KR20210028385A - Round type photonic devices and method for manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 라운드형 발광소자 및 이의 제조 방법에 관한 발명으로서, 더욱 상세하게는 모서리가 둥근 형상을 갖는 라우든형 발광소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a round type light emitting device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a Lauden type light emitting device having a rounded corner shape and a method of manufacturing the same.
일반적으로 광소자는 p형과 n형 반도체의 접합으로 이루어져 있으며, 전압을 가하면 전자와 정공의 결합으로 반도체의 밴드갭(Bandgap)에 해당하는 에너지를 빛의 형태로 방출하는 일종의 광전자 소자(Optoelectronic device)이다.In general, an optical device consists of a junction of a p-type and an n-type semiconductor, and when a voltage is applied, electrons and holes are combined to emit energy corresponding to the bandgap of the semiconductor in the form of light. to be.
광소자에서 출력되는 빛의 양은 소자에 흐르는 전류에 비례하여 증가한다. 광소자는 반도체의 빠른 처리속도와 낮은 전력소모 등의 장점과 함께 환경 친화적이면서도 에너지 절약효과가 높아서 대형 전광판, 교통 신호등, 자동차 계기판 등 많은 분야에 사용되고 있다.The amount of light output from the optical device increases in proportion to the current flowing through the device. Optical devices are used in many fields, such as large display boards, traffic lights, and automobile dashboards, because they are environmentally friendly and have high energy saving effects, along with advantages such as fast processing speed and low power consumption of semiconductors.
도 1은 일반적인 III-V족 에피 구조를 갖는 발광소자의 구조를 나타낸 단면도이고, 도 2는 발광소자의 형상을 나타내기 위한 평면도이다.1 is a cross-sectional view showing the structure of a light emitting device having a general III-V epi structure, and FIG. 2 is a plan view showing the shape of the light emitting device.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 발광소자(10)은 n형 반도체층(11)과, 활성층(12)과, p형 반도체층(13)을 구비한 에피 구조체가 설치되고, 상기 p형 반도체층(13)에는 제1 전극(14)이 형성되고, n형 반도체층(11)에는 제2 전극(15)이 형성된다.1 and 2, the
그러나, 종래 기술에 따른 발광소자는 모서리가 직각 형상을 가지고 있으며, 이러한 직각 형상의 모서리를 갖는 발광소자는 외부 충격에 의해 모서리가 쉽게 깨지는 문제점이 있다.However, the light emitting device according to the prior art has a right angle shape, and the light emitting device having such a right angle shape has a problem in that the corner is easily broken due to external impact.
또한, 활성층에서 발생되는 광이 모서리로 인해 발광소자 밖으로 쉽게 빠져 나가지 못해 발광효율이 감소되는 문제점이 있다.In addition, there is a problem in that light emitted from the active layer cannot easily escape from the light emitting device due to the edge, and thus the luminous efficiency is reduced.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 모서리가 둥근 형상을 갖는 라우든형 발광소자 및 이의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to solve this problem, an object of the present invention is to provide a Lauden-type light emitting device having a rounded corner and a method of manufacturing the same.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시 예는 라운드형 발광소자로서, n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층으로 구성된 에피 구조체를 포함한다.In order to achieve the above object, an embodiment of the present invention is a round-type light emitting device, and includes an epitaxial structure composed of an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer.
또한, 상기 실시 예에 따른 상기 에피 구조체는 적어도 하나의 모서리가 일정 크기의 반지름을 갖도록 둥글게 제거된 것을 특징으로 한다.In addition, the epitaxial structure according to the embodiment is characterized in that the at least one corner is roundly removed to have a radius of a predetermined size.
또한, 상기 실시 예에 따른 상기 에피 구조체는 가로 방향 길이가 세로 방향 길이와 동일한 사각형상 또는 긴 장방형상으로 이루어진 것을 특징으로 한다.In addition, the epitaxial structure according to the embodiment is characterized in that it has a rectangular shape or a long rectangular shape having a length in a horizontal direction equal to a length in a vertical direction.
또한, 상기 실시 예에 따른 상기 모서리는 동일한 크기의 반지름을 형성한 것을 특징으로 한다.In addition, the corners according to the embodiment are characterized in that the radius of the same size is formed.
또한, 상기 실시 예에 따른 상기 모서리는 서로 다른 크기의 반지름을 형성한 것을 특징으로 한다.In addition, the corners according to the embodiment are characterized in that the radiuses of different sizes are formed.
또한, 본 발명의 일 실시 예는 라운드형 발광소자의 제조방법으로서, a) 분리층이 증착된 기판에 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층으로 구성된 에피 구조체를 형성하고, 상기 에피 구조체 상에 제1 전극을 형성하는 단계; b) 상기 에피 구조체를 플렉서블 필름에 접착층을 이용하여 접착하고, 상기 분리층을 에칭하여 상기 플렉서블 필름의 장력과 기판의 중력을 통해 상기 에피 구조체로부터 기판을 분리하는 단계; c) 상기 기판이 분리된 에피 구조체를 개별 발광소자로 구획하고, 상기 개별 발광소자의 모서리가 둥글게 제거되도록 마스크 패턴부를 형성하는 단계; d) 상기 에피 구조체를 에칭하여 모서리가 둥글게 제거된 개별 발광소자를 형성하고, 상기 개별 발광소자에 제2 전극과 패시베이션층을 형성하는 단계; e) 상기 제2 전극이 형성된 개별 발광소자에 반사막과 본딩전극을 형성하고, 상기 본딩전극에 접착층을 이용하여 지지부를 접착하는 단계; 및 f) 상기 플렉서블 필름을 제거하고, 상기 지지부로부터 개별 발광소자를 분리하는 단계를 포함한다.In addition, an embodiment of the present invention is a method of manufacturing a round type light emitting device, a) forming an epitaxial structure composed of an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer on a substrate on which a separation layer is deposited, and on the epitaxial structure Forming a first electrode in the; b) attaching the epitaxial structure to a flexible film using an adhesive layer, and etching the separation layer to separate the substrate from the epitaxial structure through tension of the flexible film and gravity of the substrate; c) dividing the epitaxial structure from which the substrate is separated into individual light emitting devices, and forming a mask pattern portion so that the corners of the individual light emitting devices are roundly removed; d) etching the epitaxial structure to form individual light-emitting devices with rounded edges, and forming a second electrode and a passivation layer on the individual light-emitting devices; e) forming a reflective layer and a bonding electrode on an individual light emitting device on which the second electrode is formed, and bonding a support portion to the bonding electrode using an adhesive layer; And f) removing the flexible film and separating the individual light emitting devices from the support part.
또한, 상기 실시 예에 따른 상기 c) 단계의 마스크 패턴부는 가로 방향 길이가 세로 방향 길이와 동일한 사각형상 또는 긴 장방형상으로 이루어지고, 적어도 하나의 모서리가 일정 크기의 반지름을 갖도록 둥글게 제거된 것을 특징으로 한다.In addition, the mask pattern portion of step c) according to the embodiment has a rectangular shape or a long rectangular shape having a horizontal length equal to a vertical length, and at least one corner is roundly removed to have a radius of a predetermined size. It is done.
또한, 본 발명의 일 실시 예는 라운드형 발광소자의 제조방법으로서, i) 분리층이 증착된 기판에 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층으로 구성된 에피 구조체를 형성하고, 상기 에피 구조체를 개별 발광소자로 구획하며, 상기 개별 발광소자의 모서리가 둥글게 제거되도록 마스크 패턴부를 형성하는 단계; ii) 상기 에피 구조체를 에칭하여 모서리가 둥글게 제거된 개별 발광소자를 형성하고, 상기 에피 구조체 상에 제1 전극과 패시베이션층을 형성하는 단계; iii) 상기 제1 전극(140)이 형성된 개별 발광소자에 반사막과 본딩전극을 형성하고, 상기 본딩전극에 접착층을 이용하여 플렉서블 필름을 접착하는 단계; iv) 상기 분리층을 에칭하여 상기 플렉서블 필름의 장력과 기판의 중력을 통해 상기 에피 구조체로부터 기판을 분리하는 단계; 및 v) 상기 기판이 분리된 에피 구조체에 제2 전극을 설치하여 개별 발광소자를 형성하고, 상기 플렉서블 필름으로부터 개별 발광소자를 분리하는 단계를 포함한다.In addition, an embodiment of the present invention is a method of manufacturing a round light emitting device, i) forming an epitaxial structure composed of an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer on a substrate on which a separation layer is deposited, and forming the epitaxial structure Dividing into individual light emitting devices and forming a mask pattern portion so that the corners of the individual light emitting devices are roundly removed; ii) etching the epitaxial structure to form an individual light emitting device with rounded edges, and forming a first electrode and a passivation layer on the epitaxial structure; iii) forming a reflective film and a bonding electrode on an individual light emitting device on which the
또한, 상기 실시 예에 따른 상기 i) 단계의 마스크 패턴부는 가로 방향 길이는 세로 방향 길이 보다 긴 장방형상으로 이루어지고, 적어도 하나의 모서리가 일정 크기의 반지름을 갖도록 둥글게 제거된 것을 특징으로 한다.In addition, the mask pattern portion of the step i) according to the embodiment is formed in a rectangular shape having a length in the horizontal direction longer than that in the vertical direction, and at least one corner is roundly removed to have a radius of a predetermined size.
또한, 상기 실시 예에 따른 상기 마스크 패턴부의 모서리는 동일한 크기의 반지름을 형성한 것을 특징으로 한다.In addition, the edge of the mask pattern portion according to the embodiment is characterized in that the radius of the same size is formed.
또한, 상기 실시 예에 따른 상기 마스크 패턴부의 모서리는 서로 다른 크기의 반지름을 형성한 것을 특징으로 한다.In addition, corners of the mask pattern portion according to the embodiment are characterized in that the radiuses of different sizes are formed.
본 발명은 발광소자의 모서리를 둥글게 형성함으로써, 활성층에서 발생되는 빛이 소자 밖으로 쉽게 출력되어 발광효율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.The present invention has an advantage in that by forming the corners of the light emitting device rounded, light generated from the active layer is easily output out of the device, thereby improving luminous efficiency.
또한, 본 발명은 발광소자의 모서리를 둥글게 형성함으로써, 모서리의 파손으로 인한 발광소자의 불량률을 감소시킬 수 있는 장점이 있다.In addition, the present invention has the advantage of reducing the defect rate of the light emitting device due to damage of the corner by forming the corners of the light emitting device rounded.
또한, 본 발명은 발광소자의 모서리를 둥글게 형성함으로써, 열에 의한 변형을 최소화 할 수 있는 장점이 있다.In addition, the present invention has the advantage of minimizing deformation due to heat by forming rounded corners of the light emitting device.
또한, 본 발명은 열에 의한 변형이 감소될 수 있어서 초박형화가 가능한 장점이 있다.In addition, the present invention has the advantage of being able to be ultra-thin because the deformation due to heat can be reduced.
도 1은 일반적인 III-V족 에피 구조를 갖는 발광소자의 구조를 나타낸 단면도.
도 2는 도 1에 따른 발광소자를 나타낸 평면도.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 라운드형 발광소자를 나타낸 평면도.
도 4는 도 3에 따른 라운드형 발광소자를 나타낸 단면도.
도 5는 도 3에 따른 라운드형 발광소자의 모서리 가공 과정을 설명하기 위한 예시도.
도 6은 도 3에 따른 라운드형 발광소자의 형상을 나타낸 예시도.
도 7은 도 3에 따른 라운드형 발광소자의 형상을 나타낸 다른 예시도.
도 8은 도 3에 따른 라운드형 발광소자의 형상을 나타낸 또 다른 예시도.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 라운드형 발광소자의 제조과정을 나타낸 예시도.
도 10은 도 9에 따른 라운드형 발광소자의 제조과정을 나타낸 다른 예시도.
도 11은 도 9에 따른 라운드형 발광소자의 제조과정을 나타낸 또 다른 예시도.
도 12는 도 9에 따른 라운드형 발광소자의 제조과정을 나타낸 또 다른 예시도.
도 13은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 라운드형 발광소자의 제조과정을 나타낸 예시도.
도 14는 도 13에 따른 라운드형 발광소자의 제조과정을 나타낸 다른 예시도.
도 15는 도 13에 따른 라운드형 발광소자의 제조과정을 나타낸 또 다른 예시도.1 is a cross-sectional view showing the structure of a light emitting device having a general III-V epi structure.
2 is a plan view showing the light emitting device according to FIG. 1.
3 is a plan view showing a round light emitting device according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view showing a round light emitting device according to FIG. 3.
5 is an exemplary view for explaining a corner processing process of the round light emitting device according to FIG. 3.
6 is an exemplary view showing the shape of the round light emitting device according to FIG. 3.
7 is another exemplary view showing the shape of the round type light emitting device according to FIG. 3.
8 is another exemplary view showing the shape of the round type light emitting device according to FIG. 3.
9 is an exemplary view showing a manufacturing process of a round light emitting device according to an embodiment of the present invention.
10 is another exemplary view showing a manufacturing process of the round light emitting device according to FIG. 9.
11 is another exemplary view showing a manufacturing process of the round light emitting device according to FIG. 9.
12 is another exemplary view showing a manufacturing process of the round light emitting device according to FIG. 9.
13 is an exemplary view showing a manufacturing process of a round light emitting device according to another embodiment of the present invention.
14 is another exemplary view showing a manufacturing process of the round type light emitting device according to FIG. 13.
15 is another exemplary view showing a manufacturing process of the round type light emitting device according to FIG. 13.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 라운드형 발광소자 및 이의 제조 방법의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, a preferred embodiment of a round light emitting device and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다는 표현은 다른 구성요소를 배제하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.In the present specification, the expression that a certain part "includes" a certain component does not exclude other components, but means that other components may be further included.
또한, "‥부", "‥기", "‥모듈" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어, 또는 그 둘의 결합으로 구분될 수 있다.In addition, terms such as "... unit", "... group", and "... module" mean units that process at least one function or operation, which can be classified into hardware, software, or a combination of the two.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 라운드형 발광소자를 나타낸 평면도이고, 도 4는 도 3에 따른 라운드형 발광소자를 나타낸 단면도이며, 도 5는 도 3에 따른 라운드형 발광소자의 모서리 가공 과정을 설명하기 위한 예시도이다.3 is a plan view showing a round light emitting device according to an embodiment of the present invention, FIG. 4 is a cross-sectional view showing the round light emitting device according to FIG. 3, and FIG. 5 is a corner processing of the round light emitting device according to FIG. 3 It is an exemplary diagram for explaining the process.
도 3 내지 도 5에 나타낸 바와 같이, 라운드형 발광소자(100)는 n형 반도체층(110), 활성층(120), p형 반도체층(130)으로 구성된 에피 구조체(103)를 포함하고, 상기 에피 구조체(103)는 적어도 하나의 모서리(e1, e2, e3, e4)가 일정 크기의 반지름을 갖도록 둥글게 제거되어 이루어진다.3 to 5, the round type
본 실시 예에서는 n형 반도체층(110), 활성층(120), p형 반도체층(130)이 순차적으로 적층된 구조의 에피 구조체(103)를 설명하지만, 이에 한정되는 것은 아니고, p형 반도체층(130), 활성층(120), n형 반도체층(110) 순서로 적층될 수도 있다.In this embodiment, the
상기 에피 구조체(103)는 가로 방향 길이(d1)가 세로 방향 길이(d2)와 같은 사각형상 또는 가로 방향 길이(d1)가 세로 방향 길이(d2)보다 긴 장방형상으로 구성될 수 있다.The
또한, 상기 에피 구조체(103)의 네 모서리(e1, e2, e3, e4)는 동일한 크기의 반지름을 갖도록 형성될 수 있다.In addition, the four corners e1, e2, e3, and e4 of the
또한, 상기 모서리(e1, e2, e3, e4)는 개별 모서리가 서로 다른 크기의 반지름인 r1, r2, r3, r4를 갖도록 혼합한 형태로 라운딩하여 구성될 수 있다.In addition, the corners e1, e2, e3, and e4 may be formed by rounding in a mixed shape so that individual corners have different radiuses of r1, r2, r3, and r4.
여기서 r1은 d2/50 ≤ r1 ≤ d2/2 범위의 값을 갖도록 이루어지고, r1의 최대 반지름은 d2/2 이다.Here, r1 is made to have a value in the range d2/50 ≤ r1 ≤ d2/2, and the maximum radius of r1 is d2/2.
또한, 개별 모서리의 반지름 크기는 d2/50 ≤ r4 ≤ r3 ≤ r2 ≤r1 이 되도록 구성될 수 있다.In addition, the radius size of individual corners may be configured such that d2/50 ≤ r4 ≤ r3 ≤ r2 ≤ r1.
따라서, 도 6 내지 도 8에 나타낸 바와 같이, 모서리가 다양한 반지름 크기를 갖도록 구성될 수 있다.Accordingly, as shown in FIGS. 6 to 8, the corners may be configured to have various radial sizes.
상기 모서리의 라운드 형상은 상기된 반지름 크기를 갖는 마스크를 포토레지스트 과정을 통해 제작하고, Dry 에칭, Wet 에칭 또는 Dry + Wet 에칭을 통해 구성될 수 있다.The round shape of the corner may be formed by fabricating a mask having the above-described radius size through a photoresist process, and performing dry etching, wet etching, or dry + wet etching.
또한, 상기 라운드형 발광소자(100)는 전체적인 두께가 30㎛를 넘지 않도록 구성된 초박형 소자로 구성될 수 있다.In addition, the round
다음은 본 발명의 일 실시 예에 따른 라운드형 발광소자의 제조과정을 설명한다.The following describes a manufacturing process of a round light emitting device according to an embodiment of the present invention.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 라운드형 발광소자의 제조과정을 나타낸 예시도이고, 도 10은 도 9에 따른 라운드형 발광소자의 제조과정을 나타낸 다른 예시도이며, 도 11은 도 9에 따른 라운드형 발광소자의 제조과정을 나타낸 또 다른 예시도이고, 도 12는 도 9에 따른 라운드형 발광소자의 제조과정을 나타낸 또 다른 예시도이다.9 is an exemplary view showing a manufacturing process of the round type light emitting device according to an embodiment of the present invention, FIG. 10 is another exemplary view showing the manufacturing process of the round type light emitting device according to FIG. 9, and FIG. 11 is FIG. 12 is another exemplary view showing the manufacturing process of the round type light emitting device according to FIG. 9, and FIG. 12 is another exemplary view showing the manufacturing process of the round type light emitting device according to FIG. 9.
도 9(a)에 나타낸 바와 같이, 라운드형 발광소자는 분리층(102)이 증착된 기판(101)에 n형 반도체층(110), 활성층(120), p형 반도체층(130)으로 구성된 에피 구조체를 형성하고, 상기 에피 구조체의 p형 반도체층(130) 상에 제1 전극(140)을 형성한다.As shown in Fig. 9(a), the round type light emitting device is composed of an n-
상기 분리층(102)은 기판(101) 상에 AlGaInP 계열의 에피 구조체가 성장되면 AlAs를 분리층(102)으로 사용하고, 상기 기판(101) 상에 InGaAs 계열의 에피 구조체가 성장되면 GaInP를 분리층(102)으로 사용한다.The
이후, 도 9(b) 및 도 9(c)에 나타낸 바와 같이, 에피 구조체를 플렉서블 필름(300)에 접착할 수 있도록 p형 반도체층(130)과 제1 전극(140) 상에 접착층(200)을 형성하여 에피 구조체가 플렉서블 필름(300)에 접착되도록 한다.Thereafter, as shown in FIGS. 9(b) and 9(c), the
상기 접착층(200)은 UV에 노출되면 결합력이 줄어들어 분리하기 쉬운 UV접착제, 열을 가하면 녹아서 분리하기 쉬운 왁스 또는 파라핀, 아세톤에 잘녹는 포토레지스트, 산에 잘녹는 In 같은 금속, 레이저 조사시 광흡수에 의해 계면 분리하기 쉬운 폴리이미드 등을 사용할 수 있다.The
상기 플렉서블 필름(300)은 테프론 필름, PET 필름, 캡톤(Capton) 필름 중 하나를 사용하며, 투명 재질로 두께가 10 ~ 200㎛인 것이 바람직하다.The
상기 에피 구조체를 플렉서블 필름(300)에 접착한 다음, 도 10(a) 및 도 10(b)와 같이 분리층(102)을 에칭하고, 이때, 상기 플렉서블 필름(300)의 휘어지도록 구부려 플렉서블 필름(300)의 장력과 기판(101)의 중력을 통해 상기 에피 구조체(103)로부터 기판(101)이 분리되도록 한다.After the epitaxial structure is adhered to the
또한, AlAs를 분리층(102)으로 사용하는 경우 에칭이 용이한 HF계 에칭 용액을 사용하여 분리하고, GaInP를 분리층(102)으로 사용하는 경우 HCl계 에칭 용액을 사용하여 분리할 수 있다.In addition, when AlAs is used as the
상기 에피 구조체로부터 기판(101)이 분리되면, 도 10c)와 같이 n형 반도체층(110) 상에 개별 발광소자로 구획하고, 상기 개별 발광소자의 모서리가 둥글게 제거되도록 마스크 패턴부(400)를 형성한다.When the
상기 마스크 패턴부(400)는 에피 구조체의 가로 방향 길이(d1)와 세로 방향 길이(d2)가 같은 사각형상 또는 에피 구조체의 가로 방향 길이(d1)가 세로 방향 길이(d2)보다 긴 장방형상으로 구성될 수 있도록 형성될 수 있다.The
또한, 상기 마스크 패턴부(400)는 에피 구조체의 네 모서리가 동일한 크기의 반지름을 갖도록 형성될 수 있도록 형성될 수 있다.In addition, the
또한, 상기 마스크 패턴부(400)는 에피 구조체의 개별 모서리가 서로 다른 크기의 반지름인 r1, r2, r3, r4를 갖도록 혼합한 형태로 라운딩하여 구성될 수 있다.In addition, the
여기서 r1은 d2/50 ≤ r1 ≤ d2/2 범위의 값을 갖도록 이루어지고, r1의 최대 반지름은 d2/2 이며, 개별 모서리의 반지름 크기가 d2/50 ≤ r4 ≤ r3 ≤ r2 ≤r1 이 되도록 구성될 수 있다.Here, r1 is configured to have a value in the range d2/50 ≤ r1 ≤ d2/2, and the maximum radius of r1 is d2/2, and the radius size of individual corners is d2/50 ≤ r4 ≤ r3 ≤ r2 ≤r1. Can be.
이후, 도 11(a)와 같이, 에피 구조체의 에칭 영역(410)을 에칭하여 모서리가 둥글게 제거된 개별 발광소자를 형성하고, 상기 개별 발광소자로부터 마스크 패턴부(400)를 제거한 다음 도 11(b)와 같이, n형 반도체층(110)에 제2 전극(150)과 광효율 저하를 막기 위해 SiNx 유전체 박막을 이용하여 표면을 보호하는 패시베이션층(500)을 형성한다.Thereafter, as shown in FIG. 11(a), the
또한, 도 11(c)와 같이 상기 제2 전극(150)이 형성된 개별 발광소자에 에피 구조체의 활성층(120)에서 형성된 빛을 효과적인 방향으로 반사시키기 위해 반사도가 높은 금속, 예를 들면 Ag, Au, Al, Cu 등 및 혼합물 형태의 반사도가 높은 금속을 증착하여 반사막(600)을 형성한다.In addition, in order to reflect light formed in the
또한, SiO2, Al2O3, Si3N4 등 유전체를 이용하여 DBR 형태의 반사층을 구비할 수도 있고, 유전체+고반사 금속이 결합된 형태의 반사층으로 구성할 수도 있다.In addition, a DBR type reflective layer may be provided using a dielectric material such as SiO 2 , Al 2 O 3 , Si 3 N 4, or a reflective layer in which a dielectric + high reflective metal is combined.
또한, 개별 소자를 원하는 곳에 고정하기 위해 Au와 같은 금속을 이용하여 본딩전극(700)을 형성한다.In addition, the
이후, 플렉서블 필름(300)을 제거하기 위해, 도 12(a)와 같이 본딩전극에 접착층(810)을 이용하여 지지부(800)를 접착하고, 도 12(b)와 같이, UV를 이용하여 접착층(200)이 분리되도록 한다.Thereafter, in order to remove the
즉, 접착층(200)이 UV 접착제로 이루어진 경우 UV 광을 플렉서블 필름(300)과 에피 구조체 및 접착층(200) 사이의 계면에 조사하면, 상기 접착층(200)과 에피 구조체 사이의 계면이 박리되어 플렉서블 필름(300)이 분리된다.That is, when the
또한, 상기 접착층(200)이 왁스 또는 파라핀 등으로 구성된 경우 열을 공급하여 상기 접착층(200)이 용융되도록 하여 접착력이 약해지도록 하고, 상기 접착층(200)이 포토레지스트로 구성된 경우는 아세톤으로 용융시키며, 금속인 경우 산을 이용하여 용융시키고, 폴리이미드인 경우 레이저를 조사하여 계면 분리시켜 플렉서블 필름(300)을 제거한다.In addition, when the
플렉서블 필름(300)이 제거되면, 도 12(c)와 같이, 이동부(900)를 이용하여 하고, 상기 지지부(800)로부터 개별 발광소자를 분리하는 이동한다.When the
다음은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 라운드형 발광소자의 제조방법을 도 13 내지 도 15를 참조하여 설명한다.Next, a method of manufacturing a round light emitting device according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 13 to 15.
한편, 동일한 구성요소에 대한 반복적인 설명은 생략하고, 동일한 구성요소에 대하여 동일한 도면부호를 사용한다.Meanwhile, repeated descriptions of the same components are omitted, and the same reference numerals are used for the same components.
도 13(a)에 나타낸 바와 같이, 라운드형 발광소자는 분리층(102)이 증착된 기판(101)에 n형 반도체층(110), 활성층(120), p형 반도체층(130)으로 구성된 에피 구조체를 형성하고, 상기 에피 구조체의 p형 반도체층(130) 상에 개별 발광소자로 구획하며, 상기 개별 발광소자의 모서리가 둥글게 제거되도록 마스크 패턴부(400)를 형성한다.As shown in Fig. 13(a), the round type light emitting device is composed of an n-
이후, 도 13(b)와 같이 에피 구조체의 에칭 영역(410)을 에칭하여 모서리가 둥글게 제거된 개별 발광소자를 형성하고, 상기 개별 발광소자로부터 마스크 패턴부(400)를 제거한 다음 도 13(c)와 같이, p형 반도체층(110)에 제1 전극(140)을 형성하며, 광효율 저하를 막기 위해 SiNx 유전체 박막을 이용하여 표면을 보호하는 패시베이션층(500)을 형성한다.Thereafter, as shown in FIG. 13(b), the
또한, 도 13(d)와 같이 상기 제1 전극(140)이 형성된 개별 발광소자에 에피 구조체의 활성층(120)에서 형성된 빛을 효과적인 방향으로 반사시키기 위해 반사도가 높은 금속, 예를 들면 Ag, Au, Al, Cu 등 및 혼합물 형태의 반사도가 높은 금속을 증착하여 반사막(600)을 형성한다.In addition, in order to reflect light formed in the
또한, SiO2, Al2O3, Si3N4 등 유전체를 이용하여 DBR 형태의 반사층을 구비할 수도 있고, 유전체+고반사 금속이 결합된 형태의 반사층으로 구성할 수도 있다.In addition, a DBR type reflective layer may be provided using a dielectric material such as SiO 2 , Al 2 O 3 , Si 3 N 4, or a reflective layer in which a dielectric + high reflective metal is combined.
또한, 개별 소자를 원하는 곳에 고정하기 위해 Au와 같은 금속을 이용하여 반사막(600)에 본딩전극(700)을 형성한다.In addition, a
이후, 도 14(a)와 같이 접착층(200)을 형성하여 플렉서블 필름(300)에 접착하고, 도 14(b) 및 도 14(c)와 같이 분리층(102)을 에칭하여 상기 플렉서블 필름(300)의 장력과 기판(101)의 중력을 통해 상기 에피 구조체로부터 기판(101)을 분리한다.Thereafter, as shown in Fig. 14(a), an
상기 기판(101)이 분리되면, 도 15(a)와 같이 노출된 에피 구조체의 n형 반도체층(110)에 에 제2 전극(150)을 설치하여 개별 발광소자를 형성한다.When the
이후, 플렉서블 필름(300)을 제거하기 위해, 도 15(b)와 같이 UV를 이용하여 접착층(200)이 분리되도록 한다.Thereafter, in order to remove the
상기 접착층(200)이 UV 접착제로 이루어진 경우 UV 광을 플렉서블 필름(300)과 발광소자(100)와 접착층(200) 사이의 계면에 조사하면, 상기 접착층(200)과 발광소자(100) 사이의 계면이 박리되고, 도 15(c)와 같이 이동부(900)를 통해 발광소자(100)를 플렉서블 필름(300)으로부터 분리하여 이동되도록 한다.When the
또한, 상기 접착층(200)이 왁스 또는 파라핀 등으로 구성된 경우 열을 공급하여 상기 접착층(200)이 용융되도록 하여 접착력이 약해지도록 하고, 상기 접착층(200)이 포토레지스트로 구성된 경우는 아세톤으로 용융시키며, 금속인 경우 산을 이용하여 용융시키고, 폴리이미드인 경우 레이저를 조사하여 계면 분리시켜 플렉서블 필름(300)으로부터 발광소자(100)를 분리 및 이동한다.In addition, when the
따라서, 발광소자의 모서리를 둥글게 형성함으로써, 활성층에서 발생되는 빛이 소자 밖으로 쉽게 출력되어 발광효율을 향상시킬 수 있고, 발광소자의 모서리를 둥글게 형성함으로써, 모서리의 파손으로 인한 발광소자의 불량률을 감소시킬 수 있게 된다.Therefore, by forming the corners of the light emitting device rounded, light generated from the active layer can be easily output to the outside of the device to improve luminous efficiency, and by forming the corners of the light emitting device to be rounded, the defect rate of the light emitting device due to damage to the corners is reduced. You will be able to do it.
또한, 발광소자의 모서리를 둥글게 형성함으로써, 열에 의한 변형을 최소화 할 수 있고, 열에 의한 변형을 감소시킴으로써, 초박형화가 가능하게 된다.In addition, by forming the corners of the light emitting device rounded, deformation due to heat can be minimized, and deformation due to heat is reduced, thereby enabling ultra-thinness.
상기와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, although it has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will variously modify and change the present invention within the scope not departing from the spirit and scope of the present invention described in the following claims. You will understand that you can do it.
또한, 본 발명의 특허청구범위에 기재된 도면번호는 설명의 명료성과 편의를 위해 기재한 것일 뿐 이에 한정되는 것은 아니며, 실시예를 설명하는 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있으며, 상술된 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있으므로, 이러한 용어들에 대한 해석은 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.In addition, reference numerals in the claims of the present invention are provided for clarity and convenience of description, and are not limited thereto. In the process of describing the embodiments, the thickness of the lines shown in the drawings, the size of components, etc. May be exaggerated for clarity and convenience of description, and the above-described terms are terms defined in consideration of functions in the present invention and may vary according to the intentions or customs of users and operators. Should be made based on the contents throughout this specification.
100 : 발광소자
101 : 기판
102 : 분리층
103 : 에피 구조체
110 : n형 반도체층
120 : 활성층
130 : p형 반도체층
140 : 제1 전극
150 : 제2 전극
200 : 접착층
300 : 플렉서블 필름
400 : 마스크 패턴부
410 : 에칭 영역
500 : 패시베이션층
600 : 반사막
700 : 본딩 전극
800 : 지지부
810 : 접착층
900 : 이동부100: light emitting device 101: substrate
102: separation layer 103: epistructure
110: n-type semiconductor layer 120: active layer
130: p-type semiconductor layer 140: first electrode
150: second electrode 200: adhesive layer
300: flexible film 400: mask pattern portion
410: etching region 500: passivation layer
600: reflective film 700: bonding electrode
800: support 810: adhesive layer
900: moving part
Claims (10)
상기 에피 구조체(103)는 적어도 하나의 모서리(e1, e2, e3, e4)가 일정 크기의 반지름을 갖도록 둥글게 제거된 것을 특징으로 하는 라운드형 발광소자.Including an epitaxial structure 103 composed of an n-type semiconductor layer 110, an active layer 120, and a p-type semiconductor layer 130,
The epitaxial structure 103 is a round type light emitting device, characterized in that at least one corner (e1, e2, e3, e4) is roundly removed to have a radius of a predetermined size.
상기 에피 구조체(103)는 가로 방향 길이(d1)가 세로 방향 길이(d2)와 동일한 사각형상 또는 긴 장방형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 라운드형 발광소자.The method of claim 1,
The epitaxial structure 103 is a round type light emitting device, characterized in that the horizontal length (d1) is formed in a rectangular shape or a long rectangular shape equal to the vertical length (d2).
상기 모서리(e1, e2, e3, e4)는 동일한 크기의 반지름을 형성한 것을 특징으로 하는 라운드형 발광소자.The method of claim 1,
The corners (e1, e2, e3, e4) are round-type light emitting device, characterized in that forming a radius of the same size.
상기 모서리(e1, e2, e3, e4)는 서로 다른 크기의 반지름을 형성한 것을 특징으로 하는 라운드형 발광소자.The method of claim 1,
The corners (e1, e2, e3, e4) are round-type light emitting device, characterized in that forming a radius of different sizes.
b) 상기 에피 구조체(103)를 플렉서블 필름(300)에 접착층(200)을 이용하여 접착하고, 상기 분리층(102)을 에칭하여 상기 플렉서블 필름(300)의 장력과 기판(101)의 중력을 통해 상기 에피 구조체(103)로부터 기판(101)을 분리하는 단계;
c) 상기 기판(101)이 분리된 에피 구조체(103)를 개별 발광소자로 구획하고, 상기 개별 발광소자의 모서리가 둥글게 제거되도록 마스크 패턴부(400)를 형성하는 단계;
d) 상기 에피 구조체(103)를 에칭하여 모서리가 둥글게 제거된 개별 발광소자를 형성하고, 상기 개별 발광소자에 제2 전극(150)과 패시베이션층(500)을 형성하는 단계;
e) 상기 제2 전극(150)이 형성된 개별 발광소자에 반사막(600)과 본딩전극(700)을 형성하고, 상기 본딩전극(700)에 접착층(810)을 이용하여 지지부(800)를 접착하는 단계; 및
f) 상기 플렉서블 필름(300)을 제거하고, 상기 지지부(800)로부터 개별 발광소자를 분리하는 단계를 포함하는 라운드형 발광소자의 제조방법.a) An epitaxial structure 103 composed of an n-type semiconductor layer 110, an active layer 120, and a p-type semiconductor layer 130 is formed on the substrate 101 on which the separation layer 102 is deposited, and the epitaxial structure ( 103) forming the first electrode 140 on the;
b) The epitaxial structure 103 is adhered to the flexible film 300 using an adhesive layer 200, and the separation layer 102 is etched to reduce the tension of the flexible film 300 and the gravity of the substrate 101. Separating the substrate 101 from the epitaxial structure 103 through;
c) dividing the epitaxial structure 103 from which the substrate 101 is separated into individual light-emitting devices, and forming a mask pattern part 400 such that the corners of the individual light-emitting devices are roundly removed;
d) etching the epitaxial structure 103 to form an individual light emitting device with rounded edges, and forming a second electrode 150 and a passivation layer 500 on the individual light emitting devices;
e) A reflective film 600 and a bonding electrode 700 are formed on an individual light emitting device on which the second electrode 150 is formed, and the support part 800 is adhered to the bonding electrode 700 using an adhesive layer 810. step; And
f) removing the flexible film 300 and separating the individual light-emitting elements from the support part 800.
상기 c) 단계의 마스크 패턴부(400)는 가로 방향 길이가 세로 방향 길이와 동일한 사각형상 또는 긴 장방형상으로 이루어지고, 적어도 하나의 모서리가 일정 크기의 반지름을 갖도록 둥글게 제거된 것을 특징으로 하는 라운드형 발광소자의 제조방법.The method of claim 5,
The mask pattern part 400 of the step c) has a rectangular shape or a long rectangular shape in which the length in the horizontal direction is the same as the length in the vertical direction, and at least one corner is rounded to have a radius of a predetermined size. Method of manufacturing a type light emitting device.
ii) 상기 에피 구조체(103)를 에칭하여 모서리가 둥글게 제거된 개별 발광소자를 형성하고, 상기 에피 구조체(103) 상에 제1 전극(140)과 패시베이션층(500)을 형성하는 단계;
iii) 상기 제1 전극(140)이 형성된 개별 발광소자에 반사막(600)과 본딩전극(700)을 형성하고, 상기 본딩전극(700)에 접착층(200)을 이용하여 플렉서블 필름(300)을 접착하는 단계;
iv) 상기 분리층(102)을 에칭하여 상기 플렉서블 필름(300)의 장력과 기판(101)의 중력을 통해 상기 에피 구조체(103)로부터 기판(101)을 분리하는 단계; 및
v) 상기 기판(101)이 분리된 에피 구조체(103)에 제2 전극(150)을 설치하여 개별 발광소자를 형성하고, 상기 플렉서블 필름(300)으로부터 개별 발광소자를 분리하는 단계를 포함하는 라운드형 발광소자의 제조방법.i) An epitaxial structure 103 composed of an n-type semiconductor layer 110, an active layer 120, and a p-type semiconductor layer 130 is formed on the substrate 101 on which the separation layer 102 is deposited, and the epitaxial structure ( Dividing 103 into individual light emitting devices, and forming a mask pattern part 400 such that rounded corners of the individual light emitting devices are removed;
ii) etching the epitaxial structure 103 to form an individual light emitting device with rounded edges, and forming a first electrode 140 and a passivation layer 500 on the epitaxial structure 103;
iii) A reflective film 600 and a bonding electrode 700 are formed on an individual light emitting device on which the first electrode 140 is formed, and the flexible film 300 is adhered to the bonding electrode 700 using an adhesive layer 200 The step of doing;
iv) separating the substrate 101 from the epitaxial structure 103 through the tension of the flexible film 300 and the gravity of the substrate 101 by etching the separation layer 102; And
v) A round including the step of forming an individual light emitting device by installing a second electrode 150 on the epitaxial structure 103 from which the substrate 101 is separated, and separating the individual light emitting device from the flexible film 300 Method of manufacturing a type light emitting device.
상기 i) 단계의 마스크 패턴부(400)는 가로 방향 길이는 세로 방향 길이 보다 긴 장방형상으로 이루어지고, 적어도 하나의 모서리가 일정 크기의 반지름을 갖도록 둥글게 제거된 것을 특징으로 하는 라운드형 발광소자의 제조방법.The method of claim 7,
The mask pattern part 400 of step i) has a rectangular shape having a length in the horizontal direction longer than that in the vertical direction, and at least one corner is roundly removed to have a radius of a predetermined size. Manufacturing method.
상기 마스크 패턴부(400)의 모서리는 동일한 크기의 반지름을 형성한 것을 특징으로 하는 라운드형 발광소자의 제조방법.The method according to claim 6 or 8,
The method of manufacturing a round light emitting device, characterized in that the corners of the mask pattern part 400 have a radius of the same size.
상기 마스크 패턴부(400)의 모서리는 서로 다른 크기의 반지름을 형성한 것을 특징으로 하는 라운드형 발광소자의 제조방법.The method of claim 9,
The method of manufacturing a round light emitting device, characterized in that the corners of the mask pattern part 400 have different radiuses.
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