KR20210019899A - 기판 지지대 및 그를 포함하는 기판처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판의 히팅 영역을 히팅하는 히팅 지지부와 기판의 쿨링 영역을 쿨링하는 쿨링 지지부 간의 열교환을 최소화하도록 구조를 개선한 기판 지지대 및 그를 포함하는 기판처리장치를 개시하며, 히팅 지지부와 쿨링 지지부 간에 배리어를 구비하여 열교환을 최소화함으로써, 기판의 중심 영역의 온도 균일도를 보정하고 에지 영역의 온도 구배를 원하는 형태로 조절할 수 있다.

Description

기판 지지대 및 그를 포함하는 기판처리장치{SUBSTRATE SUPPORT FIXTURE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS USING THE SAME}
본 발명은 기판 지지대 및 그를 포함하는 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 기판의 내측을 히팅하는 히팅 지지부와 기판의 에지를 쿨링하는 쿨링 지지부 간의 열 교환을 최소화하는 기판 지지대 및 그를 포함하는 기판처리장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자, 평판 디스플레이 또는 박막형 태양전지, OLED 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 기판에 소정의 박막층, 박막회로패턴, 또는 광학적 패턴을 형성해야 한다. 이를 위해서 기판은 특정 물질의 박막을 증착하는 박막 증착 공정을 수행하게 된다. 여기에서, 기판은 웨이퍼로 이해될 수 있다.
박막 증착 공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경을 갖도록 설계된 기판처리장치의 내부에서 진행된다. 공정 중에 기판의 온도가 변하는 경우, 증착되는 박막의 두께 및 균일도가 달라질 수 있고, 박막의 두께 및 균일도 변경은 기판의 수율 저하로 이어질 수 있다.
따라서 공정 진행 중에 기판의 온도를 조절하는 것이 매우 중요하다.
반도체 소자의 디자인 룰이 미세하게 됨에 따라 기판의 셀 크기가 지속적으로 감소되며, 고집적화 및 미세화를 위한 박막 증착 프로세스의 개선이 요구되고 있다.
또한, 기판의 사이즈가 대형화 됨에 따라, 기판의 에지 영역에서 수율을 개선하기 위한 연구가 진행되고 있다.
기판의 에지 영역의 수율 개선을 위하여, 박막 증착 공정은 기판의 에지 영역의 박막 두께를 중심 영역보다 두껍게 증착하는 기술을 채용할 수 있다.
이를 위한 기판처리장치는 공정 중에 기판 내측을 히팅하고 기판 에지를 쿨링하도록 구성된다.
특정 박막 예시적으로 TEOS(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate) 박막은 동일한 공정 조건에서 온도가 낮을수록 기판 상에 두껍게 형성된다.
이를 위하여, 기판 지지대는 기판 내측이 기판 에지보다 낮은 온도를 갖도록 구성될 수 있다. 이 경우, TEOS 박막은 상대적으로 온도가 낮은 기판 에지에서 두껍게 형성될 수 있다. 그러므로, 기판의 에지 영역의 수율이 개선될 수 있다.
종래의 기판 지지대는 열전도성이 뛰어난 알루미늄 재질의 플레이트로 구성되며, 기판 내측의 히팅을 위하여 플레이트의 내측에 열선이 설치되고, 기판 에지의 쿨링을 위하여 플레이트의 변부에 냉매 유로가 형성된다.
종래의 기판 지지대에서 기판은 하나의 플레이트에 의하여 지지되며, 하나의 플레이트에 열선과 냉매 유로가 형성된다. 그러므로, 플레이트에서 히팅되는 영역과 쿨링되는 영역 간의 열 교환이 발생한다.
상기한 열교환에 의해, 종래의 기판 지지대는 기판 내측을 균일한 온도로 히팅하는 것이 어렵고 기판 에지를 적정한 온도 구배를 갖도록 쿨링하는 것이 어렵다.
따라서, 종래의 기판 지지대는 기판의 영역 별로 적합한 온도 환경을 제공하기 어렵고, 기판의 에지 영역에 대한 양호한 수율을 보장하기 어렵다.
본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 기판 내측의 히팅 영역을 지지하며 히팅하는 히팅 지지부와 히팅 영역 외측의 쿨링 영역을 지지하며 쿨링하는 쿨링 지지부 간의 열교환을 최소화하도록 구조를 개선한 기판 지지대를 제공함을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 기판 지지대를 구비함으로써 기판 내측의 히팅 영역을 균일한 온도로 히팅하고 기판 에지의 쿨링 영역을 적정한 온도 구배를 갖도록 쿨링할 수 있는 기판처리장치를 제공함을 다른 목적으로 한다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 기판 지지대는, 상부에 안착되는 기판의 내측의 히팅 영역에 대응하는 지지홈이 형성되고, 상기 지지홈을 둘러싸며 상기 기판의 상기 히팅 영역의 외측의 쿨링 영역을 지지하는 쿨링 지지부를 구비하는 쿨링 어셈블리; 및 상기 지지홈에 삽입되며 상기 히팅 영역을 지지하는 히팅 지지부를 구비하는 히팅 어셈블리;를 구비하며, 공정 중, 상기 쿨링 지지부는 쿨링되고, 상기 히팅 지지부는 히팅되며; 그리고 상기 쿨링 지지부와 상기 히팅 지지부는 배리어에 의해 수평으로 분리됨을 특징으로 한다.
그리고, 본 발명의 기판처리장치는, 반응 공간으로 공정 가스를 분사하는 가스 분사기; 및 상기 가스 분사기의 하부에 구성되며, 상기 반응 공간에서 기판을 지지하는 상기 기판 지지대;를 포함함을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 기판 내측을 히팅하는 히팅 지지부와 히팅 영역 외측의 쿨링 영역을 쿨링하는 쿨링 지지부 간의 열교환이 최소화됨으로써 기판의 히팅 영역이 위치 별로 균일한 온도를 가지며, 기판의 쿨링 영역이 원하는 온도 구배를 갖도록 쿨링될 수 있다.
그러므로, TEOS와 같은 특정 박막을 형성하기 위하여 기판에 대해 적합한 온도 환경을 제공하고, 기판의 에지 영역의 수율을 개선할 수 있는 이점이 있다.
도 1는 본 발명의 기판처리장치의 일 실시예를 나타내는 단면도.
도 2은 도 1의 A 부분 및 도 3의 3A-3B 부분에 해당하는 부분 확대 단면도.
도 3는 도 1의 기판 지지대의 상부를 나타내는 평면도.
도 4는 도 1의 기판 지지대의 하부를 나타내는 저면도.
도 5는 본 발명의 기판 지지대의 다른 실시예를 나타내는 평면도.
도 6은 쿨링 어셈블리의 다른 실시예를 나타내는 부분 확대 단면도.
도 7은 에지링, 쿨링 어셈블리 및 히팅 어셈블리의 분해 사시도.
도 8은 기판의 온도 분포를 본 발명의 실시예와 종래기술를 대비하여 설명하는 그래프.
도 9는 기판의 에지가 쿨링 어셈블리와 접촉하는 길이 변화에 따른 온도 분포를 설명하는 그래프.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 갭을 적용하기 전과 후를 대비하여 설명하는 그래프.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. 본 명세서 및 특허청구범위에 사용된 용어는 통상적이거나 사전적 의미로 한정되어 해석되지 아니하며, 본 발명의 기술적 사항에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.
본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예이며, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것이 아니므로, 본 출원 시점에서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있다.
본 발명의 기판처리장치 및 기판지지대의 실시예는 도 1 및 도 2를 참조하여 설명될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 예시하며, 기판처리장치는 챔버(10), 가스 분사기(20) 및 기판 지지대(30)를 포함할 수 있다.
기판처리장치는 일례로서 예시한 것이며 제작자에 따라 다양하게 변경되거나 추가 부품을 포함할 수 있다. 예시적으로, 도면에 도시하지는 않았지만 가스 분사기(20)에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 장치, 기판 지지대(30)를 승하강 시키는 구동부(도시되지 않음), 기판을 투입 및 배출하는 이송 장치, 챔버(10) 내부의 공정 가스 및 부산물을 배기하는 배기장치 등이 기판처리장치에 더 구성될 수 있다.
상기한 구성에서, 기판(S)은 박막을 증착할 웨이퍼로 이해될 수 있고, 챔버(10)의 내부에서 기판 지지대(30)에 안착 및 지지된다.
챔버(10)는 공정을 위한 반응 공간을 제공한다. 챔버(10)에 의한 반응 공간에는 가스 분사기(20) 및 기판 지지대(30)가 구성된다.
가스 분사기(20)는 챔버(10) 내부의 반응 공간의 상부에 샤워 헤드 등으로 구성될 수 있다. 가스 분사기(20)는 반응 공간으로 공정 가스를 분사하도록 구성된다.
기판 지지대(30)는 기판(S)을 지지하도록 구성되며, 가스 분사기(20)의 하부에 구성될 수 있다. 기판 지지대(30)에 의해 지지되는 기판(S)의 내측은 히팅 영역으로 정의할 수 있고, 히팅 영역의 외측 즉 기판 에지는 쿨링 영역으로 정의할 수 있다.
기판 지지대(30)는 쿨링 어셈블리(100) 및 히팅 어셈블리(200)를 포함하며 이들의 결합에 의해 구성된다.
쿨링 어셈블리(100)는 상부에 안착되는 기판(S)의 히팅 영역에 대응하는 지지홈(110)이 형성되고, 지지홈(110)을 둘러싸며 기판(S)의 히팅 영역의 외측의 쿨링 영역을 지지하는 쿨링 지지부(120)를 구비하도록 구성된다. 쿨링 지지부(120)는 지지홈(110)을 형성하는 내경과 기판(S)보다 큰 외경을 갖는 링 형상으로 형성된다. 즉, 기판(S)은 쿨링 지지부(120)의 폭 내에 에지가 위치하도록 안착된다.
상기한 쿨링 지지부(120)는 공정 중 기판(S)의 쿨링 영역을 쿨링하기 위하여 후술되는 냉매에 의해 쿨링된다.
그리고, 쿨링 어셈블리(100)는 하부의 제1 지지축(140)을 구비하며, 제1 지지축(140)은 지지홈(110)의 중앙에서 수직으로 관통된 장공을 갖는다.
히팅 어셈블리(200)는 쿨링 어셈블리(100)의 지지홈(110)에 삽입되며 기판(S)의 히팅 영역을 지지하는 히팅 지지부(220)를 구비한다. 히팅 지지부(220)는 기판(S) 및 쿨링 지지부(120)의 내경보다 작은 직경을 갖도록 구성되고, 지지홈(110)에 삽입 가능한 원판 형상을 가지며, 지지홈(110)의 깊이와 동일한 두께를 갖도록 구성될 수 있다.
상기한 히팅 지지부(220)는 공정 중 기판(S)의 히팅 영역을 히팅하기 위하여 후술되는 열선에 의하여 히팅된다.
그리고, 히팅 어셈블리(200)는 하부의 제2 지지축(240)을 구비한다. 제2 지지축(240)은 제1 지지축(140)의 장공에 삽입된다.
상기와 같이 제1 지지축(140)과 제2 지지축(240)은 상호 결합된다.
쿨링 어셈블리(100)의 쿨링 지지부(120)와 히팅 어셈블리(200)의 히팅 지지부(220)는 배리어(300)에 의해 수평으로 분리된다.
배리어(300)는 히팅 지지부(220)와 쿨링 지지부(120) 사이의 갭(Gap)을 포함하도록 구성되며, 실시예는 갭 자체로 배리어(300)이 형성된 것을 예시한다.
배리어(300)로서 형성되는 갭은 히팅 지지부(220) 둘레 전체에 형성될 수 있다. 그리고, 갭 내에 단열재(도시되지 않음)를 더 포함할 수 있다.
배리어(300)는 기판(S)의 에지 즉 쿨링 영역을 쿨링하는 쿨링 지지부(120)와 기판(S)이 내측 즉 히팅 영역을 히팅하는 히팅 지지부(220) 사이의 열 교환을 최소화하기 위한 것이다.
배리어(300)는 갭으로 형성됨으로써 쿨링 지지부(120)와 히팅 지지부(220) 간의 접촉에 의한 열 교환을 차단할 수 있다.
또한, 히팅 어셈블리(200)의 히팅 지지부(220)의 하부면과 쿨링 어셈블리(100)의 지지홈(110)의 바닥면도 갭(310)을 갖도록 구성된다. 여기에서, 갭(310)은 히팅 지지부(220)의 하부면과 쿨링 어셈블리(100)의 지지홈(110)이 상하로 이격됨에 의해 형성되며, 히팅 지지부(220)의 하부면과 지지홈(110)의 바닥면 간을 수직으로 분리하여 접촉에 의한 열 교환을 차단하는 배리어 역할을 한다.
본 발명의 실시예는 갭(310)의 유지를 위하여 오링(320)을 구비하며, 오링(320)은 지지홈(110)의 바닥면에 형성된 오링홈(330)에 일부 삽입되고 일부 돌출된다. 히팅 지지부(220)의 하부면과 지지홈(110)의 바닥면 간의 갭은 지지홈(110)의 바닥면에서 돌출된 오링(320)에 의해 유지된다.
오링(320)은 지지홈(110)의 바닥면에 복수 개 구성될 수 있으며, 복수 개의 오링(320)은 동심을 가지며 서로 다른 직경을 갖도록 구성됨이 바람직하다.
한편, 히팅 지지부(220)는 하부에 형성된 홈(232)에 설치된 열선(230)을 포함하고, 열선(230)의 발열에 의해 히팅될 수 있다. 열선(230)은 히팅 지지부(220)의 전체 면을 균일한 온도로 히팅하기 위하여 다양한 패턴으로 설치될 수 있다.
그리고, 쿨링 지지부(120)는 기판(S)의 에지 즉 쿨링 영역을 따라 내부에 형성된 유로(122)를 포함하고 유로(122)를 따라 흐르는 냉매에 의해 쿨링될 수 있다.
유로(122)는 냉매의 흐름을 안내하기 위하여 형성된 것이다. 보다 구체적으로, 유로(122)는 쿨링 지지부(120)의 하부에 쿨링 영역을 따라 연장되며 하측을 향하도록 형성된 홈이 마개(124)에 의해 커버됨으로써 형성될 수 있다. 도 3 및 도 4를 참조하여 알 수 있듯이, 마개(124)가 형성된 위치는 유로(122)가 형성된 위치와 중첩된다.
냉매는 미리 설정된 유입로(128)를 통하여 유로(122)로 유입되고, 유로(122)를 순환한 후 미리 설정된 유출로(126)를 통하여 유출될 수 있다. 냉매는 상기한 순환 구조를 따라 순환하면서 쿨링 지지부(120)를 쿨링할 수 있다.
한편, 쿨링 어셈블리(100)는 도 3 및 도 4와 같이 지지홈(110)의 갭(300)에 이어지며 하부로 관통되는 관통구(350)를 더 포함하도록 구성될 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이 기판 지지대(30)를 상부에서 바라보는 경우, 히팅 지지부(220), 히팅 지지부(220)의 둘레 전체에 형성된 배리어(300) 즉 갭, 배리어(300) 내에 형성된 관통구(350), 배리어(300)의 외측에 형성된 쿨링 지지부(120)가 보인다. 도 3에서 유로(122)는 보이지 않으므로 이해를 위하여 파선으로 표시된다.
반대로, 도 4에 도시된 바와 같이 기판 지지대(30)를 하부에서 바라보는 경우, 제2 지지축(240), 제2 지지축(240) 외부의 제1 지지축(140), 쿨링 어셈블리(100)가 보인다. 또한, 쿨링 어셈블리(100)의 저면에는 유로(122)와 중첩된 위치의 마개(124)와 이격된 위치의 관통구(350)가 보인다. 도 4에서 배리어(300) 즉 갭은 보이지 않으므로 이해를 위하여 파선으로 표시된다.
상기와 같이 관통구(350)는 복수 개 구성될 수 있으며, 복수 개의 관통구(350)는 갭(300)이 연장되는 방향을 따라 일정 간격으로 이격되도록 배치됨이 바람직하다. 관통구(350)의 수, 길이 및 폭은 제작자의 의도에 따라 다양하게 실시될 수 있다.
관통구(350)는 공정 가스의 흐름을 원활하게 하는 작용을 하며, 공정 가스가 갭(300)과 관통구(350)를 통하여 원활히 흐름에 의해 갭(300) 내에 파티클이 쌓이는 것이 방지될 수 있다.
상기한 도 1 내지 도 4와 같이 실시예가 구성되고, TEOS 박막의 증착을 위하여 기판(S)을 챔버(10)의 기판 지지대(30)의 상부로 투입하면, 기판(S)은 히팅 영역이 히팅 지지부(220)에 접하고 쿨링 영역 즉 에지가 쿨링 지지부(220)에 접하도록 기판 지지대(30) 상부에 안착된다.
TEOS 박막을 증착하는 공정을 위하여, 열선(230)이 발열하고, 유로(122)를 통하여 냉매가 순환된다. 그 결과, 히팅 지지부(220)는 히팅됨으로써 기판(S)의 히팅 영역을 미리 설정된 온도로 히팅하고, 쿨링 지지부(120)는 원하는 온도 구배를 갖도록 기판(S)의 쿨링 영역을 쿨링한다.
이때, 히팅 지지부(220)와 쿨링 지지부(120) 간의 열 교환은 배리어(300)인 갭에 의해 최소화된다. 또한, 쿨링 지지부(120)의 지지홈(110)의 바닥면과 히팅 지지부(220)의 하부면 간의 열 교환은 갭(310)에 의해 최소화된다.
히팅 지지부(220)와 쿨링 지지부(120)는 서로 영향을 크게 받지 않고 해당 영역에 대한 히팅 온도 또는 쿨링 온도를 유지할 수 있다.
그러므로, 본 발명의 실시예에 의해 박막 증착 공정이 진행되는 경우, 기판(S)의 내측 히팅 영역에는 위치 별로 균일한 온도로 히팅됨에 따라 균일한 두께의 박막이 증착될 수 있고, 기판(S)의 에지 즉 쿨링 영역에는 히팅 영역보다 두꺼우면서 쿨링 온도 구배에 따라 제어된 두께의 박막이 증착될 수 있다.
한편, 도 5는 기판 지지대(30)의 다른 실시예를 나타낸다.
도 5는 도 3과 같이 기판 지지대(30)를 상부에서 바라본 것이며, 기판 지지대(30)에서 히팅 지지부(220)는 동심을 가지며 서로 다른 직경을 갖는 둘 이상의 위치의 하부에 형성된 홈들에 설치된 열선들을 포함한다. 설명의 편의를 위하여 열선들(230a, 230b, 230c)은 파선으로 표시하며, 이들이 설치되는 홈들의 도시는 생략한다.
열선들(230a, 230b, 230c)은 동일한 전원에 대하여 병렬로 연결되거나 별도의 전원에 각각 연결되도록 구성될 수 있다.
열선들(230a, 230b, 230c)은 같거나 서로 다른 온도로 기판(S)을 가열하도록 구성될 수 있다. 이를 위하여, 예시적으로 열선들(230a, 230b, 230c)은 동일 또는 별도 전원으로부터 서로 다른 양의 전류를 제공받도록 구성될 수 있다.
한편, 도 6과 같이, 쿨링 지지부(120)는 상부에 에지 링(150)을 더 구비할 수 있다. 에지 링(150)은 히팅 지지부(220)와 쿨링 지지부(120) 간의 기판(S)을 지지하는 높이 차를 발생시킨다. 즉, 에지 링(150)은 기판의 높이를 조절하며, 상기한 조절된 높이 차에 의해 기판(S)에 전달되는 온도 에너지가 조절될 수 있다.다.
에지 링(150)은 쿨링 지지부(120)와 동일한 재질로 구성됨이 바람직하며, 알루미늄(Al) 또는 세라믹(Ceramic) 재질로 구성될 수 있다.
에지 링(150)이 구성된 경우, 에지링(150), 쿨링 어셈블리(100)의 쿨링 지지부(120) 및 히팅 어셈블리(200)의 히팅 지지부(220) 간의 결합 관계는 도 7의 분해 사시도를 참조하여 이해될 수 있다. 도 7을 참조하면, 본 발명의 기판 지지대(30)는 쿨링 어셈블리(100)와 히팅 어셈블리(200)의 조립에 의해 구성됨을 보다 명확히 이해할 수 있다.
도 8은 본 발명의 효과에 따른 기판(S)의 온도 분포를 종래기술과 대비하여 설명하기 위한 그래프이고. 도 9 는 본 발명의 실시예에서 쿨링 지지부(120)와 기판(S)의 에지의 접촉 길이의 변화에 따른 기판(S)의 온도 분포를 설명하기 위한 그래프이며, 도 10은 갭을 적용하기 전과 후를 대비하여 설명하기 위한 그래프이다.
도 8 내지 도 10은 직격 300mm 기판을 기준으로 테스트한 실험 결과에 해당하며, 도 8 내지 도 10에서 위치 C는 기판의 중심을 의미하고, 위치 M은 예시적으로 기판의 중심으로부터 90mm 위치를 의미하며, 위치 E는 예시적으로 기판의 중심으로부터 150mm 위치를 의미한다.
본 발명의 실시예와 비교를 위하여 위치 M과 위치 E 사이는 기판의 쿨링 영역(에지 영역)으로 가정하고 위치 C와 위치 M 사이를 기판의 히팅 영역으로 가정한다.
도 8을 참조하면, 기판의 위치 C와 위치 E 사이의 온도 편차는 종래기술의 경우 13.5℃ 이고, 본 발명의 경우 12.3℃이다. 이 중, 기판의 위치 C와 위치 M 사이의 온도 편차는 종래기술의 경우 7.4℃ 인 반면 본 발명의 경우 0.7℃이다. 즉, 본 발명은 배리어에 의해 열교환이 최소화됨으로써 기판의 히팅 영역에서 온도의 균일도가 크게 개선됨을 알 수 있다.
도 9를 참조하면, 쿨링 지지부(120)가 기판의 에지 영역에 접촉되는 길이를 조정함으로써 온도 균일도를 제어할 수 있음을 알 수 있다. 즉, 쿨링 지지부(120)가 기판의 에지 영역에 접촉되는 길이를 조절하면, 기판의 위치 C와 위치 M 사이의 온도 균일도와 기판의 위치 M과 위치 E 사이의 온도 구배를 조절할 수 있다.
쿨링 지지부(120)가 기판의 에지 영역에 접촉되는 길이는 3mm 내지 30mm의 범위로 설정됨이 바람직하다.
도 10을 참조하면, 갭이 적용된 경우, 기판의 위치 C와 위치 M 사이의 온도 균일도와 기판의 위치 M과 위치 E 사이의 온도 구배를 조절 효과가 뛰어남을 알 수 있다.
이상 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예는 기판 지지대의 히팅 지지대와 쿨링 지지대 간에 배리어를 구성함으로써 기판의 히팅 영역에 대한 온도 균일도와 기판의 쿨링 영역에 대한 온도 구배를 효과적으로 제어할 수 있는 이점을 갖는다.

Claims (15)

  1. 상부에 안착되는 기판의 내측의 히팅 영역에 대응하는 지지홈이 형성되고, 상기 지지홈을 둘러싸며 상기 기판의 상기 히팅 영역의 외측의 쿨링 영역을 지지하는 쿨링 지지부를 구비하는 쿨링 어셈블리; 및
    상기 지지홈에 삽입되며 상기 히팅 영역을 지지하는 히팅 지지부를 구비하는 히팅 어셈블리;를 구비하며,
    공정 중, 상기 쿨링 지지부는 쿨링되고, 상기 히팅 지지부는 히팅되며; 그리고,
    상기 쿨링 지지부와 상기 히팅 지지부는 배리어에 의해 수평으로 분리됨을 특징으로 하는 기판 지지대.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 히팅 지지부는 원판 형상을 갖도록 구성되며,
    상기 쿨링 지지부는 외경이 상기 기판보다 큰 링 형상을 갖도록 구성되는 기판 지지대.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 배리어는 상기 히팅 지지부와 상기 쿨링 지지부 사이의 갭(Gap)을 포함하는 기판 지지대.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 히팅 지지부의 둘레 전체에 상기 갭이 형성되는 기판 지지대.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 쿨링 어셈블리는 상기 지지홈의 바닥면에 상기 갭에 이어지며 하부로 관통되는 관통구를 더 포함하는 기판 지지대.
  6. 제3 항에 있어서,
    상기 배리어는 상기 갭 내에 개재된 단열재를 더 포함하는 기판 지지대.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 히팅 지지부의 하부면과 상기 쿨링 어셈블리의 상기 지지홈의 바닥면은 갭을 갖도록 구성되는 기판 지지대.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 지지홈의 바닥면에는 돌출된 오링이 구성되며 상기 오링의 돌출에 의해 상기 갭이 유지되는 기판 지지대.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 히팅 지지부는 하부에 형성된 홈에 설치된 열선을 포함하고 상기 열선의 발열에 의해 히팅되며,
    상기 쿨링 지지부는 상기 쿨링 영역을 따라 내부에 형성된 유로를 포함하고 상기 유로를 따라 흐르는 냉매에 의해 쿨링되고,
    상기 유로는 상기 쿨링 지지부의 하부에 상기 쿨링 영역을 따라 형성된 홈이 마개에 의해 커버됨으로써 형성되고,
    상기 냉매는 미리 설정된 유입로를 통하여 상기 유로로 유입되고, 상기 유로를 순환한 후 미리 설정된 유출로를 통하여 유출되는 기판 지지대.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 히팅 지지부는 동심을 가지며 서로 다른 직경을 갖는 둘 이상의 위치의 하부에 형성된 홈들에 설치된 열선들을 포함하는 기판 지지대.
  11. 제9 항에 있어서,
    상기 열선들은 같거나 서로 다른 온도로 상기 기판을 가열하도록 구성된 기판 지지대.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 쿨링 지지부는 상부에 에지 링을 더 구비하며,
    상기 에지 링에 의해 상기 기판의 높이가 조절되는 기판처리장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 에지링은 상기 쿨링 지지부와 동일한 재질을 갖는 기판처리장치.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 쿨링 어셈블리는 하부의 제1 지지축을 구비하며,
    상기 제1 지지축은 상기 지지홈의 중앙에서 수직으로 관통된 장공을 가지고,
    상기 히팅 어셈블리는 하부의 제2 지지축을 구비하며,
    상기 제2 지지축은 상기 제1 지지축의 상기 장공에 삽입되는 기판 지지대.
  15. 반응 공간으로 공정 가스를 분사하는 가스 분사기; 및
    상기 가스 분사기의 하부에 구성되며, 상기 반응 공간에서 기판을 지지하는 청구항 1의 상기 기판 지지대;를 포함함을 특징으로 하는 기판처리장치.
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