KR20210031764A - 아킹이 감소된 물리 기상 증착(pvd) 챔버 - Google Patents

아킹이 감소된 물리 기상 증착(pvd) 챔버 Download PDF

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밍동 리
푸홍 장
롱준 왕
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

본 명세서에서는 프로세스 챔버의 실시예들이 제공된다. 일부 실시예들에서, 프로세스 챔버는 내부 볼륨을 갖는 챔버 본체, 내부 볼륨 내에 배치된 기판 지지부, 내부 볼륨 내에 배치되며 기판 지지부에 대향하는 타깃, 내부 볼륨에 배치되며, 타깃을 둘러싸는 상부 부분 및 기판 지지부를 둘러싸는 하부 부분을 갖는 프로세스 차폐부 ― 프로세스 차폐부와 타깃 사이에 갭을 한정하도록 상부 부분은 타깃의 외경보다 큰 내경을 가짐 ―, 및 사용 중에 내부 볼륨으로부터의 입자들이 갭에 들어가는 것을 실질적으로 방지하도록 갭을 통해 또는 갭의 전방 개구에 걸쳐 내부 볼륨에 가스를 제공하기 위한 가스 유입구를 포함한다.

Description

아킹이 감소된 물리 기상 증착(PVD) 챔버
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 반도체 처리 기술들에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 기판 상에 재료들의 물리 기상 증착을 위한 기술들에 관한 것이다.
[0002] 물리 기상 증착(PVD:physical vapor deposition)으로도 또한 알려진 스퍼터링은 집적 회로들에 피처들을 형성하는 방법이다. 스퍼터링은 기판 상에 재료 층을 증착한다. 타깃과 같은 소스 재료는 이온들에 의해 충격을 받아 타깃으로부터 재료를 분출(eject)한다. 그런 다음, 재료가 기판 상에 증착된다. 본 발명자들은 증착 프로세스 중에 재료 또는 오염물들이 기판으로부터 탈가스(outgas)할 수 있음을 관찰했다. 기판으로부터의 탈가스는 타깃에 도달하여 아킹으로 이어질 수 있다.
[0003] 따라서 본 발명자들은 개선된 PVD 처리 챔버들 및 그러한 챔버들의 사용 방법들을 제공하였다.
[0004] 본 명세서에서는 물리 기상 증착(PVD) 프로세스 챔버의 실시예들이 제공된다. 일부 실시예들에서, 프로세스 챔버는 내부 볼륨을 갖는 챔버 본체; 내부 볼륨 내에 배치된 기판 지지부; 내부 볼륨 내에 배치되며 기판 지지부에 대향하는 타깃; 내부 볼륨에 배치되며, 타깃을 둘러싸는 상부 부분 및 기판 지지부를 둘러싸는 하부 부분을 갖는 프로세스 차폐부 ― 프로세스 차폐부와 타깃 사이에 갭을 한정하도록 상부 부분은 타깃의 외경보다 큰 내경을 가짐 ―; 및 사용 중에 내부 볼륨으로부터의 입자들이 갭에 들어가는 것을 실질적으로 방지하도록 갭을 통해 또는 갭의 전방 개구에 걸쳐 내부 볼륨에 가스를 제공하기 위한 가스 유입구를 포함한다.
[0005] 일부 실시예들에서, 물리 기상 증착(PVD) 프로세스 챔버는 PVD 프로세스 챔버의 내부 볼륨 내에 그리고 PVD 프로세스 챔버의 덮개 근처에 배치되는 타깃; PVD 프로세스 챔버에 배치되며 타깃에 대향하는 기판 지지부; 프로세스 차폐부와 타깃 사이에 갭을 한정하도록 타깃을 둘러싸고 타깃으로부터 이격된 프로세스 차폐부; 사용 중에 프로세스 챔버 내에서부터의 입자들이 갭에 들어가는 것을 실질적으로 방지하도록 갭을 통해 또는 갭의 전방 개구에 걸쳐 내부 볼륨에 가스를 제공하기 위해 기판 지지부와 덮개 사이에 배치된 하나 이상의 가스 유입구들; 및 사용 중에 프로세스 챔버로부터 가스를 제거하기 위해 프로세스 챔버와 유체 연통하는 펌프를 포함한다.
[0006] 일부 실시예들에서, 기판을 처리하는 방법은 프로세스 챔버의 내부 볼륨 내에서 기판에 대해 물리 기상 증착(PVD) 프로세스를 수행하는 단계 ― 프로세스 차폐부가, 타깃의 외부 측벽과 프로세스 차폐부의 내부 표면이 갭을 한정하도록 타깃을 중심으로 내부 볼륨 내에 배치됨 ―; 및 내부 볼륨으로부터의 입자들이 갭에 들어가는 것을 실질적으로 방지하도록 제1 가스 유입구를 통해, 갭을 통해 또는 갭의 전방 개구에 걸쳐 프로세스 챔버 내에 가스를 주입하는 단계를 포함한다.
[0007] 본 개시내용의 다른 그리고 추가 실시예들이 아래에 설명된다.
[0008] 위에서 간략하게 요약되고 아래에서 보다 상세하게 논의되는 본 개시내용의 실시예들은 첨부된 도면들에 도시된 본 개시내용의 예시적인 실시예들을 참조로 이해될 수 있다. 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 일부 실시예들을 예시하는 것이므로 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0009] 도 1은 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른 프로세스 챔버의 개략도를 도시한다.
[0010] 도 2는 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른 프로세스 챔버의 개략도를 도시한다.
[0011] 도 3은 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따라 기판을 처리하는 방법의 흐름도를 도시한다.
[0012] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 가리키는 데, 가능한 경우, 동일한 참조 부호들이 사용되었다. 도면들은 실척대로 그려진 것이 아니며, 명확하게 하기 위해 단순화될 수 있다. 한 실시예의 엘리먼트들 및 특징들은 추가 언급 없이 다른 실시예들에 유리하게 포함될 수 있다.
[0013] 개선된 프로세스 챔버 및 기판을 처리하는 개선된 방법의 실시예들이 본 명세서에서 제공된다. 위에 개시된 실시예들은 적절하게 구성된 물리 기상 증착(PVD) 프로세스 챔버에서 수행될 수 있다. 예를 들어, 도 1 및 도 2는 본 개시내용의 일부 실시예들에 따라 본 명세서에서 설명되는 방법들을 수행하기에 적합한 프로세스 챔버의 개략도들을 도시한다. 프로세스 챔버의 특정 구성은 예시적이며, 다른 구성들을 갖는 프로세스 챔버들도 또한 본 명세서에서 제공되는 교시들에 따른 수정들에 유리할 수 있다. 본 명세서에 개시되는 교시들에 따른 수정에 적합한 프로세스 챔버들의 예들은, California, Santa Clara 소재의 Applied Materials, Inc.로부터 상업적으로 입수할 수 있는 ENDURA® 라인의 PVD 처리 챔버들 중 임의의 챔버를 포함한다. Applied Materials, Inc. 또는 다른 제조사들로부터의 다른 처리 챔버들은 또한 본 명세서에 개시된 교시들로부터 이익을 얻을 수 있다.
[0014] 도 1에 도시된 바와 같이, PVD 프로세스를 수행하기 위한 프로세스 챔버(100)는 챔버 본체(152)를 포함한다. 챔버 본체(152)는 일반적으로 상단 벽(102)(또는 덮개), 하단 벽(104), 및 상단 벽(102)을 하단 벽(104)에 연결하는 측벽들(106)을 포함한다. 상단 벽(102), 하단 벽(104) 및 측벽들(106)은 내부 볼륨(122)을 한정한다. 일부 실시예들에서, 챔버 본체(152)는 측벽들(106)로부터 방사상 내측으로 연장되는 어댑터(112)를 포함한다. 어댑터(112)는 측벽들(106)의 일부일 수 있거나 별도의 컴포넌트일 수 있다. 일부 실시예들에서, 어댑터(112)는 (아래에 설명되는) 프로세스 차폐부의 일부일 수 있다. 상단 벽(102)은 어댑터(112)를 통해 측벽들(106)에 결합될 수 있다. 일부 실시예들에서는, 어댑터(112)와 상단 벽(102) 사이에 밀폐 링(114)이 배치되어, (예컨대, 내부 볼륨(122) 내에서 진공 압력들로 처리하는 동안) 어댑터(112)와 상단 벽(102) 사이에서의 유체의 유입 또는 유출을 방지할 수 있다. 예를 들어, 아래에서 논의되는 타깃(110)의 유지보수 또는 교체를 가능하게 하기 위해, 상단 벽(102)은 일반적으로 측벽들(106)로부터 제거 가능하다. 챔버 본체(152)는 접지(154)에 대한 결합을 통해 접지될 수 있다. 상단 벽(102)은 전기적으로 플로팅 또는 접지될 수 있다.
[0015] 배출 포트(120)가 챔버 본체(152)의 하단 벽(104)에 인접하게 배치된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 배출 포트(120)는 하단 벽(104)의 개구에 배치된다. 일부 실시예들에서, 펌프(118)가 배출 포트(120)에 결합된다. 펌프(118)는 이를테면, 진공을 유지하기 위해 챔버 본체(152) 내의 압력을 조절하도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 펌프(118)는 증착 프로세스 동안 내부 볼륨(122)에 유입된 가스들을 진공배기하도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 펌프(118)는 증착 프로세스 동안 형성된 가스들을 진공배기하도록 구성된다.
[0016] 기판 지지부(124)가 내부 볼륨(122) 내에 배치된다. 일부 실시예들에서, 기판 지지부(124)는 샤프트(126) 및 페디스털(128)을 포함한다. 샤프트(126)는 예를 들어, 유체들, 냉각수들, 전력 등을 페디스털(128)에 제공하기 위한 도관들을 포함할 수 있다. 페디스털(128)은 처리를 위해 (예컨대, 200㎜, 300㎜ 등의 웨이퍼 또는 다른 어떤 폼 팩터를 갖는 기판과 같은) 기판(130)을 수용하도록 구성되는 상부 표면(134)을 갖는다. 기판 지지부(124)는 기판(130)의 중심이 프로세스 챔버(100)의(또는 아래에서 논의되는 처리 볼륨(156)의) 중심 축과 정렬되게 기판(130)을 지지하도록 구성된다. 기판 지지부(124)는 RF 바이어스 전원(116)에 결합된다. 일부 실시예들에서, RF 바이어스 전원(116)은 기판(130) 상에 AC 바이어스 또는 DC 바이어스를 유도하도록 구성된다.
[0017] 타깃(110)이 챔버 본체(152)의 내부 볼륨(122) 내에 배치된다. 타깃(110)은 기판 지지부(124)에 대향하여 배치된다. 예를 들어, 타깃(110)은 상단 벽(102)에 결합될 수 있다. 프로세스 챔버(100)는 타깃(110)에 결합된 연관된 마그네트론 및 RF 전원(108)을 포함한다. RF 전원(108)은 타깃(110)에 RF 에너지를 제공하도록 구성된다. 타깃(110)은 스퍼터링 중에 기판(130) 상에 증착될 소스 재료를 포함한다. 일부 실시예들에서, 소스 재료는 금속, 금속 산화물, 금속 합금 등일 수 있다. 일부 실시예들에서, 타깃(110)은 전도성 재료를 포함하는 백킹 플레이트를 포함할 수 있어, RF 전원(108)이 백킹 플레이트를 통해 타깃(110)에 결합될 수 있다.
[0018] 상부 부분(140) 및 하부 부분(142)을 갖는 프로세스 차폐부(138)가 내부 볼륨(122) 내에 배치된다. 일부 실시예들에서, 프로세스 차폐부(138)는 원통형 본체를 갖는다. 일부 실시예들에서, 프로세스 차폐부(138)는 단일 피스 금속 본체를 포함한다. 일부 실시예들에서, 프로세스 차폐부(138)는 어댑터(112)를 포함하는 단일 피스 본체를 포함한다. 하부 부분(142)은 기판 지지부(124)를 둘러싼다. 일부 실시예들에서, 상부 부분(140)은 타깃(110)을 중심으로 타깃(110)으로부터 이격되어 배치되어, 프로세스 차폐부(138)의 상부 부분(140)과 타깃(110) 사이에 갭(150)(예컨대, 원형 타깃/차폐부 구성들을 위한 환형 갭)을 형성한다. 갭(150)은 프로세스 차폐부(138)의 상부 부분(140)의 내부 표면으로부터 타깃(110)의 외부 측벽까지 연장된다. 타깃(110)의 외측 가장자리와 상부 부분(140)의 내부 표면이 갭(150)의 전방 개구를 한정한다. 프로세스 차폐부(138), 타깃(110) 및 기판 지지부는 내부 볼륨(122) 내에 처리 볼륨(156)을 한정한다.
[0019] 아래에서 보다 상세히 설명되는 바와 같이, 가스 유입구가 타깃(110) 근처에 배치되어, 타깃(110)에 인접한 위치에서 내부 볼륨(122)에 프로세스 가스를 제공한다. 일부 실시예들에서, 도 1에 도시된 바와 같이, 가스 유입구는 프로세스 차폐부(138)의 상부 표면을 통해 배치된 가스 유입구(146)이다. 도관(164)은 프로세스 차폐부(138)를 관통하여 배치되고 가스 유입구(146)에서 종결된다. 도관(164)은 제1 가스 소스(170)에 결합되어, 가스, 예를 들어 프로세스 가스를 가스 유입구(146)를 통해 처리 볼륨(156)에 제공한다. 가스 유입구(146)는 프로세스 챔버 내에서부터의 입자들이 갭(150) 내로 유동하는 것을 유리하게 방지하거나 실질적으로 방지하도록 갭(150)을 통해 가스 유동 경로(144)를 제공할 포지션에 배치된다. 일부 실시예들에서, 가스 유입구(146)는 도시된 바와 같이, 프로세스 차폐부(138)의 최상부 표면에 배치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 가스 유입구(146)는 내부 볼륨(122)에 제공되는 가스가 갭(150)을 통해 유동하도록 프로세스 차폐부(138)의 최상부 표면에 근접한 방사상 내향 표면에 배치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 가스 유동 경로(144)는 상단 벽(102)과 프로세스 차폐부(138) 사이의 공간으로부터 갭(150)을 통해, 그리고 가스 유입구(146)를 통해 처리 볼륨(156) 내로 통과한다. 가스 유입구(146)는, 프로세스 가스가 내부 볼륨(122) 내의 가스를 프로세스 차폐부(138)와 타깃(110) 사이의 갭(150)으로부터 멀리 지향시키게 프로세스 가스를 내부 볼륨으로 유동시키도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 프로세스 가스는 반응성인데, 예를 들어 질소(N2), 산소(O2) 등을 포함한다. 일부 실시예들에서, 프로세스 가스는 불활성, 이를테면 아르곤(Ar), 헬륨(He), 크립톤(Kr), 크세논(Xe) 등이다. 일부 실시예들에서, 프로세스 가스는 반응성 가스와 불활성 가스의 혼합물, 예를 들어 위에 개시된 반응성 및 불활성 가스들 중 임의의 가스의 조합이다. 지향된 유동 경로(136)는 프로세스 차폐부(138)의 하부 부분(142)과 기판 지지부(124) 사이의 갭을 통해 처리 볼륨(156)으로부터 하단 벽(104)을 향해(예컨대, 배출 포트(120)를 향해) 아래로 통과한다. 가스 유입구(146)는 하나 이상의 가스 유입구들을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 가스 유입구(146)는 가스를 프로세스 챔버(100) 외부의 소스로부터 처리 볼륨(156)으로 균일하게 분배하도록 구성된다.
[0020] 일부 실시예들에서, 도 2에 도시된 바와 같이, 가스 유입구는 프로세스 차폐부(138)의 측벽에 배치된 가스 유입구(202)이다. 도관(212)은 프로세스 차폐부(138)를 관통하여 배치되고 프로세스 차폐부(138)의 가스 유입구(202)에서 종결된다. 도관(212)은 제1 가스 소스(170)에 결합되어, 가스, 예를 들어 프로세스 가스를 가스 유입구(146)를 통해 처리 볼륨(156)에 제공한다. 가스 유입구(146)는 (예컨대, 갭(150)의 전면에 걸쳐 가스 커튼을 형성하도록) 프로세스 챔버 내에서부터의 입자들이 갭(150) 내로 유동하는 것을 방지하거나 실질적으로 방지하기 위해, 갭(150)의 개구에 걸쳐 가스 유동 경로(204)를 제공하는 포지션에 유리하게 배치된다. 프로세스 가스는 도 1과 관련하여 위에서 언급된 프로세스 가스들 중 임의의 프로세스 가스일 수 있다. 가스 유입구(202)는 하나 이상의 가스 유입구들을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 가스 유입구(202)는 가스를 프로세스 챔버(100) 외부의 소스로부터 처리 볼륨(156)으로 균일하게 분배하도록 구성된다.
[0021] 가스 유입구(146) 또는 가스 유입구(202) 중 하나 또는 둘 다는, 입자들이 갭(150) 내로 유동하는 것을 방지하거나 실질적으로 방지하기 위해, 처리 볼륨(156) 내로 갭(150)을 통해 또는 갭(150)의 전방 개구에 걸쳐 실질적으로 균일한 가스 유동을 제공하도록 배열된 하나의 가스 유입구 또는 복수의 가스 유입구들일 수 있다. 예를 들어, 제1 가스 소스(170)는 프로세스 차폐부(138) 내에 배치된 내부 채널 또는 플리넘(plenum)에 가스를 제공하도록 프로세스 차폐부(138)에 배치된 하나 이상의 유입구들에 결합될 수 있다. 예를 들어, 가스 유입구(146) 또는 가스 유입구(202)로서 구성된 복수의 가스 유입구들은 가스 유입구들을 통해 내부 채널 또는 플리넘을 처리 볼륨(156)에 결합하도록 프로세스 차폐부(138)에 배치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 복수의 가스 유입구들은 서로 등거리로 각을 이루며 이격될 수 있다.
[0022] 사용 시에, 타깃(110)과 같은 소스 재료는 플라즈마로부터의 이온들에 의해 충격을 받아 타깃(110)으로부터 재료를 분출한다. 예를 들어, 프로세스 가스가 처리 볼륨에 제공될 수 있고, 충분한 전력이 타깃(110)에 제공되어 프로세스 가스를 플라즈마로 여기할 수 있다. 그런 다음, 분출된 재료가 기판(130) 상에 증착된다. 증착 프로세스 동안, 재료들 또는 오염물들은 예를 들어, 탈가스를 통해 기판으로부터 타깃(110)을 향해 방출될 수 있으며, 일반적으로 화살표들(132)로 표현될 수 있다. 재료들 또는 오염물들은, 타깃(110)과 프로세스 차폐부(138) 사이의 영역 내를 포함하는, 처리 볼륨(156)을 향하는 표면들 상에 응축될 수 있다. 타깃(110)과 프로세스 차폐부(138) 사이의 영역 내에서의 응축은 처리 중에 아킹으로 이어질 수 있다.
[0023] 타깃(110) 근처에 배치된 가스 유입구(146, 202)는 재료들 또는 오염물들(예컨대, 화살표들(132))이 타깃(110) 또는 타깃과 프로세스 차폐부(138) 사이의 영역에 도달하는 것을 유리하게 감소시키거나 방지하여 아킹을 감소시키거나 방지한다. 타깃(110) 근처에 배치된 가스 유입구(146, 202)는 재료들 또는 오염물들이 타깃(110) 또는 프로세스 차폐부(138)의 상부 부분들 상에 재증착되는 것을 유리하게 감소시키거나 방지한다. 펌프(118)는 배출 포트(120)를 통해 프로세스 챔버(100)와 유체 연통하여, 사용 중에 프로세스 챔버(100)로부터 가스를 제거한다.
[0024] 일부 실시예들에서, 제2 가스 유입구(148)가 하단 벽(104) 내에 배치되는 것을 포함하여 프로세스 차폐부(138)와 하단 벽(104) 사이에 배치된다. 예를 들어, 제2 가스 유입구(148)는 처리 볼륨(156) 외부에서 처리 볼륨(156) 아래쪽에 또는 페디스털(128) 아래쪽에 배치될 수 있다. 도관(168)은 측벽(106)을 관통하여 배치되고 제2 가스 유입구(148)에서 종결된다. 도관(168)은 제2 가스 소스(180)에 결합되어 가스를 가스 유입구(148)를 통해 처리 볼륨(156)에 제공한다. 제2 가스 유입구(148)는 추가적인 불활성, 반응성, 또는 불활성 및 반응성 프로세스 가스의 혼합물을 내부 볼륨(122)에 제공할 수 있다. 추가 프로세스 가스는 가스 유입구(146, 202)에 의해 제공된 프로세스 가스와 동일할 수 있다. 일부 실시예들에서, 제2 가스 유입구(148)는 내부 볼륨(122) 내의 가스를 배출 포트(120)를 향해 지향시키도록 구성된다. 예를 들어, 제2 가스 유입구(148)는 가스를 지향된 유동 경로(136)로부터 배출 포트(120)를 향해 지향시킬 수 있다. 일부 실시예들에서, 제2 가스 유입구(148)는 펌프(118) 반대편의 챔버 본체(152) 측면 상에 포지셔닝된다.
[0025] 일부 실시예들에서, 프로세스 챔버(100)는 가스 유입구(146) 및 가스 유입구(202)를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 프로세스 챔버(100)의 파라미터들은 챔버 본체(152) 내에서 하향 가스 유동을 촉진하도록 튜닝될 수 있다. 파라미터들은 프로세스 가스들의 유량, 압력 등을 포함한다.
[0026] 도 3은 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따라 기판을 처리하는 방법(300)의 흐름도를 도시한다. 302에서, 기판을 처리하는 방법(300)은 프로세스 챔버의 내부 볼륨 내에서 기판에 대해 물리 기상 증착(PVD) 프로세스를 수행하는 단계를 포함하며, 프로세스 차폐부가, 타깃의 외부 측벽과 프로세스 차폐부의 내부 표면이 갭을 한정하도록 타깃을 중심으로 내부 볼륨 내에 배치된다. 일부 실시예들에서, 앞서 설명한 프로세스 챔버(100)가 이 방법(300)을 수행하는 데 사용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 임의의 적절한 PVD 프로세스 챔버가 사용될 수 있다.
[0027] 304에서, 이 방법(300)은 내부 볼륨으로부터의 입자들이 갭에 들어가는 것을 실질적으로 방지하도록 제1 가스 유입구를 통해, 갭을 통해 또는 갭의 전방 개구에 걸쳐 프로세스 챔버 내에 가스를 주입하는 단계를 포함한다. 가스는 반응성 또는 불활성일 수 있다. 일부 실시예들에서, 이 방법(300)은 프로세스 챔버로부터 가스를 제거하기 위해 펌프를 사용하는 단계를 포함한다. 일부 실시예들에서, 이 방법(300)은 프로세스 챔버 내의 가스 유동을 펌프 쪽으로 지향시키기 위해 제2 가스 유입구를 통해 프로세스 챔버의 하부 부분 근처에서 가스를 추가로 주입하는 단계를 포함한다. 제2 가스 유입구에 의해 주입된 가스는 반응성 또는 불활성일 수 있다.
[0028] 전술한 내용은 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 기본 범위를 벗어나지 않으면서 본 개시내용의 다른 실시예들 및 추가 실시예들이 안출될 수 있다.

Claims (15)

  1. 내부 볼륨을 갖는 챔버 본체;
    상기 내부 볼륨 내에 배치된 기판 지지부;
    상기 내부 볼륨 내에 배치되며 상기 기판 지지부에 대향하는 타깃;
    상기 내부 볼륨에 배치되며, 상기 타깃을 둘러싸는 상부 부분 및 상기 기판 지지부를 둘러싸는 하부 부분을 갖는 프로세스 차폐부 ― 상기 프로세스 차폐부와 상기 타깃 사이에 갭을 한정하도록 상기 상부 부분은 상기 타깃의 외경보다 큰 내경을 가짐 ―; 및
    사용 중에 상기 내부 볼륨으로부터의 입자들이 상기 갭에 들어가는 것을 실질적으로 방지하도록 상기 갭을 통해 또는 상기 갭의 전방 개구에 걸쳐 상기 내부 볼륨에 가스를 제공하기 위한 가스 유입구를 포함하는,
    프로세스 챔버.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 챔버 본체의 하단 벽에 인접하게 배치된 배출 포트를 더 포함하는,
    프로세스 챔버.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 배출 포트에 결합된 펌프를 더 포함하는,
    프로세스 챔버.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 프로세스 차폐부와 상기 하단 벽 사이에 배치된 제2 가스 유입구를 더 포함하는,
    프로세스 챔버.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 가스 유입구는 제1 가스 소스에 결합되고, 상기 제2 가스 유입구는 상기 제1 가스 소스로부터 유체적으로 독립적인 제2 가스 소스에 결합되는,
    프로세스 챔버.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 제2 가스 유입구는 상기 내부 볼륨 내의 가스를 상기 배출 포트를 향해 지향시키도록 구성되는,
    프로세스 챔버.
  7. 제4 항에 있어서,
    상기 제2 가스 유입구는 상기 펌프 반대편의 상기 기판 지지부 측면 상에 포지셔닝되는,
    프로세스 챔버.
  8. 제1 항 내지 제7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 유입구는 상기 프로세스 차폐부에 배치되는,
    프로세스 챔버.
  9. 제1 항 내지 제7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 유입구는 상기 프로세스 차폐부와 상기 타깃 사이에 위치된 갭을 통해 상기 가스를 유동시키도록 구성되는,
    프로세스 챔버.
  10. 제1 항 내지 제7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프로세스 차폐부는 단일 피스 금속 본체를 포함하는,
    프로세스 챔버.
  11. 제1 항 내지 제7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프로세스 차폐부는 원통형 본체를 갖는,
    프로세스 챔버.
  12. 프로세스 챔버의 내부 볼륨 내에서 기판에 대해 물리 기상 증착(PVD) 프로세스를 수행하는 단계 ― 프로세스 차폐부가, 타깃의 외부 측벽과 상기 프로세스 차폐부의 내부 표면이 갭을 한정하도록 상기 타깃을 중심으로 상기 내부 볼륨 내에 배치됨 ―; 및
    상기 내부 볼륨으로부터의 입자들이 상기 갭에 들어가는 것을 실질적으로 방지하도록 제1 가스 유입구를 통해, 상기 갭을 통해 또는 상기 갭의 전방 개구에 걸쳐 상기 프로세스 챔버 내에 가스를 주입하는 단계를 포함하는,
    기판을 처리하는 방법.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버로부터 상기 가스를 제거하기 위해 펌프를 사용하는 단계를 더 포함하는,
    기판을 처리하는 방법.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버 내의 가스를 상기 펌프 쪽으로 지향시키기 위해 제2 가스 유입구를 통해 상기 프로세스 챔버의 하부 부분 근처에서 상기 가스를 추가로 주입하는 단계를 더 포함하는,
    기판을 처리하는 방법.
  15. 제12 항 내지 제14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 가스 유입구는 상기 프로세스 차폐부와 상기 타깃 사이에 배치된 갭을 통해 상기 가스를 유동시키도록 구성되는,
    기판을 처리하는 방법.
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