KR20210022066A - Cvd 반응기에서 서셉터 표면 온도를 측정하기 위한 배열체 - Google Patents

Cvd 반응기에서 서셉터 표면 온도를 측정하기 위한 배열체 Download PDF

Info

Publication number
KR20210022066A
KR20210022066A KR1020217001480A KR20217001480A KR20210022066A KR 20210022066 A KR20210022066 A KR 20210022066A KR 1020217001480 A KR1020217001480 A KR 1020217001480A KR 20217001480 A KR20217001480 A KR 20217001480A KR 20210022066 A KR20210022066 A KR 20210022066A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
opening
susceptor
cover plate
edge
substrate
Prior art date
Application number
KR1020217001480A
Other languages
English (en)
Inventor
페터 제발트 라우퍼
프란시스코 루다 와이 비트
Original Assignee
아익스트론 에스이
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아익스트론 에스이 filed Critical 아익스트론 에스이
Publication of KR20210022066A publication Critical patent/KR20210022066A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Abstract

본 발명은 CVD 반응기에서 사용하기 위한 커버 플레이트(4, 5)에 관한 것이며, 커버 플레이트는 원호 라인 상에서 연장되는 원주 에지를 갖거나, 또는 복수의 동일하게 구성된 복수의 커버 플레이트들(4)은 원으로 배열될 수 있어서, 원호들을 따라 연장되는 커버 플레이트들(4, 5)의 외부 에지들은 서로를 보완하여 완전한 원을 형성한다. 기판들(10)을 위한 저장 공간들 또는 기판들(10)을 지지하는 기판 홀더들이 커버 플레이트의 표면 내에 위치된다. 본 발명에 따르면, 커버 플레이트는 개구들(15)을 가지며, 이 개구들은 서로 반대를 가리키는 그의 2개의 측들로 개방되고, 이 개구들을 통해, 서셉터(2)의 상부 측(3)이 보여질 수 있어서, 광학적 온도 측정이 개구(15)를 통해 수행할 수 있게 한다.

Description

CVD 반응기에서 서셉터 표면 온도를 측정하기 위한 배열체
[0001] 본 발명은 특히, 프로세스 챔버 쪽을 향하는 서셉터의 면 상에서 지지되고 커버 플레이트들 ― 서셉터의 광학적 온도 측정을 위한 수단이 제공됨 ― 사이의 자유 공간들에 배열된 기판들 상에 III-번째 및 V-번째 메인 그룹들의 요소들을 포함하는 층들의 증착을 위한 디바이스에 관한 것이다.
[0002] 본 발명은 추가로, 서셉터 및 복수의 커버 플레이트들로 구성된 서셉터 배열체, 및 디바이스 또는 서셉터 배열체에서 사용하기 위한 커버 플레이트에 관한 것이다.
[0003] 위에서 설명된 유형의 디바이스들은 CVD 반응기들, 특히 화학 기상 증착을 위해, MOCVD 반응기의 프로세스 챔버에서 기판들 상에 III-V 반도체 층들의 증착을 위해 특히 유기 금속 가스 소스 재료들을 사용하는 MOCVD 반응기들로서 종래 기술에서 알려져 있다. 기판 상에 증착된 층 또는 층 시퀀스의 조성 및 증착된 층들의 결정(crystalline) 또는 전기적 품질은 프로세스 챔버 내의 온도, 또는 기판의 표면에 크게 의존한다.
[0004] 기판들은 차례로, 서셉터에 의해 지지되는 기판 홀더들에 안착된다. 기판 홀더들은 자체 축들을 중심으로 회전 구동될 수 있다. 원형 서셉터는 또한 원형 서셉터의 피규어 축(figure axis)을 중심으로 회전 구동될 수 있다. 프로세스 온도로의 서셉터 및 프로세스 챔버의 가열은 일반적으로 서셉터 아래에 배열되는 가열 엔티티에 의해 수행되는 반면, 기판들은 서셉터 위에 배열된다. 가열 전력을 제어하기 위해, 서셉터의 하부면 상에서 서셉터의 온도를 측정하는 온도 제어 엔티티가 사용된다. 측정은 예컨대, 광 가이드 및 고온계에 의해 광학적으로 이루어진다.
[0005] 또한, 기판 온도가, 예컨대, 프로세스 챔버 천장 위에 배열되고 프로세스 챔버 천장의 개구를 통과하는 빔 경로를 갖는 고온계에 의해 광학적으로 측정되는 것은 알려진 기술이다.
[0006] 기판의 표면 온도를 측정하기 위해 고온계를 사용할 때, 충분한 신호가 존재하는 경우에만 기판 온도를 제어하는 것이 가능하며, 이는 특히 기판 또는 기판 상에 증착된 층이 고온계에 의해 사용되는 파장에서 투명한 경우에는 해당되지 않는다. 가열 엔티티 쪽을 향하는 후면으로부터 기판들을 지지하는 상부면으로 서셉터를 통한 열 흐름으로 인해, 서셉터의 상부면과 하부면 사이에 온도차가 존재한다. 이 온도차는 서셉터의 상부면과 서셉터 상에 배열된 커버 플레이트의 열 방사 특성들에 의존한다.
[0007] 선행 기술은 다음 문서들: US 2004/0 175 939 A1, US 2006/0 269 390 A1, JP 2016-035 080 A, US 2006/0 102 081 A1, US 2009/0 308 319 A1, US 2011/0143 016 A1, DE 10 2009 010 555 A1, DE 10 2014117 388 A1 및 DE 112016003 443 T5를 포함한다.
[0008] US 2004/0175939 A1으로부터, 에지-측 개구를 갖는 커버 플레이트는 이미 알려진 기술이다. 유사한 커버 플레이트가 US 2006/0269390 A1에서 설명된다. JP 2016-35080 A는 주변 에지를 향해 개방되는 슬롯을 갖는 커버 플레이트를 설명한다.
[0009] 본 발명은 특히, 기판 부근에서 서셉터의 온도가 보다 정밀하게 제어될 수 있게 하는 조치들을 특정하는 목적에 기초한다.
[0010] 목적은 청구항들에서 특정된 발명에 의해 달성된다. 종속 청구항들은 독립 청구항들에서 청구된 청구 대상의 유리한 발전들을 표현할 뿐만 아니라 목적의 독립적인 솔루션이기도 하다.
[0011] 가장 우선적으로, 서셉터의 상부면 상에 배열된 커버 플레이트들 중 적어도 하나가 서셉터의 상부면을 볼 수 있게 하는 개구를 갖는다는 것이 구상되며, 여기서 특히 기판들을 수용하기 위해 커버 플레이트들 사이에 자유 공간들이 제공되는 것이 구상된다. 온도 측정을 위한 수단의 빔 경로는 특히 작은 개구를 통과할 수 있다. 온도 측정을 위한 수단은 고온계의 형태를 취할 수 있으며, 이 고온계는 프로세스 챔버 외부, 특히 프로세스 챔버 천장 위에 배열된다. 이로써, 고온계의 빔 경로는 프로세스 챔버 천장의 개구 및 커버 플레이트의 개구를 통과할 수 있다. 본 발명들의 실시예의 형태들은 프로세스 챔버 쪽을 향하는 서셉터의 면 상에서 서로 이격되는 복수의 기판들을 가질 수 있다. 기판들은 서로 공간적으로 분리될 수 있다. 복수의 커버 플레이트들은 기판들 사이의 공간들에 제공될 수 있다. 그러나 단 하나의 커버 플레이트만이 제공되는 것이 또한 구상될 수 있다. 이는 기판이 배치되는 원형 개구를 가질 수 있다. 그러나, 단일 커버 플레이트는 또한 복수의 원형 개구들을 가질 수 있으며, 이 원형 개구들 각각에 기판이 배치된다.
[0012] 프로세스 챔버 천장의 개구 및 커버 플레이트의 개구는 광학 수단, 즉, 예컨대, 고온계의 빔 경로가 개구들 둘 모두를 통과하고 서셉터의 표면에 충돌하도록 배열되는데 즉, 서로에 대해 정렬된다. 여기서 특히, 단일- 또는 다중-부분 커버 플레이트는 원호 라인을 따라 이어지는 에지를 갖고, 특히 단일- 또는 다중-부분 커버 플레이트가 원호 라인을 따라 이어지는 에지를 갖는다는 것이 구상된다. 복수의 커버 플레이트들의 에지들은 서로를 보완하여 완전한 원을 형성할 수 있다. 완전한 원은 매우 다수의 기판들이 저장되는 저장 표면을 외향으로 경계 짓는 외부 에지를 형성하고; 기판들은 서셉터의 중심 주위에서 원형 영역을 따라 연장된다. 원형 영역은 외부 원호 라인 및 내부 원호 라인에 의해 경계가 지어진다. 따라서, 기판들이 배치되는 영역은 특히 환형 표면이다. 이 환형 표면은 기판들의 중심들 또는 각각이 하나 또는 복수의 기판들을 지지하는 기판 홀더들의 중심들이 위치되는 원호 라인을 따라 이어지는 중심 라인을 가질 수 있다. 커버 플레이트의 개구들은 바람직하게는 환형-형상 영역에 위치된다. 커버 플레이트들은 원형 커버 본체의 세그먼트들일 수 있다. 개구는 커버 플레이트의 2개의 내부 에지들 사이에 배열될 수 있으며, 각각은 원호 라인들을 따라 연장된다. 개구는 원형 본체에 대해 방사 방향으로 이어지는 대칭 축 상에 위치될 수 있다. 개구는 또한 원호 라인 상에 배열된 기판들의 중심들 위로 연장되는 원호-형상 스트립 상에 위치될 수 있다. 개구는 그 후 원호 라인으로부터 약간만 이격된다. 개구는 바람직하게는 2개의 내부 에지들 사이 중앙에 위치된다. 각각의 세그먼트 또는 각각의 커버 플레이트는 일체형으로 형성될 수 있다. 그러나, 예컨대, 서로 겹쳐서 위치되는 복수의 평평한 본체들로부터 샌드위치-형 방식으로 커버 플레이트 또는 커버 플레이트의 세그먼트를 구성하는 것이 또한 가능하다.
[0013] 본 발명의 개량예에서, 커버 플레이트의 개구는 커버 플레이트의 에지를 향해 개방되는 것으로 구상된다. 또한, 개구는 기판에 인접한 에지에 배열되는 것이 구상될 수 있다. 개구는 기판의 에지에 바로 인접할 수 있다. 커버 플레이트는 서셉터의 외부 에지에 인접한 것으로 구상될 수 있다. 방사상 외부 커버 플레이트들 및 방사상 내부 커버 플레이트들이 제공될 수 있다. 개구는 방사상 내부 커버 플레이트 또는 방사상 외부 커버 플레이트에 할당될 수 있다. 바람직한 변형에서, 개구는 방사상 외부에 위치된 커버 플레이트에 할당된다. 원호 라인을 따라 연장되는 서셉터의 에지를 따라 주변 방향으로 배열된 복수의 방사상 외부 커버 플레이트들이 제공될 수 있다. 커버 플레이트들 중 단 하나만이 개구를 갖는다면 그걸로 충분하고; 바람직하게는 주변 방향으로 서로 나란히 위치된 모든 커버 플레이트들, 특히 방사상 외부 커버 플레이트들은 적어도 하나, 바람직하게는 2개의 개구들을 가지며, 특히, 모든 개구들은 서셉터의 피규어 축 주위로 연장되는 원호 라인 상에 배열되고, 이 피규어 축을 중심으로 서셉터는 회전 구동될 수 있다는 것이 구상된다. 서셉터는 또한 흑연, 특히 코팅된 흑연으로 구성될 수 있다. 커버 플레이트들은 또한 흑연, 특히 코팅된 흑연으로 구성될 수 있다. 커버 플레이트들은 또한 다른 재료, 예컨대, 석영 또는 다른 내열성 재료로 구성될 수 있다. 특히, 복수의 커버 플레이트들, 특히 내부 및 외부 커버 플레이트들은 원형 자유 공간을 둘러싸는 것으로 구상된다. 이를 위해, 커버 플레이트들은 적어도 하나의 기판이 배열되는 원호 라인을 따라 이어지는 내부 에지들을 갖는다. 원형 기판 홀더들은 커버 플레이트들 사이의 자유 공간들 내에 배열될 수 있다. 흑연 또는 유사한 적합한 재료로 구성될 수 있는 이러한 기판 홀더들은 기판 홀더들의 피규어 축들을 중심으로 회전 구동될 수 있다. 이는 가스 피벗 베어링(gas pivot bearing)을 통해 발생할 수 있다. 이를 위해, 가스 흐름들은 서셉터의 상부면으로부터 빠져나가, 기판 홀더가 안착되는 가스 쿠션을 형성할 수 있다. 기판 홀더의 회전은 개구들로부터 나오는 가스 흐름들의 적합한 방향성에 의해 세팅될 수 있다. 각각의 기판 홀더는 기판 홀더의 에지 상에 안착되는 지지 링을 지지할 수 있다. 지지 링은 기판의 에지가 안착되는 방사상 내부 지지 숄더를 가질 수 있다. 지지 링의 방사상 외향으로 돌출하는 돌출부는 CVD 반응기, 즉 서셉터 배열체 내로 기판들을 탑재하거나 서셉터 배열체로부터 기판들을 언로딩하기 위해 포크-형상 그리퍼의 갈래들에 의해 파지될 수 있다. 그리퍼의 갈래들과 맞물리기 위해, 커버 플레이트들은 서셉터 배열체의 방사상 외부 에지를 향해 개방되는 채널들을 형성한다. 2개의 채널들은 서로 평행하고 기판에 접선 방향으로 이어진다. 채널들은 바닥(floor)을 갖는다. 기판의 에지 영역에서, 즉 커버 플레이트의 내부 에지에서, 채널들은 자유 공간을 향해 개방된다. 특히, 채널의 바닥은 개구를 가지며, 이 개구를 통해 온도 측정을 위한 광학 수단의 빔 경로가 지나가는 것이 구상된다. 여기서 개구는 커버 플레이트의 내부 에지에 바로 인접한 바닥의 영역에 할당될 수 있다. 특히, 복수의 커버 플레이트들 각각은 커버 플레이트의 방사상 외부 에지를 향해 개방되는 평행 채널들의 쌍들을 형성하는 것으로 구상된다. 온도 측정 수단은 고온계일 수 있으며, 이 고온계로, 기판의 표면 온도가 또한 측정될 수 있다. 서셉터가 서셉터의 회전축을 중심으로 회전하는 동안 온도가 측정되며, 여기서 광학 측정 엔티티의 빔 경로는 고정된 채로 유지되고 서셉터의 회전의 결과로서, 기판들의 표면 온도를 결정하기 위해 기판들 위에서 이동한다. 여기서 빔 경로는 서셉터의 중심으로부터 각각의 기판의 중심의 방사상 거리에 대응하는, 서셉터의 회전축으로부터 방사상 거리를 갖는 것으로 구상될 수 있다. 기판들은 바람직하게는 서셉터의 중심으로부터 균등하게 이격되어 위치된다. 빔 경로의 통과를 위한 개구들은 서셉터의 회전 중심 주위의 동일하거나 유사한 원호 라인 상에 위치될 수 있으며, 이 원호 라인 상에, 기판들의 중심들이 또한 위치된다. 결과적으로, 빔 경로는 각각의 기판을 통과한 후 서셉터 표면을 측정하기 위해 커버 플레이트에 제공된 개구를 통과한다. 고온계는 전자 측정 엔티티에 의해 제어되고 충분히 높은 주파수에서 측정된 값들을 전달할 수 있어서, 작은 개구 영역이 서셉터 표면의 온도 판독치들을 획득하기에 충분하다. 서셉터의 반경은 약 300 mm이다. 기판 홀더의 반경은 약 100 mm이다. 채널의 폭은 약 10 mm 내지 15 mm이다. 커버 플레이트의 개구의 면적은 10 mm2 내지 100 mm2일 수 있다. 커버 플레이트의 개구의 면적은 바람직하게는 최대 80 mm2이다. 개구는 4 mm의 반경을 갖는 라운딩(rounding)을 가질 수 있다. 라운딩의 정점은 도관의 개방 에지로부터 약 7 mm - 8 mm로 배열될 수 있다. 본 발명의 개발에서, 서셉터의 표면을 보호하기 위해 적합한 코팅이 서셉터의 표면에 제공되는 것이 구상된다. 코팅은 실리콘 탄화물(SiC)과 같은 저항성 재료로 구성된다. 개구가 위치된 포지션들에서 서셉터 표면의 보호의 결여를 회피하기 위해, 특히 에칭 가스의 도입에 의한 CVD 반응기의 세정 과정에서 개구 아래의 보호되지 않은 장소들의 에칭을 회피하기 위해, 아래에 특정된 바와 같은 적절한 조치들이 취해질 수 있다. 이러한 조치들은 또한 개구 내부에 잔류물들(예컨대, 금속 갈륨)의 축적을 방지한다. 이들, 특히 방울-형상 갈륨 축적물들은 SiC 코팅을 공격할 수 있다. 이를 위해, 삽입물이 삽입되는 개구를 서셉터 표면이 갖는 경우가 특히 유리하며, 여기서 삽입물의 상부면은 그 후 고온계에서 볼 수 있는 표면을 형성한다. 삽입물들은 SiC로 만들어질 수 있다. 삽입물들은 서셉터 상에 느슨하게 안착되거나 개구들에 느슨하게 안착되거나, 또는 형태 끼워맞춤들(form fits)로 서셉터에 연결될 수 있다. 삽입물들은 커버 플레이트들로부터 이격될 수 있다. 그러나 삽입물들은 커버 플레이트들을 또한 지지할 수 있다. 이 경우에, 커버 플레이트들이 삽입물들 상에 기밀 방식으로 안착되는 경우가 유리하다. 이는 삽입물들 외부의 영역들이 CVD 반응기를 세정하는 데 사용되는 에칭 가스로부터 보호됨을 의미한다.
[0014] 다음으로, 실시예의 예는 첨부 도면들의 도움으로 설명된다. 여기서:
도 1은 서셉터 배열체에 관한 평면도를 도시한다.
도 2는 라인 II-II를 따라 도 1에 예시된 서셉터 배열체를 통한 단면을 도시하며, 여기서 추가로, CVD 반응기 하우징(1)의 다른 부분들이 또한 개략적으로 표현된다.
도 3은 도 1의 라인 III-III을 따른 단면을 도시한다.
도 4는 방사상 외부 커버 플레이트(4)를 사시도로 도시한다.
도 5는 커버 플레이트(4)의 확대된 세부사항을 도시한다.
도 6은 실시예의 제2 예의 도 3에서와 같은 예시를 도시한다.
도 7은 실시예의 제3 예의 도 3에서와 같은 예시를 도시한다.
도 8은 실시예의 제4 예의 도 3에서와 같은 예시를 도시한다.
도 9는 실시예의 제5 예의 도 3에서와 같은 예시를 도시한다.
도 10은 실시예의 제6 예의 도 1과 유사한 예시를 도시한다.
도 11은 도 10의 라인 XI-XI을 따른 단면을 도시한다.
도 12는 실시예의 제7 예의 도 11에서와 같은 예시를 도시한다.
도 13은 실시예의 제8 예의 도 10에서와 같은 예시를 도시한다.
도 14는 도 4에서와 같은 예시의 실시예의 추가 예를 도시하며, 여기서 개구는 2개의 원호-형상 경계 라인들 사이 중앙에서 연장된다.
도 15는 실시예의 추가 예를 도시한다.
도 16은 개구(15)가 대칭 축(5)을 따라 연장되는 실시예의 추가 예에 관한 평면도를 도시한다.
도 17은 도 16의 XVI-XVI 라인을 따른 단면을 도시한다.
[0015] 도면들에서 개략적으로만 예시된 CVD 반응기(1)는 배기될 수 있는 스테인레스 강으로 만들어진 기밀 하우징을 갖는다. CVD 반응기 하우징(1) 내부에, 흑연 또는 유사한 적합한 재료로 구성된 원형 디스크-형상 서셉터(2)가 위치되며, 이 서셉터의 에지(2')는 원호 라인을 따라 이어진다. 서셉터(2)의 상부면(3)은 상부에서 프로세스 챔버 천장(6)에 의해 경계가 지어지는 프로세스 챔버(7) 쪽을 향한다. 대략 회전 축(22)(이 회전 축을 중심으로, 서셉터(2)가 회전 구동될 수 있음)에 대응하는 서셉터(2)의 중심의 영역에, 가스 입구(8)가 위치된다. 가스는 프로세스 챔버 천장(6)의 개구를 통해 위로부터 가스 입구 요소(8)를 통해 공급될 수 있다. 그러나, 가스는 서셉터(2)의 중앙 개구를 통해 아래로부터 공급되는 것이 또한 구상된다.
[0016] 서셉터(2) 아래에, 프로세스 챔버(7)의 프로세스 온도가 도달되기에 충분히 높은 서셉터 온도(이 온도에서, 가스 입구(8)를 통해 프로세스 챔버(7)로 공급된 가스 소스 재료들이 분해됨)로 서셉터(2)를 가열하는 가열 엔티티(9)가 위치된다. 가스 소스 재료들은 III 번째 메인 그룹의 유기 금속 화합물들 및 V 번째 메인 그룹의 수소화물의 형태를 취할 수 있다. 예컨대, 갈륨을 함유하는 유기 금속 화합물은, 기판(10) 상에 GaN을 증착하기 위해 캐리어 가스와 함께 가스 입구를 통해 암모니아와 함께 공급될 수 있다.
[0017] 프로세스 챔버(7) 쪽을 향하는 서셉터(2)의 상부면(3) 상에, 원형 디스크-형상 구성을 갖고 회전 축(22)을 중심으로 원호 라인 상에 배열되는 기판 홀더들(12)이 위치된다. 각각의 원형 디스크-형상 기판 홀더(12)는 방사상 외부 돌출부(19) 및 방사상 내부 지지 숄더(23)를 갖는 지지 링(11)을 지지한다. 기판(10)의 에지는 적어도 이송 동안 또는 이송 동안에만 지지 숄더(23) 상에 안착된다. 기판 홀더(12)의 피규어 축을 중심으로 기판 홀더(12)를 회전 구동할 수 있는, 기판 홀더(12) 아래에 가스 쿠션을 생성하기 위해 서셉터(2)의 상부면(3)에서 기판 홀더(12) 아래에 위치되는 채널들 및 가스 노즐들(예시되지 않음)이 제공된다.
[0018] 기판 홀더(12) 및 지지 링(11)으로 구성된 배열체는 각각의 경우에 커버 플레이트들(4, 5)에 의해 프레이밍된(framed) 윈도우에 배열된다. 적어도 하나의 내부 커버 플레이트(5)가 제공되며, 이는 원호 라인을 따라 연장되는 방사상 외부 에지들을 갖는다. 이들 에지들에 인접하여, 기판(10), 지지 링(11) 또는 기판 홀더(12)의 에지들이 있다. 실시예의 예에서, 복수의 내부 커버 플레이트들(5)이 내부 개구 주위에 배열된다. 방사상 외부 커버 플레이트들(4) 및 방사상 내부 커버 플레이트들(5)의 수는 기판들(10)의 수에 대응할 수 있다. 실시예의 예에서, 수는 5이다.
[0019] 복수의 방사상 외부 커버 플레이트들(4)이 제공되며, 이들의 방사상 외부 에지들(24)은 서셉터(2)의 방사상 외측 에지(2')를 따라 연장된다. 외부 커버 플레이트들(4)은 원호 라인을 따라 연장되고 내부 커버 플레이트(5)의 방사상 외부 에지들과 함께 원호를 형성하는 방사상 내부 에지들(25)을 갖는다. 외부 커버 플레이트(4)의 방사상 내부 에지(25)는 내부 커버 플레이트(5)의 방사상 외부 에지보다 더 큰 반경을 따라 이어질 수 있다.
[0020] 외부 커버 플레이트들(4)의 방사상 내부 에지들(25)은 계단(26)을 형성할 수 있다.
[0021] 외부 커버 플레이트(4)는 커버 플레이트(4)의 방사상 외측 에지(24)를 향해 개방되는 적어도 하나의 채널(17)을 형성하며, 이 채널에는, 프로세스 챔버(7) 쪽을 향해 외부 커버 플레이트(4)의 상부면으로부터 이격되는 바닥(18)이 형성된다. 채널(17)의 폭 "a"는 약 10 mm - 15 mm이다. 실시예의 예에서, 서셉터(2)의 반경(R1)은 약 300 mm - 350 mm이다. 실시예의 예에서, 기판 홀더(12)의 반경(R2)은 약 100 mm -120 mm이다.
[0022] 각각의 기판(10)에 대해, 서로 평행하게 이어지는 2개의 채널들(17)이 있을 수 있으며, 이 채널들은 기판(10)에 접선방향으로 이어진다. 포크-형상 그리퍼의 갈래들은 기판(10)과 함께 지지 링(11)을 들어올리기 위해 지지 링(11)의 돌출부(19) 아래에서 맞물리도록 채널들(17)과 맞물릴 수 있다. 이를 위해, 하부 결합을 위해 채널(17)의 바닥(18)과 오버행(overhang)(19)의 하부면 사이에서 자유 공간이 연장된다. 외부 커버 플레이트는 어떠한 채널들(17)도 갖지 않는다는 것이 또한 구상된다.
[0023] 본 발명에 따르면, 커버 플레이트들(4, 5) 중 적어도 하나는 개구(15)를 형성하고, 이 개구(15)를 통해 서셉터(2)의 상부면(3)의 섹션을 볼 수 있는 것이 구상된다. 따라서, 개구(15)는 기판의 상부면을 커버하지 않는 커버 플레이트 배열체의 영역을 형성한다.
[0024] 실시예의 예에서, 개구(15)가 외부 커버 플레이트(4)에 제공된다. 실시예의 예에서, 개구들(15)은 에지(25)에 바로 인접하게 배열되어서, 개구들(15)은 외부 커버 플레이트의 에지(25) 내로 절단부(cut)들을 형성한다. 실시예의 예에서, 각각의 경우에 개구들(15)이 채널(17)의 바닥(18) 영역에 배열되는 것이 또한 규정된다. 여기서 개구들(15)은 채널(17)의 방사상 내부 단부 영역, 즉 기판들(10)이 회전축(22) 주위에서 기판들의 가장 큰 원주 방향 범위를 갖는 영역에 배열된다. 개구들(15)은 기판들(10), 즉 지지 링(11) 및 기판 캐리어들(12)의 중심들이 또한 배열되는 회전축(22) 주위의 원호 라인 상에 배열될 수 있다. 기판 캐리어(12), 즉 지지 링(11)에 쌍들로 할당된 채널들(17) 각각은 바람직하게는 개구(15)를 갖는다.
[0025] 도 1은 도면에 예시된 서셉터 배열체의 중심 주위에 "a"로서 표시된 원호 라인을 도시한다. 라인 "a"은 기판들(10)이 안착되는 환형 표면의 외부 경계 라인을 형성한다. 라인 "a"는 기판들(10)의 에지들의 방사상 외측방을 향하는 섹션들에 접한다. 기판들(10)의 에지들의 방사상 내부 섹션들에 접하고, 또한 서셉터 배열체의 중심 주위의 원호 라인인 라인 "b"는 방사상 안쪽 방향으로 환형 표면을 경계 짓는다. 개구들(15)은 바람직하게는 환형 표면에 위치되며, 개구들(15)은 환형 표면을 경계 짓는 원호 라인들 "a", "b"보다 원호 라인 "c"에 더 가깝다. 원호 라인 "c"는 환형 표면의 중심 라인을 형성한다. 원호 라인 "c"는 기판들(10)의 중심들을 통해 이어질 수 있다. 따라서, 개구(15)는 환형 표면의 중앙 원형 스트립 상에 배열될 수 있으며, 이 중앙 원형 스트립은 2개의 에지 라인들 "a" 및 "b" 사이의 방사상 거리의 대략 절반인 폭을 갖는다.
[0026] 실시예의 예에서, 개구(15)는 커버 플레이트(4)의 에지(25)를 향해 개방된다. 개구 폭 "b"는 약 7 mm - 10 mm, 바람직하게는 8 mm이다. 개구(15)의 U-자형 에지는 반원 라인을 따라 연장되는 라운딩된 섹션을 가지며, 이 섹션은 4 mm의 라운딩 반경을 갖는다. 전체적으로, 개구(15)는 에지(25)로부터 약 5 mm - 10 mm 떨어져 연장된다. 둥근 라인의 정점은 에지(25)에서 약 7 mm - 8 mm의 거리 "c"를 갖는다.
[0027] 특히, 개구(15)의 면적은 최대 80 mm2이어야 한다는 것이 구상된다. 도 6에 예시된 실시예의 제2 예에서, 서셉터(2)의 상부면은 실리콘 탄화물 코팅으로 코팅된다.
[0028] 도 7에 예시된 실시예의 제3 예에서, 코팅(27)은 개구의 영역에서 두꺼워진다. 여기서, 코팅(27)의 두꺼워진 부분(27')은 개구(15)로 연장되는 일종의 융기부를 형성한다.
[0029] 그러나, 도시되지 않은 실시예의 예에서, 개구(15)의 에지는 또한 코팅(27)의 두꺼워진 영역(27') 상에 안착될 수 있다.
[0030] 도 8에 예시된 실시예의 제4 예에서, 개구(15)를 통해 볼 수 있는 서셉터(2)의 표면은 융기부(29)의 상부면(28')으로부터 형성된다. 이 실시예의 예에서, 삽입물(28)은 서셉터(3)의 상부면의 오목부 내에 삽입된다. 여기에서 삽입물(28)의 섹션은 융기부(29)를 형성한다. 삽입물(28)은 저항성 재료 예컨대, 실리콘 탄화물로 구성되고, 예컨대, 흑연으로 만들어지고 실리콘 탄화물 층(27)으로 코팅된 서셉터(2)의 오목부 내에 삽입된다.
[0031] 도 9에 예시된 실시예의 제5 실시예에서, 여기서 또한 서셉터(2)의 오목부에 삽입되는 삽입물(28)은 코팅(27)의 표면과 같은 높이에 놓이는 표면(28')을 형성한다. 여기서 또한, 코팅(27) 및 삽입물(28)는 SiC로 만들어진다.
[0032] 개구(15)는 외부 커버 플레이트(4)뿐만 아니라 내부 커버 플레이트(5)의 에지 상에 제공될 수 있다. 또한, 개구(15)가 외부 또는 내부 커버 플레이트(4, 5)에 배열되어서, 개구(15)가 에워싸이는 것이 구상된다.
[0033] 도 10에 예시된 실시예의 제6 예는 개구(15)가 제공되는 내부 커버 플레이트(5)를 도시한다.
[0034] 도 11은 커버 플레이트(5)가 서셉터(2)의 상부면으로부터 갭 만큼 이격되는 것을 도시한다. 커버 플레이트는, 도 8에 예시된 실시예의 예와 유사한 방식으로 여기서 삽입물(28)에 의해 형성되는 융기부(29) 상에 안착된다. 서셉터(2)를 등지는 삽입물(28) 또는 융기부(29)의 상부면(2')은 개구(15)를 아래쪽으로 폐쇄하여서, CVD 반응기가 에칭 가스의 도입에 의해 세정되는 경우, 에칭 가스는 개구(15)를 통해 감소된 정도로만 갭에 도달할 수 있다.
[0035] 도 12에 예시된 실시예의 제6 예는 융기부(29)를 도시하며, 이는 여기에서 또한, 개구(15)로 연장되는 삽입물(28)에 의해 형성된다. 삽입물(28) 또는 융기부(29)의 상부면은 커버 플레이트(4 또는 5)의 넓은면 평면과 동일 평면에 놓일 수 있다.
[0036] 도 13에 예시된 실시예의 제8 예는 여기에서 또한 에워싸이는, 외부 커버 플레이트(4)의 개구(15)를 도시한다.
[0037] 개구(15) 아래에, 도 6에 따른 코팅, 도 7에 따른 두꺼운 코팅 또는 도 8, 도 9, 도 11 및 도 12에 따른 삽입물이 존재할 수 있다.
[0038] 저항성 재료로 만들어진 코팅(27) 또는 삽입물(28)은 CVD 반응기의 에칭 과정에서 서셉터(2)의 표면을 보호한다. 정의된 열 전달 경로는 코팅(27, 27')에 의해 또는 융기부(29)의 상부면(28')에 의해 형성된 빔 경로(14)로부터 볼 수 있는 표면(28')과 서셉터(2)의 하부면과 사이에 형성된다.
[0039] 삽입물들(28)은 형태 끼워맞춤들로 서셉터(2)에 연결될 수 있다. 그러나 삽입물들(28)은 또한 서셉터(2)의 상부면의 오목부에 분리 가능하게 삽입될 수 있다. 그 후, 삽입물들(28)은 서셉터에 어느 정도 느슨하게 안착될 수 있다.
[0040] 개구들(15)은 6 내지 8 mm 범위의 개구 깊이를 가질 수 있다. 개구 폭은 또한 6 내지 8 mm일 수 있다.
[0041] 또한, 개구들이 타원 윤곽선을 갖는 것이 구상된다. 개구(15)의 두 개의 대향하는 좁은 측들은 반원을 따라 연장될 수 있다. 반원의 직경은 4 내지 7 mm 범위에 있을 수 있다. 반원의 직경은 바람직하게는 5 mm이다. 2개의 반원들의 정점들은 6 - 10 mm 만큼 이격될 수 있으며, 여기서 8 내지 9 mm의 값이 바람직하다. 도 14 내지 도 16은 이러한 실시예의 예의 일례를 도시한다. 여기서, 이들은 복수의 이러한 커버 플레이트들(4)이 함께 결합되어 원을 형성할 수 있도록 설계된 세그먼트-형상 커버 플레이트들(4)의 형태를 취한다. 그 후, 기판을 저장하는 역할을 하는 원형 자유 공간들이 형성된다. 도 14 내지 도 16에 예시된 커버 플레이트들(4)은 대칭축(S)을 갖는다. 대칭축(S)은 2개의 원호-형상 에지들(25) 사이 중앙에서 이어진다. 서로를 보완하여 원을 형성하는 커버 플레이트들(4)은 커버 플레이트들(4)의 내부 에지들(25)로 원형 저장 영역들을 둘러싸고, 커버 플레이트들(4)의 중심들은 원호 라인을 따라 이어진다. 개구(15)는 저장 영역들의 중심들 위에서 연장되는 가상의 원호-형상 표면 상에 위치된다. 이 좁은 원호-형상 스트립 내에 개구들(15)이 위치된다. 이 영역은 도 1의 "a" 및 "b" 라인에 의해 경계가 지어진다.
[0042] 커버 플레이트들(4)은 일체형으로 구성될 수 있다. 그러나, 특히 도 15에 예시된 바와 같이, 복수의 커버 플레이트들(4, 4')이 샌드위치-형 방식으로 겹쳐서 배열될 수 있다는 것이 또한 구상된다.
[0043] 디바이스의 기능은 다음과 같다:
- 가열 엔티티(9)는 서셉터(2)를 서셉터 온도로 가열하기 위해 사용된다. 이는 기판(10)의 표면이 프로세스-특정 기판 온도를 가정하도록 선택된다.
- 서셉터(2) 및 기판 홀더(12)는 이들 개개의 피규어 축을 중심으로 회전 구동된다.
- 위에서 설명된 프로세스 가스들은 가스 입구 요소(8)를 통해 프로세스 챔버(7)로 공급되어서, 이 프로세스 가스들은 열분해에 의해 프로세스 챔버에서, 특히 기판(10)의 표면 상에서 분해된다. 분해 산물들은 예컨대, 갈륨 및 질소이다. 이러한 분해 산물들은 기판(10)의 표면 상에 층을 형성한다.
[0044] 층의 증착 동안 기판 온도는 광학 측정 디바이스, 예컨대, 고온계(13)로 광학적으로 측정된다. 관련 광 빔 경로(14)는 프로세스 챔버 천장(6)의 개구(21)를 통해 회전축(22)에 평행하게 고온계(13)로부터 이어진다. 또한, 빔 경로(14)는 외부 커버 플레이트(4)의 개구(15)를 통과하여서, 서셉터(2)의 상부면(3) 상의 측정 지점(16)에서, 서셉터(2)의 표면 온도가 광학적으로 측정될 수 있다. 제어 엔티티(예시되지 않음)에 의해, 측정 지점(16)에서 측정된 온도 값은 서셉터 온도를 셋포인트 값으로 제어하기 위해 가열 디바이스(9)에 가열 전력을 공급하는 데 사용될 수 있다.
[0045] 광학 측정 디바이스(13)는 또한 기판(10)의 표면 온도를 측정하는데 사용될 수 있다. 표면 온도가 측정될 수 있는 경우, 기판 온도는 제어 목적으로 또한 사용될 수 있다.
[0046] 위의 언급들은 전체적으로 출원에 의해 커버되는 발명들을 설명하는 역할을 하며, 이는 적어도 특징들의 다음의 조합들을 통해 선행 기술을 독립적으로 개량시키며, 여기서 특징들의 이러한 조합들 중 2개, 복수 개 또는 전부가 또한 결합될 수 있으며, 즉:
[0047] 적어도 하나의 커버 플레이트(4, 5)는 개구(15)를 가지며, 이 개구(15)를 통해 서셉터(2)의 상부면(3) 섹션을 볼 수 있고 이 개구(15)를 통해 온도 측정이 이루어지는 것을 특징으로 하는 디바이스.
[0048] 개구(15)는 환형 표면에 위치되는 것을 특징으로 하는, 서셉터 및 커버 플레이트(4, 5)를 갖는 디바이스를 위한 서셉터 배열체.
[0049] 개구(15)는 환형 표면의 영역에 배열되는 것을 특징으로 하는 커버 플레이트.
[0050] 개구(15)는 커버 플레이트(4)의 에지(25)를 향해 개방되고, 그리고/또는 개구(15)는 방사상 외향으로 원형 표면들에 접하는 원호 라인 "a" 또는 방사상 내향으로 원형 표면에 접하는 원호 라인 "b"보다, 커버 플레이트(4)의 에지(25)에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸인 원형 표면들의 중심들을 통해 연장되는 원호 라인(10)에 더 가깝게 위치되는 것을 특징으로 하는 디바이스.
[0051] 커버 플레이트(4)는 원형 주변 에지를 갖거나 원형 주변 에지를 갖는 본체의 세그먼트이며, 커버 플레이트는 원호 라인를 따라 연장되는 내부 에지(25)를 갖고, 개구(15)는 2개의 내부 에지들(25) 사이에 또는 내부 에지(25)에 인접하게 배열되는 것을 특징으로 하는 디바이스.
[0052] 개구(5)의 영역은 최대 100 mm2, 바람직하게는 최대 80 mm2 또는 최대 60 mm2인 것을 특징으로 하는 디바이스.
[0053] 커버 플레이트(4)는 프로세스 챔버(7)를 향해 개방되는 채널(17)을 가지며, 이 채널의 바닥(18)은 개구(15)를 형성하고, 그리고/또는 커버 플레이트(4)는 서셉터(2)의 외부 에지(2')에 인접한 것을 특징으로 하는 디바이스.
[0054] 서셉터(2)의 온도를 측정하기 위한 수단은 프로세스 챔버 천장(6) 위에 배열된 고온계(13)를 포함하며, 빔 경로(14)가 개구(15) 및 프로세스 챔버 천장(6)에서 개구(15) 위에 배열되는 개구(21)를 통과하는 것을 특징으로 하는 디바이스.
[0055] 원형 디스크-형상 서셉터(2)의 에지(2')를 따라, 복수의 커버 플레이트들(4)이 배열되고, 복수의 커버 플레이트들(4) 각각은 기판(10), 지지 링(11), 또는 기판 홀더(12), 에지에 인접한 내부 에지(25)를 갖고, 특히, 복수의 커버 플레이트들(4)이 쌍들로 평행한 채널들(17)을 형성하는 것이 규정되며, 이 채널들은 커버 플레이트(4)의 방사상 외측 에지(24)를 향해 개방되고 기판들(10)에 접선 방향으로 이어지는 것을 특징으로 하는 디바이스.
[0056] 개구(15)를 통해 볼 수 있는 상부면의 섹션은 융기부(29)에 의해 형성되거나, 서셉터(2)의 오목부에 삽입된 삽입물(28)에 의해 형성되는 코팅(27)을 갖고, 삽입물(28) 또는 융기부(29)의 단부 면(28')은 상부면(3)과 같은 높이에 있거나 상부면(3)을 넘어 돌출하고, 개구(15)의 영역에서 커버 플레이트(5)의 하부면(5)은 개구(15)를 폐쇄하는 융기부(19) 상에서 지지되는 것이 특히 규정되고 그리고/또는 커버 플레이트(4, 5)는 기판(10)이 안착되는 윈도우를 형성하는 것을 특징으로 하는 디바이스.
[0057] 모든 개시된 특징들은 (개별적으로, 그러나 또한 서로 결합하여) 본 발명에 필수적이다. 이로써, 본 출원의 개시내용은, 또한 본 출원의 청구항들에 연관된/첨부한 우선권 문서들(이전 출원의 사본)의 특징들을 포함시킬 목적으로, 이들 문서들의 개시내용 콘텐츠들을 또한 완전히 포함한다. 자신의 특징들을 갖는 종속 청구항들은 인용이 이루어지는 청구항의 특징들이 없이도, 특히 이러한 청구항들에 기초한 분할 출원들을 하기 위해, 종래 기술의 독립적인 진보성있는 개량들을 특징으로 한다. 각각의 청구항에 특정된 발명은 부가적으로, 위의 설명에서 특정된 하나 또는 복수의 특징들, 특히 참조 번호들의 리스트에서 특정되고 그리고/또는 참조 번호들이 제공된 특징들을 가질 수 있다. 본 발명은 또한, 위의 설명에서 인용된 특징들 중 일부가 특히, 이들이 개개의 사용 목적에 대해 불필요한 것으로 인식가능할 정도로 구현되지 않거나 동일한 기술적 효과를 갖는 다른 수단으로 대체될 수 있는 설계의 형태들에 관한 것이다.
1 CVD 반응기
2 서셉터
2' 에지
3 상부면
4 외부 커버 플레이트
5 내부 커버 플레이트
5' 하부면
6 프로세스 챔버 천장
7 프로세스 챔버
8 가스 주입구
9 가열 엔티티
10 기판
11 지지 링
12 기판 홀더
13 고온계
14 빔 경로
15 개구
16 측정 지점
17 채널
18 바닥
19 돌출부
20 자유 공간
21 개구
22 회전 축
23 지지 숄더
24 외부 에지
25 내부 에지
26 계단
27 코팅
27' 코팅
28 삽입물
28' 표면
29 융기부
a 원형 라인
b 원형 라인
c 원형 라인

Claims (16)

  1. 프로세스 챔버(7) 쪽을 향하는 서셉터(2)의 면(3)에 의해 지지되는 적어도 하나의 기판(10) 상에, 특히 III-번째 및 V-번째 메인 그룹들의 요소들을 포함하는 층들의 증착을 위한, 엔티티 형태의 디바이스로서,
    상기 기판(10)의 에지는 상기 서셉터(2)에 의해 또한 지지되는 적어도 하나의 커버 플레이트(4, 5)에 인접하고,
    광학 수단(13, 14, 15, 21)이 프로세스 챔버 천장(6)의 개구(21)를 통해 상기 서셉터(2)의 광학적 온도 측정을 위해 제공되고,
    상기 적어도 하나의 커버 플레이트(4, 5)는 개구(15)를 가지며, 상기 개구(15)를 통해 상기 서셉터(2)의 상부면(3) 섹션을 볼 수 있고 상기 개구(15)를 통해 온도 측정이 발생하는 것을 특징으로 하는,
    엔티티 형태의 디바이스.
  2. 제1 항에 따른 엔티티를 위한, 서셉터 배열체 형태의 디바이스로서,
    서셉터(2) 및 상기 서셉터의 상부면(3) 상에 배열되는 커버 플레이트들(4, 5)을 갖고, 상기 서셉터 배열체의 중심 주위의 2개의 원들(a, b)에 의해 경계가 지어지는 환형 표면 상에 기판들(10)을 배열하기 위한 목적으로 상기 커버 플레이트들(4, 5) 사이에 자유 공간들이 있으며,
    상기 커버 플레이트(4)는 서로 등진(facing away from) 자신의 2개의 넓은 면들을 향해 개방되는 개구(15)를 가지며, 상기 개구(15)를 통해, 상기 서셉터(2)의 상부면(3)을 볼 수 있고,
    상기 개구는 상기 환형 표면에 위치되는 것을 특징으로 하는,
    서셉터 배열체 형태의 디바이스.
  3. 제1 항에 따른 엔티티, 또는 제2 항에 따른 서셉터 배열체에서 사용하기 위한 커버 플레이트 형태의 디바이스로서,
    상기 커버 플레이트(4, 5)는 원호 라인을 따라 연장되는 주변 에지를 갖거나,
    복수의 동일하게 구성된 커버 플레이트들(4, 5)은 원 형상으로 배열될 수 있어서, 원호들을 따라 이어지는 상기 커버 플레이트들(4, 5)의 외부 에지들은 서로를 보완하여 완전한 원을 형성하고, 상기 완전한 원 내에, 원들(a, b)에 의해 경계가 정해지는 환형 영역이 배열되며, 상기 환형 영역에, 기판들(10)을 위한 저장 공간들 또는 기판들(10)을 지지하는 기판 홀더들이 위치되고,
    상기 커버 플레이트(4)는 서로 등진 자신의 2개의 넓은 면들을 향해 개방되는 개구(15)를 갖고,
    상기 개구(15)는 상기 환형 표면의 영역에 배열되는 것을 특징으로 하는,
    디바이스.
  4. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 개구(15)는 상기 커버 플레이트(4)의 에지(25)를 향해 개방되는 것을 특징으로 하는,
    디바이스.
  5. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 개구(15)는 방사상 외향으로 상기 원형 표면들에 접하는(tangential) 원호 라인(a) 또는 방사상 내향으로 상기 원형 표면들에 접하는 원호 라인(b)보다, 상기 커버 플레이트(4)의 에지(25)에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸인 원형 표면들의 중심들을 통해 이어지는 원호 라인(10)에 더 가깝게 놓이는 것을 특징으로 하는,
    디바이스.
  6. 제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 커버 플레이트(4)는 원형 주변 에지를 갖거나 원형 주변 에지를 갖는 본체의 세그먼트이며,
    상기 커버 플레이트는 원호 라인을 따라 연장되는 내부 에지(25)를 갖고, 상기 개구(15)는 2개의 내부 에지들(25) 사이에 또는 내부 에지(25)에 인접하게 배열되는 것을 특징으로 하는,
    디바이스.
  7. 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 개구(5)의 영역은 최대 100 mm2, 바람직하게는 최대 80 mm2 또는 최대 60 mm2인 것을 특징으로 하는,
    디바이스.
  8. 제1 항 내지 제7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 커버 플레이트(4)는 상기 프로세스 챔버(7)를 향해 개방되는 채널(17)을 가지며, 상기 채널의 바닥(18)은 상기 개구(15)를 형성하는 것을 특징으로 하는,
    디바이스.
  9. 제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 커버 플레이트(4)는 상기 서셉터(2)의 외부 에지(2')에 인접한 것을 특징으로 하는,
    디바이스.
  10. 제1 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 서셉터(2)의 온도를 측정하기 위한 수단은 프로세스 챔버 천장(6) 위에 배열된 고온계(pyrometer)(13)를 포함하며,
    빔 경로(14)가 상기 개구(15) 및 상기 프로세스 챔버 천장(6)에서 상기 개구(15) 위에 배열되는 개구(21)를 통과하는 것을 특징으로 하는,
    디바이스.
  11. 제1 항 내지 제10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    원형 디스크-형상 서셉터(2)의 에지(2')를 따라 복수의 커버 플레이트들(4)이 배열되며, 상기 복수의 커버 플레이트들(4)은 각각의 경우에, 기판(10), 지지 링(11) 또는 기판 홀더(12)의 에지에 인접한 내부 에지(25)를 갖는 것을 특징으로 하는,
    디바이스.
  12. 제1 항 내지 제11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 커버 플레이트들(4)은 각각의 경우에, 상기 커버 플레이트(4)의 방사상 외부 에지(24)를 향해 개방되고 상기 기판들(10)에 접선 방향으로 연장되는 평행 채널들(17)의 쌍들을 형성하는 것을 특징으로 하는,
    디바이스.
  13. 제1 항 내지 제12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 개구(15)를 통해 볼 수 있는 상기 상부면의 섹션은 코팅(27)을 갖거나, 융기부(elevation)(29)에 의해 형성되거나, 서셉터(2)의 오목부에 삽입된 삽입물(insert)(28)에 의해 형성되고,
    상기 삽입물(28) 또는 상기 융기부(29)의 단부 면(28')은 상부면(3)과 같은 높이로 놓이거나 상기 상부면(3)을 넘어 돌출하는 것을 특징으로 하는,
    디바이스.
  14. 제1 항 내지 제13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 개구(15)의 영역에서 커버 플레이트(5)의 하부면(5')은 상기 개구(15)를 폐쇄하는 융기부(19) 상에서 지지되는 것을 특징으로 하는,
    디바이스.
  15. 제1 항 내지 제14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    커버 플레이트(4, 5)는 상기 기판(10)이 위치되는 윈도우(window)를 형성하는 것을 특징으로 하는,
    디바이스.
  16. 장치 또는 방법으로서,
    제1 항 내지 제15 항 중 어느 한 항의 하나 또는 복수의 특징화 특징들을 특징으로 하는,
    장치 또는 방법.
KR1020217001480A 2018-06-19 2019-06-14 Cvd 반응기에서 서셉터 표면 온도를 측정하기 위한 배열체 KR20210022066A (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102018114706 2018-06-19
DE102018114706.6 2018-06-19
DE102019114249.0A DE102019114249A1 (de) 2018-06-19 2019-05-28 Anordnung zum Messen der Oberflächentemperatur eines Suszeptors in einem CVD-Reaktor
DE102019114249.0 2019-05-28
PCT/EP2019/065721 WO2019243196A1 (de) 2018-06-19 2019-06-14 Anordnung zum messen der oberflächentemperatur eines suszeptors in einem cvd-reaktor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210022066A true KR20210022066A (ko) 2021-03-02

Family

ID=68724875

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217001480A KR20210022066A (ko) 2018-06-19 2019-06-14 Cvd 반응기에서 서셉터 표면 온도를 측정하기 위한 배열체

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20210262087A1 (ko)
EP (1) EP3810827A1 (ko)
JP (1) JP7377824B2 (ko)
KR (1) KR20210022066A (ko)
CN (1) CN112513327B (ko)
DE (1) DE102019114249A1 (ko)
WO (1) WO2019243196A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019105913A1 (de) * 2019-03-08 2020-09-10 Aixtron Se Suszeptoranordnung eines CVD-Reaktors
DE102020117645A1 (de) 2020-07-03 2022-01-05 Aixtron Se Transportring für einen CVD-Reaktor
DE102020122198A1 (de) 2020-08-25 2022-03-03 Aixtron Se Substrathalter für einen CVD-Reaktor
DE102020123326A1 (de) * 2020-09-07 2022-03-10 Aixtron Se CVD-Reaktor mit temperierbarem Gaseinlassbereich

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2648638B2 (ja) * 1990-11-30 1997-09-03 三菱マテリアル株式会社 ウェーハの接着方法およびその装置
JPH04364719A (ja) * 1991-06-12 1992-12-17 Hitachi Ltd 半導体成膜装置
JP2001525997A (ja) * 1997-05-20 2001-12-11 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US7122844B2 (en) 2002-05-13 2006-10-17 Cree, Inc. Susceptor for MOCVD reactor
DE10232731A1 (de) * 2002-07-19 2004-02-05 Aixtron Ag Be- und Entladevorrichtung für eine Beschichtungseinrichtung
US8366830B2 (en) 2003-03-04 2013-02-05 Cree, Inc. Susceptor apparatus for inverted type MOCVD reactor
JP2006173560A (ja) 2004-11-16 2006-06-29 Sumitomo Electric Ind Ltd ウエハガイド、有機金属気相成長装置および窒化物系半導体を堆積する方法
DE102004058521A1 (de) * 2004-12-04 2006-06-14 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von dicken Gallium-Nitrit-Schichten auf einem Saphirsubstrat und zugehörigen Substrathalter
DE102006018514A1 (de) * 2006-04-21 2007-10-25 Aixtron Ag Vorrichtung und Verfahren zur Steuerung der Oberflächentemperatur eines Substrates in einer Prozesskammer
TW200952115A (en) 2008-06-13 2009-12-16 Huga Optotech Inc Wafer carrier and epitaxy machine using the same
DE102009010555A1 (de) 2009-02-25 2010-09-02 Siltronic Ag Verfahren zum Erkennen einer Fehllage einer Halbleiterscheibe während einer thermischen Behandlung
EP2498277A4 (en) * 2009-11-02 2013-03-20 Lig Adp Co Ltd CVD DEVICE AND TEMPERATURE CONTROL PROCEDURE FOR A CVD DEVICE
KR101062460B1 (ko) 2009-12-16 2011-09-05 엘아이지에이디피 주식회사 화학기상증착장치의 온도제어방법
DE102011053498A1 (de) * 2011-09-12 2013-03-14 Aixtron Se Verfahren und Vorrichtung zur Ermittlung der Verformung eines Substrates
EP2756276A2 (de) * 2011-09-15 2014-07-23 Oerlikon Trading AG, Trübbach Verfahren zur temperaturmessung von substraten in einer vakuumkammer
CN104040703B (zh) * 2012-01-26 2016-11-09 应用材料公司 具有顶部基板支撑组件的热处理腔室
DE102013111165A1 (de) 2013-10-09 2015-04-09 Aixtron Se Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Drehlage eines Suszeptors in einer Prozesskammer
DE102013114412A1 (de) * 2013-12-18 2015-06-18 Aixtron Se Vorrichtung und Verfahren zur Regelung der Temperatur in einer Prozesskammer eines CVD-Reaktors unter Verwendung zweier Temperatursensoreinrichtungen
TWI650832B (zh) * 2013-12-26 2019-02-11 維克儀器公司 用於化學氣相沉積系統之具有隔熱蓋的晶圓載具
KR20150077109A (ko) * 2013-12-27 2015-07-07 엘아이지인베니아 주식회사 화학기상증착장치 및 이의 온도제어방법
JP2016035080A (ja) 2014-08-01 2016-03-17 大陽日酸株式会社 サセプタカバーおよび該サセプタカバーを備えた気相成長装置
DE102014117388A1 (de) 2014-11-27 2016-06-02 Aixtron Se Verfahren zum Kalibrieren einer Pyrometeranordnung eines CVD- oder PVD-Reaktors
JP6462857B2 (ja) * 2015-03-24 2019-01-30 昭和電工株式会社 炭化珪素単結晶の製造方法
US9748113B2 (en) 2015-07-30 2017-08-29 Veeco Intruments Inc. Method and apparatus for controlled dopant incorporation and activation in a chemical vapor deposition system
JP6478872B2 (ja) 2015-08-21 2019-03-06 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
DE102018113400A1 (de) * 2018-06-06 2019-12-12 Aixtron Se CVD Reaktor mit Tragring zum Substrathandhaben
DE102018114208A1 (de) * 2018-06-14 2019-12-19 Aixtron Se Abdeckplatte zur Abdeckung der zur Prozesskammer weisenden Seite eines Suszeptors einer Vorrichtung zum Abscheiden von SiC-Schichten
DE102019105913A1 (de) * 2019-03-08 2020-09-10 Aixtron Se Suszeptoranordnung eines CVD-Reaktors

Also Published As

Publication number Publication date
JP7377824B2 (ja) 2023-11-10
CN112513327B (zh) 2023-08-29
WO2019243196A1 (de) 2019-12-26
EP3810827A1 (de) 2021-04-28
JP2021527963A (ja) 2021-10-14
TW202006184A (zh) 2020-02-01
CN112513327A (zh) 2021-03-16
DE102019114249A1 (de) 2019-12-19
US20210262087A1 (en) 2021-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20210022066A (ko) Cvd 반응기에서 서셉터 표면 온도를 측정하기 위한 배열체
US10438795B2 (en) Self-centering wafer carrier system for chemical vapor deposition
TWI745717B (zh) 用於半導體製程腔室的表面塗層的襯套組件
TWI447830B (zh) 晶座與包含其之半導體製造設備
KR101899417B1 (ko) 제위치에서의 파이로미터 교정을 위한 방법 및 시스템
TWI650832B (zh) 用於化學氣相沉積系統之具有隔熱蓋的晶圓載具
US6325858B1 (en) Long life high temperature process chamber
KR20190090694A (ko) 하이브리드 리프트 핀
KR20120118416A (ko) 공정 가스에서 발생된 재료 층을 기판 웨이퍼상에 증착하는 방법 및 장치
JP7307100B2 (ja) 基板取扱い用担持リングを有するｃｖｄリアクタ及びｃｖｄリアクタでの担持リングの使用
JP7008509B2 (ja) 高成長率のｅｐｉチャンバのための遮熱リング
JP5173992B2 (ja) 成膜装置
US4386255A (en) Susceptor for rotary disc reactor
KR102459367B1 (ko) 에피 챔버를 위한 라이너
JP5440589B2 (ja) 気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法
TWI838379B (zh) 用於測量ｃｖｄ反應器中之基板座的表面溫度的裝置
JPWO2006046308A1 (ja) 半導体基板の支持体
KR101091369B1 (ko) 반도체 제조장치
KR20090114132A (ko) 반도체 제조장치
JP2018522401A5 (ko)
EP3311396A1 (en) Self-centering wafer carrier system for chemical vapor deposition

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal