KR20210037036A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20210037036A
KR20210037036A KR1020190118543A KR20190118543A KR20210037036A KR 20210037036 A KR20210037036 A KR 20210037036A KR 1020190118543 A KR1020190118543 A KR 1020190118543A KR 20190118543 A KR20190118543 A KR 20190118543A KR 20210037036 A KR20210037036 A KR 20210037036A
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KR1020190118543A
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류용환
김지애
남윤지
송선진
한인자
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

기판 처리 장치가 제공된다. 기판 처리 장치는 바디 및 바디를 상부에서 커버하는 리드를 포함하는 챔버, 챔버의 내부 공간에 배치되는 서포트 부재, 및 챔버의 내부 공간에 진공 분위기를 제공하는 진공화 모듈을 포함하되, 챔버의 내부 공간은 바디 및 리드에 의해 정의되고, 바디는 바디 바닥부 및 바디 바닥부의 에지로부터 수직 상부 방향으로 절곡하여 연장되는 바디 측벽을 포함하고, 리드는 바디 바닥부와 평행한 리드 커버, 리드 커버의 에지로부터 수직 하부 방향으로 절곡하여 연장되며, 리드 커버와 일체로 이루어지는 리드 측벽을 포함하며, 리드 측벽은 바디 측벽보다 수평 방향으로 외측에 위치한다.

Description

기판 처리 장치 {APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 기판 상에 도포된 감광막을 진공을 이용하여 건조 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
평판 표시 장치의 제조 공정에서 실리콘 또는 유리로 이루어진 기판 상에는 전기적인 회로 패턴이 형성될 수 있다. 회로 패턴은 증착 공정, 포토 공정, 식각 공정 및 세정 공정 등과 같은 일련의 단위 공정들을 수행함으로써 형성될 수 있다.
그 중에서 포토 공정은 기판 상에 감광막을 형성하는 도포 공정, 감광막을 경화시키기 위한 소프트 베이크 공정, 감광막 상에 목적하는 패턴을 전사하기 위한 노광 공정, 감광막을 현상하여 감광막 패턴을 형성하기 위한 현상 공정, 감광막 패턴을 경화시키기 위한 하드 베이크 공정을 포함할 수 있다.
소프트 베이크 공정을 수행하기 전에, 기판 상의 감광막에 포함된 용제는 진공 건조 처리를 통해 일부 제거될 수 있다. 즉, 감광막으로부터 용제를 부분적으로 제거함으로써 감광막을 어느 정도 건조시킬 수 있다. 상기 건조 공정을 통해 후속하는 소프트 베이크 공정에서 감광막의 두께가 균일해지는 한편, 소프트 베이크 공정에 소요되는 시간이 단축될 수 있다.
진공 건조 공정에서, 진공에 의해 감광막을 이루는 감광 물질이 진공 건조 장치 내부 벽면으로 튈 수 있으며, 벽면을 맞고 다시 대상 기판 위로 떨어질 수 있다. 이와 같이 감광 물질이 튀어 벽면을 맞고나서 대상 기판 위에 떨어질 경우 추후 포토 공정에서 불량이 발생할 가능성이 있다.
이에 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 진공에 의해 튄 감광 물질이 벽면을 맞고 난 다음 다시 대상 기판으로 리바운드되는 것이 억제된 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 바디 및 상기 바디를 상부에서 커버하는 리드를 포함하는 챔버, 상기 챔버의 내부 공간에 배치되는 서포트 부재, 및 상기 챔버의 내부 공간에 진공 분위기를 제공하는 진공화 모듈을 포함하되, 상기 챔버의 상기 내부 공간은 상기 바디 및 상기 리드에 의해 정의되고, 상기 바디는 바디 바닥부 및 상기 바디 바닥부의 에지로부터 수직 상부 방향으로 절곡하여 연장되는 바디 측벽을 포함하고, 상기 리드는 상기 바디 바닥부와 평행한 리드 커버, 상기 리드 커버의 에지로부터 수직 하부 방향으로 절곡하여 연장되며, 상기 리드 커버와 일체로 이루어지는 리드 측벽을 포함하며, 상기 리드 측벽은 상기 바디 측벽보다 수평 방향으로 외측에 위치한다.
상기 리드는 상기 리드 측벽의 하단으로부터 절곡하여 수평 내측 방향으로 연장되며, 상기 리드 측벽과 일체로 이루어지는 리드 바닥부를 포함할 수 있다.
상기 바디 측벽의 상면과 상기 바디 측벽과 중첩하는 상기 리드 바닥부의 저면 사이에 위치하는 밀봉 부재를 포함할 수 있다.
상기 리드 바닥부의 상면은 오목한 면을 포함할 수 있다.
상기 리드 바닥부의 하면은 평평한 면을 포함할 수 있다.
상기 리드 바닥부는 상기 리드 측벽의 하단부로부터 절곡하여 수평 내측 방향으로 연장되며, 상기 리드 측벽과 일체로 이루어지는 제1 바닥부, 상기 제1 바닥부의 일단부로부터 절곡하여 수직 상부 방향으로 연장되며, 상기 제1 바닥부와 일체로 이루어지는 수집벽, 및 상기 수집벽의 상단부로부터 절곡하여 수평 내측 방향으로 연장되며, 상기 수집벽과 일체로 이루어지는 제2 바닥부를 포함할 수 있다.
상기 제1 바닥부는 상기 바디 바닥부보다 높은 곳에 위치할 수 있다.
상기 챔버의 내부 공간과 상기 진공화 모듈을 연결하는 진공 배관을 더 포함할 수 있다.
상기 바디 측벽의 상단으로부터 수평 외측 방향으로 절곡하여 연장되며, 상기 바디 측벽과 일체로 이루어지는 제2 바닥부를 포함할 수 있다.
상기 리드 측벽의 저면과 상기 리드 측벽과 중첩하는 상기 제2 바닥부의 상면 사이에 위치하는 밀봉 부재를 포함할 수 있다.
상기 제2 바닥부의 상면은 오목한 면을 포함할 수 있다.
상기 제2 바닥부의 하면은 평평한 면을 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 바디 및 상기 바디를 상부에서 커버하는 리드를 포함하는 챔버, 상기 챔버의 상기 내부 공간에 배치되는 서포트 부재, 및 상기 챔버 내부 공간에 진공 분위기를 제공하는 진공화 모듈을 포함하되, 상기 바디는 바디 바닥부 및 상기 바디 바닥부의 에지로부터 수직 방향으로 절곡하여 연장되는 바디 측벽을 포함하고, 상기 리드는 상기 바디 바닥부와 평행한 리드 커버, 상기 리드 커버의 에지로부터 수직 방향으로 절곡하여 연장되는 리드 측벽 및 상기 리드 측벽의 하단으로부터 수평 방향으로 절곡하여 연장되는 리드 바닥부를 일체로써 포함하되, 상기 챔버의 내부 공간은 상기 바디 바닥부의 상면, 상기 바디 측벽의 내측면 및 상기 바디 측벽의 내측면으로부터 수직으로 연장된 가상의 면 및 상기 리드 커버의 저면에 의해 정의되는 반응 공간, 및 상기 반응 공간의 수평 방향 외측에 위치하며 상기 리드 바닥부의 상면, 상기 리드 측벽 및 상기 리드 바닥부와 중첩하는 상기 리드 커버의 저면에 의해 정의되는 돌출 공간을 포함한다.
기판 처리 장치는 상기 바디 측벽의 상면과 상기 바디 측벽과 중첩하는 상기 리드 바닥부의 저면 사이에 위치하는 밀봉 부재를 더 포함할 수 있다.
상기 리드 바닥부의 상면은 오목한 면을 포함할 수 있다.
상기 리드 바닥부의 하면은 평평한 면을 포함할 수 있다.
상기 챔버의 내부 공간과 상기 진공화 모듈을 연결하는 진공 배관을 더 포함할 수 있다.
상기 리드 바닥부는 상기 리드 측벽의 하단부로부터 절곡하여 수평 방향으로 연장된 제1 바닥부, 상기 제1 바닥부의 일단부로부터 절곡하여 수직 방향으로 연장된 수집벽, 및 상기 수집벽의 상단부로부터 절곡하여 수평방향으로 연장된 제2 바닥부를 포함할 수 있다.
상기 제1 바닥부는 상기 바디 바닥부보다 높은 곳에 위치할 수 있다.
상기 돌출 공간은 상기 반응 공간의 측면을 연속적으로 둘러쌀 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
일 실시예에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 리드의 구조 변경을 통해 챔버 내부 벽면으로 튀는 감광 물질을 대상 기판 위로 리바운드되는 것을 억제할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 분해사시도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 3은 도 2의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 건조 처리 공정을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 4는 다른 실시예에 다른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 5는 도 4의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 건조 처리 공정을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 6은 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 7은 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 8은 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 분해사시도이다. 도 2는 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 대상 기판(10) 상의 박막을 처리하는 장치로서, 예컨대 박막의 건조, 박막의 경화나 베이크 등의 처리를 하는 데에 사용될 수 있다. 이하에서는 기판 처리의 일 예로, 건조 처리, 더욱 구체적으로 진공 건조 장치를 예시하지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
기판 처리 장치(100)의 대상 기판(10)은 예를 들어, 전자 소자나 표시 장치 등이거나 이들의 중간 제조물일 수 있다. 표시 장치의 예로는 유기발광 표시 장치, 마이크로 LED 표시 장치, 나노 LED 표시 장치, 양자 점 발광 표시 장치, 액정 표시 장치, 플라즈마 표시 장치, 전계방출 표시 장치, 전기 영동 표시 장치, 전기 습윤 표시 장치 등을 들 수 있다. 상술한 표시 장치의 완제품뿐만 아니라, 완제품으로 제조되기까지의 과정 중에 있는 기판이나 박막이 형성된 기판이 기판 처리 장치(100)에 의해 처리되는 대상 기판(10)으로 적용될 수 있다.
대상 기판(10) 상에서 기판 처리 장치(100)에 의해 건조되는 박막은 유기물을 포함하는 박막일 수 있다. 도면에 예시되어 있는 유기물 박막은 감광막(20)이지만, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다.
감광막(20)은 감광 물질이 감광액의 형태로 대상 기판(10)에 도포되어 형성될 수 있다. 감광액은 감광 물질을 용해시킬 때 사용하는 용매(solvent), 감광막(20)의 기계적 성질을 결정하는 중합체(polymer), 빛을 받아 화학반응을 일으키는 감응제(sensitizer) 등을 포함할 수 있다.
감광막(20)은 포토 공정을 통한 박막 패터닝에 사용될 수 있다. 감광막(20)은 그 자체가 포토 공정에 의해 박막으로 패터닝될 수 있다. 이 경우, 포토 공정은 감광막(20) 도포 공정, 노광 공정 및 현상 공정을 포함할 수 있다. 감광막(20)은 패터닝되어 하부층의 패터닝을 위한 식각 마스크로 사용될 수 있다. 이 경우, 포토 공정은 감광막(20) 도포 공정, 노광 공정, 및 현상 공정을 통해 감광막(20)을 식각 마스크로 패터닝하고, 이후 식각 공정을 통해 하부 박막을 패터닝하는 공정을 더 포함할 수 있다.
상기와 같은 포토 공정에서, 감광막(20)은 도포된 후 경화될 수 있다. 예를 들어, 감광막(20)은 상대적으로 낮은 온도로 열처리되는 소프트 베이크 공정과 상대적으로 높은 온도로 열처리되는 하드 베이크 공정을 통해 경화될 수 있다. 감광막(20)의 베이크 공정을 효과적으로 진행하기 위해 감광막(20)은 베이크 공정 전 건조 공정을 거칠 수 있다. 건조 공정을 통해 감광막(20)에 포함된 용제의 일부 또는 전부를 제거함으로써, 후속하는 베이크 공정의 효율을 개선할 수 있다. 이와 같은 감광막(20)의 건조 공정은 도 1의 기판 처리 장치(100)의 챔버(102) 내부에서 진행될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 기판 처리 장치(100)에 의한 감광막(20)의 건조 처리는 진공 분위기 하에서 진행될 수 있다. 기판 처리 장치(100)의 챔버(102) 내부를 진공으로 유지하면, 감광막(20)의 건조 공정이 효과적으로 이루어질 수 있다. 본 명세서에서 진공은 완전한 진공 상태를 의미하지 않고, 진공화 모듈(104)을 이용하여 감압하는 과정을 통해 저압 상태를 유지하는 것을 의미할 수 있다.
이하에서, 기판 처리 장치(100)의 구성에 대해 더욱 상세히 설명한다. 기판 처리 장치(100)는 챔버(102)와 진공화 모듈(104)을 포함할 수 있다.
챔버(102)는 진공화 모듈(104)에 의해 진공이 유지되는 진공 챔버(102)일 수 있다. 챔버(102)는 그 내부에 대상 기판(10)이 배치되는 공간을 제공한다. 또한, 챔버(102)는 기판 처리 공정이 이루어지는 공간, 예를 들어 진공 건조 공정이 수행되는 공간을 제공한다.
챔버(102)는 바디(112)와 리드(114)를 포함할 수 있다. 바디(112)는 상측이 개구된 형상을 갖는다. 리드(114)는 하측이 개구된 형상을 갖는다. 리드(114)는 바디(112)의 상측에 배치되어 바디(112)를 덮으며, 밀봉 부재(118) 등을 통해 바디(112)와 결합한다. 리드(114)와 바디(112)의 결합을 통해 챔버(102)의 내부 공간(RS, PS)이 밀폐된 채 외부 환경으로부터 격리될 수 있다.
리드(114)와 바디(112)는 실질적으로 유사한 평면 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 리드(114)와 바디(112)의 평면 형상은 도 1에 도시된 것처럼 직사각형일 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니고, 리드(114)와 바디(112)의 평면 형상은 정사각형이나 기타 다른 다각형이거나 원형일 수도 있다. 리드(114)는 바디(112)보다 평면 상 더 큰 크기를 가지며 바디(112)로부터 외측으로 돌출될 수 있다.
바디(112)는 바디 바닥부(112a) 및 바디 바닥부(112a)의 에지로부터 상방으로 연장되는 바디 측벽(112b)을 포함할 수 있다. 바디 측벽(112b)은 바디 바닥부(112a)로부터 수직 방향으로 절곡되어 이루어질 수 있다. 바디(112)를 구성하는 바디 바닥부(112a) 및 바닥 측벽(112b)은 두께가 대체로 일정할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 바디 바닥부(112a)와 바닥 측벽(112b)은 별도로 제조되어 결합될 수도 있지만, 하나의 플레이트를 통해 일체로 이루어질 수도 있다.
바디 바닥부(112a) 상에는 대상 기판(10)을 지지할 수 있는 서포트 부재(110)가 배치될 수 있다. 서포트 부재(110)는 예를 들어 복수의 핀을 포함할 수 있다. 서포트 부재(110)는 바디 바닥부(112a) 상에 수직하게 배치될 수 있다. 서포트 부재(110)는 수직 방향으로 이동하는 것이 가능할 수 있다. 서포트 부재(110)는 수직 방향으로의 이동을 통해 로봇 등 대상 기판(10)의 반입, 반출 시 이용되는 장치가 대상 기판(10)의 저면을 지지할 수 있는 공간을 제공함으로써 챔버(102)의 내부 공간(RS, PS)으로 대상 기판(10)을 반입, 반출하는 것을 용이하게 할 수 있다.
대상 기판(10)의 높이는 대상 기판(10)을 지지하는 서포트 부재(110)의 수직 방향 움직임에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 대상 기판(10)은 도 2에 도시된 바와 같이, 바디 측벽(112b)의 상단보다 높은 곳에 위치할 수 있다. 나아가, 대상 기판(10)은 리드 바닥부(114c)의 상면보다 높은 곳에 위치할 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니고, 바디 측벽(112b)의 상단 또는 리드 바닥부(114c)의 상면과 동일 레벨 또는 낮은 곳에 위치할 수도 있다.
서포트 부재(110)에 의해 지지되는 대상 기판(10)의 저면은 서포트 부재(110)와 접촉하는 부위를 제외하고 챔버(102)의 내부 공간(RS, PS)에 노출될 수 있다. 그에 따라, 대상 기판(10)의 저면에 일부 잔류할 수 있는 용제 성분들이 건조 공정을 통해 함께 제거될 수 있다. 서포트 부재(110) 상에 배치된 대상 기판(10)은 바디 바닥부(112a)와 평행하게 놓일 수 있다.
리드(114)는 리드 커버(114a), 리드 커버(114a)의 에지로부터 하방으로 연장되는 리드 측벽(114b) 및 리드 측벽(114b)의 하단부로부터 내측으로 연장되는 리드 바닥부(114c)를 포함할 수 있다. 리드 측벽(114b)은 리드 커버(114a)로부터 수직 방향으로 절곡되어 이루어질 수 있다. 리드 바닥부(114c)는 리드 측벽(114b)으로부터 수평 방향으로 절곡되어 이루어질 수 있다. 리드 바닥부(114c)의 내측 단부는 바디 측벽(112b)의 상부에 배치되고, 두께 방향으로 그에 중첩할 수 있다. 리드 커버(114a), 리드 측벽(114b) 및 리드 바닥부(114c)는 별도로 제조되어 결합될 수도 있지만, 하나의 플레이트를 통해 일체로 이루어질 수도 있다. 리드 바닥부(114c)는 대상 기판(10)보다 낮은 위치에 있는 것이 바람직할 수 있다. 리드 바닥부(114c)와 대상 기판(10)의 위치 관계에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.
리드 커버(114a)는 일체로 이루어지는 리드 바닥부(114c)와 이격되어 평행할 수 있다. 리드 커버(114a)는 바디 바닥부(112a)와 평행할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
리드(114)를 구성하는 리드 커버(114a), 리드 측벽(114b) 및 리드 바닥부(114c)의 두께는 각각 동일할 수 있다. 그러나, 이에 제한되지 않고, 리드(114)는 영역별로 상이한 두께를 가질 수도 있다.
리드 커버(114a)의 저면의 넓이는 바디 바닥부(112a)의 상면의 넓이보다 클 수 있다. 또한, 바디 바닥부(112a)의 상면의 넓이는 대상 기판(10)의 넓이보다 클 수 있다. 서로 대향하는 리드 측벽(114b) 간의 거리는 서로 대향하는 바디 측벽(112b) 간의 거리보다 클 수 있다.
상술한 바와 같이, 리드 바닥부(114c)는 리드 측벽(114b)의 하단부에서 내측 방향으로 연장되어 형성될 수 있다. 리드 바닥부(114c)는 리드 측벽(114b)의 하단부 전영역에서 내측 방향으로 연장되어 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않고 리드 측벽(114b)의 하단부 일부 영역에서만 연장되어 형성될 수도 있다.
리드(114)는 대상 기판(10)의 반입과 반출을 위하여 수직 방향으로 이동하도록 설치될 수 있다. 이를 위해 리드(114)의 상부에는 리드(114)의 수직 방향으로 이동시키는 수직 구동부(116)가 배치될 수 있다. 수직 구동부(116)는 리드 커버(114a)에 연결될 수 있다. 수직 구동부(116)는 대체로 리드(114)의 중앙부에 연결될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 수직 구동부(116)로는 유압 또는 공압 실린더 또는 리니어 모션 가이드와 모터 및 볼 스크루 기구를 포함하는 구동 장치가 사용될 수 있다. 수직 구동부(116)로서 유압 또는 공압 실린더가 리드(114)와 연결될 수 있으나, 수직 구동부(116)와 리드(114)의 연결 관계 및 수직 구동부(116)의 구성 등에 의해 실시예가 제한되지 않음은 물론이다.
리드 측벽(114b)이 바디 측벽(112b)을 수직 방향으로 연장한 가상의 벽으로부터 외측으로 돌출됨에 따라, 바디(112)와 리드(114)에 의해 정의되는 챔버(102)의 내부 공간(RS, PS)은 대상 기판(10)이 배치되고 주된 건조 반응이 이루어지는 반응 공간(RS) 외에 반응 공간(RS)으로부터 외측으로 돌출된 돌출 공간(PS)을 더 포함할 수 있다. 돌출 공간(PS)은 감광막(20)을 구성하는 일부 물질이 챔버(102)의 내벽을 맞고 튀어 대상 기판(10)을 오염시키는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. 돌출 공간(PS)의 역할에 대한 상세한 설명은 도 3을 참조하여 후술하기로 한다.
반응 공간(RS)은 바디 바닥부(112a)의 상면, 바디 측벽(112b)의 내면과 그로부터 수직 방향으로 연장된 가상의 면 및 바디 바닥부(112a)의 상면에 중첩하는 리드 커버(114a)의 저면에 의해 정의될 수 있다. 반응 공간(RS)으로부터 수평 방향 외측으로 물리적 구분없이 공간적으로 연결되어 이어지는 돌출 공간(PS)은 리드 바닥부(114c)의 상면, 리드 측벽(114b)의 내면, 리드 바닥부(114c)에 중첩하는 리드 커버(114a)의 저면 및 바디 측벽(112b)의 내면으로부터 수직 방향으로 연장된 가상의 면에 의해 정의될 수 있다.
바디 측벽(112b)과 바디 측벽(112b)에 중첩하는 리드 바닥부(114c)의 저면 사이에는 챔버(102) 내부 공간(RS, PS)을 외부로부터 밀폐시키기 위한 밀봉 부재(118)가 배치될 수 있다. 챔버(102) 내부 공간(RS, PS)을 외부로부터 밀폐시킨 채 진공화 모듈(104)을 작동시킴으로써 진공 분위기를 제공하여 진공 건조 공정을 수행할 수 있다. 밀봉 부재(118)는 일 예로서 고무 재질일 수 있으나, 이에 제한되지 않고 다양한 재질의 밀봉 부재(118)가 사용될 수 있다.
진공화 모듈(104)은 감광막(20)으로부터 용제의 휘발을 촉진시키기 위하여 챔버(102) 내부에 진공 분위기를 형성하는 역할을 할 수 있다. 진공화 모듈(104)은 예를 들어, 진공 펌프 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 진공화 모듈(104)은 압력 조절 밸브를 더 포함할 수 있다. 압력 조절 밸브를 통해 상황에 따라 챔버(102)의 내부의 압력을 다양하게 조절할 수 있다. 진공화 모듈(104)은 챔버(102)의 압력을 직접 또는 간접적으로 측정하는 압력 센서를 더 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
기판 처리 장치(100)는 진공화 모듈(104)과 챔버(102)의 내부 공간(RS, PS)을 연결하는 배관(106, 108)을 더 포함할 수 있다. 배관(106, 108)은 하부 배관(106) 및 상부 배관(108)을 포함할 수 있다. 챔버(102)는 배관(106, 108)이 연결되는 진공홀(112c, 114d)을 포함할 수 있다. 진공홀(112c, 114d)은 하부 배관(106)과 연결되며 바디(112)에 개구된 하부 진공홀(112c) 및 상부 배관(108)과 연결되며 리드(114)에 개구된 상부 진공홀(114d)을 포함할 수 있다.
하부 배관(106)은 진공화 모듈(104)과 바디(112)를 연결할 수 있다. 구체적으로, 하부 배관(106)의 일단은 진공화 모듈(104)에 연결되고, 타단은 바디(112)에 연결될 수 있다. 하부 배관(106)은 바디(112)와 연결될 때 복수의 가지로 분지되어 복수의 하부 진공홀(112c)에 연결될 수 있지만, 이에 제한되지 않고 하나의 하부 진공홀(112c)에 연결될 수도 있다. 하부 배관(106)의 분지 개수는 하부 진공홀(112c)의 개수에 대응할 수 있다.
상부 배관(108)은 진공화 모듈(104)과 리드(114)를 연결할 수 있다. 구체적으로, 상부 배관(108)의 일단은 진공화 모듈(104)에 연결되고, 타단은 리드(114)에 연결될 수 있다. 하부 배관(106)과 마찬가지로 상부 배관(108)은 리드(114)와 연결될 때 복수의 가지로 분지되어 복수의 상부 진공홀(114d)에 연결될 수 있지만, 이에 제한되지 않고 하나의 상부 진공홀(114d)에 연결될 수 있다. 상부 배관(108)의 분지 개수는 상부 진공홀(114d)의 개수에 대응할 수 있다.
도 2에서, 배관(106, 108)이 실선으로 도시되었으나, 배관(106, 108)은 내부를 통해 공기 등의 유체가 통과할 수 있는 관일 수 있다. 일 실시예로, 배관(106, 108)을 통해 챔버(102) 내부 공간(RS, PS)에 진공 분위기를 제공할 수 있지만, 이에 제한되지 않고 챔버(102) 내부 공간(RS, PS)에 음압을 제공하거나 바람을 제공할 수도 있다. 배관(106, 108)은 일 예로서 금속 재질일 수 있으나 이에 제한되지 않고, 배관(106, 108)의 내부 압력이 변하더라도 형태의 변형이 거의 일어나지 않는 재질로 이루어질 수 있다.
하부 배관(106)과 연결되는 하부 진공홀(112c)은 반응 공간(RS)과 중첩하는 바디 바닥부(112a) 영역에 위치할 수 있으나, 이에 제한되지 않고 바디 측벽(112b)에 위치할 수도 있다.
상부 배관(108)과 연결되는 상부 진공홀(114d)은 반응 공간(RS)과 중첩하는 리드 커버(114a) 영역에 위치할 수 있으나, 이에 제한되지 않고 돌출 공간(PS)과 중첩하는 리드 커버(114a) 영역, 리드 측벽(114b) 또는 리드 바닥부(114c)에 위치할 수도 있다. 반응 공간(RS)과 중첩하는 리드 커버(114a) 영역에 위치한 상부 진공홀(114d)로부터 하방으로 이격된 곳에 리드 커버(114a)와 평행한 플레이트(30)가 배치될 수 있다.
상부 진공홀(114d)로부터 하방으로 이격된 곳에 배치되는 플레이트(30)는 상부 진공홀(114d)을 통한 배기 흐름을 부분적으로 차단할 수 있다. 즉, 상부 진공홀(114d)을 향하여 직접적인 상방 기류가 형성되지 않도록 함으로써 대상 기판(10)보다 상부에 위치하는 반응 공간(RS)에서 압력 강하 속도를 일정하게 할 수 있으며, 이에 따라 대상 기판(10) 상의 감광막(20)이 균일하게 건조될 수 있도록 할 수 있다. 플레이트(30)는 상부 진공홀(114d)의 하단부 전체를 커버할 수 있다. 플레이트(30)의 넓이는 상부 진공홀(114d)의 단면의 넓이보다 클 수 있다. 챔버(102) 내부 공간(RS, PS)에 진공 분위기가 형성되면, 플레이트(30)와 리드 커버(114a)의 저면 사이의 공간으로 기체가 통과할 수 있다. 플레이트(30)는 상부 진공홀(114d)에 상응하여 배치되므로 플레이트(30)의 개수는 상부 진공홀(114d)의 개수와 동일할 수 있다.
한편, 도시되지는 않았으나 기판 처리 장치(100)는 챔버(102)와 연결되며 챔버(102) 내부로 퍼지 가스를 공급하기 위한 퍼지 가스 공급부(미도시)를 더 포함할 수 있다. 퍼지 가스로는 질소, 아르곤 등과 같은 불활성 가스 또는 정화된 공기 등이 사용될 수 있다. 퍼지 가스는 진공 건조 공정이 종료된 후 챔버(102) 내부 공간(RS, PS)의 압력 조절 및 챔버(102) 내부 공간(RS, PS)에 잔류하는 휘발된 용제를 제거하기 위하여 공급될 수 있다.
도 3은 도 2의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 건조 처리 공정을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 3을 참조하면, 도 2의 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 수직 구동부(116)를 이용하여 리드(114)를 수직 상방으로 이동시켜 챔버(102)를 개방하고, 챔버(102) 내부 공간(RS, PS)에 위치하는 서포트 부재(110) 위에 대상 기판(10)을 올려놓을 수 있다. 그 후, 수직 구동부(116)를 이용하여 리드(114)를 수직 하방으로 이동시켜 챔버(102)를 닫을 수 있다. 이 때, 리드(114)와 바디(112)가 접촉하는 부분에 밀봉 부재(118)가 배치되어 챔버(102)의 내부 공간(RS, PS)을 챔버(102) 외부로부터 밀폐시킬 수 있다.
진공화 모듈(104)이 구동되면 하부 배관(106)과 상부 배관(108)을 통해 챔버(102)의 내부 공간(RS, PS)에 진공 분위기가 제공될 수 있다. 진공 분위기는 하부 배관(106)과 상부 배관(108)을 동시에 이용하여 제공될 수 있고, 또는 둘 중 한 곳만 선택적으로 이용하여 제공될 수 있다.
진공화 모듈(104)에 의해 챔버(102)의 내부 공간(RS, PS)에 진공 분위기가 형성되는 경우, 챔버(102)의 내부 공간(RS, PS)에는 하부 진공홀(112c) 및 상부 진공홀(114d)을 향하는 기류가 발생될 수 있다. 이 때, 하부 배관(106) 및 상부 배관(108)을 통해 각각 배기되는 유량은 실질적으로 동일한 것이 바람직하다.
하부 배관(106)을 통해 빠져나가는 배기량과 상부 배관(108)을 통해 빠져나가는 배기량이 서로 다를 경우, 대상 기판(10) 상의 감광막(20)에 물결 무늬가 생길 수 있다. 구체적으로, 대상 기판(10)의 에지 부위와 인접한 공간에서의 압력 강하 속도와 대상 기판(10)의 중앙 부위와 인접한 공간에서의 압력 강하 속도가 서로 달라질 수 있으며, 이에 따라 대상 기판(10) 상의 감광막(20)에 물결 무늬가 생길 수 있다. 즉, 하부 배관(106)을 통해 빠져나가는 배기량과 상부 배관(108)을 통해 빠져나가는 배기량이 서로 다를 경우, 감광막(20)에서 제거되는 용제의 양이 감광막(20)의 부위에 따라 상이할 수 있다.
상부 배관(108)을 통해 빠져나가는 배기량이 하부 배관(106)을 통해 빠져나가는 배기량보다 많을 경우, 챔버(102) 내부 공간(RS, PS)에서 형성되는 기류에 의해 대상 기판(10)이 부양될 수 있다. 이 경우, 대상 기판(10) 상의 감광막(20)이 크게 손상될 수 있다.
진공화 모듈(104)은 리드(114)에만 연결될 수도 있다. 즉, 바디(112)에 연결된 하부 배관(106)을 통한 배기를 차단함으로써 리드(114)에 연결된 상부 배관(108)만을 통해 진공 건조 공정을 수행할 수 있다. 이 경우, 진공 건조 공정을 수행하는 동안 대상 기판(10)이 챔버(102) 내부 공간(RS, PS)의 압력 변화 또는 기류 형성에 의해 부양되지 않도록 진공 분위기 형성시간을 적절하게 조절하는 것이 바람직하다. 리드 커버(114a)와 대상 기판(10) 사이에 플레이트(30)를 배치함으로써 챔버(102) 내부 공간(RS, PS)에 전체적으로 일정한 압력 강하 또는 기류 형성을 구현할 수도 있다.
대상 기판(10)의 진공 건조 공정에서, 진공화 모듈(104)에 의해 형성되는 진공 분위기로 인하여 감광막(20)을 이루는 감광 물질이 돌출 공간(PS)을 향하여 튀는 현상이 발생할 수 있다. 구체적으로, 돌출 공간(PS)을 향하여 튄 감광 물질은 리드 커버(114a)에 맞고 리드 바닥부(114c)의 상면으로 이동할 수 있고, 리드 측벽(114b)에 맞고 리드 바닥부(114c)의 상면으로 이동할 수 있고, 리드 커버(114a)와 리드 측벽(114b)에 순서대로 맞고 리드 바닥부(114c)의 상면으로 이동할 수 있으며, 곧바로 리드 바닥부(114c)의 상면으로 이동할 수도 있다. 돌출 공간(PS)은 감광 물질이 리드 측벽(114b)을 맞고 다시 대상 기판(10) 상으로 떨어지지 않을 정도로 충분한 공간을 포함할 수 있다. 리드 바닥부(114c)의 상면이 평평한 경우, 리드 바닥부(114c)의 상면에 위치한 감광 물질은 바디 바닥부(112a)의 상면으로 흘러내릴 수 있다. 감광막(20)으로부터 튄 일부 감광 물질은 곧바로 바디 바닥부(112a)의 상면으로 이동할 수도 있다.
대상 기판(10)이 리드 바닥부(114c)의 상면보다 낮은 곳에 위치할 경우, 진공 분위기에 의해 튄 감광 물질이 리드 바닥부(114c)의 측면 및/또는 바디 측벽(112b)의 내면에 맞고 다시 대상 기판(10)으로 리바운드될 수 있다. 따라서, 대상 기판(10)이 리드 바닥부(114c)보다 높은 곳에 위치하는 것이 감광 물질의 리바운드를 최소화할 수 있어 바람직할 수 있다.
감광막(20)으로부터 튄 감광 물질은 주기적으로 제거될 수 있다. 예를 들어, 천으로 닦아낼 수 있고, 물로 씻어낼 수 있으나 이에 제한되지 않고 다양한 세정 방법에 의해 제거될 수 있다. 또한, 감광 물질은 진공 건조 공정을 1회 진행할 때마다 제거될 수 있고, 진공 건조 공정을 복수 회 수행할 때마다 제거될 수 있다.
도 4는 다른 실시예에 다른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 돌출 공간(PS_1)이 수집 홈(115_1)을 더 포함한다는 점에서 도 2의 실시예와 차이가 있다.
구체적으로 설명하면, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)의 리드(114_1)는 리드 커버(114a_1), 리드 측벽(114b_1), 리드 바닥부를 포함한다. 그 중, 리드 바닥부는 리드 측벽(114b_1)의 하단부로부터 수평 방향으로 절곡되어 이루어진 제1 바닥부(114c_1), 제1 바닥부(114c_1)의 일 단부로부터 수직 방향으로 절곡되어 이루어진 수집벽(114d_1), 수집벽(114d_1)의 상단부로부터 수평 방향으로 절곡되어 이루어지며 제1 바닥부(114c_1)보다 높은 위치에 배치되는 제2 바닥부(114e_1)를 포함한다. 리드 커버(114a_1), 리드 측벽(114b_1), 제1 바닥부(114c_1), 수집벽(114d_1) 및 제2 바닥부(114e_1)는 별도로 제조되어 결합될 수도 있지만, 하나의 플레이트를 통해 일체로 이루어질 수도 있다.
본 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 수집벽(114d_1)의 내면, 제1 바닥부(114c_1)의 상면 및 수집벽(114d_1)의 내면과 중첩하는 리드 측벽(114b_1)의 내면에 의해 정의되는 수집 홈(115_1)을 포함할 수 있다. 수집 홈(115_1)은 제1 바닥부(114c_1)와 제2 바닥부(114e_1)의 단차, 즉 수집벽(114d_1)의 높이만큼의 깊이를 가질 수 있다. 수집 홈(115_1)을 정의하는 제1 바닥부(114c_1)의 상면은 평평한 면일 수 있고, 홈을 포함하는 평면일 수 있고, 전체적으로 오목한 면일 수 있으나 이에 제한되지 않고 다양한 형태를 가질 수 있다. 수집벽(114d_1)의 외면과 수집벽(114d_1)과 두께 방향으로 중첩하는 바디 측벽(112b_1)의 외면은 서로 접촉할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 5는 도 4의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 건조 처리 공정을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 5를 참조하면, 대상 기판(10_1)의 진공 건조 공정에서 감광막 (20_1)을 이루는 감광 물질은 진공화 모듈(104_1)에 의해 형성되는 진공 분위기로 인해 돌출 공간(PS_1)을 향하여 튈 수 있다. 구체적으로, 돌출 공간(PS_1)을 향하여 튄 감광 물질은 리드 커버(114a_1)에 맞고 수집 홈(115_1)으로 이동할 수 있고, 리드 측벽(114b_1)에 맞고 수집 홈(115_1)으로 이동할 수 있고, 리드 커버(114a_1)와 리드 측벽(114b_1)에 순서대로 맞고 수집 홈(115_1)으로 이동할 수 있으며, 곧바로 수집 홈(115_1)으로 이동할 수도 있다. 또한, 감광막(20_1)에서 튄 감광 물질은 제2 바닥부(114e_1)의 상면 또는 바디 바닥부(112a_1)의 상면으로 이동할 수도 있다. 본 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 도 2의 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)와 달리 수집 홈(115_1)을 통해 감광 물질을 수용할 수 있어 수집 홈(115_1)에 수집된 감광 물질이 바디 바닥부(112a_1)로 흘러내리지 않을 수 있다. 제2 바닥부(114e_1)에 위치하는 감광 물질은 바디 바닥부(112a_1)로 흘러내릴 수 있다. 돌출 공간(PS_1)은 감광막(20_1)에서 튄 감광 물질이 리드 측벽(114b_1)을 맞고 다시 대상 기판(10_1)으로 떨어지지 않을 정도로 충분한 수평 방향으로의 폭을 가질 수 있다.
도 6은 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 돌출 공간(PS_2)을 이루는 리드 바닥부(114c_2)의 상면이 입체 구조를 포함한다는 점에서 도 2의 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)와 차이가 있다. 리드 바닥부(114c_2)의 상면은 전체적으로 평평하지 않을 수 있다. 예를 들어, 리드 바닥부(114c_2)의 상면은 도 6에 도시된 바와 같이 전체적으로 하방으로 오목한 구조를 가질 수 있고, 복수의 요철 구조를 가질 수 있으나 이에 제한되지 않고 다양한 입체 구조를 가질 수 있다. 일 실시예로, 리드 바닥부(114c_2)의 상면은 입체 구조를 가지고, 리드 바닥부(114c_2)의 저면은 평평한 평면 구조를 가짐으로써 리드 바닥부(114c_2)의 두께가 영역별로 상이할 수 있다.
본 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 리드 바닥부(114c_2)의 상면이 입체 구조를 가짐으로써 감광 물질을 수집할 수 있는 공간을 제공할 수 있다. 따라서, 리드 바닥부(114c_2)의 상면에 감광 물질을 수집할 수 있어 리드 바닥부(114c_2) 위로 이동한 감광 물질이 곧바로 바디 바닥부(112a_2)로 흘러내리는 것을 최소화할 수 있다.
감광막(20_2)으로부터 튄 감광 물질은 주기적으로 제거될 수 있다. 예를 들어, 천으로 닦아낼 수 있고, 물로 씻어낼 수 있으나 이에 제한되지 않고 다양한 세정 방법에 의해 제거될 수 있다. 또한, 감광 물질은 진공 건조 공정을 1회 진행할 때마다 제거될 수 있고, 진공 건조 공정을 복수 회 진행할 때마다 제거될 수 있다.
다른 사항에 대하여는 도 1 내지 도 3을 참조하여 상술한 바와 동일 또는 유사하므로 이에 대한 추가적인 상세한 설명은 생략한다.
도 7은 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 도 2의 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)의 리드 바닥부(114c)에 대응하는 구성으로서, 바디 측벽(112b_3)의 상단부로부터 수평 방향으로 절곡되어 이루어진 제2 바닥부(112c_3)를 포함한다는 점에서 도 2의 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)와 차이가 있다. 본 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)의 바디(112_3)는 제1 바닥부(112a_3), 제1 바닥부(112a_3)의 에지로부터 수직 방향으로 절곡되어 이루어진 바디 측벽(112b_3) 및 바디 측벽(112b_3)의 상단부에서 수평 방향으로 절곡되어 이루어진 제2 바닥부(112c_3)를 포함한다. 제1 바닥부(112a_3), 바디 측벽(112b_3) 및 제2 바닥부(112c_3)는 별도로 제조되어 결합될 수도 있지만, 하나의 플레이트를 통해 일체로 이루어질 수도 있다.
제2 바닥부(112c_3)는 일체로 이루어진 제1 바닥부(112a_3)와 평행할 수 있다. 제2 바닥부(112c_3)는 제1 바닥부(112a_3)보다 높은 위치에 배치될 수 있다. 제1 바닥부(112a_3)와 제2 바닥부(112c_3)는 바디 측벽(112b_3)의 높이만큼의 단차를 가질 수 있다. 제2 바닥부(112c_3)의 외측 단부는 리드 측벽(114b_3)의 하부에 배치되고, 두께 방향으로 리드 측벽(114b_3)에 중첩할 수 있다. 제2 바닥부(112c_3)는 리드 측벽(114b_3)과 수직할 수 있다. 제2 바닥부(112c_3)는 진공 분위기에 의해 튄 감광막(20_3)의 감광 물질이 대상 기판(10_3)으로 리바운드 되는 것을 최소화하기 위해 대상 기판(10_3)보다 낮은 곳에 위치하는 것이 바람직할 수 있다.
본 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)의 돌출 공간(PS_3)은 바디 측벽(112b_3)의 내면으로부터 수직 방향으로 연장된 가상의 면, 제2 바닥부(112c_3)의 상면, 리드 측벽(114b_3)의 내면 및 제2 바닥부(112c_3)와 중첩하는 리드 커버(114a)의 저면에 의해 정의될 수 있다.
본 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 바디 측벽(112b_3)의 상단부에서 수평 방향으로 절곡되어 이루어진 제2 바닥부(112c_3)를 가짐으로써 감광 물질이 위치할 수 있는 공간을 제공할 수 있다. 따라서, 감광막(20_3)에서 튄 감광 물질이 제2 바닥부(112c_3)의 상면에 위치할 수 있으므로 감광 물질이 대상 기판(10_3)으로 리바운드 되는 것을 최소화할 수 있다.
감광막(20_3)으로부터 튄 감광 물질은 주기적으로 제거될 수 있다. 예를 들어, 천으로 닦아낼 수 있고, 물로 씻어낼 수 있으나 이에 제한되지 않고 다양한 세정 방법에 의해 제거될 수 있다. 또한, 감광 물질은 진공 건조 공정을 1회 진행할 때마다 제거될 수 있고, 진공 건조 공정을 복수 회 진행할 때마다 제거될 수 있다.
도 8은 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 8을 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 수평 구동부(116_4)가 측면부(114_4)의 외면에 연결되어 측면부(114_4)가 수평 방향으로 이동할 수 있고, 측면부(114_4)의 수평 이동에 의해 기판 처리 장치(100)의 개폐가 이루어진다는 점에서 도 2의 실시예와 차이가 있다.
본 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)의 바디 바닥부는 제1 바닥부(112b_4), 바디 측벽(112c_4) 및 제2 바닥부(112d_4)를 포함할 수 있다. 본 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)의 돌출 공간(PS_4)은 바디 측벽(112c_4)의 내면보다 수평 방향으로 외측에 위치한다. 돌출 공간(PS_4)은 바디 측벽(112c_4)의 내면으로부터 수직 방향으로 연장된 가상의 면, 제2 바닥부(112d_4)의 상면, 측면부(114_4)의 내면 및 제2 바닥부(112d_4)와 중첩하는 리드 커버(112a_4)의 저면에 의해 정의될 수 있다.
본 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 바디 측벽(112c_4)의 상단부에서 수평 방향으로 절곡되어 이루어진 제2 바닥부(112d_4)를 가짐으로써 감광 물질을 수집할 수 있는 공간을 제공할 수 있다. 감광막(20_4)에서 튄 감광 물질이 제2 바닥부(112d_4)의 상면에 위치할 수 있으므로 감광 물질이 대상 기판(10_4)으로 리바운드 되는 것을 최소화할 수 있다.
감광막(20_4)으로부터 튄 감광 물질은 주기적으로 제거될 수 있다. 예를 들어, 천으로 닦아낼 수 있고, 물로 씻어낼 수 있으나 이에 제한되지 않고 다양한 세정 방법에 의해 제거될 수 있다. 또한, 감광 물질은 진공 건조 공정을 1회 진행할 때마다 제거될 수 있고, 진공 건조 공정을 복수 회 진행할 때마다 제거될 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 본 발명을 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 대상 기판
20: 감광막
100: 기판 처리 장치
104: 진공화 모듈
112: 바디
114: 리드
116: 수직 구동부

Claims (20)

  1. 바디 및 상기 바디를 상부에서 커버하는 리드를 포함하는 챔버;
    상기 챔버의 내부 공간에 배치되는 서포트 부재; 및
    상기 챔버의 내부 공간에 진공 분위기를 제공하는 진공화 모듈을 포함하되,
    상기 챔버의 상기 내부 공간은 상기 바디 및 상기 리드에 의해 정의되고,
    상기 바디는 바디 바닥부 및 상기 바디 바닥부의 에지로부터 수직 상부 방향으로 절곡하여 연장되는 바디 측벽을 포함하고,
    상기 리드는 상기 바디 바닥부와 평행한 리드 커버, 상기 리드 커버의 에지로부터 수직 하부 방향으로 절곡하여 연장되며, 상기 리드 커버와 일체로 이루어지는 리드 측벽을 포함하며,
    상기 리드 측벽은 상기 바디 측벽보다 수평 방향으로 외측에 위치하는 기판 처리 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 리드는 상기 리드 측벽의 하단으로부터 절곡하여 수평 내측 방향으로 연장되며, 상기 리드 측벽과 일체로 이루어지는 리드 바닥부를 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 바디 측벽의 상면과 상기 바디 측벽과 중첩하는 상기 리드 바닥부의 저면 사이에 위치하는 밀봉 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 리드 바닥부의 상면은 오목한 면을 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 리드 바닥부의 하면은 평평한 면을 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 제2 항에 있어서,
    상기 리드 바닥부는 상기 리드 측벽의 하단부로부터 절곡하여 수평 내측 방향으로 연장되며, 상기 리드 측벽과 일체로 이루어지는 제1 바닥부;
    상기 제1 바닥부의 일단부로부터 절곡하여 수직 상부 방향으로 연장되며, 상기 제1 바닥부와 일체로 이루어지는 수집벽; 및
    상기 수집벽의 상단부로부터 절곡하여 수평 내측 방향으로 연장되며, 상기 수집벽과 일체로 이루어지는 제2 바닥부를 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 바닥부는 상기 바디 바닥부보다 높은 곳에 위치하는 기판 처리 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 챔버의 내부 공간과 상기 진공화 모듈을 연결하는 진공 배관을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 바디 측벽의 상단으로부터 수평 외측 방향으로 절곡하여 연장되며, 상기 바디 측벽과 일체로 이루어지는 제2 바닥부를 포함하는 기판 처리 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 리드 측벽의 저면과 상기 리드 측벽과 중첩하는 상기 제2 바닥부의 상면 사이에 위치하는 밀봉 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  11. 제9 항에 있어서,
    상기 제2 바닥부의 상면은 오목한 면을 포함하는 기판 처리 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제2 바닥부의 하면은 평평한 면을 포함하는 기판 처리 장치.
  13. 바디 및 상기 바디를 상부에서 커버하는 리드를 포함하는 챔버;
    상기 챔버의 내부 공간에 배치되는 서포트 부재; 및
    상기 챔버의 내부 공간에 진공 분위기를 제공하는 진공화 모듈을 포함하되,
    상기 바디는 바디 바닥부 및 상기 바디 바닥부의 에지로부터 수직 방향으로 절곡하여 연장되는 바디 측벽을 포함하고,
    상기 리드는 상기 바디 바닥부와 평행한 리드 커버, 상기 리드 커버의 에지로부터 수직 방향으로 절곡하여 연장되는 리드 측벽 및 상기 리드 측벽의 하단으로부터 수평 방향으로 절곡하여 연장되는 리드 바닥부를 일체로써 포함하되,
    상기 챔버의 내부 공간은 상기 바디 바닥부의 상면, 상기 바디 측벽의 내측면 및 상기 바디 측벽의 내측면으로부터 수직으로 연장된 가상의 면 및 상기 리드 커버의 저면에 의해 정의되는 반응 공간, 및
    상기 반응 공간의 수평 방향 외측에 위치하며 상기 리드 바닥부의 상면, 상기 리드 측벽 및 상기 리드 바닥부와 중첩하는 상기 리드 커버의 저면에 의해 정의되는 돌출 공간을 포함하는 기판 처리 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 바디 측벽의 상면과 상기 바디 측벽과 중첩하는 상기 리드 바닥부의 저면 사이에 위치하는 밀봉 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  15. 제13 항에 있어서,
    상기 리드 바닥부의 상면은 오목한 면을 포함하는 기판 처리 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 리드 바닥부의 하면은 평평한 면을 포함하는 기판 처리 장치.
  17. 제13 항에 있어서,
    상기 챔버의 내부 공간과 상기 진공화 모듈을 연결하는 진공 배관을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  18. 제13 항에 있어서,
    상기 리드 바닥부는 상기 리드 측벽의 하단부로부터 절곡하여 수평 방향으로 연장된 제1 바닥부;
    상기 제1 바닥부의 일단부로부터 절곡하여 수직 방향으로 연장된 수집벽; 및
    상기 수집벽의 상단부로부터 절곡하여 수평방향으로 연장된 제2 바닥부를 포함하는 기판 처리 장치.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 제1 바닥부는 상기 바디 바닥부보다 높은 곳에 위치하는 기판 처리 장치.
  20. 제13 항에 있어서,
    상기 돌출 공간은 상기 반응 공간의 측면을 연속적으로 둘러싸는 기판 처리 장치.
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