KR20210022569A - Bulk boron nitride particles, boron nitride powder, method for producing boron nitride powder, resin composition, and heat dissipation member - Google Patents

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Abstract

본 개시의 일 측면은, 육방정 질화붕소의 1 차 입자가 응집된 괴상 질화붕소 입자로서, 단면에 있어서의 상기 1 차 입자의 면적 비율의 평균값이 45 % 이상이고, 단면에 있어서의 상기 1 차 입자의 면적 비율의 표준 편차가 25 미만이고, 압괴 강도가 8.0 ㎫ 이상인, 괴상 질화붕소 입자를 제공한다.One aspect of the present disclosure is a bulk boron nitride particle in which primary particles of hexagonal boron nitride are aggregated, wherein the average value of the area ratio of the primary particles in a cross section is 45% or more, and the primary particle in the cross section is The standard deviation of the area ratio of the particles is less than 25, and the crush strength is 8.0 MPa or more.

Description

괴상 질화붕소 입자, 질화붕소 분말, 질화붕소 분말의 제조 방법, 수지 조성물, 및 방열 부재Bulk boron nitride particles, boron nitride powder, method for producing boron nitride powder, resin composition, and heat dissipation member

본 개시는 괴상 질화붕소 입자, 질화붕소 분말, 질화붕소 분말의 제조 방법, 수지 조성물, 및 방열 부재에 관한 것이다.The present disclosure relates to a bulk boron nitride particle, a boron nitride powder, a method for producing a boron nitride powder, a resin composition, and a heat dissipating member.

파워 디바이스, 트랜지스터, 사이리스터, 및 CPU 등의 발열성 전자 부품에 있어서는, 사용시에 발생하는 열을 어떻게 효율적으로 방열할지가 중요한 과제가 되고 있다. 종래부터, 이와 같은 방열 대책으로는, (1) 발열성 전자 부품을 실장하는 프린트 배선판의 절연층을 고열 전도화하는 것, 또는 (2) 발열성 전자 부품 또는 발열성 전자 부품을 실장한 프린트 배선판을 전기 절연성의 열 인터페이스재 (Thermal Interface Materials) 를 개재하여 히트 싱크에 장착하는 것이 일반적으로 실시되어 왔다. 프린트 배선판의 절연층 및 열 인터페이스재로는, 실리콘 수지 또는 에폭시 수지에 대해 세라믹스 분말을 충전시킨 수지 조성물이 사용되고 있다.In heat-generating electronic components such as power devices, transistors, thyristors, and CPUs, how to efficiently dissipate heat generated during use becomes an important subject. Conventionally, such heat dissipation measures include (1) high thermal conduction of the insulating layer of a printed wiring board on which a heating electronic component is mounted, or (2) a printed wiring board on which a heating electronic component or a heating electronic component is mounted. It has been generally practiced to mount to a heat sink via an electrically insulating thermal interface material. As the insulating layer and the thermal interface material of the printed wiring board, a resin composition in which ceramic powder is filled with a silicone resin or an epoxy resin is used.

최근, 발열성 전자 부품 내의 회로의 고속화, 고집적화, 및 발열성 전자 부품의 프린트 배선판에 대한 실장 밀도의 증가에 따라, 전자 기기 내부의 발열 밀도는 해마다 증가하고 있다. 그 때문에, 종래보다 더 한층 높은 열전도율을 갖는 세라믹스 분말이 요구되고 있다.BACKGROUND ART In recent years, with the increase in the speed and integration of circuits in the heat generating electronic parts, and the increase in mounting density of the heat generating electronic parts on the printed wiring board, the heat generation density inside the electronic device is increasing year by year. For this reason, ceramic powders having a higher thermal conductivity than the conventional ones are required.

이상과 같은 배경 안에서, 고열 전도율, 고절연성, 및 저비유전률 등의 전기 절연 재료로서 우수한 성질을 가지고 있는, 육방정 질화붕소 (Hexagonal Boron Nitride) 분말이 주목받고 있다.In the background as described above, hexagonal boron nitride (Hexagonal Boron Nitride) powder, which has excellent properties as an electrical insulating material such as high thermal conductivity, high insulation, and low dielectric constant, is attracting attention.

그러나, 육방정 질화붕소 입자는, 면내 방향 (a 축 방향) 의 열전도율이 400 W/(m·K) 인 데에 반해, 두께 방향 (c 축 방향) 의 열전도율이 2 W/(m·K) 로, 결정 구조와 인편상에서 유래하는 열전도율의 이방성이 크다. 또한, 육방정 질화붕소 분말은 수지에 충전하면, 입자끼리가 동일 방향으로 맞추어져 배향된다.However, while the hexagonal boron nitride particles have a thermal conductivity of 400 W/(m·K) in the in-plane direction (a-axis direction), the thermal conductivity in the thickness direction (c-axis direction) is 2 W/(m·K). Thus, the anisotropy of the crystal structure and the thermal conductivity derived from the scale phase is large. In addition, when the hexagonal boron nitride powder is filled in a resin, the particles are aligned in the same direction and oriented.

그 때문에, 예를 들어, 열 인터페이스재의 제조시에, 육방정 질화붕소 입자의 면내 방향 (a 축 방향) 과 열 인터페이스재의 두께 방향이 수직이 되어, 육방정 질화붕소 입자의 면내 방향 (a 축 방향) 의 고열 전도율을 충분히 살릴 수 없었다.Therefore, for example, in the manufacture of the thermal interface material, the in-plane direction of the hexagonal boron nitride particles (a-axis direction) and the thickness direction of the thermal interface material become perpendicular, and the in-plane direction of the hexagonal boron nitride particles (a-axis direction) ) Was not able to fully utilize the high thermal conductivity.

특허문헌 1 에서는, 육방정 질화붕소 입자의 면내 방향 (a 축 방향) 을 고열 전도 시트의 두께 방향으로 배향시킨 것이 제안되어 있고, 육방정 질화붕소 입자의 면내 방향 (a 축 방향) 의 고열 전도율을 살릴 수 있다.In Patent Document 1, it is proposed that the in-plane direction (a-axis direction) of the hexagonal boron nitride particles is oriented in the thickness direction of the high heat conduction sheet, and the high thermal conductivity of the hexagonal boron nitride particles in the in-plane direction (a-axis direction) I can save it.

그러나, 특허문헌 1 에 기재된 종래 기술에는, (1) 배향된 시트를 다음 공정에서 적층할 필요가 있어 제조 공정이 번잡해지기 쉽고, 또 (2) 적층·경화 후에 시트상으로 얇게 절단할 필요가 있어, 시트의 두께의 치수 정밀도를 확보하는 것이 곤란하다는 과제가 있었다. 또, 육방정 질화붕소 입자의 형상이 인편상으로, 수지에 대한 충전시에 점도의 증가, 및 유동성의 악화를 초래하기 때문에, 수지에 대한 질화붕소 입자의 고충전이 곤란하였다.However, in the prior art described in Patent Document 1, (1) it is necessary to laminate the oriented sheet in the next step, so that the manufacturing process is apt to become complicated, and (2) it is necessary to cut thinly into a sheet after lamination and curing. Therefore, there has been a problem that it is difficult to ensure the dimensional accuracy of the thickness of the sheet. Moreover, since the shape of the hexagonal boron nitride particles is scale-like and causes an increase in viscosity and deterioration in fluidity during filling into the resin, high filling of the boron nitride particles into the resin has been difficult.

이것들을 개선하기 위해, 육방정 질화붕소 입자의 열전도율의 이방성을 억제한 여러 가지 형상의 질화붕소 분말이 제안되어 있다.In order to improve these, various shapes of boron nitride powders having suppressed the anisotropy of the thermal conductivity of hexagonal boron nitride particles have been proposed.

특허문헌 2 에서는, 1 차 입자의 육방정 질화붕소 입자가 동일 방향으로 배향되지 않고 응집된 질화붕소 분말의 사용이 제안되어 있고, 열전도율의 이방성을 억제할 수 있다고 되어 있다. 또 그 밖의 응집 질화붕소를 제조하는 종래 기술로서, 스프레이 드라이법으로 제작한 구상 질화붕소 (특허문헌 3), 탄화붕소를 원료로 하여 제조한 응집체의 질화붕소 (특허문헌 4), 및 프레스와 파쇄를 반복하여 제조한 응집 질화붕소 (특허문헌 5) 도 알려져 있다. 그러나, 이것들은 실제로는 응집 입자 내의 질화붕소 밀도 및 1 차 입자의 균일성이 충분하지 않아, 높은 방열성 및 절연 특성의 응집 질화붕소를 얻을 수는 없었다.In Patent Document 2, the use of the boron nitride powder in which the hexagonal boron nitride particles of the primary particles are not oriented in the same direction and aggregated is proposed, and it is said that the anisotropy of the thermal conductivity can be suppressed. In addition, as other conventional techniques for producing agglomerated boron nitride, spherical boron nitride produced by spray-drying (Patent Document 3), boron nitride of agglomerates produced using boron carbide (Patent Document 4) as a raw material, and pressing and crushing Agglomerated boron nitride (Patent Document 5) produced by repeating the above is also known. However, in reality, the boron nitride density in the agglomerated particles and the uniformity of the primary particles were not sufficient, and thus, it was not possible to obtain an agglomerated boron nitride having high heat dissipation and insulating properties.

일본 공개특허공보 2000-154265호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-154265 일본 공개특허공보 평9-202663호Japanese Laid-Open Patent Publication No. Hei 9-202663 일본 공개특허공보 2014-40341호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-40341 일본 공개특허공보 2011-98882호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2011-98882 일본 공표특허공보 2007-502770호Japanese Patent Publication No. 2007-502770

상기의 종래 기술에서는, 제작한 응집 입자의 내부에 포함되는 질화붕소의 밀도 (1 차 입자의 비율의 평균값) 가 충분히 높다고는 할 수 없고, 1 차 입자 구조가 충분히 균일하지도 않은 점에서, 안정적인 높은 절연 특성 및 높은 방열 특성을 해결할 수 없었다.In the prior art described above, the density of boron nitride contained in the produced agglomerated particles (average value of the ratio of primary particles) cannot be said to be sufficiently high, and since the primary particle structure is not sufficiently uniform, stable high Insulation characteristics and high heat dissipation characteristics could not be solved.

본 개시는, 절연성 및 열전도율이 우수한 괴상 질화붕소 분말을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 개시는 또한, 절연성 및 열전도율이 우수한 질화붕소 분말 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present disclosure is to provide a bulk boron nitride powder having excellent insulating properties and thermal conductivity. Another object of the present disclosure is to provide a boron nitride powder having excellent insulating properties and thermal conductivity, and a method for producing the same.

본 발명자들은 예의 검토를 실시한 결과, 특정한 제조 방법에 의해, 내부에 포함되는 질화붕소의 1 차 입자 밀도가 충분히 높고, 1 차 구조가 균일한 괴상 질화붕소 입자를 제조할 수 있는 것을 알아냈다. 또한, 본 발명자들은, 상기 괴상 질화붕소 입자는, 이방성이 낮고, 또한 탭 밀도가 높고, 당해 괴상 질화붕소 입자를 포함하는 질화붕소 분말이 절연성 및 열전도율이 우수한 것을 알아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.As a result of intensive examination, the present inventors found that by a specific production method, the primary particle density of boron nitride contained therein is sufficiently high, and bulk boron nitride particles having a uniform primary structure can be produced. In addition, the inventors of the present invention found out that the above-described bulk boron nitride particles have low anisotropy and high tap density, and that the boron nitride powder containing the bulk boron nitride particles has excellent insulation properties and thermal conductivity, and to complete the present invention. Arrived.

즉, 본 개시의 일 측면은 이하를 제공할 수 있다.That is, one aspect of the present disclosure may provide the following.

(1) 육방정 질화붕소의 1 차 입자가 응집된 괴상 질화붕소 입자로서, 단면에 있어서의 상기 1 차 입자의 면적 비율의 평균값이 45 % 이상이고, 단면에 있어서의 상기 1 차 입자의 면적 비율의 표준 편차가 25 미만이고, 압괴 강도가 8.0 ㎫ 이상인, 괴상 질화붕소 입자.(1) Bulk boron nitride particles in which primary particles of hexagonal boron nitride are aggregated, wherein the average value of the area ratio of the primary particles in the cross section is 45% or more, and the area ratio of the primary particles in the cross section The standard deviation of is less than 25, and the crush strength is 8.0 MPa or more.

(2) 상기 단면에 있어서의 상기 1 차 입자의 면적 비율의 평균값이 50 ∼ 85 % 인, (1) 에 기재된 괴상 질화붕소 입자.(2) The bulk boron nitride particles according to (1), wherein the average value of the area ratio of the primary particles in the cross section is 50 to 85%.

(3) 상기 단면에 있어서의 상기 1 차 입자의 면적 비율의 표준 편차가 20 이하인, (1) 또는 (2) 에 기재된 괴상 질화붕소 입자.(3) The bulk boron nitride particles according to (1) or (2), wherein the standard deviation of the area ratio of the primary particles in the cross section is 20 or less.

(4) 상기 단면에 있어서의 상기 1 차 입자의 면적 비율의 표준 편차가 15 이하인, (1) ∼ (3) 중 어느 하나에 기재된 괴상 질화붕소 입자.(4) The bulk boron nitride particles according to any one of (1) to (3), wherein the standard deviation of the area ratio of the primary particles in the cross section is 15 or less.

(5) (1) ∼ (4) 중 어느 하나에 기재된 괴상 질화붕소 입자를 포함하는, 질화붕소 분말.(5) Boron nitride powder containing the bulk boron nitride particles according to any one of (1) to (4).

(6) 평균 입경이 20 ∼ 100 ㎛ 이고, 분말의 X 선 회절로부터 구해지는 배향성 지수가 12 이하이고, 또한 탭 밀도가 0.85 g/㎤ 이상인, 질화붕소 분말.(6) A boron nitride powder having an average particle diameter of 20 to 100 µm, an orientation index of 12 or less obtained from X-ray diffraction of the powder, and a tap density of 0.85 g/cm 3 or more.

(7) 괴상 질화붕소 입자를 포함하는 질화붕소 분말의 제조 방법으로서, 탄소량이 18.0 ∼ 21.0 질량% 인 탄화붕소를, 1800 ℃ 이상 또한 0.6 ㎫ 이상의 질소 분위기하에서 소성하여 제 1 소성물을 얻는 공정과, 상기 제 1 소성물을 산소 분압이 20 % 이상인 조건하에서 소성하여 산화 처리 분말을 얻는 공정과, 상기 산화 처리 분말과 붕소원을 혼합하고, 붕소를 함유하는 액상 성분을 상기 산화 처리 분말에 진공 함침시키는 공정과, 상기 액상 성분을 함침시킨 상기 산화 처리 분말을 1800 ℃ 이상의 질소 분위기하에서 가열 소성하여 제 2 소성물을 얻는 공정과, 상기 제 2 소성물을 분쇄하여 괴상 질화붕소 입자를 포함하는 질화붕소 분말을 얻는 공정을 포함하는, 질화붕소 분말의 제조 방법.(7) A method for producing boron nitride powder containing bulk boron nitride particles, comprising: a step of calcining boron carbide having a carbon amount of 18.0 to 21.0 mass% in a nitrogen atmosphere of 1800°C or higher and 0.6 MPa or higher to obtain a first calcined product; and The first calcined product is calcined under conditions of an oxygen partial pressure of 20% or more to obtain an oxidation-treated powder, and the oxidation-treated powder and a boron source are mixed, and a liquid component containing boron is vacuum-impregnated into the oxidation-treated powder. And a step of heating and firing the oxidized powder impregnated with the liquid component in a nitrogen atmosphere of 1800° C. or higher to obtain a second calcined product, and a step of pulverizing the second calcined product to pulverize boron nitride containing bulk boron nitride particles. A method for producing boron nitride powder, including a step of obtaining a powder.

(8) (5) 또는 (6) 에 기재된 질화붕소 분말과, 수지를 포함하는, 수지 조성물.(8) A resin composition comprising the boron nitride powder according to (5) or (6) and a resin.

(9) (8) 에 기재된 수지 조성물의 경화물을 포함하는, 방열 부재.(9) A heat dissipating member containing the cured product of the resin composition according to (8).

본 개시에 의하면, 절연성 및 열전도율이 우수한 괴상 질화붕소 분말을 제공할 수 있다. 본 개시에 의하면 또한, 절연성 및 열전도율이 우수한 질화붕소 분말 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.According to the present disclosure, it is possible to provide a bulk boron nitride powder excellent in insulation and thermal conductivity. Further, according to the present disclosure, it is possible to provide a boron nitride powder excellent in insulation and thermal conductivity, and a method for producing the same.

도 1 은, 실시예 1 의 괴상 질화붕소 입자의 전자 현미경에 의한 단면 관찰 사진이다.
도 2 는, 비교예 1 의 질화붕소 입자의 전자 현미경에 의한 단면 관찰 사진이다.
1 is a cross-sectional observation photograph of the bulk boron nitride particles of Example 1 by an electron microscope.
2 is a cross-sectional observation photograph of the boron nitride particles of Comparative Example 1 by an electron microscope.

<괴상 질화붕소 입자><Bulk boron nitride particles>

본 명세서에 있어서의 「괴상 질화붕소 입자」 및 「괴상 입자」란, 인편상의 육방정 질화붕소의 1 차 입자 (이하, 간단히 「1 차 입자」라고 하는 경우가 있다) 가 응집되어 괴상이 된 질화붕소의 입자를 말한다. 본 개시에 관련된 괴상 질화붕소 입자의 일 실시형태는, 육방정 질화붕소의 1 차 입자가 응집된 괴상 질화붕소 입자로서, 이하의 (A) ∼ (C) 의 조건을 모두 만족한다.The term "bulk boron nitride particles" and "bulk particles" in the present specification refers to nitridation formed by agglomeration of primary particles of scale-shaped hexagonal boron nitride (hereinafter, simply referred to as "primary particles"). It refers to the particles of boron. One embodiment of the bulk boron nitride particles according to the present disclosure is a bulk boron nitride particles in which primary particles of hexagonal boron nitride are agglomerated, and satisfies all of the following conditions (A) to (C).

(A) 괴상 질화붕소 입자의 단면에 있어서의 1 차 입자의 면적 비율의 평균값은 45 % 이상이다. 괴상 질화붕소 입자의 단면에 있어서의 1 차 입자의 면적 비율의 평균값은, 바람직하게는 50 % 이상이고, 보다 바람직하게는 55 % 이상이다. 이 면적 비율의 평균값에 특별히 상한은 없지만, 예를 들어, 90 % 미만, 85 % 이하 또는 85 % 미만이면 된다. 또한, 괴상 질화붕소 입자가 질화붕소의 1 차 입자의 응집체이기 때문에, 85 % 이상의 괴상 질화붕소 입자를 제조하는 것은 통상적으로는 어렵다. 상기 서술한 면적 비율의 평균값이 45 % 미만인 경우에는, 괴상 질화붕소 입자의 내부가 성긴 구조가 됨으로써, 괴상 질화붕소 입자의 열전도율이 저하되는 경향이 있다. 괴상 질화붕소 입자의 단면에 있어서의 1 차 입자의 면적 비율의 평균값은 상기 서술한 범위 내로 조정할 수 있고, 예를 들어, 45 ∼ 90 %, 또는 50 ∼ 85 % 이면 된다.(A) The average value of the area ratio of the primary particles in the cross section of the bulk boron nitride particles is 45% or more. The average value of the area ratio of the primary particles in the cross section of the bulk boron nitride particles is preferably 50% or more, and more preferably 55% or more. Although there is no upper limit in particular to the average value of this area ratio, it may be less than 90%, 85% or less, or less than 85%, for example. Further, since the bulk boron nitride particles are aggregates of primary particles of boron nitride, it is usually difficult to produce 85% or more bulk boron nitride particles. When the average value of the area ratio described above is less than 45%, there is a tendency that the thermal conductivity of the bulk boron nitride particles decreases due to the coarse internal structure of the bulk boron nitride particles. The average value of the area ratio of the primary particles in the cross section of the bulk boron nitride particles can be adjusted within the above-described range, and may be, for example, 45 to 90% or 50 to 85%.

(B) 괴상 질화붕소 입자의 단면에 있어서의 1 차 입자의 면적 비율의 표준 편차는 25 미만이다. 괴상 질화붕소 입자의 단면에 있어서의 1 차 입자의 면적 비율의 표준 편차는, 바람직하게는 20 이하이고, 보다 바람직하게는 15 이하이고, 더욱 바람직하게는 15 미만이다. 상기 서술한 표준 편차가 25 를 초과하는 경우에는, 각 괴상 질화붕소 입자에 있어서의 수지의 침투 정도가 달라져버려, 침투가 불충분한 경우 보이드 등의 원인이 되고, 절연성 (특히, 절연 파괴 전압) 이 저하되고, 표준 편차의 크기에 상관하여 절연성 편차도 커져 버린다. 수지를 괴상 질화붕소 입자 내에 충분히 침투시키기 위해 성형시의 프레스 압력을 크게 하는 방법을 생각할 수 있다. 그러나, 프레스 압력을 지나치게 크게 하면 괴상 질화붕소 입자가 붕괴되어, 1 차 입자가 배향되어 버리고, 열전도율이 저하되어 버린다.(B) The standard deviation of the area ratio of the primary particles in the cross section of the bulk boron nitride particles is less than 25. The standard deviation of the area ratio of the primary particles in the cross section of the bulk boron nitride particles is preferably 20 or less, more preferably 15 or less, and still more preferably less than 15. When the above-described standard deviation exceeds 25, the degree of penetration of the resin in each bulk boron nitride particle varies, and when the penetration is insufficient, it causes voids, etc., and the insulation properties (especially, insulation breakdown voltage) are poor. It deteriorates, and the insulation variation also increases with respect to the magnitude|size of a standard deviation. In order to sufficiently penetrate the resin into the bulk boron nitride particles, a method of increasing the press pressure during molding can be considered. However, when the press pressure is excessively increased, the bulk boron nitride particles are disintegrated, the primary particles are oriented, and the thermal conductivity is lowered.

본 명세서에 있어서의 괴상 질화붕소 입자의 「단면에 있어서의 1 차 입자의 면적 비율」의 평균값 및 표준 편차는, 실시예에 기재된 방법으로 결정되는 값을 의미한다.The average value and the standard deviation of the "area ratio of primary particles in a cross-section" of the bulk boron nitride particles in the present specification mean values determined by the method described in Examples.

(C) 압괴 강도가 8.0 ㎫ 이상이다. 괴상 질화붕소 입자의 압괴 강도는, 바람직하게는 10.0 ㎫ 이상이고, 보다 바람직하게는 12.0 ㎫ 이상이다. 압괴 강도가 8.0 ㎫ 미만에서는, 수지와의 혼련시나 프레스시 등에 응력에 의해 괴상 질화붕소 입자가 붕괴되어 버려, 열전도율이 저하되는 문제가 발생한다. 본 명세서에 있어서의 「압괴 강도」는, JIS R1639-5 : 2007 에 준거하여 구해지는 압괴 강도 (단일 과립 압괴 강도) 를 의미한다.(C) The crush strength is 8.0 MPa or more. The crushing strength of the bulk boron nitride particles is preferably 10.0 MPa or more, and more preferably 12.0 MPa or more. When the crushing strength is less than 8.0 MPa, a problem occurs in that the bulk boron nitride particles are collapsed due to stress during kneading or pressing with a resin, resulting in a decrease in thermal conductivity. "Crushing strength" in this specification means the crushing strength (single granule crushing strength) determined in accordance with JIS R1639-5:2007.

괴상 질화붕소 입자의 압괴 강도가 8.0 ㎫ 이상임으로써, 분쇄 공정, 방열 부재의 제조 공정 등에 있어서 괴상 질화붕소 입자의 파괴를 줄이는 것이 가능하다. 이 때문에, 본 괴상 질화붕소 입자를 포함하는 질화붕소 분말은, 방열 부재에 바람직하게 사용할 수 있다. 또, 괴상 질화붕소 입자의 압괴 강도의 상한값은, 특별히 제한은 없지만, 예를 들어, 30 ㎫ 이하, 또는 20 ㎫ 이하 등이 되도록 제조 가능하다.When the crushing strength of the bulk boron nitride particles is 8.0 MPa or more, it is possible to reduce the destruction of the bulk boron nitride particles in a pulverization step, a manufacturing step of a heat dissipating member, and the like. For this reason, the boron nitride powder containing this bulky boron nitride particle can be used suitably for a heat dissipating member. In addition, the upper limit of the crushing strength of the bulk boron nitride particles is not particularly limited, but it can be produced so as to be, for example, 30 MPa or less, or 20 MPa or less.

괴상 질화붕소 입자를 구성하는 1 차 입자의 애스펙트비 (장경과 두께의 비 : 장경의 길이/두께) 는, 바람직하게는 11 ∼ 18 이고, 보다 바람직하게는 12 ∼ 15 이다. 애스펙트비가 11 이상임으로써, 열전도율을 보다 향상시킬 수 있다. 애스펙트비가 18 이하임으로써, 압괴 강도의 저하를 보다 충분히 억제할 수 있다. 상기 1 차 입자의 애스펙트비는, 괴상 질화붕소 입자의 전자 현미경 사진으로부터 구할 수 있으며, 구체적으로는, 실시예에 기재된 방법으로 결정된다.The aspect ratio (ratio of long diameter and thickness: length/thickness of long diameter) of the primary particles constituting the bulk boron nitride particles is preferably 11 to 18, more preferably 12 to 15. When the aspect ratio is 11 or more, the thermal conductivity can be further improved. When the aspect ratio is 18 or less, a decrease in crush strength can be more sufficiently suppressed. The aspect ratio of the primary particles can be obtained from an electron micrograph of the bulk boron nitride particles, and is specifically determined by the method described in Examples.

<질화붕소 분말><Boron nitride powder>

본 개시에 관련된 질화붕소 분말의 일 실시형태는, 상기 서술한 괴상 질화붕소 입자를 포함하는 질화붕소 분말이다. 즉, 상기 질화붕소 분말은, 상기 인편상의 육방정 질화붕소의 1 차 입자가 응집된 괴상 질화붕소 입자를 포함한다. 상기 질화붕소 분말은, 바람직하게는, 추가로 이하 (D) 내지 (F) 의 조건을 모두 만족한다.One embodiment of the boron nitride powder according to the present disclosure is a boron nitride powder containing the above-described bulk boron nitride particles. That is, the boron nitride powder includes bulk boron nitride particles in which primary particles of the scale-shaped hexagonal boron nitride are agglomerated. The boron nitride powder preferably further satisfies all of the following conditions (D) to (F).

(D) 질화붕소 분말의 평균 입경이 20 ∼ 100 ㎛ 이다. 질화붕소 분말의 평균 입경은 20 ㎛ 이상이고, 보다 바람직하게는 25 ㎛ 이상이고, 더욱 바람직하게는 30 ㎛ 이상이다. 또, 질화붕소 분말의 평균 입경은 100 ㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 90 ㎛ 이하이고, 더욱 바람직하게는 80 ㎛ 이하이다. 질화붕소 분말의 평균 입경의 범위는 20 ∼ 100 ㎛ 의 범위 내에서 조정할 수 있고, 바람직하게는 25 ∼ 90 ㎛ 이다.(D) The average particle diameter of the boron nitride powder is 20 to 100 µm. The average particle diameter of the boron nitride powder is 20 µm or more, more preferably 25 µm or more, and still more preferably 30 µm or more. Moreover, the average particle diameter of the boron nitride powder is 100 micrometers or less, More preferably, it is 90 micrometers or less, More preferably, it is 80 micrometers or less. The range of the average particle diameter of the boron nitride powder can be adjusted within the range of 20 to 100 µm, preferably 25 to 90 µm.

질화붕소 분말의 평균 입경이 20 ㎛ 미만으로 지나치게 작은 경우에는, 열전도율이 저하되는 문제가 발생하는 경우가 있다. 또, 질화붕소 분말의 평균 입경이 100 ㎛ 를 초과하여 지나치게 큰 경우에는, 시트의 두께와 질화붕소 분말의 평균 입경의 차가 적어지기 때문에, 시트의 제작이 곤란해지는 경우가 있다.When the average particle diameter of the boron nitride powder is too small to be less than 20 µm, a problem of lowering the thermal conductivity may occur. In addition, when the average particle diameter of the boron nitride powder exceeds 100 µm and is too large, the difference between the thickness of the sheet and the average particle diameter of the boron nitride powder decreases, and thus the sheet may be difficult to manufacture.

(E) 질화붕소 분말의 분말 X 선 회절로부터 구해지는 배향성 지수가 12 이하이다. 질화붕소 분말의 배향성 지수는 12 이하이고, 바람직하게는 10 이하이고, 보다 바람직하게는 8 이하이다. 괴상 질화붕소 분말에 있어서의, 실질적으로 1 차 입자가 배향되어 있지 않은 괴상 질화붕소 입자의 존재 비율이 높아질수록, 질화붕소 분말의 배향성 지수는 작아진다. 질화붕소 분말의 배향성 지수가 12 를 초과하여 지나치게 큰 경우, 즉 응집되어 있지 않은 단입자가 많은 것을 시사하기 때문에, 열전도율이 저하되는 문제가 생긴다. 질화붕소 분말의 배향성 지수의 하한은 특별히 제한은 없지만, 일반적으로 완전히 랜덤한 경우에도 6.7 정도의 값이 될 것으로 생각된다.(E) The orientation index obtained from powder X-ray diffraction of the boron nitride powder is 12 or less. The orientation index of the boron nitride powder is 12 or less, preferably 10 or less, and more preferably 8 or less. The higher the abundance ratio of the bulk boron nitride particles in which the primary particles are not substantially oriented in the bulk boron nitride powder, the smaller the orientation index of the boron nitride powder. When the orientation index of the boron nitride powder exceeds 12 and is too large, that is, it suggests that there are many single particles that are not aggregated, a problem of lowering the thermal conductivity arises. The lower limit of the orientation index of the boron nitride powder is not particularly limited, but it is generally considered to be a value of about 6.7 even when completely random.

본 명세서에 있어서의 「배향성 지수」란, X 선 회절 장치를 사용하여 측정되는 (002) 면과 (100) 면의 피크 강도비 [I(002)/I(100)] 을 의미하고, 구체적으로는, 실시예에 기재된 방법으로 결정된다.The "orientation index" in this specification means the peak intensity ratio [I(002)/I(100)] of the (002) plane and the (100) plane measured using an X-ray diffraction apparatus, and specifically Is determined by the method described in Examples.

(F) 질화붕소 분말의 탭 밀도가 0.85 g/㎤ 이상이다. 질화붕소 분말의 탭 밀도는 0.85 g/㎤ 이상이고, 보다 바람직하게는 0.90 g/㎤ 이상이다. 질화붕소 분말의 탭 밀도가 0.85 g/㎤ 미만인 경우에는, 괴상 질화붕소 입자 간의 퍼콜레이션이 충분하지 않아, 열전도율이 저하되는 문제가 생긴다. 질화붕소 분말의 탭 밀도의 상한은 특별히 제한은 없지만, 질화붕소의 이론 밀도 (2.26 g/㎤) 로부터 생각하여, 현실적인 상한값은 1.5 g/㎤ 정도의 값이 될 것으로 생각된다.(F) The tap density of the boron nitride powder is 0.85 g/cm 3 or more. The tap density of the boron nitride powder is 0.85 g/cm 3 or more, more preferably 0.90 g/cm 3 or more. When the tap density of the boron nitride powder is less than 0.85 g/cm 3, the percolation between the bulk boron nitride particles is not sufficient, resulting in a problem of lowering the thermal conductivity. The upper limit of the tap density of the boron nitride powder is not particularly limited, but considering the theoretical density of boron nitride (2.26 g/cm 3 ), the practical upper limit is considered to be a value of about 1.5 g/cm 3.

본 명세서에 있어서의 「탭 밀도」는, JIS R 1628 : 1997 에 준거하여 구해지는 값을 의미하고, 구체적으로는, 실시예에 기재된 방법으로 결정된다.The "tap density" in this specification means a value obtained in accordance with JIS R 1628:1997, and specifically, it is determined by the method described in Examples.

본 개시에 관련된 질화붕소 분말의 다른 실시형태는, 상기 (D) 내지 (F) 의 조건을 모두 만족하는, 신규 질화붕소 분말이다. 본 질화붕소 분말은, 바람직하게는 상기 서술한 괴상 질화붕소 입자를 포함한다.Another embodiment of the boron nitride powder according to the present disclosure is a novel boron nitride powder that satisfies all the conditions of the above (D) to (F). This boron nitride powder preferably contains the above-described bulk boron nitride particles.

본 개시에 관련된 질화붕소 분말의 열전도율은, 예를 들어, 10 W/(m·K) 이상으로 할 수 있다. 또, 본 개시에 관련된 질화붕소 분말은, 이것을 함유시켜 조제한 복수의 평가 샘플을 대상으로 하여 절연 파괴성을 평가했을 경우에, 40 ㎸/㎜ 의 전압하에서 절연 파괴되는 평가 샘플의 비율을 5 % 이하로 할 수 있다. 이와 같이 본 개시에 관련된 질화붕소 분말은, 높은 열전도율과 높은 절연 파괴 전압을 아울러 갖는다. 따라서 상기 질화붕소 분말은, 파워 디바이스 등의 발열성 전자 부품 (발열을 수반하는 전자 부품) 의 방열 부재로서 바람직하게 사용할 수 있고, 특히는 박막의 방열 부재를 형성하기 위한 원료로서 바람직하게 사용할 수 있다.The thermal conductivity of the boron nitride powder according to the present disclosure can be, for example, 10 W/(m·K) or more. In addition, when the boron nitride powder according to the present disclosure evaluates the dielectric breakdown property on a plurality of evaluation samples prepared by containing it, the ratio of the evaluation samples that undergo dielectric breakdown under a voltage of 40 kV/mm is 5% or less. can do. Thus, the boron nitride powder according to the present disclosure has both high thermal conductivity and high dielectric breakdown voltage. Therefore, the boron nitride powder can be preferably used as a heat dissipating member for heat-generating electronic parts (electronic parts accompanying heat generation) such as power devices, and particularly, can be preferably used as a raw material for forming a thin-film heat dissipating member. .

<괴상 질화붕소 입자를 포함하는 질화붕소 분말의 제조 방법><Production method of boron nitride powder containing bulk boron nitride particles>

본 발명에 관련된 괴상 질화붕소 입자를 포함하는 질화붕소 분말의 일 실시형태는, 괴상 질화붕소 입자를 포함하는 질화붕소 분말의 제조 방법으로서, 탄소량이 18.0 ∼ 21.0 질량% 인 탄화붕소를, 1800 ℃ 이상 또한 0.6 ㎫ 이상의 질소 분위기하에서 소성하여 제 1 소성물을 얻는 공정 (제 1 공정) 과, 상기 제 1 소성물을 산소 분압이 20 % 이상인 조건하에서 소성하여 산화 처리 분말을 얻는 공정 (제 2 공정) 과, 상기 산화 처리 분말과 붕소원을 혼합하고, 붕소를 함유하는 액상 성분을 상기 산화 처리 분말에 진공 함침시키는 공정 (제 3 공정) 과, 상기 액상 성분을 함침시킨 상기 산화 처리 분말을 1800 ℃ 이상의 질소 분위기하에서 가열 소성하여 제 2 소성물을 얻는 공정 (제 4 공정) 과, 상기 제 2 소성물을 분쇄하여 괴상 질화붕소 입자를 포함하는 질화붕소 분말을 얻는 공정 (제 5 공정) 을 포함한다. 상기 질화붕소 분말의 제조 방법은, 상기 서술한 괴상 질화붕소 입자가 조제되는 점에서, 괴상 질화붕소 입자의 제조 방법이라고 할 수도 있다. 제 1 공정 내지 제 5 공정의 각각에 대하여, 이하에 설명한다.One embodiment of the boron nitride powder containing the bulk boron nitride particles according to the present invention is a method for producing a boron nitride powder containing the bulk boron nitride particles, wherein the boron carbide having a carbon amount of 18.0 to 21.0 mass% is 1800°C or higher. Further, a step of firing in a nitrogen atmosphere of 0.6 MPa or more to obtain a first fired product (first step), and a step of firing the first fired product under conditions of an oxygen partial pressure of 20% or more to obtain an oxidized powder (second step) And, a step of mixing the oxidation treatment powder and a boron source, and vacuum impregnation of the oxidation treatment powder with a liquid component containing boron (third step); and a step of impregnating the oxidation treatment powder with the liquid component at 1800°C or higher. Heating and firing in a nitrogen atmosphere to obtain a second fired product (fourth process), and a process of pulverizing the second fired product to obtain boron nitride powder containing bulk boron nitride particles (a fifth process). The method for producing the boron nitride powder can also be referred to as a method for producing the bulk boron nitride particles, since the above-described bulk boron nitride particles are prepared. Each of the first to fifth steps will be described below.

[제 1 공정 : 가압 질화 소성 공정][First step: pressurized nitriding firing step]

제 1 공정에서는, 특정 탄화붕소를, 특정 소성 온도 및 특정 가압 조건의 질소 분위기하에서, 소성을 실시함으로써 탄질화붕소를 얻는다. 제 1 공정은, 예를 들어, 탄소량이 18.0 ∼ 21.0 질량% 인 탄화붕소를, 1800 ℃ 이상 또한 0.6 ㎫ 이상의 질소 분위기하에서 소성하여 제 1 소성물을 얻는 공정이다. 상기 제 1 소성물은, 탄질화붕소를 포함하고, 바람직하게는 탄질화붕소이다.In the first step, boron carbonitride is obtained by firing a specific boron carbide in a nitrogen atmosphere under a specific calcination temperature and a specific pressurization condition. The first step is, for example, a step of calcining boron carbide having a carbon amount of 18.0 to 21.0% by mass in a nitrogen atmosphere of 1800°C or higher and 0.6 MPa or higher to obtain a first calcined product. The first fired product contains boron carbonitride, preferably boron carbonitride.

(제 1 공정에 사용하는 탄화붕소)(Boron carbide used in the first step)

탄화붕소의 탄소량은, 조성식 B4C 로부터 구해지는 이론량 21.7 질량% 보다 낮은 것이 바람직하다. 탄화붕소의 탄소량은, 18.0 ∼ 21.0 질량% 의 범위이면 된다. 탄화붕소의 탄소량의 하한값은, 바람직하게는 19 질량% 이상이다. 탄화붕소의 탄소량의 상한값은, 바람직하게는 20.5 질량% 이하이다. 탄화붕소의 탄소량이 21 질량% 를 초과하여 지나치게 많으면, 후술하는 제 2 공정시에 휘발되는 탄소량이 지나치게 많아져, 치밀한 괴상 질화붕소 입자를 생성할 수 없고, 또 최종적으로 생기는 질화붕소의 탄소량이 지나치게 많아지는 문제도 발생하기 때문에 바람직하지 않다. 또 탄화붕소의 탄소량이 18.0 질량% 미만이 되는 안정적인 탄화붕소를 제작하는 것은 이론 조성과의 괴리가 지나치게 커져 통상적으로 곤란하다.It is preferable that the carbon amount of boron carbide is lower than 21.7 mass% of the theoretical amount calculated from the composition formula B 4 C. The carbon amount of boron carbide should just be in the range of 18.0-21.0 mass %. The lower limit of the carbon amount of boron carbide is preferably 19% by mass or more. The upper limit of the carbon amount of boron carbide is preferably 20.5% by mass or less. If the carbon amount of boron carbide exceeds 21% by mass and is too large, the amount of carbon volatilized during the second step to be described later becomes too large, and it is not possible to produce dense bulk boron nitride particles, and the carbon amount of boron nitride finally produced is excessive. It is not preferable because there are many problems. In addition, it is usually difficult to produce a stable boron carbide in which the carbon amount of boron carbide is less than 18.0 mass% because the deviation from the theoretical composition is too large.

탄화붕소에는, 불순물의 붕산이나 유리 탄소가, 불가피적인 것을 제외하고 포함되지 않거나, 또는 포함된다고 해도 소량인 것이 바람직하다.It is preferable that boron carbide does not contain impurity boric acid or free carbon except inevitable, or even if it is contained in a small amount.

탄화붕소의 평균 입경은, 최종적으로 얻어지는 괴상 질화붕소 입자의 평균 입경의 영향을 고려하여, 예를 들어, 8 ∼ 60 ㎛ 이면 된다. 탄화붕소의 평균 입경은, 바람직하게는 8 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 10 ㎛ 이상이다. 탄화붕소의 평균 입경이 8 ㎛ 이상임으로써, 생성되는 질화붕소 분말의 배향성 지수의 증대를 충분히 억제할 수 있다. 탄화붕소의 평균 입경의 상한값은, 바람직하게는 60 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 50 ㎛ 이하이면 된다. 탄화붕소의 평균 입경이 60 ㎛ 이하임으로써, 괴상 질화붕소 입자의 성장을 적당한 것으로 하여, 조대 입자의 생성을 억제할 수 있다.The average particle diameter of boron carbide may be, for example, 8 to 60 µm in consideration of the influence of the average particle diameter of the finally obtained bulk boron nitride particles. The average particle diameter of boron carbide is preferably 8 µm or more, and more preferably 10 µm or more. When the average particle diameter of boron carbide is 8 µm or more, an increase in the orientation index of the resulting boron nitride powder can be sufficiently suppressed. The upper limit of the average particle diameter of boron carbide is preferably 60 µm or less, more preferably 50 µm or less. When the average particle diameter of the boron carbide is 60 µm or less, the growth of the bulk boron nitride particles can be made appropriate, and generation of coarse particles can be suppressed.

탄화붕소는, 시판되는 것을 사용해도 되고, 별도로 조제한 것을 사용해도 된다. 탄화붕소를 조제하는 경우의 조제 방법에는, 공지된 조제 방법을 적용할 수 있으며, 원하는 평균 입경 및 탄소량의 탄화붕소를 얻을 수 있다.As the boron carbide, a commercially available one may be used, or a separately prepared one may be used. As a preparation method in the case of preparing boron carbide, a known preparation method can be applied, and boron carbide having a desired average particle diameter and carbon amount can be obtained.

탄화붕소의 조제 방법으로는, 예를 들어, 붕산과 아세틸렌 블랙을 혼합한 후, 불활성 가스 분위기 중, 1800 ∼ 2400 ℃ 에서, 1 ∼ 10 시간 가열하여, 탄화붕소 덩어리를 얻는 방법을 들 수 있다. 상기 조제 방법에 있어서, 얻어진 탄화붕소 덩어리를, 예를 들어, 분쇄, 체 분급, 세정, 불순물 제거, 및 건조 등을 적절히 실시해도 된다.As a method for preparing boron carbide, for example, after mixing boric acid and acetylene black, heating in an inert gas atmosphere at 1800 to 2400°C for 1 to 10 hours to obtain a boron carbide lump is mentioned. In the above preparation method, the obtained boron carbide lump may be appropriately subjected to, for example, pulverizing, sieving, washing, removing impurities, and drying.

탄화붕소의 원료인 붕산과 아세틸렌 블랙의 혼합은, 아세틸렌 블랙의 배합량이, 붕산 100 질량부에 대해, 예를 들어, 25 ∼ 40 질량부인 것이 바람직하다.In the mixing of boric acid and acetylene black, which is a raw material for boron carbide, it is preferable that the amount of acetylene black is, for example, 25 to 40 parts by mass based on 100 parts by mass of boric acid.

탄화붕소를 조제할 때의 분위기는, 바람직하게는 불활성 가스이다. 불활성 가스로서, 예를 들어, 아르곤 가스 및 질소 가스 등을 들 수 있다. 불활성 가스는, 아르곤 가스 및 질소 가스 등을 단독으로 또는 조합하여 사용할 수 있다. 불활성 가스는, 상기 가스 중, 바람직하게는 아르곤 가스이다.The atmosphere when preparing boron carbide is preferably an inert gas. Examples of the inert gas include argon gas and nitrogen gas. The inert gas can be used alone or in combination with argon gas and nitrogen gas. Among the gases, the inert gas is preferably argon gas.

탄화붕소 덩어리를 분쇄하는 경우에는, 일반적인 분쇄기 또는 해쇄기를 사용할 수 있다. 탄화붕소 덩어리의 분쇄 시간은, 예를 들어, 0.5 ∼ 3 시간 정도이면 된다. 탄화붕소 덩어리의 분쇄 시간이 상기 범위 내임으로써, 적절한 입경의 탄화붕소를 얻을 수 있다. 분쇄 후의 탄화붕소는, 예를 들어, 체망을 사용하여 입경 75 ㎛ 이하로 체 분급하는 것이 바람직하다.In the case of pulverizing the boron carbide lump, a general pulverizer or pulverizer can be used. The pulverization time of the boron carbide lump may be, for example, about 0.5 to 3 hours. When the pulverization time of the boron carbide lump is within the above range, boron carbide having an appropriate particle diameter can be obtained. The boron carbide after pulverization is preferably sieved to a particle diameter of 75 µm or less using a sieve, for example.

(제 1 공정에 있어서의 각종 조건)(Various conditions in the first step)

제 1 공정에 있어서의 소성 온도는 1800 ℃ 이상이고, 바람직하게는 1900 ℃ 이상이다. 또, 제 1 공정에 있어서의 소성 온도의 상한값은, 2400 ℃ 이하이고, 바람직하게는 2200 ℃ 이하이다. 제 1 공정에 있어서의 소성 온도는, 상기 서술한 범위 내로 조정할 수 있고, 예를 들어, 1800 ∼ 2200 ℃ 여도 된다.The firing temperature in the first step is 1800°C or higher, preferably 1900°C or higher. Moreover, the upper limit of the firing temperature in the first step is 2400°C or less, and preferably 2200°C or less. The firing temperature in the first step can be adjusted within the above-described range, and may be, for example, 1800 to 2200°C.

제 1 공정에 있어서의 압력은, 바람직하게는 0.6 ㎫ 이상이고, 보다 바람직하게는 0.7 ㎫ 이상이다. 또 제 1 공정에 있어서의 압력의 상한은, 바람직하게는 1.0 ㎫ 이하이고, 보다 바람직하게는 0.9 ㎫ 이하이다. 제 1 공정에 있어서의 압력은, 상기 서술한 범위 내로 조정할 수 있고, 예를 들어, 0.7 ∼ 1.0 ㎫ 이면 된다. 상기 압력이 0.6 ㎫ 이상으로 함으로써, 탄화붕소의 질화를 보다 충분히 진행시킬 수 있다. 또 비용면에서는, 압력은 1.0 ㎫ 이하인 것이 바람직하지만, 이 이상의 값으로 하는 것도 가능하기는 하다.The pressure in the first step is preferably 0.6 MPa or more, and more preferably 0.7 MPa or more. Moreover, the upper limit of the pressure in a 1st process becomes like this. Preferably it is 1.0 MPa or less, More preferably, it is 0.9 MPa or less. The pressure in the first step can be adjusted within the above-described range, and may be, for example, 0.7 to 1.0 MPa. When the said pressure is 0.6 MPa or more, nitriding of boron carbide can be advanced more fully. Further, from the viewpoint of cost, the pressure is preferably 1.0 MPa or less, but it is also possible to set the pressure to a value higher than this.

제 1 공정에 있어서의 소성 온도 및 압력 조건은, 바람직하게는, 소성 온도 1800 ∼ 2200 ℃ 또한 0.7 ∼ 1.0 ㎫ 이다. 소성 온도가 1800 ℃ 일 때에, 압력이 0.7 ㎫ 미만이면, 탄화붕소의 질화가 충분히 진행되지 않는 경우가 있다.The firing temperature and pressure conditions in the first step are preferably from 1800 to 2200°C and from 0.7 to 1.0 MPa of the firing temperature. When the firing temperature is 1800°C and the pressure is less than 0.7 MPa, the nitridation of boron carbide may not proceed sufficiently.

제 1 공정에 있어서의 분위기는, 탄화붕소의 질화 반응이 진행되는 가스 분위기이다. 제 1 공정에 있어서의 분위기로는, 예를 들어, 질소 가스 및 암모니아 가스 등을 들 수 있다. 질소 가스 및 암모니아 가스 등은, 단독으로 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 제 1 공정에 있어서의 분위기로는, 질화 용이성과 비용을 감안하여, 질소 가스가 바람직하다. 제 1 공정에 있어서의 분위기의 질소 가스의 함유량은, 바람직하게는 95 % (V/V) 이상이고, 보다 바람직하게는 99.9 % (V/V) 이상이다.The atmosphere in the first step is a gas atmosphere in which the nitridation reaction of boron carbide proceeds. Examples of the atmosphere in the first step include nitrogen gas and ammonia gas. Nitrogen gas, ammonia gas, and the like can be used alone or in combination of two or more. As the atmosphere in the first step, nitrogen gas is preferable in view of ease of nitriding and cost. The content of the nitrogen gas in the atmosphere in the first step is preferably 95% (V/V) or more, and more preferably 99.9% (V/V) or more.

제 1 공정에 있어서의 소성 시간은, 질화가 충분히 진행되는 것이라면 특별히 한정은 되지 않는다. 제 1 공정에 있어서의 소성 시간은, 바람직하게는 6 ∼ 30 시간이고, 보다 바람직하게는 8 ∼ 20 시간이다.The firing time in the first step is not particularly limited as long as the nitriding proceeds sufficiently. The firing time in the first step is preferably 6 to 30 hours, more preferably 8 to 20 hours.

[제 2 공정 : 산화 처리 공정][Second step: oxidation treatment step]

제 2 공정에서는, 제 1 공정에서 얻어진 탄질화붕소를 특정 분위기하에서 열처리하여, 저탄소량의 탄질화붕소를 얻는다. 제 2 공정은, 예를 들어, 상기 서술한 제 1 소성물을 산소 분압이 20 % 이상인 조건하에서 소성하여 산화 처리 분말을 얻는 공정이다. 상기 산화 처리 분말은, 제 1 공정에서 얻어진 탄질화붕소보다 탄소량이 낮은 탄질화붕소 (저탄소량의 탄질화붕소) 를 포함하고, 바람직하게는 저탄소량의 탄질화붕소이다.In the second step, the boron carbonitride obtained in the first step is heat-treated under a specific atmosphere to obtain boron carbonitride having a low carbon amount. The second step is, for example, a step of firing the first fired product described above under conditions in which oxygen partial pressure is 20% or more to obtain an oxidized powder. The oxidation treatment powder contains boron carbonitride (boron carbonitride having a low carbon amount) with a lower carbon amount than boron carbonitride obtained in the first step, and is preferably boron carbonitride having a low carbon amount.

제 2 공정은, 보다 구체적으로는, 제 1 공정에서 얻어진 탄질화붕소를, 20 % 이상의 산소 분압 분위기하에서, 후술하는 특정 온도 범위에서 일정 시간 유지하는 열처리를 실시함으로써, 탄질화붕소의 대부분의 탄소량을 산화하여 탈탄함으로써 저탄소량의 탄질화붕소 입자를 얻는 공정이면 된다. 즉 제 2 공정은, 탈탄 결정화 공정이라고 할 수 있으며, 탄질화붕소를 탈탄화시킴으로써 내부에 공극을 만들어, 이후의 공정에서 사용하는 붕소를 함유하는 액상 성분을 함침시키기 쉽게 함과 함께, 붕소를 함유하는 액상 성분의 사용량을 저감시킬 수 있다.In the second step, more specifically, the boron carbonitride obtained in the first step is subjected to a heat treatment in which the boron carbonitride obtained in the first step is kept in a specific temperature range described later for a certain period of time under an oxygen partial pressure atmosphere of 20% or more. A step of obtaining low-carbon boron carbonitride particles by oxidizing and decarburizing a small amount may be sufficient. That is, the second process can be referred to as a decarburization crystallization process, and it contains boron while making voids inside by decarbonizing boron carbonitride, making it easier to impregnate the liquid component containing boron used in the subsequent process. It is possible to reduce the amount of the liquid component used.

제 2 공정에 있어서의 산소 분압은, 전압에 대해, 20 % 이상이고, 바람직하게는 30 % 이상이다. 대기보다 산소 분압이 높은 조건에서 탄질화붕소를 처리함으로써 저온에서 탈탄을 실시할 수 있다. 또 탄질화붕소의 산화 처리를 저온에서 실시할 수 있기 때문에, 탄질화붕소 자체의 과잉의 산화를 방지할 수 있다.The oxygen partial pressure in the second step is 20% or more, preferably 30% or more with respect to the voltage. Decarburization can be performed at low temperatures by treating boron carbonitride under conditions where the oxygen partial pressure is higher than that of the atmosphere. Further, since the oxidation treatment of boron carbonitride can be performed at a low temperature, excessive oxidation of boron carbonitride itself can be prevented.

제 2 공정에 있어서의 가열 온도 (산화 온도) 의 상한은, 바람직하게는 950 ℃ 이하이고, 보다 바람직하게는 900 ℃ 이하이다. 또 제 2 공정에 있어서의 가열 온도의 하한은, 바람직하게는 450 ℃ 이상이고, 보다 바람직하게는 500 ℃ 이상이다. 가열 온도가 450 ℃ 이상임으로써 탄질화붕소의 탈탄을 보다 충분히 진행시킬 수 있다. 가열 온도가 950 ℃ 이하임으로써, 탄질화붕소 자체의 산화를 보다 충분히 억제할 수 있다.The upper limit of the heating temperature (oxidation temperature) in the second step is preferably 950°C or less, and more preferably 900°C or less. Moreover, the lower limit of the heating temperature in the second step is preferably 450°C or higher, and more preferably 500°C or higher. When the heating temperature is 450° C. or higher, the decarburization of boron carbonitride can be more sufficiently advanced. When the heating temperature is 950°C or less, oxidation of boron carbonitride itself can be more sufficiently suppressed.

제 2 공정에 있어서의 소성 시간은, 산화가 충분히 진행되는 것이라면 특별히 한정은 되지 않는다. 제 2 공정에 있어서의 소성 시간은, 바람직하게는 3 ∼ 25 시간이고, 보다 바람직하게는 5 ∼ 20 시간이다.The firing time in the second step is not particularly limited as long as the oxidation proceeds sufficiently. The firing time in the second step is preferably 3 to 25 hours, more preferably 5 to 20 hours.

[제 3 공정 : 함침 처리 공정][3rd process: impregnation treatment process]

제 3 공정에서는, 제 2 공정에서 얻어진 저탄소량의 탄질화붕소를, 붕소원이 되는 붕소를 함유하는 성분과 혼합한 후, 붕소를 함유하는 액상 성분을 함침시킨다. 제 3 공정은, 예를 들어, 상기 산화 처리 분말과 붕소원을 혼합하고, 붕소를 함유하는 액상 성분을 상기 산화 처리 분말에 진공 함침시키는 공정이다.In the third step, the low-carbon boron carbonitride obtained in the second step is mixed with a component containing boron serving as a boron source, and then a liquid component containing boron is impregnated. The third step is, for example, a step of mixing the oxidized powder and a boron source, and vacuum impregnating the oxidized powder with a liquid component containing boron.

제 3 공정은, 보다 구체적으로는, 제 2 공정에서 얻어진 저탄소량의 탄질화붕소를, 붕소원이 되는 붕소를 함유하는 성분과 혼합한 후, 진공 분위기에서, 후술하는 특정 온도 범위에서 일정 시간 유지하는 열처리를 실시함으로써, 붕소를 함유하는 액상 성분과 저탄소량의 탄질화붕소를 균일하게, 또한 저탄소량의 탄질화붕소 중의 공극에 붕소를 함유하는 액상 성분을 함침시킨 혼합물을 얻는 공정이면 된다.In the third step, more specifically, after mixing the low-carbon boron carbonitride obtained in the second step with a component containing boron serving as a boron source, it is maintained for a certain period of time in a specific temperature range described later in a vacuum atmosphere. It may be a step of obtaining a mixture obtained by impregnating a liquid component containing boron and a low carbon amount of boron carbonitride uniformly and impregnating the liquid component containing boron in the voids in the low carbon amount of boron carbonitride by performing the heat treatment.

제 3 공정에 있어서는 원료로서, 제 2 공정에서 얻어진 저탄소량의 탄질화붕소에, 붕소원을 혼합하여 추가로 탈탄 결정화를 실시한다. 붕소원으로는, 예를 들어, 붕산, 및 산화붕소 등을 들 수 있다. 붕소원은, 붕산 및 산화붕산 등을 단독으로 또는 조합하여 사용할 수 있다. 제 3 공정에서는, 저탄소량의 탄질화붕소 및 붕소원에 더하여, 필요에 따라, 당해 기술 분야에 있어서 사용되는 첨가물을 추가로 혼합해도 된다.In the third step, as a raw material, a boron source is mixed with the low-carbon boron carbonitride obtained in the second step, and further decarburization crystallization is performed. Examples of the boron source include boric acid and boron oxide. The boron source can be used alone or in combination with boric acid and boric acid oxide. In the third step, in addition to the low-carbon amount of boron carbonitride and the boron source, if necessary, an additive used in the technical field may be further mixed.

탄질화붕소와 붕소원의 혼합 비율은, 몰비에 따라 적절히 설정 가능하다. 붕소원으로서 붕산 또는 산화붕소를 사용하는 경우, 붕산 및 산화붕소의 합계의 배합량은, 탄질화붕소 100 질량부를 기준으로 하여, 예를 들어, 바람직하게는 10 ∼ 100 질량부이고, 보다 바람직하게는 20 ∼ 80 질량부이다. 또, 필요에 따라, 보조제를 혼합해도 된다. 보조제로는, 예를 들어, 탄산나트륨 등을 들 수 있다.The mixing ratio of the boron carbonitride and the boron source can be appropriately set depending on the molar ratio. When using boric acid or boron oxide as the boron source, the total blending amount of boric acid and boron oxide is based on 100 parts by mass of boron carbonitride, for example, preferably 10 to 100 parts by mass, more preferably It is 20 to 80 parts by mass. Moreover, you may mix an auxiliary agent as needed. As an auxiliary agent, sodium carbonate etc. are mentioned, for example.

제 3 공정에 있어서의 소성 온도는, 함침이 충분히 진행되는 것이라면 특별히 한정은 되지 않는다. 제 3 공정에 있어서의 소성 온도는, 바람직하게는 200 ∼ 500 ℃ 이고, 보다 바람직하게는 250 ∼ 450 ℃ 이고, 더욱 바람직하게는 300 ∼ 400 ℃ 이다. 제 3 공정에 있어서의 소성 온도가 200 ℃ 이상임으로써, 붕소를 함유하는 액상 성분을 보다 충분히 탄질화붕소 내에 함침시킬 수 있다. 제 3 공정에 있어서의 소성 온도가 500 ℃ 이하임으로써, 붕소를 함유하는 액상 성분의 휘발을 억제할 수 있다.The firing temperature in the third step is not particularly limited as long as the impregnation proceeds sufficiently. The firing temperature in the third step is preferably 200 to 500°C, more preferably 250 to 450°C, and still more preferably 300 to 400°C. When the firing temperature in the third step is 200°C or higher, the liquid component containing boron can be more sufficiently impregnated in boron carbonitride. When the firing temperature in the third step is 500°C or less, volatilization of the liquid component containing boron can be suppressed.

제 3 공정에 있어서의 진공도는, 바람직하게는 1 ∼ 1000 ㎩ 이다. 제 3 공정에 있어서의 처리 시간은, 바람직하게는 10 분간 ∼ 2 시간이고, 보다 바람직하게는 20 분간 ∼ 1 시간이다. 또 비용의 관계상, 제 3 공정과 후술하는 제 4 공정은 연속으로 실시하는 것이 바람직하지만, 각각 따로따로 실시해도 상관없다.The degree of vacuum in the third step is preferably 1 to 1000 Pa. The treatment time in the third step is preferably from 10 minutes to 2 hours, more preferably from 20 minutes to 1 hour. Moreover, although it is preferable to perform the 3rd process and the 4th process mentioned later in relation to cost continuously, it does not matter even if it implements each separately.

[제 4 공정 : 결정화 공정][4th process: crystallization process]

제 4 공정에서는, 제 3 공정에서 얻어진 붕소 함유 액상 성분과 저탄소량의 탄질화붕소의 혼합물을, 질소 분위기하에서 가열 소성하여 제 2 소성물을 얻는다. 제 4 공정은, 1800 ℃ 이상의 질소 분위기하에서 가열 소성하여 제 2 소성물을 얻는 공정이다.In the fourth step, the mixture of the boron-containing liquid component obtained in the third step and the low-carbon boron carbonitride is heated and fired in a nitrogen atmosphere to obtain a second fired product. The 4th process is a process of obtaining a 2nd fired product by heat-baking in a nitrogen atmosphere of 1800 degreeC or more.

제 4 공정은, 보다 구체적으로는, 제 3 공정에서 얻어진 붕소를 함유하는 액상 성분과, 저탄소량의 탄질화붕소의 혼합물을, 상압 이상의 질소 분위기하에서, 특정 승온 속도로 유지 온도가 될 때까지 승온을 실시하고, 특정 온도 범위에서 일정 시간 유지하는 열처리를 실시함으로써, 1 차 입자가 응집되어 괴상이 된 괴상 질화붕소 입자 및 그 응집물을 얻을 수 있다. 즉, 제 4 공정에 있어서는, 탄질화붕소를 결정화시켜, 소정 크기의 인편상이 되게 하면서, 이것들을 균일하게 응집시켜 괴상 질화붕소 입자로 할 수 있다.In the fourth step, more specifically, a mixture of a liquid component containing boron obtained in the third step and a low-carbon boron carbonitride mixture is heated in a nitrogen atmosphere of a normal pressure or higher until the holding temperature is reached at a specific temperature rising rate. By carrying out heat treatment and holding it in a specific temperature range for a certain period of time, it is possible to obtain bulk boron nitride particles in which primary particles are agglomerated to form a lump and aggregates thereof. That is, in the fourth step, boron carbonitride is crystallized to form scales of a predetermined size, and these can be uniformly agglomerated to obtain bulk boron nitride particles.

제 4 공정에 있어서의 질소 분위기의 압력은, 상압 (대기압) 이어도 되고, 가압되어 있어도 된다. 가압하는 경우의 질소 분위기의 압력은, 예를 들어, 바람직하게는 0.5 ㎫ 이하이고, 보다 바람직하게는 0.3 ㎫ 이하이다.The pressure of the nitrogen atmosphere in the fourth step may be normal pressure (atmospheric pressure) or may be pressurized. The pressure of the nitrogen atmosphere in the case of pressurization is, for example, preferably 0.5 MPa or less, and more preferably 0.3 MPa or less.

제 4 공정에 있어서는, 소성의 유지 온도에 도달시킬 때의 승온 속도를 조정해도 된다. 제 4 공정에 있어서의 유지 온도로 승온해 갈 때의 승온 속도는, 예를 들어, 바람직하게는 5 ℃/분 (즉, 섭씨도 매분) 이하이고, 보다 바람직하게는 4 ℃/분 이하이고, 더욱 바람직하게는 3 ℃/분 이하이고, 더욱더 바람직하게는 2 ℃/분 이하이다.In the 4th process, you may adjust the temperature increase rate at the time of reaching the holding|maintenance temperature of baking. The rate of temperature increase when heating up to the holding temperature in the fourth step is, for example, preferably 5°C/min (that is, Celsius degree per minute) or less, and more preferably 4°C/min or less, It is more preferably 3° C./min or less, and even more preferably 2° C./min or less.

상기 서술한 승온 후의 유지 온도는, 1800 ℃ 이상이고, 바람직하게는 2000 ℃ 이상이다. 또 유지 온도의 상한값은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 2200 ℃ 이하이고, 보다 바람직하게는 2100 ℃ 이하이다. 유지 온도가 1800 ℃ 미만으로 지나치게 낮으면, 입성장이 충분히 일어나지 않아, 질화붕소 분말의 열전도율이 저하될 우려가 있다. 한편, 유지 온도가 1800 ℃ 이상이면, 입성장이 양호하게 일어나기 쉬워, 열전도율이 향상되기 쉽다는 효과를 나타낸다.The holding temperature after the above-described temperature rise is 1800°C or higher, preferably 2000°C or higher. In addition, the upper limit of the holding temperature is not particularly limited, but is preferably 2200°C or less, and more preferably 2100°C or less. If the holding temperature is too low (below 1800°C), grain growth does not occur sufficiently, and the thermal conductivity of the boron nitride powder may be lowered. On the other hand, when the holding temperature is 1800°C or higher, grain growth is likely to occur favorably, and the effect that the thermal conductivity is easily improved is obtained.

유지 온도에 있어서의 유지 시간은, 결정화가 충분히 진행되는 것이라면 특별히 한정은 되지 않는다. 유지 온도에 있어서의 유지 시간은, 바람직하게는 0.5 시간 초과이고, 보다 바람직하게는 1 시간 이상이고, 더욱 바람직하게는 3 시간 이상이고, 더욱더 바람직하게는 5 시간 이상이고, 더욱더 또 바람직하게는 10 시간 이상이다. 또 유지 시간의 상한값은, 바람직하게는 40 시간 미만이고, 보다 바람직하게는 30 시간 이하, 더욱 바람직하게는 20 시간 이하이다. 유지 시간이 0.5 시간 초과인 경우에는 입성장이 양호하게 일어날 것이 기대된다. 또 유지 시간이 40 시간 미만이면, 입성장이 지나치게 진행되어 압괴 강도가 저하되는 것을 저감시킬 수 있고, 또, 소성 시간이 긺으로써 공업적으로도 불리해지는 것도 저감시킬 수 있을 것으로 기대할 수 있다. 유지 온도에 있어서의 유지 시간은, 상기 서술한 범위 내에서 조정할 수 있고, 바람직하게는 0.5 시간 초과 40 시간 미만이고, 보다 바람직하게는 1 ∼ 30 시간이다.The holding time at the holding temperature is not particularly limited as long as crystallization proceeds sufficiently. The holding time at the holding temperature is preferably more than 0.5 hours, more preferably 1 hour or more, still more preferably 3 hours or more, even more preferably 5 hours or more, and even more preferably 10 It's more than an hour. Moreover, the upper limit of the holding time becomes like this. Preferably it is less than 40 hours, More preferably, it is 30 hours or less, More preferably, it is 20 hours or less. When the holding time exceeds 0.5 hours, it is expected that grain growth will occur satisfactorily. In addition, if the holding time is less than 40 hours, it can be expected that grain growth proceeds excessively and the crush strength decreases, and also industrially disadvantageous due to a longer firing time can be expected to be reduced. The holding time at the holding temperature can be adjusted within the above-described range, preferably more than 0.5 hours and less than 40 hours, and more preferably 1 to 30 hours.

[제 5 공정 : 분쇄 공정][Fifth process: grinding process]

제 5 공정에서는, 제 4 공정에 있어서 조제된 제 2 소성물을 분쇄하여 입도를 조정한다. 제 4 공정은, 예를 들어, 상기 서술한 제 2 소성물을 분쇄하여, 괴상 질화붕소 입자를 포함하는 질화붕소 분말을 얻는 공정이다. 분쇄에는, 일반적인 분쇄기 또는 해쇄기를 사용할 수 있다. 분쇄기 또는 해쇄기로는, 예를 들어, 볼 밀, 진동 밀, 및 제트 밀 등을 들 수 있다. 또한 본 명세서에 있어서의 「분쇄」는, 「해쇄」도 포함하는 것으로 한다.In the fifth step, the second fired product prepared in the fourth step is pulverized to adjust the particle size. The fourth step is, for example, a step of pulverizing the above-described second fired product to obtain boron nitride powder containing bulk boron nitride particles. For pulverization, a general pulverizer or pulverizer can be used. Examples of the crusher or crusher include a ball mill, a vibration mill, and a jet mill. In addition, "pulverization" in this specification shall also include "disintegration".

<수지 조성물 : 열전도 수지 조성물><Resin composition: Thermally conductive resin composition>

본 개시에 관련된 수지 조성물의 일 실시형태는, 수지와, 상기 서술한 질화붕소 분말을 포함한다. 당해 수지 조성물은, 열전도성을 발휘할 수 있는 점에서 열전도 수지 조성물이라고도 한다. 열전도 수지 조성물은, 예를 들어, 이하의 방법으로 조제할 수 있다. 열전도 수지 조성물의 조제 방법은, 예를 들어, 상기 서술한 질화붕소 분말을 수지에 혼합하는 공정을 갖는다. 이 열전도 수지 조성물의 조제 방법에는, 공지된 수지 조성물의 제조 방법을 사용할 수 있다. 얻어진 열전도 수지 조성물은, 예를 들어, 방열 부재 등에 폭넓게 사용할 수 있다.One embodiment of the resin composition according to the present disclosure contains a resin and the above-described boron nitride powder. The resin composition is also referred to as a thermally conductive resin composition because it can exhibit thermal conductivity. The heat conductive resin composition can be prepared, for example, by the following method. The preparation method of the thermally conductive resin composition has, for example, a step of mixing the above-described boron nitride powder with a resin. For the preparation method of this thermally conductive resin composition, a known method for producing a resin composition can be used. The obtained thermally conductive resin composition can be widely used, for example, in a heat dissipating member or the like.

(수지)(Suzy)

열전도 수지 조성물에 사용하는 수지로는, 예를 들어, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 실리콘 고무, 아크릴 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지, 우레아 수지, 불포화 폴리에스테르, 시아네이트 수지, 벤조옥사진 수지, 불소 수지, 폴리아미드, 폴리이미드 (예를 들어, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르이미드 등), 폴리에스테르 (예를 들어, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등), 폴리페닐렌에테르, 폴리페닐렌술파이드, 전방향족 폴리에스테르, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 액정 폴리머, 폴리카보네이트, 말레이미드 변성 수지, ABS 수지, AAS 수지 (아크릴로니트릴-아크릴 고무·스티렌 수지), AES 수지 (아크릴로니트릴·에틸렌·프로필렌·디엔 고무-스티렌 수지) 등을 사용할 수 있다.Examples of resins used in the thermally conductive resin composition include epoxy resins, silicone resins, silicone rubbers, acrylic resins, phenolic resins, melamine resins, urea resins, unsaturated polyesters, cyanate resins, benzoxazine resins, and fluorine resins. , Polyamide, polyimide (e.g., polyimide, polyamideimide, polyetherimide, etc.), polyester (e.g., polybutylene terephthalate, polyethylene terephthalate, etc.), polyphenylene ether, polyphenyl Rensulfide, wholly aromatic polyester, polysulfone, polyethersulfone, liquid crystal polymer, polycarbonate, maleimide modified resin, ABS resin, AAS resin (acrylonitrile-acrylic rubber/styrene resin), AES resin (acrylonitrile Ethylene/propylene/diene rubber-styrene resin), etc. can be used.

수지는, 특히 에폭시 수지 (바람직하게는 나프탈렌형 에폭시 수지) 또는 실리콘 수지가 바람직하다. 에폭시 수지를 포함하는 열전도 수지 조성물은, 내열성과 동박 회로에 대한 접착 강도가 우수한 점에서, 프린트 배선판의 절연층으로서 바람직하다. 또, 실리콘 수지를 포함하는 열전도 수지 조성물은, 내열성, 유연성 및 히트 싱크 등에 대한 밀착성이 우수한 점에서, 열 인터페이스재로서 바람직하다.The resin is particularly preferably an epoxy resin (preferably a naphthalene-type epoxy resin) or a silicone resin. The heat conductive resin composition containing an epoxy resin is preferable as an insulating layer of a printed wiring board from the viewpoint of excellent heat resistance and adhesive strength to a copper foil circuit. Further, a heat conductive resin composition containing a silicone resin is preferable as a thermal interface material from the viewpoint of excellent heat resistance, flexibility, and adhesion to a heat sink.

에폭시 수지를 사용하는 경우의 경화제로는, 구체적으로는, 페놀노볼락 수지, 산무수물 수지, 아미노 수지, 및 이미다졸류 등을 들 수 있다. 이 중, 경화제는, 바람직하게는 이미다졸류이다. 이 경화제의 배합량은, 원료 (모노머) 100 질량부에 대해, 바람직하게는 0.5 ∼ 15 질량부이고, 보다 바람직하게는 1.0 ∼ 10 질량부이다.Specific examples of the curing agent in the case of using an epoxy resin include a phenol novolak resin, an acid anhydride resin, an amino resin, and imidazoles. Among these, the curing agent is preferably imidazoles. The blending amount of this curing agent is preferably 0.5 to 15 parts by mass, more preferably 1.0 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the raw material (monomer).

질화붕소 분말의 함유량은, 열전도 수지 조성물 100 체적% 를 기준으로 하여, 바람직하게는 30 ∼ 85 체적% 이고, 보다 바람직하게는 40 ∼ 80 체적% 이다. 질화붕소 분말의 함유량이 30 체적% 이상이면, 열전도율을 보다 향상시킬 수 있어, 보다 충분한 방열 성능이 얻어지기 쉽다. 또 질화붕소 분말의 함유량이 85 체적% 이하이면, 방열 부재 등으로의 성형시에 공극 등이 생기는 것을 저감시킬 수 있고, 절연성 및 기계 강도의 저하를 보다 저감시킬 수 있다.The content of the boron nitride powder is preferably 30 to 85% by volume, and more preferably 40 to 80% by volume based on 100% by volume of the thermally conductive resin composition. When the content of the boron nitride powder is 30% by volume or more, the thermal conductivity can be further improved, and more sufficient heat dissipation performance is likely to be obtained. Moreover, when the content of the boron nitride powder is 85% by volume or less, it is possible to reduce the occurrence of voids and the like during molding into a heat dissipating member or the like, and further reduce the decrease in insulation properties and mechanical strength.

<방열 부재><heat radiating member>

방열 부재의 일 실시형태는, 상기 서술한 수지 조성물 (열전도 수지 조성물) 을 사용한 부재이다. 방열 부재는, 바람직하게는 상기 서술한 수지 조성물의 경화물을 포함한다.One embodiment of the heat dissipation member is a member using the resin composition (thermal conductive resin composition) described above. The heat dissipation member preferably contains the cured product of the resin composition described above.

이상, 몇 가지 실시형태에 대하여 설명했지만, 본 개시는 상기 실시형태에 전혀 한정되는 것은 아니다. 또, 상기 서술한 실시형태에 대한 설명 내용은, 서로 적용할 수 있다.As described above, several embodiments have been described, but the present disclosure is not limited to the above embodiments at all. In addition, the description of the above-described embodiment can be applied to each other.

실시예Example

이하, 본 개시에 대하여, 실시예 및 비교예에 의해 상세하게 설명한다. 또한, 본 개시는 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present disclosure will be described in detail with reference to Examples and Comparative Examples. In addition, the present disclosure is not limited to the following examples.

각종 측정 방법은, 이하와 같다.Various measurement methods are as follows.

(1) 괴상 질화붕소 입자의 단면에 있어서의 1 차 입자의 면적 비율의 평균값 및 표준 편차(1) The average value and standard deviation of the area ratio of the primary particles in the cross section of the bulk boron nitride particles

괴상 질화붕소 입자의 단면에 있어서의 1 차 입자 (질화붕소 입자) 의 면적 비율의 평균값 및 표준 편차는 이하와 같이 측정하였다. 먼저, 제작한 괴상 질화붕소 분말에 대해, 관찰의 전처리로서, 괴상 질화붕소 입자를 에폭시 수지로 포매하였다. 다음으로, CP (크로스 섹션 폴리셔) 법에 의해 단면 노출 가공하고, 시료대에 고정시켰다. 고정 후, 상기 단면의 오스뮴 코팅을 실시하였다.The average value and standard deviation of the area ratio of the primary particles (boron nitride particles) in the cross section of the bulk boron nitride particles were measured as follows. First, for the produced bulk boron nitride powder, as a pretreatment for observation, bulk boron nitride particles were embedded with an epoxy resin. Next, it was subjected to cross-section exposure processing by the CP (cross section polisher) method and fixed to the sample stand. After fixing, osmium coating of the cross-section was performed.

단면 관찰은, 주사형 전자 현미경 (니혼 전자 주식회사 제조, 「JSM-6010LA」) 을 사용하여 관찰 배율 : 2000 ∼ 5000 배로 실시하였다. 얻어진 괴상 질화붕소 입자의 단면 화상을 화상 해석 소프트웨어 (주식회사 마운텍크 제조, 「Mac-view」) 에 입력하고, 괴상 질화붕소 입자의 단면 화상 내의 임의의 10 ㎛ × 10 ㎛ 의 영역에 있어서의 1 차 입자 (질화붕소 입자) 의 면적 비율을 산출하였다. 마찬가지로 50 시야 이상의 지점에 있어서 1 차 입자의 면적 비율을 산출하고, 그 평균값을, 1 차 입자의 면적 비율 평균값으로 하였다. 동일한 수법으로, 1 차 입자의 면적 비율의 표준 편차를 산출하고, 그 값을, 1 차 입자의 면적 비율의 표준 편차로 하였다. 실시예 1 에서 조제한 괴상 질화붕소의 단면의 SEM 이미지를 도 1 에 나타낸다.The cross-sectional observation was performed using a scanning electron microscope (manufactured by Nippon Electronics Co., Ltd., "JSM-6010LA") at an observation magnification: 2000 to 5000 times. The cross-sectional image of the obtained bulk boron nitride particles is input into image analysis software (manufactured by Mountek Co., Ltd., "Mac-view"), and the primary in an arbitrary 10 µm × 10 µm area in the cross-sectional image of the bulk boron nitride particles The area ratio of the particles (boron nitride particles) was calculated. Similarly, the area ratio of the primary particles was calculated at a point of 50 visual fields or more, and the average value was taken as the average value of the area ratio of the primary particles. By the same method, the standard deviation of the area ratio of the primary particles was calculated, and the value was taken as the standard deviation of the area ratio of the primary particles. Fig. 1 shows a SEM image of a cross section of the bulk boron nitride prepared in Example 1.

또한, 괴상 질화붕소 입자의 내부 구조를 나타내는 파라미터로서, 수은 포로시미터 등에 의한 세공경 분포 측정이 있다. 그러나, 괴상 질화붕소 입자와 같은 응집 입자의 집합체인 분말에 대한 세공경 분포 측정으로 얻어진 결과에 있어서는, 응집 입자 사이와 응집 입자 내부의 명료한 구별이 어렵다. 또한, 세공경 분포 측정 중에 응집 입자 자체가 붕괴될 가능성이 있어, 응집 입자 단면에 대한 전자 현미경 관찰의 결과와 반드시 일치하지는 않는다. 또, 상기 서술한 바와 같은 세공경 분포 측정에 의해 얻어지는 결과와, 얻어지는 질화붕소 분말의 절연 특성 및 방열 특성은 반드시 상관이 없는 것은 아니다. 그래서, 본 개시에 있어서는, 상기 서술한 바와 같이 화상 해석에 의한 평가법을 채용하고 있다.Further, as a parameter indicating the internal structure of the bulk boron nitride particles, there is a measurement of pore size distribution by a mercury porosimeter or the like. However, in the results obtained by measuring the pore diameter distribution of a powder, which is an aggregate of aggregated particles such as bulk boron nitride particles, it is difficult to clearly distinguish between the aggregated particles and the inside of the aggregated particles. In addition, there is a possibility that the agglomerated particles themselves may collapse during the pore diameter distribution measurement, and this does not necessarily match the result of electron microscopic observation of the agglomerated particle cross section. In addition, the result obtained by the pore diameter distribution measurement as described above and the insulating property and heat dissipation property of the boron nitride powder obtained are not necessarily correlated. Therefore, in the present disclosure, an evaluation method based on image analysis is employed as described above.

(2) 괴상 질화붕소 입자의 압괴 강도(2) crush strength of bulk boron nitride particles

압괴 강도는, JIS R1639-5 : 2007 에 준하여 측정하였다. 측정 장치로는, 미소 압축 시험기 (주식회사 시마즈 제작소사 제조, 「MCT-W500」) 를 사용하였다. 압괴 강도 (σ : 단위 ㎫) 는, 입자 내의 위치에 따라 변화하는 무차원수 (α = 2.48) 와 압괴 시험력 (P : 단위 N) 과 입자경 (d : 단위 ㎛) 으로부터σ = α × P/(π × d2) 의 식을 이용하여 산출되는 값이다. 구체적으로는, 입자를 바꾸어 20 입자 이상에 대해 동일한 측정을 실시하고, 그 평균값을 압괴 강도로 하였다.The crush strength was measured according to JIS R1639-5:2007. As a measuring device, a micro compression tester (manufactured by Shimadzu Corporation, "MCT-W500") was used. The crush strength (σ: unit ㎫) is from the dimensionless number (α = 2.48) that varies depending on the position in the particle, the crush test force (P: unit N) and the particle diameter (d: unit µm), σ = α × P/( It is a value calculated using the formula of π × d 2 ). Specifically, the same measurement was performed for 20 particles or more by changing the particles, and the average value was taken as the crush strength.

(3) 1 차 입자의 애스펙트비(3) aspect ratio of primary particles

인편상의 육방정 질화붕소의 1 차 입자에 있어서의 애스펙트비 (장경과 두께의 비 : 장경의 길이/두께) 는, 일본 공개특허공보 2007-308360 의 방법에 준거하여 실시하였다. 구체적으로는, 괴상 질화붕소 입자의 표면의 전자 현미경 사진으로부터, 1 차 입자의 장경 (전체 길이) 과 두께가 확인되는 100 점 이상의 1 차 입자를 선정하고, 그 장경과 두께를 측정하였다. 측정 결과로부터 두께에 대한 장경의 비를 산출하고, 그 평균값을 1 차 입자의 애스펙트비로 하였다.The aspect ratio (ratio of long diameter and thickness: length/thickness of long diameter) of the scale-shaped hexagonal boron nitride primary particles was carried out in accordance with the method of Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2007-308360. Specifically, from the electron micrograph of the surface of the bulk boron nitride particles, 100 or more primary particles in which the major diameter (total length) and thickness of the primary particles are confirmed were selected, and the major diameter and thickness were measured. The ratio of the long diameter to the thickness was calculated from the measurement result, and the average value was taken as the aspect ratio of the primary particles.

(4) 질화붕소 분말의 평균 입경(4) Average particle diameter of boron nitride powder

질화붕소 분말의 평균 입경은, ISO 13320 : 2009 에 준거하고, 레이저 회절 산란법 입도 분포 측정 장치 (베크만 쿨터 주식회사 제조, 「LS-13 320」) 를 사용하여, 측정하였다. 단, 측정 처리 전에 시료에 호모게나이저를 통과시키지 않고 측정하였다. 본 평균 입경은, 누적 입도 분포의 누적값 50 % 의 입경 (메디안 직경, d50) 이다. 입도 분포 측정시에, 그 응집체를 분산시키는 용매에는 물을 사용하고, 분산제에는 헥사메타인산을 사용하였다. 이 때 물의 굴절률에는 1.33 을 사용하고, 또, 질화붕소 분말의 굴절률에 대해서는 1.80 의 수치를 사용하였다.The average particle diameter of the boron nitride powder was measured in accordance with ISO 13320:2009, using a laser diffraction scattering method particle size distribution measuring device (manufactured by Beckman Coulter Co., Ltd., "LS-13 320"). However, it was measured without passing a homogenizer through the sample before the measurement treatment. This average particle diameter is a particle diameter (median diameter, d50) of 50% of the cumulative value of the cumulative particle size distribution. In the particle size distribution measurement, water was used as a solvent for dispersing the aggregate, and hexametaphosphoric acid was used as a dispersant. At this time, 1.33 was used for the refractive index of water, and a numerical value of 1.80 was used for the refractive index of boron nitride powder.

(5) 질화붕소 분말의 배향성 지수(5) Orientation index of boron nitride powder

질화붕소 분말의 배향성 지수는, X 선 회절 장치 (주식회사 리가쿠 제조, 「ULTIMA-IV」) 를 사용하여 측정하였다. 부속되는 유리 셀 상에 질화붕소 분말을 굳혀 시료를 제작하고, 시료에 X 선을 조사하여, (002) 면과 (100) 면의 피크 강도비 [I(002)/I(100)] 을 산출하고, 이것을 배향성 지수로서 평가하였다.The orientation index of the boron nitride powder was measured using an X-ray diffraction apparatus (manufactured by Rigaku Co., Ltd., "ULTIMA-IV"). A sample was prepared by hardening boron nitride powder on the attached glass cell, and the sample was irradiated with X-rays to calculate the peak intensity ratio [I(002)/I(100)] of the (002) plane and the (100) plane. And evaluated this as an orientation index.

(6) 질화붕소 분말의 탭 밀도(6) Tap density of boron nitride powder

질화붕소 분말의 탭 밀도는, JIS R 1628 : 1997 에 준거하여 측정하였다. 측정은, 시판되는 장치를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 질화붕소 분말을 100 ㎤ 의 전용 용기에 충전하고, 탭핑 타임 180 초, 탭핑 횟수 180 회, 탭 리프트 18 ㎜ 의 조건에서 탭핑을 실시한 후의 부피 밀도를 측정하고, 얻어진 값을 탭 밀도로 하였다.The tap density of the boron nitride powder was measured according to JIS R 1628:1997. For the measurement, a commercially available device can be used. Specifically, the boron nitride powder was filled in a 100 cm 3 dedicated container, and the bulk density after tapping was performed under the conditions of a tapping time of 180 seconds, a tapping frequency of 180 times, and a tap lift of 18 mm, and the obtained value as a tap density. I did.

(7) 열전도율(7) Thermal conductivity

열전도율은, 질화붕소 분말을 포함한 열전도 수지 조성물로부터 제작한 시트를 측정용 시료로 하여 측정하였다. 열전도율 (H : 단위 W/(m·K)) 은, 열확산율 (A : 단위 ㎡/초), 밀도 (B : 단위 ㎏/㎥), 및 비열 용량 (C : 단위 J/(㎏·K)) 으로부터, H = A × B × C 의 식에 기초하여 산출하였다.The thermal conductivity was measured using a sheet produced from a thermally conductive resin composition containing boron nitride powder as a measurement sample. Thermal conductivity (H: unit W/(m·K)) is the thermal diffusivity (A: unit m²/sec), density (B: unit kg/m3), and specific heat capacity (C: unit J/(kg·K)) ), it was calculated based on the formula of H=A×B×C.

열확산율 (A) 는, 상기 서술한 시트를 폭 10 ㎜ × 10 ㎜ × 두께 0.3 ㎜ 로 가공한 시료를 조제하고, 이것을 대상으로 한 레이저 플래시법에 의해 구하였다. 측정 장치는 크세논 플래시 애널라이저 (NETZSCH 사 제조, 「LFA 447 NanoFlash」) 를 사용하였다. 밀도 (B) 는, 아르키메데스법을 이용하여 구하였다. 비열 용량 (C) 은, DSC (주식회사 리가쿠 제조, 「ThermoPlusEvo DSC8230」) 를 사용하여 구하였다. 열전도율의 합격값은 10 W/(m·K) 이상으로 설정하고, 12 W/(m·K) 이상을 우수로 하였다.The thermal diffusivity (A) prepared a sample obtained by processing the above-described sheet into a width of 10 mm x 10 mm x a thickness of 0.3 mm, and was determined by a laser flash method targeting this. As a measuring device, a xenon flash analyzer (manufactured by NETZSCH, "LFA 447 NanoFlash") was used. The density (B) was calculated|required using the Archimedes method. The specific heat capacity (C) was calculated|required using DSC (manufactured by Rigaku Co., Ltd., "ThermoPlusEvo DSC8230"). The pass value of the thermal conductivity was set to 10 W/(m·K) or more, and 12 W/(m·K) or more was made excellent.

(8) 절연성 : 절연 파괴 전압(8) Insulation: insulation breakdown voltage

제작한 기판의 절연 파괴 전압은, JIS C 6481 : 1996 에 준거하고, 내압 시험기 (기쿠스이 전자 공업 주식회사 제조, 「TOS 8650」) 를 사용하여 측정하였다. 측정은, 100 샘플을 대상으로 하여 실시하였다. 질화붕소 분말을 포함하는 수지 조성물의 경화층의 두께 200 ㎛ 일 때에, 40 ㎸/㎜ 의 전압을 인가했을 때에 절연 파괴를 일으키는 샘플의 비율이, 5 % 이하인 것을 「A (합격)」, 5 ∼ 20 % 인 것을 「B」라고 평가하고, 20 % 이상인 것을 「C (실격)」라고 평가하였다.The dielectric breakdown voltage of the produced substrate was measured in accordance with JIS C 6481:1996, using a withstand voltage tester (manufactured by Kikusui Electronics Co., Ltd., "TOS 8650"). Measurement was carried out for 100 samples. When the thickness of the cured layer of the resin composition containing boron nitride powder is 200 µm, the proportion of the sample causing dielectric breakdown when a voltage of 40 kV/mm is applied is 5% or less as "A (pass)", 5 to What was 20% was evaluated as "B", and what was 20% or more was evaluated as "C (disqualification)".

(9) 탄화붕소의 탄소량 측정(9) Measurement of carbon content of boron carbide

탄화붕소의 탄소량은, 탄소 분석 장치 (LECO 사 제조, 「IR-412 형」) 를 사용하여 측정하였다.The carbon amount of boron carbide was measured using a carbon analyzer (manufactured by LECO, "IR-412 type").

[실시예 1][Example 1]

실시예 1 은, 이하에 나타내는 바에 따라 질화붕소 분말을 제작하였다. 제작한 질화붕소 분말을 수지에 충전하여, 평가를 실시하였다.In Example 1, as shown below, boron nitride powder was produced. The produced boron nitride powder was filled into the resin and evaluated.

(탄화붕소 합성)(Boron carbide synthesis)

붕산 (니혼 덴코 주식회사 제조, 오르토붕산) 100 질량부와, 아세틸렌 블랙 (덴카 주식회사 제조, 상품명 : HS100) 35 질량부를 헨셸 믹서로 혼합한 후, 얻어진 혼합물을 흑연 도가니 중에 충전하였다. 그 후, 아크로를 사용하여, 아르곤 분위기 또한 2200 ℃ 의 조건하에서 상기 혼합물을 5 시간 가열하여, 탄화붕소 (B4C) 를 합성하였다.After mixing 100 parts by mass of boric acid (manufactured by Nippon Denko Corporation, orthoboric acid) and 35 parts by mass of acetylene black (manufactured by Denka Corporation, trade name: HS100) with a Henschel mixer, the obtained mixture was charged into a graphite crucible. Thereafter, using an arc furnace, the mixture was heated for 5 hours under conditions of an argon atmosphere and 2200°C to synthesize boron carbide (B 4 C).

합성한 탄화붕소 덩어리를 볼 밀로 1 시간 분쇄하고, 체망을 사용하여 입경 75 ㎛ 이하로 체 분급하였다. 그 후, 탄화붕소를 추가로 질산 수용액으로 세정하여 철분 등의 불순물을 제거하고, 여과 및 건조시킴으로써, 평균 입경이 20 ㎛ 인 탄화붕소 분말을 조제하였다. 얻어진 탄화붕소 분말의 탄소량은 20.0 질량% 였다.The synthesized boron carbide lump was pulverized for 1 hour with a ball mill, and then sieved to a particle size of 75 µm or less using a sieve. Thereafter, boron carbide was further washed with an aqueous nitric acid solution to remove impurities such as iron powder, filtered and dried to prepare boron carbide powder having an average particle diameter of 20 µm. The carbon content of the obtained boron carbide powder was 20.0 mass%.

(제 1 공정)(Step 1)

합성한 탄화붕소를 질화붕소제 도가니에 충전한 후, 저항 가열로를 사용하여, 질소 가스 분위기, 2000 ℃, 또한 9 기압 (0.8 ㎫) 의 조건하에서, 질화붕소를 10 시간 가열함으로써, 탄질화붕소 (B4CN4) 를 조제하였다. 얻어진 탄질화붕소의 탄소량은 9.9 질량% 였다.After filling the synthesized boron carbide into a crucible made of boron nitride, boron nitride is heated for 10 hours under a nitrogen gas atmosphere, 2000°C, and 9 atm (0.8 MPa) using a resistance heating furnace. (B 4 CN 4 ) was prepared. The carbon amount of the obtained boron carbonitride was 9.9 mass %.

(제 2 공정)(Second process)

합성한 탄질화붕소를 알루미나제 도가니에 충전한 후, 머플로를 사용하여, 산소 분압 40 % 의 분위기, 또한 700 ℃ 의 조건하에서, 탄질화붕소를 5 시간 가열함으로써, 상기 서술한 제 1 공정에서 얻어진 탄질화붕소보다 저탄소량의 탄질화붕소를 얻었다. 당해 저탄소량의 탄질화붕소의 탄소량은 2.5 질량% 였다.After filling the synthesized boron carbonitride into a crucible made of alumina, using a muffle furnace, by heating boron carbonitride for 5 hours under conditions of an atmosphere of 40% oxygen partial pressure and 700°C, in the first step described above. Boron carbonitride having a lower carbon amount than the obtained boron carbonitride was obtained. The carbon content of the low-carbon boron carbonitride was 2.5% by mass.

(제 3 공정)(3rd process)

합성한 탄질화붕소 100 질량부와, 붕산 45 질량부를 헨셸 믹서를 사용하여 혼합한 후, 얻어진 혼합물을 질화붕소제 도가니에 충전하였다. 그 후, 저항 가열로를 사용하여, 100 ㎩ 의 진공 분위기, 또한 420 ℃ 의 조건하에서, 상기 혼합물을 1 시간 유지하였다.After mixing 100 parts by mass of the synthesized boron carbonitride and 45 parts by mass of boric acid using a Henschel mixer, the obtained mixture was charged into a crucible made of boron nitride. Thereafter, the mixture was held for 1 hour under the conditions of a vacuum atmosphere of 100 Pa and 420°C using a resistance heating furnace.

(제 4 공정)(4th process)

진공에서의 함침 처리 공정에 연속해서, 저항 가열로 내에 질소 가스 도입을 실시하고, 0.3 ㎫, 또한 질소 가스 분위기의 조건하에서, 승온 속도 10 ℃/분으로 실온부터 1000 ℃ 까지 승온시키고, 이어서 승온 속도를 2 ℃/분으로 변경하여 1000 ℃ 부터 2000 ℃ 까지 승온시켰다. 당해 2000 ℃ 를 유지 온도로 하여, 유지 시간 5 시간에, 상기 서술한 혼합물을 추가로 가열함으로써, 1 차 입자가 응집되어 괴상이 된 괴상 질화붕소 입자의 집합물을 합성하였다.Subsequent to the impregnation treatment step in vacuum, nitrogen gas was introduced into the resistance heating furnace, and the temperature was raised from room temperature to 1000°C at a temperature increase rate of 10°C/min under conditions of 0.3 MPa and nitrogen gas atmosphere, and then the temperature increase rate. Was changed to 2°C/min, and the temperature was raised from 1000°C to 2000°C. The above-described mixture was further heated at the holding temperature of 2000°C and the holding time was 5 hours, whereby the primary particles were agglomerated to synthesize an aggregate of bulk boron nitride particles that became lumps.

(제 5 공정)(The fifth step)

합성한 괴상 질화붕소 입자의 집합체를, 헨셸 믹서를 사용하여 해쇄한 후, 체망을 사용하여, 체 메시 100 ㎛ 의 나일론체로 분급을 실시함으로써, 평균 입경 45 ㎛ 의 질화붕소 분말을 제조하였다. 얻어진 질화붕소 분말의 공극률은 48 % 이고, 비표면적은 4.2 ㎡/g 이었다. 또한, 공극률은 JIS R 1655 에 준거하여, 수은 포로시미터를 사용하여 전체 세공 용적을 측정함으로써 구하였다.The aggregate of the synthesized bulk boron nitride particles was pulverized using a Henschel mixer, and then classified into a nylon sieve having a sieve mesh of 100 µm using a sieve, thereby producing a boron nitride powder having an average particle diameter of 45 µm. The obtained boron nitride powder had a porosity of 48% and a specific surface area of 4.2 m 2 /g. In addition, the porosity was determined by measuring the total pore volume using a mercury porosimeter in accordance with JIS R 1655.

(수지 조성물의 조제 : 수지에 대한 충전)(Preparation of resin composition: filling into resin)

얻어진 질화붕소 분말의 수지에 대한 충전재로서의 특성 평가를 실시하였다. 나프탈렌형 에폭시 수지 (DIC 주식회사 제조, 상품명 : HP4032) 100 질량부와, 경화제 (시코쿠 화성 공업 주식회사 제조, 이미다졸류, 상품명 : 2E4MZ-CN) 10 질량부의 혼합물을 조제하였다. 당해 혼합물을 100 체적% 로 하여, 질화붕소 분말이 50 체적% 가 되도록, 질화붕소 분말을 추가로 혼합하여 슬러리를 조제하였다. 당해 슬러리를 PET 제 시트 상에 두께가 0.3 ㎜ 가 되도록 도포하여 도포막을 형성하였다. 그 후, 500 ㎩ 의 감압하에서 도포막의 감압 탈포를 10 분간 실시하였다. 이어서, 온도 150 ℃, 압력 160 ㎏/㎠ 의 조건에서, 도포막을 60 분간에 걸쳐 프레스 가열 가압을 실시하여, 두께 0.3 ㎜ 의 시트를 형성하였다.The properties of the obtained boron nitride powder as a filler for resin were evaluated. A mixture of 100 parts by mass of a naphthalene-type epoxy resin (manufactured by DIC Corporation, brand name: HP4032) and 10 parts by mass of a curing agent (manufactured by Shikoku Chemical Industry Co., Ltd., imidazoles, brand name: 2E4MZ-CN) was prepared. The mixture was 100% by volume, and boron nitride powder was further mixed so that the boron nitride powder was 50% by volume to prepare a slurry. The slurry was applied on a PET sheet to a thickness of 0.3 mm to form a coating film. Thereafter, vacuum degassing of the coating film was performed for 10 minutes under a reduced pressure of 500 Pa. Subsequently, under the conditions of a temperature of 150°C and a pressure of 160 kg/cm 2, the coating film was press-heated and pressurized over 60 minutes to form a sheet having a thickness of 0.3 mm.

하기 표 1 및 표 2 에, 다른 실시예·비교예와 아울러 측정값 및 평가 결과를 나타냈다.In Table 1 and Table 2 below, the measurement values and evaluation results were shown together with other Examples and Comparative Examples.

[실시예 2][Example 2]

실시예 2 는 탄화붕소의 조제시의 분쇄 시간을 30 분간으로 변경하여, 「평균 입경 40 ㎛ 의 탄화붕소」를 조제한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 질화붕소 분말을 제조하였다.In Example 2, a boron nitride powder was produced in the same manner as in Example 1 except that the pulverization time at the time of preparing boron carbide was changed to 30 minutes, and "boron carbide having an average particle diameter of 40 µm" was prepared.

[실시예 3][Example 3]

실시예 3 은 탄화붕소의 조제시의 분쇄 시간을 1.5 시간으로 변경하여, 「평균 입경 12 ㎛ 의 탄화붕소」를 조제한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 질화붕소 분말을 제조하였다.In Example 3, a boron nitride powder was prepared in the same manner as in Example 1 except that the pulverization time at the time of preparing boron carbide was changed to 1.5 hours, and "boron carbide having an average particle diameter of 12 µm" was prepared.

[실시예 4][Example 4]

실시예 4 는 제 2 공정에 있어서의 유지 시간을 9 시간으로 변경하여, 「저탄소량의 탄질화붕소 (탄소량 : 0.8 질량%)」를 얻은 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 질화붕소 분말을 제조하였다.Example 4 was carried out in the same manner as in Example 1 except that the holding time in the second step was changed to 9 hours to obtain ``a low carbon amount of boron carbonitride (carbon amount: 0.8% by mass)'', and boron nitride powder Was prepared.

[실시예 5][Example 5]

실시예 5 는 제 2 공정에 있어서의 유지 시간을 0.5 시간으로 변경하여, 「저탄소량의 탄질화붕소 (탄소량 : 4.5 질량%)」를 얻은 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 질화붕소 분말을 제조하였다.Example 5 was carried out in the same manner as in Example 1 except that the holding time in the second step was changed to 0.5 hours to obtain ``a low carbon amount of boron carbonitride (carbon amount: 4.5% by mass)'', and boron nitride powder Was prepared.

[실시예 6][Example 6]

실시예 6 은 제 3 공정에 있어서의 소성 온도를 200 ℃ 로 변경하여 실시한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 질화붕소 분말을 제조하였다.Example 6 was carried out in the same manner as in Example 1, except that the firing temperature in the third step was changed to 200°C, and boron nitride powder was produced.

[실시예 7][Example 7]

실시예 7 은 제 3 공정에 있어서의 소성 온도를 350 ℃ 로 변경하여 실시한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 질화붕소 분말을 제조하였다.Example 7 was carried out in the same manner as in Example 1, except that the firing temperature in the third step was changed to 350°C, and boron nitride powder was produced.

[비교예 1 및 비교예 2][Comparative Example 1 and Comparative Example 2]

시판되는 질화붕소 분말 2 종류 (시판품 a 및 b) 에 대해서도, 실시예 1 ∼ 7 과 마찬가지로 평가하였다. 시판품 a 의 결과를 비교예 1, 시판품 b 의 결과를 비교예 2 로서 표에 나타낸다. 또 비교예 1 의 SEM 이미지를 도 2 에 나타낸다. 비교예 1 에서의 질화붕소 분말의 공극률은 38 % 이고, 비표면적은 3.2 ㎡/g 이었다.About the two types of commercially available boron nitride powders (commercial products a and b), it evaluated similarly to Examples 1-7. The results of the commercial product a are shown in the table as Comparative Example 1 and the results of the commercial product b are shown as Comparative Example 2. Further, an SEM image of Comparative Example 1 is shown in FIG. 2. The boron nitride powder in Comparative Example 1 had a porosity of 38% and a specific surface area of 3.2 m 2 /g.

[비교예 3][Comparative Example 3]

비교예 3 은 제 2 공정 및 제 3 공정을 실시하지 않고, 제 4 공정 전에 탄질화붕소 100 질량부와, 붕산 200 질량부를 헨셸 믹서를 사용하여 혼합한 후, 얻어진 혼합물을, 질화붕소 도가니에 충전한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 질화붕소 분말을 제조하였다.In Comparative Example 3, 100 parts by mass of boron carbonitride and 200 parts by mass of boric acid were mixed using a Henschel mixer before the fourth step, without performing the second step and the third step, and the resulting mixture was charged into a boron nitride crucible. A boron nitride powder was prepared in the same manner as in Example 1 except for the one.

Figure pct00001
Figure pct00001

Figure pct00002
Figure pct00002

산업상 이용가능성Industrial applicability

본 개시는, 열전도율 및 절연 파괴 특성이 우수한 질화붕소 분말 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다. 당해 질화붕소 분말은 수지 조성물에 배합하고, 예를 들어, 프린트 배선판의 절연층 및 열 인터페이스재의 수지 조성물에 충전하여 이용할 수 있다. 당해 수지 조성물은 경화시켜 사용할 수도 있다. 본 개시의 질화붕소 분말을 포함하는 수지 조성물 및 그 경화물은, 예를 들어, 가열 부재 등에 이용할 수 있다. 당해 방열 부재는 폭넓게 사용할 수 있으며, 예를 들어, 파워 디바이스 등의 발열을 수반하는 전자 부품의 방열 부재로서 사용할 수 있다.The present disclosure can provide boron nitride powder having excellent thermal conductivity and dielectric breakdown properties, and a method for producing the same. The boron nitride powder can be blended into a resin composition, and can be used, for example, by filling an insulating layer of a printed wiring board and a resin composition of a thermal interface material. The resin composition may be cured and used. The resin composition containing the boron nitride powder of the present disclosure and the cured product thereof can be used, for example, in a heating member or the like. This heat dissipation member can be widely used, and can be used, for example, as a heat dissipation member of an electronic component accompanying heat generation such as a power device.

Claims (9)

육방정 질화붕소의 1 차 입자가 응집된 괴상 질화붕소 입자로서,
단면에 있어서의 상기 1 차 입자의 면적 비율의 평균값이 45 % 이상이고,
단면에 있어서의 상기 1 차 입자의 면적 비율의 표준 편차가 25 미만이고,
압괴 강도가 8.0 ㎫ 이상인, 괴상 질화붕소 입자.
As the bulk boron nitride particles in which primary particles of hexagonal boron nitride are agglomerated,
The average value of the area ratio of the primary particles in the cross section is 45% or more,
The standard deviation of the area ratio of the primary particles in the cross section is less than 25,
Bulk boron nitride particles having a crush strength of 8.0 MPa or more.
제 1 항에 있어서,
상기 단면에 있어서의 상기 1 차 입자의 면적 비율의 평균값이 50 ∼ 85 % 인, 괴상 질화붕소 입자.
The method of claim 1,
The bulk boron nitride particles, wherein the average value of the area ratio of the primary particles in the cross section is 50 to 85%.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 단면에 있어서의 상기 1 차 입자의 면적 비율의 표준 편차가 20 이하인, 괴상 질화붕소 입자.
The method according to claim 1 or 2,
The bulk boron nitride particles, wherein the standard deviation of the area ratio of the primary particles in the cross section is 20 or less.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 단면에 있어서의 상기 1 차 입자의 면적 비율의 표준 편차가 15 이하인, 괴상 질화붕소 입자.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The bulk boron nitride particles, wherein the standard deviation of the area ratio of the primary particles in the cross section is 15 or less.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 괴상 질화붕소 입자를 포함하는, 질화붕소 분말.The boron nitride powder containing the bulk boron nitride particle of any one of Claims 1-4. 평균 입경이 20 ∼ 100 ㎛ 이고, 분말 X 선 회절로부터 구해지는 배향성 지수가 12 이하이고, 또한 탭 밀도가 0.85 g/㎤ 이상인, 질화붕소 분말.A boron nitride powder having an average particle diameter of 20 to 100 µm, an orientation index obtained from powder X-ray diffraction of 12 or less, and a tap density of 0.85 g/cm 3 or more. 괴상 질화붕소 입자를 포함하는 질화붕소 분말의 제조 방법으로서,
탄소량이 18.0 ∼ 21.0 질량% 인 탄화붕소를, 1800 ℃ 이상 또한 0.6 ㎫ 이상의 질소 분위기하에서 소성하여 제 1 소성물을 얻는 공정과,
상기 제 1 소성물을 산소 분압이 20 % 이상인 조건하에서 소성하여 산화 처리 분말을 얻는 공정과,
상기 산화 처리 분말과 붕소원을 혼합하고, 붕소를 함유하는 액상 성분을 상기 산화 처리 분말에 진공 함침시키는 공정과,
상기 액상 성분을 함침시킨 상기 산화 처리 분말을 1800 ℃ 이상의 질소 분위기하에서 가열 소성하여 제 2 소성물을 얻는 공정과,
상기 제 2 소성물을 분쇄하여 괴상 질화붕소 분말을 포함하는 질화붕소 분말을 얻는 공정을 포함하는, 질화붕소 분말의 제조 방법.
As a method for producing boron nitride powder containing bulk boron nitride particles,
A step of calcining boron carbide having a carbon amount of 18.0 to 21.0% by mass in a nitrogen atmosphere of 1800°C or higher and 0.6 MPa or higher to obtain a first fired product;
A step of firing the first fired product under conditions of an oxygen partial pressure of 20% or more to obtain an oxidized powder;
A step of mixing the oxidized powder and a boron source, and vacuum impregnating the oxidized powder with a liquid component containing boron;
A step of heating and firing the oxidation-treated powder impregnated with the liquid component in a nitrogen atmosphere of 1800° C. or higher to obtain a second fired product; and
A method for producing boron nitride powder, comprising a step of pulverizing the second calcined product to obtain boron nitride powder including bulk boron nitride powder.
제 5 항 또는 제 6 항에 기재된 질화붕소 분말과, 수지를 포함하는, 수지 조성물.A resin composition comprising the boron nitride powder according to claim 5 or 6 and a resin. 제 8 항에 기재된 수지 조성물의 경화물을 포함하는, 방열 부재.A heat dissipating member comprising a cured product of the resin composition according to claim 8.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023275800A1 (en) * 2021-06-30 2023-01-05 3M Innovative Properties Company Thermally conductive sheet precursor, precursor composition, thermally conductive sheet obtained from thermally conductive sheet precursor, and method for producing the same

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7349921B2 (en) 2020-01-24 2023-09-25 デンカ株式会社 Hexagonal boron nitride sintered body
US20230146575A1 (en) * 2020-03-31 2023-05-11 Denka Company Limited Boron nitride sintered body, method for manufacturing same, laminate, and method for manufacturing same
CN115175885A (en) * 2020-03-31 2022-10-11 电化株式会社 Boron nitride sintered body, composite body, method for producing same, and heat-dissipating member
US20230085806A1 (en) * 2020-03-31 2023-03-23 Denka Company Limited Boron nitride sintered body, composite body, and manufacturing methods therefor, and heat dissipation member
US20230150886A1 (en) * 2020-03-31 2023-05-18 Denka Company Limited Boron nitride sintered body, complex, method for manufacturing these, and heat dissipation member
US20230141729A1 (en) * 2020-03-31 2023-05-11 Denka Company Limited Method for producing composite body
WO2021241700A1 (en) * 2020-05-29 2021-12-02 デンカ株式会社 Cured sheet and method for producing same
CN116134005A (en) * 2020-09-29 2023-05-16 电化株式会社 Method for evaluating adhesion reliability and heat dissipation performance of composite body, and composite body
JP7303950B2 (en) * 2021-03-25 2023-07-05 デンカ株式会社 Boron nitride powder and resin composition
JP7289019B2 (en) * 2021-03-25 2023-06-08 デンカ株式会社 Boron nitride powder and resin composition
JP7357180B1 (en) 2021-12-27 2023-10-05 デンカ株式会社 Boron nitride particles and heat dissipation sheet
JP7357181B1 (en) * 2021-12-27 2023-10-05 デンカ株式会社 Boron nitride particles and heat dissipation sheet
WO2023162598A1 (en) * 2022-02-22 2023-08-31 デンカ株式会社 Method for producing boron nitride powder, boron nitride powder, and resin sealing material
WO2023190528A1 (en) * 2022-03-30 2023-10-05 デンカ株式会社 Boron nitride powder, resin composition, and method for producing boron nitride powder
WO2023204140A1 (en) * 2022-04-21 2023-10-26 デンカ株式会社 Boron nitride powder, method for producing same, and heat-dissipating sheet
WO2024048377A1 (en) * 2022-08-30 2024-03-07 デンカ株式会社 Method for producing sheet, and sheet
WO2024048376A1 (en) * 2022-08-30 2024-03-07 デンカ株式会社 Boron nitride particle, boron nitride particle production method, and resin composition

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09202663A (en) 1996-01-24 1997-08-05 Denki Kagaku Kogyo Kk Melamine borate particle, its production and use thereof and production of hexagonal boron nitride powder
JP2000154265A (en) 1998-11-18 2000-06-06 Denki Kagaku Kogyo Kk Highly thermally conductive sheet
JP2007502770A (en) 2003-08-21 2007-02-15 サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド Boron nitride agglomerated powder
JP2011098882A (en) 2009-10-09 2011-05-19 Mizushima Ferroalloy Co Ltd Hexagonal boron nitride powder and method for producing the same
JP2014040341A (en) 2012-08-22 2014-03-06 Denki Kagaku Kogyo Kk Boron nitride powder and use thereof

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0742169B2 (en) * 1987-06-25 1995-05-10 昭和電工株式会社 Method for producing high-density boron nitride sintered body
JP2007191339A (en) * 2006-01-18 2007-08-02 Riyuukoku Univ Hexagonal boron nitride sintered compact and its manufacturing method
JP6125282B2 (en) 2013-03-07 2017-05-10 デンカ株式会社 Boron nitride composite powder and thermosetting resin composition using the same
WO2017038512A1 (en) * 2015-09-03 2017-03-09 昭和電工株式会社 Powder of hexagonal boron nitride, process for producing same, resin composition, and resin sheet
JP6816920B2 (en) * 2016-02-22 2021-01-20 昭和電工株式会社 Hexagonal boron nitride powder, its manufacturing method, resin composition and resin sheet
JP6279638B2 (en) * 2016-03-09 2018-02-14 デンカ株式会社 Hexagonal boron nitride powder, method for producing the same, and cosmetics
JP6766474B2 (en) * 2016-06-30 2020-10-14 三菱マテリアル株式会社 Resin film and heat dissipation sheet
JP6720014B2 (en) * 2016-08-03 2020-07-08 デンカ株式会社 Hexagonal boron nitride primary particle aggregate, resin composition and use thereof
WO2018066277A1 (en) * 2016-10-07 2018-04-12 デンカ株式会社 Boron nitride aggregated grain, method for producing same, and thermally conductive resin composition using same
JP6822836B2 (en) * 2016-12-28 2021-01-27 昭和電工株式会社 Hexagonal boron nitride powder, its manufacturing method, resin composition and resin sheet

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09202663A (en) 1996-01-24 1997-08-05 Denki Kagaku Kogyo Kk Melamine borate particle, its production and use thereof and production of hexagonal boron nitride powder
JP2000154265A (en) 1998-11-18 2000-06-06 Denki Kagaku Kogyo Kk Highly thermally conductive sheet
JP2007502770A (en) 2003-08-21 2007-02-15 サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド Boron nitride agglomerated powder
JP2011098882A (en) 2009-10-09 2011-05-19 Mizushima Ferroalloy Co Ltd Hexagonal boron nitride powder and method for producing the same
JP2014040341A (en) 2012-08-22 2014-03-06 Denki Kagaku Kogyo Kk Boron nitride powder and use thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023275800A1 (en) * 2021-06-30 2023-01-05 3M Innovative Properties Company Thermally conductive sheet precursor, precursor composition, thermally conductive sheet obtained from thermally conductive sheet precursor, and method for producing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2020004600A1 (en) 2021-08-05
US20210261413A1 (en) 2021-08-26
CN112334408A (en) 2021-02-05
WO2020004600A1 (en) 2020-01-02
CN112334408B (en) 2023-10-10
JP7069314B2 (en) 2022-05-17

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