
공정 처리 전 또는 후에 상기 복수개의 전극 중 상부에 배치된 전극부터 하부에 배치된 전극 순으로 순차적으로 전력을 인가하여 상기 노즐의 외부 표면에 맺힌 액을 제거하는 기판 처리 장치.The method of claim 6,
The controller,
A substrate processing apparatus for removing liquid formed on an outer surface of the nozzle by sequentially applying power in order from an upper electrode to a lower electrode among the plurality of electrodes before or after processing. 제1 항에 있어서,
상기 제어기는,
공정 처리 전 또는 후에 상기 전극에 전력을 인가하여 상기 노즐의 외부 표면에 맺힌 액을 제거하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The controller,
A substrate processing apparatus for removing liquid formed on an outer surface of the nozzle by applying electric power to the electrode before or after processing. 제1 항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 노즐 유닛의 이동 중에 상기 전극에 전력을 인가하도록 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The controller,
A substrate processing apparatus that controls to apply electric power to the electrode while the nozzle unit is moving. 제9 항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 처리액의 공급 중에 상기 전극에 전력 공급을 중단되도록 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 9,
The controller,
A substrate processing apparatus for controlling to stop supply of power to the electrode while the processing liquid is being supplied. 제1 항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 노즐의 세정 공정이 진행되는 상태에서 상기 전극에 전력 공급을 중단되도록 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The controller,
A substrate processing apparatus for controlling the supply of power to the electrode to be stopped while the nozzle cleaning process is in progress. 전기 습윤 표면을 갖는 노즐을 제어하는 방법에 있어서,
공정 처리 전 또는 후에 상기 전극에 전력을 제어하여 상기 노즐의 외부 표면에 맺힌 액을 제거하는 노즐 제어 방법.In the method of controlling a nozzle having an electrowetting surface,
A nozzle control method for removing liquid formed on an outer surface of the nozzle by controlling power to the electrode before or after a process treatment. 전기 습윤 표면을 갖는 노즐을 제어하는 방법에 있어서,
상기 노즐의 이동 중에 상기 전기 습윤 표면에 전력을 인가하여 표면을 친수성으로 변화시키는 노즐 제어 방법.In the method of controlling a nozzle having an electrowetting surface,
A nozzle control method of changing the surface to hydrophilicity by applying electric power to the electrowetting surface while the nozzle is moving. 전기 습윤 표면을 갖는 노즐을 제어하는 방법에 있어서,
처리액의 공급 중에 상기 전기 습윤 표면에 전력 공급을 중단시키는 노즐 제어 방법.In the method of controlling a nozzle having an electrowetting surface,
A nozzle control method of stopping power supply to the electrowetting surface while supplying the treatment liquid. 전기 습윤 표면을 갖는 노즐을 제어하는 방법에 있어서,
상기 노즐의 세정 공정이 진행되는 상태에서 상기 전기 습윤 표면에 전력 공급을 중단시키는 노즐 제어 방법.
In the method of controlling a nozzle having an electrowetting surface,
A nozzle control method for stopping power supply to the electrowetting surface while the nozzle cleaning process is in progress.
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